WO2017046261A1 - Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Download PDF

Info

Publication number
WO2017046261A1
WO2017046261A1 PCT/EP2016/071855 EP2016071855W WO2017046261A1 WO 2017046261 A1 WO2017046261 A1 WO 2017046261A1 EP 2016071855 W EP2016071855 W EP 2016071855W WO 2017046261 A1 WO2017046261 A1 WO 2017046261A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
segment
optoelectronic
inductive
optoelectronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2016/071855
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Robert Schulz
Christian LEIRER
Korbinian Perzlmaier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to CN201680054045.4A priority Critical patent/CN108028295B/zh
Priority to JP2018512535A priority patent/JP6616888B2/ja
Priority to US15/761,048 priority patent/US10879136B2/en
Publication of WO2017046261A1 publication Critical patent/WO2017046261A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
    • H10P74/235—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes comprising optical enhancement of defects or not-directly-visible states
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8585—Means for heat extraction or cooling being an interconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/501—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an optoelectronic component.
  • Optoelectronic components is to continue the production of an inductive contact for a
  • a first electrical connection structure 5a and a second electrical Connection structure 5b are arranged on the semiconductor body such that they each span the separation trench 32 and are each partially arranged on the first segment 30 and partially on the second segment 31.
  • the first connection structure 5a it is possible, for example, for the first connection structure 5a to connect a p-type semiconductor region of the first segment to an n-type semiconductor region of the second segment, and for the second connection structure 5b to be an n-type
  • Component 10 does not have contacts, for example
  • Component 4 can advantageously remain encapsulated in the component 10 as a contact point and is protected from external influences.
  • An iterative approach advantageously allows

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, wobei das Verfahren ein induktives Anregen eines Stroms durch eine induktive Komponente (4) des optoelektronischen Bauelements (10) umfasst, so dass das optoelektronische Bauelement (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (2) angeregt wird, und ein Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft des optoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, und ein Aufbringen eines Konvertermaterials (3) auf eine Abstrahlseite (1) desoptoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, wobei eine Menge desaufzubringenden Konvertermaterials (3) aus der Messung der elektrooptischen Eigenschaft bestimmt wird.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einer induktiven Einkopplung einer Betriebsspannung in das
Bauelement anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements gemäß dem unabhängigen
Patentanspruch gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 115 706.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements umfasst ein induktives Anregen eines Stroms durch eine induktive Komponente des optoelektronischen Bauelements, so dass das optoelektronische Bauelement zur Emission
elektromagnetischer Strahlung angeregt wird. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Messen mindestens einer
elektrooptischen Eigenschaft des optoelektronischen
Bauelements, und ein Aufbringen eines Konvertermaterials auf eine Abstrahlseite des optoelektronischen Bauelements, wobei eine Menge des aufzubringenden Konvertermaterials aus der Messung der elektrooptischen Eigenschaft bestimmt wird.
Die Emissionseigenschaften des optoelektronischen Bauelements können vorteilhaft mittels des Verfahrens während der
Herstellung des optoelektronischen Bauelements an Vorgaben angepasst werden. Es ist vorteilhaft möglich, dass das optoelektronische Bauelement dabei nicht über Kontakte, beispielsweise Elektroden, welche aus dem Bauelement
herausgeführt sind, extern kontaktiert werden muss um einen Testbetrieb zu ermöglichen. Die Einkopplung einer
Betriebsspannung über eine induktive Komponente ermöglicht vorteilhaft eine Kontaktierung des Bauelements, so dass die induktive Komponente als Kontaktstelle vorteilhaft im
Bauelement verkapselt bleiben kann und vor Außeneinflüssen geschützt ist. Mit anderen Worten ist ein Testbetrieb des optoelektronischen Bauelements ohne direkten Kontakt mit einem externen Schaltkreis möglich. Auf diese Weise können Stromverluste oder Unterbrechungen an der Kontaktierung eines direkten Kontakts vermieden oder zumindest verringert werden. Die induktive Einkopplung eignet sich beispielsweise für Bauteile, bei welchen Konversionsmaterialien zumindest einen Kontakt des Bautelements bedecken oder welche sich bei der Herstellung im Waferverbund befinden. Bei solchen
optoelektronischen Bauelementen ist zur Weiterführung der Herstellung eine induktive Kontaktierung für einen
Testbetrieb vorteilhaft.
Zur induktiven Anregung wird vorteilhaft ein zeitlich
veränderliches Magnetfeld an das optoelektronische Bauelement angelegt . Das optoelektronische Bauelement kann vorteilhaft einen Licht emittierenden Halbleiterkörper, beispielsweise einen LED-chip umfassen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auch vor dem induktiven Anregen des Stroms durch die
induktive Komponente Konvertermaterial auf die Abstrahlseite des optoelektronischen Bauelements aufgebracht. So befindet sich bereits vor dem Messen der elektrooptischen Eigenschaft Konvertermaterial auf der Abstrahlseite. Nach dem Messen der elektrooptischen Eigenschaft erfolgt ein Vergleichen mit einem Sollwert der elektrooptischen Eigenschaft und es wird eine dadurch bestimmte weitere Menge des Konvertermaterials aufgebracht .
