WO2014077623A1 - Plasma processing device comprising multiple ballast modules - Google Patents

Plasma processing device comprising multiple ballast modules Download PDF

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WO2014077623A1
WO2014077623A1 PCT/KR2013/010408 KR2013010408W WO2014077623A1 WO 2014077623 A1 WO2014077623 A1 WO 2014077623A1 KR 2013010408 W KR2013010408 W KR 2013010408W WO 2014077623 A1 WO2014077623 A1 WO 2014077623A1
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WO
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discharge electrode
ballast
unit
plasma processing
discharge
Prior art date
Application number
PCT/KR2013/010408
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French (fr)
Korean (ko)
Inventor
김번중
서춘성
최동규
Original Assignee
주식회사 지아이티
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • HELECTRICITY
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
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    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/4697Generating plasma using glow discharges
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00Auxiliary systems
    • H05H2242/20Power circuits
    • H05H2242/22DC, AC or pulsed generators

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus for treating a surface of a metal or a polymer, and more particularly, to a plasma processing apparatus for treating a surface of a metal or a polymer using plasma ions.
  • a state in which the positively charged ions and free electrons are gathered at a predetermined density or more and is generally neutral and has a high reactivity is called plasma.
  • the energy of the plasma may be transferred to the surface of the material to be collided, and the metal or polymer may be cleaned or surface treated using the plasma. Plasma may be applied to the back.
  • an arc discharge does not occur and a discharge process should be performed in a glow discharge region. This is because if an arc is generated in the plasma processing apparatus, the apparatus may be damaged, and the object to be treated may be damaged.
  • the plasma processing apparatus becomes larger and larger in area, there is a problem in that the discharge current increases and the likelihood of arc discharge increases.
  • the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of dividing the discharge electrodes of a large-area plasma processing apparatus into a plurality of discharge electrode sets, and having a ballast module in each of the discharge electrode sets to reduce the occurrence of arc discharge.
  • a chamber a plurality of discharge electrode sets provided in the chamber, a power supply unit for supplying power to the discharge electrode set, and a ballast module provided between the discharge electrode set and the power supply unit, wherein the discharge electrode set includes at least one agent; And a first discharge electrode and at least one second discharge electrode having a different polarity from the first discharge electrode and spaced apart in the y-axis direction, wherein each of the plurality of discharge electrode sets is spaced apart from each other in the x-axis direction.
  • Discharge electrodes disposed in the form and provided at positions facing each other have the same polarity as each other.
  • the ballast module may include a ballast unit.
  • the ballast unit may be provided with any one of a resistor, a reactor, and an electronic resistor.
  • the ballast module may further include a switch unit connecting the ballast unit and the power supply unit.
  • the ballast module may further include a detector configured to measure an electrical characteristic value of power flowing in the ballast unit, and a controller configured to control an operation of the switch unit by comparing a value measured by the detector and a reference value.
  • the first discharge electrode and the second discharge electrode may be formed in a plate shape having a length, a width, and a thickness.
  • a plurality of holes may be provided in the first discharge electrode and the second discharge electrode.
  • a space in which a target object is disposed may be provided between the plurality of discharge electrode sets.
  • the power supply unit may apply any one of DC power, AC power, and pulse power.
  • the ballast module includes a ballast unit for adjusting a current density flowing between the discharge electrode set, a switch unit connecting the ballast unit and the power supply unit, a detector unit for measuring an electrical characteristic value of electric power flowing in the ballast unit, and the detector unit. It may include a control unit for controlling the operation of the switch unit by comparing the one value and the reference value.
  • the large-area plasma processing apparatus divides the discharge treatment area into a plurality of discharge electrode sets, and includes a ballast module in each discharge electrode set to prevent arc discharge from occurring and to improve the stability and uniformity of the discharge. It can be maintained.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing a DC discharge characteristic curve of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing the configuration of a ballast module according to an embodiment of the present invention.
  • the terms “comprise”, “comprise” or “have” are intended to designate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof that is practiced, and that one or the same. It is to be understood that the present invention does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
  • FIG. 1 is a view showing a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention
  • Figure 2 is a schematic plan view of a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
  • the plasma processing apparatus 100 includes a chamber 110, a plurality of discharge electrode sets 200 provided in the chamber 110, and the discharge electrode set. It may include a power supply unit 300 for supplying power to the 200 and the ballast module 400 for adjusting the current density flowing between the discharge electrode set 200.
  • FIG. 1 four discharge electrode sets 200 are illustrated in the chamber 110.
  • the present disclosure is not limited thereto, and at least two discharge electrode sets 200 may be provided in the chamber 110. .
  • Each of the discharge electrode sets 200 may include at least one first discharge electrode 210 and at least one second discharge electrode 220 for inducing plasma.
  • the first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220 have a plate shape having a predetermined length, width, and thickness.
  • a plurality of holes may be formed in the first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220 in the form of a plate.
  • the thickness direction of the first discharge electrode 210 is referred to as the x-axis direction
  • the width direction of the discharge electrode is referred to as the y-axis direction
  • the length direction of the discharge electrode is referred to as the z-axis direction.
  • the first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220 may be alternately spaced apart from each other in the y-axis direction.
  • the first discharge electrode 210 provided in each of the discharge electrode sets 200 may induce a plasma discharge capacitively coupled with the adjacent second discharge electrode 220.
