WO2017188795A1 - 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 - Google Patents

형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2017188795A1
WO2017188795A1 PCT/KR2017/004608 KR2017004608W WO2017188795A1 WO 2017188795 A1 WO2017188795 A1 WO 2017188795A1 KR 2017004608 W KR2017004608 W KR 2017004608W WO 2017188795 A1 WO2017188795 A1 WO 2017188795A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
phosphor
light
emitting device
light emitting
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2017/004608
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
문지욱
송우석
이승재
김진성
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Priority to US16/097,349 priority Critical patent/US10479932B2/en
Publication of WO2017188795A1 publication Critical patent/WO2017188795A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/77217—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77747—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Definitions

  • Embodiments relate to a phosphor composition
  • a phosphor composition comprising a cyan phosphor, and a light emitting device package and a lighting device including the same.
  • Light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using semiconductor III-V or II-VI compound semiconductor materials have various colors such as red, green, blue and ultraviolet light due to the development of thin film growth technology and device materials. It is possible to realize efficient white light by using fluorescent materials or combining colors, and it has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Has
  • the method of implementing white light is divided into a single chip type method in which fluorescent materials are combined on a blue or ultraviolet (UV) light emitting diode chip and manufactured in a multi-chip type and combined with each other to obtain white light.
  • fluorescent materials are combined on a blue or ultraviolet (UV) light emitting diode chip and manufactured in a multi-chip type and combined with each other to obtain white light.
  • the red phosphor when used in the phosphor composition to improve the color rendering index, there is a problem that the luminous flux decreases as the red phosphor absorbs the wavelength of the green region.
  • the embodiment is to provide a phosphor composition, a light emitting device package and a lighting device including the same, which can improve the color rendering index and the luminous flux simultaneously.
  • the phosphor composition according to the embodiment may include a first phosphor that is excited by an excitation light source and emits light in a first wavelength region; A second phosphor which is excited by the excitation light source and emits light in a second wavelength region; And a third phosphor that is excited by the excitation light source and emits light in a third wavelength region, wherein the first wavelength region, the second wavelength region, and the third wavelength region are different regions. .
  • the emission center wavelength of the first phosphor may be 490 nm to 505 nm.
  • the emission center wavelength of the second phosphor may be 515 nm to 570 nm.
  • the emission center wavelength of the third phosphor may be 580 nm to 670 nm.
  • Another embodiment includes a body portion; A first electrode portion and a second electrode portion disposed on the body portion; A light emitting element disposed on the body portion and electrically connected to a first electrode portion and a second electrode portion; And a molding part disposed surrounding the light emitting device and including the phosphor composition.
  • Another embodiment provides an illumination device including the above-described light emitting device package as a light source.
  • the color rendering index may be improved, and the width of the wavelength of the light in the red wavelength region As this becomes shorter, the luminous flux can be improved.
  • 1 is a diagram showing light emission wavelengths and excitation wavelengths of a first phosphor.
  • FIG. 2 is a diagram showing the light emission wavelength and excitation wavelength of the red phosphor in the third phosphor.
  • 3A to 3C are diagrams showing the intensity of light according to wavelengths of the first phosphor, the second phosphor, and the third phosphor included in the phosphor composition.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a phosphor composition according to an embodiment.
  • FIG. 5 is another cross-sectional view of a light emitting device package including a phosphor composition according to an embodiment.
  • FIG. 6 is another cross-sectional view of a light emitting device package including the phosphor composition according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device in the light emitting device package.
  • FIG. 8 is a graph showing wavelengths and intensities of the phosphor compositions according to Comparative Examples 1 and 2 and Example 1.
  • FIG. 8 is a graph showing wavelengths and intensities of the phosphor compositions according to Comparative Examples 1 and 2 and Example 1.
  • FIG. 10 is a perspective view illustrating a display device including a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 11 is a perspective view illustrating a display device including a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 12 is an exploded perspective view showing a lighting device including a light emitting device according to the embodiment.
  • the above (up) or below (on) or under) when described as being formed on “on” or “under” of each element, the above (up) or below (on) or under) includes two elements in which the two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are formed indirectly between the two elements.
  • the above (up) or below (on) or under) when expressed as “on” or “under”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
  • relational terms such as “first” and “second”, “upper / upper / up” and “lower / lower / lower”, etc., which are used hereinafter, are used to refer to any physical or logical relationship or order between such entities or elements. May be used only to distinguish one entity or element from another entity or element without necessarily requiring or implying.
  • each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect its actual size.
  • the phosphor composition according to the embodiment may include: a first phosphor which is excited by an excitation light source of ultraviolet or blue wavelengths and emits light in a first wavelength region; A second phosphor which is excited by the excitation light source and emits light in a second wavelength region; And a third phosphor that is excited by the excitation light source and emits light in a third wavelength region.
  • the excitation light source of the blue wavelength may have a peak wavelength of 400 nm or more as the excitation wavelength.
  • the excitation light source of the blue wavelength may have a peak wavelength of 400 nm to 470 nm as the excitation wavelength.
  • the first wavelength region, the second wavelength region, and the third wavelength region may be different regions.
  • the first wavelength region, the second wavelength region, and the third wavelength region may emit different colors as they have peak wavelengths in different regions.
  • the first phosphor may emit cyan light in the first wavelength region. That is, the first phosphor may be a cyan phosphor.
  • the second phosphor may emit green light of the second wavelength region. That is, the second phosphor may be a green phosphor.
  • the third phosphor may emit red light of the third wavelength region. That is, the third phosphor may be a red phosphor.
  • the first phosphor may be a nitride-based cyan phosphor.
  • the first phosphors may include the Eu 2 + as an active ion, and the Eu 2 + ions absorbing near-ultraviolet or blue light generated in the LED generates the cyan light by the nitride-base phosphor in the matrix.
  • the first phosphor may be an oxynitrides cyan phosphor.
  • the first phosphor comprises Eu 2 + as active ions, and the Eu 2 + ions absorbing near-ultraviolet or blue light generated in the LED, and can be generated by the cyan light with the matrix oxynitride-based fluorescent material.
  • the first phosphor may be a silicate cyan phosphor.
  • the first phosphors may include the Eu 2 + as an active ion, and the Eu 2 + ions absorbing near-ultraviolet or blue light generated in the LED generates the cyan light by the matrix to the silicate-based phosphor.
  • the first phosphor has the formula (Ba, Mg) 3- a Si 6 - b O 3 .5- c N 8 .5-d (Li, Cl, F, P) 1- e: Eu 2 + a, (Ba , Mg, Ca, Sr) 3 - a Si 6 O 3 N 8 : Eu 2 + a and (Ba, Mg, Ca, Sr) 1- a Si 2 O 2 N 2 : Eu 2 + a containing at least one can do.
  • the first phosphor is represented by the formula (Ba, Mg) 3-a Si 6-b O 3.5-c N 8.5-d (Li, Cl, F, P) 1- e : Eu 2 + a , (Ba , Mg, Ca, Sr) 3 - a Si 6 O 3 N 8 : Eu 2 + a and (Ba, Mg, Ca, Sr) 1- a Si 2 O 2 N 2 : Eu 2 + a can do.
  • different metals included in parentheses may mean that one or more kinds may be included.
  • (Ba, Mg) May mean that one or more of Ba and Mg are included, and
  • (Li, Cl, F, and P) may mean that one or more of Li, Cl, F, and P are included.
  • the first phosphor has the formula (Ba, Mg) 3- a Si 6 - b O 3 .5- c N 8 .5-d (Li, Cl, F, P) 1- e: Eu 2 + a
  • a, b, c, d, and e may range from 0.01 ⁇ a ⁇ 0.30, 0.01 ⁇ b ⁇ 1.0, 0.01 ⁇ c ⁇ 0.5, 0.01 ⁇ d ⁇ 0.5, and 0.01 ⁇ e ⁇ 0.9.
  • the first phosphor may be represented by the formula (Ba, Mg, Ca, Sr) 3- a Si 6 O 3 N 8 : Eu 2 + a , where the range of a may be 0.01 ⁇ a ⁇ 0.30.
  • the first phosphor is represented by the formula (Ba, Mg, Ca, Sr) 1-a Si 2 O 2 N 2 : Eu 2+ a , where a may be in a range of 0.01 ⁇ a ⁇ 0.30.
  • the second phosphor may be an aluminate green phosphor and / or a nitrides green phosphor.
  • the second phosphor is a Ce 3, and including Ce 3+ as an active ion + ions absorbing near-ultraviolet or blue light generated in the LED, and to a matrix the aluminate-based and / or nitride-based fluorescent material generates a green light You can.
  • the second phosphor has the formula (Lu, Y, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: Ce 3 + x, (Y, Lu, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: Ce And at least one of 3 + x and La 3 - x Si 6 N 11 : Ce 3 + x .
  • the second phosphor has the formula (Lu, Y, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: Ce 3 + x, (Y, Lu, Gd) 3-x (Al, Ga) 5 O 12 : Ce 3 + x and La 3 - x Si 6 N 11 : Ce 3 + x may include any one.
  • the (Lu, Y, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: Ce 3 + x and the (Y, Lu, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: Ce 3 + x may mean that the composition of the metal elements included in the parentheses are different.
  • (Al, Ga) may mean that one or more of Al and Ga are included.
  • (Y, Lu, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: the phosphor (G-YAG or YAG-Ga) of YAG series represented by Ce 3 + x, (Y, Lu, Gd) is Y , Lu, Gd may mean that one or more are included
  • (Al, Ga) may mean that one or more of Al, Ga is included.
  • the second phosphor is represented by the formula (Lu, Y, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12 : Ce 3 + x , where x may be in the range 0.01 ⁇ x ⁇ 0.5.
  • the second phosphor is represented by the formula (Y, Lu, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12 : Ce 3 + x , where x may be in the range 0.01 ⁇ x ⁇ 0.5.
  • the second phosphor is represented by the formula La 3 - x Si 6 N 11 : Ce 3 + x , wherein the range of x may be 0.01 ⁇ x ⁇ 0.5.
  • the third phosphor may include a nitride-based red phosphor and / or a silicate-based red phosphor.
  • the third phosphor may be included in the Eu 2 + as an active ion, and the Eu 2 + ions absorbing near-ultraviolet or blue light generated in the LED generates the red light by the nitride-base phosphor in the matrix.
  • the third phosphor may be included in the Mn + 4 as an active ion, and the Mn + 4 ions absorbing near-ultraviolet or blue light generated in the LED generates the red light in the matrix a silicate-based phosphor.
  • the third fluorescent material is nitride-based red phosphor of the formula (Ca, Sr) 1- xAlSiN 3 : Eu 2+ x, (Ca) 1- x AlSiN 3: Eu 2 + x, Sr 2 - x Si 5 N 8: It may include at least one of Eu 2 + x and (Ba, Sr) 2- x Si 5 N 8 : Eu 2 + x .
  • the third phosphor has the formula (Ca, Sr) 1-x AlSiN 3: Eu 2+ x, (Ca) 1- x AlSiN 3: Eu 2 + x, Sr 2 - x Si 5 N 8: Eu 2 + x and (Ba, Sr) 2- x Si 5 N 8 : Eu 2 + x .
  • the third phosphor may include a KSF-based K 2 Si 1 - x F 6 : Mn 4 + x that is a silicate-based red phosphor.
  • the third phosphor may include different kinds of red phosphors. That is, the third phosphor may include both a nitride red phosphor and a silicate red phosphor.
