WO2017038840A1 - 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 - Google Patents
硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 Download PDFInfo
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Abstract
Description
本願は、2015年8月31日に日本に出願された特願2015-170657号及び2016年8月25日に日本に出願された特願2016-165183号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
ただ、前記従来のTi-Al系の複合窒化物層を被覆形成した被覆工具は、比較的耐摩耗性にすぐれるものの、高速断続切削条件で用いた場合にチッピング等の異常損耗を発生しやすいことから、硬質被覆層の改善についての種々の提案がなされている。
しかし、前記特許文献1に記載されている被覆工具は、結晶粒相互の結晶方位のずれを所定範囲とすることによって、被覆工具の特性を改善することは開示されているものの、(Ti1-xAlx)N層からなる硬質被覆層のAlの含有割合xを高め、硬さ、耐摩耗性を向上させることについて考慮されていないばかりか、結晶粒内の方位差による影響についての開示も着眼もない。従って、合金鋼の高速断続切削に供した場合には、耐摩耗性、耐チッピング性が十分であるとは言えない。
一方、前記特許文献2に記載されている化学蒸着法で蒸着形成した(Ti1-xAlx)N層については、Alの含有割合xを高めることができ、また、立方晶構造を形成させることができるものの、これを被覆工具の硬質被覆層とした場合には、工具基体との密着強度は十分でなく、また、靭性に劣るという問題がある。
また、前記特許文献3に記載されている被覆工具は、所定の硬さを有し耐摩耗性にはすぐれるものの、靭性に劣ることから、合金鋼の高速断続切削加工等に供した場合には、チッピング、欠損、剥離等の異常損傷が発生しやすく、満足できる切削性能を発揮するとは言えない。
そこで、本願発明者らは、硬質被覆層を構成する(Ti1-xAlx)(CyN1-y)層の結晶粒の結晶方位について鋭意研究したところ、(Ti1-xAlx)(CyN1-y)層がNaCl型の面心立方構造を有する結晶粒を含有し、かつ、該NaCl型の面心立方構造を有する各結晶粒の結晶粒内平均方位差が1度以上を示す結晶粒を、所定の面積割合で(Ti1-xAlx)(CyN1-y)層中に存在させることにより、NaCl型の面心立方構造を有する(Ti1-xAlx)(CyN1-y)結晶粒の工具基体表面と平行な面内方向における応力が緩和されるため、靭性を高めることができ、その結果、硬質被覆層の耐チッピング性、耐欠損性を向上させることができるという新規な知見を見出した。
また、好ましくは、結晶粒内平均方位差が2度以上を示す結晶粒が前記複合窒化物または複合炭窒化物層に対する面積割合で30%以上存在した場合に、一段とNaCl型の面心立方構造を有する(Ti1-xAlx)(CyN1-y)結晶粒における工具基体表面と平行な面内方向の応力の緩和を図ることができる。
さらに、前記結晶粒内平均方位差が1度以上2度未満の範囲内に、面積割合の度数ピークが存在する場合には、さらに一段と、NaCl型の面心立方構造を有する(Ti1-xAlx)(CyN1-y)結晶粒における工具基体表面と平行な面内方向の応力の緩和を図ることができる。
そして、前記結晶粒内平均方位差を備える(Ti1-xAlx)(CyN1-y)層を硬質被覆層として形成した被覆工具は、高熱発生を伴うとともに、切刃に対して衝撃的な負荷が作用する合金鋼等の高速断続切削加工で、すぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮し、長期の使用に亘ってすぐれた耐摩耗性を発揮することを見出した。
すなわち、化学蒸着反応装置へ、NH3、N2、H2からなるガス群Aと、TiCl4、AlCl3、Al(CH3)3、N2、H2からなるガス群Bをおのおの別々のガス供給管から反応装置内へ供給し、ガス群Aとガス群Bの反応装置内への供給は、例えば、一定の周期の時間間隔で、その周期よりも短い時間だけガスが流れるように供給し、ガス群Aとガス群Bのガス供給にはガス供給時間よりも短い時間の位相差が生じるようにして、工具基体表面における反応ガス組成を、(i)ガス群A、(ii)ガス群Aとガス群Bの混合ガス、(iii)ガス群Bと時間的に変化させることができる。ちなみに、本願発明においては、厳密なガス置換を意図した長時間の排気工程を導入する必要は無い。従って、ガス供給方法としては、例えば、ガス供給口を回転させたり、工具基体を回転させたり、工具基体を往復運動させたりして、工具基体表面における反応ガス組成を、(i)ガス群Aを主とする混合ガス、(ii)ガス群Aとガス群Bの混合ガス、(iii)ガス群Bを主とする混合ガス、と時間的に変化させることでも実現する事が可能である。
