WO2019017588A1

WO2019017588A1 - 엘이디 패키지

Info

Publication number: WO2019017588A1
Application number: PCT/KR2018/006351
Authority: WO
Inventors: 오승현; 이승훈; 조성식; 박정현; 김병건
Original assignee: 주식회사 루멘스
Priority date: 2017-07-19
Filing date: 2018-06-04
Publication date: 2019-01-24

Abstract

엘이디 패키지가 개시된다. 이 엘이디 패키지는, 칩 실장면을 포함하는 베이스; 중심축선을 포함하며, 상기 중심축선이 상기 칩 실장면과 수직을 이루는 엘이디 칩; 상기 엘이디 칩의 상부 및 측면들을 덮는 매질의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지며, 상기 매질과 경계를 이루는 입사면 및 상기 입사면을 통해 입사된 광이 출사되는 출사면을 포함하는 TIR 렌즈; 및 상기 TIR 렌즈와 결합되는 리플렉터를 포함하며, 상기 입사면의 횡단면은, 하나 이상의 곡률 반경을 가지고 상기 엘이디 칩을 향해 볼록하게 돌출된 주 입사면과, 상기 주 입사면의 가장자리에서 상기 주 입사면과 교차하며 아래로 연장된 한 쌍의 측면 입사면을 포함하며, 상기 출사면의 횡단면은 상기 주 입사면의 상측에 위치하는 주 출사면과, 상기 주 출사면의 가장자리에서 상기 주 출사면과 교차하며 아래로 연장되어 상기 한 쌍의 측면 입사면과 연결되는 한 쌍의 측면 출사면을 포함하며, 상기 주 입사면을 지나는 광의 양이 상기 중심축선을 기준으로 일측으로 치우치도록, 상기 엘이디 칩으로부터 동일한 높이에 있는 상기 주 입사면 상의 두 지점은 상기 중심축선을 기준으로 다른 거리에 있다.

Description

엘이디 패키지

본 발명은 엘이디 패키지에 관한 것으로서, 더 상세하게는, TIR(Total Internal reflection) 렌즈와 리플렉터를 포함하되, 간단한 TIR 렌즈의 형상 및/또는 기울기 변화 및/또는 리플렉터의 특성을 함께 이용하여, 원하는 정도로 기울어진 광 지향각 패턴을 구현할 수 있는 엘이디 패키지를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은, 칩이 실장된 베이스에 대한 리플렉터 얼라인 정밀도를 향상시켜, 뷰 앵글(view angle) 오차를 최소화한 기술 및 이를 통해, 원하는 정도로 기울어진 광 지향각 패턴이 매우 정확한 엘이디 패키지에 관한 것이다.

원하는 정도로 기울어진, 즉, 미세 기울기로 조정된 광 지향각 패턴을 구현할 수 있는 엘이디 패키지에 대한 필요성이 존재한다. 예컨대 홍채 인식 기술에 있어서는, 사람이 광원을 정방향으로 응시하는 것이 필요한데, 이 경우, 일정 세기의 광이 눈에 비춰지며, 이 광은 눈에서 반사되는 광과 겹쳐져 광 세기 손실을 발생시킨다. 홍채 인식 기술 등 특정 용도에 적용하기 위해, 기울어진 광 지향각 패턴을 갖는 엘이디 패키지를 구현하고자 많은 연구가 이루어져 왔다. 이와 같은 연구의 결과로서, 광원과 2차 렌즈의 위치 오차를 이용하여 광 지향각 분포를 변화시키거나, 또는 프레넬 렌즈(Fresnel Lens)나 프리즘(prism)를 이용하여 광 지향각 패턴을 변화시키는 기술이 제안된 바 있다. 광원과 2차 렌즈의 위치 오차를 이용하여 광 지향각 분포를 경사지게 변화시키는 기술은, 엘이디 패키지 또는 칩에 돔형으로 몰딩/사출된 렌즈를 필요로 하는데, 렌즈 D/P 몰딩 방식에 의한 렌즈 성형의 어려움과 엘이디와 렌즈간의 몰딩 편차에 의한 지항갹 변화 정밀도가 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 프레넬 렌즈와 프리짐과 같은 복잡한 디자인을 적용하여 여 광 지향각 분포를 경사지게 변화시키는 기술은 렌즈에 정밀한 예각 패턴 성형이 요구되어 제작이 어렵고 정밀 세공의 어려움으로 인해 수율이 나쁘다는 단점이 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 간단한 TIR 렌즈의 형상 및/또는 기울기 변화 및/또는 리플렉터의 특성을 함께 이용하여, 원하는 정도로 기울어진 광 지향각 패턴을 구현할 수 있는 엘이디 패키지를 제공하는 것이다.

TIR 렌즈가 결합된 리플렉터를 엘이디 칩이 실장된 베이스 상에 SMT 방식으로 안착 결합하여 엘이디 패키지를 제작할 수 있는데, 이 경우, 리플렉터의 안착 불량으로 리플렉터 및 그와 결합된 TIR 렌즈의 얼라인 정밀도가 떨어질 수 있다. 리플렉터의 저면 일측에 한 쌍의 얼라인 돌부를 형성하고 베이스의 상면에 일 측방이 오픈된 얼라인 홈을 형성하여, 얼라인 돌부의 측면과 얼라인 홈의 대응면이 밀착될 수 있도록, 베이스 상에 리플렉터를 실장하여 리플렉터를 리플렉터를 얼라인 할 수 있다. 그러나, 리플렉터를 베이스 상에 실장하는 SMT 공정 중, 특히, 리플로우 공정 중에 솔더가 용융되면서 얼라인 돌부의 측면과 얼라인 홈의 대응면이 멀어질 수 있으며, 이는 리플렉터 및 그와 결합된 TIR 렌즈의 얼라인 정밀도를 크게 떨어뜨릴 수 있다.

