WO2018108486A1 - Verfahren zur herstellung einer leiterbildstruktur auf einem mit metall beschichteten substrat und bauteil - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer leiterbildstruktur auf einem mit metall beschichteten substrat und bauteil Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a method for producing a patterned circuit pattern on a metal-coated substrate and a component produced by the method.
  • Electronic functional component comprises an electronic component which is embedded in a functional element on a base element by means of a three-dimensional printing process.
  • the electrically conductive structures are printed parallel to the pressure of the base body.
  • the inventive method for producing a patterned conductor structure with the features of the independent claim has the advantage that both very fine and thin pattern structures as well as highly conductive, in particular thick, pattern structures can be produced. It is particularly advantageous that an inkjet method and / or an aerosol-jet method are used as the jet printing method, since these methods contribute to producing fine conductor pattern structures.
  • the metal is copper and / or tin and / or silver and / or gold, since these metals are electrically conductive and also with a
  • Plasma application method can be applied to a substrate. Furthermore, a flat application by means of a galvanic process with metallizable plastics, for example acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS), is advantageous.
  • metallizable plastics for example acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS)
  • the substrate is a plastic substrate and / or a mineral substrate and / or an organic substrate and / or a metallic substrate, since these substrates are electrically insulated and thus present after the etching process as electrically insulating isolation regions.
  • a further advantage is that the substrate is a spatially injection-molded circuit carrier, since such a circuit carrier in many applications, as in
  • the conductor tracks of the patterned pattern structure produced by the method have a width between 5 ⁇ and ⁇ and / or that the distances between the printed conductors produced the pattern structure between ⁇ and 20 ⁇ amount, since this is the production of very fine and tight
  • the metal on the substrate has a layer thickness of greater than 50 ⁇ , preferably greater than 100 ⁇ , particularly preferably greater than 200 ⁇ , as this conductor tracks can be created, which are tightly packed on the one hand by the small distances, but at the same time high Can transfer services.
  • 1 is a flow chart of the method for producing a patterned pattern on a metal-coated substrate.
  • a method of manufacturing a patterned pattern on a metal-coated substrate wherein the metal is removed at isolation areas of the patterned pattern by applying a metal etchant to the isolation areas by a jet printing method. Furthermore, a component produced by the method will be described.
  • FIG. 1 shows a flow chart of the method for producing a
  • a substrate 10 is provided.
  • a plasma deposition method for example the plasma dust method and / or the Flamecon method and / or the PlasmaPlus method and / or the digital direct metallization (DDM), the uncoated substrate 10 with metal 12, in particular coated with copper and / or tin and / or silver and / or gold and / or copper alloy and / or tin alloy and / or silver alloy and / or gold alloy.
  • Plasmadust is a plasma deposition method in which metallic layers are deposited from a cold-active atmospheric pressure plasma, wherein the gas plasma is preferably generated by a gas discharge.
  • the Flamecon process is a Plasma deposition process on the metal particle in a high-chamber chamber
  • Temperatures are melted and passed over a carrier stream to the substrate surface.
  • a copper-coated plastic substrate is used.
  • Embodiment is used as a substrate 10, a mineral substrate and / or an organic substrate and / or a metallic substrate.
  • the metal 12 is applied to the substrate 10 as a single layer.
  • multiple layers are applied by the plasma deposition method, thus the larger one
  • the substrate 10 is formed three-dimensionally. In one variant, the substrate is formed like a foil in two dimensions. In a further variant of the preferred
  • the first step 30 and the second step 32 are not performed. Instead, a metal 12 coated substrate 10 is provided as a semi-finished product. The metal coating takes place by means of sputtering,
  • the semi-finished product is processed further in the third step 34.
  • the third step 34 is by means of a
  • Jet printing method applied to the subsequent isolation regions 20, a metal-etching substance 14.
