WO2015025890A1 - パティキュレートフィルタ - Google Patents

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Abstract

 パティキュレートフィルタ200は、複数の第1流路210a及び複数の第2流路210bを有する柱状のセラミクスハニカム構造体220と、セラミクスハニカム構造体220に担持された触媒成分と、を備る。触媒成分は貴金属粒子を有し、セラミクスハニカム構造体220の中央部220cにおいて見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPcent、セラミクスハニカム構造体220の外周部220pにおいて見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPoutとしたときに、2m/L≦SPout-SPcent≦125m/Lを満たす。

Description

パティキュレートフィルタ
 本発明は、パティキュレートフィルタに関する。
 パティキュレートフィルタは、すすを含む流体からすすを除去するセラミックスフィルタとして用いられており、例えば、ディーゼルエンジンやガソリンエンジン等の内燃機関から排気される排気ガスを浄化するための排ガスフィルタとして用いられている。このようなパティキュレートフィルタは、多孔質の隔壁部により仕切られた互いに平行な多数の入口側流路及び出口側流路を有している(例えば、下記特許文献1参照)。
特表2009-537741号公報
 ところで、すすを含む流体がパティキュレートフィルタ内に供給されるに伴い、パティキュレートフィルタにおける隔壁部の表面や隔壁部の内部にすすが堆積する。この場合、すすがパティキュレートフィルタ内に過剰に堆積すると、パティキュレートフィルタ内における流体の移動が妨げられてパティキュレートフィルタの圧力損失が大きくなり燃費性能が低下する。そのため、パティキュレートフィルタ内に一定量のすすを堆積させた後に、すすを燃焼除去するいわゆるフィルタの再生が行われる。
 フィルタの再生において、フィルタの中央部のすすが外周部のすすに比べて燃焼しやすく、外周部のすすが残存する場合がある。また、このようなすすの燃え方の偏りにより、中央部と外周部との間に大きな温度差が生じ、フィルタにクラックが生じる場合もある。
 本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、再生時における、中央部と外周部との間でのすすの燃焼の不均一性を抑制できるパティキュレートフィルタを提供することを目的とする。
 本発明にかかるパティキュレートフィルタは、複数の第1流路及び複数の第2流路を有する柱状のセラミクスハニカム構造体と、前記セラミクスハニカム構造体に担持された触媒成分と、を備える。前記複数の第1流路は前記セラミクスハニカム構造体の軸方向に延びて一端面で開口し他端面で封口され、前記複数の第2流路は前記セラミクスハニカム構造体の軸方向に延びて前記他端面で開口し前記一端面で封口されている。前記触媒成分は貴金属粒子を含み、前記セラミクスハニカム構造体の中央部において見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPcent、前記セラミクスハニカム構造体の外周部において見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPoutとしたときに、2m/L≦SPout-SPcent≦125m/Lを満たす。
 本発明によれば、セラミクスハニカム構造体の中央部と外周部とで貴金属粒子の総表面積に適切な差が設けられているので、すすが燃焼しにくい外周部において中央部に比べて貴金属粒子により適切にすすの燃焼が促進され、中央部と外周部との間でのすすの燃焼の不均一性が抑制される。
 ここで、前記触媒成分は、さらに固体酸成分を含み、前記セラミクスハニカム構造体の中央部において見かけの単位体積中に含まれる固体酸量をSAcent、前記セラミクスハニカム構造体の外周部において見かけの単位体積中に含まれる固体酸量をSAoutとしたときに、1.0mmol/L≦SAout-SAcent≦12.0mmol/Lであることが好ましい。
 これにより、再生時に供給される炭化水素を外周部の固体酸成分が中央部に比べて多く吸着して燃焼させることができるので、すすの燃焼の不均一性をより一層抑制できる。
 また、前記セラミクスハニカム構造体はチタン酸アルミニウムを主成分とし、前記固体酸成分はアルミナを主成分とすることが好ましい。
 また、前記セラミクスハニカム構造体の熱伝導度が3W/mK以下であり、前記セラミクスハニカム構造体の熱容量が0.75J/gK以上であることがこのましい。
 また、前記第1流路の断面は六角形であることが好ましい。
 また、第1流路の断面積は、第2流路の断面積よりも小さいことが好ましい。
 本発明によれば、再生時における、中央部と外周部との間でのすすの燃焼の不均一性を抑制できるパティキュレートフィルタが提供される。
