WO2015135908A1 - Optoelectronic component and method for the production thereof - Google Patents

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WO2015135908A1
WO2015135908A1 PCT/EP2015/054907 EP2015054907W WO2015135908A1 WO 2015135908 A1 WO2015135908 A1 WO 2015135908A1 EP 2015054907 W EP2015054907 W EP 2015054907W WO 2015135908 A1 WO2015135908 A1 WO 2015135908A1
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optoelectronic
ptfe
silicone
coating
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Kathy SCHMIDTKE
Martin Brandl
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 5.
  • An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This task is performed by an optoelectronic component with the
  • a further object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 5.
  • An optoelectronic component includes a Silikonkör ⁇ by, in an optoelectronic semiconductor chip is embedded.
  • the silicone body has a coating comprising PTFE.
  • the PTFE-containing coating of the silicone body reduces stickiness of the surface of the silicone body.
  • the risk of adhesion of dirt on the surface of the silicon body can partake of legally be reduced before ⁇ .
  • the likelihood that silicone bodies of a plurality of optoelectronic devices adhere to one another can be reduced. This improves the handling of the optoelectronic ⁇ African component.
  • the silicone body forms an optical lens.
  • the optical lens can be used for focusing and beam-forming by beam emitted by the optoelectronic component electromagnetic radiation ⁇ shear.
  • the silicon body comprising PTFE, a tackiness of a Au ⁇ z Structure of the optical lens is advantageously reduced.
  • the optoelectronic component of the silicone body has embedded wellenhavertie ⁇ Rende particles.
  • the wavelength-converting particles embedded in the silicone body can serve to convert a wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component.
  • the wavelength-converting particles embedded in the silicone body of the optoelectronic component can be provided to convert electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip into the light of a wavelength from the ultraviolet or blue spectral range into white light.
  • the silicone body per the optoelectronic component thus causes a volume conversion.
  • the embedded into the silicone body of the optoelectronic component wavelength converting particles can, for example, by sedimentation or by electrophoretic deposition, also be arranged chipnah to cause a chip near Konvertie ⁇ tion.
  • the PTFE coating having the Si ⁇ likon stressess advantageously reduces a tackiness of the surfaces of the wavelength-Silikonkör- pers.
  • the optoelectronic semiconductor chip is arranged on a carrier.
  • the carrier can also serve for electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip.
  • a method for producing an optoelectronic component comprises steps for arranging an optoelectronic semiconductor chip on a carrier, for embedding the optoelectronic semiconductor chip in a silicone body, and for coating the silicone body with a coating comprising PTFE.
  • a stickiness of the surface of the silicone body ⁇ be reduced.
  • the probability of dirt adhering to the surface of the silicone body of the optoelectronic component obtainable by the method can advantageously be reduced.
  • the risk that the silicone body of a plurality of optoelectronic components adhere to each other can be advantageously reduced. This makes it possible to handle advantageously well the obtainable by the process optoelectronic Bauele ⁇ ment.
  • the loading ⁇ layers of silicone body is carried out by immersion in a bath.
  • the process step can be characterized perform for a variety of optoelectronic devices simultaneously, allowing a quick and hereby adoptedgüns ⁇ term implementation of the method.
  • the loading ⁇ layers of silicone body is done by a spray method.
  • this is a parallel through ⁇ execution of the process step for a plurality optoelekt ⁇ ronischer components enables the same time. As a result, the process can be carried out with little time and expense.
  • the coating is produced from a solution having a PTFE-based Me ⁇ thoxysilan.
  • the PTFE-based methoxysilane can form a firm bond with the surface of the Silikonkör ⁇ pers of the optoelectronic device.
  • the PTFE-based methoxysilane can form a covalent bond with functional groups on the surface of the silicone body, in particular with OH groups on the surface of the silicone body.
  • the coating formed from the PTFE-based methoxysilane can form a PTFE layer on its outer side, which has a GE ⁇ geninate the original surface of the silicon body reduced stickiness.
  • the solution comprises a fluorinated solvent, and is between 0.01 weight percent and 1 weight percent ⁇ a PTFE based on methoxy silane.
  • the solution may comprise 0.1 weight percent of the PTFE-based methoxysilane.
  • ⁇ advantage adhesive enough, such concentration has been found to be suitable for generation of a stickiness-reducing coating of the silicone body.
  • the solution comprises a PTFE-based methoxy-trisilane.
  • the use of a PTFE-based methoxy-trisilane has been found to be particularly suitable for the formation of a the stickiness of the silicone body reducing coating proved.
  • the silicone body is formed by compression molding.
  • this allows a simple and inexpensive Massenpro ⁇ production.
  • this comprises a further step of dividing the carrier by one
  • the method thereby enables pa ⁇ rallele production of a plurality of optoelectronic components in common operations.
  • the optoelectronic components manufactured in parallel presented are initially in a composite (benefits) and can only be isolated at ⁇ closing. Due to the parallel processing of the plurality of optoelectronic components, the production costs per individual optoelectronic component can advantageously be reduced.
  • the silicone body is also parted during the dicing of the carrier.
  • the cut surfaces resulting from the division of the silicone body can subsequently be reduced in their tackiness by coating with the PTFE-containing coating.
  • the silicone body is coated before and after the cutting of the silicone body with a coating comprising PTFE. ⁇ advantageous way legally is ensured that all relevan ⁇ th surfaces of the silicone body with a stickiness-reducing coating to be coated.
  • this egg ⁇ NEN further step comprises of arranging a wavelength converting member on the optoelectronic semiconductor chip.
  • the wavelength-converting element can also be embedded in the silicone body.
  • the wel ⁇ lenauernkonvert Schlierende element may serve to convert a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the available by the process of the optoelectronic component electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of a different wavelength.
  • white light can be generated from electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range.
  • FIG. 1 shows a sectional side view of a carrier with optoelectronic semiconductor chips arranged thereon;
  • FIG. 2 shows a sectional side view of the carrier with wavelength-converting elements arranged on the optoelectronic semiconductor chips
  • FIG. 3 shows a sectional side view of the carrier after embedding the optoelectronic semiconductor chips in silicone body
  • FIG. 5 is a side sectional view of the carrier with egg ⁇ ner formed on a surface of the silicone body coating.
  • Fig. 6 is a sectional side view of a number formed by cerium ⁇ share of the carrier optoelectronic components; 7 is a sectional side view of a lead frame with laminated back sheet;
  • Figure 8 is a sectional side view of the carrier with up as ⁇ arranged optoelectronic semiconductor chips.
  • FIG. 10 shows a sectional side view of the carrier after the embedding of the carrier and the optoelectronic semiconductor chips in a silicone body
  • FIG. 11 is a sectional side view of the silicone body after removal of the backsheet
  • FIG. 12 is a sectional side view of the arranged on a Trä ⁇ gerfolie and divided silicone body.
  • FIG. 14 shows a sectional side view of a plurality of optoelectronic components formed from the divided silicone bodies.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional side view of a carrier 110.
  • the carrier 110 may be formed, for example, as a ceramic carrier.
  • the carrier 110 is formed as a substantially flat disc and has a
  • electric Kunststoffflä ⁇ surfaces and electrical circuits can be provided, which can also be connected via formed in the carrier 110 through ⁇ contacts with each other optionally.
  • the electrical contact surfaces and conductor tracks may be formed, for example, as metallizations.
  • a plurality of optoelectronic semiconductor chips 120 is arranged.
  • the optoelectronic semiconductor chip 120 may be formed beispielswei ⁇ se as light emitting diode chips (LED chips).
  • the optoelectronic semiconductor chip 120 are provided for hen to electromagnetic radiation, for example sichtba ⁇ res light to emit.
  • the optoelectronic semiconductor chip 120 are preferably in a regular Anord ⁇ voltage, disposed at the top 111 of the carrier 110, for example, in a rectangular grid.
  • Each optoelectronic semiconductor chip 120 has a top side 121 and a ⁇ the top side 121 opposite Un ⁇ underside 122.
  • the optoelectronic semiconductor chips 120 are arranged on the upper side 111 of the carrier 110 such that the lower sides 122 of the optoelectronic
  • Semiconductor chips 120 of the top 111 of the carrier 110 are supplied ⁇ .
  • FIG. 2 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 in a processing state which follows the representation of FIG.
  • Wavelength-converting elements 130 are arranged on the upper sides 121 of the optoelectronic semiconductor chips 120.
  • the arrangement of the wavelength-converting elements 130 on the upper sides 121 of the optoelectronic semiconductor chips 120 can be effected, for example, by means of layer transfer.
  • the wavelength converting elements 130 are provided to convert light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 120 electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of other ⁇ specific wavelength.
  • the wavelength converting elements 130 may be provided to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral region to white light.
  • the wavelength converting elements 130 may have embedded wavelength converting Par ⁇ Tikel in a matrix material.
  • the wavelength-converting particles may comprise, for example, an organic or inorganic phosphor.
  • the wavelength-converting particles may be designed to absorb electromagnetic radiation having a first wavelength and then to emit electromagnetic radiation having a second, typically larger, wavelength.
  • FIG. 3 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 in a processing state which follows the representation of FIG.
  • the optoelectronic semiconductor chips 120 and the wavelength-converting The elements 130 on the upper side 111 of the carrier 110 have been embedded in a silicone body 140.
  • the silicone body 140 has a silicone.
  • the silicone body 140 can be produced, for example, by compression molding or by another molding process (molding process).
  • the silicone body 140 defines a plurality of optical lenses 142.
  • Each provided optoelectronic semiconductor chip 120 and the respective optoelectronic semiconductor chip 120 associated with wavelength converting element 130 is provided with an op ⁇ tables lens 142nd
  • the optical lenses 142 formed by the silicon body 140 may serve emitted by the optoelectronic semiconductor chip 120 and to cause, if appropriate, converted by the wavelength converting elements 130 electromagnetic radiation bün ⁇ punching or otherwise beam shaping.
  • the optical lenses 142 may be formed as converging lenses.
  • the sections of the silicone body 140 which form the optical lenses 142 are connected to one another in the example shown schematically in FIG. 3 over the upper side 111 of the carrier 110 covering surface portions 143 of the silicone body 140. It is not necessary that the FLAE ⁇ chenabitese are formed in place and closed throughout the 143rd
  • the optical lenses 142 may also be partially or completely separated. In this case, multiple silicone bodies 140 are present.
  • the optical lens 142 forming portions of the silicone body 140 and the surface portions 143 of the silicone ⁇ body 140 each have an outer surface 141.
  • the surface 141 of the silicone body 140 may be sticky. As a result, for example, dirt particles can easily adhere to the surface 141 of the silicone body 140. Also, portions of the surface 141 of the silicone body 140 may be easily attached to other portions of the surface 141 of the silicone body. pers 140 or to surfaces of other silicone bodies. For ease of handling, it is desirable to reduce the stickiness of the surface 141 of the silicone body 140.
  • FIG. 4 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 during one of the illustration of FIG. 3 temporally subsequent processing step.
  • the carrier 110 is dipped head-first into a bath 150 of a solution 151 with the silicone body 140 arranged on the upper side 111 of the carrier 110 and the optoelectronic semiconductor chips 120 and wavelength-converting elements 130 embedded therein.
  • the immersion does not necessarily have to be upside down.
  • the solution 151 comprises a solvent and a PTFE-based methoxysilane.
  • the solvent is preferably a fluorinated solvent.