  • Each of the discharge electrode sets 200 may be spaced apart from each other in the x-axis direction, and a plasma target object 500 may be disposed between the discharge electrode sets 200.
  • the chamber 110 may include a fixed frame 120 for fixing the plurality of discharge electrode sets 200, a jig 130 for fixing the plasma target object 500, and an inside of the chamber 110. It may include a gas injection unit 140 for injecting an inert gas, etc. required for the furnace plasma process and a gas discharge unit 150 for discharging the residue after the plasma treatment to the outside.
  • the chamber 110 is illustrated as a hexahedral structure in FIG. 1, the chamber 110 is not necessarily limited thereto, and the shape of the chamber 110 may be modified according to the shape of the plasma target object 500.
  • a plurality of fixing frames 120 may be provided to fix the plurality of discharge electrode sets 200. That is, each of the first discharge electrodes 210 and the second discharge electrodes 220 provided in the same fixed frame 120 may constitute one discharge electrode set 200.
  • the fixed frame 120 has a cassette magazine shape, a user can easily mount or detach the plurality of discharge electrodes on the fixed frame 120.
  • a jig 130 may be provided between each of the fixing frames 120 to fix the plasma processing target object 500.
  • the power supply unit 300 may supply power such as DC power, AC power, or pulse power to the plurality of discharge electrode sets 200.
  • the discharge electrode set 200 may include at least one first discharge electrode 210 and at least one second discharge electrode 220 having a different polarity from the first discharge electrode 210.
  • the power supplied from the power supply unit 300 is a DC power source
  • power having different polarities may be applied to the first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220.
  • a plasma capacitively coupled between the first discharge electrode 210 present in one discharge electrode set 200 and the second discharge electrode 220 adjacent to the first discharge electrode 210 is generated.
  • the ballast module 400 may be provided between each of the discharge electrode sets 200 and the power supply unit 300.
  • the ballast module 400 may be provided with one ballast module 400 for each discharge electrode set 200.
  • the ballast module 400 may be configured as a ballast unit 410.
  • the ballast unit 410 may be formed of any one of a resistance ballast, a reactor ballast, and an electronic resistance ballast.
  • the ballast unit 410 may function to suppress an abnormal phenomenon during discharge, so that the discharge is maintained at a stable operating point.
  • the plasma processing apparatus according to the exemplary embodiment may individually control each of the discharge electrode sets 200 by providing one ballast unit 410 per discharge electrode set 200.
  • the ballast unit 410 may play a role of controlling an overcurrent to flow in the discharge electrode set 200 once discharge is started.
  • the ballast module 400 may be provided only with the ballast unit 410, and may further include a switch unit 420, a detector 430, and a controller 430 which will be described later.
  • FIG. 3 is a view showing a DC discharge characteristic curve of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the DC discharge characteristic curve is a graph showing a change in the discharge current I with respect to the voltage V applied by the power supply unit to the discharge electrode. That is, it is a graph showing a change in the discharge current I flowing between the discharge electrode set 200 according to the DC voltage V applied by the power supply unit 300.
  • the DC discharge characteristic curve may be largely divided into towngent regions A through B, glow discharge regions B through E, and arc discharge regions E through F.
  • the Townsend regions A to B refer to regions in which the voltage applied to the discharge electrode set 200 by the power supply unit 300 is lower than the discharge start voltage Vf, and no discharge occurs in this region.
  • the power supply unit 300 When a voltage higher than the discharge start voltage Vf is applied by the power supply unit 300, the power supply unit 300 enters the glow discharge regions B to E.
  • the glow discharge regions B to E start to discharge and the current I ) Increases but voltage drops sharply (B ⁇ C), normal glow (C ⁇ D) area where discharge actually occurs, and current (I) increases above normal discharge current (In) and voltage increases together. It can be divided into an abnormal glow (D ⁇ E) region.
  • the discharge occurs only in the normal glow (C ⁇ D) region. That is, it is important not to enter the abnormal glow area (D-E), which may be determined by the area of the discharge electrode set 200 and the capacity of the ballast module 400.
  • a ballast is provided between the discharge electrode and the power supply device to prevent the arc discharge from occurring.
  • the discharge area of the plasma processing apparatus gradually increases, there is a problem that the possibility of anomalies such as arc discharge gradually increases.
  • the total discharge area of the plasma processing apparatus is divided into each discharge electrode set 200, and one ballast module 400 is provided for each discharge electrode set 200, thereby causing an abnormal phenomenon such as arc discharge. It is to provide a plasma processing apparatus 100 that can prevent this from occurring.
  • the area processed by the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention is the same as the conventional plasma processing apparatus, but more stable discharge can occur than the conventional plasma processing apparatus.
  • FIG. 4 illustrates a ballast module 400 according to an embodiment of the present invention.
  • the ballast module 400 includes a ballast unit 410 that functions to suppress an abnormal phenomenon during discharge, so that the discharge is maintained at a stable operating point, preferably, the ballast unit and the power supply unit 300.
  • a switch unit 420 for connecting the control unit 420, a detector 430 for measuring an electrical characteristic value of electric power flowing in the ballast unit, and a controller 440 for controlling the operation of the switch unit by comparing a value measured by the detector with a reference value.
  • Each may further include.
  • the switch unit 420 may serve to connect between the discharge electrode set 200 and the power supply unit 300 according to a control signal of the controller 440.
  • the detector 430 may serve to measure an electrical characteristic value such as a current or a voltage flowing in the ballast unit 410.
