WO2017069339A1 - Light-emitting device package and manufacturing method therefor - Google Patents
Light-emitting device package and manufacturing method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- WO2017069339A1 WO2017069339A1 PCT/KR2015/014224 KR2015014224W WO2017069339A1 WO 2017069339 A1 WO2017069339 A1 WO 2017069339A1 KR 2015014224 W KR2015014224 W KR 2015014224W WO 2017069339 A1 WO2017069339 A1 WO 2017069339A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- diode device
- buffer layer
- phosphor layer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
Definitions
- the buffer layer 2500 is disposed in an area except for the region where the bonding pad is formed between the upper surface of the light emitting diode element and the lower surface of the phosphor layer, so that heat generated from the upper surface of the light emitting diode element is lower than the lower surface of the phosphor layer. At the same time, the lower surface of the phosphor layer is suppressed from being separated from the upper surface of the light emitting diode device.
- the phosphor layer 2400 having a uniform thickness and having bonding holes 2410 and 2420 formed to expose the bonding pads of the light emitting diode device 2300 may be formed in the buffer layer 2500.
- the upper surface of the light emitting diode device 2300 is disposed and attached so as to cover and exceed all areas of the upper surface.
Abstract
The present invention provides a light-emitting device package comprising: a light-emitting diode device providing light with a predetermined wavelength; a circuit board electrically connected with the light-emitting diode device through a bonding pad formed on the lower surface of the light-emitting diode device; a buffer layer disposed on the upper surface of the light-emitting diode device; and a phosphor layer disposed on the upper surface of the buffer layer and having a uniform thickness, wherein the buffer layer restricts heat radiating from the upper surface of the light-emitting diode device from being transferred to the lower surface of the phosphor layer and restricts the lower surface of the phosphor layer from being separated from the upper surface of the light-emitting diode device, the phosphor layer is disposed to further protrude beyond the entire upper surface of the light-emitting diode device, and the light-emitting device package further includes a side portion disposed to surround the side surface of the light-emitting diode device, the side surface of the buffer layer, and the side surface of the phosphor layer in order to: shield light emitting from the side surface of the light-emitting diode device; release heat transferred from the side surface of the light-emitting diode device to the outside; and protect the side surface of the buffer layer and the side surface of the phosphor layer.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출시키는 측부를 배치함으로써, 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 효율성을 증가시키면서도 발광 다이오드 소자에서 발생되는 열을 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same. More particularly, the light emitting device is disposed by blocking a light provided from a side of a light emitting diode device and disposing a side for discharging heat transferred from the side of the light emitting diode device to the outside. The present invention relates to a light emitting device package capable of effectively dissipating heat generated from a light emitting diode device to the outside while increasing the efficiency of a light source emitted from the diode device and a method of manufacturing the same.
요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 소자는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 백색광을 제공하는 발광 소자가 더욱 더 각광받고 있다.Nowadays, a light emitting device in which Al or In is added to GaN is attracting attention due to long life, low power consumption, excellent brightness, and environmentally friendly elements that are not harmful to human bodies, compared to conventional incandescent lamps. It is getting more and more popular.
이러한 발광 소자는 상술한 장점으로 인하여 자동차 조명, 교통 신호등, 액정 표시 장치의 BLU(Back Light Unit) 등에 이용되고 있다.Such light emitting devices are used in automobile lights, traffic lights, BLUs (back light units) of liquid crystal displays due to the above-mentioned advantages.
최근에, 인공 광원에서 측정된 색좌표가 인간의 눈으로 보았을 때의 색좌표와 동일한 것인지를 평가하는 지표로서 MacAdam Rule이 제시되었다. 이러한 MacAdam Rule은 4 단계 기준을 제공하고 있다. 미주 지역에서는 MacAdam Rule의 3 단계 기준에 부합되지 못하는 인공 광원은 판매가 허가되지 않고 있는 실정이다. MacAdam Rule의 3 단계를 만족시키기 위해서는 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 매우 중요하다.Recently, the MacAdam Rule has been proposed as an index for evaluating whether the color coordinates measured by an artificial light source are the same as the color coordinates seen by the human eye. This MacAdam Rule provides four levels of criteria. In the Americas, artificial light sources that do not meet the MacAdam Rule's three-stage criteria are not allowed to be sold. It is very important to reduce the color deviation of the white light to satisfy the three levels of the MacAdam Rule.
본 발명의 배경기술은 대한민국 특허청에 공개특허공보 10-2008-0070193호가 2008. 07. 30. 자로 개시되어 있다.Background art of the present invention is disclosed in the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2008-0070193 as of July 30, 2008.
