WO2015018643A1 - Verfahren zur strukturierung und planarisierung einer schichtenfolge - Google Patents

Verfahren zur strukturierung und planarisierung einer schichtenfolge Download PDF

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WO2015018643A1
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    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape

Definitions

  • a method for structuring and planarizing a layer sequence is given.
  • One problem to be solved is to specify a method for structuring and planarizing a layer sequence.
  • the method is characterized by low complexity, aging stability and
  • a first layer is provided with a first layer
  • the first layer can be any material.
  • the first layer may be a metal, a
  • Metal stack an electrically conductive oxide and / or a semiconductor layer sequence include. Furthermore, the first layer preferably comprises III-V semiconductor materials and / or metallic mirror materials. Metallic
  • Mirror materials are, for example, Au or Ag.
  • the first major surface of the first layer may be unstructured
  • the first layer may in particular be designed to be flat throughout. That is, the first major surface of the first layer does not interrupt,
  • a structured mask layer is applied to the first major surface of the first layer, wherein the patterned mask layer comprises a dielectric material.
  • structured mask layer is meant a mask layer that has been patterned such that the first main surface of the first layer at least
  • the structuring can for example by a
  • the structured mask layer has recesses at least in places. Removal of the mask layer in areas not covered by a photoresist can be done by chemical etching.
  • Recesses are, for example, in the vertical direction through the first main surface of the first layer and in lateral
  • the lateral direction is parallel to a main extension direction of the first layer and the vertical direction is transverse to the lateral direction.
  • the structured mask layer has, at least in places, a main side remote from the first main surface and a rear side remote from the main side.
  • the main page and the back are connected by a side surface.
  • the rear side adjoins, directly or indirectly, the first main surface of the first layer.
  • the patterned mask layer may be associated with the first
  • Main surface are in direct contact or be indirectly connected by means of a primer layer, such as ZnO or Ti, with the first main surface.
  • a primer layer such as ZnO or Ti
  • the mask layer can be formed by physical or chemical deposition methods on the first main surface of the first layer, for example, deposited, sputtered, deposited and / or grown on.
  • a second layer is structured on a side facing away from the first main surface
  • Mask layer and applied to the first layer The application of the second layer facing away from the first main surface side on the patterned mask layer and on the first layer can be carried out in particular by vapor deposition of a noble metal layer.
  • the second layer covers the patterned mask layer as well as the first one
  • the second layer may be formed on regions of the patterned mask layer and regions of the first layer, each as a continuous layer, wherein the respective regions need not be interconnected by the second layer.
  • the second layer is a metal layer and the second layer has better adhesion with the first layer than with the patterned mask layer. That is, the second layer peels off the patterned mask layer more easily than the first layer.
  • the second layer with the first layer is a cohesive
  • Cohesive compounds are compounds in which respective connection partners are held together by atomic or molecular forces. For example, between the material of the second layer and the material of the first layer is now a cohesive connection
  • the second layer covers and / or borders at least
  • the second layer also covers the skin side of the skin
  • a step D the second layer is removed, wherein the second layer is detached from the patterned mask layer and the second layer remains on the first main surface of the first layer. Due to the poorer adhesion of the second layer on the main side of the structured mask layer.
  • the second layer can be detached from the patterned mask layer, removed and / or separated, wherein no material-removing, material melting and / or material evaporating process is required.
  • the detachment of the second layer from the patterned mask layer is not effected by a CMP (chemical mechanical polishing) method.
  • the removal of the second layer from the patterned mask layer may especially without residue.
  • “residue-free” is meant that after peeling the structured
  • Mask layer is free of the material of the second layer.
  • the structured mask layer has no traces of material removal, in particular on the main side.
  • method steps A to D are as indicated here
  • the method comprises the following steps A to D: In a method step A, a first layer having a first main surface is provided, in one
  • a patterned mask layer is applied to the first major surface of the first layer, wherein the patterned mask layer comprises a dielectric material.
  • a second layer from a side facing away from the first main surface is applied to the patterned mask layer and to the first layer, the second layer being a metal layer and the second layer having better adhesion to the first layer than to the patterned mask layer.
  • process step D the second layer is removed, wherein the second layer is detached from the patterned mask layer and the second layer remains on the first main surface of the first layer, wherein the method steps A to D are carried out in the stated order.
  • Planarization of a layer sequence makes particular use of the idea that for structuring metallic layers
  • Planarization of appropriate layer sequences are used. It is advantageous, for example, that when using the method described here for the planarization of
  • the first layer has a semiconductor layer sequence with an active zone or is formed as a layer comprising a noble metal or a noble metal alloy.
  • a noble metal or a noble metal alloy include in particular the platinum metals as well as gold and silver.
  • the first layer may also be an alloy of at least two precious metals,
  • the first layer may contain traces of a non-noble metal
  • adhesion promoter for example, Al, Ti, Cr and / or Zn as adhesion promoter to the dielectric material.
  • the semiconductor layer sequence with the active zone is suitable for generating electromagnetic radiation, wherein the active zone between a p-type and n-type
  • the wavelength of the electromagnetic radiation can in particular in the infrared, visible and / or
  • Semiconductor layer sequence may in particular be grown on a substrate, deposited and / or vapor-deposited.
  • Layer for example of a precious metal or a
  • Noble metal alloy or the first layer for example, consist of a semiconductor layer sequence.
  • the detachment of the second layer takes place by means of a
  • patterned mask layer peels off and the second layer remains on the first major surface of the first layer.
  • For the delamination process may be on the second layer
  • the second layer conforms conforming to the patterned mask layer. This means that an outer contour of the second layer facing away from the first main surface follows an outer contour of the structured mask layer.
  • the second layer replicates a topography of the patterned mask layer.