  • the controller 440 compares the current value flowing through the ballast unit 410 and the reference current value measured by the detector 430 to the switch unit 420 when the measured current value is greater than the reference current value. It may serve to apply an off signal.
  • control unit 440 compares the voltage value of the ballast unit 410 and the reference voltage value measured by the detection unit 430, and when the measured voltage value is larger than the reference voltage value, the switch unit 420. It may also serve to apply an off-signal.
  • the controller 440 may prevent damage to the device in advance by blocking the power supply of the power supply unit 300 when a current higher than a reference value or a high voltage is applied to the ballast unit 410.
  • the reference current value or the reference voltage value may be arbitrarily set by the user.
  • the plasma processing apparatus including the multiple ballast module described above is merely exemplary, and it should be understood that all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention are included in the scope of the present invention.

Abstract

Provided is a plasma processing device comprising: a chamber; a plurality of discharge electrode sheets provided inside the chamber; a power source unit for supplying electrical power to the discharge electrode sheets; and ballast modules provided between the discharge electrode sheets and the power source unit. Here, each discharge electrode sheet comprises at least one first discharge electrode and at least one second discharge electrode which has (have) a different polarity from the first discharge electrode(s) and is (are) disposed spaced apart in the Y-axis direction; the plurality of discharge electrode sheets are respectively disposed facing each other spaced apart in the X-axis direction; and discharge electrodes provided in mutually facing positions have the same polarity as each other.

Description

다중 발라스터 모듈을 포함하는 플라즈마 처리 장치Plasma processing apparatus comprising multiple ballast modules
본 발명은 금속이나 고분자의 표면을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 이온을 이용하여 금속이나 고분자의 표면을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for treating a surface of a metal or a polymer, and more particularly, to a plasma processing apparatus for treating a surface of a metal or a polymer using plasma ions.
기체 분자에 에너지가 가해지면 상기 기체 분자의 최외각 전자가 이탈하여 상기 기체 분자는 양전하를 갖는 이온과 자유전자로 나뉘어 진다. 상기 양전하를 갖는 이온과 자유전자들이 일정 밀도 이상으로 모여 있는 상태로서, 전체적으로 중성을 갖으며 높은 반응성을 갖는 상태를 플라즈마(Plasma)라고 한다.When energy is applied to the gas molecules, the outermost electrons of the gas molecules are released and the gas molecules are divided into positively charged ions and free electrons. A state in which the positively charged ions and free electrons are gathered at a predetermined density or more and is generally neutral and has a high reactivity is called plasma.
이러한 높은 반응 에너지를 가진 플라즈마가 어떤 재료의 표면에 충돌하는 경우 상기 플라즈마가 가진 에너지가 충돌되는 재료의 표면에 전달될 수 있으며, 이를 이용하여 금속(Metal)이나 고분자(Polymer)의 세정 또는 표면 처리 등에 플라즈마가 적용될 수 있다.When the plasma having such a high reaction energy impinges on the surface of a material, the energy of the plasma may be transferred to the surface of the material to be collided, and the metal or polymer may be cleaned or surface treated using the plasma. Plasma may be applied to the back.
이러한 플라즈마를 이용한 표면처리 장치에서는 아크(Arc) 방전이 발생하지 않고 글로우(Glow) 방전 영역에서 방전 공정이 이루어져야 한다. 플라즈마 처리 장치에서 아크가 발생되면 장치의 손상을 초래하고, 플라즈마 피처리 대상물이 손상될 수 있기 때문이다. 그러나 상기 플라즈마 처리 장치가 점차 대면적화 되어감에 따라, 방전 전류가 증가하여 아크 방전이 발생할 가능성이 높아지는 문제가 있다.In the surface treatment apparatus using the plasma, an arc discharge does not occur and a discharge process should be performed in a glow discharge region. This is because if an arc is generated in the plasma processing apparatus, the apparatus may be damaged, and the object to be treated may be damaged. However, as the plasma processing apparatus becomes larger and larger in area, there is a problem in that the discharge current increases and the likelihood of arc discharge increases.
이에 본 발명에서는 대면적 플라즈마 처리 장치의 방전 전극들을 복수개의 방전 전극 세트로 분할하고, 상기 방전 전극 세트 각각에 발라스터 모듈을 구비하여 아크 방전 발생을 감소시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of dividing the discharge electrodes of a large-area plasma processing apparatus into a plurality of discharge electrode sets, and having a ballast module in each of the discharge electrode sets to reduce the occurrence of arc discharge.
챔버, 상기 챔버 내에 구비되는 복수개의 방전 전극 세트, 상기 방전 전극 세트로 전력을 공급하기 위한 전원부 및 상기 방전 전극 세트 및 전원부 사이에 구비되는 발라스터 모듈을 포함하며, 상기 방전 전극 세트는 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극 및 상기 제 1 방전 전극과 다른 극성을 가지며 y축 방향으로 이격되어 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극을 포함하며, 상기 복수개의 방전 전극 세트 각각은 x축 방향으로 서로 이격되어 마주보는 형태로 배치되며, 서로 마주보는 위치에 구비되는 방전 전극은 서로 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.A chamber, a plurality of discharge electrode sets provided in the chamber, a power supply unit for supplying power to the discharge electrode set, and a ballast module provided between the discharge electrode set and the power supply unit, wherein the discharge electrode set includes at least one agent; And a first discharge electrode and at least one second discharge electrode having a different polarity from the first discharge electrode and spaced apart in the y-axis direction, wherein each of the plurality of discharge electrode sets is spaced apart from each other in the x-axis direction. Discharge electrodes disposed in the form and provided at positions facing each other have the same polarity as each other.
