WO2016129458A1 - 検査方法及び検査装置 - Google Patents

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Definitions

  • One aspect of the present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus for a measurement object.
  • an optical probing technique that irradiates the measurement object with light emitted from a light source, detects the measurement light (reflected light) from the measurement object by an optical sensor, and acquires a detection signal.
  • a magneto-optic (MO) crystal is arranged opposite to the light irradiation surface of the measurement object, and detection is performed by detecting reflected light according to the magneto-optic effect of the MO crystal.
  • a method for acquiring a signal is known (for example, Patent Document 1).
  • an object of one aspect of the present invention is to provide an inspection method and an inspection apparatus that can acquire a current path with high accuracy.
  • the inspection method is a method of acquiring a path of a current generated in a measurement object by applying a stimulus signal to the measurement object.
  • the inspection method includes a step of applying a stimulation signal to a measurement object, a step of irradiating light to a magneto-optical crystal arranged to face the measurement object, and a magneto-optical crystal according to the irradiated light.
  • Phase image data including a phase component indicating a phase difference based on a phase difference between a reference signal generated based on a stimulus signal and a detection signal, and detecting a light reflected from the signal and outputting a detection signal And generating an image showing a current path based on the phase image data.
  • the inspection apparatus is an apparatus that acquires a path of a current generated in a measurement object by applying a stimulus signal to the measurement object.
  • the inspection apparatus includes a signal applying unit that applies a stimulation signal to a measurement object, a magneto-optical crystal that is disposed to face the measurement object, a light source that outputs light, and a magneto-optical device that outputs light from the light source.
  • Irradiation optical system that irradiates the crystal
  • a light detector that detects the light reflected from the magneto-optical crystal according to the light irradiated to the irradiation optical system, and outputs a detection signal, and is generated based on the stimulus signal
  • An analysis unit that generates phase image data including a phase component indicating a phase difference based on a phase difference between a reference signal and a detection signal, and an image that indicates a current path based on the phase image data
  • a current path image generation unit that generates phase image data including a phase component indicating a phase difference based on a phase difference between a reference signal and a detection signal, and an image that indicates a current path based on the phase image data
  • a stimulus signal is applied to the measurement object.
  • a detection signal is output based on light reflected from the magneto-optical crystal arranged to face the measurement object.
  • route of an electric current is produced
  • a stimulus signal is applied to the measurement object, a current flows through a current path in the measurement object, and a magnetic field corresponding to the current is generated.
  • the magneto-optic crystal changes the polarization state of the reflected light according to the magnetic field of the measurement object.
  • the polarization state of the reflected light in the current path in the measurement object is different from the polarization state of the reflected light in other places. Therefore, the phase difference between the detection signal related to the reflected light of the current path and the detection signal related to the reflected light in other places is different from that of the reference signal.
  • the phase difference between the detection signal related to the reflected light of the current path and the reference signal is a specific value. Specifically, the specific value is substantially one of two values depending on whether the magnetic field generated according to the current passes through the magneto-optical crystal.
  • the phase difference between the detection signal and the reference signal related to the reflected light in other places is not a specific value but a random value.
  • the phase image data based on the phase difference includes a location where the phase difference is one of the specific binary values and a location where the phase difference is a random value. Therefore, the image showing the current path generated based on the phase image data includes a part indicating the current path, that is, a part where the phase difference is one of the specific binary values, and a part that is not the current path, ie, the position. A location where the phase difference is a random value is clearly distinguished and the current path is obtained with high accuracy. Furthermore, such phase difference information is equivalent to being digitized in the presence or absence of a signal, and changes due to the influence of noise components such as uneven thickness of the magneto-optic crystal and scratches on the magneto-optic crystal. Hateful.
  • phase difference at the location indicating the current path is one of the specific binary values, it is easy to identify the current path, and the identification accuracy is improved. As described above, it is possible to acquire the current path with higher accuracy than in the case of acquiring the current path according to the amplitude image.
  • the step of generating the image indicating the current path includes the step of generating statistical value image data indicating the statistical value of the phase component based on the phase image data, and the statistical value image data An image showing a current path may be generated based on the above.
  • the current path image generation unit generates statistical value image data indicating a statistical value of the phase component based on the phase image data, and determines a current path based on the statistical value image data.
  • An image shown may be generated.
  • the phase difference becomes a specific binary value at the current path location. That is, the phase difference is biased at the current path location.
  • the phase difference is a random value in other places. That is, the phase difference varies at other locations. For this reason, by performing statistical processing, the difference between the current path and other portions can be clarified, and the current path can be obtained with high accuracy.
  • the statistical value may be any one of variance, skewness, and kurtosis.
  • the step of generating an image indicating a current path includes the step of generating sine image data indicating a sine component and cosine image data indicating a cosine component based on the phase image data. And an image showing a current path may be generated based on the sine image data and the cosine image data.
  • the current path image generation unit generates sine image data indicating a sine component and cosine image data indicating a cosine component based on the phase image data, and generates the sine image data and the cosine.
  • An image showing a current path may be generated based on the image data.
  • the phase difference is ⁇ and the case where it is + ⁇ are actually continuous values, but when shown as phase components, the luminance values are far from each other.
  • the image data indicating the sine component or cosine component of the phase component the luminance values of the phase components related to the phase differences that are continuously connected to each other can be made close to each other.
  • the current path can be obtained with high accuracy.
  • the image data of both the sine component and the cosine component are generated, the amount of information for generating an image showing the current path can be increased as compared with the case of only one of them. Thereby, the current path can be acquired with higher accuracy.
  • the step of generating an image indicating a current path is a step of performing any one of addition, multiplication, and square sum square root on the sine image data and the cosine image data. May be included.
  • the current path image generation unit may perform any one of addition, multiplication, and square sum square root on the sine image data and the cosine image data. By performing these calculations, it is possible to appropriately generate an image showing a current path by synergistically using both sine image data and cosine image data.
  • the step of generating an image indicating a current path includes a step of generating sine statistical value image data indicating a sine component statistical value based on the sine image data, and cosine image data. Generating a cosine statistical image data indicating a cosine component statistical value based on the sine statistical image data and the cosine statistical image data to generate an image showing a current path Good. Further, in the inspection apparatus according to one aspect, the current path image generation unit generates sine statistical value image data indicating a statistical value of the sine component based on the sine image data, and the cosine component data based on the cosine image data. Cosine statistical value image data indicating a statistical value may be generated, and an image indicating a current path may be generated based on the sine statistical value image data and the cosine statistical value image data. Thereby, the current path can be obtained with high accuracy.
  • the reference signal may be output from a signal application unit that applies a stimulus signal to the measurement object.
  • the reference signal based on a stimulus signal can be output easily and reliably.
  • the reference signal may be output from the measurement object.
  • the reference signal based on a stimulus signal can be output easily and reliably.
  • the reference signal may be a signal having the same phase and period as the stimulus signal.
  • the phase difference between the stimulus signal and the detection signal can be easily obtained by obtaining the phase difference between the reference signal and the detection signal.
  • the current path can be obtained with high accuracy.
  • the inspection apparatus 1 includes a semiconductor device that identifies a location where an abnormality has occurred in a semiconductor device D that is a measurement target and is a device under test (DUT). It is an apparatus for inspecting D. More specifically, the inspection apparatus 1 acquires a path of current generated in the semiconductor device D by applying a stimulus signal to the semiconductor device D, and specifies an abnormality occurrence location in the semiconductor device D.
  • an integrated circuit having a PN junction such as a transistor (for example, a small scale integrated circuit (SSI), a medium scale integrated circuit (MSI), a large scale integrated circuit (LSI: Large)).
  • a transistor for example, a small scale integrated circuit (SSI), a medium scale integrated circuit (MSI), a large scale integrated circuit (LSI: Large)).
  • Scale Integration Very Large Scale Integration (VLSI), Ultra Large Scale Integration (ULSI), Giga Scale Integration (GSI), High Current / High Voltage MOS transistors and bipolar transistors, power semiconductor elements (power devices), and the like.
  • the measurement object is not only the semiconductor device D but also a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor) such as an amorphous transistor, a polysilicon transistor, or an organic transistor formed on a glass surface, a package including a semiconductor device, Furthermore, a composite substrate may be used.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the tester unit 11 (signal application unit) is electrically connected to the semiconductor device D via a device control cable.
  • the tester unit 11 is operated by a power source (not shown) and applies a predetermined modulation current signal (stimulation signal) to the semiconductor device D.
  • a modulation magnetic field is generated along with the modulation current signal.
  • the inspection apparatus 1 performs lock-in detection by generating light corresponding to a detection frequency from a light source 13 (described later) while applying a modulation current signal from the tester unit 11 to the semiconductor device D. Also good. In this case, the S / N of the inspection apparatus 1 can be improved.
  • the tester unit 11 is electrically connected to the frequency analysis unit 12 via a timing signal cable. Note that a modulation voltage signal may be applied as the stimulation signal.
  • the inspection apparatus 1 includes a light source 13.
  • the light source 13 is operated by a power source (not shown), and generates and outputs CW light or pulsed light applied to an MO crystal 18 (magneto-optical crystal) and a semiconductor device D described later.
  • the light output from the light source 13 may be incoherent (non-coherent) light or may be coherent light such as laser light.
  • SLD Super Luminescent Diode
  • ASE Amplified Spontaneous Emission
  • LED Light Emitting Diode
  • the reflected light on the MO crystal 18 includes both reflected light on the light incident surface of the MO crystal 18 and reflected light on the light reflecting surface of the MO crystal 18. Note that the influence of the reflected light on the light incident surface of the MO crystal 18 is reduced by applying antireflection processing to the light incident surface.
  • the light source 13 that outputs coherent light
  • a solid laser light source, a semiconductor laser light source, or the like can be used as the light source 13 that outputs coherent light.
  • the wavelength of the light output from the light source 13 is 530 nm or more, for example, 1064 nm or more.
  • the light output from the light source 13 is guided to the light splitting optical system 14 via a polarization preserving single mode optical coupler (not shown) and a polarization preserving single mode optical fiber for probe light. Details of the light splitting optical system 14 will be described later.
  • the light guided from the light source 13 to the light splitting optical system 14 is further guided to the irradiation optical system including the optical scanner 15 and the objective lens 16.
  • the optical scanner 15 and the objective lens 16 which are irradiation optical systems irradiate the MO crystal 18 with light output from the light source 13.
  • the light source 13, the light splitting optical system 14, the optical scanner 15, the objective lens 16, and the MO crystal 18 are optically coupled.
  • the optical scanner 15 scans the irradiation spot on the light incident surface of the MO crystal 18. More specifically, the optical scanner 15 scans the irradiation spot by being controlled by a computer 24 described later.
  • the optical scanner 15 is configured by an optical scanning element such as a galvano mirror or a MEMS (micro-electro-mechanical system) mirror.
  • the objective lens 16 condenses the light guided by the optical scanner 15 on the MO crystal 18.
  • the objective lens 16 is configured to be switchable between a low-magnification objective lens and a high-magnification objective lens by a turret (not shown) or the like.
  • the magnification of the low magnification objective lens is, for example, 5 times
  • the magnification of the high magnification objective lens is, for example, 50 times.
  • An objective lens driving unit 17 is connected to the objective lens 16. When the objective lens driving unit 17 moves in the optical axis direction OD of the light from the light source 13, the focal position of the objective lens 16 can be adjusted.
  • the MO crystal 18 is disposed to face the semiconductor device D.
  • the MO crystal 18 changes its refractive index according to the magnetic field generated in the semiconductor device D due to the magneto-optic effect, and changes the polarization state (polarization direction) of the input light. For example, when a modulated current signal is applied to the semiconductor device D when the semiconductor device D fails, a current path through which a leak current corresponding to the failure location flows may be generated. In this case, the location where the current path through which the leak current flows is different from the location where the current path through which the leak current flows is different.
