WO2017135408A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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Murata Manufacturing Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module.
  • a switch circuit including a common terminal connected to an antenna and a plurality of selection terminals connected to a transmission system circuit or a reception system circuit is provided (for example, see Patent Document 1).
  • the phase of the transmission signal is adjusted by providing the phase circuit in the transmission path connected to the selected terminal (selection terminal) of the switch IC (switch circuit). Therefore, the isolation between the transmission path provided with the phase circuit and the transmission path connected to another selected terminal is enhanced.
  • the number of selection terminals provided in one switch circuit tends to increase. For this reason, when the number of selection terminals is increased while suppressing an increase in the size of the switch circuit, there is a possibility that the isolation between the selection terminals may be deteriorated due to a decrease in the interval between the selection terminals.
  • isolation indicates the degree of separation between any two points, and will be described below as the degree of separation between the selected terminals.
  • an object of the present invention is to provide a high-frequency module capable of enhancing isolation while suppressing deterioration of pass characteristics.
  • a high-frequency module includes a first common terminal, a second common terminal, and a plurality of selection terminals, the first common terminal and the second common terminal. Are selectively connected to different selection terminals among the plurality of selection terminals, and a matching circuit is connected to the second common terminal without being connected to the antenna.
  • the matching circuit connected to the second common terminal of the first switch circuit, unnecessary signals leaking from the selection terminal connected to the first common terminal can be transmitted from the other selection terminals to the first. It becomes difficult to leak out of the switch circuit. Specifically, an unnecessary signal leaked (around) to a selection terminal connected to the second common terminal is more likely to leak from the second common terminal connected to the matching circuit than the selection terminal. As a result, an unnecessary signal leaking out of the first switch circuit from the selection terminal can be suppressed, so that isolation can be enhanced. Also, the matching circuit is not connected to any one or more antennas. In other words, the matching circuit is provided in a path different from the signal path to be transmitted by the high-frequency module, so that it is difficult for the pass characteristics to deteriorate. As described above, the high-frequency module according to this aspect can increase the isolation while suppressing the deterioration of the passage characteristics.
  • the matching circuit may be connected in series with the second common terminal.
  • the matching circuit may include a shunt connection type element provided between the second common terminal and a ground potential.
  • the matching circuit has the shunt connection type element as described above, an unnecessary signal that has entered the selection terminal connected to the second common terminal can easily flow to the ground via the second common terminal and the matching circuit. . For this reason, since an unnecessary signal leaking out of the first switch circuit from the selection terminal can be suppressed, the isolation can be further enhanced.
  • the matching circuit may be a filter type matching circuit including a frequency band corresponding to a selection terminal connected to the first common terminal among the plurality of selection terminals in a pass band.
  • the matching circuit is a filter-type matching circuit, it is possible to suppress reflection of unnecessary signals leaking from the second common terminal to the matching circuit. Therefore, an unnecessary signal leaking out of the first switch circuit from the selection terminal connected to the second common terminal due to such reflection can be suppressed. Therefore, the isolation can be further increased.
  • the matching circuit may be a low-pass filter type matching circuit.
  • the matching circuit is a low-pass filter type matching circuit, a high-frequency module can be easily manufactured even when a wide pass band is required for the matching circuit.
  • a first antenna connected to the first common terminal may be provided.
  • the first antenna By providing the first antenna in this way, it is possible to realize a high-frequency module with a built-in antenna that can improve isolation while suppressing deterioration of pass characteristics.
  • a high-frequency module includes a first common terminal, a second common terminal, and a plurality of selection terminals.
  • a first switch circuit that selectively connects a second common terminal to different selection terminals of the plurality of selection terminals; a second switch circuit that includes an input terminal, a first output terminal, and a second output terminal;
  • the second common terminal is connected to the input terminal, and the second switch circuit selectively connects the input terminal to the first output terminal and the second output terminal.
  • the matching circuit is connected to the second output terminal.
  • the second switch circuit that selectively connects the second common terminal to the second antenna and the matching circuit in this way, transmission and reception are performed using both the first antenna and the second antenna, for example, carrier aggregation (CA : Carrier Aggregation) method. Specifically, it is possible to increase isolation while suppressing deterioration of the pass characteristic during non-CA operation, and to enable a CA operation with good pass characteristics.
  • CA Carrier Aggregation
  • a second antenna connected to the first output terminal may be provided.
  • a high-frequency module capable of enhancing isolation while suppressing deterioration of pass characteristics is provided.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a graph showing the isolation characteristics of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a graph showing pass characteristics of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of the high-frequency module according to Comparative Example 1 and a diagram illustrating the problem.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a high-frequency module according to Comparative Example 2.
  • FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a state in which a signal of the high-frequency module according to Embodiment 1 is propagated.
  • FIG. 7 is a circuit diagram of the high-frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a graph showing the isolation characteristics of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a graph showing pass characteristics of the high-frequency module according to
  • FIG. 8 is a graph showing the isolation characteristics of the high-frequency module according to Embodiment 2 during non-CA operation.
  • FIG. 9 is a graph showing pass characteristics when the high-frequency module according to Embodiment 2 is in non-CA operation.
  • FIG. 10 is a graph showing pass characteristics related to the first antenna and the second antenna during the CA operation of the high-frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a circuit diagram of a high-frequency module according to a modification of the second embodiment.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency module 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the high-frequency module 1 shown in the figure is a multi-band compatible high-frequency module, and is disposed, for example, at the front end of a communication device such as a mobile phone.
  • the high frequency module 1 is connected to the first antenna ANT1, and incorporates the first antenna ANT1 in the present embodiment. Note that the high-frequency module 1 may not include the first antenna ANT1.
  • the high frequency module 1 includes a first antenna ANT1 for a high frequency signal (transmission signal or reception signal) of a predetermined band among a plurality of bands, and a signal processing circuit (non-frequency integrated circuit) such as RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) that processes the high frequency signal. (Transmission)
  • a signal processing circuit non-frequency integrated circuit
  • RFIC Radio Frequency Integrated Circuit
  • the high frequency module 1 includes an LB band terminal P_LB to which a low frequency (Low Band, LB band) high frequency signal is input or output, and a high frequency (High Band, HB band). And an HB band terminal P_HB to which a signal is input or output.
  • the high frequency module 1 selectively transmits a high frequency signal between the first antenna ANT1 and the LB band terminal P_LB and between the first antenna ANT1 and the HB band terminal P_HB.
  • the high frequency module 1 corresponds to LTE (Long Term Evolution) and transmits a high frequency signal of a Band (frequency band) defined by 3GPP (Third Generation Partnership Project).
  • the high frequency module 1 transmits, for example, a Band 8 (transmission band: 880 to 915 MHz, reception band: 925 to 960 MHz) high frequency signal as an LB band high frequency signal, and a Band 1 (transmission band: 1920 to 1980 MHz) as an HB band high frequency signal.
  • Reception band 2110-2170 MHz).
  • the high-frequency module 1 includes a first switch circuit 10 and a matching circuit 20 as shown in FIG.
  • the first switch circuit 10 includes a first common terminal 11a connected to the first antenna ANT1, a second common terminal 11b not connected to the first antenna ANT1, and a plurality of selection terminals (here, two selection terminals 12a and 12b). ).
  • the first switch circuit 10 selectively connects the first common terminal 11a and the second common terminal 11b to different selection terminals of the plurality of selection terminals 12a and 12b, for example, based on an external control signal. To do. That is, the first common terminal 11a and the second common terminal 11b are exclusively connected to the plurality of selection terminals 12a and 12b.
  • the first common terminal 11a is a common terminal that is connected to the first antenna ANT1 through the transmission path 13a and not connected to the matching circuit 20, and is connected to one of the selection terminals 12a and 12b based on, for example, a control signal.
  • the first common terminal 11a may be connected to the first antenna ANT1 via a matching circuit or filter for the first antenna ANT1, which is different from the matching circuit 20.
  • the second common terminal 11b is connected to the matching circuit 20 via the transmission path 13b and is not connected to the first antenna ANT1, and is connected to the other of the selection terminals 12a and 12b based on, for example, a control signal.
  • the second common terminal 11b may be connected to an antenna different from the first antenna ANT1. That is, the high frequency module 1 may be connected to a plurality of antennas including the first antenna ANT1.
  • the selection terminals 12a and 12b correspond to different bands
  • the selection terminal 12a corresponds to the LB band (for example, Band8)
  • the selection terminal 12b corresponds to the HB band (for example, Band1).
  • the selection terminal 12a is connected to the LB band terminal P_LB via the transmission path 14a.
  • the selection terminal 12b is connected to the HB band terminal P_HB via the transmission path 14b.
  • the bands corresponding to each of the selection terminals 12a and 12b are not limited to this.
  • the selection terminal 12a may correspond to the HB band and the selection terminal 12b may correspond to the LB band.
  • the selection terminals 12a and 12b may correspond to the same band.
  • the first switch circuit 10 is configured by a high-frequency switch IC (Integrated Circuit) of DPDT (Double Pole Double Throw), and is configured by, for example, one chip.
  • the various terminals of the first switch circuit 10 are, for example, surface electrodes provided on an IC chip constituting the first switch circuit 10. (Pad) or a wiring pattern connected to the surface electrode.
