WO2014206014A1 - 曝光装置、曝光系统及曝光方法 - Google Patents

曝光装置、曝光系统及曝光方法 Download PDF

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WO2014206014A1
WO2014206014A1 PCT/CN2013/088655 CN2013088655W WO2014206014A1 WO 2014206014 A1 WO2014206014 A1 WO 2014206014A1 CN 2013088655 W CN2013088655 W CN 2013088655W WO 2014206014 A1 WO2014206014 A1 WO 2014206014A1
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light
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concave mirror
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万冀豫
吴洪江
黄常刚
王耸
张继凯
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
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Beijing BOE Display Technology Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask

Definitions

  • Exposure device Exposure device, exposure system and exposure method
  • the present invention relates to an exposure apparatus, an exposure system, and an exposure method. Background technique
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a prior art exposure apparatus
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a prior art exposure light.
  • light generated by the light source 1 is incident on the first plane mirror 2, and is reflected by the first plane mirror 1.
  • the horizontal light is incident on the fly-eye lens 3, and the light transmitted through the fly-eye lens 3 is incident on the concave mirror 4.
  • the distance between the fly-eye lens 3 and the concave mirror 4 is D, and the light reflected by the concave mirror 4 is incident on the second mirror 5,
  • the light reflected by the two plane mirrors 5 is incident perpendicularly to the mask plate 6, and is incident on the substrate 8 to be exposed through the light-transmitting region of the mask plate 6, and a pattern is formed on the substrate 8 through a developing process.
  • FIG. 3 is a schematic view showing the bending of the mask in the prior art exposure process
  • Fig. 4 is a schematic view showing the curved edge region of the mask in the prior art exposure process. As shown in FIG. 3 and FIG.
  • the arc of the mask 6 can be approximated as a straight line, and the edge of the mask 6 is enlarged and analyzed, wherein the mask 6 has a second for forming a first pattern 11 of the pattern 7, wherein the first pattern 11 is an opening, BP: the first pattern 11 is a light transmissive area, and the width of the first pattern 11 on the mask sheet 6 is on the glass substrate
  • the width of the second pattern 7 formed on the 8 is L 2 , which is the angle between the tangent line of the mask 6 and the horizontal plane in a partial range, and the light 12 emitted from the light source system of the exposure device is perpendicularly incident on the upper surface 9 of the mask 6.
  • the light 12 is incident on the upper surface 9 of the mask 6, the light 12 is refracted in the mask 6 and incident on the lower surface 10 of the mask 6 having a first pattern 11 for forming the second pattern 7 on the lower surface 10.
  • the width of the first graphic 11 The degree is that the width of the second figure 7 is L 2 .
  • the invention provides an exposure device, an exposure system and an exposure method, which can effectively solve the problem of the dimensional deviation of the exposure pattern on the substrate caused by the bending deformation of the mask during the manufacturing process of the large-size liquid crystal display device substrate, and the key of the substrate graphic is ensured.
  • the dimensional accuracy further improves the display quality of the liquid crystal display device.
  • the present invention provides an exposure apparatus, the exposure apparatus comprising: a light source system for providing exposure light to a substrate to be exposed;
  • the exposure device is characterized in that the exposure light is diffused light, and the diffused light is irradiated onto the substrate to be exposed via the mask to lithographically pattern the mask onto the substrate to be exposed. .
  • the diffusion angle of the light irradiated to the edge of the mask by the exposure light depends on the degree of curvature of the mask in a curved state.
  • the light source system includes a light source, a first plane mirror, a fly-eye lens, a concave mirror and a second plane mirror, and the light emitted by the light source sequentially passes through the first plane mirror, the fly-eye lens, the concave mirror and the After the second plane mirror is described, the light that is irradiated to the mask is diffused light.
  • the radius of the concave mirror is equal to the radius of curvature A of the concave mirror.
  • the exposure apparatus includes a stage for carrying a substrate to be exposed and a mask holder for carrying a mask.
  • the present invention provides an exposure system comprising a mask and an exposure device, wherein the exposure device employs the above exposure device.
  • the present invention provides an exposure method, the method comprising: determining a curvature of the mask;
  • the step of determining the curvature of the mask comprises determining an angle between a tangent at the edge of the mask and a horizontal plane; and the step of adjusting a diffusion angle of the exposure light comprises adjusting exposure light to the mask The angle of diffusion of the light at the edge ⁇ to meet
  • the step of determining the curvature of the mask comprises determining an angle between a tangent and a horizontal plane at a plurality of points on the mask, calculating an angle between a tangent at a point on the mask and a horizontal plane, or directly measuring the mask.
  • the radii of the concave mirror, the radius of curvature A of the concave mirror, and the distance between the concave mirror and the fly-eye lens are adjusted according to the following equations: Adjust the diffusion angle d, where D is A
  • the radius of the concave mirror is equal to the radius of curvature A of the concave mirror.
  • the exposure apparatus includes a light source system for providing exposure light to the substrate to be exposed, the exposure light is diffused light; and the exposure light is irradiated to the On the substrate, a pattern of the mask is lithographically patterned onto the substrate.
