WO2014048898A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • Organic-based optoelectronic components for example an organic light-emitting diode (OLED) or an organic solar cell, are finding increasing widespread use.
  • OLED organic light-emitting diode
  • organic solar cell for example an organic light-emitting diode (OLED) or an organic solar cell
  • An OLED can have two electrodes, for example two
  • Layer system may include one or more emitter layer (s) in which / which electromagnetic radiation
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing the flow of current.
  • s electron transport layer
  • the organic functional layer system or at least a part thereof may comprise organic substances and / or organic mixtures.
  • organic mixtures may be susceptible to harmful environmental influences.
  • a harmful Environmental influences can be understood as all influences which can potentially lead to degradation or aging, for example cross-linking or crystallization, of organic substances and / or organic mixtures and thus, for example, limit the operating time of the OLED.
  • a harmful environmental influence can be, for example, a substance harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example oxygen and / or water.
  • the organic, electronic component is encapsulated. At the
  • encapsulating an OLED becomes the organic functional layer structure and the electrodes are impermeable to harmful environmental influences
  • Encapsulant surrounded, for example, a thin film that is impermeable to water and oxygen
  • FIG. 6 shows different embodiments of a
  • a carrier 602 On a carrier 602 is a first electrode 604
  • an organic functional layer structure 606 is formed on the first electrode 604.
  • a second electrode 608 is formed on the organic functional layer structure 606 .
  • An encapsulation layer 610, 612 is formed on the second electrode 608. This type of encapsulation is also referred to as thin-film encapsulation.
  • the encapsulation layer 610, 612 is formed such that the encapsulation layer 610, 612 together with the carrier 602, the first electrode 604, the organic
  • the functional layer structure 606 and the second electrode 608 completely surrounds - shown in Figure 6a.
  • the encapsulation layer 610, 612 can be structured-illustrated as encapsulation layer 610.
  • the ambient humidity is in direct, full-surface contact with the encapsulation layer 610 - correspondingly high demands are placed on this encapsulation layer 610.
  • the encapsulation layer for thin-film encapsulated organic light-emitting diodes should be absolutely defect-free. However, during encapsulation, it can not be completely ruled out that there are still defects in the encapsulation layer.
  • Glass cover for example by means of a frit (glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding) applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions on the encapsulation layer.
  • frit glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding
  • Glass cover are laminated using a laminating adhesive.
  • the glass cover can be used as a cavity glass be set up and glued to the OLED, for example, be laminated.
  • the adhesive compound is formed in the geometric edge of the OLED.
  • Layer structure diffuse, so that, for example, a defect in the encapsulation layer of an OLED slowed only leads to a visible defect.
  • Component for example in the light path, but can the aesthetic appearance of the optoelectronic
  • Optoelectronic device can be added or provided with a getter layer.
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all of the abovementioned substances, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • a substance mixture may be understood to mean components of two or more different substances whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • a first substance or a first substance mixture may be equal to a second substance or a second substance mixture, if the chemical and
  • a first substance or a first substance mixture may be similar to a second substance or a second substance mixture if the first substance or the first substance mixture first substance mixture and the second substance or the second
  • composition approximately the same chemical properties and / or approximately the same physical properties
  • Composition crystalline S1O2 (quartz) is considered to be equal to amorphous S1O2 (silica glass) and similar to SiO x .
  • refractive index (quartz) is considered to be equal to amorphous S1O2 (silica glass) and similar to SiO x .
  • crystalline S1O2 may be different from SiO x or amorphous SiO 2.
  • additives for example in the form of dopants, for example, amorphous SiO 2 may have the same or a similar refractive index as
  • the reference quantity in which a first substance resembles a second substance can be explicitly stated or can be derived from the
  • Color by the term may also be “color change be understood d by means of a dye, wherein the exterior color of a substance can be color changed, without coloring the fabric, for example similar to a color filter.
  • a "color change d of a substance can not always have a” coloring "of the substance.
  • a dye may comprise or be formed from one of the following organic dye classes:
  • a dye may include or be formed from an inorganic material, from any of the following inorganic dye class, inorganic dye derivatives, or inorganic
  • Dye pigments transition metals, rare earth oxides,
  • Sulfides, cyanides, iron oxides, zirconium silicates, bismuth vanadate, chromium oxides Sulfides, cyanides, iron oxides, zirconium silicates, bismuth vanadate, chromium oxides.
  • a dye may include or be formed from nanoparticles.
  • carbon for example carbon, for example carbon black; Gold, silver, platinum.
  • Radiation of a wavelength in electromagnetic radiation of different wavelength converts, for example, longer
  • the energy difference between absorbed electromagnetic radiation and emitted electromagnetic radiation can be expressed in phonons, ie heat, be converted and / or by emission of electromagnetic radiation having a wavelength as a function of the energy difference.
  • a phosphor can be any organic compound that can be used in various embodiments.
  • Ce-doped garnets such as YAG: Ce and LuAG
  • Nitrides for example CaAlSiN3: Eu, (Ba, Sr) 2S15 8: Eu;
  • Eu doped sulfides SIONe, SiAlON, orthosilicates,
  • Chlorophosphates BAM (barium magnesium aluminate: Eu) and / or SCAP, halophosphate or be formed thereof.
  • a UV-absorbing additive material may be the transmission for electromagnetic
  • Reduce radiation having a wavelength less than about 400 nm in at least one wavelength range.
  • the lower UV transmission can, for example, by means of a higher absorption and / or reflection and / or
  • a UV-absorbing additive material may comprise or be formed from the group of substances: a substance, a mixture of substances or a stoichiometric compound: T1O2, CeO2, B12O3, ZnO, SnO2, a phosphor, UV-absorbing glass particles and / or suitable UV-absorbing metallic nanoparticles, wherein the phosphor, the glass particles and / or the nanoparticles have an absorption of electromagnetic radiation in the UV range.
  • the UV-absorbing nanoparticles for example, no or a small
  • the nanoparticles can be no or only a small scattering
  • Nanoparticles that have a particle size less than about 50 nm, for example, from 1O2, Ce02, ZnO or B12O3.
  • a dimensionally stable substance can be added by adding
  • Plasticizers for example, solvents, or increasing the temperature become plastically moldable, i. be liquefied.
  • a plastically malleable substance can by means of a
  • Changing the viscosity for example, increasing the viscosity from a first viscosity value to a second viscosity value.
  • the second viscosity value may be many times greater than the first viscosity value, for example in a range of about 10 to
  • the fabric may be formable at the first viscosity and dimensionally stable at the second viscosity.
  • the solidification of a substance or mixture of substances may involve a process or a process in which
  • low molecular weight constituents are removed from the substance or mixture of substances, for example solvent molecules or low molecular weight, uncrosslinked constituents of the substance or of the substance mixture, for example a drying or
  • the substance or the mixture of substances may, for example, in the moldable state have a higher concentration of low molecular weight substances in the entire substance or substance mixture than in
  • a body of a dimensionally stable substance or mixture of substances may be malleable, for example when the body is arranged as a film, for example one
  • Plastic film a glass foil or a metal foil.
  • Such a body may, for example, be termed mechanically flexible, since changes in the geometric shape of the body, for example, bending of a film,
  • a mechanically flexible body for example a film
  • a mechanically flexible body can also be plastically moldable, for example by the mechanically flexible body being solidified after deformation, for example a
  • connection of a first body to a second body may be positive, non-positive and / or cohesive.
  • the connections may be detachable, i. reversible.
  • a reversible, interlocking connection can be realized, for example, as a screw connection, a hook-and-loop fastener, a clamping / use of staples.
  • connections may also be non-detachable, i. irreversible.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means.
  • the first body can be connected to the second body by means of atomic and / or molecular forces.
  • Cohesive compounds can often be non-releasable compounds.
  • a cohesive connection In various embodiments, a cohesive connection
  • a solder joint for example, a glass solder, or a Metalotes, a welded joint be realized.