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 얼라인 돌부를 갖는 리플렉터 일측방이 개방된 얼라인 홈을 갖는 베이스 상에 실장되는 구조를 포함하되, 리플렉터 실장 과정에서 얼라인 돌부와 얼라인 홈의 대으면들 사이가 멀어짐으로 인해 리플렉터의 얼라인 정밀도가 떨어지는 문제점을 해결한 엘이디 패키지를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패키지는, 칩 실장면을 포함하는 베이스; 중심축선을 포함하며, 상기 중심축선이 상기 칩 실장면과 수직을 이루는 엘이디 칩; 상기 엘이디 칩의 상부 및 측면들을 덮는 매질의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지며, 상기 매질과 경계를 이루는 입사면 및 상기 입사면을 통해 입사된 광이 출사되는 출사면을 포함하는 TIR 렌즈; 및 상기 TIR 렌즈와 결합되는 리플렉터를 포함하며, 상기 입사면의 횡단면은, 하나 이상의 곡률 반경을 가지고 상기 엘이디 칩을 향해 볼록하게 돌출된 주 입사면과, 상기 주 입사면의 가장자리에서 상기 주 입사면과 교차하며 아래로 연장된 한 쌍의 측면 입사면을 포함하며, 상기 출사면의 횡단면은 상기 주 입사면의 상측에 위치하는 주 출사면과, 상기 주 출사면의 가장자리에서 상기 주 출사면과 교차하며 아래로 연장되어 상기 한 쌍의 측면 입사면과 연결되는 한 쌍의 측면 출사면을 포함하며, 상기 주 입사면을 지나는 광의 양이 상기 중심축선을 기준으로 일측으로 치우치도록, 상기 엘이디 칩으로부터 동일한 높이에 있는 상기 주 입사면 상의 두 지점은 상기 중심축선을 기준으로 거리가 다르다.

일 실시예에 따라, 상기 주 입사면은 상기 중심축선을 기준으로 구분되는 제1 주 입사면과 제2 주 입사면을 포함하며, 상기 제2 주 입사면은 상기 제1 주 입사면보다 더 아래로 치우쳐 위치한다.

일 실시예에 따라, 상기 제1 주 입사면과 상기 제2 주 입사면은 같은 곡률 중심과 같은 곡률 반경을 갖는다.

일 실시예에 따라, 상기 한 쌍의 측면 출사면은 다른 높이를 가지며, 상기 주 출사면은 수평 상태로부터 경사져 있다.

일 실시예에 따라, 상기 한 쌍의 측면 출사면은 제1 측면 출사면과 상기 제1 측면 출사면의 상단보다 낮은 상단을 갖는 제2 측면 출사면을 포함하며, 상기 주 출사면은 상기 제1 측면 출사면으로부터 상기 제2 측면 출사면까지 아래로 경사지게 이어진다.

일 실시예에 따라, 상기 리플렉터는 상기 제1 측면 출사면을 거쳐 상기 주 출사면을 향해 반사시키는 광의 양이 상기 제2 측면 출사면을 거쳐 상기 주 출사면을 향해 반사시키는 광의 양보다 많도록 형성된다.

일 실시예에 따라, 상기 주 입사면은 상기 중심축선을 기준으로 구분되고 곡률 중심이 서로 다른 제1 주 입사면과 제2 주 입사면을 포함하며, 상기 제1 주 입사면의 곡률 반경은 상기 제2 주 입사면의 곡률 반경보다 크다.

일 실시예에 따라, 상기 한 쌍의 측면 출사면은 상기 중심축선과 이루는 각도가 서로 다르다.

일 실시예에 따라, 상기 베이스는 상면 일측 가장자리 영역에 형성된 하나 이상의 얼라인 홈과, 상면 타측 가장자리 영역에 형성된 하나 이상의 얼라인 유지 홈을 포함하고, 상기 리플렉터는 저면 일측 가장자리 영역에 형성된 얼라이 돌부와 저면 타측 가장자리 부근 영역에 형성된 얼라인 유지 돌부를 포함하며, 상기 얼라인 돌부는 상기 얼라인 돌부의 일측면이 상기 얼라인 홈의 대응면에 근접하도록 끼워지고, 상기 얼라인 유지 돌부는 상기 얼라인 유지 홈에 끼워져 상기 얼라인 돌부가 상기 얼라인 홈의 대응면으로부터 멀어지는 것을 막는다.

일 실시예에 따라, 상기 얼라인 홈은 서로 직각으로 교차하는 외측 두 측면이 개방되어 있는 사각형 홈으로 형성된다.

일 실시예에 따라, 상기 얼라인 유지 홈은 서로 직각으로 교차하는 외측 두 측면이 개방되어 있는 사각형 홈으로 형성된다.

일 실시예에 따라, 상기 얼라인 유지 홈은 호 형태로 형성된다.

일 실시예에 따라, 상기 얼라인 홈의 깊이는 상기 얼라인 유지 홈의 깊이보다 깊고, 상기 얼라인 돌부의 하측으로의 연장 길이는 상기 얼라인 유지 돌부의 하측으로의 연장 길이보다 길다.

일 실시예에 따라, 상기 얼라인 홈은 상기 베이스의 상면 일측 가장자리 양측 코너에 각각 형성되고, 상기 얼라인 유지 홈은 상기 베이스의 저면 타측 가장자리 양측 코너에 각각 형성된다.

본 발명에 따른 엘이디 패키지는 간단한 TIR 렌즈의 형상 및 그와 협력하는 리플렉터에 의해, 원하는 정도로 기울어진 광 지향각 패턴을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, TIR 렌즈의 간단한 형상 및/또는 기울기와 상기 TIR 렌즈의 측면 출사면과 접해 있는 리플렉터의 반사면에 의해 미세하게 변화된 광 지향각 패턴을 얻을 수 있다.

