WO2018070127A1 - Substrate processing system - Google Patents

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WO2018070127A1 PCT/JP2017/031025 JP2017031025W WO2018070127A1 WO 2018070127 A1 WO2018070127 A1 WO 2018070127A1 JP 2017031025 W JP2017031025 W JP 2017031025W WO 2018070127 A1 WO2018070127 A1 WO 2018070127A1
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岩下　光秋
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東京エレクトロン株式会社
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Abstract

[Problem] To perform plating processing immediately on a substrate on which plasma vacuum processing has been performed. [Solution] This substrate processing system 1 is provided with a chamber 1A, a plasma vacuum processing module 4 disposed inside the chamber 1A, a plating processing module 5, and a thermal processing module 6. A substrate W is conveyed between the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, and the thermal processing module 6 by means of a common conveyance mechanism 222.

Description

基板処理システムSubstrate processing system
　本発明は、基板に対してめっき処理を施す基板処理システムに関する。 The present invention relates to a substrate processing system that performs plating on a substrate.
　シリコンウエハ（基板ともいう）を準備し、この基板に対してプラズマ真空処理を施すことにより基板に対して前処理を行い、更にプラズマ真空処理が施された基板に対してめっき処理を施し、その後、基板を熱処理することにより半導体デバイスを作製する技術が知られている。 A silicon wafer (also referred to as a substrate) is prepared, and a plasma vacuum treatment is performed on the substrate to perform a pretreatment on the substrate. Further, a plating treatment is performed on the substrate subjected to the plasma vacuum treatment, and then A technique for manufacturing a semiconductor device by heat-treating a substrate is known.
　現在、基板に対してプラズマ真空処理を施すプラズマ真空処理装置は、基板に対してめっき処理を施すめっき処理装置および熱処理装置の前処理装置として、これらめっき処理装置あるいは熱処理装置と別個独立に設けられている。 Currently, a plasma vacuum processing apparatus that performs plasma vacuum processing on a substrate is provided separately from the plating processing apparatus or heat treatment apparatus as a pretreatment apparatus for plating processing apparatus and heat treatment apparatus that performs plating processing on a substrate. ing.
特開２００９－２４９６７９号公報JP 2009-249679 A
　上述のようにプラズマ真空処理装置は、めっき処理装置あるいは熱処理装置と別個独立して設けられているが、プラズマ真空処理装置において、プラズマ真空処理が施された後の基板は、プラズマ真空処理装置から一旦外方へ排出され、その後プラズマ真空処理装置へ搬送される。このためプラズマ真空処理装置が施された後、ある程度の時間を経た後、基板に対してめっき処理あるいは熱処理が行われることになり、めっき処理性能が低下している。 As described above, the plasma vacuum processing apparatus is provided independently of the plating processing apparatus or the heat treatment apparatus. In the plasma vacuum processing apparatus, the substrate after the plasma vacuum processing is performed is removed from the plasma vacuum processing apparatus. Once discharged to the outside, it is then transferred to a plasma vacuum processing apparatus. For this reason, after the plasma vacuum processing apparatus is applied, after a certain period of time, the substrate is subjected to a plating process or a heat treatment, and the plating process performance is degraded.
　本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、めっき処理の前処理として行われるプラズマ真空処理を経た基板に対して直ちにめっき処理を施すことができる基板処理システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and provides a substrate processing system capable of immediately performing a plating process on a substrate that has undergone a plasma vacuum process performed as a pre-process of the plating process. With the goal.
　本実施の形態は、チャンバと、前記チャンバ内に配置され、基板に対してプラズマ真空処理を施す真空処理モジュールと、前記チャンバ内に配置され、プラズマ真空処理が施された前記基板に対してめっき処理を施すめっき処理モジュールと、前記チャンバ内に配置され、めっき処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理モジュールと、前記真空処理モジュール、前記めっき処理モジュール、および前記熱処理モジュール間で前記基板を搬送する共通搬送装置とを備えたことを特徴とする基板処理システムである。 The present embodiment includes a chamber, a vacuum processing module disposed in the chamber and performing plasma vacuum processing on the substrate, and plating on the substrate disposed in the chamber and subjected to plasma vacuum processing. A plating module that performs a treatment, a heat treatment module that is disposed in the chamber and that performs a heat treatment on the substrate that has been plated, and the vacuum treatment module, the plating module, and the heat treatment module. A substrate processing system comprising a common transfer device for transferring a substrate.
　本実施形態によれば、プラズマ真空処理を経た基板に対して直ちにめっき処理を施すことができる。 According to this embodiment, it is possible to immediately perform the plating process on the substrate that has undergone the plasma vacuum process.
図１は、第１の実施の形態による基板処理システムの構成を示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment. 図２は、図１のII線方向側面図である。FIG. 2 is a side view in the II line direction of FIG. 図３は、図１のIII線方向側面図である。FIG. 3 is a side view in the direction of line III in FIG. 図４は、めっき処理モジュールの構成を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the plating module. 図５（ａ）－（ｄ）は、基板の製造工程を示す概略断面図である。FIGS. 5A to 5D are schematic cross-sectional views showing the manufacturing process of the substrate. 図６は、基板の製造工程を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a substrate manufacturing process. 図７は、第２の実施の形態による基板処理システムの構成を示す概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view showing the configuration of the substrate processing system according to the second embodiment. 図８は、第３の実施の形態による基板処理システムの構成を示す概略平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view showing the configuration of the substrate processing system according to the third embodiment. 図９は、図８の側面図である。FIG. 9 is a side view of FIG.
＜第１の実施の形態＞
　以下、図面を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。 <First Embodiment>
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
＜基板処理システムの構成＞
　図１乃至図３を参照して、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの構成を説明する。図１乃至図３は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す概略図である。ここで図１は基板処理システムを示す平面図であり、図２は図１のII－II線方向断面図であり、図３は図１のIII－III線方向断面図である。 <Configuration of substrate processing system>
The configuration of the substrate processing system according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. 1 to 3 are schematic views showing a configuration of a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention. 1 is a plan view showing the substrate processing system, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG.
　図１乃至図３に示すように基板処理システム１は、チャンバ１Ａと、チャンバ１Ａに配置された搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２とを備える。 As shown in FIGS. 1 to 3, the substrate processing system 1 includes a chamber 1A, a loading / unloading station 21 disposed in the chamber 1A, and a processing station 22 provided adjacent to the loading / unloading station 21.
　搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２とを備える。 The loading / unloading station 21 includes a placement unit 211 and a transport unit 212 provided adjacent to the placement unit 211.
　載置部２１１には、複数枚のシリコン基板（以下、基板ともいう）Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。 A plurality of transfer containers (hereinafter referred to as “carriers C”) that accommodate a plurality of silicon substrates (hereinafter also referred to as substrates) W in a horizontal state are mounted on the mounting portion 211.
　搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを備える。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。 The transport unit 212 includes a transport mechanism 213 and a delivery unit 214. The transport mechanism 213 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and turn around the vertical axis.
　またチャンバ１Ａ内には、基板Ｗに対してプラズマ真空処理を施して後工程におけるめっき処理を精度良く行うためのプラズマ真空処理モジュール４と、プラズマ真空処理が施された基板Ｗに対してめっき処理を施すめっき処理モジュール５と、めっき処理が施された基板Ｗを加熱処理する熱処理モジュール６とが配置されている。 Further, in the chamber 1A, a plasma vacuum processing module 4 for performing a plasma vacuum process on the substrate W and performing a plating process in a subsequent process with high accuracy, and a plating process for the substrate W on which the plasma vacuum process has been performed. And a heat treatment module 6 for heat-treating the substrate W on which the plating process has been performed.
　図１に示すように、チャンバ１Ａの左方部に搬入出ステーション２１が配置され、チャンバ１Ａの右方部にプラズマ真空処理モジュール４と、めっき処理モジュール５と、熱処理モジュール６とが配置され、プラズマ真空処理モジュール４と、めっき処理モジュール５と、熱処理モジュール６とによって処理ステーション２２が構成される。 As shown in FIG. 1, a loading / unloading station 21 is disposed on the left side of the chamber 1A, and a plasma vacuum processing module 4, a plating processing module 5, and a heat treatment module 6 are disposed on the right side of the chamber 1A. The plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, and the heat treatment module 6 constitute a processing station 22.