  • the PTFE-based methoxy silane ⁇ preferably constitutes between 0.01 weight percent and 1 weight percent of the solution 151st
  • the PTFE-based methoxysilane can be about 0.1 weight percent of the solution Lö ⁇ 151st
  • the PTFE-based Me ⁇ thoxysilan is preferably a PTFE-based methoxy-trisilane.
  • the contained in the solution 151 of the bath 150 PTFE-based methoxysilane binds to the surface 141 of silicon body 140 and forms at the surface 141 of the silicone ⁇ body 140 is a coating 160.
  • FIG. 5 shows a specific ⁇ matic cross-sectional side view of the carrier 110 covered with the silicon body 140 and the coating 160 formed on the surface 141 of the Sili ⁇ kon stresses 140 after removal from the bath 150. the coating 160, the surface 141 of silicon body 140 in the area of opti ⁇ rule lens 142 and the surface portions 143rd
  • connection of the PTFE-based methoxysilane to the surface 141 of silicon body 140 may be a covalent Bin ⁇ dung to functional groups, in particular OH-groups, at the surface 141 of the silicone body 140 include. This advantageously results in a stable connection of the coating 160 to the surface 141 of the silicone body 140.
  • the coating 160 formed on the surface 141 of the silicone body 140 simultaneously forms a PTFE layer on its surface 161 facing away from the surface 141 of the silicone body 140.
  • This PTFE layer on the surface 161 of the coating 160 has a reduced compared to the surface 141 of silicon body 140 Sticky ⁇ ness.
  • the coating 160 on the surface 141 of the silicone body 140 can also be formed by immersion in the bath 150 by a spraying process.
  • a solution comprising a PTFE-based methoxysilane is sprayed onto the surface 141 of the silicone body 140.
  • the solution may be formed like the solution 151 of the bath 150, but may also have a higher or lower weight fraction of PTFE-based methoxysilane.
  • Fig. 6 shows a schematic sectional side view of a plurality of first optoelectronic devices 100.
  • the optoelectronic components 100 may be beispielswei ⁇ se light-emitting devices (LED) devices.
  • the first optoelectronic components 100 are formed by dividing the carrier 110 and the silicone body 140 arranged on the upper side 111 of the carrier 110 with the optoelectronic semiconductor chips 120 and wavelength-converting elements 130 embedded therein. The cutting of the carrier 110 and the silicone body 140 may be done by sawing, for example.
  • each of the first opto ⁇ electronic components 100 comprises a portion of the original silicone body 140 forming an optical lens 142 with an optoelectronic half embedded therein.
  • FIG. 7 shows a schematic sectional side view of a leadframe 210.
  • the leadframe 210 can also be referred to as a leadframe.
  • the lead frame 210 comprises an electrically conductive material, typically a metal.
  • the lead frame 210 may include silver or copper.
  • the lead frame 210 may also have a coating.
  • the lead frame 210 has a substantially flat shape with a top surface 211 and one of the upper side 211 opposite bottom ⁇ 212th
  • the leadframe 210 has apertures produced by, for example, etching or punching, which divide the leadframe 210 in a lateral direction into a plurality of first sections 213 and second sections 214.
  • a backside sheet 270 is laminated on the underside 212 of the lead frame 210.
  • FIG. 8 shows a schematic sectional side view of the leadframe 210 in one of the illustration of FIG. 7 temporally subsequent processing status.
  • a plurality of optoelectronic ⁇ shear semiconductor chip has been placed 220th
  • the optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip 220 may be formed for example as light-emitting diodes chips (LED chips).
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chips 220 are intended to emit electromagnetic radiation, such as visible light.
  • Each optoelectronic semiconductor chip 220 has a top side 221 and a ⁇ the top side 221 opposite Un ⁇ underside 222.
  • the optoelectronic semiconductor chips 220 are arranged on the leadframe 210 such that the bottom side 222 of each optoelectronic semiconductor chip 220 faces the top side 211 of the leadframe 210.
  • the undersides 222 of the optoelectronic semiconductor chips 220 can be connected to the top side 211 of the leadframe 210, for example via a solder connection or an adhesive bond.
  • the optoelectronic semiconductor chips 220 are on the first portions 213 of
  • Lead frame 210 arranged.
  • an optoelectronic semiconductor chip 220 on the top 211 of the lead frame 210 is disposed.
  • the illustrated example 220 have the optoelectronic semiconductor chip on its top side two 221 electrical ⁇ specific contact areas which are electrically conductively connected via bonding wires 223 to the lead frame 210th
  • the optoelectronic semiconductor chip 220 electrically connected to a first Ab ⁇ section 213 of the lead frame 210 and a respective further electrical contact area of each optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip 220 via a further bonding wire 223
  • the electrical contact surface arranged on the underside 222 of the respective optoelectronic semiconductor chip 220 can be connected to the respective first section 213 of the leadframe 210 in an electrically conductive manner, for example via a solder connection.
  • the bonding wire 223 connected to the respective first section 213 of the leadframe 210 may be omitted in this case.
  • FIG. 9 shows a schematic sectional side view of the leadframe 210 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • a Vergussrahmen 230 has been attached ⁇ sets.
  • the potting frame 230 preferably circumscribes the upper surface 211 of the lead frame 210 in an area near the outer periphery of the lead frame 210.
  • the lead frame 210 is located in a basin formed by the back sheet 270 and the potting frame 230.
  • the potting frame 230 can be created, for example, by a dispensing method.
  • FIG. 10 shows a schematic sectional side view of the lead frame 210 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • the lead frame 210 and at ⁇ parent optoelectronic semiconductor chip 220 have been embedded in a silicon body 240 at the top 211 of the lead frame 210th Also, the electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 220 connected to the lead frame 210. Bond wires 223 are embedded in the silicone body 240 wor ⁇ .
  • the silicone body 240 comprises a silicone.
  • the silicone body 240 may comprise embedded particles, in particular embedded wavelength-converting particles.
  • the wavelength-converting particles embedded in the silicone body 240 can serve to emit a wavelength of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chips 220. converted electromagnetic radiation.
  • the wavelength-converting particles may be formed to absorb electromagnetic radiation of a first wavelength and then to emit electromagnetic radiation of a second, typically larger, wavelength.
  • the wavelength-converting particles embedded in the silicone body 240 may be provided for electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips 220
  • the silicone body 240 Convert spectral range to white light.
  • wavelength-converting particles can also be omitted.
  • the silicone body 240 may have been applied, for example, by a dispensing method. In this case, the material forming the silicone body 240 is filled in liquid form into the area bounded by the potting frame 230 and the backsheet 270 and then cured.
  • the material of the silicon body 240 forming fills the through Vergussrahmen 230 and the back sheet 270 at ⁇ limited range so completely that the upper surface 211 of the lead frame 210 is substantially completely covered by the material of the silicon body 240, the breakthroughs of the lead frame 210 are substantially completely filled with the material of the silicone body 240 and the optoelectronic semiconductor chips 220 are substantially completely embedded in the silicone body 240. It is also possible to form the silicone body 240 by compression molding. In this case, the application of the Vergussrahmens 230 shown with reference to FIG 9 can be omitted.
  • the silicone body 240 has an upper side 241 facing away from the lead frame 210 and the rear side foil 270.
  • the top 241 of the silicone body 240 may have a high tack.
  • the upper surface 241 of silicon body 240 at an shown in Fig. 10 processing status following processing step can with a the tackiness reducing coating will be provided, as will be explained below.
  • FIG. 11 shows a schematic sectional side view of the leadframe 210 and the silicone body 240 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • the back sheet 270 has been dissolved off from the Silikonkör ⁇ by 240 and the bottom 212 of the lead frame 210th
  • the Sili ⁇ konisme 240 with the embedded lead frame 210 and the embedded optoelectronic semiconductor chip is placed 220 on a carrier film 271, which is shown in the schemati ⁇ rule sectional side view of Fig. 12.
  • the bottom 212 of the lead frame 210 of the carrier film 271 is facing.
  • the carrier foil 271 can also be referred to as a sawing foil.
  • the silicone body 240 and the leadframe 210 embedded in the silicone body 140 are cut.
  • the cutting of the silicone body 240 and of the lead frame 210 embedded in the silicone body 240 may, for example, be carried out by a sawing process, a stamping process, a cutting process or another process.
  • Fig. 12 shows the entstande by dicing the silicon body 240 ⁇ NEN parts of the silicon body 240th
  • Each of the entstande ⁇ NEN by dicing the silicon body 240 parts of the silicon body 240 has in in Fig. 12 Darge ⁇ presented example, a first portion 213 of thenatirah- , 0
  • mens 210 and a second portion 214 of the lead frame 210 on.
  • the first portion 213 and the second portion 214 of the lead frame 210 are separated from each other and electrically isolated from each other.
  • On top of 211 of the first portion 213 of the lead frame 210 ei ⁇ ner of the optoelectronic semiconductor chip 220 is arranged.
  • the electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 220 are electrically conductively connected to the first section 213 and the second section 214 of the conductor frame 210.
  • the parts of the silicone body 240 which have been formed by dividing the silicone body 240 have side surfaces 242 formed next to the upper side 241 at the dividing edges.
  • the side surfaces 242 of the parts of the silicone body 240 may have a high tackiness.
  • the upper sides 241 of the parts of the silicone body 240 formed by dividing the silicone body 240 may also have a high tackiness if the upper side 241 of the silicone body 240 has not previously been provided with a tackiness-reducing coating.
  • FIG. 13 shows a schematic sectional side view of the parts of the silicone body 240 arranged on the carrier film 271 during a processing step which follows the illustration of FIG.
  • the parts of the silicone body 240 arranged on the carrier film 271 are dipped head-on into a bath 250 of a solution 251.
  • the immersion of the parts of the silicone body 240 in the bath 250 does not necessarily have to be done upside down.
  • Solution 251 comprises a solvent and a PTFE-based methoxysilane.
  • the solvent is preferably a fluorinated solvent.
  • the PTFE-based ⁇ methoxy silane makes preferred an amount between 0.01 wt percent and 1 percent by weight of the solution 251 out.
  • the PTFE-based methoxysilane can make an on ⁇ part of 0.1 percent by weight of the solution 251st
  • the PTFE-based methoxysilane is preferably a PTFE-based methoxy-trisilane.
  • a PTFE-containing coating 260 is formed on the side surfaces 242, which is visible in the sectional side view seen in FIG. While shown in Fig. 13 processing step if the upper surface 241 of the silicon body not be ⁇ already has been provided in a preceding method step with a coating 240, the PTFE containing coating 260 is also formed on the upper surface 241 of the portions of the silicon body 240.
  • the coating 260 is formed in that PTFE-based methoxysilane from the solution 251 is covalently bonded to functional groups, in particular ⁇ sondere OH groups of the silicone of the silicone body 240. Toggle.
  • An outer surface 261 of the coating 260 forms a PTFE layer which has a low tack.
  • the low stickiness of the surface 261 of the coating 260 reduces the Ge ⁇ driving an adhesion of dirt particles at the surface 261 of the coating 260, the parts of the silicon body 240, and a risk that the resultant by dividing the silicone body 240 parts of the silicon body 240 aneinan ⁇ the stick ,
  • the upper side 241 of the silicone body 240 can already be seen in a representation of FIG. 10 temporally subsequent processing step before dividing the silicone body 240 and the lead frame 210 with the coating 260 ver ⁇ . This can be done analogously to the processing step illustrated in FIG. 13 by immersing the silicone body 240 in the bath 250 of the solution 251.