  • an electronic component for example, an electronic component
  • an optoelectronic component for example, an optoelectronic component
  • Component can be understood in an electrical circuit, wherein the circuit can be electrically closed, for example by means of the electrical contacting of the electronic component.
  • an electronic component can be understood as a component which controls, controls or amplifies an electrical component
  • An electronic component can have a component from the group of components:
  • a diode for example, a diode, a transistor, a
  • Thermogenerator an integrated circuit, a thyristor.
  • electronic component to be understood as an embodiment of an electrical component.
  • the optoelectronic component has an optically active region.
  • an optically active region of an optoelectronic component can be understood as the region of an optoelectronic component which absorbs electromagnetic radiation and from this can form a photocurrent or by means of an applied voltage to the optically active region
  • emitting electromagnetic radiation can emit electromagnetic radiation.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • An optoelectronic component which has two flat, optically active sides, for example
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a planar, optically inactive side, for example an organic light-emitting diode which is set up as a top emitter or bottom emitter.
  • a component emitting electromagnetic radiation may, for example, be a semiconductor component emitting electromagnetic radiation and / or an electromagnetic component
  • electromagnetic radiation emitting diode as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • a light emitting diode for example, as a light emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as light emitting Transistor or emitting as organic light
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided,
  • Embodiments for example as an organic compound
  • Light-emitting diode organic light emitting diode - OLED
  • an organic photovoltaic system for example an organic solar cell
  • the organic functional layer system comprise or be formed from an organic substance or an organic substance mixture which, for example, for providing an electromagnetic radiation from a supplied electric current or to
  • a harmful environmental influence can be, for example, a substance harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example oxygen and / or, for example, a solvent, for example water.
  • a harmful environmental influence may be, for example, an environment which is harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example a change above or below a critical value, for example the temperature and / or a change in the ambient pressure.
  • a diffusion channel in a layer can be understood as a cavity in the layer having at least two openings, for example a hole, a pore, a connection or the like.
  • Through the diffusion channel can migrate or diffuse a substance or mixture of substances from an opening of the diffusion channel to the at least one second opening of the diffusion channel, for example by means of an osmotic
  • a diffusion channel may for example be formed in the layer such that different sides of the layer are interconnected by the diffusion channel (interconnect).
  • Diffusion channel can, for example, a diameter
  • a diffusion channel in a layer may be, for example, flaws, grain boundaries or the like in the layer or formed thereby.
  • a getter layer may include or be formed from a getter.
  • a getter layer having a getter may have a getter in the form of particles dispersed and / or dissolved in a matrix.
  • a "getter” may comprise a substance or a mixture of substances which absorbs harmful substances and / or harmful substance mixtures, for example oxygen or water of atmospheric moisture, however, a getter may also be distributed in a matrix, for example in the form of particles or dissolved, and by means of the absorption of harmful substances or harmful substance mixtures cause the substance or mixture of substances of the matrix additionally oxygen-repellent and / or
  • a “getter” may comprise a substance or a substance mixture which absorbs harmful substances and / or harmful mixtures of substances, for example oxygen or the water of atmospheric moisture, but a getter may also be distributed in a matrix,
  • a getter may have in various embodiments as a substance, for example, an oxidizable substance or be formed therefrom.
  • an oxidizable substance can react with oxygen and / or water and thereby bind these substances.
  • getters may comprise or be formed from easily oxidizing substances from the chemical group of alkali metal and / or alkaline earth metals, for example magnesium, calcium, barium, cesium, cobalt, yttrium, lanthanum and / or rare earth metals.
  • aluminum, zirconium, tantalum, copper, silver and / or titanium or oxidizable non-metallic substances For example, aluminum, zirconium, tantalum, copper, silver and / or titanium or oxidizable non-metallic substances.
  • a getter can also use CaO, BaO and MgO
  • a getter may also include or be formed from a desiccant.
  • a desiccant may irreversibly absorb water without altering volume or binding water by physisorption without significantly altering its volume.
  • a getter can in different configurations, for example, have dried silica gels or zeolites or be formed from it.
  • a getter comprising or formed from a zeolite can adsorb oxygen and / or water in the pores and channels of the zeolite. In the adsorption of water and / or oxygen by means of dried silica gels and / or zeolites no harmful substances or mixtures can be formed for the underlying layers.
  • getters of dried silica gels and / or zeolite can not change the volume by means of the reaction with water and / or oxygen.
  • the getter particles in various embodiments, may have a mean diameter less than about 50 ym, for example, less than about 1 ym.
  • the middle one is a mean diameter less than about 50 ym, for example, less than about 1 ym.
  • the diameter of the getter particles should not be greater than the thickness of the getter layer, for example in order not to damage the adjacent layers and the component.
  • the getter particles may in various embodiments, for example, a maximum mean diameter
  • Getter particles having an average diameter of less than about 1 ⁇ m, for example in a range of about 10 nm to about 500 nm, may have the advantage that even in a dense packing of the getter particles
  • getter particles having an average diameter of less than about 100 nm may be optically inactive, for example, may not scatter light.
  • an antireflection layer can be understood as a layer which has become an internal layer
  • Decoupling or internal coupling is set up.
  • internal decoupling for example
  • electromagnetic radiation for example light
  • the average refractive index may be the sum of the layer thickness-averaged refractive indices of the sublayers.
  • Refractive index of the sub-layer with the relative proportion of the thickness of the layer to the thickness of the layer structure
  • optoelectronic component comprising: a carrier; an organic functional layer structure, wherein the
  • organic functional layer structure is formed on or above a support and for receiving and / or
  • Provision of electromagnetic radiation is set up; one in the beam path of the organic functional
  • a layered antireflection / getter layer structure comprising: getter material having a lower average refractive index than the one
  • An antireflection layer wherein material of the antireflection layer in the optical path of the organic functional layer structure is at least partially disposed between the organic functional layer structure and the getter material, and wherein the material of the antireflection layer interposed between the organic functional layer structure and the
  • Getter material is arranged, a mean refractive index which is greater than the average refractive index of the getter material and / or at least one scattering
  • the getter may be formed in a getter layer, the getter being contained in a getter matrix.
  • the substance or the substance mixture of the getter matrix for the optoelectronic component for the purpose of the optoelectronic component, the substance or the substance mixture of the getter matrix for the optoelectronic component, the substance or the substance mixture of the getter matrix for the optoelectronic component, the substance or the substance mixture of the getter matrix for
  • cohesive bonding for example, have an adhesive or be formed from it.
  • At least one type of getter can be used as at least one type
  • At least one type of getter can be achieved in the getter matrix.
  • At least one type of getter can be designed such that the getter reacts with at least one harmful substance.
  • the getter can have or be formed from a substance, so that the at least one harmful substance reacts chemically with the getter.
  • the getter can have or be formed from a substance, so that the at least one harmful substance is physisorbed on the getter.
  • the organic functional layer structure, the getter layer and / or the antireflection layer can / can be made translucent and / or transparent.
  • the optoelectronic component can be designed as an organic, optoelectronic component,
  • an organic solar cell or a
  • the organic functional layer structure may comprise the optoelectronic component further comprising a first electrode and a second electrode, wherein the organic
  • Electrodes is arranged.
  • the optoelectronic component may further comprise at least one barrier thin layer between the organic functional layer structure and the getter.
  • the at least one barrier thin layer may be such
  • Layer structure is formed and surrounding this.
  • the at least one barrier thin layer may comprise or be formed from a substance which is intrinsic
  • the at least one barrier thin layer may comprise or be formed from a ceramic, a metal and / or a metal oxide.
  • the at least one barrier thin layer may at least partially surround the organic functional layer structure, for example at least partially from below, at least partially laterally and / or at least partially from above, for example completely.
  • the at least one barrier thin layer can laterally and / or flatly surround the organic functional layer structure.
  • the at least one barrier thin layer together with the carrier can completely surround the organic functional layer structure.
  • the barrier thin layer can be diffusion channels with respect to at least one harmful substance of the organic
  • the optoelectronic component can have an optically active region and an optically inactive region.
  • At least the optically inactive region can have a getter, for example a getter layer.
