WO2016175469A1 - Low-melting point glass frit for sealing oled panel, and glass paste thereof - Google Patents
Low-melting point glass frit for sealing oled panel, and glass paste thereof Download PDFInfo
- Publication number
- WO2016175469A1 WO2016175469A1 PCT/KR2016/003404 KR2016003404W WO2016175469A1 WO 2016175469 A1 WO2016175469 A1 WO 2016175469A1 KR 2016003404 W KR2016003404 W KR 2016003404W WO 2016175469 A1 WO2016175469 A1 WO 2016175469A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- glass frit
- low melting
- sealing
- oled panel
- less
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000002844 melting Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052642 spodumene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RWWJXIAEEFWUSU-UHFFFAOYSA-K P(=O)([O-])([O-])[O-].[W+4].[Zr+4] Chemical compound P(=O)([O-])([O-])[O-].[W+4].[Zr+4] RWWJXIAEEFWUSU-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- HOTKCWAKXLGUAH-UHFFFAOYSA-N [Zr]O[W] Chemical compound [Zr]O[W] HOTKCWAKXLGUAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Abstract
Disclosed are a low-melting point glass frit for sealing an OLED panel, which has excellent durability, reliability and water resistance, and a glass paste thereof. The low-melting point glass frit for sealing an OLED panel according to the present invention comprises: 15 to 60 mol% of V2O5; 10 to 50 mol% of ZnO; 5 to 25 mol% of TeO2; 0.1 to 15 mol% of B2O3; and 0.1 to 10 mol% of SiO2.
Description
본 발명은 저융점 유리 프릿 및 그 유리 페이스트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 내구성, 신뢰성 및 내수성이 우수한 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿 및 그 유리 페이스트에 관한 것이다.The present invention relates to a low melting glass frit and a glass paste thereof, and more particularly, to a low melting glass frit for sealing an OLED panel excellent in durability, reliability and water resistance, and a glass paste thereof.
OLED(Organic Light Emitting Diode)는 낮은 전압에서 구동이 가능하다. 또한, OLED는 얇은 박형으로 만들 수 있으며, 넓은 시야각과 빠른 응답속도를 갖고 있어 현재 평판디스플레이 시장을 주도하고 있는 LCD(Liquid Crystal Display)를 대체할 수 있는 가장 유력한 후보로 꼽힌다. OLED는 디스플레이뿐만 아니라 조명, 각종 센서에도 적용할 수 있어 그 시장의 잠재력은 매우 크다.OLED (Organic Light Emitting Diode) can be driven at low voltage. In addition, OLEDs can be made thin and have a wide viewing angle and fast response speed, making them the most likely candidates to replace Liquid Crystal Display (LCD), which is currently leading the flat panel display market. OLEDs can be applied not only to displays but also to lighting and various sensors, so the market has great potential.
다만, OLED를 이용하여 디스플레이 디바이스나 조명광원을 제조하는 경우 수분과 공기 등에 취약한 유기물질을 보호하기 위한 실링(Sealing) 기술이 필요하며, OLED 장수명 기술 현안 중 가장 중요하게 지목되는 것이 실링 기술이다.However, when manufacturing a display device or an illumination light source using OLED, a sealing technology for protecting organic materials that are vulnerable to moisture and air is required, and the most important point of OLED long life technology issues is sealing technology.
일반적으로, 사용되는 실링 방식은 광 경화성 수지를 이용하여 고정하는 방식인데, 광 경화성 수지의 경우 내수성이 좋지 않은 문제가 있다. 내수성 향상을 위하여 흡습제(Desiccant)를 내부에 부착하는 방식도 고해상도 디스플레이나 투명 디스플레이 방식에는 적합하지 않다.Generally, the sealing method used is a method of fixing using a photocurable resin, but in the case of the photocurable resin, there is a problem in that the water resistance is not good. A method of attaching a desiccant to the inside to improve water resistance is not suitable for a high resolution display or a transparent display method.
이러한 문제를 해결하기 위해, 실링재로 저융점 유리 프릿(Glass Frit)을 사용하고 있다. 그러나, 현재 사용되고 있는 레이저를 이용한 OLED 실링용 저융점 유리 프릿의 경우 산소 분위기에서 변질이 발생하거나, 기판과 열팽창계수(Coefficient of Thermal Expansion; CTE) 차이가 커서 실링 후 부착성이 저하되거나, 저융점 유리 분말에 P2O5가 함유된 결과 내수성이 좋지 않은 문제점이 있다.In order to solve this problem, a low melting glass frit is used as the sealing material. However, the low melting point glass frit for OLED sealing using lasers currently used may cause deterioration in an oxygen atmosphere, or a difference between the substrate and the coefficient of thermal expansion (CTE), resulting in poor adhesion after sealing or low melting point. As a result of containing P 2 O 5 in the glass powder, there is a problem of poor water resistance.
관련 선행 문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2009-0041867호(2009.04.29. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 평판 디스플레이 패널 봉착용 무연 프릿 조성물이 기재되어 있다.Related prior art documents are Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2009-0041867 (published on April 29, 2009), which discloses a lead-free frit composition for sealing a flat panel display panel.
본 발명의 목적은 내구성, 신뢰성 및 내수성이 우수한 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿 및 그 유리 페이스트를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a low melting point glass frit for sealing an OLED panel excellent in durability, reliability and water resistance, and a glass paste thereof.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿은 mol%로, V2O5 : 15 ~ 60%, ZnO : 10 ~ 50%, TeO2 : 5 ~ 25%, B2O3 : 0.1 ~ 15% 및 SiO2 : 0.1 ~ 10%로 조성되는 것을 특징으로 한다.Low melting glass frit for sealing an OLED panel according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is mol%, V 2 O 5 : 15 ~ 60%, ZnO: 10 ~ 50%, TeO 2 : 5 ~ 25% , B 2 O 3 : 0.1 to 15% and SiO 2 : characterized in that the composition is composed of 0.1 to 10%.
