Infrarotflächenstrahler und Verfahren zur Herstellung des Infrarotflächenstrahlers Technischer Hinterqrund
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Infrarotflächenstrahlers mit einem Substrat aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff, auf dessen Oberfläche eine Leiterbahn aus einem elektrisch leitenden und bei Stromdurchfluss wärmeerzeugenden Widerstandsmaterial aufgebracht ist, umfassend die Verfahrensschritte:
(a) Bereitstellen des Substrats,
(b) Aufbringen der Leiterbahn auf eine Oberfläche des Substrats.
Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung einen Infrarotflächenstrahler mit einem Substrat aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff, auf dessen Oberfläche eine Leiterbahn aus einem elektrisch leitenden und bei Stromdurchfluss wärmeerzeugenden Widerstandsmaterial aufgebracht ist.
Infrarotflächenstrahler im Sinne der Erfindung zeigen eine flächig ausgedehnte zwei- oder dreidimensionale Abstrahlcharakteristik; sie werden beispielsweise zum Polymerisieren von Kunststoffen oder zum Aushärten von Lacken oder zum Trocknen von Farben auf einem Heizgut eingesetzt, aber auch zur thermischen Behandlung von Halbleiterscheiben in der Halbleiter- oder Photovoltaik-Industrie.
Erfindungsgemäße Infrarotstrahler können aufgrund ihrer besonderen, insbesondere flächenhaften Abstrahlcharakteristik einfach an die Geometrie einer zu beheizenden Oberfläche eines Heizguts angepasst werden, sodass eine homogene Bestrahlung zwei- oder dreidimensional gestalteter Heizgut-Oberflächen ermöglicht wird.
Im Gegensatz zu Infrarotflächenstrahlern, bei denen ein elektrisches Widerstandselement aus einem Widerstandsmaterial das eigentliche Heizelement des Infrarotflächenstrahlers bildet, dient bei erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlern das Widerstandselement zur Erwärmung eines anderen Bauteils, das hier als
„Substrat" bezeichnet wird. Der Wärmetransport vom elektrischen Widerstandselement zu dem Substrat kann auf Wärmeleitung, Konvektion und/oder Wärmestrahlung beruhen.
Stand der Technik Bekannte Infrarotflächenstrahler weisen häufig mehrere Infrarotstrahler mit einem zylinderförmigen Strahlerrohr aus Quarzglas auf. Bei diesen Flächenstrahlern sind die Strahlerrohre so angeordnet, dass ihre Längsachsen parallel zueinander in einer Ebene verlaufen, wodurch eine flächige Lampenanordnung erhalten wird, deren Geometrie an die eines zu bestrahlenden Heizguts anpassbar ist. Innerhalb des Strahlerrohrs befindet sich meist ein wendeiförmiger Widerstandsdraht, der keinen oder keinen wesentlichen Kontakt zum Strahlerrohr hat. Die Wärmeübertragung vom Widerstandsdraht zum Strahlerrohr erfolgt im Wesentlichen durch Wärmestrahlung.
Darüber hinaus sind Infrarotflächenstrahler bekannt, bei denen ein Heizelement unmittelbar auf einen Träger (Substrat) aufgebracht ist. Das Substrat kann unterschiedliche Raumformen haben; es kann beispielsweise plattenförmig, kachelför- mig, planar, rohr- oder polyederförmig ausgestaltet sein. Das Heizelement dieser Strahler steht in unmittelbarem Kontakt mit dem Träger, sodass eine Wärmeübertragung von der Leiterbahn auf den Träger vorrangig durch Wärmeleitung erfolgt. Aus der WO 1999/025154 A1 ist ein solcher Infrarotflächenstrahler bekannt, bei dem ein elektrisches Widerstandselement in direktem Kontakt mit einem Substrat aus Quarzglas steht. Das Widerstandelement hat beispielsweise Mäanderform und wird über Folien-, Siebdruck- oder Dünnschichttechnik auf die Substrat- Oberfläche aufgebracht und anschließend eingebrannt. Die Leiterbahn steht dabei in flächenhaftem, unmittelbarem Kontakt mit dem Quarzglas-Substrat, sodass der Wärmeübertrag von dem Widerstandselement auf das Quarzglas-Substrat überwiegend durch Wärmeleitung und Konvektion erfolgt, was sich auf die Leistungseffizienz positiv auswirken kann.
Ein Substrat aus Quarzglas besitzt eine gute Korrosions-, Temperatur- und Temperaturwechselbeständigkeit und es steht in hoher Reinheit zur Verfügung. Daher bietet es sich auch bei Hochtemperatur-Heizprozessen mit hohen Anforderungen an Reinheit und Inertheit als Substratmaterial für einen Infrarotstrahler an. Aller- dings zeigt Quarzglas grundsätzlich eine vergleichsweise geringe Wärmeleitfähigkeit und wird sogar als Wärmeisolator eingesetzt. Daher besteht bei dünnen Substrat-Wandstärken die Gefahr einer inhomogenen Wärmeverteilung, die sich im Extremfall auf der gegenüberliegenden Substrat-Seite als Abbildung der Form des elektrischen Widerstandselements zeigt. Dem kann nur durch eine hohe Bele- gungsdichte mit Leiterbahnen begegnet werden, was aber kostspielig ist. Bei dicken Substrat-Wandstärken leidet hingegen die Leistungseffizienz und die Reaktionszeit (das heißt, es sind keine schnellen Temperaturwechsel möglich, die ein rasches Aufheizen und Abkühlen des Substrats voraussetzen).
Die auf das Substrat aufgebrachten Leiterbahnen haben meist eine geringe Quer- schnittsfläche, sodass sie aufwendig zu fertigen sind und bei mechanischer Beanspruchung eine geringe Widerstandsfähigkeit aufweisen. Daher ist es möglich, dass während des Herstellungsvorgangs eine fehlerhafte Leiterbahn auf das Substrat aufgebracht wird. Das Aufbringen fehlerhafter Leiterbahnen auf ein Substrat geht mit hohem Ausschuss und hohen Herstellungskosten einher. Dies gilt insbesondere für Leiterbahnen, die unter Einsatz von Drucktechniken hergestellt sind - beispielsweise mittels Siebdruck oder Tintenstrahldruck -, bei denen eventuelle Fehler im Heizelement erst nach Abschluss des Druckvorgangs und damit nach dem Aufbringen auf das Substrat feststellbar sind. Darüber hinaus ist die Herstellung gedruckter Leiterbahnen kostenintensiv, da die zum Druck ver- wendete Tinte häufig hohe Anteile an Edelmetallen enthält, beispielsweise Platin, Gold oder Silber.
Häufig werden gedruckte Leiterbahnen auf eine Kunststofffolie aufgebracht. Eine auf einen Kunststoff aufgebrachte Leiterbahn hat bei der Herstellung von Infrarotflächenstrahlern darüber hinaus den Nachteil, dass diese nur in einem engen Temperaturbereich einsetzbar ist, da Kunststofffolien in der Regel nur eine begrenzte Temperaturbeständigkeit aufweisen. Insbesondere bei Leiterbahnen, die
das Widerstandselement eines Heizelements bilden, hat sich daher der Einsatz von Leiterbahnen-Folien als nachteilig erwiesen.
Technische Aufgabe
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde ein einfaches und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines Infrarotflächenstrahlers anzugeben, der eine homogene Strahlungsemission bei hoher Strahlungsleistung pro Flächeneinheit zeigt.
Darüber hinaus liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Infrarotflächenstrahler anzugeben, der eine hohe Strahlungsleistung pro Flächenein- heit aufweist, und insbesondere bei dünnen Substrat-Wandstärken ein homogenes Aufheizen ermöglicht.