　またチャンバ１Ａ内の処理ステーション２２には左方から右方へ延びる搬送路２２１が設けられ、この搬送路２２１の一側（図１の上側）に複数、例えば４台のプラズマ真空処理モジュール４と、複数、例えば４台の熱処理モジュール６とが配置されている。これらプラズマ真空処理モジュール４と熱処理モジュール６は平面視で互いに重なり合い（図１参照）、このうち熱処理モジュール６はプラズマ真空処理モジュール４の上方に配置されている（図３参照）。 The processing station 22 in the chamber 1A is provided with a transfer path 221 extending from the left to the right. A plurality of, for example, four plasma vacuum processing modules 4 are provided on one side (the upper side in FIG. 1) of the transfer path 221. A plurality of, for example, four heat treatment modules 6 are arranged. The plasma vacuum processing module 4 and the heat treatment module 6 overlap each other in plan view (see FIG. 1), and the heat treatment module 6 is disposed above the plasma vacuum processing module 4 (see FIG. 3).
　またチャンバ１Ａの搬送路２２１の他側（図１の下側）に、上下方向４段に渡ってめっき処理モジュール５が配置され、各段に２台ずつ、合計８台のめっき処理モジュール５が設けられている。 Further, on the other side (lower side in FIG. 1) of the conveyance path 221 of the chamber 1A, the plating processing modules 5 are arranged in four steps in the vertical direction, and two plating processing modules 5 are provided in each step, for a total of eight plating processing modules 5. Is provided.
　また図１に示すように、熱処理モジュール６に隣接して、基板Ｗに対してめっき処理を施す前に基板Ｗに対して密着層２を形成する密着層形成モジュール７が設けられている。 Further, as shown in FIG. 1, an adhesion layer forming module 7 is provided adjacent to the heat treatment module 6 to form the adhesion layer 2 on the substrate W before the substrate W is plated.
　また図２および図３に示すように、チャンバ１Ａにはチャンバ１Ａ内の空気を清浄化させるためのＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）２１５が配置されている。すなわちＦＦＵ２１５からチャンバ１Ａ内に清浄化された空気が供給され、供給された空気はチャンバ１Ａ内を下方に向って流れて外方へ排出される。 2 and 3, an FFU (Fan Filter Unit) 215 for cleaning the air in the chamber 1A is arranged in the chamber 1A. That is, purified air is supplied from the FFU 215 into the chamber 1A, and the supplied air flows downward in the chamber 1A and is discharged outward.
　また図１に示すように、搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。 As shown in FIG. 1, a transport mechanism 222 is provided in the transport path 221. The transport mechanism 222 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and turn around the vertical axis.
　基板処理システム１において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。 In the substrate processing system 1, the transport mechanism 213 of the carry-in / out station 21 transports the substrate W between the carrier C and the delivery unit 214. Specifically, the transport mechanism 213 takes out the substrate W from the carrier C placed on the placement unit 211 and places the taken-out substrate W on the delivery unit 214. The transport mechanism 213 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 by the transport mechanism 222 of the processing station 22 and stores it in the carrier C of the placement unit 211.
　基板処理システム１において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とプラズマ真空処理モジュール４および熱処理モジュール６との間、プラズマ真空処理モジュール４、めっき処理モジュール５、熱処理モジュール６、密着層形成モジュール７間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをプラズマ真空処理モジュール４へ搬入する。また、搬送機構２２２は、熱処理モジュール６から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。同様に搬送機構２２２はプラズマ真空処理モジュール４、めっき処理モジュール５、熱処理モジュール６、密着層形成モジュール７間で基板Ｗを搬送する。 In the substrate processing system 1, the transport mechanism 222 of the processing station 22 includes a plasma vacuum processing module 4, a plating processing module 5, a heat treatment module 6, and an adhesion layer formation between the delivery unit 214 and the plasma vacuum processing module 4 and the heat treatment module 6. The substrate W is transferred between the modules 7. Specifically, the transport mechanism 222 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 and carries the taken-out substrate W into the plasma vacuum processing module 4. Further, the transport mechanism 222 takes out the substrate W from the heat treatment module 6 and places the taken out substrate W on the delivery unit 214. Similarly, the transport mechanism 222 transports the substrate W among the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, the heat treatment module 6, and the adhesion layer forming module 7.
　また上記各構成要素、プラズマ真空処理モジュール４、めっき処理モジュール５、熱処理モジュール６、密着層形成モジュール７、搬送機構２１３、２２２は制御部３０により制御される。 Further, each of the above components, the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, the heat treatment module 6, the adhesion layer forming module 7, and the transport mechanisms 213 and 222 are controlled by the control unit 30.
　制御部３０は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを備える。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、基板処理システム１の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、基板処理システム１において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に記録されたものであってもよいし、その記憶媒体から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体には、例えば、基板処理システム１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータが基板処理システム１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。 The control unit 30 is, for example, a computer, and includes an operation control unit and a storage unit. The operation control unit includes, for example, a CPU (Central Processing Unit), and controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing a program stored in the storage unit. The storage unit is configured by a storage device such as a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), and a hard disk, and stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The program may be recorded on a computer-readable storage medium or may be installed from the storage medium into the storage unit. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card. For example, when executed by a computer for controlling the operation of the substrate processing system 1, the recording medium records a program that causes the computer to control the substrate processing system 1 to execute a plating method described later.
　次に図４を参照して、めっき処理モジュール５の構成を説明する。図４は、めっき処理モジュール５の構成を示す概略断面図である。 Next, the configuration of the plating module 5 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the plating module 5.
　めっき処理モジュール５は、基板Ｗに対してめっき処理を行うことにより、基板Ｗ表面にめっき層３を形成するものである（後述する図５および図６参照）。めっき処理モジュール５が行う基板処理は、少なくとも触媒付与処理と無電解めっき処理とを含むが、触媒付与処理及びめっき処理以外の基板処理が含まれていてもよい。 The plating module 5 forms a plating layer 3 on the surface of the substrate W by performing a plating process on the substrate W (see FIGS. 5 and 6 to be described later). The substrate process performed by the plating module 5 includes at least a catalyst application process and an electroless plating process, but may include a substrate process other than the catalyst application process and the plating process.
　めっき処理モジュール５は、上述した無電解めっき処理を含む基板処理を行うものであり、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを保持する基板保持部５２と、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対してめっき液Ｍ１を供給するめっき液供給部５３とを備えている。 The plating processing module 5 performs substrate processing including the above-described electroless plating processing. The plating processing module 5 is disposed in the chamber 51, is disposed in the chamber 51, and is held in the substrate holding portion 52. And a plating solution supply unit 53 that supplies the plating solution M1 to the substrate W.
　このうち基板保持部５２は、チャンバ５１内において鉛直方向に延在する回転軸５２１と、回転軸５２１の上端部に取り付けられたターンテーブル５２２と、ターンテーブル５２２の上面外周部に設けられ、基板Ｗの外縁部を支持するチャック５２３と、回転軸５２１を回転駆動する駆動部５２４とを有する。 Among these, the substrate holding part 52 is provided on the rotating shaft 521 extending in the vertical direction in the chamber 51, the turntable 522 attached to the upper end of the rotating shaft 521, and the outer peripheral portion of the upper surface of the turntable 522, It has a chuck 523 that supports the outer edge of W, and a drive unit 524 that drives the rotation shaft 521 to rotate.
　基板Ｗは、チャック５２３に支持され、ターンテーブル５２２の上面からわずかに離間した状態で、ターンテーブル５２２に水平保持される。本実施形態において、基板保持部５２による基板Ｗの保持方式は、可動のチャック５２３によって基板Ｗの外縁部を把持するいわゆるメカニカルチャックタイプのものであるが、基板Ｗの裏面を真空吸着するいわゆるバキュームチャックタイプのものであってもよい。 The substrate W is supported by the chuck 523 and held horizontally on the turntable 522 while being slightly separated from the upper surface of the turntable 522. In the present embodiment, the method of holding the substrate W by the substrate holding unit 52 is a so-called mechanical chuck type in which the outer edge portion of the substrate W is held by the movable chuck 523, but so-called vacuum that vacuum-sucks the back surface of the substrate W. It may be a chuck type.
