WO2018190034A1 - 高周波スイッチ - Google Patents

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哲成 齋藤
竜太 幸丸
中原 和彦
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三菱電機株式会社
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K17/945Proximity switches
    • H03K17/95Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/952Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
    • H03K17/9537Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency switch used for a high-frequency module or the like.
  • a system such as radar uses a common antenna for transmission and reception, and a transmission / reception module equipped with a high-frequency switch consists of a transmission circuit and a reception circuit.
  • the input / output end of the antenna, the input end of the reception circuit, and the output end of the transmission circuit are connected to the circulator. It may take the structure connected by.
  • the circulator is connected to the input terminal of the high-frequency switch
  • the LNA Low Noise Amplifier
  • the terminator is connected to the second output terminal.
  • the high frequency switch has a function of passing between the input terminal and the first output terminal at the time of signal reception and outputting the received signal to the subsequent LNA, and between the input terminal and the second output terminal at the time of signal transmission.
  • the received signal power input to the transmission / reception module varies greatly depending on the distance to the object.
  • an excessive power is not input to the LNA to prevent destruction.
  • an automatic gain control (automatic gain control, hereinafter referred to as AGC) circuit for adjusting power
  • the high frequency switch itself has an AGC function.
  • AGC automatic gain control
  • the high frequency switch cuts off between the input terminal and the first output terminal, and sufficiently attenuates the received signal using the isolation of the high frequency switch and outputs it to the LNA. It is necessary to have a function.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a high frequency switch capable of reducing reflection seen from a terminal to which an LNA is connected.
  • a high frequency switch includes a first transistor having a drain terminal connected to an input terminal and a source terminal connected to a first output terminal, and a drain.
  • a second transistor having a terminal connected to the first output terminal, a drain terminal connected to the source terminal of the second transistor, a source terminal grounded, and one end of the second transistor Connected between the connection between the source terminal and the drain terminal of the third transistor, the other end being grounded, and connected between the input terminal and the second output terminal, the input terminal and the second output
  • a switching circuit capable of switching between a state of passing a transmission / reception signal between the terminals and a state of blocking the transmission / reception signal, a first transistor, a second transistor, a third transistor, and And a control unit for controlling the circuit exchange.
  • the control unit sets the switching circuit in a state of blocking transmission / reception signals, turns on the first transistor and the third transistor, turns off the second transistor, At the time of transmission and at the time of reception accompanied by automatic gain control operation, the switching circuit is made to pass the transmission / reception signal, the first transistor and the third transistor are turned off, and the second transistor is turned on.
  • 1 is a circuit diagram showing a high-frequency switch according to a first embodiment of the present invention.
  • Equivalent circuit diagram at the time of reception without AGC operation of the high frequency switch according to the first embodiment Equivalent circuit diagram at the time of transmission and reception with AGC operation of the high frequency switch according to the first embodiment
  • Equivalent circuit diagram at the time of reception without the AGC operation of the high frequency switch according to the second embodiment Equivalent circuit diagram at the time of transmission and reception with AGC operation of the high frequency switch according to the second embodiment Circuit diagram showing a high-frequency switch according to a third embodiment of the present invention.
  • movement of the high frequency switch concerning Embodiment 3 Equivalent circuit diagram at the time of transmission and reception with AGC operation of the high frequency switch according to the third embodiment
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a high-frequency switch 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • the high frequency switch 100 includes transistors 7, 8, 9, 10 that are field effect transistors, a resistor 11, a transmission line 6, and a control unit 101.
  • the transistors 7, 8, 9, and 10 may be transistors other than field effect transistors.
  • the control unit 101 is a control circuit that controls the gate voltages of the transistors 7, 8, 9, and 10.
  • an input terminal 1 is connected to an antenna (not shown), an output terminal 3 that is a first output terminal is connected to an LNA (not shown), and an output terminal 2 that is a second output terminal is a termination (not shown). Connected to the container.
  • the drain terminal of the transistor 7, which is the first transistor, is connected to a connection portion between the input terminal 1 and one end of the transmission line 6, and the source terminal of the transistor 7 is connected to the output terminal 3.
  • the drain terminal of the transistor 8 is connected to the connection portion between the other end of the transmission line 6 and the output terminal 2, and the source terminal of the transistor 8 is grounded.
  • the drain terminal of the transistor 9, which is the second transistor, is connected to the connection portion between the source terminal of the transistor 7 and the output terminal 3, and the source terminal of the transistor 9 is connected to the drain terminal of the transistor 10.
  • the drain terminal of the transistor 10 as the third transistor is connected to the source terminal of the transistor 9, and the source terminal of the transistor 10 is grounded.
  • One end of the resistor 11 is connected to a connection portion between the source terminal of the transistor 9 and the drain terminal of the transistor 10, and the other end of the resistor 11 is grounded.
  • the transmission line 6 and the transistor 8 constitute a switching circuit connected between the input terminal 1 and the output terminal 2.
  • the switching circuit is not limited to the configuration of the transmission line 6 and the transistor 8 as long as the switching circuit can be switched between a state of passing a transmission / reception signal between the input terminal 1 and the output terminal 2 and a state of blocking the transmission / reception signal.
