WO2014121877A1 - Rasterleuchte mit reflektorzellen und halbleiterlichtquellen - Google Patents

Rasterleuchte mit reflektorzellen und halbleiterlichtquellen Download PDF

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WO2014121877A1
WO2014121877A1 PCT/EP2013/077465 EP2013077465W WO2014121877A1 WO 2014121877 A1 WO2014121877 A1 WO 2014121877A1 EP 2013077465 W EP2013077465 W EP 2013077465W WO 2014121877 A1 WO2014121877 A1 WO 2014121877A1
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reflector
lateral positions
semiconductor light
cells
pattern
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PCT/EP2013/077465
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English (en)
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Inventor
Tobias Schmidt
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Osram Gmbh
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Publication date
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/0083Array of reflectors for a cluster of light sources, e.g. arrangement of multiple light sources in one plane
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V11/00Screens not covered by groups F21V1/00, F21V3/00, F21V7/00 or F21V9/00
    • F21V11/06Screens not covered by groups F21V1/00, F21V3/00, F21V7/00 or F21V9/00 using crossed laminae or strips, e.g. grid-shaped louvers; using lattices or honeycombs
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Definitions

  • the invention relates to a grid lamp, comprising a plurality of reflector cells, each having a neck opening and a light exit opening, and having a plurality
  • the invention also relates to a method for producing a grid lamp.
  • the invention is particularly applicable to LED grid lights for interior lighting, in particular
  • Each of these reflector cells is associated with a light-emitting diode (LED), which is arranged centrally to a neck opening of this reflector cell
  • LED light-emitting diode
  • a grid lamp comprising a plurality of reflector cells, each having a neck opening and a light exit opening, and having a plurality of semiconductor light sources in the region of the neck openings, wherein at least two of the reflector cells lateral
  • At least one semiconductor light source selectively varies regularly regularly. This results in a well-defined, effectively smoothing superposition of the individual Lichtabstrahlmuster at least in the far field of the grid light.
  • the raster lamp is also less sensitive to
  • Variation of the positions of the semiconductor light sources will usually be smaller than a systematic variation of these positions by the intended different lateral positioning and therefore has low impact. That differs for at least two of the reflector cells lateral positions of these semiconductor light sources with respect to the respective neck openings includes
  • a "lateral position" may be a position in a plane perpendicular to an optical axis of the
  • Reflector cell or light unit The lateral
  • Position may also be a position in a plane perpendicular to a longitudinal axis or axis of symmetry of the reflector cell.
  • the lateral position may also be a position in a plane in or parallel to the neck opening.
  • the lateral position may also be a position which occurs at
  • Meant height position in particular not expressed by a distance to the neck opening.
  • a Cartesian coordinate system with the axis designations X, Y and Z assigned to a reflector cell, so that the Z axis with a longitudinal axis such as an axis of symmetry and / or an optical axis of this reflector cell
  • Semiconductor light source (or a geometric center thereof) and not on the Z coordinate.
  • Positions is a central or central position with respect to the neck opening.
  • the central position corresponds to the special case of a lateral offset of size zero, in particular with respect to an axis of symmetry or an optical axis of the reflector cell.
  • a “quantity of the occurring lateral positions” can be understood in particular as the entirety of all lateral positions of semiconductor light sources occurring in the grid light, in particular irrespective of how large the number of occurring lateral positions is.
  • positioning may be meant in particular a determination of one or more lateral positions.
  • the raster lamp may in particular be a flat luminaire.
  • the reflector cells have parallel optical
  • the reflector cells are arranged at least approximately in a regular first pattern.
  • the reflector cells can in particular be arranged exactly in the regular first pattern.
  • Semiconductor light sources may then be used e.g. by a
  • Semiconductor light sources can be achieved from the exact first pattern.
  • the reflector cells can be produced particularly easily.
  • the reflector cells may be arranged in the exact regular first pattern plus the lateral positions to be achieved and the semiconductor light sources in the exact first pattern
  • the first pattern may be a flat pattern.
  • the first pattern may in particular be a rectangular matrix pattern, a circular pattern or ring pattern or a hexagonal pattern and / or in particular a close-packed pattern.
  • the second pattern may basically be the same as the first pattern. For example, like the reflector cells in one
  • the reflector cells may be arranged in an mx n matrix pattern and the Semiconductor light sources at corresponding lateral
  • a plurality of reflector cells are integrally associated with a component of the grid lamp or a component forms a plurality of reflector cells or
  • a raster lamp may have at least two individual reflector cells and / or one or more reflector gratings.
  • a grid lamp has nine or more
  • the substrate may be e.g. to be a circuit board. This allows easy installation of the
  • a reflector grid may have a substrate
  • a grid lamp may be composed of one or more such reflector modules
  • At least one semiconductor light source is assigned to all the reflector cells or is "occupied” by at least one semiconductor light source.
  • at least one reflector cell may be "empty”, that is to say not assigned to a semiconductor light source.
  • Reflector cells is associated with exactly one semiconductor light source. Alternatively, the reflector cells like a
  • different lateral positions may also include that one reflector cell a subset of the semiconductor light sources of another reflector cell
  • different lateral positions may also include that
  • Semiconductor light sources of the two reflector cells are at least partially not at the same lateral positions.
  • Semiconductor light source at least one light emitting diode.
  • a color may be monochrome (e.g., red, green, blue, etc.) or multichrome (e.g., white). This can also be done by the at least one
  • LED emitted light is an infrared light (IR LED) or an ultraviolet light (UV LED).
  • Light emitting diodes can produce a mixed light; e.g. a white mixed light.
  • the at least one light-emitting diode may contain at least one wavelength-converting phosphor
  • the phosphor may alternatively or additionally be arranged away from the light-emitting diode
  • the at least one light-emitting diode can be in the form of at least one individually housed light-emitting diode or in the form of at least one LED chip. Several LED chips can be mounted on a common substrate (“submount").
  • the at least one light emitting diode may be equipped with at least one own and / or common optics for beam guidance, e.g. at least one Fresnel lens,
  • the at least one semiconductor light source may, for example, comprise at least one diode laser.
