WO2014139735A1 - Herstellung eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

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WO2014139735A1
WO2014139735A1 PCT/EP2014/052346 EP2014052346W WO2014139735A1 WO 2014139735 A1 WO2014139735 A1 WO 2014139735A1 EP 2014052346 W EP2014052346 W EP 2014052346W WO 2014139735 A1 WO2014139735 A1 WO 2014139735A1
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radiation
displacement
semiconductor chip
potting
mass
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PCT/EP2014/052346
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Markus Pindl
Simon Jerebic
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
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    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an optoelectronic device, and an optoelectronic ⁇ construction element.
  • the optoelectronic component comprises a optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip for delivering a primary radiation and a potting compound surrounding the semiconductor chip for partially converting the primary radiation into a conversion radiation.
  • Optoelectronic components may have an optoelectronic semiconductor chip for generating a light radiation and a conversion material ("phosphor") for the partial conversion of the generated light radiation
  • the primary and conversion radiation can be superimposed to form a mixed radiation, for example a white light radiation in the color locus distribution of the mixed radiation produced by the components, for example component deviations, fluctuations in the concentration of the phosphor particles, and a bottom attributable to different casting height.
  • the color location can be dependent on the viewing angle. The reason for this is that the light radiation emitted by the semiconductor chip dependence of the radiation angle of different size Wegstre ⁇ CKEN in the sealing compound passes through, and therefore there may be a different extent of conversion depends on the angle. This can result in significant yield losses.
  • a measurement of the potting height and post-dosing of particle-filled potting compound for correcting the potting height can be performed. This can be achieved by inline process control in a production line. Despite the correction of the potting height, the components may continue to have color location variations. To reduce angle-dependent color location fluctuations, the potting compound can be formed with admixed scattering particles, so that an optical diffuser for distributing light is present. This measure may have a reduced Effi ⁇ ciency of the components result.
  • the object of the present invention is to specify a solution for an improved optoelectronic component.
  • a method for producing an optoelectronic component comprises providing an output arrangement comprising an optoelectronic semiconductor chip and a potting compound surrounding the semiconductor chip.
  • the semicon ⁇ terchip is designed to dispense a primary radiation.
  • the casting compound is designed to convert a portion of the primary radiation into a conversion radiation so that a mixed radiation of primary and conversion radiation can be generated.
  • the method further includes
  • the sealing compound and the displacement of mass have a Kunststofferie under ⁇ of materials.
  • a correction is carried out by adding at least one displacement mass to the potting compound with a material characteristic different from the potting compound.
  • This allows the optoelectronic device to make a kor ⁇ -corrected mixed radiation, which corresponds to a predetermined specification.
  • the introduction of the at least one displacement mass can be associated with a change in the color locus of the producible mixed radiation and / or with a change in the emission characteristic of the mixed radiation.
  • a HOE here yield may, with regard to an inquiry carried out by the procedural proceedings ⁇ production of several components, are obtained.
  • the correction can be made such that the at least one displacement mass is introduced into the potting compound of the starting arrangement for displacement of the potting compound.
  • a measurement of the mixed radiation is carried out.
  • chromaticity coordinates ⁇ the output device and / or a Abstrahlcha- can be obtained rakteriding.
  • the introduction of the at least one mass displacement in the casting compound is carried out in Depending ⁇ ness of the measured mixed radiation. This allows the correction with a high reliability and be tuned precisely ⁇ accuracy on the respective measured, generated by the output arrangement mixed radiation.
  • An individual adaptation of the color locus of the mixed radiation and / or an individual adaptation of the angular characteristic of the color locus of the mixed radiation are possible.
  • parameters such as an amount, volume size and / or introduction position of a displacement mass used for the correction can be predefined, for example, depending on the measured mixed radiation. Furthermore the type or nature of the material is translated ⁇ th displacement mass can be selected. Another vorgeb ⁇ Barer parameter is the number of used displacement masses.
  • the definition of such parameters as a function of the measured light radiation, as a result of which, for example, the magnitude and the direction of a desired chromaticity change can be predetermined, can be carried out with the aid of a suitable algorithm.
  • the provision of the output arrangement comprises providing a carrier with a cavity, arranging the semiconductor chip on the carrier in the cavity, and introducing the potting compound into the cavity. Ment in the finished optoelectronic Bauele- the optoelectronic semiconductor chip, the potting ⁇ mass and the subsequently introduced mass displacement in the cavity are arranged.
  • a continuous carrier can first be provided with a plurality of cavities in the ⁇ ser respect, said semiconductor chips, potting compounds and optionally displacement masses in the cavities are disposed.
  • a correction with the aid of displacement masses can only take place in the event that mixed radiations of components to be produced are outside a specified specification.
  • the continuous carrier can be cut to provide isolated components.
  • the potting compound has a potting material in which luminescent material particles are embedded.
  • the radiation conversion can be done with the help of light ⁇ Fuel Particles by the phosphor particles a part of the primary radiation of the optoelectronic semiconductor Absorb chips, thereby stimulating the reemission of conversion radiation.
  • the molding material of the casting compound may be a transparent material which is initially provided in liquid or zähflüssi ⁇ ger form and subsequently cured who can ⁇ . Both providing the initial arrangement or the introduction of the potting material into the cavity of the carrier as well as the introduction of the at least one Verdrijnungsmas- se in the molding compound is carried out in a non-cured to stand ⁇ the casting compound. After the introduction of the at least one mass displacement, the potting compound may be cured from ⁇ .
  • the potting material may be, for example, a silicone material, or other material such as an epoxy material.
  • production with additional scattering particles embedded in the potting compound can be considered for the optoelectronic component in order to improve the angular dependence of the color locus.
  • a substantially lower particle ⁇ density of the scattering particles can be provided. This allows the optoelectronic component greater efficiency ⁇ aufwei sen. It is also possible to dispense with the use of scattering particles.
  • the optoelectronic semiconductor chip may, in particular, be a light-emitting diode chip.
  • the optoelectronic component can be, for example, implemented as a white light source ⁇ .
  • the op ⁇ toelektronische semiconductor chip may be formed, for example, to emit light radiation in the blue to ultraviolet spectral range.
  • the casting compound or the phosphor particles contained in the molding compound may be formed in ⁇ play, a part of the of the semiconductor terchip emitted light radiation into a light radiation in the yellow spectral range to convert.
  • the superimposition of the different light radiations can result in a white light radiation (additive color mixing).
  • the potting compound comprises only one type of phosphor particles, and therefore all luminescent ⁇ material particles emit a light radiation of the same spectral range (for example, a yellow light radiation).
  • the potting compound may comprise different types of phosphor particles, ie a mixture of phosphor particles which emit converted light radiation of different spectral ranges.
  • the entire conversion radiation generated in the potting compound comprises several partial radiations of different spectral ranges.
  • the potting compound can be formed, for example, with first phosphor particles for emitting light radiation in the yellow to green spectral range and second phosphor particles for emitting light radiation in the red spectral range.
  • the (at least one) displacement composition has a potting material, but without inserting ⁇ embedded phosphor particles.
  • the mass displacement By using a ⁇ Ver molding material for the displacement of the mass the mass displacement can be arranged in a region above the semiconductor chip to ⁇ which can be irradiated in a direct manner by the output from the semiconductor chip primary radiation. As a result, the radiation conversion and thus the resulting mixed radiation can be changed in a targeted manner. A specific change of the color location and / or the angle dependence of the color location is possible.
  • the molding material of the mass displacement may be a transpa ⁇ rentes material which is introduced in liquid or viscous form in the sealing compound, and can be subsequently cured together with the sealing compound. It is possible that the displacement of mass and the potting compound have the same ⁇ potting material, or different Vergussmateria ⁇ lien.
  • the potting material of the displacement mass the above-mentioned materials, for example, a silicone material or an epoxy material, are used.
  • a has (at least one) displacement mass again a potting material, with a ⁇ bedded phosphor particles.
  • the phosphor particles of the displacement mass can also convert part of the primary radiation of the semiconductor chip, and therefore contribute to generating the conversion radiation.
  • the displacement mass differs by the phosphor particles of the casting compound. This can be achieved by the methods described in Fol ⁇ constricting embodiments, which are optionally combined with each other.
  • the displacement mass may deviates from the United ⁇ casting compound, in particular a lower concentration tion of phosphor particles.
  • the particle concentration is a possible parameter over which, for example, the magnitude and the direction of a color location correction can be specified.
  • the displacement mass comprises a different type of phosphor particles than the potting mass ⁇ .
  • the displacement mass and the casting compound can emit converted light radiation in different spectral ranges.
  • a color correction can be realized perpendicular to a Konversionsli ⁇ never.
  • the conversion line refers to a color locus of a device with a semiconductor chip and a converting potting compound and forms the
  • a trols chromaticity coordinates is in a corresponding manner, characterized possible that different mixtures are provided from different phosphor particles in the displacement mass and in the sealing compound ⁇ the, or that the casting compound with a mixture of various ⁇ Dener phosphor particles and the displacement composition having le ⁇ diglich one kind of fluorescent particles ( or vice versa).
  • the displacement mass is introduced into the casting compound in an area opposite a front side of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the front side is the side over which the semiconductor chip can emit a substantial part of the primary radiation (light exit side).
  • Arranging the displacement mass in this area makes it possible that the supply Verdrän ⁇ mass is irradiated from the front side primary radiation emitted of the semiconductor chip. As a result, a targeted correction of the color location of the mixed radiation can be achieved.
  • the displacement mass is introduced into the potting compound in an area offset laterally or laterally from the semiconductor chip.
  • the Verdrän ⁇ supply mass can be positioned, for example, that the displacement mass is irradiated by an obliquely emitted from the semiconducting ⁇ terchip part of the primary radiation.
  • the displacement masses can be positioned symmetrically around the semiconductor chip.
  • the region laterally offset relative to the semiconductor chip and the displacement mass formed in this region can be connected, and therefore rotate around the semiconductor chip viewed from above.
  • the displacement mass laterally offset relative to the optoelectronic semiconductor chip in a relatively large distance, so that the displacement mass is not or only insignificantly irradiated by the directly emitted primary radiation.
  • the displacement mass can in this case essentially increase the casting height, and thus cause a corresponding color change.
  • the displacement mass is introduced into the potting compound using a nozzle.
  • the displacement mass can be ejected from the nozzle in the form of one or more drops or jet and introduced into the potting compound. From this ⁇ guide die may occur without TERIAL phosphor particles, for application to a (zäh-) displacement liquid mass, in particular a displacement of a mass Vergussma-.
  • the displacement mass introduced into the potting compound is a body made of a solid material. This material may have a greater density than the potting compound or its potting material, so that the body can be positioned laterally next to the semiconductor chip.
  • the body may be, for example, a sphere or a sphere of glass.
  • an optoelectronic component has an optoelectronic semiconductor chip, which is designed to emit a primary radiation.
  • the component furthermore has a potting compound surrounding the semiconductor chip.
  • the potting compound is also keptbil ⁇ det to convert a portion of the primary radiation into a conversion radiation, so that a mixed radiation of primary and conversion radiation can be generated.
  • the optoelectronic component comprises at least one displacement ⁇ mass which is introduced for varying the mixing generatable radiation in the casting compound.
  • the potting compound and the displacement mass have a different mate ⁇ rialbelvesheit.
  • the optoelectronic component can generate a light radiation which can correspond to a predetermined light radiation.
  • the color locus of the light radiation can correspond to a predefined color locus and / or can have a predefined color locus
  • the at least one displacement composition can be for correcting ver ⁇ turns, and be introduced to displace the sealing compound and magnification ⁇ fication a grouting in the casting compound in order to change the producible mixed radiation.
  • FIG. 1 shows a schematic side view of an output arrangement provided in the manufacture of an optoelectronic component, comprising a carrier with a cavity and an optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity, which is cast with a potting compound;
  • FIG. 2 shows an introduction of a displacement mass into the casting compound of the starting arrangement, which is carried out in the manufacture of an optoelectronic component, wherein the displacement mass is a solid body;
  • FIG. 3 shows a method performed in the manufacture of an optoelectronic device incorporating a displacement composition in the casting compound, the output arrangement, wherein the displacement composition comprises a potting material without luminescent material particles on ⁇ and is placed in a a front side of the semiconductor chip ge ⁇ genüberstruct area;
  • Figure 4 is a method performed in the manufacture of an optoelectronic device incorporating a plurality of VerdrDeutschungsmas ⁇ sen from a molding material without the phosphor particles in the encapsulant of the output array, the displacement extent laterally offset with respect to the semiconductor chip who ⁇ ;
  • FIG. 5 shows an introduction of a plurality of displacement masses made of a potting material without luminescent material into the potting compound of the output arrangement laterally offset relative to the semiconductor chip in the production of an optoelectronic component, wherein, in contrast to FIG. 4, a larger distance to the semiconductor chip is provided;
  • Figure 6 is a schematic side view of a Bauele ⁇ ment with an introduced into the potting compound displacement mass, which has a potting material with LeuchtstoffParti ⁇ angles; and
  • FIG. 7 shows a flow diagram of a method for producing an optoelectronic component.
  • the components have an optoelectronic semiconductor chip 110, which is embedded in a potting compound 130 designed for radiation conversion.
  • a displacement mass is introduced into the potting compound 130 with a material composition or material composition different from the potting compound 130.
  • the emitted light radiation may have a changed color location and / or an altered emission characteristic.
  • Step 201 provides an output assembly 100 shown in Fig. 1.
  • the motherboard 120 having a cavity 121, ei ⁇ NEN optoelectronic semiconductor chip 110 and a potting compound 130.
  • the potting compound 130 is filled with phosphor particles 135 to the radiation conversion.
  • the semiconductor chip 110 is arranged inside the cavity 121 on the carrier 120. Here, the semiconductor chip 110 is centered in the region of
  • the cavity 121 is potted with the potting compound 130, so that the semiconductor chip 110 is surrounded by the potting compound 130. Due to the boundary ⁇ surface tension, the sealing compound 130 may have a curved upper surface.