Eine iterative Vorgehensweise ermöglicht vorteilhaft ein Aufbringen des Konvertermaterials bis nahezu ein Sollwert der elektrooptischen Eigenschaft erreicht ist. Es wird
vorteilhaft stets eine Menge des Konvertermaterials
aufgebracht, welche geringfügig geringer ist als es zum
Erreichen des vorgegebenen Sollwerts der elektrooptischen Eigenschaft nötig ist. Das Konvertermaterial kann in einer Schicht oder in mehreren Schichten aufgebracht werden. In einem weiteren Schritt wird in einem Testbetrieb die
veränderte elektrooptische Eigenschaft erneut gemessen und die Differenz der Menge des Konvertermaterials ermittelt, die zum Erreichen des Sollwerts der elektrooptischen Eigenschaft fehlt. In einem weiteren Schritt wird eine geringfügig geringere Menge als die Differenzmenge an Konvertermaterial aufgebracht. Bei dem Konvertermaterial handelt es sich zum Beispiel um eine Silikon-Konverter-Mischung. Diese
Vorgehensweise wird wiederholt, bis die elektrooptische
Eigenschaft des optoelektronischen Bauelements innerhalb eines akzeptablen Rahmens erreicht ist. Es wird vorteilhaft vermieden, eine größere Menge des Konvertermaterials
aufzubringen als es zum Erreichen der elektrooptischen
Eigenschaft notwendig ist, da ein nachträgliches Abtragen von überschüssigem Konvertermaterial vorteilhaft verhindert werden soll. Die Zahl der iterativen Wiederholungen des
Aufbringens ist ein direktes Maß für die Genauigkeit des Verfahrens und die sich daraus ergebenden
Herstellungstoleranzen .
Das Konvertermaterial kann beispielsweise Quantenpunkte, Quantendrähte, Multiphosphore oder weiteres umfassen und auch mehrere Konvertermaterialien können gleichzeitig aufgebracht werden. Es ist weiterhin auch möglich, dass Streumaterialien wie etwa Ti02 oder Si02 sowie Matrixmaterialien wie Silikon, Ormocer, Epoxid oder Glas mit dem Konvertermaterial
aufgebracht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens handelt es sich bei der elektrooptischen Eigenschaft um einen Farbort der emittierten Strahlung und eine Menge des aufzubringenden Konvertermaterials wird so gewählt, dass der Farbort der emittierten Strahlung des Bauelements, im Rahmen von
Herstellungstoleranzen, einen festgelegten Sollwert aufweist.
Da zum Aufbringen des Konvertermaterials stets eine
geringfügig geringere Menge aufgebracht wird, als es zum Erreichen des Farborts notwendig ist, wird auch bei einer hohen Zahl von iterativen Wiederholungen des Aufbringens der Sollwert des Farborts nicht exakt erreicht. Mit einer hohen Anzahl iterativer Schritte kann jedoch vorteilhaft die
Herstellungstoleranz gering gehalten werden. Ein vorgegebener Farbort, beispielsweise in einem CIE-Diagramm, kann durch den induktiv angeregten Testbetrieb des Bauelements vorteilhaft während der Herstellung des Bauelements erreicht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das optoelektronische Bauelement einen lichtemittierenden
Halbleiterkörper, welcher ein erstes Segment und ein zweites Segment umfasst, wobei das erste Segment und das zweite
Segment eine Emissionsseite umfassen, wobei das erste Segment und das zweite Segment miteinander elektrisch verschaltet sind und über die induktive Komponente durch Erzeugen eines zeitlich veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes eine Wechselspannung in das optoelektronische Bauelement eingekoppelt wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind das erste Segment und das zweite Segment antiparallel miteinander verschaltet und die induktive Komponente mit dem ersten
Segment und mit dem zweiten Segment parallel verschaltet. Der lichtemittierende Halbleiterkörper mit dem ersten Segment und dem zweiten Segment kann vorteilhaft so geformt sein, dass das erste Segment und das zweite Segment räumlich voneinander getrennt sind und jeweils eine Abstrahlseite aufweisen, welche einem Träger des Halbleiterkörpers
abgewandt ist. Der Träger kann vorteilhaft ein Formkörper sein, der den Halbleiterkörper an einer Seite abdeckt und teilweise einbettet. Bei dem Formkörper kann es sich um ein Vergussmaterial handeln. Weiterhin umfasst das
optoelektronische Bauelement vorteilhaft eine elektrische Leiterbahn, welche auf einer dem Träger des Halbleiterkörpers zugewandten Seite des lichtemittierenden Halbleiterkörpers auf dem ersten Segment und auf dem zweiten Segment angeordnet ist, und eine erste elektrische Verbindungsstruktur und eine zweite elektrische Verbindungsstruktur, welche jeweils das erste Segment und das zweite Segment elektrisch miteinander verbinden und mittels der elektrischen Leiterbahn elektrisch miteinander verbunden sind, so dass das erste Segment und das zweite Segment durch die erste elektrische
Verbindungsstruktur und die zweite elektrische
Verbindungsstruktur vorteilhaft antiparallel verschaltet sind. Die erste elektrische Verbindungsstruktur, die zweite elektrische Verbindungsstruktur und die elektrische
Leiterbahn sind beispielsweise auf einer dem Träger
zugewandten Seite des lichtemittierenden Halbleiterkörpers vom Formkörper vollständig bedeckt. Die elektrische
Leiterbahn stellt vorteilhaft die induktive Komponente dar. Das erste Segment kann von dem zweiten Segment vorteilhaft mittels eines Trenngrabens getrennt sein, welcher in den Halbleiterkörper eingebracht ist. Der Halbleiterkörper kann einen Halbleiterbereich mit einer aktiven Zone umfassen. Der Trenngraben kann sich beispielsweise vollständig durch den Halbleiterbereich bis in den Träger hinein erstrecken.
