WO2014090626A2 - Organische, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen, optoelektronischen bauelementevorrichtung - Google Patents

Organische, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen, optoelektronischen bauelementevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
WO2014090626A2
WO2014090626A2 PCT/EP2013/075271 EP2013075271W WO2014090626A2 WO 2014090626 A2 WO2014090626 A2 WO 2014090626A2 EP 2013075271 W EP2013075271 W EP 2013075271W WO 2014090626 A2 WO2014090626 A2 WO 2014090626A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
optoelectronic component
electrically conductive
layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2013/075271
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2014090626A3 (de
Inventor
Kilian REGAU
Andrew Ingle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of WO2014090626A2 publication Critical patent/WO2014090626A2/de
Publication of WO2014090626A3 publication Critical patent/WO2014090626A3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • organic light-emitting diodes organic light emitting diode - OLED
  • organic solar cell find increasingly widespread application.
  • An OLED can have two electrodes, for example two
  • Layer system may include one or more emitter layer (s) in which / which electromagnetic radiation
  • Charge pair Generation layer structure consisting of two or more charge pair generation layers
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer (s) HTL
  • hole blocker layers also referred to as electron transport layer (s)
  • ectron transport layer - ETL
  • Organic light-emitting diodes are sensitive electronic components, which may only be connected poled in one direction. A reverse operation is not provided and can lead to a permanent failure of the OLED. As well Electrostatic discharges (electrostatic disCharge - ESD) can damage the OLED and / or cause permanent damage
  • a protective diode having a sufficiently high reverse voltage is connected in series with the OLED in series. In reverse operation, this protection diode blocks a reverse current flow sufficiently and
  • the protection diode is externally reverse biased, i. antiparallel to the OLED, switched. If the OLED is contacted with reverse polarity, the protective diode conducts and short-circuits the voltage, the protective diode being designed for the current flowing through it and enduring this current permanently or the protective diode short-circuiting the polarity reversal voltage only for a short period of time and the connected operating device short circuiting (FIG. the current peak) detects and then shuts off.
  • the protective diode In a conventional method of protecting an organic
  • a flexible printed circuit board (flex printed circuit board - flex-pcb) is applied, for example, bonded.
  • an SMD protection diode surface mounted device - SMD
  • This external protection diode can reversibly absorb or destroy ESD pulses.
  • an ESD pulse can always be passed through the forward-biased diode depending on its polarity, i. either the protective diode or the optoelectronic device, drain. Breakdown-type discharges at the reverse direction
  • switched OLED can be avoided in this way.
  • the processing has traditionally been carried out in an ESO-free environment, which involves high costs for the equipment of the
  • an organic, optoelectronic component device and a method for producing an organic, optoelectronic are only possible in exceptional cases for cost reasons for processors of optoelectronic components.
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” is understood to mean all of the above substances, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance.
  • a mixture of substances may be understood as meaning components of two or more different substances whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • a first substance or a first substance mixture may be equal to a second substance or a second substance mixture, if the chemical and
  • a first substance or a first substance mixture may be similar to a second substance or a second substance mixture if the first substance or the first substance mixture and the second substance or the second substance mixture
  • composition approximately the same chemical properties and / or approximately the same physical properties
  • crystalline SiC> 2 as equal to amorphous S1O2 (silica glass) and can be considered as similar to SiO x.
  • refractive index for example, crystalline SiC> 2 (quartz) as equal to amorphous S1O2 (silica glass) and can be considered as similar to SiO x.
  • crystalline SiO 2 be different to SiO x or amorphous S1O2 ⁇
  • amorphous S1O2 may have the same or a similar refractive index as
  • Composition be different from crystalline S1O2.
  • the reference quantity in which a first substance resembles a second substance can be explicitly stated or can be derived from the
  • An electrical contact can be used as an example
  • Component can be electrically closed.
  • a dimensionally stable substance can be added by adding
  • Plasticizers for example solvents, or increasing the temperature become plastically moldable, i. be liquefied.
  • a plastically malleable substance can by means of a
  • the solidification of a substance or mixture of substances, i. the transition of a material from malleable to dimensionally stable may include changing the viscosity, for example, increasing the viscosity from a first viscosity value to a second viscosity value.
  • the second viscosity value may be many times greater than the first viscosity value, for example, i ranging from about 10 to about 10.
  • the fabric may be formable at the first viscosity and dimensionally stable at the second viscosity.
  • the solidification of a substance or mixture of substances can be Process or have a process in which low molecular weight components are removed from the substance or mixture, for example, solvent molecules or low molecular weight, intact components of the substance or the mixture, for example, a drying or
  • the substance or the mixture of substances may, for example, in the moldable state have a higher concentration of low molecular weight substances in the entire substance or substance mixture than in
  • a body of a dimensionally stable substance or mixture of substances may be malleable, for example when the body is arranged as a foil, for example one
  • Plastic film, a glass foil or a metal foil, such a body may for example be called mechanically flexible, since changes in the geometric shape of the body, for example a bending of a foil,
  • a mechanically flexible body for example a film
  • a mechanically flexible body can also be plastically moldable, for example by the mechanically flexible body being solidified after deformation, for example a
  • Component to be understood a component, which is the control, regulation or amplification of an electrical
  • An electronic component may, for example, a diode, a transistor, a
  • Thermogenerator an integrated circuits or a
  • a protection diode may be used as a suppressor diode (transient absorption zener diode).
  • TAZ diode or Transient Voltage Suppressor Diode - TVS diode a Zener diode or a Schottky diode is formed be.
  • a protection diode can also be used as an anti-kick back diode, a reverse bias diode, a flyback diode,
  • Rectifier diode or a snubbing diode In various embodiments, a
  • Protective diode have a configuration of two or more of the diodes described above, for example in one
  • Embodiments a protective diode, a suppressor diode in a unidirectional or a bidirectional
  • the response time of a protection diode may be less than the response time of the protection diode
  • the response time can be understood as the time at which a semiconductor device blocks current flow when the voltage of the forward direction in the reverse direction with respect to the semiconductor component is reversed.
  • Response time can also be referred to as inhibit time, turn-on / off time, clamp time, or forward / reverse recovery time.
  • an overvoltage protection structure can absorb and / or short-circuit high voltages, for example electrostatic discharges ESD, voltage bursts or surge pulses.
  • the electronic component can be understood, wherein the optoelectronic component has an optically active region.
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • Embodiments for example as an organic compound
  • Organic light emitting diode organic light emitting diode - OLSD
  • organic photovoltaic system for example an organic solar cell
  • the organic functional layer system comprise or be formed from an organic substance or an organic substance mixture which, for example, for providing an electromagnetic radiation from a supplied electric current or to
  • electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or as an electromagnetic
  • electromagnetic radiation emitting diode as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • light emitting diode light emitting diode
  • organic light emitting diode organic light emitting diode
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • a plurality of light emitting devices be, for example, housed in a common
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • Area of an optoelectronic component can be understood, which can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent from it or by means of an applied voltage to the optically active region
  • An optoelectronic component which has two flat, optically active sides, for example
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a planar, optically inactive side, for example an organic light-emitting diode, which is designed as a top emitter or bottom emitter.
  • an organic, optoelectronic component device is provided, the organic, optoelectronic component device
  • the surge protection structure and the organic optoelectronic component has at least one common layer; and where the
  • Overvoltage protection structure is electrically connected to the organic, optoelectronic device.
  • an organic optoelectronic device device is provided, the organic optoelectronic device device
  • the overvoltage protection structure and the organic, optoelectronic component have at least one common layer, wherein the overvoltage protection structure is electrically connected to the organic, optoelectronic component; the first being electrical
  • conductive portion is a portion of the first electrode and / or the second electrically conductive portion a
  • Overvoltage protection structure has a spark gap.
  • the organic, optoelectronic component as an organic light-emitting diode or a
  • the overvoltage protection structure may be formed electrically in series with the organic, optoelectronic component.
  • the overvoltage protection structure may be formed as a protective diode, wherein the protective diode in the forward direction to the fürliehtiehtung of
  • Protective diode may have a forward direction, which corresponds to the forward direction of the organic, optoelectronic component.
  • the protection diode may be such
  • the breakdown voltage of the protective diode in the reverse direction is greater than a voltage pulse occurring on the orgasmic, optoelectronic component device in the reverse direction of the organic optoelectronic component.
  • the organic, optoelectronic component may have a first electrode and a second electrode
  • the overvoltage protection structure may have a first electrically conductive section and a second electrically conductive section, wherein at least one
  • Optoelectronic component is electrically coupled.
  • the overvoltage protection structure can be formed electrically parallel to the organic, optoelectronic component.
  • the organic, optoelectronic compound in one embodiment, the organic, optoelectronic
  • Component having a first electrode and a second electrode, and the overvoltage protection structure has a first electrically conductive portion, which is connected to the first
  • Electrode is electrically coupled and a second
  • electrically conductive gate which is electrically coupled to the two electrodes.
  • the first electrically conductive portion may comprise a different material than the second electrically conductive portion and / or the first electrode and / or the second electrode. In one embodiment, the first electrically conductive portion may be a region of the first electrode and / or the second electrically conductive portion may be a region of the second electrode.
  • the organic, optoelectronic component device may have a first ontaktpad and a second contact pad, wherein the contact pads for electrically contacting the organic, optoelectronic
  • Component device are arranged and wherein the first electrically conductive portion and / or the first electrode as at least a portion of the first contact pad
  • the electrically conductive portions may be an overlapping arrangement, i. mutually staggered arrangement and / or shifted arrangement to each other, wherein parts of the electrically conductive portions may be parallel to each other, for example, at a distance from each other.
  • the electrically conductive sections can also be at different levels, in the sense of
  • the electrically conductive sections may have a complementary shape and / or arrangement with each other, wherein the first electrically conductive section may be partially and / or completely perpendicular and / or parallel to the second electrically conductive section.
  • a parallel arrangement of the electrically conductive sections for example, as a partially and / or completely concentric arrangement and / or coaxial arrangement of the electrically conductive
  • the second electrically conductive portion can, for example, the inner electrically
  • the same, a similar or different electrically conductive material as or as the first electrically conductive portion for example, the same, a similar or different electrically conductive material as or as the first electrically conductive portion.
  • the electrically conductive sections may for example have a planar shape, or a tapered shape
  • a surface of electrically conductive portions may be similar to a pin or may be formed similarly to a planar plane.
  • electrically conductive portions having planar shapes may be similar to a pin or pin, or similar to a planar plane.
  • Electrically conductive portions mi of a tapered shape may be formed, for example, similar to a tip or similar to a rounding.
  • the overvoltage protection structure may be formed as a varistor, wherein the varistor is formed electrically parallel to the organic optoelectronic component.
  • the varistor may be partially or completely filled with layers of the organic,
  • optoelectronic component This type of embodiment can also be understood as forming a varistor in the interior of the organic, optoelectronic component.
  • Component be electrically isolated.
  • the surge Schu z structure may be formed as a protective diode, wherein the protective diode is formed electrically parallel to the organic optoelectronic device.
  • the protection diode may be such
  • Element is smaller than the breakdown voltage of the organic, optoelectronic device in the reverse direction, for example, with respect to a voltage pulse occurring at the organic optoelectronic device in
  • the overvoltage protection structure may be formed as a spark gap, wherein the
  • the common layer is the common layer
  • Structure at least partially, for example, the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion of the layer of the the electrodes of the organic, optoelectronic
  • the common layer may comprise at least one electrode of the organic, optoelectronic
  • the overvoltage protection structure in addition to the organic, optoelectronic component
  • the overvoltage protection structure may be under or on the organic,
  • the overvoltage protection structure may be implemented as a structured region of the organic,
  • a spark gap, a varistor or a protective diode i. a region without optically active layers, for example without emitter layers.
  • the organic, optoelectronic component device may have an optically active region and an optically inactive region, wherein the
  • Overvoltage protection structure is formed in the optically inactive region.
  • the overvoltage protection structure in the geomet ischen and Scheme of the organic is the overvoltage protection structure in the geomet ischen and Scheme of the organic
  • Overshield protection structure may be formed on the first contact pad and / or the second contact pad
  • varistor bridge for example as a varistor bridge.
  • Overvoltage protection structure having a configuration of one or more spark gap / s, protection diode (s) and / or varistor (s), which may be electrically connected in series or in parallel to each other.
  • an overvoltage protection structure may comprise at least two protective diodes which are formed electrically parallel or in series with each other, wherein the overvoltage protection structure is formed electrically parallel or in series with the organic optoelectronic component.
  • an overvoltage protection structure can have, electrically parallel to the organic optoelectronic component, at least two protective diodes which are connected in series with one another and whose forward direction is opposite. The protection diodes may for example be designed such that they have an amount of
  • Breakdown voltage may be dependent on the design of the organic optoelectronic component and
  • a protection diode may have a configuration of two or more pn junctions, ie, diodes, for example, in series or
  • Parallel connection for example in a unidirectional or bidirectional configuration.
  • the organic, optoelectronic compound in one embodiment, the organic, optoelectronic
  • Device device be designed such that the response time of the protection diode is smaller than the response time of the organic, optoelectronic component.
  • the protection diode may comprise at least one hole-conducting layer and at least one electron-conducting layer, wherein the at least one hole-conducting layer has physical contact with the at least one e1ekLron contemplatden layer; and wherein at least one hole-conducting layer is electrically connected to the first
  • hole-conducting layer pairs of charge carriers can be generated.
  • at least one of the hole-conducting layer pairs of charge carriers can be generated.
  • Electron conductive layer have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm. In one embodiment, at least one hole-conducting layer may have a layer thickness in a range from about 1 nm to about 500 nm.
  • the substance or mixture of at least one electron-conducting layer and / or the loc-conducting layer can have a transmission greater than approximately
  • the substance or the substance mixture of a hole-conducting layer may have a valence band approximately equal to the conduction band of the substance or of the substance mixture of the electron-conducting layer, with which the
  • hole-conducting layer is in physical contact.
  • the at least one can be any one of the at least one.
  • Electron-conducting layer and / or the at least one hole-conducting layer have a mixture of a matrix and a dopant or be formed therefrom.
  • the at least one hole-conducting layer can have or be formed from an intrinsically hole-conducting substance.
  • the at least one hole-end layer may include or be formed from one of the following intrinsically hole-conducting substances: a PD, HAT-CN, Cu (I) FBz, MoO x , W0 X , V0 X , ReO x , F4- TCNQ, DP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, FloCuPc.
  • the at least one hole-conducting layer can be formed from a mixture of matrix and p-type dopant.
  • the matrix of the at least one hole-conducting layer may have one of the following: substances or be formed from them:
  • Spiro-NPB N, '- bis (naphthalen-1-yl) - N,' - bis (phenyl) - spiro
  • DMFL-TPD N, N'-bis (3-methylhexyl) -N, N 1 -bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluorene
  • DPFL-TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-rethylphenyl) -, ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
  • DPFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenylfluorene
  • the dopant of the at least one hole-ending layer one of the following substances
  • aNPD comprise or be formed from: aNPD, HAT-C, Cu (I) pFBz, MoO x, W0 X, V0 X, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, Fl6CuPc.
  • the p-type dopant may have a
  • electron conducting layer in a range of about 0.1% to about 10%, for example in a range of about 1% to about 2%.
  • Electron conductive layer one of the following substances
  • Electron-conducting layer may be formed from a mixture of matrix and n-type dopant.
  • the matrix of the at least one electron-conducting layer may include or be formed from one of the following substances:
  • Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides
  • Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides fabrics based on siloles with a
  • the n-type dopant of the at least one electron-conducting layer may include or be formed from one of the following: NDN-1, NDN-26, MgAg, CS2CO3, CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF , AlQ3.
  • the ri-dopant may have a mass fraction with respect to the hole-conducting layer in a range of about 0.1% to about 10%,
  • the n-dopant may have a higher or a lower mass fraction of the at least one electron-donating layer of matrix and n-type dopant
  • the varistor may comprise a carrier matrix and at least one material, the varistor properties
  • the material of the carrier matrix can be set up in such a way that the varistor can be moved according to the
  • Forming the varistor has dimensional stability, i. the
  • Viscosity and modulus of elasticity of the support matrix does not change by heat and / or electromagnetic radiation such that the support matrix is mouldable, i. becomes liquid and or plastically deformable.
  • Material of the carrier matrix of the varistor can be so
  • organic, optoelectronic component has dimensional stability.
  • the carrier matrix of the varistor may comprise an electrically insulating material.
  • the carrier matrix of the varistor may comprise as material one of the following materials or be formed from it; a crosslinked, electrically nonconducting polymer, for example an elastomer, an epoxide, a silicone or a silazane.
  • the at least one material having varistor properties may comprise or be formed from one of the following substances or a stoichiometric compound thereof: silicon carbide, a metal oxide, for example a zinc oxide, bismuth oxide, chromium oxide, manganese oxide or
  • the at least one varistor-type material of the varistor may be formed in the form of a plurality of particles in the carrier matrix of the varistor, the particles being, for example, an arbitrary, i. random shape, for example as flakes (flakes); or may have a spherical shape.
  • varistor properties for example, a varistor points. at least one zinc oxide particle and at least one silicon carbide particle; or a zinc oxide particle and a zinc oxide particle with another material,
  • Silicon carbide or other material, such as aluminum is Silicon carbide or other material, such as aluminum.
  • different materials having varistor properties may be arranged to form an electric field at the interfaces of the particles having varistor characteristics, i. it can be used to form a
  • Varistor characteristic so in the carrier matrix of the Varistors may be arranged such that an electrically continuous connection of material with
  • Varistor properties is formed by the carrier matrix of the varistor, wherein to the carrier matrix with the
  • Particles with varistor properties can connect a carrier matrix with conductive particles, a conductive carrier matrix and / or a conductive layer.
  • An electrically continuous connection of the particles with varistor properties can be considered electrical
  • contiguous connection may have an arbitrary, i.e., random, path or a directional, approximately linear path.
  • Varistor properties parallel to the current flow direction of the organic, optoelectronic component be formed in such a way in the carrier matrix of the varistor that the
  • the first voltage value may be approximately equal to the value of the response voltage of the organic
  • the varistor has a response, up to which the organic, optoelectronic device can work regularly.
  • the operating voltage of the varistor should be above the Threshold voltage be formed because a varistor no
  • the varistor can be below the
  • the second voltage value may have a value lower than the breakdown voltage of the organic optoelectronic component and / or smaller ⁇ to be the voltage at which it in the organic,
  • the second voltage value of the varistor may be dependent on the design of the organic optoelectronic component, since the magnitude of the breakdown voltage of the organic, optoelectronic component depends on the configuration of the organic, optoelectronic component
  • Component is.
  • Voltage value of the varistor may have an amount in a range of about 4 V to about 200 V, for example, greater than about 4 V, for example greater about 8V, for example greater about 16 V. ,
  • the differential conductivity of the varistor should be designed such that in the model of an electrostatic discharge of a human body (human body model HBM), with a voltage above the
  • Breakdown voltage of the organic, optoelectronic component on a series resistor connected in series with a resistance value of 1500 ⁇ , across the parallel circuit of Varl stor and organic,
  • the voltage drop across the organic, optoelectronic device always below which is due to chlagbeginn the organic, optoelectronic component.
  • optoelectronic component is applied, i. it can be for
  • the varistor should become conductive, i.
  • the electrical resistance should be very small with respect to the resistance of the organic, optoelectronic
  • Device for example in a range of about 0 ⁇ to about 20 ⁇ , for example, 0.2 ⁇ .
  • the varistor may be configured such that the material of the carrier matrix and the material with
  • Sections of the overvoltage protection structure can be supplied or removed.
  • the varistor may comprise one or more layers of the organic, optoelectronic. Partially or completely penetrate component, for example, be formed vertically in the organic, optoelectronic device.
  • the macroscopic nature of the varistor such as the size of the varistor, may be dictated by the nature of the particles having varistor characteristics and the spacing of the electrically conductive portions of the varistor
  • the overvoltage protection structure can be designed in such a way that a dielectric, for example air, is formed between the first electrically conductive section and the second electrically conductive section.
  • the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion may be arranged relative to each other and arranged relative to each other, that from a voltage applied to the first electrically conductive portion and the second electrically lei-capable portion response, a spark gap between the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion is formed; wherein the response voltage has as value an amount which is greater than the magnitude of the threshold voltage of the organic, optoelectronic component and less than the magnitude of the breakdown voltage of the organic, optoelectronic component is formed and / or smaller than that
  • the second voltage value of the spark gap may depend on the design of the organic compound
  • Breakdown voltage of the organic, optoelectronic component is dependent on the configuration of the organic, optoelectronic component.
  • the second voltage value of the spark gap may be an amount in one Range from about 4V to about 200V, for example greater than about 4V, for example greater than about 8V, for example greater than about 16V.
  • the actual operating voltage of the spark gap for an organic, optoelectronic component can depend on the specific embodiment of the electrically conductive
  • Spark gap between the electrically conductive sections is formed at a certain distance.
  • Spark gap the typical dielectric breakdown strength of air as a dielectric may have a response voltage in a range of about 1 kV / mm to about 3 kV / mm.
  • a spark may skip and discharge may occur when the potential difference between the electrically conductive sections has a value greater than about 3k. At least from this
  • Potential difference can be the electrical resistance of the
  • Locking direction for example in one. Range of about 0 ⁇ to about 500 Q. At about 1 kV, however, at a distance of 1 mm and plane-parallel is electrically
  • conductive sections can not be expected to discharge.
  • the response voltage may be different than in air.
  • Spark gap can be changed.
  • the dielectric between the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion may include or be formed from one of the following: an electrical insulating, crosslinkable organic and / or inorganic compound, for example an epoxy resin, a silicone or a ceramic.
  • the dielectric between the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion may include or be formed from a vacuum or a gas; For example, air, oxygen, carbon dioxide, nitrogen, ozone or a noble gas.
  • the electrically conductive connections should be set up such that the value of the response voltage of the
  • Spark gap should be the organic, optoelectronic
  • Component can work normally without a spark
  • Component such as an organic light emitting diode, may be dependent on the Ausgestal tion of the organic optoelectronic device and, for example, in a
  • the response voltage of the spark gap ie the voltage which is necessary to form a sparkover between the first electrically conductive section and the second electrically conductive section, will therefore have at least one voltage value greater than the magnitude of the threshold voltage of the organic, optoelectronic Component is.
  • the spark gap can be below the
  • the voltage value of the spark gap is formed from the latest a sparkover, i. the maximal
  • a typical breakdown voltage may, depending on the configuration of the optoelectronic component, have an amount, for example, greater than approximately 4 V, for example, greater than approximately 8 V, for example greater than approximately 15 V.
  • An embodiment of the electrically conductive sections which satisfy these conditions may, for example, have a distance of about 50 pm and an air dielectric. This embodiment has the advantage that it can be easily produced or executed in terms of process technology.
  • the first electrically conductive section can be electrically conductive relative to the second
  • Abschni t for example, complementary, perpendicular, parallel, concentric or divergent aligned.
  • a divergent orientation of the electrically 1ei capable sections can be set up, for example, as a horn bow and / or Jacob's ladder.
  • the radio treble can be deleted when the voltage drops below the operating voltage.
  • Surface geometry of the following geometric shapes have: flat, round, rough, pointed, and / or complementary to each other, 0 electrically conductive sections with tapered shape, for example, similar to a tip or similar one
  • the minimum value of the response voltage can be reduced since the tapered shapes can locally have a higher field strength than planar shapes.
  • the geometric shapes can be so regular
  • symmetry axis may be a Spiegelleichie0 and / or additionally a rotational symmetry.
  • the smallest distance of the first electrically conductive portion from the second electrically conductive portion, between which forms the spark gap 5, have a value in a range of about 1 ⁇ to about 100 microns.
  • first electrically conductive section and the second electrically conductive section may be surrounded by an encapsulation, for example in one
  • Epoxy resin or a silicone Epoxy resin or a silicone.
  • the encapsulation can serve as mechanical protection for the
  • Force effects such as a shock, impact, camber or bending, before changes, such as increasing or decreasing the distance or deforming the surface of the electrically conductive
  • the encapsulation may be such
  • the dielectric such as air
  • environmental influences such as changing the humidity and / or an irradiation ionizing
  • Overvoltage protection structure is electrically connected to the organic, optoelectronic device.