이때, 상기 저융점 유리 프릿은 Bi2O3, CuO, TiO2, Fe2O3
및 BaO 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.At this time, the low melting glass frit is Bi 2 O 3 , CuO, TiO 2 , Fe 2 O 3 And BaO may further comprise one or more.
구체적으로, 상기 저융점 유리 프릿은 mol%로, Bi2O3 : 15% 이하, CuO : 20% 이하, TiO2 : 20% 이하, Fe2O3
: 10% 이하 및 BaO : 10% 이하 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.Specifically, the low melting glass frit is mol%, Bi 2 O 3 : 15% or less, CuO: 20% or less, TiO 2 : 20% or less, Fe 2 O 3 It may further include one or more of: 10% or less and BaO: 10% or less.
이때, 상기 저융점 유리 프릿은 800 ~ 820nm 파장의 적외선 흡수율이 88% 이상을 갖는다.In this case, the low melting glass frit has an infrared absorption of 800 ~ 820nm wavelength of 88% or more.
또한, 상기 저융점 유리 프릿은 유리전이온도(Tg) : 350℃ 이하 및 연화온도(Tdsp) : 400 ~ 500℃를 갖는다.In addition, the low melting glass frit has a glass transition temperature (Tg) of 350 ° C. or less and a softening temperature (Tdsp) of 400˜500 ° C.
상기 저융점 유리 프릿은 P2O5가 의도적으로 포함되지 않아, 소성 후 95℃ 에서 48시간 내수성 테스트 후 감량치가 0.1mg/m2 이하를 갖는다.The low melting glass frit is not intentionally included in P 2 O 5 , and has a loss value of 0.1 mg / m 2 or less after a water resistance test at 95 ° C. for 48 hours after firing.
상기 저융점 유리 프릿은 소성 후 50 ~ 250℃ 범위에서 40 x 10-7/℃ 이하의 평균 열팽창계수를 갖는다.The low melting glass frit has an average coefficient of thermal expansion of 40 × 10 −7 / ° C. or less in the range of 50 to 250 ° C. after firing.
또한, 상기 저융점 유리 프릿 100 중량부에 대하여, 0.1 ~ 40 중량부로 첨가되는 저팽창 세라믹 필러를 더 포함할 수 있다.The low-expansion glass frit may further include a low-expansion ceramic filler added in an amount of 0.1 to 40 parts by weight.
이때, 상기 세라믹 필러는 베타-유크립타이트, 지르코늄 텅스텐 포스페이트, 지르코늄 텅스텐 옥사이드, 코디어라이트(cordierite), 스포듀민(spodumene), 윌레마이트(willemite) 및 뮬라이트(mulite) 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.In this case, the ceramic filler includes at least one selected from beta-eucryptite, zirconium tungsten phosphate, zirconium tungsten oxide, cordierite, spodumene, willemite and mullite. can do.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 페이스트는 저융점 유리 프릿 100 중량부 및 비히클 : 20 ~ 40 중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Low-melting-point glass paste for sealing an OLED panel according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is characterized in that it comprises 100 parts by weight of low-melting glass frit and vehicle: 20 to 40 parts by weight.
본 발명에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿은 800 ~ 820nm 파장의 적외선이 적용되는 레이저 소성시 적외선 흡수율이 88% 이상을 가질 수 있다.The low melting glass frit for encapsulating the OLED panel according to the present invention may have an infrared absorptivity of 88% or more during laser firing to which infrared rays of 800 to 820 nm wavelength are applied.
또한, 본 발명에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿은 유리 전이온도를 낮추는데 기여하는 V2O5가 15 ~ 60 mol%로 다량 첨가됨과 더불어, TeO2가 5 ~ 25 mol%로 첨가되어, 350℃ 이하의 유리전이온도(Tg)를 나타낼 수 있다.In addition, the low melting glass frit for encapsulating the OLED panel according to the present invention is added in a large amount of 15 to 60 mol% of V 2 O 5 which contributes to lowering the glass transition temperature, and TeO 2 is added to 5 to 25 mol%, The glass transition temperature (Tg) of 350 degrees C or less can be shown.
또한, 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿은 수분에 취약한 P2O5가 의도적으로 포함되지 않아, 수분 접촉 시 변질이 발생하지 않는 우수한 내수성을 발휘할 수 있고, 보다 구체적으로는 95℃의 증류수에 48시간 노출시키는 내수성 테스트 후, 내수 감량치가 0.1mg/m2 이하일 수 있다.In addition, the low-melting glass frit according to the present invention does not intentionally contain P 2 O 5 which is susceptible to moisture, thereby exhibiting excellent water resistance that does not occur when contacted with moisture, and more specifically, in distilled water at 95 ° C. After a water exposure test with time exposure, the water loss value may be 0.1 mg / m 2 or less.
