WO2015034095A1 - パターン形成方法及びこの方法を用いたタッチパネルの製造方法 - Google Patents

パターン形成方法及びこの方法を用いたタッチパネルの製造方法 Download PDF

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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming method and a touch panel manufacturing method, and more particularly, by combining a pattern formed by sputtering using a plurality of sputtering masks to form a single pattern, thereby performing an exposure process and a developing process.
  • the present invention relates to a pattern forming method and a touch panel manufacturing method which simplify the manufacturing by eliminating the need and reduce the cost of equipment by eliminating the exposure apparatus and the developing apparatus.
  • a conventional capacitive touch panel is composed of a metal film, an insulating film, a transparent electrode film, etc., and detects the capacitance of the fingertip to detect where in the panel is touched by X and Y coordinates. .
  • the metal film, the insulating film, and the transparent electrode film are patterned as follows. After forming each film and applying a photoresist on the film, exposure and development are performed to form a photoresist pattern. Each film is etched using the patterned photoresist as a mask (see, for example, Patent Document 1).
  • the conventional pattern forming method requires a photoresist coating process, an exposure process, a developing process, an etching process, and a photoresist peeling process on a film to be patterned.
  • the touch panel manufacturing method using the conventional pattern forming method needs to repeat the complicated and many photo processes as described above for each of the metal film, the insulating film, and the transparent electrode film.
  • the photo line uses an exposure apparatus and a developing apparatus, there is a problem that capital investment and running cost are increased.
  • the problem to be solved by the present invention that addresses such problems is to form a single pattern by synthesizing a pattern formed by sputtering using a plurality of sputtering masks, thereby exposing the exposure process.
  • the present invention provides a pattern forming method and manufacturing method of a touch panel using this method, in which the manufacturing process is simplified by eliminating the development process, and the cost of equipment is reduced by eliminating the exposure apparatus and the development apparatus.
  • a pattern forming method performs sputtering film formation a plurality of times using a plurality of sputtering masks having an opening pattern obtained by dividing a pattern to be formed on an object surface, A single pattern is formed by synthesizing the respective patterns formed by the sputtering mask.
  • the opening pattern may be divided in the longitudinal direction of the pattern.
  • the single pattern may be at least a part of a pattern formed on the object surface.
  • each of the plurality of sputtering masks may include a mask sheet having the opening pattern, and a frame that surrounds the mask sheet and on which the mask sheet is stretched.
  • the mask sheet includes a resin mask sheet in which the opening pattern is formed in a resin film, a metal film in which a plurality of slit-shaped through holes are arranged in parallel, and a laminate on one surface of the metal film, Or a composite mask sheet having at least one resin film on which the opening pattern is formed, and a metal mask sheet on which a metal film is formed with the opening pattern.
  • a touch panel manufacturing method is a touch panel manufacturing method including a metal film, an insulating film, and a transparent electrode film, and the metal film pattern is formed on a target surface.
  • a plurality of first sputtering masks having an opening pattern obtained by dividing the wiring pattern to be sputtered, a plurality of sputtering films are formed, and the patterns formed by the plurality of first sputtering masks are combined to form a single wiring.
  • a pattern is formed, and the pattern formation of the insulating film is performed by printing a photoresist pattern on the insulating film using a printing mask, and performing wet etching of the insulating film using the photoresist pattern as a mask.
  • the transparent electrode film is patterned using a second sputtering mask having an opening pattern corresponding to the pattern to be formed. The over emissions reduction has been the transparent electrode film is to sputter deposition.
  • the opening pattern of the first sputtering mask may be divided into a plurality of wirings in the longitudinal direction.
  • each of the first and second sputtering masks and the printing mask may include a mask sheet having the opening pattern and a frame body that surrounds the mask sheet and is stretched. Good.
  • the mask sheet is laminated on one surface of a resin mask sheet in which the opening pattern is formed in a resin film, a metal film in which a plurality of slit-shaped through holes are arranged in parallel, and the through hole
  • a composite mask sheet having a resin film having at least one opening pattern formed therein and a metal mask sheet having the opening pattern formed in a metal film may be included.
  • the pattern forming method of the present invention by using a plurality of sputtering masks having an opening pattern obtained by dividing a pattern to be formed on an object surface, a single composite pattern is formed by sputtering a plurality of times.
  • the manufacturing process can be simplified by eliminating the exposure process and the development process, and the cost of the equipment can be reduced by eliminating the exposure apparatus and the development apparatus.
  • the metal film, the insulating film, and the transparent electrode film can be patterned without using a photo process. Accordingly, the manufacturing process can be simplified by eliminating the exposure process and the development process, and the cost of the equipment can be reduced by eliminating the exposure apparatus and the development apparatus.
