WO2015140004A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements Download PDF

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layer
contact structure
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Philipp SCHWAMB
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    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component
  • OLED organic light-emitting diode
  • Encapsulation layer for example one
  • TFE Dünnfilmverkapselungsschient
  • a heat spreader such as a metal plate or a metal foil, laminated to the coverslip.
  • Cover plate serves as mechanical protection as well as further
  • Moisture barrier and as the substrate is usually made of solid glass.
  • the coverslip is under the
  • Hersteilreaes usually laminated over the entire surface of the substrate.
  • the encapsulation layer is between the
  • Cover plate and the substrate formed and usually extends over the entire substrate.
  • hergesteilt and then isolated, for example by means of scribing and breaking of the substrate and the
  • the substrate and the cover plate each extend in one piece over several optoelectronic components.
  • the scribing and breaking can take place in such a way that electrical contacts for electrically contacting the electrode layers are thereby exposed or at least only the encapsulation layer and / or various intermediate layers, such as for example a
  • Adhesive layer must be removed so that the
  • electrical contacts are at least partially exposed and thus electrically contacted.
  • a mechanical, environmentally stable electrical contacting of the electrical contacts can be difficult, for example when the
  • OLEDs or organic solar cells for example in an edge region of the corresponding optoelectronic
  • Component for example, next to an optically active and / or functional area and / or on an extension of the electrode to be contacted are formed and contacted there electrically.
  • this area can be with a relatively high mechanical and / or thermal
  • Be strengthened contacts for example, be made very thick, since the requirements for the electrical contact in the edge region in comparison to the electrode in the active Range can be different. For example, lower transparency may be acceptable in the edge region.
  • the mechanical sensitivity may be reduced, for example, because a mechanical damage of the
  • electrical contact may have less impact on the operation of the optoelectronic device as a mechanical damage to the electrode in the active region, for example, if no optically functional layers are arranged under the electrical contact in the edge region.
  • Optoelectronic device lead which may require the arrangement of electrically conductive intermediate lines, such as busbars. Furthermore, the electrical contacting requires only in the edge region
  • optoelectronic component which is easy to manufacture and / or simply electrically contacted and / or in the operation simply a uniform
  • an optoelectronic device is provided.
  • Optoelectronic component has a carrier. Above the carrier, a first electrode is formed. Over the first electrode, an optically functional layer structure is formed. Over the optically functional layer structure, a second electrode is formed, which extends over at least part of the side of the optically functional layer structure which is remote from the carrier.
  • An encapsulation which encapsulates the optically functional layer structure, is formed over the second electrode.
  • An electrically contacting the first and / or second electrode is an electrically conductive
  • Contact structure and the encapsulation are designed so that they work together in the first and / or second
  • Electrode is formed, so on the first electrode, a first contact structure and on the second electrode, a further, for example, a second contact structure
  • the contact structure allows easy electrical contacting of the corresponding electrode.
  • the contact structure may be formed by one or more locally applied to the corresponding electrode electrically conductive contact elements.
  • the contact element may comprise an electrically conductive paste, an electrically conductive adhesive and / or solder.
  • the contact structure can be gently applied to the corresponding electrode, in particular so that the corresponding Electrode and / or an underlying structure is not damaged.
  • the contact structure can improve the mechanical stability of the corresponding electrode. This can help make up the optoelectronic device
  • the electrical contacting can also take place over an optically active region of the optoelectronic component, for example over the optically functional layer structure, since this is protected during the contacting of the contact structure.
  • mechanically sensitive points of the optoelectronic component can be contacted directly (for example thin electrodes in the optically active region and / or thin contact regions on a thin one)
  • the contact structure and optionally further contact structures can be arranged distributed almost freely on the corresponding electrode, for example, in the active region of the optoelectronic
  • Encapsulation of the first or second electrode may mean, for example, that the contact structure with direct physical contact closely against a wall of the
  • the first and / or second electrode and / or the organic functional layer structure are completely covered and / or protected by the encapsulation and the contact structure.
  • the contact structure thus forms an interruption of the encapsulation, it protects, however, in
  • the material of the contact structure for example, be formed similar to dense or dense than the material of the encapsulation.
  • the contact structure has a material and a material thickness such that the contact structure provides the necessary
  • the encapsulation may have an encapsulation layer and / or a cover body.
  • the encapsulation layer may be formed over, for example, on the second electrode.
  • the cover body may alternatively or in addition to the Encapsulation slide serve as encapsulation.
  • Attach the cover body serve as encapsulation.
  • the cover body serve as encapsulation.
  • the contact structure formed at least partially between the encapsulation and the first and / or second electrode, in other words, the contact structure is at least partially formed under the encapsulation and / or at least
  • the encapsulation overlaps the contact structure
  • a thickness of the contact structure may be greater than a thickness of the encapsulation.
  • the thickness can be measured in the direction perpendicular to a surface of the electrode on which the contact structure is formed.
  • the first contact element can be, for example, a solid body, for example a solid metal body
  • the second contact element can be
  • an adhesive such as an adhesive,
  • an adhesive for example, a silver adhesive, a solder and / or a
  • Conductive paste for example a silver paste.
  • a third contact element may be arranged which projects through the encapsulation and the first
  • Contact element for example, a needle-shaped
  • Optoelectronic component on a conductor pattern which is formed above, below and / or between the encapsulation and which is electrically coupled to the contact structure.
  • the printed conductor structure can have, for example, one, two or more electrically conductive printed conductors.
  • Printed track structure is used for electrically contacting the Kontak structure.
  • the printed conductor structure can be electrically coupled, for example, to an electronic circuit for operating the optoelectronic component.
  • Conductor structure is formed between the encapsulation layer and the cover body. That the Lei erbahn Quilt is formed under the encapsulation, for example, mean that the conductor track structure is formed under the cover body.
  • the adhesive layer is formed over the second electrode. For example, by means of the adhesive layer a
  • This can contribute to a particularly uniform current distribution in the optoelectronic component.
  • This can contribute to a high efficiency of the optoelectronic component.
  • the case of an OLED the
  • the carrier will be formed.
  • a first electrode is formed over the carrier.
  • Electrode is formed an optically functional layer structure.
  • a second electrode is formed over the optically functional layer structure such that the second electrode extends over at least one part of the side of the optically functional layer structure which faces away from the support.
  • On the first and / or second electrode at least a part of an electric
  • an encapsulation is formed so that the encapsulation encapsulates the optically functional layer structure, the first and / or second electrode and the contact structure.
  • Encapsulation is processed and / or the contact structure is formed so that the contact structure is an electrical conductive connection to the first and / or second
  • the first and / or second electrode is encapsulated in cooperation by the contact structure and the encapsulation.
  • Encapsulation layer is processed so that the
  • Contact structure forms the electrically conductive compound through the encapsulation layer by the
  • Encapsulation layer is released.
  • the encapsulation layer can be removed above the contact structure, for example by means of a mechanical process, for example by means of scraping or grinding, or by means of a chemical process, for example by means of etching, or by means of laser ablation.
  • Contact structure is formed so that the contact structure projects after the release of the contact structure of the encapsulation layer from the encapsulation layer.
  • the contact structure may comprise the first contact element and the second contact element, wherein the first
  • the first contact element may be a solid and the second contact element may be an adhesive, such as adhesive, conductive paste or solder.
  • the contact structure is formed on the first and / or second electrode by forming the first contact element of the contact structure on the first and / or second electrode. The encapsulation is processed this way
  • the contact structure forms the electrically conductive connection through the encapsulation by another
  • the Contact element is moved through the encapsulation until the further contact element, the first contact element physically and electrically contacted.
  • the further contact element may be, for example, the third contact element.
  • Track structure formed over the encapsulation and electrically coupled to the contact structure.
  • two, three or more of the contact structures are distributed over the electrode over the first and / or second electrodes.
  • the two, three or more contact structures may correspond, for example, to those discussed above
  • the Verkapseionne can be processed and / or the contact structures are formed so that the contact structures form the electrically conductive connections to the corresponding electrodes through the corresponding Verkapseionne.
  • Figure 1 is a sectional view of a conventional
  • Figure 2 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic device; a plan view of an embodiment of an optoelectronic device; a detailed sectional view of an embodiment of an optoelectronic
  • Figure 5 is a detailed sectional view of a
  • FIG. 6 is a detailed sectional view of
  • FIG. 8 is a detailed sectional view of
  • FIG. 12 shows exemplary embodiments of optoelectronic components during the method for producing the optoelectronic component
  • FIG. 13 is a flow chart of an embodiment of a
  • FIG. 14 shows a flow diagram of an embodiment of a part of a method for producing an optoelectronic component
  • Figure 15 is a detailed sectional view of a
  • FIG. 16 shows a sectional illustration of an exemplary embodiment of an optoelectronic component
  • FIG. 17 is a sectional view of an exemplary embodiment of an optoelectronic component
  • FIG. 18 is a sectional view of an exemplary embodiment of an optoelectronic component.
  • An optoelectronic component can be used in various ways
  • an electromagnetic radiation emitting device or an electromagnetic
  • Electromagnetic radiation absorbing device may for example be a solar cell.
  • a component emitting electromagnetic radiation can be a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as an electromagnetic radiation emitting diode, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromagnetic radiation or as organic electromagnetic radiation
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • electromagnetic radiation emitting device for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as light-emitting
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • Component generated light for example, one or more wavelength ranges, for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). For example, is below the term
  • Translucent layer in various embodiments to understand that essentially the whole in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • An electrically conductive connection can be, for example, a galvanic connection.
  • An electrically conductive material may be, for example, a galvanic material.
  • 1 shows a conventional optoelectronic component 1.
  • the conventional optoelectronic component 1 has a carrier 12, for example a substrate.
  • the carrier 12 may be translucent or even transparent.
  • On the carrier 12 is an opto-electronic
  • the optoelectronic layer structure has a first one
  • Electrode layer 14 having a first contact portion 16, a second contact portion 18 and a first
  • the second contact section 18 is connected to the first electrode 20 of the optoelectronic
  • the first electrode 20 is electrically insulated from the first contact portion 16 by means of an electrical insulation barrier 21.
  • above the first electrode 20 is an optically functional
  • Layer structure 22 for example an organic compound
  • Layer structure 22 may comprise, for example, one, two or more sub-layers, as explained in greater detail below with reference to FIG. About the optically functional
  • Layer structure 22 is a second electrode 23 of FIG.
  • the first electrode 20 serves, for example, as an anode or
  • the second electrode 23 serves corresponding to the first electrode as the cathode or anode of the optoelectronic Layer structure.
  • the first contact section 16 may also be referred to as an extension of the second electrode 23.
  • an encapsulation layer 24 of the optoelectronic layer structure is formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure.
  • Encapsulation layer 24 a first recess of the encapsulation layer 24 are formed over the first contact portion 16 and a second recess of the encapsulation layer 24 over the second contact portion 18. In the first recess of the encapsulation layer 24, a first contact region 32 is exposed and in the second recess of the
  • Encapsulation layer 24 a second contact region 34 is exposed.
  • the first contact region 32 serves for
  • the adhesive layer 36 comprises, for example, an adhesive, for example an adhesive,
  • a laminating adhesive for example, a laminating adhesive, a paint and / or a resin.
  • a laminating adhesive for example, a paint and / or a resin.
  • Cover body 38 is formed.
  • the adhesive layer 36 serves to attach the cover body 38 to the
  • the cover body 38 has
  • the cover body 38 serves to protect the conventional optoelectronic
  • the cover body 38 serves, for example, as a hermetic protection against surface moisture entry. This may mean, for example, that the cover body 38
  • a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than 10-1 g / (m2d), for example less than 10-4 g / (m 2 d), for example less than 10-10 g / (m 2 d),
  • cover body 38 for distributing and / or
  • the glass of the cover body 38 can serve as protection against external influences, and the metal rail of the cover body 38 can serve to distribute and / or dissipate the heat generated during operation of the conventional optoelectronic component 1.
  • Encapsulation layer 24 may be used as encapsulation of the
  • Encapsulation layer 24 for example, the cover body 38 as encapsulation of the conventional optoelectronic
  • the adhesive layer 36 may, for example, be applied to the encapsulation layer 24 in a structured manner. That the adhesive layer 36 is structured on the
  • Encapsulation layer 24 is applied, may mean, for example, that the adhesive layer 36 already has a predetermined structure when applied directly.
  • the adhesive layer 36 can be applied in a structured manner by means of a dispensing or printing process.
  • the conventional optoelectronic component 1 is in the first contact region 32 and the second contact region 34 sensitive to external influences, since no cover body 38 is provided in these contact areas 32, 34.
  • the conventional optoelectronic component 1 can be any conventional optoelectronic component 1.
  • Process step are exposed, for example by means of an ablation process, for example by means of
  • Fig. 2 shows a ThomasdarStellung a
  • Embodiment of an optoelectronic component 10 may, for example, largely correspond to the conventional optoelectronic component 1 explained above.
  • the optoelectronic device 10 has at least one contact structure 40, for example two or more
  • Contact structures 40 for example, three contact structures 40, on.
  • the sale of the optoelectronic component 10 is formed by the encapsulation layer 24.
  • the contact structures 40 are directly physical
  • the contact structures 40 comprise electrically conductive material and / or are made of electrically conductive material formed.
  • Contact structures 40 provide an electrically conductive, for example, galvanic, connection through the
  • Encapsulation layer 24 to the second electrode portion 23.
  • the contact structures 40 extend through the encapsulation layer 24 therethrough.
  • the contact structures 40 are at least partially in
  • the contact structures 40 at least
  • Encapsulation and the second electrode 23 may be arranged.
  • the contact structures 40 and the encapsulation encapsulate in cooperation the second electrode 23 ei. This can
  • Layer structure 22 completely covered by the encapsulation and the contact structures 40 and / or protected by this.
  • the contact structures 40 thus form an interruption of the encapsulation, they protect, in cooperation with the encapsulation, the second electrode 23 and the underneath
  • Material of the contact structures 40 for example, be made similar to dense or dense than the material of the encapsulation. In other words, the contact structures 40, a material and a material thickness such that the contact structures 40 have the necessary encapsulation effect.
  • the first contact regions 32 are formed on the contact structures 40.
  • the second contact region 34 extends over the entire width of the optoelectronic component 10. However, the second contact region 34 may also extend only over part of the optoelectronic component 10.
  • the electrically conductive material of the contact structures 40 may comprise, for example, silver, gold, platinum, nickel, tin, bismuth or copper, or an alloy comprising one or more of these materials.
  • Contact structures 40 may be formed, for example, by a solder or a silver paste.
  • the contact structures 40 may be of a thin-film metal structure, for example
  • the contact structures 40 may be formed, for example, by contact points and / or contact strips.
  • Contact structures 40 are arranged, may be in a range, for example, from 1 ⁇ to 10 mm, for example, from 10 ⁇ to 1 mm, for example, from 100 to 500 ⁇ .
  • the thickness may for example be greater than a thickness of the encapsulation layer 24.
  • the thickness of the contact structure 40 may be formed, for example, only slightly thicker than the thickness of the encapsulation layer 24. Alternatively or additionally, the thickness of the contact structure 40
  • a width or a diameter of the contact structure 40 for example in the direction parallel to the surface of the second electrode 23, on which the contact structure 40
  • Contact structures 40 are formed as contact strips, a length of the contact structures, for example in the direction parallel to the surface of the second electrode 23 on which the contact structure is arranged, and in the direction perpendicular to the width, for example in a range from the width up to 1 m, for example up to 10 cm, for example up to 1 cm, for example up to 1 mm.