또한, 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿은 저팽창 결정질 세라믹 분말이 더 혼합될 수 있으며, 소성 후 50 ~ 250℃ 범위에서 40 x 10-7/℃ 이하의 평균 열팽창계수를 갖는바, OLED 패널 봉착 후 부착력 저하를 최소화할 수 있어, 실링 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the low melting glass frit according to the present invention may be further mixed with low-expansion crystalline ceramic powder, 40 in the range of 50 ~ 250 ℃ after firing Since it has an average coefficient of thermal expansion of x 10 −7 / ° C. or less, a decrease in adhesion force after sealing the OLED panel can be minimized, thereby improving sealing reliability.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿 및 그 유리 페이스트에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a low melting glass frit for sealing an OLED panel and a glass paste thereof according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
OLEDOLED
패널 봉착용 Panel sealing
저융점Low melting point
유리 Glass
프릿Frit
본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿은 납(Pb)이 첨가되지 않으며, 유리 전이온도를 낮추는데 기여하는 V2O5가 15 ~ 60 mol%로 다량 첨가됨과 더불어, TeO2가 5 ~ 25 mol%로 첨가되어, 350℃ 이하의 유리전이온도(Tg)를 나타낼 수 있다.In the low melting point glass frit for sealing an OLED panel according to an embodiment of the present invention, lead (Pb) is not added, and V 2 O 5, which contributes to lowering the glass transition temperature, is added in a large amount of 15 to 60 mol%, and TeO 2 5 to 25 mol% may be added to exhibit a glass transition temperature (Tg) of 350 ° C or less.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿은 수분에 취약한 P2O5가 의도적으로 포함되지 않아, 수분 접촉 시 변질이 발생하지 않는 우수한 내수성을 발휘할 수 있다.In addition, the low-melting-point glass frit for sealing an OLED panel according to an embodiment of the present invention may not intentionally include P 2 O 5, which is vulnerable to moisture, and thus may exhibit excellent water resistance that does not occur in contact with moisture.
이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿은 mol%로, V2O5 : 15 ~ 60%, ZnO : 10 ~ 30%, TeO2 : 10 ~ 25%, B2O3 : 0.1 ~ 15% 및 SiO2 : 0.1 ~ 10%로 조성된다.To this end, the low melting glass frit for sealing the OLED panel according to an embodiment of the present invention is mol%, V 2 O 5 : 15 ~ 60%, ZnO: 10 ~ 30%, TeO 2 : 10 ~ 25%, B 2 0 3 : 0.1-15% and SiO 2 : 0.1-10%.
이때, 상기 저융점 유리 프릿은 Bi2O3, CuO, TiO2, Fe2O3
및 BaO 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 저융점 유리 프릿은 mol%로, Bi2O3 : 15% 이하, CuO : 20% 이하, TiO2 : 20% 이하, Fe2O3
: 10% 이하 및 BaO : 10% 이하 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.At this time, the low melting glass frit is Bi 2 O 3 , CuO, TiO 2 , Fe 2 O 3 And BaO may further comprise one or more. More specifically, the low melting glass frit is mol%, Bi 2 O 3 : 15% or less, CuO: 20% or less, TiO 2 : 20% or less, Fe 2 O 3 It may further include one or more of: 10% or less and BaO: 10% or less.
이하, 본 발명에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿에 포함되는 각 성분의 역할 및 함량에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the role and content of each component included in the low melting glass frit for sealing an OLED panel according to the present invention will be described.
[V2O5][V 2 O 5 ]
V2O5는 저융점 유리 프릿의 주 성분으로 레이저 흡수 능력을 상승시키고, 유리형성제 역할 및 저융점화 특성을 갖는다.V 2 O 5 is a main component of the low melting glass frit, which raises the laser absorption capability, and has a role of a glass former and a low melting point.
상기 V2O5는 저융점 유리 프릿 전체 중량의 15 ~ 60 mol%의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다. V2O5의 함량이 15 mol% 미만일 경우에는 유리의 전이점 상승으로 저융점화 효과를 제대로 발휘하는데 어려움이 따를 수 있다. 반대로, V2O5의 함량이 60 mol% 초과할 경우에는 대기 및 질소 분위기 소성 시 V2O5의 변질로 인해 레이저 반응성이 떨어지는 경향이 있으며, 이로 인해 부착력이 저하되는 문제점이 있다.The V 2 O 5 is preferably added in a content ratio of 15 to 60 mol% of the total weight of the low melting glass frit. If the content of V 2 O 5 is less than 15 mol%, it may be difficult to properly exhibit a low melting point effect by increasing the transition point of the glass. On the contrary, when the content of V 2 O 5 exceeds 60 mol%, the laser reactivity tends to be lowered due to the deterioration of V 2 O 5 during the firing of the atmosphere and nitrogen atmosphere, and thus there is a problem in that the adhesion decreases.
[ZnO][ZnO]
ZnO는 유리 분말을 안정화시키고, 유동 특성을 향상시킨다. 또한, ZnO는 연화온도(Tdsp)를 낮추며, 실투를 억제하는 역할을 한다.ZnO stabilizes the glass powder and improves the flow characteristics. In addition, ZnO lowers the softening temperature (Tdsp) and serves to suppress devitrification.
상기 ZnO는 저융점 유리 프릿 전체 중량의 10 ~ 50 mol%의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다. ZnO의 함량이 10 mol% 미만일 경우에는 연화 온도가 높아 저융점화 효과가 미미하여 내수성 및 내열성 확보에 어려움이 따를 수 있다. 반대로, ZnO의 함량이 50 mol%를 초과할 경우에는 용융시 결정화하기 쉬워져 안정한 유리를 얻을 수 없고, 유리의 열팽창계수가 대폭 증가할 수 있다.The ZnO is preferably added in a content ratio of 10 to 50 mol% of the total weight of the low melting glass frit. If the content of ZnO is less than 10 mol%, the softening temperature is high, so the low melting point effect is insignificant, which may make it difficult to secure water resistance and heat resistance. On the contrary, when the content of ZnO exceeds 50 mol%, it is easy to crystallize during melting, and thus a stable glass cannot be obtained, and the coefficient of thermal expansion of the glass can be greatly increased.
[TeO2][TeO 2 ]
TeO2는 유리의 결합력을 높여 내수성 및 내화학성을 향상시키며, 유리전이온도를 낮추는 역할을 한다.TeO 2 improves the water resistance and chemical resistance by increasing the bonding strength of the glass, and serves to lower the glass transition temperature.