図1の(a)は、第1実施形態に係るディーゼルパティキュレートフィルタ200を模式的に示す図であり、図1の(b)は、図1の(a)における領域R2の拡大図である。 図2の(a)は、図1の(a)に示したディーゼルパティキュレートフィルタ200における図1の(b)の反対側の端面の拡大図であり、図2の(b)は、隔壁部断面の拡大図である。 図3は、図1の(a)のIII-III矢視図である。 図4の(a)は、第2実施形態に係るディーゼルパティキュレートフィルタ200を模式的に示す図であり、図4の(b)は、図4の(a)における領域R1の拡大図である。 図5の(a)は、図4の(a)に示したディーゼルパティキュレートフィルタ200における図4の(b)の反対側の端面の拡大図であり、図5の(b)は、隔壁部断面の拡大図である。 図6は、図4のVI-VI矢視図である。 図7は、セラミクスハニカム構造体220の中央部220c及び外周部220pを説明する斜視図である。
<ディーゼルパティキュレートフィルタ>
 図1の(a)は、第1実施形態に係るディーゼルパティキュレートフィルタ200を模式的に示す図であり、図1の(b)は、図1の(a)における領域R2の拡大図である。図2の(a)は、図1の(a)に示したディーゼルパティキュレートフィルタ200における図1の(b)の反対側の端面の拡大図であり、図2の(b)は、隔壁部断面の拡大図である。図3は、図1の(a)のIII-III矢視図である。ディーゼルパティキュレートフィルタ200は、一方の端面(一端面)220iと、端面220iの反対側に位置する他方の端面(他端面)220jと、を有するセラミクスハニカム構造体220、及び、セラミクスハニカム構造体220に担持された触媒層260を備えている。
 セラミクスハニカム構造体220は、互いに平行に伸びる複数の流路210を形成する隔壁構造を有する円柱体である。複数の流路210は、複数の流路(第1流路)210aと、流路210aに隣接する複数の流路(第2流路)210bとを有している。流路210a及び流路210bは、端面220i,220jに対して垂直に、端面220iから端面220jまで伸びている。
 流路210のうちの一部を形成する流路210aの一端は、端面220iにおいて開口しており、流路210aの他端は、端面220jにおいて封口部230により封口されている。複数の流路210のうちの残部を形成する流路210bの一端は、端面220iにおいて封口部230により封口されており、流路210bの他端は、端面220jにおいて開口している。セラミクスハニカム構造体220において、例えば、流路210aにおける端面220i側の端部はガス流入口として開口しており、流路210bにおける端面220j側の端部はガス流出口として開口している。
 流路210a及び流路210bにおける当該流路の軸方向に垂直な断面は、六角形状である。流路210bの断面は、例えば、当該断面を形成する辺240の長さが互いに略等しい正六角形状であるが、扁平六角形状であってもよい。流路210aの断面は、例えば扁平六角形状であるが、正六角形状であってもよい。流路210aの断面において互いに対向する辺の長さは、互いに異なっている。流路210aの断面は、当該断面を形成する辺250として、互いに長さの略等しい三つの長辺250aと、互いに長さの略等しい三つの短辺250bと、を有している。長辺250a及び短辺250bは、互いに平行に対向しており、短辺250bは、長辺250aの両側にそれぞれ配置されている。
 セラミクスハニカム構造体220は、流路210a及び流路210bを仕切る部分として隔壁部220aを有している。すなわち、流路210a及び流路210bは、隔壁部220aを介して互いに隣接している。隣接する流路210bの間には、当該流路210bの配列方向に略直交する方向に隣接する二つの流路210aが配置されており、当該隣接する二つの流路210aは、隣接する流路210bの断面の中心同士を結ぶ線を挟んで対称に配置されている。
 流路210bの辺240のそれぞれは、複数の流路210aのいずれか一つの流路の長辺250aと平行に対向している。すなわち、流路210bを形成する壁面のそれぞれは、流路210a及び流路210bの間に位置する隔壁部220aにおいて、流路210aを形成する一壁面と平行に対向している。また、流路210は、1つの流路210bと、当該流路210bを囲む6つの流路210aとを含む構成単位を有しており、当該構成単位において、流路210bの辺240の全てが流路210aの長辺250aと対向している。流路210bの断面の各頂点は、隣接する流路210bの頂点と流路210bの配列方向に対向している。セラミクスハニカム構造体220では、流路210bの辺240の少なくとも一つの長さが、対向する長辺250aの長さと略等しくてもよく、辺240のそれぞれの長さが、対向する長辺250aの長さと略等しくてもよい。
 セラミクスハニカム構造体220は、互いに隣接する流路210a同士を仕切る部分として隔壁部220bを有している。すなわち、流路210bを囲む流路210a同士は、隔壁部220bを介して互いに隣接している。
 流路210aの短辺250bのそれぞれは、隣接する流路210aの短辺250bと平行に対向している。すなわち、流路210aを形成する壁面は、隣接する流路210aの間に位置する隔壁部220bにおいて互いに平行に対向している。また、1つの流路210aは、3つの流路210bに囲まれている。セラミクスハニカム構造体220では、隣接する流路210aの間において、流路210aの短辺250bの少なくとも一つの長さが、対向する短辺250bの長さと略等しくてもよく、短辺250bのそれぞれの長さが、対向する短辺250bの長さと略等しくてもよい。