  • the semiconductor chip 110 For providing the output arrangement 100 of FIG. 1, first arranging the semiconductor chip 110 on the carrier ger 120 performed in the cavity 121. Here, the semiconductor chip 110 is fastened with a rear side on the carrier 120 and electrically contacted with the carrier 120. Subsequently , the potting compound 130 filled with the phosphor particles 135 is introduced into the cavity 121.
  • the casting compound 130 is formed from a transparent Vergussmate ⁇ rial, in which the phosphor particles 135 are embedded ⁇ .
  • the potting material of potting compound 130 may be, for example, a silicone material, or alternatively another material, for example, an epoxy material.
  • the Vergie ⁇ SEN of the cavity 121 with the particle-filled sealing compound 130 may be performed by a suitable means such as a dispenser or a metering device.
  • the potting compound 130 or its potting material are in a viscous state. In a later stage of the process, the potting material and thus the potting compound 130 can be cured.
  • the optoelectronic semiconductor chip 110 which can be produced by a suitable manufacturing method, may in particular be a light-emitting diode or LED chip 110 (Light Emitting Diode).
  • the semiconductor chip 110 is designed to generate a primary light radiation 170 when electrical energy is supplied.
  • the primary radiation 170 is emitted essentially via a front side opposite the rear side of the semiconductor chip 110, which is also referred to as the light exit side of the semiconductor chip 110. In this case, the emission of the primary radiation 170 can take place to a large extent in a certain emission area.
  • Such a radiation area is indicated in Figure 1 at one side of the semiconductor chip 110 by way of beispielhaf ⁇ th, relating to a lateral surface normal emission angle 171st
  • a lower emission of radiation can also take place at larger emission angles, as well as taking place over the lateral sides or a part of the lateral sides of the semiconductor chip 110.
  • the supply of electrical energy to the semiconductor chip 110 is effected by means of not shown electrical connection and contact structures of the carrier 120, which are connected in the context of arranging the semiconductor chip 110 on the carrier 120 to not shown contacts of the semiconductor chip 110.
  • Figure 1 illustrates a possible contacting with the help of a bonding wire 150 through the bonding wire ⁇ 150 is a front-side contact of the semiconductor chip 110 to an associated counter-contact of the wearer concluded reasonable 120th
  • a back contact of the semiconductor chip 110 is connected, for example via a solder or an electrically conductive adhesive (not shown) to another mating contact of the carrier 120.
  • the semiconductor chip 110 can simultaneously be mechanically fastened to the carrier 120.
  • the semiconductor chip 110 may, for example, have two front-side contacts, which may be connected in a corresponding manner with two bond wires 150 to mating contacts of the carrier 120. It is also possible for the semiconductor chip 110 to have two rear-side contacts which can be connected to mating contacts of the carrier 120 via a solder or via an electrically conductive adhesive.
  • the carrier 120 may be, for example, a so-called premold carrier.
  • the carrier 120 may have an electrical connection and contact arrangement (leadframe), which is surrounded by a synthetic material material formed by encapsulation.
  • leadframe electrical connection and contact arrangement
  • Figure 1 may veran- a detail from a larger to ⁇ sammen Strukturden support 120 with a plurality of cavities 121 in this respect illustrate, each cavity 121 as described above equipped with a semiconductor chip 110 and may be potted with a potting compound 130. Therefore, distributed in a plane, there may be multiple contiguous output devices 100 having the construction shown in FIG.
  • the continuous carrier 120 can be separated into separate carriers 120.
  • the semiconductor chip 110 is surrounded on all sides by the potting compound 130 introduced into the cavity 121, except for its rear side.
  • the information contained in the sealing compound 130 phosphor ⁇ particle 135 can be a part of the output from the semiconductor chip 110 in operation primary radiation 170 in a low- more energetic secondary light radiation 175, hereinafter referred to as conversion radiation 175, convert (volume conversion).
  • conversion radiation 175 convert (volume conversion).
  • the phosphor particles absorb 135 ei ⁇ nen part of the primary radiation 170, and can thereby be excited to shipowners mission of conversion radiation 175th
  • the primary radiation 170 and the conversion radiation 175 may overlap to a mixed radiation 179.
  • the mixed radiation 179 generated by mixing the primary radiation 170 and the conversion radiation 175 may, for example, be a white light radiation.
  • the semiconductor chip 110 can be designed to generate a primary radiation 170 in the blue to ultraviolet spectral range.
  • All phosphor particles 135 may comprise a conversion material, which forms part of the blue-violet light radiation 170 emitted by the semiconductor chip 110 into a light radiation 175 in the yellow one
  • the potting compound 130 may be a Mi ⁇ research of various kinds of phosphor particles 135 have in this regard from different conversion materials which the primary radiation in secondary lower-energy 170
  • the conversion radiation 175 generated in the potting compound 130 thus comprises a plurality of partial radiations.
  • a configuration of the potting compound 130 with egg ⁇ ner mixture of the first phosphor particles to emit a light radiation in the yellow to green spectral region and second phosphor particles to emit can be of a light radiation in the red Spectral range can be provided. From the superposition of these light radiations can also emerge a white light radiation 179.
  • the mixed radiation 179 that can be generated by the output arrangement 100 of FIG. 1 is outside of a specified specification.
  • the color location may deviate from a predetermined color location or color location area.
  • a plurality of output devices 100 may, for example due to component variations exist fluctuations in the concentration of the phosphor particles 135 and a different grouting significant Schwankun ⁇ gene in the Farbortverander.
  • 179 be un ⁇ differently, the color locus of the mixed radiation depending on the viewing angle.
  • the angular characteristic of the color point loading based on the fact that the output from the semiconductor chip 110 passes through the primary radiation 170 in dependence of the beam angle 171 different long distances in the sealing compound 130, and therefore different degrees of convergence ⁇ sion may be present. Such effects can be corrected with the measures described below.
  • the mixed radiation that can be generated by the output arrangement 100 is first of all "
  • the optoelekronische semi ⁇ conductor chip 110 is activated to emit the primary radiation 170th
  • the mixed radiation 179 emitted as a result of the output arrangement 100 is measured by means of a suitable measuring device.
  • color coordinates of the output arrangement 100 can be detected, for example. It is also possible to detect an angle-dependent emission characteristic.
  • the measurement which is an inline measurement, is carried out after casting in the uncured state of the potting compound 130.
  • a correction for changing the producible mixed radiation 179 is carried out, depending on the measured mixed radiation 179 of the output arrangement 100.
  • at least one displacement mass is introduced into the uncured potting compound 130 of the output arrangement 100.
  • the measured mixed radiation 179 of the output arrangement 100 can, for example, by a suitable algorithm parameters, such as a rate, volume size and / or the introducing of a displacement composition used for the correction, as well as a number of displacement Festge masses ⁇ sets. It is also possible to select a correction method from several possible correction methods. In this case, the nature or material properties of a predisposed displacement mass can be determined.
  • the correction method shown in Figure 2 which leads to the production-of an optoelectronic device 101, refers to introduce a displacement composition in the form of a body 140 of a solid material in the unge ⁇ cured molding compound 130 in step 203rd
  • the body 140 may be, for example, a bead of glass.
  • For the introduction of the body 140 for example, on the casting ⁇ mass can be placed 130 and subsequently fall by themselves to the bottom of the cavity 121st
  • the introduction of the body 140 in the potting compound 130 offers the possibility of the remaining volume of the cavity 121 to match ⁇ .
  • the introduction of the body 140 has a displacement of the potting compound 130 and thereby an increase in the potting height result.
  • the potting compound 130 can furthermore, as shown in FIG. 2, have a curved surface.
  • the increased level of the volume encapsulation in the component 101 results in the operation of the semiconductor chip 110 having a greater degree of conversion of the primary radiation 170 than the output arrangement 100.
  • the component 101 can thus produce a mixed radiation 179, in which the ratio of primary radiation 170 and conversion radiation 175 is shifted in favor of the conversion radiation 175. This is associated with a corresponding color change of the mixed radiation 179.
  • the raised stabili ⁇ hung the level has a color locus of the mixed radiation 179 toward the red spectral range result.
  • Another possible effect due to the introduction of the body 140 and thus the enlargement of the potting height is ei ⁇ ne slight change in the angular dependence of the color locus of the mixed radiation 179. This effect may be neglected. It may also be considered to form the potting compound 130 in addition to the phosphor particles 135 with additional scattering particles embedded in the potting compound 130 in order to reduce the angular dependence of the color locus (not shown).
  • an individual trols chromaticity coordinates can be carried out so that different sizes, and thus a different size and fill level volume displacement increase inducing fixed body 140 provided ⁇ the.
  • a different size and fill level volume displacement increase inducing fixed body 140 provided ⁇ the may be selected in step 203 one of the body 140 and be introduced into the casting compound Ver ⁇ 130th. It is also possible to insert a plurality of bodies 140, which may be of different sizes, (not shown).
  • This may be the same potting material as potting compound 130, for example a silicone material or an epoxy material.
  • the design of the displacement mass 141 from a potting material makes it possible to position the displacement mass 141 in an area above ⁇ half of the semiconductor chip 110th
  • the displacement mass 141 is introduced in a viscous state into the potting compound 130, which is likewise present in a viscous state. Since the displacement mass 141 From a potting material without phosphor particles is freshlybil ⁇ det, the introduction, as indicated in Figure 3, using a nozzle 160 of a dosing device, not shown, are performed. This process, which can be called “jetting", becomes one or more
  • the addition of the displacement mass 141 to the potting compound 130 results in a volume displacement, so that a larger potting height is also present in the component 102 of FIG. 3 in relation to the output arrangement 100 of FIG.
  • the correction of the mixed radiation 179 in the case of the component 102 is not based on the increased potting height, but rather on arranging the displacement mass 141 in an area above the semiconductor chip 110, which can be directly irradiated by the primary radiation 170 emitted during operation of the semiconductor chip 110. In this way, a targeted change in the radiation conversion and thus the producible mixed radiation 179 are possible.
  • the displacement mass 141 is positioned opposite to the front side of the semiconductor chip 110.
  • the displacement mass 141 is thus located directly in the emission region of the semiconductor chip 110, and can be directly irradiated by the primary radiation 170 emitted from the front side or vertically at the front side. In a passage of the primary radiation 170 by the displacement of mass 141, occurs because of the Def ⁇ lens of phosphor particles 135, no radiation conversion on. Compared to the output arrangement 100, the component 102 can therefore produce a mixed radiation 179 in which the ratio of the primary radiation 170 and the conversion radiation 175 is shifted in favor of the primary radiation 175. This is with a corresponding color change of the
  • the addition of the displacement mass 141 may result in the component 102 having a greater angular dependence of the color location of the mixed radiation 179 than the output arrangement 100.
  • a configuration of the potting compound 130 with additional, be provided in the sealing compound 130 contained ⁇ NEN scattering particles (not shown).
  • an individual correction can be effected, for example, by the measurement (step 202) taking place in dependence on the measurement at the underlying output arrangement 100
  • Step 203 is predetermined an amount matched to converter-free potting material for the displacement mass 141 and introduced into the potting compound 130. Instead, as shown in Fi gur ⁇ 3, only a displacement mass 141 trainees ⁇ , a plurality of separate displacement masses 141,110owskilie ⁇ restricting portion in the sealing compound 130 may be arranged in one of the front side of the semiconductor chip.
  • Figure 4 illustrates a view similar to Figure 3 Korrekturme ⁇ Thode, which leads to the production of an optoelectronic construction elements 103rd
  • the correction in step 203 takes place in that a plurality of displacement masses 142 are introduced from a potting material without luminescent material particles in the ungehär ⁇ tete potting compound 130.
  • the component 103 may be formed with a larger number of such displacement masses 142.
  • the displacement of masses 142 are ter Kunststoff not opposite to the front side of the semiconductor chip 110 in a region above the semiconductor chip 110, but the UN to Figure 3, but laterally or laterally ver ⁇ set to the semiconductor chip 110 in the potting compound 130 is a ⁇ accommodated.
  • the converter-free displacement masses 142 may have the same potting material as the potting compound 130. Furthermore, the introduction can be done using a nozzle, not shown.
  • the displacement of masses are positioned 142 in the device 103 such that the displacement of masses 142 are irradiated directly from an obliquely emitted from the semiconductor chip 110 of the primary radiation 170 NEN kön-.
  • an embodiment of the potting compound 130 with additional scattering particles contained in the potting compound 130 can likewise be provided (not illustrated).
  • the improvement of the angular characteristic of the color locus can be enhanced.
  • a significantly lower particle density of the scattering particles can be provided.
  • the component 103 can have a high efficiency.
  • an individual adaptation can take place, for example, in that, depending on the measurement carried out on the underlying output arrangement 100 (step 202) in FIG.
  • Step 203 Parameters such as insertion positions, amounts of converter-free potting material used for the displacement masses 142 and / or a number of displacement masses 142 are given.
  • the displacement masses 142 may be positioned symmetrically around the semiconductor chip 110 when viewed from above.
  • a plurality of displacement masses 142 may be arranged in a circle around the semiconductor chip 110.
  • the semiconductor chip 110 rotating in the plan view (for example, circle-shaped circumferential ⁇ ) displacement composition may optionally be provided 142nd
  • a plurality of adjoining or merging displacement masses 142 may be introduced into the potting compound 130.
  • an off ⁇ design of the sealing compound 130 may be provided with additional Streuparti- not to improve the angle characteristics of the color location (not shown).
  • An individual Cor ⁇ rection can be carried out, for example, in that in dependence of the performed on the underlying output arrangement 100 measurement (step 202) in step 203, the amount of displacement of masses 142 and / or the amount is set to used convertor free potting material. Instead of a plurality of displacement masses 142, only a single displacement mass 142 can be formed. In the case of the components 102, 103, 104 of FIGS. 3 to 5, the displacement masses 141, 142 have a converter-free potting material as described above.
  • a Cor ⁇ rection of the mixed radiation may be 179 carried out by means of displacement of masses having a potting material with embedded phosphor particles.
