WO2018185585A1

WO2018185585A1 - 表示装置、入出力装置、情報処理装置

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Publication number: WO2018185585A1
Application number: PCT/IB2018/051880
Authority: WO
Inventors: 山崎舜平; 石谷哲二; 池田寿雄; 高橋圭
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2017-04-03
Filing date: 2018-03-21
Publication date: 2018-10-11
Also published as: JP7191816B2; JPWO2018185585A1

Abstract

要約書利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供する。演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置であって、演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は鑑定結果に基づいて、制御情報および画像情報を供給する。また、演算装置は人工知能部を備え、人工知能部は入力情報および検知情報に基づいて制御情報を生成する。人工知能部は検知情報を鑑定し、入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給される。また、入出力装置は入力部、検知部および表示部を備える。入力部は入力情報を生成し、検知情報は指紋情報を含み、検知部は検知情報を生成し、表示部は制御情報に基づいて画像情報を表示する。

Description

表示装置、入出力装置、情報処理装置

本発明の一態様は、表示装置、入出力装置または情報処理装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

液晶表示装置としては、ＬＥＤ光源の３色のＬＥＤランプを発光させ、各ＬＥＤランプから射出した赤色光、緑色光、青色光は散乱板に入射し、散乱板内で散乱することにより混合し、白色光として散乱板表面全体から射出して、透過型液晶パネル背後全体を照明する構成が知られている（特許文献１）。この液晶表示装置は、液晶パネルに入射した白色光は液晶材料の配向に従って変調され、対向基板のカラーフィルタを透過する。使用者は液晶パネルの透過光をカラー映像として視認できる。

特開２０００−８１８４８号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置である。

演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は鑑定結果に基づいて、制御情報および画像情報を供給し、演算装置は人工知能部を備える。

人工知能部は検知情報を鑑定し、鑑定結果を生成する。また、人工知能部は入力情報、検知情報および鑑定結果に基づいて、制御情報を生成する。

入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給され、入出力装置は入力部、検知部および表示部を備える。

入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成し、検知情報は指紋情報を含み、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示する。

これにより、鑑定結果に基づいて、制御情報を生成することができる。または、鑑定結果に基づいて、操作の権限を使用者に付与することができる。または、鑑定結果に基づいて、使用者が好適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（２）また、本発明の一態様は、上記の表示部が、光源および表示パネルを備える情報処理装置である。

光源は、導光板、第１のユニット、第２のユニット、第３のユニットおよび第４のユニットを備える。また、導光板は、第１の面、第２の面、第３の面、第４の面、第５の面および第６の面を備える。

第３の面は第１の面に対向し、第４の面は第２の面に対向し、第５の面は表示パネルと重なる領域を備え、第６の面は第５の面と重なる領域を備える。

第１のユニットは第１の面に光を供給し、第２のユニットは第２の面に光を供給し、第３のユニットは第３の面に光を供給し、第４のユニットは第４の面に光を供給し、第５の面は表示パネルに向けて光の一部を射出する機能を備え、第６の面は表示パネルが反射する光を射出する機能を備える。

表示パネルは表示領域を備え、表示領域は画素を備える。

画素は、第１の表示素子および画素回路を備える。

第１の表示素子は画素回路と電気的に接続され、第１の表示素子は、第５の面から射出された光を、第６の面に向けて反射する機能を備える。

これにより、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、暗所において反射型の表示素子を利用することができる。または、例えば、指などの接触により生じる明暗のムラを軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（３）また、本発明の一態様は、上記の表示領域が一群の複数の画素、他の一群の複数の画素、走査線および信号線を備える情報処理装置である。

一群の複数の画素は行方向に配設され、他の一群の複数の画素は行方向と交差する列方向に配設される。

走査線は一群の複数の画素と電気的に接続され、信号線は他の一群の複数の画素と電気的に接続される。

（４）また、本発明の一態様は、第１のユニットが、第１の発光素子、第２の発光素子および第３の発光素子を備える情報処理装置である。

第１の発光素子は赤色の光を射出する機能を備え、第２の発光素子は緑色の光を射出する機能を備え、第３の発光素子は青色の光を射出する機能を備える。

赤色の光は、６２５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備える。

緑色の光は、５１５ｎｍ以上５４０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備える。

青色の光は、４４５ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備える。

（５）また、本発明の一態様は、表示領域が、色相が異なる色を含む色域を表示する機能を備える上記の情報処理装置である。

これにより、鮮やかな色を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（６）また、本発明の一態様は、上記の画素は第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、第２の表示素子と、を有する情報処理装置である。

第１の導電膜は第１の表示素子と電気的に接続され、第２の導電膜は第１の導電膜と重なる領域を備える。

絶縁膜は第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える。

画素回路は第２の導電膜と電気的に接続される。第２の表示素子は画素回路と電気的に接続される。また、絶縁膜は開口部を備える。

第２の導電膜は開口部において第１の導電膜と電気的に接続される。

第２の表示素子は第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。

これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる範囲の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、入出力装置の姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（７）また、本発明の一態様は、上記の画素回路がトランジスタを含み、トランジスタは酸化物半導体を含み、第１の表示素子は、液晶材料を含む情報処理装置である。

（８）また、本発明の一態様は、駆動回路を有する上記の情報処理装置である。

駆動回路は選択信号を異なる頻度で供給する機能を備え、走査線は駆動回路と電気的に接続される。

これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（９）また、本発明の一態様は、上記の入力部が第１の検知器および第２の検知器を備える情報処理装置である。

第１の検知器は、第３の面から射出される光の強度の分布を検知し、第２の検知器は第４の面から射出される光の強度の分布を検知する。

これにより、第６の面に接するものの位置を知ることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（１０）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上を含む、上記の情報処理装置である。

これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または、新規な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明するブロック図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する上面図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する断面図および回路図。実施の形態に係る表示装置の画素の構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する断面図および上面図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。実施の形態に係る入出力装置の駆動方法を説明するフロー図。実施の形態に係る入出力装置の動作を説明する図。実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図およびタイミングチャート。実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。実施の形態に係る画素の構成を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る半導体装置の構成を説明する図。

本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置と、入出力装置と、を有する。

演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は鑑定結果に基づいて、制御情報および画像情報を供給する。また、演算装置は人工知能部を備え、人工知能部は入力情報および検知情報に基づいて制御情報を生成する。

人工知能部は検知情報を鑑定し、入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給される、また、入出力装置は入力部、検知部および表示部を備える。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１または図２４を参照しながら説明する。

＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図１（Ａ）参照）。なお、入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる。