  • the third phosphor has the formula (Ca, Sr) 1-x AlSiN 3: Eu 2+ x, (Ca) 1- x AlSiN 3: Eu 2 + x, Sr 2 - x Si 5 N 8: Eu 2 + x and (Ba, Sr) 2- x Si 5 N 8: Eu 2 + x of any one of nitride-based red phosphor) and (K 2 Si 1 - x F 6 : silicate-based red phosphor of Mn 4 + x It may include.
  • different metals included in parentheses may mean that one or more kinds may be included.
  • (Ca, Sr) 1- x AlSiN 3: (Sr Ca,) from Eu 2 + x may mean that include at least one of Ca, Sr.
  • (Ba, Sr) 2- x Si 5 N 8: Eu 2 + in x, (Ba, Sr) may indicate that include at least one of Ba, Sr.
  • the third phosphor is represented by the formula (Ca, Sr) 1- x AlSiN 3 : Eu 2 + x , where x may be in the range 0.01 ⁇ x ⁇ 0.5.
  • the third phosphor is represented by Formula (Ca) 1-x AlSiN 3 : Eu 2+ x , where x may be in the range 0.01 ⁇ x ⁇ 0.5.
  • the third phosphor has the formula Sr 2 - x Si 5 N 8 : Eu 2 + It is represented by x, where the range of x may be 0.01 ⁇ x ⁇ 0.5.
  • the third phosphor is represented by the formula (Ba, Sr) 2- x Si 5 N 8 : Eu 2 + x , where the range of x may be 0.01 ⁇ x ⁇ 0.5.
  • the third phosphor is represented by the formula K 2 Si 1-x F 6 : Mn 4+ x , where x may be 0.01 ⁇ x ⁇ 0.3.
  • 1 is a view showing emission wavelengths and excitation wavelengths of a cyan fluorescent substance which is a first fluorescent substance.
  • the excitation wavelength of the first phosphor may include blue light of 350 nm to 450 nm.
  • the central wavelength of the first phosphor may emit a peak wavelength of 490 nm to 505 nm. That is, the maximum emission peak of the first phosphor may be 495 nm to 500 nm. For example, the maximum emission peak of the first phosphor may be about 498 nm. Here, "about” may represent a range of several nanometers.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the first phosphor may be 35 nm or less.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the first phosphor may be 30 nm to 35 nm.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the first phosphor may be about 32 nm.
  • the center wavelength of the second phosphor may emit a peak wavelength of 515 nm to 570 nm. That is, the maximum emission peak of the second phosphor may be 515 nm to 570 nm. For example, the maximum emission peak of the second phosphor may be about 539 nm to about 541 nm. Here, “about” may represent a range of several nanometers.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the second phosphor may be 110 nm or less.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the second phosphor may be 100 nm to 110 nm.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the second phosphor may be about 106 nm.
  • Figure 2 is a graph of the wavelength and intensity of the silicate-based red phosphor.
  • Figure 2 is a graph of the wavelength and intensity of the formula K 2 Si 1 - x F 6 : Mn 4 + x .
  • the excitation wavelength of the third phosphor which is the silicate-based red phosphor, may include blue light of 400 nm to 480 nm.
  • the central wavelength of the third phosphor which is the silicate-based red phosphor, may emit a peak wavelength of 580 nm to 670 nm. That is, the maximum emission peak of the third phosphor may be 580 nm to 670 nm. For example, the maximum emission peak of the third phosphor may be about 632 nm. Here, "about” may represent a range of several nanometers.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the third phosphor which is the silicate-based red phosphor, may be 10 nm or less.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the third phosphor may be 5 nm to 10 nm.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the third phosphor may be about 7 nm.
  • the center wavelength of the third phosphor which is the nitride-based red phosphor, may emit a peak wavelength of 580 nm to 670 nm. That is, the maximum emission peak of the third phosphor may be 580 nm to 670 nm.
  • the maximum emission peak of the third phosphor may be about 610 nm to 625 nm.
  • the maximum emission peak of the third phosphor may be about 610 nm to 624 nm.
  • "about” may represent a range of several nanometers.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the third phosphor which is the nitride-based red phosphor, may be 85 nm or less.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the third phosphor may be 70 nm to 80 nm.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the third phosphor may be about 76 nm to about 79 nm.
  • the first phosphor, the second phosphor, and the third phosphor may correspond to each other or have particle sizes of different sizes.
  • the average particle diameter D50 of the first phosphor may be 15 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the average particle diameter D50 of the first phosphor may be about 16 ⁇ m to about 17 ⁇ m.
  • the average particle diameter (D50) of the first phosphor may be about 16.9 ⁇ m.
  • "about” can represent a range of several micrometers back and forth.
  • the average particle diameter (D50) of the second phosphor may be 10 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the average particle diameter D50 of the second phosphor may be about 12.3 ⁇ m to about 13.4 ⁇ m.
  • "about” can represent a range of several micrometers back and forth.
  • the third phosphor may have a different size of the nitride-based red phosphor and a size of the silicate-based red phosphor.
  • the silicate-based red phosphor may be larger in size than the nitride-based red phosphor.
  • the average particle diameter (D50) of the third phosphor which is the nitride-based red phosphor
  • the average particle diameter (D50) of the third phosphor, which is the nitride-based red phosphor may be 8 ⁇ m to 12 ⁇ m.
  • the average particle diameter (D50) of the third phosphor, which is the nitride-based red phosphor may be about 9.7 ⁇ m to about 11.9 ⁇ m.
  • "about” can represent a range of several micrometers back and forth.
  • the average particle diameter (D50) of the third phosphor, which is the silicate-based red phosphor may be 25 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the average particle diameter (D50) of the second phosphor, which is the silicate-based red phosphor may be about 26 ⁇ m to about 27 ⁇ m.
  • the average particle diameter (D50) of the second phosphor, which is the silicate-based red phosphor may be about 26.8 ⁇ m.
  • "about” can represent a range of several micrometers back and forth.
  • 3A to 3C are diagrams showing the intensity of light according to wavelengths of the cyan phosphor, the green phosphor, and the red phosphor included in the phosphor composition.
  • the emission center wavelength of the first phosphor emits light in the blue-green wavelength region at 490 nm to 505 nm
  • the emission center wavelength of the second phosphor in FIG. 3B emits light in the green wavelength region at 515 nm to 570 nm
  • the emission center wavelength of the third phosphor is 580 nm to 670 nm, and emits light in a red wavelength region.
  • the composition of the first to third phosphors is changed, the wavelength region and intensity of the emitted light are also changed. Can be.
  • the light emitting device package 200 may include a body 210, a cavity formed on the body 210, and a light emitting device 100 disposed in the cavity.
  • the unit 210 may include lead frames 221 and 222 for electrical connection with the light emitting device 100.
  • the light emitting device 100 may be disposed on the bottom surface of the cavity in the cavity, and the molding unit 230 may be disposed in the cavity to surround the light emitting device 100.
  • the molding part 230 may include the phosphor composition of the above-described embodiment.
  • the body portion 210 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and may have a cavity having an upper side and a side and a bottom surface.
  • the cavity may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the side surface of the cavity may be perpendicular or inclined with respect to the bottom surface, and may vary in size and shape.
  • the shape of the cavity viewed from above may be circular, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved shape, but is not limited thereto.
  • the body part 210 may include a first lead frame 221 and a second lead frame 222 to be electrically connected to the light emitting device 100.
  • the body portion 210 is formed of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the body portion 210 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 221 and 222. Can be.
  • the first lead frame 221 and the second lead frame 222 may be electrically separated from each other, and may supply a current to the light emitting device 100.
  • the first lead frame 221 and the second lead frame 222 may increase light efficiency by reflecting light generated from the light emitting device 100, and heat generated from the light emitting device 100. Can be discharged to the outside.
  • the light emitting device 100 may be disposed in a cavity, and may be disposed on the body portion 210 or on the first lead frame 221 or the second lead frame 222.
  • the light emitting device 100 disposed in the cavity may be a horizontal light emitting device in addition to the vertical light emitting device.
  • the light emitting device 100 may be disposed on the first lead frame 221 and may be connected to the second lead frame 222 through a wire 250.
  • the chip may be connected to the lead frame by flip chip bonding or die bonding.
  • the molding part 230 of the light emitting device package 200 may fill the inside of the cavity.
  • the molding part 230 may be formed in a cavity on the body part 210 and the lead frames 221 and 222.
  • the molding part 230 may surround the top and side surfaces of the light emitting device 100 as a whole. Accordingly, the molding part 230 may protect the light emitting device 100.
  • the molding part 230 may be formed to include a phosphor composition and a resin of an embodiment including a plurality of phosphors 240.
  • the molding part 230 may include a phosphor composition and a resin including the first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243.
  • the molding part 230 may include a resin, the first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243, and may be disposed to surround the light emitting device 100. 100) can be protected. That is, the molding part 230 may include the resin and the first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243, while surrounding the light emitting device 100. It may be disposed in the cavity.
  • the resin that may be mixed and used with the phosphor composition in the molding unit 230 may be in the form of any one of silicone resin, epoxy resin, acrylic resin, or a mixture thereof.
  • first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243 may emit light wavelength-excited by being excited by the light emitted from the light emitting device 100.
  • the molding part 230 may be disposed in a dome shape to fill the cavity and be higher than the height of the side surface of the cavity, and may be modified to adjust the light exit angle of the light emitting device package 200. It may be arranged in a dome shape.
  • the molding part surrounds and protects the light emitting device 100 and may act as a lens for changing a path of light emitted from the light emitting device 100.
  • the molding part 230 may include a phosphor composition and a resin of an embodiment including a plurality of phosphors 240.
  • the molding part 230 may include a phosphor composition and a resin including the first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243.
  • the third phosphor 243 may include both the nitride-based red phosphor 243A and the silicate-based red phosphor 243B having different particle diameters.
  • the third phosphor 243 may include two kinds of red phosphors having different compositions and different average particle diameters.
  • the molding part 230 may include a plurality of molding parts 231 and 232.
  • the molding part 230 may include a first molding part 231 and a second molding part 232.
  • the first molding part 231 may be disposed to surround the light emitting device 100
  • the second molding part 232 may be disposed on the first molding part 231.
  • the phosphor composition according to the embodiment may be disposed in any one of the first molding part 231 and the second molding part 232.
  • the first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243 may be disposed in the second molding part 232.
  • the ratio of the thicknesses of the first molding part 231 and the second molding part 232 may range from 2: 1 to 1: 3.
  • the thickness ratio of the second molding part 232 is smaller than the range, the ability to dissipate the transferred heat may be reduced, and when larger than the range, the thickness of the light emitting device package may increase.
  • the first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243 may be spaced apart from the light emitting device 100.
  • the first phosphor 241, the second phosphor 242, and the third phosphor 243 may be disposed in the cavity spaced apart from the light emitting device 100.
  • the second molding part 232 may have a distance of 0.2 mm or more from the light emitting device 100. When the separation distance is smaller than 0.2 mm, problems due to deterioration of the phosphor composition may occur.
  • FIG. 7 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device 100.
  • the light emitting device 100 may include a support substrate 170, a light emitting structure 120, an ohmic layer 140, and a first electrode 180. Can be.
  • the light emitting structure 120 includes a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126.
  • the first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group, and may be doped with the first conductive dopant.
  • the first conductive semiconductor layer 122 is a semiconductor material having Al x In y Ga (1-xy) N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1), AlGaN. , GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP may be formed of any one or more.