  • a thickness of the second layer is for example at most twice as thick as a thickness of the patterned mask layer.
  • thickness in the present context means the extension of a layer transversely to the lateral direction.
  • the second layer is not formed continuously. That is, the areas of the second layer that are on the first
  • structured mask layer are arranged with the
  • Regions of the second layer, which is in communication with the first main surface of the first layer, are not or only partially in direct contact.
  • the patterned mask layer is not continuously overmolded by the second layer.
  • the second layer, which has grown on the first layer has a first crystal structure.
  • the second layer, which has grown on the patterned mask layer has a second crystal structure. In areas where the first crystal structure on the second
  • Crystal structure of the second layer meets, grain boundaries form, through which creates a distance between the areas.
  • the grain boundaries of the second layer may, for example, be located on an edge facing away from the first main surface and / or on an edge angle of the structured mask layer facing away from the first main surface.
  • the distance at the grain boundaries of the second layer is less than 250 nm.
  • the distance may be, in particular, less than 200 nm, preferably less than 150 nm or particularly preferably less than 100 nm.
  • the second layer which has grown on the first layer forms one of the first layers
  • Mask layer a flat surface.
  • the second layer is flush with the main side of the structured one
  • the second layer has the same thickness as the patterned mask layer.
  • the second layer further adjoins the side surface of the patterned mask layer at least in places.
  • a gap or an elevation of the second layer may also form between the structured mask layer and the second layer applied to the first layer. This can The result of this is that the second layer only grows poorly on the side surface of the structured mask layer. As a result, the second layer with the side facing away from the first main surface of the structured
  • Mask layer form an area which is flat except for gaps or elevations in the region of the side surfaces of the patterned mask layer.
  • an edge angle of the patterned mask layer at the grain boundaries of the second layer is between 80 ° and 90 °.
  • the edge angle is dictated by an included angle between the major side and the corresponding side surface of the patterned mask layer.
  • the second layer is a noble metal layer and contains
  • the active zone semiconductor layer comprises a III-V compound semiconductor material.
  • the III-V connection Semiconductor material comprises at least one element of the third main group, such as B, Al, Ga, In, and an element of the fifth main group, such as N, P, As.
  • the term "III-V compound semiconductor material" includes the group of binary, ternary or quaternary compounds containing at least one element from the third main group and at least one
  • Contain element from the fifth main group for example, nitride and phosphide compound semiconductors.
  • Such a binary, ternary or quaternary compound may also have, for example, one or more dopants and additional constituents.
  • the patterned mask layer contains S1O2, Al2O3, TiN and / or S13N4.
  • the second layer which contains in particular Au, Pt and / or Ag, adheres particularly bad, so that, for example, these materials are preferably used for carrying out the method described here.
  • the structured mask layer has a lattice-like structure on the first main surface of the first layer, such that a multiplicity of individual regions have a further distance from one another in the lateral direction.
  • the patterned mask layer is in the form of a grid, the grid being single
  • the further distance between the individual regions is less than or equal to 10 ⁇ m.
  • the method described here is also suitable, hole contacts with a diameter of less than or equal to 10 ym with the described here
  • FIGS. 1A, 1B, IC, 1D, IE show with reference to
  • FIG. 2 shows an example of an embodiment
  • FIG. 3 shows a transmitted light image of a
  • FIG. 4 shows a SEM micrograph of a
  • FIG. 5 shows an incident light recording of a layer sequence according to method step D on the basis of a grid-like structured mask layer.
  • the same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals.
  • the figures and the proportions in the figures are provided in the figures with the same reference numerals.
  • FIG. 1A shows a first layer 10, which is embodied as semiconductor layer sequence 30 in FIG. 1A.
  • Semiconductor layer sequence 30 has a first main surface 11. On the first main surface 11, a mask layer 14 is arranged. The mask layer 14 has one of the first
  • Main surface 11 facing away from main page 16 and one of
  • Main side 16 facing away from back 17, wherein a common side surface 18 from the main side 16 to
  • Rear side 17 of the mask layer 14 extends.
  • the mask layer 14 may be arranged directly or indirectly on the main surface 11.
  • the mask layer 14 may be arranged directly or indirectly on the main surface 11.
  • Mask layer 14 are in direct contact with the main surface 11 and the first layer 10 may be formed as a semiconductor layer sequence 30. Also, an adhesion promoting layer, such as ZnO or Ti, may be disposed between the first layer 10 and the mask layer 14, and the first one
  • layer 10 may be Au, another metal
  • the semiconductor layer sequence 30 may in particular comprise a III-V compound semiconductor material and be suitable for generating electromagnetic radiation.
  • the semiconductor layer sequence 30 comprises a GaN semiconductor layer sequence.
  • the semiconductor layer sequence 30 can be grown on a substrate 34.
  • the substrate 34 may comprise sapphire or SiC, or may be made of one of these materials.
  • the electromagnetic radiation is produced in an active zone 33, which is located between a p-type layer 31 and an n-type layer 32 of the semiconductor layer sequence 30.
  • Figure 1B shows the mask layer 14, which by a
  • Photomask 1 has been structured.
  • the photomask 1 covers the patterned mask layer 15 at unexposed portions of the semiconductor layer sequence 30, and is formed on the main side 16.
  • the patterned mask layer 15 thus has recesses 4, which through the first
  • Side surfaces 18 of the patterned mask layer 15 may be limited.
  • the structured mask layer 15 has an edge angle 3.
  • the edge angle 3 is indicated by an included angle between the main side 16 and the side surface 18 of the patterned mask layer 15.
  • the recess 4 thus has steep edge surfaces, wherein the edge angle 3 of the patterned mask layer 15 is between 80 ° and 90 ° and is preferably close to 90 °.