  • coating the side surfaces 242 of the silicone body 240 by immersion in the bath 250th the solution 251 after dividing the silicone body 240 and the lead frame 210 can still be made afterwards.
  • the coating 260 may also be applied by a spraying process instead of dipping the silicone body 240 or the parts of the silicone body 240 formed by dividing the silicone body 240 into the bath 250 of the solution 251.
  • FIG. 14 shows a schematic sectional side view of a plurality of second optoelectronic components 200.
  • the second opto-electronic devices 200 are formed from the space formed by dicing the silicon body 240 and Porterrah ⁇ mens 210 parts after detachment from the carrier film 271st
  • the second optoelectronic components 200 may, for example, be light-emitting diode components.
  • the upper sides 241 and side surfaces 242 of the silicon body 240 of the second opto-electronic components 200 have the coating 260, the surface 261 has only a ge ⁇ rings tackiness.
  • the second optoelectronic components 200 there is only a slight risk of adhesion of dirt. Also, there is little danger that two of the optoelectronic devices 200 adhere to each other. As a result, the second optoelectronic components 200 are easy to handle.

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Abstract

The invention relates to an optoelectronic component (100, 200) comprising a silicone body (140, 240) in which an optoelectronic semiconductor chip (120, 220) is embedded. Said silicone body has a PTFE-containing coating (160, 260).

Description

Beschreibung description
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Her¬ stellung The optoelectronic component and process for Her ¬ position
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 5. The present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 5.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deut¬ schen Patentanmeldung 10 2014 103 133.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente be¬ kannt, bei denen ein optoelektronischer Halbleiterchip in einen Silikonkörper eingebettet ist. Der Silikonkörper kann dabei beispielsweise eine optische Linse oder ein Gehäuse des optoelektronischen Bauelements bilden. Es ist bekannt, dass derartige Silikonkörper nach ihrer Herstellung eine klebrige Oberfläche aufweisen. Dies kann eine Anhaftung von Schmutz oder eine Haftung mehrerer Bauteile aneinander zur Folge haben. Zur Reduzierung der Klebrigkeit der Oberflächen der Silikonkörper ist es bekannt, die Oberflächen der Silikonkörper mittels eines Sauerstoffplasmas zu verglasen. Dieser Prozess ist allerdings aufwändig und kann nur für eine begrenzte Anzahl von Bauelementen gleichzeitig durchgeführt werden. Außerdem kann die Behandlung mit einem Sauerstoffplasma zu einer starken Oxidation hierfür anfälliger Oberflächen der optoelektronischen Bauelemente führen, beispielsweise zu einer Oxidation von Silberoberflächen. This patent application claims the priority of interpreting ¬'s patent application 10 2014 103 133.4, the disclosure of which is hereby incorporated by reference. In the prior art optoelectronic components are be ¬ known in which an optoelectronic semiconductor chip is embedded in a silicone body. The silicone body can form, for example, an optical lens or a housing of the optoelectronic component. It is known that such silicone bodies have a sticky surface after their production. This can result in adhesion of dirt or adhesion of multiple components to each other. To reduce the stickiness of the surfaces of the silicone body, it is known to vitrify the surfaces of the silicone body by means of an oxygen plasma. However, this process is laborious and can only be performed simultaneously for a limited number of components. In addition, the treatment with an oxygen plasma can lead to a strong oxidation of susceptible surfaces of the optoelectronic components, for example to an oxidation of silver surfaces.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufga- be wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit denAn object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This task is performed by an optoelectronic component with the
Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 5 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Silikonkör¬ per, in den ein optoelektronischer Halbleiterchip eingebettet ist. Der Silikonkörper weist eine Beschichtung auf, die PTFE aufweist. Vorteilhafterweise reduziert die PTFE- aufweisende Beschichtung des Silikonkörpers eine Klebrig- keit der Oberfläche des Silikonkörpers. Dadurch kann vor¬ teilhafterweise die Gefahr einer Anhaftung von Schmutz an der Oberfläche des Silikonkörpers reduziert werden. Auch kann die Wahrscheinlichkeit, dass Silikonkörper mehrerer optoelektronischer Bauelemente aneinander haften, reduziert werden. Dies verbessert die Handhabbarkeit des optoelektro¬ nischen Bauelements. Characteristics of claim 1 solved. A further object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 5. In the dependent claims various developments are given. An optoelectronic component includes a Silikonkör ¬ by, in an optoelectronic semiconductor chip is embedded. The silicone body has a coating comprising PTFE. Advantageously, the PTFE-containing coating of the silicone body reduces stickiness of the surface of the silicone body. The risk of adhesion of dirt on the surface of the silicon body can partake of legally be reduced before ¬. Also, the likelihood that silicone bodies of a plurality of optoelectronic devices adhere to one another can be reduced. This improves the handling of the optoelectronic ¬ African component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bildet der Silikonkörper eine optische Linse. Die optische Linse kann zur Bündelung und Strahlformung von durch das optoelektronische Bauelement emittierter elektromagneti¬ scher Strahlung dienen. Durch die Beschichtung des Silikonkörpers, die PTFE aufweist, wird eine Klebrigkeit einer Au¬ ßenfläche der optischen Linse vorteilhafterweise reduziert. In one embodiment of the optoelectronic component, the silicone body forms an optical lens. The optical lens can be used for focusing and beam-forming by beam emitted by the optoelectronic component electromagnetic radiation ¬ shear. By coating the silicon body, comprising PTFE, a tackiness of a Au ¬ ßenfläche of the optical lens is advantageously reduced.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Silikonkörper eingebettete wellenlängenkonvertie¬ rende Partikel auf. Die in den Silikonkörper eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel können dazu dienen, eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Beispielsweise können die in den Silikonkörper des optoelektronischen Bauelements eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel dazu vorgesehen sein, durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem ultravioletten oder blauen Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Der Silikonkör- per des optoelektronischen Bauelements bewirkt somit eine Volumenkonvertierung. Alternativ können die in den Silikonkörper des optoelektronischen Bauelements eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel, beispielsweise durch Sedimentation oder durch elektrophoretische Abscheidung, auch chipnah angeordnet sein, um eine chipnahe Konvertie¬ rung zu bewirken. Die PTFE-aufweisende Beschichtung des Si¬ likonkörpers reduziert vorteilhafterweise eine Klebrigkeit der Oberflächen des wellenlängenkonvertierenden Silikonkör- pers . In one embodiment of the optoelectronic component of the silicone body has embedded wellenlängenkonvertie ¬ Rende particles. The wavelength-converting particles embedded in the silicone body can serve to convert a wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component. By way of example, the wavelength-converting particles embedded in the silicone body of the optoelectronic component can be provided to convert electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip into the light of a wavelength from the ultraviolet or blue spectral range into white light. The silicone body per the optoelectronic component thus causes a volume conversion. Alternatively, the embedded into the silicone body of the optoelectronic component wavelength converting particles can, for example, by sedimentation or by electrophoretic deposition, also be arranged chipnah to cause a chip near Konvertie ¬ tion. The PTFE coating having the Si ¬ likonkörpers advantageously reduces a tackiness of the surfaces of the wavelength-Silikonkör- pers.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet. Der Träger kann dabei auch zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips dienen . In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip is arranged on a carrier. The carrier can also serve for electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektroni- sehen Halbleiterchips auf einem Träger, zum Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips in einen Silikonkörper, und zum Beschichten des Silikonkörpers mit einer Beschichtung, die PTFE aufweist. Vorteilhafterweise kann durch das Beschichten des Silikonkörpers mit der PTFE-aufweisenden Beschichtung eine Klebrigkeit der Oberfläche des Silikon¬ körpers reduziert werden. Dadurch lässt sich vorteilhafterweise die Wahrscheinlichkeit einer Anhaftung von Schmutz an der Oberfläche des Silikonkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements reduzieren. Auch kann die Gefahr, dass die Silikonkörper mehrerer optoelektronischer Bauelemente aneinander haften bleiben, vorteilhafterweise reduziert werden. Dadurch lässt sich das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauele¬ ment vorteilhafterweise gut handhaben. A method for producing an optoelectronic component comprises steps for arranging an optoelectronic semiconductor chip on a carrier, for embedding the optoelectronic semiconductor chip in a silicone body, and for coating the silicone body with a coating comprising PTFE. Advantageously, by coating the silicone body with the PTFE-containing coating, a stickiness of the surface of the silicone body ¬ be reduced. As a result, the probability of dirt adhering to the surface of the silicone body of the optoelectronic component obtainable by the method can advantageously be reduced. Also, the risk that the silicone body of a plurality of optoelectronic components adhere to each other, can be advantageously reduced. This makes it possible to handle advantageously well the obtainable by the process optoelectronic Bauele ¬ ment.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Be¬ schichten des Silikonkörpers durch Eintauchen in ein Bad. Vorteilhafterweise lässt sich der Verfahrensschritt dadurch für eine Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen gleichzeitig durchführen, was eine schnelle und kostengüns¬ tige Durchführung des Verfahrens ermöglicht. In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Be¬ schichten des Silikonkörpers durch ein Sprühverfahren. Vorteilhafterweise ermöglicht auch dies eine parallele Durch¬ führung des Verfahrensschritts für eine Vielzahl optoelekt¬ ronischer Bauelemente gleichzeitig. Dadurch lässt sich das Verfahren mit geringem Zeit- und Kostenaufwand durchführen. In one embodiment of the method the loading ¬ layers of silicone body is carried out by immersion in a bath. Advantageously, the process step can be characterized perform for a variety of optoelectronic devices simultaneously, allowing a quick and kostengüns ¬ term implementation of the method. In one embodiment of the method the loading ¬ layers of silicone body is done by a spray method. Advantageously, this is a parallel through ¬ execution of the process step for a plurality optoelekt ¬ ronischer components enables the same time. As a result, the process can be carried out with little time and expense.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Beschichtung aus einer Lösung erzeugt, die ein PTFE-basiertes Me¬ thoxysilan aufweist. Das PTFE-basierte Methoxysilan kann dabei eine feste Bindung mit der Oberfläche des Silikonkör¬ pers des optoelektronischen Bauelements eingehen. Insbesondere kann das PTFE-basierte Methoxysilan eine kovalente Bindung mit funktionalen Gruppen an der Oberfläche des Silikonkörpers eingehen, insbesondere mit OH-Gruppen an der Oberfläche des Silikonkörpers. Gleichzeitig kann die aus dem PTFE-basierten Methoxysilan gebildete Beschichtung an ihrer Außenseite eine PTFE-Schicht ausbilden, die eine ge¬ genüber der ursprünglichen Oberfläche des Silikonkörpers reduzierte Klebrigkeit aufweist. In one embodiment of the method the coating is produced from a solution having a PTFE-based Me ¬ thoxysilan. The PTFE-based methoxysilane can form a firm bond with the surface of the Silikonkör ¬ pers of the optoelectronic device. In particular, the PTFE-based methoxysilane can form a covalent bond with functional groups on the surface of the silicone body, in particular with OH groups on the surface of the silicone body. At the same time, the coating formed from the PTFE-based methoxysilane can form a PTFE layer on its outer side, which has a GE ¬ genüber the original surface of the silicon body reduced stickiness.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Lösung ein fluoriertes Lösungsmittel und zwischen 0,01 Gewichts¬ prozent und 1 Gewichtsprozent eines PTFE-basierten Methoxy- silans auf. Beispielsweise kann die Lösung 0,1 Gewichtspro- zent des PTFE-basierten Methoxysilans aufweisen. Vorteil¬ hafterweise hat sich eine solche Konzentration als geeignet für eine Erzeugung einer die Klebrigkeit reduzierenden Beschichtung des Silikonkörpers erwiesen. In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Lösung ein PTFE-basiertes Methoxy-Trisilan auf. Vorteilhafterweise hat sich die Verwendung eines PTFE-basierten Methoxy- Trisilans als besonders geeignet für die Ausbildung einer die Klebrigkeit des Silikonkörpers reduzierenden Beschich- tung erwiesen. In one embodiment of the method, the solution comprises a fluorinated solvent, and is between 0.01 weight percent and 1 weight percent ¬ a PTFE based on methoxy silane. For example, the solution may comprise 0.1 weight percent of the PTFE-based methoxysilane. ¬ advantage adhesive enough, such concentration has been found to be suitable for generation of a stickiness-reducing coating of the silicone body. In one embodiment of the method, the solution comprises a PTFE-based methoxy-trisilane. Advantageously, the use of a PTFE-based methoxy-trisilane has been found to be particularly suitable for the formation of a the stickiness of the silicone body reducing coating proved.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Silikon- körper durch Formpressen ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache und kostengünstige Massenpro¬ duktion . In one embodiment of the method, the silicone body is formed by compression molding. Advantageously, this allows a simple and inexpensive Massenpro ¬ production.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses ei- nen weiteren Schritt zum Zerteilen des Trägers, um eineIn one embodiment of the method, this comprises a further step of dividing the carrier by one
Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente zu erhalten. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine pa¬ rallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen. Die parallel herge- stellten optoelektronischen Bauelemente sind dabei zunächst in einem Verbund (Nutzen) angeordnet und werden erst an¬ schließend vereinzelt. Vorteilhafterweise können sich durch die parallele Bearbeitung der Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente die Herstellungskosten pro einzelnem optoelekt- ronischen Bauelement reduzieren. To obtain a plurality of optoelectronic components. Advantageously, the method thereby enables pa ¬ rallele production of a plurality of optoelectronic components in common operations. The optoelectronic components manufactured in parallel presented are initially in a composite (benefits) and can only be isolated at ¬ closing. Due to the parallel processing of the plurality of optoelectronic components, the production costs per individual optoelectronic component can advantageously be reduced.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird bei dem Zerteilen des Trägers auch der Silikonkörper zerteilt. Vorteilhafterweise können die bei dem Zerteilen des Silikon- körpers entstehenden Schnittflächen anschließend durch Beschichten mit der PTFE-aufweisenden Beschichtung in ihrer Klebrigkeit reduziert werden. In one embodiment of the method, the silicone body is also parted during the dicing of the carrier. Advantageously, the cut surfaces resulting from the division of the silicone body can subsequently be reduced in their tackiness by coating with the PTFE-containing coating.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Silikon- körper vor und nach dem Zerteilen des Silikonkörpers mit einer Beschichtung beschichtet, die PTFE aufweist. Vorteil¬ hafterweise wird dadurch sichergestellt, dass alle relevan¬ ten Oberflächen des Silikonkörpers mit einer ihre Klebrigkeit reduzierenden Beschichtung beschichtet werden. In one embodiment of the method, the silicone body is coated before and after the cutting of the silicone body with a coating comprising PTFE. ¬ advantageous way legally is ensured that all relevan ¬ th surfaces of the silicone body with a stickiness-reducing coating to be coated.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses ei¬ nen weiteren Schritt zum Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements auf dem optoelektronischen Halbleiter- chip. Das wellenlängenkonvertierende Element kann dabei ebenfalls in den Silikonkörper eingebettet werden. Das wel¬ lenlängenkonvertierende Element kann dazu dienen, eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. In one embodiment of the method of this egg ¬ NEN further step comprises of arranging a wavelength converting member on the optoelectronic semiconductor chip. The wavelength-converting element can also be embedded in the silicone body. The wel ¬ lenlängenkonvertierende element may serve to convert a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the available by the process of the optoelectronic component electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of a different wavelength.
Dadurch kann beispielsweise aus elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultraviolet- ten Spektralbereich weißes Licht erzeugt werden. As a result, for example, white light can be generated from electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese er¬ reicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung Fig. 1 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers mit darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips; The above-described characteristics, features and advantages of this invention and the way how they are ¬ it suffices become clearer and more fully understood in connection with the following description of embodiments, which are explained in connection with the drawings. 1 shows a sectional side view of a carrier with optoelectronic semiconductor chips arranged thereon;
Fig. 2 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers mit auf den optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten wellen- längenkonvertierenden Elementen; FIG. 2 shows a sectional side view of the carrier with wavelength-converting elements arranged on the optoelectronic semiconductor chips; FIG.
Fig. 3 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers nach dem Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips in Silikonkörper; 3 shows a sectional side view of the carrier after embedding the optoelectronic semiconductor chips in silicone body;
Fig. 4 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers während eines Eintauchens der Silikonkörper 140 in ein Bad; 4 is a sectional side view of the carrier during immersion of the silicone body 140 in a bath;
Fig. 5 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers mit ei¬ ner an einer Oberfläche der Silikonkörper ausgebildeten Be- schichtung; Fig. 6 eine geschnittene Seitenansicht mehrerer durch Zer¬ teilen des Trägers gebildeter optoelektronischer Bauelemente ; Fig. 7 eine geschnittene Seitenansicht eines Leiterrahmens mit auflaminierter Rückseitenfolie; 5 is a side sectional view of the carrier with egg ¬ ner formed on a surface of the silicone body coating. Fig. 6 is a sectional side view of a number formed by cerium ¬ share of the carrier optoelectronic components; 7 is a sectional side view of a lead frame with laminated back sheet;
Fig. 8 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers mit da¬ rauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips; Figure 8 is a sectional side view of the carrier with up as ¬ arranged optoelectronic semiconductor chips.
Fig. 9 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers nach dem Aufbringen eines Vergussrahmens; 9 shows a sectional side view of the carrier after the application of a potting frame;
Fig. 10 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers nach dem Einbetten des Trägers und der optoelektronischen Halbleiterchips in einen Silikonkörper; 10 shows a sectional side view of the carrier after the embedding of the carrier and the optoelectronic semiconductor chips in a silicone body;
Fig. 11 eine geschnittene Seitenansicht des Silikonkörpers nach dem Entfernen der Rückseitenfolie; FIG. 11 is a sectional side view of the silicone body after removal of the backsheet; FIG.
Fig. 12 eine geschnittene Seitenansicht des auf einer Trä¬ gerfolie angeordneten und zerteilten Silikonkörpers; 12 is a sectional side view of the arranged on a Trä ¬ gerfolie and divided silicone body.
Fig. 13 eine geschnittene Seitenansicht des zerteilten Si- likonkörpers während eines Eintauchens in ein Bad; und 13 shows a sectional side view of the divided silicone body during immersion in a bath; and
Fig. 14 eine geschnittene Seitenansicht einer Mehrzahl aus den zerteilten Silikonkörpern gebildeter optoelektronischer Bauelemente . 14 shows a sectional side view of a plurality of optoelectronic components formed from the divided silicone bodies.
Anhand der Figuren 1 bis 6 wird nachfolgend exemplarisch ein Verfahren zum Herstellen eines ersten optoelektronischen Bauelements erläutert. Anschließend wird anhand der Figuren 7 bis 13 exemplarisch ein Verfahren zum Herstellen eines zweiten optoelektronischen Bauelements erläutert. Die Erfindung ist jedoch auch bei anders aufgebauten und/oder nach anderen Verfahren hergestellten optoelektronischen Bauelementen anwendbar. Fig. 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Trägers 110. Der Träger 110 kann beispielsweise als Keramikträger ausgebildet sein. Der Träger 110 ist als im Wesentlichen flache Scheibe ausgebildet und weist eineA method for producing a first optoelectronic component is explained below by way of example with reference to FIGS. 1 to 6. Subsequently, a method for producing a second optoelectronic component is explained by way of example with reference to FIGS. 7 to 13. However, the invention is also applicable to differently constructed and / or produced by other methods optoelectronic devices. 1 shows a schematic sectional side view of a carrier 110. The carrier 110 may be formed, for example, as a ceramic carrier. The carrier 110 is formed as a substantially flat disc and has a
Oberseite 111 und eine der Oberseite 111 gegenüberliegende Unterseite 112 auf. An der Oberseite 111 und/oder der Un¬ terseite 112 des Trägers 110 können elektrische Kontaktflä¬ chen und elektrische Leiterbahnen vorgesehen sein, die wahlweise auch über in dem Träger 110 ausgebildete Durch¬ kontakte miteinander verbunden sein können. Die elektrischen Kontaktflächen und Leiterbahnen können beispielsweise als Metallisierungen ausgebildet sein. An der Oberseite 111 des Trägers 110 ist eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips 120 angeordnet. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 können beispielswei¬ se als Leuchtdiodenchips (LED-Chips) ausgebildet sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind dazu vorgese- hen, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtba¬ res Licht, zu emittieren. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind bevorzugt in einer regelmäßigen Anord¬ nung, beispielsweise in einem Rechteckgitter, an der Oberseite 111 des Trägers 110 angeordnet. Top 111 and one of the top 111 opposite bottom 112. At the top 111 and / or the Un ¬ underside 112 of the carrier 110 electric Kontaktflä ¬ surfaces and electrical circuits can be provided, which can also be connected via formed in the carrier 110 through ¬ contacts with each other optionally. The electrical contact surfaces and conductor tracks may be formed, for example, as metallizations. At the top 111 of the carrier 110, a plurality of optoelectronic semiconductor chips 120 is arranged. The optoelectronic semiconductor chip 120 may be formed beispielswei ¬ se as light emitting diode chips (LED chips). The optoelectronic semiconductor chip 120 are provided for hen to electromagnetic radiation, for example sichtba ¬ res light to emit. The optoelectronic semiconductor chip 120 are preferably in a regular Anord ¬ voltage, disposed at the top 111 of the carrier 110, for example, in a rectangular grid.
Jeder optoelektronische Halbleiterchip 120 weist eine Ober¬ seite 121 und eine der Oberseite 121 gegenüberliegende Un¬ terseite 122 auf. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind derart an der Oberseite 111 des Trägers 110 ange- ordnet, dass die Unterseiten 122 der optoelektronischenEach optoelectronic semiconductor chip 120 has a top side 121 and a ¬ the top side 121 opposite Un ¬ underside 122. The optoelectronic semiconductor chips 120 are arranged on the upper side 111 of the carrier 110 such that the lower sides 122 of the optoelectronic
Halbleiterchips 120 der Oberseite 111 des Trägers 110 zuge¬ wandt sind. An den Oberseiten 121 und/oder den Unterseiten 122 der optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind elekt¬ rische Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiter- chips 120 angeordnet. Diese elektrischen Kontaktflächen stehen in elektrisch leitender Verbindung mit elektrischen Kontaktflächen an der Oberseite 111 des Trägers 110, bei- spielsweise über in Fig. 1 nicht im Einzelnen dargestellte Lötverbindungen, Chipbondverbindungen und/oder Bonddrähte. Semiconductor chips 120 of the top 111 of the carrier 110 are supplied ¬ . On the upper sides 121 and / or the lower sides 122 of the optoelectronic semiconductor chips 120 elekt ¬ cal contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 120 are arranged. These electrical contact surfaces are in electrically conductive connection with electrical contact surfaces on the upper side 111 of the carrier 110, while For example, about not shown in detail in Fig. 1 solder joints, chip bonds and / or bonding wires.