  • the first conductivity type dopant may include an n type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like.
  • the first conductivity type semiconductor layer 122 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.
  • the active layer 124 is disposed between the first conductive semiconductor layer 122 and the second conductive semiconductor layer 126, and has a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, and a multi quantum well (MQW).
  • Well may include any one of the quantum dot structure or quantum line structure.
  • the active layer 124 is formed of a well layer and a barrier layer, for example AlGaN / AlGaN, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) using a compound semiconductor material of group III-V elements.
  • a barrier layer for example AlGaN / AlGaN, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) using a compound semiconductor material of group III-V elements.
  • / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP may be formed of any one or more pair structure, but is not limited thereto.
  • the well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.
  • the second conductivity type semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound.
  • the second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI, and may be doped with a second conductive dopant.
  • a second conductivity type semiconductor material having the compositional formula of the semiconductor layer 126 is, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1) , AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP may be formed of one or more, for example, the second conductive semiconductor layer 126 may be made of Al x Ga (1-x) N have.
  • the second conductive dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.
  • the surface of the first conductive semiconductor layer 122 may be patterned to improve light extraction efficiency.
  • a first electrode 180 may be disposed on a surface of the first conductive semiconductor layer 122, and although not shown, a surface of the first conductive semiconductor layer 122 on which the first electrode 180 is disposed may be disposed. May not form a pattern.
  • the first electrode 180 may be formed in a single layer or a multilayer structure including at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). have.
  • the passivation layer 190 may be formed around the light emitting structure 120.
  • the passivation layer 190 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of an oxide or nitride that is nonconductive.
  • the passivation layer 190 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.
  • a second electrode may be disposed below the light emitting structure 120, and the ohmic layer 140 and the reflective layer 150 may serve as the second electrode.
  • GaN is disposed under the second conductive semiconductor layer 126 to smoothly supply current or holes to the second conductive semiconductor layer 126.
  • the ohmic layer 140 may be about 200 angstroms thick.
  • the ohmic layer 140 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin oxide (IGTO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • IZTO indium zinc tin oxide
  • IAZO indium aluminum zinc oxide
  • IGZO indium gallium zinc oxide
  • IGTO indium gallium tin oxide
  • the reflective layer 150 includes molybdenum (Mo), aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al, Ag, Pt, or Rh. It may be made of a metal layer. The reflective layer 150 may effectively reflect light generated from the active layer 124 to greatly improve the light extraction efficiency of the semiconductor device.
  • the support substrate 170 may be formed of a conductive material such as a metal or a semiconductor material.
  • a metal having excellent electrical conductivity or thermal conductivity may be used, and since it is necessary to sufficiently dissipate heat generated during operation of the semiconductor device, the metal may be formed of a material having high thermal conductivity (eg, a metal).
  • it may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Al) or alloys thereof, and also gold (Au). ), Copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (e.g. GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3 May be any one of) and the like.
  • the support substrate 170 may be 50 ⁇ m to 200 in order to have a mechanical strength that is sufficient to separate it into separate chips through a scribing process and a breaking process without causing warping of the entire nitride semiconductor. It may be made of a thickness of ⁇ m.
  • the bonding layer 160 combines the reflective layer 150 and the support substrate 170, and includes gold (Au), tin (Sn), indium (In), aluminum (Al), silicon (Si), silver (Ag), It may be formed of a material selected from the group consisting of nickel (Ni) and copper (Cu) or alloys thereof.
  • the embodiment of the light emitting device 100 shown in FIG. 7 is a vertical light emitting device, but the embodiment of the light emitting device package 200 shown in FIGS. Horizontal light emitting devices and flip chip type light emitting devices may be disposed, and the light emitting device 100 may emit light in a blue light wavelength region.
  • the light emitting device package according to the embodiment shown in FIGS. 4 to 6 including the light emitting device 100 shown in FIG. 7 may emit white light.
  • the light emitting device is a white light emitting device, which is a warm white of 2500K to 4000K, a neutral white of 3000 to 4000K, and a cool white device of 6500K to 7000K depending on the color temperature. Can be implemented.
  • the second phosphor is a weight ratio of 15wt% to 30wt%
  • the silicate-based third phosphor may be included in a weight ratio of 85wt% to 70wt%.
  • the second phosphor containing YAG represented by 3 + x has a weight ratio of 15 wt% to 30 wt%
  • the third phosphor containing KSF represented by K 2 Si 1 - x F 6 : Mn 4 + x is 85 wt% to It may be included in a weight ratio of 70wt%, the phosphor may be included in the molding portion of the light emitting device package 65wt% to 85wt%. Accordingly, the composition according to the embodiment may have a value of greater than 90 R9 value to
  • the first phosphor is a weight ratio of 1wt% to 10wt%
  • the second phosphor is a weight ratio of 35wt% to 55wt%
  • the nitride-based third phosphor is a weight ratio of 1wt% to 10wt%
  • the silicate-based third phosphor may be included in a weight ratio of 40 wt% to 60 wt%.
  • the first phosphor is weight ratio of 1wt% to 10wt%, (Lu, Y, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: Ce 3 + x LuAG and (Y, Lu, Gd) represented by 3 - x (Al, Ga) 5 O 12: Ce a second phosphor containing a YAG represented by 3 + x is a weight ratio of 35wt% to 55wt%, the nitride-based third phosphor is weight ratio of 1wt% to 10wt% , And the third phosphor including KSF represented by K 2 Si 1-x F 6 : Mn 4+ x may be included in a weight ratio of 40 wt% to 60 wt%, and the phosphor is in the molding portion of the light emitting device package at 65 wt% to 85 wt% may be included. Accordingly, the composition according to the embodiment may have a value of greater than 90 R9 value to measure the color rendering for the strong red, it can be utilized in
  • the second phosphor may be included in a weight ratio of 25 wt% to 40 wt%, and the silicate-based third phosphor may be included in a weight ratio of 60 wt% to 75 wt%.
  • the second phosphor including YAG represented by 3 + x has a weight ratio of 25 wt% to 40 wt%
  • the third phosphor including KSF represented by K 2 Si 1 - x F 6 : Mn 4 + x is 60 wt% to It may be included in a weight ratio of 75wt%, the phosphor may be included in the molding portion of the light emitting device package 55wt% to 75wt%.
  • the composition according to the embodiment may have a value of greater than 90 R9 value to measure the color rendering for the strong red, it can be utilized in the illumination requiring high color rendering index. In this case, the color temperature of the white LED may be about 5000K.
  • the first phosphor is a weight ratio of 1wt% to 10wt%
  • the second phosphor is a weight ratio of 35wt% to 55wt%
  • the nitride-based third phosphor is a weight ratio of 1wt% to 10wt%
  • the silicate-based third phosphor may be included in a weight ratio of 40 wt% to 60 wt%.
  • the first phosphor is weight ratio of 1wt% to 10wt%, (Lu, Y, Gd) 3- x (Al, Ga) 5 O 12: Ce 3 + x LuAG and (Y, Lu, Gd) represented by 3 - x (Al, Ga) 5 O 12: Ce a second phosphor containing a YAG represented by 3 + x is a weight ratio of 35wt% to 55wt%, the nitride-based third phosphor is weight ratio of 1wt% to 10wt% , And the third phosphor including KSF represented by K 2 Si 1-x F 6 : Mn 4+ x may be included in a weight ratio of 40 wt% to 60 wt%, and the phosphor is in the molding portion of the light emitting device package at 65 wt% to 85 wt% may be included. Accordingly, the composition according to the embodiment may have a value of greater than 90 R9 value to measure the color rendering for the strong red, it can be utilized in
  • the color gamut is the area spanned between the color points of the red, green and blue pixels of the display in a chromaticity diagram, such as the CIE 1931 x, y chromaticity diagram.
  • the historical "golden standard" of displays is the NTSC gamut, which is limited to a set of three color point coordinates. Generally, over 70% of the NTSC is considered acceptable for many backlighting applications, The full range over 90% of NTSC is considered acceptable for most of these arbitrary uses.
  • the embodiment can improve color reproducibility by providing a phosphor composition including a long peak red peak wavelength and a narrow half width, and may be 100% or more with respect to the area ratio of the color gamut of NTSC. Alternatively, depending on the combination of phosphors, it may be less than 100% relative to the area ratio of the color gamut of NTSC.
  • the red color due to the red phosphor according to the embodiment has a narrow half-width and is distributed in a long wavelength, thereby further widening the color purity of red, and thus having a color reproduction rate in NTSC, in particular, a more realistic red reproduction rate.
  • the phosphor composition according to the first to fourth embodiments may include a red phosphor in order to improve color rendering, and the silicate-based KSF phosphor which may be included at this time, because the half-value width is small, the green corresponding to 500nm It may not absorb the wavelength of the region, so that the luminous flux can be improved.
  • Table 1 shows the characteristics of the light emitted from the light emitting device package having the phosphor composition according to Comparative Examples 1, 2 and Example 1 when the color temperature of the light emitted from the light emitting device package is 4000K (Kelvin).
  • Comparative Example 1 includes a LuAG green phosphor and (Ca, Sr) 1- x AlSiN 3 : Eu 2 + x red phosphor.
  • Comparative Example 2 includes a LuAG green phosphor and a KSF red phosphor.
  • Example 1 includes the first phosphor, LuAG green phosphor, (Ca, Sr) 1- x AlSiN 3 : Eu 2 + x red phosphor and KSF red phosphor that emit cyan light.
  • Comparative Examples 1 and 2 include only green phosphors and red phosphors, and the types of red phosphors used are different.
  • K 2 As the red phosphor of Si 1 - x F 6 : Mn 4 + x was used, the color rendering index increased by 6.4 and the color rendering index in the red region increased by 35.5. Through this, it can be seen that the color rendering index (R9) of the color rendering index and the red region can be improved by using KSF having a half width of 10 nm or less among the red phosphors.
  • Comparative Examples 1 and 2 include only green phosphors and red phosphors, and thus, in contrast to low intensity according to wavelength, Example 1 shows that the intensity of the spectrum according to wavelength is large. Can be.
  • the weight ratio of the cyan phosphor which is the first phosphor
  • the intensity of the spectrum gradually increases in the region around 450 nm. It can also be seen that the intensity of the spectrum decreases in the region around 480 nm.
  • Example 1 since Example 1 includes the cyan phosphor, it can be seen that the intensity of the spectrum is greater than that of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 in the region around 500 nm, and thus, the color rendering index is improved.
  • the phosphor composition according to the embodiment may have a color rendering index of 90 or more.
  • the phosphor composition according to the embodiment may have a color rendering index of 91 or more at 4000K.
  • the phosphor composition according to the embodiment may have a color rendering index of 91.1 at 4000K.
  • Example 1 includes the KSF, the half width of the wavelength observed in the region around 630 nm is small, so that the problem of deterioration of the luminous flux can be prevented as the red phosphor absorbs the wavelength in the green region.
  • the color rendering index R9 of the red region since the color rendering index R9 of the red region has a value of 50 or more, it can be used for lighting having a high color rendering index.
  • the color rendering index R9 of the red region may be 50.2.
  • the color rendering index may be improved, and the luminous flux may be improved as the wavelength of light in the red wavelength region is shortened.
  • Table 2 shows the characteristics of the light emitted from the light emitting device package having the phosphor composition according to Comparative Examples 3, 4 and 2, respectively, when the color temperature of the light emitted from the light emitting device package is 5000K (Kelvin).