  • the matching circuit 20 is connected to the second common terminal 11b without being connected to any one or more antennas including the first antenna ANT1. That is, in the present embodiment, the matching circuit 20 is connected to the second common terminal 11b without being connected to the first antenna ANT1. That is, since the matching circuit 20 is not connected to any antenna, it is different from a so-called antenna matching circuit.
  • the matching circuit 20 is a filter type matching circuit including a frequency band corresponding to a selection terminal connected to the first common terminal 11a among the plurality of selection terminals 12a and 12b in the pass band.
  • the matching circuit 20 since the first common terminal 11a can be connected to any of the plurality of selection terminals 12a and 12b, the matching circuit 20 includes both the LB band and the HB band in the pass band.
  • the matching circuit 20 is a low-pass filter type matching circuit.
  • the matching circuit 20 includes a shunt connection type element (capacitor 212 in this case) provided between the second common terminal 11b and the ground potential.
  • the matching circuit 20 includes an inductor 211 having one end connected to the second common terminal 11b and a capacitor 212 having one end connected to the other end of the inductor 211 and the other end connected to the ground potential.
  • the matching circuit 20 includes the inductor 211 connected in series to the transmission path 13b and the capacitor 212 shunt-connected between the transmission path 13b and the ground potential.
  • the constants of the inductor 211 and the capacitor 212 are not particularly limited, and are determined as appropriate so that the pass band of the low-pass filter constituted by these includes the frequency band corresponding to the selection terminal connected to the first common terminal 11a described above. Is done.
  • the circuit configuration of the matching circuit 20 is not limited to this, and, for example, an inductor connected in series to the transmission path 13b and a capacitor connected in shunt may be connected in multiple stages.
  • Such a matching circuit 20 is, for example, a piezoelectric chip constituted by a surface acoustic wave filter using a surface acoustic wave (SAW). Note that the matching circuit 20 is not limited to an elastic wave filter using SAW, and may be an elastic wave filter using a bulk wave (BAW: Bulk Acoustic Wave). Further, a filter configured by appropriately combining a chip inductor and a chip capacitor may be used.
  • SAW surface acoustic wave
  • the side opposite to the second common terminal 11b (the left side in the figure) of the matching circuit 20 is connected to the ground potential. That is, the matching circuit 20 is shown as being inserted into the transmission path 13b that connects the second common terminal 11b and the ground potential, but this is not a limitation.
  • another element such as an attenuator may be provided on the opposite side of the matching circuit 20 from the second common terminal 11b.
  • the high frequency module 1 operates as follows. Note that the operation of the high-frequency module 1 when transmitting a high-frequency signal in the HB band is only different in the connection relationship in the first switch circuit 10 compared to the case of transmitting a high-frequency signal in the LB band. Specifically, when transmitting a high-frequency signal in the HB band, the first common terminal 11a is connected to the selection terminal 12b, and the second common terminal 11b is connected to the selection terminal 12a. Therefore, in the following, the operation of the high frequency module 1 will be described with respect to the case of transmitting an LB band high frequency signal, and the description of the case of transmitting an HB band high frequency signal will be omitted.
  • the first switch circuit 10 When the high frequency module 1 transmits an LB band high frequency signal, the first switch circuit 10 operates as follows based on a control signal input from, for example, a control circuit or the like.
  • the first switch circuit 10 connects the first common terminal 11a to the selection terminal 12a corresponding to the LB band, and connects the second common terminal 11b to the selection terminal 12b corresponding to the HB band.
  • the high frequency signal (transmission signal) input from the LB band terminal P_LB passes through the first switch circuit 10 and is transmitted from the first antenna ANT1.
  • the high frequency signal (received signal) input from the first antenna ANT1 passes through the first switch circuit 10 and is output from the LB band terminal P_LB.
  • the first switch circuit 10 connects the selection terminal 12a corresponding to the transmission target signal (here, the LB band high-frequency signal) to the first common terminal 11a connected to the first antenna ANT1.
  • the selection terminal 12 b corresponding to a signal that is not a transmission target (here, a high-frequency signal in the HB band) is connected to the second common terminal 11 b connected to the matching circuit 20.
  • FIG. 2 and 3 are graphs showing the characteristics of the high-frequency module 1 at this time. Specifically, FIG. 2 is a graph showing the isolation characteristics of the high-frequency module 1. FIG. 3 is a graph showing pass characteristics of the high-frequency module 1.
  • the pass characteristic from the LB band terminal P_LB to the HB band terminal P_HB is shown. That is, the vertical axis indicates the intensity ratio (isolation) of the signal observed at the HB band terminal P_HB with respect to the intensity of the transmission signal input from the LB band terminal P_LB.
  • the horizontal axis indicates the frequency, and the frequency in the frequency band including the frequency band used (the band of the transmission signal or the band of the reception signal) of the high-frequency module 1 is shown.
  • the insertion loss between the LB band terminal P_LB and the first antenna ANT1 is shown as the pass characteristic. That is, the vertical axis indicates the intensity ratio (insertion loss) of the signal observed on the input side of the first antenna ANT with respect to the intensity of the transmission signal input from the LB band terminal P_LB. The horizontal axis indicates the frequency as in FIG.
  • the pass characteristic of the high frequency module 1 when transmitting the HB band high frequency signal corresponds to the pass characteristic when the HB band high frequency signal is input to the LB band terminal P_LB.
  • the isolation characteristic described below also serves as a passing characteristic from the HB band terminal P_HB to the LB band terminal P_LB when transmitting an HB band high-frequency signal.
  • the pass characteristic described below also serves as the pass characteristic from the HB band terminal P_HB to the first antenna ANT1 when transmitting an HB band high-frequency signal.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of the high-frequency module 801 according to the comparative example 1 and a diagram showing the problem.
  • the high-frequency module 801 according to Comparative Example 1 shown in the figure does not include the matching circuit 20 as compared with the high-frequency module 1 according to the embodiment, and includes the SPDT switch circuit 810 instead of the first switch circuit 10 of DPDT.
  • the common terminal 811 is connected to the selection terminal 812a corresponding to the LB band, and the selection terminal 812b corresponding to the HB band is common. It is not connected to the terminal 811.
  • the high frequency module 801 when a transmission signal (unnecessary signal) leaked from the selection terminal 812a in the switch circuit 810 wraps around the selection terminal 812b, the unnecessary signal is converted into the HB band terminal P_HB. May be output from. That is, it has the isolation characteristic of the grade shown in FIG.
  • Suppressing such unnecessary signals is particularly important in communication in LTE or the like from the following viewpoint. That is, when the LB band terminal P_LB or the HB band terminal P_HB is connected to a reception system circuit via a duplexer or the like, the reception system circuit is designed in accordance with a minute reception signal. For this reason, when an unnecessary signal leaks into the circuit of the receiving system, problems such as deterioration may occur in the elements constituting the circuit.
  • Comparative Example 2 a configuration of Comparative Example 2 is conceivable in which a DPDT switch circuit is provided in place of the SPDT switch circuit 810, thereby eliminating the selection terminal that is opened and suppressing unnecessary signals.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a high-frequency module 901 according to Comparative Example 2.
  • the high-frequency module 901 shown in the figure includes the first switch circuit 10 of the DPDT like the high-frequency module 1 according to the above-described embodiment, but the second common terminal 11b replaces the matching circuit 20 with a 50 ⁇ termination resistor R50. It is different in that it is connected to the ground potential via the terminal.
  • the isolation can be increased as compared with the comparative example 1. That is, even if the transmission signal leaked from the selection terminal 12a in the first switch circuit 10 wraps around the selection terminal 12b, the transmission signal passes through the second common terminal 11b connected to the selection terminal 12b. By flowing into the ground potential, it is estimated that it is difficult to output from the HB band terminal P_HB.
  • FIGS 2 and 3 are graphs showing the isolation characteristics of the high-frequency module 901 according to Comparative Example 2 at this time.
  • the isolation is further enhanced as compared with the high-frequency module 901 according to the comparative example 2.
  • the deterioration of the pass characteristic is suppressed, and in detail, the pass characteristic is Maintained.
  • “deterioration of pass characteristics” means that the insertion loss increases (deteriorates). That is, “deterioration of pass characteristics is suppressed” means that insertion loss is maintained or reduced (improved).
  • the high-frequency module 1 according to the present embodiment can increase the isolation while suppressing the deterioration of the passage characteristics as compared with the comparative example 1 and the comparative example 2.
  • the reason why such an effect is achieved will be described with reference to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing how a transmission signal propagates in the high-frequency module 1 according to the present embodiment.
  • the LB band transmission signal may leak from the selection terminal 12a in the first switch circuit 10 and wrap around the selection terminal 12b.
  • the first switch circuit 10 when the first switch circuit 10 is formed on a semiconductor substrate, such a signal wraparound becomes prominent because the signal is likely to circulate through the semiconductor substrate.
  • the first switch circuit 10 when the first switch circuit 10 is formed of an IC chip, it becomes prominent even when the distance between the selection terminal 12a and the selection terminal 12b is narrow as the IC chip is downsized.
  • a selection terminal (connected to the first common terminal 11a ( In FIG. 6, an unnecessary signal leaked from the selection terminal 12a) (an LB band transmission signal in FIG. 6) is difficult to leak out of the first switch circuit 10 from another selection terminal (selection terminal 12b in FIG. 6).