  • the contact structures 40 make it possible to electrically contact the second electrode 23 directly, in particular without the second contact portion 18, through the
  • Encapsulation layer 24 this allows the optoelectronic device 10 on one of the first
  • lateral outer edge of the cover body 38 is formed flush with a lateral outer edge of the carrier 12. This can contribute to the simple design of the optoelectronic component 10, since the optoelectronic component 10 can be easily cut or sawed on the corresponding side surface in a cutting and / or sawing process. In addition, increases in this area, the stability of the optoelectronic device 10, since at the
  • the second contact section 18 is dispensed with, a larger area of the carrier 12 can be used to apply the optoelectronic layer structure with the carrier 12 of the same size.
  • the contact structures 40 may be relatively stable compared to the second electrode 23 and / or the second contact portion 18,
  • Layer structure 22 thereby being damaged, for example due to mechanical action, for example due to scratching.
  • Layer structure 22 can be achieved. This can be done in the
  • Operation of the optoelectronic component 10 is an optical appearance particularly evenly and / or a
  • Be particularly good and / or the appearance can be adjusted so that it has bright and relatively dark areas and / or brightness gradients.
  • different voltages and / or potentials can be applied
  • Encapsulation layer 24 and / or between the
  • Adhesive layer 36 and the contact structures 40 may be formed, a conductor track structure, not shown in Figure 2, via which the contact structures 40 electrically
  • FIG. 3 shows a plan view of an exemplary embodiment of an optoelectronic component 10, for example of the preceding one with reference to FIG. 2
  • contact structures 40 are distributed over the active region of the optoelectronic component 10. However, more or less contact structures 40 may also be formed.
  • the contact structures 40 are circular. Alternatively, however, the contact structures 40 may also be polygonal and / or punctiform or
  • Contact structures 40 may be formed to intersect each other, for example, to form a matrix or to have a plurality of circular, concentric stripes.
  • Fig. 4 shows a detailed sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic component 10 for example in a step during a method for producing the optoelectronic component 10.
  • Optoelectronic component 10 may be, for example largely the above optoelectronic
  • Component 10 correspond.
  • the carrier 12 is formed from an electrically conductive material, so that it is possible to dispense with the first electrode 20 and the carrier 12 acts as an electrode.
  • the current flow during operation of the optoelectronic component 10 thus takes place directly from the carrier 12 towards the optically functional layer structure
  • Carrier 12 to be hermetically sealed and as
  • the contact structure 40 is arranged and / or formed in the form of a hemispherical body on the second electrode 23.
  • the contact structure 40 is formed in the form of a contact point.
  • the contact structure 40 may, for example, a first contact element, a second
  • Contact element and / or have a third contact element For example, an electrically conductive body,
  • a metal body and / or an electrically conductive paste drop for example a
  • a second contact element can, for example, a
  • Adhesive be formed.
  • the first contact element may be fastened to the second electrode 23 by means of the second contact element, for example
  • the encapsulation layer 24 can now be formed.
  • Fig. 5 shows a detailed sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic component 10 for example in a step during a method for producing the optoelectronic component 10.
  • Optoelectronic component 10 may be, for example
  • Optoelectronic devices 10 correspond.
  • the optoelectronic component 10 may be the first electrode 20 between the carrier 12 and the optically functional
  • the contact structure 40 for electrically contacting the second electrode 23 have. Furthermore, the optoelectronic component 10 has a further contact structure 42 for electrically contacting the first electrode 20.
  • the further contact structure 42 may be formed, for example, according to an embodiment of the first contact structure 40. In particular, the further contact structure 42 may have further contact elements or be formed by these.
  • the further contact structure 42 can serve, for example, for the simple and / or safe contacting of the first electrode 20. For example, the further contact structure 42 when electrically contacting the first electrode 20 to protect them from mechanical damage.
  • Above the second electrode 23 and above or beside the second electrode 23 and above or beside the first electrode 22 have further contact elements or be formed by these.
  • the further contact structure 42 can serve, for example, for the simple and / or safe contacting of the first electrode 20.
  • the further contact structure 42 when electrically contacting the first electrode 20 to protect them from mechanical damage.
  • FIG. 6 shows a detailed sectional view of
  • the second electrode 23, the Kont kt Scheme 40 and / or the encapsulation layer 24 may, for example, according to the above-explained second electrode 23, contact structure 40 or
  • Encapsulation layer 24 may be formed.
  • FIG. 6 shows in particular a state in which the first contact structure 40 is completely covered by the encapsulation layer 24, for example, directly after the formation of the
  • Encapsulation layer 2 The formation of the contact structure 40 such that the
  • Contact structure 40 permanently resistant and / or
  • Contact structure 40 used material require heating and / or heating of the contact structure 40.
  • the heating or heating for example, at the same time in the course of
  • Encapsulation layer 24 by means of a CVD method
  • the contact structure 40 can be heated so that it hardens and / or dried.
  • the contact structure 40 points in the direction perpendicular to the surface of the second electrode 23, on which the
  • Contact structure 40 is formed, a greater thickness than the encapsulation layer 24, for example as the
  • Encapsulation layer 24 outside the contact structure 40 may contribute, for example, the electrical Connection to the second electrode 23 is easy to produce, for example, by removing the encapsulation layer 24 above the contact structure 40, for example in a grinding, scratching, ablation or etching process. Further, this may help to advance the second electrode 23
  • the further contact structure 42 it may be formed according to an embodiment of the contact structure 40.
  • FIG. 7 shows a further state of the second electrode 23, the contact structure 40 and the encapsulation layer 24 during the method for producing the optoelectronic component 10, in which the contact structure 40 comprises a first contact element 41 which is formed directly on the second electrode 23, and another contact element,
  • a third contact element 43 For example, a third contact element 43 ,.
  • the third contact element 43 has been moved through the encapsulation layer 24 until it is in direct physical contact with the first contact element 41.
  • the third third contact element 43 has been moved through the encapsulation layer 24 until it is in direct physical contact with the first contact element 41.
  • Contact element 43 is, for example, of a mandrel-shaped or needle-shaped design and has pierced encapsulation layer 42. This is a recess in the
  • Encapsulation layer 24 is formed.
  • the third contact element 43 can now remain in place for electrical contact and the electrical contact can be made via the first contact element 41 and the third contact element 43.
  • the third contact element 43 can be removed again and then the then
  • a needle contacting can be performed in which the encapsulation layer 24 is pierced with a needle, wherein the needle can be removed or used as a third contact element 43 of the contact structure 40. If the needle after piercing the
  • Encapsulation layer 24 is removed, so the resulting recess can be filled by the third contact element 43.
  • the first contact element 41 is used in the Nadelmastician as protection of the second electrode 23 and the underlying optically functional
  • the contact structure 40 allows the Nadelnapstechnik, wherein the second electrode 23 and the underlying optically functional layer structure 22 are not damaged.
  • Fig. 8 shows a detailed sectional view of
  • the contact structure 40 protrudes from the encapsulation layer 24 and has a greater thickness than that
  • Contact element 46 may be arranged, in particular the
  • the first contact element 41 is attached to the second electrode 23.
  • Electrode 23 can be arranged.
  • the second contact element 46 on the second electrode 23rd is arranged.
  • the first contact element 41 can be arranged on the second contact element 46.
  • the first contact element 41 can be arranged directly on the second electrode 23.
  • the capping rail 24 may be processed to be removed above the contact structure 40.
  • the contact structure 40 can be at least partially exposed and / or at least partially freed from the encapsulation structure 24.
  • a recess 47 may first be formed in the encapsulation layer 24, for example by means of a laser and / or by means of an etching process. The contact structure 40 can then be arranged in the recess 47 on the second electrode 23
  • FIG 9 shows an embodiment of a component composite 44 in a first state during a method for
  • Component composite 44 is suitable for producing a plurality of optoelectronic components 10.
  • the component composite 44 has the carrier 12, which may be connected to the substrate, for example
  • Previously explained support 12 may correspond, wherein the support 12 is for forming a plurality
  • the carrier 12 can thus form a carrier composite.
  • the carrier composite may be, for example, a semiconductor substrate.
  • On the support 12 is the optically functional layer structure 22nd
  • Electrode 20 may be formed.
  • the optically functional Layer structure 22 extends corresponding to the carrier 12 over a plurality of optoelectronic to be produced
  • the second electrode 23 extends corresponding to the support 12 and the optically functional layer structure 22 over a plurality of optoelectronic components 10 to be produced.
  • 10 shows a second state of the component composite 44 during the method for producing the optoelectronic component 10.
  • the optically functional layer structures 22 are each one
  • Optoelectronic component 10 separated from each other and the contact structures 40 are formed on the corresponding second electrodes 23.
  • the contact structures 40 may be prior to the separation of the optically functional
  • Electrode 23 are formed.
  • FIG 11 shows a third state of the component composite 44 during the method for producing the optoelectronic components 10, in which the encapsulation layer 24 is formed over the optically functional layer structures 22, the second electrodes 23 and the contact structures 40.
  • the encapsulation layer 24 encapsulates the optically functional layer structures 22, the second electrodes 23 and the contact structures 40. In particular, the encapsulates
  • Encapsulation layer 24 the optically functional
  • FIG. 12 shows two exemplary embodiments of optoelectronic components 10 that have been singulated, for example, from the component assembly 44 shown in FIG.
  • the contact structures 40 can be at least partially freed from the encapsulation layer 24.
  • the contact structures 40 in the encapsulation layer 24 can be exposed.
  • the contact structures 40 in the encapsulation layer 24 can be exposed.
  • Encapsulation layer 24 locally or over the entire
  • Optoelectronic device 10 are removed as far . in that the contact structures 40 protrude from the encapsulation layer 24. Alternatively, the
  • Encapsulation layers 24 are pierced, for example by means of the third explained with reference to FIG.
  • the separation of the optoelectronic components 10 may, for example, be carried out mechanically by means of cutting, sawing or punching and / or by means of a laser.
  • 13 shows a flowchart of an exemplary embodiment of a method for producing an optoelectronic component, for example one of the optoelectronic components 10 explained above. The method serves to produce the optoelectronic component 10 simply and / or cost-effectively.
  • a carrier is provided,
  • the above-explained carrier 12 for example, as a single carrier for an optoelectronic device 10 or as a carrier composite for several
  • a first electrode may optionally be formed, for example the first electrode 20 explained above.
  • Layer structure 22 may comprise a plurality of partial layers, for example optically functional layer structure units which may be formed successively and / or one above the other, as explained in more detail below with reference to FIG.
  • a second electrode for example the second electrode 23 is formed.
  • the second electrode 23 is formed over the optically functional layer structure 22.
  • a contact structure is formed, for example as explained above
  • the contact structure 40 is formed over the second electrode 23, for example directly on the second electrode 23.
  • a step S12 becomes an encapsulation layer
  • the encapsulation layer 24 is formed over the contact structure 40 and the second electrode 23.
  • the contact structure 40 is at least partially exposed and / or from the encapsulation layer 24 freed.
  • the encapsulation layer 24 may be partially or completely removed over the contact structure 40.
  • the contact structure 40 can be contacted, for example by means of the
  • a cover body can be arranged, for example the cover body 38 explained above.
  • the cover body 38 can be arranged on the encapsulation layer 24, for example by means of an adhesive, for example by means of the adhesive layer 36.
  • steps S10, S12 and S14 Steps S2 0 ; S22 and S24 are formed.
  • step S20 an encapsulation layer is formed on the second electrode 23, for example, those in FIG.
  • Encapsulation layer 24 is formed, for example, the previously explained recess 47.
  • the recess 47 for example, by means of an etching process or a laser ablation process, for example a
  • a contact structure is formed, for example as explained above
  • the contact structure 40 is in the
  • the optoelectronic component 10 may, for example, in combination with many, for example, similar
  • optoelectronic devices 10 are produced, for example in a wafer composite. Subsequently, the optoelectronic components 10 can be singulated from the composite, for example by means of mechanical separation, by means of cutting, sawing, punching, and / or by means of a laser.
  • FIG. 14 shows a flow chart of an embodiment of a part-process for manufacturing an opto-electronic device.
  • the steps S26, S28 or S30 shown in FIG. 14 may be executed instead of the steps S10, S12 or S14 or instead of the steps S20, S22 or S24 in the course of the method explained above.
  • a first contact element is formed on the second electrode portion, for example, the first contact element 41.
  • the encapsulation layer 24 becomes over the second electrode 23 and the first contact element 41
  • step S30 a third contact element becomes
  • the third contact element 43 is arranged such that it extends through the encapsulation layer 24 and thereby an electrically conductive, for example
  • the encapsulation layer 24 may be pierced or pierced by the third contact element 43 or the encapsulation splitter 24 may first be pierced or pierced and then the third contact element 43 may be arranged.
  • the contact structure 40 is formed to form an electrical connection through the encapsulation layer 24.
  • Fig. 15 shows a detailed sectional view of a layer structure of an embodiment of a
  • Optoelectronic component 10 may be formed as a top emitter and / or bottom emitter. If the optoelectronic component 10 is designed as a top emitter and bottom emitter, the optoelectronic component 10 can be referred to as an optically transparent component, for example a transparent organic light emitting diode.
  • the optoelectronic component 10 has the carrier 12 and the active region above the carrier 12. Between the carrier 12 and the active region, a first, not shown, barrier layer, for example, a first
  • An insulating layer and / or a planarization layer may be formed between the carrier 12 and the barrier layer.
  • the planarization layer may be formed on the carrier 12.
  • the insulation layer can be formed to to electrically isolate the first electrode 20 from the carrier 12.
  • the active region comprises the first electrode 20, the optically functional layer structure 22 and the second electrode 23.
  • the encapsulation layer 24 is formed over the active region.
  • the encapsulation layer 24 may serve as a second barrier layer, for example as a second barrier layer
  • the cover 38 is arranged.
  • the cover 38 can be arranged, for example, by means of an adhesive layer 36 on the encapsulation layer 24.
  • the active region is an electrically and / or optically active region.
  • the active region is, for example, the region of the optoelectronic component 10 in which
  • the part of the second electrode 23 which is disposed above the active region may also be referred to as a functional part of the second electrode 23.
  • the optically functional layer structure 22 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more intermediate layers between them
  • the carrier 12 may be translucent or transparent.
  • the carrier 12 serves as a carrier element for electronic Elements or layers, for example light-emitting elements.
  • the carrier 12 may comprise or be formed, for example, glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material.
  • the carrier 12 may be a plastic film or a
  • Laminate with one or more plastic foils Laminate with one or more plastic foils
  • the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the plastic may have one or more polyolefins. Furthermore, the
  • the carrier 12 may be a metal on or made of iron, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound,
  • the carrier 12 may be formed as a metal foil or metal-coated foil.
  • the carrier 12 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 12 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way.
  • the first electrode 20 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 20 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 20 comprises an electrically conductive material, for example metal and / or a conductive transparent oxide
  • TCO transparent conductive oxide
  • the first electrode 20 may comprise, for example, a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver film deposited on an indium-tin Oxide layer (ITO) is applied ⁇ Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • metals for example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, Korabinationen or
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide ⁇ ITO).
  • metal oxides such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide ⁇ ITO.
