WO2017073915A1 - Pn 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치 - Google Patents

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WO2017073915A1
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thin film
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transparent electrode
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안도열
박상준
송진동
양승현
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주식회사 페타룩스
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    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a PN junction device and an electronic device using the same, and more particularly, to a PN junction device transparent to visible light and an electronic device using the same.
  • Korean Patent Publication No. 10-2011-0072231, "Monopolar Vertical Transparent Diode,” includes a monopolar vertical transparent diode formed by stacking a substrate, a lower electrode, a ZnO thin film, a ZnMgO thin film, and an upper electrode in order. Is disclosed.
  • Transparent organic light emitting diode display device having a solar cell and a method of manufacturing the same includes a display unit including a transparent organic light emitting diode (OLED) display and a driving circuit, and Is formed directly below the transparent organic light emitting diode display, the solar cell converts light into electricity to assist the power of the device and is formed between the transparent organic light emitting diode display and the solar cell to perform an insulation function, the upper part of the solar cell Disclosed is a transparent organic light emitting diode display device comprising a transparent intermediate layer for controlling the transmittance of light reaching the target.
  • OLED transparent organic light emitting diode
  • An object of the present invention is to provide a transparent PN junction element and an electronic device using the same.
  • PN junction device for solving this problem includes a support substrate, a copper chloride (CuCl) thin film layer, a transparent electrode layer, a first electrode and a second electrode.
  • the capper chloride thin film layer is formed on the support substrate to operate as a P-type semiconductor layer.
  • the transparent electrode layer is formed on the copper chloride thin film layer to operate as an N-type semiconductor layer.
  • the first electrode is formed on the capper chloride thin film layer.
  • the second electrode is formed on the transparent electrode layer.
  • the transparent electrode layer may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the support substrate may be formed of any one of a glass substrate, a quartz substrate, an alumina substrate, a silicon substrate, and a gallium arsenide substrate.
  • the apparatus may further include a passivation layer covering the capperchloride thin film layer and the transparent electrode layer to expose a portion of the capperchloride thin film layer and the transparent electrode layer, wherein the first electrode and the second electrode are exposed through the passivation layer. It may be formed on the thin film of the chloride chloride layer and the transparent electrode layer, respectively.
  • a solar cell includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, and a plurality of solar cells connected in series between the first substrate and the second substrate. Contains a cell.
  • the solar cell includes a copper chloride (CuCl) thin film layer acting as a P-type semiconductor layer and a transparent electrode layer formed on the copper chloride thin film layer to operate as an N-type semiconductor layer.
  • CuCl copper chloride
  • the transparent electrode layer may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the solar cell may further include an encapsulant that bonds the first substrate and the second substrate to protect the solar cell.
  • a solar cell is a flat panel display including a plurality of pixels, each of which includes a switching transistor, a driving transistor, and a light emitting device.
  • the switching transistor is turned on or off depending on whether a scan signal is applied.
  • the driving transistor is applied with a pixel signal when the switching transistor is turned on.
  • the light emitting element is driven by the driving transistor to emit light.
  • the light emitting device includes a copper chloride (CuCl) thin film layer acting as a P-type semiconductor layer and a transparent electrode layer formed on the copper chloride thin film layer to operate as an N-type semiconductor layer.
  • CuCl copper chloride
  • the transparent electrode layer may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • each of the pixels may further include a storage capacitor for maintaining light emission of the light emitting device for one frame.
  • each of the pixels may further include a phosphor layer formed on the transparent electrode layer.
  • the PN junction element composed of a copper chloride (CuCl) thin film layer operating as a P-type semiconductor layer and a transparent electrode layer formed on the copper chloride thin film layer operating as an N-type semiconductor layer according to the present invention has a band gap in the ultraviolet region. By having this, it is possible to implement an electronic device that is transparent to visible light having good performance.
  • CuCl copper chloride
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a PN junction device according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 is a sectional view showing a PN junction device according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a cross-sectional view showing an exemplary embodiment of a solar cell to which the PN junction device of the present invention is applied.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIG. 4.
  • first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
  • the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
  • the term “formed on” or “formed on” a film (or layer) means that in addition to being directly formed to be in contact, another film or other layer may be formed therebetween, “Formed directly” on a layer means that no other layer is interposed therebetween.
  • Figure 1 is a cross-sectional view showing a PN junction device according to an exemplary embodiment of the present invention
  • Figure 2 is a cross-sectional view showing a PN junction device according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • a PN junction device may include a support substrate 110, a copper chloride (CuCl) thin film layer 120, a transparent electrode layer 130, a first electrode 140, and The second electrode 150 is included.