상기 TeO2는 저융점 유리 프릿 전체 중량의 5 ~ 25 mol%의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다. TeO2의 함량이 5 mol% 미만일 경우에는 그 첨가 효과가 불충분하고, 유리전이온도가 350℃ 이하로 낮아지기 어렵다. 반대로, TeO2의 함량이 25 mol%를 초과할 경우에는 유리 분말의 열팽창계수가 크게 증가할 수 있다.The TeO 2 is preferably added in an amount ratio of 5 to 25 mol% of the total weight of the low melting glass frit. When the content of TeO 2 is less than 5 mol%, the effect of addition thereof is insufficient, and the glass transition temperature is hardly lowered to 350 ° C or lower. On the contrary, when the content of TeO 2 exceeds 25 mol%, the thermal expansion coefficient of the glass powder may be greatly increased.
[B2O3][B 2 O 3 ]
B2O3는 SiO2와 함께 유리 형성 물질로서 작용하며, 유리점성의 급격한 증가를 억제하는 역할을 한다.B 2 O 3 acts as a glass forming material together with SiO 2 and serves to suppress a sharp increase in glass viscosity.
상기 B2O3는 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿 전체 중량의 0.1 ~ 15 mol%의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다. B2O3의 함량이 저융점 유리 프릿 전체 중량의 0.1 mol% 미만일 경우에는 그 첨가 효과를 제대로 발휘하는데 어려움이 따를 수 있다. 반대로, B2O3의 첨가량이 저융점 유리 프릿 전체 중량의 15 mol%를 초과하여 다량 첨가될 경우, 내수성 저하의 우려가 있다.The B 2 O 3 is preferably added in an amount of 0.1 to 15 mol% of the total weight of the low melting point glass frit according to the present invention. If the content of B 2 O 3 is less than 0.1 mol% of the total weight of the low melting glass frit, it may be difficult to properly exhibit the addition effect. On the contrary, when a large amount of B 2 O 3 is added in excess of 15 mol% of the total weight of the low melting glass frit, there is a fear of lowering the water resistance.
[SiO2][SiO 2 ]
SiO2는 유리 형성 물질로 작용하며, 열팽창계수를 낮추는데 기여한다.SiO 2 acts as a glass forming material and contributes to lowering the coefficient of thermal expansion.
상기 SiO2는 저융점 유리 프릿 전체 중량의 0.1 ~ 10 mol%의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다. SiO2의 함량이 0.1 mol% 미만일 경우, 그 첨가 효과가 불충분하다. 반대로, SiO2의 함량이 10 mol%를 초과하는 경우, 유리전이온도가 크게 높아지는 문제점이 있다.The SiO 2 is preferably added in an amount ratio of 0.1 to 10 mol% of the total weight of the low melting glass frit. If the content of SiO 2 is less than 0.1 mol%, the effect of addition thereof is insufficient. On the contrary, when the content of SiO 2 exceeds 10 mol%, there is a problem that the glass transition temperature is greatly increased.
[Bi2O3][Bi 2 O 3 ]
Bi2O3는 굴절률을 증가시킴과 더불어, 점성을 낮추는 역할을 한다.Bi 2 O 3 increases the refractive index and lowers the viscosity.
다만, Bi2O3의 첨가량이 저융점 유리 프릿 전체 중량의 15 mol%를 초과하여 다량 첨가될 경우 평균 선팽창 계수가 지나치게 커짐과 함께, 소성 공정에서 결정화되기 쉽다. 따라서, 상기 Bi2O3는 저융점 유리 프릿 전체 중량의 15 mol% 이하의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다.However, when a large amount of Bi 2 O 3 is added in excess of 15 mol% of the total weight of the low melting glass frit, the average linear expansion coefficient becomes too large and crystallization is easy in the firing step. Therefore, the Bi 2 O 3 is preferably added in a content ratio of 15 mol% or less of the total weight of the low melting glass frit.
[CuO][CuO]
CuO는 열팽창계수를 낮춤과 더불어, 레이저 실링 적외선 흡수율을 향상시키는데 기연한다.CuO contributes to lowering the coefficient of thermal expansion and to improving the laser-sealing infrared absorption.
다만, 상기 CuO의 첨가량이 저융점 유리 프릿 전체 중량의 20 mol%를 초과하여 다량 첨가될 경우, 유리 형성능 감소 및 열팽창계수 증가를 초래할 수 있다. 따라서, 상기 CuO는 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿 전체 중량의 20 mol% 이하의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다.However, when a large amount of CuO is added in excess of 20 mol% of the total weight of the low melting glass frit, the glass forming ability may decrease and the coefficient of thermal expansion may increase. Therefore, the CuO is preferably added in a content ratio of 20 mol% or less of the total weight of the low melting glass frit according to the present invention.
[TiO2][TiO 2 ]
TiO2는 굴절률을 증가시키는 역할을 한다.TiO 2 serves to increase the refractive index.
다만, 상기 TiO2의 첨가량이 저융점 유리 프릿 전체 중량의 20 mol%를 초과하여 다량 첨가될 경우 결정화되기 쉽고, 유리 전이점과 연화점이 증가할 우려가 크다. 따라서, 상기 TiO2는 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿 전체 중량의 20 mol% 이하의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다.However, when the addition amount of the TiO 2 is more than 20 mol% of the total weight of the low melting point glass frit, it is easy to crystallize, and there is a high possibility that the glass transition point and the softening point increase. Therefore, the TiO 2 is preferably added in an amount ratio of 20 mol% or less of the total weight of the low melting point glass frit according to the present invention.