상기 발라스터 모듈은 발라스터 유닛을 포함할 수 있다.The ballast module may include a ballast unit.
상기 발라스터 유닛은 저항, 리액터 및 전자식 저항 소자 중 어느 하나로 구비될 수 있다.The ballast unit may be provided with any one of a resistor, a reactor, and an electronic resistor.
상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부를 더 포함할 수 있다.The ballast module may further include a switch unit connecting the ballast unit and the power supply unit.
상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The ballast module may further include a detector configured to measure an electrical characteristic value of power flowing in the ballast unit, and a controller configured to control an operation of the switch unit by comparing a value measured by the detector and a reference value.
상기 제 1 방전 전극 및 제 2 방전 전극은 길이, 폭 및 두께를 가지는 플레이트(plate)형태로 형성될 수 있다.The first discharge electrode and the second discharge electrode may be formed in a plate shape having a length, a width, and a thickness.
상기 제 1 방전 전극 및 제 2 방전 전극에는 복수개의 홀(hole)이 구비될 수 있다.A plurality of holes may be provided in the first discharge electrode and the second discharge electrode.
상기 복수개의 방전 전극 세트 사이에는 피처리 대상물이 배치되는 공간이 구비될 수 있다.A space in which a target object is disposed may be provided between the plurality of discharge electrode sets.
상기 전원부는 직류 전원, 교류 전원 및 펄스 전원 중 어느 하나의 전원을 인가할 수 있다.The power supply unit may apply any one of DC power, AC power, and pulse power.
상기 발라스터 모듈은 상기 방전 전극 세트 사이에 흐르는 전류 밀도를 조절하는 발라스터 유닛, 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부, 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.The ballast module includes a ballast unit for adjusting a current density flowing between the discharge electrode set, a switch unit connecting the ballast unit and the power supply unit, a detector unit for measuring an electrical characteristic value of electric power flowing in the ballast unit, and the detector unit. It may include a control unit for controlling the operation of the switch unit by comparing the one value and the reference value.
본 발명에 따른 대면적 플라즈마 처리 장치는 방전 처리 면적을 복수개의 방전 전극 세트로 분할하여, 상기 각각의 방전 전극 세트에 발라스터 모듈을 구비하여 아크 방전이 발생하는 것을 방지하고, 방전의 안정성 및 균일도를 유지시킬 수 있다.The large-area plasma processing apparatus according to the present invention divides the discharge treatment area into a plurality of discharge electrode sets, and includes a ballast module in each discharge electrode set to prevent arc discharge from occurring and to improve the stability and uniformity of the discharge. It can be maintained.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 DC 방전 특성 곡선을 나타낸 도이다.3 is a view showing a DC discharge characteristic curve of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발라스터 모듈의 구성을 나타낸 도이다.4 is a diagram showing the configuration of a ballast module according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 도면에 예시하고 본문에는 이를 중심으로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 상기 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.The present invention can be variously modified and can be embodied in various forms. Only specific embodiments are illustrated in the drawings and described in the text. However, the scope of the present invention is not limited to the above specific embodiments, and it should be understood that all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention are included in the scope of the present invention.
본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In this specification, specific structural to functional descriptions are merely illustrated for the purpose of describing embodiments of the present invention, and embodiments of the present invention may be embodied in various forms and are limited to the embodiments described herein. It is not to be understood that the present invention is to be construed as including all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 연결되어 있다거나 접촉되어 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.When a component is described as being connected to or in contact with another component, it will be understood that there may be another component in between, although it may be directly connected or in contact with another component.
또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 직접 연결되어 있다거나 집적 접촉되어 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.In addition, when a component is described as being directly connected or integrated in contact with another component, it may be understood that there is no other component in between. Other expressions describing the relationship between the components, such as "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", may be interpreted as well.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terminology used herein is for the purpose of describing exemplary embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.
본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.As used herein, the terms "comprise", "comprise" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof that is practiced, and that one or the same. It is to be understood that the present invention does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다.Terms such as first, second, third, etc. may be used to describe various components, but such components are not limited by the terms. The terms are used to distinguish one component from other components.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)를 나타낸 도이며, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)의 개략적인 평면도이다.1 is a view showing a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic plan view of a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)는 챔버(110), 상기 챔버(110) 내에 구비되는 복수개의 방전 전극 세트(200), 상기 방전 전극 세트(200)로 전력을 공급하기 위한 전원부(300) 및 상기 방전 전극 세트(200) 사이에 흐르는 전류 밀도를 조절하기 위한 발라스터 모듈(400)을 포함할 수 있다.1 and 2, the plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 110, a plurality of discharge electrode sets 200 provided in the chamber 110, and the discharge electrode set. It may include a power supply unit 300 for supplying power to the 200 and the ballast module 400 for adjusting the current density flowing between the discharge electrode set 200.
도 1에서는 상기 챔버(110) 내부에 4개의 방전 전극 세트(200)가 구비된 것으로 도시하였으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 챔버 내에는 적어도 2개 이상의 방전 전극 세트(200)가 구비될 수 있다.In FIG. 1, four discharge electrode sets 200 are illustrated in the chamber 110. However, the present disclosure is not limited thereto, and at least two discharge electrode sets 200 may be provided in the chamber 110. .
