WO2017134032A1 - Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe - Google Patents

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WO2017134032A1
WO2017134032A1 PCT/EP2017/051993 EP2017051993W WO2017134032A1 WO 2017134032 A1 WO2017134032 A1 WO 2017134032A1 EP 2017051993 W EP2017051993 W EP 2017051993W WO 2017134032 A1 WO2017134032 A1 WO 2017134032A1
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WO
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optoelectronic
cooler
optoelectronic component
radiation
component
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Dominik Pentlehner
Richard Baisl
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Osram Oled GmbH
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Osram Oled GmbH
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/80—Constructional details
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic assembly and a method for producing an optoelectronic
  • An optoelectronic assembly may comprise one, two or more optoelectronic components.
  • Optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting device or a
  • An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, a solar cell.
  • Electromagnetic radiation emitting device may, for example, a light-emitting diode, a
  • Organic-based devices so-called organic optoelectronic devices, are becoming increasingly popular. For example, keep organic light emitting diodes
  • ⁇ organic light-emitting diode - OLED are increasingly being used in general lighting, for example as surface light sources, and in automotive applications, for example as taillights, brake lights, turn signals or interior lighting (interior lighting).
  • An organic optoelectronic component for example an OLED, may comprise an anode and a cathode and, between them, an organic functional layer system.
  • the organic functional layer system may comprise one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated on iron, a charge carrier pair generation layer structure of in each case two or more
  • Charge carrier pair generation layers (“charge generating layer “, CGL) for charge carrier pair generation, and one or more electron block layers, also referred to as hole transport layer (HTL), and one or more Lochblockadetiken, also referred to as electron transport layers (ETL), to direct the flow.
  • CGL Charge carrier pair generation layers
  • HTL hole transport layer
  • ETL electron transport layers
  • the service life of OLEDs is generally
  • Aging due to the operation of an OLED at a constant current density is manifested by a voltage rise and a luminance drop.
  • An aging by storage, in which the OLED is not operated manifests itself mainly by a voltage increase.
  • a drop in luminance can occur here, but usually plays a
  • the temperature which is decisive for the aging of the OLED, both during operation and during storage, is the temperature of the OLED, which is additive from the basically existing one
  • P_ges P_heat - P_cool; with P__ges as the heat output leading to one
  • Ambient temperature can be increased by optimizing the organic layer stack and the encapsulation. Furthermore, an attempt is made to minimize the source term P_heat by using particularly efficient OLEDs. This can lead to the OLED being of a particularly complex design and / or being particularly complicated to produce. In addition to these efforts, which relate to the OLED itself, the OLED can also be actively cooled. That , the Terramonide, a particularly complex design and / or being particularly complicated to produce.
  • P _cool can be actively enlarged, for example by means of a Pel ierelements, by means of forced convection, for example by means of a fan, or by cooling with a cooling liquid, for example by means of
  • Illuminant and the corresponding cooling element is particularly large and / or complex and / or that the optoelectronic assembly is particularly expensive to produce.
  • the Terra P_cool is not zero because the OLED emits permanent heat radiation like any other body, balancing it with the ambient temperature.
  • Radiation cooler has the property that he over
  • FIG. 1 shows a building cooler 100.
  • the building cooler 100 has a frame 102 which has a frame 102 at its top
  • the membrane 104 is formed of low density polyethylene.
  • An upper surface of the frame 102 not covered by the membrane 104 is covered with aluminized Mylar.
  • the pan 106 has a
  • a plastic body 108 is arranged, at the top of a conventional Strahlhühungskühler 110 is arranged.
  • the pan 106 has clear acrylic.
  • the frame 102 is formed of wood.
  • the plastic body 108 has polystyrenes.
  • the trough 106, the plastic body 108 and the membrane 104 enclose a closed one
  • Airbag An outer surface of the plastic body 108 which is not covered by the conventional radiation radiator 110 is coated with aluminized Mylar.
  • the building cooling system 100 is arranged on a roof (not shown) of a building, not shown, and is thermally connected to a cooling system (not shown) in the building.
  • the shown building cooler 100 is optimized to minimize cooling by thermal conduction and convection, so that the cooling effect in the
  • the building cooler 100 is arranged so that the sunlight hits the surface at right angles.
  • Fig. 2 shows a detailed sectional view of the
  • the conventional radiant cooler 110 The conventional radiant cooler 110.
  • Radiation cooler 110 has a base body 112 formed of silicon, an adhesive layer 113 formed on the base body 112 and formed of titanium, a mirror layer 114 formed on the adhesive layer 113 and formed of silver , and a cooling layer structure formed on the mirror layer 114 is trained.
  • the cooling layer structure has a plurality of stacked layers. The layers are alternately formed by silicon dioxide and hafnium oxide. The different layers have different
  • the cooling layer structure has at least one first
  • Thickness region 116 in which the individual layers have thicknesses between 100 nm and 1000 nm
  • second thickness region 118 in which the individual layers have thicknesses between 10 and 100 nm.
  • Thickness range 118 is above the mirror layer. 114 formed and the first thickness region 116 is above the two en
  • Thickness region 118 is formed. Op ional can on the
  • Adhesive layer 113 omitted.
  • the layers are optimized for sunlight
  • FIGS. 4 to 6 were recorded with the building cooler 100 shown in FIG. 1 and with the conventional radiation cooler 110 explained with reference to FIG.
  • FIG. 3 shows an absorption spectrum 82 of the conventional refrigerator 110 as a solid line and a
  • Aluminum body or a black body Aluminum body or a black body.
  • FIG. 4 shows an emission spectrum 86 of the radiation cooler 110 as a solid line and a transmissivity 84 of the atmosphere as area in a second diagram in which the normalized emission E / AB in FIG. 4
  • Radiation cooler 110 to a temperature that is lower by 5 ° C, than the ambient temperature.
  • FIG. 5 shows a third diagram in which the temperature T is shown on the left-hand Y axis and that on the right Y-axis Irradiation intensity SI of the sun is plotted, wherein in the third diagram both variables are shown as a function of the time of day TIME.
  • the topmost straight and arcuate line shows the
  • Ambient temperature 92 which increases during the day from 10 ° C to about 17, 5 0 C after 14:00 clock.
  • the bottom line shows the temperature 94 of the conventional one
  • Radiation cooler 110 which is from about 7.5 ° C at 10: 00 clock
  • Fig. 6 shows a fourth diagram in which with respect to
  • the top line again represents the irradiance 90, the line below represents a temperature 96 of black color exposed to solar radiation, the line below represents the temperature 98 of an aluminum body exposed to the sun Line below that
  • Ambient temperature 92 represents and the lowest line represents the temperature 94 of the conventional radiant cooler 110, which is exposed to solar radiation.
  • An object of the invention is to provide an optoelectronic assembly which is simple in construction, which is compact and / or which has a particularly long life.
  • An object of the invention is to provide a method for
  • An object is achieved according to an aspect of the invention by an optoelectronic assembly having a
  • opto-electronic device having a specular surface, and having a radiator cooler which is in direct bodily contact with the optoelectronic device and disposed over the specular surface.
  • the radiant cooler causes the optoelectronic device to be cooled both during operation and in a non-operating condition such as during storage. Due to this cooling, the average temperature of the optoelectronic
  • the optoelectronic assembly has a particularly long life.
  • the optoelectronic assembly has a particularly long life.
  • Radiation cooler compared to a fan or a
  • the optoelectronic assembly can be a total of very simple structure and / or can be formed.
  • Radiation cooler can be removed and the
  • optoelectronic device can be cooled so ..
  • Optoelectronic device such as an OLED, by enhancing the naturally existing passive cooling by optimized radiative cooling against a
  • the cooling capacity P_cool mentioned in the introduction is markedly increased compared to a conventional OLED.
  • the improvement of the passive cooling of the OLED causes a
  • the Strahlungsküh1er is arranged above the reflective surface and the optoelectronic component is formed so that electromagnetic radiation incident from the outside of the radiator, this penetrates and hits the reflecting surface and is reflected by this, so that the electromagnetic radiation from the reflecting surface back through the radiator to the outside
  • the radiation cooler may be described in the introduction and in the article "Passive radiative cooling below ambient air temperature under direct sunlight", by Aaswath P. Raman et al., Printed on pages 540 et seq., Of the physical magazine Nature, Volume 515 , dated November 27, 2014, illustrated conventional
  • the Radiating body have the same cooling layer structure as the conventional radiator.
  • the radiation cooler is arranged on the outside of the optoelectronic component.
  • Radiation cooler can be easily attached to the optoelectronic device.
  • the optoelectronic component has a
  • the optoelectronic component has a heat sink, which closes the optoelectronic component to the outside, wherein the radiation cooler or a
  • Support and / or the heat sink can be attached.
  • the radiation cooler can first be attached to the cover body, the support or the heat sink or even be formed on this and can then together with the cover body, the support or the heat sink to the remaining optoelectronic
  • the radiation cooler is in a layer structure of the optoelectronic component
  • Optoelectronic assembly is particularly simple. Alternatively, or in addition, this may allow for other tasks and / or functions in the optoelectronic component to be taken over by the radiant cooler in addition to the cooling, such as, for example, increasing the temperature
  • Radiation cooler be integrated in the optoelectronic device such that it is in direct physical contact with the corresponding electrode. Direct physical contact with the electrode can be particularly good
  • Radiation cooler and thus contribute to a particularly efficient cooling of the optoelectronic assembly.
  • the cover glass, the carrier, the heat sink and / or the electrode, the reflective surface or form these In this context it can
  • Cover glass, the support, the heat sink or the electrode is arranged, which has the reflective surface or forms.
  • the layers of the radiation cooler can be designed such that, in the case of an OLED, they encapsulate the organic functional layer structure of the OLED and / or electrodes of the OLED. This gives the
  • Encapsulation effect of only provided for the encapsulation Verkappeselungsstruk ur can be reduced and / or the encapsulation effect can be increased overall. This can contribute to the optoelectronic component being particularly simple and / or compact to produce.
  • the radiation cooler can be, for example, in the form of a Dünnfilmverka training.
  • an organic optoelectronic device such as a Solarzel le or OLED.
  • an organic optoelectronic device such as a Solarzel le or OLED.
  • the organic optoelectronic component of the radiator can be particularly effek iv contribute to the
  • the radiation cooler has a layer structure with a plurality of different layers, wherein the layers have different refractive indices and at least partially different layer thicknesses, wherein in a first thickness range of
  • Layer structure layers are formed, which have thicknesses that are greater than the thicknesses of layers in ei em second Dickeri Anlagen.
