WO2018229250A1 - Method and system for producing an electrical component, and computer program - Google Patents

Method and system for producing an electrical component, and computer program Download PDF

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WO2018229250A1
WO2018229250A1 PCT/EP2018/065948 EP2018065948W WO2018229250A1 WO 2018229250 A1 WO2018229250 A1 WO 2018229250A1 EP 2018065948 W EP2018065948 W EP 2018065948W WO 2018229250 A1 WO2018229250 A1 WO 2018229250A1
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WO
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electrical
deposition
deposition process
parameter
electrical component
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PCT/EP2018/065948
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Marc Christopher Wurz
Daniel Klaas
Hans Jürgen Maier
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Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
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Publication date
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
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    • H01C17/12Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an electrical component having at least one electrical parameter of the electrical component, which is in a predetermined tolerance range, wherein the electrical component is formed by depositing a material on a substrate.
  • the invention also relates to a system for producing an electrical component by means of such a method and to a computer program for carrying out such a method.
  • Electrical components such. As resistors or sensors are manufactured in modern manufacturing processes by depositing a material on a substrate.
  • the deposition process used for this purpose may, for.
  • CVD process chemical vapor deposition
  • PVD process physical vapor deposition
  • strain sensors or pressure sensors are produced, wherein the sensors may each have a bridge circuit of individual electrical components.
  • the individual electrical components ie the resistors, must meet certain tolerances. Especially in bridge circuits, the bridge must be balanced. Such a balancing process currently takes place after production of the electrical component on the substrate, ie after completion of the deposition process.
  • This adjustment process is also called trimming.
  • the trimming is z. B. manually by removal of surface layers of the components (mechanical removal) or carried out by laser ablation. This will damage oxidation or protective layers.
  • This procedure has some disadvantages.
  • the electrical components produced must be protected, eg. B. from oxidation or other Damage.
  • such a trim process associated with a significant time and cost (in particular personnel costs), or with the purchase of expensive equipment, eg. B. laser systems.
  • the invention has for its object to provide an improved method for producing an electrical component, in which the aforementioned disadvantages are avoided.
  • a device advantageous for this purpose and a computer program for carrying out the method should be specified.
  • this object is achieved in that in the course of the deposition process, respective values of the electrical parameter are detected by measurements continuously or at discrete points in time and one, several or all detected values influence at least one parameter of the deposition process, e.g. by the deposition is temporarily interrupted until the electrical characteristic is in the specified tolerance range.
  • This can e.g. be automatically controlled and / or regulated by an electronic control device.
  • compliance with the predetermined tolerance range is thus integrated directly into the deposition process of the electrical component and is not carried out by trimming in hindsight. In this way, the aforementioned disadvantages can be avoided, in particular the post-processing by persons or special installations. This speeds up the manufacturing process and saves costs.
  • protective coatings for encapsulating the system can be applied directly during the production without a vacuum fracture. Furthermore, multi-layer systems can be trimmed, which is not possible with a laser.
  • the present invention also in the sense a control are performed, with the control objective to produce the same component with the desired electrical characteristic by influencing the deposition process.
  • control as far as it is used in this application, also covers a regulation.
  • the mentioned control device can accordingly also be used as a control device.
  • the component can be contacted permanently or not permanently, ie intermittently.
  • the method according to the invention can be carried out separately or jointly for each electrical component.
  • the deposition process may in particular be carried out at a reduced pressure relative to the ambient pressure (atmospheric pressure), e.g. In a vacuum.
  • the specified tolerance range can be a value range from a minimum value to a maximum value, the tolerance range can also be defined as a single value.
  • the electrical characteristic can z. B. be an ohmic resistance value, an impedance, a capacitance, an inductance or other electrical characteristic.
  • the electrical parameter is an absolute characteristic of the electrical component or a relative characteristic which is determined in relation to a parameter of a further electrical component.
  • a relative characteristic is advantageous, for.
  • As a resistance ratio since it does not depend so much on the exact compliance of the individual values of the components in the adjustment of a bridge circuit in some applications.
  • the at least one influenced parameter of the deposition process is the rate of deposition of the material to be deposited in the surface area of the substrate in which the component is produced.
  • the deposition of the one specific electrical component can be influenced in a targeted manner.
  • it is not the deposition rate which is influenced in a general way, but with reference to a specific surface area of the substrate in which the component is produced.
  • This can be z.
  • the deposition source can, for. B. may be a target, as z. B. is used during sputtering.
  • the at least one influenced parameter of the deposition process is influenced by at least one mechanically and / or electrically adjustable adjustment part in a deposition chamber in which the deposition process is carried out and / or by introducing a trim gas into the deposition chamber ,
  • the parameters of the deposition process can be influenced by the adjustable adjustment part, in such a way that the specific deposition rate of the material to be deposited in the surface region of the substrate can also be influenced by adjusting the adjustable adjustment part in this way, that, when the desired reduction in the deposition rate, the electrical component to be produced or the surface area of the substrate provided for this purpose is completely or partially covered and, if the deposition rate is increased as desired, the coverage is reduced or completely eliminated.
  • the adjustment part thus has the function of an adjustable aperture.
  • the adjusting part may be a rotatable and / or linearly adjustable component.
  • the adjustment part can be, for example, a component which can be rotated about a rotation axis and which is rotated essentially parallel to the surface of the substrate.
  • the adjustment part then has one or more recesses which can be placed by rotational adjustment of the adjustment part over different surface areas of the substrate depending on the desired deposition rate of the surface area.
  • an additional adaptation of the layer homogeneity of the deposited material layer on the substrate is possible by specific definition of the rotational speed of the diaphragm.
  • an aperture with S-shaped recess which has special advantages for a uniform deposition.
  • the shape of the panel or its recess can be adapted to the respective rotational speed and the required layer homogeneity.
  • the electrically adjustable adjusting part can also be designed like an iris.
  • a trim gas are introduced into the deposition chamber and thereby the deposition process can be influenced.
  • the measurement of the electrical parameter takes place during the deposition process without interrupting the deposition of the material to be deposited or the deposition of the material to be deposited for measuring the electrical characteristic is at least temporarily interrupted and then continued.
  • the electrical parameter without interrupting the deposition a particularly precise, at least almost continuous, determination of the values of the electrical parameter is possible, so that the influencing of the parameter of the deposition process can be carried out very precisely in real time.
  • the deposition of the material to be deposited may be a disturbance for the measurement, i. H. the measurement can be undesirably falsified thereby. This can be z. As in RF sputtering or deposition processes in the plasma be the case. In such cases, it may be advantageous to temporarily interrupt the deposition for the measurement of the electrical parameter, to carry out the measurement and then to resume the deposition.
  • the manufacturing method according to the invention can be carried out in the manner of an iterative process, such that after a period of deposition of the material to be deposited Measurement is carried out, the one or more determined values of the electrical characteristic then for the Implementation of the further deposition are used, and the separation is then continued with such influenced parameters of the deposition process until after a certain period of time, a further measurement is performed and the process is repeated.
  • the iterative method can be carried out in such a way that the electrical parameter of the component is brought to the predetermined tolerance range in the manner of a successive approximation, similar to analog-to-digital converters.
  • the electrical contacting of the electrical component for carrying out the measurement can only be performed temporarily and interrupted again during the further deposition. There are various possibilities for contacting the component to carry out the measurements:
  • Mask used which is arranged between the deposition source of the material to be deposited and the substrate, so contacts can be arranged for the contacting of the electrical component in the mask or on a support member of the mask, for. B. by being fixed therein or integrated directly into it.
  • connection contacts of the electrical component to be produced are generated on the substrate, and then the electrical component is deposited with electrical connection to the connection contacts by the deposition process.
  • the electrical component is formed by the deposited material passes through a mask on the substrate, wherein on and / or in the mask electrical contact elements and / or electrical connection lines are arranged and the measurement of electrical Characteristic under at least partial use of the electrical contact elements and / or electrical connection cables is performed.
  • the electrical contact elements and / or connection lines can be arranged, for example, on the surface side of the mask facing the substrate, or arranged on the surface side facing away from the substrate, or in the mask itself. Combinations of these arrangement possibilities are advantageously possible.
  • a sensor, an actuator or a part thereof is produced as an electrical component, e.g. a capacitive actuator or its functional layer.
  • the electrical component may also be a part of such a sensor.
  • the inventive method the measurement accuracy of such sensors can be improved.
  • the sensor can z. B. a strain gauge, a pressure sensor, a temperature sensor, an AMR sensor o- an eddy current sensor.
  • the sensor may comprise a bridge circuit formed from the electrical component or a plurality of such electrical components, for. B. a half bridge or a full bridge.
  • the bridge circuit can, for. B. as
  • the deposition of the material to be deposited for measuring the electrical parameter is interrupted, then a waiting time is waited and only then the measurement of the electrical parameter is performed.
  • the waiting time must be determined according to the nature of the process.
  • the waiting time may be, for example, at least one second or at least ten seconds.
  • the deposition rate of the deposited material is automatically determined on the basis of the measurement of a value of the electrical parameter or the measurements of a plurality of values of the electrical parameter. With the knowledge of the deposition rate, the inventive method can be further refined.
  • the deposition rate is a characteristic of the precipitator that characterizes the amount of deposited material per unit of time.
  • the method can automatically adapt to the respective process parameters of the deposition plant. As a result, even more targeted and faster generation of electrical components is possible. Between the measurements of the electrical parameter, the deposition process can be continued.
  • the actual deposition rate for the further deposition process is automatically changed to a desired deposition rate, ie a target value, eg increased or decreased.
  • a desired deposition rate ie a target value, eg increased or decreased.
  • the component can be specifically iteratively approximated to the target value.
  • the object mentioned at the outset is further achieved by a system for producing an electrical component, the system being suitable for carrying out a method according to one of the preceding claims, having the following features: a) a separating device having a deposition chamber for carrying out the deposition process of the material to be deposited the substrate, b) a measuring device for measuring the at least one electrical parameter of the electrical component to be produced by the deposition process during the deposition process,
  • control device to which the detected values of the electrical parameter are supplied by the measuring device, wherein the control device is adapted to emit a control signal to the separator on the basis of one, several or all of the detected values of the electrical characteristic, by at least one parameter of the deposition process to influence.
  • control signal delivered to the separation device for example, the deposition rate of the deposition source and / or the adjustable adjustment part, which will be explained later, and / or the trim gas fed in via a gas inlet can be influenced.
  • the computer may be, for example, a microprocessor, a microcontroller, an FPGA or a comparable element, possibly also an arrangement of several such elements.
  • the control device may, for example, have a programmable logic controller.
  • the control device can also be part of the existing system or of the deposition device, for example a PC of the coating system, which is extended by the computer program for carrying out a method of the type described above.
  • the control device can also be a separate device. Another advantage of the invention is the realizable size of the electrical component.
  • the system parts and parts groups required for carrying out the method, in particular the separation device with the deposition chamber, can be made comparatively small, for. B. in the form of a mobile Abscheideein- direction, so that a mobile use is possible.
  • a retrofitting of conventional systems for carrying out the method according to the invention is possible in a favorable manner.
  • the mobile system can z. B. be designed according to DE 10 2014 004 323 A1.
  • z. B. arbitrarily dimensioned objects, which then form the substrate to be coated with one or more electrical components by the deposition process.
  • the object to be coated (substrate) can be significantly larger than the separating device, if it is temporarily fixed to it via seals sealed.
  • the separation device has at least one mechanically and / or electrically adjustable adjustment part in the deposition chamber for influencing the at least one parameter of the deposition process, which is controllable by the control device, and / or at least one gas inlet for a trim gas for influencing the at least one parameter of the deposition process, which is controllable by the control device.
  • the deposition process is influenced by a trim gas
  • this can be done via at least one gas inlet, wherein the feeding of the trim gas can be controlled by the control device, for example by one or more electrically controllable valves.
  • the control device for example by one or more electrically controllable valves.
  • a trim gas for example, a noble gas can be used, for example, argon.
  • other gases may also be advantageous, for example oxygen.
  • the invention is also suitable for retrofitting existing systems or separation devices.
  • the control device can then in particular have a computer program which is set up to carry out the method according to the invention.
  • the deposition chamber must be supplemented accordingly so that the at least one parameter of the deposition process can be influenced, for example by at least one mechanically and / or electrically adjustable adjustment part and / or the at least one gas inlet for a trim gas.
  • the aforementioned object is further achieved by a computer program configured to carry out a method of the type described above, when the computer program is executed on a computer, for.
  • the computer program may comprise the control of the motor, the evaluation of the resistors and a control circuit constructed therefrom, which in turn is controlled by an algorithm / processing instruction and thus masters the challenge, to adjust the individual resistors as well as the bridge voltage.
  • Figure 1 shows an electrical assembly with several electrical components in
  • Figure 3 shows a system for producing an electrical component
  • Figure 4 shows a shutter mechanism and Figure 5 shows another embodiment of a shutter mechanism and
  • Figure 1 two more types of contacting the component during the deposition process
  • FIG. 12 shows another way of contacting the component during the deposition process.
  • FIG. 1 shows an electrical module 1 which has a substrate 2 on which electrically conductive structures are deposited.
  • the electrically conductive structures comprise four electrical components 3, which are shown here as respective ohmic resistors in meandering form.
  • the components 3 are electrically connected via conductor tracks 4 with contact pads 5.
  • the interconnects 4, together with the contact pads 5, form terminal contacts of the respective electrical component 3.
  • a bridge circuit with four resistors can be formed, as e.g. is used for strain gauges or pressure sensors.
  • FIG. 2 shows the central region of FIG. 1 with the four electrical components 3 in an enlarged view.
  • the electrical components 3 are additionally assigned designations R1, R2, R3 and R4, which are also used in FIGS. 4 and 5 below.
  • FIG. 3 shows a system for producing an electrical component by means of a deposition process, eg as described above.
  • the plant has a separation device 16 with a deposition chamber 6, for example in the form of a sputtering plant.
  • a deposition source 7, for example a target is present, through which the deposited material, from which the electrical components 3 are formed on the substrate 2, is eliminated.
  • the deposition source 7 is located as recognizable at one end of the deposition chamber 6, for example at the top.
  • the substrate 2 is a mask 8, which has the corresponding recesses in order to produce the electrical components 3 in the configuration indicated in FIG. 2 by the deposition process in the deposition chamber 6 ie a kind of negative of the components to be produced.
  • the mask 8 is also shown by the figure 1 at the same time.