Fig. 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 in einem der Darstellung der Fig. 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Auf den Oberseiten 121 der optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind wellenlängenkonvertierende Elemente 130 angeordnet. Das Anordnen der wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 an den Ober- Seiten 121 der optoelektronischen Halbleiterchips 120 kann beispielsweise mittels Layertransfer erfolgt sein. FIG. 2 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 in a processing state which follows the representation of FIG. Wavelength-converting elements 130 are arranged on the upper sides 121 of the optoelectronic semiconductor chips 120. The arrangement of the wavelength-converting elements 130 on the upper sides 121 of the optoelectronic semiconductor chips 120 can be effected, for example, by means of layer transfer.
Die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 sind dazu vorgesehen, von den optoelektronischen Halbleiterchips 120 emittierte elektromagnetische Strahlung in elektromagneti¬ sche Strahlung anderer Wellenlänge zu konvertieren. Beispielsweise können die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 dazu vorgesehen sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spekt- ralbereich in weißes Licht zu konvertieren. The wavelength converting elements 130 are provided to convert light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 120 electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of other ¬ specific wavelength. For example, the wavelength converting elements 130 may be provided to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral region to white light.
Die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 können in ein Matrixmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Par¬ tikel aufweisen. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel können beispielsweise einen organischen oder anorganischen Leuchtstoff aufweisen. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel können dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge zu absorbieren und anschließend elektromagnetische Strahlung mit einer zwei- ten, typischerweise größeren, Wellenlänge zu emittieren. The wavelength converting elements 130 may have embedded wavelength converting Par ¬ Tikel in a matrix material. The wavelength-converting particles may comprise, for example, an organic or inorganic phosphor. The wavelength-converting particles may be designed to absorb electromagnetic radiation having a first wavelength and then to emit electromagnetic radiation having a second, typically larger, wavelength.
Die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 können wahlweise entfallen. Fig. 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 in einem der Darstellung der Fig. 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 und die wellenlängenkonvertieren- den Elemente 130 an der Oberseite 111 des Trägers 110 sind in einen Silikonkörper 140 eingebettet worden. Der Silikonkörper 140 weist ein Silikon auf. Der Silikonkörper 140 kann beispielsweise durch Formpressen (Compression Molding) oder durch ein anderes Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt werden. The wavelength converting elements 130 may optionally be omitted. FIG. 3 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 in a processing state which follows the representation of FIG. The optoelectronic semiconductor chips 120 and the wavelength-converting The elements 130 on the upper side 111 of the carrier 110 have been embedded in a silicone body 140. The silicone body 140 has a silicone. The silicone body 140 can be produced, for example, by compression molding or by another molding process (molding process).
Der Silikonkörper 140 bildet eine Mehrzahl optischer Linsen 142. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 120 und das dem jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchip 120 zugeordnete wellenlängenkonvertierende Element 130 ist mit einer op¬ tischen Linse 142 versehen. Die durch den Silikonkörper 140 gebildeten optischen Linsen 142 können dazu dienen, durch die optoelektronischen Halbleiterchips 120 emittierte und gegebenenfalls durch die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 konvertierte elektromagnetische Strahlung zu bün¬ deln oder eine anderweitige Strahlformung zu bewirken. Insbesondere können die optischen Linsen 142 als Sammellinsen ausgebildet sein. The silicone body 140 defines a plurality of optical lenses 142. Each provided optoelectronic semiconductor chip 120 and the respective optoelectronic semiconductor chip 120 associated with wavelength converting element 130 is provided with an op ¬ tables lens 142nd The optical lenses 142 formed by the silicon body 140 may serve emitted by the optoelectronic semiconductor chip 120 and to cause, if appropriate, converted by the wavelength converting elements 130 electromagnetic radiation bün ¬ punching or otherwise beam shaping. In particular, the optical lenses 142 may be formed as converging lenses.
Die die optischen Linsen 142 bildenden Abschnitte des Silikonkörpers 140 sind im in Fig. 3 schematisch gezeigten Beispiel über die Oberseite 111 des Trägers 110 bedeckende Flächenabschnitte 143 des Silikonkörpers 140 miteinander verbunden. Es ist allerdings nicht notwendig, dass die Flä¬ chenabschnitte 143 vorhanden und durchgehend geschlossen ausgebildet sind. Die optischen Linsen 142 können auch teilweise oder ganz voneinander getrennt sein. In diesem Fall sind mehrere Silikonkörper 140 vorhanden. The sections of the silicone body 140 which form the optical lenses 142 are connected to one another in the example shown schematically in FIG. 3 over the upper side 111 of the carrier 110 covering surface portions 143 of the silicone body 140. It is not necessary that the FLAE ¬ chenabschnitte are formed in place and closed throughout the 143rd The optical lenses 142 may also be partially or completely separated. In this case, multiple silicone bodies 140 are present.
Die die optischen Linsen 142 bildenden Abschnitte des Silikonkörpers 140 und die Flächenabschnitte 143 des Silikon¬ körpers 140 weisen jeweils eine äußere Oberfläche 141 auf. Die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 kann klebrig sein. Dadurch können beispielsweise Schmutzpartikel leicht an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 anhaften. Auch können Teile der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 leicht an anderen Teilen der Oberfläche 141 des Silikonkör- pers 140 oder an Oberflächen anderer Silikonkörper anhaften. Zur Vereinfachung der Handhabung ist es wünschenswert, die Klebrigkeit der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 zu reduzieren. The optical lens 142 forming portions of the silicone body 140 and the surface portions 143 of the silicone ¬ body 140 each have an outer surface 141. The surface 141 of the silicone body 140 may be sticky. As a result, for example, dirt particles can easily adhere to the surface 141 of the silicone body 140. Also, portions of the surface 141 of the silicone body 140 may be easily attached to other portions of the surface 141 of the silicone body. pers 140 or to surfaces of other silicone bodies. For ease of handling, it is desirable to reduce the stickiness of the surface 141 of the silicone body 140.
Fig. 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 während eines der Darstellung der Fig. 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritts. Der Träger 110 wird mit dem an der Oberseite 111 des Trägers 110 angeord- neten Silikonkörper 140 und den darin eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 120 und wellenlängenkonvertierenden Elementen 130 kopfüber in ein Bad 150 einer Lösung 151 getaucht. Das Eintauchen muss jedoch nicht zwingend kopfüber erfolgen. 4 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 during one of the illustration of FIG. 3 temporally subsequent processing step. The carrier 110 is dipped head-first into a bath 150 of a solution 151 with the silicone body 140 arranged on the upper side 111 of the carrier 110 and the optoelectronic semiconductor chips 120 and wavelength-converting elements 130 embedded therein. The immersion does not necessarily have to be upside down.
Die Lösung 151 weist ein Lösungsmittel und ein PTFE- basiertes Methoxysilan auf. Das Lösungsmittel ist bevorzugt ein fluoriertes Lösungsmittel. Das PTFE-basierte Methoxy¬ silan macht bevorzugt zwischen 0,01 Gewichtsprozent und 1 Gewichtsprozent der Lösung 151 aus. Beispielsweise kann das PTFE-basierte Methoxysilan etwa 0,1 Gewichtsprozent der Lö¬ sung 151 ausmachen. Bevorzugt ist das PTFE-basierte Me¬ thoxysilan ein PTFE-basiertes Methoxy-Trisilan . Das in der Lösung 151 des Bads 150 enthaltene PTFE-basierte Methoxysilan bindet an die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 an und bildet an der Oberfläche 141 des Silikon¬ körpers 140 eine Beschichtung 160. Fig. 5 zeigt eine sche¬ matische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 mit dem Silikonkörper 140 und der an der Oberfläche 141 des Sili¬ konkörpers 140 ausgebildeten Beschichtung 160 nach der Entnahme aus dem Bad 150. Die Beschichtung 160 bedeckt die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 im Bereich der opti¬ schen Linsen 142 und der Flächenabschnitte 143. The solution 151 comprises a solvent and a PTFE-based methoxysilane. The solvent is preferably a fluorinated solvent. The PTFE-based methoxy silane ¬ preferably constitutes between 0.01 weight percent and 1 weight percent of the solution 151st For example, the PTFE-based methoxysilane can be about 0.1 weight percent of the solution Lö ¬ 151st The PTFE-based Me ¬ thoxysilan is preferably a PTFE-based methoxy-trisilane. The contained in the solution 151 of the bath 150 PTFE-based methoxysilane binds to the surface 141 of silicon body 140 and forms at the surface 141 of the silicone ¬ body 140 is a coating 160. FIG. 5 shows a specific ¬ matic cross-sectional side view of the carrier 110 covered with the silicon body 140 and the coating 160 formed on the surface 141 of the Sili ¬ konkörpers 140 after removal from the bath 150. the coating 160, the surface 141 of silicon body 140 in the area of opti ¬ rule lens 142 and the surface portions 143rd
Die Anbindung des PTFE-basierten Methoxysilans an die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 kann eine kovalente Bin¬ dung an funktionale Gruppen, insbesondere OH-Gruppen, an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 umfassen. Dadurch ergibt sich vorteilhafterweise eine stabile Anbindung der Beschichtung 160 an die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140. The connection of the PTFE-based methoxysilane to the surface 141 of silicon body 140 may be a covalent Bin ¬ dung to functional groups, in particular OH-groups, at the surface 141 of the silicone body 140 include. This advantageously results in a stable connection of the coating 160 to the surface 141 of the silicone body 140.
Die an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 gebildete Beschichtung 160 bildet gleichzeitig an ihrer von der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 abgewandten Oberfläche 161 eine PTFE-Schicht aus. Diese PTFE-Schicht an der Ober- fläche 161 der Beschichtung 160 weist eine im Vergleich zur Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 reduzierte Klebrig¬ keit auf. The coating 160 formed on the surface 141 of the silicone body 140 simultaneously forms a PTFE layer on its surface 161 facing away from the surface 141 of the silicone body 140. This PTFE layer on the surface 161 of the coating 160 has a reduced compared to the surface 141 of silicon body 140 Sticky ¬ ness.
Die Beschichtung 160 an der Oberfläche 141 des Silikonkör- pers 140 kann anstatt durch Eintauchen in das Bad 150 auch durch ein Sprühverfahren ausgebildet werden. Hierzu wird eine Lösung, die ein PTFE-basiertes Methoxysilan aufweist, auf die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 aufgesprüht. Die Lösung kann wie die Lösung 151 des Bads 150 ausgebildet sein, kann jedoch auch einen höheren oder niedrigeren Gewichtsanteil an PTFE-basiertem Methoxysilan aufweisen. The coating 160 on the surface 141 of the silicone body 140 can also be formed by immersion in the bath 150 by a spraying process. For this purpose, a solution comprising a PTFE-based methoxysilane is sprayed onto the surface 141 of the silicone body 140. The solution may be formed like the solution 151 of the bath 150, but may also have a higher or lower weight fraction of PTFE-based methoxysilane.