  • the MO crystal 18 outputs reflected light whose polarization direction has changed in accordance with such a change in the magnetic field.
  • the difference in the polarization direction of the reflected light appears as a difference in intensity of light acquired by the photodetector 22 described later.
  • the reflected light from the MO crystal 18 is returned to the light splitting optical system 14 through the objective lens 16 and the optical scanner 15 and guided to the photodetector 22 through the return light optical fiber.
  • the light splitting optical system 14 and the photodetector 22 are optically coupled.
  • a holder 19 that holds the MO crystal 18 is connected to the MO crystal 18 via a flexible member 21.
  • the flexible member 21 is a ring-shaped elastic member that includes, for example, rubber or a spring. Moreover, the flexible member 21 should just be a member from which a shape changes, and does not necessarily need to be an elastic member.
  • the flexible member 21 is fixed to the MO crystal 18 so as to cover at least a part of the outer edge of the MO crystal 18 when viewed from the optical axis direction OD.
  • the flexible member 21 is fixed to the light incident surface side of the MO crystal 18.
  • the holder 19 has, for example, a ring shape, and is fixed to the flexible member 21 so as to cover the outer edge of the flexible member 21 when viewed from the optical axis direction OD.
  • the flexible member 21 has one surface fixed to the MO crystal 18 and the other surface fixed to the holder 19. Since the ring-shaped flexible member 21 covers the outer edge of the MO crystal 18 and the ring-shaped holder 19 covers the outer edge of the flexible member 21, the light incident on the MO crystal 18 is viewed from the optical axis direction OD. An opening for inputting light from the objective lens 16 is formed on the surface.
  • a holder driving unit 20 is connected to the holder 19.
  • the holder driving unit 20 moves the holder 19 in the optical axis direction OD by moving in the optical axis direction OD.
  • the distance between the holder 19 and the semiconductor device D is reduced, and the MO crystal 18 is pressed against the semiconductor device D. That is, the MO crystal 18 can be brought into contact with the semiconductor device D.
  • the MO crystal 18 is irradiated with light while the MO crystal 18 is in contact with the semiconductor device D.
  • the light irradiation to the MO crystal 18 is not limited to being performed in contact with the semiconductor device D, but may be performed with a predetermined interval between the MO crystal 18 and the semiconductor device D. .
  • the semiconductor device D when the MO crystal 18 contacts the semiconductor device D, for example, the semiconductor device D may be inclined with respect to a plane orthogonal to the optical axis. In this case, assuming that the light incident surface of the MO crystal 18 is not inclined with respect to the surface orthogonal to the optical axis or is in a negligible inclination state, the MO crystal has a part in the other part.
  • the semiconductor device D is brought into contact with the semiconductor device D in advance. In this state, when the objective lens driving unit 17 further moves in the same direction, the flexible member 21 bends and the other part of the MO crystal 18 is pressed against the semiconductor device D so as to follow the inclination of the semiconductor device D. It will be. Note that bending means deformation by bending, distortion, or elongation.
  • the light incident surface of the MO crystal 18 can be tilted with respect to a surface orthogonal to the optical axis.
  • the semiconductor device D and the MO crystal 18 can be brought into contact with each other or close to each other, and the magnetic field characteristics generated in the semiconductor device D can be appropriately measured using the MO crystal 18.
  • the inclination angle of the light incident surface of the MO crystal 18 with respect to the surface orthogonal to the optical axis is the objective lens 16.
  • the thickness, hardness, and the like are selected so as to be less than or equal to the opening angle. Thereby, the light reflected by the MO crystal 18 can be reliably detected by the objective lens 16.
  • the objective lens driving unit 17 and the holder driving unit 20 may be integrated.
  • the integrated configuration may have a mechanism for individually moving the objective lens 16 and the holder 19. That is, it may be separated from the mechanism for moving both the objective lens 16 and the holder 19, and each may be moved individually, for example, a slide mechanism may be provided.
  • a slide mechanism may be provided.
  • the objective lens 16 After the MO crystal 18 and the semiconductor device D come into contact with each other, it is necessary to move the objective lens 16 in the optical axis direction OD for focusing. However, if both the objective lens 16 and the holder 19 are moved in the optical axis direction OD after the contact, an excessive force may be applied to the MO crystal 18 and the semiconductor device D.
  • the objective lens 16 can be moved relative to the MO crystal 18 by separating the movement of the objective lens 16 and the movement of the holder 19 after the MO crystal 18 and the semiconductor device D come into contact with each other. .
  • the light detector 22 detects the reflected light from the MO crystal 18 in contact with the semiconductor device D according to the irradiated light, and outputs a detection signal.
  • the photodetector 22 is, for example, a photodiode, an avalanche photodiode, a photomultiplier tube, or an area image sensor.
  • the photodetector 22 has at least one detector and detects the intensity of light input to the detector.
  • the light splitting optical system 14 includes collimators 141 and 146, a shutter 142, a deflecting beam splitter (hereinafter referred to as PBS: Polarization Beam Splitter) 143, and a Faraday rotator (hereinafter referred to as FR: Faraday Rotator) 144. It consists of As shown in FIG. 2, when light from the light source 13 is irradiated onto the MO crystal 18 via the optical scanner 15, first, light from the light source 13 is input to the shutter 142 via the collimator 141. .
  • the shutter 142 may be any shutter that can control ON / OFF of light.
  • the light output from the shutter 142 is input to the PBS 143.
  • the PBS 143 is set so that the polarized light component transmits 0 degree light and reflects 90 degree light.
  • the PBS 143 is set in accordance with the polarization of light from the shutter 142. Therefore, the PBS 143 transmits light from the shutter 142.
  • the light having a polarization component of 0 degree transmitted through the PBS 143 is input to the FR 144 that tilts (rotates) the polarization plane of the input light by 22.5 degrees, and the polarization component becomes 22.5 degrees.
  • the light transmitted through the FR 144 is input to the optical scanner 15 as light having a polarization component of 22.5 degrees.
  • the light is applied to the MO crystal 18.
  • the reflected light from the MO crystal 18 has its plane of polarization rotated according to the Kerr effect proportional to the magnetic field (magnetic field strength) generated by the modulated current signal applied to the semiconductor device D.
  • the reflected light is input to the PBS 143 after the polarization plane is inclined by 22.5 degrees by the FR 144.
  • the reflected light is split by the PBS 143 into light having a polarization component of 90 degrees and 0 degrees.
  • Light having a polarization component of 90 degrees is reflected by the PBS 143 and input to the photodetector of the photodetector 22 via the collimator 146.
  • the photodetector 22 detects the change in the polarization plane according to the magnetic field (magnetic field intensity) generated in the semiconductor device D as the light intensity, and outputs a detection signal having the intensity (amplitude) according to the light intensity. Output to the amplifier 23.
  • the configuration is not limited to this.
  • the light splitting optical system 14 includes an FR that tilts the polarization plane of input light by 45 degrees between the PBS 143 and the FR 144, a PBS that transmits light having a polarization component of 45 degrees and reflects 135 degrees, and a collimator. Further, a configuration may be adopted in which differential detection is performed by capturing both orthogonal linearly polarized light, that is, light having a polarization component of 90 degrees and light having 0 degrees. Further, although the light use efficiency is reduced, the light splitting optical system 14 may include a half mirror.
  • the amplifier 23 amplifies and outputs the detection signal output by the photodetector 22.
  • the amplified detection signal is input to the frequency analysis unit 12.
  • the photodetector 22, the amplifier 23, and the frequency analysis unit 12 are electrically coupled.
  • As the frequency analysis unit 12, a lock-in amplifier, a spectrum analyzer, a digitizer, a cross domain analyzer (registered trademark), or the like is used as the frequency analysis unit 12.
  • the frequency analysis unit 12 extracts a measurement frequency component in the amplified detection signal.
  • the measurement frequency is set based on, for example, the modulation frequency of the modulation current signal applied to the semiconductor device D.
  • the frequency analysis unit 12 acquires a reference signal having the same period as the modulation current signal applied to the semiconductor device D.
  • the reference signal is output from the tester unit 11 and input to the frequency analysis unit 12.
  • the tester unit 11 and the frequency analysis unit 12 are electrically coupled.
  • the frequency analysis unit 12 derives a phase difference between the detection signal from which the measurement frequency component is extracted and the acquired reference signal.
  • the amplitude of the detection signal changes according to the magnetic field (magnetic field strength) generated in the semiconductor device D.
  • the frequency analysis unit 12 can specify the phase difference between the detection signal and the reference signal based on the amplitude of the detection signal.
  • the phase difference between the detection signal related to the reflected light at the current path location and the reference signal is a specific value.
  • the specific value is substantially one of two values depending on whether the magnetic field generated according to the current passes through the MO crystal 18.
  • the reference signal has the same cycle as the stimulus signal by the frequency analysis unit 12.
  • the phase difference between the detection signal at the current path location and the reference signal (hereinafter sometimes referred to as a current phase difference) is constant over a plurality of cycles.
  • the current phase difference is a value obtained by adding the phase difference ⁇ 1 between the reference signal and the stimulus signal and the phase difference ⁇ 2 between the stimulus signal and the detection signal.
  • the phase difference ⁇ 1 can be changed by setting the frequency analysis unit 12 that generates the reference signal. In order to obtain the current phase difference more simply, the phase of the reference signal and the phase of the stimulus signal may be made equal, and the phase difference ⁇ 1 may be set to zero.
  • the phase difference ⁇ 2 is one of two values that differ by 180 degrees ( ⁇ ) depending on whether the magnetic field generated according to the current passes through the MO crystal.
  • the phase difference ⁇ 2 between the detection signal and the stimulation signal at the current path location where the magnetic field direction is positive, and the phase difference ⁇ 2 between the detection signal and the stimulation signal at the current path location where the magnetic field direction is negative are 180 degrees ( ⁇ ) Different.
  • the phase difference between the detection signal other than the current path location in the semiconductor device D and the reference signal is not a specific value but a random value. Therefore, it is possible to estimate (acquire) whether or not the current path is based on whether or not the phase difference is a specific binary value (details will be described later).
  • the frequency analysis unit 12 outputs an analysis signal including information indicating the identified phase difference to the computer 24 (analysis unit, current path image generation unit).
  • the frequency analysis unit 12 and the computer 24 are electrically coupled.
  • the computer 24 is a PC, for example. Connected to the computer 24 are an input device 26 such as a keyboard and a mouse for inputting measurement conditions and the like from a user, and a display device 25 such as a display for displaying measurement results and the like to the user.
  • the computer 24 includes a CPU (Central Processing Unit) as a processor and a RAM (Random Access Memory) or a ROM (Read Only Memory) as a recording medium.
  • the computer 24 performs the following functions by the CPU.
  • the computer 24 has a function of controlling the light source 13, the optical scanner 15, the objective lens driving unit 17, the tester unit 11, the photodetector 22, the frequency analysis unit 12, and the like.
  • the computer 24 estimates (acquires) a current path in the semiconductor device D based on the analysis signal output from the frequency analysis unit 12. Specifically, the computer 24 generates phase image data including a phase component indicating the phase difference based on the phase difference between the reference signal and the detection signal included in the analysis signal. Furthermore, the computer 24 estimates the current path by generating an image (current path image) indicating the current path based on the phase image data.
  • the computer 24 maps the phase component for each irradiation spot based on the phase difference (phase component) included in the analysis signal and the information on the irradiation spot on the light incident surface of the MO crystal 18, and generates a phase image.