工具基体表面に、反応ガス組成(ガス群Aおよびガス群Bを合わせた全体に対する容量%)を、例えば、ガス群AとしてNH3:2.0~3.0%、N2:0~5%、H2:45~50%、ガス群BとしてAlCl3:0.6~0.9%、Al(CH3)3:0~0.5%、TiCl4:0.2~0.3%、N2:10.0~12.0%、H2:残、反応雰囲気圧力:4.0~5.0kPa、反応雰囲気温度:700~900℃、供給周期1~5秒、1周期当たりのガス供給時間0.15~0.25秒、ガス供給Aとガス供給Bの位相差0.10~0.20秒として、所定時間、熱CVD法を行うことにより、所定の目標層厚、所定の結晶粒内平均方位差を備える(Ti1-xAlx)(CyN1-y)層を成膜することができる。
(1)炭化タングステン基超硬合金、炭窒化チタン基サーメットまたは立方晶窒化ホウ素基超高圧焼結体のいずれかで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層を設けた表面被覆切削工具において、
(a)前記硬質被覆層は、平均層厚1~20μmのTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層を少なくとも含み、該複合窒化物または複合炭窒化物層を組成式:(Ti1-xAlx)(CyN1-y)で表した場合、AlのTiとAlの合量に占める平均含有割合xavgおよびCのCとNの合量に占める平均含有割合yavg(但し、xavg、yavgはいずれも原子比)は、それぞれ、0.60≦xavg≦0.95、0≦yavg≦0.005を満足し、
(b)前記複合窒化物または複合炭窒化物層は、NaCl型の面心立方構造を有するTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物の結晶粒を少なくとも含み、
(c)電子線後方散乱回折装置を用いて、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面を解析し、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、前記結晶粒内平均方位差が1度以上を示す前記NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒は、前記複合窒化物または複合炭窒化物層に占める面積割合で50%以上存在することを特徴とする表面被覆切削工具。
(2)電子線後方散乱回折装置を用いて、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面を解析し、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、前記結晶粒内平均方位差が2度以上である前記NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒は、前記複合窒化物または複合炭窒化物層に占める面積割合で30%以上存在することを特徴とする前記(1)に記載の表面被覆切削工具。
(3)電子線後方散乱回折装置を用いて、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面を解析し、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を測定し、結晶粒内平均方位差とその面積割合の度数分布を求めた場合、前記結晶粒内平均方位差が1度以上2度未満の範囲内に、前記結晶粒内平均方位差とその面積割合の度数分布におけるピークが存在することを特徴とする前記(1)または(2)に記載の表面被覆切削工具。
(4)前記工具基体と前記TiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層の間に、Tiの炭化物層、窒化物層、炭窒化物層、炭酸化物層および炭窒酸化物層のうちの1層または2層以上からなり、0.1~20μmの合計平均層厚を有するTi化合物層を含む下部層が存在することを特徴とする前記(1)から(3)のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
