WO2016117613A1 - 接続体の製造方法、電子部品の接続方法、接続体 - Google Patents

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Dexerials Corp
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    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a connection body in which an electronic component is connected on a transparent substrate via a circuit connection adhesive containing a photopolymerization initiator, and via a circuit connection adhesive containing a photopolymerization initiator.
  • the present invention relates to a connection method for connecting an electronic component on a transparent substrate and a connection body manufactured using the connection method.
  • liquid crystal display devices are often used as various display means such as televisions, PC monitors, mobile phones, portable game machines, tablet PCs, and in-vehicle monitors.
  • COG chip on glass
  • a liquid crystal driving IC is directly mounted on a substrate of a liquid crystal display panel or a liquid crystal driving circuit from the viewpoints of fine pitch, light weight, and thinning.
  • FOG film on ⁇ ⁇ glass
  • the flexible substrate on which is formed is directly mounted on the substrate of the liquid crystal display panel.
  • a liquid crystal display device 100 employing a COG mounting system has a liquid crystal display panel 104 that performs a main function for liquid crystal display.
  • the liquid crystal display panel 104 is a glass substrate or the like. And two transparent substrates 102 and 103 facing each other.
  • the transparent substrates 102 and 103 are bonded to each other by a frame-shaped seal 105, and the liquid crystal 106 is sealed in a space surrounded by the transparent substrates 102 and 103 and the seal 105.
  • a panel display unit 107 is provided.
  • the transparent substrates 102 and 103 have a pair of striped transparent electrodes 108 and 109 made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like on both inner surfaces facing each other so as to intersect each other.
  • the transparent substrates 102 and 103 are configured such that a pixel as a minimum unit of liquid crystal display is constituted by the intersection of the transparent electrodes 108 and 109.
  • one transparent substrate 103 is formed to have a larger planar dimension than the other transparent substrate 102, and the transparent electrode 109 is formed on the edge 103a of the transparent substrate 103 formed to be large. Terminal portion 109a is formed.
  • alignment films 111 and 112 subjected to a predetermined rubbing process are formed on both transparent electrodes 108 and 109, and the initial alignment of liquid crystal molecules is regulated by the alignment films 111 and 112. ing.
  • a pair of polarizing plates 118 and 119 are disposed outside the transparent electrodes 108 and 109, and the vibration direction of transmitted light from the light source 120 such as a backlight is regulated by the polarizing plates 118 and 119. It has come to be.
  • the liquid crystal driving IC 115 is thermocompression-bonded on the terminal portion 109a via an anisotropic conductive film 114.
  • the anisotropic conductive film 114 is a film formed by mixing conductive particles in a thermosetting binder resin, and heat conduction is performed between the two conductors so that the electrical conduction between the conductors is achieved by the conductive particles. And the mechanical connection between the conductors is maintained by the binder resin.
  • the liquid crystal driving IC 115 can perform predetermined liquid crystal display by selectively changing the alignment of the liquid crystal by selectively applying a liquid crystal driving voltage to the pixels.
  • the adhesive constituting the anisotropic conductive film 114 the most reliable thermosetting adhesive is usually used.
  • the anisotropic conductive film 114 is attached to the terminal portion 109a of the transparent electrode 109 by a temporary crimping means (not shown). Temporarily crimp. Subsequently, after the liquid crystal driving IC 115 is placed on the anisotropic conductive film 114, the liquid crystal driving IC 115 is connected to the terminal together with the anisotropic conductive film 114 by thermocompression bonding means 121 such as a thermocompression bonding head as shown in FIG. The thermocompression bonding means 121 is caused to generate heat while being pressed toward the portion 109a.
  • the anisotropic conductive film 114 undergoes a thermosetting reaction, whereby the liquid crystal driving IC 115 is bonded onto the terminal portion 109a via the anisotropic conductive film 114.
  • the heat pressing temperature is high, and the thermal shock to the electronic components such as the liquid crystal driving IC 115 and the transparent substrate 103 is increased.
  • the anisotropic conductive film is connected, when the temperature decreases to room temperature, the binder contracts due to the temperature difference, and the terminal portion 109a of the transparent substrate 103 may be warped. For this reason, there is a risk of causing problems such as uneven display and poor connection of the liquid crystal driving IC 115.
  • Patent Document 2 in a method of bonding a connection target object and a connection target object via a photo-curing adhesive, light irradiation is performed after the start of heat pressing by a heating press head.
  • connection method using an ultraviolet curable adhesive instead of the anisotropic conductive film 114 using such a thermosetting adhesive has been proposed.
  • the adhesive softens and flows due to heat, and the temperature is sufficient to capture the conductive particles between the terminal portion 109a of the transparent electrode 109 and the electrode of the liquid crystal driving IC 115. Only heat, cure the adhesive by UV irradiation.
  • misalignment occurs when an electronic component such as the liquid crystal driving IC 115 is mounted and pressed by the thermocompression bonding means 112 or when the thermocompression bonding means 112 is separated from the liquid crystal driving IC 115.
  • an electronic component such as the liquid crystal driving IC 115 is mounted and pressed by the thermocompression bonding means 112 or when the thermocompression bonding means 112 is separated from the liquid crystal driving IC 115.
  • the misalignment is caused by the electrode terminals of the liquid crystal driving IC 115 and the terminal portions of the transparent substrate 103 connected to the electrode terminals.
  • the pitch with the terminal portion adjacent to 109a is narrowed, which may cause a short circuit between the terminals that is short-circuited through the conductive particles.
  • an anisotropic conductive film 1 When an anisotropic conductive film 1 is used to connect an electronic component having a relatively low rigidity such as the flexible substrate 21 to the transparent substrate 12, it is bonded by the heat of the pressing head as in the technique described in Patent Document 2.
  • pressure is applied in a state where the viscosity of the agent is sufficiently lowered, the stress remains due to bending between the terminals 21a of the flexible substrate 21 indicated by arrows in FIG.
  • the flexible substrate 21 releases the residual stress of the flexible substrate 21 when the heating and pressing head 30 is separated (pressed out), and the terminal 21a is pressed between the terminals 21a by the residual stress of the flexible substrate 21 as shown in FIG.
  • the force to return in the opposite direction works. Then, when the residual stress of the flexible substrate 21 is released, as shown in FIG.
  • peeling between the terminals 21 a of the flexible substrate 21 at the interface between the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film and the flexible substrate 21 is likely to occur. Such peeling may lead to a connection failure such as a decrease in the conduction resistance value of the connection body and a decrease in the adhesive force between the anisotropic conductive film and the adherend.
  • a soft binder resin that spreads sufficiently during crimping that is, a binder resin having a low viscosity, in order to ensure adhesive strength.
  • a binder resin having a low viscosity in order to ensure adhesive strength.
  • the viscosity of the binder resin is lowered too much, the flexible substrate between the wirings is more easily bent at the time of crimping, and the influence of releasing the residual stress of the flexible substrate tends to appear more conspicuously.
  • the present invention solves the above-described problems, and uses a photo-curing adhesive to connect electronic components at a low temperature, prevent misalignment of the electronic components, and improve connection failure. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method, a connection method of electronic parts, and a connection body manufactured using the same.
  • a method for manufacturing a connection body includes an adhesive placement step of providing a circuit connection adhesive containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate, and the circuit connection adhesive.
  • An electronic component is disposed on the transparent substrate through a light irradiation step of irradiating the adhesive for circuit connection with light, and heating and light irradiation are performed while pressing the electronic component against the transparent substrate.
  • the light irradiation amount in the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step.
  • the method for manufacturing a connection body includes an adhesive placement step of providing a circuit connection adhesive containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate, and the circuit connection adhesive on the transparent substrate. Placing the electronic component on the substrate, pressing the electronic component onto the transparent substrate, and applying a light to the circuit connecting adhesive, and a temporary pressure bonding step, while pressing the electronic component against the transparent substrate, A main pressure-bonding step for performing heating and light irradiation, and the light irradiation amount in the temporary pressure-bonding step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure-bonding step.
  • the electronic component connection method includes an adhesive placement step of providing a circuit connection adhesive containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate, and the circuit connection adhesive on the transparent substrate.
  • the light irradiation amount in the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount in the main compression bonding step.
  • connection body according to the present invention is manufactured by the above-described electronic component connection method.
  • curing is started by irradiating light with an appropriate irradiation amount to an adhesive for circuit connection containing a photopolymerization initiator, and the electronic component is temporarily crimped in a state where the viscosity is increased. Can do. Therefore, in the light irradiation process (temporary crimping process) and the main crimping process, when the electronic component is pressed by the crimping tool or when the crimping tool is separated from the electronic component, the electronic component is displaced from a predetermined position. Can be suppressed.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a mounting process to which the present invention is applied.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an anisotropic conductive film.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a temporary sticking step of the anisotropic conductive film.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a process of disposing the liquid crystal driving IC on the transparent substrate.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a temporary press-bonding process of the liquid crystal driving IC.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the final press-bonding step of the liquid crystal driving IC.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a connection body in which a liquid crystal driving IC is connected on a transparent substrate.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a process of disposing a flexible substrate on a transparent substrate via an anisotropic conductive film.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of a process of irradiating the anisotropic conductive film with ultraviolet light after disposing a flexible substrate on the transparent substrate via the anisotropic conductive film.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of the main crimping process of the flexible substrate.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a method of measuring conduction resistance according to the example and the comparative example.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining a method of measuring the amount of misalignment in the width direction of the terminals of the connection body sample.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining the timing of light irradiation before the main pressure bonding, light irradiation at the time of the main pressure bonding, and thermal pressurization in the second embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional liquid crystal display panel.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a COG mounting process of a conventional liquid crystal display panel.
  • FIG. 16 is sectional drawing which shows an example of the heating press process of a laminated body in the manufacturing method of the conventional flexible substrate.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of a laminated body in a state in which stress is released at the time of press-out of a heating tool in a conventional flexible substrate manufacturing method.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of a laminated body in a state in which residual stress is released in the flexible substrate in the conventional method for manufacturing a flexible substrate.
  • connection body a method for manufacturing a connection body, a method for connecting an electronic component, and a connection body to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.
  • the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
  • the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Specific dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
  • the liquid crystal display panel 10 includes two transparent substrates 11 and 12 made of a glass substrate and the like, and the transparent substrates 11 and 12 are bonded to each other by a frame-shaped seal 13. .
  • the liquid crystal 14 is sealed in a space surrounded by the transparent substrates 11 and 12 to form a panel display unit 15.
  • the transparent substrates 11 and 12 have a pair of striped transparent electrodes 16 and 17 made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like on both inner surfaces facing each other so as to intersect each other.
  • the transparent electrodes 16 and 17 are configured such that a pixel as a minimum unit of liquid crystal display is configured by the intersection of the transparent electrodes 16 and 17.
  • one transparent substrate 12 is formed to have a larger planar dimension than the other transparent substrate 11, and an edge 12a of the formed transparent substrate 12 has an electronic component.
  • a COG mounting portion 20 on which the liquid crystal driving IC 18 is mounted is provided, and an FOG mounting portion 22 on which a flexible substrate 21 on which a liquid crystal driving circuit is formed as an electronic component is mounted is provided near the outside of the COG mounting portion 20. It has been.
  • liquid crystal driving IC and the liquid crystal driving circuit can perform predetermined liquid crystal display by selectively changing the alignment of the liquid crystal by selectively applying the liquid crystal driving voltage to the pixels. ing.
  • the terminal portions 17a of the transparent electrodes 17 are formed on the mounting portions 20 and 22, respectively.
  • the liquid crystal driving IC 18 and the flexible substrate 21 are connected using the anisotropic conductive film 1 as an adhesive for circuit connection containing a photopolymerization initiator.
  • the anisotropic conductive film 1 contains the conductive particles 4, and includes the liquid crystal driving IC 18 and the electrode of the flexible substrate 21 and the terminal portion 17 a of the transparent electrode 17 formed on the edge portion 12 a of the transparent substrate 12. Electrical connection is made through the conductive particles 4.