  • the diffused exposure light provided by the light source system is matched with the mask in a curved state, which can effectively solve the problem of dimensional deviation of the exposed pattern on the substrate caused by the bending deformation of the mask during the manufacturing process of the large-sized liquid crystal display device substrate.
  • the critical dimension accuracy of the substrate pattern is ensured, thereby improving the display quality of the liquid crystal display device.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a prior art exposure apparatus
  • FIG. 3 is a schematic view showing a bending of a mask in a prior art exposure process
  • FIG. 4 is a schematic view of a curved edge region of a mask in a prior art exposure process
  • FIG. 5 is a schematic structural view of an exposure device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 7 is a schematic diagram of a partial area in an exposure process according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 8 is a flowchart of an exposure method according to Embodiment 2 of the present invention
  • FIG. 9 is an exposure system according to Embodiment 3 of the present invention. Schematic diagram of the structure. detailed description
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of an exposure apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the exposure apparatus includes a light source system that provides diffused exposure light. The exposure light is irradiated onto the substrate via the mask 6 to lithographically pattern the mask 6 onto the substrate 8.
  • the exposure apparatus further includes a stage (not shown) for carrying the substrate to be exposed and a mask holder (not shown) for carrying the mask.
  • the light source system comprises a light source 1, a first plane mirror 2, a fly-eye lens 3, a concave mirror 4 and a second plane mirror 5.
  • the light emitted from the light source 1 passes through the first plane mirror 2, the fly-eye lens 3, the concave mirror 4, and the second plane mirror 5 in order to become a diffused light, and then the substrate 8 is irradiated through the mask 6 to expose the substrate 8.
  • the light generated by the light source 1 is incident on the first plane mirror 2, and the light reflected by the first plane mirror 1 is incident on the fly-eye lens 3.
  • the light transmitted through the fly-eye lens 3 is incident on the concave mirror 4, and is reflected by the concave mirror 4.
  • the rear light is incident on the second plane mirror 5, so that the light reflected by the second plane mirror 5 is incident on the mask 6, and the exposure light incident on the mask 6 is diffused light.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of exposure light according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 7 is an enlarged schematic view showing a partial region during exposure according to Embodiment 1 of the present invention.
  • a large-sized mask is required to form a desired pattern.
  • the mask will be bent and deformed due to gravity.
  • the center portion of the mask is drooped and the edge portion is lifted.
  • the arc of the curved mask 6 shown in a side view can be approximated as a straight line in a small range.
  • the edge of the mask 6 is subjected to magnification analysis, in which a first pattern 11 of size L1 is formed on the lower surface 10 of the mask 6.
  • the first pattern 11 is an opening, that is, a light transmitting region.
  • the light emitted from the light source 1 passes through the first plane mirror 2, the fly-eye lens 3, and the concave mirror 4 to reach the second plane mirror 5, is reflected by the second plane mirror 5, and is incident on the mask sheet 6.
  • the outermost edge ray 12' of the light irradiated to the mask 6 by the exposure light is incident on the upper surface 9 of the reticle 6 at a diffusion angle, and is refracted in the reticle 6 and incident on the lower surface 10 of the reticle 6, wherein
  • the diffusion angle ⁇ is an angle between the exposure light and a direction perpendicular to the substrate 8.
  • the light ray 12' passing through the first pattern 11 is irradiated onto the substrate 8, and the exposure process to the substrate 8 is completed. Thereafter, a second pattern 7' (exposure pattern) having a size of L 3 is formed on the substrate 8 by a developing and etching process.
  • the pattern size on the exposed substrate is made to coincide with the pattern size on the mask, and the exposure light incident on the mask can be adjusted to be diffused.
  • the light corresponds to the degree of bending of the reticle.
  • the exposure light projected to the edge of the mask 6 by the exposure system according to the present embodiment is light which is appropriately diffused.
  • the diffusion angle of the light projected to the edge of the mask 6 can be adjusted to an appropriate size by changing the distance between the fly-eye lens 3 and the concave mirror 4.
  • the distance between the fly-eye lens 3 and the concave mirror 4 can be set according to the following equation (1):
  • the radius of the concave mirror 4, / ⁇ is the radius of curvature of the concave mirror 4, which is ⁇ . Therefore, when the value of the angle between the tangent to the horizontal plane at the edge of the mask 6 is measured and / / fixed, the exposure light at the edge of the mask 6 can be obtained according to the above formula.
  • the width L 3 is equal to the width L of the first pattern 11, B ⁇ LfL. Therefore, by the exposure apparatus of the embodiment, the adverse effect of the bending deformation of the large reticle caused by gravity during the production process on the size of the exposure pattern is eliminated. The display quality of the liquid crystal display device product is improved.
  • the divergence angle of the light rays incident at any point on the reticle 6 may preferably be appropriately adjusted. That is, according to the following equation, the diffusion angle of the light illuminating at any point on the mask 6 is adjusted to be equal to half the angle between the tangent at the corresponding point on the mask 6 in the curved state and the horizontal plane:
  • the diffusion angle of the light at any point on the mask can be used to calculate ⁇ based on the above equations (1) and (2), thereby obtaining a mask.
