WO2016079985A1 - 有機ｅｌ素子及び表示装置 - Google Patents

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米田　和弘
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    • H10K50/17—Carrier injection layers

Definitions

  • the present disclosure relates to an organic electroluminescence (EL) element and a display device using the same.
  • EL organic electroluminescence
  • Organic EL elements are expected to be applied to various light emitting devices such as displays and lighting.
  • an organic EL display device organic EL display panel
  • organic EL element as a pixel
  • the organic EL element is composed of a substrate, an anode, an organic light emitting layer, and a cathode. Further, in the organic EL element, a charge functional layer such as a charge injection layer or a charge transport layer is formed between the organic light emitting layer and the anode or the cathode as necessary.
  • an organic EL element there is a vapor deposition type organic EL element in which an organic light emitting layer is formed by depositing a low molecular organic light emitting material.
  • the vapor deposition type organic EL element exhibits very high element performance, the vapor deposition process has a problem that the utilization efficiency of the material is low and the film formation is performed under a high vacuum, so that the cost is high.
  • Patent Document 1 discloses a coating type organic EL element.
  • the base layer is provided with a crosslink function so that the base layer may not be dissolved (hereinafter, a light emitting layer having a crosslink function).
  • the underlayer is called the interlayer.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Document 2
  • the present disclosure has been made in order to solve the above-described problems.
  • one aspect of the first organic EL element includes a first electrode, an interlayer formed above the first electrode, and an organic light emitting layer formed using the interlayer as a base. And a second electrode formed above the organic light emitting layer, wherein the organic light emitting layer includes at least a host material and a dopant material, and the interlayer has a larger energy gap than the dopant material, And it is comprised by the material deeper than the HOMO level of the said dopant material, It is characterized by the above-mentioned.
  • one aspect of the second organic EL element includes a first electrode, an interlayer formed above the first electrode, and an organic light emitting layer formed using the interlayer as a base. And a second electrode formed above the organic light emitting layer, wherein the organic light emitting layer includes at least a host material and a dopant material, and the interlayer material includes at least a crosslinkable group and an insolubilizing group.
  • 1 is a material having (Formula 1), (Formula 2), or (Formula 3) as a structural unit, wherein the structural unit includes an arylamine and does not include fluorene. .
  • Ar11 to Ar15 represent the same or different substituted or unsubstituted aromatic groups, and a represents an integer of 0 to 3.
  • Ar21 to Ar25 represent the same or different substituted or unsubstituted aromatic groups, and b represents an integer of 0 to 3.
  • Ar31 to Ar36 represent the same or different substituted or unsubstituted aromatic groups, and c represents an integer of 0 to 3.
  • aromatic group representing Ar11 to Ar15, Ar21 to Ar25, or Ar31 to Ar36 may include a condensed polycyclic structure or a heterocyclic (heterocyclic) structure.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL element according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL element used in this experiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing an energy gap of each material, a HOMO (High Occupied Molecular Orbital) level, and a film forming process method of each material used in this experiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing a relationship between the energy gap of each material and the light emission efficiency of the organic EL element when an organic EL element is manufactured using each material of FIG. FIG.
  • FIG. 5 shows the HOMO level (energy value) and PL emission quantum yield (PLQE: Photo Luminescence) of each material in the case where a mixed film with the dopant material of the organic light emitting layer is produced using each material of FIG. It is a figure which shows the relationship with Quantum Efficiency.
  • FIG. 6 is an energy diagram of an organic light emitting layer and a hole transport layer in an organic EL element when “DNTPD” or “Poly-TPD” is used.
  • FIG. 7 is a diagram showing lifetime characteristics of each organic EL element when an organic EL element is manufactured using each material shown in FIG.
  • FIG. 8 is a diagram showing voltage-luminance characteristics before and after the lifetime evaluation of each organic EL element when the organic EL element is manufactured using “NPB” and “NPAPF”.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL element according to an embodiment.
  • the organic EL element 10 includes a substrate 1, a first electrode 2, a hole injection layer 3, an interlayer 4, an organic light emitting layer 5, an electron transport layer 6, and an electron injection layer. 7 and the second electrode 8 are stacked in this order.
  • the organic EL element 10 in the present embodiment is a coating type organic EL element in which at least the organic light emitting layer 5 is formed by a coating method.
  • the first electrode 2 is formed by a sputtering method
  • the hole injection layer 3, the interlayer 4 and the organic light emitting layer 5 are formed by a coating method (printing method).
  • the electron injection layer 7 and the second electrode 8 are formed by vapor deposition.
  • the substrate 1 is a light transmissive substrate such as a transparent substrate, for example, a glass substrate made of a glass material.
  • the substrate 1 is not limited to a glass substrate, but is a translucent resin substrate made of a translucent resin material such as polycarbonate resin or acrylic resin, or a TFT (thin film transistor) substrate that is a backplane of an organic EL display device. There may be.
  • the first electrode 2 is a lower electrode and is formed on the substrate 1.
  • the first electrode 2 is a transparent electrode having translucency, and for example, a transparent conductive film made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) is used.
  • the first electrode 2 in the present embodiment is a transparent electrode made of an ITO film.
  • the first electrode 2 is an anode (anode).
  • the first electrode 2 is not limited to a transparent electrode, and may be a reflective electrode having reflectivity, such as aluminum (Al) or silver (Ag), or an alloy of aluminum or silver, A reflective electrode and a transparent electrode may be laminated.
  • the hole injection layer 3 is formed on the first electrode 2.
  • the hole injection layer 3 is interposed between the first electrode 2 and the organic light emitting layer 5 and has a function of injecting holes into the organic light emitting layer 5.
  • Examples of the material for the hole injection layer 3 include polythiophene derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, and the like. Specifically, PEDOT: PSS (mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) is used.
  • the hole injection layer 3 may be a metal oxide. Specifically, oxides such as tungsten (W), molybdenum (Mo), silver (Ag), chromium (Cr), vanadium (V), nickel (Ni), and iridium (Ir) are used. In the present embodiment, the hole injection layer 3 is PEDOT: PSS.
  • the interlayer 4 is formed above the first electrode 2. In the present embodiment, the interlayer 4 is formed on the hole injection layer 3.
  • the interlayer 4 is a base layer of the organic light emitting layer 5 and has a cross link function.
  • the cross-linking function refers to a function in which a crosslinkable group or an insolubilizing group undergoes a chemical change upon irradiation with energy rays such as heat or ultraviolet light or a combination thereof, and is insolubilized in an organic solvent or water.
  • the interlayer 4 is interposed between the hole injection layer 3 and the organic light emitting layer 5, and charges (holes in the present embodiment) injected from the hole injection layer 3 to the organic light emitting layer 5. Has the function of transporting.
  • the interlayer 4 is made of a material having a cross-link function.
  • the interlayer 4 is made of a material having a larger energy gap (Eg) than the dopant material of the organic light emitting layer 5.
  • the interlayer 4 is made of a material having a larger Eg than the host material of the organic light emitting layer 5.
  • the energy gap of the material constituting the interlayer 4 is 2.95 eV or more, preferably 3.10 eV or more.
  • Eg is an energy difference between the HOMO level and the LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) level.
  • Examples of the method for measuring the HOMO level include atmospheric photoelectron spectroscopy, electrochemical techniques (cyclic voltammetry), and photoelectron spectroscopy (PES).
  • a method for measuring the LUMO level for example, inverse photoelectron spectroscopy (IPES) or a method of calculating from the energy gap obtained from the absorption edge by light absorption spectroscopy and the HOMO level, etc. Can be mentioned.
  • IPES inverse photoelectron spectroscopy
  • a method of calculating from the energy gap obtained from the absorption edge by light absorption spectroscopy and the HOMO level etc.
  • a method of calculating the HOMO level and the LUMO level by using molecular activation method calculation for each level may be used.
  • the interlayer 4 is made of a material having a deeper HOMO level than the dopant material of the organic light emitting layer 5. That is, the HOMO level of the interlayer 4 is made of a material having a higher energy level than the HOMO level of the dopant material of the organic light emitting layer 5. In the present embodiment, the HOMO level of the material constituting the interlayer 4 is substantially the same as the HOMO level of the host material of the organic light emitting layer 5.
  • the material of the interlayer 4 for example, a material having the following (formula 1), (formula 2) or (formula 3) as a structural unit can be used.
