WO2016140377A1 - Slit antenna probe, and apparatus and method for inspecting defects of multi-junction semiconductor using same - Google Patents

Slit antenna probe, and apparatus and method for inspecting defects of multi-junction semiconductor using same Download PDF

Info

Publication number
WO2016140377A1
WO2016140377A1 PCT/KR2015/001993 KR2015001993W WO2016140377A1 WO 2016140377 A1 WO2016140377 A1 WO 2016140377A1 KR 2015001993 W KR2015001993 W KR 2015001993W WO 2016140377 A1 WO2016140377 A1 WO 2016140377A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
junction semiconductor
light
slit
terahertz
defect
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/001993
Other languages
French (fr)
Korean (ko)
Inventor
김근주
김재홍
김정일
윤지녕
임미현
Original Assignee
한국전기연구원
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전기연구원, 삼성전자주식회사 filed Critical 한국전기연구원
Priority to PCT/KR2015/001993 priority Critical patent/WO2016140377A1/en
Priority to KR1020177021720A priority patent/KR102274264B1/en
Publication of WO2016140377A1 publication Critical patent/WO2016140377A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/07—Non contact-making probes
    • G01R1/071—Non contact-making probes containing electro-optic elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/07—Non contact-making probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/20—Modifications of basic electric elements for use in electric measuring instruments; Structural combinations of such elements with such instruments
    • G01R1/24—Transmission-line, e.g. waveguide, measuring sections, e.g. slotted section
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/265—Contactless testing
    • G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/27—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
    • G01R31/275—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements for testing individual semiconductor components within integrated circuits