  • the wavelength-converting phosphor may also be connected downstream of the at least one diode laser, for example in a LARP (Laser Activated Remote Phosphor) arrangement
  • the neck opening is
  • the reflector cells thus usually widen from the
  • An associated semiconductor light source may be located outside the reflector cell and may emit light through the neck opening or into or through the neck opening into the neck
  • Reflector cell be introduced.
  • the reflector cells or their reflective surfaces are in particular identically shaped.
  • a shape of the reflective surface of the reflector cells is not limited and may be e.g. four-sided
  • the shape of the reflective surface of the reflector cells may be flat or curved, e.g. parabolic, hyperbolic or free-space curved.
  • the reflective surface may be faceted.
  • the reflective surface may be diffuse or specularly reflective.
  • lateral position is meant in particular the lateral position of a light source with respect to the respective associated reflector cell, in particular not the position with respect to the entire luminaire.
  • a matrix pattern may, in particular, be understood as a section of a rectangular grid.
  • Semiconductor light sources forms a rotationally symmetrical pattern. This allows even smoothing to multiple sides.
  • Positions forms points of an outer contour, which correspond to the contour of the neck opening.
  • the predetermined lateral positions may be in a matrix pattern or other rectangular pattern.
  • the predetermined lateral positions may be in a matrix pattern or other rectangular pattern.
  • the predetermined lateral positions may be in a hexagonal pattern, for example.
  • the predetermined lateral positions may be in a circular or oval pattern. It is also an embodiment that the lateral positions of the set predetermined for the reflector cells assume positions on a non-symmetrical figure, for example on a Fibonacci spiral.
  • Grid lamp and can be configured analog.
  • arranging the plurality of semiconductor light sources comprises selecting a lateral position of the respective semiconductor light source from a set of regularly arranged lateral positions for the reflector cells.
  • Fig.l shows in a view obliquely from above one
  • Grid luminaire according to the invention according to a first embodiment with a plurality of reflector cells; 2 shows a sectional side view of a reflector cell with assigned
  • FIG. 3 shows a plan view of a reflector cell with a
  • Figures 6-8 show in plan view several possible sets of lateral positions of semiconductor light sources, in particular for reflector cells with angular
  • Figures 9-12 show in plan view further possible sets of lateral positions of semiconductor light sources, in particular for reflector cells with round
  • Fig.l shows in a view obliquely from above one
  • Grid lamp 11 has 64 identically constructed reflector cells 12, which are arranged in a regular, matrix-like 8 x 8 basic pattern in a common plane.
  • the reflector cells 12 are aligned in a same direction and have parallel optical axes, which are perpendicular to the common plane (o. Fig.).
  • the 64 reflector cells 12 are in the form of four separately manufactured, each one-piece
  • Reflektorittern 13 before, in a matrix-like 2x2 pattern.
  • Each of the reflector gratings 13 has sixteen
  • Reflector cells 12 in a 4x4 pattern A distance dl between directly adjacent reflector cells 12 of a
  • This distance dl is also slightly smaller than a distance d2 of over a boundary between two different reflector trenches 13 away directly adjacent reflector cells 12.
  • the reflector cells 12 have truncated pyramidal
  • Opening as a neck opening 15 and a larger opening than light exit opening 16 is used, as shown in Fig.2.
  • Behind the neck openings 15 of each of the reflector cells 12 is in each case a semiconductor light source in the form of a light emitting diode 17, in particular in the form of a packaged LED or an LED chip.
  • the reflector cells 12 are thus fully occupied by LEDs 17.
  • the light-emitting diodes 17 radiate their light L into the respective neck opening 15 in the reflector cell 12, with their greatest intensity (main emission direction) along or, as shown, parallel to the optical axis 0 of the reflector cell 12. Depending on the angle of incidence or angle the main emission direction, the light L runs directly to the
  • the reflector cell 12 can also be regarded as a shell reflector.
  • the light-emitting diode 17 shown here is not centered to the
  • Neck opening 15 is arranged, but is located on a laterally offset position.
  • the lateral offset corresponds to a displacement perpendicular to the optical axis 0.
  • a lateral position P of the light-emitting diode 17 therefore corresponds in particular to a position on a plane E perpendicular to the optical axis O, in particular in a region of a mathematical projection of the neck opening 15 on this plane E.
  • optical axis 0 may be selected independently thereof.
  • the reflective surface 14 may be planar, alternatively or additionally curved in section. As shown in Fig.3, the light emitting diodes 17 a
  • the positions P are drawn.
  • the positions P are also arranged in a matrix-like pattern, in a 4 x 4 basic pattern. There are no central position with respect to the neck opening 15.
  • Reflector grid 13 associated reflector cells 12 their
  • the LEDs 17 are positioned differently with respect to a common reflector grid 13 in a regular manner.
  • the light-emitting diodes 17 of different reflector gratings 13 can be positioned identically but need not be.
  • All LEDs 17 of the louver 11 are on a common substrate in the form of an example
  • the reflector gratings 13 can also be fastened to the circuit board 18.
  • Grid lamp 31 according to a second embodiment.
  • the reflective surface 34 of the reflector cell 32 is formed as a hexagonal truncated pyramid. There is a smaller one hexagonal neck opening 35 and a larger hexagonal
  • Light emitting diodes 17 at a neck opening 35 is as a
  • the lateral positions P are also here as points
  • the light-emitting diodes may be arranged at a lateral position P, which corresponds to a position of the associated reflector cell 32 in the amount of
  • Reflector cells 32 corresponds.
  • FIG. 7 shows a further possible set G4 of lateral positions P for light-emitting diodes 17, in particular for one
  • lateral positions P are now arranged in a pattern similar to Fig.5, but now along a direction (here: the horizontal direction) stretched.
  • Fig.8 shows yet another possible set G5 of
  • FIG. 9 to 12 show further possible quantities G6 to G9 of lateral positions P for light-emitting diodes 17, in particular for a round neck opening (indicated by dashed lines).
  • the amount G6 in Fig. 9 has an annular pattern on the side
  • Positions P where also a position P at a central location is provided.
  • the set G7 in Fig. 10 shows a pattern analogous to the set G6 but without the central position.