  • the mask 8 is an adjustment part in the form of a diaphragm 9, which is thus arranged in the direction of movement of the deposited material from the deposition source 7 to the substrate 2 in front of the mask 8.
  • the diaphragm 9 thus at least partially shields the material transport from the deposition source 7 to the substrate 2 with respect to the mask 8.
  • the aperture 9 is controllable, e.g. by mechanical and / or electrical adjustment.
  • the separation device 16 is connected to a measuring device 10. About the measuring device 10, the electrical characteristics of one or more of the components 3 can be detected during the deposition process. The values of the electrical parameter or characteristic quantities detected by the measuring device are fed to a control device 11.
  • the control device 11 has a computer, e.g. a microprocessor or microcontroller. Furthermore, the control device 11 has a computer program which is executed by the computer in order to carry out the method according to the invention.
  • the control device is set up to emit a control signal to the separating device 16 on the basis of the values of the electrical parameter detected and supplied by the measuring device 10.
  • This control signal influences at least one parameter of the deposition process.
  • the control device 1 1 can influence the deposition rate at the deposition source 7 by the control signal.
  • the control device 1 1 can control the position and position of the diaphragm 9 via the control signal.
  • control device 1 1 may issue a warning signal when the deposition process is completed, ie when the electrical components 3 each have the desired electrical characteristic.
  • the control device 1 1 may further be adapted to switch off the deposition of the deposition source 7 at the end of the deposition process.
  • the mask 8 with the respective window-like recesses 13 for the individual components R1, R2, R3, R4 is shown in plan view in the illustration a.
  • Figures b and c show the mask 8, which is then partially covered by the aperture 9.
  • the aperture 9 is provided with an approximately quarter-circle-shaped recess.
  • the shutter 9 can be rotated and placed in a desired position, e.g. in the position shown in Figure c. In this position in Figure c, material for making the resistor R3 can be deposited on the substrate 2 from the deposition source 7. This can e.g.
  • the resistors R1, R2, R4 have already reached the desired electrical characteristic, i. the desired resistance value in the specified tolerance range, but the resistance of the resistor R3 is still too large.
  • additional material for the component R3 is deposited on the substrate 2 through the recess of the diaphragm 9 and the mask 8, whereby the resistance value of the resistor R3 is reduced by an increase in layer thickness. This is done until the resistance value is within the specified tolerance range. Since substantially no material in the region of the resistors R1, R2, R4 is deposited by the shading by means of the diaphragm 9, their resistance values do not change.
  • the diaphragm 9 can be rotated, for example, continuously, so that first all the resistors R1 to R4 are deposited. While a rotatable (ie rotatable) aperture 9 is described with reference to FIGS. 3 and 4, FIG. 5 shows that a diaphragm arrangement can also be realized by linearly displaceable diaphragm blades 9. These can be displaced via an electric actuator 12 so that optionally one, several or all of the electrical components 3 or their surface areas on the substrate 2 are covered by a diaphragm blade 9 or are not covered.
  • FIG. 6 shows, by way of example, the case that the connection contacts 5 (or also conductor tracks 4) are electrically contacted via extendable contact tips 14. However, this requires that the terminals 4, 5 are made in advance, i. before the actual component 3 is generated by the deposition process.
  • FIG. 7 shows a variant of the electrical contacting in which the contact elements 15 for the measurements are fastened to the surface side of the mask 8 facing the substrate 2. These contact elements 15 may, for example, be electrically insulated from the mask 8. The contact elements 15 can then contact either the connection contacts 4, 5 or the component 3 directly. In this case, through-contacts 19 can be present in the mask 8, through which electrical connections to the contact elements 15 are provided through the mask 8.
  • FIG. 8 shows a variant in which the connection contacts 15 for the measurements are integrated directly in the mask 8, for example on the inside of the recess 13. In this way, electrical contacting of the component 3 during the deposition process can also take place if no electrical connection contacts 4, 5 are present.
  • the deposited material can be deposited directly on the substrate 2 between the contact elements 15 through the recess 13, so that the electrical contacting of the component 3 with the contact elements 15 is thereby simultaneously produced in the deposition process.
  • On the top of the mask 8 leads may be for contacting the contact elements 15.
  • the contact elements 15 can be made partially or almost completely isolated.
  • the contacts 15 may, for example, be designed geometrically such that By using, for example, a step-like taper in, for example, the direction of the substrate, an electrical connection to the remaining deposited material, which is not part of the desired sensor structure, is prevented (similar to Figure 11, where the undercut U prevents an electrical connection).
  • the contact tips 14 and / or contact elements 15 may be formed as spring-loaded contacts.
  • FIG. 9 shows a lateral sectional view
  • FIG. 10 shows the mask 8 used in plan view.
  • the mask 8 has the openings 13, e.g. in meandering form.
  • the region of the openings 13 is connected in each case via connection lines 17 with contact surfaces 18.
  • the terminal leads 17 and the pads 18 are attached directly to the mask 8, e.g. on the surface facing away from the substrate 2 applied.
  • the leads 17 and / or pads 18 may also be deposited on the mask 8 by a deposition process, e.g. be sputtered.
  • the electrical contacting for the measurements is then carried out by connecting the contact tips 14 to the contact surfaces 18.
  • the contact tips 14 may in particular be sprung, i. as spring contacts.
  • the transition point between the connection lines 17 to the openings 13 may additionally comprise contact elements 15 in the sense of plated-through holes, similar to FIG. 8 or FIG. 7 (part 19).
  • FIG. 11 again shows a view similar to FIGS. 6 to 9
  • the aperture 9 In an inner recess of the mask holder 20 is the aperture 9, for example in the form of a rotating aperture, as described with reference to FIG 4.
  • the diaphragm 9 can be arranged on a rotating diaphragm receptacle 90.
  • spring pins 21, which form a resilient contact with a conductor layer 23 located between the mask receptacle 20 and the mask 8, are inserted into the mask receptacle 20.
  • the spring pins 21 are also connected to leads 22.
  • a measuring device for detecting the values of the parameter of the component 3 can be connected.
  • the mask 8 there are plated-through holes 19 which form the electrical connection from the conductor layers 23 to connection contacts, for example, 91, 5 and 29, respectively.
  • the plated-through holes can, for example, be made insulated from the mask material or other components.
  • insulation layers may be present.
  • the connection contacts 5 can be deposited in advance with a further mask on the substrate.
  • An insulating layer 25 may be present between the underside of the mask 8 and the connection contacts 5, for example a Si 3 N 4 layer. Furthermore, a sacrificial layer 26 can be located below the insulation layer 25, for example a layer of S1O2. The insulation layer 25 and the sacrificial layer 26 are part of the mask 8. Furthermore, an additional conductive contact 91 of, for example, gold or gold alloys may be located on the underside of the plated-through hole 19 (see FIG. 11) and / or the sacrificial layer 26. On the substrate 2, an insulating layer 24 may be located.
  • the arrows 28 characterize the material flow of the deposited material.
  • the deposited material arrives on the substrate 2 through the aperture 9 and the opening 13 and is deposited there as a layer 27. From the layer 27, the component 3 is formed.
  • the deposited material may also attach to the insides of the opening 13 and other elements.
  • FIG. 11 shows in the right-hand area an alternative contacting of the component 3 to be deposited by means of a contact tongue 29 which is fastened to the mask 8 or is a part of the mask 8.
  • the contact tongue 29 may be made of gold or a Be gold alloy. Both types of contacting can optionally be used, wherein in each case the same contacting can be used on both sides.
  • the advantage of using a contact tongue 29 arranged on the mask 8 is that layers, such as the connection contacts 5, which are not already precluded, must be present on the substrate 2, which is favorable for the EMC compatibility of the manufactured component.
  • the insulating layer 25 and sacrificial layer 26 can be prepared by, for example, CVD process or PVD process.
  • the contact tongue can be generated, for example, by PVD process, for example sputtering, CVD process or, for example, galvanically.
  • the masking layers necessary for producing the mask 8 for producing the layer structures of the individual layers can be produced by means of photolithography and / or laser direct imaging or other conventional methods .
  • the sacrificial layer 26 may be partially removed by wet-chemical means, for example, in the manufacture of the masks 8, thereby forming the gap or undercut denoted by "U” in Figure 11, thus creating a partially free-floating contacting tongue 29.
  • this undercut is formed in the absence of a complete coating of the undercut during a coating process, for example due to the geometry of the undercut, a short circuit or an electrical connection to the remaining layer, which does not form the actual sensor structure 3 (for example, those on the mask 8 located) prevented.
  • the mask 8 is fixed, for example, by means of adhesive on the mask receptacle 20.
  • the contact tongues 29 can also be produced by the application of a conductive structure, for example a film and / or a substrate, and fixed by, for example, bonding or gluing to, for example, the mask. In this case, the need for a sacrificial layer and / or etching of the sacrificial layer can be dispensed with.
  • the spring pins 21 can be pressed with an outer insulation in the holder 20, for example by an external insulation by means of Teflon tape, or by a Teflon sleeve or other insulating sleeve.
  • the mask 8 may e.g. be formed of silicon material, e.g. monocrystalline or polycrystalline silicon, silica, silica or other oxides, sub-oxides, of ceramics, steel, aluminum or an alloy, polyamide, e.g. copper-clad, or glass.
  • silicon material e.g. monocrystalline or polycrystalline silicon, silica, silica or other oxides, sub-oxides, of ceramics, steel, aluminum or an alloy, polyamide, e.g. copper-clad, or glass.
  • the plated-through holes 19 can be produced for example by means of electroplating, CVD process, PVD process, vapor deposition.
  • the structure of the mask 8 can be generated, for example, by reactive ion etching, wet chemical etching, milling, laser machining and similar processes.
  • holes can be made in the component to be through-contacted.
  • the holes can be produced for example by reactive ion etching, wet chemical etching, milling, laser machining and similar processes.
  • the holes are germinated, eg by being coated with a catalyst, and then catalytically metallized and then optionally electrolytically reinforced to build up a thicker metal layer. It is also possible to make the vias through solder or feedthroughs for insertion.
  • the mask 8 can be centered over the outside.
  • the mask 8 can be centered, for example, via the mask receptacle 20 by means of integrated contact points. This is particularly advantageous in the case of multiple deposits which are produced on the substrate 2 one above the other.
  • a contacting of the component 3 to be deposited is carried out by inserting the spring pins 21 in the mask receptacle 20 and connecting them to the supply lines 22.
  • the spring pins 21 extend through openings in the mask 8 therethrough.
  • the inside of the opening can be coated with an electrical insulation layer, for example by a PVD process and / or CVD process.
  • the openings can be produced by, for example, reactive ion etching, wet chemical etching, milling, laser machining and similar processes.
  • the spring pins 21 are in electrical contact with the connection contacts 5 (see FIG. For better clarity, the diaphragm 9 and the mask holder 20 are not shown in FIG.
  • On the insulation layer 25 may be a sacrificial layer or further insulating layer. It is also possible to contact a temporary contact made by the spring pins 21 on the substrate 2. The temporary contact can replace or supplement the connection contacts 5.
  • the temporary contact can be fixed to the surface of the substrate or / and on the mask before the deposition, for example by gluing or bonding. For example, thin layers, substrates and / or foils are suitable as material for the temporary contacting.
  • the resistances in a contacting according to FIG. 12 the resistance measuring the resistances in a contacting according to FIG. 12, the
  • Mask retainer including the mask and all the objects associated with it are moved back a distance from the surface, so that when using the spring pins in combination with the connection contacts 5, the spring pins still remain in contact with the connection contacts 5.
  • the influence of parasitic, unwanted coatings eg of the mask 8 on, for example, the resistance measurement can be prevented by the resulting gap between the mask 8 (or the outermost insulating layer, for example, 25) and the substrate 2. Retraction is also possible using temporary contacts secured to the substrate.
  • the mask holder 20 forms together with the spring pins 21 or others
  • a contacting unit for carrying out a method of the type described above, wherein the contacting unit is arranged for making electrical contact with the electrical component 3 to be generated for performing a measurement of the electrical characteristic of the electrical component.
  • the method according to the invention and the components used for the implementation can be applied both to a substrate 2 with a flat surface and to a substrate 2 with a curved surface.

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Abstract

The invention relates to a method for producing an electrical component with at least one electrical characteristic variable of the electrical component in a predefined tolerance range, wherein the electrical component is formed by depositing a material on a substrate, wherein respective values of the electrical characteristic variable are captured continuously or at discrete times by means of measurements over the course of the deposition process, and at least one parameter of the deposition process is influenced on the basis of one, more or all captured values until the electrical characteristic variable is in the predefined tolerance range. The invention also relates to a system for producing an electrical component by means of such a method and to a computer program for carrying out such a method.

Description

Verfahren und Anlage zur Herstellung eines elektrischen Bauteils sowie Computerprogramm  Method and installation for the production of an electrical component and computer program
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauteils mit zumindest einer elektrischen Kenngröße des elektrischen Bauteils, die in einem vorgegebenen Toleranzbereich ist, wobei durch Abscheiden eines Materials auf einem Substrat das elektrische Bauteil gebildet wird. Die Erfindung betrifft außerdem eine Anlage zur Herstellung eines elektrischen Bauteils mittels eines solchen Verfahrens sowie ein Computerprogramm zur Durchführung eines solchen Verfahrens. The invention relates to a method for producing an electrical component having at least one electrical parameter of the electrical component, which is in a predetermined tolerance range, wherein the electrical component is formed by depositing a material on a substrate. The invention also relates to a system for producing an electrical component by means of such a method and to a computer program for carrying out such a method.
