WO2017090927A1 - 초슬림 포켓형 키보드 장치 - Google Patents

초슬림 포켓형 키보드 장치 Download PDF

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WO2017090927A1
WO2017090927A1 PCT/KR2016/013138 KR2016013138W WO2017090927A1 WO 2017090927 A1 WO2017090927 A1 WO 2017090927A1 KR 2016013138 W KR2016013138 W KR 2016013138W WO 2017090927 A1 WO2017090927 A1 WO 2017090927A1
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WO
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nano silver
circuit pattern
layer
keyboard device
ultra
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PCT/KR2016/013138
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English (en)
French (fr)
Inventor
서재홍
Original Assignee
주식회사 우린
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    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/02—Input arrangements using manually operated switches, e.g. using keyboards or dials

Definitions

  • Various embodiments of the present invention relate to an ultra slim pocket keyboard device.
  • the tablet market is recently being reorganized into tablets and tablets larger than 12 inches, and productivity is increasing due to improved performance of smart devices. Therefore, the need for a keyboard with enhanced portability is increasing. .
  • An object of the present invention is to provide an ultra-slim pocket keyboard device. That is, the problem to be solved of the present invention is to realize the innovative thickness and weight by using a nano-piezoelectric material, and also to fold the circuit pattern of the folded and unfolded region on a substrate such as a soft, thin and elastic urethane film, coating or fiber, etc. By providing a printing, sintering and / or spraying nano-conductive material, to provide an ultra-slim pocket keyboard device that can improve the reliability of the bending area.
  • an ultra-slim pocket keyboard device may include: a first layer in which a plurality of embossing keys are arranged; A second layer having an actuator bump formed in a protrusion shape at a position corresponding to the embossing key under the first layer; A third layer having an upper nano silver circuit pattern formed below the second layer to extract an input signal having a Y coordinate in a key matrix; And a fourth layer having a lower nano silver circuit pattern formed below the third layer to extract an input signal having an X coordinate in a key matrix, wherein the first to fourth layers are formed in a direction perpendicular to the length direction. It may further include a collapsible common bending area.
  • the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may be bent through the bent region, and the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may be formed of a nano silver conductive material.
  • the third layer may further include an upper substrate on which the upper nano silver circuit pattern is formed, and the fourth layer may further include a lower substrate on which the lower nano silver circuit pattern is formed.
  • the top substrate and bottom substrate may comprise a urethane film, coating or fiber.
  • the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may prepare a nano silver slurry including an acid solution and 1 nm to 20 nm nano silver particles dispersed in the acid solution, and the nano silver slurry may be prepared on the upper substrate. And printed on the lower substrate, respectively, the printed nano silver slurry may be formed by sintering at a temperature of 90 °C to 130 °C.
  • the printing may be performed by an inkjet method, a screen method, a gravure method, a flexo method, or an offset method.
  • the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may each have a thickness and a width of 0.1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern are supplied with a plurality of silver powder having a powder particle size range of 1 ⁇ m to 50 ⁇ m from a silver powder supply unit, and transfers the silver powder using a transfer gas, and the transfer
  • a circuit pattern including a plurality of second nano silver particles having a second particle diameter range larger than a particle size range is formed, wherein the first particle diameter range of the first nano silver particles is 1 nm to 900 nm.
  • the second pattern of particle diameters of the second nano silver particles ranges from 900 nm to 10 ⁇ m, and the number of the first nano silver particles forms one peak in the first particle size range.
  • the number of silver particles may form one peak in the second particle size range.
  • a lower case may be further coupled to a lower portion of the fourth layer, and a fan spring hinge may be further coupled between the bent region and the lower case.
  • the touch pad may be further coupled to a lower surface of the lower case.
  • the ultra slim pocket keyboard device may be a wearable device that can be worn on a body.
  • the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern prepare a silver paste including nano silver particles, urethane resin, solution, dispersant and additive, and print the silver paste on the upper substrate and the lower substrate, respectively,
  • the printed silver paste may be formed by sintering for 10 to 60 minutes at a temperature of 90 °C to 130 °C.
  • the silver paste may further include micro silver particles.
  • the silver paste may be printed by polyester mesh having a size of 350 mesh to 500 mesh.
  • Various embodiments of the present invention provide an ultra slim pocket keyboard device. That is, the various embodiments of the present invention implement nano-piezoelectric materials to realize innovative thickness and weight, and further expand the circuit patterns of the folded and unfolded bending regions on substrates such as soft, thin and elastic urethane films, coatings, or fibers. By printing, sintering, and / or spraying nano conductive materials, the present invention provides an ultra-slim pocket keyboard device that can greatly improve the reliability of the bent region.
  • various embodiments of the present invention may use the nano-piezoelectric material to significantly reduce the thickness and / or the weight of the conventional foldable keyboard, and to reduce the thickness of the key top portion when it is unfolded.
  • a small, retractable ultra slim pocket keyboard device that is less than approximately 5 mm thick when folded.
  • various embodiments of the present invention provide a collapsible ultra-slim pocket keyboard device, which greatly improves the reliability of the folded region.
  • the number of possible disconnections of the circuit pattern of the bent region has conventionally been about 10,000 times, it is increased to about 100,000 times in the embodiment of the present invention.
  • the printing technology of the ultra-nano conductive material can lower the price and double the reliability, so that it can be applied to various industrial devices.
  • various embodiments of the present invention can be printed on the coating or fibers instead of the elastic urethane film, the elastic nano-conductive material, so that it can be applied to various wearable circuits and switching circuits.
  • various embodiments of the present invention by applying a synthetic material of the urethane and rubber is maintained in the case and the elasticity of the exterior case, or by using a mechanical fan spring hinge, it can be unfolded naturally when the keyboard is unfolded.
  • FIG. 1 is a schematic exploded perspective view illustrating an ultra-slim pocket keyboard device according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a view of the ultra-slim pocket keyboard device according to various embodiments of the present disclosure, viewed from various directions, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of region 2b of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a bent area of an ultra-slim pocket keyboard device according to various embodiments of the present disclosure
  • FIG. 5 is a photograph showing an ultra-nano silver conductive material and a general silver conductive material used in various embodiments of the present invention. .
  • FIGS. 6 and 7 are photographs illustrating a folded state and a touch pad in a folded state of the ultra-slim pocket type keyboard device according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of a method for forming an extreme nano silver pattern in an ultra-slim pocket keyboard device according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a flowchart illustrating an example of a method for forming an extreme nano silver pattern in an ultra slim pocket keyboard device according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 10 and 11 are graphs showing silver powder distribution before and after crushing / collision in the method shown in FIG. 9.
  • FIG. 10 and 11 are graphs showing silver powder distribution before and after crushing / collision in the method shown.
  • first, second, etc. are used herein to describe various members, parts, regions, layers, and / or parts, these members, parts, regions, layers, and / or parts are defined by these terms. It is obvious that not. These terms are only used to distinguish one member, part, region, layer or portion from another region, layer or portion. Accordingly, the first member, part, region, layer or portion, which will be described below, may refer to the second member, component, region, layer or portion without departing from the teachings of the present invention.
  • the X and Y coordinates described herein mean coordinates that are substantially perpendicular / vertical or 90 ° to each other, where the X coordinates are arranged in the horizontal direction and the Y coordinates are arranged in the vertical direction, for example. have.
  • the nano unit described herein may mean 1 nm to 999 nm, and the micro unit may mean 1 ⁇ m to 999 ⁇ m.
  • FIG. 1 is a schematic exploded perspective view illustrating an ultra-slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present disclosure.
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 may be, for example, but not limited to, the first layer 110 (key top layer) in a top to bottom direction.
