DE102014103133A1 - Optoelectronic component and method for its production - Google Patents

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Silikonkörper auf, in den ein optoelektronischer Halbleiterchip eingebettet ist. Der Silikonkörper weist eine PTFE-aufweisende Beschichtung auf.An optoelectronic component has a silicone body in which an optoelectronic semiconductor chip is embedded. The silicone body has a PTFE-containing coating.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 5. The present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 5.

Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente bekannt, bei denen ein optoelektronischer Halbleiterchip in einen Silikonkörper eingebettet ist. Der Silikonkörper kann dabei beispielsweise eine optische Linse oder ein Gehäuse des optoelektronischen Bauelements bilden. Es ist bekannt, dass derartige Silikonkörper nach ihrer Herstellung eine klebrige Oberfläche aufweisen. Dies kann eine Anhaftung von Schmutz oder eine Haftung mehrerer Bauteile aneinander zur Folge haben. Zur Reduzierung der Klebrigkeit der Oberflächen der Silikonkörper ist es bekannt, die Oberflächen der Silikonkörper mittels eines Sauerstoffplasmas zu verglasen. Dieser Prozess ist allerdings aufwändig und kann nur für eine begrenzte Anzahl von Bauelementen gleichzeitig durchgeführt werden. Außerdem kann die Behandlung mit einem Sauerstoffplasma zu einer starken Oxidation hierfür anfälliger Oberflächen der optoelektronischen Bauelemente führen, beispielsweise zu einer Oxidation von Silberoberflächen. In the prior art optoelectronic components are known in which an optoelectronic semiconductor chip is embedded in a silicone body. The silicone body can form, for example, an optical lens or a housing of the optoelectronic component. It is known that such silicone bodies have a sticky surface after their production. This can result in adhesion of dirt or adhesion of multiple components to each other. To reduce the stickiness of the surfaces of the silicone body, it is known to vitrify the surfaces of the silicone body by means of an oxygen plasma. However, this process is expensive and can only be done simultaneously for a limited number of components. In addition, the treatment with an oxygen plasma can lead to a strong oxidation of susceptible surfaces of the optoelectronic components, for example to an oxidation of silver surfaces.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 5 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the features of claim 1. A further object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 5. In the dependent claims various developments are given.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Silikonkörper, in den ein optoelektronischer Halbleiterchip eingebettet ist. Der Silikonkörper weist eine Beschichtung auf, die PTFE aufweist. Vorteilhafterweise reduziert die PTFE-aufweisende Beschichtung des Silikonkörpers eine Klebrigkeit der Oberfläche des Silikonkörpers. Dadurch kann vorteilhafterweise die Gefahr einer Anhaftung von Schmutz an der Oberfläche des Silikonkörpers reduziert werden. Auch kann die Wahrscheinlichkeit, dass Silikonkörper mehrerer optoelektronischer Bauelemente aneinander haften, reduziert werden. Dies verbessert die Handhabbarkeit des optoelektronischen Bauelements. An optoelectronic component comprises a silicone body in which an optoelectronic semiconductor chip is embedded. The silicone body has a coating comprising PTFE. Advantageously, the PTFE-containing coating of the silicone body reduces a stickiness of the surface of the silicone body. This advantageously reduces the risk of dirt adhering to the surface of the silicone body. Also, the likelihood that silicone bodies of a plurality of optoelectronic devices adhere to one another can be reduced. This improves the handling of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bildet der Silikonkörper eine optische Linse. Die optische Linse kann zur Bündelung und Strahlformung von durch das optoelektronische Bauelement emittierter elektromagnetischer Strahlung dienen. Durch die Beschichtung des Silikonkörpers, die PTFE aufweist, wird eine Klebrigkeit einer Außenfläche der optischen Linse vorteilhafterweise reduziert. In one embodiment of the optoelectronic component, the silicone body forms an optical lens. The optical lens can be used for the bundling and beam shaping of electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component. By coating the silicone body comprising PTFE, tackiness of an outer surface of the optical lens is advantageously reduced.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Silikonkörper eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel auf. Die in den Silikonkörper eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel können dazu dienen, eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Beispielsweise können die in den Silikonkörper des optoelektronischen Bauelements eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel dazu vorgesehen sein, durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem ultravioletten oder blauen Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Der Silikonkörper des optoelektronischen Bauelements bewirkt somit eine Volumenkonvertierung. Alternativ können die in den Silikonkörper des optoelektronischen Bauelements eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel, beispielsweise durch Sedimentation oder durch elektrophoretische Abscheidung, auch chipnah angeordnet sein, um eine chipnahe Konvertierung zu bewirken. Die PTFE-aufweisende Beschichtung des Silikonkörpers reduziert vorteilhafterweise eine Klebrigkeit der Oberflächen des wellenlängenkonvertierenden Silikonkörpers. In one embodiment of the optoelectronic component, the silicone body has embedded wavelength-converting particles. The wavelength-converting particles embedded in the silicone body can serve to convert a wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component. By way of example, the wavelength-converting particles embedded in the silicone body of the optoelectronic component can be provided to convert electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip into the light of a wavelength from the ultraviolet or blue spectral range into white light. The silicone body of the optoelectronic component thus effects a volume conversion. Alternatively, the wavelength-converting particles embedded in the silicone body of the optoelectronic component, for example by sedimentation or by electrophoretic deposition, can also be arranged close to the chip, in order to effect chip-like conversion. The PTFE-containing coating of the silicone body advantageously reduces a stickiness of the surfaces of the wavelength-converting silicone body.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet. Der Träger kann dabei auch zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips dienen. In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip is arranged on a carrier. The carrier can also serve for electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Träger, zum Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips in einen Silikonkörper, und zum Beschichten des Silikonkörpers mit einer Beschichtung, die PTFE aufweist. Vorteilhafterweise kann durch das Beschichten des Silikonkörpers mit der PTFE-aufweisenden Beschichtung eine Klebrigkeit der Oberfläche des Silikonkörpers reduziert werden. Dadurch lässt sich vorteilhafterweise die Wahrscheinlichkeit einer Anhaftung von Schmutz an der Oberfläche des Silikonkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements reduzieren. Auch kann die Gefahr, dass die Silikonkörper mehrerer optoelektronischer Bauelemente aneinander haften bleiben, vorteilhafterweise reduziert werden. Dadurch lässt sich das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise gut handhaben. A method for producing an optoelectronic component comprises steps for arranging an optoelectronic semiconductor chip on a carrier, for embedding the optoelectronic semiconductor chip in a silicone body, and for coating the silicone body with a coating comprising PTFE. Advantageously, by coating the silicone body with the PTFE-containing coating, a tackiness of the surface of the silicone body can be reduced. As a result, the probability of dirt adhering to the surface of the silicone body of the optoelectronic component obtainable by the method can advantageously be reduced. Also, the risk that the silicone body of a plurality of optoelectronic components adhere to each other, can be advantageously reduced. As a result, the optoelectronic component obtainable by the method can advantageously be handled well.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Beschichten des Silikonkörpers durch Eintauchen in ein Bad. Vorteilhafterweise lässt sich der Verfahrensschritt dadurch für eine Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen gleichzeitig durchführen, was eine schnelle und kostengünstige Durchführung des Verfahrens ermöglicht. In one embodiment of the method, the coating of the silicone body is carried out by immersion in a bath. Advantageously, the method step can thereby be carried out simultaneously for a large number of optoelectronic components, which enables a quick and cost-effective implementation of the method.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Beschichten des Silikonkörpers durch ein Sprühverfahren. Vorteilhafterweise ermöglicht auch dies eine parallele Durchführung des Verfahrensschritts für eine Vielzahl optoelektronischer Bauelemente gleichzeitig. Dadurch lässt sich das Verfahren mit geringem Zeit- und Kostenaufwand durchführen. In one embodiment of the method, the coating of the silicone body is carried out by a spray process. Advantageously, this also allows a parallel implementation of the method step for a plurality of optoelectronic components simultaneously. As a result, the process can be carried out with little time and expense.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Beschichtung aus einer Lösung erzeugt, die ein PTFE-basiertes Methoxysilan aufweist. Das PTFE-basierte Methoxysilan kann dabei eine feste Bindung mit der Oberfläche des Silikonkörpers des optoelektronischen Bauelements eingehen. Insbesondere kann das PTFE-basierte Methoxysilan eine kovalente Bindung mit funktionalen Gruppen an der Oberfläche des Silikonkörpers eingehen, insbesondere mit OH-Gruppen an der Oberfläche des Silikonkörpers. Gleichzeitig kann die aus dem PTFE-basierten Methoxysilan gebildete Beschichtung an ihrer Außenseite eine PTFE-Schicht ausbilden, die eine gegenüber der ursprünglichen Oberfläche des Silikonkörpers reduzierte Klebrigkeit aufweist. In one embodiment of the method, the coating is formed from a solution comprising a PTFE-based methoxysilane. The PTFE-based methoxysilane can form a firm bond with the surface of the silicone body of the optoelectronic component. In particular, the PTFE-based methoxysilane can form a covalent bond with functional groups on the surface of the silicone body, in particular with OH groups on the surface of the silicone body. At the same time, the coating formed from the PTFE-based methoxysilane can form on its outer side a PTFE layer which has a reduced tack relative to the original surface of the silicone body.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Lösung ein fluoriertes Lösungsmittel und zwischen 0,01 Gewichtsprozent und 1 Gewichtsprozent eines PTFE-basierten Methoxysilans auf. Beispielsweise kann die Lösung 0,1 Gewichtsprozent des PTFE-basierten Methoxysilans aufweisen. Vorteilhafterweise hat sich eine solche Konzentration als geeignet für eine Erzeugung einer die Klebrigkeit reduzierenden Beschichtung des Silikonkörpers erwiesen. In one embodiment of the method, the solution comprises a fluorinated solvent and between 0.01% and 1% by weight of a PTFE-based methoxysilane. For example, the solution may comprise 0.1 weight percent of the PTFE-based methoxysilane. Advantageously, such a concentration has proven to be suitable for producing a tack-reducing coating of the silicone body.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Lösung ein PTFE-basiertes Methoxy-Trisilan auf. Vorteilhafterweise hat sich die Verwendung eines PTFE-basierten Methoxy-Trisilans als besonders geeignet für die Ausbildung einer die Klebrigkeit des Silikonkörpers reduzierenden Beschichtung erwiesen. In one embodiment of the method, the solution comprises a PTFE-based methoxy-trisilane. Advantageously, the use of a PTFE-based methoxy-trisilane has proven to be particularly suitable for the formation of a coating that reduces the tackiness of the silicone body.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Silikonkörper durch Formpressen ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache und kostengünstige Massenproduktion. In one embodiment of the method, the silicone body is formed by compression molding. Advantageously, this allows a simple and inexpensive mass production.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Trägers, um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente zu erhalten. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen. Die parallel hergestellten optoelektronischen Bauelemente sind dabei zunächst in einem Verbund (Nutzen) angeordnet und werden erst anschließend vereinzelt. Vorteilhafterweise können sich durch die parallele Bearbeitung der Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente die Herstellungskosten pro einzelnem optoelektronischen Bauelement reduzieren. In one embodiment of the method, this comprises a further step of dividing the carrier in order to obtain a plurality of optoelectronic components. Advantageously, the method thereby enables a parallel production of a plurality of optoelectronic components in common operations. The optoelectronic components produced in parallel are initially arranged in a composite (utility) and are only then separated. Advantageously, the parallel processing of the plurality of optoelectronic components can reduce the production costs per individual optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird bei dem Zerteilen des Trägers auch der Silikonkörper zerteilt. Vorteilhafterweise können die bei dem Zerteilen des Silikonkörpers entstehenden Schnittflächen anschließend durch Beschichten mit der PTFE-aufweisenden Beschichtung in ihrer Klebrigkeit reduziert werden. In one embodiment of the method, the silicone body is also parted during the dicing of the carrier. Advantageously, the cut surfaces resulting from the division of the silicone body can subsequently be reduced in their tackiness by coating with the PTFE-containing coating.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Silikonkörper vor und nach dem Zerteilen des Silikonkörpers mit einer Beschichtung beschichtet, die PTFE aufweist. Vorteilhafterweise wird dadurch sichergestellt, dass alle relevanten Oberflächen des Silikonkörpers mit einer ihre Klebrigkeit reduzierenden Beschichtung beschichtet werden. In one embodiment of the method, the silicone body is coated before and after the cutting of the silicone body with a coating comprising PTFE. Advantageously, this ensures that all relevant surfaces of the silicone body are coated with a coating that reduces their tackiness.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements auf dem optoelektronischen Halbleiterchip. Das wellenlängenkonvertierende Element kann dabei ebenfalls in den Silikonkörper eingebettet werden. Das wellenlängenkonvertierende Element kann dazu dienen, eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Dadurch kann beispielsweise aus elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich weißes Licht erzeugt werden. In one embodiment of the method, this comprises a further step for arranging a wavelength-converting element on the optoelectronic semiconductor chip. The wavelength-converting element can also be embedded in the silicone body. The wavelength-converting element can serve to convert an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component obtainable by the method into electromagnetic radiation of another wavelength. As a result, white light can be generated, for example, from electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter DarstellungThe above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers mit darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips; 1 a sectional side view of a carrier having disposed thereon optoelectronic semiconductor chips;