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3
  • ternary metal acid compounds such as AIZnO, Zn 2 SnO 4, Cd SnO 3, Zn SnO 3, Mgln 204, GalnO 3, Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures are also included
  • the first electrode 20 may comprise, as an alternative or in addition to the mentioned materials: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires. Alternatively or additionally, the first electrode 20 may be one of the mentioned materials: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires. Alternatively or additionally, the first electrode 20 may be one of the mentioned materials: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires. Alternatively or additionally, the first electrode 20 may be one of the mentioned materials: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires. Alternatively or additionally, the first electrode 20 may be one of the mentioned materials: networks of metallic nano
  • the following structures may be formed on or from iron: a network of metallic nanowires, such as Ag, combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes combined with conductive polymers, and / or graphene layers and composites.
  • the first electrode 20 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides.
  • the first electrode 20 may, for example, have a layer thickness in a range from 10 nm to 500 nra,
  • nm for example, from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the first electrode 20 can be electrically coupled to a first electrical connection, for example the first contact section 16, to which a first electrical potential can be applied.
  • the first electrical potential may be provided by a power source (not shown), such as a power source or a power source
  • Electrode 20 are indirectly fed via the carrier 12.
  • the first electrical potential may be, for example, the
  • Ground potential or another predetermined reference potential is ground potential or another predetermined reference potential.
  • the optically functional layer structure 22 may include a
  • Hole injection layer a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a hole transport layer, a
  • the Lochinj edictions slaughter can on or above the first
  • Electrode 20 may be formed.
  • the hole injection layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoOx, WOx, VOx,
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer be formed.
  • Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB ⁇ N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD
  • the punched-out layer may have a layer thickness in a range from about 5 nm to about 50 ntn,
  • nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the one or more emitter layers may be formed, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters.
  • the emitter layer may be organic polymers, organic
  • the emitter layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or organometallic
  • Iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic
  • the emitter materials may suitably be in one
  • Embedded matrix material for example one
  • the first emitter layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm
  • nm for example, in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By means of a mixing The different colors can result in the emission of light with a white color impression.
  • a converter material in the radiation path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials; NET- 18, ⁇ 2,2 " , 2" - (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole), 2- (biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) 1, 3, 4 -oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4 - (naphthalen-1-yl) -3, 5 - diphenyl-4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridined-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl-benzene; 4,7- Diphenyl-1,10-phenanthrolines (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • the electron transport layer in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example, in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example, about 20 nm.
  • Electron injection layer may be formed.
  • Electron injection layer may include or be formed from one or more of the following materials; NDN-26, gAg, Cs 2 CO 3, Cs 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1-H-benzimidazoles); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1 , 3-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-dipheny1-1,10-phenanthroline (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-dipheny1-4H 1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl- 1, 10-phenanthrolines (BP
  • Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides
  • Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides fabrics based on siloles with a
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • corresponding intermediate layers may be formed between the optical functional layer structure units.
  • the optically functional layered structure units can each individually individually according to one embodiment of the above-explained optically functional
  • Layer structure 22 may be formed.
  • the intermediate layer may be formed as an intermediate electrode.
  • Intermediate electrode can be electrically connected to an externalpulsqueile.
  • the external voltage source may, for example, a third at the intermediate electrode
  • the intermediate electrode may also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • the optically functional layer structure unit may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 10 can optionally have further functional layers, for example arranged on or above the one or more emitter layers or on or above the electron transport layer.
  • the further functional layers can be, for example, internal or external input / output coupling structures, which can further improve the functionality and thus the efficiency of the optoelectronic component.
  • the second electrode can be designed according to one of the configurations of the first electrode, wherein the first electrode 20 and the second electrode 23 is equal to or
  • the second electrode 23 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the second electrode 23 may be connected to a second electrical
  • connection for example, the second contact portion 18, be electrically coupled, to which a second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second electrical potential may be different than the first electrical potential.
  • the second electric potential may have a value such that the difference from the first electric potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 2.5V about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • the encapsulation layer 24 may also be referred to as
  • Thin-layer encapsulation may be referred to.
  • Encapsulation layer 24 may be translucent or
  • the Encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric agents, especially to water (moisture) and oxygen.
  • the encapsulation layer 24 is designed such that it can be damaged by substances which can damage the optoelectronic component, for example water,
  • Oxygen or solvent not or at most can be penetrated at very low levels.
  • Encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a layer stack, or a layered structure.
  • the encapsulation layer 24 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia,
  • the encapsulation layer 24 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • the encapsulation layer 24 may comprise a high refractive index material, for example, one or more high refractive index materials, such as one
  • the first barrier layer on the support 12 corresponding to a configuration of
  • Encapsulation layer 24 may be formed.
  • the encapsulation layer 24 can be formed, for example, by means of a suitable deposition method, for example by means of an atomic layer deposition (ALD) method, for example a plasma-assisted ALD method.
  • ALD atomic layer deposition
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • the input / outcoupling layer may have a matrix and scattering centers distributed therein, wherein the average refractive index of the coupling-in / out layer is greater than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided. Furthermore, one or more can additionally
  • the adhesive layer 36 may include, for example, adhesive and / or paint, by means of which the cover 38, for example, arranged on the encapsulation layer 24, for example glued, is.
  • the adhesive layer 36 may be transparent or translucent.
  • the Adhesive layer 36 may include, for example, particles that scatter electromagnetic radiation, for example
  • the adhesive layer 36 can act as a scattering layer and can lead to an improvement in the color angle distortion and the coupling-out efficiency.
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • Metal oxide for example silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or
  • Indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20x) aluminum oxide, or titanium oxide may also be suitable provided they have a refractive index that is different from the effective refractive index of the matrix of the adhesive layer 36
  • the adhesive layer 36 may have a layer thickness of greater than 1 pm, for example a layer thickness of several pm. In various embodiments, the adhesive may be a lamination adhesive. The adhesive layer 36 may have a refractive index that is less than the refractive index of the cover 38.
  • the adhesive layer 36 may include, for example, a
  • the adhesive layer 36 can also be a low-refractive adhesive, such as an acrylate, which has a refractive index of about 1, 3 au.
  • the adhesive layer 36 can also be a
  • the active area On or above the active area may be a so-called
  • Gettering layer or getter structure i. a laterally structured getter layer (not shown) may be arranged.
  • the getter layer can be translucent, transparent or opaque.
  • the getter layer may comprise or be formed of a material, the shock, the
  • a getter layer may include or be formed from a zeolite derivative.
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ vo, for example, a layer thickness of several ⁇ .
  • the getter layer may include a lamination adhesive or be embedded in the adhesive layer 36.
  • the cover body 38 may alternatively or additionally to the encapsulation layer 24 as encapsulation of the
  • the encapsulation of the cover 38 may be formed or the encapsulation of the cover body 38 and the
  • Encapsulation layer 24 may be formed.
  • the cover body 38 may, for example, a glass cover, a
  • Metal foil or a sealed plastic ffolien- cover be formed.
  • the covering body 38 can be produced, for example, by means of a frit connection (English: glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding) by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the optoelectronic component 10 over the
  • Encapsulation layer 24 and the active area may be arranged. In this case, on encapsulation layer 24
  • cover body 38 may, together with the frit connection, the encapsulation of the
  • the cover 38 may, for example, have a refractive index (for example at a wavelength of 633 nm) of 1.3 to 3, for example 1.4 to 2, for example 1.5 to 1.8.
  • Fig. 16 shows a sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic component 10 which may for example largely correspond to one of the above-explained optoelectronic components 10, for example, the explained with reference to Figure 2 optoelectronic component 10.
  • the optoelectronic component 10 may for example largely correspond to one of the above-explained optoelectronic components 10, for example, the explained with reference to Figure 2 optoelectronic component 10.
  • Component 10 has the covering body 38, wherein the covering body 38 extends as far as a lateral outer edge of the support 12.
  • a lateral outer edge of the cover body 38 may be flush with the lateral outer edge of the carrier 12.
  • the carrier 12 and the covering body 38 can be cut or sawn, for example, in a single cutting or sawing step.
  • the cover body 38 has a recess, in particular a first contact recess 48, which extends through the
  • Cover body 38 extends therethrough and in which the second contact region 18 is exposed and electrically contacted. Thus, the first electrode 20 is over the first one
  • FIG. 17 shows a sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic component 10 which may for example largely correspond to one of the above-explained optoelectronic devices 10, for example, the explained with reference to Figure 2 optoelectronic device 10.
  • the encapsulation of the optoelectronic device is formed by the cover body 38 and the adhesive layer 36.
  • the optoelectronic component 10 has a plurality of second contact recesses 50 of the optoelectronic component 10, which extends through the covering body 38. In the first
  • Contact recesses 40 are the contact structures 40
  • Encapsulation layer 24 are dispensed with.
  • the cover body 38 by means of the adhesive layer 36 directly to the carrier 12 and / or the second
  • the adhesive layer 36 for example, of a
  • Glass frit may be formed and / or the encapsulation may be referred to as Kavitatsverkapselung.
  • Fig. 18 shows a sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic component 10 which may for example largely correspond to one of the above-explained optoelectronic components 10, for example, the explained with reference to Figure 2 optoelectronic device 10.
  • Contacting of the contact structures 40 can, for example take place in that the Haftrr.i tel Anlagen 36 is electrically conductive.
  • the Haftrr.i tel Anlagen 36 is electrically conductive.
  • Contact structures 40 are connected to a conductor track structure and / or a wire network, which is then encapsulated with liquid adhesive.
  • the adhesive layer 36 can be joined to the cover body 38 in a still liquid state; for example, the cover body 38 can be laminated by means of the adhesive layer 36, and the adhesive layer 36 can then be cured.
  • the conductor track structure or the wire network can be
  • the conductor track structure or the wire network can be any suitable conductor track structure or the wire network.
  • Optoelectronic component 10 may be, for example, the conductor track structure or the wire network may be formed so that it does not touch the encapsulation layer 24.
  • the conductor track structure or the wire network may alternatively or in addition to the conductor track structure be formed over the cover.
  • contact structures 40 may be formed in the optoelectronic component 10.
  • the contact structures 40 can be used in all
  • Components 10 have more or less of the layers shown.
  • the optoelectronic device For example, the optoelectronic device
  • Components 10 have various functional layers, such as coupling layers, litter layers,
  • the methods shown may have more or less steps, in particular if more or fewer layers are formed accordingly. Furthermore, the methods shown may have more or less steps, in particular if more or fewer layers are formed accordingly. Furthermore, the methods shown may have more or less steps, in particular if more or fewer layers are formed accordingly. Furthermore, the methods shown may have more or less steps, in particular if more or fewer layers are formed accordingly. Furthermore, the methods shown may have more or less steps, in particular if more or fewer layers are formed accordingly. Furthermore, the
  • Embodiments are combined with each other.
  • each of the exemplary embodiments shown may have the optoelectronic layer structure according to FIG. 15.
  • both the encapsulation layer 24 and the covering body can have the recesses, in particular the second contact recesses 50, through which the contact structures 40 extend.
  • the cover body 38 may extend laterally to the laterally outer edges of the carrier 12.

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement (10) weist einen Träger (12) auf, über dem eine erste Elektrode (20) ausgebildet ist. Über der ersten Elektrode (20) ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur (22) ausgebildet. Über der optisch funktionellen Schichtenstruktur (22) ist eine zweite Elektrode (23) ausgebildet, die sich flächig über zumindest einen Teil der Seite der optisch funktionellen Schichtenstruktur (22) erstreckt, die von dem Träger (12) abgewandt ist. Über der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23) ist eine Verkapselung ausgebildet, die die optisch funktionelle Schichtenstruktur (22) einkapselt. Eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (40) ist in eine Ausnehmung der Verkapselung auf der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23) angeordnet und erstreckt sich durch die Verkapselung hindurch, zum elektrischen Kontaktieren der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23). Die Kontaktstruktur (40) und die Verkapselung sind so ausgebildet, dass sie in Zusammenwirken die erste und/oder zweite Elektrode (20, 23) einkapseln.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements . Herkömmliche optoelektronische Bauelemente, beispielsweise OLEDs, sind üblicherweise aus einem Substrat , optisch
funktionellen Schichten, beispielsweise organischen
f nktionellen Schichten, Elektrodenschichten, einer
Verkapselungsschicht , beispielsweise einer
Dünnfilmverkapselungsschient (TFE) , gegen Feuchteeinwirkung und einem Abdeckkörper, beispielsweise einer Deckplatte, aufgebaut . In vielen Fällen wird noch eine Wärmesenke
und/oder ein Wärmeverteiler, beispielsweise eine Metallplatte oder eine Metallfolie , auf das Deckglas laminiert . Die
Deckplatte dient als mechanischer Schutz sowie als weitere
Feuchtebarriere und besteht wie das Substrat in der Regel aus massivem Glas . Das Deckglas wird im Rahmen des
Hersteilprozesses üblicherweise ganzflächig auf das Substrat laminiert . Die Verkapselungsschicht ist zwischen der
Deckplatte und dem Substrat ausgebildet und erstreckt sich in der Regel über das gesamte Substrat .
Während des HerStellungsprozesses werden mehrere
optoelektronische Bauelemente im Bauelementverbund
hergesteilt und anschließend vereinzelt , beispielsweise mittels Ritzens und Brechens des Substrats und der
Deckplatte . Im Bauelement erbünd erstrecken sich das Substrat und die Deckplatte j eweils einstückig über mehrere optoelektronische Bauelemente. Das Ritzen und Brechen kann derart erfolgen, dass elektrische Kontakte zum elektrischen Kontaktieren der Elektrodenschichten dabei freigelegt werden oder zumindest nur noch die Verkapseiungsschicht und/oder diverse Zwischenschichten, wie zum Beispiel eine
Klebstoff schicht entfernt werden müssen, damit die
elektrischen Kontakte zumindest teilweise freigelegt und damit elektrisch kontaktierbar sind. Eine mechanische, umweltbeständige elektrische Kontaktierung der elektrischen Kontakte kann schwierig sein, beispielsweise wenn die
Kontaktbereiche mechanisch empfindlich sind. Ferner kann die elektrische Kontaktierung, bei der die Verkapseiungsschicht lokal beschädigt werden muss , deren Wirkung beeinträchtigen, da sie nicht mehr flächig geschlossen ist und evtl.
Verunreinigungen zwischen die Verkapseiungsschicht und de elektrischen Kontakt eindringen können. Derartige
Verunreinigungen können dann bis zu den optisch funktioneilen Schichten vordringen und diese beschädigen. Daher können die elektrischen Kontakte, beispielsweise von
OLEDs oder von organischen Solarzellen, beispielsweise in einem Randbereich des entsprechenden optoelektronischen
Bauelements, beispielsweise neben einem optisch aktiven und/oder funktionalen Bereich und/oder an einem Ausläufer der zu kontaktierenden Elektrode ausgebildet werden und dort elektrisch kontaktiert werden. In diesem Bereich kann mit einer relativ hohen mechanischen und/oder thermischen
Belastung gearbeitet werden, da keine sensiblen Schichten, beispielsweise organische funktionelle Schichten, darunter liegen. In dem Randbereich können ferner die elektrischen
Kontakte verstärkt werden, beispielsweise besonders dick ausgeführt werden, da die Anforderungen an den elektrischen Kontakt im Randbereich im Vergleich zur Elektrode im aktiven Bereich unterschiedlich sein können. Beispielsweise kann im Randbereich eine geringere Transparenz akzeptabel sein. Zudem kann die mechanische Empfindlichkeit herabgesetzt sein, beispielsweise weil eine mechanische Schädigung des
elektrischen Kontakts weniger Auswirkungen auf den Betrieb des optoelektronischen Bauelements haben kann als eine mechanische Schädigung der Elektrode im aktiven Bereich, beispielsweise wenn keine optisch funktioneilen Schichten unter dem elektrischen Kontakt im Randbereich angeordnet sind.