 流路210a内の隔壁部220a,220b表面、流路210b内の隔壁部220a,220b表面、及び、隔壁部220a,220bの細孔内部(連通孔内部)には、触媒成分が担持されており、担持された触媒成分により触媒層260が形成されている。なお、触媒層260は、隔壁部220a,220bの表面及び/又は隔壁部220a,220bの細孔内部の少なくとも一部、より具体的には、上述した流路210a内の隔壁部220a,220b表面、流路210b内の隔壁部220a,220b表面、及び、隔壁部220a,220bの細孔内部のうちの少なくとも1箇所に形成されていればよい。触媒層260は、流路210a内の隔壁部220a,220b表面及び隔壁部220a,220bの細孔内部に形成されていることが好ましい。
 図4の(a)は、第2実施形態に係るディーゼルパティキュレートフィルタ200を模式的に示す図であり、図4の(b)は、図4の(a)における領域R1の拡大図である。図5の(a)は、図4の(a)に示したディーゼルパティキュレートフィルタ200における図4の(b)の反対側の端面の拡大図であり、図5の(b)は、セラミクスハニカム構造体220断面の拡大図である。図6は、図4のVI-VI矢視図である。ディーゼルパティキュレートフィルタ200は、一方の端面(一端面)220iと、端面220iの反対側に位置する他方の端面(他端面)220jと、を有するセラミクスハニカム構造体220、及び、セラミクスハニカム構造体220に担持された触媒層260を備えている。
 セラミクスハニカム構造体220は、互いに平行に伸びる複数の流路210を形成する隔壁構造を有する円柱体である。複数の流路210は、複数の流路(第1流路)210aと、流路210aに隣接する複数の流路(第2流路)210bとを有している。流路210a及び流路210bは、端面220i,220jに対して垂直に、端面220iから端面220jまで伸びている。
 流路210のうちの一部を構成する流路210aの一端は、端面220iにおいて開口しており、流路210aの他端は、端面220jにおいて封口部230により封口されている。複数の流路210のうちの残部を構成する流路210bの一端は、端面220iにおいて封口部230により封口されており、流路210bの他端は、端面220jにおいて開口している。セラミクスハニカム構造体220において、例えば、流路210aにおける端面220i側の端部はガス流入口として開口しており、流路210bにおける端面220j側の端部はガス流出口として開口している。
 流路210a及び流路210bにおける当該流路の軸方向に垂直な断面は、六角形状である。流路210bの断面は、例えば、当該断面を形成する辺240の長さが互いに略等しい正六角形状であるが、扁平六角形状であってもよい。流路210aの断面は、例えば扁平六角形状であるが、正六角形状であってもよい。流路210aの断面において互いに対向する辺の長さは、互いに略等しい。流路210aの断面は、当該断面を形成する辺250として、互いに長さの略等しい二つ(一対)の長辺250aと、互いに長さの略等しい四つ(二対)の短辺250bと、を有している。短辺250bは、長辺250aの両側にそれぞれ配置されている。長辺250a同士は、互いに平行に対向しており、短辺250b同士は、互いに平行に対向している。
 セラミクスハニカム構造体220は、流路210a及び流路210bを仕切る部分として隔壁部220aを有している。すなわち、流路210a及び流路210bは、隔壁部220aを介して互いに隣接している。隣接する流路210bの間に一つの流路210aが配置されることにより、流路210bは、流路210bの配列方向(辺240に略直交する方向)において流路210aと交互に配置されている。
 流路210bの辺240のそれぞれは、複数の流路210aのいずれか一つの流路の長辺250aと平行に対向している。すなわち、流路210bを形成する壁面のそれぞれは、流路210a及び流路210bの間に位置する隔壁部220aにおいて、流路210aを形成する一壁面と平行に対向している。また、流路210は、1つの流路210bと、当該流路210bを囲む6つの流路210aとを含む構成単位を有しており、当該構成単位において、流路210bの辺240の全てが流路210aの長辺250aと対向している。セラミクスハニカム構造体220では、流路210bの辺240の少なくとも一つの長さが、対向する長辺250aの長さと略等しくてもよく、辺240のそれぞれの長さが、対向する長辺250aの長さと略等しくてもよい。
 セラミクスハニカム構造体220は、互いに隣接する流路210a同士を仕切る部分として隔壁部220bを有している。すなわち、流路210bを囲む流路210a同士は、隔壁部220bを介して互いに隣接している。
 流路210aの短辺250bのそれぞれは、隣接する流路210aの短辺250bと平行に対向している。すなわち、流路210aを形成する壁面は、隣接する流路210aの間に位置する隔壁部220bにおいて互いに平行に対向している。セラミクスハニカム構造体220では、隣接する流路210aの間において、流路210aの短辺250bの少なくとも一つの長さが、対向する短辺250bの長さと略等しくてもよく、短辺250bのそれぞれの長さが、対向する短辺250bの長さと略等しくてもよい。