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출시키는 측부를 배치함으로써, 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 효율성을 증가시키면서도 발광 다이오드 소자에서 발생되는 열을 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art, the technical problem to be achieved by the present invention is to block the light provided from the side of the light emitting diode element and to discharge the heat transferred from the side of the light emitting diode element to the outside By providing the side portion, while providing an efficiency of the light source emitted from the light emitting diode element while providing a light emitting device package that can effectively discharge the heat generated from the light emitting diode element to the outside.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상술한 발광 소자 패키지를 용이하게 제조할 수 있는 발광 소자 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a light emitting device package which can easily manufacture the above-described light emitting device package.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 소정 영역의 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드 소자, 상기 발광 다이오드 소자의 하면에 형성되어 있는 본딩 패드를 통해서 상기 발광 다이오드 소자와 전기적으로 연결되는 회로 기판, 상기 발광 다이오드 소자의 상면에 배치되는 버퍼층 및 상기 버퍼층의 상면에 배치되며, 두께가 균일하게 형성된 형광체층을 포함하며, 상기 버퍼층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상기 형광체층의 하면에 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 형광체층의 하면이 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 이탈하는 것을 억제하고, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부를 포함한다.In order to achieve the above object, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention is a light emitting diode device that provides light of a wavelength of a predetermined region, the light emitting diode through a bonding pad formed on the lower surface of the light emitting diode device A circuit board electrically connected to an element, a buffer layer disposed on an upper surface of the light emitting diode element, and a phosphor layer disposed on an upper surface of the buffer layer and having a uniform thickness, wherein the buffer layer is formed on an upper surface of the light emitting diode element. Inhibits heat from being transferred to the lower surface of the phosphor layer, and suppresses the lower surface of the phosphor layer from escaping from the upper surface of the light emitting diode element, and the phosphor layer covers all regions of the upper surface of the light emitting diode element. Is arranged to be exceeded, the light emitting diode element It is arranged to surround the side of the ruler, the side of the buffer layer and the side of the phosphor layer to block the light provided from the side of the light emitting diode element and to discharge heat transferred from the side of the light emitting diode element to the outside and the side of the buffer layer And a side portion protecting the side surface of the phosphor layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 형광체층이 형광체와 실리콘에 의해 형성될 수 있다.In the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the phosphor layer may be formed of phosphor and silicon.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 버퍼층이 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the exemplary embodiment of the present invention may include at least one of the transparent silicone, the transparent epoxy, the transparent organic polymer, or the transparent glass resin.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 측부가 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함한다.The light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the side portion of at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver Metal powder.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 상면에 본딩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자, 상기 발광 다이오드 소자의 하부에 배치되며 상기 본딩 패드를 통해서 상기 발광 다이오드 소자와 전기적으로 연결되는 회로 기판, 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 상기 본딩 패드가 형성된 영역을 제외한 영역에 배치되는 버퍼층 및 상기 버퍼층의 상면에 배치되며, 두께가 균일하고 상기 본딩 패드가 노출되도록 본딩홀이 형성된 형광체층을 포함하며, 상기 버퍼층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상기 형광체층의 하면에 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 형광체층의 하면이 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 이탈하는 것을 억제하고, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부를 포함한다.In order to achieve the above object, a light emitting device package according to another embodiment of the present invention provides light of a wavelength of a predetermined region, and a light emitting diode device having a bonding pad formed on an upper surface thereof, disposed under the light emitting diode device. And a circuit board electrically connected to the light emitting diode device through the bonding pads, a buffer layer disposed in an area other than a region in which the bonding pad is formed on an upper surface of the light emitting diode device, and a top surface of the buffer layer, and having a uniform thickness. And a phosphor layer in which bonding holes are formed to expose the bonding pads, wherein the buffer layer prevents heat generated from an upper surface of the light emitting diode device from being transferred to a lower surface of the phosphor layer, and at the same time, the lower surface of the phosphor layer is It is possible to suppress the deviation from the upper surface of the light emitting diode element, The phosphor layer is disposed so as to cover and exceed all areas of the upper surface of the light emitting diode element, and is disposed to surround the side of the light emitting diode element, the side of the buffer layer, and the side of the phosphor layer. It includes a side to block the light provided from the side of the discharge of heat transmitted from the side of the light emitting diode device to the outside and to protect the side of the buffer layer and the side of the phosphor layer.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 형광체층이 형광체와 실리콘에 의해 형성될 수 있다.In the light emitting device package according to another embodiment of the present invention, the phosphor layer may be formed of phosphor and silicon.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 버퍼층은 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In the light emitting device package according to another embodiment of the present invention, the buffer layer may include at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 측부가 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함한다.The light emitting device package according to another embodiment of the present invention, the side portion of at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver Metal powder.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 하면에 본딩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자를, 회로 기판 위에 마운트하는 단계, 상기 발광 다이오드 소자의 상면에, 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상부로 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 부착될 부품이 이탈되는 것을 억제하는 버퍼층을 코팅하는 단계, 두께가 균일하게 형성된 형광체층이 상기 버퍼층의 상면에 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되어 부착되는 단계 및 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부가 상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 부착되는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention provides light of a wavelength of a predetermined region, and mounts a light emitting diode device having a bonding pad formed on a lower surface thereof, on a circuit board. The method may further include coating a buffer layer on the upper surface of the light emitting diode device to prevent heat generated from the upper surface of the light emitting diode device from being transferred upward, and to suppress detachment of components to be attached from the upper surface of the light emitting diode device. Step, the phosphor layer is formed uniformly thickness is disposed on the upper surface of the buffer layer so as to cover all the area of the upper surface of the light emitting diode element and attached, and blocking the light provided from the side of the light emitting diode element And discharges heat transferred from the side of the light emitting diode to the outside. And a side portion protecting the side surface of the buffer layer and the side surface of the phosphor layer is disposed and attached to surround the side surface of the light emitting diode device, the side surface of the buffer layer, and the side surface of the phosphor layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 형광체층이 형광체와 실리콘에 의해 형성될 수 있다.In the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the phosphor layer may be formed of phosphor and silicon.