  • Second layer 120 Actuator Bump (Top Side)
  • third layer 130 Nano Silver Pattern + FSR + Film (Top Side)
  • fourth layer 140 Nano Silver Pattern + Film
  • the fifth layer 150 Bottom Layer (Bottom Side)
  • the sixth layer 160 Pan Spring Hinge
  • the seventh layer 170 Touch PAD
  • the layer 180 may include a bottom case.
  • the first layer 110 may include an embossing key 111 arranged in the X direction and the Y direction to improve key top reliability and key recognition capability.
  • the embossing key 111 may be formed of, for example, but not limited to, an ultraviolet curable resin or a thermosetting / thermoplastic resin.
  • the second layer 120 (Actuator Bump (Top Side)) is located at the bottom of the first layer 110, which is arranged in the form of a protrusion on the top in order to concentrate the force at the time of key input and to improve the sensitivity Actuator bumps 121 may be included.
  • the actuator bump 121 may be formed in an area corresponding to the embossing key 111.
  • the third layer 130 (Nano Silver Pattern + FSR + Film (Top Side)) is located below the second layer 120, which receives an input signal of Y coordinates among the components of the key matrix. When inputting the key, it extracts the current change of the FSR 133 (Force Sensing Resistor or nano piezoelectric sensor) between the X coordinate and the Y coordinate as a key input signal.
  • the third layer 130 may include, in particular, the upper nano silver circuit pattern 132.
  • the FSR 133 may be, for example, but not limited to, a polymer urethane film whose resistance decreases as the force applied to the surface increases. Compared with the conductive rubber, there is little electrical hysteresis and the price is low. In addition, compared to Piezo Film, FSR is cheaper and has less influence on vibration and heat.
  • the fourth layer 140 (Nano Silver Pattern + Film (Bottom Side)) is positioned below the third layer 130, which serves to receive an input signal of X coordinates during configuration of a key matrix. .
  • the fourth layer 140 may include a lower nano silver circuit pattern 141, and the lower nano silver circuit pattern 141 lowers a resistance value and improves bending / refraction / bending reliability when folded. Can be.
  • the fifth layer 150 (Bottom Layer (Bottom Side)) is positioned below the fourth layer 140 to maintain the flatness of the patterned urethane film-type printed circuit board (PCB).
  • An epoxy urethane film may be included to maintain the repulsive force of the input load.
  • the sixth layer 160 (Pan Spring Hinge) is located at the bottom of the fifth layer 150, and when the keyboard device 100 is opened, the fan spring 161 (Pan Spring) can be naturally unfolded by about 180 ° automatically. ), which may include round or oval embossing.
  • the fan spring 161 of the sixth layer 160 is installed in a region corresponding to the bent region 190, so that the keyboard device 100 can be flexibly folded or unfolded.
  • the seventh layer 170 (Touch PAD) is positioned below the sixth layer 160 and includes a touch pad 171 (Touch PAD) that can also be used on the rear side (or front side) of the keyboard device 100. It can be activated and deactivated automatically by knowing when the keyboard is closed and when it is opened.
  • the eighth layer 180 (Bottom Case) is located below the seventh layer 170, and may be urethane, rubber, and / or thereof capable of maintaining appropriate tension (elasticity) of the inside and the outside so that it may be flattened when unfolded. It may include a composite. Of course, the seventh layer 170 may be exposed to the outside through the eighth layer 180.
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 has a significantly thinner thin film thickness and a lighter weight than a conventional foldable keyboard using a piezoelectric urethane film.
  • the ultra-slim pocket-type keyboard device 100 has a structure in which the thickness of the key top when unfolded is smaller than only about 2.4 mm, and when folded, the thickness is smaller than about 5 mm. .
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 considering that the internal circuit pattern should not be broken when folded and unfolded, and that the number (reliability) of bending / refraction / bending is very important, it is extremely nano silver. Patterning the material to ensure reliability, and when the keyboard device 100 is unfolded, the exterior case can be applied by combining the synthetic material of the urethane and rubber to maintain the refraction elasticity.
  • FIG. 2 is a view of the ultra-slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present disclosure, viewed from various directions, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of region 2b of FIG. 2.
  • the ultra-slim pocket-type keyboard device 100 includes a bent region 190 in a straight form that can be folded in a direction substantially perpendicular to the length direction.
  • the first layer 110, the second layer 120, the third layer 130, the fourth layer 140, the fifth layer 150, and the eighth layer 180 are commonly in a straight line shape. Since the bent region 190 of is formed, it may be referred to as a common bent region 190.
  • a dotted line displayed from the top to the bottom is a region corresponding to the bent region 190.
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 is provided with a magnet (9) to maintain a folded state on one side (approximately left region in Figure 2), LED (notifying the power on / off state ( 10) may be installed, and a micro USB jack 11 to which a micro USB device is coupled may be installed.
  • reference numeral 13 denotes a left side view of the keyboard apparatus 100
  • reference numeral 14 denotes a plan view of the keyboard apparatus 100
  • reference numeral 15 denotes a front view of the keyboard apparatus 100
  • 16 denotes a rear view of the keyboard device 100
  • 17 denotes a right side view of the keyboard device 100
  • FIG. 18 denotes a bottom view of the keyboard device 100.
  • the touch pad 171 exposed to the outside through the eighth layer 180 is installed on the bottom of the ultra-slim pocket keyboard device 100.
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 includes a top cover case 1, semiconductors, and circuit parts 2 on one side (approximately left region in FIG. 3). And, it can be seen that the printed circuit board 30 of the epoxy material can be provided.
  • the ultra-slim pocket-type keyboard device 100 may have a first layer 110, a second layer 120, and a third layer (from the upper side to the lower side on the other side (approximately right area in FIG. 3)). 130, the fourth layer 140, the fifth layer 150, and the eighth layer 180 may be sequentially formed.
  • the first layer 110 may include an ultraviolet / heat curable (or plastic) embossing key 111 (top layer), and the second layer 120 may include an active bump 121.
  • the third layer 130 may include an upper substrate 131, an upper nano silver circuit pattern 132, and an FSR 133 sequentially from the top to the bottom, and the fourth layer 140 may be disposed at the top thereof.
  • the lower nano silver circuit pattern 141 and the lower substrate 142 may be sequentially included in the downward direction.
  • the fifth layer 150 may include an epoxy layer
  • the eighth layer 180 may include a lower case.
  • the bending region formed of FPCB is limited to bend / refraction / bending reliability (time when the circuit pattern is disconnected) of about 10,000 times, but as in the embodiment of the present invention, upper and lower nano silver
  • the ultra slim pocket keyboard device 100 including the circuit patterns 132 and 141 may guarantee bending / refraction / bending reliability of about 100,000 or more times.
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 utilizes the reliability of the nano silver circuit pattern to integrate the bending region 190 and the nano silver circuit patterns 132 and 141 so that the overall keyboard device 100 may be integrated. ) Reliability and performance can be improved at the same time.
  • FIG. 4 is a view illustrating a bending area 190 of the ultra-slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present disclosure
  • FIG. 5 is an ultra-nano silver conductive material and a general silver conductive material used in various embodiments of the present invention. A picture of ashes.
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 may include a first layer 110, a second layer 120, a third layer 130, and a fourth layer 140. And a bending region 190 in a straight line shape in a direction substantially perpendicular to the length direction of the eighth layer 180.
  • the bent area 190 may be formed at about a middle with respect to the longitudinal direction of the keyboard device 100, but the present invention does not limit the position of the bent area 190.
  • the bent region 190 may be formed in, for example, approximately one third region or two third region of the longitudinal direction.
  • the third layer 130 for example, but not limited to, a plurality of upper nano silver circuit patterns 132 are formed in a substantially longitudinal direction, and the plurality of upper nano silver circuit patterns 132 are bent. May pass through region 190.