  • an organic optoelectronic device comprising a first electrode and a second electrode, and an overvoltage protection structure having a first electrically conductive portion and a second electrically conductive portion on or above a support; wherein the overvoltage protection structure and the organic, optoelectronic component have at least one common layer, wherein the overvoltage contactor structure is electrically connected to the organic 'optoelectronic' component, the first being electrically connected
  • conductive portion is a portion of the first electrode and / or the second electrically conductive portion
  • Overvoltage protection structure has a spark gap.
  • the organic, optoelectronic component can be formed as an organic light-emitting diode or an organic solar cell.
  • Overvoltage protection structure electrically formed serially to the organic, optoelectronic device
  • Overvoltage protection structure can be formed as a protective diode, wherein the protective diode in the forward direction to the forward direction of the organic, optoelectronic
  • the protective diode formed serially to the organic, optoelectronic component can have a forward direction
  • the protective diode can be formed such that the breakdown voltage of the protective diode in the reverse direction is greater than one on the organic, optoelectronic component device in FIG
  • the organic, optoelectronic component can be formed with a first electrode and a second electrode and the
  • Overvoltage protection structure with a first electrically conductive portion and a second electrically - 1eitfixede gate are formed, wherein at least one electrically conductive portion of the overvoltage protection structure with an electrode of the organic,
  • Optoelectronic component is electrically coupled.
  • Overvoltage protection structure can be formed electrically parallel to the organic, optoelectronic device.
  • the organic, optoelectronic component can be formed with a first electrode and a second electrode and the
  • Overvoltage protection structure having a first electrically conductive portion connected to the first electrode
  • conductive gate are formed, which is electrically coupled to the second electrode.
  • the first electrically conductive portion may be a region of the first electrode and / or the second electrically conductive portion may be a region of the second electrode.
  • the organic, optoelectronic component device may be formed with a first contact pad and a second contact pad, wherein the contact pads for electrically contacting the organic, optoelectronic component device are set up and wherein the first electrically conductive portion and / or the first electrode as at least one area of the first contact pad is / are set up and / or wherein the second electrically conductive portion and / or the two electrodes is / are set up as at least one area of the second contact pad.
  • the electrically conductive portions may be in an overlapping arrangement, i. mutually offset arrangement and / or shifted arrangement are formed to each other, wherein parts of the electrically conductive portions parallel to each other
  • the electrically conductive sections can be formed, for example, at a distance from each other.
  • the electrically conductive sections can also be formed in different planes,
  • the electrically conductive sections in a complementary shape and / or
  • electrically conductive portion is formed.
  • the electrically conductive sections For example, be formed as a partially and / or completely concentric arrangement and / or coaxial arrangement of the electrically conductive sections.
  • the second electrically conductive section may form the inner electrically conductive region of a concentric arrangement of electrically conductive sections, wherein the interior of the second electrically conductive section
  • the electrically conductive portions may be formed, for example, in a planar shape and / or a tapered shape.
  • a surface of electrically conductive portions may be formed similarly to a pin or similar to a planar plane
  • electrically conductive sections having planar shapes may be formed similar to a pin or similar to a planar one
  • Electrically conductive portions with a zula fenden shape can be formed, for example, similar to a tip or similar to a rounding.
  • Overvoltage protection structure can be formed as a varistor, wherein the varistor electrically parallel to the
  • organic optoelectronic component is formed.
  • the varistor can be formed on one of the surfaces of the organic, optoelectronic component. In one embodiment of the method, the varistor can be partially or completely formed by layers of the organic, optoelectronic component. This kind the embodiment can also be understood as forming a varistor in the interior of the organic, optoelectronic component. In one embodiment of the method, the varistor can be formed in the interior of the organic, optoelectronic component such that the varistor with respect to further layers of the organic, optoelectronic
  • Component is electrically isolated.
  • Overvoltage protection structure may be formed as a protective diode, wherein the protective diode is formed electrically parallel to the organic optoelectronic device.
  • the protection diode may be such
  • Component is smaller than the breakdown voltage of the organic, optoelectronic device in the reverse direction, for example, with respect to a voltage pulse occurring at the organic optoelectronic device in
  • spark gap is formed electrically parallel to the organic optoelectronic device.
  • the common layer can be structured, for example around the
  • Overvoltage protection structure at least partially
  • the common layer may comprise at least one electrode of the organic
  • optoelectronic component can be formed.
  • organic, optoelectronic device can be formed on or over the overvoltage protection structure.
  • Overvoltage protection structure can be formed as a structured region of the organic, optoelectronic component.
  • the organic, optoelectronic component device can have an optically active region and an optically inactive region
  • overvoltage protection structure is formed in the optically inactive region.
  • Overvoltage protection structure can be formed in the geometric edge region of the organic, optoelectronic component, for example in the edge region in the interior of the organic, optoelectronic component
  • organic, optoelectronic component are formed exposed, are surrounded by an electrically insulating layer or an electrically conductive layer.
  • Contact pad and or the second contact pad are formed, for example, as a varistor bridge,
  • the overvoltage protection structure can be embodied as a configuration of one or more spark gap (s), protection diode (s) and / or
  • Varistor / s which can be electrically connected to each other in series or in parallel, are formed.
  • Overvoltage protection structure may be formed such that it comprises at least two protective diodes, which are electrically parallel or in series with each other, wherein the Kochwoodsschunzs structure el Ektrisch is formed in parallel or in series with the organic optoelectronic device.
  • Overvoltage protection structure may be formed such that the overvoltage protection structure has electrically parallel to the organic optoelectronic component at least two protective diodes, which are connected to each other in series and whose forward direction is opposite.
  • the protection diodes may be formed to have an amount of the response voltage of about 0.6 V and, for example, an amount of the breakdown voltage in a range of about 4 V to about 15 V.
  • the value of the breakdown voltage may be dependent on the configuration of the organic optoelectronic component and, for example, have a value in a range of about 4V to about 1000V.
  • a protection diode may be formed such that the protection diode has a configuration of two or more pn junctions, i. Diodes, for example, in a series circuit or Para11elscha11ung, for example in a
  • a protective diode can be formed such that it is a suppressor diode in a unidirectional or a bidirectional
  • the organic, optoelectronic component device can be designed such that the response time of the protective diode is smaller than the response time of the organic, optoelectronic
  • the protective diode may be formed with at least one hole-conducting layer and at least one electron-conducting layer such that at least one hole-conducting layer has a physical contact toconces ens an electron-conducting layer; and at least one hole-conducting layer is electrically connected to the first electrically conductive portion and at least one electron-conducting layer is electrically connected to the second electrically-conductive portion.
  • hole-conducting layer pairs of charge carriers can be generated.
  • at least one electron-conducting layer having a layer thickness in a range from about 1 nm to about 500 nia can be formed.
  • at least one hole-conducting layer having a layer thickness in a range from approximately 1 nm to approximately 500 nm can be formed.
  • the substance or the mixture of substances may have a transmittance greater than approximately 90% in a wavelength range of approximately 450 nm to approximately 650 nm, little in the form of an electron-conducting layer and / or the hole-conducting layer.
  • the substance or the substance mixture of a hole-conducting layer may have a valence band approximately equal to the conduction band of the substance or of the material
  • the at least one electron-conducting layer and / or the at least one hole-conducting layer may comprise or be formed from a mixture of a matrix and a dopant.
  • a substance mixture of matrix and dopant can be formed for example by means of co-evaporation of the substances of the matrix and the doping on or via a substrate.
  • the at least one hole-conducting layer may comprise or be formed from an intrinsically hole-conducting substance.
  • the little ens can be formed a hole-conducting layer of a mixture of matrix and p-type dopant.
  • the matrix of the * can be at least one hole-conducting layer comprises a material of a Ausges tra ting the matrix of the at least one hole-conducting layer of the optoelectronic component (see above) have or are formed therefrom.
  • the dopant of the at least one hole-conducting layer may comprise or be formed from one of the substances of an embodiment of the dopant of the at least one thermally conductive layer, the optoelectronic component (see above).
  • the p-type dopant may have a mass fraction relative to the at least one
  • the at least one electron donating layer may be intrinsic
  • the intrinsic electron-conducting layer can be one of the substances of a
  • the at least one electron-conducting layer can be formed from a mixture of matrix and n-dopant
  • the matrix of the at least one electron-conducting layer can be one of the substances of an embodiment of the matrix of the least one ens
  • the n-dopant of the at least one electron-conducting layer may be one of the substances of an embodiment of the at least one
  • Component (see above) have or be formed from it.
  • the n-dopant may have a mass fraction relative to the at least one
  • hole-conductive layer in a range of about 0.1% to about 10%, for example in a range of about 1% to about 2%.
  • the n-dopant may have a higher or a lower mass fraction of the at least one electron-conducting layer of matrix and n-dopant than the p-dopant on the
  • the varistor can be a carrier matrix and at least one material that
  • the material of the carrier matrix can be set up in such a way that the varistor, after the formation of the varistor, has the shape of a rod, i. the viscosity and elastic modulus of
  • Carrier matrix changes by means of heat and / or
  • Carrier matrix formable i. liquid and or plastic
  • the carrier matrix of the varistor can be or be set up such that the varistor has dimensional stability during operation of the organic, optoelectronic component.
  • the carrier matrix of the varistor may comprise or be formed from an electrically insulating material.
  • the carrier matrix of the varistor as material may be one of the following substances
  • a crosslinked, electrically non-conductive polymer for example an elastomer, an epoxide, a silicone or a silazane.
  • the at least one material with varistor properties can be one of the following
  • Manganese oxide or cobalt oxide are Manganese oxide or cobalt oxide.
  • the at least one material with varistor properties of the varistor in the form a plurality of particles may be formed in the carrier matrix of the varistor, wherein the particles may, for example, have an arbitrary, ie random, shape, for example as flakes or a spherical shape.
  • At least two particles with varistor properties can be different
  • a varistor has at least one zinc oxide particle and at least one silicon carbide particle or a zinc oxide particle and a zinc oxide particle with a further material, for example with
  • Varistor properties such as silicon carbide or other material, such as aluminum.
  • Varistor properties an electric field is formed i. it can come to form a space charge zone.
  • the particles with varistor properties can be so in the carrier matrix of the particles with varistor properties
  • Varistors are arranged so that an electrically continuous connection of material with
  • An electrically continuous connection of the particles with varistor properties can be considered electrical
  • Connected compound may cause a whirl, i. Random, path (random walk) or directional, approximately linear path.
  • Carrier matrix are arranged so that the operating voltage of the
  • Varistor is greater than a first voltage value and less than a second voltage value. In one embodiment of the method, the first
  • the varistor has a response voltage up to which the organic, optoelectronic component can work regularly.
  • the varistor should be designed such that the response voltage is formed at least above the threshold voltage of the organic, optoelectronic component, since a varistor has no reverse direction, i.
  • the varistor can have as high a resistance as possible below the response voltage, for example in a range from approximately 50 k ⁇ to approximately 50 ⁇ or a small one
  • Strorazier for example in a range of about 0.1 ⁇ to about 10 ⁇ .
  • the varistor can be designed such that the second voltage value an amount smaller than the breakdown voltage of
  • the second voltage value of the varistor may be dependent on the design of the organic optoelectronic component, since the amount of
  • the second voltage value of the varistor may have an amount ranging from about 4 V to about 200 V, for example greater than about 4 V, for example greater than about 8 V, for example greater than about 16 V.
  • the varistor may be formed such that the material of the carrier matrix and the material having varistor characteristics have approximately equal thermal expansion, i. the
  • Carrier matrix compensates for the expansion of the heat generated by an electric current waste heat of the particles with varistor properties, the heat also over the
  • the varistor can be formed such that the varistor partially or completely penetrate or surround one or more layers of the organic, optoelectronic component. In one embodiment of the method the
  • Overvoltage protection structure can be formed such that between the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion, a dielectric is formed, for example, air.
  • the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion may be arranged relative to each other and arranged relative to each other, that from one over the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion adjacent
  • Response voltage as a value has an amount that is greater than the amount of Schwe11enbond of the organic, optoelectronic device and less than the amount of the breakdown voltage of the organic, optoelectronic device is formed and / or smaller than that
  • the second voltage value of the spark gap may depend on the design of the organic compound
  • Breakdown voltage of the organic, optoelectronic component is dependent on the Ausges aging of the organic, optoelectronic device.
  • the second voltage value of the spark gap may have an amount in a range from about 4 V to about 200 V, for example greater than about 4 V, for example greater than about 8 V, for example greater than about 16 V.
  • the dielectric between the first electrically conductive section and the second electrically conductive section may comprise or be formed from one of the following substances: a
  • electrically isoiierenden, crosslinkable organic and / or inorganic compound such as an epoxy resin, a silicone or a ceramic.
  • the dielectric between the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion may comprise or be formed from a vacuum or a gas: for example, air, oxygen, carbon dioxide, nitrogen, ozone or a noble gas.
  • the first vacuum or a gas for example, air, oxygen, carbon dioxide, nitrogen, ozone or a noble gas.
  • electrically conductive portion for example, complementary, perpendicular, parallel, concentric or divergent aligned.
  • Surface geometry of the following geometric shapes have: flat, round, rough, pointed, and / or complementary to each other.
  • the geometric shapes can be so regular
  • Mirror symmetry can be and / or additionally one
  • the distance of the first electrically conductive portion from the two electrically conductive portion between which the spark gap is formed has a value in a range of about 1 ⁇ m to about 100 ⁇ m.
  • electrically conductive portion and the second electrically conductive portion are surrounded by an encapsulation, for example, be enclosed in a cavity, part of a sectional plane of a carrier of the optoelectronic
  • Component is, or be surrounded by a potting material, for example, an electrically insulating, crosslinkable organic and / or inorganic compound, for example an epoxy resin or a silicone.
  • a potting material for example, an electrically insulating, crosslinkable organic and / or inorganic compound, for example an epoxy resin or a silicone.
  • the encapsulation can serve as mechanical protection for the
  • electrically conductive portions are formed such that the distance between the surfaces of the electrically conductive portions and the shape of the surfaces of the electrically conductive portions with respect to outer
  • Force effects such as a shock, impact, camber or bending, before changes, such as increasing or decreasing the distance or deforming the surface of the electrically conductive
  • the encapsulation can be set up such that the dielectric
  • Component device according to various embodiments.
  • Component device according to various embodiments; schematic views of a
  • Component device according to various Au guide examples; a portion of the organic, optoelectronic component device in the method for producing a
  • FIGS. 1a-d show schematic circuit diagrams of an organic, optoelectronic component device according to FIG.
  • the radiation already hopping and receiving layers of the organic optoelectronic device 106 may have pn junctions that provide or receive radiation, but a low reverse blocking voltage exhibit. As a result, these layers may be sensitive with respect to an electrical breakdown in the reverse direction or in general terms: with respect to an overvoltage which is caused, for example, by a reverse polarity or a reverse polarity
  • the overvoltage protection structure is built in various embodiments directly in the organic, optoelectronic device. This can
  • the pn junction of the protection diode 108 may be evaporated, printed, and patterned.
  • At least one protection diode 108 may be formed, i. pn junctions having a pure diode action with high reverse blocking voltage and low forward voltage.
  • an overvoltage protection structure may be formed as a protection diode 108 (shown in Fig.la and Fig. Lb).
  • a protection diode 108 may be formed as a suppressor diode 108 (Transient Absorptio Zener Diode - TAZ Diode or Transient Voltage Suppressor Diode - TVS Diode), Zener Diode 108, or Schottky Diode (shown).
  • a protection diode 108 may also be referred to as an anti-kickback diode 108, a reverse bias diode 108, a flyback diode 108, or a snubbing diode 108.
  • a protection diode having a configuration of two or more of the diodes described above, for example, in a series circuit or parallel connection, for example in a unidirectional or a bidirectional
  • Embodiments a protective diode, a suppressor diode in a unidirectional or a bidirectional
  • the organic, optoelectronic component 106 may be formed as a planar organic optoelectronic component 106, for example an OLED 106 or a solar cell 106.
  • the organic, optoelectronic component 106 and the protective diode 108 have common connection structures 102, 104 for electrically contacting, for example common Contact pads 102, 104, wherein the contact pads 102, 104 on the carrier or the operating device of the OLED
  • the protective diode 108 may be at least partially adjacent to, above and / or below the radiation ready portion to be formed and formed - receiving layers of the organic optoelectronic device 106.
  • the protection diode 108 may be electrically related to the
  • the protection diode 108 connected in series should be designed such that it has a high reverse voltage resistance, for example a breakdown voltage greater than approximately 600 V. As a result, current flow and destruction of the organic, optoelectronic component 106 can be prevented.
  • the high reverse voltage resistance for example a breakdown voltage greater than approximately 600 V.
  • Overvoltage protection structure may be formed as a varistor 112 - shown in Fig. Lc (see also Fig.7) - and
  • Component 106 may be formed. When concerns a
  • the varistor 112 may become electrically conductive and the organic
  • a spark gap 114 may be formed between the first electrically conductive portion and the second electrically conductive portion of the overvoltage protection structure, whereby the organic optoelectronic component 106 for the duration of
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an organic, optoelectronic component according to FIG.
  • the optoelectronic component 106 for example, an electronic component 106 providing electromagnetic radiation, for example a light-emitting
  • Component 106 may have a carrier 202.
  • the carrier 202 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the carrier 202 can be glass,
  • the carrier 202 may comprise or be formed from a plastic film or laminate having one or more plastic films.
  • the plastic can (one or more polyolefins' (for example, polyethylene? E) (high or low density or polypropylene PP) ⁇ comprise or be formed therefrom.
  • the -plastic can (one or more polyolefins' (for example, polyethylene? E) (high or low density or polypropylene PP) ⁇ comprise or be formed therefrom.
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier 202 may comprise one or more of the above-mentioned substances.
  • the carrier 202 may be a metal or a metal auf us- Getting Connected or formed therefrom ', for example copper, silver, gold, platinum or the like.
  • a carrier 202 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 202 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the Li chtemittierenden device for example, one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 um to 780 ran.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Amount of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered here
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a Schich is permeable to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • Embodiments as a special case of "translucent" to look at.
  • the optically translucent layer structure at least i a portion of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 106 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the carrier 202 On or above the carrier 202 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 204.
  • the barrier layer 204 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well Mixtures and alloys thereof. Furthermore, the
  • Barrier layer 204 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 m.
  • an electrically active region 206 of the light-emitting component 106 may be arranged on or above the barrier layer 204.
  • the electrically active region 206 can be understood as the region of the light emitting device 106 in which an electric current is used to operate the
  • the electrically active region 206 may comprise a first electrode 210, a second electrode 214 and an organic radioactive structure 212, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 210 may be in the form of a first electrode 210, for example
  • Electrode layer 210) may be applied.
  • the first electrode 210 (also referred to below as the lower electrode 210) may be formed of or be made of an electrically conductive material, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, S 02, or ⁇ 2 ⁇ 3 also include ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn2Sn04, CdSn ⁇ 3, ZnSn03, Mgln.204, GalnOß, Z 2l 20s or In Sri30i2 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of COs and can be used in various embodiments.
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 210 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and
  • Electrode 210 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium-tin oxide
  • ITO-Ag-ITO multilayers Silver layer deposited on an indium-tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • Electrode 210 one or more of the following substances
  • Networks of metallic nanowires and particles for example of Ag; Ne twins of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 210 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 210 and the carrier 202 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 210 comprises or is formed of a metal
  • the first electrode 210 may have, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one Layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm,
  • a layer thickness of greater than or equal to about 10 nm for example, a layer thickness of greater than or equal to about 15 nm.
  • the first electrode 210 a the first electrode 210 a
  • Layer thicknesses a range from about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness ranging from about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness ranging from about 15 nm to about 18 nm.
  • the 'first electrode 210 for example, have a layer thickness in a range from about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a Range of about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 210 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes which may be combined with conductive polymers or of graphene may be used. Layers and composites are formed, the first electrode 210, for example, a
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 ⁇ m for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 210 may be formed as an anode, ie as a hole-injecting electrode or as
  • the first electrode 210 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 202 and then indirectly applied to the first electrode 210.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 212 may comprise one or more emitter layers 218, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-conducting layers 216 (also referred to as hole-transport layer (s) 220).
  • emitter layers 218, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters and one or more hole-conducting layers 216 (also referred to as hole-transport layer (s) 220).
  • hole-transport layer (s) 220 also referred to as hole-transport layer (s) 220.
  • one or more electron conduction layers 216 may be provided.
  • the light emitting device 106 according to various aspects
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or substituted poly-p-phenylenevinylene ⁇ as well as metal complexes, for example Iridi m complexes such as blue phosphorescent ⁇ FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyidyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • fluorescent DCM2 (dicyanomethyl) -2-methyl-6-ylolidol-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter.
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter can be used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • the emitter materials of the emitter layer (s) 218 of the light emitting device 106 may be selected such that the light emitting device 106 emits white light.
  • the emitter layer (s) 218 may comprise a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 218 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 218 or blue
  • phosphorescent emitter layer 218 and a red phosphorescent emitter layer 218.
  • the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure 212 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent layers.
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules, or a combination of these materials.
  • the organic functional layer structure 212 may be one or more
  • Hole transport layer 220 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 212 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport schient 216 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electron etation in an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 220 can be any substance for the hole transport layer 220 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • electroluminescent layer is executed.
  • the electroluminescent layer is executed.
  • Hole transport layer 220 may be deposited on or over the first electrode 210, for example, deposited, and the emitter layer 218 may be on or above the
  • Hole transport layer 220 may be applied, for example, be deposited.
  • electrode transport layer 216 may be applied to or over the emitter layer 218, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 212 ie, for example, the sum of the thicknesses of hole transporting slits 220 and
  • the organic functional layer structure 212 for example, a
  • each OLED for example, a maximum thickness of about 1, 5 microns, for example, a layer thickness of at most about 1, 2 microns, for example, a layer thickness of maximally about hr 1, for example, a layer thickness of about a maximum 800 n, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • OLED organic light-emitting diodes
  • each OLED for example, a maximum thickness of about 1, 5 microns, for example, a layer thickness of at most about 1, 2 microns, for example, a layer thickness of maximally about hr 1, for example, a layer thickness of about a maximum 800 n, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic radioactive layer structure 212 for example, a maximum thickness of about
  • organic functional layer structure 212 may have a layer thickness of at most about 3 pm.
  • the light emitting device 106 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 216 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 106.
  • organic functional layer structure 212 On or above the organic functional layer structure 212 or optionally on or above the one or more further organic functional layers
  • Layer structures may be the second electrode 214
  • a second electrode layer 214 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 214).
  • Electrode 214 have the same substances or be formed therefrom as the first electrode 210, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • Electrode 214 (for example, in the case of a metallic second electrode 214), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness vo less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 214 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 210.
  • the two electrodes 214 may be made in one or more embodiments
  • the first electrode 210 and the second electrode 214 are both formed translucent or transparent.
  • the illustrated in Fig. 1 the illustrated in Fig. 1
  • light emitting device 106 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 106).
  • the second electrode 214 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the second electrode 214 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • the second electrode 214 and thus on or above the electrically active region 206 may optionally be an encapsulation 208, for example in the form of a Barrier thin film / thin film encapsulation 208.
  • a “barrier thin film” 208 or a “barrier thin film” 208 can be understood as meaning, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier film 208 is formed to be resistant to OLED damaging agents such as
  • the barrier film 208 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin film 208 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • the barrier thin film 208 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • Barrier thin film 208 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 208 or one or more sublayers of the barrier film 208 may be formed, for example, by a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • PEALD plasma-enhanced atomic separation
  • Chemical Vapor Deposition e.g. one
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PLCVD plasmaless vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 208 comprising a plurality of sublayers, all sublayers being formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence, which has only ALD layers may also be referred to as "Naiio1aminat. According to an alternative embodiment, in a
  • Barrier thin film 208 comprising a plurality of sub-layers, one or more sub-layers of the bar ierenCOLn harsh 208 by means of a different deposition method than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 208 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Ausgestal for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin film 208 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin film 208 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin film 208 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin film 208 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 208 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the partial layer.
  • the barrier film 208 or the individual sub-layers of the barrier film 208 may be formed as a translucent or transparent layer according to an embodiment.
  • the barrier film 208 (or the individual sub-layers of the barrier film 208) may be made of a translucent or transparent substance (or a mixture of substances that is translucent or transparent),
  • the barrier thin layer 208 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier film 208 comprising or being formed from one of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack having a plurality of sublayers one or more of the sublayers of the barrier film 208 comprise one or more high refractive indexes, in other words one or more high content materials
  • Refractive index for example, with a refractive index of at least 2.