  • the material of the interlayer 4 is a material having at least one of a crosslinkable group or an insolubilizing group and having (Formula 1), (Formula 2) or (Formula 3) as a structural unit, It is a material that contains arylamine in the structural unit and does not contain fluorene.
  • Ar11 to Ar15 represent the same or different substituted or unsubstituted aromatic groups, and a represents an integer of 0 to 3.
  • Ar21 to Ar25 represent the same or different substituted or unsubstituted aromatic groups, and b represents an integer of 0 to 3.
  • Ar31 to Ar36 represent the same or different substituted or unsubstituted aromatic groups, and c represents an integer of 0 to 3.
  • aromatic group representing Ar11 to Ar15, Ar21 to Ar25, or Ar31 to Ar36 may include a condensed polycyclic structure or a heterocyclic (heterocyclic) structure.
  • the interlayer 4 suppresses charge blocking function that suppresses penetration of charges (electrons in the present embodiment) from the organic light emitting layer 5 to the first electrode 2 side, and suppresses quenching of the excited state of the organic light emitting layer 5. It is good to have a function to do.
  • the organic light emitting layer 5 is formed on the interlayer 4. Specifically, the organic light emitting layer 5 is formed by a coating process (coating method) using the interlayer 4 as a base.
  • a low molecular material is used as the material of the organic light emitting layer 5.
  • the organic light emitting layer 5 is a blue light emitting layer made of a low molecular blue organic light emitting material.
  • the low molecular weight material refers to a compound having a molecular weight of 5000 or less.
  • the organic light emitting layer 5 is configured such that holes injected from the anode (first electrode 2 in the present embodiment) and electrons injected from the cathode (second electrode 8 in the present embodiment) are organic light emitting. In this layer, recombination in the layer 5 generates excitons and emits light.
  • the organic light emitting layer 5 may be composed of a dopant material alone, but more preferably includes a host material and a dopant material.
  • the host material mainly has the function of transporting electrons or holes, and the dopant material has the function of light emission.
  • the host material is not limited to one type, and may be two or more types.
  • the amount of the dopant material may be 0.01% by weight to 30% by weight, and more preferably 0.01% by weight to 10% by weight with respect to the host material.
  • the host material of the organic light emitting layer 5 refers to a host material having the smallest energy gap.
  • Examples of the host material for the organic light emitting layer 5 include amine compounds, condensed polycyclic aromatic compounds, and heterocyclic compounds.
  • amine compound for example, a monoamine derivative, a diamine derivative, a triamine derivative, or a tetraamine derivative is used.
  • condensed polycyclic aromatic compound examples include anthracene derivatives, naphthalene derivatives, naphthacene derivatives, phenanthrene derivatives, chrysene derivatives, fluoranthene derivatives, triphenylene derivatives, pentacene derivatives, perylene derivatives, and the like.
  • heterocyclic compound examples include carbazole derivatives, furan derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, imidazole derivatives, pyrazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrole derivatives, indole derivatives, azaindole derivatives, And azacarbazole, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phthalocyanine derivatives, and the like.
  • the dopant material of the organic light emitting layer 5 for example, pyrene derivatives, fluoranthene derivatives, arylacetylene derivatives, fluorene derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives, anthracene derivatives, chrysene derivatives are used.
  • a metal complex may be used as a dopant material of the organic light emitting layer 5.
  • the metal complex include those having a metal atom and a ligand such as iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), rhenium (Re), and ruthenium (Ru). It is done.
  • the electron transport layer 6 is formed on the organic light emitting layer 5.
  • the electron transport layer 6 is interposed between the organic light emitting layer 5 and the second electrode 8 and has a function of transporting electrons injected from the second electrode 8 to the organic light emitting layer 5.
  • the electron transport layer 6 further has a charge blocking function that suppresses penetration of charges (holes in the present embodiment) from the organic light emitting layer 5 to the second electrode 8 side, and an excited state of the organic light emitting layer 5. It is desirable to have a function of suppressing quenching.
  • an aromatic heterocyclic compound containing one or more heteroatoms in the molecule is used as the material for the electron transport layer 6, for example.
  • the aromatic heterocyclic compound include compounds containing a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a benzimidazole ring, a phenanthroline ring, a quinazoline ring or the like in the skeleton.
  • the electron injection layer 7 is formed on the electron transport layer 6.
  • the electron injection layer 7 is interposed between the electron transport layer 6 and the second electrode 8 and has a function of injecting electrons into the organic light emitting layer 5.
  • metal, metal fluoride, or metal oxide As the material of the electron injection layer 7, for example, metal, metal fluoride, or metal oxide is used.
  • the metal, metal fluoride, and metal oxide include lithium (Li), sodium (Na), magnesium (Mg), aluminum (Al), potassium (K), cesium (Cs), barium (Ba), and strontium. Examples thereof include metals such as (Sr), fluorides thereof, and oxides thereof.
  • a metal complex may be used as a material of the electron injection layer 7.
  • metal complexes include 8-quinolinolato sodium, 8-quinolinolato lithium, lithium 2- (2-pyridyl) phenolate, and lithium 2- (2 ′, 2 ′′ -bipyridin-6′-yl) phenolate. Etc.
  • the second electrode 8 is formed on the electron transport layer 6.
  • the 2nd electrode 8 in this Embodiment is a reflective electrode which has light reflectivity, for example, is a metal electrode formed using the metal material which has reflectivity.
  • the second electrode 8 is a cathode (cathode).
  • the material of the second electrode 8 for example, aluminum (Al), magnesium (Mg), silver (Ag), aluminum-lithium alloy, magnesium-silver alloy or the like is used.
  • the second electrode 8 is not limited to the reflective electrode, and may be a transparent electrode such as an ITO film, like the first electrode 2.
  • the organic EL element 10 configured as described above has the first electrode 2 and the first electrode 2. Holes and electrons are respectively injected from the two electrodes 8 into the organic light emitting layer 5. Then, light is generated by combining holes and electrons in the organic light emitting layer 5.
  • the organic EL element 10 since the substrate 1 and the first electrode 2 are translucent and the second electrode 8 is reflective, the organic EL element 10 has a bottom emission structure in which light is emitted from the substrate 1 side. is there.
  • the organic EL element 10 is not limited to the bottom emission structure, and may have a top emission structure.
  • an organic EL element has a structure in which an anode, an organic light emitting layer, and a cathode are laminated on a substrate, and, if necessary, charge injection is performed between the organic light emitting layer and the anode or cathode.
  • a charge functional layer such as a layer or a charge transport layer is formed.
  • the organic EL element 100 includes a substrate 101, a first electrode (anode) 102, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, an organic light emitting layer 105, and an electron transport.
  • the layer 106, the electron injection layer 107, and the second electrode (cathode) 108 are stacked in this order.
  • the organic light emitting layer 105 is formed by vapor-depositing an organic light emitting material, for example, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, an organic light emitting layer 105, an electron transport layer 106, an electron injection layer.
  • an organic light emitting material for example, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, an organic light emitting layer 105, an electron transport layer 106, an electron injection layer.
  • Each of 107 and the second electrode 108 is sequentially formed by an evaporation method.
  • the hole injection layer 103 is formed by a coating method (printing method) or a sputtering method
  • the hole transport layer 104 and the organic light emitting layer 105 are formed on the hole injection layer 103 by a coating method (printing method)
  • the electron transport layer 106 and the electron injection layer 107 are further formed on the organic light emitting layer 105.
  • the second electrode (cathode) 108 are formed by vapor deposition.
  • the hole transport layer 104 needs to use an interlayer having a cross-link function as a base layer of the organic light emitting layer 105. By doing so, it is possible to prevent the hole transport layer 104 from being dissolved when the organic light emitting layer 105 is formed.
  • the material used for the interlayer is, for example, a material having the following (formula 4) as a structural unit and a derivative thereof, and its molecular structure is fluorene and It consists of an arylamine. Furthermore, the material used for the interlayer has a cross-link function. Such a material is characterized by a narrow energy gap and a shallow HOMO level.
  • the inventors of the present application have intensively studied an interlayer material capable of obtaining excellent element performance even if it is a coating type organic EL element using a low molecular organic light emitting material as a material of the organic light emitting layer.
  • the inventors of the present application evaluated the luminous efficiency of the organic EL element 100 by paying attention to the physical properties of the material constituting the interlayer.