　回転軸５２１の基端部は、駆動部５２４により回転可能に支持され、回転軸５２１の先端部は、ターンテーブル５２２を水平に支持する。回転軸５２１が回転すると、回転軸５２１の上端部に取り付けられたターンテーブル５２２が回転し、これにより、チャック５２３に支持された状態でターンテーブル５２２に保持された基板Ｗが回転する。 The base end portion of the rotating shaft 521 is rotatably supported by the driving unit 524, and the distal end portion of the rotating shaft 521 supports the turntable 522 horizontally. When the rotating shaft 521 rotates, the turntable 522 attached to the upper end portion of the rotating shaft 521 rotates, whereby the substrate W held on the turntable 522 rotates while being supported by the chuck 523.
　めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、めっき液Ｍ１を吐出するノズル５３１と、ノズル５３１にめっき液Ｍ１を供給するめっき液供給源５３２とを備える。めっき液供給源５３２が有するタンクには、めっき液Ｍ１が貯留されており、ノズル５３１には、めっき液供給源５３２から、バルブ５３３等の流量調整器が介設された供給管路５３４を通じて、めっき液Ｍ１が供給される。 The plating solution supply unit 53 includes a nozzle 531 that discharges the plating solution M1 to the substrate W held by the substrate holding unit 52, and a plating solution supply source 532 that supplies the plating solution M1 to the nozzle 531. A plating solution M1 is stored in a tank of the plating solution supply source 532, and the nozzle 531 is supplied from the plating solution supply source 532 through a supply line 534 provided with a flow rate regulator such as a valve 533. A plating solution M1 is supplied.
　めっき液Ｍ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｍ１は、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。なお、自己触媒型（還元型）無電解めっきでは、めっき液Ｍ１中の金属イオンが、めっき液Ｍ１中の還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元されることにより、金属として析出し、金属膜（めっき膜）が形成される。めっき液Ｍ１は、添加剤等を含有していてもよい。 The plating solution M1 is a plating solution for autocatalytic (reduction) electroless plating. The plating solution M1 contains metal ions such as cobalt (Co) ions, nickel (Ni) ions, tungsten (W) ions, and reducing agents such as hypophosphorous acid and dimethylamine borane. In the self-catalytic type (reduction type) electroless plating, metal ions in the plating solution M1 are reduced by electrons released by the oxidation reaction of the reducing agent in the plating solution M1, thereby depositing as metal. A metal film (plating film) is formed. The plating solution M1 may contain an additive or the like.
　めっき液Ｍ１を使用しためっき処理により生じる金属膜（めっき膜）としては、例えば、ＣｏＢ、ＣｏＰ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。金属膜（めっき膜）中のＰは、Ｐを含む還元剤（例えば次亜リン酸）に由来し、めっき膜中のＢは、Ｂを含む還元剤（例えばジメチルアミンボラン）に由来する。 Examples of the metal film (plating film) generated by plating using the plating solution M1 include CoB, CoP, CoWP, CoWB, CoWBP, NiWB, NiB, NiWP, NiWBP, and the like. P in the metal film (plating film) is derived from a reducing agent containing P (for example, hypophosphorous acid), and B in the plating film is derived from a reducing agent containing B (for example, dimethylamine borane).
　ノズル５３１は、ノズル移動機構５４に連結されている。ノズル移動機構５４は、ノズル５３１を駆動する。ノズル移動機構５４は、アーム５４１と、アーム５４１に沿って移動可能な駆動機構内蔵型の移動体５４２と、アーム５４１を旋回及び昇降させる旋回昇降機構５４３とを有する。ノズル５３１は、移動体５４２に取り付けられている。ノズル移動機構５４は、ノズル５３１を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの中心の上方の位置と基板Ｗの周縁の上方の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視で後述するカップ５７の外側にある待機位置まで移動させることができる。 The nozzle 531 is connected to the nozzle moving mechanism 54. The nozzle moving mechanism 54 drives the nozzle 531. The nozzle moving mechanism 54 includes an arm 541, a moving body 542 with a built-in driving mechanism that can move along the arm 541, and a turning lift mechanism 543 that turns and lifts the arm 541. The nozzle 531 is attached to the moving body 542. The nozzle moving mechanism 54 can move the nozzle 531 between a position above the center of the substrate W held by the substrate holding unit 52 and a position above the periphery of the substrate W, and further in plan view. Can be moved to a standby position outside the cup 57 described later.
　チャンバ５１内には、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、それぞれ、触媒液Ｎ１、洗浄液Ｎ２及びリンス液Ｎ３を供給する触媒液供給部（触媒付与部）５５ａ、洗浄液供給部５５ｂ及びリンス液供給部５５ｃが配置されている。 In the chamber 51, a catalyst solution supply unit (catalyst application unit) 55a and a cleaning solution supply unit 55b that supply the catalyst solution N1, the cleaning solution N2, and the rinse solution N3 to the substrate W held by the substrate holding unit 52, respectively. And the rinse liquid supply part 55c is arrange | positioned.
　触媒液供給部（触媒付与部）５５ａは、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、触媒液Ｎ１を吐出するノズル５５１ａと、ノズル５５１ａに触媒液Ｎ１を供給する触媒液供給源５５２ａとを備える。触媒液供給源５５２ａが有するタンクには、触媒液Ｎ１が貯留されており、ノズル５５１ａには、触媒液供給源５５２ａから、バルブ５５３ａ等の流量調整器が介設された供給管路５５４ａを通じて、触媒液Ｎ１が供給される。 The catalyst liquid supply unit (catalyst imparting unit) 55a has a nozzle 551a for discharging the catalyst liquid N1 to the substrate W held by the substrate holding unit 52, and a catalyst liquid supply source 552a for supplying the catalyst liquid N1 to the nozzle 551a. With. The tank of the catalyst liquid supply source 552a stores the catalyst liquid N1, and the nozzle 551a is connected to the nozzle 551a from the catalyst liquid supply source 552a through a supply line 554a provided with a flow rate regulator such as a valve 553a. The catalyst liquid N1 is supplied.
　洗浄液供給部５５ｂは、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、洗浄液Ｎ２を吐出するノズル５５１ｂと、ノズル５５１ｂに洗浄液Ｎ２を供給する洗浄液供給源５５２ｂとを備える。洗浄液供給源５５２ｂが有するタンクには、洗浄液Ｎ２が貯留されており、ノズル５５１ｂには、洗浄液供給源５５２ｂから、バルブ５５３ｂ等の流量調整器が介設された供給管路５５４ｂを通じて、洗浄液Ｎ２が供給される。 The cleaning liquid supply unit 55b includes a nozzle 551b that discharges the cleaning liquid N2 to the substrate W held by the substrate holding unit 52, and a cleaning liquid supply source 552b that supplies the cleaning liquid N2 to the nozzle 551b. A cleaning liquid N2 is stored in a tank of the cleaning liquid supply source 552b. The cleaning liquid N2 is supplied to the nozzle 551b from the cleaning liquid supply source 552b through a supply line 554b provided with a flow rate regulator such as a valve 553b. Supplied.
　リンス液供給部５５ｃは、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、リンス液Ｎ３を吐出するノズル５５１ｃと、ノズル５５１ｃにリンス液Ｎ３を供給するリンス液供給源５５２ｃとを備える。リンス液供給源５５２ｃが有するタンクには、リンス液Ｎ３が貯留されており、ノズル５５１ｃには、リンス液供給源５５２ｃから、バルブ５５３ｃ等の流量調整器が介設された供給管路５５４ｃを通じて、リンス液Ｎ３が供給される。 The rinse liquid supply unit 55c includes a nozzle 551c that discharges the rinse liquid N3 to the substrate W held by the substrate holding unit 52, and a rinse liquid supply source 552c that supplies the rinse liquid N3 to the nozzle 551c. A rinsing liquid N3 is stored in the tank of the rinsing liquid supply source 552c, and the nozzle 551c is supplied from the rinsing liquid supply source 552c through a supply line 554c provided with a flow rate regulator such as a valve 553c. A rinse liquid N3 is supplied.