Definitions

  • the present invention relates to a slit antenna probe, and a defect inspection apparatus and method for a multi-junction semiconductor using the same. More specifically, the present invention increases the mechanical strength of the slit antenna probe, a slit antenna probe for performing defect inspection on the multi-junction semiconductor in real time in the manufacturing process of the multi-junction semiconductor using electromagnetic waves, and a multi-junction semiconductor using the same Relates to a defect inspection apparatus and method.
  • FIG. 1 a cross section of a general slit antenna probe 1 is shown in FIG. 1.
  • the general slit antenna probe 1 includes a guiding part 2 for guiding electromagnetic waves in the d direction and a slit 4 formed in the thin film 3 of the slit antenna probe 1. do.
  • the slit antenna probe 1 forms a slit 4 having a width length (length in the y direction) of about ⁇ / 2 on a part of the thin metal thin film 3, and utilizes the resonance characteristics in the narrow slit 4.
  • an antenna not only the size is small but also the structure is simple to manufacture.
  • FIG. 7 is a reference diagram of a conventional multi-junction semiconductor defect inspection apparatus.
  • a method of inspecting defects of a multi-junction semiconductor can be classified into an ultrasonic method and an infrared method. As shown in FIG. After the inspection, the defects of the multi-junction semiconductors are inspected, and after the inspection, a separate drying process for the multi-junction semiconductors is required or the multi-junction semiconductors that have been inspected must be discarded.
  • the defect inspection is performed by the reflection method, which is not easy to locate and at the same time using the ultrasonic wave reflected from the multi-junction semiconductor, the structure of the multi-junction semiconductor can hardly be grasped, thereby causing an inefficient problem.
  • a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention and an apparatus and method for defect inspection of a multi-junction semiconductor using the same, aim to reduce reflection loss of electromagnetic waves while maintaining a large thickness of the slit.
  • a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention and a defect inspection apparatus and method for a multi-junction semiconductor using the same are defects on a multi-junction semiconductor in real time using a terahertz wave, which is a kind of electromagnetic waves having a short pulse width. It aims at enabling the location of presence and absence of a defect.
  • the slit antenna probe according to an embodiment of the present invention and a defect inspection apparatus and method of a multi-junction semiconductor using the same, can reduce the reflection loss of electromagnetic waves while maintaining the thickness of the slit large.
  • a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention and a defect inspection apparatus and method for a multi-junction semiconductor using the same are defects on a multi-junction semiconductor in real time using a terahertz wave, which is a kind of electromagnetic waves having a short pulse width. It is possible to locate the presence and absence of defects.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a typical slit antenna probe.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 3 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to an embodiment of the present invention
  • Figure 3 (b) is a perspective view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to an embodiment of the present invention to be.
  • Figure 4 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to another embodiment of the present invention
  • Figure 4 (b) is a perspective view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to another embodiment of the present invention to be.
  • 5 (a) and 5 (b) are diagrams illustrating reflection characteristics of the slit antenna probe and reflection characteristics of the slit antenna probe according to an embodiment of the present invention when the slit antenna thickness is increased.
  • 6 (a) to 6 (c) are exemplary diagrams illustrating a pattern adjusting structure formed on one end surface of a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a reference diagram of a conventional multi-junction semiconductor defect inspection apparatus.
  • FIG. 8 is a reference view of a defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is another reference diagram of a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a reference diagram of a terahertz optical signal detected by the first photodetector of FIG. 8.
  • FIG. 11 is a reference diagram for a terahertz optical signal detected by the second photodetector of FIG. 8.
  • FIG. 12 is a reference diagram of an image signal for a multi-junction semiconductor generated by the image signal generator of FIG. 8.
  • FIG. 13 is a reference graph for a terahertz optical signal collected in the image signal generator of FIG. 8.
  • FIG. 14 is a comparison diagram of a multi-junction semiconductor image according to a conventional method and a multi-junction semiconductor image according to the present invention.
  • FIG. 15 is a comparison diagram of images of multiple junction semiconductors generated by the image signal generator of FIG. 8.
  • 16 to 21 are reference diagrams for a defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to still another preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor comprising: a light source for generating terahertz light and irradiating the multi-junction semiconductor side disposed below; A slit antenna probe emitting terahertz light generated from the light source to the multi-junction semiconductor side disposed below; A parallel light irradiator disposed between the slit antenna probe and the multi-junction semiconductor to uniformly irradiate terahertz light emitted from the light source to the multi-junction semiconductor side; An optical focusing unit disposed under the multi-junction semiconductor to focus terahertz light passing through the multi-junction semiconductor; A light distribution unit disposed between the slit antenna probe and the parallel light irradiation unit to distribute terahertz light passing through the parallel light irradiation unit after being reflected from the multi-junction semiconductor; A first light detector detecting the terahertz light focused at the light focusing unit; A second light detector for detecting terahertz light distributed by the light distributor
  • the slit antenna probe may include: a guiding part configured to guide the terahertz light generated from the light source; And a slit penetrating between the guiding portion and an outer space of the slit antenna probe, wherein the slit has a reflection reduction structure for reducing a degree of reflection of terahertz light passing through the slit through the guiding portion. Can be.
  • the reflection reduction structure may be formed such that the width length gradually decreases from the guiding portion side to the external space side.
  • the reflection reduction structure may have a round shape or a chamfer shape.
  • the slit may have a shape in which the width length gradually decreases from the guiding part side to the external space side, and the width length is kept constant from a predetermined point.
  • a pattern adjusting structure for adjusting the emission profile of the terahertz light may be formed.
  • the pattern adjusting structure may include at least one of a groove and a protrusion formed in one end surface of the slit antenna probe.
  • the slits may be plural, and the reflection reducing structure may be formed in each of the plurality of slits.
  • the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor may further include a filter unit disposed between the parallel light irradiation unit and the multi-junction semiconductor and having at least one pinhole formed on a surface thereof.
  • the parallel light irradiator or the light concentrator may be arranged in an array form.
  • the terahertz optical signal detected by the first photodetector is a signal in which attenuation or time delay occurs due to at least one or more defects included in the multi-junction semiconductor, and the image signal analyzer uses the attenuation or time delay.
  • the presence or absence of a defect in a multi-junction semiconductor and the location of the defect can be grasped.
  • the terahertz optical signal detected by the second photodetector is a signal in which a size change or a time delay occurs according to a difference in refractive index caused by at least one interface including a defect among a plurality of interfaces included in the multi-junction semiconductor, and the image
  • the signal analyzer may determine the presence or absence of a defect of the multi-junction semiconductor and the location of the defect by using the size change or the time delay.
  • a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor comprising: a light source for generating terahertz light and irradiating the multi-junction semiconductor side disposed below; A slit antenna probe emitting terahertz light generated from the light source to the multi-junction semiconductor side disposed below; A light detector for detecting terahertz light transmitted through or reflected from the multi-junction semiconductor; An image signal generator for collecting terahertz optical signals detected by the optical detector to generate an image signal for the multi-junction semiconductor; And an image signal analysis unit configured to analyze the generated image signal to determine whether there is a defect of the multi-junction semiconductor and a location of the defect, wherein the slit antenna probe is configured to guide the terahertz light generated from the light source.
  • a plurality of the slit antenna probes may be arranged in an array form.
  • a plurality of light converging parts may be arranged in an array form.
  • FIG 2 is a cross-sectional view of the slit antenna probe 200 according to an embodiment of the present invention.
  • the slit antenna probe 200 is formed to penetrate between the guiding part 210 and an external space of the guiding part 210 and the slit antenna probe 200. And a slit 230.
  • the slit antenna probe 200 emits electromagnetic waves, eg, terahertz light, generated from a light source (not shown) to a predetermined target.
  • electromagnetic waves eg, terahertz light
  • the guiding unit 210 guides the electromagnetic waves generated from the light source toward the slit 230, and the electromagnetic waves pass through the slit 230 and are emitted into the outer space of the slit antenna probe 200.
  • the slit antenna probe 200 As described above, as the thickness of the thin film 220 and the slit 230 increases, the degree of reflection of electromagnetic waves in the slit 230 increases, but the slit antenna probe 200 according to an embodiment of the present invention solves this problem. In order to prevent this, the reflection reduction structure 240 is formed in the slit 230.
  • the reflection reduction structure 240 may be formed in the region of the guiding part 210 side of the slit 230, and may have a width length gradually decreasing from the guiding part 210 side to the external space side.
  • the slit 230 has a shape in which the width length gradually decreases, and the width length is kept constant from a predetermined point.
  • the reflection reduction structure 240 in which the width length gradually decreases from the guiding part 210 side to the external space side performs a kind of impedance matching, so that the amount of reflection in the slit 230 of the electromagnetic wave guided to the guiding part 210. Can be reduced.
  • the slit antenna probe 200 may include a plurality of slits 230, and the reflection reduction structure 240 may be formed in each of the plurality of slits 230.
  • FIG. 3 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure 240 of the slit antenna probe 200 according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 (b) is a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 4 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure 340 of the slit antenna probe 300 according to another embodiment of the present invention
  • Figure 4 (b) is a slit according to another embodiment of the present invention
  • the reflection reduction structure 240 may be formed in a round shape, and as shown in FIGS. 4A and 4B, reflections.
  • the reduction structure 340 may be formed in a chamfer shape.
  • the reflection reduction structures 240 and 340 shown in FIGS. 3 (a), 3 (b), 4 (a) and 4 (b) are just one example and are provided from the guiding portions 210 and 310 side. If the width length is gradually reduced toward the outer space, it may correspond to the reflection reduction structure of the present invention.
  • 5 (a) and 5 (b) are diagrams illustrating reflection characteristics of a general slit antenna probe 1 and reflection characteristics of the slit antenna probes 200 and 300 according to an embodiment of the present invention.
  • the electromagnetic waves reflected from the slit have about -25 dB around 200 GHz. It can be seen that the electromagnetic waves reflected from the slits 230 and 330 of the slit antenna probes 200 and 300 according to an exemplary embodiment have about -60 dB around 200 GHz.
  • 6A through 6C are exemplary diagrams illustrating a pattern adjusting structure 610 formed in the slit antenna probes 200 and 300 according to an embodiment of the present invention.
  • a pattern adjusting structure 610 for adjusting a radiation profile of electromagnetic waves may be formed.
  • the pattern adjustment structure 610 may include at least one of a groove and a protrusion formed in one end surface of the slit antenna probe 200 and 300.
  • FIG. 8 is a reference view of a defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
  • a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor may include a light source 10, a slit antenna probe 15, a parallel light irradiation unit 20, a light focusing unit 30, and a second light source.
  • the first light detector 40, the light distributor 50, the second light detector 60, the image signal generator 70, and the image signal analyzer 80 are included.
  • the light source 10 generates terahertz light and emits the light toward the multi-junction semiconductor M disposed below.
  • the light source 10 is for generating terahertz light, that is, terahertz wave, means a electromagnetic wave that is located in the 0.1 ⁇ 10 THz region with a terahertz blue frequency and occupies a range of 3mm to 30 ⁇ m as a wavelength.
  • terahertz wave means a electromagnetic wave that is located in the 0.1 ⁇ 10 THz region with a terahertz blue frequency and occupies a range of 3mm to 30 ⁇ m as a wavelength.
  • terahertz waves are located in the middle region of lightwave and radiowave in the spectral distribution, so they have both linearity, absorbency and transmission of light waves. Therefore, various kinds of materials such as air, plastic, paper, fiber, ceramic, etc. It has excellent permeability to the field, has a resolution of several hundred ⁇ m, and obtains spectral information about the various kinds of materials, and enables real-time monitoring of the various kinds of materials using imaging technology.
  • the light source 10 may use a laser as an excitation light source or an incoherent light source using a coherent light source using a current injection or a blackbody radiation or a mercury lamp. ) May be a light source.
  • the slit antenna probe 15 may be positioned between the light source 10 and the parallel light emitter 20, and the slit antenna probe 15 may direct terahertz light emitted from the light source 10 toward the parallel light emitter 20. To emit. Since the slit antenna probe 15 has been described above, a detailed description thereof will be omitted.
  • the parallel light radiator 20 is disposed between the slit antenna probe 15 and the multi-junction semiconductor M to irradiate terahertz light emitted from the slit antenna probe 15 uniformly to the multi-junction semiconductor M side.
  • the reason for irradiating the terahertz light uniformly to the multi-junction semiconductor M side in the parallel light irradiation unit 20 is to allow the terahertz light to be irradiated to the multi-junction semiconductor M as a whole.
  • 20 may be a cylindrical lens, an oval lens, a reflective optical system, an antenna, or the like capable of irradiating terahertz light emitted from the slit antenna probe 15 uniformly to the multi-junction semiconductor M side in the form of plane light. .
  • the light focusing unit 30 is disposed below the multi-junction semiconductor M to focus terahertz light transmitted through the multi-junction semiconductor M, and the light focusing unit 30 is a terrazzo that transmits the multi-junction semiconductor M. It may be a concave lens, a reflection mirror, an antenna, or the like capable of focusing Hertz light.
  • the first light detector 40 detects the terahertz light focused by the light focusing unit 30.
  • the first photodetector 40 converts the detected terahertz optical signal into an electrical signal having a waveform over time
  • the terahertz optical signal detected by the first photodetector 40 is a multi-junction semiconductor (M). It may be a signal in which attenuation or time delay occurs due to at least one or more defects included in the.
  • first photodetector 40 may be configured as one, and the plurality of first photodetectors 40 may be arranged in a one-dimensional (1D) form or in a two-dimensional (2D) form to improve detection speed for terahertz light. It is possible to let.
  • the light distribution unit 50 is disposed between the slit antenna probe 15 and the parallel light irradiation unit 20 to reflect terahertz light passing through the parallel light irradiation unit 20 after being reflected from the multi-junction semiconductor M.
  • the second photodetector 60 detects terahertz light distributed by the light distribution unit 5.
  • the second photodetector 60 converts the detected terahertz optical signal into an electrical signal having a waveform over time
  • the terahertz optical signal detected by the second photodetector 60 is a multi-junction semiconductor (M). It may be a signal in which a size change or a time delay occurs according to a difference in refractive index caused by at least one or more of the boundary surfaces included in the interface.
  • the second photodetector 60 may be configured as one, and the plurality of second photodetectors 60 may be arranged in a one-dimensional (1D) form or in a two-dimensional (2D) form to increase detection speed for terahertz light. It is possible to let.
  • the image signal generator 70 collects the terahertz optical signals detected by the first photodetector 40 or the second photodetector 60 to generate an image signal for the multi-junction semiconductor M.
  • the image signal generator 70 collects a signal which is detected by the first photodetector 40 or the second photodetector 60 and then converted into an electrical signal having a waveform over time, and then converted into a frequency domain.
  • An image signal for the multi-junction semiconductor M may be generated using the magnitude and phase of the signal converted into the frequency domain.
  • the image signal analyzer 80 is an image of the multi-junction semiconductor M generated by the terahertz optical signal and the image signal generator 70 detected by the first photodetector 40 or the second photodetector 60. The signal is analyzed to determine whether there is a defect in the multi-junction semiconductor M and the location of the defect.
  • the image signal analyzer 80 may use the attenuation or time delay of the terahertz optical signal detected by the first photodetector 40 or the magnitude change of the terahertz optical signal detected by the second photodetector 60.
  • the presence or absence of a defect in the multi-junction semiconductor M may be determined using the time delay.
  • the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor it is possible to grasp the presence or absence of a defect and the position of the defect with respect to the multi-junction semiconductor S in a transmission method or a reflection method.
  • the image signal analyzer 80 transmits the image signal for the multi-junction semiconductor M to the display D, so that a user who uses a defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor M has defects of the multi-junction semiconductor M and
  • the processing system S may be defective by allowing the location of the defect to be directly confirmed or by transmitting a result of identifying the presence or absence of a defect in the multi-junction semiconductor M and the location of the defect to a separate processing system S.
  • the determined multi-junction semiconductor M may be separated or screened, or the manufacturing process of the multi-junction semiconductor S may be optimized.
  • FIG. 9 is another reference diagram of a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the parallel light irradiation unit 20, the light distribution unit 50, and the second light detection unit 60 are omitted in comparison with the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor shown in FIG. 8.
  • the terahertz light emitted from the slit antenna probe 15 may pass through the multiple junction semiconductor M and be detected by the first photodetector 40.
  • the first photodetector 40 may be positioned above the multi-junction semiconductor M to detect terahertz light reflected from the multi-junction semiconductor M.
  • the terahertz light reflected from the multi-junction semiconductor M through the connected coupler (not shown) and transmitted to the slit antenna probe 15 may be detected.
  • FIG. 10 is a reference diagram of the terahertz optical signal detected by the first photodetector of FIG. 8
  • FIG. 11 is a reference diagram of the terahertz optical signal detected by the second photodetector of FIG. 8,
  • the plurality of media A1, A2, and A3 constituting the multi-junction semiconductor M are included. At least one defect A2 'causes attenuation or time delay.
  • the multi-junction semiconductor M may be defective. It can be seen that the attenuation or time delay ⁇ t1 occurs when the electrical signal in the case (W / void) is compared with the electrical signal in the case where there is no defect in the multi-junction semiconductor M (W / O void).
  • the image signal analyzer 80 may determine whether the multi-junction semiconductor M is defective by using the terahertz optical signal detected by the first photodetector 40.
  • a plurality of boundary surfaces L1, L2, L3, and L4 included in the multi-junction semiconductor M are next.
  • a change in size or a time delay occurs according to a difference in refractive indexes caused by at least one interface L2 and L3 including a defect.
  • the multi-junction semiconductor M may be defective. It can be seen that the electrical signal in the case (W / void) has a magnitude change or a time delay ⁇ t in comparison with the electrical signal in the case where there is no defect in the multi-junction semiconductor M (W / O void).
  • the image signal analyzer 80 may determine whether the multi-junction semiconductor M is defective by using the terahertz optical signal detected by the second photodetector 40.
  • the image signal generator 70 may generate an electrical signal having a waveform according to time generated for each of the plurality of regions P1, P2, P3, and P4 of the multi-junction semiconductor M in the frequency domain.
  • the image signal analyzer 80 is a multi-junction semiconductor (M) By analyzing the video signal with respect to (e.g., analyzing the contrast ratio of the video signal), it becomes possible to determine the defect position inside the multi-junction semiconductor (M).
  • FIG. 13 is a reference graph of a terahertz optical signal collected in the image signal generator of FIG. 8
  • FIG. 14 is a comparison diagram of a multi-junction semiconductor image according to the conventional method, and a multi-junction semiconductor image according to the present invention
  • FIG. 15 is FIG. 8 is a comparison diagram of images of multiple junction semiconductors generated by the image signal generator of FIG. 8.
  • FIG. 14 an image of a multi-junction semiconductor (FIG. 14A) generated by using ultrasonic waves as shown in FIG. 7A and a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention is illustrated. Comparing the image (FIG. 14B) of the multi-junction semiconductor generated using the defect inspection apparatus, the multi-junction semiconductor generated using the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor according to the preferred embodiment of the present invention may be compared. In the case of an image, it becomes possible to more clearly identify the structure of a multi-junction semiconductor.
  • the image signal generator 70 may generate an image signal for the multi-junction semiconductor M using the magnitude of the signal converted into the frequency domain (FIG. 15A).
  • the image signal for the multi-junction semiconductor M may be generated using the phase of the signal converted into the frequency domain (FIG. 15B), and the image signal analyzer 80 generates the multi-junction.
  • the image signal analyzer 80 By analyzing the image signal for the semiconductor (M) it is possible to determine the location of the defect generated in the multi-junction semiconductor (M).
  • 16 to 21 are reference diagrams for a defect inspection apparatus of a bonded semiconductor device according to still another preferred embodiment of the present invention.
  • the filter unit 90 having at least one pinhole 92 formed on a surface thereof is disposed between the parallel light irradiation unit 20 and the multi-junction semiconductor M to examine a narrow area. Can be performed.
  • terahertz light is generated directly to the multi-junction semiconductor M through the light source 10 and the slit antenna probe 15, and is located below the multi-junction semiconductor M.
  • the terahertz light passing through the multi-junction semiconductor M may be detected through the first light detector 40.
  • the first photodetector 40 is positioned on the multijunction semiconductor M, and is reflected from the multijunction semiconductor M through the first photodetector 40.
  • the terahertz light can be detected, and as shown in FIG. 17C, the terahertz light reflected from the multi-junction semiconductor M is detected using the coupler 16 connected to the slit antenna probe 15. You may.
  • the plurality of light focusing units 30 are arranged in an array form A so as to be disposed above or below the multi-junction semiconductor M, so that the multi-junction semiconductor M has a large area. It is possible to improve the defect inspection speed (FIG. 18 (a)) or to perform defect inspection on a plurality of multi-junction semiconductors M at the same time (FIG. 18B).
  • FIGS. 19A and 19B except for the plurality of light concentrators 30 shown in FIGS. 18A and 18B, the light sources 10 in the form of an array are provided.
  • the slit antenna probe 15 it is also possible to arrange the light source 10 in the form of an array, the slit antenna probe 15 and the plurality of light focusing portions 30 in the form of an array together.
  • the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor of the present invention may be applied to manufacturing steps of the multi-junction semiconductor M to determine whether there is a defect in a process flow in real time.
  • the inspection of the presence or absence of defects v in the molding m having the plastic material of the multi-junction semiconductor M is also possible.
  • FIG. 21 except for the plurality of light concentrators 30 shown in FIG. 20, it is also possible to arrange the light source 10 and the slit antenna probe 15 in the manufacturing stage.
  • FIG. 22 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the light source 10 generates terahertz light and emits the light toward the multi-junction semiconductor M disposed below.
  • step S10 further comprises the step of uniformly irradiating the terahertz light to the multi-junction semiconductor (M) by the parallel light irradiation unit 20 disposed between the slit antenna probe 15 and the multi-junction semiconductor (M).
  • M multi-junction semiconductor
  • the light focusing unit 30 focuses the terahertz light passing through the multi-junction semiconductor M.
  • the first light detector 40 detects the terahertz light focused in S20.
  • the image signal generator 80 may further include generating an image signal for the multi-junction semiconductor M using the terahertz light detected in S30.
  • the defect of the multi-junction semiconductor M is determined by the image signal analyzer 80 at S40 using the terahertz optical signal detected at S30 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated at the image signal generator 80. Once the presence and defect location are known, the termination is completed.
  • the image signal analyzer 80 uses the terahertz optical signal detected at S30 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated by the image signal generator 80 to defect the multi-junction semiconductor M.
  • FIG. The detailed process of determining the presence and defect location has been described with reference to FIGS. 10 and 12 and will be omitted.
  • FIG. 23 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to still another preferred embodiment of the present invention.
  • the light source 10 generates terahertz light and irradiates toward the multi-junction semiconductor M disposed below.
  • the parallel light irradiation unit 20 disposed between the slit antenna probe 15 and the multi-junction semiconductor M may further include uniformly irradiating the terahertz light to the multi-junction semiconductor M side. Can be.
  • the second light detector 60 detects the terahertz light distributed in S120.
  • the image signal generator 80 may further include generating an image signal for the multi-junction semiconductor M using the terahertz light detected in S130.
  • the defect of the multi-junction semiconductor M is determined by the image signal analyzer 80 at S140 using the terahertz optical signal detected at S130 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated at the image signal generator 80. If the presence and location of the defect is known, the termination is made.
  • the image signal analyzer 80 may detect the defects of the multi-junction semiconductor M using the terahertz optical signal detected in S130 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated by the image signal generator 80. Detailed processes for determining the presence and absence of defects have been described with reference to FIGS. 11 and 12 and thus will be omitted.
  • the image signal generator The 70 generates an image signal for the multi-junction semiconductor M using this.
  • the image signal analyzer 80 detects the presence or absence of defects and defects of the multi-junction semiconductor M by using an electrical signal having a waveform according to the converted time and an image signal for the generated multi-junction semiconductor M. I can figure out the location.
  • the multi-junction semiconductor M can be inspected using both transmission and reflection properties, it is easy to grasp the presence or absence of a defect and the location of the defect of the multi-junction semiconductor M.
  • defect inspection on multi-junction semiconductors is performed using terahertz waves so that underwater inspection is not necessary, so that full inspection of multi-junction semiconductors is possible in real time, while permeation to air is possible, so inspection after defects is also possible. Has an effect.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