Allgemeine Beschreibung der Erfindung
Hinsichtlich des Verfahrens zur Herstellung eines Infrarotstrahlers wird die oben genannte Aufgabe ausgehend von einem Verfahren der eingangs genannten Gat- tung erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass gemäß Verfahrensschritt (a) ein Substrat bereitgestellt wird, das aus einem Komposit-Werkstoff gefertigt ist, der eine amorphe Matrixkomponente sowie eine Zusatzkomponente in Form eines Halbleitermaterials umfasst, und dass die Leiterbahn als Formstück mit geometrisch fester Form bereitgestellt wird, das gemäß Verfahrensschritt (b) derart auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht wird, dass Leiterbahn und Substrat dauerhaft miteinander verbunden sind.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Idee zu Grunde, dass ein Infrarotflächenstrahler mit hoher Strahlungsleistung, wie beispielsweise einer Strahlungsleistung oberhalb von 150.000 W/m2, besonders einfach und kostengünstig hergestellt werden kann, wenn dieser einerseits aus einem thermisch anregbaren Werkstoff gefertigt ist und andererseits die Leiterbahn als Halbzeug bereitgestellt wird.
Dadurch, dass die Leiterbahn als vorgefertigtes Formstück mit geometrisch fester Form bereitgestellt wird, ist es möglich, Fertigungsfehler, die bei der Herstellung
der Leiterbahn auftreten können, frühzeitig zu erkennen. Insbesondere gegenüber einer unter Einsatz von Drucktechniken hergestellten Leiterbahn ist es möglich, die Leiterbahn-Formstücke vor dem Verfahrensschritt des Fügens mit dem Substrat auf ihre Funktionsfähigkeit zu überprüfen. Als separates Bauteil kann die Lei- terbahn beispielsweise einfach mit einer Spannung beaufschlagt werden. Hierdurch ist es möglich, eine fehlerhafte Leiterbahn auszusortieren, und zwar bevor die fehlerhafte Leiterbahn mit dem Substrat verbunden wird, sodass die Entstehung von Ausschuss verringert und dadurch Herstellungskosten gesenkt werden können. Gegenüber gedruckten Leiterbahnen hat eine vorgefertigte, als Halbzeug bereitgestellte Leiterbahn weiterhin den Vorteil, dass auf den Einsatz kostenintensiver Werkstoffe verzichtet werden kann, beispielsweise auf teure Drucktinte, die einerseits meist einen hohen Anteil von Edelmetallen, beispielsweise Platin, aufweist und an die andererseits hohe Anforderungen hinsichtlich ihrer Eignung als Tinte bestehen.
Die Herstellung einer Leiterbahn kann durch verschiedene Fertigungsmethoden erfolgen, beispielsweise durch Stanzen, Laserstrahlschneiden oder Gießen. Vorzugsweise ist das Formstück aus einem Blech unter Einsatz eines thermischen Trennverfahrens oder durch Stanzen hergestellt. Der Einsatz thermischer Trenn- oder Stanzverfahren ermöglicht die Fertigung von Leiterbahnen in hoher Stückzahl und trägt so dazu bei, Material- und Fertigungskosten gering zu halten.
Durch den möglichen Einsatz verschiedener Fertigungsmethoden können auch Werkstoffe zu einer Leiterbahn verarbeitet werden, die mittels Drucktechniken kaum oder nur aufwendig zu verarbeiten sind. Dadurch, dass die Leiterbahn aus einem elektrisch leitenden und bei Stromdurchfluss wärmeerzeugenden Widerstandsmaterial gefertigt ist, wirkt diese als Heizelement. Ein flächig, homogen abstrahlender Infrarotstrahler mit hoher Strahlungsleistung wird allerdings erst dann erhalten, wenn die Leiterbahn mit dem Substrat in Verbindung gebracht wird. Erfindungsgemäß wird die Leiterbahn als Formstück auf die Oberfläche des Sub- strats aufgebracht und mit dem Substrat dauerhaft verbunden. Dabei kann die Leiterbahn mit dem Substrat sowohl mechanisch als auch thermisch gefügt wer-
den oder über eine nicht-leitende Schicht verbunden werden. Im einfachsten Fall ist die Leiterbahn dem Substrat in losem Verbund angefügt.
Die Leiterbahn wirkt als„lokales" Heizelement, mit dem zumindest ein Teilbereich des Substrats lokal erwärmt werden kann. Die Leiterbahn ist derart dimensioniert, dass sie einen Teil des Substrats erwärmt, der aus dem Komposit-Werkstoff gefertigt ist. Dabei bildet der von der Leiterbahn erwärmte Teil des Substrats das eigentliche, Infrarotstrahlung emittierende Element. Dadurch, dass die Leiterbahn im Verbund mit dem Substrat in unmittelbarem Kontakt mit der Substrat- Oberfläche steht, wird ein besonders kompakter und damit kostengünstig zu ferti- gender Infrarotflächenstrahler erhalten.
Der Wärmetransport vom elektrischen Widerstandselement zur Trägerhorde erfolgt in erster Linie durch Wärmeleitung; er kann aber auch auf Konvektion und oder Wärmestrahlung beruhen.
Dadurch, dass das Substrat eine amorphe Matrixkomponente sowie eine Zusatz- komponente in Form eines Halbleitermaterials umfasst, wird ein Substrat erhalten, welches einen energiereichen, angeregten Zustand einnehmen kann, in dem eine Emission von Infrarotstrahlung mit hoher Strahlungsleistung besonders begünstigt ist. Die Zusammensetzung des Komposit-Werkstoffs ist so gewählt, dass der Komposit-Werkstoff das eigentliche Infrarotstrahlung emittierende Element bildet. Dabei enthält der Komposit-Werkstoff folgende Komponenten:
• Die amorphe Matrixkomponente stellt hinsichtlich Gewicht und Volumen den größten Anteil des Komposit-Werkstoffs dar. Sie bestimmt maßgeblich die mechanischen und chemischen Eigenschaften des Komposit-Werkstoffs; beispielsweise dessen Temperaturbeständigkeit, Festigkeit und Korrosions- eigenschaften. Dadurch, dass die Matrixkomponente amorph ist - sie besteht vorzugsweise aus Glas - kann die geometrische Gestalt des Substrats im Vergleich zu einem Substrat aus kristallinen Werkstoffen einfacher an die Anforderungen bei der spezifischen Anwendung des erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers angepasst werden.
Die Matrixkomponente kann aus undotiertem oder dotiertem Quarzglas bestehen und gegebenenfalls außer S1O2 in einer Menge bis maximal 10 Gew.- % andere oxidische, nitridische oder carbidische Komponenten enthalten. Gemäß der Erfindung ist darüber hinaus vorgesehen, dass in die Matrixkom- ponente eine Zusatzkomponente in Form eines Halbleitermaterials eingelagert ist. Sie bildet eine eigene, in die amorphe Matrixkomponente dispergier- te amorphe oder kristalline Phase.