  • CuCl copper chloride
  • the support substrate 110 may be any one of a glass substrate, a quartz substrate, an alumina substrate, a silicon substrate, and a gallium arsenide substrate.
  • the capper chloride thin film layer 120 is formed on the support substrate 110 to operate as a P-type semiconductor layer.
  • a buffer layer for growing a copper chloride thin film layer 120 having a good lattice structure on the support substrate 110 is further included, and the capper chloride thin film layer 120 is disposed on the buffer layer (not shown). May be formed.
  • the buffer layer (not shown) may be composed of, for example, a copper chloride or transparent single crystal silicon layer.
  • the copper blend I-VII compound semiconductor has a lattice constant similar to that of silicon, and thus a high quality thin film can be formed.
  • the n-type semiconductor layer 110 may be formed on the (111) surface of the buffer layer.
  • the lattice constant can be similar to form a high quality copper chloride thin film layer.
  • CuCl copper chloride
  • the (111) face of the silicon substrate is suitable for the crystal structure of CuCl, which may be stacked on the substrate.
  • I-V compound semiconductors can have relatively large exciton binding energy, eg, at least twice as much exciton binding energy as those of group III nitrides, thereby improving quantum efficiency. .
  • copper chloride is used as the PN junction element in the I-V compound semiconductor shown in [Table 1], because CuBr and CuI are part of the visible light region because the band gap energy is present in the visible light region. By absorbing light of wavelengths, it is not suitable to be utilized as a complete transparent device.
  • the transparent electrode layer 130 is formed on the copper chloride thin film layer 120 to operate as an N-type semiconductor layer.
  • the transparent electrode layer may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • the first electrode 140 is formed on the capper chloride thin film layer 120, and the second electrode 150 is formed on the transparent electrode layer.
  • the PN junction device may expose the copper chloride thin film layer 120 and a part of the transparent electrode layer 130 in the embodiment shown in FIG. 1.
  • the passivation layer 160 may further include a copper chloride thin film layer 120 and the transparent electrode layer 130.
  • the first electrode 140 and the second electrode 150 may be formed on the copper chloride thin film layer 120 and the transparent electrode layer 130 exposed through the passivation layer 160, respectively.
  • Such a PN junction element is excellent in quantum efficiency and has a bandgap energy in the ultraviolet region, whereby high quality transparency can be achieved.
  • FIG 3 is a cross-sectional view showing an exemplary embodiment of a solar cell to which the PN junction device of the present invention is applied.
  • the solar cell 300 may include a first substrate 310, a second substrate 320 disposed to face the first substrate 310, and the first substrate 310. Between the first substrate 310 and the second substrate 320, a plurality of solar cells are connected in series.
  • the solar cell 300 may further include an encapsulant 340 that bonds the first substrate 310 to the second substrate 320 and protects the solar cell.
  • the solar cell includes a copper chloride (CuCl) thin film layer 120 operating as a P-type semiconductor layer and a transparent electrode layer 130 formed on the copper chloride thin film layer 120 to operate as an N-type semiconductor layer.
  • the transparent electrode layer 130 may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • the solar cell 300 further includes a connection structure 330.
  • the first substrate 310 may be, for example, a transparent substrate, and a glass substrate may be used.
  • the transparent electrode layer 130 is formed on the first substrate 310, and a capper chloride thin film layer 120 is formed thereon.
  • the copper chloride thin film layer 120 may be formed to be offset from each other, through which the connection structure 330 connects the transparent electrode layer 130 and the copper chloride thin film layer 120 of the neighboring solar cell.
  • the solar cell 300 is transparent to visible rays and generates power by ultraviolet rays, so it is used in a skylight. Can be.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a flat panel display device is a flat panel display device composed of a plurality of pixels PX, and each of the pixels PX includes a switching transistor as shown in FIG. 4. s-TFT), driving transistor d-TFT, and light emitting device PN-d.
  • each of the pixels PX may further include a storage capacitor Cs for maintaining light emission of the light emitting device PN-d for one frame.
  • the plurality of pixels PX may be arranged in a matrix shape along the row direction and the column direction.
  • the difference between the driving voltage Vcc and the cathode voltage Vcath Vcc-Vcath may be fixed at approximately 20V, and the size of the circuit element may be fixed at a frame rate of 60 Hz.
  • the switching transistor s-TFT is turned on or off depending on whether the scan signal Vscan is applied.
