WO2014184997A1 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

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cooling water
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target material
film forming
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玉垣　浩
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    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452—Magnet distribution

Definitions

  • the present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method that enable stable film formation on substrates having different sizes.
  • a film forming apparatus such as a magnetron sputtering apparatus is configured to generate plasma on the surface of a base material such as a synthetic resin film and perform film formation using the generated plasma.
  • An evaporation source for sputtering used in such a film forming apparatus includes a magnet unit that forms a magnetic field for generating plasma and a target material formed from a film forming material.
  • the magnet unit is composed of a long bar-shaped central magnet provided on the surface of the yoke and an outer peripheral magnet provided on the surface of the yoke so as to surround the central magnet.
  • uniform plasma can be formed along the longitudinal direction.
  • the target material is installed on the front side of the backing plate, and the magnet unit is installed on the back side of the backing plate.
  • a voltage is applied to the evaporation source using a power source or the like, plasma is generated along the magnetic field formed near the surface of the target material by the magnet unit, and the generated plasma is used to form a film on the surface of the substrate. It becomes possible to do.
  • Patent Document 1 discloses a film forming apparatus having the above-described racetrack-type magnet unit, which cools a target material through a backing plate by circulating cooling water so as to penetrate the inside of the magnet unit.
  • a film forming apparatus is disclosed.
  • a pipe for circulating cooling water is formed in the cathode body.
  • the width of the substrate on which the film is formed does not fluctuate so much, and the film forming apparatus is generally designed to form a film on a substrate having a predetermined width. is there.
  • the film forming apparatus is generally designed to form a film on a substrate having a predetermined width. is there.
  • a base material having a width that is narrower than usual may actually be formed.
  • a sputter roll coater which unwinds a film substrate wound in a roll shape, continuously forms a film while moving in front of the sputtering evaporation source, and winds it again in a roll shape.
  • a film substrate near the maximum width of the apparatus is deposited.
  • it may be necessary to form a film on a film substrate that is much narrower than the maximum width of the apparatus for example, half or less.
  • use a sputter evaporation source of a size suitable for the film forming process of the maximum width film base attach a vapor deposition mask according to the film width, and perform film formation while blocking unnecessary vapor. .
  • the present invention provides a film forming apparatus and a film forming apparatus that can form films on substrates having different widths by replacing only the magnet unit and target material constituting the evaporation source without replacing the evaporation source itself. It aims to provide a method.
  • a film forming apparatus provided by the present invention is a film forming apparatus that forms a film on a surface of a substrate to be transported using an evaporation source facing the substrate, and the evaporation source is formed of a film forming material.
  • a cathode body that houses the magnet unit, and a cooling water passage that is a space formed by separating the magnet unit and a backing plate and in which cooling water can flow.
  • a magnet unit having a short size can be provided correspondingly.
  • target material characterized in that the short size of the target material corresponding to the width of the magnet units deployed is deployed.
  • the film forming method of the present invention when the film is formed on the surface of the base material using the above-described film forming apparatus, the film is formed on the surface of the narrow base material that is narrower than the base material.
  • a short-sized magnet unit is provided, and a target material having a short size corresponding to the width of the provided magnet unit is provided to perform film formation.
  • FIG. 1B is a diagram obtained by rotating the IB-IB cross-sectional view of FIG. 1A by 90 ° counterclockwise. It is a cross-sectional top view which shows the structure of the evaporation source of 1st Embodiment in the case of forming the base material of a normal width
  • FIG. 2B is a sectional view taken along line IIB-IIB in FIG. 2A. It is a cross-sectional top view which shows the evaporation source of 1st Embodiment in the case of film-forming a narrow base material.
  • FIG. 4B is a sectional view taken along line IVB-IVB in FIG. 4A. It is a cross-sectional top view which shows the evaporation source of 2nd Embodiment in the case of forming a base material with a narrow width.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line VB-VB in FIG. 5A. It is a cross-sectional top view which shows the structure of the evaporation source of 3rd Embodiment in the case of forming a base material with a narrow width
  • FIG. 6B is a sectional view taken along line VIB-VIB in FIG. 6A. It is a cross-sectional top view which shows the structure of the conventional evaporation source in the case of film-forming a narrow base material.
  • FIG. 1A shows the overall configuration of the film forming apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B shows a cross-sectional view of the evaporation source 2.
  • the film forming apparatus 1 has a box-shaped vacuum chamber 3 whose inside can be evacuated.
  • a vacuum pump (not shown) is connected to the vacuum chamber 3 via an exhaust pipe or the like, and the inside of the vacuum chamber 3 is brought into a vacuum or an extremely low pressure state by exhausting using the vacuum pump.
  • a film formation drum 4 is provided that guides a base material W such as a film to be formed by winding it around the outer peripheral surface.
  • an unwinding roll 5 for feeding the substrate W toward the film forming drum 4 and a winding roll for winding the substrate W formed on the film forming drum 4. 6 are provided.
  • an evaporation source 2 is arranged inside the vacuum chamber 3 so as to face the substrate W wound around the film formation drum 4.
  • the evaporation source 2 is supplied with power for plasma generation (DC (direct current), PulseDC (intermittent direct current), MF-AC (intermediate frequency range alternating current) or RF (high frequency)) from a plasma power source (not shown).
  • DC direct current
  • PulseDC intermittent direct current
  • MF-AC intermediate frequency range alternating current
  • RF radio frequency
  • the vertical direction of the paper surface of FIG. 2A is referred to as the front-rear direction when the film forming apparatus 1 is described.
  • the left-right direction on the paper surface of FIG. 2A is referred to as the left-right direction when the film forming apparatus 1 is described.
  • the vertical direction of the paper surface of FIG. 2B is referred to as the vertical direction when the film forming apparatus 1 is described.
  • the film forming apparatus 1 of the present invention will be described with reference to an example of an apparatus that forms a film using the magnetron sputtering method.
  • the substrate W having a normal width is referred to as a “normal substrate”, and the substrate W having a width narrower than that of the normal substrate is referred to as a “narrow substrate”.
  • FIG. 2A shows the configuration of the evaporation source 2 according to the first embodiment in the case where a substrate W (normal substrate) is formed.
  • the evaporation source 2 includes a flat target material 7 formed of a film forming material, a backing plate 8 on which the target material 7 is attached, and a backing plate 8. And a magnet unit 9 for forming a magnetic field for magnetron discharge on the target material 7.