Ein Halbleiter weist ein Valenzband und ein Leitungsband auf, die durch eine verbotene Zone mit einer Breite von bis zu ΔΕ » 3 eV voneinander getrennt sein können. Die Breite der verbotenen Zone beträgt beispielsweise bei Ge 0,72 eV, Si 1 ,12 eV, InSb 0,26 eV, GaSb 0,8 eV, AlSb 1 ,6 eV, CdS 2,5 eV. Die Leitfähigkeit eines Halbleiters hängt davon ab, wie viele Elektronen die verbotene Zone überspringen und aus dem Valenzband in das Leitungsband gelangen können. Grundsätzlich können bei Raumtemperatur nur wenige Elektronen die verbotene Zone überspringen und ins Leitungsband gelangen, sodass ein Halbleiter bei Raumtemperatur in der Regel nur eine geringe Leitfähigkeit aufweist. Das Ausmaß der Leitfähigkeit eines Halbleiters hängt aber wesentlich von dessen Temperatur ab. Steigt die Temperatur des Halbleitermaterials, steigt damit auch die Wahrscheinlichkeit, dass genügend Energie zur Verfügung steht, um ein Elektron aus dem Valenzband in das Leitungsband anzuheben. Daher nimmt bei Halbleitern die Leitfähigkeit mit steigender Temperatur zu. Halbleiter-Materialien zeigen bei ausreichend hohen Temperaturen daher eine gute elektrische Leitfähigkeit.
Die Zusatzkomponente ist als eigene Phase gleichmäßig oder gezielt un- gleichmäßig verteilt. Die Zusatzkomponente bestimmt maßgeblich die optischen und thermischen Eigenschaften des Substrats; genauer gesagt, sie bewirkt eine Absorption im infraroten Spektralbereich, das ist der Wellenlängenbereich zwischen 780 nm und 1 mm. Die Zusatzkomponente zeigt für mindestens einen Teil der Strahlung in diesem Spektralbereich eine Absorp- tion, die höher ist als die der Matrixkomponente.
Die Phasenbereiche der Zusatzkomponente wirken in der Matrix als optische Störstellen und führen beispielsweise dazu, dass der Komposit-Werkstoff - je nach Schichtdicke - bei Raumtemperatur visuell schwarz oder grauschwärzlich erscheinen kann. Außerdem wirken die Störstellen selbst Wär- meabsorbierend.
Im Komposit-Werkstoff liegt die Zusatzkomponente bevorzugt in einer Art und Menge vor, die im Komposit-Werkstoff bei einer Temperatur von 600 °C einen spektralen Emissionsgrad ε von mindestens 0,6 für Wellenlängen zwischen 2 pm und 8 pm bewirkt. Ein besonders hoher Emissionsgrad ist erzielbar, wenn die Zusatzkomponente als Zusatzkomponenten-Phase vorliegt und eine nicht-sphärische Morphologie mit maximalen Abmessungen von im Mittel weniger als 20 pm, vorzugsweise jedoch mehr als 3 pm aufweist.
Die nicht-sphärische Morphologie der Zusatzkomponenten-Phase trägt dabei auch zu einer hohen mechanischen Festigkeit und zu einer geringen Rissbil- dungsneigung des Komposit-Werkstoffs bei. Die Angabe„maximale Abmessung" bezieht sich auf die in Schliff erkennbare längste Ausdehnung eines isolierten Bereichs mit Zusatzkomponenten-Phase. Der Medianwert aller längsten Ausdehnungen in einem Schliffbild bildet den oben genannten Mit- telwert.
Laut Kirchhoff schem Strahlungsgesetz entsprechen spektraler Absorptionsgrad x und spektraler Emissionsgrad s eines realen Körpers im thermischen Gleichgewicht einander. cu = ελ (1) Die Zusatzkomponente führt somit dazu, dass der S u bstrat- Werkstoff Infrarotstrahlung emittiert. Der spektrale Emissionsgrad ex lässt sich bei bekannten ge- richtet-hemisphärischen spektralen Reflexionsgrad Rgh und Transmissionsgrad Tgh wie folgt berechnen:
£λ = 1- gh - Tgh (2)
Unter dem„spektralen Emissionsgrad" wird hierbei der„spektrale normale Emissionsgrad" verstanden. Dieser wird anhand eines Messprinzips ermittelt, das unter der Bezeichnung„Black-Body Boundary Conditions" (BBC) bekannt ist und veröf- fentlicht ist in„DETERMINING THE TRANSMITTANCE AND EMITTANCE OF TRANSPARENT AND SEMITRANSPARENT MATERIALS AT ELEVATED TEMPERATURES"; J. Manara, M. Keller, D. Kraus, M. Arduini-Schuster; 5th European Thermal-Sciences Conference, The Netherlands (2008).
Die amorphe Matrixkomponente hat im Komposit-Werkstoff, also in Verbindung mit der Zusatzkomponente, eine höhere Wärmestrahlungsabsorption als dies ohne die Zusatzkomponente der Fall wäre. Dadurch ergibt sich eine verbesserte Wärmeleitung von der Leiterbahn in das Substrat, eine schnellere Verteilung der Wärme und eine höhere Abstrahlungsrate auf das Substrat. Dadurch gelingt es, eine höhere Strahlungsleistung pro Flächeneinheit bereitzustellen und auch bei dünnen Substrat-Wandstärken und/oder bei einer vergleichsweise geringen Leiterbahn-Belegungsdichte eine homogene Abstrahlung und ein gleichförmiges Temperaturfeld zu erzeugen. Ein Substrat mit einer geringen Wandstärke verfügt über eine geringe thermische Masse und ermöglicht schnelle Temperaturwechsel. Eine Kühlung ist dafür nicht erforderlich. Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt die Zusatzkomponente in einer Art und Menge vor, die im Komposit- Werkstoff bei einer Temperatur von 1000 °C einen spektraler Emissionsgrad ε von mindestens 0,75 für Wellenlängen zwischen 2 pm und 8 μιτι bewirkt.
Der Komposit-Werkstoff verfügt demnach über ein hohes Absorptions- und Emis- sionsvermögen für Wärmestrahlung zwischen 2 pm und 8 μιτι, also im Wellenlängenbereich der Infrarotstrahlung. Dies vermindert die Reflexion an den Komposit- Werkstoff-Oberf lachen, sodass sich unter der Annahme einer vernachlässigbar geringen Transmission ein Reflexionsgrad für Wellenlängen zwischen 2 pm und 8 pm und bei Temperaturen oberhalb von 1000 °C bei maximal 0,25 und bei Temperaturen von 600 °C von maximal 0,4 ergibt. Nicht reproduzierbare Aufhei-
zungen durch reflektierte Wärmestrahlung werden so vermieden, was zu einer gleichmäßigen oder gewünscht ungleichmäßigen Temperaturverteilung beiträgt.
Es hat sich bewährt, wenn die Verbindung von Leiterbahn und Substrat mit einem Fügeverfahren erzeugt ist, vorzugsweise durch mechanisches Fügen, durch Kle- ben oder durch Schweißen.
Fügeverfahren vermitteln eine dauerhafte Verbindung von mindestens 2 Bauteilen. Dabei kann der Zusammenhalt zwischen den Bauteilen zumindest an einzelnen Fügestellen geschaffen werden. Erfindungsgemäß liegt die Leiterbahn als Formstück vor, das heißt sie hat eine geometrisch feste Form. Beim Fügen von Leiterbahn und Substrat kann das Substrat in einer geometrisch festen Form vorliegen oder als formloser Stoff. Vorzugsweise liegt auch das Substrat in geometrisch fester Form vor. Hierdurch wird eine besonders einfache Positionierung der Leiterbahn auf dem Substrat ermöglicht.