Elektrische Bauteile, wie z. B. Widerstände oder Sensoren, werden bei modernen Herstellprozessen durch Abscheiden eines Materials auf einem Substrat hergestellt. Der hierfür verwendete Abscheideprozess kann z. B. ein CVD-Prozess (chemische Gasphasenabscheidung) oder PVD-Prozess (physikalische Gasphasenabscheidung) sein, wobei auch andere Verfahren der Gasphasenabscheidung oder sonstige Abscheideverfahren zum Einsatz kommen können. Auf diese Weise werden beispielsweise Dehnungsmesssensoren oder Drucksensoren hergestellt, wobei die Sensoren jeweils eine Brückenschaltung aus einzelnen elektrischen Bauteilen aufweisen können. Um präzise Messvorgänge mit solchen Sensoren gewährleisten zu können, müssen die einzelnen elektrischen Bauteile, d. h. die Widerstände, bestimmte Toleranzen erfüllen. Insbesondere bei Brückenschaltungen muss die Brücke abgeglichen sein. Ein solcher Abgleichprozess erfolgt derzeit nach Herstellung des elektrischen Bauteils auf dem Substrat, d. h. nach Abschluss des Abscheideprozesses. Man bezeichnet diesen Abgleichvorgang auch als Trimmen. Das Trimmen wird z. B. manuell durch Abtrag von Oberflächenschichten der Bauteile (mechanischer Abtrag) oder durch Laserabtragung durchgeführt. Hierbei werden Oxidations- oder Schutzschichten beschädigt. Dieses Vorgehen bringt einige Nachteile mit sich. Die erzeugten elektrischen Bauteile müssen geschützt werden, z. B. vor Oxidation oder sonstigen Beschädigungen. Zudem ist ein solcher Trimmvorgang mit einem nennenswerten Zeit- und Kostenaufwand (insbesondere Personalkosten) verbunden, oder mit der Anschaffung teurer Anlagen, z. B. Laseranlagen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauteils anzugeben, bei dem die zuvor genannten Nachteile vermieden werden. Ferner soll eine hierfür vorteilhafte Anlage sowie ein Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens angegeben werden. Electrical components, such. As resistors or sensors are manufactured in modern manufacturing processes by depositing a material on a substrate. The deposition process used for this purpose may, for. As a CVD process (chemical vapor deposition) or PVD process (physical vapor deposition), whereby other methods of vapor deposition or other deposition methods can be used. In this way, for example, strain sensors or pressure sensors are produced, wherein the sensors may each have a bridge circuit of individual electrical components. In order to be able to ensure precise measuring operations with such sensors, the individual electrical components, ie the resistors, must meet certain tolerances. Especially in bridge circuits, the bridge must be balanced. Such a balancing process currently takes place after production of the electrical component on the substrate, ie after completion of the deposition process. This adjustment process is also called trimming. The trimming is z. B. manually by removal of surface layers of the components (mechanical removal) or carried out by laser ablation. This will damage oxidation or protective layers. This procedure has some disadvantages. The electrical components produced must be protected, eg. B. from oxidation or other Damage. In addition, such a trim process associated with a significant time and cost (in particular personnel costs), or with the purchase of expensive equipment, eg. B. laser systems. The invention has for its object to provide an improved method for producing an electrical component, in which the aforementioned disadvantages are avoided. Furthermore, a device advantageous for this purpose and a computer program for carrying out the method should be specified.
Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genannten Verfahren dadurch gelöst, dass im Verlaufe des Abscheideprozesses jeweilige Werte der elektrischen Kenngröße durch Messungen kontinuierlich oder zu diskreten Zeitpunkten erfasst werden und aufgrund eines, mehrerer oder aller erfassten Werte wenigstens ein Parameter des Abscheideprozesses beeinflusst wird, z.B. indem die Abscheidung temporär unterbrochen wird , bis die elektrische Kenngröße im vorgegebenen Toleranzbereich ist. Die kann z.B. automatisch durch eine elektronische Steuereinrichtung gesteuert und/oder geregelt werden. Bei der vorliegenden Erfindung wird somit die Einhaltung des vorgegebenen Toleranzbereichs gleich in den Abscheideprozess des elektrischen Bauteils integriert und nicht erst im Nachhinein durch das Trimmen durchgeführt. Auf diese Weise können die zuvor erwähnten Nachteile vermieden werden, insbesondere die Nachbearbeitung durch Personen oder spezielle Anlagen. Hierdurch wird der Her- stellprozess beschleunigt, zudem werden Kosten eingespart. In the method mentioned in the introduction, this object is achieved in that in the course of the deposition process, respective values of the electrical parameter are detected by measurements continuously or at discrete points in time and one, several or all detected values influence at least one parameter of the deposition process, e.g. by the deposition is temporarily interrupted until the electrical characteristic is in the specified tolerance range. This can e.g. be automatically controlled and / or regulated by an electronic control device. In the present invention, compliance with the predetermined tolerance range is thus integrated directly into the deposition process of the electrical component and is not carried out by trimming in hindsight. In this way, the aforementioned disadvantages can be avoided, in particular the post-processing by persons or special installations. This speeds up the manufacturing process and saves costs.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren können während der Herstellung direkt schon Schutzschichten zur Kapselung des Systems ohne einen Vakuumbruch aufgebracht werden. Ferner können auch Mehrlagensysteme getrimmt werden, was mit einem Laser nicht möglich ist. In the process according to the invention, protective coatings for encapsulating the system can be applied directly during the production without a vacuum fracture. Furthermore, multi-layer systems can be trimmed, which is not possible with a laser.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt somit die Sicherstellung, dass die elektri- sehe Kenngröße des elektrischen Bauteils im vorgegebenen Toleranzbereich ist, zumindest vor Beendigung des Abscheideprozesses. Dies gelingt durch die in den Her- stellprozess integrierte Rückführung der aus den gemessenen Werten, d.h. durch die Messungen, gewonnenen Erkenntnisse zur Beeinflussung des Parameters des Abscheideprozesses. In diesem Sinne kann die vorliegende Erfindung auch im Sinne einer Regelung durchgeführt werden, mit dem Regelziel, durch Beeinflussen des Abscheideprozesses das Bauteil gleich mit der gewünschten elektrischen Kenngröße zu erzeugen. In diesem Sinne erfasst der Begriff der Steuerung, soweit er in dieser Anmeldung verwendet wird, auch eine Regelung. Die erwähnte Steuereinrichtung kann dementsprechend auch als Regeleinrichtung genutzt werden. Für die Messungen kann das Bauteil permanent oder nicht permanent, d.h. intermittierend, kontaktiert werden. In the method according to the invention thus ensuring that the electrical parameter of the electrical component is within the specified tolerance range, at least before completion of the deposition process. This is achieved by the feedback of the information gained from the measured values, ie by the measurements, in the production process for influencing the parameter of the deposition process. In this sense, the present invention also in the sense a control are performed, with the control objective to produce the same component with the desired electrical characteristic by influencing the deposition process. In this sense, the term control, as far as it is used in this application, also covers a regulation. The mentioned control device can accordingly also be used as a control device. For the measurements, the component can be contacted permanently or not permanently, ie intermittently.
Werden in dem Abscheideprozess mehrere elektrische Bauteile hergestellt, so kann das erfindungsgemäße Verfahren für jedes elektrische Bauteil separat oder gemeinsam durchgeführt werden. If a plurality of electrical components are produced in the deposition process, then the method according to the invention can be carried out separately or jointly for each electrical component.
Der Abscheideprozess kann insbesondere bei einem verringerten Druck gegenüber dem Umgebungsdruck (Atmosphärendruck) durchgeführt werden, z. B. in einem Va- kuum. The deposition process may in particular be carried out at a reduced pressure relative to the ambient pressure (atmospheric pressure), e.g. In a vacuum.
Der vorgegebene Toleranzbereich kann dabei ein Wertebereich von einem Minimalwert bis hin zu einem Maximalwert sein, der Toleranzbereich kann auch als einzelner Wert definiert sein. Die elektrische Kenngröße kann z. B. ein ohmscher Widerstands- wert sein, eine Impedanz, eine Kapazität, eine Induktivität oder eine sonstige elektrische Kenngröße sein. The specified tolerance range can be a value range from a minimum value to a maximum value, the tolerance range can also be defined as a single value. The electrical characteristic can z. B. be an ohmic resistance value, an impedance, a capacitance, an inductance or other electrical characteristic.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die elektrische Kenngröße eine absolute Kenngröße des elektrischen Bauteils oder eine relative Kenngröße ist, die in Relation zu einer Kenngröße eines weiteren elektrischen Bauteils festgelegt ist. Insbesondere bei elektrischen Bauteilen, die Teile einer Brückenschaltung bilden, ist eine relative Kenngröße vorteilhaft, z. B. ein Widerstandsverhältnis, da es beim Abgleich einer Brückenschaltung in manchen Einsatzfällen nicht so sehr auf die exakte Einhaltung der einzelnen Werte der Bauteile an- kommt. According to an advantageous embodiment of the invention, it is provided that the electrical parameter is an absolute characteristic of the electrical component or a relative characteristic which is determined in relation to a parameter of a further electrical component. In particular, in electrical components forming parts of a bridge circuit, a relative characteristic is advantageous, for. As a resistance ratio, since it does not depend so much on the exact compliance of the individual values of the components in the adjustment of a bridge circuit in some applications.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass der wenigstens eine beeinflusste Parameter des Abscheideprozesses die spezifische Ab- scheiderate des abzuscheidenden Materials in dem Oberflächenbereich des Substrats ist, in dem das Bauteil erzeugt wird. Dies hat den Vorteil, dass die Abschei- dung des einen spezifischen elektrischen Bauteils gezielt beeinflusst werden kann. Es wird somit nicht die Abscheiderate pauschal beeinflusst, sondern mit Bezug auf einen bestimmten Oberflächenbereich des Substrats, in dem das Bauteil erzeugt wird. Dies kann z. B. durch Steuerung einer Abscheidequelle, die das abzuscheidende Material bereitstellt, erfolgen, z.B. durch zeitweises Abschalten der Abscheidequelle. Die Abscheidequelle kann z. B. ein Target sein, wie es z. B. beim Sputtern eingesetzt wird. According to an advantageous embodiment of the invention, it is provided that the at least one influenced parameter of the deposition process, the specific Ab- is the rate of deposition of the material to be deposited in the surface area of the substrate in which the component is produced. This has the advantage that the deposition of the one specific electrical component can be influenced in a targeted manner. Thus, it is not the deposition rate which is influenced in a general way, but with reference to a specific surface area of the substrate in which the component is produced. This can be z. Example, by controlling a Abscheidequelle, which provides the material to be deposited, done, for example, by temporarily switching off the Abscheidequelle. The deposition source can, for. B. may be a target, as z. B. is used during sputtering.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass der wenigstens eine beeinflusste Parameter des Abscheideprozesses durch wenigstens ein mechanisch und/oder elektrisch verstellbares Verstellteil in einer Abscheidekammer, in der der Abscheideprozess durchgeführt wird, und/oder durch Einleiten eines Trimmgases in die Abscheidekammer beeinflusst wird. Dies hat den Vorteil, dass durch das verstellbare Verstellteil der Parameter des Abscheideprozesses beeinflusst werden kann, und zwar in der Art, dass darüber auch die spezifische Abscheiderate des abzuscheidenden Materials in dem Oberflächenbereich des Substrats beeinflusst werden kann, indem das verstellbare Verstellteil derart verstellt wird, dass es bei gewünschter Verringerung der Abscheiderate das herzustellende elektrische Bauteil bzw. den hierfür vorgesehenen Oberflächenbereich des Substrats ganz oder teilweise überdeckt und bei gewünschter Erhöhung der Abscheiderate die Überdeckung verringert wird oder vollständig aufgehoben wird. Das Verstellteil hat damit die Funktion einer verstellbaren Blende. Das Verstellteil kann ein drehbeweglich und/o- der linearbeweglich verstellbares Bauteil sein. Das Verstellteil kann beispielsweise ein um eine Drehachse drehbares Bauteil sein, das im Wesentlichen parallel zur Oberfläche des Substrats verdreht wird. Das Verstellteil weist dann eine oder mehrere Aussparungen auf, die durch Drehverstellung des Verstellteils über unterschiedlichen Oberflächenbereichen des Substrats je nach gewünschter Abscheiderate des Oberflächenbereichs platziert werden können. According to an advantageous development of the invention, it is provided that the at least one influenced parameter of the deposition process is influenced by at least one mechanically and / or electrically adjustable adjustment part in a deposition chamber in which the deposition process is carried out and / or by introducing a trim gas into the deposition chamber , This has the advantage that the parameters of the deposition process can be influenced by the adjustable adjustment part, in such a way that the specific deposition rate of the material to be deposited in the surface region of the substrate can also be influenced by adjusting the adjustable adjustment part in this way, that, when the desired reduction in the deposition rate, the electrical component to be produced or the surface area of the substrate provided for this purpose is completely or partially covered and, if the deposition rate is increased as desired, the coverage is reduced or completely eliminated. The adjustment part thus has the function of an adjustable aperture. The adjusting part may be a rotatable and / or linearly adjustable component. The adjustment part can be, for example, a component which can be rotated about a rotation axis and which is rotated essentially parallel to the surface of the substrate. The adjustment part then has one or more recesses which can be placed by rotational adjustment of the adjustment part over different surface areas of the substrate depending on the desired deposition rate of the surface area.
Durch eine solche rotierende Blende ist zusätzliche eine Anpassung der Schichthomogenität der abgeschiedenen Materialschicht auf dem Substrat durch gezielte Festlegung der Rotationsgeschwindigkeit der Blende möglich. Vorteilhaft ist insbesondere eine Blende mit S-förmiger Aussparung, was für eine gleichmäßige Abscheidung besondere Vorteile hat. Generell kann die Form der Blende bzw. deren Aussparung an die jeweilige Rotationsgeschwindigkeit und die geforderte Schichthomogenität ange- passt werden. Das elektrisch verstellbare Verstellteil kann auch wie eine Iris ausge- bildet sein. By means of such a rotating diaphragm, an additional adaptation of the layer homogeneity of the deposited material layer on the substrate is possible by specific definition of the rotational speed of the diaphragm. In particular, it is advantageous an aperture with S-shaped recess, which has special advantages for a uniform deposition. In general, the shape of the panel or its recess can be adapted to the respective rotational speed and the required layer homogeneity. The electrically adjustable adjusting part can also be designed like an iris.
Alternativ oder zusätzlich kann, z.B. gesteuert durch die Steuereinrichtung, ein Trimmgas in die Abscheidekammer eingeleitet werden und hierdurch der Abschei- deprozess beeinflusst werden. Alternatively or additionally, e.g. controlled by the control device, a trim gas are introduced into the deposition chamber and thereby the deposition process can be influenced.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Messung der elektrischen Kenngröße während des Abscheideprozesses ohne Unterbrechung der Abscheidung des abzuscheidenden Materials erfolgt oder die Abscheidung des abzuscheidenden Materials zur Messung der elektrischen Kenngröße zu- mindest temporär unterbrochen wird und danach fortgeführt wird. Bei einer Messung der elektrischen Kenngröße ohne Unterbrechung der Abscheidung ist eine besonders präzise, zumindest nahezu kontinuierliche Bestimmung der Werte der elektrischen Kenngröße möglich, so dass auch die Beeinflussung des Parameters des Abscheideprozesses sehr präzise in Echtzeit erfolgen kann. According to an advantageous development of the invention, it is provided that the measurement of the electrical parameter takes place during the deposition process without interrupting the deposition of the material to be deposited or the deposition of the material to be deposited for measuring the electrical characteristic is at least temporarily interrupted and then continued. When measuring the electrical parameter without interrupting the deposition, a particularly precise, at least almost continuous, determination of the values of the electrical parameter is possible, so that the influencing of the parameter of the deposition process can be carried out very precisely in real time.
