WO2016136264A1

WO2016136264A1 - 透明電極付き基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び透明電極付き基板

Info

Publication number: WO2016136264A1
Application number: PCT/JP2016/001020
Authority: WO
Inventors: 西森　泰輔; 哲夫石田; 井出　伸弘; 浩史久保田; 和幸山江; 英喜丸中; 純平松崎; 真吾寳角; 長谷川　和也; 真奥村
Original assignee: パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority date: 2015-02-26
Filing date: 2016-02-25
Publication date: 2016-09-01

Abstract

　透明電極付き基板の製造方法は、次の工程を含む。透明基板１１を準備する工程（Ｓ１）。透明基板１１に支持される低屈折率層１３を形成する工程（Ｓ４～Ｓ６）。透明基板１１と低屈折率層１３とを備える積層体を水処理する工程（Ｓ８）。低屈折率層１３の上に高屈折率層１４を形成する工程（Ｓ９～Ｓ１１）。透明基板１１と低屈折率層１３と高屈折率層１４とを備える積層体を水処理する工程（Ｓ１７）。透明基板１１と低屈折率層１３と高屈折率層１４とを備える積層体を加熱する工程（Ｓ１９）。高屈折率層１４の上に透明電極１５を形成する工程（Ｓ２１）。以上により、透明電極付き基板１０が製造される。

Description

透明電極付き基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び透明電極付き基板

　透明電極付き基板の製造方法が開示される。有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が開示される。透明電極付き基板が開示される。より詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子の材料として有用な透明電極付き基板の製造方法が開示される。

　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」ともいう）が知られている。有機ＥＬ素子は、面状の発光体として有用である。有機ＥＬ素子は、基板と、一対の電極と、有機層とを備えている。一対の電極と有機層とは、基板に支持される。有機層は、発光材料を含有する。一対の電極の間で電圧が印加されることによって、有機層の内部で発光が生じる。発光により生じた光は外部に取り出される。基板を介して光が取り出される構造は、ボトムエミッション構造と呼ばれる。ボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子では、光は、透明な基板及び透明な電極を通して外部に取り出される。

　ボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子の製造に際して、あらかじめ、透明電極を付属した基板（透明電極付き基板）が作製されることがある。透明電極付き基板を用いることで、有機ＥＬ素子を容易に製造することができる。例えば、日本国特許公開第２０１１－４４２９６号では、電極付き基板が開示されている。

　透明電極付き基板は、透明基板と透明電極とを備えている。透明電極付き基板は、光取り出し効率向上のために、透明基板と透明電極との間に光取り出し層を備える場合がある。透明電極付き基板においては、その内部に形成された層の剥がれを防止するために密着性が高いこと、有機層を均一に積層できること、有機層に基板に起因する不純物が滲出して有機層が劣化しないことなど、が重要である。特に、有機層は水分やイオン性不純物で容易に劣化する。このため、水分やイオン性不純物が有機層に侵入しない透明電極付き基板とすることが重要である。また、有機層は、塵や埃といった数μｍ以下のサイズの異物によって電気的にショートするため、基板の製造工程で中に塵や埃が混入しないことが重要である。

　本開示の目的は、有機層の劣化を抑制する透明電極付き基板の製造方法を提供することにある。本開示の目的は、有機層の劣化を抑制する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。本開示の目的は、有機層の劣化を抑制する透明電極付き基板を提供することにある。

　透明電極付き基板の製造方法が以下に開示される。透明電極付き基板の製造方法は、
　透明基板を準備する工程と、
　前記透明基板に支持される低屈折率層を形成する工程と、
　前記低屈折率層を形成する工程の後に、前記透明基板と前記低屈折率層とを備える積層体を水処理する第１の水処理工程と、
　前記低屈折率層の上に高屈折率層を形成する工程と、
　前記高屈折率層を形成する工程の後に、前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層とを備える積層体を水処理する第２の水処理工程と、
　前記第２の水処理工程の後に、前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層とを備える積層体を加熱する工程と、
　前記高屈折率層の上に透明電極を形成する工程と、を含む。

　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が以下に開示される。有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、
　上記の方法で製造された透明電極付き基板を準備する工程と、
　前記透明電極付き基板を真空状態で加熱する工程と、
真空状態を継続し、前記透明電極付き基板の前記透明電極を含む領域に、有機層及び対電極を形成する工程と、を含む。

　透明電極付き基板が以下に開示される。透明電極付き基板は、上記の方法で得られ、透明基板と、低屈折率層と、高屈折率層と、透明電極とを備える。

　本開示の透明電極付き基板の製造方法は、有機層の劣化を抑制する。本開示の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、有機層の劣化を抑制する。本開示の透明電極付き基板は、有機層の劣化を抑制する。本開示により、発光が良好で、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。

透明電極付き基板の製造方法の一例を示すフローである。図２Ａ～図２Ｈは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図２Ａ～図２Ｈは、各工程を示す。図３Ａ～図３Ｄは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図３Ａ～図３Ｄは、各工程を示す。図３Ａは図２Ｈの続きである。図４Ａ～図４Ｄは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な斜視図である。図４Ａは、透明基板を示す。図４Ｂは、洗浄の一例を示す。図４Ｃは、プラズマ照射の一例を示す。図４Ｄは、塗布の一例を示す。吐出の一例を示す模式的な概略図である。図６Ａ～図６Ｃは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な斜視図である。図６Ａは、塗布の一例を示す。図６Ｂは、凹凸形成の一例を示す。図６Ｃは、硬化の一例を示す。水処理の一例を示す模式的な概略図である。図８Ａ及び図８Ｂは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な斜視図である。図８Ａ及び図８Ｂは塗布の一例を示す。図９Ａ～図９Ｃは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な斜視図である。図９Ａは、レーザ加工の一例を示す。図９Ｂは、保護膜の除去の一例を示す。図９Ｃは、パターン化された高屈折率層を備える積層体の一例を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂは、加熱の一例を示す模式的な概略図である。図１０Ａは、基板カセットの一例を示す。図１０Ｂは、加熱する様子の一例を示す。溶剤処理の一例を示す模式的な概略図である。図１２Ａ～図１２Ｃは、溶剤処理を説明する説明図である。図１２Ａは、溶剤処理前の層の模式図を示し、図１２Ｂは、溶剤処理中の層の模式図を示し、図１２Ｃは、溶剤処理後の層の模式図を示す。透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な斜視図である。図１３は、透明電極の形成の一例を示す。透明電極を形成する装置の一例を示す模式的な概略図である。図１５Ａ及び図１５Ｂは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な斜視図である。図１５Ａは、レーザ加工の一例を示す。図１５Ｂは、パターン化された透明電極を備える積層体の一例を示す。透明電極のパターニングの一例を示す模式的な平面図である。電極補助体のパターンの一例を模式的に示す平面図である。透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な斜視図である。図１８は、静電塗布の一例を示す。静電塗布の吐出液の一例である。図２０Ａ及び図２０Ｂは、真空加熱の一例を示す模式的な概略図である。図２０Ａは、加熱の一例を示す。図２０Ｂは、冷却の一例を示す。透明電極付き基板の保管の一例を示す模式的な概略図である。有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示すフローである。図２３Ａ～図２３Ｄは、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図２３Ａ～図２３Ｄは、各工程を示す。

　　［透明電極付き基板の製造方法］
　本開示の透明電極付き基板の製造方法は、次の工程を含む。
・透明基板を準備する工程。この工程は「透明基板準備工程」と定義される。
・透明基板に支持される低屈折率層を形成する工程。この工程は、「低屈折率層形成工程」と定義される。
・低屈折率層を形成する工程の後に、透明基板と低屈折率層とを備える積層体を水処理する工程。この工程は「第１の水処理工程」と定義される。
・低屈折率層の上に高屈折率層を形成する工程。この工程は「高屈折率層形成工程」と定義される。
・高屈折率層を形成する工程の後に、前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層とを備える積層体を水処理する工程。この工程は「第２の水処理工程」と定義される。
・第２の水処理工程の後に、透明基板と低屈折率層と高屈折率層とを備える積層体を加熱する工程。この工程は、「低屈折率層及び高屈折率層加熱工程」と定義される。
・高屈折率層の上に透明電極を形成する工程。この工程は「透明電極形成工程」と定義される。

　図１は、透明電極付き基板の製造方法の一例の詳細なフローである。図１のフローは、上記の工程を含んでいる。図１のフローは、本開示の透明電極付き基板の製造方法を具現化した一例を示している。透明電極付き基板の製造方法は、上記の工程以外の工程が、図１のフローから適宜省略されてもよい。また、透明電極付き基板の製造方法は、図１のフローに記載の工程以外の工程が適宜追加されてもよい。図１において、「Ｓ」は「ステップ（Ｓｔｅｐ）」を意味し、たとえば、「Ｓ１」は「ステップ１」を意味する。以下では、たとえば、「工程Ｓ１」等と表記される。

　上記の「透明基板準備工程」は、図１の「Ｓ１」に対応する。上記の「低屈折率層形成工程」は、図１の「Ｓ４」～「Ｓ６」に対応する。上記の「第１の水処理工程」は、図１の「Ｓ８」に対応する。上記の「高屈折率層形成工程」は、図１の「Ｓ９」～「Ｓ１１」に対応する。上記の「第２の水処理工程」は、図１の「Ｓ１７」に対応する。上記の「低屈折率層及び高屈折率層加熱工程」は、「Ｓ１９」に対応する。上記の「透明電極形成工程」は、図１の「Ｓ２１」に対応する。

　透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、透明基板と低屈折率層と高屈折率層と透明電極とを備える積層体を、真空状態で加熱する工程を含む。この工程は、「真空加熱工程」と定義される。「真空加熱工程」は、図１の「Ｓ２９」に対応する。

　透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、透明基板を準備する工程と前記低屈折率層を形成する工程との間に、密着層を形成する工程を含む。この工程は、「密着層形成工程」と定義される。「密着層形成工程」は、図１の「Ｓ２」に対応する。

　透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、低屈折率層を形成する工程の後、低屈折率層を加熱する工程を含む。低屈折率層の加熱は、図１の「Ｓ７」に対応する。

　透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、高屈折率層を形成する工程の後、低屈折率層と高屈折率層とを加熱する工程を含む。低屈折率層と高屈折率層との加熱は、図１の「Ｓ１２」に対応する。

　透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、高屈折率層を形成する工程の後、レーザ加工により低屈折率層及び高屈折率層の不要部分を除去する工程を含む。この工程は「不要部分除去工程」と定義される。「不要部分除去工程」は、図１の「Ｓ１５」に対応する。

　透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、不要部分除去工程の前に、高屈折率層の上に保護膜を形成する工程を含む。この工程は、「保護膜形成工程」と定義される。「保護膜形成工程」は、図１の「Ｓ１４」に対応する。また、この場合、透明電極付き基板の製造方法は、不要部分除去工程の後、保護膜を除去する工程を含む。この工程は、「保護膜除去工程」と定義される。「保護膜除去工程」は、図１の「Ｓ１６」に対応する。不要部分除去工程は、保護膜が高屈折率層の上にある状態で行われる。

　透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、高屈折率層の上に透明電極を形成する工程の前に、透明基板と低屈折率層と高屈折率層とを備える積層体を、低屈折率層を形成する材料及び高屈折率を形成する材料を溶解可能な溶剤で処理する工程を含む。この工程は、「溶剤処理工程」と定義される。「溶剤処理工程」は、図１の「Ｓ２０」に対応する。

　図２Ａ～図２Ｈ及び図３Ａ～図３Ｄは、透明電極付き基板の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。以下では、図２Ａ～図２Ｈをまとめて図２といい、図３Ａ～図３Ｄをまとめて図３という。図２Ａ～図２Ｈ、及び、図３Ａ～図３Ｄは、各工程を示す。図２及び図３では、透明電極付き基板の構成要素の積層が示されている。

　図２及び図３は、左右の方向に２個分の有機ＥＬ素子を形成するための透明電極付き基板１０（図３Ｄ参照）の製造が示されている。１つの基板から、複数個の有機ＥＬ素子を作製する手法は、多面取りと呼ばれる。多面取りは、製造効率を向上させる。図４Ａ以降の製造方法のうちの斜視図では、主に、縦２個、横２個で計４個分の有機ＥＬ素子が形成されるように透明電極付き基板１０を形成する（たとえば図１５Ｂ参照）。多面取りによって形成される有機ＥＬ素子の個数は、４個に限らず、それ以外の数であってもよい。透明電極付き基板１０の製造では、多面取りではなく、１つの基板から１つの有機ＥＬ素子を形成してもよい。

　図３Ｄに示すように、透明電極付き基板１０は、透明基板１１と、密着層１２と、低屈折率層１３と、高屈折率層１４と、透明電極１５とを備えている。図３Ｄの透明電極付き基板１０は、さらに、電極補助体１６と、絶縁体１７とを備えている。透明電極付き基板１０は、電極補助体１６と絶縁体１７とを備えていなくてもよい。なお、図２Ｆで示すように、透明電極付き基板１０の製造の途中では、保護膜１８が形成される。

　以下、図１のフロー、並びに、図２及び図３の断面図に基づき、図４Ａ以降の図を参照しながら、透明電極付き基板の製造方法を説明する。ここで、図４Ａ以降の図において、符号１は、対象物を示す。説明では、「対象物１」と表記する。対象物とは、特定の処理を行う対象となる物体を意味する。各工程では、対象物に処理を行う。対象物は、透明基板を常に含む。対象物は、透明基板そのもの、又は透明基板と他の構成要素との積層体である。対象物は、面を有する。対象物の面は、積層体の最も外側の層の表面である。

　　［Ｓ１；透明基板の準備］
　工程Ｓ１では、透明基板を準備する。

　図２Ａ及び図４Ａは、透明基板１１を示している。工程Ｓ１の対象物１は、透明基板１１である。工程Ｓ１は、透明基板１１の洗浄を含む。工程Ｓ１は、透明基板１１へのプラズマ照射を含む。

　透明基板１１は、好ましくは、ガラス基板である。本開示の製造方法は、ガラス基板への積層に対して好適である。ただし、透明基板１１は樹脂基板であってもよい。

　工程Ｓ１は、好ましくは、透明基板１１を洗浄する。図４Ｂでは、対象物１の洗浄が示されている。対象物１は、透明基板１１である。

　図４Ｂは、洗浄の一例を示している。対象物１は、２流体によって洗浄される。対象物１は、ロールブラシ４２によって洗浄される。２流体は、２流体供給機４１によって対象物１に供給される。２流体は、ガスと液体の混合体である。２流体が、２流体供給機４１に送り込まれる。２流体の液体は水を含む。２流体の液体は水そのものであってよい。２流体のガスは空気であってよい。２流体供給機４１は、ガスと液体とを対象物１に向けて噴射する。ロールブラシ４２は、回転しながら、対象物１の上を擦る。対象物１は、２流体供給機４１及びロールブラシ４２に対して相対的に移動する。ロールブラシ４２は、円柱状の軸４２ａと、軸４２ａに設けられた多数の毛４２ｂとを備えている。対象物１は、２流体が供給されながら、同時にロールブラシ４２で擦られてもよい。洗浄により、異物が取り除かれる。

　図４Ｃは、プラズマ照射の一例を示している。工程Ｓ１は、好ましくは、対象物１にプラズマを照射する。対象物１は、透明基板１１である（図２Ａ参照）。プラズマ照射機は、洗浄の後、透明基板１１にプラズマを照射する。

　図４Ｃに示すように、プラズマは、プラズマ照射機４３から出される。対象物１は、好ましくは、大気圧プラズマが照射される。プラズマは、対象物１のプラズマ被照射部４３ｐに当たる。プラズマ照射機４３の位置と対象物１との相対的な位置が移動することにより、プラズマは対象物１の表面全体に照射される。プラズマ照射によって、対象物１の上の異物（特に有機物）が効果的に取り除かれる。

