WO2014202629A1 - Optoelectronic component and method for the production thereof - Google Patents

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WO2014202629A1
WO2014202629A1 PCT/EP2014/062752 EP2014062752W WO2014202629A1 WO 2014202629 A1 WO2014202629 A1 WO 2014202629A1 EP 2014062752 W EP2014062752 W EP 2014062752W WO 2014202629 A1 WO2014202629 A1 WO 2014202629A1
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WO
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housing body
optoelectronic
semiconductor chip
solder
lead frame
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PCT/EP2014/062752
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Inventor
Michael Zitzlsperger
Stephan Preuss
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 10.
  • German priority application DE 10 2013 211 853.8 which explicitly forms part of the disclosure of the present application, also already describes an electro-opto ⁇ African device and a method for producing an optoelectronic component.
  • optoelectronic components for example light-emitting diode components
  • a lens formed by compression molding may be arranged, which may comprise silicone, for example.
  • the formation of the housing of several individual components is accompanied by high production costs.
  • An optoelectronic component comprising a first Lei ⁇ terrahmenabrough having a die receiving surface and an ers ⁇ te solder pad, and an optoelectronic Semiconductor chip, which is arranged on the chip receiving surface.
  • the first leadframe section and the opto ⁇ electronic semiconductor chip are embedded in a housing body.
  • the first solder pad is at least partially not covered by the housing body.
  • Solder contact surface on a first circumferential groove can by arranged in the first solder pad of the first lead frame portion first circumferential groove in the risk of high creep of solder along the first lead frame portion into the housing body of the opto ⁇ electronic component and to the die receiving surface of the first lead frame portion is reduced. This also reduces the risk of damage to the optoelectronic component during a soldering process.
  • the first circumferential groove interrupts during a soldering event possibly ⁇ in a liquid Lot ⁇ de capillary forces that could lead to a high creep of the solder along the outside of the first leadframe section ⁇ th. This remains the Lot on a circumscribed by the first circumferential groove Limited area of the first solder pad.
  • the optoelectronic semiconductor chip is completely embedded in the housing body.
  • no other housing ⁇ component for covering or encapsulating the optoelectronic semiconductor chip is required in the optoelectronic component thereby.
  • the optoelectronic component can advantageously be produced particularly inexpensively.
  • the housing body has an optically transparent material.
  • electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component can thus escape from the housing body of the optoelectronic component, even if the optoelectronic component electronic semiconductor chip of the optoelectronic component is completely embedded in the housing body.
  • the housing body has silicone.
  • the housing body of the optoelectronic component can thereby be produced particularly inexpensively and simply.
  • a section of the housing body forms an optical lens.
  • the portion of the housing body may form a spherical lens.
  • the formed by the portion of the housing body of the optoelectronic construction ⁇ optical lens elements can cause a beam shaping an emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component electromagnetic radiation. Since the optical lens is formed by a portion of the Ge ⁇ pliuse stressess of the optoelectronic component can be dispensed to a provision of a separate component designed as optical lens. In this way, the optoelectronic component advantageously be ⁇ Sonder is available at low cost.
  • the first circumferential groove has a depth between 10 .mu.m and 1 mm, preferably a depth between 50 .mu.m and 200 .mu.m.
  • the first circumferential groove may have a depth of about 100 ym and a width of about 150 ym. It has been found that a configuration of the first circumferential groove with these dimensions can effectively interrupt a capillary force acting on a solder, whereby a lateral propagation of a solder is advantageously applied to a region of the first solder contact area of the first leadframe bordered by the first circumferential groove. section of the first optoelectronic component can be limited.
  • a second lead frame portion having a second solder ⁇ contact face is embedded in the housing body.
  • the second solder contact surface is at least partially not covered by the housing body.
  • the second solder contact surface ⁇ a second circumferential groove.
  • the second circumferential groove formed in the second solder contact surface effectively limits a lateral propagation of a solder to a region of the second solder contact area of the second leadframe section of the optoelectronic component delimited by the second circumferential groove.
  • the optoelectronic semiconductor chip is electrically conductively connected to the second leadframe section.
  • the optoelectronic semiconductor chip of the opto-electronic component characterized ⁇ be contacted via the second solder pad of the second lead frame portion and the first solder pad of the first lead frame portion electrically.
  • the optoelectronic semiconductor chip is connected to the second conductor frame section via a bonding wire embedded in the housing body.
  • a bonding wire embedded in the housing body.
  • a method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a first conductor the frame portion having a die receiving surface and an ers ⁇ th solder pad, which has a first circumferential groove on ⁇ , for arranging an optoelectronic semiconductor chip on the chip receiving surface, and for embedding the first LEI terrahmenabsacrificings and of the optoelectronic semiconductor chip in a housing body, wherein the first LötWalletflä ⁇ at least partially not covered by the housing body.
  • the opto-electronic semi-conductor chip in which ⁇ obtainable by this process opto-electronic device via the first Porterrahmenab can ⁇ cut are electrically contacted.
  • the arranged in the first solder pad of the first section Porterrahmenab ⁇ first circumferential groove advantageously prevents ⁇ , a high creep of solder along the outer surfaces of the first lead frame portion into the housing body of the optoelectronic component into it.
  • the first circumferential groove causes a lateral boundary of a propagation ei ⁇ nes solder during a Anlötvorgangs of the optoelectronic component to a circumferential groove through the first loading excluded lateral portion of the first solder pad of the first lead frame portion.
  • the housing body is formed by compression molding. Pre geous enough, this allows a low-cost mass production ⁇ .
  • the first umlau ⁇ Fende groove sets reasonable by etching on the first solder pad.
  • this enables a simple and cost-effective production of the first leadframe section.
  • the method of the opto-electro ⁇ African semiconductor chip embeds fully inserted into the housing body.
  • the method thereby requires no further steps for covering or otherwise
  • the housing body is formed so that a portion of the housing body ei ⁇ ne optical lens forms.
  • the optical lens of the optoelectronic component obtainable by the method can effect a beam shaping of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component.
  • the method thereby requires no further steps for producing an optical lens and for arranging the optical lens on the optoelectronic component. As a result, the method is advantageously cost ⁇ low feasible.
  • a second leadframe section is provided with a second soldermating surface having a second circumferential groove.
  • the second lead frame portion is electrically conductively connected to the optoelectronic semiconductor chip and embedded together with the first lead frame portion and the optoelectronic semiconductor chip ⁇ rule in the housing body.
  • the second solder contact surface is at least partially not covered by the housing body.
  • the second peripheral groove arranged in the second solder contact area of the second leadframe section advantageously provides protection against creeping of a solder along the second leadframe section into the housing body of the optoelectronic device obtainable by the method during soldering of the optoelectronic component. This is achieved in that the second circumferential groove limits a lateral propagation of the solder to a region of the second solder contact area of the second leadframe section bounded by the second circumferential groove, in that the second circumferential groove interrupts a capillary force acting on the solder.
  • FIG. 1 is a sectional view of an optoelectronic compo ⁇ element; a plan view of an underside of the optoelectronic device ⁇ rule and FIG. 2.
  • Fig. 1 is a schematic sectional view of an opto-electronic component shows ⁇ 100.
  • Fig. 2 shows a schematic plan view of a see underside of the optoelectronic ⁇ construction elements 100.
  • the opto-electronic device 100 may be at ⁇ play, a light-emitting diode device.
  • the optoelekt ⁇ elec- tronic device 100 is configured as a SMD component which is suitable for surface mounting, for example for surface mounting by reflow soldering (reflow soldering).
  • the optoelectronic device 100 includes a optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip 200.
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 may be for example a light emitting diode chip (LED chip).
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 is designed to emit electromagnetic radiation during operation of the optoelectronic component 100.
  • Technologiesswei ⁇ se may be the optoelectronic semiconductor chip is excluded 200 to emit visible light.
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 has a top side 210 and a bottom side opposite the top side 210 220 on.
  • the upper side 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 forms a radiation emission surface of the opto ⁇ electronic semiconductor chip 200. Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 is emitted at the radiation emission surface formed by the upper side 210.
  • a first electrical contact surface 230 is arranged at the upper side 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200.
  • a second electrical contact surface 240 is arranged on the underside 220 of the optoelectronic semiconductor chip 200.
  • the first electrical contact surface 230 and the second elekt ⁇ generic contact surface 240 are used for electrically contacting of the optoelectronic semiconductor chip 200 via the first electrical contact surface 230 and the second electrical ⁇ specific contact surface 240, an electrical voltage to the optoelectronic semiconductor chip 200 are applied, to cause emission of electromagnetic radiation through the optoelectronic semiconductor chip 200.
  • the optoelectronic device 100 further comprises a lead frame having a first lead frame portion 400 and a second lead frame portion 500.
  • the first Porterrah ⁇ menab mustard 400 and the second lead frame portion 500 of the lead frame have an electrically conductive material.
  • first lead frame portion 400 and the second lead frame portion 500 may include copper.
  • the first conductor frame portion 400 and the second lead frame ⁇ section 500 may also include a solderable corneanme- metallization.
  • the first leadframe section 400 and the second leadframe section 500 may have surface metallization with an alloy comprising nickel, palladium, and gold. The first lead frame portion 400 and the second lead frame portion 500 are physically separated from each other and
  • the first Porterrahmenab ⁇ section 400 and the second conductor frame section 500 of the LEI terrahmens can be made for example by punching and / or etching.