2 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers mit auf den optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten wellenlängenkonvertierenden Elementen; 2 a sectional side view of the carrier with on the optoelectronic Semiconductor chips arranged wavelength-converting elements;

3 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers nach dem Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips in Silikonkörper; 3 a sectional side view of the carrier after embedding the optoelectronic semiconductor chips in silicone body;

4 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers während eines Eintauchens der Silikonkörper 140 in ein Bad; 4 a sectional side view of the carrier during a dipping of the silicone body 140 in a bath;

5 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers mit einer an einer Oberfläche der Silikonkörper ausgebildeten Beschichtung; 5 a sectional side view of the carrier with a formed on a surface of the silicone body coating;

6 eine geschnittene Seitenansicht mehrerer durch Zerteilen des Trägers gebildeter optoelektronischer Bauelemente; 6 a sectional side view of several formed by cutting the carrier optoelectronic devices;

7 eine geschnittene Seitenansicht eines Leiterrahmens mit auflaminierter Rückseitenfolie; 7 a sectional side view of a lead frame with laminated back sheet;

8 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers mit darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips; 8th a sectional side view of the carrier with thereon arranged optoelectronic semiconductor chips;

9 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers nach dem Aufbringen eines Vergussrahmens; 9 a sectional side view of the carrier after the application of a Vergussrahmens;

10 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers nach dem Einbetten des Trägers und der optoelektronischen Halbleiterchips in einen Silikonkörper; 10 a sectional side view of the carrier after embedding the carrier and the optoelectronic semiconductor chips in a silicone body;

11 eine geschnittene Seitenansicht des Silikonkörpers nach dem Entfernen der Rückseitenfolie; 11 a sectional side view of the silicone body after removing the backsheet;

12 eine geschnittene Seitenansicht des auf einer Trägerfolie angeordneten und zerteilten Silikonkörpers; 12 a sectional side view of the disposed on a carrier film and divided silicone body;

13 eine geschnittene Seitenansicht des zerteilten Silikonkörpers während eines Eintauchens in ein Bad; und 13 a sectional side view of the divided silicone body during immersion in a bath; and

14 eine geschnittene Seitenansicht einer Mehrzahl aus den zerteilten Silikonkörpern gebildeter optoelektronischer Bauelemente. 14 a sectional side view of a plurality of the divided silicone bodies formed optoelectronic devices.