　　［Ｓ２；密着層の形成］
　工程Ｓ２では、透明基板と低屈折率層の間の密着力を改善するための密着層を形成する。図２Ｂは、透明基板１１と密着層１２との積層体を示している。密着層１２は、透明基板１１の上に形成される。

　工程Ｓ２は、好ましくは、吐出液の吐出によって密着層１２を形成する。吐出液は、密着層１２の材料である。

　図４Ｄは、吐出の一例を示している。図４Ｄでは、ノズル５１から対象物１に向けて吐出液が吐出している。対象物１は、透明基板１１である（図２Ａ参照）。

　図５は、吐出の具体例を示している。図５は、吐出装置５０の一例を示している。吐出装置５０は、吐出液を対象物１に向けて吐出する。対象物１は、透明基板１１である（図２Ａ参照）。吐出液は、密着層１２の材料である。

　図５の吐出装置５０は、静電スプレー法（ＥＳＤ法）で吐出を行う。吐出装置５０は、ノズル５１と、第１電荷体５２と、第２電荷体５３と、液管５４と、加圧体５５と、電源５６とを備えている。電源５６は、第２電荷体５３に負電荷を与え、第１電荷体５２に正電荷を与える。第２電荷体５３は接地されている。第２電荷体５３と第１電荷体５２との間に電圧差が生じる。対象物１は、保持具５７によって保持される。対象物１の背面（処理されない面）は負電荷を有する第２電荷体５３に接している。加圧体５５は、内部に吐出液を有し、加圧によって液管５４を通して吐出液をノズル５１に流す。これにより、ノズル５１から吐出液が出て、吐出液は対象物１の表面に付着する。このとき、第１電荷体５２によって吐出液は正電荷が与えられるため、吐出液は、第２電荷体５３に向かって効果的に分散しながら対象物１に達する。このため、厚みが良好な層が形成される。吐出液の粘度は、２０～８０ｍＰａ・ｓの範囲が例示される。吐出液の導電率は、１０ｍＳ／ｍ以下が例示される。吐出液の表面張力は、５０ｍＮ／ｍ以下が例示される。吐出液の固形分は、５％以下が例示される。

　図５で示す静電スプレー法は、塗布方法の一例であり、密着層１２の形成方法は、これに限定されない。密着層１２は、たとえば、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、ＣＡＰコートを含む適宜の塗布方法で形成される。静電スプレー法は、均一な薄膜を形成できる点で最も適している。スリットコートは、例えばおよそ１０００ｍｍやそれ以上の幅の大型基板に塗布する場合に、膜厚が均一で精度の高い成膜に適しており、材料使用効率も上がるので、生産効率を上げるときに、他の方法よりも有利である。スピンコートは、膜厚設計管理幅が小さいときに、他の方法よりも有利である。スプレーコートは、立体物や両面塗布が可能であり、ローラーに屈曲させたフレキシブル基板に均一な膜厚に成膜するときに、他の方法よりも有利である。ＣＡＰコートは、吐出中に吐出量をフィードバック制御することが可能で、ノズルが一定平面で動いて塗布及び転写するため、膜厚管理幅が小さいときに、他の方法よりも有利である。

　図２Ｂに示すように、密着層１２は透明基板１１の表面に直接設けられる。密着層１２は、低屈折率層１３の密着性を向上させる。低屈折率層１３は、透明基板１１に直接接する場合、透明基板１１への密着性が低い場合がある。特に、低屈折率層１３の高屈折率層１４に向かう面が凹凸を有する場合、凹凸形成のための凹凸型に対する離型性が低屈折率層１３に求められる。低屈折率層１３の離型性を高めようとして低屈折率層１３の材料を調整すると、低屈折率層１３の透明基板１１に向かう面の密着性も同時に低下する。しかしながら、低屈折率層１３と透明基板１１との間に密着層１２が配置されると、密着層１２は、低屈折率層１３を透明基板１１に接着させて、低屈折率層１３が透明基板１１から剥がれるのを抑制する。このため、密着層１２によって、良好に低屈折率層１３が形成される。

　密着層１２は、たとえば、シランカップリング剤を含む材料から形成される。密着層１２を形成するための材料は、液体である。シランカップリング剤は、液体に溶解又は分散される。シランカップリング剤は、反応性官能基を含むことが好ましい。シランカップリング剤が反応性官能基を有すると、反応性官能基が低屈折率層１３の材料と結合し、密着層１２と低屈折率層１３との密着性が向上する。また、反応性官能基は、密着層１２の中でシランカップリング剤を固定するため、シランカップリング剤が未硬化の低屈折率層１３の中を移動することを抑制する。シランカップリング剤が低屈折率層１３の表面に移動すると、凹凸形成の際の凹凸型の離型性が低下する。反応性官能基を有するシランカップリング剤を含む密着層１２は、低屈折率層１３の凹凸面を形成する際において、凹凸型を抜くときに低屈折率層１３が剥がれることを効果的に抑制する。反応性官能基としては、たとえば、アミノ基、メタクリル基、アクリル基が挙げられる。これらの官能基は、低屈折率層１３の材料と密着層１２との結合力を高くする効果があり、凹凸型を抜きやすくする。

　密着層１２の厚みは、最終的に（すなわち透明電極付き基板の状態で）、たとえば、１０～１００ｎｍの範囲内である。この厚みの範囲は、光の透過性を向上させる。さらに、好ましくは、２０～４０ｎｍである。その理由は、密着層１２が単原子分子層となり透明基板１１と密着層１２との結合力、及び密着層１２と低屈折率層１３との結合力の面内均一性が向上し、生産の歩留まりが向上するからである。また、密着層１２が薄いほど密着層１２の透過率が高くなり、光取り出し効率が向上するからである。

　　［Ｓ３；加熱］
　工程Ｓ３では、密着層を加熱する。密着層は、透明基板とともに加熱される。透明基板と密着層との積層体が加熱される。加熱により、密着層は固化する。加熱は、適宜の方法で行われる。加熱方法として、ホットプレート、オーブンが例示される。加熱は、好ましくは、温度差が局所的に大きくならないように行われる。温度差が大きくなると、密着層の材料が移動して、不要な部分に密着層が形成されたり、厚みが不均一になる。

　工程Ｓ３の加熱は省略されてもよい。加熱が省略される場合、塗膜が自然乾燥されることで、密着層が固化する。

　しかしながら、工程Ｓ３の加熱があることが好ましい。自然乾燥では固化が不十分な部分が残る場合がある。密着層の固化が不十分であると、低屈折率層の凹凸面を形成するときに、凹凸型が抜けにくくなり、低屈折率層が剥がれる可能性がある。工程Ｓ３の加熱は、密着層を強く固化させるため、密着層の材料が低屈折率層に入りにくくなり、凹凸型の抜け不良を低減させる。さらに、工程Ｓ３の加熱は、上述したように、密着層と低屈折率層との反応を促進させる。密着層内のシランカップリング剤の反応性官能基は、低屈折率層の材料と結合する。このため、密着層と低屈折率層との密着性が向上する。

　　［Ｓ４；低屈折率材料の塗布］
　工程Ｓ４では、低屈折率材料を塗布する。低屈折率材料は、低屈折率層を形成するための材料である。低屈折率材料は、樹脂を含む。低屈折率材料は、硬化性の樹脂を含むことが好ましい。

　図２Ｃは、透明基板１１と、密着層１２と、凹凸面が形成される前の低屈折率層１３との積層体を示している。図２Ｃから理解されるように、低屈折率材料は、密着層１２の上に塗布される。塗布後すぐの低屈折率材料は、未硬化の低屈折率層１３となる。未硬化の低屈折率層１３は、表面が平坦である。未硬化の低屈折率層１３は、凹凸面を有していない。

　低屈折率材料は、紫外線硬化性樹脂を含むことが好ましい。その場合、紫外線（ＵＶ）の照射により、低屈折率材料は硬化が進行する。低屈折率材料は、熱硬化性樹脂を含んでもよい。その場合、加熱により、低屈折率材料は硬化が進行する。紫外線硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂に比べて硬化速度が速く、硬化時の体積膨張も小さく、紫外線の照射量によって樹脂の硬化を途中で瞬時に止めることも可能であり、硬化状態を制御しやすい。また、紫外線硬化性樹脂は、低屈折率層の凹凸を形成するときに、凹凸の設計寸法が精度範囲内に維持できる硬化状態の条件と、凹凸の元になるモールド（凹凸型）から離型するときの硬化状態の条件とを管理しやすいという利点がある。熱硬化性樹脂は、原料となるポリマーが架橋反応によって重合するので、光硬化性樹脂のように添加物が残留し不純物となることが少なく、製造上の品質を管理しやすいという利点がある。光取り出し構造の光学設計上、凹凸の設計寸法が１～１０μｍと小さい場合や、凹凸の角部が精度１～２μｍのＲ面取りやＣ面取りの場合、樹脂の硬化状態と寸法変化を微細に制御できるので、紫外線硬化性樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂は、樹脂に含まれる不純物が硬化した後に溶出することがなく、製品の品質に影響を与えにくいので、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。低屈折率材料は、紫外線硬化性と熱硬化性との両方を有することが好ましい。その理由は、光取り出し構造に必要な設計寸法精度を実現できるからと、樹脂に含まれる不純物によって生じる製品の品質低下を抑制できるからである。

　低屈折率材料は液状であることが好ましい。なぜなら、塗布が容易だからである。低屈折率材料は、溶剤を含んでもよいし、無溶剤であってもよい。溶剤を含む場合、塗布が容易な粘度の材料が容易に得られるという利点がある。溶剤としては、たとえば、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、ラクトン系溶剤などが挙げられる。溶剤の具体例としては、たとえば、アセトン、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセタート、γ－ブチロラクトンが挙げられる。低屈折率材料が無溶剤の場合、溶剤の残留の問題をなくすことができるという利点がある。硬化前の成分（たとえばモノマー）が液状である場合、低屈折率材料は無溶剤でも液状となる。

　低屈折率層１３は、たとえば、アクリル樹脂を含む材料から形成される。その理由は、０．２～１．６μｍの凹凸を転写法によって形成しやすいことや、光透過率が高いことや、シランカップリング剤を含む密着層１２との接着力が高いことからである。また、アクリル樹脂を含む材料では、光学異方性材料（例えばＰＣＴ／ＪＰ２０１３／０８２２０４に記載された材料）を低屈折率層１３に含む光取り出し構造によって、光取り出し効率の効果が上がるからである。低屈折率材料は、屈折率を低下させるために、低屈折率粒子を含んでもよい。

　低屈折率層１３の屈折率は１．０～１．７の範囲であってよく、この範囲で小さければ小さいほど好ましい。高屈折率層１４中で伝搬する光は、高屈折率層１４と低屈折率層１３の界面で屈折し、全反射する成分と、低屈折率層１３を伝搬する成分に分かれる。低屈折率層１３の屈折率が小さくなると、全反射して高屈折率層１４に戻る成分が減り、低屈折率層１３を伝搬する成分は界面の法線方向に角度が近づく成分が増えるので光取り出しの効果が向上する。低屈折率材料は、低屈折率層１３の屈折率が前記の範囲になる材料が選択される。

　ここで、低屈折率層１３と高屈折率層１４との屈折率の高低は、これらの層の間の相対的なものである。低屈折率層１３は、高屈折率層１４よりも屈折率が低い。このような屈折率の関係から、これら２つの層の屈折率の高低が定義される。高屈折率層１４は、有機層に屈折率が近くなる。低屈折率層１３は、透明基板１１に屈折率が近くなる。このときの屈折率差（高屈折率層の屈折率と低屈折率層の屈折率との差）は、０．１～０．５の範囲であることが好ましい。

　低屈折率層１３の厚みは、最終的に（すなわち透明電極付き基板の状態で）、たとえば、１～２０μｍの範囲内である。その理由は、凹凸の形成に有利であるからである。低屈折率層１３の厚みは、好ましくは、３～１０μｍの範囲内である。その理由は、工程Ｓ１５で、レーザ加工による除去方法を採用する場合、残渣が少なく均一に除去する効果もあるからである。

　低屈折率材料は、塗布により形成される。図６Ａは、塗布の一例である。低屈折率材料は、密着層１２の表面に塗布される。

　図６Ａは、スクリーン印刷を示している。低屈折率材料は、好ましくは、スクリーン印刷により塗布される。その理由は、屈折率調整用のフィラーを含有している低屈折率材料で、粘度が１０００ｃｐ～３０００ｃｐ（１～３Ｐａ・ｓ）と比較的高い場合でも、平坦で厚み精度の高い塗膜を形成できるからである。

　図６Ａの対象物１は、透明基板１１と密着層１２との積層体である（図２Ｂ参照）。スクリーン印刷は、スクリーン版６１によって対象物１の上に塗布液を塗布する。塗布液は、低屈折率材料である。図６Ａでは、塗布液の存在する範囲をドットで示している。

　スクリーン版６１は、好ましくは、メッシュ穴径が直径１００～３００μｍの範囲内で、穴ピッチが１００～３００μｍの範囲内である。このようなスクリーン版６１は、塗膜の厚み精度を向上させる。

　スクリーン印刷で形成された塗膜は、厚みが均一である。塗膜は、厚みが１～２０μｍであってよい。厚みのバラツキは±１０％以下が好ましい。その理由は、凹凸を精度よく形成することが容易だからである。また、工程Ｓ１５において、レーザ加工で不要部分を除去するときに均一に不要部分を除去できるので、残渣が少なく品質が安定する効果もある。

　スクリーン印刷は、カレンダー加工を含むことが好ましい。その理由は、層の厚みがより均一になるからである。スクリーン印刷は、塗布液の粘度が高い場合も有効である。塗布液の粘度は、たとえば、１～１０Ｐａ・ｓの範囲内である。スクリーン印刷では、たとえば、粘度５Ｐａ・ｓの塗布液が、乾燥後の厚み４μｍで塗布されることが確認されている。スクリーン印刷は、厚みの小さい層を効果的に形成することができる。

　図６Ａで示すスクリーン印刷は、塗布方法の一例であり、低屈折率材料の塗布方法は、これに限定されない。低屈折率材料は、たとえば、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、静電スプレーコート、ＣＡＰコートを含む適宜の塗布方法で塗布される。スリットコートは、他の方法よりも、一定量の液を吐出して液膜を形成することが可能で、均一性の高い膜が形成できるという利点がある。スピンコートは、他の方法よりも、膜厚設計管理幅を小さくできるという利点がある。スプレーコートは、他の方法よりも、平板への塗布だけでなく、立体物や両面塗布も可能で、ローラーに屈曲させたフレキシブル基板にも均一な膜厚に成膜できるという利点がある。静電スプレーコートは、他の方法よりも、均一な薄膜をパターン形成できることや、凹凸のある面への塗布が可能であるという利点がある。ＣＡＰコートは、吐出中に吐出量をフィードバック制御することが可能で、ノズルが一定平面で動いて塗布及び転写するため、膜厚管理幅が小さいときに精度よく成膜できるという利点がある。

　　［Ｓ５；凹凸面の形成］
　工程Ｓ５では、低屈折率層の凹凸面を形成する。凹凸面は、転写法で形成される。

　図２Ｄで示すように、未硬化の低屈折率層１３（図２Ｃ参照）に凹凸が形成されると、低屈折率層１３に凹凸面が付与される。この凹凸面は、図２Ｅで示すように、低屈折率層１３と高屈折率層１４との界面を凹凸界面にさせる。凹凸界面は、光の配光を制御することができる。凹凸界面によって、光の取り出し性が向上する。