In bestimmten Konstellationen kann die Abscheidung des abzuscheidenden Materials aber eine Störgröße für die Messung sein, d. h. die Messung kann in unerwünschter Weise dadurch verfälscht werden. Dies kann z. B. beim HF-Sputtern oder bei Abscheideprozessen im Plasma der Fall sein. In solchen Fällen kann es vorteil- haft sein, für die Messung der elektrischen Kenngröße die Abscheidung temporär zu unterbrechen, die Messung durchzuführen und danach die Abscheidung wieder fortzusetzen. In certain constellations, however, the deposition of the material to be deposited may be a disturbance for the measurement, i. H. the measurement can be undesirably falsified thereby. This can be z. As in RF sputtering or deposition processes in the plasma be the case. In such cases, it may be advantageous to temporarily interrupt the deposition for the measurement of the electrical parameter, to carry out the measurement and then to resume the deposition.
Insbesondere in dem Fall, dass die Messung der elektrischen Kenngröße nur zu diskreten Zeitpunkten bei Unterbrechung der Abscheidung des abzuscheidenden Materials durchgeführt werden kann, kann das erfindungsgemäße Herstellverfahren nach Art eines iterativen Prozesses durchgeführt werden, derart, dass nach einem Zeitraum der Abscheidung des abzuscheidenden Materials eine Messung durchgeführt wird, der oder die dabei festgestellten Werte der elektrischen Kenngröße dann für die Durchführung der weiteren Abscheidung herangezogen werden, und die Abschei- dung dann mit solchen beeinflussten Parametern des Abscheideprozesses fortgeführt wird, bis nach einem gewissen Zeitraum eine weitere Messung durchgeführt wird und der Vorgang sich wiederholt. In einem solchen Fall kann das iterative Ver- fahren derart durchgeführt werden, dass das Heranführen der elektrischen Kenngröße des Bauteils an den vorgegebenen Toleranzbereich nach Art einer sukzessiven Approximation erfolgt, ähnlich wie bei Analog-Digital-Wandlern. In particular, in the case that the measurement of the electrical characteristic can be performed only at discrete points in time of the deposition of the material to be deposited, the manufacturing method according to the invention can be carried out in the manner of an iterative process, such that after a period of deposition of the material to be deposited Measurement is carried out, the one or more determined values of the electrical characteristic then for the Implementation of the further deposition are used, and the separation is then continued with such influenced parameters of the deposition process until after a certain period of time, a further measurement is performed and the process is repeated. In such a case, the iterative method can be carried out in such a way that the electrical parameter of the component is brought to the predetermined tolerance range in the manner of a successive approximation, similar to analog-to-digital converters.
Wird die Messung der elektrischen Kenngröße nur zu diskreten Zeitpunkten bei Un- terbrechung der Abscheidung durchgeführt, so kann die elektrische Kontaktierung des elektrischen Bauteils für die Durchführung der Messung auch nur dann temporär durchgeführt werden und während der weiteren Abscheidung wieder unterbrochen werden. Für die Kontaktierung des Bauteils zur Durchführung der Messungen gibt es verschiedene Möglichkeiten: If the measurement of the electrical parameter is carried out only at discrete times when the deposition is interrupted, then the electrical contacting of the electrical component for carrying out the measurement can only be performed temporarily and interrupted again during the further deposition. There are various possibilities for contacting the component to carry out the measurements:
- Bei einem Bauteil mit zwei Anschlüssen, z.B. einem Widerstand, können einfach nur zwei Messpunkte angeschlossen werden, z.B. über Messspitzen. - Es kann auch eine 4-Punkt-Messung erfolgen (z.B. van der Pauw-Verfahren)For a component with two terminals, e.g. a resistor, just two measuring points can be connected, e.g. over measuring tips. It is also possible to perform a 4-point measurement (for example van der Pauw method)
- Vierleitermessung mit bspw. 4-Leiteranschlusstechnik, um den Einfluss von Kontakt- und Zuleitungswiderständen zu reduzieren - Four-wire measurement with, for example, 4-wire connection technology to reduce the influence of contact and lead resistances
- bzw. 5 Leiter- oder 6 Leiter-Anschlusstechnik Wird für die Herstellung des elektrischen Bauteils mittels der Abscheidung eine - or 5-wire or 6-wire connection technology Is used for the production of the electrical component by means of the deposition
Maske verwendet, die zwischen der Abscheidequelle des abzuscheidenden Materials und dem Substrat angeordnet ist, so können Kontakte für die Kontaktierung des elektrischen Bauteils in die Maske oder an einem Trägerbauteil der Maske angeordnet sein, z. B. indem sie darin befestigt werden oder darin direkt integriert werden. Mask used, which is arranged between the deposition source of the material to be deposited and the substrate, so contacts can be arranged for the contacting of the electrical component in the mask or on a support member of the mask, for. B. by being fixed therein or integrated directly into it.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass auf dem Substrat zunächst Anschlusskontakte des zu erzeugenden elektrischen Bauteils erzeugt werden und danach durch den Abscheideprozess das elektrische Bauteil mit elektrischer Verbindung zu den Anschlusskontakten abgeschieden wird. Dies hat den Vorteil, dass das elektrische Bauteil für die während des Abscheideprozesses durchgeführten Messungen besonders einfach elektrisch kontaktiert werden kann, insbesondere ohne Messkontakte direkt an dem Bauteil anzubringen, da hierfür bereits die Anschlusskontakte zur Verfügung stehen. According to an advantageous development of the invention, it is provided that first of all connection contacts of the electrical component to be produced are generated on the substrate, and then the electrical component is deposited with electrical connection to the connection contacts by the deposition process. This has the Advantage that the electrical component for the measurements carried out during the deposition process can be particularly easily contacted electrically, in particular without attaching measuring contacts directly to the component, since this already the connection contacts are available.
Hierdurch kann das erfindungsgemäße Verfahren weiter verbessert werden und die Ergebnisse noch präziser gestaltet werden. As a result, the method according to the invention can be further improved and the results made even more precise.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass das elektrische Bauteil gebildet wird, indem das abgeschiedene Material durch eine Maske auf das Substrat gelangt, wobei auf und/oder in der Maske elektrische Kontaktelemente und/oder elektrische Anschlussleitungen angeordnet sind und die Messung der elektrischen Kenngröße unter zumindest teilweiser Nutzung der elektrischen Kontaktelemente und/oder elektrischen Anschlussleitungen durchgeführt wird. Auf diese Weise kann das elektrische Bauteil während des Abscheideprozesses besonders einfach für die Messungen kontaktiert werden. Die elektrischen Kontaktelemente und/oder Anschlussleitungen können beispielsweise auf der dem Substrat zugewandten Oberflächenseite der Maske angeordnet sein, oder auf der dem Substrat abgewandten Oberflächenseite, oder in der Maske selbst angeordnet sein. Auch Kombinationen dieser Anordnungsmöglichkeiten sind vorteilhaft möglich. According to an advantageous embodiment of the invention, it is provided that the electrical component is formed by the deposited material passes through a mask on the substrate, wherein on and / or in the mask electrical contact elements and / or electrical connection lines are arranged and the measurement of electrical Characteristic under at least partial use of the electrical contact elements and / or electrical connection cables is performed. In this way, the electrical component during the deposition process can be contacted very easily for the measurements. The electrical contact elements and / or connection lines can be arranged, for example, on the surface side of the mask facing the substrate, or arranged on the surface side facing away from the substrate, or in the mask itself. Combinations of these arrangement possibilities are advantageously possible.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass als elektrisches Bauteil ein Sensor, ein Aktor oder ein Teil davon erzeugt wird, z.B. ein kapazitiver Aktor oder dessen Funktionsschicht. Das elektrische Bauteil kann auch ein Teil eines solchen Sensors sein. Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann die Messgenauigkeit solcher Sensoren verbessert werden. Der Sensor kann z. B. ein Dehnungsmesssensor, ein Drucksensor, ein Temperatursensor, ein AMR-Sensor o- der ein Wirbelstromsensor sein. Der Sensor kann eine aus dem elektrischen Bauteil oder mehreren solcher elektrischen Bauteile gebildete Brückenschaltung aufweisen, z. B. eine Halbbrücke oder eine Vollbrücke. Die Brückenschaltung kann z. B. alsAccording to an advantageous development of the invention, it is provided that a sensor, an actuator or a part thereof is produced as an electrical component, e.g. a capacitive actuator or its functional layer. The electrical component may also be a part of such a sensor. The inventive method, the measurement accuracy of such sensors can be improved. The sensor can z. B. a strain gauge, a pressure sensor, a temperature sensor, an AMR sensor o- an eddy current sensor. The sensor may comprise a bridge circuit formed from the electrical component or a plurality of such electrical components, for. B. a half bridge or a full bridge. The bridge circuit can, for. B. as
Wheatstone-Brücke, als Wien-Brücke, Wien-Robinson-Brücke oder als Schering-Brücke ausgebildet sein. Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Ab- scheidung des abzuscheidenden Materials zur Messung der elektrischen Kenngröße unterbrochen wird, danach eine Wartezeit abgewartet wird und erst dann die Messung der elektrischen Kenngröße durchgeführt wird. Dies hat den Vorteil, dass die Messung bereinigt von Übergangseffekten, z.B. von Erwärmungs- und Abkühleffekten, durchgeführt werden kann und dementsprechend genauer erfolgen kann. Die Wartezeit ist je nach Art des Prozesses festzulegen. Die Wartezeit kann beispielsweise wenigstens eine Sekunde oder wenigstens zehn Sekunden betragen. Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass anhand der Messung eines Werts der elektrischen Kenngröße oder der Messungen mehrerer Werte der elektrischen Kenngröße die Abscheiderate des abgeschiedenen Materials automatisch ermittelt wird. Mit der Kenntnis der Abscheiderate kann das erfindungsgemäße Verfahren weiter verfeinert werden. Die Abscheiderate ist eine Kenngröße der Abscheideeinrichtung, die die Menge an abgeschiedenem Material pro Zeiteinheit charakterisiert. Wheatstone Bridge, be designed as Vienna Bridge, Vienna-Robinson Bridge or as Schering Bridge. According to an advantageous embodiment of the invention, it is provided that the deposition of the material to be deposited for measuring the electrical parameter is interrupted, then a waiting time is waited and only then the measurement of the electrical parameter is performed. This has the advantage that the measurement, adjusted by transition effects, such as heating and cooling effects, can be performed and can be done accordingly more accurately. The waiting time must be determined according to the nature of the process. The waiting time may be, for example, at least one second or at least ten seconds. According to an advantageous development of the invention, it is provided that the deposition rate of the deposited material is automatically determined on the basis of the measurement of a value of the electrical parameter or the measurements of a plurality of values of the electrical parameter. With the knowledge of the deposition rate, the inventive method can be further refined. The deposition rate is a characteristic of the precipitator that characterizes the amount of deposited material per unit of time.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass aufgrund der automatisch ermittelten Abscheiderate ein Zeitpunkt für die nächste Mes- sung der elektrischen Kenngröße bestimmt wird. Auf diese Weise kann sich das Verfahren automatisch an die jeweiligen Verfahrensparameter der Abscheideanlage adaptieren. Hierdurch ist eine noch gezieltere und schnellere Erzeugung der elektrischen Bauteile möglich. Zwischen den Messungen der elektrischen Kenngröße kann der Abscheideprozess fortgesetzt werden. According to an advantageous development of the invention, it is provided that, on the basis of the automatically determined deposition rate, a time for the next measurement of the electrical parameter is determined. In this way, the method can automatically adapt to the respective process parameters of the deposition plant. As a result, even more targeted and faster generation of electrical components is possible. Between the measurements of the electrical parameter, the deposition process can be continued.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird aufgrund der automatisch ermittelten Abscheiderate die tatsächliche Abscheiderate für den weiteren Ab- scheidevorgang automatisch auf eine Soll-Abscheiderate, d.h. einen Zielwert, geändert, z.B. erhöht oder verringert. Dies hat den Vorteil, dass beim weiteren Abscheideprozess das Bauteil gezielt iterativ dem Zielwert angenähert werden kann. Die eingangs genannte Aufgabe wird ferner gelöst durch eine Anlage zur Herstellung eines elektrischen Bauteils, wobei die Anlage geeignet ist zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit folgenden Merkmalen: a) eine Abscheideeinrichtung mit einer Abscheidekammer zur Durchführung des Abscheideprozesses des abzuscheidenden Materials auf dem Substrat, b) eine Messeinrichtung zum Messen der wenigstens einen elektrischen Kenngröße des durch den Abscheideprozess zu erzeugenden elektrischen Bauteils während des Abscheideprozesses, According to an advantageous development of the invention, due to the automatically determined deposition rate, the actual deposition rate for the further deposition process is automatically changed to a desired deposition rate, ie a target value, eg increased or decreased. This has the advantage that during the further deposition process, the component can be specifically iteratively approximated to the target value. The object mentioned at the outset is further achieved by a system for producing an electrical component, the system being suitable for carrying out a method according to one of the preceding claims, having the following features: a) a separating device having a deposition chamber for carrying out the deposition process of the material to be deposited the substrate, b) a measuring device for measuring the at least one electrical parameter of the electrical component to be produced by the deposition process during the deposition process,
