WO2016056862A1 - 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법 - Google Patents

중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2016056862A1
WO2016056862A1 PCT/KR2015/010671 KR2015010671W WO2016056862A1 WO 2016056862 A1 WO2016056862 A1 WO 2016056862A1 KR 2015010671 W KR2015010671 W KR 2015010671W WO 2016056862 A1 WO2016056862 A1 WO 2016056862A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
hydrogen
chamber
thin film
particle beam
nonvolatile memory
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/010671
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
홍문표
장진녕
Original Assignee
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고려대학교 산학협력단 filed Critical 고려대학교 산학협력단
Priority to US15/517,532 priority Critical patent/US10229834B2/en
Priority to CN201580054847.0A priority patent/CN107112327B/zh
Priority to JP2017518781A priority patent/JP6473958B2/ja
Priority to EP15848274.5A priority patent/EP3206224A4/en
Publication of WO2016056862A1 publication Critical patent/WO2016056862A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/3003—Hydrogenation or deuterisation, e.g. using atomic hydrogen from a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
    • H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42—Bombardment with radiation
    • H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/425—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/685—Hi-Lo semiconductor devices, e.g. memory devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78678—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a nonvolatile memory thin film device using a neutral particle beam generator.
  • an existing mobile proton generation method and a mobile proton-based memory device manufacturing method require a high temperature hydrogen heat treatment process of a long time (more than several ten minutes) and 600 ° C or more.
  • the conventional method of manufacturing a memory device has a problem that a process such as a glass and a plastic film cannot be used to manufacture a memory device because the process is complicated and a long time high temperature heat treatment process is included.
  • the hydrogen heat treatment process is performed after the semiconductor layer is formed, there are also restrictions on the selection and the thermal process of the semiconductor layer material.
  • the chamber of a predetermined size which is a plasma discharge space
  • the gas supply port for supplying the gas in the chamber collides with the plasma ions generated in the chamber to convert the plasma ions into neutral particles CLAIMS 1.
  • a method for manufacturing a nonvolatile memory thin film device using a neutral particle beam generating device including a reflector for converting comprising: disposing a substrate in which a first insulating film is formed; Supplying hydrogen gas for hydrogen plasma generation and an inert gas for plasma generation into the chamber through the gas supply port; Hydrogen plasma ions generated in the chamber collide with the reflector and converted into hydrogen neutral particles; Accumulating the hydrogen neutral particles on a surface of the first insulating layer to form a mobile proton layer; And forming a second insulating film on the mobile proton layer.
  • the reflector of the neutral particle beam generating device is characterized in that the solid plate consisting of particles heavier than the hydrogen particles of the hydrogen gas and lighter than the inert particles of the inert gas.
  • the method for manufacturing a nonvolatile memory thin film device using the neutral particle beam generator according to the present invention is a short time (at a temperature of 300 ° C. or less at a relatively low temperature instead of a long time (several minutes or more) and a high temperature hydrogen heat treatment process of 600 ° C. or more). 10 minutes) to form a mobile proton layer.
  • the process sequence of the existing memory thin film device production line may be used as it is. .
  • the present invention is to form a mobile proton layer to manufacture a thin film device having a nonvolatile memory function, the problem that the substrate such as glass or plastic film could not be used in the manufacture of the memory thin film device due to the long-term high temperature heat treatment process Solve.
  • the present invention enables the fabrication of high-performance non-volatile memory thin film elements on glass or plastic substrates, which can be immediately applied to flexible or wearable devices, which are next-generation ITC products, and are currently impossible to realize due to technical limitations. It also enables the manufacture of conceptual products such as ultra-low power consumption flexible / wearable displays and sensors.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a neutral particle beam generating device.
  • FIG. 2 is a diagram showing a result of measuring a hydrogen element density after forming a mobile proton layer on a single crystal silicon wafer substrate.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a method of manufacturing a nonvolatile memory thin film device according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4 to 7 are diagrams illustrating characteristics of a nano-crystalline Si thin film transistor (nc-Si TFT) on which a mobile proton layer is formed.
  • nc-Si TFT nano-crystalline Si thin film transistor
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a neutral particle beam generating device.
  • the neutral particle beam generating apparatus includes a chamber 101 of a predetermined size which is a plasma discharge space.
  • a gas supply port 102 is disposed at one side of the chamber 101, and the gas supply port 102 may be supplied with a source gas supplying a gas or gas element for plasma formation. This gas supply 102 can be repositioned for plasma generation uniformity.
  • the solid plate which is the reflector 103 is arrange
  • the reflector 103 is applied with a predetermined bias to generate neutral particles from the plasma particles.
  • a support 105 for supporting a substrate is disposed.
  • a plurality of magnetic array limiters 104 are disposed in the chamber 101.
  • the magnet array limiter 104 serves to block electrons and other ions present in the plasma discharge space from approaching the substrate and to selectively send only neutral particles towards the substrate.