  • an unnecessary signal leaking (around) to the selection terminal connected to the second common terminal 11b leaks from the second common terminal 11b connected to the matching circuit 20 rather than the selection terminal. It becomes easy.
  • an unnecessary signal leaking out of the first switch circuit 10 from the selection terminal can be suppressed, so that isolation can be enhanced.
  • the matching circuit 20 is not connected to any one or more antennas.
  • the matching circuit 20 is provided in a path (transmission path 13b in FIG. 6) different from the signal path (transmission paths 14a and 13a in FIG. 6) of the transmission target of the high-frequency module 1, and therefore it is difficult to cause deterioration of the pass characteristics.
  • the high-frequency module 1 according to the present embodiment can increase the isolation while suppressing the deterioration of the pass characteristic.
  • the second common terminal 11b connected to the selection terminal is connected to the matching circuit 20.
  • the matching circuit 20 includes the shunt connection type element (capacitor 212 in the present embodiment), so that the selection terminal connected to the second common terminal 11b can be used.
  • the unnecessary signal that has wrapped around easily flows out to the ground via the second common terminal 11 b and the matching circuit 20. For this reason, since an unnecessary signal leaking out of the first switch circuit 10 from the selection terminal can be suppressed, the isolation can be further enhanced.
  • the matching circuit 20 is a filter type matching circuit, reflection of unnecessary signals leaking from the second common terminal 11b to the matching circuit 20 is suppressed. be able to. Therefore, an unnecessary signal leaking out of the first switch circuit 10 from the selection terminal connected to the second common terminal 11b due to such reflection can be suppressed. Therefore, the isolation can be further increased.
  • the matching circuit 20 is a low-pass filter type matching circuit, so that the high frequency module can be used even when a wide passband is required for the matching circuit 20. Can be easily manufactured.
  • the high frequency module 1 by providing the first antenna ANT1, it is possible to realize a high frequency module with a built-in antenna that can improve isolation while suppressing deterioration of pass characteristics.
  • FIG. 7 is a circuit diagram of the high-frequency module 201 according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the high-frequency module 201 shown in the figure is a high-frequency module connected to a plurality of antennas (in this embodiment, two antennas, that is, the first antenna ANT1 and the second antenna ANT2), and incorporates the plurality of antennas. Note that the high frequency module 201 may not include at least one of the plurality of antennas.
  • the high frequency module 201 further includes a second switch that selectively connects the second common terminal 11b to the second antenna ANT2 and the matching circuit 20 as compared with the high frequency module 1 according to the first embodiment.
  • a circuit 30 is provided.
  • the second switch circuit 30 includes an input terminal 31 and two output terminals 32a and 32b.
  • the input terminal 31 is selected as one of the two output terminals 32a and 32b based on a control signal from the outside. Circuit to be connected.
  • Such a second switch circuit 30 is configured by, for example, a high-frequency switch IC (Integrated Circuit) of SPDT (Single Pole Double Throw), for example, in one chip.
  • IC Integrated Circuit
  • SPDT Single Pole Double Throw
  • the input terminal 31 is connected to the matching circuit 20 via the transmission path 13b, and is connected to only one of the output terminals 32a and 32b based on, for example, a control signal.
  • the output terminal 32a is a first output terminal connected to the second antenna ANT2 through the transmission path 213a.
  • the output terminal 32b is a second output terminal connected to the matching circuit 20 via the transmission path 213b.
  • the matching circuit 20 is connected to the second common terminal 11b without being connected to any one or more antennas (here, two antennas) to which the high-frequency module 201 is connected, as in the first embodiment.
  • the matching circuit 20 is specifically connected to the output terminal 32b (second output terminal), and more specifically is connected in series with the output terminal 32b.
  • the high-frequency module 201 configured as described above transmits and receives using both the first antenna ANT1 and the second antenna ANT2, compared to the high-frequency module 1 according to the first embodiment, for example, carrier aggregation A system (CA system) can be supported.
  • CA system carrier aggregation A system
  • the high frequency module 201 operates as follows.
  • the high-frequency module 201 operates using only one frequency band among a plurality of frequency bands (during non-CA operation) will be described.
  • the first switch circuit 10 When the high frequency module 201 transmits an LB band high frequency signal, the first switch circuit 10 operates in the same manner as in the first embodiment. That is, the first switch circuit 10 connects the first common terminal 11a to the selection terminal 12a corresponding to the LB band, and connects the second common terminal 11b to the selection terminal 12b corresponding to the HB band.
  • the second switch circuit 30 connects the input terminal 31 to the output terminal 32b.
  • FIGS. 8 and 9 are graphs showing the characteristics of the high-frequency module 201 at this time. Specifically, FIG. 8 is a graph showing the isolation characteristics of the high-frequency module 201 during non-CA operation. FIG. 9 is a graph showing pass characteristics when the high-frequency module 201 is in a non-CA operation. In these figures, for reference, the isolation characteristics and pass characteristics of the first embodiment and the comparative example 2 shown in FIGS. 2 and 3 are also shown.
  • the isolation is ensured to the same extent as the high frequency module 1 according to the first embodiment. That is, according to the high frequency module 201 according to the present embodiment, the isolation is further enhanced as compared with the high frequency module 901 according to the comparative example 2.
  • the pass characteristics are maintained to the same extent as the high frequency module 1 according to the first embodiment. That is, according to the high frequency module 201 according to the present embodiment, compared with the high frequency module 901 according to the comparative example 2, the deterioration of the pass characteristics is suppressed, and in detail, the pass characteristics are maintained.
  • the high frequency module 201 when transmitting a LB band high frequency signal, connects the first antenna ANT1, the matching circuit 20, the LB band terminal P_LB, and the HB band terminal P_HB by the operation as described above.
  • the relationship is the same as that of the high-frequency module 1 according to the first embodiment. For this reason, the high frequency module 201 at the time of non-CA operation
  • the high frequency module 201 operates using two or more frequency bands among a plurality of frequency bands (during CA operation) will be described.
  • the first switch circuit 10 When the high frequency module 201 transmits high frequency signals in both the LB band and the HB band, the first switch circuit 10 operates in the same manner as in the first embodiment. That is, the first switch circuit 10 connects the first common terminal 11a to the selection terminal 12a corresponding to the LB band, and connects the second common terminal 11b to the selection terminal 12b corresponding to the HB band.
  • the connection relationship of the first switch circuit 10 is not limited to this.
  • the first common terminal 11a is connected to the selection terminal 12b and the second common The terminal 11b may be connected to the selection terminal 12a.
  • the second switch circuit 30 connects the input terminal 31 to the output terminal 32a.
  • FIG. 10 is a graph showing the characteristics of the high-frequency module 201 at this time. Specifically, FIG. 10 is a graph showing pass characteristics regarding the first antenna ANT1 and the second antenna ANT2 during the CA operation of the high-frequency module 201.
  • the pass characteristic between the LB band terminal P_LB and the first antenna ANT1 is shown as the pass characteristic. That is, the graph of ANT1 in the figure shows the insertion loss for the transmission path that does not pass through the second switch circuit 30.
  • the pass characteristic between the HB band terminal P_HB and the second antenna ANT2 is shown as the pass characteristic. That is, the insertion loss for the transmission path via the second switch circuit 30 is shown in the graph of ANT2 in FIG.
  • the transmission path that does not pass through the second switch circuit 30 even during CA operation is non-CA.
  • the pass characteristics are maintained to the same extent as in operation.
  • the second switch circuit 30 can be changed even in the transmission path via the second switch circuit 30. Passing characteristics are maintained to the same extent as transmission paths that do not pass through.
  • the matching circuit 20 is connected to the second common terminal 11b during the non-CA operation as in the first embodiment. Therefore, the high-frequency module 201 according to the present embodiment can increase the isolation while suppressing the deterioration of the pass characteristics as in the first embodiment during the non-CA operation.
  • the second switch circuit that selectively connects the second common terminal to the second antenna and the matching circuit, transmission / reception is performed using both the first antenna and the second antenna.
  • it can be applied to the CA method. That is, at the time of non-CA operation, it is possible to improve isolation while suppressing the deterioration of pass characteristics, and at the time of CA operation.
  • the high-frequency module 201 uses, as the second switch circuit 30, an IC or the like having good pass characteristics from the input terminal 31 to the output terminal 32a (low insertion loss), so that a plurality of frequency bands transmitted in CA operation Each of the high frequency signals can be transmitted with low loss.
  • the first switch circuit 10 is a DPDT switch circuit. That is, the first common terminal 11a is connected to any one of the plurality of selection terminals 12a and 12b, and the second common terminal 11b is any one of the plurality of selection terminals 12a and 12b that is not connected to the first common terminal 11a. It was supposed to be connected with one.
  • the first switch circuit 10 includes SPnT for LB band (Single Pole n Throw; where n is the number of LB band terminals P_LB) and SPnT for HB band (where n is the HB band).
  • the number of terminals P_HB may be combined with the switch circuit.
  • FIG. 11 is a circuit diagram of a high-frequency module 301 according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • a branching circuit 302 constituting the front end module 3 of the communication apparatus is also shown.
  • the front end module 3 shown in the figure conforms to a communication standard such as LTE, and transmits a plurality of high-frequency signals belonging to the LB band and a plurality of high-frequency signals belonging to the HB band.
  • a transmission signal and a reception signal are separated (demultiplexed) by a demultiplexing circuit 302 configured by, for example, a duplexer.