Fig. 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer Mehrzahl erster optoelektronischer Bauelemente 100. Die optoelektronischen Bauelemente 100 können beispielswei¬ se Leuchtdioden-Bauelemente (LED-Bauelemente) sein. Die ersten optoelektronischen Bauelemente 100 sind durch Zerteilen des Trägers 110 und des an der Oberseite 111 des Trägers 110 angeordneten Silikonkörpers 140 mit den darin eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 120 und wellenlängenkonvertierenden Elementen 130 entstanden. Das Zerteilen des Trägers 110 und des Silikonkörpers 140 kann beispielsweise durch Sägen erfolgt sein. Im dargestellten Beispiel umfasst jedes der ersten opto¬ elektronischen Bauelemente 100 einen eine optische Linse 142 bildenden Abschnitt des ursprünglichen Silikonkörpers 140 mit einem darin eingebetteten optoelektronischen Halb- leiterchip 120 und einem auf der Oberseite 121 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 120 angeordneten wellenlängenkonvertierenden Element 130. Es ist allerdings auch mög¬ lich, die ersten optoelektronischen Bauelemente 100 mit je- weils mehr als einem optoelektronischen Halbleiterchip 120 auszubilden . Fig. 6 shows a schematic sectional side view of a plurality of first optoelectronic devices 100. The optoelectronic components 100 may be beispielswei ¬ se light-emitting devices (LED) devices. The first optoelectronic components 100 are formed by dividing the carrier 110 and the silicone body 140 arranged on the upper side 111 of the carrier 110 with the optoelectronic semiconductor chips 120 and wavelength-converting elements 130 embedded therein. The cutting of the carrier 110 and the silicone body 140 may be done by sawing, for example. In the illustrated example, each of the first opto ¬ electronic components 100 comprises a portion of the original silicone body 140 forming an optical lens 142 with an optoelectronic half embedded therein. semiconductor chip 120 and, disposed on the upper surface 121 of the opto ¬ electronic semiconductor chips 120 wavelength converting element 130. However, it is mög ¬ Lich also form the first opto-electronic devices 100 with in each case more than one optoelectronic semiconductor chip 120th
Die Oberfläche 141 des die optische Linse 142 bildenden Teils des Silikonkörpers 140 jedes ersten optoelektroni- sehen Bauelements 100 ist mit der Beschichtung 160 be¬ schichtet, deren Oberfläche 161 eine geringe Klebrigkeit aufweist. Dadurch besteht bei den ersten optoelektronischen Bauelementen 100 vorteilhafterweise nur eine geringe Gefahr einer Anhaftung von Schmutzpartikeln. Auch besteht nur eine geringe Wahrscheinlichkeit, dass die mehreren ersten opto¬ elektronischen Bauelemente 100 aneinander haften. Dies ermöglicht eine einfache Handhabung der ersten optoelektronischen Bauelemente 100. Fig. 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Leiterrahmens 210. Der Leiterrahmen 210 kann auch als Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 210 weist ein elektrisch leitendes Material auf, in der Regel ein Metall. Beispielsweise kann der Leiterrahmen 210 Silber oder Kupfer aufweisen. Der Leiterrahmen 210 kann auch eine Beschichtung aufweisen. Der Leiterrahmen 210 weist eine im Wesentlichen flache Gestalt mit einer Oberseite 211 und einer der Ober¬ seite 211 gegenüberliegenden Unterseite 212 auf. Ferner weist der Leiterrahmen 210 durch beispielsweise Ätzen oder Stanzen erzeugte Durchbrüche auf, die den Leiterrahmen 210 in lateraler Richtung in eine Mehrzahl erster Abschnitte 213 und zweiter Abschnitte 214 unterteilen. The surface 141 of the optical lens 142 forming part of the silicone body 140 of each first optoelectronic see the device 100 is ¬ coating with the coating 160, the surface 161 has a low tackiness. As a result, in the case of the first optoelectronic components 100, there is advantageously only a slight risk of adhesion of dirt particles. Also, there is only a small probability that the plurality of first opto ¬ electronic components 100 adhere to each other. This allows easy handling of the first optoelectronic components 100. FIG. 7 shows a schematic sectional side view of a leadframe 210. The leadframe 210 can also be referred to as a leadframe. The lead frame 210 comprises an electrically conductive material, typically a metal. For example, the lead frame 210 may include silver or copper. The lead frame 210 may also have a coating. The lead frame 210 has a substantially flat shape with a top surface 211 and one of the upper side 211 opposite bottom ¬ 212th Furthermore, the leadframe 210 has apertures produced by, for example, etching or punching, which divide the leadframe 210 in a lateral direction into a plurality of first sections 213 and second sections 214.
An der Unterseite 212 des Leiterrahmens 210 ist eine Rück- seitenfolie 270 auflaminiert . On the underside 212 of the lead frame 210, a backside sheet 270 is laminated.
Fig. 8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 in einem der Darstellung der Fig. 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. An der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 ist eine Mehrzahl optoelektroni¬ scher Halbleiterchips 220 angeordnet worden. Die optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips 220 können beispielsweise als Leuchtdiodenchips (LED-Chips) ausgebildet sein. Die opto¬ elektronischen Halbleiterchips 220 sind dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 220 weist eine Ober¬ seite 221 und eine der Oberseite 221 gegenüberliegende Un¬ terseite 222 auf. Die optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind derart auf dem Leiterrahmen 210 angeordnet, dass die Unterseite 222 jedes optoelektronischen Halbleiterchips 220 der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 zugewandt ist. Die Unterseiten 222 der optoelektronischen Halbleiterchips 220 können dabei beispielsweise über eine Lötverbindung o- der eine Klebverbindung mit der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 verbunden sein. Die optoelektronischen Halb- leiterchips 220 sind auf den ersten Abschnitten 213 des8 shows a schematic sectional side view of the leadframe 210 in one of the illustration of FIG. 7 temporally subsequent processing status. At the top 211 of the lead frame 210, a plurality of optoelectronic ¬ shear semiconductor chip has been placed 220th The optoelekt ¬ tronic semiconductor chip 220 may be formed for example as light-emitting diodes chips (LED chips). The opto ¬ electronic semiconductor chips 220 are intended to emit electromagnetic radiation, such as visible light. Each optoelectronic semiconductor chip 220 has a top side 221 and a ¬ the top side 221 opposite Un ¬ underside 222. The optoelectronic semiconductor chips 220 are arranged on the leadframe 210 such that the bottom side 222 of each optoelectronic semiconductor chip 220 faces the top side 211 of the leadframe 210. The undersides 222 of the optoelectronic semiconductor chips 220 can be connected to the top side 211 of the leadframe 210, for example via a solder connection or an adhesive bond. The optoelectronic semiconductor chips 220 are on the first portions 213 of
Leiterrahmens 210 angeordnet. Dabei ist in jedem ersten Ab¬ schnitt 213 des Leiterrahmens 210 ein optoelektronischer Halbleiterchip 220 auf der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 angeordnet. Lead frame 210 arranged. Here, in each of the first Ab ¬ section 213 of the lead frame 210, an optoelectronic semiconductor chip 220 on the top 211 of the lead frame 210 is disposed.
Im dargestellten Beispiel weisen die optoelektronischen Halbleiterchips 220 an ihrer Oberseite 221 je zwei elektri¬ sche Kontaktflächen auf, die über Bonddrähte 223 elektrisch leitend mit dem Leiterrahmen 210 verbunden sind. Dabei ist je eine elektrische Kontaktfläche jedes optoelektronischen Halbleiterchips 220 elektrisch leitend mit einem ersten Ab¬ schnitt 213 des Leiterrahmens 210 und je eine weitere elektrische Kontaktfläche jedes optoelektronischen Halb¬ leiterchips 220 über einen weiteren Bonddraht 223 In the illustrated example 220 have the optoelectronic semiconductor chip on its top side two 221 electrical ¬ specific contact areas which are electrically conductively connected via bonding wires 223 to the lead frame 210th Here, depending on an electrical contact area of each of the optoelectronic semiconductor chip 220 electrically connected to a first Ab ¬ section 213 of the lead frame 210 and a respective further electrical contact area of each optoelectronic semiconductor ¬ semiconductor chip 220 via a further bonding wire 223
elektrisch leitend mit je einem zweiten Abschnitt 214 des Leiterrahmens 210 verbunden. Es wäre allerdings auch mög¬ lich, dass eine der elektrischen Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 220 an der Unterseite 222 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 220 angeordnet ist. In diesem Fall kann die an der Unterseite 222 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 220 angeordnete elektrische Kontaktfläche beispielsweise über eine Lötverbindung elektrisch leitend mit dem jeweiligen ersten Abschnitt 213 des Leiterrahmens 210 verbunden sein. Der mit dem jeweiligen ersten Abschnitt 213 des Leiterrahmens 210 verbundene Bonddraht 223 kann in diesem Fall entfallen. Fig. 9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 in einem der Darstellung der Fig. 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. An der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 ist ein Vergussrahmen 230 ange¬ legt worden. Der Vergussrahmen 230 umgrenzt die Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 bevorzugt in einem Bereich nahe des Außenumfangs des Leiterrahmens 210. Damit befindet sich der Leiterrahmen 210 in einem durch die Rückseitenfolie 270 und den Vergussrahmen 230 gebildeten Becken. Der Vergussrahmen 230 kann beispielsweise durch eine Dosiermethode (Dispensing) angelegt werden. electrically connected to a respective second portion 214 of the lead frame 210. However, it would also mög ¬ Lich that one of the electrical contact areas of the optoelectronic semiconductor chip 220 on the underside 222 of the respective optoelectronic semiconductor chip 220 is arranged. In this case, the electrical contact surface arranged on the underside 222 of the respective optoelectronic semiconductor chip 220 can be connected to the respective first section 213 of the leadframe 210 in an electrically conductive manner, for example via a solder connection. The bonding wire 223 connected to the respective first section 213 of the leadframe 210 may be omitted in this case. FIG. 9 shows a schematic sectional side view of the leadframe 210 in a processing state which follows the illustration of FIG. At the top 211 of the lead frame 210, a Vergussrahmen 230 has been attached ¬ sets. The potting frame 230 preferably circumscribes the upper surface 211 of the lead frame 210 in an area near the outer periphery of the lead frame 210. Thus, the lead frame 210 is located in a basin formed by the back sheet 270 and the potting frame 230. The potting frame 230 can be created, for example, by a dispensing method.
Fig. 10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 in einem der Darstellung der Fig. 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der Leiterrahmen 210 und die an der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 an¬ geordneten optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind in einen Silikonkörper 240 eingebettet worden. Auch die die elektrischen Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 220 mit dem Leiterrahmen 210 verbindenden Bond- drähte 223 sind in den Silikonkörper 240 eingebettet wor¬ den . FIG. 10 shows a schematic sectional side view of the lead frame 210 in a processing state which follows the illustration of FIG. The lead frame 210 and at ¬ parent optoelectronic semiconductor chip 220 have been embedded in a silicon body 240 at the top 211 of the lead frame 210th Also, the electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 220 connected to the lead frame 210. Bond wires 223 are embedded in the silicone body 240 wor ¬.
Der Silikonkörper 240 weist ein Silikon auf. Außerdem kann der Silikonkörper 240 eingebettete Partikel aufweisen, ins- besondere eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel. Die in den Silikonkörper 240 eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel können dazu dienen, eine Wellenlänge von durch die optoelektronischen Halbleiterchips 220 emit- tierter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. The silicone body 240 comprises a silicone. In addition, the silicone body 240 may comprise embedded particles, in particular embedded wavelength-converting particles. The wavelength-converting particles embedded in the silicone body 240 can serve to emit a wavelength of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chips 220. converted electromagnetic radiation.
