WO2016200004A1 - 정수기 - Google Patents

정수기 Download PDF

Info

Publication number
WO2016200004A1
WO2016200004A1 PCT/KR2016/000092 KR2016000092W WO2016200004A1 WO 2016200004 A1 WO2016200004 A1 WO 2016200004A1 KR 2016000092 W KR2016000092 W KR 2016000092W WO 2016200004 A1 WO2016200004 A1 WO 2016200004A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
water
light
discharge
water purifier
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2016/000092
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
조현경
노승원
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Priority to US15/735,528 priority Critical patent/US10941049B2/en
Publication of WO2016200004A1 publication Critical patent/WO2016200004A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/001—Processes for the treatment of water whereby the filtration technique is of importance
    • C02F1/003—Processes for the treatment of water whereby the filtration technique is of importance using household-type filters for producing potable water, e.g. pitchers, bottles, faucet mounted devices
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2/00—Disinfection or sterilisation of materials or objects, in general; Accessories therefor
    • A61L2/02—Disinfection or sterilisation of materials or objects, in general; Accessories therefor using physical processes
    • A61L2/08—Radiation
    • A61L2/10—Ultraviolet [UV] radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/16—Cleaning-out devices, e.g. for removing the cake from the filter casing or for evacuating the last remnants of liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
    • C02F1/32—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
    • C02F1/325—Irradiation devices or lamp constructions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/44—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis
    • C02F1/441—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis by reverse osmosis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
    • C02F2201/32—Details relating to UV-irradiation devices
    • C02F2201/322—Lamp arrangement
    • C02F2201/3222—Units using UV-light emitting diodes [LED]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
    • C02F2201/32—Details relating to UV-irradiation devices
    • C02F2201/326—Lamp control systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2303/00—Specific treatment goals
    • C02F2303/04—Disinfection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2303/00—Specific treatment goals
    • C02F2303/14—Maintenance of water treatment installations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2303/00—Specific treatment goals
    • C02F2303/20—Prevention of biofouling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2307/00—Location of water treatment or water treatment device
    • C02F2307/10—Location of water treatment or water treatment device as part of a potable water dispenser, e.g. for use in homes or offices