  • the organic EL element 100 was produced using the material shown in FIG. 3 as the material of the hole transport layer 104 in FIG. 2, and the light emission efficiency of each organic EL element 100 was evaluated.
  • the experiment and the evaluation result will be described.
  • FIG. 3 shows the materials used in this experiment, the energy gap and HOMO level of each material, and the film forming process method of each material.
  • the HOMO level was measured using atmospheric photoelectron spectroscopy, and the energy gap was determined from the absorption edge wavelength by light absorption spectroscopy.
  • NPB is a low-molecular material represented by the following chemical formula (formula 5), and does not contain fluorene but has a structure containing arylamine. “NPB” has an energy gap of 3.05 (eV) and a HOMO level of 5.4 (eV). In this experiment, “NPB” was formed by vapor deposition.
  • TPT1 is a low-molecular material represented by the following chemical formula (formula 6), and does not contain fluorene but has a structure containing arylamine. “TPT1” has an energy gap of 3.05 (eV) and a HOMO level of 5.3 (eV). In this experiment, “TPT1” was formed by vapor deposition.
  • DNTPD is a low-molecular material represented by the following chemical formula (formula 7), and does not include fluorene but includes arylamine. “DNTPD” has an energy gap of 3.05 (eV) and a HOMO level of 5.1 (eV). In this experiment, “DNTPD” was formed by vapor deposition.
  • Poly-TPD is a polymer material having the following (formula 8) as a structural unit, and does not include fluorene but includes arylamine. “Poly-TPD” has an energy gap of 3.00 (eV) and a HOMO level of 5.1 (eV). In this experiment, “Poly-TPD” was formed by a coating method.
  • DMFL-NPB is a low molecular material represented by the following chemical formula (formula 9), and has a structure containing fluorene and arylamine. “DMFL-NPB” has an energy gap of 3.00 (eV) and a HOMO level of 5.3 (eV). In this experiment, “DMFL-NPB” was formed by vapor deposition.
  • NPAPF is a low-molecular material represented by the following chemical formula (Formula 10), and has a structure containing fluorene and arylamine. “NPAPF” has an energy gap of 3.00 (eV) and a HOMO level of 5.3 (eV). In this experiment, “NPAPF” was formed by vapor deposition.
  • NPBAPF is a low molecular material represented by the following chemical formula (formula 11), and has a structure containing fluorene and arylamine. “NPBAPF” has an energy gap of 3.10 (eV) and a HOMO level of 5.6 (eV). In this experiment, “NPBAPF” was formed by vapor deposition.
  • F8-TPA is a polymer material having the following (formula 12) as a structural unit, and has a structure containing fluorene and arylamine. “F8-TPA” has an energy gap of 2.95 (eV) and a HOMO level of 5.4 (eV). In this experiment, “F8-TPA” was formed by a coating method.
  • the organic light-emitting layer includes a host material having an energy gap of 2.95 (eV) and a HOMO level of 5.8 (eV), an energy gap of 2.80 (eV), and a HOMO.
  • a dopant material having a level of 5.3 (eV) is used.
  • FIG. 4 shows the relationship between the energy gap of each material and the luminous efficiency of the organic EL element when an organic EL element is manufactured using each material of FIG.
  • Luminous efficiency of organic EL devices using “F8-TPA”, “DMFL-NPB”, “NPAPF”, “TPT1”, “NPB” and “NPBAPF” in the hole transport layer is large in the energy gap of the material. It can be seen that the higher the energy gap, the higher the luminous efficiency.
  • a single-layer PLQE obtained by co-evaporating each material shown in FIG. 3 except the polymer materials “F8-TPA” and “Poly-TPD” and the dopant material of the organic light emitting layer at a film formation rate ratio of 1: 1. was measured.
  • PLQE is the ratio between the number of photons absorbed by the material and the number of photons emitted from the material when the single layer film set in the integrating sphere is irradiated with excitation light.
  • FIG. 5 shows the relationship between the HOMO level of each of the materials and PLQE.
  • the HOMO level is shallower than the dopant material of the organic light-emitting layer, and the PLQE value is lowered only by the “DNTPD” co-deposited film. It was. In this PLQE evaluation, 420 nm excitation light was used to selectively excite the dopant.
  • FIG. 6 is an energy diagram of an organic light-emitting layer and a hole transport layer in an organic EL element when “DNTPD” or “Poly-TPD” is used as the hole transport layer.
  • the organic EL element when the HOMO level of the hole transport layer is shallower than the HOMO level of the dopant material of the organic light emitting layer, at the interface between the hole transport layer and the organic light emitting layer. Then, an exciplex is formed between two molecules of the host material of the organic light emitting layer and the material of the hole transport layer, and light emission or quenching is performed.
  • the materials having low luminous efficiency (“DNTPD” and “Poly-TPD”) are considered to have formed an exciplex with the organic light emitting layer 105 because the HOMO level is shallow. As a result, it is considered that the luminous efficiency is lowered.
  • the inventors of the present application have used a material having a desired energy gap and a desired HOMO level as an underlying layer of the organic light emitting layer.
  • the inventors have found that energy transfer from the organic light emitting layer to the interlayer can be suppressed to suppress quenching between the organic light emitting layer and the interlayer, thereby improving luminous efficiency.
  • the dopant of the organic light emitting layer 5 It has been found that an organic EL element having excellent luminous efficiency can be realized by using the interlayer 4 having a material having an energy gap larger than that of the material and deeper than the HOMO level of the dopant material of the organic light emitting layer 5.
  • the energy gap of the material constituting the interlayer 4 should be larger than the energy gap of the host material of the organic light emitting layer 5.
  • the energy gap of the material constituting the interlayer 4 is preferably 2.95 eV or more.
  • the luminous efficiency is saturated when the energy gap is 3.10 eV or more, and the energy gap of the material constituting the interlayer 4 is further preferably 3.10 eV or more.
  • the HOMO level of the material constituting the interlayer 4 should be substantially the same as the HOMO level of the host material of the organic light emitting layer 5 in order to reliably obtain an organic EL element with high luminous efficiency. .
  • the organic EL element 10 even if it is a coating type organic EL element using a low-molecular organic light-emitting material for the organic light-emitting layer 5, the dopant material of the organic light-emitting layer 5 is used.
  • the interlayer 4 made of a material having a large energy gap and deeper than the HOMO level of the dopant material of the organic light emitting layer 5, an organic EL element having high light emission efficiency can be realized.
  • the inventors of the present application focused on the material constituting the interlayer and evaluated the lifetime characteristics of the organic EL element 100.
  • FIG. 7 is a diagram showing the lifetime characteristics of each organic EL element when an organic EL element is produced using each material shown in FIG.
  • LT97 represents a life characteristic, and represents the time required for the luminance to decrease to 97% with the initial luminance set to 100%.
  • an organic EL device manufactured using a material containing both fluorene and arylamine (“DMFL-NPB”, “NPAPPF”, “NPBAPF”, “F8-TPA”) has a short lifetime.
  • an organic EL element manufactured using a material (“NPB”, “TPT1”) that does not contain fluorene and contains an arylamine has a long lifetime.
  • the lifetime of the organic EL device using a material containing arylamine (“NPB”, “TPT1”) that does not contain fluorene is the material containing “fluorene and arylamine” (“DMFL-NPB”, “ NPAPF ”,“ NPBAPF ”) is used, and the lifetime of the organic EL element is about 10 times or more.
  • FIG. 8 is a diagram showing voltage-luminance characteristics before and after the lifetime evaluation of each organic EL element when the organic EL element is manufactured using “NPB” and “NPAPF”.
  • NPAPF a material containing fluorene and arylamine.
  • the voltage required to obtain a luminance of 1000 cd / m 2 is an organic EL element manufactured using “NPB” which is a material that does not contain fluorene but contains arylamine.
  • the organic EL element fabricated using “NPAPF” which is a material containing fluorene and arylamine is increased by 0.6V.
  • the organic EL element using “NPAPF” containing fluorene and arylamine has the same brightness as the organic EL element using “NPB” containing no aryl and containing fluorene.
  • the amount of increase in required voltage is large.