Eine elektrische Kontaktierung ausschließlich im Randbereich kann jedoch zu Nachteilen bei der Stromverteilung im
optoelektronischen Bauelement führen, was das Anordnen von elektrisch leitfähigen Zwischenleitungen, wie beispielsweise Busbars, erfordern kann. Ferner erfordert die elektrische Kontaktierung ausschließlich im Randbereich ein
Strukturiertes Anordnen der optisch funktionellen
Schichtenstrukturen und der Elektroden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das einfach herstellbar und/oder einfach elektrisch kontaktierbar ist und/oder bei dem im Betrieb einfach eine gleichmäßige
Stromverteilung im optoelektronischen Bauelement möglich ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
bereitgestellt, das einfach durchführbar ist und/oder das dazu beitragen kann, dass bei dem optoelektronischen
Bauelement im Betrieb einfach eine gleichmäßige
Stromverteilung im optoelektronischen Bauelement möglich ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt. Das
optoelektronische Bauelement weist einen Träger auf. Über dem Träger ist eine erste Elektrode ausgebildet. Über der ersten Elektrode ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet. Über der optisch funktionellen Schichtenstruktur ist eine zweite Elektrode ausgebildet, die sich flächig über zumindest einen Teil der Seite der optisch funktionellen Schichtenstruktur, die von dem Träger abgewandt ist,
erstreckt. Über der zweiten Elektrode ist eine Verkapselung ausgebildet, die die optisch funktionelle Schichtenstruktur einkapselt. Zum elektrischen Kontaktieren der ersten und/oder zweiten Elektrode ist eine elektrisch leitfähige
Kontaktstruktur in einer Äusnehmung der Verkapselung auf der ersten und/oder zweiten Elektrode angeordnet und erstreckt sich durch die Verkapselungsschicht hindurch. Die
Kontaktstruktur und die Verkapselung sind so ausgebildet, dass sie in Zusammenwirken die erste und/oder zweite
Elektrode einkapseln.
Falls die Kontaktstruktur auf der ersten und zweiten
Elektrode ausgebildet ist, so sind auf der ersten Elektrode eine erste Kontaktstruktur und auf der zweiten Elektrode eine weitere, beispielsweise eine zweite Kontaktstruktur
ausgebildet. Die Kontaktstruktur ermöglicht ein einfaches elektrisches Kontaktieren der entsprechenden Elektrode. Die Kontaktstruktur kann von einem oder mehreren lokal auf die entsprechende Elektrode aufgebrachten elektrisch leitfähigen Kontaktelementen gebildet sein. Beispielsweise kann das Kontaktelement eine elektrisch leitfähige Paste, einen elektrisch leitfähigen Kleber und/oder Lot aufweisen. Die Kontaktstruktur kann sanft auf die entsprechende Elektrode aufgebracht werden, insbesondere so, dass die entsprechende Elektrode und/oder eine darunter liegende Struktur nicht beschädigt wird. Die Kontaktstruktur kann die mechanische Stabilität der entsprechenden Elektrode verbessern. Dies kann dazu beitragen, dass das optoelektronische Bauelement
nachfolgend über die Kontaktstruktur besonders einfach und sicher elektrisch kontaktierbar ist . Darüber hinaus kann die elektrische Kontaktierung auch über einem optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise über der optisch funktionellen Schichtenstruktur erfolgen, da dieser beim Kontaktieren von der Kontaktstruktur geschützt wird.
Des Weiteren können mechanisch empfindliche Stellen des optoelektronischen Bauelements direkt kontaktiert werden (beispielsweise dünne Elektroden im optisch aktiven Bereich und/oder dünne Kontaktbereiche auf einer dünnen
Isolationsschicht) . Die Kontaktstruktur und gegebenenfalls weitere Kontaktstrukturen können nahezu frei verteilt auf der entsprechenden Elektrode angeordnet werden, beispielsweise auch in dem aktiven Bereich des optoelektronischen
Bauelements, so dass Spannungsverluste in der Ebene der entsprechenden Elektrode reduziert werden können und/oder die Stromverteilung in der entsprechenden Elektrode freier gestaltet werden kann. Dies kann beispielsweise dazu
beitragen, eine bessere Homogenität von Leuchtflächen und oder höhere Effizienz des optoelektronischen Bauelements zu erhalten. Dies kann dazu beitragen eine Anzahl und/oder Größe von Busbars zum Verteilen des Stroms zu reduzieren oder vollständig auf diese verzichten zu können. Durch die erhöhte Designfreiheit beim Anordnen der Kontaktstrukturen können diese mit einer kleinen Fläche ausgeführt werden, so dass eine große aktive oder Nutzfläche pro Produktionsfläche entstehen kann. Ferner können bei einem weiteren Kontaktierungsschritt , beispielsweise zum elektrischen
Kontaktieren der Kontaktstruktur, mechanisch oder chemisch belastende Prozesse verwendet werden . Dass die Kontaktstruktur und die Verkapselung in
Zusammenwirken die erste bzw. zweite Elektrode einkapseln kann beispielsweise bedeuten, dass die Kontaktstruktur mit direktem körperlichen Kontakt eng an einer Wandung der
Ausnehmung der Verkapselung anliegt , und zwar umlaufend an der gesamten Wandung , und dass die Kontaktstruktur selbst eine Teilverkapselung bildet . Die Kontaktstruktur und die Verkapselung bilden somit eine geschlossene Fläche über der ersten und/oder zweiten Elektrode und/oder über der
organischen funktionellen Schichtenstruktur . In anderen
Worten sind die erste und/oder zweite Elektrode und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur vollständig von der Verkapselung und der Kontaktstruktur bedeckt und/oder durch diese geschützt . Die Kontaktstruktur bildet somit zwar eine Unterbrechung der Verkapselung, schützt j edoch in
Zusammenwirken mit der Verkapselung die entsprechende
Elektrode und die darunter liegenden organischen
funktionellen Schichten vor den schädlichen Umwelteinflüssen . Aus diesem Grund kann das Material der Kontaktstruktur beispielsweise ähnlich dicht oder dichter ausgebildet sein als das Material der Verkapselung . In anderen Worten weist die Kontaktstruktur ein Material und eine Materialdicke derart auf , dass die Kontaktstruktur die nötige
Verkapselungswirkung ha . Die Verkapselung kann eine Verkapselungsschicht und/oder einen Abdeckkörper aufweisen . Die Verkapselungsschicht kann über, beispielsweise auf der zweiten Elektrode ausgebildet sein . Der Abdeckkörper kann alternativ oder zusätzlich zu der Verkapselungsschient als Verkapselung dienen. Beispielsweise können der Abdeckkörper und eine Haftmittelschicht zum
Befestigen des Abdeckkörpers als Verkapselung dienen. Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die
Kontaktstruktur zumindest teilweise zwischen der Verkapselung und der ersten und/oder zweiten Elektrode ausgebildet, In anderen Worten ist die Kontaktstruktur zumindest teilweise unter der Verkapselung ausgebildet und/oder zumindest
teilweise von der Verkapselung bedeckt. In wieder anderen Worten überlappt die Verkapselung die Kontaktstruktur
zumindest teilweise.
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen ragt die
Kontaktstruktur aus der Ausnehraung der Verkapselung hervor. Beispielsweise kann eine Dicke der Kontaktstruktur größer sein als eine Dicke der Verkapselung. Die Dicke kann in diesem Zusammenhang in Richtung senkrecht einer Oberfläche der Elektrode gemessen werden, auf der die Kontaktstruktur ausgebildet ist.
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Kontaktstruktur ein, zwei oder mehr Kontaktelemente auf, die jeweils elektrisch leitfähig ausgebildet sind und die
zumindest paarweise miteinander in direktem körperlichen und elektrischen Kontakt stehen. Beispielsweise weist die
Kontaktstruktur ein erstes Kontaktelement und mindestens ein zweites Kontaktelement auf, das zwischen dem ersten
Kontaktelement und der entsprechenden Elektrode angeordnet ist. Das erste Kontaktelement kann in diesem Zusammenhang beispielsweise ein Festkörper, beispielsweise ein fester Metallkörper, sein und das zweite Kontaktelement kann
beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise ein Klebstoff, beispielsweise ein Silberkleber, ein Lot und/oder eine
Leitpaste, beispielsweise eine Silberpaste, sein. Ferner kann beispielsweise ein drittes Kontaktelement angeordnet sein, das durch die Verkapselung hindurch ragt und das erste
Kontaktelement elektrisch kontaktiert. Das dritte
Kontaktelement kann beispielsweise ein nadeiförmiges
Kontaktelement sein.
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das
optoelektronische Bauelement eine Leiterbahnstruktur auf, die über, unter und/oder zwischen der Verkapselung ausgebildet ist und die mit der Kontakt truktur elektrisch gekoppelt ist. Die Leiterbahnstruktur kann beispielsweise eine, zwei oder mehr elektrisch leitfähige Leiterbahnen aufweisen. Die
Leiterbahnstruktur dient zum elektrischen Kontaktieren der Kontak struktur. Die Leiterbahnstruktur kann beispielsweise mit einem elektronischen Schaltkreis zum Betreiben des optoelektronischen Bauelements elektrisch gekoppelt sein.
Dass die Leiterbahnstruktur zwischen der Verkapselung
ausgebildet ist, kann beispielsweise bedeuten, dass die
Leiterbahnstruktur zwischen der Verkapselungsschicht und dem Abdeckkörper ausgebildet ist. Dass die Lei erbahnstruktur unter der Verkapselung ausgebildet ist, kann beispielsweise bedeuten, dass die Leiterbahnstruktur unter dem Abdeckkörper ausgebildet ist.
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die
Leiterbahnstruktur in einer Haftmittelschicht angeordnet. Die Haftmittelschicht ist über der zweiten Elektrode ausgebildet. Beispielsweise kann mittels der Haftmittelschicht ein
Abdeckkörper der Verkapselung über der zweite Elektrode und/oder gegebenenfalls über der Verkapselungsschicht
befestigt werden. Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das
optoelektronische Bauelement über der ersten und/oder zweiten Elektrode zwei , drei oder mehr der Kontaktstrukturen auf, die über der entsprechenden Elektrode verteilt angeordnet sind und die in entsprechenden Ausnehmungen der Verkapselung ausgebildet sind. Dies kann zu einer besonders gleichmäßigen Stromverteilung im optoelektronischen Bauelement beitragen . Dies kann zu einer hohen Effizienz des optoelektronischen Bauelements beitragen. Im Falle einer OLED kann die
gleichmäßige Stromverteilung zu einer gleichmäßigen
Helligkeitsverteilung beitragen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
bereitgestellt , bei dem ein Träger bereitgestellt wird.
Beispielsweise wird der Träger ausgebilde . Über dem Träger wird eine erste Elektrode ausgebildet . Über der ersten
Elektrode wird eine optisch funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet . Über der optisch funktionellen Schichtenstruktur wird eine zweite Elektrode so ausgebildet , dass die zweite Elektrode sich flächig über zumindest einen Teil der Seite der optisch funktionellen Schichtenstruktur erstreckt , die von dem Träger abgewandt ist . Auf der ersten und/oder zweiten Elektrode wird zumindest ein Teil einer elektrisch
leitfähigen Kontaktstruktur ausgebildet . Über der ersten und/oder zweiten Elektrode und der Kontaktstruktur wird eine Verkapselung so ausgebildet, dass die Verkapselung die optisch funktionelle Schichtenstruktur, die erste und/oder zweite Elektrode und die Kontaktstruktur einkapselt . Die
Verkapselung wird so bearbeitet und/oder die Kontaktstruktur wird so ausgebildet , dass die Kontaktstruktur eine elektrisch leitfähige Verbindung zu der ersten und/oder zweiten
Elektrode durch die Verkapseiung hindurch bildet.
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen wird die erste und/oder zweite Elektrode von der Kontaktstruktur und der Verkapselung in Zusammenwirken eingekapselt .
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Verkapselung die VerkapselungsSchicht auf . Die
Verkapselungsschicht wird so bearbeitet , dass die
Kontaktstruktur die elektrisch leitfähige Verbindung durch die Verkapselungsschicht hindurch bildet , indem die
Kontaktstruktur zumindest teilweise von der
Verkapselungsschicht befreit wird . Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht über der Kontaktstruktur entfernt werden, beispielsweise mittels eines mechanischen Prozesses , wie beispielsweise mittels Kratzens oder Schleifens, oder mittels eines chemischen Prozesses , beispielsweise mittels Ätzens , oder mittels Laserablatio .
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen wird die
Kontaktstruktur so ausgebildet , dass die Kontak struktur nach dem Befreien der Kontaktstruktur von der Verkapselungsschicht aus der Verkapselungsschicht hervor ragt . Alternativ oder zusätzlich kann die Kontaktstruktur das erste Kontaktelement und das zweite Kontaktelement aufweisen, wobei das erste
Kontaktelement über das zweite Kontaktelement mit der
entsprechenden Elektrode gekoppelt wird. Beispielsweis kann das erste Kontaktelement ein Festkörper sein und das zweite Kontaktelement kann ein Haftmittel , beispielsweise Klebstoff , Leitpaste oder Lot sein. Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen wird zumindest ein Teil der Kontaktstruktur auf der ersten und/oder zweiten Elektrode ausgebildet, indem das erste Kontaktelement der Kontaktstruktur auf der ersten und/oder zweiten Elektrode ausgebildet wird. Die Verkapselung wird so bearbeitet
und/oder die Kontaktstruktur wird so ausgebildet , dass die Kontaktstruktur die elektrisch leitfähige Verbindung durch die Verkapselung hindurch bildet, indem ein weiteres
Kontaktelement durch die Verkapselung bewegt wird, bis das weitere Kontaktelement das erste Kontaktelement körperlich und elektrisch kontaktiert . Das weitere Kontaktelement kann beispielsweise das dritte Kontaktelement sein .
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine
Leiterbahnstruktur über der Verkapselung ausgebildet und mit der Kontaktstruktur elektrisch gekoppelt .
Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen werden über der Elektrode zwei , drei oder mehr der Kontaktstrukturen über der ersten und/oder zweiten Elektrode verteilt angeordnet . Die zwei , drei oder mehr Kontaktstrukturen können beispielsweise korrespondierend zu der im Vorhergehenden erläuterten
Kontaktstruktur ausgebildet werden. Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen werden mehrere optoelektronische Bauelemente im Bauelementverbund
hergesteilt , wobei der Träger sich über mehrere der
optoelektronischen Bauelemente erstreckt , die optisch
funktionellen Schichtenstrukturen, die Elektroden, die
Kontaktstrukturen und die Verkapselungsschichten der
optoelektronischen Bauelemente im Bauelementverbund
ausgebildet werden und die optoelektronischen Bauelement nachfolgend vereinzelt werden . Vor oder nach dem Vereinzeln der optoelektronischen Bauelemente können die Verkapseiungen so bearbeitet werden und/oder die Kontaktstrukturen so ausgebildet werden, dass die Kontaktstrukturen die elektrisch leitfähigen Verbindungen zu den entsprechenden Elektroden durch die entsprechenden Verkapseiungen hindurch bilden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine Schnittdarstellung eines herkömmlichen
optoelektronischen Bauelements ; Figur 2 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements; eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements ; eine detaillierte Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen
Bauelements ; Figur 5 eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausf hrungsbeispiels eines optoelektronischen
Bauelements
Figur 6 eine detaillierte Schnittdarstellung von
Ausführungsbeispielen einer Elektrode, einer
Verkapselungsschicht und einer Kontaktstruktur während eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Figur 7 eine detaillierte Schnittdarstellung von
Ausführungsbeispielen einer Elektrode, einer
Verkapselungsschicht und einer Kontaktstruktur während des Verfahrens zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelements ;
Figur 8 eine detaillierte Schnittdarstellung von
Ausführungsbeispielen einer Elektrode, einer
Verkapselungsschicht und einer Kontaktstruktur während des Verfahrens zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelements ;
Figur 9 einen ersten Zustand eines Ausführungsbeispiels
eines Bauelementverbunds während eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements
Figur 10 einen zweiten Zustand des Bauelementverbunds
während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronische Bauelements ;
Figur 11 einen dritten Zustand des Bauelementverbunds
während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ;
Figur 12 Ausführungsbeispiele optoelektronischer Bauelemente während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ;
Figur 13 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines
Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ; Figur 14 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Teils eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ;
Figur 15 eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer Schichtenstruktur eines optoelektronischen Bauelements ; Figur 16 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements ,·
Figur 17 eine Schnittdarstellung eines Ausf hrungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements ;
Figur 18 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und i denen zur Veranschau1ichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungs erminologie wie etwa „oben", „unten" , „vorne", „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Ein optoelektronisches Bauelement kan in verschiedenen
Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische
Strahlung absorbierendes Bauelement sein . Ein
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausf hrungsbeispielen ein elektromagnetische S rahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode , als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein . Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot -Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED} als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine
Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen
Gehäuse .
Unter dem Begriff „ transluzent" bzw. „ transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist ,
beispielsweise für das von einem Licht emittierenden
Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche , beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff
„ transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppe11e
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 n bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Eine elektrisch leitfähige Verbindung kann beispielsweise eine galvanische Verbindung sein. Ein elektrisch leitfähiges Material kann beispielsweise ein galvanisches Material sein. Fig. 1 zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 1. Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 weist einen Träger 12, beispielsweise ein Substrat, auf. Der Träger 12 kann transluzent oder sogar transparent ausgebildet sein. Auf dem Träger 12 ist eine optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet .
Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste
Elektrodenschicht 14 auf , die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste
Elektrode 20 aufweist. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen
Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt . Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert . über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle
Schichtenstruktur 22 , beispielsweis eine organische
funktionelle Schichtenstruktur , der optoelektronischen
Schichtenstruktur ausgebildet . Die optisch funktionelle
Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine , zwei oder mehr Teilschichten aufweisen, wie weiter unten mit Bezug zu Figur 15 näher erläutert . Über der optisch funktionellen
Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 der
optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet , die
elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist . Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder
Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur . Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Der erste Kontaktabschnitt 16 kann auch als Ausläufer der zweiten Elektrode 23 bezeichnet werden.
Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten
Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. In der
Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum
elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen
Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18.
Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff,
beispielsweise einen Laminierklebstoff , einen Lack und/oder ein Harz auf. über der Haftmittelschicht 36 ist ein
Abdeckkörper 38 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der
Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 weist
beispielsweise Glas und/oder Metall auf. Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen
Bauelements 1, beispielsweise vor äußeren Einwirkungen, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen und/oder vor Umwelteinflüssen wie Feuchtigkeit oder Sauerstoff. Der Abdeckkörper 38 dient beispielsweise als hermetischer Schutz vor flächigem Feuchteeintrag. Dies kann beispielsweise bedeuten, dass der Abdeckkörper 38
beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner 10-1 g/ (m2d) , beispielsweise kleiner 10-4 g/ (m2d) , beispielsweise kleiner 10-10 g/ (m2d) ,
beispielsweise bis ungefähr 10-6 g/ (m2d) aufweisen kann.
Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder
Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen
optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschient des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen . Der Abdeckkörper 38 und/oder die
Verkapselungsschicht 24 können als Verkapselung des
herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 bezeichnet werden. Insbesondere dient bei einem Fehlen der
Verkapselungsschicht 24 beispielsweise der Abdeckkörper 38 als Verkapselung des herkömmlichen optoelektronischen
Bauelements 1.
Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise strukturiert auf die Verkapselungsschicht 24 aufgebracht werden . Dass die Haftmittelschicht 36 strukturiert auf die
Verkapselungsschicht 24 aufgebracht wird, kann beispielsweise bedeuten, dass die Haftmittelschicht 36 schon direkt beim Aufbringen eine vorgegebene Struktur aufweist . Beispielsweise kann die Haftmittelschicht 36 mitteis eines Dispens- oder Druckverfahrens strukturiert aufgebracht werden.
Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 ist in dem ersten Kontaktbereich 32 und dem zweiten Kontaktbereich 34 empfindlich gegenüber äußeren Einwirkungen, da in diesen Kontaktbereichen 32, 34 kein Abdeckkörper 38 vorgesehen ist.
Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 kann
beispielsweise aus einem Bauelementverbund vereinzelt werden, indem der Träger 12 entlang seiner in Fig. 1 seitlich
dargestellten Außenkanten geritzt und dann gebrochen wird und indem der Abdeckkörper 38 gleichermaßen entlang seiner in Fig . 1 dargestellten seitlichen Außenkante geritzt und dann gebrochen wird. Bei diesem Ritzen und Brechen wird die
Verkapselungsschicht 24 über den Kontaktbereichen 32 , 34 freigelegt . Nachfolgend können der erste Kontaktbereich 32 und der zweite Kontaktbereich 34 in einem weiteren
Verfahrensschritt freigelegt werden, beispielsweise mittels eines Ablationsprozesses , beispielsweise mittels
Laserabiation, mechanischen Kratzens oder eines
ÄtzVerfahrens ,
Fig. 2 zeigt eine SchnittdarStellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise weitgehend dem im Vorhergehenden erläuterten herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen . Im Unterschied dazu weist das optoelekt onische Bauelement 10 mindestens eine Kontaktstruktur 40 , beispielsweise zwei oder mehr
Kontaktstrukturen 40, beispielsweise drei Kontaktstrukturen 40 , auf . Die Verka seiung des optoelektronischen Bauelements 10 ist vo der Verkapselungsschicht 24 gebildet . Die Kontaktstrukturen 40 sind mit direktem körperlichem
Kontakt auf der zweiten Elektrode 23 des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet . Die Kontaktstrukturen 40 weisen elektrisch leitfähiges Material auf und/oder sind aus elektrisch leitfähigem Material gebildet. Die
Kontaktstrukturen 40 stellen eine elektrisch leitfähige, beispielsweise galvanische, Verbindung durch die
Verkapselungsschicht 24 zu dem zweiten Elektrodenabschnitt 23 dar. Beispielsweise erstrecken sich die Kontaktstrukturen 40 durch die Verkapselungsschicht 24 hindurch .
Die Kontaktstrukturen 40 sind zumindest teilweise in
Ausnehmungen der Verkapselung ausgebildet . Alternativ oder zusätzlich können die Kontaktstrukturen 40 zumindest
teilweise unter der Verkapselung und/oder zwischen der
Verkapselung und der zweiten Elektrode 23 angeordnet sein . Die Kontaktstrukturen 40 und die Verkapselung kapseln in Zusammenwirken die zweite Elektrode 23 ei . Dies kann
beispielsweise bedeuten, dass die Kontaktstrukturen 40 mit direktem körperlichen Kontakt eng an Wandungen der
Ausnehmungen der Verkapselung anliegen, und zwar umlaufend an die gesamten Wandungen, und dass die Kontaktstrukturen 40 selbst eine Teilverkapselung bilden. Die Kontak strukturen 40 und die Verkapselung bilden somit eine geschlossene Fläche über der zweiten Elektrode 23 und über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22. In anderen Worten sind die zweite Elektrode 23 und die organische funktionelle
Schichtenstruktur 22 vollständig von der Verkapselung und den Kontaktstrukturen 40 bedeckt und/oder durch diese geschützt . Die Kontaktstrukturen 40 bilden somit zwar eine Unterbrechung der Verkapselung, schützen j edoch in Zusammenwirken mit der Verkapselung die zweite Elektrode 23 und die darunter
liegende organische funktionelle Schichtenstruktur vor schädlichen Umwelteinflüssen . Aus diesem Grund kann das
Material der Kontak strukturen 40 beispielsweise ähnlich dicht oder dichter ausgebildet sein als das Material der Verkapselung . In anderen Worten weisen die Kontaktstrukturen 40 ein Material und eine Materialdicke derart auf, dass die Kontaktstrukturen 40 die nötige Verkapselungswirkung haben.
Auf den Kontaktstrukturen 40 sind die ersten Kontaktbereiche 32 ausgebildet . Der zweite Kontaktbereich 34 erstreckt sich über die gesamte Breite des optoelektronischen Bauelements 10. Der zweite Kontaktbereich 34 kann sich jedoch auch lediglich über einen Teil des optoelektronischen Bauelements 10 erstrecken .
Das elektrisch leitfähige Material der Kontaktstrukturen 40 kann beispielsweise Silber, Gold, Platin, Nickel , Zinn, Bismut oder Kupfer aufweisen oder eine Legierung, die eines oder mehrere dieser Materialien aufweis . Die
Kontaktstrukturen 40 können beispielsweise von einem Lot oder einer Silberpaste gebildet sein. Die Kontaktstrukturen 40 können beispielsweise von einer Dünnfilm-Metallstruktur
gebildet sein. Die Kontaktstrukturen 40 können beispielsweise von Kontaktpunkten und/oder Kontaktstreifen gebildet sein .
Eine Dicke der Kontaktstrukturen 40 in Richtung senkrecht zu einer Oberfläche der zweiten Elektrode 23 , auf der die
Kontaktstrukturen 40 angeordnet sind, kann in einem Bereich liegen beispielsweise von 1 μτη bis 10 mm, beispielsweise von 10 μιη bis 1 mm, beispielsweise von 100 im bis 500 μτη . Die Dicke kann beispiel weise größer sein, als eine Dicke der Verkapselungsschicht 24. Die Dicke der Kontaktstruktur 40 kann beispielsweise nur geringfügig dicker als die Dicke der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Dicke der Kontaktstruktur 40
beispielsweise 2 bis 5 mal, beispielsweise 3 bis 4 mal , dicker als die Dicke de Verkapselungsschicht und/oder der zweiten Elektrode 23 ausgebildet sein . Eine Breite oder ein Durchmesser der Kontaktstruktur 40, beispielsweise in Richtung parallel zu der Oberfläche der zweiten Elektrode 23, auf der die Kontaktstruktur 40
angeordnet ist, kann in einem Bereich liegen beispielsweise von 0,005 mm bis 10 mm, beispielsweise von 0,1 mm bis 5 mm, beispielsweise bei ungefähr 2,5 mm. Falls die
Kontaktstrukturen 40 als Kontaktstreifen ausgebildet sind, kann eine Länge der Kontaktstrukturen, beispielsweise in Richtung parallel zu der Oberfläche der zweiten Elektrode 23, auf der die Kontaktstruktur angeordnet ist, und in Richtung senkrecht zu der Breite, beispielsweise in einem Bereich liegen von der Breite bis zu 1 m, beispielsweise bis zu 10 cm, beispielsweise bis zu 1 cm, beispielsweise bis zu 1 mm.
Die Kontaktstrukturen 40 ermöglichen, die zweite Elektrode 23 direkt, insbesondere ohne den zweiten Kontaktabschnitt 18, elektrisch zu kontaktieren, und zwar durch die
VerkapselungsSchicht 24 hindurch, Dies ermöglicht, das optoelektronische Bauelement 10 auf einer von dem ersten
Kontaktabschnitt 16 abgewandten Seite der optisch
f nktioneilen Schichtenstruktur 22 mit lediglich einer
Schnittfläche auszubilden, insbesondere so, dass eine
seitliche Außenkante des Abdeckkörpers 38 bündig zu einer seitlichen Außenkante des Trägers 12 ausgebildet ist. Dies kann dazu beitragen, das optoelektronische Bauelement 10 einfach auszubilden, da das optoelektronische Bauelement 10 an der entsprechenden Seitenfläche einfach in einem Schneid- und/oder Sägeprozess geschnitten bzw., gesägt werden kann. Darüber hinaus erhöht sich in diesem Bereich die Stabilität des optoelektronischen Bauelements 10, da sich an der
entsprechenden Seite der Abdeckkörper 38 und der Träger 12 gegenseitig schützen, ähnlich wie es zentral in dem optoelektronischen Bauelement 10 der Fall ist. Ferner kann, falls auf den zweiten Kontaktabschnitt 18 verzichtet wird, bei gleich großem Träger 12 eine größere Fläche des Trägers 12 zum Aufbringen der optoelektronischen Schichtenstruktur genutzt werden.
Alternativ oder zusätzlich können die Kontaktstrukturen 40 verglichen mit der zweiten Elektrode 23 und/oder dem zweiten Kontaktabschnitt 18 relativ stabil ausgebildet sein,
beispielsweise so, dass eine elektrische Kontaktierung der Kontaktstrukturen 40 einfach möglich ist, ohne dass die darunterliegenden Schichten, insbesondere die zweite
Elektrode 23 und/oder die optisch funktionelle
Schichtenstruktur 22, dabei beschädigt werden, beispielsweise aufgrund mechanischer Einwirkung, beispielsweise aufgrund von Verkratzen.
Darüber hinaus kann durch das Anordnen mehrerer der
Kontaktstrukturen 40 nebeneinander eine gute und/oder gleichmäßige Stromverteilung über die zweite Elektrode 23 und über die Oberfläche der optisch funktionellen
Schichtenstruktur 22 erzielt werden. Dadurch können im
Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 ein optisches Erscheinungsbild besonders gleichmäßig und/oder eine
Effektivität des optoelektronischen Bauelements 10 besonders gut sein und/oder das Erscheinungsbild kann so eingestellt werden, dass es helle und dazu relativ dunkle Bereiche und/oder Helligkeitsgradienten aufweist. Beispielsweise können verschiedene Spannungen und/oder Potentiale an
verschiedene der Kontaktstrukturen 40 angelegt werden.
Dadurch ergibt sich eine gezielt inhomogene
Helligkeitsverteilung . Zwischen der Haftmittelschicht 36 und der
VerkapselungsSchicht 24, und/oder zwischen der
Haftmittelschicht 36 und den Kontaktstrukturen 40 kann eine in Figur 2 nicht dargestellte Leiterbahnstruktur ausgebildet sein, über die die Kontaktstrukturen 40 elektrisch
kontaktierbar sind . Beispielsweise kann die
Leiterbahnstruktur mit einem nicht dargestellten
elektronischen Schaltkreis , beispielsweise einer Steuer- und/oder Regeleinheit , elektrisch gekoppelt sein .
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 10 , beispielsweise des im Vorhe gehenden mit Bezug zu Figur 2 erläuterten
optoelektronischen Bauelements 10.