Anhand der 1 bis 6 wird nachfolgend exemplarisch ein Verfahren zum Herstellen eines ersten optoelektronischen Bauelements erläutert. Anschließend wird anhand der 7 bis 13 exemplarisch ein Verfahren zum Herstellen eines zweiten optoelektronischen Bauelements erläutert. Die Erfindung ist jedoch auch bei anders aufgebauten und/oder nach anderen Verfahren hergestellten optoelektronischen Bauelementen anwendbar. Based on 1 to 6 An example of a method for producing a first optoelectronic component is explained below. Subsequently, based on the 7 to 13 exemplified a method for producing a second optoelectronic device. However, the invention is also applicable to differently constructed and / or produced by other methods optoelectronic devices.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Trägers 110. Der Träger 110 kann beispielsweise als Keramikträger ausgebildet sein. Der Träger 110 ist als im Wesentlichen flache Scheibe ausgebildet und weist eine Oberseite 111 und eine der Oberseite 111 gegenüberliegende Unterseite 112 auf. An der Oberseite 111 und/oder der Unterseite 112 des Trägers 110 können elektrische Kontaktflächen und elektrische Leiterbahnen vorgesehen sein, die wahlweise auch über in dem Träger 110 ausgebildete Durchkontakte miteinander verbunden sein können. Die elektrischen Kontaktflächen und Leiterbahnen können beispielsweise als Metallisierungen ausgebildet sein. 1 shows a schematic sectional side view of a carrier 110 , The carrier 110 may be formed, for example, as a ceramic carrier. The carrier 110 is formed as a substantially flat disc and has an upper side 111 and one of the top 111 opposite bottom 112 on. At the top 111 and / or the bottom 112 of the carrier 110 may be provided electrical contact surfaces and electrical conductors, which optionally also in the carrier 110 trained vias can be connected to each other. The electrical contact surfaces and conductor tracks may be formed, for example, as metallizations.

An der Oberseite 111 des Trägers 110 ist eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips 120 angeordnet. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 können beispielsweise als Leuchtdiodenchips (LED-Chips) ausgebildet sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind bevorzugt in einer regelmäßigen Anordnung, beispielsweise in einem Rechteckgitter, an der Oberseite 111 des Trägers 110 angeordnet. At the top 111 of the carrier 110 is a plurality of optoelectronic semiconductor chips 120 arranged. The optoelectronic semiconductor chips 120 For example, they can be designed as light-emitting diode chips (LED chips). The optoelectronic semiconductor chips 120 are intended to emit electromagnetic radiation, such as visible light. The optoelectronic semiconductor chips 120 are preferably in a regular arrangement, for example in a rectangular grid, at the top 111 of the carrier 110 arranged.

Jeder optoelektronische Halbleiterchip 120 weist eine Oberseite 121 und eine der Oberseite 121 gegenüberliegende Unterseite 122 auf. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind derart an der Oberseite 111 des Trägers 110 angeordnet, dass die Unterseiten 122 der optoelektronischen Halbleiterchips 120 der Oberseite 111 des Trägers 110 zugewandt sind. An den Oberseiten 121 und/oder den Unterseiten 122 der optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind elektrische Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 120 angeordnet. Diese elektrischen Kontaktflächen stehen in elektrisch leitender Verbindung mit elektrischen Kontaktflächen an der Oberseite 111 des Trägers 110, beispielsweise über in 1 nicht im Einzelnen dargestellte Lötverbindungen, Chipbondverbindungen und/oder Bonddrähte. Each optoelectronic semiconductor chip 120 has a top 121 and one of the top 121 opposite bottom 122 on. The optoelectronic semiconductor chips 120 are so on top 111 of the carrier 110 arranged that the bottoms 122 the optoelectronic semiconductor chips 120 the top 111 of the carrier 110 are facing. On the tops 121 and / or the subpages 122 the optoelectronic semiconductor chips 120 are electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 120 arranged. These electrical contact surfaces are in electrically conductive connection with electrical contact surfaces on the upper side 111 of the carrier 110 , for example, about in 1 not shown in detail solder joints, chip bonds and / or bonding wires.

2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Auf den Oberseiten 121 der optoelektronischen Halbleiterchips 120 sind wellenlängenkonvertierende Elemente 130 angeordnet. Das Anordnen der wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 an den Oberseiten 121 der optoelektronischen Halbleiterchips 120 kann beispielsweise mittels Layertransfer erfolgt sein. 2 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 in one of the presentation of the 1 temporally subsequent processing status. On the tops 121 the optoelectronic semiconductor chips 120 are wavelength converting elements 130 arranged. Arranging the wavelength-converting elements 130 on the tops 121 the optoelectronic semiconductor chips 120 can be done for example by means of layer transfer.

Die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 sind dazu vorgesehen, von den optoelektronischen Halbleiterchips 120 emittierte elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung anderer Wellenlänge zu konvertieren. Beispielsweise können die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 dazu vorgesehen sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. The wavelength-converting elements 130 are intended by the optoelectronic semiconductor chips 120 issued convert electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of different wavelengths. For example, the wavelength-converting elements 130 be designed to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range into white light.

Die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 können in ein Matrixmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel können beispielsweise einen organischen oder anorganischen Leuchtstoff aufweisen. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel können dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge zu absorbieren und anschließend elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten, typischerweise größeren, Wellenlänge zu emittieren. The wavelength-converting elements 130 may comprise wavelength-translating particles embedded in a matrix material. The wavelength-converting particles may comprise, for example, an organic or inorganic phosphor. The wavelength-converting particles may be configured to absorb electromagnetic radiation at a first wavelength and then emit electromagnetic radiation at a second, typically larger, wavelength.

Die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 können wahlweise entfallen. The wavelength-converting elements 130 can optionally be omitted.

3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 in einem der Darstellung der 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die optoelektronischen Halbleiterchips 120 und die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 an der Oberseite 111 des Trägers 110 sind in einen Silikonkörper 140 eingebettet worden. Der Silikonkörper 140 weist ein Silikon auf. Der Silikonkörper 140 kann beispielsweise durch Formpressen (Compression Molding) oder durch ein anderes Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt werden. 3 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 in one of the presentation of the 2 temporally subsequent processing status. The optoelectronic semiconductor chips 120 and the wavelength converting elements 130 at the top 111 of the carrier 110 are in a silicone body 140 been embedded. The silicone body 140 has a silicone. The silicone body 140 can be produced for example by compression molding or by another molding process (molding process).

Der Silikonkörper 140 bildet eine Mehrzahl optischer Linsen 142. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 120 und das dem jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchip 120 zugeordnete wellenlängenkonvertierende Element 130 ist mit einer optischen Linse 142 versehen. Die durch den Silikonkörper 140 gebildeten optischen Linsen 142 können dazu dienen, durch die optoelektronischen Halbleiterchips 120 emittierte und gegebenenfalls durch die wellenlängenkonvertierenden Elemente 130 konvertierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln oder eine anderweitige Strahlformung zu bewirken. Insbesondere können die optischen Linsen 142 als Sammellinsen ausgebildet sein. The silicone body 140 forms a plurality of optical lenses 142 , Each optoelectronic semiconductor chip 120 and that the respective optoelectronic semiconductor chip 120 associated wavelength converting element 130 is with an optical lens 142 Mistake. The through the silicone body 140 formed optical lenses 142 can serve through the optoelectronic semiconductor chips 120 emitted and optionally by the wavelength-converting elements 130 to convert converted electromagnetic radiation or to effect another beam shaping. In particular, the optical lenses 142 be designed as collecting lenses.

Die die optischen Linsen 142 bildenden Abschnitte des Silikonkörpers 140 sind im in 3 schematisch gezeigten Beispiel über die Oberseite 111 des Trägers 110 bedeckende Flächenabschnitte 143 des Silikonkörpers 140 miteinander verbunden. Es ist allerdings nicht notwendig, dass die Flächenabschnitte 143 vorhanden und durchgehend geschlossen ausgebildet sind. Die optischen Linsen 142 können auch teilweise oder ganz voneinander getrennt sein. In diesem Fall sind mehrere Silikonkörper 140 vorhanden. The the optical lenses 142 forming sections of the silicone body 140 are in the 3 schematically shown example on the top 111 of the carrier 110 covering surface sections 143 of the silicone body 140 connected with each other. However, it is not necessary that the surface sections 143 present and formed continuous closed. The optical lenses 142 may also be partially or completely separate. In this case, there are several silicone bodies 140 available.

