WO2016180810A1 - Optoelektronischer halbleiterchip und leuchtmittel - Google Patents

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WO2016180810A1
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semiconductor
semiconductor chip
semiconductor body
converter element
mirror layer
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Siegfried Herrmann
David Racz
Luca HAIBERGER
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips

Definitions

  • Optoelectronic Semiconductor Chip and Illuminant An optoelectronic semiconductor chip is specified.
  • a luminous means which comprises a plurality of the optoelectronic semiconductor chips.
  • Another object to be solved is to specify a light source in which semiconductor chips are particularly dense
  • Optoelectronic semiconductor chip an optoelectronic semiconductor body having a radiation side and a radiation side opposite the rear side.
  • main pages of the semiconductor body form, so be pages with the largest areas in the semiconductor body.
  • a lateral direction is parallel to
  • Radiation side of the semiconductor body arranged a converter element, which in operation one of the semiconductor body via the radiation side emitted radiation partially or completely converted into radiation of another wavelength range.
  • the semiconductor body emits light in the UV range or in the blue spectral range during operation, the converter element can then convert the light into visible light, for example red and / or orange and / or green and / or yellow light.
  • the converter element is, for example, a ceramic converter plate or a converter film or a silicone or resin which is filled with converter particles.
  • grenades such as
  • Silicon nitrides such as (Ca, Ba, Sr) 2 Si 5 Ng: Eu 24 "
  • doped silicon aluminum nitrides such as (Ca, Sr) AIS 1 N 3: Eu 24" or
  • Silicon oxynitrides such as (Ba, Sr, Ca) Si 2 O 2 N 2 : Eu 2 + or
  • the converter element may be on the semiconductor body for
  • the converter element can thus in direct
  • Connection layer to be separated from the semiconductor body.
  • a mirror layer is on side surfaces of the semiconductor body and on side surfaces arranged the converter element.
  • Semiconductor body connect the radiation side with the
  • the mirror layer preferably bears against the semiconductor body and / or the converter element in a form-fitting manner and forms the side surfaces and possibly also the ones
  • Mirror layer can be in direct contact with the
  • the mirror layer is then only in indirect contact with the semiconductor body and / or the converter element.
  • the mirror layer is contiguous
  • the mirror layer may have a coverage of, for example, 90% or 95% or 99% or 100% on the side surfaces.
  • the side surfaces can thus be completely covered or covered in particular by the mirror layer.
  • the rear side and / or the side of the semiconductor chip opposite the rear side are preferred
  • the reverse side of the semiconductor chip is preferably a radiation exit side for in the
  • the rear side of the semiconductor body is exposed in the unassembled state of the semiconductor chip, is thus freely accessible and / or freely visible.
  • the semiconductor chip can be electrically contacted externally via the rear side and mounted, for example, on a carrier.
  • Mirror layer has a reflectivity for that of the
  • Semiconductor body and / or the converter element in operation emitted radiation of at least 80% or 90% or 95% or 99%.
  • the reflectivity for example, a mean over the entire emission spectrum of
  • Reflectivity is indicated at the wavelength at which the emission spectrum of the semiconductor chip is a global
  • a thickness of the mirror layer is at most 5 ym or 2 ym or 1 ym or
  • the thickness is at least 50 nm or 100 nm or 300 nm. Below the thickness of the
  • Mirror layer is understood in particular the average or maximum or minimum thickness of the mirror layer along the entire semiconductor chip.
  • Optoelectronic semiconductor chip to an optoelectronic semiconductor body having a radiation side and a radiation side opposite the rear side.
  • a converter element is arranged, which in operation one from the semiconductor body via the radiation side emitted radiation partially or completely converted into radiation of another wavelength range.
  • a mirror layer is arranged, which covers the side surfaces.
  • the mirror layer has a reflectivity for the radiation emitted by the semiconductor body and / or the converter element of at least 80%.
  • the mirror layer has a thickness of at most 5 ym.
  • Semiconductor chips can be used for example in car headlights, flash applications or projectors. According to at least one embodiment, the
  • the contact elements can for example, be metallic or from a
  • Semiconductor material may be formed.
  • a contact wire can be soldered onto the contact elements.
  • the contact elements in addition to the electrical
  • Contacting be used for mechanical fastening on a support. These are the contact elements
  • the first and / or second contact element are arranged on a side of the semiconductor chip facing away from the rear side.
  • the contact elements facing the converter element.
  • Contact elements can thus be arranged between the converter element and the semiconductor body.
  • the converter element covers the converter element in a plan view of the converter element
  • Radiation side and the first and / or second contact element at least partially, for example at least 50% or 90% or completely.
  • the converter element may, for example, be congruent with the semiconductor body in plan view.
  • the first and / or second contact element of the converter element in each case by a gap, such as a cavity, spaced.
  • a gap such as a cavity
  • the corresponding contact element is arranged between the semiconductor body and the converter element.
  • the corresponding is
  • the intermediate space is then, for example, a region filled with a gas, such as air, between the converter element and the contact element. It is also conceivable that the space with a gas, such as air, between the converter element and the contact element. It is also conceivable that the space with a gas, such as air, between the converter element and the contact element. It is also conceivable that the space with a gas, such as air, between the converter element and the contact element. It is also conceivable that the space with a
  • Potting material is filled so that the potting material in direct contact with the contact element and the
  • the gap allows, for example, an external electrical contacting of the arranged between the converter element and the semiconductor body contact element.
  • Conductor be guided by the contact element laterally outward from the semiconductor chip or be.
  • the space is therefore preferably open laterally outward and freely accessible from the outside. It closes the gap then, for example, in the lateral direction flush with one or more side surfaces of the converter element and / or the
  • Converter element facing the first contact element first recess in the region above the first contact element and / or a second contact element facing the second recess in the region above the second contact element.
  • the first and / or second recess preferably form part of the corresponding intermediate space or the entire intermediate space between the converter element and the first and / or second contact element.
  • Converter element facilitates or preferably allows the electrical contacting of the arranged between the converter element and the semiconductor body contact element.
  • the recess should therefore preferably be so large that a bonding wire or a conductor track faces the converter element
  • the recess may, for example, parallelepiped or
  • the depth of the recess is vertical to the radiation side is preferably at least 2 ym or 5 ym or 10 ym or 40 ym. Alternatively or additionally, the depth of the recess is at most 90 ym or 50 ym or 30 ym or 10 ym.
  • Contact elements for example, the first contact element, arranged on a side facing away from the back side of the semiconductor body.
  • the other contact element that is, for example, the second contact element, is then preferably arranged on the rear side of the semiconductor body.
  • the semiconductor body is then arranged between the first and second contact element.
  • the second contact element is on the exposed back side of the semiconductor body
  • the semiconductor chip is self-supporting and mechanically stable. It needs the
  • Mirror layer all side surfaces of the semiconductor body and the converter element and extends completely around the semiconductor body and the converter element.
  • the mirror layer then preferably runs continuously, coherently and without interruption along the side surfaces.
  • the mirror layer is in a single
  • Such a mirror layer for example, by sputtering or vapor deposition or chemical vapor deposition, English Chemical Vapor Deposition, short CVD, or physical vapor deposition, English Physical Vapor Deposition, PVD short, be applied.
  • a mirror layer for example, by sputtering or vapor deposition or chemical vapor deposition, English Chemical Vapor Deposition, short CVD, or physical vapor deposition, English Physical Vapor Deposition, PVD short, be applied.
  • a mirror layer for example, by sputtering or vapor deposition or chemical vapor deposition, English Chemical Vapor Deposition, short CVD, or physical vapor deposition, English Physical Vapor Deposition, PVD short
  • Converter element is thus preferably a single, integrally formed mirror layer.
  • the mirror layer is metallic.
  • the mirror layer comprises or consists of one or more of the following metals or a metal alloy of the following metals: Al, Ag, Au, Ti, Pt, Li, Na, Ka, Ru, Cs, Be, Ca, Mg, Sr, Ba, Sc, Si, Ga, Sn. It is also possible that the mirror layer is formed from a plurality of stacked individual layers. According to at least one embodiment is between the
  • the passivation layer preferably adjoins both the semiconductor body or the converter element and the mirror layer.
  • the passivation layer may, for example, have a thickness of between 50 nm and 1 ⁇ m inclusive.
  • the first passivation layer is made of one for the one of the semiconductor body or the
  • the material and the thickness of the first passivation layer are chosen such that the first
  • Passivation layer forms a Bragg mirror together with the mirror layer for the emerging from the converter element or from the semiconductor body radiation.
  • a second passivation layer is arranged on outer sides of the mirror layer.
  • the second passivation layer preferably adjoins the
  • the second passivation layer serves in particular to protect the mirror layer from external influences, such as moisture ingress.
  • the second one is a single layer of the mirror layer and is itself covered by no further layer.
  • the second passivation layer serves in particular to protect the mirror layer from external influences, such as moisture ingress.