  • FIG. 5 is a plan view of a first mask for sputtering, illustrating a first step in a method for manufacturing a touch panel according to the present invention.
  • FIG. 2B is an enlarged cross-sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 2A.
  • FIG. 7 is a plan view of a second mask for sputtering, illustrating a second step in the method for manufacturing a touch panel according to the present invention.
  • FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 3A. It is a top view of the wiring pattern formed at the 1st and 2nd process.
  • FIG. 5 is a plan view of a first mask for sputtering, illustrating a first step in a method for manufacturing a touch panel according to the present invention.
  • FIG. 2B is an enlarged cross-sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 2A.
  • FIG. 3B is an enlarged cross-sectional
  • FIG. 4B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 4A. It is an enlarged plan view of the opening pattern of FIG. 2A. It is an enlarged plan view of the opening pattern of FIG. 3A.
  • FIG. 4B is an enlarged plan view of the combined wiring pattern of FIG. 4A. It is the top view which showed the 3rd process in the manufacturing method of the touchscreen by this invention, and formed the insulating film on the wiring pattern.
  • FIG. 6B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 6A. It is the top view of the mask for printing in the 4th process in the manufacturing method of the touchscreen by this invention, and applying the photoresist.
  • FIG. 7B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 7A. It is the top view of the resist pattern which shows the 5th process in the manufacturing method of the touchscreen by this invention.
  • FIG. 8B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 8A.
  • the 6th process in the manufacturing method of the touch panel by the present invention is shown, and is a top view of a resist pattern and a wiring pattern.
  • FIG. 9B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 9A.
  • the 7th process in the manufacturing method of the touch panel by the present invention is shown, and is a top view of a wiring pattern and an insulating film pattern.
  • FIG. 10B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 10A. It is the top view of the mask for sputtering which shows the 8th process in the manufacturing method of the touchscreen by this invention.
  • FIG. 11B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 11A.
  • FIG. 24 is a plan view of a Y-ITO film, illustrating a ninth step in the method for manufacturing a touch panel according to the present invention.
  • FIG. 12B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 12A. It is the top view of the mask for sputtering which shows the 10th process in the manufacturing method of the touchscreen by this invention.
  • FIG. 13B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 13A.
  • FIG. 11 is a plan view of an X-ITO film, illustrating an eleventh step in the touch panel manufacturing method according to the present invention.
  • FIG. 14B is an enlarged sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 14A.
  • FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of a touch panel manufacturing method according to the present invention.
  • the touch panel manufacturing method includes a metal film pattern forming step (steps S1 to S5), an insulating film pattern forming step (steps S6 to S11), an ITO (Indium Tin Oxide) film (Y direction). ) Pattern formation step (steps S12 and S13) and ITO film (X direction) pattern formation step (steps S14 and S15).
  • the metal film pattern forming process is performed by sputtering a plurality of times using a plurality of sputtering masks having an opening pattern obtained by dividing the pattern to be formed on the surface of the object, and by synthesizing the formed patterns into a single pattern. A pattern is formed.
  • a photoresist pattern is formed by printing using a printing mask, and the metal film or the insulating film is wet etched using the photoresist pattern as a mask to form the pattern. It is.
  • the pattern formation process of the ITO film (Y direction) and the ITO film (X direction) is patterned by performing sputtering film formation using a sputtering mask having an opening pattern corresponding to the pattern to be formed. An ITO film is formed.
  • a first mask for sputtering 12-1 having an opening pattern 12a-1 obtained by dividing a pattern to be formed on the glass substrate 10 is positioned and installed (step S2). .
  • the opening pattern 12a-1 is obtained by dividing the opening pattern of the adjacent long linear wiring pattern in the peripheral frame region in the longitudinal direction.
  • the opening pattern 12b-1 at the center is relatively short and spaced apart, so that pattern deformation or displacement is unlikely to occur, so that the film is formed once without being divided.
  • the first mask 12-1 for sputtering, sputtering film formation of a metal, for example, MAM (Mo / Al / Mo) is performed, and a part 11 of the wiring pattern is formed on the glass substrate 10 (process) S3).
  • a metal for example, MAM (Mo / Al / Mo)
  • the second mask for sputtering 12-2 is positioned and installed on the MAM film 11 (step S4).
  • the second mask for sputtering 12-2 another opening pattern 12a-2 obtained by dividing a pattern to be formed on the glass substrate 10 is formed.
  • the wiring pattern in the frame area around the wiring pattern 11 is complemented, and the combined patterns 11a and 11b are formed (step S5). Thereafter, cleaning is performed, and the formed wiring patterns 11a and 11b are inspected.