  • the pixel signal Vsig is applied to the driving transistor d-TFT when the switching transistor s-TFT is turned on.
  • the light emitting device PN-d is driven by the driving transistor d-TFT to emit light.
  • the light emitting device PN-d includes a copper chloride (CuCl) thin film layer acting as a P-type semiconductor layer and a transparent electrode layer formed on the copper chloride thin film layer and operating as an N-type semiconductor layer.
  • the transparent electrode layer may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • the scan signal Vscan is applied to the gate electrode of the switching transistor s-TFT, and the scan signal Vscan is applied to the drain electrode of the scan signal Vscan.
  • the source electrode of the switching transistor s-TFT is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor d-TFT, and the drain electrode of the driving transistor d-TFT is electrically connected to the driving voltage Vcc.
  • the source electrode of the driving transistor d-TFT may be electrically connected to the anode electrode of the light emitting device PN-d.
  • the cathode of the light emitting device PN-d is connected to the cathode voltage Vcath.
  • a first electrode of the storage capacitor Cs is electrically connected to a gate electrode of the driving transistor d-TFT, and a second electrode of the storage capacitor Cs is a drain of the driving transistor d-TFT. It may be connected to the electrode.
  • the scan signal Vscan is applied to the gate electrode of the switching transistor s-TFT and the pixel signal Vsig is applied to the drain electrode of the switching transistor s-TFT, the pixel signal Vsig is driven. It is applied to the gate electrode of the transistor (d-TFT) to turn on the driving transistor (d-TFT), accordingly, a current flows between the driving voltage (Vcc) and the cathode voltage (Vcath) to the light emitting device (PN- d).
  • such a configuration is merely exemplary, and may be composed of any circuit for driving the pixel PX employing the light emitting element PN-d.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIG. 4.
  • a pixel of a flat panel display device includes a plurality of thin film transistors, and the driving thin film transistor 120 among the plurality of thin film transistors is disposed on the substrate 100.
  • the gate electrode 521, the source electrode 522, the drain electrode 523, and the semiconductor layer 524 are included.
  • the driving transistor d-TFT is disclosed in FIG. 5, other switching transistors may have the same structure.
  • the driving transistor d-TFT may further include a gate insulating film 513 and an interlayer insulating film 515.
  • the structure of the driving transistor d-TFT is not limited to the type disclosed in FIG. 5 and may be configured in other forms.
  • a buffer layer 511 may be further disposed between the driving transistor d-TFT and the first substrate 100.
  • the buffer layer 511 may be formed of an organic film.
  • a planarization film 517 is disposed to insulate and protect a driving element such as the driving transistor d-TFT.
  • the planarization film 517 may be made of an inorganic film or an organic film.
  • the first electrode 200 is formed on the planarization layer 517.
  • the first electrode 200 is electrically connected to the source electrode 522 of the driving transistor d-TFT.
  • a pixel defining layer 590 is formed between the first electrodes 200.
  • the pixel defining layer 590 is formed of an insulating material to define a pixel area on the first electrode 520.
  • the pixel definition layer 590 may cover an end portion of the first electrode 520.
  • a capper thin film layer 530 is formed independently for each of the defined pixels of the pixel definition layer 590.
  • a second electrode layer 540 is formed on the capper thin film layer 530.
  • the second electrode layer 540 is composed of a transparent electrode layer including indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the capper chloride thin film layer 530 and the second electrode layer 540 which is a transparent electrode layer, have a band gap in the ultraviolet region, and thus, the capper chloride thin film layer 530 and the transparent electrode layer are formed. Light in the ultraviolet region is generated between the second electrode layers 540.
  • the light emitting device PN-d further includes a phosphor layer 550 to convert the light into visible light.
  • the phosphor layer 550 may be formed of one phosphor layer 550 that emits visible light of the same wavelength, and in order to represent a color image, as illustrated, a red phosphor layer R and a green phosphor layer ( G) and a blue phosphor layer (B) may be formed.
  • the phosphor layer 550 which emits visible inertia of the same wavelength, the phosphor layer 550 is not distinguished by the pixel definition layer 590, and may be formed as a single layer like the second electrode layer 540.
  • R green phosphor layer
  • B blue phosphor layer
  • a PN junction element formed of a copper chloride (CuCl) thin film layer operating as a P-type semiconductor layer and a transparent electrode layer formed on the copper chloride thin film layer and operating as an N-type semiconductor layer is characterized by By having a band gap, an electronic device transparent to visible light having good performance can be realized.