An apparatus for inspecting defects of a multi-junction semiconductor according to an embodiment of the present invention is disclosed, the apparatus characterized by comprising: a light source; a slit antenna probe; a parallel light radiation part; a light collection part; a light distribution part; a first light detection part; a second light detection part; an image signal generation part; and an image signal analysis part, wherein the slit antenna probe comprises: a guide part for guiding terahertz light generated by the light source; and a slit penetrating through an external space between the guide part and the slit antenna probe, wherein a reflection reduction structure for reducing the degree of reflection of the terahertz light passing via the guide part and passing through the slit is formed on the slit.

Description

슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법Slit antenna probe, and apparatus and method for defect inspection of multi-junction semiconductors using the same
본 발명은 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 슬릿 안테나 프로브의 기계적 강도를 증가시키고, 전자기파를 이용하여 다중 접합 반도체의 제조 과정에서 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 결함 검사를 수행하는 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a slit antenna probe, and a defect inspection apparatus and method for a multi-junction semiconductor using the same. More specifically, the present invention increases the mechanical strength of the slit antenna probe, a slit antenna probe for performing defect inspection on the multi-junction semiconductor in real time in the manufacturing process of the multi-junction semiconductor using electromagnetic waves, and a multi-junction semiconductor using the same Relates to a defect inspection apparatus and method.
최근 반도체, 의료, 제약 및 보안 등의 다양한 분야에서 고해상도 영상 기술이 요구되고 있다. 고해상도 영상을 얻기 위해, 다양한 신호원을 이용하는 영상 시스템뿐만 아니라 영상 알고리즘 등이 개발되고 있다. 고해상도 영상의 신호원으로는 엑스레이, 광과 함께 마이크로파, 테라헤르츠파와 같은 전자기파가 많이 사용되고 있다. 특히 전자기파를 이용할 경우 비접촉/비파괴 측정이 가능하며, 높은 투과도 및 SNR(signal to noise ratio)을 얻을 수 있다. 전자기파를 이용하는 프로브의 경우, 전자기파가 가지는 파장에 의하여 높은 해상도를 얻기 어렵다. 이를 해결하기 위해, 한 개의 매우 작은 구멍(Hole)을 프로브에 형성시켜 수 나노미터(nm) 크기까지 검출하고 있다. 하지만, 이러한 방식은 많은 신호 손실이 발생하여 다양한 응용에 제한적이다.Recently, high resolution imaging technology is required in various fields such as semiconductor, medical, pharmaceutical, and security. In order to obtain high resolution images, image algorithms and the like, as well as image systems using various signal sources, have been developed. As a signal source of high-resolution images, electromagnetic waves such as microwaves and terahertz waves are widely used along with X-rays and light. In particular, when using electromagnetic waves, non-contact / non-destructive measurement is possible, and high transmittance and signal to noise ratio (SNR) can be obtained. In the case of a probe using electromagnetic waves, it is difficult to obtain high resolution due to the wavelength of electromagnetic waves. To solve this problem, one very small hole is formed in the probe to detect several nanometers (nm) in size. However, this approach introduces a lot of signal loss and is limited to a variety of applications.
최근, 공진회로 특성 및 다이폴 안테나와 유사한 방사 특성을 갖는 슬릿 안테나 프로브가 많이 사용되고 있으며, 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)의 단면은 도 1에 도시되어 있다.Recently, many slit antenna probes having resonant circuit characteristics and radiation characteristics similar to those of a dipole antenna are used, and a cross section of a general slit antenna probe 1 is shown in FIG. 1.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)는 전자기파를 d 방향으로 가이딩하는 가이딩부(2)와 슬릿 안테나 프로브(1)의 얇은 박막(3)에 형성된 슬릿(4)을 포함한다. 슬릿 안테나 프로브(1)는 얇은 금속 박막(3)의 일부에 폭 길이(y 방향의 길이)가 약 λ/2인 슬릿(4)을 형성하고, 이 좁은 슬릿(4)에서의 공진 특성을 이용하는 안테나로서, 사이즈가 작을 뿐만 아니라 구조적으로도 제작이 간단하다. As shown in FIG. 1, the general slit antenna probe 1 includes a guiding part 2 for guiding electromagnetic waves in the d direction and a slit 4 formed in the thin film 3 of the slit antenna probe 1. do. The slit antenna probe 1 forms a slit 4 having a width length (length in the y direction) of about λ / 2 on a part of the thin metal thin film 3, and utilizes the resonance characteristics in the narrow slit 4. As an antenna, not only the size is small but also the structure is simple to manufacture.
그러나, 도 1에 도시된 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)의 경우, 공진주파수를 유지하기 위해 매우 작은 두께(x 방향의 길이)를 유지해야 함에 따라 그 제작이 어려울 뿐만 아니라, 얇은 금속 박막(3)으로 인하여 기계적 강도가 약해지는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 금속 박막(3)의 두께를 증가시킨다면, 공진 주파수가 변경되며, 슬릿(4)에서의 전자기파의 반사 손실로 인하여 높은 전송 효율을 유지하기 어렵다.However, in the case of the general slit antenna probe 1 shown in FIG. 1, it is not only difficult to manufacture, but also a thin metal thin film 3 because it has to maintain a very small thickness (length in the x direction) in order to maintain a resonance frequency. Due to this, the mechanical strength is weakened. In order to solve this problem, if the thickness of the metal thin film 3 is increased, the resonance frequency is changed, and it is difficult to maintain high transmission efficiency due to the reflection loss of electromagnetic waves in the slit 4.
한편, 최근 반도체 기술의 발전에 따라 구현이 용이해진 다중 접합형 반도체에 대한 수요가 급증하고 있는 추세에 있지만, 대부분의 다중 접합형 반도체의 경우 다수의 웨이퍼들을 접착제에 의해 접합하여 적층 구조를 형성하는 방식으로 제조가 이루어지고 있으며, 이러한 접착제 사용에 따라 웨이퍼들 간의 접합 과정에서 결함(예를 들어, 공극(void))이 발생하게 되어 웨이퍼들 간의 접착력이 저하되고 열전도율의 저하에 따른 다중 접합 반도체의 열적 문제가 발생하는 문제점이 있었다. 따라서, 이러한 문제점들에 신속하게 대응하기 위하여 다중 접합 반도체의 결함 발생 유무를 검사하기 위한 다양한 장치들이 개발되었다.On the other hand, with the recent development of semiconductor technology, the demand for multi-junction semiconductors, which are easy to implement, has been increasing rapidly. However, in the case of most multi-junction semiconductors, a plurality of wafers are bonded by an adhesive to form a laminated structure. Manufacturing is carried out in such a manner that, due to the use of such adhesives, defects (eg, voids) are generated in the bonding process between wafers, thereby reducing adhesion between wafers and reducing thermal conductivity. There was a problem that a thermal problem occurs. Therefore, in order to respond to these problems quickly, various apparatuses for inspecting the presence of defects in multi-junction semiconductors have been developed.
도 7은 종래의 다중 접합 반도체 결함 검사 장치에 대한 참고도이다. 일반적으로 다중 접합 반도체의 결함을 검사하는 방식은 초음파를 이용한 방식과 적외선을 이용한 방식으로 구분할 수 있으며, 도 7(a)에 도시된 바와 같이 초음파를 이용한 방식의 경우 액체 내부에 시료인 다중 접합 반도체를 배치한 후 다중 접합 반도체의 결함 유무를 검사하게 되는데, 검사 이후 다중 접합 반도체에 대한 별도의 건조 과정이 필요하거나 또는 검사가 이루어진 다중 접합 반도체를 폐기해야 하므로 전수 검사 수행이 불가능한 문제점이 있었다.7 is a reference diagram of a conventional multi-junction semiconductor defect inspection apparatus. In general, a method of inspecting defects of a multi-junction semiconductor can be classified into an ultrasonic method and an infrared method. As shown in FIG. After the inspection, the defects of the multi-junction semiconductors are inspected, and after the inspection, a separate drying process for the multi-junction semiconductors is required or the multi-junction semiconductors that have been inspected must be discarded.
또한, 초음파의 경우 공기에 대한 투과성이 없어 결함에 의해 형성되는 공기층 이후에 대한 검사 또는 다중 접합 반도체 구조상 공기층이 형성되는 경우 이에 대한 검사가 불가능하고, 펄스폭이 커 다중 접합 반도체 내부의 결함에 대한 위치 파악이 용이하지 못함과 동시에 다중 접합 반도체로부터 반사되는 초음파를 이용하는 방식인 반사 방식으로 결함 검사를 수행하는 경우 다중 접합 반도체의 구조를 거의 파악할 수 없어 비효율적인 문제점이 있었다.In addition, in the case of the ultrasonic wave, it is impossible to inspect the air layer formed by the defect or the air layer formed due to the defect due to the lack of permeability to air, and to inspect the defect in the multi-junction semiconductor due to the large pulse width. When the defect inspection is performed by the reflection method, which is not easy to locate and at the same time using the ultrasonic wave reflected from the multi-junction semiconductor, the structure of the multi-junction semiconductor can hardly be grasped, thereby causing an inefficient problem.
또한, 도 7(b)에 도시된 바와 같이 적외선을 이용한 방식의 경우 초음파를 이용한 방식과 비교시에 실시간 검사가 가능한 장점은 있으나, 시료인 다중 접합 반도체를 투과하고 나온 광량을 이용하는 방식인 투과 방식으로만 다중 접합 반도체의 결함 검사를 수행할 수 있으므로 다중 접합 반도체의 결함 유무만을 확인할 수 있을 뿐 결함의 위치 파악은 불가능한 문제점이 있었다.In addition, as shown in FIG. 7 (b), in the case of using the infrared method, there is an advantage in that real-time inspection is possible compared with the method using the ultrasonic wave, but a transmission method that uses a light amount transmitted through the multi-junction semiconductor as a sample. Since the defect inspection of the multi-junction semiconductor can be performed only, only the presence or absence of the defect of the multi-junction semiconductor can be confirmed, but the location of the defect is impossible.
본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 슬릿의 두께를 크게 유지하면서도, 전자기파의 반사 손실을 감소시키는 것을 목적으로 한다.A slit antenna probe according to an embodiment of the present invention, and an apparatus and method for defect inspection of a multi-junction semiconductor using the same, aim to reduce reflection loss of electromagnetic waves while maintaining a large thickness of the slit.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 짧은 펄스폭을 갖는 전자기파의 일종인 테라헤라츠파를 이용하여 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 결함 유무 및 결함의 위치 파악을 가능하게 하는 것을 목적으로 한다.In addition, a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention, and a defect inspection apparatus and method for a multi-junction semiconductor using the same are defects on a multi-junction semiconductor in real time using a terahertz wave, which is a kind of electromagnetic waves having a short pulse width. It aims at enabling the location of presence and absence of a defect.
본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 슬릿의 두께를 크게 유지하면서도, 전자기파의 반사 손실을 감소시킬 수 있다.The slit antenna probe according to an embodiment of the present invention, and a defect inspection apparatus and method of a multi-junction semiconductor using the same, can reduce the reflection loss of electromagnetic waves while maintaining the thickness of the slit large.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 짧은 펄스폭을 갖는 전자기파의 일종인 테라헤라츠파를 이용하여 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 결함 유무 및 결함의 위치 파악을 가능하게 할 수 있다.In addition, a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention, and a defect inspection apparatus and method for a multi-junction semiconductor using the same are defects on a multi-junction semiconductor in real time using a terahertz wave, which is a kind of electromagnetic waves having a short pulse width. It is possible to locate the presence and absence of defects.
도 1은 일반적인 슬릿 안테나 프로브의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a typical slit antenna probe.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention.
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조를 확대한 도면이고, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조의 사시도이다.Figure 3 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to an embodiment of the present invention, Figure 3 (b) is a perspective view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to an embodiment of the present invention to be.
도 4(a)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조를 확대한 도면이고, 도 4(b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조의 사시도이다.4 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to another embodiment of the present invention, Figure 4 (b) is a perspective view of the reflection reduction structure of the slit antenna probe according to another embodiment of the present invention to be.
도 5(a)와 도 5(b)는 슬릿 안테나 두께를 늘릴 경우 슬릿 안테나 프로브에서의 반사 특성과 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브에서의 반사 특성을 나타내는 도면이다.5 (a) and 5 (b) are diagrams illustrating reflection characteristics of the slit antenna probe and reflection characteristics of the slit antenna probe according to an embodiment of the present invention when the slit antenna thickness is increased.
도 6(a) 내지 도 6(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에 형성된 패턴 조절 구조를 도시하는 예시적인 도면들이다.6 (a) to 6 (c) are exemplary diagrams illustrating a pattern adjusting structure formed on one end surface of a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention.
도 7은 종래의 다중 접합 반도체 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.7 is a reference diagram of a conventional multi-junction semiconductor defect inspection apparatus.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.8 is a reference view of a defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 다른 참고도이다.9 is another reference diagram of a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
도 10은 도 8의 제1 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도이다. FIG. 10 is a reference diagram of a terahertz optical signal detected by the first photodetector of FIG. 8.
도 11은 도 8의 제2 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도이다. FIG. 11 is a reference diagram for a terahertz optical signal detected by the second photodetector of FIG. 8.
도 12는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호의 참고도이다.12 is a reference diagram of an image signal for a multi-junction semiconductor generated by the image signal generator of FIG. 8.
도 13은 도 8의 영상 신호 생성부에 수집되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고 그래프이다. FIG. 13 is a reference graph for a terahertz optical signal collected in the image signal generator of FIG. 8.
도 14는 종래 방식에 의한 다중 접합 반도체 영상과 본 발명에 의한 다중 접합 반도체 영상의 비교도이다. 14 is a comparison diagram of a multi-junction semiconductor image according to a conventional method and a multi-junction semiconductor image according to the present invention.
도 15는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상의 비교도이다.FIG. 15 is a comparison diagram of images of multiple junction semiconductors generated by the image signal generator of FIG. 8.
도 16 내지 도 21은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예들에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.16 to 21 are reference diagrams for a defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to still another preferred embodiment of the present invention.
도 22는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도이다.22 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
도 23은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도이다.23 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는,Defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to an embodiment of the present invention,