  • a second layer 20 is applied to the patterned mask layer 15 and to the first layer 10 from a side facing away from the first main surface 11, wherein the second layer 20 may be a deposited silver layer.
  • the second layer 20 goes with the first
  • Main surface 11 of the semiconductor layer sequence 30 a better Adhesion than with the main side 16 of the patterned mask layer 15.
  • the second layer 20 conforms to the patterned mask layer 15, wherein a thickness of the second layer is preferably equal to a thickness of
  • Layer 20 and the semiconductor layer sequence 30, are to regions 21 of the second layer 20, which have a poor adhesion between the second layer 20 and the patterned mask layer 15, not or
  • the second layer 20 is not continuous along the first main surface 11 and the main side 16.
  • grain boundaries 2 of the second layer 20 are formed at the edge angles 3.
  • the grain boundaries space the region 22 toward the region 21.
  • the second layer 20 is not continuous, particularly due to the forming grain boundaries 2 of the second layer 20
  • the second layer 20 is removed from the main side 16 of the patterned mask layer 15, for example by using a high-pressure water jet.
  • the second layer 20 in the region 22 remains on the first main surface 11 of the semiconductor layer sequence 30
  • Main page 16 is free of a material of the second layer 20 and has no traces of material removal.
  • FIG. 2 shows a layer sequence based on the method steps as shown in FIGS. 1A to IE. In the figure 2 is the difference of in the
  • the first layer 10 as a noble metal layer, for example as a gold layer or silver layer is formed.
  • the patterned mask layer 15 formed on the gold layer or silver layer is formed by means of a
  • Bonding layer 40 for example, ZnO or Ti, arranged indirectly.
  • FIG. 3 shows a transmitted light image after the second layer 20 has been applied to the patterned mask layer 15 or the first layer 10 or the first layer 10 according to the method step C described here
  • FIG. 4 shows a microscopic SEM image
  • Grain boundary 2 of the second layer 20 which forms between the regions 21 and the regions 22 as described herein. As can be clearly seen in FIG. 4, the regions 21 of the second layer 20 which are located on the
  • FIG. 5 shows a structured mask layer 15, which has a grid-like structure 5.
  • the grid-like structure 5 includes a plurality of each other in the lateral direction by a further distance S.
  • the regions 6, 22 of FIG. 5 show the regions of the second layer which are located on the main surface 11 of the first
  • Layer 10 or semiconductor layer sequence 30 are formed.
  • the areas 6, 22 are through

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge angegeben, wobei das Verfahren folgende Schritte A bis D umfasst: In einem Verfahrensschritt A wird eine erste Schicht mit einer ersten Hauptfläche bereitgestellt, in einem darauffolgenden Verfahrensschritt B wird eine strukturierte Maskenschicht auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht aufgebracht, wobei die strukturierte Maskenschicht ein dielektrisches Material umfasst. In einem nächsten Verfahrensschritt C wird eine zweite Schicht von einer der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht sowie auf die erste Schicht aufgebracht, wobei die zweite Schicht eine Metallschicht ist und die zweite Schicht mit der ersten Schicht eine bessere Haftung eingeht als mit der strukturierten Maskenschicht und in einem Verfahrensschritt D wird die zweite Schicht entfernt, wobei sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer
Schichtenfolge
Es wird ein Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge anzugeben. Vorzugsweise zeichnet sich das Verfahren durch eine geringe Komplexität, Alterungsstabilität und
Kosteneffizienz aus. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Schritt A eine erste Schicht mit einer ersten
Hauptfläche bereitgestellt. Die erste Schicht kann
insbesondere ein elektrisch leitfähiges Material umfassen oder aus einem elektrisch leitfähigem Material bestehen. Beispielsweise kann die erste Schicht ein Metall, einen
Metallstapel, ein elektrisch leitfähiges Oxid und/oder eine Halbleiterschichtenfolge umfassen. Ferner umfasst die erste Schicht bevorzugt III-V-Halbleitermaterialien und/oder metallische Spiegelmaterialien. Metallische
Spiegelmaterialien sind beispielsweise Au oder Ag. Die erste Hauptfläche der ersten Schicht kann unstrukturiert
ausgebildet sein. Die erste Schicht kann insbesondere durchgehend eben ausgebildet sein. Das heißt, dass die erste Hauptfläche der ersten Schicht keine Unterbrechungen,
Erhebungen und/oder Ausnehmungen aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Schritt B eine strukturierte Maskenschicht auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht aufgebracht, wobei die strukturierte Maskenschicht ein dielektrisches Material umfasst. Unter "strukturierter Maskenschicht" versteht man eine Maskenschicht, die derart strukturiert worden ist, dass die erste Hauptfläche der ersten Schicht zumindest
stellenweise frei von dem Material der Maskenschicht ist. Die Strukturierung kann beispielsweise durch ein
fotolithographisches Verfahren erfolgen. Mit anderen Worten weist die strukturierte Maskenschicht zumindest stellenweise Ausnehmungen auf. Ein Entfernen der Maskenschicht in Bereichen, die nicht durch einen Fotolack bedeckt sind, kann durch chemisches Ätzen erfolgen. Die
Ausnehmungen sind beispielsweise in vertikaler Richtung durch die erste Hauptfläche der ersten Schicht und in lateraler
Richtung durch zumindest eine Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht begrenzt. Hierbei und im Folgenden verläuft die laterale Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsrichtung der ersten Schicht und die vertikale Richtung quer zu der lateralen Richtung.