Hierzu können die wellenlängenkonvertierenden Partikel ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge zu absorbieren und anschließend elektromagneti- sehe Strahlung einer zweiten, typischerweise größeren, Wellenlänge zu emittieren. Beispielsweise können die in den Silikonkörper 240 eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel dazu vorgesehen sein, durch die optoelektronischen Halbleiterchips 220 emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultraviolettenFor this purpose, the wavelength-converting particles may be formed to absorb electromagnetic radiation of a first wavelength and then to emit electromagnetic radiation of a second, typically larger, wavelength. By way of example, the wavelength-converting particles embedded in the silicone body 240 may be provided for electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips 220
Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. In den Silikonkörper 240 eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel können allerdings auch entfallen. Der Silikonkörper 240 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren (Dispensing) angelegt worden sein. Dabei wird das den Silikonkörper 240 bildende Material in flüssiger Form in den durch den Vergussrahmen 230 und die Rückseitenfolie 270 umgrenzten Bereich eingefüllt und härtet anschließend aus. Das den Silikonkörper 240 bildende Material füllt den durch den Vergussrahmen 230 und die Rückseitenfolie 270 um¬ grenzten Bereich derart vollständig aus, dass die Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 im Wesentlichen vollständig durch das Material des Silikonkörpers 240 bedeckt ist, die Durch- brüche des Leiterrahmens 210 im Wesentlichen vollständig mit dem Material des Silikonkörpers 240 gefüllt sind und die optoelektronischen Halbleiterchips 220 im Wesentlichen vollständig in den Silikonkörper 240 eingebettet sind. Es ist auch möglich, den Silikonkörper 240 durch Formpressen (Compression Molding) auszubilden. In diesem Fall kann das anhand der Figur 9 dargestellte Anlegen des Vergussrahmens 230 entfallen. Der Silikonkörper 240 weist eine von dem Leiterrahmen 210 und der Rückseitenfolie 270 abgewandte Oberseite 241 auf. Die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 kann eine hohe Klebrigkeit aufweisen. Dadurch kann beispielsweise Schmutz leicht an der Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 anhaf¬ ten. Um eine solche mögliche Anhaftung von Schmutz an der Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 zu verhindern, kann die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 bereits in einem dem in Fig. 10 gezeigten Bearbeitungsstand folgenden Bearbeitungsschritt mit einer die Klebrigkeit reduzierenden Be- schichtung versehen werden, wie nachfolgend erläutert werden wird. Fig. 11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 und des Silikonkörpers 240 in einem der Darstellung der Fig. 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die Rückseitenfolie 270 ist von dem Silikonkör¬ per 240 und der Unterseite 212 des Leiterrahmens 210 abge- löst worden. Convert spectral range to white light. However, embedded in the silicone body 240 wavelength-converting particles can also be omitted. The silicone body 240 may have been applied, for example, by a dispensing method. In this case, the material forming the silicone body 240 is filled in liquid form into the area bounded by the potting frame 230 and the backsheet 270 and then cured. The material of the silicon body 240 forming fills the through Vergussrahmen 230 and the back sheet 270 at ¬ limited range so completely that the upper surface 211 of the lead frame 210 is substantially completely covered by the material of the silicon body 240, the breakthroughs of the lead frame 210 are substantially completely filled with the material of the silicone body 240 and the optoelectronic semiconductor chips 220 are substantially completely embedded in the silicone body 240. It is also possible to form the silicone body 240 by compression molding. In this case, the application of the Vergussrahmens 230 shown with reference to FIG 9 can be omitted. The silicone body 240 has an upper side 241 facing away from the lead frame 210 and the rear side foil 270. The top 241 of the silicone body 240 may have a high tack. As a result, for example, dirt slightly on the upper side 241 of silicon body 240 anhaf ¬ th. In order to prevent such a possible adhesion of dirt on the top side 241 of silicon body 240, the upper surface 241 of silicon body 240 at an shown in Fig. 10 processing status following processing step can with a the tackiness reducing coating will be provided, as will be explained below. FIG. 11 shows a schematic sectional side view of the leadframe 210 and the silicone body 240 in a processing state which follows the illustration of FIG. The back sheet 270 has been dissolved off from the Silikonkör ¬ by 240 and the bottom 212 of the lead frame 210th
In einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt wird der Sili¬ konkörper 240 mit dem eingebetteten Leiterrahmen 210 und den eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 220 auf einer Trägerfolie 271 angeordnet, die in der schemati¬ schen geschnittenen Seitenansicht der Fig. 12 dargestellt ist. Dabei wird die Unterseite 212 des Leiterrahmens 210 der Trägerfolie 271 zugewandt. Die Trägerfolie 271 kann auch als Sägefolie bezeichnet werden. In a subsequent processing step the Sili ¬ konkörper 240 with the embedded lead frame 210 and the embedded optoelectronic semiconductor chip is placed 220 on a carrier film 271, which is shown in the schemati ¬ rule sectional side view of Fig. 12. In this case, the bottom 212 of the lead frame 210 of the carrier film 271 is facing. The carrier foil 271 can also be referred to as a sawing foil.
Nach dem Anordnen des Silikonkörpers 240 auf der Trägerfo¬ lie 271 werden der Silikonkörper 240 und der in den Silikonkörper 140 eingebettete Leiterrahmen 210 zerteilt. Das Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des in den Silikonkör- per 240 eingebetteten Leiterrahmens 210 kann beispielsweise durch einen Sägeprozess, einen Stanzprozess , einen Schnei- deprozess oder einen anderen Prozess erfolgen. Fig . 12 zeigt die durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstande¬ nen Teile des Silikonkörpers 240. After arranging the silicone body 240 on the carrier foil 271, the silicone body 240 and the leadframe 210 embedded in the silicone body 140 are cut. The cutting of the silicone body 240 and of the lead frame 210 embedded in the silicone body 240 may, for example, be carried out by a sawing process, a stamping process, a cutting process or another process. Fig. 12 shows the entstande by dicing the silicon body 240 ¬ NEN parts of the silicon body 240th
Jeder der durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstande¬ nen Teile des Silikonkörpers 240 weist im in Fig. 12 darge¬ stellten Beispiel einen ersten Abschnitt 213 des Leiterrah- , 0 Each of the entstande ¬ NEN by dicing the silicon body 240 parts of the silicon body 240 has in in Fig. 12 Darge ¬ presented example, a first portion 213 of the Leiterrah- , 0
mens 210 und einen zweiten Abschnitt 214 des Leiterrahmens 210 auf. Der erste Abschnitt 213 und der zweite Abschnitt 214 des Leiterrahmens 210 sind dabei voneinander getrennt und elektrisch gegeneinander isoliert. Auf der Oberseite 211 des ersten Abschnitts 213 des Leiterrahmens 210 ist ei¬ ner der optoelektronischen Halbleiterchips 220 angeordnet. Die elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind elektrisch leitend mit dem ersten Abschnitt 213 und dem zweiten Abschnitt 214 des Leiterrah- mens 210 verbunden. Es wäre aber auch möglich, den Silikonkörper 240 so zu zerteilen, dass in jeden Teil des Silikonkörpers 240 mehr als ein optoelektronischer Halbleiterchip 220 eingebettet ist. mens 210 and a second portion 214 of the lead frame 210 on. The first portion 213 and the second portion 214 of the lead frame 210 are separated from each other and electrically isolated from each other. On top of 211 of the first portion 213 of the lead frame 210 ei ¬ ner of the optoelectronic semiconductor chip 220 is arranged. The electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 220 are electrically conductively connected to the first section 213 and the second section 214 of the conductor frame 210. However, it would also be possible to divide the silicone body 240 so that more than one optoelectronic semiconductor chip 220 is embedded in each part of the silicone body 240.
Die durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240 weisen neben der Oberseite 241 an den Zerteilgrenzen gebildete Seitenflächen 242 auf. Die Seitenflächen 242 der Teile des Silikonkörpers 240 können eine hohe Klebrigkeit aufweisen. Auch die Oberseiten 241 der durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240 können eine hohe Klebrigkeit aufweisen, falls die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 nicht bereits zuvor mit einer die Klebrigkeit reduzierenden Beschichtung versehen worden ist. The parts of the silicone body 240 which have been formed by dividing the silicone body 240 have side surfaces 242 formed next to the upper side 241 at the dividing edges. The side surfaces 242 of the parts of the silicone body 240 may have a high tackiness. The upper sides 241 of the parts of the silicone body 240 formed by dividing the silicone body 240 may also have a high tackiness if the upper side 241 of the silicone body 240 has not previously been provided with a tackiness-reducing coating.
Fig. 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der auf der Trägerfolie 271 angeordneten Teile des Silikonkörpers 240 während eines der Darstellung der Fig. 12 zeit¬ lich nachfolgenden Bearbeitungsschritts. Dabei werden die auf der Trägerfolie 271 angeordneten Teile des Silikonkörpers 240 kopfüber in ein Bad 250 einer Lösung 251 getaucht. Das Eintauchen der Teile des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 muss allerdings nicht zwingend kopfüber erfolgen. Die Lösung 251 weist ein Lösungsmittel und ein PTFE- basiertes Methoxysilan auf. Das Lösungsmittel ist bevorzugt ein fluoriertes Lösungsmittel. Das PTFE-basierte Methoxy¬ silan macht bevorzugt einen Anteil zwischen 0,01 Gewichts- prozent und 1 Gewichtsprozent der Lösung 251 aus. Bei¬ spielsweise kann das PTFE-basierte Methoxysilan einen An¬ teil von 0,1 Gewichtsprozent der Lösung 251 ausmachen. Das PTFE-basierte Methoxysilan ist bevorzugt ein PTFE-basiertes Methoxy-Trisilan . FIG. 13 shows a schematic sectional side view of the parts of the silicone body 240 arranged on the carrier film 271 during a processing step which follows the illustration of FIG. In this case, the parts of the silicone body 240 arranged on the carrier film 271 are dipped head-on into a bath 250 of a solution 251. The immersion of the parts of the silicone body 240 in the bath 250, however, does not necessarily have to be done upside down. Solution 251 comprises a solvent and a PTFE-based methoxysilane. The solvent is preferably a fluorinated solvent. The PTFE-based ¬ methoxy silane makes preferred an amount between 0.01 wt percent and 1 percent by weight of the solution 251 out. In ¬ game as the PTFE-based methoxysilane can make an on ¬ part of 0.1 percent by weight of the solution 251st The PTFE-based methoxysilane is preferably a PTFE-based methoxy-trisilane.