다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서, 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원; 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브; 상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되어 상기 광원으로부터 조사되는 테라헤르츠 광을 균일하게 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 평행광 조사부; 상기 다중 접합 반도체 하부에 배치되어 상기 다중 접합 반도체를 투과한 테라헤르츠 광을 집속하는 광 집속부; 상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 평행광 조사부 사이에 배치되어 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 후 상기 평행광 조사부를 통과하는 테라헤르츠 광을 분배하는 광분배부; 상기 광 집속부에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출하는 제1 광검출부; 상기 광분배부에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출하는 제2 광검출부; 상기 제1 광검출부 또는 상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하고, 상기 제1 광검출부 및 상기 제2 광검출부는 복수 개가 1차원 형태로 배열되거나 또는 복수 개가 2차원 형태로 배열되며, 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 생성하고, 상기 영상 신호 생성부는 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 생성되는 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 주파수 영역의 신호로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 또는 위상을 이용하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하며, 상기 영상 신호 분석부는 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하되, 상기 슬릿 안테나 프로브는, 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및 상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고, 상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성될 수 있다.A defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor, comprising: a light source for generating terahertz light and irradiating the multi-junction semiconductor side disposed below; A slit antenna probe emitting terahertz light generated from the light source to the multi-junction semiconductor side disposed below; A parallel light irradiator disposed between the slit antenna probe and the multi-junction semiconductor to uniformly irradiate terahertz light emitted from the light source to the multi-junction semiconductor side; An optical focusing unit disposed under the multi-junction semiconductor to focus terahertz light passing through the multi-junction semiconductor; A light distribution unit disposed between the slit antenna probe and the parallel light irradiation unit to distribute terahertz light passing through the parallel light irradiation unit after being reflected from the multi-junction semiconductor; A first light detector detecting the terahertz light focused at the light focusing unit; A second light detector for detecting terahertz light distributed by the light distributor; An image signal generator configured to collect terahertz optical signals detected by the first photodetector or the second photodetector to generate an image signal for the multi-junction semiconductor; And an image signal analysis unit configured to analyze the generated image signal to determine whether there is a defect of the multi-junction semiconductor and a location of the defect, wherein the first photodetector and the second photodetector are arranged in a one-dimensional form. Or a plurality are arranged in a two-dimensional form, and generates an electrical signal having a waveform with time for each of the plurality of regions of the multi-junction semiconductor, the image signal generation unit at a time generated for each of the plurality of regions of the multi-junction semiconductor After converting the electrical signal having a waveform according to the signal in the frequency domain and generates a video signal for the multi-junction semiconductor using the magnitude or phase of the signal converted in the frequency domain, the image signal analyzer is the generated image Analyze the signal to determine whether the multi-junction semiconductor defects and defect location The slit antenna probe may include: a guiding part configured to guide the terahertz light generated from the light source; And a slit penetrating between the guiding portion and an outer space of the slit antenna probe, wherein the slit has a reflection reduction structure for reducing a degree of reflection of terahertz light passing through the slit through the guiding portion. Can be.
상기 반사 감소 구조는, 상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지도록 형성될 수 있다.The reflection reduction structure may be formed such that the width length gradually decreases from the guiding portion side to the external space side.
상기 반사 감소 구조는, 라운드(round) 형 또는 챔퍼(chamfer) 형을 가질 수 있다.The reflection reduction structure may have a round shape or a chamfer shape.
상기 슬릿은, 상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간 측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지다가, 소정 지점부터 폭 길이가 일정하게 유지되는 형상을 가질 수 있다.The slit may have a shape in which the width length gradually decreases from the guiding part side to the external space side, and the width length is kept constant from a predetermined point.
상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에는, 상기 테라헤르츠 광의 방사 프로파일(profile)을 조절하기 위한 패턴 조절 구조가 형성될 수 있다.In one end surface of the slit antenna probe, a pattern adjusting structure for adjusting the emission profile of the terahertz light may be formed.
상기 패턴 조절 구조는, 상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에 형성된 홈 및 돌출부 중 적어도 하나로 구성될 수 있다.The pattern adjusting structure may include at least one of a groove and a protrusion formed in one end surface of the slit antenna probe.
상기 슬릿은, 복수 개이며, 상기 반사 감소 구조는, 상기 복수 개의 슬릿 각각에 형성될 수 있다.The slits may be plural, and the reflection reducing structure may be formed in each of the plurality of slits.
상기 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는, 상기 평행광 조사부와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되며 표면에 적어도 하나 이상의 핀홀이 형성되는 필터부를 더 포함할 수 있다.The defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor may further include a filter unit disposed between the parallel light irradiation unit and the multi-junction semiconductor and having at least one pinhole formed on a surface thereof.
상기 평행광 조사부 또는 상기 광 집속부는 복수 개가 어레이 형태로 배열될 수 있다.The parallel light irradiator or the light concentrator may be arranged in an array form.
상기 제1 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 적어도 하나 이상의 결함에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생한 신호이고, 상기 영상 신호 분석부는 상기 감쇠 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악할 수 있다.The terahertz optical signal detected by the first photodetector is a signal in which attenuation or time delay occurs due to at least one or more defects included in the multi-junction semiconductor, and the image signal analyzer uses the attenuation or time delay. The presence or absence of a defect in a multi-junction semiconductor and the location of the defect can be grasped.
상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 복수 개의 경계면 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생한 신호이고, 상기 영상 신호 분석부는 상기 크기 변화 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악할 수 있다.The terahertz optical signal detected by the second photodetector is a signal in which a size change or a time delay occurs according to a difference in refractive index caused by at least one interface including a defect among a plurality of interfaces included in the multi-junction semiconductor, and the image The signal analyzer may determine the presence or absence of a defect of the multi-junction semiconductor and the location of the defect by using the size change or the time delay.
본 발명의 다른 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는,Defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to another embodiment of the present invention,
다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서, 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원; 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브; 상기 다중 접합 반도체를 투과하거나 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 테라헤르츠 광을 검출하는 광 검출부; 상기 광 검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하되, 상기 슬릿 안테나 프로브는, 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및 상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고, 상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성될 수 있다.A defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor, comprising: a light source for generating terahertz light and irradiating the multi-junction semiconductor side disposed below; A slit antenna probe emitting terahertz light generated from the light source to the multi-junction semiconductor side disposed below; A light detector for detecting terahertz light transmitted through or reflected from the multi-junction semiconductor; An image signal generator for collecting terahertz optical signals detected by the optical detector to generate an image signal for the multi-junction semiconductor; And an image signal analysis unit configured to analyze the generated image signal to determine whether there is a defect of the multi-junction semiconductor and a location of the defect, wherein the slit antenna probe is configured to guide the terahertz light generated from the light source. Ding unit; And a slit penetrating between the guiding portion and an outer space of the slit antenna probe, wherein the slit has a reflection reduction structure for reducing a degree of reflection of terahertz light passing through the slit through the guiding portion. Can be.
상기 슬릿 안테나 프로브는, 복수 개가 어레이 형태로 배열될 수 있다.A plurality of the slit antenna probes may be arranged in an array form.
상기 광 집속부는, 복수 개가 어레이 형태로 배열될 수 있다.A plurality of light converging parts may be arranged in an array form.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the slit antenna probe 200 according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)는 가이딩부(210), 및 가이딩부(210)와 슬릿 안테나 프로브(200)의 외부 공간 사이를 관통하도록 형성된 슬릿(230)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the slit antenna probe 200 according to an embodiment of the present invention is formed to penetrate between the guiding part 210 and an external space of the guiding part 210 and the slit antenna probe 200. And a slit 230.
슬릿 안테나 프로브(200)는 광원(미도시)으로부터 발생된 전자기파, 예를 들어, 테라헤르츠 광을 소정 타겟으로 방출한다.The slit antenna probe 200 emits electromagnetic waves, eg, terahertz light, generated from a light source (not shown) to a predetermined target.
가이딩부(210)는 광원으로부터 발생된 전자기파를 슬릿(230) 방향으로 가이딩하고, 전자기파는 슬릿(230)을 통과하여 슬릿 안테나 프로브(200)의 외부 공간으로 방출된다.The guiding unit 210 guides the electromagnetic waves generated from the light source toward the slit 230, and the electromagnetic waves pass through the slit 230 and are emitted into the outer space of the slit antenna probe 200.
전술한 바와 같이 박막(220) 및 슬릿(230)의 두께가 커지면, 슬릿(230)에서의 전자기파의 반사 정도가 커지는데, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)는 이러한 문제점을 방지하기 위해 슬릿(230)에 반사 감소 구조(240)를 형성한다.As described above, as the thickness of the thin film 220 and the slit 230 increases, the degree of reflection of electromagnetic waves in the slit 230 increases, but the slit antenna probe 200 according to an embodiment of the present invention solves this problem. In order to prevent this, the reflection reduction structure 240 is formed in the slit 230.
반사 감소 구조(240)는 슬릿(230)의 가이딩부(210)측 영역에 형성될 수 있으며, 가이딩부(210)측으로부터 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지게 형성될 수 있다. 다시 말하면, 슬릿(230)은 폭 길이가 점차적으로 작아지다가, 소정 지점부터 폭 길이가 일정하게 유지되는 형상을 갖는다.The reflection reduction structure 240 may be formed in the region of the guiding part 210 side of the slit 230, and may have a width length gradually decreasing from the guiding part 210 side to the external space side. In other words, the slit 230 has a shape in which the width length gradually decreases, and the width length is kept constant from a predetermined point.
가이딩부(210)측으로부터 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지는 반사 감소 구조(240)는 일종의 임피던스 매칭 역할을 수행하여, 가이딩부(210)로 가이딩되는 전자기파의 슬릿(230)에서의 반사량을 감소시킬 수 있다.The reflection reduction structure 240 in which the width length gradually decreases from the guiding part 210 side to the external space side performs a kind of impedance matching, so that the amount of reflection in the slit 230 of the electromagnetic wave guided to the guiding part 210. Can be reduced.
한편, 도 2에는 도시하지 않았지만, 슬릿 안테나 프로브(200)는 복수 개의 슬릿(230)을 포함할 수 있으며, 이 복수 개의 슬릿(230) 각각에는 반사 감소 구조(240)가 형성될 수 있다.Although not shown in FIG. 2, the slit antenna probe 200 may include a plurality of slits 230, and the reflection reduction structure 240 may be formed in each of the plurality of slits 230.
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)의 반사 감소 구조(240)를 확대한 도면이고, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)의 반사 감소 구조(240)의 사시도이다. 또한, 도 4(a)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(300)의 반사 감소 구조(340)를 확대한 도면이고, 도 4(b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(300)의 반사 감소 구조(340)의 사시도이다.3 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure 240 of the slit antenna probe 200 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 (b) is a slit antenna probe according to an embodiment of the present invention. Perspective view of reflective reduction structure 240 of 200. In addition, Figure 4 (a) is an enlarged view of the reflection reduction structure 340 of the slit antenna probe 300 according to another embodiment of the present invention, Figure 4 (b) is a slit according to another embodiment of the present invention A perspective view of the reflection reduction structure 340 of the antenna probe 300.
도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 반사 감소 구조(240)는 라운드 형으로 형성될 수 있고, 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 반사 감소 구조(340)는 챔퍼(chamfer) 형으로 형성될 수도 있다. 도 3(a), 도 3(b), 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 반사 감소 구조(240, 340)는 하나의 예시일 뿐이며, 가이딩부(210, 310)측으로부터 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 감소되는 구조라면, 본 발명의 반사 감소 구조에 해당할 수 있다.As shown in FIGS. 3A and 3B, the reflection reduction structure 240 may be formed in a round shape, and as shown in FIGS. 4A and 4B, reflections. The reduction structure 340 may be formed in a chamfer shape. The reflection reduction structures 240 and 340 shown in FIGS. 3 (a), 3 (b), 4 (a) and 4 (b) are just one example and are provided from the guiding portions 210 and 310 side. If the width length is gradually reduced toward the outer space, it may correspond to the reflection reduction structure of the present invention.
도 5(a)와 도 5(b)는 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)에서의 반사 특성과 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200, 300)에서의 반사 특성을 나타내는 도면이다.5 (a) and 5 (b) are diagrams illustrating reflection characteristics of a general slit antenna probe 1 and reflection characteristics of the slit antenna probes 200 and 300 according to an embodiment of the present invention.
도 5(a)를 보면, 슬릿 안테나 프로브(1)의 슬릿(4) 두께를 늘릴 경우 슬릿에서 반사된 전자기파는 200GHz 부근에서 약 -25dB을 가지지만, 도 5(b)를 보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200, 300)의 슬릿(230, 330)에서 반사된 전자기파는 200GHz 부근에서 약 -60dB을 갖는다는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 5 (a), when the thickness of the slit 4 of the slit antenna probe 1 is increased, the electromagnetic waves reflected from the slit have about -25 dB around 200 GHz. It can be seen that the electromagnetic waves reflected from the slits 230 and 330 of the slit antenna probes 200 and 300 according to an exemplary embodiment have about -60 dB around 200 GHz.
도 6(a) 내지 도 6(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200, 300)에 형성된 패턴 조절 구조(610)를 도시하는 예시적인 도면들이다.6A through 6C are exemplary diagrams illustrating a pattern adjusting structure 610 formed in the slit antenna probes 200 and 300 according to an embodiment of the present invention.
슬릿 안테나 프로브(200, 300)의 일 단면, 다시 말하면, 외부 공간에 접하는 박막(220, 320)의 일 단면에는, 전자기파의 방사 프로파일(profile)을 조절하기 위한 패턴 조절 구조(610)가 형성될 수 있으며, 패턴 조절 구조(610)는, 슬릿 안테나 프로브(200, 300)의 일 단면에 형성된 홈 및 돌출부 중 적어도 하나로 구성될 수 있다. 패턴 조절 구조(610)를 다양한 방식으로 형성함으로써, 전자기파의 방사 프로파일을 다양하게 조절할 수 있다.In one cross-section of the slit antenna probes 200 and 300, that is, one cross-section of the thin films 220 and 320 in contact with the external space, a pattern adjusting structure 610 for adjusting a radiation profile of electromagnetic waves may be formed. The pattern adjustment structure 610 may include at least one of a groove and a protrusion formed in one end surface of the slit antenna probe 200 and 300. By forming the pattern adjusting structure 610 in various ways, it is possible to variously adjust the radiation profile of the electromagnetic wave.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.8 is a reference view of a defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
도 8에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는 광원(10), 슬릿 안테나 프로브(15), 평행광 조사부(20), 광 집속부(30), 제1 광검출부(40), 광 분배부(50), 제2 광검출부(60), 영상 신호 생성부(70), 및 영상 신호 분석부(80)를 포함한다.As shown in FIG. 8, a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor according to an exemplary embodiment of the present invention may include a light source 10, a slit antenna probe 15, a parallel light irradiation unit 20, a light focusing unit 30, and a second light source. The first light detector 40, the light distributor 50, the second light detector 60, the image signal generator 70, and the image signal analyzer 80 are included.
광원(10)은 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.The light source 10 generates terahertz light and emits the light toward the multi-junction semiconductor M disposed below.