  • the first switch circuit 310 includes an SPnT switch circuit having a first common terminal 11a and a plurality of selection terminals 12a corresponding to the LB band, and a second common terminal 11b and a plurality of selection terminals 12b corresponding to the HB band.
  • the SPnT switch circuit is combined. That is, the first common terminal 11a is not connected to any of the plurality of selection terminals 12b corresponding to the HB band, and the second common terminal 11b is not connected to any of the plurality of selection terminals 12a corresponding to the LB band.
  • Such a high-frequency module 301 operates as follows, for example. Note that the operation of the second switch circuit 30 is the same as that of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • the first switch circuit 310 connects the first common terminal 11a to the selection terminal 12a corresponding to the transmission target band among the plurality of selection terminals 12a corresponding to the LB band. At the same time, the first switch circuit 310 connects the second common terminal 11b to any one of the plurality of selection terminals 12b corresponding to the HB band. At this time, the selection terminal 12b connected to the second common terminal 11b is not particularly limited. For example, the selection terminal 12b corresponding to a band that is likely to cause a malfunction when a transmission signal of a transmission target band leaks is preferable.
  • the first switch circuit 310 connects the first common terminal 11a to the selection terminal 12a corresponding to the transmission target band among the plurality of selection terminals 12a corresponding to the LB band. At the same time, the first switch circuit 310 connects the second common terminal 11b to the selection terminal 12b corresponding to the transmission target band among the plurality of selection terminals 12b corresponding to the HB band.
  • the matching circuit 20 is connected to the second common terminal 11b during the non-CA operation as in the first embodiment. Therefore, during the non-CA operation, the isolation between the LB band terminal P_LB corresponding to the transmission target band and the HB band terminal P_HB connected to the second common terminal 11b while maintaining the pass characteristic of the transmission target band. Can be increased.
  • the first switch circuit 10 is a DPDT switch circuit.
  • the configuration of the first switch circuit 10 is not limited to this, and may be, for example, DPnT (Double Pole n Throw; n is the number of bands).
  • the high frequency module 1 is connected to one antenna (first antenna ANT1 in the first embodiment).
  • the high-frequency module 1 may be connected to two or more m antennas. Therefore, the first switch circuit 10 is an nPnT (n Pole n Throw; nP n is m + 1 or more) switch circuit or an nPDT (n Pole Double Throw; nP n is m + 1 or more) switch circuit. Also good.
  • the first common terminal 11a is connected to any one of the plurality of selection terminals
  • the second common terminal 11b is connected to any one of the plurality of selection terminals.
  • the first common terminal 11a and the second common terminal 11b only need to be exclusively connected to the plurality of selection terminals, and at least one of them is simultaneously connected to two or more selection terminals among the plurality of selection terminals of three or more. It does not matter.
  • the matching circuit 20 has shunt connection type elements.
  • the matching circuit 20 may have a configuration without such elements.
  • the matching circuit 20 is a low-pass filter type matching circuit.
  • the configuration of the matching circuit is not limited to this, and may be, for example, a band-pass filter type or a high-pass filter type.
  • the matching circuit 20 is not limited to a filter-type matching circuit, and may be configured to achieve matching by a variable transfer device that adjusts the phase.
  • the above-described high-frequency module does not have to transmit both the transmission signal and the reception signal, and may transmit only one of the transmission signal and the reception signal.
  • the high-frequency module may transmit only a transmission signal for a part of a plurality of bands and transmit at least a reception signal for other bands.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as multi-band compatible high-frequency modules.

Landscapes

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Abstract

本発明に係る高周波モジュール（１）は、第一共通端子（１１ａ）、第二共通端子（１１ｂ）、及び、複数の選択端子（１２ａ及び１２ｂ）を有し、第一共通端子（１１ａ）と第二共通端子（１１ｂ）とを複数の選択端子（１２ａ及び１２ｂ）のうち互いに異なる選択端子に選択的に接続する第一スイッチ回路（１０）と、アンテナに接続されることなく第二共通端子（１１ｂ）と接続される整合回路（２０）とを備える。

Description

高周波モジュール
　本発明は、高周波モジュールに関する。
　近年、携帯電話に代表される通信装置の多バンド化（マルチバンド化）に伴い、複数の通信バンドの送受信を行う高周波モジュールが知られている。このような高周波モジュールでは、アンテナに接続される共通端子と送信系の回路または受信系の回路に接続される複数の選択端子とを備えるスイッチ回路が設けられる（例えば、特許文献１参照）。この構成によれば、スイッチＩＣ（スイッチ回路）の被選択端子（選択端子）に接続される送信経路に位相回路を設けることにより、送信信号の位相を調整する。よって、位相回路が設けられた送信経路と他の被選択端子に接続される伝送経路との間のアイソレーションが高められている。
国際公開第２０１５／１５６０７９号
　しかしながら、この構成では、伝送対象の高周波信号の経路（すなわち送信経路）に位相回路が設けられることにより、通過特性が劣化する場合がある。
　また、通信装置のさらなる多バンド化に伴い、１つのスイッチ回路に設けられる選択端子の数は増加傾向にある。このため、スイッチ回路の大型化を抑制しつつ選択端子の数を増やした場合、選択端子同士の間隔が狭くなる等によって、選択端子間のアイソレーションが劣化する虞がある。
　なお、アイソレーションとは任意の２点間の分離の度合いを示し、以下では、特に選択端子間の分離の度合いとして説明する。
　そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第一共通端子、第二共通端子、及び、複数の選択端子を有し、前記第一共通端子と前記第二共通端子とを、前記複数の選択端子のうち互いに異なる選択端子に選択的に接続する第一スイッチ回路と、アンテナに接続されることなく前記第二共通端子と接続される整合回路とを備える。
　このように、第一スイッチ回路の第二共通端子に接続される整合回路を設けることにより、第一共通端子と接続される選択端子から漏れ出した不要な信号が、他の選択端子から第一スイッチ回路の外に漏れ出しにくくなる。具体的には、第二共通端子と接続される選択端子に漏れ出した（回り込んだ）不要な信号は、当該選択端子よりも整合回路に接続された第二共通端子から漏れやすくなる。その結果、当該選択端子から第一スイッチ回路の外に漏れ出す不要な信号を抑制することができるので、アイソレーションを高めることができる。また、整合回路は１以上のアンテナのいずれにも接続されない。つまり、整合回路は、高周波モジュールの伝送対象の信号経路とは異なる経路に設けられるため、通過特性の劣化を招きにくい。このように、本態様に係る高周波モジュールは、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる。
　また、前記整合回路は、前記第二共通端子と直列に接続されていることにしてもよい。
　また、前記整合回路は、前記第二共通端子とグランド電位との間に設けられたシャント接続型の素子を有することにしてもよい。
　このように整合回路がシャント接続型の素子を有することにより、第二共通端子と接続される選択端子に回り込んだ不要な信号は、第二共通端子及び整合回路を介してグランドに流れ出やすくなる。このため、当該選択端子から第一スイッチ回路の外に漏れ出す不要な信号を抑制することができるので、アイソレーションをさらに高めることができる。
　また、前記整合回路は、前記複数の選択端子のうち前記第一共通端子と接続される選択端子に対応する周波数帯域を通過帯域に含むフィルタ型の整合回路であることにしてもよい。
　このように整合回路がフィルタ型の整合回路であることにより、第二共通端子から整合回路に漏れ出した不要な信号の反射を抑制することができる。よって、このような反射によって第二共通端子に接続された選択端子から第一スイッチ回路の外に漏れ出す不要な信号を抑制することができる。したがって、アイソレーションをさらに高めることができる。
　また、前記整合回路は、ローパスフィルタ型の整合回路であることにしてもよい。
　このように整合回路がローパスフィルタ型の整合回路であることにより、整合回路に対して広い通過帯域が求められる場合であっても、高周波モジュールを容易に作製することができる。
　また、前記第一共通端子に接続される第一アンテナを備えることにしてもよい。
　このように第一アンテナを備えることにより、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる、アンテナ内蔵の高周波モジュールを実現できる。
　また、上記目的を達成するために、本発明の他の一態様に係る高周波モジュールは、第一共通端子、第二共通端子、及び、複数の選択端子を有し、前記第一共通端子と前記第二共通端子とを、前記複数の選択端子のうち互いに異なる選択端子に選択的に接続する第一スイッチ回路と、入力端子、第一出力端子及び第二出力端子を備えた第二スイッチ回路と、整合回路とを備え、前記第二共通端子は前記入力端子に接続されており、前記第二スイッチ回路は、前記入力端子を前記第一出力端子及び前記第二出力端子に択一的に接続し、前記整合回路は、前記第二出力端子に接続されている。
　このように第二共通端子を第二アンテナ及び整合回路に択一的に接続する第二スイッチ回路を備えることにより、第一アンテナ及び第二アンテナの両方を用いて送受信する、例えばキャリアアグリゲーション（ＣＡ：Ｃａｒｒｉｅｒ　Ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ）方式に適用することができる。具体的には、非ＣＡ動作時には通過特性の劣化を抑制しつつアイソレーションを高めることができるとともに、通過特性の良好なＣＡ動作時を可能にする。
　また、このような他の一態様に、上述した一態様を適宜組み合わせてよい。
　また、前記第一出力端子に接続される第二アンテナを備えることにしてもよい。
　本発明により、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる高周波モジュールが提供される。
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュールの回路図である。 図２は、実施の形態１に係る高周波モジュールのアイソレーション特性を示すグラフである。 図３は、実施の形態１に係る高周波モジュールの通過特性を示すグラフである。 図４は、比較例１に係る高周波モジュールの回路図、及び、その問題を示す図である。 図５は、比較例２に係る高周波モジュールの構成を示す回路図である。 図６は、実施の形態１に係る高周波モジュールの信号が伝搬される様子を模式的に示す図である。 図７は、実施の形態２に係る高周波モジュールの回路図である。 図８は、実施の形態２に係る高周波モジュールの非ＣＡ動作時におけるアイソレーション特性を示すグラフである。 図９は、実施の形態２に係る高周波モジュールの非ＣＡ動作時における通過特性を示すグラフである。 図１０は、実施の形態２に係る高周波モジュールのＣＡ動作時における第一アンテナ及び第二アンテナに関する通過特性を示すグラフである。 図１１は、実施の形態２の変形例に係る高周波モジュールの回路図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
　（実施の形態１）
　図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波モジュール１の回路図である。
　同図に示す高周波モジュール１は、マルチバンド対応の高周波モジュールであり、例えば、携帯電話等の通信装置のフロントエンドに配置される。高周波モジュール１は、第一アンテナＡＮＴ１に接続され、本実施の形態では第一アンテナＡＮＴ１を内蔵する。なお、高周波モジュール１は第一アンテナＡＮＴ１を内蔵しなくてもよい。
　高周波モジュール１は、複数のバンドのうち所定のバンドの高周波信号（送信信号または受信信号）を第一アンテナＡＮＴ１と、高周波信号を信号処理するＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の信号処理回路（不図示）との間で伝送する。
　本実施の形態では、高周波モジュール１は、低域（Ｌｏｗ　Ｂａｎｄ、以下ではＬＢ帯）の高周波信号が入力または出力されるＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢと、高域（Ｈｉｇｈ　Ｂａｎｄ、以下ではＨＢ帯）の高周波信号が入力または出力されるＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢとを備える。高周波モジュール１は、第一アンテナＡＮＴ１とＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢとの間、及び、第一アンテナＡＮＴ１とＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢとの間で、高周波信号を選択的に伝送する。
　例えば、高周波モジュール１は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）に対応し、３ＧＰＰ（Ｔｈｉｒｄ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　Ｐａｒｔｎｅｒｓｈｉｐ　Ｐｒｏｊｅｃｔ）にて規定されたＢａｎｄ（周波数帯域）の高周波信号を伝送する。高周波モジュール１は、ＬＢ帯の高周波信号として例えばＢａｎｄ８（送信帯域：８８０－９１５ＭＨｚ、受信帯域：９２５－９６０ＭＨｚ）の高周波信号を伝送し、ＨＢ帯の高周波信号として例えばＢａｎｄ１（送信帯域：１９２０－１９８０ＭＨｚ、受信帯域：２１１０－２１７０ＭＨｚ）の高周波信号を伝送する。
　具体的には、高周波モジュール１は、図１に示すように、第一スイッチ回路１０及び整合回路２０を備える。
　第一スイッチ回路１０は、第一アンテナＡＮＴ１に接続される第一共通端子１１ａと、第一アンテナＡＮＴ１に接続されない第二共通端子１１ｂと、複数の選択端子（ここでは２つの選択端子１２ａ及び１２ｂ）とを有する。そして、第一スイッチ回路１０は、例えば外部からの制御信号に基づいて、第一共通端子１１ａと第二共通端子１１ｂとを、複数の選択端子１２ａ及び１２ｂの互いに異なる選択端子に選択的に接続する。つまり、第一共通端子１１ａと第二共通端子１１ｂとは、複数の選択端子１２ａ及び１２ｂに対して排他的に接続される。
　第一共通端子１１ａは、伝送経路１３ａを介して第一アンテナＡＮＴ１に接続され、かつ、整合回路２０に接続されない共通端子であり、例えば制御信号に基づいて選択端子１２ａ及び１２ｂの一方に接続される。なお、第一共通端子１１ａは、整合回路２０とは異なる第一アンテナＡＮＴ１用の整合回路またはフィルタ等を介して第一アンテナＡＮＴ１に接続されてもかまわない。
　第二共通端子１１ｂは、伝送経路１３ｂを介して整合回路２０に接続され、かつ、第一アンテナＡＮＴ１に接続されない共通端子であり、例えば制御信号に基づいて選択端子１２ａ及び１２ｂの他方に接続される。なお、第二共通端子１１ｂは、第一アンテナＡＮＴ１とは異なるアンテナに接続されてもかまわない。つまり、高周波モジュール１は、第一アンテナＡＮＴ１を含む複数のアンテナに接続されてもかまわない。
　選択端子１２ａ及び１２ｂは、本実施の形態では互いに異なるバンドに対応し、選択端子１２ａがＬＢ帯（例えばＢａｎｄ８）に対応し、選択端子１２ｂがＨＢ帯（例えばＢａｎｄ１）に対応する。具体的には、選択端子１２ａは、伝送経路１４ａを介してＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢに接続される。また、選択端子１２ｂは、伝送経路１４ｂを介してＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢに接続される。なお、選択端子１２ａ及び１２ｂの各々が対応するバンドはこれに限らず、例えば、選択端子１２ａがＨＢ帯に対応し、選択端子１２ｂがＬＢ帯に対応してもかまわない。なお、選択端子１２ａ及び１２ｂは、同一のバンドに対応していてもかまわない。
　このような第一スイッチ回路１０は、本実施の形態ではＤＰＤＴ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）の高周波スイッチＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって構成され、例えば１チップで構成されている。また、第一スイッチ回路１０の各種端子（第一共通端子１１ａ、第二共通端子１１ｂ、ならびに、選択端子１２ａ及び１２ｂ）は、例えば、第一スイッチ回路１０を構成するＩＣチップに設けられる表面電極（パッド）あるいは当該表面電極に接続される配線パターンである。
　整合回路２０は、第一アンテナＡＮＴ１を含む１以上のアンテナのいずれにも接続されることなく第二共通端子１１ｂと接続される。つまり、本実施の形態では整合回路２０は、第一アンテナＡＮＴ１に接続されることなく第二共通端子１１ｂと接続される。すなわち、整合回路２０はいかなるアンテナにも接続されないため、いわゆるアンテナ用の整合回路とは異なる。
　具体的には、整合回路２０は、第二共通端子１１ｂと直列に接続され、第二共通端子１１ｂから伝送経路１３ｂに漏れ出した高周波信号の反射を抑制する。例えば、整合回路２０は、第二共通端子１１ｂのインピーダンス（出力インピーダンス）と高周波モジュール１の特性インピーダンス（例えば５０Ω）との整合を図る回路である。また、例えば、整合回路２０は、選択端子１２ａ及び１２ｂから第二共通端子１１ｂ側を見たインピーダンスが、選択端子１２ａ及び１２ｂからＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢ及びＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢ側を見たインピーダンスよりも小さくなるように設けられていてもよい。