  • the first mask for sputtering 12-1 is obtained by stretching a resin mask sheet in which opening patterns 12a-1 and 12b-1 are formed on a resin film such as polyimide, for example, inside a rectangular metal frame 12c-1. It is.
  • the second mask for sputtering 12-2 is formed by stretching a resin mask sheet in which an opening pattern 12a-2 is formed on a resin film of polyimide or the like, for example, inside a rectangular metal frame 12c-2. . These resin films are held in a tensioned state.
  • Each of the opening patterns 12a-1 and 12a-2 is a pattern obtained by dividing the pattern formed on the glass substrate 10 in the longitudinal direction as described above.
  • a composite mask in which a resin film is laminated on one surface of a metal film (magnetic metal member) in which a plurality of slit-shaped through holes are arranged in parallel, and at least one opening pattern is formed in the through hole of the metal film.
  • the sheet can be stretched and used inside a rectangular metal frame.
  • the magnetic metal member can be attracted and fixed by a magnetic force.
  • a metal mask sheet in which an opening pattern is formed on a metal film can be stretched and used inside a rectangular metal frame.
  • the opening pattern 12a-1 of the first mask for sputtering 12-1 is formed by dividing the wiring pattern to be formed in the longitudinal direction, and a part thereof. It corresponds to the pattern of.
  • the opening pattern 12a-2 of the second mask for sputtering 12-2 corresponds to the remaining portion of the wiring pattern divided in the longitudinal direction. is doing.
  • an insulating film 15 for example, an organic insulating film such as SOG (Spin on Glass) is applied and formed on the entire surface (step S6).
  • a photoresist printing mask 16 is positioned and placed on the insulating film 15 (step S7).
  • square opening patterns 16a are arranged in a matrix.
  • a mask having the same structure as the sputtering mask can be used. Further, when they are spaced apart with a relatively simple pattern shape, a general screen printing mask can be used.
  • a photoresist 17 is applied and printed on the printing mask 16 with the squeegee 13 (step S8).
  • a resist pattern 17a is formed on the insulating film 15 as shown in FIGS. 8A and 8B (step S9).
  • step S10 wet etching of the insulating film 15 is performed using the resist pattern 17a as a mask. Then, when the resist pattern 17a is peeled off (step S11), the insulating film pattern 15a remains so as to cover a part of the wiring pattern 11b as shown in FIGS. 10A and 10B. Thereafter, cleaning is performed, and the formed insulating film pattern 15a is inspected.
  • FIGS. 11A and 11B an opening pattern is formed on the glass substrate 10 on which the wiring patterns 11a and 11b and the insulating film pattern 15a covering a part of the wiring pattern 11b are formed as described above.
  • the sputtering mask 18 having the 18a formed thereon is aligned and disposed, and an ITO film 19 is formed by sputtering in the opening pattern 18a (step S12). Since the ITO film 19 is formed in a pattern in the opening pattern 18a, as shown in FIGS. 12A and 12B, the ITO film 19 is electrically connected by the wiring pattern 11b, is continuous in the vertical direction, and has a position in the Y direction.
  • the specified Y-ITO film 19a is formed (step S13). Thereafter, cleaning is performed, and the formed Y-ITO film 19a is inspected.
  • the sputtering mask 20 having the opening pattern 20a is aligned on the glass substrate 10 on which the wiring pattern 11a, the insulating film pattern 15a and the Y-ITO film 19a are formed.
  • the ITO film 21 is formed by sputtering on the insulating film in the opening pattern 20a (step S14). Since the ITO film 21 is formed in a pattern in the opening pattern 20a, as shown in FIGS. 14A and 14B, an X-ITO film 21a that is continuous in the horizontal direction and identifies the position in the X direction is formed. (Step S15).
  • the insulating film pattern 15a is interposed between the patterned X-ITO film 21a and the Y-ITO film 19a so that the ITO films 21a and 19a are electrically separated.
  • a mask having the same configuration as the Y-ITO film 19 a formed by sputtering (the shape of the opening pattern 20 a is different) can be used.
  • a plurality of sputtering masks each having an opening pattern obtained by dividing a pattern to be formed on the surface of an object are sputtered multiple times, and the formed patterns are synthesized. A single pattern is formed. Accordingly, the manufacturing process can be simplified by eliminating the exposure process, the development process, and the etching process, and the cost of the equipment and the running cost can be reduced by eliminating the exposure apparatus and the development apparatus.
  • the MAM film pattern formation uses a plurality of sputtering masks having an opening pattern obtained by dividing the wiring pattern to be formed on the object surface, so that a single composite pattern is formed by sputtering a plurality of times. There is little positional shift and deformation of the pattern of the sputtering mask, and film formation with high pattern accuracy can be performed.