Die die optischen Linsen 142 bildenden Abschnitte des Silikonkörpers 140 und die Flächenabschnitte 143 des Silikonkörpers 140 weisen jeweils eine äußere Oberfläche 141 auf. Die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 kann klebrig sein. Dadurch können beispielsweise Schmutzpartikel leicht an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 anhaften. Auch können Teile der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 leicht an anderen Teilen der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 oder an Oberflächen anderer Silikonkörper anhaften. Zur Vereinfachung der Handhabung ist es wünschenswert, die Klebrigkeit der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 zu reduzieren. The the optical lenses 142 forming sections of the silicone body 140 and the surface sections 143 of the silicone body 140 each have an outer surface 141 on. The surface 141 of the silicone body 140 can be sticky. This allows, for example, dirt particles easily on the surface 141 of the silicone body 140 adhere. Also, parts of the surface can be 141 of the silicone body 140 easy on other parts of the surface 141 of the silicone body 140 or attached to surfaces of other silicone bodies. For ease of handling, it is desirable to tack the surface 141 of the silicone body 140 to reduce.

4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 während eines der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritts. Der Träger 110 wird mit dem an der Oberseite 111 des Trägers 110 angeordneten Silikonkörper 140 und den darin eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 120 und wellenlängenkonvertierenden Elementen 130 kopfüber in ein Bad 150 einer Lösung 151 getaucht. Das Eintauchen muss jedoch nicht zwingend kopfüber erfolgen. 4 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 during one of the presentation of the 3 temporally subsequent processing step. The carrier 110 is with the at the top 111 of the carrier 110 arranged silicone body 140 and the optoelectronic semiconductor chips embedded therein 120 and wavelength converting elements 130 upside down in a bath 150 a solution 151 dipped. The immersion does not necessarily have to be upside down.

Die Lösung 151 weist ein Lösungsmittel und ein PTFE-basiertes Methoxysilan auf. Das Lösungsmittel ist bevorzugt ein fluoriertes Lösungsmittel. Das PTFE-basierte Methoxysilan macht bevorzugt zwischen 0,01 Gewichtsprozent und 1 Gewichtsprozent der Lösung 151 aus. Beispielsweise kann das PTFE-basierte Methoxysilan etwa 0,1 Gewichtsprozent der Lösung 151 ausmachen. Bevorzugt ist das PTFE-basierte Methoxysilan ein PTFE-basiertes Methoxy-Trisilan. The solution 151 has a solvent and a PTFE-based methoxysilane. The solvent is preferably a fluorinated solvent. The PTFE-based methoxysilane preferably is between 0.01% and 1% by weight of the solution 151 out. For example, the PTFE-based methoxysilane may be about 0.1 weight percent of the solution 151 turn off. Preferably, the PTFE-based methoxysilane is a PTFE-based methoxy-trisilane.

Das in der Lösung 151 des Bads 150 enthaltene PTFE-basierte Methoxysilan bindet an die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 an und bildet an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 eine Beschichtung 160. 5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 110 mit dem Silikonkörper 140 und der an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 ausgebildeten Beschichtung 160 nach der Entnahme aus dem Bad 150. Die Beschichtung 160 bedeckt die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 im Bereich der optischen Linsen 142 und der Flächenabschnitte 143. That in the solution 151 of the bath 150 contained PTFE-based methoxysilane binds to the surface 141 of the silicone body 140 and forms on the surface 141 of the silicone body 140 a coating 160 , 5 shows a schematic sectional side view of the carrier 110 with the silicone body 140 and the one on the surface 141 of the silicone body 140 trained coating 160 after removal from the bath 150 , The coating 160 covers the surface 141 of the silicone body 140 in the field of optical lenses 142 and the surface sections 143 ,

Die Anbindung des PTFE-basierten Methoxysilans an die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 kann eine kovalente Bindung an funktionale Gruppen, insbesondere OH-Gruppen, an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 umfassen. Dadurch ergibt sich vorteilhafterweise eine stabile Anbindung der Beschichtung 160 an die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140. The attachment of the PTFE-based methoxysilane to the surface 141 of the silicone body 140 may be a covalent bond to functional groups, especially OH groups, on the surface 141 of the silicone body 140 include. This advantageously results in a stable connection the coating 160 to the surface 141 of the silicone body 140 ,

Die an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 gebildete Beschichtung 160 bildet gleichzeitig an ihrer von der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 abgewandten Oberfläche 161 eine PTFE-Schicht aus. Diese PTFE-Schicht an der Oberfläche 161 der Beschichtung 160 weist eine im Vergleich zur Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 reduzierte Klebrigkeit auf. The on the surface 141 of the silicone body 140 formed coating 160 At the same time it forms at its surface 141 of the silicone body 140 remote surface 161 a PTFE layer. This PTFE layer on the surface 161 the coating 160 has one compared to the surface 141 of the silicone body 140 reduced stickiness.

Die Beschichtung 160 an der Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 kann anstatt durch Eintauchen in das Bad 150 auch durch ein Sprühverfahren ausgebildet werden. Hierzu wird eine Lösung, die ein PTFE-basiertes Methoxysilan aufweist, auf die Oberfläche 141 des Silikonkörpers 140 aufgesprüht. Die Lösung kann wie die Lösung 151 des Bads 150 ausgebildet sein, kann jedoch auch einen höheren oder niedrigeren Gewichtsanteil an PTFE-basiertem Methoxysilan aufweisen. The coating 160 on the surface 141 of the silicone body 140 rather than by immersing in the bath 150 also be formed by a spray process. For this purpose, a solution comprising a PTFE-based methoxysilane, on the surface 141 of the silicone body 140 sprayed. The solution may be like the solution 151 of the bath 150 may be formed, but may also have a higher or lower weight content of PTFE-based methoxysilane.

6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer Mehrzahl erster optoelektronischer Bauelemente 100. Die optoelektronischen Bauelemente 100 können beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente (LED-Bauelemente) sein. Die ersten optoelektronischen Bauelemente 100 sind durch Zerteilen des Trägers 110 und des an der Oberseite 111 des Trägers 110 angeordneten Silikonkörpers 140 mit den darin eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 120 und wellenlängenkonvertierenden Elementen 130 entstanden. Das Zerteilen des Trägers 110 und des Silikonkörpers 140 kann beispielsweise durch Sägen erfolgt sein. 6 shows a schematic sectional side view of a plurality of first optoelectronic devices 100 , The optoelectronic components 100 For example, light-emitting diode components (LED components) can be. The first optoelectronic components 100 are by cutting the vehicle 110 and at the top 111 of the carrier 110 arranged silicone body 140 with the optoelectronic semiconductor chips embedded therein 120 and wavelength converting elements 130 emerged. The cutting of the vehicle 110 and the silicone body 140 can be done for example by sawing.

Im dargestellten Beispiel umfasst jedes der ersten optoelektronischen Bauelemente 100 einen eine optische Linse 142 bildenden Abschnitt des ursprünglichen Silikonkörpers 140 mit einem darin eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip 120 und einem auf der Oberseite 121 des optoelektronischen Halbleiterchips 120 angeordneten wellenlängenkonvertierenden Element 130. Es ist allerdings auch möglich, die ersten optoelektronischen Bauelemente 100 mit jeweils mehr als einem optoelektronischen Halbleiterchip 120 auszubilden. In the illustrated example, each of the first optoelectronic components comprises 100 one an optical lens 142 forming portion of the original silicone body 140 with an optoelectronic semiconductor chip embedded therein 120 and one on top 121 of the optoelectronic semiconductor chip 120 arranged wavelength converting element 130 , However, it is also possible, the first optoelectronic devices 100 each with more than one optoelectronic semiconductor chip 120 train.