 流路210a内の隔壁部220a,220b表面、流路210b内の隔壁部220a,220b表面、及び、隔壁部220a,220bの細孔内部(連通孔内部)には、触媒が担持されており、担持された触媒により触媒層260が形成されている。なお、触媒層260は、隔壁部220a,220bの表面及び/又は隔壁部220a,220bの細孔内部の少なくとも一部、より具体的には、触媒層260は、上述した流路210a内の隔壁部220a,220b表面、流路210b内の隔壁部220a,220b表面、及び、隔壁部220a,220bの細孔内部のうちの少なくとも1箇所に形成されていればよい。触媒層260は、ガス流入口側の隔壁部220a,220b表面及び隔壁部220a,220bの細孔内部に形成されていることが好ましい。
 第1及び第2実施形態において、流路の軸方向におけるセラミクスハニカム構造体220の長さは、例えば50~300mmである。セラミクスハニカム構造体220の外径は、例えば50~250mmである。セラミクスハニカム構造体220において、辺240の長さは、例えば0.4~2.0mmである。長辺250aの長さは、例えば0.4~2.0mmであり、短辺250bの長さは、例えば0.3~2.0mmである。隔壁部220a,220bの厚み(セル壁厚)は、例えば0.1~0.8mmである。セラミクスハニカム構造体220におけるセル密度(例えば、セラミクスハニカム構造体において、端面220iにおける流路210a及び流路210bの密度の合計)は、50~600cpsiが好ましく、100~500cpsiがより好ましい。
 セラミクスハニカム構造体220において、端面220iにおける複数の流路210aの開口面積の合計は、端面220jにおける流路210bの開口面積の合計よりも大きいことが好ましい。
 端面220iにおける流路210aの水力直径は、被捕集物の堆積量に応じて圧力損失が変化し易くなる観点から、1.4mm以下であることが好ましい。流路210aの水力直径は、流路内における端面側の領域に被捕集物が堆積することを更に抑制する観点から、0.5mm以上が好ましく、0.7mm以上がより好ましい。
 端面220jにおける流路210bの水力直径は、端面220iにおける流路210aの水力直径よりも大きいことが好ましい。すなわち、各流路210aの断面積は、各流路210bの断面積よりも小さいことが好ましい。端面220jにおける流路210bの水力直径は、被捕集物の堆積量に応じて圧力損失が更に変化し易くなる観点から、1.7mm以下が好ましく、1.6mm以下がより好ましい。流路210bの水力直径は、流路内における端面側の領域に被捕集物が堆積することを更に抑制する観点から、0.5mm以上が好ましく、0.7mm以上がより好ましい。
 上記セラミクスハニカム構造体220は、多孔質であり、例えば多孔質セラミックス焼結体を含んでいる。隔壁部は、流体が透過できるような構造を有している。具体的には、流体が通過し得る多数の連通孔(流通経路)が隔壁部内に形成されている。
 セラミクスハニカム構造体220の隔壁部の気孔率は、すすの捕集効率及び圧力損失を更に向上させる観点から、30体積%以上が好ましく、40体積%以上がより好ましく、50体積%以上が更に好ましい。隔壁部の気孔率は、80体積%以下が好ましく、70体積%以下がより好ましい。隔壁部の平均気孔径は、すすの捕集効率及び圧力損失を更に向上させる観点から、5μm以上が好ましく、10μm以上がより好ましい。隔壁部の平均気孔径は、30μm以下が好ましく、25μm以下がより好ましい。隔壁部の気孔率及び平均気孔径は、原料の粒子径、造孔剤の添加量、造孔剤の種類、焼成条件により調整可能であり、水銀圧入法により測定することができる。
 セラミクスハニカム構造体220の材質は特に限定さないが、チタン酸アルミニウムを主成分とすることが好ましい。この場合、セラミクスハニカム構造体220は、さらに、マグネシウム及び/又はシリカを含有することができる。セラミクスハニカム構造体220の材質は、コーディエライトを主成分とするものや、炭化ケイ素を主成分とする物であることも出来る。
 セラミクスハニカム構造体の材質が、チタン酸アルミニウムの場合、その組成式は、例えば、Al2(1-x)MgTi(1+y)であり、xの値は、xは0<x<1を満足し、0.03≦x≦0.5を満足することが好ましく、0.05≦x≦0.2を満足することがより好ましい。上記yは0.5x<y<3xを満足し、0.5x<y<2xを満足することが好ましく、0.7x<y<2xを満足することがより好ましい。材質は、原料由来の微量成分又は製造工程において不可避的に含まれる微量成分を含有し得る。微量成分としては、NaO、KO、P、CaO等が挙げられる。
 チタン酸アルミニウムがさらにケイ素を含有する場合、材質中にケイ素源粉末由来のガラス相を含んでいてもよい。ガラス相は、SiOが主要成分である非晶質相を指す。この場合、ガラス相の含有量は、4質量%以下であることが好ましい。ガラス相の含有量が4質量%以下であることにより、パティキュレートフィルタ等のセラミックスフィルタに要求される細孔特性を充足するチタン酸アルミニウム系セラミックス焼成体が得られ易くなる。ガラス相の含有量は、2質量%以上であることが好ましい。
 また、セラミクスハニカム構造体の熱伝導度が3W/mK以下であり、かつ、セラミクスハニカム構造体の熱容量が0.75J/gK以上であることができる。この場合、再生時、煤に着火した後でフィルタの温度が冷めにくいので、煤を着火させやすく、煤の燃焼を継続させやすく、生成による煤の除去率を高めやすい。熱伝導度は好ましくは2.0W/mK以下であり、更に好ましくは1.50W/mK以下である。また、熱伝導度の下限は好ましくは0.05W/mKである。また、熱容量の上限は好ましくは2.00J/gKであり、より好ましくは1.50J/gKである。このような熱伝導度及び熱容量を提供できるセラミクスの材料としては、チタン酸アルミニウム系セラミクス等がある。
