WO2017220746A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

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Thomas Reeswinkel
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic component.
  • the invention further relates to a method for producing an optoelectronic component.
  • Carrier for optoelectronic semiconductor chips have customarily example to a chip mounting surface on which a optoelekt ⁇ ronischer semiconductor chip is adhered.
  • a chip mounting surface on which a optoelekt ⁇ ronischer semiconductor chip is adhered.
  • the reflection coating is, for example, a silver coating.
  • the reflection coating can degrade due to corrosion and change its original color under the influence of corrosive gases, for example H2S gas.
  • a silver layer changes, for example, under the influence of H2S gas in color from a reflective metal ⁇ metallic silver to a darker color. Due to this color change, a reflectivity of a corroded decreases
  • an optoelectronic component will be riding ⁇ provided comprising:
  • the chip mounting surface has a reflective coating
  • reflection coating is at least partially provided with a thiolate coating
  • a reflection coating is at least indirectly covering, different from the thiolate coating corrosion protection layer is formed.
  • a method for producing an optoelectronic component is provided, umfas ⁇ send the steps of:
  • reflection coating is at least partially provided with a thiolate coating
  • the corrosion protection layer can crack due to thermal and / or mechanical stress.
  • Such cracks allow a corrosive gas, for example, H2S gas, to penetrate to the adhesive, to diffuse therethrough, and then to attack and ultimately corrode the reflective coating.
  • the cracks occur primarily at locations where an interface between the anticorrosion layer and the adhesive is established.
  • the thiolate coating can not prevent the formation of cracks in the anticorrosion layer.
  • the Thiolatbe ⁇ coating acts as an additional (in addition, since the corrosion protection layer is also present) corrosion protector for the reflection coating. This means that the thiolate coating has a corrosion protection function.
  • the technical advantage is thus brought about in particular that a reflectivity of the reflection coating is at least partially retained.
  • a thiol denotes a thiol alcohol, which is an organic ⁇ chemical compound that carries a called or more bound aliphatic or aromatic thiol groups, mercapto groups (-SH), ie functional groups.
  • a Thiolal ⁇ alcohol thus corresponds to an alcohol, the oxygen atom is replaced by a sulfur atom.
  • the general structure a thiol is: R-SH, where SH is referred to as the thiol group or the mercapto group, where R is a spacer for a molecule or a molecular chain, for example R is an organic molecule or an organic molecular chain.
  • a monolayer of RS thiolate
  • H2S thiolate
  • ⁇ an efficient corrosion protection
  • Important for an efficient corrosion protection is the condition of the surface, especially the binding of the thiol, and the coverage density. Both can, for example, by a previous cleaning and / or activation of the
  • an alkyl chain is linked to the thiol group.
  • R is, for example, an alkyl or alkoxy group or siloxane chain. Characterized compati bility ⁇ can be effected with the adhesive in an advantageous manner.
  • the length of the alkyl chain is for example 5 to
  • the alkyl chain is an octadecane such that the thiol is an octadecan-thiol.
  • This alkyl chain is In ⁇ play about 2 nm long for.
  • a length of the alkyl chain is preferably from 10 to 25, in particular from 15 to 20, carbon atoms, that is to say from 1 to 2.5 nm.
  • the adhesive is reflection particles for reflecting by means of having conductor chips emitted electromagnetic radiation.
  • the reflection particles efficiently reflect electromagnetic radiation which is emitted by means of the semiconductor chip in its operation is brought about.
  • this Reflection ⁇ onsp cause advantageously efficient reflection of the electromagnetic radiation emitted away from the wearer.
  • This compensates advantageously possible Ver ⁇ deterioration in the reflectivity of the reflective coating due to a degrading influence of a corrosive Ga ⁇ ses.
  • the reflection particles of the adhesive can not prevent a possible deterioration of the reflectivity of the reflection coating due to the degrading influence of a corrosive gas, but at least they can at least partially compensate for this possible deterioration.
  • the corrosion protection layer can crack due to thermal and / or mechanical stress.
  • Such cracks for example, allow a corrosive gas, for example, H2S gas, to penetrate to the adhesive, to diffuse therethrough, and then to attack and ultimately corrode the reflective coating.
  • the cracks occur primarily in places where an interface between the anticorrosive layer and the adhesive is established.
  • the reflection particles can not prevent such corrosion. Nevertheless, the provision of the reflection particles provides a minimum level of reflectivity, so that a minimum reflection of the electromagnetic radiation can be effected even if, in the extreme case, the entire reflection coating lying under the adhesive is corroded and thus can no longer efficiently reflect the electromagnetic radiation itself.
  • the color location of an electromagnetic radiation reflected by the corroded reflection coating can change in comparison to the electromagnetic radiation incident on the corroded reflection coating. That means in particular that the color point of the originally emitted by the semiconductor chips ⁇ electro magnetic radiation may shift due to a reflection from a corroded place of the reflection coating.
  • this color locus shift is at least partially compensated by the reflection particles, which always cause a minimum of reflectivity without color locus shift.
  • a possible Farbortver ⁇ shift due to corrosion falls significantly lower than when using an adhesive that is free of reflection ⁇ particles.
  • a reflective coating according to one embodiment comprises a silver layer and / or a layer comprising a silver alloy.
  • cover or “covered” includes in particular the words “coat” or “coated”.
  • a semiconductor chip is designed according to one embodiment as a light-emitting diode chip.
  • the LED chip is formed according to one embodiment as a volume emitter.
  • the adhesive at least partially covers an edge region surrounding the semiconductor chip.
  • the adhesive is thus over, so to speak the semiconductor chip over.
  • the anticorrosive layer is here then inter alia on the protruding adhesive, ie on the adhesive, which at least partially covers the edge area, ⁇ arranged.
  • the fact that the adhesive can survive may, for example, result from process engineering reasons. For example, when the semiconductor chip is pressed onto the chip mounting surface, adhesive is pressed out below the semiconductor chip.
  • the wording "at least indirectly covers” in particular ⁇ sondere includes the phrase “indirectly covered”, ie the case ⁇ layer play an indirect contact between the corrosion protection and the reflective coating.
  • the wording "at least indirectly covered” includes especially Formulie ⁇ rung “covered directly”, that is, for example, direct contact between the corrosion protection layer and the Reflection ⁇ onsbeSchichtung.
  • the coating Thiolatbe- is additionally formed between the reflective coating and the corrosion protection layer such that the Korro ⁇ sion protective layer, the reflective coating covers indirectly loading.
  • the reflective coating has a double corrosion protection: the thiolate coating and the corrosion protection layer.
  • the semiconductor chip has a bottom side and a bottom side opposite one another. de top, wherein the semiconductor chip is glued with its underside facing the chip mounting surface facing the thiolate coating, so that between the bottom and the thiolate coating one formed of adhesive and the bottom and the thiolate coating each at least partially, for example, completely (ie full surface), contacting adhesive layer is formed. That means in particular that the adhesive layer at the underside ⁇ least partially, in particular completely, covered or contacted. That means in particular that the adhesive layer ⁇ the Thiolatbe Anlagenung partially covered, if this is greater than the bottom, or that the adhesive layer which completely covers Thiolatbe harshung example, if this corresponds to the size of the bottom.
  • the adhesive comprises reflection particles
  • the technical advantage in particular that a reflection layer is formed immediately below the semiconductor chip , the adhesive layer comprising the reflection particles, so that the reflection ⁇ ⁇ layer efficiently by means of the semiconductor chip emit ⁇ reflected electromagnetic radiation.
  • the semiconductor chip is designed as a light-emitting diode chip designed as a volume emitter.
  • an adhesive layer Zvi ⁇ rule the underside of the semiconductor chip and the reflection coating is provided or formed, respectively, will include both the case of a full-surface, so complete, contact and the case of an incomplete contact.
  • exposed surfaces of the semiconductor chip and / or of the carrier are covered by means of the corrosion protection layer.
  • the semiconductor chip is electrically contacted by means of a bonding wire or by means of two bonding wires, wherein the bonding wire (s) is / are covered by the corrosion protection layer.
  • the carrier is formed as an element selected from the following group of carriers: leadframe, printed circuit board, ceramic carrier.
  • a leadframe can be referred to in German as a lead frame or lead frame.
  • an electronic component in particular an ESD protection diode connected in a circuit comprising the semiconductor chip, is also provided, which according to a further embodiment is covered at least indirectly by means of the corrosion protection layer.
  • the technical advantage is achieved that the electronic component can be efficiently protected against corrosive gases.
  • the wording "at least indirectly covers” in particular ⁇ sondere includes the phrase “indirectly covered”, ie to play ⁇ In an indirect contact between the corrosion protection layer and the electronic component.
  • the wording " least indirectly covered” includes especially Formulie ⁇ rung” covered directly ", that is, for example, direct contact between the corrosion protection layer and the electro ⁇ African component.
  • the electronic component by means of a white ⁇ direct adhesive is adhered to the support.
  • the additional adhesive material is ⁇ reflection particles according to the present invention formed according to an embodiment comprising exclusively like a glue.
  • Embodiments and advantages and technical ⁇ described specific effects that are made in connection with the adhesive which is used is, respectively, to bond the semiconductor chip ⁇ on the chip mounting surface, apply analogously to the other adhesive and vice versa. That means in particular, that the further adhesive comprises after exporting ⁇ approximate shape reflecting particles.
  • An adhesive according to this invention comprises silver particles in one embodiment. This means, in particular, that the adhesive is designed as a silver conductive adhesive.
  • the thiolate coating is additionally formed between the electronic component and the corrosion protection layer covering the electronic component, so that the corrosion protection layer indirectly covers the electronic component.
  • the corrosion protection layer comprises one or more inorganic layers, in particular Al 2 O 3 layer, SiO 2 layer, Si 3 N 4 layer, TiO 2 layer, ZnO layer, Ta 2 O 5 layer, Ge 3 N 4 layer, ZrO 2 layer.
  • the corrosion protection layer is thus formed, for example, as a layer stack or as a layer arrangement.
  • a thickness of the corrosion protective layer ⁇ between 5 nm and 100 nm.
  • an inorganic layer is deposited by a sputtering method respectively a PECVD method Respek ⁇ tive an ALD process.
  • ALD stands for
  • the reflective particles one or more elements selected from the following ⁇ the group of reflection particles include: titanium dioxide (Ti02) particles, aluminum oxide (A1203) particles, particles Si02, ZnO-particles, ZnS particles, BN particles.
  • the reflection particles are formed as white reflection particles.
  • the Refle ⁇ xionsp cause a white color impression.
  • Such reflection ⁇ particles can also be referred to as white reflection particles.
  • white reflection particles have the technical advantage that they can particularly efficiently reflect the emitted electromagnetic radiation and do not change a color locus of the emitted electromagnetic radiation.
  • a mass fraction of the reflection particles is in the range between 50% and 80%. In particular, the mass fraction is 70%, for example 73%.
  • the adhesive comprises one or more of the following materials or materials: silicone or siloxane-based materials, silicone epoxide, epoxy, acrylate.
  • the semiconductor chip is encapsulated or encapsulated by means of an encapsulation material.
  • the technical advantage has the effect that the semiconductor chip can be efficiently protected against mechanical damage.
  • the encapsulant includes one or more phosphors.
  • phosphors can also be referred to as a phosphor combination.
  • the encapsulation material comprises a silicone or a silicone-based material.
  • the phosphor or the plurality of phosphors are respectively embedded in the silicone, for example.
  • the optoelectronic component is manufactured by means of the method for producing an optoelectronic component is res ⁇ pective.
  • the thiolate coating is formed in such a way that the thiolate coating additionally exists between the reflection coating and the corrosive coating. sion protection layer is formed so that the corrosion ⁇ protective layer, the reflective coating covers indirectly.
  • the semiconductor chip has a bottom side and a bottom opposite ⁇ de top, wherein the semiconductor chip is turned with its bottom side of the chip mounting surface adhered to the Thiolatbe harshung so that one of between the bottom and the Thiolatbe harshung Adhesive formed and the bottom and the thiolate coating at least partially, for example, completely (ie, full surface), contacting adhesive layer is formed.
  • the adhesive layer at least partially, in particular completely, contacts or covers the underside. That means in particular that the adhesive layer the coating Thiolatbe ⁇ partially covered, if this is greater than the bottom, or that the adhesive layer coating the Thiolatbe ⁇ example, completely covered, if this corresponds to the size of the bottom.
  • the semiconductor chip has a bottom side and a bottom opposite ⁇ lying top, wherein the semiconductor chip is turned with its bottom side of the chip mounting surface adhered to the chip mounting surface, so that between the lower ⁇ side and the first contact portion a of adhesive ge ⁇ formed adhesive layer is formed.
  • the adhesive layer contacts the underside of the half ⁇ conductor chip over the entire surface, so touched.
  • an adhesive layer contacting the underside of the semiconductor chip over its entire area is formed.
  • Full surface signified ⁇ tet completely here.
  • exposed surfaces of the semiconductor chip and / or of the carrier are covered after gluing by means of the corrosion protection layer.
  • the semiconductor chip is electrically contacted by means of a bonding wire or by means of two bonding wires, wherein the bonding wire (s) is / are covered by the corrosion protection layer.