Die Oberfläche 141 des die optische Linse 142 bildenden Teils des Silikonkörpers 140 jedes ersten optoelektronischen Bauelements 100 ist mit der Beschichtung 160 beschichtet, deren Oberfläche 161 eine geringe Klebrigkeit aufweist. Dadurch besteht bei den ersten optoelektronischen Bauelementen 100 vorteilhafterweise nur eine geringe Gefahr einer Anhaftung von Schmutzpartikeln. Auch besteht nur eine geringe Wahrscheinlichkeit, dass die mehreren ersten optoelektronischen Bauelemente 100 aneinander haften. Dies ermöglicht eine einfache Handhabung der ersten optoelektronischen Bauelemente 100. The surface 141 of the optical lens 142 forming part of the silicone body 140 each first optoelectronic device 100 is with the coating 160 coated, the surface of which 161 has a low tackiness. This results in the first optoelectronic devices 100 advantageously only a slight risk of adhesion of dirt particles. Also, there is little probability that the plurality of first optoelectronic devices 100 stick to each other. This allows easy handling of the first optoelectronic components 100 ,

7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Leiterrahmens 210. Der Leiterrahmen 210 kann auch als Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 210 weist ein elektrisch leitendes Material auf, in der Regel ein Metall. Beispielsweise kann der Leiterrahmen 210 Silber oder Kupfer aufweisen. Der Leiterrahmen 210 kann auch eine Beschichtung aufweisen. Der Leiterrahmen 210 weist eine im Wesentlichen flache Gestalt mit einer Oberseite 211 und einer der Oberseite 211 gegenüberliegenden Unterseite 212 auf. Ferner weist der Leiterrahmen 210 durch beispielsweise Ätzen oder Stanzen erzeugte Durchbrüche auf, die den Leiterrahmen 210 in lateraler Richtung in eine Mehrzahl erster Abschnitte 213 und zweiter Abschnitte 214 unterteilen. 7 shows a schematic sectional side view of a lead frame 210 , The ladder frame 210 can also be called a leadframe. The ladder frame 210 has an electrically conductive material, usually a metal. For example, the lead frame 210 Have silver or copper. The ladder frame 210 may also have a coating. The ladder frame 210 has a substantially flat shape with an upper side 211 and one of the top 211 opposite bottom 212 on. Furthermore, the lead frame 210 For example, produced by etching or punching breakthroughs on the lead frame 210 in a lateral direction into a plurality of first sections 213 and second sections 214 divide.

An der Unterseite 212 des Leiterrahmens 210 ist eine Rückseitenfolie 270 auflaminiert. On the bottom 212 of the ladder frame 210 is a backsheet 270 laminated.

8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 in einem der Darstellung der 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. An der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 ist eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips 220 angeordnet worden. Die optoelektronischen Halbleiterchips 220 können beispielsweise als Leuchtdiodenchips (LED-Chips) ausgebildet sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. 8th shows a schematic sectional side view of the lead frame 210 in one of the presentation of the 7 temporally subsequent processing status. At the top 211 of the ladder frame 210 is a plurality of optoelectronic semiconductor chips 220 been arranged. The optoelectronic semiconductor chips 220 For example, they can be designed as light-emitting diode chips (LED chips). The optoelectronic semiconductor chips 220 are intended to emit electromagnetic radiation, such as visible light.

Jeder optoelektronische Halbleiterchip 220 weist eine Oberseite 221 und eine der Oberseite 221 gegenüberliegende Unterseite 222 auf. Die optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind derart auf dem Leiterrahmen 210 angeordnet, dass die Unterseite 222 jedes optoelektronischen Halbleiterchips 220 der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 zugewandt ist. Die Unterseiten 222 der optoelektronischen Halbleiterchips 220 können dabei beispielsweise über eine Lötverbindung oder eine Klebverbindung mit der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 verbunden sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind auf den ersten Abschnitten 213 des Leiterrahmens 210 angeordnet. Dabei ist in jedem ersten Abschnitt 213 des Leiterrahmens 210 ein optoelektronischer Halbleiterchip 220 auf der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 angeordnet. Each optoelectronic semiconductor chip 220 has a top 221 and one of the top 221 opposite bottom 222 on. The optoelectronic semiconductor chips 220 are like that on the lead frame 210 arranged that the bottom 222 each optoelectronic semiconductor chip 220 the top 211 of the ladder frame 210 is facing. The subpages 222 the optoelectronic semiconductor chips 220 can in this case for example via a solder joint or an adhesive bond with the top 211 of the ladder frame 210 be connected. The optoelectronic semiconductor chips 220 are on the first sections 213 of the ladder frame 210 arranged. It is in every first section 213 of the ladder frame 210 an optoelectronic semiconductor chip 220 on the top 211 of the ladder frame 210 arranged.

Im dargestellten Beispiel weisen die optoelektronischen Halbleiterchips 220 an ihrer Oberseite 221 je zwei elektrische Kontaktflächen auf, die über Bonddrähte 223 elektrisch leitend mit dem Leiterrahmen 210 verbunden sind. Dabei ist je eine elektrische Kontaktfläche jedes optoelektronischen Halbleiterchips 220 elektrisch leitend mit einem ersten Abschnitt 213 des Leiterrahmens 210 und je eine weitere elektrische Kontaktfläche jedes optoelektronischen Halbleiterchips 220 über einen weiteren Bonddraht 223 elektrisch leitend mit je einem zweiten Abschnitt 214 des Leiterrahmens 210 verbunden. Es wäre allerdings auch möglich, dass eine der elektrischen Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 220 an der Unterseite 222 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 220 angeordnet ist. In diesem Fall kann die an der Unterseite 222 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 220 angeordnete elektrische Kontaktfläche beispielsweise über eine Lötverbindung elektrisch leitend mit dem jeweiligen ersten Abschnitt 213 des Leiterrahmens 210 verbunden sein. Der mit dem jeweiligen ersten Abschnitt 213 des Leiterrahmens 210 verbundene Bonddraht 223 kann in diesem Fall entfallen. In the example shown, the optoelectronic semiconductor chips 220 at its top 221 two electrical contact surfaces each, via bonding wires 223 electrically conductive with the lead frame 210 are connected. In each case one electrical contact surface of each optoelectronic semiconductor chip 220 electrically conductive with a first section 213 of the ladder frame 210 and one each further electrical contact surface of each optoelectronic semiconductor chip 220 over another bonding wire 223 electrically conductive, each with a second section 214 of the ladder frame 210 connected. However, it would also be possible for one of the electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 220 on the bottom 222 of the respective optoelectronic semiconductor chip 220 is arranged. In this case, the one at the bottom 222 of the respective optoelectronic semiconductor chip 220 arranged electrical contact surface, for example via a solder joint electrically conductive with the respective first section 213 of the ladder frame 210 be connected. The one with the respective first section 213 of the ladder frame 210 connected bonding wire 223 can be omitted in this case.

9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 in einem der Darstellung der 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. An der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 ist ein Vergussrahmen 230 angelegt worden. Der Vergussrahmen 230 umgrenzt die Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 bevorzugt in einem Bereich nahe des Außenumfangs des Leiterrahmens 210. Damit befindet sich der Leiterrahmen 210 in einem durch die Rückseitenfolie 270 und den Vergussrahmen 230 gebildeten Becken. Der Vergussrahmen 230 kann beispielsweise durch eine Dosiermethode (Dispensing) angelegt werden. 9 shows a schematic sectional side view of the lead frame 210 in one of the presentation of the 8th temporally subsequent processing status. At the top 211 of the ladder frame 210 is a potting frame 230 been created. The potting frame 230 circumscribes the top 211 of the ladder frame 210 preferably in an area near the outer periphery of the lead frame 210 , This is the lead frame 210 in one through the backsheet 270 and the potting frame 230 formed basin. The potting frame 230 can be created for example by a dispensing method.

10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 in einem der Darstellung der 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der Leiterrahmen 210 und die an der Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind in einen Silikonkörper 240 eingebettet worden. Auch die die elektrischen Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 220 mit dem Leiterrahmen 210 verbindenden Bonddrähte 223 sind in den Silikonkörper 240 eingebettet worden. 10 shows a schematic sectional side view of the lead frame 210 in one of the presentation of the 9 temporally subsequent processing status. The ladder frame 210 and those on the top 211 of the ladder frame 210 arranged optoelectronic semiconductor chips 220 are in a silicone body 240 been embedded. Also, the electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 220 with the ladder frame 210 connecting bonding wires 223 are in the silicone body 240 been embedded.