  • the emission ability of the light emitting layer is decreased, whereas fluorene and
  • an organic EL device manufactured using “NPAPPF” which is a material containing an arylamine it is considered that not only the light emission capability of the light emitting layer is lowered but also “NPAPPF” itself is deteriorated. More specifically, it is considered that the fluorene portion of “NPAPF” is deteriorated due to the energization of the life evaluation.
  • the present inventors have determined that the lifetime of the organic EL element can be reduced by configuring the interlayer material that is the base of the organic light emitting layer not to contain fluorene. The knowledge that the fall of can be suppressed was acquired.
  • the material of the layer 4 is a material having at least one of a crosslinkable group and an insolubilizing group and having the above (Formula 1), (Formula 2), or (Formula 3) as a structural unit, It has been found that an organic EL device having a long lifetime can be realized by using a material containing arylamine and not containing fluorene.
  • the organic EL element 10 even if it is a coating type organic EL element using a low-molecular organic light-emitting material for the organic light-emitting layer 5, at least a crosslinkable group and an insolubilizing group are present.
  • the layer 4 an organic EL element having a long lifetime can be realized.
  • the material of the interlayer 4 has a cross-link function, it is possible to suppress the dissolution of the interlayer 4 when the organic light emitting layer 5 is formed by a coating method.
  • a long organic EL element can be realized.
  • the material of the interlayer 4 has a larger energy gap than the dopant material of the organic light emitting layer 5 and the HOMO level of the dopant material of the organic light emitting layer 5.
  • a material containing an arylamine as a structural unit and not containing fluorene may be used as the interlayer 4.
  • the organic EL element 10 As described above, according to the organic EL element 10 according to the present embodiment, it is possible to obtain an organic EL element having high element performance even if it is a coating type organic EL element using a low molecular organic light emitting material for an organic light emitting layer. Can do.
  • the organic EL element 10 configured as described above can be used for a display device, for example.
  • an organic EL display device can be realized by forming the organic EL element 10 in each of a plurality of pixels arranged in a matrix.
  • an RGB full-color organic EL display device can be realized by changing the organic light emitting material of the organic light emitting layer of the organic EL element constituting one pixel for each element.
  • the organic EL display device may be driven by either a passive matrix driving method or an active matrix driving method.
  • the organic light emitting layer 5 made of a low molecular material is formed by a coating method, but may be formed by a vapor deposition method.
  • the first electrode 2 is formed by a sputtering method
  • the hole injection layer 3 is formed by a coating method or a sputtering method
  • the electron transport layer 6, the electron injection layer 7 and the second electrode 8 are deposited.
  • the organic EL element is used for a display device.
  • the organic EL element 10 in the above embodiment can be used for a light emitting device other than the display device.
  • the organic EL element can be used in a lighting device such as an organic EL lighting panel.
  • the technology of the present disclosure is useful for an organic EL element and a display device, for example, a display device such as a television receiver, a monitor display, a digital signage, a portable terminal or a tablet terminal, or a lighting device such as a ceiling light or indirect illumination. It can be widely used for various light emitting devices.
  • a display device such as a television receiver, a monitor display, a digital signage, a portable terminal or a tablet terminal, or a lighting device such as a ceiling light or indirect illumination. It can be widely used for various light emitting devices.

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Abstract

　有機ＥＬ素子（１０）は、第１電極（２）と、第１電極（２）の上方に形成されたインターレイヤー（４）と、インターレイヤー（４）を下地として形成された有機発光層（５）と、有機発光層（５）の上方に形成された第２電極（８）とを備え、有機発光層（５）は、少なくともホスト材料とドーパント材料とを含み、インターレイヤー（４）は、前記ドーパント材料よりもエネルギーギャップが大きく、かつ、前記ドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも深い材料で構成されている。

Description

有機ＥＬ素子及び表示装置
　本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子及びこれを用いた表示装置に関する。
　有機ＥＬ素子は、ディスプレイや照明等、様々な発光装置への応用が期待されている。例えば、有機ＥＬ素子を画素に用いた有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示パネル）が挙げられる。
　有機ＥＬ素子は、基板、陽極、有機発光層及び陰極から構成されている。また、有機ＥＬ素子は、必要に応じて、有機発光層と陽極又は陰極との間に電荷注入層や電荷輸送層等の電荷機能層が形成される。
　有機ＥＬ素子としては、低分子有機発光材料を蒸着することで有機発光層を形成する蒸着型有機ＥＬ素子がある。蒸着型有機ＥＬ素子は非常に高い素子性能を示すが、蒸着プロセスは材料の利用効率が低く、高真空下で成膜を行うため、コストが高いという課題もある。
　一方、高分子有機発光材料を塗布（印刷）することで有機発光層を形成する塗布型有機ＥＬ素子がある。塗布プロセスは有機発光材料を溶解させたインクを必要量だけ塗布して形成し、かつ、大気圧下で成膜することが可能なため、コストが安いというメリットがある。例えば、特許文献１には、塗布型有機ＥＬ素子が開示されている。また、特許文献１では、発光層を塗布で形成する際に、下地層を溶解させてしまわないように、下地層にクロスリンク機能を持たせている（以降、クロスリンク機能を有する発光層の下地層をインターレイヤーという）。しかしながら、このようなインターレイヤーを用いた場合でも、低分子有機発光材料に比べて、高分子有機発光材料の素子性能は不十分であるという課題があった。