이때, 광원(10)은 테라헤르츠 광, 다시 말해서 테라헤르츠파를 발생시키기 위한 것으로써, 테라헤르츠파란 주파수로는 0.1~10THz 영역에 위치하고 파장으로는 3mm 내지 30μm 범위를 점유하는 전자기파를 의미한다.At this time, the light source 10 is for generating terahertz light, that is, terahertz wave, means a electromagnetic wave that is located in the 0.1 ~ 10 THz region with a terahertz blue frequency and occupies a range of 3mm to 30μm as a wavelength.
또한, 테라헤르츠파는 스펙트럼 분포상 광파(Lightwave)와 전파(Radiowave)의 중간 영역에 위치하여 광파의 직진성과 흡수성 및 전파의 투과성을 모두 가지고 있으므로 공기, 플라스틱, 종이, 섬유, 세라믹 등과 같은 다양한 종류의 물질들에 대한 투과성이 우수하고, 수백 μm의 분해능을 가지며, 상기 다양한 종류의 물질들에 대한 분광 정보를 얻을 수 있어 영상 기술을 이용하여 상기 다양한 종류의 물질들에 대한 실시간 모니터링이 가능한 등의 장점을 갖는다.In addition, terahertz waves are located in the middle region of lightwave and radiowave in the spectral distribution, so they have both linearity, absorbency and transmission of light waves. Therefore, various kinds of materials such as air, plastic, paper, fiber, ceramic, etc. It has excellent permeability to the field, has a resolution of several hundred μm, and obtains spectral information about the various kinds of materials, and enables real-time monitoring of the various kinds of materials using imaging technology. Have
또한, 광원(10)은 레이저를 여기 광원(excited source)으로 이용하거나 또는 전류 주입(current injection)을 이용한 코히런트(coherent) 광원 또는 흑체 복사 (blackbody radiation) 또는 수은 램프를 이용한 인코히런트(incoherent) 광원일 수 있다.In addition, the light source 10 may use a laser as an excitation light source or an incoherent light source using a coherent light source using a current injection or a blackbody radiation or a mercury lamp. ) May be a light source.
광원(10)과 평행광 조사부(20) 사이에는 슬릿 안테나 프로브(15)가 위치될 수 있으며, 슬릿 안테나 프로브(15)는 광원(10)으로부터 조사되는 테라헤르츠 광을 평행광 조사부(20) 방향으로 방출한다. 슬릿 안테나 프로브(15)에 대해서는 전술하였는바, 상세한 설명을 생략한다.The slit antenna probe 15 may be positioned between the light source 10 and the parallel light emitter 20, and the slit antenna probe 15 may direct terahertz light emitted from the light source 10 toward the parallel light emitter 20. To emit. Since the slit antenna probe 15 has been described above, a detailed description thereof will be omitted.
평행광 조사부(20)는 슬릿 안테나 프로브(15)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 배치되어 슬릿 안테나 프로브(15)로부터 방출되는 테라헤르츠 광을 균일하게 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.The parallel light radiator 20 is disposed between the slit antenna probe 15 and the multi-junction semiconductor M to irradiate terahertz light emitted from the slit antenna probe 15 uniformly to the multi-junction semiconductor M side.
이때, 평행광 조사부(20)에서 상기 테라헤르츠 광을 다중 접합 반도체(M) 측으로 균일하게 조사하는 이유는 테라헤르츠 광이 다중 접합 반도체(M)에 전체적으로 조사될 수 있도록 하기 위함이며, 평행광 조사부(20)는 슬릿 안테나 프로브(15)로부터 방출되는 테라헤르츠 광을 평면광의 형태로 균일하게 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사할 수 있는 원통형 렌즈, 난원형 렌즈, 반사형 광학계, 또는 안테나 등 일 수 있다.In this case, the reason for irradiating the terahertz light uniformly to the multi-junction semiconductor M side in the parallel light irradiation unit 20 is to allow the terahertz light to be irradiated to the multi-junction semiconductor M as a whole. 20 may be a cylindrical lens, an oval lens, a reflective optical system, an antenna, or the like capable of irradiating terahertz light emitted from the slit antenna probe 15 uniformly to the multi-junction semiconductor M side in the form of plane light. .
광 집속부(30)는 다중 접합 반도체(M) 하부에 배치되어 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광을 집속하며, 광 집속부(30)는 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광을 집속할 수 있는 오목 렌즈, 반사 미러, 또는 안테나 등 일 수 있다.The light focusing unit 30 is disposed below the multi-junction semiconductor M to focus terahertz light transmitted through the multi-junction semiconductor M, and the light focusing unit 30 is a terrazzo that transmits the multi-junction semiconductor M. It may be a concave lens, a reflection mirror, an antenna, or the like capable of focusing Hertz light.
제1 광검출부(40)는 광 집속부(30)에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출한다.The first light detector 40 detects the terahertz light focused by the light focusing unit 30.
이때, 제1 광검출부(40)는 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하며, 제1 광검출부(40)에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호는 다중 접합 반도체(M)에 포함된 적어도 하나 이상의 결함에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생한 신호일 수 있다.In this case, the first photodetector 40 converts the detected terahertz optical signal into an electrical signal having a waveform over time, and the terahertz optical signal detected by the first photodetector 40 is a multi-junction semiconductor (M). It may be a signal in which attenuation or time delay occurs due to at least one or more defects included in the.
또한, 제 1 광검출부(40)는 1개로 구성할 수도 있고, 복수 개를 1차원(1D) 형태로 배열하거나 또는 2차원(2D) 형태로 배열하여 구성함으로써 테라헤르츠 광에 대한 검출 속도를 향상시키는 것이 가능하다.In addition, the first photodetector 40 may be configured as one, and the plurality of first photodetectors 40 may be arranged in a one-dimensional (1D) form or in a two-dimensional (2D) form to improve detection speed for terahertz light. It is possible to let.
광분배부(50)는 슬릿 안테나 프로브(15)와 평행광 조사부(20) 사이에 배치되어 다중 접합 반도체(M)로부터 반사된 후 평행광 조사부(20)를 통과하는 테라헤르츠 광을 분배한다.The light distribution unit 50 is disposed between the slit antenna probe 15 and the parallel light irradiation unit 20 to reflect terahertz light passing through the parallel light irradiation unit 20 after being reflected from the multi-junction semiconductor M.
제2 광검출부(60)는 광분배부(5))에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출한다.The second photodetector 60 detects terahertz light distributed by the light distribution unit 5.
이때, 제2 광검출부(60)는 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하며, 제2 광검출부(60)에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호는 다중 접합 반도체(M)에 포함된 복수의 경계면 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생한 신호일 수 있다.In this case, the second photodetector 60 converts the detected terahertz optical signal into an electrical signal having a waveform over time, and the terahertz optical signal detected by the second photodetector 60 is a multi-junction semiconductor (M). It may be a signal in which a size change or a time delay occurs according to a difference in refractive index caused by at least one or more of the boundary surfaces included in the interface.
또한, 제 2 광검출부(60)는 1개로 구성할 수도 있고, 복수 개를 1차원(1D) 형태로 배열하거나 또는 2차원(2D) 형태로 배열하여 구성함으로써 테라헤르츠 광에 대한 검출 속도를 향상시키는 것이 가능하다.In addition, the second photodetector 60 may be configured as one, and the plurality of second photodetectors 60 may be arranged in a one-dimensional (1D) form or in a two-dimensional (2D) form to increase detection speed for terahertz light. It is possible to let.
영상 신호 생성부(70)는 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성한다.The image signal generator 70 collects the terahertz optical signals detected by the first photodetector 40 or the second photodetector 60 to generate an image signal for the multi-junction semiconductor M.
이때, 영상 신호 생성부(70)는 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)에서 검출된 후 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환된 신호를 수집하여 주파수 영역으로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 및 위상을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성할 수 있다.In this case, the image signal generator 70 collects a signal which is detected by the first photodetector 40 or the second photodetector 60 and then converted into an electrical signal having a waveform over time, and then converted into a frequency domain. An image signal for the multi-junction semiconductor M may be generated using the magnitude and phase of the signal converted into the frequency domain.
영상 신호 분석부(80)는 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(70)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 분석하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악한다.The image signal analyzer 80 is an image of the multi-junction semiconductor M generated by the terahertz optical signal and the image signal generator 70 detected by the first photodetector 40 or the second photodetector 60. The signal is analyzed to determine whether there is a defect in the multi-junction semiconductor M and the location of the defect.
이때, 영상 신호 분석부(80)는 제1 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호의 감쇠 또는 시간 지연을 이용하거나 또는 제2 광 검출부(60)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호의 크기 변화 또는 시간 지연을 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무를 파악할 수 있다.In this case, the image signal analyzer 80 may use the attenuation or time delay of the terahertz optical signal detected by the first photodetector 40 or the magnitude change of the terahertz optical signal detected by the second photodetector 60. Alternatively, the presence or absence of a defect in the multi-junction semiconductor M may be determined using the time delay.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는 투과 방식 또는 반사 방식으로 다중 접합 반도체(S)에 대한 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 것이 가능해진다.Therefore, in the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor according to the preferred embodiment of the present invention, it is possible to grasp the presence or absence of a defect and the position of the defect with respect to the multi-junction semiconductor S in a transmission method or a reflection method.
또한, 영상 신호 분석부(80)에서 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 상세 과정은 이하 도 10 내지 도 13를 참조하여 상세하게 설명하도록 한다.In addition, a detailed process of identifying the presence or absence of a defect of the multi-junction semiconductor M and the position of the defect in the image signal analyzer 80 will be described in detail with reference to FIGS. 10 to 13.
또한, 영상 신호 분석부(80)는 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 디스플레이(D)로 전송하여 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 사용하는 사용자가 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 직접 확인할 수 있도록 하거나 또는 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치에 대한 파악 결과를 별도의 처리 시스템(S)으로 전송하여 처리 시스템(S)이 결함이 있는 것으로 판단된 다중 접합 반도체(M)를 분리 또는 선별 처리하거나 또는 다중 접합 반도체(S)의 제조 공정을 최적화하도록 할 수 있다.In addition, the image signal analyzer 80 transmits the image signal for the multi-junction semiconductor M to the display D, so that a user who uses a defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor M has defects of the multi-junction semiconductor M and The processing system S may be defective by allowing the location of the defect to be directly confirmed or by transmitting a result of identifying the presence or absence of a defect in the multi-junction semiconductor M and the location of the defect to a separate processing system S. The determined multi-junction semiconductor M may be separated or screened, or the manufacturing process of the multi-junction semiconductor S may be optimized.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 다른 참고도이다. 도 9를 참조하면, 도 8에 도시된 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 비해, 평행광 조사부(20), 광 분배부(50) 및 제2 광검출부(60)가 생략된 것을 알 수 있다. 이에 따라, 슬릿 안테나 프로브(15)로부터 방출되는 테라헤르츠 광은 다중 접합 반도체(M)를 투과하여 제1 광검출부(40)에 의해 검출될 수 있다. 구현예에 따라서는, 제 1 광검출부(40)는 다중 접합 반도체(M)의 상부에 위치하여 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광을 검출할 수도 있고, 슬릿 안테나 프로브(15)와 연결된 커플러(미도시)를 통해 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되어 슬릿 안테나 프로브(15)로 전달되는 테라헤르츠 광을 검출할 수도 있다.9 is another reference diagram of a defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, it can be seen that the parallel light irradiation unit 20, the light distribution unit 50, and the second light detection unit 60 are omitted in comparison with the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor shown in FIG. 8. Accordingly, the terahertz light emitted from the slit antenna probe 15 may pass through the multiple junction semiconductor M and be detected by the first photodetector 40. In some embodiments, the first photodetector 40 may be positioned above the multi-junction semiconductor M to detect terahertz light reflected from the multi-junction semiconductor M. The terahertz light reflected from the multi-junction semiconductor M through the connected coupler (not shown) and transmitted to the slit antenna probe 15 may be detected.
도 10은 도 8의 제1 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도, 도 11은 도 8의 제2 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도, 및 도 12는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호의 참고도이다.FIG. 10 is a reference diagram of the terahertz optical signal detected by the first photodetector of FIG. 8, FIG. 11 is a reference diagram of the terahertz optical signal detected by the second photodetector of FIG. 8, and FIG. A reference diagram of an image signal for a multi-junction semiconductor generated by the image signal generator of FIG.
먼저, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 다중 접합 반도체(M)를 투과하는 테라헤르츠 광 신호의 경우 다중 접합 반도체(M)를 구성하는 복수 개의 매질(A1, A2, A3)에 포함된 적어도 하나 이상의 결함(A2')에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생하게 된다.First, in the case of the terahertz optical signal passing through the multi-junction semiconductor M, as shown in FIG. 10A, the plurality of media A1, A2, and A3 constituting the multi-junction semiconductor M are included. At least one defect A2 'causes attenuation or time delay.
따라서, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이 제1 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하게 되면 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 있는 경우(W/ void)의 전기적 신호는 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 없는 경우(W/O void)의 전기적 신호와 비교 시에 감쇠 또는 시간 지연(Δt1)이 발생하는 것을 확인할 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 10B, when the terahertz optical signal detected by the first photodetector 40 is converted into an electrical signal having a waveform over time, the multi-junction semiconductor M may be defective. It can be seen that the attenuation or time delay Δt1 occurs when the electrical signal in the case (W / void) is compared with the electrical signal in the case where there is no defect in the multi-junction semiconductor M (W / O void).
따라서, 영상 신호 분석부(80)는 제1 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무를 파악하는 것이 가능해진다.Accordingly, the image signal analyzer 80 may determine whether the multi-junction semiconductor M is defective by using the terahertz optical signal detected by the first photodetector 40.
다음으로, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이 다중 접합 반도체(M)에서 반사되는 테라헤르츠 광 신호의 경우 다중 접합 반도체(M)에 포함된 복수 개의 경계면(L1, L2, L3, L4) 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면(L2, L3)에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생하게 된다.Next, in the case of the terahertz optical signal reflected by the multi-junction semiconductor M, as shown in FIG. 11A, a plurality of boundary surfaces L1, L2, L3, and L4 included in the multi-junction semiconductor M are next. A change in size or a time delay occurs according to a difference in refractive indexes caused by at least one interface L2 and L3 including a defect.
따라서, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 광검출부(50)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하게 되면 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 있는 경우(W/ void)의 전기적 신호는 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 없는 경우(W/O void)의 전기적 신호와 비교 시에 크기 변화 또는 시간 지연(Δt)이 발생하는 것을 확인할 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 11B, when the terahertz light signal detected by the second photodetector 50 is converted into an electrical signal having a waveform over time, the multi-junction semiconductor M may be defective. It can be seen that the electrical signal in the case (W / void) has a magnitude change or a time delay Δt in comparison with the electrical signal in the case where there is no defect in the multi-junction semiconductor M (W / O void).
따라서, 영상 신호 분석부(80)는 제2 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무를 파악하는 것이 가능해진다.Accordingly, the image signal analyzer 80 may determine whether the multi-junction semiconductor M is defective by using the terahertz optical signal detected by the second photodetector 40.