  • the thicknesses are in the first
  • the layers have in part
  • An object according to one aspect of the invention solved by a method for producing an optoelectronic assembly, in which the optoelectronic component having the reflecting surface is coupled to the radiant cooler in such a way "that it is in direct physical contact with the optoelectronic component and the reflective surface is arranged.
  • Carrier or the heat sink can be arranged and fixed or the layers of the radiant cooler can on the
  • Cover glass, the carrier or the heat sink are formed.
  • the cover glass, the carrier or the Heat sink as a substrate for forming the
  • Cooling layer structure of the radiator serve.
  • An object is achieved according to an aspect of the invention by using the radiation cooler for cooling the optoelectronic component.
  • the radiant cooler can,
  • an encapsulation splitter for example as an encapsulation splitter or
  • Encapsulation structure of the OLED can be used.
  • Figure 1 is a Thomasdarstel development of a building cooler
  • Figure 2 is a detailed sectional view of a
  • FIG. 3 is a first diagram
  • FIG. 4 is a second diagram
  • FIG. 5 is a third diagram
  • FIG. 6 is a fourth diagram
  • Figure 7 is a side sectional view of a
  • Figure 8 is a side sectional view of a
  • Figure 9 is a Liche sectional view of a
  • Figure 10 is a side sectional view of a
  • FIG. 11 is a flowchart of an embodiment of a
  • Figure 12 is a flow chart of an embodiment of a
  • Orientations can be positioned, the serves
  • An optoelectronic assembly has one, two or more optoelectronic components and a radiation cooler.
  • an optoelectronic assembly can also have one, two or more electronic components.
  • Electronic component for example, have an active and / or a passive component.
  • An active electronic component may have, for example, a computing, control and / or regulating unit and / or a transistor.
  • a passive electronic component may, for example, comprise a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
  • An optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting device or a
  • An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, a solar cell.
  • Electromagnetic radiation emitting device may be in variousariessbei ielen an electromagnetic radiation emitting Halblei er component and / or as an electromagnetic radiation emitting diode, as an organic electromagnetic radiation emitting diode, as an electromagnetic radiation emitting transistor or E as an organic electromagnet che
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the electromagnetic radiation emitting device for example, as a light emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as light emitting
  • Build learning can be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • a radiant cooler has the property that it cools itself below ambient temperature. Egg such radiator has an absorption spectrum and a
  • the radiator therefore basically assumes a temperature which is below the
  • Ambient temperature is, in particular without additional cooling, for example, without a gas, such as air or liquid ts -, for example, water, cooling.
  • a gas such as air or liquid ts -, for example, water, cooling.
  • Fig. 1 shows acentralized and/or distributed system 100, as described in the introduction.
  • Fig. 2 shows a conventional radiation cooler 110, as described in the introduction.
  • Fig. 3 shows a first diagram, as in the introduction
  • Fig. 4 shows a second diagram, as in the introduction
  • Fig. Figure 5 shows a third diagram, as in the introduction
  • FIG. Figure 6 shows a fourth diagram, as in the introduction
  • FIG. 7 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic assembly 1.
  • the optoelectronic assembly 1 has an optoelectronic component 10 and a radiation cooler 40.
  • the radiation cooler 40 is in direct physical contact with the optoelectronic component 10.
  • Radiation cooler 40 may be as described above and in the letter "Passive radiative cooling below ambient air temperature under direct sunlight" by Aaswath P. Raman et al., Reprinted on pages 540 et seq., Of the physical journal Nature, Volume 515 , dated November 27, 2014,
  • illustrated conventional radiation body 110 ode be at least equal to or similar to this.
  • the radiation body 40 may be the same
  • Cooling layer structure as the conventional radiant cooler 110 have.
  • the optoelectronic device 10 is preferably formed as a Bo tom emitter. Alternatively, the
  • optoelectronic component 10 may also be designed as a top emitter or as a component emitting at both ends.
  • the optoelectronic component 10 has a carrier 12.
  • the carrier 12 may be translucent or transparent
  • the carrier 12 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 12 may, for example, plastic, metal, glass, quartz and / or a
  • Semiconductor material au we sen or formed therefrom.
  • the support 12 may be a plastic film or a
  • Laminate with one or more plastic films Laminate with one or more plastic films
  • the carrier 12 may be mechanically rigid or mechanically flexible.
  • a f the carrier 12 is an optoelectronic
  • the optoelectronic Layer structure has a first electrode layer 14 having a first contact portion 16, a second.
  • the carrier 12 with the first electrode layer 14 may also be referred to as a substrate. A first one may not exist between the carrier 12 and the first electrode layer 14
  • barrier layer for example, a first
  • the first electrode 20 is electrically insulated from the first contact portion 16 by means of an electrical insulation barrier 21.
  • the second contact section 18 is connected to the first electrode 20 of the optoelectronic layer structure
  • the first electrode 20 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 20 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 20 comprises an electrically conductive material, for example metal and / or a conductive conductive oxide (TCO ⁇ or a
  • the first electrode 20 may be a stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO on iron, or vice versa.
  • An example is a silver layer, which is applied to an indium innine oxide layer (ITO) (Ag on ITO) or ITO Ag.
  • the first electrode 20 may alternatively or in addition to the materials mentioned:
  • Networks of metallic anodic wires and particles for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.
  • first electrode 20 is an optically functional layer structure, for example an organic compound
  • the organic functional layer structure 22 may, for example, one, two or more sub-layers on iron.
  • the organic functional layer structure 22 a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, a
  • Hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer.
  • the hole conductivity is larger than the electron conductivity.
  • the hole transport layer serves to transport the holes.
  • the electron conductivity is larger than that
  • the electron transport layer serves to transport the electrons.
  • the organic functional layer structure 22 may be one, two or more
  • the second electrode 23 may be formed according to one of the configurations of the first electrode 20, wherein the first electrode 20 and the second electrode 23 may be the same or different.
  • the first electrode 20 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure.
  • the second electrode 23 serves corresponding to the first electrode as the cathode or anode of the optoelectronic
  • the optoelectronic layer structure is an electrical and . / or optically active area.
  • the active region is, for example, the region of the optoelectronic component 10 in which electrical current is used to operate the
  • optoelectronic device 10 reads and / or in the electromagnetic radiation is generated or absorbed.
  • ⁇ uf odex * over the active region may be arranged a Gettei' structure (not shown).
  • the getter layer can be translucent, transparent or opaque.
  • Getter layer may include or be formed from a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area.
  • Contact section 18 is formed a VerkappeiungsSchicht 24 of the optoelectronic layer structure, which encapsulates the optoelectronic layer structure.
  • Encapsulation layer 24 may be formed as a second barrier layer, for example as a second barrier thin layer.
  • the encapsulation layer 24 may also be referred to as
  • Thin-layer encapsulation may be referred to.
  • Encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric agents, especially to water (moisture) and oxygen.
  • the encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a stack of layers, or a layered structure.
  • the encapsulation layer 24 may include or be formed from; Alumina, zinc oxide, zirconia,
  • the first bar iere horrid on the support 12 korrespondi erend to a configuration of the encapsulation layer 24 may be formed.
  • Encapsulation layer 24 is a first contact region 32 exposed and in the second recess of the
  • the first contact region 32 serves for
  • the adhesive layer 36 comprises, for example, an adhesive, for example an adhesive,
  • the adhesive layer 36 may include, for example, particles that scatter electromagnetic radiation, for example, non-scattering particles.
  • a cover body 38 above the adhesive layer 36 is a cover body 38
  • the adhesive layer 36 serves to fasten the cover body 38 to the encapsulation layer 24.
  • the cover body 38 has, for example, plastic, glass, for example a cover glass, and / or metal.
  • the cover body 38 may be formed substantially of glass and a thin metal layer,
  • a metal foil for example, a metal foil, and / or a metal foil
  • Graphite layer for example, a graphite laminate, have on the glass body.
  • the cover body 38 serves to protect the optoelectronic component 10, for example against mechanical forces from the outside. Further, the cover body 38 may serve for distributing and / or dissipating heat generated in the optoelectronic device 10.
  • the glass of the cover body 38 as
  • Cover body 38 may be formed as a heat sink. Alternatively or in addition to the cover body 38 may be formed a heat sink.
  • the radiation cooler 40 is arranged on the outside of the optoelectronic component 10.
  • the S rahlkühler 40 is attached directly to the ⁇ bdeck stresses 38 of the optoelectronic device 10.
  • the radiant cooler 40 is substantially the same as the conventional one explained with reference to FIG.
  • Radiation cooler 110 is formed, wherein the cover body 38 of the optoelectronic component 10 may serve as a base body 112 of the radiation cooler 40.
  • the ⁇ bdeck stresses 38 may be formed of silicon.
  • the reflective surface 42 may be formed as part of the radiation cooler 40 or as part of the cover body 38.
  • the reflective surface 42 by means of a non-illustrated
  • Adhesive layer for example, the adhesive layer 113th
  • the adhesive layer may be attached to the cover body 38, the adhesive layer may optionally be formed of titanium.
  • the reflective surface 42 may be, for example, silver or
  • the reflective surface 42 may, for example, the
  • Silver layer 114 correspond.
  • underside of the carrier 12 may be formed.
  • the cover body 38 may have a surface that serves as a reflective surface 42, or the The second electrode 23 or the first electrode 20 may have a surface serving as a mirror surface 42, or the substrate 12 may have a surface serving as a mirror surface
  • a cooling layer structure of the radiation cooler 40 may correspond, for example, to the cooling layer structure of the conventional radiation cooler 110.
  • the cooling layer structure of the radiant cooler 40 has a plurality of overlying inner layers. The layers are formed alternately by Si 1 i ziumdioxid and Haf iumoxid.
  • layers comprising hafnium oxide layers comprising titanium dioxide may be formed.
  • the different layers have different thickness
  • the cooling layer structure of the radiation cooler 40 has at least the first thickness region 116, in which the individual layers have thicknesses between 100 nm and 1000 nm, and the second thickness region 118, in which the individual layers have thicknesses between 1 and 100 nm.
  • Dieken Scheme 118 is formed above the mirror layer 114 and the first Dickenbere ⁇ ch 116 is above the second
  • Thickness region 118 is formed.
  • FIG. 8 shows an embodiment of an optoelectronic assembly 1 which, for example, largely corresponds to the optoelectronic assembly 1 explained with reference to FIG. 8
  • the optoelectronic component 10 can correspond.
  • the optoelectronic component 10 can be explained with reference to FIG.
  • Optoelectronic device 10 correspond.
  • the radiation cooler 40 can speak to the radiation cooler 40 described with reference to FIG.
  • the optoelectronic component 10 is preferably designed as a top Eraitter.
  • the radiation cooler 40 can speak to the radiation cooler 40 described with reference to FIG.