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 버퍼층이 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may include at least one of the transparent silicone, the transparent epoxy, the transparent organic polymer, or the transparent glass resin.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 측부가 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함한다.The method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may include at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one of Al 2 O 3 , TiO 2 , and Silver. It includes any one metal powder.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 상면에 본딩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자를, 회로 기판 위에 마운트하는 단계, 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 상기 본딩 패드가 형성된 영역을 제외한 영역에, 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상부로 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 발광 다이오드 소자의 상면에 부착될 부품이 이탈되는 것을 억제하는 버퍼층을 코팅하는 단계, 두께가 균일하게 형성되고, 상기 발광 다이오드 소자의 본딩 패드가 노출되도록 본딩홀이 형성된 형광체층이 상기 버퍼층의 상면에 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되어 부착되는 단계 및 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부가 상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 부착되는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention provides light of a wavelength of a predetermined region, and mounts a light emitting diode device having a bonding pad formed on an upper surface thereof on a circuit board. The component may be attached to an upper surface of the light emitting diode element while suppressing heat generated from the upper surface of the light emitting diode element to be transferred to an area except for the region where the bonding pad is formed on the upper surface of the light emitting diode element. Coating the buffer layer to suppress the separation, and the phosphor layer having a uniform thickness and a bonding hole formed to expose the bonding pad of the light emitting diode element is formed on all surfaces of the top surface of the light emitting diode element. Is disposed and attached so as to cover and exceed the Sides of the light emitting diode element which block light provided from the side of the photodiode device and discharge heat transferred from the side of the light emitting diode device to the outside and protect the side of the buffer layer and the side of the phosphor layer, And attaching the sidewalls of the buffer layer and the sidewalls of the phosphor layer.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 형광체층이 형광체와 실리콘에 의해 형성될 수 있다.In the method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention, the phosphor layer may be formed of phosphor and silicon.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 버퍼층이 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention may include at least one of the transparent silicone, the transparent epoxy, the transparent organic polymer, or the transparent glass resin.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 측부가 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함한다.A method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention, the side transparent silicone, transparent epoxy, a transparent organic polymer, or at least any of the transparent glass, resin and one, Al 2 O 3, TiO 2, Silver of at least It includes any one metal powder.
본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출시키는 측부를 배치함으로써, 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 효율성을 증가시키면서도 발광 다이오드 소자에서 발생되는 열을 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있다.The light emitting device package according to the embodiments of the present invention blocks the light provided from the side of the light emitting diode device and arranges a side for discharging heat transmitted from the side of the light emitting diode device to the outside, thereby generating a light source emitted from the light emitting diode device. While increasing the efficiency of the heat generated from the light emitting diode device can be effectively discharged to the outside.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패지의 단면도2 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention
도 3a 내지 도 3d는 도 1의 발광 소자 패키지의 세부 공정을 도시한 단면도.3A to 3D are cross-sectional views illustrating detailed processes of the light emitting device package of FIG. 1.
도 4a 내지 도 4d는 도 2의 발광 소자 패키지의 세부 공정을 도시한 단면도.4A to 4D are cross-sectional views illustrating detailed processes of the light emitting device package of FIG. 2.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 도 1에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(1300), 회로 기판(1100), 형광체층(1400), 버퍼층(1500) 및 측부를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the light emitting device package according to the exemplary embodiment of the present invention may include a light emitting diode device 1300, a circuit board 1100, a phosphor layer 1400, a buffer layer 1500, and a side part. have.
여기에서, 발광 다이오드 소자(1300)는 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 구체적으로, 발광 다이오드 소자(1300)는 청색 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드나 자외선 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드일 수 있다.Here, the light emitting diode device 1300 provides light of a wavelength of a predetermined region, and specifically, the light emitting diode device 1300 may be a light emitting diode providing light of a blue wavelength or a light emitting diode providing light of an ultraviolet wavelength. Can be.
한편, 발광 다이오드 소자(1300)의 하면에는 회로 기판(1100)과 전기적으로 연결되는 본딩 패드(1210, 1220)가 금속 물질로 형성되어 있으며, 이러한 회로 기판(1100)은 발광 다이오드 소자(1300)의 하부에 배치된다.Meanwhile, bonding pads 1210 and 1220 electrically connected to the circuit board 1100 are formed on a bottom surface of the light emitting diode device 1300, and the circuit board 1100 is formed of the light emitting diode device 1300. It is placed at the bottom.
또한, 형광체층(1400)은 두께가 균일하게 형성되어 발광 다이오드 소자(1300)의 상면에서 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 발광 다이오드 소자(1300)가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시킨다. 여기에서, 형광체층(1400)은 형광체와 실리콘 등에 의해 형성되며, 도 1에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(1300)의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치된다. 상술한 것처럼, 형광체층(1400)이 발광 다이오드 소자(1300)의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되면, 발광 다이오드 소자(1300)의 에지 영역에서 발광되는 빛도 백색광으로 변환하여 제공될 수 있으므로, 광 효율이 효과적으로 증가될 수 있다.In addition, the phosphor layer 1400 is formed to have a uniform thickness to change the wavelength of light emitted from the upper surface of the light emitting diode device 1300 to convert the light provided by the light emitting diode device 1300 into white light. Here, the phosphor layer 1400 is formed of phosphor, silicon, or the like, and is disposed to cover and exceed all regions of the upper surface of the light emitting diode device 1300 as shown in FIG. 1. As described above, when the phosphor layer 1400 is disposed so as to cover and exceed all areas of the upper surface of the light emitting diode device 1300, the light emitted from the edge area of the light emitting diode device 1300 is also converted into white light. Since it can be provided, the light efficiency can be effectively increased.