  • the second one is a single layer of the mirror layer and is itself covered by no further layer.
  • the second passivation layer serves in particular to protect the mirror layer from external influences, such as moisture ingress.
  • Passivation layer has a thickness between 50 nm and 5 ym inclusive.
  • the thicknesses of the first and second passivation layers are selected such that the common thickness of both layers is at most 5 ⁇ m or 1 ⁇ m or 500 nm or 300 nm. Alternatively or additionally, the common thickness is at least 50 nm or 100 nm or 300 nm.
  • the semiconductor layer sequence is based, for example, on AlInGaN or AlGaAs.
  • the semiconductor layer sequence has an active layer, via which electromagnetic radiation is generated during normal operation.
  • the active layer may be, for example, a pn junction or a
  • Quantum well structure such as a multi-quantum well structure or single quantum well structure, act.
  • the substrate on which the semiconductor layer sequence is applied is one
  • the growth substrate comprises silicon or
  • the substrate can also be a substrate different from the growth substrate, such as a metal substrate or plastic substrate or semiconductor substrate. If the substrate differs from the growth substrate, then the growth substrate is preferably detached from the semiconductor layer sequence or at least thinned.
  • the substrate forms the component stabilizing the semiconductor chip.
  • the entire semiconductor chip can thus, for example, alone by the
  • Substrate are mechanically worn, more Stabilization measures are then not necessary in the semiconductor chip.
  • the substrate is the growth substrate
  • such a semiconductor chip is usually referred to as a volume semiconductor chip.
  • this semiconductor chip is often referred to as
  • Back attached contact elements of the side surfaces of the semiconductor body by at least 10 ym or 50 ym or 100 ym retracted.
  • Such a semiconductor chip is often referred to as a flip-chip.
  • a light source is specified.
  • Illuminant may, for example, comprise at least one of the optoelectronic semiconductor chips described here. That is, all features disclosed in connection with the lighting device are also for the semiconductor chip
  • the luminous means comprises a plurality of optoelectronic semiconductor chips arranged in a matrix-like manner on a carrier.
  • the semiconductor chips are preferably each one of the semiconductor chips described above.
  • the carrier can be, for example, a glass carrier or metal carrier or plastic carrier or a printed circuit board, or PCB for short.
  • the semiconductor chips can be electrically contacted via the carrier.
  • the semiconductor chips are preferably arranged on the carrier such that the rear sides of the semiconductor chips are respectively facing the carrier. The semiconductor chips can then be soldered or glued to the carrier, so are preferably mechanically stable connected to the carrier.
  • Semiconductor chips are regularly arranged, for example on grid points of a regular grid, such as one
  • the carrier has a plurality of transistors, for example thin-film transistors, which, for example, have the same, preferably matrix-like arrangement as the semiconductor chips.
  • the semiconductor chips may be arranged in a rectangular matrix pattern. In the case of at least a part of the semiconductor chips, all side surfaces of the semiconductor chip are preferably completely on
  • Honeycomb structure can be achieved, that at a part of the semiconductor chips each of the six side surfaces of the
  • FIG. 5 shows an exemplary embodiment of a converter element for an optoelectronic semiconductor chip in side view and plan view
  • an optoelectronic semiconductor chip 100 is shown in cross-sectional view.
  • Semiconductor chip 100 includes an opto-electronic
  • Semiconductor body 1 having a radiation side 16 and a converter element 2 applied on the radiation side 16. In the lateral direction, parallel to the radiation side 16,
  • the semiconductor body 1 has an exposed one
  • Rear side 12 which is opposite to the radiation side 16, wherein on the rear side 12 two exposed contact elements 10, 11 for the external electrical contacting of the
  • the contact elements 10, 11 consist for example of a metal, such as aluminum or gold. Furthermore, the contact elements 11, 12 are retracted from lateral surfaces 15 of the semiconductor body 1 that extend transversely to the radiation side 16, for example, around
  • the semiconductor body 1 has a substrate 13 and a substrate 13 applied to the substrate 13
  • the semiconductor layer sequence 14 is based, for example, on AlInGaN, and generates in
  • the substrate 13 is, for example, the growth substrate for the semiconductor layer sequence 14 and is based, for example, on sapphire or GaN.
  • the growth substrate 13 is between the Converter element 2 and the semiconductor layer sequence 14 is arranged.
  • the electrical contacting of the semiconductor layer sequence 14 takes place via a buried wiring structure
  • the converter element 2 is, for example, a ceramic converter plate, which is at least part or all of the semiconductor layer sequence 14 in FIG.
  • Wavelength range for example, in visible light, converted.
  • the side surfaces 15 of the semiconductor body 1 are through
  • Semiconductor layer sequence 14 is formed. Likewise, that shows
  • Radiation side 16 run. On the side surfaces 15, 25 of the semiconductor body 1 and the converter element 2 is positively a continuous, contiguous and
  • the mirror layer 3 is based, for example, on Ag or Al and preferably has a reflectivity for the radiation emitted by the converter element 2 or the semiconductor body 1 of at least 90%.
  • the rear side 12 and one side of the converter element 2 facing away from the radiation side 16 are free of the mirror layer 3.
  • the mirror layer 3 has the effect that, during operation of the semiconductor chip 100, radiation can emerge from the semiconductor chip 100 exclusively via the side of the converter element 2 facing away from the radiation side 16.
  • the side of the semiconductor chip 100 no radiation is emitted.
  • Mirror layer 3 on the side surfaces 15, 25 in Figure 1 has a thickness between 1 ym and 5 ym inclusive. It can also be seen in FIG. 1 that between the
  • the first passivation layer 40 has, for example, a thickness of at most 100 nm. Furthermore, the first one is based
  • Passivation layer 40 preferably on a transparent, in particular transparent material, such as S1O2 or ZnO.
  • a transparent, in particular transparent material such as S1O2 or ZnO.
  • the first passivation layer is used
  • the second passivation layer 41 is applied, which completely covers the mirror layer 3.
  • the second passivation layer 41 may in particular be a protective layer which protects the mirror layer 3 from external influences.
  • the second passivation layer may be based on SiN or S1O2, for example.
  • the mirror layer 3 bears directly against the converter element 2 and the semiconductor body 1 without a first passivation layer 40 between the mirror layer 3 and the converter element 2 and / or the semiconductor body 1
  • the mirror layer 3 can be exposed to the outside, so be covered by any other layer.
  • the semiconductor chip 100 shown in FIG. 1 is, in particular, a so-called volume emitter, in this case a sapphire flip chip.
  • a semiconductor chip 100 is shown which is similar in relation to the mirror layer 3 and the first 40 and second passivation layer 41
  • Rear 12 arranged, but only a second
  • the first contact element 10 is applied on a side of the semiconductor body 1 remote from the rear side 12, that is to say it is located between converter element 2 and
  • the first contact element 10 is applied to a surface of the semiconductor body 1, which is in the vertical direction, transverse to the lateral direction, offset to the radiation side 16.
  • the contact element 10 is offset in the direction of the rear side 12, so that between the contact element 10 and
  • Gap is for example with a gas, such as Example air filled.
  • the first contact element 10 can be electrically contacted, as shown for example in FIG. 2A via a contact wire.
  • the contact wire is thus guided from the first contact element 10 via the intermediate space laterally out of the semiconductor chip 100 to an external connection region.
  • the gap between the first contact element 10 and the converter element 2 is laterally freely accessible.
  • a semiconductor layer sequence 14 is applied to a substrate 13, wherein the substrate 13 is not the one
  • the growth substrate itself is, but a subsequently applied substrate.
  • Semiconductor layer sequence 14 is partially or completely detached.
  • FIG. 2A the
  • Semiconductor layer sequence 14 between the substrate 13 and the converter element 2 is arranged. It can also be seen in FIG. 2A that the semiconductor chip 100 is arranged on a carrier 5, wherein the second one
  • the second contact element 11 is
  • the carrier 5 may be a plastic carrier or
  • Glass carrier or ceramic carrier or a metal carrier or a circuit board act.
  • the first recess 20 has, for example, a depth in the vertical direction of at least 10 ym.
  • the first recess 20 forms a part of the intermediate space between the first contact element 10 and the converter element 2 and facilitates the electrical contacting of the first contact element 10.
  • substantially the same semiconductor chip 100 is shown as in FIG. 2B. in the
  • Passivation layer 41 are applied to all adjacent to the first recess 20 sides of the converter element 2, so that all these sides are completely mirrored by the mirror layer 3.
  • the mirror layer 3 For example, the
  • the same semiconductor chip 100 is shown on the left side as in FIG. 2B.
  • Semiconductor chip 100 is a rectangular, in particular
  • FIG. 2E the sectional area from FIG. 2D is now drawn through the semiconductor body 1, so that the cross-sectional view shown on the right-hand side results in a top view.