Definitions

  • the present invention relates to a water purifier.
  • a water purifier means a device that meets the water quality standards for drinking tap water, well water, valley water, or river water by using such a process or combining such processes using physical, chemical or biological methods.
  • the water quality standards for drinking water are based on the standards of the World Health Organization (WHO) in most countries, including Korea. According to this, the water quality standards are used as water to the human body even after drinking about 2 liters of water a day for 70 years. Due to the safety level is set by multiplying the safety factor, it is safe to meet the water quality standards for drinking water.
  • WHO World Health Organization
  • the discharge portion of the water purifier is placed in a state in which water is always standing and exposed to the air to grow bacteria.
  • Conventional water purifiers generally require the user to clean the discharge section with a cotton swab or toothbrush or frequently with hot water or vinegar.
  • An embodiment is to solve the problem to provide a water purifier having a light source module for projecting ultraviolet light to prevent the growth of bacteria in the discharge.
  • the embodiment is to solve the problem to provide a water purifier having a light source unit module to prevent the falling of energy efficiency while sterilizing flowing water.
  • the embodiment is to solve the problem to provide a water purifier having a light source unit module to prevent the increase in the humidity of the LED module due to the water flowing in the discharge unit.
  • the embodiment is to solve the problem to provide a water purifier that does not change the color of the discharge portion by the ultraviolet rays projected by the LED.
  • a body having an appearance of receiving water and the inside of the body, the discharge device for discharging the water contained in the body to the outside of the body;
  • the discharge device is disposed facing the discharge body and the discharge body having a hollow shape for providing a flow path for discharging the water contained in the body, the light having a wavelength band of ultraviolet rays toward the water flowing through the discharge body
  • a water purifier including a light source unit for irradiation.
  • the light source unit may provide a water purifier including a light emitting device for irradiating the light and a waterproof unit disposed on an outer circumferential surface of the light emitting device to isolate and separate the light emitting device from water flowing through the discharge unit body.
  • the waterproof portion may provide a water purifier including a Teflon having a light transmitting.
  • the waterproof portion may provide a water purifier comprising a quartz that is transparent.
  • the discharge unit body may provide a water purifier including a material containing a UV stabilizer.
  • the UV stabilizer may provide a water purifier, characterized in that the HALS (hindered Amine Light Stabilizer).
  • HALS hindered Amine Light Stabilizer
  • the discharge unit body may provide a water purifier, characterized in that made of a material containing an ultraviolet resistance additive.
  • the UV resistance additive may provide a water purifier, characterized in that the carbon black (C), titanium dioxide (TiO 2 ) or benzotriazole (C 6 H 5 N 3 ).
  • Embodiments provide an effect of the invention to provide a water purifier having a light source module for projecting ultraviolet ultraviolet rays to prevent bacteria from propagating in the discharge portion.
  • an embodiment of the present invention provides a water purifier having a light source module that prevents the energy efficiency from falling while sterilizing flowing water.
  • an embodiment of the present invention provides a water purifier having a light source unit module which prevents the performance of the LED from deteriorating due to an increase in humidity in the LED module by water flowing in the discharge unit.
  • FIG. 1 shows a water purifier of an embodiment.
  • Figure 2 shows a light source unit provided in the discharge portion of the water purifier of the embodiment.
  • Figure 3 shows the discoloration degree according to the time of exposure to the material and ultraviolet light of the discharge portion of the water purifier of the embodiment.
  • FIG 5 illustrates a light emitting device provided in the light source module of the water purifier of the embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a package of a light emitting device of the embodiment water purifier.
  • FIG. 7 is a graph illustrating a change amount of VF (Voltage Forward) according to an operating time of an LED chip (not shown) destroyed and exposed to moisture and a waterproof LED chip (not shown).
  • VF Voltage Forward
  • the upper (up) or the lower (down) (on or under) when described as being formed on the “on” or “on” (under) of each element, the upper (up) or the lower (down) (on or under) includes both the two elements are in direct contact with each other (directly) or one or more other elements are formed indirectly formed (indirectly) between the two elements.
  • the upper (up) or the lower (down) (on or under) when expressed as “up” or "on (under)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
  • each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description.
  • the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
  • FIG. 1 shows a water purifier of an embodiment.
  • the water purifier of the present invention the water supply source 30 is provided to provide water into the water purifier, the filter unit 40 is provided to purify the contaminants and foreign matter of the water provided from the water supply source 30, water
  • the storage unit 50 to be stored may include a discharge device 60 provided to extract the water stored in the storage unit 50 to the outside.
  • Discharge device 60 is provided on the inner side of the discharge valve 61, the discharge portion 63 provided to form a flow path for discharging the water, discharge portion 61 provided to adjust the amount of water extracted to the outside LED control unit 65 for controlling the light source unit 631 may be included.
  • the discharge valve 61 may be provided so that water flows from the discharge unit 63 when the user pressurizes the discharge valve 61 by using a container for containing water, and the discharge valve 61 may be used by the user. And a pivot part 611 provided to open and close the discharge valve 61 by pivoting the pressed part 613 using a force applied to the pressed part 613 and the pressed part 613 to provide a space to pressurize. can do.
  • the discharge unit 63 may include a light source unit 631 provided to irradiate ultraviolet rays to sterilize the water flowing in the discharge unit 63 and a discharge unit body 633 provided to provide a flow path through which the water flows. have.
  • the light source unit 631 may include an LED 6311, which is a light emitting device provided to irradiate ultraviolet rays, and a waterproof film 6313 provided on an outer circumferential surface of the LED 6311 to waterproof the LED 6311.
  • the water supply source 30 may be a tank for storing unpurified water and may also be a water pipe itself connected from the water supply source into the building.
  • the filter unit 40 may include a first filter 41 for removing large impurities such as rust, soil, and sand, and a second filter 43 for removing heavy metals, phenols, bacteria, etc. in water by reverse osmosis. And finally, a third filter 45 for purifying water.
  • the number and function of the filters of the filter unit 40 may be provided differently according to the needs of the user, and only a function of purifying water from the water supply source 30 is not limited to those described in this embodiment.
  • An operating time, an operating cycle, and an intensity of light of the LED 6311 of the light source unit 631 may be controlled by the LED controller 65.
  • a connecting lead may be provided between the LED control unit 65 and the LED 6311, or may be provided so that the LED control unit 65 and the LED 6311 are directly connected without the connecting lead.
  • water may be discharged to the outside of the water purifier.
  • the water purifier of the present invention provides a water supply duct 70 for providing a flow path through which the water moves from the water supply source 30 to the filter part 40, and a filter duct part 81 for providing a flow path through which the water moves inside the filter part 40. , 83, 85, and the discharge duct 90 may provide a flow path through which water moves from the reservoir 50 to the discharge unit 60.
  • the filter duct unit 80 may include a first filter duct 81 providing a flow path through which water moves from the first filter 41 to the second filter 43, and a third filter 45 from the second filter 43.
  • the second filter duct 83 may provide a flow path through which water moves
  • the third filter duct 85 may provide a flow path through which water moves from the third filter 45 to the reservoir 50. .
  • FIG. 2 illustrates a light source unit provided in the discharge unit 63 of the water purifier of the present invention.
  • the light source unit 631 may be provided on an inner side surface of the discharge unit body 633.
  • the discharge unit body 633 may be provided in a hollow shape so that the water inside the water purifier may be discharged to the outside of the water purifier to form a flow path through which the water is discharged, and the light source unit 631 may be a discharge unit. Is provided on the inner side of the body 633 to be irradiated with ultraviolet light toward the water flowing in the discharge body 633.
  • the mercury lamp In order to irradiate the ultraviolet-ray to the water which flows inside the discharge part 63, the mercury lamp (not shown) was common. However, the mercury lamp (not shown) has a limited spectrum of ultraviolet rays, and the ON / OFF speed is slower than that of the light source unit 631 and inferior to the light source unit 631 in terms of energy efficiency.