  • an electronic component in particular a switched into the semi-conductor chip ⁇ comprehensive circuit ESD protection diode, is provided, which is covered at least indirectly after bonding by means of the corrosion protection layer.
  • the Thiolatbe slaughterung is formed in such a manner is that the Thiolatbe Anlagen tract ⁇ additionally forms between the electronic component and the electronic component covering corrosion protection layer so that the corrosion protection layer the electrostatic ⁇ African component indirectly covered.
  • forming the thiolate coating comprises applying a thiol.
  • the application of the thiol, a dispensing of a solvent and / or spraying of a solvent and / or dipping the carrier in a solvent, wherein in the Lö ⁇ solvents the thiol is released, comprising for a predetermined time ,
  • This, for example, causes the technical advantage that the thiolate coating can be formed efficiently.
  • the application of the thiol comprises carrying out a chemical gas phase deposition process, in particular a chemical vapor deposition process under reduced pressure, for a predetermined time.
  • a chemical gas phase deposition process in particular a chemical vapor deposition process under reduced pressure
  • the phrase "for a predetermined period” includes a period between 2 minutes and 5 minutes. It involves, in particular, that a Thioltik from ⁇ is formed and evaporating the solvent. For example, then the layer with distilled or deioni ⁇ sêtm (DI) rinsed water and dipped twice for 1 min di-water at room temperature and then, for example, once more for 1 min at 70 ° C in di-water curing or Trock ⁇ tion of the thiol, for example, take place at 75 ° C for 30 min.
  • DI deioni ⁇ s Ofm
  • a temperature of the solvent is according to an embodiment between 35 ° C and 45 ° C, in particular 40 ° C.
  • Solvents can be derived, for example, from the group of the ethoxylated fatty alcohols, ie polyalkylene glycol ethers or fatty alcohol polyglycol ethers, for example isotridecyl alcohol polyoxyethylene ethers.
  • the solvent is part of a mixture comprising thiol (for example with a mass fraction of 25%) and water (for example with a mass fraction of 50%).
  • the solvent has, for example, a mass fraction of 25% in the mixture.
  • the reflection coating is at least partially cleaned and / or activated before forming the thiolate coating, for
  • Example by means of a plasma treatment or a wet chemical treatment This has the technical advantage, for example, that the thiolate coating adheres particularly well to the reflection coating.
  • the carrier is accommodated in a housing.
  • the housing has a cavity, wherein the chip mounting surface is arranged in a bottom region of the cavity.
  • res ⁇ pektive is a lateral surface of the cavity with the corrosion- ⁇ onstik lac provided.
  • the semiconductor chip can be efficiently ge ⁇ protects against damage by external mechanical influences.
  • the cavity can also advantageously form ei ⁇ nen optical reflector for the semiconductor chip in an advantageous manner.
  • the lateral surface is provided with a reflection coating, which is then covered in a further embodiment by means of a corrosion protection layer or is.
  • the cavity is at least partially, insbesonde ⁇ re complete, listed by the Verkapselungstechnikstoffs filled.
  • the semiconductor chip is encapsulated by means of an encapsulation material.
  • a thickness of the Thiolatbe ⁇ coating is at most 10 nm, for example up to 5 nm, examples For example, at most 2 nm, for example, between 0.5 nm to 5 nm.
  • the Thiolatbe a transmission for the light emitted by the semiconductor chips electromagnetic radiation of at least 90%, Example ⁇ at least 95%, for example at least 99%, on.
  • FIG. 2 shows a flow chart of a method for producing an optoelectronic component
  • Fig. 3 shows a second optoelectronic device
  • Fig. 4 shows a thiolate coating.
  • 1 shows a schematic, sectional side view of a first optoelectronic component 101.
  • the opto ⁇ electronic component 101 is, for example, a Leuchtdio ⁇ den component.
  • the optoelectronic device 101 includes a housing 103.
  • the housing 103 has a top surface 105 and one of the upper ⁇ side 105 opposite bottom 107.
  • the Gerissau ⁇ se 103 of the optoelectronic component 101 comprises a A housing frame 109 and a lead frame 111 embedded in the housing frame 109 as a support.
  • the optoelectronic component 101 thus comprises according to this embodiment ⁇ form a support which is formed as a lead frame.
  • the housing frame 109 has, for example, an electrically insulating plastic material, for example an epoxy resin ⁇ .
  • the housing frame 109 has, for example, a ceramic.
  • the housing frame 109 is produced, for example, by means of a molding process (molding process) or by means of a casting process.
  • the leadframe 111 may also be referred to as a leadframe.
  • the lead frame 111 comprises an electrically conductive material, for example a metal.
  • the lead frame 111 has copper. Copper offers the advantage of being very conductive both electrically and thermally.
  • the electrically conductive material is at least partially, in particular completely, with a Reflexionsbeschich- tung 135 coated, for example with silver, which is nachfol ⁇ quietly further explained in connection with a first and second electrical contact portion.
  • the electrically conductive material is at least partially, in particular completely, coated with silver or a silver-based alloy.
  • the lead frame 111 has an upper side 113 and an upper side 115 opposite the upper side 115.
  • the upper ⁇ page 113 of the leadframe 111 is, for example, at least partially, in particular completely, by means of the reflection coating 135 coated.
  • the reflective coating 135 comprises, for example silver, inasmuch as the Reflexionsbe ⁇ coating 135 according to one embodiment, a silver layer.
  • the lead frame 111 is divided into an electrically conductive first contact portion 117 and an electrically conductive second contact portion 119.
  • the first contact portion 117 and the second contact portion 119 are body-shaped. lent separated and electrically isolated from each other.
  • the contact portions 117, 119 may also be referred to as ladder ⁇ frame sections.
  • the reflection coating 135 is, for example, a silver layer.
  • the contact portions 117, 119 of the lead frame 111 are embedded in the housing frame 109 such that both the top surface 113 and the bottom surface 115 of the lead frame 111 are partially covered by the material of the housing frame 109.
  • Untersei ⁇ te 115 of the lead frame 111 is partially covered by the material of the housing frame 109th
  • Both the first contact portion 117 and the second contact portion 119 of the lead frame 111, the respective top 113 is partially covered by the material of the Ge Reifenah ⁇ mens 109 and partially uncovered.
  • the housing 103 of the optoelectronic component 101 has a cavity 121 on its upper side 105.
  • the cavity 121 is formed as a recess in the housing frame 109.
  • At the top 105 of the housing 103 includes at 121 ⁇ play, a circular disc-shaped or rectangular cross-section gene on the cavity. 1, the cavity 121, starting from the upper side 105 of the housing 103, tapers like a truncated pyramid.
  • the cavity 121 has, according to an embodiment, not shown, a cylindrical shape or another shape.
  • the cavity 121 of the housing 103 of the optoelectronic component ⁇ construction 101 has a bottom portion 123 and a circumferential wall 125.
  • the wall 125 is supported by the material of the housing. formed frame 109.
  • the wall 125 forms a lateral surface of the cavity 121.
  • the wall 125 of the cavity 121 of the Gezzau ⁇ ses 103 of the optoelectronic component 101 is in one embodiment a reflector. Such a reflector is used in particular to bundle emitted from the opto-electronic element 101 Bauele ⁇ electromagnetic radiation.
  • the lateral surface 125 or the wall of the cavity 121 is coated with the reflective coating 135 according to one embodiment.
  • the upper side of the first contact section 117 additionally has the reference numeral 113a.
  • the top of the second contact ⁇ section 119 additionally has the reference numeral 113b.
  • the upper side 113a of the first contact section 117 thus forms a chip mounting surface 153, as will be explained below.
  • the optoelectronic component 101 further comprises an optoelectronic semiconductor chip 127 or, in an embodiment not shown, a plurality of optoelectronic semiconductor chips.
  • the optoelectronic component may comprise one or more ESD protection diodes have (not shown in Fig. 1) zusharm ⁇ Lich in a further embodiment not shown.
  • the optoelectronic semiconductor chip 127 (or the chips) is, for example, a light-emitting diode chip (LED chip).
  • the optoelectronic semiconductor chip 127 has an upper side 129 and a lower side 131 opposite the upper side 129.
  • the opposite Au ⁇ hrs. 147 and the top 129 of the optoelectronic semiconductor chip 127 form, for example, a radiation emitting surface of the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip 127.
  • the optoelectronic semiconductor chip 127 is formed, for example, electromag ⁇ genetic on its outer surfaces radiation, for example visible light, ERS - to radiate or to emit.
  • the semiconductor chip 127 is thus designed as a volume emitter.
  • Two electrical contact surfaces are formed (not ge ⁇ shows) at the top 129 of the optoelectronic semiconductor chips 127, which are hereinafter referred to as first electrical ⁇ chip contact area, and as a second electrical chip contact surface.
  • An electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip 127 is made possible via the two electrical chip contact surfaces.
  • two bonding wires 133 are provided in the application example. The two bonding wires 133 respectively contact the first electrically conductive chip contact surface and the second
  • An electrical current can be applied to the optoelectronic semiconductor chip 127 via the two electrical contact surfaces in order to cause the optoelectronic semiconductor chip 127 to emit electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor chip 127 is arranged in the cavity 121 of the housing 103 of the optoelectronic component 101.
  • the optoelectronic semiconductor ⁇ chip 127 is disposed with its bottom 131 in the bottom region 123 of the cavity 121 on the chip mounting surface 153rd In the exemplary embodiment according to FIG. 1, the first contact
  • the carrier in this case the lead frame 111 has a chip mounting surface 153, which is coated by means of a reflection coating 135.
  • the bottom 131 of the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip 127 of the top faces 113a of the first section Kunststoffab ⁇ 117th
  • the top 129 of the semiconductor chips 127 is the top away 113a of the first Greab ⁇ -section 117 of the lead frame 111th
  • the respective upper side 113a, b of the two contact sections 117, 119 is at least partially, in particular completely, provided with the reflection coating 135.
  • the optoelectronic semiconductor chip 127 is glued on the top surface 113a of the first contact portion 117 by an adhesive 137 on the top 113 of the Chipmontageflä ⁇ surface 153, that is according to Example in FIG. 1.
  • the bottom 131 of the semiconductor chip 127 and the upper surface 113a of the first contact portion 117 is an adhesive material layer formed ⁇ 139 of adhesive 137th
  • a thiolate coating 155 is formed.
  • the thiolate coating 155 is in direct contact with the reflection coating 135.
  • the reflection coating 135 is therefore partially provided with the thiolate coating 155.
  • the adhesive layer 139 thus contacts both the thiolate ⁇ coating 155 and the bottom 131 of the semiconductor chip 127.
  • the semiconductor chip 127 is thus glued to the Thiolatbe Anlagenung 155 by the adhesive 137th
  • the adhesive 137 comprises a plurality of reflection particles 141 for reflecting electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip 127. Due to the reflection particles 141, which are covered by the adhesive 137, the adhesive layer comprises 139 also Re ⁇ flexionsp motherboard 141.
  • the adhesive layer 139 comprising Re ⁇ flexionsp
  • the bottom 131 of the semiconductor chip ⁇ 127 is fully kon ⁇ clocked by the adhesive layer 139.
  • the reflective particles 141 are formed, for example, as white Refle ⁇ xionspiser.
  • the Reflection ⁇ onspiser 141 include titanium dioxide particles and / or Alumini ⁇ umoxidpiser.
  • the bonding wires 133 are formed in one embodiment of silver or a silver-based alloy. In a further embodiment, the bonding wires 113 are coated by means of a corrosion protection layer, as described below.
  • the optoelectronic device 101 further comprises an organic coating on ⁇ 143 as a corrosion protection layer.
  • the inorganic coating 143 is applied in particular to the following elements: the top side 105 of the housing 103, the lateral surface 125 of the cavity 121, the reflection coating 135 down to the region on which the thiolate coating 155 or the adhesive layer 139 or the semiconductor chip 127, is the top 129 of the semiconductor chip 127, the bonding wires 133, opposed Be ⁇ tenflanken 147 of the semiconductor chip 127th
  • the cavity 121 is filled by means of a potting 145.
  • the encapsulation 145 can also be used as an encapsulant be ⁇ records.
  • the semiconductor chip 127 is encapsulated by means of the encapsulation 145.
  • the potting 145 thus embeds in particular the semiconductor chip 127 and in particular the bonding wires 133.
  • the potting 145 is preferably made of egg ⁇ nem material or a material which, respectively, which at least partially, in particular completely, translucent or transparent for the electromagnetic radiation.
  • the potting 145 includes, for example, an epoxy resin.
  • the potting 145 includes, for example, a silicone.
  • the potting 145 includes, for example, a silicone-containing hybrid material. Potting 145 includes, for example, a silicone particulate filled or epoxy or silicone-containing hybrid material.
  • Such cracks can cause a corrosive gas, for example H2S gas, to reach the respective upper side 113a, b of the two contact sections 117, 119 and there corrode the reflection coating 135.
  • a corrosive gas for example H2S gas
  • Such a corrosive gas may diffuse through the potting 145.