상기 각각의 방전 전극 세트(200)는 플라즈마를 유도하기 위한 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극(210) 및 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극(220)을 포함할 수 있다.Each of the discharge electrode sets 200 may include at least one first discharge electrode 210 and at least one second discharge electrode 220 for inducing plasma.
상기 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)은 소정의 길이, 폭 및 두께를 가지는 플레이트(plate) 형태를 갖는다. 또한, 상기 플레이트(plate) 형태의 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)에는 복수개의 홀(hole)이 형성될 수 있다. 이하에서, 설명의 편의를 위하여 상기 제 1 방전 전극(210)의 두께 방향을 x축 방향, 상기 방전 전극의 폭 방향을 y축 방향, 상기 방전 전극의 길이 방향을 z축 방향이라 한다.The first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220 have a plate shape having a predetermined length, width, and thickness. In addition, a plurality of holes may be formed in the first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220 in the form of a plate. Hereinafter, for convenience of description, the thickness direction of the first discharge electrode 210 is referred to as the x-axis direction, the width direction of the discharge electrode is referred to as the y-axis direction, and the length direction of the discharge electrode is referred to as the z-axis direction.
상기 방전 전극 세트(200) 내에서 상기 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)은 상기 y축 방향으로 서로 교대로 이격되어 배치될 수 있다. In the discharge electrode set 200, the first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220 may be alternately spaced apart from each other in the y-axis direction.
상기 각각의 방전 전극 세트(200) 내에 구비된 제 1 방전 전극(210)은 인접한 제 2 방전 전극(220)과 용량 결합된 플라즈마 방전을 유도할 수 있다.The first discharge electrode 210 provided in each of the discharge electrode sets 200 may induce a plasma discharge capacitively coupled with the adjacent second discharge electrode 220.
상기 각각의 방전 전극 세트(200)는 상기 x축 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있으며, 상기 각각의 방전 전극 세트(200) 사이에는 플라즈마 피처리 대상물(500)이 각각 배치될 수 있다.Each of the discharge electrode sets 200 may be spaced apart from each other in the x-axis direction, and a plasma target object 500 may be disposed between the discharge electrode sets 200.
상기 챔버(110) 내부에는 플라즈마 방전을 위한 공간이 형성될 수 있다. 상기 챔버(110)는 상기 복수개의 방전 전극 세트(200)를 고정할 수 있는 고정 프레임(120), 상기 플라즈마 피처리 대상물(500)을 고정할 수 있는 지그(130), 상기 챔버(110) 내부로 플라즈마 공정에 필요한 불활성 기체 등을 주입할 수 있는 가스 주입부(140) 및 플라즈마 처리 후 잔여물을 외부로 배출하기 위한 가스 배출부(150)을 포함할 수 있다.A space for plasma discharge may be formed in the chamber 110. The chamber 110 may include a fixed frame 120 for fixing the plurality of discharge electrode sets 200, a jig 130 for fixing the plasma target object 500, and an inside of the chamber 110. It may include a gas injection unit 140 for injecting an inert gas, etc. required for the furnace plasma process and a gas discharge unit 150 for discharging the residue after the plasma treatment to the outside.
한편, 도 1에는 상기 챔버(110)가 육면체 구조로 도시되었으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 챔버(110)의 형태는 플라즈마 피처리 대상물(500)의 형태에 따라 변형이 가능하다.Meanwhile, although the chamber 110 is illustrated as a hexahedral structure in FIG. 1, the chamber 110 is not necessarily limited thereto, and the shape of the chamber 110 may be modified according to the shape of the plasma target object 500.
상기 챔버(110) 내부에는 복수개의 방전 전극 세트(200)를 고정하기 위한 복수개의 고정 프레임(120)이 구비될 수 있다. 즉, 동일한 고정 프레임(120) 내에 구비된 각각의 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)들이 하나의 방전 전극 세트(200)를 구성한다고 볼 수 있다.In the chamber 110, a plurality of fixing frames 120 may be provided to fix the plurality of discharge electrode sets 200. That is, each of the first discharge electrodes 210 and the second discharge electrodes 220 provided in the same fixed frame 120 may constitute one discharge electrode set 200.
상기 고정 프레임(120)은 카세트 매거진 형태를 갖기 때문에, 사용자는 상기 복수개의 방전 전극들을 상기 고정 프레임(120)에 용이하게 탑재 또는 분리할 수 있다.Since the fixed frame 120 has a cassette magazine shape, a user can easily mount or detach the plurality of discharge electrodes on the fixed frame 120.
상기 각각의 고정 프레임(120) 사이에는 플라즈마 피처리 대상물(500)을 고정하기 위한 지그(130)가 구비될 수 있다.A jig 130 may be provided between each of the fixing frames 120 to fix the plasma processing target object 500.
도 2를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 방전 전극 세트(200)와 전원부(300)의 연결 관계를 설명하도록 한다.Referring to FIG. 2, the connection relationship between the discharge electrode set 200 and the power supply unit 300 of the plasma processing apparatus according to the exemplary embodiment will be described.
상기 전원부(300)는 상기 복수개의 방전 전극 세트(200)로 직류 전원, 교류 전원 또는 펄스 전원 등의 전력을 공급할 수 있다.The power supply unit 300 may supply power such as DC power, AC power, or pulse power to the plurality of discharge electrode sets 200.