Leiterbahn und Substrat können vorteilhafterweise durch mechanisches Fügen, Kleben, Löten, Schweißen miteinander verbunden werden. Hinsichtlich des mechanischen Fügens hat sich besonders das Einpressen bewährt. Zu diesem Zweck kann das Substrat mit einer Vertiefung versehen sein, die mit der Form der Leiterbahn korrespondiert, beispielsweise mit einer Nut, in die die Leiterbahn ein- gepresst wird. Eine Verbindung eines Glas-Substrats mit einer Leiterbahn kann alternativ mit einem Glaslot erfolgen. Glaslote zeichnen sich durch eine besonders niedrige Erweichungstemperatur aus; sie können zur Herstellung thermisch erzeugter Verbindungen von Werkstoffen mit Gläsern eingesetzt werden. Das Herstellungsverfahren ist dem Löten von Metallen ähnlich, allerdings werden Glaslot- Verbindungen systematisch den Klebeverbindungen zugerechnet. Klebeverbindungen haben den Vorteil, dass sie besonders einfach herzustellen sind. Darüber hinaus können die Eigenschaften des Klebstoffs auf die Materialeigenschaften der zu verbindenden Werkstoffe abgestimmt werden. Beispielsweise ist der Wärmeausdehnungskoeffizient des Klebstoffes (Glaslots) so gewählt, dass er zwi- sehen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterbahn und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Substrats liegt.
Eine Schweißverbindung wird durch Einbringen von Energie in die Leiterbahn und das Substrat erzeugt. Dabei werden sowohl die Leiterbahn als auch das Substrat zumindest teilweise aufgeschmolzen und beim Abkühlen im Schmelzbereich miteinander verbunden. Bei einer bevorzugten Modifikation des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, dass die Leiterbahn über eine nichtleitende Schicht mit der Oberfläche des Substrats verbunden wird.
Eine nichtleitende Schicht wirkt elektrisch als Isolator; sie kann zwar die von der Leiterbahn erzeugte Wärme zum Substrat transportieren, vermag aber selbst kaum Wärme zu erzeugen. Die nicht leitende Schicht trägt daher nur in begrenztem Umfang zur Erwärmung des Substrats bei. Der Hauptenergieeintrag erfolgt durch die Leiterbahn, sodass die geometrische Form der Leiterbahn einerseits den Bereich des Substrats festgelegt, der thermisch angeregt wird, und andererseits das Ausmaß des Wärmeeintrags in das Substrat bestimmt. Daher haben Abweichungen in der Schichtdicke der nichtleitenden Schicht, und insbesondere eine ungleichmäßige - möglicherweise nur teilweise - Auftragung der nichtleitenden Schicht auf das Substrat keinen wesentlichen Einfluss auf den Wärmeeintrag in das Substrat und die Substrat-Temperaturverteilung.
Es hat sich als günstig erwiesen, wenn zur Herstellung des Formstücks ein Blech aus Siliziumcarbid (SiC), Molybdändisilicid (M0S12), Tantal (Ta) oder hochtempera- turfester Stahl verwendet wird.
Die vorgenannten Werkstoffe Siliziumcarbid (SiC), Molybdändisilicid (M0S12), Tantal (Ta) oder hochtemperaturfestem Stahl sind im Vergleich zu Edelmetallen, wie beispielsweise Gold, Platin oder Silber, kostengünstig. Darüber hinaus sind die vorgenannten Werkstoffe nur aufwendig mit Druckverfahren zu verarbeiten, sie können allerdings einfach zu einem Formkörper umgeformt werden, der als Halbzeug bei der Herstellung des Infrarotflächenstrahlers eingesetzt werden kann. Darüber hinaus haben diese Materialien den Vorteil, dass sie an Luft oxidations- beständig sind, sodass eine zusätzliche, die Leiterbahn bedeckende Schicht (Deckschicht) zum Schutz der Leiterbahn nicht zwingend notwendig ist.
Es hat sich allerdings als günstig erwiesen, wenn eine Deckschicht vorgesehen ist, die aus opakem Quarzglas gefertigt ist. Eine solche Deckschicht wirkt als diffuser Reflektor und sie schützt und stabilisiert gleichzeitig die Leiterbahn. Die Herstellung einer derartigen Deckschicht aus opakem Quarzglas ist beispielsweise in der WO 2006/021416 A1 beschrieben. Sie wird aus einer Dispersion erzeugt, die amorphe SiO2-Teilchen in einer Flüssigkeit enthält. Diese wird auf die der Leiterbahn zugewandte Oberfläche des Substrats aufgetragen, zu einer Grünschicht getrocknet und diese bei hoher Temperatur gesintert.
Vorteilhafterweise weist das Formstück einen Abschnitt mit einem spiral- oder mäanderförmigen Linienmuster auf. Hierdurch wird eine gleichmäßige Belegung der Substrat-Oberfläche mit einer einzigen Leiterbahn ermöglicht. Eine einzige Leiterbahn kann besonders einfach an eine Stromquelle angeschlossen und angesteuert werden.
Bei einer bevorzugten Modifikation des erfindungsgemäßen Verfahrens wird vor dem Aufbringen der Leiterbahn auf die Oberfläche des Trägers gemäß Verfahrensschritt (b) das Formstück an seinen Enden mit einer Leitungsbahn versehen, deren Querschnittsfläche größer ist als die Querschnittsfläche des Linienmusters.
Vorzugsweise erstreckt sich das Linienmuster in einer Ebene. Um die elektrische Kontaktierung der Leiterbahn zu erleichtern, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Leiterbahn im Bereich ihrer elektrischen Kontaktierung eine geringere Temperatur als im Heizbereich aufweist. Um dies zu ermöglichen, kann die Leiterbahn mit einer Leitungsbahn versehen werden, die eine größere Querschnittsfläche als die Leiterbahn hat. Aufgrund ihrer größeren Querschnittsfläche weist die Leitungsbahn einen geringeren Widerstand auf; sie wird daher wesentlich weniger erwärmt als die Leiterbahnen selbst.
Die Leiterbahn und die Leitungsbahn können eine Einheit bilden, die einstückig oder mehrstückig ausgebildet ist. Eine einstückige Einheit von Leiterbahn und Leitungsbahn kann in einem einzigen Verfahrensschritt gefertigt werden, beispielsweise durch Ausstanzen aus einem Blech oder durch Laserstrahlschneiden. In diesem Fall weist bei vorgegebener Blechdicke die Leitungsbahn beispielsweise eine größere Breite als die Leiterbahn auf. Alternativ ist es auch möglich, Leiter-
bahn und Leitungsbahn in einem zusätzlichen Verfahrensschritt miteinander zu verbinden, bevor sie als Einheit auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht werden. Beispielsweise können Leitungsbahn und Leiterbahn miteinander verschweißt werden. Es hat sich als günstig erwiesen, wenn an den Leiterbahn-Enden Kontaktelemente vorgesehen sind. Kontaktelemente dienen der vereinfachten elektrischen Kon- taktierung der Leiterbahn; sie bilden vorzugsweise ein Steckelement einer Steckverbindung. Die Steckverbindung dient der lösbaren Verbindung des Kontaktelements mit einer elektrischen Stromzuführung. Hierdurch wird ein einfaches Tren- nen und Verbinden der Leiterbahn mit einer elektrischen Zuleitung, insbesondere mit einer Strom-/Spannungsquelle, ermöglicht.
Dabei hat sich als günstig erwiesen, wenn die Leitungsbahn aus demselben Werkstoff wie die Leiterbahn gefertigt ist.
Eine Verbindung von Leitungsbahn und Leiterbahn kann besonders einfach her- gestellt werden, wenn beide Bauteile aus demselben Material gefertigt sind, beispielsweise durch Löten.
Hinsichtlich des Infrarotflächenstrahlers wird die oben genannte Aufgabe ausgehend von einem Infrarotflächenstrahler der eingangs genannten Gattung erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das Substrat aus einem Korn posit- Werkstoff gefertigt ist, der eine amorphe Matrixkomponente sowie eine Zusatzkomponente in Form eines Halbleitermaterials umfasst, und dass die Leiterbahn als Formstück geometrisch fester Form derart auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht ist, dass Leiterbahn und Träger dauerhaft miteinander verbunden sind.