  • a plurality of lower nano silver circuit patterns 141 are formed in the fourth layer 140 in the width direction, and the plurality of lower nano silver circuit patterns 141 are bent. May pass through region 190.
  • the upper nano silver circuit pattern 132 and / or the lower nano silver circuit pattern 141 is formed of nano silver as a main material, and thus has excellent ductility and adhesive strength without deteriorating electrical conductivity. The phenomenon of peeling, dropping, peeling does not occur.
  • the upper nano silver circuit pattern 132 and / or the lower nano silver circuit pattern 141 may be formed only in a region corresponding to the bent region 190, and other regions may include a general low-cost kappa or aluminum circuit pattern. It may be formed.
  • the polar nano silver material (for example, 1 nm to 20 nm in size on the left side) is compared to the general silver material (for example, 1 ⁇ m to 100 ⁇ m in size on the right side). Its size is much smaller and has a spherical characteristic.
  • silver has a melting point of about 961 ° C.
  • flake silver powder is also known to start to melt between about 550 ° C. and 650 ° C.
  • the size of the silver powder when the size of the silver powder is reduced to about 100 nm or less, it melts even at about 150 ° C or less. Even 2 nm silver particles have a melting point down to room temperature.
  • the melting point is drastically lowered, which is thought to be due to the increase in heat transfer area, number of surface atoms, and thus reactivity as the particle size becomes nanoscaled.
  • the upper substrate 131 and / or the lower substrate 142 may be used.
  • nano silver circuit patterns 132 and 1141 may be formed on urethane films, coatings, and fibers, respectively.
  • the base urethane film may be, for example, but not limited to, a plastic substrate such as polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), polyacrylonitrile (PAN), or the like.
  • FIGS. 6 and 7 are photographs illustrating a folded state and a touch pad 171 in a folded state of the ultra-slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present disclosure.
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 As shown in FIG. 6, the ultra-slim pocket keyboard device 100 according to the embodiment of the present invention has a thickness of about 5 mm in a folded state and a weight of less than about 100 g. In addition, as shown in FIG. 7, the ultra-slim pocket keyboard device 100 according to the embodiment of the present invention is located at the front / rear in the folded state, and thus, through the touch pad 171. You can do a variety of input tasks on your computer or smartphone.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of a method for forming a pole nano silver pattern in an ultra-slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present disclosure.
  • the upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 may be prepared by preparing a nano silver slurry (S1). And, it may be formed by the printing step (S2), and the sintering step (S3).
  • the nano silver slurry preparation step (S1) for example, but not limited to, an acidic solution such as neodecanoic acid having a relatively low decomposition temperature, and approximately 1 nm to 20 nm dispersed in such an acidic solution.
  • an acidic solution such as neodecanoic acid having a relatively low decomposition temperature, and approximately 1 nm to 20 nm dispersed in such an acidic solution.
  • an acidic solution such as neodecanoic acid having a relatively low decomposition temperature, and approximately 1 nm to 20 nm dispersed in such an acidic solution.
  • the nano silver slurry is printed and dried on the upper substrate 131 of the third layer 130 and the lower substrate 142 of the fourth layer 140, respectively.
  • the printed pattern is the same as the upper nano silver circuit pattern 132 and the lower nano silver circuit pattern 141 described above.
  • printing may be performed by an inkjet method, a screen method, a gravure method, a flexo method, or an offset method. Since each printing method is different in resolution and / or formable thickness, it is appropriately selected and used in consideration of the thickness and width of the circuit pattern to be formed.
  • the nano silver slurry printed in the above-described manner is sintered at a temperature of 90 ° C. to 130 ° C., so that the upper nano silver circuit pattern 132 is formed on the upper substrate 131, and the lower substrate ( The lower nano silver circuit pattern 141 is formed at 142.
  • the upper nano silver circuit pattern 132 and the lower nano silver circuit pattern 141 has been described as being formed in the same step, this is only one example, it is natural that it can be formed in a separate step. This feature can be equally applied to the formation method described in FIG. 9.
  • the above sintering step may be performed by a rapid heat treatment apparatus using a general infrared heater, a method using a flash lamp to minimize the thermal shock of the upper substrate 131 and the lower substrate 142 may be used.
  • Flash lamps e.g., xenon flash lamps
  • the upper nano silver circuit pattern 132 and the lower nano silver circuit pattern 141 may have a thickness and a width of about 0.1 ⁇ m to 100 ⁇ m, respectively. If the thickness and width are less than approximately 0.1 ⁇ m, there is a risk of disconnection in the bent region 190 and the electrical resistance is relatively large, which may result in high battery consumption. In addition, when the thickness and width are larger than about 100 mu m, the printing and sintering time is long, and the production yield may be lowered.
  • the upper and lower nano silver circuit patterns 141 manufactured in the above-described manner have electrical conductivity values of about 2 to 4 x 10 4 S / cm, which is the conductivity of bulk silver (6.21 x 10 5 S / cm). Although less than this, it is sufficient to be used as a conventional circuit pattern as a result corresponding to the deposited silver urethane film.
  • the upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 may include nano silver particles (powder), urethane resins, solutions, dispersants, and the like.
  • the printed silver paste may be formed by sintering at a temperature of 90 ° C. to 130 ° C. for 10 minutes to 60 minutes (sintering step (S3)).
  • S3 sining step
  • the solution may be an acid solution such as neodecanoic acid with a relatively low decomposition temperature
  • the upper substrate 131 and the lower substrate 142 may be urethane films
  • the sintered member may be a flash lamp Can be.
  • the silver paste may further include micro silver particles (powder). That is, the silver paste may include nano silver particles having a size of about 1 nm to 999 nm and micro silver particles having a size of about 1 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the nano silver particles relative to the total content may be 70 wt% to 90 wt%
  • the micro silver particles may be 10 wt% to 30 wt%.
  • the upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 are not limited, for example. It may have a hardness of 2H to 3H.
  • the urethane film as the upper substrate / lower substrate is porous, the silver circuit pattern and adhesion / adhesiveness are considerably excellent, so that the silver circuit pattern does not easily crack or break even when the upper substrate / lower substrate is stretched. Suitable for wearable devices.
  • the silver paste may be printed on the upper substrate 131 and the lower substrate 142 of the urethane material by polyester mesh having a size of approximately 350 mesh to 500 mesh.
  • the FSR 133 (for example, carbon paste) may also be formed by screen printing, which may be formed on the upper nano silver circuit pattern 132 by a mesh having a size of approximately 200 to 300 mesh. Can be.
  • the reason why the mesh of the relatively low mesh is used when printing the FSR 133 is that the FSR 133 should be printed relatively thick to ensure the quality reliability of the FSR.
  • This FSR 133 has a hardness of approximately 3H.
  • FIG. 9 is a flowchart illustrating an example of a method for forming a pole nano silver pattern in an ultra-slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present disclosure.
  • 10 and 11 are graphs showing silver powder distribution before and after crushing / collision in the method shown in FIG. 9.
  • the upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 may be provided with a silver powder supply step (S21). It may be formed by the silver powder transfer step (S22), the silver powder collision / shredding step (S23), and the silver circuit pattern forming step (S24).
  • the silver powder supply step S21 and the silver powder transfer step S22 a plurality of silver powders having a powder particle size range of about 1 ⁇ m to 50 ⁇ m are supplied from the silver powder supply unit, and the silver powder is transferred using a transfer gas.
  • the transport gas may be, for example, but not limited to helium, nitrogen, argon, oxygen, air.
  • the silver powder may have a normal distribution characteristic having one peak in number.
  • the silver powder transferred as described above is approximately 100 to 500 m / over the upper substrate 131 and the lower substrate 142 in the process chamber.