《演算装置２１０の構成例１》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。

ところで、例えば、入力情報ＩＩの種類の数および検知情報ＤＳの種類の数が合わせて５あって、制御情報ＣＩの種類の数が５ある場合、このような構成を５ｉｎ５ｏｕｔということができる。

演算装置２１０は、人工知能部２１３を備える。

《人工知能部２１３の構成例１》
人工知能部２１３は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを生成する。

例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳから、特徴を抽出することができる。人工知能部２１３は、抽出した特徴に基づいて制御情報ＣＩを生成することができる。

例えば、人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳから、一部を抽出することができる。人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いて、推論ＲＩを生成することができる。または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるように制御情報ＣＩを生成することができる。

具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。

なお、表示部２３０が備える、後述する制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える、後述する制御部２４８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給される。

例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報Ｖ１の一部の表示を変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。

なお、実施の形態２乃至実施の形態５において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

入出力装置２２０は、入力部２４０、検知部２５０および表示部２３０を備える。

入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。

検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。

表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報Ｖ１を表示する。

これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

《人工知能部２１３の構成例２》
人工知能部２１３は半導体装置９０を有する（図１（Ｂ）参照）。

《半導体装置９０》
半導体装置９０は情報ＩＮに基づいて推論ＲＩを供給する。半導体装置９０はニューラルネットワーク８０を備える。

例えば、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いることができる。または、例えば、推論ＲＩを制御情報ＣＩに用いることができる。

《ニューラルネットワーク８０》
ニューラルネットワーク８０は、入力層８１、中間層８２および出力層８３を備える（図１（Ｂ）および図２４（Ａ）参照）。例えば、畳み込みニューラルネットワークをニューラルネットワーク８０に用いることができる。または、再帰型ニューラルネットワークをニューラルネットワーク８０に用いることができる。

入力層８１は情報ＩＮを供給される。

中間層８２は、一群のニューロン回路を備える。一群のニューロン回路は、ニューロン回路７０を含む。

ニューロン回路７０は入力層８１と電気的に接続される。ニューロン回路７０は、出力層８３と電気的に接続される。

出力層８３は推論ＲＩを生成する。

《ニューロン回路７０》
ニューロン回路７０は積和演算器１０および変換器３０を備える（図２４（Ｂ）参照）。

《積和演算器１０》
積和演算器１０は一群の入力信号Ｘ［１］乃至入力信号Ｘ［Ｎ］を供給される。積和演算器１０は一群の重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］を供給される。また、積和演算器１０はバイアス信号Ｂを供給される。

積和演算器１０は一群の入力信号Ｘ［１］乃至入力信号Ｘ［Ｎ］および重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］（Ｗ［１：Ｎ］）（図２４（Ｂ）参照）の積和値およびバイアス信号Ｂに基づいて積和信号ｕを生成し、供給する。

《変換器３０》
変換器３０は積和演算器１０と電気的に接続される。変換器３０は積和信号ｕに基づいて出力信号ｆ（ｕ）を生成し供給する。

《演算装置２１０の構成例２》
演算装置２１０は鑑定結果に基づいて、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図１（Ａ）参照）。

《人工知能部２１３の構成例３》
人工知能部２１３は検知情報ＤＳを鑑定し、鑑定結果を生成する。なお、人工知能部２１３が行う鑑定を、推論と言い換えることができる。

人工知能部２１３は入力情報ＩＩ、検知情報ＤＳおよび鑑定結果に基づいて、制御情報ＣＩを生成する。例えば、鑑定結果に基づいて、入力情報ＩＩを無効化することができる。具体的には、入力情報ＩＩの供給を停止する制御情報ＣＩを、入出力装置２２０に供給することができる。

例えば、人工知能部２１３は検知情報ＤＳから、生体的特徴を抽出することができる。人工知能部２１３は抽出した生体的特徴が、あらかじめ学習した生体的特徴と一致するか否かを推論することができる。

［検知情報ＤＳを用いる推論］
例えば、生体的特徴に指紋の凸部模様ＦＰを用いる場合において、模様の中心点、模様の分岐点、模様の端点または模様が三方向から集まる点を、特徴点に用いることができる（図１（Ｄ）参照）。または、人工知能部２１３を用いて、上記の特徴点に限らず、凸部模様ＦＰのすべてから特徴を抽出することができる。これにより、検知情報ＤＳに含まれる指紋の凸部模様ＦＰの一部が欠落（ｄｅｆｅｃｔ）している場合でも、その凸部模様ＦＰを鑑定することができる。

《検知部２５０の構成例》
検知部２５０は検知情報ＤＳを供給する。例えば、生体的特徴情報または習慣的特徴情報を検知情報ＤＳに用いることができる。

具体的には、指紋、網膜、虹彩、顔、掌紋、血管または遺伝子等の生体的特徴を検知情報ＤＳに用いることができる。例えば、指紋センサ、可視光カメラ、近赤外線カメラ、遺伝子センサ等を検知部２５０に用いることができる。

具体的には、筆跡、声紋またはキーストローク等の習慣的特徴を、検知情報ＤＳに用いることができる。例えば、スキャナー、筆圧を検知可能な入力機器、マイクロフォンまたはキーボード等を検知部２５０に用いることができる。

生体的特徴に指紋の凸部模様を用いる場合、例えば、光学式センサ、感熱式センサ、静電式センサまたは電界式センサなどを検知部２５０に用いることができる。

光学式センサを用いて指紋の凸部模様を読み取る場合において、凸部模様を読み取る指紋に光を照射して、反射する光から凸部模様を読み取ることができる（図１（Ｃ）参照）。または、凸部模様を読み取る指紋から離れた部位に光を照射して、指の中を伝搬して指紋から射出される光から凸部模様を読み取ることができる。例えば、近赤外線ＩＲを照射する光に用いることができる。

《演算装置２１０の構成例３》
また、演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、人工知能部２１３および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。

演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて動作する機能を備える。

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の表示部に用いることができる表示装置の構成について、図２乃至図７および図２３を参照しながら説明する。

図２は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。

図３（Ａ）は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一部を説明する上面図であり、図３（Ｃ）は他の一部を説明する上面図である。

図４（Ａ）は、図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図４（Ｂ）は画素回路を説明する回路図である。

図５（Ａ）は画素の構成を説明する断面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部を説明する断面図である。

図６は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図６（Ａ）は図３（Ｃ）の切断線Ｗ５−Ｗ６における断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の一部を説明する断面図である。図６（Ｃ）は表示装置の構成を説明する上面図である。