c) eine Steuereinrichtung, der die erfassten Werte der elektrischen Kenngröße von der Messeinrichtung zugeführt sind, wobei die Steuereinrichtung dazu eingerichtet ist, aufgrund eines, mehrerer oder aller der erfassten Werte der elektrischen Kenngröße ein Steuersignal an die Abscheideeinrichtung abzugeben, um wenigstens einen Parameter des Abscheideprozesses zu beeinflussen. Auch hierdurch können die zuvor erläuterten Vorteile realisiert werden. Die Anlage kann insbesondere zur Durchführung eines Verfahrens der zuvor erläuterten Art eingerichtet sein. Hierfür kann die Steuereinrichtung einen Rechner sowie ein Computerprogramm aufweisen, das zur Durchführung eines solchen Verfahrens eingerichtet ist, wenn das Computerprogramm auf dem Rechner der Steuereinrichtung ausge- führt wird. Durch das an die Abscheideeinrichtung abgegebene Steuersignal kann beispielsweise die Abscheiderate von der Abscheidequelle und/oder das nachfolgend noch erläuterte verstellbare Verstellteil und/oder das über einen Gaseinlass eingespeiste Trimmgas beeinflusst werden. Der Rechner kann z.B. ein Mikroprozessor, ein Microcontroller, ein FPGA oder ein vergleichbares Element, ggf. auch eine Anordnung mehrerer solcher Elemente sein. Die Steuereinrichtung kann z.B. eine speicherprogrammierbare Steuerung aufweisen. Die Steuereinrichtung kann auch Teil der vorhandenen Anlage oder der Abscheideeinrichtung sein, z.B. ein PC der Beschichtungsanlage, der um das Compu- terprogramm zur Durchführung eines Verfahrens der zuvor erläuterten Art erweitert wird. Die Steuereinrichtung kann auch ein separates Gerät sein. Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist die realisierbare Baugröße des elektrischen Bauteils. Die zur Durchführung des Verfahrens erforderlichen Anlagenteile und Teilegruppen, insbesondere die Abscheideeinrichtung mit der Abscheidekammer, können vergleichsweise klein ausgeführt werden, z. B. in Form einer mobilen Abscheideein- richtung, so dass ein mobiler Einsatz möglich ist. Zudem ist eine Nachrüstung konventioneller Anlagen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens auf günstige Weise möglich. Die mobile Anlage kann z. B. entsprechend DE 10 2014 004 323 A1 ausgebildet sein. In Kombination mit einer mobilen Abscheideeinrichtung können z. B. beliebig dimensionierte Gegenstände, die dann das Substrat bilden, mit einer oder mehreren elektrischen Bauteilen durch den Abscheideprozess beschichtet werden. Hierbei kann der zu beschichtende Gegenstand (Substrat) deutlich größer sein als die Abscheideeinrichtung, wenn diese über Dichtungen abgedichtet daran temporär befes- tigt wird. c) a control device to which the detected values of the electrical parameter are supplied by the measuring device, wherein the control device is adapted to emit a control signal to the separator on the basis of one, several or all of the detected values of the electrical characteristic, by at least one parameter of the deposition process to influence. This also makes it possible to realize the advantages explained above. The system can be set up in particular for carrying out a method of the type explained above. For this purpose, the control device can have a computer and a computer program which is set up to carry out such a method when the computer program is executed on the computer of the control device. By the control signal delivered to the separation device, for example, the deposition rate of the deposition source and / or the adjustable adjustment part, which will be explained later, and / or the trim gas fed in via a gas inlet can be influenced. The computer may be, for example, a microprocessor, a microcontroller, an FPGA or a comparable element, possibly also an arrangement of several such elements. The control device may, for example, have a programmable logic controller. The control device can also be part of the existing system or of the deposition device, for example a PC of the coating system, which is extended by the computer program for carrying out a method of the type described above. The control device can also be a separate device. Another advantage of the invention is the realizable size of the electrical component. The system parts and parts groups required for carrying out the method, in particular the separation device with the deposition chamber, can be made comparatively small, for. B. in the form of a mobile Abscheideein- direction, so that a mobile use is possible. In addition, a retrofitting of conventional systems for carrying out the method according to the invention is possible in a favorable manner. The mobile system can z. B. be designed according to DE 10 2014 004 323 A1. In combination with a mobile separator z. B. arbitrarily dimensioned objects, which then form the substrate to be coated with one or more electrical components by the deposition process. In this case, the object to be coated (substrate) can be significantly larger than the separating device, if it is temporarily fixed to it via seals sealed.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Abscheideeinrichtung wenigstens ein mechanisch und/oder elektrisch verstellbares Verstellteil in der Abscheidekammer zur Beeinflussung des wenigstens einen Parame- ters des Abscheideprozesses aufweist, das durch die Steuereinrichtung steuerbar ist, und/oder wenigstens einen Gaseinlass für ein Trimmgas zur Beeinflussung des wenigstens einen Parameters des Abscheideprozesses aufweist, der durch die Steuereinrichtung steuerbar ist. Auf diese Weise können ebenfalls die zuvor erläuterten Vorteile erzielt werden, die bezüglich des mechanisch und/oder elektrisch verstellba- ren Verstellteils in der Abscheidekammer erläutert wurden, z.B. in Form einer rotierenden Blende. Wird alternativ oder zusätzlich der Abscheideprozess durch ein Trimmgas beeinflusst, so kann dies über wenigstens einen Gaseinlass erfolgen, wobei das Einspeisen des Trimmgases durch die Steuereinrichtung gesteuert werden kann, z.B. durch eines oder mehrere elektrisch steuerbare Ventile. Es können z.B. verschiedene Düsen oder Gaseinlässe vorhanden sein, z.B. an der Wand der Abscheidekammer, z.B. können verschiedene Düsen oder Gaseinlässe radial um die zu beschichtende Oberfläche des Substrats herum angeordnet sein. Als Trimmgas kann beispielsweise ein Edelgas verwendet werden, z.B. Argon. Je nach durchgeführtem Abscheideprozess können auch andere Gase vorteilhaft sein, z.B. Sauerstoff. Die Erfindung eignet sich auch zur Nachrüstung vorhandener Anlagen bzw. Abscheideeinrichtungen. Es ist dann zumindest die Messeinrichtung zum Messen der wenigstens einen elektrischen Kenngröße sowie die Steuereinrichtung zu ergänzen. Die Steuereinrichtung kann dann insbesondere ein Computerprogramm aufweisen, das zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eingerichtet ist. Ferner muss die Abscheidekammer entsprechend ergänzt werden, sodass der wenigstens eine Parameter des Abscheideprozesses beeinflusst werden kann, z.B. durch wenigstens ein mechanisch und/oder elektrisch verstellbares Verstellteil und/oder den wenigstens einen Gaseinlass für ein Trimmgas. Die eingangs genannte Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Computerprogramm eingerichtet zur Durchführung eines Verfahrens der zuvor erläuterten Art, wenn das Computerprogramm auf einem Rechner ausgeführt wird, z. B. auf einem Rechner einer Steuereinrichtung einer Anlage der zuvor genannten Art. Das Computerprogramm kann die Ansteuerung des Motors, die Auswertung der Widerstände und ei- nen daraus aufgebauten Regelkreis umfassen, der wiederum über einen Algorithmus/Verarbeitungsvorschrift gesteuert wird und somit die Herausforderung meistert, die einzelnen Widerstände als auch die Brückenspannung einzustellen. According to an advantageous development of the invention, it is provided that the separation device has at least one mechanically and / or electrically adjustable adjustment part in the deposition chamber for influencing the at least one parameter of the deposition process, which is controllable by the control device, and / or at least one gas inlet for a trim gas for influencing the at least one parameter of the deposition process, which is controllable by the control device. In this way, the previously explained advantages can also be achieved, which have been explained with respect to the mechanically and / or electrically adjustable adjusting part in the deposition chamber, for example in the form of a rotating diaphragm. If, alternatively or additionally, the deposition process is influenced by a trim gas, this can be done via at least one gas inlet, wherein the feeding of the trim gas can be controlled by the control device, for example by one or more electrically controllable valves. For example, there may be various nozzles or gas inlets, eg, on the wall of the deposition chamber, eg, different nozzles or gas inlets may be disposed radially about the surface of the substrate to be coated. As a trim gas, for example, a noble gas can be used, for example, argon. Depending on the separation process carried out, other gases may also be advantageous, for example oxygen. The invention is also suitable for retrofitting existing systems or separation devices. It is then at least the measuring device for measuring the at least one electrical characteristic and the control device to complete. The control device can then in particular have a computer program which is set up to carry out the method according to the invention. Furthermore, the deposition chamber must be supplemented accordingly so that the at least one parameter of the deposition process can be influenced, for example by at least one mechanically and / or electrically adjustable adjustment part and / or the at least one gas inlet for a trim gas. The aforementioned object is further achieved by a computer program configured to carry out a method of the type described above, when the computer program is executed on a computer, for. The computer program may comprise the control of the motor, the evaluation of the resistors and a control circuit constructed therefrom, which in turn is controlled by an algorithm / processing instruction and thus masters the challenge, to adjust the individual resistors as well as the bridge voltage.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Verwen- dung von Zeichnungen näher erläutert. The invention will be explained in more detail below on the basis of exemplary embodiments using drawings.
Es zeigen Show it
Figur 1 eine elektrische Baugruppe mit mehreren elektrischen Bauteilen in Figure 1 shows an electrical assembly with several electrical components in
Draufsicht und  Top view and
Figur 2 eine Ausschnittsvergrößerung der elektrischen Baugruppe gemäß  2 shows an enlarged detail of the electrical assembly according to
Figur 1 und  Figure 1 and
Figur 3 eine Anlage zur Herstellung eines elektrischen Bauteils und  Figure 3 shows a system for producing an electrical component and
Figur 4 einen Blenden-Mechanismus und Figur 5 eine weitere Ausführungsform eines Blenden-Mechanismus undFigure 4 shows a shutter mechanism and Figure 5 shows another embodiment of a shutter mechanism and
Figuren 6 bis 10 Varianten der elektrischen Kontaktierung des Bauteils während des Figures 6 to 10 variants of the electrical contacting of the component during the
Abscheideprozesses und  Separation process and
Figur 1 1 zwei weitere Kontaktierungsarten des Bauteils während des Abscheideprozesses und  Figure 1 1 two more types of contacting the component during the deposition process and
Figur 12 eine weitere Kontaktierungsart des Bauteils während des Abscheideprozesses.  FIG. 12 shows another way of contacting the component during the deposition process.
In den Figuren werden gleiche Bezugszeichen für einander entsprechende Elemente verwendet. In the figures, like reference numerals are used for corresponding elements.
Die Figur 1 zeigt eine elektrische Baugruppe 1 , die ein Substrat 2 aufweist, auf dem elektrisch leitfähige Strukturen abgeschieden sind. Die elektrisch leitfähigen Strukturen umfassen vier elektrische Bauteile 3, die hier dargestellt sind als jeweilige ohm- sehe Widerstände in Mäanderform. Die Bauteile 3 sind über Leiterbahnen 4 mit Kon- taktpads 5 elektrisch verbunden. Die Leiterbahnen 4 bilden zusammen mit den Kon- taktpads 5 Anschlusskontakte des jeweiligen elektrischen Bauteils 3. Durch entsprechende Verschaltung dieser Anschlusskontakte 4, 5 miteinander kann beispielsweise eine Brückenschaltung mit vier Widerständen gebildet werden, wie sie z.B. für Deh- nungsmesssensoren oder Drucksensoren gebräuchlich ist. FIG. 1 shows an electrical module 1 which has a substrate 2 on which electrically conductive structures are deposited. The electrically conductive structures comprise four electrical components 3, which are shown here as respective ohmic resistors in meandering form. The components 3 are electrically connected via conductor tracks 4 with contact pads 5. The interconnects 4, together with the contact pads 5, form terminal contacts of the respective electrical component 3. By appropriate interconnection of these connection contacts 4, 5, for example, a bridge circuit with four resistors can be formed, as e.g. is used for strain gauges or pressure sensors.
Die Figur 2 zeigt den zentralen Bereich der Figur 1 mit den vier elektrischen Bauteilen 3 in vergrößerter Darstellung. Den elektrischen Bauteilen 3 sind zusätzlich Bezeichnungen R1 , R2, R3 und R4 zugeordnet, die nachfolgend in den Figuren 4 und 5 auch verwendet werden. FIG. 2 shows the central region of FIG. 1 with the four electrical components 3 in an enlarged view. The electrical components 3 are additionally assigned designations R1, R2, R3 and R4, which are also used in FIGS. 4 and 5 below.
Die Figur 3 zeigt eine Anlage zur Herstellung eines elektrischen Bauteils mittels eines Abscheideprozesses, z.B. wie eingangs beschrieben. Die Anlage weist eine Abscheideeinrichtung 16 mit einer Abscheidekammer 6 auf, z.B. in Form einer Sputter- anlage. In der Abscheidekammer 6 ist eine Abscheidequelle 7, z.B. ein Target, vorhanden, durch die das abgeschiedene Material, aus dem die elektrischen Bauteile 3 auf dem Substrat 2 gebildet werden, ausgeschieden wird. Die Abscheidequelle 7 befindet sich wie erkennbar an einem Ende der Abscheidekammer 6, z.B. oben. Am anderen Ende, z.B. unten, befindet sich das Substrat 2. Oberhalb des Substrats 2 befindet sich eine Maske 8, die die entsprechenden Aussparungen aufweist, um die elektrischen Bauteile 3 in der in Figur 2 angegebenen Konfiguration durch den Abscheideprozess in der Abscheidekammer 6 zu erzeugen, d.h. eine Art Negativ der zu erzeugenden Bauteile. Insofern wird durch die Figur 1 zugleich auch die Maske 8 dargestellt. FIG. 3 shows a system for producing an electrical component by means of a deposition process, eg as described above. The plant has a separation device 16 with a deposition chamber 6, for example in the form of a sputtering plant. In the deposition chamber 6, a deposition source 7, for example a target, is present, through which the deposited material, from which the electrical components 3 are formed on the substrate 2, is eliminated. The deposition source 7 is located as recognizable at one end of the deposition chamber 6, for example at the top. At the other end, eg below, is the substrate 2. Above the substrate 2 is a mask 8, which has the corresponding recesses in order to produce the electrical components 3 in the configuration indicated in FIG. 2 by the deposition process in the deposition chamber 6 ie a kind of negative of the components to be produced. In this respect, the mask 8 is also shown by the figure 1 at the same time.
Oberhalb der Maske 8 befindet sich ein Verstellteil in Form einer Blende 9, die somit in Bewegungsrichtung des abgeschiedenen Materials von der Abscheidequelle 7 zum Substrat 2 vor der Maske 8 angeordnet ist. Die Blende 9 schattet damit den Materialtransport von der Abscheidequelle 7 zum Substrat 2 im Hinblick auf die Maske 8 zumindest teilweise ab. Die Blende 9 ist steuerbar, z.B. durch mechanische und/oder elektrische Verstellung. Above the mask 8 is an adjustment part in the form of a diaphragm 9, which is thus arranged in the direction of movement of the deposited material from the deposition source 7 to the substrate 2 in front of the mask 8. The diaphragm 9 thus at least partially shields the material transport from the deposition source 7 to the substrate 2 with respect to the mask 8. The aperture 9 is controllable, e.g. by mechanical and / or electrical adjustment.