또한, 본 발명은, 리플렉터와 베이스 각각에 제공된 얼라인 유지 돌부와 얼라인 유지 홈 간의 맞물림에 의해, SMT 공정 중에 리플렉터의 얼라인 돌부의 일측면과 베이스의 얼라인 홈의 대응면 사이에 밀착 상태를 유지시키며, 이를 통해, 리플렉터 및 그와 결합된 렌즈, 특히, TIR 렌즈가 엘이디 칩에 대하여 얼라인 정밀도가 떨어지는 문제점을 해결한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 사시도이고,

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 평면도이고,

도 3은 도 1의 A-A를 따라 취해진 단면도이고,

도 4는 도 1의 B-B를 따라 취해진 단면도이고,

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 특성을 보여주기 위한 시뮬레이션 결과 도면이고,

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 패턴과 비교예에 따른 광 지향각 패턴을 비교하기 위한 것이고,

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 사시도이고,

도 8는 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 평면도이고,

도 9는 도 7의 C-C를 따라 취해진 단면도이고,

도 10은 도 7의 D-D를 따라 취해진 단면도이고,

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 특성을 보여주기 위한 시뮬레이션 결과 도면이다.

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 패턴과 비교예에 따른 광 지향각 패턴을 비교하기 위한 것이다.

도 13은 SMT 공정 중 솔더 흐름성으로 인해 리플렉터가 시프트됨으로 인해 엘이디 패키지 광의 경사 지향각이 변하는 것을 보여주는 도면이다.

도 14는 얼라인 홈 및 얼라인 유지 홈이 형성된 베이스와 얼라인 돌부 및 얼라인 유지 돌부가 형성된 리플렉터를 포함하는 엘이디 패키지를 도시한 분해사도이다.

도 15는 도 14에 도시된 엘이디 패키지를 도시한 측면도이다.

도 16은 도 14 및 도 15에 도시된 엘이디 패키지를 도시한 분해 단면도이다.

도 17은 도 14 내지 도 16에 도시된 엘이디 패키지의 리플렉터 하부면과, 베이스 상부면을 각각 도시한 도면이다.

도 18은 호형 얼라인 유지 돌부를 갖는 엘이디 패키지의 리플렉터 하부면과 그에 상응하는 얼라인 유지 홈을 갖는 엘이디 패키지의 리플렉터 하부면을 각각 도시한 도면이다.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 첨부된 도면들 및 이에 관한 설명은 당해 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자로 하여금 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 의도로 제시된 것이다. 따라서, 도면들 및 설명이 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 될 것이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지(1)는 베이스(20)와, 엘이디 칩(40)과, TIR 렌즈(60)와, 리플렉터(80)를 포함한다.

상기 베이스(20)는 예컨대, 리드단자들을 구비한 리드프레임, 기판 또는 패키지 바디일 수 있는 것으로서, 평평한 저면과 평행한 칩 실장면(22)을 포함한다. 상기 칩 실장면(22)은 베이스(20)의 상면에 오목하게 형성된 리세스(24)의 평평한 내부 바닥면이 것이 바람직하다. 상기 엘이디 칩(40)은 자신의 발광면, 그리고 상기 베이스(20)의 칩 실장면(22)과 수직을 이루는 가상의 중심축선(Z)을 포함한다. 상기 베이스(20)는 상면에 상기 엘이디 칩(40)의 전극들과 플립칩 본딩 방식 또는 와이어 본딩 방식으로 전기적으로 연결되는 상부 전극패드들을 포함하고, 저면에 외부 기판과 본딩되는 하부 전극패드들을 포함할 수 있다.

상기 TIR 렌즈(60)는, 상기 리플렉터(80)와 일체로 결합되어 이루어진 것으로서, 상기 엘이디 칩(40)으로부터 방출된 광이 입사되는 입사면(61, 62, 63, 64)과, 상기 입사면(61, 62, 63, 64)을 통해 들어온 광이 출사되는 출사면(65, 66, 67)을 포함한다. 상기 TIR 렌즈(60) 및 상기 TIR 렌즈(60)와 일체화된 리플렉터(80)가 상기 베이스(20)의 상면에 결합될 때, 상기 TIR 렌즈(60)와 상기 베이스(80) 사이에는 상기 TIR 렌즈(60)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 매질, 바람직하게는, 공기가 채워진 공간이 형성된다. 상기 엘이디 칩(40)은 상기 매질로 채워진 공간 내에서 상기 베이스(20)의 칩 실장면(22) 상에 실장되므로, 상기 매질은 상기 엘이디 칩(40)의 상부 및 측면들을 덮는다. 그리고, 상기 TIR 렌즈(60)는 상기 매질과 경계를 이루는 입사면(61, 62, 63, 64) 및 상기 입사면(61, 62, 63, 64)을 통해 입사된 광이 출사되는 출사면(65, 66, 67)을 포함한다.

상기 리플렉터(80)는 상기 중심축선(Z)에 대하여 비대칭 구조를 이루며, 내측의 캐비티 내에 상기 TIR 렌즈(60)가 결합된 형태로, 상기 TIR 렌즈(60)와 일체로 결합된다. 상기 리플렉터(80)의 캐비티는 상기 TIR 렌즈(60)가 결합되어 있는 하부 홀과, 최종적으로 광 방출을 허용하는 상부 홀과, 하부 홀과 상부 홀을 연결하는 측면 측의 반사면을 포함한다.

한편, 상기 TIR 렌즈(60)와 상기 리플렉터(80)는 도 3에 도시된 것 같은 횡단면을 포함하며, 상기 TIR 렌즈(60)의 입사면(61, 62. 63, 64)의 횡단면은, 하나의 곡률 반경을 가지고 상기 엘이디 칩(40)을 향해 볼록하게 돌출된 주 입사면(61, 62)과, 상기 주 입사면(61, 62)의 가장자리에서 상기 주 입사면(61, 62)과 교차하며 아래로 연장된 한 쌍의 측면 입사면(63, 64)을 포함한다. 또한, 상기 TIR 렌즈(60)의 출사면(65, 66, 67)의 횡단면은 상기 주 입사면(61, 62)의 상측에 위치하는 주 출사면(65)과, 상기 주 출사면(65)의 가장자리에서 상기 주 출사면(65)과 교차하며 아래로 연장되어 상기 한 쌍의 측면 입사면(63, 64)과 연결되는 한 쌍의 측면 출사면(66, 67)을 포함한다.