  • the cover 226, for example made of glass, for example by means of a frit bonding (glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding) by means of a conventional glass solder in the geometric
  • Edge regions of the organic optoelectronic component 106 are applied to the barrier film 208.
  • Protective varnish 224 be provided, by means of which, for example, a cover 226 (for example, a glass cover 226, a metal foil cover 226, a sealed one
  • Plastic film cover 226) is attached to the bar ierenPSn Anlagen 208, for example, is glued.
  • translucent layer of adhesive and / or protective varnish 224 have a layer thickness of greater than 1 ⁇ m
  • a layer thickness of several um for example, a layer thickness of several um.
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer ⁇ can be embedded in various embodiments still light scattering particles, which leads to a • further improvement of the color angle distortion and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example scattered dielectric particles, such as, for example, metal oxides, such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide ⁇ Ga 2 Oa)
  • metal oxides such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide ⁇ Ga 2 Oa)
  • Alumina, or titania may also be suitable if they have a refractive index that is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate, or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as light-scattering particles.
  • between the second electrode 214 and the layer of adhesive and / or resist 224 still an electrically insulating layer
  • SiN for example, having a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ⁇ m, for example, having a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ m to be electrically unstable Protect substances, for example, during a wet chemical process.
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • an adhesive may be a high refractive index adhesive
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Embodiments can also be dispensed with entirely an adhesive 224, for example in embodiments in which the cover 226, for example made of glass, are applied to the barrier thin film 208 by means of, for example, plasma spraying.
  • Cover 226 and / or the adhesive 224 have a refractive index ⁇ for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • Be provided 1ichteir.i11 Schlierenden device 106. 3 shows a schematic cross-sectional view of an organic, optoelectronic component device, according to various embodiments.
  • an embodiment of an optoelectronic component according to one of the embodiments of the description of FIG. 1, marked by section 106, is shown as a region of an organic, optoelectronic component device 300 (overvoltage protection structure is not shown).
  • a first electrode 210 formed on or above a carrier 202.
  • an organic functional On or above the first electrode 210 is an organic functional
  • Layer structure 212 formed. About or on the
  • a second electrode 214 is formed.
  • the second electrode 214 is electrically insulated from the first electrode 210 by means of electrical insulation 304.
  • the second electrode 214 may be physically and electrically connected to an electrical connection layer 302. The electric
  • Bonding layer 302 may be formed in the geometric edge region of carrier 202 on or above carrier 2 02, for example laterally next to first electrode 210.
  • the electrical connection layer 302 is electrically connected to the first one by means of a further electrical insulation 3 04
  • Electrode 210 isolated. On or above the second electrode 214, a barrier thin film 208 is disposed such that the second electrode 214, the electrical insulation 304, and the organic functional layer structure 212 are surrounded by the barrier film 208, that is, in FIG.
  • barrier thin film 208 can hermetically seal the trapped layers from harmful environmental influences. On or above the
  • Barrier thin film 208 is an adhesive splice 224 arranged such that the Klebschie t 224 the
  • Barrier thin layer 208 seals surface and hermetically with respect to harmful environmental influences.
  • a cover 226 is arranged on or above the adhesive layer 224.
  • the cover may be adhered to the barrier film 208 with an adhesive 224
  • the region of the optoelectronic component 106 with an organic functional layer structure 212 on or above the carrier 202 can be designated as the optically active region 312.
  • the optically inactive region 314 may, for example, be arranged flat next to the optically active region 312.
  • An optoelectronic component 106 which is at least translucent, for example transparent, formed, for example, a least translucent carrier 202, at least translucent electrodes 210, 214, an at least translucent, organic functional layer system and aiquess ens translucent barrier thin layer 208th
  • on eist for example, can have two planar, optically active sides - in the schematic cross-sectional view of the top and bottom of the optoelectronic
  • device 106 may also have only one optically active side and one optically inactive side,
  • an optoelectronic component 106 which is designed as To emitter or bottom emitter, for example by the second electrode 106 or the
  • Barrier thin film 208 is reflective for ready e electromagnetic radiation is formed.
  • the carrier 202, the first electrode 210, the organic functional layer structure 212, the second electrode 214, the barrier film 208, the adhesive layer 224, and the cover 226 may be, for example, according to any one of
  • the electrical insulations 304 are set up such that current flow between two electrically conductive regions, for example between the first electrode 210 and the second electrode 214, is prevented.
  • the shock or the substance mixture of the electrical insulation can be
  • the lacquer may have, for example, a coating substance which can be applied in liquid or in powder form,
  • the electrical insulation 304 can be applied or formed, for example by means of a printing process, for example, structured.
  • the printing process may, for example, comprise ink-jet printing, screen-printing and / or pad-printing
  • the electrical connection layer 302 may be a substance or mixture of substances, a substance or a mixture of substances similar to the electrodes 210, 214 according to one of the embodiments of
  • the optically inactive region 314 may be, for example
  • the optoelectronic component 106 may be formed such that contact pads 102, 104 are configured to electrically contact the optoelectronic component 106, for example by electrically conductive layers, for example, electrical connection layers 302,
  • An ontact pad 102, 104 may be electrically and / or physically connected to an electrode 210, 214, for example by means of a connection layer 302.
  • a contact pad 102, 104 may also be configured as a region of an electrode 210, 214 or a connection layer 302.
  • the contact pads 102, 104 may be a substance or a substance mixture similar to the second substance or substance mixture
  • Electrode 214 according to one of the embodiments of
  • Fig. 1 or be formed therefrom, for example as a metal layer structure with
  • Fig. A, b shows schematic views of a
  • Fig. A shows a detail of a schematic
  • organic, optoelectronic device device 110 with surge arrester structure according to the description of Fig. Ib. Shown is another portion of the organic optoelectronic device device 300 according to one of the embodiments of the description of FIG.
  • Dargestell is a first electrically conductive portion
  • the first electrically conductive section 408 can
  • the anode 102 and the second electrically conductive portion 410 may be electrically connected to the cathode 104 of the organic optoelectronic device device 300, i. the first electrode 210 of the organic, optoelectronic component 106 is electrically connected to the anode 102 of the organic, optoelectronic component device, and the two electrodes 214 to the electrode 104 of the organic, optoelectronic
  • first electrically conductive portion 408 may be an electron-conducting layer 404 of the
  • Overvoltage protection structure 108 may be formed
  • the electron-conducting layer 404 may include a
  • a hole-conducting layer 406 of the overvoltage protection structure 108 may be formed, for example printed, sprayed or deposited.
  • the hole-conducting layer 406 may comprise an intrinsically hole-conducting substance or a mixture of carrier matrix and p-type dopant.
  • a second electrical connection layer 402 may be formed,
  • the second electrical connection layer 402 may, for example, be similar or equal to the first electrode 210, the second electrode 214, the first electrical
  • Section 410 may be formed.
  • the second electrical connection layer 402 may electrically connect to the second electrically conductive one 41 0.
  • the electrical insulation 412 for example, similar to one of the embodiments of the electrical
  • Insulations 3 04 may be formed according to the description of FIG.
  • the protective diode 108 may be formed, for example, in the optically inactive region 3 14 of the organic, optoelectronic component device.
  • 5a shows a section of a schematic
  • the first electrically conductive portion 502 may
  • the first electrode 210 of the organic, optoelectronic component 106 is electrically connected to the cathode 504 of the protective diode and the second electrode 214 to the cathode 104 of the organic, optoelectronic component device 300 - shown as schematically. it equivalent circuit diagram in Figure 5b.
  • a hole-conducting layer 406 of the overvoltage protection structure 108 may be formed, for example printed, sprayed or deposited.
  • the hole-conducting layer 406 may be an intrinsically hole-conducting substance or a
  • Substance mixture of carrier matrix and p-Dotierstof f have.
  • hole-guiding layer 406 may be a
  • the elektronenle.itendo layer 404 of the overvoltage protection structure 108 may be formed, for example, be printed, sprayed or deposited.
  • the electron-conducting layer 404 may comprise an intrinsically electron-conducting substance or a mixture of carrier matrix and n-dopant,
  • a second electrical connection layer 02 may be formed, for example printed, sprayed or deposited.
  • the second electrical connection layer 402 may, for example, be similar or equal to the first electrode 210, the second electrode 214, the first electrical one
  • Section 410 may be formed.
  • the second electrical connection layer 402 may be electrically connected to the second electrically conductive section 410 be connected and electrically relative to the first
  • electrical insulation 412 for example, similar to one of the embodiments of the electrical
  • Isolations 304 may be formed according to the description of FIG.
  • the protective diode 108 may be embodied, for example, in the optically inactive region 314 of the organic optoelectronic component device.
  • Optoelectronic component device in the method for producing an overvoltage protection structure, according to
  • Fig. Sa shows an electrically conductive layer structure 608 on or above the support 202 of the organic
  • the carrier 202 may, for example, according to one of
  • the electrically conductive layer structure 608 may
  • electrically conductive metal oxide and / or a metal or be formed therefrom for example, similar to the first electrode 210 and or the second elec- trode 214 one of the embodiments of the description of FIG.
  • a region 602 of the electrically conductive layer structure 608 may be removed from the carrier 202, that is, electrically insulated from one another
  • Sections 604, 606 are formed, for example by the carrier 202 in the area 602 is exposed - shown in Fig.6.
  • the exposure of the carrier 202 can be carried out, for example, ballistically. A ballistic exposure of the
  • areas to be cleared can be detected, for example, by bombardment of the free area with particles, molecules,
  • Atoms, ions, electrons and / or photons can be realized.
  • a bombardment with photons can, for example, as
  • the electrically conductive layer structure 608 may be structured in such a way that the
  • High-voltage protection structure for the electrically parallel connected organic optoelectronic device 106 is formed.
  • Sections 604, 606 may be in different
  • Substance mixture are at least partially filled,
  • the substance or mixture of substances between the electrically conductive Sections 604, 606 for forming a varistor 114 (see FIG. 7) or a spark gap 610 is not limited to the electrically conductive Sections 604, 606 for forming a varistor 114 (see FIG. 7) or a spark gap 610.
  • the first can be electrically
  • conductive portion 604 may be electrically connected to the first ontakt pad 102 of the organic optoelectronic device device 300 (not shown) and the second electrically conductive portion 606 may be connected to the second one
  • spark gap 610 is electrically parallel to the organic, optoelectronic device.
  • Overvoltage protection structure ' as a spark gap 610, the substance or the substance mixture in the region 602 between the electrically conductive portions 604, 606, a dielectric.
  • the dielectric may for example be a gas, for example air, an electrically insulating, crosslinkable organic and / or inorganic compound, for example a
  • Sections 604, 606 may be surrounded by an encapsulation, wherein the encapsulation may be optional or comprise or may be formed from the same material as the dielectric, for example by over-filling the region 602.
  • the encapsulation may partially or completely surround the electrically conductive sections 604, 606; for example, the electrically conductive sections 60, 606 may be part of a cross-section of a support of an organic,
  • the encapsulation may, for example, be further
  • the encapsulation can serve as mechanical protection for the
  • Spark gap 610 may be formed such that the distance between electrically 1eitTalken sections 604, 606 and the shape of the surfaces of the electrically conductive portions
  • the encapsulation may be such
  • the dielectric such as air
  • environmental influences such as changing the humidity and / or an irradiation of ionizing radiation, such as UV radiation or X-rays
  • These environmental influences could alter the necessary voltage which should be present across the electrically conductive sections 604, 606 in such a way that the formation of a spark gap is formed at a value of the applied voltage which is below the threshold voltage of the electronic component to be protected or above the breakdown voltage of shiny electronic
  • Component can be formed.
  • the electrically conductive portions 604, 606 may have a lanate shape or have a tapered shape.
  • electrically conductive sections 604, 606 having planar shapes may be configured similar to a pin or similar to a planar plane. Electrically conductive sections 604, 606 with a
  • tapered shape can be formed, for example, similar to a tip or similar to a rounding. By means of the tapered shape, the necessary tension for the
  • Forming the spark gap can be reduced as the
  • the electrically conductive sections 604, 606 may also be partially or completely arbitrary, for example by means of roughness or coarse
  • the electrically conductive layer is electrically conductive
  • Sections 604, 606 have a complementary arrangement to each other, wherein the first electrically conductive portion 604 partially perpendicular and / or parallel to the second
  • electrically conductive portion 606 may be formed.
  • the electrically conductive portions 60, 606 may have an overlapping arrangement, i. a staggered arrangement and / or
  • electrically conductive portions 604, 606 may be shifted arrangement of the electrically conductive portions 604, 606 to each other, wherein parts of the electrically conductive portions 604, 606 may be parallel to each other, for example, at a distance 602 from each other.
  • the electrically conductive sections 604, 606 may also be in different planes, in the sense of a layer in the
  • a parallel arrangement of the electrically conductive sections 604, 606 may be, for example, as a partially and / or completely concentric arrangement and / or coaxial arrangement of the electrically leitfand gene
  • Sections 604, 606 be formed
  • the electrically conductive portions 604, 606 may have a diverging arrangement, for example as a horn bow or as
  • the actual response voltage of the .Funkenumble for an organic, optoelectronic device device may be dependent on the specific configuration of the electrically conductive sections 604, 606, so that often a voltage range is specified, within which a
  • Spark gap between the electrically conductive portions 604, 606 can be formed at a certain distance. With the choice of the dielectric between the electrically conductive sections 604, 606, the response voltage of the spark gap can be changed at a constant distance.
  • the electrically conductive connections should be such
  • a typical value for a floating voltage of an organic optoelectronic device may be formed in a range of about 0 V to about 5 V.
  • a typical breakdown voltage can be for such
  • the device may be formed in a range of about 170V to about 200V.
  • a Ausges age of the electrically conductive portions 60, 606 that meet these conditions for example, have a distance 414 having a value of about 50 microns and ei dielectric having the air or formed therefrom.
  • This embodiment has the advantage that
  • FIG. 7 shows a schematic plan view of a varistor, according to various application examples.
  • the embodiment of the overvoltage protection structure in FIG. 6c can be implemented in the region 602 in various embodiments
  • Embodiments be bridged by means of a varistor bridge 114 or a varistor 114.
  • Varistor 610 may include particles 704 of a material having
  • Varistor properties form an internal electric field that may resemble a semiconductor pn junction.
  • the internal electric field can be transmitted via the electric field by means of an external electric field
  • Sections 604, 606 are dismantled. The inner ones
  • Electric fields can be formed over the interfaces 706 of particles 704 with varistor properties and be directed against the outer, applied electric field.
  • the resistance of the varistor 610 may decrease, so that a current flow through a varistor 610 may be possible and the current above the response voltage may increase exponentially.
  • causes of the increase of the current above the response voltage may be by means of the applied voltage, the compensation of internal electric fields.
  • the value of the response voltage may be determined by the number of coupled particle interfaces 706 in FIG.
  • the value of the response voltage can vary from the length of the varistor 610 in the current direction, the size of the
  • the geometric dimension of the varistor 610 for example, the length parallel to the direction of current flow, and the size of the
  • Particles 704 are adjusted with varistor characteristics with respect to the length of the varistor 610 in the current flow direction.
  • the varistor should be designed such that the
  • optoelectronic component 106 in which it is conductive and smaller than the voltage at which the component to be protected is irreversibly damaged, for example, the breakdown voltage or an overvoltage in
  • the threshold voltage of the organic, optoelectronic component 106 to be protected can
  • a high resistance of the varistor 610 can be formed by means of existing internal fields at the particle interfaces Leakage, for example in a range of about
  • the varistor should be designed such that the
  • Response voltage is smaller than the breakdown voltage of the organic to be protected, optoelectronic device 106 in the reverse direction, for example, a response of ZnO particles in a range of about 30 V to about 100 V or a response voltage in a range of about 100 V to about 200 V. of SiC particles.
  • the voltage drop across the varistor 610 may be at a response voltage in a range approximately equal to the
  • a rise in the current with applied voltage for example in the case of the SiC varistor 610 between approximately 200 V and approximately 300 V.
  • the varistor 610 may be formed, for example, a carrier matrix of a one-component epoxy, a two-component epoxy, a silicone or an acrylate.
  • the epoxy resin in the moldable state may have a viscosity in a range of about 0.8 Pa * s to about 4 Pa * s.
  • the epoxy resin in the dimensionally stable state may have a viscosity in a range of about 2.5 GPa ⁇ s to about 3.0 GPa ⁇ s.
  • the hardness of the dimensionally stable epoxy resin may have a Shore D hardness (20 ° C) in a range of about 87 to about 89.
  • the silicone may have a viscosity in the range of about 0.8 Pa ⁇ s to about 4 Pa ⁇ s in the moldable state exhibit .
  • Silicone in a dimensionally stable state Silicone in a dimensionally stable state, a modulus of elasticity in a range of about 1 MPa to about 6 MPa
  • the hardness of the dimensionally stable silicone may have a Shore hardness (20 ° C) of about 40.
  • SiC flakes (SiC flakes) with a diameter d $ Q of approximately 1.7 ⁇ m and a dgo of
  • Flakes can have a value in a range of about 5 m / g
  • the SiC flakes may be the support matrix, such as a silicone, a one-part epoxy or the
  • Carrier component of a two-component epoxy with respect to the mass of the composition of carrier matrix and SiC flakes in a mass fraction of about 20% to about 70% are added, for example in a range of
  • the Stoffgenisch of carrier matrix and SiC flakes can as
  • Varistor paste be understood.
  • the varistor paste may be dispensed to a varistor 610, for example, having a length in a range of about 200 ⁇ to about 300 ⁇ m; a width in a range of about 30 ⁇ m to about 60 ⁇ m, for example 50 ⁇ m; and a height in a range of about 5 ⁇ to about 50 ⁇ , for example 10 microns.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine organische, optoelektronische, Bauelementevorrichtung (100, 110, 120, 130, 300) bereitgestellt, die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 110, 120, 130, 300) aufweisend: einen Träger (202); ein organisches, optoelektronisches Bauelement (106), aufweisend eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode; und eine Überspannungsschutz-Struktur (108, 114, 610), aufweisend einen ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und einen zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt; wobei das organische, optoelektronische Bauelement (106) und die Überspannungsschutz-Struktur (108, 114, 610) auf oder über dem Träger (202) ausgebildet sind; wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108, 114, 610) und das organische, optoelektronische Bauelement (106) wenigstens eine gemeinsame Schicht aufweisen; und wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108, 114, 610) elektrisch mit dem organischen, optoelektronischen Bauelement (106) verbunden ist, wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der ersten Elektrode ist und/oder der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der zweiten Elektrode ist; und wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108, 114, 610) eine Funkenstrecke aufweist.

Description

Be seh eίbung
Organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung und
Verfahren zum Herstellen einer organischen,
optoelektronischen Bauelementevorrichtung In verschiedenen Ausführungsformen werden eine organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise eine organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) oder eine organische Solarzelle, finden zunehmend verbreitete Anwendung.
Eine OLED kann zwei Elektroden, beispielsweise zwei
Kontaktmetallisierungen eingerichtet als eine Anode und eine Kathode, mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle
Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung
beispielsweise erzeugt wird, eine oder mehrere
Ladungsträgerpaar Erzeugungs -Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaa -Erzeugungs-Schich en
(„Charge generating layer " , CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) {„hole transport layer" - HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschi cht (en) („eiectron transport layer" - ETL) , um den Strom luss zu richten.
Organische Leuchtdioden sind empfindliche elektronische Bauteile, welche nur in eine Richtung gepolt angeschlossen werden dürfen. Ein Rückwärtsbetrieb ist nicht vorgesehen und kann zu einem dauerhaften Ausfall der OLED führen . Ebenso können elektrostatische Entladungen (electrostatic disCharge - ESD) die OLED schädigen und/oder zu einem dauerhaften
Ausfall führen, wobei die elektrostatisch Entladung zu einem Durchschlage des pn--Überganges mit irreversiblen Schäden führt .
In einem herkömmlichen Verfahren zum Schutz einer organischen Leuchtdiode vor einem Rückwärtsbetrieb wird eine Schutzdiode mit ausreichend hoher Sperrspannung extern zur OLED in Serie geschaltet. Bei Rückwärtsbetrieb sperrt diese Schutzdiode einen Stromfluss in Rückwärtsrichtung ausreichend und
verhindert dadurch einen Rückwärtss romfluss durch die OLED .
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren zum Schutz einer organischen Leuchtdiode vor einem Rückwärtsbetrieb wird die Schutzdiode extern in Sperrrichtung, d.h. antiparallel zur OLED , geschaltet. Wird die OLED verpolt kontaktiert, leitet die Schutzdiode und schließt die Spannung kurz, wobei die Schutzdiode für den dabei fließenden Strom ausgelegt ist und diesen Strom dauerhaf aushält oder wobei die Schutzdiode die verpolte Spannung nur für einen kurzen Zeitraum kurzschließt und das angeschlossene Betriebsgerät den Kurzschluss (die Stromspitze) erkennt und daraufhin abschaltet. In einem herkömmlichen Verfahren zum Schutz einer organischen
Leuchtdiode vor elektrostatischen Entladungen wird auf der OLED eine flexible Leiterplatte ( flexible printed cireuit board - flex-pcb) aufgebracht, beispielsweise aufgebondet. Auf dieser Leiterplatte ist eine SMD-Schutzdiode (surface mounted device - SMD) antiparallel zur Durchlassrichtung der OLED geschaltet. Diese externe Schutzdiode kann ESD-Pulse reversibel absorbieren oder dabei zerstört we den . Damit kann ein ESD-Puls immer über die in Abhängigkeit seiner Polarität in Vorwärtsrichtung geschaltete Diode, d.h. entweder die Schutzdiode oder das optoelektronische Bauelement, abfließen. Durchschlagartige Entladungen an der in Sperrrichtung
geschalteten OLED können auf diese Weise vermieden werden. Um o oelektronische Bauelemente verarbeiten zu können , wi d herkömmlich bei der Verarbeitung in einer ESO- freien Umgebung gearbeitet , was hohe Kosten für die Aussta tung der
Produktionslinien nach sich zieht. Die Aufrüstung von
Verarbeitungslinien zum Erzeugen einer ESD- freien Umgebung kommt aus Kostengründen für Verarbeiter optoelektronischer Bauelemente nur im Ausnahmefall in Betracht . In verschiedenen Aus führungs formen werden eine organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist, einen Schutz des organischen, optoelektronischen
Bauelementes vor elektrostatischen Entladung und/oder
Verpolung zu realisieren, ohne eine externe
Überspannungsschutz-51ruktur .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch
charakteristi-sche physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physika1ische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung u fasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en), einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) u verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch gleich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn die chemischen und
physikalischen Eigenschaften des ersten Stoffs bzw. ersten Stoffgemisches identisch mit den chemischen und
physikalischen Eigenschaften des zweiten Stoffs bzw. des zweiten Stoffgemischs sind.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch ähnlich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn der erste Stoff bzw. das erste Stoffgemisch und der zweite Stoff bzw. das zweite
Stoffgemisch eine ungefähr gleiche stöchiometrisehe
Zusammensetzung, ungefähr gleiche chemische Eigenschaften und/oder ungefähr gleiche physikalische Eigenschaften
aufweist bezüglich wenigstens einer Größe, beispielsweise der Dichte, dem 3rechungsindex, der chemischen Beständigkeit oder ähnliches .
So kann bezüglich der stöchiometrischen Zusammensetzung beispielsweise kristallines SiC>2 (Quarz) als gleich zu amorphen S1O2 (Kieselglas) und als ähnlich zu SiOx betrachtet werden . Jedoch kann bezüglich des BrechungsIndexes
kristallines SiO?; unterschiedlich sein zu SiOx oder amorphem S1O2 · Mittels Zugabe von Zusätzen, beispielsweise in Form von Dotierungen, kann beispielsweise amorphes S1O2 den gleichen oder einen ähnlichen Brechungsindex aufweisen wie
kristallines S1O2, edoch dann bezüglich der chemischen
Zusammensetzung unterschiedlich zu kristallinem S1O2 sein.
Die Bezugsgröße, in der ein erster Stoff einem zweiten Stoff ähnelt, kann explizit angegeben sein oder sich aus dem
Kontext ergeben, beispielsweise aus den gemeinsamen
Eigenschaften einer Gruppe von Stoffen oder Stoffgemischen .