  • the getter layer may have a first thickness in a first region and a second thickness in a second region
  • the transition between the first region and the second region may be discontinuous
  • the first region may have the optically active region and the second region may have the optically inactive region.
  • the antireflection layer can be designed such that the proportion of electromagnetic radiation that is reduced by at least one interface of the getter layer
  • the antireflection layer may have a higher refractive index than the getter layer.
  • the antireflection layer can have a higher average
  • the antireflection layer in the beam path of the optoelectronic component in one embodiment, the antireflection layer in the beam path of the
  • Optoelectronic component between the organic functional layer structure and the getter layer may be formed.
  • the antireflection layer may have an average refractive index in a range from approximately 1.5 to approximately 2.5.
  • the antireflection layer may have at least one type of additive in a matrix.
  • the substance or the substance mixture of the matrix can also be referred to as molding material or potting material.
  • the matrix may comprise a substance or a substance mixture which intrinsically has a refractive index in a range from approximately 1.3 to approximately 2.5.
  • At least one type of additional material of the antireflection layer of the antireflection layer may be formed such that the
  • Antireflective layer has a mean refractive index in a range of about 1.5 to about 2.5.
  • Additional material that increases the refractive index of the antireflection layer may be formed as particles.
  • the particles may be non-diffusive to light, for example, having a mean diameter in a range of about 10 nm to about 200 nm.
  • particles may have a refractive index in a range of about 1.5 to about 2.5.
  • This type of additional material can be used as a substance or mixture of substances
  • a metal, a metal oxide, and / or a ceramic or be formed therefrom for example Ti02, Al2O3, Y2O3 or Zr02.
  • This type of additional material for example, a mass fraction in terms of
  • Antireflective layer in a range of about 2% to about 70%.
  • the antireflection layer may have at least one type of additional material.
  • the getter as a kind of additional material of
  • Antireflection layer may be formed.
  • At least one type of additional material may be present as particles, i. particulate additives, be formed. In one embodiment of the optoelectronic component, at least one type of additional material can be dissolved in the matrix.
  • the matrix may comprise or be formed from a glass solder and / or a plastic.
  • the antireflection layer can be planar, for example
  • the antireflection layer may have a thickness in a range of about 1 ⁇ m to about 100 ⁇ m, for example in a range of about 10 ⁇ m to about 100 ⁇ m, for example about 25 ⁇ m.
  • the antireflection layer as a layer in a
  • Cut level of an organic light emitting diode and / or an organic solar cell may be formed.
  • the matrix of the antireflection layer may be formed amorphous. In one embodiment of the optoelectronic component, the matrix of the antireflection layer may comprise a glass and / or a plastic. In one embodiment of the optoelectronic component, the matrix of the antireflection layer may be a substance or
  • PbO-containing systems PbO-B2 ⁇ 03, PbO-S1O2, PbO-B203-SiO 2, PbO-B203-ZnO 2, PbO-B203-Al203, wherein the PbO-containing Glass solder can also have B12O3; Bi2 ⁇ 03-containing systems: B12O3-B2O3, Bi203-B203-SiO2, ⁇ 2 ⁇ 3- ⁇ 2 ⁇ 3- ⁇ , B12O3-B203-ZnO-SiO2.
  • the Bi-containing antireflection layer may additionally comprise a substance or a substance mixture from the group of substances: Al 2 O 3, alkaline earth oxides, alkali oxides, ZrO 2, T 2 O 2, HfC> 2, b 2Ü 5, Ta 2Ü 5, TeO 2, WO 3, MO 3, Sb 2Ü 3 , Ag20, Sn02, rare earth oxides.
  • UV-absorbing additives may be added to the glass of the matrix as glass components.
  • low melting glasses such as lead-containing glasses, can be used to increase UV absorption in the process of
  • Glass melt as glass batch ingredients or substances
  • Mixtures containing Ce, Fe, Sn, Ti, Pr, Eu and / or V compounds may be added.
  • a process of glass melting can be a thermal
  • UV-absorbing additives can be dissolved as an ingredient in the glass.
  • Glass melting can pulverize the glass, in the form of
  • Coatings are applied to a support and then vitrified by means of a temperature treatment.
  • the substance or the substance mixture of the matrix may have a
  • UV protection for layers with respect to the beam path on or above the antireflection layer can be formed.
  • the lower UV transmission of the matrix of the antireflection layer with respect to the substrate can be achieved, for example, by means of a higher
  • the substance or the substance mixture of the matrix of the optoelectronic component in one embodiment, the substance or the substance mixture of the matrix of
  • Antireflex layer be liquefied at a temperature up to about 600 ° C.
  • the matrix may have or be formed from one of the following substances: a silicone, for example
  • Polydimethylsiloxane polydimethylsiloxane / polydiphenylsiloxane; a silazane, an epoxy, a polyacrylate, a polycarbonate, a polyimide, a polyurethane or the like, for example, a silicone hybrid, a silicone-epoxy hybrid.
  • the additives may be an inorganic substance or a
  • the at least one kind of additional material of the optoelectronic component in one embodiment, the at least one kind of additional material of
  • Antireflection layer comprise a substance, a mixture of substances or a stoichiometric compound or be formed from the group of substances: 1O2, Ce02, B12O3, ZnO, Sn02, Al2O3, S1O2, Y2O3, Zr 02 ' e i R phosphor, a dye, a UV-absorbing additive material, for example UV-absorbing glass particles, UV-absorbing metallic nanoparticles, a UV-absorbing phosphor.
  • the additives may have a curved surface, for example, similar or equal to an optical lens, for example, similar to a converging lens or
  • the particulate additives may have one of the following geometric shapes and / or a part of one of the following geometric shapes: spherical, aspherical, for example, prismatic, ellipsoidal, hollow, for example, perculatory; compact, platelike, rod-shaped or threadlike.
  • the particulate additives may comprise or be formed from a glass.
  • the particulate additives may have a mean grain size in a range from about 0.01 ym to about 10 ym, for example in a range from about 0.1 ym to about 1 ym.
  • Antireflective layer have a layer with a thickness of about 0.1 ym to about 100 ym.
  • the additives of the antireflection layer can have a plurality of layers one above the other on or above the substrate, wherein the individual layers can be designed differently.
  • the optoelectronic component can in the layers of additives, the average size of
  • the individual layers of the additives may have a different average size of the particulate additives and / or a different optical property for electromagnetic radiation in at least one wavelength range, for example with a wavelength less than about 400 nm.
  • the individual layers of the additives may have a different average size of the particulate additives and / or a different refractive index for electromagnetic
  • the antireflection layer can be used as a scattering layer, i. when
  • the antireflection layer may have particulate additives which are designed as scattering particles for electromagnetic radiation, for example light, wherein the
  • Scattering particles can be distributed in the matrix.
  • the matrix may have at least one scattering additive material, so that the antireflection layer additionally has a scattering effect with respect to incident electromagnetic radiation in at least one of the two
  • Wavelength range can form, for example by means of a different refractive index of the matrix
  • the antireflection layer with scattering additives can have a difference of the refractive index of the scattering additives from the refractive index of the matrix of greater than approximately 0.05.
  • the part of the scattering layer above the scattering centers can have a thickness equal to or greater than the roughness of the uppermost layer of the scattering particles without a matrix, so that at least one smooth surface is formed, i. the surface may have a low RMS roughness (root mean square), for example less than 10 nm.
  • a filler material may be configured as a dye
  • the visual appearance of the antireflection layer can be changed by means of the dye.
  • the dye can absorb electromagnetic radiation in an application-specifically irrelevant wavelength range or undesired wavelength ranges
  • the visual appearance of the antireflection layer can be changed, for example, the anti-reflection inking color without the efficiency in one for the application of the
  • the antireflection layer can additionally be set up as a color layer.
  • a supplementary material of the antireflection layer can be set up as a type of UV-absorbing additive material.
  • Antireflective layer additionally as a UV protection layer
  • an additional material of the antireflection layer as
  • Wavelength-converting additional material for example as a phosphor, be formed.