  • Ultraviolet rays can be classified into three types (UVA, UVB, UVC) according to the wavelength band.
  • UVA is ultraviolet light having a wavelength band of 320 nm to 400 nm
  • UVB is ultraviolet light having a wavelength band of 290 nm to 320 nm
  • UVC is ultraviolet light having a wavelength band of 290 nm or less.
  • the LED 6311 provided in the light source unit 631 provided in the present embodiment may apply the spectrum of ultraviolet rays to be applied differently according to the needs of the user. have.
  • UVA has the highest sterilization effect, and UVB and UVC are harmful to human body.
  • the wavelength range of the ultraviolet rays to be irradiated cannot be adjusted, so that UVB and UVC harmful to the human body are irradiated as well as UVA for sterilization.
  • the light source unit 631 of the present embodiment irradiates ultraviolet rays by using the LED 6311, it mainly irradiates UVA except UVB and UVC which are harmful to the human body, thereby improving sterilization ability and providing a sterilization apparatus that is harmless to the human body. It has an effect.
  • the light source unit 631 of the present embodiment can be selectively irradiated with UVA, UVB, UVC as necessary, but is not limited thereto.
  • E. coli and Salmonella are mostly sterilized at about 60 seconds by ultraviolet light emitted from the light source unit 631 of this embodiment, and when the ultraviolet light is irradiated at about 180 seconds (sec), almost all of them are Listeria. have.
  • the light source unit 631 is provided in the discharge unit 63 as in the present invention, there is an effect that can be irradiated with ultraviolet light toward the water discharged from the interior of the water purifier using less energy.
  • the light source part 631 may further include a waterproof part 6313 provided on the outer circumferential surface of the light source part 631 as a waterproof film.
  • the light source unit 631 is always disposed on the inner circumferential surface of the discharge unit 63 through which water flows, if the waterproof unit 6313 is not provided, the humidity of the light source unit 631 increases due to water, thereby causing the LED chip ( This is because there is a problem that is not normal operation is destroyed.
  • FIG. 7 is a graph illustrating a change amount of VF (Voltage Forward) according to an operating time of an LED chip (not shown) destroyed and exposed to moisture and a waterproof LED chip (not shown).
  • VF Voltage Forward
  • FIG. 7 (a) is a graph showing the amount of change in the voltage forward (VF) according to the operating time of the LED chip (not shown) that is exposed to moisture and FIG. 7 (b) is a waterproof LED. It is a graph showing the amount of change in VF (Voltage Forward) according to the operating time of the chip (not shown).
  • the horizontal axis refers to the time when the current is supplied to the LED chip (not shown), and the vertical axis refers to the amount of change in voltage forward (VF) with time.
  • the LED chip (not shown) changes the brightness of the LED irradiated from the LED chip (not shown) according to VF (Voltage Forward). As shown in FIG. 6, the LED chip (not shown) destroyed by exposure to moisture is about When the current is supplied for 456 hours (hr), the value of Voltage Forward (VF) drops by 95.6%, whereas for the waterproof LED chip (not shown), the current is supplied for about 456 hours (hr) The value of the voltage forward drops by 0.8%.
  • the water purifier of the present invention may further include a waterproof part 6313 to protect the outer circumferential surface of the light source part 631 from moisture caused by water.
  • the waterproof part 6313 should be made of a material capable of passing the ultraviolet light emitted from the light source part 631 while at the same time separating the light source part 631 from the water.
  • the waterproof part 6313 is preferably made of Teflon or quartz through which ultraviolet light can pass.
  • Figure 3 shows the discoloration according to the time of exposure to the material and ultraviolet light of the discharge portion of the water purifier of the present invention.
  • the horizontal axis of the graph represents the time (hour) irradiated with ultraviolet rays
  • the vertical axis of the graph represents the degree of discoloration according to a predetermined criterion.
  • the hatched Z area of the graph is an area showing the degree of discoloration that can be tolerated.
  • the discharge portion 63 of the present invention is most preferably provided with acrylonitrile butadiene styrene (ABS, C).
  • the discharge unit 60 may further include an ultraviolet resistance additive and an ultraviolet stabilizer because the discharge unit 60 is out of the predetermined region Z.
  • the discharge unit 63 includes an ultraviolet resistance additive and an ultraviolet stabilizer, the degree of color change due to the ultraviolet light emitted from the light source unit 631 may be reduced.
  • the ultraviolet resistance additive added to the discharge portion 63 of the present invention may be carbon black (C), titanium dioxide (TiO 2 ) or benzotriazole (C 6 H 5 N 3 ).
  • the UV stabilizer added to the discharge portion 63 of the present invention may be a HALS (hindered Amine Light Stabilizer).
  • the present invention is not limited to the UV-resisting additive and the UV stabilizer described in the present embodiment, and the discharge part 60 may be reduced in the degree of discoloration caused by ultraviolet rays.
  • the light emitting device 100A illustrated in FIG. 4 includes a substrate 110, a buffer layer 120, a light emitting structure 130, and first and second electrodes 142 and 144.
  • the substrate 110 may include a conductive material or a non-conductive material.
  • the substrate 110 may include at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga 2 O 3 , GaAs, and Si.
  • a buffer layer (or transition layer) 120 may be disposed between them 110 and 130.
  • the buffer layer 120 may include, but is not limited to, at least one material selected from the group consisting of Al, In, N, and Ga, for example.
  • the buffer layer 120 may have a single layer or a multilayer structure.
  • the light emitting structure 130 includes a first conductivity type semiconductor layer 132, an active layer 134, and a second conductivity type semiconductor layer 136 sequentially disposed on the buffer layer 120.
  • the first conductive semiconductor layer 132 may be disposed on the buffer layer 120, and may be implemented as a compound semiconductor, such as a group III-V group or a group II-VI, doped with the first conductive dopant.
  • the first conductivity-type semiconductor layer 132 is an n-type semiconductor layer
  • the first conductivity-type dopant may be an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, Te, but is not limited thereto.
  • the first conductivity-type semiconductor layer 132 may have Al x In y Ga (1-xy) N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ ). It may include a semiconductor material having a composition formula of 1).
  • the first conductive semiconductor layer 132 may include any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP.
  • the active layer 134 is disposed on the first conductive semiconductor layer 132, and is injected through the electrons (or holes) and the second conductive semiconductor layer 136 that are injected through the first conductive semiconductor layer 132.
  • the holes (or electrons) that meet each other and emit light having energy determined by an energy band inherent in the material forming the active layer 134.
  • the active layer 134 may include at least one of a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. It can be formed as one.
  • the well layer / barrier layer of the active layer 134 may be formed of any one or more pair structures of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP.
  • the well layer may be formed of a material having a band gap energy lower than the band gap energy of the barrier layer.
  • a conductive clad layer may be formed on or under the active layer 134.
  • the conductive clad layer may be formed of a semiconductor having a band gap energy higher than the band gap energy of the barrier layer of the active layer 134.
  • the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, or a superlattice structure.
  • the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.
  • the active layer 134 emits light in the ultraviolet wavelength band.
  • the ultraviolet wavelength band means a wavelength band of 100 nm to 400 nm.
  • the active layer 134 may emit light in the wavelength range of 100 nm to 280 nm.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 136 is disposed on the active layer 134 and may be formed of a semiconductor compound. It can be implemented with a compound semiconductor, such as group III-V or II-VI.
  • the second conductivity type semiconductor layer 136 may have a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1). It may include a semiconductor material having a.
  • the second conductive semiconductor layer 136 may be doped with a second conductive dopant.
  • the second conductivity-type dopant may be a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
  • the first conductive semiconductor layer 132 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 136 may be a p-type semiconductor layer.
  • the first conductive semiconductor layer 132 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 136 may be an n-type semiconductor layer.
  • the light emitting structure 130 may be implemented as any one of an N-P junction structure, a P-N junction structure, an N-P-N junction structure, and a P-N-P junction structure.
  • the second conductivity type semiconductor layer 136 is the second conductivity type first semiconductor layer 136A and the second conductivity type.
  • the second semiconductor layer 136C may be included.
  • the second conductivity type first semiconductor layer 136A is disposed on the active layer 134.