  • the first conductor frame portion 400 has a die receiving surface 410 and the chip seating surface 410 against ⁇ opposed first solder pad 420 on.
  • the optoelectronic ⁇ specific semiconductor chip 200 is disposed on the die receiving surface 410 of the first lead frame portion 400th In this case, the underside 220 of the optoelectronic semiconductor chip 200 faces the chip receiving surface 410 of the first leadframe section 400 and is connected thereto via an electrically conductive connection means 260.
  • the connecting means 260 may be, for example, a solder or a conductive adhesive.
  • the second leadframe section 500 has a bonding surface 510 and a second soldering contact surface 520 lying opposite the bonding surface 510. Which is arranged on the upper side 210 of the opto ⁇ electronic semiconductor chip 200 first electrical ⁇ specific contact surface 230 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is electrically connected with the bonding surface 510 of the second lead frame portion 500 by means of a bonding wire 250th This provides an electrically conductive connection between the second solder pad 520 of the second lead frame portion 500 and the first electrical Kon ⁇ clock face 230 of the optoelectronic semiconductor chip 200.
  • the first conductor frame portion 400, the second lead frame ⁇ portion 500 and the optoelectronic semiconductor chip 200 are in a housing body 300 of the embedded optoelectronic device 100.
  • the housing body 300 has a Top 310 and one of the top 310 opposite bottom 320 on.
  • the first solder contact surface 420 of the first leadframe section 400 is at least partially not covered by the housing body 300 and accessible on the underside 320 of the housing body 300.
  • the second clock Lötkon ⁇ surface 520 of the second lead frame portion 500 is ⁇ least partially not covered by the housing body 300 and accessible at the bottom 320 of the housing body 300th
  • the first solder pad 420 of the first lead frame section 400 and the second solder pad 520 of the second lead frame section 500 terminate approximately flush with the underside 320 of the housing body 300.
  • the remaining parts of the first lead frame section 400 and the second lead frame section 500 are preferably completely embedded in the housing body 300.
  • Semiconductor chip 200 is preferably completely embedded in the housing ⁇ body 300.
  • the housing body 300 preferably has a material that is transparent to electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 of the optoelectronic component 100.
  • the housing body 300 may include, for example, silicone.
  • the housing body 300 may be produced, for example, by an injection molding process, by a transfer molding process, or by a compression molding process.
  • the first leadframe section 400, the second leadframe section 500, the optoelectronic semiconductor chip 200 and the bonding wire 250 extending between the first electrical contact surface 230 of the optoelectronic semiconductor chip 200 and the bonding surface 510 of the second leadframe section 500 have already been formed during the production of the housing body 300 embedded the material of the housing body 300.
  • the material of the housing body 300 also covers the radiation emission area of the optoelectronic semiconductor device. chips 200 forming upper surface 210 of the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip 200. A over the top 210 of the opto-electro ⁇ African semiconductor chips 200 arranged in part of the case body 300 at the top 310 of the housing body 300 forms an optical lens 330.
  • the optical lens 330 is the top 310 of the housing body 300 convex. So that the optical lens 330 of the forming portion GeHousekör ⁇ pers 300 above the top surface 201 of the optoelectronic semiconductor chip 200 ⁇ forms a plano-convex convergent lens.
  • the optical lens 330 can also be formed with another form ⁇ or omitted entirely.
  • the optoelectronic component 100 can be produced particularly inexpensively. Since the optical lens 330 of the optoelectronic component 100 is formed by a portion of the housing body 300, the optoelectronic device 100 advantageously may be also formed with particularly com pact ⁇ dimensions.
  • gaps may be formed in the region of the interfaces between the lead frame sections 400, 500 and the material of the package body 300. This is the case in particular when the material of the housing body 300 comprises silicone.
  • the first solder pad point 420 of the first lead frame portion 400 and the second Lötkon ⁇ clock face 520 of the second lead frame portion 500 structural turing on which a penetration of solder to any gaps formed between the lead frame portions 400, 500 and the material of the Prevent housing body 300.
  • a first circumferential groove 430 is formed.
  • the first circumferential groove 430 divides the first solder contact surface 420 into an inner region 440 and an outer region 450.
  • the inner region 440 of the first solder contact surface 420 is surrounded by the first circumferential groove 430 in an annular manner.
  • the outer region 450 of the first solder contact area 420 adjoins the outer edges of the first solder contact area 420.
  • the first circumferential groove 430 extends mög ⁇ as near at the outer edges of the first solder pad 420 so that the inner portion 440 as large a part of the first solder pad 420 and the outer portion
  • the first circumferential groove 430 has a width 431 in the direction parallel to the first solder contact area 420. In the direction perpendicular to the first solder contact surface 420, the first circumferential groove 430 has a depth 432.
  • the depth 432 of the ERS ⁇ th circumferential groove is preferably between 10 .mu.m and 1 mm, more preferably between 50 .mu.m and 200 .mu.m.
  • the depth 432 of the first circumferential groove 430 may be 100 ym.
  • the width 431 of the first circumferential groove 430 may be 150 ym, for example.
  • the second solder contact surface 520 of the second Porterrahmenab ⁇ section 500 has a second circumferential groove 530.
  • the second circumferential groove 530 divides the second solder contact ⁇ surface 520 in an inner region 540 and an outer region 550.
  • the inner region 540 is surrounded annularly by the second order ⁇ running groove 530th
  • the second groove 530 preferably runs as close as possible to the outer edges of the second solder contact area 520, so that the inner area 540 forms as large a part of the second solder contact area 520 and the outer area 550 forms the smallest possible part of the second solder contact area 520.
  • the second circumferential groove 530 in the second solder pad 520 of the second lead frame portion 500 may have a width and a depth whose values are in the width 431 and the depth 432 of the first circumferential groove 430 in the first solder pad 420 of the first lead frame portion 400 are angege ⁇ given size ranges.
  • the first circumferential groove 430 of the first Porterrahmenab- section 400 and the second circumferential groove 530 of the second lead frame portion 500 are free from the material of Ge ⁇ koruse stresses 300, so do not be ⁇ covered by the housing body 300th
  • the first circumferential groove 430 of the first Porterrahmenab ⁇ section 400 and the second circumferential groove 530 of the second lead frame portion 500 may have been created for example by an etching process.
  • the first circumferential groove 430 and the second circumferential groove 530 may have been set at 500 ⁇ already during manufacture of the first lead frame portion 400 and the second lead frame portion.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional view of a printed circuit board 600.
  • the printed circuit board 600 can also be referred to as a PCB.
  • a first soldering surface 610 and a second soldering surface 620 are arranged on the upper side of the printed circuit board 600.
  • the first soldering surface 610 and the second soldering surface 620 are respectively with further electrical connection elements, such as tracks, the circuit board 600 electrically connected, which is not shown in the schematic representation of FIG.
  • the first solder pad 610 points in the direction parallel to the top side of the printed circuit board 600 ⁇ lateral dimensions which correspond approximately to the lateral dimensions of the inner region 440 of the first solder pad 420 of the first lead frame portion 400 of the optoelectronic component 100th
  • the second solder pad 620 of the printed circuit board 600 has in direction pa ⁇ rallel to the top surface of the circuit board 600 lateral Abmessun ⁇ gene, which portion is approximately the lateral dimensions of the inner region 540 of the second solder pad 520 of the lead frame 500 of the optoelectronic device 100 speak ent ⁇ .
  • the distance between the first solder pad 610 and the second solder pad 620 of the printed circuit board 600 corresponds et ⁇ wa to the distance between the inner portion 440 of the first solder pad 420 of the optoelectronic component 100 and the inner portion 540 of the second solder pad 520 of the optoelectronic component 100.
  • a solder stop material 630 is arranged on the upper side of the printed circuit board 600.
  • the optoelectronic component 100 is mounted on an upper side of the printed circuit board 600.
  • the optoelectronic ⁇ specific component 100 is such arranged on the upper side of the circuit board 600, that the inner region 440 of the first solder pad 420 through the first solder pad 610 and the inherent re ⁇ area 540, the second solder pad 520 on the second soldering surface 620 disposed is. Then, the first solder pad 420 and the second solder pad 520 at ⁇ example by means of reflow soldering at the first
  • Soldering surface 610 and the second soldering surface 620 attached.
  • first soldering surface 610 and the inner region 440 of the first soldering contact surface 420 as well as between the second soldering surface 620 and the inner region 540 of FIG second solder contact surface 520 each come to the formation of Ka ⁇ pillar practicen that promote a lateral spread of the liquid solder.
  • the optoelectronic component 100 first the first leadframe section 400 and the second leadframe section 500 are provided.
  • the optoelectronic ⁇ specific semiconductor chip 200 is arranged in the described manner on the die receiving surface 410 of the first lead frame portion 400 and connected by means of the connecting means 260 with this.
  • the first electrical contact surface 230 arranged on the upper side 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is electrically conductively connected to the bonding surface 510 of the second conductor frame section 500 by means of the bonding wire 250.
  • the optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 200, the first lead frame portion 400 and the second lead frame portion 500 are embedded in the housing ⁇ body 300.
  • the invention has been further illustrated and described with reference to the preferredariessbei ⁇ games. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations can be deducted from this by the expert. ,

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Abstract

Disclosed is an optoelectronic component comprising a first conductor frame portion having a chip receiving surface and a first soldering contact surface, and an optoelectronic semiconductor chip arranged on the chip receiving surface. According to the invention, the first conductor frame portion and the optoelectronic semiconductor chip are embedded in a housing body. At least in parts the first soldering contact surface is not covered by the housing body. The first soldering contact surface further has a first peripheral groove.