  • the wavelength-converting additional material for example as a phosphor
  • Antireflective layer in addition as a phosphor layer
  • a supplementary material of the antireflection layer can be set up as a getter.
  • Antireflection layer additionally be set up as a getter layer.
  • the additives can scatter electromagnetic radiation, absorb UV radiation, the wavelength of
  • Additives which, for example, can scatter electromagnetic radiation and can not absorb UV radiation may comprise or be formed from, for example, Al 2 O 3, SiO 2, Y 2 O 3 or ZrO 2.
  • Additives which, for example, scatter electromagnetic radiation and convert the wavelength of electromagnetic radiation can be set up, for example, as glass particles with a phosphor.
  • the getter particles can be configured as scattering particles.
  • the antireflection layer may be structured, for example topographically, for example laterally and / or vertically;
  • the antireflection coating for example laterally and / or vertically, for example with a different local concentration of at least one additional material.
  • the concentration of the additives in the antireflection layer may be smaller or larger in at least a third region than in a fourth region.
  • the antireflection layer may have at least one structured interface.
  • the at least one structured interface may be formed by, for example, roughening one of the interfaces or forming a pattern on one of the interfaces
  • the structured interface of the antireflection layer may be formed by microlenses.
  • the microlenses and / or the interface roughness can be understood, for example, as scattering centers,
  • the antireflection layer can be used as an optical grating
  • At least one antireflection layer together with the carrier can form the organic functional layer structure
  • the at least one getter layer together with the carrier can at least partially surround the organic functional layer structure which at least partially surrounds at least one barrier thin layer and / or the at least one antireflection layer,
  • the optoelectronic component may further comprise at least one protective layer on or above the antireflection layer, wherein the protective layer is formed such that the antireflection layer is protected from at least one harmful substance.
  • the at least one protective layer may be the organic
  • Barrier thin layer which at least partially surrounds at least one antireflection layer and / or the at least one getter layer, for example at least partially from below, at least partially laterally and / or at least partially from above, for example completely.
  • the optoelectronic component may further comprise a cover on or above the getter, wherein the cover is arranged such that the diffusion rate of at least one harmful substance is reduced in the getter, for example on or over a flat surface of the optoelectronic device ,
  • the organic functional layer structure may be arranged on or above the getter and / or the barrier thin film.
  • At least one electrical feedthrough may be formed in the at least one protective layer, the carrier, the at least one barrier thin layer, the at least one antireflection layer and / or the at least one getter layer, wherein the electrical feedthrough forms a
  • Layer structure is arranged, for example, to electrically contact the at least one electrode electrically connected to the organic functional
  • the optoelectronic component can have at least two Antireflection / getter layer structures, wherein the at least two antireflection / getter layer structures are arranged on or above the same side or on or over different sides of the organic functional layer structure.
  • the method comprising: providing an organic functional layer structure on or over a support, wherein the organic functional
  • Layer structure is formed for receiving and / or providing electromagnetic radiation; Forming an anti-reflection / getter layer structure in the optical path of the organic functional layer structure, the antireflection / getter layer structure comprising: a getter material having a lower average refractive index than the organic functional layer structure; and a
  • An antireflection layer wherein material of the antireflection layer is formed in the optical path of the organic functional layer structure at least partially between the organic functional layer structure and the getter material, and wherein the material of the antireflection layer interposed between the organic functional layer structure and the getter material
  • Getter material is arranged, has a mean refractive index, which is greater than the average refractive index of the getter material and / or at least one scattering
  • the organic functional layer structure, the getter layer and / or the antireflection layer can be made translucent and / or transparent. In one embodiment of the method, the
  • optoelectronic device For example, an organic solar cell or a
  • the method may further comprise forming a first electrode and a second electrode, wherein the organic functional
  • the getter can be formed in a getter layer, wherein the getter is contained in a getter matrix.
  • the substance or the substance mixture of the getter matrix can be designed for cohesive bonding, for example comprising or being formed from an adhesive.
  • At least one type of getter can be set up as at least one type of particle, wherein the at least one kind of getter particle is distributed in the getter matrix, for example homogeneously and / or as at least one layer. In one embodiment of the method, at least one type of getter can be achieved in the getter matrix.
  • At least one type of getter can be designed such that the getter reacts with the at least one harmful substance.
  • the getter can have or be formed from a substance, so that the at least one harmful substance reacts chemically with the getter.
  • the getter may include or be formed from a fabric such that the at least one harmful substance is physisorbed on the getter.
  • the method may further comprise forming an optically active region and an optically inactive region, wherein a getter is formed, at least in the optically inactive region, for example a gettering layer.
  • the getter layer may be formed in a first region having a first thickness and in a second region having a second thickness, wherein the second thickness is smaller than the first thickness.
  • the transition between the first region and the second region may, for example, be discontinuous, for example similar to a step, or may be continuous, for example linear, non-linear.
  • the first area may have the optically active area and the second area may have the optically inactive area.
  • the method may further comprise forming at least one barrier thin layer between the organic functional layer structure and the getter, for example in physical contact with the organic functional layer structure.
  • the at least one barrier thin layer may be formed such that the organic functional layer structure is protected from harmful substances.
  • the at least one barrier film may comprise or be formed from a material which is intrinsically impermeable with respect to harmful substances, such as impermeable to water and / or oxygen.
  • the at least one barrier thin layer may comprise or be formed from a ceramic, a metal and / or a metal oxide.
  • the at least one barrier thin layer can be formed such that the at least one barrier thin layer the organic
  • functional layer structure at least partially surrounds, for example at least partially from below, at least partially laterally and / or at least partially from above, for example completely.
  • the at least one barrier thin layer can be formed such that the at least one barrier thin layer the organic
  • the at least one barrier thin layer can be formed such that the at least one barrier thin layer completely surrounds the organic functional layer structure together with the carrier.
  • Antireflection layer are formed such that the proportion of the electromagnetic radiation is reduced by at least one interface of the getter layer is reflected.
  • Antireflection layer are formed such that the
  • Antireflection layer has a higher average refractive index than the organic functional layer structure.
  • Layer structure and the getter layer can be formed.
  • Antireflection layer are formed such that the
  • Antireflection layer approximately a mean refractive index between the amount of the average refractive index of
  • Antireflection layer are formed such that the
  • Antireflective layer has a mean refractive index in a range of about 1.5 to about 2.5.
  • Antireflection layer are formed such that the
  • Antireflection layer has at least one kind of additional material in a matrix.
  • the substance or the substance mixture of the matrix can also be referred to as molding material or potting material.
  • At least one type of additional material can be distributed in the matrix. In one embodiment of the method, at least one type of additional material can be used as particles, ie particulate
  • Additives to be trained.
  • at least one type of additional material can be dissolved in the matrix.
  • the matrix may comprise a substance or a mixture of substances which intrinsically has a refractive index in a range from about 1.3 to about 2.5.
  • At least one type of additional material of the antireflection layer can be formed such that the antireflection layer has a central
  • Refractive index in a range of about 1.5 to about 2.5 is a range of about 1.5 to about 2.5.
  • Additional material that increases the refractive index of the antireflection layer may be formed as particles.
  • the particles may be non-diffusive to light, for example, having a mean diameter in a range of about 10 nm to about 200 nm.
  • the particles may have a refractive index in a range of about 1.5 to about 2.5. This kind
  • Additional material can be used as a substance or mixture of substances
  • a metal, a metal oxide, and / or a ceramic or be formed therefrom for example Ti02, Al2O3, Y2O3 or Zr02.
  • This type of additional material for example, a mass fraction in terms of
  • Antireflective layer in a range of about 2% to about 70%.
  • the getter can be formed as a kind of additional material of the antireflection layer.
  • the matrix may comprise or be formed from a glass solder and / or a plastic.
  • Antireflection layer over the entire surface formed on or above the substrate, for example, be arranged.
  • the method the
  • Antireflective layer are formed with a thickness in a range of about 1 ym to about 100 ym, for example in a range of about 10 ym to about 100 ym, for example about 25 ym.
