WO2015173032A1 - Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component - Google Patents

Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component Download PDF

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WO2015173032A1
WO2015173032A1 PCT/EP2015/059547 EP2015059547W WO2015173032A1 WO 2015173032 A1 WO2015173032 A1 WO 2015173032A1 EP 2015059547 W EP2015059547 W EP 2015059547W WO 2015173032 A1 WO2015173032 A1 WO 2015173032A1
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chip
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Siegfried Herrmann
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • Optoelectronic component with a laterally arranged radiation surface Optoelectronic component with a laterally arranged radiation surface. Further, a method of manufacturing a surface mountable
  • Optoelectronic device described with a laterally disposed radiation surface Optoelectronic device described with a laterally disposed radiation surface.
  • Optoelectronic components such as light emitting diodes (LED), with laterally arranged radiation surfaces can be referred to as Sidelooker. These components can be mounted with their base on a circuit board, which generated by the component or the component to
  • Detecting electromagnetic radiation is emitted or recorded on a radiation surface arranged perpendicular to the base surface.
  • Such components may be provided, for example, for backlighting a display, for example a screen of a mobile telephone.
  • the sidelooks are with their beam surface on the side surfaces of a display, for example a screen of a mobile telephone.
  • Light distribution plate arranged.
  • the light distribution plate in turn is arranged behind the liquid crystal display.
  • the light generated by the LEDs is coupled into the light distribution plate at the edges of the light distribution plate.
  • Light distribution plate has coupling-out structures with which the coupled-in light is uniformly coupled out and emitted in the direction of the liquid-crystal display.
  • the light penetrating the liquid crystal display can be perceived by a viewer of the display.
  • the requirement is to provide the most compact possible components in order to reduce the thickness of the display.
  • the height of the component is a relevant
  • Component having a arranged on an electrically insulating structural element mounting surface and arranged perpendicular to the mounting surface
  • the structural member has a recess that completely penetrates the structural member in a direction perpendicular to the mounting surface.
  • the recess of the structural element of the optoelectronic chip is arranged.
  • At least one side surface of the optoelectronic chip arranged perpendicular to the mounting surface is mechanically connected to a side surface of the recess arranged perpendicular to the mounting surface.
  • On the electrically insulating structural element a first and a second electrically conductive region are arranged, which are electrically isolated from each other.
  • the first and second electrically conductive region is arranged in each case on the mounting surface and on a contact surface arranged perpendicular to the mounting surface and adjacent to the mounting surface, wherein the contact surface on the mounting surface
  • Circuit carrier forms, and are provided on the contact surfaces arranged part of the first and second electrically conductive region for electrically contacting the optoelectronic chip.
  • the simple structure allows low height components to be provided.
  • the arranged on the structural member electrically conductive regions allow a compact electrical contacting of the optoelectronic chip. Since the electrical contact is made by the electrically conductive areas, can a device without vias or vias are provided.
  • the structural element can be designed in such a way that the electrical and structural elements provided by the structural element
  • the structural elements and the recess are designed such that the chip is arranged next to the structural element.
  • the device is for
  • chips may be provided with two backside contacts, two topside contacts, or one top and one backside contact.
  • the method comprises providing a structural element carrier having a plurality of mechanically interconnected, electrically insulating structural elements, wherein the structural elements are arranged in rows and / or in columns and each have at least one recess which completely penetrates the structural elements. Furthermore, the method comprises applying electrically conductive regions to at least two mutually perpendicular and to each other
  • the common structural element carrier simplifies the production of the components, since instead of a plurality of individual structural elements, only one common structural element carrier has to be handled. In addition, the
  • Structural element carrier that some of the process steps for a plurality of components can be performed in parallel.
  • the electrically conductive regions may be simultaneously applied to a plurality of structural elements by a coating process.
  • the mechanical Connecting the chips are performed with the structural elements for a plurality of components in parallel.
  • the components can be produced without photographic technology. This simplifies the manufacture of the components. Further embodiments
  • material for the structural element ceramic may be provided.
  • plastic can be provided as the material for the structural element.
  • a material whose coefficient of thermal expansion corresponds approximately to the thermal expansion coefficient of the chip may be used.
  • a material that is emitted or absorbed by the chip may be used
  • electromagnetic radiation has a high reflectivity.
  • the proposed structure enables the provision of low-height devices.
  • the height of the structural element can correspond approximately to the height of the optoelectronic chip. Furthermore, the total height of the
  • the surface mountable optoelectronic component to be maximally twice as large as the height of the optoelectronic chip.
  • devices may be provided in which the optoelectronic chip has a height of about 200 ⁇ m and the device has an overall height of 300 ⁇ m. It can thus be provided components whose total height corresponds to a maximum of 1.5 times the height of the chip.
  • devices may be provided in which the overall height of the device is approximately equal to the height of the radiating surface of the optoelectronic chip.
  • a reflector layer may be arranged on the mounting surface of the structural element and / or on an upper side of the structural element opposite the mounting surface. Through the reflector layer, the efficiency of the device can be increased.
  • the reflector layer may be part of a film applied to the structural element.
  • the reflector layer may be a reflective potting compound.
  • a film In the beam path of the chip, a film may be arranged parallel to the radiation surface, wherein a phosphor is applied to the film.
  • a phosphor can be applied directly to the radiation surface of the optoelectronic chip.
  • a phosphor embedded in potting compound may be filled in a cavity formed by films and the structural member. For the filling of the phosphor into the cavity formed by the foils and the structural element, dispensing may be provided, for example. Furthermore, the phosphor can also be sprayed onto the radiation surface of the chip.
  • the first and second electrically conductive area can be superficially on the
  • Structural element applied.
  • structures can be referred to, which with a coating process on the
  • the first and second electrically conductive regions may be layers that have been applied to the structural element.
  • the layer thickness can be less than 10 ⁇ m.
  • the layer thickness can be 2 ⁇ .
  • the structural element may be the optoelectronic chip at three perpendicular to
  • Structural element to be substantially U-shaped.
  • a function of the two legs of the U-shaped structural element may be, for example, sufficient area for a mechanical and electrically conductive connection between the
  • Crosspiece of the U-shaped structural element may for example consist in mechanically connecting the two legs of the structural element together.
  • At least two components can be combined to form a multiple component.
  • the individual components of a multiple component can be connected to one another mechanically and electrically conductively via an electrically conductive foil.
  • the electrically conductive foil may be an example of a circuit carrier.
  • the electrically conductive foil may be arranged on the mounting surface and / or the upper side of the structural element.
  • the electrically conductive foil may be a
  • Have reflector layer Furthermore, arranged on the mounting surface and on the top films over the beam surface can survive and form a cavity together with the structural element.
  • at least one of the films may be an electrically conductive film.
  • a phosphor can be introduced.
  • at least two structural elements of a multiple component can be mechanically connected to one another.
  • the interconnected structural elements may be integrally formed.
  • the mechanically interconnected structural elements can be
  • a first electrically conductive region and a second electrically conductive region may form a common electrically conductive region. Due to the larger dimensions, a multiple device can be processed more easily compared to a single device, for example.
  • the backlighting device may be configured to illuminate the background of a liquid crystal display of a display screen.
  • Backlight device may comprise a light distribution plate, wherein the component or the multiple component may be arranged on at least one arranged perpendicular to a light outcoupling surface of the light distribution plate side surface of the light distribution plate.
  • the components can be connected only mechanically to one another via a film arranged on the mounting surface and / or the upper side. Only mechanically interconnected can mean that between the components no electrically conductive
  • connection exists.
  • the mechanically interconnected components can then be separated from each other immediately prior to application to a circuit carrier.
  • the foil may have a reflector layer.
  • the through the film interconnected components can be easily handled, transported and processed.
  • the electrically conductive regions can be applied in a structured manner to the structural element carrier.
  • the structured application of the electrically conductive regions can be carried out, for example, by a coating method.
  • a shadow mask may be provided for the structured application.
  • a material removal along a first trench can be provided.
  • the removal of material along the first trench can also be referred to as row division in a simplified manner below.
  • the series division may be provided for a structural element carrier in which the structural elements are arranged in rows and columns.
  • a structural element carrier can be provided which has only a single row of structural elements.
  • a material removal between two structural elements arranged in a row can furthermore be provided.
  • This material removal can also be referred to as column division below.
  • the column division may be provided after the row division.
  • a structural element support having a single row of structural elements may be divided into individual structural elements or into groups having at least two structural elements.
  • the structural elements can be applied to a film after dividing the structural element carrier.
  • a structural element support having a single row of structural elements may also be applied without prior partitioning to the foil.
  • the film may be provided to mechanically bond a plurality of structural elements together.
  • the film with the applied components can be wound up on a roll.
  • the wound on a roll film may be provided as a transport packaging.
  • a film with a plurality of components can be divided into individual components or in groups with at least two components.
  • For dividing the film and the mechanically interconnected via the film components can be provided for example laser cutting or cutting.
  • Fig. La is a schematic plan view of a first surface mountable optoelectronic device
  • Fig. Lb is a schematic side view of the one shown in Fig. La
  • Fig. Lc is a schematic sectional view of a second
  • Fig. Ld is a schematic sectional view of a third
  • Fig. Le is a schematic sectional view of a fourth
  • FIG. 2a is a schematic plan view of a fifth surface-mountable optoelectronic component
  • Fig. 2b is a schematic sectional view of that shown in Fig. 2a
  • 3a shows a schematic plan view of a structural element carrier
  • Fig. 3b is a schematic side view of that shown in Fig. 3a
  • Fig. 6 is a schematic representation of a second multiple component.
  • optical component may, for example, comprise components that are configured to emit electromagnetic radiation and / or to detect electromagnetic radiation.
  • LED light emitting diode
  • a surface mountable optoelectronic device 10 is shown schematically.
  • 1a is a plan view of a mounting surface of the surface-mountable optoelectronic component 10.
  • FIG. 1b is a schematic top view of the radiation surface 20 of the component 10.
  • the surface-mountable component 10 designates components which are suitable for surface mounting on a circuit carrier, such as Example of a
  • PCB PCB
  • SMD Surface Mounted Device
  • the component 10 shown in FIGS. 1 a and 1 b comprises a
  • the illustrated optoelectronic chip 16 has approximately the shape of a cuboid.
  • the chip 16 is arranged in a recess of the structural element 12.
  • the illustrated structural element 12 adjoins three side surfaces of the chip 16.
  • the recess penetrates the structural element 12 in the vertical direction - ie in the representation of Fig. La perpendicular to the plane - completely.
  • the recess is not bounded by the structural element 12 on one side. This page can also be referred to below as the open side of the recess.
  • the first structural element 12 surrounds the chip 16 in a substantially U-shaped manner.
  • the shape of the recess is adapted to the shape of the male optoelectronic chip 16.
  • a thin-film chip with two top-side contacts may be provided for the illustrated embodiment.
  • the chip 16 has a radiation surface 20 on a side surface, that is to say a surface arranged perpendicular to the mounting surface 18.
  • the radiating surface 20 is provided in the illustrated example of the LED, which is generated by the chip
  • Provision of radiation generation layer sequence of the chip 16 is arranged parallel to the radiation surface 20.
  • the radiation surface 20 is disposed on the open side of the recess. Since the radiation surface 20 is arranged in the device 10 perpendicular to the mounting surface 18, the light emitted by the device 10 is coupled out laterally.
  • This design can be called Sidelooker. Sidelooker can be provided, for example, to couple light laterally in a light distribution plate.
  • the chip 16 is on three sides of the chip 16
  • Structural element 12 surrounded in a U-shape.
  • a first side surface of the chip 16 adjoining the radiation surface 20 is located at one in the recess
  • a second side surface of the chip 16 adjoining the radiation surface 20 bears against a second side surface of the structure element 12 arranged in the recess.
  • One of the radiation surface 20 opposite rear side of the chip 16 abuts a third side surface of the structural element 12.
  • the chip 16 is mechanically with the
  • connecting means 21 is provided.
  • connecting means 21 may be provided, for example, adhesive, electrically conductive adhesive or solder.
  • the structural element 12 is formed from an electrically insulating material such as plastic or ceramic.
  • plastic can for example
  • Polybutylene terephthalate (PBT) or polycarbonate (PC) may be provided.
  • a ceramic may be provided, for example, AI2O3.
  • a machinable glass ceramic can be provided.
  • the material of the structural element may be selected such that it has a high intensity for the radiation emitted by the chip 16
  • Has reflectivity For example, materials that appear white to a viewer may be used.
  • first electrically conductive region 22 and a second electrically conductive region 23 are arranged on the electrically insulating structural element 12.
  • the first and second electrically conductive areas 22, 23 are superficial on the
  • the superficial application of the electrically conductive regions can be effected by a coating method.
  • a physical vapor deposition method such as sputter deposition or thermal evaporation or a chemical vapor deposition method may be used
  • Gas phase deposition such as plasma-enhanced chemical vapor deposition may be provided.
  • thermal spraying or electroplating may be provided.
  • the coating can also be applied in two stages. For example, in a first step, for example by sputter deposition, a seed layer may be applied. In a second step, the layer thickness can be increased, for example, by electroplating.
  • a seed layer may be applied in a first step, for example by sputter deposition.
  • the layer thickness can be increased, for example, by electroplating.
  • Structural elements 12 may include the structural element 12 and the electrically conductive regions 22, 23 also with a production method for injection molded parts
  • Circuit carriers (English Molded interconnect devices) are generated.
  • Materials for the electrically conductive regions 22, 23 may be, for example, gold, Be provided silver, copper, nickel, titanium and / or an alloy containing these materials.
  • the electrically conductive regions 22, 23 can each be layers which cover the underlying contours of the structural element 12 with a substantially constant layer thickness.
  • the electrically conductive regions may have one or more layers arranged one above the other. If superimposed layers are provided, these layers can have different materials. By means of a plurality of layers of different materials arranged one above another, for example, the adhesion of the electrically conductive material to the structural element 12 can be improved. Furthermore, the quality of the electrical and mechanical connections between the structural element 12 and a circuit carrier and / or between the structural element 12 and the chip 16 can be improved.
  • the electrically conductive regions may comprise a titanium layer, a platinum layer, a nickel layer, a copper layer and / or a gold layer.
  • the layer thicknesses may be, for example, 100 nm for the titanium layer, 100 nm for the platinum layer and 100 nm for the gold layer.
  • the layer thicknesses for the copper and nickel layer can be 1-2 ⁇ .
  • the thickness of the electrically conductive region may generally be less than 10 ⁇ m.
  • the first and second electrically conductive regions 22, 23 are electrically isolated from each other.
  • the first and second electrically conductive regions 22, 23 may be disposed on the structural member 12 so as not to touch or overlap.
  • the first and second electrically conductive regions 22, 23 can be arranged on the structural element such that they can be applied to the structural element 12 with a single coating step.
  • the first and second electrically conductive regions 22, 23 are on two, in
  • the electrically conductive portions 22, 23 cover the edge, the is located between the mutually perpendicular surfaces.
  • the electrically conductive portions 22, 23 cover a portion of the mounting surface 18, and adjacent the radiation surface 20 arranged bonding surfaces 32, 36.
  • the arranged perpendicular to the mounting surface 18 surfaces of the electrically conductive portions 22, 23 can hereinafter generally as
  • first or the second electrically conductive region 22, 23 may also cover the first and second side surfaces of the structural element 12 arranged in the recess and / or an end surface 38 of the structural element 12.
  • the contact surfaces are for electrical
  • the electrical contacting of the chip 16 can be done for example by solder joints, electrically conductive adhesive bonds and / or bonding wire connections.
  • the arranged perpendicular to the mounting surface 18 contact surfaces are shown in Fig. Lb.
  • the edge of the structural element 12 between the mounting surface 18 and the contact surfaces may be rounded or chamfered.
  • a rounded or bevelled edge can improve the quality of the edge coverage.
  • the portions of the first and second electrically conductive regions 22, 23 disposed on the mounting surface 18 form a first and a second
  • Terminal contact 24, 26 The first and second terminal contact 24, 26 are provided for surface mounting of the device 10.
  • the connection contacts 22, 23 are suitable to be connected by soldering or gluing, mechanically and electrically conductive with a circuit carrier.
  • At least two bonding wires 28 are provided for electrical contacting of the chip 16.
  • a first bonding wire 28 connects a first bonding pad 30 arranged on the radiation surface 20 of the chip 16 to the first bonding surface 32 arranged on the structural element 12.
  • a second bonding wire 28 connects a second bonding wire 28
  • the first and second bonding surface 32, 36 and the beam ungsisation 20 are compared to in the
  • a phosphor 40 may be applied.
  • the phosphor 40 is shown hatched.
  • the phosphor 40 is intended to be that of the chip 16 in a first
  • the bonding wires 28 may be at least partially embedded in the phosphor 40.
  • the phosphor 40 may have a thickness, for example of 20 mm.
  • FIG. 1c is a schematic sectional view through a second component 42.
  • the second component 42 is a variant of the first component 10 illustrated in conjunction with FIGS. 1a and 1b.
  • the second component 42
  • the second component illustrated in FIG. 1c has steps 47.
  • the upper side 44 of the component is opposite the mounting surface.
  • the first film 46 has several layers. In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 1b, the first film 46 comprises an adhesive layer 48, an insulation layer 49 and a reflector layer 50.
  • the insulation layer 49 is arranged between the adhesive layer 48 and the reflector layer 50.
  • the insulation layer 49 is electrically non-conductive. In addition to the electrical insulation, the insulating layer 49 also for
  • the reflector layer 50 is formed of a material that has a high for the electromagnetic radiation emitted by the chip 16
  • Reflectance has.
  • the material for the reflector layer 50 may be provided, for example, silver or aluminum.
  • the reflector layer 50 may, for example, be applied to the insulation layer 49 by means of a coating.
  • further layers such as, for example, a second insulation layer may be arranged above the reflector layer 50.
  • the first foil 46 may have a thickness of less than 50 ⁇ m.
  • the first film 46 is coated with the adhesive layer 48 on the top 44 of the first film 46
  • the first foil 46 may mechanically stabilize the device.
  • the first foil 46 can reach up to the end face 38 of the component.
  • the first film 46 can in the region of the recess on the recessed bonding surfaces 32, 36 and the chip 16th
  • the projecting portion of the first film 46 may be further provided as a limit to the introduction of the phosphor 40 in addition to a mechanical stabilization and the reflection of radiation.
  • steps 47 are arranged on the structural element 12 of the second component 42.
  • the steps 47 may be provided, for example, to adjust the height of the component to a desired height. In that shown in Fig. Lc
  • Component 42 is on the top of a projecting stage 47 a and on the
  • Fig. Lc Mounting surface 18 a recessed step 47 b arranged.
  • the arrangement of Fig. Lc is exemplary. In further embodiments, for example, only one stage, two protruding stages or two recessed stages may be provided.
  • the steps 47 can be generated, for example, when the structural elements 12 are separated.
  • 1 d is a schematic sectional view through a third component 52.
  • the third component 52 is a variant of the first component 10 illustrated in conjunction with FIGS. 1 a and 1 b.
  • the third component 52 differs itself from the first component 10 in that a first film 46 is arranged on the upper side 44 and a second film 66 is arranged on the mounting surface 18.
  • the second film 66 may substantially correspond to the first film 46.
  • the second film 66 has a second one already mentioned in connection with FIG.