Weiterhin sind das erste Segment und das zweite Segment so ausgebildet, dass deren Abstrahlseiten in die gleiche
Richtung zeigen. Das Konvertermaterial wird vorteilhaft während dem Herstellungsprozess auf die Abstrahlseiten des ersten Segment und des zweiten Segments aufgebracht.
Die erste elektrische Verbindungsstruktur und die zweite elektrische Verbindungsstruktur sind so an dem
Halbleiterkörper angeordnet, dass das erste Segment mit dem zweiten Segment elektrisch verbunden wird. Dies wird
vorteilhaft dadurch erreicht, dass die Verbindungsstrukturen den Trenngraben an einer dem Träger zugewandten Seite
überbrücken und teilweise auf dem erstem und teilweise auf dem zweiten Segment angeordnet sind. Die
Verbindungsstrukturen kontaktieren dabei die
Halbleiterbereiche des Halbleiterkörpers elektrisch. Die erste Verbindungsstruktur verbindet somit das erste Segment elektrisch mit dem zweiten Segment und die zweite
Verbindungsstruktur verbindet somit das zweite Segment elektrisch mit dem ersten Segment. Dadurch wird vorteilhaft ein geschlossener Stromkreis durch die Segmente und die
Verbindungsstrukturen erzeugt, wobei die Segmente
antiparallel miteinander verschaltet sind. Beispielsweise wird durch die erste Verbindungsstruktur einen n-Typ
Halbleiterbereich des ersten Segments mit einem p-Typ
Halbleiterbereich des zweiten Segments verbunden, und durch die zweite Verbindungsstruktur einen p-Typ Halbleiterbereich des ersten Segments mit einem n-Typ Halbleiterbereich des zweiten Segments verbunden. Alternativ ist auch jeweils eine umgekehrte Verbindung von n- und p-Typ möglich.
Die induktive Komponente dient vorteilhaft zur induktiven Stromeinkopplung durch ein externes Magnetfeld, wobei die induktive Komponente zwischen der ersten Verbindungsstruktur und der zweiten Verbindungsstruktur ein elektrisches
Potential erzeugt, welches wegen dem zeitlich veränderlichen induktiv eingekoppelten Magnetfeld selbst zeitlich
veränderlich ist.
Um eine Lichtemission am Halbleiterkörper zu bewirken, wenn über die induktive Komponente ein Wechselstrom eingekoppelt wird, sind das erste Segment und das zweite Segment
vorteilhaft antiparallel geschaltet. Mit anderen Worten wirkt je nach Richtung des induzierten Stroms ein Segment als eine Diode in Durchlassrichtung und das andere Segment als eine Diode in Sperrrichtung. Bei einer Phasenumkehr der Spannung wirkt die Schaltung umgekehrt. Auf diese Weise kann
vorteilhaft das optoelektronische Bauelement mit einem induktiv eingekoppelten Wechselstrom betrieben werden. Durch den Formkörper sind die Verbindungsstrukturen sowie die Leiterbahn überdeckt und nicht freiliegend, da vorteilhaft keine Kontaktierung von außen nötig ist.
Zur induktiven Anregung wird vorteilhaft ein weiteres induktives Element, beispielsweise eine Erregerspule nah an das Bauteil angelegt und vorteilhaft über ein
elektromagnetisches Wechselfeld, beispielsweise durch einen Wechselstrom durch die Erregerspule, eine Wechselspannung im optoelektronischen Bauelement induziert.