　図６Ｂは、凹凸面の形成の一例である。凹凸面は、好ましくは、インプリント法により形成される。インプリント法は、精度の高い微細な凹凸を容易に形成することができる。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と未硬化の低屈折率層１３との積層体である（図２Ｃ参照）。

　図６Ｂでは、ロールインプリント法で凹凸面が形成されている。インプリント法のなかでも、ロールインプリント法がより好ましい。インプリントは、大気中（真空でない状態）で行われる。大気中のインプリントは、設備を簡易にさせる。大気中のインプリントは、タクトタイムを速めることによって製造性を向上させる。

　図６Ｂのロールインプリントでは、ロール６２と、凹凸シート６３と、紫外線照射機６４とが用いられる。凹凸シート６３は、対象物１に向かう面に凹凸を有する。凹凸シート６３は凹凸型（凹凸を有するモールド）となる。凹凸型は、低屈折率層１３の凹凸面に対応する凹凸を有する。ロール６２は、凹凸シート６３を押圧する。押圧された凹凸シート６３は、対象物１に接触し、未硬化の低屈折率層１３に凹凸を付与する。このとき、紫外線照射機６４は、対象物１に紫外線を照射する。紫外線照射機６４は、たとえば、ＵＶ－ＬＥＤである。照射された対象物１内の未硬化の低屈折率層１３は硬化が進行する。硬化の進行により、凹凸形状が維持されやすくなる。ロール６２は、回転しながら移動する。ロール６２の移動によって、未硬化の低屈折率層１３の凹凸が付与される部分が移動し、最終的に未硬化の低屈折率層１３の表面全体に凹凸が付与される。こうして、凹凸面が形成される。

　インプリント後の低屈折率層１３は、硬化が進行し、半硬化状態となる。半硬化状態の低屈折率層１３は、硬化が進行しているものの、硬化性をまだ有している。インプリントの硬化は、仮硬化となる。低屈折率層１３を半硬化状態とすることで、凹凸の形状が保持されやすくなる。

　凹凸型は、モールドのつなぎ目を有する場合がある。モールドのつなぎ目は、凹凸が不連続となり、良好な凹凸を付与しにくい。そのため、モールドのつなぎ目は、最終的に低屈折率層１３が除去される部分に配置されることが好ましい。その場合、モールドのつなぎ目に起因する凹凸の不連続な部分が最終的に残らなくなるため、良好な凹凸形状が形成される。凹凸面の形成は、ボイドが発生しないように行うことが好ましい。ボイドが発生すると、低屈折率層１３及び高屈折率層１４が良好に形成されにくい。硬度の高いロール６２は、高速転写でもボイドが発生しにくい。そのため、ロール６２の硬度の制御により、ボイドは低減される。ロール６２の好ましい硬度の範囲は、７０～９５度である。この硬度は、ゴム硬度計により測定される。ロール６２の外周は好ましくはゴムであるからである。ゴム硬度計の具体例は、ＴＲＵ　ＴＥＳＴ　ゴム硬度計である。

　低屈折率層１３は、高屈折率層１４に接する面が凹凸面になる。凹凸面は、複数の凸部及び複数の凹部の少なくとも一方を含む構造を有する。複数の凸部及び複数の凹部はブロック状となる。凸部及び凹部は、ブロックと定義される。このブロックの形状は、平面視で、多角形、円、楕円などであってよい。多角形は、三角形、四角形（長方形及び正方形を含む）、五角形、六角形を含む。ただし、多角形は角が丸まっていてもよい。多角形は、複数種が組み合わせられてもよい。凹凸面は、同じ形状のブロックが面内で２次元に配置される構造を備えることが好ましい。凹凸面は、複数のブロックの繰り返しパターンで形成される。ブロックは、規則的に配置されてもよいし、不規則に配置されてもよい。凹凸面の凹凸の深さは、０．２～１．６μｍの範囲内であることが好ましい。この範囲の凹凸の深さは、光の配向性を高める。凹凸の深さとは、凸部の頂部から凹部の底部までの厚み方向での長さを意味する。ここで、平面視とは、基板の表面に垂直な方向から見た場合を意味する。基板の表面に垂直な方向は、積層方向と等しい。

　図６Ｂで示すインプリント法は、凹凸面の形成方法の一例であり、凹凸面の形成方法は、これに限定されない。凹凸面は、たとえば、低屈折率材料に含まれる粒子を層の表面で飛び出させる方法を含む適宜の方法で形成される。

　　［Ｓ６；ＵＶ硬化（低屈折率層形成）］
　工程Ｓ６では、低屈折率材料の紫外線硬化（ＵＶ硬化）が進行する。

　凹凸面の形成後の半硬化の低屈折率層１３の紫外線硬化によって、紫外線硬化終了後の低屈折率層１３が形成される（図２Ｄ参照）。紫外線硬化は、図６Ｃの方法が適用される。図６Ｃは、紫外線硬化の一例を示している。この方法では、真空ＵＶ硬化が行われる。低屈折率層１３は、真空状態で硬化されることが好ましい。その理由は、真空状態によって未反応の残留物や溶剤が除去されるからである。また、真空状態での硬化は、低屈折率層１３の内部に残留するガスを脱泡する効果もある。真空状態で紫外線が低屈折率層１３に照射されると、効果的に硬化が進行する。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と半硬化の低屈折率層１３との積層体である。

　図６Ｃの紫外線照射では、紫外線照射機６５と、真空チャンバ６６とが用いられる。対象物１は、真空チャンバ６６内に配置される。紫外線照射機６５は、対象物１に向けて紫外線を照射する。紫外線によって硬化する成分は、ほぼ完全に硬化する。紫外線照射機６５は、たとえば、ＵＶランプを備えている。ＵＶランプは、ハロゲンランプ、ＵＶ－ＬＥＤに置換されてもよい。

　工程Ｓ６のＵＶ硬化は、インプリントでの不十分な硬化を十分な硬化に移行させることができる。ＵＶ硬化によって、低屈折率層１３は十分な架橋密度が得られやすくなる。なお、工程Ｓ５の紫外線照射で低屈折率層１３を十分に硬化できるのであれば、工程Ｓ６は省略されてもよい。

　　［Ｓ７；加熱］
　工程Ｓ７では、低屈折率層を加熱する。加熱はベークである。低屈折率層は、透明基板及び密着層とともに加熱される。加熱は、低屈折率層を安定化させる。加熱は、適宜の方法で行われる。加熱方法として、ホットプレート、オーブンが例示される。加熱は、好ましくは、温度差が局所的に大きくならないように行われる。面内の温度差の範囲は０～２０℃が好ましく、０～１０℃がより好ましい。温度差が小さいことがよい理由は、乾燥速度の違いによる膜厚のムラが減り膜厚均一性が向上するからである。

　紫外線硬化の後に、加熱されることで、低屈折率層の架橋密度が高まる。低屈折率材料が、紫外線硬化性とともに熱硬化性を有する場合、熱を付与することで、熱硬化が進行する。

　加熱（ベーク）は、密着層及び低屈折率層内の残留した成分（水分、揮発成分及び未硬化物）を除去する作用を有する。加熱は、低屈折率層及び密着層にあらかじめ溶媒を接触させた後で行ってもよい。溶媒の使用により、残留成分が溶媒に浸みだすことで層内の残留成分を加熱前に一定量を事前に除去する効果がある。ただし、溶媒は、低屈折率層及び密着層を溶かさないこと、低屈折率層及び密着層を形成するための材料との相溶性がよいことが好ましい。

　　［Ｓ８；第１の水処理］
　工程Ｓ８では、低屈折率層を水処理する。第１の水処理は、低屈折率層が水と接触することを含む。

　第１の水処理は、高屈折率材料の良好な塗布を導く。水処理を行うことにより、低屈折率層の凹凸の細部に高屈折率材料が入りやすくなる。水処理によって、高屈折率材料の低屈折率層に対する付き回りがよくなる。水処理は、低屈折率層を親水化させるからである。親水化すると、高屈折率材料の流れがよくなるので、高屈折率の付回りがよくなる。

　第１の水処理は、高屈折率層の透明電極に向かう面をより平坦にすることができる。水処理によって、高屈折率層の低屈折率層に向かう面の凹凸が、透明電極に向かう面に反映されにくくなる。水処理は凹凸を緩和する。高屈折率層の透明電極に向かう面は、平坦になる。なぜなら、高屈折率材料の流れがよくなるからである。

　もし、高屈折率層の透明電極に向かう面が凹凸になると、透明電極に凹凸ができ、透明電極の電気特性が不安定になりやすくなる。もし、高屈折率層の透明電極に向かう面が凹凸になると、凹凸の細部に空気が噛み込んで、後の工程での加熱で高屈折率層が破裂しやすくなる。もし、高屈折率層の透明電極に向かう面が凹凸になると、凹凸の細部に水分を含む空気が噛み込んで、水分が有機層に悪影響を及ぼすおそれがある。水処理は、高屈折率層の透明電極に向かう面を平坦化させる効果を発揮するため、上記の問題を起こりにくくさせる。従来の透明電極付き基板の製造方法は、低屈折率層形成後の水処理を備えていない。本開示の透明電極付き基板の製造方法は、高屈折率材料の付き回りをよくする点で、従来の透明電極付き基板の製造方法よりも優れる。

　第１の水処理は、たとえば、図７の方法によって行われる。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３との積層体である（図２Ｄ参照）。

　図７は、水処理の一例である。図７には、水処理装置３０が示されている。水処理装置３０では、対象物１は上流から下流に移動する（矢印）。

　図７の水処理装置３０は、水処理地帯３５を備えている。水処理地帯３５は、水処理が行われる場所である。水処理地帯３５は、外部と仕切られていてもよいし、仕切られていなくてもよい。対象物１は、水処理地帯３５に入って水処理が行われる。

　水処理装置３０は、領域Ａ０～領域Ａ７を有する。各領域は、処理の違いで区分される。各領域は、スペースが区切られていなくてよい。領域Ａ０は水処理を行う前の領域である。領域Ａ７は、水処理が行われた後の領域である。領域Ａ１～領域Ａ６は、水処理地帯３５内にある。領域Ａ１～領域Ａ６の各領域では、対象物１は異なる処理を受ける。対象物１は、領域Ａ０から領域Ａ７に順に進行する。

　水処理装置３０は、複数の水噴射機３１と、複数のブラシ３２と、少なくとも１つの２流体噴射機３３と、少なくとも１つのエアナイフ３４とを備えている。水噴射機３１は、水を噴射する。水噴射機３１は、シャワーであってよい。水は水噴射機３１に送り込まれる。ブラシ３２は、多数の毛を備えている。ブラシ３２はロールブラシであってよい。ブラシ３２は、樹脂製ブラシであってよい。２流体噴射機３３は、２流体を噴射する。２流体は、ガスと水とを含む。２流体は２流体噴射機３３に送り込まれる。エアナイフ３４は、エアを噴射する。

　領域Ａ１では、液切がなされる。領域Ａ１は、領域Ａ２で使用される水が入りにくい。対象物１にエアが噴きつけられてもよい。対象物１は準備状態となる。

　領域Ａ２では、水噴射機３１は、対象物１に向けて水を噴射する。水は、圧力が加わり、高速で飛び出す。ブラシ３２は、回転し、対象物１の表面に接触し、対象物１の表面を擦る。擦ることは、ブラッシングを意味する。ブラシ３２によって、細部まで水が行きわたる。

　領域Ａ３では、水噴射機３１は、対象物１に向けて水を噴射する。ただし、領域Ａ３にはブラシ３２がなく、対象物１はブラシ３２に接触しない。領域Ａ３によって、異物が流されやすくなる。

　領域Ａ４では、２流体噴射機３３は、対象物１に向けて２流体を噴射する。２流体は、圧力が加わり、高速で飛び出す。２流体により、対象物１の表面の異物が除去される。

　領域Ａ５では、水噴射機３１は、対象物１に向けて水を噴射する。領域Ａ５によって、対象物１の表面の異物が除去される。

　領域Ａ６では、エアナイフ３４は、対象物１に向けてエアを噴射する。エアによって、対象物１に付着した水は吹き飛ばされる。領域Ａ６を経た後、対象物１は、水が切られている。過剰な水は、領域Ａ６で除去される。

　水処理において使用する水は、水処理用の水と定義される。水処理用の水は、純水が好ましい。水処理用の水は、比抵抗が管理され、１８ＭΩｃｍより大きいことが好ましい。

　２流体は、ガスと液体の混合体である。２流体の液体は水を含む。２流体の液体は水そのものであってよい。水は純水であることが好ましい。２流体は、上記の水処理用の水を含むことが好ましい。２流体のガスは空気であってよい。２流体はミストであってよい。２流体噴射機３３は、ガスと液体とを対象物１に向けて噴射する。

　図７の水処理装置３０は、水処理の一例であり、水処理はこれ以外の方法で行われてもよい。図７の領域Ａ１～領域Ａ６の一部は、適宜、省略されてもよい。また、水の噴射は対象物１の両面で行われてもよい。また、２流体の噴射は対象物１の両面で行われてもよい。あるいは、水処理は、水が噴射される方法でなくてもよい。たとえば、対象物１が水に浸漬された後、引き上げられることで、水処理が行われてもよい。水への対象物１の浸漬では、さらに、水に浸漬された対象物１に超音波が与えられてもよい。

　なお、ブラシ３２で擦った場合、対象物１が帯電しやすくなり、空気中の異物（不純粒子）を寄せ付けやすくなる。そのため、ブラシ３２よりも後に、イオナイザーによって除電処理が行われることが好ましい。除電処理は、領域Ａ３～領域Ａ７のいずれかで行われてもよいし、次の工程の前に行われてもよい。このとき、領域Ａ３～領域Ａ７のイオナイザーでは、次の工程Ｓ９までの待機中に、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体に空気中の異物を寄せ付けにくくする効果がある。次の工程の前のイオナイザーだと、表面に付着した空気中の異物を落ちやすくする効果がある。

　　［Ｓ９；高屈折率材料の塗布］
　工程Ｓ９では、高屈折率材料が塗布される。高屈折率材料は、高屈折率層を形成するための材料である。高屈折率材料は、樹脂を含む。高屈折率材料は、硬化性の樹脂を含むことが好ましい。

　図２Ｅは、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体を示している。図２Ｅから理解されるように、高屈折率材料は、低屈折率層１３の上に塗布される。塗布後すぐの高屈折率材料は、未硬化の高屈折率層１４となる。

　高屈折率材料は、紫外線硬化性樹脂を含むことが好ましい。その場合、紫外線（ＵＶ）の照射により、高屈折率材料は硬化が進行する。高屈折率材料は、熱硬化性樹脂を含んでもよい。その場合、加熱により、高屈折率材料は硬化が進行する。紫外線硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂に比べて硬化速度が速く、硬化時の体積膨張も小さく、紫外線の照射量によって樹脂の硬化を途中で瞬時に止めることも可能であり、硬化状態を制御しやすいという利点がある。熱硬化性樹脂は、原料となるポリマーが架橋反応によって重合するので、光硬化性樹脂のように添加物が残留し不純物となることが少なく、製造上の品質を管理しやすいという利点がある。高屈折率材料は、紫外線硬化性と熱硬化性との両方を有することが好ましい。その理由は、樹脂に含まれる不純物によって生じる製品の品質低下を抑制できるからである。

　高屈折率材料は、液状であることが好ましい。なぜなら、塗布が容易だからである。高屈折率材料は、溶剤を含んでもよいし、無溶剤であってもよい。溶剤を含む場合、塗布が容易な粘度の材料が容易に得られるという利点がある。溶剤としては、たとえば、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、ラクトン系溶剤などが挙げられる。溶剤の具体例としては、たとえば、アセトン、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセタート、γ－ブチロラクトンが挙げられる。高屈折率材料が無溶剤の場合、溶剤の残留の問題をなくすことができるという利点がある。硬化前の成分（たとえばモノマー）が液状である場合、高屈折率材料は無溶剤でも液状となる。