  • the semiconductor body 1 is completely laterally completely surrounded by the coherent and is surrounded without interruption trained mirror layer 3.
  • the first contact element 10 which in a corner region of the semiconductor chip 100 also has a rectangular, in particular square
  • the first contact element 10 is freely visible because the section through the semiconductor chip 100 crosses the gap above the first contact element 10 and the gap is filled, for example, with air.
  • FIG. 2F an alternative to FIG. 2E is shown, in which the first contact element 10 is arranged not only in a corner region of the semiconductor chip 100 but along an entire side surface of the semiconductor device
  • both the first contact element 10 and the second contact element 11 are between
  • the back side 12 is formed for example of an insulating layer such as a Si02 _ layer.
  • an insulating layer such as a Si02 _ layer.
  • intermediate spaces are formed above both contact elements 10, 11 so that in the cross-sectional view the first contact element 10 and the second contact element 11 are freely visible.
  • the contact elements 10, 11 are each arranged in corners of the semiconductor chip 100.
  • the converter element 2 in each case above the contact elements 10, 11, a recess 20, 21, respectively, the
  • the second contact element 11 is arranged on the rear side 12 of the semiconductor body 1
  • the first contact element 10 is mounted on a side of the semiconductor body 1 opposite the rear side 12.
  • the first contact element 10 but now not covered by the converter element 2, but is exposed in plan view of the semiconductor chip 100.
  • FIG. 5 shows exemplary embodiments of a converter element 2, as used, for example, in the semiconductor chip 100 of FIG. 2B.
  • a lateral cross-sectional view in which a first recess 20 can be seen in an edge region of the converter element 2.
  • the right side of Figure 5 is the
  • Converter element 2 shown in plan view, wherein the
  • Dashed lines indicate the area in which the first recess 20 is arranged.
  • FIG. 6A shows an exemplary embodiment of a luminous means 1000 in a cross-sectional view.
  • the carrier 5 the
  • a glass carrier or plastic carrier or an active matrix element having a plurality of transistors a plurality of semiconductor chips 100 is lateral arranged side by side.
  • the semiconductor chips 100 are designed like the semiconductor chips 100 of FIG. Furthermore, it can be seen that the semiconductor chips 100 are pushed very close to each other.
  • the distance between exposed side surfaces of the semiconductor chips 100 is for example at most 10 ym, the distance between side surfaces 15 of the semiconductor body 1 or side surfaces 25 of
  • FIG. 6B now shows the exemplary embodiment of FIG. 6A in a top view of the semiconductor chips 100 or the carrier 5. There are gaps between the semiconductor chips 100 in which the carrier 5 can be viewed freely. The width of the column is for example at most 10 ym.
  • FIG. 7 shows a similar exemplary embodiment as shown in FIG. 6B. However, the semiconductor chips 100 are now pushed together directly. The semiconductor chips 100 are arranged in a matrix-like manner on the carrier 5 and attached to grid points of a regular rectangular grid. The
  • the luminous means 1000 of FIG. 7 may be, for example, a display in which no dark interspaces can be recognized between individual pixels, which are each formed for example from exactly one semiconductor chip 100.
  • the invention is not by the description based on the

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Abstract

Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) weist einen optoelektronischen Halbleiterkörper (1)mit einer Strahlungsseite (16) und einer der Strahlungsseite (16) gegenüberliegenden Rückseite (12) auf. Auf der Strahlungsseite (16) ist ein Konverterelement (2) angeordnet, das im Betrieb eine vom Halbleiterkörper (1) über die Strahlungsseite (16) emittierte Strahlung teilweise oder vollständig in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertiert. Auf Seitenflächen (15) des Halbleiterkörpers (1) und auf Seitenflächen (25) des Konverterelements (2) ist eine Spiegelschicht (3) angeordnet, die die Seitenflächen (15, 25) bedeckt. Die Seitenflächen (15, 25) des Halbleiterkörpers (1) und des Konverterelements (2) verlaufen jeweils quer zur Strahlungsseite (16). Die Rückseite (12) liegt im unmontierten Zustand des Halbleiterchips (100) frei. Die Spiegelschicht (3) weist eine Reflektivität für die von dem Halbleiterkörper (1) und/oder dem Konverterelement (2) emittierte Strahlung von zumindest 80 % auf. Die Spiegelschicht (3) weist eine Dicke von höchstens 5 µm auf.

Description

Beschreibung
Optoelektronischer Halbleiterchip und Leuchtmittel Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
Darüber hinaus wird ein Leuchtmittel angegeben, das eine Mehrzahl der optoelektronischen Halbleiterchips umfasst.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen
optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, bei dem die
Emissionseigenschaften besonders genau einstellbar sind. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Leuchtmittel anzugeben, bei dem Halbleiterchips besonders dicht
nebeneinander gepackt sind.
Diese Aufgaben werden unter anderem durch die Gegenstände der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
optoelektronische Halbleiterchip einen optoelektronischen Halbleiterkörper mit einer Strahlungsseite und einer der Strahlungsseite gegenüberliegenden Rückseite. Die
Strahlungsseite und/oder die Rückseite können dabei
insbesondere Hauptseiten des Halbleiterkörpers bilden, also Seiten mit den größten Flächen im Halbleiterkörper sein. Eine laterale Richtung ist zum Beispiel parallel zur
Strahlungsseite oder Rückseite gewählt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf der
Strahlungsseite des Halbleiterkörpers ein Konverterelement angeordnet, das im Betrieb eine von dem Halbleiterkörper über die Strahlungsseite emittierte Strahlung teilweise oder vollständig in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertiert. Beispielsweise emittiert der Halbleiterkörper im Betrieb Licht im UV-Bereich oder im blauen Spektralbereich, das Konverterelement kann das Licht dann in sichtbares Licht, zum Beispiel rotes und/oder oranges und/oder grünes und/oder gelbes Licht konvertieren. Bei dem Konverterelement handelt es sich beispielsweise um ein keramisches Konverterplättchen oder um eine Konverterfolie oder um ein Silikon oder Harz, das mit Konverterpartikeln gefüllt ist.
Für die Konverterpartikel oder das konvertierende Material des Konverterelements kommen beispielsweise folgende
Materialien oder Materialklassen in Frage: Granate, wie
(Y, Lu, Gd, Tb)3(Al]__x, Gax) 5O12 : Ce3+ oder dotierte
Siliziumnitride, wie (Ca, Ba, Sr) 2Si5Ng : Eu24", oder dotierte Siliziumaluminiumnitride, wie (Ca, Sr) AIS1N3 : Eu24" oder
Sr(Ca, Sr) Si2Al2N6 :Eu2+ oder (Sr, Ca) AlSiN3*Si2N20 : Eu2+ oder (Ca, Sr) AI ( ]__4x/3 ) Si ( ]_+x) N3 : Ce (x=0,2-0,5), oder
Siliziumoxinitride, wie (Ba, Sr, Ca) Si202N2 : Eu2 + oder
AE2-x-aRExEuasil-y°4-x-2yNx oder AE2-x-aRExEuasil-y04-x-2yNy oder dotierte Siliziumoxide, wie (Ba, Sr, Ca) 2Si04 : Eu2 + oder
CagMg (S1O4) 4C12 :Eu2+, wobei AE ein Erdalkalimetall und RE ein
Seltenerd-Metall ist.
Das Konverterelement kann auf dem Halbleiterkörper zum
Beispiel aufgeklebt, auflaminiert oder aufgesprüht sein.
Insbesondere kann das Konverterelement also in direktem
Kontakt mit der Strahlungsseite sein oder über eine
Verbindungsschicht vom Halbleiterkörper getrennt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Spiegelschicht auf Seitenflächen des Halbleiterkörpers und auf Seitenflächen des Konverterelements angeordnet. Dabei verlaufen die
Seitenflächen des Halbleiterkörpers und des Konverterelements jeweils quer zur Strahlungsseite. Die Seitenflächen des
Halbleiterkörpers verbinden die Strahlungsseite mit der
Rückseite.
Bevorzugt liegt die Spiegelschicht dabei formschlüssig an dem Halbleiterkörper und/oder dem Konverterelement an und formt die Seitenflächen und gegebenenfalls auch die die
Seitenflächen verbindenden Kanten formgetreu nach. Die
Spiegelschicht kann dabei in direktem Kontakt zum
Halbleiterkörper und/oder dem Konverterelement stehen. Es ist aber auch möglich, dass zwischen der Spiegelschicht und dem Halbleiterkörper und/oder dem Konverterelement weitere
Schichten angeordnet sind. Die Spiegelschicht ist dann nur in mittelbarem Kontakt mit dem Halbleiterkörper und/oder dem Konverterelement .