  • the anisotropic conductive film 1 is an ultraviolet curable adhesive, and is fluidized by being thermocompression bonded by a heating and pressing head 30 described later, whereby the conductive particles 4 are converted into terminal portions 17a, a liquid crystal driving IC 18 and a flexible substrate. By being crushed between the respective electrodes 21 and being irradiated with ultraviolet rays by the ultraviolet irradiator 31, the conductive particles 4 are cured in a crushed state. Thereby, the anisotropic conductive film 1 electrically and mechanically connects the transparent substrate 12 to the liquid crystal driving IC 18 and the flexible substrate 21.
  • an alignment film 24 subjected to a predetermined rubbing process is formed on both the transparent electrodes 16 and 17, and the initial alignment of liquid crystal molecules is regulated by the alignment film 24.
  • a pair of polarizing plates 25 and 26 are disposed outside the transparent substrates 11 and 12, and these polarizing plates 25 and 26 allow transmitted light from a light source (not shown) such as a backlight to be transmitted. The vibration direction is regulated.
  • an anisotropic conductive film (ACF) 1 is usually formed with a binder resin layer (adhesive layer) 3 containing conductive particles on a release film 2 as a base material. It has been done.
  • the anisotropic conductive film 1 has a binder resin layer 3 interposed between a transparent electrode 17 formed on a transparent substrate 12 of the liquid crystal display panel 10 and a liquid crystal driving IC 18 or a flexible substrate 21. As a result, the liquid crystal display panel 10 and the liquid crystal driving IC 18 or the flexible substrate 21 are connected and made conductive.
  • a substrate such as a polyethylene terephthalate film generally used in anisotropic conductive films can be used.
  • the binder resin layer 3 is formed by dispersing conductive particles 4 in a binder.
  • the binder contains a film-forming resin, a curable resin, a curing agent, a silane coupling agent, and the like, and is the same as the binder used for a normal anisotropic conductive film.
  • the film forming resin is preferably a resin having an average molecular weight of about 10,000 to 80,000.
  • the film forming resin include various resins such as a phenoxy resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, and a urethane resin.
  • phenoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of film formation state, connection reliability, and the like.
  • the curable resin is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy resin and an acrylic resin.
  • an epoxy resin there is no restriction
  • naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, A dicyclopentadiene type epoxy resin, a triphenylmethane type epoxy resin, etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
  • an acrylic resin there is no restriction
  • the curing agent is not particularly limited as long as it is a photo-curing type, and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the curable resin is an epoxy resin
  • a cationic curing agent is preferable, and an anionic curing agent is used. May be.
  • the curable resin is an acrylic resin
  • a radical curing agent is preferable.
  • the curable resin may include an epoxy resin and an acrylic resin.
  • curing agent there is no restriction
  • curing agent For example, a sulfonium salt, onium salt, etc. can be mentioned, Among these, an aromatic sulfonium salt is preferable.
  • curing agent According to the objective, it can select suitably, For example, an organic peroxide can be mentioned.
  • silane coupling agents include epoxy, amino, mercapto sulfide, ureido and the like. By adding the silane coupling agent, the adhesion at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.
  • Examples of the conductive particles 4 include any known conductive particles used in anisotropic conductive films.
  • Examples of the conductive particles 4 include particles of various metals and metal alloys such as nickel, iron, copper, aluminum, tin, lead, chromium, cobalt, silver, gold, metal oxide, carbon, graphite, glass, ceramic, Examples thereof include those in which the surface of particles such as plastic is coated with metal, or those in which the surface of these particles is further coated with an insulating thin film.
  • examples of the resin particle include an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, an acrylonitrile / styrene (AS) resin, a benzoguanamine resin, a divinylbenzene resin, a styrene resin, and the like. Can be mentioned.
  • the anisotropic conductive film 1 is temporarily pasted on the transparent substrate 12 (adhesive placement step). As shown in FIG. 3, the anisotropic conductive film 1 is temporarily attached to the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 so that the binder resin layer 3 is on the transparent electrode 17 side. Deploy. After arranging the binder resin layer 3 on the transparent electrode 17, the binder resin layer 3 is heated and pressed from the release film 2 side with, for example, a thermocompression tool, the thermocompression tool is separated from the release film 2, and the release film 2 is bonded to the binder resin. Peel from layer 3. In addition, temporary sticking of the anisotropic conductive film 1 may be performed by the pressurization and light irradiation by a thermocompression bonding tool, and may be performed using heat pressurization and light irradiation together.
  • the liquid crystal driving IC 18 is disposed on the transparent substrate 12 through the anisotropic conductive film 1, and the liquid crystal driving IC 18 is pressed against the transparent substrate 12 and light is applied to the anisotropic conductive film 1 ( Temporary crimping process).
  • the liquid crystal driving IC 18 and the transparent electrode 17 are aligned. Specifically, the liquid crystal driving IC is arranged so that each terminal portion 17a of the transparent electrode 17 and the electrode terminal 18a of the liquid crystal driving IC 18 face each other with the binder resin layer 3 interposed therebetween.
  • the upper surface of the liquid crystal driving IC 18 is cooled by a thermocompression bonding tool 30 that has been heated to a predetermined heating temperature via a buffer material 32 at a lower temperature and lower pressure than the main pressure bonding process described later. While heat-pressing, the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1 is irradiated with ultraviolet rays by an ultraviolet irradiator 31 provided on the back side of the transparent substrate 12.
  • the heat pressing temperature by the thermocompression bonding tool 30 is a temperature of ⁇ 10 to 20 ° C. (for example, around 80 ° C.) with respect to a predetermined temperature indicating the viscosity (minimum melt viscosity) when the binder resin layer is melted before the start of curing. Set to Thereby, the warp of the transparent substrate is minimized, and the liquid crystal driving IC is not damaged by heat.
  • the ultraviolet light emitted from the ultraviolet irradiator 31 passes through a transparent support base such as glass supporting the transparent substrate 12 and the transparent substrate 12 supported by the support base and is irradiated to the binder resin layer 3.
  • a transparent support base such as glass supporting the transparent substrate 12 and the transparent substrate 12 supported by the support base and is irradiated to the binder resin layer 3.
  • an LED lamp, a mercury lamp, a metal halide lamp, or the like can be used as the ultraviolet irradiator 31.
  • the ultraviolet irradiation amount in the temporary bonding step is preferably 3 to 15 mW / cm 2 and 0.5 to 2 seconds.
  • the temporary press-bonding step it is preferable to change the light irradiation amount by the minimum inter-wiring space (minimum bump space) of the liquid crystal driving IC 18.
  • the minimum inter-wiring space of the liquid crystal driving IC 18 is 8 to 20 ⁇ m
  • the light irradiation amount in the temporary pressing step is 4 to 20% of the light irradiation amount in the main pressing step.
  • the pressing force to the liquid crystal driving IC 18 in the temporary pressing step is preferably 40 to 90%, more preferably 70 to 80% of the pressing force to the liquid crystal driving IC 18 in the main pressing step.
  • the anisotropic conductive film 1 is irradiated with ultraviolet rays at an appropriate dose to start the curing of the binder resin layer 3, and the liquid crystal driving IC 18 is temporarily pressed in a state where the viscosity is increased. be able to. Therefore, when the liquid crystal driving IC 18 is pressed by the thermocompression bonding tool 30 or when the thermocompression bonding tool 30 is separated from the liquid crystal driving IC 18 in the temporary pressure bonding process or the main pressure bonding process described later, the liquid crystal driving IC 18 is predetermined. It is possible to suppress misalignment from the position.
  • the binder resin flows out from between the electrode terminal 18a of the liquid crystal driving IC 18 and the terminal portion 17a of the transparent electrode 17, and conduction is achieved by sandwiching the conductive particles 4 in this state. Is cured.
  • the liquid crystal display panel 10 is formed as a connection body in which the liquid crystal driving IC 18 is electrically and mechanically connected to the transparent substrate 12.
  • the viscosity of the binder resin can be increased to some extent by irradiating the anisotropic conductive film 1 with ultraviolet rays at a dose smaller than the light dose in the final crimping step in the temporary crimping step. Therefore, it is possible to prevent misalignment of the liquid crystal driving IC 18 when the thermocompression bonding tool 30 is pressed or when the thermocompression bonding tool 30 is separated. Therefore, the pitch between the electrode terminal 18a of the liquid crystal driving IC 18 having a fine pitch and the terminal part adjacent to the terminal part 17a of the transparent electrode 17 connected to the electrode terminal 18a is narrowed, and the conductive particles 4 are interposed. It is possible to prevent a short circuit between terminals that is short-circuited.
  • the illuminance in the temporary bonding step may be lower than the illuminance in the temporary pressure bonding step.
  • ultraviolet irradiation may be performed not from the transparent substrate 12 side but from the liquid crystal driving IC 18 side in the provisional pressure bonding step described above.
  • This manufacturing method includes a step of providing the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12, a step of disposing the liquid crystal driving IC 18 on the anisotropic conductive film 1, and a step of performing light irradiation from the liquid crystal driving IC 18 side. (Light irradiation step) and a step of heating and light irradiation (main pressure bonding step) while pressing the liquid crystal driving IC 18 against the transparent substrate 12, and the light irradiation amount in the light irradiation step is the main pressure bonding. You may make it become smaller than the light irradiation amount in a process.
  • This manufacturing method may further include a step of pressing the liquid crystal driving IC 18 with a heating tool before and after the light irradiation step in Specific Example 1-3.
  • This manufacturing method differs between the step of providing the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12 and the step of disposing the liquid crystal driving IC 18 on the anisotropic conductive film 1 in Specific Example 1-3. You may further have the process of light-irradiating with respect to the anisotropic conductive film 1 whole surface.
  • This manufacturing method includes a step of providing the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12 and a step of irradiating the entire surface of the anisotropic conductive film 1 from the side of the anisotropic conductive film 1 (pre-irradiation step). A step of disposing the liquid crystal driving IC 18 on the anisotropic conductive film 1 after the pre-irradiation step, a step of performing light irradiation from the transparent substrate 12 side (light irradiation step), and a liquid crystal driving IC 18 on the transparent substrate 12.
  • the process includes a step of heating and light irradiation (main pressure bonding step) while pressing against the light, and the total amount of light irradiation in the first irradiation step and the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step. You may do it.
  • This manufacturing method as an example includes a step of providing an anisotropic conductive film on a transparent substrate, and a flexible substrate is disposed on the transparent substrate via the anisotropic conductive film, and the anisotropic conductive film is irradiated with light. And a step of performing heating and light irradiation while pressing the flexible substrate against the transparent substrate.
  • the temporary sticking step can be performed in the same manner as the temporary sticking step in the first embodiment described above.
  • the flexible substrate 21 is disposed on the transparent substrate 12 via the anisotropic conductive film 1, and the anisotropic conductive film 1 is irradiated with light.
  • the light irradiation can be performed by irradiating the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1 with ultraviolet rays by an ultraviolet irradiator 31 disposed on the transparent substrate 12 side.
  • the light irradiation may be performed not from the transparent substrate 12 side but from the flexible substrate 21 side.
  • the amount of ultraviolet light irradiated to the anisotropic conductive film 1 is made smaller than the amount of light irradiated in the main press-bonding step described later.
  • the light irradiation amount in the light irradiation step is preferably 5 to 25% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step, and is 5 to 15%. More preferably.
  • the light irradiation amount in the light irradiation step is preferably 2 to 15% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step. More preferably, it is 10%.
  • the ultraviolet illuminance and the ultraviolet irradiation time irradiated in the light irradiation step can be appropriately selected within a range that satisfies the above-described conditions.
  • the ultraviolet illuminance can be 1 to 400 mW / cm 2 and the ultraviolet irradiation time can be 0.5 to 2 seconds.
  • the light irradiation time in the light irradiation step is 1/5 or less of the pressure bonding time in the main pressure bonding step. It is preferable.
  • the flexible substrate 21 is disposed so that each terminal portion 17 a of the transparent electrode 17 and the terminal portion 21 a of the flexible substrate 21 face each other with the binder resin layer 3 interposed therebetween.
  • the upper surface of the flexible substrate 21 is heat-pressed through a buffer material 32 by a thermocompression bonding tool 30 that has been heated to a predetermined heating temperature, and is changed by an ultraviolet irradiator 31 provided on the back side of the transparent substrate 12.
  • the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1 is irradiated with ultraviolet rays.