Description

Beschreibung description
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Her¬ stellung The optoelectronic component and process for Her ¬ position
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 10. The present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 10.
Die deutsche Prioritätsanmeldung DE 10 2013 211 853.8, die ausdrücklich einen Teil der Offenbarung der vorliegenden Anmeldung bildet, beschreibt ebenfalls bereits ein optoelektro¬ nisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. The German priority application DE 10 2013 211 853.8, which explicitly forms part of the disclosure of the present application, also already describes an electro-opto ¬ African device and a method for producing an optoelectronic component.
Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, mit Gehäusen auszubilden, bei denen ein Leiterrahmen in einen beispielsweise mittels Spritzguss aus einem Epoxid-Harz geformten Gehäusekörper eingebettet ist. Darüber kann eine durch Formpressen gebildete Linse angeordnet sein, die beispielsweise Silikon aufweisen kann. Die Ausbildung des Gehäuses aus mehreren Einzelkomponenten geht allerdings mit hohen Herstellungskosten einher. It is known to form optoelectronic components, for example light-emitting diode components, with housings in which a leadframe is embedded in a housing body formed, for example, by injection molding from an epoxy resin. In addition, a lens formed by compression molding may be arranged, which may comprise silicone, for example. However, the formation of the housing of several individual components is accompanied by high production costs.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma¬ len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie- genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 10 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei¬ terbildungen angegeben. An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the Merkma ¬ len of claim 1. Another object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 10. In the dependent claims various developments of Wei ¬ are indicated.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Lei¬ terrahmenabschnitt, der eine Chipaufnahmefläche und eine ers¬ te Lötkontaktfläche aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf der Chipaufnahmefläche angeordnet ist. Dabei sind der erste Leiterrahmenabschnitt und der opto¬ elektronische Halbleiterchip in einen Gehäusekörper eingebettet. Die erste Lötkontaktfläche ist zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt. Außerdem weist die ersteAn optoelectronic component comprising a first Lei ¬ terrahmenabschnitt having a die receiving surface and an ers ¬ te solder pad, and an optoelectronic Semiconductor chip, which is arranged on the chip receiving surface. In this case, the first leadframe section and the opto ¬ electronic semiconductor chip are embedded in a housing body. The first solder pad is at least partially not covered by the housing body. In addition, the first one points
Lötkontaktfläche eine erste umlaufende Rille auf. Vorteilhaf¬ terweise kann durch die in der ersten Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnete erste umlaufende Rille die Gefahr eines Hochkriechens eines Lots entlang des ersten Leiterrahmenabschnitts in den Gehäusekörper des opto¬ elektronischen Bauelements hinein und bis zur Chipaufnahmefläche des ersten Leiterrahmenabschnitts reduziert werden. Dadurch wird auch die Gefahr einer Beschädigung des optoelektronischen Bauelements während eines Lötvorgangs redu- ziert. Die erste umlaufende Rille unterbricht dabei während eines Lötvorgangs eventuell in einem flüssigen Lot auftreten¬ de Kapillarkräfte, die zu einem Hochkriechen des Lots entlang der Außenseite des ersten Leiterrahmenabschnitts führen könn¬ ten. Dadurch bleibt das Lot auf einen durch die erste umlau- fende Rille umgrenzten Bereich der ersten Lötkontaktfläche begrenzt . Solder contact surface on a first circumferential groove. Vorteilhaf ¬ ingly can by arranged in the first solder pad of the first lead frame portion first circumferential groove in the risk of high creep of solder along the first lead frame portion into the housing body of the opto ¬ electronic component and to the die receiving surface of the first lead frame portion is reduced. This also reduces the risk of damage to the optoelectronic component during a soldering process. The first circumferential groove interrupts during a soldering event possibly ¬ in a liquid Lot ¬ de capillary forces that could lead to a high creep of the solder along the outside of the first leadframe section ¬ th. This remains the Lot on a circumscribed by the first circumferential groove Limited area of the first solder pad.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip vollständig in den Gehäusekörper eingebettet. Vorteilhafterweise ist bei dem optoelektronischen Bauelement dadurch keine weitere Gehäuse¬ komponente zur Abdeckung oder zum Verguss des optoelektronischen Halbleiterchips erforderlich. Hierdurch lässt sich das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise besonders kostengünstig herstellen. In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip is completely embedded in the housing body. Advantageously, no other housing ¬ component for covering or encapsulating the optoelectronic semiconductor chip is required in the optoelectronic component thereby. As a result, the optoelectronic component can advantageously be produced particularly inexpensively.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Gehäusekörper ein optisch transparentes Material auf. Vorteilhafterweise kann dadurch durch den optoelektroni- sehen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung aus dem Gehäusekörper des optoelektronischen Bauelements austreten, auch wenn der opto- elektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements vollständig in den Gehäusekörper eingebettet ist. In one embodiment of the optoelectronic component, the housing body has an optically transparent material. Advantageously, electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component can thus escape from the housing body of the optoelectronic component, even if the optoelectronic component electronic semiconductor chip of the optoelectronic component is completely embedded in the housing body.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Gehäusekörper Silikon auf. Vorteilhafterweise lässt sich der Gehäusekörper des optoelektronischen Bauelements dadurch besonders kostengünstig und einfach herstellen. In one embodiment of the optoelectronic component, the housing body has silicone. Advantageously, the housing body of the optoelectronic component can thereby be produced particularly inexpensively and simply.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bildet ein Abschnitt des Gehäusekörpers eine optische Linse. Beispielsweise kann der Abschnitt des Gehäusekörpers eine sphärische Linse bilden. Vorteilhafterweise kann die durch den Abschnitt des Gehäusekörpers des optoelektronischen Bau¬ elements gebildete optische Linse eine Strahlformung einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken. Da die optische Linse durch einen Abschnitt des Ge¬ häusekörpers des optoelektronischen Bauelements gebildet wird, kann auf ein Vorsehen einer als separate Komponente ausgebildeten optischen Linse verzichtet werden. Hierdurch ist das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise be¬ sonders kostengünstig erhältlich. In one embodiment of the optoelectronic component, a section of the housing body forms an optical lens. For example, the portion of the housing body may form a spherical lens. Advantageously, the formed by the portion of the housing body of the optoelectronic construction ¬ optical lens elements can cause a beam shaping an emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component electromagnetic radiation. Since the optical lens is formed by a portion of the Ge ¬ häusekörpers of the optoelectronic component can be dispensed to a provision of a separate component designed as optical lens. In this way, the optoelectronic component advantageously be ¬ Sonder is available at low cost.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die erste umlaufende Rille eine Tiefe zwischen 10 ym und 1 mm auf, bevorzugt eine Tiefe zwischen 50 ym und 200 ym. Beispielsweise kann die erste umlaufende Rille eine Tiefe von etwa 100 ym und eine Breite von etwa 150 ym aufweisen. Es hat sich gezeigt, dass eine Ausgestaltung der ersten umlaufenden Rille mit diesen Dimensionen eine wirksame Unterbrechung einer auf ein Lot wirkenden Kapillarkraft bewirken kann, wodurch eine laterale Ausbreitung eines Lots vorteilhafterweise auf einen durch die erste umlaufende Rille umgrenzten Bereich der ersten Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmen- abschnitts des ersten optoelektronischen Bauelements begrenzt werden kann. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist ein zweiter Leiterrahmenabschnitt mit einer zweiten Löt¬ kontaktfläche in den Gehäusekörper eingebettet. Dabei ist die zweite Lötkontaktfläche zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt. Außerdem weist die zweite Lötkontakt¬ fläche eine zweite umlaufende Rille auf. Vorteilhafterweise verhindert die an der zweiten Lötkontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts des optoelektronischen Bauelements an¬ geordnete zweite umlaufende Rille ein Hochkriechen eines Lots entlang der Außenflächen des zweiten Leiterrahmenabschnitts in den Gehäusekörper hinein. Die in der zweiten Lötkontaktfläche ausgebildete zweite umlaufende Rille begrenzt vielmehr eine laterale Ausbreitung eines Lots wirkungsvoll auf einen durch die zweite umlaufende Rille begrenzten Bereich der zweiten Lötkontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts des optoelektronischen Bauelements. In one embodiment of the optoelectronic component, the first circumferential groove has a depth between 10 .mu.m and 1 mm, preferably a depth between 50 .mu.m and 200 .mu.m. For example, the first circumferential groove may have a depth of about 100 ym and a width of about 150 ym. It has been found that a configuration of the first circumferential groove with these dimensions can effectively interrupt a capillary force acting on a solder, whereby a lateral propagation of a solder is advantageously applied to a region of the first solder contact area of the first leadframe bordered by the first circumferential groove. section of the first optoelectronic component can be limited. In one embodiment of the optoelectronic component, a second lead frame portion having a second solder ¬ contact face is embedded in the housing body. In this case, the second solder contact surface is at least partially not covered by the housing body. In addition, the second solder contact surface ¬ a second circumferential groove. Advantageously, preventing at the second solder pad of the second lead frame portion of the optoelectronic component on ¬ parent second circumferential groove, a high creep of solder along the outer surfaces of the second lead frame portion in the housing body into it. Rather, the second circumferential groove formed in the second solder contact surface effectively limits a lateral propagation of a solder to a region of the second solder contact area of the second leadframe section of the optoelectronic component delimited by the second circumferential groove.