図７は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図７（Ａ）は本発明の一態様の表示装置の一部を説明する投影図であり、図７（Ｂ）および図７（Ｃ）は図７（Ａ）の切断線Ｗ１−Ｗ３における断面図である。図７（Ｄ）は表示装置に触れた指が投影する影の形状を説明する上面図である。図７（Ｅ）はユニットの構成を説明する断面図である。

図２３は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図２３（Ａ）は本発明の一態様の表示装置の投影図である。図２３（Ｂ）は図２３（Ａ）の切断線Ｗ１−Ｗ３における断面図であり、図２３（Ｃ）は図２３（Ａ）の切断線Ｗ２−Ｗ４における断面図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

＜表示装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する表示装置は、光源８００と、表示パネル７００と、を有する（図２および図２３（Ａ）参照）。また、表示装置は基板５１０を有する。

《光源８００》
光源８００は、導光板８５０、ユニット８１１、ユニット８１２、ユニット８１３およびユニット８１４を備える。

《導光板８５０の構成例１》
導光板８５０は、第１の面８５１、第２の面８５２、第３の面８５３、第４の面８５４、第５の面８５５および第６の面８５６を備える（図２３（Ａ）、図２３（Ｂ）および図２３（Ｃ）参照）。

第３の面８５３は第１の面８５１に対向し、第４の面８５４は第２の面８５２に対向する。

第５の面８５５は表示パネル７００と重なる領域を備える。また、第６の面８５６は第５の面８５５と重なる領域を備える。

ユニット８１１は第１の面８５１に光を供給し、ユニット８１２は第２の面８５２に光を供給し、ユニット８１３は第３の面８５３に光を供給し、ユニット８１４は第４の面８５４に光を供給する（図２３（Ｂ）および図２３（Ｃ）参照）。

第５の面８５５は、表示パネル７００に向けて光の一部を射出する機能を備える。例えば、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。これにより、第５の面８５５から表示パネル７００に向けて射出する光の強さを調節することができる。

第６の面８５６は、表示パネル７００が反射する光を射出する機能を備える。

例えば、ユニット８１１から第１の面８５１に供給された光の一部は、第５の面８５５および第６の面８５６の間において、反射を繰り返しながら、ユニット８１３が配設されている側に進行し、第３の面８５３から射出される（図２３（Ｂ）および図７（Ｂ）参照）。

また、ユニット８１３から第３の面８５３に供給された光の一部は、第５の面８５５および第６の面８５６の間において、反射を繰り返しながら、ユニット８１１が配設されている側に進行し、第１の面８５１から射出される。

言い換えれば、ユニット８１３が射出する光は、第５の面８５５および第６の面８５６の間で反射を繰り返しながら、ユニット８１１が射出する光の進行方向に対向する方向に進行する。

なお、例えば、第６の面８５６に触れるものの屈折率が変化すると、第６の面８５６における反射は乱れる。具体的には、導光板８５０の第６の面８５６に指などが触れると、ユニット８１１から射出される光の一部が指によって遮られ、光の進行方向に影を投影してしまう（図７（Ｃ）および図７（Ｄ）参照）。同様に、ユニット８１２から射出される光の一部が指によって遮られ、光の進行方向に影を投影してしまう。

一方で、ユニット８１３が射出する光は、ユニット８１１が射出する光の進行方向に対向する方向に進行する。これにより、ユニット８１３が射出する光は、ユニット８１１の光の進行方向に投影される影を薄くすることができる。または、第６の面８５６に触れる指などによる影響を軽減することができる。または、明暗のムラを軽減することができる。

また、ユニット８１１が射出する光は、ユニット８１３が射出する光の進行方向に対向する方向に進行する。これにより、ユニット８１１が射出する光は、ユニット８１３の光の進行方向に投影される影を薄くすることができる。

なお、ユニット８１４が射出する光は、ユニット８１２が射出する光の進行方向に対向する方向に進行し、ユニット８１２が射出する光は、ユニット８１４が射出する光の進行方向に対向する方向に進行する。これにより、ユニット８１２および８１４の間において、同様の効果を奏する。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、導光板８５０の使用者側に用いることができる。また、必要に応じて反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、または非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）を設けることができる。

《表示パネル７００の構成例》
表示パネル７００は表示領域２３１を備える（図２参照）。

《表示領域２３１の構成例１》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える（図２３（Ｂ）参照）。

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第５の面８５５から射出された光を、第６の面８５６に向けて反射する機能を備える。

これにより、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、暗所において反射型の表示素子を利用することができる。または、例えば、指などの接触により生じる明暗のムラを軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

《表示領域２３１の構成例２》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）および信号線Ｓ１（ｊ）を備える（図２参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ１（ｊ）は、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例１》
表示領域２３１は、複数の画素を備える。例えば、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える画素を表示領域２３１に用いることができる。または、当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。

なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図３（Ｃ）参照）。

具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。また、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、白色等を表示する副画素を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。

《ユニット８１１の構成例１》
ユニット８１１は、発光素子８２１Ｒ、発光素子８２１Ｇおよび発光素子８２１Ｂを備える（図７（Ａ）参照）。

発光素子８２１Ｒは赤色の光Ｌ（Ｒ）を射出する機能を備え、発光素子８２１Ｇは緑色の光Ｌ（Ｇ）を射出する機能を備え、発光素子８２１Ｂは青色の光Ｌ（Ｂ）を射出する機能を備える。

赤色の光Ｌ（Ｒ）は、６２５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備える。

緑色の光Ｌ（Ｇ）は、５１５ｎｍ以上５４０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備える。

青色の光Ｌ（Ｂ）は、４４５ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備える。

これにより、鮮やかな色を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

例えば、ＬＥＤを発光素子８２１Ｒ、発光素子８２１Ｇまたは発光素子８２１Ｂに用いることができる。または、蛍光体に量子ドットを備えるＬＥＤを用いることができる。

または、有機ＥＬ素子を発光素子８２１Ｒ、発光素子８２１Ｇまたは発光素子８２１Ｂに用いることができる。具体的には、微小共振器構造を備える有機ＥＬ素子を用いることができる。

また、ユニット８１２は、発光素子８２２Ｒ、発光素子８２２Ｇおよび発光素子８２２Ｂを備える。

発光素子８２２Ｒは赤色の光Ｌ（Ｒ）を射出する機能を備え、発光素子８２２Ｇは緑色の光Ｌ（Ｇ）を射出する機能を備え、発光素子８２２Ｂは青色の光Ｌ（Ｂ）を射出する機能を備える。

例えば、ｕ’ｖ’色度座標におけるＮＴＳＣ比が４５．２％である色域を、Ｄ６５光源を用いた場合において表示することができる表示パネルは、ＮＴＳＣ比が６２．５％である色域を、赤色のＬＥＤ、緑色のＬＥＤおよび青色のＬＥＤを用いた場合に表示することができる。