　触媒液Ｎ１は、めっき液Ｍ１中の還元剤の酸化反応に対して触媒活性を有する金属イオンを含有する。無電解めっき処理において、めっき液Ｍ１中の金属イオンの析出が開始されるためには、初期皮膜表面（すなわち、基板の被めっき面）がめっき液Ｍ１中の還元剤の酸化反応に対して十分な触媒活性を有することが必要である。このような触媒としては、例えば、鉄族元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、白金属元素（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕを含むものが挙げられる。触媒活性を有する金属膜の形成は、置換反応により生じる。置換反応では、基板の被めっき面を構成する成分が還元剤となり、触媒液Ｎ１中の金属イオン（例えばＰｄイオン）が、基板の被めっき面上に還元析出する。 The catalyst solution N1 contains metal ions having catalytic activity for the oxidation reaction of the reducing agent in the plating solution M1. In the electroless plating process, in order to start the deposition of metal ions in the plating solution M1, the initial film surface (ie, the surface to be plated of the substrate) is sufficient for the oxidation reaction of the reducing agent in the plating solution M1. It is necessary to have a good catalytic activity. Examples of such a catalyst include those containing an iron group element (Fe, Co, Ni), a white metal element (Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt), Cu, Ag, or Au. Formation of a metal film having catalytic activity is caused by a substitution reaction. In the substitution reaction, a component constituting the surface to be plated of the substrate serves as a reducing agent, and metal ions (for example, Pd ions) in the catalyst solution N1 are reduced and deposited on the surface to be plated of the substrate.
　洗浄液Ｎ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板の被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。 Examples of the cleaning liquid N2 include organic acids such as formic acid, malic acid, succinic acid, citric acid, and malonic acid, and hydrofluoric acid (DHF) diluted to a concentration that does not corrode the plated surface of the substrate (fluorinated) Hydrogen aqueous solution) can be used.
　リンス液Ｎ３としては、例えば、純水等を使用することができる。 As the rinse liquid N3, for example, pure water or the like can be used.
　めっき処理モジュール５は、ノズル５５１ａ～５５１ｃを駆動するノズル移動機構５６を有する。ノズル移動機構５６は、アーム５６１と、アーム５６１に沿って移動可能な駆動機構内蔵型の移動体５６２と、アーム５６１を旋回及び昇降させる旋回昇降機構５６３とを有する。ノズル５５１ａ～５５１ｃは、移動体５６２に取り付けられている。ノズル移動機構５６は、ノズル５５１ａ～５５１ｃを、基板保持部５２に保持された基板Ｗの中心の上方の位置と基板Ｗの周縁の上方の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視で後述するカップ５７の外側にある待機位置まで移動させることができる。本実施形態において、ノズル５５１ａ～５５１ｃは共通のアームにより保持されているが、それぞれ別々のアームに保持されて独立して移動できるようになっていてもよい。 The plating module 5 includes a nozzle moving mechanism 56 that drives the nozzles 551a to 551c. The nozzle moving mechanism 56 includes an arm 561, a moving body 562 having a built-in driving mechanism that can move along the arm 561, and a turning lift mechanism 563 that turns and lifts the arm 561. The nozzles 551a to 551c are attached to the moving body 562. The nozzle moving mechanism 56 can move the nozzles 551a to 551c between a position above the center of the substrate W held by the substrate holding unit 52 and a position above the peripheral edge of the substrate W. It can be moved to a standby position outside the cup 57 described later in plan view. In the present embodiment, the nozzles 551a to 551c are held by a common arm, but may be held by separate arms and can move independently.
　基板保持部５２の周囲には、カップ５７が配置されている。カップ５７は、基板Ｗから飛散した各種処理液（例えば、めっき液、洗浄液、リンス液等）を受け止めてチャンバ５１の外方に排出する。カップ５７は、カップ５７を上下方向に駆動させる昇降機構５８を有している。 A cup 57 is disposed around the substrate holding part 52. The cup 57 receives various processing liquids (for example, plating liquid, cleaning liquid, rinsing liquid, etc.) scattered from the substrate W and discharges them outside the chamber 51. The cup 57 has a lifting mechanism 58 that drives the cup 57 in the vertical direction.
＜本発明の作用＞
　次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図５および図６により説明する。 <Operation of the present invention>
Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described with reference to FIGS.
　まず、図５（ａ）に示すような基板Ｗを準備する。次に基板ＷがキャリアＣ内に載置され、このキャリアＣは基板処理システム１の載置部２１１に載置される。 First, a substrate W as shown in FIG. Next, the substrate W is placed in the carrier C, and the carrier C is placed on the placement unit 211 of the substrate processing system 1.
　次にキャリアＣ内の基板Ｗは、搬送機構２１３によりキャリアＣから外方へ取出されて受渡部２１４へ送られる。 Next, the substrate W in the carrier C is taken out from the carrier C by the transport mechanism 213 and sent to the delivery unit 214.
　受渡部２１４へ送られた基板Ｗは、次に受渡部２１４から搬送機構２２２によりプラズマ真空処理モジュール４へ送られる。 The substrate W sent to the delivery unit 214 is then sent from the delivery unit 214 to the plasma vacuum processing module 4 by the transport mechanism 222.
　このプラズマ真空処理モジュール４内において、基板Ｗに対してプラズマ真空処理が施され、このことにより基板Ｗの表面が清浄化され、後述するめっき処理の処理精度を高めることができる。 In this plasma vacuum processing module 4, the substrate W is subjected to plasma vacuum processing, whereby the surface of the substrate W is cleaned, and the processing accuracy of the plating processing described later can be improved.
　次に基板Ｗは搬送機構２２２によりプラズマ真空処理モジュール４から密着層形成モジュール７へ送られる。この密着層形成モジュール７は、低真空雰囲気内で基板Ｗに対して真空処理を施し、基板Ｗ上に基板Ｗとめっき層３との密着性を高める密着層２を形成する（図５（ｂ）参照）。 Next, the substrate W is sent from the plasma vacuum processing module 4 to the adhesion layer forming module 7 by the transport mechanism 222. The adhesion layer forming module 7 performs a vacuum process on the substrate W in a low vacuum atmosphere to form an adhesion layer 2 that improves the adhesion between the substrate W and the plating layer 3 on the substrate W (FIG. 5B). )reference).
　次に密着層２が形成された基板Ｗは、めっき処理モジュール５へ送られ、このめっき処理モジュール５内において基板Ｗに対してめっき処理が施される。 Next, the substrate W on which the adhesion layer 2 is formed is sent to the plating module 5, and the plating process is performed on the substrate W in the plating module 5.
　次に、めっき処理モジュール５におけるめっき処理について説明する。まず基板Ｗがめっき処理モジュール５へ搬入されると、基板Ｗは基板保持部５２に保持される（図４参照）。この間、制御部３０は、昇降機構５８を制御して、カップ５７を所定位置まで降下させる。続いて、制御部３０は、搬送機構２２２を制御して、基板保持部５２に基板Ｗを載置する。基板Ｗは、その外縁部がチャック５２３により支持された状態で、ターンテーブル５２２上に水平保持される。 Next, the plating process in the plating module 5 will be described. First, when the substrate W is carried into the plating module 5, the substrate W is held by the substrate holding unit 52 (see FIG. 4). During this time, the control unit 30 controls the elevating mechanism 58 to lower the cup 57 to a predetermined position. Subsequently, the control unit 30 controls the transport mechanism 222 to place the substrate W on the substrate holding unit 52. The substrate W is horizontally held on the turntable 522 with its outer edge supported by the chuck 523.
　次に、基板保持部５２に保持された基板Ｗが洗浄処理される。このとき、制御部３０は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、洗浄液供給部５５ｂを制御して、ノズル５５１ｂを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｂから基板Ｗに対して洗浄液Ｎ２を供給する。基板Ｗに供給された洗浄液Ｎ２は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗに付着した付着物等が、基板Ｗから除去される。基板Ｗから飛散した洗浄液Ｎ２は、カップ５７を介して排出される。 Next, the substrate W held by the substrate holding part 52 is cleaned. At this time, the control unit 30 controls the driving unit 524 to control the cleaning liquid supply unit 55b while rotating the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a predetermined speed, so that the nozzle 551b is positioned above the substrate W. The cleaning liquid N2 is supplied to the substrate W from the nozzle 551b. The cleaning liquid N2 supplied to the substrate W spreads on the surface of the substrate W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W. Thereby, the deposits and the like attached to the substrate W are removed from the substrate W. The cleaning liquid N2 scattered from the substrate W is discharged through the cup 57.