  • the target material 7, the backing plate 8, the magnet unit 9, the cathode body 10, the water channel plate 11, and the cooling water flow channel 12 that constitute the evaporation source 2 of the first embodiment will be described.
  • the width of the target material 7 is formed so as to be slightly wider than the normal base material, corresponding to the width of the normal base material described above. Further, the target material 7 is supplied with power for generating plasma from the above-described plasma power source through the cathode body 10 and is applied with a voltage capable of forming plasma on the surface.
  • the backing plate 8 is usually formed in a plate shape with a metal, and copper that is excellent in both thermal conductivity and electrical conductivity is used, but SUS or the like can also be used.
  • the surface of the backing plate 8 is smooth, and the backing plate 8 itself can be reused by attaching or peeling the target material 7 described above.
  • the yoke 14 is formed in a plate shape with a magnetic material such as soft iron.
  • a plate-shaped outer peripheral magnet 16 is provided on the outer edge of the yoke 14 so as to stand in a direction perpendicular to the surface of the yoke 14 (front-rear direction).
  • the outer peripheral magnet 16 is composed of a combination of a plurality of plate magnets. Specifically, the outer peripheral magnet 16 extends along the long side direction (left and right direction) of the backing plate 8 and is arranged in parallel with each other, and a pair of long plate magnets 16L and the short side direction of the backing plate 8 A pair of short plate magnets 16 ⁇ / b> S that extend along (vertical direction) and are arranged in parallel to each other. All of these four plate magnets are arranged so that the end portions facing the target material 7 side (front side) have the same magnetic pole.
  • the magnet unit 9 has a rectangular shape.
  • the outer shape of the short plate magnet 16S disposed at the end of the outer magnet may be an arc shape, and the outer shape may be a racetrack shape.
  • the cathode body 10 is a rectangular container that can accommodate the magnet unit 9 described above.
  • a recess 17 is formed that opens toward the target material 7 side.
  • the concave portion 17 has an inner dimension slightly larger than that of the magnet unit 9 in the vertical direction and the horizontal direction, and can accommodate the magnet unit 9 therein. Further, the depth of the recess 17, in other words, the inner dimension of the recess 17 in the front-rear direction is generally about the thickness of the magnet unit 9, but is a dimension that can accommodate the magnet unit 9 in combination with other members. And good.
  • a cooling water supply / discharge pipe 18 for supplying cooling water is formed on the cathode body 10 on the outer side in the left-right direction with respect to the recess 17.
  • the cooling water supply / drainage pipe 18 penetrates the cathode body 10 in the thickness direction (front-rear direction), and is provided at least two places (four places in the drawing) around the recess 17.
  • the cooling water supply / discharge pipe 18 located on the left side of the magnet unit 9 is used as an introduction pipe for supplying the cooling water before cooling, and on the right side of the magnet unit 9.
  • the cooling water supply / discharge pipe 18 positioned is used as a lead-out pipe for draining the cooled cooling water.
  • the cooling water supply / discharge pipes 18 are provided at four locations, and the backing plate is cooled by two independent systems.
  • the cooling water supply / discharge piping 18 may be provided at two places, and the flow of the cooling water may be controlled by the water channel accordingly.
  • the film forming apparatus 1 of the first embodiment includes a water channel plate 11 disposed between the two members and separating (separating) them between the cathode body 10 and the backing plate 8.
  • a channel groove 13 is formed on the surface of the water channel plate 11, and when the water channel plate 11 and the backing plate 8 are overlapped, the cooling water is circulated in a space formed by separating the magnet unit 9 and the backing plate 8. Possible cooling water flow paths 12 can be formed.
  • the water channel plate 11 is disposed on the front side of the cathode body 10, closes the opening of the concave portion 17 of the cathode body 10, and functions as a lid of the concave portion 17.
  • the size of the water channel plate 11 is substantially the same as the outer size of the cathode body 10 so that the entire front surface of the cathode body 10 can be covered.
  • a cooling water channel 12 is formed for circulating the cooling water.
  • the cooling water flow path 12 cools the cooling water supplied through the cooling water supply / discharge pipe 18 on the left side of the cathode body 10 while flowing through the inside of the water channel plate 11, and cools the cooling water on the right side of the cathode body 10.
  • the cooling water supply / discharge pipe 18 is configured to discharge. Specifically, the cooling water flow path 12 extends from the connection point with the left cooling water supply / discharge pipe 18 toward the front side so as to penetrate the inside of the water channel plate 11 in the front-rear direction. Next, the cooling water channel 12 extending to the front surface of the water channel plate 11 changes its direction on the front surface of the water channel plate 11, and extends the gap between the backing plate 8 and the water channel plate 11 along the left-right direction. Finally, the cooling water channel 12 extends rearward so as to penetrate the inside of the water channel plate 11 in the front-rear direction, and discharges the cooling water from the right cooling water supply / discharge pipe 18 to the outside of the water channel plate 11. Yes.
  • a portion along the front surface of the water channel plate 11 is a flow path groove 13 through which the cooling water flows along the left-right direction.
  • the channel groove 13 is opened toward the front side, and cooling water can be directly brought into contact with the surface of the backing plate 8 superimposed on the water channel plate 11 so that the backing plate 8 can be efficiently cooled.
  • the range where the flow channel 13 is formed on the surface of the water channel plate 11 covers the entire front surface of the magnet unit 9, and heat is input from the plasma to a position corresponding to the magnet unit 9.
  • the target 7 to be received can be cooled via the backing plate 8.
  • the cathode plate with the backing plate 8 and the water channel plate 11 fastened in advance is provided. It can be removed from the body 10.
  • the cooling water pipe 112 is formed so as to penetrate the inside of the magnet unit 109 in the front-rear direction, and is supplied through the cooling water pipe 112 on the left side.
  • the cooled water is guided to a water channel that is formed between the central magnet 115 and the outer peripheral magnet 116 and faces in the left-right direction, and the target 107 is cooled via the backing plate 108, and is used for cooling.
  • the cooling water is drained through the cooling water pipe 112 on the right side.
  • the size of the magnet unit 109 is changed by this evaporation source, as shown in FIG. 6C, the position of the cooling water pipe 112 of the cathode body and the position of the cooling water pipe 112 of the magnet unit 109 are not matched. It becomes impossible to supply. Therefore, the size of the magnet unit cannot be changed with a conventional evaporation source.