Der erfindungsgemäße Infrarotflächenstrahler weist einerseits ein Substrat aus einem thermisch anwendbaren Werkstoff und andererseits eine mit dem Substrat verbundene Leiterbahn geometrisch fester Form auf.
Dadurch, dass die Leiterbahn ein Formstück mit geometrisch fester Form ist, weist diese eine besonders hohe mechanische Stabilität auf; sie kann darüber hinaus mit hoher Genauigkeit gefertigt werden.
Gegenüber gedruckten Leiterbahnen hat eine vorgefertigte, als Halbzeug bereitgestellte Leiterbahn weiterhin den Vorteil, dass auf den Einsatz kostenintensiver Werkstoffe verzichtet werden kann, beispielsweise auf teure Drucktinte, die einerseits meist einen hohen Anteil von Edelmetallen, beispielsweise Platin, aufweist und an die andererseits hohe Anforderungen hinsichtlich ihrer Eignung als Tinte bestehen.
Die Herstellung der Leiterbahn kann durch verschiedene Fertigungsmethoden erfolgen, beispielsweise durch Stanzen, Laserstrahlschneiden oder Gießen. Die Leiterbahn bildet in Verbindung mit dem Substrat einen flächigen, homogen ab- strahlenden Infrarotstrahler; sie wirkt als„lokales" Heizelement, mit dem zumindest ein Teilbereich des Substrats lokal erwärmt werden kann. Die Leiterbahn ist derart dimensioniert, dass sie einen Teil des Substrats erwärmt, der aus einem besonderen Werkstoff gefertigt ist, nämlich einem Komposit-Werkstoff, der eine amorphe Matrixkomponente und eine Zusatzkomponente in Form eines Halb- leitermaterials umfasst. Der Komposit-Werkstoff bildet das eigentliche Infrarotstrahlung emittierende Element. Dadurch, dass das Substrat eine amorphe Matrixkomponente sowie eine Zusatzkomponente in Form eines Halbleitermaterials umfasst, wird ein Substrat erhalten, welches einen energiereichen, angeregten Zustand einnehmen kann, der eine Emission von Infrarotstrahlung besonders be- günstigt. Hinsichtlich der Zusammensetzung des Komposit-Werkstoffs wird auf die obigen Erläuterungen zu dem erfindungsgemäßen Verfahren verwiesen.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers ist vorgesehen, dass auf das Substrat mehrere Leiterbahnen mit geometrisch fester Form aufgebracht sind, die jeweils individuell elektrisch ansteuer- bar sind.
Das Vorsehen mehrerer Leiterbahnen ermöglicht eine individuelle Ansteuerung und eine Anpassung der mit dem Infrarotflächenstrahler erreichbaren Bestrahlungsstärke. Einerseits kann durch geeignete Wahl der Abstände benachbarter Leitungsbahn-Abschnitte die Strahlungsleistung des Substrats eingestellt werden. Hierbei werden Abschnitte des Substrats unterschiedlich stark erwärmt, sodass diese Infrarot-Strahlung mit unterschiedlichen Bestrahlungsstärken emittieren.
Alternativ können die Leiterbahnen individuell elektrisch angesteuert werden, sodass diese mit unterschiedlichen Betriebsspannungen oder Betriebsstromstärken betrieben werden. Es hat sich nämlich gezeigt, dass insbesondere die Randbereiche des Substrats häufig geringe erwärmt werden als der Mittenbereich des Sub- strats. Eine mögliche Ursache hierfür ist, dass im Randbereich gegenüber seiner Umgebung ein größerer Temperaturgradient besteht, sodass der Randbereich schneller abkühlt als beispielsweise der Mittenbereich des Infrarotflächenstrahlers. Eine Variation der an den jeweiligen Leiterbahnen anliegenden Betriebsspannungen bzw. Betriebsströme ermöglicht eine einfache und schnelle Anpassung der Substrat-Temperaturverteilung.
Es hat sich bewährt, wenn die amorphe Matrixkomponente Quarzglas ist, und das Halbleitermaterial in elementarer Form vorliegt, wobei der Gewichtsanteil des Halbleitermaterials im Bereich zwischen 0,1 % bis 5 % liegt.
In diesem Zusammenhang hat es sich als günstig erwiesen, wenn die amorphe Matrixkomponente und die Zusatzkomponente bei Temperaturen unterhalb von 600 °C elektrisch isolierende Eigenschaften besitzen.
Quarzglas ist ein elektrischer Isolator und besitzt neben einer hohen Festigkeit eine gute Korrosions-, Temperatur- und Temperaturwechselbeständigkeit; es steht darüber hinaus in hoher Reinheit zu Verfügung. Daher bietet es sich auch bei Hochtemperatur-Heizprozessen mit Temperaturen bis zu 1.100 °C als Matrixmaterial an. Eine Kühlung ist nicht erforderlich.
Die feinteiligen Bereiche einer Halbleiter-Phase wirken in der Matrix einerseits als optische Störstellen und führen dazu, dass der Substrat-Werkstoff - je nach Schichtdicke - bei Raumtemperatur visuell schwarz oder grau-schwärzlich er- scheint. Andererseits haben die Störstellen auch Auswirkungen auf die Wärmeabsorption des Komposit-Werkstoffs insgesamt. Dies ist im Wesentlichen auf die Eigenschaften der fein verteilten Phasen aus dem elementar vorliegenden Halbleiter zurückzuführen, wonach zum einen die Energie zwischen Valenzband und Leitungsband (Bandlückenenergie) mit der Temperatur abnimmt und zum anderen bei ausreichend hoher Aktivierungsenergie Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband gehoben werden, was mit einem deutlichen Anstieg des Absorpti-
onskoeffizienten einhergeht. Die thermisch aktivierte Besetzung des Leitungsbandes führt dazu, dass das Halbleitermaterial bei Raumtemperatur für bestimmte Wellenlängen (wie etwa ab 1.000 nm) in gewissem Umfang transparent sein kann und bei hohen Temperaturen undurchsichtig wird. Mit steigender Temperatur des Komposit-Werkstoffs können daher Absorption und Emissionsgrad sprungartig zunehmen. Dieser Effekt hängt unter anderem von der Struktur (amorph/kristallin) und Dotierung des Halbleiters ab.
Vorzugsweise ist die Zusatzkomponente elementares Silizium. Reines Silizium zeigt beispielsweise ab etwa 600 °C eine merkliche Emissionszunahme, die ab etwa 1.000 °C eine Sättigung erreicht.