Die Spiegelschicht ist zum Beispiel zusammenhängend,
durchgehend und unterbrechungsfrei ausgebildet, insbesondere im Übergangsbereich zwischen den Seitenflächen des
Konverterelements und des Halbleiterkörpers oder im Bereich der Kanten. Die Spiegelschicht kann auf den Seitenflächen einen Bedeckungsgrad von zum Beispiel 90 % oder 95 % oder 99 % oder 100 % aufweisen. Die Seitenflächen können also insbesondere vollständig von der Spiegelschicht bedeckt oder überdeckt sein. Bevorzugt sind die Rückseite und/oder die der Rückseite gegenüberliegende Seite des Halbleiterchips
größtenteils oder vollkommen frei von der Spiegelschicht. Die der Rückseite gegenüberliegende Seite des Halbleiterchips ist bevorzugt eine Strahlungsaustrittsseite für die im
Halbleiterchip erzeugte Strahlung. Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt die Rückseite des Halbleiterkörpers im unmontierten Zustand des Halbleiterchips frei, ist also frei zugänglich und/oder frei einsehbar. Über die Rückseite kann der Halbleiterchip beispielsweise extern elektrisch kontaktiert werden und beispielsweise auf einem Träger montiert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die
Spiegelschicht eine Reflektivität für die von dem
Halbleiterkörper und/oder dem Konverterelement im Betrieb emittierte Strahlung von zumindest 80 % oder 90 % oder 95 % oder 99 % auf. Dabei kann die Reflektivität beispielsweise eine mittlere, über das gesamte Emissionsspektrum des
Halbleiterkörpers und/oder des Konverterelements gemittelte Reflektivität sein. Es ist auch möglich, dass die
Reflektivität bei der Wellenlänge angegeben ist, bei der das Emissionsspektrum des Halbleiterchips ein globales
Intensitätsmaximum aufweist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Dicke der Spiegelschicht höchstens 5 ym oder 2 ym oder 1 ym oder
500 nm. Alternativ oder zusätzlich ist die Dicke zumindest 50 nm oder 100 nm oder 300 nm. Unter der Dicke der
Spiegelschicht wird dabei insbesondere die mittlere oder maximale oder minimale Dicke der Spiegelschicht entlang des gesamten Halbleiterchips verstanden.
In mindestens einer Ausführungsform weist der
optoelektronische Halbleiterchip einen optoelektronischen Halbleiterkörper mit einer Strahlungsseite und einer der Strahlungsseite gegenüberliegenden Rückseite auf. Auf der Strahlungsseite ist ein Konverterelement angeordnet, das im Betrieb eine vom Halbleiterkörper über die Strahlungsseite emittierte Strahlung teilweise oder vollständig in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertiert. Auf
Seitenflächen des Halbleiterkörpers und auf Seitenflächen des Konverterelements ist eine Spiegelschicht angeordnet, die die Seitenflächen bedeckt. Die Seitenflächen des
Halbleiterkörpers und des Konverterelements verlaufen jeweils quer zur Strahlungsseite. Die Rückseite liegt im unmontierten Zustand des Halbleiterchips frei. Die Spiegelschicht weist eine Reflektivität für die von dem Halbleiterkörper und/oder dem Konverterelement emittierte Strahlung von zumindest 80 % auf. Die Spiegelschicht weist eine Dicke von höchstens 5 ym auf .
Der hier beschriebenen Erfindung liegt insbesondere die Idee zugrunde, besonders kompakte Halbleiterchips mit
wohldefinierten Abstrahlcharakteristika anzugeben. Durch die Verwendung einer sehr dünnen Spiegelschicht auf den
Seitenflächen des Halbleiterchips ist die Bauform besonders kompakt. Darüber hinaus können solche Halbleiterchips sehr dicht aneinander gepackt werden und zum Beispiel in Display- Anwendungen eingesetzt werden. Durch die verspiegelten
Seitenflächen kommt es dann zu keinem oder nur einem geringen Übersprechen benachbarter Halbleiterchips. Der Abstand zwischen den Halbleiterchips ist ferner so klein, dass
Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips für einen
Beobachter nicht oder kaum wahrnehmbar sind. Solche
Halbleiterchips können beispielsweise in Autoscheinwerfern, Blitzlichtanwendungen oder Projektoren zum Einsatz kommen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterkörper ein erstes Kontaktelement und ein zweites Kontaktelement zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips auf. Die Kontaktelemente können beispielsweise metallisch sein oder aus einem
Halbleitermaterial gebildet sein. Auf die Kontaktelemente kann beispielsweise ein Kontaktdraht aufgelötet werden. Auch können die Kontaktelemente neben der elektrischen
Kontaktierung zur mechanischen Befestigung auf einem Träger verwendet werden. Dazu werden die Kontaktelemente
beispielsweise auf einen Träger aufgelötet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind das erste und/oder zweite Kontaktelement auf einer der Rückseite abgewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet. In diesem Fall sind die Kontaktelemente dem Konverterelement zugewandt. Die
Kontaktelemente können also zwischen dem Konverterelement und dem Halbleiterkörper angeordnet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdeckt in Draufsicht auf das Konverterelement das Konverterelement die
Strahlungsseite und das erste und/oder zweite Kontaktelement zumindest teilweise, beispielsweise zu zumindest 50 % oder 90 % oder vollständig. Das Konverterelement kann zum Beispiel in Draufsicht mit dem Halbleiterkörper deckungsgleich sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das erste und/oder zweite Kontaktelement von dem Konverterelement jeweils durch einen Zwischenraum, wie einen Hohlraum, beabstandet. Dies ist insbesondere der Fall, wenn das entsprechende Kontaktelement zwischen dem Halbleiterkörper und dem Konverterelement angeordnet ist. Zum Beispiel liegt das entsprechende
Kontaktelement in dem Zwischenraum frei. Der Zwischenraum ist dann beispielsweise ein mit einem Gas, wie Luft, gefüllter Bereich zwischen Konverterelement und Kontaktelement. Denkbar ist aber auch, dass der Zwischenraum mit einem
Vergussmaterial aufgefüllt ist, sodass das Vergussmaterial in direktem Kontakt mit dem Kontaktelement und dem
Konverterelement steht.
Der Zwischenraum ermöglicht beispielsweise eine externe elektrische Kontaktierung des zwischen Konverterelement und Halbleiterkörper angeordneten Kontaktelements. Insbesondere kann über den Zwischenraum ein Kontaktdraht oder eine
Leiterbahn von dem Kontaktelement seitlich nach außen aus dem Halbleiterchip geführt sein oder werden. Der Zwischenraum ist also bevorzugt seitlich nach außen offen und seitlich von außen frei zugänglich. Es schließt der Zwischenraum dann zum Beispiel in lateraler Richtung bündig mit einer oder mehreren Seitenflächen des Konverterelements und/oder des
Halbleiterkörpers ab.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Konverterelement eine dem ersten Kontaktelement zugewandte erste Ausnehmung im Bereich über dem ersten Kontaktelement und/oder eine dem zweiten Kontaktelement zugewandte zweite Ausnehmung im Bereich über dem zweiten Kontaktelement auf. Die erste und/oder zweite Ausnehmung bilden dabei bevorzugt einen Teil des entsprechenden Zwischenraums oder den gesamten Zwischenraum zwischen dem Konverterelement und dem ersten und/oder zweiten Kontaktelement. Die Ausnehmung im
Konverterelement erleichtert oder ermöglicht bevorzugt die elektrische Kontaktierung des zwischen Konverterelement und Halbleiterkörper angeordneten Kontaktelements. Die Ausnehmung sollte bevorzugt also so groß sein, dass ein Bonddraht oder eine Leiterbahn auf das dem Konverterelement zugewandte
Kontaktelement geführt werden kann.
Die Ausnehmung kann beispielsweise quaderförmig oder
viertelkugelförmig sein. Die Tiefe der Ausnehmung senkrecht zur Strahlungsseite ist bevorzugt zumindest 2 ym oder 5 ym oder 10 ym oder 40 ym. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Tiefe der Ausnehmung höchstens 90 ym oder 50 ym oder 30 ym oder 10 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das
Konverterelement an allen an die erste und/oder zweite
Ausnehmung grenzenden Seiten mit der Spiegelschicht bedeckt, insbesondere vollständig bedeckt. Über die Ausnehmung kann also dann keine Strahlung aus dem Konverterelement nach außen gelangen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist nur eines der
Kontaktelemente, beispielsweise das erste Kontaktelement, auf einer der Rückseite abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet. Das andere Kontaktelement, also zum Beispiel das zweite Kontaktelement, ist dann bevorzugt an der Rückseite des Halbleiterkörpers angeordnet. Der Halbleiterkörper ist dann also zwischen dem ersten und zweiten Kontaktelement angeordnet. Insbesondere ist das zweite Kontaktelement, das an der freiliegenden Rückseite des Halbleiterkörpers
angeordnet ist, im unmontierten Zustand des Halbleiterchips ebenfalls frei zugänglich. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip selbsttragend und mechanisch stabil. Es benötigt der
Halbleiterchip also keines weiteren Stabilisierungselements, wie eines Trägers oder einer zusätzlichen Vergussmasse auf der Spiegelschicht.