  • a metal-etching substance 14 in the preferred embodiment, as
  • the aerosol-jet method is characterized in that the coating material, in this case the metal-etching substance 14, is present as a liquid material in an atomizer, where, for example, an aerosol is generated by means of ultrasound, the aerosol subsequently being applied to the substrate 10 by means of a nozzle 16 is applied.
  • the jet printing method used is an inkjet method in which the metal-etching substance is applied to the substrate as individual droplets.
  • the metal-etching substance is
  • the nozzle 16 is movable in at least two directions of movement 18 in both jet printing methods. In the preferred
  • the metal etching substance 14 is an acid.
  • the metal-etching substance 14 is a base and / or a reducing salt in aqueous solution, in particular iron (II) chloride.
  • the metal 12 is subtractively removed at the insulating regions 20 of the patterned conductor structure 22, see also FIG that finally remain through insulating isolation regions 20 separate interconnects 24, which form the pattern circuit structure 22.
  • the substrate 14 is particularly preferably a spatially injection-molded circuit carrier, so that an injection-molded circuit carrier having a conductor pattern structure integrated thereon is obtained according to the production method (Molded interconnect device, FIG.
  • the generated interconnects 24 of the pattern circuit structure 22 have a width between 5 ⁇ and 10 ⁇ , preferably of 5 ⁇ , on.
  • the metal 12 on the substrate 10 has a layer thickness of greater than 50 ⁇ , preferably greater than 100 ⁇ , more preferably greater than 200 ⁇ on. In a variant of the preferred embodiment
  • the metal coatings are produced on the surface of the substrate 10 as a layer composites, which consist of at least two metal layers.
  • at least two coatings with different substrates are provided on a substrate 10

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterbildstruktur auf einem mit Metall (12) beschichteten Substrat (10), wobei das Metall an Isolationsbereichen (20) der Leiterbildstruktur (22) dadurch entfernt wird, indem mittels einem Strahldruckverfahrens an den Isolationsbereichen eine metallätzende Substanz (14) aufgebracht wird. Ferner betrifft die Erfindung ein mit dem Verfahren hergestelltes Bauteil.

Description

Beschreibung Titel
Verfahren zur Herstellung einer Leiterbildstruktur auf einem mit Metall beschichteten Substrat und Bauteil
Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterbildstruktur auf einem mit Metall beschichteten Substrat und ein mittels des Verfahrens hergestelltes Bauteil.
Aus der DE 10 2014 201 121 AI ist ein elektronisches Funktionsbauteil und ein Herstellungsverfahren für ein elektronisches Funktionsbauteil bekannt. Das
elektronische Funktionsbauteil umfasst ein elektronisches Bauteil, das mittels eines dreidimensionalen Druckprozesses in das Funktionsbauteil auf ein Grundelement eingebettet wird. Auf der Oberseite des Grundelements sind elektrisch leitfähige Strukturen vorgesehen. Die elektrisch leitfähigen Strukturen werden parallel zu dem Druck des Grundkörpers gedruckt.
Offenbarung der Erfindung
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Leiterbildstruktur mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs hat demgegenüber den Vorteil, dass sowohl sehr feine und dünne Leiterbildstrukturen als auch hoch leitfähige, insbesondere dicke, Leiterbildstrukturen hergestellt werden können. Besonders vorteilhaft ist, dass als Strahldruckverfahren ein Inkjet-Verfahren und/oder ein Aerosol-Jet-Verfahren verwendet werden, da diese Verfahren dazu beitragen, feine Leiterbildstrukturen zu erzeugen.
Vorteilhaft ist ferner, dass das Metall Kupfer und/oder Zinn und/oder Silber und/oder Gold ist, da diese Metalle elektrisch leitfähig sind und zudem mit einem
Plasmaauftragsverfahren auf ein Substrat aufgetragen werden können. Ferner ist ein flächiger Auftrag mittels eines Galvanikprozess bei metallisierbaren Kunststoffen, beispielsweise Acrylnitril-Butadien-Styrol (ABS), vorteilhaft.