　高屈折率層１４は、たとえば、アクリル樹脂を含む材料から形成される。高屈折率材料は、屈折率を高めるために、高屈折率粒子を含んでもよい。高屈折率粒子は無機粒子であってよい。無機粒子が高屈折率層１４内で分散して存在することで、層が高屈折率化される。高屈折粒子は、たとえば、チタニア粒子、シリカ粒子である。

　高屈折率層１４の屈折率は１．５～２．０の範囲であることが好ましい。その理由は、有機層との屈折率差が小さくなって光が多く取り出されるからである。高屈折率層１４の屈折率の範囲は、１．５～１．８の範囲がさらに好ましい。その理由は、透明電極１５の屈折率が２．０～２．２であるときに、透明電極１５と高屈折率層１４との界面で全反射する成分を減らすためや、透明電極１５中を透過する光を高屈折率層１４中で取り出し方向に向ける効果があるためである。高屈折率材料は、高屈折率層１４の屈折率が前記の範囲になる材料が選択される。

　高屈折率層の厚みは、最終的に（すなわち透明電極付き基板の状態で）、たとえば、１～１０μｍの範囲内である。この範囲の厚みは、光透過性を向上させる。高屈折率層の厚みは、２～５μｍの範囲内がさらに好ましい。その理由は、平坦化の機能を阻害させずに、光透過性を向上させるからである。

　高屈折率層１４の熱膨張係数は、低屈折率層１３の熱膨張係数の０．８～１．２倍の範囲内であることが好ましい。高屈折率層１４及び低屈折率層１３の熱膨張係数は、各層の厚みの設計によって制御される。前記の熱膨張係数の関係は、高屈折率層１４のクラックを抑制する。前記の熱膨張係数の関係は、高屈折率層１４が熱膨張係数の低い無機粒子を含む場合に、より有効である。

　高屈折率材料は、塗布により形成される。図８Ａ及び図８Ｂは、塗布の一例である。図８Ａ及び図８Ｂは、スリットコートを示している。高屈折率材料は、好ましくは、スリットコートにより塗布される。スリットコートを使用する理由は、一定量の液を吐出して液膜を形成することが可能で、例えば１０００ｍｍやそれを超える幅の大型基板に対して膜厚精度の高い膜が形成できるからである。スリットコートにより低屈折率層１３で生じた凹凸を高屈折率材料で平坦化させる効果が得られる。

　図８Ａ及び図８Ｂの対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３との積層体である（図２Ｄ参照）。スリットコートでは、スリットコーター７１によって対象物１の上に塗布液が塗布される。塗布液は、高屈折率材料である。

　図８Ａに示すように、スリットコーター７１は、対象物１の一端から他端までの長さを有している。スリットコーター７１は、たとえば、スリット長さ７１Ｌが１００～３００ｍｍの範囲内である。スリット長さ７１Ｌは、対象物１の一端から他端までの長さの０．９～１．２倍の範囲が好ましい。スリット長さ７１Ｌと対象物１の長さとが概略同じ程度であると、塗布液がはみだして無駄にならず、１回の塗布で全面を塗布することが可能である。

　図８Ｂに示すように、スリットコーター７１は、塗布液を通すスリット７１ａを有する。スリットコーター７１は、たとえば、スリット幅７１Ｗが１０～１００μｍの範囲内である。スリット幅７１Ｗは、数ｕｍの膜厚を得るにあたり、高精度にインク供給量を制御するためにこの範囲になっている。スリット幅７１Ｗがこの範囲であると、膜厚の均一性の向上の効果、およびノズル破損によるスジ等の外観不良の抑制の効果が得られる。スリットコーター７１の先端は面状になっている。スリットコーター７１は、たとえば、先端面の幅７１Ｓが２００～５００μｍの範囲内である。先端面の幅７１Ｓは、先端と積層体との間に必要な液膜を充填するためにこの範囲になっている。先端面の幅７１Ｓがこの範囲であると、安定した塗布及び安定した液膜の形成が可能となり、スジ及びムラを抑制し、膜厚の均一性を向上する効果が得られる。

　スリットコーター７１は、対象物１と離れて配置される。スリットコーター７１と対象物１との間の距離７１Ｇは、ビードギャップと呼ばれる。ビードギャップは、１０～３００μｍの範囲が好ましい。ビードギャップがこの範囲であると、下地の凹凸の影響を受けることなく安定して液膜を塗布可能となり、また、積層体上の異物等の突起物にスリットコーター７１が衝突する確率を低減する効果が得られる。

　スリットコーター７１は、対象物１に対して平行な状態でスリット７１ａの伸びる方向と垂直な方向に相対的に移動しながら高屈折率材料を吐出することができる。スリットコートは、長方形（正方形を含む）パターンの塗布が容易である。スリットコートは、塗膜の厚み精度を向上させる。スリットコートで形成された塗膜は、表面が平坦である。スリットコートは、厚みの小さい高屈折率層１４を効果的に形成することができる。スリットコートは、塗布する材料を充填するタンクから積層体へ塗布するまで、配管で密閉系になるため空気を噛み込みにくく、塗布後に膜を加熱焼成するときに気泡の発生を防ぐ効果がある。特に、スリットコートは、高屈折率材料の中に屈折率を調整するためのフィラー（例えばチタニア粒子、ジルコニア粒子）を分散させた材料の場合、気泡の少ない膜を形成する方法として有効である。

　図８Ａ及び図８Ｂで示すスリットコートは、塗布方法の一例であり、高屈折率材料の塗布方法は、これに限定されない。高屈折率材料は、たとえば、スクリーン印刷、スピンコート、スプレーコート、静電スプレーコート、ＣＡＰコートを含む適宜の塗布方法で塗布される。ＣＡＰコートは平坦な層を形成するのに適している。スクリーン印刷は、他の方法よりもパターン形成の自由度が高いので、不要な部分に塗布する必要がない。スクリーン印刷では、例えば、有機ＥＬ素子の透明電極付き基板を作製する場合、封止領域をスクリーン版でマスクすることで、高屈折率材料による封止領域の汚染を防ぎ、有機ＥＬ素子の信頼性を向上させることができるという利点がある。スピンコートは、他の方法よりも、膜厚均一性が高いという利点がある。スプレーコートは、他の方法よりも、容易に均一な塗膜を形成できるという利点がある。静電スプレーコートは、他の方法よりも、均一な薄膜をパターン形成でき、凹凸のある面への塗布も可能という利点がある。ＣＡＰコートは他の方法よりも、一定量の吐出ではなく吐出中に吐出量をフィードバック制御して吐出することが可能で、ノズルが一定平面で動いて塗布及び転写するため、±０．５μｍの膜厚精度を実現できるという利点がある。

　　［Ｓ１０；予備加熱］
　工程Ｓ１０では、高屈折率層を予備的に加熱する。予備加熱は、プリベークと呼ばれる。高屈折率層は、透明基板とともに加熱される。透明基板と密着層と低屈折率層と未硬化の高屈折率層との積層体が加熱される。工程Ｓ１０の加熱によって、高屈折率層の安定性が向上する。予備加熱は、未硬化の高屈折率層の熱硬化を進行させてもよい。

　加熱は、適宜の方法で行われる。加熱方法として、ホットプレート、オーブンが例示される。加熱は、好ましくは、温度差が局所的に大きくならないように行われる。温度差が２０℃以上に大きくなると、良好な高屈折率層が得られにくくなる。よって、温度差は、２０℃未満がよく、１０℃未満がさらによい。ホットプレートによる加熱の場合、たとえば、透明基板とホットプレートとの間に空間が設けられたり、熱緩衝板が設けられたりしてもよい。空間や熱緩衝板は、温度差を低減することができる。

　　［Ｓ１１；ＵＶ硬化（高屈折率層形成）
　工程Ｓ１１では、高屈折率材料の紫外線硬化（ＵＶ硬化）が進行する。

　予備加熱後の未硬化の高屈折率層１４の硬化によって、紫外線硬化終了後の高屈折率層１４が形成される（図２Ｅ参照）。紫外線硬化は、上述した図６Ｃの方法が適用される。図６Ｃは、紫外線硬化の一例を示している。この方法では、真空ＵＶ硬化が行われる。高屈折率層１４は、真空状態で硬化されることが好ましい。真空状態で紫外線が高屈折率層１４に照射されると、効果的に硬化が進行する。対象物１は、透明基板１１と、密着層１２と、低屈折率層１３と、予備加熱後の高屈折率層１４との積層体である。真空状態とは具体的には１×１０^－２Ｐａ以下が好ましい。

　工程Ｓ１１のＵＶ硬化によって、高屈折率層１４は十分な架橋密度が得られやすくなる。

　　［Ｓ１２；加熱］
　工程Ｓ１２では、高屈折率層を加熱する。加熱はベークである。高屈折率層は、透明基板と密着層と低屈折率層とともに加熱される。加熱は、高屈折率層を安定化させる。加熱は、適宜の方法で行われる。加熱方法として、ホットプレート、オーブンが例示される。加熱は、好ましくは、温度差が局所的に大きくならないように行われる。面内の温度差の範囲は０～２０℃が好ましく、０～１０℃がより好ましい。温度差が小さいことがよい理由は、乾燥速度の違いによる膜厚のムラが少なく膜厚均一性が向上するからである。

　紫外線硬化の後に、加熱されることで、高屈折率層の架橋密度が高まる。高屈折率材料が、紫外線硬化性とともに熱硬化性を有する場合、熱を付与することで、熱硬化が進行する。

　加熱はオーブンで行うことが好ましい。オーブンで加熱する場合、空気と溶媒とを含む混合流体をオーブン内で循環させるようにしてもよい。溶媒は、樹脂の原料に対して親和性がある方がよい。オーブンで単に加熱すると、層の表面と内部とにおいて乾燥の程度に差ができ、クラックの要因となりやすいが、混合流体の循環があることにより、より均一な加熱を可能にし、クラックの発生を抑制することができる。

　加熱（ベーク）は、高屈折率層並びに密着層及び低屈折率層内の残留した成分（水分、揮発成分及び未硬化物）を除去する作用を有する。加熱によって、高屈折率層は乾燥する。

　ここで、工程Ｓ１０の予備加熱の終了から工程Ｓ１２の加熱の開始までの時間は、１２時間以内であることが好ましい。予備加熱後、できるだけ早く紫外線硬化及び加熱を行うことで、樹脂が水分を吸収することが抑制される。

　　［Ｓ１３；プラズマ照射］
　工程Ｓ１３では、高屈折率層にプラズマを照射する。

　プラズマ照射は、上述した図４Ｃの方法が適用される。工程Ｓ１３の対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体である（図２Ｅ参照）。

　　［Ｓ１４；保護膜の形成］
　工程Ｓ１４では、保護膜を形成する。図２Ｆは、保護膜１８を備えた積層体を示している。保護膜１８は、高屈折率層１４の上に形成される。

　保護膜１８は、高屈折率層１４を保護する。保護膜１８があるため、レーザにより発生する樹脂の削り屑は保護膜１８上に付着し、高屈折率層１４に付着しない。

　保護膜１８は、たとえば、水溶性樹脂を含む。保護膜１８は、ポリビニルカルバゾール系の材料を用いるのが好ましい。その理由は、保護機能が高く、かつ、除去が容易だからである。水溶性樹脂は、水によって保護膜のみを容易に除去可能である。保護膜１８は、最終的には除去される。保護膜１８の厚みは、２００～８００ｎｍの範囲内が好ましい。この範囲の厚みになることで、保護膜１８は保護機能が高く、かつ、除去が容易になるからである。保護膜１８は、高屈折率層１４の全面に設けられる。その理由は、高屈折率層１４全体を保護できるからである。保護膜１８は、高屈折率層１４を被覆する。

　保護膜１８の材料の塗布は、上述した図５の方法が適用される。図５の吐出装置５０は、吐出液を対象物１に向けて吐出する。吐出液は、保護膜１８を形成するための材料である。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体である（図２Ｅ参照）。

　図５で示す静電スプレー法は、塗布方法の一例であり、保護膜１８の形成方法は、これに限定されない。保護膜１８は、たとえば、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、ＣＡＰコートを含む適宜の塗布方法で形成される。静電スプレー法は、均一な薄膜をパターン形成できる点で最も適している。スリットコートは、一定量の液を吐出して液膜を形成することが可能であるため、均一性の高い薄膜、特に１０μｍ～２０μｍの厚膜を形成したいときに、他の方法よりも有利である。スピンコートは、均一性の高い薄膜を形成するときに、他の方法よりも有利である。スプレーコートは、平板への塗布だけでなく、立体物や両面への塗布が必要なときに、他の方法よりも有利である。ＣＡＰコートは、一定量の吐出ではなく、ノズルが一定平面で動いて塗布及び転写するため、平坦化が必要なときに、他の方法よりも有利である。

　保護膜１８の形成後、好ましくは、加熱が行われる。保護膜１８は、透明基板１１とともに加熱される。保護膜１８を有する積層体が加熱される。加熱は、保護膜１８を安定化させる。加熱は、適宜の方法で行われる。加熱方法として、ホットプレート、オーブンが例示される。保護膜１８は加熱されることなく、自然乾燥されてもよい。

　　［Ｓ１５；高屈折率層及び低屈折率層の不要部分の除去］
　工程Ｓ１５では、高屈折率層及び低屈折率層の不要部分を除去する。高屈折率層及び低屈折率層の不要部分の除去は、光取り出し構造のパターニングと定義される。光取り出し構造は、高屈折率層と低屈折率層とを合わせた構造を意味する。

　高屈折率層の不要部分と、低屈折率層の不要部分とは同じところにある。高屈折率層及び低屈折率層の不要部分の除去に伴って、密着層の不要部分も除去される。密着層の不要部分は、低屈折率層、高屈折率層の不要部分と同じところにある。高屈折率層及び低屈折率層の不要部分の除去に伴って、その不要部分を覆っている保護膜の一部も除去される。保護膜の除去される部分は、高屈折率層の不要部分と同じところにある。

　光取り出し構造は、光を取り出すのに有用である。光取り出し構造は、光を取り出すことを要しない部分には不要である。光取り出し構造のパターニングによって、光取り出し構造は、所望の形状となる。光取り出し構造は、樹脂を含む。しかし、樹脂は水分を吸収しやすい。もし、光取り出し構造が外部の空気に接すると、光取り出し構造の残留水分が有機ＥＬ素子の内部に侵入しやすくなる。光取り出し構造のパターニングは、光取り出し構造が外部の空気に接することを抑制し、有機ＥＬ素子の内部に水分が侵入することを抑制する。また、残留水分はＩＴＯなどの透明電極に浸透しＩＴＯ内の不純物となることで、透明電極の抵抗が局所的、または全面的に増加することで、駆動電圧の増加が起こる。また、ＩＴＯから有機層へのホール注入がＩＴＯ内の不純物で抑制されることで、有機層（特に発光材料含有層）のキャリアバランスが悪化し、発光色が変化し、表示ムラなどの不具合が発生する。このため、低屈折率材料や高屈折率材料などの樹脂内の残留水分を有機層の製膜前に除去することで良好な発光が得られる効果がある。

　図２Ｇに示すように、高屈折率層１４及び低屈折率層１３の不要部分が除去されると、高屈折率層１４及び低屈折率層１３は、分かれる。図２Ｇでは、これらの層は、目的とする有機ＥＬ素子の個数に基づいて左右方向に２つに分かれている。また、これらの層は、紙面に垂直な方向でも２つに分かれてもよい。その場合、高屈折率層１４及び低屈折率層１３は、４つに分かれる（図９Ｃ参照）。