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Abstract

투명한 PN 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치가 제공된다. 이러한 PN 접합 소자는, 지지 기판, 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층, 투명 전극층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 상기 카퍼클로라이드 박막층은 상기 지지 기판 상에 형성되어, P형 반도체층으로 동작한다. 상기 투명 전극층은 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작한다. 상기 제1 전극은 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성된다. 상기 제2 전극은 상기 투명 전극층 상부에 형성된다. 또한, 상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.

Description

PN 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치
본 발명은 PN 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치에 관한 것으로, 보다 상세히 가시광선에 대해 투명한 PN 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치에 관한 것이다.
오늘날 수많은 전자기기들이 사용되어지고 있다. 특히, 영화나 드라마 등에서 투명한 디스플레이 등이 사용되고 있으며, 점차로 대중화될 전망이다. 이러한 투명한 전자장치를 구현하기 위해서는 기본 소자로 사용되는 투명 PN 접합 소자가 필수적이다.
이러한 기술중, 대한민국 특허공개 10-2011-0072231호, "단극성 수직형 투명 다이오드"에는, 기판, 하부 전극, ZnO 박막, ZnMgO 박막 및 상부 전극이 순서대로 적층되어 이루어진 단극성 수직형 투명 다이오드가 개시되어 있다.
또한, 대한민국 특허공개 10-2011-0014326호, "태양전지를 구비한 투명 유기발광다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법"에는, 투명 유기발광다이오드(OLED) 디스플레이 및 구동 회로를 포함하는 디스플레이부와, 상기 투명 유기발광다이오드 디스플레이 직하단에 형성되어, 빛을 전기로 변환시켜 기기의 전력을 보조하는 태양전지 및 상기 투명 유기발광다이오드 디스플레이와 상기 태양전지 사이에 형성되어 절연 기능을 수행하고, 상기 태양전지 상부에 도달하는 빛의 투과도를 조절하는 투명 중간층을 포함하는 투명 유기발광다이오드 디스플레이 장치가 개시되어 있다.
이와 같이, 투명한 전자소자 및 투명한 소자를 통해 구현되는 다양한 기술개발이 요구되어 지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 이와 같이, 투명한 PN 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치를 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 예시적인 실시예들에 의한 PN 접합 소자는, 지지 기판, 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층, 투명 전극층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 상기 카퍼클로라이드 박막층은 상기 지지 기판 상에 형성되어, P형 반도체층으로 동작한다. 상기 투명 전극층은 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작한다. 상기 제1 전극은 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성된다. 상기 제2 전극은 상기 투명 전극층 상부에 형성된다.
예컨대, 상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 지지 기판은 글래스 기판, 쿼츠 기판, 알루미나 기판, 실리콘 기판, 갈륨비소 기판 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 상기 카퍼클로라이드 박막층 및 상기 투명 전극층의 일부를 노출시키도록 상기 카퍼클로라이드 박막층 및 상기 투명 전극층을 커버하는 패시베이션층을 더 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 패시베이션층을 통해서 노출된 카퍼클로라이드 박막층 및 투명 전극층에 각각 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 태양전지는, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하게 배치된 제2 기판 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에, 다수개가 직렬로 연결된 태양전지셀을 포함한다. 상기 태양전지 셀은 P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층 및 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층을 포함한다.
예컨대, 상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 태양전지는, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접착하며, 상기 태양전지 셀을 보호하는 봉지재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 태양전지는, 다수의 화소들로 구성되는 평판표시장치로서, 상기 각각의 화소들은, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 발광 소자를 포함한다. 상기 스위칭 트랜지스터는 스캔 신호의 인가 여부에 따라서, 온(On)/오프(Off) 된다. 상기 구동 트랜지스터는 상기 스위칭 트랜지스터가 온(On) 되는 경우, 화소 신호가 인가된다. 상기 발광 소자는 상기 구동 트랜지스터에 의해 구동되어 발광한다. 이때, 상기 발광 소자는, P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층 및 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층을 포함한다.
예컨대, 상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 각각의 화소들은 한 프레임 동안 상기 발광 소자의 발광을 유지시키기 위한 저장 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 각각의 화소들은 상기 투명 전극층 상부에 형성된 형광체층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층과, 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층으로 구성되는 PN 접합 소자는 자외선 영역의 밴드갭을 가짐으로써, 양호한 성능의 가시광에 투명한 전자소자를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 PN접합 소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 PN접합 소자를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 PN접합 소자를 적용한 태양전지의 예시적인 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 평판표시장치의 회로도이다.