  • the cooling water flow path 12 is formed in the cathode body 10 and the water channel plate 11 that are fixed regardless of the width of the base material W. Even if the widths of the target material 7 and the magnet unit 9 are changed correspondingly, the position of the cooling water flow path 12 does not change, and the cooling does not become insufficient.
  • the cooling water is circulated through the cooling water pipe 112.
  • the target material 7 can be cooled via the backing plate 8, and stable film formation on a normal substrate is possible.
  • FIG. 3B when a film is formed on a narrow base material having a width smaller than that of the normal base material, a short target material 7 and a magnet unit 9 corresponding to the base material width of the narrow base material Prepare. Even if it does so, it is possible to distribute
  • the evaporation source 2 is configured without replacing the entire evaporation source 2. By replacing only the magnet unit 9 and the target material 7, it is possible to perform film formation without waste corresponding to the size change of the substrate W.
  • the water channel plate 11 is provided between the backing plate 8 and the cathode body 10 described above, the water channel plate 11 can be easily attached to and detached from the cathode body 10 together with the backing plate 8, and the number of bolts can be reduced. A watertight seal structure can also be performed.
  • the cooling water flow path 12 flows through the inside of the cathode body 10 and the water channel plate 11, the cooling water does not touch the magnet unit 9. Therefore, it is possible to improve the durability of the magnet unit 9 that is vulnerable to water, and to perform stable film formation over a long period of time.
  • the cooling water supply / discharge pipes 18 of the cooling water passage 12 for supplying the cooling water to the back surface of the backing plate 8 are provided on both sides of the magnet unit 9. It is not provided in the cathode body 10 but is provided so as to penetrate the center of the magnet unit 9.
  • two cooling water supply / discharge pipes 18 for supplying or discharging the cooling water are arranged in the vertical direction at the approximate center in the left-right direction of the cathode body 10.
  • one cooling water supply / discharge pipe 18 (the cooling water supply / discharge pipe 18 below the cathode body 10) serves as a cooling water introduction path.
  • the supply / discharge pipe 18 (the cooling water supply / discharge pipe 18 on the upper side of the cathode body 10) serves as a cooling water outlet path.
  • Each of these cooling water supply / discharge pipes 18 is formed so as to penetrate the magnet unit 9 and the water channel plate 11 in the front-rear direction, and the cooling water is provided in the flow channel 13 formed on the front surface of the water channel plate 11. Can be distributed.
  • the channel groove 13 formed in the water channel plate 11 of the second embodiment is formed so as to surround the central magnet 15 and is supplied from one cooling water supply / discharge pipe 18.
  • the cooling water is circulated from the lower side to the upper side so as to circulate around the central magnet 15, and the cooling water can be concentrated and drained from the other cooling water flow path 12.
  • the cooling water supply / discharge pipe 18 is not formed in the wall of the cathode body 10, and is provided at the center of the cathode body 10, so that the width of the cathode body 10 is increased. Is more compact than the first embodiment.
  • the magnet unit 9 is installed within a range in which the central cooling water flow path 12 is not changed. It can be shrunk in the left-right direction, and the size and arrangement of the magnet unit 9 can be freely changed. By making the target 7 into a shape corresponding to the magnet unit 9, it is possible to realize an optimum apparatus configuration for both a normal width substrate and a narrow width substrate.
  • the interior of the magnet unit 9 is moved back and forth in the same manner as the cooling water pipe 112 of the conventional evaporation source 102 shown in FIGS. 6A and 6B.
  • a pair of cooling water pipes 12 is formed so as to penetrate in the direction.
  • the film forming apparatus 1 guides the cooling water supplied through the cooling water pipe 12 on the left side to a water channel that is formed between the central magnet 5 and the outer peripheral magnet 6 and faces in the left-right direction, via the backing plate 8.
  • the target 7 is cooled, and the cooling water used for cooling is drained through the cooling water pipe 12 on the right side.
  • the difference between the evaporation source 2 according to the third embodiment and the conventional evaporation source 102 is that the height of the short side of the outer peripheral magnet 16 of the magnet unit 9 is designed to be lower than the long side. Therefore, as shown in FIG. 5C, when the magnet unit 9 having a short length is attached to the cathode body 10, it is possible to secure a flow path of the cooling water as shown in FIGS. 5C and 5D. . For this reason, as shown in FIG. 5C, by attaching the short target material 7, the film forming process can be economically performed on the narrow base material W as in the first embodiment and the second embodiment.
  • the film forming apparatus 1 As described above, by using the film forming apparatus 1 according to each embodiment of the present invention, only the magnet unit 9 and the target material 7 constituting the evaporation source 2 are replaced without replacing the evaporation source 2 itself.
  • the film can be stably formed in response to the size change of the substrate W.
  • the present invention is not limited to the above embodiments, and the shape, structure, material, combination, and the like of each member can be appropriately changed without departing from the essence of the invention. Further, in the embodiment disclosed this time, matters that are not explicitly disclosed, for example, operating conditions and operating conditions, various parameters, dimensions, weights, volumes, and the like of a component deviate from a range that a person skilled in the art normally performs. However, matters that can be easily assumed by those skilled in the art are employed.
  • a film forming apparatus and a film forming method are provided.
  • a film forming apparatus provided by the present invention is a film forming apparatus that forms a film on a surface of a substrate to be transported using an evaporation source facing the substrate, and the evaporation source is formed of a film forming material.
  • a cathode body that houses the unit, and a cooling water passage that is a space formed by separating the magnet unit and the backing plate and in which the cooling water can flow.
  • the magnet unit having a short size can be deployed correspondingly, and corresponds to the width of the deployed magnet unit. Short target material is deployed.
  • the film forming method of the present invention when the film is formed on the surface of the base material using the above-described film forming apparatus, the film is formed on the surface of the narrow base material that is narrower than the base material.
  • a short-sized magnet unit is provided, and a target material having a short size corresponding to the width of the provided magnet unit is provided to perform film formation.
  • the film forming apparatus and the film forming method of the present invention it is possible to form a film on substrates having different widths by replacing only the magnet unit and the target material constituting the evaporation source without replacing the evaporation source itself. Will be able to do.