Die strukturierte Maskenschicht weist zumindest stellenweise eine der ersten Hauptfläche abgewandte Hauptseite und eine der Hauptseite abgewandte Rückseite auf. Die Hauptseite und die Rückseite sind durch eine Seitenfläche miteinander verbunden. Die Rückseite grenzt mittelbar oder unmittelbar an die erste Hauptfläche der ersten Schicht an. Beispielsweise kann die strukturierte Maskenschicht mit der ersten
Hauptfläche in direktem Kontakt stehen oder mittels einer Haftvermittlungsschicht, beispielsweise ZnO oder Ti, mit der ersten Hauptfläche mittelbar verbunden sein. Die Maskenschicht kann insbesondere durch physikalische oder chemische Abscheideverfahren auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht gebildet werden, zum Beispiel aufdeponiert , aufgesputtert , abgeschieden und/oder aufgewachsen werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Schritt C eine zweite Schicht von einer der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte
Maskenschicht sowie auf die erste Schicht aufgebracht. Das Aufbringen der zweiten Schicht von der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht sowie auf die erste Schicht kann insbesondere durch Aufdampfen einer Edelmetallschicht erfolgen. Die zweite Schicht bedeckt jeweils die strukturierte Maskenschicht sowie die erste
Schicht vollständig. Das heißt, dass die zweite Schicht auf Bereichen der strukturierten Maskenschicht und Bereichen der ersten Schicht jeweils als durchgehende Schicht ausgebildet sein kann, wobei die jeweiligen Bereiche nicht durch die zweite Schicht miteinander verbunden sein müssen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die zweite Schicht eine Metallschicht und die zweite Schicht geht mit der ersten Schicht eine bessere Haftung ein als mit der strukturierten Maskenschicht. Das heißt, dass sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht leichter ablöst als von der ersten Schicht. Beispielsweise geht die zweite Schicht mit der ersten Schicht eine Stoffschlüssige
Verbindung ein, wohingegen die strukturierte Maskenschicht von der zweiten Schicht bedeckt wird. Unter "bedeckt" versteht man im vorliegenden Zusammenhang, dass sich
insbesondere kein direkter, nachhaltiger und/oder fester Kontakt zwischen der zweiten Schicht und der strukturierten Maskenschicht ausbildet. Stoffschlüssige Verbindungen sind Verbindungen, bei denen jeweilige Verbindungspartner durch atomare oder molekulare Kräfte zusammengehalten werden. Beispielsweise wird nun zwischen dem Material der zweiten Schicht und dem Material der ersten Schicht eine Stoffschlüssige Verbindung
ausgebildet, nicht aber zwischen der zweiten Schicht und der strukturierten Maskenschicht. Zwischen der zweiten Schicht und der strukturierten Maskenschicht können sich schwache Van-der-Waals-Kräfte ausbilden, die jedoch im vorliegenden Zusammenhang nicht als Stoffschlüssige Verbindungen zu verstehen sind.
Die zweite Schicht bedeckt und/oder grenzt zumindest
stellenweise an die erste Hauptfläche der ersten Schicht und an die Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht an. Die zweite Schicht bedeckt ferner die Hautseite der
strukturierten Maskenschicht. Es bilden sich somit Bereiche guter Haftung und Bereiche schlechter Haftung aus. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einen Schritt D die zweite Schicht entfernt, wobei sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt. Aufgrund der schlechteren Haftung der zweiten Schicht auf der Hauptseite der strukturierten
Maskenschicht kann die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht abgelöst, entfernt und/oder abgetrennt werden, wobei kein materialabtragendes, materialschmelzendes und/oder materialverdampfendes Verfahren erforderlich ist.
Insbesondere erfolgt das Ablösen der zweiten Schicht von der strukturierten Maskenschicht nicht durch ein CMP- (chemical mechanical polishing) Verfahren. Das Entfernen der zweiten Schicht von der strukturierten Maskenschicht kann insbesondere rückstandsfrei erfolgen. Unter "rückstandsfrei" versteht man, dass nach dem Ablösen die strukturierte
Maskenschicht frei von dem Material der zweiten Schicht ist. Die strukturierte Maskenschicht weist insbesondere auf der Hauptseite keine Spuren eines Materialabtrags auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Verfahrensschritte A bis D in der hier angegebenen
Reihenfolge durchgeführt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge umfasst das Verfahren folgende Schritte A bis D: In einem Verfahrensschritt A wird eine erste Schicht mit einer ersten Hauptfläche bereitgestellt, in einem
darauffolgenden Verfahrensschritt B wird eine strukturierte Maskenschicht auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht aufgebracht, wobei die strukturierte Maskenschicht ein dielektrisches Material umfasst. In einem nächsten
Verfahrensschritt C wird eine zweite Schicht von einer der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht sowie auf die erste Schicht aufgebracht, wobei die zweite Schicht eine Metallschicht ist und die zweite Schicht mit der ersten Schicht eine bessere Haftung eingeht als mit der strukturierten Maskenschicht. In einem
Verfahrensschritt D wird die zweite Schicht entfernt, wobei sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt, wobei die Verfahrensschritte A bis D in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Das hier beschriebene Verfahren zur Strukturierung und
Planarisierung einer Schichtenfolge macht insbesondere von der Idee Gebrauch, dass zur Strukturierung metallischer
Schichten beziehungsweise Schichtenfolgen auf einen
Rückätzschritt oder ein Lift-Off-Verfahren unter Verwendung eines Materials einer Maskenschicht, beispielsweise eines Fotolacks, verzichtet werden kann, wenn man Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien ausbildet, die
untereinander eine unterschiedlich stark ausgeprägte Haftung eingehen.