  • the thermal pressurization in the main press-bonding step is performed with a predetermined pressure that causes the conductive particles 4 to be sandwiched between the terminal portion 21 a of the flexible substrate 21 and the terminal portion 17 a of the transparent electrode 17.
  • the light irradiation in this press-fit process is performed on the conditions which can harden the binder resin layer 3.
  • the binder of the anisotropic conductive film 1 is made before the main pressure bonding step by making the light irradiation amount in the light irradiation step smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step. Since the viscosity of the resin is increased to some extent, it is possible to prevent misalignment of the flexible substrate 21 when pressing with the thermocompression bonding tool 30 or when the thermocompression bonding tool 30 is separated.
  • connection failures such as a decrease in the conductive resistance value of the connection body and a decrease in the adhesive force between the anisotropic conductive film and the adherend can be suppressed.
  • the viscosity of the binder resin of the anisotropic conductive film is not adjusted each time according to the wiring layout of the flexible substrate and the minimum inter-wiring space, the residual stress is released depending on the light irradiation conditions. The influence can be suppressed. Therefore, the manufacturing efficiency of the connection body can be further improved.
  • the binder resin layer of the anisotropic conductive film 1 is applied by the ultraviolet irradiator 31 while being thermally pressed at a lower temperature and lower pressure than the main pressure bonding step with a thermocompression bonding tool.
  • 3 may be irradiated with ultraviolet rays.
  • the heat pressurization temperature and the pressing force by the thermocompression bonding tool can be set to the same conditions as those in the provisional pressure bonding step in the first embodiment described above, for example.
  • This manufacturing method may further include a step of pressing the flexible substrate 21 with a heating tool before and after the light irradiation step in the specific example 2-1.
  • This manufacturing method includes a step of temporarily attaching the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12, a step of performing light irradiation on the entire surface of the anisotropic conductive film 1 (pre-irradiation step), and a step after the pre-irradiation step.
  • an anisotropic conductive film comprising a binder resin layer containing a photoacid generator and a cationic polymerizable compound was prepared.
  • This binder resin layer Phenoxy resin (YP-50: manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.); 45 parts by mass isocyanuric acid EO-modified diacrylate (M-215: manufactured by Toagosei Co., Ltd.); 45 parts by mass of silane coupling agent (KBM-403: Shin-Etsu Chemical) Manufactured by Kogyo Co., Ltd.); 2 parts by mass photoradical generator (Irgacure 369: manufactured by BASF Japan Co., Ltd.); Particles (AUL 704: average particle diameter of 4 ⁇ m, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were dispersed so that the particle density was about 50,000 particles / mm 2 .
  • This mixed solution was applied onto a 50 ⁇ m thick PET film, dried in an oven at 70 ° C. for 5 minutes, and formed into a 20 ⁇ m thick film.
  • IC As an evaluation element, External shape: 1.8 mm ⁇ 20 mm, Bump height: 15 ⁇ m, Bump size: 30 ⁇ 60 ⁇ m (minimum bump space 10 ⁇ m), IC for evaluation was used.
  • the bumps are arranged inside the both ends of the evaluation IC outer shape in the long side direction so that the short side of the bump is parallel to the long side direction of the evaluation IC outer shape.
  • the distance between the bumps in the arrangement direction is the minimum inter-bump space of the evaluation element.
  • an ITO coating glass with a thickness of 0.5 mm was used as the evaluation substrate to which the evaluation IC is connected.
  • An evaluation IC is placed on this glass substrate through the anisotropic conductive film, and heat pressing with a thermocompression bonding tool and ultraviolet irradiation with an ultraviolet irradiator (ZUV-C30H: manufactured by OMRON Corporation) are used to perform temporary compression bonding and Crimping was performed to form a connected body sample.
  • a thermocompression bonding tool and ultraviolet irradiation with an ultraviolet irradiator (ZUV-C30H: manufactured by OMRON Corporation) are used to perform temporary compression bonding and Crimping was performed to form a connected body sample.
  • the pre-bonding conditions are 80 ° C., 2 MPa, and 2 seconds for each of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 8.
  • a Teflon thinness 50 ⁇ m
  • ultraviolet irradiation started simultaneously with the heating and pressurization with a thermocompression bonding tool. The ultraviolet irradiation at the time of provisional pressure bonding was performed from the glass substrate side.
  • the conditions of this pressure bonding were 100 ° C., 80 MPa, and 5 seconds for each of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 8.
  • a Teflon thinness 50 ⁇ m
  • the ultraviolet irradiation was started 4 seconds after heating and pressing with the thermocompression bonding tool, the irradiation time was 1 second, and the illuminance was 100 mW / cm 2 .
  • Ultraviolet irradiation at the time of main press-bonding was performed from the glass substrate side.
  • the amount of misalignment was measured using a stereomicroscope for the connection body samples according to the examples and comparative examples.
  • the allowable range of the misalignment amount was set to 1.0 ⁇ m or less.
  • Example 1 In Example 1, the heat and pressure conditions in the temporary press-bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 3 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary press-bonding step of Example 1 is 3% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Example 1 had an initial conduction resistance as low as 1.4 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.3 ⁇ . Moreover, the amount of misalignment of the connector sample according to Example 1 was 0.9 ⁇ m.
  • Example 2 In Example 2, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 5 mW / cm 2 and 1 second.
  • the irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Example 2 is 5% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Example 2 had an initial conduction resistance as low as 1.0 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.1 ⁇ . Moreover, the amount of misalignment of the connector sample according to Example 2 was 0.7 ⁇ m.
  • Example 3 In Example 3, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 15 mW / cm 2 and 1 second.
  • the irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary press-bonding step of Example 3 is 15% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Example 3 had a low initial conduction resistance of 1.2 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.4 ⁇ . Further, the amount of misalignment of the connection body sample according to Example 3 was 0.3 ⁇ m.
  • Example 4 In Example 4, the heat and pressure conditions in the temporary press-bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 20 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of the ultraviolet rays in the temporary press-bonding step of Example 4 is 20% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Example 4 had a low initial conduction resistance of 2.4 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.4 ⁇ . Further, the amount of misalignment of the connection body sample according to Example 4 was 0.3 ⁇ m.
  • Example 5 In Example 5, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 0.5 seconds.
  • the irradiation amount of the ultraviolet rays in the temporary press-bonding step of Example 5 is 5% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Example 5 had an initial conduction resistance as low as 1.2 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.5 ⁇ . Moreover, the amount of misalignment of the connection body sample according to Example 5 was 0.6 ⁇ m.
  • Example 6 In Example 6, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 2 seconds.
  • the irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary press-bonding step of Example 6 is 20% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Example 6 had an initial conduction resistance as low as 1.3 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.2 ⁇ . Moreover, the amount of misalignment of the connection body sample according to Example 6 was 0.6 ⁇ m.
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 7 MPa and 50 ° C., and no ultraviolet irradiation was performed. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary press-bonding step of Comparative Example 1 is 0% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connected body sample according to Comparative Example 1 had a high initial conduction resistance of 3.4 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was also 6.1 ⁇ . Moreover, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 1 was as large as 3.1 ⁇ m.
  • Comparative Example 2 In Comparative Example 2, the heat and pressure conditions in the temporary press-bonding step were 7 MPa and 60 ° C., and no ultraviolet irradiation was performed.
  • the irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Comparative Example 2 is 0% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection sample according to Comparative Example 2 had an initial conduction resistance as low as 1.5 ⁇ , but the conduction resistance after the reliability test was as high as 5.1 ⁇ . Moreover, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 2 was as large as 4.3 ⁇ m.
  • Comparative Example 3 In Comparative Example 3, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 7 MPa and 50 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 15 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Comparative Example 3 is 1.5% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Comparative Example 3 had an initial conduction resistance of 2.3 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 5.3 ⁇ . Further, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 3 was 1.8 ⁇ m.
  • Comparative Example 4 In Comparative Example 4, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were set to 60 MPa and 80 ° C., and no ultraviolet irradiation was performed.
  • the irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Comparative Example 4 is 0% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Comparative Example 4 had a low initial conduction resistance of 1.2 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.3 ⁇ . However, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 4 was as large as 6.4 ⁇ m.
  • Comparative Example 5 In Comparative Example 5, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 2 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Comparative Example 5 is 2% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connected body sample according to Comparative Example 5 had a low initial conduction resistance of 1.2 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.3 ⁇ . However, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 5 was as large as 3.1 ⁇ m.
  • Comparative Example 6 In Comparative Example 6, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 25 mW / cm 2 and 1 second.
  • the irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Comparative Example 6 is 25% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connection body sample according to Comparative Example 6 had an initial conduction resistance as high as 6.3 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was as high as 9.3 ⁇ . However, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 6 was 0.3 ⁇ m.
  • Comparative Example 7 In Comparative Example 7, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 0.2 seconds.
  • the irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Comparative Example 7 is 2% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connected body sample according to Comparative Example 7 had an initial conduction resistance as low as 1.1 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was 4.5 ⁇ . However, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 7 was as large as 3.1 ⁇ m.
  • Comparative Example 8 In Comparative Example 8, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 2.5 seconds.
  • the irradiation amount of the ultraviolet ray in the temporary press-bonding step of Comparative Example 8 is 25% of the irradiation amount in the main press-bonding step.
  • the connected body sample according to Comparative Example 8 had an initial conduction resistance as high as 5.2 ⁇ , and the conduction resistance after the reliability test was as high as 7.5 ⁇ . Moreover, the amount of misalignment of the connection body sample according to Comparative Example 8 was as large as 1.2 ⁇ m.
  • Examples 1 to 6 were irradiated with ultraviolet rays at an illuminance of 3 to 20 mW / cm 2 and an irradiation time of 0.5 to 2 seconds in the temporary press bonding step. This is 3 to 20% of the irradiation amount in the main compression bonding step. For this reason, in Examples 1 to 6, the curing reaction of the binder resin can be appropriately advanced to increase the viscosity, and the amount of misalignment of the evaluation IC is 1.0 ⁇ m without hindering the pushing of the conductive particles. Can be less than.
  • Comparative Examples 1 and 2 were not irradiated with ultraviolet rays in the pre-bonding process, when the pressing was performed at a low temperature and a low pressure, the amount of misalignment of the evaluation IC was large when pressed by a thermocompression bonding tool. Moreover, since it pressed with the low pressure, pushing of the electroconductive particle was insufficient, and the conduction
  • Comparative Example 3 was irradiated with ultraviolet rays at an appropriate illuminance and time in the pre-bonding process, but the pressing force of the evaluation IC was low, the pushing of the conductive particles was insufficient, and the conduction resistance increased.
  • the light irradiation amount in the temporary pressure bonding step is preferably 3 to 20% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step.
  • Example 7 to 9 In Examples 7 to 9, an anisotropic conductive film was applied to the ITO coating glass in the same manner as in Examples 1, 2, and 5 described above, and under the same conditions as those for temporary pressure bonding to the entire surface of the film from the anisotropic conductive film side. Ultraviolet rays were irradiated (first irradiation) from the anisotropic conductive film side. An evaluation IC was placed on the anisotropic conductive film after irradiation with ultraviolet rays, and temporary pressure bonding (light irradiation) was performed under the same conditions as in Examples 1, 2, and 5.
  • the light source from the anisotropic conductive film side used the light source substantially the same as the light irradiation from the transparent substrate side. And this crimping
  • substantially the same results as in Examples 1, 2, and 5 were obtained.
  • ⁇ Second embodiment> the ultraviolet irradiation conditions in the temporary press-bonding process are changed to connect the transparent substrate (chrome / aluminum coating glass: evaluation base material) and the electronic component (flexible substrate (FPC): evaluation element). , Got the connection. And about each obtained connection body sample, the conduction resistance value (ohm) of the electrode of a flexible substrate and the electrode (aluminum) of chromium / aluminum coating glass after a connection initial stage and a reliability test, and the adhesive agent after a reliability test The amount of gap between the surface of the layer and the surface of the flexible substrate and the amount of misalignment were measured.
  • the following anisotropic conductive film was used as an adhesive for connection between the chrome / aluminum coating glass and the flexible substrate.