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden. Vorteilhaf¬ terweise kann der optoelektronische Halbleiterchip des opto¬ elektronischen Bauelements dadurch über die zweite Lötkontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts und die erste Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts elektrisch kontaktiert werden. In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip is electrically conductively connected to the second leadframe section. Vorteilhaf ¬ ingly, the optoelectronic semiconductor chip of the opto-electronic component characterized ¬ be contacted via the second solder pad of the second lead frame portion and the first solder pad of the first lead frame portion electrically.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip über einen in den Gehäusekörper eingebetteten Bonddraht mit dem zweiten Leiter- rahmenabschnitt verbunden. Vorteilhafterweise besteht dadurch eine elektrisch gut leitende und robuste elektrische Verbin¬ dung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt. Durch die Einbettung des Bond¬ drahts in den Gehäusekörper ist dieser vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt. In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip is connected to the second conductor frame section via a bonding wire embedded in the housing body. Advantageously, thereby, a good electrical and robust electrical Verbin ¬ connection between the optoelectronic semiconductor chip and the second lead frame portion. By embedding the bond ¬ wire in the housing body this is protected from damage by external agents.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines ersten Leiter- rahmenabschnitts mit einer Chipaufnahmefläche und einer ers¬ ten Lötkontaktfläche, die eine erste umlaufende Rille auf¬ weist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf der Chipaufnahmefläche, und zum Einbetten des ersten Lei- terrahmenabschnitts und des optoelektronischen Halbleiterchips in einen Gehäusekörper, wobei die erste Lötkontaktflä¬ che zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt wird. Vorteilhafterweise kann der optoelektronische Halb¬ leiterchip bei dem nach diesem Verfahren erhältlichen opto- elektronischen Bauelement über den ersten Leiterrahmenab¬ schnitt elektrisch kontaktiert werden. Dabei verhindert die in der ersten Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmenab¬ schnitts angeordnete erste umlaufende Rille vorteilhafter¬ weise ein Hochkriechen eines Lots entlang der Außenflächen des ersten Leiterrahmenabschnitts in den Gehäusekörper des optoelektronischen Bauelements hinein. Die erste umlaufende Rille bewirkt eine laterale Begrenzung einer Ausbreitung ei¬ nes Lots während eines Anlötvorgangs des optoelektronischen Bauelements auf einen durch die erste umlaufende Rille be- grenzten lateralen Abschnitt der ersten Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts. A method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a first conductor the frame portion having a die receiving surface and an ers ¬ th solder pad, which has a first circumferential groove on ¬, for arranging an optoelectronic semiconductor chip on the chip receiving surface, and for embedding the first LEI terrahmenabschnitts and of the optoelectronic semiconductor chip in a housing body, wherein the first Lötkontaktflä ¬ at least partially not covered by the housing body. Advantageously, the opto-electronic semi-conductor chip in which ¬ obtainable by this process opto-electronic device via the first Leiterrahmenab can ¬ cut are electrically contacted. The arranged in the first solder pad of the first section Leiterrahmenab ¬ first circumferential groove advantageously prevents ¬, a high creep of solder along the outer surfaces of the first lead frame portion into the housing body of the optoelectronic component into it. The first circumferential groove causes a lateral boundary of a propagation ei ¬ nes solder during a Anlötvorgangs of the optoelectronic component to a circumferential groove through the first loading excluded lateral portion of the first solder pad of the first lead frame portion.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Gehäusekörper durch Formpressen (compression molding) ausgebildet. Vor- teilhafterweise ermöglicht dies eine kostengünstige Massen¬ produktion . In one embodiment of the method, the housing body is formed by compression molding. Pre geous enough, this allows a low-cost mass production ¬.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die erste umlau¬ fende Rille durch Ätzen an der ersten Lötkontaktfläche ange- legt. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache und kostengünstige Herstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts. In one embodiment of the method, the first umlau ¬ Fende groove sets reasonable by etching on the first solder pad. Advantageously, this enables a simple and cost-effective production of the first leadframe section.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der optoelektro¬ nische Halbleiterchip vollständig in den Gehäusekörper einge- bettet. Vorteilhafterweise erfordert das Verfahren dadurch keine weiteren Schritte zum Abdecken oder anderweitigen In one embodiment, the method of the opto-electro ¬ African semiconductor chip embeds fully inserted into the housing body. Advantageously, the method thereby requires no further steps for covering or otherwise
Schützen des optoelektronischen Halbleiterchips des opto¬ elektronischen Bauelements. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Gehäusekörper so ausgebildet, dass ein Abschnitt des Gehäusekörpers ei¬ ne optische Linse bildet. Vorteilhafterweise kann die opti- sehe Linse des nach dem Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements eine Strahlformung einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken. Vorteilhafterweise erfordert das Verfahren dadurch keine wei- teren Schritte zum Herstellen einer optischen Linse und zum Anordnen der optischen Linse an dem optoelektronischen Bauelement. Dadurch ist das Verfahren vorteilhafterweise kosten¬ günstig durchführbar. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein zweiter Leiterrahmenabschnitt mit einer zweiten Lötkontaktfläche, die eine zweite umlaufende Rille aufweist, bereitgestellt. Dann wird der zweite Leiterrahmenabschnitt elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Halbleiterchip verbunden und gemeinsam mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem optoelektroni¬ schen Halbleiterchip in den Gehäusekörper eingebettet. Dabei wird die zweite Lötkontaktfläche zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt. Vorteilhafterweise kann die zweite Lötkontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts des nach diesem Verfahren erhältlichen optoelektronischenProtecting the optoelectronic semiconductor chip of the opto ¬ electronic device. In one embodiment of the method, the housing body is formed so that a portion of the housing body ei ¬ ne optical lens forms. Advantageously, the optical lens of the optoelectronic component obtainable by the method can effect a beam shaping of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component. Advantageously, the method thereby requires no further steps for producing an optical lens and for arranging the optical lens on the optoelectronic component. As a result, the method is advantageously cost ¬ low feasible. In one embodiment of the method, a second leadframe section is provided with a second soldermating surface having a second circumferential groove. Then, the second lead frame portion is electrically conductively connected to the optoelectronic semiconductor chip and embedded together with the first lead frame portion and the optoelectronic semiconductor chip ¬ rule in the housing body. In this case, the second solder contact surface is at least partially not covered by the housing body. Advantageously, the second solder contact surface of the second lead frame portion of the optoelectronic available by this method
Bauelements zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips des nach dem Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements dienen. Die in der zweiten Lötkontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts angeord- nete zweite umlaufende Rille bewirkt dabei vorteilhafterweise einen Schutz vor einem Hochkriechen eines Lots entlang des zweiten Leiterrahmenabschnitts in den Gehäusekörper des nach dem Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements hinein während eines Anlötens des optoelektronischen Bauele- ments. Dies wird dadurch erreicht, dass die zweite umlaufende Rille eine laterale Ausbreitung des Lots auf einen durch die zweite umlaufende Rille begrenzten Bereich der zweiten Lötkontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts begrenzt, indem die zweite umlaufende Rille eine auf das Lot wirkende Kapillarkraft unterbricht. Component for electrically contacting the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component obtainable by the method. The second peripheral groove arranged in the second solder contact area of the second leadframe section advantageously provides protection against creeping of a solder along the second leadframe section into the housing body of the optoelectronic device obtainable by the method during soldering of the optoelectronic component. This is achieved in that the second circumferential groove limits a lateral propagation of the solder to a region of the second solder contact area of the second leadframe section bounded by the second circumferential groove, in that the second circumferential groove interrupts a capillary force acting on the solder.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstel- lung The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. Shown schematically in each case
Fig. 1 eine Schnittansicht eines optoelektronischen Bauele¬ ments; und Fig. 2 eine Aufsicht auf eine Unterseite des optoelektroni¬ schen Bauelements. 1 is a sectional view of an optoelectronic compo ¬ element; a plan view of an underside of the optoelectronic device ¬ rule and FIG. 2.
Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines opto¬ elektronischen Bauelements 100. Fig. 2 zeigt eine schemati- sehe Aufsicht auf eine Unterseite des optoelektronischen Bau¬ elements 100. Das optoelektronische Bauelement 100 kann bei¬ spielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement sein. Das optoelekt¬ ronische Bauelement 100 ist als SMD-Bauelement ausgebildet, das sich für eine Oberflächenmontage eignet, beispielsweise für eine Oberflächenmontage mittels Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) . Fig. 1 is a schematic sectional view of an opto-electronic component shows ¬ 100. Fig. 2 shows a schematic plan view of a see underside of the optoelectronic ¬ construction elements 100. The opto-electronic device 100 may be at ¬ play, a light-emitting diode device. The optoelekt ¬ elec- tronic device 100 is configured as a SMD component which is suitable for surface mounting, for example for surface mounting by reflow soldering (reflow soldering).
Das optoelektronische Bauelement 100 umfasst einen optoelekt¬ ronischen Halbleiterchip 200. Der optoelektronische Halb- leiterchip 200 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED- Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist dazu ausgebildet, im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Beispielswei¬ se kann der optoelektronische Halbleiterchip 200 dazu ausge- bildet sein, sichtbares Licht zu emittieren. The optoelectronic device 100 includes a optoelekt ¬ tronic semiconductor chip 200. The optoelectronic semiconductor chip 200 may be for example a light emitting diode chip (LED chip). The optoelectronic semiconductor chip 200 is designed to emit electromagnetic radiation during operation of the optoelectronic component 100. Beispielswei ¬ se may be the optoelectronic semiconductor chip is excluded 200 to emit visible light.