[Fe2O3][Fe 2 O 3 ]
Fe2O3는 레이저 실링 적외선 흡수율 향상에 기여한다.Fe 2 O 3 contributes to the improvement of laser sealing infrared absorption.
다만, 상기 Fe2O3의 첨가량이 저융점 유리 프릿 전체 중량의 10 mol%를 초과하여 다량 첨가될 경우, 유리 형성능 감소 및 열팽창계수 증가를 초래할 수 있다. 따라서, 상기 Fe2O3는 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿 전체 중량의 10 mol% 이하의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다.However, when the amount of Fe 2 O 3 is added in excess of 10 mol% of the total weight of the low melting point glass frit, the glass forming ability may decrease and the coefficient of thermal expansion may increase. Therefore, the Fe 2 O 3 is preferably added in an amount ratio of 10 mol% or less of the total weight of the low melting glass frit according to the present invention.
[BaO][BaO]
BaO는 유리전이온도(Tg)를 낮추며, 내수성 향상에 기여한다.BaO lowers the glass transition temperature (Tg) and contributes to improved water resistance.
다만, 상기 BaO의 첨가량이 저융점 유리 프릿 전체 중량의 10 mol%를 초과하여 다량 첨가될 경우, 열팽창계수의 과다한 증가로 실링 신뢰성이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 BaO는 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿 전체 중량의 10 mol% 이하의 함량비로 첨가되는 것이 바람직하다.However, when a large amount of BaO is added in excess of 10 mol% of the total weight of the low melting glass frit, the sealing reliability may be degraded due to excessive increase in the coefficient of thermal expansion. Therefore, BaO is preferably added in an amount ratio of 10 mol% or less of the total weight of the low melting glass frit according to the present invention.
전술한 본 발명에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿은 800 ~ 820nm 파장의 적외선이 적용되는 레이저 소성시 적외선 흡수율이 88% 이상을 가질 수 있다.The low melting point glass frit for sealing an OLED panel according to the present invention may have an infrared absorptivity of 88% or more during laser firing to which infrared rays of 800 to 820 nm wavelength are applied.
또한, 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿은 유리 전이온도를 낮추는데 기여하는 V2O5가 15 ~ 60 mol%로 다량 첨가됨과 더불어, TeO2가 5 ~ 25 mol%로 첨가되어, 350℃ 이하의 유리전이온도(Tg)를 나타낼 수 있다.In addition, the low-melting glass frit according to the present invention is added in a large amount of 15 to 60 mol% V 2 O 5 contribute to lowering the glass transition temperature, TeO 2 is added in 5 to 25 mol%, 350 ℃ or less It may represent the glass transition temperature (Tg).
또한, 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿은 수분에 취약한 P2O5를 의도적으로 포함되지 않아, 수분 접촉 시 변질이 발생하지 않는 우수한 내수성을 발휘할 수 있고, 보다 구체적으로는 95℃의 증류수에 48시간 노출시키는 내수성 테스트 후, 내수 감량치가 0.1mg/m2 이하일 수 있다.In addition, the low-melting glass frit according to the present invention does not intentionally include P 2 O 5 which is vulnerable to moisture, thereby exhibiting excellent water resistance that does not cause deterioration upon contact with moisture, and more specifically, to 48 ° C in distilled water at 95 ° C. After a water exposure test with time exposure, the water loss value may be 0.1 mg / m 2 or less.
또한, 본 발명에 따른 저융점 유리 프릿은 열팽창 계수를 보다 낮추기 위한 목적으로 저팽창 세라믹 필러를 더 포함할 수 있다. 저팽창 세라믹 필러는 30 x 10-7/℃ 이하의 낮은 열팽창계수를 갖는 결정질 세라믹으로, 구체적으로는 베타-유크립타이트, 지르코늄 텅스텐 포스페이트, 지르코늄 텅스텐 옥사이드, 코디어라이트(cordierite), 스포듀민(spodumene), 윌레마이트(willemite) 및 뮬라이트(mulite) 중 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.In addition, the low melting glass frit according to the present invention may further include a low-expansion ceramic filler for the purpose of further lowering the coefficient of thermal expansion. Low-expansion ceramic fillers are crystalline ceramics with a low coefficient of thermal expansion of 30 x 10 -7 / ° C. or less. One or more selected from spodumene, willemite, and mulite may be used.
이러한 저팽창 세라믹 필러는 저융점 유리 프릿 100 중량부에 대하여, 0.1 ~ 40 중량부로 첨가되는 것이 바람직하다. 저팽창 세라믹 필러의 첨가량이 0.1 중량부 미만일 경우에는 그 첨가 효과를 제대로 발휘하기 어렵다. 반대로, 저팽창 세라믹 필러의 첨가량이 40 중량부를 초과할 경우에는 실링성이 저하될 수 있다.Such a low expansion ceramic filler is preferably added in an amount of 0.1 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the low melting glass frit. When the addition amount of the low expansion ceramic filler is less than 0.1 part by weight, it is difficult to properly exhibit the addition effect. On the contrary, when the addition amount of the low expansion ceramic filler exceeds 40 parts by weight, the sealing property may be lowered.
일반적인 저융점 유리 프릿의 경우, 평균 열팽창계수가 55 x 10-7/℃ ~ 65 x 10-7/℃ 정도로서, 기판의 38 x 10-7/℃ 정도의 평균 열팽창계수와 차이가 매우 크다. 이러한 큰 열팽창계수 차이는 실링 후 접착면에 응력의 과다 발생으로 인한 부착력 저하를 가져오는 요인이 되어, 실링 신뢰성을 저하시키는 요인이 된다.In the case of a general low melting glass frit, the average coefficient of thermal expansion is about 55 x 10 -7 / ℃ ~ 65 x 10 -7 / ℃, which is very different from the average coefficient of thermal expansion of about 38 x 10 -7 / ℃ of the substrate. Such a large thermal expansion coefficient difference is a factor that leads to a decrease in adhesion force due to excessive generation of stress on the adhesive surface after sealing, which is a factor that lowers the sealing reliability.