 (触媒層)
 (貴金属粒子)
 触媒層260は、貴金属粒子を含む。貴金属の例は、白金、パラジウム、ロジウム、金、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウムである。好ましい貴金属の例は、白金、パラジウムである。貴金属粒子の粒径は特に限定されないが、5~50nmとすることが出来る。この貴金属粒子は、捕集したすすの燃焼を促進する触媒として機能する。また、すすの燃焼反応を促進させるため、貴金属以外の金属元素を微量添加しても良い。
 セラミクスハニカム構造体220の全体に担持される貴金属粒子の総表面積は、セラミクスハニカム構造体220の見かけの単位体積当たり5m/L以上であることが好ましく、110m/L以下とすることが好ましく、12.5m/L以上とすることがより好ましい。また、「見かけの体積」とは、セラミクスハニカム構造体の流路の空間及び隔壁及び封口部を合わせた体積を意味し、本明細書において、見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積及び固体酸量とは、前記体積中に含まれる貴金属粒子の表面積及び固体酸量をそれぞれ1L当たり体積に換算したものである。
 貴金属粒子の総表面積は、一酸化炭素の吸着量を求め、一酸化炭素の吸着量及び一酸化炭素分子の吸着占有面積に基づいて算出することが出来る。一酸化炭素の吸着量は、具体的には、パルスインジェクション法を採用すればよい。
 パルスインジェクション法では、例えば、予め、サンプルを以下のように前処理する。まず、水素雰囲気中で10分かけて室温から400℃まで昇温し、その後水素雰囲気で400℃で15分維持し、ヘリウム雰囲気に切り替えてさらに400℃で15分維持する。その後、ヘリウム雰囲気中で10分間で50℃まで降温する。次に、50℃で、定量されたCOをパルス的に順次供給する。ガス流量は50mL/minとする。そして、排出ガス中のCOの量をTCD等のセンサを利用して測定し、COの吸着量を測定すればよい。
 具体的には、例えば、日本ベル株式会社製の、BEL-METAL-3SP等を使用出来る。
 本実施形態では、セラミクスハニカム構造体220の中央部220cにおいて見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPcent、セラミクスハニカム構造体220の外周部220pにおいて見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPoutとしたときに、
 2m/L≦SPout-SPcent≦125m/Lを満たす。
 SPout-SPcentが上述の範囲を満たすことにより、ディーゼルパティキュレートフィルタの外周部220pのすすの燃焼が中央部220cに比べて適切に促進されるので、中央部220cと外周部220pとの間でのすすの燃焼の偏りを低減できる。SPout-SPcentが低すぎると、すす燃焼の偏り低減効果が低くなる。一方、SPout-SPcentが高すぎると、外周部220pのすす燃焼が促進されすぎて外周部の温度が中央部220cよりも高くなる場合がある。
 すす燃焼の偏りをより低くする観点から、SPout-SPcentは4m/L以上であることが好ましく、6m/L以上がより好ましく、50m/L以上であることが更に好ましい。同様の観点から、SPout-SPcentは、115m/L以下であることが好ましく、100m/L以下であることがより好ましく、75m/g以下であることが更に好ましい。
 本明細書において、中央部220cとは、図7に示すように、セラミクスハニカム構造体220が両端面の半径がRかつ軸方向の長さがALの円柱体の場合は、セラミクスハニカム構造体220に内包された領域で、セラミクスハニカム構造体220の中心軸Axと両端面を共有している。一方、外周部220pは、中央部220cの外側の領域である。中央部220cの両端面の半径Rcは、通常、セラミクスハニカム構造体の端面(220i、220j)の半径Rの50%以上であり、好ましくは70%以上、95%以下であり、より好ましくは75%以上、90%以下である。中央部220cの端面の半径Rcが、セラミクスハニカム構造体220の端面(220i,220j)の半径Rの70%であると、中央部220c及び外周部220pの体積が互いに略等しくなる。中央部220cの端面の半径Rcの好ましき範囲から、中央部220cの体積Vc、外周部220pの体積Vpの関係は、Vc≧Vpとなる。
 中央部220cの端面の形状は、中央部220cと外周部220pの体積の好ましい関係(Vc≧Vp)を満たせば特に限定されず、楕円や矩形等であることも出来る。この場合、セラミクスハニカム構造体220の中心軸Axは、中央部220cの両端面の重心を通る線となる。