  • the magnet unit is formed in a rectangular shape when viewed from the front, and the cooling water flow path is formed outside one end in the longitudinal direction of the magnet unit, and between the water channel plate and the backing plate. It is preferable to have an introduction path through which the cooling water flows in and a lead-out path that is formed outside the other end in the longitudinal direction of the magnet unit and leads the cooling water to the outside.
  • the magnet unit is formed in a rectangular shape when viewed from the front, and the cooling water flow path is formed in the vicinity of the central portion in the longitudinal direction of the magnet unit, and between the water channel plate and the backing plate. It is preferable to have an introduction path through which cooling water flows and a lead-out path that is formed in the vicinity of the central portion in the longitudinal direction of the magnet unit and guides the cooling water to the outside.
  • the magnet unit is formed in a rectangular shape when viewed from the front, and at least the short side portion of the outer peripheral magnetic pole is configured to be low, and the cooling water passage is mounted with a normal-sized magnet unit.
  • the cooling water is introduced or derived from the space between the outer magnetic pole and the central magnetic pole in the vicinity of the shorter side of the outer magnetic pole, and when installing a short magnet unit, the shorter side of the magnet unit Cooling water may be introduced or derived from the outside of the section.

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Abstract

磁石ユニットとターゲット材を取り替えるだけで、基材のサイズ変更に対応できる成膜装置を提供する。本発明の成膜装置（１）は、基材（Ｗ）の正面に対向する蒸発源（２）を用いて、搬送される基材Ｗの表面に成膜を行うものであって、蒸発源（２）がターゲット材（７）とバッキングプレート（８）と磁石ユニット（９）とカソードボディー（１０）と、冷却水流路（１２）とを有する。冷却水流路（１２）は、磁石ユニット（９）とバッキングプレート（８）とが離間してなる空間であってこの空間を冷却水が流通可能である。磁石ユニット（９）として基材（Ｗ）よりも狭幅とされた狭幅基材に対応して短尺のサイズのものが配備可能とされ、ターゲット材（７）として、配備された磁石ユニット（９）の幅に対応して短尺のサイズのものが配備されている。

Description

成膜装置及び成膜方法
　本発明は、サイズが異なる基材に対して安定した成膜を可能とする成膜装置及び成膜方法に関するものである。
　一般に、マグネトロンスパッタ装置などの成膜装置は、合成樹脂フィルムなどの基材の表面にプラズマを発生させ、発生したプラズマを利用して成膜を行う構成とされている。このような成膜装置に用いられるスパッタ用の蒸発源は、プラズマの生成のために磁場を形成する磁石ユニットと、成膜材料から形成されたターゲット材を有している。また、磁石ユニットは、レーストラック型の場合であれば、ヨークの表面に設けられた長尺棒状の中央磁石と、この中央磁石を囲むようにヨークの表面に設けられた外周磁石とで構成されており、長手方向に沿って均一なプラズマを形成することを可能としている。
　上述した蒸発源を用いて基材の表面に成膜を行う際には、バッキングプレートの表側にターゲット材を設置し、バッキングプレートの裏側に磁石ユニットを設置する。そして、電源などを用いて蒸発源に電圧を加えれば、磁石ユニットによりターゲット材の表面近傍に形成された磁場に沿ってプラズマが発生し、発生したプラズマを利用して基材の表面へ成膜を行うことが可能になる。
　ところで、上述した成膜を行うと、発生したプラズマに曝されてターゲット材が高温になる。そのため、蒸発源にはターゲット材を冷却する冷却手段が付帯されることが多い。例えば、特許文献１には、上述したレーストラック型の磁石ユニットを有する成膜装置であって、磁石ユニットの内部を貫通するように冷却水を流通させることでバッキングプレートを介してターゲット材を冷却する成膜装置が開示されている。この特許文献１の成膜装置では、カソードボディーに冷却水を流通する配管が形成されており、このカソードボディーの配管から磁石ユニットの内部を貫通する冷却水流路に冷却水を導入することで、バッキングプレートを介してターゲット材を冷却できるようになっている。
　上述した成膜装置では成膜を行う基材の幅が変動することはあまり起こらず、成膜装置も予め決められた幅の基材に成膜を行う仕様となっているのが一般的である。しかし、量産において実際に成膜をする際には、成膜対象の基材の幅が通常よりも狭幅の基材を成膜しなくてはならない状況が現実には起こり得る。