  • the control unit 101 controls whether the switching circuit is in a state of passing the transmission / reception signal or a state of blocking the transmission / reception signal. Specifically, the controller 101 switches the state of the switching circuit by controlling the gate voltage of the transistor 8.
  • the control terminal 4 is connected to the gate terminals of the transistors 7, 8, and 10, and the control terminal 5 is connected to the gate terminal of the transistor 9.
  • the control terminal 4 and the control terminal 5 are connected to the control unit 101.
  • the control terminal turns on the transistor by applying a gate voltage equal to or higher than the pinch-off voltage to the gate terminal of the transistor, and turns the transistor off by applying a gate voltage lower than the pinch-off voltage.
  • an on-state transistor can be equivalently regarded as a resistance, and hence this will be referred to as an on-resistance hereinafter. Since an off-state transistor can be regarded as a capacitor equivalently, it is hereinafter referred to as an off-capacitance.
  • the high-frequency switch 100 shown in FIG. 1 turns on the transistors 7, 8, and 10 by controlling the gate voltage via the control terminal 4 and the control terminal 5 by the control unit 101 during reception without the AGC operation. At the same time, the transistor 9 is turned off. At this time, the switching circuit is in a state of blocking the transmission / reception signal. At the time of transmission and at the time of reception accompanied by AGC operation, the control unit 101 controls the gate voltage via the control terminal 4 and the control terminal 5, thereby turning off the transistors 7, 8, 10 and turning on the transistor 9 To. At this time, the switching circuit is in a state of passing the transmission / reception signal.
  • control unit 101 includes a transistor The on state or off state of 7, 8, 9, 10 is switched according to the above.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram at the time of reception without the AGC operation of the high-frequency switch 100 according to the first embodiment.
  • the transmission line 6 is set to have an electrical length of 90 ° at the center frequency of the transmission / reception signal, and transmission is performed if the on-resistance 13 of the transistor 8 is sufficiently smaller than the impedance of the terminator connected to the output terminal 2. Since the connection portion of the line 6 with the output terminal 2 can be regarded as a short circuit, and the impedance of the transmission line 6 viewed from the input terminal 1 can be approximated to infinity, the reception signal transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 2 is blocked. Is done.
  • the impedance of the off-capacitance 14 of the transistor 9 is set to be sufficiently high near the center frequency of the transmission / reception signal, and the reception signal is transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 3.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram at the time of transmission of the high frequency switch 100 according to the first embodiment and at the time of reception accompanied by the AGC operation.
  • the impedance of the off-capacitance 16 of the transistor 7 is set to be sufficiently high in the vicinity of the center frequency of the transmission / reception signal, the input terminal 1 and the output terminal 3 are cut off.
  • the impedance of the off-capacitance 17 of the transistor 8 is set to be sufficiently high near the center frequency of the transmission / reception signal, the transmission signal at the time of transmission can pass from the input terminal 1 to the output terminal 2.
  • the transmission signal is transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 2.
  • the received signal is sufficiently attenuated and transmitted to the output terminal 3.
  • the off-capacitance 19 of the transistor 10 is set so that the impedance is sufficiently high in the vicinity of the center frequency of the transmission / reception signal, the impedance when the high-frequency switch 100 is expected from the output terminal 3 is the on-resistance 18 of the transistor 9 and the resistor 11. Looks like it is terminated with a combined resistor. Therefore, by determining the value of the resistor 11 so that the combined resistance of the on-resistance 18 and the resistor 11 is equal to the characteristic impedance of the LNA, the high-frequency switch 100 viewed from the output terminal 3 is reduced in reflection.
  • the impedance when the high frequency switch 100 is expected from the output terminal 3 to which the LNA is connected at the time of reception accompanied by the AGC operation seems to be terminated by the combined resistance of the transistor 9 and the resistor 11. Therefore, it is possible to obtain an effect of reducing reflection by the high-frequency switch 100 viewed from the output terminal 3 to which the LNA is connected without causing total reflection. That is, according to the high frequency switch 100 according to the first embodiment, the reflection of the signal from the output terminal 3 to the high frequency switch 100 at the time of transmission and reception can be made equal, and the reflection by the high frequency switch 100 viewed from the output terminal 3 is reduced. it can.
  • the high frequency switch 100 it is possible to stably operate the LNA connected to the subsequent stage at the time of reception accompanied by the AGC operation, and the reception characteristics can be improved.
  • the reception characteristics can be improved.
  • it is not necessary to newly provide an AGC circuit it is possible to reduce the size by reducing the circuit scale.
  • FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing the high-frequency switch 200 according to the second embodiment of the present invention.
  • the high frequency switch 200 includes a transistor 20 and a transmission line 21 that are fourth transistors in addition to the transistors 7, 8, 9, and 10, the resistor 11, and the transmission line 6 included in the high frequency switch 100. Further, the high frequency switch 200 includes a control unit 201 instead of the control unit 101. Below, the description of the same point as the high frequency switch 100 is omitted, and the different points will be mainly described.
  • the source terminal of the transistor 7 is connected to one end of the transmission line 21.
  • the other end of the transmission line 21 is connected to the output terminal 3. That is, the source terminal of the transistor 7 is connected to the output terminal 3 through the transmission line 21.