Der optoelektronische Halbleiterchip 200 weist eine Oberseite 210 und eine der Oberseite 210 gegenüberliegende Unterseite 220 auf. Die Oberseite 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 bildet eine Strahlungsemissionsfläche des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 200. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte elektromagnetische Strah- lung wird an der durch die Oberseite 210 gebildeten Strahlungsemissionsfläche abgestrahlt . The optoelectronic semiconductor chip 200 has a top side 210 and a bottom side opposite the top side 210 220 on. The upper side 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 forms a radiation emission surface of the opto ¬ electronic semiconductor chip 200. Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 is emitted at the radiation emission surface formed by the upper side 210.
An der Oberseite 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist eine erste elektrische Kontaktfläche 230 angeordnet. An der Unterseite 220 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist eine zweite elektrische Kontaktfläche 240 angeordnet. Die erste elektrische Kontaktfläche 230 und die zweite elekt¬ rische Kontaktfläche 240 dienen zur elektrischen Kontaktie- rung des optoelektronischen Halbleiterchips 200. Über die erste elektrische Kontaktfläche 230 und die zweite elektri¬ sche Kontaktfläche 240 kann eine elektrische Spannung an den optoelektronischen Halbleiterchip 200 angelegt werden, um eine Emission elektromagnetischer Strahlung durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 zu bewirken. At the upper side 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200, a first electrical contact surface 230 is arranged. On the underside 220 of the optoelectronic semiconductor chip 200, a second electrical contact surface 240 is arranged. The first electrical contact surface 230 and the second elekt ¬ generic contact surface 240 are used for electrically contacting of the optoelectronic semiconductor chip 200 via the first electrical contact surface 230 and the second electrical ¬ specific contact surface 240, an electrical voltage to the optoelectronic semiconductor chip 200 are applied, to cause emission of electromagnetic radiation through the optoelectronic semiconductor chip 200.
Das optoelektronische Bauelement 100 umfasst weiter einen Leiterrahmen mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt 400 und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 500. Der erste Leiterrah¬ menabschnitt 400 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 500 des Leiterrahmens weisen ein elektrisch leitendes Material auf.The optoelectronic device 100 further comprises a lead frame having a first lead frame portion 400 and a second lead frame portion 500. The first Leiterrah ¬ menabschnitt 400 and the second lead frame portion 500 of the lead frame have an electrically conductive material.
Beispielsweise können der erste Leiterrahmenabschnitt 400 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 500 Kupfer aufweisen. Der erste Leiterrahmenabschnitt 400 und der zweite Leiterrahmen¬ abschnitt 500 können außerdem eine lötfähige Oberflächenme- tallisierung aufweisen. Beispielsweise können der ersten Leiterrahmenabschnitt 400 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 500 eine Oberflächenmetallisierung mit einer Legierung aufweisen, die Nickel, Palladium und Gold umfasst. Der erste Leiterrahmenabschnitt 400 und der zweite Leiterrahmenab- schnitt 500 sind körperlich voneinander getrennt und For example, the first lead frame portion 400 and the second lead frame portion 500 may include copper. The first conductor frame portion 400 and the second lead frame ¬ section 500 may also include a solderable Oberflächenme- metallization. For example, the first leadframe section 400 and the second leadframe section 500 may have surface metallization with an alloy comprising nickel, palladium, and gold. The first lead frame portion 400 and the second lead frame portion 500 are physically separated from each other and
elektrisch gegeneinander isoliert. Der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 400 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 500 des Lei- terrahmens können beispielsweise durch Stanzen und/oder Ätzen hergestellt sein. electrically isolated from each other. The first Leiterrahmenab ¬ section 400 and the second conductor frame section 500 of the LEI terrahmens can be made for example by punching and / or etching.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 400 weist eine Chipaufnah- mefläche 410 und eine der Chipaufnahmefläche 410 gegenüber¬ liegende erste Lötkontaktfläche 420 auf. Der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip 200 ist auf der Chipaufnahmefläche 410 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 angeordnet. Dabei ist die Unterseite 220 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 der Chipaufnahmefläche 410 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 zugewandt und mit dieser über ein elektrisch leitendes Verbindungsmittel 260 verbunden. Das Verbindungsmittel 260 kann beispielsweise ein Lot oder ein Leitkleber sein. Dadurch besteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der an der Unterseite 220 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordneten zweiten elektrischen Kontaktfläche 240 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 400. Somit besteht auch eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten elektrischen Kontaktfläche 240 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und der ersten Lötkontaktfläche 420 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400. The first conductor frame portion 400 has a die receiving surface 410 and the chip seating surface 410 against ¬ opposed first solder pad 420 on. The optoelectronic ¬ specific semiconductor chip 200 is disposed on the die receiving surface 410 of the first lead frame portion 400th In this case, the underside 220 of the optoelectronic semiconductor chip 200 faces the chip receiving surface 410 of the first leadframe section 400 and is connected thereto via an electrically conductive connection means 260. The connecting means 260 may be, for example, a solder or a conductive adhesive. As a result, there is an electrically conductive connection between the second electrical contact surface 240 of the optoelectronic semiconductor chip 200 and the first conductor frame section 400 arranged on the underside 220 of the optoelectronic semiconductor chip 200. Thus, there is also an electrically conductive connection between the second electrical contact surface 240 of the optoelectronic semiconductor chip 200 and first solder pad 420 of the first lead frame portion 400.
Der zweite Leiterrahmenabschnitt 500 weist eine Bondfläche 510 und eine der Bondfläche 510 gegenüberliegende zweite Löt- kontaktfläche 520 auf. Die an der Oberseite 210 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 200 angeordnete erste elektri¬ sche Kontaktfläche 230 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist mittels eines Bonddrahts 250 elektrisch leitend mit der Bondfläche 510 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 verbunden. Dadurch besteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Lötkontaktfläche 520 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 und der ersten elektrischen Kon¬ taktfläche 230 des optoelektronischen Halbleiterchips 200. Der erste Leiterrahmenabschnitt 400, der zweite Leiterrahmen¬ abschnitt 500 und der optoelektronische Halbleiterchip 200 sind in einen Gehäusekörper 300 des optoelektronischen Bauelements 100 eingebettet. Der Gehäusekörper 300 weist eine Oberseite 310 und eine der Oberseite 310 gegenüberliegende Unterseite 320 auf. Die erste Lötkontaktfläche 420 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 ist zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper 300 bedeckt und an der Unterseite 320 des Gehäusekörpers 300 zugänglich. Auch die zweite Lötkon¬ taktfläche 520 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 ist zu¬ mindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper 300 bedeckt und an der Unterseite 320 des Gehäusekörpers 300 zugänglich. Bevorzugt schließen die erste Lötkontaktfläche 420 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 und die zweite Lötkontaktfläche 520 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 etwa bündig mit der Unterseite 320 des Gehäusekörpers 300 ab. Die übrigen Teile des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 sind bevorzugt vollständig in den Gehäusekörper 300 eingebettet. Auch der optoelektronischeThe second leadframe section 500 has a bonding surface 510 and a second soldering contact surface 520 lying opposite the bonding surface 510. Which is arranged on the upper side 210 of the opto ¬ electronic semiconductor chip 200 first electrical ¬ specific contact surface 230 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is electrically connected with the bonding surface 510 of the second lead frame portion 500 by means of a bonding wire 250th This provides an electrically conductive connection between the second solder pad 520 of the second lead frame portion 500 and the first electrical Kon ¬ clock face 230 of the optoelectronic semiconductor chip 200. The first conductor frame portion 400, the second lead frame ¬ portion 500 and the optoelectronic semiconductor chip 200 are in a housing body 300 of the embedded optoelectronic device 100. The housing body 300 has a Top 310 and one of the top 310 opposite bottom 320 on. The first solder contact surface 420 of the first leadframe section 400 is at least partially not covered by the housing body 300 and accessible on the underside 320 of the housing body 300. Also, the second clock Lötkon ¬ surface 520 of the second lead frame portion 500 is ¬ least partially not covered by the housing body 300 and accessible at the bottom 320 of the housing body 300th Preferably, the first solder pad 420 of the first lead frame section 400 and the second solder pad 520 of the second lead frame section 500 terminate approximately flush with the underside 320 of the housing body 300. The remaining parts of the first lead frame section 400 and the second lead frame section 500 are preferably completely embedded in the housing body 300. Also the optoelectronic
Halbleiterchip 200 ist bevorzugt vollständig in den Gehäuse¬ körper 300 eingebettet. Semiconductor chip 200 is preferably completely embedded in the housing ¬ body 300.
Der Gehäusekörper 300 weist bevorzugt ein Material auf, das für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 des optoelektronischen Bauelements 100 emittierte elektromagnetische Strahlung transparent ist. Der Gehäusekörper 300 kann beispielsweise Silikon aufweisen. Der Gehäusekörper 300 kann beispielsweise durch einen Spritz- gussprozess (Injection Molding), durch einen Spritzpresspro- zess (Transfer Molding) oder durch einen Formpressprozess (Compression Molding) hergestellt sein. Dabei wurden der erste Leiterrahmenabschnitt 400, der zweite Leiterrahmenab- schnitt 500, der optoelektronische Halbleiterchip 200 und der sich zwischen der ersten elektrischen Kontaktfläche 230 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und der Bondfläche 510 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 erstreckende Bonddraht 250 bereits während der Herstellung des Gehäusekörpers 300 in das Material des Gehäusekörpers 300 eingebettet. The housing body 300 preferably has a material that is transparent to electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 of the optoelectronic component 100. The housing body 300 may include, for example, silicone. The housing body 300 may be produced, for example, by an injection molding process, by a transfer molding process, or by a compression molding process. In this case, the first leadframe section 400, the second leadframe section 500, the optoelectronic semiconductor chip 200 and the bonding wire 250 extending between the first electrical contact surface 230 of the optoelectronic semiconductor chip 200 and the bonding surface 510 of the second leadframe section 500 have already been formed during the production of the housing body 300 embedded the material of the housing body 300.