그러나, 본 발명에 따른 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿의 경우 저팽창 결정질 세라믹 분말이 더 혼합될 수 있으며, 이 경우 소성 후 50 ~ 250℃ 범위에서 40 x 10-7/℃ 이하의 평균 열팽창계수를 가질 수 있는바, OLED 패널 봉착 후 부착력 저하를 최소화할 수 있어, 실링 신뢰성을 향상시킬 수 있다.However, in the case of the low melting glass frit for encapsulating the OLED panel according to the present invention, the low-expansion crystalline ceramic powder may be further mixed, in this case, 40 to 50 to 250 ° C. after firing. It can have an average coefficient of thermal expansion of x 10 -7 / ℃ or less, it is possible to minimize the decrease in adhesion force after sealing the OLED panel, it is possible to improve the sealing reliability.
전술한 조성을 갖는 저융점 유리 프릿은 OLED 패널 실링 등을 위하여, 그 자체로 실링재로 이용할 수 있으며, 필요에 따라서는 아래와 같은 페이스트의 형태로 이용할 수 있다.The low melting glass frit having the above-described composition can be used as a sealing material by itself for OLED panel sealing and the like, and can be used in the form of a paste as follows.
본 발명에 따른 페이스트는 상기의 저융점 유리 프릿 100 중량부와, 비히클 20 ~ 40 중량부를 포함한다. 이때, 비히클로는 알코올계 용제, 케톤계 용제, 에테르계 용제 등에서 선택된 1종 이상이 이용될 수 있다. 만일, 유기 용제의 첨가량이 20 중량부 미만이거나 40 중량부를 초과하는 경우, 페이스트의 점도가 너무 높거나 너무 낮은 관계로 도포 공정이 어려워질 수 있다.The paste according to the present invention comprises 100 parts by weight of the low melting point glass frit and 20 to 40 parts by weight of the vehicle. In this case, at least one selected from an alcohol solvent, a ketone solvent, an ether solvent, and the like may be used as the vehicle. If the amount of the organic solvent added is less than 20 parts by weight or exceeds 40 parts by weight, the application process may be difficult because the viscosity of the paste is too high or too low.
이 외에, 본 발명에 따른 비히클에는 아크릴레이트계, 에틸 셀룰로오스계 고분자와 같은 유기 바인더와 분산을 위한 용매제로서 부틸 카비톨 아세테이트, 테피네올 및 무기 안료 등이 유리 물성, 도포 물성 등을 저하시키지 않는 범위에서 더 포함될 수 있다.In addition, in the vehicle according to the present invention, organic binders such as acrylate-based and ethyl cellulose-based polymers, and butyl carbitol acetate, tepineol, and inorganic pigments as solvents for dispersion do not deteriorate glass properties, coating properties, and the like. It may be further included in the range that does not.
실시예Example
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention through the preferred embodiment of the present invention will be described in more detail. However, this is presented as a preferred example of the present invention and in no sense can be construed as limiting the present invention.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.Details that are not described herein will be omitted since those skilled in the art can sufficiently infer technically.
1. 유리 1. Glass
프릿Frit
제조 Produce
표 1에 기재된 조성으로 실시예 1 ~ 7에 따른 유리 프릿 시편을 제조하였다.Glass frit specimens according to Examples 1-7 were prepared with the compositions described in Table 1.
[표 1] (mol%)TABLE 1 (mol%)
2. 물성 평가2. Property evaluation
표 2는 실시예 1 ~ 7에 따른 유리 프릿 시편에 대한 물성 평가 결과를 나타낸 것이다.Table 2 shows the physical property evaluation results for the glass frit specimens according to Examples 1 to 7.
1) 유리전이온도(Tg) 및 결정화 개시 온도(Tx) 측정1) Measurement of glass transition temperature (Tg) and crystallization start temperature (Tx)
시차열 분석 장치(DSC TA/Q20)를 이용하여, 10℃/min의 승온 속도로 최대 600℃까지 승온하면서 측정하였다.It measured while heating up to 600 degreeC at the temperature increase rate of 10 degree-C / min using the differential thermal analyzer (DSC TA / Q20).
2) 열팽창계수(CTE) 및 연화온도(Tdsp) 측정2) Coefficient of Thermal Expansion (CTE) and Softening Temperature (Tdsp)
열분석 장치(TMA-Q400, TA instrument 제조)를 이용하여, 하중 0.05N에서 10℃/min의 승온 속도로 최대 450℃까지 승온하면서 측정하였다.Using a thermal analysis device (TMA-Q400, manufactured by TA instrument), the temperature was measured while heating up to 450 ° C at a heating rate of 10 ° C / min at a load of 0.05N.
3) 내수성 평가3) Water resistance evaluation
95℃의 증류수에 유리 프릿 시편을 침지시킨 후, 48 시간 후의 내수 감량치를 측정하였다.After immersing a glass frit specimen in distilled water at 95 ° C., the water loss value after 48 hours was measured.
4) 적외선 흡수율 측정4) infrared absorption measurement
JIS R 3106에 의거하여 810nm 적외선 레이저를 이용하여 공기 분위기에서 소성시 적외선 흡수율을 측정하였다.According to JIS R 3106, infrared absorption was measured during firing in an air atmosphere using a 810 nm infrared laser.