  • This magnet array limiter 104 may or may not be installed in the chamber 101.
  • a method of manufacturing a nonvolatile memory thin film device includes a method of forming a mobile proton using a neutral particle beam generating apparatus as shown in FIG. 1, through a heat treatment at a high temperature (600 ° C. or higher).
  • a high temperature 600 ° C. or higher.
  • the mobile proton is accumulated by accumulating hydrogen neutral particles between the first insulating film and the second insulating film in a short time (10 minutes) at a temperature of 300 ° C. or less at a relatively low temperature. It helps to form.
  • a substrate to be formed on the support 105 of the neutral particle beam generating device to form a mobile proton layer.
  • a substrate on which an insulating film is formed may be disposed on the support 105.
  • inert gas for plasma generation and the hydrogen gas for hydrogen plasma generation are supplied to the plasma discharge space through the gas supply port 102.
  • inert gas is gas, such as argon (Ar), krypton (Kr), xenon (Xe). This inert gas may not be used as long as plasma discharge is possible only with hydrogen gas.
  • the inert gas supplied to the gas supply port 102 is plasma discharged to generate plasma particles, and the hydrogen gas collides with the plasma particles in the chamber to become hydrogen plasma ions (or cations).
  • a negative bias of about 10 to several hundred volts may be applied to the reflector 103, and thus hydrogen plasma ions may be induced to the reflector 103.
  • the hydrogen plasma ions collide with the reflector 103, receive electrons from the reflector 103, become hydrogen neutral particles, and receive and reflect energy according to an applied bias.
  • the hydrogen neutral particles pass between the plurality of magnet array limiters 104 and then accumulate on the surface of the substrate (or insulating film) disposed on the support 105 to form a mobile proton layer.
  • hydrogen plasma ions may also contact the surface of the substrate (or the insulating layer) to form a mobile proton layer.
  • a hydrogen particle beam (H-PB) is referred to as including at least one of hydrogen neutral particles and hydrogen plasma ions.
  • the reflector 103 of the neutral particle beam generating apparatus is heavier than hydrogen particles of hydrogen gas introduced through the gas supply port 102, It is characterized by using a neutral particle beam generating device composed of a solid plate composed of light particles.
  • the reflector of the neutral particle beam generating device is preferably a silicon plate.
  • the method of manufacturing a nonvolatile memory thin film device using the neutral particle beam generating apparatus according to the present invention does not require a heat treatment process of high temperature (600 °C or more), the mobile proton in a short time (10 minutes) at low temperature below 300 °C A layer can be formed on a substrate (or insulating film).
  • FIG. 2 is a diagram showing a result of measuring a hydrogen element density after forming a mobile proton layer on a single crystal silicon wafer substrate.
  • FIG. 3 is a view illustrating a method of manufacturing a nonvolatile memory thin film device according to an exemplary embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 3 illustrates a process of manufacturing an especially inverted staggered thin film transistor among nonvolatile memory thin film devices. It is shown.
  • the present invention is not limited only to the manufacturing process of the inverted staggered thin film transistor, and when manufacturing a device having a configuration (ie, a substrate, an insulating film, and a mobile proton layer) of a nonvolatile memory thin film device manufactured according to the present invention, The technical idea of the Inverted Staggered Thin Film Transistor may be equally applied.
  • the present invention provides a method of manufacturing a thin film device having a nonvolatile memory function by forming a mobile proton layer in an insulating film, and for example, by moving the mobile protons in the insulating film when a voltage is applied to the gate electrode.
  • step (a) a gate electrode and a first insulating film are formed on the substrate, and then the substrate on which the first insulating film is formed is placed in a chamber which is a plasma discharge space of the neutral particle beam generating apparatus.
  • Hydrogen gas and an inert gas are supplied into the chamber through a gas supply port, and hydrogen plasma ions generated in the chamber collide with the reflector to be converted into hydrogen neutral particles through plasma discharge, and the hydrogen neutral particles are formed on the surface of the first insulating film.
  • By accumulating a predetermined amount or more in the mobile proton layer is formed.
  • the series of processes in which the mobile proton layer is formed on the surface of the first insulating film is performed in a short time (10 minutes) at a low temperature of 300 ° C or less.
  • Step (b) is a step of depositing a second insulating film on the formed mobile proton layer by a process such as PECVD after step (a), so that a mobile proton layer is formed between the first insulating film and the second insulating film. .
  • steps (c) and (d), which are general inverted staggered thin film transistor processes, are sequentially performed to thereby convert an inverted staggered thin film transistor having a nonvolatile memory function according to an embodiment of the present invention. It can manufacture.