  • the transmission line 21 is set to have an electrical length of 90 ° at the center frequency of the transmission / reception signal.
  • the drain terminal of the transistor 20 is connected to the connection portion between the source terminal of the transistor 7 and the transmission line 21, and the source terminal of the transistor 20 is grounded.
  • the drain terminal of the transistor 9 is connected to the connection portion between the other end of the transmission line 21 and the output terminal 3.
  • the control terminal 50 is connected to the gate terminals of the transistors 9 and 20.
  • the control terminal 4 and the control terminal 50 are connected to the control unit 201.
  • the high-frequency switch 200 shown in FIG. 4 turns on the transistors 7, 8, and 10 when the control unit 201 controls the gate voltage via the control terminal 4 and the control terminal 50 during reception without an AGC operation.
  • the transistors 9 and 20 are turned off.
  • the switching circuit including the transmission line 6 and the transistor 8 is in a state of interrupting the transmission / reception signal.
  • the control unit 201 controls the gate voltage via the control terminal 4 and the control terminal 50, thereby turning off the transistors 7, 8, 10 and turning off the transistors 9, 20 Turn on.
  • the switching circuit including the transmission line 6 and the transistor 8 is in a state of passing a transmission / reception signal.
  • control unit 201 includes a transistor The on state or off state of 7, 8, 9, 10, 20 is switched according to the above.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram at the time of reception without the AGC operation of the high-frequency switch 200 according to the second embodiment.
  • the transmission line 6 is set to have an electrical length of 90 ° at the center frequency of the transmission / reception signal, and transmission is performed if the on-resistance 13 of the transistor 8 is sufficiently smaller than the impedance of the terminator connected to the output terminal 2. Since the connection portion of the line 6 with the output terminal 2 can be regarded as a short circuit, and the impedance of the transmission line 6 viewed from the input terminal 1 can be approximated to infinity, the reception signal transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 2 is blocked. Is done.
  • the impedance of each of the off-capacitance 14 of the transistor 9 and the off-capacitance 25 of the transistor 20 is set to be sufficiently high in the vicinity of the center frequency of the transmission / reception signal, the received signal is input from the input terminal 1 to the output terminal 3. Is transmitted.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the high frequency switch 200 according to the second embodiment at the time of transmission and at the time of reception accompanied by an AGC operation.
  • the off-capacitance 16 of the transistor 7 and the off-capacitance 17 of the transistor 8 are set so that the impedance is sufficiently high in the vicinity of the center frequency of the transmission / reception signal, transmission transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 3 during transmission is performed. The signal is blocked and the transmission signal is transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 2. Further, the reception signal at the time of reception accompanied by the AGC operation is sufficiently attenuated and transmitted to the output terminal 3.
  • the transmission signal leaked from the off-capacitance 16 of the transistor 7 is reflected because the on-resistance 29 of the transistor 20 is sufficiently small and can be regarded as a short circuit, so that the off-capacitance of the transistor 7 of the high-frequency switch 100 according to the first embodiment is reflected.
  • the amount of isolation can be improved as compared with the case of blocking with only 16.
  • the transmission line 21 of the high frequency switch 200 is set to have an electrical length of 90 ° at the center frequency of the transmission / reception signal, and the input impedance of the transmission line 21 viewed from the input terminal 1 can be approximated to infinity.
  • the impedance of the off-capacitance 19 of the transistor 10 is set to be sufficiently high in the vicinity of the center frequency of the transmission / reception signal, the impedance when the high-frequency switch 200 is expected from the output terminal 3 is equal to the on-resistance 18 and the resistance of the transistor 9. It appears to be terminated by the combined resistance of the device 11.
  • the high-frequency switch 200 according to the second embodiment can obtain the same effects as the high-frequency switch 100 according to the first embodiment, and can turn on the transistor 20 at the time of transmission or reception with an AGC operation.
  • the resistance 29 provides an effect of improving the isolation amount as compared with the high frequency switch 100.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a high-frequency switch 300 according to the third embodiment of the present invention.
  • the high frequency switch 300 includes an inductor 32 and a resistor 33 in addition to the transistors 7, 8, 9, 10 included in the high frequency switch 100, the resistor 11, the transmission line 6, and the control unit 101. Below, the description of the same point as the high frequency switch 100 is omitted, and the different points will be mainly described.
  • One end of each of the inductor 32 and the resistor 33 is connected to the drain terminal of the transistor 7, and the other end of each of the inductor 32 and the resistor 33 is connected to the source terminal of the transistor 7. That is, both ends of the inductor 32 and the resistor 33 are connected to the drain terminal and the source terminal of the transistor 7.
  • the high-frequency switch 300 shown in FIG. 7 controls the gate voltage via the control terminal 4 and the control terminal 5 when the signal is not accompanied by the AGC operation, so that the transistors 7, 8, and 10 are turned on. And the transistor 9 is turned off.
  • the control unit 101 controls the gate voltage via the control terminal 4 and the control terminal 5, thereby turning off the transistors 7, 8, 10 and turning on the transistor 9 To.
  • FIG. 8 is an equivalent circuit diagram at the time of signal reception without the AGC operation of the high frequency switch 300 according to the third embodiment.