  • Comparative Example 3 includes a LuAG green phosphor and (Ca, Sr) 1- x AlSiN 3 : Eu 2 + x red phosphor.
  • Comparative Example 4 includes a LuAG green phosphor and a KSF red phosphor.
  • Example 2 includes the first phosphor, LuAG green phosphor, (Ca, Sr) 1- x AlSiN 3 : Eu 2 + x red phosphor and KSF red phosphor that emit cyan light.
  • Comparative Example 3 and Comparative Example 4 include only the green phosphor and the red phosphor, and the kind of the red phosphor used is different.
  • Comparative Example 3 and Comparative Example 4 include only green phosphors and red phosphors, and therefore, in contrast to low intensity according to wavelength, Example 2 shows that the intensity of the spectrum according to wavelength is large. Can be.
  • the weight ratio of the cyan phosphor which is the first phosphor
  • the intensity of the spectrum gradually increases in the region around 450 nm. It can also be seen that the intensity of the spectrum decreases in the region around 480 nm.
  • Example 2 includes the cyan phosphor, it can be seen that the intensity of the spectrum is larger than that of Comparative Example 3 and Comparative Example 4 in the region around 500 nm, and thus, the color rendering index is improved.
  • the phosphor composition according to the embodiment may have a color rendering index of 90 or more.
  • the phosphor composition according to the embodiment may have a color rendering index of 94 or more at 5000K.
  • the phosphor composition according to the embodiment may have a color rendering index of 94.8 at 5000K.
  • the intensity of the spectrum increases in the region around 630 nm. Since the second embodiment includes the KSF, the half width of the wavelength observed in the region around 630 nm is small, so that the luminous flux can be prevented from decreasing as the red phosphor absorbs the wavelength in the green region.
  • the color rendering index R9 of the red region since the color rendering index R9 of the red region has a value of 70 or more, it can be used for illumination having a high color rendering index.
  • the color rendering index R9 of the red region may be 76.3.
  • the color rendering index may be improved, and the luminous flux may be improved as the wavelength of light in the red wavelength region is shortened.
  • the light emitting device or light unit according to the embodiment may be applied to a lighting system.
  • the lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and includes a display device shown in FIGS. 10 and 11 and a lighting device shown in FIG. 12. have.
  • FIG. 10 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to the embodiment.
  • the display apparatus 1000 includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 providing light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light source module 1031, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051.
  • the bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.
  • the bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.
  • the light guide plate 1041 diffuses light to serve as a surface light source.
  • the light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.
  • PMMA polymethyl metaacrylate
  • PET polyethylene terephthlate
  • PC polycarbonate
  • COC cycloolefin copolymer
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.
  • the light source module 1031 may include at least one, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041.
  • the light source module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device 1035 according to the embodiment disclosed above, and the light emitting device 1035 may be arranged on the circuit board 1033 at predetermined intervals. .
  • the circuit board 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown).
  • the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto.
  • MCPCB Metal Core PCB
  • FPCB Flexible PCB
  • the circuit board 1033 may be removed.
  • a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.
  • the plurality of light emitting devices 1035 may be mounted on the circuit board 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto.
  • the light emitting device 1035 may directly or indirectly provide light to a light incident part, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.
  • the reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041.
  • the reflective member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident to the lower surface of the light guide plate 1041 and pointing upward.
  • the reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.
  • the reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.
  • the bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with an accommodating part 1012 having a box shape having an upper surface opened thereto, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with the top cover, but is not limited thereto.
  • the bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.
  • the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.
  • the display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates.
  • a polarizer may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the polarizer is not limited thereto.
  • the display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051.
  • the display device 1000 may be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.
  • the optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light transmissive sheet.
  • the optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet.
  • the diffusion sheet diffuses the incident light
  • the horizontal and / or vertical prism sheet focuses the incident light into the display area
  • the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.
  • a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but is not limited thereto.
  • the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light source module 1031, but are not limited thereto.
  • FIG. 11 illustrates a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.
  • the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a circuit board 1120 on which the above-described light emitting device 1124 is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155. .
  • the circuit board 1120 and the light emitting device 1124 may be defined as a light source module 1160.
  • the bottom cover 1152, the at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150.
  • the bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto.
  • the light source module 1160 includes a circuit board 1120 and a plurality of light emitting devices 1124 arranged on the circuit board 1120.
  • the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, horizontal and vertical prism sheets, and a brightness enhancement sheet.
  • the light guide plate may be made of a PC material or a poly methyl methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed.
  • the diffusion sheet diffuses the incident light
  • the horizontal and vertical prism sheets focus the incident light onto the display area
  • the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.
  • the optical member 1154 is disposed on the light source module 1160 and performs surface light, or diffuses, condenses, or the like the light emitted from the light source module 1160.
  • FIG. 12 is an exploded perspective view of a lighting apparatus having a light emitting device according to the embodiment.
  • the lighting apparatus may include a cover 2100, a light source module 2200, a heat sink 2400, a power supply 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can be.
  • the lighting apparatus according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500.
  • the light source module 2200 may include a light emitting device according to an embodiment.
  • the cover 2100 may have a shape of a bulb or hemisphere, may be hollow, and may be provided in an open shape.
  • the cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200 and coupled to the radiator 2400.
  • the cover 2100 may have a coupling part coupled to the heat sink 2400.
  • An inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky paint having a diffusion material. Using the milky white material, light from the light source module 2200 may be scattered and diffused to be emitted to the outside.
  • the cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like.
  • polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength.
  • the cover 2100 may be transparent and opaque so that the light source module 2200 is visible from the outside.
  • the cover 2100 may be formed through blow molding.
  • the light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat sink 2400. Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400.
  • the light source module 2200 may include a light emitting element 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.
  • the member 2300 is disposed on an upper surface of the heat dissipator 2400, and includes a plurality of lighting elements 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted.
  • the guide groove 2310 corresponds to the board and the connector 2250 of the lighting device 2210.
  • the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint.
  • the member 2300 is reflected on the inner surface of the cover 2100 to reflect the light returned to the light source module 2200 side again toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting apparatus according to the embodiment.
  • the member 2300 may be made of an insulating material, for example.
  • the connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230.
  • the member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400.
  • the radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.
  • the holder 2500 may block the accommodating groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed.
  • the holder 2500 has a guide protrusion 2510.
  • the guide protrusion 2510 may include a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.
  • the power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside to provide the light source module 2200.
  • the power supply unit 2600 is accommodated in the accommodating groove 2725 of the inner case 2700, and is sealed in the inner case 2700 by the holder 2500.
  • the power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide unit 2630, a base 2650, and an extension unit 2670.
  • the guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650.
  • the guide part 2630 may be inserted into the holder 2500.
  • a plurality of parts may be disposed on one surface of the base 2650.
  • the plurality of components may include, for example, a DC converter, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200, an electrostatic discharge (ESD) protection element for protecting the light source module 2200, and the like. It is not limited to.
  • the extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650.
  • the extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside.
  • the extension part 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700.
  • the extension 2670 may be electrically connected to the socket 2800 through a wire.
  • the inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein.
  • the molding part is a part where the molding liquid is hardened, so that the power supply part 2600 can be fixed inside the inner case 2700.
  • the luminous flux and color reproducibility can be improved, and the amount of change in luminous flux and color coordinates under high temperature standing conditions, etc. It is possible to improve the reliability by reducing the optical characteristic of.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

실시예의 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지는, 여기 광원에 의하여 여기되어, 제1 파장 영역의 광을 방출하는 제1 형광체; 상기 여기 광원에 의하여 여기되어, 제2 파장 영역의 광을 방출하는 제2 형광체; 및 상기 여기 광원에 의하여 여기되어, 제3 파장 영역의 광을 방출하는 제3 형광체를 포함하여, 형광체 조성물에서 방출되는 광은 청록색 파장 영역의 광의 세기가 증가하여 연색지수가 향상되고 있으며 적색 파장 영역의 광의 파장이 짧아지며 광속이 향상된다.

Description

형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
실시예는 청록색(cyan) 형광체를 포함하는 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지와 조명 장치에 관한 것이다.
반도체의 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드 (Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색광도 구현이 가능하며 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
백색광을 구현하는 방법에 있어서는 단일 칩 형태의 방법으로 청색이나 자외선(UV: Ultra Violet) 발광 다이오드 칩 위에 형광물질을 결합하는 것과 멀티 칩 형태로 제조하여 이를 서로 조합하여 백색광을 얻는 방법으로 나누어진다.
멀티 칩 형태의 경우 대표적으로 RGB(Red, Green, Blue)의 3 종류의 칩을 조합하여 제작하는 방법이 있다.
또한, 단일 칩으로 백색광을 구현하는 경우에 있어서, 청색 LED로부터 발광하는 빛과 이를 이용해서 적어도 하나의 형광체들을 여기 시켜 백색광을 얻는 방법이 사용되고 있다.
한편, 연색성 지수를 향상시키기 위해서 형광체 조성물에 적색 형광체를 사용하는 경우, 상기 적색 형광체가 녹색 영역의 파장을 흡수함에 따라, 광속이 저하되는 문제가 있었다.
이에 따라, 연색성 지수를 향상시키는 동시에 광속을 증가시킬 수 있는 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지에 대한 개발이 요구된다.
실시예는 연색성 지수와 광속을 동시에 향상시킬 수 있는 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 형광체 조성물은 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 1 파장 영역의 광을 방출하는 제 1 형광체; 상기 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 2 파장 영역의 광을 방출하는 제 2 형광체; 및 상기 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 3 파장 영역의 광을 방출하는 제 3 형광체를 포함하고, 상기 제 1 파장 영역, 상기 제 2 파장 영역 및 상기 제 3 파장 영역은 서로 다른 영역인 것을 포함한다.
상기 제 1 형광체의 발광 중심 파장은 490nm 내지 505nm일 수 있다.
상기 제 2 형광체의 발광 중심 파장은 515nm 내지 570nm일 수 있다.
상기 제 3 형광체의 발광 중심 파장은 580nm 내지 670nm일 수 있다.
다른 실시예는 몸체부; 상기 몸체부 상에 배치된 제1 전극부와 제2 전극부; 상기 몸체부 상에 배치되고, 제1 전극부 및 제2 전극부와 전기적으로 연결된 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 둘러싸고 배치되고, 상기 형광체 조성물을 포함하는 몰딩부를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.
또 다른 실시예는 상술한 발광 소자 패키지를 광원으로 포함하는 조명 장치를 제공한다.
실시예에 따른 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치는, 형광체 조성물에서 방출되는 청록색 파장 영역의 광의 세기가 증가함에 따라, 연색지수가 향상될 수 있고, 적색 파장 영역의 광의 파장의 폭이 짧아짐에 따라, 광속이 향상될 수 있다.
도 1은 제 1 형광체의 발광파장과 여기 파장을 나타낸 도면이다.
도 2는 제 3 형광체 중 실리케이트게 적색 형광체의 발광파장과 여기 파장을 나타낸 도면이다.
도 3A 내지 도 3C는 형광체 조성물에 포함된 제 1 형광체, 제 2 형광체 및 제 3 형광체의 파장에 따른 광의 세기를 나타낸 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 5는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광 소자 패키지의 다른 단면도이다.
도 6은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광 소자 패키지의 또 다른 단면도이다.
도 7은 발광 소자 패키지 내의 발광 소자의 단면도이다.