한편, 버퍼층(1500)은 상기 발광 다이오드 소자(1300)의 상면과 상기 형광체층(1400)의 하면 사이에 배치되어, 상기 발광 다이오드 소자(1300)의 상면에서 발생되는 열이 상기 형광체층(1400)의 하면에 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 형광체층(1400)의 하면이 상기 발광 다이오드 소자(1300)의 상면에서 이탈되는 것을 억제한다.On the other hand, the buffer layer 1500 is disposed between the upper surface of the light emitting diode device 1300 and the lower surface of the phosphor layer 1400, the heat generated from the upper surface of the light emitting diode device 1300 is the phosphor layer 1400 At the same time, the lower surface of the phosphor layer 1400 is suppressed from being separated from the upper surface of the light emitting diode device 1300.
여기에서, 버퍼층(1500)은 상기 발광 다이오드 소자(1300)의 상면의 일부 또는 전부에만 코팅된 후에 상기 형광체층(1400)이 부착되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the phosphor layer 1400 is attached after the buffer layer 1500 is coated only on part or all of the top surface of the light emitting diode device 1300.
또한, 상기 버퍼층(1500)은 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되며, 5 ㎛ ~ 150 ㎛ 두께로 형성된다.In addition, the buffer layer 1500 is formed to include at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and is formed to have a thickness of 5 μm to 150 μm.
한편, 측부(1600)는 발광 다이오드 소자(1300)의 측면, 버퍼층(1500)의 측면 및 형광체층(1400)의 측면을 둘러싸도록 배치되어 발광 다이오드 소자(1300)의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 발광 다이오드 소자(1300)의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 버퍼층(1500)의 측면 및 형광체층(1400)의 측면을 보호한다. 여기에서, 측부(1600)는 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함한다.On the other hand, the side 1600 is disposed to surround the side of the light emitting diode device 1300, the side of the buffer layer 1500 and the side of the phosphor layer 1400 to block the light provided from the side of the light emitting diode device 1300 The heat transmitted from the side of the light emitting diode device 1300 is discharged to the outside and protects the side of the buffer layer 1500 and the side of the phosphor layer 1400. Here, the side 1600 includes at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one metal powder of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 도 2에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(2300), 회로 기판(2100), 형광체층(2400), 버퍼층(2500) 및 측부(2600)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 2, the light emitting device package according to another embodiment of the present invention includes a light emitting diode device 2300, a circuit board 2100, a phosphor layer 2400, a buffer layer 2500, and a side portion 2600. Can be configured.
여기에서, 발광 다이오드 소자(2300)는 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 구체적으로, 발광 다이오드 소자(2300)는 청색 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드나 자외선 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드일 수 있다.Here, the light emitting diode device 2300 provides light of a wavelength of a predetermined region, and specifically, the light emitting diode device 2300 may be a light emitting diode providing light of a blue wavelength or a light emitting diode providing light of an ultraviolet wavelength. Can be.
한편, 발광 다이오드 소자(2300)의 상면에는 회로 기판(2100)과 전기적으로 연결되는 본딩 패드(2210, 2220)가 금속 물질로 형성되어 있으며, 이러한 회로 기판(2100)은 발광 다이오드 소자(2300)의 하부에 배치된다.Meanwhile, bonding pads 2210 and 2220 electrically connected to the circuit board 2100 are formed of a metal material on an upper surface of the light emitting diode device 2300, and the circuit board 2100 is formed of the light emitting diode device 2300. It is placed at the bottom.
또한, 형광체층(2400)은 두께가 균일하게 형성되어 발광 다이오드 소자(2300)의 상면에서 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 발광 다이오드 소자(2300)가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시킨다. 여기에서, 형광체층(2400)은 형광체와 실리콘 등에 의해 형성된다.In addition, the phosphor layer 2400 has a uniform thickness to change the wavelength of light emitted from the upper surface of the light emitting diode device 2300 to convert the light provided by the light emitting diode device 2300 into white light. Here, the phosphor layer 2400 is formed of phosphor, silicon or the like.
이러한 형광체층(2400)은 도 2에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(2300)의 본딩 패드(2210, 2220)가 노출되도록 상기 형광체층(2400)의 상부에 본딩홀(2410, 2420)이 형성되어 있으며, 발광 다이오드 소자(2300)의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치된다. 상술한 것처럼, 형광체층(2400)이 발광 다이오드 소자(2300)의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되면, 발광 다이오드 소자(2300)의 에지 영역에서 발광되는 빛도 백색광으로 변환하여 제공될 수 있으므로, 광 효율이 효과적으로 증가될 수 있다.As shown in FIG. 2, bonding holes 2410 and 2420 are formed on the phosphor layer 2400 such that the bonding pads 2210 and 2220 of the light emitting diode device 2300 are exposed. And covers all areas of the upper surface of the light emitting diode device 2300 and is disposed to be exceeded. As described above, when the phosphor layer 2400 is disposed so as to cover and exceed all areas of the top surface of the LED device 2300, the light emitted from the edge area of the LED device 2300 is also converted into white light. Since it can be provided, the light efficiency can be effectively increased.