  • the method of manufacturing the nonvolatile memory thin film device according to the present invention is a form in which only a mobile proton layer is formed in the insulating film forming process performed when the conventional memory thin film device is manufactured, the Inverted Staggered structure shown in FIG. Besides the thin film transistor manufacturing process, it can be applied to the thin film transistor manufacturing process of all structures such as staggered structure, coplanar structure, and inverted coplanar structure.
  • the method of manufacturing a nonvolatile memory thin film device according to the present invention is an insulating film deposition process in the transistor manufacturing process using a conventional amorphous silicon thin film transistor, low-temperature polysilicon (LTPS) thin film transistor, oxide semiconductor, organic semiconductor, all other semiconductor thin film
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • the method for manufacturing a nonvolatile memory thin film device according to the present invention can utilize the process sequence of the existing thin film device production line as it is, and the added mobile proton layer forming process can also be performed within a short time (10 minutes) at a low temperature of 300 ° C. or lower. It is meaningful in that it allows it to be executed.
  • FIGS. 4 to 7 are diagrams illustrating characteristics of a nano-crystalline Si thin film transistor (nc-Si TFT) on which a mobile proton layer is formed.
  • nc-Si TFT nano-crystalline Si thin film transistor
  • FIG. 4 shows the nc-Si TFT (denoted as NonMemory in FIG. 4) in which the mobile proton layer is not formed inside the gate insulating film, and the mobile proton layer in the insulating film for 2 minutes according to the method according to the present invention.
  • the difference in characteristics between the nc-Si TFTs (indicated as Memory in Fig. 4) having the nonvolatile memory function formed is shown.
  • nc-Si TFT with a nonvolatile memory function shows hysteresis according to the sweep of the gate voltage, which means that the mobile protons inside the insulating film are active / gate insulating film or gate insulating film / gate electrode interface according to the gate voltage. This happens because it moves to.
  • FIG. 6 is a measurement result of repeatedly applying a write & erase condition to the nc-Si TFT having a nonvolatile memory function to confirm the reproducibility of the memory function.
  • the nonvolatile memory thin film transistor fabricated according to the present invention having the characteristics as shown in FIGS. 4 to 7 may be very useful for implementing low power wearable OLEDs as an example.
  • a thin film transistor having a nonvolatile memory function When a thin film transistor having a nonvolatile memory function is used to implement a low power wearable OLED, there is no need to use a storage capacitor for a pixel holding function in an existing driving circuit, and the driving method is also changed so that power for maintaining the off state of the switching thin film transistor is changed. Consumption can also be completely eliminated. This eliminates the need for storage capacitors and eliminates the need for power to keep the switching thin-film transistors off.
  • the thin film transistor has a memory function, which solves the problems of the existing pixel retention (still image) and low-speed frame driving.
  • the storage capacitor since the storage capacitor is not required, the area and contact area are reduced accordingly, enabling higher resolution.
  • a nonvolatile memory thin film device can be manufactured in a short time (10 minutes) at a low temperature of 300 ° C. or lower, instead of a high temperature hydrogen heat treatment process of a long time (several minutes or more) and 600 ° C. or more.
  • the process sequence of the existing thin film device production line can be used as it is. .
  • the present invention is to form a mobile proton layer to manufacture a thin film device having a nonvolatile memory function, the problem that the substrate such as glass or plastic film could not be used in the manufacture of the memory thin film device due to the long-term high temperature heat treatment process Solve.
  • the present invention enables the fabrication of high-performance non-volatile memory thin film devices on glass or plastic substrates, which can be immediately applied to flexible or wearable devices, which are next-generation ITC products, and are currently impossible to realize due to technical limitations. It also enables the manufacture of conceptual products such as ultra-low power consumption flexible / wearable displays and sensors.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 플라즈마 방전 공간인 소정 크기의 챔버, 상기 챔버 내 가스를 공급하는 가스 공급구, 및 상기 챔버에서 생성된 플라즈마 이온과 충돌하여 플라즈마 이온을 중성입자로 변환시키는 리플렉터를 포함하는 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 소자를 제조하는 방법으로서, 상기 챔버 내에, 제1 절연막이 형성된 기판을 배치하는 단계; 상기 챔버 내에, 상기 가스 공급구를 통해 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스 및 플라즈마 발생을 위한 불활성 가스를 공급하는 단계; 상기 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 상기 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되는 단계; 상기 수소 중성입자가 상기 제1 절연막의 표면에 축적되어 모바일 프로톤 층이 형성되는 단계; 및 상기 모바일 프로톤 층 위에 제2 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법
본 발명은 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 기존의 모바일 프로톤(Mobile Proton) 생성 및 모바일 프로톤 기반의 메모리 소자 제조 방법은, 장시간(수십 분 이상) 및 600℃이상의 고온 수소 열처리 공정을 필요로 한다.