도 8은 비교예 1, 2 및 실시예 1에 따른 형광체 조성물의 파장과 세기에 관한 그래프이다.
도 9는 비교예 3, 4 및 실시예 2에 따른 형광체 조성물의 파장과 세기에 관한 그래프이다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 12는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2", "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
실시예에 따른 형광체 조성물은 자외선 또는 청색 파장인 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 1 파장 영역의 광을 방출하는 제 1 형광체; 상기 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 2 파장 영역의 광을 방출하는 제 2 형광체; 및 상기 여기 광원에 의하여 여기 되어, 제 3 파장 영역의 광을 방출하는 제 3 형광체를 포함할 수 있다.
상기 청색 파장의 여기 광원은 400nm이상의 피크 파장을 여기 파장으로 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 청색 파장의 여기 광원은 400nm 내지 470nm의 피크 파장을 여기 파장으로 가질 수 있다.
이때, 상기 제 1 파장 영역, 상기 제 2 파장 영역 및 상기 제 3 파장 영역은 서로 다른 영역인 것일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 파장 영역, 상기 제 2 파장 영역 및 상기 제 3 파장 영역은 서로 다른 영역에서 피크 파장을 가짐에 따라, 서로 다른 색을 발광할 수 있다.
상기 여기 광원에 의하여, 상기 제 1 형광체는 상기 제 1 파장 영역의 청록색(cyan)의 광을 방출하는 것일 수 있다. 즉, 상기 제 1 형광체는 청록색 형광체일 수 있다.
상기 여기 광원에 의하여, 상기 제 2 형광체는 상기 제 2 파장 영역의 녹색(green)의 광을 방출하는 것일 수 있다. 즉, 상기 제 2 형광체는 녹색 형광체일 수 있다.
상기 여기 광원에 의하여, 상기 제 3 형광체는 상기 제 3 파장 영역의 적색(red)의 광을 방출하는 것일 수 있다. 즉, 상기 제 3 형광체는 적색 형광체일 수 있다.
상기 제 1 형광체는 나이트라이드(nitrides)계 청록색 형광체일 수 있다. 상기 제 1 형광체는 활성이온으로 Eu2 +를 포함하고, 상기 Eu2 +이온은 LED에서 발생된 근자외선 또는 청색광을 흡수하며 나이트라이드계 형광체를 모체로 하여 청록색 광을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 형광체는 옥시나이트라이드계(oxynitrides) 청록색 형광체일 수 있다. 상기 제 1 형광체는 활성이온으로 Eu2 +를 포함하고, 상기 Eu2 +이온은 LED에서 발생된 근자외선 또는 청색광을 흡수하며 옥시나이트라이드계 형광체를 모체로 하여 청록색 광을 발생시킬 수 있다.
상기 제 1 형광체는 실리케이트계(silicates) 청록색 형광체일 수 있다. 상기 제 1 형광체는 활성이온으로 Eu2 +를 포함하고, 상기 Eu2 +이온은 LED에서 발생된 근자외선 또는 청색광을 흡수하며 실리케이트계 형광체를 모체로 하여 청록색 광을 발생시킬 수 있다.
상기 제 1 형광체는 화학식 (Ba, Mg)3- aSi6 - bO3 .5- cN8 .5-d(Li, Cl, F, P)1- e:Eu2 + a , (Ba, Mg, Ca, Sr)3 - aSi6O3N8:Eu2 + a 및 (Ba, Mg, Ca, Sr)1- aSi2O2N2:Eu2 + a 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 형광체는 화학식 (Ba, Mg)3-aSi6-bO3.5-cN8.5-d(Li, Cl, F, P)1- e:Eu2 + a , (Ba, Mg, Ca, Sr)3 - aSi6O3N8:Eu2 + a 및 (Ba, Mg, Ca, Sr)1- aSi2O2N2:Eu2 + a 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
여기에서, 괄호 ( ) 내에 포함된 서로 다른 금속은 1종 이상이 포함될 수 있는 것을 의미할 수 있다. 자세하게, (Ba, Mg)3- aSi6 - bO3 .5- cN8 .5-d(Li, Cl, F, P)1- e:Eu2 + a 에서, (Ba, Mg)는 Ba, Mg 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미하고, (Li, Cl, F, P)는 Li, Cl, F, P 중에서 1종 이상이 포함되는 것을 의미할 수 있다. (Ba, Mg, Ca, Sr)3-aSi6O3N8:Eu2+ a 에서, (Ba, Mg, Ca, Sr)는 Ba, Mg, Ca, Sr 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미할 수 있다. (Ba, Mg, Ca, Sr)1- aSi2O2N2:Eu2 + a 에서, (Ba, Mg, Ca, Sr)는 Ba, Mg, Ca, Sr 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미할 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 형광체는 화학식 (Ba, Mg)3- aSi6 - bO3 .5- cN8 .5-d(Li, Cl, F, P)1- e:Eu2 + a로 표시되고, 여기서 a, b, c, d 및 e의 범위는 0.01≤a≤0.30, 0.01≤b≤1.0, 0.01≤c≤0.5, 0.01≤d≤0.5, 0.01≤e≤0.9일 수 있다. 또는, 상기 제 1 형광체는 화학식 (Ba, Mg, Ca, Sr)3- aSi6O3N8:Eu2 + a로 표시되고, 여기서 a의 범위는 0.01≤a≤0.30일 수 있다. 또는, 상기 제 1 형광체는 화학식 (Ba, Mg, Ca, Sr)1-aSi2O2N2:Eu2+ a으로 표시되고, 여기서 a의 범위는 0.01≤a≤0.30일 수 있다.
상기 제 2 형광체는 알루미네이트계(aluminates) 녹색 형광체 및/또는 나이트라이드(nitrides)계 녹색 형광체일 수 있다. 상기 제 2 형광체는 활성이온으로 Ce3+ 를 포함하고, 상기 Ce3 + 이온은 LED에서 발생된 근자외선 또는 청색광을 흡수하며 알루미네이트계 및/또는 나이트라이드계 형광체를 모체로 하여 녹색 광을 발생시킬 수 있다.
상기 제 2 형광체는 화학식 (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x, (Y, Lu, Gd)3-x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 및 La3 - xSi6N11:Ce3 + x 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 형광체는 화학식 (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x, (Y, Lu, Gd)3-x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 및 La3 - xSi6N11:Ce3 + x 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 와 상기 (Y, Lu, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 는 괄호 내에 포함된 금속 원소의 조성이 서로 다른 것을 의미할 수 있다.
자세하게, (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x로 표시되는 LuAG 계열의 형광체에서, (Lu, Y, Gd)는 Lu, Y, Gd 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미하고, (Al, Ga)는 Al, Ga 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미할 수 있다. (Y, Lu, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 로 표시되는 YAG 계열의 형광체(G-YAG 또는 Ga-YAG)에서, (Y, Lu, Gd)는 Y, Lu, Gd 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미하고, (Al, Ga)는 Al, Ga 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미할 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 2 형광체는 화학식 (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.5일 수 있다. 또는, 상기 제 2 형광체는 화학식 (Y, Lu, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.5일 수 있다. 또는, 상기 제 2 형광체는 화학식 La3 - xSi6N11:Ce3 + x 로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.5일 수 있다.
상기 제 3 형광체는 나이트라이드(nitrides)계 적색 형광체 및/또는 실리케이트(silicates)계 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 제 3 형광체는 활성이온으로 Eu2 + 를 포함하고, 상기 Eu2 + 이온은 LED에서 발생된 근자외선 또는 청색광을 흡수하며 나이트라이드계 형광체를 모체로 하여 적색 광을 발생시킬 수 있다. 또는, 상기 제 3 형광체는 활성이온으로 Mn4 + 를 포함하고, 상기 Mn4 + 이온은 LED에서 발생된 근자외선 또는 청색광을 흡수하며 실리케이트계 형광체를 모체로 하여 적색 광을 발생시킬 수 있다.
상기 제 3 형광체는 나이트라이드계 적색 형광체인 화학식 (Ca, Sr)1-xAlSiN3:Eu2+ x, (Ca)1- xAlSiN3:Eu2 + x, Sr2 - xSi5N8:Eu2 + x 및 (Ba, Sr)2- xSi5N8:Eu2 + x 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체는 화학식 (Ca, Sr)1-xAlSiN3:Eu2+ x, (Ca)1- xAlSiN3:Eu2 + x, Sr2 - xSi5N8:Eu2 + x 및 (Ba, Sr)2- xSi5N8:Eu2 + x 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 3 형광체는 실리케이트계 적색 형광체인 KSF 계열의 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 를 포함할 수 있다.
상기 제 3 형광체는 서로 다른 종류의 적색 형광체를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 3 형광체는 나이트라이드계 적색 형광체 및 실리케이트계 적색 형광체를 모두 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체는 화학식 (Ca, Sr)1-xAlSiN3:Eu2+ x, (Ca)1- xAlSiN3:Eu2 + x, Sr2 - xSi5N8:Eu2 + x 및 (Ba, Sr)2- xSi5N8:Eu2 + x 중 어느 하나의 나이트라이드계 적색 형광체 및 화학식 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 의 실리케이트계 적색 형광체를 포함할 수 있다.
여기에서, 괄호 ( ) 내에 포함된 서로 다른 금속은 1종 이상이 포함될 수 있는 것을 의미할 수 있다. 자세하게, (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 에서, (Ca, Sr)는 Ca, Sr 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미할 수 있다. (Ba, Sr)2- xSi5N8:Eu2 + x 에서, (Ba, Sr)는 Ba, Sr 중 1종 이상이 포함되는 것을 의미할 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 3 형광체는 화학식 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.5일 수 있다. 또는, 상기 제 3 형광체는 화학식 (Ca)1-xAlSiN3:Eu2+ x 로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.5일 수 있다. 또는, 상기 제 3 형광체는 화학식 Sr2 - xSi5N8:Eu2 + x 로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.5일 수 있다. 또는, 상기 제 3 형광체는 화학식 (Ba, Sr)2- xSi5N8:Eu2 + x 로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.5일 수 있다. 또는, 상기 제 3 형광체는 화학식 K2Si1-xF6:Mn4+ x 로 표시되고, 여기서 x의 범위는 0.01≤x≤0.3일 수 있다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 제 1 형광체 및 제 3 형광체의 파장의 특성을 상세히 설명한다.
도 1은 제 1 형광체인 청록색 형광체의 발광 파장과 여기 파장을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 제 1 형광체의 여기 파장은 350nm 내지 450nm의 청색광을 포함할 수 있다.
상기 제 1 형광체의 중심 파장은 490nm 내지 505nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. 즉, 상기 제 1 형광체의 최대 발광 피크는 495㎚ 내지 500nm 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 형광체의 최대 발광 피크는 약 498㎚ 일 수 있다. 여기에서, “약”은 수 나노미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
상기 제 1 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 35㎚ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 30㎚ 내지 35㎚일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 약 32㎚일 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 형광체의 중심 파장은 515nm 내지 570nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. 즉, 상기 제 2 형광체의 최대 발광 피크는 515㎚ 내지 570nm 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 형광체의 최대 발광 피크는 약 539㎚ 내지 약 541㎚ 일 수 있다. 여기에서, “약”은 수 나노미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
상기 제 2 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 110㎚ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 100㎚ 내지 110㎚일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 약 106㎚일 수 있다.
도 2는 상기 실리케이트계 적색 형광체의 파장과 강도에 관한 그래프이다. 자세하게, 도 2는 화학식 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 의 파장과 강도에 관한 그래프이다.