  • the phase image is an image (phase image) in which the phase difference is mapped with a predetermined luminance value corresponding to the phase difference. For example, when the phase difference is ⁇ , the luminance value is 0 a.u., and when the phase difference is 0, the luminance value is 16000 a.u. When the phase difference is + ⁇ , the luminance value is 32000 a.u.
  • the computer 24 generates phase image data including a phase component corresponding to each irradiation spot. In the phase image data, a phase component corresponding to each irradiation spot is mapped to a position in the image in consideration of the position of each irradiation spot.
  • the computer 24 generates statistical value image data indicating the statistical value of the phase component based on the generated phase image data, and generates a current path image based on the statistical value image data.
  • the statistical value is, for example, variance, skewness, kurtosis or the like.
  • the brightness values other than the current path location are random values, whereas the brightness values at the current path location are specific binary values. That is, the luminance value is biased at the current path location, and the luminance value varies at other locations than the current path location. For this reason, if dispersion, skewness, kurtosis, etc., which are statistical values of phase components, are calculated, the difference between the current path location and other than the current path location can be clarified. Therefore, the computer 24 calculates the statistical value of the phase component based on the phase image data. In the following, an example in which the computer 24 calculates the skewness as a statistical value will be described.
  • the case where the phase difference is ⁇ and the case where it is + ⁇ are mutually continuous values as the phase difference.
  • these luminance values are greatly different from each other. That is, when the phase difference is ⁇ , the luminance value is 0 a.u., and when the phase difference is + ⁇ , the luminance value is 32000 a.u.
  • the computer 24 has an I-axis image (cosine image data) indicating the same phase component (cosine component, I-axis component) included in the phase component and a Q-axis image (sine component, Q-axis component) indicating the quadrature phase component (sine component, Q-axis component). Sine image data). That is, as shown in FIG.
  • an I-axis image and a Q-axis image are generated by projecting the phase difference ⁇ on the I axis (cos axis) and the Q axis (sin axis).
  • Projecting the phase difference ⁇ onto the I axis or the Q axis means obtaining the I axis component and the Q axis component from the phase difference ⁇ and the intensity component (amplitude) r.
  • the intensity component r for example, a standardized constant 1 may be used, or an actually detected amplitude value may be used.
  • the computer 24 generates statistical value image data for each of the I-axis image and the Q-axis image, and generates a current path image.
  • FIG. 5A shows a phase image created based on the phase image data. More specifically, the phase image in FIG. 5A is an image obtained by mapping the phase component corresponding to each irradiation spot as a luminance value.
  • the computer 24 obtains an I-axis component and a Q-axis component of the phase component for each pixel of the phase image data (that is, for each acquired luminance value (phase component) of each irradiation spot), and obtains an I-axis image (FIG. 5 ( b)) and a Q-axis image (FIG. 5C) are generated. Further, as shown in FIGS.
  • the computer 24 calculates an average luminance value obtained by averaging the luminance values of the pixels in the vicinity of each pixel for each pixel of the I-axis image.
  • An I-axis average image is generated by mapping the average luminance values.
  • the computer 24 calculates, for each pixel of the Q-axis image, an average luminance value obtained by averaging the luminance values of the pixels in the vicinity of each pixel.
  • a Q-axis average image in which the average luminance value of the pixel is mapped is generated.
  • the pixels in the vicinity of each pixel are pixels included in the area of a minute region centered on each pixel. For example, the pixels included in 9 ⁇ 9 pixels centered on each pixel.
  • the area of the minute region is not limited to 9 ⁇ 9 pixels, and may be any n ⁇ n pixels (n is an integer of 2 or more). In this case, by setting n to an odd number, the pixel for which the average luminance value is desired can be centered. However, the present invention is not limited to this, and n may be an even number.
  • the computer 24 generates I-axis statistical value image data indicating the statistical value of the I-axis component based on the I-axis image, and Q-axis statistical value image indicating the statistical value of the Q-axis component based on the Q-axis image.
  • Data is generated, and a current path image is generated based on the I-axis statistical value image data and the Q-axis statistical value image data.
  • the skewness of each pixel is calculated from the I-axis image and the I-axis average image, and an I-axis skewness image (I-axis statistics) in which the skewness of each pixel is mapped. Value image data).
  • I-axis statistical value image data indicating the statistical value of the I-axis component based on the I-axis image
  • Q-axis statistical value image indicating the statistical value of the Q-axis component based on the Q-axis image.
  • Data is generated, and a current path image is generated based on the I-axis statistical value
  • the computer 24 calculates the skewness of each pixel from the Q-axis image and the Q-axis average image, and maps the skewness of each pixel to the Q-axis skewness image (Q Axis statistics image data) is generated. For example, as a procedure for calculating the degree of distortion of each pixel, the luminance value of the pixel included in the area of the micro area of the I (Q) axis image and I (Q) corresponding to the center pixel of the micro area of the I (Q) axis image. ) The skewness may be calculated from the average luminance value of the axis average image.
  • the computer 24 generates a distortion image (FIG. 9C) from the I-axis distortion image and the Q-axis distortion image.
  • the skewness image is a current path image. Note that only the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image are generated without generating the skewness image, and the current path is estimated from the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image. Good.
  • the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image are current path images.
  • the computer 24 generates a skewness image by multiplying the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image.
  • Multiplying the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image means that the luminance value i stat of each pixel of the I-axis skewness image and the Q corresponding to each pixel are represented by the following equation (1). Multiplying the luminance value q stat of each pixel of the axial skewness image.
  • the computer 24 may generate a skewness image by adding the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image.
  • the addition of the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image means that the luminance value i stat of each pixel of the I-axis skewness image and the Q corresponding to each pixel are represented by the following equation (2). This means that the luminance value q stat of each pixel of the axial skewness image is added.
  • the computer 24 may generate a skewness image by calculating a square sum square root of the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image.
  • the calculation of the sum of squares of the squares of the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image means that the luminance value i stat of each pixel of the I-axis skewness image, The square sum of squares with the luminance value q stat of each pixel of the Q-axis skewness image corresponding to is calculated.
  • the computer 24 appropriately removes shading, binarization, removal of dust in the image, smoothing the current path image (that is, the skewness image, or the I-axis skewness image and the Q-axis skewness image). In addition, by performing finishing processing such as thinning, the visibility of the measurer may be improved, and the current path may be estimated more suitably. The finishing process by the computer 24 will be described with reference to FIGS.
  • Shading removal is a process of reducing brightness unevenness from an image with brightness unevenness.
  • the luminance value of the pixel near the edge becomes small (luminance drop occurs), and luminance unevenness may occur.
  • the computer 24 increases the luminance value of the pixel having the minimum luminance value by a predetermined value among the pixels included in the vicinity of each pixel (for example, n ⁇ n pixels centering on each pixel).
  • n ⁇ n pixels centering on each pixel for example, n ⁇ n pixels centering on each pixel.
  • Binarization is a process for obtaining a binary image converted from an image with various luminances (grayscale image) into two gradations of white and black. By performing binarization, the contrast of the current path can be improved.
  • the computer 24 compares each pixel with a predetermined threshold value, and displays pixels that are above the threshold value in white and pixels that are below the threshold value in black. For example, the computer 24 derives the minimum value and the maximum value among the luminance values of each pixel, sets the range from the minimum value to the maximum value as 100%, and sets the luminance value of 45% as the predetermined threshold described above.
  • a binary image shown in FIG. 10B is generated.
  • the removal of dust in the image is a process of removing an area of a minute area that is difficult to think of as a current path, and is a process of removing an unnecessary part in the estimation of the current path.
  • the computer 24 recognizes a plurality of clusters (areas) of pixels displayed, for example, in white using a known boundary tracking algorithm. Then, the computer 24 recognizes a micro-sized area whose width and height are equal to or less than a certain value among the areas as dust in the image, and removes the dust in the image (FIG. 11A). ).
  • the computer 24 smoothes the image from which the dust has been removed (FIG. 11 (b)).
  • a filter that performs smoothing for example, a smoothing filter such as a spatial filter can be used.
  • the computer 24 performs binarization by comparing each pixel of the smoothed image with a predetermined threshold again. For example, the computer 24 derives the minimum value and the maximum value among the luminance values of each pixel, sets the range of the maximum value from the minimum value to 100%, and sets the luminance value of 50% as the predetermined threshold described above. By performing binarization again in this way, a binary image shown in FIG. 12A is generated.
  • Thinning is a process of converting a binary image into a line image having a width of 1 pixel, for example. By thinning, a line that seems to be a current path is made thinner. Thinning is performed by a known thinning algorithm. Note that thinning processing may be performed on the image (FIG. 11A) from which dust removal has been completed without performing the above-described smoothing and binarization again. However, the smoothness of the line segment is improved by performing the above-described smoothing and binarization again.
  • the optical probing technique there is a technique for acquiring a current path of a measurement object based on an amplitude (intensity) image indicating the amplitude of detected reflected light and identifying a failure location of the measurement object.
  • the amplitude of the reflected light is likely to change due to the influence of noise components such as uneven thickness of the magneto-optic crystal and scratches on the magneto-optic crystal. Therefore, the SN ratio of the amplitude image is likely to deteriorate. Thereby, in the method of acquiring the current path from the amplitude image, the current path may not be accurately acquired.
  • an image indicating a current path is generated from phase image data based on a phase difference between a reference signal based on a stimulus signal and a detection signal.
  • a stimulation signal is applied to the semiconductor device D from the tester unit 11
  • a current flows through the current path of the semiconductor device D, and a magnetic field corresponding to the current is generated.
  • the MO crystal 18 changes the polarization state of the reflected light according to the magnetic field of the semiconductor device D. Therefore, the polarization state of the reflected light in the current path in the semiconductor device D is different from the polarization state of the reflected light in other locations (locations where no current flows). Therefore, the phase difference between the detection signal related to the reflected light of the current path and the detection signal related to the reflected light in other places is different from that of the reference signal.
  • the phase difference between the detection signal related to the reflected light of the current path and the reference signal is a specific value.
  • the specific value is substantially one of two values depending on whether the magnetic field generated according to the current passes through the MO crystal 18.
  • the phase difference between the detection signal and the reference signal related to the reflected light in other places is not a specific value but a random value.
  • the phase image data based on the phase difference includes a location where the phase difference is one of the specific binary values and a location where the phase difference is a random value.
  • the part indicating the current path that is, the part where the phase difference is one of the specific binary values
  • the part not including the current path that is, the phase difference is random. This makes it possible to clearly indicate the location where the value is a small value and to obtain the current path with high accuracy. Such phase difference information is unlikely to change due to the influence of noise components such as uneven thickness of the MO crystal 18 and scratches on the MO crystal 18.
  • the phase difference at the location indicating the current path is one of the specific binary values, it is easy to identify the current path, and the identification accuracy is improved. As described above, it is possible to acquire the current path with higher accuracy than in the case of acquiring the current path according to the amplitude image.
  • the computer 24 generates statistical value image data indicating the statistical value of the phase component based on the phase image data, and generates a current path image based on the statistical value image data. Specifically, the computer 24 calculates any one of variance, skewness, and kurtosis as a statistical value.
  • the brightness values other than the current path location are random values, whereas the brightness values at the current path location are specific binary values. That is, the luminance value is biased at the current path location, and the luminance value varies at other locations than the current path location.
  • the computer 24 also includes an I-axis image (cosine image data) indicating the same phase component (cosine component, I-axis component) and a Q-axis indicating quadrature phase component (sine component, Q-axis component) in the phase component and the amplitude component.
  • An image (sine image data) is generated, and a current path image is generated based on the I-axis image and the Q-axis image.