(5)前記複合窒化物または複合炭窒化物層の上部に、少なくとも酸化アルミニウム層を含む上部層が1~25μmの合計平均層厚で存在することを特徴とする前記(1)から(4)のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
なお、“結晶粒内平均方位差”とは、後述するGOS(Grain Orientation Spread)値のことを意味する。
本願発明の表面被覆切削工具が備える硬質被覆層は、化学蒸着された組成式:(Ti1-xAlx)(CyN1-y)で表されるTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層を少なくとも含む。この複合窒化物または複合炭窒化物層は、硬さが高く、すぐれた耐摩耗性を有するが、特に平均層厚が1~20μmのとき、その効果が際立って発揮される。その理由は、平均層厚が1μm未満では、層厚が薄いため長期の使用に亘っての耐摩耗性を十分確保することができず、一方、その平均層厚が20μmを越えると、TiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層の結晶粒が粗大化し易くなり、チッピングを発生しやすくなる。したがって、その平均層厚を1~20μmと定めた。
本願発明の表面被覆切削工具が備える硬質被覆層に
含まれるTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層は、AlのTiとAlの合量に占める平均含有割合xavgおよびCのCとNの合量に占める平均含有割合yavg(但し、xavg、yavgはいずれも原子比)が、それぞれ、0.60≦xavg≦0.95、0≦yavg≦0.005を満足するように制御する。
その理由は、Alの平均含有割合xavgが0.60未満であると、TiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層は硬さに劣るため、合金鋼等の高速断続切削に供した場合には、耐摩耗性が十分でない。一方、Alの平均含有割合xavgが0.95を超えると、相対的にTiの含有割合が減少するため、脆化を招き、耐チッピング性が低下する。したがって、Alの平均含有割合xavgは、0.60≦xavg≦0.95と定めた。
また、複合窒化物または複合炭窒化物層に含まれるC成分の含有割合(原子比)yavgは、0≦yavg≦0.005の範囲の微量であるとき、複合窒化物または複合炭窒化物層と工具基体もしくは下部層との密着性が向上し、かつ、潤滑性が向上することによって切削時の衝撃を緩和し、結果として複合窒化物または複合炭窒化物層の耐欠損性および耐チッピング性が向上する。一方、C成分の平均含有割合yavgが0≦yavg≦0.005の範囲を逸脱すると、複合窒化物または複合炭窒化物層の靭性が低下するため耐欠損性および耐チッピング性が逆に低下するため好ましくない。したがって、C成分の平均含有割合yavgは、0≦yavg≦0.005と定めた。
立方晶のTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物結晶粒の結晶粒内平均方位差は、電子線後方散乱回折装置を用いて求める。
具体的には、TiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面について0.05μm間隔で解析し、図1に示すように、隣接する測定点(以下、「ピクセル」ともいう)(1)間で5度以上の方位差がある場合、そこを粒界(2)と定義する。
そして、粒界(2)で囲まれた領域を1つの結晶粒と定義する。ただし、隣接するピクセル(1)全てと5度以上の方位差がある単独に存在するピクセル(1)は結晶粒とせず、2ピクセル以上が連結しているものを結晶粒として取り扱う。
明細書における“結晶粒内平均方位差”とは、このGOS値を意味する。GOS値を数式で表す場合、同一結晶粒内のピクセル数をn、同一結晶粒内の異なるピクセル(1)におのおの付けた番号をiおよびj(ここで 1≦i、j≦nとなる)、ピクセルiでの結晶方位とピクセルjでの結晶方位から求められる結晶方位差をαij(i≠j)とすると、下記式1で表すことができる。
このように、本願発明のTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層を構成する立方晶結晶粒は、従来のTiAlN層を構成している結晶粒と比較して、結晶粒内で結晶方位のばらつきが大きく、そのため、工具基体と平行な面内方向の応力が緩和されるため、このことが硬質被覆層の靭性の向上に貢献している。