Überraschenderweise wurde festgestellt, dass insbesondere Edelmetalle schlecht auf dielektrischen Materialien haften, jedoch mit metallischen und/oder halbleitenden Materialien eine gute Haftung eingehen. Ferner wurde festgestellt, dass eine Edelmetallschicht, welche auf eine derartige heterogene Fläche und/oder Struktur ausgebracht wird, Korngrenzen ausbilden. Die Korngrenzen separieren die Bereiche guter Haftung von den Bereichen mit schlechter Haftung. Diese überraschende Feststellung kann zur Strukturierung und
Planarisierung von entsprechenden Schichtenfolgen eingesetzt werden. Vorteilhaft ist beispielsweise, dass beim Einsatz des hier beschriebenen Verfahrens zur Planarisierung der
Schichtenfolgen auf Material abtragende Prozesse, wie zum Beispiel CMP, verzichtet werden kann. Somit erspart man sich ein aufwendiges Entfernen von Schleifrückständen und die Gefahr einer Kreuzkontamination in der Produktlinie wird minimiert . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die erste Schicht eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone auf oder ist als Schicht ausgebildet, die ein Edelmetall oder eine Edelmetalllegierung aufweist. Zu den Edelmetallen gehören insbesondere die Platinmetalle sowie Gold und Silber. Insbesondere kann die erste Schicht auch eine Legierung aus zumindest zwei Edelmetallen,
beispielsweise aus Silber und Gold, enthalten. Ferner kann die erste Schicht Spuren eines Nichtedelmetalls ,
beispielsweise AI, Ti, Cr und/oder Zn als Haftvermittler zum dielektrischen Material, enthalten.
Die Halbleiterschichtenfolge mit der aktiven Zone ist zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet, wobei die aktive Zone zwischen einer p-leitenden und n-leitenden
Schicht der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet sein kann. Die Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung kann insbesondere im infraroten, sichtbaren und/oder
ultravioletten Spektralbereich liegen. Die
Halbleiterschichtenfolge kann insbesondere auf einem Substrat aufgewachsen, abgeschieden und/oder aufgedampft sein.
Weitergehend kann bei dieser Ausführungsform die erste
Schicht beispielsweise aus einem Edelmetall oder einer
Edelmetalllegierung oder die erste Schicht beispielsweise aus einer Halbleiterschichtenfolge bestehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Ablösen der zweiten Schicht durch einen
Hochdruckwasserstrahl und/oder einen Delaminationsprozess . Bei dem Ablösen mittels Hochdruckwasserstrahl wird
beispielsweise die Schichtenfolge von einer der ersten
Hauptfläche zugewandten Seite mit einem Wasserstrahl derart bestrahlt, dass sich die zweite Schicht von der
strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt. Für den Delaminationsprozess kann auf die zweite Schicht
zumindest stellenweise eine Folie aufgeklebt werden. Die sich auf der strukturierten Maskenschicht befindende zweite
Schicht bleibt während einem Abziehen der Folie auf dieser kleben und/oder haften. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens passt sich im Verfahrensschritt C die zweite Schicht konform der strukturierten Maskenschicht an. Das heißt, dass eine der ersten Hauptfläche abgewandte Außenkontur der zweiten Schicht einer Außenkontur der strukturierten Maskenschicht folgt. Beispielswiese bildet die zweite Schicht eine Topographie der strukturierten Maskenschicht nach. Hierbei ist eine Dicke der zweiten Schicht beispielsweise maximal doppelt so dick wie eine Dicke der strukturierten Maskenschicht. Unter dem
Begriff "Dicke" versteht man im vorliegenden Zusammenhang die Ausdehnung einer Schicht quer zu der lateralen Richtung.
Besonders bevorzugt weisen die zweite Schicht und die
strukturierte Maskenschicht die gleiche Dicke auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die zweite Schicht nicht durchgehend ausgebildet. Das heißt, dass die Bereiche der zweiten Schicht, die auf der ersten
strukturierten Maskenschicht angeordnet sind, mit den
Bereichen der zweiten Schicht, die mit der ersten Hauptfläche der ersten Schicht in Verbindung steht, nicht oder nur teilweise im direkten Kontakt stehen. Mit anderen Worten wird die strukturierte Maskenschicht von der zweiten Schicht nicht durchgehend überformt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist ein Bereich der zweiten Schicht, der auf der strukturierten Maskenschicht ausgebildet ist, zu einem Bereich der zweiten Schicht, der auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht ausgebildet ist, an Korngrenzen der zweiten Schicht einen Abstand auf. Die zweite Schicht, die auf der ersten Schicht aufgewachsen ist, weist eine erste Kristallstruktur auf. Die zweite Schicht, die auf der strukturierten Maskenschicht aufgewachsen ist, weist eine zweite Kristallstruktur auf. In Bereichen, wo die erste Kristallstruktur auf die zweite
Kristallstruktur der zweiten Schicht trifft, bilden sich Korngrenzen aus, durch die ein Abstand zwischen den Bereichen entsteht. Die Korngrenzen der zweiten Schicht können sich beispielsweise an einer der ersten Hauptfläche abgewandten Kante und/oder an einem der ersten Hauptfläche abgewandten Kantenwinkel der strukturierten Maskenschicht befinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Abstand an den Korngrenzen der zweiten Schicht kleiner als 250 nm. Der Abstand kann insbesondere kleiner als 200 nm, bevorzugt kleiner als 150 nm oder besonders bevorzugt kleiner als 100 nm sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens bildet, insbesondere nach dem Ablösen der zweiten Schicht von der strukturierten Maskenschicht, die zweite Schicht, die auf der ersten Schicht aufgewachsen ist, mit einer der ersten