　そこで、低分子有機発光材料を塗布で形成するという取り組みが行われている（例えば特許文献２）。
国際公開第２００５／０５２０２７号 特開２００６－１９０７５９号公報
　しかしながら、インターレイヤーを用いた塗布型有機ＥＬ素子において、有機発光材料を高分子有機発光材料から低分子有機発光材料に置き換えても、蒸着型有機ＥＬ素子に比べて、素子性能が低くなってしまうという課題があった。特に、有機発光層の材料として青色有機発光材料を用いた場合、塗布型有機ＥＬ素子では極めて発光効率が低くなる。また、有機発光層の材料として青色有機発光材料を用いた場合、塗布型有機ＥＬ素子では極めて寿命が低くなる。
　本開示は、上記課題を解決するためになされたものであり、低分子有機発光材料を有機発光層に用いた塗布型有機ＥＬ素子であっても高い素子性能を有する有機ＥＬ素子及び表示装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、第１の有機ＥＬ素子の一態様は、第１電極と、前記第１電極の上方に形成されたインターレイヤーと、前記インターレイヤーを下地として形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された第２電極とを備え、前記有機発光層は、少なくともホスト材料とドーパント材料とを含み、前記インターレイヤーは、前記ドーパント材料よりもエネルギーギャップが大きく、かつ、前記ドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも深い材料で構成されていることを特徴とする。
　上記目的を達成するために、第２の有機ＥＬ素子の一態様は、第１電極と、前記第１電極の上方に形成されたインターレイヤーと、前記インターレイヤーを下地として形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された第２電極とを備え、前記有機発光層は、少なくともホスト材料とドーパント材料とを含み、前記インターレイヤーの材料は、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、（式１）、（式２）、又は（式３）を構成単位とする材料であって、前記構成単位にアリールアミンを含み、かつフルオレンを含まないことを特徴とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　（式１）において、Ａｒ１１～Ａｒ１５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ａは０から３の整数を表している。
　（式２）において、Ａｒ２１～Ａｒ２５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｂは０から３の整数を表している。
　（式３）において、Ａｒ３１～Ａｒ３６は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｃは０から３の整数を表している。
　また、Ａｒ１１～Ａｒ１５、Ａｒ２１～Ａｒ２５、又は、Ａｒ３１～Ａｒ３６を表す芳香族基は、縮合多環構造を含んでいてもよいし、ヘテロ環（複素環）構造を含んでいてもよい。
　低分子有機発光材料を有機発光層に用いた塗布型有機ＥＬ素子であったとしても、高い素子性能を有する有機ＥＬ素子を得ることができる。
図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ素子の断面図である。 図２は、本実験で用いた有機ＥＬ素子の断面図である。 図３は、本実験で用いた各材料のエネルギーギャップ及びＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位と各材料の成膜プロセス方法とを示す図である。 図４は、図３の各材料を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合における、当該各材料のエネルギーギャップと有機ＥＬ素子の発光効率との関係を示す図である。 図５は、図３の各材料を用いて有機発光層のドーパント材料との混合膜を作製した場合における、当該各材料のＨＯＭＯ準位（エネルギー値）とＰＬ発光量子収率（ＰＬＱＥ：Ｐｈｏｔｏ　Ｌｕｍｉｎｅｃｅｎｓｅ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）との関係を示す図である。 図６は、「ＤＮＴＰＤ」もしくは「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」を用いた場合の、有機ＥＬ素子における有機発光層と正孔輸送層とのエネルギーダイアグラムである。 図７は、図３の各材料を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合における各有機ＥＬ素子の寿命特性を示す図である。 図８は、「ＮＰＢ」及び「ＮＰＡＰＦ」を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合における各有機ＥＬ素子の寿命評価前後の電圧－輝度特性を示す図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
　（実施の形態）
　［有機ＥＬ素子の構成］
　まず、実施の形態に係る有機ＥＬ素子１０について、図１を用いて説明する。図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ素子の断面図である。
　図１に示すように、有機ＥＬ素子１０は、基板１と、第１電極２と、正孔注入層３と、インターレイヤー４と、有機発光層５と、電子輸送層６と、電子注入層７と、第２電極８とがこの順で積層された構成である。
　本実施の形態における有機ＥＬ素子１０は、少なくとも有機発光層５が塗布法で形成された塗布型有機ＥＬ素子である。一例として、有機ＥＬ素子１０では、第１電極２がスパッタリング法で形成され、正孔注入層３、インターレイヤー４及び有機発光層５が塗布法（印刷法）で形成され、電子輸送層６、電子注入層７及び第２電極８が蒸着法で形成される。
　基板１は、透明基板等の光透過性を有する透光基板であり、例えば、ガラス材からなるガラス基板である。なお、基板１は、ガラス基板に限るものではなく、ポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の透光性樹脂材料からなる透光性樹脂基板や、有機ＥＬ表示装置のバックプレーンであるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板であってもよい。
　第１電極２は、下部電極であり、基板１の上に形成される。第１電極２は、透光性を有する透明電極であって、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料からなる透明導電膜が用いられる。本実施の形態における第１電極２は、ＩＴＯ膜からなる透明電極である。また、本実施の形態において、第１電極２は、陽極（アノード）である。なお、第１電極２は、透明電極に限るものではなく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）、あるいは、アルミニウム又は銀の合金等、反射性を有する反射電極であってもよいし、反射電極と透明電極とが積層されたものであってもよい。
　正孔注入層３は、第１電極２の上に形成される。正孔注入層３は、第１電極２と有機発光層５との間に介在し、有機発光層５に正孔を注入する機能を有する。
　正孔注入層３の材料としては、例えば、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が用いられる。具体的には、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）が用いられる。また、正孔注入層３は、金属酸化物を用いられてもよい。具体的にはタングステン（Ｗ）、モリブテン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）等の酸化物が用いられる。本実施の形態において、正孔注入層３は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳである。
　インターレイヤー４は、第１電極２の上方に形成される。本実施の形態において、インターレイヤー４は、正孔注入層３の上に形成される。インターレイヤー４は、有機発光層５の下地層であり、クロスリンク機能を有する。クロスリンク機能とは、架橋性基又は不溶化基が熱あるいは紫外光等のエネルギー線の照射もしくはその組み合わせにより、化学変化し、有機溶媒や水に対し不溶化する機能のことをいう。クロスリンク機能を有するインターレイヤー４を形成することによって、有機発光層５を塗布法で形成する際に、インターレイヤー４を溶解させてしまうことを抑制することができる。
　また、インターレイヤー４は、正孔注入層３と有機発光層５との間に介在し、正孔注入層３から注入された電荷（本実施の形態では、正孔）を有機発光層５へ輸送する機能を有する。
　本実施の形態において、インターレイヤー４は、クロスリンク機能を有する材料によって構成される。また、インターレイヤー４は、有機発光層５のドーパント材料よりもエネルギーギャップ（Ｅｇ）が大きい材料で構成される。本実施の形態においては、インターレイヤー４は、有機発光層５のホスト材料よりもＥｇが大きい材料で構成される。例えば、インターレイヤー４を構成する材料のエネルギーギャップは、２．９５ｅＶ以上であり、好ましくは、３．１０ｅＶ以上である。なお、Ｅｇは、ＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位とのエネルギー差である。
　ＨＯＭＯ準位の測定法としては、例えば、大気中光電子分光法、電気化学的手法（サイクリックボルタメトリー）、又は、光電子分光法（ＰＥＳ）等が挙げられる。一方、ＬＵＭＯ準位の測定法としては、例えば、逆光電子分光法（ＩＰＥＳ）、又は、光吸収分光法により吸収端から求めたエネルギーギャップ(ｅｎｅｒｇｙ　ｇａｐ）とＨＯＭＯ準位とから算出する方法等が挙げられる。また、それぞれの準位を分子起動法計算を用いて、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位を算出する手法を用いてもよい。
　また、インターレイヤー４は、有機発光層５のドーパント材料よりもＨＯＭＯ準位が深い材料で構成される。つまり、インターレイヤー４のＨＯＭＯ準位は、有機発光層５のドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりもエネルギー準位が大きい材料で構成される。本実施の形態において、インターレイヤー４を構成する材料のＨＯＭＯ準位は、有機発光層５のホスト材料のＨＯＭＯ準位と略同等である。
　インターレイヤー４の材料としては、例えば、以下の（式１）、（式２）又は（式３）を構成単位とする材料を用いることができる。具体的には、インターレイヤー４の材料は、架橋性基又は不溶化基の少なくとも１つを有し、（式１）、（式２）又は（式３）を構成単位とする材料であって、構成単位にアリールアミンを含み、フルオレンを含まない材料である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　（式１）において、Ａｒ１１～Ａｒ１５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ａは０から３の整数を表している。
　（式２）において、Ａｒ２１～Ａｒ２５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｂは０から３の整数を表している。
　（式３）において、Ａｒ３１～Ａｒ３６は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｃは０から３の整数を表している。
　また、前記Ａｒ１１～Ａｒ１５、Ａｒ２１～Ａｒ２５、又は、Ａｒ３１～Ａｒ３６を表す芳香族基は、縮合多環構造を含んでいてもよいし、ヘテロ環（複素環）構造を含んでいてもよい。