이때, 상기 주 입사면(61, 62)을 지나는 광의 양이 상기 중심축선(Z)을 기준으로 일측(도 3의 중심축선을 기준으로 우측)으로 치우치도록 하면, 광의 지향각 패턴이 일측으로 기울어질 수 있다. 본 실시예에서, 상기 주 입사면(61, 62)을 지나는 광의 양이 상기 중심축선(Z)을 기준으로 일측(도 3의 중심축선을 기준으로 우측)으로 치우치도록 하기 위해, 상기 주 입사면(61, 62)을 도 3에 도시된 것과 같이 구현한다. 도 3에 도시된 주 입사면(61, 62)의 형상에 따르면, 상기 엘이디 칩(40)으로부터 동일한 높이에 있는 상기 주 입사면(61, 62) 상의 두 지점(P1, P2)이 상기 중심축선(Z)에 대하여 서로 다른 거리(D1, D2)만큼 떨어져 있다.

반면, 엘이디 칩으로부터 동일한 높이에 있는 주 입사면 상의 두 지점이 상기 중심축선에 대하여 서로 동일 거리만큼 떨어져 있는 대칭형 주 입사면을 이용하는 경우에 있어서는, 광의 세기가 주 입사면의 중앙에서 가장 커지므로, 일측으로 기울어진 형태의 광 지향각 패턴을 얻을 수 없을 것이다.

다시 도 3을 참조하면, 상기 주 입사면(61, 62)은 상기 중심축선(Z)을 기준으로 구분되는 제1 주 입사면(61)과 제2 주 입사면(62)을 포함한다. 상기 주 입사면(61, 62)이 하나의 곡률 반경을 가지므로, 상기 제1 주 입사면(61)과 상기 제2 주 입사면(61)은 같은 곡률 중심과 같은 곡률 반경을 갖는다. 그러함에도 불구하고, 상기 중심축선(Z)을 지나는 임의의 점을 중심으로 제1 주 입사면(61)이 위로 올라가고 제2 주 입사면(62)이 아래로 내려가 위치한 형상에 의해, 상기 제2 주 입사면(62)은 상기 제1 주 입사면(61)보다 더 아래로 치우쳐 위치한다.

앞에서 언급한 바와 같이, 상기 TIR 렌즈(60)는 주 출사면(65, 66, 67)과 상기 주 출사면(65)의 가장자리에서 교차하는 한 쌍의 측면 출사면, 즉, 제1 측면 출사면(66)과 제2 측면 출사면(67)을 포함하되, 제1 측면 출사면(66)과 제2 측면 출사면(67)은 상단이 서로 다른 높이를 가지며, 이에 의해, 상기 주 출사면(65)은 수평 상태로부터 경사져 있게 된다. 더 구체적으로, 상기 제2 측면 출사면(67)은 상기 제1 측면 출사면(66)의 상단보다 낮은 상단을 가지며, 이에 의해, 상기 주 출사면(65)은 상기 제1 측면 출사면(66)의 상단으로부터 상기 제2 측면 출사면(67)의 상단까지 아래로 경사지게 이어진다. 상기 주 출사면(65)은, 엘이디 패키지(20)로부터 최종적으로 광이 출사되는 면으로서, 상기 중심축선(Z)과 교차하는 점에서의 주 입사면(65)의 접선 기울기와 동일한 기울기로 경사져 있는 것이 바람직하다.

한편, 상기 리플렉터(80)는 상기 제1 측면 출사면(66)을 거쳐 상기 주 출사면(65)을 향해 반사시키는 광의 양이 상기 제2 측면 출사면(67)을 거쳐 상기 주 출사면(65)을 향해 반사시키는 광의 양보다 많도록 구성된다. 특히, 상기 리플렉터(80)는 상기 제1 측면 출사면(66)과 경계를 이루는 반사면을 이용하여 상기 제1 측면 출사면(66)을 통해 출사된 광을 다시 주 출사면(65)을 향해 반사한다.

이때, 상기 제1 측면 출사면(66)은, 측면 출사면에 반사됨 없이 바로 주 출사면(65)을 거쳐 일측으로 기울어져 반사되는 광의 양을 보강하도록, 그 각도가 정해질 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 측면 출사면(66)이 상기 중심축선(Z)과 이루는 제1 각도의 크기가 상기 제2 측면 출사면(67)이 상기 중심축선(Z)과 이루는 제2 각도의 크기보다 큼으로써, 상기 제1 측면 출사면(66)과 접해 있는 리플렉터(80)의 반사면에서 더 큰 각도로 광을 반사시켜 중심축선(Z)을 기준으로 우측 영역에 광의 양을 늘려줄 수 있다.

자세히 도시하지는 않았지만, 상기 엘이디 패키지(1)는 상기 리플렉터(80)의 하부면과 베이스(20)의 상부면에 서로 오차 없이 면하는 스토퍼용 단차들을 구비하며, 이 단차들에 의해, 리플렉터(80) 및 그 리플렉터(80)에 일체화된 TIR 렌즈(60)가 베이스(20) 상의 정확한 위치에 조립될 수 있게 해주며, 이는, TIR 렌즈(60)와 엘이디 칩(40)이 서로 정확하게 대응되는 위치 관계에 놓이도록 해주어, 조립시 오차에 의해 광 지향각 패턴이 의도한 것과 달라지는 것을 막아준다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 특성을 보여주기 위한 시뮬레이션 결과를 볼 수 있으며, 이를 통해, 엘이디 칩(40)에서 나와 직접 주 입사면(61, 62)과 주 출사면(67)을 통과하여 엘이디 패키지의 외부로 방출되는 광의 대부분이 중심축선(Z)을 기준으로 우측으로 미세하게 치우쳐져 방출됨을 알 수 있다. 또한, 상기 리플렉터(80)는 상기 중심축선(Z)을 기준으로 우측에 위치하는 제1 측면 출사면(66)과 접해 있는 반사면을 이용하여 엘이디 칩(20)에서 나온 광을 상기 중심축선(Z)을 기준으로 좌측을 향하도록 그리고 상기 주 출사면(67)을 향해 반사시킨다. 상기 제1 측면 출사면(66) 및 그와 접해 있는 리플렉터(80)의 반사면에 의해, 상기 중심축선(Z)을 기준으로 일정 각도 기울어진 각도 내 광량을 중가시키는 한편, 의도한 방향으로 광 방출 균일성을 높일 수 있다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 패턴과 비교예에 따른 광 지향각 패턴을 비교하여 볼 수 있으며, 이를 통해, 엘이디 칩의 중심축선에 대하여 TIR 렌즈와 리플렉터가 대칭인 구조를 갖는 비교예가 엘이디 칩의 중심축선 부근(0ㅀ 부근)에 광 지향각 패턴이 형성되는 것과 달리, 본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키지는, 중심축선에서 미세한 각도로 기울어진 광 지향각 분포를 구현함을 알 수 있다.