Der Silikonkörper 240 weist ein Silikon auf. Außerdem kann der Silikonkörper 240 eingebettete Partikel aufweisen, insbesondere eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel. Die in den Silikonkörper 240 eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel können dazu dienen, eine Wellenlänge von durch die optoelektronischen Halbleiterchips 220 emittierter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Hierzu können die wellenlängenkonvertierenden Partikel ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge zu absorbieren und anschließend elektromagnetische Strahlung einer zweiten, typischerweise größeren, Wellenlänge zu emittieren. Beispielsweise können die in den Silikonkörper 240 eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel dazu vorgesehen sein, durch die optoelektronischen Halbleiterchips 220 emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. In den Silikonkörper 240 eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel können allerdings auch entfallen. The silicone body 240 has a silicone. In addition, the silicone body 240 having embedded particles, in particular embedded wavelength-converting particles. The in the silicone body 240 embedded wavelength-converting particles may serve to provide a wavelength of through the optoelectronic semiconductor chips 220 to convert emitted electromagnetic radiation. For this purpose, the wavelength-converting particles can be designed to absorb electromagnetic radiation of a first wavelength and then to emit electromagnetic radiation of a second, typically larger, wavelength. For example, in the silicone body 240 embedded wavelength-converting particles to be provided through the optoelectronic semiconductor chips 220 to convert emitted electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range into white light. In the silicone body 240 However, embedded wavelength-converting particles can also be omitted.

Der Silikonkörper 240 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren (Dispensing) angelegt worden sein. Dabei wird das den Silikonkörper 240 bildende Material in flüssiger Form in den durch den Vergussrahmen 230 und die Rückseitenfolie 270 umgrenzten Bereich eingefüllt und härtet anschließend aus. Das den Silikonkörper 240 bildende Material füllt den durch den Vergussrahmen 230 und die Rückseitenfolie 270 umgrenzten Bereich derart vollständig aus, dass die Oberseite 211 des Leiterrahmens 210 im Wesentlichen vollständig durch das Material des Silikonkörpers 240 bedeckt ist, die Durchbrüche des Leiterrahmens 210 im Wesentlichen vollständig mit dem Material des Silikonkörpers 240 gefüllt sind und die optoelektronischen Halbleiterchips 220 im Wesentlichen vollständig in den Silikonkörper 240 eingebettet sind. The silicone body 240 may have been created by a dispensing method, for example. It will be the silicone body 240 forming material in liquid form in the through the Vergussrahmen 230 and the backsheet 270 then filled area and then cured. The silicone body 240 forming material fills the through the Vergussrahmen 230 and the backsheet 270 bounded area so completely out that the top 211 of the ladder frame 210 essentially completely through the material of the silicone body 240 is covered, the openings of the lead frame 210 essentially completely with the material of the silicone body 240 are filled and the optoelectronic semiconductor chips 220 essentially completely in the silicone body 240 are embedded.

Es ist auch möglich, den Silikonkörper 240 durch Formpressen (Compression Molding) auszubilden. In diesem Fall kann das anhand der 9 dargestellte Anlegen des Vergussrahmens 230 entfallen. It is also possible the silicone body 240 form by compression molding (compression molding). In this case, this can be done on the basis of 9 illustrated applying the Vergussrahmens 230 omitted.

Der Silikonkörper 240 weist eine von dem Leiterrahmen 210 und der Rückseitenfolie 270 abgewandte Oberseite 241 auf. Die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 kann eine hohe Klebrigkeit aufweisen. Dadurch kann beispielsweise Schmutz leicht an der Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 anhaften. Um eine solche mögliche Anhaftung von Schmutz an der Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 zu verhindern, kann die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 bereits in einem dem in 10 gezeigten Bearbeitungsstand folgenden Bearbeitungsschritt mit einer die Klebrigkeit reduzierenden Beschichtung versehen werden, wie nachfolgend erläutert werden wird. The silicone body 240 has one of the lead frame 210 and the backsheet 270 opposite top 241 on. The top 241 of the silicone body 240 may have a high tack. As a result, for example, dirt easily on the top 241 of the silicone body 240 adhere. To such a possible adhesion of dirt on the top 241 of the silicone body 240 can prevent the top 241 of the silicone body 240 already in the one in 10 As shown processing state following processing step are provided with a coating reducing the tackiness, as will be explained below.

11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 210 und des Silikonkörpers 240 in einem der Darstellung der 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die Rückseitenfolie 270 ist von dem Silikonkörper 240 und der Unterseite 212 des Leiterrahmens 210 abgelöst worden. 11 shows a schematic sectional side view of the lead frame 210 and the silicone body 240 in one of the presentation of the 10 temporally subsequent processing status. The backsheet 270 is from the silicone body 240 and the bottom 212 of the ladder frame 210 been replaced.

In einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt wird der Silikonkörper 240 mit dem eingebetteten Leiterrahmen 210 und den eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 220 auf einer Trägerfolie 271 angeordnet, die in der schematischen geschnittenen Seitenansicht der 12 dargestellt ist. Dabei wird die Unterseite 212 des Leiterrahmens 210 der Trägerfolie 271 zugewandt. Die Trägerfolie 271 kann auch als Sägefolie bezeichnet werden. In a subsequent processing step, the silicone body 240 with the embedded lead frame 210 and the embedded optoelectronic semiconductor chips 220 on a carrier foil 271 arranged in the schematic sectional side view of the 12 is shown. This will be the bottom 212 of the ladder frame 210 of the support film 271 facing. The carrier foil 271 can also be referred to as a sawing foil.

Nach dem Anordnen des Silikonkörpers 240 auf der Trägerfolie 271 werden der Silikonkörper 240 und der in den Silikonkörper 140 eingebettete Leiterrahmen 210 zerteilt. Das Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des in den Silikonkörper 240 eingebetteten Leiterrahmens 210 kann beispielsweise durch einen Sägeprozess, einen Stanzprozess, einen Schneideprozess oder einen anderen Prozess erfolgen. 12 zeigt die durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240. After placing the silicone body 240 on the carrier foil 271 become the silicone body 240 and in the silicone body 140 embedded lead frame 210 divided. The cutting of the silicone body 240 and in the silicone body 240 embedded lead frame 210 This can be done, for example, by a sawing process, a stamping process, a cutting process or another process. 12 shows by dividing the silicone body 240 resulting parts of the silicone body 240 ,

Jeder der durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240 weist im in 12 dargestellten Beispiel einen ersten Abschnitt 213 des Leiterrahmens 210 und einen zweiten Abschnitt 214 des Leiterrahmens 210 auf. Der erste Abschnitt 213 und der zweite Abschnitt 214 des Leiterrahmens 210 sind dabei voneinander getrennt und elektrisch gegeneinander isoliert. Auf der Oberseite 211 des ersten Abschnitts 213 des Leiterrahmens 210 ist einer der optoelektronischen Halbleiterchips 220 angeordnet. Die elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 220 sind elektrisch leitend mit dem ersten Abschnitt 213 und dem zweiten Abschnitt 214 des Leiterrahmens 210 verbunden. Es wäre aber auch möglich, den Silikonkörper 240 so zu zerteilen, dass in jeden Teil des Silikonkörpers 240 mehr als ein optoelektronischer Halbleiterchip 220 eingebettet ist. Each one by cutting the silicone body 240 resulting parts of the silicone body 240 points in the 12 illustrated example, a first section 213 of the ladder frame 210 and a second section 214 of the ladder frame 210 on. The first paragraph 213 and the second section 214 of the ladder frame 210 are separated from each other and electrically isolated from each other. On the top 211 of the first section 213 of the ladder frame 210 is one of the optoelectronic semiconductor chips 220 arranged. The electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 220 are electrically conductive with the first section 213 and the second section 214 of the ladder frame 210 connected. It would also be possible, the silicone body 240 so divide that in every part of the silicone body 240 more than one optoelectronic semiconductor chip 220 is embedded.