Ein elektrisches Kontaktieren kann beispielsweise als ein
Einbinden eines organischen, optoelektronischen Bauelementes in einen elektrischen Stromkreis verstanden werden, wobei der Stromkreis beispielsweise mittels des elektrischen
Kontaktierens des organischen, optoelektronischen
Bauelementes elektrisch geschlossen werden kann .
Ein formstabiler Stoff kann mittels Zugebens von
Weichmachern, beispielsweise Lösungsmittel, oder Erhöhen de Temperatur plastisch formbar werden, d.h. verflüssigt werden.
Ein plastisch formbarer Stoff kann mittels einer
Vernetzungsreaktion, Entzug von Weichmachern und/oder Wärme formstabil werden, d.h. verfestigt werden .
Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein Ändern der Viskosität aufweisen, beispielweise ein Erhöhen der Viskosität von einem ersten Viskositätswert auf einen zweiten Viskositätswert. Der zweite Viskositätswert kann um ein Vielfaches größer sein als der erste Viskositätswert sein, beispielsweise i einem Bereich von ungefähr 10 bis ungefähr 10 . Der Stoff kann bei der ersten Viskosität formbar sein und bei der zweiten Viskosität formstabil sein.
Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein Verfahren oder einen Prozess aufweisen, bei dem niedermolekulare Bestandteile aus dem Stoff oder Stoffgemisch entfernt werden, beispielsweise Lösemittelmoleküle oder niedermolekulare, unverletzte Bestandteile des Stoffs oder des Stoffgemischs , beispielsweise ein Trocknen oder
chemisches Vernetzen des Stoffs oder des Stoffgemischs . Der Stoff oder das Stoffgemisch kann beispielweise im formbaren Zustand eine höhere Konzentration niedermolekularer Stoffe am gesamten Stoff oder Stoffgemisch aufweisen als im
formstabilen Zustand.
Ein Körper aus einem formstabilen Stoff oder Stoffgemisch kann jedoch formbar sein, beispielsweise wenn der Körper als eine Folie eingerichtet is , beispielsweise eine
Kunststofffolie, eine Glasfolie oder eine Metallfolie, Solch ein Körper kann beispielsweise als mechanisch flexibel bezeichnet werden, da Veränderungen der geometrischen Form des Körpers , beispielsweise ein Biegen einer Folie,
reversibel sein können . Ein mechanisch flexibler Körper, beispielsweise eine Folie, kann jedoch auch plastisch formbar sein, beispielsweise indem der mechanisch flexible Körper nach dem Verformen verfestigt wird, beispielsweise ein
Tiefziehen einer Kunststofffolie . Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen
Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen
Stromes betrifft , beispielsweise mittels Verwendens von
Halbleiterbauelementen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Diode, ein Transistor, ein
Thermogenerator , eine integrierte Schaltungen oder ein
Thyristor sein.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Schutzdiode als eine Suppressor-Diode (Transient Absorption Zener Diode -
TAZ Diode oder Transient Voltage Suppressor Diode - TVS- Diode) eine Zener-Diode oder eine Schottky-Diode ausgebildet sein. Eine Schutzdiode kann auch als eine Anti-Kick-Back- Diode, eine Reverse-B.i as-Diode, eine flyback-Diode ,
Gleichrichter-Diode oder eine snubbing-Diode bezeichnet werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine
Schutzdiode eine Konfiguration von zwei oder mehr der oben beschriebenen Dioden aufweisen, beispielsweise in einer
Reihenschaltung oder Parallelschaltung, beispielsweise in einer unidirektionalen oder einer bidirektionalen
Konfiguration. Beispielsweise kann in verschiedenen
Ausgestaltungen eine Schutzdiode eine Suppressor-Diode in einer unidirektionalen oder einer bidirektionalen
Konfiguration aufweise .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Ansprechzeit einer Schutzdiode kleiner sein als die Ansprechzeit des
Bauelementes , weiches mittels der Schutzdiode geschützt werden sollt. Die Ansprechzeit kann als die Zeit verstanden werden, bei der ein Halbleiterbauelement bei ümpolung der Spannung von Durchlassrichtung in Sperrrichtung bezüglich des Halbleiterbauelementes einen Stromfluss sperrt. Die
Ansprechzeit kann auch als Unterbindungszeit, Einscha Ii- usschaltzei { turn-on/off time) , Spannzeit (clamping time) oder vorwärts /rückwerts Rückkehrzeit ( forward/reverse recovery time) bezeichnet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine Überspann ngsschutz- Struktur hohe Spannungen, beispielsweise elektrostatische Entladungen (electrostatic discharge ESD) , Überspannungen (voltage burst) oder Spannungsstoße {surge pulse) absorbieren und/oder kurzschließen.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines
elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein organisches
optoelektronisches Bauelement in verschiedenen
Ausgestaltungen, beispielsweise als eine organische
Leuchtdiode {organic light emitting diode - OLSD) , eine organische Photovoltaikanlage, beispielsweise eine organische Solarzelle; im organischen funktionellen Schichtensystem einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom oder zum
Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer
bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet
Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement
beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Aus ührungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine
Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen
Gehäuse .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung vers anden werden .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optisch aktiven Bereich eines optoelektronischen Bauelementes der
Bereich eines optoelektronischen Bauelementes verstanden werden, der elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden kann oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich
elektromagnetische Strahlung emittieren kann . Ein optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann beispielsweise
transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine
transparente organische Leuchtdiode. Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktiven Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emi ter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist . In verschiedenen Aus führungsformen wird eine organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung
aufweisend : einen Träger; ein organisches , optoelektronisches Bauelement; und eine Überspannungsschutz-Struktur; wobei das organische, optoelektronische Bauelement und die
Überspannungsschutz-Struktur auf oder über dem Träger
ausgebildet sind; wobei die Überspannungsschutz-Struktur und das organische, optoelektronische Bauelement wenigstens eine gemeinsame Schicht aufweisen; und wobei die
Überspannungsschutz-Struktur elektrisch mit dem organischen, optoelektronischen Bauelement verbunden ist.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung
aufweisend; einen Träger; ein organisches, optoelektronisches Bauelement, aufweisend eine erste Elektrode und eine zwei e Elektrode; und eine Überspannungsschutz-Struktur, aufweisend einen ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und einen zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt; wobei das
organische, optoelektronische Bauelement und die
Überspannungsschutz-Struktur auf oder über dem Träger
ausgebildet sind; wobei die Überspannungsschutz-Struktur und das organische, optoelektronische Bauelement wenigstens eine gemeinsame Schicht aufweisen wobei die Überspannungsschutz- Struktur elektrisch mit dem organischen, optoelektronischen Bauelement verbunden ist; wobei der erste elektrisch
leitfähige Abschnitt ein Bereich der ersten Elektrode ist und/oder der zweite elektrisch lei fähige Abschnitt ein
Bereich der zweiten Elektrode ist; und wobei die
Überspannungsschutz-Struktur eine Funkenstrecke aufweist.
In einer Ausgestaltung kann das organische, optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode oder eine
organische Solarzelle ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschutz-Struktur elektrisch seriell zu dem organischen, optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschutz-Struktur als eine Schutzdiode ausgebildet sein, wobei die Schutzdiode in Durchlassrichtung zu der Durchläseriehtung des
organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist. Mit anderen Worten: die seriell zu dem organischen,
optoelektronischen Bauelement ausgebildet Schutzdiode kann eine Durchlassrichtung aufweisen, die der Durchlassrichtung des organischen, optoelektronischen Bauelementes entspricht.
In einer Ausgestaltung kann die Schutzdiode derart
ausgebildet sein, dass die Durchbruchspannu g der Schutzdiode in Sperrrichtung größer ist als ein an der orga ischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung in Sperrrichtung des organischen optoelektronischen Bauelementes auftretender Spannungspuls .
In einer Ausgestaltung kann das organische , optoelektronische Bauelement eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen und die Überspannungsschutz-Struktur einen ersten elektrisch ieitfähigen Abschni t und einen zweiten elektrisch leitfähigen Anschnitt aufweisen, wobei wenigstens ein
elektrisch leitfähiger Abschnitt der Überspannungsschutz- Struktur mit einer Elektrode des organischen,
optoelektronischen Bauelementes elektrisch gekoppelt ist.
In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschutz-Struktur elektrisch parallel zu dem organischen, optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann das organische, optoelektronische
Bauelement eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen und die Überspannungsschutz-Struktur einen ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt , der mit der ersten
Elektrode elektrisch gekoppelt ist und einen zweiten
elektrisch leitfähigen Anschnitt aufweisen, der mit der zwei en Elektrode elektrisch gekoppelt ist .
In einer Ausgestaltung kann der erste elektrisch leitfähige Abschnitt ein anderes Material aufweisen als der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt und/oder die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode . In einer Ausgestaltung kann der erste elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der ersten Elektrode sein und/oder der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der zweiten Elektrode sein.
In einer Ausgestaltung kann die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung ein erstes ontaktpad und ein zweites Kontaktpad aufweisen, wobei die Kontaktpads zum elektrischen Kontaktieren der organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung eingerichtet sind und wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt und/oder die erste Elektrode als wenigstens ein Bereich des ersten Kontaktpads
eingerichtet sind/ist und/oder wobei der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt und/oder die zweite Elektrode als wenigstens ein Bereich des zweiten Kontaktpads eingerichtet sind/ist .
In einer Ausgestaltung können die elektrisch leitfähigen Abschnitte eine überlappende Anordnung, d.h. gegeneinander versetzte Anordnung und/oder verschobene Anordnung zueinander aufweisen, wobei Teile der elektrisch leitfähigen Abschnitte zueinander parallel sein können, beispielsweise in einem Abstand voneinander. Die elektrisch leitfähigen Abschnitte können auch in unterschiedlichen Ebenen, im Sinne von
unterschiedlichen Schichten in einer Querschnittsansicht oder Zeichenebene, ausgebildet sein, beispielsweise ähnlich einem Kreuz . In einer Ausgestaltung können die elektrisch leitfähigen Abschnitte eine komplementäre Form und/oder Anordnung zueinander aufweisen, wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt teilweise und/oder vollständig senkrecht und/oder parallel zum zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt ausgebildet sein kann. In einer Ausgestaltung kann eine parallele Anordnung der elektrisch leitfähigen Abschnitte beispielsweise als eine teilweise und/oder vollständig konzentrische Anordnung und/oder koaxiale Anordnung der elektrisch leitfähigen
Abschnitte ausgebildet sein. Der zweite elektrisch leit ähige Abschnitt kann beispielsweise den inneren elektrisch
leitfähigen Bereich einer konzentrischen Anordnung von elektrisch ] eitfähigen Abschnitten ausbilde , wobei das
Innere des zweiten elektrisch leitfähigen Abschnittes
beispielsweise hohl sein kann oder beispielsweise ein
elektrisch isolierendes Material aufweisen kann, oder
beispielsweise das gleiche, ein ähnliches oder anderes elektrisch leitfähiges Material wie oder als der erste elektrisch leitfähige Abschnitt.
Die elektrisch leitfähigen Abschnitte können beispielsweise eine planare Form, aufweisen oder eine zulaufende Form
aufweisen. Eine Oberfläche elektrisch leitfähiger Abschnitte kann beispielsweise ähnlich einem Stift oder Pin ausgebildet sein oder ähnlich einer planaren Ebene ausgebildet sein.
Elektrisch leitfähige Abschnitte mit planaren Formen können beispielsweise ähnlich einem Stift oder Pin ausgebildet sein oder ähnlich einer planaren Ebene. Elektrisch leitfähige Abschnitte mi einer zulaufenden Form können beispielsweise ähnlich einer Spitze oder ähnlich einer Rundung ausgebildet sei .
In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschutz-Struktur als ein Varistor ausgebildet sein, wobei der Varistor elektrisch parallel zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann der Varistor auf einer der
Oberflächen des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann der Varistor teilweise oder vollständig du ch Schichten des organischen,
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein. Diese Art der Ausgestaltung kann auch als Ausbilden eines Varistors im Inneren des organischen, optoelektronischen Bauelementes verstanden werden.
In einer Ausgestaltung kann der Varistor im Inneren des organischen, optoelektronischen Bauelementes bezüglich weiteren Schichten des organischen, optoelektronischen
Bauelementes elektrisch isoliert sein.
In einer Ausges altung kann die Überspannungsschu z-Struktur als eine Schutzdiode ausgebildet sein, wobei die Schutzdiode elektrisch parallel zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann die Schutzdiode derart
ausgebildet sein, dass die Ansprechspannung der Schutzdiode in Sperrrichtung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes kleiner ist als die Durchbruchspannung des organischen, optoelektronischen Bauelement in Sperrrichtung, beispielsweise bezüglich eines auftretenden Spannungspulses an dem organischen optoelektronischen Bauelement in
Sperrrichtung.
In einer Ausges ta1tung kann die Überspannungsschutz-Struktur als eine Funkenstrecke ausgebildet sein, wobei die
Funkenstrecke elektrisch parallel zu dem organischen
optoelektronischen Bauelement ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann die gemeinsame Schicht
strukturiert sein , beispielsweise um die Überεpannungsschutz-
Struktur wenigstens teilweise auszubilden, beispielsweise um den ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und den zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt aus der Schicht einer der der Elektroden des organischen, optoelektronischen
Bauelementes auszubilden.
In einer Ausgestaltung kann die gemeinsame Schicht wenigstens eine Elektrode des organischen, optoelektronischen
Bauelementes und wenigstens einen elektrisch lei fähigen Abschnitt der Überspannungsschutz-Struktur aufweisen oder mit diesen elektrisch verbunden sein . In einer Ausgestaltung kann die überspannungsschutz-Struktur neben dem organischen, optoelektronischen Bauelement
ausgebildet sein.
In einer Ausgestal ung kann die Überspannungsschutz- Struktur unter oder auf dem organischen,
optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschutz-Struktur als ein strukturierter Bereich des organischen,
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein,
beispielsweise eine Funkenstrecke, ein Varistor oder eine Schutzdiode, d.h. ein Bereich ohne optisch aktive Schichten, beispielsweise ohne Emitterschichten. In einer Ausgestaltung kann die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung einen optisch aktiven Bereich und einen optisch inaktiven Bereich aufweisen, wobei die
Überspannungsschutz-Struktur in dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschutz-Struktur im geomet ischen andbereich des organischen,
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein,
beispielsweise im Randbereich im. Inneren des organischen, optoelektronischen Bauelementes oder auf oder über dem organischen, optoelektronischen Bauelement. In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschutz-Struktur an einer Oberflächen des organischen, optoelektronischen
Bauelementes freiliegen oder von einer elektrisch
isolierenden Schicht oder einer elektrisch leitfähigen
Schicht umgeben sein.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein Teil der
Übersparmungsschutz-Struktur auf dem ersten Kontaktpad und/oder dem zweiten Kontaktpad ausgebildet sein,
beispielsweise als Varistorbrücke.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann die
Überspannungsschutzstruktur eine Konfiguration aus einer oder mehreren Funkenstrecke/n , Schutzdiode/n und/oder Varistor/en aufweisen, die zueinander elektrisch in Reihe oder parallel geschaltet sein können.
In einer Ausgestaltung kann eine Überspannungsschutzstruktur wenigstens zwei Schutzdioden aufweisen, die elektrisch parallel oder in Reihe zueinander ausgebildet sind, wobei die Überspannungsschutzstruktur elektrisch parallel oder in Reihe zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung kann eine Überspannungsschutzstruktur elektrisch parallel zu dem organischen optoelektronischen Bauelement wenigstens zwei Schutzdioden aufweisen , die zu einander in Reihe geschaltet sind und deren Durchlassrichtung entgegengesetzt ist. Die Schutzdioden können beispielsweise derart, ausgebildet sein, dass sie einen Betrag der
Ansprechspannung von ungefähr 0 , 6 V und beispielsweise einen Betrag der Durchbruchspannung in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 15 V aufweisen. Der Betrag der
Durchbruchspannung kann abhäng g sein von der Ausgestaltung des organischen optoelektronischen Bauelementes und
beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 1000 V aufweisen. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Schutzdiode eine Konfiguration von zwei oder mehr pn-Übergängen , d.h. Dioden, aufweisen, beispielsweise in einer Reihenschaltung oder
Parallelschaltung, beispielsweise in einer unidirektionalen oder einer bidirektionalen Konfiguration.
In einer Ausgestaltung kann eine Schutzdiode eine
Suppressor-Diode in einer unidirektionalen oder einer
bidirektionalen Konfiguration aufweisen.
Die im Folgenden beschriebene Schutzdiode kann in
verschieden Ausgestaltungen elektrisch parallel oder in Reihe zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein .
I einer Ausgestaltung kann die organische , optoelektronische
Bauelementevorrichtung derart ausgebildet sein, dass die Ansprechzeit der Schutzdiode kleiner ist als die Ansprechzeit des organischen, optoelektronischen Bauelementes.
In einer Ausgestaltung kann die Schutzdiode wenigstens eine lochleitende Schicht und wenigstens eine elektronenleitende Schicht aufweisen, wobei die wenigstens eine lochleitende Schicht einen körperlichen Kontakt zu der wenigstens einen e1ekLronenleitenden Schicht aufweist; und wobei wenigstens eine lochleitende Schicht mit dem ersten elektrisch
leitfähigen Abschnitt elektrisch verbunden ist und wobei wenigstens eine elektronenleitende Schicht mit dem zweiten elektrisch lei '„fähigen Abschnitt elektrisch verbunden ist. An einer gemeinsamen Grenzfläche der wenigstens einen
elektronenleitenden Schicht mit der wenigstens einen
lochleitenden Schicht können Ladungsträgerpaare erzeugt werden . In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine
elektronenleitende Schicht eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm aufweisen. In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine lochleitende Sc icht eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm aufweisen.
I einer Ausgestaltung kann der Stoff oder das Stoffgemisch wenigstens einer elektronenleitenden Schicht und/oder der loc leitenden Schicht eine Transmission größer als ungefähr
90 % in einem Wellenlängenbereich von ungefähr 450 nm bis ungefähr 650 nm aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der Stoff oder das Stoffgemisch einer lochleitenden Schicht ein Valenzband ungefähr gleich dem Leitungsband des Stoffs oder des Stoffgemisches der elektronenleitenden Schicht aufweisen, mit der die
lochleitende Schicht in einem körperlichen Kontakt steht.
In einer Ausgest l ung kann die wenigstens eine
elektronenleitende Schicht und/oder die wenigstens eine lochleitende Schicht ein Stoffgemisch aus einer Matrix und einem Dotierstoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine lochleitende Schicht einen intrinsisch lochleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine lochlei ende Schicht, einen der folgenden intrinsisch lochleitenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: a PD, HAT - CN, Cu ( I ) FBz , MoOx, W0X, V0X, ReOx, F4- TCNQ , DP - 2 , NDP-9, Bi(III}pFBz, FlöCuPc.
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine lochleitende Schicht aus einem Stoffgemisch aus Matrix und p-Dotierstoff gebildet sein. Iii einer Ausgestaltung kann die Matrix der wenigstens einen lochleitenden Schicht einen der folgender: Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein:
• HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, W0X , V0X , ReOx, F4-TCNQ , NDP-2, NDP-9 , Bi (III ) FBz , FlöCuPc, HTM014 : Cu { II ) FBz ,
C(NPD:MoQx, PEDOT: PSS, HT508 ;
• KPB (Ν, ' -Bis (naphthale 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -
• beta NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -raethylphenyl ) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ;
• Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl ) -N , ' -bis (phenyl ) - spiro) ; DMFL-TPD N, N ' -Bis ( 3 -methyl henyl ) -N, N 1 - bis (phenyl ) -9 , 9 -dimethyl - fluoren) ;
• D FL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9-dimethyl-fluoren) ;
• DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -raethylphenyl ) - ,Ν' -bis (phenyl) -9,9- diphenyl-fluoren) ;
• DPFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9-diphenyi- fluoren) ;
• Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, -diphenylamino) - 9,9 1 - spirobifluoren) ;
• 9 , 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) henyl ] -9H- fluoren;
• 9 , 9-Bis [4- (N, -bis-naphthalen-2 -yl-amino) phenyl ] -9K- fluoren;
• 9 , 9-Bis [4- (N, N ' -bis-naphthalen-2 -yi- , K ' -bis-phenyl- amino) -phenyl ] -9H-fluor;
• Ν,Ν' -bis (phenanthren-9 -yl ) - , ' -bis (phenyl) -benzidin;
• 2 , 7-Bis [N,N-bis (9 , 9 -spiro-bifluorene-2-yl ) -amino] -9,9- spiro-bifluoren;
• 2,2' -Bis [Ν,Ν-bis (biphcnyl-4 -yl ) amino] 9 , 9 -spirobifluoren ;
• 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino ) 9 , 9 -spiro-bifluoren;
• Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] eyelöhexan;
• 2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, -di-tolyl ) amino-spiro-bifluoren; und • N, Ν,Ν' ,Ν' tetra-naphthalen-2-yl-berizidin
• aNPD, NHT5, NHT18, NHT49.
In einer Ausgestaltung kann der Dotierstoff der wenigstens einen lochlei enden Schicht einen der folgenden Stoffe
aufweisen oder daraus gebildet sein: aNPD, HAT-C , Cu (I) pFBz, MoOx, W0X, V0X, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9 , Bi (III)pFBz, Fl6CuPc.
In einer Ausgestaltung kann der p-Dotierstoff einen
Massenanteil bezüglich der wenigstens einen
elektronenleitenden Schicht aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 % bis ungefähr 10 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 % bis ungefähr 2 % .
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine
elektronenleitende Schicht einen intrinsisch
elektronenleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann die intrinsische
elektronenleitende Schicht einen der folgenden Stoffe
aufweisen oder daraus gebildet sein: Bi ( III } pFBz , FlöCuPc , NDN-1, NDN-26 , MgAg, CS2CO3 , CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF , AI03.
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine
elektronenleitende Schicht aus einem Stof gemisch aus Matrix und n-Dotierstoff gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix der wenigstens einen elektronenleitenden Schicht einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein:
• NET-18, NET- 5, NDN-26, ETM033, ETM036, BCP, BPhen;
· 2, 2', 2" - (1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazoi } ; 2- (4-Biphenylyi) -5- (4-tert-butylphenyl } -1, 3 , 4- oxadiazol , 2 , 9-D.imethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10-phenanthrolin (BCP) ;
8-Kydroxyquinolinolato-li hiuni, 4- (Naphthalen-l-yl ) -3 , 5- diphenyl 4H-1 , 2 , 4-triazol ;
1 , 3-Bis [2- (2 , 2 ' -bipyridin- 6-yl ) -1 , 3 , 4-oxadiazo-5- yljbenzol
4 , 7-Diphenyl- , 10-phenanthrolin (BPhen)
3- (4-Biphenylyl) -4-phenyl-5--tert-butylphenyl- 1 , 2 , 4- triazol ;
Bis (2-methyl-8-quinolinolat) -4- (phenylphenolato) aluminium;
6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3, -oxadiazo-2-yl ] -2,2'- bipyridyl ;
2 -phenyl- , 10-di {naphthalen-2-yl ) -anthracen;
2 , 7-Bis [2- {2 , 2 ' -bipy idine-6-yl ) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl] -
9 , 9 -dimethylfluore ;
1, 3-Bis [2- {4-tert-butylphenyl} -1,3, 4-oxadiazo-5- yl ] benzol ;
2- (naphthalen-2-yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline ,· 2, 9-Bis (naphthalen-2-yi) -4, 7-diphenyl-l, 10- phenant roline;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3 - (Pyridin-3 -yl ) henyl ) borane;
l-methyl-2- (4- (naphthalen-2 -yl ) phenyl ) -lH-imidazo [4, 5- f J [1 , 10 ] henanthroline;
Phenyl-dipyrenylphosphinoxid;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinhe.it .
In einer Ausgestaltung kann der n-Dotierstoff der wenigstens einen elektronenleitenden Schicht einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-1, NDN-26, MgAg, CS2CO3 , CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF, AlQ3. In einer Ausgestaltung kann der ri-Doti erstoff einen Massenanteil bezüglich der lochleitenden Schicht aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 % bis ungefähr 10 %,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 % bis ungefähr 2 %.