　例えば、ロール状に巻いたフィルム基材を巻き出して、連続的にスパッタ蒸発源の前を移動させながら成膜を行い、再びロール状に巻き取る、いわゆるスパッタロールコータと呼ばれる装置では、通常は装置の最大幅近くのフィルム基材を成膜している。ところが、場合によっては、装置の最大幅より遥かに狭い（例えば半分以下）フィルム基材への成膜をおこなう必要に迫られる場合がある。このような場合には、最大幅のフィルム基材の成膜処理に適したサイズのスパッタ蒸発源を用いて、フィルム幅に合わせた蒸着マスクを取り付けて、不要な蒸気をさえぎりながら成膜を行なう。
　このようにすると、幅の狭いフィルムへの成膜が可能ではあるが、幅の狭い基材を成膜するために、最大幅のターゲット材を蒸発させることになり、高価な成膜物質が無駄になり、製造コストの高騰を招くことになった。
　このような問題を解消する方法としては、幅の狭いフィルム基材への成膜を行なう場合に、これに対応した狭い幅の蒸発源に交換する方法がある。このようにすると、小さなターゲット材で成膜を行なうことが出来るため、成膜物質の無駄は生じない。しかし、これを実現するためには、蒸発源を一式取り替えることが必要となるので、交換の作業が膨大になる。また、サイズが異なる蒸発源を予め複数用意しなくてはならず、装置のコストが高くなってしまうという問題があった。
特開平５－３１１４３０号公報
　本発明は、蒸発源そのものを取り替えることなく、蒸発源を構成する磁石ユニットやターゲット材のみを取り替えるだけで、幅が異なる基材に対しても成膜を行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
　本発明が提供する成膜装置は、基材に対向する蒸発源を用いて、搬送される基材の表面に成膜を行う成膜装置であって、前記蒸発源は、成膜物質で形成された平板状のターゲット材と、前記ターゲット材が表面に取り付けられたバッキングプレートと、前記バッキングプレートの裏側に配備されて、ターゲット材表面近傍にマグネトロン放電のための磁場を形成する磁石ユニットと、前記磁石ユニットを収納するカソードボディーと、前記磁石ユニットとバッキングプレートとが離間してなる空間であって且つ当該空間には冷却水が流通可能となっている冷却水流路と、を有しており、前記磁石ユニットとして、前記基材よりも狭幅とされた狭幅基材を処理する場合には、これに対応して短尺のサイズの磁石ユニットが配備可能とされ、前記ターゲット材として、配備された磁石ユニットの幅に対応して短尺のサイズのターゲット材が配備されていることを特徴とする。
　一方、本発明の成膜方法は、上記した成膜装置を用いて、基材の表面に成膜を行うに際し、前記基材よりも狭幅とされた狭幅基材の表面に成膜を行う場合には、短尺のサイズの磁石ユニットを配備し、その配備した磁石ユニットの幅に対応して短尺のサイズのターゲット材を配備して成膜を実施する。
本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を示す断面正面図である。 図１ＡのＩＢ－ＩＢ線断面図を反時計回りに９０°回転させた図である。 通常幅の基材を成膜する場合の第１実施形態の蒸発源の構成を示す断面平面図である。 図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線断面図である。 狭幅の基材を成膜する場合の第１実施形態の蒸発源を示す断面平面図である。 本発明の第１実施形態の蒸発源を用いた通常幅の基材に対する成膜を示した断面平面図である。 本発明の第１実施形態の蒸発源を用いた狭幅の基材に対する成膜を示した断面平面図である。 通常幅の基材を成膜する場合の第２実施形態の蒸発源の構成を示す断面平面図である。 図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線断面図である。 狭幅の基材を成膜する場合の第２実施形態の蒸発源を示す断面平面図である。 通常幅の基材を成膜する場合の第３実施形態の蒸発源の構成を示す断面平面図である。 図５ＡのＶＢ－ＶＢ線断面図である。 狭幅の基材を成膜する場合の第３実施形態の蒸発源の構成を示す断面平面図である。 図５ＣのＶＤ－ＶＤ線断面図である。 通常幅の基材を成膜する場合の従来の蒸発源の構成を示す断面平面図である。 図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線断面図である。 狭幅の基材を成膜する場合の従来の蒸発源の構成を示す断面平面図である。
　以下、本発明の実施形態に係る成膜装置１を、図面に基づき詳しく説明する。 
　図１Ａは本発明の第１実施形態の成膜装置１の全体構成を示しており、図１Ｂは蒸発源２の断面図を示している。
　図１Ａに示すように、成膜装置１は、内部が真空排気可能とされた箱状の真空チャンバ３を有している。この真空チャンバ３には図示しない真空ポンプが排気管などを介して接続されていて、真空ポンプを用いて排気することにより真空チャンバ３の内部は真空または極低圧状態とされる。真空チャンバ３内には、成膜対象であるフィルムなどの基材Ｗを外周面に巻き掛けて案内する成膜ドラム４が配備されている。また、真空チャンバ３には、この成膜ドラム４に向かって基材Ｗを送り出している巻出ロール５と、この成膜ドラム４で成膜された基材Ｗを巻き取っている巻取ロール６とが設けられている。
　さらに、真空チャンバ３の内部には、成膜ドラム４に巻き掛けられた基材Ｗに対向するように蒸発源２が配備されている。この蒸発源２にはプラズマ電源（図示略）からプラズマ発生用の電力（ＤＣ（直流）、ＰｕｌｓｅＤＣ（間欠的直流）、ＭＦ－ＡＣ（中間周波数領域の交流）あるいはＲＦ（高周波）など）の電力が供給されており、減圧状態の真空チャンバ３内でアルゴン等の放電ガスを導入して蒸発源２に電位をかければ蒸発源２の前面にプラズマが発生して基材Ｗに対する成膜が可能となる。
　なお、以降の説明では、図２Ａの紙面の上下方向を、成膜装置１を説明する際の前後方向という。図２Ａの紙面の左右方向を、成膜装置１を説明する際の左右方向という。一方で、図２Ｂの紙面の上下方向を、成膜装置１を説明する際の上下方向という。
　また、以降の実施形態では、マグネトロンスパッタ法を用いて成膜を行う装置の例を挙げて本発明の成膜装置１を説明する。 
　さらに、以降の説明では、基材Ｗの幅が狭幅と通常幅とで異なる２種類の基材Ｗについて成膜する実施形態を説明する。この場合、通常幅の基材Ｗを「通常基材」、通常基材より狭幅の基材Ｗを「狭幅基材」と呼び、両者を区別して表現する。
　図２Ａは、基材Ｗ（通常基材）を成膜する場合の第１実施形態の蒸発源２の構成を示している。