  • the set G8 in Fig. 11 shows a pattern analogous to the set G6, but with an inner subset of, here: three, annular positions P instead of the central position.
  • the set G9 in Fig. 12 shows a pattern analogous to the set G8, but with an inner subset of six annular positions P.
  • Luminous units of reflector cell for example, 12 or 32
  • associated light-emitting diode 17 targeted to vary slightly, so that at least in the far field of the grid lamp (for example, 11 and 31), a smoothing superimposition of the individual
  • Light emission pattern results.
  • the louvre lamp is less sensitive to manufacturing tolerances.
  • the deviation may relate to the number and / or shape of the positions of the pattern.
  • the reflector cells may be in a rectangular matrix pattern or in a densely packed one
  • Hexagonal pattern can be arranged, the reflector cells but a cone-shaped reflective surface with a round
  • the arrangement pattern of the lateral positions may, for example, have a round or annular basic shape. Also, a plurality of the LEDs may be arranged at the same lateral positions of a crowd. In addition, one or more lateral positions of a crowd do not like
  • a number may include exactly the specified number as well as a usual tolerance range, as long as this is not explicitly excluded.
  • the positioning of the semiconductor light sources can be achieved by the semiconductor light sources on the board
  • the positioning can be achieved by using the
  • Reflector cells are arranged at appropriate locations.
  • all light emitting diodes 17 may be arranged in a regular square grid, while the reflector cells 12 are offset according to the desired lateral positions. This may be easier to manufacture.

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

Die Rasterleuchte (11) weist mehrere Reflektorzellen (12), welche jeweils eine Halsöffnung (15) und eine Lichtaustrittsöffnung (16) aufweisen, und mehrere Halbleiterlichtquellen (17) im Bereich einer jeweils zugehörigen Halsöffnung (15) auf, wobei sich für mindestens zwei der Reflektorzellen (12) seitliche Positionen (P) dieser Halbleiterlichtquellen (17) in Bezug auf die jeweiligen Halsöffnungen (15) unterscheiden und wobei eine Menge (G1) der in den Reflektorzellen (12) vorkommenden unterschiedlichen seitlichen Positionen (P) eine regelmäßige Anordnung aufweist. Ein Verfahren dient zum Herstellen einer Rasterleuchte (11), wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen mehrerer Reflektorzellen (12), welche jeweils eine Halsöffnung (15) und eine Lichtaustrittsöffnung (16) aufweisen; Anordnen mehrerer Halbleiterlichtquellen (17) im Bereich zugehöriger Halsöffnungen (15) an in Bezug auf die zugehörigen Halsöffnungen (15) seitlichen Position (P) so, dass eine Menge (G1) der seitlichen Positionen (P) eine regelmäßige Anordnung bildet.

Description

Beschreibung
Rasterleuchte mit Reflektorzellen und Halbleiterlichtquellen Die Erfindung betrifft eine Rasterleuchte, aufweisend mehrere Reflektorzellen, welche jeweils eine Halsöffnung und eine Lichtaustrittsöffnung aufweisen, und aufweisend mehrere
Halbleiterlichtquellen im Bereich der Halsöffnungen. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen einer Rasterleuchte. Die Erfindung ist insbesondere anwendbar auf LED-Rasterleuchten zur Innenbeleuchtung, insbesondere
Raumbeleuchtung .
Eine Variante von Leuchten für die Allgemeinbeleuchtung, insbesondere Raumbeleuchtung (z.B. in Büros oder
Versammlungsräumen) , sind flächige LED-Leuchten mit in einem Muster oder Raster angeordneten Reflektorzellen
(„Rasterleuchten"). Jeder dieser Reflektorzellen ist eine Leuchtdiode (LED) zugeordnet, die mittig zu einer Halsöffnung dieser Reflektorzelle angeordnet ist. Im Vergleich zu
Pyramiden- und Prismenplatten oder zu sog. „Brightness- Enhancement"-Folien bieten solche Rasterleuchten eine bessere Entblendung . Bei der Auslegung von Rasterleuchten besteht die
Schwierigkeit, dass dann, wenn eine Reflektorzelle so klein ist, dass ihre Halsöffnung nur wenig größer ist als die zugehörige LED, sich hohe Anforderungen an eine Präzision der Form und Anordnung der Reflektorzelle und an eine Präzision der Positionierung der LED ergeben. Außerdem besteht hier bei der Verwendung von metallischen Reflektorzellen das Problem, dass die Schutzabstände zwischen stromführenden Bauteilen und der Reflektorzelle nur schwierig einzuhalten sind. Ist dagegen die Halsöffnung wesentlich größer als die LED, weist ein zugehöriges Lichtverteilungsmuster oft unerwünschte
Kanten und Unebenheiten auf. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Nachteile des Standes der Technik zumindest teilweise zu überwinden und insbesondere ein ausreichend glattes Lichtverteilungsmuster auch bei größeren Halsöffnungen zu ermöglichen. Noch eine Aufgabe ist es, eine Rasterleuchte bereitzustellen, die unempfindlicher gegen Herstellungstoleranzen ist.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen
Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind
insbesondere den abhängigen Ansprüchen entnehmbar.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Rasterleuchte, aufweisend mehrere Reflektorzellen, welche jeweils eine Halsöffnung und eine Lichtaustrittsöffnung aufweisen, und aufweisend mehrere Halbleiterlichtquellen im Bereich der Halsöffnungen, wobei sich für mindestens zwei der Reflektorzellen seitliche
Positionen dieser Halbleiterlichtquellen in Bezug auf die jeweiligen Halsöffnungen unterscheiden und wobei eine Menge der in den Reflektorzellen vorkommenden unterschiedlichen seitlichen Positionen eine regelmäßige Anordnung aufweist.