  • optoelectronic component 10 also as a bottom Emitter or as a component emitting on both sides
  • Radiation cooler 40 is coupled with direct physical contact with optoelectronic device 10.
  • Radiation cooler 40 is outside of the optoelectronic
  • Component 10 is arranged. Radiation cooler 40 is attached to carrier 12 with direct physical contact. The reflective surface 42 is between the carrier 12 and the
  • Radiation cooler 40 is formed.
  • the specular surface 42 may be as with respect to FIG. can be formed on another layer of the optoelectronic component 10 or form this other layer,
  • the optoelectronic component 10 can be explained with reference to FIG.
  • Optoelectronic device 10 correspond.
  • the radiation cooler 40 may correspond to the radiation cooler 40 explained with reference to FIG.
  • the optoelectronic component 10 is preferably designed as a bottom emitter.
  • the radiation cooler 40 may correspond to the radiation cooler 40 explained with reference to FIG.
  • optoelectronic component 10 may also be designed as a top emitter or as a component emitting on both sides.
  • Radiation cooler 40 is coupled with direct physical contact with optoelectronic device 10.
  • Radiation cooler 40 is in a layer structure of
  • Radiation cooler 40 is formed between the encapsulation layer 24 and the adhesive layer 36.
  • the radiation heater 40 may be disposed between the adhesive agent layer 36 and the cover body 38, between the second electrode 23 and the encapsulation layer 24 or between the support 12 and the first electrode 20.
  • the adhesive layer 36 and the cover body 38 may be formed
  • the reflective surface 42 is between the
  • mirror surface 42 may be formed on another layer of optoelectronic device 10, as illustrated with reference to FIG. 7, or may form this other layer.
  • Fig. 10 shows an embodiment of a
  • Optoelectronic assembly 1 for example, the largely explained with reference to Figure 7 optoelectronic
  • Assembly 1 can correspond.
  • that can correspond to
  • the optoelectronic component 10 correspond to the optoelectronic component 10 explained with reference to FIG.
  • the radiation cooler 40 may be the radiation cooler 40 explained with reference to FIG.
  • the optoelectronic component 10 is preferably designed as a bottom emitter. Alternatively, the
  • optoelectronic component 10 may also be designed as a top emitter or as a component emitting on both sides.
  • Radiation cooler 40 is coupled to direct physical contact with optoelectronic device 10. The radiation cooler 40 is integrated into a layer structure of the optoelectronic component 10.
  • Radiation cooler 40 is formed as an encapsulation layer 24 of the optoelectronic component 10. In other words, the saliva cooler 40 forms the
  • the radiation cooler 40 is in direct physical contact with the second electrode 23.
  • the adhesive layer 36 and the ⁇ bdeck stresses 38 can be dispensed with.
  • the radiator 40 assumes the function of cooling
  • the reflective surface 42 is between the second electrode
  • FIG. 11 shows a flow chart of a method of FIG
  • a step S2 an optoelectronic device is formed.
  • the above-explained optoelectronic component 10 is formed.
  • Optoelekt onic component coupled.
  • the radiation cooler 40 explained above is coupled to the optoelectronic component 10.
  • the steps S2 and S4 can be carried out in succession, so that initially the optoelectronic
  • Component 10 is formed and subsequently the
  • Radiation cooler 40 is coupled to the optoelectronic component.
  • the radiation cooler 40 can first be completed and then coupled to the optoelectronic component 10. This has the advantage that the radiation cooler 40 can first be completed and then coupled to the optoelectronic component 10.
  • Forming the radiation cooler 40 leads to no limitation in the process control in forming the optoelectronic component 10.
  • the Radiation cooler 40 directly on the optoelectronic
  • Component 10 are formed.
  • steps S2 and S4 may be in the same
  • Radiation cooler 40 is integrated in the optoelectronic component 10.
  • the radiation cooler 40 can be formed as a layer of the optoelectronic component 10.
  • the radiation cooler 40 can first be completed and as a finished layer in the
  • optoelectronic component 10 can be integrated or the radiation cooler 40 can be formed on an already finished layer of the optoelectronic component 10.
  • the layers of the radiation cooler 40 can, for example in the case of thin layers, in particular in the second
  • Thickness range 118 by ALD, CVD, sputtering,
  • Electron beam or similar processes are formed, and for example in the case of thick layers, in particular in the first thickness range 116, by means of CVD, sputtering,
  • Electron beam or similar methods are formed.
  • Fig. 12 shows a flowchart of a method for
  • the carrier 12, the cover body 38 and the heat sink explained above are provided.
  • the fact that the carrier 12, the cover body 38 or the heat sink is provided may mean, for example, that the carrier 12, which
  • the radiation cooler is arranged on the carrier, the cover body or the heat sink or educated.
  • the radiation cooler 40 on the support 12, the cover body 38 and the heat sink
  • step S10 which may be performed, for example, before or after steps S6 and S8, the remaining optoelectronic component 10 is formed.
  • Encapsulation layer structure 24 is formed.
  • the carrier, the covering body or the heat sink, which is coupled to the radiation cooler is arranged on the remaining optoelectronic component.
  • Radiation cooler 40 does not have to take into account the temperature sensitivity of the organic fndictionellen layer structure 22. This is particularly advantageous when the layers of the radiation cooler 40 are formed by means of methods in which basically high
  • Temperatures in particular over 100 ° C, are used and / or are advantageous.
  • the Optoelectronic module 1 more optoelectronic
  • optoelectronic component 10 may be segmented. Furthermore, in the explained with reference to the figures 7 to 10
  • Optoelectronic assemblies 1 as an alternative or in addition to one of the illustrated layers or body a
  • Heat sink can be arranged.
  • the heat sink is preferably in direct physical contact with the

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Äusführungsbeispielen wird eine optoelektronische Baugruppe (1) bereitgestellt. Die optoelektronische Baugruppe (1) weist auf ein optoelektronisches Bauelement (10), das eine spiegelnde Fläche (42) aufweist, und einen Strahlungskühler (40), der in direkten körperlichen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement (10) ist und der über der spiegelnden Fläche (42) angeordnet ist.

Description

OPTOELEKTRONISCHE BAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EIMER OPTOELEKTRONISCHEN BAUGRUPPE
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Baugruppe . Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen. Ein
optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann beispielsweise eine Iichtemittierende Diode, ein
lichtemittierender Transistor, eine organische
lichtemittierende Diode oder ein organischer
lichtemittierender Transistor sein. Optoelektronische
Bauelemente auf organischer Basis, sogenannte organische optoelektronische Bauelemente, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise halten organische Leuchtdioden
{organic light emitting diode - OLED) zunehmend Einzug in die Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquellen, und in Automotive -Anwendung , beis ielsweise als Rücklichter, Bremslichter, Blinker oder Innenbeleuchtung ( Interieur- Beleuchtung) .
Ein organisches optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine OLED , kann eine Anode und eine Kathode und dazwischen ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann auf eisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungstragerpaar- Erzeugungs - Schichtenstruktur aus j eweils zwei oder mehr
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschichten („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elekt onentransportschichten („electron tran sport layer" - ETL) , um den Stro f luss zu richten.
Die Betriebslebensdauer von OLEDs ist im Allgemeinen
temperaturabhängig und nimmt im Bereich von Raumtemperatur bis ca. 85°C in etwa um einen Faktor zwei bis drei pro 25 K Temperaturerhöhung ab. Die genaue Abhängigkeit hängt von vielen Eigenschaften, wie beispielsweise dem genauen
Schichtenaufbau ab. Oberhalb von etwa 100 °C ist die Alterung zusätzlich beschleunigt und bei Temperaturen oberhalb von ca. 120°C bis 130 ° C ist sogar ein spontaner irreversibler Ausfall innerhalb von Minuten zu beobachten.
Eine Alterung durch den Betrieb einer OLED bei konstanter Stromdichte äußert sich dabei durch einen Spannungsanstieg und einen Leuchtdichteabfall . Eine Alterung durch Lagerung, bei der die OLED nicht betrieben wird, äußert sich vor allem durch einen Spannungsanstieg. Auch ein Leuchtdichteabfall kann hier auftreten, spielt aber in der Regel eine
untergeordnete Rolle.
Die für die Alterung der OLED entscheidende Temperatur sowohl im Betrieb als auch während der Lagerung ist die Temperatur der OLED, die sich additiv aus der grundsätzlich vorhandenen
Umgebungstemperatur und der im Betrieb auftretenden
Eigenerwärmung zusammensetzt. Für die Abschätzung der
Eigenerwärmung kann eine Bilanz aufgestellt werden:
P_ges = P_heat - P_cool; mit P__ges als der Wärmeleistung , die zu einer
Temperaturänderung führt, P_heat als dem Wärmeeintrag der OLED selbst und P_cool als der Leistung, die durch
verschiedene Kühlmechanismen abgeführt wird, wobei gilt: P_hea = j * U * AU WPE) ; mit j als der Stromdichte, ü der Spannung, A der Leuchtfläche und WPE der wall plug efficiency der OLED .
Die Betriebslebensdauer der OLED bei vorgegebener
Umgebungstemperatur kann durch Optimierung des organischen SchichtStapels und der Verkapselung gesteigert werden. Des Weiteren wird versucht , durch besonders effiziente OLEDs den Quellterra P_heat zu minimiere . Dies kann dazu führen, dass die OLED besonders komplex aufgebaut ist und/oder besonders aufwendig herstellbar ist, Neben diesen Bestrebungen, die die OLED selbst betreffen, kann die OLED auch aktiv gekühlt werden. D.h. , der Terra
P _cool kann aktiv vergrößert werden, beispielsweise mittels eines Pel ierelements , mittels erzwungener Konvektion, beispielsweise mittels eines Lüfters, oder mittels Kühlens mit einer Kühlflüssigkeit, beispielsweise mittels
Wasserkühlung . Dies kann dazu führen, dass die
optoelektronische Baugruppe mit dem entsprechenden
Leuchtmittel und dem entsprechenden Kühlelement besonders groß und/oder komplex ausgebildet ist und/oder dass die optoelektronische Baugruppe besonders aufwendig herstellbar ist .
Selbst wenn die OLED nicht aktiv gekühlt wird, so ist doch der Terra P_cool nicht gleich null , da die OLED wie jeder andere Körper permanent Wärmestrahlung abstrahlt , wobei sich hierbei ein Gleichgewicht mit der Umgebungstemperatur einstel 1t .