Das Material des Gehäusekörpers 300 bedeckt auch die die Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiter- chips 200 bildende Oberseite 210 des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 200. Ein über der Oberseite 210 des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips 200 angeordneter Teil des Gehäusekörpers 300 an der Oberseite 310 des Gehäusekörpers 300 bildet eine optische Linse 330. Im Bereich der optischen Linse 330 ist die Oberseite 310 des Gehäusekörpers 300 konvex geformt. Der die optische Linse 330 bildende Abschnitt des Gehäusekör¬ pers 300 über der Oberseite 201 des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 200 bildet damit eine plan-konvexe Sammellinse. Die optische Linse 330 kann jedoch auch mit anderer Form aus¬ gebildet werden oder gänzlich entfallen. Durch die Ausbildung der optischen Linse 330 als Teil des Gehäusekörpers 300 ent¬ fallen vorteilhafterweise zusätzliche Herstellungsschritte zur Herstellung und Montage einer separaten Linse an dem Ge- häusekörper 300 des optoelektronischen Bauelements 100. The material of the housing body 300 also covers the radiation emission area of the optoelectronic semiconductor device. chips 200 forming upper surface 210 of the optoelectronic semiconductor ¬ semiconductor chip 200. A over the top 210 of the opto-electro ¬ African semiconductor chips 200 arranged in part of the case body 300 at the top 310 of the housing body 300 forms an optical lens 330. In the optical lens 330 is the top 310 of the housing body 300 convex. So that the optical lens 330 of the forming portion Gehäusekör ¬ pers 300 above the top surface 201 of the optoelectronic semiconductor chip 200 ¬ forms a plano-convex convergent lens. However, the optical lens 330 can also be formed with another form ¬ or omitted entirely. By forming the optical lens 330 as part of the housing body 300 fall ent ¬ advantageously additional manufacturing steps for the manufacture and assembly of a separate lens to the overall häusekörper 300 of the optoelectronic component 100th
Dadurch ist das optoelektronische Bauelement 100 besonders kostengünstig herstellbar. Da die optische Linse 330 des optoelektronischen Bauelements 100 durch einen Teil des Gehäusekörpers 300 gebildet wird, kann das optoelektronische Bauelement 100 vorteilhafterweise außerdem mit besonders kom¬ pakten Abmessungen ausgebildet werden. As a result, the optoelectronic component 100 can be produced particularly inexpensively. Since the optical lens 330 of the optoelectronic component 100 is formed by a portion of the housing body 300, the optoelectronic device 100 advantageously may be also formed with particularly com pact ¬ dimensions.
Während des Einbettens des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 in das Material des Gehäusekörpers 300 des optoelektronischen Bauelements 100 kann es im Bereich der Grenzflächen zwischen den Leiterrahmenabschnitten 400, 500 und dem Material des Gehäusekörpers 300 zur Ausbildung von Spalten kommen. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn das Material des Gehäusekörpers 300 Sili- kon aufweist. During embedding of the first lead frame section 400 and the second lead frame section 500 in the material of the package body 300 of the optoelectronic device 100, gaps may be formed in the region of the interfaces between the lead frame sections 400, 500 and the material of the package body 300. This is the case in particular when the material of the housing body 300 comprises silicone.
Würde während einer Montage des optoelektronischen Bauele¬ ments 100 durch einen Lötvorgang ein Teil eines dabei verwendeten Lots entlang der Außenflächen der Leiterrahmenabschnit- te 400, 500 durch die Spalte in den Gehäusekörper 300 des optoelektronischen Bauelements 100 kriechen und dabei bis zur Chipaufnahmefläche 410 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 und/oder zur Bondfläche 510 des zweiten Leiterrahmenab- Schnitts 500 gelangen, so könnte dieses Lot eine Schädigung des Bonddrahts 250 und/oder des optoelektronischen Halbleiterchips 200 bewirken und dadurch zu einem sofortigen oder verzögerten Ausfall des optoelektronischen Bauelements 100 führen. If during assembly of the optoelectronic Bauele ¬ ments 100 by soldering a portion of a solder used in this case along the outer surfaces of the Leiterrahmenabschnit- te 400, 500, scrambling 100 and thereby to the die receiving surface 410 of the first lead frame portion through the gaps in the housing body 300 of the optoelectronic component 400 and / or to the bonding surface 510 of the second lead frame Cut 500, so this solder could cause damage to the bonding wire 250 and / or the optoelectronic semiconductor chip 200 and thereby lead to an immediate or delayed failure of the optoelectronic device 100.
Um dies zu verhindern, weisen die erste Lötkontaktfläche 420 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 und die zweite Lötkon¬ taktfläche 520 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 Struk- turierungen auf, die ein Vordringen von Lot bis zu eventuell ausgebildeten Spalten zwischen den Leiterrahmenabschnitten 400, 500 und dem Material des Gehäusekörpers 300 verhindern. To prevent this, the first solder pad point 420 of the first lead frame portion 400 and the second Lötkon ¬ clock face 520 of the second lead frame portion 500 structural turing on which a penetration of solder to any gaps formed between the lead frame portions 400, 500 and the material of the Prevent housing body 300.
An der ersten Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmenab- Schnitts 400 ist eine erste umlaufende Rille 430 ausgebildet. Die erste umlaufende Rille 430 teilt die erste Lötkontaktflä¬ che 420 in einen inneren Bereich 440 und einen äußeren Bereich 450. Der innere Bereich 440 der ersten Lötkontaktfläche 420 wird durch die erste umlaufende Rille 430 ringförmig um- schlössen. Der äußere Bereich 450 der ersten Lötkontaktfläche 420 grenzt an die Außenkanten der ersten Lötkontaktfläche 420 an. Bevorzugt verläuft die erste umlaufende Rille 430 mög¬ lichst nahe an den Außenkanten der ersten Lötkontaktfläche 420, sodass der innere Bereich 440 einen möglichst großen Teil der ersten Lötkontaktfläche 420 und der äußere BereichAt the first solder contact surface of the first lead frame section 400, a first circumferential groove 430 is formed. The first circumferential groove 430 divides the first solder contact surface 420 into an inner region 440 and an outer region 450. The inner region 440 of the first solder contact surface 420 is surrounded by the first circumferential groove 430 in an annular manner. The outer region 450 of the first solder contact area 420 adjoins the outer edges of the first solder contact area 420. Preferably, the first circumferential groove 430 extends mög ¬ as near at the outer edges of the first solder pad 420 so that the inner portion 440 as large a part of the first solder pad 420 and the outer portion
450 einen möglichst geringen Teil der ersten Lötkontaktfläche 420 bildet. 450 forms the smallest possible part of the first solder contact surface 420.
Die erste umlaufende Rille 430 weist in Richtung parallel zur ersten Lötkontaktfläche 420 eine Breite 431 auf. In Richtung senkrecht zur ersten Lötkontaktfläche 420 weist die erste um¬ laufende Rille 430 eine Tiefe 432 auf. Die Tiefe 432 der ers¬ ten umlaufenden Rille liegt bevorzugt zwischen 10 ym und 1 mm, besonders bevorzugt zwischen 50 ym und 200 ym. Bei- spielsweise kann die Tiefe 432 der ersten umlaufenden Rille 430 100 ym betragen. Die Breite 431 der ersten umlaufenden Rille 430 kann beispielsweise 150 ym betragen. Die zweite Lötkontaktfläche 520 des zweiten Leiterrahmenab¬ schnitts 500 weist eine zweite umlaufende Rille 530 auf. Die zweite umlaufende Rille 530 unterteilt die zweite Lötkontakt¬ fläche 520 in einen inneren Bereich 540 und einen äußeren Be- reich 550. Der innere Bereich 540 wird durch die zweite um¬ laufende Rille 530 ringförmig umschlossen. Bevorzugt verläuft die zweite Rille 530 möglichst nahe an den Außenkanten der zweiten Lötkontaktfläche 520, sodass der innere Bereich 540 einen möglichst großen Teil der zweiten Lötkontaktfläche 520 und der äußere Bereich 550 einen möglichst geringen Teil der zweiten Lötkontaktfläche 520 bildet. Die zweite umlaufende Rille 530 in der zweiten Lötkontaktfläche 520 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 kann eine Breite und eine Tiefe aufweisen, deren Werte in den für die Breite 431 und die Tie- fe 432 der ersten umlaufenden Rille 430 in der ersten Lötkontaktfläche 420 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 angege¬ benen Größenbereichen liegen. The first circumferential groove 430 has a width 431 in the direction parallel to the first solder contact area 420. In the direction perpendicular to the first solder contact surface 420, the first circumferential groove 430 has a depth 432. The depth 432 of the ERS ¬ th circumferential groove is preferably between 10 .mu.m and 1 mm, more preferably between 50 .mu.m and 200 .mu.m. For example, the depth 432 of the first circumferential groove 430 may be 100 ym. The width 431 of the first circumferential groove 430 may be 150 ym, for example. The second solder contact surface 520 of the second Leiterrahmenab ¬ section 500 has a second circumferential groove 530. The second circumferential groove 530 divides the second solder contact ¬ surface 520 in an inner region 540 and an outer region 550. The inner region 540 is surrounded annularly by the second order ¬ running groove 530th The second groove 530 preferably runs as close as possible to the outer edges of the second solder contact area 520, so that the inner area 540 forms as large a part of the second solder contact area 520 and the outer area 550 forms the smallest possible part of the second solder contact area 520. The second circumferential groove 530 in the second solder pad 520 of the second lead frame portion 500 may have a width and a depth whose values are in the width 431 and the depth 432 of the first circumferential groove 430 in the first solder pad 420 of the first lead frame portion 400 are angege ¬ given size ranges.