도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지는. 앞선 실시예와 마찬가지로, 베이스(20)와, 엘이디 칩(40)과, TIR 렌즈(60)와, 리플렉터(80)를 포함한다.

상기 TIR 렌즈(60)는, 상기 리플렉터(80)에 일체로 결합되어 이루어진 것으로서, 상기 엘이디 칩(40)으로부터 방출된 광이 입사되는 입사면(61, 62, 63, 64)과, 상기 입사면(61, 62, 63, 64)을 통해 들어온 광이 출사되는 출사면(65, 66, 67)을 포함한다. 상기 TIR 렌즈(60)와 상기 베이스(20) 사이에는 상기 TIR 렌즈(60)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 매질인 공기가 채워진 공간이 형성된다. 상기 엘이디 칩(40)은 상기 매질로 채워진 공간 내에서 상기 베이스(20)의 칩 실장면(22) 상에 실장되므로, 상기 매질은 상기 엘이디 칩(20)의 상부 및 측면들을 덮는다. 그리고, 상기 TIR 렌즈(60)는 상기 매질과 경계를 이루는 입사면 및 상기 입사면을 통해 입사된 광이 출사되는 출사면을 포함한다.

상기 리플렉터(80)는 상기 중심축선(Z)에 대하여 비대칭 구조를 이루며, 내측의 캐비티 내에 상기 TIR 렌즈(60)가 결합된 형태로, 상기 TIR 렌즈(60)와 일체로 결합된다.

한편, 상기 TIR 렌즈(60)와 상기 리플렉터(80)는 도 9에 도시된 것 같은 횡단면을 포함하며, 상기 TIR 렌즈(60)의 입사면의 횡단면은, 서로 다른 곡률 중심과 서로 다른 곡률 반경을 가지고 상기 엘이디 칩(40)을 향해 볼록하게 돌출된 주 입사면(61, 62)과, 상기 주 입사면(61, 62)의 가장자리에서 상기 주 입사면(61, 62)과 교차하며 상기 리플렉터(80)의 반사면과 경계를 이루면서 아래로 연장된 한 쌍의 측면 입사면(63, 64)을 포함한다. 또한, 상기 TIR 렌즈(60)의 출사면의 횡단면은 상기 주 입사면(61, 62)의 상측에 위치하는 주 출사면(65)과, 상기 주 출사면(65)의 가장자리에서 상기 주 출사면(65)과 교차하며 아래로 연장되어 상기 한 쌍의 측면 입사면(63, 64)과 연결되는 한 쌍의 측면 출사면(66, 67)을 포함한다.

이때, 상기 주 입사면(61, 62)을 지나는 광의 양이 상기 중심축선(Z)을 기준으로 일측(도 9의 중심축선을 기준으로 우측)으로 치우치도록 하면, 광의 지향각 패턴이 일측으로 기울어질 수 있다. 본 실시예에서, 상기 주 입사면(61, 62)을 지나는 광의 양이 상기 중심축선(Z)을 기준으로 일측(도 9의 중심축선을 기준으로 우측)으로 치우치도록 하기 위해, 상기 주 입사면(61, 62)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 중심축선(Z)을 기준으로 구분되고 곡률 중심이 서로 다른 제1 주 입사면(61)과 제2 주 입사면(62)을 포함하며, 상기 제1 주 입사면(61)의 곡률 반경은 상기 제2 주 입사면(62)의 곡률 반경보다 크게 되어 있다. 상기 제1 주 입사면(61)의 곡률 반경을 상기 제2 주 입사면(62)의 곡률 반경보다 크게 함으로써, 상기 엘이디 칩(40)으로부터 동일한 높이에 있는 상기 주 입사면(61, 62) 상의 두 지점(P1, P2)이 상기 중심축선(Z)에 대하여 서로 다른 거리(D1, D2)만큼 떨어져 있을 수 있다.

앞에서 언급한 바와 같이, 상기 TIR 렌즈(60)는 주 출사면(65)과 상기 주 출사면(65)의 가장자리에서 교차하는 한 쌍의 측면 출사면, 즉, 제1 측면 출사면(66)과 제2 측면 출사면(67)을 포함하되, 제1 측면 출사면(66)과 제2 측면 출사면(67)은 상단이 서로 같은 높이를 가지며, 이에 의해, 상기 주 출사면(65)은 수평 상태에 놓인다.