Hauptfläche abgewandten Seite der strukturierten
Maskenschicht eine ebene Fläche aus. Die zweite Schicht schließt bündig mit der Hauptseite der strukturierten
Maskenschicht ab, wobei die zweite Schicht die gleiche Dicke wie die strukturierte Maskenschicht aufweist. Die zweite Schicht grenzt des Weiteren zumindest stellenweise an die Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht an. Im Bereich der Seitenflächen der strukturierten Maskenschicht kann sich zwischen strukturierter Maskenschicht und der auf der ersten Schicht aufgebrachten zweiten Schicht auch ein Spalt oder eine Erhebung der zweiten Schicht ausbilden. Dies kann dadurch entstehen, dass die zweite Schicht nur schlecht an der Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht anwächst. Als Resultat kann die zweite Schicht mit der der ersten Hauptfläche abgewandten Seite der strukturierten
Maskenschicht eine Fläche ausbilden, die bis auf Spalte oder Erhebungen im Bereich der Seitenflächen der strukturierten Maskenschicht eben ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt ein Kantenwinkel der strukturierten Maskenschicht an den Korngrenzen der zweiten Schicht zwischen 80° und 90°. Der Kantenwinkel wird durch einen eingeschlossenen Winkel zwischen der Hauptseite und der entsprechenden Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht vorgegeben. Bei der
Strukturierung der Maskenschicht mittels Fotolithografie und beispielsweise gepufferter Flusssäure bilden sich somit Kanten aus, die insbesondere das konforme Aufwachsen der zweiten Schicht begünstigen. Insbesondere kann der
Kantenwinkel 90° betragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die zweite Schicht eine Edelmetallschicht und enthält
vorzugsweise Au, Pt und/oder Ag. Insbesondere bei diesen Edelmetallen konnten überraschenderweise die großen
Haftungsunterschiede, wie sie hier beschrieben sind,
festgestellt werden. Leicht oxidierende Metalle, wie zum Beispiel Cr, AI, Ti, kommen als Hauptmaterialien für die zweite Schicht weniger in Frage, da diese insbesondere an dem dielektrischen Material gut haften.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Halbleiterschicht mit der aktiven Zone ein III-V- Verbindungs-Halbleitermaterial . Das III-V-Verbindungs- Halbleitermaterial weist wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe, wie beispielsweise B, AI, Ga, In, und ein Element aus der fünften Hauptgruppe, wie beispielsweise N, P, As, auf. Insbesondere umfasst der Begriff "III-V- Verbindungs-Halbleitermaterial " die Gruppe der binären, ternären oder quaternären Verbindungen, die wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein
Element aus der fünften Hauptgruppe enthalten, beispielsweise Nitrid- und Phosphid-Verbindungshalbleiter . Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem zum Beispiel ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens enthält die strukturierte Maskenschicht S1O2, AI2O3, TiN und/oder S13N4. Auf diesen Materialien haftet die zweite Schicht, welche insbesondere Au, Pt und/oder Ag enthält, besonders schlecht, sodass beispielsweise diese Materialien bevorzugt zur Durchführung des hier beschriebenen Verfahrens eingesetzt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die strukturierte Maskenschicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht eine gitterartige Struktur auf, derart, dass eine Vielzahl von einzelnen Bereichen zueinander in lateraler Richtung einen weiteren Abstand aufweisen.
Beispielsweise ist die strukturierte Maskenschicht in Form eines Gitters ausgebildet, wobei das Gitter einzelne
Halbleiterchips voneinander beabstandet, so dass entlang der strukturierten Maskenschicht benachbarte Halbleiterchips durchtrennt werden können. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der weitere Abstand zwischen den einzelnen Bereichen kleiner oder gleich 10 ym. Hierbei ist das hier beschriebene Verfahren auch dazu geeignet, Lochkontakte mit einem Durchmesser von kleiner oder gleich 10 ym mit dem hier beschriebenen
Verfahren entsprechend zu strukturieren und planarisieren .
Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren zur
Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge anhand von Ausführungsbeispielen mit zugehörigen Figuren erläutert.
Die Figuren 1A, 1B, IC, 1D, IE zeigen anhand von
schematischen Ausführungsbeispielen einzelne
Verfahrensschritte eines hier beschriebenen Verfahrens zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge.
Die Figur 2 zeigt anhand eines Ausführungsbeispiels eine
weitere Variante einer Schichtenfolge, die auf
Basis der Verfahrensschritte 1A bis IE hergestellt worden ist.
Die Figur 3 zeigt eine Durchlichtaufnähme einer
Schichtenfolge nach dem Verfahrensschritt C.
Die Figur 4 zeigt eine REM-Mikroskopieaufnähme einer
Schichtenfolge nach dem Verfahrenschritt C.
Die Figur 5 zeigt eine Auflichtaufnähme einer Schichtenfolge nach dem Verfahrensschritt D anhand einer gitterartig strukturierten Maskenschicht. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Die Figur 1A zeigt eine erste Schicht 10, die in der Figur 1A als Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet ist. Die
Halbleiterschichtenfolge 30 weist eine erste Hauptfläche 11 auf. Auf der ersten Hauptfläche 11 ist eine Maskenschicht 14 angeordnet. Die Maskenschicht 14 weist eine der ersten
Hauptfläche 11 abgewandte Hauptseite 16 und eine der
Hauptseite 16 abgewandte Rückseite 17 auf, wobei sich eine gemeinsame Seitenfläche 18 von der Hauptseite 16 zur
Rückseite 17 der Maskenschicht 14 erstreckt.