具体的には、Ｄ６５光源を用いた場合において、ｕ’ｖ’色度座標上で座標（０．４０４，０．５１７）の赤色、座標（０．１３８，０．５５０）の緑色、座標（０．１４６，０．２９５）の青色を表示することができる表示パネルは、赤色のＬＥＤ、緑色のＬＥＤおよび青色のＬＥＤを用いた場合において、座標（０．４６７，０．５１０）の赤色、座標（０．１０９，０．５４９）の緑色、座標（０．１５７，０．２８４）の青色を表示することができる。

《ユニット８１１の構成例２》
また、発光素子８２１Ｕおよび色変換素子８３１を組み合わせてユニット８１１に用いることができる（図７（Ｅ）参照）。色変換素子８３１は、導光板８５０および発光素子の間に挟まれる領域を備える。これにより、ユニット８１１は、発光素子が射出する光を、その光の波長より長い波長を備える光に変換して、導光板８５０に供給することができる。

例えば、量子ドットを含む材料を色変換素子８３１に用いることができる。また、具体的には、赤色の光に変換する量子ドットおよび緑色の光に変換する量子ドットを用いることができる。また、例えば、マトリクスに量子ドットを分散した色変換素子８３１をユニット８１１に用いることができる。具体的には、量子ドットをガラスまたは高分子材料に分散して用いることができる。

例えば、青色の光または紫外線を吸収し、赤色の光に変換して放出する直径数ｎｍの量子ドットをユニット８１１に用いることができる。また、青色の光または紫外線を吸収し、緑の光に変換して放出する直径数ｎｍの量子ドットをユニット８１１に用いることができる。また、紫外線を吸収し、青色の光に変換して放出する直径数ｎｍの量子ドットをユニット８１１に用いることができる。

例えば、青色のＬＥＤまたは紫外線ＬＥＤをユニット８１１に用いることができる。

これにより、スペクトルの半値幅が狭い光を用いることができる。または、異なる波長を有する光を均一に混合することができる。または、使用するＬＥＤの種類を減らすことができる。または、鮮やかな色を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例２》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む（図４（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を含む。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図４（Ｂ）参照）。また、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、トランジスタを含む。

《トランジスタの構成例》
トランジスタは、酸化物半導体を含む。例えば、金属酸化物を酸化物半導体に用いることができる。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む（図５（Ａ）参照）。

これにより、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、機能層５２０と重なる領域を備える（図４（Ａ）および図５（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

例えば、光の反射を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、液晶素子と偏光板等を組み合わせた構成を用いることができる。

例えば、反射型の液晶表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ　Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ　ａｌｉｇｎｅｄ　Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ｐｉｎｗｈｅｅｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モード、高分子分散型液晶モード、ゲスト−ホスト液晶モード、ブルー相モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、電極７５１（ｉ，ｊ）、電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。

電極７５１（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａにおいて画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

電極７５２は、液晶材料の配向を制御する電界を、電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配設される。

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。

液晶材料を含む層７５３は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２に挟まれる領域を備える。

例えば、１．０×１０^１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０^１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０^１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を液晶材料を含む層７５３に用いることができる。

これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の反射率の変動を抑制することができる。または、チラツキを抑制することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を書き換える頻度を低減することができる。または、消費電力を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

《構造体ＫＢ１》
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

《機能層７２０》
機能層７２０は、着色膜ＣＦ１、絶縁膜７７１および遮光膜ＢＭを備える。

着色膜ＣＦ１は、基板７７０および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

遮光膜ＢＭは、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。また、機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

＜表示装置の構成例２＞
本実施の形態で説明する表示装置は、駆動回路ＧＤを有する（図２参照）。また、駆動回路ＳＤを備える。

《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、選択信号を異なる頻度で供給する機能を備える。例えば、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有する。

駆動回路ＳＤは、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

《導光板８５０の構成例２》
導光板８５０は、複数の構造体８６０を備える（図６（Ｂ）参照）。

構造体８６０は、上面８６１、下面８６２および側面８６３を備える。

下面８６２は上面８６１の面積より小さい面積を備える。

側面８６３は上面８６１に対し４５°より大きく９０°より小さい傾きを備える。好ましくは、側面８６３は、上面８６１に対し５０°以上７０°以下の傾きθを備える。

また、側面８６３は、可視光に対し、上面８６１が備える反射率より高い反射率を備える。

例えば、可視光を透過する材料を導光板８５０に用いることができる。具体的には、部材８５９に用いることができる。また、可撓性を備える材料を導光板８５０に用いることができる。

これにより、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、暗所において反射型の表示素子を利用することができる。または、明暗のムラを軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

導光板８５０は、異なる密度で構造体８６０を備える。例えば、発光素子からの距離に応じて密度を変えて配置することができる。具体的には、ユニット８１１に近い領域８５６Ｅに比べて、遠い領域８５６Ｃに、高い密度で配置する（図６（Ｃ）参照）。なお、構造体８６０同士の間隔は、密度が高い領域では狭く、密度が高い領域では広い。

また、構造体８６０を配置する密度の変化をなだらかにすることができる。これにより、第５の面８５５から射出する光を均等に近づけることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の表示部に用いることができる表示装置の構成について、図１７乃至図２２を参照しながら説明する。

図１７は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。

図１８は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１８（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。

図１９（Ａ）は図１８（Ａ）に示す本発明の一態様の表示パネルの断面の構成を説明する模式図である。図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）の一部に示す画素回路の構成を説明する回路図である。

図２０は図１８（Ａ）に示す本発明の一態様の表示パネルの画素の一部を説明する下面図である。

図２１および図２２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。図２１（Ａ）は図１９（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図２０の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）の一部を説明する図である。

図２２（Ａ）は図２０の切断線Ｘ７−Ｘ８、図１９（Ａ）の切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図であり、図２２（Ｂ）は図２１（Ａ）の一部を説明する図である。

＜表示装置の構成例３＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８、表示パネル７００および光源８００を有する（図１７参照）。

《制御部２３８の構成例》
制御部２３８は画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給される。

制御部２３８は画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩに基づいて情報Ｖ１１を生成し、画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１２を生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を供給する。