  • phenoxy resin (YP-70: manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), 30 parts by mass of liquid epoxy resin (EP808: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and 20 parts by mass of solid epoxy resin (YD014: Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), 3 parts by weight of conductive particles (AUL 704: average particle size 4 ⁇ m, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and 5 parts by weight of a photocationic curing agent (LW-S1: manufactured by San Apro Co., Ltd.) ) And 10 parts by mass of a cationic curing agent (SI-60L, manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) were uniformly mixed using a stirrer. This mixed solution was applied on a release-treated PET film (thickness 50 ⁇ m) and formed into a film
  • chrome / aluminum coating glass aluminum pattern glass (200 ⁇ mP or 50 ⁇ mP, thickness 1.1 mm) was used.
  • Example 10 An anisotropic conductive film having a width of 1.5 mm was attached to the chrome / aluminum coating glass, and a flexible substrate was aligned on the anisotropic conductive film.
  • LED lamp (controller: ZUV-C20H, head unit: ZUV-H20MB, lens unit: ZUV-212L, manufactured by OMRON Corporation) having a maximum emission wavelength of 360 nm is used from the chromium / aluminum coating glass side of the aligned laminate. Then, ultraviolet irradiation was performed at an illuminance of 40 mW / cm 2 for 1 second (irradiation amount: 40 mJ / cm 2 ).
  • UV irradiation After UV irradiation, using a buffer material (Teflon (registered trademark) sheet having a thickness of 50 ⁇ m) with a thermocompression bonding tool (1.5 mm width), heating and pressing are performed under the conditions of 120 ° C., 6 MPa, and 5 seconds. Three seconds after the start, UV irradiation was performed from the chromium / aluminum coated glass side using the LED lamp at an illuminance of 200 mW / cm 2 for 2 seconds (irradiation amount: 400 mJ / cm 2 ).
  • a buffer material Teflon (registered trademark) sheet having a thickness of 50 ⁇ m
  • thermocompression bonding tool 1.5 mm width
  • the evaluation of the conduction resistance value is preferably “A” or “B”.
  • curing material of the anisotropic conductive film after a reliability test and a flexible substrate was measured three places, and the average value was computed.
  • the case where the gap is 3.5 ⁇ m or less (70% or less of the average particle diameter of the conductive particles) is evaluated as “A”, and exceeds 3.5 ⁇ m and less than 4.5 ⁇ m (70% of the average particle diameter of the conductive particles)
  • the case of exceeding 90% was evaluated as “B”, and the case of 4.5 ⁇ m or more (90% or more of the average particle diameter of the conductive particles) was evaluated as “C”.
  • the evaluation of the gap is preferably “A” or “B”.
  • connection body sample About the obtained connection body sample, the amount of misalignment of the width direction of the terminal 45 of chromium / aluminum coating glass and the terminal 46 of a flexible substrate was measured using the stereomicroscope (refer FIG. 12). The case where the amount of misalignment was 3 ⁇ m or less was evaluated as “A”, the case where it exceeded 3 ⁇ m and less than 5 ⁇ m was evaluated as “B”, and the case where it was 5 ⁇ m or more was evaluated as “C”.
  • the condition that the connection area per wiring is about 10000 ⁇ m 2 or less is determined as NG. .
  • the result is NG.
  • the alignment tolerance by the apparatus is about 3 ⁇ m
  • the case where the amount of misalignment is less than 5 ⁇ m was determined to be practically preferable. Even if the amount of misalignment is 5 ⁇ m or more, there is no practical problem.
  • Example 11 In Example 11, the conditions of ultraviolet irradiation before the main bonding were changed to 1 second (irradiation amount: 20 mJ / cm 2 ) at an illuminance of 20 mW / cm 2 to obtain a connected body sample. The same was done.
  • Example 12 In Example 12, the conditions of ultraviolet irradiation before the main press bonding were changed to Example 10 except that the connected body sample was obtained by changing the illumination intensity to 100 mW / cm 2 for 1 second (irradiation amount: 100 mJ / cm 2 ). The same was done.
  • Comparative Example 9 In Comparative Example 9, the same procedure as in Example 10 was performed, except that a connected body sample was obtained without performing ultraviolet irradiation before the main press bonding.
  • Comparative Example 10 In Comparative Example 10, the conditions of the ultraviolet irradiation before the main pressure bonding were changed to Example 10 except that the connected body sample was obtained by changing the illuminance to 8 mW / cm 2 for 1 second (irradiation amount: 8 mJ / cm 2 ). The same was done.
  • Comparative Example 11 In Comparative Example 11, the conditions of the ultraviolet irradiation before the main pressure bonding were changed to Example 10 except that a connected body sample was obtained by changing the illuminance to 120 mW / cm 2 for 1 second (irradiation amount: 120 mJ / cm 2 ). The same was done.
  • Example 13 In Example 13, it replaced with the 200-micrometer P flexible substrate, and performed similarly to Example 10 except having obtained the connection body sample using the 50-micrometer P flexible substrate.
  • Example 14 In Example 14, the conditions of ultraviolet irradiation before the main press-bonding were changed to Example 13 except that a connected body sample was obtained by changing the illuminance to 8 mW / cm 2 for 1 second (irradiation amount: 8 mJ / cm 2 ). The same was done.
  • Example 15 In Example 15, the conditions of the ultraviolet irradiation before the crimping, 1 second at an intensity 60 mW / cm 2 (irradiation dose: 60mJ / cm 2) except that to obtain a connection member sample was changed to, as in Example 13 The same was done.
  • Comparative Example 12 In Comparative Example 12, the same procedure as in Example 13 was performed, except that a connected body sample was obtained without performing ultraviolet irradiation before the main press bonding.
  • Comparative Example 13 In Comparative Example 13, the conditions of ultraviolet irradiation before the main pressure bonding were changed to Example 13 except that the connected body sample was obtained by changing the illumination intensity to 4 mW / cm 2 for 1 second (irradiation amount: 4 mJ / cm 2 ). The same was done.
  • Comparative Example 14 In Comparative Example 14, the conditions of the ultraviolet irradiation before the crimping, 1 second at an intensity 80 mW / cm 2 (irradiation dose: 80mJ / cm 2) except that to obtain a connection member sample was changed to, as in Example 13 The same was done.
  • the light irradiation amount in the light irradiation step was set to 5 to 25% of the light irradiation amount in the main pressing step.
  • the light irradiation amount in the light irradiation step was set to 2 to 15% of the light irradiation amount in the main compression bonding step.
  • Examples 16 to 19 In Examples 16 to 19, similarly to Examples 10, 11, 13, and 14, an anisotropic conductive film was attached to the chrome / aluminum coating glass, and from the anisotropic conductive film side to the entire surface of the anisotropic conductive film. On the other hand, ultraviolet rays were irradiated (pre-irradiation) at 20 mJ / cm 2 (5% at the time of final press bonding). For the pre-irradiation from the anisotropic conductive film side, a light source substantially the same as the light irradiation from the transparent substrate side was used. After the ultraviolet irradiation, a flexible substrate was aligned on the anisotropic conductive film to obtain a laminate. The laminated body was subjected to light irradiation and main pressure bonding under the same conditions as in Examples 10, 11, 13, and 14. In Examples 16 to 19, results almost the same as those in Examples 10, 11, 13, and 14 were obtained.