  • the transmission line 6 is set to have an electrical length of 90 ° at the center frequency of the transmission / reception signal, and transmission is performed if the on-resistance 13 of the transistor 8 is sufficiently smaller than the impedance of the terminator connected to the output terminal 2. Since the connection portion of the line 6 with the output terminal 2 can be regarded as a short circuit, and the impedance of the transmission line 6 viewed from the input terminal 1 can be approximated to infinity, the reception signal transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 2 is blocked. Is done.
  • the impedance of the off-capacitance 14 of the transistor 9 is set to be sufficiently high near the center frequency of the transmission / reception signal, and the reception signal is transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 3. Since the on-resistance 12 of the transistor 7 is sufficiently small, the influence of the loss caused by the inductor 32 and the resistor 33 connected in parallel can be ignored.
  • FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of the high frequency switch 300 according to the third embodiment at the time of transmission and at the time of reception accompanied by an AGC operation.
  • the off-capacitance 16 and the inductor 32 of the transistor 7 are set to resonate in parallel at the center frequency of the transmission / reception signal, the input terminal 1 and the output terminal 3 are cut off.
  • the impedance of the off-capacitance 17 of the transistor 8 is set to be sufficiently high near the center frequency of the transmission / reception signal, the transmission signal at the time of transmission is transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 2. Further, the reception signal at the time of reception accompanied by the AGC operation is sufficiently attenuated and transmitted to the output terminal 3.
  • the resistor 33 connected in parallel to the resonance circuit composed of the off-capacitance 16 of the transistor 7 and the inductor 32 has a function of lowering the Q value of the resonance circuit to widen the isolation characteristic.
  • the impedance of the resonance circuit composed of the off-capacitance 16 and the inductor 32 can be approximated to infinity, and the off-capacitance 19 of the transistor 10 is set to have a sufficiently high impedance in the vicinity of the center frequency of the transmission / reception signal.
  • the impedance from which the high-frequency switch 300 is viewed from 3 appears to be terminated by the combined resistance of the on-resistance 18 of the transistor 9 and the resistor 11.
  • the high-frequency switch 300 according to the third embodiment can obtain the same effect as the high-frequency switch 100 according to the first embodiment, and can be isolated by a resonance circuit including the off-capacitance 16 of the transistor 7 and the inductor 32. The effect of improving the amount of adjustment is obtained. Further, since the transmission line 21 used in the high-frequency switch 200 according to the second embodiment is unnecessary, there are advantages in that the circuit scale is reduced and the line loss is reduced as compared with the high-frequency switch 200.