  • a photoresist pattern is formed by printing using a printing mask.
  • a patterned metal layer and a transparent electrode film are formed using a sputtering mask. Therefore, since the photo process can be completely eliminated, the equipment cost and running cost can be greatly reduced.
  • pattern formation methods of patterning by photoresist pattern printing and sputter deposition of patterned films metal films, insulating films, and transparent electrodes are suitable for each material and pattern shape.
  • the patterning can be selected according to the method or the ease of forming the pattern.
  • the sputter film formation can form a pattern without etching, by combining two pattern formation processes, not only the exposure process and the development process are omitted, but also the total number of manufacturing processes when forming the touch panel. Can be reduced.
  • the method for manufacturing the capacitive touch panel has been described as an example.
  • the present invention is not limited to the capacitive type, and can be applied to various other touch panel manufacturing methods.
  • the touch panel manufacturing method has been described as an example to which the pattern forming method of the present invention is applied, it is needless to say that the present invention can be applied to the formation of various other patterns that perform wet etching or sputter film formation.
  • an example of forming one composite pattern by forming a sputter film twice by using an opening pattern obtained by dividing the pattern to be formed has been shown.
  • a composite pattern may be formed.

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Abstract

　パターン形成方法は、対象物面上に形成するパターンを分割した開口パターンを有する複数のスパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜し（Ｓ３，Ｓ５）、複数のスパッタ用マスクでそれぞれ成膜したパターンを合成して単一のパターンを形成することを特徴とする。対象物面上にパターンを直接スパッタ成膜することで、露光工程と現像工程が不要になる。しかも、対象物面上に形成するパターンを分割することで、スパッタ用マスクの変形やずれ等が生じにくい。

Description

パターン形成方法及びこの方法を用いたタッチパネルの製造方法
　本発明は、パターン形成方法及びタッチパネルの製造方法に関し、詳しくは、複数のスパッタ用マスクを用いてスパッタ成膜したパターンを合成して単一のパターンを形成することで、露光工程及び現像工程を不要にして製造を簡単化すると共に、露光装置及び現像装置を不要にして設備のコストを削減しようとするパターン形成方法及びタッチパネルの製造方法に係るものである。
　従来の静電容量型タッチパネルは、金属膜、絶縁膜、透明電極膜等から構成されており、指先の静電容量を検知して、パネル内のどこを触ったかをＸ，Ｙ座標で検出する。前記金属膜、絶縁膜及び透明電極膜のパターニングは、次のように行う。各膜を成膜し、膜上にフォトレジストを塗布した後、露光及び現像を行ってフォトレジストのパターンを形成する。このパターニングしたフォトレジストをマスクにして各膜をエッチングする（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１１－１９７７５４号公報
　しかし、前記従来のパターン形成方法は、パターニングの対象となる膜へのフォトレジストの塗布工程、露光工程、現像工程、エッチング工程及びフォトレジストの剥離工程が必要になるものであった。また、前記従来のパターン形成方法を用いたタッチパネルの製造方法は、金属膜、絶縁膜及び透明電極膜の各々に対して、上述したような煩雑で工程数の多いフォトプロセスを繰り返す必要がある。しかも、露光装置と現像装置を用いるフォトラインのため、設備投資並びにランニングコストも大きくなる、という問題があった。