　さらに具体的には、整合回路２０は、複数の選択端子１２ａ及び１２ｂのうち第一共通端子１１ａと接続される選択端子に対応する周波数帯域を通過帯域に含むフィルタ型の整合回路である。本実施の形態では、第一共通端子１１ａは複数の選択端子１２ａ及び１２ｂのいずれとも接続可能なため、整合回路２０はＬＢ帯及びＨＢ帯の両方を通過帯域に含む。また、本実施の形態では、整合回路２０は、ローパスフィルタ型の整合回路である。
　図１に示すように、整合回路２０は、第二共通端子１１ｂとグランド電位との間に設けられたシャント接続型の素子（ここではキャパシタ２１２）を有する。具体的には、整合回路２０は、一端が第二共通端子１１ｂに接続されるインダクタ２１１と、一端がインダクタ２１１の他端に接続されて他端がグランド電位に接続されるキャパシタ２１２とを有する。つまり、整合回路２０は、伝送経路１３ｂに直列に接続されるインダクタ２１１と、伝送経路１３ｂとグランド電位との間にシャント接続されるキャパシタ２１２とを有する。
　インダクタ２１１及びキャパシタ２１２の定数は、特に限定されず、これらによって構成されるローパスフィルタの通過帯域が、上述した第一共通端子１１ａと接続される選択端子に対応する周波数帯域を含むように適宜決定される。なお、整合回路２０の回路構成は、これに限定されず、例えば、伝送経路１３ｂに直列に接続されるインダクタとシャント接続されるキャパシタとが多段に接続されていてもかまわない。
　このような整合回路２０は、例えば、表面弾性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を利用した弾性表面波フィルタによって構成された圧電体チップである。なお、整合回路２０は、ＳＡＷを利用した弾性波フィルタに限定されず、バルク波（ＢＡＷ：　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を利用した弾性波フィルタであってもかまわない。また、チップインダクタ及びチップコンデンサ等を適宜組み合わせて構成されたフィルタであってもかまわない。
　なお、図１では、整合回路２０の第二共通端子１１ｂと反対側（図中の左側）はグランド電位に接続されている。つまり、整合回路２０は第二共通端子１１ｂとグランド電位とを接続する伝送経路１３ｂに挿入されていると示されているが、これに限らない。例えば、整合回路２０の第二共通端子１１ｂと反対側には、減衰器等の他の素子が設けられていてもかまわない。
　以上のように構成された本実施の形態に係る高周波モジュール１は、次のように動作する。なお、ＨＢ帯の高周波信号を伝送する場合の高周波モジュール１の動作については、ＬＢ帯の高周波信号を伝送する場合に比べて、第一スイッチ回路１０での接続関係が異なるに過ぎない。具体的には、ＨＢ帯の高周波信号を伝送する場合、第一共通端子１１ａは選択端子１２ｂに接続され、第二共通端子１１ｂは選択端子１２ａに接続される。このため、以下では、高周波モジュール１の動作について、ＬＢ帯の高周波信号を伝送する場合について説明し、ＨＢ帯の高周波信号を伝送する場合については、説明を省略する。
　高周波モジュール１がＬＢ帯の高周波信号を伝送する場合、第一スイッチ回路１０は、例えば制御回路等から入力される制御信号に基づいて、次のように動作する。
　つまり、第一スイッチ回路１０は、第一共通端子１１ａをＬＢ帯に対応する選択端子１２ａに接続するとともに、第二共通端子１１ｂをＨＢ帯に対応する選択端子１２ｂに接続する。これにより、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢから入力された高周波信号（送信信号）は、第一スイッチ回路１０を通過して第一アンテナＡＮＴ１から送信される。また、第一アンテナＡＮＴ１から入力された高周波信号（受信信号）は、第一スイッチ回路１０を通過してＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢから出力される。
　このように、第一スイッチ回路１０は、伝送対象の信号（ここではＬＢ帯の高周波信号）に対応する選択端子１２ａを、第一アンテナＡＮＴ１に接続される第一共通端子１１ａに接続する。また、これとともに、伝送対象でない信号（ここではＨＢ帯の高周波信号）に対応する選択端子１２ｂを、整合回路２０に接続される第二共通端子１１ｂに接続する。
　図２及び図３は、このときの高周波モジュール１の特性を示すグラフである。具体的には、図２は、高周波モジュール１のアイソレーション特性を示すグラフである。図３は、高周波モジュール１の通過特性を示すグラフである。
　なお、これらの図には、本実施の形態によって奏される効果を分かりやすくするため、後述する比較例２の特性も併せて示されている。
　なお、図２では、アイソレーション特性として、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢからＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢへの通過特性が示されている。つまり、縦軸はＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢから入力された送信信号の強度に対するＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢで観測された信号の強度比（アイソレーション）を示す。横軸は、周波数を示し、高周波モジュール１の使用周波数帯域(送信信号の帯域または受信信号の帯域)を含む周波数帯域の周波数が示されている。
　また、図３では、通過特性として、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢと第一アンテナＡＮＴ１との間の挿入損失が示されている。つまり、縦軸はＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢから入力された送信信号の強度に対する第一アンテナＡＮＴの入力側で観測された信号の強度比（挿入損失）を示す。横軸は図２と同様に周波数を示す。
　また、ＨＢ帯の高周波信号を伝送する場合の高周波モジュール１の通過特性は、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢにＨＢ帯の高周波信号を入力した場合の通過特性に相当する。このため、以下で説明するアイソレーション特性は、ＨＢ帯の高周波信号を伝送する場合のＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢからＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢへの通過特性も兼ねる。同様に、以下で説明する通過特性は、ＨＢ帯の高周波信号を伝送する場合のＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢから第一アンテナＡＮＴ１への通過特性も兼ねる。
　これらアイソレーション特性及び通過特性に関する事項は、特に言及しない限り、以降においても同様である。
　図２及び図３に示されるアイソレーション特性及び通過特性は、ＤＰＤＴの第一スイッチ回路１０に代わり、ＳＰＤＴのスイッチ回路を用いた高周波モジュールに比べて、良好な特性を示す。このことの理解を容易にするために、参考として、比較例１を用いて説明する。
　図４は、比較例１に係る高周波モジュール８０１の回路図、及び、その問題を示す図である。
　同図に示す比較例１に係る高周波モジュール８０１は、実施の形態に係る高周波モジュール１に比べて、整合回路２０を備えず、ＤＰＤＴの第一スイッチ回路１０に代わりＳＰＤＴのスイッチ回路８１０を備える。
　このようなスイッチ回路８１０は、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢから入力された送信信号を伝送する場合、共通端子８１１をＬＢ帯に対応する選択端子８１２ａに接続するとともに、ＨＢ帯に対応する選択端子８１２ｂは共通端子８１１に接続されない。
　このため、比較例１に係る高周波モジュール８０１では、スイッチ回路８１０において選択端子８１２ａから漏れ出した送信信号（不要な信号）が選択端子８１２ｂに回り込んだ場合、この不要な信号がＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢから出力される虞がある。つまり、図４において示されている程度のアイソレーション特性を有する。
　このような不要な信号を抑制することは、次の観点から、ＬＴＥ等での通信において特に重要である。すなわち、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢまたはＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢがデュプレクサ等を介して受信系の回路に接続されている場合、受信系の回路は微小な受信信号に合わせて設計されている。このため、不要な信号が受信系の回路に漏れ込んだ場合、当該回路を構成する素子に劣化等の不具合が生じ得る。
　そこで、ＳＰＤＴのスイッチ回路８１０に代わり、ＤＰＤＴのスイッチ回路を設けることで、開放状態となる選択端子をなくし不要な信号を抑制する比較例２の構成が考えられる。
　図５は、比較例２に係る高周波モジュール９０１の構成を示す回路図である。
　同図に示す高周波モジュール９０１は、上述した実施の形態に係る高周波モジュール１と同様にＤＰＤＴの第一スイッチ回路１０を備えるが、第二共通端子１１ｂが整合回路２０に代わり５０Ωの終端抵抗Ｒ５０を介してグランド電位に接続されている点が異なる。
　このように構成された比較例２に係る高周波モジュール９０１では、比較例１に比べてアイソレーションを高めることができると推測される。すなわち、第一スイッチ回路１０において選択端子１２ａから漏れ出した送信信号が選択端子１２ｂに回り込んだ場合であっても、この送信信号が選択端子１２ｂに接続された第二共通端子１１ｂを介してグランド電位に流れ込むことにより、ＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢから出力されにくくなると推測される。
　図２中及び図３中の比較例２で示されるグラフは、このときの比較例２に係る高周波モジュール９０１のアイソレーション特性を示すグラフである。
　図２から分かるように、本実施の形態に係る高周波モジュール１によれば、比較例２に係る高周波モジュール９０１に比べ、さらにアイソレーションが高められている。
　このことは、次のように推測される。すなわち、第二共通端子１１ｂを終端抵抗Ｒ５０によって終端した場合であっても、選択端子１２ａから第二共通端子１１ｂ側を見たインピーダンスが選択端子１２ａからＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢ側を見たインピーダンスよりも大きくなり得る。このため、第二共通端子１１ｂを終端した場合であっても、選択端子１２ａから不要な信号が漏れ得ると推測される。
　また、図３から分かるように、本実施の形態に係る高周波モジュール１によれば、比較例２に係る高周波モジュール９０１に比べて、通過特性の劣化が抑制されており、詳細には通過特性が維持されている。ここで、「通過特性の劣化」とは挿入損失が増大(悪化)することを意味する。つまり、「通過特性の劣化が抑制される」とは、挿入損失が維持または低減（改善）されることを意味する。
　すなわち、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、比較例１及び比較例２に比べて、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる。以下、このような効果が奏される理由について、図６を用いて説明する。