도 5는 도 4에서 도시된 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 평판표시장치를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서 막(또는 층) "위에 형성된다", "상에 형성된다"는 의미는 접촉되도록 직접 형성되는 것 이외에, 그 사이에 다른 막 또는 다른 층이 형성될 수도 있음을 의미하여, 막 또는 층 위에 "직접 형성된다"는 의미는 그 사이에 다른 층이 개재되지 못함을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 PN접합 소자를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 PN접합 소자를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 의한 PN 접합 소자는, 지지 기판(110), 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층(120), 투명 전극층(130), 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)을 포함한다.
상기 지지 기판(110)은 글래스 기판, 쿼츠 기판, 알루미나 기판, 실리콘 기판, 갈륨비소 기판 중 어느 하나일 수 있다.
상기 카퍼클로라이드 박막층(120)은 상기 지지 기판(110) 상에 형성되어, P형 반도체층으로 동작한다. 도시되진 않았으나, 상기 지지 기판(110) 상에, 양질의 격자구조를 갖는 카퍼클로라이드 박막층(120)을 성장시키기 위한 버퍼층을 더 포함하고, 상기 버퍼층(도시안됨) 상부에 상기 카퍼클로라이드 박막층(120)을 형성할 수도 있다. 상기 버퍼층(도시안됨)은 예컨대, 카퍼클로라이드 또는 투명 단결정 실리콘층으로 구성될 수 있다.
아래의 [표 1]에서 도시된 것과 같이 구리블렌드 I-VII 화합물 반도체는 실리콘과 격자상수가 유사하여 양질의 박막형성이 가능하다. 보다 바람직하게, n-형 반도체층(110)은 버퍼층의 (111) 면 위에 형성될 수 있다.
격자상수(옹스트롬) 밴드갭 에너지 (eV)
Si 5.43 1.1 (indirect)
CuCl 5.42 3.399
CuBr 5.68 2.91
CuI 6.05 2.95
사파이어와 같은 더 값비싼 종래 기판 재료와 비교하여, 상대적으로 저렴한 글래스 기판에 실리콘 버퍼층을 구성하고, 카퍼클로라이드를 형성하면 격자상수가 유사하여 양질의 카퍼클로라이드 박막층을 형성할 수 있다.
또한, 실리콘이 다이아몬드 구조를 갖는 것으로 알려져 있는 한편, 카퍼클로라이드(CuCl)는 다이아몬드 구조와 동등한 징크블렌드(zincblende) 구조를 갖는다. 특히, 실리콘 기판의 (111) 면은, 기판 상에 스택 (stack) 될 수도 있는, CuCl의 결정 구조에 적합하다.
Ⅰ- Ⅶ 화합물 반도체는 상대적으로 큰 여기자 결합 에너지 (exciton binding energy), 예를 들면, Ⅲ 족 질화물의 것들에 비해 적어도 2배 더 큰 여기자 결합 에너지를 가질 수 있는데 이로 인해서 양자 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서는 [표 1]에서 도시된 Ⅰ- Ⅶ 화합물 반도체중에서 커퍼클로라이드를 PN 접합 소자로 채용하는데, 그 이유는 CuBr 및 CuI는 밴드갭 에너지가 가시광선 영역에 존재하게 되므로, 가시광선 영역의 일부의 파장의 빛을 흡수함으로써, 완전한 투명 소자로 활용되기에는 부적합하다.
상기 투명 전극층(130)은 상기 카퍼클로라이드 박막층(120) 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작한다. 예컨대, 상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(140)은 상기 카퍼클로라이드 박막층(120) 상부에 형성되고, 상기 제2 전극(150)은 상기 투명 전극층 상부에 형성된다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 PN접합 소자는, 도 1에서 도시된 실시예에서 상기 카퍼클로라이드 박막층(120) 및 상기 투명 전극층(130)의 일부를 노출시키도록 상기 카퍼클로라이드 박막층(120) 및 상기 투명 전극층(130)을 커버하는 패시베이션층(160)을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 전극(140) 및 상기 제2 전극(150)은 상기 패시베이션층(160)을 통해서 노출된 카퍼클로라이드 박막층(120) 및 투명 전극층(130)에 각각 형성될 수 있다.
이러한 PN 접합 소자는, 양자 효율이 우수하고, 또한, 자외선 영역대의 밴드갭 에너지를 가짐으로써, 양질의 투명화를 달성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 PN접합 소자를 적용한 태양전지의 예시적인 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 태양전지(300)는, 제1 기판(310), 상기 제1 기판(310)에 대향하게 배치된 제2 기판(320) 및 상기 제1 기판(310)과 상기 제2 기판(320) 사이에, 다수개가 직렬로 연결된 태양전지셀을 포함한다. 상기 태양전지(300)는, 상기 제1 기판(310)과 상기 제2 기판(320)을 접착하며, 상기 태양전지 셀을 보호하는 봉지재(340)를 더 포함할 수 있다.