또한, 도 12에 도시된 바와 같이 영상 신호 생성부(70)는 다중 접합 반도체(M)의 복수 개의 영역(P1, P2, P3, P4)별로 생성되는 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 주파수 영역의 신호로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 또는 위상을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성할 수 있으며, 영상 신호 분석부(80)는 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 분석(예를 들어 상기 영상 신호의 명암비를 분석함)하여 다중 접합 반도체(M) 내부의 결함 위치를 파악하는 것이 가능해진다.In addition, as illustrated in FIG. 12, the image signal generator 70 may generate an electrical signal having a waveform according to time generated for each of the plurality of regions P1, P2, P3, and P4 of the multi-junction semiconductor M in the frequency domain. After converting the signal to the signal of the multi-junction semiconductor (M) can be generated using the magnitude or phase of the signal converted to the frequency domain, the image signal analyzer 80 is a multi-junction semiconductor (M) By analyzing the video signal with respect to (e.g., analyzing the contrast ratio of the video signal), it becomes possible to determine the defect position inside the multi-junction semiconductor (M).
도 13은 도 8의 영상 신호 생성부에 수집되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고 그래프, 도 14는 종래 방식에 의한 다중 접합 반도체 영상과 본 발명에 의한 다중 접합 반도체 영상의 비교도, 및 도 15는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상의 비교도 이다.FIG. 13 is a reference graph of a terahertz optical signal collected in the image signal generator of FIG. 8, FIG. 14 is a comparison diagram of a multi-junction semiconductor image according to the conventional method, and a multi-junction semiconductor image according to the present invention, and FIG. 15 is FIG. 8 is a comparison diagram of images of multiple junction semiconductors generated by the image signal generator of FIG. 8.
도 13에 도시된 바와 같이 제1 광 검출부(40)에서 검출되거나 또는 제2 광 검출부(40)에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호를 전기적 신호로 변환하게 되면 시간에 따른 파형을 갖는 신호가 생성되며, 도 14에 도시된 바와 같이 도 7의 (a)에서와 같이 초음파를 이용하는 방식으로 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상(도 14의 (a))과 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 이용하여 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상(도 14의 (b))를 비교해보면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 이용하여 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상의 경우 다중 접합 반도체의 구조를 보다 분명하게 확인하는 것이 가능해진다.As shown in FIG. 13, when the terahertz light signal detected by the first light detector 40 or the second light detector 40 is converted into an electrical signal, a signal having a waveform over time is generated. As shown in FIG. 14, an image of a multi-junction semiconductor (FIG. 14A) generated by using ultrasonic waves as shown in FIG. 7A and a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention is illustrated. Comparing the image (FIG. 14B) of the multi-junction semiconductor generated using the defect inspection apparatus, the multi-junction semiconductor generated using the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor according to the preferred embodiment of the present invention may be compared. In the case of an image, it becomes possible to more clearly identify the structure of a multi-junction semiconductor.
또한, 도 15에 도시된 바와 같이 영상 신호 생성부(70)는 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기를 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성하거나 (도 15의 (a)) 또는 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 위상을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성할 수 있고(도 15의 (b)), 영상 신호 분석부(80)는 상기 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 분석하여 다중 접합 반도체(M) 내부에 생성된 결함의 위치를 파악할 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 15, the image signal generator 70 may generate an image signal for the multi-junction semiconductor M using the magnitude of the signal converted into the frequency domain (FIG. 15A). Alternatively, the image signal for the multi-junction semiconductor M may be generated using the phase of the signal converted into the frequency domain (FIG. 15B), and the image signal analyzer 80 generates the multi-junction. By analyzing the image signal for the semiconductor (M) it is possible to determine the location of the defect generated in the multi-junction semiconductor (M).
도 16 내지 도 21은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예들에 따른 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.16 to 21 are reference diagrams for a defect inspection apparatus of a bonded semiconductor device according to still another preferred embodiment of the present invention.
먼저, 도 16에 도시된 바와 같이 평행광 조사부(20)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 표면에 적어도 하나 이상의 핀홀(92)이 형성되는 필터부(90)를 배치하여 좁은 영역에 대한 세밀한 검사를 수행할 수 있다. 또는 도 17(a)에 도시된 바와 같이, 광원(10) 및 슬릿 안테나 프로브(15)를 통해 다중 접합 반도체(M)로 직접 테라헤르츠 광을 발생시키고, 다중 접합 반도체(M)의 하부에 위치하는 제1 광 검출부(40)를 통해 다중 접합 반도체(M)를 투과하는 테라헤르츠 광을 검출할 수 있다. 또한, 도 17(b)에 도시된 바와 같이, 제1 광검출부(40)를 다중 접합 반도체(M)의 상부에 위치시키고, 제1 광검출부(40)를 통해 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광을 검출할 수 있으며, 도 17(c)에 도시된 바와 같이, 슬릿 안테나 프로브(15)와 연결된 커플러(16)를 이용하여 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광을 검출할 수도 있다.First, as shown in FIG. 16, the filter unit 90 having at least one pinhole 92 formed on a surface thereof is disposed between the parallel light irradiation unit 20 and the multi-junction semiconductor M to examine a narrow area. Can be performed. Alternatively, as shown in FIG. 17A, terahertz light is generated directly to the multi-junction semiconductor M through the light source 10 and the slit antenna probe 15, and is located below the multi-junction semiconductor M. FIG. The terahertz light passing through the multi-junction semiconductor M may be detected through the first light detector 40. In addition, as shown in FIG. 17B, the first photodetector 40 is positioned on the multijunction semiconductor M, and is reflected from the multijunction semiconductor M through the first photodetector 40. The terahertz light can be detected, and as shown in FIG. 17C, the terahertz light reflected from the multi-junction semiconductor M is detected using the coupler 16 connected to the slit antenna probe 15. You may.
또한, 도 18에 도시된 바와 같이 복수 개의 광 집속부(30)가 어레이 형태(A)로 다중 접합 반도체(M)의 상부 또는 하부에 배치되도록 구성하여 넓은 면적을 갖는 다중 접합 반도체(M)의 결함 검사 속도를 향상시키거나(도 18의 (a)) 또는 다수의 다중 접합 반도체(M)에 대한 결함 검사를 동시에 수행(도 18의 (b))하는 것이 가능해진다. 도 19(a)와 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 도 18(a)와 도 18(b)에 도시된 복수 개의 광 집속부(30)를 제외하고, 어레이 형태의 광원(10)과 슬릿 안테나 프로브(15)를 배치하는 것도 가능하다. 구현예에 따라서는, 어레이 형태의 광원(10)과 슬릿 안테나 프로브(15) 및 어레이 형태의 복수 개의 광 집속부(30)를 함께 배치하는 것도 가능하다.In addition, as illustrated in FIG. 18, the plurality of light focusing units 30 are arranged in an array form A so as to be disposed above or below the multi-junction semiconductor M, so that the multi-junction semiconductor M has a large area. It is possible to improve the defect inspection speed (FIG. 18 (a)) or to perform defect inspection on a plurality of multi-junction semiconductors M at the same time (FIG. 18B). As shown in FIGS. 19A and 19B, except for the plurality of light concentrators 30 shown in FIGS. 18A and 18B, the light sources 10 in the form of an array are provided. It is also possible to arrange the slit antenna probe 15. According to the embodiment, it is also possible to arrange the light source 10 in the form of an array, the slit antenna probe 15 and the plurality of light focusing portions 30 in the form of an array together.
또한, 도 20에 도시된 바와 같이 다중 접합 반도체(M)의 제조 단계별로 본 발명의 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 적용하여 공정 플로우(flow) 상에서 결함 유무를 실시간으로 파악하는 것이 가능하며, 특히 테라헤르츠파의 경우 플라스틱에 대한 투과성이 우수하므로 다중 접합 반도체(M)의 플라스틱 재질을 갖는 몰딩(m) 내부의 결함(v)에 유무에 대한 검사 또한 가능해진다. 도 21에 도시된 바와 같이, 도 20에 도시된 복수 개의 광 집속부(30)를 제외하고, 제조 단계별로 광원(10)과 슬릿 안테나 프로브(15)를 배치하는 것도 가능하다.In addition, as shown in FIG. 20, the defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor of the present invention may be applied to manufacturing steps of the multi-junction semiconductor M to determine whether there is a defect in a process flow in real time. In the case of terahertz wave, since the permeability to plastic is excellent, the inspection of the presence or absence of defects v in the molding m having the plastic material of the multi-junction semiconductor M is also possible. As shown in FIG. 21, except for the plurality of light concentrators 30 shown in FIG. 20, it is also possible to arrange the light source 10 and the slit antenna probe 15 in the manufacturing stage.
도 22는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도 이다.22 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention.
도 22에 도시된 바와 같이 S10에서 광원(10)이 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.As shown in FIG. 22, in S10, the light source 10 generates terahertz light and emits the light toward the multi-junction semiconductor M disposed below.
이때, S10에 이어서 슬릿 안테나 프로브(15)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 배치된 평행광 조사부(20)가 상기 테라헤르츠 광을 다중 접합 반도체(M) 측으로 균일하게 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.At this time, following the step S10 further comprises the step of uniformly irradiating the terahertz light to the multi-junction semiconductor (M) by the parallel light irradiation unit 20 disposed between the slit antenna probe 15 and the multi-junction semiconductor (M). Can be.
S20에서 광 집속부(30)가 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광을 집속한다.In S20, the light focusing unit 30 focuses the terahertz light passing through the multi-junction semiconductor M.
S30에서 제1 광 검출부(40)가 S20에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출한다.In S30, the first light detector 40 detects the terahertz light focused in S20.
이때, S30에 이어서 영상 신호 생성부(80)가 S30에서 검출된 테라헤르츠 광을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In this case, after S30, the image signal generator 80 may further include generating an image signal for the multi-junction semiconductor M using the terahertz light detected in S30.
S40에서 영상 신호 분석부(80)가 S30에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하면 종료가 이루어진다.The defect of the multi-junction semiconductor M is determined by the image signal analyzer 80 at S40 using the terahertz optical signal detected at S30 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated at the image signal generator 80. Once the presence and defect location are known, the termination is completed.
이때, 영상 신호 분석부(80)가 S30에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하는 상세 과정은 도 10과 도 12를 참조하여 설명한 바 있으므로 생략하도록 한다.At this time, the image signal analyzer 80 uses the terahertz optical signal detected at S30 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated by the image signal generator 80 to defect the multi-junction semiconductor M. FIG. The detailed process of determining the presence and defect location has been described with reference to FIGS. 10 and 12 and will be omitted.
도 23은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도 이다.23 is a flowchart illustrating a defect inspection method of a multi-junction semiconductor according to still another preferred embodiment of the present invention.
도 23에 도시된 바와 같이 S110에서 광원(10)이 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.As shown in FIG. 23, in S110, the light source 10 generates terahertz light and irradiates toward the multi-junction semiconductor M disposed below.
이때, S110에 이어서 슬릿 안테나 프로브(15)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 배치된 평행광 조사부(20)가 상기 테라헤르츠 광을 다중 접합 반도체(M) 측으로 균일하게 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.At this time, subsequent to S110, the parallel light irradiation unit 20 disposed between the slit antenna probe 15 and the multi-junction semiconductor M may further include uniformly irradiating the terahertz light to the multi-junction semiconductor M side. Can be.
S120에서 광 분배부(50)가 다중 접합 반도체(M)로부터 반사된 후 평행광 조사부(20)를 통과한 테라헤르츠 광을 분배한다.In S120, after the light distribution unit 50 is reflected from the multi-junction semiconductor M, the terahertz light passing through the parallel light irradiation unit 20 is distributed.
S130에서 제2 광 검출부(60)가 S120에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출한다.In S130, the second light detector 60 detects the terahertz light distributed in S120.
이때, S130에 이어서 영상 신호 생성부(80)가 S130에서 검출된 테라헤르츠 광을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.At this time, subsequent to S130, the image signal generator 80 may further include generating an image signal for the multi-junction semiconductor M using the terahertz light detected in S130.
S140에서 영상 신호 분석부(80)가 S130에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하면 종료가 이루어진다.The defect of the multi-junction semiconductor M is determined by the image signal analyzer 80 at S140 using the terahertz optical signal detected at S130 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated at the image signal generator 80. If the presence and location of the defect is known, the termination is made.
이때, 영상 신호 분석부(80)가 S130에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하는 상세 과정은 도 11과 도 12를 참조하여 설명한 바 있으므로 생략하도록 한다.In this case, the image signal analyzer 80 may detect the defects of the multi-junction semiconductor M using the terahertz optical signal detected in S130 and the image signal for the multi-junction semiconductor M generated by the image signal generator 80. Detailed processes for determining the presence and absence of defects have been described with reference to FIGS. 11 and 12 and thus will be omitted.
본 발명의 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 광원(10)에서 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한 후 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광 신호 또는 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광 신호를 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)가 검출한 후 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하게 되면 영상 신호 생성부(70)가 이를 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성한다.In the defect inspection apparatus and method of the multi-junction semiconductor of the present invention, the terahertz light signal transmitted through the multi-junction semiconductor M after generating terahertz light from the light source 10 and irradiating it to the side of the multi-junction semiconductor M disposed below. Alternatively, when the terahertz optical signal reflected from the multi-junction semiconductor M is detected by the first photodetector 40 or the second photodetector 60 and converted into an electrical signal having a waveform over time, the image signal generator The 70 generates an image signal for the multi-junction semiconductor M using this.
또한, 영상 신호 분석부(80)가 상기 변환된 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호 및 상기 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함의 위치를 파악할 수 있다.In addition, the image signal analyzer 80 detects the presence or absence of defects and defects of the multi-junction semiconductor M by using an electrical signal having a waveform according to the converted time and an image signal for the generated multi-junction semiconductor M. I can figure out the location.
따라서, 투과 및 반사 성질을 모두 이용하여 다중 접합 반도체(M)를 검사할 수 있으므로 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치에 대한 파악이 용이한 효과를 갖는다.Therefore, since the multi-junction semiconductor M can be inspected using both transmission and reflection properties, it is easy to grasp the presence or absence of a defect and the location of the defect of the multi-junction semiconductor M.
또한, 테라헤르츠파를 이용하여 다중 접합 반도체에 대한 결함 검사를 수행하므로 수중 검사가 불필요하여 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 전수 검사가 가능함과 동시에 공기에 대한 투과가 가능하므로 결함 이후에 대한 검사 또한 가능한 효과를 갖는다.In addition, defect inspection on multi-junction semiconductors is performed using terahertz waves so that underwater inspection is not necessary, so that full inspection of multi-junction semiconductors is possible in real time, while permeation to air is possible, so inspection after defects is also possible. Has an effect.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