Beispielsweise weichen die lateralen Ausdehnungen des
Halbleiterchips parallel zur Strahlungsseite um höchstens 10 % oder 5 % oder 2 % oder 1 % von den lateralen Ausdehnungen des Halbleiterkörpers ab.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt die
Spiegelschicht alle Seitenflächen des Halbleiterkörpers und des Konverterelements und verläuft vollständig rings um den Halbleiterkörper und das Konverterelement. Die Spiegelschicht verläuft dabei dann bevorzugt durchgehend, zusammenhängend und unterbrechungsfrei entlang der Seitenflächen.
Beispielsweise ist die Spiegelschicht in einem einzigen
Verfahrensschritt auf dem Verbund von Halbleiterkörper und Konverterelement aufgebracht. Eine solche Spiegelschicht kann beispielsweise über Sputtern oder Aufdampfen oder chemische Gasphasenabscheidung, englisch Chemical Vapour Deposition, kurz CVD, oder physikalische Gasphasenabscheidung, englisch Physical Vapour Deposition, kurz PVD, aufgebracht sein. Bei der Spiegelschicht auf dem Halbleiterkörper und auf dem
Konverterelement handelt es sich also bevorzugt um eine einzige, einstückig ausgebildete Spiegelschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Spiegelschicht metallisch. Beispielsweise weist die Spiegelschicht eines oder mehrere der folgenden Metalle oder eine Metalllegierung aus den folgenden Metallen auf oder besteht daraus: AI, Ag, Au, Ti, Pt, Li, Na, Ka, Ru, Cs, Be, Ca, Mg, Sr, Ba, Sc, Si, Ga, Sn. Auch ist es möglich, dass die Spiegelschicht aus einer Mehrzahl von übereinander gestapelten Einzelschichten gebildet ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen der
Spiegelschicht und dem Halbleiterkörper und/oder zwischen der Spiegelschicht und dem Konverterelement eine erste
Passivierungsschicht angeordnet. Die erste Passivierungsschicht grenzt dabei bevorzugt sowohl an den Halbleiterkörper beziehungsweise das Konverterelement als auch an die Spiegelschicht. Die Passivierungsschicht kann beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 50 nm und 1 ym aufweisen. Bevorzugt ist die erste Passivierungsschicht aus einem für die von dem Halbleiterkörper oder dem
Konverterelement emittierte Strahlung transparenten,
insbesondere klarsichtigen Material gebildet oder weist ein solches Material auf. Beispielsweise weist die erste
Passivierungsschicht ZnO oder S1O2 auf oder besteht daraus. Besonders bevorzugt sind das Material sowie die Dicke der ersten Passivierungsschicht so gewählt, dass die erste
Passivierungsschicht zusammen mit der Spiegelschicht einen Bragg-Spiegel für die aus dem Konverterelement oder aus dem Halbleiterkörper austretende Strahlung bildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf Außenseiten der Spiegelschicht eine zweite Passivierungsschicht angeordnet. Die zweite Passivierungsschicht grenzt bevorzugt an die
Spiegelschicht und ist selbst von keiner weiteren Schicht überdeckt. Die zweite Passivierungsschicht dient insbesondere zum Schutz der Spiegelschicht vor äußeren Einflüssen, wie Feuchtigkeitseintritt. Beispielsweise weist die zweite
Passivierungsschicht eine Dicke zwischen einschließlich 50 nm und 5 ym auf. Insbesondere kann die zweite
Passivierungsschicht eines der folgenden Materialien
aufweisen oder daraus bestehen: Parylene, SiN, AI2O3,
Siloxane, wie Hexamethyldisiloxan, kurz HMDSO, Metalle. Besonders bevorzugt sind die Dicken der ersten und zweiten Passivierungsschicht so gewählt, dass die gemeinsame Dicke beider Schichten höchstens 5 ym oder 1 ym oder 500 nm oder 300 nm beträgt. Alternativ oder zusätzlich beträgt die gemeinsame Dicke zumindest 50 nm oder 100 nm oder 300 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge auf, die auf einem Substrat aufgebracht ist. Die Halbleiterschichtenfolge basiert beispielsweise auf AlInGaN oder AlGaAs . Insbesondere weist die Halbleiterschichtenfolge eine aktive Schicht auf, über die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Bei der aktiven Schicht kann es sich beispielsweise um einen pn-Übergang oder um eine
Quantentopfstruktur, wie eine Multiquantentopfstruktur oder Einzelquantentopfstruktur, handeln . Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Substrat, auf dem die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist, ein
Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge.
Beispielsweise weist das Aufwachssubstrat Silizium oder
Germanium oder Saphir oder GaN oder SiC oder GaAs auf oder besteht daraus.
Alternativ kann es sich bei dem Substrat aber auch um ein von dem Aufwachssubstrat unterschiedliches Substrat handeln, wie zum Beispiel ein Metallsubstrat oder KunststoffSubstrat oder Halbleitersubstrat. Ist das Substrat von dem Aufwachssubstrat unterschiedlich, so ist das Aufwachssubstrat bevorzugt von der Halbleiterschichtenfolge abgelöst oder zumindest gedünnt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bildet das Substrat die den Halbleiterchip stabilisierende Komponente. Der gesamte Halbleiterchip kann also zum Beispiel allein durch das
Substrat mechanisch getragen werden, weitere Stabilisierungsmaßnahmen sind dann in dem Halbleiterchip nicht nötig.
Handelt es sich bei dem Substrat um das Aufwachssubstrat , so bezeichnet man einen solchen Halbleiterchip üblicherweise als Volumenhalbleiterchip. Ist dagegen das Aufwachssubstrat abgelöst und wird die Halbleiterschichtenfolge dann von einem vom Aufwachssubstrat unterschiedlichen Substrat getragen, so bezeichnet man diesen Halbleiterchip häufig als
Dünnfilmhalbleiterchip.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterkörper an der Rückseite Kontaktelemente zur
externen elektrischen Kontaktierung auf. Die Kontaktelemente sind dann im unmontierten Zustand des Halbleiterchips frei zugänglich. Insbesondere sind in diesem Fall alle zur
externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips nötigen Kontaktelemente an der Rückseite aufgebracht und frei zugänglich .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die an der
Rückseite angebrachten Kontaktelemente von den Seitenflächen des Halbleiterkörpers um zumindest 10 ym oder 50 ym oder 100 ym zurückgezogen. Ein solcher Halbleiterchip wird häufig als Flip-Chip bezeichnet.
Darüber hinaus wird ein Leuchtmittel angegeben. Das
Leuchtmittel kann zum Beispiel mindestens einen der hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips aufweisen. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit dem Leuchtmittel offenbarten Merkmale sind auch für den Halbleiterchip
offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Leuchtmittel eine Mehrzahl von matrixartig auf einem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips. Bei den Halbleiterchips handelt es sich bevorzugt jeweils um einen der oben beschriebenen Halbleiterchips. Bei dem Träger kann es sich zum Beispiel um einen Glasträger oder Metallträger oder Kunststoffträger oder um eine Leiterplatte, englisch Printed Circuit Board, kurz PCB, handeln. Insbesondere können über den Träger die Halbleiterchips elektrisch kontaktiert sein. Dabei sind die Halbleiterchips bevorzugt so auf dem Träger angeordnet, dass die Rückseiten der Halbleiterchips dem Träger jeweils zugewandt sind. Die Halbleiterchips können dann auf dem Träger aufgelötet oder aufgeklebt sein, sind also bevorzugt mit dem Träger mechanisch stabil verbunden.
Unter einer matrixartigen Anordnung wird insbesondere
verstanden, dass in Draufsicht auf den Träger die
Halbleiterchips regelmäßig angeordnet sind, zum Beispiel auf Gitterpunkten eines regelmäßigen Gitters, wie eines
Rechteckgitters oder Honigwabengitters.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind Seitenflächen zweier direkt benachbarter Halbleiterkörper und/oder
Seitenflächen zweier direkt benachbarter Konverterelemente höchstens 20 mm oder 10 ym oder 5 ym oder 2 ym voneinander beabstandet. Insbesondere liegen die Halbleiterchips also sehr dicht beieinander, sodass keine Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips auftreten oder die Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips, in denen der Träger in Draufsicht gesehen frei einsehbar ist, klein ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Halbleiterchips über dem Träger elektrisch kontaktiert, wobei der Träger ein Aktivmatrixelement ist, über das jeder
Halbleiterchip einzeln und unabhängig von den übrigen
Halbleiterchips elektrisch ansteuerbar ist. Beispielsweise weist der Träger dazu eine Mehrzahl von Transistoren, etwa Dünnschichttransistoren, auf, die beispielsweise die gleiche, vorzugsweise matrixartige Anordnung wie die Halbleiterchips aufweisen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Halbleiterchips auf dem Träger derart aneinandergeschoben, dass jeder Halbleiterchip mit ihm benachbarten
Halbleiterchips in direktem Kontakt steht. Sind die
Halbleiterchips beispielsweise in Draufsicht gesehen
rechteckförmig, so können die Halbleiterchips in einem rechteckförmigen Matrixmuster angeordnet sein. Bevorzugt liegen bei zumindest einem Teil der Halbleiterchips alle Seitenflächen des Halbleiterchips vollständig an
Seitenflächen benachbarter Halbleiterchips an. Auch bei einer sechseckigen Grundform der Halbleiterchips kann durch die Anordnung der Halbleiterchips in einer
Honigwabenstruktur erreicht werden, dass bei einem Teil der Halbleiterchips jede der sechs Seitenflächen des
entsprechenden Halbleiterchips vollständig an Seitenflächen benachbarter Halbleiterchips anliegt.