도 2를 참조하면, 상기 실리케이트계 적색 형광체인 제 3 형광체의 여기 파장은 400nm 내지 480nm의 청색광을 포함할 수 있다.
상기 실리케이트계 적색 형광체인 상기 제 3 형광체의 중심 파장은 580nm 내지 670nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. 즉, 상기 제 3 형광체의 최대 발광 피크는 580㎚ 내지 670nm 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체의 최대 발광 피크는 약 632㎚ 일 수 있다. 여기에서, “약”은 수 나노미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
상기 실리케이트계 적색 형광체인 상기 제 3 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 10㎚ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 5㎚ 내지 10㎚일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 약 7㎚일 수 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 나이트라이드계 적색 형광체인 제 3 형광체의 중심 파장은 580nm 내지 670nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. 즉, 상기 제 3 형광체의 최대 발광 피크는 580㎚ 내지 670nm 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체의 최대 발광 피크는 약 610㎚ 내지 625㎚ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체의 최대 발광 피크는 약 610㎚ 내지 624㎚ 일 수 있다. 여기에서, “약”은 수 나노미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
상기 나이트라이드계 적색 형광체인 상기 제 3 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 85㎚ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 70㎚ 내지 80㎚일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 형광체의 피크 파장의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 약 76㎚ 내지 약 79㎚일 수 있다.
상기 제 1 형광체, 상기 제 2 형광체, 상기 제 3 형광체는 서로 대응되거나 서로 다른 크기의 입경을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 형광체의 평균 입경(D50)은 15㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 형광체의 평균 입경(D50)은 약 16㎛ 내지 약 17㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 형광체의 평균 입경(D50)은 약 16.9㎛일 수 있다. 여기에서, "약"은 수 마이크로미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2 형광체의 평균 입경(D50)은 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 형광체의 평균 입경(D50)은 약 12.3㎛ 내지 약 13.4㎛일 수 있다. 여기에서, "약"은 수 마이크로미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
상기 제 3 형광체는 상기 나이트라이드계 적색 형광체의 크기와 상기 실리케이트계 적색 형광체의 크기가 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 실리케이트계 적색 형광체는 상기 나이트라이드계 적색 형광체보다 크기가 클 수 있다.
예를 들어, 상기 나이트라이드계 적색 형광체인 상기 제 3 형광체의 평균 입경(D50)은 8㎛ 내지 12㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 나이트라이드계 적색 형광체인 상기 제 3 형광체의 평균 입경(D50)은 약 9.7㎛ 내지 약 11.9㎛일 수 있다. 여기에서, "약"은 수 마이크로미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
예를 들어, 상기 실리케이트계 적색 형광체인 상기 제 3 형광체의 평균 입경(D50)은 25㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 실리케이트계 적색 형광체인 상기 제 2 형광체의 평균 입경(D50)은 약 26㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 실리케이트계 적색 형광체인 상기 제 2 형광체의 평균 입경(D50)은 약 26.8㎛일 수 있다. 여기에서, "약"은 수 마이크로미터 전후의 범위를 나타낼 수 있다.
도 3A 내지 도 3C는 형광체 조성물에 포함된 청록색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체의 파장에 따른 광의 세기를 나타낸 도면이다.
도 3A에서 상기 제 1 형광체의 발광 중심 파장은 490nm 내지 505nm로 청록색 파장 영역의 광을 방출하고, 도 3B에서 상기 제 2 형광체의 발광 중심 파장은 515nm 내지 570nm로 녹색 파장 영역의 광을 방출하고, 도 3C에서 상기 제 3 형광체의 발광 중심 파장은 580nm 내지 670nm로 적색 파장 영역의 광을 방출하며, 제1 형광체 내지 제3 형광체의 조성이 달라짐에 따라 방출되는 광의 파장 영역과 세기(Intensity)도 달라질 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 상기 제 1 형광체, 상기 제 2 형광체 및 상기 제 3 형광체를 포함하는 상기 형광체 조성물을 가지는 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는(200)는 몸체부(210), 몸체부(210) 상에 형성된 캐비티 및 캐비티 내에 배치되는 발광 소자(100)를 포함할 수 있으며, 몸체부(210)에는 발광 소자(100)와의 전기적 연결을 위한 리드 프레임(221, 222)을 포함할 수 있다.
발광 소자(100)는 캐비티 내에서 캐비티의 바닥면에 배치될 수 있고, 캐비티 내에는 발광 소자(100)를 둘러싸고 몰딩부(230)가 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(230)는 상술한 실시예의 형광체 조성물이 포함될 수 있다.
상기 몸체부(210)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상부가 개방되고 측면과 바닥면으로 이루어진 캐비티를 가질 수 있다.
캐비티는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티의 측면은 바닥면에 대하여 수직이거나 경사지게 형성될 수 있으며, 그 크기 및 형태가 다양할 수 있다.
상기 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 다각형, 타원형 등일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.
상기 몸체부(210)에는 제 1 리드 프레임(221) 및 제 2 리드 프레임(222)이 포함되어 발광 소자(100)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 몸체부(210)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지는 경우, 도시되지는 않았으나 몸체부(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 제1, 2 리드 프레임(221, 222) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(221) 및 상기 제2 리드 프레임(222)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전류를 공급할 수 있다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(221) 및 상기 제2 리드 프레임(222)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 캐비티 내에 배치될 수 있으며, 상기 몸체부(210) 상에 배치되거나 상기 제1 리드 프레임(221) 또는 상기 제2 리드 프레임(222) 상에 배치될 수 있다. 상기 캐비티 내에 배치되는 발광 소자(100)는 수직형 발광 소자 외에 수평형 발광 소자 등일 수도 있다.
도 4에 도시된 실시예에서는 발광 소자(100)가 제1 리드 프레임(221) 상에 배치되며, 제2 리드 프레임(222)과는 와이어(250)를 통하여 연결될 수 있으나, 발광 소자(100)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 방식에 의하여서도 리드 프레임과 연결될 수 있다.
도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(200)의 몰딩부(230)는 캐비티 내부를 채울 수 있다. 상기 몰딩부(230)는 상기 몸체부(210) 및 상기 리드 프레임(221, 222) 상의 캐비티 내에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(230)는 발광소자(100)의 상면 및 측면을 전체적으로 감쌀 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(230)는 발광 소자(100)를 보호할 수 있다.
또한, 몰딩부(230)는 복수의 형광체(240)를 포함하는 실시예의 형광체 조성물과 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(230)는 상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)를 포함하는 형광체 조성물과 수지를 포함하여 형성될 수 있다.
몰딩부(230)는 수지와 상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)를 포함할 수 있으며, 발광 소자(100)를 포위하도록 배치되어 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 즉, 상기 몰딩부(230)는 상기 수지 및 상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)를 포함할 수 있고, 상기 발광 소자(100)를 감싸면서 상기 캐비티에 배치될 수 있다.
몰딩부(230)에서 형광체 조성물과 같이 혼합되어 사용될 수 있는 수지는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 중 어느 하나 또는 그 혼합물의 형태일 수 있다.
또한, 상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)는 발광 소자(100)에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 파장 변환된 광을 발광할 수 있다.
또한, 도면에 도시되지는 않았으나 몰딩부(230)는 캐비티를 채우고 캐비티의 측면부 높이보다 높게 돔(dome) 형상으로 배치될 수 있으며, 발광 소자 패키지(200)의 광 출사각을 조절하기 위하여 변형된 돔 형상으로 배치될 수도 있다. 몰딩부는 발광 소자(100)를 포위하여 보호하고, 발광 소자(100)로부터 방출되는 빛의 경로를 변경하는 렌즈로 작용할 수도 있다.
도 5를 참조하면, 몰딩부(230)는 복수의 형광체(240)를 포함하는 실시예의 형광체 조성물과 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(230)는 상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)를 포함하는 형광체 조성물과 수지를 포함하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 3 형광체(243)는 서로 다른 입경을 가지는 상기 나이트라이드계 적색 형광체(243A) 및 상기 실리케이트계 적색 형광체(243B)를 모두 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 형광체(243)는 조성이 서로 다르고, 평균 입경이 서로 다른 두 종류의 적색 형광체를 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 몰딩부(230)는 복수의 몰딩부(231, 232)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(230)는 제 1 몰딩부(231) 및 제 2 몰딩부(232)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몰딩부(231)는 상기 발광 소자(100)를 감싸면서 배치되고, 상기 제 1 몰딩부(231) 상에 상기 제 2 몰딩부(232)가 배치될 수 있다.
상기 제 1 몰딩부(231) 및 상기 제 2 몰딩부(232) 중 어느 하나에 실시예에 따른 형광체 조성물이 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)는 상기 제 2 몰딩부(232)에 배치될 수 있다.
상기 제 1 몰딩부(231) 및 상기 제 2 몰딩부(232)의 두께의 비율은 2:1 내지 1:3의 범위일 수 있다. 상기 제 2 몰딩부(232)의 두께 비율이 상기 범위보다 작은 경우에는, 전달되는 열을 분산하는 능력이 저하될 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우에는, 발광 소자 패키지의 두께가 증가할 수 있다.
상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)는 상기 발광 소자(100)로부터 이격하여 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 형광체(241), 상기 제 2 형광체(242) 및 상기 제 3 형광체(243)는 상기 발광 소자(100)로부터 이격하여 캐비티 내에 배치될 수 있다.
상기 제 2 몰딩부(232)는 상기 발광 소자(100)으로부터 0.2㎜ 이상의 이격 거리를 가질 수 있다. 상기 이격 거리가 0.2㎜ 보다 작은 경우에는 형광체 조성물의 열화에 따른 문제가 발생할 수 있다.
도 7은 발광 소자(100)의 일 실시예를 나타낸 도면으로, 발광 소자(100)는 지지기판(170), 발광 구조물(120), 오믹층(140), 제1 전극(180)을 포함할 수 있다.
발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하여 이루어진다.
제1 도전형 반도체층(122)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(126)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 도전형 반도체층(122)의 표면이 패턴을 이루어 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(122)의 표면에는 제1 전극(180)이 배치될 수 있으며, 도시되지는 않았으나 제1 전극(180)이 배치되는 제1 도전형 반도체층(122)의 표면은 패턴을 이루지 않을 수 있다. 제1 전극(180)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
발광 구조물(120)의 둘레에는 패시베이션층(190)이 형성될 수 있다. 패시베이션층(190)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(190)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
발광 구조물(120)의 하부에는 제2 전극이 배치될 수 있으며, 오믹층(140)과 반사층(150)이 제2 전극으로 작용할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)의 하부에는 GaN이 배치되어 제2 도전형 반도체층(126)으로 전류 내지 정공 공급을 원활히 할 수 있다.
오믹층(140)은 약 200 옹스트롱(Å)의 두께일 수 있다. 오믹층(140)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정하지 않는다.
반사층(150)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 반사층(150)은 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 반도체 소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
지지기판(support substrate, 170)은 금속 또는 반도체 물질 등 도전성 물질로 형성될 수 있다. 전기 전도도 내지 열전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 반도체 소자 작동 시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열 전도도가 높은 물질(ex. 금속 등)로 형성될 수 있다.
예를 들어, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 중 어느 하나일 수 있다) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
지지기판(170)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가지기 위하여 50㎛ 내지 200㎛의 두께로 이루어질 수 있다.
접합층(160)은 반사층(150)과 지지기판(170)을 결합하는데, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.