  • Such cracks mainly occur in the area of the interface between the adhesive layer 139 and the anticorrosion layer 143 or have a particularly disadvantageous effect there.
  • the inorganic coating 143 includes, for example, Al 2 O 3 and / or SiO 2 and / or Si 3 N 4.
  • a thickness of the inorganic coating 143 is for example between 5 nm and 100 nm.
  • the inorganic coating 143 (dung plasma enhanced chemical Gasphasenabschei-) with ⁇ means of a sputtering method, respectively, of a PECVD method, respectively, an ALD process is atomic layer deposition () applied.
  • ALD stands for "Atomic Layer Deposition” and is translated with atomic layer deposition.
  • PECVD stands for "Plasma-enhanced chemical vapor deposition” and is translated with plasma-enhanced chemical vapor deposition.
  • the provision of the reflection particles 141 results in a minimum reflectivity for the emitted electromagnetic energy
  • the reflective coating 135 of the first contact portion 117 is thus in a first section 149, which is be ⁇ covered by the semiconductor chip 127 and adhesive layer 139, and is divided into a second section 151, which is free of the semiconductor chip 127th
  • the first portion 149 of the reflective coating 135 is provided with the thiolate coating 155.
  • the second section 151 of the reflection coating 135 is free of the thiolate coating 155.
  • the second subsection of the reflection coating 135 is provided with the thiolate coating 155. That is, for example, the reflection coating 135 is completely provided with the thiolate coating 155.
  • Fig. 2 shows a flow diagram of a method herstel ⁇ len an optoelectronic component.
  • the method comprises the following steps:
  • Providing 201 of a chip mounting surface ⁇ have the carrier, wherein the chip mounting surface has a reflection coating,
  • the reflective coating is at least partially provided with a thiolate coating 203
  • a reflection coating at least indirectly covering, different from the thiolate coating corrosion protection layer is formed 207.
  • an ESD protection diode is glued to the carrier and electrically contacted.
  • the inorganic coating is applied.
  • the bonding wire (s) are also covered by the corrosion protection layer in one embodiment.
  • the upper surface 113a of the first contact portion 117 formed a chip mounting surface.
  • the lead frame 111 in addition to the first and second contact portion 117, 119 has a third portion.
  • An electrical contacting of the semiconductor chip 127 is formed in this embodiment by means of the bonding wires 133, which produce an electrical connection from the contact sections 117, 119 to the semiconductor chip 127.
  • the thiolate coating 155 is provided between the adhesive layer 139 and the reflective coating 135.
  • FIG. 3 shows a second optoelectronic component 301.
  • the device 301 includes a carrier 303.
  • the carrier 303 is formed as a ceramic substrate.
  • the carrier 303 is thus formed from a ceramic.
  • the carrier has an upper side 305 and a lower side 307, which is opposite to the upper side 305.
  • a first metallization 309 and a second metallization 311 are applied, which are electrically insulated from one another.
  • a third metallization 313 and a fourth metallization 315 are applied, which are electrically isolated from one another.
  • electrically conductive interconnected For example, electrical vias, so-called “vias”, are provided in order to connect the corresponding metallizations of the top and bottom sides in an electrically conductive manner.
  • the four metallizations 309, 311, 313, 315 are formed, for example, from silver or a silver-containing alloy.
  • the top 305 of the carrier 303 forms a Chipmontageflä ⁇ surface 317 for an optoelectronic semiconductor chip 321.
  • the first metallization 309 is provided with a reflective coating 135th That is, the chip mounting surface 317 is indirectly coated with the reflective coating 135.
  • the second metallization 311 may also be provided with a reflection coating.
  • the semiconductor chip 321 has an upper side 323 and a lower side 325 opposite the upper side 323.
  • the half ⁇ semiconductor chip 321 is glued ge ⁇ with its bottom side 325 facing away from one of the top 305 of the carrier 303, upper surface 327 of the reflective coating 135 by an adhesive 329th
  • the adhesive 329 has reflective particles 141 for re ⁇ flex of emitted by the semiconductor chips 321 of electromagnetic radiation.
  • an adhesive layer 139 of adhesive 329 is formed between the terseite 325 of the semiconductor chip 321 and the top 327 of the reflective coating 135, an adhesive layer 139 of adhesive 329 is formed.
  • the underside 325 of the semiconductor chip 321 is completely, ie, the entire surface, contacted by the adhesive layer 139.
  • Thiolatbe Anlagen 155 Between the adhesive layer 139 and the reflection coating 135 is formed a Thiolatbe Anlagen 155 analogous to that shown in Fig. 1 ⁇ execution example.
  • the thiolate coating 155 is in direct contact with the reflection coating 135.
  • the reflection coating 135 is therefore partially provided with the thiolate coating 155.
  • the adhesive layer 139 thus contacts both the thiolate coating 155 and the underside 325 of the semiconductor chip 321.
  • the semiconductor chip 321 is thus bonded to the thiolate coating 155 by means of the adhesive 329.
  • the semiconductor chip 321 is contacted electrically by means of two bonding wires 133 on its upper side 323.
  • One of the bonding wires 133 forms an electrical connection between a not illustrated first electrical chip contact area on the top surface 323 of the semiconductor chip 321 and the first metallization ⁇ tion 309.
  • the other of the bonding wires 133 forms an electrical ⁇ specific connection between a not shown second electrical chip contact surface on the upper side 323 of the semiconductor chip 321 and the second metallization 311.
  • the reflection coating 135 is thus subdivided into a first subsection 149, which is covered by the semiconductor chip 321 or adhesive layer 139, and into a second subsection 151, which is free of the semiconductor chip 321.
  • the metallization 311 may for example also be formed as a reflection coating.
  • the first portion 149 of the reflective coating 135 is provided with the thiolate coating 155.
  • the second section 151 of the reflection coating 135 is free of the thiolate coating 155.
  • the second subsection of the reflection coating 135 is provided with the thiolate coating 155. That is, for example, the reflection coating 135 is completely provided with the thiolate coating 155.
  • an inorganic coating 143 is provided as a corrosion protection layer which covers at least the following elements: exposed surfaces of the carrier 303 and the two, respectively
  • a potting 333 is provided, which can also be referred to as an encapsulation material.
  • the semiconductor ⁇ chip 321 and the bonding wires 133 are encapsulated by the Vergus ⁇ ses 333rd
  • the encapsulation 333 thus embeds in particular the semiconductor chip 321 and in particular the bonding wires 133.
  • the potting 333 is preferably made of a material or a material which which is for the electro-magnetic radiation ⁇ at least partially, in particular fully ⁇ continuously, translucent or transparent, respectively.
  • the potting 333 includes, for example, an epoxy resin.
  • the potting 333 includes, for example, a silicone.
  • the potting 333 includes, for example, a silicone-containing hybrid material.
  • the encapsulation 333 comprises, for example, a non-phosphorus-filled silicone or epoxy or silicone-containing hybrid material.
  • Ver ⁇ cast 333 has a rectangular shape.
  • the casting of a kuppelar ⁇ term form In the example shown in Figure 3 embodiment of the Ver ⁇ cast 333 has a rectangular shape.
  • the carrier consists of a printed circuit board.
  • the carrier consists of a metallic lead frame.
  • the metallization is the lead frame itself.
  • FIG. 4 shows a thiolate coating 401 in a schematically simplified representation.
  • the Thiolatbe Anlagenung 401 is formed on a surface 403 ei ⁇ nes base body 405th
  • the surface 403 has, for example, a reflection coating.
  • the illustration of the thiolate coating 401 shown in FIG. 4 exemplifies the thiolate coating 155 according to the embodiments shown in FIGS. 1 and 3. This means in particular that the surface 403 can be the surface of the reflection coating 135.
  • the Thiolatbe Anlagen 401 includes a monolayer of pivoting felatomen ⁇ (S) 407.
  • the monolayer of sulfur atoms 407 is immediately flexionsbetikung on the surface 403, and in particular the re formed.
  • the thiolate coating 401 further comprises several molecular chains, for example alkyl chains, each attached to a sulfur atom 407.
  • Thiolatbe Anlagen 401 is a more efficient and more effective corrosion protection against corrosive gases for the surface 403, especially for a Reflexionsbe ⁇ coating is provided. Corrosive gases can thus attack only to a reduced extent or not at the surface 403 and corrode them.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, umfassend: einen Träger aufweisend eine Chipmontagefläche, wobei die Chipmontagefläche eine Reflexionsbeschichtung aufweist, wobei die Reflexionsbeschichtung zumindest teilweise mit einer Thiolatbeschichtung versehen ist, wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip mittels eines Klebstoffs auf der Thiolatbeschichtung geklebt ist, wobei eine die Reflexionsbeschichtung zumindest mittelbar bedeckende, von der Thiolatbeschichtung verschiedene Korrosionsschutzschicht gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.

Description

OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 111 566.5, deren Offenbarungsge¬ halt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Träger für optoelektronische Halbleiterchips weisen üblicher- weise eine Chipmontagefläche auf, auf welcher ein optoelekt¬ ronischer Halbleiterchip geklebt ist. Um mittels des opto¬ elektronischen Halbleiterchips emittierte elektromagnetischer Strahlung effizient weg vom Träger zu reflektieren, ist zum Beispiel vorgesehen, dass die Chipmontagefläche eine Reflexi- onsbeschichtung aufweist, auf welcher der Halbleiterchip geklebt ist. Die Reflexionsbeschichtung ist zum Beispiel eine SilberbeSchichtung .
Die Reflexionsbeschichtung kann aber zum Beispiel unter Ein- fluss von korrosiven Gasen, zum Beispiel H2S-Gas, aufgrund von Korrosion degradieren und ihre ursprüngliche Farbe ändern. Eine Silberschicht verändert zum Beispiel unter dem Einfluss von H2S-Gas ihre Farbe von einem spiegelnden metal¬ lischen Silber zu einer dunkleren Farbe. Aufgrund dieser Farbveränderung nimmt eine Reflektivität einer korrodierten
Reflexionsbeschichtung ab. Da die Reflektivität sich abhängig von der Wellenlänge unterschiedlich verändert oder degra¬ diert, kann sich auch die Farbe des reflektierten Lichts ge¬ genüber dem auf die korrodierte Reflexionsbeschichtung ein- fallenden Licht verändern. Somit kann sich der Farbort des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts gegenüber dem nicht-korrodierten Bauelements verändern. Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist daher darin zu sehen, ein Konzept bereitzustellen, welches eine effiziente und insbesondere farbstabilere Reflektivität von mittels eines optoelektronischen Halbleiterchips emittierter elektro- magnetischer Strahlung ermöglicht.
Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der un¬ abhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprü- chen.
Nach einem Aspekt wird ein optoelektronisches Bauelement be¬ reitgestellt, umfassend:
- einen Träger aufweisend eine Chipmontagefläche,
- wobei die Chipmontagefläche eine Reflexionsbeschichtung aufweist,
- wobei die Reflexionsbeschichtung zumindest teilweise mit einer Thiolatbeschichtung versehen ist,
- wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip mittels eines Klebstoffs auf der Thiolatbeschichtung geklebt ist,
- wobei eine die Reflexionsbeschichtung zumindest mittelbar bedeckende, von der Thiolatbeschichtung verschiedene Korrosionsschutzschicht gebildet ist. Nach einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt, umfas¬ send die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines eine Chipmontagefläche aufweisenden Trägers, wobei die Chipmontagefläche eine Reflexionsbe- Schichtung aufweist,
- wobei die Reflexionsbeschichtung zumindest teilweise mit einer Thiolatbeschichtung versehen wird,
- wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip mittels eines Klebstoffs auf die Thiolatbeschichtung geklebt wird,
- wobei eine die Reflexionsbeschichtung zumindest mittelbar bedeckende, von der Thiolatbeschichtung verschiedene Korrosionsschutzschicht gebildet wird. Es hat sich gezeigt, dass durch thermischen und/oder mechanischen Stress die Korrosionsschutzschicht Risse bekommen kann. Durch solche Risse kann zum Beispiel ein korrosives Gas, zum Beispiel H2S-Gas, bis zum Klebstoff vordringen, durch diesen durchdiffundieren und dann die Reflexionsbeschichtung angreifen und letztlich korrodieren. Die Risse treten vornehmlich an Orten auf, an denen sich eine Grenzfläche zwischen der Korrosionsschutzschicht und dem Klebstoff einstellt.
Die Thiolatbeschichtung kann zwar das Bilden der Risse in der Korrosionsschutzschicht nicht verhindern. Doch die Thiolatbe¬ schichtung wirkt als ein zusätzlicher (zusätzlich, da ja die Korrosionsschutzschicht ebenfalls vorhanden ist) Korrosions- schütz für die Reflexionsbeschichtung . Das heißt, dass die Thiolatbeschichtung eine Korrosionsschutzfunktion aufweist.
Das heißt also insbesondere, dass durch das Vorsehen einer Thiolatbeschichtung für zumindest den Abschnitt der Reflexi- onsbeschichtung, auf welchen der Halbleiterchip geklebt wird, ein effizienter Korrosionsschutz vor korrosiven Gasen, zum Beispiel ein H2S-Gas, für den Abschnitt der Reflexionsbe¬ schichtung bereitgestellt wird, der mittels des Halbleiter¬ chips bedeckt ist, also auf welchem der Halbleiterchip ge- klebt ist.