　図２Ａに示すように、第１実施形態の蒸発源２は、成膜物質で形成された平板状のターゲット材７と、このターゲット材７が表面に取り付けられたバッキングプレート８と、バッキングプレート８の裏側に配備されて、ターゲット材７にマグネトロン放電のための磁場を形成する磁石ユニット９と、を備えている。
　また、この蒸発源２は、磁石ユニット９を収納するカソードボディー１０を有しており、このカソードボディー１０とバッキングプレート８との間には水路板１１が配備されている。この水路板１１は、バッキングプレート８と磁石ユニット９との間に配備されて両者を隔離（離間）できるようになっている。この水路板１１の表面には後述する冷却水流路１２を形成する流路溝１３が形成されている。
　次に、第１実施形態の蒸発源２を構成するターゲット材７、バッキングプレート８、磁石ユニット９、カソードボディー１０、水路板１１、及び冷却水流路１２について説明する。
　まず、ターゲット材７は、基材Ｗに成膜しようとする皮膜の原料となる材料を板状に加工したものである。ターゲット材７には、金属材料やＣ、Ｓｉなどの無機物、ＩＴＯなどの透明導電膜材料、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの化合物、有機物など板状に形成可能な材料が使用可能である。例えば、基材Ｗの表面にＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＣｒＮ等の硬質皮膜を成膜する場合であれば、Ｔｉ、ＴｉＡｌ合金、Ｃｒなどの金属板が用いられる。
　ターゲット材７の幅は、上述した通常基材の幅に対応して、通常基材よりやや広い幅に形成されている。また、このターゲット材７には、上述したプラズマ電源からプラズマ発生用の電力がカソードボディー１０を通じて供給されていて、表面にプラズマを形成可能な電圧が加えられている。
　バッキングプレート８は、通常金属で板状に形成され、熱伝導性と電気伝導性との双方に優れた銅が多く使われるが、ＳＵＳなども使用できる。バッキングプレート８の表面は平滑とされており、上述したターゲット材７を貼り付けたり剥がしたりして、バッキングプレート８自体を再利用できるようになっている。
　磁石ユニット９は、バッキングプレート８と平行となるように配備されたヨーク１４と、このヨーク１４の中央に配備された中央磁石１５と、この中央磁石１５の外側のヨーク１４表面に配備された外周磁石１６とで形成されている。
　具体的には、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、ヨーク１４は、軟鉄などの磁性体で板状に形成されている。ヨーク１４の外縁には、ヨーク１４の表面に対して垂直な方向（前後方向）に向かって起立する板状の外周磁石１６が設けられている。
　外周磁石１６は、複数の板磁石の組み合わせにより構成される。具体的に、この外周磁石１６は、バッキングプレート８の長辺方向（左右方向）に沿って伸びると共に互いに平行に配備された１組の長尺の板磁石１６Ｌと、バッキングプレート８の短辺方向（上下方向）に沿って伸びると共に互いに平行に配備された１組の短尺の板磁石１６Ｓと、を有する。これら４枚の板磁石は、いずれもターゲット材７側（前側）を向く端部が同じ磁極となるように配備されている。
　中央磁石１５は、外周磁石１６と同様にヨーク１４の表面に対して垂直な方向（前方）に向かって起立する板磁石である。中央磁石１５は、外周磁石１６を構成する上述した４枚の板磁石の中央に位置しており、ターゲット材７側を向く端部に外周磁石１６と異なる磁極が位置するように取り付けられている。
　つまり、上述した磁石ユニット９では、ヨーク１４の中央に位置する中央磁石１５からターゲット材７側に向かって磁石ユニット９の外方に出た磁力線は、ターゲット材７の表面近傍を通過し、再び磁石ユニット９の内部に位置するヨーク１４の外周磁石１６に戻り、このときターゲット材７の表面近傍に磁場が形成される。
　なお、この説明では磁石ユニット９は長方形の形状であるが、外周磁石のうち端部に配置した短尺の板磁石１６Ｓを円弧状の形状として、レーストラック状の外形形状であっても良い。
　カソードボディー１０は、上述した磁石ユニット９を収容可能な角状の容器である。カソードボディー１０の表面にはターゲット材７側に向かって開口した凹部１７が形成されている。この凹部１７は、上下方向及び左右方向に磁石ユニット９よりもやや大きな内寸を備えており、内部に磁石ユニット９を収容可能となっている。また、凹部１７の深さ、言い換えれば前後方向の凹部１７の内寸は、磁石ユニット９の厚み程度が一般的であるが、その他の部材との組合せで磁石ユニット９が収容可能な寸法であると良い。
　凹部１７よりも左右方向の外側のカソードボディー１０には、冷却水を供給する冷却水給排配管１８が形成されている。この冷却水給排配管１８は、カソードボディー１０を厚み方向（前後方向）に貫通しており、凹部１７の周囲に少なくとも２箇所（図示は４箇所）設けられている。これら４箇所の冷却水給排配管１８のうち、磁石ユニット９の左側に位置する冷却水給排配管１８は冷却前の冷却水を供給する導入管として用いられており、磁石ユニット９の右側に位置する冷却水給排配管１８は冷却後の冷却水を排水する導出管として用いられている。
　図示の例では、冷却水給排配管１８は４箇所にあり、バッキングプレートの冷却を２つの独立した系統で行なうようになっている。あるいは、冷却水給排配管１８を２箇所として、その分、水路で冷却水の流れを制御しても良い。
　ところで、第１実施形態の成膜装置１は、カソードボディー１０とバッキングプレート８との間に、両部材の間に配備されて両者を隔離（離間）する水路板１１を有している。この水路板１１の表面には流路溝１３が形成されており、水路板１１とバッキングプレート８とを重ね合わせば、磁石ユニット９とバッキングプレート８とが離間してなる空間に冷却水を流通可能な冷却水流路１２が形成可能となっている。
　次に、本発明の成膜装置１の特徴である冷却水流路１２及び水路板１１について説明する。
　水路板１１は、カソードボディー１０の前側に配備されて、カソードボディー１０の凹部１７の開口を閉鎖するものであり、凹部１７の蓋として機能する部材である。水路板１１のサイズは、カソードボディー１０の外寸とほぼ同じであり、カソードボディー１０の前面を全面に亘って覆うことができるようになっている。水路板１１の内部には、冷却水を流通させる冷却水流路１２が形成されている。