  • the configuration described in the above embodiment shows an example of the contents of the present invention, and can be combined with another known technique, and can be combined with other configurations without departing from the gist of the present invention. It is also possible to omit or change the part.

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Abstract

高周波スイッチ(100)は、入力端子(1)に接続され第一の出力端子(3)に接続された第一のトランジスタ(7)と、第一の出力端子に接続された第二のトランジスタ(9)と、第二のトランジスタに接続され接地された第三のトランジスタ(10)と、第二と第三のトランジスタとの接続部に接続され接地された抵抗器(11)と、入力端子と第二の出力端子(2)との間の送受信信号を通過する状態と遮断する状態とに切替え可能な切替回路と、第一、第二、第三のトランジスタおよび切替回路を制御する制御部(101)を備え、制御部は、受信時は、切替回路を送受信信号を遮断する状態に、第一および第三のトランジスタをオン状態に、第二のトランジスタをオフ状態に、送信時および自動利得制御動作を伴う受信時は、切替回路を送受信信号を通過する状態に、第一および第三のトランジスタをオフ状態に、第二のトランジスタをオン状態にする。

Description

高周波スイッチ
 本発明は、高周波モジュールなどに使用される高周波スイッチに関する。
 レーダなどのシステムでは送受信で共通のアンテナを用いており、高周波スイッチを備えた送受信モジュールは送信回路および受信回路からなり、アンテナの入出力端、受信回路の入力端および送信回路の出力端をサーキュレータで接続した構造をとることがある。
 上記のような送受信モジュールの受信回路において、高周波スイッチは入力端子にサーキュレータが接続され、第一の出力端子にLNA(Low Noise Amplifier)が接続され、第二の出力端子は終端器が接続される。高周波スイッチは、信号受信時には入力端子と第一の出力端子との間を通過状態にさせ受信信号を後段のLNAへ出力する機能を持ち、信号送信時には入力端子と第二の出力端子との間を通過状態にさせサーキュレータを介した漏洩信号またはアンテナから反射した送信信号を第二の出力端子に接続された終端器に出力し、後段のLNAを送信信号から保護する機能を持つ。
 また、レーダでは対象物との距離により送受信モジュールに入力される受信信号電力は大きく異なり、受信信号の電力が大きい場合、LNAに過大な電力が入力し破壊することを防ぐため、LNAの前段に電力を調整する自動利得制御(Automatic Gain Control、以下ではAGCと称する)回路を設ける、あるいは、高周波スイッチ自体にAGC機能を持たせることが考えられる。高周波スイッチをAGC回路として用いる場合、高周波スイッチは入力端子と第一の出力端子との間を遮断状態にさせ、高周波スイッチのアイソレーションを用いて受信信号を十分に減衰させLNAへ出力するような機能を持たせる必要がある。
 特許文献1の図1に記載の回路構成の高周波スイッチにおいては、信号受信時は全てのトランジスタをオフ状態とし、信号送信時は全てのトランジスタをオン状態とする。特許文献1の図1において、信号送信時はLNAの接続された入出力端子1cから高周波スイッチ側を見たときに、トランジスタ2cのオン抵抗が十分小さく短絡と見なせる。このため、LNAの接続された入出力端子1cから高周波スイッチ側を見た反射が全反射となり受信特性の劣化またはLNAの不安定動作が生じる。したがって、特許文献1の図1のような回路構成の高周波スイッチをAGCとして使用することは困難であり、LNA前段に別にAGC回路を設ける必要がある。
特開2013-98771号公報
 上で述べたように、特許文献1の図1に記載されるような従来の高周波スイッチをAGCとして使用した場合、LNAの接続された第一の出力端子から高周波スイッチへの反射が全反射となり、受信系特性の低下またはLNAの不安定動作が生じる。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、LNAが接続される端子からみた反射を低減することが可能な高周波スイッチを得ることを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る高周波スイッチは、ドレイン端子が入力端子に接続され、ソース端子が第一の出力端子に接続された第一のトランジスタと、ドレイン端子が第一の出力端子に接続された第二のトランジスタと、ドレイン端子が第二のトランジスタのソース端子に接続され、ソース端子が接地された第三のトランジスタと、一端が第二のトランジスタのソース端子と第三のトランジスタのドレイン端子との接続部に接続され、他端が接地された抵抗器と、入力端子と第二の出力端子との間に接続され、入力端子と第二の出力端子との間の送受信信号を通過する状態と送受信信号を遮断する状態とに切替え可能な切替回路と、第一のトランジスタ、第二のトランジスタ、第三のトランジスタおよび切替回路を制御する制御部と、を備える。制御部は、自動利得制御動作を伴わない受信時には、切替回路を送受信信号を遮断する状態にして、第一のトランジスタおよび第三のトランジスタをオン状態にして、第二のトランジスタをオフ状態にし、送信時および自動利得制御動作を伴う受信時には、切替回路を送受信信号を通過する状態にして、第一のトランジスタおよび第三のトランジスタをオフ状態にして、第二のトランジスタをオン状態にすることを特徴とする。
 本発明によれば、LNAが接続される端子からみた反射を低減することが可能な高周波スイッチが得られるという効果を奏する。
本発明の実施の形態1にかかる高周波スイッチを示す回路図 実施の形態1にかかる高周波スイッチのAGC動作を伴わない受信時の等価回路図 実施の形態1にかかる高周波スイッチの送信時およびAGC動作を伴う受信時の等価回路図 本発明の実施の形態2にかかる高周波スイッチを示す回路図 実施の形態2にかかる高周波スイッチのAGC動作を伴わない受信時の等価回路図 実施の形態2にかかる高周波スイッチの送信時およびAGC動作を伴う受信時の等価回路図 本発明の実施の形態3にかかる高周波スイッチを示す回路図 実施の形態3にかかる高周波スイッチのAGC動作を伴わない信号受信時の等価回路図 実施の形態3にかかる高周波スイッチの送信時およびAGC動作を伴う受信時の等価回路図