  • a portion of the primary radiation 170 can also be converted into a light radiation.
  • This radiation can be attributed to the conversion radiation 175.
  • the converted displacement masses may differ by the phosphor particles, for example, by Kon ⁇ concentration of the phosphor particles, of the sealing compound 130th
  • Figure 6 shows a further optoelectronic device 105, wel ⁇ ches has substantially the same construction as the device 102 of FIG. 3 For comparable details, therefore, reference is made to the above description of the device 102 taken.
  • the correction takes place in that a displacement mass 143 is introduced into the potting compound 130 of the underlying output arrangement 100, which has a potting material 135 filled with luminescent material particles.
  • the Verdrän ⁇ mass supply 143 is introduced into a viscous state in which also present in a viscous state casting mass ⁇ 130th
  • the introduction which has the consequence of increasing the potting height, can take place with the aid of a suitable metering device (not shown).
  • the displacement of the mass 143 is, like the converter free displacement ⁇ mass 141 of the device 102 positioned in a region above the semiconductor chip 110, and, opposite to the front side of the semiconductor chip 110th
  • the displacement mass 143 and the potting compound 130 may have the same potting material and the same phosphor particles 135.
  • the phosphor particles 135 can be configured to play ⁇ In accordance with the above description, into a yellow Konversi ⁇ onsstrahlung 175 blue-violet primary radiation 170th As indicated in Figure 6, the displacement mass 143 differs by the Parti ⁇ kelêt of the potting compound 130. In the displacement of the mass 143, the concentration of phosphor particles is 135 gerin- ger than in the sealing compound 130th
  • the displacement mass 143 of the component 105 is located directly in the Abstrahlbe ⁇ rich of the semiconductor chip 110, and can be directly irradiated by the front vor worked emitted primary radiation 170.
  • the displacement mass 143 In a passage of the primary radiation 170 by the displacement of mass 143, reduced in contrast to the displaced sealing compound 130 radiation conversion occurs due to the lower concent ration ⁇ of phosphor particles 135 on. Therefore, it can be achieved in a corresponding manner that the component 105 generates a mixed radiation 179 with a color location changed in relation to the output arrangement 100 (ie in this case color locus shift in favor of the primary radiation 170 and in the direction of the blue spectral range).
  • Converting displacement masses can also be used in other ways for correcting an output arrangement 100.
  • the displacement masses can, for example, have the same phosphor particles 135 as the potting compound 130, and with a lower particle density for producing a reduced radiation conversion.
  • both the casting compound 130 and a displacement matrix introduced for correction can have the same mixture of phosphor particles 135.
  • the first phosphor particles to emit a yellow-green light radiation and second phosphor particles for emitting a red light radiation can differ by a different or lower Parti ⁇ kelêt of the potting compound 130th
  • the potting compound 130 and used for correcting kon ⁇ vertierende displacement mass can differ in other ways and means than the particle density of each other under ⁇ .
  • a displacement mass may comprise a different kind of phosphor particles than the potting compound 130, so that the displacement mass and the potting compound 130 convert the primary radiation 170 into light radiation of different spectral ranges. It is also possible to provide different mixtures of different ones
  • Phosphor particles in the displacement mass and in the potting compound 130 or an embodiment of the potting compound 130 with a mixture of different phosphor particles and an embodiment of the displacement mass with only one type of phosphor particles (or vice versa).
  • Step 202 203 parameters such as a Pope ⁇ -generating amount of a filled phosphor particles potting material, an introducing position and / or a number of displacement compositions are given in the step. It is also possible to select a particle-filled potting material from a plurality of particle-filled potting materials, which may differ from each other, for example, by the particle density, the type and / or the mixture of the phosphor particles.
  • step 204 This includes, for example, hardening of the casting compound 130, which can take place within the framework of a temperature or furnace process.
  • Displacement masses which have a potting material, for example, the displacement of sen 141, 142, 143 of the components 102, 103, 104, 105 of Figures 3 to 6, are cured in this process with.
  • step 204 Another process that can be performed in step 204 is a singulation process to provide separate components.
  • multiple components may be formed together on a common carrier 120 having multiple cavities 121.
  • a plurality of adjoining output arrangements 100 can be provided in step 201, and in step 202 thereof
  • the individual assemblies may be individually corrected in dependence of the time measurement result jewei ⁇ 100th In the ⁇ ser respect, it is also conceivable to carry out different ones of the above-indicated correction methods. For example, a part of the output arrangements 100 according to FIG. 2 and another part of the output arrangements 100 according to FIG. 3 can be corrected. Depending on the measurement of an output arrangement 100, it may further be considered not to carry out a correction, so that the step 203 for this output arrangement 100 is omitted. This is the case, for example, when the mixed radiation 179 emitted by the relevant output arrangement 100 corresponds to a predetermined specification. After curing, the contiguous carrier 120 can be divided or sawed into separate carriers 120, whereby isolated components are present.
  • Another possible embodiment is to provide different potting materials for a potting compound 130 and a displacement mass. Also may be provided that an introduced in a potting compound 130 displacement ⁇ mass having a greater concentration of phosphor particles as the potting compound 130th Furthermore, it can be considered to form a displacement mass having a potting material with additional scattering particles embedded in the potting material.
  • a component having a fixed body 140 (see FIG. 2) and with converter-free displacement masses 142 laterally offset from a semiconductor chip 110 see FIG.
  • a component can also be formed with a plurality of different sized displacement masses of a potting material who ⁇ .
  • a further variant is a component which has both at least one converter-free displacement mass made of a potting material and at least one converting Ver ⁇ displacement mass of a potting material with embedded phosphor particles.
  • Also possible is an embodiment of a device with different konvertie ⁇ leaders displacement masses from a container filled with phosphor particles potting material, whereby the converted
  • Displacement masses by the particle density, the nature and / or the mixture of the phosphor particles from each other different ⁇ can.
  • one possible modification is to measure a light radiation 179 (step 202) and a matched one. to repeat (at least) a displacement mass in a potting compound 130 (step 203), if necessary several times.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsanordnung (100) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (110) und eine den Halbleiterchip (110) umgebende Vergussmasse (130). Der Halbleiterchip (110) ist zum Abgeben einer Primärstrahlung (170) ausgebildet. Die Vergussmasse (130) ist zum Umwandeln eines Teils der Primärstrahlung (170) in eine Konversionsstrahlung (175) ausgebildet, so dass eine Mischstrahlung (179) aus Primär- und Konversionsstrahlung (170, 175) erzeugbar ist. Das Verfahren umfasst ferner ein Einbringen wenigstens einer Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in die Vergussmasse (130), so dass eine veränderte Mischstrahlung (179) erzeugbar ist. Die Vergussmasse (130) und die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) weisen eine unterschiedliche Materialbeschaffenheit auf. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.

Description

Beschreibung
Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, und ein optoelektronisches Bau¬ element. Das optoelektronische Bauelement weist einen optoe¬ lektronischen Halbleiterchip zum Abgeben einer Primärstrahlung und eine den Halbleiterchip umgebende Vergussmasse zum teilweisen Umwandeln der Primärstrahlung in eine Konversionsstrahlung auf.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2013 204 293.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Optoelektronische Bauelemente können einen optoelektronischen Halbleiterchip zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und ein Konversionsmaterial („Phosphor") für die partielle Konversion der erzeugten Lichtstrahlung aufweisen. Der Halbleiterchip kann in einer Kavität eines Trägers angeordnet und mit einer Vergussmasse vergossen sein. Die Strahlungsumwandlung kann mit Hilfe von in der Vergussmasse enthaltenen LeuchtstoffPartikeln erfolgen, welche einen Teil der Primärstrahlung des Halbleiterchips absorbieren und eine Konversionsstrahlung abgeben (Volumenkonversion) . Die Primär- und Konversionsstrahlung können sich zu einer Mischstrahlung, beispielsweise einer weißen Lichtstrahlung, überlagern. Bei der Fertigung von Bauelementen mit Volumenkonversion können erhebliche Schwankungen in der Farbortverteilung der von den Bauelementen erzeugten Mischstrahlung auftreten. Dies ist zum Beispiel auf Bauteilabweichungen, Schwankungen der Konzentration der Leuchtstoffpartikel , und eine unterschiedliche Vergusshöhe zurückzuführen. Des Weiteren kann der Farbort abhängig sein vom Betrachtungswinkel. Ursache hierfür ist, dass die von dem Halbleiterchip emittierte Lichtstrahlung in Ab- hängigkeit des Abstrahlwinkels unterschiedlich große Wegstre¬ cken in der Vergussmasse durchläuft, und daher abhängig vom Winkel ein unterschiedliches Ausmaß der Konversion vorliegen kann. Dies kann erhebliche Ausbeuteverluste nach sich ziehen.
Zum Verringern von Ausbeuteverlusten kann ein Messen der Vergusshöhe und Nachdosieren von partikelgefüllter Vergussmasse zum Korrigieren der Vergusshöhe durchgeführt werden. Dies kann durch eine Inline-Prozessregelung in einer Fertigungsli- nie verwirklicht sein. Trotz der Korrektur der Vergusshöhe können die Bauelemente weiterhin FarbortSchwankungen aufweisen. Zur Reduzierung von winkelabhängigen FarbortSchwankungen kann die Vergussmasse mit beigemischten Streupartikeln ausgebildet werden, so dass ein optischer Diffusor zur Lichtver- teilung vorliegt. Diese Maßnahme kann eine verringerte Effi¬ zienz der Bauelemente zur Folge haben.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Lösung für ein verbessertes optoelektronisches Bauelement an- zugeben.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Pa¬ tentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsanordnung, aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip und eine den Halbleiterchip umgebende Vergussmasse. Der Halblei¬ terchip ist ausgebildet zum Abgeben einer Primärstrahlung. Die Vergussmasse ist ausgebildet zum Umwandeln eines Teils der PrimärStrahlung in eine Konversionsstrahlung, so dass eine Mischstrahlung aus Primär- und Konversionsstrahlung er- zeugt werden kann. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein
Einbringen wenigstens einer Verdrängungsmasse in die Verguss¬ masse, so dass eine veränderte Mischstrahlung erzeugbar ist. Die Vergussmasse und die Verdrängungsmasse weisen eine unter¬ schiedliche Materialbeschaffenheit auf.
Bei dem Verfahren wird eine Korrektur durchgeführt, indem der Vergussmasse wenigstens eine Verdrängungsmasse mit einer von der Vergussmasse verschiedenen Materialausprägung hinzugefügt wird. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement eine kor¬ rigierte Mischstrahlung abgeben, welche einer vorgegebenen Spezifikation entspricht. Das Einbringen der wenigstens einen Verdrängungsmasse kann mit einer Veränderung des Farborts der erzeugbaren Mischstrahlung und/oder mit einer Veränderung der Abstrahlcharakteristik der Mischstrahlung verbunden sein. Auf diese Weise kann, im Hinblick auf eine mit Hilfe des Verfah¬ rens durchgeführte Herstellung mehrerer Bauelemente, eine hö- here Ausbeute erzielt werden.
Die Korrektur kann derart erfolgen, dass die wenigstens eine Verdrängungsmasse zur Verdrängung der Vergussmasse in die Vergussmasse der Ausgangsanordnung eingebracht wird.
In einer möglichen Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Bereitstellen der Ausgangsanordnung ein Messen der Mischstrahlung durchgeführt. Hierbei können zum Beispiel Farbort¬ koordinaten der Ausgangsanordnung und/oder eine Abstrahlcha- rakteristik gewonnen werden. Das Einbringen der wenigstens einen Verdrängungsmasse in die Vergussmasse wird in Abhängig¬ keit der gemessenen Mischstrahlung durchgeführt. Hierdurch kann die Korrektur mit einer hohen Zuverlässigkeit und Genau¬ igkeit auf die jeweils gemessene, von der Ausgangsanordnung erzeugte Mischstrahlung abgestimmt werden. Möglich sind eine individuelle Anpassung des Farborts der Mischstrahlung und/oder eine individuelle Anpassung der Winkelcharakteristik des Farborts der Mischstrahlung. Für die individuelle Abstimmung können zum Beispiel abhängig von der gemessenen Mischstrahlung Parameter wie eine Menge, Volumengröße und/oder Einbringposition einer zur Korrektur verwendeten Verdrängungsmasse vorgegeben werden. Des Weiteren kann auch die Art bzw. Materialbeschaffenheit der eingesetz¬ ten Verdrängungsmasse ausgewählt werden. Ein weiterer vorgeb¬ barer Parameter ist die Anzahl an verwendeten Verdrängungsmassen. Das Festlegen derartiger Parameter in Abhängigkeit der gemessenen Lichtstrahlung, wodurch zum Beispiel der Betrag und die Richtung einer angestrebten Farbortveränderung vorgegeben werden können, kann mit Hilfe eines geeigneten Algorithmus erfolgen. In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Bereitstellen der Ausgangsanordnung ein Bereitstellen eines Trägers mit einer Kavität, ein Anordnen des Halbleiterchips auf dem Träger in der Kavität, und ein Einbringen der Vergussmasse in die Kavität. Bei dem fertig gestellten optoelektronischen Bauele- ment sind der optoelektronische Halbleiterchip, die Verguss¬ masse und die nachfolgend eingebrachte Verdrängungsmasse in der Kavität angeordnet.
Es ist möglich, mehrere optoelektronische Bauelemente gemein- sam bzw. in paralleler Weise auszubilden, wobei eine individuelle Korrektur durch Einbringen von Verdrängungsmassen in entsprechende Vergussmassen durchgeführt werden kann. In die¬ ser Hinsicht kann zunächst ein zusammenhängender Träger mit mehreren Kavitäten bereitgestellt werden, wobei Halbleiter- Chips, Vergussmassen und gegebenenfalls Verdrängungsmassen in den Kavitäten angeordnet werden. Eine Korrektur mit Hilfe von Verdrängungsmassen kann lediglich für den Fall erfolgen, dass Mischstrahlungen herzustellender Bauelemente außerhalb einer vorgegebenen Spezifikation liegen. Am Ende des Herstellungs- Verfahrens kann der zusammenhängende Träger zerteilt werden, um vereinzelte Bauelemente bereitzustellen.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Vergussmasse ein Vergussmaterial auf, in welches LeuchtStoffpartikel eingebet- tet sind. Die Strahlungskonversion kann mit Hilfe der Leucht¬ stoffpartikel erfolgen, indem die LeuchtStoffpartikel einen Teil der Primärstrahlung des optoelektronischen Halbleiter- Chips absorbieren, und dadurch zur Reemission einer Konversionsstrahlung angeregt werden.