Durch das Vorsehen des Korrosionsschutzes für den Abschnitt der Reflexionsbeschichtung, auf welchem der Halbleiterchip geklebt ist, wird somit insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Reflektivität der Reflexionsbeschichtung zumindest teilweise erhalten bleibt.
Ein Thiol bezeichnet einen Thiolalkohol , der eine organisch¬ chemische Verbindung ist, die eine oder mehrere aliphatisch oder aromatisch gebundene Thiolgruppen, auch Mercaptogruppen genannt (-SH) , also funktionelle Gruppen, trägt. Ein Thiolal¬ kohol entspricht somit einem Alkohol, dessen Sauerstoffatom durch ein Schwefelatom ersetzt ist. Die allgemeine Struktur eines Thiols ist: R-SH, wobei SH als die Thiolgruppe oder die Mercaptogruppe bezeichnet wird, wobei R ein Platzhalter für ein Molekül oder eine Molekülkette ist, zum Beispiel steht R für ein organisches Molekül oder eine organische Molekülket- te .
Durch das Aufbringen eines Thiols auf eine Oberfläche, bildet sich eine Monolage R-S (Thiolat) auf der Oberfläche aus. Die¬ se Monolage bewirkt, dass keine weiteren Moleküle, beispiels- weise H2S, mit der Oberfläche reagieren können, so dass hier¬ über ein effizienter Korrosionsschutz bereitgestellt werden kann. Wichtig für einen effizienten Korrosionsschutz ist die Beschaffenheit der Oberfläche, speziell die Anbindung des Thiols, und die Belegungsdichte. Beides kann beispielsweise durch eine vorhergehende Reinigung und/oder Aktivierung der
Oberfläche verbessert werden, was gemäß einer Ausführungsform so vorgesehen ist respektive wird.
Nach einer Ausführungsform ist eine Alkylkette mit der Thi- olgruppe verbunden.
R ist beispielsweise eine Alkyl- oder Alkoxy-Gruppe oder Si- loxan-Kette. Dadurch kann in vorteilhafter Weiseeine Kompati¬ bilität mit dem Klebstoff bewirkt werden.
Die Länge der Alkylkette beträgt beispielsweise 5 bis
50 Einheiten, was etwa 0,5 nm bis etwa 5 nm entspricht.
Zum Beispiel ist die Alkylkette ein Octadecan, so dass das Thiol ein Octadecan-thiol ist. Diese Alkylkette ist zum Bei¬ spiel etwa 2 nm lang.
Vorzugsweise beträgt eine Länge der Alkylkette 10 bis 25, insbesondere 15 bis 20, Kohlenstoffatome, also um die 1 bis 2,5 nm.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Klebstoff Reflexionspartikel zum Reflektieren von mittels des Halb- leiterchips emittierter elektromagnetischer Strahlung aufweist.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die Reflexionspartikel effizient elektromagnetische Strahlung reflektieren, die mittels des Halbleiterchips in seinem Betrieb emittiert wird. Somit bewirken diese Reflexi¬ onspartikel in vorteilhafter Weise eine effiziente Reflexion der emittierten elektromagnetischen Strahlung weg vom Träger. Dies kompensiert in vorteilhafter Weise eine mögliche Ver¬ schlechterung der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung aufgrund eines degradierenden Einflusses eines korrosiven Ga¬ ses . Das heißt also, dass die Reflexionspartikel des Klebstoffs zwar eine mögliche Verschlechterung der Reflektivität der Re- flexionsbeschichtung aufgrund des degradierenden Einflusses eines korrosiven Gases nicht verhindern können, doch zumindest können sie diese mögliche Verschlechterung zumindest teilweise kompensieren.
Es hat sich, wie vorstehend bereits beschrieben, gezeigt, dass durch thermischen und/oder mechanischen Stress die Korrosionsschutzschicht Risse bekommen kann. Durch solche Risse kann zum Beispiel ein korrosives Gas, zum Beispiel H2S-Gas, bis zum Klebstoff vordringen, durch diesen durchdiffundieren und dann die Reflexionsbeschichtung angreifen und letztlich korrodieren. Die Risse treten vornehmlich an Orten auf, an denen sich eine Grenzfläche zwischen der Korrosionsschutz- schicht und dem Klebstoff einstellt.
Die Reflexionspartikel können zwar eine solche Korrosion nicht verhindern. Dennoch wird durch das Vorsehen der Reflexionspartikel ein Mindestmaß an Reflektivität bereitgestellt, so dass eine Mindestreflexion der elektromagnetischen Strahlung auch dann bewirkt werden kann, wenn im Extremfall die gesamte unter dem Klebstoff liegende Reflexionsbeschichtung korrodiert ist und somit selbst nicht mehr effizient die elektromagnetische Strahlung reflektieren kann.
Ferner hat es sich gezeigt, dass sich aufgrund einer solchen Korrosion der Farbort einer mittels der korrodierten Reflexi- onsbeschichtung reflektierten elektromagnetischen Strahlung im Vergleich zu der auf die korrodierte Reflexionsbeschich- tung einfallende elektromagnetische Strahlung verändern kann. Das heißt also insbesondere, dass sich der Farbort der ur- sprünglich mittels des Halbleiterchips emittierten elektro¬ magnetischen Strahlung aufgrund einer Reflexion an einem korrodierten Ort der Reflexionsbeschichtung verschieben kann. Diese Farbortverschiebung wird aber in vorteilhafter Weise durch die Reflexionspartikel, die stets ein Mindestmaß an Re- flektivität ohne Farbortverschiebung bewirken, zumindest teilweise kompensiert. Somit fällt eine mögliche Farbortver¬ schiebung aufgrund einer Korrosion deutlich geringer aus als bei der Verwendung eines Klebstoffs, der frei von Reflexions¬ partikeln ist.
Somit kann in vorteilhafter Weise das optoelektronische Bau¬ element auch in Umgebungen eingesetzt werden, die korrosive Gase aufweisen. Eine Reflexionsbeschichtung umfasst nach einer Ausführungsform eine Silberschicht und/oder eine eine Silberlegierung aufweisende Schicht.
Die Formulierung „bedecken" oder „bedeckt" umfasst insbeson- dere die Formulierung „beschichten" oder „beschichtet".
Ein Halbleiterchip ist nach einer Ausführungsform als ein Leuchtdiodenchip ausgebildet. Der Leuchtdiodenchip ist nach einer Ausführungsform als ein Volumenemitter ausgebildet.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Klebstoff zumindest teilweise einen um den Halbleiterchip umlaufenden Randbereich bedeckt. Der Klebstoff steht somit sozusagen über den Halbleiterchip über. Die Korrosionsschutzschicht ist hier dann unter anderem auf dem überstehenden Klebstoff, also auf dem Klebstoff, der den Randbereich zumindest teilweise be¬ deckt, angeordnet.
Dass der Klebstoff überstehen kann, kann zum Beispiel aus prozesstechnischen Gründen resultieren. Beispielsweise wird beim Andrücken des Halbleiterchips auf die Chipmontagefläche Klebstoff unter dem Halbleiterchip herausgedrückt.
Der überstehende Klebstoff ist insbesondere mittels der Kor¬ rosionsschutzschicht bedeckt oder versehen.
Die Formulierung „zumindest teilweise" umfasst insbesondere die Formulierung „vollständig".
Die Formulierung „zumindest mittelbar bedeckt" umfasst insbe¬ sondere die Formulierung „mittelbar bedeckt", also zum Bei¬ spiel einen indirekten Kontakt zwischen der Korrosionsschutz- schicht und der Reflexionsbeschichtung . Die Formulierung „zumindest mittelbar bedeckt" umfasst insbesondere die Formulie¬ rung „unmittelbar bedeckt", also zum Beispiel einen direkten Kontakt zwischen der Korrosionsschutzschicht und der Reflexi¬ onsbeSchichtung .
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Thiolatbe- schichtung zusätzlich zwischen der Reflexionsbeschichtung und der Korrosionsschutzschicht gebildet ist, so dass die Korro¬ sionsschutzschicht die Reflexionsbeschichtung mittelbar be- deckt.
Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Reflexionsbeschichtung einen doppelten Korrosionsschutz aufweist: Die Thiolatbeschichtung und die Korrosions- Schutzschicht.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip eine Unterseite und eine der Unterseite gegenüberliegen- de Oberseite aufweist, wobei der Halbleiterchip mit seiner Unterseite der Chipmontagefläche zugewandt auf der Thiolatbe- schichtung geklebt ist, so dass zwischen der Unterseite und der Thiolatbeschichtung eine aus Klebstoff gebildete und die Unterseite und die Thiolatbeschichtung jeweils zumindest teilweise, beispielsweise vollständig (also vollflächig) , kontaktierende KlebstoffSchicht gebildet ist. Das heißt also insbesondere, dass die KlebstoffSchicht die Unterseite zumin¬ dest teilweise, insbesondere vollständig, kontaktiert oder bedeckt. Das heißt also insbesondere, dass die Klebstoff¬ schicht die Thiolatbeschichtung teilweise bedeckt, wenn diese größer ist als die Unterseite, oder dass die KlebstoffSchicht die Thiolatbeschichtung beispielsweise vollständig bedeckt, wenn diese der Größe der Unterseite entspricht.
Sofern der Klebstoff gemäß einer Ausführungsform Reflexionspartikel aufweist, wird dadurch insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass unmittelbar unterhalb des Halbleiter¬ chips eine Reflexionsschicht gebildet ist, die Klebstoff- schicht umfassend die Reflexionspartikel, so dass die Refle¬ xionsschicht effizient die mittels des Halbleiterchips emit¬ tierte elektromagnetische Strahlung reflektieren kann. Dies ist zum Beispiel von besonderem Vorteil, wenn der Halbleiterchip als ein als Volumenemitter ausgebildeter Leuchtdioden- chip ausgebildet ist.
Aufgrund von Prozesstoleranzen kann es vorkommen, dass die Klebstoffschicht die Unterseite des Halbleiterchips unvoll¬ ständig, also nicht vollflächig, bedeckt oder kontaktiert. Die allgemeine Formulierung, dass eine Klebstoffschicht zwi¬ schen der Unterseite des Halbleiterchips und der Reflexions- beschichtung vorgesehen oder gebildet ist respektive wird, umfasst sowohl den Fall einer vollflächigen, also vollständigen, Kontaktierung als auch den Fall einer unvollständigen Kontaktierung. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass frei liegende Oberflächen des Halbleiterchips und/oder des Trägers mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt sind. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass auch die frei liegenden Oberflächen effizient gegen korrosive Gase geschützt werden können.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiter- chip mittels eines Bonddrahts oder mittels zweier Bonddrähte elektrisch kontaktiert ist, wobei der oder die Bonddrähte mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt ist respektive sind . Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass auch der oder die Bonddrähte effizient gegen korrosive Gase geschützt werden kann respektive können.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Träger als ein Element ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Trägern ausgebildet ist: Leadframe, Leiterplatte, Keramikträger. Ein Leadframe kann im Deutschen auch als Leiterrahmen oder Anschlussrahmen bezeichnet werden. In einer Ausführungsform ist ferner ein elektronisches Bauteil, insbesondere eine in einen den Halbleiterchip umfassenden Stromkreis geschaltete ESD-Schutzdiode, vorgesehen, das nach einer weiteren Ausführungsform mittels der Korrosionsschutzschicht zumindest mittelbar bedeckt ist.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das elektronische Bauteil effizient gegen korrosive Gase geschützt werden kann. Die Formulierung „zumindest mittelbar bedeckt" umfasst insbe¬ sondere die Formulierung „mittelbar bedeckt", also zum Bei¬ spiel einen indirekten Kontakt zwischen der Korrosionsschutzschicht und dem elektronischen Bauteil. Die Formulierung „zu- mindest mittelbar bedeckt" umfasst insbesondere die Formulie¬ rung „unmittelbar bedeckt", also zum Beispiel einen direkten Kontakt zwischen der Korrosionsschutzschicht und dem elektro¬ nischen Bauteil.
Zum Beispiel ist das elektronische Bauteil mittels eines wei¬ teren Klebstoffs auf dem Träger geklebt. Der weitere Kleb¬ stoff ist nach einer Ausführungsform wie ein Klebstoff umfassend Reflexionspartikel gemäß der vorliegenden Erfindung aus- gebildet. Ausführungen und beschriebene Vorteile und techni¬ sche Effekte, die im Zusammenhang mit dem Klebstoff gemacht sind, der verwendet wird respektive ist, um den Halbleiter¬ chip auf die Chipmontagefläche zu kleben, gelten analog für den weiteren Klebstoff und umgekehrt. Das heißt also insbe- sondere, dass auch der weitere Klebstoff nach einer Ausfüh¬ rungsform Reflexionspartikel umfasst.