  • Each of the second conductivity type first semiconductor layer 136A and the first conductivity type semiconductor layer 132 may include AlGaN. This is because AlGaN absorbs less light in the ultraviolet wavelength band than GaN or InAlGaN.
  • the second conductive second semiconductor layer 136C is disposed on the second conductive first semiconductor layer 136A.
  • the second conductive second semiconductor layer 136C smoothly supplies holes from the second electrode 144 to the active layer 134 to improve electrical characteristics of the light emitting device 100A.
  • the second conductivity-type second semiconductor layer 136B may include GaN or InAlGaN.
  • the second conductivity-type first semiconductor layer 136A may serve as an electron blocking layer (EBL).
  • EBL electron blocking layer
  • the second conductivity-type first semiconductor layer 136A serving as the electron blocking layer may have an AlGaN / AlGaN superlattice layer structure, or may have an AlGaN bulk layer structure.
  • the energy bandgap of the second conductive type first semiconductor layer 136A is active layer 134 so that the light emitted from the active layer 134 may be transmitted without being absorbed by the second conductive type first semiconductor layer 136A. ) May be greater than the energy bandgap.
  • the content ratio of aluminum included in the second conductivity type first semiconductor layer 136A may vary depending on the wavelength of the light emitted from the active layer 134.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 136 may further include a second conductivity-type third semiconductor layer 136B.
  • the second conductive third semiconductor layer 136B is disposed between the second conductive first semiconductor layer 136A and the second conductive second semiconductor layer 136C.
  • the second conductivity-type third semiconductor layer 136B may include at least one AlGaN layer.
  • the aluminum concentration of the plurality of AlGaN layers may have a gradient or may be modulated.
  • the first electrode 142 is disposed on the first conductive semiconductor layer 132 exposed by mesa etching.
  • the first electrode 142 may include a material in ohmic contact to play an ohmic role so that a separate ohmic layer (not shown) may not need to be disposed, and a separate ohmic layer may be disposed below the first electrode 142. It may be arranged.
  • the second electrode 144 is disposed on the second conductivity type second semiconductor layer 136C.
  • Each of the first and second electrodes 142 and 144 may reflect or transmit the light emitted from the active layer 134 without absorbing it, and may have high quality on the first and second conductivity-type semiconductor layers 132 and 136. It can be formed of any material that can be grown into.
  • each of the first and second electrodes 142 and 144 may be formed of a metal, and may include Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and the like. It can be made in an optional combination.
  • the second electrode 144 may be a transparent conductive oxide (TCO).
  • the second electrode 144 may be formed of the above-described metal material, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZO), and indium gallium (IGZO). zinc oxide), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / It may include at least one of IrOx / Au / ITO, but is not limited to such materials.
  • the second electrode 144 may include a material in ohmic contact with the second conductivity type GaN layer 126C.
  • the second electrode 144 may be formed of a single layer or multiple layers of a reflective electrode material having ohmic characteristics. If the second electrode 144 performs an ohmic role, an additional ohmic layer (not shown) may not be formed.
  • FIG 5 illustrates a light emitting device provided in the light source module of the water purifier of the embodiment.
  • the light emitting device 100A illustrated in FIG. 4 has a horizontal structure, light emitted from the active layer 134 is emitted through the second conductive semiconductor layer 136 and the second electrode 144.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 136 and the second electrode 144 is made of a light-transmitting material, and the first conductivity-type semiconductor layer 132, the buffer layer 120 and the substrate 110 are transparent. It may be made of a material having a non-translucent property.
  • the light emitting device illustrated in FIG. 5 has a flip chip bonding structure, light emitted from the active layer 134 is emitted through the substrate 110, the buffer layer 120, and the first conductivity type semiconductor layer 132.
  • the substrate 110, the buffer layer 120, and the first conductive semiconductor layer 132 are made of a light transmitting material, and the second conductive semiconductor layer 136 and the second electrode 144 are light transmissive. It may be made of a material having a non-light transmitting property.
  • the light emitting device illustrated in FIG. 5 has a flip chip bonding structure, the first and second bumps 162A and 162B, the sub mount 164, and the protective layer ( 166 and first and second metal layers (or electrode pads) 168A and 168B. Except for this difference, since the light emitting device 100B illustrated in FIG. 5 is the same as the light emitting device 100A illustrated in FIG. 2, the same reference numerals are used for overlapping portions, and a detailed description thereof will be omitted.
  • the submount 164 may be formed of, for example, a semiconductor substrate such as AlN, BN, silicon carbide (SiC), GaN, GaAs, or Si, but may be formed of a semiconductor material having excellent thermal conductivity. Also, an element for preventing electrostatic discharge (ESD) in the form of a zener diode may be included in the submount 164.
  • a semiconductor substrate such as AlN, BN, silicon carbide (SiC), GaN, GaAs, or Si
  • an element for preventing electrostatic discharge (ESD) in the form of a zener diode may be included in the submount 164.
  • the first and second metal layers 168A and 168B are spaced apart from each other in the horizontal direction on the submount 164.
  • the first bump 162A is disposed between the first metal layer 168A and the first electrode 142
  • the second bump 162B is disposed between the second metal layer 168B and the second electrode 144.
  • the first electrode 142 is connected to the first metal layer 168A of the submount 164 through the first bump 162A, and the second electrode 144 is connected to the submount 164 through the second bump 162B. ) Is connected to the second metal layer 168B.
  • a first upper bump metal layer (not shown) is further disposed between the first electrode 142 and the first bump 162A, and between the first metal layer 168A and the first bump 162A.
  • a first lower bump metal layer (not shown) may be further disposed.
  • the first upper bump metal layer and the first lower bump metal layer serve to indicate a position where the first bump 162A is to be located.
  • a second upper bump metal layer (not shown) is further disposed between the second electrode 144 and the second bump 162B, and a second lower bump is disposed between the second metal layer 168B and the second bump 162B.
  • a metal layer (not shown) may be further disposed.
  • the second upper bump metal layer and the second lower bump metal layer serve to indicate a position where the second bump 162B is to be located.
  • the submount 164 is formed of a material having electrical conductivity such as Si, a protective layer (B) between the first and second metal layers 168A and 168B and the submount 164 as illustrated in FIG. 5. 166 may be further disposed.
  • the protective layer 166 may be made of an insulating material.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a package of a light emitting device of the embodiment water purifier.
  • the light emitting device package 200 may include a package body 205, first and second lead frames 213 and 214 installed in the package body 205, and a package body 205.
  • a light emitting device 100 disposed and electrically connected to the first and second lead frames 213 and 214, a molding member 240 surrounding the light emitting device 100, and first and second wires 232 and 234. ).
  • the package body 205 may be formed of silicon, synthetic resin, or metal, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.
  • the first and second lead frames 213 and 214 are electrically separated from each other, and serve to supply power to the light emitting device 100.
  • the first and second lead frames 213 and 214 may serve to increase light efficiency by reflecting light generated from the light emitting device 100, and transmit heat generated from the light emitting device 100 to the outside. It can also play a role.
  • the light emitting device 100 may be disposed on the second lead frame 214 as shown in the drawing, but is not limited thereto.
  • the light emitting device 100 may be disposed on the first lead frame 213 or may be disposed on the package body 205.
  • the light emitting device 100 may be electrically connected to the first and second lead frames 213 and 214 by any one of a wire method, a flip chip method, and a die bonding method.
  • the first electrode 162 of the light emitting device 100 illustrated in FIG. 10 is electrically connected through the first lead frame 213 and the first wire 232, and the second lead frame 214 and the second wire ( 234 may be electrically connected, but embodiments are not limited thereto.
  • the molding member 240 may surround and protect the light emitting device 100.
  • the molding member 240 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.
  • it can function as a light source part which irradiates the light which has a wavelength band of an ultraviolet-ray like the water purifier of this invention.
  • the water purifier according to the embodiment may include a light source module for projecting ultraviolet rays to sterilize the flowing water and increase energy efficiency.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Physical Water Treatments (AREA)