상기 태양전지 셀은 P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층(120) 및 상기 카퍼클로라이드 박막층(120) 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층(130)을 포함한다. 예컨대, 상기 투명 전극층(130)은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.
상기 태양전지 셀들을 직렬로 연결하기 위해서, 상기 태양전지(300)는 연결구조체(330)를 더 포함한다.
보다 상세히, 상기 제1 기판(310)는 예컨대, 투명기판으로서, 글래스 기판이 사용될 수 있다. 상기 제1 기판(310)에는 상기 투명 전극층(130)이 형성되며, 그 상부에 카퍼클로라이드 박막층(120)이 형성된다. 이때, 상기 카퍼클로라이드 박막층(120)은 서로 어긋나도록 형성될 수 있으며, 이를 통해서, 연결구조체(330)는 이웃하는 태양전지 셀의 투명 전극층(130)과 카퍼클로라이드 박막층(120)을 연결한다.
이러한 태양전지(300)는 앞서 살펴본 바와 같이, P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층의 밴드갭이 자외선 영역이므로, 가시광선에 투명하며, 자외선에 의해서 전력을 생성하므로, 채광창에 활용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 평판표시장치의 회로도이다.
본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 평판표시장치는 다수의 화소들(PX)로 구성되는 평판표시장치로서, 상기 각각의 화소들(PX)은, 도 4에서 도시된 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(s-TFT), 구동 트랜지스터(d-TFT) 및 발광 소자(PN-d)를 포함한다. 또한, 상기 각각의 화소들(PX)은 한 프레임 동안 상기 발광 소자(PN-d)의 발광을 유지시키기 위한 저장 캐패시터(Cs)를 더 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 다수의 화소들(PX)은 행방향 및 열방향을 따라서, 매트릭스 형상으로 배치될 수 있다.
예컨대, 구동전압(Vcc)과 캐소드 전압(Vcath)의 차(Vcc-Vcath)는 대략 20V로 고정될 수 있으며, 회로요소의 크기는 60Hz의 프레임 속도로 고정될 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터(s-TFT)는 스캔 신호(Vscan)의 인가 여부에 따라서, 온(On)/오프(Off) 된다. 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)는 상기 스위칭 트랜지스터(s-TFT)가 온(On) 되는 경우, 화소 신호(Vsig)가 인가된다. 상기 발광 소자(PN-d)는 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)에 의해 구동되어 발광한다. 이때, 상기 발광 소자(PN-d)는, P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층 및 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층을 포함한다. 예컨대, 상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.
이를 위하여, 스위칭 트랜지스터(s-TFT)의 게이트 전극은 상기 스캔 신호(Vscan)가 인가되고, 상기 스캔 신호(Vscan)의 드레인 전극은 스캔 신호(Vscan)가 인가된다. 상기 스위칭 트랜지스터(s-TFT)의 소오스 전극은 구동 트랜지스터(d-TFT)의 게이트 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)의 드레인 전극은 구동전압(Vcc)과 전기적으로 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)의 소오스 전극은 발광 소자(PN-d)의 애노드 전극와 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(PN-d)의 캐소드 전극은 캐소드 전압(Vcath)과 연결된다. 한편, 저장 캐패시터(Cs)의 제1 전극은 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)의 게이트 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 저장 캐패시터(Cs)의 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)의 드레인 전극과 연결될 수 있다.
따라서, 스캔 신호(Vscan)가 스위칭 트랜지스터(s-TFT)의 게이트 전극에 인가되고, 화소 신호(Vsig)가 스위칭 트랜지스터(s-TFT)의 드레인 전극에 인가되면, 상기 화소 신호(Vsig)는 구동 트랜지스터(d-TFT)의 게이트 전극에 인가되어 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)를 턴온하며, 그에 따라서, 전류가 구동전압(Vcc)과 캐소드 전압(Vcath) 사이를 흐르게 되어 상기 발광 소자(PN-d)를 구동시킨다.
한편, 이러한 구성은 예시적인 것일 뿐, 상기 발광 소자(PN-d)를 채용하는 화소(PX)를 구동하기 위한 임의의 회로로 구성될 수도 있다.