そして、前記結晶粒内平均方位差を備える(Ti1-xAlx)(CyN1-y)層を少なくとも含む硬質被覆層を工具基体表面に被覆形成した被覆工具は、高熱発生を伴うとともに、切刃に対して衝撃的な負荷が作用する合金鋼等の高速断続切削加工で、すぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮し、長期の使用に亘ってすぐれた耐摩耗性を発揮するのである。
ただ、前記結晶粒内平均方位差が1度以上を示す結晶粒が、TiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層の全面積に占める面積割合が50%未満である場合には、結晶粒の工具基体表面と平行な面内方向の応力緩和効果が十分でなく、硬質被覆層の靱性向上効果が十分でないことから、結晶粒内平均方位差が1度以上を示す立方晶結晶粒がTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層の全面積に占める面積割合は50%以上とする。
これは、結晶粒内平均方位差が2度以上となる立方晶結晶粒が存在することによって、工具基体表面と平行な面内方向の応力がより緩和され、靱性の向上により、耐チッピング性、耐欠損性が向上するという理由により、そして、このような効果は、結晶粒内平均方位差が2度以上である立方晶結晶粒が、面積割合で30%以上存在する場合に顕著に表れてくる。
このような場合には、より一段と、工具基体表面と平行な面内方向の応力がより緩和され、その結果、より一段と靱性が向上し、高熱発生を伴うとともに、切刃に対して衝撃的な負荷が作用する合金鋼等の高速断続切削加工で、すぐれた耐チッピング性、耐欠損性が発揮される。
また、本願発明の表面被覆切削工具が備える硬質被覆層に含まれる複合窒化物または複合炭窒化物層は、それだけでも十分な効果を奏するが、Tiの炭化物層、窒化物層、炭窒化物層、炭酸化物層および炭窒酸化物層のうちの1層または2層以上からなり、0.1~20μmの合計平均層厚を有するTi化合物層を含む下部層を設けた場合、あるいは、少なくとも酸化アルミニウム層を含む上部層が1~25μmの合計平均層厚で形成されている場合には、これらの層が奏する効果と相俟って、一層すぐれた特性を発揮することができる。
Tiの炭化物層、窒化物層、炭窒化物層、炭酸化物層および炭窒酸化物層のうちの1層または2層以上からなり、0.1~20μmの合計平均層厚を有するTi化合物層を含む下部層を設ける場合、下部層の合計平均層厚が0.1μm未満では、下部層の効果が十分に奏されず、一方、20μmを超えると結晶粒が粗大化し易くなり、チッピングを発生しやすくなる。また、酸化アルミニウム層を含む上部層の合計平均層厚が1μm未満では、上部層の効果が十分に奏されず、一方、25μmを超えると結晶粒が粗大化し易くなり、チッピングを発生しやすくなる。
さらに、電子線後方散乱回折装置を用いて、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面を解析し、立方晶結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、前記結晶粒内平均方位差が2度以上である立方晶結晶粒が、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の全面積の30%以上の面積割合を占める場合、また、さらに、前記結晶粒内平均方位差が1度以上2度未満の範囲内に、前記結晶粒内平均方位差とその面積割合の度数分布におけるピークが存在する場合には、よりすぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮し、長期の使用に亘ってすぐれた耐摩耗性が発揮される。
(a)表4、表5に示される形成条件A~J、すなわち、NH3、N2、H2からなるガス群Aと、TiCl4、AlCl3、Al(CH3)3、N2、H2からなるガス群B、およびおのおのガスの供給方法として、反応ガス組成(ガス群Aおよびガス群Bを合わせた全体に対する容量%)を、ガス群AとしてNH3:2.0~3.0%、N2:0~5%、H2:45~50%、ガス群BとしてAlCl3:0.6~0.9%、Al(CH3)3:0~0.5%、TiCl4:0.2~0.3%、N2:10.0~12.0%、H2:残、反応雰囲気圧力:4.0~5.0kPa、反応雰囲気温度:700~900℃、供給周期1~5秒、1周期当たりのガス供給時間0.15~0.25秒、ガス供給Aとガス供給Bの位相差0.10~0.20秒として、所定時間、熱CVD法を行い、表7に示される結晶粒内平均方位差を有する立方晶結晶粒が表7に示される面積割合存在し、表7に示される目標層厚を有する(Ti1-xAlx)(CyN1-y)層からなる硬質被覆層を形成することにより本発明被覆工具1~15を製造した。