  • Example 20 to 29 In Examples 20 to 29, an anisotropic conductive film was applied to chrome / aluminum coating glass in the same manner as in Examples 10 to 19, and when the light was irradiated from the transparent substrate side in the temporary press-bonding step, pressing was performed at 60 ° C. and 1 MPa. Except for this, the same operation was repeated to perform the main pressure bonding. In Examples 20 to 29, substantially the same results as in Examples 10 to 19 were obtained.

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Abstract

　光硬化型の接着剤を用いることで低温で電子部品の接続を行うと共に、電子部品のアライメントずれを防止する。　光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤１を透明基板１２上に設ける接着剤配置工程と、回路接続用接着剤１を介して透明基板１２上に電子部品１８を配置し、電子部品１８の透明基板１２への押圧、及び回路接続用接着剤１への光照射を行う仮圧着工程と、電子部品１８を透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、仮圧着工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量よりも小さい。

Description

接続体の製造方法、電子部品の接続方法、接続体
　本発明は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を介して透明基板上に電子部品が接続された接続体の製造方法、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を介して透明基板上に電子部品を接続する接続方法及びこれを用いて製造された接続体に関する。本出願は、日本国において２０１５年１月２０日に出願された日本出願番号特願２０１５－８９５０、及び日本国において２０１６年１月２０日に出願された日本出願番号特願２０１６－８７１８を基礎として優先権を主張するものであり、これらの出願は参照されることにより、本出願に援用される。
　従来から、テレビやＰＣモニタ、携帯電話、携帯型ゲーム機、タブレットＰＣあるいは車載用モニタ等の各種表示手段として、液晶表示装置が多く用いられている。近年、このような液晶表示装置においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、液晶駆動用ＩＣを直接液晶表示パネルの基板上に実装するいわゆるＣＯＧ（chip　on　glass）や、液晶駆動回路が形成されたフレキシブル基板を直接液晶表示パネルの基板上に実装するいわゆるＦＯＧ（film on glass）が採用されている。
　例えばＣＯＧ実装方式が採用された液晶表示装置１００は、図１４に示すように、液晶表示のための主機能を果たす液晶表示パネル１０４を有しており、この液晶表示パネル１０４は、ガラス基板等からなる互いに対向する二枚の透明基板１０２，１０３を有している。そして、液晶表示パネル１０４は、これら両透明基板１０２，１０３が枠状のシール１０５によって互いに貼り合わされるとともに、両透明基板１０２，１０３およびシール１０５によって囲繞された空間内に液晶１０６が封入されたパネル表示部１０７が設けられている。
　透明基板１０２，１０３は、互いに対向する両内側表面に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等からなる縞状の一対の透明電極１０８，１０９が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明基板１０２，１０３は、これら両透明電極１０８，１０９の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。
　両透明基板１０２，１０３のうち、一方の透明基板１０３は、他方の透明基板１０２よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板１０３の縁部１０３ａには、透明電極１０９の端子部１０９ａが形成されている。また、両透明電極１０８，１０９上には、所定のラビング処理が施された配向膜１１１，１１２が形成されており、この配向膜１１１，１１２によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明電極１０８，１０９の外側には、一対の偏光板１１８，１１９が配設されており、これら両偏光板１１８，１１９によってバックライト等の光源１２０からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。
　端子部１０９ａ上には、異方性導電フィルム１１４を介して液晶駆動用ＩＣ１１５が熱圧着されている。異方性導電フィルム１１４は、熱硬化型のバインダー樹脂に導電性粒子を混ぜ込んでフィルム状としたもので、２つの導体間で加熱圧着されることにより導電粒子で導体間の電気的導通がとられ、バインダー樹脂にて導体間の機械的接続が保持される。液晶駆動用ＩＣ１１５は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。なお、異方性導電フィルム１１４を構成する接着剤としては、通常、最も信頼性の高い熱硬化性の接着剤を用いるようになっている。
　このような異方性導電フィルム１１４を介して液晶駆動用ＩＣ１１５を端子部１０９ａへ接続する場合は、先ず、透明電極１０９の端子部１０９ａ上に異方性導電フィルム１１４を図示しない仮圧着手段によって仮圧着する。続いて、異方性導電フィルム１１４上に液晶駆動用ＩＣ１１５を載置した後、図１５に示すように熱圧着ヘッド等の熱圧着手段１２１によって液晶駆動用ＩＣ１１５を異方性導電フィルム１１４とともに端子部１０９ａ側へ押圧しつつ熱圧着手段１２１を発熱させる。この熱圧着手段１２１による発熱によって、異方性導電フィルム１１４は熱硬化反応を起こし、これにより、異方性導電フィルム１１４を介して液晶駆動用ＩＣ１１５が端子部１０９ａ上に接着される。
　しかし、このような異方性導電フィルムを用いた接続方法においては、熱加圧温度が高く、液晶駆動用ＩＣ１１５等の電子部品や透明基板１０３に対する熱衝撃が大きくなる。加えて、異方性導電フィルムが接続された後、常温まで温度が低下する際に、その温度差に起因して、バインダーが収縮し、透明基板１０３の端子部１０９ａに反りが生じうる。そのため、表示ムラや液晶駆動用ＩＣ１１５の接続不良等の不具合を引き起こすおそれがあった。
　特許文献２には、光硬化型の接着剤を介して、接続対象物と、被接続対象物とを貼り合わせる方法において、加熱押圧ヘッドによる熱加圧を開始した後に、光照射を行うことが記載されている。
特開２００８－２５２０９８号公報 特開２０１２－２５３２８２号公報
　そこで、このような熱硬化型の接着剤を用いた異方性導電フィルム１１４に代えて、紫外線硬化型の接着剤を用いた接続方法も提案されている。紫外線硬化型の接着剤を用いる接続方法においては、接着剤が熱によって軟化流動し、透明電極１０９の端子部１０９ａと液晶駆動用ＩＣ１１５の電極間に導電性粒子を捕捉するのに十分な温度まで加熱するにとどめ、紫外線照射によって接着剤を硬化させる。
　かかる紫外線硬化型の接着剤を用いる接続方法においては、バインダー樹脂を硬化させるために高熱を掛ける必要がなく、液晶駆動用ＩＣ１１５や透明基板１０３に対する熱衝撃による不具合を防止することができる。このような紫外線硬化型の接着剤を用いた低温接続を行うためには、紫外線硬化型の異方性導電フィルムのバインダー樹脂の粘度そのものを下げる必要がある。
　しかし、バインダー樹脂の粘度を下げると、液晶駆動用ＩＣ１１５等の電子部品を搭載し、熱圧着手段１１２によって押圧した際や、液晶駆動用ＩＣ１１５から熱圧着手段１１２が離間する際にアライメントずれが発生することが懸念される。そして、ＣＯＧ接続等においてはファインピッチ化が進み端子間距離が狭小化されていることから、アライメントずれは、液晶駆動用ＩＣ１１５の電極端子と、当該電極端子と接続される透明基板１０３の端子部１０９ａに隣接する端子部とのピッチが狭まり、導電性粒子を介して短絡する端子間ショートを引き起こす要因となり得る。
　また、異方性導電フィルム１を用いてフレキシブル基板２１のように比較的剛性の低い電子部品を透明基板１２に接続する場合、特許文献２に記載の技術のように、押圧ヘッドの熱で接着剤の粘度が十分に下がっている状態で圧力を加えると、圧着時に、図１６中の矢印で示すフレキシブル基板２１の端子２１ａ間が撓まされることにより応力が残存する。そして、フレキシブル基板２１は、加熱押圧ヘッド３０の離間時（プレスアウト時）にフレキシブル基板２１の残留応力が開放され、図１７に示すように、フレキシブル基板２１の残留応力によって端子２１ａ間が押圧方向と反対方向に戻る力が働く。そして、フレキシブル基板２１の残留応力が開放されると、図１８に示すように、フレキシブル基板２１の端子２１ａ間で、異方性導電フィルムのバインダー樹脂層３とフレキシブル基板２１との界面において剥離（ギャップ４４）が発生しやすくなる。このような剥離が、接続体の導通抵抗値の低下、異方性導電フィルムと被着体との接着力の低下等の接続不良に繋がるおそれがある。
　例えばＦＯＧ用の異方性導電フィルムは、接着強度を確保するために、圧着時に十分濡れ広がる柔らかいバインダー樹脂、すなわち粘度が低いバインダー樹脂を用いることが望ましい。しかし、バインダー樹脂の粘度を下げすぎると、圧着時に配線間のフレキシブル基板がより撓みやすくなる結果、上記のフレキシブル基板の残留応力の開放による影響がより顕著に現れる傾向にある。
　本発明は、上述した課題を解決するものであり、光硬化型の接着剤を用いることにより低温で電子部品の接続を行うと共に、電子部品のアライメントずれを防止し、接続不良を改善する接続体の製造方法、電子部品の接続方法及びこれを用いて製造された接続体を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決するために、本発明に係る接続体の製造方法は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さいものである。
　また、本発明に係る接続体の製造方法は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記電子部品の上記透明基板への押圧、及び上記回路接続用接着剤への光照射を行う仮圧着工程と、上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、上記仮圧着工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さいものである。
　また、本発明に係る電子部品の接続方法は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さいものである。
　また、本発明に係る接続体は、上述した電子部品の接続方法により製造されたものである。
　本発明によれば、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤に適正な照射量で光を照射することにより硬化を開始させ、粘度が上昇された状態で電子部品の仮圧着を行うことができる。したがって、光照射工程（仮圧着工程）や本圧着工程において、電子部品が圧着ツールにより押圧されたときや、電子部品から圧着ツールが離間する際に、電子部品が所定の位置からずれる、アライメントずれを抑制することができる。
図１は、本発明が適用された実装工程を示す断面図である。 図２は、異方性導電フィルムを示す断面図である。 図３は、異方性導電フィルムの仮貼り工程を示す断面図である。 図４は、液晶駆動用ＩＣを透明基板上に配置する工程を示す断面図である。 図５は、液晶駆動用ＩＣの仮圧着工程を示す断面図である。 図６は、液晶駆動用ＩＣの本圧着工程を示す断面図である。 図７は、液晶駆動用ＩＣが透明基板上に接続された接続体を示す断面図である。 図８は、透明基板上に、異方性導電フィルムを介してフレキシブル基板を配置する工程の一例を示す断面図である。 図９は、透明基板上に異方性導電フィルムを介してフレキシブル基板を配置した後に、異方性導電フィルムに紫外線照射する工程の一例を示す断面図である。 図１０は、フレキシブル基板の本圧着工程の一例を示す断面図である。 図１１は、実施例及び比較例に係る導通抵抗の測定方法を説明するための図である。 図１２は、接続体サンプルの端子の幅方向のアライメントずれ量の測定方法を説明するための図である。 図１３は、第２の実施例における本圧着前の光照射と、本圧着時の光照射及び熱加圧のタイミングを説明するための図である。 図１４は、従来の液晶表示パネルを示す断面図である。 図１５は、従来の液晶表示パネルのＣＯＧ実装工程を示す断面図である。 図１６は、従来のフレキシブル基板の製造方法において、積層体の加熱押圧工程の一例を示す断面図である。 図１７は、従来のフレキシブル基板の製造方法において、加熱ツールのプレスアウト時に応力が開放された状態の積層体の一例を示す断面図である。 図１８は、従来のフレキシブル基板の製造方法において、フレキシブル基板に残留応力の開放が生じた状態の積層体の一例を示す断面図である。
　以下、本発明が適用された接続体の製造方法、電子部品の接続方法、接続体について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
　＜第１の実施の形態＞
　以下の第１の実施の形態では、液晶表示パネルのガラス基板に、電子部品として液晶駆動用のＩＣチップを実装するいわゆるＣＯＧ（chip on glass）実装を行う場合を例に説明する。この液晶表示パネル１０は、図１に示すように、ガラス基板等からなる二枚の透明基板１１，１２が対向配置され、これら透明基板１１，１２が枠状のシール１３によって互いに貼り合わされている。そして、液晶表示パネル１０は、透明基板１１，１２によって囲繞された空間内に液晶１４が封入されることによりパネル表示部１５が形成されている。
　透明基板１１，１２は、互いに対向する両内側表面に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等からなる縞状の一対の透明電極１６，１７が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明電極１６，１７は、これら両透明電極１６，１７の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。
　両透明基板１１，１２のうち、一方の透明基板１２は、他方の透明基板１１よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板１２の縁部１２ａには、電子部品として液晶駆動用ＩＣ１８が実装されるＣＯＧ実装部２０が設けられ、またＣＯＧ実装部２０の外側近傍には、電子部品として液晶駆動回路が形成されたフレキシブル基板２１が実装されるＦＯＧ実装部２２が設けられている。
　なお、液晶駆動用ＩＣや液晶駆動回路は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。
　各実装部２０，２２には、透明電極１７の端子部１７ａが形成されている。端子部１７ａ上には、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤として異方性導電フィルム１を用いて液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブル基板２１が接続される。異方性導電フィルム１は、導電性粒子４を含有しており、液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブル基板２１の電極と透明基板１２の縁部１２ａに形成された透明電極１７の端子部１７ａとを、導電性粒子４を介して電気的に接続させるものである。この異方性導電フィルム１は、紫外線硬化型の接着剤であり、後述する加熱押圧ヘッド３０により熱圧着されることにより流動化して導電性粒子４が端子部１７ａと液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブル基板２１の各電極との間で押し潰され、紫外線照射器３１により紫外線が照射されることにより、導電性粒子４が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム１は、透明基板１２と液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブル基板２１とを電気的、機械的に接続する。
　また、両透明電極１６，１７上には、所定のラビング処理が施された配向膜２４が形成されており、この配向膜２４によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明基板１１，１２の外側には、一対の偏光板２５，２６が配設されており、これら両偏光板２５，２６によってバックライト等の光源（図示せず）からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。