도 7에 도시된 발광 소자(100)의 실시예는 수직형 발광 소자의 실시예이나, 도 4 내지 6에 도시된 발광 소자 패키지(200)의 실시예에는 도 7에 도시된 수직형 발광 소자 이외에 수평형 발광 소자, 플립칩 타입의 발광 소자가 배치될 수 있으며, 이때 발광 소자(100)는 청색광 파장 영역의 광을 발광할 수 있다.
도 7에 도시된 발광 소자(100)를 포함하는 도 4 내지 도 6에 도시된 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 백색광을 방출할 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자는 백색 발광 소자로서, 색 온도에 따라 2500K 내지 4000K의 웜 화이트(warm white), 3000 내지 4000K의 뉴트럴 화이트(neutral white), 6500K 내지 7000K의 쿨 화이트(cool white) 소자로 구현될 수 있다.
형광체 조성물의 제 1 실시예에서, 제 2 형광체는 15wt% 내지 30wt%의 중량비이고, 상기 실리케이트계 제 3 형광체는 85wt% 내지 70wt%의 중량비로 포함될 수 있다. 자세하게, (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x로 표시되는 LuAG 및 (Y, Lu, Gd)3-x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 로 표시되는 YAG를 포함하는 제 2 형광체는 15wt% 내지 30wt%의 중량비이고, K2Si1 - xF6:Mn4 + x 로 표시되는 KSF를 포함하는 제 3 형광체는 85wt% 내지 70wt%의 중량비로 포함될 수 있으며, 발광 소자 패키지의 몰딩부 중에서 형광체가 65wt% 내지 85wt%로 포함될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 조성물은 강한 적색에 대한 연색성을 측정하는 R9 값이 90 초과의 값을 가질 수 있어, 고연색지수가 요구되는 조명에 활용할 수 있다. 이때, 백색 LED의 색온도는 약 4000K 일 수 있다.
형광체 조성물의 제 2 실시예에서, 제 1 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, 제 2 형광체는 35wt% 내지 55wt%의 중량비이고, 상기 나이트라이드계 제 3 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, 상기 실리케이트계 제 3 형광체는 40wt% 내지 60wt%의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 제 1 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x로 표시되는 LuAG 및 (Y, Lu, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 로 표시되는 YAG를 포함하는 제 2 형광체는 35wt% 내지 55wt%의 중량비이고, 상기 나이트라이드계 제 3 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, K2Si1-xF6:Mn4+ x 로 표시되는 KSF를 포함하는 제 3 형광체는 40wt% 내지 60wt%의 중량비로 포함될 수 있으며, 발광 소자 패키지의 몰딩부 중에서 형광체가 65wt% 내지 85wt%로 포함될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 조성물은 강한 적색에 대한 연색성을 측정하는 R9 값이 90 초과의 값을 가질 수 있어, 고연색지수가 요구되는 조명에 활용할 수 있다. 이때, 백색 LED의 색온도는 약 4000K 일 수 있다.
형광체 조성물의 제 3 실시예에서, 제 2 형광체는 25wt% 내지 40wt%의 중량비이고, 상기 실리케이트계 제 3 형광체는 60wt% 내지 75wt%의 중량비로 포함될 수 있다. 자세하게, (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x로 표시되는 LuAG 및 (Y, Lu, Gd)3-x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 로 표시되는 YAG를 포함하는 제 2 형광체는 25wt% 내지 40wt%의 중량비이고, K2Si1 - xF6:Mn4 + x 로 표시되는 KSF를 포함하는 제 3 형광체는 60wt% 내지 75wt%의 중량비로 포함될 수 있으며, 발광 소자 패키지의 몰딩부 중에서 형광체가 55wt% 내지 75wt%로 포함될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 조성물은 강한 적색에 대한 연색성을 측정하는 R9 값이 90 초과의 값을 가질 수 있어, 고연색지수가 요구되는 조명에 활용할 수 있다. 이때, 백색 LED의 색온도는 약 5000K 일 수 있다.
형광체 조성물의 제 4 실시예에서, 제 1 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, 제 2 형광체는 35wt% 내지 55wt%의 중량비이고, 상기 나이트라이드계 제 3 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, 상기 실리케이트계 제 3 형광체는 40wt% 내지 60wt%의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 제 1 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x로 표시되는 LuAG 및 (Y, Lu, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 로 표시되는 YAG를 포함하는 제 2 형광체는 35wt% 내지 55wt%의 중량비이고, 상기 나이트라이드계 제 3 형광체는 1wt% 내지 10wt%의 중량비이고, K2Si1-xF6:Mn4+ x 로 표시되는 KSF를 포함하는 제 3 형광체는 40wt% 내지 60wt%의 중량비로 포함될 수 있으며, 발광 소자 패키지의 몰딩부 중에서 형광체가 65wt% 내지 85wt%로 포함될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 조성물은 강한 적색에 대한 연색성을 측정하는 R9 값이 90 초과의 값을 가질 수 있어, 고연색지수가 요구되는 조명에 활용할 수 있다. 이때, 백색 LED의 색온도는 약 5000K 일 수 있다.
한편, 색상 범위(color gamut)는 색도도, 예컨대 CIE 1931 x, y 색도도에서 디스플레이의 적색, 녹색 및 청색 픽셀의 색점 간에 걸쳐진 영역이다. 디스플레이의 역사적인 "황금 기준(golden standard"는 3가지 색점 좌표 세트로 한정되는 NTSC 전범위(gamut)이다. 일반적으로 NTSC의 70%를 초과하는 전범위는 많은 백라이팅 용도에 허용성으로 간주되고 있고, NTSC의 90%를 초과하는 전범위는 대부분의 이러한 임의의 용도에 허용성으로 간주되고 있다.
실시예는 장파장의 적색 피크 파장과 좁은 반치폭을 포함하는 형광체 조성물을 제공함에 따라, 색재현성을 향상시킬 수 있고, NTSC의 색 영역의 면적비에 대해 100% 이상일 수 있다. 또는, 형광체의 조합에 따라, NTSC의 색 영역의 면적비에 대해 100% 미만일 수 있다.
즉, 실시에예 따른 적색 형광체에 의한 적색이 반치폭이 좁고 장파장에 분포함으로써, 적색의 색 순도를 더 넓혀줄 수 있어, NTSC에서의 색 재현율, 특히 보다 사실적인 적색 재현율을 가질 수 있다.
또한, 상기 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 형광체 조성물은 연색성을 향상시키기 위하여 적색 형광체를 포함할 수 있고, 이때 포함될 수 있는 상기 실리케이트계 KSF 형광체는 반치폭이 작기 때문에, 500㎚ 근처에 해당하는 녹색 영역의 파장을 흡수하지 않을 수 있어, 광속이 향상될 수 있다.
이하, 실시예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
표 1은 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 색온도가 4000K(Kelvin)일 때, 각각 비교예 1, 2 및 실시예 1에 따른 형광체 조성물이 구비된 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 특성을 나타낸 것이다.
Flux(lm) Flux(%) Cx Cy CCT(K) CRI R9
비교예 1 4.89 100 0.381 0.374 3970 84.7 14.7
비교예 2 4.43 90.7 0.381 0.374 3957 90.2 62.7
실시예 1 4.79 98.2 0.382 0.377 3948 91.1 50.2
비교예 1은 LuAG 녹색 형광체와 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 적색 형광체를 포함한다.
비교예 2는 LuAG 녹색 형광체와 KSF 적색 형광체를 포함한다.
실시예 1은 청록색 광을 방출하는 상기 제 1 형광체, LuAG 녹색 형광체, (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 적색 형광체 및 KSF 적색 형광체를 포함한다.
비교예 1 및 비교예 2는 녹색 형광체와 적색 형광체만을 포함하고, 사용되는 적색 형광체의 종류가 다르다.
상기 표 1을 참조하면, 비교예 1에 사용되는 적색 형광체인 (Ca, Sr)1-xAlSiN3:Eu2+ x 대신에, 비교예 2에서 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 로 표시되는 KSF를 사용한 결과, 연색지수(CRI, color rendering index)가 5.5 증가하였고, 적색 영역의 연색지수(R9)가 48 증가하였다.
또한, 비교예 1은 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x의 적색 형광체를 사용하였으나, 실시예 1은 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 및 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 의 적색 형광체를 사용함에 따라, 연색지수가 6.4 증가하였고, 적색 영역의 연색지수가 35.5 증가하였다. 이를 통해, 적색 형광체 중에서도 반치폭이 10㎚ 이하인 KSF를 사용함에 따라, 연색지수 및 적색 영역의 연색지수(R9)가 향상될 수 있음을 알 수 있다.
도 8을 참조하면, 비교예 1 및 비교예 2는 녹색 형광체 및 적색 형광체만을 포함함에 따라, 파장에 따른 강도가 낮은 것과 달리, 실시예 1은 파장에 따른 스펙트럼의 세기(intensity)가 큰 것을 알 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 형광체인 청록색 형광체의 중량비가 증가함에 따라, 약 450nm 전후의 영역에서 스펙트럼의 세기가 점차적으로 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 약 480nm 전후의 영역에서 스펙트럼의 세기가 감소하는 것을 알 수 있다. 이때, 실시예 1은 청록색 형광체를 포함함에 따라, 약 500nm 전후의 영역에서 비교예 1 및 비교예 2보다 스펙트럼의 세기가 큰 것을 알 수 있고, 이에 따라 연색지수가 향상되는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예에 따른 형광체 조성물은 90 이상의 연색 지수를 가질 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 형광체 조성물은 4000K에서 91 이상의 연색 지수를 가질 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 형광체 조성물은 4000K에서 91.1의 연색 지수를 가질 수 있다.
또한, 약 630nm 전후의 영역에서 스펙트럼의 세기가 증가하는 것을 알 수 있다. 실시예 1은 KSF를 포함함에 따라, 약 630nm 전후의 영역에서 관측되는 파장의 반치폭이 작으므로, 적색 형광체가 녹색 영역의 파장을 흡수함에 따라, 광속이 저하되는 문제를 방지할 수 있다.
또한, 실시예 1은 적색 영역의 연색지수(R9)가 50이상의 값을 가지므로, 고연색성 지수를 가지는 조명에 활용할 수 있다. 자세하게, 실시예 1은 적색 영역의 연색지수(R9)가 50.2일 수 있다.
즉, 실시예는 연색지수가 향상되며, 적색 파장 영역의 광의 파장이 짧아짐에 따라 광속이 향상될 수 있다.
표 2는 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 색온도가 5000K(Kelvin)일 때, 각각 비교예 3, 4 및 실시예 2에 따른 형광체 조성물이 구비된 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 특성을 나타낸 것이다.
Flux(lm) Flux(%) Cx Cy CCT(K) CRI R9
비교예 3 4.88 100 0.346 0.353 4981 83.4 5.5
비교예 4 4.56 93.4 0.346 0.353 4989 93.1 87.8
실시예 2 4.79 98.2 0.382 0.377 3948 91.1 50.2
비교예 3은 LuAG 녹색 형광체와 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 적색 형광체를 포함한다.
비교예 4는 LuAG 녹색 형광체와 KSF 적색 형광체를 포함한다.
실시예 2는 청록색 광을 방출하는 상기 제 1 형광체, LuAG 녹색 형광체, (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 적색 형광체 및 KSF 적색 형광체를 포함한다.
비교예 3 및 비교예 4는 녹색 형광체와 적색 형광체만을 포함하고, 사용되는 적색 형광체의 종류가 다르다.