　図９Ａは、レーザ加工の一例である。高屈折率層１４及び低屈折率層１３は、好ましくは、レーザ加工でパターニングされる。レーザ加工は、高屈折率層１４と低屈折率層１３と密着層１２との不要部分を、一度に効率よくパターン精度高く除去することができる。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と保護膜１８との積層体である（図２Ｆ参照）。保護膜１８があるため、レーザにより発生する樹脂の削り屑は保護膜１８上に付着し、高屈折率層１４に付着しない。

　図９Ａに示すように、レーザ加工は、レーザ装置８０により行われる。レーザ装置８０は、レーザ発振器８１と、レーザ照射体８２とを備える。レーザ発振器８１はレーザを発生させ、発生したレーザをレーザ照射体８２に送る。レーザ照射体８２はレーザ光８２Ｌを対象物１に向けて照射する。レーザ照射体８２は、ガルバノスキャナを備えることが好ましい。ガルバノスキャナは走査可能である。ガルバノスキャナは、パターン精度よくレーザ照射することができる。

　レーザ加工の好ましい条件の一例を以下で述べる。以下の条件は加工性を向上させる。ＹＶＯ４レーザが好ましい。ＹＶＯ４レーザは、Ｙ（イットリウム）Ｖ（バナジウム）Ｏ４（オキサイド）結晶に、Ｎｄ（ネオジウムイオン）をドープした結晶を、レーザ発振させる。レーザの波長は、４５０～６００ｎｍが好ましい。レーザの波長は、たとえば、５３２ｎｍである。このとき、１０６４ｎｍの波長が一緒に発振されてもよい。レーザのパルス幅は５～１００ｐｓｅｃが好ましい。レーザのエネルギー（パワー）は、５～２０Ｗ，４００～８００ｋＨｚが好ましい。スキャン速度は５００～１００００ｍｍ／ｓが好ましい。レーザ加工の送りピッチは２～３０ｕｍが好ましい。

　図９Ｃから理解されるように、高屈折率層１４及び低屈折率層１３の不要部分は、有機ＥＬ素子の外周部分に対応する。有機ＥＬ素子の外周部分には、高屈折率層１４及び低屈折率層１３は不要である。有機ＥＬ素子の外周部分は光らない。

　図９Ａで示すレーザ加工は、光取り出し構造のパターニングの一例であり、光取り出し構造のパターニングの方法は、これに限定されない。光取り出し構造のパターニングは、たとえば、フォトリソグラフィ法によって行われる。フォトリソグラフィ法では、保護膜１８が設けられなくてもよい。

　　［Ｓ１６；保護膜の除去］
　工程Ｓ１６では、保護膜を除去する。保護膜は、高屈折率層及び低屈折率層の不要部分の除去（すなわち樹脂のレーザーパターニング）の際の樹脂の削り屑が高屈樹脂上に付着させない目的で形成されたものである。そのため、保護膜は、光取り出し構造のパターニングの後は不要である。

　図２Ｈは、保護膜１８が除去された後の積層体を示している。透明基板１１の上には、不要部分が除去された密着層１２と、不要部分が除去された低屈折率層１３と、不要部分が除去された高屈折率層１４とが設けられている。

　図９Ｂは、保護膜１８の除去の一例である。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と保護膜１８との積層体である（図２Ｇ参照）。低屈折率層１３と高屈折率層１４と保護膜１８とは、パターニングされている。

　図９Ｂでは、対象物１は、水に浸漬される。保護膜は、たとえば、水溶性樹脂で形成される。水溶性樹脂で形成された保護膜は、水によって除去される。水は水槽８３に貯められている。対象物１は、好ましくは、超音波が照射される。図９Ｂの処理は、いわば超音波洗浄と同様である。超音波洗浄は、保護膜に振動を与えるので、保護膜の除去効果が向上する。

　なお、複数の対象物１が同時に水に浸漬されて、保護膜１８が除去されてもよい。たとえば、図１１に示すのと同様に、複数の対象物１が同時に容器９５に入れられて、水（溶剤９６）に浸漬され得る。図１１では、複数の対象物１は上下方向に立てられて、横方向に並べられて配置されている。複数の対象物１が同時に処理されることにより、製造効率が向上する。

　対象物１の水への浸漬は、複数回（少なくとも２回）、水を変えて行うことが好ましい。水を交換することで、保護膜１８の除去成分の付着が防止される。対象物１の水への浸漬、及び超音波照射は、たとえば、１０～３０分間実施される。水から出された対象物１は、流水によって洗浄されることが好ましい。流水での洗浄によって保護膜１８の除去成分が対象物１に再付着することが防止される。保護膜１８の除去に使用される水は、純水であることが好ましい。保護膜１８の除去では、光取り出し構造のパターニングの際に発生した屑（高屈折率層１４、低屈折率層１３及び密着層１２の不要部分を由来とする屑）も、同時に除去される。保護膜１８の除去により、図９Ｃに示すように、対象物１の表面には、パターン化された高屈折率層１４が現れる。

　以上により、図２Ｈで示すような、透明電極１５の下地となる積層体が形成される。この積層体は、光取り出し構造付き基板と定義される。光取り出し構造は、低屈折率層１３と高屈折率層１４とを含む構造である。図２Ｈに示すように、透明電極１５の下地となる積層体は、透明基板１１と、少なくとも１つの密着層１２と、少なくとも１つの低屈折率層１３と、少なくとも１つの高屈折率層１４とを備える。図２Ｈの状態は、図９Ｃの状態に対応する。多面取りの場合、密着層１２、低屈折率層１３及び高屈折率層１４の数は、複数である。１個取り（１つの透明基板１１から１つの有機ＥＬ素子が作製される）の場合、これらは１つであってよい。

　　［Ｓ１７；第２の水処理］
　工程Ｓ１７では、高屈折率層を水処理する。第２の水処理は、高屈折率層が水と接触することを含む。工程Ｓ１７の水処理は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４とを備える光取り出し構造付き基板（図２Ｈ参照）に対して行われる。

　第２の水処理は、後の加熱工程において、高屈折率層１４、低屈折率層１３、及び密着層１２の中の水分を除去しやすくする効果を発揮する。これは、層の加熱開始時に層内にある程度の水分が存在した方が加熱後の層内の残留水分が大きく低減するためである。仮に、水処理を行わない場合、加熱の際に、加えた熱量はまず層の最表面に存在する水分の加熱に用いられるため、光取り出し構造の最表面の水分から優先的に蒸発する。一方、層の奥深くに存在する水分を加熱するには水分に加えて周囲の樹脂も加熱する必要があるため加えた熱量が有効に水分の蒸発に用いられない。このため、結果として、表面近傍には水分が少ない領域ができる。水分は水分の存在下で水分濃度の傾斜分布に沿って移動する。このため、水分が存在しないと、外気と樹脂深くの水分が空間的に隔離された状態となり、かえって膜の奥深くに存在する水分は層表面に移動しにくくなり、結果として、光取り出し構造に水分が残りやすい。水分の残存は、透明電極や有機層の劣化要因となる。一方、水処理は、前もって高屈折率層１４、低屈折率層１３、及び密着層１２に水分を添加することで、光取り出し構造の残留水分を層表面に移動しやすくする。水処理後においては、光取り出し構造の内部の水分が蒸発しやすい。水処理で高屈折率層１４に与えられる水は、光取り出し構造の内部の残留水分を誘引することができる。水処理は、加熱の条件（たとえば昇温方法）を制御するよりも、効果的に水分の除去を行うことができる。

　第２の水処理は、上述した図７の方法が適用される。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４とを備える積層体である（図２Ｈ参照）。

　なお、ブラシ３２で擦った場合、対象物１が帯電しやすくなり、空気中の異物（不純粒子）を寄せ付けやすくなる。そのため、ブラシ３２よりも後に、イオナイザーによって除電処理が行われることが好ましい。除電処理は、領域Ａ３～領域Ａ７のいずれかで行われてもよいし、次の工程の前に行われてもよい。このとき、領域Ａ３～領域Ａ７のイオナイザーでは、次の工程Ｓ１８までの待機中に、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体に空気中の異物を寄せ付けにくくする効果がある。次の工程の前のイオナイザーだと、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体に付着した空気中の異物を落ちやすくする効果がある。

　工程Ｓ８の第１の水処理と工程Ｓ１７の第２の水処理とは、同じ処理であってよい。これらは、対象物１が異なるだけでもよい。第１の水処理と第２の水処理が同じ処理になると、製造効率が向上する。もちろん、第１の水処理と第２の水処理とは、それぞれが好適化されて、異なる処理となっていてもよい。

　　［Ｓ１８；プラズマ照射］
　工程Ｓ１８では、高屈折率層にプラズマを照射する。

　プラズマ照射は、上述した図４Ｃの方法が適用される。工程Ｓ１８の対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体である（図２Ｈ参照）。

　図４Ｃに示すように、プラズマは、プラズマ照射機４３から出される。対象物１は、好ましくは、大気圧プラズマが照射される。プラズマは、対象物１のプラズマ被照射部４３ｐに当たる。プラズマ照射機４３の位置と対象物１との相対的な位置が移動することにより、プラズマは対象物１の表面全体に照射される。プラズマ照射によって、対象物１の上の異物（特に有機物）が分解され効果的に取り除かれる。

　　［Ｓ１９；加熱］
　工程Ｓ１９では、高屈折率層を加熱する。加熱はベークである。高屈折率層は、透明基板と密着層と低屈折率層とともに加熱される。透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体が加熱される（図２Ｈ参照）。工程Ｓ１７の水処理後に工程Ｓ１９の加熱が実施されることで、工程Ｓ１７で水分を添加する工程を行ったとしても、この加熱工程により水分が効果的に除去される。

　加熱は、適宜の方法で行われる。加熱方法として、ホットプレート、オーブンが例示される。加熱は、好ましくは、温度差が局所的に大きくならないように行われる。

　加熱（ベーク）は、高屈折率層、低屈折率層、及び密着層内の残留した成分（水分、揮発成分及び未硬化物）を除去する。加熱によって、高屈折率層、低屈折率層、及び密着層は乾燥する。

　図１０Ａ及び図１０Ｂに、加熱の一例を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂの加熱はオーブンで行われる。加熱はオーブンで行うことが好ましい。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４との積層体である（図２Ｈ参照）。

　図１０Ａは、基板カセット９０を示している。図１０Ｂは、基板カセット９０に対象物１が入れられ、基板カセット９０がオーブンの加熱室９２に入れられた様子を示している。基板カセット９０は、複数の保持爪９１を備えている。複数の保持爪９１のうちの一部は、水平方向の位置が揃っている。水平方向の位置が揃った保持爪９１に、対象物１が配置される。基板カセット９０は、複数の対象物１を収容可能である。複数の対象物１を収容する基板カセット９０は、製造効率を向上させる。

　加熱は、基板温度が１７０～２００℃の範囲で、２０～６０分間の範囲で行うことが好ましい。その理由は、水分の除去効果が高いからである。基板温度は、あらかじめ測定されるオーブンの設定温度と基板の温度との相関関係に基づいて導き出される。基板温度は熱電対で測定される。オーブンで加熱する場合、空気をオーブン内で循環させることが好ましい。空気の循環は、温度のムラを低減できる。また、基板表面で気化した水分が空気の循環で除かれることで基板表面の水分の蒸気圧が下がる。これにより基板から効率的かつ連続的に水分蒸発が起こる効果がある。

　工程Ｓ１９の加熱の後、基板温度（対象物１の温度）が１００～１３０℃の範囲にある状態で、工程Ｓ２１（透明電極の形成）に進行してもよい。この場合、工程Ｓ２０は省略される。基板温度が１００℃以上であると、大気中の水分が基板を含む積層体に付着しないため、光取り出し構造が大気中の水分を吸収しない効果が得られる。

　なお、工程Ｓ３、工程Ｓ７及び工程Ｓ１２の加熱のいずれか１つ以上も、図１０Ａ及び図１０Ｂで説明したオーブンで行ってもよい。

　　［Ｓ２０；溶剤処理］
　工程Ｓ２０では、透明基板と低屈折率層と高屈折率層とを備える積層体を溶剤で処理する。溶剤は、低屈折率層を形成する材料及び高屈折率を形成する材料を溶解可能である。溶剤の処理は、積層体に溶剤を接触させることを含む。溶剤は、高屈折率層に接触する。溶剤の処理では、たとえば、積層体が溶剤に浸漬されてもよい。

　溶剤は、高屈折率層を形成する材料（高屈折率材料）に含まれる溶剤であってもよい。溶剤は、高屈折率材料の溶剤と同一であり得る。溶剤は、低屈折率層を形成する材料（低屈折率材料）に含まれる溶剤であってもよい。溶剤は、低屈折率材料の溶剤と同一であり得る。溶剤は、有機溶媒を含むことが好ましい。溶剤は、水を含んでもよいし、水を含まなくてもよいが、水をできるだけ積層体から取り除く観点からは、水を含まない方が好ましい。溶剤としては、たとえば、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、ラクトン系溶剤などが挙げられる。溶剤の具体例としては、たとえば、アセトン、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセタート、γ－ブチロラクトンが挙げられる。

　図１１は、溶剤処理の一例を示す模式的な概略図である。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４とを備える積層体である（図２Ｈ参照）。溶剤処理は、容器９５で行われる。図１１では、複数の対象物１が同時に溶剤処理されている。容器９５には、溶剤９６が貯められている。容器９５に対象物１が入れられ、対象物１が溶剤９６に浸漬される。これにより、対象物１、特に高屈折率層１４が溶剤と接触し、対象物１の溶剤処理が行われる。図１１では、複数の対象物１は上下方向に立てられて、横方向に並べられて配置されている。複数の対象物１が同時に処理されることにより、製造効率が向上する。なお、溶剤を通して対象物１に超音波が照射されてもよい。

　図１２Ａ～図１２Ｃは、溶剤処理を説明する説明図である。図１２Ａ～図１２Ｃでは、低屈折率層１３と高屈折率層１４とが抽出されて模式的に描画されている。図１２Ａは、溶剤処理前の層の模式図を示している。図１２Ｂは、溶剤処理中の層の模式図を示している。図１２Ｃは、溶剤処理後の層の模式図を示している。

　図１２Ａ～図１２Ｃで示すように、高屈折率層１４は、樹脂成分を含む。この樹脂成分は、高屈折率層１４を形成するための材料の硬化により、架橋構造１４Ｓを層内で形成している。低屈折率層１３は、樹脂成分を含む。この樹脂成分は、低屈折率層１３を形成するための材料の硬化により、架橋構造１３Ｓを層内で形成している。樹脂の架橋構造は、マトリックス状となっている。ここで、樹脂成分には、樹脂の硬化の際に架橋構造に取り込まれなくて残存する分子量の小さい成分が存在し得る。図１２Ａ及び図１２Ｂでは、分子量の小さい成分が、低分子成分１３ａ及び低分子成分１４ａとして表されている。分子量の小さい成分がデバイス内に残存すると、たとえば、有機ＥＬ素子では、分子量の小さい成分が移動して、有機層に入り込んで有機層に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで、溶剤処理することにより、分子量の小さい成分を積層体から取り除くようにする。図１２Ａのように、低分子成分１３ａを含む低屈折率層１３、及び低分子成分１４ａを含む高屈折率層１４が、溶剤処理されると、図１２Ｂに示すように、低分子成分１３ａ及び低分子成分１４ａは、溶剤（図１１の溶剤９６）に溶け出して積層体から取り除かれる。溶剤は、高屈折率層１４を形成する材料（すなわち高屈折率層１４の原料）を良好に溶解させ、また、低屈折率層１３を形成する材料（すなわち低屈折率層１３の原料）を良好に溶解させるからである。ただし、溶剤は、低屈折率層１３及び高屈折率層１４（すなわち硬化後の層）を溶解させない。そのため、層内に含まれる分子量の小さい成分が効率よく取り除され、デバイスの信頼性を向上させることができる。分子量の小さい成分としては、特に硫黄含有成分がデバイスに悪影響を及ぼしやすいが、溶剤処理を行うことにより、硫黄含有成分が効果的に除去され得る。そして、図１２Ｃに示すように、溶剤処理により、低分子成分１３ａ及び低分子成分１４ａが除去された低屈折率層１３及び高屈折率層１４が得られる。