  • the matrix of the antireflection layer can be made amorphous.
  • the matrix of the antireflection layer may comprise or be formed from one of the following group of glass systems: PbO-containing systems: PbO-B 2 O 3 PbO-SiO 2, PbO-B 2 O 3 -SiO 2, PbO-> 2 ⁇ 3 - ⁇ O 2, PbO-B203-Al2C> 3, wherein the PbO-containing glass solder may also have B12O3; Bi2 ⁇ 03-containing systems: B12O3-B2O3, Bi203-B203-SiO2, ⁇ 2 ⁇ 3- ⁇ 2 ⁇ 3- ⁇ ⁇ ⁇ , Bi203-B203-ZnO-SiO2.
  • the Bi-containing antireflection layer may additionally comprise one of the following substances or a substance mixture of the following substances: Al 2 O 3, alkaline earth oxides, alkali oxides, ZrC> 2, TIO 2, HfC> 2, b 2Ü 5, Ta 2Ü 5, TeO 2, WO 3, MO 3, Sb203, Ag20, Sn02, rare earth oxides.
  • additives for example UV-absorbing additives
  • glass components for example, low-melting glasses,
  • lead-containing glasses for increasing the UV absorption, in the process of glass melt, as
  • a process of glass melting can be a thermal
  • Additives for example UV-absorbing additives, may for example be dissolved as a constituent in the glass. Following the process of glass melting, the glass can be pulverized into glass particles, in the form of
  • Coatings are applied to a support and then vitrified by means of a temperature treatment.
  • the substance or the substance mixture of the matrix may have an intrinsically lower UV transmission than the substrate.
  • UV protection for layers on or above the antireflection layer can be formed.
  • the lower UV transmission of the matrix of the antireflection layer with respect to the substrate can be formed.
  • UV radiation be formed for example by means of a higher absorption and / or reflection of UV radiation.
  • Temperature be liquefied to a maximum of about 600 ° C.
  • Antireflection layer may be formed as glass particles.
  • the glass particles may contain additives, for example the particulate additives.
  • a layer of particulate additives on or above the substrate can be formed from the at least one kind of additives.
  • a coating of glass particles can be formed on or over a layer of particulate additives. The formation of the coating of glass particles can, for example, by means of a
  • Glass particle suspension or glass particle paste are formed.
  • particulate additives are dried by means of evaporating components at a first temperature.
  • the organic components (binders) from the dried layer of the particulate additives as well as from the dried glass powder layer substantially
  • Temperature is much greater than the first temperature of the drying, the glass or glass powder of the substance or the
  • Substance mixtures of the matrix of the antireflection layer are softened so that it is liquefied, for example, can flow.
  • Liquefaction or vitrification of the glass powder layer can of be dependent on the carrier of the optoelectronic component.
  • the temperature regime (temperature and time) can be chosen so that the carrier does not deform, but the glass solder of the antireflection coating already has a viscosity
  • the glass of the glass powder layer may have a second temperature, i. the glazing temperature, for example below the transformation point of the support,
  • the carrier glass for example, the carrier glass, (viscosity of the carrier
  • n 10 dPa-s).
  • the glass powder when using a soda lime glass as a carrier, at
  • Particulate additives flows, at least one continuous coherent glass connection of the carrier with the
  • liquefied glass are formed above the particulate additives.
  • the surface of the liquefied glass above the particulate additives after solidification of the glass by means of a local heating can be additionally smoothed once again.
  • the local heating in one embodiment of the method, the local
  • Heating can be formed by means of plasma or laser radiation.
  • the matrix of the antireflection layer may comprise or be formed from one of the following substances: a silicone, for example
  • Polydimethylsiloxane polydimethylsiloxane / polydiphenylsiloxane; a silazane, an epoxy, a polyacrylate, a polycarbonate, a polyimide, a polyurethane or the like, for example, a silicone hybrid, a silicone-epoxy hybrid.
  • Antireflex layer be formed wet-chemically
  • the additives may be dissolved in the solution, suspension, dispersion or paste of the organic matrix.
  • the organic matrix can be applied on or above a layer of particulate additives such that the substance or the
  • the antireflection layer can be formed by means of doctoring a solution, paste, suspension or dispersion.
  • the additives may comprise or be formed from an inorganic substance or an inorganic substance mixture.
  • the at least one type of additional material of the antireflection layer can be a substance or a mixture of substances or a stoichiometric compound or are formed therefrom from the group of substances: T1O2, CeO2, B12O3, ZnO, SnO2, Al2O3, S1O2, ⁇ 2 ⁇ 3 > ZrO2, a phosphor, a dye, a UV-absorbing additive material For example, UV-absorbing glass particles, UV-absorbing metallic nanoparticles, a UV absorbing phosphor.
  • the additives may have a curved surface, for example, similar or equal to an optical lens.
  • particulate additives have one of the following geometric shapes and / or a part of one of the following geometric shapes: spherical, aspherical, for example, prismatic, ellipsoidal, hollow, for example
  • particulate additives have a glass or be formed from it.
  • the method the
  • particulate additives a mean grain size one
  • the additives on or over the substrate in the antireflective layer may comprise a layer having a thickness of about 0.1 ym to about 100 ym
  • Antireflective layer several layers on top of each other or over having the substrate, wherein the individual layers
  • the average size of the particulate additives of at least one particulate additive material can decrease from the surface of the substrate.
  • the individual layers of the additives may have a different average size of the particulate additives and / or a different
  • Transmission for electromagnetic radiation in at least one wavelength range for example, having a wavelength less than about 400 nm.
  • the individual layers of the additives may have a different average size of the particulate additives and / or a different refractive index for electromagnetic radiation.
  • Antireflection layer as a scattering layer i. as decoupling layer or coupling layer can be formed.
  • the decoupling layer or coupling layer can be formed.
  • Antireflex für particulate additives have, as scattering particles for electromagnetic radiation,
  • Scattering particles can be distributed in the matrix.
  • the matrix may have at least one scattering additive material, so that the antireflection layer additionally has a scattering effect with respect to incident electromagnetic radiation in at least one of the two
  • Wavelength range can form, for example by means of a different refractive index of the matrix
  • Antireflection layer are formed such that the
  • Antireflective coating with diffusing additives a difference of the refractive index of the diffusing additives to the
  • Antireflection layer are formed such that the part of the antireflection layer above the scattering centers has a thickness equal to or greater than the roughness of the uppermost layer of
  • the surface may have a low RMS roughness (root mean square), for example less than 10 nm.
  • a filler may be arranged as a dye.
  • the dye can electromagnetic radiation in an application-specifically not relevant wavelength range or unwanted
  • the optical appearance of the antireflection layer can be changed, for example, color the anti-reflection layer without deteriorating the efficiency in a wavelength range technically relevant for the application of the optoelectronic component.
  • the antireflection layer can additionally be formed as a color layer.
  • a filler material of the antireflection layer as a kind of UV-absorbing
  • Antireflective layer additionally as a UV protection layer
  • an additional material of the antireflection layer can be used as wavelength-converting
  • Additional material for example as a phosphor, are formed.
  • Antireflective layer in addition as a phosphor layer
  • a supplementary material of the antireflection layer can be set up as a getter.
  • Antireflection layer can be additionally formed as a getter layer.
  • the additives can scatter electromagnetic radiation, UV radiation
  • Additives which, for example, can scatter electromagnetic radiation and can not absorb UV radiation, may for example comprise or be formed from Al 2 O 3, SiO 2, Y 2 O 3 or ZrO 2.
  • Additives which, for example, scatter electromagnetic radiation and convert the wavelength of electromagnetic radiation can be set up, for example, as glass particles with a phosphor.
  • Antireflection layer are structured, for example
  • topographically for example laterally and / or vertically;
  • the antireflection coating for example laterally and / or vertically, for example with a different local concentration of at least one additional material.
  • the concentration of the additives in the antireflection layer in at least a third region of the optoelectronic component may be smaller or larger than in a fourth region, for example in the optically inactive region.
  • Antireflection layer with at least one structured
  • the at least one structured interface can be any one structured interface.