　続いて、洗浄後の基板Ｗがリンス処理される。この際、制御部３０は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、リンス液供給部５５ｃを制御して、ノズル５５１ｃを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｃから基板Ｗに対してリンス液Ｎ３を供給する。基板Ｗに供給されたリンス液Ｎ３は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｎ２が洗い流される。基板Ｗから飛散したリンス液Ｎ３は、カップ５７を介して排出される。 Subsequently, the cleaned substrate W is rinsed. At this time, the control unit 30 controls the rinsing liquid supply unit 55c while rotating the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a predetermined speed by controlling the driving unit 524 so that the nozzle 551c is placed on the substrate W. The rinse liquid N3 is supplied to the substrate W from the nozzle 551c. The rinse liquid N3 supplied to the substrate W spreads on the surface of the substrate W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W. Thereby, the cleaning liquid N2 remaining on the substrate W is washed away. The rinse liquid N3 scattered from the substrate W is discharged through the cup 57.
　次に、リンス後の基板Ｗに対して触媒付与処理を行う。このとき制御部３０は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、触媒液供給部５５ａを制御して、ノズル５５１ａを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ａから基板Ｗに対して触媒液Ｎ１を供給する。基板Ｗに供給された触媒液Ｎ１は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。基板Ｗから飛散した触媒液Ｎ１は、カップ５７を介して排出される。 Next, a catalyst application process is performed on the rinsed substrate W. At this time, the control unit 30 controls the driving unit 524 to control the catalyst solution supply unit 55a while rotating the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a predetermined speed, so that the nozzle 551a is positioned above the substrate W. The catalyst solution N1 is supplied to the substrate W from the nozzle 551a. The catalyst liquid N <b> 1 supplied to the substrate W spreads on the surface of the substrate W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W. The catalyst liquid N1 scattered from the substrate W is discharged through the cup 57.
　これにより、基板Ｗ上に触媒が付与され、基板Ｗに触媒活性を有する触媒層３ａが形成される（図５（ｃ）参照）。このような触媒活性を有する金属としては、例えば、鉄族元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、白金属元素（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕが挙げられる。 Thereby, the catalyst is applied on the substrate W, and the catalyst layer 3a having catalytic activity is formed on the substrate W (see FIG. 5C). Examples of such a metal having catalytic activity include iron group elements (Fe, Co, Ni), white metal elements (Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt), Cu, Ag, or Au.
　なお、触媒液Ｎ１には、上記触媒活性を有する金属の吸着を促進する吸着促進剤が含まれていても良い。 The catalyst solution N1 may contain an adsorption accelerator that promotes the adsorption of the metal having the catalytic activity.
　次に、触媒層３ａが形成された基板Ｗがリンス処理される。この間、制御部３０は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、リンス液供給部５５ｃを制御して、ノズル５５１ｃを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｃから基板Ｗに対してリンス液Ｎ３を供給する。基板Ｗに供給されたリンス液Ｎ３は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗ上に残存する触媒液Ｎ１が洗い流される。基板Ｗから飛散したリンス液Ｎ３は、カップ５７を介して排出される。 Next, the substrate W on which the catalyst layer 3a is formed is rinsed. During this time, the control unit 30 controls the drive unit 524 to control the rinse liquid supply unit 55c while rotating the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a predetermined speed, so that the nozzle 551c is positioned above the substrate W. The rinse liquid N3 is supplied to the substrate W from the nozzle 551c. The rinse liquid N3 supplied to the substrate W spreads on the surface of the substrate W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W. Thereby, the catalyst liquid N1 remaining on the substrate W is washed away. The rinse liquid N3 scattered from the substrate W is discharged through the cup 57.
　次に、基板Ｗに対してめっき処理が行われる。これにより、基板Ｗ上にめっき層３が形成される（図５（ｄ）参照）。この際、制御部３０は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、あるいは、基板保持部５２に保持された基板Ｗを停止した状態に維持しながら、めっき液供給部５３を制御して、ノズル５３１を基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５３１から基板Ｗに対してめっき液Ｍ１を供給する。これにより、基板Ｗにめっき金属が析出し、めっき層３が形成される。 Next, a plating process is performed on the substrate W. Thereby, the plating layer 3 is formed on the board | substrate W (refer FIG.5 (d)). At this time, the control unit 30 controls the driving unit 524 to rotate the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a predetermined speed or to stop the substrate W held by the substrate holding unit 52 In this state, the plating solution supply unit 53 is controlled to position the nozzle 531 above the substrate W and supply the plating solution M1 from the nozzle 531 to the substrate W. Thereby, the plating metal is deposited on the substrate W, and the plating layer 3 is formed.
　このようなめっき層３は、Ｂ又はＰを含むＣｏ、Ｃｏ合金、又はＮｉ系材料を主成分とする。このうちＢ又はＰを含むＣｏ、Ｃｏ合金としては、例えばＣｏＢ、ＣｏＰ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＢＰが挙げられる。また、Ｎｉ系材料としては、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰが挙げられる。 Such a plating layer 3 is mainly composed of Co, Co alloy containing B or P, or Ni-based material. Among these, Co and Co alloys containing B or P include, for example, CoB, CoP, CoWP, CoWB, and CoWBP. Ni-based materials include NiWB, NiB, NiWP, and NiWBP.
　このようにしてめっき処理が終了した後、基板保持部５２に保持された基板Ｗが洗浄処理される。この際、制御部３０は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、洗浄液供給部５５ｂを制御して、ノズル５５１ｂを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｂから基板Ｗに対して洗浄液Ｎ２を供給する。基板Ｗに供給された洗浄液Ｎ２は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗに付着した異常めっき膜や反応副生成物等が、基板Ｗから除去される。基板Ｗから飛散した洗浄液Ｎ２は、カップ５７を介して排出される。 After the plating process is completed in this way, the substrate W held on the substrate holding part 52 is cleaned. At this time, the control unit 30 controls the driving unit 524 to control the cleaning liquid supply unit 55b while rotating the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a predetermined speed, so that the nozzle 551b is positioned above the substrate W. The cleaning liquid N2 is supplied to the substrate W from the nozzle 551b. The cleaning liquid N2 supplied to the substrate W spreads on the surface of the substrate W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W. As a result, abnormal plating films, reaction byproducts, and the like attached to the substrate W are removed from the substrate W. The cleaning liquid N2 scattered from the substrate W is discharged through the cup 57.
　次に、制御部３０は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、リンス液供給部５５ｃを制御して、ノズル５５１ｃを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｃから基板Ｗに対してリンス液Ｎ３を供給する。これにより、基板Ｗ上のめっき液Ｍ１、洗浄液Ｎ２及びリンス液Ｎ３は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗから飛散し、カップ５７を介して排出される。 Next, the control unit 30 controls the drive unit 524 to control the rinse liquid supply unit 55c while rotating the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a predetermined speed, so that the nozzle 551c is moved to the substrate W. The rinse liquid N3 is supplied to the substrate W from the nozzle 551c. As a result, the plating solution M1, the cleaning solution N2, and the rinsing solution N3 on the substrate W are scattered from the substrate W by the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W and are discharged through the cup 57.
　その後、めっき層３が形成された基板Ｗは、めっき処理モジュール５から搬出される。 Thereafter, the substrate W on which the plating layer 3 is formed is carried out of the plating module 5.
　この際、制御部３０は、搬送機構２２２を制御して、めっき処理モジュール５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを熱処理モジュール６へ送る。 At this time, the control unit 30 controls the transport mechanism 222 to take out the substrate W from the plating module 5 and send the taken-out substrate W to the heat treatment module 6.
　次に熱処理モジュール６へ送られた基板Ｗは、この熱処理モジュール６において図示しないホットプレートにより加熱処理され、基板Ｗ上に形成されためっき層３が焼き締められる。熱処理モジュール６において加熱処理され、めっき層３が焼き締められた基板Ｗは、搬送機構２２２によって熱処理モジュール６から取出され、受渡部２１４に載置される。次に受渡部２１４に載置された基板Ｗはその後搬送機構２１３により載置部２１１のキャリアＣ内へ収納される。 Next, the substrate W sent to the heat treatment module 6 is heated by a hot plate (not shown) in the heat treatment module 6, and the plating layer 3 formed on the substrate W is baked. The substrate W on which the heat treatment is performed in the heat treatment module 6 and the plating layer 3 is baked out is taken out from the heat treatment module 6 by the transport mechanism 222 and placed on the delivery unit 214. Next, the substrate W placed on the delivery unit 214 is then stored in the carrier C of the placement unit 211 by the transport mechanism 213.