Aus dem technischen Gebiet der Gebäudekühlung sind seit kurzem Strahlungskühler bekannt . Ein derartige
Strahlungskühler hat die Eigenschaft , dass er über
Wärmestrahlung mehr Wärme abstrahlt , als er über
Wärmestrahlung aufnimmt, so dass sich in dem Strahlungskühle eine Temperatur einstellt, die kleiner ist, als die Umgebungstemperatur ,
Fig. 1 zeigt einen Gebäudekühler 100. Der Gebäudekühler 100 weist einen Rahmen 102 auf, der an seiner Oberseite eine
Ausnehmung aufweist, die von einer Membran 104 abgedeckt ist und unter der eine Wanne 106 angeordnet ist. Die Membran 104 ist von Polyethylen geringer Dichte gebildet. Eine nicht von der Membran 104 bedeckte obere Oberfläche des Rahmens 102 ist mit aluminiertem Mylar bedeckt.. Die Wanne 106 weist eine
Ausnehmung auf , in der ein Kunststoffkörper 108 angeordnet ist, an dessen Oberseite ein herkömmlicher Strah1ungsküh1er 110 angeordnet ist . Die Wanne 106 weist klares Acryl auf. Der Rahmen 102 ist von Holz gebildet . Der Kunststoffkörper 108 weist Polystyrene auf . Die Wanne 106 , der Kunststoffkörper 108 und die Membran 104 umschließen eine geschlossene
Lufttasche . Eine Außenfläche des Kunststoffkörpers 108 , die nicht von dem herkömmlichen Strahiungskühler 110 bedeckt ist , ist mit aluminiertem Mylar beschichtet .
Der Gebäudekühle 100 ist auf einem nicht dargestellten Dach eines nicht dargestellten Gebäudes angeordnet und mit einem in dem Gebäude verlaufenden nicht dargestellten KühlSystem thermisch verbunden . Der gezeigte Gebäudekühler 100 ist darauf optimiert , eine Kühlung durch thermische Leitung und Konvektion zu minimieren, damit der Kühleffekt im
Wesentlichen auf die Strahlungskühlung beschränkt ist . Der Gebäudekühler 100 is so angeordnet , dass das Sonnenlicht im rechten Winkel auf die Fläche trifft ..
Fig . 2 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung des
herkömmlichen Strahlungskühlers 110. Der herkömmliche
Strahlungskühler 110 weist auf einen Basiskörper 112 , der von Silizium gebildet ist, eine HaftSchicht 113 , die auf dem Basiskörper 112 ausgebildet ist und die von Titan gebildet ist, eine Spiegelschicht 114, die auf der Haf schicht 113 ausgebildet ist und die von Silber gebildet ist , und eine Kühlschichtenstruktur , die auf der Spiegelschicht 114 ausgebildet ist. Die Kühlschichtenstruktur weist mehrere übereinandergestapelte Schichten auf . Die Schichten sind abwechselnd von Siliziumdioxid und Hafniumoxid gebildet. Die unterschiedlichen Schichten weisen unterschiedliche
Brechungsindices und unterschiedliche Dicken auf. Dabei weist die Kühlschichtenstruktur mindestens einen ersten
Dickenbereich 116, in dem die einzelnen Schichten Dicken zwischen 100 nm und 1000 nm aufweisen, und einen zweiten Dickenbereich 118 , in dem die einzelnen Schichten Dicken zwischen 10 und 100 nm aufweisen, auf . Der zweite
Dickenbereich 118 is über der SpiegelSchicht. 114 ausgebildet und der erste Dickenbereich 116 ist über dem zwei en
Dickenbereich 118 ausgebildet . Op ional kann auf die
Haftschicht 113 verzichtet werde .
Die Schichten sind darauf optimiert , Sonnenlicht zu
reflektieren und gl eichzeitig die Emissivitat im Bereich von 8 jum bis 13 μτ zu maximieren . Dazu kann die „Need l e
Optimization Technique" benutzt werde , mit den
Randbedingungen einer Schichtenabfolge von Si02 (niedriger Brechungsindex} und Hf02 (hoher Brechungsindex) . Das Kühl - Prinzip basiert auf einer Kombination aus
Materialeigenschaften, wie beispielsweise der Emissivitat , und Interferenzef ekten .
Eine ausführliche Darstellung des herkömmlichen
Strahlungskühlers 110 , dessen Funktionsweise und der
physikalischen Grundlagen finde sich in dem Letter bzw.
Fachartikel „Passive radiative cooling below ambient air temperature under direct sunlight" , von Äaswath P . Raman et al . , abgedruckt auf den Seiten 540 ff., des physika1ischen Magazins Nature , Volume 515 , vom 27. November 2014.
Die in den Figuren 4 bis 6 gezeigten Diagramme wurden mit dem in Figur 1 gezeigten Gebäudekühler 100 und mit dem mit Bezug zu Figur 2 erläuterten herkömmlichen Strahlungskühler 110 aufgezeichne . Fig. 3 zeigt ein Absorptionsspektrum 82 des herkömmlichen S rahlungskühlers 110 als durchgezogene Linie und ein
Emissionsspektrum 80 der Sonne als Fläche in einem ersten Diagramm, in dem die auf eins normierte Absorption bzw.
Emission EM/AB in Abhängigkeit der Wellenlänge LAM der elektromagnetischen Strahlung dargestellt sind. Aus dem ersten Diagramm geht hervor , dass der herkömmliche
Strah1ungskühler 110 in dem wesentlichen Bereich des
Sonnenspektrums nur äußerst wenig elektromagnetische
Strahlung absorbiert, was bedeutet, dass sich der
herkömmliche Strahlungskühler 110 selbst bei direkter
Sonneneinstrahlung nur relativ wenig erwärmt verglichen mit einem herkömmlichen Körper, beispielsweise einem
Aluminiumkörper oder einem schwarzen Körper.
Fig. 4 zeigt ein Emissionsspektrum 86 des Strahlungskühlers 110 als durchgezogene Linie und eine Transmissivität 84 der Atmosphäre als Fläche in einem zweiten Diagramm, in dem die auf eins normierte Emission bzw. Absorption E /AB in
Abhängigkeit der Wellenl nge LAM der elektromagne ischen Strahlung dargestellt sind . Aus dem zweiten Diagramm geht hervor , dass der herkömmliche Strahlungskühler 110 im
Wesentlichen in einem Wellenlängenbereich elektromagnetische Strahlung emittiert , in dem die Atmosphäre zu einem großen Teil durchlässig ist .
Die mit dem ersten und zweiten Diagramm veranschaulichten Eigenschaften des herkömmlichen Strahlungskühlers 110 und insbesondere dessen KühlSchichtenstruktur in Zusammenwirken mit der Spiegel schicht 114 bewirken, dass die Temperatur des herköm l ichen S rahlungskühlers 110 selbst bei direkter
Sonnenstrahlung grundsätzlich ge inger ist als die
Umgebungstemperatur . Insbesondere kann der herkömmliche
Strahlungskühler 110 auf eine Temperatur absinken, die um 5°C kleiner ist , als die Umgebungstemperatur .
Fig . 5 zeigt ein drittes Diagramm, in dem an der linken Y- Achse die Temperatur T und an der rechten Y-Achse die Bestrahlungsstärke SI der Sonne angetragen ist, wobei in dem dritten Diagramm beide Größen in Abhängigkeit der Tageszeit TIME dargestellt sind. In dem dritten Diagramm zeigt die oberste nahezu gerade und bogenförmigen Linie die
abgestrahlte Sonnenenergie 90, die ungefähr zur Mittagszeit ein Maximum erreicht. Direkt darunter ist die
Umgebungstemperatur 92 angetragen, die im Laufe des Tages von 10°C auf ca. 17 , 50C nach 14:00 Uhr ansteigt. Die unterste Linie zeigt die Temperatur 94 des herkömmlichen
Strahlungskühlers 110 , die von ca. 7,5 °C um 10 : 00 Uhr
morgens auf ein Maximum von ca. 12,5° zwischen 13:00 Uhr und 14:00 Uhr ansteigt. Dabei ist zu sehen, dass zu jeder Zeit die Temperatur 94 des herkömmlichen Strahlungskühlers 110 deutlich unter der Umgebungstemperatur 92 ist, insbesondere bis zu 5° unter der Umgebungstemperatur 92.
Fig. 6 zeigt ein viertes Diagramm, in dem bezüglich der
Größen die gleichen Abhängigkeiten wie in dem dritten
Diagramm dargestellt sind, wobei die oberste Linie wieder die Bestrahlungsstärke 90 repräsentiert, die Linie darunter eine Temperatur 96 schwarzer Farbe, die der Sonnenstrahlung ausgesetzt ist, repräsentiert, die darunter dargestellte Linie die Temperatur 98 eines Aluminiumkörpers, der der Sonne ausgesetzt ist, repräsentiert, die Linie darunter die
Umgebungstemperatur 92 repräsentiert und die unterste Linie die Temperatur 94 des herkömmlichen Strahlungskühlers 110, der der Sonnenstrahlung ausgesetzt ist , repräsen iert .
Bezüglich der Erwärmung in direktem Sonnenlicht entspricht eine herkömmliche OLED näherungsweise einem Aluminiumkörper. Aus dem vierten Diagramm geht hervor, dass sich bei direkter Sonneneinstrahlung schwarze Farbe stärker erwärmt als
Aluminium, dass sich Aluminium stärker erwärmt als die
Umgebungstemperatur 92 und dass die Temperatur 94 des
herkömmlichen Strahlungskühlers 110 unter der Temperatur 98 von Aluminium, oder einer herkömmlichen OLED, und unter der Temperatur 96 von schwarzer Farbe und sogar unter der
Umgebungstemperatur 92 bleibt. Eine Aufgabe der Erfindung ist es, eine optoelektronische Baugruppe bereitzustellen, die einfach aufgebaut ist, die kompakt ist und/oder die eine besonders lange Lebensdauer hat .
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum
Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
bereitzustellen, das einfach durchführbar ist und/oder das dazu beiträgt, dass die optoelektronische Baugruppe kompakt ist und/oder eine besonders lange Lebensdauer hat.
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Baugruppe mit einem
optoelektronischen Bauelement, das eine spiegelnde Fläche aufweist, und mit einem Strahlungskühler , der in direktem körperlichen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement ist und der über der spiegelnden Fläche angeordnet ist.
Der Strahlungskühler bewirkt, dass das optoelektronische Bauelement sowohl während des Betriebs als auch in einem Zustand, in dem es nicht in Betrieb ist, beispielsweise während der Lagerung, gekühlt wird. Aufgrund dieser Kühlung wird die Durchschnittstemperatur des optoelektronische
Bauelements verglichen mit einem optoelektronischen
Bauelement, das nicht mit einem St ahlungskühler gekoppelt ist, über seine Lebensdauer gesenkt, wodurch sich die
Lebensdauer erhöht. Somit hat die optoelektronische Baugruppe eine besonders hohe Lebensdauer. Außerdem kann der
Strahlungskühler verglichen mit einem Lüfter oder einer
Wasserkühlung besonders kompakt in Form einer
Schichtenstruktur in oder auf dem optoelektronischen
Bauelement ausgebildet werden. Des Weiteren weist der
Strahlungskühler keine bewegten Bauteile auf, weswegen die optoelektronische Baugruppe insgesamt besonders einfach aufgebaut sein kann und/oder ausgebildet werden kann.