한편, 상기 리플렉터(80)는 상기 제1 측면 출사면(66)을 거쳐 상기 주 출사면(65)을 향해 반사시키는 광의 양이 상기 제2 측면 출사면(67)을 거쳐 상기 주 출사면(65)을 향해 반사시키는 광의 양보다 많도록 구성된다. 특히, 상기 리플렉터(80)는 상기 제1 측면 출사면(66)과 경계를 이루는 반사면을 이용하여 상기 제1 측면 출사면(66)을 통해 출사된 광을 다시 주 출사면(65)을 향해 반사한다. 이때, 상기 제1 측면 출사면(66)은, 측면 출사면에 반사됨 없이 바로 주 출사면(65)을 거쳐 일측으로 기울어져 반사되는 광의 양을 보강하도록, 그 각도가 정해질 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 측면 출사면(66)이 상기 중심축선(Z)과 이루는 제1 각도의 크기가 상기 제2 측면 출사면(67)이 상기 중심축선(Z)과 이루는 제2 각도의 크기보다 큼으로써, 상기 제1 측면 출사면(66)과 접해 있는 리플렉터(80)의 반사면에서 더 큰 각도로 광을 반사시켜 중심축선(Z)을 기준으로 우측 영역에 광의 양을 늘려줄 수 있다.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 특성을 보여주기 위한 시뮬레이션 결과를 볼 수 있으며, 이를 통해, 엘이디 칩(40)에서 나와 직접 주 입사면(61, 62)과 주 출사면(65)을 통과하여 엘이디 패키지의 외부로 방출되는 광의 대부분이 중심축선(Z)을 기준으로 우측으로 미세하게 치우쳐져 방출됨을 알 수 있다. 앞선 실시예의 엘이디 패키지의 경우 중심축선으로 나가는 광의 양을 줄인 것과 달리, 본 실시예의 엘이디 패키지는 중심축선을 따라 나가는 광의 양을 줄이지 않고, 엘이디 칩에서 나와 좌측으로 나가는 광을 제1 측면 출사면과 접해 있는, 경사각이 큰 반사면을 이용해 중심축선 기준으로 우측 방향으로 반사시키고, 엘이디 칩에서 나와 우측으로 나가는 광을 제2 측면 출사면과 접해 있는, 경사각 작은 반사면을 이용해 우측 영역에서 수직 방향을 향하도록 반사시킴을 알 수 있다. 도 12를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지의 광 지향각 패턴과 비교예에 따른 광 지향각 패턴을 비교하여 볼 수 있으며, 이를 통해, 엘이디 칩의 중심축선에 대하여 TIR 렌즈와 리플렉터가 대칭인 구조를 갖는 비교예가 엘이디 칩의 중심축선 부근(0ㅀ 부근)에 광 지향각 패턴이 형성되는 것과 달리, 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 패키지는, 중심축선에서 미세한 각도로 기울어져 있으면서도 중심축선 부근에서의 광량이 많은 광 지향각 분포를 구현함을 알 수 있다.

위에서 설명한 본 발명의 여러 실시예들에 따른 엘이디 패키지들 각각은 공통적으로 엘이디 칩(40)이 실장된 베이스(20)와, TIR 렌즈(60)가 결합된 상태로 베이스(20)에 결합되는 리플렉터(80)를 공통적으로 포함하고, 상기 리플렉터(80)는 금속 재료로 이루어지는 것이 바람직하며, 베이스(20)에 SMT 방식으로 결합되는 것이 바람직하다(도 1 내지 도 10 참조).

이때, 리플렉터의 얼라인을 위해, 베이스의 상면에는 얼라인 홈이 형성되고 리플렉터의 저면에는 얼라인 홈 내측으로 안착되는 얼라인 돌부가 형성된다. 얼라인 돌부의 일측면과 얼라인 홈의 대응면이 밀착되도록, 리플렉터를 베이스에 실장하여 리플렉터의 얼라인을 맞출 수 있다. 그러나, 리플로우 공정 초기에 얼라인 홈의 대응면에 밀착되어 있던 리플렉터의 얼라인 돌부가 솔더가 용융되면서 솔더 흐름성에 의해, 얼라인 돌부의 일측면과 얼라인 홈의 대응면 사이가 멀어지며, 이에 의해, 얼라인은 틀어지게 된다. 도 13에 도시된 바와 같이, 엘이디 패키지의 원래 의도된 광의 경사 지향각이 7ㅀ이지만, 리플렉터가 150㎛, 300㎛, 그리고 그보다 더 시프트됨으로써 광의 경사 지향각이 8ㅀ, 11ㅀ, 15ㅀ로 크게 변화됨을 알 수 있다.

이하 설명되는 본원 발명의 구성들은 리플렉터의 정확한 초기 얼라인을 보장함과 동시에 SMT 공정 중 리플렉터가 직선 방향 또는 회전 방향으로 시프트(shift) 되는 것을 억제하여, 정밀하게 얼라인된 리플렉터를 포함하는 엘이디 패키지를 제공한다.

도 14 내지 도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 엘이디 패키지는 칩 실장용 리세스(24) 및 그 리세스(24)의 바닥에 형성된 칩 실장면을 갖는 베이스(20)와, 중심축선을 포함하며, 상기 중심축선이 상기 칩 실장면과 수직을 이루는 엘이디 칩(40)과, 광이 출사되는 출사면을 포함하는 렌즈(60), 바람직하게는, TIR 렌즈(60)와, 상기 TIR 렌즈(60)가 결합되는 리플렉터(80)를 포함한다. 본 실시예와 앞선 실시예들과의 차이점은 리플렉터(80)가 베이스(20) 상에 정밀하게 얼라인 될 수 있게 하고 그 얼라인 상태가 SMT 공정 등에서 정밀하게 유지되게 하기 위한 구성들이며, 따라서, 나머지 구성들은 앞선 실시예들 중 어느 하나를 따를 수 있음에 유의한다.

본 실시예에서, 상기 베이스(20)는 전극패턴을 갖는 인쇄회로기판과, 리세스홀이 형성된 채 인쇄회로기판 상에 결합된 플레이트를 포함한다. 또한, 상기 베이스(20)는 엘이디 칩(40)이 실장되는 지점을 기준으로 일측으로 치우친 위치에 있도록 한 쌍의 얼라인 홈(26)을 상면에 포함한다. 상기 한 쌍의 얼라인 홈(26)은, 상기 베이스(20)의 일측 가장자리 양 코너에서 측방향으로 개방되도록 형성된 것으로, 그 각각은 서로 직각으로 교차하는 내측 두면이 막혀 있고 서로 직각으로 교차하는 외측 두 측면은 개방되어 있는 사각형 홈으로 형성된다. 상기 한 쌍의 얼라인 홈(26) 각각의 외측 두 측면이 개방된 구조는 가장자리 부분이 얇은 벽에 의해 막혀 있는 얼라인 홈이 경우, 그 얇은 벽이 취약해지기 때문에, 얇은 벽 없이 측방으로 개방시킨 것이다.