도 5는 도 4에서 도시된 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 평판표시장치를 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 평판표시장치의 화소는 복수개의 박막 트랜지스터를 포함하며, 복수개의 박막 트랜지스터 중 구동 박막 트랜지스터(120)는 기판(100)상에 배치된 게이트 전극(521), 소오스 전극(522), 드레인 전극(523) 및 반도체층(524)을 포함한다. 도 5에서 구동 트랜지스터(d-TFT)만 개시되어 있으나 다른 스위칭 트랜지스터도 동일한 구조를 가질 수 있다.
또한, 구동 트랜지스터(d-TFT)는 게이트 절연막(513) 및 층간 절연막(515)을 더 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(d-TFT)의 구조는 상기 도 5에 개시된 형태에 한정되지 않으며, 다른 형태로 구성될 수도 있다. 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)와 제 1 기판(100) 사이에 버퍼층(511) 더 배치될 수 있다. 버퍼층(511)은 유기막으로 이루어질 수도 있다.
구동 트랜지스터(d-TFT) 상에, 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)와 같은 구동소자를 절연 및 보호하는 평탄화막(517)이 배치된다. 평탄화막(517)은 무기막으로 이루어질 수도 있고 유기막으로 이루어질 수도 있다.
상기 평탄화막(517)상에 제 1 전극(200)이 형성된다. 상기 제1 전극(200)은 상기 구동 트랜지스터(d-TFT)의 소오스 전극(522)와 전기적으로 연결된다.
제 1 전극(200)들 사이에 화소 정의막(PDL: pixel defining layer, 590)이 형성된다. 상기 화소정의막(590)은 절연성을 갖는 재료로 형성되어, 상기 제 1 전극(520)상에 화소 영역을 정의한다. 상기 화소정의막(590)은 제 1 전극(520)의 단부를 덮을 수 있다.
상기 화소정의막(590) 사이로 노출된 상기 제 1 전극(200) 상에는 카퍼클로라이드 박막층(530)이 상기 화소정의막(590)의 정의된 화소들마다 독립적으로 형성된다. 또한, 상기 카퍼클로라이드 박막층(530) 상부에는 제2 전극층(540)이 형성된다. 상기 제2 전극층(540)은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함하는 투명전극층으로 구성된다. 도4에서 살펴본 바와 같이 캐소드 전압(Vcath)은 각 화소마다 공통전압을 인가할 수 있으므로, 상기 제2 전극층(540)은 도 5에서 도시된 바와 같이, 화소정의막(590)에 의해 분리되지 않도록 형성될 수 있다.
앞선 도 1에 대한 설명에서 살펴본 바와 같이, 상기 카퍼클로라이드 박막층(530)과 투명전극층인 상기 제2 전극층(540)은 자외선 영역의 밴드갭을 가지므로, 상기 카퍼클로라이드 박막층(530)과 투명전극층인 상기 제2 전극층(540) 사이에서는 자외선 영역의 광이 발생된다.
따라서, 이를 가시광선으로 전환시키기 위해서 상기 발광 소자(PN-d)는 형광체층(550)을 더 포함한다. 상기 형광체층(550)은 동일한 파장의 가시광선을 발광하는 하나의 형광체층(550)으로 형성될 수도 있고, 컬러이미지를 표현하기 위해서, 도시된 바와 같이 레드 형광체층(R), 그린 형광체층(G) 및 블루 형광체층(B)을 형성할 수도 있다.
동일한 파장의 가시관성을 발광하는 형광체층(550)인 경우에는 상기 화소정의막(590)에 의해 구분되지 않고, 상기 제2 전극층(540)과 같이 단일막으로 형성할 수도 있으나, 레드 형광체층(R), 그린 형광체층(G) 및 블루 형광체층(B)을 형성하는 경우에는 상기 화소정의막(590)에 의해 구분되어지도록 형성한다.
이와 같이, 본 발명에 의한 P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층과, 상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층으로 구성되는 PN 접합 소자는 자외선 영역의 밴드갭을 가짐으로써, 양호한 성능의 가시광에 투명한 전자소자를 구현할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 지지 기판;
    상기 지지 기판 상에 형성되어, P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층;
    상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층;
    상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성된 제1 전극; 및
    상기 투명 전극층 상부에 형성된 제2 전극;
    을 포함하는 PN 접합 소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 PN 접합 소자.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 글래스 기판, 쿼츠 기판, 알루미나 기판, 실리콘 기판, 갈륨비소 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 PN 접합 소자.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 카퍼클로라이드 박막층 및 상기 투명 전극층의 일부를 노출시키도록 상기 카퍼클로라이드 박막층 및 상기 투명 전극층을 커버하는 패시베이션층을 더 포함하고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 패시베이션층을 통해서 노출된 카퍼클로라이드 박막층 및 투명 전극층에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 PN 접합 소자.