Abstract

본 발명은 물을 수용 가능한 형상의 외관을 갖는 바디 및 상기 바디의 안쪽에 위치하며, 상기 바디에 수용된 물을 상기 바디의 바깥쪽으로 배출하는 배출장치를 포함하고, 상기 배출장치는 상기 바디에 수용된 물이 배출되는 유로를 제공하는 중공형상을 갖는 배출부바디 및 상기 배출부바디를 마주하며 배치되어, 상기 배출부바디를 흐르는 물을 향하여 자외선의 파장 대역을 갖는 광을 조사하는 광원부를 포함하는 정수기에 관한 것이다.

Description

정수기
본 발명은 정수기에 관한 것이다.
일반적으로 정수기란 물리적, 화학적 또는 생물학적 방법을 이용하여 이러한 과정을 통하거나 이와 같은 과정을 결합하여 수돗물, 우물물, 계곡물 또는 강물 등을 먹는 물의 수질기준에 적합하도록 만드는 장치를 말한다. 먹는 물에 대한수질기준은 우리나라를 포함한 대부분의 국가에서 세계보건기구(WHO)의 기준을 기초로 정하고 있는 바, 이에 따르면 수질 기준은 70년 동안 하루에 약 2ℓ정도의 물을 계속 마셔도 인체에 물로 인해 해를 주지 않을 정도의 농도에 안전율을 곱하여 설정되므로 먹는 물의 수질기준에 적합한 물은 안전하다고 할 수 있다.
정수기를 각 가정이나 기관, 사무실에서 사용하다 보면 손의 세균과 공기 중에 떠다니는 세균이나 먼지가 배출부의 입구에 묻게 되고 커피나 컵 라면을 먹기 위하여 물을 따르는 중에 배출부와 음식물이 접촉이 되므로 배출부는 항상 필연적으로 다량의 세균이 존재하게 된다.
또한, 정수기의 물이 나오는 배출부는 물이 항상 고여있으며 공기에 노출되어 세균이 번식 할 수 있는 상태에 놓여진다.
종래 정수기의 경우 일반적으로 사용자가 배출부를 면봉이나 칫솔을 사용하여 청소하거나 뜨거운 물이나 식초를 이용하여 자주 청소해 주어야 한다.
하지만, 배출부를 매일 청소하는 것은 일반적인 사용자에게 용이하지 않기 때문에 배출부 내에 세균이 번식할 수 있는 문제가 있다.
이로 인하여 정수기의 저수부의 살균 및 필터부에 의한 살균에 의하더라도 물이 나오는 배출부가 깨끗하지 않으면 사용자는 세균이 포함된 물을 먹게 될 가능성이 있는 문제가 있다.
또한, 이를 방지하기 위해 자외선을 투사하는 LED가 구비된다고 하여도 일반적으로 흐르는 물을 살균하기 위해서는 수백 미리와트(mW)의 광원부가 필요하여 에너지 효율이 떨어지는 문제가 있었다.
또한, 배출부에 흐르는 물에 의해 LED 모듈에 습도가 증가하게 되어 LED의 성능이 저하되는 문제가 있었다.
또한, LED에 의해 투사되는 자외선에 의해 배출부의 색이 변색되는 문제가 있었다.
실시예는 배출부에 세균이 번식하는 것을 방지하도록 자외선을 투사하는 광원부 모듈을 구비하는 정수기를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
또한, 실시예는 흐르는 물을 살균하면서 에너지 효율이 떨어지는 것을 방지하는 광원부 모듈을 구비하는 정수기를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
또한, 실시예는 배출부에 흐르는 물에 의해 LED 모듈에 습도가 증가하여 LED의 성능이 저하되는 것을 방지하는 광원부모듈을 구비하는 정수기를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
또한, 실시예는 LED에 의해 투사되는 자외선에 의해 배출부의 색이 변색되지 않는 정수기를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
실시예는 전술한 과제를 해결하기 위하여, 물을 수용 가능한 형상의 외관을 갖는 바디 및 상기 바디의 안쪽에 위치하며, 상기 바디에 수용된 물을 상기 바디의 바깥쪽으로 배출하는 배출장치;를 포함하고 상기 배출장치는 상기 바디에 수용된 물이 배출되는 유로를 제공하는 중공형상을 갖는 배출부바디 및 상기 배출부바디를 마주하며 배치되어, 상기 배출부바디를 흐르는 물을 향하여 자외선의 파장 대역을 갖는 광을 조사하는 광원부;를 포함하는 정수기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 광원부는 상기 광을 조사하는 발광 소자 및 상기 발광 소자의 외주면에 배치되어 상기 배출부바디를 흐르는 물로부터 상기 발광 소자를 격리시켜 방수하는 방수부;를 포함하는 정수기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 방수부는 투광성을 갖는 테프론을 포함하는 정수기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 방수부는 투광성을 갖는는 석영을 포함하는 정수기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 배출부 바디는 자외선안정제를 포함하는 물질을 포함하는 정수기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 자외선안정제는 HALS(hindered Amine Light Stabilizer)인 것을 특징으로 하는 정수기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 배출부 바디는 자외선저항첨가물을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정수기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 자외선저항첨가물은 카본블랙(C), 티타늄다이옥사이드(TiO2) 또는 벤조트리아졸(C6H5 N3)인 것을 특징으로 하는 정수기를 제공할 수 있다.
실시예는 배출부에 세균이 번식하는 것을 방지하도록 자외선자외선를 투사하는 광원부 모듈을 구비하는 정수기를 제공하는 것을 발명의 효과로 한다.
또한, 실시예는 흐르는 물을 살균하면서 에너지 효율이 떨어지는 것을 방지하는 광원부 모듈을 구비하는 정수기를 제공하는 것을 발명의 효과로 한다.
또한, 실시예는 배출부에 흐르는 물에 의해 LED 모듈에 습도가 증가하여 LED의 성능이 저하되는 것을 방지하는 광원부모듈을 구비하는 정수기를 제공하는 것을 발명의 효과로 한다.
또한, 실시예는 LED에 의해 투사되는 자외선자외선에 의해 배출부의 색이 변색되지 않는 정수기를 제공하는 것을 발명의 효과로 한다.
도 1은 실시예의 정수기를 도시한 것이다.
도 2는 실시예의 정수기의 배출부에 구비되는 광원부를 도시한 것이다.
도 3은 실시예의 정수기의 배출부의 재료 및 자외선에 노출된 시간에 따른 변색도를 도시한 것이다.
도 4는 발광소자를 도시한 것이다.
도 5는 실시예의 정수기의 광원부 모듈에 구비되는 발광소자를 도시한 것이다.
도 6은 실시예 정수기의 발광소자의 패키지의 단면을 도시한 것이다.
도 7은 습기에 노출되어 파괴된 LED chip(미도시)과 방수 처리된 LED chip(미도시)의 가동시간에 따른 VF(Voltage Forward)의 변화량을 도시한 그래프이다.
도 8은 자외선의 면적당 조사량(mJ/cm2)에 따라 대장균, 살모넬라균 및 리스테리아균의 살균 능력을 도시한 표이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 실시예의 정수기를 도시한 것이다.
도 1을 참고하면, 본 발명 정수기는 정수기 내부로 물을 제공하도록 구비되는 급수원(30), 급수원(30)으로부터 제공된 물의 오염물질과 이물질을 정화시키도록 구비되는 필터부(40), 물이 저장되는 저수부(50), 저수부(50)내부에 저장된 물을 외부로 추출하도록 구비되는 배출장치(60)를 포함할 수 있다.
배출장치(60)는 외부로 추출되는 물의 양을 조절하도록 구비되는 배출밸브(61), 물이 배출되는 유로를 형성하도록 구비되는 배출부(63), 배출부(63)의 내측면에 구비되는 광원부(631)을 제어하는 LED제어부(65)를 포함할 수 있다.
배출밸브(61)는 사용자가 물을 담기 위한 용기를 이용하여 배출밸브(61)를 가압하면 배출부(63)에서 물이 흐르도록 구비될 수 있는데, 배출밸브(61)는 사용자가 용기를 이용하여 가압하는 공간을 제공하는 눌림부(613) 및 눌림부(613)에 가해진 힘을 이용하여 눌림부(613)을 피벗운동 시켜 배출밸브(61)를 개폐하도록 구비되는 피벗부(611)을 포함할 수 있다.
배출부(63)는 배출부(63)의 내부에 흐르는 물을 살균하기 위하여 자외선을 조사하도록 구비되는 광원부(631) 및 물이 흐르는 유로를 제공하도록 구비되는 배출부바디(633)을 포함할 수 있다.
광원부(631)는 자외선을 조사하도록 구비되는 발광소자인 LED(6311) 및 LED(6311)의 외주면에 구비되어 LED(6311)를 방수하도록 구비되는 방수필름(6313)을 포함할 수 있다.
급수원(30)은 정수되지 않은 물을 저장하는 탱크일 수 있으며, 또한, 상수원으로부터 건물 내로 연결된 수도관 자체일 수 있다. 본 실시예에서 필터부(40)는 녹, 흙, 모래 등의 큰 불순물을 제거하는 제1필터(41), 역삼투압 작용으로 물속의 중금속 및 페놀, 박테리아 등을 제거하는 제2필터(43), 최종적으로 물을 정수하는 제3필터(45)를 포함할 수 있다.
하지만 필터부(40)의 필터 개수 및 기능은 사용자의 필요에 따라 다르게 구비될 수 있으며 급수원(30)의 물을 정화하는 기능만 있으면 족하지 본 실시예에 기술된 바에 한정되지 아니한다.
광원부(631)의 LED(6311)의 가동시간, 가동주기 및 빛의 세기 등은 LED제어부(65)에 의해 제어될 수 있다.
도면에 도시된 바와 같이 연결 도선이 LED제어부(65)와 LED(6311) 사이에 구비될 수도 있고, 연결도선 없이 LED제어부(65)와 LED(6311)가 직접 연결되도록 구비될 수도 있다.
배출부(63)를 사용자가 개방하면 물이 정수기의 외부로 배출될 수 있다. 배출부(63)는 하나만 있을 수도 있으나, 냉수용 및 온수용 배출부(61)가 각각 하나씩 구비되어 총 두개의 배출부(63)를 갖는 것이 통상적이며, 이 외에도 3개 이상의 배출부(63)가 있어도 무방하다.
본 발명 정수기는 급수원(30)으로부터 필터부(40)로 물이 이동하는 유로는 제공하는 급수덕트(70), 필터부(40)내부에서 물이 이동하는 유로를 제공하는 필터덕트부(81, 83, 85), 저수부(50)에서 배출부(60)로 물이 이동하는 유로를 제공하는 배출덕트(90)를 포함할 수 있다.
필터덕트부(80)는 제1필터(41)에서 제2필터(43)로 물이 이동하는 유로를 제공하는 제1필터덕트(81), 제2필터(43)에서 제3필터(45)로 물이 이동하는 유로를 제공하는 제2필터덕트(83) 및 제3필터(45)에서 저수부(50)로 물이 이동하는 유로를 제공하는 제3필터덕트(85)를 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명 정수기의 배출부(63)에 구비되는 광원부를 도시한 것이다.
도 2를 참고하면, 광원부(631)은 배출부바디(633)의 내측면에 구비될 수 있다.
전술한 바와 같이 배출부바디(633)는 정수기 내부의 물이 정수기의 외부로 배출될 수 있도록 중공형상으로 구비되어 물이 배출되는 유로를 형성하도록 구비될 수 있는데, 광원부(631)은 이러한 배출부바디(633)의 내측면에 구비되어 배출부바디(633)의 안에 흐르는 물을 향하여 자외선을 조사하도록 구비되기 위함이다.