Das Vergussmaterial der Vergussmasse kann ein transparentes Material sein, welches zunächst in flüssiger bzw. zähflüssi¬ ger Form bereitgestellt wird und nachfolgend ausgehärtet wer¬ den kann. Sowohl das Bereitstellen der Ausgangsanordnung bzw. das Einbringen der Vergussmasse in die Kavität des Trägers als auch das Einbringen der wenigstens einen Verdrängungsmas- se in die Vergussmasse wird in einem nicht ausgehärteten Zu¬ stand der Vergussmasse durchgeführt. Nach dem Einbringen der wenigstens einen Verdrängungsmasse kann die Vergussmasse aus¬ gehärtet werden. Bei dem Vergussmaterial kann es sich zum Beispiel um ein Silikonmaterial, oder um ein anderes Material wie zum Beispiel ein Epoxidmaterial handeln.
Für das optoelektronische Bauelement kann gegebenenfalls eine Herstellung mit zusätzlichen, in der Vergussmasse eingebetteten Streupartikeln in Betracht kommen, um die Winkelabhängig- keit des Farborts zu verbessern. Sofern beabsichtigt ist, diesen Effekt auch durch das Einbringen der wenigstens einen Verdrängungsmasse zu erzielen, kann im Vergleich zu einem herkömmlichen Bauelement eine wesentlich geringere Partikel¬ dichte der Streupartikel vorgesehen werden. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement eine größere Effizienz aufwei¬ sen. Möglich ist es auch, auf den Einsatz von Streupartikeln zu verzichten.
Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich insbe- sondere um einen Leuchtdioden-Chip handeln.
Das optoelektronische Bauelement kann zum Beispiel als Wei߬ lichtquelle verwirklicht werden. Zu diesem Zweck kann der op¬ toelektronische Halbleiterchip beispielsweise ausgebildet sein, eine Lichtstrahlung im blauen bis ultravioletten Spektralbereich zu emittieren. Die Vergussmasse bzw. die in der Vergussmasse enthaltenen LeuchtStoffpartikel können bei¬ spielsweise ausgebildet sein, einen Teil der von dem Halblei- terchip emittierten Lichtstrahlung in eine Lichtstrahlung im gelben Spektralbereich umzuwandeln. Aus der Überlagerung der unterschiedlichen Lichtstrahlungen kann eine weiße Lichtstrahlung hervorgehen (additive Farbmischung) .
Es ist möglich, dass die Vergussmasse lediglich eine Art von LeuchtstoffPartikeln umfasst, und daher sämtliche Leucht¬ stoffpartikel eine Lichtstrahlung desselben Spektralbereichs (beispielsweise eine gelbe Lichtstrahlung) emittieren. In ei- ner alternativen Ausgestaltung kann die Vergussmasse verschiedene Arten von LeuchtstoffPartikeln umfassen, d.h. dass eine Mischung aus LeuchtstoffPartikeln vorliegt, welche konvertierte Lichtstrahlungen unterschiedlicher Spektralbereiche abgeben. Die gesamte in der Vergussmasse erzeugte Konversi- onsstrahlung umfasst hierbei mehrere Teilstrahlungen verschiedener Spektralbereiche. Bei einem im blauen bis ultravioletten Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip kann die Vergussmasse zum Beispiel mit ersten LeuchtstoffPartikeln zum Emittieren einer Lichtstrahlung im gelben bis grünen Spekt- ralbereich und zweiten LeuchtstoffPartikeln zum Emittieren einer Lichtstrahlung im roten Spektralbereich ausgebildet sein. Durch Überlagerung dieser Lichtstrahlungen kann ebenfalls eine weiße Lichtstrahlung erzeugt werden. Das Einbringen einer Verdrängungsmasse in die Vergussmasse kann eine Verdrängung der Vergussmasse, und dadurch eine Vergrößerung der Vergusshöhe zur Folge haben. Die Veränderung der Vergusshöhe kann eine veränderte Strahlungskonversion, und damit eine entsprechende Veränderung der erzeugbaren Mischstrahlung zur Folge haben. Darüber hinaus ist es möglich, eine Veränderung der Mischstrahlung nicht bzw. nicht allein aufgrund der Vergrößerung der Vergusshöhe, sondern zusätzlich auf gezielte Weise durch eine geeignete Materialaus¬ prägung und Positionierung der Verdrängungsmasse in der Ver- gussmasse hervorzurufen. Mögliche Ausführungsformen werden im Folgenden beschrieben. In einer weiteren Ausführungsform weist die (wenigstens eine) Verdrängungsmasse ein Vergussmaterial, allerdings ohne einge¬ bettete LeuchtStoffpartikel auf. Durch Verwendung eines Ver¬ gussmaterials für die Verdrängungsmasse kann die Verdrän- gungsmasse in einem Bereich oberhalb des Halbleiterchips an¬ geordnet werden, welcher auf direkte Weise von der von dem Halbleiterchip abgegebenen Primärstrahlung durchstrahlt werden kann. Hierdurch können die Strahlungskonversion und damit die resultierende Mischstrahlung auf gezielte Weise verändert werden. Möglich ist eine spezifische Veränderung des Farborts und/oder der Winkelabhängigkeit des Farborts.
Das Vergussmaterial der Verdrängungsmasse kann ein transpa¬ rentes Material sein, welches in flüssiger bzw. zähflüssiger Form in die Vergussmasse eingebracht wird, und nachfolgend zusammen mit der Vergussmasse ausgehärtet werden kann. Es ist möglich, dass die Verdrängungsmasse und die Vergussmasse das¬ selbe Vergussmaterial, oder unterschiedliche Vergussmateria¬ lien aufweisen. Als Vergussmaterial der Verdrängungsmasse können die oben genannten Materialien, zum Beispiel ein Silikonmaterial oder ein Epoxidmaterial , zur Anwendung kommen.
Diese Aspekte können in entsprechender Weise auf eine weitere Ausführungsform zutreffen, in welcher die (wenigstens eine) Verdrängungsmasse erneut ein Vergussmaterial, jedoch mit ein¬ gebetteten LeuchtStoffPartikeln aufweist. Die LeuchtStoffpartikel der Verdrängungsmasse können ebenfalls einen Teil der Primärstrahlung des Halbleiterchips konvertieren, und daher zum Erzeugen der Konversionsstrahlung beitragen. Im Hinblick auf die unterschiedliche Materialbeschaffenheit der Verdrän¬ gungsmasse und der Vergussmasse kann vorgesehen sein, dass sich die Verdrängungsmasse durch die LeuchtStoffpartikel von der Vergussmasse unterscheidet. Dies kann durch die im Fol¬ genden beschriebenen Ausgestaltungen erreicht werden, welche gegebenenfalls miteinander kombinierbar sind.
Beispielsweise kann die Verdrängungsmasse eine von der Ver¬ gussmasse abweichende, insbesondere eine geringere Konzentra- tion an LeuchtstoffPartikeln aufweisen. Die Partikelkonzentration ist ein möglicher Parameter, über welchen zum Beispiel der Betrag und die Richtung einer Farbortkorrektur vorgegeben werden können.
Ein weiterer in Betracht kommender Materialunterschied kann zum Beispiel darin bestehen, dass die Verdrängungsmasse eine andere Art von LeuchtstoffPartikeln aufweist als die Verguss¬ masse. Hierdurch können die Verdrängungsmasse und die Ver- gussmasse konvertierte Lichtstrahlungen in unterschiedlichen Spektralbereichen emittieren. In einer solchen Ausgestaltung kann eine Farbortkorrektur senkrecht zu einer Konversionsli¬ nie realisiert werden. Die Konversionslinie bezieht sich auf ein Farbortdiagramm eines Bauelements mit einem Halbleiter- chip und einer konvertierenden Vergussmasse und bildet den
Farbverlauf der von dem Bauelement erzeugbaren Lichtstrahlung mit variierendem Konversionsgrad ab. Eine Farbortkorrektur ist in entsprechender Weise dadurch möglich, dass verschiedene Mischungen aus unterschiedlichen LeuchtstoffPartikeln in der Verdrängungsmasse und in der Vergussmasse vorgesehen wer¬ den, oder dass die Vergussmasse mit einer Mischung verschie¬ dener Leuchtstoffpartikel und die Verdrängungsmasse mit le¬ diglich einer Art von LeuchtstoffPartikeln (oder umgekehrt) ausgebildet werden.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Verdrängungsmasse in einem einer Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips gegenüberliegenden Bereich in die Vergussmasse eingebracht. Die Vorderseite ist diejenige Seite, über welche der Halbleiterchip einen wesentlichen Teil der Primärstrahlung abgeben kann (Lichtaustrittsseite) . Das Anordnen der Verdrängungsmasse in diesem Bereich ermöglicht es, dass die Verdrän¬ gungsmasse von der vorderseitig abgegebenen Primärstrahlung des Halbleiterchips durchstrahlt wird. Dadurch kann eine ge- zielte Korrektur des Farborts der Mischstrahlung erreicht werden . In einer weiteren Ausführungsform wird die Verdrängungsmasse in einem zu dem Halbleiterchip lateral bzw. seitlich versetzten Bereich in die Vergussmasse eingebracht. Die Verdrän¬ gungsmasse kann beispielsweise derart positioniert werden, dass die Verdrängungsmasse von einem schräg von dem Halblei¬ terchip emittierten Teil der Primärstrahlung durchstrahlt wird. Hierdurch kann eine gezielte Korrektur bzw. Verbesse¬ rung der Winkelabhängigkeit des Farborts hervorgerufen wer¬ den .
Zu diesem Zweck können zum Beispiel mehrere zu dem Halblei¬ terchip lateral versetzte Verdrängungsmassen ausgebildet werden. In der Aufsicht können die Verdrängungsmassen symmetrisch um den Halbleiterchip herum positioniert sein. Alterna- tiv können der zu dem Halbleiterchip lateral versetzte Bereich und die in diesem Bereich ausgebildete Verdrängungsmas¬ se zusammenhängend sein, und den Halbleiterchip daher von oben betrachtet umlaufen. Es ist ferner möglich, die Verdrängungsmasse in einem relativ großen Abstand lateral versetzt zu dem optoelektronischen Halbleiterchip anzuordnen, so dass die Verdrängungsmasse nicht oder nur unwesentlich von der direkt abgegebenen Primärstrahlung durchstrahlt wird. Die Verdrängungsmasse kann hierbei im Wesentlichen eine Vergrößerung der Vergusshöhe, und damit eine entsprechende Farbortveränderung bewirken.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Verdrängungsmasse unter Verwendung einer Düse in die Vergussmasse eingebracht. In dieser Ausgestaltung kann die Verdrängungsmasse in Form eines oder mehrerer Tropfen bzw. Strahls aus der Düse ausgestoßen und in die Vergussmasse eingebracht werden. Diese Aus¬ führungsform kann bei einer ( zäh-) flüssigen Verdrängungsmasse, insbesondere einer Verdrängungsmasse aus einem Vergussma- terial ohne LeuchtStoffpartikel , zur Anwendung kommen. Der
Einsatz der Düse ermöglicht ein genaues und kontaktloses Ein¬ bringen der Verdrängungsmasse in die Vergussmasse. In einer weiteren Ausführungsform ist die in die Vergussmasse eingebrachte Verdrängungsmasse ein Körper aus einem festen Material. Dieses Material kann eine größere Dichte aufweisen als die Vergussmasse bzw. deren Vergussmaterial, so dass der Körper seitlich neben dem Halbleiterchip positionierbar ist. Der Körper kann zum Beispiel eine Kugel bzw. ein Kügelchen aus Glas sein. Durch das Einbringen des Körpers in die Vergussmasse kann eine Vergrößerung der Vergusshöhe, und damit eine entsprechende Farbortveränderung hervorgerufen werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein optoelektronisches Bauelement vorgeschlagen. Das optoelektronische Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip auf, welcher zum Abgeben einer Primärstrahlung ausgebildet ist. Das Bauelement weist des Weiteren eine den Halbleiterchip umgebende Vergussmasse auf. Die Vergussmasse ist dazu ausgebil¬ det, einen Teil der Primärstrahlung in eine Konversionsstrahlung umzuwandeln, so dass eine Mischstrahlung aus Primär- und Konversionsstrahlung erzeugbar ist. Das optoelektronische Bauelement weist darüber hinaus wenigstens eine Verdrängungs¬ masse auf, welche zum Verändern der erzeugbaren Mischstrahlung in die Vergussmasse eingebracht ist. Die Vergussmasse und die Verdrängungsmasse weisen eine unterschiedliche Mate¬ rialbeschaffenheit auf.
Das optoelektronische Bauelement kann aufgrund der wenigstens einen Verdrängungsmasse eine Lichtstrahlung erzeugen, welche einer vorgegebenen Lichtstrahlung entsprechen kann. Beispielsweise kann der Farbort der Lichtstrahlung einem vorge- gebenen Farbort entsprechen und/oder kann eine vorgegebene
Abstrahlcharakteristik der Lichtstrahlung, insbesondere eine kleine Winkelabhängigkeit des Farborts, vorliegen.
Bei dem optoelektronischen Bauelement können oben beschriebe- ne Ausführungsformen und Details, welche in Bezug auf das
Herstellungsverfahren genannt wurden, in gleicher Weise zur Anwendung kommen. Die wenigstens eine Verdrängungsmasse kann zur Korrektur ver¬ wendet sein, und zur Verdrängung der Vergussmasse und Vergrö¬ ßerung einer Vergusshöhe in die Vergussmasse eingebracht sein, um die erzeugbare Mischstrahlung zu verändern.
Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können - außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen - einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen .
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen: Figur 1 eine schematische seitliche Darstellung einer in der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellten Ausgangsanordnung, aufweisend einen Träger mit einer Kavität und einem in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip, welcher mit einer Vergussmasse vergos- sen ist;
Figur 2 ein in der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements durchgeführtes Einbringen einer Verdrängungsmasse in die Vergussmasse der Ausgangsanordnung, wobei die Verdrän- gungsmasse ein fester Körper ist;
Figur 3 ein in der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements durchgeführtes Einbringen einer Verdrängungsmasse in die Vergussmasse der Ausgangsanordnung, wobei die Verdrän- gungsmasse ein Vergussmaterial ohne Leuchtstoffpartikel auf¬ weist und in einem einer Vorderseite des Halbleiterchips ge¬ genüberliegenden Bereich angeordnet wird; Figur 4 ein in der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements durchgeführtes Einbringen mehrerer Verdrängungsmas¬ sen aus einem Vergussmaterial ohne LeuchtStoffpartikel in die Vergussmasse der Ausgangsanordnung, wobei die Verdrängungs- massen lateral versetzt zu dem Halbleiterchip angeordnet wer¬ den;
Figur 5 ein in der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements durchgeführtes Einbringen mehrerer Verdrängungsmas- sen aus einem Vergussmaterial ohne LeuchtStoffpartikel in die Vergussmasse der Ausgangsanordnung lateral versetzt zu dem Halbleiterchip, wobei im Unterschied zu Figur 4 ein größerer Abstand zu dem Halbleiterchip vorgesehen ist; Figur 6 eine schematische seitliche Darstellung eines Bauele¬ ments mit einer in die Vergussmasse eingebrachten Verdrängungsmasse, welche ein Vergussmaterial mit LeuchtstoffParti¬ keln aufweist; und Figur 7 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Auf der Grundlage der folgenden schematischen Figuren werden mögliche Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bau- elementen beschrieben. Die Bauelemente weisen einen optoelektronischen Halbleiterchip 110 auf, welcher in einer zur Strahlungskonversion ausgebildeten Vergussmasse 130 eingebettet ist. Um die von den Bauelementen erzeugbare Lichtstrahlung zu korrigieren, wird wenigstens eine Verdrängungsmasse mit einer von der Vergussmasse 130 verschiedenen Materialbe¬ schaffenheit bzw. Materialzusammensetzung in die Vergussmasse 130 eingebracht. Hierdurch kann die abgegebene Lichtstrahlung einen veränderten Farbort und/oder eine veränderte Abstrahlcharakteristik aufweisen.
Im Rahmen der Herstellung können aus der Halbleitertechnik und aus der Fertigung optoelektronischer Bauelemente bekannte Prozesse durchgeführt werden, sowie übliche Materialien zum Einsatz kommen, so dass hierauf nur teilweise eingegangen wird. Auch können neben dargestellten und beschriebenen Prozessen gegebenenfalls weitere Verfahrensschritte zum Vervoll¬ ständigen der Bauelemente durchgeführt werden. In gleicher Weise können die Bauelemente neben gezeigten und beschriebe¬ nen Strukturen weitere Komponenten, Strukturen und/oder
Schichten umfassen. Es wird ferner darauf hingewiesen, dass die Figuren lediglich schematischer Natur sind und nicht maßstabsgetreu sind. In dieser Hinsicht können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein.
Anhand der schematischen seitlichen Schnittansichten der Figuren 1 bis 6 wird die Herstellung möglicher Ausführungsfor- men von optoelektronischen Bauelementen beschrieben. Im Rahmen der Herstellung wird eine Korrektur mit Hilfe unterschiedlicher Verdrängungsmassen durchgeführt. In der Herstellung durchgeführte Verfahrensschritte sind ergänzend in dem Ablaufdiagramm von Figur 7 zusammengefasst , auf welches im Folgenden ebenfalls Bezug genommen wird.
Bei jedem der herzustellenden Bauelemente wird in einem
Schritt 201 (vgl. Figur 7) eine Ausgangsanordnung 100 bereitgestellt, welche in Figur 1 gezeigt ist. Die Ausgangsanord- nung 100 umfasst einen Träger 120 mit einer Kavität 121, ei¬ nen optoelektronischen Halbleiterchip 110 und eine Vergussmasse 130. Die Vergussmasse 130 ist mit LeuchtstoffPartikeln 135 zur Strahlungskonversion gefüllt. Der Halbleiterchip 110 ist innerhalb der Kavität 121 auf dem Träger 120 angeordnet. Hierbei ist der Halbleiterchip 110 mittig im Bereich eines
Bodens der Kavität 121 positioniert. Die Kavität 121 ist mit der Vergussmasse 130 vergossen, so dass der Halbleiterchip 110 von der Vergussmasse 130 umgeben ist. Aufgrund der Grenz¬ flächenspannung kann die Vergussmasse 130 eine gewölbte Ober- fläche aufweisen.
Für das Bereitstellen der Ausgangsanordnung 100 von Figur 1 wird zuerst ein Anordnen des Halbleiterchips 110 auf dem Trä- ger 120 in der Kavität 121 durchgeführt. Hierbei wird der Halbleiterchip 110 mit einer Rückseite auf dem Träger 120 befestigt und elektrisch mit dem Träger 120 kontaktiert. An¬ schließend wird die mit den LeuchtstoffPartikeln 135 gefüllte Vergussmasse 130 in die Kavität 121 eingebracht.
Die Vergussmasse 130 ist aus einem transparenten Vergussmate¬ rial ausgebildet, in welches die LeuchtStoffpartikel 135 ein¬ gebettet sind. Das Vergussmaterial der Vergussmasse 130 kann zum Beispiel ein Silikonmaterial, oder alternativ ein anderes Material, zum Beispiel ein Epoxidmaterial , sein. Das Vergie¬ ßen der Kavität 121 mit der partikelgefüllten Vergussmasse 130 kann mit Hilfe einer geeigneten Einrichtung, beispielweise einem Dispenser bzw. einer Dosiereinrichtung, durchgeführt werden. Für das Einbringen liegen die Vergussmasse 130 bzw. deren Vergussmaterial in einem zähflüssigen Zustand vor. In einem späteren Verfahrensstadium können das Vergussmaterial und damit die Vergussmasse 130 ausgehärtet werden. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 110, welcher durch ein geeignetes Fertigungsverfahren hergestellt werden kann, kann es sich insbesondere um einen Leuchtdioden- bzw. LED- Chip 110 (Light Emitting Diode) handeln. Der Halbleiterchip 110 ist dazu ausgebildet, bei Zufuhr von elektrischer Energie eine primäre Lichtstrahlung 170 zu erzeugen. Die Primärstrahlung 170 wird im Wesentlichen über eine der Rückseite des Halbleiterchips 110 entgegen gesetzte Vorderseite abgegeben, welche auch als Lichtaustrittsseite des Halbleiterchips 110 bezeichnet wird. Hierbei kann die Emission der Primärstrah- lung 170 zu einem großen Teil in einem bestimmten Abstrahlbereich erfolgen. Ein solcher Abstrahlbereich ist in Figur 1 an einer Seite des Halbleiterchips 110 anhand eines beispielhaf¬ ten, sich auf eine Flächennormale beziehenden seitlichen Abstrahlwinkels 171 angedeutet. Eine geringere Strahlungsemis- sion kann auch bei größeren Abstrahlwinkeln erfolgen, sowie über die lateralen Seiten bzw. einen Teil der lateralen Seiten des Halbleiterchips 110 stattfinden. Die Zufuhr von elektrischer Energie zu dem Halbleiterchip 110 erfolgt mit Hilfe von nicht dargestellten elektrischen An- schluss- und Kontaktstrukturen des Trägers 120, welche im Rahmen des Anordnens des Halbleiterchips 110 auf dem Träger 120 an nicht dargestellte Kontakte des Halbleiterchips 110 angeschlossen werden. Figur 1 veranschaulicht eine mögliche Kontaktierung mit Hilfe eines Bonddrahts 150. Über den Bond¬ draht 150 ist ein vorderseitiger Kontakt des Halbleiterchips 110 an einen zugehörigen Gegenkontakt des Trägers 120 ange- schlössen. Ein rückseitiger Kontakt des Halbleiterchips 110 ist zum Beispiel über ein Lotmittel oder einen elektrisch leitfähigen Klebstoff (nicht dargestellt) an einen weiteren Gegenkontakt des Trägers 120 angeschlossen. Hierdurch kann der Halbleiterchip 110 gleichzeitig mechanisch auf dem Träger 120 befestigt sein.
Abgesehen von der in Figur 1 (und den anderen Figuren 2 bis 6) angedeuteten Ausgestaltung des Halbleiterchips 110 mit ei¬ nem Vorderseitenkontakt und einem Rückseitenkontakt sind auch andere Ausführungsformen des Halbleiterchips 110 denkbar. Der Halbleiterchip 110 kann zum Beispiel zwei Vorderseitenkontakte aufweisen, welche in entsprechender Weise mit zwei Bonddrähten 150 an Gegenkontakte des Trägers 120 angeschlossen sein können. Möglich ist es auch, dass der Halbleiterchip 110 zwei Rückseitenkontakte aufweist, welche über ein Lotmittel oder über einen elektrisch leitfähigen Klebstoff an Gegenkontakte des Trägers 120 angeschlossen sein können.
Der Träger 120 kann zum Beispiel ein sogenannter Premold- Träger sein. Hierbei kann der Träger 120 eine elektrische An- schluss- und Kontaktanordnung (leadframe) aufweisen, welche von einem durch Umspritzen gebildeten KunstStoffmaterial umgeben ist. Für das Verfahren kann eine parallele Herstellung mehrerer optoelektronischer Bauelemente in Betracht kommen. Figur 1 kann in dieser Hinsicht einen Ausschnitt eines größeren zu¬ sammenhängenden Trägers 120 mit mehreren Kavitäten 121 veran- schaulichen, wobei jede Kavität 121 wie oben beschrieben mit einem Halbleiterchip 110 bestückt und mit einer Vergussmasse 130 vergossen sein kann. Daher können, in einer Ebene verteilt, mehrere aneinandergrenzende Ausgangsanordnungen 100 mit dem in Figur 1 gezeigten Aufbau vorliegen. Am Ende des Herstellungsverfahrens kann der zusammenhängende Träger 120 in separate Träger 120 vereinzelt werden.
Bei der Ausgangsanordnung 100 von Figur 1 ist der Halbleiter- chip 110 bis auf dessen Rückseite im Wesentlichen allseitig von der in die Kavität 121 eingebrachten Vergussmasse 130 umgeben. Die in der Vergussmasse 130 enthaltenen Leuchtstoff¬ partikel 135 können einen Teil der von dem Halbleiterchip 110 im Betrieb abgegebenen Primärstrahlung 170 in eine nieder- energetischere sekundäre Lichtstrahlung 175, im Folgenden als Konversionsstrahlung 175 bezeichnet, umwandeln (Volumenkonversion) . Hierbei absorbieren die LeuchtStoffpartikel 135 ei¬ nen Teil der Primärstrahlung 170, und können dadurch zur Ree- mission der Konversionsstrahlung 175 angeregt werden. Die Primärstrahlung 170 und die Konversionsstrahlung 175 können sich zu einer Mischstrahlung 179 überlagern. Dieser Zusammenhang, welcher lediglich bei der Ausgangsanordnung 100 von Figur 1 schematisch anhand von Pfeilen für die einzelnen Lichtstrahlungen 170, 175, 179 angedeutet ist, gilt auch für ein aus der Ausgangsanordnung 100 hervorgehendes Bauelement, bei¬ spielsweise die in den Figuren 2 bis 6 gezeigten Bauelemente.
Bei der durch Mischung der Primärstrahlung 170 und der Konversionsstrahlung 175 erzeugten Mischstrahlung 179 kann es sich zum Beispiel um eine weiße Lichtstrahlung handeln. Zu diesem Zweck kann der Halbleiterchip 110 zum Erzeugen einer Primärstrahlung 170 im blauen bis ultravioletten Spektralbereich ausgebildet sein. Sämtliche LeuchtStoffpartikel 135 können ein Konversionsmaterial aufweisen, welches einen Teil der von dem Halbleiterchip 110 emittierten blauvioletten Lichtstrahlung 170 in eine Lichtstrahlung 175 im gelben
Spektralbereich umwandelt. Alternativ können komplexere LeuchtstoffSysteme zur Anwendung kommen. Die Vergussmasse 130 kann in dieser Hinsicht eine Mi¬ schung verschiedener Arten von LeuchtstoffPartikeln 135 aus unterschiedlichen Konversionsmaterialien aufweisen, welche die Primärstrahlung 170 in niederenergetischere sekundäre
Lichtstrahlungen aus unterschiedlichen Spektralbereichen umwandeln. In dieser Ausgestaltung umfasst die in der Vergussmasse 130 erzeugte Konversionsstrahlung 175 somit mehrere Teilstrahlungen. In Bezug auf einen im blauen bis ultravio- letten Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip 110 kann zum Beispiel eine Ausgestaltung der Vergussmasse 130 mit ei¬ ner Mischung aus ersten LeuchtstoffPartikeln zum Emittieren einer Lichtstrahlung im gelben bis grünen Spektralbereich und zweiten LeuchtStoffpartikel zum Emittieren einer Lichtstrah- lung im roten Spektralbereich vorgesehen sein. Aus der Überlagerung dieser Lichtstrahlungen kann ebenfalls eine weiße Lichtstrahlung 179 hervorgehen.