Das optoelektronische Bauelement kann lediglich die
elektrische Leiterbahn zur internen Spannungserzeugung umfassen und in fertiggestellter Form induktiv betrieben werden oder extern zugängliche Elektroden aufweisen, über die das optoelektronische Bauelement nach der Fertigstellung betrieben wird. Die induktive Komponente kann zusätzlich zur elektrischen Leiterbahn im optoelektronischen Bauelement vorhanden sein, oder die elektrische Leiterbahn kann selbst die induktive Komponente für den Testbetrieb verkörpern.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die induktive Komponente eine Spule mit zumindest einer Windung . Die induktive Komponente ist vorteilhaft im
optoelektronischen Bauelement so ausgeführt, dass ein
magnetischer Fluss eines extern angelegten Magnetfeldes innerhalb einer Fläche durch die induktive Komponente zumindest teilweise umschlossen wird. Dies ist vorteilhaft durch die Form der induktiven Komponente als Spule mit einer oder mehreren Windungen gewährleistet. Vorteilhaft weist das externe Magnetfeld zumindest die Größe der durch die
induktive Komponente umfassten Fläche auf. Dies kann
vorteilhaft durch eine Erregerspule erzielt werden, die eine Querschnittsfläche für den magnetischen Fluss aufweist, welche zumindest die Größe der durch die induktive Komponente umfassten Fläche aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die induktive Komponente mit einer Verkapselung überdeckt. Die induktive Komponente kann so vollständig im
optoelektronischen Bauelement verbaut sein.
Die induktive Komponente für den Testbetrieb ist vorteilhaft in einem Bereich des optoelektronischen Bauelements
angeordnet, in welchem das optoelektronische Bauelement nach einer Montage der induktiven Komponente im Bauelement fixiert und von der Umgebung des Bauelements separiert werden kann. Dies erfolgt vorteilhaft mittels einer Verkapselung,
beispielsweise mit der Überdeckung der induktiven Komponente durch einen Formkörper oder Verguss. Bei optoelektronischen Bauelementen, welche gegenüber der Umgebung verkapselt werden müssen, um schädigende Einflüsse der Umgebung zu
unterdrücken, erweist sich eine direkte elektrische
Kontaktierung für einen Testbetrieb als schwierig und eine induktive Einkopplung einer Spannung als vorteilhaft.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das optoelektronische Bauelement in einem Waferverbund mit einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen hergestellt. Mehrere optoelektronische Bauelemente können vorteilhaft in einem Verbund hergestellt werden, wobei die Emissionsseiten der Bauelemente während der Herstellung mit einem
Konvertermaterial abgedeckt werden können. Vorteilhaft wird eine induktive Komponente an das optoelektronische Bauelement angeschlossen, während es sich im Waferverbund befindet oder während es im Waferverbund hergestellt wird. Die induktive Kontaktierung kann vorteilhaft eine Spannung in das
Bauelement einkoppeln, ohne dass zusätzliche Leiterbahnen auf Waferebene zum jeweiligen Bauelement geführt werden müssen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Waferverbund in eine Vielzahl von optoelektronischen
Bauelementen vereinzelt.
Eine Vereinzelung des Waferverbunds in einzelne
optoelektronische Bauelemente kann beispielsweise mittels Ätzverfahren, Sägen oder Laserschneiden erfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens
erstreckt sich die induktive Komponente über ein einziges optoelektronisches Bauelement und bleibt nach dem Vereinze des Waferverbundes intakt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens
erstreckt sich die induktive Komponente jeweils über das optoelektronische Bauelement hinaus und wird bei dem
Vereinzeln des Waferverbundes unterbrochen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die induktive Komponente mit mehreren optoelektronischen
Bauelementen elektrisch verschaltet und ein Strom wird in mehreren optoelektronischen Bauelementen angeregt. Die induktive Komponente kann vorteilhaft innerhalb des zu vereinzelnden Bereiches des optoelektronischen Bauelements liegen oder sich darüber hinaus erstrecken. Mit anderen
Worten ist genau einem optoelektronischen Bauelement genau eine induktive Komponente, vorteilhaft als Spule, zugeordnet. Für den Fall, dass die induktive Komponente sich nur
innerhalb des zu vereinzelnden Bereiches des
optoelektronischen Bauelements befindet, ist ein weiterer induktiver Betrieb nach der Vereinzelung möglich, da die induktive Komponente durch die Vereinzelung vorteilhaft nicht zerstört wird. Für den Fall, dass sich die induktive
Komponente, vorteilhaft wegen der Art ihrer Herstellung, über ein optoelektronisches Bauelement hinaus erstreckt, ist es vorteilhaft möglich dass sich die induktive Komponente über zwei oder mehrere optoelektronische Bauelemente oder
Teilbereiche des Wafers erstreckt. Die Anwendung der
induktiven Komponente, die sich über mehr als ein
optoelektronisches Bauelement hinaus erstreckt, ist nur im Waferverbund der Bauelemente möglich, solange der
Herstellungsprozess nicht abgeschlossen ist.