  • a plurality of first nano silver particles having a circuit pattern first particle size range and a plurality of second nano silver particles having a circuit pattern second particle size range larger than the circuit pattern first particle size range The circuit pattern is formed in a mixed form. That is, in the embodiment of the present invention, the first nano silver particles having a first diameter range having a relatively small diameter are filled between the second nano silver particles having a second large particle size range, thereby providing a circuit.
  • the porosity of the pattern is as small as approximately 0.01% to 0.1%. This is similar to the principle of small porosity by filling sand between gravel.
  • the plastic substrate is etched without being deposited by colliding / crushing the silver powder on the plastic substrate, but when using the same powder size and powder velocity as in the embodiment of the present invention, instead of etching the substrate
  • the inventors have found that a coating layer of a certain thickness is formed or deposited. This seems to be similar to the principle that when snowballs are thrown on the wall, the snowballs mostly collide / crush on the wall, but some snowballs remain and gradually form a layer.
  • the process chamber may be in a low vacuum state or a non-vacuum state, thereby forming a circuit pattern at a low cost
  • the temperature of the transfer gas and the process chamber may be room temperature (approximately 10 ° C. to 30 ° C.)
  • a silver circuit pattern similar to a bulk state may be directly formed on the surface of the upper substrate 131 or the lower substrate 142 having a relatively low melting point such as a urethane film, a coating, or a cloth.
  • the first pattern of particle size of the circuit pattern of the first nano silver particles may be about 1 nm to 900 nm
  • the second pattern of particle size of the circuit pattern of the second nano silver particles may be about 900 nm to 10 ⁇ m.
  • the number of the first nano silver particles may form one peak in the first particle size range
  • the number of the second nano silver particles may form one peak in the second particle size range. That is, as shown in FIG. 11, the number of first nano silver particles is greater than the number of second nano silver particles, and has a normal distribution characteristic having one peak, and the second nano silver particles have a number of first nano silver particles. It is smaller than the number of 1 nano silver particles and has a normal distribution with one peak. Therefore, since the first particle is mixed in size between the large and small number of the second particles, the circuit pattern has a small porosity (high electrical conductivity).
  • embodiments of the present invention by forming a nano silver circuit pattern using nano silver powder / particles that can be printed / sintered, sprayed and / or deposited at a low temperature, it is excellent in electrical conductivity and ductility and excellent adhesion
  • the ultra-slim pocket keyboard device 100 having high reliability in the bent region 190 is provided.

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Abstract

본 발명의 다양한 실시예는 초슬림 포켓형 키보드 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 과제는 나노 압전 소재를 이용하여 혁신적인 두께와 무게를 구현하고, 또한 접었다 펴는 절곡 영역의 회로패턴을 부드럽고 얇고 탄력있는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유 등과 같은 기재에 극(極) 나노 도전재를 인쇄, 소결 및/또는 분사하여 구현함으로써, 절곡 영역의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데 있다.

Description

초슬림 포켓형 키보드 장치
본 발명의 다양한 실시예는 초슬림 포켓형 키보드 장치에 관한 것이다.
최근 스마트 기기의 발전과 더불어 다양한 입력 장치의 발전도 이루어지고 있다. 공간 제스처 인식, 눈동자 인식 등 다양한 입력 장치가 개발되고 있음에도 불구하고, 아직도 가장 친숙하고 많이 사용되는 입력 장치는 역시 키보드이다.
특히, 최근 태블릿 시장이 패블릿(Phablet)과 대형 12인치 이상의 태블릿으로 재편되는 추세에 있으며, 스마트 기기의 성능 향상으로 생산성이 높아져 가고 있기 때문에, 휴대성이 강화된 키보드의 필요성은 더욱 배가되고 있다.
향후 패블릿과 대형 사이즈의 태블릿 시장 증가로 휴대성이 강화된 키보드 수요가 증가될 것으로 예상되며, 휴대성을 고려 시 접이식(또는 폴더형) 키보드가 휴대성에 있어서 우수하나, 대부분 접었을 때의 두께/무게가 세계적으로 최소 10mm/100g 이하로 낮추는 것이 한계일 정도로 제한적이었다.
이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데 있다. 즉, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 나노 압전 소재를 이용하여 혁신적인 두께와 무게를 구현하고, 또한 접었다 펴는 절곡 영역의 회로패턴을 부드럽고 얇고 탄력있는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유 등과 같은 기재에 극(極) 나노 도전재를 인쇄, 소결 및/또는 분사하여 구현함으로써, 절곡 영역의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치는 다수의 엠보싱 키가 배열된 제1레이어; 상기 제1레이어의 하부에 상기 엠보싱 키와 대응되는 위치에 돌기 형태로 형성된 액튜에이터 범프가 배열된 제2레이어; 상기 제2레이어의 하부에 키 매트릭스 중 Y 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 상측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제3레이어; 및 상기 제3레이어의 하부에 키 매트릭스 중 X 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 하측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제4레이어를 포함하고, 상기 제1레이어 내지 제4레이어는 길이 방향에 수직한 방향으로 접을 수 있는 공통의 절곡 영역을 더 포함할 수 있다.
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 상기 절곡 영역을 통과하여 절곡될 수 있으며, 상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 나노 실버 도전재로 형성될 수 있다.
상기 제3레이어는 상기 상측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 상부 기재를 더 포함할 수 있고, 상기 제4레이어는 상기 하측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 하부 기재를 더 포함할 수 있다.
상기 상부 기재 및 하부 기재는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유를 포함할 수 있다.
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 산성 용액과, 상기 산성 용액에 분산된 1 nm 내지 20 nm의 나노 실버 입자를 포함하는 나노 실버 슬러리를 준비하고, 상기 나노 실버 슬러리를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며, 상기 인쇄된 상기 나노 실버 슬러리를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 소결하여 형성할 수 있다.
상기 인쇄는 잉크젯(inkjet) 방식, 스크린(screen) 방식, 그라비어(gravure) 방식, 플렉소(flexo) 방식 또는 오프셋(offset) 방식에 의해 수행할 수 있다.
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 각각 두께 및 폭이 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다.
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 실버 분말 공급부로부터 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 분말 입경 범위를 갖는 다수의 실버 분말을 공급받고, 이송 가스를 이용하여 상기 실버 분말을 이송하며, 상기 이송된 실버 분말을 공정 챔버 내의 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 100 내지 500 m/s의 속도로 충돌 및 파쇄시켜, 회로패턴 제1입경 범위를 갖는 다수의 제1나노 실버 입자와, 상기 회로패턴 제1입경 범위보다 큰 회로패턴 제2입경 범위를 갖는 다수의 제2나노 실버 입자가 혼합된 회로패턴을 형성하고, 상기 제1나노 실버 입자의 회로패턴 제1입경 범위는 1 nm 내지 900 nm이며, 상기 제2나노 실버 입자의 회로패턴 제2입경 범위는 900 nm 내지 10 ㎛이고, 상기 제1나노 실버 입자의 갯수는 상기 제1입경 범위에서 하나의 피크를 이루고, 상기 제2나노 실버 입자의 갯수는 상기 제2입경 범위에서 하나의 피크를 이룰 수 있다.
상기 제4레이어의 하부에 하부 케이스가 더 결합되고, 상기 절곡 영역과 상기 하부 케이스의 사이에 팬 스프링 힌지가 더 결합될 수 있다.
상기 하부 케이스의 하면에 터치 패드가 더 결합될 수 있다.
상기 초슬림 포켓형 키보드 장치는 몸에 착용할 수 있는 웨어러블 디바이스일 수 있다.
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 나노 실버 입자, 우레탄 수지, 용액, 분산제 및 첨가제를 포함하는 실버 페이스트를 준비하고, 상기 실버 페이스트를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며, 상기 인쇄된 상기 실버 페이스트를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 10분 내지 60분간 소결하여 형성한 것일 수 있다.