상기 방전 전극 세트(200)는 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극(210) 및 상기 제 1 방전 전극(210)과 다른 극성을 갖는 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극(220)을 포함할 수 있다.The discharge electrode set 200 may include at least one first discharge electrode 210 and at least one second discharge electrode 220 having a different polarity from the first discharge electrode 210.
상기 전원부(300)에서 공급되는 전력이 직류 전원인 경우, 상기 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)에는 서로 다른 극성을 갖는 전원이 인가될 수 있다.When the power supplied from the power supply unit 300 is a DC power source, power having different polarities may be applied to the first discharge electrode 210 and the second discharge electrode 220.
즉, 하나의 방전 전극 세트(200) 내에 존재하는 제 1 방전 전극(210) 및 상기 제 1 방전 전극(210)과 인접한 제 2 방전 전극(220) 사이에서 용량 결합된 플라즈마가 발생한다.That is, a plasma capacitively coupled between the first discharge electrode 210 present in one discharge electrode set 200 and the second discharge electrode 220 adjacent to the first discharge electrode 210 is generated.
상기 각각의 방전 전극 세트(200)와 전원부(300) 사이에는 발라스터 모듈(400)이 구비될 수 있다. 상기 발라스터 모듈(400)은 각각의 방전 전극 세트(200) 당 하나의 발라스터 모듈(400)이 구비될 수 있다.The ballast module 400 may be provided between each of the discharge electrode sets 200 and the power supply unit 300. The ballast module 400 may be provided with one ballast module 400 for each discharge electrode set 200.
상기 발라스터 모듈(400)은 발라스터 유닛(410)으로 구성될 수 있다. 상기 발라스터 유닛(410)은 저항형 발라스터, 리액터형 발라스터 및 전자식 저항 발라스터 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The ballast module 400 may be configured as a ballast unit 410. The ballast unit 410 may be formed of any one of a resistance ballast, a reactor ballast, and an electronic resistance ballast.
상기 발라스터 유닛(410)은 방전 중 이상 현상을 억제시켜서, 방전이 안정적인 동작점에서 유지되도록 하는 기능을 할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 상기 발라스터 유닛(410)을 상기 방전 전극 세트(200) 당 하나씩 구비함으로써 상기 방전 전극 세트(200) 각각을 개별적으로 제어할 수 있다.The ballast unit 410 may function to suppress an abnormal phenomenon during discharge, so that the discharge is maintained at a stable operating point. The plasma processing apparatus according to the exemplary embodiment may individually control each of the discharge electrode sets 200 by providing one ballast unit 410 per discharge electrode set 200.
즉, 단일 발라스터 유닛을 사용하는 경우 어느 하나의 방전 영역에 이상 형상이 발생하면 모든 방전 영역에 영향을 주지만, 방전 영역을 방전 전극 세트(200)로 나누고 각각 별개의 발라스터 유닛(410)을 사용하면 어느 하나의 방전 전극 세트(200)에서 이상 현상이 발생하더라도 나머지 방전 전극 세트(200)에서 발생하는 방전에 영향을 주지 않을 수 있다.That is, in the case of using a single ballast unit, if an abnormal shape occurs in any one discharge area, all the discharge areas are affected. However, when the discharge area is divided into the discharge electrode sets 200 and each of the separate ballast units 410 is used. Even if an abnormal phenomenon occurs in any one discharge electrode set 200 may not affect the discharge generated in the remaining discharge electrode set 200.
또한, 상기 발라스터 유닛(410)을 통하여 방전 영역을 각각의 방전 전극 세트(200)로 세분화하여 이상 현상에 대응하게 함으로써 방전 면적 증가에 의한 부담을 줄일 수 있다.In addition, by distributing the discharge area into the respective discharge electrode sets 200 through the ballast unit 410 to cope with the abnormal phenomenon, the burden of increasing the discharge area can be reduced.
또한, 상기 발라스터 유닛(410)은 일단 방전이 시작되면 상기 방전 전극 세트(200)에 과전류가 흐르지 않도록 조절하는 역할을 할 수 있다.In addition, the ballast unit 410 may play a role of controlling an overcurrent to flow in the discharge electrode set 200 once discharge is started.
상기 발라스터 모듈(400)은 상기 발라스터 유닛(410)만으로 구비될 수 있으며, 후술할 스위치부(420), 검출부(430) 및 제어부(430)를 더 포함할 수 있다.The ballast module 400 may be provided only with the ballast unit 410, and may further include a switch unit 420, a detector 430, and a controller 430 which will be described later.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 DC 방전 특성 곡선을 나타낸 도이다.3 is a view showing a DC discharge characteristic curve of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
상기 DC 방전 특성 곡선이란 상기 전원부에서 상기 방전 전극에 인가하는 전압(V)에 대한 방전 전류(I)의 변화를 나타낸 그래프이다. 즉, 상기 전원부(300)에서 인가하는 직류 전압(V)에 따라 상기 방전 전극 세트(200) 사이에 흐르는 방전 전류(I)의 변화를 나타낸 그래프이다.The DC discharge characteristic curve is a graph showing a change in the discharge current I with respect to the voltage V applied by the power supply unit to the discharge electrode. That is, it is a graph showing a change in the discharge current I flowing between the discharge electrode set 200 according to the DC voltage V applied by the power supply unit 300.
상기 DC 방전 특성 곡선은 크게 타운젠트 영역(A~B), 글로우 방전 영역(B~E), 아크 방전 영역(E~F)으로 나뉠 수 있다.The DC discharge characteristic curve may be largely divided into towngent regions A through B, glow discharge regions B through E, and arc discharge regions E through F. FIG.