In einer Ausgestaltung kann der n-Dotierstoff einen höheren oder einen niedrigeren Massenanteil an der wenigstens einen elektronenieitenden Schicht aus Matrix und n-Dotierstoff
aufweisen als der p-Dotierstoff an der lochleitenden Schicht aus Matrix und p-Dotierstoff . Mit anderen Worten: die
wenigstens eine lochleitende Schicht und die wenigstens eine • elektronenleitende Schicht können asymmetrisch dotiert sein. - In einer Ausgestaltung kann der Varistor eine Trägermatrix und mindestens ein Material, das Varistoreigenschaften
aufweist , aufweisen oder daraus gebildet sein, wobei das
Material mit Varistoreigenschaften in der Trägermatrix
eingebettet ist.
In einer Ausgestaltung kann das Material der Trägermatrix derart eingerichtet sein, dass der Varistor nach dem
Ausbilden des Varistors Formstabilität aufweist, d.h. die
Viskosität und das Elastizitätsmodul der Trägermatrix ändert sich mittels Wärme und/oder elektromagnetischer S rahlung nicht derart, dass die Trägermatrix formbar, d.h. flüssig und oder plastisch verformbar wird . Mit anderen Worten: das
Material der Trägermatrix des Varistors kann derart
eingerichtet sein, dass- der Varistor im Betrieb des
organischen, optoelektronischen Bauelementes Formstabilität aufweist .
In einer Ausgestaltung kann die Trägermatrix des Varistors ein elektrisch isolierendes Material aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Trägermatrix des Varistors als Material eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein; ein vernetztes, elektrisch nichtleitendes Polymer, beispielsweise ein Elastomer, ein Epoxid, ein Silikon oder ein Silazan. In einer Ausgestaltung kann das wenigstens eine Material mit Varistoreigenschaften einen der folgenden Stoffe oder eine stöchiometrisehe Verbindung daraus aufweisen oder daraus gebildet sein: Siliziumkarbid, ein Metalloxid, beispielsweise ein Zinkoxid, Wismutoxid, Chromoxid, Manganoxid oder
Kobaltoxid.
In einer Ausgestaltung kann das wenigstens eine Material mit Varistoreigenscha ten des Varistors in Form einer Mehrzahl an Partikeln in der Trägermatrix des Varistors ausgebildet sein, wobei die Partikel beispielsweise eine willkürliche, d.h. zufällige Form, beispielsweise als Flocken (Flakes) ; oder eine Kugelform aufweisen können.
In einer Ausgestaltung können wenigstens zwei Partikel mit Varistoreigenschatten unterschiedliche Materialen mit
Varistoreigenschaften aufweisen, beispielsweise ein Varistor weist . wenigstens einen Zinkoxid-Partikel und wenigstens einen Siliziumkarbid-Partikel auf; oder ein Zinkoxid-Partikel und ein Zinkoxid-Partikel mit einem weiteren Material,
beispielsweise mit Varistoreigenschaften, beispielsweise
Siliziumkarbid oder ein sonstiges Material , beispielsweise Aluminium .
In einer Ausgestaltung können die zwei Partikel mit
unterschiedlichen Materialen die Varistoreigenschaften aufweisen, derart eingerichtet sein, dass an den Grenzflächen der Partikel mit Varistoreigenschaften ein elektrisches Feld ausgebildet wird, d.h. es kann zum Ausbilden einer
Raumladungszone kommen.
In einer Ausgestaltung können die Partikel mit
Varistoreigenschafter,, derart in der Trägermatrix des Varistors angeordnet sein, dass eine elektrisch durchgehend zusammenhängende Verbindung aus Material mit
Varistoreigenschaften durch die Trägermatrix des Varistors ausgebildet wird, wobei sich an die Trägermatrix mit
Partikeln mit Varistoreigenschaften eine Trägermatrix mit leitfähigen Partikel, eine leitfähige Trägermatrix und/oder eine leitfähige Schicht anschließen kann.
Eine elektrisch durchgehend zusammenhängende Verbindung der Partikel mit Varistoreigenschaften kann als elektrische
Verbindung parallel zur Stromrichtung des organischen, optoelektronischen Bauelementes verstanden werden. Wesentlich ist eine zum organischen, optoelektronischen Bauelement elektrisch parallel geschaltete elektrisch durchgehend zusammenhängende Verbindung an Partikeln mit
Va istoreigenschaften in der Trägermatrix des Varistors , wobei die Ansprechspannung dieser durchgehend
zusammenhängenden Verbindung oberhalb der SchwellSpannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes und unterhalb der Durchbruchspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist. Die durchgehend
zusammenhängende Verbindung kann einen willkürlichen, d.h.. zufälligen, Pfad { random walk) oder ein gerichteten, ungefähr linearen Pfad aufweisen.
In einer Ausgestaltung können die Partikel mit
Varistoreigenschaften parallel zur Stromflussrichtung des organischen, optoelektronischen Bauelementes derart in der Trägermatrix des Varistors ausgebildet sein, dass die
Ansprechspannung des Varistors größer als ein erster
Spannungswert und kleiner als ein zweiter Spannungswert ist. In einer Ausgestaltung kann der erste Spannungswert ungefähr den Wert der Ansprechspannung des organischen,
optoelektronischen Bauelementes aufweisen, d.h. der Varistor weist eine Ansprechspannung auf, bis zu der das organische, optoelektronische Bauelement regulär arbeiten kann. Die Ansprechspannung des Varistors sollte oberhalb der SchwellSpannung ausgebildet sein, da ein Varistor keine
Sperrrichtung aufweist, d.h. punktsymmetrisch bezüglich
Umpolung arbeitet . Der Varistor kann unterhalb der
Ansprechspannung einen möglichst hohen Widerstand aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 kü bis ungefähr 50 ΜΩ bzw. einen geringen Stromfluss aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 μΑ bis ungefähr 10 μΑ. In einer Ausgestaltung kann der zweite Spannungswert einen Betrag kleiner als die Durchschlagspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes aufweisen und/oder kleiner ■ als die Spannung sein, bei der es in dem organischen,
optoelektronischen Bauelement zu irreversiblen Beschädigungen kommt. Der zweite Spannungswert des Varistors kann abhängig sein von der Ausgestaltung des organischen optoelektronischen Bauelementes, da der Betrag der Durchschlagspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes abhängig von der Ausgesta11ung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes ist. Beispielsweise kann der zweite
Spannungswert des Varistors einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 200 V aufweisen, beispielsweise größer ungefähr 4 V, beispielsweise größer ungefähr 8V, beispielsweise größer ungefähr 16 V sein. .
Im Spannungsbereich zwischen Ansprechspannung des Varistors und Durchschlagspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes sollte die differentielle Leitfähigkeit des Varistors derart ausgebildet sein, dass im Modell einer elektrostatischen Entladung eines menschlichen Körpers (human body model HBM) , mit einem Spannungswert über der
Durchschlagspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes, an einem elektrisch in Reihe geschalteten Vorwiderstand mit einem Widers tandswert von 1500 Ω, über der Paral1el schaltung aus Varl stor und organischem,
optoelektronischen Bauelement, der Spannungsabfall über dem organischen, optoelektronischen Bauelement immer unterhalb der Durch chlagspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes liegt. Beispielsweise kann die geringe
differentielle Leitfähigkeit von Siliziumkarbid dazu führen, dass bei einer Ansprechspannung des Varistors mit einem Wert von ungefähr der SchwellSpannung des organischen,
optoelektronischen Bauelemen es die Spannung, die über den Vorwiderstand abfällt, zu niedrig ist, sodass eine Spannung oberhalb der Durchschlagspannung des organischen,
optoelektronischen Bauelements über dem organischen,
optoelektronischen Bauelement anliegt, d.h. es kann zum
Durchschlag im organischen, optoelektronischen Bauelement kommen.
Oberhalb des ersten Spannungswertes und unterhalb des zweiten Spannungswertes sollte der Varistor leitfähig werden, d.h. der elektrische Widerstand sollte sehr klein werden bezüglich des Widerstandes des organischen, optoelektronischen
Bauelementes , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 Ω bis ungefähr 20 Ω, beispielsweise 0,2 Ω.
In einer Ausgestaltung kann der Varistor derart eingerichtet sein, dass das Material der Trägermatrix und das Material mit
Varistoreigenschaften eine ungefähr gleiche thermische
Ausdehnung aufweisen, d.h. die Trägermatrix kompensiert die Ausdehnung der mittels eines elektrischen Stromes
entstehenden Abwärme der Partikel mit Varistoreigenschaften, wobei die Wärme auch über die elektrisch lextfähigen
Abschnitte der Überspannungsschutz-Struktur zugeführt oder abgeführt werden kann.
In einer Ausgestaltung kann der Varistor eine oder mehrere Schichten des organischen, optoelektronischer. Bauelementes teilweise oder vollständig durchdringen, beispielsweise vertikal in dem organischen, optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein. Die makroskopische Beschaffenheit des Varistors, beispielsweise die Abmessung des Varistors , kann von der Beschaffenheit der Partikel mit Varistoreigenschaften und dem Abstand der elektrisch leitfähigen Abschnitte der
Überspannungsschutz-Struktur voneinander bestimmt sein.
Wesentlich ist dabei die Anzahl an Partikelgrenzflächen, an denen sich ein elektrische Feld ausbilden kann, die dem äußeren elektrischen Feld entgegen gerichtet sind, da die AnsprechSpannung des Varistors proportional zu dieser Anzahl ist.
In einer Ausgestaltung kann die Überspannungsschu z-Struktu derart ausgebildet sein, dass zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt ein Dielektrikum ausgebildet ist, beispielsweise Luft. Der erste elektrisch leitfähige Abschnitt und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt können derart relativ zueinander angeordnet und relativ zueinander eingerichtet sein, dass ab einer über dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweite elektrisch lei fähigen Abschnitt anliegenden Ansprechspannung, eine Funkenstrecke zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt ausgebildet wird; wobei die Ansprechspannung als Wert einen Betrag aufweist, der größer als der Betrag der Schwellenspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes und kleiner als der Betrag der Durchbruchspannung des organischen , optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist und/oder kleiner als die
Spannung sein, bei der es in dem organischen,
optoelektronischen Bauelement zu irreversiblen Beschädigungen kommt. Der zweite Spannungswert der Funkenstrecke kann abhängig sein von der Ausgestaltung des organischen
optoelektronischen Bauelementes , da der Betrag der
Durchschlagspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes abhängig von der Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ist. Beispielsweise kann der zweite Spannungswert der Funkenstrecke einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 200 V aufweisen, beispielsweise größer ungefähr 4 V, beispielsweise größer ungefähr 8V, beispielsweise größer ungefähr 16 V sein. Die tatsächliche Ansprechspannung der Funkens trecke für ein organisches, optoelektronisches Bauelement kann abhängig von der konkreten Ausgestaltung der elektrisch leitfähigen
Abschnitte und dem Dielektrikum zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten sein, so dass häufig ein
Spannungsbereich angegeben wird, innerhalb dessen eine
Funkenstrecke zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten in einem bestimmten Abstand ausgebildet wird. Für eine
Funkenstrecke kann die typische Durchschlagfestigkeit von Luft als Dielektrikum eine Ansprechspannung in einem Bereich von ungefähr 1 kV/mm bis ungef hr 3 kV/mm aufweisen . Bei elektrisch leitfähigen Abschnitten, die einen Abstand von 1 mm aufweisen, kann ein Funken überspringen und damit eine Entladung stattfinden, wenn die Potentialdifferenz zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten einen Wert größer als ungefähr 3 k aufweist. Spätestens ab dieser
Potentialdifferenz kann der elektrische Widerstand der
Funkenstrecke sehr klein werden bezüglich des Widerstandes des organischen, optoelektronischen Bauelementes in
Sperrrichtung, beispielsweise in einem. Bereich von ungefähr 0 Ω bis ungefähr 500 Q. Unter ungefähr 1 kV ist hingegen bei einem Abstand von 1 mm und planparallelen elektrisch
leitfähigen Abschnitten nicht mit einer Entladung zu rechnen.
Für andere Dielektrika kann die Ansprechspannung anders ausgebildet sein als bei Luft. Mit der Wahl des Dielektrikums bei konstantem Abstand kann die Ansprechspannung der
Funkenstrecke verändert werden.
In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: eine elektrisch isolierende, vernetzbare organische und/oder anorganische Verbindung, beispielsweise ein Epoxidharz, ein Silikon oder eine Keramik . In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt ein Vakuum oder ein Gas aufweisen oder daraus gebildet sein; beispielsweise Luft, Sauerstoff, Kohlenstoffdioxid, Stickstoff , Ozon oder ein Edelgas.
Die elektrisch leitfähigen Anschlüsse sollten jedoch derart eingerichtet sein, dass der Wert der Ansprechspannung der
Funkenstrecke zwischen der Schwellenspannung des zu
schützenden organischen, optoelektronischen Bauelementes und der Durchbruchspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist.
Bis zu dem minimalen Wert der Ansprechspannung der
Funkenstrecke sollte das organische, optoelektronische
Bauelement regulär arbeiten können , ohne dass ein Funke
zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten, d.h. eine Funkenstrecke , ausgebildet wird . Ein typischer Wert für eine SchwellenSpannung eines organischen, optoelektronischen
Bauelementes, beispielsweise einer organischen Leuchtdiode, kann von der Ausgestal ung des organischen optoelektronischen Bauelementes abhängig sein und beispielsweise in einem
Bereich von ungefähr 0 V bis ungefähr 50 V ausgebildet sein, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 15 V.
Die Ansprechspannung der Funkenstrecke, d.h. die Spannung die notwendig ist um einen Funkenüberschlag zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt auszubilden, wird daher mindestens einen Spannungswert aufweisen, der größer als der Betrag der Schwellenspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ist. Die Funkenstrecke kann unterhalb der
Ansprechspannung einen möglichst hohen Widerstand aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 ΜΩ bis
ungefähr 1 GQ bzw. einen geringen Stromfluss aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 μΑ bis ungefähr 100 μΑ.
Die Spannungswert der Funkenstrecke ab dem spätestens ein Funkenüberschlag ausgebildet wird, d.h. die maximale
Ansprechspannung der Funkenstrecke bei dem es zum Abbau der Potentialdifferenz kommt, sollte unterhalb der Spannung des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein, bei der es zu einer irreversiblen Schädigung des optoelektronischen Bauelementes kommt, da sonst ein Schutz des
optoelektronischen Bauelementes vor elektrostatischen
Entladungen nicht gewährleistet werden kann. Eine typische Durchbruchspannung kann, in Abhängigkeit der Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes einen Betrag beispielsweise größer als ungefähr 4 V, beispielsweise größer als ungefähr 8 V, beispielsweise größer als ungefähr 15 V aufweisen.
Eine Ausgestal ung der elektrisch 1eitfähigen Abschnitte, die diese Bedingungen erfüllen, kann beispielsweise einen Abstand mit einem Wert von ungef hr 50 pm und einem Luft-Dielektrikum aufweisen. Diese Ausgestaltung hat den Vorteil , dass sie prozesstechnisch einfach hergesteilt bzw. ausge ührt werden kann .
In einer Ausgestaltung kann der erste elektrisch leitfähige Abschnitt relativ zum zweiten elektrisch 1eitfähigen
Abschni t beispielsweise komplementär, senkrecht, parallel, konzentrisch oder auseinanderlaufend ausgerichtet ausgebildet sei . Eine auseinanderlaufende Ausrichtung der elektrisch 1ei fähigen Abschnitte kann beispielsweise als Hörnerbogen und/oder Jakobsleiter eingerichtet sein . Dadurch kann die Funks trecke gelöscht werden, wenn die Spannung unter die Ansprechspannung fällt . In einer Ausgestaltung kann die Oberfläche des ersten
elektrisch leitfähigen Abschnittes und/oder die Oberfläche des zweiten elektrisch leitfähigen Abschnittes, zwischen 5 denen sich die Funkenstrecke ausbildet, eine
Oberflächengeometrie der folgenden geometrischen Formen aufweisen: flach, rund, rau, spitz, und/oder komplementär zueinander, 0 Elektrisch leitfähige Abschnitte mit zulaufender Form können beispielsweise ähnlich einer Spitze oder ähnlich einer
Rundung ausgebildet sein. Mittels der zulaufenden Form kann - · der minimale Wert der Ansprechspannung reduziert werden, da die zulaufenden Formen lokal eine höhere Feldstärke aufweisen5 können als planare Formen.
Die geometrischen Formen können derart regelmäßig
eingerichtet sein, dass sie eine geometrische Symmetrieachse aufweisen, wobei die Symmetrieachse eine Spiegelsymmetrie0 sein kann und/oder zusätzlich eine Rotationssymmetrie .
In einer Ausgestaltung kann der kleinste Abstand des ersten elektrisch leitfähigen Abschnittes von dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt , zwischen denen sich die Funkenstrecke5 ausbildet, einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1 μιτι bis ungefähr 100 um aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann der ers e elektrisch leitfähige Abschnitt und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt von 0 einer Verkapselung umgeben sein, beispielsweise in einer
Kavität eingeschlossen sein, Teil einer Schnittebene eines ' Trägers des optoelektronischen Bauelementes sein, oder von einem Vergussmaterial umgeben sein, das beispielsweise eine elektrisch isolierende, vernetzbare organische und/oder 5 anorganische Verbindung aufweist , beispielsweise ein
Epoxidharz oder ein Silikon . Die Verkapselung kann als mechanischer Schutz für die
elektrisch leitfähigen Abschnitte ausgebildet sein derart, dass der Abstand zwischen den Oberflächen der elektrisch leitfähigen Abschnitte und die Form der Oberflächen der elektrisch leitfähigen Abschnitte bezüglich äußeren
Krafteinwirkungen, beispielsweise einem Stoß, Schlag, Sturz oder einer Verbiegung, vor Veränderungen, beispielsweise einem Vergrößern oder Verkleinern des Abstandes oder einem Verformen der Oberfläche der elektrisch leitfähigen
Abschnitte, geschützt sind.
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselung derart
eingerichtet sein/ dass das Dielektrikum, beispielsweise Luft, vor Umwelteinflüssen, beispielsweise einem Ändern der Luftfeuchtigkeit und/oder einem Einstrahlen ionisierender
Strahlung, beispielsweise UV-Strahlung oder Röntgenstrahlung, geschützt ist. Diese Umwelteinflüsse könnten die notwendige Spannung, die über die elektrisch leitfähigen Abschnitte anliegen sollte derart verändern, dass das Ausbilden einer Funkenstrecke bei einem Wert der anliegenden Spannung
ausgebildet werden, der unterhalb der Schwellenspannung des zu schützenden organischen, optoelektronischen Bauelementes oder oberhalb der Durchbruchspamiung des zu schützenden organischen, optoelektronischen Bauelementes erfolgt und so die Funktion des zu schützenden Bauelementes oder den ESD- Schutz beeinträchtigen kann.
In verschiedenen Aus führungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren
aufweisend: Ausbilden eines organischen, optoelektronischen Bauelementes und einer Überspannungsschutz-Struktur auf oder über einem Träger wobei die Überspannungsschutz-Struktur und das organische, optoelektronische Bauelement wenigstens eine gemeinsame Schicht aufweisen; und wobei die
Überspannungsschutz-Struktur elektrisch mit dem organischen, optoelektronischen Bauelement verbunden wird. In verschiedenen Aus führungs formen wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren
aufweisend: Ausbilden eines organischen, optoelektronischen Bauelementes , aufweisend eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, und einer Überspannungsschutz-Struktur, aufweisend einen ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und einen zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt, auf oder über einem Träger; wobei die Überspannungsschutz-Struktur und das organische, optoelektronische Bauelement wenigstens eine gemeinsame Schicht aufweisen wobei die Überspannungsschütz- Struktur elektrisch mit dem organischen, optoelektronischen ' Bauelement verbunden wird, wobei der erste elektrisch
leitfähige Abschnitt ein Bereich der ersten Elektrode ist und/oder der zweite elektrisch 1eitfähige Abschnitt ein
Bereich der zweiten Elektrode ist; und wobei die
Überspannungsschutz-Struktur eine Funkenstrecke aufweist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das organische, optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode oder eine organische Solarzelle ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur elektrisch seriell zu dem organischen, optoelektronischen Bauelement ausgebildet
Vierden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur als eine Schutzdiode ausgebildet werden, wobei die Schutzdiode in Durchlassrichtung zu der Durchlassrichtung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes ausgebildet wird. Mit anderen Worten: die seriell zu dem organischen, optoelektronischen Bauelement ausgebildet Schutzdiode kann eine Durchlassrichtung
aufweisen, die der Durchlassrichtung des organischen, optoelektronischen Bauelementes entspricht. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Schutzdiode derart ausgebildet werden, dass die Durchbruchspannung der Schutzdiode in Sperrrichtung größer ist als ein an der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung in
Sperrrichtung des organischen optoelektronischen Bauelementes auftretender Spannungspuls.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das organische, optoelektronische Bauelement mit einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode ausgebildet werden und die
Überspannungsschutz-Struktur mit einem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und einem zweiten elektrisch - 1eitfähigen Anschnitt ausgebildet werden, wobei wenigstens ein elektrisch leitfähiger Abschnitt der Überspannungsschutz- Struktur mit einer Elektrode des organischen,
optoelektronischen Bauelementes elektrisch gekoppelt wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur elektrisch parallel zu dem organischen, optoelektronischen Bauelement ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das organische, optoelektronische Bauelement mit einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode ausgebildet werden und die
Überspannungsschutz-Struktur mit einem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt, der mit der ersten Elektrode
elektrisch gekoppelt wird und ein zweiter elektrisch
leitfähiger Anschnitt ausgebildet werden, der mit der zweiten Elektrode elektrisch gekoppelt wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
elektrisch ieitfähige Abschnitt ein anderes Material
aufweisen als der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt und/oder die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode. In einer Ausgestaltung kann der erste elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der ersten Elektrode sein und/oder der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der zweiten Elektrode sein .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einem ersten Kontaktpad und einem zweiten Kontaktpad ausgebildet werden, wobei die Kontaktpads zum elektrischen Kontaktieren der die organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung eingerichtet werden und wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt und/oder die erste Elektrode als wenigstens ein Bereich des ersten Kontaktpads eingerichtet werden/wird und/oder wobei der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt und/oder die zwei e Elektrode als wenigstens ein Bereich des zweiten Kontaktpads eingerichtet werden/wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die elektrisch leitfähigen Abschnitte in einer überlappenden Anordnung, d.h. gegeneinander versetzten Anordnung und/oder verschobenen Anordnung zueinander ausgebildet werden, wobei Teile der elektrisch leitfähigen Abschnitte zueinander parallel
ausgebildet werden können, beispielsweise in einem Abstand voneinander . Die elektrisch 1 eitfähigen Abschnitte können auch in unterschiedlichen Ebenen ausgebildet werden,
beispielsweise im Sinne unterschiedlicher Schichten in einer Querschnittsansicht oder Zeichenebene, beispielsweise ähnlich einem Kreuz .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die elektrisch leitfähigen Abschnitte in einer komplementären Form und/oder
Anordnung zueinander ausgebildet werden, wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt teilweise und/oder
vollständig senkrecht und/oder parallel zum zweiten
elektrisch leitfähigen Abschnitt ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine parallele
Anordnung der elektrisch leitfähigen Abschnitte beispielsweise als eine teilweise und/oder vollständig konzentrische Anordnung und/oder koaxiale Anordnung der elektrisch leitfähigen Abschnitte ausgebildet werden. Der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt kann den inneren elektrisch 1eitfähigen Bereich einer konzentrischen Anordnung von elektrisch leitfähigen Abschnitten ausbilden, wobei das Innere des zweiten elektrisch leitfähigen Abschnittes
beispielsweise hohl sein kann oder beispielsweise ein
elektrisch isolierendes Material aufweisen kann, oder
beispielsweise das gleiche, ein ähnliches oder anderes elektrisch leitfähiges Material wie oder als der erste elektrisch leitfähige Abschnitt,
Die elektrisch leitfähigen Abschnitte können beispielsweise in einer planaren Form und/oder einet zulaufenden Form ausgebildet werden . Eine Oberfläche elektrisch leitfähiger Abschnitte kann beispielsweise ähnlich einem Stift oder Pin ausgebildet werden oder ähnlich einer planaren Ebene
ausgebildet werden. Elektrisch leitfähige Abschnitte mit planaren Formen können beispielsweise ähnlich einem Stift oder Pin ausgebildet werden oder ähnlich einer planaren
Ebene. Elektrisch leitfähige Abschnitte mit einer zula fenden Form können beispielsweise ähnlich einer Spitze oder ähnlich einer Rundung ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz- Struktur als ein Varistor ausgebildet werden, wobei der Varistor elektrisch parallel zu dem
organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet wird.