  • the case where the phase difference is ⁇ and the case where it is + ⁇ are actually continuous values, but when they are shown as phase images, the luminance values are far from each other.
  • the luminance values of the phase components related to the phase differences that are continuously connected to each other can be made close to each other.
  • the current path can be obtained with high accuracy.
  • the image data of both the sine component and the cosine component are generated, the amount of information for generating an image showing the current path can be increased as compared with the case of only one of them. Thereby, the current path can be acquired with higher accuracy.
  • the computer 24 performs any one of addition, multiplication, and square sum square root on the I-axis image and the Q-axis image.
  • the current path image can be appropriately generated by synergistically using the data of both the I-axis image and the Q-axis image.
  • the computer 24 generates sine statistical value image data indicating the statistical value of the sine component (quadrature phase component) based on the sine image data, and also calculates the cosine component (same phase) based on the cosine image data.
  • the cosine statistical value image data indicating the statistical value is generated, and the current path image is generated based on the sine statistical value image data and the cosine statistical value image data. Thereby, the current path can be acquired with higher accuracy.
  • the reference signal is output from the tester unit 11 that applies the stimulus signal to the semiconductor device D, the reference signal based on the stimulus signal can be easily and reliably output.
  • the reference signal may be a signal having the same phase and cycle as the stimulus signal. Thereby, if the phase difference between the reference signal and the detection signal is obtained, the phase difference between the stimulus signal and the detection signal can be obtained, and the phase difference can be easily derived.
  • the reference signal has been described as being output from the tester unit 11, but is not limited thereto, and may be output from the semiconductor device D.
  • the semiconductor device D may be directly connected to the frequency analysis unit 12 via a device control cable.
  • the reference signal may be input from the semiconductor device D to the frequency analysis unit 12 via the tester unit 11.
  • a reference signal corresponding to the stimulation signal is output from the semiconductor device D to which the stimulation signal is applied, and the reference signal is input to the frequency analysis unit 12.
  • the computer 24 has been described as generating a current path image by calculating a statistical value such as a skewness, the present invention is not limited to this, and a phase image mapping a phase component, a sine image mapping a sine component, a cosine component May be generated as a current path image.
  • distribution, skewness, and kurtosis as a statistical value used in order to generate
  • the luminance value of other than a current path location and a current path location is shown.
  • Other statistical values that clarify the difference in the degree of variation may be used.

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Abstract

　検査装置は、半導体デバイスに刺激信号を印加するテスタユニットと、半導体デバイスに対向して配置されるＭＯ結晶と、光を出力する光源と、光源が出力した光をＭＯ結晶に照射する光スキャナと、半導体デバイスＤに対向して配置されたＭＯ結晶から反射された光を検出し、検出信号を出力する光検出器と、刺激信号に基づいて生成される参照信号と検出信号との位相差に基づいて、位相差を示す位相成分を含んだ位相画像データを生成し、該位相画像データから電流の経路を示す画像を生成するコンピュータと、を備える。

Description

検査方法及び検査装置
　本発明の一側面は、計測対象物の検査方法及び検査装置に関する。
　計測対象物を検査する技術として、光源から出射された光を計測対象物に照射し、計測対象物からの計測光（反射光）を光センサにより検出して検出信号を取得する光プロービング技術がある。このような光プロービング技術では、磁気光学（ＭＯ：Magneto-Optical）結晶を計測対象物の光照射面に対向して配置し、ＭＯ結晶の磁気光学効果に応じた反射光を検出することにより検出信号を取得する方法が知られている（例えば特許文献１）。
特表２０１３－５４４３５２号公報
　上述した特許文献１では、検出した反射光の振幅（反射光の強度）を示す振幅（強度）像に基づいて金属表面の電流経路を取得し、金属上の故障箇所を特定している。ここで、反射光の振幅は、磁気光学結晶の厚さのムラ及び磁気光学結晶の傷などのノイズ成分の影響によって変化しやすい。そのため、振幅像から電流経路を取得する方法では、電流経路を精度よく取得することができない場合がある。そこで、本発明の一側面は、電流経路を精度よく取得することができる検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
　一側面に係る検査方法は、計測対象物に対して刺激信号を印加することにより計測対象物に生じる電流の経路を取得する方法である。当該検査方法は、計測対象物に刺激信号を印加するステップと、計測対象物に対向して配置された磁気光学結晶に対して光を照射するステップと、照射された光に応じて磁気光学結晶から反射された光を検出し、検出信号を出力するステップと、刺激信号に基づいて生成される参照信号と検出信号との位相差に基づいて、位相差を示す位相成分を含んだ位相画像データを生成するステップと、位相画像データに基づいて、電流の経路を示す画像を生成するステップと、を含む。
　また、一側面に係る検査装置は、計測対象物に対して刺激信号を印加することにより計測対象物に生じる電流の経路を取得する装置である。当該検査装置は、計測対象物に刺激信号を印加する信号印加部と、計測対象物に対向して配置される磁気光学結晶と、光を出力する光源と、光源から出力された光を磁気光学結晶に対して照射する照射光学系と、照射光学系に照射された光に応じて磁気光学結晶から反射された光を検出し、検出信号を出力する光検出器と、刺激信号に基づいて生成される参照信号と検出信号との位相差に基づいて、位相差を示す位相成分を含んだ位相画像データを生成する解析部と、位相画像データに基づいて、電流の経路を示す画像を生成する、電流経路画像生成部と、を備える。
　この検査方法及び検査装置では、計測対象物に刺激信号が印加されている。また、計測対象物に対向して配置された磁気光学結晶から反射された光に基づいて検出信号が出力されている。そして、刺激信号に基づく参照信号と検出信号との位相差に基づく位相画像データから、電流の経路を示す画像が生成されている。例えば計測対象物に刺激信号が印加されると、計測対象物内の電流経路に電流が流れ、当該電流に応じた磁場が発生する。磁気光学結晶は、計測対象物の磁場に応じて反射光の偏光状態を変化させる。そのため、計測対象物における電流経路の反射光の偏光状態と、その他の箇所の反射光の偏光状態とは異なる。よって、電流経路の反射光に係る検出信号と、その他の箇所の反射光に係る検出信号とで、参照信号との位相差が異なる。ここで、電流経路の反射光に係る検出信号と参照信号との位相差は、特定の値となる。具体的には、当該特定の値は、実質的に、電流に応じて発生した磁場が磁気光学結晶を貫く方向の正負に応じた２値のいずれかとなる。一方で、その他の箇所の反射光に係る検出信号と参照信号との位相差は、特定の値とはならずランダムな値となる。このため、位相差に基づく位相画像データには、位相差が特定の２値のいずれかである箇所と、ランダムな値である箇所とが含まれる。よって、当該位相画像データに基づいて生成される電流の経路を示す画像には、電流の経路を示す箇所すなわち位相差が特定の２値のいずれかである箇所と、電流の経路でない箇所すなわち位相差がランダムな値である箇所とが明確に区別して示され、電流の経路が精度よく取得される。更に、このような位相差の情報は、信号の有無という形でデジタル化されることと同等であり、磁気光学結晶の厚さのムラ及び磁気光学結晶の傷などのノイズ成分の影響によって変化しにくい。また、電流の経路を示す箇所の位相差は特定の２値のいずれかとされるので、電流経路の特定が容易であり、特定精度が向上する。以上より、振幅像に応じて電流経路を取得する場合と比較して、電流経路を精度よく取得することができる。
　また、一側面に係る検査方法において、電流の経路を示す画像を生成するステップは、位相画像データに基づいて位相成分の統計値を示す統計値画像データを生成するステップを含み、統計値画像データに基づいて電流の経路を示す画像を生成してもよい。また、一側面に係る検査装置において、電流経路画像生成部は、位相画像データに基づいて、位相成分の統計値を示す統計値画像データを生成し、統計値画像データに基づいて電流の経路を示す画像を生成してもよい。電流経路箇所では位相差が特定の２値となる。すなわち電流経路箇所では位相差が偏る。一方、その他の箇所では位相差がランダムな値となる。すなわちその他の箇所では位相差がばらつく。このため、統計的処理を行うことによって、電流経路とその他の箇所との差異をより明確にすることができ、電流経路を精度よく取得することができる。
　また、一側面に係る検査方法及び検査装置において、統計値は、分散、歪度、及び尖度のうちいずれか1つであってもよい。これにより、電流経路とそれ以外の箇所との差異をより明確にすることができ、電流経路を精度よく取得することができる。