Der direkte körperliche Kontakt zwischen dem Strahlungskühler und dem optoelektronischen Bauelemente bewirkt, dass Wärme, die das optoelektronische Bauelement aus der Umgebung
aufnimmt oder im Betrieb erzeugt, effektiv zu dem
Strahlungskühler abtransportiert werden kann und das
optoelektronische Bauelement so gekühlt werden kann..
Anschaulich gesprochen wird die Kühlung des
optoelektronischen Bauelements, beispielsweise einer OLED, durch Verstärkung der naturgemäß vorhandenen passiven Kühlung durch optimiertes radiatives Kühlen gegenüber einer
optoelektronischen Baugruppe ohne Strahlungskühler
verbessert. Beispielsweise durch die Verwendung eines darauf optimierten Schichtenstapels wird die einleitend erwähnte Kühlleistung P_cool deutlich gegenüber einer herkömmlichen OLED erhöht . Die Verbesserung der passiven Kühlung der OLED bewirkt eine
Erhöhung der Betriebslebensdauer und der Lagerstabiiität der OLED bei gegebener Umgebungstemperatur und/oder eine
Verringerung des Spannungsanstiegs bei vorgegebener Zeit und Umgebungstemperatur, was zu einer geringeren Wärmeleistung der OLED !P__heat) zu vorgegebener Zeit führt, und/oder eine Vergrößerung des Temperatureinsatzbereiches der OLED zu höheren Umgebungstemperaturen hin.
Der Strahlungsküh1er ist so über der spiegelnden Fläche angeordnet und das optoelektronische Bauelement ist so ausgebildet, dass elektromagnetische Strahlung, die von außen auf den Strahlungskühler einfällt, diesen durchdringt und auf die spiegelnde Fläche trifft und von dieser reflektiert wird, so dass die elektromagnetische Strahlung von der spiegelnden Fläche zurück durch den Strahlungskühler nach außen
abgestrahlt wird. Der Strahlungskühler kann der einleitend beschriebene und in dem Letter bzw. Fachartikel „Passive radiative cooling below ambient air temperature under direct sunlight" , von Aaswath P. Raman et al . , abgedruckt auf den Seiten 540 ff., des physikalischen Magazins Nature, Volume 515, vom 27. November 2014 , dargestellte herkömmliche
Strahlungskörper sein oder zumindest gleich oder ähnlich wie dieser ausgebildet sein. Insbesondere kann der Strahlungskörper die gleiche KühlSchichtenstruktur wie der herkömmliche Strahlungskühler aufweisen.
Gemäß einer Weiterbildung ist der Strahlungskühler außen an dem optoelektronischen Bauelement angeordnet. Dies
ermöglicht, das optoelektronische Bauelement und den
Strahliingskühler unabhängig voneinander auszubilden,
Alternativ oder zusätzlich ermöglicht dies , dass der
Strahlungskühler einfach an dem optoelektronischen Bauelement befestigt werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung weist das optoelektronische
Bauelement einen Abdeckkörper auf, der das optoelektronische Bauelement nach außen abschließt, wobei der Strahlungskühler an dem Abdeckkörper angeordnet ist. Alternativ oder
zusätzlich weist das optoelektronische Bauelement einen
Träger auf, der das optoelektronische Bauelement nach außen abschließt, wobei der Strahlungskühler oder ein weiterer Strahlungskühler an dem Träger angeordnet ist. Alternativ oder zusätzlich weist das optoelektronische Bauelement eine Wärmesenke auf, die das optoelektronische Bauelement nach außen abschließt, wobei der Strahlungskühler oder ein
weiterer Strahlungskühler an der Wärmesenke angeordnet ist. Dies trägt dazu bei, dass das optoelektronische Bauelement auf herkömmliche Weise hergestellt werden kann und der
Strahlungskühler einfach außen an dem Abdeckkörper, dem
Träger und/oder der Wärmesenke befestigt werden kann.
Alternativ dazu kann der Strahlungskühler zunächst an dem Abdeckkörper, dem Träger bzw. der Wärmesenke befestigt werden oder sogar auf diesen ausgebildet werden und kann dann nachfolgend zusammen mit dem Abdeckkörper, dem Träger bzw. der Wärmesenke an dem restlichen optoelektronischen
Bauelement befestigt werden. Dies ermöglicht im Falle einer OLED , dass beim Ausbilden des Strahlungskühlers keine
Rücksicht auf die Temperaturempfindlichkeit der organischen funktionellen Schichtenstruktur des optoelektronischen
Bauelements Rücksicht genommen werden muss. Gemäß einer Weiterbildung ist der Strahlungskühler in eine Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelements
integriert. Dies kann dazu beitragen, dass die
optoelektronische Baugruppe besonders einfach aufgebaut ist . Alternat iv oder zusätzlich kann dies ermöglichen, dass von dem Strahlungskühler zusätzlich zur Kühlung andere Aufgaben und/oder Funktionen in dem optoelektronischen Bauelement übernommen werden, wie beispielsweise eine Erhöhung der
Lichtauskopplung und/oder im Falle einer OLED eine
Verkapselung der organischen funktionellen Schichtenstruktur.
Gemäß einer Weiterbildung ist der Strahlungskühler in
direktem körperlichem Kontakt mit einer Elektrode des
optoelektronischen Bauelements. Falls die entsprechende
Elektrode eine äußere Oberfläche des optoelektronischen
Bauelements bildet, so kann der Strahlungskühler außen an dem optoelektronischen Bauelement, insbesondere der
entsprechenden Elektrode angeordnet sein . Falls die
entsprechende Elektrode eine innere Schicht des
optoelektronischen Bauelements bildet, so kann der
Strahlungskühler in dem optoelektronischen Bauelement derart integriert sein, dass er in direktem körperlichem Kontakt mit der entsprechenden Elektrode ist. Der direkte körperliche Kontakt zu der Elektrode kann zu einem besonders guten
Wärmeübertrag von der entsprechenden Elektrode zu dem
Strahlungskühler und damit zu einem besonde s effizienten Kühlen der optoelektronischen Baugruppe beitragen.
Gemäß einer Weiterbildung weisen das Deckglas, der Träger, die Wärmesenke und/oder die Elektrode die spiegelnde Fläche auf oder bilden diese . In diesem Zusammenhang kann es
besonders vorteilhaft sein, wenn der Strahlungskühler an dem
Deckglas, dem Träger, der Wärmesenke bzw. der Elektrode angeordnet ist, die die spiegelnde Fläche aufweist bzw. diese bildet.
Gemäß einer Weiterbildung ist der Strahlungskühler als
Verkapselung des optoelektronischen Bauelements ausgebildet . Insbesondere können die Schichten des Strahlungskühlers derart ausgebilde sein, dass sie im Falle einer OLED die organische funktionelle Schichtenstruktur der OLED und/oder Elektroden der OLED einkapsel . Dadurch erhält der
Strahlungskühler zusätzlich zu der Funktion des Kühlens eine weitere Funktion, nämlich die der Verkapselung des
optoelektronischen Bauelements . Dies bewirkt , dass auf eine ausschließlich für die Verka selung vorgesehene
e ka seiungsstruktur verzichtet werden kann, die
Verkapselungswirkung der ausschließlich für die Verkapselung vorgesehenen Verkapse1ungsstruk ur verringert werden kann und/oder die Verkapselungswirkung insgesamt verstärkt werden kann . Dies kann dazu beitragen, dass das optoelektronische Bauelement besonders einfach und/oder kompakt herstellbar ist . Der Strahlungskühler kann beispielsweise in Form einer Dünnfilmverka seiung ausgebilde sein.
Gemäß eine Wei erbildung ist das optoelektronische
Bauelement ein organisches optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine Solarzel le oder OLED. In Zusammenwirken mit dem organischen optoelektronischen Bauelement kann der Strahlungskühler besonders effek iv dazu beitragen, die
Lebensdauer des entsprechenden organischen optoelektronischen Bauelements wesentlich zu verlängern .
Gemäß einer Weiterbildung weist der Strahlungskühler eine Schichtenstruktur mit mehreren unterschiedlichen Schichten auf , wobei die Schichten unterschiedliche Brechungsindices und zumindest teilweise unterschiedliche Schichtdicken aufweisen, wobei in einem ersten Dickenbereich der
Schichtenstruktur Schichten ausgebildet sind, die Dicken aufweisen, die größer sind als die Dicken von Schichten in ei em zweiten Dickeribereich . Die Schichten mit den
unterschiedlichen Brechungsindices und die verschiedenen Dickenbereiche bewirken, dass sich der Strahlungsküh1er selbst bei direkter Sonneneinstrahlung gegenüber der
Umgebungstemperatu abkühlt . Gemäß einer Weiterbildung liegen die Dicken in dem ersten
Dickenbereich in einem Bereich von 100 bis 1000 nm und/oder die Dicken in dem zweiten Dickenbereich in einem Bereich von 1 bis 100 nm,
Gemäß einer Weiterbildung weisen die Schichten zum Teil
Sili iumdioxid auf oder sind davon gebildet und weisen zum Teil Hafniumoxid oder Titandioxid auf oder sind davon
gebildet .
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, bei dem das optoelektronische Bauelement, das die spiegelnde Fläche aufweist, mit dem Strahlungskühler derart gekoppelt wird» dass dieser in direktem körperlichen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement ist und über der spiegelnden Fläche angeordnet ist.
Die im Vorhergehenden dargestellten Vorteile und
Weiterbildungen der optoelektronischen Baugruppe können ohne weiteres auf das Verfahren zum Herstellen der
optoelektronischen Baugruppe übertragen werden. Daher wird an dieser Steile auf eine erneute Darstellung der entsprechenden Vorteile und Weiterbildungen verzichtet und auf die
vorstehenden Textpassagen verwiesen.
Gemäß einer Weiterbildung wird zuerst das Deckglas, der
Träger oder die Wärmesenke des optoelektronischen Bauelements mit dem Strahlungskühler gekoppelt und dann wird das
Deckglas, der Träger bzw. die Wärmesenke mit dem
Strahlungskühler mit dem restlichen optoelektronischen
Bauelement gekoppelt. Zum Koppeln des Strahlungsküh1ers mit dem Deckglas, dem Träger oder der Wärmesenke kann der fertig gestellte Strahlungskühler einfach an dem Deckglas, dem
Träger bzw. der Wärmesenke angeordnet und befestigt werden oder die Schichten des Strahlungskühlers können auf dem
Deckglas, dem Träger oder der Wärmesenke ausgebildet werden. In anderen Worten können das Deckglas, der Träger bzw. die Wärmesenke als Substrat zum Ausbilden der
Küh1schichtenstruk ur des Strahlungskühlers dienen.