　冷却水流路１２は、カソードボディー１０の左側の冷却水給排配管１８を通じて供給された冷却水を、水路板１１の内部を貫流させつつ冷却し、冷却後の冷却水をカソードボディー１０の右側の冷却水給排配管１８から排出する構成となっている。具体的には、この冷却水流路１２は、左側の冷却水給排配管１８との接続箇所から、水路板１１の内部を前後方向に貫通するように前側に向かって伸びている。次に、水路板１１の前面まで伸びた冷却水流路１２は、水路板１１の前面で向きを変え、バッキングプレート８と水路板１１との間の隙間を左右方向に沿って伸びる。最後に、冷却水流路１２は、水路板１１の内部を前後方向に貫通するように後側に向かって伸び、右側の冷却水給排配管１８から冷却水を水路板１１の外側に排出している。
　上述した冷却水流路１２のうち、水路板１１の前面に沿った部分は、冷却水を左右方向に沿って流通させる流路溝１３とされている。この流路溝１３は、前側に向かって開口しており、水路板１１の上に重ね合わされたバッキングプレート８の表面に冷却水を直接接触させて、バッキングプレート８を効率良く冷却できるようになっている。また、水路板１１の表面における流路溝１３が形成された範囲は、磁石ユニット９の前面を全域に亘って覆えるようになっていて、磁石ユニット９に対応した位置にプラズマから入熱を受けるターゲット７をバッキングプレート８を介して冷却できるようになっている。
　上述したように磁石ユニット９とバッキングプレート８との間に水路板１１を配備し、この水路板１１に冷却水流路１２を設ければ、バッキングプレート８と水路板１１をあらかじめ締結した状態でカソードボディー１０から取り外し可能となる。
　一方で、例えば、図６Ａ及び図６Ｂに示す従来の蒸発源１０２では、磁石ユニット１０９の内部を前後方向に貫通するように冷却水配管１１２が形成されており、左側の冷却水配管１１２を通じて供給された冷却水を、中央磁石１１５と外周磁石１１６との間に形成された左右方向を向く水路に導いて、バッキングプレート１０８を介してターゲット１０７冷却する構造となっており、冷却に用いられた冷却水は右側の冷却水配管１１２を通じて排水される。
　この蒸発源で磁石ユニット１０９のサイズを変更しようとすると図６Ｃに示すように、カソードボディーの冷却水配管１１２の位置と磁石ユニット１０９の冷却水配管１１２の位置とが合わなくなるので、冷却水が供給できなくなる。したがって、従来の蒸発源で磁石ユニットのサイズを変更することは出来ない。
　しかし、第１実施形態の蒸発源２では、基材Ｗの幅によらず固定とされたカソードボディー１０と水路板１１とに冷却水流路１２が形成されているため、狭幅基材の幅に対応してターゲット材７及び磁石ユニット９の幅を変更しても、冷却水流路１２の位置が変わることが無く、冷却が不十分になることもない。
　例えば、図３Ａに示すように、通常基材の場合は、通常基材の基材幅よりやや広い幅のターゲット材７と磁石ユニット９とを用意すれば、冷却水配管１１２を通じて冷却水を流通させてバッキングプレート８を介してターゲット材７を冷却することが可能となり、通常基材に対して安定した成膜が可能となる。
　一方、図３Ｂに示すように、通常基材より幅が狭い狭幅基材に成膜を行う場合は、狭幅基材の基材幅に対応して短尺のターゲット材７と磁石ユニット９とを用意する。そうしても、バッキングプレート８の背面に対しても冷却水配管１２を通じて冷却水を流通させることが可能である。このようにすると、通常基材とは幅が異なる狭幅基材に対してもターゲット材の無駄が少ない成膜が可能となる。
　つまり、ターゲット材７及び磁石ユニット９の双方に対して、狭幅基材に対応して予め短尺のものを準備しておけば、蒸発源２を一式すべて取り替えることなく、蒸発源２を構成する磁石ユニット９やターゲット材７のみを取り替えるだけで、基材Ｗのサイズ変更に対応して無駄の無い成膜を行うことが可能となる。
　さらに、上述したバッキングプレート８とカソードボディー１０との間に水路板１１を配備すれば、バッキングプレート８と一緒に水路板１１をカソードボディー１０から容易に着脱することが可能となり、少ないボルト本数で水密なシール構造を行うこともできる。
　さらにまた、第１実施形態の成膜装置１では、冷却水流路１２はカソードボディー１０と水路板１１との内部を貫流しているため、磁石ユニット９に冷却水が触れることがない。それゆえ、水に弱い磁石ユニット９の耐久性を高めることが可能となり、長期間に亘って安定した成膜を可能とする。
　次に、図４Ａ～図４Ｃを用いて第２実施形態の成膜装置１について説明する。
　図４Ａ～図４Ｃに示すように、第２実施形態の成膜装置１は、バッキングプレート８の背面に冷却水を供給する冷却水流路１２の冷却水給排配管１８が磁石ユニット９の両側のカソードボディー１０に設けられているのではなく、磁石ユニット９の中央を貫通するように設けられていることを特徴としている。
　つまり、第２実施形態の成膜装置１では、カソードボディー１０の左右方向の略中央に冷却水を供給または排出する冷却水給排配管１８が上下に並んで２本形成されている。これら２本の冷却水給排配管１８のうち一方の冷却水給排配管１８（カソードボディー１０の下側の冷却水給排配管１８）が冷却水の導入路となっており、他方の冷却水給排配管１８（カソードボディー１０の上側の冷却水給排配管１８）が冷却水の導出路となっている。また、これらの冷却水給排配管１８は、いずれも磁石ユニット９及び水路板１１を前後方向に貫通するように形成されていて、水路板１１の前面に形成された流路溝１３に冷却水を流通できるようになっている。
　また、第２実施形態の水路板１１に形成される流路溝１３は、第１実施形態とは異なり中央磁石１５を取り囲むように形成されており、一方の冷却水給排配管１８から供給された冷却水を、中央磁石１５の周囲を巡回するように下方から上方に向かって流通させて、他方の冷却水流路１２から冷却水を集中して排水できるようになっている。
　上述した第２実施形態の成膜装置１では、冷却水給排配管１８がカソードボディー１０の壁内に形成されておらず、カソードボディー１０の中央に配備されている分、カソードボディー１０の幅は第１実施形態よりもコンパクトになっている。
　また、第２実施形態の蒸発源２では、冷却水流路１２が磁石ユニット９の中央に集約して設けられているため、中央の冷却水流路１２を変化させない範囲であれば、磁石ユニット９を左右方向に縮めることができ、磁石ユニット９のサイズや配置を自由に変更できる。ターゲット７をこの磁石ユニット９に相当する形にすることによって、通常幅の基材にも狭幅の基材にも最適な装置構成を実現可能である。
　次に、図５Ａ～図５Ｄを用いて第３実施形態の成膜装置１について説明する。
　図５Ａ及び図５Ｂに示すように、第３実施形態の成膜装置１では、図６Ａ及び図６Ｂに示した従来の蒸発源１０２の冷却水配管１１２と同様に、磁石ユニット９の内部を前後方向に貫通するように一対の冷却水配管１２が形成されている。当該成膜装置１は、左側の冷却水配管１２を通じて供給された冷却水を、中央磁石５と外周磁石６との間に形成された左右方向を向く水路に導いて、バッキングプレート８を介してターゲット７を冷却する構造となっており、冷却に用いられた冷却水は右側の冷却水配管１２を通じて排水される。