또한, 상기 리플렉터(80) 저면에 상기 한 쌍의 얼라인 홈(26)에 끼워지는 한 쌍의 얼라인 돌부(86)를 포함한다. 상기 한 쌍의 얼라인 돌부(84)는 상기 리플렉터(80)의 저면 일측 가장자리의 양측 코너에 형성된 채 아래로 연장되어 있다.

상기 리플렉터(80)가 SMT공정에 의해 베이스(20)의 상면에 실장될 때, 상기 한 쌍의 얼라인 돌부(86)가 상기 한 쌍의 얼라인 홈(26)에 삽입되어, 각 얼라인 돌부(86)의 일측면이 각 얼라인 홈(26)의 대응면, 더 구체적는 막힌면에 밀착되어, 리플렉터(80)가 베이스(20)에 대하여 정 위치로 정렬될 수 있도록 해준다.

앞에서 언급한 바와 같이, 리플렉터(80)와 베이스(20) 사이의 솔더가 용융될 때, 리플렉터(80)가 일측으로 미끄러져, 서로 밀착되어 있는 얼라인 돌부(54)의 일측면과 얼라인 홈(26)의 대응면 사이가 멀어질 수 있는데, 이를 막기 위해, 본 실시예에 있어서는, 상기 엘이디 칩(40)이 실장되는 지점을 기준으로 베이스(20)의 상면 타측 가장자리 양측 코너에 한 쌍의 얼라인 유지 홈(27)이 형성되고, 리플렉터(80)의 저면 타측 가장자리 양측 코너에는 상기 한 쌍의 얼라인 유지 홈(27)에 끼워져서 리플렉터(80)가 베이스(20) 상에서 시프트되는 것을 막는다. 이때, 한 쌍의 얼라인 유지 홈(27)은 사각형으로 형성되며, 가장자리와 가까운 얇은 벽이 없도록, 직각으로 교차하는 두 외측면이 측방으로 개방된 구조로 이루어진다.

베이스(20)의 상면 및 리플렉터(80)의 저면 일측 가장자리에서는 한 쌍의 얼라인 홈(26)에 한 쌍의 얼라인 돌부(86)가 끼워지고, 그와 180도 반대 측에 있는 베이스(20)의 상면 및 리플렉터(80)의 저면 타측 가장자리에서는 한 쌍의 얼라인 유지 홈(27)에 한 쌍의 얼라인 유지 돌부(87)가 끼워지므로, 리플렉터(80)의 시프트 현상이 억제될 수 있다. 이는 얼라이 홈(26)과 얼라인 유지 홈(27)에 의해 그 사이에 형성된 베이스(20) 상면의 양각부가 얼라인 돌부(86)와 얼라인 유지 돌부(87)에 의해 그 사이에 형성된 리플렉터(80) 저면의 음각부에 끼워짐으로써 가능한 것이다.

이때, 얼라인 돌부(86)의 폭은 그와 평행한 얼라인 유지 돌부(87)의 1.2배보다 큰 것이 바람직하다. 특히, 얼라인 유지 돌부(87)의 하측 연장 길이(L2)는 얼라인 돌부(86)의 하측 연장 길이(L1)보다 더 짧은 것이 바람직하다. 이는 전극 패턴이 존재하는 얼라인 홈(26)의 바닥면에 비해 얼라인 유지 홈(27)의 바닥면이 높게 위치하게 해주며, 이는 얼라인 유지 돌부(87)가 전극 패턴과 접촉하여 야기될 수 있는 쇼트 불량을 미연에 차단한다.

한 쌍의 얼라인 돌부(86) 중 하나의 얼라인 돌부(86)는 한 쌍의 얼라인 유지 돌부(87) 중 하나의 얼라인 유지 돌부(87)와 대각선 방향으로 마주하고 있고 다른 하나의 얼라인 유지 돌부(87)와는 리플렉터(20)의 일측면과 평행한 방향으로 마주한다. 마찬가지로, 한 쌍의 얼라인 홈(26) 중 하나의 얼라인 홈(26)은 한 쌍의 얼라인 유지 홈(27) 중 하나의 얼라인 유지 홈(27)과 대각선 방향으로 마주하고 있고 다른 하나의 얼라인 유지홈(27)과는 베이스(20)의 일측면과 평행한 방향으로 마주하고 있다.

얼라인 유지 돌부(87)와 얼라인 유지 홈(27)은 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 예컨대, 도 18의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 얼라인 유지 돌부(87)와 한 쌍의 얼라인 유지 홈(27) 각각이 호 형태를 가질 수 있는데, 이러한 호 형태의 얼라인 유지 돌부(87)가 호 형태의 얼라인 유지 홈(27)에 끼워짐으로써 리플렉터(80)의 직선 방향 시프트는 물론이고 리플렉터(80)의 회전 방향 시프트도 보다 더 확실하게 방지할 있다. 앞에서 설명한 얼라인 유지 홈은 사각형으로 이루어져 홈을 한정하는 얇은 두께의 벽이 없도록 얼라인 유지 홈의 서로 교차하는 두 면을 개방시킨 구조, 즉, 서로 교차하는 두 측방향으로 개방된 구조이지만, 호 형태의 얼라인 유지 홈(27)은 측방이 개방되지 않는다 하더라도 얼라인 유지 홈(27)을 안쪽에 한정하는 벽의 두께를 충분히 확보 가능하다.