Die Abscheideeinrichtung 16 ist mit einer Messeinrichtung 10 verbunden. Über die Messeinrichtung 10 können die elektrischen Kenngrößen eines oder mehrerer der Bauteile 3 während des Abscheideprozesses erfasst werden. Die durch die Messeinrichtung erfassten Werte der elektrischen Kenngröße bzw. der Kenngrößen werden einer Steuereinrichtung 1 1 zugeführt. Die Steuereinrichtung 1 1 weist einen Rechner auf, z.B. einen Mikroprozessor oder MikroController. Ferner weist die Steuereinrichtung 1 1 ein Computerprogramm auf, das durch den Rechner ausgeführt wird, um das erfindungsgemäße Verfahren durchzuführen. Hierdurch ist die Steuereinrichtung dazu eingerichtet, aufgrund der von der Messeinrichtung 10 erfassten und zugeführ- ten Werte der elektrischen Kenngröße ein Steuersignal an die Abscheideeinrichtung 16 abzugeben. Durch dieses Steuersignal wird wenigstens ein Parameter des Abscheideprozesses beeinflusst. So kann die Steuereinrichtung 1 1 beispielsweise die Abscheiderate an der Abscheidequelle 7 durch das Steuersignal beeinflussen. Alternativ oder zusätzlich kann die Steuereinrichtung 1 1 über das Steuersignal die Ver- Stellung und Position der Blende 9 steuern. The separation device 16 is connected to a measuring device 10. About the measuring device 10, the electrical characteristics of one or more of the components 3 can be detected during the deposition process. The values of the electrical parameter or characteristic quantities detected by the measuring device are fed to a control device 11. The control device 11 has a computer, e.g. a microprocessor or microcontroller. Furthermore, the control device 11 has a computer program which is executed by the computer in order to carry out the method according to the invention. As a result, the control device is set up to emit a control signal to the separating device 16 on the basis of the values of the electrical parameter detected and supplied by the measuring device 10. This control signal influences at least one parameter of the deposition process. For example, the control device 1 1 can influence the deposition rate at the deposition source 7 by the control signal. Alternatively or additionally, the control device 1 1 can control the position and position of the diaphragm 9 via the control signal.
Auf diese Weise kann durch die Steuerung der Steuereinrichtung 1 1 sowie durch die Messungen über die Messeinrichtung 10 der gesamte Abscheideprozess kontrolliert durchgeführt werden und die elektrischen Bauteile 3 somit zum Ende des Abscheideprozesses gleich mit den gewünschten elektrischen Kenngrößen, d.h. den Kenngrößen im vorgegebenen Toleranzbereich, bereitgestellt werden. Die Steuereinrichtung 1 1 kann ein Hinweissignal abgeben, wenn der Abscheideprozess beendet ist, d.h. wenn die elektrischen Bauteile 3 jeweils die gewünschte elektrische Kenngröße aufweisen. Die Steuereinrichtung 1 1 kann ferner dazu eingerichtet sein, am Ende des Abscheideprozesses die Abscheidung von der Abscheidequelle 7 abzuschalten. In this way, controlled by the control of the control device 1 1 and by the measurements on the measuring device 10 of the entire deposition process be performed and the electrical components 3 thus at the end of the deposition process equal to the desired electrical characteristics, ie the parameters in the specified tolerance range, are provided. The control device 1 1 may issue a warning signal when the deposition process is completed, ie when the electrical components 3 each have the desired electrical characteristic. The control device 1 1 may further be adapted to switch off the deposition of the deposition source 7 at the end of the deposition process.
In der Figur 4 ist in Draufsicht in der Abbildung a die Maske 8 mit den jeweiligen fensterartigen Aussparungen 13 für die einzelnen Bauteile R1 , R2, R3, R4 dargestellt. Die Abbildungen b und c zeigen die Maske 8, die dann zum Teil durch die Blende 9 abgedeckt ist. Wie man erkennt, ist die Blende 9 mit einer etwa Viertel- kreis-förmigen Aussparung versehen. Über einen elektrisch steuerbaren Aktuator 12 kann die Blende 9 gedreht werden und in eine gewünschte Position gestellt werden, z.B. in die in Abbildung c dargestellte Position. In dieser Position in Abbildung c kann Material zur Herstellung des Widerstands R3 von der Abscheidequelle 7 auf dem Substrat 2 abgeschieden werden. Dies kann z.B. gezielt dann erfolgen, wenn die Messungen durch die Messeinrichtung 10 ergeben haben, dass die Widerstände R1 , R2, R4 bereits die gewünschte elektrische Kenngröße erreicht haben, d.h. den ge- wünschten Widerstandswert im vorgegebenen Toleranzbereich, der Widerstandswert des Widerstands R3 aber noch zu groß ist. In diesem Fall wird zusätzliches Material für das Bauteil R3 durch die Aussparung der Blende 9 und die Maske 8 auf dem Substrat 2 abgeschieden, wodurch sich durch eine Vergrößerung Schichtdicke der Widerstandswert des Widerstands R3 verringert. Dies wird solange durchgeführt, bis der Widerstandswert im vorgegebenen Toleranzbereich ist. Da durch die Abschattung mittels der Blende 9 im Wesentlichen kein Material im Bereich der Widerstände R1 , R2, R4 abgeschieden wird, ändern sich deren Widerstandswerte nicht. In FIG. 4, the mask 8 with the respective window-like recesses 13 for the individual components R1, R2, R3, R4 is shown in plan view in the illustration a. Figures b and c show the mask 8, which is then partially covered by the aperture 9. As can be seen, the aperture 9 is provided with an approximately quarter-circle-shaped recess. Via an electrically controllable actuator 12, the shutter 9 can be rotated and placed in a desired position, e.g. in the position shown in Figure c. In this position in Figure c, material for making the resistor R3 can be deposited on the substrate 2 from the deposition source 7. This can e.g. purposefully take place when the measurements have been made by the measuring device 10 that the resistors R1, R2, R4 have already reached the desired electrical characteristic, i. the desired resistance value in the specified tolerance range, but the resistance of the resistor R3 is still too large. In this case, additional material for the component R3 is deposited on the substrate 2 through the recess of the diaphragm 9 and the mask 8, whereby the resistance value of the resistor R3 is reduced by an increase in layer thickness. This is done until the resistance value is within the specified tolerance range. Since substantially no material in the region of the resistors R1, R2, R4 is deposited by the shading by means of the diaphragm 9, their resistance values do not change.
Zu Beginn des Abscheideprozesses, d.h. bis eine gewisse erforderliche Mindestdicke der Schicht des abgeschiedenen Materials auf dem Substrat 2 erzeugt ist, kann die Blende 9 beispielsweise kontinuierlich rotiert werden, sodass zunächst alle Widerstände R1 bis R4 abgeschieden werden. Während anhand der Figuren 3 und 4 eine drehbare (d.h. rotierbare) Blende 9 beschrieben ist, zeigt die Figur 5, dass eine Blendenanordnung auch durch linear verschiebliche Blendenlamellen 9 realisiert werden kann. Diese können über einen elektrischen Aktuator 12 verschoben werden, sodass wahlweise eines, mehrere oder alle der elektrischen Bauteile 3 bzw. deren Oberflächenbereiche auf dem Substrat 2 durch eine Blendenlamelle 9 abgedeckt sind oder nicht abgedeckt sind. At the beginning of the deposition process, ie until a certain required minimum thickness of the layer of deposited material is produced on the substrate 2, the diaphragm 9 can be rotated, for example, continuously, so that first all the resistors R1 to R4 are deposited. While a rotatable (ie rotatable) aperture 9 is described with reference to FIGS. 3 and 4, FIG. 5 shows that a diaphragm arrangement can also be realized by linearly displaceable diaphragm blades 9. These can be displaced via an electric actuator 12 so that optionally one, several or all of the electrical components 3 or their surface areas on the substrate 2 are covered by a diaphragm blade 9 or are not covered.
Es gibt eine Vielzahl von Möglichkeiten, um die elektrische Kontaktierung des Bauteils 3 auf dem Substrat 2 für die Messungen während des Abscheideprozesses durchzuführen. Die Figur 6 zeigt beispielhaft den Fall, dass über ausfahrbare Kontaktspitzen 14 die Anschlusskontakte 5 (oder auch Leiterbahnen 4) elektrisch kontaktiert werden. Dies erfordert es allerdings, dass die Anschlusskontakte 4, 5 vorab hergestellt sind, d.h. bevor das eigentliche Bauteil 3 durch den Abscheideprozess erzeugt wird. There are a variety of ways to perform the electrical contacting of the component 3 on the substrate 2 for the measurements during the deposition process. FIG. 6 shows, by way of example, the case that the connection contacts 5 (or also conductor tracks 4) are electrically contacted via extendable contact tips 14. However, this requires that the terminals 4, 5 are made in advance, i. before the actual component 3 is generated by the deposition process.
Die Figur 7 zeigt eine Variante der elektrischen Kontaktierung, bei der die Kontaktelemente 15 für die Messungen an der dem Substrat 2 zugewandten Oberflächenseite der Maske 8 befestigt sind. Diese Kontaktelemente 15 können bspw. gegenüber der Maske 8 elektrisch isoliert sein. Die Kontaktelemente 15 können dann entweder die Anschlusskontakte 4, 5 oder das Bauteil 3 direkt kontaktieren. Dabei können Durch- kontaktierungen 19 in der Maske 8 vorhanden sein, durch die elektrische Verbindungen zu den Kontaktelementen 15 durch die Maske 8 hindurch bereitgestellt werden . Die Figur 8 zeigt eine Variante, bei der die Anschlusskontakte 15 für die Messungen direkt in die Maske 8 integriert sind, z.B. an der Innenseite der Aussparung 13. Auf diese Weise kann eine elektrische Kontaktierung des Bauteils 3 während des Abscheideprozesses auch dann erfolgen, wenn keine elektrischen Anschlusskontakte 4, 5 vorhanden sind. So kann durch die Aussparung 13 das abgeschiedene Material direkt zwischen den Kontaktelementen 15 auf dem Substrat 2 abgeschieden werden, sodass hierdurch die elektrische Kontaktierung des Bauteils 3 mit den Kontaktele- menten 15 zugleich im Abscheideprozess hergestellt wird. Auf der Oberseite der Maske 8 können sich Zuleitungen zur Kontaktierung der Kontaktelemente 15 befinden. Die Kontakteelemente 15 können teilweise oder fast vollständig isoliert ausgeführt werden. Die Kontakte 15 können bspw. geometrisch so ausgeführt sein, dass durch Nutzung einer bspw. stufenartigen Verjüngung in bspw. Richtung des Substrats eine elektrische Verbindung zum restlichen abgeschiedenen Material, welches kein Bestandteil der gewollten Sensorstruktur ist, verhindert wird (ähnlich zu Figur 1 1 . Dort verhindert die Unterätzung U eine elektrische Verbindung). FIG. 7 shows a variant of the electrical contacting in which the contact elements 15 for the measurements are fastened to the surface side of the mask 8 facing the substrate 2. These contact elements 15 may, for example, be electrically insulated from the mask 8. The contact elements 15 can then contact either the connection contacts 4, 5 or the component 3 directly. In this case, through-contacts 19 can be present in the mask 8, through which electrical connections to the contact elements 15 are provided through the mask 8. FIG. 8 shows a variant in which the connection contacts 15 for the measurements are integrated directly in the mask 8, for example on the inside of the recess 13. In this way, electrical contacting of the component 3 during the deposition process can also take place if no electrical connection contacts 4, 5 are present. Thus, the deposited material can be deposited directly on the substrate 2 between the contact elements 15 through the recess 13, so that the electrical contacting of the component 3 with the contact elements 15 is thereby simultaneously produced in the deposition process. On the top of the mask 8 leads may be for contacting the contact elements 15. The contact elements 15 can be made partially or almost completely isolated. The contacts 15 may, for example, be designed geometrically such that By using, for example, a step-like taper in, for example, the direction of the substrate, an electrical connection to the remaining deposited material, which is not part of the desired sensor structure, is prevented (similar to Figure 11, where the undercut U prevents an electrical connection).
Die Kontaktspitzen 14 und/oder Kontaktelemente 15 können als gefederte Kontakte ausgebildet sein. The contact tips 14 and / or contact elements 15 may be formed as spring-loaded contacts.
Anhand der Figuren 9 und 10 wird eine weitere vorteilhafte Möglichkeit der elektri- sehen Kontaktierung des Bauteils während des Abscheideprozesses zur Durchführung der Messungen erläutert. Die Figur 9 zeigt eine seitliche Schnittansicht, die Figur 10 zeigt die verwendete Maske 8 in Draufsicht. Wie erkennbar ist, weist die Maske 8 die Öffnungen 13 auf, z.B. in Mäanderform. Der Bereich der Öffnungen 13 ist jeweils über Anschlussleitungen 17 mit Kontaktflächen 18 verbunden. Die An- Schlussleitungen 17 und die Kontaktflächen 18 sind direkt an der Maske 8 befestigt, z.B. auf der Oberfläche, die dem Substrat 2 abgewandt ist, aufgebracht. Die Anschlussleitungen 17 und/oder die Kontaktflächen 18 können beispielsweise ebenfalls durch einen Abscheideprozess auf der Maske 8 aufgebracht sein, z.B. gesputtert sein. Die elektrische Kontaktierung für die Messungen erfolgt dann durch Anschlie- ßen der Kontaktspitzen 14 an den Kontaktflächen 18. Die Kontaktspitzen 14 können insbesondere gefedert ausgebildet sein, d.h. als Federkontakte. Die Übergangsstelle zwischen den Anschlussleitungen 17 zu den Öffnungen 13 kann zusätzlich Kontaktelemente 15 im Sinne von Durchkontaktierungen, ähnlich wie bei Figur 8 oder Figur 7 (Teil 19), aufweisen. A further advantageous possibility of the electrical contacting of the component during the deposition process for carrying out the measurements is explained with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 shows a lateral sectional view, FIG. 10 shows the mask 8 used in plan view. As can be seen, the mask 8 has the openings 13, e.g. in meandering form. The region of the openings 13 is connected in each case via connection lines 17 with contact surfaces 18. The terminal leads 17 and the pads 18 are attached directly to the mask 8, e.g. on the surface facing away from the substrate 2 applied. For example, the leads 17 and / or pads 18 may also be deposited on the mask 8 by a deposition process, e.g. be sputtered. The electrical contacting for the measurements is then carried out by connecting the contact tips 14 to the contact surfaces 18. The contact tips 14 may in particular be sprung, i. as spring contacts. The transition point between the connection lines 17 to the openings 13 may additionally comprise contact elements 15 in the sense of plated-through holes, similar to FIG. 8 or FIG. 7 (part 19).