상기 실버 페이스트는 마이크로 실버 입자를 더 포함할 수 있다.
상기 실버 페이스트는 350 메쉬(mesh) 내지 500 메쉬(mesh)의 사이즈를 갖는 플리에스텔 망사에 의해 인쇄될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공한다. 즉, 본 발명의 다양한 실시예는 나노 압전 소재를 이용하여 혁신적인 두께와 무게를 구현하고, 또한 접었다 펴는 절곡 영역의 회로패턴을 부드럽고 얇고 탄력있는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유 등과 같은 기재에 극(極) 나노 도전재를 인쇄, 소결 및/또는 분사하여 구현함으로써, 절곡 영역의 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공한다.
다르게 설명하면, 본 발명의 다양한 실시예는, 나노 압전 소재를 이용하여 일반 접이식 키보드에 비하여 현저하게 두께/무게를 박막화 및/또는 경량화할 수 있으며, 펼쳤을 때의 키 탑 부위 두께가 대략 2.4 mm보다 작고, 접었을 때의 두께가 대략 5 mm보다 작은, 포켓에 넣을 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 다양한 실시예는 접을 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데, 이때 접었다 펴는 절곡 영역의 신뢰성을 크게 향상시킨다. 특히, 절곡 영역의 회로패턴의 단선 가능 횟수가 종래에 대략 1만회였으나, 본 발명의 실시예에서 대략 10만회로 증가시킨다.
또한, 본 발명의 다양한 실시예는, 극 나노 도전재의 인쇄 기술이 키보드 외에도, 가격을 낮춤과 동시에 신뢰성을 배가할 수 있어, 다양한 산업 기기에 응용이 가능하도록 한다. 나아가, 본 발명의 다양한 실시예는 극 나노 도전재를 탄력이 있는 우레탄 필름 대신 피복이나 섬유에도 인쇄할 수 있어, 다양한 웨어러블 회로 및 스위칭 회로에도 적용 가능하도록 한다.
한편, 본 발명의 다양한 실시예는 외관 케이스를 절곡 및 탄성이 유지되는 우레탄과 고무의 합성소재를 배합 적용하거나, 또는 기계적인 팬 스프링 힌지를 이용함으로써, 키보드를 펼쳤을 때 자연스럽게 펼쳐질 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치를 나타내는 개략 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치를 다양한 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 2b 영역의 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치의 절곡 영역을 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 이용된 극 나노 실버 도전재와 일반 실버 도전재를 도시한 사진이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치의 접힌 상태 및 접힌 상태의 터치 패드를 도시한 사진이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다.
도 10 및 도 11은 도 9에 도시된 방법 중에서 파쇄/충돌하기 이전 및 이후의 실버 분말 분포를 도시한 그래프이다된 방법 중에서 파쇄/충돌하기 이전 및 이후의 실버 분말 분포를 도시한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "하부"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.
또한, 본 명세서에 기재된 X 좌표와 Y 좌표는 상호간 대략 직각/수직 또는 90°를 이루는 좌표를 의미하며, X 좌표는 예를 들면 수평 방향으로 배열되고 Y 좌표는 예를 들면 수직 방향으로 배열될 수 있다. 또한, 본 명세서에 기재된 나노 단위는 1 nm 내지 999 nm를 의미하고, 마이크로 단위는 1 ㎛ 내지 999 ㎛를 의미할 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)를 나타내는 개략 분해 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 상부에서 하부 방향으로 제1레이어(110)(Key Top Layer)와, 제2레이어(120)(Actuator Bump(Top Side))와, 제3레이어(130)(Nano Silver Pattern + FSR +Film(Top Side))와, 제4레이어(140)(Nano Silver Pattern + Film(Bottom Side))와, 제5레이어(150)(Bottom Layer(Bottom Side))와, 제6레이어(160)(Pan Spring Hinge)와, 제7레이어(170)(Touch PAD)와, 제8레이어(180)(Bottom Case)를 포함할 수 있다.
제1레이어(110)(Key Top Layer)는 키탑(Key Top)의 신뢰성 및 키 인지 능력의 향상을 위해 X 방향과 Y 방향으로 배열된 엠보싱 키(111)를 포함할 수 있다. 이러한 엠보싱 키(111)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 자외선 경화형 수지 또는 열경화성/열가소성 수지로 형성될 수 있다.
제2레이어(120)(Actuator Bump(Top Side))는 제1레이어(110)의 하부에 위치되며, 이는 키 입력시 힘의 집중을 도모하고, 감도를 향상시키기 위하여, 상단에 돌기 형태로 배열된 액튜에이터 범프(121)를 포함할 수 있다. 여기서, 액튜에이터 범프(121)는 엠보싱 키(111)와 대응되는 영역에 형성될 수 있다.
제3레이어(130)(Nano Silver Pattern + FSR +Film(Top Side))는 제2레이어(120)의 하부에 위치되며, 이는 키 메트릭스(Key Metrix)의 구성 중 Y 좌표의 입력 신호를 받고, 키 입력 시 X 좌표와 Y 좌표 사이의 FSR(133)(Force Sensing Resistor 또는 나노 압전 센서)의 전류 변화를 키 입력 신호로 추출하는 역할을 한다. 이러한 제3레이어(130)는 특히 상측 나노 실버 회로패턴(132)을 포함할 수 있다.
여기서, FSR(133)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 표면에 가하는 힘을 증가시킬 수록 저항이 감소하는 중합체 우레탄 필름(Polymer Film)을 의미할 수 있다. 도전성 고무와 비교해 볼 때 전기적 이력 현상이 거의 없고 가격이 저가이다. 또한, 피에조 우레탄 필름(Piezo Film)과 비교해 보면 FSR이 저가이고 또한 진동과 열에 대한 영향이 적다.
제4레이어(140)(Nano Silver Pattern + Film(Bottom Side))는 제3레이어(130)의 하부에 위치되며, 이는 키 메트릭스(Key Metrix)의 구성 중 X 좌표의 입력 신호를 받는 역할을 한다. 이러한 제4레이어(140)는 하측 나노 실버 회로패턴(141)을 포함할 수 있으며, 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 저항값을 낮추며, 접을 때 절곡/굴절/벤딩(Bending) 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제5레이어(150)(Bottom Layer(Bottom Side))는 제4레이어(140)의 하부에 위치되며, 패턴 우레탄 필름(Pattern Film)형 인쇄회로기판(PCB)의 평탄도를 유지하도록 하고, 키 입력 하중의 반발력을 유지하기 위하여 에폭시 우레탄 필름을 포함할 수 있다.
제6레이어(160)(Pan Spring Hinge)는 제5레이어(150)의 하부에 위치되며, 키보드 장치(100)를 열었을 경우 자동으로 대략 180°정도 자연스럽게 펼쳐질 수 있도록 팬 스프링(161)(Pan Spring)을 포함할 수 있으며, 이는 원형 또는 타원형의 엠보싱(Embossing)을 포함할 수 있다. 특히, 제6레이어(160)의 팬 스프링(161)은 절곡 영역(190)과 대응되는 영역에 설치되어, 키보드 장치(100)가 탄력적으로 접히거나 펴질 수 있도록 한다.
제7레이어(170)(Touch PAD)는 제6레이어(160)의 하부에 위치되며, 키보드 장치(100)의 후면(또는/및 전면)에서도 사용 가능한 터치 패드(171)(Touch PAD)를 포함할 수 있고, 키보드를 닫았을 때와 열었을 때를 인지하여 자동으로 활성화/비활성화될 수 있다.