  • the curved condition is adapted to the divergent rays.
  • the radius of the concave mirror 4 can be set equal to the radius of curvature A of the concave mirror 4, ie
  • the fly-eye lens 3 and the concave surface may be simultaneously changed.
  • the distance between the mirrors 4 is any one or more of the three parameters, as long as the relationship between the three satisfies the equation d,
  • the exposure light emitted by the light source system in the exposure device may be diffused by changing parameters such as size, position, shape, or other components of the light source system or by adding some components. And by appropriate adjustment to achieve the best match between the diffusion angle of the diffused light and the curvature of the mask.
  • the distance between the fly-eye lens 3 and the concave mirror 4 is exactly half of the radius of curvature of the concave mirror 4.
  • the distance between the fly-eye lens 3 and the concave mirror 4 in the prior art light source system is D
  • the radius of curvature of the concave mirror 4 is p
  • the light emitted by the light source is converted into parallel light and incident on the mask 6 through the components in the light source system.
  • the present invention solves the problem of pattern size deviation formed on the substrate 8 caused by the bending deformation of the mask sheet 6, and converts the parallel light incident perpendicularly to the mask sheet 6 into diffused light so that the pattern formed on the substrate 8 and the pattern on the mask sheet 6
  • the dimensions are the same.
  • the embodiment of the present invention can change the distance between the fly-eye lens 3 and the concave mirror 4 in the prior art light source system, so that the light emitted by the light source system has a certain diffusion angle. Specifically, the fly-eye lens 3 can be moved to the side of the concave mirror 4 by the following distance: Making the distance between the concave mirror 4 and the fly-eye lens 3 satisfied
  • the embodiment of the present invention can also change the radius of the concave mirror 4 or the radius of curvature of the concave mirror 4 to make the light emitted by the light source system have a certain diffusion angle, or simultaneously change the radius of the concave mirror 4, the concave mirror 4
  • the light emitted by the light source system in the exposure apparatus can be made to diffuse light by changing the size, position, or addition of other components in the light source system.
  • the light source system can provide the diffused light to the substrate to be exposed as the exposure light, the substrate exposure can be effectively solved due to the bending deformation of the mask during the manufacturing process of the large-sized liquid crystal display device substrate.
  • the problem of pattern size deviation ensures the critical dimension accuracy of the substrate pattern, thereby improving the display quality of the liquid crystal display device.
  • FIG. 8 is a schematic flow chart of an exposure method according to Embodiment 2 of the present invention, and the exposure method is based on the above exposure apparatus.
  • step S101 the degree of curvature of the mask is measured.
  • the curvature of the mask is measured to determine the angle between the tangent at the edge of the mask and the horizontal plane or to determine the angle between the tangent and the horizontal plane at several points on the mask, and calculate the tangent at any point on the mask. The angle between the horizontal plane or the angle between the tangent at any point and the horizontal plane.
  • step S102 the diffusion of the exposure light is adjusted according to the measured curvature of the mask. Corner.
  • the specific process for implementing the exposure method will be described with reference to FIG.
  • the method of measuring the curvature of the mask 6 is as follows. For example, by measuring the pattern size on the mask 6, when the exposure light is parallel to normal incident light, the mask 6 is passed through the mask 6.
  • the degree of curvature of the mask 6 can be calculated by the size L 2 of the exposure pattern formed on the substrate 8 by exposure.
  • the degree of curvature can be characterized by the angle between the tangent at any point on the mask 6 and the horizontal plane, derived from the geometric relationship, o ⁇ arcos O ⁇ /L a adjusting the angle of the exposure light incident on the mask
  • the diffusion angle of the light incident to the entire periphery of the mask 6 is made to satisfy ⁇ .
  • the mask can be exposed by techniques known in the art, such as by first coating a photoresist on the substrate 8, and then exposing the substrate 8 using the diffused light adjusted in accordance with an embodiment of the present invention.
  • the size of the pattern of the mask is! ⁇
  • the size of the exposed pattern on the substrate is L 3
  • the exposure method of the embodiment of the present invention can make the size of the pattern of the mask equal to the size L 3 of the exposed pattern on the substrate, that is, LfL
  • the exposure method provided in this embodiment is based on the above exposure apparatus, the exposure method includes: measuring a curvature of the mask; and bending according to the measured mask Adjusting the diffusion angle of the exposure light, which can effectively solve the problem of the dimensional deviation of the exposure pattern on the substrate caused by the bending deformation of the mask during the manufacturing process of the large-size liquid crystal display device substrate, thereby ensuring the accuracy of the critical dimension of the substrate pattern, thereby improving The display quality of the liquid crystal display device.
  • FIG. 9 is a schematic structural diagram of an exposure system according to Embodiment 3 of the present invention. As shown in FIG. 9, the exposure system includes: a mask 6 and an exposure device, and the exposure device adopts an exposure device according to any embodiment of the present invention. .
  • the exposure device adjusts light emitted from a light source to become diffused light before being irradiated onto the mask 6.
  • the diffused exposure light is irradiated onto the substrate via the mask, and the pattern of the mask is photolithographically patterned onto the substrate.