Dadurch wird das Lichtabstrahlmuster der einzelnen
Leuchteinheiten aus Reflektorzelle und zugeordneter
mindestens einer Halbleiterlichtquelle gezielt regelmäßig leicht variiert. Dadurch ergibt sich zumindest im Fernfeld der Rasterleuchte eine gut definierte, effektiv glättende Überlagerung der einzelnen Lichtabstrahlmuster. Zudem wird so die Rasterleuchte auch unempfindlicher gegen
Herstellungstoleranzen, da eine herstellungsbedingte
Variation der Positionen der Halbleiterlichtquellen in der Regel kleiner sein wird als eine systematische Variation dieser Positionen durch die beabsichtigte unterschiedliche seitliche Positionierung und daher geringe Auswirkungen hat. Dass sich für mindestens zwei der Reflektorzellen seitliche Positionen dieser Halbleiterlichtquellen in Bezug auf die jeweiligen Halsöffnungen unterscheiden, beinhaltet
insbesondere, dass sich die einer dieser Reflektorzellen zugehörigen (besetzten) seitlichen Positionen von den
(besetzten) seitlichen Positionen einer anderen dieser
Reflektorzellen unterscheiden. Eine „seitliche Position" mag insbesondere eine Position in einer Ebene senkrecht zu einer optischen Achse der
Reflektorzelle oder Leuchteinheit sein. Die seitliche
Position mag auch eine Position in einer Ebene senkrecht zu einer Längsachse oder Symmetrieachse der Reflektorzelle sein. Die seitliche Position mag zudem eine Position in einer Ebene in der oder parallel zu der Halsöffnung sein. Die seitliche Position mag ferner eine Position sein, welche sich bei
Einblick in die Lichtaustrittsöffnung der zugehörigen
Reflektorzelle ergibt. Jedoch ist insbesondere keine
Höhenposition gemeint, insbesondere nicht ausgedrückt durch einen Abstand zu der Halsöffnung. Wird beispielsweise einer Reflektorzelle ein kartesisches Koordinatensystem mit den Achsenbezeichnungen X, Y und Z zugewiesen, so dass die Z- Achse mit einer Längsachse wie etwa einer Symmetrieachse und/oder einer optischen Achse dieser Reflektorzelle
zusammenfällt, so bezieht sich der Begriff „seitliche
Position" insbesondere auf die X- und Y-Koordinaten der
Halbleiterlichtquelle (oder eines geometrischen Mittelpunktes davon) und nicht auf die Z-Koordinate .
Es ist eine Weiterbildung, dass eine der seitlichen
Positionen eine in Bezug auf die Halsöffnung zentrale oder mittige Position ist. Die mittige Position entspricht dem Spezialfall eines seitlichen Versatzes der Größe Null, insbesondere in Bezug auf eine Symmetrieachse oder eine optischen Achse der Reflektorzelle.
Unter einer „Menge der vorkommenden seitlichen Positionen" kann insbesondere die Gesamtheit aller in der Rasterleuchte vorkommenden seitlichen Positionen von Halbleiterlichtquellen verstanden werden, insbesondere unabhängig davon, wie groß die Zahl der vorkommenden seitlichen Positionen ist. Mit „Positionierung" mag insbesondere eine Festlegung einer oder mehrerer seitlicher Positionen gemeint sein.
Die Rasterleuchte mag insbesondere eine ebene Leuchte sein. Bevorzugt weisen die Reflektorzellen parallele optische
Achsen auf.
Es ist eine Weiterbildung, dass die Reflektorzellen zumindest annähernd in einem regelmäßigen ersten Muster angeordnet sind. Dabei können die Reflektorzellen insbesondere genau in dem regelmäßigen ersten Muster angeordnet sein. Die
unterschiedlichen seitlichen Positionen der
Halbleiterlichtquellen können dann z.B. durch eine
entsprechende Abweichung der Positionen der
Halbleiterlichtquellen von dem genauen ersten Muster erreicht werden. So können die Reflektorzellen besonders einfach hergestellt werden. Alternativ mögen die Reflektorzellen in dem genauen regelmäßigen ersten Muster zuzüglich der zu erreichenden seitlichen Positionen angeordnet sein und die Halbleiterlichtquellen in dem genauen ersten Muster
angeordnet sein. Dies ermöglicht eine besonders einfache Bestückung der Halbleiterlichtquellen. Das erste Muster mag insbesondere ein ebenes Muster sein. Das erste Muster mag insbesondere ein rechteckiges Matrixmuster, ein Kreismuster oder Ringmuster oder ein hexagonales Muster sein und/oder insbesondere ein dichtgepacktes Muster.
Es ist noch eine Weiterbildung, dass eine Menge der in den Reflektorzellen vorkommenden unterschiedlichen seitlichen Positionen in einem regelmäßigen zweiten Muster angeordnet ist. Das zweite Muster mag dem ersten Muster grundsätzlich gleichen. So mögen z.B. die Reflektorzellen in einem
matrixartigen, hexagonalen oder ringförmigen Muster
angeordnet sein und die Menge der in den Reflektorzellen vorkommenden unterschiedlichen seitlichen Positionen ein ähnliches matrixartiges, hexagonales oder ringförmiges Muster bilden. Beispielsweise mögen die Reflektorzellen in einem m x n-Matrixmuster angeordnet sein und die Halbleiterlichtquellen an entsprechenden seitlichen
Positionen aus einer ebenfalls als m x n-Matrixmuster
gebildeten Menge von Positionen angeordnet sein. Es ist auch eine Weiterbildung, dass mehrere Reflektorzellen einstückig einem Bauteil der Rasterleuchte zugeordnet sind bzw. ein Bauteil mehrere Reflektorzellen bildet oder
aufweist. Ein solches Bauteil wird im Folgenden ohne
Beschränkung der Allgemeinheit als „Reflektorgitter"
bezeichnet. Eine Rasterleuchte mag mindestens zwei einzelne Reflektorzellen und/oder ein oder mehrere Reflektorgitter aufweisen .
Vorzugsweise weist eine Rasterleuchte neun oder mehr
Reflektorzellen auf. Besonders bevorzugt ist eine Ausführung mit einer Anzahl von mehr als 50 Reflektorzellen.
Es ist noch eine Weiterbildung, dass mehrere, insbesondere alle, Halbleiterlichtquellen auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind. Das Substrat mag z.B. eine Leiterplatte sein. Dies ermöglicht eine einfache Montage der
HalbleiterIichtquellen .