배출부(63)의 내부에 흐르는 물에 자외선을 조사하기 위해서 수은등(미도시)이 구비되는 것이 일반적이었다. 하지만, 수은등(미도시)은 조사되는 자외선의 스펙트럼이 한정적이고, ON/OFF의 속도가 광원부(631)에 비해 느린점, 에너지효율 측면에서 광원부(631)에 비해 떨어진다.
자외선은 파장대에 따라 세가지(UVA, UVB, UVC)로 구분될 수 있다.
UVA는 파장대가 320nm 내지 400nm인 자외선이고, UVB는 파장대가 290nm 내지 320nm인 자외선이며, UVC는 파장대가 290nm이하인 자외선이다.
수은등이 조사하는 자외선의 스펙트럼은 일정 영역대에 한정될 수 밖에 없지만 본 실시예에 구비되는 광원부(631)에 구비되는 LED(6311)는 조사하는 자외선의 스펙트럼을 사용자의 필요에 따라 다르게 적용할 수 있다.
UVA의 경우 가장 살균효과가 뛰어나고, UVB, UVC의 경우 인체에 해롭다.
기존의 수은등의 경우 조사하는 자외선의 파장대를 조절할 수 없기 때문에 살균을 위한 UVA뿐만 아니라 인체에 해로운 UVB, UVC까지 조사될 수 밖에 없었다.
하지만, 본 실시예의 광원부(631)는 LED(6311)을 이용하여 자외선을 조사하기 때문에 인체에 해로운 UVB, UVC를 제외한 UVA를 주되게 조사하여 살균능력을 향상시키고 인체에는 무해한 살균장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.
다만, 본 실시예의 광원부(631)는 필요에 따라 UVA, UVB, UVC를 선택적으로 조사 가능하다는 것이지 한정되지는 아니한다.
도 8은 자외선의 면적당 조사량(mJ/cm2)에 따라 대장균, 살모넬라균 및 리스테리아균의 살균 능력을 도시한 표이다.
본 실시예의 광원부(631)의 LED(6311)에서 조사되는 자외선을 대장균에 약 30초(sec)조사했을 때, 초기 대장균의 97.64%가 살균되고 약 60초(sec)조사하였을 때 거의 대부분인 99.97%의 살균능력이 있다.
또한, 광원부(631)의 LED(6311)에서 조사되는 자외선을 살모넬라균에 약 30초(sec)조사했을 때, 초기 대장균의 97.81%가 살균되고 약 60초(sec)조사하였을 때 거의 대부분인 99.78%의 살균능력이 있다.
또한, 광원부(631)의 LED(6311)에서 조사되는 자외선을 리스테리아균에 약 30초(sec)조사했을 때, 초기 대장균의 59.67%가 살균되고 약 60초(sec)조사하였을 때 88.25%의 살균능력이 있으며, 약 180초(sec)조사하였을 때 거의 대부분인 99.97%의 살균능력이 있다.
따라서 본 실시예의 광원부(631)에서 조사되는 자외선에 의해 60초(sec)정도면 대장균 및 살모넬라균이 대부분 살균되고, 약 180초(sec)정도 자외선을 조사하면 리스테리아균까지 거의 대부분 살균되는 효과가 있다.
따라서 본 발명과 같이 배출부(63)에 광원부(631)를 구비하면, 보다 적은 에너지를 이용하여 정수기의 내부에서 배출되는 물을 향하여 자외선을 조사할 수 있는 효과가 있다.
전술한 바와 같이 광원부(631)는 광원부(631)의 외주면에 방수필름으로 구비되는 방수부(6313)를 더 포함할 수 있다.
광원부(631)은 항상 물이 흐르는 배출부(63)의 내주면에 배치되기 때문에 방수부(6313)가 구비되지 아니하면 물에 의해 광원부(631)의 내부에 습도가 올라가게 되며 이로 인하여 LED chip(미도시)이 파괴되어 정상적으로 동작하지 못하는 문제가 있기 때문이다.
도 7은 습기에 노출되어 파괴된 LED chip(미도시)과 방수 처리된 LED chip(미도시)의 가동시간에 따른 VF(Voltage Forward)의 변화량을 도시한 그래프이다.
상세하게는, 도 7(a)는 습기에 노출되어 파괴된 LED chip(미도시)의 가동시간에 따른 VF(Voltage Forward)의 변화량을 도시한 그래프이고, 도 7(b)는 방수 처리된 LED chip(미도시)의 가동시간에 따른 VF(Voltage Forward)의 변화량을 도시한 그래프이다.
가로축은 LED chip(미도시)에 전류를 공급한 시간을 의미하고, 세로축은 시간에 따른 VF(Voltage Forward)의 변화량을 의미한다.
LED chip(미도시)는 VF(Voltage Forward)에 따라 LED chip(미도시)에서 조사되는 LED의 밝기가 달라지는데, 도 6에 도시된 바와 같이 습기에 노출되어 파괴된 LED chip(미도시)은 약 456시간(hr)동안 전류를 공급한 경우 VF(Voltage Forward)의 값이 95.6%만큼 강하된 반면, 방수 처리된 LED chip(미도시)의 경우에는 약 456시간(hr)동안 전류를 공급한 경우 VF(Voltage Forward)의 값이 0.8%만큼 강하된다.
즉, 본 실시예의 LED chip(미도시)을 방수 처리함으로 인하여 장시간동안 LED chip(미도시)을 가동시킬 수 있다는 장점이 있다.
즉, 본 발명의 정수기는 광원부(631)의 외주면을 물로 인한 습기로부터 보호하기 위하여 방수부(6313)을 더 구비할 수 있다.
방수부(6313)은 광원부(631)을 물과 격리시킴과 동시에 광원부(631)에서 조사하는 자외선이 통과할 수 있는 재질로 이루어져야 한다.
따라서, 방수부(6313)은 자외선이 통과할 수 있는 테프론 또는 석영으로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명 정수기의 배출부의 재료 및 자외선광에 노출된 시간에 따른 변색도를 도시한 것이다.
도시된 그래프의 가로축은 자외선을 조사한 시간(hour)을 의미하고, 그래프의 세로축은 기설정된 기준에 따른 변색정도를 의미한다.
또한, 그래프의 빗금친 Z영역은 허용 될 수 있는 정도의 변색정도를 도시한 영역이다.
도 3을 참고하면, 배출부(63)를 구성하는 재료가 폴리프로필렌(PP, A)인 경우 자외선광에 노출된 경우 가장 빨리 변색이 되고, 이어서 하이 임팩트 폴리스티렌(HIPS, B), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS, C) 순서로 변색이 되는 것을 알 수 있다.
따라서 본 발명의 배출부(63)는 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS, C)로 구비되는 것이 가장 바람직하다.
하지만 이 또한 500시간 이상 자외선을 조사한 경우 기 설정된 영역(Z)를 벗어나게 되므로 배출부(60)는 자외선저항첨가물 및 자외선 안정제를 더 포함할 수 있다.
배출부(63)가 자외선저항첨가물 및 자외선안정제를 포함하면 광원부(631)에서 조사되는 자외선에 의해 변색되는 정도가 낮아지는 효과가 있다.
보다 자세하게는 본 발명의 배출부(63)에 첨가되는 자외선저항첨가물은 카본블랙(C), 티타늄다이옥사이드(TiO2) 또는 벤조트리아졸(C6H5 N3)일 수 있다.
또한, 본 발명의 배출부(63)에 첨가되는 자외선안정제는 HALS(hindered Amine Light Stabilizer)일 수 있다.
하지만, 본 실시예에서 서술한 자외선저항첨가물 및 자외선안정제에 한정되지 아니하고 배출부(60)가 자외선에 의해 변색되는 변색정도를 낮출 수 있으면 족하다.
도 4는 발광소자를 도시한 것이다.
도 4에 도시된 발광 소자(100A)는 기판(110), 버퍼층(120), 발광 구조물(130), 제1 및 제2 전극(142, 144)을 포함한다.
기판(110)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
기판(110)과 발광 구조물(130) 간의 열 팽창 계수의 차이 및 격자 부정합을 개선하기 위해, 이들(110, 130) 사이에 버퍼층(또는, 전이층)(120)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층(120)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.
발광 구조물(130)은 버퍼층(120) 위에 순차적으로 배치되는 제1 도전형 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 도전형 반도체층(136)을 포함한다.
제1 도전형 반도체층(132)은 버퍼층(120) 위에 배치되며, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(132)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 제1 도전형 반도체층(132)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(132)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
활성층(134)은 제1 도전형 반도체층(132) 위에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(132)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(136)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(134)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(134)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
활성층(134)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(134)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(134)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
실시 예에 의하면, 활성층(134)은 자외선 파장 대역의 광을 방출한다. 여기서, 자외선 파장 대역이란, 100 ㎚ 내지 400 ㎚의 파장 대역을 의미한다. 특히, 활성층(134)은 100 ㎚ 내지 280 ㎚ 파장 대역의 광을 방출할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(136)은 활성층(134) 위에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(136)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(132)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(136)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(132)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(136)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.
발광 구조물(130)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
실시 예에 의하면, 활성층(134)이 전술한 바와 같이 자외선 파장 대역의 광을 방출할 경우, 제2 도전형 반도체층(136)은 제2 도전형 제1 반도체층(136A)과 제2 도전형 제2 반도체층(136C)을 포함할 수 있다.