In einer Ausgesta11ung des Verfahrens kann der Varistor auf einer der Oberflächen des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Varistor teilweise oder vollständig durch Schichten des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden . Diese Art der Ausgestaltung kann auch als Ausbilden eines Varistors im Inneren des organischen, optoelektronischen Bauelementes verstanden werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Varistor im Inneren des organischen, optoelektronischen Bauelementes derart ausgebildet werden, dass der Varistor bezüglich weiteren Schichten des organischen, optoelektronischen
Bauelementes elektrisch isoliert ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur als eine Schutzdiode ausgebildet werden, wobei die Schutzdiode elektrisch parallel zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung kann die Schutzdiode derart
ausgebildet werden, dass die Ansprechspannung der Schutzdiode in Sperrrichtung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes kleiner ist als die Durchbruchspannung des organischen, optoelektronischen Bauelement in Sperrrichtung, beispielsweise bezüglich eines auftretenden Spannungspulses an dem organischen Optoelektronischen Bauelement in
Sperrrichtung . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur als eine Funkenstrecke
ausgebildet werden, wobei die Funkenstrecke elektrisch parallel zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die gemeinsame Schicht strukturiert werden, beispielsweise um die
Überspannungsschutz-Struktur wenigstens teilweise
auszubilden, beispielsweise um den ersten elektrisch
leitfähigen Abschnitt und den zweiten elektrisch leitfähigen
Abschnitt aus der Schicht einer der der Elektroden des organischen, optoelektronischen Bauelementes auszubilden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die gemeinsame Schicht wenigstens eine Elektrode des organischen,
optoelektronischen Bauelementes und wenigstens einen
elektrisch leitfähigen Abschnitt der Überspannungsschütz- Struktur aufweisen oder als solche ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur neben dem organischen,
optoelektronischen Bauelement ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschütz-Struktur auf oder über dem
organischen, optoelektronischen Bauelement ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
organische, optoelektronische Bauelement auf oder über der Überspannungsschutz-Struktur ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur als ein strukturierter Bereich des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung einen optisch aktiven Bereich und einen optisch inaktiven Bereich
aufweisen, wobei die Überspannungsschutz-Struktur in dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur im geometrischen Randbereich des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden, beispielsweise im Randbereich im Inneren des
organischen, optoelektronischen Bauelementes oder auf oder über dem organischen, optoelektronischen Bauelement. In einer Ausges altung des Verfahrens kann die
Überspannungsschutz-Struktur an einer Oberflächen des
organischen, optoelektronischen Bauelementes freiliegend ausgebildet werden, von einer elektrisch isolierenden Schicht oder einer elektrisch leitfähigen Schicht umgeben werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil der Überspannungsschutz-Struktur auf dem ersten
Kontaktpad und oder dem zweiten Kontaktpad ausgebildet werden, beispielsweise als Varistorbrücke,
In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens kann die - Überspa nungsschutzstruktur als eine Konfiguration aus einer oder mehreren Funkenstrecke/n, Schutzdiode/n und/oder
Varistor/en, die zueinander elektrisch in Reihe oder parallel geschaltet sein können, ausgebildet werden.
In einer Ausgesta1 ung des Verfahrens kann eine
Überspannungsschutzstruktur derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens zwei Schutzdioden aufweist, die elektrisch parallel oder in Reihe zueinander ausgebildet sind, wobei die Überspannungsschunzs truktur el ektrisch parallel oder in Reihe zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine
Überspannungsschutzstruktur derart ausgebildet sein, dass die Überspannungsschutzstruktur elektrisch parallel zu dem organischen optoelektronischen Bauelement wenigstens zwei Schutzdioden aufweist, die zu einander in Reihe geschaltet sind und deren Durchlassrichtung entgegengesetzt ist. Die Schutzdioden können beispielsweise derart ausgebildet werden, dass sie einen Betrag der Ansprechspannung von ungefähr 0,6 V und beispielsweise einen Betrag der Durchbruchspannung in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 15 V aufweisen. Der Wert der Durchbruchspannung kann abhängig sein von der Ausgestaltung des organischen optoelektronischen Bauelementes und beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 1000 V aufweisen.
In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens kann eine Schutzdiode derar ausgebildet werden , dass die Schutzdiode eine Konfiguration von zwei oder mehr pn-Übergängen , d.h. Dioden, aufweist, beispielsweise in einer Reihenschaltung oder Para11elscha11ung , beispielsweise in einer
unidirektionalen oder einer bidirektionalen Konfiguration.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Schutzdiode derart ausgebildet werden, dass s ie eine Suppressor-Diode in einer unidirektionalen oder einer' bidirektionalen
Konfiguration aufweist.
Die im Folgenden beschriebene Schutzdiode kann in
verschieden Ausgestaltungen des Verfahrens elektrisch
parallel oder in Reihe zu dem organischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung derart ausgebildet werden, dass die Ansprechzeit der Schutzdiode kleiner ist als die Ansprechzeit des organischen, optoelektronischen
Bauelementes ,
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Schutzdiode mit wenigstens einer lochleitenden Schicht und wenigstens einer elektronenleitenden Schicht ausgebildet werden derart , dass wenigstens eine lochleitende Schicht einen körperlichen Kontakt zu wenigs ens einer elektronenleitenden Schicht aufweist; und wenigstens eine lochleitende Schicht mit dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt elektrisch verbunden ist und wenigstens eine elektronenleitende Schicht mit dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt elektrisch verbunden ist. An einer gemeinsamen Grenzfläche der wenigstens einen elektronenleitenden Schicht mit der wenigstens einen
lochleitenden Schicht können Ladungsträgerpaare erzeugt werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine elektronenleitende Schicht mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nia ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine lochleitende Schicht mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch wenigs ens einer eiektronenleitenden Schicht und/oder der lochleitenden Schicht eine Transmission größer als ungefähr 90 % in einem Wellenlängenbereich von ungefähr 450 nm bis ungefähr 650 nm aufweisen . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch einer lochleitenden Schicht ein Valenzband ungefähr gleich dem Leitungsband des Stoffs oder des
Stoffgemisches der elektronenleitenden Schicht aufweisen, mit der die lochleitende Schicht in einem körperlichen Kontakt steht.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine elektronenleitende Schicht und/oder die wenigstens eine lochleitende Schicht ein Stoffgemisch aus einer Matrix und einem Dotierstoff aufweisen oder daraus gebildet werden. Ein Stoffgemisch aus Matrix und Dotierstoff kann beispielsweise mittels eines Koverdampfens der Stoffe der Matrix und der Dotierung auf oder über ein Substrat ausgebildet werden. In einer Ausges altung des Verfahrens kann die wenigstens eine lochleitende Schicht einen intrinsisch lochleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine lochleitende Schicht, einen der intrinsisch
lochleitenden Stoffe einer Ausgestaltung der intrinsisch lochleitenden Schicht des optoelektronischen Bauelementes (siehe oben) aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigs ens eine lochleitende Schicht aus einem Stoffgemisch aus Matrix und p-Dotierstoff gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Matrix der * wenigstens einen lochleitenden Schicht einen der Stoffe einer Ausges altung der Matrix der wenigstens einen lochleitenden Schicht des optoelektronischen Bauelementes (siehe oben) aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Dotierstoff der wenigstens einen lochleitenden Schicht einen der Stoffe einer Ausgestaltung des Dotierstoffes der wenigstens einen 1ochleitenden Schicht, des optoelektronischen Bauelementes (siehe oben) aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der p-Dotierstof einen Massenanteil bezüglich der wenigstens einen
elektronenleitenden Schicht aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 % bis ungefähr 10 % , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 % bis ungefähr 2 %, In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine elektronenieitende Schicht einen intrinsisch
elektronenleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die intrinsische elektronenleitende Schicht einen der Stoffe einer
Ausgestaltung der intrinsisch elektronenleitenden Schicht des optoelektronischen Bauelementes (siehe oben) aufweisen oder daraus gebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine elektronenleitende Schicht aus einem Stoffgemisch aus Matrix und n-Dotierstoff gebildet werden,
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Matrix der wenigstens einen elektronenleitenden Schicht einen der Stoffe einer Ausgestaltung der Matrix der wenigs ens einen
elektronenleitenden Schicht des optoelektronischen
Bauelementes {siehe oben) aufweisen oder daraus gebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der n-Dotierstoff der wenigstens einen elektronenleitenden Schicht einen der Stoffe einer Ausgestaltung der wenigstens einen
elektronenleitenden Schicht des optoelektronischen
Bauelementes (siehe oben) aufweisen oder daraus gebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der n-Dotierstoff einen Massenanteil bezüglich der wenigstens einen
lochleitenden Schicht aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 % bis ungefähr 10 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 % bis ungefähr 2 %.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der n-Dotierstoff einen höheren oder einen niedrigeren Massenanteil an der wenigstens einen elektronenleitenden Schicht aus Matrix und n-Dotierstoff aufweisen als der p-Dotierstoff an der
lochleitenden Schicht aus Matrix und p-Dotierstoff . Mit anderen Worten: die wenigstens eine lochleitende Schicht und die wenigstens eine elektronenleitende Schicht können asymmetrisch dotiert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Varistor eine Trägermatrix und mindestens ein Material, das
Varistoreigenschaften aufweist, aufweisen oder daraus
gebildet werden, wobei das Material mit Varistoreigenschaften in der Trägermatrix eingebettet ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Material der Trägermatrix derart eingerichtet werden, dass der Varistor nach dem Ausbilden des Varistors Formstabiiitat aufweist, d.h. die Viskosität und das Elastizitätsmodul der
Trägermatrix ändert sich mittels Wärme und/oder
! elektromagnetischer Strahlung nicht derart, dass die
Trägermatrix formbar, d.h. flüssig und oder plastisch
verformbar wird. Mit anderen Worten: das Material der
Trägermatrix des Varistors kann derart eingerichtet sein oder werden, dass der Varistor im Betrieb des organischen, optoelektronischen Bauelementes Formstabilität aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Trägermatrix des Varistors ein elektrisch isolierendes Material aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Trägermatrix des Varistors als Material einen der folgenden Stoffe
aufweisen oder daraus gebildet: ein vernetztes , elektrisch nichtleitendes Polymer, beispielsweise ein Elastomer, ein Epoxid, ein Silikon oder ein Silazan.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das wenigstens eine Material mit Varistoreigenschaften einen der folgenden
Stoffe oder eine stöchiometrische Verbindung daraus aufweisen oder daraus gebildet werden: Siliziumkarbid, ein Metalloxid, beispielsweise ein Zinkoxid, Wismutoxid, Chromoxid,
Manganoxid oder Kobaltoxid.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das wenigstens eine Material mit Varistoreigenschaften des Varistors in Form einer Mehrzahl an Partikeln in der Trägermatrix des Varistors ausgebildet sein, wobei die Partikel beispielsweise eine willkürliche, d.h. zufällige Form, beispielsweise als Flocken {Flakes) oder eine Kugelform aufweisen können.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können wenigstens zwei Partikel mit Varistoreigenschaften unterschiedliche
Materialen mit Varistoreigenschaften aufweisen,
beispielsweise ein Varistor weist wenigstens einen Zinkoxid- Partikel und wenigstens einen Siliziumkarbid- Partikel auf oder ein Zinkoxid-Partikel und ein Zinkoxid-Partikel mit einem weiteren Material, beispielsweise mit
Varistoreigenschaften, beispielsweise Siliziumkarbid oder ein sonstiges Material, beispielsweise Aluminium.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die zwei
Partikel mit unterschiedlichen Materialen die
Varistoreigenschaften aufweisen, derart eingerichtet sein, dass an den Grenzflächen der Partikel mit
Varistoreigenschaften ein elektrisches Feld ausgebildet wird, d.h. es kann zum Ausbilden einer Raumladungszone kommen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Partikel mit Varistoreigenschaften derart in der Trägermatrix des
Varistors angeordnet werden, dass eine elektrisch durchgehend zusammenhängende Verbindung aus Material mit
Varistoreigenschaften durch die Trägermatrix ausgebildet wird, wobei sich an die Trägermatrix mit Partikeln mit
Varistoreigenschaften eine Trägermatrix mit leitfähigen
Partikel, eine leitfähige Trägermatrix und/oder eine
leitfähige Schicht anschließen kann.
Eine elektrisch durchgehend zusammenhängende Verbindung der Partikel mit Varistoreigenschaften kann als elektrische
Verbindung parallel zur Stromrichtung des organischen, optoelektronischen Bauelementes verstanden werden. Wesentlich ist dabei eine zum. organischen, optoelektronischen Bauelement 4β
elektrisch parallel geschaltete elektrisch durchgehend zusammenhängende Verbindung an Partikeln mit
Varistoreigenschaften in der Trägermatrix des Varistors, wobei die Ansprechspannung dieser durchgehend
zusammenhängenden Verbindung oberhalb der Schwe11s annung des organischen, optoelektronischen Bauelementes und unterhalb der Durchbruchspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist. Die durchgehend
zusammenhängende Verbindung kann einen wi1lkür1ichen, d.h. zufälligen, Pfad ( random walk) oder ein gerichteten, ungefähr linearen Pfad aufweisen.
In einer Ausgestaltung können die Partikel mit
Varistoreigenschaften parallel zur Stromflussrichtung des organischen, optoelektronischen Bauelementes derart i der
Trägermatrix angeordnet werden, dass die Ansprechspannung des
Varistors größer als ein erster Spannungswert und kleiner als ein zweiter Spannungswert ist. In einer Ausgestal ung des Verfahrens kann der erste
Spannungswert ungefähr den Wert der Ansprechspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes aufweisen, d.h. der Varistor weist eine Ansprechspannung auf , bis zu der das organische, optoelektronische Bauelement regulär arbeiten kann. Der Varistor sollte derart ausgebildet werden, dass die Ansprechspannung wenigstens oberhalb der SchwellSpannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist, da ein Varistor keine Sperrrichtung aufweist, d.h.
punktsymmetrisch bezüglich Umpolung arbeitet. Der Varistor kann unterhalb der Ansprechspannung einen möglichst hohen Widerstand aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 kü bis ungefähr 50 ΜΩ bzw. einen geringen
Strorafluss aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 μΑ bis ungefähr 10 μΑ.
I einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Varistor derart ausgebildet werden, dass der zweite Spannungswert einen Betrag kleiner als die Durchschlagspannung des
organischen, optoelektronischen Bauelementes aufweist
und/oder kleiner als die Spannung sein, bei der es in dem organischen, optoelektronischen Bauelement zu irreversiblen Beschädigungen kommt. Der zweite Spannungswert des Varistors kann abhängig sein von der Ausgestaltung des organischen optoelektronischen Bauelementes, da der Betrag der
Durchschlagspannung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes abhängig von der Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ist. Beispielsweise kann der zweite Spannungswert des Varistors einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 200 V aufweisen, beispielsweise größer ungefähr 4 V, beispielsweise größer ungefähr 8v , beispielsweise größer ungefähr 16 V sein, .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Varistor derart ausgebildet Vierden, dass das Material der Trägermatrix und das Material mit Varistoreigenschaften eine ungefähr gleiche thermische Ausdehnung aufweisen, d.h. die
Trägermatrix kompensiert die Ausdehnung der mittels eines elektrischen Stromes entstehenden Abwärme der Partikel mit Varistoreigenschaften, wobei die Wärme auch über die
elektrisch leitfähigen Abschnitte der Übe spannungsschutz- Struktur zugeführt oder abgeführt werden kann. In einer Ausgestaltung kann der Varistor derart ausgebildet werden, dass der Varistor eine oder mehrere Schichten des organischen, optoelektronischen Bauelementes teilweise oder vollständig durchdringen oder umgeben. In einer Ausgestaltung des Verfahrens die
Überspannungsschutz-Struktur derart ausgebildet werden , dass kann zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt ein Dielektrikum ausgebildet wird, beispielsweise Luft. Der erste elektrisch leitfähige Abschnitt und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt können derart relativ zueinander angeordnet und relativ zueinander eingerichtet werden, dass ab einer über dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt anliegenden
Ansprechspannung, eine Funkenstrecke zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt ausgebildet wird; wobei die
Ansprechspannung als Wert einen Betrag aufweist, der größer als der Betrag der Schwe11enspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes und kleiner als der Betrag der Durchbruchspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist und/oder kleiner als die
Spannung sein, bei der es in dem organischen,
optoelektronischen Bauelement zu irreversiblen Beschädigungen kommt. Der zweite Spannungswert der Funkenstrecke kann abhängig sein von der Ausgestaltung des organischen
optoelektronischen Bauelementes, da der Betrag der
Durchschlagspannung des organischen, optoelektronischen Bauelementes abhängig von der Ausges altung des organischen, optoelektronischen Bauelementes ist . Beispielsweise kann der zweite Spannungswert der Funkenstrecke einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 200 V aufweisen, beispielsweise größer ungef hr 4 V, beispielsweise größer ungef hr 8V, beispielsweise größer ungefähr 16 V sein .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Dielektrikum zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden : einen
elektrisch isoiierenden, vernetzbaren organischen und/oder anorganischen Verbindung, beispielsweise ein Epoxidharz , ein Silikon oder eine Keramik.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Dielektrikum zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt ein Vakuum oder ein Gas aufweisen oder daraus gebildet werden : beispielsweise Luft, Sauerstoff , Kohlen toffdioxid, Stickstoff , Ozon oder ein Edelgas . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
elektrisch leit ähige Abschnitt relativ zum zweiten
elektrisch leitfähigen Abschnitt beispielsweise komplementär, senkrecht, parallel, konzentrisch oder auseinanderlaufend ausgerichtet ausgebildet werden. Eine auseinanderla fende Ausrichtung der elektrisch leitfähigen Abschnitte kan
beispielsweise als Hörnerbogen und/oder Jakobsleiter
eingerichtet werde .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Oberfläche des ersten elektrisch leitfähigen Abschnittes und/oder die
- Oberfläche des zweiten elektrisch leitfähigen Abschnittes , zwischen denen sich die Funkenstrecke ausbildet, eine
Oberflächengeometrie der folgenden geometrischen Formen aufweisen: flach, rund, rau, spitz , und/oder komplementär zueinander .
Die geometrischen Formen können derart regelmäßig
eingerichtet werden, dass sie eine geometrische
Symmetrieachse aufweisen, wobei die Symmetrieachse eine
SpiegelSymmetrie werden kann und/oder zusätzlich eine
Rotationssymmetrie . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der kleinste
Abstand des ersten elektrisch leitf higen Abschnittes von dem zwei en elektrisch leitf higen Abschnittes , zwischen denen sich die Funkenstrecke ausbildet , einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1 um bis ungefähr 100 um aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
elektrisch leitfähige Abschnitt und der zweite elektrisch ieitfähige Abschnitt von einer Verkapselung umgeben werden, beispielsweise in einer Kavität eingeschlossen werden, Teil einer Schnittebene eines Trägers des optoelektronischen
Bauelementes werde , oder von einem Vergussmaterial umgeben werden, das beispielsweise eine elektrisch isolierende, vernetzbare organische und/oder anorganische Verbindung aufweist, beispielsweise ein Epoxidharz oder ein Silikon.
Die Verkapselung kann als mechanischer Schutz für die
elektrisch leitfähigen Abschnitte ausgebildet werden derart, dass der Abstand zwischen den Oberflächen der elektrisch leitfähigen Abschnitte und die Form der Oberflächen der elektrisch leitfähigen Abschnitte bezüglich äußeren
Krafteinwirkungen, beispielsweise einem Stoß, Schlag, Sturz oder einer Verbiegung, vor Veränderungen, beispielsweise einem Vergrößern oder Verkleinern des Abstandes oder einem Verformen der Oberfläche der elektrisch leitfähigen
Abschnitte, geschützt sind, " - In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung derart eingerichtet werden, dass das Dielektrikum,
beispielsweise Luft, vor Umwelteinflüssen, beispielsweise einem Ändern der Luftfeuchtigkeit und/oder einem Einstrahlen ionisierender Strahlung, beispielsweise UV-Strahlung oder Röntgenstrahlung, geschützt ist. Diese Umwelteinflüsse könnten die notwendige Spannung, die über die elektrisch leitfähigen Abschnitte anliegen sollte derart verändern, dass das Ausbilden einer Funkenstrecke bei einem Wert der
anliegenden Spannung ausgebildet werden , der unterhalb der Schwel1ens annung des zu schützenden organischen,
optoelektronischen Bauelementes oder oberhalb der
Durchbruchspannung des zu schützenden organischen,
optoelektronischen Bauelementes erfolgt und so die Funktion des zu schützende Bauelementes oder den ESD-Schutz
beeinträchtigen kann.
Ausführungsbeisp ele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen schematische Schaltpläne einer organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeis ielen; eine schematische Querschnittsansicht eines organischen, optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; eine schematische Querschnittsansicht einer organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Schematische Ansichten einer
Überspannungsschutz-Struktur einer
organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; schematische Ansichten einer
Überspannungsschutz-Struktur einer
organ schen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Au führungsbeispielen; einen Bereich der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung im Verfahren zum Herstellen einer
Überspannungsschutz-Struktur , gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; und zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Varistor, gemäß verschiedenen
Anwendungsbeispielen .
I der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
" erbunden" , " angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum
Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung, In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist . Fig.la-d zeigen schematische Schaltpläne einer organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Die Strahlungs-bereits eilenden und -aufnehmenden Schichten des organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 können pn- Übergänge aufweisen, welche zwar Strahlung bereitstellen oder aufnehmen, aber eine geringe Rückwärts-Sperrspannung aufweisen. Dadurch können diese Schichten empfindlich sein bezüglich eines elektrischen Durchschlags in Sperrrichtung oder allgemein formuliert: bezüglich einer Überspannung, die beispielsweise von einer Verpolung oder einer
elektrostatischen Entladung verursacht sein.
Statt einer externen Überspannungsschutz-Struktur zum
Überspannungsschütz des organischen, optoelektronischen
Bauelementes 106 , ist die Überspannungsschutz-Struktur in verschiedenen Ausführungsbeispielen direkt Im organischen, optoelektronischen Bauelement eingebaut. Dies kann
beispielsweise mittels eines Verwendens, Strukturierens und/oder Stapeins von geeigneten Stoffen und/oder Schichten des organischen, optoelektronischen Bauelementes 106
realisiert werden. Der pn-übergang der Schutzdiode 108 kann beispielsweise gedampft, gedruckt und strukturiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zusätzlich z den
Strahlungs-bereitstellenden und -aufnehmenden Schichten des organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 auf oder über dem Träger des organischen, optoelektronischen
Bauelementes 106, wenigstens eine Schutzdiode 108 ausgebildet sein, d.h. pn-Übergänge , die eine reine Diodenwirkung mit hoher Rückwärts-Sperrspannung und niedriger VorwärtsSpannung aufweisen. Mit anderen Worten: in verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann eine Überspannungsschutz-Struktur als eine Schutzdiode 108 ausgebildet sein {dargestellt in Fig.la und Fig. lb) . In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Schutzdiode 108 als eine Suppressor-Diode 108 (Transient Absorptio Zener Diode - TAZ Diode oder Transiei t Voltage Suppressor Diode - TVS-Diode) , eine Zener-Diode 108 oder eine Schottky-Diode (dargestellt) ausgebildet sein. Eine Schutzdiode 108 kann auch als eine Anti-Kick-Back-Diode 108, eine Reverse-Bias- Diode 108, eine flyback-Diode 108 oder eine snubbing-Diode 108 bezeichnet werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Schutzdiode eine Konfiguration von zwei oder mehr der oben beschriebenen Dioden aufweisen, beispielsweise in einer Reihenschaltung oder Parallelschaltung, beispielsweise in einer unidirektionalen oder einer bidirektionalen
Konfiguration. Beispielsweise kann in verschiedenen
Ausgestaltungen eine Schutzdiode eine Suppressor-Diode in einer unidirektionalen oder einer bidirektionalen
Konfiguration aufweisen. Das organische, optoelektronische Bauelement 106 kann als ein flächiges organisches, optoelektronisches Bauelement 106 ausgebildet sein, beispielsweise eine OLED 106 oder eine Solarzelle 106. Das organische, optoelektronische Bauelement 106 und die Schutzdiode 108 weisen gemeinsame Anschlussstrukturen 102, 104 zum elektrischen Kontaktieren auf, beispielsweise gemeinsame Kontaktpads 102, 104, wobei die Kontaktpads 102, 104 auf dem Träger oder dem Betriebsgerät der OLED
(dargestellt) ausgebildet sein können .