　溶剤の処理後は、溶剤が低屈折率層１３及び高屈折率層１４に残存しないように、対象物１が乾燥されることが好ましい。このため、溶剤は、揮発性の溶剤であることが好ましい。乾燥は、たとえば、加熱や、エアの噴き付けなどで行われ得る。乾燥は、図１０Ａ及び図１０Ｂにより説明した加熱により行われてもよい。対象物１は、たとえば、１００～１５０℃に加熱されてもよい。

　工程Ｓ２０の後、基板温度（対象物１の温度）が１００～１３０℃の範囲にある状態で、工程Ｓ２１（透明電極の形成）に進行することが好ましい。基板温度が１００℃以上であると、大気中の水分が基板を含む積層体に付着しないため、光取り出し構造が大気中の水分を吸収しない効果が得られる。

　なお、工程Ｓ２０は、工程Ｓ１７（第２の水処理）後に行われるものであればよい。たとえば、工程２０と工程１９とが入れ替わって、工程１８の後に工程Ｓ２０が行われ、その後、工程Ｓ１９（加熱）が行われてもよい。その場合、工程Ｓ１９の加熱によって、溶剤が取り除かれ、そのまま工程Ｓ２１に進行することができる。

　　［Ｓ２１；透明電極の形成］
　工程Ｓ２１では、透明電極を形成する。図３Ａは、透明電極１５が設けられた積層体を示している。透明電極１５は、高屈折率層１４の上に形成される。

　透明電極１５は、金属酸化物から形成されることが好ましい。金属酸化物の例は、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯが挙げられる。透明電極１５は、ＩＴＯから形成されることがより好ましい。ＩＴＯは、光透過性、電気抵抗特性、信頼性が他の材料よりも優れている。

　透明電極１５は、たとえば、スパッタリングで形成される。透明電極１５の厚みは４０ｎｍ～２００ｎｍの範囲が好ましい。透明電極１５の厚みがこの範囲であると、導電性がよく、かつ、光透過性がよいという効果が得られる。透明電極１５の厚みは、さらに、５０～３００ｎｍの範囲が好ましい。これは透明電極の厚みが薄ければ、有機層を蒸着する前の洗浄工程で樹脂に含浸した微量な水分が再度透明電極を通して外部へ放出される効果があるためである。また、透明電極が薄くなりすぎると抵抗値が増加するデメリットがあるためである。一方、透明電極が厚くなりすぎると、樹脂の水分が外部へ放出されず発光不良となる可能性がある。

　図１３は、スパッタリングを示している。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４とを備える積層体である（図２Ｈ参照）。スパッタリングは、チャンバ１０１で行われる。チャンバ１０１に対象物１が導入され、スパッタ源から出る材料が対象物１の表面に付着する。

　図１４は、スパッタ装置１００の一例である。スパッタ装置１００は、チャンバ１０１、スパッタ源供給体１０２、電源ユニット１０３、真空ポンプ１０４、圧力調整ユニット１０５、ガス供給体１０６、準備室１０７、及び隣接室１０８を備えている。チャンバ１０１内は、真空ポンプ１０４によって空気が吸引される。真空ポンプ１０４は、クライオポンプであってよい。ガス供給体１０６は、Ａｒ供給体１０６ａと、Ｏ_２供給体１０６ｂとを備えている。ガス供給体１０６は、チャンバ１０１に、ガス（ＡｒとＯ_２とを含むガス）を供給する。圧力調整ユニット１０５は、チャンバ１０１内の圧力が所定の値になるように、真空ポンプ１０４を制御する。チャンバ１０１内の圧力は、１×１０^－４～１×１０^－２Ｐａであることが好ましい。チャンバ１０１内は、圧力が維持され、所定のＡｒとＯ_２の混合比が保たれる。アルゴン及び酸素の導入は、電離気体を発生させる。対象物１は準備室１０７を通り、チャンバ１０１内に入る。スパッタ源供給体１０２は、スパッタ源（ここではＩＴＯ）を対象物１に向けて放出する。対象物１は、搬送されながらＩＴＯが積層される。積層（成膜）は、枚葉のバッチ式であってもよいし、枚葉の搬送方式であってもよい。これにより、対象物１に対して透明電極１５の形成を行うことができる。

　なお、透明電極１５は、スパッタリング以外の方法で形成されてもよい。透明電極１５の形成方法として、蒸着法、塗布法が挙げられる。

　　［Ｓ２２；透明電極の不要部分の除去］
　工程Ｓ２２では、透明電極の不要部分を除去する。図３Ｂは、透明電極１５の不要部分が除去された後の積層体を示している。透明電極１５の不要部分の除去は、透明電極１５のパターニングと定義される。図３Ｂでは、透明電極１５は分断されている。

　透明電極１５は、好ましくは、有機ＥＬ素子を駆動するのに適するパターンにパターニングされる。透明電極１５は、分かれる。透明電極１５の一部は陽極になる。透明電極１５の他の一部は陰極になる。陽極と陰極とを分離するために、透明電極１５の一部は除去される。透明電極１５は、有機ＥＬ素子の外周部には不要である場合もある。不要な外周部分の透明電極１５は除去される。透明電極１５は、有機ＥＬ素子の個数、及び、電極接続パターンにしたがって、パターニングされる。

　透明電極１５のパターニングは、好ましくは、レーザ加工で行われる。レーザ加工は、レーザの照射位置を移動させることで行われる。レーザが照射された部分は、透明電極１５が除去される。

　図１５Ａは、レーザ加工の一例である。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５との積層体である（図３Ａ参照）。レーザ加工は、透明電極１５の不要部分を、効率よくパターン精度高く除去することができる。

　レーザ加工は、レーザ照射機１１０により行われる。レーザ照射機１１０はレーザ光１１０Ｌを対象物１に向けて照射する。レーザ照射機１１０は、ガルバノスキャナを備えていてもよい。ガルバノスキャナによりパターン精度が高まる効果が得られる。

　図１５Ｂは、透明電極１５の不要部分が取り除かれた後の対象物１を示している。図１５Ｂでは、透明電極１５は、第１部分１５ａと第２部分１５ｂとに分断されている。第１部分１５ａは、有機ＥＬ素子の陽極を構成する。第２部分１５ｂは、有機ＥＬ素子の陰極に繋がる部分を構成する。

　図１６は、透明電極１５のパターニングの一例である。図１６では、透明電極１５内にＵ字状の除去部１５ｐが形成されている。図１６には、ｘ方向とｙ方向とが示されている。透明電極１５はｘｙ平面に沿って配置されている。ｘｙ平面は、透明基板１１の表面と平行である。除去部１５ｐは、ｘ方向に伸びる第１除去部１５ｐ－１とｙ方向に伸びる第２除去部１５ｐ－２とを有する。レーザの当たる点は除去部１５ｐの幅よりも小さく、レーザは、位置を変えて除去部１５ｐに繰り返し照射され、除去部１５ｐの全体を除去する。レーザは、基本的に、除去部１５ｐが伸びる方向に沿って移動することが好ましい。このようなレーザの移動は、除去部１５ｐを効率よく除去する。同じ理由で、第１除去部１５ｐ－１では、ｘ方向にレーザが移動している（矢印）。第２除去部１５ｐ－２では、ｙ方向にレーザが移動している（矢印）。ただし、ｘ方向に伸びる部分の一部である第３除去部１５ｐ－３では、ｙ方向にレーザが移動している（矢印）。第３除去部１５ｐ－３は、第１除去部１５ｐ－１と第２除去部１５ｐ－２との境界部分である。このような除去は、透明電極１５のパターニングを良好にする。

　レーザの具体例を以下に述べる。ガラス基板上に膜厚１００ｎｍで成膜されたＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）のパターニングを目的にレーザ加工を行う場合は以下の設定が好ましい。レーザは、ＩＲレーザ、ＳＨＧレーザなどが、ＩＴＯ膜の光吸収率が高いので適している。レーザ出力は、たとえば、２Ｗ／ｃｍ^２～３Ｗ／ｃｍ^２、レーザの周波数は、たとえば、２０ｋＨｚである。レーザの焦点距離（Ｚ）は、たとえば、２．０である。レーザの最高速度は、６０ｍｍ／ｓである。レーザの１ラインの加工幅は、たとえば、３５μｍである。レーザの送りピッチは、たとえば、１５μｍである。その理由は、ＩＴＯが除去され、かつガラス基板へのダメージが少なくできるためである。ただし、これらは具体例の１つに過ぎず、レーザの条件は変更されてもよい。

　図１５Ａ及び図１５Ｂで示すレーザ加工は、透明電極１５のパターニングの一例であり、透明電極１５のパターニングの方法は、これに限定されない。たとえば、透明電極１５は、フォトリソグラフィ法でパターニングされてもよい。

　　［Ｓ２３；洗浄］
　工程Ｓ２３では、透明電極が設けられた透明基板を洗浄する。

　洗浄は上述した図４Ｂの方法が適用される。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５との積層体である（図３Ｂ参照）。

　なお、工程Ｓ２３の後、工程Ｓ２４に移る前に、プラズマ照射を行ってもよい。プラズマ照射は、上述した図４Ｃの方法が適用される。プラズマ照射によって、透明電極１５の表面の有機物が分解除去され、透明電極１５の表面のぬれ性が向上する。これにより電極補助体１６を透明電極１５の上に形成した際に、電極補助体１６と透明電極１５との界面の接触面積が増大することで、接触抵抗が低減する効果が得られる。プラズマ照射は、透明電極１５と電極補助体１６との接触抵抗を低下させる効果がある。

　　［Ｓ２４；電極補助体形成］
　工程Ｓ２４では、電極補助体を形成する。図３Ｃは、電極補助体１６が形成された積層体を示している。電極補助体１６は、透明電極１５の上に形成されている。

　電極補助体１６は、透明電極１５の電気伝導性を改善する効果がある。このため、電極補助体１６は透明電極１５よりも導電性が高い。電極補助体１６は、透明電極１５に接することで一体となり、導電性を向上する効果が得られる。電極補助体１６は、透明電極１５内で電流が均一に流れやすくさせる。

　電極補助体１６がない場合、透明電極付き基板１０は、導電性が低いという課題がある。電極補助体１６は、高屈折率層１４及び低屈折率層１３を有する透明電極付き基板１０の製造に特に有用である。樹脂から形成される高屈折率層１４及び低屈折率層１３は、熱で黄変する。そのため、製造工程内で、２２０℃以上の高温の加熱は行うことができない。一方、ＩＴＯなどで形成される透明電極１５は、１６０～２００℃程度の高温の加熱で低抵抗化されるが、加熱時の温度が１２０～１４０℃程度と低いと結晶化が進まず、低抵抗にならない。そこで、透明電極１５の導電性を補うために、電極補助体１６を用いて、透明電極１５の導電性を向上させる。電極補助体１６は、透明電極１５と一体となって、電流を流す。これにより、より均一に電流が透明電極１５を流れる。電極補助体１６により、仮に発光面が大きくなっても、透明電極１５に均一な電流を流すことができる。

　電極補助体１６は、たとえば、金属から形成される。金属は、金属酸化物より導電率が低いので、透明電極１５に流れる電流を増大させることができる。電極補助体１６は、金属であるため、光透過性が低く、有機ＥＬ素子の発光効率が下がる課題がある。そのため、電極補助体１６を、透明電極１５の上に、メッシュ状に形成することで、開口率を確保しつつ高い導電性を実現することができる。

　図１７は、電極補助体１６のパターンの一例である。電極補助体１６は平面視されている。電極補助体１６はメッシュ構造を有する。電極補助体１６は格子状である。光はメッシュの間を通過する。電極補助体１６は、複数の線１６ａで形成されている。複数の線１６ａは、縦横に伸びている。電極補助体１６の線幅は、たとえば、１０～５０μｍである。この理由は、この線幅の範囲であると、透明電極１５に流れる電流を増大しつつ、光を十分に取り出すことができるからである。

　なお、図３Ｃ及び図１７は、電極補助体１６を模式的に示しているにすぎず、実際には、電極補助体１６は多数の細線で構成される。図３Ｃでは、紙面に垂直な方向に電極補助体１６が形成されている。

　電極補助体１６は、塗布により形成される。電極補助体１６は、好ましくは、静電吐出法により塗布される。静電吐出法は、メッシュ形状の配置のパターン自由度が高いという利点がある。静電吐出法は、マスク形成やエッチングが不要となるので、製造工程数を減少させる効果がある。静電吐出では、メッシュ構造を形成した後、外観検査によってピンホールの不良が見つかった場合に、不良部位のみ再度静電吐出することで修復できることがあり、製造歩留まりを上げることができる。

　図１８は、静電吐出の一例を示している。図１８では、静電吐出装置１２０により、静電吐出が行われる。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５との積層体である（図３Ｂ参照）。

　図１８の静電吐出装置１２０は、吐出機１２１と、載置台１２２と、電源１２３とを備えている。電源１２３は、載置台１２２に負電荷を与え、吐出機１２１に正電荷を与える。載置台１２２と吐出機１２１との間に電圧差が生じる。対象物１は、載置台１２２の上に配置される。吐出機１２１は、吐出機１２１に送り込まれた吐出液１２１Ｐを対象物１に向けて出射する。吐出機１２１から出た吐出液１２１Ｐは、対象物１の表面に付着する。吐出液１２１Ｐは、対象物１の上に点状に到達する。吐出機１２１と対象物１との相対的な位置が移動すると、吐出液１２１Ｐは、対象物１の上に線を描くように塗布される。図１８では、載置台１２２が縦横の方向に移動する様子が示されている（矢印）。載置台１２２の移動にしたがって、対象物１も移動する。吐出液１２１Ｐが吐出しているときに対象物１が移動することによって、対象物１の上に、吐出液１２１Ｐが描画される。静電吐出では、吐出液１２１Ｐからパターン状の層が効率よく形成される。

　図１９は、静電吐出の吐出液の一例である。静電吐出では、載置台１２２と吐出機１２１との電圧差が、対象物１と吐出液１２１Ｐとの電圧差に反映されて、電気的吸引力によって吐出液１２１Ｐの先端を細くする。図１９では、吐出液１２１Ｐが対象物１に近づくと先細りすることが示されている。吐出液１２１Ｐは、先細り部１２１Ｑを有する。静電吐出では、たとえば、１０～５０μｍの線幅で吐出液１２１Ｐを対象物１に描画することが可能である。

　吐出液は、たとえば、金属粒子を含む。金属粒子は、ナノサイズであることが好ましい。その理由は、ナノサイズの金属粒子は、結合したときの導電性が高いからである。吐出液は、金属粒子が液体に分散されたものであってよい。吐出液は、バインダーを含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。吐出液がバインダーを含んでいると、金属粒子の分散性が高くなるという利点がある。吐出液がバインダーを含んでいないと、電極補助体の導電性が向上するという利点がある。

　吐出液の好ましい例は、Ａｇ粒子を含むペースト（いわゆる銀ペースト）である。特に、ナノ銀ペーストが好ましい。

　図１８で示す静電吐出は、電極補助体１６の形成の一例であり、電極補助体１６の形成は、これに限定されない。電極補助体１６は、たとえば、フォトリソグラフィ法によって形成されてもよい。