Aus Figur 3 geht hervor, dass bei diesem Ausführungsbeispiel sechs Kontaktstrukturen 40 über den aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements 10 verteilt angeordnet sind. Es können jedoch auch mehr oder weniger Kontaktstrukturen 40 ausgebildet sein . Die Kontaktstrukturen 40 sind kreisförmig ausgebildet . Alternativ dazu können die Kontaktstrukturen 40 j edoch auch polygonal und/oder punktförmig oder
streifenförmig ausgebildet sein. Ferner können die
Kontaktstrukturen 40 so ausgebildet sein, dass sie einander schneiden, beispielsweise so, dass sie eine Matrix bilden, oder so dass sie mehrere kreisförmige , konzentrische Streifen aufweisen.
Fig . 4 zeigt eine detaillierte Schnit darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10 , beispielsweise in einem Schritt während eines Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10. Das
optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise weitgehend dem im Vorhergehenden optoelektronischen
Bauelement 10 entsprechen. Der Träger 12 ist aus einem elektrisch leifähigen Material gebildet, so dass auf die erste Elektrode 20 verzichtet werden kann und der Träger 12 als Elektrode wirkt. Der Stromfluss während des Betriebs des optoelektronischen Bauelements 10 findet somit direkt von dem Träger 12 hin zu der optisch funktionellen Schichtenstruktur
22 oder von der optoelektronischen Schichtenstruktur 22 hin zu dem Träger 12 statt , In diesem Zusammenhang kann der
Träger 12 hermetisch dicht ausgebildet sein und als
Verkapselungsstruktur für die optoelektronische
Schichtenstruktur wirken und/oder in Zusammenwirken mit der Verkapselungsschicht 24 die optoelektronische
Schichtenstruktur einkapseln.
Die Kontaktstruktur 40 ist in Form eines halbkugelförmigen Körpers auf der zweiten Elektrode 23 angeordnet und/oder ausgebildet. Beispielsweise ist die Kontaktstruktur 40 in Form eines Kontaktpunkts ausgebildet. Die Kontaktstruktur 40 kann beispielsweise ein erstes Kontaktelement , ein zweites
Kontaktelement und/oder ein drittes Kontaktelement aufweisen. Beispielsweise kann ein elektrisch leifähiger Körper,
beispielsweise ein Metallkörper und/oder ein elektrisch leitfähiger Pastentropfen, beispielsweise ein
Silberpastentropfen, das erste Kontaktelement bilden. Ein zweites Kontaktelement kann beispielsweise von einem
Ha tmittel , insbesondere einem elektrisch leitfähigen
Haftmittel, gebildet sein. Beispielsweise kann das erste Kontaktelement mittels des zweiten Kontaktelements an der zweiten Elektrode 23 befestigt sein, beispielsweise
festgeklebt oder festgelötet sein. Über der zweiten Elektrode
23 und über der Kontaktstruktur 40 oder neben der Kontaktstruktur 40 kann nun die VerkapselungsSchicht 24 ausgebildet werden.
Fig. 5 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise in einem Schritt während eines Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10. Das
optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise
weitgehend einem der im Vorhergehenden erläuterten
optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement 10 die erste Elektrode 20 zwischen dem Träger 12 und der optisch funktionellen
Schichtenstruktur 22 aufweisen. Ferner kann das
optoelektronische Bauelement 10 die Kontaktstruktur 40 zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode 23 aufweisen. Ferner weist das optoelektronische Bauelement 10 eine weitere Kontaktstruktur 42 zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode 20 auf. Die weitere Kontaktstruktur 42 kann beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung der ersten Kontaktstruktur 40 ausgebildet sein. Insbesondere kann die weitere Kontaktstruktur 42 weitere Kontaktelemente aufweisen oder von diesen gebildet sein. Die weitere Kontaktstruktur 42 kann beispielsweise zum einfachen und/oder sicheren Kontaktieren der ersten Elektrode 20 dienen. Beispielsweise kann die weitere Kontaktstruktur 42 beim elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode 20 diese vor mechanischer Beschädigung schützen. Über der zweiten Elektrode 23 und über oder neben der
Kontaktstruktur 40 oder der weiteren Kontaktstruktur 42 kann nun die VerkapselungsSchicht 24 ausgebildet werden. Fig. 6 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung von
Ausführungsbeispielen, der zweiten Elektrode 23 der
Kontaktstruktur 40 und der Verkapselungsschicht 24 während eines Schritts eines Verfahrens zum Herstellen des
optoelektronischen Bauelements 10. Die zweite Elektrode 23, die Kont ktstruktur 40 und/oder die Verkapselungsschicht 24 können beispielsweise gemäß der im Vorhergehenden erläuterten zweiten Elektrode 23, Kontaktstruktur 40 bzw.
Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein. Figur 6 zeigt insbesondere einen Zustand, in dem die erste Kontaktstruktur 40 vollständig von der Verkapselungsschicht 24 bedeckt ist, beispielsweise direkt nach dem Ausbilden der
Verkapselungsschicht 2 . Das Ausbilden der Kontaktstruktur 40 derart, dass die
Kontaktstruktur 40 dauerhaft beständig und/oder
widerstandsf hig ist, kann abhängig von dem für die
Kontaktstruktur 40 verwendeten Material ein Erwärmen und/oder Erhitzen der Kontaktstruktur 40 erfordern. Das Erwärmen bzw. Erhitzen kann beispielsweise gleichzeitig im Zuge des
Aufbringens der Verkapselungsschicht 24 erfolgen, falls das Aufbringen der Verkapselungsschicht 24 unter erhöhter
Temperatur erfolgt. Falls beispielsweise die
Verkapselungsschicht 24 mittels eines CVD- erfahrens
ausgebildet wird, so kann dabei die Kontaktstruktur 40 derart aufgeheizt werden, dass diese aushärtet und/oder trocknet.
Die Kontaktstruktur 40 weist in Richtung senkrecht zu der Oberfläche der zweiten Elektrode 23, auf der die
Kontaktstruktur 40 ausgebildet ist, eine größere Dicke auf als die Verkapselungsschicht 24, beispielsweise als die
Verkapselungsschicht 24 außerhalb der Kontaktstruktur 40. Dies kann beispielsweise dazu beitragen, die elektrische Verbindung zu der zweiten Elektrode 23 einfach herzustellen, beispielsweise indem die Verkapselungsschicht 24 oberhalb der Kontaktstruktur 40 entfernt wird, beispielsweise in einem Schleif-, Kratz-, Ablations- oder Ätzprozess . Ferner kann dies dazu beitragen, die zweiten Elektrode 23 vor
mechanischer Beschädigung zu schützen, insbesondere beim elektrischen Kontaktieren der Kontaktstruktur 40. Falls die weitere Kontaktstruktur 42 angeordnet ist, so kann diese gemäß einer Ausgestaltung der Kontaktstruktur 40 ausgebildet sein. Die Kontaktstruktur 40 und die weitere Kontaktstruktur
42 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein.
Fig. 7 zeigt einen weiteren Zustand der zweiten Elektrode 23, der Kontaktstruktur 40 und der Verkapselungsschicht 24 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10, bei dem die Kontaktstruktur 40 ein erstes Kontaktelement 41, das direkt auf der zweiten Elektrode 23 ausgebildet ist, und ein weiteres Kontaktelement,
beispielsweise ein drittes Kontaktelement 43, aufweist. Das dritte Kontaktelement 43 wurde durch die Verkapselungsschicht 24 hindurch bewegt, bis es in direkten körperlichen Kontakt zu dem ersten Kontaktelement 41 ist. Das dritte
Kontaktelement 43 ist beispielsweise dornenförmig oder nadeiförmig ausgebildet und hat die Verkapselungsschicht 42 durchstoßen. Dadurch ist eine Ausnehmung in der
Verkapselungsschicht 24 gebildet. Das dritte Kontaktelement
43 kann nun zum elektrischen Kontaktieren an Ort und Stelle verbleiben und die elektrische Kontaktierung kann über das erste Kontaktelement 41 und das dritte Kontaktelement 43 erfolgen. Alternativ dazu kann das dritte Kontaktelement 43 wieder entfernt werden und nachfolgend kann die dann
zurückbleibende Ausnehmung in der Verkapselungsschicht 24 mit einem elektrisch leitfähigen. Material gefüllt werden, wobei das elektrisch leitfähige Material dann das dritte
Kontaktelement 43 bilden kann.
In anderen Worten kann eine Nadelkontaktierung erfolgen, bei der die Verkapselungsschicht 24 mit einer Nadel durchstoßen wird, wobei die Nadel entfernt werden kann oder als drittes Kontaktelement 43 der Kontaktstruktur 40 verwendet werden kann. Falls die Nadel nach dem Durchstoßen der
Verkapselungsschicht 24 entfernt wird, so kann die dabei entstehende Ausnehmung von dem dritten Kontaktelement 43 gefüllt werden. Das erste Kontaktelement 41 dient bei der Nadelkontaktierung als Schutz der zweiten Elektrode 23 und der darunter liegenden optisch funktionellen
Schichtenstruktur 22 vor der Nadel. Somit ermöglicht die Kontaktstruktur 40 die Nadelkontaktierung, wobei die zweite Elektrode 23 und die darunter liegende optisch funktionelle Schichtenstruktur 22 dabei nicht beschädigt werden.
Fig. 8 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung von
Ausführungsbeispielen der zweiten Elektrode 23, der
Kontaktstruktur 40 und der Verkapselungsschicht 24,
beispielsweise während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10. Die Kontaktstruktur 40 ragt aus der Verkapselungsschicht 24 hervor und weist eine größere Dicke als die
Verkapselungsschicht 24 auf. Optional kann das zweite
Kontaktelement 46 angeordnet sein, insbesondere das
Haftmittel, mittels dessen die Kontaktstruktur 40,
insbesondere das erste Kontaktelement 41 an der zweiten Elektrode 23 befestigt ist. Im Vorfeld kann die Kontaktstruktur 40 auf der zweiten
Elektrode 23 angeordnet werden. Beispielsweise kann das zweite Kontaktelement 46 auf der zweiten Elektrode 23
angeordnet werden und das erste Kontaktelement 41 kann auf dem zweiten Kontaktelement 46 angeordnet werden. Alternativ dazu kann das erste Kontaktelement 41 direkt auf der zweiten Elektrode 23 angeordnet werden. Die Verkap3elungsschient 24 kann beispielsweise so bearbeitet werden, dass sie über der Kontaktstruktur 40 entfernt ist. In anderen Worten kann die Kontaktstruktur 40 zumindest teilweise freigelegt werden und/oder zumindest teilweise von der Verkapselungsstruktur 24 befreit werden. Alternativ dazu kann zunächst eine Ausnehmung 47 in der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet werden, beispielsweise mittels eines Lasers und/oder mittels eines Ätzverfahrens. Die Kontaktstruktur 40 kann danach in der Ausnehmung 47 auf der zweiten Elektrode 23 angeordnet
und/oder ausgebildet werden.
Fig. 9 zeigt ein Ausführungsbeis iel eines Bauelementverbunds 44 in einem ersten Zustand während eines Verfahrens zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 10. Der
Bauelementverbund 44 eignet sich zum Herstellen mehrerer optoelektronischer Bauelemente 10, Der Bauelementverbund 44 weist den Träger 12 auf, der beispielsweise zu dem im
Vorhergehenden erläuterten Träger 12 korrespondieren kann, wobei der Träger 12 sich zum Ausbilden mehrerer
optoelektronischer Bauelemente 10 eignet. Der Träger 12 kann somit einen Trägerverbund bilden. Der Trägerverbund kann beispielsweise ein Halbleitersubstrat sein. Auf dem Träger 12 ist die optisch funktionelle Schichtenstruktur 22
ausgebildet. Optional kann zwischen dem Träger 12 und der optisch funktionellen Schichtenstruktur 22 die erste
Elektrode 20 ausgebildet sein. Die optisch funktionelle Schichtenstruktur 22 erstreckt sich korrespondierend zu dem Träger 12 über mehrere herzustellende optoelektronische
Bauelemente 10. Über der optisch funktionellen
Schichtenstruktur 22 ist die zweite Elektrode 23 ausgebildet, Die zweite Elektrode 23 erstreckt sich korrespondierend zu dem Träger 12 und der optisch funktionellen Schichtenstruktur 22 über mehrere herzustellende optoelektronische Bauelemente 10 hinweg. Fig. 10 zeigt einen zweiten Zustand des Bauelementverbunds 44 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10, Bei dem Bauelementverbund 44 sind die optisch funktionellen Schichtenstrukturen 22 für je ein
optoelektronisches Bauelement 10 voneinander getrennt und die Kontaktstrukturen 40 sind auf den entsprechenden zweiten Elektroden 23 ausgebildet. Die Kontaktstrukturen 40 können vor dem Äbtrennen der optisch funktionellen
Schichtenstrukturen 22 oder nach dem Abtrennen der optisch funktionellen Schichtenstrukturen 22 auf der zweiten
Elektrode 23 ausgebildet werden.
Fig. 11 zeigt einen dritten Zustand des Bauelementverbunds 44 während des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Bauelemente 10, bei dem die Verkapselungsschicht 24 über den optisch funktionellen Schichtenstrukturen 22, den zweiten Elektroden 23 und den Kontaktstrukturen 40 ausgebildet ist. Die Verkapselungsschicht 24 kapselt die optisch funktionellen Schichtenstrukturen 22, die zweiten Elektroden 23 und die Kontakt trukturen 40 ein. Insbesondere kapselt die
Verkapselungsschicht 24 die optisch funktionellen
Schichtenstrukturen 22, die zweiten Elektroden 23 und die Kontaktstrukturen 40 in Zusammenwirken mit dem Träger 12 ein. Fig. 12 zeigt zwei Ausführungsbeispiele optoelektronischer Bauelemente 10, die beispielsweise aus dem in Figur 11 gezeigten Bauelementverbund 44 vereinzelt wurden. Nachfolgend können die Kontaktstrukturen 40 zumindest teilweise von der Verkapselungsschicht 24 befreit werden. Beispielsweise können die Kontaktstrukturen 40 in der Verkapselungsschicht 24 freigelegt werden. Beispielsweise kann die
Verkapselungsschicht 24 lokal oder über dem gesamten
optoelektronischen Bauelement 10 soweit abgetragen werden., dass die Kontaktstrukturen 40 aus der Verkapselungsschicht 24 hervorstehen. Alternativ dazu können die
Verkapselungsschichten 24 durchbohrt werden, beispielsweise mittels der mit Bezug zu Figur 7 erläuterten dritten
Kontaktelemente 43 der Kontaktstrukturen 40.
Das Vereinzeln der optoelektronischen Bauelemente 10 kann beispielsweise mechanisch erfolgen mittels Schneidens, Sägens oder Stanzens und/oder mittels eines Lasers. Fig. 13 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, beispielsweise eines der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10. Das Verfahren dient dazu, das optoelektronische Bauelement 10 einfach und/oder kostengünstig herzustellen.