 以下に、本発明の実施の形態にかかる高周波スイッチを図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
 図1は、本発明の実施の形態1にかかる高周波スイッチ100を示す回路図である。高周波スイッチ100は、電界効果トランジスタであるトランジスタ7,8,9,10と、抵抗器11と、伝送線路6と、制御部101と、を備える。なお、トランジスタ7,8,9,10は、電界効果トランジスタ以外のトランジスタであってもかまわない。制御部101は、トランジスタ7,8,9,10のゲート電圧を制御する制御回路である。
 図1において、入力端子1は図示せぬアンテナに接続され、第一の出力端子である出力端子3は図示せぬLNAに接続され、第二の出力端子である出力端子2は図示せぬ終端器に接続される。
 伝送線路6の一端は入力端子1に接続され、伝送線路6の他端は出力端子2に接続される。第一のトランジスタであるトランジスタ7のドレイン端子は、入力端子1と伝送線路6の一端との接続部に接続され、トランジスタ7のソース端子は出力端子3に接続される。トランジスタ8のドレイン端子は伝送線路6の他端と出力端子2との接続部に接続され、トランジスタ8のソース端子は接地される。第二のトランジスタであるトランジスタ9のドレイン端子はトランジスタ7のソース端子と出力端子3との接続部に接続され、トランジスタ9のソース端子はトランジスタ10のドレイン端子と接続される。第三のトランジスタであるトランジスタ10のドレイン端子はトランジスタ9のソース端子と接続され、トランジスタ10のソース端子は接地される。抵抗器11の一端はトランジスタ9のソース端子とトランジスタ10のドレイン端子との接続部に接続され、抵抗器11の他端は接地される。
 伝送線路6およびトランジスタ8は、入力端子1と出力端子2との間に接続された切替回路を構成する。切替回路は、入力端子1と出力端子2との間の送受信信号を通過する状態と送受信信号を遮断する状態とに切替え可能な回路であれば、伝送線路6およびトランジスタ8といった構成に限定されない。切替回路が送受信信号を通過する状態または送受信信号を遮断する状態のいずれの状態となるかは制御部101により制御される。具体的には、制御部101がトランジスタ8のゲート電圧を制御することにより、切替回路の状態を切替える。
 制御端子4は、トランジスタ7,8,10それぞれのゲート端子に接続され、制御端子5はトランジスタ9のゲート端子に接続される。制御端子4および制御端子5は制御部101に接続される。制御端子はトランジスタのゲート端子にピンチオフ電圧以上のゲート電圧を印加することでトランジスタをオン状態とし、ピンチオフ電圧未満のゲート電圧を印加することでトランジスタをオフ状態とする。このとき、オン状態のトランジスタは等価的に抵抗とみなせるので、以下ではこれをオン抵抗と呼称する。そして、オフ状態のトランジスタは等価的に容量とみなせるので、以下ではこれをオフ容量と呼称する。
 図1に示した高周波スイッチ100は、AGC動作を伴わない受信時には、制御部101が制御端子4および制御端子5を介してゲート電圧を制御することにより、トランジスタ7,8,10をオン状態にすると共に、トランジスタ9をオフ状態にする。このとき、上記切替回路は、送受信信号を遮断する状態になる。送信時およびAGC動作を伴う受信時には、制御部101が制御端子4および制御端子5を介してゲート電圧を制御することにより、トランジスタ7,8,10をオフ状態にすると共に、トランジスタ9をオン状態にする。このとき、上記切替回路は、送受信信号を通過する状態になる。
 送受信を切替えるときの他に、AGC動作を伴わない受信時に受信信号の電力がLNAにとって過大になる可能性があると判断したときにも、AGC動作を実行するために、制御部101は、トランジスタ7,8,9,10のオン状態またはオフ状態を上記に従って切替える。
 図2は、実施の形態1にかかる高周波スイッチ100のAGC動作を伴わない受信時の等価回路図である。
 伝送線路6は、送受信信号の中心周波数において電気長が90°になるよう設定されており、トランジスタ8のオン抵抗13が出力端子2に接続された終端器のインピーダンスに比べて十分に小さければ伝送線路6の出力端子2との接続部は短絡と見なせ、入力端子1から見た伝送線路6のインピーダンスは無限大と近似できるため、入力端子1から出力端子2へ伝送される受信信号は遮断される。そして、トランジスタ9のオフ容量14のインピーダンスは送受信信号の中心周波数の近傍において十分高くなるように設定されており、受信信号は入力端子1から出力端子3へ伝送される。
 図3は、実施の形態1にかかる高周波スイッチ100の送信時およびAGC動作を伴う受信時の等価回路図である。
 トランジスタ7のオフ容量16のインピーダンスは送受信信号の中心周波数の近傍で十分高くなるよう設定されているため入力端子1と出力端子3との間は遮断状態となる。加えて、トランジスタ8のオフ容量17のインピーダンスは送受信信号の中心周波数の近傍において十分高くなるよう設定されているため、送信時の送信信号は入力端子1から出力端子2へ通過可能な状態になっており、入力端子1から出力端子2へ送信信号が伝送される。また、AGC動作を伴う受信時は、受信信号は十分に減衰されて出力端子3へ伝送される。
 トランジスタ10のオフ容量19は送受信信号の中心周波数の近傍において十分にインピーダンスが高くなるよう設定されているため、出力端子3から高周波スイッチ100を見込んだインピーダンスはトランジスタ9のオン抵抗18と抵抗器11の合成抵抗で終端されているように見える。したがって、オン抵抗18と抵抗器11の合成抵抗がLNAの特性インピーダンスと等しくなるように抵抗器11の値を決めることで、出力端子3からみた高周波スイッチ100は低反射化される。
 以上説明したように、AGC動作を伴う受信時にLNAが接続される出力端子3から高周波スイッチ100を見込んだインピーダンスはトランジスタ9のオン抵抗18と抵抗器11の合成抵抗で終端されているように見えるため、LNAが接続される出力端子3からみた高周波スイッチ100による反射を全反射させずに低減する効果が得られる。すなわち、実施の形態1にかかる高周波スイッチ100によれば、送信時および受信時における出力端子3から高周波スイッチ100への信号の反射を同等にでき、出力端子3からみた高周波スイッチ100による反射を低減できる。したがって、実施の形態1にかかる高周波スイッチ100によれば、AGC動作を伴う受信時に、後段に接続されたLNAを安定に動作させることが可能となり、受信特性の向上が図れる。また、AGC回路を新たに設ける必要がないので、回路規模削減による小型化が図れる。
実施の形態2.