 セラミクスハニカム構造体220が、楕円柱体や多角形柱体等の非円柱の場合も、中央部220cと外周部220pの体積の好ましい関係(Vc≧Vp)を満たす様に、中央部220cの領域を定めればよい。具体的には、中央部220cの端面は当該セラミクスハニカム構造体220の端面形状と相似形状であることもできるが、非相似形状でもよい。例えば、セラミクスハニカム構造体220が楕円柱又は矩形体であれば、それぞれ、中央部の端面は、楕円又は矩形とすることも出来るが、例えば、いずれも円とすることも出来る。セラミクスハニカム構造体220の中心軸Axは、中央部220cの両端面の重心を通る様にすれば良い。
 中央部220cの貴金属粒子の総表面積が0であってもよいが、この中央部220cのすすの燃焼を促進する観点から、中央部220cにある程度の貴金属粒子を担持することもできる。たとえば、中央部220cに担持された貴金属粒子の総表面積は2.5~50m/Lであることが好ましい。
 フィルタにおける貴金属粒子の担持量は、上述の表面積の条件を満たす範囲であればよい。たとえば、フィルタ全体の貴金属粒子担持量は、0.4~5g/Lであることができる。
 (固体酸触媒)
 触媒層260は、さらに、固体酸成分を含むことが好ましい。固体酸成分の例は、γアルミナ、θアルミナ、δアルミナ、χアルミナ、ηアルミナ、ゼオライト、セリア、セリウムジルコニウム酸化物である。これらのうちの任意の成分の混合物であることもできる。特に、γアルミナが好ましい。γアルミナの原料として、ベーマイトを使用すると、最終的に、γアルミナが一部残存するベーマイトと共存し、固体酸量が向上するので好ましい。固体酸の種類としては、ブレンステッド酸とルイス酸が挙げられるが、酸性水酸基の少ないルイス酸が好ましい。
 セラミクスハニカム構造体220の全体に担持される固体酸量は、セラミクスハニカム構造体220の見かけ単位体積当たり、1.0~10mmol/Lであることが好ましい。
 固体酸点1モルには1モルのアンモニアが吸着するため、固体酸量は、アンモニア吸着法によって測定することができる。具体的には、サンプルを昇温脱離装置の測定セルに入れ、ヘリウム気流(50mL/min)中で、室温から500℃に10℃/minで昇温し、500℃で1時間保持し、100℃まで降温する。次に、100℃で0.5体積%のNHを含むヘリウムガス(100mL/min)中で30分間サンプルを保持してNHを吸着させる。次に、100℃でヘリウムガス中(50mL/min)に30分間保持して気体中のNHを追い出す。次に、ヘリウム気流中(50mL/min)で100℃から800℃に10℃/minで昇温し、脱離するNH量を四重極質量分析器で検出すればよい。より具体的には、日本ベル株式会社製の、全自動昇温脱離スペクトル装置 TPD-1-ATWなどを使用できる。
 本実施形態では、セラミクスハニカム構造体220の中央部220cにおいてみかけの単位体積中に含まれる固体酸量をSAcent、セラミクスハニカム構造体220の外周部220pにおいて見かけの単位体積中に含まれる固体酸をSAoutとしたときに、
 1.0mmol/L≦SAout-SAcent≦12.0mmol/Lを満たす。
 固体酸成分は、排ガス中の炭化水素などを吸着してその場で燃焼させる。したがって、SAout-SAcentが上述の範囲を満たすことにより、ディーゼルパティキュレートフィルタの外周部のすすの燃焼が中央部に比べて適切にさらに促進されるので、中央部と外周部との間でのすすの燃焼の偏りを低減できる。SAout-SAcentが低すぎると、すす燃焼の偏り抑制の効果が低くなる。一方、SAout-SAcentが高すぎると、外周部の温度が中央部よりも高くなる場合がある。
 すす燃焼の偏りをより抑制する観点から、SAout-SAcentは1.5mmol/L以上であることが好ましく、2.0mmol/L以上であることがより好ましく、3.0mmlol/L以上であることが更に好ましい。同様の観点から、SAout-SAcentは10.0mmol/L以下であることが好ましく、9.0mmol/L以下であることが好ましく、8.0mmol/L以下であることが更に好ましく、6.0mmol/L以下であることもできる。
 セラミクスハニカム構造体220の中央部220cの固体酸量が0であってもよいが、この中央部220cのすすの燃焼を促進する観点から、中央部220cにある程度の固体酸を担持することもできる。たとえば、中央部220cに担持された固体酸量は1.2~7.0mmol/Lであることが好ましい。
 フィルタにおける固体酸の担持量は、上述の表面積の条件を満たす範囲であればよい。たとえば、固体酸がγアルミナである場合のセラミクスハニカム構造体220の固体酸担持量は、10~50g/Lであることができ、中央部220cの貴金属粒子担持量は0.1~2g/Lであることができ、外周部220pの、貴金属粒子担持量は0.4~5g/Lであることができる。
 セラミクスハニカム構造体220は、例えば、ディーゼルエンジン、ガソリンエンジン等の内燃機関からの排ガス中に含まれるすす等の被捕集物を捕集する。例えば、セラミクスハニカム構造体220では、図3及び図6に示すように、端面220iから流路210aに供給されたガスGが、触媒層260及びセラミクスハニカム構造体220内の連通孔を通過して隣の流路210bに到達し、端面220jから排出される。
 捕集したすすを燃焼する再生工程の際には、ガス中における可燃ガスの量を高めて排ガス温度を高めることにより、すすを燃焼させる。このとき貴金属粒子がすすの燃焼触媒として機能する。また、固体酸触媒成分が排ガス中の炭化水素などを吸着して燃焼させ、すすの燃焼を助ける。