　［異方性導電フィルム］
　異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）１は、図２に示すように、通常、基材となる剥離フィルム２上に導電性粒子を含有するバインダー樹脂層（接着剤層）３が形成されたものである。異方性導電フィルム１は、図１に示すように、液晶表示パネル１０の透明基板１２に形成された透明電極１７と液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブル基板２１との間にバインダー樹脂層３を介在させることで、液晶表示パネル１０と液晶駆動用ＩＣ１８あるいはフレキシブル基板２１とを接続し、導通させるために用いられる。
　剥離フィルム２としては、異方性導電フィルムにおいて一般に用いられている例えばポリエチレンテレフタレートフィルム等の基材を使用することができる。
　バインダー樹脂層３は、バインダー中に導電性粒子４を分散してなるものである。バインダーは、膜形成樹脂、硬化性樹脂、硬化剤、シランカップリング剤等を含有するものであり、通常の異方性導電フィルムに用いられるバインダーと同様である。
　膜形成樹脂としては、平均分子量が１００００～８００００程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
　硬化性樹脂としては、特に限定されず、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
　エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。具体例として、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
　アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体例として、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２－ヒドロキシ－１，３－ジアクリロキシプロパン、２，２－ビス［４－（アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス［４－（アクリロキシエトキシ）フェニル］プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
　硬化剤としては、光硬化型であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合はカチオン系硬化剤が好ましく、アニオン系硬化剤であってもよい。硬化性樹脂がアクリル樹脂の場合はラジカル系硬化剤が好ましい。硬化性樹脂は、エポキシ樹脂とアクリル樹脂をそれぞれ備えていてもよい。
　カチオン系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スルホニウム塩、オニウム塩等を挙げることができ、これらの中でも、芳香族スルホニウム塩が好ましい。ラジカル系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機過酸化物を挙げることができる。
　シランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
　導電性粒子４としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子４としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
　［製造方法］
　次いで、異方性導電フィルム１を介して液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブル基板２１が透明基板１２の透明電極１７上に接続された接続体の製造工程について説明する。
　＜具体例１－１＞
　［仮貼り工程］
　先ず、異方性導電フィルム１を透明基板１２上に仮貼りする（接着剤配置工程）。異方性導電フィルムを仮貼りする方法は、図３に示すように、透明基板１２の透明電極１７上に、バインダー樹脂層３が透明電極１７側となるように、異方性導電フィルム１を配置する。バインダー樹脂層３を透明電極１７上に配置した後、剥離フィルム２側からバインダー樹脂層３を例えば熱圧着ツールで加熱及び加圧し、熱圧着ツールを剥離フィルム２から離し、剥離フィルム２をバインダー樹脂層３から剥離する。なお、異方性導電フィルム１の仮貼りは、熱圧着ツールによる加圧及び光照射により行ってもよく、熱加圧と光照射を併用して行ってもよい。
　［アライメント工程／仮圧着工程］
　次いで、異方性導電フィルム１を介して透明基板１２上に液晶駆動用ＩＣ１８を配置し、液晶駆動用ＩＣ１８の透明基板１２への押圧、及び異方性導電フィルム１への光照射を行う（仮圧着工程）。先ず、図４に示すように、液晶駆動用ＩＣ１８と透明電極１７とのアライメントを行う。具体的に、透明電極１７の各端子部１７ａと液晶駆動用ＩＣ１８の電極端子１８ａとがバインダー樹脂層３を介して対向するように、液晶駆動用ＩＣを配置する。
　次に、図５に示すように、液晶駆動用ＩＣ１８の上面を所定の加熱温度に昇温された熱圧着ツール３０により、緩衝材３２を介して、後述する本圧着工程よりも低温、低圧で熱加圧するとともに、透明基板１２の裏側に設けられた紫外線照射器３１によって異方性導電フィルム１のバインダー樹脂層３に紫外線を照射する。
　熱圧着ツール３０による熱加圧温度は、硬化開始前にバインダー樹脂層が溶融したときの粘度（最低溶融粘度）を示す所定の温度に対して±１０～２０℃の温度（例えば８０℃前後）に設定される。これにより、透明基板の反りを最小に抑え、また液晶駆動用ＩＣに熱による損傷を加えることもない。
　紫外線照射器３１より発光された紫外線は、透明基板１２を支持するガラス等の透明な支持台及びこの支持台に支持された透明基板１２を透過してバインダー樹脂層３へ照射される。この紫外線照射器３１としては、ＬＥＤランプ、水銀ランプ、メタルハライドランプ等を用いることができる。
　ここで、仮圧着工程における異方性導電フィルム１に照射する紫外線の照射量（＝紫外線照度（ｍＷ／ｃｍ２）×照射時間（秒））は、本圧着工程における光の照射量よりも小さく、本圧着工程における照射量の３～２０％とすることが好ましい。例えば本圧着工程における照射量を１００ｍＷ／ｃｍ2、１秒とした場合、仮圧着工程における紫外線の照射量は、３～１５ｍＷ／ｃｍ2、０．５～２秒とすることが好ましい。
　仮圧着工程では、液晶駆動用ＩＣ１８の最小の配線間スペース（最小バンプ間スペース）によって光の照射量を変更することが好ましい。例えば、液晶駆動用ＩＣ１８の最小配線間スペースが８～２０μｍである場合、仮圧着工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の４～２０％とすることが好ましい。このような光照射の条件により、異方性導電フィルムのバインダー樹脂の粘度を都度調整する必要がなくなる。
　また、仮圧着工程における液晶駆動用ＩＣ１８への押圧力は、本圧着工程における液晶駆動用ＩＣ１８への押圧力の４０～９０％とすることが好ましく、７０～８０％とすることがより好ましい。
　仮圧着工程において、異方性導電フィルム１に適正な照射量で紫外線を照射することにより、バインダー樹脂層３の硬化を開始させ、粘度が上昇された状態で液晶駆動用ＩＣ１８の仮圧着を行うことができる。したがって、仮圧着工程や後述する本圧着工程において、液晶駆動用ＩＣ１８が熱圧着ツール３０により押圧されたときや、液晶駆動用ＩＣ１８から熱圧着ツール３０が離間する際に、液晶駆動用ＩＣ１８が所定の位置からずれるアライメントずれを抑制することができる。
　［本圧着工程］
　次いで、図６に示すように、液晶駆動用ＩＣ１８を透明基板１２に対して押圧しながら、加圧及び光照射を行い、液晶駆動用ＩＣ１８と透明基板１２とを電気的、機械的に接続する（本圧着工程）。本圧着工程では、熱圧着ツール３０により、導電性粒子４を液晶駆動用ＩＣ１８の電極端子１８ａ及び透明電極１７の端子部１７ａとの間で挟持させる所定の圧力で加圧する。また、本圧着工程では、バインダー樹脂層３を硬化させる照度及び時間にて紫外線が照射される。
　これにより、液晶駆動用ＩＣ１８の電極端子１８ａ及び透明電極１７の端子部１７ａとの間からバインダー樹脂が流出するとともに、導電性粒子４が挟持されることで導通が図られ、この状態でバインダー樹脂が硬化される。これにより、図７に示すように、液晶駆動用ＩＣ１８が透明基板１２上に電気的、機械的に接続された接続体として液晶表示パネル１０が形成される。
　このとき、本製造工程によれば、仮圧着工程において異方性導電フィルム１に本圧着工程における光の照射量よりも小さい照射量で紫外線を照射することにより、バインダー樹脂の粘度がある程度高められているため、熱圧着ツール３０による加圧時や熱圧着ツール３０の離間時等において液晶駆動用ＩＣ１８のアライメントずれを防止することができる。したがって、ファインピッチ化された液晶駆動用ＩＣ１８の電極端子１８ａと、当該電極端子１８ａと接続される透明電極１７の端子部１７ａに隣接する端子部とのピッチが狭まり、導電性粒子４を介して短絡する端子間ショートを防止することができる。
　なお、紫外線照射は、仮貼り工程から開始してもよい。このとき、仮貼り工程の照度は仮圧着工程の照度よりも低くしてもよい。
　＜具体例１－２＞
　本製造方法は、上述した仮圧着工程において、透明基板１２側ではなく、液晶駆動用ＩＣ１８側から紫外線照射を行ってもよい。
　＜具体例１－３＞
　本製造方法は、異方性導電フィルム１を透明基板１２上に設ける工程と、異方性導電フィルム１上に液晶駆動用ＩＣ１８を配置する工程と、液晶駆動用ＩＣ１８側から光照射を行う工程（光照射工程）と、液晶駆動用ＩＣ１８を透明基板１２に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程（本圧着工程）とを有し、光照射工程における光の照射量が本圧着工程における光の照射量よりも小さくなるようにしてもよい。
　＜具体例１－４＞
　本製造方法は、具体例１－３における光照射工程の前後において、加熱ツールにより液晶駆動用ＩＣ１８を押圧する工程をさらに有していてもよい。
　＜具体例１－５＞
　本製造方法は、具体例１－３における、異方性導電フィルム１を透明基板１２上に設ける工程と、異方性導電フィルム１上に液晶駆動用ＩＣ１８を配置する工程との間に、異方性導電フィルム１全面に対して光照射を行う工程をさらに有していてもよい。
　＜具体例１－６＞
　本製造方法は、異方性導電フィルム１を透明基板１２上に設ける工程と、異方性導電フィルム１側から、異方性導電フィルム１全面に対して光照射を行う工程（先照射工程）と、先照射工程後の異方性導電フィルム１に液晶駆動用ＩＣ１８を配置する工程と、透明基板１２側から光照射を行う工程（光照射工程）と、液晶駆動用ＩＣ１８を透明基板１２に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程（本圧着工程）とを有し、先照射工程と光照射工程の光の照射量の合計が本圧着工程における光の照射量よりも小さくなるようにしてもよい。
　＜第２の実施の形態＞
　第２の実施の形態では、液晶表示パネルのガラス基板に、電子部品としてフレキシブル基板を実装（ＦＯＧ実装）する場合を例に説明する。第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一の符号を付した構成は、第１の実施の形態と同義である。
　［接続体の製造方法］
　＜具体例２－１＞
　一例としての本製造方法は、異方性導電フィルムを透明基板上に設ける工程と、異方性導電フィルムを介して、透明基板上にフレキシブル基板を配置し、異方性導電フィルムへの光照射を行う工程と、フレキシブル基板を透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程とを有する。
　［仮貼り工程］
　仮貼り工程は、上述した第１の実施の形態における仮貼り工程と同様に行うことができる。
　［光照射工程］
　光照射工程において、例えば図８に示すように、異方性導電フィルム１を介して、透明基板１２上にフレキシブル基板２１を配置し、異方性導電フィルム１への光照射を行う。光照射は、例えば図９に示すように、透明基板１２側に配置された紫外線照射器３１によって異方性導電フィルム１のバインダー樹脂層３に紫外線を照射することができる。光照射は、透明基板１２側ではなく、フレキシブル基板２１側から行ってもよい。
　光照射工程において、異方性導電フィルム１に照射する紫外線の照射量は、後述する本圧着工程における光の照射量よりも小さくする。また、光照射工程では、フレキシブル基板２１の最小配線間スペースによって光の照射量を変更することが好ましい。例えば、フレキシブル基板２１の最小配線間スペースが２５μｍを超える場合、光照射工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の５～２５％とすることが好ましく、５～１５％とすることがより好ましい。また、例えば、フレキシブル基板２１の最小配線間スペースが２５μｍ以下である場合、光照射工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の２～１５％とすることが好ましく、５～１０％とすることがより好ましい。
　光照射工程において照射する紫外線照度、及び紫外線照射時間は、上述した条件を満たす範囲で適宜選択することができる。例えば、紫外線照度を１～４００ｍＷ／ｃｍ２とし、紫外線照射時間を０．５～２秒とすることができる。特に、本圧着工程の前に異方性導電フィルム１が完全に硬化しないようにする観点から、光照射工程における光の照射時間は、本圧着工程における圧着時間に対して１／５以下であることが好ましい。
　［本圧着工程］
　本圧着工程において、例えば図１０に示すように、フレキシブル基板２１を透明基板１７に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う。これにより、フレキシブル基板２１と透明基板１７とを接続させ、例えば、フレキシブル基板２１が透明基板１７上に接続された接続体として、液晶表示パネルが形成される。
　本圧着工程では、先ず、フレキシブル基板２１と透明電極１７とのアライメントを行うことが好ましい。具体的には、透明電極１７の各端子部１７ａとフレキシブル基板２１の端子部２１ａとがバインダー樹脂層３を介して対向するように、フレキシブル基板２１を配置する。
　次に、フレキシブル基板２１の上面を所定の加熱温度に昇温された熱圧着ツール３０により、緩衝材３２を介して熱加圧するとともに、透明基板１２の裏側に設けられた紫外線照射器３１によって異方性導電フィルム１のバインダー樹脂層３に紫外線を照射する。本圧着工程における熱加圧は、導電性粒子４をフレキシブル基板２１の端子部２１ａ、及び透明電極１７の端子部１７ａとの間で挟持させる所定の圧力で加圧する。また、本圧着工程における光照射は、バインダー樹脂層３を硬化させることが可能な条件で行う。
　このような接続体の製造方法によれば、光照射工程における光の照射量を、本圧着工程における光の照射量よりも小さくすることにより、本圧着工程前に異方性導電フィルム１のバインダー樹脂の粘度がある程度高められているため、熱圧着ツール３０による加圧時や熱圧着ツール３０の離間時等においてフレキシブル基板２１のアライメントずれを防止することができる。
　また、本製造方法によれば、圧着時に、フレキシブル基板の残留応力の開放による影響を抑制できるため、異方性導電フィルムのバインダー樹脂層とフレキシブル基板との界面における剥離を抑制することができる。そのため、接続体の導通抵抗値の低下、異方性導電フィルムと被着体との接着力の低下等の接続不良を抑制することができる。
　また、本製造方法によれば、フレキシブル基板の配線レイアウトや最小配線間スペースに合わせて異方性導電フィルムのバインダー樹脂の粘度を都度調整しなくても、光照射の条件により残留応力の開放による影響を抑制することができる。そのため、接続体の製造効率をより向上させることができる。
　なお、上述した光照射工程においては、熱圧着ツールにより、緩衝材を介して、本圧着工程よりも低温、低圧で熱加圧しながら、紫外線照射器３１によって異方性導電フィルム１のバインダー樹脂層３に紫外線を照射してもよい。熱圧着ツールによる熱加圧温度、及び押圧力は、例えば上述した第１の実施の形態における仮圧着工程と同様の条件とすることができる。
　＜具体例２－２＞
　本製造方法は、具体例２－１における光照射工程の前後において、加熱ツールによりフレキシブル基板２１を押圧する工程をさらに有していてもよい。
　＜具体例２－３＞
　本製造方法は、具体例２－１における異方性導電フィルム１を透明基板１２上に設ける工程と、フレキシブル基板２１を配置する工程との間に、異方性導電フィルム１全面に対して光照射を行う工程をさらに有していてもよい。
　＜具体例２－４＞
　本製造方法は、異方性導電フィルム１を透明基板１２上に設ける仮貼り工程と、異方性導電フィルム１全面に対して光照射を行う工程（先照射工程）と、先照射工程後の異方性導電フィルム１上にフレキシブル基板２１を配置する工程と、透明基板１２側から光照射を行う工程（光照射工程）と、フレキシブル基板２１を透明基板１２に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程（本圧着工程）とを有し、先照射工程と光照射工程の光の照射量の合計が本圧着工程における光の照射量よりも小さくなるようにしてもよい。
　＜第１の実施例＞
　次いで、本技術の実施例について説明する。本実施例では、仮圧着工程における紫外線の照射条件を異ならせて製造した透明基板とＩＣチップとの各接続体サンプルについて、接続初期及び信頼性試験後におけるＩＣチップと透明基板の透明電極との導通抵抗値（Ω）、及びＩＣチップのアライメントずれ量（μｍ）を測定した。