　そこで、このような問題点に対処し、本発明が解決しようとする課題は、複数のスパッタ用マスクを用いてスパッタ成膜したパターンを合成して単一のパターンを形成することで、露光工程と現像工程を不要にして製造を簡単化すると共に、露光装置及び現像装置を不要にして設備のコストを削減するパターン形成方法及びこの方法を用いたタッチパネルの製造方法を提供することにある。
　前記課題を解決するために、本発明によるパターン形成方法は、対象物面上に形成するパターンを分割した開口パターンを有する複数のスパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜し、前記複数のスパッタ用マスクでそれぞれ成膜したパターンを合成して単一のパターンを形成するものである。
　また、前記開口パターンは、パターンの長手方向に分割されていてもよい。
　さらに、前記単一のパターンは、対象物面上に形成するパターンの少なくとも一部であってもよい。
　さらにまた、前記複数のスパッタ用マスクはそれぞれ、前記開口パターンを有するマスクシートと、該マスクシートの周囲を囲み、該マスクシートが張設される枠体とを備えてもよい。
　また、前記マスクシートは、樹脂フィルムに前記開口パターンが形成された樹脂マスクシート、スリット状の複数の貫通孔が並列配置された金属膜と、該金属膜の一面に積層され、前記貫通孔内に少なくとも１つの前記開口パターンが形成された樹脂フィルムとを有する複合型マスクシート、及び金属膜に前記開口パターンが形成されたメタルマスクシートのいずれかを含んでもよい。
　前記課題を解決するために、本発明によるタッチパネルの製造方法は、金属膜、絶縁膜及び透明電極膜を含むタッチパネルの製造方法であって、前記金属膜のパターン形成は、対象物面上に形成する配線パターンを分割した開口パターンを有する複数の第１スパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜し、前記複数の第１スパッタ用マスクでそれぞれ成膜したパターンを合成して単一の配線パターンを形成し、前記絶縁膜のパターン形成は、前記絶縁膜上に、印刷用マスクを用いてフォトレジストのパターンを印刷し、前記フォトレジストのパターンをマスクに前記絶縁膜のウェットエッチングを行ってパターニングし、前記透明電極膜の形成は、形成すべきパターンに対応する開口パターンを有する第２スパッタ用マスクを用いてパターン化された透明電極膜をスパッタ成膜するものである。
　また、前記第１スパッタ用マスクの開口パターンは、配線の長手方向が複数に分割されていてもよい。
　さらに、前記第１及び第２スパッタ用マスク、及び印刷用マスクはそれぞれ、前記開口パターンを有するマスクシートと、該マスクシートの周囲を囲み該マスクシートが張設される枠体とを備えてもよい。
　さらにまた、前記マスクシートは、樹脂フィルムに前記開口パターンが形成された樹脂マスクシート、スリット状の複数の貫通孔が並列配置された金属膜と、該金属膜の一面に積層され、前記貫通孔内に少なくとも１つの前記開口パターンが形成された樹脂フィルムとを有する複合型マスクシート、及び金属膜に前記開口パターンが形成されたメタルマスクシートのいずれかを含んでもよい。
　本発明によるパターン形成方法によれば、対象物面上に形成するパターンを分割した開口パターンを有する複数のスパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜して１つの合成パターンを形成することで、露光工程と現像工程を不要にして製造を簡単化すると共に、露光装置及び現像装置を不要にして設備のコストを削減できる。
　また、本発明によるタッチパネルの製造方法によれば、金属膜、絶縁膜及び透明電極膜をそれぞれ、フォトプロセスを用いることなくパターン形成できる。これによって、露光工程と現像工程を不要にして製造を簡単化すると共に、露光装置及び現像装置を不要にして設備のコストを削減できる。
本発明によるタッチパネルの製造方法の実施形態を示す工程図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第１の工程を示しており、スパッタ用第１マスクの平面図である。 図２ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第２の工程を示しており、スパッタ用第２マスクの平面図である。 図３ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 第１及び第２の工程で形成された配線パターンの平面図である。 図４ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 図２Ａの開口パターンの拡大平面図である。 図３Ａの開口パターンの拡大平面図である。 図４Ａの合成された配線パターンの拡大平面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第３の工程を示しており、配線パターン上に絶縁膜を形成した平面図である。 図６ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第４の工程を示しており、フォトレジストの塗布中の印刷用マスクの平面図である。 図７ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第５の工程を示しており、レジストパターンの平面図である。 図８ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第６の工程を示しており、レジストパターンと配線パターンの平面図である。 図９ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第７の工程を示しており、配線パターンと絶縁膜パターンの平面図である。 図１０ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第８の工程を示しており、スパッタ用マスクの平面図である。 図１１ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第９の工程を示しており、Ｙ－ＩＴＯ膜の平面図である。 図１２ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第１０の工程を示しており、スパッタ用マスクの平面図である。 図１３ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。 本発明によるタッチパネルの製造方法における第１１の工程を示しており、Ｘ－ＩＴＯ膜の平面図である。 図１４ＡのＸ－Ｘ’線に沿った拡大断面図である。