Herstellungsbedingt kann es vorkommen, dass die von der Aus- gangsanordnung 100 von Figur 1 erzeugbare Mischstrahlung 179 außerhalb einer vorgegebenen Spezifikation liegt. Beispielsweise kann der Farbort von einem vorgegebenen Farbort oder Farbortbereich abweichen. Bei mehreren Ausgangsanordnungen 100 können, bedingt durch zum Beispiel Bauteilabweichungen, Schwankungen in der Konzentration der LeuchtStoffpartikel 135 und eine unterschiedliche Vergusshöhe, erhebliche Schwankun¬ gen in der Farbortverteilung vorliegen. Des Weiteren kann der Farbort der Mischstrahlung 179 je nach Betrachtungswinkel un¬ terschiedlich sein. Die Winkelcharakteristik des Farborts be- ruht darauf, dass die von dem Halbleiterchip 110 abgegebene Primärstrahlung 170 in Abhängigkeit des Abstrahlwinkels 171 unterschiedlich lange Wegstrecken in der Vergussmasse 130 durchläuft, und daher ein unterschiedliches Ausmaß an Konver¬ sion vorliegen kann. Derartige Effekte können mit den im Fol- genden beschriebenen Maßnahmen korrigiert werden.
In einem weiteren Schritt 202 (vgl. Figur 7) wird zunächst die von der Ausgangsanordnung 100 erzeugbare Mischstrahlung „
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179 gemessen. Zu diesem Zweck wird der optoelekronische Halb¬ leiterchip 110 zum Emittieren der Primärstrahlung 170 aktiviert. Die infolgedessen von der Ausgangsanordnung 100 abgegebenen Mischstrahlung 179 wird mit Hilfe einer geeigneten Messeinrichtung gemessen. Bei der Messung können zum Beispiel Farbortkoordinaten der Ausgangsanordnung 100 erfasst werden. Möglich ist ferner ein Erfassen einer winkelabhängigen Abstrahlcharakteristik. Die Messung, bei der es sich um eine Inline-Messung handelt, wird nach dem Vergießen im ungehärte- ten Zustand der Vergussmasse 130 durchgeführt.
In einem weiteren Schritt 203 (vgl. Figur 7) wird, in Abhängigkeit der gemessenen Mischstrahlung 179 der Ausgangsanordnung 100, eine Korrektur zum Verändern der erzeugbaren Misch- Strahlung 179 durchgeführt. Für die Korrektur wird wenigstens eine Verdrängungsmasse in die ungehärtete Vergussmasse 130 der Ausgangsanordnung 100 eingebracht. Da dies in Abhängigkeit des Messergebnisses erfolgt, ist eine individuelle An¬ passung möglich. Auf diese Weise kann erreicht werden, dass die erzeugbare Mischstrahlung 179 mit einer hohen Zuverläs¬ sigkeit der vorgegebenen Spezifikation entspricht.
In Abhängigkeit der gemessenen Mischstrahlung 179 der Ausgangsanordnung 100 können zum Beispiel durch einen geeigneten Algorithmus Parameter wie eine Menge, Volumengröße und/oder Einbringposition einer zur Korrektur verwendeten Verdrängungsmasse, sowie eine Anzahl an Verdrängungsmassen festge¬ legt werden. Möglich ist auch die Auswahl einer Korrekturmethode aus mehreren möglichen Korrekturmethoden. Hierbei kann die Art bzw. Materialbeschaffenheit einer zur Korrektur vor¬ gesehenen Verdrängungsmasse festgelegt werden.
Mögliche Methoden zur Korrektur der Ausgangsanordnung 100, welche zur Herstellung unterschiedlicher Ausführungsformen von optoelektronischen Bauelementen führen können, werden im Folgenden anhand der Figuren 2 bis 6 näher beschrieben. Es wird darauf hingewiesen, dass Aspekte und Details, welche in Bezug auf eine der folgenden Ausführungsformen genannt wer- den, gegebenenfalls auch bei einer anderen der folgenden Ausführungsformen zur Anwendung kommen können.
Die in Figur 2 gezeigte Korrekturmethode, welche zur Herstel- lung eines optoelektronischen Bauelements 101 führt, bezieht sich darauf, in dem Schritt 203 eine Verdrängungsmasse in Form eines Körpers 140 aus einem festen Material in die unge¬ härtete Vergussmasse 130 einzubringen. Der Körper 140, wel¬ cher wie in Figur 2 gezeigt zum Beispiel eine Kugelform be- sitzt, weist eine höhere Dichte auf als die Vergussmasse 130 bzw. deren Vergussmaterial. Auf diese Weise kann der Körper 140 seitlich neben dem Halbleiterchip 110 auf dem Boden der Kavität 121 positioniert werden. Bei dem Körper 140 kann es sich zum Beispiel um ein Kügelchen aus Glas handeln. Für das Einbringen kann der Körper 140 zum Beispiel auf die Verguss¬ masse 130 aufgesetzt werden, und nachfolgend von selbst auf den Boden der Kavität 121 absinken.
Das Einbringen des Körpers 140 in die Vergussmasse 130 bietet die Möglichkeit, das verbleibende Volumen der Kavität 121 an¬ zupassen. Das Einbringen des Körpers 140 hat eine Verdrängung der Vergussmasse 130 und dadurch eine Vergrößerung der Vergusshöhe zur Folge. Die Vergussmasse 130 kann weiterhin, wie in Figur 2 gezeigt ist, eine gewölbte Oberfläche aufweisen. Der erhöhte Füllstand des Volumenvergusses bei dem Bauelement 101 führt dazu, dass im Betrieb des Halbleiterchips 110 im Vergleich zu der Ausgangsanordnung 100 ein größeres Ausmaß an Konversion der Primärstrahlung 170 vorliegt. Das Bauelement 101 kann folglich eine Mischstrahlung 179 erzeugen, bei der das Verhältnis aus Primärstrahlung 170 und Konversionsstrahlung 175 zugunsten der Konversionsstrahlung 175 verschoben ist. Dies ist mit einer entsprechenden Farbortveränderung der Mischstrahlung 179 verbunden. Bei Vorliegen eines im blauen bis ultravioletten Spektralbereich emittierenden Halbleiter- chips 110 und einer weißen Mischstrahlung 179 hat die Erhö¬ hung des Füllstands eine Farbortverschiebung der Mischstrahlung 179 in Richtung des roten Spektralbereichs zur Folge. Ein weiterer möglicher Effekt infolge des Einbringens des Körpers 140 und damit des Vergrößerns der Vergusshöhe ist ei¬ ne geringfügige Änderung der Winkelabhängigkeit des Farborts der Mischstrahlung 179. Dieser Effekt kann gegebenenfalls vernachlässigt werden. Es kann ferner in Betracht kommen, die Vergussmasse 130 neben den LeuchtstoffPartikeln 135 mit zusätzlichen, in der Vergussmasse 130 eingebetteten Streupartikeln auszubilden, um die Winkelabhängigkeit des Farborts zu reduzieren (nicht dargestellt).
In Bezug auf die in Figur 2 gezeigte Korrekturmethode kann eine individuelle Farbortkorrektur zum Beispiel dadurch durchgeführt werden, dass unterschiedlich große, und damit eine unterschiedlich große Volumenverdrängung und Füllstands- erhöhung hervorrufende feste Körper 140 bereitgestellt wer¬ den. In Abhängigkeit der an der zugrundeliegenden Ausgangsanordnung 100 durchgeführten Messung (Schritt 202) kann in dem Schritt 203 einer der Körper 140 ausgewählt und in die Ver¬ gussmasse 130 eingebracht werden. Möglich ist auch ein Ein- bringen mehrerer, gegebenenfalls unterschiedlich großer Körper 140 (nicht dargestellt) .
Die in Figur 3 gezeigte Korrekturmethode, welche zur Herstel¬ lung eines optoelektronischen Bauelements 102 führt, bezieht sich darauf, in dem Schritt 203 eine Verdrängungsmasse 141 in die ungehärtete Vergussmasse 130 einzubringen, wobei die Ver¬ drängungsmasse 141 ein transparentes konverterfreies Verguss¬ material ohne eingebettete LeuchtStoffpartikel aufweist.
Hierbei kann es sich um das gleiche Vergussmaterial wie bei der Vergussmasse 130, zum Beispiel um ein Silikonmaterial oder um ein Epoxidmaterial , handeln. Die Ausgestaltung der Verdrängungsmasse 141 aus einem Vergussmaterial bietet die Möglichkeit, die Verdrängungsmasse 141 in einem Bereich ober¬ halb des Halbleiterchips 110 zu positionieren.
Die Verdrängungsmasse 141 wird in einem zähflüssigen Zustand in die ebenfalls in einem zähflüssigen Zustand vorliegende Vergussmasse 130 eingebracht. Da die Verdrängungsmasse 141 aus einem Vergussmaterial ohne LeuchtStoffpartikel ausgebil¬ det wird, kann das Einbringen, wie in Figur 3 angedeutet ist, mit Hilfe einer Düse 160 einer nicht gezeigten Dosiereinrichtung durchgeführt werden. Bei diesem Prozess, welcher als „Jetting" bezeichnet werden kann, werden ein oder mehrere
Tropfen oder ein Strahl des konverterfreien Vergussmaterials aus der Düse 160 ausgestoßen und in die partikelgefüllte Ver¬ gussmasse 130 eingebracht. Auf diese Weise ist ein genaues und kontaktloses Einbringen der Verdrängungsmasse 141 in die Vergussmasse 130 möglich. Gegebenenfalls kann am Rand der in der Vergussmasse 130 angeordneten Verdrängungsmasse 141 ein durch Durchmischung des partikelgefüllten Vergussmaterials mit dem konverterfreien Vergussmaterial gebildeter Übergangs¬ bereich vorliegen, in welchem LeuchtStoffpartikel 135 vorlie- gen (nicht dargestellt) .
Das Hinzufügen der Verdrängungsmasse 141 zu der Vergussmasse 130 hat eine Volumenverdrängung zur Folge, so dass auch bei dem Bauelement 102 von Figur 3 gegenüber der Ausgangsanord- nung 100 von Figur 1 eine größere Vergusshöhe vorliegt. Die Korrektur der Mischstrahlung 179 basiert bei dem Bauelement 102 jedoch nicht auf der vergrößerten Vergusshöhe, sondern auf einem Anordnen der Verdrängungsmasse 141 in einem Bereich oberhalb des Halbleiterchips 110, welcher unmittelbar von der im Betrieb des Halbleiterchips 110 abgegebenen Primärstrah¬ lung 170 durchstrahlt werden kann. Auf diese Weise sind eine gezielte Veränderung der Strahlungskonversion und damit der erzeugbaren Mischstrahlung 179 möglich. Bei dem Bauelement 102 wird die Verdrängungsmasse 141, wie in Figur 3 gezeigt ist, gegenüberliegend zu der Vorderseite des Halbleiterchips 110 positioniert. Die Verdrängungsmasse 141 befindet sich somit unmittelbar im Abstrahlbereich des Halbleiterchips 110, und kann direkt von der vorderseitig bzw. senkrecht an der Vorderseite abgegebenen Primärstrahlung 170 durchstrahlt werden. Bei einem Durchgang der PrimärStrahlung 170 durch die Verdrängungsmasse 141 tritt, aufgrund des Feh¬ lens von LeuchtStoffPartikeln 135, keine Strahlungskonversion auf. Im Vergleich zu der Ausgangsanordnung 100 kann das Bauelement 102 daher eine Mischstrahlung 179 erzeugen, bei der das Verhältnis aus Primärstrahlung 170 und Konversionsstrahlung 175 zugunsten der Primärstrahlung 175 verschoben ist. Dies ist mit einer entsprechenden Farbortveränderung der
Mischstrahlung 179 verbunden. Bei Vorliegen eines im blauen bis ultravioletten Spektralbereich emittierenden Halbleiterchips 110 und einer weißen Mischstrahlung 179 führt das Einbringen der Verdrängungsmasse 141 zu einer Farbortverschie- bung der Mischstrahlung 179 in Richtung des blauen Spektralbereichs .
Das Hinzufügen der Verdrängungsmasse 141 hat gegebenenfalls zur Folge, dass bei dem Bauelement 102 im Vergleich zu der Ausgangsanordnung 100 eine größere Winkelabhängigkeit des Farborts der Mischstrahlung 179 vorliegt. Um die Winkelabhängigkeit zu reduzieren, kann eine Ausgestaltung der Vergussmasse 130 mit zusätzlichen, in der Vergussmasse 130 enthalte¬ nen Streupartikeln vorgesehen sein (nicht dargestellt) .
Hinsichtlich der in Figur 3 gezeigten Korrekturmethode kann eine individuelle Korrektur zum Beispiel dadurch erfolgen, dass in Abhängigkeit der an der zugrundeliegenden Ausgangsanordnung 100 durchgeführten Messung (Schritt 202) in dem
Schritt 203 eine hierauf abgestimmte Menge an konverterfreiem Vergussmaterial für die Verdrängungsmasse 141 vorgegeben und in die Vergussmasse 130 eingebracht wird. Anstatt wie in Fi¬ gur 3 gezeigt lediglich eine Verdrängungsmasse 141 auszubil¬ den, können auch mehrere separate Verdrängungsmassen 141 in einem der Vorderseite des Halbleiterchips 110 gegenüberlie¬ genden Bereich in der Vergussmasse 130 angeordnet werden.
Figur 4 veranschaulicht eine zu Figur 3 ähnliche Korrekturme¬ thode, welche zur Herstellung eines optoelektronischen Bau- elements 103 führt. Die Korrektur in dem Schritt 203 erfolgt hierbei dadurch, dass mehrere Verdrängungsmassen 142 aus einem Vergussmaterial ohne LeuchtStoffpartikel in die ungehär¬ tete Vergussmasse 130 eingebracht werden. Neben den in Figur 4 gezeigten zwei Verdrängungsmassen 142 kann das Bauelement 103 mit einer größeren Anzahl solcher Verdrängungsmassen 142 ausgebildet werden. Die Verdrängungsmassen 142 werden in einem Bereich oberhalb des Halbleiterchips 110, jedoch im Un- terschied zu Figur 3 nicht gegenüberliegend zur Vorderseite des Halbleiterchips 110, sondern lateral bzw. seitlich ver¬ setzt zu dem Halbleiterchip 110 in die Vergussmasse 130 ein¬ gebracht. Die konverterfreien Verdrängungsmassen 142 können das gleiche Vergussmaterial wie die Vergussmasse 130 aufwei- sen. Des Weiteren kann das Einbringen unter Verwendung einer nicht gezeigten Düse erfolgen. Für weitere vergleichbare De¬ tails wird auf die vorstehende Beschreibung zu Figur 3 Bezug genommen . Wie in Figur 4 anhand des seitlichen Abstrahlwinkels 171 an¬ gedeutet ist, werden die Verdrängungsmassen 142 bei dem Bauelement 103 derart positioniert, dass die Verdrängungsmassen 142 direkt von einem schräg von dem Halbleiterchip 110 emittierten Teil der Primärstrahlung 170 durchstrahlt werden kön- nen . Bei einem Durchgang der Primärstrahlung 170 durch die Verdrängungsmassen 142 tritt, aufgrund des Fehlens von
LeuchtstoffPartikeln 135, keine Strahlungskonversion auf.