《表示パネル７００の構成例》
表示パネル７００は表示領域２３１を備える（図１７参照）。

《表示領域２３１の構成例》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える（図１８（Ａ）参照）。

ところで、例えば、対角線の長さが６インチ以上９インチ以下、好ましくは７インチ以上８インチ以下の表示領域２３１を用いることができる。また、例えば、１８０ｐｐｉ（ｐｉｘｃｅｌ　ｐｅｒ　ｉｎｃｈ）以上３６０ｐｐｉ以下、好ましくは２００ｐｐｉ以上３００ｐｐｉ以下、具体的には２５０ｐｐｉの精細度で、画素を配置することができる。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例３》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図１９（Ａ）、図２１（Ａ）および図２２（Ａ）参照）。

《機能層５２０》
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図１９（Ａ）、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）参照）。また、機能層５２０は、絶縁膜５２１と、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。

なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。

《絶縁膜５０１Ｃ》
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図２２（Ａ）参照）。また、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ｃを備える。

《第１の導電膜》
第１の導電膜は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。

《第２の導電膜》
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図１９（Ｂ）参照）。

これにより、例えば一の画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図１９（Ｂ）参照）。なお、スイッチＳＷ１の導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１９（Ｂ）および図２２（Ａ）参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図１９（Ｂ）参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。

容量素子Ｃ２１は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

また、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。または、例えば、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図２１（Ａ）および図２２（Ａ）参照）。

なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図２１（Ａ）参照）。

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図２２（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図２１（Ａ）参照）。

これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図２１（Ａ）参照）。

第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１９（Ｂ）参照）。

《絶縁膜５０１Ｂ》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ｂを有する（図２１（Ａ）参照）。

絶縁膜５０１Ｂは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図２１（Ａ）または図２２（Ａ）参照）。

第１の開口部５９２Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。

第２の開口部５９２Ｂは、導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。

また、開口部５９２Ｃは、導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。

《絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６》
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の短絡を防止する。

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

《端子》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。

端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃを備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。

導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。

《基板》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。

基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。

基板７７０は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。

《接合層、封止材、構造体》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。

接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合わせる機能を備える。

封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

《機能膜》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、着色膜ＣＦ１と、着色膜ＣＦ２と、を有する（図２１（Ａ）または図２２（Ａ）参照）。

また、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。

遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｈと重なる領域を備える。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を緩和することができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。

また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。

また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。

また、表示パネル７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。

また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。

また、表示パネル７００は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。

また、表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。

また、表示パネル７００は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。

また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ｂおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。なお、駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２を備える。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０に用いることができる。例えば、厚さ０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に対して耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、基板５７０に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。

また、例えば、厚さ０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用いることができる。

《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。

《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を緩和することができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｂ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子５５０（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。

また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。

また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ　Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ　ａｌｉｇｎｅｄ　Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ｐｉｎｗｈｅｅｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。

《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。

例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。具体的には、多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。

反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

また、反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性が損なわれてしまう場合がある。

《第２の電極７５２》
例えば、配線等に用いることができる材料を、第２の電極７５２に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

《着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。

なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。

《遮光膜ＢＭ》
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。

または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｄｏｔ　ＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図２１（Ｂ）参照）。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。

また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。

また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。

また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図２２（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。

導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図２１（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、半導体膜５０８は、領域５０８Ａ、領域５０８Ｂおよび領域５０８Ｃを備える。領域５０８Ｃは、領域５０８Ａおよび５０８Ｂの間に挟まれる。また、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることができる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。

酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。

また、非単結晶酸化物半導体の１つとして、半結晶性酸化物半導体（Ｓｅｍｉ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼称される酸化物半導体が挙げられる。半結晶性酸化物半導体とは、単結晶酸化物半導体と非晶質酸化物半導体との中間構造を有する。半結晶性酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と比較して構造が安定である。例えば、半結晶性酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ構造を有し、かつＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構成である酸化物半導体がある。ＣＡＣの詳細については、以下で説明を行う。

また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層には、ＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いてもよい。

なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層は、上述した非単結晶酸化物半導体またはＣＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ−ＯＳまたはＣＡＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。

なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体層として、ＣＡＣ−ＯＳを用いると好ましい。ＣＡＣ−ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を付与することができる。

以下では、ＣＡＣ−ＯＳの詳細について説明する。

ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ　ｍａｔｒｉｘ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。

なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ　ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ＯＳを半導体膜に用いるトランジスタは、チャネル長を短くすることができ、オン電流を大きくすることができ、オフ電流をきわめて小さくすることができ、ばらつきを抑制することができ、信頼性が高く、第８世代から第１０世代程度の大型のガラス基板に作製することができる。これにより、大型の有機ＥＬテレビのバックプレーンに好適に用いることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の表示部に用いることができる表示装置の構成について、図８を参照しながら説明する。

図８は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図８（Ａ）は本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図８（Ｂ−１）乃至図８（Ｂ−３）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する投影図である。

＜表示装置の構成例４＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００Ｂと、を有する（図８（Ａ）参照）。

《制御部２３８》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給される機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

制御部２３８は、画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成する機能を備える。制御部２３８は、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。また、制御情報ＣＩに基づいて制御信号ＣＩ１１を生成する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号ＣＩ１１に用いることができる。

例えば、制御部２３８は、制御回路２３３、伸張回路２３４および画像処理回路２３５Ｍを備える。

《制御回路２３３》
制御回路２３３は、制御信号を駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢ、駆動回路ＳＤ（１）乃至駆動回路ＳＤ（３）などに供給する機能を備える。これにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。例えば、タイミングコントローラを制御回路２３３に用いることができる。

なお、制御回路２３３を表示パネルに含めることもできる。例えば、リジッド基板に実装された制御回路２３３を、フレキシブルプリント基板を用いて駆動回路と電気的に接続して、表示パネルに用いることができる。

《表示パネル７００Ｂ》
表示パネル７００Ｂは、情報Ｖ１１を供給される機能を備える。また、表示パネル７００Ｂは、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。例えば、走査線Ｇ１（ｉ）は、６０Ｈｚ以上、好ましくは１２０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給される。または、例えば、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給される。

また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する。

また、複数の駆動回路を備える場合、例えば、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子を備える。表示素子は、情報Ｖ１１に基づいて表示する機能を備える。例えば、液晶素子を、表示素子に用いることができる。

これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、テレビジョン受像システム（図８（Ｂ−１）参照）、映像モニター（図８（Ｂ−２）参照）またはノートブックコンピュータ（図８（Ｂ−３）参照）などを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。

《画像処理回路２３５Ｍ》
画像処理回路２３５Ｍは、例えば、領域を備える。

領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。

画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能と、を備える。具体的には、表示素子が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１１を生成する機能を備える。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図９を参照しながら説明する。

図９は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図９（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入力部の投影図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）の一部を説明する側面図である。図９（Ｃ）は入力部の動作を説明する図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、表示部２３０と、入力部２４０と、を有する。