　また、インターレイヤー４は、有機発光層５から第１電極２側への電荷（本実施の形態では、電子）の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、有機発光層５の励起状態の消光を抑制する機能等を有しているとよい。
　有機発光層５は、インターレイヤー４の上に形成される。具体的に、有機発光層５は、インターレイヤー４を下地として塗布プロセス（塗布法）で形成される。有機発光層５の材料としては低分子材料を用いる。一例として、有機発光層５は、低分子青色有機発光材料によって構成された青色発光層である。ここで、低分子材料とは分子量が５０００以下の化合物を指す。
　また、有機発光層５は、陽極（本実施の形態では第１電極２）から注入された正孔と、陰極（本実施の形態では第２電極８）から注入された電子とが、有機発光層５内で再結合することで励起子が生成されて発光する層である。
　有機発光層５は、ドーパント材料単独で構成されていてもよいが、より好ましくは、ホスト材料とドーパント材料とを含む方がよい。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。
　ホスト材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上であってもよい。ドーパント材料の量は、ホスト材料に対して、０．０１重量％～３０重量％であるとよく、より好ましくは、０．０１重量％～１０重量％である。なお、２種類以上のホスト材料を含む場合、有機発光層５のホスト材料とは、最もエネルギーギャップの小さいホスト材料のことを指す。
　有機発光層５のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。
　アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。
　縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、ペリレン誘導体、等が挙げられる。
　ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
　また、有機発光層５のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、クリセン誘導体、が用いられる。また、有機発光層５のドーパント材料としては、金属錯体を用いてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。
　電子輸送層６は、有機発光層５の上に形成される。電子輸送層６は、有機発光層５と第２電極８との間に介在し、第２電極８から注入された電子を有機発光層５へ輸送する機能を有する。なお、電子輸送層６は、さらに、有機発光層５から第２電極８側への電荷（本実施の形態では正孔）の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、有機発光層５の励起状態の消光を抑制する機能等を有しているとよい。
　電子輸送層６の材料としては、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が用いられる。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。
　電子注入層７は、電子輸送層６の上に形成される。電子注入層７は、電子輸送層６と第２電極８との間に介在し、有機発光層５に電子を注入する機能を有する。
　電子注入層７の材料としては、例えば、金属、金属フッ化物、金属酸化物が用いられる。金属、金属フッ化物及び金属酸化物としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の金属、及び、そのフッ化物、酸化物が挙げられる。また、電子注入層７の材料としては、金属錯体を用いてもよい。金属錯体としては、例えば、８－キノリノラトナトリウム、８－キノリノラトリチウム、リチウム２－（２－ピリジル）フェノラート、リチウム２－（２’,２’’－ビピリジン－６’－イル）フェノラート等が挙げられる。
　第２電極８は、電子輸送層６の上に形成される。本実施の形態における第２電極８は、光反射性を有する反射電極であり、例えば反射性を有する金属材料を用いて形成された金属電極である。また、本実施の形態において、第２電極８は、陰極（カソード）である。
　第２電極８の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム－リチウム合金、マグネシウム－銀合金等が用いられる。なお、第２電極８は、反射電極に限るものではなく、第１電極２と同様に、ＩＴＯ膜等の透明電極としてもよい。
　このように構成される有機ＥＬ素子１０は、電源線（不図示）等を介して第１電極２と第２電極８との間に所定の電圧が印加されると、第１電極２及び第２電極８からそれぞれ正孔及び電子が有機発光層５に注入される。そして、正孔と電子とが有機発光層５で結合することにより光が発生する。
　本実施の形態では、基板１及び第１電極２が透光性を有し、第２電極８が反射性を有するので、有機ＥＬ素子１０は、基板１側から光が放出するボトムエミッション構造である。なお、有機ＥＬ素子１０は、ボトムエミッション構造に限るものではなく、トップエミッション構造であってもよい。
　［有機ＥＬ素子の特徴］
　次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１０の特徴について、本開示の技術に至った経緯も含めて説明する。
　一般的に、有機ＥＬ素子は、基板上に、陽極、有機発光層及び陰極が積層された構造となっており、さらに、必要に応じて、有機発光層と陽極又は陰極との間に電荷注入層や電荷輸送層等の電荷機能層が形成される。
　有機ＥＬ素子１００は、例えば、図２に示すように、基板１０１と、第１電極（陽極）１０２と、正孔注入層１０３と、正孔輸送層１０４と、有機発光層１０５と、電子輸送層１０６と、電子注入層１０７と、第２電極（陰極）１０８とがこの順で積層された構成である。
　有機発光材料を蒸着することで有機発光層１０５を形成する蒸着型有機ＥＬ素子の場合、例えば、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、有機発光層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７及び第２電極１０８の各々を蒸着法で順次形成する。
　一方、有機発光材料を塗布（印刷）することで有機発光層１０５を形成する塗布型の有機ＥＬ素子の場合では、正孔注入層１０３を塗布法（印刷法）もしくはスパッタリング法で形成し、さらに、正孔注入層１０３の上に、正孔輸送層１０４と有機発光層１０５とを塗布法（印刷法）で形成し、さらに、有機発光層１０５の上に電子輸送層１０６と電子注入層１０７と第２電極（陰極）１０８とを蒸着法で形成する。
　有機発光層１０５を塗布法で形成する場合、正孔輸送層１０４は、有機発光層１０５の下地層として、クロスリンク機能を持ったインターレイヤーを用いる必要がある。そうすることで、有機発光層１０５を形成する際に、正孔輸送層１０４を溶解させてしまうことを抑制することができる。
　インターレイヤーに用いられる材料は、正孔輸送性と溶解性とを制御するために、例えば、以下の（式４）を構成単位とする材料、及び、その誘導体であり、その分子構造はフルオレンとアリールアミンとからなる。さらに、インターレイヤーに用いられる材料は、クロスリンク機能を有する。このような材料は、エネルギーギャップが狭く、ＨＯＭＯ準位が浅いという特徴を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　本願発明者らは、有機発光層の材料として低分子有機発光材料を用いた塗布型有機ＥＬ素子であったとしても、優れた素子性能を得ることができるインターレイヤーの材料について鋭意検討した。
　まず、本願発明者らは、インターレイヤーを構成する材料の物性に着目し、有機ＥＬ素子１００の発光効率について評価した。
　具体的には、図３に示される材料を図２の正孔輸送層１０４の材料として用いて有機ＥＬ素子１００を作製し、各有機ＥＬ素子１００の発光効率を評価した。以下、その実験と評価結果について説明する。
　まず、本実験に用いた具体的な材料について、図３を用いて説明する。図３は、本実験で用いた材料と各材料のエネルギーギャップ及びＨＯＭＯ準位と各材料の成膜プロセス方法とを示している。なお、本実験において、ＨＯＭＯ準位は、大気中光電子分光法を用いて測定し、エネルギーギャップは、光吸収分光法により吸収端波長から求めた。
　「ＮＰＢ」は、以下の（式５）の化学式で表される低分子材料であって、フルオレンを含まず、アリールアミンを含む構造である。また、「ＮＰＢ」は、エネルギーギャップが３．０５（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．４（ｅＶ）である。本実験において、「ＮＰＢ」は、蒸着法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　「ＴＰＴ１」は、以下の（式６）の化学式で表される低分子材料であって、フルオレンを含まず、アリールアミンを含む構造である。また、「ＴＰＴ１」は、エネルギーギャップが３．０５（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．３（ｅＶ）である。本実験において、「ＴＰＴ１」は、蒸着法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　「ＤＮＴＰＤ」は、以下の（式７）の化学式で表される低分子材料であって、フルオレンを含まず、アリールアミンを含む構造である。また、「ＤＮＴＰＤ」は、エネルギーギャップが３．０５（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．１（ｅＶ）である。本実験において、「ＤＮＴＰＤ」は、蒸着法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」は、以下の（式８）を構成単位とする高分子材料であって、フルオレンを含まず、アリールアミンを含む構造である。また、「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」は、エネルギーギャップが３．００（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．１（ｅＶ）である。本実験において、「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」は、塗布法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　「ＤＭＦＬ－ＮＰＢ」は、以下の（式９）の化学式で表される低分子材料であって、フルオレン及びアリールアミンを含む構造である。また、「ＤＭＦＬ－ＮＰＢ」、エネルギーギャップが３．００（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．３（ｅＶ）である。本実験において、「ＤＭＦＬ－ＮＰＢ」は、蒸着法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　「ＮＰＡＰＦ」は、以下の（式１０）の化学式で表される低分子材料であって、フルオレン及びアリールアミンを含む構造である。また、「ＮＰＡＰＦ」は、エネルギーギャップが３．００（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．３（ｅＶ）である。本実験において、「ＮＰＡＰＦ」は、蒸着法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　「ＮＰＢＡＰＦ」は、以下の（式１１）の化学式で表される低分子材料であって、フルオレン及びアリールアミンを含む構造である。また、「ＮＰＢＡＰＦ」は、エネルギーギャップが３．１０（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．６（ｅＶ）である。本実験において、「ＮＰＢＡＰＦ」は、蒸着法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　「Ｆ８－ＴＰＡ」は、以下の（式１２）を構成単位とする高分子材料であって、フルオレン及びアリールアミンを含む構造である。また、「Ｆ８－ＴＰＡ」は、エネルギーギャップが２．９５（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．４（ｅＶ）である。本実験において、「Ｆ８－ＴＰＡ」は、塗布法によって形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　なお、本実験において、有機発光層としては、エネルギーギャップが２．９５（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．８（ｅＶ）のホスト材料と、エネルギーギャップが２．８０（ｅＶ）で、ＨＯＭＯ準位が５．３（ｅＶ）のドーパント材料を用いている。