Ein Klebstoff im Sinne dieser Erfindung umfasst nach einer Ausführungsform Silberpartikel. Das heißt insbesondere, dass der Klebstoff als ein Silberleitkleber ausgebildet ist.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Thiolatbe- schichtung zusätzlich zwischen dem elektronischen Bauteil und der das elektronische Bauteil bedeckenden Korrosionsschutz- schicht gebildet ist, so dass die Korrosionsschutzschicht das elektronische Bauteil mittelbar bedeckt.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Korrosionsschutzschicht eine oder mehrere anorganische Schichten, insbesondere A1203-Schicht , Si02-Schicht , Si3N4-Schicht , Ti02-Schicht, ZnO-Schicht, Ta205-Schicht , Ge3N4-Schicht , Zr02-Schicht , umfasst.
Die Korrosionsschutzschicht ist also beispielsweise als ein Schichtenstapel oder als eine Schichtanordnung gebildet.
In einer Ausführungsform beträgt eine Dicke der Korrosions¬ schutzschicht zwischen 5 nm und 100 nm. Zum Beispiel wird eine anorganische Schicht mittels eines Sputter-Verfahrens respektive eines PECVD-Verfahrens respek¬ tive eines ALD-Verfahrens aufgebracht. "ALD" steht für
"Atomic Layer Deposition" und wird mit Atomlagenabscheidung übersetzt. "PECVD" steht für "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition" und wird mit plasmaunterstützte chemische Gaspha- senabscheidung übersetzt. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Reflexionspartikel ein oder mehrere Elemente ausgewählt aus der folgen¬ den Gruppe von Reflexionspartikeln umfassen: Titandioxid (Ti02) -Partikel, Aluminiumoxid (A1203 ) -Partikel , Si02- Partikel, ZnO-Partikel , ZnS-Partikel , BN-Partikel.
Durch das Vorsehen dieser Reflexionspartikel wird insbesonde¬ re eine effiziente Reflexion bewirkt.
In einer Ausführungsform sind die Reflexionspartikel als wei- ße Reflexionspartikel ausgebildet. Somit bewirken die Refle¬ xionspartikel einen weißen Farbeindruck. Solche Reflexions¬ partikel können auch als weiße Reflexionspartikel bezeichnet werden. Weiße Reflexionspartikel weisen insbesondere den technischen Vorteil auf, dass sie besonders effizient die emittierte elektromagnetische Strahlung reflektieren können und einen Farbort der emittierten elektromagnetischen Strahlung nicht verändern.
In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine Partikelgröße, insbesondere eine durchschnittliche Partikel¬ größe, der Reflexionspartikel im Bereich zwischen 0,05 ym und 5 ym liegt.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Massenan- teil der Reflexionspartikel im Bereich zwischen 50% und 80% liegt. Insbesondere ist der Massenanteil 70%, beispielsweise 73%. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Klebstoff ein oder mehrere der folgenden Materialien oder Werkstoffe umfasst: Silikon respektive Siloxan-basierte Materialien, Si- likon-Epoxid, Epoxid, Acrylat.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip mittels eines Verkapselungswerkstoffs verkapselt oder vergossen ist. Dadurch ist zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass der Halbleiterchip effizient vor mechanischen Beschädigungen geschützt werden kann.
Zum Beispiel umfasst der Verkapselungswerkstoff einen oder mehrere Leuchtstoffe. Mehrere Leuchtstoffe können auch als Leuchtstoffkombination bezeichnet werden.
Insbesondere umfasst der Verkapselungswerkstoff ein Silikon respektive ein silikonbasiertes Material. Der Leuchtstoff o- der die mehreren Leuchtstoffen ist respektive sind zum Beispiel in dem Silikon eingebettet.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das optoelektronische Bauelement mittels des Verfahrens zum Herstel- len eines optoelektronischen Bauelements hergestellt ist res¬ pektive wird.
Technische Funktionalitäten des Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ergeben sich analog aus entsprechenden technischen Funktionalitäten des optoelektronischen Bauelements. Das heißt also insbesondere, dass sich Verfahrensmerkmale aus entsprechenden Merkmalen des opto¬ elektronischen Bauelements ergeben und umgekehrt. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Thiolatbe- schichtung derart gebildet wird, dass die Thiolatbeschichtung zusätzlich zwischen der Reflexionsbeschichtung und der Korro- sionsschutzschicht gebildet ist, so dass die Korrosions¬ schutzschicht die Reflexionsbeschichtung mittelbar bedeckt.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiter- chip eine Unterseite und eine der Unterseite gegenüberliegen¬ de Oberseite aufweist, wobei der Halbleiterchip mit seiner Unterseite der Chipmontagefläche zugewandt auf die Thiolatbe- schichtung geklebt wird, so dass zwischen der Unterseite und der Thiolatbeschichtung eine aus Klebstoff gebildete und die Unterseite und die Thiolatbeschichtung zumindest teilweise, beispielsweise vollständig (also vollflächig) , kontaktierende Klebstoffschicht gebildet wird. Das heißt also insbesondere, dass die Klebstoffschicht die Unterseite zumindest teilweise, insbesondere vollständig, kontaktiert oder bedeckt. Das heißt also insbesondere, dass die Klebstoffschicht die Thiolatbe¬ schichtung teilweise bedeckt, wenn diese größer ist als die Unterseite, oder dass die Klebstoffschicht die Thiolatbe¬ schichtung beispielsweise vollständig bedeckt, wenn diese der Größe der Unterseite entspricht.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip eine Unterseite und eine der Unterseite gegenüber¬ liegende Oberseite aufweist, wobei der Halbleiterchip mit seiner Unterseite der Chipmontagefläche zugewandt auf die Chipmontagefläche geklebt wird, so dass zwischen der Unter¬ seite und dem ersten Kontaktabschnitt eine aus Klebstoff ge¬ bildete Klebstoffschicht gebildet wird. Vorzugsweise ist vor¬ gesehen, dass die Klebstoffschicht die Unterseite des Halb¬ leiterchips vollflächig kontaktiert, also berührt. Gemäß die- ser Ausführungsform (siehe auch Ausführungsform weiter oben) wird also eine die Unterseite des Halbleiterchips vollflächig kontaktierende Klebstoffschicht gebildet. Vollflächig bedeu¬ tet hier vollständig. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass frei liegende Oberflächen des Halbleiterchips und/oder des Trägers nach dem Kleben mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt werden. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Kleben der Halbleiterchip mittels eines Bonddrahts oder mittels zweier Bonddrähte elektrisch kontaktiert wird, wobei der oder die Bonddrähte mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt wird respektive werden.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ferner ein elektronisches Bauteil, insbesondere eine in einen den Halb¬ leiterchip umfassenden Stromkreis geschaltete ESD- Schutzdiode, vorgesehen ist, das nach dem Kleben mittels der Korrosionsschutzschicht zumindest mittelbar bedeckt wird.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Thiolatbeschichtung derart gebildet wird, dass die Thiolatbeschichtung zusätzlich zwischen dem elektronischen Bauteil und der das elektronische Bauteil bedeckenden Korrosionsschutzschicht ge¬ bildet ist, so dass die Korrosionsschutzschicht das elektro¬ nische Bauteil mittelbar bedeckt. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Bilden der Thiolatbeschichtung ein Aufbringen eines Thiols umfasst .
Nach einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Aufbringen des Thiols ein Dispensen eines Lösungsmittels und/oder ein Sprühen eines Lösungsmittels und/oder ein Eintauchen des Trägers in ein Lösungsmittel, wobei in dem Lö¬ sungsmittel das Thiol gelöst ist, für eine vorbestimmte Zeit umfasst .
Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Thiolatbeschichtung effizient gebildet werden kann.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Aufbringen des Thiols ein Durchführen eines chemischen Gas- phasenabscheidungsprozesses , insbesondere eines chemischen Gasphasenabscheidungsprozesses bei Unterdruck, für eine vor¬ bestimmte Zeit umfasst. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Thiolatbeschichtung effizient mit einem bewährten Prozess (chemische Gasphasenabscheidung) gebildet werden kann .
Die Formulierung „für eine vorbestimmte Zeit" umfasst zum Beispiel eine Zeit zwischen 2 min und 5 min. Es geht also insbesondere darum, dass eine Thiolschicht aus¬ gebildet wird und das Lösungsmittel abdampft. Zum Beispiel wird anschließend die Schicht mit destilliertem oder deioni¬ siertem (DI) Wasser gespült und zweimal 1 min Di-Wasser bei Raumtemperatur und dann beispielsweise noch einmal 1 min bei 70 °C in Di-Wasser getaucht. Die Aushärtung respektive Trock¬ nung der Thiolschicht kann beispielsweise für 30 min bei 75 °C stattfinden.
Eine Temperatur des Lösungsmittels beträgt nach einer Ausfüh- rungsform zwischen 35 °C und 45 °C, insbesondere 40 °C.
Lösungsmittel können zum Beispiel aus der Gruppe der ethoxy- lierten Fettalkohole, also Polyalkylenglycolether oder Fett- alkoholpolyglykolether stammen, beispielsweise Isotridecylal- koholpolyoxyethylenether .
In einer Ausführungsform ist das Lösungsmittel Teil eines Ge- mischs umfassend Thiol (zum Beispiel mit einem Massenanteil von 25%) und Wasser (zum Beispiel mit einem Massenanteil von 50%) . Das Lösungsmittel weist zum Beispiel einen Massenanteil von 25% in dem Gemisch auf.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Re- flexionsbeschichtung vor dem Bilden der Thiolatbeschichtung zumindest teilweise gereinigt und/oder aktiviert wird, zum
Beispiel mittels einer Plasmabehandlung oder einer nasschemischen Behandlung. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Thiolatbeschichtung besonders gut auf der Reflexi- onsbeschichtung haftet. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Träger in einem Gehäuse aufgenommen ist.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Gehäuse eine Kavität aufweist, wobei die Chipmontagefläche in einem Bo- denbereich der Kavität angeordnet ist. Zum Beispiel ist res¬ pektive wird eine Mantelfläche der Kavität mit der Korrosi¬ onsschutzschicht versehen.
Durch das Vorsehen einer Kavität, in deren Bodenbereich der Halbleiterchip angeordnet ist, wird insbesondere der techni¬ sche Vorteil bewirkt, dass der Halbleiterchip effizient vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einflüsse ge¬ schützt werden kann. Die Kavität kann ferner in vorteilhafter Weise effizient ei¬ nen optischen Reflektor für den Halbleiterchip bilden.
In einer Ausführungsform ist die Mantelfläche mit einer Re- flexionsbeschichtung versehen, die dann in einer weiteren Ausführungsform mittels einer Korrosionsschutzschicht bedeckt ist respektive wird.
Zum Beispiel ist die Kavität zumindest teilweise, insbesonde¬ re vollständig, mittels des Verkapselungswerkstoffs aufge- füllt.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip mittels eines Verkapselungswerkstoffs verkapselt wird .
In einer Ausführungsform beträgt eine Dicke der Thiolatbe¬ schichtung maximal 10 nm, beispielsweise maximal 5 nm, bei- spielsweise maximal 2 nm, beispielsweise zwischen 0,5 nm bis 5 nm.
In einer Ausführungsform weist die Thiolatbeschichtung eine Transmission für die mittels des Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung von mindestens 90%, beispiels¬ weise mindestens 95%, beispielsweise mindestens 99%, auf.
Die Formulierung "respektive" umfasst insbesondere die Formu- lierung "und/oder".
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
Fig. 1 ein erstes optoelektronisches Bauelement,
Fig. 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements,
Fig. 3 ein zweites optoelektronisches Bauelement und
Fig. 4 eine Thiolatbeschichtung zeigen . Fig. 1 zeigt eine schematische, geschnittene Seitenansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements 101. Das opto¬ elektronische Bauelement 101 ist zum Beispiel ein Leuchtdio¬ den-Bauelement . Das optoelektronische Bauelement 101 umfasst ein Gehäuse 103. Das Gehäuse 103 weist eine Oberseite 105 und eine der Ober¬ seite 105 gegenüberliegende Unterseite 107 auf. Das Gehäu¬ se 103 des optoelektronischen Bauelements 101 umfasst einen Gehäuserahmen 109 und einen in den Gehäuserahmen 109 eingebetteten Leiterrahmen 111 als einen Träger. Das optoelektronische Bauelement 101 umfasst also gemäß dieser Ausführungs¬ form einen Träger, der als ein Leiterrahmen ausgebildet ist. Der Gehäuserahmen 109 weist zum Beispiel ein elektrisch isolierendes Kunststoffmaterial auf, beispielsweise ein Epoxid¬ harz. Der Gehäuserahmen 109 weist zum Beispiel eine Keramik auf. Der Gehäuserahmen 109 ist zum Beispiel mittels eines Formprozesses (Mold-Prozess ) oder mittels eines Vergusspro- zesses hergestellt.
Der Leiterrahmen 111 kann auch als ein Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 111 weist ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall. Insbesondere weist der Leiterrahmen 111 Kupfer auf. Kupfer bietet den Vorteil, elektrisch sowie thermisch sehr gut leitend zu sein.