　接続に用いる接着剤として、光酸発生剤とカチオン重合性化合物を含有するバインダー樹脂層からなる異方性導電フィルムを用意した。
　このバインダー樹脂層は、
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０：新日鉄住金化学株式会社製）；４５質量部
イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート（Ｍ－２１５：東亜合成株式会社製）；４５質量部
シランカップリング剤（ＫＢＭ－４０３：信越化学工業株式会社製）；２質量部
光ラジカル発生剤（イルガキュア３６９：ＢＡＳＦジャパン株式会社製）；８質量部
を酢酸エチル、トルエンにて固形分５０％になるように混合溶液を作成し、導電性粒子（ＡＵＬ７０４：平均粒子径４μｍ、積水化学工業株式会社製）を粒子密度が約５０，０００個／ｍｍ2になるように分散させた。この混合溶液を厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、７０℃オーブンにて５分間乾燥し、厚さ２０μｍのフィルム状に成形した。
　評価素子として、
外形；１．８ｍｍ×２０ｍｍ、
バンプ高さ；１５μｍ、
バンプサイズ；３０×６０μｍ（最小バンプ間スペース１０μｍ）、
の評価用ＩＣを用いた。尚、バンプは評価用ＩＣ外形の長辺方向両端部の内側に、バンプの短辺側が評価用ＩＣ外形長辺方向と平行になるように配列している。この配列方向におけるバンプ間の距離が、本評価素子の最小バンプ間スペースである。
　評価用ＩＣが接続される評価基材として、厚さ０．５ｍｍのＩＴＯコーティングガラスを用いた。
　このガラス基板に上記異方性導電フィルムを介して評価用ＩＣを配置し、熱圧着ツールによる熱加圧及び紫外線照射器（ＺＵＶ－Ｃ３０Ｈ：オムロン株式会社製）によって紫外線を照射し仮圧着及び本圧着を行い、接続体サンプルを形成した。
　仮圧着条件は、実施例１～６、比較例１～８のいずれも８０℃、２ＭＰａ、２秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ＩＣの間には緩衝材として厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シートを介している。また、紫外線照射は、熱圧着ツールによる加熱加圧と同時に開始した。仮圧着時の紫外線照射は、ガラス基板側から行った。
　本圧着条件は、実施例１～６、比較例１～８のいずれも１００℃、８０ＭＰａ、５秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ＩＣの間には緩衝材として厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シートを介している。また、紫外線照射は、熱圧着ツールによる加熱加圧から４秒後に開始し、照射時間は１秒、照度は１００ｍＷ／ｃｍ2とした。本圧着時の紫外線照射は、ガラス基板側から行った。
　そして、各実施例及び比較例に係る接続体サンプルについて、初期導通抵抗値（Ω）及び信頼性試験後の導通抵抗値（Ω）を測定した。信頼性試験の条件は、８５℃８５％ＲＨ５００ｈｒである。導通抵抗値の測定は、図１１に示すように、評価用ＩＣのバンプ４２と接続されたＩＴＯコーティングガラスの配線４３にデジタルマルチメータを接続し、いわゆる４端子法にて電流２ｍＡを流したときの導通抵抗値を測定した。
　また、各実施例及び比較例に係る接続体サンプルについて、実体顕微鏡を用いてアライメントずれ量を測定した。アライメントずれ量の許容範囲は、１．０μｍ以下とした。
　［実施例１］
　実施例１では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を３ｍＷ／ｃｍ2、１秒、とした。実施例１の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の３％である。実施例１に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．４Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．３Ωであった。また、実施例１に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は０．９μｍであった。
　［実施例２］
　実施例２では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を５ｍＷ／ｃｍ2、１秒とした。実施例２の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の５％である。実施例２に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．０Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．１Ωであった。また、実施例２に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は０．７μｍであった。
　［実施例３］
　実施例３では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を１５ｍＷ／ｃｍ2、１秒とした。実施例３の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の１５％である。実施例３に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．２Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．４Ωであった。また、実施例３に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は０．３μｍであった。
　［実施例４］
　実施例４では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を２０ｍＷ／ｃｍ2、１秒とした。実施例４の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の２０％である。実施例４に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が２．４Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．４Ωであった。また、実施例４に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は０．３μｍであった。
　［実施例５］
　実施例５では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を１０ｍＷ／ｃｍ2、０．５秒とした。実施例５の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の５％である。実施例５に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．２Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．５Ωであった。また、実施例５に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は０．６μｍであった。
　［実施例６］
　実施例６では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を１０ｍＷ／ｃｍ2、２秒とした。実施例６の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の２０％である。実施例６に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．３Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．２Ωであった。また、実施例６に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は０．６μｍであった。
　［比較例１］
　比較例１では、仮圧着工程における熱加圧条件を７ＭＰａ、５０℃とし、紫外線の照射は行わなかった。比較例１の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の０％である。比較例１に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が３．４Ωと高く、信頼性試験後の導通抵抗も６．１Ωとなった。また、比較例１に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は３．１μｍと大きくなった。
　［比較例２］
　比較例２では、仮圧着工程における熱加圧条件を７ＭＰａ、６０℃とし、紫外線の照射は行わなかった。比較例２の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の０％である。比較例２に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．５Ωと低かったが、信頼性試験後の導通抵抗が５．１Ωと高くなった。また、比較例２に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は４．３μｍと大きくなった。
　［比較例３］
　比較例３では、仮圧着工程における熱加圧条件を７ＭＰａ、５０℃とし、紫外線の照射条件を１５ｍＷ／ｃｍ2、１秒とした。比較例３の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の１．５％である。比較例３に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が２．３Ωであり、信頼性試験後の導通抵抗は５．３Ωであった。また、比較例３に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は１．８μｍであった。
　［比較例４］
　比較例４では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射は行わなかった。比較例４の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の０％である。比較例４に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．２Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．３Ωであった。しかし、比較例４に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は６．４μｍと大きくなった。
　［比較例５］
　比較例５では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を２ｍＷ／ｃｍ2、１秒とした。比較例５の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の２％である。比較例５に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．２Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．３Ωであった。しかし、比較例５に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は３．１μｍと大きくなった。
　［比較例６］
　比較例６では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を２５ｍＷ／ｃｍ2、１秒とした。比較例６の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の２５％である。比較例６に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が６．３Ωと高く、信頼性試験後の導通抵抗も９．３Ωと高くなった。しかし、比較例６に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は０．３μｍであった。
　［比較例７］
　比較例７では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を１０ｍＷ／ｃｍ2、０．２秒とした。比較例７の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の２％である。比較例７に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が１．１Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も４．５Ωであった。しかし、比較例７に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は３．１μｍと大きくなった。
　［比較例８］
　比較例８では、仮圧着工程における熱加圧条件を６０ＭＰａ、８０℃とし、紫外線の照射条件を１０ｍＷ／ｃｍ2、２．５秒とした。比較例８の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の２５％である。比較例８に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が５．２Ωと高く、信頼性試験後の導通抵抗も７．５Ωと高くなった。また、比較例８に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は１．２μｍと大きくなった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、実施例１～６は、仮圧着工程において照度を３～２０ｍＷ／ｃｍ2、照射時間を０．５～２秒で紫外線を照射した。これは、本圧着工程における照射量の３～２０％である。このため、実施例１～６では、バインダー樹脂の硬化反応を適度に進行させ粘度を上昇させることができ、導電性粒子の押し込みを阻害することなく、評価用ＩＣのアライメントずれ量を１．０μｍ未満とすることができた。
　比較例１、２は、仮圧着工程において紫外線を照射していないため、低温低圧力で押圧すると、熱圧着ツールによる押圧時等に評価用ＩＣのアライメントずれ量が大きくなった。また、低圧力で押圧したことから、導電性粒子の押し込みが不足し、信頼性試験後に導通抵抗が上昇した。
　比較例３は、仮圧着工程において適正な照度及び時間にて紫外線を照射したが、評価用ＩＣの押圧力が低く、導電性粒子の押し込みが不足し、導通抵抗が上昇した。
　比較例４は、紫外線を照射せずに仮圧着工程を行う際に、高圧力で押圧したところ、導電性粒子の押し込みによって導通性を確保できたものの、アライメントずれ量が大きくなった。
　比較例５は、仮圧着工程における紫外線照度が２ｍＷ／ｃｍ2と低いことから、バインダー樹脂の硬化反応が進まず、粘度が低かったため、導電性粒子の押し込みによって導通性を確保できたものの、アライメントずれ量が大きくなった。
　比較例６は、仮圧着工程における紫外線照度が２５ｍＷ／ｃｍ2と高いことから、アライメントずれを抑えることはできた反面、バインダー樹脂の硬化反応が進みすぎて、本圧着工程において導電性粒子を十分に押し込むことが出来ず、導通抵抗が上昇した。
　比較例７は、仮圧着工程における紫外線照射時間が０．２秒と短いことから、バインダー樹脂の硬化反応が進まず、粘度が低かったため、導電性粒子の押し込みによって導通性を確保できたものの、アライメントずれ量が大きくなった。
　比較例８は、仮圧着工程における紫外線照射時間が２．５秒と長いことから、アライメントの大きなずれは抑えることはできたが、バインダー樹脂の硬化反応が進みすぎて、本圧着工程において導電性粒子を十分に押し込むことが出来ず、導通抵抗が上昇した。
　以上のことから、仮圧着工程においてバインダー樹脂の粘度を適度に上昇させておくことで、導電性粒子の押し込みを阻害することなく、アライメントずれを抑制することができることが分かる。また、仮圧着工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の３～２０％が好ましいことが分かる。
　［実施例７～９］
　実施例７～９では、上述した実施例１、２、５と同様にＩＴＯコーティングガラスに異方性導電フィルムを貼付け、異方性導電フィルム側からフィルムの全面に対して仮圧着と同じ条件で異方性導電フィルム側から紫外線を照射（先照射）した。紫外線照射後の異方性導電フィルム上に評価用ＩＣを配置し、実施例１、２、５と同様の条件で仮圧着（光照射）を行った。尚、異方性導電フィルム側からの先照射は、透明基板側からの光照射と略同一の光源を用いた。そして、本圧着を行い、接続体サンプルを得た。実施例７～９では実施例１、２、５と略同等の結果が得られた。
　＜第２の実施例＞
　本実施例では、仮圧着工程における紫外線の照射条件を異ならせて、透明基板（クロム／アルミコーティングガラス：評価基材）と、電子部品（フレキシブル基板（ＦＰＣ）：評価素子）との接続を行い、接続体を得た。そして、得られた各接続体サンプルについて、接続初期及び信頼性試験後におけるフレキシブル基板の電極とクロム／アルミコーティングガラスの電極（アルミ）との導通抵抗値（Ω）、信頼性試験後における接着剤層の表面とフレキシブル基板の表面とのギャップの量、及びアライメントずれ量を測定した。