　図４は、図３の各材料を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合における、当該各材料のエネルギーギャップと有機ＥＬ素子の発光効率との関係を示している。「Ｆ８－ＴＰＡ」、「ＤＭＦＬ－ＮＰＢ」、「ＮＰＡＰＦ」、「ＴＰＴ１」、「ＮＰＢ」及び「ＮＰＢＡＰＦ」を正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子の発光効率は、材料のエネルギーギャップの大きさに依存して変化しており、エネルギーギャップが大きいほど、高い発光効率を得られることが分かる。
　一方、「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」及び「ＤＮＴＰＤ」を正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子の発光効率は、エネルギーギャップに関わらず低い発光効率となっている。そこで、高分子材料の「Ｆ８－ＴＰＡ」と「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」を除く、図３の各材料と有機発光層のドーパント材料とを成膜レート比１：１で共蒸着した単層膜のＰＬＱＥについて測定を行った。ＰＬＱＥは積分球内にセットした単層膜に対して励起光を照射した際の、材料に吸収されたフォトン数と、材料から放出されたフォトン数との比率である。当該各材料のＨＯＭＯ準位とＰＬＱＥとの関係を図５に示しているが、ＨＯＭＯ準位が有機発光層のドーパント材料より浅い、「ＤＮＴＰＤ」の共蒸着膜のみでＰＬＱＥの値が低下していた。今回のＰＬＱＥ評価には、選択的にドーパントを励起するために、４２０ｎｍの励起光を用いた。
　このときの現象について、図６を用いて説明する。図６は、正孔輸送層として「ＤＮＴＰＤ」もしくは「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」を用いた場合の、有機ＥＬ素子における有機発光層と正孔輸送層とのエネルギーダイアグラムである。
　図６に示すように、有機ＥＬ素子では、正孔輸送層のＨＯＭＯ準位が、有機発光層のドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い場合に、正孔輸送層と有機発光層との界面において、有機発光層のホスト材料と、正孔輸送層の材料との２分子間でエキサイプレックス（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ）を形成し、発光又は消光する。
　図５において発光効率が低かった材料（「ＤＮＴＰＤ」及び「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」）は、ＨＯＭＯ準位が浅いために、有機発光層１０５とエキサイプレックスを形成したと考えられる。この結果、発光効率が低くなったと考えられる。
　以上の実験結果及び評価をもとにして鋭意検討した結果、本願発明者らは、有機発光層の下地となるインターレイヤーとして、所望のエネルギーギャップ及び所望のＨＯＭＯ準位を有する材料を用いることによって、有機発光層からインターレイヤーへのエネルギー移動を抑制して有機発光層とインターレイヤーとの間での消光を抑制して発光効率を改善できるという知見を得た。
　そして、本願発明者らは、図１に示す有機ＥＬ素子１０のように、低分子有機発光材料を用いて塗布法によって有機発光層５を形成した塗布型有機ＥＬ素子であったとしても、有機発光層５のドーパント材料よりもエネルギーギャップが大きく、かつ、有機発光層５のドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも深い材料のインターレイヤー４を用いることによって、発光効率が高い有機ＥＬ素子を実現できることを見出した。
　特に、これまでは、有機発光層５の材料として低分子青色有機発光材料を用いた塗布型有機ＥＬ素子の発光効率を高くすることが難しかったが、上記のように、有機発光層５のドーパント材料よりもエネルギーギャップが大きく、かつ、有機発光層５のドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも深い材料のインターレイヤー４を用いることによって、優れた発光効率を有する有機ＥＬ素子を実現できることが分かった。
　また、発光効率がより高い有機ＥＬ素子を実現するには、インターレイヤー４を構成する材料のエネルギーギャップは、有機発光層５のホスト材料のエネルギーギャップよりも大きくするとよいことも分かった。
　この場合、図４に示すように、ある水準以上の発光効率を得るには、インターレイヤー４を構成する材料のエネルギーギャップは、２．９５ｅＶ以上にするとよい。
　また、図４に示すように、エネルギーギャップが３．１０ｅＶ以上になると発光効率が飽和すると考えられ、インターレイヤー４を構成する材料のエネルギーギャップとしては、３．１０ｅＶ以上であるとさらによい。
　また、発光効率が高い有機ＥＬ素子を確実に得るには、インターレイヤー４を構成する材料のＨＯＭＯ準位を、有機発光層５のホスト材料のＨＯＭＯ準位と略同等にするとよいことも分かった。
　このように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１０によれば、低分子有機発光材料を有機発光層５に用いた塗布型有機ＥＬ素子であったとしても、有機発光層５のドーパント材料よりもエネルギーギャップが大きく、かつ、有機発光層５のドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも深い材料のインターレイヤー４を用いることによって、発光効率が高い有機ＥＬ素子を実現できる。
　さらに、本願発明者らは、インターレイヤーを構成する材料に着目し、有機ＥＬ素子１００の寿命特性についても評価した。
　図７は、図３の各材料を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合における、各有機ＥＬ素子の寿命特性を示す図である。
　図７において、「ＬＴ９７」は、寿命特性を表しており、初期輝度を１００％として輝度が９７％に低下するのに要した時間を表している。
　図７に示すように、フルオレン及びアリールアミンの両方を含む材料（「ＤＭＦＬ－ＮＰＢ」、「ＮＰＡＰＦ」、「ＮＰＢＡＰＦ」、「Ｆ８－ＴＰＡ」）を用いて作製した有機ＥＬ素子は、寿命が短い。一方、フルオレンを含まずアリールアミンを含む材料（「ＮＰＢ」、「ＴＰＴ１」）を用いて作製した有機ＥＬ素子は、寿命が長い。
　具体的には、フルオレンを含まずアリールアミンを含む材料（「ＮＰＢ」、「ＴＰＴ１」）を用いた場合の有機ＥＬ素子の寿命は、フルオレン及びアリールアミンを含む材料（「ＤＭＦＬ－ＮＰＢ」、「ＮＰＡＰＦ」、「ＮＰＢＡＰＦ」）を用いた場合の有機ＥＬ素子の寿命の約１０倍以上となっている。
　このように、フルオレンを含まずアリールアミンを含む材料を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合については、寿命が改善することが分かった。
　また、図３に示す材料のうち「ＮＰＢ」及び「ＮＰＡＰＦ」について、寿命評価前後の電圧－輝度特性評価した。図８は、「ＮＰＢ」及び「ＮＰＡＰＦ」を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合における、各有機ＥＬ素子の寿命評価前後の電圧－輝度特性を示す図である。
　なお、図８において、「ＮＰＢ　Ｉｎｉ．」及び「ＮＰＡＰＦ　Ｉｎｉ．」は、初期状態の電圧－輝度特性を示しており、「ＮＰＢ　ＬＴ７５」及び「ＮＰＡＰＦ　ＬＴ７５」は、初期輝度を１００％として輝度が７５％に低下したときの電圧－輝度特性を示している。
　図８に示すように、フルオレンを含まずアリールアミンを含む材料である「ＮＰＢ」を用いて作製した有機ＥＬ素子の方が、フルオレン及びアリールアミンを含む材料である「ＮＰＡＰＦ」を用いて作製した有機ＥＬ素子よりも、同じ輝度を得るのに必要な電圧の変化量が小さい。
　具体的には、例えば、寿命評価前後において、１０００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るのに必要な電圧は、フルオレンを含まずアリールアミンを含む材料である「ＮＰＢ」を用いて作製した有機ＥＬ素子では、０．２Ｖ増加しているのに対し、フルオレン及びアリールアミンを含む材料である「ＮＰＡＰＦ」を用いて作製した有機ＥＬ素子では、０．６Ｖ増加している。
　言い換えると、フルオレン及びアリールアミンを含む「ＮＰＡＰＦ」を用いた場合の有機ＥＬ素子は、フルオレンを含まずアリールアミンを含む「ＮＰＢ」を用いた場合の有機ＥＬ素子よりも、同じ輝度を得るのに必要な電圧の増加幅が大きくなっている。
　これは寿命評価の通電によって、フルオレンを含まずアリールアミンを含む材料である「ＮＰＢ」を用いて作製した有機ＥＬ素子では、発光層の発光能力の低下が見られているのに対し、フルオレン及びアリールアミンを含む材料である「ＮＰＡＰＦ」を用いて作製した有機ＥＬ素子では、発光層の発光能力の低下だけでなく、「ＮＰＡＰＦ」自体にも劣化が起こっていると考えられる。さらに具体的には、寿命評価の通電によって、「ＮＰＡＰＦ」のフルオレン部位に劣化が起こっていると考えられる。
　以上の実験結果及び評価をもとにして鋭意検討した結果、本願発明者らは、有機発光層の下地となるインターレイヤー材料にフルオレンが含まれないように構成することによって、有機ＥＬ素子の寿命の低下を抑制できるという知見を得た。
　そして、本願発明者らは、図１に示す有機ＥＬ素子１０のように、低分子有機発光材料を用いて塗布法によって有機発光層５を形成した塗布型有機ＥＬ素子であったとしても、インターレイヤー４の材料として、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、上記の（式１）、（式２）、又は（式３）を構成単位とする材料であって、構成単位にアリールアミンを含み、かつ、フルオレンが含まれない材料を用いることによって、寿命の長い有機ＥＬ素子を実現できることを見出した。
　特に、これまでは、有機発光層５の材料として低分子青色有機発光材料を用いた塗布型有機ＥＬ素子では寿命が非常に短かったが、上記のようなインターレイヤー４を用いることによって、寿命の長い有機ＥＬ素子を実現できることが分かった。
　このように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１０によれば、低分子有機発光材料を有機発光層５に用いた塗布型有機ＥＬ素子であったとしても、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、上記の（式１）、（式２）、又は（式３）を構成単位とする材料であって、構成単位にアリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない材料をインターレイヤー４として用いることによって、寿命の長い有機ＥＬ素子を実現できる。この場合、インターレイヤー４の材料がクロスリンク機能を有することで、有機発光層５を塗布法で形成する際に、インターレイヤー４を溶解させてしまうことを抑制することができるので、さらに寿命の長い有機ＥＬ素子を実現できる。