이에 따라, 종래의 메모리 소자 제조 방법은 공정이 복잡하고, 장시간의 고온 열처리 공정이 포함되어 있기 때문에 유리나 플라스틱 필름과 같은 기판을 메모리 소자의 제조에 이용할 수 없다는 문제점이 있다. 또한, 반도체 층을 형성한 후 수소 열처리 공정을 수행하기 때문에 반도체 층 재료의 선택 및 열 공정에 대한 제약 역시 존재한다.
그러므로 이러한 수소 열처리 공정 없이 모바일 프로톤(Mobile Proton)을 생성하고, 상기 모바일 프로톤을 기반으로 메모리 소자를 제조할 수 있는 새로운 방법이 필요한 실정이다.
본 발명은 300℃ 이하의 저온에서 단시간 내에 모바일 프로톤 층을 형성할 수 있는 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 플라즈마 방전 공간인 소정 크기의 챔버, 상기 챔버 내 가스를 공급하는 가스 공급구, 및 상기 챔버에서 생성된 플라즈마 이온과 충돌하여 플라즈마 이온을 중성입자로 변환시키는 리플렉터를 포함하는 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 소자를 제조하는 방법으로서, 상기 챔버 내에, 제1 절연막이 형성된 기판을 배치하는 단계; 상기 챔버 내에, 상기 가스 공급구를 통해 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스 및 플라즈마 발생을 위한 불활성 가스를 공급하는 단계; 상기 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 상기 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되는 단계; 상기 수소 중성입자가 상기 제1 절연막의 표면에 축적되어 모바일 프로톤 층이 형성되는 단계; 및 상기 모바일 프로톤 층 위에 제2 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 중성입자빔 발생 장치의 상기 리플렉터는, 상기 수소 가스의 수소 입자보다는 무겁고 상기 불활성 가스의 불활성 입자보다는 가벼운 입자로 구성된 고체판인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법은, 종래와 같이 장시간(수십분 이상) 및 600℃ 이상의 고온 수소 열처리 공정 대신, 비교적 저온인 300℃ 이하의 온도에서 단시간(10분) 내에 모바일 프로톤 층을 형성할 수 있도록 해 준다.
그리고 본 발명에 의하면, 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조를 위한 절연막 증착 공정 중에 중성입자빔 발생 장치를 이용한 모바일 프로톤 층 형성 공정만 추가하면 되므로, 기존 메모리 박막 소자 생산 라인의 공정 순서를 그대로 활용할 수 있다.
그리고 본 발명은 기존에 모바일 프로톤 층을 형성하여 비휘발성 메모리 기능을 갖는 박막 소자를 제조함에 있어서, 장시간의 고온 열처리 공정으로 인하여 유리나 플라스틱 필름과 같은 기판을 메모리 박막 소자의 제조에 이용할 수 없었던 문제를 해결해 준다.
그에 따라, 본 발명은 고특성의 비휘발성 메모리 박막 소자를 유리 또는 플라스틱 기판에 제작할 수 있도록 해주어, 차세대 ITC제품인 플렉서블 기기나 웨어러블 기기에 바로 적용이 가능하고, 현재 기술적인 한계로 실현이 불가능했던 새로운 개념의 제품들(초 저소비 전력 플렉서블/웨어러블 디스플레이 및 센서 등)의 제작 역시 가능하게 해 준다.
도 1은 중성입자빔 발생 장치의 일 예를 보여주는 개략도이다.
도 2는 단결정 실리콘 웨이퍼 기판 위에 모바일 프로톤 층을 형성한 후, 수소 원소 밀도를 측정한 결과를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 4 내지 도 7은 모바일 프로톤 층이 형성된 nano-crystalline Si 박막 트랜지스터(nc-Si TFT)의 특성을 나타내는 도면들이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 중성입자빔 발생 장치의 일 예를 보여주는 개략도이다.
살펴보면, 중성입자빔 발생 장치는 플라즈마 방전 공간인 소정 크기의 챔버(101)를 포함한다.
챔버(101)의 한 측면에는 가스 공급구(102)가 배치되어 있고, 가스 공급구(102)는 플라즈마 형성을 위한 가스 또는 기체 원소를 공급하는 소스 기체 따위가 공급될 수 있다. 이 가스 공급구(102)는 플라즈마 생성 균일도를 위해 위치를 바꿀 수 있다.
챔버(101)의 상단에는 리플렉터(103)인 고체판이 배치되어 있다. 리플렉터(103)는 소정의 바이어스가 인가되어 플라즈마 입자로부터 중성 입자를 생성한다.
챔버(101)의 하단에는 기판을 지지하기 위한 지지대(105)가 배치되어 있다.
그리고 챔버(101) 내에는 복수의 자석 어레이 리미터(magnetic array limiter)(104)가 배치되어 있다. 자석 어레이 리미터(104)는 플라즈마 방전 공간에 존재하는 전자 및 다른 이온들이 기판 쪽으로 접근하는 것을 차단하고 중성 입자만 선택적으로 기판 쪽으로 보내는 역할을 한다. 이 자석 어레이 리미터(104)는 챔버(101) 내에 설치될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다.