[표 2]TABLE 2
표 1 및 표 2에 도시된 바와 같이, 실시예 1 ~ 7에 따른 시편의 경우, 소성 후에도 적외선 흡수율이 88% 이상으로 매우 높은 것을 알 수 있다. 이 결과, 실시예 1 ~ 7에 따른 시편의 경우, 810nm의 적외선 레이저를 이용한 레이저 실링 시 레이저 반응성이 우수하다는 것을 확인하였다.As shown in Table 1 and Table 2, in the case of the specimens according to Examples 1 to 7, it can be seen that the infrared absorption after the firing is very high, 88% or more. As a result, in the case of the specimens according to Examples 1 to 7, it was confirmed that the laser reactivity is excellent when the laser sealing using an infrared laser of 810nm.
또한, 실시예 1 ~ 7에 따른 시편의 경우, 내수성이 매우 우수한 것을 확인할 수 있는데, 이는 저융점 유리 프릿 조성에서 P2O5를 의도적으로 첨가지 않은 결과로 볼 수 있다.In addition, in the case of the specimens according to Examples 1 to 7, it can be confirmed that the water resistance is very excellent, which can be seen as a result of intentionally adding P 2 O 5 in the low melting glass frit composition.
또한, 실시예 1 ~ 7에 따른 시편의 경우, 유리전이온도가 350℃ 이하로서 저융점 특징을 그대로 유지하고 있는 것을 알 수 있다. 이는 유리 전이온도를 낮추는데 기여하는 V2O5가 다량 첨가됨과 더불어, TeO2의 첨가 효과에 기인한 것으로 파악된다.In addition, in the case of the specimens according to Examples 1 to 7, it can be seen that the glass transition temperature is 350 ° C. or less, which maintains the low melting point characteristics. This is believed to be due to the addition of TeO 2 in addition to the large amount of V 2 O 5 which contributes to lowering the glass transition temperature.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, various changes and modifications can be made at the level of those skilled in the art. Such changes and modifications can be said to belong to the present invention without departing from the scope of the technical idea provided by the present invention. Therefore, the scope of the present invention will be determined by the claims described below.
Claims (10)
- mol%로, V2O5 : 15 ~ 60%, ZnO : 10 ~ 50%, TeO2 : 5 ~ 25%, B2O3 : 0.1 ~ 15% 및 SiO2 : 0.1 ~ 10%로 조성되는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.in mol%, V 2 O 5 : 15 to 60%, ZnO: 10 to 50%, TeO 2 : 5 to 25%, B 2 O 3 : 0.1 to 15% and SiO 2 : 0.1 to 10% A low melting glass frit for sealing an OLED panel.
- 제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 저융점 유리 프릿은 The low melting glass fritBi2O3, CuO, TiO2, Fe2O3 및 BaO 중 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.Bi 2 O 3 , CuO, TiO 2 , Fe 2 O 3 And low melting point glass frit for sealing OLED panel, characterized in that it further comprises at least one of BaO.
- 제2항에 있어서,The method of claim 2,상기 저융점 유리 프릿은 The low melting glass fritmol%로, Bi2O3 : 15% 이하, CuO : 20% 이하, TiO2 : 20% 이하, Fe2O3 : 10% 이하 및 BaO : 10% 이하 중 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.in mol%, Bi 2 O 3 : 15% or less, CuO: 20% or less, TiO 2 : 20% or less, Fe 2 O 3 : 10% or less and BaO: 10% or less of the low melting point glass frit for sealing an OLED panel characterized in that it further comprises.
- 제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 저융점 유리 프릿은 The low melting glass frit800 ~ 820nm 파장의 적외선 흡수율이 88% 이상을 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.Low melting glass frit for sealing an OLED panel, characterized in that the infrared absorption of 800 ~ 820nm wavelength has more than 88%.
- 제1항에 있어서, The method of claim 1,상기 저융점 유리 프릿은The low melting glass frit유리전이온도(Tg) : 350℃ 이하 및 연화온도(Tdsp) : 400 ~ 500℃를 갖는 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.Glass melting temperature (Tg): 350 ℃ or less and softening temperature (Tdsp): low melting point glass frit for sealing OLED panel characterized by having 400 ~ 500 ℃.
- 제1항에 있어서, The method of claim 1,상기 저융점 유리 프릿은 The low melting glass fritP2O5가 의도적으로 포함되지 않아, 소성 후 95℃ 에서 48시간 내수성 테스트 후 감량치가 0.1mg/m2 이하를 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.The low-melting-point glass frit for sealing an OLED panel, wherein P 2 O 5 is not intentionally included and has a weight loss of 0.1 mg / m 2 or less after a water resistance test at 95 ° C. for 48 hours.
- 제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 저융점 유리 프릿은 The low melting glass frit소성 후 50 ~ 250℃ 범위에서 40 x 10-7/℃ 이하의 평균 열팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.A low melting glass frit for sealing an OLED panel, which has an average coefficient of thermal expansion of 40 × 10 −7 / ° C. or less in the range of 50 to 250 ° C. after firing.
- 제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 저융점 유리 프릿 100 중량부에 대하여, About 100 parts by weight of the low melting point glass frit,0.1 ~ 40 중량부로 첨가되는 저팽창 세라믹 필러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.A low melting glass frit for sealing an OLED panel, characterized by further comprising a low-expansion ceramic filler added in an amount of 0.1 to 40 parts by weight.