Ebenso sind für andere geometrische Grundformen der
Halbleiterchips entsprechende Anordnungen denkbar. Bevorzugt wird durch eine solche lückenlose Anordnung
erreicht, dass in Draufsicht auf die Halbleiterchips zwischen den Halbleiterchips kein Spalt oder Zwischenraum ausgebildet ist, so dass in Draufsicht der Träger an keiner Stelle zwischen den Halbleiterchips frei einsehbar ist. Für einen Beobachter kann auf diese Weise im Betrieb eine Leuchtfläche erzeugt werden, die frei von dunklen Stellen, Zwischenräumen oder Unterbrechungen zwischen den einzelnen Halbleiterchips ist .
Solche hier beschriebenen Leuchtmittel können insbesondere Anwendung in Displays oder Autoscheinwerfern finden. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 107 593.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Nachfolgend wird ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip sowie ein hier beschriebenes Leuchtmittel unter Bezugnahme auf Zeichnungen anhand von
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen: Figuren 1 bis 4 Ausführungsbeispiele optoelektronischer
Halbleiterchips in Querschnittsansicht und Draufsicht,
Figur 5 ein Ausführungsbeispiel eines Konverterelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip in Seitenansicht und Draufsicht, Figuren 6A bis 7 Ausführungsbeispiele von Leuchtmitteln in Querschnittsansicht und Draufsicht.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 1 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 100 in Querschnittsansicht gezeigt. Der
Halbleiterchip 100 umfasst einen optoelektronischen
Halbleiterkörper 1 mit einer Strahlungsseite 16 und einem auf der Strahlungsseite 16 aufgebrachten Konverterelement 2. In lateraler Richtung, parallel zur Strahlungsseite 16,
schließen das Konverterelement 2 und der Halbleiterkörper 1 bündig miteinander ab. Es sind der Halbleiterkörper 1 und das Konverterelement 2 in Draufsicht deckungsgleich.
Ferner weist der Halbleiterkörper 1 eine freiliegende
Rückseite 12 auf, die der Strahlungsseite 16 gegenüberliegt, wobei an der Rückseite 12 zwei freiliegende Kontaktelemente 10, 11 zur externen elektrischen Kontaktierung des
Halbleiterchips 100 angeordnet sind. Die Kontaktelemente 10, 11 bestehen beispielsweise aus einem Metall, wie Aluminium oder Gold. Ferner sind die Kontaktelemente 11, 12 von quer zur Strahlungsseite 16 verlaufenden Seitenflächen 15 des Halbleiterkörpers 1 zurückgezogen, beispielsweise um
zumindest 50 ym. Der Halbleiterkörper 1 weist vorliegend ein Substrat 13 und eine auf dem Substrat 13 aufgebrachte
Halbleiterschichtenfolge 14 auf. Die Halbleiterschichtenfolge 14 basiert beispielsweise auf AlInGaN, und erzeugt im
bestimmungsgemäßen Betrieb blaues Licht oder UV-Licht. Das Substrat 13 ist beispielsweise das Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge 14 und basiert beispielsweise auf Saphir oder GaN. Das Aufwachssubstrat 13 ist zwischen dem Konverterelement 2 und der Halbleiterschichtenfolge 14 angeordnet .
Die elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 14 erfolgt über eine vergrabene Verdrahtungsstruktur mit
Durchkontaktierungen, die elektrisch leitend mit den
Kontaktelementen 10, 11 verbunden sind.
Bei dem Konverterelement 2 handelt es sich zum Beispiel um ein keramisches Konverterplättchen, das zumindest einen Teil oder die gesamte von der Halbleiterschichtenfolge 14 im
Betrieb emittierte Strahlung in Strahlung eines anderen
Wellenlängenbereichs, beispielsweise in sichtbares Licht, konvertiert .
Die Seitenflächen 15 des Halbleiterkörpers 1 sind durch
Seitenflächen des Substrats 13 und Seitenflächen der
Halbleiterschichtenfolge 14 gebildet. Ebenso weist das
Konverterelement 2 Seitenflächen 25 auf, die wie die
Seitenflächen 15 des Halbleiterkörpers 1 quer zur
Strahlungsseite 16 verlaufen. Auf die Seitenflächen 15, 25 des Halbleiterkörpers 1 und des Konverterelements 2 ist formschlüssig eine durchgehende, zusammenhängende und
unterbrechungsfreie Spiegelschicht 3 aufgebracht, die alle Seitenflächen 15, 25 vollständig bedeckt. Die Spiegelschicht 3 basiert beispielsweise auf Ag oder AI und weist bevorzugt eine Reflektivität für die von dem Konverterelement 2 oder dem Halbleiterkörper 1 emittierte Strahlung von zumindest 90 % auf. Die Rückseite 12 sowie eine der Strahlungsseite 16 abgewandte Seite des Konverterelements 2 sind frei von der Spiegelschicht 3. Die Spiegelschicht 3 bewirkt, dass im Betrieb des Halbleiterchips 100 Strahlung ausschließlich über die der Strahlungsseite 16 abgewandte Seite des Konverterelements 2 aus dem Halbleiterchip 100 austreten kann. Seitlich wird von dem Halbleiterchip 100 keine Strahlung emittiert. Die
Spiegelschicht 3 auf den Seitenflächen 15, 25 in Figur 1 hat beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 1 ym und 5 ym. Ferner ist in Figur 1 zu erkennen, dass zwischen der
Spiegelschicht 3 und den Seitenflächen 15, 25 des
Halbleiterkörpers 1 und des Konverterelements 2 eine
optionale erste Passivierungsschicht 40 angeordnet ist. Die erste Passivierungsschicht 40 weist beispielsweise eine Dicke von höchstens 100 nm auf. Ferner basiert die erste
Passivierungsschicht 40 bevorzugt auf einem transparenten, insbesondere klarsichtigen Material, wie zum Beispiel S1O2 oder ZnO. Beispielsweise dient die erste Passivierungsschicht
40 als Haftvermittlungsschicht zwischen dem Halbleiterkörper 1 und der Spiegelschicht 3.
Ferner ist in Figur 1 zu erkennen, dass auf Außenflächen der Spiegelschicht 3 eine optionale zweite Passivierungsschicht
41 aufgebracht ist, die die Spiegelschicht 3 vollständig überdeckt. Bei der zweiten Passivierungsschicht 41 kann es sich insbesondere um eine Schutzschicht handeln, die die Spiegelschicht 3 vor externen Einflüssen schützt.
Beispielsweise ist die zweite Passivierungsschicht 41 eine gesputterte Passivierungsschicht mit folgendem Aufbau: AI2O3 (93 nm) + HDMSO-Schicht (3010 nm) (HMDSO : 02=1 : 1 , 002 ) . Auch kann die zweite Passivierungsschicht zum Beispiel auf SiN oder S1O2 basieren. Alternativ zu dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 ist es auch möglich, dass die Spiegelschicht 3 an dem Konverterelement 2 und dem Halbleiterkörper 1 direkt anliegt, ohne dass zwischen Spiegelschicht 3 und dem Konverterelement 2 und/oder dem Halbleiterkörper 1 eine erste Passivierungsschicht 40
angeordnet ist. Auch kann die Spiegelschicht 3 nach außen frei liegen, also von keiner weiteren Schicht überdeckt sein.
Bei dem in Figur 1 gezeigten Halbleiterchip 100 handelt es sich insbesondere um einen so genannten Volumenemitter, in diesem Fall um einen Saphir-Flip-Chip.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 2A ist ein Halbleiterchip 100 gezeigt, der in Bezug auf die Spiegelschicht 3 sowie die erste 40 und zweite Passivierungsschicht 41 ähnlich
ausgebildet ist wie der Halbleiterchip 100 der Figur 1.