본 발명에 따른 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법은, 도 1에 도시된 바와 같은 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 모바일 프로톤을 형성하는 방법을 포함하며, 고온(600℃ 이상)의 열처리 공정을 통해 절연막에 수소를 주입하여 모바일 프로톤을 형성하는 종래의 방식과는 달리, 비교적 저온인 300℃ 이하의 온도에서 단시간(10분) 내에 제1 절연막과 제2 절연막 사이에 수소 중성입자를 축적함으로써 모바일 프로톤을 형성할 수 있도록 해 준다.
본 발명의 일 실시예에 따른 모바일 프로톤 형성 방법을 살펴보면, 우선 중성입자빔 발생 장치의 지지대(105) 위에 모바일 프로톤 층을 형성하고자 하는 기판을 배치한다.
일 예로, 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 절연막 내에서 모바일 프로톤들이 이동하는 특성을 활용한 메모리 소자를 구현하고자 하는 경우에는, 상부에 절연막이 형성된 기판을 지지대(105) 위에 배치할 수 있다.
그리고 가스 공급구(102)을 통해 플라즈마 생성을 위한 불활성 가스 및 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스를 플라즈마 방전 공간에 공급한다. 여기서, 불활성 가스는 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 등의 가스이다. 이 불활성 가스는 수소 가스만으로 충분히 플라즈마 방전이 가능하면 사용하지 않을 수도 있다.
가스 공급구(102)에 공급된 불활성 가스는 플라즈마 방전되어 플라즈마 입자를 생성하고, 수소 가스는 챔버 내에서 플라즈마 입자와 충돌하여 수소 플라즈마 이온(또는 양이온)이 된다.
이 때, 리플렉터(103)에는 약 10 내지 수백 볼트의 음의 바이어스가 인가될 수 있으며, 이에 따라 수소 플라즈마 이온은 리플렉터(103)로 유도될 수 있다.
수소 플라즈마 이온은 리플렉터(103)에 충돌하여 리플렉터(103)로부터 전자를 받아 수소 중성 입자로 됨과 동시에 인가된 바이어스에 따라 에너지를 받아 반사되어 나온다.
그리고, 수소 중성 입자는 복수의 자석 어레이 리미터(104) 사이를 통과한 뒤, 지지대(105)에 배치된 기판(또는, 절연막)의 표면에 축적되어 모바일 프로톤 층을 형성한다. 이 때, 수소 중성 입자 이외에 수소 플라즈마 이온 역시 기판(또는, 절연막)의 표면에 접촉하여 모바일 프로톤 층을 형성할 수 있다.
본 명세서에서 수소 입자빔(H-PB : Hydrogen-Particle Beam)은 수소 중성 입자 및 수소 플라즈마 이온 둘 중 어느 하나 이상을 포함하는 것으로 지칭된다.
한편, 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법은 중성입자빔 발생 장치의 리플렉터(103)가 가스 공급구(102)를 통해 유입되는 수소 가스의 수소 입자보다는 무겁고, 불활성 가스의 불활성 입자보다는 가벼운 입자로 구성된 고체판으로 구성된 중성입자빔 발생 장치를 이용하는 것을 특징으로 한다.
이는 순도가 높은 수소 입자빔의 생성을 위한 것으로, 입자의 충돌을 Binary Collision으로 해석할 때에 충돌하는 입자가 타겟(여기서는, 리플렉터(103)) 입자보다 가벼우면 효율적으로 반사가 되지만, 반대로 무거우면 반사 효율이 급격이 떨어지기 때문에, 수소 입자보다 무겁지만 불활성 가스 입자보다는 가벼운 재질의 리플렉터(103)를 사용하는 중성입자빔 발생 장치에서 보다 많은 수소 입자빔을 발생시킬 수 있기 때문이다.
일 예로, 수소 가스와 아르곤 가스를 사용하여 실리콘산화막이나 실로콘질화막 표면에 수소 입자빔을 조사하는 경우, 중성입자빔 발생 장치의 리플렉터는 실리콘판인 것이 바람직하다.
이상 살펴본 본 발명에 따른 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법은 고온(600℃이상)의 열처리 공정을 요구하지 않으며, 300℃ 이하의 저온에서 단시간(10분) 내에 모바일 프로톤 층을 기판(또는, 절연막)상에 형성시킬 수 있다.