In einem Schritt S2 wird ein Träger bereitgestellt,
beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterte Träger 12, beispielsweise als Einzelträger für ein optoelektronisches Bauelement 10 oder als Trägerverbund für mehrere
optoelektronische Bauelemente 10. In einem Schritt S4 kann optional eine erste Elektrode ausgebildet werden, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte erste Elektrode 20. In einem Schritt S6 wird eine optisch funktionelle
Schichtenstruktur ausgebildet., beispielsweise die im
Vorhergehenden erläuterte optisch funktionelle
Schichtenstruktur 22, Die optisch funktionelle
Schichtenstruktur 22 kann mehrere Teilschichten aufweisen, beispielsweise optisch funktionelle Schichtenstruktur- Einheiten, die nacheinander und/oder übereinander ausgebildet werden können, wie im Folgenden mit Bezug zu Figur 15 näher erläutert . In einem Schritt S8 wird eine zweite Elektrode ausgebildet, beispielsweise die zweite Elektrode 23, Die zweite Elektrode 23 wird über der optisch funktionellen Schichtenstruktur 22 ausgebildet . In einem Schritt SI0 wird eine Kontaktstruktur ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte
Kontaktstruktur 40, Die Kontaktstruktur 40 wird über der zweiten Elektrode 23, beispielsweise direkt auf der zweiten Elektrode 23 ausgebildet.
In einem Schritt S12 wird eine Verkapselungsschicht
ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte Verkapselungsschicht 24. Die Verkapselungsschicht 24 wird über der Kontaktstruktur 40 und der zweiten Elektrode 23 ausgebildet.
In einem Schritt S14 wird die Kontaktstruktur 40 zumindest teilweise freigelegt und/oder von der Verkapselungsschicht 24 befreit. Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht 24 über der Kontaktstruktur 40 teilweise oder vollständig entfernt werden . Optional kann in einem Schritt S16 die Kontaktstruktur 40 kontaktiert werden, beispielsweise mittels der im
Vorhergehenden erläuterten Leiterbahnstruktur.
In einem Schritt S18 kann ein Abdeckkörper angeordnet werden, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterte Abdeckkörper 38. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise mit Hilfe eines Haftmittels auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet werden, beispielsweise mitteis der Haftmittelschicht 36. Alternativ zu den Schritten S10, S12 und S14 können Schritte S2 0 ; S22 und S24 ausgebildet werden.
In dem Schritt S20 wird eine Verkapselungsschicht auf der zweiten Elektrode 23 ausgebildet, beispielsweise die im
Vorhergehenden erläuterte Verkapselungsschicht 24.
In einem Schritt S22 wird eine Ausnehmung in der
Verkapselungsschicht 24 ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte Ausnehmung 47. Die Ausnehmung 47 kann beispielsweise mittels eines Ätzverfahrens oder eines Laserabtragungsverfahrens, beispielsweise eines
Laserablationsverfahrens, ausgebildet werden.
In einem Schritt S24 wird eine Kontaktstruktur ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte
Kontaktstruktur 40. Die Kontaktstruktur 40 wird in der
Ausnehmung 47 auf der zweiten Elektrode 23 ausgebildet. Nachfolgend kann das Verfahren in den Schritten S16 und/oder SIS weitergeführt werden.
Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise im Verbund mit vielen beispielsweise gleichartigen
optoelektronischen Bauelementen 10 hergestellt werden, beispielsweise in einem Waferverbund . Nachfolgend können die optoelektronischen Bauelemente 10 aus dem Verbund vereinzelt werden, beispielsweise mittels mechanischen Vereinzeins, mittels Schneidens, Sägens, Stanzens, und/oder mittels eines Lasers .
Fig. 14 zeigt ein Ablaufdiagramm eines AusführungsbeiSpiels eines Teilverf hrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Beispielsweise können die in Figur 14 gezeigten Schritte S26, S28 bzw. S30 anstatt der Schritte S10, S12 bzw. S14 oder anstatt der Schritte S20, S22 bzw. S24 im Zuge des im Vorhergehenden erläuterten Verfahrens abgearbeitet werden. In dem Schritt S26 wird ein erstes Kontaktelement auf dem zweiten Elektrodenabschnitt ausgebildet, beispielsweise das erste Kontaktelement 41.
In dem Schritt S28 wird die Verkapselungsschicht 24 über der zweiten Elektrode 23 und dem ersten Kontaktelement 41
ausgebildet .
In dem Schritt S30 wird ein drittes Kontaktelement
angeordnet, beispielsweise das dritte Kontaktelement 43. Das dritte Kontaktelement 43 wird derart angeordnet, dass es sich durch die Verkapselungsschicht 24 hindurch erstreckt und dadurch eine elektrisch leitfähige, beispielsweise
galvanische, Verbindung durch die Verkapselungsschicht 24 hindurch hin zu der zweiten Elektrode 23 bildet.
Beispielsweise kann die Verkapselungs Schicht 24 mittels des dritten Kontaktelements 43 durchbohrt oder durchstoßen werden oder die Verkapselungsschient 24 kann zuerst durchbohrt oder durchstoßen werden und dann kann das dritte Kontaktelement 43 angeordnet werden. Somit wird die Kontaktstruktur 40 derart ausgebildet, dass sie eine elektrische Verbindung durch die Verkapselungsschicht 24 hindurch bildet. Fig. 15 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung einer Schichtstruktur eines Ausführungsbeispiels eines
optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise des
optoelektronischen Bauelements 10, wobei die Kontaktstruktur 40 in dieser Detailansicht nicht dargestellt ist. Das
optoelektronische Bauelement 10 kann als Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter ausgebildet sein. Falls das optoelektronische Bauelement 10 als Top-Emitter und Bottom-Emitter ausgebildet ist, kann das optoelektronische Bauelement 10 als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Das optoelektronische Bauelement 10 weist den Träger 12 und den aktiven Bereich über dem Träger 12 auf. Zwischen dem Träger 12 und dem aktiven Bereich kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste
Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Zwischen Träger 12 und Barriereschicht kann eine Isolierungsschicht und/oder eine Planarisierungsschicht ausgebildet sein, Falls beispielsweise eine Oberfläche des Trägers 12 zu rau zum Ausbilden der ersten Elektrode 20 ist, so kann die Planarisierungsschicht auf dem Träger 12 ausgebildet werden, Falls beispielsweise der Träger elektrisch leitfähig ausgebildet ist, so kann beispielsweise die Isolierungsschicht ausgebildet werden, um die erste Elektrode 20 von dem Träger 12 elektrisch zu isolieren. Optional kann eine einzige Schicht mit der
Doppelfunktion von Planarisieren und Isolieren ausgebildet sein. Ferner kann die entsprechende Schicht lateral, also parallel zu den anderen Schichten, strukturiert sein. Der aktive Bereich weist die erste Elektrode 20, die optisch funktionelle Schichtenstruktur 22 und die zweite Elektrode 23 auf. Über dem aktiven Bereich ist die Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite
Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Über dem aktiven
Bereich und gegebenenfalls über der Verkapselungsschicht 24, ist die Abdeckung 38 angeordnet. Die Abdeckung 38 kann beispielsweise mittels einer Haftmittelschicht 36 auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet sein.
Der aktive Bereich ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 10, in dem
elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen
Bauelements 10 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Der Teil der zweiten Elektrode 23, der über dem aktiven Bereich angeordnet ist, kann auch als funktionaler Teil der zweiten Elektrode 23 bezeichnet werden.
Die optisch funktionelle Schichtenstruktur 22 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichten zwischen den
Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen.
Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein
Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststo ffolien
aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine aufweisen . Ferner kann der
Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen . Der Träger 12 kann ein Metall auf eisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung ,
beispielsweise Stahl . Der Träger 12 kann als Metallfolie oder metallbeschichtete Folie ausgebildet sein . Der Träger 12 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden . Der Träger 12 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein .
Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf , beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid
(transparent conductive oxide , TCO) oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalls oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombina ion einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine Silberschich , die auf einer Indium-Zinn- Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist {Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten.
Als Metali kann beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Korabinationen oder
Legierungen dieser Materialien verwendet werden.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid { ITO) . Neben binären Metallsauerstoff- Verbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder In203 gehören auch ternäre Metallsäuerstoff erbindungen, wie beispielsweise AIZnO , Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03, Zn2In205 oder In4Sn3012 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs .
Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff -Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten . Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 20 eine der
folgenden Strukturen auf eisen oder daraus gebildet sein : ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind, ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind und/oder Graphen-Schichten und Komposite . Ferner kann die erste Elektrode 20 elektrisch leitf hige Polymere oder Übergangsmetalloxide aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nra,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 20 kann mit einem ersten elektrischen Anschluss , beispielsweise dem ersten Kontaktabschnitt 16, elektrisch gekoppelt sein, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle (nicht dargestellt) bereitgestellt werden, beispielsweise von einer Stromquelle oder einer
Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische
Potential an den Träger 12 angelegt sein und der ersten
Elektrode 20 über den Träger 12 mittelbar zugeführt werden . Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das
Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Die optisch funktionelle Schichtenstruktur 22 kann eine
Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht , eine
Emitterschicht, eine ElektronentransportSchicht und/oder eine Elektronenin ektionsschicht aufweisen .
Die Lochinj ektionsschicht kann auf oder über der ersten
Elektrode 20 ausgebildet sein. Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu (I) pFBz , MoOx, WOx, VOx,
ReOx, F4-TC Q, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 2 -yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N,N ' -bis (phenyl) -benzidin) Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N* -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N( N ' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl - fluoren) ; D FL-NPB (N, ' -Bis (naphthalen- 1-yl ) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyi-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylaraino) - 9,9 1 -spirobifluoren) ; 9, 9 -Bis [4- (N, -bis-biphenyl-4 -yl - amino) phenyl] -9H-fluoren; 9 , 9 -Bis [4 - (N, N-bis -naphthalen- 2 -yl - amino) henyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N ' -bis-naphthalen-2 - yl-Ν,Ν1 -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor; Ν,Ν'
bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin; 2 , 7 Bis [N, Eibls ( 9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9 , 9-spiro-bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9 , 9-spiro-bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, N- ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan; 2, 2', 7, 7' tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra- naphthalen-2 -yl-benzidin .
Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm. Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann die
LochtransportSchicht ausgebildet sein . Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB {N, N ' - Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2 -yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -N,N« -bis (phenyl) -spiro) ; D FL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N 1 -bis (phenyi) -9,9- dimethyl-f luoren) ,· DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' - bis (phenyi) -9, 9 -dimethyl- f luoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyi) -9, 9 -diphenyl-fluoren) ; DPFL- PB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyi) -9, 9-diphenyl- fluoren) Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9, 9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9 -Bis [4- (N, -bis-biphenyl-4 -yl- amino) phenyi] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, -bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyi] - 9H- fluoren; 9, 9-Bis [4- (N,N* -bis-naphthalen-2- yl-N,N' -bis -phenyi -amino) -phenyi] -9H~fluor; Ν,Ν'
bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, N ' -bis (phenyi) -benzidin; 2 , 7-Bis [N,N- bis (9 , 9-spiro-bif luorene-2-yl) -amino] - 9 , 9 -spiro-bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9 , 9-spiro-bifluoren; 2,2' -Bis (Ν,Ν-di-phenyl-amino) 9 , 9 - spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N- ditolyl-amino) -phenyi] cyclohexan; 2,2' ,7,7' -tetra (N, N-di- tolyl) amino- spiro-bif luoren; und N, N, ' , N ' tetra-naphthalen- 2 -yl -benzidin.
Die Locht ansportSchicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 ntn,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der LochtransportSchicht kann die eine oder mehrere Emitterschichten ausgebildet sein, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern . Die Emitterschicht kann organische Polymere, organische
Oligomere , organische Monomere , organische kleine, nicht - polymere Moleküle („ small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen . Die Emitterschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometal 1 ische
Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5 -substituiertes Poly-p- phenylenvinyien) sowie Metallkomplexe , beispielsweise
Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic
{Bis (3, 5-difluoro-2- (2 -pyridyl ) henyl - (2 -carboxypyridy1 ) - iridium III) , grün phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2- phenylpyridin) iridium III) , rot phosphoreszierendes u (dtb- bpy) 3*2 { PF6 ) (Tris [4 , 4 ' -di- tert-butyl- (2,2' ) - bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4 -Bis [4 - (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA (9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4 - Dicyanomethylen) -2- ethyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem
Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem
Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid, oder einem Silikon.
Die erste Emitterschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren . Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kan die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahiengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Auf oder über der Emitterschicht kann die
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein; NET- 18 ,· 2,2«, 2" - (l, 3 , 5-Benzinetriyl) -tris (1- phenyl-l-H-benzimidazole) ; 2- ( -Biphenylyl ) -5- (4-tert- butylphenyl) -1,3, 4 -oxadiazole , 2 , 9-Dimethyl-4 , 7 -diphenyl - 1 , 10- phenanthro1ine (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4 - (Naphthalen-l-yl) -3, 5 -diphenyl -4H- 1 , 2 , 4-triazole; 1 , 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 5 -ylj benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl-5 - tert-butylphenyl-1, 2 , 4 -triazoie ; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl - 9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl) -anthracene ; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9 , 9 -dimethylfluorene ; 1 , 3-Bis [2- ( -tert -butylphenyl) -1, 3 , 4 -oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2 -yl) -4 , 7 -diphenyl- 1 , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7 -diphenyl- 1, 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6 -trimethyl - 3 - (pyridin-3-yl) phenyl) borane ; 1-methyl- 2- (4 - (naphthalen- 2 -yl) henyl) -IH-imidazo [4,5- f] [1,10] phenanthrolin; Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ,- Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide ; Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.. Auf oder über der Elektronentransportschicht kann die
Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein; NDN-26, gAg, Cs2C03, Cs3P04, Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF; 2, 2', 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1 -phenyl -1-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl) -5- ( 4 - tert-butylphenyl ) - 1,3, -oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7 -dipheny1-1 , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4 - (Naphthalen- 1 -yl ) -3 , 5 -dipheny1-4H-1 , 2 , 4-triazole; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl - 5 - tert -butylphenyl - 1 , 2 , 4-triazole ; Bis (2 -methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo-2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl-9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2 - (2,2'- bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] - 9 , 9-dimethylfluorene ; 1 , 3 -Bis [2 - (4 - ert-butylphenyl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen- 2 -y1 ) -4, 7 -diphenyl - 1 , 10-phenanthroline ; 2 , 9- Bis (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7- diphenyl- 1, 10-phenanthroline ;
Tris (2,4, 6 - trimethyl - 3 - (pyridin-3 -yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) - lH-imidazo [4,5- f] [1,10] phenanthroline ; Phenyl -dipyrenylphosphine o ide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide ; Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit , Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm, Bei einer optisch funktionellen Schichtenstruktur 22 mit zwei oder mehr optisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten können entsprechende Zwischenschichten zwischen den optischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten ausgebildet sein. Die optisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten können jeweils einzeln für sich gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optisch funktionellen
Schichtenstruktur 22 ausgebildet sein. Die Zwischenschicht kann als eine Zwischenelektrode ausgebildet sein. Die
Zwischenelektrode kann mit einer externen Spannungsqueile elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode beispielsweise ein drittes
elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode kann jedoch auch ein keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
Die optisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 pm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 pm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Das optoelektronische Bauelement 10 kann optional weitere funktionale Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der Elektronentransportschicht . Die weiteren funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Ein-/Auskoppelstrukturen sein, die die Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 10 weiter verbessern können, Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder
unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 23 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein . Die zweite Elektrode 23 kann mit einem zweiten elektrischen
Anschluss , beispielsweise dem zweiten Kontaktabschnitt 18, elektrisch gekoppelt sein, an den ein zweites elektrisches Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential .
Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungef hr 2 , 5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als
Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die
Verkapselungsschicht 24 kann als transluzente oder
transparente Schicht ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. In anderen Worten ist die Verkapselungsschicht 24 derart ausgebildet, dass sie von Stoffen, die das optoelektronische Bauelement schädigen können, beispielsweise Wasser,
Sauerstoff oder Lösemittel, nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Die
Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein SchichtStapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein.
Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,
Titanoxid,, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid,
Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Die Verkapselungsschicht 24 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm.
Die Verkapselungsschicht 24 kann ein hochbrechendes Material aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem
Brechungsindex von 1,5 bis 3, beispielsweise von 1,7 bis 2,5, beispielsweise von 1,8 bis 2. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der
Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann beispielsweise mittels eines geeigneten AbscheideVerfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines AtomlagenabscheideVerfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , z.B. eines piasmaunterstützten
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition ( PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren .
Gegebenen alls kann eine Ein- oder AuskoppelSchicht
beispielsweise als externe Folie (nicht dargestellt) auf dem Träger 12 oder als interne AuskoppelSchicht (nicht
dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein . Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /AuskoppelSchicht größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht , aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird . Ferner können zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten ausgebildet sein.
Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Klebstoff und/oder Lack aufweisen, mittels dessen die Abdeckung 38 beispielsweise auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet , beispielsweise aufgeklebt , ist . Die Haftmittelschicht 36 kann transparent oder transluzent ausgebildet ein . Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise
Iichtstreuende Partikel . Dadurch kann die Haftmittelschicht 36 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder
Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftmittelschicht 36
verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtst euende Partikel vorgesehen sein. Die Haftmittelschicht 36 kann eine Schichtdicke von größer als 1 pm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren pm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff ein Laminations- Klebstoff sein. Die Haftmittelschicht 36 kann einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 38. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise einen
niedrigbrechenden Klebstoff aufweisen, wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungs index von ungefähr 1 , 3 au weist . Die Haftmittelschicht 36 kann j edoch auch einen
hochbrechenden Klebstoff aufweisen der beispielsweise
hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen schientdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der optisch
funktionellen Schichtenstruktur 22 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,6 bis 2,5, beispielsweise 1,7 bis ungefähr 2,0.
Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine sogenannte
Getter- Schicht oder Getter-Struktur, d.h. eine lateral strukturierte Getter- Schicht , (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter- Schicht kann transluzent , transparent oder opak ausgebildet sein . Die Getter- Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Sto fe , die
schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet . Eine Getter-Schicht kann beispielsweise ein Zeolith- Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter- Schicht kann eine Schichtdicke vo größer als ungefähr 1 μιτι aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μτη. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der Haftmittelschicht 36 eingebettet sein .
Der Abdeckkörper 38 kann alternativ oder zusätzlich zu der Verkapselungsschicht 24 als Verkapselung des
optoelektronischen Bauelements 10 dienen . Beispielsweise kann die Verkapselung von dem Abdeckkörper 38 gebildet sein oder die Verkapselung kann von dem Abdeckkörper 38 und der
Verkapselungsschicht 24 gebildet sein . Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise von einer Glasabdeckung , einer
Metallfolie oder einer abgedichteten Kunststof ffolien- Abdeckung gebildet sein. Beispielsweise kann Abdichtung der Kunststofffolienabdeckung gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten Verkapselungsschicht 24
ausgebildet sein. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des optoelektronischen Bauelements 10 über der
VerkapselungsSchicht 24 bzw. dem aktiven Bereich angeordnet sein. In diesem Fall kann auf Verkapselungsschicht 24
verzichtet werden und der Abdeckkörper 38 kann zusammen mit der Fritten-Verbindung die Verkapselung des
optoelektronischen Bauelements 10 bilden. Die Abdeckung 38 kann beispielsweise einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1 , 3 bis 3 , beispielsweise 1 , 4 bis 2, beispielsweise 1,5 bis 1 , 8 aufweisen.
Fig. 16 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10 , das beispielsweise weitgehend einem der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen kann, beispielsweise dem mit Bezug zu Figur 2 erläuterten optoelektronischen Bauelement 10. Das optoelektronische
Bauelement 10 weist den Abdeckkörper 38 auf , wobei sich der Abdeckkörper 38 bis hin zu einer seitlichen äußeren Kante des Trägers 12 erstreckt . Beispielsweise kann eine seitliche äußere Kante des Abdeckkörpers 38 bündig mit der seitlichen äußeren Kante des Trägers 12 sein. In diesem Zusammenhang können der Träger 12 und der Abdeckkörper 38 beispielsweise in einem einzigen Schneid- oder Sägeschritt geschnitten bzw. gesägt werden.
Der Abdeckkörper 38 weist eine Ausnehmung, insbesondere eine erste Kontaktausnehmung 48 , auf , die sich durch den
Abdeckkörper 38 hindurch erstreckt und in der der zweite Kontaktbereich 18 freigelegt und elektrisch kontaktierbar ist . Somit ist die erste Elektrode 20 über die erste
Kontaktausnehmung 48 elektrisch kontaktierbar . Fig. 17 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10 , das beispielsweise weitgehend einem der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen kann, beispielsweise dem mit Bezug zu Figur 2 erläuterten optoelektronischen Bauelement 10. Die Verkapselung des optoelektronischen Bauelements ist von dem Abdeckkörper 38 und der Haftmittelschicht 36 gebildet . Das optoelektronische Bauelement 10 weist mehrere zweite Kontaktausnehmungen 50 des optoelektronischen Bauelements 10 auf , die sich durch den Abdeckkörper 38 hindurch erstrecke . In den ersten
Kontaktausnehmungen 40 sind die Kontaktstrukturen 40
ausgebildet und/oder angeordnet , und zwar derart , dass die zweite Elektrode 23 über die Kontaktstrukturen 40 in den zweiten Kontaktausnehmungen 50 elektrisch kontaktierbar ist .
Bei diesem Ausführungsbeispie1 kann optional auf die
Verkapselungsschicht 24 verzichtet werden. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 mittels der Haftmittelschicht 36 direkt mit dem Träger 12 und/oder dem zweiten
Kontaktabschnitt 18 verbunden sein . In diesem Zusammenhang kann die Haftmittelschicht 36 beispielsweise von einer
Glasfritte gebildet sein und/oder die Verkapselung kann als Kavitatsverkapselung bezeichnet werden.
Fig. 18 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend einem der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen kann, beispielsweise dem mit Bezug zu Figur 2 erläuterten optoelektronischen Bauelement 10. Eine elektrische
Kontaktierung der Kontaktstrukturen 40 kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass die Haftrr.i telschicht 36 elektrisch leitend ausgebildet wird. Beispielsweise können die
Kontaktstrukturen 40 mit einer Leiterbahnstruktur und/oder einem Drahtnetzwerk verbunden werden, das anschließend mit flüssigem Kleber umgössen wird. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise in noch flüssigem Zustand mit dem Abdeckkörper 38 verbunden werden, beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 mittels der Haftmittelschicht 36 auflaminiert werden und die Haftmittelschicht 36 kann anschließend ausgehärtet werden. Die Leiterbahnstruktur bzw. das Drahtnetzwerk kann
beispielsweise mit zwei oder mehr der Kontaktstrukturen 40 elektrisch verbunden sein und/oder besonders selbsttragend ausgebildet sein. Eine Dicke von Drähten der
Leiterbahnstruktur bzw. des Drahtnetzwerks kann
beispielsweise in einem Bereich liegen von 10 μτη bis 200 um. Die Leiterbahnstruktur bzw. das Drahtnetzwerk kann
beispielsweise ausschließlich an den Kontaktstrukturen 40 in direkter körperlicher Verbindung mit dem Rest des
optoelektronischen Bauelements 10 sein, beispielsweise kann die Leiterbahnstruktur bzw. das Drahtnetzwerk so ausgebildet sein, dass sie die Verkapselungsschicht 24 nicht berührt. Die Leiterbahnstruktur bzw. das Drahtnetzwerk kann alternativ oder zusätzlich zu der Leiterbahnstruktur über der Abdeckung ausgebildet sein.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können bei dem optoelektronischen Bauelement 10 mehr oder weniger der gezeigten Kontaktstrukturen 40 ausgebildet sein. Ferner können die Kontaktstrukturen 40 bei allen
Ausführungsbeispielen einstückig, zweistückig oder
mehrstückig ausgebildet sein. Ferner können die
Kontaktstrukturen 40 andere Formen als die gezeigten Formen aufweisen. Darüber hinaus können die optoelektronischen
Bauelemente 10 mehr oder weniger der gezeigten Schichten aufweisen. Beispielsweise können die optoelektronischen
Bauelemente 10 diverse funktionelle Schichten aufweisen, beispielsweise Auskoppelschichten, Streuschichten,
Fokussierschichten, Planarisierungsschichten etc. Ferner können die gezeigten Verfahren mehr oder weniger Schritte aufweisen, insbesondere falls entsprechend mehr oder weniger Schichten ausgebildet sind. Ferner können die
Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden .
Beispielsweise kann jedes der gezeigten Ausführungsbeispiele die optoelektronische Schichtenstruktur gemäß Figur 15 aufweise . Ferner können sowohl die Verkapselungsschicht 24 als auch der Abdeckkörper die Ausnehmungen, insbesondere die zweiten Kontaktausnehmungen 50 , aufweisen, durch die sich die Kontaktstrukturen 40 erstrecken . Ferner kann bei allen
Ausführungsbeispielen die elektrische Kontaktierung der ersten Elektrode 20 über die erste Kontaktausnehmung 48 in dem Abdeckkörper 38 erfolgen und/oder bei allen
Ausführungsbeispielen kann sich der Abdeckkörper 38 seitlich bis hin zu den seitlich äußeren Kanten des Trägers 12 erstrecken.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (10) , mit
- einem Träger (12) ,
- einer ersten Elektrode (20) , die über dem Träger ausgebildet ist,
- einer optisch funktionellen Schichtenstruktur (22) , die über der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist,
- einer zweiten Elektrode (23) , die über der optisch funktionellen Schichtenstruktur {22} ausgebildet ist und die sich flächig über zumindest einen Teil der Seite der optisch funktionellen Schichtenstruktur (22) erstreckt, die von dem Träger (12) abgewandt ist,
- einer Verkapselung (24) , die über der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23) ausgebildet ist und die die optisch funktionelle Schichtenstruktur (22) einkapselt, und
- einer elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (40) , die in einer Ausnehmung der Verkapselung auf der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23) angeordnet ist und die sich durch die Verkapselung hindurch erstreckt, zum elektrischen
Kontaktieren der ersten und/oder zweiten Elektrode (23),
wobei die Kontaktstruktur (40) und die Verkapselung so ausgebildet sind, dass sie in Zusammenwirken die erste und/oder zweite Elektrode (20, 23) einkapseln.
2. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 1, bei dem die Kontaktstruktur (40) zumindest teilweise zwischen der Verkapselung und der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23) ausgebildet ist.
3. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktstruktur (40) aus der Ausnehmung der Verkapselung hervor ragt.
4. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktstruktur (40) ein, zwei oder mehr Kontaktelemente aufweist, die jeweils
elektrisch leitfähig ausgebildet sind und die zumindest paarweise miteinander in direktem körperlichen und
elektrischen Kontakt stehen.
5. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, das eine Leiterbahnstruktur aufweist, die über, unter und/oder zwischen der Verkapselung
ausgebildet ist und die mit der Kontaktstruktur (40)
elektrisch gekoppelt ist.
6. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 5, bei dem die Leiterbahnstruktur in einer Haftmittelschicht (36) angeordnet ist, wobei die Haftmittelschicht (36) über der zweiten Elektrode (23) ausgebildet ist.
7. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, das über der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23} zwei, drei oder mehr der Kontaktstrukturen (40) aufweist, die über der ersten und/oder zweiten Elektrode (20, 23) verteilt angeordnet sind und die in entsprechenden Ausnehmungen der Verkapselung ausgebildet sind.
8. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements (10) , bei dem
- ein Träger (12) bereitgestellt wird,
- eine erste Elektrode (20) über dem Träger (12)
ausgebildet wird,
- eine optisch funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20) ausgebildet wird, - eine zweite Elektrode (23 ) über der optisch
funktionellen Schichtenstruktur (22) so ausgebildet wird, dass die zweite Elektrode (23 } sich flächig über zumindest einen Teil der Seite der optisch funktionellen
Schichtenstruktur (22) erstreckt, die von dem Träger ( 12 ) abgewandt ist,
- zumindest ein Teil einer elektrisch leitfähigen
Kontaktstruktur (40) auf der ersten und/oder zweiten
Elektrode (20 , 23 ) ausgebildet wird,
- eine Verkapselung über der ersten und/oder zweiten
Elektrode (23) und der Kontaktstruktur (40) so ausgebildet wird, dass die Verkapselung die optisch funktionelle
Schichtenstruktur (22 ) , die erste und/oder zweite Elektrode (20 , 23 ) und die Kontak struktur (40) einkapselt ,
- die Verkapselung so bearbeitet wird und/oder die
Kontaktstruktur (40) so ausgebildet wird, dass die
Kontaktstruktur (40) eine elektrisch leitfähige Verbindung zu der ersten und/oder zweiten Elektrode (20 , 23 ) durch die Verkapselung hindurch bildet .
9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die erste und/oder zweite Elektrode (20 , 23 ) von der Kontaktstruktur (40) und der Verkapselung in Zusammenwirken eingekapselt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, bei dem die Verkapselung eine Verkapselungsschient (24) aufweist, die so bearbeitet wird, dass die Kontaktstruktur (40) die elektrisch leitfähige Verbindung durch die Verkapselungsschicht (2 ) hindurch bilde , indem die Kontaktstruktur (40) zumindest teilweise von der Verkapselungsschicht (24 ) befreit wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10 , bei dem die Kontaktstruktur (40) so ausgebildet wird, dass die Kontaktstruktur (40) nach dem Befreien der Kontaktstruktur (40) von der
Verkapselungsschicht (24) aus der VerkapselungsSchicht (24) hervor ragt .
12, Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, bei dem zumindest ein Teil der Kontaktstruktur (40) auf der ersten und/oder zweiten Elektrode (23) ausgebildet wird, indem ein erstes Kontaktelement (41) der Kontaktstruktur (40) auf der ersten und/oder zweiten Elektrode (23) ausgebildet wird, und bei dem die Verkapselung so bearbeitet wird, dass die
Kontaktstruktur (40) die elektrisch leitfähige Verbindung durch die Verkapselung hindurch bildet, indem ein weiteres Kontaktelement (43) der Kontaktstruktur (40) durch die
Verkapselung bewegt wird, bis das weitere Kontaktelement (43) das erste Kontaktelement (41) körperlich und elektrisch kontaktiert .
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, bei dem eine Leiterbahnstruktur über der Verkapselung ausgebildet wird und mit der Kontaktstruktur (40) elektrisch gekoppelt wird,
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, bei dem über der ersten und/oder zweiten Elektrode (23) zwei, drei oder mehr der Kontaktstrukturen (40) über der ersten und/oder zweiten Elektrode (23) verteilt angeordnet werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, bei dem mehrere optoelektronische Bauelemente (10) im
Bauelement erbünd (44) hergestellt werden, wobei der Träger (12) sich über mehrere der optoelektronischen Bauelemente (10) erstreckt, die optisch funktionellen Schichtenstrukturen (22), die Elektroden (20, 23), die Kontaktstrukturen (40) und die Verkapselungen der optoelektronischen Bauelemente (10) Bauelementverbund (44) ausgebildet werden und die
optoelektronischen Bauelement (10) nachfolgend vereinzelt werden .
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