Die Schutzdiode 108 kann wenigstens teilweise neben, über und/oder unter den Strahlungs -bereitsteil enden und - aufnehmenden Schichten des organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 ausgebildet sein .
Die Schutzdiode 108 kann elektrisch bezüglich des
organischen, optoelektronischen Bauelementes in Reihe geschaltet sein - dargestellt in Fig.la (siehe auch Fig.5) , oder parallel - dargestellt in Fig. lb (siehe auch Fig. } .
Die in Reihe geschaltete Schutzdiode 108 sollte derart ausgebildet sein, dass sie eine hohe Rückwertspannungs - Festigkeit aufweist, beispielsweise eine Durchbruchspannung größer ungefähr 600 V. Dadurch kann ein Stromfluss und eine Zerstörung des organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 verhindert werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Überspannungsschutz-Struktur als Varistor 112 ausgebildet sein - dargestellt in Fig. lc (siehe auch Fig.7) - und
elektrisch parallel zum organischen, optoelektronischen
Bauelement 106 ausgebildet sein. Bei Anliegen einer
Überspannung an dem Schaltkreis 120 kann der Varistor 112 elektrisch leitfähig werden und das organischen,
optoelektronischen Bauelement 106 für die Dauer der
Überspannung elektrisch überbrücken.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Überspannungsschutz-Struktur als Funkenstrecke 114
ausgebildet sein - dargestellt in Fig. ld (siehe auch Fig.6c) - und elektrisch parallel zum organischen, optoelektronischen Bauelement 106 ausgebildet sein. Bei Anliegen einer
Überspannung an dem Schaltkreis 130 kann zwischen dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt und dem zweiten elektrisch 1eitfähigen Abschnitt der Überspannungsschutz-Struktur eine Funkenstrecke 114 ausgebildet werden, wodurch das organische, optoelektronische Bauelement 106 für die Dauer der
Überspannung elektrisch überbrückt wird.
Fig.2 zeigt eine schematische Querschnittsansieht eines organischen, optoelektronischen Bauelementes, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispiele .
Das optoelektronische Bauelement 106, beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung bereitstellendes elektronisches Bauelement 106, beispielsweise ein lichtemittierendes
Bauelement 106, beispielsweise i Form einer organischen Leuchtdiode 106 kann ein Träger 202 aufweisen . Der Träger 202 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 202 Glas,
Quarz , und/oder ei Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 202 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunsts tofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine '(beispielsweise Polyethylen (?E) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) } aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der -Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat { PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 202 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen.
Der Träger 202 kann ein Metall oder eine Metall erbindung aufweisen- oder daraus' gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches.
Ein Träger 202 aufweisend ein Metall oder eine
Metall erbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 202 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „ ransluzent" bzw. „ transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeis ielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist ,
beispielsweise für das von dem Li chtemittierenden Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 um bis 780 ran) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „ transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeis ielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppel wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schich für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „ transluzent" anzusehen .
Für den Fall, dass beispielsweise- ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest i einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 106 (oder auch die Iichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. Auf oder über dem Träger 202 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 204 angeordnet sein. Die Barriereschicht 204 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Haf iumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Sili iumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 204 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm {eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 m.
Auf oder über der Barriereschicht 204 kann ein elektrisch aktiver Bereich 206 des lichtemittierenden Bauelements 106 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 206 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 106 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lich emittierenden Bauelements 106 fließt. Γη verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 206 eine erste Elektrode 210, eine zweite Elektrode 214 und eine organische funk ionelle Schi chtenstruktur 212 aufweisen , wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden.
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 204 (oder, wenn die Barriereschicht 204 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 202) die erste Elektrode 210 (beispie] sweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 210) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 210 (im Folgenden auch als untere Elektrode 210 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid { transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- inn-Oxid (ITO) . Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, S 02 , oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallSauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSnÖ3 , ZnSn03 , Mgln.204, GalnOß , Z 2l 20s oder In Sri30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leit ähiger Oxide zu der Gruppe der COs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 210 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 210 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO} oder ITO-Ag-ITO Multischichten . In verschiedenen AusführungsbeispieIen kann die erste
Elektrode 210 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen; Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Ne zwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 210 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch lei fähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können, die erste
Elektrode 210 und der Träger 202 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 210 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist , kann die erste Elektrode 210 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispie1sweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 210
beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 210 eine
Schichtdicke a fweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 210 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die' erste Elektrode 210 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 210 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff- NanorÖhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 210 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 am, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. Die erste Elektrode 210 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. Die erste Elektrode 210 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potential {bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt ) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle} anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 202 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 210 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 206 des
lichtemittierenden Bauelements 106 eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 212 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 210 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird.
Die organische f nktionelle Schichtenstruktur 212 kann eine oder mehrere Emitterschichten 218 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 216 (auch bezeichne als Lochtransportschicht (en) 220 ) . In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere E1ektronenleitungsschichten 216 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 216) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
Iichtemittierenden Bauelement 106 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 218
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen} sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridi m-Kom lexe wie blau phosphoreszierendes ■ FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- (2-py idyl ) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III ) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris ( 2 -phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru {dtb-bpy) 3 *2 (PF ) {Tris [4,4' -di-tert- butyl- (2,2') -bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, -Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl]biphenyl) , grün fluoreszierendes T PA (9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 ( -Dicyanomethy1en) -2 -methy1-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emi ter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittel eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen , dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfall vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 218 des lichtemittierenden Bauelements 106 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 106 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 218 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und. rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 218 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 218 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 218 , einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 218 und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht 218. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. '
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszente
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („ small raolec les" ) oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 220 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausf hrungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentranspor schient 216 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektronenin ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 220 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivatc, leitendes Polyanilin oder Polythyl endioxy hiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführu gsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sei . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 220 auf oder über der ersten Elektrode 210 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 218 kann auf oder über der
LochtransportSchicht 220 aufgebracht sein , beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann dir Elekt onentransportSchicht 216 auf oder über der Emit erschicht 218 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschie t (en) 220 und
Emitterschicht ( en) 218 und ElektronentransportSchicht (en)
216 ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 um, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 pm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 um, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs ) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1 , 5 um, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 um, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 1 um, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 n , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausf hrungsbeispielen kann die organische funk ionelle Schichtenstruktur 212
beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 212 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 pm.
Das lichtemittierenäe Bauelement 106 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 218 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 216 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 106 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 214
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 214) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 214 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 210 , wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 214 (beispielsweise für den Fall .einer metallischen zweiten Elektrode 214) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke vo kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm .
Die zweite Elektrode 214 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 210, oder unterschiedlich zu dieser. Die zwei e Elektrode 214 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder
mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 210 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214 beide transluzent oder transparent ausgebildet . Somit kann das in Fig .1 dargestellte
lichtemittierende Bauelement 106 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 106) ausgebildet sein .
Die zweite Elektrode 214 kann als Anode, also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninj izierende Elektrode.
Die zweite Elektrode 214 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential ) , berei gestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 214 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 206 kann optional noch eine Verkapselung 208, beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 208 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschich " 208 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 208 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 208 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 208 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 208 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen . Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 208 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 208 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atornic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomi genabscheideverfahrens ( Plasma Enhanced Atornic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens ( Plasma- less Atornic Layer
Deposition ( PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) gemäß einer anderen Ausges altung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ( PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens ( Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 208, die mehrere Teilschichten, aufweist , alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Naiio1aminat, bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 208 , die mehrere Teilschichten aufweist , eine oder mehrere Teilschichten der Bar ierendünnschicht 208 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 208 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm {eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungef hr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestal ung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 208 mehrere Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen . Gemäß eine anderen
Ausgestal ung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 208 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen . Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichte . Die Barrierendünnschicht 208 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 208 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 } aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen,
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 208 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 208 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Sil i ziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 208 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, · beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 226, beispielsweise aus Glas , beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung {engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen
Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 106 mit der Barrieredünnschicht 208 aufgebracht werden.
I verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 208 ein Klebstoff und/oder ein
Schutzlack 224 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 226 (beispielsweise eine Glasabdeckung 226 , eine Metallfolienabdeckung 226, eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 226) auf der Bar ierendünnschicht 208 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch
transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 224 eine Schichtdicke von größer als 1 um aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren um. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht} können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer •weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen könne . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid ( Zr02 ) , Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid {Ga20a)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugel . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 214 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 224 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 um, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 um, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 226. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acryiat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungs index aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 224 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 226 , beispielsweise aus Glas , mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 208 aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausf hrungsbeispielen könne /kann die
Abdeckung 226 und/oder der Klebstoff 224 einen Brechungsindex {beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapseiung 208 ,
beispielsweise der Ba rierendünnschicht 208) in dem
1ichteir.i11ierenden Bauelement 106 vorgesehen sein. Fig.3 zeigt eine schematische Querschnit sansicht einer organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen . In der schematischen Querschnittsansicht in Fig.2 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelementes gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l - gekennzeichnet mittels des Ausschnittes 106, als ein Bereich einer organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 dargestellt {Überspannungsschutz-Struktur ist nicht dargestellt) .
Dargestellt sind: Eine erste Elektrode 210, die auf oder über einem Träger 202 ausgebildet ist. Auf oder über der ersten Elektrode 210 ist eine organische funktionelle
Schichtenstruktur 212 ausgebildet. Über oder auf der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 ist eine zweite Elektrode 214 ausgebildet. Die zweite Elektrode 214 ist mittels einer elektrischen Isolierung 304 von der ersten Elektrode 210 elektrisch isoliert. Die zweite Elektrode 214 kann mit einer elektrischen Verbindungsschicht 302 körperlich und elektrisch verbunden sein. Die elektrische
VerbindungsSchicht 302 kann im geometrischen Randbereich des Trägers 202 auf oder über dem Träger 2 02 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode 210 . Die elektrische Verbindungsschicht 302 ist mittels einer weiteren elektrischen Isolierung 3 04 elektrisch von der ersten
Elektrode 210 isoliert. Auf oder über der zweiten Elektrode 214 ist eine Barrierendünnschicht 208 angeordnet derart, dass die zweite Elektrode 214, die elektrischen Isolierungen 304 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 von der Barrierendünnschicht 208 umgeben sind, das heißt in
Verbindung von Barrierendünnschicht 208 mit dem Träger 202 eingeschlossen sind. Die Barrierendünnschicht 208 kann die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichten. Auf oder über der
Barrierendünnschicht 208 ist eine Klebstoffschient 224 angeordnet derart , dass die Klebstoffschie t 224 die
Barrierendünnschicht 208 flächig und hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet. Auf oder über der Klebstoffschicht 224 ist eine Abdeckung 226 angeordnet. Die Abdeckung beispielsweise auf die Barrierendünnschicht 208 mit einem Klebstoff 224 aufgeklebt sein, beispielsweise
auflaminiert sein .
Ungefähr der Bereich des optoelektronischen Bauelementes 106 mit organischer funktioneller Schichtenstruktur 212 auf oder über dem Träger 202 kann als optisch aktiver Bereich 312 bezeichnet werden . Ungefähr der Bereich des
optoelektronischen Bauelementes 106 ohne organische
funktionelle Schichtenstruktur 212 auf oder über dem Träger 202 kann als optisch inaktiver Bereich 314 bezeichnet werden. Der optisch inaktive Bereich 314 kann beispielsweise flächig neben dem optisch aktiven Bereich 312 angeordnet sein.
Ein optoelektronisches Bauelement 106 , welches wenigstens transluzent , beispielsweise transparent , ausgebildet ist, beispielsweise einen wenigsten transluzenten Träger 202 , wenigstens transluzente Elektroden 210, 214 , ein wenigstens transluzentes , organisches funktionelles Schichtensystem und eine wenigs ens transluzente Barrierendünnschicht 208
auf eist , kann beispielsweise zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweisen - in der schematischen Querschnittsansicht die Oberseite und die Unterseite des optoelektronischen
Bauelementes 106. Der optisch aktive Bereich 312 eines optoelektronischen
Bauelementes 106 kann jedoch auch nur eine optisch aktive Seite und eine optisch inaktive Seite aufweisen,
beispielsweise bei einem optoelektronischen Bauelement 106 , das als To -Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist , beispielsweise indem die zweite Elektrode 106 oder die
Barrierendünnschicht 208 reflektierend für bereitgestell e elektromagnetische Strahlung ausgebildet wird. Der Träger 202, die erste Elektrode 210, die organische funktionelle Schichtenstruktur 212, die zweite Elektrode 214, die Barrierendünnschicht 208, die KlebstoffSchicht 224 und die Abdeckung 226 können beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l eingerichtet sein.
Die elektrische Isolierungen 304 sind derart eingerichtet, dass ein Stromfluss zwischen zwei elektrisch leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 verhindert wird. Der Sto f oder das Stoffgemisch der elektrischen Isolierung kann
beispielsweise ein Überzug oder ein Beschichtungsmittel , beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack sein. Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufb ingbaren Beschichtungsstoff aufweisen,
beispielsweise ein Polyimid aufweisen oder daraus gebildet sein . Die elektrischen Isolierungen 304 können beispielsweise mittels eines Druckverfahrens aufgebracht oder ausgebildet werden, beispielsweise s rukturiert . Das Druckverf hren kann beispielsweise einen Tintenstrahl-Druck ( Ink et-Printing) , einen Siebdruck und/oder ein Tampondruck ( Pad-Printing} aufweisen. Die elektrische Verbindungsschicht 302 kann als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der Elektroden 210 , 214 gemäß einer der Ausgestaltungen der
Beschreibungen der Fig.l aufweisen oder daraus gebildet sein. Der optisch inaktive Bereich 314 kann beispielsweise
Kontaktpads 102 , 104 zum elektrischen Kontaktieren der organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 aufweisen. Mit anderen Worten: Im geometrischen Randbereich kann das optoelektronische Bauelement 106 derart ausgebildet sein, dass Kontaktpads 102, 104 zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelementes 106 ausgebildet sind, beispielsweise indem elektrisch leitfähige Schichten, beispielsweise elektrische Verbindungsschichten 302 ,
Elektroden 210, 214 oder ähnliches im Bereich der Kontaktpads 102 , 104 wenigstens teilweise freiliegen (nicht dargestellt). Ein ontaktpad 102 , 104 kann elektrisch und/oder körperlich verbunden sein mit einer Elektrode 210, 214, beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht 302. Ein Kontaktpad 102, 104 kann jedoch auch als ein Bereich einer Elektrode 210 , 214 oder einer Verbindungsschicht 302 eingerichtet sein,
Die Kontaktpads 102, 104 können als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der zweiten
Elektrode 214 gemäß einer der Ausgestaltungen der
Beschreibungen der Fig .1 aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als eine Metallschichtenstruktur mit
wenigstens einer Chrom-Schicht und wenigstens einer
Aluminium-Schicht, beispielsweise Chrom-Aluminium-Chrom (Cr- Al-Cr) . Fig. a, b zeigt schematische Ansichten einer
Überspannungsschutz-Struktur einer organischen,
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen. Fig. a zeigt einen Ausschnitt einer schematischen
Querschnittsansicht eines AusführungsbeiSpiels einer
organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 110 mit Überspannungsschütz-Struktur gemäß der Beschreibung der Fig. Ib. Dargestellt ist ein anderer Bereich der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.3.
Dargestell ist ein erster elektrisch leitfähiger Abschnitt
408 und ein zweiter elektrisch leitfähiger Abschnitt 410 der Überspannungsschutz-Struktur 110 auf oder über dem Träger 202 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300. Der erste elektrisch leitfähige Abschni t 408 kann
beispielsweise mit der Anode 102 und der zweite elektrisch leit ähige Abschnitt 410 mit der Kathode 104 der organischen , optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 elektrisch verbunden sein, d.h. die erste Elektrode 210 des organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 ist mit der Anode 102 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung elektrisch verbunden und die zwei e Elektrode 214 mit der Kathode 104 der organischen , optoelektronischen
Bauelementevorrichtung - dargestellt als schematisch.es
Ersatzschaltbild in Fig. b.
Auf oder über dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt 408 kann eine elektronenleitende Schicht 404 der
Überspannungsschutz-Struktur 108 ausgebildet sein,
beispielsweise aufgedruckt, aufgesprüht oder abgeschieden sein . Die elektronenleitende Schicht 404 kann einen
intrinsisch elektronenleitenden Stoff oder ein Stoffgemisch aus Trägermatrix und n-Dotierstoff aufweisen.
Auf oder über der elektronenleitenden Schicht 404 kann eine lochleitende Schicht 406 der Überspannungsschutz-Struktur 108 ausgebildet sein, beispielsweise aufgedruckt, aufgesprüht oder abgeschieden sein. Die lochleitende Schicht 406 kann einen intrinsisch lochleitenden Stoff oder ein Stoffgemisch aus Trägermatrix und p-Dotierstoff aufweisen .
Auf oder über der lochleitenden Schicht 406 kann eine zweite elektrische VerbindungsSchicht 402 ausgebildet sein,
beispielsweise aufgedruckt, aufgesprüht oder abgeschi den sein. Die zweite elektrische VerbindungsSchicht 402 kann beispielsweise ähnlich oder gleich der ersten Elektrode 210, der zweiten Elektrode 214, der ersten elektrischen
Verbindungsschicht 302, dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt 408 oder dem zweiten elektrisch leitfähigen
Abschnitt 410 ausgebildet sein . Die zweite elektrische Verbindungsschicht 402 kann elektrisch mit dem zweiten elektrisch 1eitfähigen Ab chnit 41 0 .
verbunden sein und bezüglich des ersten elektrisch
leitfähigen Abschnittes 408 elektrisch isoliert sein,
beis ielsweise mittels elektrischer Isolierungen 412 .
Die elektrischen Isolierungen 412 können beispielsweise ähnlich einer der Ausgestaltungen der elektrischen
Isolierungen 3 04 gemäß der Beschreibung der Fig .3 ausgebildet sein oder werden .
Die Schutzdiode 108 kann beispielsweise in dem optisch inaktiven Bereich 3 14 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung ausgebildet sein .
Fig.5a, b zeigt schematische Ansichten einer
Überspannungsschutz-Struktur einer organischen,
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispie].en .
Fig.5a zeigt einen Ausschnitt einer schematischen
Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer
organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 12 0 mit Überspannungsschütz-Struktur gemäß der Beschreibung der Fig. la . Darges ellt ist ein anderer Bereich der organischen, optoelektronischen Baue 1ementevorrichtung 3 00 gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.3 . Dargestellt ist ein erster elektrisch 1eitfähiger Abschnitt 502 und ein zweiter elektrisch 1eit fähiger Abschnitt 504 der Überspannungsschutz-Struktur 100 auf oder über dem Träger 202 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 .
Der erste elektrisch leitfähige Abschnitt 502 kann
beispielsweise mit der Anode 102 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt 504 mit der Anode des
organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 elektrisch verbunden sein, d.h, die erste Elektrode 210 des organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 ist mit der Kathode 504 der Schutzdiode elektrisch verbunden und die zweite Elektrode 214 mit der Kathode 104 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 - dargestellt als schematisch.es Ersatzschaltbild in Fig.5b.
Auf oder über dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt 502 kann eine lochleitende Schicht 406 der Überspannungsschutz- Struktur 108 ausgebildet sein, beispielsweise aufgedruckt , aufgesprüht oder abgeschieden sein . Die lochleitende Schicht 406 kann einen intrinsisch lochleitenden Stoff oder ein
Stoffgemisch aus Trägermatrix und p-Dotierstof f aufweisen.
Auf oder über der lochleitenden Schicht 406 kann eine
elektronenle.itendo Schicht 404 der Überspannungsschutz- Struktur 108 ausgebildet sein, beispielsweise aufgedruckt , aufgesprüht oder abgeschieden sein . Die elektronenleitende Schicht 404 kann einen intrinsisch elektronenleitenden Stoff oder ein Stoffgemisch aus Trägermatrix und n-Dotiers toff aufweisen,
Auf oder über der elektronenleitende Schicht 404 kann eine zweite elektrische Verbindungsschicht 02 ausgebildet sein, beispielsweise aufgedruckt , aufgesprüht oder abgeschieden sein . Die zweite elektrische Verbindungsschicht 402 kann beispielsweise ähnlich oder gleich der ersten Elektrode 210 , der zweiten Elektrode 214 , der ersten elektrischen
Verbindungsschicht 302 , dem ersten elektrisch leitfähigen Abschnit 408 oder dem zweiten elektrisch leitfähigen
Abschnitt 410 ausgebildet sein .
Die zweite elektrische Verbindungsschicht 402 kann elektrisch mit dem zweiten elektrisch leitf higen Abschnit 410 verbunden sein und bezüglich des ersten elektrisch
1eitfähigen Abschnittes 408 elektrisch isoliert sein,
beispielsweise mittels elektrischer Isolierungen 412. Die elektrischen Isolierungen 412 können beispielsweise ähnlich einer der Ausgestaltungen der elektrischen
Isolierungen 304 gemäß der Beschreibung der Fig.3 ausgebildet sein oder werde . Die Schutzdiode 108 kann beis ielsweise in dem optisch inaktiven Bereich 314 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung ausgebi ldet sein.
Fig.6a-c zeigt einen Bereich der organischen,
optoelektronischen Bauelementevorrichtung im Verfahren zum Herstellen einer Überspannungsschutz-Struktur, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen .
Fig. Sa zeigt eine elektrisch leitfähige Schichtenstruktur 608 auf oder über dem Träger 202 der organischen,
optoelektronischen Bauelementevorrichtung,
Der Träger 202 kann beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.2 ausgebildet sein.
Die elektrisch leitfähige Schichtenstruktur 608 kann
beispielsweise Schichten oder Stoffgemische aus einem
elektrisch leitfähigen Metalloxid und/oder einem Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielswiese ähnlich der ersten Elektrode 210 und oder der zweiten El ektrode 214 einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.2.
Ein Bereich 602 der elektrisch leitfähigen Schichtenstruktur 608 kann von dem Träger 202 entfernt werden derar , dass elektrisch voneinander isolierte, elektrisch leitfähige
Abschnitte 604, 606 ausgebildet werden, beispielsweise indem der Träger 202 im Bereich 602 freigelegt wird - dargestellt in Fig.6 . Das Freilegen des Trägers 202 kann beispielsweise ballistisch erfolgen. Ein ballistisches Freilegen der
freizulegenden Bereiche kann beispielsweise mittels Beschuss des frei zulegenden Bereiches mit Partikeln, Molekülen,
Atomen, Ionen, Elektronen und/oder Photonen realisiert werden .
Ein Beschuss mit Photonen kann beispielsweise als
Laserablation mit einem Laser mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 1114 nm ausgebildet sein, beispielsweise fokussiert, beispielsweise mit einem Fokusdurchmesser in einem Bereich von ungefähr 10 um bis ungefähr 2000 um, beispielsweise gepulst, beispielsweise mit einer Pulsdauer in einem Bereich von ungefähr 100 fs bis ungefähr 0,5 ms, beispielsweise mit einer Leistung von ungefähr 50 mW bis ungefähr 1000 mW, beispielsweise mit einer
2
Leistungsdichte von ungefähr 100 kW/cm bis ungefähr
2
10 GW/cm und beispielsweise mit einer epi titionsrate in einem Bereich von ungefähr 100 Hz bis ungefähr 1000 Hz,
In einem Aus führungsbeispiel kann die elektrisch leitfähige Schichtenstruktur 608 derart strukturiert werden, dass der
Bereich 602 zwischen den dargestellten elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 bereits eine Funkenstrecke als
Oberspannungsschutz-Struktur für das elektrisch parallel verbundene organische, optoelektronische Bauelement 106 ausbildet .