한편, 버퍼층(2500)은 상기 발광 다이오드 소자의 상면과 상기 형광체층의 하면 사이의 상기 본딩 패드가 형성된 영역을 제외한 영역에 배치되어, 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상기 형광체층의 하면에 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 형광체층의 하면이 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 이탈되는 것을 억제한다.On the other hand, the buffer layer 2500 is disposed in an area except for the region where the bonding pad is formed between the upper surface of the light emitting diode element and the lower surface of the phosphor layer, so that heat generated from the upper surface of the light emitting diode element is lower than the lower surface of the phosphor layer. At the same time, the lower surface of the phosphor layer is suppressed from being separated from the upper surface of the light emitting diode device.
여기에서, 버퍼층(2500)은 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 일부 또는 전부에만 코팅된 후에 상기 형광체층이 부착되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the phosphor layer is attached after the buffer layer 2500 is coated only on part or all of the top surface of the light emitting diode device.
또한, 상기 버퍼층(2500)은 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되며, 5 ㎛ ~ 150 ㎛ 두께로 형성된다.In addition, the buffer layer 2500 is formed to include at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and is formed to have a thickness of 5 μm to 150 μm.
한편, 측부(2600)는 발광 다이오드 소자(2300)의 측면, 버퍼층(2500)의 측면 및 형광체층(2400)의 측면을 둘러싸도록 배치되어 발광 다이오드 소자(2300)의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 발광 다이오드 소자(2300)의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 버퍼층(2500)의 측면 및 형광체층(2400)의 측면을 보호한다. 여기에서, 측부(2600)는 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함한다.On the other hand, the side portion 2600 is disposed to surround the side of the light emitting diode device 2300, the side of the buffer layer 2500 and the side of the phosphor layer 2400 to block the light provided from the side of the light emitting diode device 2300 The heat transmitted from the side of the light emitting diode device 2300 is discharged to the outside, and the side of the buffer layer 2500 and the side of the phosphor layer 2400 are protected. Here, the side portion 2600 includes at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one metal powder of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver.
이하에서는, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.
먼저, 도 3a에 도시된 것처럼, 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 하면에 본딩 패드(1210, 1220)가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자(1300)를, 회로 기판(1100) 위에 마운트한다.First, as illustrated in FIG. 3A, light emitting diode elements 1300 are provided on the circuit board 1100, and provide light having a wavelength in a predetermined region, and bonding pads 1210 and 1220 are formed on a lower surface thereof.
다음으로, 도 3b에 도시된 것처럼, 상기 발광 다이오드 소자(1300)의 상면에, 상기 발광 다이오드 소자(1300)의 상면에서 발생되는 열이 상부로 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 발광 다이오드 소자(1300)의 상면에서 부착될 부품이 이탈되는 것을 억제하는 버퍼층(1500)을 코팅한다.Next, as illustrated in FIG. 3B, the heat generated from the upper surface of the light emitting diode device 1300 is suppressed from being transferred to the upper surface of the light emitting diode device 1300, and the light emitting diode device 1300 is also suppressed. Coating the buffer layer 1500 to suppress the component to be attached from the upper surface of the detached.
다음으로, 도 3c에 도시된 것처럼, 두께가 균일하게 형성된 형광체층(1400)이 버퍼층(1500)의 상면에 발광 다이오드 소자(1300)의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되어 부착된다.Next, as illustrated in FIG. 3C, the phosphor layer 1400 having a uniform thickness is disposed and attached to the upper surface of the buffer layer 1500 so as to cover and exceed all regions of the upper surface of the LED device 1300. do.
다음으로, 도 3d에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(1300)의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 발광 다이오드 소자(1300)의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 버퍼층(1500)의 측면 및 형광체층(1400)의 측면을 보호하는 측부(1600)가 발광 다이오드 소자(1300)의 측면, 버퍼층(1500)의 측면 및 형광체층(1400)의 측면을 둘러싸도록 배치되어 부착된다.Next, as illustrated in FIG. 3D, the light provided from the side of the light emitting diode device 1300 is blocked, the heat transmitted from the side of the light emitting diode device 1300 is discharged to the outside, and the side of the buffer layer 1500 and the phosphor A side portion 1600 protecting the side surface of the layer 1400 is disposed and attached to surround the side surface of the light emitting diode device 1300, the side surface of the buffer layer 1500, and the side surface of the phosphor layer 1400.
이하에서는, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4D.
먼저, 도 4a에 도시된 것처럼, 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 상면에 본딩 패드(2210, 2220)가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자(2300)를, 회로 기판(2100) 위에 마운트한다.First, as shown in FIG. 4A, a light emitting diode element 2300 is provided on the circuit board 2100 to provide light having a wavelength of a predetermined region and the bonding pads 2210 and 2220 are formed on an upper surface thereof.