상기 타운젠트 영역(A~B)은 상기 전원부(300)에서 상기 방전 전극 세트(200)에 인가하는 전압이 방전 개시 전압(Vf)보다 낮은 영역을 말하며, 이 영역에서 방전은 일어나지 않는다.The Townsend regions A to B refer to regions in which the voltage applied to the discharge electrode set 200 by the power supply unit 300 is lower than the discharge start voltage Vf, and no discharge occurs in this region.
상기 전원부(300)에서 방전 개시 전압(Vf)보다 높은 전압을 인가하는 경우, 글로우 방전 영역(B~E)으로 진입하게 되는데, 글로우 방전 영역(B~E)은 방전이 일어나기 시작하고 전류(I)는 증가하나 전압은 급격히 떨어지는 영역(B~C), 실제로 방전이 일어나는 정상 글로우(normal glow)(C~D) 영역 및 전류(I)가 정상 방전 전류(In) 이상 증가하여 전압도 함께 증가하게 되는 비정상 글로우(abnormal glow)(D~E) 영역으로 나뉠 수 있다.When a voltage higher than the discharge start voltage Vf is applied by the power supply unit 300, the power supply unit 300 enters the glow discharge regions B to E. The glow discharge regions B to E start to discharge and the current I ) Increases but voltage drops sharply (B ~ C), normal glow (C ~ D) area where discharge actually occurs, and current (I) increases above normal discharge current (In) and voltage increases together. It can be divided into an abnormal glow (D ~ E) region.
상기 비정상 글로우(abnormal glow)(D~E)영역에 진입하게 되면, 상기 방전 전극 세트(200)가 가열되어 열전자가 방출되기 시작한다. 그 결과 전압은 감소하고, 아크 방전 영역(E~F)으로 넘어가게 된다.When entering the abnormal glow (D-E) region, the discharge electrode set 200 is heated to start the release of hot electrons. As a result, the voltage decreases and is passed to the arc discharge regions E to F. FIG.
따라서 방전의 안정성을 위해서는 방전이 상기 정상 글로우(C~D) 영역에서만 일어나도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 비정상 글로우(D~E) 영역에 진입하지 않도록 하는 것이 중요한데, 이는 상기 방전 전극 세트(200)의 면적 및 발라스터 모듈(400)의 용량 등에 의해 결정될 수 있다.Therefore, for the stability of the discharge, it is preferable that the discharge occurs only in the normal glow (C ~ D) region. That is, it is important not to enter the abnormal glow area (D-E), which may be determined by the area of the discharge electrode set 200 and the capacity of the ballast module 400.
종래 플라즈마 처리 장치의 경우, 방전 전극과 전원 공급 장치 사이에 안정기를 구비하여 아크 방전이 일어나는 것을 방지하였다. 그러나 플라즈마 처리 장치의 방전 면적이 점차 증가함에 따라 아크 방전 등의 이상 현상이 발생할 가능성이 점차 증가하는 문제가 발생하였다.In the case of the conventional plasma processing apparatus, a ballast is provided between the discharge electrode and the power supply device to prevent the arc discharge from occurring. However, as the discharge area of the plasma processing apparatus gradually increases, there is a problem that the possibility of anomalies such as arc discharge gradually increases.
이에 본 발명에서는 플라즈마 처리 장치의 전체 방전 면적을 각각의 방전 전극 세트(200)로 분할하고, 상기 각각의 방전 전극 세트(200) 당 하나의 발라스터 모듈(400)을 구비하여 아크 방전 등의 이상 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치(100)를 제공하고자 한다.Therefore, in the present invention, the total discharge area of the plasma processing apparatus is divided into each discharge electrode set 200, and one ballast module 400 is provided for each discharge electrode set 200, thereby causing an abnormal phenomenon such as arc discharge. It is to provide a plasma processing apparatus 100 that can prevent this from occurring.
따라서 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)가 처리하는 면적은 종래 플라즈마 처리 장치와 동일하면서도, 종래 플라즈마 처리 장치에 비하여 안정된 방전이 일어날 수 있도록 한다.Therefore, the area processed by the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention is the same as the conventional plasma processing apparatus, but more stable discharge can occur than the conventional plasma processing apparatus.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발라스터 모듈(400)을 나타낸 도이다.4 illustrates a ballast module 400 according to an embodiment of the present invention.
상기 발라스터 모듈(400)은 방전 중 이상 현상을 억제시켜서, 방전이 안정적인 동작점에서 유지되도록 하는 기능을 하는 발라스터 유닛(410)으로 구성되는 것을 포함하며, 바람직하게는 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부(300)를 연결하는 스위치부(420), 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부(430) 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부(440)를 각각 더 포함할 수 있다.The ballast module 400 includes a ballast unit 410 that functions to suppress an abnormal phenomenon during discharge, so that the discharge is maintained at a stable operating point, preferably, the ballast unit and the power supply unit 300. A switch unit 420 for connecting the control unit 420, a detector 430 for measuring an electrical characteristic value of electric power flowing in the ballast unit, and a controller 440 for controlling the operation of the switch unit by comparing a value measured by the detector with a reference value. Each may further include.