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine Verwendung des Strahlungskühlers zum Kühlen des optoelektronischen Bauelements.
Die im. Vorhergehenden dargestellten Vorteile und
Weiterbildungen der optoelektronischen Baugruppe können ohne weiteres auf die Verwendung des Strahlungskühlers zum Kühlen des optoelektronischen Bauelements übertragen werden. Daher wird an dieser Stelle auf eine erneute Darstellung der entsprechenden Vorteile und Weiterbildungen verzichtet und auf die vorstehenden Textpassagen verwiesen.
Gemäß einer Weiterbildung ist das optoelektronische
Bauelement eine OLED . Der Strahlungskühler kann,
beispielsweise als Verkapselungsschient oder
Verkapselungsstruktur der OLED verwendet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen :
Figur 1 eine Schnittdarstel lung eines Gebäudekühlers , Figur 2 eine detaillierte Schnittdarstellung eines
herkömmlichen Strahlungsküh1
Figur 3 ein erstes Diagramm,
Figur 4 ein zweites Diagramm Figur 5 drittes Diagramm,
Figur 6 ein viertes Diagramm , Figur 7 eine seitliche Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen
Baugruppe , Figur 8 eine seitliche Schnittdarstellung eines
Ausf hrungsbeispiels einer optoelektronischen
Baugruppe ,
Figur 9 eine sei liche Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen
Baugruppe ,
Figur 10 eine seitliche Schni tdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen
Baugruppe,
Figur 11 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines
Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe ,
Figur 12 ein Ablaufdiagramm eines AusführungsbeiS iels eines
Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von
Aus führungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener
Orientierungen positioniert werden können, dient die
Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich» dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche
Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Eine optoelektronische Baugruppe weist ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente und eine Strahlungskühler auf .
Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr elektronische Bauelemente aufweisen. Ein
elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen- , Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein . Ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement, kann in verschiedenen Ausführungsbei ielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halblei er -Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode , als eine organische elektromagne ische Strahlung emittierende Diode , als ein elektromagnetische Strahlung emitt ierender Transistor oder als ein organischer elektromagneti che
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV- Licht und/oder Infrarot- Licht sein . In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode , OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein . Das Licht emittierende
Baue lernent kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein . Weiterhin kann eine
Mehrzahl vo Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsame
Gehäuse . Ein Strahlungskühler hat die Eigenschaft , dass er sich von selbst unter die Umgebungstemperatur abkühl . Ei derartiger Strahlungskühler weist ein Absorptionsspektrum und ein
Emi ss ionsspektrum für elektromagnetische S rahlung auf , die so zueinander eingestellt sind, dass der Strah1ungsküh1er mehr Energie in Form von elektromagnetischer Strahlung emittiert als absorbiert . Der St ahlungskühler nimmt daher grundsätzlich eine Temperatur ein, die unter der
Umgebungstemperatur liegt , insbesondere ohne eine zusätzliche Kühlung , beispielsweise ohne eine Gas- , beispielsweise Luft- , oder Flüssigkei ts - , beispielsweise Wasser- , Kühlung.
Fig. 1 zeigt einen Gebäudeküh1er 100 , wie er einleitend beschrieben ist . Fig. 2 zeigt einen herkömmlichen Strahlungskühler 110 , wie er einleitend beschrieben ist.
Fig. 3 zeigt ein erstes Diagramm, wie es einleitend
beschrieben ist .
Fig. 4 zeigt ein zweites Diagramm , wie es einleitend
beschrieben ist .
Fig . 5 zeigt ein drittes Diagramm, wie es einleitend
beschrieben ist.
Fig . 6 zeigt ein viertes Diagramm , wie es einleitend
beschrieben ist . Fig. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 1, Die optoelektronische Baugruppe 1 weist ein optoelektronisches Bauelement 10 und einen Strahlungskühler 40 auf. Der Strahlungskühler 40 ist in direkten körperlichen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement 10.
Der Strahlungskühler 40 kann der vorstehend beschriebene und in dem Brief „Passive radiative cooling below ambient air temperature under direct sunlight" , von Aaswath P . Raman et al . , abgedruckt auf den Seiten. 540 ff., des physikal schen Magazins Nature, Volume 515 , vom 27. November 2014 ,
dargestellte herkömmliche Strahlungskörper 110 sein ode zumindest gleich oder ähnlich wie dieser ausgebildet sein . Insbesondere kann der Strahlungskörper 40 die gleiche
KühlSchichtenstruktur wie der herkömmliche Strahlungskühler 110 aufweisen .
Das optoelekt onische Bauelement 10 ist vorzugsweise als Bo tom- Emitter ausgebildet . Alternativ dazu kann das
optoelektronische Bauelement 10 j edoch auch als Top -Emitter oder als beidsei ig emittierendes Bauelement ausgebildet sein . Das optoelektronische Bauelement 10 weist einen Träger 12 auf . Der Träger 12 kann transluzent oder transparent
ausgebildet sein . Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
lichtemit ierende Elemente . Der Träger 12 kann beispielsweise Kunststoff , Metall , Glas , Quarz und/oder ein
Halbleitermaterial au we sen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träge 12 eine Kunststofffolie oder ein
Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien
aufweisen oder daraus gebildet sei . Der Träger 12 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein .
A f dem Träger 12 ist eine optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebilde . Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten.
Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist. Der Träger 12 mit der ersten Elektrodenschicht 14 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Zwischen dem Träger 12 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine erste nicht
dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste
Barrieredünnschicht , ausgebildet sein, Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrische Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen Schichtenstruktur
elektrisch gekoppelt« Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO} oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs auf eisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Sch chtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs auf eisen, oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine Siiberschicht , die auf einer Indium- inn- Oxid- Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-
ITO Multischichten . Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen :
Netzwerke aus metallischen anodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten .
Über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 22 , der optoelektronischen
Schichtenstruktur ausgebildet . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten auf eisen . Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
ElektronentransportSchicht und/oder eine
Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die
Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der LochtransportSchicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der ElektronentransportSchicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die
Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die
Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der
Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und
Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr
funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwi chenschichten aufweisen. über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 der optoelektronischen
Schichtenstruk ur ausgebildet , die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist . Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zwe te Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sei können . Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur . Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen
Schichtenstruktur .
Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und./oder optisch aktiver Bereich . Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelek ronischen Bauelements 10, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des
optoelektronischen Bauelements 10 ließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Äuf odex* über dem aktiven Bereich kann eine Gettei'-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter- Schicht kann transluzent , transparent oder opak ausgebildet sein. Die
Getter -Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet.
Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten
Kontaktabschnitt 18 ist eine VerkapseiungsSchicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die
Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht , beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht , ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als
Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die
Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein SchichtStapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein; Aluminiumoxid , Zinkoxid, Zirkoniumoxid,
Titanoxid, Haf iumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid,
Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Sil i ziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, A1uminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mi schurigen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Bar iereschicht auf dem Träger 12 korrespondi erend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.
In der Verkapselungs chicht 24 sind über dem ersten
Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der
Verkapse1ungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24
ausgebildet . In der ersten Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kon akebereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum
elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen
Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18. über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff ,
beispielsweise einen Laminierklebstof f , einen Lack und/oder ein Harz auf . Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise 1 icht streuende Partikel. über der Haftmittelschicht 36 ist ein Abdeckkörper 38
ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 weist beispielsweise Kunststoff, Glas, beispielsweise ein Deckglas, und/oder Metall auf.
Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht,
beispielsweise eine Metalifolie, und/oder eine
Graphitschicht, beispielsweise ein Graphit laminat , auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem optoelektronischen Bauelement 10 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als
Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10
entstehenden Wärme dienen. In anderen Worten kann der
Abdeckkörper 38 als Wärmesenke ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich zu dem Abdeckkörper 38 kann eine Wärmesenke ausgebildet sein. Der Strahlungskühler 40 ist außen an dem optoelektronischen Bauelement 10 angeordnet. Der S rahlungskühler 40 ist direkt an dem Äbdeckkörper 38 des optoelektronischen Bauelements 10 befestigt. Der Strahlungskühler 40 ist im Wesentlichen wie der mit Bezug zu Figur 2 erläuterte herkömmliche
Strahlungskühler 110 ausgebildet, wobei der Abdeckkörper 38 des optoelektronischen Bauelements 10 als Basiskörper 112 des Strahlungskühlers 40 dienen kann. In diesem Zusammenhang kann der Äbdeckkörper 38 von Silizium gebildet sein.
Zwischen dem Strahlungskühler 40 und dem Äbdeckkörper 38 ist eine spiegelnde Fläche 42 ausgebildet. Die spiegelnde Fläche 42 kann als Teil des Strahlungskühlers 40 oder als Teil des Abdeckkörpers 38 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die spiegelnde Fläche 42 mittels einer nicht dargestellten
Haftschicht, die beispielsweise der Haftschicht 113
entspricht, die auf dem Abdeckkörper 38 befestigt sein, Die Haftschicht kann gegebenenfalls von Titan gebildet sein. Die spiegelnde Fläche 42 kann beispielsweise Silber oder
Aluminium aufweisen oder von Silber oder Aluminium gebildet sein. Die spiegelnde Fläche 42 kann beispielsweise der
Silberschicht 114 entsprechen.
Alternativ dazu kann die spiegelnde Fläche 42 an einer anderen Schicht des optoelektronischen Bauelements 10
ausgebildet sein oder eine andere Schicht des
optoelektronischen Bauelements 10 bilden. Beispielsweise kann die spiegelnde Fläche 42 zwischen der Haftmittelschicht 36 und dem Abdeckkörper 38, zwischen der Verkapse1ungsschicht 24 und der Haftmittelschicht 36, zwischen der zweiten Elektrode 23 und der Verkapselungsschicht 24, zwischen, der organischen funktioneilen Schichtenstruktur 22 und der zweiten Elektrode 23, zwischen der ersten Elektrode 20 und der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22, zwischen dem Träger 12 und der ersten Elektrode 20 oder an einer in Figur 7
gezeigten Unterseite des Trägers 12 ausgebildet sein.
Alternativ dazu kann der Abdeckkörper 38 eine Oberfläche aufweisen, die als spiegelnde Fläche 42 dient , oder die zweite Elektrode 23 oder die erste Elektrode 20 kann eine Oberfläche aufweisen, die als spiegelnde Fläche 42 dient oder der Träger 12 kann eine Oberfläche aufweisen, die als
spiegelnde Fläche 42 dient.