Durch das Eintauchen der Teile des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 wird an den Seitenflächen 242 eine PTFE- aufweisende Beschichtung 260 gebildet, die in der schemati- sehen geschnittenen Seitenansicht der Fig. 14 sichtbar ist. Falls die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 nicht be¬ reits in einem vorangegangenen Verfahrensschritt mit einer Beschichtung versehen worden ist, so wird während des in Fig. 13 dargestellten Bearbeitungsschritts die PTFE- aufweisende Beschichtung 260 auch an der Oberseite 241 der Teile des Silikonkörpers 240 ausgebildet. Die Beschichtung 260 wird dadurch gebildet, dass PTFE-basiertes Methoxysilan aus der Lösung 251 kovalent an funktionale Gruppen, insbe¬ sondere OH-Gruppen, des Silikons des Silikonkörpers 240 an- gebunden wird. An einer äußeren Oberfläche 261 der Beschichtung 260 bildet sich dabei eine PTFE-Schicht aus, die eine geringe Klebrigkeit aufweist. Die geringe Klebrigkeit der Oberfläche 261 der Beschichtung 260 reduziert die Ge¬ fahr einer Anhaftung von Schmutzpartikeln an der Oberfläche 261 der Beschichtung 260 der Teile des Silikonkörpers 240 und eine Gefahr, dass die durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240 aneinan¬ der haften. Die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 kann bereits in einem der Darstellung der Fig. 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt vor dem Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des Leiterrahmens 210 mit der Beschichtung 260 ver¬ sehen werden. Dies kann analog zu dem in Fig. 13 darge- stellten Bearbeitungsschritt durch Eintauchen des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 der Lösung 251 erfolgen. Das an¬ hand der Fig. 13 erläuterte Beschichten der Seitenflächen 242 des Silikonkörpers 240 durch Eintauchen in das Bad 250 der Lösung 251 nach dem Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des Leiterrahmens 210 kann anschließend trotzdem noch vorgenommen werden. Die Beschichtung 260 kann anstatt durch Eintauchen des Silikonkörpers 240 oder der durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 gebildeten Teile des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 der Lösung 251 auch durch ein Sprühverfahren angelegt werden. Hierzu wird die Lösung 251 oder eine andere ein PTFE-basiertes Methoxysilan aufweisende Lösung auf dieBy immersing the parts of the silicone body 240 in the bath 250, a PTFE-containing coating 260 is formed on the side surfaces 242, which is visible in the sectional side view seen in FIG. While shown in Fig. 13 processing step if the upper surface 241 of the silicon body not be ¬ already has been provided in a preceding method step with a coating 240, the PTFE containing coating 260 is also formed on the upper surface 241 of the portions of the silicon body 240. The coating 260 is formed in that PTFE-based methoxysilane from the solution 251 is covalently bonded to functional groups, in particular ¬ sondere OH groups of the silicone of the silicone body 240. Toggle. An outer surface 261 of the coating 260 forms a PTFE layer which has a low tack. The low stickiness of the surface 261 of the coating 260 reduces the Ge ¬ driving an adhesion of dirt particles at the surface 261 of the coating 260, the parts of the silicon body 240, and a risk that the resultant by dividing the silicone body 240 parts of the silicon body 240 aneinan ¬ the stick , The upper side 241 of the silicone body 240 can already be seen in a representation of FIG. 10 temporally subsequent processing step before dividing the silicone body 240 and the lead frame 210 with the coating 260 ver ¬ . This can be done analogously to the processing step illustrated in FIG. 13 by immersing the silicone body 240 in the bath 250 of the solution 251. The illustrated with reference to FIG. 13 coating the side surfaces 242 of the silicone body 240 by immersion in the bath 250th the solution 251 after dividing the silicone body 240 and the lead frame 210 can still be made afterwards. The coating 260 may also be applied by a spraying process instead of dipping the silicone body 240 or the parts of the silicone body 240 formed by dividing the silicone body 240 into the bath 250 of the solution 251. For this purpose, the solution 251 or another PTFE-based methoxysilane-containing solution on the
Oberseite 241 und die Seitenflächen 242 des Silikonkörpers 240 aufgesprüht. Top 241 and the side surfaces 242 of the silicone body 240 sprayed.
Fig. 14 zeigt in schematischer geschnittener Seitenansicht eine Mehrzahl zweiter optoelektronischer Bauelemente 200.14 shows a schematic sectional side view of a plurality of second optoelectronic components 200.
Die zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 sind aus den durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des Leiterrah¬ mens 210 gebildeten Teilen nach dem Ablösen von der Trägerfolie 271 gebildet worden. Die zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 können beispielsweise Leuchtdioden- Bauelemente sein. The second opto-electronic devices 200 are formed from the space formed by dicing the silicon body 240 and Leiterrah ¬ mens 210 parts after detachment from the carrier film 271st The second optoelectronic components 200 may, for example, be light-emitting diode components.
Die Oberseiten 241 und Seitenflächen 242 der Silikonkörper 240 der zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 weisen die Beschichtung 260 auf, deren Oberfläche 261 nur eine ge¬ ringe Klebrigkeit aufweist. Dadurch besteht bei den zweiten optoelektronischen Bauelementen 200 nur eine geringe Gefahr einer Anhaftung von Schmutz. Auch besteht nur eine geringe Gefahr, dass zwei der optoelektronischen Bauelemente 200 aneinander haften bleiben. Dadurch sind die zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 einfach handhabbar. The upper sides 241 and side surfaces 242 of the silicon body 240 of the second opto-electronic components 200 have the coating 260, the surface 261 has only a ge ¬ rings tackiness. As a result, in the case of the second optoelectronic components 200 there is only a slight risk of adhesion of dirt. Also, there is little danger that two of the optoelectronic devices 200 adhere to each other. As a result, the second optoelectronic components 200 are easy to handle.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele einge¬ schränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. Bezugs zeichenliste The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred Ausführungsbei ¬ games. However, the invention is not limited to the ¬ disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention. Reference sign list
100 erstes optoelektronisches Bauelement 100 first optoelectronic component
110 Träger 110 carriers
111 Oberseite  111 top
112 Unterseite  112 bottom
120 optoelektronischer Halbleiterchip120 optoelectronic semiconductor chip
121 Oberseite 121 top
122 Unterseite  122 bottom
130 wellenlängenkonvertierendes Element 130 wavelength converting element
140 Silikonkörper 140 silicone body
141 Oberfläche  141 surface
142 optische Linse  142 optical lens
143 Flächenabschnitt  143 area section
150 Bad 150 bath
151 Lösung  151 solution
160 Beschichtung 160 coating
161 Oberfläche  161 surface
200 zweites optoelektronisches Bauelement 200 second optoelectronic component
210 Leiterrahmen 210 lead frame
211 Oberseite  211 top
212 Unterseite  212 bottom
213 erster Abschnitt  213 first section
214 zweiter Abschnitt  214 second section
220 optoelektronischer Halbleiterchip220 optoelectronic semiconductor chip
221 Oberseite 221 top
222 Unterseite  222 bottom
223 Bonddraht Vergussrahmen Silikonkörper Oberseite 223 bonding wire Vergussrahmen silicone body top
Seitenfläche Bad Side surface bath
Lösung Beschichtung Oberfläche Solution coating surface
Rückseitenfolie Trägerfolie Backsheet carrier film

Claims

Patentansprüche Patent claims
Optoelektronisches Bauelement (100, 200) Optoelectronic component (100, 200)
mit einem Silikonkörper (140, 240), in den ein optoelektronischer Halbleiterchip (120, 220) eingebettet ist, with a silicone body (140, 240) in which an optoelectronic semiconductor chip (120, 220) is embedded,
wobei der Silikonkörper (140, 240) eine Beschichtung wherein the silicone body (140, 240) has a coating
(160, 260) aufweist, die PTFE aufweist. (160, 260) which has PTFE.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei der Silikonkörper (140) eine optische Linse (142) bildet . Optoelectronic component (100) according to claim 1, wherein the silicone body (140) forms an optical lens (142).
3. Optoelektronisches Bauelement (200) gemäß einem der vor- hergehenden Ansprüche, 3. Optoelectronic component (200) according to one of the preceding claims,
wobei der Silikonkörper (240) eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. wherein the silicone body (240) has embedded wavelength-converting particles.
4. Optoelektronisches Bauelement (100, 200) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, 4. Optoelectronic component (100, 200) according to one of the preceding claims,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (120, 220) auf einem Träger (110, 210) angeordnet ist. wherein the optoelectronic semiconductor chip (120, 220) is arranged on a carrier (110, 210).
5. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bau- elements (100, 200) 5. Method for producing an optoelectronic component (100, 200)
mit den folgenden Schritten: with the following steps:
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (120, 220) auf einem Träger (110, 210); - Arranging an optoelectronic semiconductor chip (120, 220) on a carrier (110, 210);
- Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips (120, 220) in einen Silikonkörper (140, 240); - Embedding the optoelectronic semiconductor chip (120, 220) in a silicone body (140, 240);
- Beschichten des Silikonkörpers (140, 240) mit einer Beschichtung (160, 260), die PTFE aufweist. - Coating the silicone body (140, 240) with a coating (160, 260) that has PTFE.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5, 6. Method according to claim 5,
wobei das Beschichten des Silikonkörpers (140, 240) durch Eintauchen in ein Bad (150, 250) erfolgt. wherein the silicone body (140, 240) is coated by immersing it in a bath (150, 250).
7. Verfahren gemäß Anspruch 5, 7. Method according to claim 5,
wobei das Beschichten des Silikonkörpers (140, 240) durch ein Sprühverfahren erfolgt. wherein the coating of the silicone body (140, 240) is carried out by a spraying process.
8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, 8. Method according to one of claims 5 to 7,
wobei die Beschichtung (160, 260) aus einer Lösung (151, 251) erzeugt wird, die ein PTFE-basiertes Methoxysilan aufweist . wherein the coating (160, 260) is produced from a solution (151, 251) which has a PTFE-based methoxysilane.
9. Verfahren gemäß Anspruch 8, 9. Method according to claim 8,
wobei die Lösung (151, 251) ein fluoriertes Lösungsmit¬ tel und zwischen 0,01 Gewichtsprozent und 1 Gewichtspro¬ zent eines PTFE-basierten Methoxysilans aufweist. wherein the solution (151, 251) contains a fluorinated solvent and between 0.01 percent by weight and 1 percent by weight of a PTFE-based methoxysilane.
10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 und 9, 10. Method according to one of claims 8 and 9,
wobei die Lösung (151, 251) ein PTFE-basiertes Methoxy- Trisilan aufweist. wherein the solution (151, 251) has a PTFE-based methoxy trisilane.
11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 10, 11. Method according to one of claims 5 to 10,
wobei der Silikonkörper (140) durch Formpressen ausgebildet wird. wherein the silicone body (140) is formed by compression molding.
12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 11, 12. Method according to one of claims 5 to 11,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um- fasst : wherein the method includes the following further step:
- Zerteilen des Trägers (110, 210), um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente (100, 200) zu erhalten. - Dividing the carrier (110, 210) in order to obtain a plurality of optoelectronic components (100, 200).
13. Verfahren gemäß Anspruch 12, 13. Method according to claim 12,
wobei bei dem Zerteilen des Trägers (110, 210) auch der Silikonkörper (140, 240) zerteilt wird. wherein when the carrier (110, 210) is divided, the silicone body (140, 240) is also divided.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13, 14. Method according to claim 13,
wobei der Silikonkörper (240) vor und nach dem Zerteilen des Silikonkörpers (240) mit einer Beschichtung (260) beschichtet wird, die PTFE aufweist. wherein the silicone body (240) is coated with a coating (260) which has PTFE before and after the silicone body (240) is divided.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 14, 15. Method according to one of claims 5 to 14,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um- fasst : wherein the method includes the following further step:
- Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements (130) auf dem optoelektronischen Halbleiterchip (120). - Arranging a wavelength-converting element (130) on the optoelectronic semiconductor chip (120).
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