도 2는 단결정 실리콘 웨이퍼 기판 위에 모바일 프로톤 층을 형성한 후, 수소 원소 밀도를 측정한 결과를 도시한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 본 발명에 따라 모바일 프로톤을 형성하는 경우에, 중성입자빔 발생 장치의 리플렉터 전압(Vref)을 높일수록 기판 표면에서 수소 밀도가 높아진다는 것을 알 수 있다. 즉, 리플렉터 전압이 높을수록 chemical potential이 높은 수소 입자들이 표면 확산(Surface Diffusion) 및 표면에서의 축적이 늘어나기 때문에, 수소가 기판 표면의 수 Å 영역에서 보다 많은 양이 축적되게 된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법을 도시한 도면으로서, 보다 구체적으로, 도 3은 비휘발성 메모리 박막 소자 중 특히 Inverted Staggered 박막 트랜지스터를 제조하는 공정을 예로 들어 도시한 것이다. 다만 본 발명이 Inverted Staggered 박막 트랜지스터의 제조 공정만으로 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따라 제조되는 비휘발성 메모리 박막 소자의 구성(즉, 기판, 절연막, 모바일 프로톤 층)을 갖는 소자를 제조할 때에는, 후술하는 Inverted Staggered 박막 트랜지스터에 관해 설명하는 기술적 사상이 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명은 절연막 내에 모바일 프로톤 층을 형성하고, 예를 들어 전압이 게이트 전극에 인가될 때 상기 절연막 내에서 모바일 프로톤들이 이동하는 특성을 통해 비휘발성 메모리 기능을 갖는 박막 소자의 제조 방법을 제공한다.
도 3을 살펴보면, (a)단계는 기판 위에 게이트 전극과 상기 게이트 전극 위에 제1 절연막을 형성한 후, 상기 제1 절연막이 형성된 기판을 중성입자빔 발생 장치의 플라즈마 방전 공간인 챔버 내에 배치시키고, 가스 공급구를 통해 수소 가스 및 불활성 가스를 챔버 내에 공급하며, 플라즈마 방전을 통해 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되고, 상기 수소 중성입자가 상기 제1 절연막의 표면에 일정량 이상 축적됨으로써 모바일 프로톤 층이 형성되는 단계이다. 여기서 제1 절연막의 표면에 모바일 프로톤 층이 형성되는 상기 일련의 공정은 300℃ 이하의 저온에서 단시간(10분) 내에 이루어지게 된다.
(b)단계는 (a)단계 이후에, PECVD와 같은 공정으로 상기 형성된 모바일 프로톤 층 위에 제2 절연막을 증착하는 단계로, 결과적으로 제1 절연막 및 제2 절연막 사이에 모바일 프로톤 층이 형성되도록 한다.
그리고, (b)단계 이후에, 일반적인 Inverted Staggered 박막 트랜지스터 공정인 (c)단계 및 (d)단계를 순차적으로 진행함으로써, 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 기능을 갖는 Inverted Staggered 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법은, 종래 메모리 박막 소자를 제조할 때 수행하는 절연막 형성 과정에서 모바일 프로톤 층의 형성 공정만 추가한 형태이기 때문에, 도 3에 도시된 Inverted Staggered 구조의 박막 트랜지스터 제조 공정 이외에도 Staggered 구조, Coplanar 구조, Inverted Coplanar 구조 등 모든 구조의 박막 트랜지스터 제조 공정에 적용될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법은 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터, 저온폴리실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터, 산화물반도체, 유기물반도체, 기타 모든 반도체 박막을 이용한 트랜지스터 제조 공정에서 절연막 증착 공정 동안, 그 절연막의 중간에 중성입자빔 발생 장치를 이용한 모바일 프로톤 층 형성 공정만 추가하면 된다.
이는 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법이 기존 박막 소자 생산 라인의 공정 순서를 그대로 활용할 수 있을 뿐만 아니라, 추가된 모바일 프로톤 층 형성 공정 또한 300℃ 이하의 저온에서 단시간(10분) 내에 실행될 수 있도록 해 준다는 점에서 의미가 있다.
도 4 내지 도 7은 모바일 프로톤 층이 형성된 nano-crystalline Si 박막 트랜지스터(nc-Si TFT)의 특성을 나타내는 도면들이다.
살펴보면, 도 4는 게이트 절연막 내부에 모바일 프로톤 층이 형성되지 않은 nc-Si TFT(도 4에서 NonMemory로 표시됨)와, 게이트 절연막 내부에 본 발명에 따른 방법에 따라 2분 동안 절연막 내에 모바일 프로톤 층을 형성한 비휘발성 메모리 기능을 갖는 nc-Si TFT(도 4에서 Memory로 표시됨) 간의 특성 차이를 나타내고 있다.
비휘발성 메모리 기능을 가지는 nc-Si TFT는 게이트 전압의 스윕(sweep)에 따라 히스테리시스(Hysteresis)를 보여주는데, 이는 절연막 내부의 모바일 프로톤이 게이트 전압에 따라 액티브막/게이트절연막 또는 게이트절연막/게이트전극 계면으로 이동하기 때문에 발생하는 현상이다.