Insbesondere mag einem Reflektorgitter ein Substrat
zugeordnet sein, das alle diesem Reflektorgitter zugeordneten Halbleiterlichtquellen aufweist (zusammen auch als
„Reflektormodul" bezeichenbar) . Eine Rasterleuchte mag aus einem oder mehreren solchen Reflektormodulen zusammengesetzt sein. Alternativ mögen einem solchen Substrat mehrere
einzelne Reflektorzellen und/oder Reflektorgitter zugeordnet sein. So wird eine Herstellung und Lagerhaltung als auch eine Erweiterung einer Rasterleuchte um zusätzliche
Reflektormodule erleichtert. Es ist auch eine Weiterbildung, dass allen Reflektorzellen mindestens eine Halbleiterlichtquelle zugeordnet ist bzw. mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle „besetzt" ist. Alternativ mag mindestens eine Reflektorzelle „leer" sein, also keiner Halbleiterlichtquelle zugeordnet sein.
Es ist ferner eine Weiterbildung, dass allen besetzten
Reflektorzellen genau eine Halbleiterlichtquelle zugeordnet ist. Alternativ mag den Reflektorzellen auch eine
unterschiedliche Zahl von Halbleiterlichtquellen zugeordnet sein; unterschiedliche seitliche Positionen mögen dann auch beinhalten, dass eine Reflektorzelle eine Untermenge der Halbleiter-Lichtquellen einer anderen Reflektorzelle
aufweist. Falls zumindest zwei der Reflektorzellen eine gleiche Zahl von jeweils mehreren Halbleiter-Lichtquellen im Bereich ihrer Halsöffnungen aufweisen, mögen unterschiedliche seitliche Positionen auch beinhalten, dass sich die
Halbleiter-Lichtquellen der zwei Reflektorzellen zumindest teilweise nicht an gleichen seitlichen Positionen befinden.
Bevorzugterweise umfasst die mindestens eine
Halbleiterlichtquelle mindestens eine Leuchtdiode. Bei
Vorliegen mehrerer Leuchtdioden können diese in der gleichen Farbe oder in verschiedenen Farben leuchten. Eine Farbe kann monochrom (z.B. rot, grün, blau usw.) oder multichrom (z.B. weiß) sein. Auch kann das von der mindestens einen
Leuchtdiode abgestrahlte Licht ein infrarotes Licht (IR-LED) oder ein ultraviolettes Licht (UV-LED) sein. Mehrere
Leuchtdioden können ein Mischlicht erzeugen; z.B. ein weißes Mischlicht. Die mindestens eine Leuchtdiode kann mindestens einen wellenlängenumwandelnden Leuchtstoff enthalten
(Konversions-LED) . Der Leuchtstoff kann alternativ oder zusätzlich entfernt von der Leuchtdiode angeordnet sein
("Remote Phosphor") . Die mindestens eine Leuchtdiode kann in Form mindestens einer einzeln gehäusten Leuchtdiode oder in Form mindestens eines LED-Chips vorliegen. Mehrere LED-Chips können auf einem gemeinsamen Substrat ("Submount") montiert sein. Die mindestens eine Leuchtdiode kann mit mindestens einer eigenen und/oder gemeinsamen Optik zur Strahlführung ausgerüstet sein, z.B. mindestens einer Fresnel-Linse,
Kollimator, und so weiter. Anstelle oder zusätzlich zu anorganischen Leuchtdioden, z.B. auf Basis von InGaN oder AlInGaP, sind allgemein auch organische LEDs (OLEDs, z.B. Polymer-OLEDs ) einsetzbar. Alternativ kann die mindestens eine Halbleiterlichtquelle z.B. mindestens einen Diodenlaser aufweisen. Auch dem mindestens einen Diodenlaser mag ein wellenlängenumwandelnder Leuchtstoff nachgeschaltet sein, z.B. in einer LARP („Laser Activated Remote Phosphor") - Anordnung . Die Reflektorzellen mögen auch als Schalenreflektoren
vorliegen oder bezeichnet werden. Die Halsöffnung ist
typischerweise kleiner als die Lichtaustrittsöffnung. Die Reflektorzellen weiten sich also in der Regel von der
Halsöffnung zu der Lichtaustrittsöffnung. Das von einer zugehörigen Halbleiterlichtquelle abgestrahlte Licht
durchläuft die Reflektorzelle teilweise direkt und teilweise reflektiert und tritt dann an der Lichtaustrittsöffnung aus. Eine zugehörige Halbleiterlichtquelle mag sich außerhalb der Reflektorzelle befinden und Licht durch die Halsöffnung einstrahlen oder in oder durch die Halsöffnung in die
Reflektorzelle eingeführt sein.
Die Reflektorzellen bzw. ihre reflektierenden Oberflächen sind insbesondere identisch geformt.
Eine Form der reflektierenden Oberfläche der Reflektorzellen ist nicht beschränkt und mag z.B. vierseitig
pyramidenstumpfförmig, konusförmig, pyramidenstumpfförmig mit fünfeckiger, sechseckiger usw. Grundfläche usw. sein. Die Form der reflektierenden Oberfläche der Reflektorzellen mag eben oder gekrümmt sein, z.B. parabolisch, hyperbolisch oder freiflächnerisch gekrümmt. Die reflektierende Oberfläche mag facettiert sein. Die reflektierende Oberfläche mag diffus oder spekular reflektierend sein. Die reflektierende
Oberfläche mag wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff aufweisen . Mit dem Begriff „seitliche Position" ist insbesondere die seitliche Position einer Lichtquelle in Bezug auf die jeweils zugehörige Reflektorzelle gemeint, insbesondere nicht die Position in Bezug auf die gesamte Leuchte.
Es ist ferner eine Ausgestaltung, dass die Menge der in den Reflektorzellen vorkommenden seitlichen Positionen der
Halbleiterlichtquellen einen Ausschnitt aus einem
mathematischen Gitter vom Rang 2 bildet.
Es ist noch eine Ausgestaltung, dass die Menge der seitlichen Positionen einen Ausschnitt aus einem Matrixmuster bildet. Unter einem Matrixmuster kann insbesondere ein Ausschnitt aus einem rechtwinkligen Gitter verstanden werden.