제2 도전형 제1 반도체층(136A)은 활성층(134) 위에 배치된다. 제2 도전형 제1 반도체층(136A) 및 제1 도전형 반도체층(132) 각각은 AlGaN을 포함할 수 있다. 왜냐하면, AlGaN이 GaN이나 InAlGaN보다 자외선 파장 대역의 광을 덜 흡수하기 때문이다.
제2 도전형 제2 반도체층(136C)은 제2 도전형 제1 반도체층(136A) 위에 배치된다. 제2 도전형 제2 반도체층(136C)은 제2 전극(144)으로부터 활성층(134)으로 정공을 원할히 공급하여 발광 소자(100A)의 전기적 특성을 개선시키는 역할을 한다. 예를 들어, 제2 도전형 제2 반도체층(136B)은 GaN 또는 InAlGaN을 포함할 수 있다.
만일, 제1 도전형이 n형이고 제2 도전형이 p형인 경우, 제2 도전형 제1 반도체층(136A)은 전자 차단층(EBL:Electron Blocking Layer)의 역할을 수행할 수 있다. 또는, 이러한 전자 차단층의 역할을 하는 제2 도전형 제1 반도체층(136A)은 AlGaN/AlGaN 초격자층 구조를 가질 수도 있고, AlGaN 벌크 층 구조를 가질 수도 있다.
또한, 활성층(134)에서 방출된 광이 제2 도전형 제1 반도체층(136A)에서 흡수되지 않고 투과될 수 있도록, 제2 도전형 제1 반도체층(136A)의 에너지 밴드갭은 활성층(134)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다. 이를 위해, 활성층(134)에서 방출된 광의 파장에 따라 달라지지만, 제2 도전형 제1 반도체층(136A)에 포함된 알루미늄의 함량비는 0.3 이상일 수 있다.
또한, 제2 도전형 반도체층(136)은 제2 도전형 제3 반도체층(136B)을 더 포함할 수 있다. 제2 도전형 제3 반도체층(136B)은 제2 도전형 제1 반도체층(136A)과 제2 도전형 제2 반도체층(136C) 사이에 배치된다. 예를 들어, 제2 도전형 제3 반도체층(136B)은 적어도 하나의 AlGaN층을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 도전형 제3 반도체층(136B)이 복수의 AlGaN층을 포함할 경우, 복수의 AlGaN층의 알루미늄 농도는 구배를 가질 수도 있고 변조될 수도 있다.
한편, 제1 전극(142)은 메사 식각(Mesa etching)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(132) 위에 배치된다. 제1 전극(142)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행하여 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(142)의 아래에 배치될 수도 있다.
제2 전극(144)은 제2 도전형 제2 반도체층(136C) 위에 배치된다. 제1 및 제2 전극(142, 144) 각각은 활성층(134)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(132, 136) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(142, 144) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
특히, 제2 전극(144)은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제2 전극(144)은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제2 전극(144)은 제2 도전형 GaN층(126C)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다.
또한, 제2 전극(144)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제2 전극(144)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.
도 5는 실시예의 정수기의 광원부 모듈에 구비되는 발광소자를 도시한 것이다.
도 4에 예시된 발광 소자(100A)는 수평형 구조이기 때문에, 활성층(134)에서 방출된 광은 제2 도전형 반도체층(136)과 제2 전극(144)을 통해 출사된다. 이를 위해, 제2 도전형 반도체층(136)과 제2 전극(144)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제1 도전형 반도체층(132), 버퍼층(120) 및 기판(110)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.
그러나, 도 5에 예시된 발광 소자는 플립 칩 본딩 구조이기 때문에, 활성층(134)에서 방출된 광은 기판(110), 버퍼층(120) 및 제1 도전형 반도체층(132)을 통해 출사된다. 이를 위해, 기판(110), 버퍼층(120) 및 제1 도전형 반도체층(132)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제2 도전형 반도체층(136)과 제2 전극(144)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 도 4에 예시된 발광 소자(100A)와 달리, 도 5에 예시된 발광 소자는 플립 칩 본딩 구조이므로, 제1 및 제2 범프(162A, 162B), 서브 마운트(164), 보호층(166) 및 제1 및 제2 금속층(또는, 전극 패드)(168A, 168B)을 더 포함한다. 이러한 차이점을 제외하면, 도 5에 예시된 발광 소자(100B)는 도 2에 예시된 발광 소자(100A)와 동일하므로 중복되는 부분에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하며 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.
서브 마운트(164)는 예를 들어 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열전도도가 우수한 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 또한, 서브 마운트(164) 내에 제너 다이오드 형태의 정전기(ESD:Electro Static Discharge) 방지를 위한 소자가 포함될 수도 있다.
제1 및 제2 금속층(168A, 168B)은 서브 마운트(164) 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1 범프(162A)는 제1 금속층(168A)과 제1 전극(142) 사이에 배치되고, 제2 범프(162B)는 제2 금속층(168B)과 제2 전극(144) 사이에 배치된다.
제1 전극(142)은 제1 범프(162A)를 통해 서브 마운트(164)의 제1 금속층(168A)에 연결되며, 제2 전극(144)은 제2 범프(162B)를 통해 서브 마운트(164)의 제2 금속층(168B)에 연결된다.
비록 도시되지는 않았지만, 제1 전극(142)과 제1 범프(162A) 사이에 제1 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제1 금속층(168A)와 제1 범프(162A) 사이에 제1 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 상부 범프 금속층과 제1 하부 범프 금속층은 제1 범프(162A)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다. 이와 비슷하게 제2 전극(144)과 제2 범프(162B) 사이에 제2 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제2 금속층(168B)와 제2 범프(162B) 사이에 제2 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제2 상부 범프 금속층과 제2 하부 범프 금속층은 제2 범프(162B)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다.
만일, 서브 마운트(164)가 Si과 같이 전기적 전도성을 갖는 물질로 구현된 경우, 도 5에 예시된 바와 같이 제1 및 제2 금속층(168A, 168B)와 서브 마운트(164) 사이에 보호층(166)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 보호층(166)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
도 6는 실시예 정수기의 발광소자의 패키지의 단면을 도시한 것이다.
도 6을 참고하면, 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 패키지 몸체부(205)에 설치된 제1 및 제2 리드 프레임(213, 214)과, 패키지 몸체부(205)에 배치되어 제1 및 제2 리드 프레임(213, 214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩 부재(240) 및 제1 및 제2 와이어(232, 234)를 포함한다.
패키지 몸체부(205)는 실리콘, 합성수지, 또는 금속을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
제1 및 제2 리드 프레임(213, 214)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(213, 214)은 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수도 있으며, 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
발광 소자(100)는 도면에 도시된 바와 같이 제2 리드 프레임(214) 상에 배치될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 10에 예시된 바와 달리, 발광 소자(100)는 제1 리드 프레임(213) 상에 배치될 수도 있고, 패키지 몸체부(205) 상에 배치될 수도 있다.
발광 소자(100)는 제1 및 제2 리드 프레임(213, 214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 도 10에 예시된 발광 소자(100)의 제1 전극(162)은 제1 리드 프레임(213)과 제1 와이어(232)를 통해 전기적으로 연결되고 제2 리드 프레임(214)과 제2 와이어(234)를 통해 전기적으로 연결될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
몰딩 부재(240)는 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(240)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 정수기와 같이 자외선의 파장 대역을 갖는 광를 조사하는 광원부로 기능할 수 있다.
실시예에 따른 정수기는 자외선를 투사하는 광원부 모듈을 구비하여, 흐르는 물을 살균할 수 있고, 에너지 효율을 높일 수 있다.