<부호의 설명>

20....................................베이스

40....................................엘이디 칩

60....................................TIR 렌즈

80....................................리플렉터

61, 62, 63, 64........................입사면

65, 66, 67............................출사면

Claims

칩 실장면을 포함하는 베이스;

중심축선을 포함하며, 상기 중심축선이 상기 칩 실장면과 수직을 이루는 엘이디 칩;

상기 엘이디 칩의 상부 및 측면들을 덮는 매질의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지며, 상기 매질과 경계를 이루는 입사면 및 상기 입사면을 통해 입사된 광이 출사되는 출사면을 포함하는 TIR 렌즈; 및

상기 TIR 렌즈와 결합되는 리플렉터를 포함하며,

상기 입사면의 횡단면은, 하나 이상의 곡률 반경을 가지고 상기 엘이디 칩을 향해 볼록하게 돌출된 주 입사면과, 상기 주 입사면의 가장자리에서 상기 주 입사면과 교차하며 아래로 연장된 한 쌍의 측면 입사면을 포함하며,

상기 출사면의 횡단면은 상기 주 입사면의 상측에 위치하는 주 출사면과, 상기 주 출사면의 가장자리에서 상기 주 출사면과 교차하며 아래로 연장되어 상기 한 쌍의 측면 입사면과 연결되는 한 쌍의 측면 출사면을 포함하며,

상기 주 입사면을 지나는 광의 양이 상기 중심축선을 기준으로 일측으로 치우치도록, 상기 엘이디 칩으로부터 동일한 높이에 있는 상기 주 입사면 상의 두 지점은 상기 중심축선을 기준으로 다른 거리에 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 1에 있어서, 상기 주 입사면은 상기 중심축선을 기준으로 구분되는 제1 주 입사면과 제2 주 입사면을 포함하며, 상기 제2 주 입사면은 상기 제1 주 입사면보다 더 아래로 치우쳐 위치하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 2에 있어서, 상기 제1 주 입사면과 상기 제2 주 입사면은 같은 곡률 중심과 같은 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 1에 있어서, 상기 한 쌍의 측면 출사면은 다른 높이를 가지며, 상기 주 출사면은 수평 상태로부터 경사져 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 3에 있어서, 상기 한 쌍의 측면 출사면은 제1 측면 출사면과 상기 제1 측면 출사면의 상단보다 낮은 상단을 갖는 제2 측면 출사면을 포함하며, 상기 주 출사면은 상기 제1 측면 출사면으로부터 상기 제2 측면 출사면까지 아래로 경사지게 이어진 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 5에 있어서, 상기 리플렉터는 상기 제1 측면 출사면을 거쳐 상기 주 출사면을 향해 반사시키는 광의 양이 상기 제2 측면 출사면을 거쳐 상기 주 출사면을 향해 반사시키는 광의 양보다 많도록 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 1에 있어서, 상기 주 입사면은 상기 중심축선을 기준으로 구분되고 곡률 중심이 서로 다른 제1 주 입사면과 제2 주 입사면을 포함하며, 상기 제1 주 입사면의 곡률 반경은 상기 제2 주 입사면의 곡률 반경보다 큰 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 1에 있어서, 상기 한 쌍의 측면 출사면은 상기 중심축선과 이루는 각도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 1에 있어서, 상기 베이스는 상면 일측 가장자리 영역에 형성된 하나 이상의 얼라인 홈과, 상면 타측 가장자리 영역에 형성된 하나 이상의 얼라인 유지 홈을 포함하고, 상기 리플렉터는 저면 일측 가장자리 영역에 형성된 얼라이 돌부와 저면 타측 가장자리 부근 영역에 형성된 얼라인 유지 돌부를 포함하며, 상기 얼라인 돌부는 상기 얼라인 돌부의 일측면이 상기 얼라인 홈의 대응면에 근접하도록 끼워지고, 상기 얼라인 유지 돌부는 상기 얼라인 유지 홈에 끼워져 상기 얼라인 돌부가 상기 얼라인 홈의 대응면으로부터 멀어지는 것을 막는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 9에 있어서, 상기 얼라인 홈은 서로 직각으로 교차하는 외측 두 측면이 개방되어 있는 사각형 홈으로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 10에 있어서, 상기 얼라인 유지 홈은 서로 직각으로 교차하는 외측 두 측면이 개방되어 있는 사각형 홈으로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 9에 있어서, 상기 얼라인 유지 홈은 호 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 9에 있어서, 상기 얼라인 홈의 깊이는 상기 얼라인 유지 홈의 깊이보다 깊고, 상기 얼라인 돌부의 하측으로의 연장 길이는 상기 얼라인 유지 돌부의 하측으로의 연장 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 9에 있어서, 상기 얼라인 홈은 상기 베이스의 상면 일측 가장자리 양측 코너에 각각 형성되고, 상기 얼라인 유지 홈은 상기 베이스의 저면 타측 가장자리 양측 코너에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
칩 실장면을 포함하는 베이스;

상기 칩 실장면에 실장되는 엘이디 칩;

상기 엘이디 칩의 광이 입사되는 및 상기 입사면을 통해 입사된 광이 출사되는 출사면을 포함하는렌즈; 및

상기 렌즈와 결합되는 리플렉터를 포함하며,

상기 베이스는 상면 일측 가장자리 영역에 형성된 하나 이상의 얼라인 홈과, 상면 타측 가장자리 영역에 형성된 하나 이상의 얼라인 유지 홈을 포함하고, 상기 리플렉터는 저면 일측 가장자리 영역에 형성된 얼라이 돌부와 저면 타측 가장자리 부근 영역에 형성된 얼라인 유지 돌부를 포함하며, 상기 얼라인 돌부는 상기 얼라인 돌부의 일측면이 상기 얼라인 홈의 대응면에 근접하도록 끼워지고, 상기 얼라인 유지 돌부는 상기 얼라인 유지 홈에 끼워져 상기 얼라인 돌부가 상기 얼라인 홈의 대응면으로부터 멀어지는 것을 막는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 15에 있어서, 상기 얼라인 홈은 서로 직각으로 교차하는 외측 두 측면이 개방되어 있는 사각형 홈으로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 15에 있어서, 상기 얼라인 유지 홈은 서로 직각으로 교차하는 외측 두 측면이 개방되어 있는 사각형 홈으로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 15에 있어서, 상기 얼라인 유지 홈은 호 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 15에 있어서, 상기 얼라인 홈의 깊이는 상기 얼라인 유지 홈의 깊이보다 깊고, 상기 얼라인 돌부의 하측으로의 연장 길이는 상기 얼라인 유지 돌부의 하측으로의 연장 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
청구항 15에 있어서, 상기 얼라인 홈은 상기 베이스의 상면 일측 가장자리 양측 코너에 각각 형성되고, 상기 얼라인 유지 홈은 상기 베이스의 저면 타측 가장자리 양측 코너에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.