Claims (14)

  1. 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서,In the defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor,
    테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원;A light source for generating terahertz light and irradiating the multi-junction semiconductor side disposed below;
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브;A slit antenna probe emitting terahertz light generated from the light source to the multi-junction semiconductor side disposed below;
    상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되어 상기 광원으로부터 조사되는 테라헤르츠 광을 균일하게 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 평행광 조사부;A parallel light irradiator disposed between the slit antenna probe and the multi-junction semiconductor to uniformly irradiate terahertz light emitted from the light source to the multi-junction semiconductor side;
    상기 다중 접합 반도체 하부에 배치되어 상기 다중 접합 반도체를 투과한 테라헤르츠 광을 집속하는 광 집속부;An optical focusing unit disposed under the multi-junction semiconductor to focus terahertz light passing through the multi-junction semiconductor;
    상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 평행광 조사부 사이에 배치되어 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 후 상기 평행광 조사부를 통과하는 테라헤르츠 광을 분배하는 광분배부;A light distribution unit disposed between the slit antenna probe and the parallel light irradiation unit to distribute terahertz light passing through the parallel light irradiation unit after being reflected from the multi-junction semiconductor;
    상기 광 집속부에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출하는 제1 광검출부;A first light detector detecting the terahertz light focused at the light focusing unit;
    상기 광분배부에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출하는 제2 광검출부;A second light detector for detecting terahertz light distributed by the light distributor;
    상기 제1 광검출부 또는 상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및An image signal generator configured to collect terahertz optical signals detected by the first photodetector or the second photodetector to generate an image signal for the multi-junction semiconductor; And
    상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하고,An image signal analyzer configured to analyze the generated image signal to determine whether a defect exists in the multi-junction semiconductor and a position of the defect;
    상기 제1 광검출부 및 상기 제2 광검출부는 복수 개가 1차원 형태로 배열되거나 또는 복수 개가 2차원 형태로 배열되며, 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 생성하고,The first photodetector and the second photodetector are arranged in a one-dimensional form or in a plurality of two-dimensional form, and generate an electrical signal having a waveform with time for each of the regions of the multi-junction semiconductor. ,
    상기 영상 신호 생성부는 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 생성되는 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 주파수 영역의 신호로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 또는 위상을 이용하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하며, The image signal generation unit converts an electrical signal having a waveform according to time generated for each of a plurality of regions of the multi-junction semiconductor into a signal of a frequency domain, and then uses the magnitude or phase of the signal converted into the frequency domain. Generates a video signal for the semiconductor,
    상기 영상 신호 분석부는 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하되,The image signal analysis unit analyzes the generated image signal to determine whether there is a defect and a defect position of the multi-junction semiconductor,
    상기 슬릿 안테나 프로브는, The slit antenna probe,
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및A guiding unit for guiding terahertz light generated from the light source; And
    상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고,It includes a slit penetrating between the guiding unit and the outer space of the slit antenna probe,
    상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.And the reflection reducing structure is formed in the slit to reduce the degree of reflection of terahertz light passing through the slit through the guiding portion.
  2. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 반사 감소 구조는,The reflection reduction structure,
    상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지도록 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.A defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor, characterized in that the width length is gradually reduced from the guiding portion side to the external space side.
  3. 제2항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 반사 감소 구조는,The reflection reduction structure,
    라운드(round) 형 또는 챔퍼(chamfer) 형을 갖는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.A defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor, characterized in that it has a round type or a chamfer type.
  4. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 슬릿은,The slit is,
    상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간 측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지다가, 소정 지점부터 폭 길이가 일정하게 유지되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.And a width length gradually decreases from the guiding portion side to the outer space side, and has a shape in which the width length is kept constant from a predetermined point.
  5. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에는,In one end surface of the slit antenna probe,
    상기 테라헤르츠 광의 방사 프로파일(profile)을 조절하기 위한 패턴 조절 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.And a pattern adjusting structure for adjusting the emission profile of the terahertz light.
  6. 제5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 패턴 조절 구조는,The pattern control structure,
    상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에 형성된 홈 및 돌출부 중 적어도 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.And a groove and a protrusion formed in one end surface of the slit antenna probe.
  7. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 슬릿은, 복수 개이며, There are a plurality of slits,
    상기 반사 감소 구조는, 상기 복수 개의 슬릿 각각에 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.The reflection reduction structure is formed in each of the plurality of slits.
  8. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는,The defect inspection apparatus of the multi-junction semiconductor,
    상기 평행광 조사부와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되며 표면에 적어도 하나 이상의 핀홀이 형성되는 필터부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.And a filter unit disposed between the parallel light irradiation unit and the multi-junction semiconductor and having at least one pinhole formed on a surface thereof.
  9. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 평행광 조사부 또는 상기 광 집속부는 복수 개가 어레이 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.The parallel light irradiation unit or the light focusing unit is a defect inspection apparatus of a plurality of junction semiconductors, characterized in that arranged in an array form.
  10. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제1 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 적어도 하나 이상의 결함에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생한 신호이고,The terahertz optical signal detected by the first photodetector is a signal in which attenuation or time delay occurs due to at least one or more defects included in the multi-junction semiconductor,
    상기 영상 신호 분석부는 상기 감쇠 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.The image signal analyzer detects the presence or absence of a defect and the location of the defect using the attenuation or the time delay.
  11. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 복수 개의 경계면 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생한 신호이고,The terahertz optical signal detected by the second photodetector is a signal in which a size change or a time delay occurs according to a difference in refractive index caused by at least one interface including a defect among a plurality of interfaces included in the multi-junction semiconductor,
    상기 영상 신호 분석부는 상기 크기 변화 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.And the image signal analyzer detects the presence or absence of the defect and the position of the defect using the size change or the time delay.
  12. 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서,In the defect inspection apparatus of a multi-junction semiconductor,
    테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원;A light source for generating terahertz light and irradiating the multi-junction semiconductor side disposed below;
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브;A slit antenna probe emitting terahertz light generated from the light source to the multi-junction semiconductor side disposed below;
    상기 다중 접합 반도체를 투과하거나 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 테라헤르츠 광을 검출하는 광 검출부;A light detector for detecting terahertz light transmitted through or reflected from the multi-junction semiconductor;
    상기 광 검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및An image signal generator for collecting terahertz optical signals detected by the optical detector to generate an image signal for the multi-junction semiconductor; And
    상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하되, Including the image signal analysis unit for analyzing the generated image signal to determine the presence or absence of the defect and the location of the defect, the multi-junction semiconductor,
    상기 슬릿 안테나 프로브는, The slit antenna probe,
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및A guiding unit for guiding terahertz light generated from the light source; And
    상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고,It includes a slit penetrating between the guiding unit and the outer space of the slit antenna probe,
    상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.And the reflection reducing structure is formed in the slit to reduce the degree of reflection of terahertz light passing through the slit through the guiding portion.
  13. 제12항에 있어서, The method of claim 12,
    상기 슬릿 안테나 프로브는,The slit antenna probe,
    복수 개가 어레이 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.A defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor, characterized in that a plurality are arranged in an array form.
  14. 제13항에 있어서,The method of claim 13,
    상기 광 집속부는,The light focusing unit,
    복수 개가 어레이 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.A defect inspection apparatus for a multi-junction semiconductor, characterized in that a plurality are arranged in an array form.
PCT/KR2015/001993 2015-03-02 2015-03-02 Slit antenna probe, and apparatus and method for inspecting defects of multi-junction semiconductor using same WO2016140377A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2015/001993 WO2016140377A1 (en) 2015-03-02 2015-03-02 Slit antenna probe, and apparatus and method for inspecting defects of multi-junction semiconductor using same
KR1020177021720A KR102274264B1 (en) 2015-03-02 2015-03-02 Slit antenna probe and defect inspection apparatus and method for multi-junction semiconductor using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2015/001993 WO2016140377A1 (en) 2015-03-02 2015-03-02 Slit antenna probe, and apparatus and method for inspecting defects of multi-junction semiconductor using same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016140377A1 true WO2016140377A1 (en) 2016-09-09