Die Maskenschicht 14 kann auf der Hauptfläche 11 mittelbar oder unmittelbar angeordnet sein. Zum Beispiel kann die
Maskenschicht 14 mit der Hauptfläche 11 in direktem Kontakt stehen und die erste Schicht 10 als Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet sein. Auch kann eine Haftvermittlungsschicht, beispielsweise ZnO oder Ti, zwischen der ersten Schicht 10 und der Maskenschicht 14 angeordnet sein und die erste
Schicht 10 kann beispielsweise aus Au, einem anderem
Edelmetall und/oder einer Edelmetalllegierung bestehen (siehe Figur 2 ) . Die Halbleiterschichtenfolge 30 kann insbesondere ein III-V- Verbindungs-Halbleitermaterial umfassen und zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet sein. Beispielsweise umfasst die Halbleiterschichtenfolge 30 eine GaN-Halbleiter- schichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge 30 kann auf einem Substrat 34 aufgewachsen sein. Das Substrat 34 kann Saphir oder SiC umfassen oder aus einem dieser Materialien bestehen. Die elektromagnetische Strahlung wird in einer aktiven Zone 33 produziert, die sich zwischen einer p- leitenden Schicht 31 und einer n-leitenden Schicht 32 der Halbleiterschichtenfolge 30 befindet.
Die Figur 1B zeigt die Maskenschicht 14, die durch eine
Fotomaske 1 strukturiert worden ist. Die Fotomaske 1 bedeckt die strukturierte Maskenschicht 15 an nicht freigelegten Bereichen der Halbleiterschichtenfolge 30 und ist auf der Hauptseite 16 ausgebildet. Die strukturierte Maskenschicht 15 weist somit Ausnehmungen 4 auf, die durch die erste
Hauptfläche 11 der Hableiterschichtenfolge 30 und den
Seitenflächen 18 der strukturierten Maskenschicht 15 begrenzt sein kann.
In der Figur IC ist die Fotomaske 1 entfernt. Die
strukturierte Maskenschicht 15 weist einen Kantenwinkel 3 auf. Der Kantenwinkel 3 wird durch einen eingeschlossenen Winkel zwischen der Hauptseite 16 und der Seitenfläche 18 der strukturierten Maskenschicht 15 angegeben. Die Ausnehmung 4 weist somit steile Kantenflächen auf, wobei der Kantenwinkel 3 der strukturierten Maskenschicht 15 zwischen 80° und 90° beträgt und vorzugsweise nahe bei 90° liegt.
In der Figur 1D wird eine zweite Schicht 20 von einer der ersten Hauptfläche 11 abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht 15 sowie auf die erste Schicht 10 aufgebracht, wobei die zweite Schicht 20 eine aufgedampfte Silberschicht sein kann. Die zweite Schicht 20 geht mit der ersten
Hauptfläche 11 der Halbleiterschichtenfolge 30 eine bessere Haftung ein als mit der Hauptseite 16 der strukturierten Maskenschicht 15. Die zweite Schicht 20 passt sich konform der strukturierten Maskenschicht 15 an, wobei eine Dicke der zweiten Schicht bevorzugt gleich einer Dicke der
strukturierten Maskenschicht 15 ist. Bereiche 22 der zweiten Schicht 20, die eine gute Haftung zwischen der zweiten
Schicht 20 und der Halbleiterschichtenfolge 30 aufweisen, stehen zu Bereichen 21 der zweiten Schicht 20, die eine schlechte Haftung zwischen der zweiten Schicht 20 und der strukturierten Maskenschicht 15 aufweisen, nicht oder
zumindest teilweise nicht im direkten Kontakt. Das heißt, dass die zweite Schicht 20 entlang der ersten Hauptfläche 11 und der Hauptseite 16 nicht durchgehend ausgebildet ist. In der Figur 1D sind Korngrenzen 2 der zweiten Schicht 20 an den Kantenwinkeln 3 ausgebildet. Die Korngrenzen beabstanden den Bereich 22 zu dem Bereich 21. Die zweite Schicht 20 ist nicht durchgehend ausgebildet, was insbesondere auf die sich ausbildenden Korngrenzen 2 der zweiten Schicht 20
zurückzuführen ist.
In der Figur IE ist die zweite Schicht 20 von der Hauptseite 16 der strukturierten Maskenschicht 15, beispielsweise durch Einsatz eines Hochdruckwasserstrahls, entfernt. Die zweite Schicht 20 in dem Bereich 22 verbleibt dabei auf der ersten Hauptfläche 11 der Halbleiterschichtenfolge 30. Die
Hauptseite 16 ist frei an einem Material der zweiten Schicht 20 und weist keine Spuren eines Materialabtrags auf.
In der Figur 2 ist eine Schichtenfolge gezeigt, die auf den Verfahrensschritten, wie in den Figuren 1A bis IE gezeigt, basiert. In der Figur 2 ist zum Unterschied des in den
Figuren 1A bis IE beschriebenen Verfahrens zwischen der
Halbleiterschichtenfolge 30 und der strukturierten Maskenschicht 15 die erste Schicht 10 als Edelmetallschicht, zum Beispiel als Goldschicht oder Silberschicht, ausgebildet. Die auf der Goldschicht oder Silberschicht ausgebildete strukturierte Maskenschicht 15 ist mittels einer
Haftvermittlungsschicht 40, beispielsweise ZnO oder Ti, mittelbar angeordnet.