　以上のように本実施の形態によれば、チャンバ１Ａ内に、プラズマ真空処理モジュール４、めっき処理モジュール５、熱処理モジュール６および密着層形成モジュール７を配置するとともに、これらモジュール４，５，６，７間で基板Ｗを単一の共通する搬送機構２２２により搬送することができる。このためプラズマ真空処理モジュールを、めっき処理モジュール、熱処理モジュールおよび密着層形成モジュールのチャンバと別体のチャンバ内に収納し、異なるチャンバ間において基板を搬送する場合に比べて、プラズマ真空処理が施された基板に対して直ちにめっき処理を施すことができ、めっき処理性能の向上を図ることができる。このためプラズマ真空処理が施された基板上が汚れたり酸化物が発生することはない。 As described above, according to the present embodiment, the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, the heat treatment module 6, and the adhesion layer forming module 7 are disposed in the chamber 1A, and these modules 4, 5, 6, The substrate W can be transported between the seven by the single common transport mechanism 222. For this reason, the plasma vacuum processing module is accommodated in a chamber separate from the chamber of the plating processing module, the heat treatment module, and the adhesion layer forming module, and the plasma vacuum processing is performed as compared with the case where the substrate is transferred between different chambers. The plating process can be immediately performed on the substrate, and the plating process performance can be improved. For this reason, the substrate subjected to the plasma vacuum treatment does not get dirty or generate oxides.
＜第２の実施の形態＞
＜基板処理システムの構成＞
　図７を参照して、本発明の第２の実施形態に係る基板処理システムの構成を説明する。図７は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す概略図である。ここで図７は基板処理システムを示す平面図である。 <Second Embodiment>
<Configuration of substrate processing system>
With reference to FIG. 7, the structure of the substrate processing system which concerns on the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a substrate processing system according to the second embodiment of the present invention. FIG. 7 is a plan view showing the substrate processing system.
　図７に示す第２の実施の形態は、プラズマ真空処理モジュール４と、熱処理モジュール６の台数が異なるが、他の構成は図１乃至図６に示す第１の実施の形態と略同一である。すなわち、図７に示すように基板処理システム１はチャンバ１Ａ内と、チャンバ１Ａ内に配置された搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２とを備える。 The second embodiment shown in FIG. 7 is different from the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6 except for the number of plasma vacuum processing modules 4 and the number of heat treatment modules 6. . That is, as shown in FIG. 7, the substrate processing system 1 includes a chamber 1A, a loading / unloading station 21 arranged in the chamber 1A, and a processing station 22 provided adjacent to the loading / unloading station 21.
　搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２とを備える。 The loading / unloading station 21 includes a placement unit 211 and a transport unit 212 provided adjacent to the placement unit 211.
　載置部２１１には、複数枚のシリコン基板（以下、基板ともいう）Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。 A plurality of transfer containers (hereinafter referred to as “carriers C”) that accommodate a plurality of silicon substrates (hereinafter also referred to as substrates) W in a horizontal state are mounted on the mounting portion 211.
　搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを備える。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。 The transport unit 212 includes a transport mechanism 213 and a delivery unit 214. The transport mechanism 213 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and turn around the vertical axis.
　またチャンバ１Ａ内には、基板Ｗに対してプラズマ真空処理を施して後工程におけるめっき処理を精度良く行うためのプラズマ真空処理モジュール４と、プラズマ真空処理が施された基板Ｗに対してめっき処理を施すめっき処理モジュール５と、めっき処理が施された基板Ｗを加熱処理する熱処理モジュール６とが配置されている。 Further, in the chamber 1A, a plasma vacuum processing module 4 for performing a plasma vacuum process on the substrate W and performing a plating process in a subsequent process with high accuracy, and a plating process for the substrate W on which the plasma vacuum process has been performed. And a heat treatment module 6 for heat-treating the substrate W on which the plating process has been performed.
　図７に示すように、チャンバ１Ａの左方部に搬入出ステーション２１が配置され、チャンバ１Ａの右方部にプラズマ真空処理モジュール４と、めっき処理モジュール５と、熱処理モジュール６とが配置され、プラズマ真空処理モジュール４と、めっき処理モジュール５と熱処理モジュール６とによって処理ステーション２２が構成される。 As shown in FIG. 7, a loading / unloading station 21 is disposed on the left side of the chamber 1A, and a plasma vacuum processing module 4, a plating processing module 5, and a heat treatment module 6 are disposed on the right side of the chamber 1A. The plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, and the heat treatment module 6 constitute a processing station 22.
　またチャンバ１Ａ内の処理ステーション２２には左方から右方へ延びる搬送路２２１が設けられ、この搬送路２２１の一側（図７の上側）に複数、例えば２台のプラズマ真空処理モジュール４と、複数、例えば２台の熱処理モジュール６とが配置されている。これらプラズマ真空処理モジュール４と熱処理モジュール６は平面視で互いに重なり合い（図７参照）、このうち熱処理モジュール６はプラズマ真空処理モジュール４の上方に配置されている。また、各プラズマ真空処理モジュール４は、内部にロードロック機構を内蔵している。 The processing station 22 in the chamber 1A is provided with a transfer path 221 extending from the left to the right. A plurality of, for example, two plasma vacuum processing modules 4 are provided on one side of the transfer path 221 (upper side in FIG. 7). A plurality of, for example, two heat treatment modules 6 are arranged. The plasma vacuum processing module 4 and the heat treatment module 6 overlap each other in plan view (see FIG. 7), and the heat treatment module 6 is disposed above the plasma vacuum processing module 4. Each plasma vacuum processing module 4 has a built-in load lock mechanism.
　またチャンバ１Ａの搬送路２２１の他側（図７の下側）に、上下方向４段に渡ってめっき処理モジュール５が配置され、各段に２台ずつ、合計８台のめっき処理モジュール５が設けられている。 Further, on the other side (lower side of FIG. 7) of the conveyance path 221 of the chamber 1A, the plating processing modules 5 are arranged in four stages in the vertical direction, and two plating processing modules 5 are provided in each stage, for a total of eight plating processing modules 5. Is provided.
　また図７に示すように、熱処理モジュール６に隣接して、基板Ｗに対してめっき処理を施す前に基板Ｗに対して密着層２を形成する密着層形成モジュール７が設けられている。 Further, as shown in FIG. 7, an adhesion layer forming module 7 is provided adjacent to the heat treatment module 6 to form the adhesion layer 2 on the substrate W before the plating process is performed on the substrate W.
　また図７に示すように、チャンバ１Ａにはチャンバ１Ａ内の空気を清浄化させるためのＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）２１５が配置されている。すなわちＦＦＵ２１５からチャンバ１Ａ内に清浄化された空気が供給され、供給された空気はチャンバ１Ａ内を下方に向って流れて外方へ排出される。 Further, as shown in FIG. 7, an FFU (Fan Filter Unit) 215 for cleaning the air in the chamber 1A is arranged in the chamber 1A. That is, purified air is supplied from the FFU 215 into the chamber 1A, and the supplied air flows downward in the chamber 1A and is discharged outward.
　また図７に示すように、搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。 Further, as shown in FIG. 7, a transport mechanism 222 is provided in the transport path 221. The transport mechanism 222 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and turn around the vertical axis.
　搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。 The transport mechanism 213 of the carry-in / out station 21 transports the substrate W between the carrier C and the delivery unit 214. Specifically, the transport mechanism 213 takes out the substrate W from the carrier C placed on the placement unit 211 and places the taken-out substrate W on the delivery unit 214. The transport mechanism 213 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 by the transport mechanism 222 of the processing station 22 and stores it in the carrier C of the placement unit 211.
　処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とプラズマ真空処理モジュール４および熱処理モジュール６との間、プラズマ真空処理モジュール４、めっき処理モジュール５、熱処理モジュール６、密着層形成モジュール７間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをプラズマ真空処理モジュール４へ搬入する。また、搬送機構２２２は、熱処理モジュール６から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。同様に搬送機構２２２はプラズマ真空処理モジュール４、めっき処理モジュール５、熱処理モジュール６、密着層形成モジュール７間で基板Ｗを搬送する。 The transfer mechanism 222 of the processing station 22 includes a substrate W between the delivery unit 214 and the plasma vacuum processing module 4 and the heat treatment module 6, and between the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, the heat treatment module 6, and the adhesion layer forming module 7. Transport. Specifically, the transport mechanism 222 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 and carries the taken-out substrate W into the plasma vacuum processing module 4. Further, the transport mechanism 222 takes out the substrate W from the heat treatment module 6 and places the taken out substrate W on the delivery unit 214. Similarly, the transport mechanism 222 transports the substrate W among the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, the heat treatment module 6, and the adhesion layer forming module 7.