제8레이어(180)(Bottom Case)는 제7레이어(170)의 하부에 위치되며, 펼칠 때 평평하게 펼쳐질 수 있도록 내부와 외부의 적절한 인장력(탄성)을 유지할 수 있는 우레탄, 고무 및/또는 그 합성물을 포함할 수 있다. 물론, 제7레이어(170)는 제8레이어(180)를 관통하여 외측으로 노출될 수 있다.
이와 같이 하여, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 압전 우레탄 필름을 이용하여 일반적인 접이식 키보드에 비하여 현저하게 얇은 박막 두께를 가지고, 경량화된 무게를 가진다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 펼쳤을 때의 키 탑의 두께가 불과 대략 2.4mm보다 작고, 접었을 때의 두께는 대략 5 mm보다 작아 포켓에 넣을 수 있는 구조를 가진다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 접었다 폈을 때 내부 회로패턴이 끊어지면 안된다는 점, 절곡/굴절/벤딩의 횟수(신뢰성)가 매우 중요하다는 점을 고려하여, 극 나노 실버 소재를 패턴화하여 신뢰성을 확보하였으며, 키보드 장치(100)를 펼쳤 때 자연스럽게 펼쳐질 수 있도록 외관 케이스를 굴절 탄성이 유지되는 우레탄과 고무의 합성소재를 배합 적용할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)를 다양한 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 2b 영역의 확대 단면도이다.
우선 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 길이 방향에 대략 수직한 방향으로 접힐 수 있는 직선 형태의 절곡 영역(190)을 포함한다. 실질적으로, 제1레이어(110), 제2레이어(120), 제3레이어(130), 제4레이어(140), 제5레이어(150) 및 제8레이어(180)에 걸쳐 공통적으로 직선 형태의 절곡 영역(190)이 형성되기 때문에, 이는 공통의 절곡 영역(190)으로 지칭될 수 있다. 도 2에서 상부에서 하부를 향하여 표시된 점선이 절곡 영역(190)과 대응하는 영역이다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 일측(도 2에서 대략 좌측 영역)에 접힘 상태를 유지하도록 하는 마그네트(9)가 설치되고, 파워 온/오프 상태를 알리는 LED(10)가 설치되며, 또한 마이크로 USB 디바이스가 결합되는 마이크로 USB 잭(11)이 설치될 수 있다.
또한, 도면 부호 13은 키보드 장치(100)의 좌측면도를 의미하고, 도면 부호 14는 키보드 장치(100)의 평면도를 의미하며, 도면 부호 15는 키보드 장치(100)의 정면도를 의미하며, 도면 부호 16은 키보드 장치(100)의 후면도를 의미하고, 도면 부호 17은 키보드 장치(100)의 우측면도를 의미하고, 도 18은 키보드 장치(100)의 저면도를 의미한다.
더불어, 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)의 저면에는 제8레이어(180)를 통하여 외측으로 노출된 터치 패드(171)가 설치됨을 볼 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 일측(도 3에서 대략 좌측 영역)에 탑 커버 케이스(1), 반도체 및 회로 부품들(2), 그리고 에폭시 재질의 인쇄회로기판(30이 구비될 수 있을 볼 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 타측(도 3에서 대략 우측 영역)에 상부에서 하부 방향으로 제1레이어(110), 제2레이어(120), 제3레이어(130), 제4레이어(140), 제5레이어(150) 및 제8레이어(180)가 순차적으로 형성될 수 있다.
특히, 제1레이어(110)는 자외선/열 경화형(또는 가소성) 엠보싱 키(111)(탑층)를 포함하고, 제2레이어(120)는 액티브 범프(121)를 포함할 수 있다. 또한, 제3레이어(130)는 상부에서 하부 방향으로 순차적으로 상부 기재(131), 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 FSR(133)을 포함할 수 있고, 제4레이어(140)는 상부에서 하부 방향으로 순차적으로 하측 나노 실버 회로패턴(141) 및 하부 기재(142)를 포함할 수 있다. 더불어, 제5레이어(150)는 에폭시 레이어를 포함할 수 있고, 제8레이어(180)는 하부 케이스를 포함할 수 있다.
일반적으로, FPCB(Flexible PCB)로 형성된 절곡 영역은 절곡/굴절/벤딩 신뢰성(회로패턴이 단선되는 시기)이 대략 1만회를 한계로 보고 있으나, 본 발명의 실시예에서와 같이 상,하측 나노 실버 회로패턴(132,141)을 포함하는 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 대략 10만회 이상의 절곡/굴절/벤딩 신뢰성을 보증할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 이러한 나노 실버 회로패턴의 신뢰성을 이용하여, 절곡 영역(190)과 나노 실버 회로패턴(132,141)을 일체화하여 전반적인 키보드 장치(100)의 신뢰성과 성능을 동시에 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)의 절곡 영역(190)을 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 이용된 극 나노 실버 도전재와 일반 실버 도전재를 도시한 사진이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 제1레이어(110), 제2레이어(120), 제3레이어(130), 제4레이어(140) 및 제8레이어(180)의 길이 방향에 대하여 대략 수직 방향으로 직선 형태의 절곡 영역(190)이 형성될 수 있다. 절곡 영역(190)은 키보드 장치(100)의 길이 방향에 대하여 대략 중간 정도에 형성될 수 있으나, 본 발명이 이러한 절곡 영역(190)의 위치를 한정하는 것은 아니다. 절곡 영역(190)은 예를 길이 방향의 대략 1/3 영역 또는 2/3 영역에 형성될 수도 있다.
한편, 제3레이어(130)에, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 대략 길이 방향으로 다수의 상측 나노 실버 회로패턴(132)이 형성되고, 이러한 다수의 상측 나노 실버 회로패턴(132)은 절곡 영역(190)을 통과하여 지나갈 수 있다.
또한, 제4레이어(140)에, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 대략 폭 방향으로 다수의 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 형성되고, 이러한 다수의 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 절곡 영역(190)을 통과하여 지나갈 수 있다.
여기서, 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및/또는 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 주요 재질이 나노 실버로 형성됨으로써, 전기 전도성이 저하되지 않으면서도 연성 및 접착력이 우수하여 절곡 영역(190)에서 박리, 탈락, 벗겨짐 등의 현상이 발생하지 않는다. 특히, 절곡 영역(190)과 대응하는 영역에만 이러한 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및/또는 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 형성되고, 그 이외의 영역은 일반적인 저가의 카파 또는 알루미늄 회로패턴이 형성될 수도 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 극 나노 실버 소재(예를 들면, 크기가 1 nm 내지 20 nm, 좌측 도면)는 일반 실버 소재(예를 들면, 크기가 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 우측 도면)에 비해 그 크기가 훨씬 작고 구형에 가까운 특성을 갖는다. 일반적으로 실버는 융점이 대략 961 ℃로 알려져 있고, 플레이크 실버 분말도 대략 550 ~ 650 ℃ 사이에서 용융되기 시작하는 것으로 알려져 있다.
그러나, 실버 분말의 크기가 대략 100 nm 이하로 작아지면 대략 150 ℃ 이하에서도 융융된다. 심지어 2 nm급의 실버 입자는 융점이 실온까지 내려간다.
실버 분말 크기가 나노화됨에 따라 융점이 급격하게 낮아지게 되는데, 그 이유는 입자 크기가 나노화됨에 따라 전열면적, 표면 원자수 증가 및 이에 따른 반응성의 증가에 기인하는 것으로 생각된다.