なお、本発明被覆工具6~13については、表3に示される形成条件で、表6に示される下部層および/または表7に示される上部層を形成した。
なお、本発明被覆工具6~13と同様に、比較被覆工具6~13については、表3に示される形成条件で、表6に示される下部層および/または表8に示される上部層を形成した。
なお、参考例の蒸着に用いたアークイオンプレーティングの条件は、次のとおりである。
(a)前記工具基体BおよびCを、アセトン中で超音波洗浄し、乾燥した状態で、アークイオンプレーティング装置内の回転テーブル上の中心軸から半径方向に所定距離離れた位置に外周部に沿って装着し、また、カソード電極(蒸発源)として、所定組成のTi-Al合金を配置し、
(b)まず、装置内を排気して10-2Pa以下の真空に保持しながら、ヒーターで装置内を500℃に加熱した後、前記回転テーブル上で自転しながら回転する工具基体に-1000Vの直流バイアス電圧を印加し、かつTi-Al合金からなるカソード電極とアノード電極との間に200Aの電流を流してアーク放電を発生させ、装置内にTiおよびAlイオンを発生させ、もって工具基体表面をボンバード洗浄し、
(c)次に、装置内に反応ガスとして窒素ガスを導入して4Paの反応雰囲気とすると共に、前記回転テーブル上で自転しながら回転する工具基体に-50Vの直流バイアス電圧を印加し、かつ、前記Ti-Al合金からなるカソード電極(蒸発源)とアノード電極との間に120Aの電流を流してアーク放電を発生させ、前記工具基体の表面に、表8に示される目標組成、目標層厚の(Ti、Al)N層を蒸着形成し、参考被覆工具14、15を製造した。
ただし、Cの含有割合には、意図的にガス原料としてCを含むガスを用いなくても含まれる不可避的なCの含有割合を除外している。具体的にはAl(CH3)3の供給量を0とした場合の複合窒化物または複合炭窒化物層に含まれるC成分の含有割合(原子比)を不可避的なCの含有割合として求め、Al(CH3)3を意図的に供給した場合に得られる複合窒化物または複合炭窒化物層に含まれるC成分の含有割合(原子比)から前記不可避的なCの含有割合を差し引いた値をyavgとして求めた。
また、結晶粒内平均方位差とその面積割合の度数分布において、ピークが存在する角度を求めた。
その結果を表7および表8に示す。
図2~4に、それぞれ、本発明被覆工具2、7、12について測定した結晶粒内平均方位差(すなわちGOS値)の度数分布(ヒストグラム)の一例を示す。
切削試験:乾式高速正面フライス、センターカット切削加工、
被削材:JIS・SCM440幅100mm、長さ400mmのブロック材、
回転速度:930 min-1、
切削速度:360 m/min、
切り込み:2.0 mm、
一刃送り量:0.10 mm/刃、
切削時間:8分、
なお、本発明被覆工具19~28については、表3に示される形成条件で、表12に示される下部層および/または表13に示される上部層を形成した。
なお、本発明被覆工具19~28と同様に、比較被覆工具19~28については、表3に示される形成条件で、表12に示される下部層および/または表14に示される上部層を形成した。
なお、アークイオンプレーティングの条件は、実施例1に示される条件と同様の条件を用いた。
また、実施例1と同様に、本発明被覆工具16~30、比較被覆工具16~28および参考被覆工具29、30の硬質被覆層について、Alの平均含有割合xavg、Cの平均含有割合yavgを求めた。
表13、表14に、測定結果を示す。
また、結晶粒内平均方位差とその面積割合の度数分布において、ピークが存在する角度を求めた。
その結果を表13および表14に示す。
切削条件1:
被削材:JIS・SCM435の長さ方向等間隔4本縦溝入り丸棒、
切削速度:390 m/min、
切り込み:1.5 mm、
送り:0.1 mm/rev、
切削時間:5 分、
(通常の切削速度は、220m/min)、
切削条件2:
被削材:JIS・FCD700の長さ方向等間隔4本縦溝入り丸棒、
切削速度:330 m/min、
切り込み:1.2 mm、
送り:0.15 mm/rev、
切削時間:5 分、
(通常の切削速度は、200m/min)、
表15に、前記切削試験の結果を示す。
なお、本発明被覆工具34~38については、表3に示される形成条件で、表17に示すような下部層および/または表18に示すような上部層を形成した。