　クロム／アルミコーティングガラスとフレキシブル基板との接続には、接着剤として、以下の異方性導電フィルムを用いた。まず、３０質量部のフェノキシ樹脂（ＹＰ－７０：新日鉄住金化学株式会社製）と、３０質量部の液状エポキシ樹脂（ＥＰ８０８：三菱化学株式会社製）と、２０質量部の固形エポキシ樹脂（ＹＤ０１４：新日鉄住金化学株式会社製）と、３質量部の導電性粒子（ＡＵＬ７０４：平均粒子径４μｍ、積水化学工業株式会社製）と、５質量部の光カチオン硬化剤（ＬＷ－Ｓ１：サンアプロ株式会社製）と、１０質量部のカチオン系硬化剤（ＳＩ－６０Ｌ、三新化学株式会社製）を、撹拌装置を用いて均一に混合した。この混合溶液を剥離処理したＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ）上に塗布し、厚さ２０μｍのフィルム状に成形した。これにより、異方性導電フィルムを得た。
　フレキシブル基板としては、２００μｍＰ又は５０μｍＰ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１／１）、Ｃｕ８μｍｔ－Ｓｎめっき、３８μｍｔ－Ｓ’ｐｅｒｆｌｅｘ基材を用いた。
　クロム／アルミコーティングガラスとしては、アルミパターンガラス（２００μｍＰ又は５０μｍＰ、厚み１．１ｍｍ）を用いた。
　［実施例１０］
　クロム／アルミコーティングガラスに、１．５ｍｍ幅の異方性導電フィルムを貼付け、この異方性導電フィルム上にフレキシブル基板を位置合わせした。位置合せした積層体のクロム／アルミコーティングガラス側から、３６０ｎｍに最大発光波長を持つＬＥＤランプ（コントローラー：ＺＵＶ－Ｃ２０Ｈ、ヘッドユニット：ＺＵＶ－Ｈ２０ＭＢ、レンズユニット：ＺＵＶ－２１２Ｌ、オムロン社製）を用いて照度４０ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：４０ｍＪ／ｃｍ２）、紫外線照射を行った。
　紫外線照射後、熱圧着ツール（１．５ｍｍ幅）で緩衝材（厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シート）を用いて、１２０℃、６ＭＰａ、５秒間の条件で加熱押圧を行うとともに、加熱押圧を開始してから３秒後から、上記ＬＥＤランプを用いて、照度２００ｍＷ／ｃｍ２で２秒間（照射量：４００ｍＪ／ｃｍ２）、クロム／アルミコーティングガラス側から紫外線照射を行った。
　（初期導通抵抗値、及び信頼性試験後の導通抵抗値）
　得られた接続体サンプルについて、デジタルマルチメータ（商品名：デジタルマルチメータ７５６１、横河電機株式会社製）を用いて、上述した第１の実施例と同様の方法で、初期導通抵抗値、及び信頼性試験後の導通抵抗値を測定した。初期導通抵抗値が３Ω未満の場合を「Ａ」と評価し、３Ω以上５Ω未満の場合を「Ｂ」と評価し、５Ω以上の場合を「Ｃ」と評価した。また、信頼性試験後の導通抵抗値が５Ω未満の場合を「Ａ」と評価し、５Ω以上１０Ω未満の場合を「Ｂ」と評価し、１０Ω以上の場合を「Ｃ」と評価した。実用上、導通抵抗値の評価は、「Ａ」、又は「Ｂ」が好ましい。
　（信頼性試験後のギャップ）
　得られた接続体サンプルについて、信頼性試験後の異方性導電フィルムの硬化物とフレキシブル基板との界面のギャップを３ヶ所測定し、その平均値を算出した。ギャップが３．５μ以下（導電性粒子の平均粒径の７０％以下）の場合を「Ａ」と評価し、３．５μｍを超え４．５μｍ未満（導電性粒子の平均粒径の７０％を超え９０％未満）の場合を「Ｂ」と評価し、４．５μｍ以上（導電性粒子の平均粒径の９０％以上）の場合を「Ｃ」と評価した。実用上、ギャップの評価は、「Ａ」、又は「Ｂ」が好ましい。
　（アライメントずれ量）
　得られた接続体サンプルについて、実体顕微鏡を用いて、クロム／アルミコーティングガラスの端子４５とフレキシブル基板の端子４６との幅方向のアライメントずれ量を測定した（図１２参照）。アライメントずれ量が３μｍ以下の場合を「Ａ」と評価し、３μｍを超え５μｍ未満の場合を「Ｂ」と評価し、５μｍ以上の場合を「Ｃ」と評価した。
　アライメントずれ量の評価基準は、例えば図１２に示すように、５０μｍＰ、接続幅６００μｍの端子４５と端子４６を想定した場合、１配線あたりの接続面積が約１００００μｍ２以下となる条件をＮＧとした。すなわち、アライメントずれ量が８μｍ以上の場合（（２５－８）μｍ×（６００－８）μｍ＝１００６４μｍ２）をＮＧとした。そして、装置によるアライメント公差を３μｍ程度と想定し、アライメントずれ量が５μｍ未満である場合を実用上好ましいと判断した。アライメントずれ量は、５μｍ以上であっても実用上問題ないが、接続構造体の品質管理の観点から、少ない程望ましい。
　［実施例１１］
　実施例１１では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度２０ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：２０ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１０と同様に行った。
　［実施例１２］
　実施例１２では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度１００ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：１００ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１０と同様に行った。
　［比較例９］
　比較例９では、本圧着前の紫外線照射を行なわずに接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１０と同様に行った。
　［比較例１０］
　比較例１０では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度８ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：８ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１０と同様に行った。
　［比較例１１］
　比較例１１では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度１２０ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：１２０ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１０と同様に行った。
　［実施例１３］
　実施例１３では、２００μｍＰのフレキシブル基板に替えて、５０μｍＰのフレキシブル基板を用いて接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１０と同様に行った。
　［実施例１４］
　実施例１４では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度８ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：８ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１３と同様に行った。
　［実施例１５］
　実施例１５では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度６０ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：６０ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１３と同様に行った。
　［比較例１２］
　比較例１２では、本圧着前の紫外線照射を行なわずに接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１３と同様に行った。
　［比較例１３］
　比較例１３では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度４ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：４ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１３と同様に行った。
　［比較例１４］
　比較例１４では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度８０ｍＷ／ｃｍ２で１秒間（照射量：８０ｍＪ／ｃｍ２）に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例１３と同様に行った。
　下記表中、「（１）本圧着前」とは、図１３中の（１）に示す本圧着前の光照射の条件を表す。また、「（２）本圧着時」とは、図１３中の（２）に示す本圧着時の光照射の条件を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　フレキシブル基板の最小配線間スペースが２５μｍを超える実施例１０～１２では、光照射工程における光の照射量を、本圧着工程における光の照射量の５～２５％とした。これにより、初期導通抵抗値、信頼性試験後の導通抵抗値、信頼性試験後のギャップ、及びアライメントずれ量の評価がいずれも良好であることが分かった。
　フレキシブル基板の最小配線間スペースが２５μｍ以下である実施例１３～１５では、光照射工程における光の照射量を、本圧着工程における光の照射量の２～１５％とした。これにより、初期導通抵抗値、信頼性試験後の導通抵抗値、信頼性試験後のギャップ、及びアライメントずれ量の評価がいずれも良好であることが分かった。
　比較例９、１２では、光照射工程において紫外線を照射しなかったため、本圧着工程における加熱押圧時に、信頼性試験後の導通抵抗値、信頼性試験後のギャップ、及びフレキシブル基板のアライメントずれの評価が良好ではないことが分かった。また、比較例１０、１３では、光照射工程における紫外線照射量が、本圧着工程における紫外線照射量に対して少なすぎたため、信頼性試験後の導通抵抗値、及び信頼性試験後のギャップの評価が良好ではないことが分かった。また、比較例１３では、フレキシブル基板のアライメントずれの評価も良好ではないことが分かった。これらの結果は、本圧着工程における加熱押圧時に、異方性導電フィルムを構成するバインダー樹脂の流動性が大きくなりすぎてしまい、フレキシブル基板の配線間が撓んだ状態で加熱ツールのプレスアウト時にフレキシブル基板の残留応力が開放された際に、異方性導電フィルムとフレキシブル基板との界面における剥離が発生しやすくなってしまったためと考えられる。
　比較例１１、１４では、光照射工程における紫外線照射量が、本圧着工程における紫外線照射量に対して多すぎたため、初期導通抵抗値、信頼性試験後の導通抵抗値、及び信頼性試験後のギャップの評価が良好ではないことが分かった。この結果は、異方性導電フィルムを構成するバインダー樹脂の硬化反応が進みすぎ、本圧着工程において導電性粒子を十分に押し込むことができなかたためと考えられる。
　［実施例１６～１９］
　実施例１６～１９では、実施例１０、１１、１３，１４と同様にクロム／アルミコーティングガラスに、異方性導電フィルムを貼付け、異方性導電フィルム側から、異方性導電フィルムの全面に対して紫外線を２０ｍＪ／ｃｍ２（本圧着時の５％）照射（先照射）した。この異方性導電フィルム側からの先照射は、透明基板側からの光照射と略同一の光源を用いた。紫外線照射後、異方性導電フィルム上にフレキシブル基板を位置合わせして積層体を得た。この積層体に対して、実施例１０、１１、１３、１４と同様の条件で光照射および本圧着を行った。実施例１６～１９では実施例１０、１１、１３、１４と略同等の結果が得られた。
　［実施例２０～２９］
　実施例２０～２９では、実施例１０～１９と同様にクロム／アルミコーティングガラスに、異方性導電フィルムを貼付け、仮圧着工程で透明基板側から光照射する際に、６０℃、１ＭＰａで押圧する以外は同等の操作を繰り返し、本圧着を行った。実施例２０～２９では実施例１０～１９と略同等の結果が得られた。
１　異方性導電フィルム、２　剥離フィルム、３　バインダー樹脂層、４　導電性粒子、１０　液晶表示パネル、１１，１２　透明基板、１３　シール、１４　液晶、１５　パネル表示部、１６，１７　透明電極、１８　液晶駆動用ＩＣ、２０　ＣＯＧ実装部、２１　フレキシブル基板、２２　ＦＯＧ実装部、２４　配厚膜、２５，２６　偏光板、３０　加熱押圧ヘッド、３１　紫外線照射器、４２　バンプ、４３　配線、４４　ギャップ、４５，４６　端子

Claims (19)

  1. 　光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、
    　上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、
    　上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、
    　上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さい接続体の製造方法。
  2. 　上記接着剤配置工程と上記光照射工程との間に、上記回路接続用接着剤側から、上記回路接続用接着剤全面に対して光照射を行う先照射工程をさらに有し、
    　上記先照射工程と上記光照射工程の合計の光照射量は、上記本圧着工程の光照射量よりも小さい、請求項１記載の接続体の製造方法。
  3. 　上記光照射工程は、上記透明基板側から光照射を行う、請求項１又は２に記載の接続体の製造方法。
  4. 　上記光照射工程では、上記電子部品の最小配線間スペースによって光の照射量を変更する、請求項１～３のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  5. 　上記光照射工程における光の照射時間は、上記本圧着工程における圧着時間に対して１／５以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  6. 　光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、
    　上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記電子部品の上記透明基板への押圧、及び上記回路接続用接着剤への光照射を行う仮圧着工程と、
    　上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、
    　上記仮圧着工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さい接続体の製造方法。
  7. 　上記接着剤配置工程と上記仮圧着工程との間に、上記回路接続用接着剤側から、上記回路接続用接着剤全面に対して光照射を行う先照射工程をさらに有し、
    　上記先照射工程と上記仮圧着工程の合計の光照射量は、上記本圧着工程の光照射量よりも小さい、請求項６記載の接続体の製造方法。
  8. 　上記仮圧着工程は、上記透明基板側から光照射を行う、請求項６又は７に記載の接続体の製造方法。
  9. 　上記仮圧着工程では、上記電子部品の最小配線間スペースによって光の照射量を変更する、請求項６～８のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  10. 　上記仮圧着工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量の３～２０％である請求項６～９のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  11. 　上記仮圧着工程における光の照度は、３～２０ｍＷ／ｃｍ2である請求項１０記載の接続体の製造方法。
  12. 　上記仮圧着工程における光の照射時間は０．５～２秒である請求項１０又は１１に記載の接続体の製造方法。
  13. 　上記仮圧着工程における上記電子部品への押圧力は、上記本圧着工程における上記電子部品への押圧力の４０～９０％である請求項６～１２いずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  14. 　上記仮圧着工程は、圧着ツールが上記電子部品の押圧面に当接されたと同時に光照射を開始する請求項６～１３のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  15. 　上記接着剤配置工程から上記回路接続用接着剤への光照射を行う請求項６～１３のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  16. 　上記仮圧着工程における上記電子部品の圧着温度が、上記本圧着工程における上記電子部品の圧着温度と同等である請求項６～１５のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
  17. 　光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、
    　上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、
    　上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、
    　上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さい電子部品の接続方法。
  18. 　上記光照射工程は、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記電子部品の上記透明基板への押圧、及び上記回路接続用接着剤への光照射を行う仮圧着工程である、請求項１７に記載の電子部品の接続方法。
  19. 　請求項１～１６のいずれか１項に記載の方法により製造された接続体。
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