＜第３の実施の形態＞
＜基板処理システムの構成＞
　図８および図９を参照して、本発明の第３の実施形態に係る基板処理システムの構成を説明する。図８および図９は、本発明の第３の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す概略図である。ここで図８は基板処理システムを示す平面図であり、図９はその断面図である。 <Third Embodiment>
<Configuration of substrate processing system>
With reference to FIG. 8 and FIG. 9, the structure of the substrate processing system which concerns on the 3rd Embodiment of this invention is demonstrated. 8 and 9 are schematic views showing the configuration of the substrate processing system according to the third embodiment of the present invention. 8 is a plan view showing the substrate processing system, and FIG. 9 is a cross-sectional view thereof.
　図８および図９に示すように、基板処理システム１はチャンバ１Ａと、チャンバ１Ａ内に配置された搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２とを備える。このうちチャンバ１Ａは本体側チャンバ１Ｂと追加チャンバ１Ｃとを有する。 As shown in FIGS. 8 and 9, the substrate processing system 1 includes a chamber 1A, a loading / unloading station 21 disposed in the chamber 1A, and a processing station 22 provided adjacent to the loading / unloading station 21. Among these, the chamber 1A has a main body side chamber 1B and an additional chamber 1C.
　搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２とを備える。 The loading / unloading station 21 includes a placement unit 211 and a transport unit 212 provided adjacent to the placement unit 211.
　載置部２１１には、複数枚のシリコン基板（以下、基板ともいう）Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。 A plurality of transfer containers (hereinafter referred to as “carriers C”) that accommodate a plurality of silicon substrates (hereinafter also referred to as substrates) W in a horizontal state are mounted on the mounting portion 211.
　搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを備える。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。 The transport unit 212 includes a transport mechanism 213 and a delivery unit 214. The transport mechanism 213 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and turn around the vertical axis.
　またチャンバ１Ａのうち追加チャンバ１Ｃ内には、基板Ｗに対してプラズマ真空処理を施して後工程におけるめっき処理を精度良く行うための３台のプラズマ真空処理モジュール４と、後述する搬送路２２１の搬送機構２２２とプラズマ真空処理モジュール４間で基板Ｗの受け渡しを行うロードロックモジュール４Ａとが配置されている。 Further, in the additional chamber 1C among the chambers 1A, three plasma vacuum processing modules 4 for performing a plasma vacuum process on the substrate W and performing a plating process in a subsequent process with high accuracy, and a transfer path 221 to be described later are provided. A load lock module 4A for transferring the substrate W between the transport mechanism 222 and the plasma vacuum processing module 4 is disposed.
　さらにまたチャンバ１Ａのうち、本体側チャンバ１Ｂ内には、プラズマ真空処理が施された基板Ｗに対してめっき処理を施すめっき処理モジュール５と、めっき処理が施された基板Ｗを加熱処理する熱処理モジュール６とが配置されている。 Furthermore, in the chamber 1A of the chamber 1A, a plating module 5 that performs a plating process on the substrate W that has been subjected to plasma vacuum processing, and a heat treatment that heats the substrate W that has been subjected to the plating process. Module 6 is arranged.
　図８に示すように、本体側チャンバ１Ｂの左方部に搬入出ステーション２１が配置され、本体側チャンバ１Ｂの右方部にめっき処理モジュール５と、熱処理モジュール６とが配置されている。このうちプラズマ真空処理モジュール４と、めっき処理モジュール５と、熱処理モジュール６とによって処理ステーション２２が構成される。 As shown in FIG. 8, a loading / unloading station 21 is arranged on the left side of the main body side chamber 1B, and a plating module 5 and a heat treatment module 6 are arranged on the right side of the main body side chamber 1B. Among these, the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, and the heat treatment module 6 constitute a processing station 22.
　また本体側チャンバ１Ｂ内には左方から右方へ延びる搬送路２２１が設けられ、この搬送路２２１の一側（図８の上側）に複数の熱処理モジュール６とが配置されている。この場合、熱処理モジュール６は本体側チャンバ１Ｂ内に配置され、プラズマ真空処理モジュール４は追加チャンバ１Ｃ内に配置されているため、熱処理モジュール６とプラズマ真空処理モジュール４は平面視で互いに離間している（図８参照）。 Further, a transfer path 221 extending from the left to the right is provided in the main body side chamber 1B, and a plurality of heat treatment modules 6 are arranged on one side of the transfer path 221 (upper side in FIG. 8). In this case, since the heat treatment module 6 is arranged in the main body side chamber 1B and the plasma vacuum processing module 4 is arranged in the additional chamber 1C, the heat treatment module 6 and the plasma vacuum processing module 4 are separated from each other in plan view. (See FIG. 8).
　また本体側チャンバ１Ｂの搬送路２２１の他側（図８の下側）に、上下方向４段に渡ってめっき処理モジュール５が配置され、各段に２台ずつ、合計８台のめっき処理モジュール５が設けられている。 In addition, the plating processing module 5 is arranged on the other side of the conveyance path 221 of the main body side chamber 1B (lower side in FIG. 8) in four stages in the vertical direction, and two in each stage, a total of eight plating processing modules. 5 is provided.
　また図８に示すように、熱処理モジュール６に隣接して、基板Ｗに対してめっき処理を施す前に基板Ｗに対して密着層を形成する密着層形成モジュール７が設けられている。 Also, as shown in FIG. 8, an adhesion layer forming module 7 is provided adjacent to the heat treatment module 6 to form an adhesion layer on the substrate W before the substrate W is plated.
　また図９に示すように、本体側チャンバ１Ｂには本体側チャンバ１Ｂ内の空気を清浄化させるためのＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）２１５が配置されている。すなわちＦＦＵ２１５から本体側チャンバ１Ｂ内に清浄化された空気が供給され、供給された空気は本体側チャンバ１Ｂ内を下方に向って流れて外方へ排出される。 Further, as shown in FIG. 9, an FFU (Fan Filter Unit) 215 for cleaning the air in the main body side chamber 1B is disposed in the main body side chamber 1B. That is, the purified air is supplied from the FFU 215 into the main body side chamber 1B, and the supplied air flows downward in the main body side chamber 1B and is discharged outward.
　また図８に示すように、搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。 Further, as shown in FIG. 8, a transport mechanism 222 is provided in the transport path 221. The transport mechanism 222 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and turn around the vertical axis.
　搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。 The transport mechanism 213 of the carry-in / out station 21 transports the substrate W between the carrier C and the delivery unit 214. Specifically, the transport mechanism 213 takes out the substrate W from the carrier C placed on the placement unit 211 and places the taken-out substrate W on the delivery unit 214. The transport mechanism 213 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 by the transport mechanism 222 of the processing station 22 and stores it in the carrier C of the placement unit 211.
　処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４と熱処理モジュール６との間、プラズマ真空処理モジュール４用のロードロックモジュール４Ａ、めっき処理モジュール５、熱処理モジュール６、密着層形成モジュール７間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをプラズマ真空処理モジュール４用のロードロックモジュール４Ａへ搬入する。また、搬送機構２２２は、熱処理モジュール６から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。同様に搬送機構２２２は、プラズマ真空処理モジュール４、めっき処理モジュール５、基板Ｗを搬送する。 The transfer mechanism 222 of the processing station 22 includes the substrate W between the delivery unit 214 and the heat treatment module 6, and between the load lock module 4 </ b> A for the plasma vacuum processing module 4, the plating module 5, the heat treatment module 6, and the adhesion layer forming module 7. Transport. Specifically, the transport mechanism 222 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 and carries the taken-out substrate W into the load lock module 4A for the plasma vacuum processing module 4. Further, the transport mechanism 222 takes out the substrate W from the heat treatment module 6 and places the taken out substrate W on the delivery unit 214. Similarly, the transport mechanism 222 transports the plasma vacuum processing module 4, the plating processing module 5, and the substrate W.
＜本発明の作用＞
　次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図８および図９により説明する。 <Operation of the present invention>
Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described with reference to FIGS.
　まず、図５（ａ）に示すような基板Ｗを準備する。次に基板ＷがキャリアＣ内に載置され、このキャリアＣは基板処理システム１の載置部２１１に載置される。 First, a substrate W as shown in FIG. Next, the substrate W is placed in the carrier C, and the carrier C is placed on the placement unit 211 of the substrate processing system 1.