Die erste umlaufende Rille 430 des ersten Leiterrahmenab- Schnitts 400 und die zweite umlaufende Rille 530 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 sind frei von dem Material des Ge¬ häusekörpers 300, also nicht durch den Gehäusekörper 300 be¬ deckt . Die erste umlaufende Rille 430 des ersten Leiterrahmenab¬ schnitts 400 und die zweite umlaufende Rille 530 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 können beispielsweise durch einen Ätzprozess angelegt worden sein. Beispielsweise können die erste umlaufende Rille 430 und die zweite umlaufende Rille 530 bereits während der Herstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 500 an¬ gelegt worden sein. The first circumferential groove 430 of the first Leiterrahmenab- section 400 and the second circumferential groove 530 of the second lead frame portion 500 are free from the material of Ge ¬ häusekörpers 300, so do not be ¬ covered by the housing body 300th The first circumferential groove 430 of the first Leiterrahmenab ¬ section 400 and the second circumferential groove 530 of the second lead frame portion 500 may have been created for example by an etching process. For example, the first circumferential groove 430 and the second circumferential groove 530 may have been set at 500 ¬ already during manufacture of the first lead frame portion 400 and the second lead frame portion.
Fig. 1 zeigt in schematischer Schnittdarstellung eine Leiter- platte 600. Die Leiterplatte 600 kann auch als PCB bezeichnet werden. An der Oberseite der Leiterplatte 600 sind eine erste Lötfläche 610 und eine zweite Lötfläche 620 angeordnet. Die erste Lötfläche 610 und die zweite Lötfläche 620 sind jeweils mit weiteren elektrischen Verbindungselementen, beispielsweise Leiterbahnen, der Leiterplatte 600 elektrisch verbunden, was in der schematischen Darstellung der Fig. 1 jedoch nicht gezeigt ist. 1 shows a schematic sectional view of a printed circuit board 600. The printed circuit board 600 can also be referred to as a PCB. On the upper side of the printed circuit board 600, a first soldering surface 610 and a second soldering surface 620 are arranged. The first soldering surface 610 and the second soldering surface 620 are respectively with further electrical connection elements, such as tracks, the circuit board 600 electrically connected, which is not shown in the schematic representation of FIG.
Die erste Lötfläche 610 weist in Richtung parallel zur Ober¬ seite der Leiterplatte 600 laterale Abmessungen auf, die etwa den lateralen Abmessungen des inneren Bereichs 440 der ersten Lötkontaktfläche 420 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 des optoelektronischen Bauelements 100 entsprechen. Die zweite Lötfläche 620 der Leiterplatte 600 weist in Richtung pa¬ rallel zur Oberseite der Leiterplatte 600 laterale Abmessun¬ gen auf, die etwa den lateralen Abmessungen des inneren Bereichs 540 der zweiten Lötkontaktfläche 520 des Leiterrahmen- abschnitts 500 des optoelektronischen Bauelements 100 ent¬ sprechen. Der Abstand zwischen der ersten Lötfläche 610 und der zweiten Lötfläche 620 der Leiterplatte 600 entspricht et¬ wa dem Abstand zwischen dem inneren Bereich 440 der ersten Lötkontaktfläche 420 des optoelektronischen Bauelements 100 und dem inneren Bereich 540 der zweiten Lötkontaktfläche 520 des optoelektronischen Bauelements 100. In der Umgebung der ersten Lötfläche 610 und der zweiten Lötfläche 620 ist an der Oberseite der Leiterplatte 600 jeweils ein Lötstopmaterial 630 angeordnet. The first solder pad 610 points in the direction parallel to the top side of the printed circuit board 600 ¬ lateral dimensions which correspond approximately to the lateral dimensions of the inner region 440 of the first solder pad 420 of the first lead frame portion 400 of the optoelectronic component 100th The second solder pad 620 of the printed circuit board 600 has in direction pa ¬ rallel to the top surface of the circuit board 600 lateral Abmessun ¬ gene, which portion is approximately the lateral dimensions of the inner region 540 of the second solder pad 520 of the lead frame 500 of the optoelectronic device 100 speak ent ¬. The distance between the first solder pad 610 and the second solder pad 620 of the printed circuit board 600 corresponds et ¬ wa to the distance between the inner portion 440 of the first solder pad 420 of the optoelectronic component 100 and the inner portion 540 of the second solder pad 520 of the optoelectronic component 100. In the In the vicinity of the first soldering surface 610 and the second soldering surface 620, a solder stop material 630 is arranged on the upper side of the printed circuit board 600.
Das optoelektronische Bauelement 100 ist auf einer Oberseite der Leiterplatte 600 montiert. Hierzu wird das optoelektroni¬ sche Bauelement 100 derart an der Oberseite der Leiterplatte 600 angeordnet, dass der innere Bereich 440 der ersten Löt- kontaktfläche 420 über der ersten Lötfläche 610 und der inne¬ re Bereich 540 der zweiten Lötkontaktfläche 520 über der zweiten Lötfläche 620 angeordnet ist. Dann werden die erste Lötkontaktfläche 420 und die zweite Lötkontaktfläche 520 bei¬ spielsweise mittels Wiederaufschmelzlöten an der ersten The optoelectronic component 100 is mounted on an upper side of the printed circuit board 600. To this end, the optoelectronic ¬ specific component 100 is such arranged on the upper side of the circuit board 600, that the inner region 440 of the first solder pad 420 through the first solder pad 610 and the inherent re ¬ area 540, the second solder pad 520 on the second soldering surface 620 disposed is. Then, the first solder pad 420 and the second solder pad 520 at ¬ example by means of reflow soldering at the first
Lötfläche 610 und der zweiten Lötfläche 620 befestigt. Dabei kann es zwischen der ersten Lötfläche 610 und dem inneren Bereich 440 der ersten Lötkontaktfläche 420 wie auch zwischen der zweiten Lötfläche 620 und dem inneren Bereich 540 der zweiten Lötkontaktfläche 520 jeweils zur Ausbildung von Ka¬ pillarkräften kommen, die eine laterale Ausbreitung des flüssigen Lots fördern. In den Bereichen der ersten umlaufenden Rille 430 der ersten Lötkontaktfläche 420 wie auch der zwei- ten umlaufenden Rille 530 der zweiten Lötkontaktfläche 520 werden diese Kapillarkräfte jedoch unterbrochen, sodass eine laterale Ausbreitung des Lots über die inneren Bereiche 440, 540 der Lötkontaktflächen 420, 520 des optoelektronischen Bauelements 100 hinaus verhindert wird. Dadurch gelangt flüs- siges Lot nicht zu den äußeren Bereichen 450, 550 der Lötkontaktflächen 420, 520 der Leiterrahmenabschnitte 400, 500 des optoelektronischen Bauelements 100 und damit auch nicht zu eventuellen Spalten an den Grenzflächen zwischen den Außenflächen der Leiterrahmenabschnitte 400, 500 und dem Material des Gehäusekörpers 300. Hierdurch wird die Gefahr reduziert, dass flüssiges Lot entlang dieser Spalte in das Innere des Gehäusekörpers 300 des optoelektronischen Bauelements 100 vordringen kann. Zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 100 werden zunächst der erste Leiterrahmenabschnitt 400 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 500 bereitgestellt. Der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip 200 wird in der beschriebenen Weise auf der Chipaufnahmefläche 410 des ersten Leiterrahmenabschnitts 400 angeordnet und mittels des Verbindungsmittels 260 mit dieser verbunden. Anschließend wird die an der Oberseite 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnete erste elektrische Kontaktfläche 230 mittels des Bonddrahts 250 elektrisch leitend mit der Bondfläche 510 des zweiten Leiter- rahmenabschnitts 500 verbunden. Dann werden der optoelektro¬ nische Halbleiterchip 200, der erste Leiterrahmenabschnitt 400 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 500 in den Gehäuse¬ körper 300 eingebettet. Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abge- , , Soldering surface 610 and the second soldering surface 620 attached. In this case, between the first soldering surface 610 and the inner region 440 of the first soldering contact surface 420 as well as between the second soldering surface 620 and the inner region 540 of FIG second solder contact surface 520 each come to the formation of Ka ¬ pillarkräften that promote a lateral spread of the liquid solder. However, in the regions of the first circumferential groove 430 of the first solder contact area 420 as well as the second circumferential groove 530 of the second solder contact area 520, these capillary forces are interrupted so that a lateral spread of the solder over the inner areas 440, 540 of the solder contact areas 420, 520 of the solder contact area 420 Optoelectronic device 100 is also prevented. As a result, liquid solder does not reach the outer regions 450, 550 of the solder contact surfaces 420, 520 of the leadframe sections 400, 500 of the optoelectronic component 100 and therefore also not to any gaps at the interfaces between the outer surfaces of the leadframe sections 400, 500 and the material of FIG Housing body 300. This reduces the risk that liquid solder along this column can penetrate into the interior of the housing body 300 of the optoelectronic device 100. To produce the optoelectronic component 100, first the first leadframe section 400 and the second leadframe section 500 are provided. The optoelectronic ¬ specific semiconductor chip 200 is arranged in the described manner on the die receiving surface 410 of the first lead frame portion 400 and connected by means of the connecting means 260 with this. Subsequently, the first electrical contact surface 230 arranged on the upper side 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is electrically conductively connected to the bonding surface 510 of the second conductor frame section 500 by means of the bonding wire 250. Then, the optoelectronic ¬ African semiconductor chip 200, the first lead frame portion 400 and the second lead frame portion 500 are embedded in the housing ¬ body 300. The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred Ausführungsbei ¬ games. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations can be deducted from this by the expert. ,,
1 b  1 b
leitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . be directed, without departing from the scope of the invention.