Das Halbleitermaterial und insbesondere das vorzugsweise eingesetzte, elementare Silizium bewirken daher eine Schwarzfärbung der glasigen Matrixkomponente und zwar bei Raumtemperatur, aber auch bei erhöhter Temperatur oberhalb von beispielsweise 600 °C. Dadurch wird eine gute Abstrahlungscharakteristik im Sin- ne einer breitbandigen, hohen Emission bei hohen Temperaturen erreicht. Das Halbleitermaterial, bevorzugt das elementare Silizium, bildet dabei eine in der Matrix dispergierte, eigene Si-Phase. Diese kann mehrere Halbmetalle oder Metalle enthalten (Metalle jedoch maximal bis zu 50 Gew.-%, besser nicht mehr als 20 Gew.-%; jeweils bezogen auf den Gewichtsanteil der Zusatzkomponente) da- bei zeigt der Komposit-Werkstoff keine offene Porosität, sondern allenfalls eine geschlossene Porosität von weniger als 0,5 % und eine spezifische Dichte von mindestens 2,19 g/cm3. Er ist daher für Trägerhorden geeignet, bei denen es auf Reinheit oder Gasdichtheit des Werkstoffs ankommt, aus dem die Trägerhorde gefertigt ist. Die Wärmeabsorption des Komposit-Werkstoffs hängt vom Anteil der Zusatzkomponente ab. Der Gewichtsanteil der Zusatzkomponente sollte daher vorzugsweise mindestens 0,1 % betragen. Andererseits kann ein hoher Volumenanteil der Zusatzkomponente die chemischen und mechanischen Eigenschaften der Matrix beeinträchtigen. Im Hinblick darauf liegt der Gewichtsanteil der Zusatzkomponen- te bevorzugt im Bereich zwischen 0,1 % und 5 %.
Es hat sich besonders bewährt, wenn die amorphe Matrixkomponente Quarzglas ist und vorzugsweise eine chemische Reinheit von mindestens 99,99 % S1O2 und einen Cristobalit-Gehalt von höchstens 1 % besitzt. Durch einen niedrigen Cristobalit-Gehalt der Matrix von 1 % oder weniger wird eine geringe Entglasungsnei- gung und damit eine geringe Rissbildungsgefahr beim Einsatz als Infrarotflächenstrahler gewährleistet damit wird auch hohen Anforderungen an Partikelfreiheit, Reinheit und Inertheit genügt, wie sie in der Regel bei Halbleiterfertigungsprozessen bestehen.
Ausführungsbeispiel Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen und Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigt in schematischer Darstellung
Figur 1 eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers, auf dessen Substrat-Oberfläche ein vorgefertigtes Leiterbahn-Formstück aufgebracht ist, Figur 2 eine Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Infrarotflächenstrahlers, bei dem eine vorgefertigte Leiterbahn als Formstück bereitgestellt und mit der Oberfläche des Substrats verbunden wird,
Figur 3 eine Seitenansicht einer zweiten Ausführungsform eines erfmdungs- gemäßen Infrarotflächenstrahlers, bei der auf die mit einer Leiterbahn belegte Oberfläche eine Glasschicht aufgebracht ist,
Figur 4 eine Seitenansicht einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers, bei der die Leiterbahn über ein Glaslot mit der Substrat-Oberfläche verbunden ist, und Figur 5 eine Seitenansicht einer vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahler, bei der die Leiterbahn und das Substrat mechanisch durch Einpressen miteinander verbunden sind.
Figur 1 zeigt eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers, dem insgesamt die Bezugsziffer 100 zugeordnet ist. Der Infrarotflächenstrahler 100 weist ein plattenförmiges Substrat 101 , eine Leiterbahn 102 und zwei Leitungsbahnen 103a, 103b zur elektrischen Kontaktierung der Leiterbahn 5 102 auf.
Das plattenförmige Substrat 101 umfasst eine amorphe Matrixkomponente in Form von Quarzglas. In die Matrixkomponente ist eine Phase aus elementarem Silizium in Form nicht-sphärischer Bereiche homogen verteilt. Das plattenförmige Substrat 101 hat eine Länge I von 100 mm, eine Breite b von 100 mm und eine0 Dicke von 2 mm.
Die Leiterbahn 102 ist aus einem Stück gefertigt; sie bildet ein ebenes, flächen- haftes, dreidimensionales Formstück, das einfach auf das plattenförmige Substrat 101 aufgelegt werden kann. Die Leiterbahn 102 ist aus hochwarmfesten Stahl (2.4816) gefertigt und durch Ausstanzen aus einer Stahlplatte-Platte erzeugt. An5 den Enden der Leiterbahn 102 ist jeweils eine Leitungsbahn 103a, 103b angeordnet, die zusammen mit der Leiterbahn 102 aus der Stahl-Platte ausgestanzt wurde. Bei einer alternativen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Infrarotstrahlers (in Figur 1 nicht dargestellt) sind die Leitungsbahnen 03a, 103b an Enden der Leiterbahn 102 angeschweißt. Das Herstellungsverfahren für einen Infrarotflä-0 chenstrahler mit angeschweißten Leitungsbahnen wird nachfolgend anhand von Figur 2 näher beschrieben.
Sofern bei den in anderen Figuren gezeigten Ausführungsformen dieselben Bezugsziffern wie in Figur 1 verwendet sind, so sind damit baugleiche oder äquivalente Bauteile und Bestandteile bezeichnet, wie sie oben anhand der Beschrei-5 bung der ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahler näher erläutert sind.
Anhand von Figur 2 wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung des Infrarotflächenstrahlers 100 an einem Beispiel näher erläutert.
Herstellung des Substrats 101 (Halbzeug 1 )
Die Herstellung erfolgt anhand des Schlickergießverfahrens, wie es in der WO 2015/067 688 A1 beschrieben ist. Amorphe Quarzglaskörnung wird vorab in einem Heißchlorierverfahren gereinigt, wobei darauf geachtet wird, dass der Cristo- balitgehalt unter 1 Gew.-% liegt. Quarzglaskörnung mit Korngrößen im Bereich zwischen 250 μιη und 650 μιη wird mit deionisiertem Wasser nassgemahlen, sodass sich ein homogener Grundschiicker mit einem Feststoffgehalt von 78 % bildet.
Anschließend werden aus dem Grundschiicker die Mahlkugeln entfernt und es wird ein Zuschlag in Form von Silizium-Pulver in einer Menge zugemischt, bis ein Feststoffgehalt von 83 Gew.-% erreicht ist. Das Silizium-Pulver enthält hauptsächlich nicht-sphärische Pulverteilchen mit enger Teilchengrößenverteilung, deren D97-Wert bei etwa 10 pm liegt und dessen Feinanteil mit Teilchengrößen von weniger als 2 μιη vorab entfernt worden ist.
Der mit dem Silizium-Pulver gefüllte Schlicker wird weitere 12 Stunden homogeni- siert. Der Gewichtsanteil des Silizium-Pulvers am gesamten Feststoffgehalt liegt bei 5 %. Die SiO2-Teilchen im fertig homogenisierten Schlicker zeigen eine Teilchengrößenverteilung, die durch einen Dso-Wert von etwa 8 μιη und durch einen den D9o-Wert von etwa 40 μητι gekennzeichnet ist.
Der Schlicker wird in eine Druckgussform einer kommerziellen Druckgussmaschi- ne gegossen und über eine poröse Kunststoffmembran unter Bildung eines porösen Grünkörpers entwässert. Der Grünkörper hat Form einer Rechteckplatte. Zum Entfernen von gebundenem Wasser wird der Grünkörper bei etwa 90 °C 5 Tage lang in einem belüfteten Ofen getrocknet. Nach dem Abkühlen wird der erhaltende poröse Rohling mechanisch nahezu auf das Endmaß der herzustellenden Quarz- glas-Platte mit der Plattenstärke von 4 mm bearbeitet. Zum Sintern des Rohlings wird dieser in einem Sinterofen unter Luft innerhalb von 1 Stunde auf eine Heiztemperatur von 1390 °C aufgeheizt und bei dieser Temperatur 5 Stunden gehalten.