  • the diffusion angle of the diffused light is appropriately adjusted to match the degree of bending of the mask 6.
  • the exposure method according to the present invention as described above can be employed to adjust the diffusion angle of the diffused light.
  • the exposure system according to the present invention can effectively solve the problem of the dimensional deviation of the exposure pattern on the substrate caused by the bending deformation of the mask during the fabrication process of the large-size liquid crystal display device substrate, thereby ensuring the critical dimension accuracy of the substrate pattern, thereby improving the accuracy.
  • the display quality of the liquid crystal display device It is to be understood that the above embodiments are merely exemplary embodiments employed to explain the principles of the invention, but the invention is not limited thereto. Various modifications and improvements can be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention, and such modifications and improvements are also considered to be within the scope of the invention.

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Abstract

公开了一种曝光装置、曝光系统和曝光方法。曝光装置包括：光源系统，其用于向待曝光基板（8）提供曝光光线。所提供的曝光光线为扩散光线，其经由掩模板（6）照射到待曝光基板（8）上，以将掩模板（6）的图案光刻到待曝光基板（8）上。从而，有效解决了大尺寸液晶显示装置基板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的问题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示装置的显示品质。

Description

曝光装置、 曝光系统及曝光方法 技术领域
本发明涉及一种曝光装置、 曝光系统及曝光方法。 背景技术
随着液晶显示技术的发展， 液晶显示装置朝着大尺寸、 高解析 度以及低成本的方向发展。在液晶显示装置生产过程中，利用光刻技 术在衬底基板表面形成各膜层的图形是非常重要的步骤，光刻技术包 括利用掩模板对待曝光基板进行曝光处理。图 1为现有技术的曝光装 置结构示意图，图 2为现有技术曝光光线示意图，如图 1和图 2所示， 光源 1产生的光线入射到第一平面镜 2上，经第一平面镜 1反射的水 平光线入射到复眼透镜 3上，经复眼透镜 3透射的光线入射到凹面镜 4, 复眼透镜 3与凹面镜 4距离为 D， 经凹面镜 4反射的光线入射到 第二平面镜 5， 经第二平面镜 5反射的光线垂直入射到掩模板 6， 且 经掩模板 6的透光区入射到待曝光基板 8上，经过显影工艺在基板 8 上形成图形。
由于液晶显示装置朝着大尺寸方向发展， 曝光工艺中使用的掩 模板的尺寸也越来越大，掩模板因重力弯曲变形对于曝光图形尺寸影 响的问题越来越明显。图 3为现有技术曝光过程中掩模板弯曲的示意 图， 图 4为现有技术曝光过程中的掩模板弯曲边缘区域的示意图。如 图 3和图 4所示，在很小的范围内，可以将掩模板 6的弧线近似为直 线， 对掩模板 6的边缘进行放大分析， 其中， 掩模板 6上具有用于形 成第二图形 7的第一图形 11， 其中， 第一图形 11为开口， BP : 第一 图形 11为透光区，掩模板 6上第一图形 11的宽度为 ,在玻璃基板
8上形成的第二图形 7的宽度为 L2， 为局部范围内掩模板 6切线与 水平面的夹角， 曝光装置的光源系统发出的光线 12垂直入射到掩模 板 6的上表面 9上， 当光线 12入射到掩模板 6的上表面 9时， 光线 12在掩模板 6中折射后入射到掩模板 6的下表面 10上，在下表面 10 上具有用于形成第二图形 7的第一图形 11。其中， 第一图形 11的宽 度为 , 第二图形 7的宽度为 L2。 光线透过第一图形 1 1对玻璃基板 8进行曝光，再经显影和刻蚀工艺，在玻璃基板 8上形成第二图形 7， 由几何光学可得， 1^= * cos 。