  • Antireflection layer can be formed.
  • the structured interface of the antireflection layer may be formed by microlenses.
  • the microlenses and / or the interface roughness can be understood, for example, as scattering centers,
  • Antireflection layer can be formed as an optical grating, wherein the optical grating has a structured layer with regions of low refractive index.
  • the at least one antireflection layer can be formed such that the at least one antireflection layer at least partially surrounds the organic functional layer structure, for example at least partially from below, at least partially laterally and / or at least partially from above, for example completely.
  • the at least one getter layer can be formed such that the at least one getter layer at least partially surrounds the organic functional layer structure, which at least partially surrounds at least one barrier thin layer and / or the at least one antireflection layer, for example at least partially from below partially laterally and / or at least partially from above, for example completely.
  • the method may further comprise forming at least one protective layer on or over the antireflection layer, wherein the protective layer is formed such that the antireflection layer is protected from at least one harmful substance.
  • the at least one protective layer may be formed such that the at least one protective layer surrounds the organic functional layer structure, the at least one barrier thin layer at least partially surrounds the at least one antireflection layer and / or the at least one getter layer,
  • the method may further comprise forming a cover on or above the getter, wherein the cover is arranged and / or formed such that the diffusion rate of at least one harmful substance into the getter is reduced,
  • the optoelectronic component for example, on or over a flat surface of the optoelectronic component.
  • the organic functional layer structure can be formed on or above the getter and / or the barrier thin film.
  • At least one electrical feedthrough may be formed in the at least one protective layer, the carrier, the barrier thin layer, the at least one antireflection layer and / or the getter layer, the electrical feedthrough forming a
  • Layer structure is arranged, for example, to electrically contact the at least one electrode of the organic functional layer structure.
  • Optoelectronic device can be formed with at least two antireflection / getter layer structures, wherein the at least two antireflection / getter layer structures on or above the same side or on or over different Pages of the organic functional layer structure are formed.
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various embodiments
  • Figure 2a, b are schematic cross-sectional views
  • Figure 3a, b show schematic cross-sectional views
  • Fig.l shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • the optoelectronic component 100 for example, an electronic component 100 providing electromagnetic radiation, for example a light-emitting
  • Component 100 may have a carrier 102.
  • the carrier 102 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the carrier 102 can be glass, Quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable substance or be formed therefrom.
  • the carrier 102 may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyolefins
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier 102 may comprise one or more of the above-mentioned substances.
  • the carrier 102 may include or be formed from a metal or metal compound, such as copper, silver, gold, platinum, or the like.
  • a carrier 102 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • the term "transparent” or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • Embodiments as a special case of "translucent" to look at.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • the barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged on or above the barrier layer 104.
  • the electrically active region 106 may be understood as the region of the light emitting device 100 in which an electric current is used to operate the
  • the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organic functional layer structure 112, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 eg, in the form of a first
  • Electrode layer 110 may be applied.
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as, for example, ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 O 3
  • ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO include Zri2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, Mgln204, GalnO3, ⁇ 2 ⁇ 5 or
  • Iri4Sn30i2 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs can be used in various embodiments.
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 110 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • Networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers for example of Graphene particles and layers
  • Networks of semiconducting nanowires for example of Ag
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 comprises or is formed from a metal
  • the first electrode 110 may have a layer thickness of, for example less than or equal to about 25 nm, for example one
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a the first electrode 110 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 110 has or is formed from a conductive transparent oxide (TCO)
  • the first electrode 110 has, for example, a layer thickness in a range from approximately 50 nm to approximately 500 nm, for example a layer thickness in a range from approximately 75 nm to approximately 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 110 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes, which may be combined with conductive polymers, or of graphene. Layers and composites are formed, the first electrode 110, for example, a
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 may be formed as an anode, ie as a hole-injecting electrode or as
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 110.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 112 may comprise one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 116 (also referred to as hole transport layer (s) 120).
  • emitter layers 118 for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters
  • hole line layers 116 also referred to as hole transport layer (s) 120.
  • one or more electron conduction layers 116 may be provided.
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • phosphorescent emitter layer 118 and a red phosphorescent emitter layer 118.
  • the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these materials.
  • the organic functional layer structure 112 may be one or more
  • Hole transport layer 120 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 120 can be any substance for the hole transport layer 120 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • the electroluminescent layer may be carried out electroluminescent layer.
  • the electroluminescent layer may be carried out electroluminescent layer.
  • Hole transport layer 120 may be deposited on or over the first electrode 110, for example, deposited, and the emitter layer 118 may be on or above the
  • Hole transport layer 120 may be applied, for example, be deposited.
  • electron transport layer 116 may be deposited on or over the emitter layer 118, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 112 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 120 and
  • the organic functional layer structure 112 for example, a
  • each OLED may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5
  • organic functional layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 ym.
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 116 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • organic functional layer structure 112 On or above the organic functional layer structure 112 or optionally on or above the one or more further organic functional layers
  • Layer structures may be the second electrode 114
  • a second electrode layer 112 (for example in the form of a second electrode layer 114) may be applied.
  • Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 may be made of one or more embodiments in various embodiments
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both formed translucent or transparent. Thus, the shown in Fig.l
  • light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • On or above the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” 108 or a “barrier thin film” 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier film 108 is formed to be resistant to OLED damaging materials such as
  • the barrier thin-film layer 108 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier thin film 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 108 or one or more sublayers of the barrier film 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PLCVD plasmaless vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sub-layers, all sub-layers are formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence which has only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate.” According to an alternative embodiment, in a
  • Barrier thin film 108 having a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier thin film 108 by a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 108 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin layer 108 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum ⁇ doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack with a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the barrier layer 108 have one or more high-index materials, in other words, one or more high-level materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • the cover 126 for example made of glass, for example by means of a frit bonding (glass bonding / glass soldering / seal glass bonding) by means of a conventional glass solder in the geometric
  • Edge regions of the organic optoelectronic component 100 with the barrier thin layer 108 are applied.
  • an anti-reflection layer 128 may be provided on or above the barrier thin-film layer 108
  • the antireflective layer 128 may comprise a fabric having an intrinsic refractive index in a range of about 1.5 to about 2.5. In one embodiment, the
  • Antireflection layer 128 have a substance mixture
  • a matrix in which at least one kind of additives is distributed can be used.
  • the at least one kind of additives can be used.
  • the matrix may have at least one further type of additives, wherein the at least one further type of additives is electromagnetic
  • This layer may also be referred to as a getter layer, for example the getter layer 204, 404, wherein the getter layer has or is formed from a getter.
  • a getter layer having a getter may have a getter matrix in which the getter is distributed.
  • the antireflective layer 128 and the getter may be on or over the carrier 102 and / or on or above the carrier
  • Barrier thin layer 108 may be formed.
  • FIGS. 2 to 6 show various exemplary embodiments of an optoelectronic component with a getter layer, in order to provide different embodiments of the invention Position of a getter layer in the layer cross section too
  • Scattering particles can be formed.
  • Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126, a metal foil cover 126, a sealed
  • Barrennünn für 108 attached for example, is glued, for example, a physical contact with the
  • Antireflection layer 128 and / or the getter layer has.
  • an outer barrier layer may be formed on or above the cover 126 (not shown), for example, according to one of
  • the optically translucent layer of adhesive and / or protective lacquer 124 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ m
  • a layer thickness of several ym for example, a layer thickness of several ym.
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can in various embodiments embedded yet light scattering particles, which contribute to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example scattered dielectric particles, such as, for example, metal oxides, such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • metal oxides such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • Alumina, or titania may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer is disposed between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124.
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ym, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ym to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • an adhesive may be a high refractive index adhesive
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the barrier thin layer 108 by means of, for example, plasma spraying.
  • FIG. 2 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic component according to one of the embodiments of the description of FIG. 1, which is characterized by the cutout 100 in the cross-sectional view 200.
  • Radio signals layer structure 112, the second electrode 114, the barrier thin layer 108 and the antireflective layer 128 may be formed according to one of the embodiment of the descriptions of Fig.l.