　また、一側面に係る検査方法において、電流の経路を示す画像を生成するステップは、位相画像データに基づいて、正弦成分を示す正弦画像データ、及び、余弦成分を示す余弦画像データを生成するステップを含み、正弦画像データ及び余弦画像データに基づいて、電流の経路を示す画像を生成してもよい。また、一側面に係る検査装置において、電流経路画像生成部は、位相画像データに基づいて、正弦成分を示す正弦画像データ、及び、余弦成分を示す余弦画像データを生成し、正弦画像データ及び余弦画像データに基づいて、電流の経路を示す画像を生成してもよい。位相差が-πである場合と+πである場合とは、実際には互いに連続的につながった値であるものの、位相成分として示した場合には互いに輝度値が遠い値となる。この点、位相成分の正弦成分又は余弦成分を示した画像データでは、互いに連続的につながっている位相差に係る位相成分の輝度値を互いに近い値とすることができる。これにより、位相画像データに基づいて、電流経路を精度よく取得することができる。更に、正弦成分及び余弦成分の双方の画像データを生成しているので、いずれか一方のみの場合と比較して電流の経路を示す画像を生成するための情報量を増やすことができる。これによって、電流経路をより精度よく取得することができる。
　また、一側面に係る検査方法において、電流の経路を示す画像を生成するステップは、正弦画像データ及び余弦画像データに対して、加算、乗算、及び二乗和平方根のいずれか１つの演算を行うステップを含んでいてもよい。また、一側面に係る検査装置において、電流経路画像生成部は、正弦画像データ及び余弦画像データに対して、加算、乗算、及び二乗和平方根のいずれか１つの演算を行ってもよい。これらの演算を行うことにより、正弦画像データ及び余弦画像データの双方のデータを相乗的に用いて、電流の経路を示す画像を適切に生成することができる。
　また、一側面に係る検査方法において、電流の経路を示す画像を生成するステップは、正弦画像データに基づいて、正弦成分の統計値を示す正弦統計値画像データを生成するステップと、余弦画像データに基づいて、余弦成分の統計値を示す余弦統計値画像データを生成するステップと、を含み、正弦統計値画像データ及び余弦統計値画像データに基づいて電流の経路を示す画像を生成してもよい。また、一側面に係る検査装置において、電流経路画像生成部は、正弦画像データに基づいて、正弦成分の統計値を示す正弦統計値画像データを生成し、余弦画像データに基づいて、余弦成分の統計値を示す余弦統計値画像データを生成し、正弦統計値画像データ及び余弦統計値画像データに基づいて電流の経路を示す画像を生成してもよい。これにより、電流経路を精度よく取得することができる。
　また、一側面に係る検査方法及び検査装置において、参照信号は、計測対象物に刺激信号を印加する信号印加部から出力されてもよい。これにより、刺激信号に基づく参照信号を容易且つ確実に出力することができる。
　また、一側面に係る検査方法及び検査装置において、参照信号は、計測対象物から出力されてもよい。これにより、刺激信号に基づく参照信号を容易且つ確実に出力することができる。
　また、一側面に係る検査方法及び検査装置において、参照信号は、刺激信号と位相及び周期が等しい信号であってもよい。これにより、参照信号と検出信号との位相差を求めることによって、刺激信号と検出信号との位相差を容易に求めることができる。
　この検査方法及び検査装置によれば、電流経路を精度よく取得することができる。
本発明の第１実施形態に係る検査装置の構成図である。 図１の検査装置における光分割光学系を説明するための図である。 位相差を説明するための図である。 位相差のＩ軸及びＱ軸への投影を説明するための図である。 位相像（位相画像データ）から電流経路を推定する手順を説明するための図である。 位相像（位相画像データ）から電流経路を推定する手順を説明するための図である。 位相像（位相画像データ）から電流経路を推定する手順を説明するための図である。 位相像（位相画像データ）から電流経路を推定する手順を説明するための図である。 位相像（位相画像データ）から電流経路を推定する手順を説明するための図である。 仕上げ処理を説明するための図である。 仕上げ処理を説明するための図である。 仕上げ処理を説明するための図である。 変形例に係る検査装置の構成図である。
　以下、本発明の一側面に係る実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号付し、重複する説明を省略する。
　図１に示されるように、本実施形態に係る検査装置１は、計測対象物であって被検査デバイス（ＤＵＴ：Device　Under　Test）である半導体デバイスＤにおいて異常発生箇所を特定する等、半導体デバイスＤを検査するための装置である。より詳細には、検査装置１は、半導体デバイスＤに対して刺激信号を印加することにより半導体デバイスＤに生じる電流の経路を取得し、半導体デバイスＤにおける異常発生箇所の特定等を行う。
　半導体デバイスＤとしては、トランジスタ等のＰＮジャンクションを有する集積回路（例えば、小規模集積回路（ＳＳＩ：Small　Scale　Integration）、中規模集積回路（ＭＳＩ：Medium　Scale　Integration）、大規模集積回路（ＬＳＩ：Large　Scale　Integration）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ：Very　Large　Scale　Integration）、超々大規模集積回路（ＵＬＳＩ：Ultra　Large　Scale　Integration）、ギガ・スケール集積回路（ＧＳＩ：Giga　Scale　Integration））、大電流用／高圧用ＭＯＳトランジスタ及びバイポーラトランジスタ、電力用半導体素子（パワーデバイス）等がある。また、計測対象物は半導体デバイスＤだけでなく、例えばガラス面上に形成されたアモルファストランジスタ、ポリシリコントランジスタ、有機トランジスタ等のような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ:Thin Film Transistor）や、半導体デバイスを含むパッケージ、更には複合基板であってもよい。
　半導体デバイスＤには、デバイス制御ケーブルを介してテスタユニット１１（信号印加部）が電気的に接続されている。テスタユニット１１は、電源（図示せず）によって動作させられ、半導体デバイスＤに所定の変調電流信号（刺激信号）を印加する。半導体デバイスＤでは、当該変調電流信号に伴い変調磁場が発生する。変調磁場に応じた光信号が後述する光検出器２２に検出されることによって、特定の周波数における計測光を検出することが可能となる。なお、検査装置１は、テスタユニット１１からの変調電流信号を半導体デバイスＤに印加しながら、検出周波数に応じた光を光源１３（後述）から発生させることによりロックイン検出を行うものであってもよい。この場合、検査装置１のＳ／Ｎを向上させることができる。テスタユニット１１は、タイミング信号ケーブルを介して周波数解析部１２に電気的に接続されている。なお、刺激信号として変調電圧信号を印加してもよい。
　検査装置１は、光源１３を備えている。光源１３は、電源（図示せず）によって動作させられ、後述するＭＯ結晶１８（磁気光学結晶）及び半導体デバイスＤに照射されるＣＷ光またはパルス光を発生し出力する。光源１３から出力される光は、インコヒーレント（非コヒーレント）な光でもよいし、レーザ光のようなコヒーレントな光であってもよい。インコヒーレントな光を出力する光源１３としては、ＳＬＤ（Super Luminescent Diode）やＡＳＥ（Amplified Spontaneous Emission）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等を用いることができる。光源１３から出力される光がインコヒーレントな光である場合には、ＭＯ結晶１８における反射光と、半導体デバイスＤにおける反射光との間で生じる干渉ノイズを低減することができる。ＭＯ結晶１８における反射光には、ＭＯ結晶１８の光入射面における反射光、及びＭＯ結晶１８の光反射面における反射光の双方が含まれる。なお、ＭＯ結晶１８の光入射面における反射光の影響は、光入射面に反射防止加工を施すことにより低減される。
　また、コヒーレントな光を出力する光源１３としては、固体レーザ光源や半導体レーザ光源等を用いることができる。光源１３から出力される光の波長は、５３０ｎｍ以上であり、例えば１０６４ｎｍ以上である。光源１３から出力された光は、偏光保存シングルモード光カプラ（図示せず）、及び、プローブ光用の偏光保存シングルモード光ファイバを介して光分割光学系１４に導かれる。光分割光学系１４の詳細については後述する。光源１３から光分割光学系１４に導かれた光は、更に光スキャナ１５及び対物レンズ１６を含む照射光学系に導かれる。照射光学系である光スキャナ１５及び対物レンズ１６は、光源１３から出力された光をＭＯ結晶１８に対して照射する。光源１３、光分割光学系１４、光スキャナ１５、対物レンズ１６、及びＭＯ結晶１８は光学的に接続（coupling）されている。
　光スキャナ１５は、ＭＯ結晶１８の光入射面上の照射スポットを走査する。より詳細には、光スキャナ１５は、後述するコンピュータ２４によって制御されることにより、照射スポットを走査する。光スキャナ１５は、例えばガルバノミラーやＭＥＭＳ（micro electro mechanical system）ミラー等の光走査素子によって構成されている。
　対物レンズ１６は、光スキャナ１５によって導かれた光をＭＯ結晶１８に集光する。対物レンズ１６は、ターレット（不図示）等により、低倍率対物レンズと高倍率対物レンズとを切替可能に構成されている。低倍率対物レンズの倍率は例えば５倍であり、高倍率対物レンズの倍率は例えば５０倍である。対物レンズ１６には、対物レンズ駆動部１７が連結されている。対物レンズ駆動部１７が光源１３からの光の光軸方向ＯＤに移動することにより、対物レンズ１６の焦点位置を調整することができる。
　ＭＯ結晶１８は、半導体デバイスＤに対向して配置される。ＭＯ結晶１８は、磁気光学効果により、半導体デバイスＤで発生した磁界に応じて屈折率が変化し、入力された光の偏光状態（偏光方向）を変化させる。例えば、半導体デバイスＤの故障時等において、半導体デバイスＤに変調電流信号が印加されると、故障個所に応じたリーク電流が流れる電流経路が発生する場合がある。この場合、リーク電流が流れる電流経路が発生した箇所はリーク電流が流れる電流経路が発生していない箇所とは異なる磁界となる。ＭＯ結晶１８は、このような磁界の変化に応じて、偏光方向が変化した反射光を出力する。当該反射光の偏光方向の相違は、後述する光検出器２２によって取得される光の強度の相違として表れる。ＭＯ結晶１８における反射光は、対物レンズ１６及び光スキャナ１５を介して光分割光学系１４に戻され、戻り光用の光ファイバを介して光検出器２２に導かれる。光分割光学系１４と光検出器２２は光学的に接続（coupling）されている。
　ここで、ＭＯ結晶１８には、可とう性部材２１を介して、ＭＯ結晶１８を保持するホルダ１９が連結されている。可とう性部材２１は、例えばゴムやバネ等を含んで構成されたリング状の弾性部材である。また、可とう性部材２１は、形状が変形する部材であればよく、必ずしも弾性部材でなくてもよい。可とう性部材２１は、光軸方向ＯＤから見てＭＯ結晶１８の外縁の少なくとも一部を覆うように、ＭＯ結晶１８に固着されている。可とう性部材２１は、ＭＯ結晶１８の光入射面側に固着されている。また、ホルダ１９は、例えばリング状であって、光軸方向ＯＤから見て可とう性部材２１の外縁を覆うように、可とう性部材２１に固着されている。よって、可とう性部材２１は、一面がＭＯ結晶１８に固着され、他面がホルダ１９に固着されている。リング状の可とう性部材２１がＭＯ結晶１８の外縁を覆い、リング状のホルダ１９が可とう性部材２１の外縁を覆っているので、光軸方向ＯＤから見ると、ＭＯ結晶１８の光入射面上には、対物レンズ１６からの光が入力されるための開口が形成されている。ホルダ１９には、ホルダ駆動部２０が連結されている。
　ホルダ駆動部２０は、光軸方向ＯＤに移動することにより、ホルダ１９を光軸方向ＯＤに移動させる。ホルダ駆動部２０が光軸方向ＯＤに移動することにより、ホルダ１９と半導体デバイスＤとの距離が縮められ、ＭＯ結晶１８が半導体デバイスＤに押し付けられる。つまり、ＭＯ結晶１８は、半導体デバイスＤに当接可能とされている。ＭＯ結晶１８への光照射は、ＭＯ結晶１８が半導体デバイスＤに当接した状態で行われる。なお、ＭＯ結晶１８への光照射は、半導体デバイスＤに当接した状態で行われることに限らず、ＭＯ結晶１８と半導体デバイスＤの間に所定の間隔を持った状態で行われてもよい。
　ここで、ＭＯ結晶１８が半導体デバイスＤに当接する際、例えば、半導体デバイスＤが、光軸に直交する面に対して傾いた状態とされている場合がある。この場合において、ＭＯ結晶１８の光入射面が光軸に直交する面に対して傾きがない、又は、無視できる程度の傾き状態であるとすると、ＭＯ結晶は、その一部が他の部分に先行して半導体デバイスＤに当接することとなる。この状態において、対物レンズ駆動部１７が更に同一方向に移動すると、可とう性部材２１がたわみ、ＭＯ結晶１８の他の部分も半導体デバイスＤの傾斜に倣うようにして半導体デバイスＤに押圧されることとなる。なお、たわむとは、曲がったり、歪んだり、伸びたりすることによって、変形することをいう。すなわち、可とう性部材２１がたわむことによって、ＭＯ結晶１８の光入射面を光軸に直交する面に対して傾斜可能とされている。これにより、半導体デバイスＤとＭＯ結晶１８とを接した状態、又は近接した状態とすることができ、ＭＯ結晶１８を利用して、半導体デバイスＤで発生した磁場特性を適切に計測できる。なお、可とう性部材２１は、たわむことによってＭＯ結晶１８の光入射面を傾斜させる場合であっても、光軸に直交する面に対するＭＯ結晶１８の光入射面の傾き角度が、対物レンズ１６の開口角以下となるように、厚さ及び硬度等が選択されている。これにより、ＭＯ結晶１８で反射した光を対物レンズ１６において確実に検出することができる。