Die durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240 weisen neben der Oberseite 241 an den Zerteilgrenzen gebildete Seitenflächen 242 auf. Die Seitenflächen 242 der Teile des Silikonkörpers 240 können eine hohe Klebrigkeit aufweisen. Auch die Oberseiten 241 der durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240 können eine hohe Klebrigkeit aufweisen, falls die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 nicht bereits zuvor mit einer die Klebrigkeit reduzierenden Beschichtung versehen worden ist. The by dividing the silicone body 240 resulting parts of the silicone body 240 show next to the top 241 Side surfaces formed at the Zerteilgrenzen 242 on. The side surfaces 242 the parts of the silicone body 240 can have a high tackiness. Also the tops 241 by dividing the silicone body 240 resulting parts of the silicone body 240 may have high tack if the top 241 of the silicone body 240 not previously provided with a tack reducing coating.

13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der auf der Trägerfolie 271 angeordneten Teile des Silikonkörpers 240 während eines der Darstellung der 12 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritts. Dabei werden die auf der Trägerfolie 271 angeordneten Teile des Silikonkörpers 240 kopfüber in ein Bad 250 einer Lösung 251 getaucht. Das Eintauchen der Teile des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 muss allerdings nicht zwingend kopfüber erfolgen. 13 shows a schematic sectional side view of the on the carrier film 271 arranged parts of the silicone body 240 during one of the presentation of the 12 temporally subsequent processing step. They are on the carrier film 271 arranged parts of the silicone body 240 upside down in a bath 250 a solution 251 dipped. The immersion of the parts of the silicone body 240 in the bathroom 250 However, it does not necessarily have to be upside down.

Die Lösung 251 weist ein Lösungsmittel und ein PTFE-basiertes Methoxysilan auf. Das Lösungsmittel ist bevorzugt ein fluoriertes Lösungsmittel. Das PTFE-basierte Methoxysilan macht bevorzugt einen Anteil zwischen 0,01 Gewichtsprozent und 1 Gewichtsprozent der Lösung 251 aus. Beispielsweise kann das PTFE-basierte Methoxysilan einen Anteil von 0,1 Gewichtsprozent der Lösung 251 ausmachen. Das PTFE-basierte Methoxysilan ist bevorzugt ein PTFE-basiertes Methoxy-Trisilan. The solution 251 has a solvent and a PTFE-based methoxysilane. The solvent is preferably a fluorinated solvent. The PTFE-based methoxysilane preferably accounts for between 0.01% and 1% by weight of the solution 251 out. For example, the PTFE-based methoxysilane may account for 0.1 weight percent of the solution 251 turn off. The PTFE-based methoxysilane is preferably a PTFE-based methoxy-trisilane.

Durch das Eintauchen der Teile des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 wird an den Seitenflächen 242 eine PTFE-aufweisende Beschichtung 260 gebildet, die in der schematischen geschnittenen Seitenansicht der 14 sichtbar ist. Falls die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 nicht bereits in einem vorangegangenen Verfahrensschritt mit einer Beschichtung versehen worden ist, so wird während des in 13 dargestellten Bearbeitungsschritts die PTFE-aufweisende Beschichtung 260 auch an der Oberseite 241 der Teile des Silikonkörpers 240 ausgebildet. Die Beschichtung 260 wird dadurch gebildet, dass PTFE-basiertes Methoxysilan aus der Lösung 251 kovalent an funktionale Gruppen, insbesondere OH-Gruppen, des Silikons des Silikonkörpers 240 angebunden wird. An einer äußeren Oberfläche 261 der Beschichtung 260 bildet sich dabei eine PTFE-Schicht aus, die eine geringe Klebrigkeit aufweist. Die geringe Klebrigkeit der Oberfläche 261 der Beschichtung 260 reduziert die Gefahr einer Anhaftung von Schmutzpartikeln an der Oberfläche 261 der Beschichtung 260 der Teile des Silikonkörpers 240 und eine Gefahr, dass die durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 entstandenen Teile des Silikonkörpers 240 aneinander haften. By dipping the parts of the silicone body 240 in the bathroom 250 gets on the side surfaces 242 a PTFE-containing coating 260 formed in the schematic sectional side view of the 14 is visible. If the top 241 of the silicone body 240 has not already been provided with a coating in a previous process step, it is during the in 13 shown processing step, the PTFE-containing coating 260 also at the top 241 the parts of the silicone body 240 educated. The coating 260 is formed by the fact that PTFE-based methoxysilane from the solution 251 covalent to functional groups, especially OH groups, of the silicone of the silicone body 240 is connected. On an outer surface 261 the coating 260 It forms a PTFE layer, which has a low tackiness. The low stickiness of the surface 261 the coating 260 reduces the risk of adhesion of dirt particles to the surface 261 the coating 260 the parts of the silicone body 240 and a risk that by cutting the silicone body 240 resulting parts of the silicone body 240 stick to each other.

Die Oberseite 241 des Silikonkörpers 240 kann bereits in einem der Darstellung der 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt vor dem Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des Leiterrahmens 210 mit der Beschichtung 260 versehen werden. Dies kann analog zu dem in 13 dargestellten Bearbeitungsschritt durch Eintauchen des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 der Lösung 251 erfolgen. Das anhand der 13 erläuterte Beschichten der Seitenflächen 242 des Silikonkörpers 240 durch Eintauchen in das Bad 250 der Lösung 251 nach dem Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des Leiterrahmens 210 kann anschließend trotzdem noch vorgenommen werden. The top 241 of the silicone body 240 already in one of the presentation of the 10 temporally subsequent processing step before dividing the silicone body 240 and the ladder frame 210 with the coating 260 be provided. This can be analogous to that in 13 shown processing step by immersing the silicone body 240 in the bathroom 250 the solution 251 respectively. That on the basis of 13 explained coating of the side surfaces 242 of the silicone body 240 by immersing in the bath 250 the solution 251 after cutting the silicone body 240 and the ladder frame 210 can still be made afterwards.

Die Beschichtung 260 kann anstatt durch Eintauchen des Silikonkörpers 240 oder der durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 gebildeten Teile des Silikonkörpers 240 in das Bad 250 der Lösung 251 auch durch ein Sprühverfahren angelegt werden. Hierzu wird die Lösung 251 oder eine andere ein PTFE-basiertes Methoxysilan aufweisende Lösung auf die Oberseite 241 und die Seitenflächen 242 des Silikonkörpers 240 aufgesprüht. The coating 260 rather than by dipping the silicone body 240 or by cutting the silicone body 240 formed parts of the silicone body 240 in the bathroom 250 the solution 251 also be created by a spray process. This is the solution 251 or another PTFE-based methoxysilane-based solution on top 241 and the side surfaces 242 of the silicone body 240 sprayed.

14 zeigt in schematischer geschnittener Seitenansicht eine Mehrzahl zweiter optoelektronischer Bauelemente 200. Die zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 sind aus den durch Zerteilen des Silikonkörpers 240 und des Leiterrahmens 210 gebildeten Teilen nach dem Ablösen von der Trägerfolie 271 gebildet worden. Die zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 können beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente sein. 14 shows a schematic sectional side view of a plurality of second optoelectronic components 200 , The second optoelectronic components 200 are out of the by cutting the silicone body 240 and the ladder frame 210 formed parts after detachment from the carrier film 271 been formed. The second optoelectronic components 200 For example, they can be light-emitting diode components.