なお、本発明被覆工具34~38と同様に、比較被覆工具34~38については、表3に示される形成条件で、表17に示すような下部層および/または表19に示すような上部層を形成した。
なお、アークイオンプレーティングの条件は、実施例1に示される条件と同様の条件を用い、前記工具基体の表面に、表19に示される目標組成、目標層厚の(Al、Ti)N層を蒸着形成し、参考被覆工具39、40を製造した。
表18および表19に、その結果を示す。
工具基体:立方晶窒化ホウ素基超高圧焼結体、
切削試験:浸炭焼入れ合金鋼の乾式高速断続切削加工、
被削材:JIS・SCr420(硬さ:HRC62)の長さ方向等間隔4本縦溝入り丸棒、
切削速度:235 m/min、
切り込み:0.15 mm、
送り:0.1 mm/rev、
切削時間:4 分、
表20に、前記切削試験の結果を示す。
2 粒界
Claims (5)
- 炭化タングステン基超硬合金、炭窒化チタン基サーメットまたは立方晶窒化ホウ素基超高圧焼結体のいずれかで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層を設けた表面被覆切削工具において、
(a)前記硬質被覆層は、平均層厚1~20μmのTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層を少なくとも含み、該複合窒化物または複合炭窒化物層を組成式:(Ti1-xAlx)(CyN1-y)で表した場合、AlのTiとAlの合量に占める平均含有割合xavgおよびCのCとNの合量に占める平均含有割合yavg(但し、xavg、yavgはいずれも原子比)は、それぞれ、0.60≦xavg≦0.95、0≦yavg≦0.005を満足し、
(b)前記複合窒化物または複合炭窒化物層は、NaCl型の面心立方構造を有するTiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物の結晶粒を少なくとも含み、
(c)電子線後方散乱回折装置を用いて、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面を解析し、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、前記結晶粒内平均方位差が1度以上を示す前記NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒は、前記複合窒化物または複合炭窒化物層に占める面積割合で50%以上存在することを特徴とする表面被覆切削工具。 - 電子線後方散乱回折装置を用いて、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面を解析し、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、前記結晶粒内平均方位差が2度以上である前記NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒は、前記複合窒化物または複合炭窒化物層に占める面積割合で30%以上存在することを特徴とする請求項1に記載の表面被覆切削工具。
- 電子線後方散乱回折装置を用いて、前記複合窒化物または複合炭窒化物層の表面に垂直な方向からその表面研磨面を解析し、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を測定し、結晶粒内平均方位差とその面積割合の度数分布を求めた場合、前記結晶粒内平均方位差が1度以上2度未満の範囲内に、前記結晶粒内平均方位差とその面積割合の度数分布におけるピークが存在することを特徴とする請求項1または2に記載の表面被覆切削工具。
- 前記工具基体と前記TiとAlの複合窒化物または複合炭窒化物層の間に、Tiの炭化物層、窒化物層、炭窒化物層、炭酸化物層および炭窒酸化物層のうちの1層または2層以上からなり、0.1~20μmの合計平均層厚を有するTi化合物層を含む下部層が存在することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
- 前記複合窒化物または複合炭窒化物層の上部に、少なくとも酸化アルミニウム層を含む上部層が1~25μmの合計平均層厚で存在することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
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