 本実施形態では、上述のように貴金属粒子の総表面積がセラミクスハニカム構造体の中央部と外周部とで所定の差がつくように設定されているため、外周部の燃焼が中央部に比べて促進されて、すすの燃焼の均一性が高くなる。これにより、すすの燃焼効率が高まるうえに、内周部と外周部との間での熱応力の発生によるクラックの発生も抑制できる。さらに、固体酸量にも中央部と外周部とで所定の差が生じていると、すすはより一層均一に燃焼しやすい。
 本発明のディーゼルパティキュレートフィルタは、上記実施形態に限定されず様々な変形態様が可能である。
 例えば、セラミクスハニカム構造体220の形状は、上記の2つのセラミクスハニカム構造体220のように、第1流路(流路210a)の軸方向に垂直な第1流路の断面が、第1の辺(長辺250a)と、当該第1の辺の両側にそれぞれ配置された第2の辺(短辺250b)とを有しており、第2流路(流路210b)の軸方向に垂直な第2流路の断面を形成する辺(辺240)のそれぞれが、第1流路の第1の辺と対向しており、第1流路の第2の辺のそれぞれが、隣接する第1流路の第2の辺と対向している形態であってもよいが、必ずしも上述した形状に限定されるものではない。
 また、セラミクスハニカム構造体220における流路の軸方向に垂直な当該流路の断面は、六角形状であることに限定されず、三角形状、矩形状、八角形状、円形状、楕円形状等であってもよい。また、流路の輪郭が曲線状であってもよい。また、流路には、断面積の異なるものが混在していてもよく、断面形状の異なるものが混在していてもよい。例えば、第1流路の断面積が、第2流路の断面積よりも大きく、または、小さくすることができる。また、流路の配置は特に限定されるものではなく、流路の中心軸の配置は、正三角形の頂点に配置される正三角形配置、千鳥配置等であってもよい。さらに、セラミクスハニカム構造体220は円柱体であることに限られず、楕円柱、三角柱、四角柱、六角柱、八角柱等であってもよい。
<ディーゼルパティキュレートフィルタの製造方法>
 まず、公知の方法により上述の封口されたセラミクスハニカム構造体220を準備する。続いて、セラミクスハニカム構造体220に対して、触媒層260を付与する。
 触媒層260を付与するには、公知の種々の方法を適用できる。例えば、触媒成分またはその原料を含むスラリーをセラミクスハニカム構造体220に塗布し、乾燥させればよい。スラリーは、たとえば、固体酸成分、貴金属粒子原料、増粘剤、及び、水などの溶媒を含む。貴金属粒子原料の例は、貴金属粒子、無機貴金属化合物(例えば、塩化白金酸等)、有機貴金属化合物(例えば、ジニトロジアンミン白金等)である。有機貴金属化合物を使用する際には、塗布後に、必要に応じて、たとえば500~700℃程度で焼成することができる。
 本実施形態では、上述のように、セラミクスハニカム構造体220の中央部220cと外周部220pとで貴金属粒子の総表面積の体積濃度が異なるようにする。また、好ましくは、セラミクスハニカム構造体220の中央部220cと外周部220pとで固体酸量の体積濃度が異なるようにする。
 中央部220cと外周部220pとで貴金属粒子の総表面積及び/または固体酸量に差を与える方法は特に限定されないが、たとえば、セラミクスハニカム構造体の外周部のみにスラリーを塗布する、及び、中央部220cと外周部220pとで互いに異なるスラリーを塗布すること等により達成できる。
 なお、貴金属粒子の総表面積は、スラリー中の貴金属粒子原料の濃度、貴金属粒子原料の種類、スラリーのpH、乾燥条件、焼成条件(有機貴金属化合物の分解温度)等によって変動させることができる。
 また、上記実施形態はディーゼルエンジンの排ガス処理用のディーゼルパティキュレートフィルタ及びその製造方法であるが、ガソリンエンジンなどの種々の内燃機関等の排ガスを処理するパティキュレートフィルタやその製造方法であることもできる。
 (実施例1)
 チタン酸アルミニウム系のセラミクスハニカム構造体(半径72mm、長さ152mmの円柱形状)を用意した。このセラミクスハニカム構造体は第1実施形態及び図1に係るセル構造を有していた。このセラミクスハニカム構造体は、微量成分としてNaO、KO及びCaOをそれぞれ0.03質量%、Pを0.15質量%含有していた。セル密度は333cpsiであった。
 次に、このセラミクスハニカム構造体に触媒成分を含むスラリーをウォッシュコート法により塗布し、その後、乾燥させた。スラリーは、固体酸源及びサポート材としてのγ-アルミナ(sasol製PURALOX SCFa140/L3)を粉砕して、粒径D50=5.28μmとし、触媒金属としてのPt源(田中貴金属工業(株)ジニトロジアンミン白金硝酸溶液)、及び、キレート剤としてのクエン酸、及び、増粘剤(ヒドロキシエチルセルロース)の混合物(固形分9質量%、pHは6.18、粘度は600cps)であった。実施例1では、このスラリーをセラミクスハニカム構造体の外周部(半径50.8mmより外側部)のみにウォッシュコート法により塗布して、触媒層を形成し、その後乾燥させた。ウォッシュコート時にセラミクスハニカム構造体の中央部の両端面を治具にて覆うことにより、外周部のみに触媒層を形成した。本実施例では、入口側流路及び出口側流路の両側から隔壁に対してスラリーの塗布及び含浸を行った。触媒層が形成された部分、すなわち、外周部のサイズは、セラミクスハニカム構造体の見かけ体積の約半分となった。Ptの担持量及び一酸化炭素を用いたパルスインジェクション法による表面積測定によりSPout及びSPcentを求め、さらに、SPout-SPcentを求めた。また、γ-アルミナの担持量及びアンモニア吸着脱離法によりSAout及びSAcentを求め、さらにSAout-SAcentを求めた。