In der Figur 3 ist eine Durchlichtaufnähme gezeigt, nachdem die zweite Schicht 20 entsprechend dem hier beschriebenen Verfahrenschritt C auf die strukturierte Maskenschicht 15 beziehungsweise die erste Schicht 10 oder die
Halbleiterschichtenfolge 30 aufgedampft worden ist. In der Figur 3, welche eine Aufsicht auf die hier beschriebene
Schichtenfolge zeigt, sind dunkle Konturlinien ein Hinweis dafür, dass an den Korngrenzen 2 der zweiten Schicht 20 ein Abstand A ausgebildet ist. In der Durchlichtaufnähme tritt durch den Abstand A Licht, das als helle Konturlinie deutlich sichtbar wird. Figur 4 zeigt als REM-Aufnahme eine mikroskopische
Vergrößerung des in der Figur 3 dargestellten Abstands A entlang der Konturlinien. Die REM-Aufnahme zeigt die
Korngrenze 2 der zweiten Schicht 20, die sich wie hier beschrieben zwischen den Bereichen 21 und den Bereichen 22 ausbildet. Wie in der Figur 4 deutlich zu erkennen ist, sind die Bereiche 21 der zweiten Schicht 20, die auf der
strukturierten Maskenschicht 15 ausgebildet sind, zu den Bereichen 22 der zweiten Schicht 20, die auf der Hauptfläche 11 der ersten Schicht 10 oder Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet sind, entlang der Korngrenze 2 durch den Abstand A separiert. In der Figur 5 ist eine strukturierte Maskenschicht 15 gezeigt, wobei diese eine gitterartige Struktur 5 aufweist. Die gitterartige Struktur 5 umfasst eine Vielzahl voneinander in lateraler Richtung durch einen weiteren Abstand S
beabstandeter einzelner Bereiche 6, 22. Der weitere Abstand S beträgt zwischen den einzelnen Bereichen 6, 22 kleiner gleich 10 ym. Die Bereiche 6, 22 der Figur 5 zeigen die Bereiche der zweiten Schicht, die auf der Hauptfläche 11 der ersten
Schicht 10 beziehungsweise Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet sind. Die Bereiche 6, 22 sind durch
Gitterstreifen der gitterartigen Struktur 5 in der lateralen Richtung zueinander beabstandet, wobei die Gitterstreifen die Bereiche 21 darstellen, nachdem die zweite Schicht 20 abgelöst worden ist.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2013 108 661.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer
Schichtenfolge (100) umfassend folgende Schritte:
A) Bereitstellen einer ersten Schicht (10) mit einer ersten Hauptfläche (11);
B) Aufbringen einer strukturierten Maskenschicht (15) auf die erste Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10), wobei die strukturierte Maskenschicht (15) ein dielektrisches Material umfasst;
C) Aufbringen einer zweiten Schicht (20) von einer der
ersten Hauptfläche (11) abgewandten Seite auf die
strukturierte Maskenschicht (15) sowie auf die erste Schicht (10),
wobei die zweite Schicht (20) eine Metallschicht ist und die zweite Schicht (20) mit der ersten Schicht (10) eine bessere Haftung eingeht als mit der strukturierten
Maskenschicht (15);
D) Entfernen der zweiten Schicht (20), wobei sich die zweite Schicht (20) von der strukturierten Maskenschicht (15) ablöst und die zweite Schicht (20) auf der ersten
Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10) verbleibt, wobei die Verfahrensschritte A bis D in der angegebenen
Reihenfolge durchgeführt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei
- die zweite Schicht (20) eine gleiche Dicke wie die strukturierte Maskenschicht (15) aufweist, sodass die zweite Schicht (20), die auf der ersten Schicht (10) aufgewachsen ist, mit einer der ersten Hauptfläche (11) abgewandten Seite der strukturierten Maskenschicht (15) eine ebene Fläche ausbildet,
- ein Bereich der zweiten Schicht (21), der auf der strukturierten Maskenschicht (15) ausgebildet ist, zu einem Bereich der zweiten Schicht (22), der auf der ersten Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10) in einem von der Maskenschicht (15) unbedeckten Bereich
ausgebildet ist, an Korngrenzen (2) der zweiten Schicht (20) einen Abstand (A) aufweist, der kleiner als 250 nm ist .
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem die erste Schicht (10) eine
Halbleiterschichtenfolge (30) mit einer aktiven Zone aufweist oder als eine Schicht ausgebildet ist, die ein Edelmetall oder eine Edelmetalllegierung aufweist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem das Ablösen der zweiten Schicht (20) durch einen Hochdruckwasserstrahl und/oder einen Delaminationsprozess erfolgt .
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem sich im Verfahrensschritt C die zweite Schicht (20) konform der strukturierten Maskenschicht (15) anpasst .
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem die zweite Schicht (20) nicht durchgehend
ausgebildet ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
- wobei die zweite Schicht (20) entlang der ersten
Hauptfläche (11) und der strukturierten Maskenschicht (15) nicht durchgehend ausgebildet ist,
- wobei die Korngrenzen (2) an Kantenwinkeln (3) der strukturierten Maskenschicht (15) ausgebildet sind, und - wobei die Korngrenzen (2) den Bereich der zweiten
Schicht (22), der auf der ersten Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10) in einem von der Maskenschicht (15) unbedeckten Bereich ausgebildet ist, zu dem Bereich der zweiten Schicht (21), der auf der strukturierten
Maskenschicht (15) ausgebildet ist, beabstanden.
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem ein Kantenwinkel (3) der strukturierten
Maskenschicht (15) an den Korngrenzen (2) der zweiten Schicht (20) zwischen 80° und 90° beträgt.
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem die zweite Schicht (20) eine Edelmetallschicht ist und vorzugsweise Au, Pt und/oder Ag enthält.
10. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem die Halbleiterschichtenfolge (30) mit der aktiven Zone ein III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial umfasst.
11. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem die strukturierte Maskenschicht (15) S1O2, AI2O3, TiN und/oder S13N4 enthält.
12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem die strukturierte Maskenschicht (15) auf der ersten Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10) eine gitterartige Struktur (5) aufweist, derart, dass eine Vielzahl von einzelnen Bereichen (6) zueinander in lateraler Richtung einen weiteren Abstand (S) aufweisen.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der weitere Abstand (S) zwischen den einzelnen Bereichen (6) kleiner oder gleich 10 μιη ist.
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