　　［Ｓ２５；加熱］
　工程Ｓ２５では、電極補助体を加熱する。加熱はベークである。電極補助体は、透明基板と、透明基板上に設けられた他の要素（密着層、低屈折率層、高屈折率層、透明電極）とともに加熱される。透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５と電極補助体１６との積層体が加熱される（図３Ｃ参照）。

　加熱は、電極補助体１６を安定化させる。電極補助体１６を形成するための吐出液が金属粒子を含む場合、加熱により金属粒子が集まって電極補助体１６の導電性が向上する。複数の金属粒子が結合してもよい。加熱は、適宜の方法で行われる。

　加熱方法として、ホットプレート、オーブンが例示される。加熱は、好ましくは、温度差が局所的に大きくならないように行われる。加熱はオーブンで行うことが好ましい。オーブンで加熱する場合、空気をオーブン内で循環させることが好ましい。たとえば、工程Ｓ１９及び図１０Ａ及び図１０Ｂで説明した加熱方法が適用される。

　加熱（ベーク）は、透明基板上に設けられた他の要素（密着層、低屈折率層、高屈折率層、透明電極）内の不要な成分（水分、揮発成分及び未硬化物）を除去する作用を有する。

　　［Ｓ２６；絶縁体形成］
　工程Ｓ２６では、絶縁体を形成する。図３Ｄは、絶縁体１７が形成された積層体を示している。絶縁体１７は、電極補助体１６の上に形成されている。絶縁体１７は、電極補助体１６に対応する形状を有する。

　絶縁体１７は、電極補助体１６と有機層とが直接接触するのを抑制する。電極補助体１６と有機層とが直接接触すると、電極補助体１６と対電極（透明電極の対となる電極）との間で電流が流れ、電気的にショートする課題が発生する。絶縁体１７は、電極補助体１６から直接、電流が有機層に流れることを抑制し、透明電極１５内に電流が均一に流れやすくさせる効果がある。

　絶縁体１７は、たとえば、樹脂から形成される。樹脂により、電極補助体１６に対して高い絶縁性を発揮することができる。電極補助体１６は、少なくとも対電極が形成される領域においては、電極補助体１６と同じ形状で形成されるのが好ましい。

　絶縁体１７と電極補助体１６は、平面視において同じ形状であってよい。絶縁体１７は、たとえば、複数の線で形成される。絶縁体１７は、全体として、平面視でメッシュ構造を有していてもよい。メッシュ構造は、好ましくは、格子状である。たとえば、図１７の電極補助体１６が形成された場合、図１７と同形状の絶縁体１７が形成される。絶縁体１７の線幅は、たとえば、１０～５０μｍである。この線幅の範囲であると、絶縁性を確保しつつ、光を十分に取り出すことができるからである。

　絶縁体１７は、電極補助体１６を被覆することが好ましい。絶縁体１７は、透明電極１５に接することが好ましい。図３Ｄでは、絶縁体１７は、電極補助体１６の側方で透明電極１５に接している。絶縁体１７が、電極補助体１６を被覆し透明電極１５に接すると、絶縁体１７により、電極補助体１６は透明電極１５から剥がれにくくなる。金属で形成される電極補助体１６は透明電極１５との密着性が低いが、樹脂で形成される絶縁体１７は接着性が高い。なぜなら、樹脂は接着性が金属よりも高いからである。このため、絶縁体１７は、メッシュ構造の電極補助体１６を透明電極１５に固着する機能を有する。

　絶縁体１７は、塗布により形成される。絶縁体１７は、好ましくは、静電吐出法により塗布される。静電吐出法は、絶縁体の形成パターンの自由度が高いという利点がある。静電吐出法は、マスク形成やエッチングが不要となるので、製造工程数を減少させることができる。静電吐出では、メッシュ構造のパターンが精度よく形成される。絶縁体の形成は、上述した図１８の方法が適用される。

　図１８は、静電吐出の一例を示している。図１８では、静電吐出装置１２０により、静電吐出が行われる。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５と電極補助体１６との積層体である（図３Ｃ参照）。

　吐出液は、たとえば、樹脂を含む。吐出液は、樹脂が液体に分散されたものであってよい。樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂を含んでいてもよい。

　図１８で示す静電吐出は、絶縁体１７の形成の一例であり、絶縁体１７の形成は、これに限定されない。絶縁体１７は、たとえば、フォトリソグラフィ法によって形成されてもよい。

　　［Ｓ２７；加熱］
　工程Ｓ２７では、絶縁体を加熱する。加熱はベークである。絶縁体は、透明基板と、透明基板上に設けられた他の要素（密着層、低屈折率層、高屈折率層、透明電極、電極補助体）とともに加熱される。透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５と電極補助体１６と絶縁体１７との積層体が加熱される（図３Ｄ参照）。

　加熱は、絶縁体１７を安定化させる。絶縁体１７を形成するための樹脂が熱硬化性を有する場合、加熱により熱硬化が進行する。絶縁体１７を形成するための樹脂が熱硬化性を有さない場合でも、加熱は、樹脂の固化を進行させ、絶縁体１７を安定化（意味不明）させる。加熱は、適宜の方法で行われる。

　加熱（ベーク）は、透明基板上に設けられた他の要素（密着層、低屈折率層、高屈折率層、透明電極、電極補助体、絶縁体）内の不要な成分（水分、揮発成分及び未硬化物）を除去する作用を有する。

　　［Ｓ２８；洗浄］
　工程Ｓ２８では、上記の工程を経た積層体を洗浄する。ここでの積層体は、透明基板と、透明基板上に設けられた複数の要素（密着層、低屈折率層、高屈折率層、透明電極、電極補助体、絶縁体）を含む（図３Ｄ参照）。透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５と電極補助体１６と絶縁体１７との積層体が、洗浄される。

　積層体は、水で洗浄される。積層体は、２流体で洗浄される。好ましくは、積層体は、水と２流体との両方で洗浄される。洗浄では、上述した方法とは異なり、ブラシは使用されないことが好ましい。ブラシで擦ると、表面が傷つくおそれがある。特に、電極補助体１６と絶縁体１７とがある場合には、表面がダメージを受けやすくなるため、ブラシ洗浄は行わないのが好ましい。洗浄により、透明電極付き基板全面の異物が取り除かれる。

　なお、工程Ｓ２８の後、工程Ｓ２９に移る前に、プラズマ照射を行ってもよい。プラズマ照射は、上述した図４Ｃの方法が適用される。プラズマ照射によって、不純物を除去できる。プラズマ照射により有機物が除去されると汚染源が減るので、有機層の汚染が低減する。

　　［Ｓ２９；真空加熱］
　工程Ｓ２９では、上記の工程を経た積層体を真空加熱する。ここでの積層体は、透明基板と、透明基板上に設けられた複数の要素（密着層、低屈折率層、高屈折率層、透明電極、電極補助体、絶縁体）を含む（図３Ｄ参照）。工程Ｓ２９を経ることで、透明電極付き基板１０の製造が終了する。

　図２０Ａ及び図２０Ｂは、真空加熱の一例である。真空加熱は、真空加熱装置１３０によって行われる。対象物１は、透明基板１１と密着層１２と低屈折率層１３と高屈折率層１４と透明電極１５と電極補助体１６と絶縁体１７との積層体である（図３Ｄ参照）。

　真空加熱は、真空状態で対象物１を加熱することを意味する。真空加熱は、真空ベークとも呼ばれる。真空中で加熱することで透明電極付き基板に含まれる不純物の沸点がさがり、不純物を短時間でかつ高効率で蒸発させることができる。このため、透明電極付き基板の作成に必要な時間が低減することでタクトが向上する効果が得られる。真空加熱は、対象物１に含まれる不要な成分（水分、揮発成分及び未硬化物）を効果的に除去する。真空加熱は、有機層の下地となる面を安定化させる。有機層の下地となる面は、透明電極１５の露出面を含む。真空加熱により、良好な透明電極付き基板１０を得ることができる。真空加熱は、有機ＥＬ素子の信頼性、寿命を向上させる。

　図２０Ａ及び図２０Ｂの真空加熱装置１３０は、基板収容体１３１と、加熱体１３３と、冷却体１３４と、開口１３５とを備えている。真空加熱装置１３０の内部は真空になっている。真空加熱装置１３０では、真空空間が形成される。真空加熱装置１３０の内部の圧力は、１×１０^－４Ｐａ～１×１０^－２Ｐａの範囲内であることが好ましい。

　基板収容体１３１は、複数の保持爪１３２を備えている。複数の保持爪１３２は、対象物１を引っ掛けて保持する。基板収容体１３１は、真空加熱装置１３０の内部に配置されている。基板収容体１３１は、真空加熱装置１３０の内部を移動する（矢印）。図２０Ａ及び図２０Ｂでは、上下方向に基板収容体１３１が移動する。図２０Ａでは、基板収容体１３１は上部にある。図２０Ｂでは、基板収容体１３１は下部にある。なお、対象物１がトレイの上に置かれ、このトレイが基板収容体１３１に収容されてもよい。この場合、対象物１は、トレイごと真空加熱される。図２０Ａ及び図２０Ｂで示す対象物１は、上記の対象物１（積層体）とトレイとを合わせたものに置き換えられる。

　加熱体１３３は、真空加熱装置１３０の上部に配置されている。加熱体１３３は、基板収容体１３１が上部にあるときに、基板収容体１３１の側方に配置される（図２０Ａ）。加熱体１３３は、輻射熱で対象物１を加熱することができる。加熱体１３３は、対象物１に熱を与える。加熱体１３３は、たとえば、ランプヒーターである。

　冷却体１３４は、真空加熱装置１３０の下部に配置されている。冷却体１３４は、基板収容体１３１が下部にあるときに、基板収容体１３１の側方及び下方に配置される（図２０Ｂ）。冷却体１３４は、輻射によって対象物１を冷却することができる。冷却体１３４は、対象物１から熱を奪う。冷却体１３４は、基板収容体１３１を介した熱伝導によって対象物１を冷却してもよい。冷却体１３４は、たとえば、水冷ジャケットである。

　開口１３５は、真空加熱が行われる空間とそれ以外の空間とを繋いでいる。開口１３５を通して、対象物１の出し入れが行われる。開口１３５は、真空空間が形成されるときには、閉じられる。図２０Ａ及び図２０Ｂの真空加熱装置１３０では、開口１３５の大きさは、基板収容体１３１よりも小さい。ただし、開口１３５の大きさは、対象物１を出し入れできる大きさとなっている。図２０Ｂでは、開口１３５の位置にある対象物１の出し入れを行うことができる。基板収容体１３１を移動させることで、開口１３５に現れる保持爪１３２が変わり、保持爪１３２のそれぞれに対象物１を載せることができる。基板収容体１３１は、所定の個数の対象物１を収容することができる。基板収容体１３１は、たとえば、１０個の対象物１を収容できる。

　真空加熱では、開口１３５から対象物１が真空加熱装置１３０の内部に挿入され、基板収容体１３１に対象物１が収容される。対象物１は、保持爪１３２によって保持される。対象物１を所定の個数収容した基板収容体１３１は、加熱体１３３の近く、すなわち真空加熱装置１３０内の上部に移動する（図２０Ｂの矢印）。これにより、対象物１が加熱される（図２０Ａ）。加熱は、所定の時間行われる。対象物１が加熱された後、基板収容体１３１は、冷却体１３４の近く、すなわち真空加熱装置１３０内の下部に移動する（図２０Ａの矢印）。これにより、対象物１が冷却される（図２０Ｂ）。ただし、対象物１は外界の温度（たとえば室温）まで冷却されなくてよく、次工程に進める温度までの冷却でよい。冷却された対象物１は、開口１３５から取り出される。好ましくは、開口１３５は、次工程の装置（たとえば蒸着装置）と繋がっていて、真空が維持されたまま、対象物１は取り出される。

　真空加熱装置の加熱は、所定の条件で行われる。たとえば、あらかじめ真空加熱装置の設定温度と基板の温度との相関関係を得ておき、相関関係に基づいて、所定の時間、所定の温度で、対象物１が加熱される。加熱の一例は、基板温度１５０～２５０℃、３０～１２０分の加熱である。

　以上、工程Ｓ１～工程Ｓ２９を経ることで、透明電極付き基板１０の製造が終了する。工程Ｓ２９の終了後、好ましくは、引き続き有機層の蒸着に進行する。すなわち、工程Ｓ２９の終了後、後述する図２２の工程Ｓ１０３に進行する）。工程Ｓ２９の終了時には、透明電極付き基板１０は、真空状態にある。真空状態にある透明電極付き基板１０は、真空状態が継続されたまま、有機層が形成されることが好ましい。透明電極付き基板１０を大気に曝すと、樹脂が水分を吸収するおそれがある。なお、工程Ｓ２１の後、一部の工程を行わない場合は、最後に行う工程をもって、透明電極付き基板１０の製造は終了する。

　　［透明電極付き基板の保管］
　以上で述べた透明電極付き基板は、透明電極付き基板の放置により大気中の水分を吸湿する時間をおかず、引き続き有機層の形成を行うことが好ましいが、透明電極付き基板を保管しておくことも有用である。ただし、その場合、透明電極付き基板は、真空から開放され大気下に置かれる。このとき、透明電極付き基板は、大気中の水分や外光の紫外線に暴露される場合がある。透明電極付き基板は樹脂を含んでいる。透明電極付き基板を長期に放置すると、例え樹脂が透明電極の下部に形成されても、透明電極の結晶粒系の隙間から大気中の水分が浸透する課題がある。また、長期にわたり紫外線に暴露されると樹脂が分解し樹脂の不純物が有機層の形成後に有機層に滲出し、有機ＥＬ素子の発光が劣化する課題がある。このため、透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、透明電極付き基板を紫外線と水分を除去した環境で保管する。透明電極付き基板を保管する場合、保管によって、透明電極付き基板の製造が終了する。

　透明電極付き基板を保管する場合、工程Ｓ２９の真空加熱後に保管が行われなくてもよく、保管は、透明電極の形成後の適宜のタイミングであってよい。また、工程Ｓ２９の代わりに、工程Ｓ２８の後に常圧で加熱が行われた後、透明電極付き基板の保管が行われてもよい。上記で述べた透明電極付き基板は、透明電極の形成後、保管される。図１に基づくと、保管に移行するのは、工程Ｓ２１の後、工程Ｓ２３の後、工程Ｓ２８の後、工程Ｓ２９の後が例示される。透明電極付き基板の製造方法は、好ましくは、透明基板と低屈折率層と高屈折率層と透明電極とを備える積層体を、紫外線と水分を除去した環境で保管する工程を含む。この工程は、保管工程と定義される。

　図２１は、透明電極付き基板１０の保管の一例を示す。対象物１は、透明基板１１と、密着層１２と、低屈折率層１３と、高屈折率層１４と、透明電極１５と、電極補助体１６と、絶縁体１７との積層体である。対象物１は、透明電極付き基板１０そのものといってもよい。対象物１は、保管器１４０によって保管される。保管器１４０は、ボックス状である。透明電極付き基板１０は、大気圧の下、保管される。透明電極付き基板１０は、空気のある状態で保管される。なお、図２１では、理解のために、透明電極１５を描画している。

　図２１の保管器１４０は、箱体１４１と、覆い板１４２と、支え板１４３と、乾燥材１４４とを備えている。箱体１４１は、対象物１が収容される空間を取り囲む。支え板１４３と覆い板１４２と乾燥材１４４とは、箱体１４１の内部にある。保管器１４０は、支え板１４３が下になり、覆い板１４２が上になるように設置される。保管器１４０は、少なくとも１つの対象物１を収容する。図２１では、１０個の対象物１を収容している。対象物１は縦置きされている。保管器１４０は、保管効率の観点から、複数の対象物１を収容可能なことが好ましい。