发明人在实施本发明的过程中发现如下问题： 在大尺寸的液晶 显示装置的制作过程中，需要大尺寸的掩模板以形成所需图形。然而 在曝光过程中， 由于重力的影响， 掩模板会弯曲变形， 为了保证第二 图形的宽度与第一图形的宽度一致，可以采用减小掩模板切线与水平 面的夹角; 5的方式， 比如通过挤压、 负压等方式， 但是这些方式都不 能完全使掩模板与水平面平行，从而导致在基板上形成的第二图形尺 寸有偏差， 导致液晶显示技术中的 CD ( Critical Dimension, 关键 尺寸） 参数不准确。 发明内容
本发明提供一种曝光装置、 曝光系统及曝光方法， 其可以有效 解决在大尺寸液晶显示装置基板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成 的基板上曝光图形尺寸偏差的问题， 保证了基板图形关键尺寸准确 性， 进而改善了液晶显示装置的显示品质。
为实现上述目的， 本发明提供一种曝光装置， 该曝光装置包括： 光源系统， 其用于向待曝光基板提供曝光光线；
所述曝光装置特征在于， 所述曝光光线为扩散光线， 所述扩散 光线经由所述掩模板照射到所述待曝光基板上，以将所述掩模板的图 案光刻到所述待曝光基板上。
根据本发明的一些实施例， 所述曝光光线照射至所述掩模板边 缘处的光线的扩散角取决于所述掩模板在弯曲状态下的弯曲度。
进一步地，若所述掩模板边缘处切线与水平面的夹角为《，则所 述曝光光线照射至所述掩模板边缘处的光线的扩散角 ^满足： θ =
2 进一步地， 若所述掩模板任一点处切线与水平面的夹角为 ， 则所述曝光光线照射至所述掩模板任一点处的光线的扩散角 满足： 可选地， 所述光源系统包括光源、 第一平面镜、 复眼透镜、 凹 面镜和第二平面镜， 所述光源发出的光线依次经过所述第一平面镜、 所述复眼透镜、所述凹面镜和所述第二平面镜后，照射至所述掩模板 的光线为扩散光线。
可选地， 所述凹面镜的半径为 ， 所述凹面镜的曲率半径为 Pl， 所述凹面镜与所述复眼透镜的距离为 ， 三个参数的关系满足： d、 = D、 ， 其中， A为^1
2
Figure imgf000005_0001
可选地， 所述凹面镜的半径 等于所述凹面镜的曲率半径 A。 可选地， 所述曝光装置包括用于承载待曝光基板的机台和用于 承载掩模板的掩模架。
为实现上述目的， 本发明提供一种曝光系统， 包括掩模板和曝 光装置， 所述曝光装置采用上述的曝光装置。
为实现上述目的， 本发明提供一种曝光方法， 所述方法包括： 测定所述掩模板的弯曲度；
根据测定的掩模板的弯曲度调节曝光光线的扩散角； 以及 将调节了扩散角之后的曝光光线经由掩模板照射到待曝光基板 上， 以将所述掩模板的图案光刻到所述待曝光基板上。 可选地， 所述测定所述掩模板的弯曲度的步骤包括测定掩模板 边缘处切线与水平面的夹角"；所述调节曝光光线的扩散角的步骤包 括调节曝光光线照射至所述掩模板边缘处的光线的扩散角 ^以满足
Θ
2
可选地， 所述测定所述掩模板的弯曲度的步骤包括测定掩模板 若干点处切线与水平面的夹角，计算出掩模板上任一点处切线与水平 面的夹角 ， 或者直接测定掩模板任一点处切线与水平面的夹角 所述调节曝光光线的扩散角的步骤包括调节曝光光线照射至所 述掩模板任一点处的光线的扩散角 ， 满足 = 。
2
可选地， 通过根据如下等式调节所述凹面镜的半径 、 所述凹 面镜的曲率半径 A和所述凹面镜与所述复眼透镜之间的距离 三个 参数当中的任意一个或多个来调节扩散角 d、 ， 其中， D、为 A
Figure imgf000006_0001
可选地， 所述凹面镜的半径 等于所述凹面镜的曲率半径 A。 本发明提供的曝光装置、 曝光系统及曝光方法中， 该曝光装置 包括用于向待曝光基板提供曝光光线的光源系统，所述曝光光线为扩 散光线； 曝光光线经由所述掩模板照射到所述基板上，将所述掩模板 的图案光刻到所述基板上。所示光源系统提供的扩散的曝光光线与呈 弯曲状态的掩模板相匹配，可以有效解决在大尺寸液晶显示装置基板 制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的问 题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示装置的显 示品质。 附图说明
图 1为现有技术的曝光装置的结构示意图；
图 2为现有技术曝光光线示意图；
图 3为现有技术曝光过程中掩模板弯曲的示意图；
图 4为现有技术曝光过程中掩模板弯曲边缘区域的示意图； 图 5为本发明实施例一提供的一种曝光装置的结构示意图； 图 6为本发明实施例一提供的曝光光线示意图；
图 7为本发明实施例一提供的曝光过程中局部区域的示意图; 图 8为本发明实施例二提供的一种曝光方法的流程图； 图 9为本发明实施例三提供的一种曝光系统的结构示意图。 具体实施方式