Im Unterschied zu Figur 1 sind bei dem Halbleiterchip 100 der Figur 2A aber nicht beide Kontaktelemente 10, 11 an der
Rückseite 12 angeordnet, sondern lediglich ein zweites
Kontaktelement 11 ist an der Rückseite 12 angebracht. Das erste Kontaktelement 10 ist auf einer der Rückseite 12 abgewandten Seite des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht, befindet sich also zwischen Konverterelement 2 und
Halbleiterkörper 1. Ferner ist das erste Kontaktelement 10 auf einer Fläche des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht, die in vertikaler Richtung, quer zur lateralen Richtung, versetzt zur Strahlungsseite 16 ist. Vorliegend ist das Kontaktelement 10 in Richtung Rückseite 12 versetzt, so dass zwischen Kontaktelement 10 und
Konverterelement 2 ein Zwischenraum gebildet ist. Der
Zwischenraum ist beispielsweise mit einem Gas, wie zum Beispiel Luft gefüllt. Über den Zwischenraum kann das erste Kontaktelement 10 elektrisch kontaktiert werden, wie zum Beispiel in Figur 2A dargestellt über einen Kontaktdraht. Der Kontaktdraht ist also von dem ersten Kontaktelement 10 über den Zwischenraum seitlich aus dem Halbleiterchip 100 hinaus auf einen externen Anschlussbereich geführt. Insofern ist der Zwischenraum zwischen dem ersten Kontaktelement 10 und dem Konverterelement 2 seitlich frei zugänglich. Im Unterschied zur Figur 1 ist bei dem Halbleiterkörper 1 der Figur 2A eine Halbleiterschichtenfolge 14 auf einem Substrat 13 aufgebracht, wobei das Substrat 13 nicht das
Aufwachssubstrat selbst ist, sondern ein im Nachhinein aufgebrachtes Substrat. Das Aufwachssubstrat der
Halbleiterschichtenfolge 14 ist teilweise oder vollständig abgelöst. Außerdem ist in Figur 2A die
Halbleiterschichtenfolge 14 zwischen dem Substrat 13 und dem Konverterelement 2 angeordnet. Zu erkennen ist in Figur 2A auch, dass der Halbleiterchip 100 auf einem Träger 5 angeordnet ist, wobei das zweite
Kontaktelement 11 beziehungsweise die Rückseite 12 dem Träger 5 zugewandt ist. Das zweite Kontaktelement 11 ist
beispielsweise über den Träger 5 elektrisch kontaktiert. Bei dem Träger 5 kann es sich um einen Kunststoffträger oder
Glasträger oder Keramikträger oder einen Metallträger oder eine Leiterplatte handeln.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 2B ist ein ähnlicher
Halbleiterchip 100 wie in Figur 2A gezeigt. Im Unterschied zur Figur 2A weist das Konverterelement 2 nun aber im Bereich des Zwischenraums, also im Bereich über dem ersten
Kontaktelement 10, eine rechteckförmige erste Ausnehmung 20 auf. Die erste Ausnehmung 20 hat beispielsweise eine Tiefe in vertikaler Richtung von zumindest 10 ym. Die erste Ausnehmung 20 bildet dabei einen Teil des Zwischenraums zwischen erstem Kontaktelement 10 und Konverterelement 2 und erleichtert die elektrische Kontaktierung des ersten Kontaktelements 10.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 2C ist im Wesentlichen der gleiche Halbleiterchip 100 wie in Figur 2B gezeigt. Im
Unterschied zur Figur 2B ist nun ersichtlich, dass die
Spiegelschicht 3 wie auch die erste 40 und zweite
Passivierungsschicht 41 auf alle an die erste Ausnehmung 20 grenzenden Seiten des Konverterelements 2 aufgebracht sind, so dass alle diese Seiten vollständig von der Spiegelschicht 3 verspiegelt sind. Beispielsweise können der
Halbleiterkörper 1 und das Konverterelement 2 einzeln
verspiegelt werden, bevor sie zusammengesetzt werden.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 2D ist auf der linken Seite der gleiche Halbleiterchip 100 wie in Figur 2B gezeigt. Beim Schnitt durch das Konverterelement 2 entlang der
gestrichelten Linie ergibt sich die auf der rechten Seite der Figur 2D gesehene Draufsicht. Zu erkennen ist, dass der
Halbleiterchip 100 eine rechteckförmige, insbesondere
quadratische Grundform hat, wobei das Konverterelement 2 lateral vollständig von der zusammenhängenden Spiegelschicht 3 umgeben ist. Die Spiegelschicht 3 verläuft
unterbrechungsfrei ringsum das Konverterelement 2.
In Figur 2E wird die Schnittfläche aus der Figur 2D nun durch den Halbleiterkörper 1 gezogen, so dass sich die auf der rechten Seite gezeigte Querschnittsansicht in Draufsicht ergibt. Wiederum zu erkennen ist, dass der Halbleiterkörper 1 ringsum lateral vollständig von der zusammenhängend und unterbrechungsfrei ausgebildeten Spiegelschicht 3 umgeben ist. Zu erkennen ist außerdem das erste Kontaktelement 10, das in einem Eckbereich des Halbleiterchips 100 ebenfalls eine rechteckförmige, insbesondere quadratische
Querschnittsfläche aufweist. Das erste Kontaktelement 10 ist frei einsehbar, da der Schnitt durch den Halbleiterchip 100 den Zwischenraum oberhalb des ersten Kontaktelements 10 durchkreuzt und der Zwischenraum zum Beispiel mit Luft gefüllt ist.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 2F ist eine Alternative zu Figur 2E gezeigt, bei dem das erste Kontaktelement 10 nicht nur in einem Eckbereich des Halbleiterchips 100 angeordnet ist, sondern entlang einer gesamten Seitenfläche des
Halbleiterchips 100 verläuft.
Im Unterschied zu den Ausführungsbeispielen der Figur 2 ist im Ausführungsbeispiel der Figur 3 kein Kontaktelement auf der Rückseite 12 des Halbleiterkörpers 1 angebracht. Vielmehr sind beide Kontaktelemente 10, 11 zur externen elektrischen
Kontaktierung des Halbleiterchips 100 auf einer der Rückseite 12 gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers 1
angeordnet. Es liegen also sowohl das erste Kontaktelement 10 als auch das zweite Kontaktelement 11 zwischen
Halbleiterkörper 1 und Konverterelement 2.
Die Rückseite 12 ist zum Beispiel aus einer isolierenden Schicht, wie zum Beispiel einer Si02_Schicht , gebildet. Wie in der Schnittansicht im rechten Bild der Figur 3 zu erkennen ist, sind oberhalb beider Kontaktelemente 10, 11 Zwischenräume ausgebildet, so dass in der Querschnittsansicht das erste Kontaktelement 10 und das zweite Kontaktelement 11 frei einsehbar sind. Die Kontaktelemente 10, 11 sind jeweils in Ecken des Halbleiterchips 100 angeordnet. Außerdem weist das Konverterelement 2 jeweils oberhalb der Kontaktelemente 10, 11 eine Ausnehmung 20, 21 auf, die jeweils den
Zwischenraum über den Kontaktelementen 10, 11 vergrößern.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 4 ist wiederum das zweite Kontaktelement 11 an der Rückseite 12 des Halbleiterkörpers 1 angeordnet, das erste Kontaktelement 10 ist auf einer der Rückseite 12 gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers 1 angebracht. Im Unterschied zu den vorherigen
Ausführungsbeispielen ist das erste Kontaktelement 10 nun aber nicht von dem Konverterelement 2 überdeckt, sondern liegt in Draufsicht auf den Halbleiterchip 100 frei. Die Seitenflächen 15 des Halbleiterkörpers 1 und die
Seitenflächen 25 des Konverterelements 2 sind wiederum vollständig von der Spiegelschicht 3 bedeckt.
Figur 5 zeigt Ausführungsbeispiele eines Konverterelements 2, wie es zum Beispiel im Halbleiterchip 100 der Figur 2B verwendet ist. Auf der linken Seite der Figur 5 ist eine seitliche Querschnittsansicht gezeigt, bei der eine erste Ausnehmung 20 in einem Randbereich des Konverterelements 2 zu erkennen ist. Auf der rechten Seite der Figur 5 ist das
Konverterelement 2 in Draufsicht gezeigt, wobei die
gestrichelten Linien den Bereich anzeigen, in dem die erste Ausnehmung 20 angeordnet ist.
Figur 6A zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Leuchtmittels 1000 in Querschnittsansicht. Auf einem Träger 5, der
beispielsweise ein Glasträger oder Kunststoffträger oder ein Aktivmatrixelement mit einer Mehrzahl von Transistoren ist, ist eine Mehrzahl von Halbleiterchips 100 lateral nebeneinander angeordnet. Die Halbleiterchips 100 sind dabei wie die Halbleiterchips 100 der Figur 1 ausgestaltet. Ferner ist zu erkennen, dass die Halbleiterchips 100 sehr nahe aneinandergeschoben sind. Der Abstand zwischen freiliegenden Seitenflächen der Halbleiterchips 100 beträgt zum Beispiel höchstens 10 ym, der Abstand zwischen Seitenflächen 15 der Halbleiterkörper 1 oder Seitenflächen 25 der
Konverterelemente 2 zum Beispiel höchstens 20 ym. Figur 6B zeigt das Ausführungsbeispiel der Figur 6A nun in Draufsicht auf die Halbleiterchips 100 beziehungsweise den Träger 5. Zwischen den Halbleiterchips 100 sind Spalte vorhanden, in denen der Träger 5 frei einsehbar ist. Die Breite der Spalte beträgt zum Beispiel höchstens 10 ym.