 また、上記セラミクスハニカム構造体とおなじセラミック材料からなり流路を有さない母材から直径10mm×厚さ0.29mmのサンプルを切り出し、900℃で30分熱処理して汚れを除去した後、3枚重ねてレーザーフラッシュ法で熱伝導率及び熱容量を測定したところ、0.56W/mK及び0.77J/gKであった。
 (実施例2)
 ウォッシュコートを入口側流路のみの実施とし、入口側流路の外周側の隔壁に対して塗布及び含浸を行う以外は、実施例1と同様にした。
 (実施例3)
 スラリー中のγ-アルミナの濃度を約2倍に増やす以外は実施例1と同様にした。
 (実施例4)
 スラリー中のPt源の濃度を約2倍にする以外は実施例1と同様にした。
 (実施例5)
 チタン酸アルミニウムに代えて、SiC系のセラミクスハニカム構造体(全体に触媒がコートされている)を用いた以外は、実施例1と同様にした。セラミクスハニカム構造体の熱伝導率及び熱容量を測定したところ、19W/mK及び_0.71J/gKであった。
 (比較例1)
 ウォッシュコート時にセラミクスハニカム構造体の両端面を治具で覆わず、セラミクスハニカム構造体の全体に触媒層を均一に形成させた以外は、実施例1と同様にした。
 (評価)
 煤発生速度10g/h、ガス流量250kg/h、ガス温度240℃にて各フィルタに対して煤を堆積させ6g/Lの煤を各フィルタに堆積させた。煤を堆積させた後、ガス流量約105kg/h、ガス温度約680℃で510秒間保持して媒を燃焼させた。そして、再生(燃焼)時のフィルタの温度の変化を2つの下流側中央部及び下流側外周部で測定した。下流側中央部はフィルタ中心軸上、かつ、フィルタ出口側端面から軸方向に25mmの位置にあり、下流側外周部はフィルタ中心軸から径方向に70mm、かつ、フィルタ出口側端面から軸方向に25mmの位置にあった。下流側中央部の最高温度、及び、当該最高温度の時刻における下流側外周部の温度を測定し、これらの温度から温度差を求めた。また、下流側中央部の最高温度と、最高温度到達6分後の温度とから、下流側中央部の最高温度時から6分間の平均温度低下速度を測定した。
 結果を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 実施例1~5では、比較例1に比して、中心部と外周部との間でのピーク温度の差が少なくなることが確認された。
 200…ディーゼルパティキュレートフィルタ(パティキュレートフィルタ)、210…流路、210a…流路(第1流路)、210b…流路(第2流路)、220…セラミクスハニカム構造体、220i…端面(一端面)、220j…端面(他端面)、220c…中央部、220p…外周部、260…触媒層、R…セラミクスハニカム構造体220の端面の半径、Rc…中央部220cの端面の半径、AL…セラミクスハニカム構造体220の軸方向長さ、Ax…セラミクスハニカム構造体220の中心軸。

Claims (6)

  1.  複数の第1流路及び複数の第2流路を有する柱状のセラミクスハニカム構造体と、前記セラミクスハニカム構造体に担持された触媒成分と、を備え、
     前記複数の第1流路は前記セラミクスハニカム構造体の軸方向に延びて一端面で開口し他端面で封口され、
     前記複数の第2流路は前記セラミクスハニカム構造体の軸方向に延びて前記他端面で開口し前記一端面で封口され、
     前記触媒成分は貴金属粒子を含み、
     前記セラミクスハニカム構造体の中央部において見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPcent、前記セラミクスハニカム構造体の外周部において見かけの単位体積中に含まれる貴金属粒子の総表面積をSPoutとしたときに、
     2m/L≦SPout-SPcent≦125m/Lを満たす、パティキュレートフィルタ。
  2.  前記触媒成分は、さらに固体酸成分を含み、前記セラミクスハニカム構造体の中央部において見かけの単位体積中に含まれる固体酸量をSAcent、前記セラミクスハニカム構造体の外周部において見かけの単位体積中に含まれる固体酸量をSAoutとしたときに、1.0mmol/L≦SAout-SAcent≦12.0mmol/Lである、請求項1記載のパティキュレートフィルタ。
  3.  前記セラミクスハニカム構造体はチタン酸アルミニウムを主成分とし、前記固体酸成分はアルミナを主成分とする請求項2に記載のパティキュレートフィルタ。
  4.  前記セラミクスハニカム構造体の熱伝導度が、3W/mK以下であり、前記セラミクスハニカム構造体の熱容量が0.75J/gK以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載のパティキュレートフィルタ。
  5.  前記第1流路の断面は六角形である、請求項1~4のいずれか1項に記載のパティキュレートフィルタ。
  6.  第1流路の断面積は、第2流路の断面積よりも小さい、請求項1~5のいずれか1項に記載のパティキュレートフィルタ。
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