그리고, 도 5 및 도 7은 게이트 전압(Vg)의 스윕(sweep) 폭에 따라 히스테리시스 크기가 선형적으로 반응하는 것을 보여준다. 이는 절연막 내부의 모바일 프로톤이 게이트 전압에 따라 정량적으로 제어되고 있는 것을 보여준다.
도 6은 비휘발성 메모리 기능을 가지는 nc-Si TFT에 대하여, 메모리 기능의 재현성을 확인하기 위하여 Write & Erase 조건을 반복적으로 인가하면서 측정한 결과로, 도 6에 도시된 드레인 전류값(Drian Current)은 Write 조건인 게이트 전압(Vg)을 1초 동안 +100V 인가 후, Vg=0V 인 상태에서 드레인 전압(Vd)이 5V일 때의 드레인 전류값, 그리고 Erase 조건인 게이트 전압을 1초 동안 -100V 인가 후, Vg=0V인 상태에서 Vd=5V일 때의 드레인 전류값을 나타낸다.
도 6은 100회 동안 write & Erase 상태가 정상적으로 작동함을 보여주고 있으며, 본 발명에 따라 제작된 비휘성 메모리 기능을 갖는 nc-Si TFT는 Write 또는 Erase 상태에서 수일을 방치해도 그 정보가 저장되어 있어, 메모리 소자의 핵심 특성인 안정적인 Retention Time이 확보됨을 확인할 수 있다.
도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같은 특성을 갖는 본 발명에 따라 제작된 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 일 예로 저전력 웨어러블 OLED 구현에 있어서 매우 유용하게 사용될 수 있다.
비휘발성 메모리 기능을 갖는 박막 트랜지스터가 저전력 웨어러블 OLED 구현에 이용되는 경우, 기존 구동 회로에서 화소 유지 기능을 위한 Storage Capacitor를 사용할 필요가 없고, 구동 방식 또한 달라져서 Switching 박막 트랜지스터의 Off State를 유지하기 위한 전력 소모도 완전히 제거할 수 있다. 그래서 Storage Capacitor가 없고 Switching 박막 트랜지스터의 Off 상태를 유지하는 전력이 필요 없기 때문에 저전력 구동이 가능해진다. 또한 박막 트랜지스터에 메모리 기능이 있어 화소 유지(정지화면) 및 저속 프레임 구동 시에도 기존에 가지고 있던 문제점들을 해결할 수 있다. 추가적으로, Storage Capacitor가 필요 없기 때문에 이에 따른 면적과 Contact용 면적이 줄어 들어 보다 높은 해상도 구현을 가능하게 해 준다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면 장시간(수십분 이상) 및 600℃이상의 고온 수소 열처리 공정 대신, 300℃ 이하의 저온에서 단시간(10분) 내에 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조를 가능하게 한다.
그리고 본 발명에 의하면, 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조를 위한 절연막 증착 공정 중에 중성입자빔 발생 장치를 이용한 모바일 프로톤 층 형성 공정만 추가하면 되기 때문에, 기존 박막 소자 생산 라인의 공정 순서를 그대로 활용할 수 있다.
그리고 본 발명은 기존에 모바일 프로톤 층을 형성하여 비휘발성 메모리 기능을 갖는 박막 소자를 제조함에 있어서, 장시간의 고온 열처리 공정으로 인하여 유리나 플라스틱 필름과 같은 기판을 메모리 박막 소자의 제조에 이용할 수 없었던 문제를 해결해 준다.
그에 따라, 본 발명은 고특성의 비휘발성 메모리 박막 소자를 유리 또는 플라스틱 기판에 제작할 수 있도록 해주어, 차세대 ITC 제품인 플렉서블 기기나 웨어러블 기기에 바로 적용이 가능하고, 현재 기술적인 한계로 실현이 불가능했던 새로운 개념의 제품들(초 저소비 전력 플렉서블/웨어러블 디스플레이 및 센서 등)의 제작 역시 가능하게 해 준다.
본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (2)

  1. 플라즈마 방전 공간인 소정 크기의 챔버, 상기 챔버 내 가스를 공급하는 가스 공급구, 및 상기 챔버에서 생성된 플라즈마 이온과 충돌하여 플라즈마 이온을 중성입자로 변환시키는 리플렉터를 포함하는 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 소자를 제조하는 방법으로서,
    상기 챔버 내에, 제1 절연막이 형성된 기판을 배치하는 단계;
    상기 챔버 내에, 상기 가스 공급구를 통해 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스 및 플라즈마 발생을 위한 불활성 가스를 공급하는 단계;
    상기 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 상기 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되는 단계;
    상기 수소 중성입자가 상기 제1 절연막의 표면에 축적되어 모바일 프로톤 층이 형성되는 단계; 및
    상기 모바일 프로톤 층 위에 제2 절연막을 형성하는 단계
    를 포함하는 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 중성입자빔 발생 장치의 상기 리플렉터는,
    상기 수소 가스의 수소 입자보다는 무겁고 상기 불활성 가스의 불활성 입자보다는 가벼운 입자로 구성된 고체판인 것을 특징으로 하는 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법.