다음으로, 도 4b에 도시된 것처럼, 상기 발광 다이오드 소자(2300)의 상면의 상기 본딩 패드(2210, 2220)가 형성된 영역을 제외한 영역에, 상기 발광 다이오드 소자(2300)의 상면에서 발생되는 열이 상부로 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 발광 다이오드 소자(2300)의 상면에 부착될 부품이 이탈되는 것을 억제하는 버퍼층(2500)을 코팅한다.Next, as illustrated in FIG. 4B, heat generated in the upper surface of the light emitting diode element 2300 may be generated in an area except for the region where the bonding pads 2210 and 2220 are formed on the upper surface of the light emitting diode element 2300. A buffer layer 2500 is coated to suppress the transfer of the component to be attached to the upper surface of the light emitting diode device 2300 while suppressing the transfer to the top.
다음으로, 도 4c에 도시된 것처럼, 두께가 균일하게 형성되고, 상기 발광 다이오드 소자(2300)의 본딩 패드가 노출되도록 본딩홀(2410, 2420)이 형성된 형광체층(2400)이 버퍼층(2500)의 상면에 발광 다이오드 소자(2300)의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되어 부착된다.Next, as illustrated in FIG. 4C, the phosphor layer 2400 having a uniform thickness and having bonding holes 2410 and 2420 formed to expose the bonding pads of the light emitting diode device 2300 may be formed in the buffer layer 2500. The upper surface of the light emitting diode device 2300 is disposed and attached so as to cover and exceed all areas of the upper surface.
다음으로, 도 4d에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(2300)의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 발광 다이오드 소자(2300)의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 버퍼층(2500)의 측면 및 형광체층(2400)의 측면을 보호하는 측부(2600)가 발광 다이오드 소자(2300)의 측면, 버퍼층(2500)의 측면 및 형광체층(2400)의 측면을 둘러싸도록 배치되어 부착된다.Next, as illustrated in FIG. 4D, the light provided from the side of the light emitting diode device 2300 is blocked, the heat transmitted from the side of the light emitting diode device 2300 is discharged to the outside, and the side of the buffer layer 2500 and the phosphor A side portion 2600 protecting the side surface of the layer 2400 is disposed and attached to surround the side surface of the light emitting diode device 2300, the side surface of the buffer layer 2500, and the side surface of the phosphor layer 2400.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. While the invention has been described and illustrated in connection with a preferred embodiment for illustrating the principles of the invention, the invention is not limited to the configuration and operation as such is shown and described.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.Rather, it will be apparent to those skilled in the art that many changes and modifications to the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.Accordingly, all such suitable changes and modifications and equivalents should be considered to be within the scope of the present invention.
Claims (16)
- 소정 영역의 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드 소자;A light emitting diode device providing light having a wavelength in a predetermined region;상기 발광 다이오드 소자의 하면에 형성되어 있는 본딩 패드를 통해서 상기 발광 다이오드 소자와 전기적으로 연결되는 회로 기판;A circuit board electrically connected to the light emitting diode device through a bonding pad formed on a bottom surface of the light emitting diode device;상기 발광 다이오드 소자의 상면에 배치되는 버퍼층; 및A buffer layer disposed on an upper surface of the light emitting diode device; And상기 버퍼층의 상면에 배치되며, 두께가 균일하게 형성된 형광체층을 포함하며,Disposed on an upper surface of the buffer layer, the phosphor layer having a uniform thickness;상기 버퍼층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상기 형광체층의 하면에 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 형광체층의 하면이 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 이탈하는 것을 억제하고,The buffer layer prevents heat generated from the upper surface of the light emitting diode device from being transferred to the lower surface of the phosphor layer, and suppresses the lower surface of the phosphor layer from escaping from the upper surface of the light emitting diode device.상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되며,The phosphor layer is disposed to cover and exceed all regions of the upper surface of the light emitting diode device,상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.It is arranged to surround the side of the light emitting diode element, the side of the buffer layer and the side of the phosphor layer to block the light provided from the side of the light emitting diode element and to discharge heat transferred from the side of the light emitting diode element to the outside A light emitting diode package including a side surface of the buffer layer and the side surface of the phosphor layer.
- 제 1항에 있어서,The method of claim 1,상기 형광체층은 형광체와 실리콘에 의해 형성된 발광 소자 패키지.The phosphor layer is a light emitting device package formed by phosphor and silicon.
- 제 1항에 있어서,The method of claim 1,상기 버퍼층은 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.The buffer layer includes at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin.
- 제 1항에 있어서,The method of claim 1,상기 측부는 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함하는 발광 소자 패키지.The side part includes at least one of transparent silicon, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one metal powder of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver.