Die so erhaltene Quarzglas-Platte bildet das Substrat 101. Sie besteht aus einem gasdichten Komposit-Werkstoff mit einer Dichte von 2,1958 g/cm3, bei dem in einer Matrix aus opakem Quarzglas voneinander getrennte, nicht-sphärische Berei-
che aus elementarer Si-Phase homogen verteilt sind, deren Größe und Morphologie weitgehend denen des eingesetzten Si-Pulvers entsprechen. Die maximalen Abmessungen liegen im Mittel (Medianwert) im Bereich von etwa 1 pm bis 10 pm. Die Matrix wirkt visuell transluzent bis transparent. Sie zeigt bei mikroskopischer Betrachtung keine offenen Poren und allenfalls geschlossene Poren mit maximalen Abmessungen von im Mittel weniger als 10 pm; die auf Basis der Dichte berechnete Porosität liegt bei 0,37 %. Der Komposit-Werkstoff ist an Luft bis zu einer Temperatur von etwa 1 .150 °C stabil.
Herstellung der Leiterbahn 102 (Halbzeug 2) Zur Herstellung der Leiterbahn 102 wird aus einem Tantal-Blech mit einer Dicke von 0,2 mm, einer Breite von 500 mm und einer Länge von 2000 mm ein Formstück ausgestanzt, welches die Leiterbahn bilden soll. Das Ausstanzen erfolgt mit einem Stanzwerkzeug in Form eines Stempels, wobei als Gegenstück eine ebene Unterlage dient. Die ausgestanzte Leiterbahn 102 weist einen mäanderförmigen Linienverlauf auf und umfasst zwei in einer Ebene nebeneinander angeordnete Mäander-Strukturen. Figur 2-1 zeigt die ausgestanzte Leiterbahn 102. Die Leiterbahnen 102 erstreckt sich über eine Länge von 60 mm und eine Breite von
60 mm.
Verschweißen der Leiterbahn 102 mit den Leitungsbahnen 103a, 103b Die Leiterbahn 102 bildet im fertigen Infrarotflächenstrahler 100 die sogenannte „heiße" Zone des Strahlers. Für die elektrische Kontaktierung der Leiterbahn 102 wird eine„kalte" Zone benötigt. Wie in Figur 2-II gezeigt, werden zu diesem
Zweck Leitungsbahnen 103a, 103b mit den Enden der Leiterbahn 102 verschweißt. Die Leitungsbahnen 103a, 03b sind identisch ausgebildet; sie weisen eine Länge von 40 mm, eine Breite von 5 mm bei einer Dicke von 0,4 mm auf.
Aufbringen der mit den Leitungsbahnen 103a, 103b versehenen Leiterbahn 102 auf das Substrat 101
Figur 2-III zeigt die mit den Leitungsbahnen 103a, 103b versehene Leiterbahn 102 wie sie auf das Substrat 101 aufgebracht wird. Zunächst wird die Leiterbahn 102
auf eine Oberseite des Substrat 101 aufgelegt. Es wird ein Glaslot aufgebracht und anschließend auf Erweichungstemperatur erwärmt, sodass flüssiges Glaslot die Leiterbahn 102 und die Substrat-Oberfläche verschließt. Nach dem Sintern des Glaslots werden die Leiterbahn 2 und das Substrat 101 unter Ausbildung der Glaslot-Fügeverbindung erkalten gelassen.
Aufbringen einer Reflektorschicht (optional)
Anschließend wird auf die Oberseite des Substrats 101 und die darauf aufgebrachte Leiterbahn 102 eine Schlickerschicht aufgebracht. Dieser Schlicker wird durch Modifikation des SiOa-Grundschlickers erhalten, wie oben bereits beschrie- ben ist (ohne ein Zuschlag von Silizium-Pulver), indem dem homogenen, stabilen Grundschiicker amorphe SiO2-Körnung in Form sphärischer Teilchen mit einer Korngröße um 5 pm zugemischt werden bis ein Feststoffgehalt von 84 Gew.-% erreicht ist. Diese Mischung wird 12 Stunden lang in einer Trommelmühle bei einer Drehzahl von 25 U/min homogenisiert. Der so erhaltene Schlicker hat einen Feststoffgehalt von 84 % und eine Dichte von etwa 2,0 g/cm3. Die nach dem Vermählen der Quarzglaskörnung erhaltenen SiO2-Teilchen im Schlicker zeigen eine Teilchengrößenverteilung, die durch einen Dso-Wert von etwa 8 pm und durch einen D9o-Wert von etwa 40 pm gekennzeichnet ist.
Der Schlicker wird einige Sekunden lang auf Oberseite des vorab in Alkohol ge- reinigten Substrats 101 gesprüht. Auf dem Substrat 101 bildet sich dadurch eine gleichmäßige Schlickerschicht mit einer Dicke von etwa 2 mm. Die getrocknete Schlickerschicht ist rissfrei, und sie hat eine mittlere Dicke von etwas weniger als 2 mm.
Die getrocknete Schlickerschicht wird anschließend unter Luft in einem Sinterofen gesintert.
Figur 3 zeigt in Seitenansicht eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers, dem insgesamt die Bezugsziffer 300 zugeordnet ist. Der Infrarotflächenstrahler 300 weist ein plattenförmiges Substrat 301 , eine Leiterbahn 302 und eine Deckschicht 303 auf.
Das plattenförmige Substrat 301 hat Rechteck-Form mit einer Plattenstärke von 2,5 mm. Es besteht aus einem Komposit-Werkstoff mit einer Matrix aus Quarzglas. Die Matrix wirkt visuell transluzent bis transparent. Sie zeigt bei mikroskopischer Betrachtung keine offenen Poren und allenfalls geschlossene Poren mit maximalen Abmessungen von im Mittel weniger als 10 μηι. In der Matrix ist eine Phase aus elementarem Silizium in Form nicht-sphärischer Bereiche homogen verteilt. Deren Gewichtsanteil beträgt 5 %. Die maximalen Abmessungen der Silizium-Phasenbereiche liegen im Mittel (Medianwert) im Bereich von etwa 1 μητι bis 10 μηι. Der Komposit-Werkstoff ist gasdicht, er hat eine Dichte von 2, 19 g/cm3 und er ist an Luft bis zu einer Temperatur von etwa 1 150 °C stabil.
Die eingelagerte Silizium-Phase trägt einerseits zur Opazität des Komposit- Werkstoffs insgesamt bei und sie hat Auswirkungen auf die optischen und thermischen Eigenschaften des Komposit-Werkstoffs. Dieser zeigt bei hohen Temperaturen eine hohe Absorption von Wärmestrahlung und einen hohen Emissionsgrad. Bei Raumtemperatur wird der Emissionsgrad des Komposit-Werkstoffs unter Einsatz einer Ulbrichtkugel gemessen. Diese erlaubt die Messung des gerichtet hemisphärischen spektralen Reflexionsgrades Rgh und des gerichtet hemisphärischen spektralen Transmissionsgrades Tgh, woraus der normale spektrale Emissionsgrad berechnet wird. Die Messung des Emissionsgrades bei erhöhter Tempe- ratur erfolgt im Wellenlängenbereich von 2 bis 18 pm mittels eines FTIR-
Spektrometers (Bruker IFS 66v Fourier-Transformations Infrarot (FTIR)), an das über eine Zusatzoptik eine BBC-Probenkammer angekoppelt wird, anhand des oben genannten BBC-Messprinzips. Die Probenkammer verfügt dabei in den Halbräumen vor und hinter der Probenhalterung über temperierbare Schwarzkör- perumgebungen und eine Strahlausgangsöffnung mit Detektor. Die Probe wird in einem separaten Ofen auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt und zur Messung in den Strahlengang der Probenkammer mit den auf vorgegebene Temperatur eingestellten Schwarzkörperumgebungen verbracht. Die vom Detektor erfasste Intensität setzt sich aus einem Emissions-, einem Reflexions- und einem Transmissionsanteil zusammen, nämlich aus Intensität, die von der Probe selbst emittiert wird, Intensität, die vom vorderen Halbraum auf die Probe fällt und von dieser reflektiert wird, sowie Intensität, die vom hinteren Halbraum auf die Probe
fällt und von dieser transmittiert wird. Zur Ermittlung der einzelnen Größen Emissions-, Reflexions- und Transmissionsgrad müssen drei Messungen durchgeführt werden.