　さらに、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１０において、インターレイヤー４の材料としては、有機発光層５のドーパント材料よりもエネルギーギャップが大きく、かつ、有機発光層５のドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも深い材料を用いつつ、しかも、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、上記の（式１）、（式２）、又は（式３）を構成単位とする材料であって、構成単位にアリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない材料をインターレイヤー４を用いるとよい。これにより、発光効率が高く、かつ、寿命が長い有機ＥＬ素子を実現できる。
　以上、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１０によれば、低分子有機発光材料を有機発光層に用いた塗布型有機ＥＬ素子であったとしても、高い素子性能を有する有機ＥＬ素子を得ることができる。
　また、このように構成される有機ＥＬ素子１０は、例えば、表示装置に用いることができる。具体的には、マトリクス状に配置された複数の画素の各々に有機ＥＬ素子１０を形成することによって有機ＥＬ表示装置を実現することができる。この場合、一画素を構成する有機ＥＬ素子の有機発光層の有機発光材料を素子ごとに代えることによってＲＧＢフルカラーの有機ＥＬ表示装置を実現することができる。なお、有機ＥＬ表示装置としては、パッシブマトリクス駆動方式及びアクティブマトリクス駆動方式のいずれの駆動方式であってもよい。
　（その他変形例等）
　以上、有機ＥＬ素子及び表示装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示の技術は、上記実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、上記実施の形態では、低分子材料からなる有機発光層５は、塗布法によって形成したが、蒸着法によって形成してもよい。
　また、上記実施の形態において、第１電極２はスパッタリング法で形成し、正孔注入層３は塗布法もしくはスパッタリング法で形成し、電子輸送層６、電子注入層７及び第２電極８は蒸着法で形成したが、これに限るものではない。
　また、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子を表示装置に用いたが、上記実施の形態における有機ＥＬ素子１０は、表示装置以外の発光装置に用いることができる。例えば、有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ照明パネル等の照明装置に用いることができる。
　その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
　本開示の技術は、有機ＥＬ素子及び表示装置に有用であり、例えば、テレビ受信機、モニタディスプレイ、デジタルサイネージ、携帯端末又はタブレット端末等のディスプレイデバイスや、シーリングライト又は間接照明等の照明デバイス等、様々な発光デバイスに広く利用することができる。
　１０、１００　有機ＥＬ素子
　１、１０１　基板
　２、１０２　第１電極
　３、１０３　正孔注入層
　４　インターレイヤー
　５、１０５　有機発光層
　６、１０６　電子輸送層
　７、１０７　電子注入層
　８、１０８　第２電極
　１０４　正孔輸送層

Claims (22)

  1. 　第１電極と、
    　前記第１電極の上方に形成されたインターレイヤーと、
    　前記インターレイヤーを下地として形成された有機発光層と、
    　前記有機発光層の上方に形成された第２電極とを備え、
    　前記有機発光層は、少なくともホスト材料とドーパント材料とを含み、
    　前記インターレイヤーは、前記ドーパント材料よりもエネルギーギャップが大きく、かつ、前記ドーパント材料のＨＯＭＯ準位よりも深い材料で構成されている
    　有機ＥＬ素子。
  2. 　前記ホスト材料及び前記ドーパント材料は、低分子材料である
    　請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
  3. 　前記インターレイヤーを構成する材料のエネルギーギャップは、前記ホスト材料のエネルギーギャップよりも大きい
    　請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子。
  4. 　前記インターレイヤーを構成する材料のエネルギーギャップは、２．９５ｅＶ以上である
    　請求項３に記載の有機ＥＬ素子。
  5. 　前記インターレイヤーを構成する材料のエネルギーギャップは、３．１０ｅＶ以上である
    　請求項３に記載の有機ＥＬ素子。
  6. 　前記インターレイヤーを構成する材料のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位と同等である
    　請求項３～５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
  7. 　前記インターレイヤーは、クロスリンク機能を有し、塗布法で形成される
    　請求項３～６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
  8. 　前記有機発光層は、塗布法で形成される
    　請求項７に記載の有機ＥＬ素子。
  9. 　第１電極と、
    　前記第１電極の上方に形成されたインターレイヤーと、
    　前記インターレイヤーを下地として形成された有機発光層と、
    　前記有機発光層の上方に形成された第２電極とを備え、
    　前記有機発光層は、少なくともホスト材料とドーパント材料とを含み、
    　前記インターレイヤーの材料は、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、（式１）を構成単位とする材料であって、アリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない
    　有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
     　（式１）において、Ａｒ１１～Ａｒ１５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ａは０から３の整数を表している。
  10. 　第１電極と、
    　前記第１電極の上方に形成されたインターレイヤーと、
    　前記インターレイヤーを下地として形成された有機発光層と、
    　前記有機発光層の上方に形成された第２電極とを備え、
    　前記有機発光層は、少なくともホスト材料とドーパント材料とを含み、
    　前記インターレイヤーの材料は、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、（式２）を構成単位とする材料であって、アリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない
    　有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
     　（式２）において、Ａｒ２１～Ａｒ２５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｂは０から３の整数を表している。
  11. 　第１電極と、
    　前記第１電極の上方に形成されたインターレイヤーと、
    　前記インターレイヤーを下地として形成された有機発光層と、
    　前記有機発光層の上方に形成された第２電極とを備え、
    　前記有機発光層は、少なくともホスト材料とドーパント材料とを含み、
    　前記インターレイヤーの材料は、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、（式３）を構成単位とする材料であって、アリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない
    　有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
     　（式３）において、Ａｒ３１～Ａｒ３６は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｃは０から３の整数を表している。
  12. 　前記ホスト材料及び前記ドーパント材料は、低分子材料である
    　請求項９～１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
  13. 　前記芳香族基は、縮合多環構造を含む
    　請求項１２に記載の有機ＥＬ素子。
  14. 　前記芳香族基は、ヘテロ環構造を含む
    　請求項１２に記載の有機ＥＬ素子。
  15. 　前記有機発光層は、塗布法で形成される
    　請求項９～１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
  16. 　前記インターレイヤーの材料は、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、（式１）を構成単位とする材料であって、アリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
     　（式１）において、Ａｒ１１～Ａｒ１５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ａは０から３の整数を表している。
  17. 　前記インターレイヤーの材料は、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、（式２）を構成単位とする材料であって、アリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
     　（式２）において、Ａｒ２１～Ａｒ２５は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｂは０から３の整数を表している。
  18. 　前記インターレイヤーの材料は、架橋性基及び不溶化基の少なくとも１つを有し、（式３）を構成単位とする材料であって、アリールアミンを含み、かつ、フルオレンを含まない
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
     　（式３）において、Ａｒ３１～Ａｒ３６は、同一又は異なった、置換又は無置換の芳香族基を表し、ｃは０から３の整数を表している。
  19. 　前記芳香族基は、縮合多環構造を含む
    　請求項１６～１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
  20. 　前記芳香族基は、ヘテロ環構造を含む
    　請求項１６～１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
  21. 　前記有機発光層は、塗布法で形成される
    　請求項１６～２０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
  22. 　請求項１～２１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子を備える
    　表示装置。
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