　なお、対物レンズ駆動部１７とホルダ駆動部２０とは一体型の構成とされていてもよい。この場合、当該一体型の構成は、対物レンズ１６及びホルダ１９をそれぞれ個別に移動させる機構を有していてもよい。すなわち、対物レンズ１６及びホルダ１９を共に移動させる機構と切り離して、それぞれを個別に移動させる、例えばスライド機構を有していてもよい。ＭＯ結晶１８と半導体デバイスＤとが接触した後においては、焦点合わせなどのために対物レンズ１６を光軸方向ＯＤに移動させる必要がある。しかしながら、接触した後において対物レンズ１６及びホルダ１９を共に光軸方向ＯＤに移動させると、ＭＯ結晶１８及び半導体デバイスＤに過度な力が加わるおそれがある。この点、ＭＯ結晶１８と半導体デバイスＤとが接触した後に、対物レンズ１６の移動とホルダ１９の移動とを切り離すことにより、ＭＯ結晶１８に対して対物レンズ１６を相対的に移動させることができる。
　光検出器２２は、照射された光に応じて、半導体デバイスＤに当接したＭＯ結晶１８における反射光を検出し、検出信号を出力する。光検出器２２は、例えば、フォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、光電子増倍管、又はエリアイメージセンサ等である。光検出器２２は、少なくとも１つの検出器を有しており、当該検出器に入力された光の強度を検出する。
　ここで、光分割光学系１４について図２も参照しながら説明する。光分割光学系１４は、コリメータ１４１，１４６と、シャッタ１４２と、偏向ビームスプリッタ（以下、ＰＢＳ：Polarization Beam Splitterと記載）１４３、ファラデーローテータ（以下、ＦＲ：Faraday Rotatorと記載）１４４と、を含んで構成されている。図２に示されるように、光源１３からの光が光スキャナ１５を介してＭＯ結晶１８に照射される際には、まず、光源１３からの光がコリメータ１４１を介してシャッタ１４２に入力される。シャッタ１４２は光のＯＮ／ＯＦＦを制御できるものであればよい。そして、シャッタ１４２から出力された光が、ＰＢＳ１４３に入力される。ＰＢＳ１４３は、偏光成分が０度の光を透過し９０度の光を反射するように設定されている。また、ＰＢＳ１４３は、シャッタ１４２からの光の偏光に合わせて設定されている。そのため、ＰＢＳ１４３はシャッタ１４２からの光を透過する。ＰＢＳ１４３を透過した偏光成分が０度の光は、入力光の偏光面を２２．５度傾ける（回転させる）ＦＲ１４４に入力され、その偏光成分が２２．５度となる。ＦＲ１４４を透過した光は、偏光成分が２２．５度の光として光スキャナ１５に入力される。当該光は、ＭＯ結晶１８に照射される。
　ＭＯ結晶１８からの反射光は、半導体デバイスＤに印加される変調電流信号で発生した磁界（磁場強度）に比例したカー効果に応じて、偏光面が回転している。当該反射光は、ＦＲ１４４により偏光面を２２．５度傾けられ、ＰＢＳ１４３に入力される。当該反射光は、ＰＢＳ１４３によって偏光成分が９０度の光及び０度の光に分割される。偏光成分が９０度の光は、ＰＢＳ１４３にて反射しコリメータ１４６を介して光検出器２２の光検出器に入力される。このように、光検出器２２は、半導体デバイスＤで発生した磁界（磁場強度）に応じた偏光面の変化を、光強度として検出し、当該光強度に応じた強度（振幅）の検出信号をアンプ２３に出力する。なお、光分割光学系１４として、ＰＢＳ１４３が1つのみ備わっており、直交する直線偏光のうち偏光成分が９０度の光のみ検出する構成を説明したが、これに限定されない。すなわち、光分割光学系１４は、ＰＢＳ１４３及びＦＲ１４４の間に入力光の偏光面を４５度傾けるＦＲと、偏光成分が４５度の光を透過し１３５度の光を反射するようなＰＢＳと、コリメータとを更に備え、直交する直線偏光の双方、すなわち偏光成分が９０度の光及び０度の光を捉えて差動検出する構成であってもよい。また、光の利用効率は落ちるが、光分割光学系１４は、ハーフミラーを備えていてもよい。
　図１に戻り、アンプ２３は、光検出器２２によって出力された検出信号を増幅して出力する。当該増幅後の検出信号は、周波数解析部１２に入力される。光検出器２２、アンプ２３、及び周波数解析部１２は電気的に接続（coupling）されている。周波数解析部１２としては、ロックインアンプやスペクトラムアナライザ、デジタイザ、クロス・ドメイン・アナライザ（登録商標）等が用いられる。周波数解析部１２は、増幅後の検出信号における計測周波数成分を抽出する。計測周波数は、例えば半導体デバイスＤに印加される変調電流信号の変調周波数に基づいて設定される。また、周波数解析部１２は、半導体デバイスＤに印加される変調電流信号と周期が同じ参照信号を取得する。当該参照信号は、例えば、テスタユニット１１から出力されて周波数解析部１２に入力される。テスタユニット１１と周波数解析部１２は電気的に接続（coupling）されている。
　周波数解析部１２は、計測周波数成分を抽出した検出信号と、取得した参照信号との位相差を導出する。上述したように、検出信号の振幅は、半導体デバイスＤで発生した磁界（磁場強度）に応じて変化する。そして、振幅と位相との間には相関関係がある。そのため、周波数解析部１２は、検出信号の振幅に基づいて、検出信号と参照信号との位相差を特定することができる。ここで、電流経路箇所の反射光に係る検出信号と参照信号との位相差は、特定の値となる。具体的には、当該特定の値は、実質的に、電流に応じて発生した磁場がＭＯ結晶１８を貫く方向の正負に応じた、２値のいずれかとなる。図３に示されるように、参照信号は、周波数解析部１２により刺激信号と同じ周期とされる。また、電流経路箇所の検出信号と参照信号との位相差（以下、電流位相差と記載する場合がある）は、複数周期に亘って一定となる。具体的には、電流位相差は、参照信号と刺激信号との位相差θ１と、刺激信号と検出信号との位相差θ２とを加算した値となる。位相差θ１は、参照信号を生成する周波数解析部１２の設定によって変化させることができる。電流位相差をより簡易に求めるべく、参照信号の位相と刺激信号の位相とが等しくされ、位相差θ１が０とされてもよい。位相差θ２は、電流に応じて発生した磁場がＭＯ結晶を貫く方向の正負に応じて、１８０度（π）異なる２値のいずれかとなる。すなわち、磁場方向が正である電流経路箇所の検出信号と刺激信号との位相差θ２と、磁場方向が負である電流経路箇所の検出信号と刺激信号との位相差θ２とは、１８０度（π）異なっている。一方で、半導体デバイスＤにおける電流経路箇所以外の検出信号と参照信号との位相差は、特定の値とならず、ランダムな値となる。よって、位相差が特定の２値であるか否かに基づいて、電流経路であるか否かを推定（取得）することができる（詳細は後述）。周波数解析部１２は、特定した位相差を示す情報を含んだ解析信号をコンピュータ２４（解析部、電流経路画像生成部）に出力する。周波数解析部１２とコンピュータ２４は電気的に接続（coupling）されている。
　コンピュータ２４は例えばＰＣ等である。コンピュータ２４には、ユーザから計測条件等が入力されるキーボードやマウス等の入力装置２６と、ユーザに計測結果等を示すためのディスプレイ等の表示装置２５とが接続されている。コンピュータ２４は、プロセッサであるＣＰＵ（Central Processing Unit）、記録媒体であるＲＡＭ（Random Access Memory）又はＲＯＭ（Read Only Memory）を含む。コンピュータ２４はＣＰＵによって以降の機能を実行する。コンピュータ２４は、光源１３、光スキャナ１５、対物レンズ駆動部１７、テスタユニット１１、光検出器２２、及び周波数解析部１２等を制御する機能を有している。また、コンピュータ２４は、周波数解析部１２から出力された解析信号に基づいて、半導体デバイスＤにおける電流経路を推定（取得）する。具体的には、コンピュータ２４は、解析信号に含まれた、参照信号と検出信号との位相差に基づいて、位相差を示す位相成分を含んだ位相画像データを生成する。更に、コンピュータ２４は、当該位相画像データに基づいて電流の経路を示す画像（電流経路画像）を生成することにより、電流経路を推定する。
　コンピュータ２４は、まず、解析信号に含まれた位相差（位相成分）、及びＭＯ結晶１８の光入射面上の照射スポットの情報に基づいて、照射スポット毎に位相成分をマッピングし、位相像を生成する。位相像とは、位相差を、位相差に応じた所定の輝度値でマッピングした画像（位相画像）である。位相差と輝度値との対応関係は、例えば位相差が－πである場合に輝度値が０a.u.とされ、位相差が０である場合に輝度値が１６０００a.u.とされ、位相差が＋πである場合に輝度値が３２０００a.u.とされる。コンピュータ２４は、各照射スポットに対応する位相成分が含まれた位相画像データを生成する。位相画像データにおいては、各照射スポットの位置を考慮した画像中の位置に、各照射スポットに対応する位相成分がマッピングされている。
　コンピュータ２４は、生成した位相画像データに基づいて、位相成分の統計値を示す統計値画像データを生成し、当該統計値画像データに基づいて電流経路画像を生成する。統計値とは、例えば分散、歪度、尖度等である。位相画像データにおいては、電流経路箇所以外の輝度値はランダムな値であるのに対し、電流経路箇所の輝度値は特定の２値となる。すなわち、電流経路箇所では輝度値が偏り、電流経路箇所以外では輝度値がばらつくこととなる。このため、位相成分の統計値である分散、歪度、及び尖度等を算出すると、電流経路箇所と電流経路箇所以外との差異を明確化することができる。よって、コンピュータ２４は、位相画像データに基づいて位相成分の統計値を算出する。なお、以下では、コンピュータ２４が、統計値として歪度を算出する例を説明する。
　位相成分の歪度を算出するためには、位相画像データ中における所定のエリア（所定のエリア中の所定数の画素）の平均輝度値を求める必要がある（詳細は後述）。ここで、位相差が－πである場合と＋πである場合とは、位相差としては互いに連続的な値である。しかしながら、位相像として示した場合には、これらの輝度値は、互いに大きく異なる値となる。すなわち、位相差が－πである場合には輝度値が０a.u.とされ、位相差が＋πである場合に輝度値が３２０００a.u.とされる。このように、位相差として近い値であるにもかかわらず、輝度値が大きく異なる値となる場合があるため、単に位相成分から平均輝度値を求めた場合には、実際の位相差に応じた位相成分の歪度を算出することができない場合がある。そこで、コンピュータ２４は、位相成分に含まれる同位相成分（余弦成分、Ｉ軸成分）を示すＩ軸画像（余弦画像データ）と直交位相成分（正弦成分、Ｑ軸成分）を示すＱ軸画像（正弦画像データ）とを生成する。すなわち、図４に示されるように、位相差θをＩ軸（ｃｏｓ軸）とＱ軸（ｓｉｎ軸）に射影したＩ軸画像とＱ軸画像を生成する。位相差θをＩ軸又はＱ軸に射影するとは、位相差θ及び強度成分（振幅）ｒからＩ軸成分及びＱ軸成分を求めることをいう。なお、強度成分ｒとしては、例えば規格化された定数１を用いてもよいし、実際に検出された振幅の値を用いてもよい。コンピュータ２４は、Ｉ軸画像及びＱ軸画像のそれぞれについて、統計値画像データを生成し、電流経路画像を生成する。
　位相画像データから電流経路を推定する手順について、図５～図９を参照しながら説明する。図５（ａ）には、位相画像データに基づいて作成された位相画像が示されている。詳細すると、図５（ａ）の位相画像は、各照射スポットに対応する位相成分を輝度値としてマッピングした画像である。コンピュータ２４は、当該位相画像データの画素毎（すなわち、取得した各照射スポットの輝度値（位相成分）毎）に、位相成分のＩ軸成分及びＱ軸成分を求め、Ｉ軸画像（図５（ｂ））及びＱ軸画像（図５（ｃ））を生成する。更に、コンピュータ２４は、図６（ａ）及び（ｂ）に示されるように、Ｉ軸画像の画素毎に、各画素の近傍の画素の輝度値を平均した平均輝度値を算出し、各画素の平均輝度値をマッピングしたＩ軸平均画像を生成する。同様に、コンピュータ２４は、図６（ｃ）及び（ｄ）に示されるように、Ｑ軸画像の画素毎に、各画素の近傍の画素の輝度値を平均した平均輝度値を算出し、各画素の平均輝度値をマッピングしたＱ軸平均画像を生成する。各画素の近傍の画素とは、各画素を中心とした微小領域のエリアに含まれる画素であり、例えば各画素を中心とした９×９画素に含まれる画素である。なお、微小領域のエリアは９×９画素に限定されず、任意のｎ×ｎ画素（ｎは２以上の整数）であってもよい。この場合、ｎが奇数にされることによって、平均輝度値を求めたい画素を中心とすることができるがこれに限定されず、ｎが偶数であってもよい。
　更に、コンピュータ２４は、Ｉ軸画像に基づいてＩ軸成分の統計値を示すＩ軸統計値画像データを生成するとともに、Ｑ軸画像に基づいてＱ軸成分の統計値を示すＱ軸統計値画像データを生成し、Ｉ軸統計値画像データ及びＱ軸統計値画像データに基づいて、電流経路画像を生成する。具体的には、図７に示されるように、Ｉ軸画像及びＩ軸平均画像から、各画素の歪度を算出し、各画素の歪度がマッピングされたＩ軸歪度画像（Ｉ軸統計値画像データ）を生成する。同様に、コンピュータ２４は、図８に示されるように、Ｑ軸画像及びＱ軸平均画像から、各画素の歪度を算出し、各画素の歪度がマッピングされたＱ軸歪度画像（Ｑ軸統計値画像データ）を生成する。例えば各画素の歪度を算出する手順として、I（Ｑ）軸画像の微小領域のエリアに含まれる画素の輝度値と、I（Ｑ）軸画像の微小領域の中心画素に対応するI（Ｑ）軸平均画像の平均輝度値から歪度を算出してもよい。