Family

ID=56848235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/001993 WO2016140377A1 (en) 2015-03-02 2015-03-02 Slit antenna probe, and apparatus and method for inspecting defects of multi-junction semiconductor using same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102274264B1 (en)
WO (1) WO2016140377A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114096863A (en) * 2019-07-10 2022-02-25 浜松光子学株式会社 Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100002492A (en) * 2008-06-30 2010-01-07 관동대학교산학협력단 Waveguide slot array antenna and planar slot array antenna
US20100134370A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Probe and antenna using waveguide
US20120268153A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Nickel Joshua G Non-contact test system
KR20130005748A (en) * 2011-07-07 2013-01-16 한국전기연구원 Apparatus and method for inspecting void of multi-junction semiconductor
KR20140066875A (en) * 2012-11-23 2014-06-03 한국전기연구원 Terahertz real-time detection and imaging system for nondestructive testing based on high power terahertz radiation source

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5406194A (en) * 1992-09-21 1995-04-11 At&T Corp. Alx Ga1-x as probe for use in electro-optic sampling
KR20150004146A (en) * 2013-07-02 2015-01-12 엘아이지에이디피 주식회사 Detecting apparatus using terahertz

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100002492A (en) * 2008-06-30 2010-01-07 관동대학교산학협력단 Waveguide slot array antenna and planar slot array antenna
US20100134370A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Probe and antenna using waveguide
US20120268153A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Nickel Joshua G Non-contact test system
KR20130005748A (en) * 2011-07-07 2013-01-16 한국전기연구원 Apparatus and method for inspecting void of multi-junction semiconductor
KR20140066875A (en) * 2012-11-23 2014-06-03 한국전기연구원 Terahertz real-time detection and imaging system for nondestructive testing based on high power terahertz radiation source

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114096863A (en) * 2019-07-10 2022-02-25 浜松光子学株式会社 Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus
EP3998476A4 (en) * 2019-07-10 2023-08-09 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device
US11967061B2 (en) 2019-07-10 2024-04-23 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor apparatus examination method and semiconductor apparatus examination apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102274264B1 (en) 2021-07-07
KR20170139496A (en) 2017-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7373527B2 (en) Workpiece defect detection device and method
WO2014084574A1 (en) Device and method for analyzing defects by using heat distribution measurement
JPH1090174A (en) Method and apparatus for inspection of product
WO2018117440A1 (en) Defect investigation device simultaneously detecting photoluminescence and scattered light
WO1993022663A1 (en) Contactless testing of electronic materials and devices using microwave radiation
JPS60154224A (en) Thermal wave microscope
JP2011504595A (en) Fluorescent biochip diagnostic device
JP2010261716A (en) Electromagnetic field measurement device
US7326929B2 (en) Method and apparatus for inspection of semiconductor devices
US20070216907A1 (en) Jewelry inner structure detecting method and apparatus thereof
KR101264099B1 (en) Apparatus and method for inspecting void of multi-junction semiconductor
CN111326433A (en) Semiconductor detection device and detection method
WO2015126111A1 (en) Apparatus and method for testing conductivity of graphene
US8023110B1 (en) Priori crack detection in solar photovoltaic wafers by detecting bending at edges of wafers
WO2016140377A1 (en) Slit antenna probe, and apparatus and method for inspecting defects of multi-junction semiconductor using same
TWI798614B (en) Combined ocd and photoreflectance apparatus, system and method
WO2013129755A1 (en) Spectroscopic inspection device
KR20040105831A (en) Imaging method and apparatus
JP3746433B2 (en) Glass product manufacturing method and manufacturing apparatus
US5880825A (en) Method and apparatus for detecting defects in an optical fiber
JP2008016778A (en) Semiconductor testing device and testing method
JPH08222043A (en) Method and device for inspecting flat cable
JP5333150B2 (en) Electrostatic analysis method and electrostatic analysis apparatus
JPH02183147A (en) Fine foreign matter inspecting device
WO2020050488A1 (en) Apparatus for analyzing blood cell and method for analyzing blood cell by using same

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15884043

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20177021720

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15884043

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1