  • the getter layer 204 may comprise a getter matrix and at least one type of getter, for example a zeolite.
  • the getter matrix may be similar to one embodiment of
  • Adhesive layer 124 of the descriptions of Fig.l be formed.
  • the barrier layer 206 or the protective layer 206 may according to one of the embodiments of the barrier layer 104 and / or the barrier thin film 108 of the description of FIG. 1
  • the carriers 208 of the outer barrier layer 206 may be formed in accordance with any of the embodiments of the cover 126 of the description of FIG.
  • FIG. 2a Shown in Fig. 2a is a schematic
  • a first electrode 110 may be formed.
  • the first electrode 110 may be an organic functional layer structure 112
  • a second electrode 114 On or above the organic functional layer structure 112, a second electrode 114
  • a barrier thin film 108 may be formed.
  • the barrier thin-film layer 108 may be structured in such a way that the barrier thin-film layer at least partially surrounds the first electrode 110, the organic functional layer structure 112 and the second electrode 114, for example completely together with the carrier.
  • the barrier thin-film layer 108 may be unstructured and additionally flat on or above the carrier 102 without an electrically active region 106
  • the planar region of the carrier 102 with the electrically active region 106 can also be referred to as the optically active region 212.
  • Optoelectronic component on or above the carrier 102 without organic functional layer structure 112 may also be referred to as optically inactive region 214.
  • Optoelectronic component on or above the carrier 102 without organic functional layer structure 112 may also be referred to as optically inactive region 214.
  • the barrier film 108 On or above the barrier film 108 may be a
  • Antireflection layer 128 may be formed.
  • the antireflection layer 128 may be formed such that the antireflection layer 128 at least partially surrounds the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114, and the barrier thin-film 108, for example, completely in common with the carrier 102.
  • a getter layer 204 may be formed on or above the antireflection layer 128, a getter layer 204 may be formed.
  • the gettering layer 204 may be formed such that the gettering layer 204 completely surrounds the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114 at least partially surrounds the barrier thin layer 108 and the antireflection layer 128, for example, together with the support 102 ,
  • getter layer 204 may be an outer
  • Barrier layer 206 may be formed. The outer one
  • Barrier layer 106 may also be referred to, for example
  • Protective layer 206 may be designated.
  • the getter layer 204 may be configured to receive moisture that may, for example, penetrate through the outer barrier layer 206 via the geometric edge of the optoelectronic device.
  • the outer barrier layer 206 may be configured to reduce moisture diffusion into the gettering layer 204 so that the amount of diffused water may be permanently bound by the getter of the gettering layer 204.
  • On or above the outer barrier layer 206 may be a
  • Cover 208 may be formed.
  • the cover 208 may also be configured as a carrier 208 or substrate 208 of the outer barrier layer 206.
  • the outer barrier layer 206 may be formed on or over the cover 208 and
  • the getter layer 204 Joined to the getter layer 204, for example, by the getter layer 204 having an adhesive.
  • the cover 208 may be formed with outer barrier layer 206 as a barrier film and laminated, for example, on the getter layer 204.
  • outer barrier layer cover 208 may include or be formed of an intrinsically hermetic material with respect to at least one harmful substance (for the optically active region), such as a ceramic, a metal, and / or a
  • Metal oxide for example in the form of a film
  • the cover 208 with outer barrier layer 206 may prevent direct, full-area contact of ambient humidity with the getter layer 204.
  • the getter layer 204 may be formed such that the getter layer 204 in the edge region of the optoelectronic component, for example in optically inactive region 214, has a smaller layer thickness than in the optically active region 212. As a result, the direct contact of the getter layer 204 with ambient moisture can be reduced.
  • Getter layer 204 and outer barrier layer 206 may control the amount of water, i. Moisture that reaches the barrier film 108, i. both
  • Layers in combination, may relieve the actual barrier, i. the barrier film 108, with respect to diffusing, harmful substances.
  • cover 208 and / or the outer barrier layer 206 may also be optional.
  • Fig.2b is an embodiment of a
  • the anti-reflection layer 210 with getter additive may be formed such that the anti-reflection layer 210 with gettering additive at least partially surrounds the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114, and the barrier thin-film 108, for example together with the support 102 completely surrounds.
  • the carrier 102, the first electrode 110, the organic radio signal layer structure 112, the second electrode 114, the barrier thin-film 108, and the antireflective layer 128 may be formed according to one of the embodiments of the descriptions of FIG. 1 or FIG.
  • the getter layer 204 may according to one embodiment of the adhesive layer 124 of the descriptions of Fig.l and / or the antireflection layer 210 of the description of FIG
  • getter layer 204 has a getter matrix and at least one kind of getter.
  • the outer barrier layer 206 or the protective layer 206 may be formed in accordance with one of the embodiments of the barrier layer 104 and / or the barrier thin-film layer 108 of the description in FIG.
  • the carriers 208 of the outer barrier layer 206 may be formed in accordance with any of the embodiments of the cover 126 of the description of FIG.
  • FIG. 3a shows a schematic layer cross section of an exemplary embodiment of an optoelectronic component, similar to an embodiment of FIG.
  • the outer barrier layer 206 may surround the side surfaces of the getter layer 204.
  • the outer barrier layer 206 may be formed such that the barrier layer 206 includes the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114, and the barrier thin-film layer 108, the antireflection layer 128. 210 and / or the getter layer 204 together with the carrier 102 completely surrounds.
  • FIG. 3 b shows a schematic layer cross-section of an exemplary embodiment of an optoelectronic component, similar to an embodiment of FIG.
  • the cover 208 may be formed on or over the outer barrier layer 206 as a scratch protection 302.
  • the scratch protection 302 may be configured such that the optically active region 212 and the optically inactive region 214 are protected against mechanical damage
  • the covering of the outermost layer is protected, for example as a metal foil, a glass sheet or a plastic film.
  • scratch protection 302 the covering of the outermost layer
  • Barrier layer 206 should not be optional.
  • FIGS. 4a-d Illustrated in FIGS. 4a-d are exemplary embodiments of an optoelectronic component according to various embodiments
  • organic functional layer structure 112 may be formed. This type of design can also be called
  • Substrate side be designated and, for example
  • the carrier 102, the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114, the barrier film 108, and the antireflection film 128 may be formed in accordance with any one of the configurations of the descriptions of FIGS. 1-3. According to one embodiment of the descriptions of FIG. 1, a barrier layer 104 may be formed on or above the carrier 102.
  • a getter layer 404 may be formed, wherein the
  • getter layer 404 is similar to one of
  • Embodiments of the getter layer 204 of the descriptions of FIG. 2 may be formed.
  • a second one may be on or above the getter layer 404
  • Protective layer 402 may be formed, wherein the second
  • Protective layer 402 similar to one of the embodiments of the first protective layer 206 may be formed.
  • the second protective layer 402 may also be optional.
  • Antireflection layer 128 according to an embodiment of
  • Antireflection layer 128 is at least partially formed in the optically active region.
  • the organic functional layer structure 106 may be formed.
  • the barrier thin film 108 may be formed, wherein the barrier thin film 108 may be the organic functional one
  • the carrier 102 can at least partially surround, for example, together with the carrier 102 can completely surround.
  • the antireflection layer 128 may be on or above the getter layer 404 be formed such that the getter layer 404 at least partially surrounds the antireflection layer 128,
  • the antireflection layer 128 may be formed in a getter layer 404, for example partially or completely surrounded by a getter layer 404.
  • the second protective layer 402 may be formed on or over the antireflection layer 128 and the getter layer 404.
  • the second protective layer 402 may be patterned such that the second protective layer 402 substantially in the optically inactive region 214
  • Layer structure 106 may be in physical contact with antireflection layer 128.
  • Barrier thin layer 108 and second protective layer 402 may be formed such that the surface of the optoelectronic component, for example an optically active side of the optoelectronic component, is partially or completely encapsulated.