γ ηγ η
Bezugs zeichenliste Reference sign list
100 optoelektronisches Bauelement 200 optoelektronischer Halbleiterchip100 optoelectronic component 200 optoelectronic semiconductor chip
210 Oberseite 210 top
220 Unterseite  220 bottom
230 erste elektrische Kontaktfläche 230 first electrical contact surface
240 zweite elektrische Kontaktfläche 250 Bonddraht 240 second electrical contact surface 250 bonding wire
260 Verbindungsmittel  260 connecting means
300 Gehäusekörper 300 housing body
310 Oberseite  310 top
320 Unterseite  320 bottom
330 optische Linse  330 optical lens
400 erster Leiterrahmenabschnitt400 first ladder frame section
410 Chipaufnahmefläche 410 chip receiving surface
420 erste Lötkontaktfläche  420 first solder contact surface
430 erste umlaufende Rille  430 first circumferential groove
431 Breite  431 width
432 Tiefe  432 depth
440 innerer Bereich  440 inner area
450 äußerer Bereich  450 outer area
500 zweiter Leiterrahmenabschnitt500 second ladder frame section
510 Bondfläche 510 bond area
520 zweite Lötkontaktfläche  520 second solder contact surface
530 zweite umlaufende Rille  530 second circumferential groove
540 innerer Bereich  540 inner area
550 äußerer Bereich  550 outer area
600 Leiterplatte 600 circuit board
610 erste Lötfläche  610 first soldering surface
620 zweite Lötfläche  620 second soldering surface
630 Lötstopmaterial  630 solder stop material

Claims

Patentansprüche claims
1. Optoelektronisches Bauelement (100) 1. Optoelectronic component (100)
mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (400), der eine Chipaufnahmefläche (410) und eine erste Lötkontaktfläche a first leadframe portion (400) having a die receiving surface (410) and a first soldering pad
(420) aufweist, (420),
und einem optoelektronischen Halbleiterchip (200), der auf der Chipaufnahmefläche (410) angeordnet ist,  and an optoelectronic semiconductor chip (200) disposed on the chip receiving surface (410),
wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (400) und der opto- elektronische Halbleiterchip (200) in einen Gehäusekörper wherein the first leadframe portion (400) and the opto-electronic semiconductor chip (200) are housed in a housing body
(300) eingebettet sind, (300) are embedded,
wobei die erste Lötkontaktfläche (420) zumindest teilwei¬ se nicht durch den Gehäusekörper (300) bedeckt ist, wobei die erste Lötkontaktfläche (420) eine erste umlau- fende Rille (430) aufweist. wherein said first solder pad (420) is covered at least teilwei ¬ se not through the housing body (300), said first solder pad (420) having a first umlauts Fende groove (430).
2. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, 2. Optoelectronic component (100) according to claim 1,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) voll¬ ständig in den Gehäusekörper (300) eingebettet ist. wherein the optoelectronic semiconductor chip (200) ¬ fully continuously into the housing body (300) is embedded.
3. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, 3. The optoelectronic device (100) according to any of reciprocating before ¬ claims,
wobei der Gehäusekörper (300) ein optisch transparentes Material aufweist.  wherein the housing body (300) comprises an optically transparent material.
4. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, 4. The optoelectronic device (100) according to any of reciprocating before ¬ claims,
wobei der Gehäusekörper (300) Silikon aufweist. 5. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, wherein the housing body (300) comprises silicone. 5. The optoelectronic device (100) according to any of reciprocating before ¬ claims,
wobei ein Abschnitt des Gehäusekörpers (300) eine opti¬ sche Linse (330) bildet. wherein a portion of the housing body (300) forms an opti ¬ cal lens (330).
6. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, 6. The optoelectronic device (100) according to any of reciprocating before ¬ claims,
wobei die erste umlaufende Rille (430) eine Tiefe (432) zwischen 10 ym und 1 mm aufweist, bevorzugt eine Tiefe (432) zwischen 50 ym und 200 ym. wherein the first circumferential groove (430) has a depth (432) between 10 ym and 1 mm, preferably a depth (432) between 50 ym and 200 ym.
Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, The optoelectronic component (100) according to any of reciprocating before ¬ claims,
wobei ein zweiter Leiterrahmenabschnitt (500) mit einer zweiten Lötkontaktfläche (520) in den Gehäusekörper (300) eingebettet ist, wherein a second leadframe portion (500) having a second solder contact area (520) is embedded in the housing body (300),
wobei die zweite Lötkontaktfläche (520) zumindest teil¬ weise nicht durch den Gehäusekörper (300) bedeckt ist, wobei die zweite Lötkontaktfläche (520) eine zweite um¬ laufende Rille (530) aufweist. wherein said second solder pad (520) at least partially ¬ as not through the housing body (300) is covered, wherein the second solder pad (520) has a second order ¬ running groove (530).
Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 7, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) The optoelectronic component (100) according to claim 7, wherein the optoelectronic semiconductor chip (200).
elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (500) verbunden ist. electrically connected to the second lead frame section (500) is connected.
Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 8, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) über ei¬ nen in den Gehäusekörper (300) eingebetteten Bonddraht (250) mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (500) verbun¬ den ist. The optoelectronic component (100) according to claim 8, wherein the optoelectronic semiconductor chip (200) ei ¬ NEN into the housing body (300) embedded bonding wire (250) with the second lead frame portion (500) verbun ¬ is.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100) Method for producing an optoelectronic component (100)
mit den folgenden Schritten: with the following steps:
- Bereitstellen eines ersten Leiterrahmenabschnitts (400) mit einer Chipaufnahmefläche (410) und einer ersten Löt¬ kontaktfläche (420), die eine erste umlaufende Rille (430) aufweist; - Providing a first lead frame portion (400) having a chip receiving surface (410) and a first solder ¬ contact surface (420) having a first circumferential groove (430);
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (200) auf der Chipaufnahmefläche (410);  - placing an optoelectronic semiconductor chip (200) on the chip receiving surface (410);
- Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts (400) und des optoelektronischen Halbleiterchips (200) in einen Ge¬ häusekörper (300), wobei die erste Lötkontaktfläche (420) zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper (300) bedeckt wird. - Embedding the first lead frame portion (400) and the optoelectronic semiconductor chip (200) in a Ge ¬ housing body (300), wherein the first solder pad (420) is at least partially not covered by the housing body (300).
11. Verfahren nach Anspruch 10, 11. The method according to claim 10,
wobei der Gehäusekörper (300) durch Formpressen ausgebildet wird.  wherein the housing body (300) is formed by molding.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 und 11, 12. The method according to any one of claims 10 and 11,
wobei die erste umlaufende Rille (430) durch Ätzen an der ersten Lötkontaktfläche (420) angelegt wird.  wherein the first circumferential groove (430) is etched on the first solder pad (420).
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, 13. The method according to any one of claims 10 to 12,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) voll¬ ständig in den Gehäusekörper (300) eingebettet wird. wherein the optoelectronic semiconductor chip (200) ¬ fully continuously into the housing body (300) is embedded.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, 14. The method according to any one of claims 10 to 13,
wobei der Gehäusekörper (300) so ausgebildet wird, dass ein Abschnitt des Gehäusekörpers (300) eine optische Lin¬ se (330) bildet. wherein the housing body (300) is formed such that a portion of the housing body (300) forms an optical lens (330).
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, 15. The method according to any one of claims 10 to 14,
wobei ein zweiter Leiterrahmenabschnitt (500) mit einer zweiten Lötkontaktfläche (520), die eine zweite umlaufen¬ de Rille (530) aufweist, bereitgestellt wird, a second lead frame portion (500) having a second solder pad (520) having a second revolving ¬ de groove (530) is provided,
wobei der zweite Leiterrahmenabschnitt (500) elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) verbunden und gemeinsam mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt (400) und dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) in den Gehäusekörper (300) eingebettet wird, wobei die zweite Lötkontaktfläche (520) zumindest teil¬ weise nicht durch den Gehäusekörper (300) bedeckt wird. wherein the second leadframe section (500) is electrically conductively connected to the optoelectronic semiconductor chip (200) and embedded in the housing body (300) together with the first leadframe section (400) and the optoelectronic semiconductor chip (200), wherein the second soldered pad (520) is at least Part ¬ way is not covered by the housing body (300).
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