　以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
　図１は、本発明によるタッチパネルの製造方法の実施形態を示す工程図である。このタッチパネルの製造方法は、金属膜（メタル）のパターン形成工程（工程Ｓ１～Ｓ５）、絶縁膜のパターン形成工程（工程Ｓ６～Ｓ１１）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）膜（Ｙ方向）のパターン形成工程（工程Ｓ１２，Ｓ１３）、及びＩＴＯ膜（Ｘ方向）のパターン形成工程（工程Ｓ１４，Ｓ１５）を含んでいる。
　金属膜のパターン形成工程は、対象物面上に形成するパターンを分割した開口パターンを有する複数のスパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜し、成膜したパターンを合成して単一のパターンを形成するものである。また、絶縁膜のパターン形成工程は、印刷用マスクを用いてフォトレジストのパターンを印刷で形成し、このフォトレジストのパターンをマスクにして金属膜あるいは絶縁膜をウェットエッチングしてパターンを形成するものである。さらに、ＩＴＯ膜（Ｙ方向）とＩＴＯ膜（Ｘ方向）のパターン形成工程はそれぞれ、形成すべきパターンに対応する開口パターンを有するスパッタ用マスクを用いてスパッタ成膜を行うことで、パターン化されたＩＴＯ膜を成膜するものである。
　次に、上述した各製造工程について詳しく説明する。
［金属膜のパターン形成工程］
　まず、透明基板、例えばガラス基板１０の表面を洗浄してスパッタ装置内に投入する（工程Ｓ１）。続いて、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ガラス基板１０上に形成するパターンを分割した開口パターン１２ａ－１を有するスパッタ用第１マスク１２－１を位置合わせして設置する（工程Ｓ２）。開口パターン１２ａ－１は、周辺の額縁領域における、隣接し且つ直線状の長い配線パターンの開口パターンを長手方向に分割したものである。中央部の開口パターン１２ｂ－１は、比較的短く且つ離れて配置されており、パターンの変形やずれ等が生じにくいので分割せずに１回で成膜する。このように、スパッタ用第１マスク１２－１を用いて、金属、例えばＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）のスパッタ成膜を行い、ガラス基板１０上に配線パターンの一部１１を形成する（工程Ｓ３）。
　続いて、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、ＭＡＭ膜１１上にスパッタ用第２マスク１２－２を位置合わせして設置する（工程Ｓ４）。このスパッタ用第２マスク１２－２には、ガラス基板１０上に形成するパターンを分割した別の開口パターン１２ａ－２が形成されている。この状態で、スパッタ成膜を行うと、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、配線パターン１１の周辺の額縁領域の配線パターンが補完され、合成パターン１１ａ，１１ｂが形成される（工程Ｓ５）。
　その後、洗浄を行い、形成した配線パターン１１ａ，１１ｂの検査を行う。
　前記スパッタ用第１マスク１２－１は、例えばポリイミド等の樹脂フィルムに開口パターン１２ａ－１，１２ｂ－１を形成した樹脂マスクシートを、方形状のメタルフレーム１２ｃ－１の内側に張設したものである。また、前記スパッタ用第２マスク１２－２は、例えばポリイミド等の樹脂フィルムに開口パターン１２ａ－２を形成した樹脂マスクシートを、方形状のメタルフレーム１２ｃ－２の内側に張設したものである。これらの樹脂フィルムはテンションを掛けた状態で保持されている。各々の開口パターン１２ａ－１，１２ａ－２は、上述したように、ガラス基板１０上に形成するパターンを長手方向に分割したパターンである。
　あるいは、スリット状の複数の貫通孔が並列配置された金属膜（磁性金属部材）の一面に、樹脂フィルムが積層され、金属膜の貫通孔内に少なくとも１つの開口パターンが形成された複合型マスクシートを、方形状のメタルフレームの内側に張設して用いることもできる。この複合マスクを用いると、磁性金属部材を磁力で吸着して固定できる。
　さらに、金属膜に開口パターンを形成したメタルマスクシートを、方形状のメタルフレームの内側に張設して用いることもできる。
　そして、図５Ａに図２Ａの領域１００－１を拡大して示すように、スパッタ用第１マスク１２－１の開口パターン１２ａ－１は、形成する配線パターンが長手方向に分割され、その一部のパターンに対応している。また、図５Ｂに図３Ａの領域１００－２を拡大して示すように、スパッタ用第２マスク１２－２の開口パターン１２ａ－２は、長手方向に分割された配線パターンの残りの部分に対応している。これらの開口パターン１２ａ－１，１２ａ－２を合成することで、図５Ｃに図４Ａの領域１００－３を拡大して示すような単一の配線パターン１１ａが形成されるようになっている。
［絶縁膜のパターン形成工程］