Es ist noch eine Ausgestaltung, dass die Menge der in den Reflektorzellen vorkommenden seitlichen Positionen der
Halbleiterlichtquellen ein drehsymmetrisches Muster bildet. Dadurch wird eine gleichmäßige Glättung zu mehreren Seiten hin ermöglicht.
Es ist ferner eine Ausgestaltung, dass die Menge der
seitlichen Positionen ein Ringmuster bildet. Es ist eine Weiterbildung, dass die Menge der seitlichen
Positionen Punkte einer Außenkontur bildet, welche der Kontur der Halsöffnung entsprechen. So lässt sich eine Fläche zur Positionierung der seitlichen Positionen bzw. der
Halbleiterlichtquellen besonders groß halten. Beispielsweise mögen bei einer rechteckigen Halsöffnung die vorbestimmten seitlichen Positionen in einem Matrixmuster oder anderen rechteckigen Muster vorliegen. Bei einer sechseckigen
Halsöffnung mögen die vorbestimmten seitlichen Positionen z.B. in einem sechseckigen Muster vorliegen. Bei einer kreisförmigen oder ovalen Halsöffnung mögen die vorbestimmten seitlichen Positionen z.B. in einem kreisförmigen oder ovalen Muster vorliegen. Es ist auch eine Ausgestaltung, dass die für die Reflektorzellen vorbestimmten seitlichen Positionen der Menge Positionen auf einer nicht-symmetrischen Figur einnehmen, z.B. auf einer Fibonacci-Spirale liegen.
Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zum
Herstellen einer Rasterleuchte, wobei das Verfahren
mindestens die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen mehrerer Reflektorzellen, welche jeweils eine Halsöffnung und eine Lichtaustrittsöffnung aufweisen; Anordnen mehrerer
Halbleiterlichtquellen im Bereich zugehöriger Halsöffnungen der Reflektorzellen an in Bezug auf die zugehörigen
Halsöffnungen seitlichen Position so,
dass eine Menge der seitlichen Positionen eine regelmäßige Anordnung bildet.
Das Verfahren löst die gleichen Aufgaben wie die
Rasterleuchte und kann analog ausgestaltet werden. Beispielsweise ist es eine Ausgestaltung, dass das Anordnen der mehreren Halbleiterlichtquellen ein Auswählen einer seitlichen Position der jeweiligen Halbleiterlichtquelle aus einer Menge von für die Reflektorzellen vorbestimmten, regelmäßig angeordneten seitlichen Positionen umfasst.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im
Zusammenhang mit der folgenden schematischen Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den
Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei können zur
Übersichtlichkeit gleiche oder gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sein. Fig.l zeigt in einer Ansicht von schräg oben eine
erfindungsgemäße Rasterleuchte gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel mit mehreren Reflektorzellen; Fig.2 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Reflektorzelle mit zugeordneter
HalbleiterIichtquelle ;
Fig.3 zeigt in Draufsicht eine Reflektorzelle mit einer
Menge möglicher Positionen der
Halbleiterlichtquelle der Rasterleuchte gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel;
Fig.4 zeigt in Draufsicht einen Ausschnitt aus der
Rasterleuchte gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel;
Fig.5 zeigt in Draufsicht einen Ausschnitt aus einer
Rasterleuchte gemäß einem zweiten
Ausführungsbeispiel ;
Fig.6-8 zeigen in Draufsicht mehrere mögliche Mengen von seitlichen Positionen von Halbleiterlichtquellen, insbesondere für Reflektorzellen mit eckigen
Halsöffnungen; und
Fig.9-12 zeigen in Draufsicht weitere mögliche Mengen von seitlichen Positionen von Halbleiterlichtquellen, insbesondere für Reflektorzellen mit runden
Halsöffnungen .
Fig.l zeigt in einer Ansicht von schräg oben eine
Rasterleuchte 11. Die Rasterleuchte 11 weist 64 gleich aufgebaute Reflektorzellen 12 auf, die in einem regelmäßigen, matrixartigen 8 x 8-Grundmuster in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind. Die Reflektorzellen 12 sind in eine gleiche Richtung ausgerichtet und weisen dazu parallele optische Achsen auf, die senkrecht zu der gemeinsamen Ebene stehen (o. Abb . ) .
Die 64 Reflektorzellen 12 liegen genauer gesagt in Form von vier separat hergestellten, jeweils einstückigen
Reflektorgittern 13 vor, und zwar in einem matrixartigen 2x2- Muster. Jedes der Reflektorgitter 13 weist sechzehn
Reflektorzellen 12 in einem 4x4-Muster auf. Ein Abstand dl zwischen direkt benachbarten Reflektorzellen 12 eines
gemeinsamen Reflektorgitters 13 ist gleich. Dieser Abstand dl ist zudem etwas kleiner als ein Abstand d2 von über eine Grenze zwischen zwei unterschiedlichen Reflektorgittern 13 hinweg direkt benachbarten Reflektorzellen 12. Die Reflektorzellen 12 weisen pyramidenstumpfförmige
reflektierende Oberflächen 14 auf, wobei eine kleinere
Öffnung als Halsöffnung 15 und eine größere Öffnung als Lichtaustrittsöffnung 16 dient, wie auch in Fig.2 gezeigt. Hinter den Halsöffnungen 15 jeder der Reflektorzellen 12 befindet sich jeweils eine Halbleiterlichtquelle in Form einer Leuchtdiode 17, insbesondere in Form einer gehäusten LED oder eines LED-Chips. Die Reflektorzellen 12 sind also voll mit Leuchtdioden 17 besetzt. Die Leuchtdioden 17 strahlen ihr Licht L in die jeweilige Halsöffnung 15 in die Reflektorzelle 12 ein, und zwar mit ihrer größten Intensität (Hauptabstrahlrichtung) entlang oder, wie gezeigt, parallel zu der optischen Achse 0 der Reflektorzelle 12. Je nach Einfallswinkel bzw. Winkel zu der Hauptabstrahlrichtung läuft das Licht L direkt zu der
Lichtaustrittsöffnung 16 oder wird erst an der jeweiligen reflektierenden Oberfläche 14 gespiegelt. Die Reflektorzelle 12 kann auch als Schalenreflektor angesehen werden. Die hier gezeigte Leuchtdiode 17 ist nicht mittig zu der
Halsöffnung 15 angeordnet, sondern befindet sich auf einer dazu seitlich versetzten Position. Die seitliche Versetzung entspricht einer Versetzung senkrecht zu der optischen Achse 0. Eine seitliche Position P der Leuchtdiode 17 entspricht also insbesondere einer Position auf einer zu der optischen Achse 0 senkrechten Ebene E, insbesondere in einem Bereich einer mathematischen Projektion der Halsöffnung 15 auf dieser Ebene E. Eine Position der Leuchtdiode 17 entlang der
optischen Achse 0 („Höhenposition") mag davon unabhängig gewählt werden.