Das elektrisch leitende Material ist zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit einer Reflexionsbeschich- tung 135 beschichtet, zum Beispiel mit Silber, was nachfol¬ gend im Zusammenhang mit einem ersten und zweiten elektrischen Kontaktabschnitt weiter erläutert wird. Das heißt also, dass das elektrisch leitende Material zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit Silber oder einer silberbasier- ten Legierung beschichtet ist.
Der Leiterrahmen 111 weist eine Oberseite 113 und eine der Oberseite 113 gegenüberliegende Unterseite 115 auf. Die Ober¬ seite 113 des Leiterrahmens 111 ist zum Beispiel zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mittels der Reflexions- beschichtung 135 beschichtet. Die Reflexionsbeschichtung 135 umfasst zum Beispiel Silber, insofern ist die Reflexionsbe¬ schichtung 135 nach einer Ausführungsform eine Silberschicht. Der Leiterrahmen 111 ist in einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt 117 und in einen elektrisch leitenden zweiten Kontaktabschnitt 119 unterteilt. Der erste Kontaktab¬ schnitt 117 und der zweite Kontaktabschnitt 119 sind körper- lieh voneinander getrennt und elektrisch gegeneinander isoliert. Die Kontaktabschnitte 117, 119 können auch als Leiter¬ rahmenabschnitte bezeichnet werden. Es ist vorgesehen, dass zumindest eine der jeweiligen Oberseiten 113 der beiden Kontaktabschnitte 117, 119, insbesonde¬ re beide jeweiligen Oberseiten (was auch zeichnerisch dargestellt ist) , zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit der Reflexionsbeschichtung 135 versehen sind. Die Refle- xionsbeschichtung 135 ist zum Beispiel eine Silberschicht.
Die Kontaktabschnitte 117, 119 des Leiterrahmens 111 sind derart in dem Gehäuserahmen 109 eingebettet, dass sowohl die Oberseite 113 als auch die Unterseite 115 des Leiterrah- mens 111 teilweise durch das Material des Gehäuserahmens 109 bedeckt sind. Im dargestellten Beispiel ist die Untersei¬ te 115 des Leiterrahmens 111 teilweise durch das Material des Gehäuserahmens 109 bedeckt. Sowohl beim ersten Kontaktabschnitt 117 als auch beim zweiten Kontaktabschnitt 119 des Leiterrahmens 111 ist die jeweilige Oberseite 113 teilweise durch das Material des Gehäuserah¬ mens 109 bedeckt und teilweise unbedeckt sein. Das Gehäuse 103 des optoelektronischen Bauelements 101 weist an seiner Oberseite 105 eine Kavität 121 auf. Die Kavität 121 ist als Vertiefung im Gehäuserahmen 109 ausgebildet. An der Oberseite 105 des Gehäuses 103 weist die Kavität 121 bei¬ spielsweise einen kreisscheibenförmigen oder einen rechtecki- gen Querschnitt auf. In der Schnittdarstellung der Fig. 1 verjüngt sich die Kavität 121 ausgehend von der Oberseite 105 des Gehäuses 103 pyramidenstumpfförmig . Die Kavität 121 weist nach einer nicht gezeigten Ausführungsform eine zylindrische Form oder eine andere Form auf.
Die Kavität 121 des Gehäuses 103 des optoelektronischen Bau¬ elements 101 weist einen Bodenbereich 123 und eine umlaufende Wand 125 auf. Die Wand 125 wird durch das Material des Gehäu- serahmens 109 gebildet. Die Wand 125 bildet eine Mantelfläche der Kavität 121. Die Wand 125 der Kavität 121 des Gehäu¬ ses 103 des optoelektronischen Bauelements 101 bildet nach einer Ausführungsform einen Reflektor. Ein solcher Reflektor dient insbesondere dazu, von dem optoelektronischen Bauele¬ ment 101 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln. Die Mantelfläche 125 oder die Wand der Kavität 121 ist nach einer Ausführungsform mit der Reflexionsbeschichtung 135 beschichtet .
Im Bodenbereich 123 der Kavität 121 des Gehäuses 103 liegen Teile der jeweiligen Oberseite 113 der beiden Kontaktab¬ schnitte 117, 119 des Leiterrahmens 111 frei. Zur besseren Unterscheidung weist die Oberseite des ersten Kontaktab- Schnitts 117 zusätzlich das Bezugszeichen 113a auf. Zur besseren Unterscheidung weist die Oberseite des zweiten Kontakt¬ abschnitts 119 zusätzlich das Bezugszeichen 113b auf. Die Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 bildet somit eine Chipmontagefläche 153, wie nachstehend noch weiter er- läutert.
Das optoelektronische Bauelement 101 umfasst ferner einen optoelektronischen Halbleiterchip 127 oder in einer nicht gezeigten Ausführungsform mehrere optoelektronische Halbleiter- chips. Außerdem kann das optoelektronische Bauelement zusätz¬ lich in einer weiteren nicht gezeigten Ausführungsform eine oder mehrere ESD-Schutzdioden aufweisen (nicht in Fig. 1 dargestellt) aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip 127 (bzw. die -chips) ist (sind) zum Beispiel ein Leuchtdioden- chip (LED-Chip) . Der optoelektronische Halbleiterchip 127 weist eine Oberseite 129 und eine der Oberseite 129 gegen¬ überliegende Unterseite 131 auf. Die gegenüberliegenden Au¬ ßenseiten oder Außenflanken 147 sowie die Oberseite 129 des optoelektronischen Halbleiterchips 127 bilden zum Beispiel eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 127. Der optoelektronische Halbleiterchip 127 ist zum Beispiel ausgebildet, an seinen Außenflächen elektromag¬ netische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, abzu- strahlen oder zu emittieren. Der Halbleiterchip 127 ist also als ein Volumenemitter ausgebildet.
An der Oberseite 129 des optoelektronischen Halbleiter- chips 127 sind zwei elektrische Kontaktflächen (nicht ge¬ zeigt) gebildet, die nachfolgend als erste elektrische Chip¬ kontaktfläche und als zweite elektrische Chipkontaktfläche bezeichnet werden. Über die beiden elektrischen Chipkontaktflächen ist eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips 127 ermöglicht. Für diese elektrische Kontaktierung sind im Anwendungsbeispiel zwei Bonddrähte 133 vorgesehen. Die beiden Bonddrähte 133 kontaktieren respektive die erste elektrisch leitende Chipkontaktfläche und die zweite
elektrisch leitende Chipkontaktfläche mit respektive dem elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt 117 und dem elektrisch leitenden zweiten Kontaktabschnitt 119. Das heißt, dass mittels eines ersten der Bonddrähte 133 eine erste elektrische Verbindung zwischen dem ersten Kontaktabschnitt 117 und der ersten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 127 gebildet ist. Das heißt also, dass mittels eines zweiten der Bonddrähte 133 ei¬ ne zweite elektrische Verbindung zwischen der zweiten
elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 127 und dem zweiten Kontaktabschnitt 119 gebildet ist.
Über die beiden elektrischen Kontaktflächen kann ein elektrischer Strom an den optoelektronischen Halbleiterchip 127 an- gelegt werden, um den optoelektronischen Halbleiterchip 127 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen.
Der optoelektronische Halbleiterchip 127 ist in der Kavi- tät 121 des Gehäuses 103 des optoelektronischen Bauele- ments 101 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiter¬ chip 127 ist mit seiner Unterseite 131 im Bodenbereich 123 der Kavität 121 auf der Chipmontagefläche 153 angeordnet. Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 bildet der erste Kontaktab- schnitt 117, also insbesondere die Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117, somit eine Chipmontagefläche 153 für eine Montage des Halbleiterchips 127. Somit weist der Träger, hier der Leiterrahmen 111 eine Chipmontagefläche 153 auf, die mittels einer Reflexionsbeschichtung 135 beschichtet ist.
Dabei ist die Unterseite 131 des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 127 der Oberseite 113a des ersten Kontaktab¬ schnitts 117 zugewandt. Die Oberseite 129 des Halbleiter- chips 127 ist der Oberseite 113a des ersten Kontaktab¬ schnitts 117 des Leiterrahmens 111 abgewandt.
Die jeweilige Oberseite 113a, b der beiden Kontaktabschnit¬ te 117, 119 ist zumindest teilweise, insbesondere vollstän- dig, mit der Reflexionsbeschichtung 135 versehen.
Der optoelektronische Halbleiterchip 127 ist mittels eines Klebstoffs 137 auf der Oberseite 113 der Chipmontageflä¬ che 153, also nach Beispiel in Fig. 1 auf der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117, geklebt. Insofern ist zwi¬ schen der Unterseite 131 des Halbleiterchips 127 und der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 eine Kleb¬ stoffschicht 139 aus Klebstoff 137 gebildet. Zwischen der KlebstoffSchicht 139 und der Reflexionsbeschichtung 135 ist eine Thiolatbeschichtung 155 gebildet. Die Thi- olatbeschichtung 155 ist in direktem Kontakt mit der Reflexi- onsbeschichtung 135. Die Reflexionsbeschichtung 135 ist also teilweise mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen.
Die KlebstoffSchicht 139 kontaktiert also sowohl die Thiolat¬ beschichtung 155 als auch die Unterseite 131 des Halbleiterchips 127. Der Halbleiterchip 127 ist also auf der Thiolatbeschichtung 155 mittels des Klebstoffs 137 geklebt. Der Klebstoff 137 umfasst mehrere Reflexionspartikel 141 zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips 127 emittierter elektromagnetischer Strahlung. Aufgrund der Reflexionspartikel 141, die vom Klebstoff 137 umfasst sind, umfasst die KlebstoffSchicht 139 ebenfalls Re¬ flexionspartikel 141. Somit ist in vorteilhafter Weise unter¬ halb der Unterseite 131 des Halbleiterchips 127, also zwi¬ schen der Unterseite 131 des Halbleiterchips 127 und der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117, eine Refle¬ xionsschicht gebildet: die KlebstoffSchicht 139 umfassend Re¬ flexionspartikel 141. Die Unterseite 131 des Halbleiter¬ chips 127 ist vollständig durch die KlebstoffSchicht 139 kon¬ taktiert .
Die Reflexionspartikel 141 sind zum Beispiel als weiße Refle¬ xionspartikel ausgebildet. Zum Beispiel umfassen die Reflexi¬ onspartikel 141 Titandioxidpartikel und/oder Alumini¬ umoxidpartikel .
Die Bonddrähte 133 sind nach einer Ausführungsform aus Silber oder einer silberbasierten Legierung gebildet. In einer weiteren Ausführungsform sind die Bonddrähte 113 mittels einer Korrosionsschutzschicht, wie nachfolgend beschrieben, be- schichtet.
Das optoelektronische Bauelement 101 umfasst ferner eine an¬ organische Beschichtung 143 als Korrosionsschutzschicht. Die anorganische Beschichtung 143 ist insbesondere auf folgende Elemente aufgebracht: die Oberseite 105 des Gehäuses 103, die Mantelfläche 125 der Kavität 121, die Reflexionsbeschich- tung 135 bis auf den Bereich, auf welchem sich die Thiolatbe- schichtung 155 respektive die KlebstoffSchicht 139 respektive der Halbleiterchip 127 befindet, die Oberseite 129 des Halb- leiterchips 127, die Bonddrähte 133, gegenüberliegende Sei¬ tenflanken 147 des Halbleiterchips 127. Die Kavität 121 ist mittels eines Vergusses 145 aufgefüllt. Der Verguss 145 kann auch als ein Verkapselungswerkstoff be¬ zeichnet werden. Insofern ist der Halbleiterchip 127 mittels des Vergusses 145 verkapselt. Der Verguss 145 bettet somit insbesondere den Halbleiterchip 127 sowie insbesondere die Bonddrähte 133 ein. Der Verguss 145 ist vorzugsweise aus ei¬ nem Material oder einem Werkstoff, welches respektive welcher für die elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise, insbesondere vollständig, durchlässig oder transparent ist.
Der Verguss 145 umfasst zum Beispiel ein Epoxidharz. Der Verguss 145 umfasst zum Beispiel ein Silikon. Der Verguss 145 umfasst zum Beispiel ein silikonhaltiges Hybridmaterial. Der Verguss 145 umfasst zum Beispiel einen mit Leuchtstoffparti- kein gefülltes Silikon oder Epoxidharz oder silikonhaltiges Hybridmaterial .
Durch einen mechanischen und/oder thermischen Stress kann es passieren, dass die anorganische Beschichtung 143 Risse be- kommt. Durch solche Risse kann ein korrosives Gas, zum Bei¬ spiel H2S-Gas, bis zur jeweiligen Oberseite 113a, b der beiden Kontaktabschnitte 117, 119 gelangen und dort die Reflexions- beschichtung 135 korrodieren. Zum Beispiel kann ein solches korrosives Gas durch den Verguss 145 durchdiffundieren. Sol- che Risse treten vornehmlich im Bereich der Grenzfläche zwischen KlebstoffSchicht 139 und Korrosionsschutzschicht 143 auf bzw. haben dort eine besonders nachteilige Wirkung.