상기 표 2를 참조하면, 비교예 3에 사용되는 적색 형광체인 (Ca, Sr)1-xAlSiN3:Eu2+ x 대신에, 비교예 4에서 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 로 표시되는 KSF를 사용한 결과, 연색지수(CRI, color rendering index)가 9.7 증가하였고, 적색 영역의 연색지수(R9)가 82.3 증가하였다.
또한, 비교예 3은 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x의 적색 형광체를 사용하였으나, 실시예 2는 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 및 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 의 적색 형광체를 사용함에 따라, 연색지수가 7.7 증가하였고, 적색 영역의 연색지수가 44.7 증가하였다. 이를 통해, 적색 형광체 중에서도 반치폭이 10㎚ 이하인 KSF를 사용함에 따라, 연색지수 및 적색 영역의 연색지수(R9)가 향상될 수 있음을 알 수 있다.
도 9를 참조하면, 비교예 3 및 비교예 4는 녹색 형광체 및 적색 형광체만을 포함함에 따라, 파장에 따른 세기가 낮은 것과 달리, 실시예 2는 파장에 따른 스펙트럼의 세기(intensity)가 큰 것을 알 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 형광체인 청록색 형광체의 중량비가 증가함에 따라, 약 450nm 전후의 영역에서 스펙트럼의 세기가 점차적으로 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 약 480nm 전후의 영역에서 스펙트럼의 세기가 감소하는 것을 알 수 있다. 이때, 실시예 2는 청록색 형광체를 포함함에 따라, 약 500nm 전후의 영역에서 비교예 3 및 비교예 4보다 스펙트럼의 세기가 큰 것을 알 수 있고, 이에 따라 연색지수가 향상되는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예에 따른 형광체 조성물은 90 이상의 연색 지수를 가질 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 형광체 조성물은 5000K에서 94 이상의 연색 지수를 가질 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 형광체 조성물은 5000K에서 94.8의 연색 지수를 가질 수 있다.
또한, 약 630nm 전후의 영역에서 스펙트럼의 세기가 증가하는 것을 알 수 있다. 실시예 2는 KSF를 포함함에 따라, 약 630nm 전후의 영역에서 관측되는 파장의 반치폭이 작으므로, 적색 형광체가 녹색 영역의 파장을 흡수함에 따라, 광속이 저하되는 문제를 방지할 수 있다.
또한, 실시예 2는 적색 영역의 연색지수(R9)가 70이상의 값을 가지므로, 고연색성 지수를 가지는 조명에 활용할 수 있다. 자세하게, 실시예 2는 적색 영역의 연색지수(R9)가 76.3일 수 있다.
즉, 실시예는 연색지수가 향상되며, 적색 파장 영역의 광의 파장이 짧아짐에 따라 광속이 향상될 수 있다.
이하에서는 상술한 형광체 조성물이 구비된 발광 소자 패키지(200)가 배치된 조명 시스템을 설명한다.
실시예에 따른 발광 소자 또는 라이트 유닛은 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 10 및 도 11에 도시된 표시 장치, 도 12에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 10을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다. 상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시예에 따른 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 회로 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 회로 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 회로 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 회로 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 회로 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 회로 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 회로 기판(1120) 및 상기 회로 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.
도 12를 참조하면, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드 홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(Electrostatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
상술한 영상 표시장치 및 조명 장치의 경우 상술한 실시예의 형광체 조성물 또는 실시예의 발광 소자 패키지를 사용함으로써, 광속 및 색재현율이 개선된 효과를 가질 수 있으며, 또한 고온 방치 조건에서 광속 및 색좌표의 변화량 등의 광특성 감소를 줄여 신뢰성을 개선할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 1 파장 영역의 광을 방출하는 제 1 형광체;
    상기 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 2 파장 영역의 광을 방출하는 제 2 형광체; 및
    상기 여기 광원에 의하여 여기되어, 제 3 파장 영역의 광을 방출하는 제 3 형광체를 포함하고,
    상기 제 3 형광체는 나이트라이드계 형광체 및 실리케이트계 형광체 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 실리케이트계 형광체는 K2Si1 - xF6:Mn4 + x 를 포함하고,
    상기 제 1 파장 영역, 상기 제 2 파장 영역 및 상기 제 3 파장 영역은 서로 다른 영역인 것인 형광체 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 형광체의 발광 중심 파장은 490nm 내지 505nm인 형광체 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 형광체의 발광 중심 파장은 515nm 내지 570nm인 형광체 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 형광체의 발광 중심 파장은 580nm 내지 670nm인 형광체 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 형광체는,
    화학식 (Ba, Mg)3- aSi6 - bO3 .5- cN8 .5-d(Li, Cl, F, P)1- e:Eu2 + a , (Ba, Mg, Ca, Sr)3 -aSi6O3N8:Eu2+ a 및 (Ba, Mg, Ca, Sr)1- aSi2O2N2:Eu2 + a 중 적어도 하나를 포함하는 형광체 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 형광체는,
    (Lu, Y, Gd)3- x(Al, Ga)5O12:Ce3 + x 및 La3 - xSi6N11:Ce3 + x 중 적어도 하나를 포함하는 형광체 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 형광체는
    (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x, (Ca)1- xAlSiN3:Eu2 + x, Sr2 - xSi5N8:Eu2 + x 및 (Ba, Sr)2-xSi5N8:Eu2+ x 중 적어도 하나의 나이트라이드계 형광체를 포함하는 형광체 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 형광체 1wt% 내지 10wt%의 중량비, 상기 제 2 형광체 35wt% 내지 55wt%의 중량비, 상기 제 3 형광체인 (Ca, Sr)1- xAlSiN3:Eu2 + x 를 1wt% 내지 10wt%의 중량비 및 상기 제 3 형광체인 K2Si1 - xF6:Mn4 + x를 40wt% 내지 60wt%의 중량비로 포함하는 형광체 조성물.
  9. 몸체부;
    상기 몸체부 상에 배치된 제1 전극부와 제2 전극부;
    상기 몸체부 상에 배치되고, 제1 전극부 및 제2 전극부와 전기적으로 연결된 발광 소자; 및
    상기 발광 소자를 둘러싸고 배치되고, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 형광체 조성물을 포함하는 몰딩부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 몰딩부 내에서 상기 형광체 조성물이 65wt% 내지 85wt%의 중량비로 포함되는 발광 소자 패키지.
  11. 제 9 항에 있어서,
    백색광을 방출하는 발광 소자 패키지.
  12. 제 9 항의 발광 소자 패키지를 광원으로 포함하는 조명 장치.
PCT/KR2017/004608 2016-04-29 2017-04-28 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 Ceased WO2017188795A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/097,349 US10479932B2 (en) 2016-04-29 2017-04-28 Phosphor composition, light-emitting device package including same, and lighting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160052942A KR102578085B1 (ko) 2016-04-29 2016-04-29 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR10-2016-0052942 2016-04-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017188795A1 true WO2017188795A1 (ko) 2017-11-02

Family

ID=60160976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2017/004608 Ceased WO2017188795A1 (ko) 2016-04-29 2017-04-28 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10479932B2 (ko)
KR (1) KR102578085B1 (ko)
WO (1) WO2017188795A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021200287A1 (ko) * 2020-03-30 2021-10-07
TWI761116B (zh) * 2021-03-08 2022-04-11 南茂科技股份有限公司 半導體封裝結構及導線架
EP3952616A4 (en) * 2019-03-29 2022-06-01 Sony Group Corporation LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017122996A1 (de) * 2017-10-04 2019-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoffmischung, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
KR20190108216A (ko) * 2018-03-13 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR102001548B1 (ko) * 2018-11-14 2019-07-19 지엘비텍 주식회사 노광 공정 조명용 백색 광원 및 조명 장치
KR102208791B1 (ko) * 2019-05-10 2021-01-28 지엘비텍 주식회사 450nm 이하 파장을 제한하는 백색 광원 및 조명 장치
US20220275275A1 (en) * 2019-07-30 2022-09-01 Current Lighting Solution, Llc Stable phosphor converted led and system using the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012178574A (ja) * 2010-10-15 2012-09-13 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具
KR20120118469A (ko) * 2011-02-25 2012-10-26 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 백색 발광 장치
KR20140063066A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물
WO2015068513A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 シャープ株式会社 発光装置、及び照明装置
KR20160041469A (ko) * 2014-10-07 2016-04-18 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100902988B1 (ko) 2002-08-26 2009-06-15 라이트온 테크놀러지 코포레이션 백색광 발광 다이오드의 제조 방법
EP2540798A4 (en) 2010-02-26 2014-04-30 Mitsubishi Chem Corp Halophosphate Phosphorus and White Light Output Device
US20110220920A1 (en) 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
EP2733190B1 (en) 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor composition and light emitting device package having the same
US10381528B2 (en) * 2015-08-31 2019-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Image display apparatus
JP6212589B2 (ja) * 2016-03-28 2017-10-11 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP2018137321A (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012178574A (ja) * 2010-10-15 2012-09-13 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具
KR20120118469A (ko) * 2011-02-25 2012-10-26 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 백색 발광 장치
KR20140063066A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물
WO2015068513A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 シャープ株式会社 発光装置、及び照明装置
KR20160041469A (ko) * 2014-10-07 2016-04-18 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3952616A4 (en) * 2019-03-29 2022-06-01 Sony Group Corporation LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
US11841587B2 (en) 2019-03-29 2023-12-12 Saturn Licensing Llc Light emitting device, display, and electronic apparatus
US12158663B2 (en) 2019-03-29 2024-12-03 Saturn Licensing Llc Light emitting device, display, and electronic apparatus
JPWO2021200287A1 (ko) * 2020-03-30 2021-10-07
WO2021200287A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 デンカ株式会社 蛍光体粉末、複合体、発光装置および蛍光体粉末の製造方法
TWI761116B (zh) * 2021-03-08 2022-04-11 南茂科技股份有限公司 半導體封裝結構及導線架

Also Published As

Publication number Publication date
US10479932B2 (en) 2019-11-19
US20190136129A1 (en) 2019-05-09
KR102578085B1 (ko) 2023-09-14
KR20170123831A (ko) 2017-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017188795A1 (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
WO2016032167A1 (ko) 발광 소자 패키지
WO2017150910A1 (ko) 발광 모듈 및 표시장치
WO2017191966A1 (ko) 반도체 소자 패키지
WO2017030396A1 (ko) 발광 소자, 이 소자를 포함하는 발광 소자 패키지 및 이 패키지를 포함하는 발광 장치
WO2013183901A1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
WO2017074035A1 (ko) 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템
WO2016089052A1 (ko) 발광 모듈
WO2019088704A1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
KR102408618B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
WO2019045167A1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 광원 장치
WO2013162337A1 (en) Light emitting device and light emitting device package
WO2016148539A1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈
WO2013183888A1 (ko) 발광소자
WO2014181996A1 (ko) 발광 소자
WO2017138779A1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
WO2017200341A2 (ko) 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
WO2018139803A1 (ko) 반도체 소자 패키지
WO2016117905A1 (ko) 광원 모듈 및 조명 장치
WO2016093626A1 (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명장치
WO2014010816A1 (en) Light emitting device, and method for fabricating the same
WO2022149863A1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
WO2013172606A1 (ko) 발광소자, 발광소자 페키지 및 라이트 유닛
WO2015020358A1 (ko) 발광소자
WO2016126066A1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17789979

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17789979

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1