  • the second insulation layer 51 corresponds to the first one
  • the second insulation layer 49 is disposed on the reflector layer 50.
  • the first and second films 46, 66 are in the region of the recess on the recessed bonding surfaces 32, 36 and the chip 16 via. Openings for the first and second connection contacts 24, 26 arranged on the mounting surface 18 are provided on the second film 66.
  • the protruding first and second foils 46, 66 together with the structural element 12 form a cavity, wherein the
  • Radiation surface 20 and the bonding surfaces 32, 36 form the bottom of the cavity.
  • a phosphor particles having potting compound 40 are filled.
  • FIG. 1e is a schematic sectional view through a fourth component 54.
  • the fourth component 54 is a variant of the first component 10 illustrated in conjunction with FIGS. 1a and 1b.
  • the fourth component 54
  • the reflective potting compound 56 may be, for example, a titanium dioxide particle filled silicone resin.
  • the reflective potting compound 56 may have a
  • connection contacts 24, 26 are arranged on the mounting surface 18 of the fourth component 54.
  • FIG. 2 a is a plan view of the mounting surface 18 of the surface-mountable optoelectronic component 60.
  • FIG. 2 b is a schematic sectional view along that in FIG. 2 a represented line AA.
  • the fifth component 60 differs from the first component 10 in particular in that instead of a thin-film chip with two top-side contacts, a sapphire flip-chip 61 is provided whose contacts are provided on the rear side. Accordingly, 61 no bonding wires are required for electrical contacting of the chip.
  • the contacts arranged on the rear side of the chip 61 are electrically conductively connected via two connection means 21 to the contact surfaces of the first and second electrically conductive regions 22, 23 arranged on the third side surface of the recess.
  • soldering alloy whose soldering temperature is above 250 ° C. may be provided as the connecting means.
  • the second film 66 is arranged.
  • the films are shown dashed and transparent in the illustration of FIG. 2a, since otherwise the chip 16 is covered by the films.
  • the films may correspond to the films already explained in connection with FIG.
  • the first and second films 46, 66 are connected to one another via a film web 74.
  • the film web 74 is arranged at the level of the end face 38 parallel to the radiation surface 20.
  • a phosphor 80 may be applied. This is indicated in the illustration of FIG. 2b by the hatched area.
  • the foil web 74 may, for example, an insulating layer 49 or a
  • Carrier layer of the film may be formed. Furthermore, the foil web 74 is transparent to the radiation emitted by the chip 16 and / or the phosphor 80.
  • the second film 66 explained in conjunction with FIGS. 2a and 2b may also be provided in the case of the first component 10.
  • mixed forms are possible, so for example, a thin-film chip with a top contact and a back contact can be provided. Accordingly, at the beam ungs Design 20 of the chip 16 a in connection with the figures la and lb described bonding wire 28 for electrical contacting of the Top contact and on the back of the chip 16 may be arranged in connection with the figures 2a and 2b described solder joint for making electrical contact with the rear side contact.
  • the fifth component 60 may also have features of the second, third and / or fourth component 42, 52, 54.
  • the height "hc" of the chips 16, 61 corresponds approximately to the height of the structural element 12. Since through the films 46, 66 the
  • Total height "hg” of the device is only slightly increased, a device can be provided whose total height "hc” is at most twice as high as the height "hc" of the chip 16, 61. It can be provided a device whose total height "hg "is less than 0.5 mm. For example, devices 10 having a height in the range between 0.3 mm and 0.15 mm
  • the total height "hg" of the device 200 may be Mm
  • the overall length "Ig” of the devices 10, 60 may be, for example, between 0.8 mm and 2.5 mm.
  • the total width "bg" of the components 10, 60 may be, for example, between 0.3 mm and 1 mm.
  • FIGS. 3 a and 3 b show a structural element carrier 102.
  • FIG. 3 a is a schematic plan view of the structural element carrier 102.
  • FIG. 3 b is a schematic side view of the structural element carrier 102
  • Structural element carrier is provided to facilitate the manufacture of in
  • FIGS. 3a and 3b On the structural element carrier 102, a plurality of interconnected structural elements 12 is arranged. For a clearer illustration, the individual structural elements 12 are shown dotted in FIGS. 3a and 3b.
  • Dashed lines indicate in the illustration of Figures 3a and 3b dividing lines, along which the individual structural elements can be separated.
  • Structural elements 102 are along columns 104 and / or rows 106
  • first trench 108 overlaps the second trenches 110 a, 110 b. Accordingly, in the illustration of FIG. 3 a, the first trench 108 is inserted deeper into the material of the structural element carrier than the second trenches 110 a, 110 b.
  • first trench 108 is inserted deeper into the material of the structural element carrier than the second trenches 110 a, 110 b.
  • Structural elements arranged in columns and rows can also be used.
  • Structure element carrier may be provided, in which the structural elements are arranged only in a row 106.
  • Structural element carriers consisting of structural elements arranged along a row have correspondingly no first trenches.
  • FIGS. 3a and 3b different second trenches 110a, 110b are illustrated.
  • the second trench 110a arranged on the left in FIGS. 3a and 3b is longer and shallower than the second trench 110b arranged on the right. Further, the leftmost second trench 110a has gradations. These gradations form the bonding surfaces 32, 36 of the later component.
  • the left second trench 110a and the right second trench 110b are provided for receiving different types of chips.
  • Structural element is provided for receiving a chip 16 with surface contacts.
  • the right structural element is provided for receiving a chip 61 with backside contacts.
  • structural element carriers 102 with the same second trenches 110 may also be provided.
  • structural element carriers can be provided, in which the structural elements each have only one step. Such structural elements may be provided for receiving a chip having a top side contact and a rear side contact.
  • the structural element carrier 102 can be produced, for example, by transfer molding.
  • structural elements made of ceramic for example, hot isostatic Be provided for pressing.
  • manufacturing processes can be provided, with which first and second trenches can already be introduced during the molding of the structural element carrier 102.
  • the first and second trenches 108, 110a, 110b may be introduced into the structural member carrier 102 by a material removal such as sawing and / or grinding.
  • FIGS. 4a-4e A method for producing optoelectronic components is explained with reference to FIGS. 4a-4e.
  • Figures 4a-4e are schematic representations of the components between individual processing steps.
  • FIG. 4a is a schematic plan view of the structural element carrier 102 explained in conjunction with FIGS. 3a and 3b.
  • an application of an electrically conductive material is explained.
  • the electrically conductive material can be applied, for example, by means of anisotropic metallization. This is indicated in Fig. 4a by the arrows shown.
  • anisotropic metallization This is indicated in Fig. 4a by the arrows shown.
  • Metalization of the structural element carrier method of physical or chemical vapor deposition may be provided. Furthermore, the metallization can also be done for example by thermal spraying.
  • the coating allows all surfaces arranged parallel to the plane of the drawing to be coated. In the illustrated embodiment, these are the end faces 38, the bonding surfaces 32, 38, the bottom surface of the first trenches 108, and the bottom surfaces of the second trenches 110a, 110b.
  • at least a part of the surfaces of the structural elements 12 is also coated, which are arranged perpendicular to the plane of the drawing in FIG. 4a.
  • the later mounting surface 18 of the device in the representation of FIG. 4a is arranged perpendicular to the plane of the drawing.
  • the metallization can, for example, with a layer thickness of 2 ⁇ on the
  • Structural element carrier 102 are applied.
  • metallization it is also possible to apply a plurality of overlapping layers of different materials, as has already been explained, for example, in connection with the first component.
  • the metallization it is also possible to apply a plurality of overlapping layers of different materials, as has already been explained, for example, in connection with the first component.
  • the metallization it is also possible to apply a plurality of overlapping layers of different materials, as has already been explained, for example, in connection with the first component.
  • Structural element carrier 102 and the metallization can also be produced with a production method for injection-molded circuit carriers (MID method).
  • MID method injection-molded circuit carriers
  • a shadow mask 111 may be provided.
  • the illustrated embodiment the
  • Shadow mask 111 elongate structures 112 have.
  • the elongate structures have a constant thickness and extend in the
  • the metallization can be structured by a material removal.
  • material removal machining processes such as sawing or grinding can be used.
  • sawing by sawing along the second trenches 110a, 110b, on the bottom surface of the second trench 110a,
  • Fig. 4b is a schematic representation of a section through the
  • Structural element carrier 102 along the line BB shown in Fig. 4a.
  • Structural elements 12 are interconnected by the material disposed below the first trench 108.
  • the hatched areas 114 in FIG. 4b show the electrically conductive areas 22, 23.
  • the structured application of the metallization means that the first electrically conductive area 22 and the second electrically conductive area 23 are separated from one another. A part of the mounting surface is thus not covered by the electrically conductive regions 22, 23.
  • the electrically conductive regions also cover the end faces 38 and the bonding surfaces 32, 36. As contact surfaces for electrical contacting of the chip are in the
  • the bonding surfaces 32, 36 are provided.
  • the bottom surface of the right-hand second trench 110b is provided as contact surfaces for electrical contacting of the chip.
  • two electrically insulated from each other electrically conductive surfaces are provided on the bottom surface of the right second Trench 110b.
  • FIG. 4c shows a structural element carrier 102 in which chips 16, 61 have been introduced. Before introducing the chips 16, 61, solder or adhesive can be applied to at least one of the side surfaces of the recess arranged in the recess.
  • the second trenches may, for example, be 15 ⁇ m longer than the chips 16, 61.
  • the chip 16 introduced into the left second trench 110a may be mechanically connected to the bottom surface of the left second trench 110a by means of an electrically insulating adhesive, for example.
  • the surface contacts of the chip 16 are connected via the bonding wires 28 to the bonding surfaces 32, 36.
  • the chip 61 introduced into the right-hand second trench 110b may, for example, be connected to the bottom surface of the right-hand second trench 110b mechanically and electrically conductively with its electrically conductive adhesive via its rear side.
  • two connecting means 21 are provided for electrical contacting of the two back contacts.
  • Insertion of the chips 16, 61 may be cured, for example, by applying heat energy of the adhesive disposed between the chips 16, 61 and the structural element carrier 102, or soldering a solder alloy.
  • a phosphor 40 can be sprayed onto the radiation surface of the chips 16, 61 introduced into the structural element carrier.
  • the phosphor 40 is applied in a structured manner.
  • the electrically conductive regions 22, 23 of the device may be concealed by a shadow mask.
  • the phosphor can also be applied later.
  • a reflective potting compound may be filled in the first trenches 108 to provide the structure illustrated in FIG.
  • On the electrically conductive regions 22, 23 can be applied, for example, before filling the reflective potting compound, a layer, which after a division of the Components removal of the potting compound of the connection contacts 24, 26 facilitates.
  • Fig. 4d dashed lines are shown.
  • the dividing lines are arranged in the first trenches 108.
  • the structural element carrier 102 can by a
  • Material removal along the first trenches 108 are divided.
  • the splitting of the structural element carrier 102 along the first trench 108 may also be referred to as a series division below.
  • Sawing, grinding or laser cutting can be provided for the removal of material, for example.
  • the material removal can be done for example from above or from below.
  • a material removal can be referred to, which takes place substantially from the side of the structural element carrier 102, on which the chips are arranged. From below may refer to a material removal, which takes place substantially from the side of the structural element carrier 102, which faces the recesses.
  • a protruding step 47 can be generated by a material removal from above.
  • As the above stage 47 can be referred to a stage that over the
  • Connection contacts 24, 26 protrudes. Material removal from below can create protruding or recessed steps.
  • the reset can be a stage where material has been removed from the mounting surface.
  • the row division can be dispensed with.
  • Material removal may be provided to separate structural elements arranged in a row.
  • a corresponding parting line is shown in Fig. 4e.
  • This material removal can be referred to below as column division.
  • Column division By splitting the columns, individual components or groups of at least two components can be provided.
  • Column division can be provided, for example, grinding, sawing, cutting or laser cutting.
  • a number of structural elements 12 with a first and second foil 46, 66 is shown.
  • the row of the structural elements 12 is placed on the first or second foil 46, 66 after singulation.
  • the other film can be applied.
  • the second film 66 has openings for the connection contacts 24, 26.
  • phosphor 40 can be applied to the radiation surface 40.
  • embedded in potting compound for example, embedded in potting compound
  • Phosphor particles are applied to the radiation surface 40 in a cavity formed by the protruding first and second foils 46, 66 and the structural element 12. Furthermore, it is possible for the first and second films 46, 66 to be connected to one another via a film web 74 explained in conjunction with FIGS. 2a and 2b. In this case, the phosphor 80 can be arranged on the film web 74. For the first components 10 which have no foil, the application of the first and second foil 46, 66 explained in connection with FIG. 4d can be dispensed with.
  • the division of the columns can be carried out before or after application to the first and / or second film.
  • the components can be divided together with the film 44, 66 by the column division.
  • mixed forms are also possible.
  • Column division may be provided, in which the structural element carrier 102 is divided into groups of at least two components and after the application of the groups of components on the film 46, 66, a new column division may be provided to separate the components. This can be provided, for example, to simplify the handling of the components during manufacture or further processing.
  • the film 44, 66 with the applied components may be on a roll
  • Components can be delivered to a customer.
  • Components is provided on a circuit board, the handling and transport of the components can be simplified. This is particularly advantageous for components with small dimensions.
  • the multiple component 500 comprises at least two components 502, 504.
  • the at least two components 502, 504 are connected to one another mechanically and electrically conductively via an electrically conductive foil 506.
  • the components 502, 504 are applied to the electrically conductive foil 506 spaced apart along one direction. The spaces between the individual components can remain free or be filled with silicone, for example.
  • the electrically conductive film 506 differs from the first and second films 46, 66 at least in that in addition to the adhesive layer 48, the
  • Insulation layer 49 and the reflector layer 50 at least one more
  • Insulation layer and electrical conductors 510 are provided.
  • the electrical interconnects 510 may, for example, between two insulating layers 49 be embedded.
  • the electrical traces 510 may be on the of the
  • Structure elements 12 facing away from the electrically conductive film 506 may be arranged.
  • the electrically conductive foil can be based on the
  • Structural element 12 an adhesive layer 48, an insulating layer 49, a
  • Reflector layer 50, an insulating layer 49, electrical interconnects 510, and a further insulating layer 49 have. Furthermore, the electrically conductive foil 506 has plated-through holes 512.
  • the plated-through holes 512 penetrate part of the insulating layers 49 and the reflector layer 50 and form an electrically conductive connection between the electrical conductor tracks 510 and the terminal contacts 24, 26 of the individual components.
  • the reflector layer may have openings for the plated-through holes 512.
  • the plated-through holes 512 may, for example, be electrically conductively connected to the connection contacts 24, 26 with an electrically conductive adhesive or by means of a solder connection.
  • the electrically conductive foil may, for example, have a thickness of less than 100 ⁇ m.
  • the electrically conductive foil 506 has a first and a second external connection contact 514, 516.
  • the first and the second external connection contact 514, 516 The first and the second external connection contact 514, 516.
  • Terminal contacts 514, 516 are provided to electrically contact the multiple device 500.
  • the first external connection contact 514 is electrically conductively connected via an electrical interconnect 510 to a first connection contact 24 of the component 502.
  • the second connection contact 26 of the component 502 is electrically conductively connected via an electrical interconnect 510 to the first connection contact 24 of the component 504.
  • the second terminal contact 26 of the component 506 is electrically conductively connected to the second external terminal contact 516 via an electrical conductor track 510.
  • the components 504, 506 of the multiple component 500 are electrically connected in series. In addition to the electrically conductive foil 506, one of the foils 46, 66 described in connection with FIGS.
  • the multiple device 500 thus differs from, for example, one Roll arranged individual components in particular characterized in that the components of the multiple component 500 electrically conductive with each other
  • FIG. 6 is a schematic representation of a second multiple component 600.
  • the second multiple component 600 illustrated in FIG. 6 differs from the first multiple component 500 shown in FIG. 5 in that the structural elements 12 are connected to one another in a mechanically and electrically conductive manner.
  • the multiple device 600 may be, for example, a row of the type shown in FIG. 4c
  • the second multiple device 600 only chips of one type.
  • the second multiple device 600 may, for example, comprise a row of the structural element carrier 102 having three recesses and three chips 16 arranged in the recesses.
  • the second multiple component 600 has common electrically conductive regions 602.
  • the common electrically conductive regions 602 have a first electrically conductive region 22 provided for contacting a first chip and a second electrically conductive region 23 provided for contacting a second chip arranged adjacent thereto.
  • a film 46, 66 may be arranged on the upper side 44 and / or the mounting surface 18 of the structural elements 12.
  • the film 46, 66 has a reflector layer 50.
  • the reflector layer 50 By means of the reflector layer 50, light emitted laterally from the component can be deflected in the direction of the radiation surface. Accordingly, the film 46, 46 can provide a light-guiding function.
  • the components and the multiple components can, for example, for
  • the multiple device and the light distribution plate may be part of a backlight of a display, such as a display
  • the components may be arranged with their radiation surface 20 on a side surface of the light distribution plate.
  • the side surface of the light distribution plate can perpendicular to a light output surface of the
  • the light path between the radiating surface and the side surface of the light distribution plate may be adjustable. Adjustable, for example, mean that the length of the light path can be set to a desired value. The desired value may, for example, be less than 100 ⁇ m.
  • the length of the light path can be adjusted, for example, over the depth of the second trenches relative to the end face 38. Furthermore, the length of the light path can be adjusted by the thickness of a phosphor 40 arranged on the radiation surface.
  • the optoelectronic component and the method for producing an optoelectronic component were used for the purpose of vera nschaul ich

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Abstract

The invention relates to a surface-mountable optoelectronic component having a mounting surface arranged on an electrically insulating structural element and a radiation surface of an optoelectronic chip arranged perpendicular to the mounting surface. The structure element has a recess which completely penetrates the structural element in a direction perpendicular to the mounting surface. The chip is arranged in the recess. At least one side surface of the chip arranged perpendicular to the mounting surface is mechanically connected to a side surface of the recess arranged perpendicular to the mounting surface. A first and a second electrically conductive region are arranged on the structural element, which are electrically isolated from each other. The first and second electrically conductive regions are each arranged on the mounting surface and on the contact surfaces arranged perpendicular to the mounting surface and adjacent to the mounting surface and wherein the part of the electrically conductive regions arranged on the mounting surface forms connection contacts for electrical and mechanical contacting of a circuit carrier and the part of the electrically conductive regions arranged on the contact surfaces electrically contact the optoelectronic chip.

Description

Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements  Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component
Der hier beschriebene Gegenstand betrifft ein oberflächenmontierbares The subject matter described herein relates to a surface mountable
optoelektronisches Bauelement mit einer seitlich angeordneten Strahlungsfläche. Ferner wird ein Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Optoelectronic component with a laterally arranged radiation surface. Further, a method of manufacturing a surface mountable
optoelektronischen Bauelements mit einer seitlich angeordneten Strahlungsfläche beschrieben. Optoelectronic device described with a laterally disposed radiation surface.
Optoelektronische Bauelemente, wie zum Beispiel Leuchtdioden (LED), mit seitlich angeordneten Strahlungsflächen können als Sidelooker bezeichnet werden. Diese Bauelemente können mit ihrer Grundfläche auf einen Schaltungsträger montiert werden, wobei die von Bauelement erzeugte oder die vom Bauelement zu Optoelectronic components, such as light emitting diodes (LED), with laterally arranged radiation surfaces can be referred to as Sidelooker. These components can be mounted with their base on a circuit board, which generated by the component or the component to
detektierende elektromagnetische Strahlung an einer senkrecht zur Grundfläche angeordneten Strahlungsfläche abgegeben oder aufgenommen wird. Detecting electromagnetic radiation is emitted or recorded on a radiation surface arranged perpendicular to the base surface.
Derartige Bauelemente können zum Beispiel zur Hintergrundbeleuchtung einer Anzeige, beispielsweise einem Bildschirm eines Mobiltelefons, vorgesehen sein. Die Sidelooker sind mit ihrer Strahl ungsfläche an den Seitenflächen einer Such components may be provided, for example, for backlighting a display, for example a screen of a mobile telephone. The sidelooks are with their beam surface on the side surfaces of a
Lichtverteilerplatte angeordnet. Die Lichtverteilerplatte wiederum ist hinter der Flüssigkristallanzeige angeordnet. Das von den LEDs erzeugte Licht wird an den Rändern der Lichtverteilerplatte in die Lichtverteilerplatte eingekoppelt. Die  Light distribution plate arranged. The light distribution plate in turn is arranged behind the liquid crystal display. The light generated by the LEDs is coupled into the light distribution plate at the edges of the light distribution plate. The
Lichtverteilerplatte weist Auskoppelstrukturen auf, mit denen das eingekoppelte Licht gleichmäßig ausgekoppelt und in Richtung der Flüssigkristallanzeige abgestrahlt wird. Das die Flüssigkristallanzeige durchdringende Licht kann von einem Betrachter der Anzeige wahrgenommen werden. Light distribution plate has coupling-out structures with which the coupled-in light is uniformly coupled out and emitted in the direction of the liquid-crystal display. The light penetrating the liquid crystal display can be perceived by a viewer of the display.
Mit Hinblick auf die Miniaturisierung mobiler Endgeräte besteht die Anforderung möglichst kompakte Bauelemente bereitzustellen, um die Dicke der Anzeige zu verringern. Insbesondere die Höhe des Bauelements ist dabei ein relevantes With regard to the miniaturization of mobile terminals, the requirement is to provide the most compact possible components in order to reduce the thickness of the display. In particular, the height of the component is a relevant
Kriterium. Bisher verwendete Bauelemente, wie zum Beispiel die Micro SIDELED von OSRAM Opto Semiconductors, weisen beispielsweise eine Höhe von ungefähr 0,65 mm auf. Es besteht somit die Aufgabe ein optoelektronisches Bauelement mit geringer Höhe bereitzustellen. Da mit abnehmender Größe der Bauelemente die Herstellung und die Verarbeitung der Bauelemente zunehmend schwieriger werden, besteht ferner die Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung der optoelektronischen Bauelemente bereitzustellen. Criteria. For example, previously used components, such as the Micro SIDELED from OSRAM Opto Semiconductors, have a height of approximately 0.65 mm. It is therefore the object to provide an optoelectronic component with low height. Since the size and size of the components make it increasingly difficult to manufacture and process the components, there is also the task of providing a method for producing the optoelectronic components.
Vorgeschlagene Lösung Zur Lösung der Aufgabe wird ein oberflächenmontierbares optoelektronischesProposed solution To solve the problem, a surface-mountable optoelectronic
Bauelement mit einer an einem elektrisch isolierenden Strukturelement angeordneten Montagefläche und einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Component having a arranged on an electrically insulating structural element mounting surface and arranged perpendicular to the mounting surface
Strahlungsfläche eines optoelektronischen Chips vorgeschlagen. Das Strukturelement weist eine Aussparung auf, die das Strukturelement in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche vollständig durchdringt. In der Aussparung des Strukturelements ist der optoelektronische Chip angeordnet. Zumindest eine senkrecht zur Montagefläche angeordnete Seitenfläche des optoelektronischen Chips ist mit einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Seitenfläche der Aussparung mechanisch verbunden. Auf dem elektrisch isolierenden Strukturelement sind ein erster und ein zweiter elektrisch leitender Bereich angeordnet, die elektrisch voneinander isoliert sind. Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich ist jeweils an der Montagefläche sowie an einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten und an die Montagefläche angrenzenden Kontaktfläche angeordnet, wobei der an der Montagefläche Radiation surface of an optoelectronic chip proposed. The structural member has a recess that completely penetrates the structural member in a direction perpendicular to the mounting surface. In the recess of the structural element of the optoelectronic chip is arranged. At least one side surface of the optoelectronic chip arranged perpendicular to the mounting surface is mechanically connected to a side surface of the recess arranged perpendicular to the mounting surface. On the electrically insulating structural element, a first and a second electrically conductive region are arranged, which are electrically isolated from each other. The first and second electrically conductive region is arranged in each case on the mounting surface and on a contact surface arranged perpendicular to the mounting surface and adjacent to the mounting surface, wherein the contact surface on the mounting surface
angeordnete Teil der ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereiche arranged part of the first and second electrically conductive regions
Anschlusskontakte zur elektrischen und mechanischen Kontaktierung eines Connection contacts for the electrical and mechanical contacting of a
Schaltungsträgers bildet, und der an den Kontaktflächen angeordnete Teil des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereichs zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Chips vorgesehen sind. Durch die einfache Struktur können Bauelemente mit geringer Höhe bereitgestellt werden. Die auf dem Strukturelement angeordneten elektrisch leitenden Bereiche ermögliche eine kompakte elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Chips. Da die elektrische Kontaktierung durch die elektrisch leitenden Bereiche erfolgt, kann ein Bauelement ohne Vias oder Durchkontaktierungen bereitgestellt werden. Durch das Anordnen des Chips in der Aussparung kann das Strukturelement derart gestaltet werden, dass die durch das Strukturelement bereitgestellte elektrische und Circuit carrier forms, and are provided on the contact surfaces arranged part of the first and second electrically conductive region for electrically contacting the optoelectronic chip. The simple structure allows low height components to be provided. The arranged on the structural member electrically conductive regions allow a compact electrical contacting of the optoelectronic chip. Since the electrical contact is made by the electrically conductive areas, can a device without vias or vias are provided. By arranging the chip in the recess, the structural element can be designed in such a way that the electrical and structural elements provided by the structural element
mechanische Funktionen nicht zur Höhe des Bauelements beitragen. Vereinfacht ausgedrückt ist das Strukturelemente und die Aussparung derart gestaltet, dass der Chip neben dem Strukturelement angeordnet ist. Das Bauelement ist für mechanical functions do not contribute to the height of the component. In simple terms, the structural elements and the recess are designed such that the chip is arranged next to the structural element. The device is for
unterschiedliche Chiptypen geeignet. Wenn das Bauelement zum Beispiel einen lichtemittierenden Chip aufweist, kann als Chip zum Beispiel ein Saphir-Chip, ein Saphir-Flip-Chip oder ein Dünnfilmchip vorgesehen sein. Ferner können Chips mit zwei Rückseitenkontakten, zwei Oberseitenkontakten oder mit einem Oberseiten und einem Rückseitenkontakt vorgesehen sein. different chip types suitable. For example, if the device has a light emitting chip, a sapphire chip, a sapphire flip chip, or a thin film chip may be provided as the chip. Further, chips may be provided with two backside contacts, two topside contacts, or one top and one backside contact.
Ferner wird zur Lösung der Aufgabe ein Verfahren zum Herstellen eines Furthermore, to achieve the object, a method for producing a
oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Strukturelementträgers mit einer Vielzahl mechanisch miteinander verbundener, elektrisch isolierender Strukturelemente, wobei die Strukturelemente in Reihen und/oder in Spalten angeordnet sind und jeweils zumindest eine die Strukturelemente vollständig durchdringende Aussparung aufweisen. Ferner umfasst das Verfahren ein Aufbringen elektrisch leitender Bereiche auf zumindest zwei senkrecht zueinander angeordneter und aneinander proposed surface mount optoelectronic device. The method comprises providing a structural element carrier having a plurality of mechanically interconnected, electrically insulating structural elements, wherein the structural elements are arranged in rows and / or in columns and each have at least one recess which completely penetrates the structural elements. Furthermore, the method comprises applying electrically conductive regions to at least two mutually perpendicular and to each other
angrenzenden Seitenflächen der Strukturelemente; ein Bereitstellen einer Vielzahl optoelektronischer Chips; ein Einbringen der optoelektronischen Chips in die adjacent side surfaces of the structural elements; providing a plurality of optoelectronic chips; an introduction of the optoelectronic chips in the
Aussparungen der Strukturelemente; ein mechanisches Verbinden der Vielzahl der optoelektronischen Chips mit den Strukturelementen; und ein Aufteilen des Recesses of the structural elements; mechanically connecting the plurality of optoelectronic chips to the structure elements; and splitting the
Strukturelementträgers. Structural element carrier.
Der gemeinsame Strukturelementträger vereinfacht die Herstellung der Bauelemente, da anstelle einer Vielzahl einzelner Strukturelemente lediglich ein gemeinsamer Strukturelementträger gehandhabt werden muss. Zudem ermöglicht der The common structural element carrier simplifies the production of the components, since instead of a plurality of individual structural elements, only one common structural element carrier has to be handled. In addition, the
Strukturelementträger, dass einige der Verfahrensschritte für eine Vielzahl von Bauelementen parallel durchgeführt werden können. Zum Beispiel können die elektrisch leitenden Bereiche durch ein Beschichtungsverfahren gleichzeitig auf eine Vielzahl von Strukturelementen aufgebracht werden. Ferner kann das mechanische Verbinden der Chips mit den Strukturelementen für eine Vielzahl von Bauelementen parallel durchgeführt werden. Die Bauelemente können ohne Fototechnik hergestellt werden. Dadurch wird die Herstellung der Bauelemente vereinfacht. Weitere Ausgestaltungen Structural element carrier that some of the process steps for a plurality of components can be performed in parallel. For example, the electrically conductive regions may be simultaneously applied to a plurality of structural elements by a coating process. Furthermore, the mechanical Connecting the chips are performed with the structural elements for a plurality of components in parallel. The components can be produced without photographic technology. This simplifies the manufacture of the components. Further embodiments
Als Material für das Strukturelement kann Keramik vorgesehen sein. Ferner kann als Material für das Strukturelement Kunststoff vorgesehen sein. Zum Beispiel kann ein Material verwendet werden, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient ungefähr dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Chips entspricht. Ferner kann ein Material verwendet werden, das für die vom Chip emittierte oder absorbierte As material for the structural element ceramic may be provided. Furthermore, plastic can be provided as the material for the structural element. For example, a material whose coefficient of thermal expansion corresponds approximately to the thermal expansion coefficient of the chip may be used. Further, a material that is emitted or absorbed by the chip may be used
elektromagnetische Strahlung eine hohe Reflektivität aufweist. electromagnetic radiation has a high reflectivity.
Die vorgeschlagene Struktur ermöglicht das Bereitstellen von Bauelementen mit geringer Höhe. So kann die Höhe des Strukturelements ungefähr der Höhe des optoelektronischen Chips entsprechen. Ferner kann die Gesamthöhe des The proposed structure enables the provision of low-height devices. Thus, the height of the structural element can correspond approximately to the height of the optoelectronic chip. Furthermore, the total height of the
oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements maximal doppelt so groß sein, wie die Höhe des optoelektronischen Chips. Zum Beispiel können Bauelemente bereitgestellt werden, bei denen der optoelektronische Chip eine Höhe von ungefähr 200 Mm aufweist und das Bauelement eine Gesamthöhe von 300 Mm aufweist. Es können somit Bauelemente bereitgestellt werden, deren Gesamthöhe maximal dem 1,5 fachen der Höhe des Chips entspricht. Bei einigen Ausführungsbeispielen können Bauelemente bereitgestellt werden, bei denen die Gesamthöhe des Bauelements ungefähr der Höhe der Strahlungsfläche des optoelektronischen Chips entspricht. surface mountable optoelectronic component to be maximally twice as large as the height of the optoelectronic chip. For example, devices may be provided in which the optoelectronic chip has a height of about 200 μm and the device has an overall height of 300 μm. It can thus be provided components whose total height corresponds to a maximum of 1.5 times the height of the chip. In some embodiments, devices may be provided in which the overall height of the device is approximately equal to the height of the radiating surface of the optoelectronic chip.
An der Montagefläche des Strukturelements und/oder an einer der Montagefläche gegenüberliegenden Oberseite des Strukturelements kann eine Reflektorschicht angeordnet sein. Durch die Reflektorschicht kann die Effizienz des Bauelements erhöht werden. Die Reflektorschicht kann Teil einer auf das Strukturelement aufgebrachten Folie sein. Ferner kann die Reflektorschicht eine reflektierende Vergussmasse sein. In dem Strahlengang des Chips kann parallel zur Strahlungsfläche einen Folie angeordnet sein, wobei auf der Folie ein Leuchtstoff aufgebracht ist. In weiteren Ausführungsbeispielen kann ein Leuchtstoff direkt auf die Strahlungsfläche des optoelektronischen Chips aufgebracht sein. Zum Beispiel kann ein in Vergussmasse eingebetteter Leuchtstoff in eine durch Folien und das Strukturelement gebildete Kavität gefüllt werden. Für das Einfüllen des Leuchtstoffs in die durch die Folien und das Strukturelement gebildete Kavität kann zum Beispiel Dispensen vorgesehen sein. Ferner kann der Leuchtstoff auch auf die Strahlungsfläche des Chips aufgesprüht sein. A reflector layer may be arranged on the mounting surface of the structural element and / or on an upper side of the structural element opposite the mounting surface. Through the reflector layer, the efficiency of the device can be increased. The reflector layer may be part of a film applied to the structural element. Furthermore, the reflector layer may be a reflective potting compound. In the beam path of the chip, a film may be arranged parallel to the radiation surface, wherein a phosphor is applied to the film. In further embodiments, a phosphor can be applied directly to the radiation surface of the optoelectronic chip. For example, a phosphor embedded in potting compound may be filled in a cavity formed by films and the structural member. For the filling of the phosphor into the cavity formed by the foils and the structural element, dispensing may be provided, for example. Furthermore, the phosphor can also be sprayed onto the radiation surface of the chip.
Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich können oberflächlich auf das The first and second electrically conductive area can be superficially on the
Strukturelement aufgebracht sein. Als oberflächlich aufgebracht können zum Beispiel Strukturen bezeichnet werden, die mit einem Beschichtungsverfahren auf das Structural element applied. As applied superficially, for example, structures can be referred to, which with a coating process on the
Strukturelement aufgebracht worden sind. Zum Beispiel können der erste und zweite elektrisch leitende Bereich Schichten sein, die auf das Strukturelement aufgebracht wurden. Die Schichtdicke kann weniger als 10 Mm betragen. In weiteren Structural element have been applied. For example, the first and second electrically conductive regions may be layers that have been applied to the structural element. The layer thickness can be less than 10 μm. In further
Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke 2 μηι betragen. Embodiments, the layer thickness can be 2 μηι.
Das Strukturelement kann den optoelektronischen Chip an drei senkrecht zur The structural element may be the optoelectronic chip at three perpendicular to
Montagefläche angeordneten Seitenflächen umgeben. Entsprechend kann dasSurrounding mounting surface arranged side surfaces. Accordingly, that can
Strukturelement im Wesentlichen U-förmig sein. Eine Funktion der beiden Schenkel des U-förmigen Strukturelements kann zum Beispiel darin bestehen ausreichend Fläche für eine mechanische und elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Structural element to be substantially U-shaped. A function of the two legs of the U-shaped structural element may be, for example, sufficient area for a mechanical and electrically conductive connection between the
Bauelement und einem Schaltungsträger bereitzustellen. Eine Funktion des To provide device and a circuit carrier. A function of
Querstücks des U-förmigen Strukturelements kann zum Beispiel darin bestehen, die beiden Schenkel des Strukturelements mechanisch miteinander zu verbinden. Crosspiece of the U-shaped structural element may for example consist in mechanically connecting the two legs of the structural element together.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel können zumindest zwei Bauelemente zu einem Mehrfachbauelement zusammengefasst werden. Die einzelnen Bauelemente eines Mehrfachbauelements können über eine elektrisch leitende Folie mechanische und elektrisch leitend miteinander verbunden sein. Die elektrisch leitende Folie kann ein Beispiel für einen Schaltungsträger sein. Die einzelnen Bauelemente des In a further embodiment, at least two components can be combined to form a multiple component. The individual components of a multiple component can be connected to one another mechanically and electrically conductively via an electrically conductive foil. The electrically conductive foil may be an example of a circuit carrier. The individual components of the
Mehrfachbauelements können in einer elektrischen Reihenschaltung angeordnet sein. die elektrisch leitende Folie kann an der Montagefläche und/oder der Oberseite des Strukturelements angeordnet sein. Die elektrisch leitende Folie kann eine Multiple component can be arranged in an electrical series circuit. the electrically conductive foil may be arranged on the mounting surface and / or the upper side of the structural element. The electrically conductive foil may be a
Reflektorschicht aufweisen. Ferner können auf der Montagefläche und auf der Oberseite angeordnete Folien über die Strahl ungsfläche überstehen und zusammen mit dem Strukturelement eine Kavität bilden. Dabei kann zumindest eine der Folien eine elektrisch leitende Folie sein. In die Kavität kann ein Leuchtstoff eingebracht werden. Alternativ oder ergänzend zu zumindest zwei über eine Folie mechanisch und/oder elektrisch miteinander verbundenen Bauelementen können zumindest zwei Strukturelemente eines Mehrfachbauelements mechanisch miteinander verbunden sein. Die miteinander verbunden Strukturelemente können integral geformt sein. Die mechanisch miteinander verbundenen Strukturelemente können die Have reflector layer. Furthermore, arranged on the mounting surface and on the top films over the beam surface can survive and form a cavity together with the structural element. In this case, at least one of the films may be an electrically conductive film. In the cavity, a phosphor can be introduced. As an alternative or in addition to at least two components mechanically and / or electrically interconnected via a foil, at least two structural elements of a multiple component can be mechanically connected to one another. The interconnected structural elements may be integrally formed. The mechanically interconnected structural elements can
optoelektronischen Chips des Mehrfachbauelements elektrisch leitenden verbinden. Zum Beispiel können ein erster elektrisch leitender Bereich und ein zweiter elektrisch leitender Bereich einen gemeinsamen elektrisch leitenden Bereich bilden. Aufgrund der größeren Abmessungen kann ein Mehrfachbauelement im Vergleich zu einem einzelnen Bauelement zum Beispiel einfacher weiterverarbeitet werden. optoelectronic chip electrically connect the multiple component electrically conductive. For example, a first electrically conductive region and a second electrically conductive region may form a common electrically conductive region. Due to the larger dimensions, a multiple device can be processed more easily compared to a single device, for example.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel können das Bauelement oder das In a further embodiment, the device or the
Mehrfachbauelement Teil einer Hintergrundbeleuchtungseinrichtung sein. Die Hintergrundbeleuchtungseinrichtung kann dazu eingerichtet sein, den Hintergrund einer Flüssigkristallanzeige eines Bildschirms zu beleuchten. Die Multiple component be part of a backlight device. The backlighting device may be configured to illuminate the background of a liquid crystal display of a display screen. The
Hintergrundbeleuchtungseinrichtung kann eine Lichtverteilerplatte aufweisen, wobei das Bauelement oder das Mehrfachbauelement an zumindest einer senkrecht zu einer Lichtauskoppelfläche der Lichtverteilerplatte angeordneten Seitenfläche der Lichtverteilerplatte angeordnet sein können. Backlight device may comprise a light distribution plate, wherein the component or the multiple component may be arranged on at least one arranged perpendicular to a light outcoupling surface of the light distribution plate side surface of the light distribution plate.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel können die Bauelemente über eine auf der Montagefläche und/oder der Oberseite angeordnete Folie lediglich mechanisch miteinander verbunden sein. Lediglich mechanisch miteinander verbunden kann dabei bedeuten, dass zwischen den Bauelementen keine elektrisch leitende In a further embodiment, the components can be connected only mechanically to one another via a film arranged on the mounting surface and / or the upper side. Only mechanically interconnected can mean that between the components no electrically conductive
Verbindung besteht. Die mechanisch miteinander verbunden Bauelemente können dann unmittelbar vor dem Aufbringen auf einen Schaltungsträger voneinander getrennt werden. Die Folie kann eine Reflektorschicht aufweisen. Die durch die Folie miteinander verbunden Bauelemente können einfach gehandhabt, transportiert und verarbeitet werden. Connection exists. The mechanically interconnected components can then be separated from each other immediately prior to application to a circuit carrier. The foil may have a reflector layer. The through the film interconnected components can be easily handled, transported and processed.
Die elektrisch leitenden Bereiche können strukturiert auf den Strukturelementträger aufgebracht werden. Das strukturierte Aufbringen der elektrisch leitenden Bereiche kann zum Beispiel mit einem Beschichtungsverfahren erfolgen. Für das strukturierte Aufbringen kann zum Beispiel eine Schattenmaske vorgesehen sein. The electrically conductive regions can be applied in a structured manner to the structural element carrier. The structured application of the electrically conductive regions can be carried out, for example, by a coating method. For example, a shadow mask may be provided for the structured application.
Für das Aufteilen des Strukturelementträgers kann ein Materialabtrag entlang eines ersten Grabens vorgesehen sein. Der Materialabtrag entlang des ersten Grabens kann nachstehend vereinfacht auch als Reihenaufteilung bezeichnet werden. Die Reihenaufteilung kann für einen Strukturelementträger vorgesehen sein, bei dem die Strukturelemente in Reihen und Spalten angeordnet sind. Mit der Reihenaufteilung kann ein Strukturelementträger bereitgestellt werden, der nur eine einzige Reihe von Strukturelementen aufweist. For the splitting of the structural element carrier, a material removal along a first trench can be provided. The removal of material along the first trench can also be referred to as row division in a simplified manner below. The series division may be provided for a structural element carrier in which the structural elements are arranged in rows and columns. With the row splitting, a structural element carrier can be provided which has only a single row of structural elements.
Für das Aufteilen des Strukturelementträgers kann ferner ein Materialabtrag zwischen zwei in einer Reihe angeordneten Strukturelementen vorgesehen sein. Dieser Materialabtrag kann nachstehend auch als Spaltenaufteilung bezeichnet werden. Die Spaltenaufteilung kann nach der Reihenaufteilung vorgesehen sein. Zum Beispiel kann mit der Spatenaufteilung ein Strukturelementträger mit einer einzelnen Reihe von Strukturelementen in einzelne Strukturelemente oder in Gruppen mit mindestens zwei Strukturelementen aufgeteilt werden. Die Strukturelemente können nach dem Aufteilen des Strukturelementträgers auf eine Folie aufgebracht werden. Ferner kann ein Strukturelementträger mit einer einzelnen Reihe von Strukturelementen auch ohne ein vorheriges Aufteilen auf die Folie aufgebracht werden. Die Folie kann vorgesehen sein, um eine Vielzahl von Strukturelementen mechanisch miteinander zu verbinden. Die Folie mit den aufgebrachten Bauelementen kann auf eine Rolle aufgewickelt werden. Die auf einer Rolle aufgewickelte Folie kann als Transportverpackung vorgesehen sein. Ferner kann eine Folie mit einer Vielzahl von Bauelementen in einzelne Bauelemente oder in Gruppen mit mindestens zwei Bauelementen aufgeteilt werden. Für das Aufteilen der Folie sowie der über die Folie mechanisch miteinander verbundenen Bauelemente kann zum Beispiel Lasertrennen oder Schneiden vorgesehen sein. For the splitting of the structural element carrier, a material removal between two structural elements arranged in a row can furthermore be provided. This material removal can also be referred to as column division below. The column division may be provided after the row division. For example, with spade partitioning, a structural element support having a single row of structural elements may be divided into individual structural elements or into groups having at least two structural elements. The structural elements can be applied to a film after dividing the structural element carrier. Furthermore, a structural element support having a single row of structural elements may also be applied without prior partitioning to the foil. The film may be provided to mechanically bond a plurality of structural elements together. The film with the applied components can be wound up on a roll. The wound on a roll film may be provided as a transport packaging. Furthermore, a film with a plurality of components can be divided into individual components or in groups with at least two components. For dividing the film and the mechanically interconnected via the film components can be provided for example laser cutting or cutting.
Kurze Beschreibung der Figuren Brief description of the figures
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele anhand der Figuren näher erläutert. Die gleichen Bezugszeichen werden für gleichartige oder gleich wirkende Elemente bzw. Eigenschaften in allen Figuren verwendet. Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu. Exemplary embodiments will be explained in more detail below with reference to the figures. The same reference numerals are used for similar or equivalent elements or properties in all figures. The figures are not to scale.
Es zeigen: Show it:
Fig. la eine schematische Draufsicht auf ein erstes oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement; Fig. La is a schematic plan view of a first surface mountable optoelectronic device;
Fig. lb eine schematische Seitenansicht des in Fig. la dargestellten Fig. Lb is a schematic side view of the one shown in Fig. La
Bauelements;  component;
Fig. lc eine schematische Schnittdarstellung eines zweiten Fig. Lc is a schematic sectional view of a second
oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements;  surface-mountable optoelectronic component;
Fig. ld eine schematische Schnittdarstellung eines dritten Fig. Ld is a schematic sectional view of a third
oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements; Fig. le eine schematische Schnittdarstellung eines vierten  surface-mountable optoelectronic component; Fig. Le is a schematic sectional view of a fourth
oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements;  surface-mountable optoelectronic component;
Fig. 2a eine schematische Draufsicht auf ein fünftes oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement; FIG. 2a is a schematic plan view of a fifth surface-mountable optoelectronic component; FIG.
Fig. 2b eine schematische Schnittdarstellung des in Fig. 2a dargestellten Fig. 2b is a schematic sectional view of that shown in Fig. 2a
Bauelements;  component;
Fig. 3a eine schematische Draufsicht auf eine Strukturelementträger; 3a shows a schematic plan view of a structural element carrier;
Fig. 3b eine schematische Seitenansicht des in Fig. 3a dargestellten Fig. 3b is a schematic side view of that shown in Fig. 3a
Strukturelementträgers; Fig. 4a 4e schematische Darstellungen zwischen einzelnen Structural element carrier; Fig. 4a 4e schematic representations between individual
Bearbeitungsschritten;  Processing steps;
Fig. 5 eine schematische Darstellung eines ersten Mehrfachbauelements; 5 shows a schematic representation of a first multiple component;
Fig. 6 eine schematische Darstellung eines zweiten Mehrfachbauelements. Fig. 6 is a schematic representation of a second multiple component.
Detaillierte Beschreibung von Ausführungsbeispielen Detailed description of embodiments
Der Begriff„optoelektronisches Bauelement" kann zum Beispiel Bauelemente umfassen, die dazu eingerichtet sind, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Nachfolgend wird die vorgeschlagene Lösung am Beispiel einer Licht emittierenden Diode (LED) erläutert, wobei die für eine LED erläuterten Merkmale auch bei anderen optoelektronischen Bauelementen vorgesehen sein können. The term "optoelectronic component" may, for example, comprise components that are configured to emit electromagnetic radiation and / or to detect electromagnetic radiation The solution proposed below will be explained using the example of a light emitting diode (LED) as an LED explained features can also be provided in other optoelectronic devices.
In Fig. la ist ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement 10 schematisch dargestellt. Die Fig. la ist eine Draufsicht auf eine Montagefläche des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements 10. Die Fig. lb ist eine schematische Draufsicht auf die Strahlungsfläche 20 des Bauelements 10. Als oberflächenmontierbares Bauelement 10 werden Bauelemente bezeichnet, die für eine Oberflächenmontage auf einem Schaltungsträger, wie zum Beispiel einerIn Fig. La, a surface mountable optoelectronic device 10 is shown schematically. 1a is a plan view of a mounting surface of the surface-mountable optoelectronic component 10. FIG. 1b is a schematic top view of the radiation surface 20 of the component 10. The surface-mountable component 10 designates components which are suitable for surface mounting on a circuit carrier, such as Example of a
Leiterplatte, geeignet sind. Diese Bauelementform kann auch als SMD (engl. Surface Mounted Device) bezeichnet werden. Bei der Oberflächen montage werden die Bauelemente mit einer Montagefläche auf den Schaltungsträger gelegt. Die PCB, are suitable. This component form can also be referred to as SMD (Surface Mounted Device). When surface mounting the components are placed with a mounting surface on the circuit board. The
Bauelemente werden dann durch Kleben oder Löten, zum Beispiel Components are then glued or soldered, for example
Wiederaufschmelzlöten oder mit einem elektrisch leitenden Klebstoff, mechanisch und elektrisch leitend mit dem Schaltungsträger verbunden. Reflow soldering or with an electrically conductive adhesive, mechanically and electrically connected to the circuit carrier.
Das in den Figuren la und lb dargestellte Bauelement 10 umfasst ein The component 10 shown in FIGS. 1 a and 1 b comprises a
Strukturelement 12 und einen optoelektronischen Chip 16. Der dargestellte optoelektronische Chip 16 weist ungefähr die Form eines Quaders auf. Der Chip 16 ist in einer Aussparung des Strukturelements 12 angeordnet. Das dargestellte Strukturelement 12 grenzt an drei Seitenflächen des Chips 16 an. Die Aussparung durchdringt das Strukturelement 12 in vertikaler Richtung - also bei der Darstellung der Fig. la senkrecht zur Zeichenebene - vollständig. Die Aussparung wird an einer Seite nicht durch das Strukturelement 12 begrenzt. Diese Seite kann nachstehend auch als offene Seite der Aussparung bezeichnet werden. Somit umgibt das erste Strukturelement 12 den Chip 16 im Wesentlichen U-förmig. Die Form der Aussparung ist an die Form des aufzunehmenden optoelektronischen Chips 16 angepasst. Für das dargestellte Ausführungsbeispiel kann zum Beispiel ein Dünnfilmchip mit zwei Oberseitenkontakten vorgesehen sein. Structural element 12 and an optoelectronic chip 16. The illustrated optoelectronic chip 16 has approximately the shape of a cuboid. The chip 16 is arranged in a recess of the structural element 12. The illustrated structural element 12 adjoins three side surfaces of the chip 16. The recess penetrates the structural element 12 in the vertical direction - ie in the representation of Fig. La perpendicular to the plane - completely. The recess is not bounded by the structural element 12 on one side. This page can also be referred to below as the open side of the recess. Thus, the first structural element 12 surrounds the chip 16 in a substantially U-shaped manner. The shape of the recess is adapted to the shape of the male optoelectronic chip 16. For example, a thin-film chip with two top-side contacts may be provided for the illustrated embodiment.
Der Chip 16 weist an einer Seitenfläche, also einer senkrecht zur Montagefläche 18 angeordneten Fläche eine Strahl ungsf läche 20 auf. Die Strahlungsfläche 20 ist beim erläuterten Beispiel der LED dazu vorgesehen, die von dem Chip erzeugte The chip 16 has a radiation surface 20 on a side surface, that is to say a surface arranged perpendicular to the mounting surface 18. The radiating surface 20 is provided in the illustrated example of the LED, which is generated by the chip
elektromagnetische Strahlung aus dem Chip 16 auszukoppeln. Die zur To couple electromagnetic radiation from the chip 16. The to
Strahlungserzeugung vorgesehene Schichtenfolge des Chips 16 ist parallel zur Strahlungsfläche 20 angeordnet. Die Strahl ungsf läche 20 ist an der offenen Seite der Aussparung angeordnet. Da die Strahlungsfläche 20 in dem Bauelement 10 senkrecht zur Montagefläche 18 angeordnet ist, wird das von dem Bauelement 10 emittierte Licht seitlich ausgekoppelt. Diese Bauform kann als Sidelooker bezeichnet werden. Sidelooker können zum Beispiel vorgesehen sein, um Licht seitlich in eine Lichtverteilerplatte einzukoppeln.  Provision of radiation generation layer sequence of the chip 16 is arranged parallel to the radiation surface 20. The radiation surface 20 is disposed on the open side of the recess. Since the radiation surface 20 is arranged in the device 10 perpendicular to the mounting surface 18, the light emitted by the device 10 is coupled out laterally. This design can be called Sidelooker. Sidelooker can be provided, for example, to couple light laterally in a light distribution plate.
Bei dem dargestellten Bauelement 10 ist der Chip 16 an drei Seiten von dem In the illustrated device 10, the chip 16 is on three sides of the
Strukturelement 12 U-förmig umgeben. Eine erste an die Strahl ungsf läche 20 angrenzende Seitenfläche des Chips 16 liegt an einer in der Aussparung Structural element 12 surrounded in a U-shape. A first side surface of the chip 16 adjoining the radiation surface 20 is located at one in the recess
angeordneten ersten Seitenfläche des Strukturelements 12 an. Eine zweite an die Strahlungsfläche 20 angrenzende Seitenfläche des Chips 16 liegt an einer zweiten in der Aussparung angeordneten Seitenfläche des Strukturelements 12 an. Eine der Strahlungsfläche 20 gegenüberliegende Rückseite des Chips 16 liegt an einer dritten Seitenfläche des Strukturelements 12 an. Der Chip 16 ist mechanisch mit dem arranged first side surface of the structural element 12 at. A second side surface of the chip 16 adjoining the radiation surface 20 bears against a second side surface of the structure element 12 arranged in the recess. One of the radiation surface 20 opposite rear side of the chip 16 abuts a third side surface of the structural element 12. The chip 16 is mechanically with the
Strukturelement 12 verbunden. Für die mechanische Verbindung ist zwischen zumindest einer Seitenfläche des Chips 16 und zumindest einer der in der Aussparung angeordneten Seitenflächen des Strukturelements ein Verbindungsmittel 21 vorgesehen. Als Verbindungsmittel 21 kann zum Beispiel Klebstoff, elektrisch leitender Klebstoff oder Lot vorgesehen sein. Structural element 12 connected. For the mechanical connection is between at least one side surface of the chip 16 and at least one of the arranged in the recess side surfaces of the structural element, a connecting means 21 is provided. As connecting means 21 may be provided, for example, adhesive, electrically conductive adhesive or solder.
Das Strukturelement 12 ist aus einem elektrisch isolierenden Material wie zum Beispiel Kunststoff oder Keramik geformt. Als Kunststoff kann zum Beispiel The structural element 12 is formed from an electrically insulating material such as plastic or ceramic. As plastic can for example
Polybutylenterephthalat (PBT) oder Polycarbonat (PC) vorgesehen sein. Als Keramik kann zum Beispiel AI2O3 vorgesehen sein. Ferner kann eine maschinell bearbeitbare Glaskeramik vorgesehen sein. Ferner kann das Material des Strukturelements so gewählt sein, dass es für die von dem Chip 16 emittierte Strahlung eine hohe Polybutylene terephthalate (PBT) or polycarbonate (PC) may be provided. As a ceramic may be provided, for example, AI2O3. Furthermore, a machinable glass ceramic can be provided. Furthermore, the material of the structural element may be selected such that it has a high intensity for the radiation emitted by the chip 16
Reflektivität aufweist. Zum Beispiel können Materialien verwendet werden, die für einen Betrachter weiß erscheinen. Has reflectivity. For example, materials that appear white to a viewer may be used.
Auf dem elektrisch isolierenden Strukturelement 12 sind ein erster elektrisch leitender Bereich 22 und ein zweiter elektrisch leitender Bereich 23 angeordnet. Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 sind oberflächlich auf das On the electrically insulating structural element 12, a first electrically conductive region 22 and a second electrically conductive region 23 are arranged. The first and second electrically conductive areas 22, 23 are superficial on the
Strukturelement 12 aufgebracht. Das oberflächliche Aufbringen der elektrisch leitenden Bereiche kann mit einem Beschichtungsverfahren erfolgen. Zum Beispiel kann ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung wie Sputterdeposition oder thermisches Verdampfen oder ein Verfahren der chemischen Structural element 12 applied. The superficial application of the electrically conductive regions can be effected by a coating method. For example, a physical vapor deposition method such as sputter deposition or thermal evaporation or a chemical vapor deposition method may be used
Gasphasenabscheidung wie plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung vorgesehen sein. Ferner kann thermisches Spritzen oder Galvanisieren vorgesehen sein. Die Beschichtung kann auch zweistufig aufgebracht werden. Zum Beispiel kann in einem ersten Schritt zum Beispiel durch Sputterdeposition eine Keimschicht aufgebracht werden. In einem zweiten Schritt kann zum Beispiel durch Galvanisieren die Schichtdicke erhöht werden. Insbesondere für aus Kunststoff geformte Gas phase deposition such as plasma-enhanced chemical vapor deposition may be provided. Furthermore, thermal spraying or electroplating may be provided. The coating can also be applied in two stages. For example, in a first step, for example by sputter deposition, a seed layer may be applied. In a second step, the layer thickness can be increased, for example, by electroplating. Especially for plastic molded
Strukturelemente 12 können das Strukturelement 12 und die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 auch mit einem Herstellverfahren für Spritzgegossene Structural elements 12 may include the structural element 12 and the electrically conductive regions 22, 23 also with a production method for injection molded parts
Schaltungsträger (engl. Molded Interconnect Devices) erzeugt werden. Als Circuit carriers (English Molded interconnect devices) are generated. When
Materialien für die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 kann zum Beispiel Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Titan und/oder eine diese Materialien enthaltende Legierung vorgesehen sein. Materials for the electrically conductive regions 22, 23 may be, for example, gold, Be provided silver, copper, nickel, titanium and / or an alloy containing these materials.
Die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 können jeweils Schichten sein, die mit einer im Wesentlichen gleichbleibenden Schichtdicke die darunterliegenden Konturen des Strukturelements 12 überziehen. Die elektrisch leitenden Bereiche können eine oder mehrere übereinander angeordnete Schichten aufweisen. Sofern übereinander angeordnete Schichten vorgesehen sind, können diese Schichten unterschiedliche Materialien aufweisen. Durch mehrere übereinander angeordnete Schichten aus unterschiedlichen Materialien kann zum Beispiel die Haftung des elektrisch leitenden Materials auf dem Strukturelement 12 verbessert werden. Ferner kann die Qualität der elektrischen und mechanischen Verbindungen zwischen dem Strukturelement 12 und einem Schaltungsträger und/oder zwischen dem Strukturelement 12 und dem Chip 16 verbessert werden. Zum Beispiel können die elektrisch leitenden Bereiche eine Titanschicht, eine Platinschicht, eine Nickelschicht eine Kupferschicht und/oder eine Goldschicht aufweisen. Die Schichtdicken können zum Beispiel 100 nm für die Titanschicht, 100 nm für die Platinschicht und 100 nm für die Goldschicht betragen. Die Schichtdicken für die Kupfer und Nickelschicht können 1-2 μηι betragen. Die Dicke des elektrisch leitenden Bereichs kann allgemein weniger als 10 Mm betragen. The electrically conductive regions 22, 23 can each be layers which cover the underlying contours of the structural element 12 with a substantially constant layer thickness. The electrically conductive regions may have one or more layers arranged one above the other. If superimposed layers are provided, these layers can have different materials. By means of a plurality of layers of different materials arranged one above another, for example, the adhesion of the electrically conductive material to the structural element 12 can be improved. Furthermore, the quality of the electrical and mechanical connections between the structural element 12 and a circuit carrier and / or between the structural element 12 and the chip 16 can be improved. For example, the electrically conductive regions may comprise a titanium layer, a platinum layer, a nickel layer, a copper layer and / or a gold layer. The layer thicknesses may be, for example, 100 nm for the titanium layer, 100 nm for the platinum layer and 100 nm for the gold layer. The layer thicknesses for the copper and nickel layer can be 1-2 μηι. The thickness of the electrically conductive region may generally be less than 10 μm.
Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 sind elektrisch voneinander isoliert. Zum Beispiel können der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 derart auf dem Strukturelement 12 angeordnet sein, dass sie sich nicht berühren oder überschneiden. Ferner können der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 derart auf dem Strukturelement angeordnet sein, dass sie mit einem einzelnen Beschichtungsschritt auf das Strukturelement 12 aufgebracht werden können. The first and second electrically conductive regions 22, 23 are electrically isolated from each other. For example, the first and second electrically conductive regions 22, 23 may be disposed on the structural member 12 so as not to touch or overlap. Furthermore, the first and second electrically conductive regions 22, 23 can be arranged on the structural element such that they can be applied to the structural element 12 with a single coating step.
Die ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 sind auf zwei, im The first and second electrically conductive regions 22, 23 are on two, in
Wesentlichen senkrecht zueinander angeordneten Flächen des Strukturelements 12 angeordnet. Zudem bedecken die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 die Kante, die sich zwischen den senkrecht zueinander angeordneten Flächen befindet. Bei den dargestellten Ausführungsbeispiel bedecken die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 einen Teil der Montagefläche 18, sowie neben der Strahlungsfläche 20 angeordnete Bondflächen 32, 36. Die senkrecht zur Montagefläche 18 angeordneten Flächen der elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 können nachstehend allgemein als Essentially arranged perpendicular to each other surfaces of the structural element 12. In addition, the electrically conductive portions 22, 23 cover the edge, the is located between the mutually perpendicular surfaces. In the illustrated embodiment, the electrically conductive portions 22, 23 cover a portion of the mounting surface 18, and adjacent the radiation surface 20 arranged bonding surfaces 32, 36. The arranged perpendicular to the mounting surface 18 surfaces of the electrically conductive portions 22, 23 can hereinafter generally as
Kontaktflächen bezeichnet werden. Zusätzlich oder alternativ können als Contact surfaces are called. Additionally or alternatively, as
Kontaktflächen auch zwei voneinander getrennte Flächen auf der dritten Seitenfläche der Aussparung vorgesehen sein. Ferner können der erste beziehungsweise der zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 auch die in der Aussparung angeordnete erste sowie zweite Seitenfläche des Strukturelements 12 und/oder eine Stirnfläche 38 des Strukturelements 12 bedecken. Die Kontaktflächen sind zur elektrischen Contact surfaces also be provided two separate surfaces on the third side surface of the recess. Furthermore, the first or the second electrically conductive region 22, 23 may also cover the first and second side surfaces of the structural element 12 arranged in the recess and / or an end surface 38 of the structural element 12. The contact surfaces are for electrical
Kontaktierung des Chips 16 vorgesehen. Die elektrische Kontaktierung des Chips 16 kann zum Beispiel durch Lotverbindungen, elektrisch leitende Klebeverbindungen und/oder Bonddrahtverbindungen erfolgen. Contacting the chip 16 is provided. The electrical contacting of the chip 16 can be done for example by solder joints, electrically conductive adhesive bonds and / or bonding wire connections.
Die senkrecht zur Montagefläche 18 angeordneten Kontaktflächen sind in Fig. lb dargestellt. Die Kante des Strukturelements 12 zwischen der Montagefläche 18 und den Kontaktflächen kann abgerundet oder angeschrägt sein. Eine abgerundete oder abgeschrägte Kante kann zum Beispiel die Qualität der Kantenbedeckung verbessern. Die auf der Montagefläche 18 angeordneten Abschnitte des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereichs 22, 23 bilden einen ersten und einen zweiten The arranged perpendicular to the mounting surface 18 contact surfaces are shown in Fig. Lb. The edge of the structural element 12 between the mounting surface 18 and the contact surfaces may be rounded or chamfered. For example, a rounded or bevelled edge can improve the quality of the edge coverage. The portions of the first and second electrically conductive regions 22, 23 disposed on the mounting surface 18 form a first and a second
Anschlusskontakt 24, 26. Der erste und zweite Anschlusskontakt 24, 26 sind zur Oberflächenmontage des Bauelements 10 vorgesehen. Die Anschlusskontakte 22, 23 sind dazu geeignet, durch Löten oder Kleben, mechanisch und elektrisch leitend mit einem Schaltungsträger verbunden zu werden. Terminal contact 24, 26. The first and second terminal contact 24, 26 are provided for surface mounting of the device 10. The connection contacts 22, 23 are suitable to be connected by soldering or gluing, mechanically and electrically conductive with a circuit carrier.
Bei dem in den Figuren la und lb dargestellten Ausführungsbeispiel sind zur elektrischen Kontaktierung des Chips 16 zumindest zwei Bonddrähte 28 vorgesehen. Dabei verbindet ein erster Bonddraht 28 ein auf der Strahl ungsfläche 20 des Chips 16 angeordnetes erstes Bondpad 30 mit der auf dem Strukturelement 12 angeordneten ersten Bondfläche 32. Ein zweiter Bonddraht 28 verbindet ein zweites auf der In the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 1 a and 1 b, at least two bonding wires 28 are provided for electrical contacting of the chip 16. A first bonding wire 28 connects a first bonding pad 30 arranged on the radiation surface 20 of the chip 16 to the first bonding surface 32 arranged on the structural element 12. A second bonding wire 28 connects a second bonding wire 28
Strahlungsfläche 20 des Chips 16 angeordnetes Bondpad 34 mit der auf dem Strukturelement 12 angeordneten zweiten Bondfläche 36. Die erste und zweite Bondfläche 32, 36 und die Strahl ungsfläche 20 sind im Vergleich zu der im Radiation surface 20 of the chip 16 arranged Bondpad 34 with the on the Structural element 12 arranged second bonding surface 36. The first and second bonding surface 32, 36 and the beam ungsfläche 20 are compared to in the
Wesentlichen parallel zur Strahlungsfläche 20 des Chips 16 angeordneten Stirnfläche 38 des Bauelements 10 zurückgesetzt angeordnet. Durch die zurückgesetzte Essentially arranged parallel to the radiation surface 20 of the chip 16 arranged end face 38 of the device 10 is reset. By the reset
Anordnung der Bondflächen 32, 36 ragen die Bonddrähte 28 nicht über die Arrangement of the bonding surfaces 32, 36 do not protrude the bonding wires 28 over the
Stirnfläche 38 hinaus. End face 38 addition.
Auf der Strahl ungsfläche 20 kann ein Leuchtstoff 40 aufgebracht sein. In den On the beam ungsfläche 20, a phosphor 40 may be applied. In the
Darstellungen der Figuren la und lb ist der Leuchtstoff 40 schraffiert dargestellt. Der Leuchtstoff 40 ist dazu vorgesehen, die von dem Chip 16 in einem ersten Representations of Figures la and lb the phosphor 40 is shown hatched. The phosphor 40 is intended to be that of the chip 16 in a first
Wellenlängenbereich emittierte Strahlung zumindest teilweise in Strahlung mit einem zweiten Wellenlängenbereich umzuwandeln, so dass ein Betrachter die emittierte Strahlung zum Beispiel als„weißes" Licht wahrnimmt. Die Bonddrähte 28 können zumindest teilweise in den Leuchtstoff 40 eingebettet sein. Der Leuchtstoff 40 kann zum Beispiel eine Dicke von 20 Mm aufweisen.  At least partially into radiation having a second wavelength range such that a viewer perceives the emitted radiation as, for example, "white." The bonding wires 28 may be at least partially embedded in the phosphor 40. The phosphor 40 may have a thickness, for example of 20 mm.
Die Fig. lc ist eine schematische Schnittdarstellung durch ein zweites Bauelement 42. Das zweite Bauelement 42 ist eine Variante des in Verbindung mit den Figuren la und lb dargestellten ersten Bauelements 10. Das zweite Bauelement 42 FIG. 1c is a schematic sectional view through a second component 42. The second component 42 is a variant of the first component 10 illustrated in conjunction with FIGS. 1a and 1b. The second component 42
unterscheidet sich von dem ersten Bauelement durch eine auf einer Oberseite 44 des Bauelements 42 angeordnete erste Folie 46. Ferner weist das in Fig. lc dargestellte zweite Bauelement Stufen 47 auf. differs from the first component by a first film 46 arranged on an upper side 44 of the component 42. Furthermore, the second component illustrated in FIG. 1c has steps 47.
Die Oberseite 44 des Bauelements liegt der Montagefläche gegenüber. Die erste Folie 46 weist mehrere Schichten auf. Bei dem in Fig. lb dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst die erste Folie 46 eine Klebeschicht 48, eine Isolationsschicht 49 und eine Reflektorschicht 50. Die Isolationsschicht 49 ist zwischen der Klebeschicht 48 und der Reflektorschicht 50 angeordnet. Die Isolationsschicht 49 ist elektrisch nicht leitend. Neben der elektrischen Isolation kann die Isolationsschicht 49 auch zur The upper side 44 of the component is opposite the mounting surface. The first film 46 has several layers. In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 1b, the first film 46 comprises an adhesive layer 48, an insulation layer 49 and a reflector layer 50. The insulation layer 49 is arranged between the adhesive layer 48 and the reflector layer 50. The insulation layer 49 is electrically non-conductive. In addition to the electrical insulation, the insulating layer 49 also for
mechanischen Stabilisierung der ersten Folie 46 vorgesehen sein. Als Material für die Isolationsschicht 49 können zum Beispiel Polyimide oder Polymethylmethacrylate vorgesehen sein. Die Reflektorschicht 50 ist aus einem Material gebildet, das für die von dem Chip 16 emittierte elektromagnetische Strahlung einen hohen mechanical stabilization of the first film 46 may be provided. As the material for the insulating layer 49, for example, polyimides or polymethyl methacrylates be provided. The reflector layer 50 is formed of a material that has a high for the electromagnetic radiation emitted by the chip 16
Reflexionsgrad aufweist. Als Material für die Reflektorschicht 50 kann zum Beispiel Silber oder Aluminium vorgesehen sein. Die Reflektorschicht 50 kann zum Beispiel auf die Isolationsschicht 49 mittels einer Beschichtung aufgebracht werden. Ferner können über der Reflektorschicht 50 noch weitere Schichten wie zum Beispiel eine zweite Isolationsschicht angeordnet sein. Die erste Folie 46 kann zum Beispiel eine Dicke von weniger als 50 Mm aufweisen. Reflectance has. As the material for the reflector layer 50 may be provided, for example, silver or aluminum. The reflector layer 50 may, for example, be applied to the insulation layer 49 by means of a coating. Furthermore, further layers such as, for example, a second insulation layer may be arranged above the reflector layer 50. For example, the first foil 46 may have a thickness of less than 50 μm.
Die erste Folie 46 ist mit der Klebeschicht 48 auf der Oberseite 44 des The first film 46 is coated with the adhesive layer 48 on the top 44 of the
Strukturelements 12 befestigt. Neben den reflektierenden Eigenschaften kann die erste Folie 46 das Bauelement mechanisch stabilisieren. Die erste Folie 46 kann bis zur Stirnfläche 38 des Bauelements reichen. Die erste Folie 46 kann im Bereich der Aussparung über die zurückgesetzten Bondflächen 32, 36 und den Chip 16  Structural element 12 attached. In addition to the reflective properties, the first foil 46 may mechanically stabilize the device. The first foil 46 can reach up to the end face 38 of the component. The first film 46 can in the region of the recess on the recessed bonding surfaces 32, 36 and the chip 16th
überstehen. Der überstehende Abschnitt der ersten Folie 46 kann neben einer mechanischen Stabilisierung und der Reflexion von Strahlung ferner als Begrenzung für das Einbringen des Leuchtstoffs 40 vorgesehen sein. survive. The projecting portion of the first film 46 may be further provided as a limit to the introduction of the phosphor 40 in addition to a mechanical stabilization and the reflection of radiation.
An dem Strukturelement 12 des zweiten Bauelements 42 sind Stufen 47 angeordnet. Die Stufen 47 können zum Beispiel vorgesehen sein, um die Höhe des Bauelements auf eine gewünschte Höhe einstellen zu können. Bei dem in Fig. lc dargestelltenOn the structural element 12 of the second component 42, steps 47 are arranged. The steps 47 may be provided, for example, to adjust the height of the component to a desired height. In that shown in Fig. Lc
Bauelement 42 ist auf der Oberseite eine vorstehende Stufe 47a und an der Component 42 is on the top of a projecting stage 47 a and on the
Montagefläche 18 eine zurückgesetzte Stufe 47b angeordnet. Die Anordnung der Fig. lc ist exemplarisch. Bei weiteren Ausführungsbeispielen können zum Beispiel nur eine Stufe, zwei vorstehende Stufen oder zwei zurückgesetzte Stufen vorgesehen sein. Die Stufen 47 können zum Beispiel beim Vereinzel der Strukturelemente 12 erzeugt werden.  Mounting surface 18 a recessed step 47 b arranged. The arrangement of Fig. Lc is exemplary. In further embodiments, for example, only one stage, two protruding stages or two recessed stages may be provided. The steps 47 can be generated, for example, when the structural elements 12 are separated.
Die Fig. ld ist eine schematische Schnittdarstellung durch ein drittes Bauelement 52. Das dritte Bauelement 52 ist eine Variante des in Verbindung mit den Figuren la und lb dargestellten ersten Bauelements 10. Das dritte Bauelement 52 unterscheidet sich von dem ersten Bauelement 10 dadurch, dass auf der Oberseite 44 eine erste Folie 46 und auf der Montagefläche 18 eine zweite Folie 66 angeordnet ist. Die zweite Folie 66 kann im Wesentlichen der ersten Folie 46 entsprechen. Die zweite Folie 66 weist eine bereits in Verbindung mit Fig. lc genannte zweite 1 d is a schematic sectional view through a third component 52. The third component 52 is a variant of the first component 10 illustrated in conjunction with FIGS. 1 a and 1 b. The third component 52 differs itself from the first component 10 in that a first film 46 is arranged on the upper side 44 and a second film 66 is arranged on the mounting surface 18. The second film 66 may substantially correspond to the first film 46. The second film 66 has a second one already mentioned in connection with FIG
Isolationsschicht 51 auf. Die zweite Isolationsschicht 51 entspricht der ersten Insulation layer 51 on. The second insulation layer 51 corresponds to the first one
Isolationsschicht 49. Die zweite Isolationsschicht 49 ist auf der Reflektorschicht 50 angeordnet. Insulation layer 49. The second insulation layer 49 is disposed on the reflector layer 50.
Die erste und zweite Folie 46, 66 stehen im Bereich der Aussparung über die zurückgesetzten Bondflächen 32, 36 und den Chip 16 über. Auf der zweiten Folie 66 sind Öffnungen für die auf der Montagefläche 18 angeordneten ersten und zweiten Anschlusskontakt 24, 26 vorgesehen. Die überstehende erste und zweite Folien 46, 66 bilden zusammen mit dem Strukturelement 12 eine Kavität, wobei die The first and second films 46, 66 are in the region of the recess on the recessed bonding surfaces 32, 36 and the chip 16 via. Openings for the first and second connection contacts 24, 26 arranged on the mounting surface 18 are provided on the second film 66. The protruding first and second foils 46, 66 together with the structural element 12 form a cavity, wherein the
Strahlungsfläche 20 und die Bondflächen 32, 36 den Boden der Kavität bilden. In diese Kavität kann zum Beispiel eine Leuchtstoffpartikel aufweisende Vergussmasse 40 gefüllt werden. Radiation surface 20 and the bonding surfaces 32, 36 form the bottom of the cavity. In this cavity, for example, a phosphor particles having potting compound 40 are filled.
Die Fig. le ist eine schematische Schnittdarstellung durch ein viertes Bauelement 54. Das vierte Bauelement 54 ist eine Variante des in Verbindung mit den Figuren la und lb dargestellten ersten Bauelements 10. Das vierte Bauelement 54 FIG. 1e is a schematic sectional view through a fourth component 54. The fourth component 54 is a variant of the first component 10 illustrated in conjunction with FIGS. 1a and 1b. The fourth component 54
unterscheidet sich von dem ersten Bauelement 10 dadurch, dass an der Oberseite 44 und/oder der Montagefläche 18 eine reflektierende Vergussmasse 56 angeordnet ist. Die reflektierende Vergussmasse 56 kann zum Beispiel ein mit Titandioxidpartikeln gefülltes Silikonharz sein. Die reflektierende Vergussmasse 56 kann eine differs from the first component 10 in that a reflective potting compound 56 is arranged on the upper side 44 and / or the mounting surface 18. The reflective potting compound 56 may be, for example, a titanium dioxide particle filled silicone resin. The reflective potting compound 56 may have a
Reflektorschicht bilden. An der Montagefläche 18 des vierten Bauelements 54 sind die Anschlusskontakte 24, 26 angeordnet. Form reflector layer. On the mounting surface 18 of the fourth component 54, the connection contacts 24, 26 are arranged.
In den Figuren 2a und 2b ist ein fünftes oberflächenmontierbares In Figures 2a and 2b is a fifth surface mountable
optoelektronisches Bauelement 60 dargestellt. Die Fig. 2a ist eine Draufsicht auf die Montagefläche 18 des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements 60. Die Fig. 2b ist eine schematische Schnittdarstellung entlang der in Fig. 2a dargestellten Linie AA. Das fünfte Bauelement 60 unterscheidet sich von dem ersten Bauelement 10 insbesondere dadurch, dass anstelle eines Dünnfilmchips mit zwei Oberseitenkontakten ein Saphir-Flip-Chip 61 vorgesehen ist, dessen Kontakte an der Rückseite vorgesehen sind. Entsprechend sind zur elektrischen Kontaktierung des Chips 61 keine Bonddrähte erforderlich. Die an der Rückseite des Chips 61 angeordnete Kontakte sind über zwei Verbindungsmittel 21 jeweils mit dem an der dritten Seitenfläche der Aussparung angeordneten Kontaktflächen des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereich 22, 23 elektrisch leitend verbunden. Zum Optoelectronic device 60 shown. FIG. 2 a is a plan view of the mounting surface 18 of the surface-mountable optoelectronic component 60. FIG. 2 b is a schematic sectional view along that in FIG. 2 a represented line AA. The fifth component 60 differs from the first component 10 in particular in that instead of a thin-film chip with two top-side contacts, a sapphire flip-chip 61 is provided whose contacts are provided on the rear side. Accordingly, 61 no bonding wires are required for electrical contacting of the chip. The contacts arranged on the rear side of the chip 61 are electrically conductively connected via two connection means 21 to the contact surfaces of the first and second electrically conductive regions 22, 23 arranged on the third side surface of the recess. To the
Beispiel kann als Verbindungsmittel eine Lotlegierung vorgesehen sein, deren Löttemperatur bei über 250°C liegt. For example, a soldering alloy whose soldering temperature is above 250 ° C. may be provided as the connecting means.
Ferner ist bei dem in den Figuren 2a und 2b dargestellten Ausführungsbeispiel auf der Oberseite 44 des Strukturelements 12 die erste Folie 46 und auf der Further, in the embodiment shown in Figures 2a and 2b on the upper side 44 of the structural member 12, the first sheet 46 and on the
Montagefläche 18 die zweite Folie 66 angeordnet. Die Folien sind bei der Darstellung der Fig. 2a gestrichelt und transparent dargestellt, da ansonsten der Chip 16 durch die Folien verdeckt wird. Die Folien können den bereits in Verbindung mit Fig. ld erläuterten Folien entsprechen. Bei der Darstellung der Figuren 2a und 2b sind die erste und zweite Folie 46, 66 über einen Foliensteg 74 miteinander verbunden. Der Foliensteg 74 ist auf Höhe der Stirnfläche 38 parallel zur Strahlungsfläche 20 angeordnet. Auf den Foliensteg 74 kann ein Leuchtstoff 80 aufgebracht sein. Dies ist in der Darstellung der Fig. 2b durch die schraffierte Fläche gekennzeichnet. Der Foliensteg 74 kann zum Beispiel aus einer Isolationsschicht 49 oder einer Mounting surface 18, the second film 66 is arranged. The films are shown dashed and transparent in the illustration of FIG. 2a, since otherwise the chip 16 is covered by the films. The films may correspond to the films already explained in connection with FIG. In the illustration of FIGS. 2 a and 2 b, the first and second films 46, 66 are connected to one another via a film web 74. The film web 74 is arranged at the level of the end face 38 parallel to the radiation surface 20. On the film web 74, a phosphor 80 may be applied. This is indicated in the illustration of FIG. 2b by the hatched area. The foil web 74 may, for example, an insulating layer 49 or a
Trägerschicht der Folie gebildet sein. Ferner ist der Foliensteg 74 für die von dem Chip 16 und/oder dem Leuchtstoff 80 emittierte Strahlung transparent. Carrier layer of the film may be formed. Furthermore, the foil web 74 is transparent to the radiation emitted by the chip 16 and / or the phosphor 80.
Die in Verbindung mit den Figuren 1 und 2 erläuterten Merkmale sind voneinander unabhängig. Zum Beispiel kann auch beim ersten Bauelement 10, die in Verbindung mit den Figuren 2a und 2b erläuterte zweite Folie 66 vorgesehen sein. Zudem sind auch Mischformen möglich, so kann zum Beispiel auch ein Dünnfilmchip mit einem Oberseitenkontakt und einem Rückseitenkontakt vorgesehen sein. Entsprechend kann an der Strahl ungsfläche 20 des Chips 16 ein in Verbindung mit den Figuren la und lb beschriebener Bonddraht 28 zur elektrischen Kontaktierung des Oberseitenkontakts und an der Rückseite des Chips 16 eine in Verbindung mit den Figuren 2a und 2b beschriebene Lotverbindung zur elektrischen Kontaktierung des Rückseitenkontakts angeordnet sein. Ferner kann das fünfte Bauelement 60 auch Merkmale des zweiten, dritten und/oder vierten Bauelements 42, 52, 54 aufweisen. The features explained in connection with FIGS. 1 and 2 are independent of each other. For example, the second film 66 explained in conjunction with FIGS. 2a and 2b may also be provided in the case of the first component 10. In addition, mixed forms are possible, so for example, a thin-film chip with a top contact and a back contact can be provided. Accordingly, at the beam ungsfläche 20 of the chip 16 a in connection with the figures la and lb described bonding wire 28 for electrical contacting of the Top contact and on the back of the chip 16 may be arranged in connection with the figures 2a and 2b described solder joint for making electrical contact with the rear side contact. Furthermore, the fifth component 60 may also have features of the second, third and / or fourth component 42, 52, 54.
Bei den Bauelementen 10, 42, 52, 54 60 entspricht die Höhe„hc" der Chips 16, 61 ungefähr der Höhe des Strukturelements 12. Da durch die Folien 46, 66 die In the case of the components 10, 42, 52, 54, 60, the height "hc" of the chips 16, 61 corresponds approximately to the height of the structural element 12. Since through the films 46, 66 the
Gesamthöhe„hg" des Bauelements lediglich geringfügig erhöht wird, kann ein Bauelement bereitgestellt werden, dessen Gesamthöhe„hc" maximal doppelt so groß ist wie die Höhe„hc" des Chips 16, 61. Es kann ein Bauelement bereitgestellt werden, dessen Gesamthöhe„hg" kleiner ist als 0,5 mm. Zum Beispiel können Bauelemente 10 mit einer Höhe im Bereich zwischen 0,3 mm und 0,15 mm Total height "hg" of the device is only slightly increased, a device can be provided whose total height "hc" is at most twice as high as the height "hc" of the chip 16, 61. It can be provided a device whose total height "hg "is less than 0.5 mm. For example, devices 10 having a height in the range between 0.3 mm and 0.15 mm
bereitgestellt werden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Gesamthöhe„hg" des Bauelements 200 Mm betragen. Die Gesamtlänge„Ig" der Bauelemente 10, 60 kann zum Beispiel zwischen 0,8 mm und 2,5 mm betragen. Die Gesamtbreite„bg" der Bauelemente 10, 60 kann zum Beispiel zwischen 0,3 mm und 1 mm betragen. to be provided. In one embodiment, the total height "hg" of the device 200 may be Mm The overall length "Ig" of the devices 10, 60 may be, for example, between 0.8 mm and 2.5 mm. The total width "bg" of the components 10, 60 may be, for example, between 0.3 mm and 1 mm.
In den Figuren 3a und 3b ist ein Strukturelementträger 102 dargestellt. Die Fig. 3a ist eine schematische Draufsicht auf den Strukturelementträger 102. Die Fig. 3b ist eine schematische Seitenansicht des Strukturelementträgers 102. Der FIGS. 3 a and 3 b show a structural element carrier 102. FIG. 3 a is a schematic plan view of the structural element carrier 102. FIG. 3 b is a schematic side view of the structural element carrier 102
Strukturelementträger ist vorgesehen, um eine einfache Herstellung der in  Structural element carrier is provided to facilitate the manufacture of in
Verbindung mit den Figuren 1 und 2 erläuterten Bauelemente zu ermöglichen. Connection with the figures 1 and 2 explained to allow components.
Auf den Strukturelementträger 102 ist eine Vielzahl von miteinander verbundenden Strukturelementen 12 angeordnet. Zur deutlicheren Darstellung sind die einzelnen Strukturelemente 12 in den Figuren 3a und 3b gepunktet dargestellt. Die On the structural element carrier 102, a plurality of interconnected structural elements 12 is arranged. For a clearer illustration, the individual structural elements 12 are shown dotted in FIGS. 3a and 3b. The
gestrichelten Linien deuten in der Darstellung der Figuren 3a und 3b Trennlinien an, entlang derer die einzelnen Strukturelemente vereinzelt werden können. Die Dashed lines indicate in the illustration of Figures 3a and 3b dividing lines, along which the individual structural elements can be separated. The
Strukturelemente 102 sind entlang von Spalten 104 und/oder Reihen 106 Structural elements 102 are along columns 104 and / or rows 106
angeordnet. Bei der Darstellung der Figuren 3a und 3b sind Reihen 106 vorgesehen, wobei in jeder Reihe 106 jeweils zwei Strukturelemente 12 angeordnet sind. In den Strukturelementträger 102 sind erste Gräben 108 und zweite Gräben 110a, 110b eingebracht. Die ersten Gräben 108 sind parallel zu den Reihen 106 angeordnet. Die zweiten Gräben 110a, 110b sind parallel zu den Spalten 104 angeordnet. Die zweiten Gräben 110a, 110b sind senkrecht zu den ersten Gräben 108 angeordnet. Bei der Darstellung der Fig. 3a überlagert der erste Graben 108 die zweiten Gräben 110a, 110b. Entsprechend ist bei der Darstellung der Fig. 3a der erste Graben 108 tiefer in das Material des Strukturelementträgers eingebracht als die zweiten Gräben 110a, 110b. Neben den dargestellten Strukturelementträger 102 bei dem die arranged. In the illustration of Figures 3a and 3b rows 106 are provided, wherein in each row 106 each two structural elements 12 are arranged. In the Structural element carriers 102 are introduced into first trenches 108 and second trenches 110a, 110b. The first trenches 108 are arranged parallel to the rows 106. The second trenches 110a, 110b are arranged parallel to the gaps 104. The second trenches 110a, 110b are arranged perpendicular to the first trenches 108. In the illustration of FIG. 3 a, the first trench 108 overlaps the second trenches 110 a, 110 b. Accordingly, in the illustration of FIG. 3 a, the first trench 108 is inserted deeper into the material of the structural element carrier than the second trenches 110 a, 110 b. In addition to the illustrated structural element carrier 102 in which the
Strukturelemente in Spalten und Reihen angeordnet sind, können auch Structural elements arranged in columns and rows can also
Strukturelementträger vorgesehen sein, bei denen die Strukturelemente lediglich in einer Reihe 106 angeordnet sind. Strukturelementträger die aus Strukturelementen bestehen, die entlang einer Reihe angeordnet sind, weisen entsprechend keine ersten Gräben auf. Structure element carrier may be provided, in which the structural elements are arranged only in a row 106. Structural element carriers consisting of structural elements arranged along a row have correspondingly no first trenches.
Bei dem in den Figuren 3a und 3b dargestellten Strukturelementträger 102 sind unterschiedliche zweite Gräben 110a, 110b dargestellt. Der in den Figuren 3a und 3b links angeordnete zweite Graben 110a ist dabei länger und flacher als der rechts angeordnete zweite Graben 110b. Ferner weist der links angeordnete zweite Graben 110a Abstufungen auf. Diese Abstufungen bilden die Bondflächen 32, 36 des späteren Bauelements. Der linke zweite Graben 110a und der rechte zweite Graben 110b sind zur Aufnahme unterschiedlicher Chiptypen vorgesehen. Das linke In the structural element carrier 102 illustrated in FIGS. 3a and 3b, different second trenches 110a, 110b are illustrated. The second trench 110a arranged on the left in FIGS. 3a and 3b is longer and shallower than the second trench 110b arranged on the right. Further, the leftmost second trench 110a has gradations. These gradations form the bonding surfaces 32, 36 of the later component. The left second trench 110a and the right second trench 110b are provided for receiving different types of chips. The left
Strukturelement ist zur Aufnahme eines Chips 16 mit Oberflächenkontakten vorgesehen. Das rechte Strukturelement ist zur Aufnahme eines Chips 61 mit Rückseitenkontakten vorgesehen. Neben dem in den Figuren 3a und 3b dargestellten Strukturelementträger 102 können auch Strukturelementträger 102 mit gleichen zweiten Gräben 110 vorgesehen sein. Ferner können Strukturelementträger vorgesehen sein, bei denen die Strukturelemente jeweils nur eine Abstufung aufweisen. Derartige Strukturelemente können zur Aufnahme eines Chips mit einem Oberseitenkontakt und einem Rückseitenkontakt vorgesehen sein. Structural element is provided for receiving a chip 16 with surface contacts. The right structural element is provided for receiving a chip 61 with backside contacts. In addition to the structural element carrier 102 illustrated in FIGS. 3 a and 3 b, structural element carriers 102 with the same second trenches 110 may also be provided. Furthermore, structural element carriers can be provided, in which the structural elements each have only one step. Such structural elements may be provided for receiving a chip having a top side contact and a rear side contact.
Der Strukturelementträger 102 kann zum Beispiel durch Spritzpressen hergestellt werden. Für Strukturelemente aus Keramik kann zum Beispiel Heißisostatisches Pressen vorgesehen sein. Allgemein können Herstell prozesse vorgesehen sein, mit denen bereits beim Formen des Strukturelementträgers 102 erste und zweite Gräben eingebracht werden können. Ferner können die ersten und zweiten Gräben 108, 110a, 110b durch einen Materialabtrag wie zum Beispiel Sägen und/oder Schleifen in den Strukturelementträger 102 eingebracht werden. The structural element carrier 102 can be produced, for example, by transfer molding. For structural elements made of ceramic, for example, hot isostatic Be provided for pressing. In general, manufacturing processes can be provided, with which first and second trenches can already be introduced during the molding of the structural element carrier 102. Furthermore, the first and second trenches 108, 110a, 110b may be introduced into the structural member carrier 102 by a material removal such as sawing and / or grinding.
Anhand der Figuren 4a-4e wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente erläutert. Die Figuren 4a-4e sind schematische Darstellungen der Bauelemente zwischen einzelnen Bearbeitungsschritten. A method for producing optoelectronic components is explained with reference to FIGS. 4a-4e. Figures 4a-4e are schematic representations of the components between individual processing steps.
Fig. 4a ist eine schematische Draufsicht auf den in Verbindung mit Figuren 3a und 3b erläuterten Strukturelementträger 102. In Verbindung mit Fig. 4a wird ein Aufbringen eines elektrisch leitenden Materials erläutert. Das elektrisch leitende Material kann zum Beispiel mittels einer anisotropen Metallisierung aufgebracht werden. Dies ist in Fig. 4a durch die dargestellten Pfeile angedeutet. Zum Beispiel können zur 4a is a schematic plan view of the structural element carrier 102 explained in conjunction with FIGS. 3a and 3b. In connection with FIG. 4a, an application of an electrically conductive material is explained. The electrically conductive material can be applied, for example, by means of anisotropic metallization. This is indicated in Fig. 4a by the arrows shown. For example, to
Metalisierung des Strukturelementträgers Verfahren der physikalischen oder der chemischen Gasphasenabscheidung vorgesehen sein. Ferner kann die Metallisierung auch zum Beispiel durch thermisches Spritzen erfolgen. Durch die Beschichtung können sämtliche parallel zur Zeichenebene angeordneten Flächen beschichtet werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind dies die Stirnflächen 38, die Bondflächen 32, 38, die Bodenfläche der ersten Gräben 108 und die Bodenflächen der zweiten Gräben 110a, 110b. Zusätzlich wird zumindest auch ein Teil der Flächen der Strukturelemente 12 beschichtet, die in der Darstellung der Fig. 4a senkrecht zur Zeichenebene angeordnet sind. Zum Beispiel ist die spätere Montagefläche 18 des Bauelements bei der Darstellung der Fig. 4a senkrecht zur Zeichenebene angeordnet. Die Metallisierung kann zum Beispiel mit einer Schichtdicke von 2 μηι auf den  Metalization of the structural element carrier method of physical or chemical vapor deposition may be provided. Furthermore, the metallization can also be done for example by thermal spraying. The coating allows all surfaces arranged parallel to the plane of the drawing to be coated. In the illustrated embodiment, these are the end faces 38, the bonding surfaces 32, 38, the bottom surface of the first trenches 108, and the bottom surfaces of the second trenches 110a, 110b. In addition, at least a part of the surfaces of the structural elements 12 is also coated, which are arranged perpendicular to the plane of the drawing in FIG. 4a. For example, the later mounting surface 18 of the device in the representation of FIG. 4a is arranged perpendicular to the plane of the drawing. The metallization can, for example, with a layer thickness of 2 μηι on the
Strukturelementträger 102 aufgebracht werden. Für die Metallisierung können auch mehrere, einander überlagernde Schichten unterschiedlicher Materialien aufgebracht werden, wie dies zum Beispiel bereits in Verbindung mit dem ersten Bauelement erläutert wurde. In einem weiteren Ausführungsbeispiel, kann der Structural element carrier 102 are applied. For the metallization, it is also possible to apply a plurality of overlapping layers of different materials, as has already been explained, for example, in connection with the first component. In a further embodiment, the
Strukturelementträger 102 und die Metallisierung auch mit einem Herstellverfahren für Spritzgegossene Schaltungsträger (MID-Verfahren) hergestellt werden. Zur Strukturierung der elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 kann eine Schattenmaske 111 vorgesehen sein. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Structural element carrier 102 and the metallization can also be produced with a production method for injection-molded circuit carriers (MID method). For structuring the electrically conductive regions 22, 23, a shadow mask 111 may be provided. In the illustrated embodiment, the
Schattenmaske 111 langgestreckte Strukturen 112 aufweisen. Die langgestreckten Strukturen weisen eine gleichbleibende Dicke auf und erstrecken sich im Shadow mask 111 elongate structures 112 have. The elongate structures have a constant thickness and extend in the
Wesentlichen parallel zur Beschichtungsrichtung sowie den zweiten Gräben 110a, 110b. Ferner kann die Metallisierung durch einen Materiallabtrag strukturiert werden. Für den Materialabtrag können Zerspanende Bearbeitungsverfahren wie zum Beispiel Sägen oder Schleifen vorgesehen sein. Zum Beispiel kann durch Sägen entlang der zweiten Gräben 110a, 110b eine auf die Bodenfläche des zweiten Grabens 110a, Substantially parallel to the coating direction and the second trenches 110a, 110b. Furthermore, the metallization can be structured by a material removal. For material removal, machining processes such as sawing or grinding can be used. For example, by sawing along the second trenches 110a, 110b, on the bottom surface of the second trench 110a,
110b aufgebrachte Metallisierung wieder entfernt werden, um voneinander getrennte elektrisch leitende Bereiche zu erzeugen. Die strukturiert aufgebrachte Metallisierung oder die strukturierte Metallisierung bilden die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 des späteren Bauelements. 110b applied metallization are removed again to produce separate electrically conductive regions. The structurally applied metallization or the structured metallization form the electrically conductive regions 22, 23 of the later component.
Die Fig. 4b ist eine schematische Darstellung eines Schnitts durch den Fig. 4b is a schematic representation of a section through the
Strukturelementträger 102 entlang der in Fig. 4a dargestellten Linie BB. Die Structural element carrier 102 along the line BB shown in Fig. 4a. The
Strukturelemente 12 sind durch das unter dem ersten Graben 108 angeordnete Material miteinander verbunden. Structural elements 12 are interconnected by the material disposed below the first trench 108.
Die schraffierten Flächen 114 in Fig. 4b zeigen die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23. Durch das strukturierte Aufbringen der Metallisierung sind der erste elektrisch leitende Bereich 22 und der zweite elektrisch leitende Bereich 23 voneinander getrennt. Ein Teil der Montagefläche wird somit nicht von den elektrisch leitenden Bereichen 22, 23 bedeckt. Neben den in Fig. 4b dargestellten Flächen bedecken die elektrisch leitenden Bereiche auch die Stirnflächen 38 und die Bondflächen 32, 36. Als Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des Chips sind bei dem The hatched areas 114 in FIG. 4b show the electrically conductive areas 22, 23. The structured application of the metallization means that the first electrically conductive area 22 and the second electrically conductive area 23 are separated from one another. A part of the mounting surface is thus not covered by the electrically conductive regions 22, 23. In addition to the surfaces shown in Fig. 4b, the electrically conductive regions also cover the end faces 38 and the bonding surfaces 32, 36. As contact surfaces for electrical contacting of the chip are in the
Strukturelement 12 mit dem linken zweiten Graben 110a die Bondflächen 32, 36 vorgesehen. Als Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des Chips ist bei dem Strukturelement 12 mit dem rechten zweiten Graben 110b die Bodenfläche des rechten zweiten Grabens 110b vorgesehen. Auf der Bodenfläche des rechten zweiten Grabens 110b sind zwei elektrisch voneinander isolierte elektrische leitende Flächen vorgesehen. Structural element 12 with the left second trench 110 a, the bonding surfaces 32, 36 are provided. In the case of the structural element 12 with the right-hand second trench 110b, the bottom surface of the right-hand second trench 110b is provided as contact surfaces for electrical contacting of the chip. On the bottom surface of the right second Trench 110b, two electrically insulated from each other electrically conductive surfaces are provided.
In Fig. 4c ist ein Strukturelementträger 102 dargestellt, in dem Chips 16, 61 eingebracht wurden. Vor dem Einbringen der Chips 16, 61 kann Lot oder Klebstoff auf zumindest eine der in der Aussparung angeordneten Seitenflächen der FIG. 4c shows a structural element carrier 102 in which chips 16, 61 have been introduced. Before introducing the chips 16, 61, solder or adhesive can be applied to at least one of the side surfaces of the recess arranged in the recess
Strukturelemente 12 und/oder auf eine Seitenfläche der Chips 16, 61 angeordnet werden. Die zweiten Gräben können zum Beispiel 15 Mm länger sein als die Chips 16, 61. Der in den linken zweiten Graben 110a eingebrachte Chip 16 kann zum Beispiel mit einem elektrisch isolierenden Klebstoff über seine Rückseite mit der Bodenfläche des linken zweiten Grabens 110a mechanisch verbunden sein. Zur elektrischen Kontaktierung sind die Oberflächenkontakte des Chips 16 über die Bonddrähte 28 mit den Bondflächen 32, 36 verbunden. Der in den rechten zweiten Graben 110b eingebrachte Chip 61 kann zum Beispiel mit einem elektrisch leitenden Klebstoff über seine Rückseite mit der Bodenfläche des rechten zweiten Grabens 110b mechanisch und elektrisch leitenden verbunden sein. Zur elektrischen Kontaktierung der beiden Rückseitenkontakte sind zwei Verbindungsmittel 21 vorgesehen. Nach dem Structural elements 12 and / or on a side surface of the chips 16, 61 are arranged. The second trenches may, for example, be 15 μm longer than the chips 16, 61. The chip 16 introduced into the left second trench 110a may be mechanically connected to the bottom surface of the left second trench 110a by means of an electrically insulating adhesive, for example. For electrical contacting, the surface contacts of the chip 16 are connected via the bonding wires 28 to the bonding surfaces 32, 36. The chip 61 introduced into the right-hand second trench 110b may, for example, be connected to the bottom surface of the right-hand second trench 110b mechanically and electrically conductively with its electrically conductive adhesive via its rear side. For electrical contacting of the two back contacts two connecting means 21 are provided. After this
Einbringen der Chips 16, 61 kann zum Beispiel durch Zuführen von Wärmeenergie der zwischen den Chips 16, 61 und den Strukturelementträger 102 angeordnete Klebstoff ausgehärtet oder eine Lotlegierung gelötet werden. Insertion of the chips 16, 61 may be cured, for example, by applying heat energy of the adhesive disposed between the chips 16, 61 and the structural element carrier 102, or soldering a solder alloy.
Auf die Strahlungsfläche der in den Strukturelementträger eingebrachten Chips 16, 61 kann ein Leuchtstoff 40 gesprüht werden. Der Leuchtstoff 40 wird dabei strukturiert aufgebracht. Zum Beispiel können die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 des Bauelements durch eine Schattenmaske verdeckt werden. In anderen A phosphor 40 can be sprayed onto the radiation surface of the chips 16, 61 introduced into the structural element carrier. The phosphor 40 is applied in a structured manner. For example, the electrically conductive regions 22, 23 of the device may be concealed by a shadow mask. In other
Ausführungsbeispielen kann der Leuchtstoff auch erst später aufgebracht werden. Embodiments, the phosphor can also be applied later.
Ferner kann in die ersten Gräben 108 eine reflektierende Vergussmasse gefüllt werden, um die in Fig. le dargestellte Struktur bereitzustellen. Auf die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 kann zum Beispiel vor dem Einfüllen der reflektierenden Vergussmasse eine Schicht aufgebracht werden, die nach einer Aufteilung der Bauelemente ein Entfernen der Vergussmasse von den Anschlusskontakten 24, 26 erleichtert. Further, a reflective potting compound may be filled in the first trenches 108 to provide the structure illustrated in FIG. On the electrically conductive regions 22, 23 can be applied, for example, before filling the reflective potting compound, a layer, which after a division of the Components removal of the potting compound of the connection contacts 24, 26 facilitates.
In Fig. 4d sind gestrichelte Trennlinien dargestellt. Die Trennlinien sind in den ersten Gräben 108 angeordnet. Der Strukturelementträger 102 kann durch einen In Fig. 4d dashed lines are shown. The dividing lines are arranged in the first trenches 108. The structural element carrier 102 can by a
Materialabtrag entlang der ersten Gräben 108 aufgeteilt werden. Das Aufteilen des Strukturelementträgers 102 entlang des ersten Grabens 108 kann nachstehend auch als Reihenaufteilung bezeichnet werden. Für den Materialabtrag kann zum Beispiel Sägen, Schleifen oder Lasertrennen vorgesehen sein. Der Materialabtrag kann zum Beispiel von oben oder von unten erfolgen. Mit von oben kann ein Materialabtrag bezeichnet werden, der im Wesentlichen von der Seite des Strukturelementträgers 102 erfolgt, auf der die Chips angeordnet sind. Von unten kann ein Materialabtrag bezeichnen, der im Wesentlichen von der Seite des Strukturelementträgers 102 erfolgt, die den Aussparungen gegenüberliegt. Durch die Reihenaufteilung können die in Fig. lc dargestellten Stufen 47 auf der Montagefläche 18 und/oder der  Material removal along the first trenches 108 are divided. The splitting of the structural element carrier 102 along the first trench 108 may also be referred to as a series division below. Sawing, grinding or laser cutting can be provided for the removal of material, for example. The material removal can be done for example from above or from below. With the top, a material removal can be referred to, which takes place substantially from the side of the structural element carrier 102, on which the chips are arranged. From below may refer to a material removal, which takes place substantially from the side of the structural element carrier 102, which faces the recesses. As a result of the series division, the steps 47 illustrated in FIG. 1c on the mounting surface 18 and / or the
Oberfläche 44 erzeugt werden. Die Stufen können zum Beispiel vorgesehen sein, um die Höhe der Bauelemente auf einen gewünschten Wert einzustellen. Dabei kann durch einen Materialabtrag von oben eine vorstehende Stufe 47 erzeugt werden. Als vorstehende Stufe 47 kann dabei eine Stufe bezeichnet werden, die über die  Surface 44 are generated. The steps may be provided, for example, to adjust the height of the components to a desired value. In this case, a protruding step 47 can be generated by a material removal from above. As the above stage 47 can be referred to a stage that over the
Anschlusskontakte 24, 26 vorsteht. Durch einen Materialabtrag von unten können vorstehende oder zurückgesetzte Stufen erzeugt werden. Als zurückgesetzt kann eine Stufe bezeichnet werden, bei der ausgehend von der Montagefläche Material entfernt wurde. Bei Ausführungsbeispielen, bei denen Strukturelementträger verwendet werden, die nur eine Reihe von Strukturelementen 12 aufweisen, kann die Reihenaufteilung entfallen. Connection contacts 24, 26 protrudes. Material removal from below can create protruding or recessed steps. The reset can be a stage where material has been removed from the mounting surface. In embodiments in which structural element carriers are used which have only one row of structural elements 12, the row division can be dispensed with.
Nach einer Reihenaufteilung kann ein Materialabtrag vorgesehen sein, um in einer Reihe angeordnete Strukturelemente zu trennen. Eine entsprechende Trennline ist in Fig. 4e dargestellt. Dieser Materialabtrag kann nachstehend als Spaltenaufteilung bezeichnet werden. Durch die Spaltenaufteilung können einzelne Bauelemente oder Gruppen von zumindest zwei Bauelementen bereitgestellt werden. Zur Spaltenaufteilung kann zum Beispiel Schleifen, Sägen, Schneiden oder Lasertrennen vorgesehen sein. After a series division, material removal may be provided to separate structural elements arranged in a row. A corresponding parting line is shown in Fig. 4e. This material removal can be referred to below as column division. By splitting the columns, individual components or groups of at least two components can be provided. to Column division can be provided, for example, grinding, sawing, cutting or laser cutting.
In Fig. 4e ist eine Reihe von Strukturelementen 12 mit einer ersten und zweiten Folie 46, 66 dargestellt. Zum Beispiel wird die Reihe der Strukturelemente 12 nach dem Vereinzeln auf die erste oder die zweite Folie 46, 66 gelegt. Nach dem Aufbringen der Strukturelemente 12 auf die erste oder die zweite Folie 46, 66 kann die andere Folie aufgebracht werden. Bei der Darstellung der Fig. 4e weist die zweite Folie 66 Öffnungen für die Anschlusskontakte 24, 26 auf. In Fig. 4e, a number of structural elements 12 with a first and second foil 46, 66 is shown. For example, the row of the structural elements 12 is placed on the first or second foil 46, 66 after singulation. After the structural elements 12 have been applied to the first or the second film 46, 66, the other film can be applied. In the illustration of FIG. 4e, the second film 66 has openings for the connection contacts 24, 26.
Sofern noch kein Leuchtstoff aufgebracht wurde, kann nach dem Aufbringen der ersten und zweiten Folie 46, 66, Leuchtstoff 40 auf die Strahl ungsf lache 40 aufgebracht werden. Zum Beispiel können in Vergussmasse eingebettete If no phosphor has yet been applied, after the application of the first and second films 46, 66, phosphor 40 can be applied to the radiation surface 40. For example, embedded in potting compound
Leuchtstoffpartikel in eine durch die überstehende erste und zweite Folien 46, 66 sowie das Strukturelement 12 gebildete Kavität auf die Strahl ungsf lache 40 aufgebracht werden. Ferner ist es möglich, dass die erste und zweite Folie 46, 66 über einen in Verbindung mit den Figuren 2a und 2b erläuterten Foliensteg 74 miteinander verbunden sind. Dabei kann der Leuchtstoff 80 auf den Foliensteg 74 angeordnet sein. Für die ersten Bauelemente 10 die keine Folie aufweisen, kann das in Verbindung mit Fig. 4d erläuterte Aufbringen der ersten und zweiten Folie 46, 66 entfallen. Phosphor particles are applied to the radiation surface 40 in a cavity formed by the protruding first and second foils 46, 66 and the structural element 12. Furthermore, it is possible for the first and second films 46, 66 to be connected to one another via a film web 74 explained in conjunction with FIGS. 2a and 2b. In this case, the phosphor 80 can be arranged on the film web 74. For the first components 10 which have no foil, the application of the first and second foil 46, 66 explained in connection with FIG. 4d can be dispensed with.
Die Spaltenaufteilung kann vor oder nach dem Aufbringen auf die erste und oder zweite Folie erfolgen. So können zum Beispiel die Bauelemente nach der The division of the columns can be carried out before or after application to the first and / or second film. For example, the components after the
Spaltenaufteilung einzeln auf die Folie 44, 66 aufgebracht werden. Dies kann zum Beispiel dann vorgesehen sein, wenn bei der weiteren Verarbeitung der Bauelemente ein großer Abstand zwischen den einzelnen Bauelementen gewünscht ist. Column division individually on the film 44, 66 are applied. This can be provided, for example, if during the further processing of the components, a large distance between the individual components is desired.
Bei einer Spaltenaufteilung nach dem Aufbringen der Bauelemente auf die Folie können durch die Spaltenaufteilung die Bauelemente zusammen mit der Folie 44, 66 aufgeteilt werden. Neben diesen beiden Varianten sind auch Mischformen möglich. So kann zum Beispiel vor dem Aufbringen der Bauelemente auf die Folie eine In a division of columns after the application of the components to the film, the components can be divided together with the film 44, 66 by the column division. In addition to these two variants, mixed forms are also possible. Thus, for example, before applying the components to the film a
Spaltenaufteilung vorgesehen sein, bei der der Strukturelementträger 102 in Gruppen von zumindest zwei Bauelementen aufgeteilt wird und nach dem Aufbringen der Gruppen von Bauelementen auf die Folie 46, 66 kann eine erneute Spaltenaufteilung vorgesehen sein, um die Bauelemente zu vereinzeln. Dies kann zum Beispiel vorgesehen sein, um die Handhabung der Bauelemente bei der Herstellung oder der weiteren Verarbeitung zu vereinfachen. Column division may be provided, in which the structural element carrier 102 is divided into groups of at least two components and after the application of the groups of components on the film 46, 66, a new column division may be provided to separate the components. This can be provided, for example, to simplify the handling of the components during manufacture or further processing.
Die Folie 44, 66 mit den aufgebrachten Bauelementen kann auf eine Rolle The film 44, 66 with the applied components may be on a roll
aufgewickelt werden. Die Rolle mit der Vielzahl miteinander verbundener be wound up. The role with the multiplicity of connected ones
Bauelemente kann an einen Kunden geliefert werden. Der Schritt der Components can be delivered to a customer. The step of
Spaltenaufteilung kann dann von einem Kunden, zum Beispiel unmittelbar vor dem Aufbringen der Bauelemente auf einem Schaltungsträger durchgeführt werden. Column division can then be carried out by a customer, for example immediately before the components are applied to a circuit carrier.
Wenn das Vereinzeln der Bauelemente unmittelbar vor dem Aufbringen der If the separation of the components immediately before the application of the
Bauelemente auf einem Schaltungsträger vorgesehen ist, kann die Handhabung und der Transport der Bauelemente vereinfacht werden. Dies ist insbesondere bei Bauelementen mit geringen Abmessungen vorteilhaft. Components is provided on a circuit board, the handling and transport of the components can be simplified. This is particularly advantageous for components with small dimensions.
Fig. 5 ist eine schematische Darstellung eines ersten Mehrfachbauelements 500. Das Mehrfachbauelement 500 umfasst zumindest zwei Bauelemente 502, 504. Die zumindest zwei Bauelemente 502, 504 sind über eine elektrisch leitende Folie 506 mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden. Die Bauelemente 502, 504 sind entlang einer Richtung beabstandet voneinander auf die elektrisch leitende Folie 506 aufgebracht. Die Zwischenräume zwischen den einzelnen Bauelementen können frei bleiben oder zum Beispiel mit Silikon gefüllt sein. 5 is a schematic illustration of a first multiple component 500. The multiple component 500 comprises at least two components 502, 504. The at least two components 502, 504 are connected to one another mechanically and electrically conductively via an electrically conductive foil 506. The components 502, 504 are applied to the electrically conductive foil 506 spaced apart along one direction. The spaces between the individual components can remain free or be filled with silicone, for example.
Die elektrisch leitende Folie 506 unterscheidet sich von der ersten und zweiten Folie 46, 66 zumindest dadurch, dass zusätzlich zu der Klebeschicht 48, der The electrically conductive film 506 differs from the first and second films 46, 66 at least in that in addition to the adhesive layer 48, the
Isolationsschicht 49 und der Reflektorschicht 50 zumindest eine weitere Insulation layer 49 and the reflector layer 50 at least one more
Isolationsschicht und elektrische Leiterbahnen 510 vorgesehen sind. Die elektrischen Leiterbahnen 510 können zum Beispiel zwischen zwei Isolationsschichten 49 eingebettet sein. Die elektrischen Leiterbahnen 510 können auf der von den Insulation layer and electrical conductors 510 are provided. The electrical interconnects 510 may, for example, between two insulating layers 49 be embedded. The electrical traces 510 may be on the of the
Strukturelementen 12 abgewandten Seite der elektrisch leitenden Folie 506 angeordnet sein. Die elektrisch leitende Folie kann ausgehend von dem Structure elements 12 facing away from the electrically conductive film 506 may be arranged. The electrically conductive foil can be based on the
Strukturelement 12 eine Klebeschicht 48, eine Isolationsschicht 49, eine Structural element 12, an adhesive layer 48, an insulating layer 49, a
Reflektorschicht 50, eine Isolationsschicht 49, elektrische Leiterbahnen 510, und eine weitere Isolationsschicht 49 aufweisen. Ferner weist die elektrisch leitende Folie 506 Durchkontaktierungen 512 auf. Die Durchkontaktierungen 512 durchdringen einen Teil der Isolationsschichten 49 sowie die Reflektorschicht 50 und bilden eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den elektrischen Leiterbahnen 510 und den Anschlusskontakten 24, 26 der einzelnen Bauelemente. Die Reflektorschicht kann Öffnungen für die Durchkontaktierungen 512 aufweisen. Die Durchkontaktierungen 512 können zum Beispiel mit einem elektrisch leitenden Klebstoff oder durch eine Lotverbindung mit den Anschlusskontakten 24, 26 elektrisch leitend verbunden sein. Die elektrisch leitende Folie kann zum Beispiel eine Dicke von weniger als 100 Mm aufweisen. Reflector layer 50, an insulating layer 49, electrical interconnects 510, and a further insulating layer 49 have. Furthermore, the electrically conductive foil 506 has plated-through holes 512. The plated-through holes 512 penetrate part of the insulating layers 49 and the reflector layer 50 and form an electrically conductive connection between the electrical conductor tracks 510 and the terminal contacts 24, 26 of the individual components. The reflector layer may have openings for the plated-through holes 512. The plated-through holes 512 may, for example, be electrically conductively connected to the connection contacts 24, 26 with an electrically conductive adhesive or by means of a solder connection. The electrically conductive foil may, for example, have a thickness of less than 100 μm.
Ferner weist die elektrisch leitende Folie 506 einen ersten und einen zweiten externen Anschlusskontakt 514, 516 auf. Der erste und der zweite externe Furthermore, the electrically conductive foil 506 has a first and a second external connection contact 514, 516. The first and the second external
Anschlusskontakt 514, 516 sind vorgesehen, um das Mehrfachbauelement 500 elektrisch zu kontaktieren. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der erste externe Anschlusskontakt 514 über eine elektrische Leiterbahn 510 mit einem ersten Anschlusskontakt 24 des Bauelements 502 elektrisch leitend verbunden. Der zweite Anschlusskotakt 26 des Bauelements 502 ist über eine elektrische Leiterbahn 510 mit dem ersten Anschlusskontakt 24 des Bauelements 504 elektrisch leitend verbunden. Der zweite Anschlusskontakt 26 des Bauelements 506 ist über eine elektrische Leiterbahn 510 mit dem zweiten externen Anschlusskontakt 516 elektrisch leitend verbunden. Die Bauelemente 504, 506 des Mehrfachbauelements 500 sind elektrisch in Reihe geschaltet. Zusätzlich zur elektrisch leitenden Folie 506 kann auf der anderen Seite der Bauelemente eine der in Verbindung mit den Figuren lc, ld, 2a, 2b beschriebenen Folien 46, 66 vorgesehen sein. Ferner kann auf der Oberseite und der Unterseite der Bauelemente eine elektrisch leitende Folie 506 angeordnet sein. Das Mehrfachbauelement 500 unterscheidet sich somit von zum Beispiel auf einer Rolle angeordneten Einzelbauelementen insbesondere dadurch, dass die Bauelemente des Mehrfachbauelements 500 elektrisch leitend miteinander Terminal contacts 514, 516 are provided to electrically contact the multiple device 500. In the exemplary embodiment illustrated, the first external connection contact 514 is electrically conductively connected via an electrical interconnect 510 to a first connection contact 24 of the component 502. The second connection contact 26 of the component 502 is electrically conductively connected via an electrical interconnect 510 to the first connection contact 24 of the component 504. The second terminal contact 26 of the component 506 is electrically conductively connected to the second external terminal contact 516 via an electrical conductor track 510. The components 504, 506 of the multiple component 500 are electrically connected in series. In addition to the electrically conductive foil 506, one of the foils 46, 66 described in connection with FIGS. 1c, 1d, 2a, 2b may be provided on the other side of the components. Furthermore, an electrically conductive foil 506 can be arranged on the upper side and the lower side of the components. The multiple device 500 thus differs from, for example, one Roll arranged individual components in particular characterized in that the components of the multiple component 500 electrically conductive with each other
verbunden sind. are connected.
Fig. 6 ist eine schematische Darstellung eines zweiten Mehrfachbauelements 600. Das in Fig. 6 dargestellte zweite Mehrfachbauelement 600 unterscheidet sich von dem in Fig. 5 dargestellten ersten Mehrfachbauelement 500 dadurch, dass die Strukturelemente 12 mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Das Mehrfachbauelement 600 kann zum Beispiel eine Reihe des in Fig. 4c 6 is a schematic representation of a second multiple component 600. The second multiple component 600 illustrated in FIG. 6 differs from the first multiple component 500 shown in FIG. 5 in that the structural elements 12 are connected to one another in a mechanically and electrically conductive manner. The multiple device 600 may be, for example, a row of the type shown in FIG. 4c
schematisch angedeuteten Strukturelementträgers 102 aufweisen. Im Unterschied zur Darstellung der schematischen Darstellung der Fig. 4c kann das zweite have schematically indicated structural element carrier 102. In contrast to the representation of the schematic representation of FIG. 4c, the second
Mehrfachbauelement 600 nur Chips eines Typs aufweisen. Ferner kann das zweite Mehrfachbauelement 600 zum Beispiel eine Reihe des Strukturelementträgers 102 mit drei Aussparungen und drei in den Aussparungen angeordneten Chips 16 aufweisen. Multiple device 600 only chips of one type. Further, the second multiple device 600 may, for example, comprise a row of the structural element carrier 102 having three recesses and three chips 16 arranged in the recesses.
Das zweite Mehrfachbauelement 600 weist gemeinsame elektrisch leitende Bereiche 602 auf. Die gemeinsamen elektrisch leitenden Bereiche 602 weisen einen zur Kontaktierung eines ersten Chips vorgesehen ersten elektrisch leitenden Bereich 22 und einen zur Kontaktierung eines benachbart angeordneten zweiten Chips vorgesehenen zweiten elektrisch leitenden Bereich 23 auf. The second multiple component 600 has common electrically conductive regions 602. The common electrically conductive regions 602 have a first electrically conductive region 22 provided for contacting a first chip and a second electrically conductive region 23 provided for contacting a second chip arranged adjacent thereto.
Auf der Oberseite 44 und/oder der Montagefläche 18 der Strukturelemente 12 kann eine Folie 46, 66 angeordnet sein. Die Folie 46, 66 weist eine Reflektorschicht 50 auf. Durch die Reflektorschicht 50 kann seitlich von dem Bauelement emittiertes Licht in Richtung der Strahlungsfläche umgelenkt werden. Entsprechend kann die Folie 46, 46 eine lichtführende Funktion bereitstellen. On the upper side 44 and / or the mounting surface 18 of the structural elements 12, a film 46, 66 may be arranged. The film 46, 66 has a reflector layer 50. By means of the reflector layer 50, light emitted laterally from the component can be deflected in the direction of the radiation surface. Accordingly, the film 46, 46 can provide a light-guiding function.
Durch das Zusammenfassen von zumindest zwei Bauelementen zu einem By combining at least two components into one
Mehrfachbauelement kann die Handhabung der Bauelemente bei der weiteren Verarbeitung vereinfacht werden. Die Bauelemente sowie die Mehrfachbauelemente können zum Beispiel zum Multiple component, the handling of the components can be simplified in the further processing. The components and the multiple components can, for example, for
Einkoppeln von Licht in eine Lichtverteilerplatte vorgesehen sein. Das Coupling of light to be provided in a light distribution plate. The
Mehrfachbauelement und die Lichtverteilerplatte können zum Beispiel Teil einer Hintergrundbeleuchtungseinrichtung einer Anzeige, wie zum Beispiel einer For example, the multiple device and the light distribution plate may be part of a backlight of a display, such as a display
Flüssigkristallanzeige sein. Die Bauelemente können mit ihrer Strahlungsfläche 20 an einer Seitenfläche der Lichtverteilerplatte angeordnet sein. Die Seitenfläche der Lichtverteilerplatte kann senkrecht zu einer Lichtauskoppelfläche der  Be liquid crystal display. The components may be arranged with their radiation surface 20 on a side surface of the light distribution plate. The side surface of the light distribution plate can perpendicular to a light output surface of the
Lichtverteilerplatte angeordnet sein. Der Lichtweg zwischen der Strahlungsfläche und der Seitenfläche der Lichtverteilerplatte kann einstellbar sein. Einstellbar kann zum Beispiel bedeuten, dass die Länge des Lichtweges auf einen gewünschten Wert eingestellt werden kann. Der gewünschte Wert kann zum Beispiel kleiner als 100 Mm sein. Die Länge des Lichtweges kann zum Beispiel über die Tiefe der zweiten Gräben relativ zur Stirnfläche 38 eingestellt werden. Ferner kann die Länge des Lichtweges durch die Dicke eines auf der Strahlungsfläche angeordneten Leuchtstoffs 40 eingestellt werden. Be arranged light distribution plate. The light path between the radiating surface and the side surface of the light distribution plate may be adjustable. Adjustable, for example, mean that the length of the light path can be set to a desired value. The desired value may, for example, be less than 100 μm. The length of the light path can be adjusted, for example, over the depth of the second trenches relative to the end face 38. Furthermore, the length of the light path can be adjusted by the thickness of a phosphor 40 arranged on the radiation surface.
Das optoelektronische Bauelement und das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements wurden zur Vera nschaul ich ung des The optoelectronic component and the method for producing an optoelectronic component were used for the purpose of vera nschaul ich
zugrundeliegenden Gedankens anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Ausführungsbeispiele sind dabei nicht auf bestimmte Merkmalskombinationen beschränkt. Auch wenn einige Merkmale und Ausgestaltungen nur im underlying idea described with reference to some embodiments. The embodiments are not limited to specific feature combinations. Although some features and designs only in the
Zusammenhang mit einem besonderen Ausführungsbeispiel oder einzelnen Related to a particular embodiment or individual
Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, können sie jeweils mit anderen Embodiments have been described, they can each with others
Merkmalen aus anderen Ausführungsbeispielen kombiniert werden. Es ist ebenso möglich, in Ausführungsbeispielen einzelne dargestellte Merkmale oder besondere Ausgestaltungen wegzulassen oder hinzuzufügen, soweit die allgemeine technische Lehre realisiert bleibt. Characteristics are combined from other embodiments. It is also possible to omit or add in individual embodiments illustrated features or particular embodiments, as far as the general technical teaching is realized.
Auch wenn die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements in einer bestimmten Reihenfolge beschrieben sind, so ist es selbstverständlich, dass jedes der in dieser Offenbarung beschriebenen Verfahren in jeder anderen, sinnvollen Reihenfolge durchgeführt werden kann, wobei auch Verfahrensschritte ausgelassen oder hinzugefügt werden können, soweit nicht von dem Grundgedanken der beschriebenen technischen Lehre abgewichen wird. Although the steps of the method of manufacturing the optoelectronic device are described in a particular order, it is It should be understood, of course, that any of the methods described in this disclosure may be practiced in any other meaningful order, and that process steps may be omitted or added so long as it is not departed from the spirit of the described technical teaching.

Claims

Patentansprüche claims
1. Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement (10, 42, 52, 54, 60) mit einer an einem elektrisch isolierenden Strukturelement (12) angeordneten Montagefläche (18) und einer senkrecht zur Montagefläche (18) angeordneten Strahlungsfläche (20) eines optoelektronischen Chips (16, 61), wobei 1. Surface-mountable optoelectronic component (10, 42, 52, 54, 60) having a mounting surface (18) arranged on an electrically insulating structural element (12) and a radiation surface (20) of an optoelectronic chip (16, 16) arranged perpendicular to the mounting surface (18). 61), where
das Strukturelement (12) eine Aussparung aufweist, die das Strukturelement (12) in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche (18) vollständig durchdringt; in der Aussparung des Strukturelements (12) der optoelektronische Chip (16, 61) angeordnet ist;  the structural member (12) has a recess that completely penetrates the structural member (12) in a direction perpendicular to the mounting surface (18); in the recess of the structural element (12) of the optoelectronic chip (16, 61) is arranged;
zumindest eine senkrecht zur Montagefläche (18) angeordnete Seitenfläche des optoelektronischen Chips (16, 61) mit einer senkrecht zur Montagefläche (18) angeordneten Seitenfläche der Aussparung mechanisch verbunden ist;  at least one side surface of the optoelectronic chip (16, 61) arranged perpendicular to the mounting surface (18) is mechanically connected to a side surface of the recess arranged perpendicular to the mounting surface (18);
auf dem elektrisch isolierenden Strukturelement (12) ein erster und ein zweiter elektrisch leitender Bereich (22, 23) angeordnet sind, die elektrisch voneinander isoliert sind;  on the electrically insulating structural element (12) a first and a second electrically conductive region (22, 23) are arranged, which are electrically insulated from each other;
der erste und zweite elektrisch leitende Bereich (22, 23) jeweils an der Montagefläche (18) sowie an senkrecht zur Montagefläche angeordneten und an die Montagefläche (18) angrenzende Kontaktflächen angeordnet ist, und wobei  the first and second electrically conductive regions (22, 23) are respectively arranged on the mounting surface (18) and on contact surfaces arranged perpendicular to the mounting surface and adjacent to the mounting surface (18), and wherein
- der an der Montagefläche angeordnete Teil der ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereiche (22, 23) Anschlusskontakte zur elektrischen und mechanischen Kontaktierung eines Schaltungsträgers bilden und der an den Kontaktflächen angeordnete Teil des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereichs (22, 23) den optoelektronischen Chips (16, 61) elektrisch kontaktieren. - The arranged on the mounting surface portion of the first and second electrically conductive regions (22, 23) terminal contacts for electrical and mechanical contacting of a circuit substrate and the contact surfaces arranged on the part of the first and second electrically conductive region (22, 23) the optoelectronic chips (16, 61) contact electrically.
2. Bauelement nach Anspruch 1, wobei eine Höhe des Strukturelements (12) ungefähr einer Höhe (hc) des optoelektronischen Chips (16, 61) entspricht. 2. The component according to claim 1, wherein a height of the structural element (12) corresponds approximately to a height (hc) of the optoelectronic chip (16, 61).
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Gesamthöhe (hg) des Bauelements maximal doppelt so groß ist wie die Höhe (hc) des optoelektronischen Chips (16, 61). 3. The component according to claim 1 or 2, wherein the total height (hg) of the component is at most twice as large as the height (hc) of the optoelectronic chip (16, 61).
4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei an der Montagefläche (18) des Strukturelements (12) und/oder an einer der Montagefläche (18) gegenüberliegenden Oberseite (44) des Strukturelements (12) eine Reflektorschicht (50, 56) angeordnet ist. 4. The component according to one of claims 1 to 3, wherein on the mounting surface (18) of the structural element (12) and / or on one of the mounting surface (18) opposite upper side (44) of the structural element (12) has a reflector layer (50, 56) is arranged.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei im Strahlengang des Chips (16, 61) parallel zur Strahlungsfläche (20) eine Folie (74) angeordnet ist und auf der Folie ein Leuchtstoff (80) aufgebracht ist. 5. The component according to one of claims 1 to 4, wherein in the beam path of the chip (16, 61) parallel to the radiation surface (20) a film (74) is arranged and on the film, a phosphor (80) is applied.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei auf der Montagefläche (18) und der Oberseite (44) eine über die Strahlungsfläche (20) überstehende Folie (46, 66) angeordnet ist und in einer durch die überstehende Folie (46, 66) und das Strukturelement (12) gebildeten Kavität Leuchtstoff (40) angeordnet ist. 6. The component according to one of claims 1 to 4, wherein on the mounting surface (18) and the top (44) over the radiation surface (20) projecting film (46, 66) is arranged and in a by the projecting film (46, 66) and the structural element (12) formed cavity phosphor (40) is arranged.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der erste und zweite elektrisch leitende Bereich (22, 23) oberflächlich auf das Strukturelement (12) aufgebracht sind. 7. The component according to one of claims 1 to 6, wherein the first and second electrically conductive region (22, 23) are superficially applied to the structural element (12).
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Strukturelement (12) den optoelektronischen Chip (16, 61) an drei senkrecht zur Montagefläche (18) angeordneten Seitenflächen umgibt. 8. The component according to one of claims 1 to 7, wherein the structural element (12) surrounding the optoelectronic chip (16, 61) on three perpendicular to the mounting surface (18) arranged side surfaces.
9. Mehrfachbauelement (500) mit zumindest zwei der in den Ansprüchen 1 bis 8 beschriebenen Bauelemente (10, 42, 52, 54, 60, 502, 504), wobei die zumindest zwei Bauelemente über eine elektrisch leitende Folie (506) elektrisch leitend miteinander verbunden sind. 9. multiple component (500) having at least two of the components described in claims 1 to 8 (10, 42, 52, 54, 60, 502, 504), wherein the at least two components via an electrically conductive film (506) electrically conductive with each other are connected.
10. Mehrfachbauelement (600) mit zumindest zwei der in den Ansprüchen 1 bis 8 beschriebenen Bauelemente (10, 42, 52, 54, 60, 502, 504), wobei die 10. Multiple component (600) with at least two of the components described in claims 1 to 8 (10, 42, 52, 54, 60, 502, 504), wherein the
Strukturelemente (12) mechanisch miteinander verbunden sind und wobei ein erster elektrisch leitender Bereich und ein zweiter elektrisch leitender Bereich (23) einen gemeinsamen elektrisch leitenden Bereich (602) bilden. Structural elements (12) are mechanically interconnected and wherein a first electrically conductive region and a second electrically conductive region (23) form a common electrically conductive region (602).
11. Bauelementtransportanordnung mit einer Vielzahl von Bauelementen (10, 42, 52, 54) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Vielzahl der Bauelemente (10, 42, 52, 54) über zumindest eine Folie (46, 66) mechanisch miteinander verbunden ist. 11. component transport arrangement having a plurality of components (10, 42, 52, 54) according to one of claims 1 to 8, wherein the plurality of components (10, 42, 52, 54) via at least one film (46, 66) mechanically together connected is.
12. Hintergrundbeleuchtungseinrichtung für eine Anzeigeeinrichtung, wobei die Hintergrundbeleuchtungseinrichtung zumindest eines der Bauelemente (10, 60) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 und eine Lichtverteilerplatte aufweist, wobei das zumindest eine Bauelement (10, 42, 52, 56, 60) mit der Strahlungsfläche (20) an einer Seitenfläche der Lichtverteilerplatte angeordnet ist, und wobei die Seitenfläche der Lichtverteilerplatte senkrecht zu einer Lichtauskoppelfläche der 12. A backlight device for a display device, wherein the backlight device comprises at least one of the components (10, 60) according to one of claims 1 to 10 and a light distribution plate, wherein the at least one component (10, 42, 52, 56, 60) with the radiation surface (20) is disposed on a side surface of the light distribution plate, and wherein the side surface of the light distribution plate perpendicular to a light output surface of
Lichtverteilerplatte angeordnet ist. Light distribution plate is arranged.
13. Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements mit 13. A method for producing a surface mountable optoelectronic device with
Bereitstellen eines Strukturelementträgers (102) mit einer Vielzahl mechanisch miteinander verbundener, elektrisch isolierender Strukturelemente (12), wobei die Strukturelemente (12) in Reihen und/oder in Spalten angeordnet sind und jeweils zumindest eine die Strukturelemente vollständig durchdringende Aussparung aufweisen;  Providing a structural element carrier (102) with a plurality of mechanically interconnected, electrically insulating structural elements (12), wherein the structural elements (12) are arranged in rows and / or in columns and each have at least one recess which completely penetrates the structural elements;
Aufbringen elektrisch leitender Bereiche auf zumindest zwei senkrecht zueinander angeordnete und aneinander angrenzende Seitenflächen der  Applying electrically conductive areas on at least two mutually perpendicular and adjacent side surfaces of the
Strukturelemente (12); Structural elements (12);
Bereitstellen einer Vielzahl optoelektronischer Chips (16, 61);  Providing a plurality of optoelectronic chips (16, 61);
Einbringen optoelektronischen Chips (16, 61) in die Aussparungen der  Introducing optoelectronic chips (16, 61) into the recesses of the
Strukturelemente (12);  Structural elements (12);
mechanisches Verbinden der Vielzahl optoelektronischen Chips (16, 61) mit den Strukturelementen (12);  mechanically connecting the plurality of optoelectronic chips (16, 61) to the structural elements (12);
Aufteilen des Strukturelementträgers (102).  Splitting the structural element carrier (102).
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die elektrisch leitenden Bereiche 14. The method of claim 13, wherein the electrically conductive regions
strukturiert auf den Strukturelementträger (102) aufgebracht werden. structured on the structural element carrier (102) are applied.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei für das Aufteilen des Strukturelementträgers (102) ein Materialabtrag entlang eines ersten Grabens (108) vorgesehen ist und/oder ein Materialabtrag zwischen zwei in einer Reihe 15. The method of claim 13 or 14, wherein for the splitting of the structural element carrier (102) a material removal along a first trench (108) is provided and / or a material removal between two in a row
angeordneten Strukturelementen vorgesehen ist. arranged structural elements is provided.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die Strukturelemente (12) nach dem Aufteilen des Strukturelementträgers (102) auf eine Folie (46, 66, 506) aufgebracht werden. 16. The method according to any one of claims 13 to 15, wherein the structural elements (12) after the splitting of the structural element carrier (102) on a film (46, 66, 506) are applied.
17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Folie (46, 66, 506) mit den 17. The method of claim 16, wherein the film (46, 66, 506) with the
aufgebrachten Strukturelementen (12) auf eine Rolle aufgewickelt wird. applied structural elements (12) is wound on a roll.
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