Der Bereich 602 zwischen den elektrisch leitfähigen
Abschnitten 604, 606 kann in verschiedenen
Aus führungsbeispielen jedoch auch mit einem Stoff oder
Stoffgemisch wenigstens teilweise gefüllt werden,
beispielweise vollständig oder überfüllt - dargestellt in Fig.6c .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Stoff oder das Stoffgemisch zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten 604, 606 zum Ausbilden eines Varistors 114 {siehe Fig.7) oder einer Funkenstrecke 610 eingerichtet sein.
Bei einer Funkenstrecke 610 kann der erste elektrisch
leitfähige Abschnitt 604 mit dem ersten ontaktpad 102 der organischen, optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 elektrisch verbunden sein (nicht dargestellt) und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt 606 mit dem zweiten
Kontaktpad 104 der organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 300 (nicht dargestellt} derart, dass die Funkenstrecke 610 elektrisch parallel zu dem organischen, optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen der
Überspannungsschutz-Struktur 'als Funkenstrecke 610 kann der Stoff oder das Stoffgemisch in dem Bereich 602 zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten 604, 606 ein Dielektrikum aufweisen . Das Dielektrikum kann beispielsweise ein Gas, beispielsweise Luft, eine elektrisch isolierende, vernetzbare organischen und/oder anorganische Verbindung, beispielsweise ein
Epoxidharz, ein Silikon oder eine Keramik oder auch ein
Vakuum aufweisen oder daraus gebildet sein,
Das Dielektrikum und Teile der elektrisch leitfähigen
Abschnitte 604, 606 können von einer Verkapselung umgeben sein, wobei die Verkapselung optional sein kann oder das gleiche Material aufweisen oder daraus gebildet sein kann wie das Dielektrikum, beispielsweise indem der Bereich 602 überfüllt wird.
Die Verkapselung kann die elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 teilweise oder ganz umgeben, beispielsweise können die elektrisch leitfähigen Abschnitte 60 , 606 Teil eines Querschnittes eines Träger einer organischen,
optoelektronischen Bauelementevorrichtung sein (nicht dargestellt ) . Die Verkapselung kann beis ielsweise weitere
Schichten des Trägers aufweisen. Das Dielektrikum
beispielsweise bei einer Kavität Luft oder ein Epoxid
aufweisen.
Die Verkapselung kann als mechanischer Schutz für die
elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 einer
Funkenstrecke 610 ausgebildet sein derart , dass der Abstand zwischen elektrisch 1eitfähigen Abschnitten 604, 606 und die Form der Oberflächen der elektrisch leitfähigen Abschnitte
604 , 606 bezüglich äußeren rafteinwirkungen, beispielswei e einem Stoß, Schlag, Sturz oder einer Verbiegung, vor
Veränderungen, beispielsweise einem Vergrößern oder
Verkleinern des Abstandes oder einem Verformen der Oberfläche der elektrisch leitfäh gen Abschnitte 604, 606 geschützt sind.
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselung derart
eingerichtet sein, dass das Dielektrikum, beispielsweise Luft, vor Umwelteinflüssen, beispielsweise einem Ändern der Luftfeuchtigkeit und/oder einem Einstrahlen ionisierender Strahlung, beispielsweise UV-Strahlung oder Röntgenstrahlung , geschützt ist. Diese Umwelteinflüsse könnten die notwendige Spannung, die über die elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 anliegen sollte derart verändern, dass das Ausbilden einer Funkenstrecke bei einem Wert der anliegenden Spannung ausgebildet wird, der unterhalb der Schwellenspannung des zu schützenden elektronischen Bauelementes oder oberhalb der Durchbruchspannung des zu schü zenden elektronischen
Bauelementes ausgebildet sein kann.
In einer Ausgestaltung können die elektrisch leitfähigen Abschnitte 604 , 606 eine lanare Form aufweisen oder eine zulaufende Form aufweisen. Elektrisch leitfähige Abschnitte 604, 606 mit planaren Formen können beispielsweise ähnlich einem Stift oder Pin ausgebildet sein oder ähnlich einer planaren Ebene . Elektrisch leitfähige Abschnitte 604, 606 mit einer
zulaufenden Form können beispielsweise ähnlich einer Spitze oder ähnlich einer Rundung ausgebildet sei . Mittels der zulaufenden Form kann die notwendige Spannung für das
Ausbilden der Funkenstrecke reduziert werden, da die
zulaufenden Formen lokal eine höhere Feldstärke aufweisen können als die planaren Formen . Die elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 können jedoch auch teilweise oder vollständig willkürlich ausgebildet sein, beispielsweise mittels Rauheit oder eines groben
Fertigungsprozesses . In einer Ausgestaltung können die elektrisch leitfähigen
Abschnitte 604, 606 eine komplementäre Anordnung zueinander aufweisen, wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt 604 teilweise senkrecht und/oder parallel zum zweiten
elektrisch leitfähigen Abschnitt 606 ausgebildet sein kann.
In einer Ausgestaltung können die elektrisch leitfähigen Abschnitte 60 , 606 eine überlappende Anordnung aufweisen, d.h. eine gegeneinander versetzte Anordnung und/oder
verschobene Anordnung der elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 zueinander aufweisen, wobei Teile der elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 zueinander parallel sein können, beispielsweise in einem Abstand 602 voneinander. Die elektrisch leitfähigen Abschnitte 604 , 606 können auch in unterschiedlichen Ebenen, im Sinne einer Schicht in der
Querschnittsebene des organischen, optoelektronischen
Bauelementes oder Zeichenebene, ausgebildet sein,
beispielsweise ähnlich einem Kreuz.
In einer Ausgestaltung kann eine parallele Anordnung der elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 beis iels eise als eine teilweise und/oder vollständig konzentrische Anordnung und/oder koaxiale Anordnung der elektrisch leitfand gen
Abschnitte 604, 606 ausgebildet sein,
In einer Ausgestaltung können die elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 eine auseinanderlaufende Anordnung aufweisen, beispielsweise als Hörnerbogen oder als
Jakobsleite .
Die tatsächliche Ansprechspannung der .Funkenstrecke für eine organische, optoelektronische Bauelementvorrichtung kann abhängig von der konkreten Ausgestaltung der elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 sein, so dass häufig ein Spannungsbereich angegeben wird, innerhalb dessen eine
Funkenstrecke zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitte 604, 606 in einem bestimmten Abstand ausgebildet werden kann. Mit der Wahl des Dielektrikums zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten 604 , 606 kann bei konstantem Abstand die Ansprechspannung der Funkenstrecke verändert werden.
Die elektrisch leitfähigen Anschlüsse sollten derart
eingerichtet sein, dass der Wert der Ansprechspannung der
Funkenstrecke zwischen der Schwellenspannung des organischen optoelektronischen Bauelementes und der Durchbruchspannung des organischen optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist . Ein typischer Wert für eine Schweilenspannung eines organischen optoelektronischen Bauelementes, kann in einem Bereich von ungefähr 0 V bis ungefähr 5 V ausgebildet sein . Eine typische Durchbruchspannung kann für solch ein
Bauelement beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 170 V bis ungefähr 200 V ausgebildet sein .
Eine Ausges altung der elektrisch leitfähigen Abschnitte 60 , 606 , die diese Bedingungen erfüll , kann beispielsweise einen Abstand 414 mit einem Wert von ungefähr 50 um aufweisen und ei Dielektrikum das Luft aufweist oder daraus gebildet ist aufweisen . Diese Ausgestaltung hat den Vorteil , dass
prozesstechnisch ein Abstand von 50 um einfach hergestellt bzw. ausgeführt werden kann . Fig.7 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Varistor, gemäß verschiedenen Anwendungsbeispielen. Die elektrisch leitfähigen. Abschnitte 604, 606 der
Ausgestaltung der Überspannungsschutz- Struktur in Fig.6c können in dem Bereich 602 in verschiedenen
Ausführungsbeispielen mittels einer Varistorbrücke 114 oder einem Varistor 114 überbrücket sein.
Dargestellt sind ein erster elektrisch ieitfähiger Abschnitt 604 und ein zweiter elektrisch leitfähiger Abschnitt 606 die mit einem Varistor 610 elektrisch verbunden sind. Der
Varistor 610 kann Partikel 704 aus einem Material mit
Varistoreigenschaften aufweisen, die in einer Trägermatrix
702 derart eingebettet sind, dass eine elektrisch durchgehend zusammenhängende Verbindung 708 ausgebildet werden kann . An den Grenzflächen 706 der Partikel 704 mit
Varistoreigenschaften bildet sich ein inneres elektrisches Feld aus, das einem pn-Übergang eines Halbleiters ähneln kann. Das innere elektrische Feld kann mittels eines externen elektrischen Feldes über den elektri sch ieitfähigen
Abschnitten 604, 606 abgebaut werden. Die inneren
elektrischen Felder können dabei über die Grenzflächen 706 von Partikeln 704 mit Varistoreigenschaften ausgebildet und de äußeren, angelegten elektrischen Feld entgegen gerichtet sein. Bei einer angelegten Spannung, die der Ansprechspannung des Varistors entspricht, kann der Widerstand des Varistors 610 abnehmen, so dass ein Stromfluss durch einen Varistor 610 möglich sein kann und der Strom oberhalb der Ansprechspannung exponentiell ansteigen kann. Ursache für den Anstieg des Stromes oberhalb der Ansprechspannung kann mittels der angelegten Spannung das Kompensieren innerer elektrischer Felder sei . Der Wert der Ansprechspannung kann von der Anzahl an gekoppelten Partikelgrenzfl chen 706 in
Stromrichtung, d.h. der Anzahl der zu kompensierenden inneren Felder, und der stofflichen Beschaffenheit der Partikel 704 abhängig sein.
Anders formuliert: der Wert der Ansprechspannung kann von der Länge des Varistors 610 in Stromrichtung, der Größe der
Partikel 704 mit Varistoreigenschaften und/oder der
stofflichen Beschaffenheit der Partikel 704 abhängig sein. Die Ansprechspannung eines Varistors 610 kann mit der
geometrischen Abmessung des Varistors 610, beispielsweise der Länge parallel zu Stromflussrichtung, und der Größe der
Partikel 704 mit Varistoreigenschaften bezüglich der Länge des Varistors 610 in Stromflussrichtung eingestellt werden.
Bei Umkehrung des Stromflusses , d.h. Umpol ng der Spannung über dem Varistor 610 , kann sich auch die Strom-Spannungs- Kennlinie bezüglich keiner angelegten Spannung (0V)
punktsymmetrisch umkehren.
Der Varistor sollte derart ausgebildet sein, dass die
Ansprechspannung des Varistors größer ist als die
SchwellSpannung des zu schützenden organischen,
optoelektronischen Bauelementes 106, bei dem es leitfähig wird und kleiner als die Spannung, bei dem das zu schützende Bauelement irreversibel beschädigt wird, beispielsweise der Durchbruchspannung oder einer Überspannung in
Durchlassrichtung . Die SchwellSpannung des zu schützenden organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 kann
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,5 V bis ungefähr 50 V, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise in einem. Bereich von ungefähr 4 V bis ungefähr 8 V sein.
Bei einer angelegten Spannung unterhalb der Ansprechspannung des Varistors 610 kann mittels bestehender innerer Felder an den Partikelgrenzflächen ein hoher Widerstandes des Varistors 610, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 kQ bis ungefähr 50 ΜΩ, ausgebildet werden, der einen geringer Leckstrom, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr
0,1 μΑ bis ungefähr 10 μΑ, ermöglicht.
Der Varistor sollte derart ausgebildet sein, dass die
Ansprechspannung kleiner ist als die Durchbruchspannung des zu schützenden organischen, optoelektronischen Bauelementes 106 in Sperrrichtung, bei spielsweise ein Ansprechspannung von ZnO-Partikeln in einem Bereich von ungefähr 30 V bis ungefähr 100 V oder eine Ansprechspannung in einem Bereich von ungefähr 100 V bis ungefähr 200 V von SiC-Partikeln aufweisen .
Die über dem Varistor 610 abfallende Spannung kann bei einer Ansprechspannung in einem Bereich, der ungefähr der
Durchbruchspannung des zu schützenden Bauelementes
entspricht, unzureichend sein, beispielsweise wenn über dem zu schützenden Bauelement trotz Varistor 610 noch eine
Spannung größer als die Durchbruchspannung anliegt,
beispielsweise bei einem zu flachen Anstieg der Stromstärke mit angelegter Spannung, beispielsweise bei dem SiC-Varistor 610 zwischen ungefähr 200 V und ungefähr 300 V.
Der Varistor 610 kann beispielsweise eine Trägermatrix aus einem ein-komponentigen Epoxid, einem zwei-komponentigen Epoxid, einem Silikon oder einem Acrylat ausgebildet sein .
Das Epoxid-Harz kann im formbaren Zustand eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 0,8 Pa*s bis ungefähr 4 Pa · s aufweisen. Mittels des Verfestigens der Trägermatrix kann das Epoxid-Karz im formstabiien Zustand eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 2,5 GPa · s bis ungefähr 3,0 GPa · s aufweisen. Die Härte des formstabilen Epoxid-Harzes kann eine Shore-D-Härte (20 °C) in einem Bereich von ungefähr 87 bis ungefähr 89 aufweisen.
Das Silikon kann im formbaren Zustand eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 0,8 Pa · s bis ungefähr 4 Pa · s aufweisen . Mit els des Verfestigens der Trägermatrix kann das
Silikon im formstabilen Zustand ein Elastizitätsmodul in einem Bereich von ungefähr 1 MPa bis ungefähr 6 MPa
aufweisen. Die Härte des formstabilen Silikons kann eine Shore- -Härte (20 °C) von ungefähr 40 aufweisen.
In einer konkreten Ausgestaltung kann als Material mit
Varistor 6lOeigenschaft SiC-Flocken (SiC-Flakes) mit einem Durchmesser d$Q von ungefähr 1,7 um und einem dgo von
ungefähr 4 , 7 μιη verwendet werde . Die Oberfläche der SiC-
2
Flocken kann einen Wert in einem Bereich von ungefähr 5 m /g
2
bis ungefähr 6 m /g aufweisen.
Die SiC-Flocken können der Trägermatrix, beispielsweise einem Silikon, einem ein-komponentigen Epoxid oder der
Trägerkomponente eines zwei-komponentigen Epoxids , bezüglich der Masse des Stoffgemisehes aus Trägermatrix und SiC-Flocken mit einem Massenanteil von ungefähr 20 % bis ungefähr 70 % beigemengt werden, beispielsweise in einem Bereich von
ungefähr 50 % bis ungefähr 60 % .
Das Stoffgenisch aus Trägermatrix und SiC-Flocken kann als
Varistorpaste verstanden werden. Die Varistorpaste kann zu einem Varistor 610 dispensiert werden, beispielsweise mit einer Länge in einem Bereich von ungefähr 200 μπα bis ungefähr 300 pm; einer Breite in einem Bereich von ungefähr 30 μπι bis ungefähr 60 um, beispielsweise 50 um; und einer Höhe in einem Bereich von ungefähr 5 μιη bis ungefähr 50 μιη, beispielsweise 10 um.
Im Falle eines zwei -komponentigen Epoxids als Trägermatrix kann dem Stoffgemisch die zweite Komponente, d.h. der
Aushärter, vor dem Dispensieren der Varistorpaste zugegeben werden . Im formbaren Zus and kann die Varistorpaste eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 1 Pa · s bis ungefähr 100 Pa · s aufweisen. Das Verfestigen der Trägermatrix des Varistor 610 kann thermisch ausgebildet sein, beispielsweise bei einer Epoxid- Trägermatrix auf dem Leadframe mit Gehäuse bei eine
Temperaturwert in einem Bereich von ungefähr 100 °C bis ungefähr 170 °C, beispielsweise 150 °C, für ungefähr 2
Stunden bis ungefähr 6 Stunden.
Alternativ können Materialien und Schichten innerhalb des organischen optoelektronischen Bauelementes derart
strukturiert werden, dass sie beispielsweise das Verhalten eines Varistors aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine organische, optoelektronische Bauelemen evorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen, optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist , einen Schutz des organischen, optoelektronischen
Bauelementes vor elektrostatischen Entladung und/oder
Verpolung zu realisieren, ohne eine externe
Überspannungsschutz-Struktur. Eine zusätzliche, externe
Überspannungsschutz-Struktur zum Schutz der OLED ist nicht notwendig, da sich die OLED selbst schützen kann,
beispielsweise bezüglich einer Verpolung der OLED.
Weiterhin verursachen externe Überspannungsschutz-Strukturen zusätzliche Kosten, beispielsweise in der Anschaffung ,
Lagerung und Assemblierung. Für die Assemblierung externer Überspannungsschutz-Struktur wird beispielsweise wiederum eine Leiterplatte benötigt . Da die Überspannungsschutz- Struktur wenigstens teilweise gleichzeitig, beispielswiese in den selben Prozessen, erzeugt werden kann wie die OLED, können Kosten und Produktionszeit eingespart werden .

Claims

Patentansprüche
1. Organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung
(100, 110, 120, 130, 300) , aufweisend:
einen Träger {202};
ein organisches , optoelektronisches Bauelement (106 ) , aufweisend eine erste Elektrode und eine zweite
Elektrode; und
eine Überspannungsschutz-Struktur (108, 114, 610), aufweisend einen ersten elektrisch lex tfähigen Abschnitt und einen zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt;
• wobei das organische, optoelektronische Bauelement (106 } und die Überspannungsschutz -St ukt r (108 ,
114, 610} auf oder über dem Träger (202) ausgebildet sind;
• wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108, 114,
610) und das organische, optoelektronische Bauelement (106) wenigstens eine gemeinsame Schicht aufweisen; und
· wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108, 114,
610 ) elektrisch mit dem organischen ,
optoelektronischen Bauelement (106) verbunden ist;
• wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der ersten Elektrode ist und/oder der zweite elektrisch leitfähige .Abschnitt ein Bereich der zweiten Elektrode ist; und
• wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108 , 114,
610) eine Funkenstrecke aufweist.
2. Organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 110, 120, 130, 300) gemäß Anspruch 1,
wobei das organische, optoelektronische Bauelement
( 106 ) als eine organische Leuchtdiode (106 ) oder eine organische Solarzelle (106) ausgebildet ist . Organische, optoelektronische Bauelementevorriehtun«
(100 , 110 , 120, 130 , 300) gemäß einem der Ansprüche
OCIG " 2 ,
wobei die Überspannungsschutz- Struktur (108 , 114 ,
610} elektrisch parallel zu dem organischen,
optoelektronischen Bauelement (106) ausgebildet
ist .
Organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung
(100, 110, 120, 130, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ,
wobei die gemeinsame Schicht wenigstens eine
Elektrode (210 , 214 ) des organischen,
optoelektronischen Bauelementes (106) und
wenigstens einen elektrisch leitfähigen Abschnitt der Überspannungsschütz- Struktur (408 , 410, 502,
504, 604, 608) aufweist oder mit diesen elektrisch verbunden ist .
Organische, optoelektronische Bauelementevorrichtung
(100 , 110 , 120 , 130 , 300 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 ,
wobei die organische, optoelektronische
Bauelementevorrichtung (100, 110 , 120 , 130, 300 )
einen optisch aktiven Bereich (312) und einen
optisch inaktiven Bereich (314) aufweist, wobei die Überspannungsschutz-Struktur ( 108 , 114 , 610 ) in den optisch inaktiven Bereich (314) ausgebildet ist. Verfahren zum Herstellen einer organischen,
optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100, 110, 120, 130 , 300) , das Verfahren aufweisend:
Ausbilden eines organischen, optoelektronischen
Bauelementes (106), aufweisend eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, und einer Überspannungsschutz-
Struktur (108, 114, 610) , aufweisend einen ersten
elektrisch leitfähigen Abschnitt und einen zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt, auf oder über einem Träger (202) ;
• wobei die Überspannungsschutz-Struktur {108, 114, 610) und das organische, optoelektronische
Bauelement (106) wenigstens eine gemeinsame Schicht aufweisen;
• wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108, 114, 610) elektrisch mit dem. organischen,
optoelektronischen Bauelement (106) verbunden wird;
• wobei der erste elektrisch 1 ei fähige Abschnitt ein Bereich der ersten Elektrode ist und/oder der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt ein Bereich der zweiten Elektrode ist ; und
• wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108 , 114 , 610 } eine Funkenstrecke aufweist .
Verfahren gemäß Anspruch 6 ,
wobei die gemeinsame Schicht strukturiert wird. Verfahren gemäß Anspruch 7 ,
wobei die gemeinsame Schicht mittels eines Lasers strukturiert wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8 ,
wobei die Überspannungsschutz-Struktur (108 , 114 ,
610) als ein strukturierter Bereich des
organischen, optoelektronischen Bauelementes (106) ausgebildet wird .
PCT/EP2013/075271 2012-12-14 2013-12-02 Organische, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen, optoelektronischen bauelementevorrichtung Ceased WO2014090626A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012223159.5A DE102012223159A1 (de) 2012-12-14 2012-12-14 Organische, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen, optoelektronischen bauelementevorrichtung
DE102012223159.5 2012-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2014090626A2 true WO2014090626A2 (de) 2014-06-19
WO2014090626A3 WO2014090626A3 (de) 2014-09-12

Family

ID=49725108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/075271 Ceased WO2014090626A2 (de) 2012-12-14 2013-12-02 Organische, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen, optoelektronischen bauelementevorrichtung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102012223159A1 (de)
WO (1) WO2014090626A2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014118354A1 (de) 2014-09-12 2016-03-17 Osram Oled Gmbh Organisches Bauelement
US10454057B2 (en) 2015-02-23 2019-10-22 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014112696B4 (de) * 2014-09-03 2023-09-07 Pictiva Displays International Limited Organisches Bauelement
DE102015117932A1 (de) 2015-10-21 2017-04-27 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements
CN111149210B (zh) 2017-10-06 2024-06-11 亮锐控股有限公司 制造oled器件的方法
CN111029378A (zh) * 2019-12-02 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板、提高其亚阈电压补偿精度的方法及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE9701195L (sv) * 1997-04-02 1998-10-03 Ericsson Telefon Ab L M Anordning för skydd mot elektrostatisk urladdning i elektriska apparater
JP3731405B2 (ja) * 1999-09-22 2006-01-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US6989806B2 (en) * 2002-11-20 2006-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Current limiting device
TWI283381B (en) * 2006-05-26 2007-07-01 Au Optronics Corp Active device array substrate
KR100993404B1 (ko) * 2009-03-23 2010-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 정전기 보호회로 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
US8729809B2 (en) * 2009-09-08 2014-05-20 Denovo Lighting, Llc Voltage regulating devices in LED lamps with multiple power sources
WO2012106182A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 Shocking Technologies, Inc. Light-emitting devices comprising non-linear electrically protective material
DE102011101585B4 (de) * 2011-05-12 2015-11-12 Technische Universität Dresden Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden oder photovoltaischen Elementen
DE102011084363B4 (de) * 2011-10-12 2022-12-22 Pictiva Displays International Limited Organische Leuchtdiode

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014118354A1 (de) 2014-09-12 2016-03-17 Osram Oled Gmbh Organisches Bauelement
WO2016038100A1 (de) 2014-09-12 2016-03-17 Osram Oled Gmbh Organisches bauelement
US10090365B2 (en) 2014-09-12 2018-10-02 Osram Oled Gmbh Organic device
US10454057B2 (en) 2015-02-23 2019-10-22 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014090626A3 (de) 2014-09-12
DE102012223159A1 (de) 2014-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112013001553B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102012214021B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
DE102013106508A1 (de) Elektrode und optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2014048971A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2014090626A2 (de) Organische, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen, optoelektronischen bauelementevorrichtung
DE102014102346B4 (de) Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements
DE102011079048B4 (de) Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
WO2015107103A1 (de) Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements
WO2014023781A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes und verfahren zum strukturieren eines organischen, optoelektronischen bauelementes
DE102014111346B4 (de) Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
WO2015039835A1 (de) Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelementes
DE102014103747B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102013105905B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
DE102012109161A1 (de) Organisches, optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren
WO2015067664A1 (de) Optoelektronisches bauelement, verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelementes und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
DE102012208235A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102015102520B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2014206965A1 (de) Organische lichtemittierende diode und verfahren zum herstellen einer organischen lichtemittierenden diode
DE102013106815A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
WO2014206790A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2015110428A1 (de) Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente
DE102014102255B4 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelements
WO2014048917A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
DE102012025879B3 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2015124729A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13802011

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13802011

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2