　図６は、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、送信信号が伝搬する様子を模式的に示す図である。
　同図に示すように、例えば、ＬＢ帯の送信信号が入力されると、第一スイッチ回路１０において選択端子１２ａからＬＢ帯の送信信号が漏れ出して、選択端子１２ｂに回り込む場合がある。このような信号の回り込みは、例えば、第一スイッチ回路１０が半導体基板上に形成されている場合に、当該半導体基板を介して信号が回り込みやすいため顕著となる。また、第一スイッチ回路１０がＩＣチップで構成されている場合には、ＩＣチップの小型化にともなって、選択端子１２ａと選択端子１２ｂとの間隔が狭い場合にも顕著となる。ただし、高周波モジュール１全体の小型化のためには、第一スイッチ回路１０を半導体基板上に形成してチップ化することが望ましい。
　そこで、本実施の形態に係る高周波モジュール１によれば、第一スイッチ回路１０の第二共通端子１１ｂに接続される整合回路２０を設けることにより、第一共通端子１１ａと接続される選択端子（図６では選択端子１２ａ）から漏れ出した不要な信号（図６ではＬＢ帯の送信信号）が、他の選択端子（図６では選択端子１２ｂ）から第一スイッチ回路１０の外に漏れ出しにくくなる。具体的には、第二共通端子１１ｂと接続される選択端子に漏れ出した（回り込んだ）不要な信号は、当該選択端子よりも整合回路２０に接続された第二共通端子１１ｂから漏れ出やすくなる。その結果、当該選択端子から第一スイッチ回路１０の外に漏れ出す不要な信号を抑制することができるので、アイソレーションを高めることができる。また、整合回路２０は１以上のアンテナのいずれにも接続されない。つまり、整合回路２０は、高周波モジュール１の伝送対象の信号経路（図６では伝送経路１４ａ及び１３ａ）とは異なる経路（図６では伝送経路１３ｂ）に設けられるため、通過特性の劣化を招きにくい。このように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる。
　なお、アイソレーションを高める構成として、３以上の選択端子のうち一の選択端子を、直接または終端抵抗を介してグランド電位に接続する構成が考えられる。このような構成では、スイッチ回路において他の任意の選択端子から漏れ出した不要な信号の一部が当該一の選択端子を介してグランドに流れるため、他の選択端子の間のアイソレーションを高めることができ得る。しかしながら、このような構成では、グランド電位に接続された一の選択端子と他の選択端子とを接続することはできない。
　これに対して、本実施の形態では、選択端子と接続される第二共通端子１１ｂを整合回路２０と接続する。これにより、上記の構成に比べて、選択端子から漏れ出す不要な信号をさらに抑制することができる。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１によれば、整合回路２０がシャント接続型の素子（本実施の形態ではキャパシタ２１２）を有することにより、第二共通端子１１ｂと接続される選択端子に回り込んだ不要な信号は、第二共通端子１１ｂ及び整合回路２０を介してグランドに流れ出やすくなる。このため、当該選択端子から第一スイッチ回路１０の外に漏れ出す不要な信号を抑制することができるので、アイソレーションをさらに高めることができる。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１によれば、整合回路２０がフィルタ型の整合回路であることにより、第二共通端子１１ｂから整合回路２０に漏れ出した不要な信号の反射を抑制することができる。よって、このような反射によって第二共通端子１１ｂに接続された選択端子から第一スイッチ回路１０の外に漏れ出す不要な信号を抑制することができる。したがって、アイソレーションをさらに高めることができる。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１によれば、整合回路２０がローパスフィルタ型の整合回路であることにより、整合回路２０に対して広い通過帯域が求められる場合であっても、高周波モジュールを容易に作製することができる。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１によれば、第一アンテナＡＮＴ１を備えることにより、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる、アンテナ内蔵の高周波モジュールを実現できる。
　（実施の形態２）
　次に、本発明の実施の形態２に係る高周波モジュールについて説明する。
　図７は、本発明の実施の形態２に係る高周波モジュール２０１の回路図である。
　同図に示す高周波モジュール２０１は、複数のアンテナ（本実施の形態では２つのアンテナ、すなわち第一アンテナＡＮＴ１及び第二アンテナＡＮＴ２）に接続される高周波モジュールであり、当該複数のアンテナを内蔵する。なお、高周波モジュール２０１は当該複数のアンテナの少なくとも１つを内蔵しなくてもかまわない。
　本実施の形態に係る高周波モジュール２０１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１に比べて、さらに、第二共通端子１１ｂを第二アンテナＡＮＴ２及び整合回路２０に択一的に接続する第二スイッチ回路３０を備える。
　第二スイッチ回路３０は、入力端子３１ならびに２つの出力端子３２ａ及び３２ｂを有し、例えば外部からの制御信号に基づいて、入力端子３１を２つの出力端子３２ａ及び３２ｂのいずれか一方に択一的に接続する回路である。
　このような第二スイッチ回路３０は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）の高周波スイッチＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって構成され、例えば１チップ化されている。
　入力端子３１は、伝送経路１３ｂを介して整合回路２０に接続され、かつ、例えば制御信号に基づいて出力端子３２ａ及び３２ｂの一方のみに接続される。出力端子３２ａは、伝送経路２１３ａを介して第二アンテナＡＮＴ２に接続される、第一出力端子である。出力端子３２ｂは、伝送経路２１３ｂを介して整合回路２０に接続される、第二出力端子である。
　つまり、整合回路２０は、実施の形態１と同様に、高周波モジュール２０１が接続される１以上のアンテナ（ここでは２つのアンテナ）のいずれにも接続されることなく第二共通端子１１ｂと接続される。整合回路２０は、具体的には、出力端子３２ｂ（第二出力端子）に接続され、より具体的には、出力端子３２ｂと直列に接続されている。
　このように構成された本実施の形態に係る高周波モジュール２０１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１に比べて、第一アンテナＡＮＴ１及び第二アンテナＡＮＴ２の両方を用いて送受信する、例えばキャリアアグリゲーション方式（ＣＡ方式）に対応することができる。
　本実施の形態に係る高周波モジュール２０１は、次のように動作する。
　まず、高周波モジュール２０１が複数の周波数帯域のうち１つの周波数帯域のみを用いて動作する場合（非ＣＡ動作時）について、説明する。
　高周波モジュール２０１がＬＢ帯の高周波信号を伝送する場合、第一スイッチ回路１０は、実施の形態１と同様に動作する。つまり、第一スイッチ回路１０は、第一共通端子１１ａをＬＢ帯に対応する選択端子１２ａに接続するとともに、第二共通端子１１ｂをＨＢ帯に対応する選択端子１２ｂに接続する。
　また、この場合、第二スイッチ回路３０は、入力端子３１を出力端子３２ｂに接続する。
　図８及び図９は、このときの高周波モジュール２０１の特性を示すグラフである。具体的には、図８は、高周波モジュール２０１の非ＣＡ動作時におけるアイソレーション特性を示すグラフである。図９は、高周波モジュール２０１の非ＣＡ動作時における通過特性を示すグラフである。なお、これらの図には、参考として、図２及び図３に示した実施の形態１及び比較例２のアイソレーション特性及び通過特性も示されている。
　図８から分かるように、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１によれば、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同程度にアイソレーションが確保されている。すなわち、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１によれば、比較例２に係る高周波モジュール９０１に比べ、さらにアイソレーションが高められている。
　図９から分かるように、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１によれば、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同程度に通過特性が維持されている。すなわち、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１によれば、比較例２に係る高周波モジュール９０１に比べて、通過特性の劣化が抑制されており、詳細には通過特性が維持されている。
　つまり、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１は、ＬＢ帯の高周波信号を伝送する場合、上述のような動作により、第一アンテナＡＮＴ１、整合回路２０、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢ及びＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢの接続関係が、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同様となる。このため、非ＣＡ動作時の高周波モジュール２０１は、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる。
　次に、高周波モジュール２０１が複数の周波数帯域のうち２以上の周波数帯域を用いて動作する場合（ＣＡ動作時）について、説明する。
　高周波モジュール２０１がＬＢ帯及びＨＢ帯両方の高周波信号を伝送する場合、第一スイッチ回路１０は、実施の形態１と同様に動作する。つまり、第一スイッチ回路１０は、第一共通端子１１ａをＬＢ帯に対応する選択端子１２ａに接続するとともに、第二共通端子１１ｂをＨＢ帯に対応する選択端子１２ｂに接続する。
　なお、第一スイッチ回路１０の接続関係はこれに限らず、例えば第一アンテナＡＮＴ１及び第二アンテナＡＮＴ２の特性を考慮して、第一共通端子１１ａを選択端子１２ｂに接続するとともに、第二共通端子１１ｂを選択端子１２ａに接続してもかまわない。
　また、この場合、第二スイッチ回路３０は、入力端子３１を出力端子３２ａに接続する。
　図１０は、このときの高周波モジュール２０１の特性を示すグラフである。具体的には、図１０は、高周波モジュール２０１のＣＡ動作時における第一アンテナＡＮＴ１及び第二アンテナＡＮＴ２に関する通過特性を示すグラフである。
　なお、図１０のＡＮＴ１で示されているグラフでは、通過特性として、ＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢから第一アンテナＡＮＴ１間の通過特性が示されている。つまり、同図のＡＮＴ１のグラフには、第二スイッチ回路３０を経由しない伝送経路についての挿入損失が示されている。また、図１０のＡＮＴ２で示されているグラフでは、通過特性として、ＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢから第二アンテナＡＮＴ２間の通過特性が示されている。つまり、同図のＡＮＴ２のグラフには、第二スイッチ回路３０を経由する伝送経路についての挿入損失が示されている。
　図９と図１０とを比較して分かるように、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１によれば、ＣＡ動作時であっても、第二スイッチ回路３０を経由しない伝送経路については、非ＣＡ動作時と同程度に通過特性が維持されている。