  5. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하게 배치된 제2 기판; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에, 다수개가 직렬로 연결된 태양전지 셀;
    을 포함하고,
    상기 태양전지 셀은.
    P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층; 및
    상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접착하며, 상기 태양전지 셀을 보호하는 봉지재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 다수의 화소들로 구성되는 평판표시장치로서,
    상기 각각의 화소들은,
    스캔 신호의 인가 여부에 따라서, 온(On)/오프(Off) 되는 스위칭 트랜지스터;
    상기 스위칭 트랜지스터가 온(On) 되는 경우, 화소 신호가 인가되는 구동 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터에 의해 구동되어 발광하는 발광 소자;
    를 포함하고,
    상기 발광 소자는,
    P형 반도체층으로 동작하는 카퍼클로라이드(CuCl) 박막층; 및
    상기 카퍼클로라이드 박막층 상부에 형성되어, N형 반도체층으로 동작하는 투명 전극층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐징크옥사이드(IZO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 각각의 화소들은 한 프레임 동안 상기 발광 소자의 발광을 유지시키기 위한 저장 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 각각의 화소들은 상기 투명 전극층 상부에 형성된 형광체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101878666B1 (ko) * 2016-11-11 2018-08-16 순천대학교 산학협력단 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드 및 이를 포함하는 조명 장치
KR101898858B1 (ko) 2017-03-13 2018-10-29 주식회사 페타룩스 태양 전지
KR101883176B1 (ko) 2017-08-29 2018-08-24 주식회사 페타룩스 할로겐화구리 컬러 광센서 구조 및 제조방법
KR102202706B1 (ko) 2018-11-21 2021-01-13 한양대학교 산학협력단 하이브리드 반도체 소자 및 그 제조방법
CN109713025A (zh) * 2019-02-12 2019-05-03 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050023840A (ko) * 2003-09-03 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR101047476B1 (ko) * 2010-06-15 2011-07-07 한국과학기술연구원 초임계유체 또는 아임계유체를 이용한 양자점 감응형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 양자점 감응형 태양전지
KR20120057646A (ko) * 2009-11-18 2012-06-05 서울시립대학교 산학협력단 구리 블렌드 ⅰ- ⅶ 화합물 반도체 발광 디바이스
KR20130063165A (ko) * 2011-12-06 2013-06-14 연세대학교 산학협력단 용액 공정 기반의 정공 전도층 제조방법 및 이를 이용한 유기태양전지의 제조방법
KR20140003124A (ko) * 2012-06-29 2014-01-09 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 반도체 발광 디바이스

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS647480A (en) * 1987-06-30 1989-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Secondary photocell
JP3950940B2 (ja) * 2002-07-25 2007-08-01 株式会社椿本チエイン ブッシュの製造方法
JP2008277626A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Nec Lighting Ltd 発光デバイス及びその製造方法
US20100020998A1 (en) * 2008-07-28 2010-01-28 Plantronics, Inc. Headset wearing mode based operation
KR101036356B1 (ko) 2009-08-05 2011-05-23 한국과학기술원 태양전지를 구비한 투명 유기발광다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101183111B1 (ko) 2009-12-22 2012-09-20 경희대학교 산학협력단 단극성 수직형 투명 다이오드
KR20120011788A (ko) * 2010-07-23 2012-02-08 삼성전자주식회사 네비게이션 수신기에 수신된 신호를 이용하여 위치를 결정하는 방법 및 장치
US20140283900A1 (en) * 2011-10-27 2014-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell module having laminated glass structure
US9159700B2 (en) * 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050023840A (ko) * 2003-09-03 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120057646A (ko) * 2009-11-18 2012-06-05 서울시립대학교 산학협력단 구리 블렌드 ⅰ- ⅶ 화합물 반도체 발광 디바이스
KR101047476B1 (ko) * 2010-06-15 2011-07-07 한국과학기술연구원 초임계유체 또는 아임계유체를 이용한 양자점 감응형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 양자점 감응형 태양전지
KR20130063165A (ko) * 2011-12-06 2013-06-14 연세대학교 산학협력단 용액 공정 기반의 정공 전도층 제조방법 및 이를 이용한 유기태양전지의 제조방법
KR20140003124A (ko) * 2012-06-29 2014-01-09 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 반도체 발광 디바이스

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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