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将 结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完 整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是 全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员 在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明 保护的范围。 另外， 附图仅为示意性示图， 图中各个部件的长度、 厚 度、高度等尺寸并没有按照比例进行绘制，并且各个部件之间的相对 位置关系不是与实际的相对位置关系完全一致， 因此，所述附图仅用 于方便对本发明的描述和解释， 而不是对本发明范围的限制。
图 5 为本发明实施例一提供的一种曝光装置的结构示意图。 如 图 5所示， 该曝光装置包括光源系统， 其提供扩散的曝光光线。 曝光 光线经由掩模板 6照射到基板上， 以将掩模板 6的图案光刻到基板 8 上。曝光装置还包括用于承载待曝光基板的机台（图中未示出）和用 于承载掩模板的掩模架 （图中未示出） 。
在图 5所示的实施例中，该光源系统包括光源 1、第一平面镜 2、 复眼透镜 3、 凹面镜 4和第二平面镜 5。 光源 1发出的光线依次经过 第一平面镜 2、 复眼透镜 3、 凹面镜 4和第二平面镜 5后成为扩散光 线， 随后经由掩模板 6照射基板 8， 以对基板 8进行曝光。 具体地， 光源 1产生的光线入射到第一平面镜 2上，经第一平面镜 1反射后的 光线入射到复眼透镜 3上，经复眼透镜 3透射的光线入射到凹面镜 4， 经凹面镜 4反射后的光线入射到第二平面镜 5上，这样经第二平面镜 5反射的光线入射到掩模板 6上，入射到掩模板 6的曝光光线为扩散 光线。
下面结合图 6和图 7对本发明实施例一提供的曝光装置的工作 过程进行详细描述。 图 6为本发明实施例一提供的曝光光线示意图， 图 7为本发明实施例一提供的曝光过程中局部区域的放大示意图。
具体地， 在实际应用中， 在制作大尺寸液晶面板过程中， 需要 大尺寸的掩模板以形成所需图形。 由于重力原因掩模板会弯曲变形， 使得掩模板中心部分下垂而边缘部分翘起。如图 7所示，在很小的范 围内，可以将以侧视图示出的弯曲的掩模板 6的弧线近似为直线。对 掩模板 6的边缘进行放大分析， 其中， 在掩模板 6的下表面 10上形 成有尺寸为 L1的第一图形 11。 该第一图形 11为开口， 即透光区。 由光源 1发出的光经过第一平面镜 2、复眼透镜 3和凹面镜 4到达第 二平面镜 5， 经第二平面镜 5反射后入射到掩模板 6上。 曝光光线照 射至掩模板 6 的光线中最外缘光线 12 ' 以扩散角 ^入射到掩模板 6 的上表面 9， 并且在掩模板 6中折射后入射到掩模板 6的下表面 10 上， 其中扩散角 ^为曝光光线与垂直于基板 8的方向的夹角。 透过第 一图形 11的光线 12 ' 照射到基板 8上，完成了对基板 8的曝光过程。 此后再经过显影、刻蚀工艺，在基板 8上形成尺寸为 L3的第二图形 7 ' (曝光图形） 。
根据本发明的实施例， 为了消除掩模板的弯曲变形所带来的影 响，使得曝光后的基板上的图形尺寸与掩模板上的图形尺寸一致，可 以将入射到掩模板的曝光光线调节为扩散光线以与掩模板的弯曲程 度相对应。
如图 7所示， 根据本实施例的曝光系统投射到掩模板 6边缘处 的曝光光线是被适当扩散后的光线。呈弯曲状态的掩模板 6边缘处的 切线与水平面形成夹角《。根据几何学可以容易地得出， 当曝光光线 照射至掩模板 6 边缘处的光线的扩散角 ^满足 0 = ^时， 能够实现
2
u= , 其中扩散角 ø为曝光光线与垂直于基板的方向的夹角。
在本实施例中， 可以通过改变复眼透镜 3与凹面镜 4之间的距 离，来将投射到掩模板 6边缘处的光线的扩散角 ^调节到适当的大小。 复眼透镜 3与凹面镜 4之间的距离 可以根据如下等式（1 )来设置：
Figure imgf000008_0001
其中， 为凹面镜 4的半径， /^为凹面镜 4的曲率半径， 为 ^。 因此，在 和/^固定的情况下， 当测得掩模板 6边缘处的切线与水平 面之间的夹角《的值时，根据上式可以得出能够使掩模板 6边缘处的 曝光光线的扩散角 ^与掩模板的弯曲度相适应的距离 。 通过以该适 当的距离 来设置复眼透镜 3的位置，可以使得曝光光线照射到掩模 板 6的光线中最外缘光线 12' 的扩散角 0 = ^。 结果， 第二图形 7 '
2
的宽度 L3等于第一图形 11的宽度 L， B卩 LfL 因此， 通过本实施例 的曝光装置，消除了生产过程中由重力作用导致的大掩模板的弯曲变 形对曝光图形尺寸的不良影响， 改善了液晶显示装置产品的显示品 质。在一些实施例中，可以优选地对照射至掩模板 6任一点处的光线 的扩散角进行适当调节。 即， 根据以下等式， 将照射至掩模板 6任一 点处的光线的扩散角 调节为等于呈弯曲状态的掩模板 6 上的对应 点处的切线与水平面的夹角 的一半：
(2)
' 2
因此， 可以不采用掩模板边缘处的曝光光线的扩散角^而是采 用掩模板上任意一点处的光线的扩散角来基于上述等式 （1 ) 和 （2) 计算 ^，从而获得与掩模板的弯曲状况相适应的发散光线。在本发明 的一个优选实施例中， 可以将凹面镜 4的半径 设置为等于凹面镜 4 的曲率半径 A， 即