상기 스위치부(420)는 상기 제어부(440)의 제어 신호에 따라 상기 방전 전극 세트(200)와 전원부(300) 사이를 연결하는 역할을 할 수 있다.The switch unit 420 may serve to connect between the discharge electrode set 200 and the power supply unit 300 according to a control signal of the controller 440.
상기 검출부(430)는 상기 발라스터 유닛(410)에 흐르는 전류 또는 전압과 같은 전기적 특성값을 측정하는 역할을 할 수 있다.The detector 430 may serve to measure an electrical characteristic value such as a current or a voltage flowing in the ballast unit 410.
상기 제어부(440)는 상기 검출부(430)에서 측정한 상기 발라스터 유닛(410)에 흐르는 전류값과 기준 전류값을 비교하여, 측정된 전류값이 기준 전류값보다 큰 경우 상기 스위치부(420)에 off-신호를 인가하는 역할을 할 수 있다.The controller 440 compares the current value flowing through the ballast unit 410 and the reference current value measured by the detector 430 to the switch unit 420 when the measured current value is greater than the reference current value. It may serve to apply an off signal.
마찬가지로 상기 제어부(440)는 상기 검출부(430)에서 측정한 상기 발라스터 유닛(410)의 전압값과 기준 전압값을 비교하여, 측정된 전압값이 기준 전압값보다 큰 경우 상기 스위치부(420)에 off-신호를 인가하는 역할을 할 수도 있다.Similarly, the control unit 440 compares the voltage value of the ballast unit 410 and the reference voltage value measured by the detection unit 430, and when the measured voltage value is larger than the reference voltage value, the switch unit 420. It may also serve to apply an off-signal.
즉, 상기 제어부(440)는 상기 발라스터 유닛(410)에 기준치보다 높은 전류가 흐르거나 높은 전압이 걸리는 경우, 전원부(300)의 전원 공급을 차단하여 장치의 손상을 미리 방지할 수 있다.That is, the controller 440 may prevent damage to the device in advance by blocking the power supply of the power supply unit 300 when a current higher than a reference value or a high voltage is applied to the ballast unit 410.
상기 기준 전류값 또는 기준 전압값은 사용자가 임의로 설정할 수 있다.The reference current value or the reference voltage value may be arbitrarily set by the user.
이상에서 설명된 다중 발라스터 모듈을 포함하는 플라즈마 처리 장치는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.The plasma processing apparatus including the multiple ballast module described above is merely exemplary, and it should be understood that all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention are included in the scope of the present invention.

Claims (10)

  1. 챔버;chamber;
    상기 챔버 내에 구비되는 복수개의 방전 전극 세트;A plurality of discharge electrode sets provided in the chamber;
    상기 방전 전극 세트로 전력을 공급하기 위한 전원부; 및A power supply unit for supplying power to the discharge electrode set; And
    상기 방전 전극 세트 및 전원부 사이에 구비되는 발라스터 모듈;을 포함하며,And a ballast module provided between the discharge electrode set and the power supply unit.
    상기 방전 전극 세트는 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극 및 상기 제 1 방전 전극과 다른 극성을 가지며 y축 방향으로 이격되어 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극을 포함하며, 상기 복수개의 방전 전극 세트 각각은 x축 방향으로 서로 이격되어 마주보는 형태로 배치되며, 서로 마주보는 위치에 구비되는 방전 전극은 서로 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The discharge electrode set includes at least one first discharge electrode and at least one second discharge electrode having a different polarity from the first discharge electrode and spaced apart in the y-axis direction, wherein each of the plurality of discharge electrode sets Plasma processing apparatus, characterized in that disposed in a form facing each other spaced apart in the x-axis direction, the discharge electrodes provided at positions facing each other have the same polarity.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은 발라스터 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The apparatus of claim 1, wherein the ballast module comprises a ballast unit.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 발라스터 유닛은 저항, 리액터 및 전자식 저항 소자 중 어느 하나로 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 2, wherein the ballast unit comprises one of a resistor, a reactor, and an electronic resistor.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 2, wherein the ballast module further comprises a switch unit connecting the ballast unit and the power supply unit.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The ballast module of claim 2, further comprising a detector configured to measure an electrical characteristic value of electric power flowing in the ballast unit, and a controller configured to control an operation of the switch unit by comparing a value measured by the detector and a reference value. Plasma processing apparatus.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 방전 전극 및 제 2 방전 전극은 길이, 폭 및 두께를 가지는 플레이트(plate)형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the first discharge electrode and the second discharge electrode have a plate shape having a length, a width, and a thickness.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 방전 전극 및 제 2 방전 전극에는 복수개의 홀(hole)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the first discharge electrode and the second discharge electrode are provided with a plurality of holes.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 방전 전극 세트 사이에는 피처리 대상물이 배치되는 공간이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein a space in which the object to be processed is disposed is provided between the plurality of discharge electrode sets.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 전원부는 직류 전원, 교류 전원 및 펄스 전원 중 어느 하나의 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the power supply unit applies any one of a direct current power source, an alternating current power source, and a pulsed power source.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은,The method of claim 1, wherein the ballast module,
    상기 방전 전극 세트 사이에 흐르는 전류 밀도를 조절하는 발라스터 유닛;A ballast unit configured to adjust a current density flowing between the discharge electrode sets;
    상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부;A switch unit connecting the ballast unit and the power supply unit;
    상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부; 및A detector for measuring an electrical characteristic value of power flowing through the ballast unit; And
    상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And a control unit for controlling the operation of the switch unit by comparing the value measured by the detection unit with a reference value.
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