　また、図１０の２つのグラフを比較して分かるように、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１によれば、第二スイッチ回路３０を経由する伝送経路であっても、第二スイッチ回路３０を経由しない伝送経路と同程度に通過特性が維持されている。
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１によれば、非ＣＡ動作時には、実施の形態１と同様に整合回路２０が第二共通端子１１ｂに接続される。したがって、本実施の形態に係る高周波モジュール２０１は、非ＣＡ動作時には実施の形態１と同様に、通過特性の劣化を抑制しつつ、アイソレーションを高めることができる。
　また、本実施の形態によれば、第二共通端子を第二アンテナ及び整合回路に択一的に接続する第二スイッチ回路を備えることにより、第一アンテナ及び第二アンテナの両方を用いて送受信する、例えばＣＡ方式に適用することができる。つまり、非ＣＡ動作時には通過特性の劣化を抑制しつつアイソレーションを高めることができるとともに、ＣＡ動作時が可能になる。
　特に、高周波モジュール２０１は、第二スイッチ回路３０として、入力端子３１から出力端子３２ａへの通過特性が良好な（挿入損失の少ない）ＩＣ等を用いることにより、ＣＡ動作において伝送する複数の周波数帯域の高周波信号それぞれを、低損失に伝送することが可能となる。
　（実施の形態２の変形例）
　上述した実施の形態２では、第一スイッチ回路１０は、ＤＰＤＴのスイッチ回路であるとした。つまり、第一共通端子１１ａは複数の選択端子１２ａ及び１２ｂのうち任意の１つと接続され、第二共通端子１１ｂは複数の選択端子１２ａ及び１２ｂのうち第一共通端子１１ａと接続されない任意の１つと接続されるとした。
　しかし、第一スイッチ回路１０は、ＬＢ帯用のＳＰｎＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　ｎ　Ｔｈｒｏｗ；ここでのｎはＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢの数）のスイッチ回路と、ＨＢ帯用のＳＰｎＴ（ここでのｎはＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢの数）のスイッチ回路とを併せた構成であってもかまわない。
　図１１は、本発明の実施の形態２の変形例に係る高周波モジュール３０１の回路図である。なお、同図には、高周波モジュール３０１とともに、例えば通信装置のフロントエンドモジュール３を構成する分波回路３０２も併せて示されている。
　例えば、同図に示すフロントエンドモジュール３は、ＬＴＥ等の通信規格に準拠し、ＬＢ帯に属する複数のバンドの高周波信号、及び、ＨＢ帯に属する複数のバンドの高周波信号を伝送する。各バンドの高周波信号は、例えばデュプレクサ等で構成される分波回路３０２によって、送信信号と受信信号とが分離（分波）される。
　第一スイッチ回路３１０は、第一共通端子１１ａとＬＢ帯に対応する複数の選択端子１２ａとを有するＳＰｎＴのスイッチ回路と、第二共通端子１１ｂとＨＢ帯に対応する複数の選択端子１２ｂとを有するＳＰｎＴのスイッチ回路とが併せられた構成である。つまり、第一共通端子１１ａはＨＢ帯に対応する複数の選択端子１２ｂのいずれにも接続されず、第二共通端子１１ｂはＬＢ帯に対応する複数の選択端子１２ａのいずれにも接続されない。
　このような高周波モジュール３０１は、例えば、次のように動作する。なお、第二スイッチ回路３０の動作については、実施の形態２と同様に動作するため、説明を省略する。
　非ＣＡ動作時には、第一スイッチ回路３１０は、第一共通端子１１ａをＬＢ帯に対応する複数の選択端子１２ａのうち伝送対象のバンドに対応する選択端子１２ａに接続する。これとともに、第一スイッチ回路３１０は、第二共通端子１１ｂをＨＢ帯に対応する複数の選択端子１２ｂのいずれかに接続する。このとき、第二共通端子１１ｂに接続される選択端子１２ｂは特に限定されないが、例えば、伝送対象のバンドの送信信号が漏れ込んだ場合に不具合が生じやすいバンドに対応する選択端子１２ｂが好ましい。
　また、ＣＡ動作時には、第一スイッチ回路３１０は、第一共通端子１１ａをＬＢ帯に対応する複数の選択端子１２ａのうち伝送対象のバンドに対応する選択端子１２ａに接続する。これとともに、第一スイッチ回路３１０は、第二共通端子１１ｂをＨＢ帯に対応する複数の選択端子１２ｂのうち伝送対象のバンドに対応する選択端子１２ｂに接続する。
　このような実施の形態２の変形例に係る高周波モジュール３０１であっても、非ＣＡ動作時には、実施の形態１と同様に整合回路２０が第二共通端子１１ｂに接続される。したがって、非ＣＡ動作時において、伝送対象のバンドの通過特性を維持しつつ、伝送対象のバンドに対応するＬＢ帯端子Ｐ＿ＬＢと、第二共通端子１１ｂに接続されるＨＢ帯端子Ｐ＿ＨＢとのアイソレーションを高めることができる。
　（その他の変形例）
　以上、本発明の実施の形態及びその変形例に係る高周波モジュールについて説明したが、本発明は、個々の実施の形態及びその変形例には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態及びその変形例に施したものや、異なる実施の形態及びその変形例における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
　例えば、上記実施の形態１では、第一スイッチ回路１０はＤＰＤＴのスイッチ回路であると説明した。しかし、第一スイッチ回路１０の構成はこれに限らず、例えば、ＤＰｎＴ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｐｏｌｅ　ｎ　Ｔｈｒｏｗ；ｎはバンドの数）であってもかまわない。
　また、上記実施の形態１では、高周波モジュール１は１つのアンテナ（実施の形態１では第一アンテナＡＮＴ１）に接続されるとした。しかし、高周波モジュール１は２以上のｍ個のアンテナに接続されてもよい。このため、第一スイッチ回路１０は、ｎＰｎＴ（ｎ　Ｐｏｌｅ　ｎ　Ｔｈｒｏｗ；ｎＰのｎはｍ＋１以上）のスイッチ回路、あるいは、ｎＰＤＴ（ｎ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ；ｎＰのｎはｍ＋１以上）のスイッチ回路であってもよい。
　また、上記説明では、第一共通端子１１ａは複数の選択端子のうちいずれか１つに接続され、第二共通端子１１ｂは複数の選択端子のうち他のいずれか１つに接続されるとした。しかしながら、第一共通端子１１ａ及び第二共通端子１１ｂは、複数の選択端子に排他的に接続されていればよく、少なくとも一方が３以上の複数の選択端子のうち２以上の選択端子に同時に接続されてもかまわない。
　また、上記説明では、整合回路２０はシャント接続型の素子を有するとしたが、このような素子を有さない構成であってもかまわない。
　また、上記説明では、整合回路２０はローパスフィルタ型の整合回路であるとした。しかし、整合回路の構成はこれに限定されず、例えばバンドパスフィルタ型またはハイパスフィルタ型であってもかまわない。また、整合回路２０はフィルタ型の整合回路には限定されず、位相を調整する可変移送器等により整合を図る構成であってもかまわない。
　また、上記説明した高周波モジュールは、送信信号及び受信信号の両方を伝送しなくてもよく、送信信号及び受信信号のいずれか一方のみを伝送してもかまわない。あるいは、高周波モジュールは、複数のバンドのうち、一部のバンドについては送信信号のみを伝送し、他のバンドについては少なくとも受信信号を伝送してもかまわない。
　本発明は、マルチバンド対応の高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　　１、２０１、３０１、８０１、９０１　高周波モジュール
　　３　フロントエンドモジュール
　　１０、３１０　第一スイッチ回路
　　１１ａ　第一共通端子
　　１１ｂ　第二共通端子
　　１２ａ、１２ｂ、８１２ａ、８１２ｂ　選択端子
　　１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ、２１３ａ、２１３ｂ　伝送経路
　　２０　整合回路
　　３０　第二スイッチ回路
　　３１　入力端子
　　３２ａ、３２ｂ　出力端子
　　２１１　インダクタ
　　２１２　キャパシタ
　　３０２　分波回路
　　８１０　スイッチ回路
　　８１１　共通端子
　　ＡＮＴ１　第一アンテナ
　　ＡＮＴ２　第二アンテナ
　　Ｐ＿ＬＢ　ＬＢ帯端子
　　Ｐ＿ＨＢ　ＨＢ帯端子
　　Ｒ５０　終端抵抗

Claims (13)

  1. 　第一共通端子、第二共通端子、及び、複数の選択端子を有し、前記第一共通端子と前記第二共通端子とを、前記複数の選択端子のうち互いに異なる選択端子に選択的に接続する第一スイッチ回路と、
    　アンテナに接続されることなく前記第二共通端子と接続される整合回路とを備える
    　高周波モジュール。
  2. 　前記整合回路は、前記第二共通端子と直列に接続されている
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記整合回路は、前記第二共通端子とグランド電位との間に設けられたシャント接続型の素子を有する
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記整合回路は、前記複数の選択端子のうち前記第一共通端子と接続される選択端子に対応する周波数帯域を通過帯域に含むフィルタ型の整合回路である
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記整合回路は、ローパスフィルタ型の整合回路である
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第一共通端子に接続される第一アンテナを備えた
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　第一共通端子、第二共通端子、及び、複数の選択端子を有し、前記第一共通端子と前記第二共通端子とを、前記複数の選択端子のうち互いに異なる選択端子に選択的に接続する第一スイッチ回路と、
    　入力端子、第一出力端子及び第二出力端子を備えた第二スイッチ回路と、
    　整合回路とを備え、
    　前記第二共通端子は前記入力端子に接続されており、
    　前記第二スイッチ回路は、前記入力端子を前記第一出力端子及び前記第二出力端子に択一的に接続し、
    　前記整合回路は、前記第二出力端子に接続されている
    　高周波モジュール。
  8. 　前記整合回路は、前記第二出力端子と直列に接続されている
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記整合回路は、前記第二出力端子とグランド電位との間に設けられたシャント接続型の素子を有する
    　請求項８に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記整合回路は、前記複数の選択端子のうち前記第一共通端子と接続される選択端子に対応する周波数帯域を通過帯域に含むフィルタ型の整合回路である
    　請求項７～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記整合回路は、ローパスフィルタ型の整合回路である
    　請求項１０に記載の高周波モジュール。
  12. 　前記第一共通端子に接続される第一アンテナを備えた
    　請求項７～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記第一出力端子に接続される第二アンテナを備えた
    　請求項７～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
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