R, = px ( 3)， 并适当地调节凹面镜 4与复眼透镜 3之间的距离 ， 使得上文 所述的等式 （1 ) 成立： d、 ( 1 )
Figure imgf000009_0001
将等式 （3) 代入上式 （1 ) 中， 可得到如下等式 （4) 其中， 0为掩模板 6边缘处的曝光光线的扩散角， 为 。
2
在本发明的一些具体实施例中，可以不是仅改变复眼透镜 3与凹 面镜 4之间的距离 ， 而是可以同时改变凹面镜 4的半径 、 凹面镜 4的曲率半径 A、 复眼透镜 3与凹面镜 4之间的距离 三个参数中的 任意一个或 多 个 ， 只 要三者之 间 的 关 系 满足等式 d、 即可,
Figure imgf000010_0001
另外，在一些其他的实施例中，还可以通过改变光源系统中的其 他部件的尺寸、位置、形状之类的参数或者通过增加一些元件来使曝 光装置中的光源系统发出的曝光光线为扩散光，并通过适当的调节来 使得该扩散光的扩散角与掩模板的弯曲度之间达到最佳匹配。
现有技术的光源系统中， 复眼透镜 3与凹面镜 4的距离恰为凹 面镜 4的曲率半径的一半。为与本发明的实施例相区别，设现有技术 的光源系统中的复眼透镜 3与凹面镜 4的距离为 D， 凹面镜 4的曲率 半径为 p， 则现有技术的光源系统中的复眼透镜 3与凹面镜 4的距离 D=p/2, 即复眼透镜 3处于凹面镜 4焦点的位置。 光源发射的光经光 源系统中各部件转化为平行光垂直入射至掩模板 6。
本发明为解决掩模板 6弯曲变形导致的基板 8上形成的图形尺 寸偏差问题，将垂直入射至掩模板 6的平行光变为扩散光，使得基板 8上形成的图形与掩模板 6上的图形的尺寸一致。本发明实施例可以 通过改变现有技术的光源系统中的复眼透镜 3与凹面镜 4的距离，使 光源系统射出的光线具有一定的扩散角。具体方式可以是将复眼透镜 3向凹面镜 4一侧移动如下距离： ； 也就是
Figure imgf000010_0002
使 得 凹 面 镜 4 与 复 眼 透 镜 3 的 距 离 满 足
(—— + p2+R^jR2-p2) an0
d、 =D
R
R— sa0 此外，本发明实施例也可以通过改变凹面镜 4的半径或凹面镜 4 的曲率半径使光源系统射出的光线具有一定的扩散角，或者同时改变 凹面镜 4的半径 R 凹面镜 4的曲率半径 Pl、 和凹面镜与复眼透镜 距 离 当 中 的 任 意 一 个 或 多 个 ， 只 要 三 者 满 足 d、 =D、 - 即可 （其中， 为本发明实施例中
Figure imgf000011_0001
的凹面镜 4的半径， ^为凹面镜 4的曲率半径， A =†) 。 当然， 通 过改变光源系统中的其他部件的尺寸、位置或者增加一些元件也可以 达到使曝光装置中的光源系统发射的光线为扩散光的目的。在本实施 例提供的曝光装置中，由于光源系统能够向待曝光基板提供扩散光线 作为曝光光线，因此可以有效解决在大尺寸液晶显示装置基板制作过 程中， 因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的问题，保 证了基板图形关键尺寸准确性， 进而改善了液晶显示装置的显示品 质。
图 8 为本发明实施例二提供的一种曝光方法的流程示意图， 该 曝光方法基于上述的曝光装置。
参照图 8， 在步骤 S101, 测定所述掩模板的弯曲度。
在一个具体实施例中， 测定所述掩模板的弯曲度为测定掩模板 边缘处切线与水平面的夹角 或者测定掩模板若干点处切线与水平 面的夹角，计算出掩模板上任一点处切线与水平面的夹角 ，或者直 接测定任一点处切线与水平面的夹角 。
在步骤 S102， 根据测定的掩模板的弯曲度调节曝光光线的扩散 角。
具体地， 根据测定的掩模板的弯曲度调节曝光光线的扩散角为 调节曝光光线照射至掩模板边缘处的光线的扩散角^满足 0 = ^ ;或
2 者调节曝光光线照射至掩模板任一点处的光线的扩散角 ^， 满足 θ. = 。
' 2
结合图 7对实现本曝光方法的具体过程进行说明。 要实现本曝 光方法需要先测定掩模板 6的弯曲度，测定掩模板 6弯曲度的方法有 很多， 如通过测定掩模板 6 上的图形尺寸 , 曝光光线为平行垂直 入射光时， 经掩模板 6曝光的形成在基板 8上的曝光图形的尺寸 L2， 可以计算出掩模板 6的弯曲度。
在一个实施例中， 可以仅测量或计算得到掩模板 6边缘处与水 平面的夹角 α，然后调整入射至掩模板边缘区域的曝光光线的扩散角 Θ以使其满足 θ=α/2， 从而在基板 8上可以形成与掩模板 6上的图形 尺寸一致的曝光图形。
在另一实施例中， 弯曲度可以通过掩模板 6上任一点处的切线 与水平面的夹角 表征， 由几何关系可得， o^arcos O^/L a 调整入 射至掩模板的曝光光线的角度，使得入射至掩模板 6各处的光线的扩 散角满足 =^。
2
随后， 可以通过本技术领域中的已知技术对掩模板进行曝光， 比如先在基板 8上涂覆光刻胶，然后利用根据本发明的实施例调节后 的扩散光线来对基板 8进行曝光。
如图 7所示， 掩模板的图形的尺寸为！^， 基板上曝光图形的尺 寸为 L3，通过本发明的实施例的曝光方法可以使得掩模板的图形的尺 寸^等于基板上曝光图形的尺寸 L3， 即 LfL