Hierdurch ist es möglich, eine bei der zugrundeliegenden Aus- gangsanordnung 100 von Figur 1 auftretende Winkelabhängigkeit des Farborts der Mischstrahlung 179 zu reduzieren. Bei der Ausgangsanordnung 100 durchläuft die Primärstrahlung 170 mit zunehmendem Abstrahlwinkel 171 eine größere Wegstrecke in der Vergussmasse 130, und wird daher in zunehmendem Maße konver- tiert. Dies führt zu dem Auftreten der Winkelcharakteristik. Die bei dem Bauelement 103 ausgebildeten Verdrängungsmassen 142 bewirken hingegen, dass ein Teil der schräg emittierten PrimärStrahlung 170 einer geringeren Strahlungskonversion unterliegt. Auf diese Weise kann einer Vergrößerung der Strah- lungskonversion mit zunehmendem Abstrahlwinkel 171 entgegengewirkt werden. Das Bauelement 103 kann infolgedessen eine Mischstrahlung 179 erzeugen, welche im Vergleich zu der Aus- gangsanordnung 100 eine geringere Winkelabhängigkeit des Far¬ borts besitzt.
Das Einbringen der Verdrängungsmassen 142 in die Vergussmasse 130 hat auch in dieser Ausgestaltung eine Volumenverdrängung zur Folge, so dass bei dem Bauelement 103 von Figur 4 gegen¬ über der Ausgangsanordnung 100 von Figur 1 eine größere Vergusshöhe vorliegt. Bei der zwischen die Verdrängungsmassen 142 abgestrahlten bzw. senkrecht von der Vorderseite des Halbleiterchips 110 emittierten Primärstrahlung 170 tritt so¬ mit ein größeres Ausmaß an Strahlungskonversion auf. Dies führt - vergleichbar zu dem Bauelement 101 von Figur 2 - dazu, dass bei der von dem Bauelement 103 erzeugbaren Mischstrahlung 179 das Verhältnis aus Primärstrahlung 170 und Kon- versionsstrahlung 175 zugunsten der Konversionsstrahlung 175 verschoben, und dadurch der Farbort verändert ist. Bei Vor¬ liegen eines im blauen bis ultravioletten Spektralbereich emittierenden Halbleiterchips 110 und einer weißen Mischstrahlung 179 hat die Füllstandserhöhung eine Farbortver- Schiebung in Richtung des roten Spektralbereichs zur Folge.
Bei dem Bauelement 103 von Figur 4 kann ebenfalls eine Aus¬ gestaltung der Vergussmasse 130 mit zusätzlichen, in der Vergussmasse 130 enthaltenen Streupartikeln vorgesehen sein (nicht dargestellt) . Hierdurch kann die Verbesserung der Winkelcharakteristik des Farborts verstärkt werden. Im Vergleich zu einem herkömmlichen Bauelement kann jedoch eine wesentlich geringere Partikeldichte der Streupartikel vorgesehen werden. Dadurch kann das Bauelement 103 eine große Effizienz besit- zen.
In Bezug auf die in Figur 4 gezeigte Korrekturmethode kann eine individuelle Anpassung zum Beispiel dadurch erfolgen, dass in Abhängigkeit der an der zugrundeliegenden Ausgangsan- Ordnung 100 durchgeführten Messung (Schritt 202) in dem
Schritt 203 Parameter wie Einbringpositionen, Mengen an verwendetem konverterfreiem Vergussmaterial für die Verdrän- gungsmassen 142 und/oder eine Anzahl an Verdrängungsmassen 142 vorgegeben werden.
Bei mehr als zwei Verdrängungsmassen 142 können die Verdrän- gungsmassen 142 von oben betrachtet zum Beispiel symmetrisch um den Halbleiterchip 110 herum positioniert werden. Beispielsweise können mehrere Verdrängungsmassen 142 kreisförmig um den Halbleiterchip 110 herum angeordnet sein. Anstelle einer Ausgestaltung des Bauelements 103 mit mehreren voneinan- der getrennten Verdrängungsmassen 142 kann gegebenenfalls eine Ausgestaltung mit einer zusammenhängenden, den Halbleiterchip 110 in der Aufsicht umlaufenden (beispielsweise kreis¬ förmig umlaufenden) Verdrängungsmasse 142 vorgesehen sein. Zu diesem Zweck können zum Beispiel mehrere aneinandergrenzende bzw. ineinander übergehende Verdrängungsmassen 142 in die Vergussmasse 130 eingebracht werden.
Bei der in Figur 5 gezeigten Korrekturmethode, welche zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 104 führt, werden in dem Schritt 203 vergleichbar zu dem Bauelement 103 von Figur 4 mehrere Verdrängungsmassen 142 aus einem Vergussmaterial ohne Leuchtstoffpartikel in die ungehärtete Verguss¬ masse 130 eingebracht. Das Einbringen erfolgt erneut in einem Bereich oberhalb und lateral versetzt zu dem Halbleiterchip 110. Im Unterschied zu Figur 4 ist jedoch ein größerer late¬ raler Abstand zwischen den Verdrängungsmassen 142 und dem Halbleiterchip 110 vorgesehen.
Der größere Abstand hat zur Folge, dass die in der Verguss- masse 130 angeordneten Verdrängungsmassen 142 nicht oder nur unwesentlich von der in dem Abstrahlbereich des Halbleiterchips 110 abgegebenen Primärstrahlung 170 durchstrahlt werden können. Dieser Zusammenhang wird anhand des in Figur 5 angedeuteten seitlichen Abstrahlwinkels 171 deutlich. Eine Kor- rektur der Mischstrahlung 179 kann daher im Wesentlichen auf der mit dem Einbringen der Verdrängungsmassen 142 einhergehenden Volumenverdrängung, und damit der Vergrößerung des Füllstands des Volumenvergusses basieren. Auf diese Weise kann das Bauelement 104 von Figur 5 - vergleichbar zu dem Bauelement 101 von Figur 2 - eine Mischstrahlung 179 mit ei¬ nem gegenüber der Ausgangsanordnung 100 veränderten Farbort erzeugen (d.h. vorliegend Farbortverschiebung zugunsten der Konversionsstrahlung 175 bzw. in Richtung des roten Spektralbereichs ) .
Bei dem Bauelement 104 von Figur 5 kann ebenfalls eine Aus¬ gestaltung der Vergussmasse 130 mit zusätzlichen Streuparti- kein zur Verbesserung der Winkelcharakteristik des Farborts vorgesehen werden (nicht dargestellt). Eine individuelle Kor¬ rektur kann zum Beispiel dadurch erfolgen, dass in Abhängigkeit der an der zugrundeliegenden Ausgangsanordnung 100 durchgeführten Messung (Schritt 202) in dem Schritt 203 die Anzahl an Verdrängungsmassen 142 und/oder die Menge an verwendetem konverterfreiem Vergussmaterial vorgegeben wird. Anstelle mehrerer Verdrängungsmassen 142 kann auch lediglich eine einzelne Verdrängungsmasse 142 ausgebildet werden. Bei den Bauelementen 102, 103, 104 der Figuren 3 bis 5 weisen die Verdrängungsmassen 141, 142 wie oben beschrieben ein konverterfreies Vergussmaterial auf. Alternativ kann eine Kor¬ rektur der Mischstrahlung 179 auch mit Hilfe von Verdrängungsmassen durchgeführt werden, welche ein Vergussmaterial mit eingebetteten LeuchtstoffPartikeln aufweisen. In derartige Verdrängungsmassen kann ebenfalls ein Teil der Primärstrahlung 170 in eine Lichtstrahlung konvertiert werden. Diese Strahlung kann der Konversionsstrahlung 175 zugerechnet werden. Die konvertierenden Verdrängungsmassen können sich durch die LeuchtStoffpartikel , beispielsweise durch die Kon¬ zentration der LeuchtStoffpartikel , von der Vergussmasse 130 unterscheiden .
Zur beispielhaften Veranschaulichung dieses Ansatzes zeigt Figur 6 ein weiteres optoelektronisches Bauelement 105, wel¬ ches im Wesentlichen den gleichen Aufbau wie das Bauelement 102 von Figur 3 besitzt. Für vergleichbare Details wird daher auf die vorstehende Beschreibung zu dem Bauelement 102 Bezug genommen. Bei der Herstellung des Bauelements 105 erfolgt die Korrektur (Schritt 203) dadurch, dass eine Verdrängungsmasse 143 in die Vergussmasse 130 der zugrundeliegenden Ausgangsanordnung 100 eingebracht wird, welche ein mit Leucht stoffpar- tikeln 135 gefülltes Vergussmaterial aufweist. Die Verdrän¬ gungsmasse 143 wird in einem zähflüssigen Zustand in die ebenfalls in einem zähflüssigen Zustand vorliegende Verguss¬ masse 130 eingebracht. Das Einbringen, was eine Vergrößerung der Vergusshöhe zur Folge hat, kann mit Hilfe einer geeigne- ten Dosiereinrichtung erfolgen (nicht dargestellt). Die Verdrängungsmasse 143 wird, wie die konverterfreie Verdrängungs¬ masse 141 des Bauelements 102, in einem Bereich oberhalb des Halbleiterchips 110, und gegenüberliegend zur Vorderseite des Halbleiterchips 110 positioniert.
Die Verdrängungsmasse 143 und die Vergussmasse 130 können das gleiche Vergussmaterial und die gleichen Leuchtstoffpartikel 135 aufweisen. Die Leuchtstoffpartikel 135 können zum Bei¬ spiel entsprechend der obigen Beschreibung ausgebildet sein, eine blauviolette Primärstrahlung 170 in eine gelbe Konversi¬ onsstrahlung 175 umzuwandeln. Wie in Figur 6 angedeutet ist, unterscheidet sich die Verdrängungsmasse 143 durch die Parti¬ keldichte von der Vergussmasse 130. In der Verdrängungsmasse 143 ist die Konzentration an LeuchtstoffPartikeln 135 gerin- ger als in der Vergussmasse 130.
Vergleichbar zu dem Bauelement 102 befindet sich die Verdrängungsmasse 143 des Bauelements 105 unmittelbar im Abstrahlbe¬ reich des Halbleiterchips 110, und kann direkt von der vor- derseitig abgegebenen Primärstrahlung 170 durchstrahlt werden. Bei einem Durchgang der Primärstrahlung 170 durch die Verdrängungsmasse 143 tritt, aufgrund der geringeren Konzent¬ ration an LeuchtstoffPartikeln 135, eine im Unterschied zur verdrängten Vergussmasse 130 verringerte Strahlungskonversion auf. Daher kann in entsprechender Weise erreicht werden, dass das Bauelement 105 eine Mischstrahlung 179 mit einem gegen¬ über der Ausgangsanordnung 100 veränderten Farbort erzeugt (d.h. vorliegend Farbortverschiebung zugunsten der Primärstrahlung 170 bzw. in Richtung des blauen Spektralbereichs) .
Konvertierende Verdrängungsmassen können auch auf andere Art und Weise zur Korrektur einer Ausgangsanordnung 100 herangezogen werden. Es ist zum Beispiel möglich, abweichend von Figur 6 eine mit LeuchtstoffPartikeln versehene Verdrängungs¬ masse an anderer Stelle, oder auch mehrere solcher Verdrängungsmassen in die Vergussmasse 130 einer zugrundeliegenden Ausgangsanordnung 100 einzubringen. Beispielsweise können
Bauelemente mit einem Aufbau vergleichbar zu den Bauelementen 103, 104 der Figuren 4 und 5 oder den hierzu beschriebenen Abwandlungen verwirklicht werden, wobei anstelle von konverterfreien Verdrängungsmassen 141, 142 konvertierende Verdrän- gungsmassen aus einem Vergussmaterial mit eingebetteten
LeuchtstoffPartikeln zur Anwendung kommen. Hierbei können die Verdrängungsmassen zum Beispiel die gleichen LeuchtstoffPartikel 135 wie die Vergussmasse 130, und mit einer geringeren Partikeldichte zum Hervorrufen einer verringerten Strahlungs- konversion aufweisen. Ein auf diese Weise ausgebildetes Bau¬ element mit einem Aufbau vergleichbar zu Figur 4, d.h. dass konvertierende Verdrängungsmassen von einem Teil der schräg emittierten Primärstrahlung 170 durchstrahlt werden, kann in gleicher Weise eine verbesserte Winkelcharakteristik des Far- borts besitzen.