Es ist weiterhin denkbar, eine induktive Komponente, die sich in einem optoelektronischen Bauelement befindet oder über mehrere optoelektronische Bauelemente erstreckt, mit mehreren optoelektronischen Bauelementen zu verbinden und einen gleichzeitigen Testbetrieb zu erzeugen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die elektrooptische Eigenschaft eine Helligkeit oder ein Spektrum der von dem optoelektronischen Bauelement emittierten
Strahlung . Weitere spektrale Eigenschaften können vorteilhaft ebenfalls als zu vermessende elektrooptische Eigenschaft dienen.
Entsprechend der jeweiligen elektrooptischen Eigenschaft kann mit dem Konvertermaterial vorteilhaft auch ein Streumaterial, ein Filtermaterial oder Ähnliches in iterativen
Verfahrensschritten aufgebracht werden.
Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung und Betrieb eines optoelektronischen Bauelements unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen Figuren 1, 3a und 3b ein optoelektronisches
Bauelement in einer Draufsicht auf eine induktive Komponente des Bauelements, und
Figur 2 das optoelektronische Bauelement in einem
Herstellungsverfahren in einer schematischen Seitenansicht. Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die in den Figuren dargestellten Bestandteile sowie die
Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
Die Figur 1 zeigt in Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement 10 einen Halbleiterkörper mit einem ersten Segment 30 und einem zweiten Segment 31 in Draufsicht auf eine Seite, die einem Träger oder einer Verkapselung zugewandt ist und vorteilhaft der Abstrahlseite abgewandten Seite. Das erste Segment 30 und das zweite Segment 31 sind durch einen
Trenngraben 32 voneinander getrennt. Eine erste elektrische Verbindungsstruktur 5a und eine zweite elektrische Verbindungsstruktur 5b sind so auf dem Halbleiterkörper angeordnet, dass sie jeweils den Trenngraben 32 überspannen und jeweils teilweise auf dem ersten Segment 30 und teilweise auf dem zweiten Segment 31 angeordnet sind. Dadurch ist es beispielsweise möglich, dass die erste Verbindungsstruktur 5a einen p-Typ Halbleiterbereich des ersten Segments mit einem n-Typ Halbleiterbereich des zweiten Segments verbindet, und die zweite Verbindungsstruktur 5b einen n-Typ
Halbleiterbereich des ersten Segments mit einem p-Typ
Halbleiterbereich des zweiten Segments verbindet, und somit die Segmente antiparallel verschaltet sind. Des Weiteren zeigt die Figur 1 eine elektrische Leiterbahn als induktive Komponente 4, welche auf dem ersten Segment 30 und auf dem zweiten Segment 31 angeordnet ist, den Trenngraben 32
überspannt und die erste Verbindungsstruktur 5a mit der zweiten Verbindungsstruktur 5b verbindet. Die induktive
Komponente 4 ist vorteilhaft planar ausgeformt. Die induktive Komponente 4 weist zumindest eine Windung auf und wirkt als Spule zur induktiven Einkopplung von Wechselstrom in das Bauelement 10. Hierbei ist die induktive Komponente 4 mit dem ersten Segment 30 und dem zweiten Segment 31 parallel
geschaltet .
Alternativ ist es auch möglich, den Halbleiterkörper ohne Trenngraben mit nur einem Segment auszubilden.
Die Figur 2 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 während eines Herstellungsverfahrens. Im Testbetrieb wird über die induktive Komponente 4 ein Strom in das Bauelement 10
eingekoppelt, wobei es sich bei dem Strom um einen
Wechselstrom handelt. Das Bauelement 10 ist gemäß der Figur 1 mit zwei Segmenten 30 und 31 ausgebildet, welche antiparallel miteinander verschaltet sind. Die Figur 2 zeigt einen Querschnitt durch das optoelektronische Bauelement 10 entlang einer Linie A aus der Figur 1. Das erste Segment 30 und das zweite Segment 31 weisen jeweils einen Halbleiterbereich 6 auf, welcher eine n-Typ Halbleiterbereich 6a, einen p-Typ Halbleiterbereich 6c und eine aktive Zone 6b aufweist. Die erste elektrische Verbindungsstruktur 5a verbindet den n-Typ Halbleiterbereich 6a des ersten Segments 30 mit dem p-Typ Halbleiterbereich 6c des zweiten Segments. Dies wird erzielt, indem vorteilhaft die erste elektrische Verbindungsstruktur 5a im ersten Segment 30 die unterhalb des n-Typ
Halbleiterbereichs 6a liegende aktive Zone 6b und den p-Typ Halbleiterbereich 6c mittels einer an den Rändern isolierten Durchkontaktierung durchdringt. Alternativ ist eine
Kontaktführung an der Außenseite des Segments 30 zum n-Typ Halbleiterbereich 6a ohne eine Durchkontaktierung möglich. Die Innenseiten des Trenngrabens 32 weisen vorteilhaft eine elektrische Isolierung auf. Die Kontaktierung der
Halbleiterbereiche 6a und 6b der Segmente 30 und 31 könnte durch die erste elektrische Verbindungsstruktur 5a auch umgekehrt ausgeführt werden. Die Anordnung der n-Typ und p- Typ Halbleiterbereiche ist vertauschbar.