- 제8항에 있어서,The method of claim 8,상기 세라믹 필러는 The ceramic filler베타-유크립타이트, 지르코늄 텅스텐 포스페이트, 지르코늄 텅스텐 옥사이드, 코디어라이트(cordierite), 스포듀민(spodumene), 윌레마이트(willemite) 및 뮬라이트(mulite) 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 저융점 유리 프릿.OLED comprising at least one selected from beta-eucryptite, zirconium tungsten phosphate, zirconium tungsten oxide, cordierite, spodumene, willemite and mulite Low melting glass frit for sealing panels.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 저융점 유리 프릿 100 중량부 및 비히클 : 20 ~ 40 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 패널 봉착용 유리 페이스트.A glass paste for sealing an OLED panel, comprising 100 parts by weight of the low melting point glass frit according to any one of claims 1 to 9 and a vehicle: 20 to 40 parts by weight.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150060461A KR101683538B1 (en) | 2015-04-29 | 2015-04-29 | Glass frit having low melting point for sealing organic light emitting diode panel and glass paste including the same |
| KR10-2015-0060461 | 2015-04-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2016175469A1 true WO2016175469A1 (en) | 2016-11-03 |
Family
ID=57198763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2016/003404 WO2016175469A1 (en) | 2015-04-29 | 2016-04-01 | Low-melting point glass frit for sealing oled panel, and glass paste thereof |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101683538B1 (en) |
| WO (1) | WO2016175469A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11167375B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102599092B1 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Glass frit and display device comprising the same |
| KR102564922B1 (en) * | 2019-01-30 | 2023-08-08 | 한국광기술원 | Sealing Material for Joining Panel and Method for Making the Same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006524419A (en) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | Glass package sealed with frit and manufacturing method thereof |
| KR20120025972A (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | Zno-based glass frit composition and aluminium paste composition for rear contacts of solar cell using the same |
| KR20130025362A (en) * | 2010-03-05 | 2013-03-11 | 주식회사 앰브로 | Lead-free glass material for organic-el sealing, organic el display formed using same, and process for producing the display |
| KR101298970B1 (en) * | 2013-03-12 | 2013-08-22 | 주식회사 파티클로지 | Low melting temperature glass frit composition for laser sealing, low melting temperature glass frit using the same and sealing method of amoled using the low melting temperature glass frit |
| KR20130132005A (en) * | 2012-05-25 | 2013-12-04 | 순천향대학교 산학협력단 | Low melting temperature glass compositions for laser-based sealing |
-
2015
- 2015-04-29 KR KR1020150060461A patent/KR101683538B1/en active IP Right Grant
-
2016
- 2016-04-01 WO PCT/KR2016/003404 patent/WO2016175469A1/en active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006524419A (en) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | Glass package sealed with frit and manufacturing method thereof |
| KR20130025362A (en) * | 2010-03-05 | 2013-03-11 | 주식회사 앰브로 | Lead-free glass material for organic-el sealing, organic el display formed using same, and process for producing the display |
| KR20120025972A (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | Zno-based glass frit composition and aluminium paste composition for rear contacts of solar cell using the same |
| KR20130132005A (en) * | 2012-05-25 | 2013-12-04 | 순천향대학교 산학협력단 | Low melting temperature glass compositions for laser-based sealing |
| KR101298970B1 (en) * | 2013-03-12 | 2013-08-22 | 주식회사 파티클로지 | Low melting temperature glass frit composition for laser sealing, low melting temperature glass frit using the same and sealing method of amoled using the low melting temperature glass frit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11167375B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
| US11426818B2 (en) | 2018-08-10 | 2022-08-30 | The Research Foundation for the State University | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160129149A (en) | 2016-11-09 |
| KR101683538B1 (en) | 2016-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101457362B1 (en) | Glass frit and a sealing method for electric element using the same | |
| KR101464321B1 (en) | Low melting point frit paste composition and a sealing method for electric element using the same | |
| KR101464305B1 (en) | Getter paste composition | |
| JP5713993B2 (en) | Lead-free glass material for sealing organic EL, organic EL display using the same, and method for manufacturing the display | |
| WO2018135866A1 (en) | Oled panel bottom protection film, and organic light-emitting display device comprising same | |
| WO2013022239A2 (en) | Heat-strengthened vacuum glass | |
| WO2012053830A2 (en) | Adhesive composition for touch panel | |
| US8685506B2 (en) | Tablet and exhaust pipe integrated with tablet | |
| WO2016175469A1 (en) | Low-melting point glass frit for sealing oled panel, and glass paste thereof | |
| KR101524098B1 (en) | Glass frit using glass powder with low melting point and crystalline ceramic filler with low expansion and paste comprising the same | |
| WO2012053831A2 (en) | Adhesive composition for touch panel | |
| WO2018194410A1 (en) | Composition for sealing organic electronic element | |
| WO2018135864A1 (en) | Oled panel bottom protection film, and organic light-emitting display device comprising same | |
| WO2018062930A2 (en) | Adhesive composition | |
| WO2014178515A1 (en) | Yellow phosphor paste composition, method of manufacturing white light emitting diode device using same, and white light emitting diode device manufactured thereby | |
| WO2020101319A1 (en) | Sealant composition | |
| WO2020096402A1 (en) | Low-temperature fired lead-free glass frit, paste, and vacuum glass assembly using same | |
| JP4941880B2 (en) | Bismuth-based glass composition and bismuth-based sealing material | |
| US9637409B2 (en) | Low melting glass compositions | |
| WO2020158982A1 (en) | Low-temperature-fired lead-free glass frit, paste, and vacuum glass assembly using same | |
| WO2020153061A1 (en) | Glass powder and sealing material using same | |
| KR20110064074A (en) | New glass frit, the glass frit paste composition for sealing an electric device, and sealing method of an electric device using the same | |
| WO2014115996A1 (en) | Transparent conductive film coating composition, transparent conductive film, and method for manufacturing transparent conductive film | |
| KR20110064760A (en) | Glass frit paste composition for sealing an electric device and sealing method of an electric device using the same | |
| WO2024063440A1 (en) | Lead-free low-temperature fired glass frit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 16786655 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 16786655 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |