WO2015145552A1 - 不揮発メモリデバイス、及び、不揮発メモリデバイスを有するストレージ装置 - Google Patents

不揮発メモリデバイス、及び、不揮発メモリデバイスを有するストレージ装置 Download PDF

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WO2015145552A1
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memory
lead
memory area
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芳弘 及川
洋志 平山
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株式会社日立製作所
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    • G06F2212/7208—Multiple device management, e.g. distributing data over multiple flash devices

Definitions

  • the present invention generally relates to reading data from non-volatile memory.
  • Non-volatile memory device for example, a flash memory device having a plurality of chips (flash memory chips) is known. If the chip is miniaturized, the error rate tends to be high, and therefore the frequency of read retries tends to be high.
  • a technique relating to read retry is disclosed in Patent Document 1. According to Patent Document 1, a reference value for the number of read retries is set for each chip. If the number of read retries does not exceed the reference value for the read source chip, normal read is performed, and the read for the read source chip is read. If the number of retries exceeds the reference value, the retry read is performed at the voltage Vth that can be read by the last read retry.
  • a read option for example, a number
  • the flash memory device performs reading with the selected read option (strictly, the read method corresponding to the selected read option).
  • a read method for example, there is a change in the voltage Vth.
  • the non-volatile memory device has a non-volatile memory and a memory controller that reads the non-volatile memory using a read option.
  • the nonvolatile memory includes a plurality of memory area units (for example, dies described later), and each memory area unit includes a plurality of memory areas (for example, physical pages).
  • the memory controller holds management information in which a read option is recorded for each memory area unit that is a unit larger than the memory area that is a read unit.
  • the memory controller specifies a memory area unit including the read source memory area, selects a read option corresponding to the specified memory area unit, and executes a read on the read source memory area using the selected read option.
  • the read option corresponding to the memory area unit including the read source memory area in the non-volatile memory is selected, and the read is executed using the selected read option.
  • the frequency of occurrence of read retries can be reduced, thereby reducing the reduction in read performance.
  • Example 1 The outline
  • the structural example of FMPK30 is shown. 2 shows a configuration example of a storage apparatus according to the first embodiment. The connection of FM I / F46 and NAND-FM33 is shown. The structure of the FM chip 403 is shown. The structure of the successful read count management information 452 is shown. An example of read success count statistics is shown. An example of subtraction and addition of the number of successful reads is shown. 5 shows a flow of read processing according to Embodiment 1. Details of the processing of S901 of FIG. 9 are shown. An example of a condition judgment rule is shown. Details of the processing of S906 of FIG. 9 are shown. The structure of the structure table 256 is shown. The structure of the command used for the setting of the RR threshold is shown.
  • the RR threshold value setting screen is shown.
  • An example of the flow of processing performed by the RAID control program 251 is shown.
  • the flow of a 1st RR threshold value setting process is shown.
  • the process which FM control program 442 performs in FMPK30 is shown.
  • the structure of the flash device configuration information 443 is shown.
  • the structure of the RAID management table 254 is shown.
  • the structure of the blockage management table 255 is shown.
  • An example of a check response is shown.
  • An example of a special read request is shown.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing that a read mode specified by a special read request is prioritized over a read mode set by a mode select command.
  • count of having received the check response from the same FMPK30 reaches predetermined number is shown.
  • An example of the information showing whether additional retry is permitted for every combination of a RAID level and the blockage FMPK number is shown.
  • the flow of special read request generation processing is shown.
  • count of having received the check response from the same FMPK30 reaches predetermined number is shown.
  • An example of a branch indicating which of the processes shown in FIGS. 25 and 28 is executed is shown.
  • a flow of processing performed by the FM controller 32 of the FMPK 30 that has received the command is shown.
  • count of having received the check response from the same FMPK30 reaches predetermined number is shown.
  • the structure of the read command is shown.
  • the structure of an enqueue destination determination table is shown.
  • the structure of the 1st execution restriction table 3600 is shown.
  • the structure of the unit price table 3700 is shown.
  • the structure of the second execution restriction table 3800 is shown.
  • the structure of the accumulation counter table 3900 is shown.
  • An example of the enqueue control process of a synchronous RD command is shown.
  • summary of Example 2 is shown.
  • the structure of environment / option simple management information 4501 is shown.
  • 9 shows a flow of read processing according to the second embodiment.
  • kkk table or “kkk queue”, but the various types of information may be expressed using a data structure other than the table.
  • At least one of “kkk table” and “kkk queue” can be referred to as “kkk information” to indicate that it does not depend on the data structure.
  • identification numbers are used as identification information for various objects, but types of identification information other than identification numbers (for example, identifiers including alphabetic characters and codes) can also be used.
  • the process may be described with “program” as the subject, but the program is executed by a processor (for example, a CPU (Central Processing Unit)) so that a predetermined process can be appropriately performed.
  • a processor for example, a CPU (Central Processing Unit)
  • the subject of processing may be a processor (or a device such as a controller having the processor).
  • a process whose subject is a processor can be interpreted as being executed by executing one or more programs.
  • the processor may include a hardware circuit that performs part or all of the processing performed by the processor.
  • the computer program may be installed on each computer from a program source.
  • the program source may be, for example, a program distribution server or a storage medium.
  • the communication interface device may be abbreviated as “I / F”.
  • a flash memory device having a flash memory (hereinafter referred to as “FMPK” for short) is taken as an example of a nonvolatile memory device having a nonvolatile memory.
  • FMPK flash memory device having a flash memory
  • Other types of nonvolatile memory for example, MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) which is magnetoresistive memory, ReRAM (Resistance Random Access Memory) which is resistance change type memory, or FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) which is ferroelectric memory It is also possible to employ a nonvolatile memory device having a semiconductor memory).
  • the FMPK receives commands from the host device and executes processing.
  • the read command is referred to as “read request” and the write command is referred to as “write request”.
  • a read command issued in the FMPK is called a “read command”
  • a write command is called a “write command”.
  • FIG. 1 shows an outline of the first embodiment.
  • a flash memory package (hereinafter referred to as FMPK) 30 includes a NAND flash memory (hereinafter referred to as NAND-FM) 33 and a flash memory controller (hereinafter referred to as FM controller) 32 connected to the NAND-FM 33.
  • the FM controller 32 performs a read process in response to a read request from an upper apparatus (not shown) of the FMPK 30 or as part of an internal process that is performed independently (asynchronously) with a command from the upper apparatus.
  • the FM controller 32 executes a read process in response to a read request from the host device, the FM controller 32 sends a response including data read by the read process (a response including read target data according to the read request). The data is transmitted to the host device.
  • the FM controller 32 reads the NAND-FM 33 using a read option in the read process.
  • the FM controller 32 can manage the read success count statistics (for example, information indicating the relationship between the read option and the read success count) for each read environment, and can update the read success count statistics for each successful read.
  • the lead environment is defined by a combination of attribute values of a plurality (or one) of lead influence attributes (attributes defined as being able to influence the success or failure of the lead).
  • “success in reading” means that all error bits of the read data can be corrected (for example, correction can be made by ECC (Error Correcting Code)), and “read failure” The data could not be read (ie, the read data had so many error bits that it was not possible to correct all the error bits).
  • ECC Error Correcting Code
  • the FM controller 32 When reading from the NAND-FM 33, the FM controller 32 uses a read success count statistic corresponding to the read environment to which the read source area belongs, and a likely read option (typically a read option corresponding to the maximum read success count). ) And execute a read using the selected lead option.
  • the FM controller 32 each time the FM controller 32 reads from the NAND-FM 33, it selects a likely read option based on the read success count statistics of the read environment to which the read source area belongs, and reads according to the selected read option. Execute. For this reason, the frequency of occurrence of read retries can be reduced, thereby reducing the decrease in read performance.
  • FIG. 2 shows a configuration example of the FMPK30.
  • the FMPK 30 includes a NOR flash memory (hereinafter referred to as NOR-FM) 31, an FM controller 32, and a NAND-FM 33.
  • NOR-FM NOR flash memory
  • FM controller 32 FM controller
  • NAND-FM 33 NAND-FM
  • the NOR-FM 31 stores at least one of a program executed by the CPU 42 and information used by the CPU 42.
  • the NAND-FM 33 includes one or more NAND-FM chips.
  • the NAND-FM chip may be an SLC (Single Level Cell) type or an MLC (Multi Level Cell) type.
  • the NAND-FM 33 stores data in accordance with a write command issued by the FM controller 32 that has received a write request from the host device 20.
  • the FM controller 32 includes a CPU 42, a SAS (Serial Attached SCSI) I / F 41, a bus switch 43, a memory I / F 47, a low speed memory 45, a high speed memory 44, and an FM I / F 46.
  • SAS Serial Attached SCSI
  • the SAS I / F 41 is a communication interface device connected to the host device 20 and mediates data communication between the host device 20 and the part on the bus switch 43 side.
  • the SAS I / F 41 performs data communication with the host device 20 according to the SAS.
  • the host device 20 is a storage controller described later, but may be a computer such as a PC (Personal Computer) instead of the storage controller.
  • the bus switch 43 is connected to the CPU 42, the SAS I / F 41, the memory I / F 47, and the FM I / F 46, and relays data between these parts.
  • the memory I / F 47 is a communication interface device connected to the low-speed memory 45, and controls data input / output with respect to the low-speed memory 45.
  • the low-speed memory 45 is, for example, a DRAM (Dynamic Random Access Memory) or a nonvolatile memory, and stores various data used for processing by the CPU 42.
  • the low-speed memory 45 stores FM (flash memory) management information 451 and successful read count management information 452.
  • FM management information 451 stores information necessary for management of the NAND-FM 33.
  • the successful read count management information 452 is set and referenced from the flash memory control program 442, and holds the number of successful reads based on the management unit in the FMPK 30.
  • the management unit in the FMPK 30 will be described later.
  • the high-speed memory 44 is, for example, an SRAM (Static Random Access Memory) and is directly connected to the CPU 42.
  • the high speed memory 44 stores a program executed by the CPU 42.
  • the high-speed memory 44 stores a flash memory control program (hereinafter, FM control program) 442 and flash device configuration information 443.
  • the FM control program 442 performs control to receive and execute a command from the host device 20. Further, the FM control program 442 executes various processes related to the NAND-FM 33.
  • the flash device configuration information 443 includes a mode parameter and an RR threshold value (read retry count threshold value) set by the CPU 42 in response to an instruction from the host device (storage controller) 20.
  • FM I / F 46 is a communication interface device connected to NAND-FM 33 and controls data input / output to / from NAND-FM 33.
  • the configuration of FMPK30 is not limited to the configuration of FIG.
  • the NOR-FM 31 may not be provided, and the program or information in the NOR-FM 31 may be stored in at least one of the high speed memory 44 and the low speed memory 45.
  • one or more memories having the same performance may be employed instead of a plurality of memories having different performance such as the high speed memory 44 and the low speed memory 45.
  • FIG. 3 shows a configuration example of the storage apparatus according to the first embodiment.
  • the storage device 300 includes a storage controller 20 as an example of the host device 20, an FMPK 30, a SAS-HDD 302, and a SATA (Serial ATA) -HDD 301. At least one of the FMPK 30, the SAS-HDD 302, and the SATA-HDD 301 may be one or more.
  • a RAID (Redundant Array of Independent (or Inexpensive) Disks) group composed of a plurality of FMPKs 30, a RAID group composed of a plurality of SAS-HDDs 302, and a RAID composed of a plurality of SATA-HDDs 301.
  • RAID Redundant Array of Independent (or Inexpensive) Disks
  • the storage controller 20 includes a host I / F 21, a RAID control unit 22, a management I / F 25, and a back-end interface device (back-end I / F) 24.
  • the host I / F 21 is a communication interface device that mediates data exchange between the host computer (hereinafter referred to as host) 10 and the storage controller 20.
  • the host 10 inputs and outputs data used for processing to the storage controller 20.
  • the management I / F 25 is a communication interface device that mediates exchange of data with the management terminal 70.
  • the management terminal 70 is a computer and includes an input unit (for example, a keyboard and a pointing device) (not shown) that receives input from the administrator, and an output unit that outputs (typically displays) information to the administrator. (For example, a display device) (not shown).
  • the back end I / F 24 mediates data exchange with PDEVs such as the FMPK 30, the SAS-HDD 302, and the SATA-HDD 301.
  • the back end I / F 24 includes a SAS controller 241 and a SAS expander (hereinafter, expander) 242.
  • the expander 242 is an example of a switch device, can be connected to a plurality of PDEVs (30, 301, and 302), and mediates data exchange between the SAS controller 241 and the PDEV.
  • the SAS controller 241 performs data communication with the PDEV according to the SAS.
  • the RAID control unit 22 performs control for accessing the PDEV from the host 10.
  • the RAID control unit 22 includes a CPU 221, a cache memory 222, a timer 223, and a memory 224.
  • the cache memory 222 caches data input / output to / from the PDEV.
  • the timer 223 measures the passage of time.
  • the CPU 221 executes various processes using programs and data stored in the memory 224.
  • the memory 224 stores a program executed by the CPU 221 and data used by the CPU 221. Specifically, the memory 224 stores a RAID control program 251, a RAID management table 254, a blockage management table 255, and a configuration table 256.
  • the RAID control program 251 performs RAID control for the RAID group based on the RAID management table 254. Also, the RAID control program 251 refers to the block management table 255, and if there is a RAID group including the blocked FMPK 30, configures the RAID group with the number of retries according to the number of blocked FMPKs 30. Notify FMPK30.
  • the RAID control program 251 communicates with the management terminal 70. Further, the RAID control program 251 sets the retry count limit parameter of the FMPK 30 in accordance with system operation regulations.
  • the RAID control program 251 receives a command issue request from the RAID control program 251 and issues a command to the FMPK 30 via the back-end I / F 24 according to the request.
  • the RAID management table 254 is a table having information on the configuration of the RAID group.
  • the blockage management table 255 is a table having information indicating the state (normal or blocked) of the FMPK 30 constituting the RAID group.
  • the configuration table 256 is a table having numerical values (for example, the number of retries) for determining the operation of the storage controller 20.
  • the storage controller 20 and the PDEV communicate according to the SAS protocol, but the storage controller and the PDEV may communicate with each other using a protocol other than SAS (for example, PCIe (PCI-Express)).
  • a protocol other than SAS for example, PCIe (PCI-Express)
  • FIG. 4 shows the connection between the FM I / F 46 and the NAND-FM 33.
  • the NAND-FM 33 includes a plurality of NAND-FM chips (hereinafter referred to as FM chips) 403.
  • a plurality of flash memory access buses (hereinafter referred to as FM buses) 402 are connected to the FM I / F 46.
  • a plurality of FM chip groups 405 are connected to the plurality of FM buses 402, respectively.
  • Each FM chip group 405 includes two or more (or one) FM chips 403.
  • a plurality of FM chips 403 connected to different FM buses 402 are connected to the same CE (chip enable) line. The die can be activated by the CE signal flowing through the CE line.
  • the FM I / F 46 can access a desired FM chip 403 by selecting an FM bus number and a CE line number.
  • FIG. 5 shows the configuration of the FM chip 403.
  • the FM chip 403 is composed of first and second dies 501.
  • Each die 501 is composed of first and second planes 502.
  • Each plane 502 includes a plurality of blocks (physical blocks) 503, and each block 503 includes a plurality of pages (physical pages) 504.
  • data is input / output in units of pages, and data is erased in units of blocks.
  • the first plane 502 may include odd blocks (odd numbered blocks), and the second plane 502 may include even blocks (even numbered blocks).
  • Each block 503 includes two types of LSB (Least Significant bit / byte) pages (LSB1 page, LSB2 page) and two types of MSB (Most Significant bit / byte) pages (MSB1 page, MSB2 page).
  • Each page 504 is one of the above four types of pages.
  • the block configuration in FIG. 5 is an example, and the block configuration may depend on at least one of a chip and a manufacturer. There may be one type of LSB page or three or more types of pages. Similarly, there may be one type of MSB page or three or more types of MSB pages.
  • each FM chip, die, plane, block, and page is one management unit of the NAND-FM 33.
  • At least one of the number of dies included in one FM chip 403 and the number of planes included in each die is not limited to the above. Further, there is not necessarily a management unit such as a die and a plane.
  • FIG. 6 shows the configuration of the successful read count management information 452.
  • the read success count management information 452 has a success counter for each read option for each of a plurality of read environments.
  • the success counter represents the number of successful reads (reads from the NAND-FM 33) in the read environment and read option corresponding to the success counter.
  • Lead environment is defined by a plurality of attribute values respectively corresponding to a plurality (or one) of lead influence attributes.
  • “Lead influence attribute” is an attribute defined as being able to influence the success or failure of a lead.
  • the read influence attribute for example, the number of PEs (the number of times data is erased), the elapsed time (the time that has elapsed since the data was written to the first page of the block), the FM bus number (which FM bus is used for the read), CE number (which CE line leads from the selected FM chip), die number (which die 501 is the lead), plane number (which plane 502 is the lead), and , There is a page type (which page type corresponds to the lead). When the page type (MSB / LSB) is different, the characteristics of the page are generally different. Therefore, the difference in the page type can affect the success or failure of the read.
  • differences in the number of PEs, elapsed time, FM bus, CE line, die, and plane can also affect the success or failure of the read.
  • another type of lead influence attribute for example, at least one of temperature and process variation degree may be employed.
  • the read success count management information 452 further includes a selection option number, a MAX counter, and a MAX option number.
  • the “selected option number” is the number of a read option (set option) that has been set in the device (for example, NAND-FM 33) for the option management unit.
  • the option management unit is a management unit larger than a page which is a data read / write unit, and is a die according to the example of FIG.
  • the setting option of the option management unit to which the read source page of the lead belongs is used. Therefore, if the lead option selected for the lead is different from the setting option of the option management unit to which the lead page of the lead belongs, the setting option is changed to the selected lead option, and the changed setting option is changed. To read.
  • the option management unit may be any management unit as long as it is larger than the data read / write unit.
  • the “MAX counter” is the maximum value of two or more success counters respectively corresponding to predetermined two or more lead environments (for example, lead environments having the same attribute value of the lead influence attribute other than the lead option number). is there.
  • “MAX option number” is a read option number corresponding to a success counter having the same value as the MAX counter.
  • the FM control program 442 selects a read option for each read from the NAND-FM 33 and executes a read according to the selected read option. Specifically, for example, the FM control program 442 reads the read environment to which the read source page belongs, that is, the PE count range to which the PE count of the read source block (block including the read source page) belongs, Elapsed time, FM bus number to which the FM chip including the read source page is connected, CE line number to which the FM chip including the read source page is connected, die number including the read source page, read The number of the plane including the original page and the type of the read source page are specified from the FM management information 451.
  • the FM control program 442 selects a likely lead option from a plurality of lead options based on the number of successful read times for the identified lead environment.
  • the “read success count statistic” is, for example, a relationship between a plurality of read options and a plurality of success counters (values) as shown in FIG.
  • the read success count statistic (that is, the relationship between the read option and the success counter) may be different for each read environment.
  • the plausible lead option is, for example, a lead option corresponding to the largest success counter for the identified lead environment.
  • the FM control program 442 adds a value to the success counter corresponding to the read environment and the read option (for example, 1 is added).
  • the FM control program 442 determines the next most likely read option (eg, next largest success) based on the read success count statistics. Select the lead option corresponding to the counter and execute the read according to the selected lead option. Such read retry is performed until a predetermined condition (for example, the number of read retries is less than or equal to a predetermined number) is not satisfied, and when the predetermined condition is not satisfied, the process ends as an uncorrectable error.
  • a predetermined condition for example, the number of read retries is less than or equal to a predetermined number
  • the FM controller 32 reads from the NAND-FM 33, based on the read success count statistics (relationship between the read option and the read success count) of the read environment to which the read source page belongs, Select in advance and execute read according to the selected read option. For this reason, the frequency of occurrence of read retries can be reduced, thereby reducing the decrease in read performance. Also, with each successful read, the number of read successes corresponding to the lead option used during a successful read is updated, which improves the accuracy of the read success count stats, and therefore select when reading Expected to improve the appropriateness of the lead options that are likely to be.
  • the FM control program 442 subtracts the value from the success counter corresponding to the lead option (eg, 1 May be subtracted) (reference numeral 801 in FIG. 8).
  • the success counter of the lead option that has been successfully read can be relatively increased. This is because, when the lead according to the next most likely read option (for example, lead option 1) succeeds, the success counter corresponding to the lead option is added as described above (reference numeral 802 in FIG. 8). .
  • the subtraction of the success counter corresponding to the lead option at the time of the read failure may be performed each time the read fails, or the difference between the success option of the read option corresponding to the read failure and the next most likely read option success counter. May be performed when becomes less than a predetermined value.
  • the read is not limited to a normal read (a read according to a read request from the storage controller 20), but other types of read, for example, a reclamation read (a read generated during the reclamation process), a refresh read (a refresh process) Or at least one of asynchronous leads.
  • the “asynchronous read” is a read that occurs independently (asynchronously) with a read request from the storage controller 20. Any read may be performed by the FM control program 442.
  • the asynchronous lead there may be an inspection lead. In the inspection read, the number of error bits of the read data is detected, and the detected number of error bits is compared with each of predetermined one or more threshold values. The inspection lead will be described in more detail in the second embodiment.
  • the FM management information 451 is configured to be able to specify the read environment of the read source page. Specifically, for example, the FM management information 451 includes, for each page, the number of PEs (the number of times data is erased from the block including the page) and the elapsed time (after data is written to the first page of the block including the page). Elapsed time), FM bus number (number of FM bus to which FM chip including page is connected), CE number (number of CE line to which FM chip including page is connected), FM chip number (page FM chip number including a page number), die number (number of a die including page), plane number (number of a plane including page), and page type (page type).
  • the FM management information 451 may be updated by the FM control program 442 when predetermined processing (for example, deletion of data from the block) is performed by the FM control program 442.
  • FIG. 9 shows the flow of read processing.
  • the FM control program 442 reads the read environment (PE count, elapsed time, FM bus number, CE number, die number, plane number, etc.) corresponding to the read source page (for example, the page assigned to the read source logical address). (Page type) is specified from the FM management information 451, the read success count management information 452 (read success count statistics) is referenced using the specified read environment, and a likely read option is selected for the read environment (S901). ). Specifically, for example, as shown in FIG. 10, the FM control program 442 acquires a MAX option corresponding to the specified read environment from the read success count management information 452 (FIG. 10: S1001).
  • the FM control program 442 determines whether or not the lead option number selected in S901 matches the selected option number corresponding to the die (die including the read source page) in the specified lead environment (S902).
  • the FM control program 442 changes the setting option for the die including the read source page to the read option selected in S901 (S908).
  • the FM control program 442 performs a read using the read option selected in S901 (S903). In other words, the FM control program 442 transmits a read command for reading data from the page of the read source page to the FM chip including the read source page using the read option selected in S901, and the read command In response, the data in the read source page is received.
  • the FM control program 442 determines whether the read is successful (S904).
  • the successful read may be, for example, that data is received from the NAND-FM 33 within a predetermined time after the read command is issued to the NAND-FM 33 and the data is correct.
  • the FM control program 442 determines whether or not the condition is satisfied (S905). Whether or not the condition is satisfied follows, for example, the condition determination rule shown in FIG. According to the rule of FIG. 11, (condition: a) there is an unselected read option as a condition, (condition: b) the number of read retries (RR) in this read processing is less than or equal to the RR threshold, and (Condition: c) In this read process, the time after the first read command is issued may be less than the time limit.
  • the rule shown in FIG. 11 is an example, and the rule as to what the determination result of S905 will be when the conditions are satisfied is not limited to the rule shown in FIG. Further, the condition determination rule may be the same for all FMPKs 30 in the same RAID group, or the condition determination rule may be different for each FMPK 30.
  • the RR threshold and the time limit can be set from the storage controller 20 by a predetermined command (for example, the command shown in FIG. 14).
  • the FM control program 442 responds with an uncorrectable error for the read source page (S907), and ends the read process.
  • the FM control program 442 selects the most likely read option next to the read option selected in the previous round (S901 or S906) in this read process (S906).
  • the setting option is changed to the lead option selected in S906 (S908), and the read is executed using the changed setting option (S903).
  • the FM control program 442 for example, as shown in FIG. 12, the next largest success counter of the read option success counter selected immediately before (the largest success counter if none). Is identified from the read success count management information 452 (FIG. 12: S1201), and a read option number corresponding to the identified success counter is acquired from the read success count management information 452 (FIG. 12: S1202).
  • the FM control program 442 determines whether or not the success counter after the addition exceeds the MAX counter corresponding to the specified read environment (S910).
  • the FM control program 442 sets the MAX counter (MAX counter in the read success count management information 452) corresponding to the specified read environment to the success after the addition of S909.
  • the counter value is updated (S911), and the MAX option number corresponding to the specified read environment is updated to the read option number at the time of successful read (S912).
  • the FM control program 442 displays the selection option number corresponding to the specified read environment as the read option number when the read is successful. (S913).
  • the FM control program 442 may change the setting option of the die including the read source page in the read process to the MAX option after the update in S912.
  • S913 may be skipped if the selected option number corresponding to the identified read environment is the same as the read option number when the read is successful. Further, S902 and S908 are not provided, and S903 may be performed after S901.
  • the FM control program 442 may determine whether or not to perform the process of FIG. 10 based on whether or not the condition for performing the lead option optimization is satisfied. In the case of normal read, if the read option meaning normal read is not set in the NAND-FM 33, the read option may be set in S908.
  • a “non-readable page” is a page in which data cannot be read regardless of how many read retries are performed while switching the read option. If the read retry is repeatedly executed even though the read source page is a non-readable page, time is wasted and the read performance can be greatly reduced. There may be a case where it is preferable to restore data by the storage controller 20 rather than taking time for read retry. Conversely, there may be a case where it is preferable to read data from the read source page by repeating read retry as much as possible.
  • the number of retries corresponding to these situations is preferably different depending on at least one of the RAID level of the RAID group, the number of blocked FMPKs (blocked FMPKs) in the RAID group, and the presence or absence of redundancy. “Presence / absence of redundancy” is whether or not the same data can be read from another storage resource (for example, another RAID group) even if the data cannot be read from the RAID group. Whether or not there is a RAID group (or storage device 300) and a standby RAID group (or storage device 300).
  • Information indicating whether performance is important or not for each RAID group is managed by the storage controller 20 which is a higher-level device of the FMPK 30.
  • the storage controller 20 determines the RR threshold value of the FMPK based on whether or not the performance is important for the RAID group including the FMPK, the RAID level, the number of blocked FMPKs, and the presence or absence of redundancy.
  • the determined RR threshold is set in the FMPK.
  • the storage controller 20 performs setting for changing the RR threshold set in FMPK to the RR threshold corresponding to the number of blocked devices after the change. Thereby, the RR threshold value in FMPK30 can be set to a more appropriate value.
  • FIG. 13 shows the configuration of the configuration table 256.
  • the configuration table 256 includes a normal RR threshold table unit 1301, a reclamation RR threshold table unit 1302, a refresh RR threshold table unit 1303, and an asynchronous RR threshold table unit 1304.
  • Normal RR threshold is an RR threshold for normal reads (threshold for read retry count)
  • Reclaim RR threshold is an RR threshold for reclamation read
  • Refresh RR threshold is an RR for refresh read.
  • Asynchronous RR threshold is an RR threshold for asynchronous read.
  • the configuration of each table unit is the same. Specifically, each table unit has an RR threshold according to whether performance is important, RAID level, number of blocked FMPKs, and presence / absence of redundancy.
  • the normal RR threshold (normal while changing the lead option)
  • the threshold value of the number of read read retries may be a maximum value.
  • the maximum value is, for example, (X ⁇ 1), and X is the number of lead options. In such a case, it is necessary to read data even at the expense of read performance.
  • the normal RR threshold may be less than the maximum value.
  • the normal RR threshold value may be less than the maximum value if performance-oriented is set.
  • the RR threshold may be smaller than when performance emphasis is not set.
  • the reclamation RR threshold corresponding to performance emphasis may be higher than the normal RR threshold corresponding to performance emphasis. This is because the reclamation read is a read that is performed in the background as needed in the processing of a write request from the storage controller 20.
  • the RR threshold value may be the maximum value regardless of whether performance is important, the RAID level, the number of blocked FMPKs, and the presence or absence of redundancy. This is because the refresh read and the asynchronous read are both read in the background irrespective of (asynchronously) the read request (and write request) from the storage controller 20.
  • the storage controller 20 includes a configuration table 256, information indicating whether performance is important for each RAID group, information indicating a RAID level for each RAID group (for example, RAID management table 254), and the number of blocked FMPKs for each RAID group.
  • the normal RR threshold, the reclamation RR threshold, the refresh RR threshold, and the asynchronous RR threshold to be set in FMPK are determined based on the information (for example, the blockage management table 255) and the information indicating the presence / absence of redundancy for each RAID group. A command including those determined RR threshold values is transmitted to the FMPK.
  • FIG. 14 shows the configuration of commands used for setting the RR threshold.
  • the command used for setting the RR threshold is, for example, a mode select command according to SCSI.
  • a command other than the mode select command (for example, a vendor unique command) may be used as long as the mode parameter setting can be changed and referred to the FMPK.
  • Mode select commands include, for example, normal RR threshold (READ RETRY COUNT), reclamation RR threshold (RC READ RETRY COUNT), refresh RR threshold (RF READ RETRY COUNT), asynchronous RR threshold (ASYNC READ RETRY COUNT), read mode select (READ MODE SELECT) and time limit (RECOVERY TIME LIMIT) are included.
  • the mode select command may be transmitted before transmitting a read command for read processing.
  • the read mode select is a parameter indicating a read mode selected from a plurality of read modes (read option selection policies).
  • a first value (first read mode: a read option is selected based on the number of successful read statistics), a second value (second read mode: a read option with performance delay is selected), a first There are four types: 3 values (3rd read mode: select all read options sequentially (for example, for dynamic spare)) and 4 values (4th read mode: select 4th default read option) Good.
  • the “read option with performance delay” may be a read option corresponding to a read method that takes a long time to read itself but has a higher possibility of successful read by special processing inside the chip.
  • FIG. 15 shows an example of the RR threshold setting screen.
  • the RR threshold setting screen 1500 is a GUI (Graphical User Interface), and is provided to the management terminal 70 via the management I / F 25 by the management terminal communication program 252 and displayed on the output unit (not shown) of the management terminal 70. .
  • the administrator assigns various RR thresholds from the management terminal 70 to the storage controller 20 of the storage apparatus 300 via the RR threshold setting screen 1500 based on whether the performance is important, the RAID level, the presence / absence of redundancy, and the number of blocked FMPKs. Can be entered.
  • the various input RR threshold values are registered in the configuration table 256 by the management terminal communication program 252.
  • RR threshold values may be input and registered by a method other than the GUI, for example, a command format interface.
  • whether or not performance is emphasized may mean whether the performance priority is large or small.
  • the performance priority may be more than two levels (large or small).
  • RAID level instead of or in addition to the RAID level, other types of RAID configurations (for example, the number of FMPKs configuring a RAID group) may be employed.
  • At least one type of RR threshold value among a plurality of types of RR threshold values may be set in finer units.
  • at least one type of RR threshold value may be specified for each RAID group, or may be specified for each logical volume on which the RAID group is based.
  • at least one type of RR threshold may be set for each logical address range (for example, a range corresponding to a logical volume). That is, a plurality of RR thresholds of the same type that differ depending on the logical address range may be set in the FM controller 32 of one FMPK 30.
  • the FM controller 32 may control the number of read retries in the read process for the read source page based on the RR threshold value corresponding to the logical address range to which the logical address to which the read source page is assigned belongs.
  • the storage controller 20 transmits a command including the RR threshold value registered in the configuration table 256 (for example, the mode select command illustrated in FIG. 14) to the FMPK 30, and the FM controller 32 of the FMPK 30 receives the command.
  • a command (mode select command) designating a plurality of types of RR threshold values is at least one of whether the storage controller 20 places importance on performance for at least one RAID group, RAID level, presence / absence of redundancy, and the number of blocked FMPKs.
  • a mode select command specifying an RR threshold value corresponding to the changed attribute value may be transmitted to the FMPK 30 constituting the RAID group in which the change is detected.
  • a series of flows for setting the RR threshold will be described.
  • FIG. 16 shows an example of the flow of processing performed by the RAID control program 251.
  • the RAID control program 251 executes the first RR threshold value setting process when detecting the blockage or recovery of the FMPK 30 (S1601: True) (S1602).
  • the first RR threshold value setting process the RAID level of the RAID group including the blocked or recovered FMPK 30, the number of blocked FMPKs, whether or not performance is important, and the RR threshold value corresponding to the presence or absence of redundancy are blocked or recovered FMPK 30. Is set in each FMPK 30 of the RAID group including the.
  • the RAID control program 251 executes the second RR threshold setting process when performing a dynamic spare for the RAID group (S1601: False and S1603: True) (S1604).
  • a command including an RR threshold (for example, the maximum number of read retries) used at the time of dynamic spare is transmitted to each FMPK 30 of the RAID group in which dynamic spare is performed, and the RAID group In each FMPK 30, an RR threshold value used for dynamic spare is set.
  • the RAID control program 251 performs any necessary processing other than the first and second RR threshold value setting processing in cases other than the detection of blockage or recovery of the FMPK 30 and a dynamic spare (S1601: False and S1603: False). It performs (S1605). If no processing is required, S1605 may be skipped.
  • FIG. 17 shows the flow of the first RR threshold value setting process.
  • the RAID control program 251 is a block / recovery RG environment (specifically, a RAID level, the number of blocked FMPKs, whether performance is important, and whether redundancy is present) to which the RAID group including the blocked or recovered FMPK 30 belongs. ) Is specified from the RAID management table 254, the blockage management table 255, and the like (S1801).
  • the RAID control program 251 specifies various RR threshold values corresponding to the specified blockage / recovery RG environment from the configuration table 256, and specifies the various RR threshold values (normal RR threshold value, reclamation RR threshold value, refresh RR threshold value and asynchronous RR threshold value).
  • the mode select command including the time limit is generated, and the generated mode select command is transmitted to each FMPK 30 of the RAID group including the blocked or recovered FMPK 30 (S1802).
  • the RAID control program 251 ends the process when the command is normally completed for each FMPK 30 (S1803: True).
  • the RAID control program 251 executes S1802 again if the number of retries of the mode select command is less than the allowable value (S1804: True). The process executed again may be only command transmission in S1802. If the number of retries of the mode select command has reached the allowable value (S1804: False), the RAID control program 251 performs a predetermined failure process (S1805).
  • FIG. 18 shows processing performed by the FM control program 442 in the FMPK 30.
  • the FM control program 442 executes processing according to the command (S1902). For example, if the command is a read request from the storage controller 20, a normal read read process is executed. For example, if the command is an internal command that is an internally issued command, processing according to the internal command is executed. Examples of the internal command include a reclamation command, a refresh command, and an inspection command.
  • the FM control program 442 acquires various RR threshold values and time limit from the mode select command (S1903), and flushes the acquired various RR threshold values and time limit.
  • the device configuration information 443 is set (S1904).
  • the flash device configuration information 443 in which various RR threshold values and time limits are set is as shown in FIG. 19, for example.
  • the RR threshold is specified based on the RAID level, the number of blocked drives, etc.
  • the RAID level is specified from the RAID management table 254, and the number of blocked drives is specified from the blocking management table 255.
  • the RAID management table 254 represents a RAID group number, a RAID level, and a number of each PDEV (FMPK) constituting the RAID group for each RAID group.
  • the blocking management table 255 shows the number of blocked PDEVs (number of blocked FMPKs) and the status (normal, blocked, etc.) of each PDEV (FMPK) constituting the RAID group for each RAID group.
  • the state of the FMPK 30 may not be able to maintain the response performance defined in the FMPK 30.
  • the state in which the response performance cannot be maintained means, for example, that the time since the read command is issued exceeds the time limit and the number of read retries exceeds the default RR threshold It is a state corresponding to at least one.
  • the FMPK 30 It is considered that there is a higher probability that the state cannot be maintained.
  • the FM controller 32 (for example, the FM control program 442) returns a check response to a command (for example, a read request) from the storage controller 20 when the response performance defined in the FMPK 30 cannot be maintained. It has become.
  • the storage controller 20 that has received the check response controls whether or not to retransmit the read request to the FMPK 30.
  • the FMPK 30 starts a new read process. For this reason, at the FMPK 30, at least one of the read processing of the previous read command exceeds the time limit since the read command is issued and the read retry count exceeds the RR threshold. If one happens, it will be cancelled.
  • the FMPK 30 can issue a check response to the storage controller 20 and let the storage controller 20 determine whether to continue the process. For example, the storage controller 20 may determine whether or not to retransmit the read request to the FMPK 30 according to whether or not the number of check responses received is less than a predetermined value. For example, when the storage controller 20 receives a check response, the storage controller 20 has the FMPK 30 with data to be read from the FMPK 30 instead of resending the read request to the FMPK 30 that is the transmission source of the check response. Data may be recovered using data in another FMPK 30 in the RAID group.
  • the value of one or more predetermined items is set to a predetermined value.
  • Request sense response may be used.
  • the storage controller 20 may receive a request sense response from the FMPK 30 by transmitting auto sense to the FMPK 30, or may receive a request sense response from the FMPK 30 by transmitting a request sense command to the FMPK 30.
  • the read request is a normal read request.
  • a special read request may be made.
  • the special read request includes a read mode select (READ MODE SELECT), that is, a read including a parameter indicating a read mode selected from a plurality of read modes (read option selection policies). It is a request.
  • first read mode select a read option based on the number of successful read statistics
  • second read mode select a read option with performance delay
  • third value third read mode: select all read options sequentially (for example, for dynamic spare)
  • fourth value fourth default read option
  • the read mode can also be set by a mode select command as described above.
  • the read mode specified by the special read request has priority over the read mode set by the mode select command. For example, even if the first read mode is set to the FMPK 30 that has issued the check response by the mode select command, if the second read mode is specified in the special read request from the storage controller 20, the special read request is followed.
  • the read mode of the read process to be performed (normal read process) is the second read mode specified by the special read request. This is because the special read request is a command issued to the FMPK 30 when a check response is received from the FMPK 30, and the check response is issued from the FMPK 30 that cannot maintain the response performance as described above. .
  • the storage controller 20 resends a normal read request, and if the number of times the check response is received from the same FMPK 30 reaches the predetermined number, The process illustrated in FIG. 25 can be performed.
  • the storage controller 20 determines whether additional retry (read request retransmission) is permitted (S2701).
  • the determination in S2701 may be made based on the RAID configuration (for example, RAID level) for the RAID group including the source FMPK 30 of the check response, the number of blocked FMPKs, the presence or absence of redundancy, and the like. Specifically, for example, based on the information illustrated in FIG. 26, that is, information indicating a rule that defines whether or not additional retry is permitted (Yes) for each combination of the RAID level and the number of blocked FMPKs (No). In step S2701, the determination is made.
  • the information illustrated in FIG. 26 is stored in the memory 224 of the storage controller 20.
  • the storage controller 20 executes a predetermined uncorrectable error process (S2702). On the other hand, if the determination result in S2701 is true (S2701: True), the storage controller 20 generates a special read request for the check response transmission source FMPK30 by the special read request generation processing, and generates the generated special read in the FMPK30. A request is transmitted (S2703).
  • FIG. 27 shows the flow of special read request generation processing.
  • the storage controller 20 selects a read mode corresponding to the target RG environment at the time of generating the special read request (S2801), and generates a special read request in which a value indicating the selected read mode is set in the read mode select field (S2802). ).
  • the “target RG environment” is an environment to which the RAID group including the FMPK 30 of the check response transmission source (or command transmission destination) belongs. Specifically, for example, the RAID level, the number of blocked FMPKs, the presence or absence of redundancy, It may be at least one of performance priority and read / write frequency (the number of read requests and write requests received per unit time). In FIG. 27, a mode select command in which a longer timeout time is set is also generated. In S2703 of FIG.
  • the mode select command may be transmitted in addition to the special read request.
  • the read mode selected in S2801 may be the second read mode (select a read option with performance delay). This is because the “lead option with performance delay” is a lead option corresponding to a lead method that, as mentioned above, takes a long time to read itself but has a higher possibility of successful read by special processing inside the chip. .
  • FMPK30 that cannot process special read requests due to specifications or other reasons.
  • storage controller 20 that cannot generate a special read request due to specifications or another reason.
  • the read mode may be designated by the mode select command instead of the special read request.
  • the storage controller 20 resends a normal read request, and if the number of times that the check response is received from the same FMPK 30 reaches the predetermined number of times. For example, the process illustrated in FIG. 28 is performed.
  • the storage controller 20 determines whether an additional retry (read request retransmission) is permitted (S2901).
  • the determination in S2901 may be performed in the same manner as the determination in S2901.
  • the storage controller 20 executes a predetermined uncorrectable error process (S2902).
  • the storage controller 20 determines whether the determination result in S2901 is true (S2901: True)
  • the storage controller 20 generates a mode select command for the transmission source FMPK30 of the check response by the mode select command generation processing, and generates the generated mode select in the FMPK30.
  • a command is transmitted (S2903).
  • the read mode specified by the mode select command may also be a read mode corresponding to the target RG environment when the mode select command is generated.
  • the mode select command generated when the number of times the check response is received from the same FMPK 30 reaches a predetermined number may be the second read mode (select a read option with performance delay).
  • the storage controller 20 may select which command specifies the read mode to the FMPK 30.
  • various RR threshold values and time limits can be set by the mode select command.
  • the destination FMPK 30 of the command is in a read / write pending state (read request and write request are changed). (Non-processing state).
  • the special read request cannot set at least one of various RR thresholds and time limit, but the command destination FMPK 30 does not need to be in the read / write pending state. Therefore, when the storage controller 20 designates the read mode for the check response transmission source FMPK 30, as illustrated in FIG.
  • the storage controller 20 generates a special read request according to the target RG environment when the check response is received. If it is determined whether a select command is to be generated (S3001) and it is determined that a special read request is to be generated (S3001: True), the processing shown in FIG. 25 is performed and it is determined that a mode select command is to be generated (S3001: False). ), The process shown in FIG. 28 may be performed.
  • the read / write frequency of the target RG (the RAID group including the check response transmission source FMPK 30) is less than a predetermined value in the target RG environment when the check response is received, the generation of the mode select command is selected, and the target RG If the read / write frequency is greater than or equal to a predetermined value, generation of a special read request may be selected.
  • FIG. 30 shows the flow of processing performed by the FM controller 32 of the FMPK 30 that has received the command.
  • the FM controller 32 executes processing according to the command (S3102). If the command is a mode select command, processing in accordance with the mode select command is executed in S3102.
  • the FM controller 32 sets a read mode that has been set (for example, a past mode select command). In the set read mode), a read process (for example, a normal read process) is executed according to the read request (S3104).
  • the FM controller 32 uses the read mode specified by the special read request. Then, the read process is executed in accordance with the special read request (S3105).
  • the FM controller 32 performs a read using the setting option of the option management unit (die in this embodiment) to which the read source page belongs. If the probable lead option selected for the lead is different from the setting option for the die containing the read source page, the setting option is changed to the selected lead option (see S909 in FIG. 9). Need to perform a lead.
  • the lead environment may be different even for leads for the same option management unit. Therefore, there is a possibility that the setting option is frequently changed for a plurality of leads in the same option management unit. For example, as in the comparative example shown in FIG.
  • the read command queue (read command queue for the read source page in the FM chip belonging to the CE line) is managed for each CE line, the same CE line (for example, A plurality of read commands with different selected read options may be arranged in the read command queue of CE line 0).
  • the setting options are frequently changed (S909 in FIG. 9). Specifically, for example, to change a setting option, it is necessary to issue a command (for example, SetFeature) to change one to a plurality of (for example, four) options from the FM controller 32 to the FM (die). In the meantime, reading to the FM (die) cannot be executed.
  • a command for example, SetFeature
  • the lead option when the lead option is returned to the option number (for example, 0) indicating the normal lead for each lead, for example, the number of commands required for the option change for one lead. (For example, a maximum of 4 times) + Read (1 time) + The number of commands for returning the option to the initial state (for example, a maximum of 4 times).
  • the frequent occurrence leads to performance delay. Therefore, it is desirable to reduce the change (for example, up to 4 times) and return (for example, up to 4 times) as much as possible. Therefore, as in the present embodiment, it is effective to change the lead option if necessary without returning it.
  • the FM controller 32 optimizes the execution order of the read commands (reads). Specifically, a plurality of read commands having the same read option are successively executed for each read option. As a result, the frequency of change of setting options can be reduced.
  • a read command queue is provided for each read option.
  • the read option is set in a first unit (for example, for each die), and the read command queue is provided in a second unit (for example, for each CE line) that is larger than the first unit.
  • the read command queue for example, read commands are arranged in the order in which read commands are issued.
  • the FM controller 32 generates a read command, it corresponds to the read option selected for the read command and the CE line to which the FM chip 403 including the read source page specified by the read command is connected. Connect the generated read command to the read command queue.
  • the FM controller 32 selects a read option according to a predetermined rule, and continuously executes a plurality of read commands in the read command queue of the selected read option.
  • the predetermined rule may be, for example, that the lead option selected first may be the same lead option as the setting option (for example, lead option # 6), or the setting option after the last change is the most likely lead option for the CE line. Good.
  • the number of read commands that are continuously executed from one read command queue (in other words, the length of time that read commands are continuously executed from the read command) may be the same for all read options. However, it may be different depending on the lead option.
  • the predetermined rule is that a response time from receiving a read command to responding, the number of read commands connected to one read command queue, and an execution unit cost (work amount) corresponding to the read option. It may be based on at least one of them.
  • the predetermined queue unit is at least one of an FM bus, a die, and an FM chip instead of or in addition to the CE line.
  • the FM controller 32 may have a hard execution queue (for example, a queue on the high-speed memory 44) in units of queues (for example, for each CE line).
  • the FM controller 32 (for example, the CPU 42) loads, in queue units, read commands corresponding to the number of consecutively executed commands from each read command queue (read command queue of the same read option) into the hardware execution queue, and the FM controller 32 (for example, FM I / O).
  • F46 may execute the read commands in the order of arrangement in the hardware execution queue.
  • FIG. 33 shows the structure of the read command.
  • the read command includes “type”, read source information, “read option number”, “next pointer”, and the like.
  • the read source information is information for identifying the read source page, and includes, for example, “bus number”, “CE number”, “die number”, “block number”, and “page number”.
  • “Type” represents a lead type (for example, a normal lead or a reclamation lead).
  • “Bus number” represents the number of the FM bus to the FM chip including the read source page.
  • CE number represents the number of the CE line to the FM chip including the read source page.
  • the “die number” represents the die number including the read source page.
  • “Block number” represents the number of the block including the read source page.
  • “Page number” represents the number of the read source page.
  • “Lead option number” represents the number of the selected lead option.
  • the “next pointer” represents the connection destination of this read command.
  • FIG. 34 shows the configuration of the enqueue destination determination table.
  • the enqueue destination determination table 3500 represents an enqueue destination rule for a read command and the number of read commands connected to the read command queue (the number of read commands waiting for execution). This table 3500 may be stored in the high-speed memory 44, for example.
  • the enqueue destination rule is a combination of a bus number, a CE line number, a read option number, and an enqueue destination queue. A queue corresponding to the bus number, CE line number, and read option number in the read command is specified from the table 3500, and the read command is connected to the specified queue.
  • the enqueue destination may be determined by other methods such as condition determination.
  • the read command queue is classified for each read option, it is possible to execute a read command so that the number of setting option changes is minimized.
  • a read command queue prepared for each CE line and for each read option there may be a synchronous command queue and an asynchronous command queue.
  • a read command (synchronous RD command) issued in accordance with a read request from the host device is connected to the synchronous command queue.
  • the synchronous RD command is a normal read command in this embodiment.
  • Connected to the asynchronous command queue is a read command (asynchronous RD command) issued independently (asynchronously) with a read request from the host device.
  • the asynchronous RD command is a read command for reclamation read, refresh read, and asynchronous read.
  • the optimization of the execution order of the synchronous RD command must be executed so that data according to the read request can be responded within a certain time (response time limit) after receiving the read request from the host device.
  • the number of read commands continuously executed from the read command queue is a number determined based on the characteristics of the read option corresponding to the read command queue, for example, the following first and second It may be a number determined according to any of the viewpoints.
  • the maximum number of consecutively executed commands is the total number of read commands waiting to be executed (all read command queues) for each read option. Or the total number of read commands waiting for execution connected to all the read command queues connected to all read command queues).
  • a first execution restriction table 3600 shown in FIG. 35 is prepared. In the first execution restriction table 3600, the total number of read commands waiting to be executed and the maximum number of continuous execution commands for each read option (this number is such that the switching of the read option is not too early and the response time does not become long). Is preferably).
  • the defined maximum number of consecutive execution commands is determined based on the characteristics of the read option, and can respond to the read request within the response time limit (the upper limit of time from receiving the read request to responding). Value.
  • the table 3600 may be stored in the high speed memory 44, for example.
  • the FM controller 32 specifies the maximum number of consecutively executed commands in a read command queue of a certain read option based on the table 3600 and the number of read commands waiting to be executed. When the FM controller 32 continuously executes the read commands for the maximum number of specified continuous execution commands from the read command queue of the certain read option (or before that, there is no command connected to the queue). Switch to another read option and execute the read command from the read command queue of the read option after switching. According to the first aspect, it is possible to reduce the number of times the setting option is changed while guaranteeing that the read request is responded within the response time limit.
  • the maximum number of consecutively executed commands is the total number of read commands waiting to be executed for each read option, and the read response performance unit price for each read option (the response time of the read command or the time thereof) The value is determined based on the number of command queues to which at least one read command is connected.
  • the above lead option characteristic is the lead response performance unit price of the lead option.
  • the unit price table 3700 represents the read response performance unit price for each lead option.
  • the second execution restriction table 3800 records the total number of read commands waiting to be executed and the maximum response performance for each read option.
  • the maximum response performance is a value determined based on the unit price table 3700, the total number of read commands waiting to be executed, and the number of read command queues to which at least one read command is connected. Therefore, when the number of read command queues to which at least one read command is connected increases or decreases, the corresponding maximum response performance value is changed by the FM controller 32.
  • the maximum response performance may be an allowable residence time after the read command is loaded in the read command queue.
  • the FMPK 30 may have an initial value of the maximum response performance, and uses the stored maximum response performance unless changed by a predetermined command (for example, a mode select command) from the storage controller 20.
  • the maximum response performance can be dynamically changed, and the dynamic change can be performed by a predetermined command (for example, a mode select command) from the storage controller 20.
  • a predetermined command for example, a mode select command
  • the FM controller 32 changes the set maximum response performance to the maximum response performance in the predetermined command, and changes the maximum response performance after the change. This is applied to the read command remaining in the read command queue (or hardware execution queue).
  • the FM controller 32 may store the time when the predetermined command is received, and apply the changed maximum response performance to the read command that is started to be executed after that time.
  • the read response performance unit price for each read option may be “1”, and the maximum response performance recorded in the second execution restriction table 3800 may be the maximum number of continuous execution commands.
  • the enqueue (for example, enqueue to the hardware execution queue) may be controlled based on the read response performance unit price for each read option.
  • the read command is stored in the high-speed memory 44 without being connected to the queue, and may be enqueued based on the cumulative counter table 3900 illustrated in FIG.
  • the cumulative value of the read response performance unit price of the read command is recorded by the FM controller 32 for each FM bus and CE line (that is, for each FM chip).
  • FIG. 39 shows an example of the read command enqueue control process.
  • FIG. 39 shows a process in which the CPU 42 enqueues from the read command queue to the hardware execution queue managed by the FM I / F 46. That is, the CPU 42 reads the read command from the read command queue (see FIG. 32) into the hard execution queue for each CE line while referring to the tables in FIGS. 36 and 38 so as to be in time (maximum response performance). Optimally allocate.
  • the CPU 42 acquires the current option (current target option) (S4001).
  • the CPU 42 identifies the earliest read command (hereinafter referred to as the target command) among the read commands in the read command queue corresponding to the current option, and determines the bus number and CE number specified by the target command from the cumulative counter table 3900.
  • the corresponding accumulated value is specified (S4002).
  • the CPU 42 enqueues the target command in the hardware execution queue corresponding to the CE number specified by the target command (S4003).
  • the CPU 42 adds the read response performance unit price corresponding to the current option to the accumulated value specified in S4002 (S4004).
  • the number of read commands continuously executed from one read command queue based on the table 3700 illustrated in FIG. 36 and the table 3800 illustrated in FIG. 37 is similar to that of the table 3900 illustrated in FIG. It may be controlled based on a response time counter table (not shown).
  • the response time counter table the accumulated value of the response time of the read command may be recorded by the FM controller 32 for each FM bus and CE line (that is, for each FM chip).
  • the FM controller 32 may control the number of continuously executed commands based on the accumulated response time. For example, if the difference between the maximum response performance and the accumulated response time is less than the read response performance unit price for a certain read option, the FM controller 32 stops executing the command from the read command queue for that read option. You can switch to the lead option.
  • the read command queue shown in FIG. 32 and the hardware execution queue described above may be controlled by the hardware implementation under the FM controller 32 (particularly the FM I / F 46).
  • Example 2 will be described. At that time, differences from the first embodiment will be mainly described, and description of common points with the first embodiment will be omitted or simplified.
  • FIG. 40 shows an outline of the second embodiment.
  • the size of the successful read count management information 452 described in the first embodiment is considered large.
  • the size increases as the number of at least one of the PE count range or the elapsed time range increases.
  • the FM controller 32 holds environment / option simple management information 4501 which is simple information of the successful read count management information 452 instead of the successful read count management information 452.
  • the size of the environment / option simple management information 4501 is smaller than the size of the successful read count management information 452.
  • the environment / option simple management information 4501 is stored in the high speed memory 44 or the low speed memory 45.
  • the environment / option simple management information 4501 does not have a record for each PE count range and each elapsed time range, and does not have a successful read count.
  • FIG. 41 shows the configuration of the environment / option simple management information 4501.
  • a read option at the time of successful read is recorded for each die (more precisely, for each set of FM bus, CE line, and die). Specifically, when the read from the read source page is successful, the read option at the time of successful read is recorded in the environment / option simple management information 4501 for the die including the read source page.
  • the lead option recorded in the environment / option simple management information 4501 is referred to as “optimal lead option”. The optimum read option is recorded for each die, that is, in a unit larger than the lead unit (page unit).
  • the lead option that succeeds in reading from another second page for the same die is the second lead option. If there is, the second lead option is recorded instead of the first lead option for the same die.
  • the lead source is the first page again for the same die, the lead option at the time of the previous successful read is the first lead option, but the recorded lead option is the second lead option. The second lead option is used.
  • the FM controller 32 determines whether or not to apply the optimal read option instead of the default read option (S4601). If the determination result in S4601 is true, the FM controller 32 performs reading with the optimum read option corresponding to the read source die (the die including the read source page) (S4602). On the other hand, if the determination result in S4601 is false, the FM controller 32 reads from the read source page with the default read option. If the read in S4602 or S4603 fails, the lead option to be used is switched to another lead option, and reading is performed with the lead option after switching. For example, the lead options are switched in accordance with the lead option switching rules shown in FIG. According to the rule, for example, when the lead option 4 is used in the first lead, the lead option used next due to the read failure is the lead option 0.
  • the optimum option application determination may be performed in each read process after the FMPK 30 is turned on for the first time, but in this embodiment, it is performed in each read process after the FMPK 30 is turned off (after the power is turned on again). This is because the flash memory generally deteriorates the data retention characteristics of the physical block when left unplugged after power interruption.
  • the determination result of the optimal option application determination is true when the optimal option application condition is satisfied. That the optimum option application condition is satisfied means that all the sub-conditions (a) to (c) below are satisfied.
  • the lead is a lead in a period in which the inspection lead processing for the first round after the power interruption is performed.
  • An uncorrectable error has occurred on any page in the read source die.
  • the read source block (physical block including the read source page) is not a refreshed block after power interruption.
  • the lead is a lead in a period in which the inspection lead processing for the first round after the power interruption is performed.
  • the FM controller 32 performs inspection read processing at regular intervals (for example, one day) for the purpose of preventing an uncorrectable error of the NAND-FM 33 from occurring.
  • the inspection read process data is read from the inspection target page (at least one physical page) for each of all the physical blocks in the FMPK 30, and the number of error bits of the read data is checked. That is, “inspection lead” is a lead for one inspection target page, and “inspection lead processing” is a process including the inspection leads of all inspection target pages. “The inspection lead process makes one round” means that the inspection lead ends for each of all inspection target pages.
  • the “inspection lead processing for the first round after power interruption” means that inspection leads for all inspection target pages (for example, all inspection target pages in all physical blocks) after the power is turned on after power interruption. It means until the end.
  • the “inspection page” may be a physical page randomly selected for each physical block, or may be a predetermined type of page (for example, an MSB page) in each physical block.
  • Successful inspection read means that all error bits of data read with a predetermined read option can be corrected (for example, correction can be made by ECC (Error Correcting Code)).
  • ECC Error Correcting Code
  • the “predetermined lead option” used for each inspection lead is, for example, the same lead option as the default lead option (for example, lead option 0).
  • the FM controller 32 performs retry read on the same inspection target page, that is, read using another read option.
  • the FM controller 32 can manage each physical block as follows, for example, in the inspection read process. In other words, the FM controller 32 performs a refresh process on a physical block including an error-correctable page if there is at least one error-correctable page (a page to be inspected in which reading using any read option fails).
  • the physical block is managed as a lifetime block (non-reusable physical block).
  • the FM controller 32 refreshes the physical block including the retry successful page if there is no error-correctable page but there is a retry successful page (page where the retry read succeeded after the test read failed). Processing is performed, and the physical block is managed as an empty physical block (reusable physical block). Further, even if the inspection read is successful, the FM controller 32, if the number of error bits of the data read by the inspection read exceeds a certain threshold, applies to the physical block including the read source page of the inspection read. To perform refresh processing. For example, if the number of error bits of data that has been successfully inspected read exceeds a threshold A (for example, a life threshold), the FM controller 32 performs a refresh process on the physical block that includes the read source page of the inspected lead.
  • a threshold A for example, a life threshold
  • the physical block is managed as a lifetime block (non-reusable physical block). Further, for example, if the number of error bits of the data that has been successfully inspected and read is less than the threshold A but exceeds the threshold B (for example, the refresh threshold), the FM controller 32 includes the physical including the read source page of the inspection lead. The block is refreshed, and the physical block is managed as an empty physical block (a reusable physical block). In other words, according to this example, the physical block that is not subjected to the refresh process in the test read process succeeds in the test read for any page to be tested, and the number of error bits of the read data is a predetermined threshold value.
  • “Refresh processing” refers to data (especially valid data) read from a physical block, error-corrected, and the error-corrected data is transferred to another physical block (for example, a physical block having a smaller PE count than the source physical block). It is a process to move.
  • the migration destination physical block is allocated instead of the migration source physical block to the logical area (for example, logical block) to which the migration source physical block has been allocated.
  • the term “refreshed block” means a destination physical block that stores data moved by the refresh process.
  • the NAND-FM 33 is a write-once type, that is, if the logical area to which the physical page is allocated is the write destination, a new free physical is used instead of the allocated physical page in the write destination logical area (for example, logical page).
  • a page is allocated and data is written to the newly allocated physical page. For each logical area, the data written to the newly allocated physical page is “valid data”, the physical page to which valid data is written is “valid page”, and the physical page previously allocated The data stored in is “invalid data”, and the physical page in which invalid data is written is “invalid page”.
  • the inspection lead process described above makes one round. That is, the data stored in the physical block that failed to be read with the read option 0 has been moved to another physical block by the refresh process, so that the data read succeeds. Until the inspection read process is completed once, the success of reading is not guaranteed for all physical blocks. If the inspection read process is completed, it is not necessary to make full use of the retry read in the normal read (synchronous read) performed thereafter.
  • ⁇ The tendency of error occurrence tends to be different for each die, that is, for each lead option setting unit. For example, physical blocks within the same die tend to degrade at similar speeds.
  • a die is a wafer portion taken (cut out) from a silicon wafer. The quality varies depending on the location on the silicon wafer.
  • a plurality of dies are packaged by a method such as BGA (Ball Grid Array), but the dies are physically separated and physically different as described above. Although there are a plurality of dies in the FMPK 30, the plurality of dies have different parts taken from the wafer, so that the characteristics (for example, error generation tendency) may vary.
  • sub-condition (b) is adopted. That is, even if an uncorrectable error has not occurred in the read source page itself, if an uncorrectable error has occurred in any page in the die including the read source page, the FM controller 32 changes the option. In other words, instead of the default lead option, the lead is read with the optimum lead option corresponding to the die including the read source page. As a result, it is possible to reduce leads that are likely to fail unless the lead option is changed. Therefore, performance is improved.
  • the refreshed block after power interruption is not a physical block left after power interruption. There is no need to lead with the optimal lead option.
  • sub-condition (c) is adopted.
  • the refresh process may be performed for normal reads (synchronous reads) (reads generated in response to a request from the host), reclamation reads, and the like in addition to the case where the inspection read fails.
  • FIG. 43 shows the flow of the optimum option application determination process.
  • the FM controller 32 determines whether or not the sub-condition (a) is satisfied, that is, whether or not the read source block (physical block including the read source page) is a physical block that has been inspected in the inspection read processing for the first round. Judgment is made (S4301).
  • the FM controller 32 determines whether the sub-condition (b) is satisfied, that is, either of the read source die (the die including the read source page). It is determined whether an uncorrectable error has occurred in the page (S4302). If an uncorrectable error has occurred in at least one of normal read (synchronous read), reclamation read, and refresh read for any page of the read source die, the determination result in S4302 is true. .
  • the FM controller 32 determines whether or not the sub condition (c) is satisfied, that is, whether or not the read source block is a refreshed block after power interruption. Is determined (S4303).
  • the FM controller 32 determines whether or not the further sub-condition (d) is satisfied, that is, the read source block Is not an open block (S4304).
  • the FM controller 32 determines to apply the optimum option. (S4305).
  • the FM controller 32 does not apply the optimum option. Is determined (S4306).
  • the optimal option application determination process can be said to be a determination logic as to whether a lead corresponds to case A or case B from one viewpoint.
  • “Case A” is a case where it is desired to avoid applying the optimum option.
  • the PE count data erasure count
  • the elapsed time the time elapsed since the data was written to the first page of the block
  • “Case B” is a case where the optimum option is to be applied, and is, for example, a case corresponding to at least one of a relatively large number of PEs and a relatively long elapsed time.
  • Case A has a high probability of error occurrence and can be read without applying the optimum lead option (it can be read with the default lead option 0 that is also used for the inspection lead). It corresponds to at least one of these. For this reason, it is desirable to avoid applying the optimal lead option.
  • Case B corresponds to at least one of a clear tendency of error occurrence and a high possibility that a read retry will occur when the default read option is used. For this reason, it is desirable to apply the optimum lead option.
  • the number of PEs is relatively small if an uncorrectable error has not occurred in the lead source die until the inspection lead processing makes one round after power interruption.
  • the default lead option (lead option to be selected first) is fixed to a predetermined lead option, for example, lead option 0. Since the lead option is fixed to the lead option 0, the simplified information illustrated in FIG. 41 is adopted as in the second embodiment rather than using the successful read count management information 452 in the first embodiment, and It is considered more efficient to determine the lead option to be used by logic.
  • the FM controller 32 associates each physical block with information (hereinafter referred to as a power failure flag) indicating a physical block that has undergone a power failure, and the physical block becomes a refreshed block after the power failure. In some cases, the power interruption flag associated with the physical block may be deleted.
  • each physical block is a refreshed block after power interruption can be determined based on the presence or absence of the power interruption flag.
  • the FM controller 32 manages the erase time for each physical block after the power interruption, and the physical block that has undergone the power interruption from the erase time of each physical block. Whether it is a block or not can be determined.
  • the PE count is relatively large and the elapsed time is relatively long. Are determined as candidates for at least one corresponding physical block.
  • the optimal option application determination process and the environment / option simple management information 4501 can increase the possibility of the first read being successful without the number of successful reads (success counter).
  • the sub condition (d) is as follows.
  • Open block is a physical block in which data is written up to an intermediate physical page (at least a physical block in which data is written on the first page but a free page still remains).
  • N is an integer of 2 or more
  • data is written up to the Xth page (X is an integer of 2 or more and smaller than N).
  • Y is a deteriorated (error occurrence rate is increased)
  • Y is 1). Or an integer). If all pages have been written, such characteristic deterioration does not occur.
  • the characteristic deterioration due to the open block does not depend on the characteristics of the entire die. Therefore, a read option that succeeds in reading in another block in the die does not always succeed, and even if data can be read from the open block with the optimal read option, it can be used in other blocks in the die. Is not limited. From this point of view, if the read source block is an open block, the FM controller 32 determines that the optimum option is not applied.
  • FIG. 44 shows the flow of read processing according to the second embodiment.
  • the FM controller 32 performs the optimum option application determination process shown in FIG. 43 (S4401).
  • the FM controller 32 identifies the optimum read option corresponding to the read source die from the environment / option simple management information 4501, and identifies the identified optimum lead. Set options for the lead die. On the other hand, if it is determined that the optimum option is not applied (S4401: False), the FM controller 32 sets the default read option 0 for the read source die.
  • the FM controller reads the read source page with the read option set for the read source die (S4404).
  • the FM controller 32 switches the lead option set for the read source die to another lead option according to the rule illustrated in FIG. 42 (S4406), and the read option after the switching Then, reading is performed (S4404).
  • the FM controller 32 checks whether or not the optimum option application is determined (S4407).
  • the reason for the check in S4407 is to avoid rewriting the optimum lead option corresponding to the read source die to the default lead option 0 when the optimum option is not applied. That is, when the optimum option is not applied, the lead option at the time of successful read may be the default lead option 0. However, when S4409 described later is performed, the optimum lead option corresponding to the read source die is the default lead option. It will be rewritten to 0.
  • the check in S4407 is for avoiding such a situation.
  • S4407 is a process for checking the result of S4401, and is not the process of FIG.
  • the FM controller 32 determines whether or not the read option at the time of successful read is different from the optimum read option specified in S4402 ( S4408). If the determination result in S4408 is true (S4408: True), the FM controller 32 records the read option at the time of successful read in the environment / option simple management information 4501 as the optimum read option corresponding to the read source die (S4409). ).
  • the setting of various RR threshold values and the command execution control for preventing frequent switching of setting options described in the first embodiment can be applied to the second embodiment.
  • the optimum option application condition may be satisfied when at least one of the sub-conditions (a) to (d) is satisfied.
  • S4301 (subcondition (a)) in FIG. 43 even during the period in which the inspection read processing for the first round after power interruption is being performed, the read source page is the inspection lead for the first round.
  • the determination result in S4301 may be false (S4301: False).
  • the FM controller 32 performs control using the successful read count management information 452 illustrated in FIG. If the memory capacity of the FM controller 32 is less than the threshold, control using the environment / option simple management information 4501 illustrated in FIG. 41 may be performed.

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Abstract

　不揮発メモリデバイスが、不揮発メモリと、リードオプションを用いて不揮発メモリに対してリードを実行するメモリコントローラとを有する。不揮発メモリは、複数のメモリ領域ユニット（例えば後述のダイ）を含み、各メモリ領域ユニットが、複数のメモリ領域（例えばページ）を含む。メモリコントローラが、リード単位であるメモリ領域よりも大きな単位であるメモリ領域ユニット毎にリードオプションを記録した管理情報を保持する。メモリコントローラが、リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットを特定し、特定したメモリ領域ユニットに対応したリードオプションを選択し、選択したリードオプションを用いてリード元メモリ領域に対するリードを実行する。

Description

不揮発メモリデバイス、及び、不揮発メモリデバイスを有するストレージ装置
　本発明は、概して、不揮発メモリからのデータのリードに関する。
　不揮発メモリデバイスとして、例えば、複数のチップ（フラッシュメモリチップ）を有するフラッシュメモリデバイスが知られている。チップが微細化されていると、エラーの発生率が高い傾向があり、故に、リードリトライの頻度が高い傾向にある。リードリトライに関する技術が、特許文献１に開示されている。特許文献１によれば、チップ毎にリードリトライ回数の基準値が設定されており、リード元チップについてリードリトライの回数が基準値を超えていなければ、通常リードが実施され、リード元チップについてリードリトライ回数が基準値を超えていれば、直前回のリードリトライでリードできた電圧Vthでリトライリードが実施される。リードリトライでは、リードオプション（例えば番号）の選択が行われる。フラッシュメモリデバイスは、選択されたリードオプション（厳密には、選択されたリードオプションに対応したリード方式）でリードを行う。リード方式としては、例えば、電圧Vthの変更がある。リードリトライを行わない場合に、リードコマンドで、リードリトライを行わないことを意味するリードオプションが選択されてもよい。
US2011/0066899
　リードリトライを繰り返し実施するとリード性能が低下してしまう。特許文献１によれば、リード元チップについてリードリトライ回数が基準値を超えている場合に直前回のリードリトライでリードできたリードオプションでリードリトライが実施されるが、リードリトライ回数が基準値を超えている場合に直前回のリードオプションでリードリトライをしたからといってリードリトライに成功するとは限らない。
　この種の問題は、フラッシュメモリデバイス以外の不揮発メモリデバイスにもあり得る。
　不揮発メモリデバイスが、不揮発メモリと、リードオプションを用いて不揮発メモリに対してリードを実行するメモリコントローラとを有する。不揮発メモリは、複数のメモリ領域ユニット（例えば後述のダイ）を含み、各メモリ領域ユニットが、複数のメモリ領域（例えば物理ページ）を含む。メモリコントローラが、リード単位であるメモリ領域よりも大きな単位であるメモリ領域ユニット毎にリードオプションを記録した管理情報を保持する。メモリコントローラが、リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットを特定し、特定したメモリ領域ユニットに対応したリードオプションを選択し、選択したリードオプションを用いてリード元メモリ領域に対するリードを実行する。
　不揮発メモリにおけるリード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットに対応したリードオプションが選択され、選択されたリードオプションを用いてリードが実行される。これにより、リードリトライの発生頻度を減らすことができ、以って、リード性能の低下を減らすことができる。
実施例１の概要を示す。 ＦＭＰＫ３０の構成例を示す。 実施例１に係るストレージ装置の構成例を示す。 ＦＭ　Ｉ／Ｆ４６とＮＡＮＤ－ＦＭ３３の接続を示す。 ＦＭチップ４０３の構成を示す。 リード成功回数管理情報４５２の構成を示す。 リード成功回数統計の一例を示す。 リード成功回数の減算と加算の一例を示す。 実施例１に係るリード処理の流れを示す。 図９のＳ９０１の処理の詳細を示す。 条件判断規則の一例を示す。 図９のＳ９０６の処理の詳細を示す。 構成テーブル２５６の構成を示す。 ＲＲ閾値の設定に使用されるコマンドの構成を示す。 ＲＲ閾値設定画面を示す。 ＲＡＩＤ制御プログラム２５１が行う処理の流れの一例を示す。 第１のＲＲ閾値設定処理の流れを示す。 ＦＭＰＫ３０においてＦＭ制御プログラム４４２が行う処理を示す。 フラッシュデバイス構成情報４４３の構成を示す。 ＲＡＩＤ管理テーブル２５４の構成を示す。 閉塞管理テーブル２５５の構成を示す。 チェック応答の一例を示す。 特殊リード要求の一例を示す。 モードセレクトコマンドで設定されたリードモードより特殊リード要求で指定されたリードモードが優先されることの模式図である。 同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数に達した場合に行われる処理の第１の例を示す。 ＲＡＩＤレベルと閉塞ＦＭＰＫ数との組合せ毎に追加リトライを許可するか否かを表す情報の一例を示す。 特殊リード要求生成処理の流れを示す。 同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数に達した場合に行われる処理の第２の例を示す。 図２５と図２８のどちらの処理を実行するかの分岐の一例を示す。 コマンドを受信したＦＭＰＫ３０のＦＭコントローラ３２により行われる処理の流れを示す。 リードコマンド実行の比較例を示す。 実施例１に係るリードコマンド実行の説明図である。 リードコマンドの構成を示す。 エンキュー先決定テーブルの構成を示す。 第１の実行制限テーブル３６００の構成を示す。 単価テーブル３７００の構成を示す。 第２の実行制限テーブル３８００の構成を示す。 累積カウンタテーブル３９００の構成を示す。 同期ＲＤコマンドのエンキュー制御処理の一例を示す。 実施例２の概要を示す。 環境／オプション簡易管理情報４５０１の構成を示す。 実施例２に係るリードオプション切替えルールを示す。 実施例２に係る最適オプション適用判定処理の流れを示す。 実施例２に係るリード処理の流れを示す。
　以下、図面を参照して、幾つかの実施例を説明する。
　なお、以下の説明では、「ｋｋｋテーブル」又は「ｋｋｋキュー」の表現にて各種情報を説明することがあるが、各種情報は、テーブル以外のデータ構造で表現されていてもよい。データ構造に依存しないことを示すために「ｋｋｋテーブル」及び「ｋｋｋキュー」のうちの少なくとも１つを「ｋｋｋ情報」と呼ぶことができる。
　また、以下の説明では、種々の対象の識別情報として、識別番号が使用されるが、識別番号以外種類の識別情報（例えば、英字や符号を含んだ識別子）も採用可能である。
　また、以下の説明では、「プログラム」を主語として処理を説明する場合があるが、プログラムは、プロセッサ（例えばＣＰＵ（Central　Processing　Unit））によって実行されることで、定められた処理を、適宜に記憶資源（例えばメモリ）及び／又は通信インターフェイスデバイス（例えば通信ポート）を用いながら行うため、処理の主語がプロセッサ（又はそのプロセッサを有するコントローラ等の装置）とされてもよい。逆に、プロセッサ（又はそのプロセッサを有するコントローラ等の装置）が主語となっている処理は、１以上のプログラムを実行することにより行われると解釈することができる。また、プロセッサは、プロセッサが行う処理の一部又は全部を行うハードウェア回路を含んでもよい。コンピュータプログラムは、プログラムソースから各計算機にインストールされてもよい。プログラムソースは、例えば、プログラム配布サーバ又は記憶メディアであってもよい。
　また、以下の説明では、通信インターフェイスデバイスを「Ｉ／Ｆ」と略記することがある。
　また、以下の説明では、不揮発メモリを有する不揮発メモリデバイスとして、フラッシュメモリを有するフラッシュメモリデバイス（以下、フラッシュメモリパッケージを略して「ＦＭＰＫ」と言う）を例に取るが、フラッシュメモリデバイスに代えて、他種の不揮発メモリ（例えば、磁気抵抗メモリであるＭＲＡＭ（Magnetoresistive　Random　Access　Memory）、抵抗変化型メモリであるＲｅＲＡＭ（Resistance　Random　Access　Memory）、或いは、強誘電体メモリであるＦｅＲＡＭ（Ferroelectric　Random　Access　Memory）等の半導体メモリ）を有した不揮発メモリデバイスを採用することもできる。
　また、ＦＭＰＫは、上位装置からコマンドを受けて処理を実行するが、以下、上位装置から受けるコマンドのうちリードコマンドを「リード要求」と言いライトコマンドを「ライト要求」と言う。一方、ＦＭＰＫ内で発行されるリードコマンドを「リードコマンド」と言いライトコマンドを「ライトコマンド」と言う。
　図１は、実施例１の概要を示す。
　フラッシュメモリパッケージ（以下、ＦＭＰＫ）３０が、ＮＡＮＤフラッシュメモリ（以下、ＮＡＮＤ－ＦＭ）３３と、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３に接続されたフラッシュメモリコントローラ（以下、ＦＭコントローラ）３２とを有する。ＦＭコントローラ３２は、ＦＭＰＫ３０の上位装置（図示せず）からのリード要求に応答して、或いは、上位装置からのコマンドとは無関係（非同期）に行われる内部処理の一環として、リード処理を行う。ＦＭコントローラ３２は、上位装置からのリード要求に応答してリード処理を実行した場合、そのリード処理により読み出されたデータを含んだ応答（リード要求に従うリード対象のデータを含んだ応答）を、上位装置に送信するようになっている。
　ＦＭコントローラ３２は、リード処理において、リードオプションを用いてＮＡＮＤ－ＦＭ３３に対するリードを行うようになっている。ＦＭコントローラ３２は、リード環境毎に、リード成功回数統計（例えば、リードオプションとリード成功回数との関係を表す情報）を管理し、リードの成功の都度にリード成功回数統計を更新することができる。リード環境は、複数（又は１つ）のリード影響属性（リードの成否に影響し得ると定義された属性）の属性値の組合せにより定義される。なお、本実施例において、「リードの成功」とは、リードされたデータの全てのエラービットを訂正できる（例えば、ＥＣＣ（Error　Correcting　Code）により訂正できる）ことであり、「リードの失敗」とは、データをリードできなかった（すなわち、リードされたデータが全てのエラービットを訂正できないほどに多くのエラービットを有していた）である。
　ＦＭコントローラ３２は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３からのリードの際に、リード元領域が属するリード環境に対応したリード成功回数統計から、尤もらしいリードオプション（典型的には最大のリード成功回数に対応したリードオプション）を選択し、選択したリードオプションを用いてリードを実行する。
　このように、ＦＭコントローラ３２は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３からのリードの都度に、リード元領域が属するリード環境のリード成功回数統計を基に、尤もらしいリードオプションを予め選択し、選択したリードオプションに従いリードを実行する。このため、リードリトライの発生頻度を減らすことができ、以って、リード性能の低下を減らすことができる。
　以下、本実施例を詳細に説明する。
　図２は、ＦＭＰＫ３０の構成例を示す。
　ＦＭＰＫ３０は、ＮＯＲフラッシュメモリ（以下、ＮＯＲ－ＦＭ）３１と、ＦＭコントローラ３２と、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３とを有する。
　ＮＯＲ－ＦＭ３１は、ＣＰＵ４２により実行されるプログラム及びＣＰＵ４２により使用される情報のうちの少なくとも一方を記憶する。ＮＡＮＤ－ＦＭ３３は、１以上のＮＡＮＤ－ＦＭチップを含む。ＮＡＮＤ－ＦＭチップは、ＳＬＣ（Single　level　Cell）型であってもよいしＭＬＣ（Multi　Level　Cell）型であってもよい。ＮＡＮＤ－ＦＭ３３には、上位装置２０からライト要求を受けたＦＭコントローラ３２が発行するライトコマンドに従いデータが格納される。
　ＦＭコントローラ３２は、ＣＰＵ４２と、ＳＡＳ（Serial　Attached　SCSI）　Ｉ／Ｆ４１と、バススイッチ４３と、メモリＩ／Ｆ４７と、低速メモリ４５と、高速メモリ４４と、ＦＭ　Ｉ／Ｆ４６とを含む。
　ＳＡＳ　Ｉ／Ｆ４１は、上位装置２０に接続される通信インターフェイスデバイスであり、上位装置２０とバススイッチ４３側の部位との間のデータ通信を仲介する。ＳＡＳ　Ｉ／Ｆ４１は、上位装置２０とＳＡＳに従ってデータ通信を行う。上位装置２０は、後述のストレージコントローラであるが、ストレージコントローラに代えて、ＰＣ（Personal　Computer）のような計算機であってもよい。
　バススイッチ４３は、ＣＰＵ４２、ＳＡＳ　Ｉ／Ｆ４１、メモリＩ／Ｆ４７、及びＦＭ　Ｉ／Ｆ４６に接続され、これら部位の間のデータを中継する。
　メモリＩ／Ｆ４７は、低速メモリ４５と接続される通信インターフェイスデバイスであり、低速メモリ４５に対するデータの入出力を制御する。
　低速メモリ４５は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic　Random　Access　Memory）又は不揮発メモリであり、ＣＰＵ４２による処理に使用する各種データ等を記憶する。低速メモリ４５は、ＦＭ（フラッシュメモリ）管理情報４５１と、リード成功回数管理情報４５２と記憶する。
　ＦＭ管理情報４５１は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３の管理に必要な情報を記憶する。リード成功回数管理情報４５２は、フラッシュメモリ制御プログラム４４２から設定及び参照され、リードが成功した回数を、ＦＭＰＫ３０における管理単位を基に保持する。ＦＭＰＫ３０における管理単位については、後述する。
　高速メモリ４４は、例えば、ＳＲＡＭ（Static　Random　Access　Memory）であり、ＣＰＵ４２と直接接続されている。高速メモリ４４は、ＣＰＵ４２により実行されるプログラム等を記憶する。本実施例では、高速メモリ４４は、フラッシュメモリ制御プログラム（以下、ＦＭ制御プログラム）４４２と、フラッシュデバイス構成情報４４３とを記憶する。ＦＭ制御プログラム４４２は、上位装置２０からのコマンドを受信し、実行する制御を行う。また、ＦＭ制御プログラム４４２は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３に関する各種処理を実行する。フラッシュデバイス構成情報４４３は、上位装置（ストレージコントローラ）２０からの指示を受けてＣＰＵ４２により設定されたモードパラメータ及びＲＲ閾値（リードリトライ回数の閾値）を有する。
　ＦＭ　Ｉ／Ｆ４６は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３と接続される通信インターフェイスデバイスであり、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３に対するデータの入出力を制御する。
　ＦＭＰＫ３０の構成は、図２の構成に限られない。例えば、ＮＯＲ－ＦＭ３１は無くてもよく、ＮＯＲ－ＦＭ３１内のプログラム又は情報は、高速メモリ４４及び低速メモリ４５のうちの少なくとも１つに格納されてよい。また、高速メモリ４４及び低速メモリ４５のように性能の異なる複数のメモリに代えて、性能が同じ１以上のメモリが採用されてよい。
　図３は、実施例１に係るストレージ装置の構成例を示す。
　ストレージ装置３００は、上位装置２０の一例としてのストレージコントローラ２０と、ＦＭＰＫ３０と、ＳＡＳ－ＨＤＤ３０２と、ＳＡＴＡ（Serial　ATA）－ＨＤＤ３０１とを有する。ＦＭＰＫ３０と、ＳＡＳ－ＨＤＤ３０２と、ＳＡＴＡ－ＨＤＤ３０１とのうちの少なくとも１つは、１以上であってもよい。本実施例では、複数のＦＭＰＫ３０で構成されたＲＡＩＤ（Redundant　Array　of　Independent　(or　Inexpensive)　Disks）グループと、複数のＳＡＳ－ＨＤＤ３０２で構成されたＲＡＩＤグループと、複数のＳＡＴＡ－ＨＤＤ３０１で構成されたＲＡＩＤグループがある。
　ストレージコントローラ２０は、ホストＩ／Ｆ２１と、ＲＡＩＤ制御部２２と、管理Ｉ／Ｆ２５と、バックエンドインターフェイスデバイス（バックエンドＩ／Ｆ）２４とを有する。
　ホストＩ／Ｆ２１は、ホスト計算機（以下、ホスト）１０とストレージコントローラ２０との間のデータのやり取りを仲介する通信インターフェイスデバイスである。ホスト１０は、ストレージコントローラ２０に対して、処理に使用するデータの入出力を行う。
　管理Ｉ／Ｆ２５は、管理端末７０との間のデータのやり取りを仲介する通信インターフェイスデバイスである。管理端末７０は、計算機であり、管理者からの入力を受け付ける入力部（例えばキーボード及びポインティングデバイス）（図示せず）と、管理者に対して情報を出力（典型的には表示）する出力部（例えば表示デバイス）（図示せず）とを有する。
　バックエンドＩ／Ｆ２４は、ＦＭＰＫ３０、ＳＡＳ－ＨＤＤ３０２及びＳＡＴＡ－ＨＤＤ３０１といったＰＤＥＶとの間のデータのやり取りを仲介する。バックエンドＩ／Ｆ２４は、ＳＡＳコントローラ２４１と、ＳＡＳエクスパンダ（以下、エクスパンダ）２４２とを有する。エクスパンダ２４２は、スイッチデバイスの一例であり、複数のＰＤＥＶ（３０、３０１及び３０２）と接続可能であり、ＳＡＳコントローラ２４１と、ＰＤＥＶとのデータのやり取りを仲介する。ＳＡＳコントローラ２４１は、ＰＤＥＶとの間でＳＡＳに従ってデータ通信を行う。
　ＲＡＩＤ制御部２２は、ホスト１０からＰＤＥＶにアクセスするための制御を行う。ＲＡＩＤ制御部２２は、ＣＰＵ２２１と、キャッシュメモリ２２２と、タイマ２２３と、メモリ２２４とを含む。キャッシュメモリ２２２は、ＰＤＥＶに入出力するデータをキャッシュする。タイマ２２３は、時間経過を測定する。ＣＰＵ２２１は、メモリ２２４が記憶するプログラムや、データを使用して、各種処理を実行する。
　メモリ２２４は、ＣＰＵ２２１が実行するプログラムや、ＣＰＵ２２１が使用するデータを記憶する。具体的には、メモリ２２４は、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１と、ＲＡＩＤ管理テーブル２５４と、閉塞管理テーブル２５５と、構成テーブル２５６とを記憶する。
　ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、ＲＡＩＤ管理テーブル２５４を基にＲＡＩＤグループに対するＲＡＩＤ制御を行う。また、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、閉塞管理テーブル２５５を参照し、閉塞しているＦＭＰＫ３０を含んだＲＡＩＤグループがあれば、閉塞しているＦＭＰＫ３０の数に応じたリトライ回数を、そのＲＡＩＤグループを構成するＦＭＰＫ３０に通知する。また、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、管理端末７０と通信を行う。また、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、システム動作の規定に従いＦＭＰＫ３０のリトライ回数制限パラメータの設定を行う。また、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１からコマンド発行の要求を受け、その要求に従い、バックエンドＩ／Ｆ２４を経由しＦＭＰＫ３０へコマンドを発行する。
　ＲＡＩＤ管理テーブル２５４は、ＲＡＩＤグループの構成に関する情報を有するテーブルである。閉塞管理テーブル２５５は、ＲＡＩＤグループを構成するＦＭＰＫ３０の状態（正常か閉塞か等）を表す情報を有するテーブルである。構成テーブル２５６は、ストレージコントローラ２０の動作を決定するための数値（例えばリトライ回数）を有するテーブルである。
　本実施例では、ストレージコントローラ２０とＰＤＥＶとがＳＡＳプロトコルに従い通信するが、ストレージコントローラとＰＤＥＶは、ＳＡＳ以外のプロトコル（例えばＰＣＩｅ（PCI-Express））で互いに通信してもよい。
　図４は、ＦＭ　Ｉ／Ｆ４６とＮＡＮＤ－ＦＭ３３の接続を示す。
　ＮＡＮＤ－ＦＭ３３は、複数のＮＡＮＤ－ＦＭチップ（以下、ＦＭチップ）４０３を含む。
　ＦＭ　Ｉ／Ｆ４６に、複数のフラッシュメモリアクセスバス（以下、ＦＭバス）４０２が接続されている。複数のＦＭバス４０２に、それぞれ、複数のＦＭチップ群４０５が接続されている。各ＦＭチップ群４０５は、２以上（又は１つ）のＦＭチップ４０３を含んでいる。異なる複数のＦＭバス４０２に接続されている複数のＦＭチップ４０３が、同一のＣＥ（チップイネーブル）ラインに接続されている。ＣＥラインを流れるＣＥ信号によりダイを有効にすることができる。
　ＦＭ　Ｉ／Ｆ４６は、ＦＭバスの番号とＣＥラインの番号とを選択することで所望のＦＭチップ４０３にアクセスすることができる。
　図５は、ＦＭチップ４０３の構成を示す。
　ＦＭチップ４０３は、第１及び第２のダイ５０１で構成されている。各ダイ５０１は、第１及び第２のプレーン５０２で構成されている。各プレーン５０２は、複数のブロック（物理ブロック）５０３を有し、各ブロック５０３は、複数のページ（物理ページ）５０４で構成されている。ＦＭチップ４０３では、ページ単位でデータが入出力され、ブロック単位でデータが消去される。第１プレーン５０２には、奇数ブロック（奇数番号のブロック）が含まれ、第２プレーン５０２には、偶数ブロック（偶数番号のブロック）が含まれていてよい。
　各ブロック５０３が、２種類のＬＳＢ（Least　Significant　bit/byte）ページ（ＬＳＢ１ページ、ＬＳＢ２ページ）と、２種類のＭＳＢ（Most　Significant　bit/byte）ページ（ＭＳＢ１ページ、ＭＳＢ２ページ）とを含むように、各ページ５０４が、上記４種類のページのうちのいずれかとされている。図５におけるブロック構成は、一例であり、ブロック構成は、チップ及びメーカのうちの少なくとも１つに依存してよい。ＬＳＢページのページは１種類であっても３種類以上であってもよく、同様に、ＭＳＢページも１種類であっても３種類以上であってもよい。
　なお、本実施例において、ＦＭチップ、ダイ、プレーン、ブロック及びページは、それぞれ、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３の１つの管理単位である。１つのＦＭチップ４０３が有するダイの数、及び、各ダイが有するプレーンの数のうちの少なくとも１つは、上記に限定されない。また、必ずしも、ダイ及びプレーンといった管理単位が無くてもよい。
　図６は、リード成功回数管理情報４５２の構成を示す。
　リード成功回数管理情報４５２は、複数のリード環境の各々について、リードオプション毎に成功カウンタを有する。成功カウンタは、その成功カウンタに対応したリード環境及びリードオプションでのリード（ＮＡＮＤ－ＦＭ３３からのリード）に成功した回数を表す。
　「リード環境」は、複数（又は１つ）のリード影響属性にそれぞれ対応した複数の属性値で定義される。
　「リード影響属性」は、リードの成否に影響し得ると定義された属性である。リード影響属性として、例えば、ＰＥ回数（データの消去回数）、経過時間（ブロックの先頭ページにデータが書き込まれてから経過した時間）、ＦＭバス番号（どのＦＭバス経由のリードであるか）、ＣＥ番号（どのＣＥライン経由で選択されたＦＭチップからのリードであるか）、ダイ番号（どのダイ５０１からのリードであるか）、プレーン番号（どのプレーン５０２からのリードであるか）、及び、ページ種類（どのページ種類に該当するページからのリードであるか）がある。ページ種類（ＭＳＢ／ＬＳＢ）が違っているとページの特性が違っていることが一般的であり、そのため、ページ種類の違いは、リード成否に影響し得る。また、ＰＥ回数、経過時間、ＦＭバス、ＣＥライン、ダイ及びプレーン（偶数ブロック、奇数ブロック）の違いも、リード成否に影響し得る。図６に記載されているリード影響属性のうちの少なくとも１つに代えて又は加えて、他種のリード影響属性、例えば、温度及びプロセスばらつき度合のうちの少なくとも１つが採用されてもよい。
　リード成功回数管理情報４５２は、更に、選択オプション番号、ＭＡＸカウンタ及びＭＡＸオプション番号を有する。「選択オプション番号」は、オプション管理単位についてデバイス（例えばＮＡＮＤ－ＦＭ３３）に設定済のリードオプション（設定オプション）の番号である。オプション管理単位は、データのリード／ライト単位であるページより大きい管理単位であり、図６の例によればダイである。リードの時は、そのリードのリード元ページが属するオプション管理単位の設定オプションが用いられる。このため、リードについて選択されたリードオプションが、そのリードのリード元ページが属するオプション管理単位の設定オプションと違っていれば、設定オプションを選択されたリードオプションに変更し、変更後の設定オプションを用いてリードが実行される。オプション管理単位は、データのリード／ライト単位より大きい管理単位であればどのような管理単位でもよい。「ＭＡＸカウンタ」は、所定の２以上のリード環境（例えば、リードオプション番号以外のリード影響属性の属性値が同じ２以上のリード環境）にそれぞれ対応した２以上の成功カウンタのうちの最大値である。「ＭＡＸオプション番号」は、ＭＡＸカウンタと同じ値の成功カウンタに対応したリードオプション番号である。
　ＦＭ制御プログラム４４２は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３からのリードの都度に、リードオプションを選択し、選択したリードオプションに従うリードを実行する。具体的には、例えば、ＦＭ制御プログラム４４２は、リード元のページが属するリード環境、すなわち、リード元ブロック（リード元ページを含んだブロック）のＰＥ回数が属するＰＥ回数レンジ、リード元ブロックについての経過時間、リード元ページを含んだＦＭチップが接続されているＦＭバスの番号、リード元ページを含んだＦＭチップが接続されているＣＥラインの番号、リード元ページを含んだダイの番号、リード元ページを含んだプレーンの番号、及び、リード元ページの種類を、ＦＭ管理情報４５１から特定する。そして、ＦＭ制御プログラム４４２は、特定したリード環境についてのリード成功回数統計を基に、複数のリードオプションから尤もらしいリードオプションを選択する。「リード成功回数統計」は、例えば、図７に示すように、複数のリードオプションと複数の成功カウンタ（値）の関係である。リード成功回数統計（すなわち、リードオプションと成功カウンタの関係）は、リード環境毎に異なり得る。尤もらしいリードオプションは、例えば、上記特定されたリード環境について１番大きい成功カウンタに対応したリードオプションである。
　上記特定されたリード環境について上記選択されたリードオプションを用いたリードが成功した場合、ＦＭ制御プログラム４４２により、そのリード環境及びリードオプションに対応した成功カウンタに値が加算（例えば１が加算）される。
　上記特定されたリード環境について上記選択されたリードオプションを用いたリードが失敗した場合、ＦＭ制御プログラム４４２は、上記リード成功回数統計を基に、次に尤もらしいリードオプション（例えば、次に大きい成功カウンタに対応したリードオプション）を選択し、選択したリードオプションに従いリードを実行する。このようなリードリトライは、所定の条件（例えばリードリトライ回数が所定回数以下である）を満足しなくなるまで行われ、所定の条件が満足されなくなった場合、アンコレクタブルエラーとして処理が終了する。
　以上の通り、ＦＭコントローラ３２は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３からのリードの都度に、リード元ページが属するリード環境のリード成功回数統計（リードオプションとリード成功回数の関係）を基に、尤もらしいリードオプションを予め選択し、選択したリードオプションに従いリードを実行する。このため、リードリトライの発生頻度を減らすことができ、以って、リード性能の低下を減らすことができる。また、リードの成功の都度に、成功したリードの際に使用されたリードオプションに対応したリード成功回数が更新されるので、リード成功回数統計の正確性が向上し、故に、リードの際に選択される尤もらしいリードオプションの適切性の向上が期待できる。
　なお、上記特定されたリード環境について選択された尤もらしいリードオプション（例えばリードオプション０）に従うリードが失敗した場合、ＦＭ制御プログラム４４２により、そのリードオプションに対応した成功カウンタから値が減算（例えば１が減算）されてもよい（図８の参照符号８０１）。これにより、リードに成功したリードオプションの成功カウンタ（別の観点で言えば選択の優先度）を相対的により大きくすることができる。なぜなら、次に尤もらしいリードオプション（例えばリードオプション１）に従うリードが成功した場合、上述のように、そのリードオプションに対応した成功カウンタの加算が行われるからである（図８の参照符号８０２）。リード失敗時のリードオプションに対応する成功カウンタの減算は、リード失敗の都度に行われてもよいし、リード失敗に対応するリードオプションの成功カウンタと次に尤もらしいリードオプションの成功カウンタとの差が所定値未満になった場合に行われてもよい。
　また、リードは、通常リード（ストレージコントローラ２０からのリード要求に従うリード）に限らず、他種のリード、例えば、リクラメーションリード（リクラメーション処理の際に発生するリード）、リフレッシュリード（リフレッシュ処理の際に発生するリード）、及び、非同期リードの少なくとも１つであってもよい。「非同期リード」とは、ストレージコントローラ２０からのリード要求と無関係（非同期）に発生するリードである。いずれのリードも、ＦＭ制御プログラム４４２により行われてよい。非同期リードの一例として、検査リードがあってよい。検査リードでは、リードされたデータのエラービット数が検出され、検出されたエラービット数が所定の１以上の閾値の各々と比較される。検査リードについては、実施例２においてより詳細に記述する。
　また、ＦＭ管理情報４５１は、リード元のページのリード環境を特定できるような構成になっている。具体的には、例えば、ＦＭ管理情報４５１は、ページ毎に、ＰＥ回数（ページを含んだブロックのデータ消去回数）、経過時間（ページを含んだブロックの先頭ページにデータをライトしてからの経過時間）、ＦＭバス番号（ページを含んだＦＭチップが接続されているＦＭバスの番号）、ＣＥ番号（ページを含んだＦＭチップが接続されているＣＥラインの番号）、ＦＭチップ番号（ページを含んだＦＭチップの番号）、ダイ番号（ページを含んだダイの番号）、プレーン番号（ページを含んだプレーンの番号）、及び、ページ種類（ページの種類）を有してよい。ＦＭ管理情報４５１は、ＦＭ制御プログラム４４２により所定の処理（例えばブロックからのデータの消去）が行われた場合、ＦＭ制御プログラム４４２により更新されてよい。
　図９は、リード処理の流れを示す。
　ＦＭ制御プログラム４４２は、リード元のページ（例えば、リード元の論理アドレスに割り当てられているページ）に対応したリード環境（ＰＥ回数、経過時間、ＦＭバス番号、ＣＥ番号、ダイ番号、プレーン番号及びページ種類）を、ＦＭ管理情報４５１から特定し、特定したリード環境を用いてリード成功回数管理情報４５２（リード成功回数統計）を参照し、そのリード環境について、尤もらしいリードオプションを選択する（Ｓ９０１）。具体的には、例えば、ＦＭ制御プログラム４４２は、図１０に示すように、特定したリード環境に対応したＭＡＸオプションを、リード成功回数管理情報４５２から取得する（図１０：Ｓ１００１）。
　ＦＭ制御プログラム４４２は、Ｓ９０１で選択したリードオプションの番号が、特定したリード環境におけるダイ（リード元ページを含んだダイ）に対応した選択オプション番号と一致するか否かを判断する（Ｓ９０２）。
　Ｓ９０２の判断結果が偽の場合（Ｓ９０２：Ｆａｌｓｅ）、ＦＭ制御プログラム４４２は、リード元ページを含んだダイについての設定オプションを、Ｓ９０１で選択したリードオプションに変更する（Ｓ９０８）。
　Ｓ９０２の判断結果が真の場合（Ｓ９０２：Ｔｒｕｅ）、又は、Ｓ９０８の後、ＦＭ制御プログラム４４２は、Ｓ９０１で選択したリードオプションを用いてリードを実行する（Ｓ９０３）。すなわち、ＦＭ制御プログラム４４２は、Ｓ９０１で選択したリードオプションを用いて、リード元ページのページからデータをリードするためのリードコマンドを、リード元ページを含んだＦＭチップに送信し、そのリードコマンドに応答して、リード元ページ内のデータを受信する。
　ＦＭ制御プログラム４４２は、リードが成功か否かを判断する（Ｓ９０４）。リードが成功とは、例えば、リードコマンドをＮＡＮＤ－ＦＭ３３に発行してから所定時間以内にＮＡＮＤ－ＦＭ３３からデータを受信し、且つ、そのデータが正しいことでよい。
　Ｓ９０４の判断結果が偽の場合（Ｓ９０４：Ｆａｌｓｅ）、つまりリード失敗の場合、ＦＭ制御プログラム４４２は、条件が満足されているか否かを判断する（Ｓ９０５）。条件が満足されているか否かは、例えば、図１１に示す条件判断規則に従う。図１１の規則によれば、条件として、（条件：ａ）未選択のリードオプションがあること、（条件：ｂ）このリード処理におけるリードリトライ（ＲＲ）回数がＲＲ閾値以下であること、及び、（条件：ｃ）このリード処理において最初にリードコマンドを発行してからの時間が制限時間以下であること、がある。（条件：ａ）～（条件：ｃ）の全てが偽の場合（すなわち、（条件：ａ）～（条件：ｃ）のいずれも満たされていない場合）、Ｓ９０５の判断結果が偽となる。一方、（条件：ａ）～（条件：ｃ）の少なくとも１つが真の場合（すなわち、（条件：ａ）～（条件：ｃ）の少なくとも１つが満たされている場合）、Ｓ９０５の判断結果が真となる。（条件：ａ）が偽でも（つまり未選択のリードオプションが無くても）Ｓ９０５の判断結果が真となり得る設定になっている理由は、リード失敗時のリードオプションと同じリードオプションを使用した再度のリードに成功する可能性があるからである。なお、図１１に示す規則は、一例であり、どんな条件が満たされている場合にＳ９０５の判断結果がどのようになるかの規則は、図１１に示す規則に限定されない。また、条件判断規則は、同一のＲＡＩＤグループにおける全てのＦＭＰＫ３０において同じでもよいし、ＦＭＰＫ３０によって条件判断規則が異なっていてもよい。また、上記ＲＲ閾値及び制限時間は、ストレージコントローラ２０から所定のコマンド（例えば図１４に示すコマンド）により設定可能である。
　Ｓ９０５の判断結果が偽の場合（Ｓ９０５：Ｆａｌｓｅ）、ＦＭ制御プログラム４４２は、リード元ページについてアンコレクタブルエラーを応答し（Ｓ９０７）、リード処理を終了する。
　Ｓ９０５の判断結果が真の場合（Ｓ９０５：Ｔｒｕｅ）、ＦＭ制御プログラム４４２は、このリード処理において直前回（Ｓ９０１又はＳ９０６）に選択されたリードオプションの次に尤もらしいリードオプションを選択し（Ｓ９０６）、設定オプションを、Ｓ９０６で選択したリードオプションに変更し（Ｓ９０８）、変更後の設定オプションを用いてリードを実行する（Ｓ９０３）。なお、Ｓ９０６では、具体的には、例えば、ＦＭ制御プログラム４４２は、図１２に示すように、直前回に選択されたリードオプションの成功カウンタの次に大きい成功カウンタ（無ければ最も大きい成功カウンタ）をリード成功回数管理情報４５２から特定し（図１２：Ｓ１２０１）、特定した成功カウンタに対応したリードオプション番号をリード成功回数管理情報４５２から取得する（図１２：Ｓ１２０２）。
　Ｓ９０４の判断結果が真の場合（Ｓ９０４：Ｔｒｕｅ）、つまりリード成功の場合、ＦＭ制御プログラム４４２は、リード成功時のリードオプション（Ｓ９０１又は直前のＳ９０６で選択されたリードオプション）に対応した成功カウンタに１を加算する（Ｓ９０９）。ＦＭ制御プログラム４４２は、加算後の成功カウンタが、上記特定されたリード環境に対応するＭＡＸカウンタを超えたか否かを判断する（Ｓ９１０）。
　Ｓ９１０の判断結果が真の場合（Ｓ９１０：Ｔｒｕｅ）、ＦＭ制御プログラム４４２は、上記特定されたリード環境に対応するＭＡＸカウンタ（リード成功回数管理情報４５２におけるＭＡＸカウンタ）を、Ｓ９０９の加算後の成功カウンタの値に更新し（Ｓ９１１）、且つ、上記特定されたリード環境に対応するＭＡＸオプション番号を、リード成功時のリードオプションの番号に更新する（Ｓ９１２）。
　Ｓ９１０の判断結果が偽の場合（Ｓ９１０：Ｆａｌｓｅ）、又は、Ｓ９１１及び９１２の後、ＦＭ制御プログラム４４２は、上記特定されたリード環境に対応する選択オプション番号を、リード成功時のリードオプションの番号に更新する（Ｓ９１３）。なお、Ｓ９１０：Ｔｒｕｅの場合のＳ９１３では、ＦＭ制御プログラム４４２は、このリード処理でのリード元ページを含んだダイの設定オプションを、Ｓ９１２の更新後のＭＡＸオプションに変更してもよい。
　以上が、リード処理の説明である。なお、リード処理において、上記特定されたリード環境に対応する選択オプション番号と、リード成功時のリードオプションの番号が同じであれば、Ｓ９１３がスキップされてもよい。また、Ｓ９０２及びＳ９０８が無く、Ｓ９０１の次にＳ９０３が行われてもよい。また、本実施例では、常にリードオプション最適化が行われるのではなく、一定の条件でリードオプション最適化が行われてもよい。例えば、リードオプションの最適化を行わなくても良い条件が満たされている場合、常に通常リード（例えば、通常リードを意味するリードオプション（例えばオプション番号＝０）を指定したリード）が行われてよい。Ｓ９０１では、ＦＭ制御プログラム４４２は、リードオプション最適化を行う条件が満たされているか否かを基に、図１０の処理を行うか否かを決定してよい。通常リードの場合、通常リードを意味するリードオプションがＮＡＮＤ－ＦＭ３３に未設定であれば、Ｓ９０８で、そのリードオプションが設定されてよい。
　ところで、リード不可ページが存在し得る。「リード不可ページ」とは、リードオプションを切り替えながらリードリトライを何回行ってもデータをリードできないページである。リード元ページがリード不可ページであるにも関わらずリードリトライを繰り返し実行すると、無駄に時間がかかりリード性能が大きく低下し得る。リードリトライに時間をかけるよりも、ストレージコントローラ２０によりデータを復旧することが好ましい場合も存在し得る。逆に、できるだけリードリトライを繰り返しリード元ページからデータをリードすることが好ましい場合も存在し得る。これらの状況に応じたリトライ回数は、ＲＡＩＤグループのＲＡＩＤレベルと、ＲＡＩＤグループにおける閉塞ＦＭＰＫ（閉塞しているＦＭＰＫ）の数と、冗長性の有無との少なくとも１つに応じて異なることが好ましい。なお、「冗長性の有無」とは、ＲＡＩＤグループからデータをリードできなくても同じデータを別の記憶資源（例えば別のＲＡＩＤグループ）からデータをリードできるか否かであり、例えば、現用系のＲＡＩＤグループ（又はストレージ装置３００）と待機系のＲＡＩＤグループ（又はストレージ装置３００）が存在するか否かでよい。性能重視か否かをＲＡＩＤグループ毎に表す情報、ＲＡＩＤレベルをＲＡＩＤグループ毎に表す情報（例えばＲＡＩＤ管理テーブル２５４）、閉塞ＦＭＰＫ数をＲＡＩＤグループ毎に表す情報（例えば閉塞管理テーブル２５５）、及び、冗長性の有無をＲＡＩＤグループ毎に表す情報が、ＦＭＰＫ３０の上位装置であるストレージコントローラ２０により管理されている。
　そこで、本実施例では、ストレージコントローラ２０が、ＦＭＰＫを含んだＲＡＩＤグループについて、性能重視か否か、ＲＡＩＤレベル、閉塞ＦＭＰＫ数、及び、冗長性の有無に基づき、ＦＭＰＫのＲＲ閾値を決定し、決定したＲＲ閾値を、そのＦＭＰＫに設定する。また、ストレージコントローラ２０は、ＲＡＩＤグループ内の閉塞デバイス数が変わった場合、ＦＭＰＫに設定されているＲＲ閾値を、変更後の閉塞デバイス数に対応したＲＲ閾値に変更するための設定を行う。これにより、ＦＭＰＫ３０でのＲＲ閾値をより適切な値とすることができる。
　ＲＲ閾値に関する情報でありストレージコントローラ２０により管理される情報として、ストレージコントローラ２０が有する構成テーブル２５６がある。
　図１３は、構成テーブル２５６の構成を示す。
　構成テーブル２５６は、通常ＲＲ閾値テーブル部１３０１、リクラメーションＲＲ閾値テーブル部１３０２、リフレッシュＲＲ閾値テーブル部１３０３、及び非同期ＲＲ閾値テーブル部１３０４を有する。「通常ＲＲ閾値」は、通常リードのＲＲ閾値（リードリトライ回数の閾値）であり、「リクラメーションＲＲ閾値」は、リクラメーションリードのＲＲ閾値であり、「リフレッシュＲＲ閾値」は、リフレッシュリードのＲＲ閾値であり、「非同期ＲＲ閾値」は、非同期リードのＲＲ閾値である。各テーブル部の構成は、同じである。具体的には、各テーブル部は、性能重視か否か、ＲＡＩＤレベル、閉塞ＦＭＰＫ数、及び、冗長性の有無に応じたＲＲ閾値を有する。
　例えば、テーブル部１３０１によれば、閉塞ＦＭＰＫ数がＲＡＩＤレベル上許容台数に達しており且つ性能重視が設定されていないケースでは、冗長性が無ければ、通常ＲＲ閾値（リードオプションを変更しながら通常リードのリードリトライを繰り返す回数の閾値）は、最大値でよい。最大値は、例えば、（Ｘ－１）であり、Ｘは、リードオプションの数である。このようなケースでは、リード性能を犠牲にしてでもデータをリードする必要があるからである。一方、同じケースでも、冗長性があれば、通常ＲＲ閾値は、最大値未満でよい。同様に、閉塞ＦＭＰＫ数がＲＡＩＤレベル上許容台数に達していても、性能重視が設定されていれば、通常ＲＲ閾値は、最大値未満でよい。性能重視が設定されている場合、性能重視が設定されていない場合よりも、ＲＲ閾値は小さくてよい。
　また、例えば、テーブル部１３０１及び１３０２によれば、性能重視に対応したリクラメーションＲＲ閾値は、性能重視に対応した通常ＲＲ閾値より高くてよい。リクラメーションリードは、ストレージコントローラ２０からのライト要求の処理において必要に応じてバックグランドで行われるリードだからである。
　また、例えば、テーブル部１３０３及び１３０４によれば、性能重視か否か、ＲＡＩＤレベル、閉塞ＦＭＰＫ数、及び、冗長性の有無のいずれにも関係無く、ＲＲ閾値は最大値でよい。リフレッシュリード及び非同期リードは、いずれも、ストレージコントローラ２０からのリード要求（及びライト要求）と無関係（非同期）にバックグラウンドで行われるリードだからである。
　ストレージコントローラ２０は、構成テーブル２５６と、性能重視か否かをＲＡＩＤグループ毎に表す情報と、ＲＡＩＤレベルをＲＡＩＤグループ毎に表す情報（例えばＲＡＩＤ管理テーブル２５４）と、閉塞ＦＭＰＫ数をＲＡＩＤグループ毎に表す情報（例えば閉塞管理テーブル２５５）と、冗長性の有無をＲＡＩＤグループ毎に表す情報とを基に、ＦＭＰＫに設定する通常ＲＲ閾値、リクラメーションＲＲ閾値、リフレッシュＲＲ閾値及び非同期ＲＲ閾値を決定し、決定したそれらのＲＲ閾値を含んだコマンドを、そのＦＭＰＫに送信する。
　図１４は、ＲＲ閾値の設定に使用されるコマンドの構成を示す。
　ＲＲ閾値の設定に使用されるコマンドは、例えば、ＳＣＳＩに従うモードセレクトコマンドである。ＦＭＰＫに対してモードパラメータの設定変更及び参照ができるのであれば、モードセレクトコマンド以外のコマンド（例えば、ベンダユニークなコマンド）が使用されてもよい。
　モードセレクトコマンドは、例えば、通常ＲＲ閾値（READ　RETRY　COUNT）、リクラメーションＲＲ閾値（RC　READ　RETRY　COUNT）、リフレッシュＲＲ閾値（RF　READ　RETRY　COUNT）、非同期ＲＲ閾値（ASYNC　READ　RETRY　COUNT）、リードモードセレクト（READ　MODE　SELECT）、及び、制限時間（RECOVERY　TIME　LIMIT）を含む。モードセレクトコマンドは、リード処理のためのリードコマンド送信前に送信されてよく、リードモードセレクトは、複数のリードモード（リードオプションの選択方針）から選択されたリードモードを表すパラメータである。そのパラメータの値として、例えば、第１値（第１リードモード：リード成功回数統計を基にリードオプションを選択）、第２値（第２リードモード：性能遅延を伴うリードオプションを選択）、第３値（第３リードモード：全てのリードオプションを順次選択（例えばダイナミックスペアのため））、及び、第４値（第４リードモード：第４デフォルトのリードオプションを選択）という４種類があってよい。なお、「性能遅延を伴うリードオプション」とは、リード自体に時間がかかるがチップ内部の特殊な処理でリード成功の可能性がより高いリード方式に対応したリードオプションでよい。
　図１５は、ＲＲ閾値設定画面の一例を示す。
　ＲＲ閾値設定画面１５００は、ＧＵＩ（Graphical　User　Interface）であり、管理端末通信プログラム２５２により管理Ｉ／Ｆ２５経由で管理端末７０に提供され、管理端末７０の出力部（図示せず）に表示される。管理者は、性能重視か否か、ＲＡＩＤレベル、冗長性の有無、及び閉塞ＦＭＰＫ数を基に、各種ＲＲ閾値を、管理端末７０からＲＲ閾値設定画面１５００経由でストレージ装置３００のストレージコントローラ２０に入力することができる。入力された各種ＲＲ閾値が、管理端末通信プログラム２５２により、構成テーブル２５６に登録される。
　なお、各種ＲＲ閾値は、ＧＵＩ以外の方法、例えば、コマンド形式のインターフェイスにより入力及び登録されてよい。
　また、性能重視か否かは、換言すれば、性能優先度が大きいか小さいかという意味でよい。性能優先度は、２段階（大きいか小さいか）より多段階であってもよい。
　また、ＲＡＩＤレベルに代えて又は加えて、他種のＲＡＩＤ構成（例えば、ＲＡＩＤグループを構成するＦＭＰＫの数）も採用されてよい。
　また、複数種類のＲＲ閾値のうちの少なくとも１種類のＲＲ閾値は、より細かい単位で設定されてもよい。例えば、少なくとも１種類のＲＲ閾値は、ＲＡＩＤグループ毎に指定されてもよいし、ＲＡＩＤグループの基になっている論理ボリューム毎に指定されてもよい。１つのＦＭＰＫ３０について、論理アドレス範囲（例えば論理ボリュームに対応した範囲）毎に少なくとも１種類のＲＲ閾値が設定されてよい。つまり、１つのＦＭＰＫ３０のＦＭコントローラ３２に、論理アドレス範囲によって異なる同種の複数のＲＲ閾値が設定されてもよい。ＦＭコントローラ３２は、リード元ページが割り当てられている論理アドレスが属する論理アドレス範囲に対応したＲＲ閾値を基に、そのリード元ページについてのリード処理において、リードリトライ回数を制御してよい。
　ストレージコントローラ２０は、構成テーブル２５６に登録されているＲＲ閾値を含んだコマンド（例えば図１４が例示するモードセレクトコマンド）をＦＭＰＫ３０に送信し、ＦＭＰＫ３０のＦＭコントローラ３２が、そのコマンドを受信し、そのコマンド内のＲＲ閾値を記憶する。複数種類のＲＲ閾値を指定したコマンド（モードセレクトコマンド）は、ストレージコントローラ２０が、少なくとも１つのＲＡＩＤグループについて、性能重視か否か、ＲＡＩＤレベル、冗長性の有無、及び閉塞ＦＭＰＫ数の少なくとも１つの属性の値の変更を検出した場合に、その変更が検出されたＲＡＩＤグループを構成するＦＭＰＫ３０に対して、変更後の属性値に対応したＲＲ閾値を指定したモードセレクトコマンドを送信してよい。以下、ＲＲ閾値設定の一連の流れの一例を説明する。
　図１６は、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１が行う処理の流れの一例を示す。
　ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、ＦＭＰＫ３０の閉塞又は回復を検出した場合（Ｓ１６０１：Ｔｒｕｅ）、第１のＲＲ閾値設定処理を実行する（Ｓ１６０２）。第１のＲＲ閾値設定処理では、閉塞又は回復したＦＭＰＫ３０を含んでいるＲＡＩＤグループのＲＡＩＤレベル、閉塞ＦＭＰＫ数、性能重視か否か及び冗長性の有無に対応したＲＲ閾値が、閉塞又は回復したＦＭＰＫ３０を含んでいるＲＡＩＤグループの各ＦＭＰＫ３０に設定される。
　ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、ＲＡＩＤグループについてダイナミックスペアを行う場合（Ｓ１６０１：Ｆａｌｓｅ、及び、Ｓ１６０３：Ｔｒｕｅ）、第２のＲＲ閾値設定処理を実行する（Ｓ１６０４）。第２のＲＲ閾値設定処理では、ダイナミックスペア時に使用されるＲＲ閾値（例えばリードリトライ回数の最大値）を含んだコマンドが、ダイナミックスペアが行われるＲＡＩＤグループの各ＦＭＰＫ３０に送信され、そのＲＡＩＤグループの各ＦＭＰＫ３０に、ダイナミックスペア時に使用されるＲＲ閾値が設定される。
　ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、ＦＭＰＫ３０の閉塞又は回復の検出、及び、ダイナミックスペア以外の場合（Ｓ１６０１：Ｆａｌｓｅ、及び、Ｓ１６０３：Ｆａｌｓｅ）、第１及び第２のＲＲ閾値設定処理以外の何らかの必要な処理を行う（Ｓ１６０５）。特に処理が必要無ければＳ１６０５がスキップされてもよい。
　図１７は、第１のＲＲ閾値設定処理の流れを示す。
　ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、閉塞又は回復したＦＭＰＫ３０を含んでいるＲＡＩＤグループが属する環境である閉塞／回復ＲＧ環境（具体的には、ＲＡＩＤレベル、閉塞ＦＭＰＫ数、性能重視か否か及び冗長性の有無）を、ＲＡＩＤ管理テーブル２５４及び閉塞管理テーブル２５５等から特定する（Ｓ１８０１）。
　ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、特定した閉塞／回復ＲＧ環境に対応する各種ＲＲ閾値を構成テーブル２５６から特定し、特定した各種ＲＲ閾値（通常ＲＲ閾値、リクラメーションＲＲ閾値、リフレッシュＲＲ閾値及び非同期ＲＲ閾値）と、制限時間とを含んだモードセレクトコマンドを生成し、生成したモードセレクトコマンドを、閉塞又は回復したＦＭＰＫ３０を含んでいるＲＡＩＤグループの各ＦＭＰＫ３０に送信する（Ｓ１８０２）。
　ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、各ＦＭＰＫ３０について正常にコマンドが終了した場合（Ｓ１８０３：Ｔｒｕｅ）、処理を終了する。
　一方、ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、いずれかのＦＭＰＫ３０について異常が検出された場合（Ｓ１８０３：Ｆａｌｓｅ）、モードセレクトコマンドのリトライ回数が許容値未満であれば（Ｓ１８０４：Ｔｒｕｅ）、Ｓ１８０２を再度実行する。再度実行される処理は、Ｓ１８０２のうちのコマンド送信のみでもよい。ＲＡＩＤ制御プログラム２５１は、モードセレクトコマンドのリトライ回数が許容値に達していれば（Ｓ１８０４：Ｆａｌｓｅ）、所定の障害処理を行う（Ｓ１８０５）。
　図１８は、ＦＭＰＫ３０においてＦＭ制御プログラム４４２が行う処理を示す。
　ＦＭ制御プログラム４４２は、コマンドがモードセレクトコマンドでなければ（Ｓ１９０１：Ｆａｌｓｅ）、そのコマンドに従う処理を実行する（Ｓ１９０２）。例えば、コマンドが、ストレージコントローラ２０からのリード要求であれば、通常リードのリード処理が実行される。また、例えば、コマンドが、内部的に発行されたコマンドである内部コマンドであれば、内部コマンドに従う処理が実行される。内部コマンドとしては、例えば、リクラメーションコマンド、リフレッシュコマンド、検査コマンド等があってよい。
　ＦＭ制御プログラム４４２は、コマンドがモードセレクトコマンドであれば（Ｓ１９０１：Ｔｒｕｅ）、そのモードセレクトコマンドから各種ＲＲ閾値と制限時間とを取得し（Ｓ１９０３）、取得した各種ＲＲ閾値と制限時間を、フラッシュデバイス構成情報４４３に設定する（Ｓ１９０４）。各種ＲＲ閾値と制限時間が設定されたフラッシュデバイス構成情報４４３は、例えば図１９に示す通りである。
　上述したように、ＲＲ閾値は、ＲＡＩＤレベル及び閉塞ドライブ数等を基に特定され、ＲＡＩＤレベルは、ＲＡＩＤ管理テーブル２５４から特定され、閉塞ドライブ数は、閉塞管理テーブル２５５から特定される。ＲＡＩＤ管理テーブル２５４は、例えば、図２０に示すように、ＲＡＩＤグループ毎に、ＲＡＩＤグループ番号と、ＲＡＩＤレベルと、ＲＡＩＤグループを構成する各ＰＤＥＶ（ＦＭＰＫ）の番号とを表す。閉塞管理テーブル２５５は、例えば、図２１に示すように、ＲＡＩＤグループ毎に、閉塞ＰＤＥＶ数（閉塞ＦＭＰＫ数）と、ＲＡＩＤグループを構成する各ＰＤＥＶ（ＦＭＰＫ）の状態（正常、閉塞等）とを表す。
　ところで、ＲＡＩＤレベル及び閉塞ドライブ数等を基にＲＲ閾値が調整されるようになっていても、ＦＭＰＫ３０の状態が、ＦＭＰＫ３０に規定されている応答性能を維持できない状態になることがあり得る。「応答性能を維持できない状態」とは、例えば、リードコマンドを発行してからの時間が上記制限時間を超えている、及び、リードリトライ回数が上記デフォルトのＲＲ閾値を超えている、のうちの少なくとも１つに該当している状態である。ＦＭＰＫ３０に予めデフォルトのＲＲ閾値（初期値）が設定されていて、ＲＡＩＤグループ内の閉塞ＦＭＰＫ数の増減等に関わらずデフォルトのＲＲ閾値がストレージコントローラ２０から設定及び変更されないケースでは、ＦＭＰＫ３０が応答性能を維持できない状態になる確率がより高いと考えられる。
　そこで、ＦＭコントローラ３２（例えばＦＭ制御プログラム４４２）は、ＦＭＰＫ３０において規定されている応答性能を維持できない状態にある場合、ストレージコントローラ２０からのコマンド（例えばリード要求）に対し、チェック応答を返すようになっている。チェック応答を受けたストレージコントローラ２０は、リード要求をＦＭＰＫ３０に再送するか否か等を制御する。リード要求が再送された場合、ＦＭＰＫ３０においては、新たなリード処理が開始されることになる。このため、ＦＭＰＫ３０において、先のリードコマンドのリード処理について、リードコマンドを発行してからの時間が制限時間を超えている、及び、リードリトライ回数がＲＲ閾値を超えている、のうちの少なくとも１つが生じていても、それがキャンセルされることになる。
　ＦＭＰＫ３０は、応答性能を維持できない状態となった場合、チェック応答をストレージコントローラ２０に出し、ストレージコントローラ２０に、処理を継続するか否かの判断をまかせることができる。例えば、ストレージコントローラ２０は、チェック応答の受信回数が所定値未満か否かに応じて、リード要求をＦＭＰＫ３０に再送するか否かを決定してよい。また、例えば、ストレージコントローラ２０は、チェック応答を受けた場合には、チェック応答の送信元のＦＭＰＫ３０にリード要求を再送することに代えて、そのＦＭＰＫ３０からリードされるべきデータを、そのＦＭＰＫ３０を有するＲＡＩＤグループ内の他のＦＭＰＫ３０内のデータを用いて回復してもよい。これにより、ＦＭＰＫ３０でのリードリトライの発生頻度を減らすこと（応答遅延の原因となるリードリトライの発生頻度を減らすこと）、及び、ＦＭＰＫ３０でのアンコレクタブルエラーの発生頻度を減らすこと、の少なくとも一方を実現することが期待できる。
　なお、チェック応答は、例えば、図２２に示すように、１又は複数の所定項目（例えば「Sense　key」、「Additional　sense　code」、及び「Additional　sense　qualifier」）の値がそれぞれ所定値とされたリクエストセンス応答でよい。ストレージコントローラ２０は、オートセンスをＦＭＰＫ３０に送信することでリクエストセンス応答をＦＭＰＫ３０から受信してもよいし、リクエストセンスコマンドをＦＭＰＫ３０に送信することでリクエストセンス応答をＦＭＰＫ３０から受信してもよい。
　また、同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数（例えば所定回数は１以上の整数）に達した場合にストレージコントローラ２０によりリード要求が再送される場合、そのリード要求は、通常のリード要求に代えて、特殊リード要求とされてよい。特殊リード要求は、例えば、図２３に例示するように、リードモードセレクト（READ　MODE　SELECT）、すなわち、複数のリードモード（リードオプションの選択方針）から選択されたリードモードを表すパラメータを含んだリード要求である。リードモードセレクトの値として、例えば、第１値（第１リードモード：リード成功回数統計を基にリードオプションを選択）、第２値（第２リードモード：性能遅延を伴うリードオプションを選択）、第３値（第３リードモード：全てのリードオプションを順次選択（例えばダイナミックスペアのため））、及び、第４値（第４リードモード：第４デフォルトのリードオプションを選択）という４種類があってよい。
　なお、リードモードは、上述したように、モードセレクトコマンドにより設定可能でもある。本実施例では、図２４に例示するように、モードセレクトコマンドで設定されたリードモードよりも、特殊リード要求で指定されるリードモードの方が優先される。例えば、チェック応答を出したＦＭＰＫ３０に、モードセレクトコマンドにより第１リードモードが設定されていても、ストレージコントローラ２０からの特殊リード要求に第２リードモードが指定されていれば、その特殊リード要求に従い行われるリード処理（通常リードのリード処理）のリードモードは、その特殊リード要求で指定されている第２リードモードである。特殊リード要求は、ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受けた場合にそのＦＭＰＫ３０に対して発行されるコマンドであり、チェック応答は、上述したように、応答性能を維持できない状態にあるＦＭＰＫ３０から出されるからである。
　ストレージコントローラ２０は、例えば、同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数未満であれば、通常のリード要求を再送し、同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数に達したならば、図２５に例示する処理を行うことができる。
　すなわち、ストレージコントローラ２０は、追加リトライ（リード要求の再送）が許可されるか否かを判断する（Ｓ２７０１）。Ｓ２７０１の判断は、チェック応答の送信元ＦＭＰＫ３０を含んだＲＡＩＤグループについてのＲＡＩＤ構成（例えばＲＡＩＤレベル）、閉塞ＦＭＰＫ数及び冗長性の有無等を基に行われてよい。具体的には、例えば、図２６に例示する情報、すなわち、ＲＡＩＤレベルと閉塞ＦＭＰＫ数との組合せ毎に追加リトライを許可する（Ｙｅｓ）か否か（Ｎｏ）を定義した規則を表す情報を基に、Ｓ２７０１の判断が行われる。なお、図２６に例示する情報は、ストレージコントローラ２０のメモリ２２４に格納されている。
　Ｓ２７０１の判断結果が偽の場合（Ｓ２７０１：Ｆａｌｓｅ）、ストレージコントローラ２０は、所定のアンコレクタブルエラー処理を実行する（Ｓ２７０２）。一方、Ｓ２７０１の判断結果が真の場合（Ｓ２７０１：Ｔｒｕｅ）、ストレージコントローラ２０は、特殊リード要求生成処理により、チェック応答の送信元ＦＭＰＫ３０に対する特殊リード要求を生成し、そのＦＭＰＫ３０に、生成した特殊リード要求を送信する（Ｓ２７０３）。
　図２７は、特殊リード要求生成処理の流れを示す。
　ストレージコントローラ２０は、特殊リード要求生成時の対象ＲＧ環境に応じたリードモードを選択し（Ｓ２８０１）、選択したリードモードを表す値をリードモードセレクトのフィールドに設定した特殊リード要求を生成する（Ｓ２８０２）。「対象ＲＧ環境」とは、チェック応答送信元（又はコマンド送信先）のＦＭＰＫ３０を含んだＲＡＩＤグループが属する環境であり、具体的には、例えば、ＲＡＩＤレベル、閉塞ＦＭＰＫ数、冗長性の有無、性能重視か否か、及び、リード／ライト頻度（単位時間当たりに受信するリード要求及びライト要求の数）、のうちの少なくとも１つでよい。図２７では、より長いタイムアウト時間が設定されたモードセレクトコマンドの生成も行われ、図２６のＳ２７０３では、特殊リード要求に加えて、そのモードセレクトコマンドも送信されてよい。Ｓ２８０１で選択されるリードモードは、第２リードモード（性能遅延を伴うリードオプションを選択）でよい。なぜなら、「性能遅延を伴うリードオプション」とは、前述したように、リード自体に時間がかかるがチップ内部の特殊な処理でリード成功の可能性がより高いリード方式に対応したリードオプションだからである。
　なお、仕様又は別の理由により特殊リード要求を処理できないＦＭＰＫ３０があり得る。又は、仕様又は別の理由により特殊リード要求を生成できないストレージコントローラ２０があり得る。この場合、特殊リード要求ではなくモードセレクトコマンドによりリードモードが指定されてよい。
　すなわち、ストレージコントローラ２０は、例えば、同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数未満であれば、通常のリード要求を再送し、同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数に達したならば、図２８に例示する処理を行う。
　具体的には、ストレージコントローラ２０は、追加リトライ（リード要求の再送）が許可されるか否かを判断する（Ｓ２９０１）。Ｓ２９０１の判断は、Ｓ２７０１の判断は、Ｓ２９０１の判断と同様に行われてよい。
　Ｓ２９０１の判断結果が偽の場合（Ｓ２９０１：Ｆａｌｓｅ）、ストレージコントローラ２０は、所定のアンコレクタブルエラー処理を実行する（Ｓ２９０２）。一方、Ｓ２９０１の判断結果が真の場合（Ｓ２９０１：Ｔｒｕｅ）、ストレージコントローラ２０は、モードセレクトコマンド生成処理により、チェック応答の送信元ＦＭＰＫ３０に対するモードセレクトコマンドを生成し、そのＦＭＰＫ３０に、生成したモードセレクトコマンドを送信する（Ｓ２９０３）。モードセレクトコマンドで指定されるリードモードも、モードセレクトコマンド生成時の対象ＲＧ環境に応じたリードモードでよい。例えば、同一ＦＭＰＫ３０からチェック応答を受信した回数が所定回数に達した場合に生成されるモードセレクトコマンドは、第２リードモード（性能遅延を伴うリードオプションを選択）でよい。
　モードセレクトコマンドも特殊リード要求も生成し処理できるストレージコントローラ２０及びＦＭＰＫ３０については、ストレージコントローラ２０は、どちらのコマンドによりリードモードをＦＭＰＫ３０に指定するかを選択してよい。モードセレクトコマンドにより、リードモードだけでなく、各種ＲＲ閾値及び制限時間も設定することができるが、モードセレクトコマンドのためにそのコマンドの送信先ＦＭＰＫ３０がリード／ライト保留状態（リード要求及びライト要求を処理しない状態）となる必要がある。一方、特殊リード要求は、各種ＲＲ閾値及び制限時間のうちの少なくとも一方を設定することができないが、コマンドの送信先ＦＭＰＫ３０がリード／ライト保留状態となる必要は無い。そこで、ストレージコントローラ２０は、チェック応答の送信元ＦＭＰＫ３０に対してリードモードを指定する場合、図２９に例示するように、チェック応答受信時の対象ＲＧ環境に応じて特殊リード要求を生成するかモードセレクトコマンドを生成するかを判断し（Ｓ３００１），特殊リード要求を生成すると判断した場合（Ｓ３００１：Ｔｒｕｅ）、図２５に示した処理を行い、モードセレクトコマンドを生成すると判断した場合（Ｓ３００１：Ｆａｌｓｅ）、図２８に示した処理を行ってよい。例えば、チェック応答受信時の対象ＲＧ環境において、対象ＲＧ（チェック応答送信元のＦＭＰＫ３０を含んだＲＡＩＤグループ）のリード／ライト頻度が所定値未満の場合、モードセレクトコマンドの生成が選択され、対象ＲＧのリード／ライト頻度が所定値以上の場合、特殊リード要求の生成が選択されてもよい。
　図３０は、コマンドを受信したＦＭＰＫ３０のＦＭコントローラ３２により行われる処理の流れを示す。
　ＦＭコントローラ３２は、受信したコマンドがリード要求以外のコマンドの場合（Ｓ３１０１：Ｆａｌｓｅ）、そのコマンドに従う処理を実行する（Ｓ３１０２）。コマンドがモードセレクトコマンドの場合、Ｓ３１０２では、モードセレクトコマンドに従う処理が実行される。
　ＦＭコントローラ３２は、受信したコマンドがリード要求であり、そのリード要求が通常リード要求であれば（Ｓ３１０１：Ｔｒｕｅ、及び、Ｓ３１０３：Ｆａｌｓｅ）、設定済のリードモード（例えば、過去のモードセレクトコマンドにより設定されたリードモード）で、そのリード要求に従いリード処理（例えば通常リードのリード処理）を実行する（Ｓ３１０４）。
　一方、ＦＭコントローラ３２は、受信したコマンドがリード要求であり、そのリード要求が特殊リード要求であれば（Ｓ３１０１：Ｔｒｕｅ、及び、Ｓ３１０３：Ｔｒｕｅ）、その特殊リード要求で指定されているリードモードで、その特殊リード要求に従いリード処理を実行する（Ｓ３１０５）。
　上述したように、ＦＭコントローラ３２は、リード元ページが属するオプション管理単位（本実施例ではダイ）の設定オプションを用いてリードを実行する。もし、リードについて選択された尤もらしいリードオプションが、リード元ページを含んだダイの設定オプションと異なっている場合、その設定オプションを選択されたリードオプションに変更した後に（図９のＳ９０９を参照）、リードを実行する必要がある。同一のオプション管理単位についてのリードであってもリード環境が異なり得る。そのため、同一のオプション管理単位の複数のリードについて、設定オプションの変更が多発する可能性がある。例えば、図３１に示す比較例のように、ＣＥライン毎にリードコマンドキュー（ＣＥラインに属するＦＭチップ内のリード元ページに対するリードコマンドのキュー）が管理されている場合、同一のＣＥライン（例えばＣＥライン０）のリードコマンドキューに、選択されたリードオプションの異なる複数のリードコマンドが並ぶことがある。この場合、並び順にリードコマンドを実行すると、設定オプションの変更（図９のＳ９０９）が多発する。具体的には、例えば、設定オプションの変更は、ＦＭコントローラ３２から、ＦＭ（ダイ）に対し、１個から複数（例えば４個）のオプションを変更するコマンド（例えばSetFeature）を発行する必要があり、その間、そのＦＭ（ダイ）へのリードを実行できない。また、リードの度に、リードオプションを、通常リードを表すオプション番号（例えば０）に戻すと、オプションの変更が多発する状況下では、１つのリードに対し、例えば、オプション変更に必要なコマンド数（例えば最大４回）＋リード（１回）＋オプションを初期状態に戻す為のコマンド数（例えば最大４回）となる。それが多発することで、性能遅延につながる。そのため、変更（例えば最大４回）、戻す（例えば最大４回）を可能な限り削減することが望ましい。そこで、本実施形態にように、リードオプションは、戻さず、必要なら変更することが有効である。また、リードオプションの変更が多発する状況（例えば、電源断後、長期間電源投入されず、再度電源投入という状況）では、リトライリードが多発して、全てのダイでリードオプションの変更が発生することも考えられる。また、バス数、ＣＥライン数及びダイ数が少ないＦＭＰＫでは、リトライリードが１回発生する事の影響はより大きくなると考えられる。また、リードオプションの変更をより適切に行うために、SetFeatureした結果をGetFeatureして確認することもあり、コマンド数が更に増加することがある。設定オプション変更の多発は、ＦＭＰＫ３０の性能遅延の原因になる。
　そこで、本実施例では、ＦＭコントローラ３２がリードコマンド（リード）の実行順序を最適化する、具体的には、リードオプションが同一の複数のリードコマンドをリードオプション毎に連続して実行する。これにより、設定オプションの変更の発生頻度を減らすことができる。
　具体的には、図３２に例示するように、各ＣＥラインについて、リードコマンドキューが、リードオプション毎に設けられる。本実施形態では、リードオプションは第１の単位（例えばダイ毎）に設定され、リードコマンドキューは、第１の単位よりも大きい第２の単位（例えばＣＥライン毎）に設けられる。リードコマンドキューには、例えば、リードコマンドの発行順にリードコマンドが並ぶ。ＦＭコントローラ３２が、リードコマンドを生成する都度に、そのリードコマンドについて選択されたリードオプションと、そのリードコマンドで指定されるリード元ページを含んだＦＭチップ４０３が接続されているＣＥラインとに対応したリードコマンドキューに、生成したリードコマンドを接続する。ＦＭコントローラ３２は、各ＣＥラインについて、所定の規則に従い、リードオプションを選択し、選択したリードオプションのリードコマンドキューにおける複数のリードコマンドを連続的に実行する。所定の規則は、例えば、最初に選択されるリードオプションが設定オプション（例えばリードオプション＃６）と同じリードオプションでよいし、最後の変更後の設定オプションがＣＥラインについて一番尤もらしいリードオプションでもよい。また、１つのリードコマンドキューから連続的に実行されるリードコマンドの数（言い換えれば、リードコマンドから連続的にリードコマンドが実行される時間長）は、全てのリードオプションについて同一であってもよいし、リードオプションに応じて異なっていてもよい。また、所定の規則は、リードコマンドを受けてから応答するまでの応答時間と、１つのリードコマンドキューに接続されているリードコマンドの数と、リードオプションに対応した実行単価（仕事量）とのうちの少なくとも１つに基づいていてよい。
　なお、リードオプション毎のリードコマンドキューは、所定のキュー単位毎に存在するが、所定のキュー単位は、ＣＥラインに代えて又は加えて、ＦＭバス、ダイ及びＦＭチップのうちの少なくとも１つでよい。また、ＦＭコントローラ３２が、キュー単位で（例えばＣＥライン毎に）、更にハード実行キュー（例えば高速メモリ４４上のキュー）を有してよい。ＦＭコントローラ３２（例えばＣＰＵ４２）は、キュー単位で、各リードコマンドキュー（同一リードオプションのリードコマンドキュー）から連続実行コマンド数分のリードコマンドをハード実行キューに積み、ＦＭコントローラ３２（例えばＦＭ　Ｉ／Ｆ４６）は、ハード実行キューにおける並び順でリードコマンドを実行してよい。
　図３３は、リードコマンドの構成を示す。
　リードコマンドは、「種別」、リード元情報、「リードオプション番号」及び「次ポインタ」等を含む。リード元情報は、リード元ページを識別するための情報であり、例えば、「バス番号」、「ＣＥ番号」、「ダイ番号」、「ブロック番号」及び「ページ番号」を含む。「種別」は、リード種別（例えば、通常リード或いはリクラメーションリード）を表す。「バス番号」は、リード元ページを含んだＦＭチップへのＦＭバスの番号を表す。「ＣＥ番号」は、リード元ページを含んだＦＭチップへのＣＥラインの番号を表す。「ダイ番号」は、リード元ページを含んだダイの番号を表す。「ブロック番号」は、リード元ページを含んだブロックの番号を表す。「ページ番号」は、リード元ページの番号を表す。「リードオプション番号」は、選択されたリードオプションの番号を表す。「次ポインタ」は、このリードコマンドの接続先を表す。
　図３４は、エンキュー先決定テーブルの構成を示す。
　エンキュー先決定テーブル３５００は、リードコマンドのエンキュー先規則と、リードコマンドキューに接続されているリードコマンド数（実行待ちリードコマンド数）とを表す。このテーブル３５００は、例えば高速メモリ４４に格納されてよい。エンキュー先規則は、バス番号、ＣＥライン番号及びリードオプション番号と、エンキュー先キューとの組合せである。リードコマンド中のバス番号、ＣＥライン番号及びリードオプション番号に対応したキューがこのテーブル３５００から特定され、特定されたキューにリードコマンドが接続される。なお、テーブル３５００を用いてエンキュー先を決定することに代えて、条件判定等の他の方法によりエンキュー先が決定されてよい。
　リードコマンドキューは、リードオプション毎に分類されているため、設定オプションの変更回数が最少になるようにリードコマンドを実行することが可能である。ＣＥライン毎及びリードオプション毎に用意されるリードコマンドキューとして、同期コマンドキュー及び非同期コマンドキューがあってよい。同期コマンドキューには、上位装置からのリード要求に従い発行されたリードコマンド（同期ＲＤコマンド）が接続される。同期ＲＤコマンドは、本実施例では通常リードのリードコマンドである。非同期コマンドキューには、上位装置からのリード要求とは無関係（非同期）に発行されたリードコマンド（非同期ＲＤコマンド）が接続される。非同期ＲＤコマンドは、本実施例ではリクラメーションリード、リフレッシュリード及び非同期リードのリードコマンドである。例えば同期ＲＤコマンドの実行順序の最適化は、上位装置からリード要求を受けてから一定時間（応答時間リミット）内にリード要求に従うデータを応答できるように実行されなければならない。リードコマンドキュー（例えば同期コマンドキュー）から連続的に実行されるリードコマンドの数は、そのリードコマンドキューに対応するリードオプションの特性等に基づいて決まる数、例えば、以下の第１及び第２の観点のいずれかの観点に従い決まる数でよい。
　第１の観点によれば、リードコマンドキューについて、連続実行コマンド最大数（連続的に実行されるリードリードコマンドの最大数）が、リードオプション毎に、実行待ちリードコマンド総数（全てのリードコマンドキューに接続されている実行待ちのリードコマンドの総数、又は、全てのリードコマンドキューに接続されている実行待ちのリードコマンドの総数）とに応じて定義されている。具体的には、例えば、図３５に示す第１の実行制限テーブル３６００が用意される。第１の実行制限テーブル３６００に、実行待ちリードコマンド総数と、リードオプション毎の連続実行コマンド最大数（この数は、リードオプションの切り替えが早すぎず、且つ、レスポンスタイムが長くならないような数であることが好ましい）とが定義されている。定義されている連続実行コマンド最大数は、リードオプションの特性に基づき決定され、応答時間リミット（リード要求を受けてから応答するまでの時間の上限）以内にリード要求に応答することができるような値である。テーブル３６００は、例えば高速メモリ４４に記憶されてよい。ＦＭコントローラ３２は、テーブル３６００と、実行待ちリードコマンド数とを基に、或るリードオプションのリードコマンドキューの連続実行コマンド最大数を特定する。ＦＭコントローラ３２は、特定された連続実行コマンド最大数分のリードコマンドを連続して上記或るリードオプションのリードコマンドキューから実行した場合（或いは、その前にそのキューに接続されているコマンドが無くなった場合）、別のリードオプションに切り替え、切り替え後のリードオプションのリードコマンドキューからのリードコマンドを実行する。第１の観点によれば、応答時間リミット以内にリード要求に応答することを保証しつつ、設定オプションの変更の発生回数を減らすことができる。
　第２の観点によれば、リードコマンドキューについて、連続実行コマンド最大数が、リードオプション毎に、実行待ちリードコマンド総数と、リードオプション毎のリード応答性能単価（リードコマンドの応答時間又はその時間に基づいて決定された値）と、リードコマンドが少なくとも１つ接続されているコマンドキューの数とに応じて決まる。具体的には、上述のリードオプションの特性が、第２の観点では、リードオプションのリード応答性能単価であり、例えば、図３６に示す単価テーブル３７００及び図３７に示す第２の実行制限テーブル３８００が用意される。単価テーブル３７００は、リードオプション毎のリード応答性能単価を表す。第２の実行制限テーブル３８００は、実行待ちリードコマンド総数と、リードオプション毎の最大応答性能とが記録される。最大応答性能は、単価テーブル３７００と、実行待ちリードコマンド総数と、リードコマンドが少なくとも１つ接続されているリードコマンドキューの数とに基づいて決定される値である。このため、リードコマンドが少なくとも１つ接続されているリードコマンドキューの数が増減すると、ＦＭコントローラ３２により、対応する最大応答性能の値が変更される。
　なお、個々のリードコマンドについて、最大応答性能は、リードコマンドがリードコマンドキューに積まれてからの許容滞留時間でよい。ＦＭＰＫ３０は、最大応答性能の初期値を有していてよく、ストレージコントローラ２０から所定コマンド（例えばモードセレクトコマンド）で変更されない限り、記憶している最大応答性能を使用する。
　最大応答性能は、動的に変更することが可能であり、動的な変更は、ストレージコントローラ２０からの所定コマンド（例えばモードセレクトコマンド）により可能である。具体的には、例えば、ＦＭコントローラ３２は、実行中のリードコマンドを処理し終えてから、設定済の最大応答性能を、所定コマンド中の最大応答性能に変更し、変更後の最大応答性能を、リードコマンドキュー（又はハード実行キュー）に残っているリードコマンドに適用する。或いは、例えば、ＦＭコントローラ３２は、その所定コマンドを受信した時刻を記憶し、その時刻以降に実行開始されるリードコマンドについて、変更後の最大応答性能を適用してよい。
　テーブル３７００及び３８００は、例えば高速メモリ４４に記憶されてよい。図３６及び図３７によれば、例えば、実行待ちリードコマンド総数「１０２４」且つリードオプション番号「２」であれば、最大応答性能「６３６」でありリード応答性能単価「５３」なので、連続実行コマンド最大数は「１２」（＝６３６／５３）である。なお、単価テーブル３７００において、リードオプション毎のリード応答性能単価を「１」とし、第２の実行制限テーブル３８００に記録される最大応答性能が連続実行コマンド最大数であってもよい。また、キューからのリードコマンド実行に加えて、エンキュー（例えばハード実行キューへのエンキュー）も、リードオプション毎のリード応答性能単価を基に制御されてよい。エンキューの制御では、リードコマンドは、例えば高速メモリ４４に、キューに未接続の状態で記憶され、図３８に例示する累積カウンタテーブル３９００を基に、エンキューされてよい。テーブル３９００は、ＦＭバス及びＣＥライン毎に（つまりＦＭチップ毎に）、ＦＭコントローラ３２により、リードコマンドのリード応答性能単価の累積値が記録される。
　図３９は、リードコマンドのエンキュー制御処理の一例を示す。図３９は、ＣＰＵ４２が、リードコマンドキューから、ＦＭ　Ｉ／Ｆ４６が管理するハード実行キューにエンキューする処理である。すなわち、ＣＰＵ４２が、リードコマンドキュー（図３２参照）から、時間内（最大応答性能）に間に合うように、図３６及び図３８のテーブルを参照しながら、ＣＥライン別のハード実行キューに、リードコマンドを最適配分する。
　ＣＰＵ４２は、カレントオプション（現在の対象のオプション）を取得する（Ｓ４００１）。
　ＣＰＵ４２は、カレントオプションに対応したリードコマンドキューにおけるリードコマンドのうち最先のリードコマンド（以下、対象コマンド）を特定し、累積カウンタテーブル３９００から、対象コマンドで指定されているバス番号及びＣＥ番号に対応した累積値を特定する（Ｓ４００２）。ＣＰＵ４２は、対象コマンドを、対象コマンドで指定されているＣＥ番号に対応したハード実行キューにエンキューする（Ｓ４００３）。ＣＰＵ４２は、Ｓ４００２で特定した累積値に、カレントオプションに対応したリード応答性能単価を加算する（Ｓ４００４）。
　加算後の累積値が、実行待ちリードコマンド総数及びカレントオプションに対応した最大応答性能以下であれば（Ｓ４００５：Ｆａｌｓｅ）、ＣＰＵ４２は、再度Ｓ４００２を行う。
　一方、加算後の累積値が、実行待ちリードコマンド総数及びカレントオプションに対応した最大応答性能を超えていれば（Ｓ４００５）、ＣＰＵ４２は、テーブル３９００における加算後の累積値をリセットし（例えば０に戻し）（Ｓ４００６）、次のリードオプションをカレントオプションとする（Ｓ４００７）。
　なお、図３６に例示したテーブル３７００及び図３７に例示したテーブル３８００に基づいて１つのリードコマンドキューから連続して実行されるリードコマンドの数も、図３８に例示するテーブル３９００と同様の構成の応答時間カウンタテーブル（図示せず）を基に制御されてよい。応答時間カウンタテーブルには、ＦＭバス及びＣＥライン毎に（つまりＦＭチップ毎に）、ＦＭコントローラ３２により、リードコマンドの応答時間の累積値が記録されてよい。ＦＭコントローラ３２は、応答時間の累積値を基に、連続実行コマンド数を制御してよい。例えば、ＦＭコントローラ３２は、或るリードオプションについて、最大応答性能と応答時間累積値との差分がリード応答性能単価未満となった場合、そのリードオプションのリードコマンドキューからのコマンド実行を止め、別のリードオプションに切り替えてよい。これにより、リード応答性能単価と実際の応答時間に差が生じても応答時間リミットを保証しつつ設定オプションの変更回数を減らすことができる。また、図３２に示したリードコマンドキューも前述したハード実行キューもＦＭコントローラ３２（特にＦＭ　Ｉ／Ｆ４６の配下とし、ハード実装で制御されてもよい。
　以下、実施例２を説明する。その際、実施例１との相違点を主に説明し、実施例１との共通点については説明を省略又は簡略する。
　図４０は、実施例２の概要を示す。
　実施例１で説明したリード成功回数管理情報４５２のサイズは大きいと考えられる。そのサイズは、ＰＥ回数範囲又は経過時間範囲のうちの少なくとも一方の数が増えると一層大きくなる。
　そこで、実施例２では、ＦＭコントローラ３２は、リード成功回数管理情報４５２に代えて、リード成功回数管理情報４５２の簡易的な情報である環境／オプション簡易管理情報４５０１を保持する。環境／オプション簡易管理情報４５０１のサイズは、リード成功回数管理情報４５２のサイズよりも小さい。環境／オプション簡易管理情報４５０１は、高速メモリ４４又は低速メモリ４５に格納される。環境／オプション簡易管理情報４５０１は、ＰＥ回数範囲毎及び経過時間範囲毎のレコードを有さず、且つ、リード成功回数も有さない。図４１に、環境／オプション簡易管理情報４５０１の構成を示す。環境／オプション簡易管理情報４５０１には、ダイ毎に（正確には、ＦＭバス、ＣＥライ及びダイの組毎に）、リード成功時のリードオプションが記録される。具体的には、リード元ページからのリードに成功したときに、そのリード元ページを含んだダイについて、環境／オプション簡易管理情報４５０１に、リード成功時のリードオプションが記録される。以下、実施例２の説明では、環境／オプション簡易管理情報４５０１に記録されるリードオプションを、「最適リードオプション」と言う。なお、最適リードオプションは、ダイ毎、すなわち、リード単位（ページ単位）より大きい単位で記録される。このため、或るダイについて、第１ページからのリードに成功した第１リードオプションが記録されても、同一ダイについて、別の第２ページからのリードに成功したリードオプションが第２リードオプションであれば、同一ダイについて、第１リードオプションではなく第２リードオプションが記録される。そして、同一ダイについて、リード元が再び第１ページとなった場合には、前回のリード成功時のリードオプションは第１リードオプションであるが、記録されているリードオプションは第２リードオプションのため、第２リードオプションが使用される。
　実施例２に係るリード処理では、ＦＭコントローラ３２は、デフォルトのリードオプションではなく最適リードオプションを適用するか否かの最適オプション適用判定を行う（Ｓ４６０１）。Ｓ４６０１の判定結果が真の場合、ＦＭコントローラ３２は、リード元ダイ（リード元ページを含んだダイ）に対応した最適リードオプションでリードを行う（Ｓ４６０２）。一方、Ｓ４６０１の判定結果が偽の場合、ＦＭコントローラ３２は、デフォルトのリードオプションでリード元ページからリードを行う。Ｓ４６０２又はＳ４６０３のリードに失敗した場合には、使用されるリードオプションが別のリードオプションに切り替えられ切り替え後のリードオプションでリードが行われる。リードオプションの切り替えは、例えば、図４２に示すリードオプション切替えルールに従って行われる。そのルールによれば、例えば、１回目のリードでリードオプション４が使用された場合、リード失敗により次に使用されるリードオプションは、リードオプション０である。
　最適オプション適用判定は、ＦＭＰＫ３０の初めての電源投入後の各リード処理で行われてよいが、本実施例では、ＦＭＰＫ３０の電断後（電源再投入後）の各リード処理で行われる。フラッシュメモリは、一般に、電断後、放置されると、物理ブロックのデータ保持特性が悪化するためである。
　最適オプション適用判定の判定結果は、最適オプション適用条件が満たされる場合に、真となる。最適オプション適用条件が満たされるとは、下記（ａ）乃至（ｃ）の全てのサブ条件が満たされることである。
（ａ）リードが、電断後の１周目の検査リード処理が行われている期間におけるリードである。
（ｂ）リード元ダイにおけるいずれかのページについてアンコレクタブルエラーが発生している。
（ｃ）リード元ブロック（リード元ページを含む物理ブロック）が電断後のリフレッシュ済ブロックではない。
　以下、サブ条件（ａ）乃至（ｃ）の各々について説明する。
　＜サブ条件（ａ）：リードが、電断後の１周目の検査リード処理が行われている期間におけるリードである。＞
　ＦＭコントローラ３２は、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３のアンコレクタブルエラーが発生するのを未然に防ぐ目的で、検査リード処理を、一定周期（例えば１日）毎に行うようになっている。検査リード処理では、ＦＭＰＫ３０内の全ての物理ブロックの各々について、検査対象ページ（少なくとも１つの物理ページ）からデータをリードし、リードされたデータのエラービット数がチェックされる。つまり、「検査リード」は、１つの検査対象ページについてのリードであり、「検査リード処理」は、全ての検査対象ページの各々の検査リードを含んだ処理である。「検査リード処理が１周する」とは、全ての検査対象ページの各々について検査リードが終了することを意味する。従って、「電断後の１周目の検査リード処理」とは、電断後に電源が投入されてから全ての検査対象ページ（例えば全ての物理ブロック内の全ての検査対象ページ）について検査リードが終了するまでを意味する。「検査対象ページ」は、各物理ブロックについてランダムに選択された物理ページでもよいし、各物理ブロックにおける所定種類のページ（例えばＭＳＢページ）であってもよい。検査リードの成功とは、所定のリードオプションでリードされたデータの全てのエラービットを訂正できる（例えば、ＥＣＣ（Error　Correcting　Code）により訂正できる）ことであり、検査リードの失敗とは、所定のリードオプションでデータをリードできなかった（すなわち、所定のリードオプションでリードされたデータが全てのエラービットを訂正できないほどに多くのエラービットを有していた）である。
　各検査リードで使用される「所定のリードオプション」とは、例えば、デフォルトのリードオプションと同じリードオプション（例えばリードオプション０）である。ＦＭコントローラ３２は、検査リードに失敗した場合、同一の検査対象ページに対してリトライリード、すなわち、別のリードオプションを用いたリードを行う。ＦＭコントローラ３２は、検査リード処理において、各物理ブロックを例えば以下のように管理できる。すなわち、ＦＭコントローラ３２は、エラー訂正不可ページ（いずれのリードオプションを用いたリードも失敗となる検査対象ページ）が１つでもあれば、エラー訂正不可ページを含む物理ブロックに対してリフレッシュ処理を行い、且つ、その物理ブロックを、寿命ブロック（再使用不可の物理ブロック）として管理する。また、ＦＭコントローラ３２は、エラー訂正不可ページは無いがリトライ成功ページ（検査リードに失敗した後のリトライリードに成功したページ）が１つでもあれば、リトライ成功ページを含む物理ブロックに対してリフレッシュ処理を行い、且つ、その物理ブロックを、空き物理ブロック（再使用可の物理ブロック）として管理する。また、ＦＭコントローラ３２は、検査リードに成功したとしても、その検査リードによりリードされたデータのエラービット数が或る閾値を超えていたら、その検査リードのリード元ページを含んだ物理ブロックに対してリフレッシュ処理を行う。例えば、ＦＭコントローラ３２は、検査リードに成功したデータのエラービット数が閾値Ａ（例えば寿命閾値）を超えていれば、その検査リードのリード元ページを含んだ物理ブロックに対してリフレッシュ処理を行い、且つ、その物理ブロックを、寿命ブロック（再使用不可の物理ブロック）として管理する。また、例えば、ＦＭコントローラ３２は、検査リードに成功したデータのエラービット数が閾値Ａ未満であるが閾値Ｂ（例えばリフレッシュ閾値）を超えていれば、その検査リードのリード元ページを含んだ物理ブロックに対してリフレッシュ処理を行い、且つ、その物理ブロックを、空き物理ブロック（再使用可の物理ブロック）として管理する。つまり、この例によれば、検査リード処理においてリフレッシュ処理が行われない物理ブロックは、いずれの検査対象ページについても、検査リードに成功し、且つ、リードされたデータのエラービット数が所定の閾値以下である物理ブロックである。なお、これは、物理ブロックの管理の一例であり、検査リード処理での物理ブロックの管理は他の形態も採用できる。「リフレッシュ処理」とは、物理ブロックからデータ（特に有効データ）を読み出してエラー訂正し、エラー訂正したデータを別の物理ブロック（例えば、移動元の物理ブロックよりもＰＥ回数の少ない物理ブロック）へ移動する処理である。リフレッシュ処理により、移動元物理ブロックが割り当てられていた論理領域（例えば論理ブロック）には、移動元物理ブロックに代えて移動先物理ブロックが割り当てられる。以下の説明において、「リフレッシュ済ブロック」という言葉は、リフレッシュ処理により移動されたデータを記憶する移動先物理ブロックを意味する。なお、ＮＡＮＤ－ＦＭ３３は、追記型、すなわち、物理ページが割り当てられている論理領域がライト先の場合、ライト先論理領域（例えば論理ページ）に、割当て済の物理ページに代えて新たに空き物理ページが割り当てられ、新たに割り当てられた物理ページにデータが書き込まれる。各論理領域について、新たに割り当てられた物理ページに書き込まれたデータは「有効データ」であり、有効データが書き込まれている物理ページは「有効ページ」であり、過去に割り当てられていた物理ページに格納されているデータは「無効データ」であり、無効データが書き込まれている物理ページは「無効ページ」である。
　上述した検査リード処理が１周すると、以下のことがいえる。すなわち、リードオプション０でのリードに失敗した物理ブロックに格納されていたデータはリフレッシュ処理により別の物理ブロックに移動されているので、データのリードが成功する。検査リード処理が１周するまでは、全ての物理ブロックについてリードの成功が保証されているわけではない。検査リード処理が終了していれば、その後に行われる通常リード（同期リード）等でリトライリードを駆使する必要がない。
　このような観点から、サブ条件（ａ）が採用されている。
　＜サブ条件（ｂ）：リード元ダイにおけるいずれかのページについてアンコレクタブルエラーが発生している。＞
　エラー発生の傾向が、ダイ毎、すなわちリードオプションの設定単位毎に異なる傾向がある。例えば、同一ダイ内の物理ブロックは同様の速度で劣化する傾向にある。具体的には、例えば、ダイは、シリコンウエハから採取された（切り出された）ウエハ部分である。シリコンウエハにおける場所によって、品質が異なる。複数のダイは、BGA（Ball　Grid　Array）等の方法でパッケージングされるが、ダイは物理的に分かれており、前述の通り、物理的に異なる。ＦＭＰＫ３０に複数のダイがあるが、それら複数のダイは、ウエハから取られた部位が異なるので、特性（例えばエラー発生傾向）はバラつくことが考えられる。
　このような観点から、サブ条件（ｂ）が採用されている。すなわち、リード元ページそれ自体にはアンコレクタブルエラーが発生していなくても、リード元ページを含むダイ内でいずれかのページでアンコレクタブルエラーが発生していたら、ＦＭコントローラ３２は、オプションを変えてリードする、すなわち、デフォルトのリードオプションではなく、リード元ページを含んだダイに対応した最適リードオプションでリードする。これにより、リードオプションを変えなければ失敗する可能性が高いリードを削減できる。よって、性能が向上する。
　＜サブ条件（ｃ）：リード元ブロックが電断後のリフレッシュ済ブロックではない。＞
　電断後のリフレッシュ済ブロックは、電断後に放置された物理ブロックでは無く、故に、
最適リードオプションでリードする必要が無い。
　このような観点から、サブ条件（ｃ）が採用されている。なお、リフレッシュ処理は、検査リードに失敗した場合に加えて、通常リード（同期リード）（上位からの要求に伴い発生するリード）及びリクラメーションリード等に関しても行われてよい。
　以上が、最適オプション適用条件についての説明である。
　図４３は、最適オプション適用判定処理の流れを示す。
　ＦＭコントローラ３２は、サブ条件（ａ）が満たされているか否か、すなわち、リード元ブロック（リード元ページを含む物理ブロック）が１周目の検査リード処理において検査済みの物理ブロックか否かを判断する（Ｓ４３０１）。
　Ｓ４３０１の判断結果が真の場合（Ｓ４３０１：Ｔｒｕｅ）、ＦＭコントローラ３２は、サブ条件（ｂ）が満たされているか否か、すなわち、リード元ダイ（リード元ページを含んだダイ）のいずれかのページでアンコレクタブルエラーが発生しているか否かを判断する（Ｓ４３０２）。なお、リード元ダイのいずれかのページについて、通常リード（同期リード）、リクラメーションリード及びリフレッシュリードのうちの少なくとも１つについてアンコレクタブルエラーが発生していれば、Ｓ４３０２の判定結果が真となる。
　Ｓ４３０２の判断結果が真の場合（Ｓ４３０２：Ｔｒｕｅ）、ＦＭコントローラ３２は、サブ条件（ｃ）が満たされているか否か、すなわち、リード元ブロックが電断後のリフレッシュ済ブロックではないか否かを判断する（Ｓ４３０３）。
　Ｓ４３０３の判断結果が真の場合（リード元ブロックが電断後のリフレッシュ済ブロックではない場合）、ＦＭコントローラ３２は、更なるサブ条件（ｄ）が満たされているか否か、すなわち、リード元ブロックがオープンブロックではないか否かを判断する（Ｓ４３０４）。
　Ｓ４３０４の判断結果が真の場合（リード元ブロックがオープンブロックではない場合）、すなわち、全てのサブ条件（ａ）～（ｄ）が満たされている場合、ＦＭコントローラ３２は、最適オプション適用を決定する（Ｓ４３０５）。
　一方、Ｓ４３０１～Ｓ４３０４のうちの少なくとも１つの判断結果が偽の場合、すなわち、サブ条件（ａ）～（ｄ）のうちの少なくとも１つが満たされていない場合、ＦＭコントローラ３２は、最適オプション非適用を決定する（Ｓ４３０６）。
　最適オプション適用判定処理は、１つの観点によれば、リードがケースＡとケースＢのいずれのケースに該当するかの判定論理であるといえる。
　「ケースＡ」は、最適オプション適用を避けたいケースであり、例えば、ＰＥ回数（データの消去回数）が比較的少ない、及び、経過時間（ブロックの先頭ページにデータが書き込まれてから経過した時間）が比較的短い、のうちの少なくとも１つに該当するケースである。一方、「ケースＢ」は、最適オプション適用を行いたいケースであり、例えば、ＰＥ回数が比較的多い、及び、経過時間が比較的長い、のうちの少なくとも１つに該当するケースである。
　リードがケースＡとケースＢのいずれに該当するかを判定する理由は、以下の通りである。すなわち、ケースＡは、エラー発生の傾向がはっきりしていない、及び、最適リードオプションを適用しなくてもリードできる（検査リードでも使用されるデフォルトのリードオプション０でリードできる）可能性は高い、のうちの少なくとも１つに該当する。このため、最適リードオプションの適用を避けることが望ましい。一方、ケースＢは、エラー発生の傾向がはっきりしている、及び、デフォルトリードオプションを使用するとリードリトライが発生する可能性が高い、のうちの少なくとも１つに該当する。このため、最適リードオプションの適用が望ましい。
　例えば、電断後、検査リード処理が１周するまでの間、リード元ダイについてアンコレクタブルエラーが発生していなければ、ＰＥ回数が比較的少ないことが考えられる。電断後、経過時間が比較的長い場合に最適リードオプションが使用されるため、デフォルトのリードオプション（最初に選択すべきリードオプション）は、所定リードオプション、例えばリードオプション０に固定されている。リードオプションがリードオプション０に固定されているため、実施例１のリード成功回数管理情報４５２を使用するよりも、実施例２のように、図４１に例示した簡易的な情報を採用し、且つ、使用するリードオプションを論理により決めることは、効率がより良いと考えられる。電断後のリフレッシュ済ブロックについては、ＰＥ回数が比較的少ない及び経過時間が比較的短い、のうちの少なくとも１つに該当するため、最適リードオプション（前回成功したリードで使用したリードオプション）ではなく、デフォルトのリードオプション０が使用される。なお、電断後のリフレッシュ済ブロックは、電断後にリフレッシュ処理されていない物理ブロックと比べると、経過時間が短いといえる。ＦＭコントローラ３２は、電断前に、各物理ブロックに、電断を経た物理ブロックを意味する情報（以下、電断フラグ）を関連付けておき、物理ブロックが電断後のリフレッシュ済ブロックとなった場合には、その物理ブロックに関連付いている電断フラグを消してよい。電断フラグの有無により、各物理ブロックが電断後のリフレッシュ済ブロックか否かを判別することができる。或いは、長期電断を経過した物理ブロックかどうかを判断するために、ＦＭコントローラ３２は、電断後の物理ブロック毎に消去時刻を管理し、各物理ブロックの消去時刻から、電断を経た物理ブロックか否かを判別できる。また、電断後、検査リード処理が１周するまでの間に、アンコレクタブルエラーが発生したダイ内の物理ブロックについては、ＰＥ回数が比較的多い、及び、経過時間が比較的長い、のうちの少なくとも１つの該当する物理ブロックの候補と判断される。
　以上の構成により、実施例１のようにリード成功回数（成功カウンタ）を使用しなくても、最適リードオプションの適用が望ましいか否かを判断できる。例えば、リードがケースＢに該当する場合、リード時の状態は、エラー発生の傾向（特性の劣化の仕方の傾向）がある程度明確にわかっている状態であり、この状態であれば、最適リードオプション（前回成功したリードオプション）で成功する可能性が高い。このように、最適オプション適用判定処理と環境／オプション簡易管理情報４５０１とにより、リード成功回数（成功カウンタ）無しに、１回目のリードに成功する可能性を高くできる。