　この第３実施形態に係る蒸発源２と従来の蒸発源１０２との相違点は、磁石ユニット９の外周磁石１６の短辺の高さが、長辺よりも低く設計されている点である。このため、図５Ｃに示すように、長さの短い磁石ユニット９をカソードボディー１０に取り付けた場合に、図５Ｃ、図５Ｄに示すように、冷却水の流路を確保することが可能になる。このため、図５Ｃに示すとおり、短いターゲット材７を取り付けることにより、第１実施形態、第２実施形態と同様に、幅狭の基材Ｗに成膜処理を経済的に行なう事が出来る。
　以上述べたように、本発明の各実施形態に係る成膜装置１を用いることで、蒸発源２そのものを取り替えることなく、蒸発源２を構成する磁石ユニット９やターゲット材７のみを取り替えるだけで、基材Ｗのサイズ変更に対応して成膜を安定して行うことができる。
　ところで、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、発明の本質を変更しない範囲で各部材の形状、構造、材質、組み合わせなどを適宜変更可能である。また、今回開示された実施形態において、明示的に開示されていない事項、例えば、運転条件や操業条件、各種パラメータ、構成物の寸法、重量、体積などは、当業者が通常実施する範囲を逸脱するものではなく、通常の当業者であれば、容易に想定することが可能な事項を採用している。
　以上のように本発明によれば、蒸発源そのものを取り替えることなく、蒸発源を構成する磁石ユニットやターゲット材のみを取り替えるだけで、幅が異なる基材に対しても成膜を行うことができる成膜装置及び成膜方法が提供される。
　本発明が提供する成膜装置は、基材に対向する蒸発源を用いて、搬送される基材の表面に成膜を行う成膜装置であって、前記蒸発源は、成膜物質で形成された平板状のターゲット材と、前記ターゲット材が表面に取り付けられたバッキングプレートと、前記バッキングプレートの裏側に配備されて、ターゲット材にマグネトロン放電のための磁場を形成する磁石ユニットと、前記磁石ユニットを収納するカソードボディーと、前記磁石ユニットとバッキングプレートとが離間してなる空間であって且つ当該空間には冷却水が流通可能となっている冷却水流路と、を有している。前記基材よりも狭幅とされた狭幅基材を処理する場合には、これに対応して短尺のサイズの前記磁石ユニットが配備可能とされ、その配備された磁石ユニットの幅に対応して短尺のサイズのターゲット材が配備される。
　一方、本発明の成膜方法は、上記した成膜装置を用いて、基材の表面に成膜を行うに際し、前記基材よりも狭幅とされた狭幅基材の表面に成膜を行う場合には、短尺のサイズの磁石ユニットを配備し、その配備した磁石ユニットの幅に対応して短尺のサイズのターゲット材を配備して成膜を実施する。
　本発明の成膜装置及び成膜方法によれば、蒸発源そのものを取り替えることなく、蒸発源を構成する磁石ユニットやターゲット材のみを取り替えるだけで、幅が異なる基材に対しても成膜を行うことができるようになる。
　なお、好ましくは、前記磁石ユニットは、正面視で長方形に形成されており、前記冷却水流路は、前記磁石ユニットの長手方向の一方端の外側に形成されて前記水路板とバッキングプレートとの間に冷却水を流入させる導入路と、前記磁石ユニットの長手方向の他方端の外側に形成されて冷却水を外部に導出する導出路と、を有しているとよい。
　なお、好ましくは、前記磁石ユニットは、正面視で長方形に形成されており、前記冷却水流路は、前記磁石ユニットの長手方向の中央部付近に形成されて前記水路板とバッキングプレートとの間に冷却水を流入させる導入路と、前記磁石ユニットの長手方向の中央部付近に形成されて冷却水を外部に導出する導出路と、を有しているとよい。
　なお、好ましくは、前記磁石ユニットは、正面視で長方形に形成されると共に、少なくとも外周磁極の短辺部の高さが低く構成されており、前記冷却水流路は、通常尺の磁石ユニットを搭載する場合には、冷却水は外周磁極の短辺部付近の外周磁極と中央磁極の間の空間から導入乃至は導出され、短尺の磁石ユニットを搭載する場合には、前記磁石ユニットの前記短辺部の外側から冷却水が導入乃至は導出するとよい。

Claims (5)

  1. 　基材に対向する蒸発源を用いて、搬送される基材の表面に成膜を行う成膜装置であって、
    　前記蒸発源は、成膜物質で形成された平板状のターゲット材と、前記ターゲット材が表面に取り付けられたバッキングプレートと、前記バッキングプレートの裏側に配備されて、ターゲット材表面近傍にマグネトロン放電のための磁場を形成する磁石ユニットと、前記磁石ユニットを収納するカソードボディーと、前記磁石ユニットとバッキングプレートとが離間してなる空間であって且つ当該空間には冷却水が流通可能となっている冷却水流路と、を有しており、
    　前記磁石ユニットとして、前記基材よりも狭幅とされた狭幅基材に対応して短尺のサイズの磁石ユニットが配備可能とされ、前記ターゲット材として、配備された磁石ユニットの幅に対応して短尺のサイズのターゲット材が配備されている、成膜装置。
  2. 　前記磁石ユニットは、前記カソードボディーの正面視で長方形の空間に収納されており、前記冷却水流路は、前記カソードボディーの長手方向の一方端に形成されて前記バッキングプレート背面の冷却水流路へのとの間に冷却水の導入路と、前記カソードボディーの長手方向の他方端に形成されて冷却水の導出路と、を有している、請求項１に記載の成膜装置。
  3. 　前記磁石ユニットは、正面視で長方形に形成されており、前記冷却水流路は、前記磁石ユニットの長手方向の中央部に形成されて前記水路板とバッキングプレートとの間に冷却水を流入させる導入路と、前記磁石ユニットの長手方向の中央部に形成されて冷却水を外部に導出する導出路と、を有している、請求項１に記載の成膜装置。
  4. 　前記磁石ユニットは、正面視で長方形に形成されると共に、少なくとも外周磁極の短辺部の高さが低く構成されており、前記冷却水流路は、通常尺の磁石ユニットを搭載する場合には、冷却水は外周磁極の短辺部付近の外周磁極と中央磁極の間の空間から導入乃至は導出され、短尺の磁石ユニットを搭載する場合には、前記磁石ユニットの前記短辺部の外側から冷却水が導入乃至は導出する、請求項１に記載の成膜装置。
  5. 　請求項１に記載された成膜装置を用いて、基材の表面に成膜を行う方法であって、
    　前記成膜装置に適合する基材よりも狭幅とされた狭幅基材の表面に成膜を行う場合には、短尺のサイズの磁石ユニットを配備し、配備した磁石ユニットの幅に対応して短尺のサイズのターゲット材を配備して成膜を実施する、成膜方法。
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