이와 같이 하여, 본 발명의 실시예에서는 나노 크기의 실버 분말을 이용하여 저온에서 인쇄, 소결, 분사 및/또는 증착 방법 등을 이용하여 상부 기재(131) 및/또는 하부 기재(142)(예를 들면, 우레탄 필름, 피복, 섬유 등)에 나노 실버 회로패턴(132,1141)을 각각 형성할 수 있음을 알 수 있다. 여기서, 기재 우레탄 필름은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), PAN(polyacrylonitrile) 등의 플라스틱 기판을 의미할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)의 접힌 상태 및 접힌 상태의 터치 패드(171)를 도시한 사진이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 접힌 상태에서 대략 5 mm의 두께를 갖고 또한 대략 100 g보다 작은 무게를 갖는다. 더욱이, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 접힌 상태에서 전면/후면에 터치 패드(171)가 위치하게 되므로, 이러한 터치 패드(171)를 통하여 컴퓨터나 스마트폰 등에 다양한 입력 작업을 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 나노 실버 슬러리 준비 단계(S1)와, 인쇄 단계(S2)와, 소결 단계(S3)에 의해 형성될 수 있다.
나노 실버 슬러리 준비 단계(S1)에서는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 분해 온도가 상대적으로 낮은 네오데칸산(neodecanoic acid)과 같은 산성 용액과, 이러한 산성 용액에 분산된 대략 1 nm 내지 20 nm의 크기를 갖는 나노 실버 입자를 포함하는 나노 실버 슬러리를 준비한다. 여기서, 산성 용액으로서 올레익산(oleic acid)을 이용할 경우, 상술한 크기의 나노 실버 입자에 대한 융점은 대략 250℃까지 상승함으로써, 소결 단계에서 우레탄 필름, 피복 또는 섬유와 같은 상,하부 기재(131,142)가 변형되는 문제가 있다.
인쇄 단계(S2)에서는, 나노 실버 슬러리를 제3레이어(130)의 상부 기재(131) 및 제4레이어(140)의 하부 기재(142) 위에 각각 인쇄하고 건조한다. 여기서, 인쇄 패턴은 상술한 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)과 동일하다.
일례로, 한정하는 것은 아니지만, 인쇄는 잉크젯(inkjet) 방식, 스크린(screen) 방식, 그라비어(gravure) 방식, 플렉소(flexo) 방식 또는 오프셋(offset) 방식에 의해 수행될 수 있다. 이러한 각각의 인쇄 방식은 해상도 및/또는 형성 가능 두께가 상이하므로, 형성하고자 하는 회로패턴의 두께나 폭을 고려하여 적절히 선택하여 이용한다.
소결 단계(S3)에서, 상술한 방식으로 인쇄된 나노 실버 슬러리를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도로 소결하여, 상부 기재(131)에 상측 나노 실버 회로패턴(132)이 형성되도록 하고, 하부 기재(142)에 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 형성되도록 한다.
여기서, 비록 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 마치 동일 단계에서 형성되는 것으로 설명하였으나, 이는 일례에 불과하며, 별도의 독립된 단계에서 형성될 수 있음은 당연하다. 이러한 특징은 하기 도 9에서 설명하고 있는 형성 방법에도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 상술한 소결 단계는 일반적인 적외선 히터를 이용한 급속 열처리 장치에 의해 수행될 수 있으나, 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)의 열충격을 최소화하기 위해 플래시 램프를 이용한 방식이 이용될 수 있다. 플래시 램프(예를 들면, 제논 플래시 램프)는 수 ㎲의 조사 시간을 갖는 1샷(shot)으로 나노 실버 슬러리를 충분히 소결시킬 수 있는 에너지를 방출하며, 특히 이때 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)에 열이 거의 전달되지 않음으로써, 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)에 대한 열충격을 최소화하여 다양한 종류의 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)를 이용할 수 있도록 한다.
한편, 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 각각 두께 및 폭이 대략 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛로 형성될 수 있다. 두께 및 폭이 대략 0.1 ㎛보다 작으면 절곡 영역(190)에서 단선의 위험이 있고 또한 전기 저항이 상대적으로 커서 배터리 소모율이 클 수 있다. 또한 두께 및 폭이 대략 100 ㎛보다 크면, 인쇄 및 소결 시간이 오래 걸려 제조 수율이 저하될 수 있다.
더불어, 상술한 방식으로 제조된 상측 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 전기 전도도가 대략 2 내지 4 x 104 S/cm의 값을 갖는데 이는 벌크 실버(6.21 x 105 S/cm)의 전도도에 미치지 못하지만 증착된 실버 우레탄 필름에 준하는 결과로서, 통상의 회로패턴으로 사용하기에 충분하다.
또한, 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 나노 실버 입자(파우더), 우레탄 수지, 용액, 분산제 및 첨가제를 포함하는 실버 페이스트(슬러리)를 준비하고(실버 페이스트(슬러리) 준비 단계(S1)), 실버 페이스트를 상부 기재(131) 및 하부 기재(142) 위에 각각 인쇄하며(인쇄 단계(S2)), 인쇄된 실버 페이스트를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 10분 내지 60분간 소결하여 형성(소결 단계(S3))한 것일 수 있다. 여기서, 대부분의 공정 조건은 상술한 바와 유사하다. 예를 들면, 용액은 분해 온도가 상대적으로 낮은 네오데칸산(neodecanoic acid)과 같은 산성 용액일 수 있고, 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)는 우레탄 필름일 수 있으며, 소결 부재는 플래시 램프일 수 있다.
한편, 실버 페이스트는 마이크로 실버 입자(파우더)를 더 포함할 수 있다. 즉, 실버 페이스트는 대략 1 nm 내지 999 nm 크기의 나노 실버 입자와, 대략 1 ㎛ 내지 50 ㎛ 크기의 마이크로 실버 입자를 포함할 수 있다. 더불어, 전체 함량 대비 나노 실버 입자는 70 wt% 내지 90 wt%이고, 마이크로 실버 입자는 10 wt% 내지 30 wt%일 수 있다. 이러한 공정 조건에 의해 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 대략 2H 내지 3H의 경도를 가질 수 있다. 이와 같이 나노 단위와 마이크로 단위의 실버 입자가 이용됨으로써, 상호간 팩킹 밀도(packing density)가 향상되고, 굴곡성이 우수해지므로 기재(필름)가 늘어나도 실버 회로패턴이 쉽게 크랙되거나 깨지지 않는다.
더욱이, 상부 기재/하부 기재로서 우레탄 필름은 표면이 다공성이기 때문에, 실버 회로패턴과 접착력/접착성이 상당히 우수하며, 이에 따라 상부 기재/하부 기재가 늘어나도 실버 회로패턴이 쉽게 크랙되거나 깨지지 않게 되어, 웨이러블 디바이스에 적합하다.
또한, 실버 페이스트는 대략 350 메쉬(mesh) 내지 500 메쉬(mesh)의 사이즈를 갖는 플리에스텔 망사에 의해 우레탄 재질의 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)에 인쇄될 수 있다.
더불어, FSR(133)(예를 들면, 카본 페이스트) 역시 스크린 인쇄 방식에 의해 형성될 수 있는데, 이는 대략 200 메쉬 내지 300 메쉬의 사이즈를 갖는 망사에 의해 상측 나노 실버 회로패턴(132)에 형성될 수 있다. FSR(133)의 인쇄 시 상대적으로 낮은 메쉬의 망사를 이용하는 이유는 FSR(133)을 상대적으로 두껍게 인쇄해야 FSR의 품질 신뢰성이 확보되기 때문이다. 이러한 FSR(133)은 대략 3H의 경도를 갖는다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다. 또한, 도 10 및 도 11은 도 9에 도시된 방법 중에서 파쇄/충돌하기 이전 및 이후의 실버 분말 분포를 도시한 그래프이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 실버 분말 공급 단계(S21)와, 실버 분말 이송 단계(S22)와, 실버 분말 충돌/파쇄 단계(S23)와, 실버 회로패턴 형성 단계(S24)에 의해 형성될 수 있다.