 図4は、本発明の実施の形態2にかかる高周波スイッチ200を示す回路図である。高周波スイッチ200は、高周波スイッチ100が備えるトランジスタ7,8,9,10と、抵抗器11と、伝送線路6と、に加えて、第四のトランジスタであるトランジスタ20および伝送線路21を備える。また、高周波スイッチ200には、制御部101の代りに制御部201が備えられている。以下では、高周波スイッチ100と同様な点の説明は省いて、異なる点を主に説明する。
 トランジスタ7のソース端子は、伝送線路21の一端に接続される。伝送線路21の他端は出力端子3に接続される。すなわち、トランジスタ7のソース端子は伝送線路21を介して出力端子3に接続される。なお、伝送線路21は、送受信信号の中心周波数において電気長が90°になるよう設定されている。トランジスタ20のドレイン端子はトランジスタ7のソース端子と伝送線路21との接続部に接続され、トランジスタ20のソース端子は接地される。トランジスタ9のドレイン端子は伝送線路21の他端と出力端子3との接続部に接続される。制御端子50はトランジスタ9,20のゲート端子に接続される。制御端子4および制御端子50は制御部201に接続される。
 図4に示した高周波スイッチ200は、AGC動作を伴わない受信時には、制御部201が制御端子4および制御端子50を介してゲート電圧を制御することにより、トランジスタ7,8,10をオン状態にすると共に、トランジスタ9,20をオフ状態にする。このとき、伝送線路6およびトランジスタ8からなる切替回路は、送受信信号を遮断する状態になる。送信時およびAGC動作を伴う受信時には、制御部201が制御端子4および制御端子50を介してゲート電圧を制御することにより、トランジスタ7,8,10をオフ状態にすると共に、トランジスタ9,20をオン状態にする。このとき、伝送線路6およびトランジスタ8からなる切替回路は、送受信信号を通過する状態になる。
 送受信を切替えるときの他に、AGC動作を伴わない受信時に受信信号の電力がLNAにとって過大になる可能性があると判断したときにも、AGC動作を実行するために、制御部201は、トランジスタ7,8,9,10,20のオン状態またはオフ状態を上記に従って切替える。
 図5は、実施の形態2にかかる高周波スイッチ200のAGC動作を伴わない受信時の等価回路図である。
 伝送線路6は、送受信信号の中心周波数において電気長が90°になるよう設定されており、トランジスタ8のオン抵抗13が出力端子2に接続された終端器のインピーダンスに比べて十分に小さければ伝送線路6の出力端子2との接続部は短絡と見なせ、入力端子1から見た伝送線路6のインピーダンスは無限大と近似できるため、入力端子1から出力端子2へ伝送される受信信号は遮断される。そして、トランジスタ9のオフ容量14およびトランジスタ20のオフ容量25それぞれのインピーダンスは送受信信号の中心周波数の近傍において十分に高くなるように設定されているため、受信信号は入力端子1から出力端子3へ伝送される。
 図6は、実施の形態2にかかる高周波スイッチ200の送信時およびAGC動作を伴う受信時の等価回路図である。
 トランジスタ7のオフ容量16およびトランジスタ8のオフ容量17はそれぞれ送受信信号の中心周波数の近傍においてインピーダンスが十分に高くなるよう設定されているため、送信時に入力端子1から出力端子3へ伝送される送信信号は遮断され、送信信号は入力端子1から出力端子2へ伝送される。また、AGC動作を伴う受信時の受信信号は十分に減衰され出力端子3へ伝送される。
 なお、トランジスタ7のオフ容量16から漏れ出した送信信号は、トランジスタ20のオン抵抗29が十分に小さく短絡と見なせ、反射するため、実施の形態1にかかる高周波スイッチ100のトランジスタ7のオフ容量16のみで遮断する場合よりもアイソレーション量を向上させることができる。
 高周波スイッチ200の伝送線路21は、送受信信号の中心周波数において電気長が90°になるよう設定されており、入力端子1からみた伝送線路21の入力インピーダンスは無限大と近似できる。加えて、トランジスタ10のオフ容量19のインピーダンスは送受信信号の中心周波数の近傍において十分高くなるよう設定されているため、出力端子3から高周波スイッチ200を見込んだインピーダンスはトランジスタ9のオン抵抗18と抵抗器11の合成抵抗で終端されているように見える。
 以上説明したように、実施の形態2にかかる高周波スイッチ200は、実施の形態1にかかる高周波スイッチ100と同様の効果が得られるとともに、送信時またはAGC動作を伴う受信時において、トランジスタ20のオン抵抗29により、高周波スイッチ100よりもアイソレーション量を向上させるという効果が得られる。
実施の形態3.