An einigen Stellen, z.B. im Bereich der Zuleitungen 17, kann zusätzlich eine Isolationsschicht aufgebracht sein, damit nur an gewünschten Stelle ein elektrischer Kontakt bereitgestellt wird. Die Figur 1 1 zeigt wiederum in vergleichbarer Ansicht wie die Figuren 6 bis 9 dasIn some places, e.g. in the region of the leads 17, an insulating layer can additionally be applied so that an electrical contact is provided only at the desired location. FIG. 11 again shows a view similar to FIGS. 6 to 9
Substrat 2 in Seitenansicht. Dargestellt ist ferner die Maske 8 mit der Öffnung 13. Auf die Maske 8 ist eine Maskenaufnahme 20 aufgesetzt, die die Maske 8 hält und zur elektrischen Kontaktierung des abzuscheidenden Bauteils 3 dient. In einer inneren Aussparung der Maskenaufnahme 20 befindet sich die Blende 9, z.B. in Form einer rotierenden Blende, wie anhand der Figur 4 beschrieben. Die Blende 9 kann an einer rotierenden Blendenaufnahme 90 angeordnet sein. Substrate 2 in side view. Also shown is the mask 8 with the opening 13. On the mask 8, a mask receptacle 20 is placed, which holds the mask 8 and is used for electrical contacting of the component 3 to be deposited. In an inner recess of the mask holder 20 is the aperture 9, for example in the form of a rotating aperture, as described with reference to FIG 4. The diaphragm 9 can be arranged on a rotating diaphragm receptacle 90.
Für die elektrische Kontaktierung des abzuscheidenden Bauteils 3 sind in der Mas- kenaufnahme 20 Federstifte 21 eingesetzt, die eine federnde Kontaktierung zu einer zwischen der Maskenaufnahme 20 und der Maske 8 befindlichen Leiterschicht 23 bilden. Die Federstifte 21 sind außerdem mit Zuleitungen 22 verbunden. An die Zuleitungen 22 kann ein Messgerät zu Erfassung der Werte der Kenngröße des Bauteils 3 angeschlossen werden. In der Maske 8 befinden sich Durchkontaktierungen 19, die die elektrische Verbindung von den Leiterschichten 23 zu Anschlusskontakten bspw. 91 , 5 bzw. 29 bilden. Die Durchkontaktierungen können bspw. isoliert zum Maskenmaterial oder anderen Komponenten ausgeführt sein. Auf den Leiterschichten 23 können Isolationsschichten vorhanden sein. Die Anschlusskontakte 5 können vorab mit einer weiteren Maske auf dem Substrat abgeschieden werden. Zwischen der Un- terseite der Maske 8 und den Anschlusskontakten 5 kann eine Isolationsschicht 25 vorhanden sein, z.B. eine Si3N4-Schicht. Ferner kann sich unterhalb der Isolationsschicht 25 eine Opferschicht 26 befinden, z.B. eine Schicht aus S1O2. Die Isolationsschicht 25 und die Opferschicht 26 sind Bestandteil der Maske 8. Ferner kann sich auf der Unterseite der Durchkontaktierung 19 (vgl. Figur 1 1 ) und/oder der Opfer- schicht 26 eine zusätzliche leitfähige Kontaktierung 91 aus bspw. Gold oder Goldlegierungen befinden. Auf dem Substrat 2 kann sich eine Isolationsschicht 24 befinden. For the electrical contacting of the component 3 to be deposited, spring pins 21, which form a resilient contact with a conductor layer 23 located between the mask receptacle 20 and the mask 8, are inserted into the mask receptacle 20. The spring pins 21 are also connected to leads 22. To the supply lines 22, a measuring device for detecting the values of the parameter of the component 3 can be connected. In the mask 8 there are plated-through holes 19 which form the electrical connection from the conductor layers 23 to connection contacts, for example, 91, 5 and 29, respectively. The plated-through holes can, for example, be made insulated from the mask material or other components. On the conductor layers 23 insulation layers may be present. The connection contacts 5 can be deposited in advance with a further mask on the substrate. An insulating layer 25 may be present between the underside of the mask 8 and the connection contacts 5, for example a Si 3 N 4 layer. Furthermore, a sacrificial layer 26 can be located below the insulation layer 25, for example a layer of S1O2. The insulation layer 25 and the sacrificial layer 26 are part of the mask 8. Furthermore, an additional conductive contact 91 of, for example, gold or gold alloys may be located on the underside of the plated-through hole 19 (see FIG. 11) and / or the sacrificial layer 26. On the substrate 2, an insulating layer 24 may be located.
Die Pfeile 28 charakterisieren den Materialfluss des abgeschiedenen Materials. Das abgeschiedene Material kommt durch die Blende 9 und die Öffnung 13 auf dem Sub- strat 2 an und wird dort als Schicht 27 abgeschieden. Aus der Schicht 27 wird das Bauteil 3 gebildet. Das abgeschiedene Material kann sich auch an den Innenseiten der Öffnung 13 und an anderen Elementen anlagern. The arrows 28 characterize the material flow of the deposited material. The deposited material arrives on the substrate 2 through the aperture 9 and the opening 13 and is deposited there as a layer 27. From the layer 27, the component 3 is formed. The deposited material may also attach to the insides of the opening 13 and other elements.
Während im linken Bereich die bereits beschriebene Kontaktierung mittels des be- reits vorab abgeschiedenen (vorgesputterten) Anschlusskontaktes 5 erfolgt, zeigt die Figur 1 1 im rechten Bereich eine alternative Kontaktierung des abzuscheidenden Bauteils 3 mittels einer Kontaktzunge 29, die an der Maske 8 befestigt ist bzw. ein Bestandteil der Maske 8 ist. Die Kontaktzunge 29 kann z.B. aus Gold oder einer Goldlegierung sein. Beide Kontaktierungsarten können wahlweise eingesetzt werden, wobei auch auf beiden Seiten jeweils die gleiche Kontaktierungsart genutzt werden kann. Der Vorteil der Verwendung einer an der Maske 8 angeordneten Kontaktzunge 29 besteht darin, dass auf dem Substrat 2 nicht schon vorab leitende Schichten wie z.B. die Anschlusskontakte 5 vorhanden sein müssen, was günstig für die EMV-Verträg- lichkeit des hergestellten Bauelements ist. Im Rahmen der Fertigung der Maske 8 kann die Isolationsschicht 25 und Opferschicht 26 durch bspw. CVD-Prozess oder PVD-Prozess hergestellt werden. Die Kontaktzunge kann bspw. durch PVD-Prozess, bspw. Sputtern, CVD-Prozess oder bspw. galvanisch erzeugt werden. Die zur Fertigung der Maske 8 notwendigen Maskierungsschichten zur Erzeugung der Schichtstrukturen der einzelnen Schichten (bspw. Schicht 25 oder/und 26 o- der/und 91 oder/und 17) kann mittels Fotolithographie oder/und Laser Direct Imaging oder sonstigen üblichen Verfahren erzeugt werden. Die Opferschicht 26 kann bei der Fertigung der Masken 8 nasschemisch bspw. zum Teil entfernt, wodurch die in Figur 1 1 mit„U" bezeichnete Lücke oder Unterätzung ausgebildet wird. Somit entsteht eine zum Teil freischwebende Kontaktierungszunge 29. Während der Abscheidung wird durch diese Unterätzung, mangels einer vollständigen Beschichtung der Unterätzung während eines Beschichtungsprozesses be- dingt durch bspw. die Geometrie der Unterätzung, ein Kurzschluss bzw. eine elektrische Verbindung zu der restlichen Schicht, die nicht die eigentliche Sensorstruktur 3 bildet (bspw. derjenigen, die sich auf der Maske 8 befindet) verhindert. While in the left-hand area the already described contacting takes place by means of the already pre-sputtered terminal contact 5, FIG. 11 shows in the right-hand area an alternative contacting of the component 3 to be deposited by means of a contact tongue 29 which is fastened to the mask 8 or is a part of the mask 8. The contact tongue 29 may be made of gold or a Be gold alloy. Both types of contacting can optionally be used, wherein in each case the same contacting can be used on both sides. The advantage of using a contact tongue 29 arranged on the mask 8 is that layers, such as the connection contacts 5, which are not already precluded, must be present on the substrate 2, which is favorable for the EMC compatibility of the manufactured component. As part of the production of the mask 8, the insulating layer 25 and sacrificial layer 26 can be prepared by, for example, CVD process or PVD process. The contact tongue can be generated, for example, by PVD process, for example sputtering, CVD process or, for example, galvanically. The masking layers necessary for producing the mask 8 for producing the layer structures of the individual layers (for example layer 25 and / or 26 or / and 91 or / and 17) can be produced by means of photolithography and / or laser direct imaging or other conventional methods , The sacrificial layer 26 may be partially removed by wet-chemical means, for example, in the manufacture of the masks 8, thereby forming the gap or undercut denoted by "U" in Figure 11, thus creating a partially free-floating contacting tongue 29. During deposition, this undercut is formed in the absence of a complete coating of the undercut during a coating process, for example due to the geometry of the undercut, a short circuit or an electrical connection to the remaining layer, which does not form the actual sensor structure 3 (for example, those on the mask 8 located) prevented.
Die Maske 8 wird bspw. mittels Klebstoff auf der Maskenaufnahme 20 fixiert. The mask 8 is fixed, for example, by means of adhesive on the mask receptacle 20.
Die Kontaktzungen 29 können auch durch das Aufbringen einer leitfähigen Struktur bspw. einer Folie und/oder eines Substrats gefertigt und durch bspw. Bonden oder Kleben an bspw. der Maske befestigt werden. Hierbei kann die Notwendigkeit einer Opferschicht und/oder Ätzung der Opferschicht entfallen. Die Federstifte 21 können mit einer äußeren Isolierung in den Halter 20 eingepresst werden, z.B. durch eine Außenisolierung mittels Teflonband, oder durch eine Teflonhülse oder sonstige Isolationshülse. The contact tongues 29 can also be produced by the application of a conductive structure, for example a film and / or a substrate, and fixed by, for example, bonding or gluing to, for example, the mask. In this case, the need for a sacrificial layer and / or etching of the sacrificial layer can be dispensed with. The spring pins 21 can be pressed with an outer insulation in the holder 20, for example by an external insulation by means of Teflon tape, or by a Teflon sleeve or other insulating sleeve.
Die Maske 8 kann z.B. aus Silizium-Material gebildet sein, z.B. monokristallines oder polykristallines Silizium, Siliziumoxid, Siliziumdioxid oder andere Oxide, Suboxide, aus Keramik, Stahl, Aluminium oder einer Legierung, Polyamid, z.B. kupferkaschiert, oder Glas. The mask 8 may e.g. be formed of silicon material, e.g. monocrystalline or polycrystalline silicon, silica, silica or other oxides, sub-oxides, of ceramics, steel, aluminum or an alloy, polyamide, e.g. copper-clad, or glass.