Besonders vorteilhaft ist, dass das Substrat ein Kunststoffsubstrat und/oder ein mineralisches Substrat und/oder ein organisches Substrat und/oder ein metallisches Substrat ist, da diese Substrate elektrisch isolieren und damit nach dem Ätzprozess als elektrisch isolierende Isolationsbereiche vorhanden sind.
Vorteilhaft ist ferner, dass das Substrat ein räumlich spritzgegossener Schaltungsträger ist, da ein solcher Schaltungsträger in vielen Anwendungsbereichen, wie bei
Getriebesteuerungen, Sensoriken oder der Hochleistungselektronik, neue
Gestaltungsmöglichkeiten und damit die Möglichkeit einer Miniaturisierung ermöglicht. Weitere Anwendungsmöglichkeiten des Herstellungsverfahrens sind die Kontaktierung von eingebetteten Bauteilen, sowie die Herstellung von Drucksensoren.
Besonders vorteilhaft ist ferner, dass die durch das Verfahren erzeugten Leiterbahnen der Leiterbildstruktur eine Breite zwischen 5μηι und ΙΟμηι aufweisen und/oder dass die Abstände zwischen den erzeugten Leiterbahnen der Leiterbildstruktur zwischen ΙΟμηι und 20μηι betragen, da dies die Herstellung von sehr feinen und eng
beieinanderliegenden Leiterbahnen ermöglicht, so dass sehr kompakte Bauformen erhalten werden.
Vorteilhaft ist ferner, dass das Metall auf dem Substrat eine Schichtdicke von größer 50 μηι, vorzugsweise von größer 100 μηι, besonders bevorzugt von größer 200 μηι aufweist, da hierdurch Leiterbahnen erstellbar sind, die einerseits durch die geringen Abstände dicht gepackt sind, aber gleichzeitig hohe Leistungen übertragen können. Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielen mit Bezug zu den Figuren und aus den abhängigen
Ansprüchen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnungen anhand mehrerer Figuren dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 ein Ablaufdiagramm des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterbildstruktur auf einem mit Metall beschichteten Substrat.
Beschreibung von Ausführungsbeispielen
Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterbildstruktur auf einem mit Metall beschichteten Substrat beschrieben, wobei das Metall an Isolationsbereichen der Leiterbildstruktur dadurch entfernt wird, indem mittels einem Strahldruckverfahrens an den Isolationsbereichen eine metallätzende Substanz aufgebracht wird. Ferner wird ein mit dem Verfahren hergestelltes Bauteil beschrieben.
Figur 1 zeigt ein Ablaufdiagramm des Verfahrens zur Herstellung einer
Leiterbildstruktur auf einem mit Metall 12 beschichteten Substrat 10. In einem ersten Schritt 30 wird ein Substrat 10 zur Verfügung gestellt. In einem zweiten Schritt 32 wird mittels eines Plasmaauftragsverfahrens, beispielsweise dem Plasmadust-Verfahren und/oder dem Flamecon-Verfahren und/oder dem PlasmaPlus- Verfahren und/oder der Digitalen Direkt Metallisierung (DDM) , das nicht beschichtete Substrat 10 mit Metall 12, insbesondere mit Kupfer und/oder mit Zinn und/oder mit Silber und/oder mit Gold und/oder mit einer Kupferlegierung und/oder mit einer Zinnlegierung und/oder mit einer Silberlegierung und/oder mit einer Goldlegierung, beschichtet. Plasmadust ist ein Plasmaauftragsverfahren bei dem metallische Schichten aus einem kalt-aktiven Atmosphärendruck-Plasma aufgetragen werden, wobei das Gasplasma vorzugsweise durch eine Gasentladung erzeugt wird. Das Flamecon-Verfahren ist ein Plasmaauftragsverfahren bei dem Metallpartikel in einer Kammer mit hohen