 図7は、本発明の実施の形態3にかかる高周波スイッチ300を示す回路図である。高周波スイッチ300は、高周波スイッチ100が備えるトランジスタ7,8,9,10と、抵抗器11と、伝送線路6と、制御部101と、に加えて、インダクタ32および抵抗器33を備える。以下では、高周波スイッチ100と同様な点の説明は省いて、異なる点を主に説明する。
 インダクタ32および抵抗器33それぞれの一端はトランジスタ7のドレイン端子に接続され、インダクタ32および抵抗器33それぞれの他端はトランジスタ7のソース端子に接続される。すなわち、インダクタ32および抵抗器33のそれぞれは、トランジスタ7のドレイン端子およびソース端子に両端が接続される。
 図7に示した高周波スイッチ300は、AGC動作を伴わない信号受信時には、制御部101が制御端子4および制御端子5を介してゲート電圧を制御することにより、トランジスタ7,8,10をオン状態にすると共に、トランジスタ9をオフ状態にする。送信時およびAGC動作を伴う受信時には、制御部101が制御端子4および制御端子5を介してゲート電圧を制御することにより、トランジスタ7,8,10をオフ状態にすると共に、トランジスタ9をオン状態にする。
 図8は、実施の形態3にかかる高周波スイッチ300のAGC動作を伴わない信号受信時の等価回路図である。
 伝送線路6は、送受信信号の中心周波数において電気長が90°になるよう設定されており、トランジスタ8のオン抵抗13が出力端子2に接続された終端器のインピーダンスに比べて十分に小さければ伝送線路6の出力端子2との接続部は短絡と見なせ、入力端子1から見た伝送線路6のインピーダンスは無限大と近似できるため、入力端子1から出力端子2へ伝送される受信信号は遮断される。そして、トランジスタ9のオフ容量14のインピーダンスは送受信信号の中心周波数の近傍において十分高くなるように設定されており、受信信号は入力端子1から出力端子3へ伝送される。なお、トランジスタ7のオン抵抗12は十分に小さいため、並列に接続されているインダクタ32および抵抗器33による損失の影響は無視できる。
 図9は、実施の形態3にかかる高周波スイッチ300の送信時およびAGC動作を伴う受信時の等価回路図である。
 トランジスタ7のオフ容量16とインダクタ32とは、送受信信号の中心周波数で並列共振するように設定されているため入力端子1と出力端子3の間は遮断状態となる。加えて、トランジスタ8のオフ容量17のインピーダンスは送受信信号の中心周波数の近傍において十分高くなるよう設定されているため、送信時の送信信号は入力端子1から出力端子2へ伝送される。また、AGC動作を伴う受信時の受信信号は十分に減衰されて出力端子3へ伝送される。
 トランジスタ7のオフ容量16とインダクタ32とからなる共振回路に並列接続された抵抗器33は、この共振回路のQ値を下げてアイソレーション特性を広帯域にする機能を有する。オフ容量16とインダクタ32とからなる共振回路のインピーダンスは無限大に近似でき、トランジスタ10のオフ容量19は送受信信号の中心周波数の近傍において十分にインピーダンスは高くなるよう設定されているため、出力端子3から高周波スイッチ300を見込んだインピーダンスはトランジスタ9のオン抵抗18と抵抗器11の合成抵抗で終端されているように見える。
 以上説明したように、実施の形態3にかかる高周波スイッチ300は、実施の形態1にかかる高周波スイッチ100と同様の効果が得られるとともに、トランジスタ7のオフ容量16とインダクタ32からなる共振回路によるアイソレーション量の向上の効果が得られる。また、実施の形態2にかかる高周波スイッチ200で用いた伝送線路21が不要なので、高周波スイッチ200と比較すると回路規模の縮小および線路損失の低減というメリットがある。
 以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
 1 入力端子、2,3 出力端子、4,5,50 制御端子、6,21 伝送線路、7,8,9,10,20 トランジスタ、11,33 抵抗器、12,13,15,18,29 オン抵抗、14,16,17,19,25 オフ容量、32 インダクタ、100,200,300 高周波スイッチ、101,201 制御部。

Claims (4)

  1.  ドレイン端子が入力端子に接続され、ソース端子が第一の出力端子に接続された第一のトランジスタと、
     ドレイン端子が前記第一の出力端子に接続された第二のトランジスタと、
     ドレイン端子が前記第二のトランジスタのソース端子に接続され、ソース端子が接地された第三のトランジスタと、
     一端が前記第二のトランジスタのソース端子と前記第三のトランジスタのドレイン端子との接続部に接続され、他端が接地された抵抗器と、
     前記入力端子と第二の出力端子との間に接続され、前記入力端子と前記第二の出力端子との間の送受信信号を通過する状態と送受信信号を遮断する状態とに切替え可能な切替回路と、
     前記第一のトランジスタ、前記第二のトランジスタ、前記第三のトランジスタおよび前記切替回路を制御する制御部と、
     を備え、
     前記制御部は、
     自動利得制御動作を伴わない受信時には、前記切替回路を送受信信号を遮断する状態にして、前記第一のトランジスタおよび前記第三のトランジスタをオン状態にして、前記第二のトランジスタをオフ状態にし、
     送信時および自動利得制御動作を伴う受信時には、前記切替回路を送受信信号を通過する状態にして、前記第一のトランジスタおよび前記第三のトランジスタをオフ状態にして、前記第二のトランジスタをオン状態にする
     ことを特徴とする高周波スイッチ。
  2.  前記第一のトランジスタのソース端子が、前記送受信信号の中心周波数において電気長が90°になるように設定された伝送線路を介して前記第一の出力端子に接続されており、
     前記第一のトランジスタのソース端子と前記伝送線路との接続部にドレイン端子が接続され、ソース端子が接地された第四のトランジスタをさらに備える
     ことを特徴とする請求項1に記載の高周波スイッチ。
  3.  前記第一のトランジスタのドレイン端子およびソース端子に両端が接続されたインダクタをさらに備え、
     前記第一のトランジスタのオフ容量と前記インダクタとが前記送受信信号の中心周波数で並列共振する
     ことを特徴とする請求項1に記載の高周波スイッチ。
  4.  前記第一のトランジスタのドレイン端子およびソース端子に両端が接続された抵抗器をさらに備える
     ことを特徴とする請求項3に記載の高周波スイッチ。
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