　次に、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、全面に絶縁膜１５、例えばＳＯＧ（Spin on Glass）等の有機絶縁膜を塗布形成する（工程Ｓ６）。その後、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、絶縁膜１５上にフォトレジストの印刷用マスク１６を位置合わせして設置する（工程Ｓ７）。この印刷用マスク１６には、正方形の開口パターン１６ａがマトリックス状に配置されている。印刷用マスク１６は、スパッタ用マスクと同様な構成のマスクを用いることができる。また、比較的単純なパターン形状で離隔して配置されている場合には、一般的なスクリーン印刷用のマスクを使用することもできる。そして、印刷用マスク１６上にスキージ１３でフォトレジスト１７を塗布して印刷する（工程Ｓ８）。印刷用マスク１６を除去すると、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、絶縁膜１５上にレジストパターン１７ａが形成される（工程Ｓ９）。
　続いて、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、レジストパターン１７ａをマスクにして絶縁膜１５のウェットエッチングを行う（工程Ｓ１０）。そして、レジストパターン１７ａを剥離すると（工程Ｓ１１）、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、配線パターン１１ｂの一部を覆うように絶縁膜パターン１５ａが残存される。
　その後、洗浄を行い、形成した絶縁膜パターン１５ａの検査を行う。
［ＩＴＯ膜（Ｙ）のパターン形成工程］
　次に、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、前述したようにして、配線パターン１１ａ，１１ｂと、この配線パターン１１ｂの一部を覆う絶縁膜パターン１５ａを形成したガラス基板１０上に、開口パターン１８ａを形成したスパッタ用マスク１８を位置合わせして配置し、開口パターン１８ａ内にＩＴＯ膜１９をスパッタ成膜する（工程Ｓ１２）。ＩＴＯ膜１９は、開口パターン１８ａ内にパターン化されて形成されるので、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、配線パターン１１ｂによって電気的に接続され、縦方向に連続し、Ｙ方向の位置を特定するＹ－ＩＴＯ膜１９ａが形成される（工程Ｓ１３）。
　その後、洗浄を行い、形成したＹ－ＩＴＯ膜１９ａの検査を行う。
［ＩＴＯ膜（Ｘ）のパターン形成工程］
　次に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、配線パターン１１ａ、絶縁膜パターン１５ａ及びＹ－ＩＴＯ膜１９ａを形成したガラス基板１０上に、開口パターン２０ａを形成したスパッタ用マスク２０を位置合わせして配置し、開口パターン２０ａ内の絶縁膜上にＩＴＯ膜２１をスパッタ成膜する（工程Ｓ１４）。ＩＴＯ膜２１は、開口パターン２０ａ内にパターン化されて形成されるので、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、横方向に連続し、Ｘ方向の位置を特定するＸ－ＩＴＯ膜２１ａが形成される（工程Ｓ１５）。これらパターン化されたＸ－ＩＴＯ膜２１ａとＹ－ＩＴＯ膜１９ａとが交差する部分には、絶縁膜パターン１５ａが介在されて、両ＩＴＯ膜２１ａ，１９ａが電気的に分離される。
　その後、洗浄を行い、形成したＸ－ＩＴＯ膜２１ａの検査を行う。
　そして、ガラス基板１０上の全面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にカバーガラス等を設置する。
　ここで、スパッタ用マスク２０は、Ｙ－ＩＴＯ膜１９ａをスパッタ成膜する場合と同様な構成（開口パターン２０ａの形状が異なる）のマスクを用いることができる。
　上記のようなパターン形成方法によれば、対象物面上に形成するパターンを分割した開口パターンを有する複数のスパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜し、成膜したパターンを合成して単一のパターンを形成する。これによって、露光工程、現像工程及びエッチング工程を不要にして製造を簡単化すると共に、露光装置及び現像装置を不要にして設備のコストとランニングコストを削減できる。
　しかも、ＭＡＭ膜のパターン形成は、対象物面上に形成する配線パターンを分割した開口パターンを有する複数のスパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜して１つの合成パターンを形成するので、スパッタ用マスクのパターンの位置ずれや変形が少なく、パターン精度の高い成膜を行うことができる。
　また、このパターン形成方法を用いたタッチパネルの製造方法によれば、金属膜、絶縁膜、透明電極膜の各々をパターニングする際に、印刷用マスクを用いてフォトレジストのパターンを印刷で形成する。あるいはスパッタ用マスクを用いてパターン化された金属層と透明電極膜を成膜する。従って、フォトプロセスを完全に排除することができるので、設備コストとランニングコストを大幅に低減することが可能となる。
　さらに、フォトレジストパターンの印刷形成によるパターニングと、パターン化された膜のスパッタ成膜との異なるパターン形成方法を組み合わせることで、金属膜、絶縁膜及び透明電極等をそれぞれの材料やパターン形状に適した方法、あるいはパターンの形成しやすさに応じて選択してパターニングすることができる。しかも、スパッタ成膜は、エッチングすることなくパターンを形成できるので、２つのパターン形成工程を組み合わせることにより、露光工程と現像工程を省略するだけでなく、タッチパネルを形成する際の全体の製造工程数を削減できる。
　なお、上述した実施形態では、静電容量型タッチパネルの製造方法を例に取って説明したが、本発明は静電容量型に限られるものではなく、他の様々なタッチパネルの製造方法に適用できる。また、本発明のパターン形成方法が適用される一例として、タッチパネルの製造方法について説明したが、ウェットエッチングやスパッタ成膜を行う他の様々なパターンの形成に適用できるのはもちろんである。さらに、形成するパターンを２分割した開口パターンを用いて、２回スパッタ成膜して１つの合成パターンを形成する例を示したが、３分割以上して３回以上スパッタ成膜して１つの合成パターンを形成してもよい。