- 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 상면에 본딩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자;A light emitting diode device providing light having a predetermined wavelength and having a bonding pad formed on an upper surface thereof;상기 발광 다이오드 소자의 하부에 배치되며 상기 본딩 패드를 통해서 상기 발광 다이오드 소자와 전기적으로 연결되는 회로 기판;A circuit board disposed under the light emitting diode element and electrically connected to the light emitting diode element through the bonding pad;상기 발광 다이오드 소자의 상면의 상기 본딩 패드가 형성된 영역을 제외한 영역에 배치되는 버퍼층; 및A buffer layer disposed on an area of the upper surface of the light emitting diode except for an area in which the bonding pad is formed; And상기 버퍼층의 상면에 배치되며, 두께가 균일하고 상기 본딩 패드가 노출되도록 본딩홀이 형성된 형광체층을 포함하며,A phosphor layer disposed on an upper surface of the buffer layer and having a uniform thickness and a bonding hole formed to expose the bonding pads,상기 버퍼층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상기 형광체층의 하면에 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 형광체층의 하면이 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 이탈하는 것을 억제하고,The buffer layer prevents heat generated from the upper surface of the light emitting diode device from being transferred to the lower surface of the phosphor layer, and suppresses the lower surface of the phosphor layer from escaping from the upper surface of the light emitting diode device.상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되며,The phosphor layer is disposed to cover and exceed all regions of the upper surface of the light emitting diode device,상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.It is arranged to surround the side of the light emitting diode element, the side of the buffer layer and the side of the phosphor layer to block the light provided from the side of the light emitting diode element and to discharge heat transferred from the side of the light emitting diode element to the outside A light emitting diode package including a side surface of the buffer layer and the side surface of the phosphor layer.
- 제 5항에 있어서,The method of claim 5,상기 형광체층은 형광체와 실리콘에 의해 형성된 발광 소자 패키지.The phosphor layer is a light emitting device package formed by phosphor and silicon.
- 제 5항에 있어서,The method of claim 5,상기 버퍼층은 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.The buffer layer includes at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin.
- 제 5항에 있어서,The method of claim 5,상기 측부는 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함하는 발광 소자 패키지.The side part includes at least one of transparent silicon, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one metal powder of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver.
- 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 하면에 본딩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자를, 회로 기판 위에 마운트하는 단계;Mounting a light emitting diode device on the circuit board, the light emitting diode device providing light having a predetermined wavelength and having a bonding pad formed on a bottom surface thereof;상기 발광 다이오드 소자의 상면에, 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상부로 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 부착될 부품이 이탈되는 것을 억제하는 버퍼층을 코팅하는 단계;Coating a buffer layer on an upper surface of the light emitting diode element to suppress heat from being generated from the upper surface of the light emitting diode element to be transferred upward and to prevent detachment of components to be attached from the upper surface of the light emitting diode element;두께가 균일하게 형성된 형광체층이 상기 버퍼층의 상면에 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되어 부착되는 단계; 및A phosphor layer having a uniform thickness is disposed on and attached to an upper surface of the buffer layer so as to cover and exceed all regions of the upper surface of the light emitting diode device; And상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부가 상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 부착되는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.A side portion of the light emitting diode device is configured to block light provided from the side surface of the light emitting diode device and to discharge heat transferred from the side surface of the light emitting diode device to the outside, and to protect the side surface of the buffer layer and the side surface of the phosphor layer. The method of manufacturing a light emitting diode package comprising the step of being disposed so as to surround the side of the buffer layer and the side of the phosphor layer.
- 제 9항에 있어서,The method of claim 9,상기 형광체층은 형광체와 실리콘에 의해 형성된 발광 소자 패키지.The phosphor layer is a light emitting device package formed by phosphor and silicon.
- 제 9항에 있어서,The method of claim 9,상기 버퍼층은 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.The buffer layer is a method of manufacturing a light emitting device package including at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin.
- 제 9항에 있어서,The method of claim 9,상기 측부는 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.The side part comprises at least one of transparent silicon, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one metal powder of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver.
- 소정 영역의 파장의 빛을 제공하며, 상면에 본딩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자를, 회로 기판 위에 마운트하는 단계;Mounting a light emitting diode device on the circuit board, the light emitting diode device providing light having a predetermined wavelength and having a bonding pad formed on an upper surface thereof;상기 발광 다이오드 소자의 상면의 상기 본딩 패드가 형성된 영역을 제외한 영역에, 상기 발광 다이오드 소자의 상면에서 발생되는 열이 상부로 전달되는 것을 억제하는 동시에 상기 발광 다이오드 소자의 상면에 부착될 부품이 이탈되는 것을 억제하는 버퍼층을 코팅하는 단계;The parts to be attached to the upper surface of the light emitting diode element are separated while suppressing the heat generated from the upper surface of the light emitting diode element to be transferred to an area except the region where the bonding pad is formed on the upper surface of the light emitting diode element. Coating the buffer layer to inhibit the;두께가 균일하게 형성되고, 상기 발광 다이오드 소자의 본딩 패드가 노출되도록 본딩홀이 형성된 형광체층이 상기 버퍼층의 상면에 상기 발광 다이오드 소자의 상면의 모든 영역을 커버하고도 초과될 수 있도록 배치되어 부착되는 단계; 및A phosphor layer having a uniform thickness and having a bonding hole formed to expose a bonding pad of the light emitting diode device is disposed and attached to the top surface of the buffer layer so as to cover all regions of the top surface of the light emitting diode device. step; And상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 제공되는 빛을 차단하고 상기 발광 다이오드 소자의 측면에서 전달되는 열을 외부로 배출하며 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 보호하는 측부가 상기 발광 다이오드 소자의 측면, 상기 버퍼층의 측면 및 상기 형광체층의 측면을 둘러싸도록 배치되어 부착되는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.A side portion of the light emitting diode device is configured to block light provided from the side surface of the light emitting diode device and to discharge heat transferred from the side surface of the light emitting diode device to the outside, and to protect the side surface of the buffer layer and the side surface of the phosphor layer. The method of manufacturing a light emitting diode package comprising the step of being disposed so as to surround the side of the buffer layer and the side of the phosphor layer.