　最後に、コンピュータ２４は、図９に示されるように、Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像から、歪度画像（図９（ｃ））を生成する。当該歪度画像が、電流経路画像である。なお、当該歪度画像が生成されることなく、Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像のみが生成され、当該Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像から電流の経路が推定されてもよい。この場合、当該Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像が電流経路画像である。具体的には、コンピュータ２４は、Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像を乗算することにより、歪度画像を生成する。Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像を乗算するとは、以下の（１）式に示されるように、Ｉ軸歪度画像の各画素の輝度値istatと、当該各画素に対応するＱ軸歪度画像の各画素の輝度値qstatとを乗算することをいう。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　なお、コンピュータ２４は、Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像を加算することにより、歪度画像を生成してもよい。Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像を加算するとは、以下の（２）式に示されるように、Ｉ軸歪度画像の各画素の輝度値istatと、当該各画素に対応するＱ軸歪度画像の各画素の輝度値qstatとを加算することをいう。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　また、コンピュータ２４は、Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像の二乗和平方根を算出することにより、歪度画像を生成してもよい。Ｉ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像の二乗和平方根を算出するとは、以下の（３）式に示されるように、Ｉ軸歪度画像の各画素の輝度値istatと、当該各画素に対応するＱ軸歪度画像の各画素の輝度値qstatとの二乗和平方根を算出することをいう。さらにｘが正（ｘ＞０）ならば＋１を、ｘが負（ｘ＜０）ならば－１を、ｘ＝０ならば０を返す符号関数ｓｇｎ（ｘ）を用いて、以下の（４）式に示されるような場合も二乗和平方根を算出することしてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
　コンピュータ２４は、電流経路画像（すなわち、歪度画像、又はＩ軸歪度画像及びＱ軸歪度画像）に対して、適宜、シェーディング除去、２値化、画像中のごみの除去、平滑化、及び細線化等の仕上げ処理を行うことにより、計測者の視認性を向上し、より好適に電流経路を推定できるようにしてもよい。コンピュータ２４による仕上げ処理について、図１０～図１２も参照しながら説明する。
　シェーディング除去とは、輝度ムラのある画像から輝度ムラを低減する処理である。図９（ｃ）に示されるように、シェーディング除去前の電流経路画像は、エッジ近傍の画素の輝度値が小さくなり（輝度の落ち込みが生じ）、輝度ムラが生じる場合がある。この場合、２値化した際に電流経路と他の部分とが明確に区別し難くなってしまう。そこで、コンピュータ２４は、各画素の近傍（例えば、各画素を中心としたｎ×ｎ画素）に含まれる画素のうち輝度値が最小である画素の輝度値を所定値だけ高くする。これにより、図１０（ａ）に示されるように、シェーディング除去前と比較して電流経路画像の輝度ムラが低減される。
　２値化とは、様々な輝度の画像（濃淡画像）から白と黒の２階調に変換された２値画像を得るための処理である。２値化を行うことによって、電流経路のコントラストを向上させることができる。コンピュータ２４は、各画素を所定の閾値と比較し、閾値を上回っている画素を白色、下回っている画素を黒色で表示する。コンピュータ２４は、例えば、各画素の輝度値のうち最小値と最大値を導出し、当該最小値から最大値の範囲を１００％として４５％の輝度値を上述した所定の閾値とする。２値化により、図１０（ｂ）に示される２値画像が生成される。
　画像中のごみの除去とは、電流経路とは考え難い微小面積のエリアを除去する処理であり、電流経路の推定において不要な部分を除去する処理である。コンピュータ２４は、周知の境界追跡アルゴリズムによって、例えば白く表示された画素のかたまり（エリア）を複数認識する。そして、コンピュータ２４は、各エリアのうち、幅と高さが一定値以下のエリアである微小サイズのエリアを画像中のごみとして認識し、当該画像中のごみを除去する（図１１（ａ））。
　コンピュータ２４は、ごみを除去した画像を平滑化する（図１１（ｂ））。平滑化を行うフィルタとしては、例えば空間フィルタ等の平滑化フィルタを用いることができる。コンピュータ２４は、平滑化を行った画像の各画素を、再び所定の閾値と比較し２値化を行う。コンピュータ２４は、例えば、各画素の輝度値のうち最小値と最大値を導出し、当該最小値から最大値の範囲を１００％として５０％の輝度値を上述した所定の閾値とする。このように再度２値化を行うことにより、図１２（ａ）に示される２値画像が生成される。
　更に、コンピュータ２４は、再度の２値化により生成された２値画像を細線化する（図１２（ｂ））。細線化とは、２値画像を例えば幅１ピクセルの線画像に変換する処理である。細線化によって電流経路と思われるラインが細くされる。細線化は、周知の細線化アルゴリズムによって行われる。なお、ごみの除去が完了した画像（図１１（ａ））に対して、上述した平滑化及び再度の２値化を行うことなく、細線化の処理を行ってもよい。ただし、上述した平滑化及び再度の２値化を行うことによって線分の滑らかさが向上する。
　次に本実施形態に係る検査装置１の作用効果について説明する。
　従来、光プロービング技術において、検出した反射光の振幅を示す振幅（強度）像に基づいて、計測対象物の電流経路を取得し、計測対象物の故障箇所を特定する技術がある。しかしながら、反射光の振幅は、磁気光学結晶の厚さのムラ及び磁気光学結晶の傷などのノイズ成分の影響によって変化しやすい。そのため振幅像のＳＮ比は悪化しやすい。これにより、振幅像から電流経路を取得する方法では、電流経路を精度よく取得することができない場合がある。
　この点、検査装置１では、刺激信号に基づく参照信号と検出信号との位相差に基づく位相画像データから、電流の経路を示す画像が生成されている。例えば半導体デバイスＤにテスタユニット１１から刺激信号が印加されると、半導体デバイスＤの電流経路に電流が流れ、当該電流に応じた磁場が発生する。ＭＯ結晶１８は、半導体デバイスＤの磁場に応じて反射光の偏光状態を変化させる。そのため、半導体デバイスＤにおける電流経路の反射光の偏光状態と、その他の箇所（電流が流れない箇所）の反射光の偏光状態とは異なる。よって、電流経路の反射光に係る検出信号と、その他の箇所の反射光に係る検出信号とで、参照信号との位相差が異なる。
　ここで、電流経路の反射光に係る検出信号と参照信号との位相差は、特定の値となる。具体的には、当該特定の値は、実質的に、電流に応じて発生した磁場がＭＯ結晶１８を貫く方向の正負に応じた２値のいずれかとなる。一方で、その他の箇所の反射光に係る検出信号と参照信号との位相差は、特定の値とはならずランダムな値となる。このため、位相差に基づく位相画像データには、位相差が特定の２値のいずれかである箇所と、ランダムな値である箇所とが含まれる。よって、当該位相画像データに基づいて生成される電流経路画像には、電流の経路を示す箇所すなわち位相差が特定の２値のいずれかである箇所と、電流の経路でない箇所すなわち位相差がランダムな値である箇所とが明確に示され、電流の経路を精度よく取得することができる。このような位相差の情報は、ＭＯ結晶１８の厚さのムラ及びＭＯ結晶１８の傷などのノイズ成分の影響によって変化しにくい。また、電流の経路を示す箇所の位相差は特定の２値のいずれかとされるので、電流経路の特定が容易であり、特定精度が向上する。以上より、振幅像に応じて電流経路を取得する場合と比較して、電流経路を精度よく取得することができる。
　また、コンピュータ２４は、上記位相画像データに基づいて位相成分の統計値を示す統計値画像データを生成し、当該統計値画像データに基づいて電流経路画像を生成する。具体的には、コンピュータ２４は、統計値として分散、歪度、及び尖度のうちいずれか１つを算出する。位相画像データにおいては、電流経路箇所以外の輝度値はランダムな値であるのに対し、電流経路箇所の輝度値は特定の２値となる。すなわち、電流経路箇所では輝度値が偏り、電流経路箇所以外では輝度値がばらつくこととなる。このため、位相成分の統計値である分散、歪度、及び尖度等を算出すると、電流経路箇所と電流経路箇所以外との差異を明確化することができる。これにより、電流経路を精度よく取得することができる。
　また、コンピュータ２４は、位相成分及び振幅成分における、同位相成分（余弦成分、Ｉ軸成分）を示すＩ軸画像（余弦画像データ）と直交位相成分（正弦成分、Ｑ軸成分）を示すＱ軸画像（正弦画像データ）とを生成し、当該Ｉ軸画像及びＱ軸画像に基づいて電流経路画像を生成する。位相差が-πである場合と+πである場合とは、実際には互いに連続的につながった値であるものの、位相像として示した場合には互いに輝度値が遠い値となる。この点、位相成分の正弦成分又は余弦成分を示した画像データでは、互いに連続的につながっている位相差に係る位相成分の輝度値を互いに近い値とすることができる。これにより、位相画像データに基づいて、電流経路を精度よく取得することができる。更に、正弦成分及び余弦成分の双方の画像データを生成しているので、いずれか一方のみの場合と比較して電流の経路を示す画像を生成するための情報量を増やすことができる。これによって、電流経路をより精度よく取得することができる。
　また、コンピュータ２４は、Ｉ軸画像及びＱ軸画像に対して、加算、乗算、及び二乗和平方根のいずれか１つの演算を行う。これらの演算を行うことにより、Ｉ軸画像及びＱ軸画像の双方のデータを相乗的に用いて、電流経路画像を適切に生成することができる。
　また、コンピュータ２４は、正弦画像データに基づいて、正弦成分（直交位相成分）の統計値を示す正弦統計値画像データを生成し、また、余弦画像データに基づいて、余弦成分（同位相）の統計値を示す余弦統計値画像データを生成して、正弦統計値画像データ及び余弦統計値画像データに基づいて電流経路画像を生成する。これによって、電流経路をより精度よく取得することができる。
　また、参照信号が、半導体デバイスＤに刺激信号を印加するテスタユニット１１から出力されるので、刺激信号に基づく参照信号を容易且つ確実に出力することができる。なお、参照信号は、刺激信号と位相及び周期が等しい信号であってもよい。これにより、参照信号と検出信号との位相差を求めれば、刺激信号と検出信号との位相差を求めることができ、位相差の導出が容易になる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
　例えば、参照信号はテスタユニット１１から出力されるとして説明したがこれに限定されず、半導体デバイスＤから出力されてもよい。この場合、図１３に示される検査装置１Ａのように、半導体デバイスＤは、デバイス制御ケーブルを介して周波数解析部１２に直接接続されていてもよい。また、参照信号は半導体デバイスＤからテスタユニット１１を経由して周波数解析部１２に入力されてもよい。刺激信号を印加された半導体デバイスＤから、当該刺激信号に応じた参照信号が出力され、当該参照信号が周波数解析部１２に入力される。
　また、コンピュータ２４は、歪度等の統計値を算出して電流経路画像を生成するとして説明したがこれに限定されず、位相成分をマッピングした位相画像や正弦成分をマッピングした正弦画像、余弦成分をマッピングした余弦画像、正弦画像と余弦画像から生成されるＩ／Ｑ画像、位相成分の統計値をマッピングした統計値画像等を電流経路画像として生成してもよい。
　また、コンピュータ２４は、電流経路画像を生成するために用いる統計値として、分散、歪度、及び尖度を例示したがこれに限定されず、電流経路箇所と電流経路箇所以外との輝度値のばらつき度合いの違いを明確化するその他の統計値を用いてもよい。
　１…検査装置、１１…テスタユニット（信号印加部）、１２…周波数解析部、１３…光源、１５…光スキャナ（照射光学系）、１８…ＭＯ結晶（磁気光学結晶）、２２…光検出器、２４…コンピュータ（解析部、電流経路画像生成部）。
 

Claims (16)

  1. 　計測対象物に対して刺激信号を印加することにより前記計測対象物に生じる電流の経路を取得する検査方法であって、
    　前記計測対象物に刺激信号を印加するステップと、
    　前記計測対象物に対向して配置された磁気光学結晶に対して光を照射するステップと、
    　照射された前記光に応じて前記磁気光学結晶から反射された光を検出し、検出信号を出力するステップと、
    　前記刺激信号に基づいて生成される参照信号と前記検出信号との位相差に基づいて、前記位相差を示す位相成分を含んだ位相画像データを生成するステップと、
    　前記位相画像データに基づいて、前記電流の経路を示す画像を生成するステップと、を含む検査方法。
  2. 　前記電流の経路を示す画像を生成するステップは、前記位相画像データに基づいて、前記位相成分の統計値を示す統計値画像データを生成するステップを含み、前記統計値画像データに基づいて前記電流の経路を示す画像を生成する、請求項１記載の検査方法。
  3. 　前記電流の経路を示す画像を生成するステップは、前記位相画像データに基づいて、正弦成分を示す正弦画像データ、及び、余弦成分を示す余弦画像データを生成するステップを含み、前記正弦画像データ及び前記余弦画像データに基づいて、前記電流の経路を示す画像を生成する、請求項１記載の検査方法。
  4. 　前記電流の経路を示す画像を生成するステップは、前記正弦画像データ及び前記余弦画像データに対して、加算、乗算、及び二乗和平方根のいずれか１つの演算を行うステップを含む、請求項３記載の検査方法。