실버 분말 공급 단계(S21) 및 실버 분말 이송 단계(S22)에서, 실버 분말 공급부로부터 대략 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 분말 입경 범위를 갖는 다수의 실버 분말을 공급받고, 이송 가스를 이용하여 실버 분말을 이송한다. 여기서, 이송 가스는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 헬륨, 질소, 아르곤, 산소, 공기일 수 있다. 또한,도 10에 도시된 바와 같이 실버 분말은 갯수에 있어서 하나의 피크를 갖는 정규 분포 특성을 가질 수 있다.
실버 분말 충돌/파쇄 단계(S23) 및 실버 회로패턴 형성 단계(S24)에서, 상술한 바와 같이 이송된 실버 분말을 공정 챔버 내의 상부 기재(131) 및 하부 기재(142) 위에 대략 100 내지 500 m/s의 속도로 충돌 및 파쇄시켜, 회로패턴 제1입경 범위를 갖는 다수의 제1나노 실버 입자와, 회로패턴 제1입경 범위보다 큰 회로패턴 제2입경 범위를 갖는 다수의 제2나노 실버 입자가 혼합된 형태로 회로패턴을 형성하도록 한다. 즉, 본 발명의 실시예에서 상대적으로 큰 제2입경 범위를 갖는 제2나노 실버 입자들 사이 사이에 상대적으로 직경이 작은 제1입경 범위를 갖는 제1나노 실버 입자들이 충진된 형태를 함으로써, 회로패턴의 기공률이 대략 0.01 % 내지 0.1% 정도로 작다. 이는 자갈 사이에 모래가 충진됨으로써, 기공률이 작은 원리와 유사하다.
더불어, 일반적으로 실버 분말을 플라스틱 기재에 충돌/파쇄시키면 증착되지 않고 플라스틱 기재가 식각되는 것으로 지금까지 알려져 왔으나, 본 발명의 실시예에서와 같은 분말 크기 및 분말 속도를 이용하게 되면, 기재의 식각대신 일정 두께의 피막층이 형성 또는 증착됨을 본 발명자는 알게 되었다. 이는 마치 눈덩어리를 벽에 계속 던지면 눈덩어리들이 대부분 벽에 충돌/파쇄되어 없어지지만 일부의 눈덩어리들이 잔존하면서 점차 층을 형성하는 원리와 유사하다고 생각된다.
또한, 공정 챔버는 저진공 상태이거나 또는 비진공 상태일 수 있음으로써, 저비용으로 회로패턴을 형성할 수 있고, 또한 이송 가스 및 공정 챔버의 온도가 실온(대략 10 ℃ 내지 30 ℃)일 수 있음으로써, 본 발명의 실시예에서 우레탄 필름, 피복, 천과 같은 융점이 상대적으로 낮은 상부 기재(131) 또는 하부 기재(142)의 표면에 직접 벌크 상태와 유사한 실버 회로패턴을 형성할 수 있게 된다.
한편, 제1나노 실버 입자의 회로패턴 제1입경 범위는 대략 1 nm 내지 900 nm이고, 제2나노 실버 입자의 회로패턴 제2입경 범위는 900 nm 내지 10 ㎛일 수 있다. 또한, 제1나노 실버 입자의 갯수는 제1입경 범위에서 하나의 피크를 이루고, 제2나노 실버 입자의 갯수는 제2입경 범위에서 하나의 피크를 이룰 수 있다. 즉, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1나노 실버 입자는 갯수에 있어 제2나노 실버 입자의 갯수보다 많으며 하나의 피크를 갖는 정규 분포 특성을 갖고, 또한 제2나노 실버 입자는 갯수에 있어 제1나노 실버 입자의 갯수보다 작으며 하나의 피크를 갖는 정규 분포 특성을 갖는다. 따라서, 크기가 크고 갯수가 작은 제2입자 사이에 크기가 작고 갯수가 많은 제1입자가 혼합된 형태를 하므로, 기공률이 현저히 작은(전기 전도도가 큰) 회로패턴을 구현하게 된다.
이와 같이 하여, 본 발명의 실시예는 저온에서 인쇄/소결, 분사 및/또는 증착될 수 있는 나노 실버 분말/입자를 이용하여 나노 실버 회로패턴을 형성함으로써, 전기 전도도 및 연성이 크고 접착력이 우수하며 절곡 영역(190)에서의 신뢰성이 우수한 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)를 제공하게 된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (14)

  1. 다수의 엠보싱 키가 배열된 제1레이어;
    상기 제1레이어의 하부에 상기 엠보싱 키와 대응되는 위치에 돌기 형태로 형성된 액튜에이터 범프가 배열된 제2레이어;
    상기 제2레이어의 하부에 키 매트릭스 중 Y 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 상측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제3레이어; 및
    상기 제3레이어의 하부에 키 매트릭스 중 X 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 하측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제4레이어를 포함하고,
    상기 제1레이어 내지 제4레이어는 길이 방향에 수직한 방향으로 접을 수 있는 공통의 절곡 영역을 더 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 상기 절곡 영역을 통과하여 절곡될 수 있으며,
    상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 나노 실버 도전재로 형성된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  3. 제 3 항에 있어서,
    상기 제3레이어는 상기 상측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 상부 기재를 더 포함하고,
    상기 제4레이어는 상기 하측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 하부 기재를 더 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 기재 및 하부 기재는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유를 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은
    산성 용액과, 상기 산성 용액에 분산된 1 nm 내지 20 nm의 나노 실버 입자를 포함하는 나노 실버 슬러리를 준비하고,
    상기 나노 실버 슬러리를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며,
    상기 인쇄된 상기 나노 실버 슬러리를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 소결하여 형성한 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 인쇄는 잉크젯(inkjet) 방식, 스크린(screen) 방식, 그라비어(gravure) 방식, 플렉소(flexo) 방식 또는 오프셋(offset) 방식에 의해 수행된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 각각 두께 및 폭이 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은
    실버 분말 공급부로부터 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 분말 입경 범위를 갖는 다수의 실버 분말을 공급받고, 이송 가스를 이용하여 상기 실버 분말을 이송하며,
    상기 이송된 실버 분말을 공정 챔버 내의 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 100 내지 500 m/s의 속도로 충돌 및 파쇄시켜, 회로패턴 제1입경 범위를 갖는 다수의 제1나노 실버 입자와, 상기 회로패턴 제1입경 범위보다 큰 회로패턴 제2입경 범위를 갖는 다수의 제2나노 실버 입자가 혼합된 회로패턴을 형성하고,
    상기 제1나노 실버 입자의 회로패턴 제1입경 범위는 1 nm 내지 900 nm이며, 상기 제2나노 실버 입자의 회로패턴 제2입경 범위는 900 nm 내지 10 ㎛이고,
    상기 제1나노 실버 입자의 갯수는 상기 제1입경 범위에서 하나의 피크를 이루고, 상기 제2나노 실버 입자의 갯수는 상기 제2입경 범위에서 하나의 피크를 이루는 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제4레이어의 하부에 하부 케이스가 더 결합되고, 상기 절곡 영역과 상기 하부 케이스의 사이에 팬 스프링 힌지가 더 결합된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하부 케이스의 하면에 터치 패드가 더 결합된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 초슬림 포켓형 키보드 장치는 몸에 착용할 수 있는 웨어러블 디바이스인 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  12. 제 3 항에 있어서,
    상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은
    나노 실버 입자, 우레탄 수지, 용액, 분산제 및 첨가제를 포함하는 실버 페이스트를 준비하고,
    상기 실버 페이스트를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며,
    상기 인쇄된 상기 실버 페이스트를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 10분 내지 60분간 소결하여 형성한 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 실버 페이스트는 마이크로 실버 입자를 더 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 실버 페이스트는 350 메쉬(mesh) 내지 500 메쉬(mesh)의 사이즈를 갖는 플리에스텔 망사에 의해 인쇄됨을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
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