　なお、図４３の判定処理において、更なるサブ条件（ｄ）が設けられているが、サブ条件（ｄ）については、以下の通りである。
　「オープンブロック」とは、途中の物理ページまでデータが書き込まれている物理ブロック（少なくとも先頭ページにデータがライトされているが空きページが未だ残っている物理ブロック）である。例えば、１つの物理ブロックがＮ個の物理ページ（Ｎは２以上の整数）で構成されていて、Ｘページ目までデータがライトされているとする（Ｘは２以上の整数且つＮより小さい）。この場合、（Ｘ－Ｙ）ページ目～Ｘページ目（最後にデータがライトされたページから前にＹページ程度）の特性が悪くなる（エラー発生率が高くなる）傾向がある（Ｙは１以上の整数）。全ページにライト済みならこのような特性劣化は発生しない。そして、オープンブロックによる特性劣化は、ダイ全体の特性に依存するものではない。よって、ダイ内の他のブロックでリードに成功したリードオプションで成功するとは限らず、また、仮にオープンブロックから最適リードオプションでデータをリードできたとしても、ダイ内の他のブロックにも通用するとは限らない。このような観点から、リード元ブロックがオープンブロックであれば、ＦＭコントローラ３２は、最適オプション非適用と決定する。
　図４４は、実施例２に係るリード処理の流れを示す。
　ＦＭコントローラ３２は、図４３に示した最適オプション適用判定処理を行う（Ｓ４４０１）。
　Ｓ４４０１の結果、最適オプション適用が決定されたならば（Ｓ４４０１：Ｔｒｕｅ）、ＦＭコントローラ３２は、環境／オプション簡易管理情報４５０１から、リード元ダイに対応する最適リードオプションを特定し、特定した最適リードオプションを、リード元ダイについて設定する。一方、最適オプション非適用が決定されたならば（Ｓ４４０１：Ｆａｌｓｅ）、ＦＭコントローラ３２は、デフォルトのリードオプション０を、リード元ダイについて設定する。
　ＦＭコントローラは、リード元ダイについて設定されたリードオプションで、リード元ページに対するリードを行う（Ｓ４４０４）。リードに失敗した場合（Ｓ４４０５：Ｆａｌａｓｅ）、ＦＭコントローラ３２は、図４２に例示したルールに従って、リード元ダイについて設定されているリードオプションを別のリードオプションに切り替え（Ｓ４４０６）、切り替え後のリードオプションでリードを行う（Ｓ４４０４）。
　リードに成功した場合（Ｓ４４０５：Ｔｒｕｅ）、ＦＭコントローラ３２は、最適オプション適用が決定されているか否かをチェックする（Ｓ４４０７）。Ｓ４４０７のチェックの理由は、最適オプション非適用の場合、リード元ダイに対応した最適リードオプションがデフォルトのリードオプション０に書き換えられてしまうことを避けるためである。すなわち、最適オプション非適用の場合、リード成功時のリードオプションはデフォルトのリードオプション０であることがあるが、後述のＳ４４０９が行われると、リード元ダイに対応した最適リードオプションがデフォルトのリードオプション０に書き換えられてしまう。Ｓ４４０７のチェックは、そのようなことが行われてしまうことを回避するためである。Ｓ４４０７は、Ｓ４４０１の結果をチェックする処理であって、図４３の処理ではない。
　Ｓ４４０７の判定結果が真の場合（最適オプション適用の場合）（Ｓ４４０７：Ｔｒｕｅ）、ＦＭコントローラ３２は、リード成功時のリードオプションがＳ４４０２で特定した最適リードオプションと違っているか否かを判断する（Ｓ４４０８）。Ｓ４４０８の判断結果が真の場合（Ｓ４４０８：Ｔｒｕｅ）、ＦＭコントローラ３２は、リード成功時のリードオプションを、リード元ダイに対応した最適リードオプションとして、環境／オプション簡易管理情報４５０１に記録する（Ｓ４４０９）。
　Ｓ４４０７の判定結果が偽の場合（最適オプション非適用の場合）（Ｓ４４０７：Ｆａｌｓｅ）、又は、Ｓ４４０８の判断結果が偽の場合（Ｓ４４０８：Ｆａｌｓｅ）、リード処理が終了する。
　以上、幾つかの実施例を説明したが、これらは本発明の説明のための例示であって、本発明の範囲をこれらの実施例にのみ限定する趣旨ではない。本発明は、他の種々の形態でも実施することが可能である。例えば、実施例１で説明した各種ＲＲ閾値の設定、設定オプションの切り替えの頻発を防ぐためのコマンド実行制御等は、実施例２にも適用できる。また、例えば、実施例２において、サブ条件（ａ）乃至（ｄ）のうちの少なくとも１つが満たされている場合に、最適オプション適用条件が満たされているとなってもよい。また、図４３のＳ４３０１（サブ条件（ａ））については、電断後の１周目の検査リード処理が行われている期間中であっても、リード元ページがその１周目の検査リード処理での検査リードで成功済みのページであれば、Ｓ４３０１の判定結果は偽（Ｓ４３０１：Ｆａｌｓｅ）でもよい。また、例えば、ＦＭコントローラ３２は、ＦＭコントローラ３２が有するメモリの容量（管理情報を記憶できる領域の容量）が閾値以上であれば、図６に例示したリード成功回数管理情報４５２を使用した制御を行い、ＦＭコントローラ３２が有するメモリの容量が閾値未満であれば、図４１に例示した環境／オプション簡易管理情報４５０１を使用した制御を行うようにしてよい。
３００…ストレージ装置

Claims (20)

  1. 　不揮発メモリと、
    　リードオプションを用いて前記不揮発メモリに対してリードを実行するメモリコントローラと
    を有し、
    　前記不揮発メモリは、複数のメモリ領域ユニットを含み、
    　各メモリ領域ユニットが、複数のメモリ領域を含み、
    　前記メモリコントローラが、リード単位であるメモリ領域よりも大きな単位であるメモリ領域ユニット毎にリードオプションを記録した管理情報を保持し、
    　前記メモリコントローラが、
    　　リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットを特定し、
    　　前記特定したメモリ領域ユニットに対応したリードオプションを選択し、
    　　前記選択したリードオプションを用いて前記リード元メモリ領域に対するリードを実行する、
    不揮発メモリデバイス。
  2. 　前記管理情報が、複数のリード環境の各々についてリード成功回数統計を含み、
    　各リード環境は、リードの成否に影響し得る１以上のリード影響属性の値の組合せにより定義されており、
    　前記１以上のリード影響属性は、メモリ領域ユニットを含み、
    　各リード成功回数統計は、リードオプション毎のリード成功回数を表し、
    　前記メモリコントローラが、
    　　前記複数のリード環境のうちリード元メモリ領域が属するリード環境である対象リード環境を特定し、
    　　前記対象リード環境に対応したリード成功回数統計である対象統計を基に、前記複数のリードオプションのうちの尤もらしいリードオプションを選択し、
    　前記選択したリードオプションは、前記選択した尤もらしいリードオプションであり、
    　前記メモリコントローラが、リードに成功した場合、前記対象統計における、前記選択した尤もらしいリードオプションに対応するリード成功回数を増やす、
    請求項１記載の不揮発メモリデバイス。
  3. 　前記不揮発メモリは、複数のメモリチップを有し、
    　各メモリチップが、１以上のメモリ領域ユニットを有し、
    　各メモリ領域ユニットは、２以上のメモリ領域を有し、リードオプションの設定単位であり、
    　前記メモリコントローラと前記複数のメモリチップが複数のバスと複数のチップイネーブルラインに接続されており、
    　前記メモリコントローラが、リード元メモリチップに接続されているバス及びチップイネーブルラインを選択することにより前記リード元メモリチップを選択するようになっており、且つ、選択されたリードオプションと、前記リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットについて設定済のリードオプションである設定オプションが異なっていれば、前記設定オプションを、前記選択されたリードオプションに変更し、変更後の設定オプションを用いてリードを実行するようになっており、
    　各メモリ領域は、リード単位であるページであり、
    　各メモリ領域ユニットは、複数のブロックを有し、
    　各ブロックは、データ消去単位であり、複数のページを有し、
    　各ページは、ＬＳＢ（Least　Significant　bit/byte）とＭＳＢ（Most　Significant　bit/byte）のいずれかの種別に該当し、
    　前記１以上のリード影響属性は、ブロックのデータ消去回数、ブロックの先頭ページにデータが書き込まれてからの経過時間、バス、チップイネーブルライン、メモリ領域ユニット及びページ種別のうちの少なくとも１つである、
    請求項２記載の不揮発メモリデバイス。
  4. 　各メモリ領域ユニットは、奇数番のブロックを有する第１のメモリ領域サブユニットと、偶数番のブロックを有する第２のメモリ領域サブユニットとを有し、
    　前記１以上のリード影響属性は、ブロックのデータ消去回数、ブロックの先頭ページにデータが書き込まれてからの経過時間、バス、チップイネーブルライン、メモリ領域ユニット、メモリ領域サブユニット及びページ種別のうちの少なくとも１つである、
    請求項３記載の不揮発メモリデバイス。
  5. 　前記メモリコントローラが、選択されたリードオプションと、前記リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットについて設定済のリードオプションである設定オプションが異なっていれば、前記設定オプションを、前記選択されたリードオプションに変更し、変更後の設定オプションを用いてリードを実行するようになっており、
    　リードの実行は、リードコマンドの発行及び実行を含み、
    　前記メモリコントローラは、リードオプションが同一の複数のリードコマンドをリードオプション毎に連続して実行する、
    請求項１記載の不揮発メモリデバイス。
  6. 　リード要求を送信する上位装置に接続されており、
    　前記メモリコントローラは、前記上位装置からリード要求を受信し、前記リード要求に従いリードコマンドを発行及び実行し、前記リード要求に対する応答を前記上位装置に送信するようになっており、
    　リードオプション毎に連続して実行されるリードコマンドの数は、前記上位装置に対する応答時間リミットと、実行待ちリードコマンドの総数と、リードオプションの特性とに応じた数である、
    請求項５記載の不揮発メモリデバイス。
  7. 　前記メモリコントローラは、リードオプションが同一の複数のリードコマンドをリードオプション毎に管理することを、リードオプションの設定単位より大きな単位で行う、
    請求項５記載の不揮発メモリデバイス。
  8. 　前記管理情報において、メモリ領域ユニット毎に記録されているリードオプションは、そのメモリ領域ユニットからの直前回のリードに成功したときに使用されたリードオプションである最適リードオプションであり、
    　前記メモリコントローラは、リードが最適リードオプションの適用条件を満たすか否かを判定し、その判定結果が真の場合に、リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットに対応した最適リードオプションを前記管理情報から選択する、
    請求項１記載の不揮発メモリデバイス。
  9. 　前記各メモリ領域ユニットは、複数のブロックを有し、
    　各ブロックは、複数のページを有し、
    　各ページは、リード単位であるメモリ領域であり、
    　前記適用条件は、以下のサブ条件（ａ）～（ｄ）、
    （ａ）リードが、電断後の１周目の検査リード処理が行われている期間におけるリードである、又は、リード元ページが、電断後の１周目の検査リード処理での検査リードに未だ成功していないページである、
    （ｂ）リード元ページを含んだメモリ領域ユニットにおけるいずれかのページについてアンコレクタブルエラーが発生している、
    （ｃ）リード元ページを含むブロックであるリード元ブロックが電断後のリフレッシュ済ブロックではない、及び、
    （ｄ）前記リード元ブロックがオープンブロックではない、
    の少なくとも１つを満たすことであり、
    　前記検査リードとは、データのエラービット数をチェックするためのリードであり、
    　前記検査リード処理とは、全ての検査対象ページに対してそれぞれ検査リードを行う処理であり、
    　前記リフレッシュ済ブロックとは、移動元ブロックからリードされエラー訂正されたデータの移動先ブロックであり、
    　前記オープンブロックとは、途中のページまでデータが書き込まれているブロックである、
    請求項８記載の不揮発メモリデバイス。
  10. 　リードが前記適用条件を満たすとは、前記サブ条件（ａ）乃至（ｃ）の全てが満たされていることである、
    請求項９記載の不揮発メモリデバイス。
  11. 　リードが前記適用条件を満たすとは、更に前記サブ条件（ｄ）も満たされていることである、
    請求項１０記載の不揮発メモリデバイス。
  12. 　前記判定結果が偽の場合に、前記メモリコントローラは、デフォルトのリードオプションでリード元ページに対するリードを行うようになっており、
    　前記検査リードで使用されるリードオプションは、前記デフォルトのリードオプションと同じである、
    請求項９記載の不揮発メモリデバイス。
  13. 　前記メモリコントローラは、
    　　前記選択した最適リードオプションを用いたリードに失敗した場合、前記選択した最適リードオプションとは別のリードオプションでリード元メモリ領域に対するリードをリトライし、
    　　リトライしたリードに成功した場合、成功したリードで使用したリードオプションを、前記リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットに対応する最適リードオプションとして前記管理情報に記録する、
    請求項８記載の不揮発メモリデバイス。
  14. 　複数の不揮発メモリデバイスで構成されたＲＡＩＤ（Redundant　Array　of　Independent (or　Inexpensive)　Disks）グループと、
    　前記ＲＡＩＤグループを構成する各不揮発メモリデバイスにリード要求を送信するストレージコントローラと
    を有し、
    　各不揮発メモリデバイスが、不揮発メモリと、リード要求に従い前記不揮発メモリに対してリードオプションを用いてリードを実行するメモリコントローラとを有し、
    　前記不揮発メモリは、複数のメモリ領域ユニットを含み、
    　各メモリ領域ユニットが、複数のメモリ領域を含み、
    　前記メモリコントローラが、リード単位であるメモリ領域よりも大きな単位であるメモリ領域ユニット毎にリードオプションを記録した管理情報を保持し、
    　前記メモリコントローラが、
    　　リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットを特定し、
    　　前記特定したメモリ領域ユニットに対応したリードオプションを選択し、
    　　前記選択したリードオプションを用いて前記リード元メモリ領域に対するリードを実行する、
    ストレージ装置。
  15. 　前記ストレージコントローラは、複数のリード種別にそれぞれ対応した複数種類のリードリトライ回数閾値（ＲＲ閾値）を指定したコマンドである設定コマンドを、各不揮発メモリデバイスに送信し、
    　前記メモリコントローラは、前記設定コマンドを受信し、前記設定コマンドで指定されている複数種類のＲＲ閾値を記憶し、
    　前記メモリコントローラは、リードに失敗した場合、前記リード元メモリ領域に対するリードの繰り返し回数が、前記複数種類のＲＲ閾値のうちの前記リードの種別に対応した種類のＲＲ閾値未満であれば、直前回のリードオプションとは別のリードオプションを選択し、選択したリードオプションを用いて前記リード元メモリ領域に対するリードを実行する、
    請求項１４記載のストレージ装置。
  16. 　各種ＲＲ閾値は、前記ＲＡＩＤグループのＲＡＩＤ構成、前記ＲＡＩＤグループの冗長性の有無、前記ＲＡＩＤグループにおいて閉塞した不揮発メモリデバイスの数、及び、前記ＲＡＩＤグループが性能重視か否か、のうちの少なくとも１つに基づいて決まる、
    請求項１５記載のストレージ装置。
  17. 　管理端末に接続されており、
    　前記ストレージコントローラが、前記管理端末から各ＲＲ閾値を受け付けて記憶する、
    請求項１５記載のストレージ装置。
  18. 　前記設定コマンドは、更に、リードオプションの選択方針であるリードモードも指定し、
    　各メモリコントローラは、受信した設定コマンドで指定されているリードモードに従いリードオプションを選択するようになっており、且つ、前記上位装置からのリード要求に対し所定のエラーが生じた場合に所定の応答を前記ストレージコントローラに送信するようになっており、
    　前記ストレージコントローラは、前記所定の応答を受信した場合、前記受信したチェック応答の送信元のメモリコントローラに、リードモードを指定したリード要求である特殊リード要求を送信し、
    　特殊リード要求を受信したメモリコントローラは、前記設定コマンドで指定されたリードモードより前記特殊リード要求で指定されたリードモードを優先する、
    請求項１５記載のストレージ装置。
  19. 　前記ストレージコントローラは、前記所定の応答を受信した場合、前記受信したチェック応答の送信元のメモリコントローラに、前記所定の応答を受信したときの状況に応じて、前記設定コマンドと、リードモードを指定したリード要求である特殊リード要求とのいずれかを選択して送信するようになっており、
    　前記設定コマンドは、前記メモリコントローラによりリード要求の受け付けを保留することが必要とされるコマンドである、
    請求項１５記載のストレージ装置。
  20. 　前記管理情報において、メモリ領域ユニット毎に記録されているリードオプションは、そのメモリ領域ユニットからの直前回のリードに成功したときに使用されたリードオプションである最適リードオプションであり、
    　前記メモリコントローラは、リードが最適リードオプションの適用条件を満たすか否かを判定し、その判定結果が真の場合に、リード元メモリ領域を含んだメモリ領域ユニットに対応した最適リードオプションを前記管理情報から選択する、
    請求項１４記載のストレージ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111149083A (zh) * 2017-08-07 2020-05-12 铠侠股份有限公司 支持低延时操作的ssd架构
US11269549B2 (en) 2019-01-17 2022-03-08 Kioxia Corporation Storage device and command processing method

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10078448B2 (en) * 2015-07-08 2018-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic devices and memory management methods thereof
JP6677627B2 (ja) * 2016-12-20 2020-04-08 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 情報処理装置およびメモリアクセス方法
US10497447B2 (en) * 2017-06-29 2019-12-03 SK Hynix Inc. Memory device capable of supporting multiple read operations
CN109062511B (zh) * 2018-07-26 2021-12-17 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种数据读取的方法以及相关装置
KR20200043814A (ko) * 2018-10-18 2020-04-28 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
TWI690928B (zh) * 2019-01-10 2020-04-11 慧榮科技股份有限公司 改善快閃記憶體之讀取重試的方法、控制器以及相關儲存裝置
US11404131B2 (en) * 2019-07-12 2022-08-02 Micron Technology, Inc. Decision for executing full-memory refresh during memory sub-system power-on stage

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000148604A (ja) * 1998-11-12 2000-05-30 Hitachi Ltd 記憶装置の制御方法
US20110066899A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory system and related method of performing erase refresh operation
JP2011100519A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Toshiba Corp メモリシステム
JP2011238346A (ja) * 2011-06-16 2011-11-24 Sandisk Il Ltd フラッシュメモリ内のエラーから復旧するための方法
JP2013025821A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Fusion-Io Inc ソリッドステート記憶媒体に関する設定パラメーターを判定するための装置、システム、及び方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7954037B2 (en) 2005-10-25 2011-05-31 Sandisk Il Ltd Method for recovering from errors in flash memory
WO2011094454A2 (en) 2010-01-27 2011-08-04 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for determining a read voltage threshold for solid-state storage media

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000148604A (ja) * 1998-11-12 2000-05-30 Hitachi Ltd 記憶装置の制御方法
US20110066899A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory system and related method of performing erase refresh operation
JP2011100519A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Toshiba Corp メモリシステム
JP2011238346A (ja) * 2011-06-16 2011-11-24 Sandisk Il Ltd フラッシュメモリ内のエラーから復旧するための方法
JP2013025821A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Fusion-Io Inc ソリッドステート記憶媒体に関する設定パラメーターを判定するための装置、システム、及び方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111149083A (zh) * 2017-08-07 2020-05-12 铠侠股份有限公司 支持低延时操作的ssd架构
US11269549B2 (en) 2019-01-17 2022-03-08 Kioxia Corporation Storage device and command processing method

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