Temperaturen geschmolzen und über einen Trägerstrom auf die Substratoberfläche geführt werden. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel wird ein mit Kupfer beschichtetes Kunststoff-Substrat verwendet. In einer Variante des bevorzugten
Ausführungsbeispiels wird als Substrat 10 ein mineralisches Substrat und/oder ein organisches Substrat und/oder ein metallisches Substrat verwendet. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Metall 12 als eine einzige Schicht auf das Substrat 10 aufgetragen. In einer Variante des bevorzugten Ausführungsbeispiels werden mehrere Schichten mit dem Plasmaauftragsverfahren aufgebracht, um so die größere
Schichtdicke der Metallschicht zu erhalten. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das Substrat 10 dreidimensional ausgebildet. In einer Variante ist das Substrat folienartig zweidimensional ausgebildet. In einer weiteren Variante des bevorzugten
Ausführungsbeispiels werden der erste Schritt 30 und der zweite Schritt 32 nicht ausgeführt. Stattdessen wird ein mit Metall 12 beschichtetes Substrat 10 als Halbzeug zur Verfügung gestellt. Die Metallbeschichtung erfolgt mittels Sputtern,
Folienbeschichten und/oder einem Galvanischen Prozess. Das Halbzeug wird im dritten Schritt 34 weiter bearbeitet. In dem dritten Schritt 34 wird mittels eines
Strahldruckverfahrens an den späteren Isolationsbereichen 20 eine metallätzende Substanz 14 aufgebracht. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel wird als
Strahldruckverfahren das Aerosol-Jet-Verfahren verwendet. Das Aerosol-Jet-Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass der Schichtwerkstoff, hier die metallätzende Substanz 14, als flüssiges Material in einem Zerstäuber vorliegt, wo beispielsweise mittels Ultraschall ein Aerosol erzeugt wird, wobei das Aerosol anschließend mittels einer Düse 16 auf das Substrat 10 aufgebracht wird. In einer Variante des bevorzugten Ausführungsbeispiels wird als Strahldruckverfahren ein Inkjet-Verfahren verwendet, bei dem die metallätzende Substanz als einzelne Tröpfchen auf das Substrat aufgetragen wird. In einer weiteren Variante wird die metallätzende Substanz mittels
Mikrodispensen aufgetragen. Die Düse 16 ist bei beiden Strahldruckverfahren in zumindest zwei Bewegungsrichtungen 18 beweglich. Im bevorzugten
Ausführungsbeispiel ist die metallätzende Substanz 14 eine Säure. In einer Variante des bevorzugten Ausführungsbeispiels ist die metallätzende Substanz 14 eine Base und/oder ein reduzierenden Salz in wässriger Lösung, insbesondere Eisen-Il I-Chlorid. Durch das Aufbringen der metallätzenden Substanz 14 wird im vierten Schritt 36 das Metall 12 subtraktiv an den Isolationsbereichen 20 der Leiterbildstruktur 22 entfernt, so dass schließlich durch isolierende Isolationsbereiche 20 getrennte Leiterbahnen 24 zurückbleiben, welche die Leiterbildstruktur 22 bilden. Besonders bevorzugt handelt es sich bei dem Substrat 14 um einen räumlich spritzgegossenen Schaltungsträger, so dass nach dem Herstellungsverfahren ein spritzgegossener Schaltungsträger mit einer auf diesem integrieren Leiterbildstruktur erhalten wird (Molded Interconnect Device,
MID).