PCT/KR2015/010671 2014-10-10 2015-10-08 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법 WO2016056862A1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/517,532 US10229834B2 (en) 2014-10-10 2015-10-08 Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus
CN201580054847.0A CN107112327B (zh) 2014-10-10 2015-10-08 利用中性粒子束发生装置的非挥发性存储薄膜器件的制造方法
JP2017518781A JP6473958B2 (ja) 2014-10-10 2015-10-08 中性粒子ビーム発生装置を用いた不揮発性メモリ薄膜素子の製造方法
EP15848274.5A EP3206224A4 (en) 2014-10-10 2015-10-08 Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0136931 2014-10-10
KR1020140136931 2014-10-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016056862A1 true WO2016056862A1 (ko) 2016-04-14

Family

ID=55653398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/010671 WO2016056862A1 (ko) 2014-10-10 2015-10-08 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10229834B2 (ko)
EP (1) EP3206224A4 (ko)
JP (1) JP6473958B2 (ko)
CN (1) CN107112327B (ko)
WO (1) WO2016056862A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060102043A (ko) * 2005-03-22 2006-09-27 성균관대학교산학협력단 중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한원자층 증착방법
US20080105876A1 (en) * 2004-09-24 2008-05-08 Lg. Philips Lcd Co.,Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof
KR20100105194A (ko) * 2009-03-20 2010-09-29 고려대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR20120058841A (ko) * 2010-11-30 2012-06-08 한국기초과학지원연구원 양자점 코팅 방법
KR20140003684A (ko) * 2012-06-22 2014-01-10 한국기초과학지원연구원 양자점 형성 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125933A (ja) * 1990-09-17 1992-04-27 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5830575A (en) * 1996-09-16 1998-11-03 Sandia National Laboratories Memory device using movement of protons
JP5104314B2 (ja) * 2005-11-14 2012-12-19 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
GR20080100269A (el) * 2008-04-18 2009-11-19 ������ ������� ������� ��������� (�����) "����������" Διαταξεις μνημης με χρηση πολυμερικων υλικων που ειναι αγωγοι πρωτονιων

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080105876A1 (en) * 2004-09-24 2008-05-08 Lg. Philips Lcd Co.,Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof
KR20060102043A (ko) * 2005-03-22 2006-09-27 성균관대학교산학협력단 중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한원자층 증착방법
KR20100105194A (ko) * 2009-03-20 2010-09-29 고려대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR20120058841A (ko) * 2010-11-30 2012-06-08 한국기초과학지원연구원 양자점 코팅 방법
KR20140003684A (ko) * 2012-06-22 2014-01-10 한국기초과학지원연구원 양자점 형성 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3206224A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
US10229834B2 (en) 2019-03-12
EP3206224A4 (en) 2018-06-06
US20170301547A1 (en) 2017-10-19
EP3206224A1 (en) 2017-08-16
JP6473958B2 (ja) 2019-02-27
CN107112327A (zh) 2017-08-29
CN107112327B (zh) 2019-03-15
JP2017532785A (ja) 2017-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5710394B2 (ja) 半導体装置
CN106783921A (zh) 有机发光显示面板及其制作方法
CN102742003A (zh) 半导体器件
TW201215122A (en) Semiconductor device and display device including the same
CN104617105A (zh) 半导体装置
CN100458871C (zh) 显示器、阵列基板以及显示器制造方法
TW200414818A (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
CN103155121A (zh) 半导体装置的制造方法
US9634145B2 (en) TFT substrate with variable dielectric thickness
JP2000505947A (ja) 陽子の移動を利用するメモリデバイス
EP2911214B1 (en) Multilayer structure of an OLET transistor
CN102983176A (zh) 包括纳米导体层的薄膜晶体管
Li et al. Photoerasable organic field-effect transistor memory based on a one-step solution-processed hybrid floating gate layer
CN111009582A (zh) 基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法
Molina‐Mendoza et al. Nonvolatile programmable WSe2 photodetector
CN102346341A (zh) 阵列基板和制造方法、液晶面板、液晶显示器和驱动方法
US9412771B2 (en) Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing display substrate having the same
TW200539293A (en) Thin film transistor
WO2016056862A1 (ko) 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법
JP2004311702A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
Hanh et al. Fabrication of InGaZnO nonvolatile memory devices at low temperature of 150° C for applications in flexible memory displays and transparency coating on plastic substrates
WO2010131901A2 (ko) 비휘발성 메모리 소자
KR101627354B1 (ko) 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 제조 방법
CN109004031A (zh) 铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置
KR20190093832A (ko) 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15848274

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017518781

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15517532

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015848274

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015848274

Country of ref document: EP