Eine Kühlschichtenstruktur des Strahlungskühlers 40 kann beispielsweise der Kühlschichtenstruktur des herkömmlichen Strahlungskühlers 110 entsprechen. Insbesondere weist die KühlSchichtenstruktur des Strahlungskühlers 40 mehrere übere inandergesta e11e Schichte auf . Die Schichten sind abwechselnd von Si 1 i ziumdioxid und Haf iumoxid gebildet .
Alternativ zu den Schichten, die Hafniumoxid aufweisen, können Schichten ausgebildet sein, die Titandioxid aufweisen. Die unterschiedlichen Schichten weisen unterschiedliche
Brechungsindices und unterschiedliche Dicken auf . Dabei weist die Kühlschichtenstruktur des Strahlungskühlers 40 mindestens den ersten Dickenbereich 116, in dem die einzelnen Schichten Dicken zwischen 100 nm und 1000 nm. aufweisen, und den zweiten Dickenbereich 118 , in dem die einzelnen Schichten Dicken zwischen 1 und 100 nm aufweisen, auf . Der zweite
Diekenbereich 118 ist über der Spiegelschicht 114 ausgebildet und der erste Dickenbereιch 116 ist über dem zweiten
Dickenbereich 118 ausgebildet .
Fig. 8 zeigt ein Aus führungsbei s ie1 einer optoelek ronischen Baugruppe 1 , die beispielsweise weitgehend der mit Bezug zu Figur 7 erläuterten optoelektronischen Baugruppe 1
entsprechen kann. Insbesondere kann das optoelektron sche Bauelement 10 dem mit Bezug zu Figur 7 erläuterten
optoelektronischen Bauelement 10 entsprechen. Alternativ oder zusätzlich kann der Strahlungskühler 40 dem mit Bezug zu Figur 7 erläuterten Strahlungskühier 40 en sprechen . Das optoelektronische Bauelement 10 ist vorzugsweise als Top- Eraitter ausgebildet . Alternativ dazu kann das
optoelektronische Bauelement 10 j edoch auch als Bottom- Emitter oder als beidseitig emittierendes Bauelement
ausgebildet sein.
Der Strahlungskühler 40 ist mit direkten körperlichen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement 10 gekoppelt. Der
Strahlungskühler 40 ist außen an dem optoelektronischen
Bauelement 10 angeordnet. Der Strahlungskühler 40 ist mit direkten körperlichen Kontakt an dem Träger 12 befestigt. Die spiegelnde Fläche 42 ist zwischen dem Träger 12 und dem
Strahlungskühler 40 ausgebildet. Alternativ dazu kann die spiegelnde Fläche 42 wie mit Bezug zu Figur ? erläutert an einer anderen Schicht des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein oder diese andere Schicht bilden,
Fig. 9 zeigt ein Ausführungsbei spiel einer optoelektronischen Baugruppe 1, die beispielsweise weitgehend der mit Bezug zu Figur 7 erläuterten, optoelektronischen Baugruppe 1
entsprechen kann.. Insbesondere kann das optoelektronische Bauelement 10 dem mit Bezug zu Figur 7 erläuterten
optoelektronischen Bauelement 10 entsprechen. Alternativ oder zusätzlich kann der .Strahlungskühler 40 dem mit Bezug zu Figur 7 erläuterten Strahlungskühler 40 entsprechen. Das optoelektronische Bauelement 10 ist vorzugsweise als Bottom-Emitter ausgebildet. Alternativ dazu kann das
optoelektronische Bauelement 10 jedoch auch als Top-Emitter oder als beidseitig emittierendes Bauelement ausgebildet sein.
Der Strahlungskühler 40 ist mit direkten körperlichen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement 10 gekoppelt. Der
Strahlungskühler 40 ist in eine Schichtenstruktur des
optoelektronischen Bauelements 10 integriert. Der
Strahlungskühler 40 ist zwischen der Verkapseiungsschicht 24 und der Haftmittelschicht 36 ausgebildet . Alternativ dazu kann der Strah1ungsküh1 er 40 zwischen der Haftmittelschicht 36 und de Abdeckkörper 38 , zwischen de zweiten Elektrode 23 und der Verkapselungsschicht 24 oder zwischen dem Träger 12 und der" ersten. Elektrode 20 ausgebildet sein. Optional kann auf die Haftmittelschicht 36 und den Abdeckkörper 38
verzichtet werden, so dass der Strahlungskühler 40 als
Abdeckung für das optoelektronische Bauelement 10 dient.
Die spiegelnde Fläche 42 ist zwischen der
Verkapselungsschicht 24 und dem Strahlungskühler 40
ausgebildet. Alternativ dazu kann die spiegelnde Fläche 42 wie mit Bezug zu Figur 7 erläutert an einer anderen Schicht des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein oder diese andere Schicht bilden.
Fig. 10 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 1, die beispielsweise weitgehend der mit Bezug zu Figur 7 erläuterten optoelektronischen
Baugruppe 1 entsprechen kann . Insbesondere kann das
optoelektronische Bauelement 10 dem mit Bezug zu Figur 7 erläuterten optoelektronischen Bauelement 10 entsprechen. Alternativ oder zusätzlich kann der Strahlungskühler 40 dem mit Bezug zu Figur 7 erläuterten Strahlungskühler 40
entsprechen .
Das optoelektronische Bauelement 10 ist vorzugsweise als Bottom- Emitter ausgebildet . Alternativ dazu kann das
optoelektronische Bauelement 10 j edoch auch als Top-Emitter oder als beidseitig emittierendes Bauelement ausgebildet sein. Der Strahlungskühler 40 ist mit direktem körperlichem Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement 10 gekoppelt . Der Strahlungskühler 40 ist in eine Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelements 10 integriert . Der
Strahlungskühler 40 ist als Verkapselungsschicht 24 des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet . In anderen Worten bildet der S rahlungskühler 40 Die
Verkapselungsschicht 24. Der Strahlungskühler 40 ist in direkten körperlichen Kontakt mit der zweiten Elektrode 23. Optional kann auf die Haftmittelschicht 36 und den Äbdeckkörper 38 verzichtet werden. In diesem Fall übernimmt der Strahlungskühler 40 die Funktion der Kühlung, der
VerKapselung und der Abdeckung des optoelektronischen
Bauelements 10.
Die spiegelnde Fläche 42 ist zwischen der zweiten Elektrode
23 und dem Strahlungskühler 40 ausgebildet. Beispielsweise kann die spiegelnde Fläche 42 von der zweiten Elektrode 23 gebildet sein. Alternativ dazu kann die spiegelnde Fläche 42 wie mit Bezug zu Figur 7 erläutert an einer anderen Schicht des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein oder diese andere Schicht bilden, Fig. 11 zeigt ein Ablau diagramm eines Verfahrens zum
Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe , beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen
Baugrup e 1. In einem Schritt S2 wird ein optoelektronisches Bauelement ausgebildet. Beispielsweise wird das im Vorhergehenden erläuterte optoelektronische Bauelement 10 ausgebildet.
In einem Schritt S4 wird ein Strahlungskühler mit dem
optoelekt onischen Bauelement gekoppelt. Beispielsweise wird der im Vorhergehenden erläuterte Strahlungskühler 40 mit dem optoelektronischen Bauelement 10 gekoppelt.
Die Schritte S2 und S4 können nacheinander ausgebildet durchgeführt werden, so dass zunächst das optoelektronische
Bauelement 10 ausgebildet wird und nachfolgend der
Strahlungskühler 40 mit dem optoelektronischen Bauelement gekoppelt wird. Dabei kann der Strahlungskühler 40 zunächst fertig gestellt werden und danach mit dem optoelektronischen Bauelement 10 gekoppelt werden. Das hat den Vorteil, dass das
Ausbilden des Strahlungskühlers 40 zu keiner Einschränkung bei der Prozessführung beim Ausbilden des optoelektronischen Bauelements 10 führt. Alternativ dazu kann der Strahlungskühler 40 direkt auf dem optoelektronischen
Bauelement 10 ausgebildet werden.
Alternativ dazu können die Schritte S2 und S4 im selben
Zeitraum abgearbeitet werden, beispielsweise wenn der
Strahlungskühler 40 in dem optoelektronischen Bauelement 10 integriert wird. Beispielsweise kann der Strahlungskühler 40 als Schicht des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet werden. Dabei kann der Strahlungskühler 40 zunächst fertig gestellt werden und als fertige Schicht in das
optoelektronische Bauelement 10 integriert werden oder der Strahlungskühler 40 kann auf einer bereits fertig gestellten Schicht des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet werden.
Die Schichten des Strahlungskühlers 40 können, beispielsweise im Falle dünner Schichten, insbesondere im zweiten
Dickenbereich 118, mittels ALD, CVD, Sputterns,
Elektronenstrahl oder ähnlichen Verfahren ausgebildet werden, und beispielsweise im Falle dicker Schichten, insbesondere im ersten Dickenbereich 116, mittels CVD , Sputterns,
Elektronenstrahl oder ähnlichen Verfahren ausgebildet werden.
Fig. 12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum
Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen
Baugruppe 1.
In einem Schritt S6 wird ein Träger, ein Abdeckkörper
und/oder eine Wärmesenke bereitgestellt. Beispielsweise wird der Träger 12, der Abdeckkörper 38 bzw. die im Vorhergehenden erläuterte Wärmesenke bereitgestellt. Dass der Träger 12, der Abdeckkörper 38 bzw. die Wärmesenke bereitgestellt werden, kann beispielsweise bedeuten, dass der Träger 12, der
.Abdeckkörper 38 bzw. die Wärmesenke ausgebildet werden.
In einem Schritt S8 wird der Strahlungskühler auf dem Träger, dem Abdeckkörper bzw. der Wärmesenke angeordnet oder ausgebildet. Beispielsweise wird der Strahlungskühler 40 auf dem Träger 12, dem Abdeckkörper 38 bzw. der Wärmesenke
angeordnet oder ausgebildet. Insbesondere können die
Schichten des Strahlungskühlers 40 auf dem Träger 12, dem Abdeckkörper 38 bzw. der Wärmesenke ausgebildet,
beispielsweise abgeschieden, werden.
In einem Schritt S10, der beispielsweise vor oder nach den Schritten S6 und S8 durchgeführt werden kann, wird das restliche optoelektronische Bauelement 10 ausgebildet.
Beispielsweise werden die organische funktioneile
Schichtenstruktur 22 des optoelektronischen Bauelements 10, die Elektroden 20, 23 und/oder die
Verkapselungsschichtstruktur 24 ausgebildet.