Die reflektierende Oberfläche 14 mag, wie gezeigt, im Schnitt eben oder alternativ oder zusätzlich gekrümmt sein. Wie in Fig.3 gezeigt, können die Leuchtdioden 17 eine
Position P einer Menge Gl von sechzehn vorbestimmten
seitlichen Positionen P einnehmen, die als Punkte
eingezeichnet sind. Die Positionen P sind ebenfalls in einem matrixförmigen Muster angeordnet, und zwar in einem 4 x 4- Grundmuster. Es gibt dabei keine in Bezug auf die Halsöffnung 15 mittige Position.
Wie in Fig.l und genauer in Fig.4 gezeigt, weisen zumindest zwei dieser Leuchtdioden 17 in Bezug auf die zugehörigen Halsöffnungen 15 eine unterschiedliche seitliche Position P auf. Genauer gesagt weisen alle einem gemeinsamen
Reflektorgitter 13 zugeordneten Reflektorzellen 12 ihre
Leuchtdioden 17 an unterschiedlichen seitlichen Positionen P auf, wie durch die Punkte angedeutet. Insbesondere
entsprechen die Positionen P der Leuchtdioden 17 den
Positionen der jeweiligen Reflektorzellen 12 in dem
Reflektorgitter 13.
In der Rasterleuchte 11 sind also die Leuchtdioden 17 in Bezug auf ein gemeinsames Reflektorgitter 13 auf regelmäßige Weise unterschiedlich positioniert. Die Leuchtdioden 17 unterschiedlicher Reflektorgitter 13 können gleichartig positioniert sein, brauchen es aber nicht zu sein.
Alle Leuchtdioden 17 der Rasterleuchte 11 sind auf einem gemeinsamen Substrat in Form einer beispielsweise
30 cm x 30 cm großen Platine 18 angeordnet, wie wieder in Bezug auf Fig.l gezeigt. Auch die Reflektorgitter 13 können an der Platine 18 befestigt sein.
Fig.5 zeigt in Draufsicht einen Ausschnitt aus einer
Rasterleuchte 31 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Im Gegensatz zu der Rasterleuchte 11 ist die reflektierende Oberfläche 34 der Reflektorzelle 32 als ein sechskantiger Pyramidenstumpf ausgebildet. Es ergeben sich eine kleinere hexagonale Halsöffnung 35 und eine größere hexagonale
Lichtaustrittsöffnung 36.
Die Menge G2 der möglichen seitlichen Positionen P der
Leuchtdioden 17 an einer Halsöffnung 35 ist als ein
hexagonales, zentriert besetztes Punktmuster ausgebildet und entspricht damit dem Anordnungsmuster der Reflektorzellen 32. Die seitlichen Positionen P sind auch hier als Punkte
dargestellt. Insbesondere können die Leuchtdioden an einer seitlichen Position P angeordnet sein, welche einer Position der zugehörigen Reflektorzelle 32 in der Menge der
Reflektorzellen 32 entspricht.
Fig.6 zeigt eine weitere mögliche Menge G3 von seitlichen Positionen P für Leuchtdioden 17, insbesondere für eine
(gestrichelt angedeutete) rechteckige Halsöffnung. Die seitlichen Positionen P sind nun in einem Matrixmuster
(beispielhaft einem 4x4-Matrixmuster) angeordnet, in dem ein Abstand von seitlichen Positionen zwischen Zeilen und Spalten nicht konstant ist.
Fig.7 zeigt eine weitere mögliche Menge G4 von seitlichen Positionen P für Leuchtdioden 17, insbesondere für eine
(gestrichelt angedeutete) hexagonale Halsöffnung. Die
seitlichen Positionen P sind nun in einem Muster ähnlich zu Fig.5 angeordnet, aber nun entlang einer Richtung (hier: der horizontalen Richtung) gestreckt.
Fig.8 zeigt noch eine weitere mögliche Menge G5 von
seitlichen Positionen P für Leuchtdioden 17, insbesondere für eine - gestrichelt angedeutete hexagonale Halsöffnung. Hier ist auf ein Vorsehen der mittigen Position verzichtet worden.
Fig.9 bis Fig.12 zeigen weitere mögliche Mengen G6 bis G9 von seitlichen Positionen P für Leuchtdioden 17, insbesondere für eine (gestrichelt angedeutete) runde Halsöffnung. Die Menge G6 in Fig.9 weist ein ringförmiges Muster an seitlichen
Positionen P auf, wobei auch eine Position P an einer zentralen Stelle vorgesehen ist. Die Menge G7 in Fig.10 zeigt ein zu der Menge G6 analoges Muster, aber ohne die zentrale Position . Die Menge G8 in Fig.11 zeigt ein zu der Menge G6 analoges Muster, aber mit einer inneren Teilmenge von, hier: drei, ringförmig angeordneten Positionen P anstelle der zentralen Position. Die Menge G9 in Fig.12 zeigt ein zu der Menge G8 analoges Muster, aber mit einer inneren Teilmenge von sechs ringförmig angeordneten Positionen P.
Die Anordnungsmuster aller gezeigten Mengen Gl bis G9
ermöglichen es, ein Lichtabstrahlmuster der einzelnen
Leuchteinheiten aus Reflektorzelle (z.B. 12 oder 32) und zugeordneter Leuchtdiode 17 gezielt leicht zu variieren, so dass sich zumindest im Fernfeld der Rasterleuchte (z.B. 11 bzw. 31) eine glättende Überlagerung der einzelnen
Lichtabstrahlmuster ergibt. Zudem wird so die Rasterleuchte unempfindlicher gegen Herstellungstoleranzen.