Der am Komposit-Werkstoff gemessene Emissionsgrad im Wellenlängenbereich von 2 μιη bis etwa 4 μιη hängt von der Temperatur ab. Je höher die Temperatur ist, umso höher ist die Emission. Bei 600 °C liegt der normale Emissionsgrad im Wellenlängenbereich von 2 μιη bis 4 μηη oberhalb von 0,6. Bei 1.000 °C liegt der normale Emissionsgrad im gesamten Wellenlängenbereich zwischen 2 pm und 8 μιη oberhalb von 0,75. Die Leiterbahn 302 ist aus einem Tantal-Blech hergestellt, indem dieses mit einem Laserstrahl zu einem Formstück geschnitten wurde. Das Formstück hat eine geometrisch feste Form; es ist einstückig ausgebildet und weist die Form einer archimedischen Spirale auf, bei der benachbarte Abschnitte der Leiterbahn 302 einen Abstand a von 2 mm haben. Die Leiterbahn 302 hat eine Querschnittsfläche von mindestens 0,02 mm2 bei einer Breite von 1 mm und einer Dicke von 20 μηη. An beiden Enden der Spirale sind Kontakte aus Tantal (nicht dargestellt) an die Leiterbahn angeschweißt. Die Kontakte weisen eine Querschnittsfläche von mindestens 0,5 mm2 auf. Dadurch, dass die Kontakte eine größere Querschnittsfläche als die Leiterbahn haben, zeigen sie einen geringeren elektrischen Wider- stand als die Leiterbahn 302; sie werden daher bei Stromdurchfluss weniger stark als die Leiterbahn 302 erwärmt. Die Kontakte bewirken daher eine Absenkung der Temperatur, sodass eine elektrische Kontaktierung Leiterbahn 302 über die Kontakte vereinfacht wird.
Die Leiterbahn 302 ist fest mit dem Substrat 301 verbunden, indem auf die mit der Leiterbahn versehene Oberfläche 304 des Substrats 301 eine Deckschicht 303 aus Glas aufgebracht ist. Die Deckschicht 303 ist aus einem Glas gefertigt, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient in einem Bereich zwischen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Substrats und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterbahn liegt. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substrats 301 be- trägt 0,54 10-6 K"1; der Wärmeausdehnungskoeffizient der Leiterbahn 302 beträgt 6,4 10-6 K_1 und der Wärmeausdehnungskoeffizienten der Deckschicht 303 be-
trägt ca. 0,54 10"6 K~1. Die Deckschicht 303 weist eine mittlere Schichtdicke von 1 ,8 mm auf. Die Deckschicht 303 bedeckt den gesamten Heizbereich des Substrats 301. Sie bedeckt die Leiterbahn 302 vollständig und schirmt somit die Leiterbahn 302 vor chemischen oder mechanischen Einflüssen aus der Umgebung ab.
Figur 4 zeigt eine Seitenansicht einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers, dem insgesamt die Bezugsziffer 400 zugeordnet ist. Der Infrarotflächenstrahier 400 umfasst ein Substrat 301 , wie es in der Beschreibung zu Figur 3 beschrieben ist, sowie eine Leiterbahn 402 und eine Deck- schicht 403. Die Leiterbahn 402 ist über ein Glaslot 407 mit der Substrat- Oberfläche 404 verbunden.
Die Leiterbahn 402 zeigt einen mäanderförmigen Verlauf, der eine Heizfläche des Substrats 301 so dicht bedeckt, dass zwischen benachbarten Leiterbahn- Abschnitten ein gleichmäßiger Abstand von 1 ,5 mm verbleibt. Im gezeigten Quer- schnitt hat die Leiterbahn 402 eine Querschnittsfläche von 0,05 mm2 bei einer Breite von 1 mm und einer Dicke von 50 ym.
Glaslote sind Gläser mit niedriger Erweichungstemperatur; sie gehören zur Gruppe der Klebstoffe. Das Verarbeitungsverfahren von Glaslot ist dem Löten von Metallen ähnlich. Aufgrund der niedrigen Erweichungstemperatur des Glaslots ist dieses bei Verarbeitungstemperatur flüssig. Das Substrat hingegen ist bei Verarbeitungstemperatur fest.
Als Glaslot wird eine Glaspaste aus Glaspulver und einem organischen Bindemittel verwendet, beispielsweise das Glaslot Nr. G018-385 der Firma Schott AG, Mainz, Deutschland. Dieses Glaslot hat einen Wärmeausdehnungskoeffizienten α (20-300) von 8,4 ppm/K, eine Dichte von 3,14 g/cm3, einen Glasübergangstemperatur von 992°C und eine Schmelztemperatur von 1000°C.
Bei der Herstellung des Infrarotflächenstrahlers 400 wird zunächst die Leiterbahn als Formstück durch Ausstanzen aus einem Blech aus hochwarmfesten Stahl erzeugt. Anschließend wird auf die Oberfläche des Substrats 301 erwärmt und eine Glaslot-Schicht aufgebracht. Auf die Glaslot-Schicht wird die Leiterbahn 402 auf-
gelegt und diese zusammen mit der Glaslot-Schicht so lange erwärmt, bis die Glaslot-Schicht erweicht, sodass beim Abkühlen der Glaslot-Schicht eine Fügeverbindung zwischen Glaslot-Schicht und Substrat 301 einerseits und Glaslot- Schicht und Leiterbahnen 402 andererseits entsteht. Zum Schutz vor mechani- scher und chemischer Beanspruchung werden schließlich die Leiterbahn 402 und die Glaslot-Schicht mit einer Deckschicht 403 aus einem Übergangsglas versehen, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient im Bereich zwischen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten Glaslots und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterbahn 402 liegt. Figur 5 zeigt eine Seitenansicht einer vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarotflächenstrahlers 500, bei der Leiterbahn 402 und Substrat 501 mechanisch durch Einpressen miteinander verbunden sind.
Das Substrat 501 ist aus demselben Werkstoff gefertigt wie das Substrat 301 von Figur 3. Es unterscheidet sich von dem aus Figur 3 bekannten Substrat 301 darin, dass die Oberfläche des Substrats 501 mit einer mit der geometrischen Form der Leiterbahn 402 korrespondierenden Nut 502 versehen ist. Die Nutbreite beträgt an der Basis 1 ,2 mm; die Nuttiefe beträgt 0,04 mm. Die Seitenflächen der Nut 502 verlaufen leicht schräg; hierdurch wird die mechanische Verbindung von Leiterbahn 402 und Substrat 501 erleichtert. Auf die Oberfläche des Substrats 502 und die Leiterbahn 402 ist eine Deckschicht 503 aus Quarzglas aufgebracht. Bei einer alternativen Ausführungsform (nicht dargestellt) ist keine Deckschicht vorgesehen. Die Deckschicht 503 hat die Funktion die Leiterbahn 402 vor chemischen und mechanischen Einflüssen zu schützen. Insbesondere Leiterbahnen aus hoch- warmfestem Stahl oder Molybdändisilicid weisen eine hohe Temperaturbeständig- keit auf, sodass auf eine Deckschicht verzichtet werden kann.