Die anorganische Beschichtung 143 umfasst zum Beispiel: A1203 und/oder Si02 und/oder Si3N4. Eine Dicke der anorganischen Beschichtung 143 beträgt zum Beispiel zwischen 5 nm und 100 nm. Zum Beispiel wird die anorganische Beschichtung 143 mit¬ tels eines Sputter-Verfahrens respektive eines PECVD- Verfahrens (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabschei- dung) respektive eines ALD-Verfahrens (Atomlagenabscheidung) aufgebracht. "ALD" steht für "Atomic Layer Deposition" und wird mit Atomlagenabscheidung übersetzt. "PECVD" steht für "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition" und wird mit plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung übersetzt.
Durch das Vorsehen eines solch effizienten Korrosionsschutzes wird in vorteilhafter Weise verhindert, dass eine an der Oberseite 113a, b des ersten respektive zweiten Kontaktab¬ schnitts 117, 119 des Leiterrahmens 111 gebildete oder aufge¬ brachte Reflexionsschicht korrodiert. Eine solch korrodierte Reflexionsschicht führt in der Regel zu einer verschlechter- ten Reflektivität und zu einer Farbortverschiebung der an einer solchen korrodierten Reflexionsschicht reflektierten elektromagnetischen Strahlung. Durch das Vorsehen des erfindungsgemäßen Korrosionsschutzes kann in vorteilhafter Weise eine solche Farbortverschiebung respektive eine Verringerung der Reflektivität verringert werden.
Selbst wenn die Korrosionsschutzschicht 143 im Bereich der Grenzfläche zwischen KlebstoffSchicht 139 und Korrosions¬ schutzschicht 143 Risse bekommen sollte, so steht noch die Thiolatbeschichtung 155 als zusätzlicher Korrosionsschutz zur Verfügung. Dadurch wird in vorteilhafter Weise bewirkt, dass der Abschnitt der Reflexionsbeschichtung 135, der unterhalb des Halbleiterchips 127 liegt, effizient gegen Korrosion ge¬ schützt ist.
Durch das Vorsehen der Reflexionspartikel 141 wird eine Min- destreflektivität für die emittierte elektromagnetische
Strahlung bereitgestellt. Denn selbst bei einer komplett kor¬ rodierten Reflexionsbeschichtung 135 der Kontaktabschnitte 117, 119 wird immer noch eine Reflektivität aufgrund der Reflexionspartikel 141 bewirkt.
Das heißt also, dass, selbst wenn die unterhalb der Untersei¬ te 131 des Halbleiterchips 127 auf der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 vorgesehene Reflexionsbeschich¬ tung 135 korrodiert wäre, die mittels des Halbleiterchips 127 emittierte elektromagnetische Strahlung dennoch mittels der Reflexionspartikel 141 reflektiert würde. Der elektrisch leitende zweite Kontaktabschnitt 119 ist bei¬ spielsweise mittels der Korrosionsschutzschicht 143 bedeckt oder versehen.
Der Reflexionsbeschichtung 135 des ersten Kontaktabschnitts 117 ist somit in einen ersten Teilabschnitt 149, der mittels des Halbleiterchips 127 bzw. KlebstoffSchicht 139 be¬ deckt ist, und in einen zweiten Teilabschnitt 151, der frei von dem Halbleiterchip 127 ist, unterteilt.
Der erste Teilabschnitt 149 der Reflexionsbeschichtung 135 ist mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen. Der zweite Teilabschnitt 151 der Reflexionsbeschichtung 135 ist frei von der Thiolatbeschichtung 155.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der zweite Teilabschnitt der Reflexionsbeschichtung 135 mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen ist. Das heißt, dass die Reflexionsbeschichtung 135 zum Beispiel vollständig mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen ist.
Fig. 2 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstel¬ len eines optoelektronischen Bauelements.
Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
- Bereitstellen 201 eines eine Chipmontagefläche aufweisen¬ den Trägers, wobei die Chipmontagefläche eine Reflexions- beschichtung aufweist,
- wobei die Reflexionsbeschichtung zumindest teilweise mit einer Thiolatbeschichtung versehen 203 wird,
- wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip mittels eines Klebstoffs auf die Thiolatbeschichtung geklebt 205 wird,
- wobei eine die Reflexionsbeschichtung zumindest mittelbar bedeckende, von der Thiolatbeschichtung verschiedene Korrosionsschutzschicht gebildet 207 wird. In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine ESD-Schutzdiode auf den Träger geklebt und elektrisch kontaktiert wird. Zum Beispiel ist nach einer Ausführungsform vorgesehen, dass nach einem elektrischen Kontaktieren des Halbleiterchips mittels eines oder mittels zweier Bonddrähte die anorganische Beschichtung aufgebracht wird. Der oder die Bonddrähte sind nach einer Ausführungsform ebenfalls von der Korrosions- Schutzschicht bedeckt.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen bildete die Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 eine Chipmontagefläche. In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Leiterrahmen 111 zusätzlich zum ersten und zweiten Kontaktabschnitt 117, 119 einen dritten Abschnitt aufweist. Eine Oberseite des dritten Abschnitts bil¬ det in dieser Ausführungsform die Chipmontagefläche. Das heißt, dass die Oberseite des dritten Abschnitts zumindest teilweise mittels der Reflexionsbeschichtung 135 versehen ist. Eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips 127 wird in dieser Ausführungsform mittels der Bonddrähte 133, die eine elektrische Verbindung von den Kontaktabschnit¬ ten 117, 119 zum Halbleiterchip 127 herstellen, gebildet. Auch in dieser Ausführungsform ist zwischen der Klebstoffschicht 139 und der Reflexionsbeschichtung 135 die Thiolatbe- schichtung 155 vorgesehen.
Fig. 3 zeigt ein zweites optoelektronisches Bauelement 301.
Für gleiche Merkmale werden teilweise die gleichen Bezugszei¬ chen wie in Fig. 1 verwendet. Die entsprechenden Ausführungen gelten analog. Das Bauelement 301 umfasst einen Träger 303. Der Träger 303 ist als ein keramisches Substrat ausgebildet. Der Träger 303 ist also aus einer Keramik gebildet. Der Träger weist eine Oberseite 305 und eine Unterseite 307 auf, die der Oberseite 305 gegenüberliegt.
Auf der Oberseite 305 sind eine erste Metallisierung 309 und eine zweite Metallisierung 311 aufgebracht, die voneinander elektrisch isoliert sind.
Auf der Unterseite 307 sind eine dritte Metallisierung 313 und eine vierte Metallisierung 315 aufgebracht, die voneinan- der elektrisch isoliert sind.
Die jeweils gegenüberliegenden Metallisierungen 309 und 313 sowie 311 und 315 auf der Ober- und Unterseite sind
elektrisch leitfähig miteinander verbunden. Zum Beispiel sind elektrische Durchkontaktierungen, sogenannten „Vias", vorgesehen, um die entsprechenden Metallisierungen der Ober- und Unterseite elektrisch leitfähig miteinander zu verbinden.
Die vier Metallisierungen 309, 311, 313, 315 sind zum Bei- spiel aus Silber oder einer silberhaltigen Legierung gebildet .
Die Oberseite 305 des Trägers 303 bildet eine Chipmontageflä¬ che 317 für einen optoelektronischen Halbleiterchip 321. Die erste Metallisierung 309 ist mit einer Reflexionsbeschichtung 135 versehen. Das heißt, dass die Chipmontagefläche 317 mit der Reflexionsbeschichtung 135 mittelbar beschichtet ist. Die zweite Metallisierung 311 kann ebenfalls mit einer Refle- xionsbeschichtung versehen sein.
Der Halbleiterchip 321 weist eine Oberseite 323 und eine der Oberseite 323 gegenüberliegende Unterseite 325 auf. Der Halb¬ leiterchip 321 ist mit seiner Unterseite 325 auf einer der Oberseite 305 des Trägers 303 abgewandten Oberseite 327 der Reflexionsbeschichtung 135 mittels eines Klebstoffs 329 ge¬ klebt. Der Klebstoff 329 weist Reflexionspartikel 141 zum Re¬ flektieren von mittels des Halbleiterchips 321 emittierter elektromagnetischer Strahlung auf. Somit ist zwischen der Un- terseite 325 des Halbleiterchips 321 und der Oberseite 327 der Reflexionsbeschichtung 135 eine KlebstoffSchicht 139 aus Klebstoff 329 gebildet. Die Unterseite 325 des Halbleiter¬ chips 321 ist vollständig, also vollflächig, durch die Kleb- Stoffschicht 139 kontaktiert.
Zwischen der KlebstoffSchicht 139 und der Reflexionsbeschichtung 135 ist analog zu dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungs¬ beispiel eine Thiolatbeschichtung 155 gebildet. Die Thiolat- beschichtung 155 ist in direktem Kontakt mit der Reflexions- beschichtung 135. Die Reflexionsbeschichtung 135 ist also teilweise mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen.
Die KlebstoffSchicht 139 kontaktiert also sowohl die Thiolat- beschichtung 155 als auch die Unterseite 325 des Halbleiter¬ chips 321.
Der Halbleiterchip 321 ist also auf der Thiolatbeschichtung 155 mittels des Klebstoffs 329 geklebt.
Analog zum in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterchips 321 mittels zweier Bonddrähte 133 elektrisch an seiner Oberseite 323 kontaktiert. Einer der Bonddrähte 133 bildet eine elektrische Verbindung zwischen einer hier nicht gezeigten ersten elektrischen Chipkontaktfläche auf der Oberseite 323 des Halbleiterchips 321 und der ersten Metallisie¬ rung 309. Der andere der Bonddrähte 133 bildet eine elektri¬ sche Verbindung zwischen einer hier nicht gezeigten zweiten elektrischen Chipkontaktfläche auf der Oberseite 323 des Halbleiterchips 321 und der zweiten Metallisierung 311.
Die Reflexionsbeschichtung 135 ist somit in einen ersten Teilabschnitt 149, der mittels des Halbleiterchips 321 bzw. KlebstoffSchicht 139 bedeckt ist, und in einen zweiten Teil- abschnitt 151, der frei von dem Halbleiterchip 321 ist, unterteilt. Die Metallisierung 311 kann beispielsweise auch als eine Reflexionsbeschichtung ausgebildet sein. Der erste Teilabschnitt 149 der Reflexionsbeschichtung 135 ist mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen. Der zweite Teilabschnitt 151 der Reflexionsbeschichtung 135 ist frei von der Thiolatbeschichtung 155.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der zweite Teilabschnitt der Reflexionsbeschichtung 135 mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen ist. Das heißt, dass die Reflexionsbeschichtung 135 zum Beispiel vollständig mit der Thiolatbeschichtung 155 versehen ist.
Analog zum in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist eine anorganische Beschichtung 143 als Korrosionsschutzschicht vorgesehen die zumindest die folgenden Elemente bedeckt: frei liegende Oberflächen des Trägers 303 respektive der beiden
Metallisierungen 309 und 311, also insbesondere frei liegende Abschnitte der Oberseite 305 des Trägers 303, frei liegende Abschnitte der Oberseite 327 der ersten Metallisierung 309, also frei liegende Abschnitte der Reflexionsbeschichtung 135, und eine Oberseite 331 der zweiten Metallisierung 311, die Oberseite 323 des Halbleiterchips 321, die Bonddrähte 133, die gegenüberliegenden Seitenflanken 147 des Halbleiterchips 321 sowie eine nicht vom Halbleiterchip 321 bedeckte, offene KlebstoffSchicht 139, sofern der Klebstoff 329 gemäß einer Ausführungsform überstehen sollte, was hier der Übersicht halber nicht gezeigt ist. So kann es zum Beispiel beim Andrücken des Halbleiterchips 321 auf die Reflexionsbeschichtung 135 während des Klebens passieren, dass Klebstoff 329 unter dem Halbleiterchip 321 herausgedrückt wird, so dass sich auch Klebstoff 329 auf der Reflexionsbeschichtung 135 um den Halbleiterchip 321 befindet, also in einem Randbereich um den Halbleiterchip 321, wobei dieser Randbereich vom zweiten Teilabschnitt 151 umfasst ist. Selbst wenn die Korrosionsschutzschicht 143 im Bereich der Grenzfläche zwischen KlebstoffSchicht 139 und Korrosions¬ schutzschicht 143 Risse bekommen sollte, so steht noch die Thiolatbeschichtung 155 als zusätzlicher Korrosionsschutz zur Verfügung. Dadurch wird in vorteilhafter Weise bewirkt, dass der Abschnitt der Reflexionsbeschichtung 135, der unterhalb des Halbleiterchips 127 liegt, effizient gegen Korrosion ge¬ schützt ist.
Ferner ist ein Verguss 333 vorgesehen, der auch als ein Ver- kapselungswerkstoff bezeichnet werden kann. Der Halbleiter¬ chip 321 und die Bonddrähte 133 sind mittels des Vergus¬ ses 333 verkapselt. Der Verguss 333 bettet somit insbesondere den Halbleiterchip 321 sowie insbesondere die Bonddrähte 133 ein. Der Verguss 333 ist vorzugsweise aus einem Material oder einem Werkstoff, welches respektive welcher für die elektro¬ magnetische Strahlung zumindest teilweise, insbesondere voll¬ ständig, durchlässig oder transparent ist.