《表示部２３０》
表示部２３０は、実施の形態２乃至実施の形態５に記載の表示装置を備える。

《入力部２４０》
入力部２４０はユニット８１３およびユニット８１４を備え、検知器８２３Ｓおよび検知器８２４Ｓを備える（図９（Ａ）参照）。また、入力部２４０は制御部２４８を備える。制御部２４８は検知器８２３Ｓおよび検知器８２４Ｓと電気的に接続され、制御信号を検知器８２３Ｓおよび検知器８２４Ｓに供給し、検知情報を供給される機能を備える。

《検知器８２３Ｓ、検知器８２４Ｓ》
検知器８２３Ｓは、第３の面８５３から射出される光の強度の分布を検知する（図２３（Ｂ）、図７（Ｂ）および図９（Ａ）参照）。また、検知した光の強度分布を、検知情報として供給する機能を備える。

例えば、ラインセンサを検知器８２３Ｓ等に用いることができる。具体的には、複数の光電変換素子を一列に並べた構成を検知器８２３Ｓ等に用いることができる（図９（Ｂ）参照）。これにより、列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）の光の強度（図中に矢印Ｉで示す軸）の分布を、検知器８２３Ｓを用いて知ることができる（図９（Ｃ）参照）。なお、発光素子８２２Ｒ、発光素子８２２Ｇおよび発光素子８２２Ｂは、検知器８２３Ｓ等と並んで配設される。

また、検知器８２４Ｓは、第４の面８５４から射出される光の強度の分布を検知する（図２３（Ｃ）および図９（Ａ）参照）。

同様に、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）の光の強度分布を、検知器８２４Ｓを用いて知ることができる（図９（Ｃ）参照）。

《導光板に触れるものの接触位置の検知方法》
例えば、ユニット８１１が備える発光素子８２１Ｒは、導光板８５０の第１の面８５１に光を供給する（図７（Ｂ）参照）。第１の面８５１から入射した光の一部は、第５の面８５５および第６の面８５６の間で反射を繰り返し、第３の面８５３から射出する。

ここで、導光板８５０の第６の面８５６に触れるものの屈折率が変化すると、第３の面８５３から射出される光の強度分布が変化する（図７（Ｃ）参照）。具体的には、第６の面８５６の指などが触れた部分において、発光素子８２１Ｒから射出された光の反射が乱れる。これにより、指などが触れた部分から光の進行方向に向かって、影が投影される。

なお、検知器８２３Ｓを用いて光の強度分布を検知し、列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）のどの位置に投影された影の部分があるのかを知ることができる。または、指などが触れている位置を知ることができる。

同様に、検知器８２４Ｓを用いて光の強度分布を検知し、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）のどの位置に投影された影の部分があるのかを知ることができる。または、指などが触れている位置を知ることができる。

これにより、導光板の第６の面に接するものの位置を知ることができる。例えば、導光板に触れた指の位置を知ることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の駆動方法について、図１０および図１１を参照しながら説明する。

図１０は本発明の一態様の入出力装置の駆動方法を説明するフローチャートである。

図１１は表示装置に触れた指が投影する影の形状を説明する上面図である。図１１（Ａ）は、表示装置に触れた指が、一のユニットが行方向に向けて射出した光を遮り、対向するユニットに影を投影する図である。図１１（Ｂ）は、表示装置に触れた指が、一のユニットが列方向に向けて射出した光を遮り、対向するユニットに影を投影する図である、また、図１１（Ｃ）は、表示装置に触れた指が光を遮り、対向するユニットに影を投影する図である。

＜入出力装置の駆動方法＞
本実施の形態で説明する入出力装置の駆動方法は、第１のステップ乃至第７のステップを有する（図１０参照）。

［第１のステップ］
行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に進む光Ｌ１の列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）の強度分布を測定する（図１０（Ｔ１）および図１１（Ａ）参照）。例えば、指などが触れた部分から光の進行方向に向かって影が投影され、光の強度分布が変化する（図９（Ｃ）参照）。

［第２のステップ］
光Ｌ１の強度分布に基づいて、所定の値より小さい第１の部分Ｃ２（ｇ）を判別する（図１０（Ｔ２）および図１１（Ａ）参照）。例えば、他の領域の強度に対する割合を所定の値に用いることができる。または、人工知能を用いて定めた値を所定の割合に用いることができる。

［第３のステップ］
列方向に進む光Ｌ２の行の方向の強度分布を測定する（図１０（Ｔ３）および図１１（Ｂ）参照）。なお、光Ｌ１を射出していない期間に光Ｌ２を射出してもよい。これにより、光の強度分布を測定している期間中に、複数の光が検知器に進入する不具合を軽減できる。

また、光Ｌ１および光Ｌ２の強度分布を測定した後に、光Ｌ１に対向して進行する光Ｌ４および、光Ｌ２に対向して進行する光Ｌ３を同時に射出してもよい（図１１（Ｃ）参照）。これにより、光の強度分布を測定する期間を長くすることができる。または、光の強度分布を測定しない期間を短くすることができる。または、光の強度分布を測定する頻度を高めることができる。

［第４のステップ］
光Ｌ２の強度分布に基づいて、所定の値より小さい第２の部分Ｒ２（ｈ）を判別する（図１０（Ｔ４）および図１１（Ｂ）参照）。

［第５のステップ］
第１の部分Ｃ２（ｇ）を横切り、行方向に延びる帯状の第１の領域１１Ｒを決定する（図１０（Ｔ５）および図１１（Ｃ）参照）。

［第６のステップ］
第２の部分Ｒ２（ｈ）を横切り、列方向に延びる帯状の第２の領域１１Ｃを決定する（図１０（Ｔ６）および図１１（Ｃ）参照）。

［第７のステップ］
第１の領域１１Ｒに重なる部分および第２の領域１１Ｃに重なる部分について、画像情報Ｖ１の階調を明るく補正する（図１０（Ｔ７）参照）。例えば、ルックアップテーブルを用いて階調の補正をすることができる。または、人工知能を用いて定めたルックアップテーブルを用いることができる。なお、第１の領域１１Ｒに重なる部分および第２の領域１１Ｃに重なる部分以外の情報Ｖ１１の階調を暗く補正する方法を、第７のステップの変形例に用いてもよい。

これにより、指などの接触により生じる明暗のムラを軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１２乃至図１４を参照しながら説明する。

図１２（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説明する投影図である。

図１３は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１３（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１３（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。

図１４は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図１４（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１４（Ｂ）は、本発明の一態様の情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１４（Ｃ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。

＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図１２（Ａ）参照）。入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１２（Ｂ）または図１２（Ｃ）参照）。

《入出力装置２２０》
入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図１２（Ａ）参照）。入出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。

入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＣＩを供給される機能を備え、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給する機能を備える。

なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて画像を表示する機能を備える。

入力部２４０は、入力情報ＩＩを供給する機能を備える。例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報、画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。

検知部２５０は検知情報ＤＳを供給する機能を備える。例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。

これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。

《構成例》
本発明の一態様の情報処理装置２００は、筐体または演算装置２１０を有する。

演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェース２１５を備える。

また、本発明の一態様の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を備える。

《情報処理装置》
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置２１０または入出力装置２２０を備える。

《演算装置２１０》
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０》
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を備える。例えば、実施の形態６において説明する入出力装置を用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。

《表示部２３０》
表示部２３０は、制御部２３８と、表示パネル７００Ｂと、を有する（図８参照）。例えば、実施の形態２乃至実施の形態５で説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

《入力部２４０》
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図１２参照）。

例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。

《検知部２５０》
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ　ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。具体的には、水素化アモルファスシリコンを用いたｐｉｎフォトセンサを光検出器に用いることができる。

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１３（Ａ）参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１３（Ａ）（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。また、第１の表示方法、第２の表示方法または第３の表示方法を所定の表示方法に用いることができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１３（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１３（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１を表示する情報に用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する異なる３つの方法を、第１の表示方法乃至第３の表示方法に関連付けることができる。これにより、選択された表示方法に基づいて表示をすることができる。

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。

ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

《第１の表示方法》
具体的には、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第１の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、消費電力を低減することができる。または、明るい環境下において、高いコントラストで画像情報を良好に表示することができる。

《第２の表示方法》
具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第２の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。

なお、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する場合、照度情報に基づいて画像情報Ｖ１を表示する明るさを決定することができる。例えば、照度が５千ルクス以上１０万ルクス未満の場合、照度が５千ルクス未満の場合より明るくなるように、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する。

《第３の表示方法》
具体的には、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第３の表示方法に用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。または、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、使用者が快適に感じる表示をすることができる。例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いる表示に、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて加える明るさを、制御情報ＣＩを用いて制御することができる。または、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを生成することができる。

ところで、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の明るさを調節する機能を、調光機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の明るさを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて補うことができる。

また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の色味を調節する機能を、調色機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の色合いを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて変えることができる。具体的には、反射型の液晶素子が表示する黄味を帯びた色合いを、青色の有機ＥＬ素子を用いて白色に近づけることができる。これにより、例えば、文字情報を普通紙に印刷された文字のように表示することができる。または、目にやさしい表示をすることができる。

また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と表示素子５５０（ｉ，ｊ）とを表示に用いると、物体が反射する色と物体が発光する色とが掛け合わされる。これにより、絵画的な表示をすることができる。

なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いて表示する画像情報Ｖ１に重ねて表示する、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて表示する画像情報Ｖ１の明るさを、照度情報および使用者の好みに応じて決定することができる。これにより、使用者が快適に感じる表示をすることができる。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１３（Ａ）（Ｓ４）参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１３（Ａ）（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１３（Ｂ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１３（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図１３（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。

例えば、照度が所定の値以上の場合に、第１の表示方法に決定し、照度が所定の値未満の場合、第２の表示方法に決定する。または、照度が所定の範囲の場合、第３の表示方法に決定してもよい。具体的には、照度が１０万ルクス以上の場合、第１の表示方法に決定し、照度が５千ルクス未満の場合、第２の表示方法に決定し、照度が１０万ルクス未満５千ルクス以上の場合、第３の表示方法に決定してもよい。

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。例えば、第３の表示方法において表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて、表示の色味を調節してもよい。

また、例えば、第１の表示方法を用いる場合は、第１のステータスの制御情報ＣＩを供給し、第２の表示方法を用いる場合は、第２のステータスの制御情報ＣＩを供給し、第３の表示方法を用いる場合は、第３のステータスの制御情報ＣＩを供給する。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１３（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１４を参照しながら説明する。

図１４（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１４（Ａ）は、図１３（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。

なお、情報処理装置の構成例２は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１３（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１４（Ａ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１４（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１４（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。

例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図１４（Ｂ）参照）。

例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる（図１４（Ｂ）および図１４（Ｃ）参照）。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。

なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号を走査線Ｇ２（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ２（２ｍ）に供給する。

これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１４（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、ユーザーが特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図１２（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１５および図１６を参照しながら説明する。

図１５および図１６は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１５（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１５（Ｂ）乃至図１５（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図１６（Ａ）乃至図１６（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図１５（Ａ）参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態２乃至実施の形態４において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

《情報処理装置の構成例１》
例えば、円筒状の柱などの建築部材に沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１５（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例２》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図１５（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例３》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１５（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。

《情報処理装置の構成例４》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１５（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。

《情報処理装置の構成例５》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１６（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

《情報処理装置の構成例６》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１６（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

《情報処理装置の構成例７》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１６（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

《情報処理装置の構成例８》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１６（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