Claims (8)

  1. 물을 수용 가능한 형상의 외관을 갖는 바디; 및
    상기 바디의 안쪽에 위치하며, 상기 바디에 수용된 물을 상기 바디의 바깥쪽으로 배출하는 배출장치;를 포함하고,
    상기 배출장치는,
    상기 바디에 수용된 물이 배출되는 유로를 제공하는 중공형상을 갖는 배출부바디; 및
    상기 배출부바디를 마주하며 배치되어, 상기 배출부바디를 흐르는 물을 향하여 자외선의 파장 대역을 갖는 광을 조사하는 광원부;를 포함하는 정수기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원부는,
    상기 광을 조사하는 발광 소자; 및
    상기 발광 소자의 외주면에 배치되어 상기 배출부바디를 흐르는 물로부터 상기 발광 소자를 격리시켜 방수하는 방수부;를 포함하는 정수기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 방수부는 투광성을 갖는 테프론을 포함하는 정수기.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 방수부는 투광성을 갖는는 석영을 포함하는 정수기.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 배출부 바디는 자외선안정제를 포함하는 물질을 포함하는 정수기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 자외선안정제는 HALS(hindered Amine Light Stabilizer)인 것을 특징으로 하는 정수기.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 배출부 바디는 자외선저항첨가물을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정수기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 자외선저항첨가물은 카본블랙(C), 티타늄다이옥사이드(TiO2) 또는 벤조트리아졸(C6H5 N3)인 것을 특징으로 하는 정수기.
PCT/KR2016/000092 2015-06-12 2016-01-06 정수기 Ceased WO2016200004A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/735,528 US10941049B2 (en) 2015-06-12 2016-01-06 Water purifier

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0083473 2015-06-12
KR1020150083473A KR102567290B1 (ko) 2015-06-12 2015-06-12 정수기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016200004A1 true WO2016200004A1 (ko) 2016-12-15

Family

ID=57503829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2016/000092 Ceased WO2016200004A1 (ko) 2015-06-12 2016-01-06 정수기

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10941049B2 (ko)
KR (1) KR102567290B1 (ko)
WO (1) WO2016200004A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110002532A (zh) * 2019-03-18 2019-07-12 中国科学院化学研究所 一种利用黑碳光降解水体中有机污染物的方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102827320B1 (ko) * 2016-12-16 2025-07-01 엘지전자 주식회사 정수기
KR102600659B1 (ko) * 2018-09-21 2023-11-09 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 살균 모듈 및 이를 포함하는 정수기
WO2021030902A1 (en) * 2019-08-21 2021-02-25 Acuva Technologies Inc. Ultraviolet light emitter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010058310A (ko) * 1999-12-27 2001-07-05 한세희 방충 조성물 및 이를 사용한 방충 도료
KR200330424Y1 (ko) * 2003-07-23 2003-10-17 김태형 살균램프가 설치된 정수기 꼭지
KR20050111948A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 김태형 광촉매 살균·정수장치
KR20100131802A (ko) * 2009-06-08 2010-12-16 웅진코웨이주식회사 코크
KR20120045950A (ko) * 2010-11-01 2012-05-09 엘지전자 주식회사 살균 정수기

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2175581A (en) * 1985-05-24 1986-12-03 Still & Sons Ltd W M Water dispensing apparatus
US6648174B2 (en) * 2001-11-28 2003-11-18 Ralph G. Greene Treated water dispensing system
WO2004071965A1 (en) 2003-02-14 2004-08-26 Kyoung Mok Kim Sterilize valve and a water-purifying device using the same
KR100551215B1 (ko) * 2004-02-27 2006-02-09 서울반도체 주식회사 살균기능이 있는 필터 및 이를 이용한 여과기기
KR100628705B1 (ko) * 2005-07-15 2006-10-02 양원동 엘 이디 살균 물 꼭지
US8137538B2 (en) * 2010-03-04 2012-03-20 Florence Cassassuce UV water purification spigot
KR20120037141A (ko) 2010-10-11 2012-04-19 엘지이노텍 주식회사 Ｕｖ ｌｅｄ를 갖는 정수기
JP6117586B2 (ja) * 2013-03-27 2017-04-19 株式会社コスモライフ ウォーターサーバー
KR102149257B1 (ko) 2013-07-30 2020-08-28 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광 다이오드를 갖는 정수기
KR20150050205A (ko) 2013-10-31 2015-05-08 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광 다이오드를 갖는 정수기

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010058310A (ko) * 1999-12-27 2001-07-05 한세희 방충 조성물 및 이를 사용한 방충 도료
KR200330424Y1 (ko) * 2003-07-23 2003-10-17 김태형 살균램프가 설치된 정수기 꼭지
KR20050111948A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 김태형 광촉매 살균·정수장치
KR20100131802A (ko) * 2009-06-08 2010-12-16 웅진코웨이주식회사 코크
KR20120045950A (ko) * 2010-11-01 2012-05-09 엘지전자 주식회사 살균 정수기

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110002532A (zh) * 2019-03-18 2019-07-12 中国科学院化学研究所 一种利用黑碳光降解水体中有机污染物的方法
CN110002532B (zh) * 2019-03-18 2020-08-21 中国科学院化学研究所 一种利用黑碳光降解水体中有机污染物的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102567290B1 (ko) 2023-08-16
US20180170768A1 (en) 2018-06-21
KR20160146342A (ko) 2016-12-21
US10941049B2 (en) 2021-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115881868B (zh) 发光器件
EP3073539B1 (en) Light emitting device and light emitting device package including the same
WO2016200004A1 (ko) 정수기
KR101778161B1 (ko) 발광소자
WO2016153218A1 (ko) 발광 소자, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 이 패키지를 포함하는 조명 장치
WO2016137220A1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2016137197A1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2016104946A1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 발광 소자 패키지
US8410513B2 (en) Light emitting device package
WO2016104958A1 (ko) 적색 발광소자 및 조명장치
KR101895925B1 (ko) 발광소자
WO2017135644A1 (ko) 자외선 발광소자 및 조명시스템
US8168987B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR20170004544A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20070047058A (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20140099619A (ko) 발광소자
WO2019013539A1 (ko) 유체 처리 장치
KR20140056930A (ko) 발광소자
WO2017018767A1 (ko) 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지
WO2020005009A1 (ko) 반도체 소자
KR20170096351A (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20170120878A (ko) 발광모듈 및 의료기기
KR20170053998A (ko) 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지
KR102019745B1 (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR102608142B1 (ko) 반도체 소자 및 이를 구비한 광원 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16807647

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15735528

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16807647

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1