Der Verguss 333 umfasst zum Beispiel ein Epoxidharz. Der Verguss 333 umfasst zum Beispiel ein Silikon. Der Verguss 333 umfasst zum Beispiel ein silikonhaltiges Hybridmaterial. Der Verguss 333 umfasst zum Beispiel einen mit Leuchtstoffparti- kein gefülltes Silikon oder Epoxidharz oder silikonhaltiges Hybridmaterial .
In dem in Fig.3 gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Ver¬ guss 333 eine rechteckartige Form auf. In einem nicht gezeig- ten Ausführungsbeispiel weist der Verguss 333 eine kuppelar¬ tige Form auf.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform besteht der Träger aus einer Leiterplatte.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform besteht der Träger aus einem metallischen Leiterrahmen. In diesem Fall ist die Metallisierung der Leiterrahmen selbst. Fig. 4 zeigt eine Thiolatbeschichtung 401 in einer schematisch vereinfachten Darstellung. Die Thiolatbeschichtung 401 ist auf einer Oberfläche 403 ei¬ nes Grundkörpers 405 gebildet. Die Oberfläche 403 weist zum Beispiel eine Reflexionsbeschichtung auf. Die in Fig. 4 gezeigte Darstellung der Thiolatbeschichtung 401 steht exemplarisch für die Thiolatbeschichtung 155 gemäß den in den Fig. 1 und 3 gezeigten Ausführungsformen. Das heißt insbesondere, dass es sich bei der Oberfläche 403 um die Oberfläche der Reflexionsbeschichtung 135 handeln kann.
Die Thiolatbeschichtung 401 umfasst eine Monolage aus Schwe¬ felatomen (S) 407. Die Monolage aus Schwefelatomen 407 ist unmittelbar, auf der Oberfläche 403, insbesondere auf der Re- flexionsbeschichtung, gebildet. Die Thiolatbeschichtung 401 umfasst ferner mehrere Molekülketten, zum Beispiel Alkylket- ten, die jeweils an ein Schwefelatom 407 gebunden sind.
Durch das Vorsehen der Thiolatbeschichtung 401 wird ein effi- zienter und effektiver Korrosionsschutz vor korrosiven Gasen für die Oberfläche 403, insbesondere für eine Reflexionsbe¬ schichtung, bereitgestellt. Korrosive Gase können somit nur vermindert bis gar nicht an die Oberfläche 403 angreifen und diese korrodieren.
Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . BEZUGSZEICHENLISTE
101 optoelektronisches Bauelement
103 Gehäuse
105 Oberseite des Gehäuses
107 Unterseite des Gehäuses
109 Gehäuserahmen
111 Leiterrahmen
113 Oberseite des Leiterrahmens
115 Unterseite des Leiterrahmens
117 1. Kontaktabschnitt
119 2. Kontaktabschnitt
113a Oberseite des 1. Kontaktabschnitts 117
113b Unterseite des 2. Kontaktabschnitts 119
121 Kavität
123 Bodenbereich der Kavität
125 Wand der Kavität/Mantelfläche
127 optoelektronischer Halbleiterchip
129 Oberseite des Halbleiterchips
131 Unterseite des Halbleiterchips
133 Bonddraht
135 ReflexionsbeSchichtung
137 Klebstoff
139 KlebstoffSchicht
141 Reflexionspartikel
143 Korrosionsschutzschicht, anorganische Beschichtung
145 Verguss
147 Seitenflanken des Halbleiterchips
149 erster Teilabschnitt
151 zweiter Teilabschnitt
153 Chipmontagefläche
155 Thiolatbeschichtung
201 Bereitstellen
203 Versehen
205 Kleben
207 Bilden
301 optoelektronisches Bauelement
303 Träger 305 Oberseite des Trägers 303
307 Unterseite des Trägers 303
309, 311, 313, 315 Metallisierungen
317 Chipmontagefläche
321 optoelektronischer Halbleiterchip
323 Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 321
325 Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 321
327 Oberseite der Metallisierung 309
329 Klebstoff
331 Oberseite der Metallisierung 311
333 Verguss
401 Thiolatbeschichtung
403 Oberfläche
405 Grundkörper
407 Schwefelatom
409 Molekülkette

Claims

PATENTA S PRÜCHE
Optoelektronisches Bauelement (101, 301), umfassend:
- einen Träger (111, 303) aufweisend eine Chipmontageflä¬ che (153, 317),
- wobei die Chipmontagefläche (153, 317) eine Reflexions- beschichtung (135) aufweist,
- wobei die Reflexionsbeschichtung (135) zumindest teil¬ weise mit einer Thiolatbeschichtung (155, 401) versehen ist,
- wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip (127, 321) mittels eines Klebstoffs (137, 329) auf der Thiolatbe¬ schichtung (155, 401) geklebt ist,
- wobei eine die Reflexionsbeschichtung (135) zumindest mittelbar bedeckende, von der Thiolatbeschichtung (155, 401) verschiedene Korrosionsschutzschicht (143) gebil¬ det ist.
Optoelektronisches Bauelement (101, 301) nach Anspruch 1, wobei der Klebstoff (137, 329) Reflexionspartikel (141) zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips (127, 321) emittierter elektromagnetischer Strahlung aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (101, 301) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Thiolatbeschichtung (155, 401) zusätzlich zwischen der Reflexionsbeschichtung (135) und der Korrosionsschutzschicht (143) gebildet ist, so dass die Korrosionsschutzschicht (143) die Reflexionsbeschich¬ tung (135) mittelbar bedeckt.
Optoelektronisches Bauelement (101, 301) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (127, 321) eine Unterseite (131, 325) und eine der Unterseite (131, 325) gegenüberliegende Oberseite (129, 323) aufweist, wo¬ bei der Halbleiterchip (127, 321) mit seiner Unterseite (131, 325) der Chipmontagefläche (153, 317) zugewandt auf der Thiolatbeschichtung (155, 401) geklebt ist, so dass zwischen der Unterseite (131, 325) und der Thiolat- beschichtung (155, 401) eine aus Klebstoff (137, 329) ge¬ bildete und die Unterseite (131, 325) und die Thiolatbe- schichtung (155, 401) zumindest teilweise, beispielsweise vollständig, kontaktierende KlebstoffSchicht (139) gebil¬ det ist.
Optoelektronisches Bauelement (101, 301) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (127, 321) mittels eines Bonddrahts (133) oder mittels zweier Bond¬ drähte (133) elektrisch kontaktiert ist, wobei der oder die Bonddrähte (133) mittels der Korrosionsschutz¬ schicht (143) bedeckt ist respektive sind.
Optoelektronisches Bauelement (101, 301) nach einem der vorherigen Ansprüche, umfassend ferner ein elektronisches Bauteil, insbesondere eine in einen den Halbleiter¬ chip (127, 321) umfassenden Stromkreis geschaltete ESD- Schutzdiode, das mittels der Korrosionsschutz¬ schicht (143) zumindest mittelbar bedeckt ist.
Optoelektronisches Bauelement (101, 301) nach Anspruch 6, wobei die Thiolatbeschichtung (155, 401) zusätzlich zwischen dem elektronischen Bauteil und der das elektronische Bauteil bedeckenden Korrosionsschutzschicht (143) gebildet ist, so dass die Korrosionsschutzschicht (143) das elektronische Bauteil mittelbar bedeckt.
Optoelektronisches Bauelement (101, 301) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Korrosionsschutzschicht (143) eine oder mehrere anorganische Schichten, insbesondere A1203-Schicht , Si02-Schicht , Si3N4-Schicht , Ti02-Schicht, ZnO-Schicht, Ta205-Schicht , Ge3N4-Schicht , Zr02-Schicht , umfasst.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (101, 301), umfassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen (201) eines eine Chipmontagefläche (153, 317) aufweisenden Trägers (111, 303), wobei die Chipmon tagefläche (153, 317) eine Reflexionsbeschichtung (135) aufweist,
- wobei die Reflexionsbeschichtung (135) zumindest teil¬ weise mit einer Thiolatbeschichtung (155, 401) versehen (203) wird,
- wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip (127, 321) mittels eines Klebstoffs (137, 329) auf die Thiolatbe¬ schichtung (155, 401)) geklebt wird,
- wobei eine die Reflexionsbeschichtung (135) zumindest mittelbar bedeckende, von der Thiolatbeschichtung (155, 401) verschiedene Korrosionsschutzschicht (143) gebil¬ det (207) wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Klebstoff (137, 329) Reflexionspartikel (141) zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips (127, 321) emittierter elektromagneti¬ scher Strahlung aufweist.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Thiolatbeschichtung (155, 401) derart gebildet wird, dass die Thi¬ olatbeschichtung (155, 401) zusätzlich zwischen der Re- flexionsbeschichtung (135) und der Korrosionsschutzschicht (143) gebildet ist, so dass die Korrosionsschutz¬ schicht (143) die Reflexionsbeschichtung (135) mittelbar bedeckt .
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei der Halbleiterchip (127, 321) eine Unterseite (131, 325) und eine der Unterseite (131, 325) gegenüberliegende Obersei¬ te (129, 323) aufweist, wobei der Halbleiterchip (127, 321) mit seiner Unterseite (131, 325) der Chipmontageflä¬ che (153, 317) zugewandt auf die Thiolatbeschich¬ tung (155, 401) (135) geklebt wird, so dass zwischen der Unterseite (131, 325) und der Thiolatbeschichtung (155, 401) eine aus Klebstoff (137, 329) gebildete und die Un¬ terseite (131, 325) und die Thiolatbeschichtung (155, 401) zumindest teilweise, beispielsweise vollständig, kontaktierende KlebstoffSchicht (139) gebildet wird. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei nach dem Kleben (205) der Halbleiterchip (127, 321) mittels eines Bonddrahts (133) oder mittels zweier Bonddräh¬ te (133) elektrisch kontaktiert wird, wobei der oder die Bonddrähte (133) mittels der Korrosionsschutz¬ schicht (143) bedeckt wird respektive werden.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei ferner ein elektronisches Bauteil, insbesondere eine in einen den Halbleiterchip (127, 321) umfassenden Stromkreis geschaltete ESD-Schutzdiode, vorgesehen ist, das nach dem Kleben (205) zumindest mittelbar mittels der Korrosions¬ schutzschicht (143) bedeckt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Thiolatbeschich- tung (155, 401) derart gebildet wird, dass die Thiolatbe- schichtung (155, 401) zusätzlich zwischen dem elektronischen Bauteil und der das elektronische Bauteil bedecken¬ den Korrosionsschutzschicht (143) gebildet ist, so dass die Korrosionsschutzschicht (143) das elektronische Bau¬ teil mittelbar bedeckt.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei das Bilden der Thiolatbeschichtung (155, 401) ein Aufbringen eines Thiols umfasst.
17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Aufbringen des Thiols ein Dispensen eines Lösungsmittels und/oder ein Sprü¬ hen eines Lösungsmittels und/oder ein Eintauchen des Trä¬ gers (111, 303) in ein Lösungsmittel, wobei in dem Lö¬ sungsmittel das Thiol gelöst ist, für eine vorbestimmte Zeit umfasst.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei das Aufbringen des Thiols ein Durchführen eines chemischen Gasphasenab- scheidungsprozesses , insbesondere eines chemischen Gas- phasenabscheidungsprozesses bei Unterdruck, für eine vor¬ bestimmte Zeit umfasst.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 18, wobei die Reflexionsbeschichtung (135) vor dem Bilden der Thiolat- beschichtung (155, 401) zumindest teilweise gereinigt und/oder aktiviert wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 19, wobei die Korrosionsschutzschicht (143) eine oder mehrere anorgani¬ sche Schichten, insbesondere A1203-Schicht , Si02-Schicht , Si3N4-Schicht, Ti02-Schicht , ZnO-Schicht, Ta205-Schicht , Ge3N4-Schicht, Zr02-Schicht , umfasst.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 20, wobei nach dem Kleben (205) und vor dem Bilden der Korrosionsschutzschicht (143) die Thiolatbeschichtung (155, 401) zumindest teilweise von einer nicht mit Klebstoff bedeckten Fläche der Reflexionsbeschichtung (135) entfernt wird.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016115921B9 (de) 2016-08-26 2024-02-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070228391A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
JP2009224538A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
US20150023026A1 (en) * 2013-07-17 2015-01-22 Nichia Corporation Light emitting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006039881A1 (de) * 2006-08-25 2008-03-20 Siemens Ag Aminofunktionelles Haftvermittlersystem für Edelmetalloberflächen
DE102010020211A1 (de) * 2010-05-10 2011-11-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Vorrichtung mit einem Träger und Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement
JP5958107B2 (ja) * 2012-06-15 2016-07-27 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
DE102013110114A1 (de) * 2013-09-13 2015-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
FI20135967L (fi) * 2013-09-27 2015-03-28 Lumichip Oy Asennustason monitoiminen kapselointikerros ja menetelmä sen valmistamiseksi

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070228391A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
JP2009224538A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
US20150023026A1 (en) * 2013-07-17 2015-01-22 Nichia Corporation Light emitting device

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