《情報処理装置の構成例９》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１６（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＡＦ１　　配向膜
ＡＦ２　　配向膜
ＡＮＯ　　導電膜
ＣＩ　　制御情報
ＣＩ１１　　制御信号
ＤＳ　　検知情報
ＦＰＣ１　　フレキシブルプリント基板
Ｇ１　　走査線
Ｇ２　　走査線
ＫＢ１　　構造体
ＩＩ　　入力情報
Ｓ１　　信号線
Ｓ２　　信号線
Ｖ１　　画像情報
Ｖ１１　　情報
ＶＣＯＭ２　　導電膜
１０　　積和演算器
１１Ｃ　　領域
１１Ｒ　　領域
３０　　変換器
７０　　ニューロン回路
８０　　ニューラルネットワーク
８１　　入力層
８２　　中間層
８３　　出力層
９０　　半導体装置
２００　　情報処理装置
２１０　　演算装置
２１１　　演算部
２１２　　記憶部
２１４　　伝送路
２１５　　入出力インターフェース
２２０　　入出力装置
２３０　　表示部
２３１　　表示領域
２３３　　制御回路
２３４　　伸張回路
２３５Ｍ　　画像処理回路
２３８　　制御部
２４０　　入力部
２４８　　制御部
２５０　　検知部
２９０　　通信部
５０１Ｂ　　絶縁膜
５０１Ｃ　　絶縁膜
５０４　　導電膜
５０５　　接合層
５０６　　絶縁膜
５０８　　半導体膜
５１１Ｂ　　導電膜
５１１Ｃ　　導電膜
５１２Ａ　　導電膜
５１２Ｂ　　導電膜
５１６　　絶縁膜
５１８　　絶縁膜
５１９Ｂ　　端子
５１９Ｃ　　端子
５２０　　機能層
５２１　　絶縁膜
５２２　　接続部
５２４　　導電膜
５２８　　絶縁膜
５３０　　画素回路
５５０　　表示素子
５５１　　電極
５５２　　電極
５５３　　層
５７０　　基板
５９１Ａ　　開口部
５９１Ｃ　　開口部
５９２Ａ　　開口部
５９２Ｂ　　開口部
５９２Ｃ　　開口部
７００　　表示パネル
７００Ｂ　　表示パネル
７０２　　画素
７０３　　画素
７２０　　機能層
７５０　　表示素子
７５１　　電極
７５１Ｈ　　領域
７５２　　電極
７５３　　層
７７０　　基板
７７０Ｄ　　機能膜
７７０Ｐ　　機能膜
７７１　　絶縁膜
８００　　光源
８１１　　ユニット
８１２　　ユニット
８１３　　ユニット
８１４　　ユニット
８２１Ｂ　　発光素子
８２１Ｇ　　発光素子
８２１Ｒ　　発光素子
８２１Ｕ　　発光素子
８２２Ｂ　　発光素子
８２２Ｇ　　発光素子
８２２Ｒ　　発光素子
８２３Ｓ　　検知器
８２４Ｓ　　検知器
８３１　　色変換素子
８５０　　導光板
８５１　　面
８５２　　面
８５３　　面
８５４　　面
８５５　　面
８５６　　面
８５６Ｃ　　領域
８５６Ｅ　　領域
８５９　　部材
８６０　　構造体
８６１　　上面
８６２　　下面
８６３　　側面
５２００Ｂ　　情報処理装置
５２１０　　演算装置
５２２０　　入出力装置
５２３０　　表示部
５２４０　　入力部
５２５０　　検知部
５２９０　　通信部

Claims

　演算装置と、
　入出力装置と、を有し、
　前記演算装置は、入力情報または検知情報を供給され、
　前記演算装置は、鑑定結果に基づいて、制御情報および画像情報を供給し、
　前記演算装置は、人工知能部を備え、
　前記人工知能部は、前記検知情報を鑑定し、前記鑑定結果を生成し、
　前記人工知能部は、前記入力情報、前記検知情報および前記鑑定結果に基づいて、前記制御情報を生成し、
　前記入出力装置は、前記入力情報および前記検知情報を供給し、
　前記入出力装置は、前記制御情報および前記画像情報を供給され、
　前記入出力装置は、入力部、検知部および表示部を備え、
　前記入力部は、前記入力情報を生成し、
　前記検知部は、前記検知情報を生成し、
　前記検知情報は、指紋情報を含み、
　前記表示部は、前記制御情報に基づいて、前記画像情報を表示する、情報処理装置。
　前記表示部は、光源および表示パネルを備え、
　前記光源は、導光板、第１のユニット、第２のユニット、第３のユニットおよび第４のユニットを備え、
　前記導光板は、第１の面、第２の面、第３の面、第４の面、第５の面および第６の面を備え、
　前記第３の面は、前記第１の面に対向し、
　前記第４の面は、前記第２の面に対向し、
　前記第５の面は、前記表示パネルと重なる領域を備え、
　前記第６の面は、前記第５の面と重なる領域を備え、
　前記第１のユニットは、前記第１の面に光を供給し、
　前記第２のユニットは、前記第２の面に光を供給し、
　前記第３のユニットは、前記第３の面に光を供給し、
　前記第４のユニットは、前記第４の面に光を供給し、
　前記第５の面は、前記表示パネルに向けて前記光の一部を射出する機能を備え、
　前記第６の面は、前記表示パネルが反射する光を射出する機能を備え、
　前記表示パネルは、表示領域を備え、
　前記表示領域は、画素を備え、
　前記画素は、第１の表示素子および画素回路を備え、
　前記第１の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
　前記第１の表示素子は、前記第５の面から射出された光を、前記第６の面に向けて反射する機能を備える、請求項１に記載の情報処理装置。
　前記表示領域は、一群の複数の画素、他の一群の複数の画素、走査線および信号線を備え、
　前記一群の複数の画素は、行方向に配設され、
　前記他の一群の複数の画素は、前記行方向と交差する列方向に配設され、
　前記走査線は、前記一群の複数の画素と電気的に接続され、
　前記信号線は、前記他の一群の複数の画素と電気的に接続される、請求項２に記載の情報処理装置。
　前記第１のユニットは、第１の発光素子、第２の発光素子および第３の発光素子を備え、
　前記第１の発光素子は、赤色の光を射出する機能を備え、
　前記第２の発光素子は、緑色の光を射出する機能を備え、
　前記第３の発光素子は、青色の光を射出する機能を備え、
　前記赤色の光は、６２５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備え、
　前記緑色の光は、５１５ｎｍ以上５４０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備え、
　前記青色の光は、４４５ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の範囲に極大を有し、半値幅が３０ｎｍ以下である発光スペクトルを備える、請求項２または請求項３に記載の情報処理装置。
　前記表示領域は、色相が異なる色を含む色域を表示する機能を備える、請求項４に記載の情報処理装置。
　前記画素は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、第２の表示素子と、を有し、
　前記第１の導電膜は、前記第１の表示素子と電気的に接続され、
　前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜と重なる領域を備え、
　前記絶縁膜は、前記第２の導電膜と前記第１の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
　前記画素回路は、前記第２の導電膜と電気的に接続され、
　前記第２の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
　前記絶縁膜は、開口部を備え、
　前記第２の導電膜は、前記開口部において前記第１の導電膜と電気的に接続され、
　前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、前記第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される、請求項２または請求項３に記載の情報処理装置。
　前記画素回路は、トランジスタを含み、
　前記トランジスタは、酸化物半導体を含み、
　前記第１の表示素子は、液晶材料を含む、請求項２または請求項３のいずれか一に記載の情報処理装置。
　駆動回路を有し、
　前記駆動回路は、選択信号を異なる頻度で供給する機能を備え、
　前記走査線は、前記駆動回路と電気的に接続される、請求項３に記載の情報処理装置。
　前記入力部は、第１の検知器および第２の検知器を備え、
　前記第１の検知器は、前記第３の面から射出される光の強度の分布を検知し、
　前記第２の検知器は、前記第４の面から射出される光の強度の分布を検知する、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の情報処理装置。
　キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上を含む、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の情報処理装置。