Weiterhin ist die erste elektrische Verbindungsstruktur 5a beispielsweise an der dem Halbleiterkörper abgewandten
Unterseite mit einer induktiven Komponente 4 kontaktiert. Ein Formkörper bildet als ein Verguss einen Träger 20, in welchen die erste elektrische Verbindungsstruktur 5a und die
induktive Komponente 4 eingebettet sind und vom Formkörper überdeckt sind .
Die Segmente 30 und 31 weisen jeweils eine Abstrahlseite 1 auf, welche dem Träger 20 abgewandt ist. Der Halbleiterkörper emittiert Strahlung 2 über die Abstrahlseite 1 abwechselnd mit der jeweiligen Phase der Wechselspannung über die
Segmente 30 und 31.
Es ist vorteilhaft möglich, dass das optoelektronische
Bauelement 10 dabei nicht über Kontakte, beispielsweise
Elektroden, welche aus dem Bauelement herausgeführt sind, extern kontaktiert werden muss um einen Testbetrieb zu betreiben. Die Einkopplung einer Betriebsspannung über eine induktive Komponente 4 ermöglicht vorteilhaft eine
Kontaktierung des Bauelements 10, so dass die induktive
Komponente 4 als Kontaktstelle vorteilhaft im Bauelement 10 verkapselt bleiben kann und vor Außeneinflüssen geschützt ist . Eine iterative Vorgehensweise ermöglicht vorteilhaft ein
Aufbringen eines Konvertermaterials 3 auf die Abstrahlseite 1 bis nahezu ein Sollwert der elektrooptischen Eigenschaft erreicht ist. Es wird vorteilhaft stets eine Menge des
Konvertermaterials 3 aufgebracht, welche geringfügig geringer ist als es zum Erreichen des vorgegebenen Sollwerts der elektrooptischen Eigenschaft nötig ist. Das Konvertermaterial kann in einer Schicht oder in mehreren Schichten aufgebracht werden. In einem weiteren Schritt wird in einem Testbetrieb die veränderte elektrooptischen Eigenschaft erneut gemessen und die Differenz der Menge des Konvertermaterials 3
ermittelt, die zum Erreichen des Sollwerts der
elektrooptischen Eigenschaft fehlt.
Das Konvertermaterial kann beispielsweise Quantenpunkte, Quantendrähte, Multiphosphore oder weiteres umfassen und auch mehrere Konvertermaterialien können gleichzeitig aufgebracht werden. Es ist weiterhin auch möglich, dass Streumaterialien wie etwa Ti02 oder Si02 sowie Matrixmaterialien wie Silikon, Ormocer, Epoxid oder Glas mit dem Konvertermaterial 3 aufgebracht werden.
Die Figur 3a zeigt eine Draufsicht auf eine Anordnung von optoelektronischen Bauelementen 10 in einem Waferverbund schematisch mit den Verbindungsstrukturen 5a und 5b, wobei sich eine induktive Komponente 4 über ein einzelnes
optoelektronischen Bauelement 10 hinaus erstreckt. Nach einer Vereinzelung des Wafers wird die induktive Komponente 4 zertrennt. Alternativ dazu ist es auch möglich, dass sich die induktive Komponente vorteilhaft nur innerhalb des zu
vereinzelnden Bereiches des optoelektronischen Bauelements erstreckt. Mit anderen Worten kann genau einem
optoelektronischen Bauelement genau eine induktive Komponente zugeordnet sein, welche bei der Vereinzelung des Wafers nicht zertrennt wird und im vereinzelten Bauelement weiterbetrieben werden kann. Hierbei ist es vorteilhaft möglich, dass das optoelektronische Bauelement keine Segmentierung gemäß der Figur 1 aufweist.