In Figur 7 ist ein ähnliches Ausführungsbeispiel wie in Figur 6B gezeigt. Allerdings sind nun die Halbleiterchips 100 direkt aneinandergeschoben. Die Halbleiterchips 100 sind matrixartig auf dem Träger 5 angeordnet und an Gitterpunkten eines regelmäßigen Rechteckgitters angebracht. Die
Halbleiterchips 100 weisen in Draufsicht selber eine
rechteckige Grundform auf, wodurch realisiert ist, dass jeder Halbleiterchip 100 an zwei oder drei Seiten vollständig an benachbarten Halbleiterchips 100 anliegt. Das Leuchtmittel 1000 der Figur 7 kann zum Beispiel ein Display sein, bei dem zwischen einzelnen Pixeln, die beispielsweise jeweils aus genau einem Halbleiterchip 100 gebildet sind, keine dunklen Zwischenräume zu erkennen sind. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichenliste
1 optoelektronischer Halbleiterkörper
2 Konverterelement
3 Spiegelschicht
5 Träger
10 erstes Kontaktelement
11 zweites Kontaktelement
12 Rückseite des Halbleiterkörpers 1
13 Substrat
14 Halbleiterschichtenfolge
15 Seitenfläche des Halbleiterkörpers 1
16 Strahlungsseite des Halbleiterkörpers 1 20 erste Ausnehmung
21 zweite Ausnehmung
25 Seitenfläche des Konverterelements 2
40 erste Passivierungsschicht
41 zweite Passivierungsschicht
100 optoelektronischer Halbleiterchip
1000 Leuchtmittel

Claims

Patentansprüche
Optoelektronischer Halbleiterchip (100) aufweisend:
- einen optoelektronischen Halbleiterkörper (1), mit einer Strahlungsseite (16) und einer der
Strahlungsseite (16) gegenüberliegenden Rückseite (12) ,
- ein auf der Strahlungsseite (16) des
Halbleiterkörpers (1) angeordnetes Konverterelement (2), das im Betrieb eine von dem Halbleiterkörper (1) über die Strahlungsseite (16) emittierte Strahlung teilweise oder vollständig in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertiert,
- einer Spiegelschicht (3), die auf Seitenflächen (15) des Halbleiterkörpers (1) und auf Seitenflächen (25) des Konverterelements (2) angeordnet ist und die Seitenflächen (15, 25) bedeckt, wobei
- die Seitenflächen (15, 25) des Halbleiterkörpers (1) und des Konverterelements (2) jeweils quer zur Strahlungsseite (16) verlaufen,
- die Rückseite (12) im unmontierten Zustand des
Halbleiterchips (100) frei liegt,
- die Spiegelschicht (3) eine Reflektivität für die von dem Halbleiterkörper (1) und/oder dem
Konverterelement (2) emittierte Strahlung von zumindest 80 % aufweist,
- die Spiegelschicht (3) eine Dicke von höchstens 5 ym aufweist .
Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach Anspruch 1, wobei
- der Halbleiterkörper (1) ein erstes Kontaktelement (10) und ein zweites Kontaktelement (11) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (100) aufweist,
- das erste (10) und/oder zweite Kontaktelement (11) auf einer der Rückseite (12) abgewandten Seite des Halbleiterchips (1) angeordnet sind und dem
Konverterelement (2) zugewandt sind,
- das Konverterelement (2) in Draufsicht auf das
Konverterelement (2) die Strahlungsseite (16) und das erste (10) und/oder zweite Kontaktelement (11) zumindest teilweise überdeckt,
- das erste (10) und/oder zweite Kontaktelement (11) von dem Konverterelement
(2) jeweils durch einen Zwischenraum beabstandet sind,
- der Zwischenraum seitlich von außen frei zugänglich ist .
3. Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach Anspruch 2, wobei
- das Konverterelement (2) eine dem ersten
Kontaktelement (10) zugewandte erste Ausnehmung (20) im Bereich über dem ersten Kontaktelement (10) und/oder eine dem zweiten Kontaktelement (11) zugewandte zweite Ausnehmung (21) im Bereich über dem zweiten Kontaktelement (11) aufweist,
- die erste (20) und/oder zweite Ausnehmung (21)
zumindest Teil des entsprechenden Zwischenraums zwischen dem Konverterelement (2) und dem ersten (10) und/oder dem zweiten Kontaktelement (11) bilden.
4. Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach Anspruch 3, wobei das Konverterelement (2) an allen an die erste (20) und/oder zweite Ausnehmung (21) grenzenden Seiten mit der Spiegelschicht (3) bedeckt ist.
Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei
- das erste Kontaktelement (10) auf einer der Rückseite (12) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist,
- das zweite Kontaktelement (11) an der Rückseite (12) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist.
Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
- der Halbleiterchip (100) selbsttragend und mechanisch stabil ist,
- die lateralen Ausdehnungen des Halbleiterchips (100) parallel zur Strahlungsseite (16) um höchstens 5 % von den lateralen Ausdehnungen des Halbleiterkörpers
(1) abweichen.
Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
- die Spiegelschicht (3) alle Seitenflächen (15, 25) des Halbleiterkörpers (1) und des Konverterelements
(2) bedeckt und vollständig rings um den
Halbleiterkörper (1) und das Konverterelement (2) verläuft ,
- die Spiegelschicht (3) durchgehend, zusammenhängend und unterbrechungsfrei entlang der Seitenflächen (15, 25) verläuft,
- die Spiegelschicht (3) formschlüssig an dem
Halbleiterkörper (1) und dem Konverterelement (2) anliegt . Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
- die Spiegelschicht (3) metallisch ist,
- zwischen der Spiegelschicht (3) und dem
Halbleiterkörper (1) und/oder zwischen der
Spiegelschicht (3) und dem Konverterelement (2) eine erste Passivierungsschicht (40) angeordnet ist,
- auf Außenseiten der Spiegelschicht (3) eine zweite Passivierungsschicht (41) angeordnet ist,
- die erste (40) und die zweite Passivierungsschicht (41) zusammen eine Dicke von weniger als 1 ym
aufweisen .
Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
- der Halbleiterkörper (1) eine
Halbleiterschichtenfolge (14) aufweist, die auf einem Substrat (13) aufgebracht ist,
- das Substrat (13) unterschiedlich von einem
Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge (14) ist,
- das Substrat (13) die den Halbleiterchip (100)
stabilisierende Komponente ist.
Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei
- der Halbleiterkörper (1) eine
Halbleiterschichtenfolge (14) aufweist, die auf einem Substrat (13) aufgebracht ist,
- das Substrat (13) das Aufwachssubstrat der
Halbleiterschichtenfolge (14) ist,
- das Substrat (13) die den Halbleiterchip (100)
stabilisierende Komponente ist. Optoelektronischer Halbleiterchip (100) nach mindestens Anspruch 1, wobei
- der Halbleiterkörper (1) an der Rückseite (12)
Kontaktelemente (10, 11) zur externen elektrischen Kontaktierung aufweist,
- die Kontaktelemente (10, 11) von den Seitenflächen (15) des Halbleiterkörpers (1) um zumindest 50 ym zurückgezogen sind.
Leuchtmittel (1000) aufweisend:
- eine Mehrzahl von matrixartig auf einem Träger (5) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
- die Seitenflächen (15) zweier direkt benachbarter
Halbleiterkörper (1) und/oder die Seitenflächen (25) zweier direkt benachbarter Konverterelemente (2) höchstens 20 ym voneinander beabstandet sind.
Leuchtmittel (1000) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei
- die Halbleiterchips (100) über den Träger (5)
elektrisch kontaktiert sind,
- der Träger (5) ein Aktivmatrixelement ist, über das jeder Halbleiterchip (100) einzeln und unabhängig von den übrigen Halbleiterchips (100) elektrisch
ansteuerbar ist.
Leuchtmittel (1000) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, wobei
- die Halbleiterchips (100) auf dem Träger (5)
aneinandergeschoben sind und jeder Halbleiterchip (100) mit ihm benachbarten Halbleiterchips (100) in direktem Kontakt steht, - in Draufsicht auf die Halbleiterchips (100) zwischen den Halbleiterchips (100) kein Spalt oder
Zwischenraum ausgebildet ist, sodass in Draufsicht der Träger (5) an keiner Stelle zwischen den
Halbleiterchips (100) frei einsehbar ist.
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