- 제 13항에 있어서,The method of claim 13,상기 형광체층은 형광체와 실리콘에 의해 형성된 발광 소자 패키지.The phosphor layer is a light emitting device package formed by phosphor and silicon.
- 제 13항에 있어서,The method of claim 13,상기 버퍼층은 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.The buffer layer is a method of manufacturing a light emitting device package including at least one of transparent silicone, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin.
- 제 13항에 있어서,The method of claim 13,상기 측부는 투명한 실리콘, 투명한 에폭시, 투명한 유기 폴리머, 또는 투명한 글래스 수지 중 적어도 어느 하나와, Al2O3, TiO2, Silver 중 적어도 어느 하나의 금속분말을 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.The side part comprises at least one of transparent silicon, transparent epoxy, transparent organic polymer, or transparent glass resin, and at least one metal powder of Al 2 O 3 , TiO 2 , Silver.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2015-0145860 | 2015-10-20 | ||
| KR1020150145860A KR20170045851A (en) | 2015-10-20 | 2015-10-20 | Package for Light Emitting Device and Method for Manufacturing thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2017069339A1 true WO2017069339A1 (en) | 2017-04-27 |
Family
ID=58557572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2015/014224 WO2017069339A1 (en) | 2015-10-20 | 2015-12-24 | Light-emitting device package and manufacturing method therefor |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20170045851A (en) |
| WO (1) | WO2017069339A1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD928733S1 (en) * | 2019-11-15 | 2021-08-24 | Logitech Europe S.A. | Audio device |
| USD956714S1 (en) | 2019-12-27 | 2022-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Audio device |
| USD956715S1 (en) | 2019-12-27 | 2022-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Audio device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3546650B2 (en) * | 1997-07-28 | 2004-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | Method of forming light emitting diode |
| KR20100021891A (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-26 | 삼성전기주식회사 | Semiconductor chip package and manufacturing method thereof |
| KR20100088830A (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-11 | 삼성전자주식회사 | Light emitting diode unit, display device having the same and manufacturing mathod of the light emitting diode unit |
| KR20120061626A (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-13 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting device and light emitting diode package |
| JP2015095588A (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | シチズンホールディングス株式会社 | Led package |
-
2015
- 2015-10-20 KR KR1020150145860A patent/KR20170045851A/en active Search and Examination
- 2015-12-24 WO PCT/KR2015/014224 patent/WO2017069339A1/en unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3546650B2 (en) * | 1997-07-28 | 2004-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | Method of forming light emitting diode |
| KR20100021891A (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-26 | 삼성전기주식회사 | Semiconductor chip package and manufacturing method thereof |
| KR20100088830A (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-11 | 삼성전자주식회사 | Light emitting diode unit, display device having the same and manufacturing mathod of the light emitting diode unit |
| KR20120061626A (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-13 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting device and light emitting diode package |
| JP2015095588A (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | シチズンホールディングス株式会社 | Led package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170045851A (en) | 2017-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2016190644A1 (en) | Light-emitting device and vehicular lamp comprising same | |
| WO2009157664A2 (en) | Semiconductor device package | |
| WO2013137657A1 (en) | Led illumination module | |
| WO2016056727A1 (en) | Light emitting device package and method of fabricating the same | |
| WO2019225877A1 (en) | Lighting module and lighting apparatus having same | |
| WO2013151265A1 (en) | Light-emitting diode lighting apparatus | |
| WO2017069339A1 (en) | Light-emitting device package and manufacturing method therefor | |
| WO2013122358A1 (en) | Light emitting module having lens | |
| WO2020138904A1 (en) | Lighting module, lighting device, and manufacturing method therefor | |
| WO2011078506A2 (en) | Light emitting diode package and method for fabricating the same | |
| WO2020204456A1 (en) | Light emitting diode chip-scale package and method for manufacturing same | |
| WO2015194766A1 (en) | Light-emitting device package | |
| WO2016099156A1 (en) | Illumination device | |
| WO2013081351A1 (en) | Indirect lighting apparatus | |
| WO2017111405A1 (en) | Phosphor plate package, light-emitting package, and vehicle head lamp comprising same | |
| WO2020085703A1 (en) | Lighting module and lighting device comprising same | |
| WO2017086535A1 (en) | Method for manufacturing three-dimensional phosphor layer | |
| WO2014035087A1 (en) | Light-emitting module for surface lighting | |
| WO2010137841A2 (en) | Light-emitting diode package and backlight unit | |
| WO2017003233A1 (en) | Light emitting diode | |
| WO2012161475A2 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing same | |
| KR20150122360A (en) | Package for Light Emitting Device and Method for Manufacturing thereof | |
| WO2012030086A2 (en) | Backlight unit | |
| US10147852B2 (en) | Light-emitting device | |
| EP3047206A1 (en) | Lighting apparatus and lighting system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 15906790 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 32PN | Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established |
Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 27/08/2018) |