In der Figur 3b ist eine Anordnung gezeigt, in welcher sich die induktive Komponente 4 über mehrere Teilbereiche des Wafers hinaus erstreckt. Hierbei ist es möglich, externe Erregerspulen mit einem größeren Umfang und einer größeren vom Magnetfeld eingeschlossenen Fläche zur induktiven
Stromeinkopplung zu verwenden. Weiterhin sind im Waferverbund weitere optoelektronische Bauelemente enthalten, welche nicht induktiv angeregt werden, daher keine induktive Komponente 4 umfassen .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen i den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichenliste
1 Abstrahlseite
2 elektromagnetische Strahlung
3 Konvertermaterial
4 induktive Komponente
5a erste Verbindungsstruktur
5b zweite Verbindungsstruktur
6 Halbleiterbereich
6a n-Typ Halbleiterbereich
6b aktive Zone
6c p-Typ Halbleiterbereich
10 optoelektronisches Bauelement
20 Träger
30 erstes Segment
31 zweites Segment
32 Trenngraben
40 elektromagnetisches Wechselfeld
A Linie

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements (10), umfassend
- induktives Anregen eines Stroms durch eine induktive
Komponente (4) des optoelektronischen Bauelements (10), so dass das optoelektronische Bauelement (10) zur
Emission elektromagnetischer Strahlung (2) angeregt wird,
- Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft des optoelektronischen Bauelements (10), und
- Aufbringen eines Konvertermaterials (3) auf eine Abstrahlseite (1) des optoelektronischen Bauelements (10), wobei eine Menge des aufzubringenden
Konvertermaterials (3) aus der Messung der
elektrooptischen Eigenschaft bestimmt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem auch vor dem induktiven Anregen des Stroms durch die induktive Komponente (4) Konvertermaterial
(3) auf die Abstrahlseite (1) des optoelektronischen Bauelements (10) aufgebracht wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem es sich bei der elektrooptischen Eigenschaft um einen Farbwert der emittierten Strahlung (2) handelt und eine Menge des aufzubringenden Konvertermaterials (3) so gewählt wird, dass der Farbort der emittierten Strahlung (2) des Bauelements (10), im Rahmen von
Herstellungstoleranzen, einen festgelegten Sollwert aufweist . Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das optoelektronische Bauelement (10) einen
lichtemittierenden Halbleiterkörper (4) umfasst, welcher ein erstes Segment (30) und ein zweites Segment
(31) umfasst, wobei das erste Segment (30) und das zweite Segment (31) eine Emissionsseite (4a) umfassen, wobei das erste Segment (30) und das zweite Segment
(31) miteinander elektrisch verschaltet sind und über die induktive Komponente (4) durch Erzeugen eines zeitlich veränderlichen elektromagnetischen
Wechselfeldes (40) eine Wechselspannung in das
optoelektronische Bauelement (10) eingekoppelt wird.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das erste Segment (30) und das zweite Segment (31)
antiparallel miteinander verschaltet sind und die induktive Komponente (4) mit dem ersten Segment (30) und mit dem zweiten Segment (31) parallel verschaltet ist .
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die induktive Komponente (4) eine Spule mit
zumindest einer Windung umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die induktive Komponente (4) mit einer Verkapselung (7) überdeckt ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das optoelektronische Bauelement (10) in einem Waferverbund mit einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen (10) hergestellt wird.
9. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Waferverbund in eine Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen (10) vereinzelt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, bei dem sich die induktive Komponente (4) über ein einziges optoelektronisches Bauelement (10) erstreckt und nach dem Vereinzeln des Waferverbundes intakt bleibt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, bei dem sich die induktive Komponente (4) jeweils über das optoelektronische Bauelement (10) hinaus erstreckt und bei dem Vereinzeln des Waferverbundes unterbrochen wird .
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die induktive
Komponente (4) mit mehreren optoelektronischen
Bauelementen (10) elektrisch verschaltet ist und ein Strom in mehreren optoelektronischen Bauelementen (10) angeregt wird.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die elektrooptische Eigenschaft eine Helligkeit oder ein Spektrum der von dem optoelektronischen
Bauelement (10) emittierten Strahlung (2) ist.