Die erzeugten Leiterbahnen 24 der Leiterbildstruktur 22 weisen eine Breite zwischen 5 μηι und 10 μηι, bevorzugt von 5 μηι, auf. Die Abstände zwischen den erzeugten Leiterbahnen 24 der Leiterbildstruktur 22, die durch die Isolationsbereiche 20 getrennt sind, betragen zwischen 5μηι und ΙΟμηι. Das Metall 12 auf dem Substrat 10 weist eine Schichtdicke von größer 50 μηι, vorzugsweise von größer 100 μηι, besonders bevorzugt von größer 200 μηι, auf. In einer Variante des bevorzugten
Ausführungsbeispiels werden die Metallbeschichtungen auf der Oberfläche des Substrats 10 als Schichtverbunde erzeugt, die aus zumindest zwei Metallschichten bestehen. In einer weiteren Variante des bevorzugten Ausführungsbeispiels werden auf einem Substrate 10 zumindest zwei Beschichtungen mit unterschiedlichen
Schichtdicken auftragen, so dass die erzeugten Leiterbahnen 24 unterschiedliche Leistungen übertragen können.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer Leiterbildstruktur (22) auf einem mit Metall (12) beschichteten Substrat (10), dadurch gekennzeichnet, dass das Metall (12) an Isolationsbereichen (20) der Leiterbildstruktur (22) dadurch entfernt wird, indem mittels einem Strahldruckverfahrens an den Isolationsbereichen (20) eine metallätzende Substanz (14) aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als
Strahldruckverfahren ein Inkjet-Verfahren und/oder ein Aerosol-Jet-Verfahren und/oder ein Mikrodosierverfahren verwendet werden.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall (12) Kupfer und/oder Zinn und/oder Silber und/oder Gold ist.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) ein Kunststoffsubstrat und/oder ein mineralisches Substrat und/oder ein organisches Substrat und/oder ein metallisches Substrat ist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die metallätzende Substanz (14) eine Säure oder eine Lauge oder ein reduzierenden Salz, insbesondere Eisen-Ill-Chlorid, ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) zumindest zweidimensional, vorzugsweise dreidimensional ausgebildet ist.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) ein räumlich spritzgegossener Schaltungsträger ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erzeugten Leiterbahnen (24) der Leiterbildstruktur (22) eine Breite zwischen 5μηι und ΙΟμηι aufweisen und/oder dass die Abstände zwischen den erzeugten Leiterbahnen (24) der Leiterbildstruktur (22) zwischen ΙΟμηι und 20μηι betragen.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) in einem vorhergehenden Herstellungsschritt mittels eines Plasmaauftragsverfahrens und/oder eines Galvanikprozesses mit dem Metall (12) beschichtet wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall (12) auf dem Substrat (10) eine Schichtdicke von größer 50 μηι, vorzugsweise von größer 100 μηι, besonders bevorzugt von größer 200 μηι aufweist.
11. Bauteil, hergestellt mit einem Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche.
12. Bauteil nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil ein räumlich spritzgegossener Schaltungsträger mit einer Leiterbildstruktur (22) ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112055473A (zh) * 2020-09-15 2020-12-08 东莞市高迈电子有限公司 一种binding板厚框印刷工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030029831A1 (en) * 2000-10-16 2003-02-13 Takeo Kawase Etching process
US20060213870A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Waldrop Robert P Ink jet printing of etchants and modifiers
DE102009033510A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Sefar Ag Gewebe, Vorrichtung mit Gewebe sowie Herstellungsverfahren für Gewebe
US20140021400A1 (en) * 2010-12-15 2014-01-23 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
DE102014201121A1 (de) 2014-01-22 2015-07-23 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Funktionsbauteil und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Funktionsbauteils

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030029831A1 (en) * 2000-10-16 2003-02-13 Takeo Kawase Etching process
US20060213870A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Waldrop Robert P Ink jet printing of etchants and modifiers
DE102009033510A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Sefar Ag Gewebe, Vorrichtung mit Gewebe sowie Herstellungsverfahren für Gewebe
US20140021400A1 (en) * 2010-12-15 2014-01-23 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
DE102014201121A1 (de) 2014-01-22 2015-07-23 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Funktionsbauteil und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Funktionsbauteils

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112055473A (zh) * 2020-09-15 2020-12-08 东莞市高迈电子有限公司 一种binding板厚框印刷工艺

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