　１０…ガラス基板（透明基板）
　１１…ＭＡＭ膜（金属膜）
　１２－１，１２－２…スパッタ用マスク
　１６…印刷用マスク
　１７…フォトレジスト
　１７ａ…レジストパターン
　１５…絶縁膜
　１５ａ…絶縁膜パターン
　１８，２０…スパッタ用マスク
　１９，２１…ＩＴＯ膜（透明電極膜）

Claims (10)

  1. 　対象物面上に形成するパターンを分割した開口パターンを有する複数のスパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜し、前記複数のスパッタ用マスクでそれぞれ成膜したパターンを合成して単一のパターンを形成する、ことを特徴とするパターン形成方法。
  2. 　前記開口パターンは、パターンの長手方向に分割されたものである、請求項１に記載のパターン形成方法。
  3. 　前記単一のパターンは、対象物面上に形成するパターンの少なくとも一部である、請求項１に記載のパターン形成方法。
  4. 　前記単一のパターンは、対象物面上に形成するパターンの少なくとも一部である、請求項２に記載のパターン形成方法。
  5. 　前記複数のスパッタ用マスクはそれぞれ、前記開口パターンを有するマスクシートと、該マスクシートの周囲を囲み、該マスクシートが張設される枠体とを備える、請求項１乃至４いずれか１つの項に記載のパターン形成方法。
  6. 　前記マスクシートは、樹脂フィルムに前記開口パターンが形成された樹脂マスクシート、スリット状の複数の貫通孔が並列配置された金属膜と、該金属膜の一面に積層され、前記貫通孔内に少なくとも１つの前記開口パターンが形成された樹脂フィルムとを有する複合型マスクシート、及び金属膜に前記開口パターンが形成されたメタルマスクシートのいずれかを含む、請求項５に記載のパターン形成方法。
  7. 　金属膜、絶縁膜及び透明電極膜を含むタッチパネルの製造方法であって、
    　前記金属膜のパターン形成は、対象物面上に形成する配線パターンを分割した開口パターンを有する複数の第１スパッタ用マスクを用いて、複数回スパッタ成膜し、前記複数の第１スパッタ用マスクでそれぞれ成膜したパターンを合成して単一の配線パターンを形成し、
    　前記絶縁膜のパターン形成は、前記絶縁膜上に、印刷用マスクを用いてフォトレジストのパターンを印刷し、前記フォトレジストのパターンをマスクに前記絶縁膜のウェットエッチングを行ってパターニングし、
    　前記透明電極膜の形成は、形成すべきパターンに対応する開口パターンを有する第２スパッタ用マスクを用いてパターン化された透明電極膜をスパッタ成膜する、
    　ことを特徴とするタッチパネルの製造方法。
  8. 　前記第１スパッタ用マスクの開口パターンは、配線の長手方向が複数に分割されたものである、請求項７に記載のタッチパネルの製造方法。
  9. 　前記第１及び第２スパッタ用マスク、及び印刷用マスクはそれぞれ、前記開口パターンを有するマスクシートと、該マスクシートの周囲を囲み該マスクシートが張設される枠体とを備える、請求項７または８に記載のタッチパネルの製造方法。
  10. 　前記マスクシートは、樹脂フィルムに前記開口パターンが形成された樹脂マスクシート、スリット状の複数の貫通孔が並列配置された金属膜と、該金属膜の一面に積層され、前記貫通孔内に少なくとも１つの前記開口パターンが形成された樹脂フィルムとを有する複合型マスクシート、及び金属膜に前記開口パターンが形成されたメタルマスクシートのいずれかを含む、請求項９に記載のタッチパネルの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101748826B1 (ko) * 2015-07-16 2017-07-04 이민수 터치패널 및 그 터치패널 생성방법
CN109445632A (zh) * 2018-10-24 2019-03-08 信利光电股份有限公司 一种金属网格触摸屏制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006077276A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法
JP2006147557A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd マスク組立体及びそれを用いたマスクフレーム組立体
JP2012022941A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Sk Link:Kk マスクセット
JP2012111985A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Toppan Printing Co Ltd 蒸着マスクおよびそれを用いた薄膜パターン形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006077276A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法
JP2006147557A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd マスク組立体及びそれを用いたマスクフレーム組立体
JP2012022941A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Sk Link:Kk マスクセット
JP2012111985A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Toppan Printing Co Ltd 蒸着マスクおよびそれを用いた薄膜パターン形成方法

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