Des Weiteren können bei Verwendung von konvertierenden Verdrängungsmassen auch komplexere LeuchtstoffSysteme zur Anwen¬ dung kommen. Beispielsweise können sowohl die Vergussmasse 130 als auch eine zur Korrektur eingebrachte Verdrängungsmas¬ se die gleiche Mischung aus LeuchtstoffPartikeln 135 aufweisen. In Betracht kommt zum Beispiel die oben beschriebene Mi¬ schung aus ersten LeuchtstoffPartikeln zum Emittieren einer gelbgrünen Lichtstrahlung und zweiten LeuchtstoffPartikeln zum Emittieren einer roten Lichtstrahlung. Hierbei kann sich die Verdrängungsmasse durch eine andere bzw. geringere Parti¬ keldichte von der Vergussmasse 130 unterscheiden. Die Vergussmasse 130 und eine zur Korrektur verwendete kon¬ vertierende Verdrängungsmasse können sich auch auf andere Art und Weise als durch die Partikeldichte voneinander unter¬ scheiden. Beispielsweise kann eine Verdrängungsmasse eine an- dere Art von LeuchtstoffPartikeln aufweisen als die Vergussmasse 130, so dass die Verdrängungsmasse und die Vergussmasse 130 die Primärstrahlung 170 in Lichtstrahlungen unterschiedlicher Spektralbereiche konvertieren. Möglich sind ferner ein Vorsehen verschiedener Mischungen aus unterschiedlichen
LeuchtstoffPartikeln in der Verdrängungsmasse und in der Vergussmasse 130, oder eine Ausgestaltung der Vergussmasse 130 mit einer Mischung verschiedener LeuchtStoffpartikel und eine Ausgestaltung der Verdrängungsmasse mit lediglich einer Art von LeuchtStoffPartikeln (oder umgekehrt).
Bei Verwendung konvertierender Verdrängungsmassen kann ebenfalls eine individuelle Korrektur durchgeführt werden. Hier¬ bei können zum Beispiel in Abhängigkeit der an der zugrunde¬ liegenden Ausgangsanordnung 100 durchgeführten Messung
(Schritt 202) in dem Schritt 203 Parameter wie eine einzu¬ bringende Menge eines mit LeuchtStoffPartikeln gefüllten Vergussmaterials, eine Einbringposition und/oder eine Anzahl an Verdrängungsmassen vorgegeben werden. Möglich ist ferner die Auswahl eines partikelgefüllten Vergussmaterials aus mehreren partikelgefüllten Vergussmaterialien, welche sich zum Beispiel durch die Partikeldichte, die Art und/oder die Mischung der LeuchtStoffpartikel voneinander unterscheiden können.
Im Anschluss an den Schritt 203, in welchem eine Korrektur mit einer der vorstehend beschriebenen Korrekturmethoden erfolgen kann, werden weitere Prozesse zum Fertigstellen des Herstellungsverfahrens durchgeführt. Diese Prozesse sind in dem Ablaufdiagramm von Figur 7 in einem weiteren Schritt 204 zusammengefasst . Hierunter fällt zum Beispiel ein Aushärten der Vergussmasse 130, was im Rahmen eines Temperatur- bzw. Ofenprozesses erfolgen kann. Verdrängungsmassen, welche ein Vergussmaterial aufweisen, zum Beispiel die Verdrängungsmas- sen 141, 142, 143 der Bauelemente 102, 103, 104, 105 der Figuren 3 bis 6, werden in diesem Prozess mit ausgehärtet.
Ein weiterer im Rahmen des Schritts 204 durchführbarer Pro- zess ist ein Vereinzelungsprozess , um voneinander getrennte Bauelemente bereitzustellen. Wie oben angegeben wurde, können mehrere Bauelemente zusammen auf einem gemeinsamen Träger 120 mit mehreren Kavitäten 121 ausgebildet werden. Hierbei können in dem Schritt 201 mehrere aneinandergrenzende Ausgangsanord- nungen 100 bereitgestellt, und in dem Schritt 202 deren
Lichtstrahlungen 179 gemessen werden. In dem Schritt 203 können die einzelnen Anordnungen 100 in Abhängigkeit des jewei¬ ligen Messergebnisses individuell korrigiert werden. In die¬ ser Hinsicht ist es auch vorstellbar, unterschiedliche der oben aufgezeigten Korrekturmethoden durchzuführen. Beispielsweise kann ein Teil der Ausgangsanordnungen 100 entsprechend Figur 2, und ein anderer Teil der Ausgangsanordnungen 100 entsprechend Figur 3 korrigiert werden. In Abhängigkeit der Messung einer Ausgangsanordnung 100 kann ferner in Betracht kommen, keine Korrektur durchzuführen, so dass der Schritt 203 für diese Ausgangsanordnung 100 entfällt. Dies ist zum Beispiel der Fall, wenn die von der betreffenden Ausgangsanordnung 100 abgegebene Mischstrahlung 179 einer vorgegebenen Spezifikation entspricht. Nach dem Aushärten kann der zusam- menhängende Träger 120 in separate Träger 120 zerteilt bzw. zersägt werden, wodurch vereinzelte Bauelemente vorliegen.
Die anhand der Figuren erläuterten Ausführungsformen stellen bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung dar. Neben den beschriebenen und abgebildeten Ausführungsformen sind weitere Ausführungsformen vorstellbar, welche weitere Abwandlungen bzw. Kombinationen von Merkmalen umfassen können . Beispielsweise können anstelle der oben angegebenen Materia¬ lien und Korrekturmaterialien der Verdrängungsmassen andere Materialien verwendet werden. Auch können optoelektronische Bauelemente zum Abgeben einer Lichtstrahlung mit einer ande- ren Farbe ausgebildet sein, bzw. können oben genannte Spekt¬ ralbereiche durch andere Spektralbereiche ersetzt werden.
Eine weitere mögliche Ausgestaltung besteht darin, für eine Vergussmasse 130 und eine Verdrängungsmasse unterschiedliche Vergussmaterialien vorzusehen. Auch kann vorgesehen sein, dass eine in eine Vergussmasse 130 eingebrachte Verdrängungs¬ masse eine größere Konzentration an LeuchtstoffPartikeln als die Vergussmasse 130 aufweist. Ferner kann in Betracht kom- men, eine ein Vergussmaterial aufweisende Verdrängungsmasse mit zusätzlichen, in dem Vergussmaterial eingebetteten Streupartikeln auszubilden.
Darüber hinaus ist es möglich, unterschiedliche der oben auf- gezeigten Korrekturmethoden an einem herzustellenden Bauelement zu kombinieren. Beispielsweise kann ein Bauelement mit einem festen Körper 140 (vgl. Figur 2), und mit lateral zu einem Halbleiterchip 110 versetzten konverterfreien Verdrängungsmassen 142 (vgl. Figur 4) ausgebildet werden.
Ein Bauelement kann auch mit mehreren, unterschiedlich großen Verdrängungsmassen aus einem Vergussmaterial ausgebildet wer¬ den. Eine weitere Variante ist ein Bauelement, welches sowohl wenigstens eine konverterfreie Verdrängungsmasse aus einem Vergussmaterial als auch wenigstens eine konvertierende Ver¬ drängungsmasse aus einem Vergussmaterial mit eingebetteten LeuchtstoffPartikeln aufweist. Möglich ist ferner eine Ausgestaltung eines Bauelements mit unterschiedlichen konvertie¬ renden Verdrängungsmassen aus einem mit LeuchtstoffPartikeln gefüllten Vergussmaterial, wobei sich die konvertierenden
Verdrängungsmassen durch die Partikeldichte, die Art und/oder die Mischung der LeuchtStoffpartikel voneinander unterschei¬ den können. In Bezug auf das Herstellungsverfahren besteht eine mögliche Abwandlung zum Beispiel darin, eine Messung einer Lichtstrahlung 179 (Schritt 202) und ein hierauf abgestimmtes Einbrin- gen (wenigstens) einer Verdrängungsmasse in eine Vergussmasse 130 (Schritt 203) gegebenenfalls mehrfach zu wiederholen.
Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen näher illustriert und beschrie¬ ben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
Bezugs zeichenliste
100 Ausgangsanordnung
101, 102 Bauelement
103, 104 Bauelement
105 Bauelement
110 Halbleiterchip
120 Träger
121 Kavität
130 Vergussmasse
135 Leuchtstoffpartikel
140, 141 Verdrängungsmasse 142, 143 Verdrängungsmasse
150 Bonddraht
160 Düse
170 PrimärStrahlung 171 Abstrah1winke1 175 Konversionsstrahlung 179 Mischstrahlung
201, 202 Verfahrensschritt 203, 204 Verfahrensschritt

Claims

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, umfassend die Verfahrensschritte:
Bereitstellen einer Ausgangsanordnung (100) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (110) und eine den Halbleiterchip (110) umgebende Vergussmasse (130), wobei der Halbleiterchip (110) zum Abgeben einer Primärstrahlung (170) ausgebildet ist, wobei die Vergussmasse (130) zum Umwandeln eines Teils der Primärstrahlung (170) in eine Konversionsstrahlung (175) ausgebildet ist, so dass eine Mischstrahlung (179) aus Primär- und Konversionsstrahlung (170, 175) erzeugbar ist; und
Einbringen wenigstens einer Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in die Vergussmasse (130), so dass eine verän¬ derte Mischstrahlung (179) erzeugbar ist, wobei die Vergussmasse (130) und die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) eine unterschiedliche Materialbeschaffenheit aufweisen .
Verfahren nach Anspruch 1,
wobei nach dem Bereitstellen der Ausgangsanordnung (100) ein Messen der Mischstrahlung (179) durchgeführt wird, und wobei das Einbringen der wenigstens einen Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in die Vergussmasse (130) in Abhängigkeit der gemessenen Mischstrahlung (179) durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 2,
wobei durch das Einbringen der wenigstens einen Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in die Vergussmasse (130) eine Anpassung des Farborts und/oder eine Anpas¬ sung der Winkelcharakteristik des Farborts der erzeugbaren Mischstrahlung (179) durchgeführt wird. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bereitstellen der Ausgangsanordnung (100) folgende Schritte umfasst:
Bereitstellen eines Trägers (120) mit einer Kavität (121) ;
Anordnen des Halbleiterchips (110) auf dem Träger (110) in der Kavität (121); und
Einbringen der Vergussmasse (130) in die Kavität (121).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vergussmasse (130) ein Vergussmaterial mit eingebetteten LeuchtStoffPartikeln (135) aufweist.
Verfahren einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Verdrängungsmasse (141, 142) ein Vergussmate¬ rial ohne eingebettete LeuchtStoffpartikel aufweist.
Verfahren einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Verdrängungsmasse (143) ein Vergussmaterial mit eingebetteten LeuchtStoffPartikeln (135) aufweist, und wobei sich die Verdrängungsmasse (143) insbesondere durch die LeuchtStoffpartikel (135), insbesondere durch eine abweichende Konzentration an LeuchtStoffPartikeln (135) von der Vergussmasse (130) unterscheidet.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verdrängungsmasse (141, 143) in einem einer Vorderseite des Halbleiterchips (110) gegenüberliegenden Bereich in die Vergussmasse (130) eingebracht wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verdrängungsmasse (142) in einem zu dem Halb¬ leiterchip (110) lateral versetzten Bereich in die Vergussmasse (130) eingebracht wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verdrängungsmasse (141, 142) unter Verwendung einer Düse (160) in die Vergussmasse (130) eingebracht wird .
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Verdrängungsmasse (140) ein Körper aus einem festen Material ist.
12. Optoelektronisches Bauelement, aufweisend: einen optoelektronischen Halbleiterchip (110), ausgebil det zum Abgeben einer Primärstrahlung (170); eine den Halbleiterchip (110) umgebende Vergussmasse (130), ausgebildet zum Umwandeln eines Teils der Primär Strahlung (170) in eine Konversionsstrahlung (175), so dass eine Mischstrahlung (179) aus Primär- und Konversi onsstrahlung (170, 175) erzeugbar ist; und wenigstens eine Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143), welche zum Verändern der erzeugbaren Mischstrahlung (179) in die Vergussmasse (130) eingebracht ist, wobei die Vergussmasse (130) und die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) eine unterschiedliche Materialbeschaffen heit aufweisen.
13. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 12,
weiter aufweisend einen Träger (120) mit einer Kavität (121), wobei der Halbleiterchip (110), die Vergussmasse (130) und die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in der Kavität (121) angeordnet sind.
14. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 oder 13,
wobei die Vergussmasse (130) ein Vergussmaterial mit eingebetteten LeuchtstoffPartikeln (135) aufweist, und wobei die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) eines der folgenden Materialien aufweist: ein Vergussmaterial ohne eingebettete LeuchtstoffParti¬ kel; ein Vergussmaterial mit eingebetteten LeuchtStoffParti¬ keln ( 135 ) ; oder ein festes Material, dessen Dichte größer ist als die Dichte des Vergussmaterials der Vergussmasse (130).
Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei die Verdrängungsmasse (141, 142, 143) in einem der folgenden Bereiche angeordnet ist: in einem einer Vorderseite des Halbleiterchips (110) ge genüberliegenden Bereich; oder in einem zu dem Halbleiterchip (110) lateral versetzten Bereich .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9893230B2 (en) 2015-03-06 2018-02-13 Osram Gmbh Producing a lighting module

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016116744A1 (de) 2016-09-07 2018-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
DE102021117801A1 (de) 2021-07-09 2023-01-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Herstellungsverfahren und optoelektronischer halbleiterchip
DE102022124732A1 (de) 2022-09-26 2024-03-28 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2117055A2 (de) * 2008-05-05 2009-11-11 Cree, Inc. Verfahren zur Herstellung lichtemittierender Vorrichtungen
US20100038665A1 (en) * 2006-10-12 2010-02-18 Panasonic Corporation Light-emitting device and method for manufacturing the same
EP2503605A2 (de) * 2010-09-15 2012-09-26 Lightizer Korea Co., Ltd Lichtemittierende diode und verfahren zu ihrer herstellung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2013315A2 (de) * 2006-04-27 2009-01-14 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Beleuchtungssystem mit strahlungsquelle und leuchtstoff

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100038665A1 (en) * 2006-10-12 2010-02-18 Panasonic Corporation Light-emitting device and method for manufacturing the same
EP2117055A2 (de) * 2008-05-05 2009-11-11 Cree, Inc. Verfahren zur Herstellung lichtemittierender Vorrichtungen
EP2503605A2 (de) * 2010-09-15 2012-09-26 Lightizer Korea Co., Ltd Lichtemittierende diode und verfahren zu ihrer herstellung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9893230B2 (en) 2015-03-06 2018-02-13 Osram Gmbh Producing a lighting module

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