　次にキャリアＣ内の基板Ｗは、搬送機構２１３によりキャリアＣから外方へ取出されて受渡部２１４へ送られる。 Next, the substrate W in the carrier C is taken out from the carrier C by the transport mechanism 213 and sent to the delivery unit 214.
　受渡部２１４へ送られた基板Ｗは、次に受渡部２１４から搬送機構２２２によりロードロックモジュール４Ａを経てプラズマ真空処理モジュール４へ送られる。 The substrate W sent to the delivery unit 214 is then sent from the delivery unit 214 to the plasma vacuum processing module 4 through the load lock module 4A by the transport mechanism 222.
　このプラズマ真空処理モジュール４内において、基板Ｗに対してプラズマ真空処理が施され、このことにより基板Ｗの表面が清浄化され、後述するめっき処理の処理精度を高めることができる。 In this plasma vacuum processing module 4, the substrate W is subjected to plasma vacuum processing, whereby the surface of the substrate W is cleaned, and the processing accuracy of the plating processing described later can be improved.
　次に真空処理モジュール４内の基板Ｗはロードロックモジュール４Ａを経て搬送機構２２２により密着層形成モジュール７へ送られる。この密着層形成モジュール７は、低真空雰囲気内で基板Ｗに対して真空処理を施し、基板Ｗ上に基板Ｗとめっき層３との密着性を高める密着層２を形成する（図５（ｂ）参照）。 Next, the substrate W in the vacuum processing module 4 is sent to the adhesion layer forming module 7 by the transport mechanism 222 through the load lock module 4A. The adhesion layer forming module 7 performs a vacuum process on the substrate W in a low vacuum atmosphere to form an adhesion layer 2 that improves the adhesion between the substrate W and the plating layer 3 on the substrate W (FIG. 5B). )reference).
　次に密着層２が形成された基板Ｗは、めっき処理モジュール５へ送られ、このめっき処理モジュール５内において基板Ｗに対してめっき処理が施される。 Next, the substrate W on which the adhesion layer 2 is formed is sent to the plating module 5, and the plating process is performed on the substrate W in the plating module 5.
　このめっき処理モジュール５内において、基板Ｗに対して上述と同様に触媒層３ａとめっき層３が順次形成される(図５（ｃ）（ｄ）参照）。 In the plating module 5, the catalyst layer 3a and the plating layer 3 are sequentially formed on the substrate W in the same manner as described above (see FIGS. 5C and 5D).
　触媒層３ａとめっき層３が形成された基板Ｗは、その後搬送機構２２２によって、熱処理モジュール６へ送られる。 The substrate W on which the catalyst layer 3a and the plating layer 3 are formed is then sent to the heat treatment module 6 by the transport mechanism 222.
　次に熱処理モジュール６へ送られた基板Ｗは、この熱処理モジュール６において図示しないホットプレートにより加熱処理され、基板Ｗ上に形成されためっき層３が焼き締められる。熱処理モジュール６において加熱処理され、めっき層３が焼き締められた基板Ｗは、搬送機構２２２によって熱処理モジュール６から取出され、受渡部２１４に載置される。次に受渡部２１４に載置された基板Ｗはその後搬送機構２１３により載置部２１１のキャリアＣ内へ収納される。 Next, the substrate W sent to the heat treatment module 6 is heated by a hot plate (not shown) in the heat treatment module 6, and the plating layer 3 formed on the substrate W is baked. The substrate W on which the heat treatment is performed in the heat treatment module 6 and the plating layer 3 is baked out is taken out from the heat treatment module 6 by the transport mechanism 222 and placed on the delivery unit 214. Next, the substrate W placed on the delivery unit 214 is then stored in the carrier C of the placement unit 211 by the transport mechanism 213.
　以上のように本実施の形態によれば、追加チャンバ１Ｃ内に、プラズマ真空処理モジュール４を配置するとともに、本体側チャンバ１Ｂ内にめっき処理モジュール５、熱処理モジュール６および密着層形成モジュール７を配置し、これらモジュール間で基板Ｗを単一の共通する搬送機構２２２により搬送することができる。このためプラズマ真空処理モジュールを、めっき処理モジュール、熱処理モジュールおよび密着層形成モジュールのチャンバから離間したチャンバ内に収納し、互いに離間するチャンバ間において基板を搬送する場合に比べて、プラズマ真空処理が施された基板に対して直ちにめっき処理を施すことができ、めっき処理性能の向上を図ることができる。このためプラズマ真空処理が施された基板上が汚れたり酸化物が発生することはない。 As described above, according to the present embodiment, the plasma vacuum processing module 4 is disposed in the additional chamber 1C, and the plating processing module 5, the heat treatment module 6, and the adhesion layer forming module 7 are disposed in the main body side chamber 1B. The substrate W can be transported between these modules by a single common transport mechanism 222. For this reason, the plasma vacuum processing module is housed in a chamber separated from the chambers of the plating treatment module, the heat treatment module, and the adhesion layer forming module, and the plasma vacuum treatment is performed as compared with the case where the substrate is transferred between the chambers separated from each other. The plated substrate can be immediately subjected to the plating treatment, and the plating treatment performance can be improved. For this reason, the substrate subjected to the plasma vacuum treatment does not get dirty or generate oxides.
　１　　　　　基板処理システム
　１Ａ　　　　チャンバ
　２　　　　　密着層
　３　　　　　めっき層
　３ａ　　　　触媒層
　４　　　　　プラズマ真空処理モジュール
　５　　　　　めっき処理モジュール
　６　　　　　熱処理モジュール
　７　　　　　密着層形成モジュール
　２１　　　　搬入出ステーション
　２２　　　　処理ステーション
　３０　　　　制御部
　２１１　　　載置部
　２１２　　　搬送部
　２１３　　　搬送機構
　２１４　　　受渡部
　２１５　　　ＦＦＵ
　２２１　　　搬送路
　２２２　　　搬送機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system 1A Chamber 2 Adhesion layer 3 Plating layer 3a Catalyst layer 4 Plasma vacuum processing module 5 Plating module 6 Heat treatment module 7 Adhesion layer forming module 21 Loading / unloading station 22 Processing station 30 Control unit 211 Mounting unit 212 Conveying unit 213 Conveyance mechanism 214 Delivery unit 215 FFU
221 transport path 222 transport mechanism

Claims (5)

  1. 　チャンバと、
    　前記チャンバ内に配置され、基板に対してプラズマ真空処理を施す真空処理モジュールと、
    　前記チャンバ内に配置され、プラズマ真空処理が施された前記基板に対してめっき処理を施すめっき処理モジュールと、
    　前記チャンバ内に配置され、めっき処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理モジュールと、
    　前記真空処理モジュール、前記めっき処理モジュール、および前記熱処理モジュール間で前記基板を搬送する共通搬送装置とを備えたことを特徴とする基板処理システム。     A chamber;
    A vacuum processing module disposed in the chamber for performing plasma vacuum processing on the substrate;
    A plating module disposed in the chamber and performing a plating process on the substrate that has been subjected to plasma vacuum processing;
    A heat treatment module that is disposed in the chamber and heat-treats the substrate that has been subjected to the plating treatment;
    A substrate processing system comprising: the vacuum processing module, the plating processing module, and a common transfer device for transferring the substrate between the heat treatment modules.
  2. 　プラズマ真空処理が施された前記基板に対して、めっき処理を施す前に密着層形成処理を施す密着層形成モジュールを設けたことを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1, further comprising an adhesion layer forming module that performs an adhesion layer forming process on the substrate that has been subjected to the plasma vacuum process before the plating process.
  3. 　前記真空処理モジュールと前記熱処理モジュールは平面視で互いに重なって配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理システム。 3. The substrate processing system according to claim 1, wherein the vacuum processing module and the heat treatment module are arranged to overlap each other in a plan view.
  4. 　前記真空モジュールは前記熱処理モジュールの下方に配置されることを特徴とする請求項３記載の基板処理システム。 4. The substrate processing system according to claim 3, wherein the vacuum module is disposed below the heat treatment module.
  5. 　前記真空処理モジュールと前記熱処理モジュールは平面視で互いに離れていることを特徴とする請求項３記載の基板処理システム。 4. The substrate processing system according to claim 3, wherein the vacuum processing module and the heat treatment module are separated from each other in plan view.
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