Die Oberseiten 241 und Seitenflächen 242 der Silikonkörper 240 der zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 weisen die Beschichtung 260 auf, deren Oberfläche 261 nur eine geringe Klebrigkeit aufweist. Dadurch besteht bei den zweiten optoelektronischen Bauelementen 200 nur eine geringe Gefahr einer Anhaftung von Schmutz. Auch besteht nur eine geringe Gefahr, dass zwei der optoelektronischen Bauelemente 200 aneinander haften bleiben. Dadurch sind die zweiten optoelektronischen Bauelemente 200 einfach handhabbar. The tops 241 and side surfaces 242 the silicone body 240 the second optoelectronic components 200 show the coating 260 on, whose surface 261 has only a slight stickiness. This results in the second optoelectronic components 200 only a slight risk of adhesion of dirt. Also, there is little danger that two of the optoelectronic devices 200 stick to each other. As a result, the second optoelectronic components 200 easy to handle.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100 100
erstes optoelektronisches Bauelement first optoelectronic component
110 110
Träger carrier
111 111
Oberseite top
112 112
Unterseite bottom
120 120
optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
121 121
Oberseite top
122 122
Unterseite bottom
130 130
wellenlängenkonvertierendes Element wavelength converting element
140 140
Silikonkörper silicone body
141 141
Oberfläche surface
142 142
optische Linse optical lens
143 143
Flächenabschnitt surface section
150 150
Bad bath
151 151
Lösung solution
160 160
Beschichtung coating
161 161
Oberfläche surface
200 200
zweites optoelektronisches Bauelement second optoelectronic component
210 210
Leiterrahmen leadframe
211 211
Oberseite top
212 212
Unterseite bottom
213 213
erster Abschnitt first section
214 214
zweiter Abschnitt second part
220 220
optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
221 221
Oberseite top
222 222
Unterseite bottom
223 223
Bonddraht bonding wire
230 230
Vergussrahmen Vergussrahmen
240 240
Silikonkörper silicone body
241 241
Oberseite top
242 242
Seitenfläche side surface
250 250
Bad bath
251 251
Lösung solution
260 260
Beschichtung coating
261 261
Oberfläche surface
270 270
Rückseitenfolie Back sheet
271 271
Trägerfolie support film

Claims (15)

Optoelektronisches Bauelement (100, 200) mit einem Silikonkörper (140, 240), in den ein optoelektronischer Halbleiterchip (120, 220) eingebettet ist, wobei der Silikonkörper (140, 240) eine Beschichtung (160, 260) aufweist, die PTFE aufweist. Optoelectronic component ( 100 . 200 ) with a silicone body ( 140 . 240 ) into which an optoelectronic semiconductor chip ( 120 . 220 ) is embedded, wherein the silicone body ( 140 . 240 ) a coating ( 160 . 260 ) comprising PTFE. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei der Silikonkörper (140) eine optische Linse (142) bildet. Optoelectronic component ( 100 ) according to claim 1, wherein the silicone body ( 140 ) an optical lens ( 142 ). Optoelektronisches Bauelement (200) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Silikonkörper (240) eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. Optoelectronic component ( 200 ) according to one of the preceding claims, wherein the silicone body ( 240 ) has embedded wavelength-converting particles. Optoelektronisches Bauelement (100, 200) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (120, 220) auf einem Träger (110, 210) angeordnet ist. Optoelectronic component ( 100 . 200 ) according to one of the preceding claims, wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 120 . 220 ) on a support ( 110 . 210 ) is arranged. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100, 200) mit den folgenden Schritten: – Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (120, 220) auf einem Träger (110, 210); – Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips (120, 220) in einen Silikonkörper (140, 240); – Beschichten des Silikonkörpers (140, 240) mit einer Beschichtung (160, 260), die PTFE aufweist. Method for producing an optoelectronic component ( 100 . 200 ) comprising the following steps: arranging an optoelectronic semiconductor chip ( 120 . 220 ) on a support ( 110 . 210 ); Embedding the optoelectronic semiconductor chip ( 120 . 220 ) in a silicone body ( 140 . 240 ); Coating the silicone body ( 140 . 240 ) with a coating ( 160 . 260 ), which has PTFE. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei das Beschichten des Silikonkörpers (140, 240) durch Eintauchen in ein Bad (150, 250) erfolgt. Method according to claim 5, wherein the coating of the silicone body ( 140 . 240 ) by immersion in a bath ( 150 . 250 ) he follows. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei das Beschichten des Silikonkörpers (140, 240) durch ein Sprühverfahren erfolgt. Method according to claim 5, wherein the coating of the silicone body ( 140 . 240 ) by a spraying process. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die Beschichtung (160, 260) aus einer Lösung (151, 251) erzeugt wird, die ein PTFE-basiertes Methoxysilan aufweist. Method according to one of claims 5 to 7, wherein the coating ( 160 . 260 ) from a solution ( 151 . 251 ) having a PTFE-based methoxysilane. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei die Lösung (151, 251) ein fluoriertes Lösungsmittel und zwischen 0,01 Gewichtsprozent und 1 Gewichtsprozent eines PTFE-basierten Methoxysilans aufweist. Method according to claim 8, wherein the solution ( 151 . 251 ) has a fluorinated solvent and between 0.01% and 1% by weight of a PTFE-based methoxysilane. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 und 9, wobei die Lösung (151, 251) ein PTFE-basiertes Methoxy-Trisilan aufweist. Method according to one of claims 8 and 9, wherein the solution ( 151 . 251 ) has a PTFE-based methoxy-trisilane. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 10, wobei der Silikonkörper (140) durch Formpressen ausgebildet wird. Method according to one of claims 5 to 10, wherein the silicone body ( 140 ) is formed by compression molding. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 11, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: – Zerteilen des Trägers (110, 210), um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente (100, 200) zu erhalten. Method according to one of claims 5 to 11, wherein the method comprises the following further step: - cutting the carrier ( 110 . 210 ) to a plurality of optoelectronic devices ( 100 . 200 ) to obtain. Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei bei dem Zerteilen des Trägers (110, 210) auch der Silikonkörper (140, 240) zerteilt wird. A method according to claim 12, wherein in dividing the carrier ( 110 . 210 ) also the silicone body ( 140 . 240 ) is divided. Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei der Silikonkörper (240) vor und nach dem Zerteilen des Silikonkörpers (240) mit einer Beschichtung (260) beschichtet wird, die PTFE aufweist. A method according to claim 13, wherein the silicone body ( 240 ) before and after dividing the silicone body ( 240 ) with a coating ( 260 ) coated with PTFE. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 14, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: – Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements (130) auf dem optoelektronischen Halbleiterchip (120). Method according to one of Claims 5 to 14, the method comprising the following further step: arranging a wavelength-converting element ( 130 ) on the optoelectronic semiconductor chip ( 120 ).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4075522A1 (en) * 2021-04-13 2022-10-19 Ison Corporation Light emitting diode package structure and method for manufacturing the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2263645A1 (en) * 1971-12-30 1973-07-05 Western Electric Co ELECTROLUMINESCENT PLAYBACK DEVICE
DE10220583A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component comprises a transparent cover layer whose refraction index lies between the refraction indices of the surrounding medium and the element encapsulating the sender and/or receiver
DE102010043378A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component for use as headlight in vehicle, has transparent plate e.g. glass plate, applied on conversion layer, where thermal expansion coefficients of transparent plate and semiconductor chip lie in same order of magnitude

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120013758A (en) * 2010-08-06 2012-02-15 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and method for manufacturing it
KR101244926B1 (en) * 2011-04-28 2013-03-18 피에스아이 주식회사 Micro LED device and manufacturing method thereof
DE102011113428A1 (en) * 2011-09-14 2013-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
JP2013239539A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Substrate for optical semiconductor device, manufacturing method of substrate for optical semiconductor device, optical semiconductor device, and manufacturing method of optical semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2263645A1 (en) * 1971-12-30 1973-07-05 Western Electric Co ELECTROLUMINESCENT PLAYBACK DEVICE
DE10220583A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component comprises a transparent cover layer whose refraction index lies between the refraction indices of the surrounding medium and the element encapsulating the sender and/or receiver
DE102010043378A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component for use as headlight in vehicle, has transparent plate e.g. glass plate, applied on conversion layer, where thermal expansion coefficients of transparent plate and semiconductor chip lie in same order of magnitude

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4075522A1 (en) * 2021-04-13 2022-10-19 Ison Corporation Light emitting diode package structure and method for manufacturing the same

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