In einem Schritt S12 wird der Träger, der Abdeckkörper oder die Wärraesenke, die mit dem Strahlungskühler gekoppelt ist, auf dem restlichen optoelektronischen Bauelement angeordnet. Beispielsweise wird der Träger 12, der Abdeckkörper 38 bzw. die Wärmesenke, die jeweils den Strahlungskühler 40
aufweisen, in direkten körperlichen Kontakt auf dem
restlichen optoelektronischen Bauelement 10 angeordnet.
Das Ausbilden bzw, Anordnen des Strahlungskühlers 40
unabhängig von dem restlichen optoelektronischen Bauelement
10, insbesondere unabhängig von der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 des optoelektronischen Bauelements 10, bewirkt, dass bei dem Ausbilden bzw. Anordnen des
Strahlungskühlers 40 nicht auf die Temperaturempfindlichkeit der organischen f nktionellen Schichtenstruktur 22 Rücksicht genommen werden muss . Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn die Schichten des Strahlungskühlers 40 mittels Verfahren ausgebildet werden, bei denen grundsätzlich hohe
Temperaturen, insbesondere über 100 °C, verwendet werden und/oder vorteilhaft sind.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die optoelektronische Baugruppe 1 mehrere optoelektronische
Bauelemente 10 und/oder mehrere Strahlungskühler 40
aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann das
optoelektronische Bauelement 10 segmentiert sein. Ferner kann bei den mit Bezug zu den Figuren 7 bis 10 erläuterten
optoelektronischen Baugruppen 1 alternativ oder zusätzlich zu einer der dargestellten Schichten bzw. Körper eine
Wärmesenke angeordnet sein. Gegebenenfalls ist die Wärmesenke vorzugsweise in direkten körperlichen Kontakt mit dem
Strahlungskühler 40.
BEZUGSZEICHENLISTE
Optoelektronische Baugruppe 1
Optoelektronisches Bauelement 10 Träger 12
Erste Elektrodenschicht 14
Erster Kontaktabschnitt 16
Zweiter Kontaktabschnitt 18
Erste Elektrode 20 Organische funktionelle Schichtenstruktur 22
Zweite Elektrode 23
Verkapselungsschient Struktur 24
Erster Koritaktbereich 32
Zweiter Kontaktbereich 34 Haftmittelschicht 36
Abdeckkörper 38
Strahlungskühler 40
Spiegelnde Fläche 42
Emissionsspektrum Sonne 80 Absorptionsspektrum Strahlungskühler 82
Atmosphärische Transmissivität 84
Emissionsspektrum Strahlungskühler 86
Sonnenenergie 90
Umgebungstemperatur 32 Temperatur Strahlungskühler 94
Temperatur schwarze Farbe 96
Temperatur Aluminiumkörper 98
Gebäudekühler 100
Rahmen 102 Membran 104
Wanne 106
Kunststoffkörper 108
Herkömmlicher Strah1ungsküh1er 110
Basiskörper 112 Haftschicht 113
Spiegelschicht 114
Erster Dickenbereich 116
Zweiter Dickenbereich 118 Emission/Absorp ion EM/AB
Wellenlänge LAM
Temperatur T
Sonnenenergie SI Tageszeit TIME

Claims

PATENT ANS PRÜCHE
1. Optoelektronische Baugruppe (1), mit einem
optoelektronischen Bauelement (10) , das eine spiegelnde
Fläche (42) aufweist, und mit einem Strahlungskühler (40) , der in direkten körperlichen Kontakt mit dem
optoelektronischen Bauelement (10) ist und der über der spiegelnden Fläche (42) angeordnet ist.
2. Optoelektronische Baugruppe (1) nach Anspruch 1 , bei der der Strahlungskühler (40) außen an dem optoelektronischen Bauelement (10) angeordnet ist.
3. Optoelektronische Baugruppe (1) nach Anspruch 2, bei der das optoelektronische Bauelement (10) einen Abdeckkörper
(38) aufweist, der das optoelektronische Bauelement (10) nach außen abschließt, und der Strahlungskühler (40) an dem
Abdeckkörper (38) angeordnet ist, und/oder
das optoelektronische Bauelement (10) einen Träger (12) aufweist, der das optoelektronische Bauelement (10) nach außen abschließt, und der Strahlungskuhler (40) an dem Träger
(12) angeordnet ist, und/oder
das optoelektronische Bauelement (10) eine
Wärmesenke (44) aufweist, die das optoelektronische
Bauelement (10) nach außen abschließt , und der
Strahlungskühler (40) an der 'Wärmesenke (44 ) angeordnet ist.
4. Optoelektronische Baugruppe (1) nach Anspruch 1 , bei der der Strahlungsküh1er (40) in eine Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelemen s (10) integriert ist .
5. Optoelektronische Baugruppe (1) nach einem de
vorstehenden Ansprüche, bei der der Strahlungskühler (40) in direkten körperlichen Kontakt mit einer Elektrode (20, 23) des optoelektronischen Bauelements (10) ist .
6. Optoelektronische Baugruppe (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, bei der der Abdeckkörper (38), der Träge (12 ) , die Wärmesenke (44) und/oder die Elektrode (20, 23) die
spiegelnde Fläche (42) aufweist oder bildet.
7. Optoelektronische Baugruppe (1) nach einem der
vorstehenden Ansprüche, bei der der Strahlungskühler (40) als Yerkapselung (24) des optoelektronischen Bauelements ( 10) ausgebildet ist,
8. Optoelektronische Baugruppe (1) nach einem der
vorstehenden Ansprüche, bei der das optoelektronische
Bauelement (10) ein organisches optoelektronisches
Bauelement, beispielsweise eine Solarzelle oder eine OLEB ist .
9. Optoelektronische Baugruppe (1) nach einem der
vorstehenden Ansprüche» bei der der Strahlungskühler (40) eine Schichtenstruktur mit mehreren unterschiedlichen
Schichten aufweist, wobei die Schichten unterschiedliche Brechungsindices und zumindest teilweise unterschiedliche Schichtdicken aufweisen, wobei in einem ersten Dickenbereich (116) der Schichtenstruktur Schichten ausgebildet sind die Dicken aufweisen, die größer sind als die Dicken von
Schichten in einem zweiten Dickenbereich {118) .
10. Optoelektronische Baugruppe (1) nach Anspruch 9, bei der die Dicken in dem ersten Dickenbereich (116) in einem Bereich von 100 bis 1000 nm liegen und/oder bei der die Dicken in dem zweiten Dickenbereich (118) in einem Bereich von 1 bis 100 nm liegen.
11. Optoelektronische Baugruppe (1) nach einem der Ansprüche 9 oder 10, bei der die Schichten zum Teil Siliziumdioxid aufweisen oder davon gebildet sind und zum. Teil Hafniuraoxxd oder Titandioxid aufweisen oder davon gebildet sind.
12. Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Baugruppe (1) , bei dem ein optoelektronisches Bauelement, das eine spiegelnde Fläche (42) aufweist, mit einem Strahlungskühler (40) derart gekoppelt wird, dass dieser in direkten körperlichen Kontakt mit dem optoelektronischen
Bauelement (10) ist und über der spiegelnden Fläche (42) angeordnet ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem zuerst ein
Abdeckkörper (38) , ein Träger (12) oder eine Wärmesenke (44) des optoelektronischen Bauelements (10) mit dem
Strahlungskühler (40) gekoppelt wird und dann der
Abdeckkörper (38) , der Träger (12) bzw. die Wärmesenke (44) mit dem Strahlungskühler (40} mit dem restlichen
optoelektronischen Bauelement (10) gekoppelt wird.
14. Verwendung eines Strahlungskühlers (40) zum Kühlen eines optoelektronischen Bauelements (10) .
15. Verwendung nach Anspruch 14, wobei das optoelektronische Bauelement (10) eine OLED ist.
PCT/EP2017/051993 2016-02-02 2017-01-31 Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe Ceased WO2017134032A1 (de)

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US16/070,534 US10903458B2 (en) 2016-02-02 2017-01-31 Optoelectronic assembly and method for producing an optoelectronic assembly
US17/120,524 US11374207B2 (en) 2016-02-02 2020-12-14 Optoelectronic assembly and method for producing an optoelectronic assembly
US17/750,892 US11659733B2 (en) 2016-02-02 2022-05-23 Optoelectronic assembly and method for producing an optoelectronic assembly

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016101788A1 (de) * 2016-02-02 2017-08-03 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
CN110274326B (zh) * 2018-03-16 2021-04-27 浙江大学 一种日间辐射制冷器及其制备方法
CN118308690B (zh) * 2024-06-07 2024-09-10 国科大杭州高等研究院 一种辐射冷却涂层结构及其制备工艺

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010146894A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2485566A1 (de) * 2009-09-30 2012-08-08 Sumitomo Chemical Co., Ltd Lichtemittierende vorrichtung

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI268732B (en) * 2004-12-16 2006-12-11 Au Optronics Corp Organic light emitting device
KR102029563B1 (ko) * 2008-12-11 2019-10-07 오스람 오엘이디 게엠베하 유기발광다이오드 및 조명수단
JP5638924B2 (ja) * 2010-11-29 2014-12-10 ローム株式会社 有機発光素子
DE102012109161B4 (de) 2012-09-27 2021-10-28 Pictiva Displays International Limited Organisches, optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren
DE102013111409B4 (de) * 2013-10-16 2019-12-05 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102013111422A1 (de) 2013-10-16 2015-04-30 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Kontaktiervorrichtung und optoelektronische Baugruppe
DE102014106069B4 (de) 2014-04-30 2023-02-16 Pictiva Displays International Limited Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und Betriebsverfahren einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
US9559336B2 (en) * 2014-05-15 2017-01-31 City University Of Hong Kong Facilitating improved luminance uniformity in organic light emitting diode device panels
US10088251B2 (en) * 2014-05-21 2018-10-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Radiative cooling with solar spectrum reflection
KR102231946B1 (ko) * 2014-07-15 2021-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102410527B1 (ko) * 2014-12-19 2022-06-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
DE102016101788A1 (de) * 2016-02-02 2017-08-03 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010146894A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2485566A1 (de) * 2009-09-30 2012-08-08 Sumitomo Chemical Co., Ltd Lichtemittierende vorrichtung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHU LINXIAO ET AL: "Radiative cooling for solar cells", OPTOMECHATRONIC MICRO/NANO DEVICES AND COMPONENTS III : 8 - 10 OCTOBER 2007, LAUSANNE, SWITZERLAND; [PROCEEDINGS OF SPIE , ISSN 0277-786X], SPIE, BELLINGHAM, WASH, vol. 9358, 16 March 2015 (2015-03-16), pages 935814-1 - 935814-7, XP060050005, ISBN: 978-1-62841-730-2, DOI: 10.1117/12.2080148 *

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