　対象物１は、支え板１４３の上に載っている。支え板１４３は、複数の対象物１を支える。支え板１４３は、対象物１が接触して傷つかないよう、隣り合う対象物１と対象物１との間に突出片を有していてもよい。対象物１は、水平方向に並んで配置されている。支え板１４３は、紫外線を遮蔽することが好ましい。支え板１４３は、紫外線遮蔽板によって形成される。支え板１４３が紫外線を遮蔽すると、紫外線が対象物１に届きにくくなる。

　覆い板１４２は、対象物１の上部を覆っている。覆い板１４２は紫外線を遮蔽することが好ましい。覆い板１４２は紫外線遮蔽板によって形成される。覆い板１４２が紫外線を遮蔽すると、紫外線が対象物１に届きにくくなる。覆い板１４２の数は少なくとも１つであるが、覆い板１４２の数は複数であることが好ましい。覆い板１４２の数は、収容可能な対象物１の数と同じであることが好ましい。各覆い板１４２は、各対象物１の上方に配置される。ある特定の対象物１を出し入れする際には、その対象物１の上方の覆い板１４２を外して、その対象物１を出し入れすることができる。特定の対象物１以外の対象物１は、覆い板１４２に覆われた状態で、特定の対象物１が出し入れされる（図２１の矢印）。それにより、紫外線が、取り出される対象物１以外の対象物１に当たりにくい。

　複数の対象物１（透明電極付き基板１０）が保管器１４０に保管される場合、最も外側の対象物１（透明電極付き基板１０）は、透明電極１５を外側にして配置されることが好ましい。図２１では、一番左の対象物１Ｌは、透明電極１５を外側（左側）に配置しており、一番右の対象物１Ｒは、透明電極１５を外側（右側）に配置している。透明電極１５は、紫外線を遮蔽する作用がある。そのため、透明電極１５によって紫外線が遮られて、樹脂に紫外線が届きにくくなる。樹脂は、高屈折率層１４及び低屈折率層１３に存在する。

　保管器１４０は、少なくとも１部が透明で、内部の対象物１が視認可能なことが好ましい。保管器１４０の内部を見ることができると、対象物１の保管状態を確認することができる。保管器１４０は、透明な部分を有する。透明な部分は、透明電極付き基板１０の取り扱い性を向上し、有機ＥＬ素子の製造効率を向上させる。ただし、透明な部分には、紫外線遮蔽膜が設けられることが好ましい。紫外線遮蔽膜は、保管器１４０の内部に紫外線が侵入することを抑制する。紫外線は、対象物１の樹脂に悪影響を及ぼすおそれがある。紫外線が遮蔽されると、有機ＥＬ素子の信頼性が向上する。

　乾燥材１４４は、保管器１４０内部の水分を吸収する。乾燥材１４４は、保管器１４０の下部の、支え板１４３が存在しない位置に配置される。乾燥材１４４によって、対象物１内の樹脂への水分の吸収が抑制される。そのため、樹脂の水分による加水分解が抑制される。それにより、樹脂の劣化が抑制される。さらに、箱体１４１が樹脂製の場合、箱体１４１から水分が出たとしても、乾燥材１４４は、水分を吸収することができる。

　保管器１４０は、対象物１を密閉することが好ましい。密閉は、密閉パッキングで行われる。密閉により、箱体１４１には防湿構造が形成される。箱体１４１の内部の壁面には、無機材の塗膜が設けられてもよい。無機材の塗膜は、防湿性を高める。

　箱体１４１の内部の空間は、不活性ガス（たとえば窒素）が充填されてもよいが、充填されなくてもよい。不活性ガスの充填は、複数の対象物１の一部が取り出される場合に、保管が煩雑になる。上記の保管器１４０は、通常の空気が周囲に存在していても、対象物１の劣化を抑制することができる。

　保管器１４０は、対象物１を保管した状態で運搬可能なことが好ましい。保管器１４０の運搬により、対象物１は次工程に適した場所に移動する。

　以上のように、透明電極付き基板１０は、上記で述べた製造方法によって製造される。そのため、低屈折率層１３及び高屈折率層１４は、水分が効果的に除去されている。低屈折率層１３の水分含有率は、例えば、０．１％未満であり、さらには０．０１％未満となり得る。高屈折率層１４の水分含有率は、例えば、０．１％未満であり、さらには０．０１％未満となり得る。透明電極付き基板１０全体の水分含有率も、例えば、０．１％未満であり、さらには０．０１％未満となり得る。透明電極付き基板１０は、有機層に悪影響を与えにくく、有機ＥＬ素子の信頼性の向上させることができる。

　なお、上記の製造方法で得た透明電極付き基板１０と、従来の製造方法の透明電極付き基板とは、信頼性が異なるため、構造上の違いがあると思われるが、その原因となる構造を特定することは不可能であり、およそ実際的でない。

　　［有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法］
　本開示の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造方法は、次の工程を含む。
・上記の方法で製造された透明電極付き基板を準備する工程。
・透明電極付き基板を真空状態で加熱する工程。
・真空状態を継続し、透明電極付き基板の透明電極を含む領域に、有機層及び対電極を形成する工程。

　図２２は、有機ＥＬ素子の製造方法の一例の詳細なフローである。図２２のフローは、上記の工程を含んでいる。図２２のフローは、本開示の有機ＥＬ素子の製造方法を具現化した一例を示している。有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の工程以外の工程が、図２２のフローから適宜省略されてもよい。図２２において、「Ｓ」は「ステップ（Ｓｔｅｐ）」を意味し、たとえば、「Ｓ１０１」は「ステップ１０１」を意味する。以下では、たとえば、「工程Ｓ１０１」等と表記される。

　上記の「透明電極付き基板を準備する工程」は、図２２の「Ｓ１０１」に対応する。上記の「透明電極付き基板を真空状態で加熱する工程」は、図２２の「Ｓ１０２」に対応する。上記の「真空状態を継続し、透明電極付き基板の透明電極を含む領域に、有機層及び対電極を形成する工程」は、図２２の「Ｓ１０３」及び「Ｓ１０４」に対応する。

　図２３Ａ～図２３Ｄは、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図２３Ａ～図２３Ｄは、各工程を示す。図２３Ａ～図２３Ｄでは、有機ＥＬ素子２０の構成要素の積層が示されている。図２３Ａは、図３Ｄの次の段階となる。

　図２３Ａ～図２３Ｄでは、左右の方向に２個分の有機ＥＬ素子を形成する方法が示されている。１つの基板から、複数個の素子を作製する手法は、多面取りと呼ばれる。

　　［Ｓ１０１；透明電極付き基板の準備］
　工程Ｓ１０１では、透明電極付き基板を準備する。図３Ｄは、透明電極付き基板１０の一例である。透明電極付き基板１０は、上記の製造方法によって製造されている。

　透明電極付き基板１０の状態により、工程Ｓ１０１での準備の仕方が変わる。透明電極付き基板１０の製造と有機ＥＬ素子２０の製造とを連続して行う場合、透明電極付き基板１０は、工程Ｓ２８の後の状態にある。透明電極付き基板は、工程Ｓ２９の前の状態にあるといってもよい。工程Ｓ１０２と工程Ｓ２９は同じことを意味する。よって、工程Ｓ２９を除く工程によって、透明電極付き基板１０が製造され、準備される。工程Ｓ１０１は、工程Ｓ２９の前までのこと（工程Ｓ１～工程Ｓ２８）を意味する。

　透明電極付き基板１０が一度保管され、保管された透明電極付き基板１０が有機ＥＬ素子２０の製造に使用されようとする場合、透明電極付き基板１０は保管状態にある。工程Ｓ１０１は、保管状態の透明電極付き基板１０を取り出すことを含む。取り出された透明電極付き基板１０は、好ましくは、洗浄される。洗浄は、図１の工程Ｓ２８に示される。もし、工程Ｓ２９を経て透明電極付き基板が保管されていたしても、再度、工程Ｓ２８の洗浄を行うことが好ましい。これにより、工程Ｓ２９の前までの状態となった透明電極付き基板１０が準備される。工程Ｓ１０１は、工程Ｓ２９の前までのこと（工程Ｓ１～工程Ｓ２８）を意味する。

　　［Ｓ１０２：真空加熱］
　工程Ｓ１０２では、透明電極付き基板を真空加熱する。工程Ｓ１０２は、工程Ｓ２９と同じである。工程Ｓ１０２と工程Ｓ２９とは重複しなくてもよい。透明電極付き基板１０の製造後、連続して有機ＥＬ素子を製造する場合は、工程Ｓ２８の後に工程Ｓ１０２に進行する。

　工程Ｓ１０２の真空加熱は、上述の「Ｓ２９；真空加熱」の事項がそのまま適用される。

　ここで、一度保管し、取り出した透明電極付き基板１０に真空加熱が行われると、有機ＥＬ素子２０の信頼性が高まる。上述したように、真空加熱は、積層体に含まれる不要な成分（水分、揮発成分及び未硬化物）を効果的に除去するからである。

　有機ＥＬ素子２０の製造では、工程Ｓ１０２の後、引き続いて工程Ｓ１０３を行うことが重要である。

　　［Ｓ１０３：有機層の蒸着］
　工程Ｓ１０３では、有機層を蒸着する。図２３Ａは、有機層２１が蒸着された後の積層体を示している。積層体は、透明電極付き基板１０と有機層２１とを備える。

　蒸着は真空蒸着で行われることが好ましい。真空加熱の真空が維持されて、有機層の蒸着が開始される。真空が維持されると、水分が蒸着装置の内部に入りにくくなり、透明電極付き基板１０内の樹脂が水分を吸収しにくい。そのため、有機ＥＬ素子２０の信頼性が向上する。真空が維持される空間の圧力は、１×１０^－４Ｐａ～１×１０^－２Ｐａの範囲内であることが好ましい。

　真空加熱は、図２０Ａ及び図２０Ｂの真空加熱装置１３０で行われる。この場合、真空加熱後の対象物１（透明電極付き基板１０）は、開口１３５から真空を維持したまま取り出され、真空を維持したまま蒸着装置に移動され、蒸着が開始される。

　有機層２１は、有機化合物を含む。有機層２１は、すくなくとも１つの発光材料含有層を含む。有機層２１は、複数の層で形成されていてもよい。有機層２１は、たとえば、発光材料含有層に加えて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層を含むことができる。有機層２１に含まれる複数の層は、順次、蒸着装置によって積層される。有機層２１の積層によって、図２３Ａに示す積層体が形成される。

　　［Ｓ１０４：対電極の形成］
　工程Ｓ１０４では、対電極を形成する。図２３Ｂは、対電極２２が形成された後の積層体を示している。積層体は、透明電極付き基板１０と有機層２１と対電極２２とを備える。

　対電極２２は、金属により形成される。対電極２２は、光反射性を有していてもよい。対電極２２の材料の例として、Ａｌ、Ａｇが挙げられる。

　対電極２２は、蒸着によって形成されることが好ましい。この場合、有機層２１の形成から真空が継続されて、蒸着が行われることがより好ましい。真空の継続により、透明電極付き基板１０の内部の樹脂は水分を吸収しにくくなる。

　　［Ｓ１０５：封止］
　工程Ｓ１０５では、有機層２１を封止する。図２３Ｃは、有機層２１が封止された後の積層体を示している。積層体は、透明電極付き基板１０と有機層２１と対電極２２と封止板２３を備える。

　封止は、封止板２３と、シール２４によって行われる。シール２４は接着性を有する。有機層２１の外周にシール２４が配置され、封止板２３が透明基板１１に貼り合わされる。封止板２３は、たとえば、ガラス基板である。シール２４は、たとえば、防湿性の樹脂である。シール２４のシールによって、密閉構造が形成される。

　　［Ｓ１０６：分断］
　工程Ｓ１０６では、分断が行われる。図２３Ｄは、分断によって、有機ＥＬ素子２０が個別化された様子を示している。分断は、多面取りの場合に行われる。分断は、適宜の切断具で行われる。切断具は、たとえば、スクライバ、レーザである。これにより、有機ＥＬ素子２０が得られる。

　以上、工程Ｓ１０１～工程Ｓ１０６を経ることで、有機ＥＬ素子２０の製造が終了する。有機ＥＬ素子２０は、面状発光体として使用される。有機ＥＬ素子２０は、照明として有用である。

　　［備考］
　ところで、上記の方法では、工程Ｓ８の第１の水処理、工程Ｓ１７の第２の水処理、及び、工程Ｓ１９の積層体の加熱を必須としている。しかしながら、本明細書では、これらの工程（Ｓ８、Ｓ１７、Ｓ１９）が必須でない透明電極付き基板の製造方法及び有機ＥＬ素子の製造方法も開示される。

　たとえば、透明基板を準備する工程と、密着層を形成する工程と、密着層の上に低屈折率層を形成する工程と、低屈折率層の上に高屈折率層を形成する工程と、高屈折率層の上に透明電極を形成する工程と、を含む、透明電極付き基板の製造方法、が開示される。また、たとえば、透明基板を準備する工程と、低屈折率層を形成する工程と、高屈折率層を形成する工程と、低屈折率層及び高屈折率層の不要部分を除去する工程と、透明電極を形成する工程と、を含む、透明電極付き基板の製造方法、が開示される。これらの製造方法の好ましい態様は、上記で述べた説明が適用される。

Claims

　透明基板を準備する工程と、
　前記透明基板に支持される低屈折率層を形成する工程と、
　前記低屈折率層を形成する工程の後に、前記透明基板と前記低屈折率層とを備える積層体を水処理する第１の水処理工程と、
　前記低屈折率層の上に高屈折率層を形成する工程と、
　前記高屈折率層を形成する工程の後に、前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層とを備える積層体を水処理する第２の水処理工程と、
　前記第２の水処理工程の後に、前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層とを備える積層体を加熱する工程と、
　前記高屈折率層の上に透明電極を形成する工程と、
　を含む、透明電極付き基板の製造方法。
　前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層と前記透明電極とを備える積層体を、真空状態で加熱する工程を含む、
　請求項１に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　前記透明基板を準備する工程と前記低屈折率層を形成する工程との間に、密着層を形成する工程を含む、
　請求項１又は２に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　前記低屈折率層を形成する工程の後、前記低屈折率層を加熱する工程を含む、
　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　前記高屈折率層を形成する工程の後、前記低屈折率層と前記高屈折率層とを加熱する工程を含む、
　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　前記高屈折率層を形成する工程の後、レーザ加工により前記低屈折率層及び前記高屈折率層の不要部分を除去する不要部分除去工程を含む、
　請求項１乃至５のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　前記不要部分除去工程の前に、前記高屈折率層の上に保護膜を形成する工程と、
　前記不要部分除去工程の後、前記保護膜を除去する工程と、を含み、
　前記不要部分除去工程は、前記保護膜が前記高屈折率層の上にある状態で行われる、
　請求項６に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　前記高屈折率層の上に前記透明電極を形成する工程の前に、前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層とを備える前記積層体を、前記低屈折率層を形成する材料及び前記高屈折率を形成する材料を溶解可能な溶剤で処理する工程を含む、
　請求項１乃至７のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　前記透明基板と前記低屈折率層と前記高屈折率層と前記透明電極とを備える積層体を、紫外線と水分を除去した環境で保管する工程を含む、
　請求項１乃至７のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法。
　請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法で製造された透明電極付き基板を準備する工程と、
　前記透明電極付き基板を真空状態で加熱する工程と、
　真空状態を継続し、前記透明電極付き基板の前記透明電極を含む領域に、有機層及び対電極を形成する工程と、
　を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法で得られ、
　透明基板と、低屈折率層と、高屈折率層と、透明電極とを備える、
　透明電極付き基板。