  5. 　前記電流の経路を示す画像を生成するステップは、前記正弦画像データに基づいて、前記正弦成分の統計値を示す正弦統計値画像データを生成するステップと、前記余弦画像データに基づいて、前記余弦成分の統計値を示す余弦統計値画像データを生成するステップと、を含み、前記正弦統計値画像データ及び前記余弦統計値画像データに基づいて前記電流の経路を示す画像を生成する、請求項３または請求項４記載の検査方法。
  6. 　前記統計値は、分散、歪度、及び尖度のうちいずれか1つである、請求項２又は５記載の検査方法。
  7. 　前記参照信号は、前記刺激信号と位相及び周期が等しい信号である、請求項１～６のいずれか一項記載の検査方法。
  8. 　計測対象物に対して刺激信号を印加することにより前記計測対象物に生じる電流の経路を取得する検査装置であって、
    　前記計測対象物に刺激信号を印加する信号印加部と、
    　前記計測対象物に対向して配置される磁気光学結晶と、
    　光を出力する光源と、
    　前記光源から出力された光を前記磁気光学結晶に対して照射する照射光学系と、
    　前記照射光学系に照射された光に応じて前記磁気光学結晶から反射された光を検出し、検出信号を出力する光検出器と、
    　前記刺激信号に基づいて生成される参照信号と前記検出信号との位相差に基づいて、前記位相差を示す位相成分を含んだ位相画像データを生成する解析部と、
    　前記位相画像データに基づいて、前記電流の経路を示す画像を生成する、電流経路画像生成部と、を備える検査装置。
  9. 　前記電流経路画像生成部は、前記位相画像データに基づいて、前記位相成分の統計値を示す統計値画像データを生成し、前記統計値画像データに基づいて前記電流の経路を示す画像を生成する、請求項８記載の検査装置。
  10. 　前記電流経路画像生成部は、前記位相画像データに基づいて、正弦成分を示す正弦画像データ、及び、余弦成分を示す余弦画像データを生成し、前記正弦画像データ及び前記余弦画像データに基づいて、前記電流の経路を示す画像を生成する、請求項８記載の検査装置。
  11. 　前記電流経路画像生成部は、前記正弦画像データ及び前記余弦画像データに対して、加算、乗算、及び二乗和平方根のいずれか１つの演算を行う、請求項１０記載の検査装置。
  12. 　前記電流経路画像生成部は、前記正弦画像データに基づいて、前記正弦成分の統計値を示す正弦統計値画像データを生成し、前記余弦画像データに基づいて、前記余弦成分の統計値を示す余弦統計値画像データを生成し、前記正弦統計値画像データ及び前記余弦統計値画像データに基づいて前記電流の経路を示す画像を生成する、請求項１０又は１１記載の検査装置。
  13. 　前記統計値は、分散、歪度、及び尖度のうちいずれか1つである、請求項９又は１２記載の検査装置。
  14. 　前記参照信号は、前記信号印加部から出力される、請求項８～１３のいずれか一項記載の検査装置。
  15. 　前記参照信号は、前記計測対象物から出力される、請求項８～１３のいずれか一項記載の検査装置。
  16. 　前記参照信号は、前記刺激信号と位相及び周期が等しい信号である、請求項８～１５のいずれか一項記載の検査装置。
     
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017073166A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 浜松ホトニクス株式会社 画像生成方法、画像生成装置、画像生成プログラム及び記録媒体
WO2018061378A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014119676A1 (ja) * 2013-02-01 2014-08-07 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイス検査装置及び半導体デバイス検査方法
CN109003567A (zh) * 2018-07-24 2018-12-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板测试装置及测试方法
US11650167B2 (en) * 2020-12-17 2023-05-16 Seagate Technology Llc Abnormal surface pattern detection for production line defect remediation

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6076650A (ja) * 1983-07-05 1985-05-01 ピイアールアイ・インストラメンテーション・インコーポレーテッド タ−ゲツト物体中の欠陥，空隙，不連続部などを検出する方法および装置
JPH02253152A (ja) * 1989-03-27 1990-10-11 Sumitomo Metal Ind Ltd 探傷方法及び探傷装置
JPH06201654A (ja) * 1992-12-26 1994-07-22 Sumitomo Metal Ind Ltd 磁気光学探傷方法及びその装置
US20060146328A1 (en) * 2003-06-27 2006-07-06 Centre National De La Recherche Sceintifique (Cnrs) Magneto-optical imaging method and device
JP2013544352A (ja) * 2010-10-12 2013-12-12 インディアン インスティテュート オブ テクノロジー カーンプル サンプルの特性を画像化し、サンプル内の損傷の領域を識別するシステムおよび方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5451863A (en) * 1992-10-30 1995-09-19 International Business Machines Corporation Fiber optic probe with a magneto-optic film on an end surface for detecting a current in an integrated circuit
US6141093A (en) * 1998-08-25 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method and apparatus for locating power plane shorts using polarized light microscopy
JP2001343434A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Ando Electric Co Ltd 半導体試験装置
JP4061289B2 (ja) 2004-04-27 2008-03-12 独立行政法人科学技術振興機構 画像検査方法及び装置
TWI302751B (en) 2006-06-14 2008-11-01 Macronix Int Co Ltd Nonvolatile memory cell, mixed nonvolatile memory array and method for operation thereof
JP2009008626A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Nec Electronics Corp 故障解析方法及び故障解析装置
JP5081763B2 (ja) 2008-08-13 2012-11-28 株式会社日立メディアエレクトロニクス 光情報検出方法、光ピックアップ及び光情報記録再生装置
US8427929B2 (en) * 2010-09-08 2013-04-23 Infinitum Solutions, Inc. Sub-optical-resolution kerr signal detection for perpendicular write-head characterization
DE102010061970B4 (de) * 2010-11-25 2013-05-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer MR-systembedingten Phaseninformation
JP6013819B2 (ja) * 2012-07-17 2016-10-25 倉敷紡績株式会社 表面形状検査装置及び表面形状検査方法
US9513230B2 (en) 2012-12-14 2016-12-06 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for optical inspection, magnetic field and height mapping

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6076650A (ja) * 1983-07-05 1985-05-01 ピイアールアイ・インストラメンテーション・インコーポレーテッド タ−ゲツト物体中の欠陥，空隙，不連続部などを検出する方法および装置
JPH02253152A (ja) * 1989-03-27 1990-10-11 Sumitomo Metal Ind Ltd 探傷方法及び探傷装置
JPH06201654A (ja) * 1992-12-26 1994-07-22 Sumitomo Metal Ind Ltd 磁気光学探傷方法及びその装置
US20060146328A1 (en) * 2003-06-27 2006-07-06 Centre National De La Recherche Sceintifique (Cnrs) Magneto-optical imaging method and device
JP2013544352A (ja) * 2010-10-12 2013-12-12 インディアン インスティテュート オブ テクノロジー カーンプル サンプルの特性を画像化し、サンプル内の損傷の領域を識別するシステムおよび方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MINHHUY LE ET AL.: "A simulation of magneto- optical eddy current imaging", NDT&E INTERNATIONAL, vol. 44, 2011, pages 783 - 788, XP028294177, DOI: doi:10.1016/j.ndteint.2011.07.013 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017073166A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 浜松ホトニクス株式会社 画像生成方法、画像生成装置、画像生成プログラム及び記録媒体
US10656187B2 (en) 2015-10-30 2020-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Image generating method, image generating device, image generating program, and storage medium
US11009531B2 (en) 2015-10-30 2021-05-18 Hamamatsu Photonics K.K. Image generating method, image generating device, image generating program, and storage medium
WO2018061378A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置
JP2018054424A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置
CN109804259A (zh) * 2016-09-28 2019-05-24 浜松光子学株式会社 半导体设备检查方法及半导体设备检查装置
KR20190057271A (ko) * 2016-09-28 2019-05-28 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 디바이스 검사 방법 및 반도체 디바이스 검사 장치
EP3521845A4 (en) * 2016-09-28 2020-06-03 Hamamatsu Photonics K.K. SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION DEVICE
KR102207726B1 (ko) 2016-09-28 2021-01-25 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 디바이스 검사 방법 및 반도체 디바이스 검사 장치
US11047792B2 (en) 2016-09-28 2021-06-29 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus
TWI750209B (zh) * 2016-09-28 2021-12-21 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 半導體元件檢查方法及半導體元件檢查裝置
CN109804259B (zh) * 2016-09-28 2022-01-18 浜松光子学株式会社 半导体设备检查方法及半导体设备检查装置

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