Obwohl die Erfindung im Detail durch die gezeigten
Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht darauf eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
So mögen die Rasterzellen in einem zu den seitlichen
Positionen der Halbleiterlichtquellen unterschiedlichen
Muster angeordnet sein. Die Abweichung mag Zahl und/oder Form der Positionen des Musters betreffen. Beispielsweise mögen die Reflektorzellen analog zu Fig.4 oder Fig.5 in einem rechteckigen Matrixmuster oder einem dichtgepackten
Sechseckmuster angeordnet sein, die Reflektorzellen aber eine konusförmige reflektierende Oberfläche mit einer runden
Halsöffnung und Lichtaustrittsöffnung aufweisen. Dann mag das Anordnungsmuster der seitlichen Positionen beispielsweise eine runde oder ringförmige Grundform aufweisen. Auch mögen mehrere der Leuchtdioden an gleichen seitlichen Positionen einer Menge angeordnet sein. Zudem mögen ein oder mehrere seitliche Positionen einer Menge nicht mit
Leuchtdioden besetzt werden.
Allgemein kann unter "ein", "eine" usw. eine Einzahl oder eine Mehrzahl verstanden werden, insbesondere im Sinne von "mindestens ein" oder "ein oder mehrere" usw., solange dies nicht explizit ausgeschlossen ist, z.B. durch den Ausdruck "genau ein" usw.
Auch kann eine Zahlenangabe genau die angegebene Zahl als auch einen üblichen Toleranzbereich umfassen, solange dies nicht explizit ausgeschlossen ist.
Bei einer vorgegebenen Anordnung der Reflektorzellen kann die Positionierung der Halbleiterlichtquellen erreicht werden, indem die Halbleiterlichtquellen auf der Platine an
geeigneten Stellen, welche die unterschiedlichen seitlichen Positionen berücksichtigen, angebracht werden. Dann mag insbesondere eine Anordnung der Reflektorzellen einem
regelmäßigen Muster entsprechen. Alternativ kann bei einer vorgegebenen Anordnung der Halbleiterlichtquellen auf der Platine die Positionierung erreicht werden, indem die
Reflektorzellen an geeigneten Stellen angeordnet werden. So können etwa in dem ersten Ausführungsbeispiel gem. Fig.l alle Leuchtdioden 17 in einem regelmäßigen quadratischen Gitter angeordnet sein, während die Reflektorzellen 12 entsprechend der gewünschten seitlichen Positionen versetzt sind. Dies mag herstellungstechnisch einfacher sein. Bezugs zeichen
11 Rasterleuchte
12 Reflektorzelle
13 Reflektorgitter
14 reflektierende Oberfläche
15 Halsöffnung
16 Lichtaustrittsöffnung
17 Leuchtdiode
18 Platine
31 Rasterleuchte
32 Reflektorzelle
34 reflektierende Oberfläche
35 Halsöffnung
36 Lichtaustrittsöffnung dl Abstand
d2 Abstand
E Ebene
G1-G9 Menge
L Licht
0 optische Achse
P Position

Claims

Rasterleuchte (11; 31),
aufweisend mehrere Reflektorzellen (12; 32), welche jeweils eine Halsöffnung (15; 35) und eine
Lichtaustrittsöffnung (16; 36) aufweisen und
aufweisend mehrere Halbleiterlichtquellen (17) im Bereich einer jeweils zugehörigen Halsöffnung (15; 35) ,
wobei sich für mindestens zwei der Reflektorzellen (12; 32) seitliche Positionen (P) der zugehörigen Halbleiterlichtquellen (17) in Bezug auf die
zugehörigen Halsöffnungen (15; 35) unterscheiden und wobei eine Menge (G1-G9) der in den
Reflektorzellen (12; 32) vorkommenden
unterschiedlichen seitlichen Positionen (P) eine regelmäßige Anordnung aufweist.
Rasterleuchte (11; 31) nach Anspruch 1, wobei die Menge (G1-G9) der seitlichen Positionen (P) einen Ausschnitt aus einem mathematischen Gitter vom Rang 2 bildet.
Rasterleuchte (11; 31) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Menge (G1-G4) der seitlichen
Positionen (P) ein Matrixmuster bildet.
Rasterleuchte nach Anspruch 1, wobei die Menge (G6-G9) der seitlichen Positionen (P) ein Ringmuster bildet.
Rasterleuchte nach Anspruch 1, wobei die Menge der seitlichen Positionen (P) auf einer Fibonacci-Spirale liegt .
Rasterleuchte (11; 31) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Menge (G1-G9) der seitlichen
Positionen (P) ein drehsymmetrisches Muster bildet. Rasterleuchte (11; 31) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vorbestimmte seitliche Positionen (P) einer Menge (G1-G9) ein Muster bilden, welches einem ersten Muster der Reflektorzellen (12; 32) entspricht.
Rasterleuchte nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jeder Reflektorzelle (12; 32) genau eine
Halbleiterlichtquelle (17) zugeordnet ist.
Rasterleuchte nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Menge (G1-G9) der in den Reflektorzellen (12; 32) vorkommenden seitlichen Positionen (P) mindestens neun unterschiedliche seitliche Positionen (P) umfasst und wobei sich für mindestens neun der Reflektorzellen (12; 32) seitliche Positionen (P) der
Halbleiterlichtquellen (17) in Bezug auf die jeweiligen Halsöffnungen (15; 35) unterscheiden.
Verfahren zum Herstellen einer Rasterleuchte (11; 31), wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist :
Bereitstellen mehrerer Reflektorzellen (12; 32), welche jeweils eine Halsöffnung (15; 35) und eine Lichtaustrittsöffnung (16; 36) aufweisen;
Anordnen mehrerer Halbleiterlichtquellen (17) im Bereich zugehöriger Halsöffnungen (15; 35) der
Reflektorzellen (12; 32) an in Bezug auf die
zugehörigen Halsöffnungen (15; 35) seitlichen
Position (P) so,
dass eine Menge (G1-G9) der seitlichen Positionen (P) eine regelmäßige Anordnung bildet.
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