Die Durchkontaktierungen 19 können beispielsweise mittels Galvanik, CVD-Prozess, PVD-Prozess, Aufdampfen erzeugt werden. Die Struktur der Maske 8 kann beispielsweise durch reaktives lonentiefenätzen, nasschemisches Ätzen, Fräsen, Laserbearbeitung und ähnliche Prozesse erzeugt werden. Zur Herstellung der Durchkontaktie- rungen können Bohrungen in dem durchzukontaktierenden Bauteil eingebracht werden. Die Bohrungen können beispielsweise durch reaktives lonentiefenätzen, nasschemisches Ätzen, Fräsen, Laserbearbeitung und ähnliche Prozesse erzeugt werden. Die Bohrungen werden bekeimt, z.B. indem sie mit einem Katalysator belegt werden, und anschließend katalytisch metallisiert und danach gegebenenfalls elekt- rolytisch verstärkt werden, um eine dickere Metallschicht aufzubauen. Es ist auch möglich, die Durchkontaktierungen durch Lot oder Durchführungen zum Durchstecken herzustellen. Für die elektrische Durchkontaktierung kann bspw. Gold, Goldlegierungen oder Kupfer verwendet werden. Die Maske 8 kann über die Außenseite zentriert werden. Die Maske 8 kann z.B. über die Maskenaufnahme 20 durch integrierte Anlagepunkte entsprechend zentriert werden. Dies ist insbesondere bei Mehrfachabscheidungen, die auf dem Substrat 2 übereinander erzeugt werden, von Vorteil. Bei der Ausführungsform gemäß Figur 12 wird eine Kontaktierung des abzuscheidenden Bauteils 3 durchgeführt, indem in der Maskenaufnahme 20 die Federstifte 21 eingesetzt werden und mit den Zuleitungen 22 verbunden werden. Die Federstifte 21 erstrecken sich durch Öffnungen in der Maske 8 hindurch. Die Innenseite der Öffnung kann mit einer elektrischen Isolationsschicht beschichtet werden bspw. durch einen PVD-Prozess und/oder CVD-Prozess. Die Öffnungen können durch bspw. reaktives lonentiefenätzen, nasschemisches Ätzen, Fräsen, Laserbearbeitung und ähnliche Prozesse erzeugt werden. Auf der dem Substrat 2 zugewandten Seite sind die Federstifte 21 in elektrischem Kontakt mit den Anschlusskontakten 5 (vgl. Figur 12). Zur besseren Übersicht ist in der Figur 12 die Blende 9 und die Maskenaufnahme 20 nicht dargestellt. Auf der Isolationsschicht 25 kann sich eine Opferschicht oder weitere isolierende Schicht befinden. Es kann auch eine auf dem Substrat 2 aufgebrachte Temporärkontaktierung durch die Federstifte 21 kontaktiert werden. Die Temporärkontaktierung kann die Anschlusskontakte 5 dabei ersetzen oder ergänzen. Die Temporärkontaktierung kann vor der Abscheidung auf der Oberfläche des Substrats oder/und auf der Maske befestigt werden, bspw. durch Kleben oder Bonden. Als Material für die Temporärkontaktierung bieten sich bspw. dünne Schichten, Substrate und/ oder Folien an. Zur Messung der Widerstände bei einer Kontaktierung gemäß Figur 12 kann dieThe plated-through holes 19 can be produced for example by means of electroplating, CVD process, PVD process, vapor deposition. The structure of the mask 8 can be generated, for example, by reactive ion etching, wet chemical etching, milling, laser machining and similar processes. To produce the plated-through holes, holes can be made in the component to be through-contacted. The holes can be produced for example by reactive ion etching, wet chemical etching, milling, laser machining and similar processes. The holes are germinated, eg by being coated with a catalyst, and then catalytically metallized and then optionally electrolytically reinforced to build up a thicker metal layer. It is also possible to make the vias through solder or feedthroughs for insertion. For example, gold, gold alloys or copper can be used for the electrical through-connection. The mask 8 can be centered over the outside. The mask 8 can be centered, for example, via the mask receptacle 20 by means of integrated contact points. This is particularly advantageous in the case of multiple deposits which are produced on the substrate 2 one above the other. In the embodiment according to FIG. 12, a contacting of the component 3 to be deposited is carried out by inserting the spring pins 21 in the mask receptacle 20 and connecting them to the supply lines 22. The spring pins 21 extend through openings in the mask 8 therethrough. The inside of the opening can be coated with an electrical insulation layer, for example by a PVD process and / or CVD process. The openings can be produced by, for example, reactive ion etching, wet chemical etching, milling, laser machining and similar processes. On the side facing the substrate 2, the spring pins 21 are in electrical contact with the connection contacts 5 (see FIG. For better clarity, the diaphragm 9 and the mask holder 20 are not shown in FIG. On the insulation layer 25 may be a sacrificial layer or further insulating layer. It is also possible to contact a temporary contact made by the spring pins 21 on the substrate 2. The temporary contact can replace or supplement the connection contacts 5. The temporary contact can be fixed to the surface of the substrate or / and on the mask before the deposition, for example by gluing or bonding. For example, thin layers, substrates and / or foils are suitable as material for the temporary contacting. For measuring the resistances in a contacting according to FIG. 12, the
Maskenaufnahme inkl. der Maske und aller damit verbundener Gegenstände von der Oberfläche eine Distanz zurückgefahren werden, sodass bei Verwendung der Federstifte in Kombination mit den Anschlusskontakten 5, die Federstifte noch in Kontakt mit den Anschlusskontakten 5 verbleiben. Der Einfluss parasitärer, ungewollter Be- Schichtungen bspw. der Maske 8 auf bspw. die Widerstandsmessung kann durch die entstehende Lücke zwischen der Maske 8 (bzw. der äußersten Isolationsschicht bspw. 25) und dem Substrat 2 verhindert werden. Das Zurückfahren ist auch bei Verwendung von auf dem Substrat befestigten Temporärkontaktierungen möglich. Die Maskenaufnahme 20 bildet zusammen mit den Federstiften 21 oder anderenMask retainer including the mask and all the objects associated with it are moved back a distance from the surface, so that when using the spring pins in combination with the connection contacts 5, the spring pins still remain in contact with the connection contacts 5. The influence of parasitic, unwanted coatings eg of the mask 8 on, for example, the resistance measurement can be prevented by the resulting gap between the mask 8 (or the outermost insulating layer, for example, 25) and the substrate 2. Retraction is also possible using temporary contacts secured to the substrate. The mask holder 20 forms together with the spring pins 21 or others
Durchkontaktierungen eine Kontaktierungseinheit für die Durchführung eines Verfahrens der eingangs erläuterten Art, wobei die Kontaktierungseinheit zur elektrischen Kontaktierung des zu erzeugenden elektrischen Bauteils 3 für die Durchführung einer Messung der elektrischen Kenngröße des elektrischen Bauteils eingerichtet ist. Through-contacts a contacting unit for carrying out a method of the type described above, wherein the contacting unit is arranged for making electrical contact with the electrical component 3 to be generated for performing a measurement of the electrical characteristic of the electrical component.
Das erfindungsgemäße Verfahren und die für die Durchführung einsetzten Bauteile können sowohl bei einem Substrat 2 mit ebener Oberfläche als auch bei einem Substrat 2 mit gewölbter Oberfläche angewandt werden. The method according to the invention and the components used for the implementation can be applied both to a substrate 2 with a flat surface and to a substrate 2 with a curved surface.

Claims

Patentansprüche claims
Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauteils (3) mit zumindest einer elektrischen Kenngröße des elektrischen Bauteils, die in einem vorgegebenen Toleranzbereich ist, wobei durch Abscheiden eines Materials auf einem Substrat (2) das elektrische Bauteil (3) gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass im Verlaufe des Abscheideprozesses jeweilige Werte der elektrischen Kenngröße durch Messungen kontinuierlich oder zu diskreten Zeitpunkten erfasst werden und aufgrund eines, mehrerer oder aller erfassten Werte wenigstens ein Parameter des Abscheideprozesses beeinflusst wird, bis die elektrische Kenngröße im vorgegebenen Toleranzbereich ist. Method for producing an electrical component (3) having at least one electrical parameter of the electrical component which is within a predetermined tolerance range, wherein the electrical component (3) is formed by depositing a material on a substrate (2), characterized in that During the deposition process, respective values of the electrical parameter are detected continuously or at discrete points in time by measurements and, based on one, several or all detected values, at least one parameter of the deposition process is influenced until the electrical parameter is within the predetermined tolerance range.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Kenngröße eine absolute Kenngröße des elektrischen Bauteils (3) oder eine relative Kenngröße ist, die in Relation zu einer Kenngröße eines weiteren elektrischen Bauteils (3) festgelegt ist. Method according to the preceding claim, characterized in that the electrical parameter is an absolute characteristic of the electrical component (3) or a relative characteristic which is determined in relation to a parameter of a further electrical component (3).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine beeinflusste Parameter des Abscheideprozesses die spezifische Abscheiderate des abzuscheidenden Materials in dem Oberflächenbereich des Substrats (2) ist, in dem das Bauteil (3) erzeugt wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one influenced parameter of the deposition process is the specific deposition rate of the material to be deposited in the surface region of the substrate (2) in which the component (3) is produced.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine beeinflusste Parameter des Abscheideprozesses durch wenigstens ein mechanisch und/oder elektrisch verstellbares Verstellteil (9) in einer Abscheidekammer (6), in der der Abscheideprozess durchgeführt wird, und/oder durch Einleiten eines Trimmgases in die Abscheidekammer (6) beeinflusst wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one influenced parameters of the deposition process by at least one mechanically and / or electrically adjustable adjusting part (9) in a deposition chamber (6), in which the deposition process is performed, and / or by initiating a trim gas in the deposition chamber (6) is influenced.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung der elektrischen Kenngröße während des Abscheideprozesses ohne Unterbrechung der Abscheidung des abzuscheidenden Materials erfolgt oder die Abscheidung des abzuscheidenden Materials zur Messung der elektrischen Kenngröße zumindest temporär unterbrochen wird und danach fortgeführt wird. 5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the measurement of the electrical characteristic takes place during the deposition process without interrupting the deposition of the material to be deposited or the deposition of the material to be deposited for measuring the electrical characteristic is at least temporarily interrupted and is continued thereafter.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat (2) zunächst Anschlusskontakte (4, 5) des zu erzeugenden elektrischen Bauteils (3) erzeugt werden und danach durch den Ab- scheideprozess das elektrische Bauteil (3) mit elektrischer Verbindung zu den Anschlusskontakten (4, 5) abgeschieden wird. 6. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that on the substrate (2) first terminal contacts (4, 5) of the electrical component to be generated (3) are generated and then by the deposition process, the electrical component (3) electrical connection to the terminal contacts (4, 5) is deposited.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrische Bauteil (3) gebildet wird, indem das abgeschiedene Material durch eine Maske (8) auf das Substrat (2) gelangt, wobei auf und/oder in der Maske (8) elektrische Kontaktelemente (15) und/oder elektrische Anschlussleitungen (17) angeordnet sind und die Messung der elektrischen Kenngröße unter zumindest teilweiser Nutzung der elektrischen Kontaktelemente (15) und/oder elektrischen Anschlussleitungen (17) durchgeführt wird. 7. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the electrical component (3) is formed by the deposited material passes through a mask (8) on the substrate (2), wherein on and / or in the mask (8 ) electrical contact elements (15) and / or electrical connection lines (17) are arranged and the measurement of the electrical parameter under at least partial use of the electrical contact elements (15) and / or electrical connection lines (17) is performed.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als elektrisches Bauteil (3) ein Sensor, ein Aktor oder ein Teil davon erzeugt wird. 8. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that as the electrical component (3), a sensor, an actuator or a part thereof is generated.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung des abzuscheidenden Materials zur Messung der elektrischen Kenngröße unterbrochen wird, danach eine Wartezeit abgewartet wird und erst dann die Messung der elektrischen Kenngröße durchgeführt wird. 9. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the deposition of the material to be deposited for measuring the electrical characteristic is interrupted, then a waiting time is waited and only then the measurement of the electrical characteristic is performed.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass anhand der Messung eines Werts der elektrischen Kenngröße oder der Messungen mehrerer Werte der elektrischen Kenngröße die Abscheiderate des abgeschiedenen Materials automatisch ermittelt wird. 10. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that based on the measurement of a value of the electrical characteristic or the measurements of a plurality of values of the electrical characteristic, the deposition rate of the deposited material is automatically determined.
1 1 . Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass aufgrund der automatisch ermittelten Abscheiderate ein Zeitpunkt für die nächste Messung der elektrischen Kenngröße bestimmt wird. 1 1. Method according to the preceding claim, characterized in that a time for the next measurement of the electrical parameter is determined on the basis of the automatically determined deposition rate.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass aufgrund der automatisch ermittelten Abscheiderate die tatsächliche Abscheiderate für den weiteren Abscheidevorgang automatisch auf eine Soll-Abscheiderate geändert wird. 12. The method according to any one of claims 10 to 1 1, characterized in that due to the automatically determined deposition rate, the actual deposition rate for the further deposition process is automatically changed to a desired deposition rate.
13. Anlage zur Herstellung eines elektrischen Bauteils (3), wobei die Anlage geeignet ist zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit folgenden Merkmalen: 13. Plant for producing an electrical component (3), the plant being suitable for carrying out a method according to one of the preceding claims, having the following features:
a) eine Abscheideeinrichtung (16) mit einer Abscheidekammer (6) zur Durchführung des Abscheideprozesses des abzuscheidenden Materials auf dem Substrat (2),  a) a separation device (16) having a deposition chamber (6) for carrying out the deposition process of the material to be deposited on the substrate (2),
b) eine Messeinrichtung (10) zum Messen der wenigstens einen elektrischen Kenngröße des durch den Abscheideprozess zu erzeugenden elektrischen Bauteils (3) während des Abscheideprozesses,  b) a measuring device (10) for measuring the at least one electrical parameter of the electrical component (3) to be produced by the deposition process during the deposition process,
c) eine Steuereinrichtung (1 1 ), der die erfassten Werte der elektrischen  c) a control device (1 1), the detected values of the electrical
Kenngröße von der Messeinrichtung (10) zugeführt sind, wobei die Steuereinrichtung (1 1 ) dazu eingerichtet ist, aufgrund eines, mehrerer oder aller der erfassten Werte der elektrischen Kenngröße ein Steuersignal an die Abscheideeinrichtung (16) abzugeben, um wenigstens einen Parameter des Abscheideprozesses zu beeinflussen.  Characteristic of the measuring device (10) are supplied, wherein the control device (1 1) is adapted to give on the basis of one, several or all of the detected values of the electrical characteristic a control signal to the separator (16) to at least one parameter of the deposition process influence.
14. Anlage nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheideeinrichtung (16) wenigstens ein mechanisch und/oder elektrisch verstellbares Verstellteil (9) in der Abscheidekammer (6) zur Beeinflussung des wenigstens einen Parameters des Abscheideprozesses aufweist, das durch die Steuereinrichtung (1 1 ) steuerbar ist, und/oder wenigstens einen Gaseinlass für ein Trimmgas zur Beeinflussung des wenigstens einen Parameters des Abscheideprozesses aufweist, der durch die Steuereinrichtung (1 1 ) steuerbar ist. 14. Plant according to the preceding claim, characterized in that the separation device (16) has at least one mechanically and / or electrically adjustable adjusting part (9) in the deposition chamber (6) for influencing the at least one parameter of the deposition process, which is controlled by the control device (16). 1 1) is controllable, and / or at least one gas inlet for a trim gas for influencing the at least one parameter of the deposition process, which is controllable by the control device (1 1).
15. Steuereinrichtung (1 1 ) einer Anlage nach einem der Ansprüche 13 bis 14, eingerichtet zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 12. 15. Control device (1 1) of a system according to one of claims 13 to 14, adapted for carrying out a method according to one of claims 1 to 12.
Computerprogramm eingerichtet zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wenn das Computerprogramm auf einem Rechner einer Steuereinrichtung, z.B. einer Steuereinrichtung (1 1 ) einer Anlage nach einem der Ansprüche 13 bis 14, ausgeführt wird. Computer program adapted to carry out a method according to one of claims 1 to 12, when the computer program is stored on a computer of a control device, e.g. a control device (1 1) of a system according to one of claims 13 to 14, is executed.
Kontaktierungseinheit für die Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Kontaktierungseinheit zur elektrischen Kontaktie- rung des zu erzeugenden elektrischen Bauteils (3) für die Durchführung einer Messung der elektrischen Kenngröße des elektrischen Bauteils eingerichtet ist. Contacting unit for carrying out a method according to any one of claims 1 to 12, wherein the contacting unit for electrical contacting of the electrical component to be generated (3) is arranged for performing a measurement of the electrical characteristic of the electrical component.
Kontaktierungseinheit nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierungseinheit als Maskenaufnahme (20) ausgebildet ist oder eine Maskenaufnahme aufweist, wobei die Maskenaufnahme (20) zur Aufnahme und Halterung einer beim Abscheideprozess verwendeten Maske (8) eingerichtet ist. Contacting unit according to the preceding claim, characterized in that the contacting unit is designed as a mask receptacle (20) or has a mask receptacle, wherein the mask receptacle (20) for receiving and holding a mask used in the deposition process (8) is arranged.
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