PCT/EP2016/071855 2015-09-17 2016-09-15 Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Ceased WO2017046261A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680054045.4A CN108028295B (zh) 2015-09-17 2016-09-15 用于制造光电子器件的方法
JP2018512535A JP6616888B2 (ja) 2015-09-17 2016-09-15 オプトエレクトロニクスデバイスの製造方法
US15/761,048 US10879136B2 (en) 2015-09-17 2016-09-15 Method for producing an optoelectronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015115706.3 2015-09-17
DE102015115706.3A DE102015115706B4 (de) 2015-09-17 2015-09-17 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017046261A1 true WO2017046261A1 (de) 2017-03-23

Family

ID=56926219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2016/071855 Ceased WO2017046261A1 (de) 2015-09-17 2016-09-15 Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10879136B2 (de)
JP (1) JP6616888B2 (de)
CN (1) CN108028295B (de)
DE (1) DE102015115706B4 (de)
TW (1) TW201717435A (de)
WO (1) WO2017046261A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005158650A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2005327845A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ点灯装置及びディスプレイ装置
JP2006135367A (ja) * 2006-02-20 2006-05-25 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR20140059984A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함한 발광소자 모듈과, 발광소자 패키지 및 이를 포함한 발광소자 패키지 모듈

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0793258B1 (de) * 1996-02-27 2004-10-13 General Electric Company Quecksilberlose Ultraviolett-Entladungsquelle
GB9714785D0 (en) * 1997-07-14 1997-09-17 Sheffield University Discharge lamp
US6117643A (en) * 1997-11-25 2000-09-12 Ut Battelle, Llc Bioluminescent bioreporter integrated circuit
US6762132B1 (en) * 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
JP2003188416A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Sony Corp 電気回路の検査方法、電子部品、電子応用装置及び画像表示装置
US8525287B2 (en) * 2007-04-18 2013-09-03 Invisage Technologies, Inc. Materials, systems and methods for optoelectronic devices
US7923801B2 (en) * 2007-04-18 2011-04-12 Invisage Technologies, Inc. Materials, systems and methods for optoelectronic devices
US20090159677A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 General Electric Company Contactless power and data transfer system and method
TW201015170A (en) * 2008-10-13 2010-04-16 Advanced Optoelectronic Tech System and method for configuring LED BLU with high NTSC
TWI608760B (zh) * 2008-11-13 2017-12-11 行家光電有限公司 形成螢光粉轉換發光元件之方法
US8716038B2 (en) * 2010-03-02 2014-05-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece processing systems and associated methods of color correction
US20120261703A1 (en) * 2011-03-21 2012-10-18 Zimmerman Scott M Self-cooling solid-state emitters
US9693714B2 (en) 2012-02-10 2017-07-04 Senseonics, Incorporated Digital ASIC sensor platform
JP2013229593A (ja) * 2012-03-30 2013-11-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、及び照明装置
DE102013102322B4 (de) 2013-03-08 2018-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung und Optimierung einer optoelektronischen Komponente
JP6634389B2 (ja) * 2014-05-27 2020-01-22 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 非放射エネルギー移動に基づくソリッドステート照明装置
DE102014215221A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit von einer Lichtquelle beabstandetem Leuchtstoffkörper
DE102015101671A1 (de) 2015-02-05 2016-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente
DE102015114010A1 (de) 2015-08-24 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements
DE102015220838B4 (de) * 2015-10-26 2021-12-23 Osram Gmbh Konvertervorrichtung und Bestrahlungsvorrichtung mit einer solchen Konvertervorrichtung
US10755060B2 (en) * 2017-06-13 2020-08-25 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Security feature using printed LEDs and wavelength conversion material

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005158650A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2005327845A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ点灯装置及びディスプレイ装置
JP2006135367A (ja) * 2006-02-20 2006-05-25 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR20140059984A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함한 발광소자 모듈과, 발광소자 패키지 및 이를 포함한 발광소자 패키지 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015115706B4 (de) 2021-09-16
US10879136B2 (en) 2020-12-29
CN108028295B (zh) 2020-01-21
US20180269117A1 (en) 2018-09-20
JP2018533203A (ja) 2018-11-08
DE102015115706A1 (de) 2017-03-23
TW201717435A (zh) 2017-05-16
CN108028295A (zh) 2018-05-11
JP6616888B2 (ja) 2019-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013214877A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements und eines optoelektronischen Bauelements, Abdeckelement und optoelektronisches Bauelement
EP2294614B1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauelementen
DE102013102322B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung und Optimierung einer optoelektronischen Komponente
DE102015101671A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente
WO2009067996A2 (de) Chipanordnung, anschlussanordnung, led sowie verfahren zur herstellung einer chipanordnung
DE102013215650A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP3360167A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit einem leiterrahmen mit einer versteifungsstruktur
DE102017113741A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
WO2014056911A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit integrierter schutzdiode und verfahren zu seiner herstellung
EP2486604B1 (de) Kontaktierung eines optoelektronischen halbleiterbauteils durch konversionselement
WO2017216157A1 (de) Verfahren zur herstellung eines laserdiodenbarrens und laserdiodenbarren
DE102011111980A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
WO2017032746A1 (de) Optoelektronisches bauelement, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und verfahren zum betrieb eines optoelektronischen bauelements
DE112016003142B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronische Halbleiterchips
WO2018234119A1 (de) Anordnung mit einer mehrzahl von leuchtmodulen und verfahren zur herstellung einer anordnung mit einer mehrzahl von leuchtmodulen
DE102015115706B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2020212252A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2017129697A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit seitenkontakten
DE102019217228A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102015105693A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
WO2019121556A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
WO2016198620A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen konversions-halbleiterchips und verbund von konversions-halbleiterchips
DE102017117411B4 (de) Leiterrahmenverbund und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile
DE102018126924A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips mit einer Konverterschicht und Leuchtdiodenchip
WO2015154956A1 (de) Halbleiterchip, optoelektronisches bauelement mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16766012

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018512535

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15761048

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16766012

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1