本实施例提供的曝光方法， 该曝光方法基于上述曝光装置， 该 曝光方法包括：测定所述掩模板的弯曲度；根据测定的掩模板的弯曲 度调节曝光光线的扩散角，其可以有效解决在大尺寸液晶显示装置基 板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的 问题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示装置的 显示品质。
图 9为本发明实施例三提供的一种曝光系统的结构示意图， 如 图 9所示， 该曝光系统包括： 掩模板 6和曝光装置， 该曝光装置采用 根据本发明任意一个实施例的曝光装置。
在所述曝光系统中， 所述曝光装置对光源发出的光进行调节， 使其在照射到掩模板 6之前成为扩散光。扩散的曝光光线经由所述掩 模板照射到所述基板上，将所述掩模板的图案光刻到所述基板上。该 扩散光的扩散角被适当地调节， 以与掩模板 6的弯曲程度相适应。可 以采用如上所述的根据本发明的曝光方法来调节扩散光的扩散角。
通过根据本发明的曝光系统， 可以有效解决在大尺寸液晶显示 装置基板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸 偏差的问题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示 装置的显示品质。 可以理解的是， 以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而 采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的 普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做 出各种变型和改进， 这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims

权利要求
1. 一种曝光装置， 包括：
光源系统， 其用于向待曝光基板提供曝光光线，
所述曝光装置特征在于， 所述曝光光线为扩散光线， 所述扩散 光线经由掩模板照射到所述待曝光基板上，以将所述掩模板的图案光 刻到所述待曝光基板上。
2. 根据权利要求 1所述的曝光装置， 其特征在于，
所述曝光光线照射至所述掩模板边缘处的光线的扩散角取决于 所述掩模板在弯曲状态下的弯曲度。
3. 根据权利要求 2所述的曝光装置， 其特征在于，
若所述掩模板边缘处的切线与水平面的夹角为"， 则所述曝光 光线照射至所述掩模板边缘处的光线的扩散角 ^满足： Θ
2
4. 根据权利要求 2所述的曝光装置， 其特征在于，
若所述掩模板在任一点处的切线与水平面的夹角为 ， 则所述 曝光光线照射至所述掩模板的任一点处的光线的扩散角 满足：
5. 根据权利要求 1-4中任一项所述的曝光装置， 其特征在于， 所述光源系统包括光源、 第一平面镜、 复眼透镜、 凹面镜和第 二平面镜，所述光源发出的光线依次经过所述第一平面镜、所述复眼 透镜、所述凹面镜和所述第二平面镜后，照射至所述掩模板的光线为 扩散光线。
6. 根据权利要求 5所述的曝光装置， 其特征在于， 设所述凹面 镜的半径为 ，所述凹面镜的曲率半径为 A， 并且所述凹面镜与所述 复眼透镜的距离为 ， 则三个参数 、 ^和 的关系满足： d、 ， 其中， A为 。
Figure imgf000015_0001
7. 根据权利要求 6所述的曝光装置， 其特征在于， 所述凹面镜 的半径 等于所述凹面镜的曲率半径 A。
8. 根据权利要求 1所述的曝光装置， 其特征在于， 所述曝光装 置包括：
用于承载所述待曝光基板的机台；
用于承载所述掩模板的掩模架。
9. 一种曝光系统， 包括掩模板和曝光装置， 其特征在于， 所述 曝光装置采用如权利要求 1-8中任一项所述的曝光装置。
10. 一种曝光方法， 其特征在于包括步骤：
测定所述掩模板的弯曲度；
根据测定的掩模板的弯曲度调节曝光光线的扩散角； 以及 将调节了扩散角之后的曝光光线经由掩模板照射到待曝光基板 上， 以将所述掩模板的图案光刻到所述待曝光基板上。
11. 根据权利要求 10所述的曝光方法， 其特征在于， 所述测定所述掩模板的弯曲度的步骤包括测定掩模板边缘处切 线与水平面的夹角《;
所述根据测定的掩模板的弯曲度调节曝光光线的扩散角的步骤 包括调节曝光光线照射至所述掩模板边缘处的光线的扩散角 0以满 足^。
2
12. 根据权利要求 10所述的曝光方法， 其特征在于， 所述测定所述掩模板的弯曲度的步骤包括测定掩模板若干点处 切线与水平面的夹角，计算出掩模板上任一点处切线与水平面的夹角 at , 或者直接测定掩模板任一点处切线与水平面的夹角 ;
所述根据测定的掩模板的弯曲度调节曝光光线的扩散角的步骤 包括调节曝光光线照射至所述掩模板任一点处的光线的扩散角 以 满足
13. 根据权利要求 11所述的曝光方法， 其特征在于， 设凹面镜的半径为 ， 凹面镜的曲率半径为 ^， 并且凹面镜与 复眼透镜之间的距离为 ， 通过根据如下等式调节三个参数 、 A和 当中的任意一个或多个来调节扩散角 d、 其中， A为 。
Figure imgf000016_0001
14. 根据权利要求 13所述的曝光方法， 其特征在于， 半径 等于所述凹面镜的曲率半径 ^。
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