  • the antireflection layer 128 can be similar to a
  • Embodiment in Fig. 4a be formed on or above the second protective layer 402 and the second
  • Protective layer 402 - similar to an exemplary embodiment in FIG. 4 c, be structured in such a way that on or above the Antireflection layer 128, a third protective layer 406th
  • the barrier thin film 108, the second protective layer 402 and the third protective layer 406 may be formed such that the surface of the
  • optoelectronic component for example an optically active surface, with the organic functional
  • Layer structure 106, the antireflection layer 128 and / or the getter layer 404 are at least partially surrounded,
  • encapsulated For example, encapsulated.
  • FIGS. 5a-c Illustrated in FIGS. 5a-c are exemplary embodiments of an optoelectronic component according to various embodiments
  • Getter surface on both sides of the organic functional layer structure 106 may have. This kind of
  • Design can also be referred to as two-sided.
  • the carrier 102, the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114, the barrier thin-film 108 and the antireflective layer 128 may be formed according to any one of the embodiments of the descriptions of FIG.
  • the getter layers 204, 404 may according to a
  • the getter layer 204, 404 having a getter matrix and at least one type of getter.
  • the barrier layer 104, the protective layer 206, the second protective layer 402, and the barrier thin layer 108 may be According to embodiments of the barrier thin film 108 of
  • Barrier layer 104, the first protective layer 206 and the second protective layer 402 may be optional.
  • the carriers 208 of the outer barrier layer 206 may be formed in accordance with any of the embodiments of the cover 126 of the description of FIG. According to one embodiment of the descriptions of FIG. 1, a barrier layer 104 may be formed on or above the carrier 102. On or above the barrier layer 104, a getter layer 404 may be formed, wherein the getter layer 404, for example, similar to one of the embodiments of the getter layer 204 of the descriptions of FIG.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component have a first getter layer 204 and a second getter layers 404 - shown in Fig. 5a.
  • Area 212 may be formed a plurality of getter layers 204, 404.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Antireflection layer 128 may be configured or similar to the antireflection layer 210 with getter additives.
  • Area 212 may be formed a plurality of antireflective layer 128, 502.
  • the optoelectronic component can be similar to a
  • a second getter layer 404 partially surrounded by a second getter layer 404, and a second antireflective layer 502, which is, for example, at least partially surrounded by a first getter layer 204.
  • 6 shows different embodiments of a
  • a first electrode 604 may be formed on or above a support 602, a first electrode 604 may be formed. On or above the first electrode 604 may be an organic functional layer structure 606
  • the organic functional layer structure 606 may be educated.
  • the organic functional layer structure 606 may be a second electrode 608
  • an encapsulation layer 610 may be formed.
  • the encapsulation layer 610 may be formed such that the barrier thin film 612, together with the carrier 602, the first electrode 604, the organic functional layer structure 606, and the second electrode 608
  • the encapsulation layer 610 may be structured such that the encapsulation layer 610, together with the carrier 602, completely surrounds only the first electrode 604, the organic functional layer structure 606, and the second electrode 608.
  • Optoelectronic component and a method for Producing an optoelectronic component is provided, with which it is possible to increase the proportion of electromagnetic radiation, which of the
  • Optoelectronic device can be added or provided with a getter layer.
  • a getter layer may have a mean refractive index less than the average refractive index of the organic functional layer structure, none
  • the antireflection layer may be, for example, a substance
  • Antireflection layer has a high average refractive index, for example, a higher average
  • the antireflection layer may have a scattering effect
  • boundary surfaces for example the surface, for example similar to an optical lens.

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Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, beispielsweise eine organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) oder eine organische Solarzelle, finden zunehmend verbreitete Anwendung.
Eine OLED kann zwei Elektroden, beispielsweise zwei
Kontaktmetallisierung eingerichtet als eine Anode und eine Kathode, mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle
Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung
beispielsweise erzeugt wird, eine oder mehrere
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten
(„Charge generating layer", CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
Das organische funktionelle Schichtensystem oder wenigstens ein Teil davon kann organische Stoffe und/oder organische Stoffgemische aufweisen. Organische Stoffe und/oder
organische Stoffgemische können jedoch anfällig sein für schädliche Umwelteinflüsse. Unter einem schädlichen Umwelteinfluss können alle Einflüsse verstanden werden, die potenziell zu einem Degradieren bzw. Altern, beispielsweise einem Vernetzten oder Kristallisieren, organischer Stoffe und/oder organischer Stoffgemische führen können und damit beispielsweise die Betriebsdauer der OLED begrenzen können. Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädlicher Stoff sein, beispielsweise Sauerstoff und/oder Wasser. Zum Schutz des organischen funktionellen Schichtensystems und der Elektroden vor schädlichen Umwelteinflüssen wird das organische, elektronische Bauelement verkapselt. Beim
Verkapseln einer OLED werden beispielsweise die organische funktionelle Schichtenstruktur und die Elektroden mit einer für schädliche Umwelteinflüsse undurchlässigen
Verkapselungsschicht umgeben, beispielsweise einem dünnen Film, der undurchlässig für Wasser und Sauerstoff ist
(dargestellt in Fig.6). Fig.6 zeigt unterschiedliche Ausgestaltungen eines
herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes.
Auf einem Träger 602 ist eine erste Elektrode 604
ausgebildet. Auf der ersten Elektrode 604 ist eine organische funktionelle Schichtenstruktur 606 ausgebildet. Auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur 606 ist eine zweite Elektrode 608 ausgebildet. Auf der zweiten Elektrode 608 ist eine Verkapselungsschicht 610, 612 ausgebildet. Diese Art der Verkapselung wird auch als Dünnfilmverkapselung bezeichnet.
Die Verkapselungsschicht 610, 612 ist derart ausgebildet, dass die Verkapselungsschicht 610, 612 gemeinsam mit dem Träger 602 die erste Elektrode 604, die organische
funktionelle Schichtenstruktur 606 und die zweite Elektrode 608 vollständig umgibt- dargestellt in Fig.6a. In einem weiteren herkömmlichen optoelektronischen Bauelement - dargestellt in Fig.6b - kann die Verkapselungsschicht 610, 612 strukturiert sein - dargestellt als Verkapselungsschicht 610.
Die Umgebungsfeuchte ist bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen in einem direkten, vollflächigen Kontakt mit der Verkapselungsschicht 610 - entsprechend hohe Anforderungen werden daher an diese Verkapselungsschicht 610 gestellt.
Die Verkapselungsschicht für dünnfilmverkapselte organische Leuchtdioden, sollte absolut defektfrei sein. Beim Verkapseln kann jedoch nicht vollständig ausgeschlossen werden, dass sich in der Verkapselungsschicht noch Defekte befinden.
Bereits ein mikroskopischer Defekt oder ein Diffusionskanal entlang einer Korngrenze in dieser Verkapselungsschicht kann beispielsweise zu einem Defekt der gesamten OLED führen.
Dadurch können sich im Sichtfeld der OLED mittels
Feuchtigkeitseinwirkung nicht leuchtende, kreisförmige Punkte bilden (schwarzer Fleck, engl, „black spot") , die im Laufe der Zeit wachsen können.
Um die potentielle Schädigung für eine OLED klein zu halten, wird in einem herkömmlichen Verfahren auf die
Verkapselungsschicht eines starren optoelektronischen
Bauelementes eine Glasabdeckung aufgebracht.
In einem anderen herkömmlichen Verfahren kann eine
Glasabdeckung, beispielsweise mittels einer Fritten- Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen auf die Verkapselungsschicht aufgebracht werden. In einem anderen herkömmlichen Verfahren kann die
Glasabdeckung mittels eines Laminierklebstoffes auflaminiert werden. Die Glasabdeckung kann dabei als ein Kavitätsglas eingerichtet sein und auf die OLED aufgeklebt werden, beispielsweise auflaminiert werden. Die Klebstoff erbindung wird im geometrischen Rand der OLED ausgebildet. Mittels der Glasabdeckung kann jedoch lediglich die Geschwindigkeit reduziert werden, in der beispielsweise Wasser in die OLED eindiffundiert. Wasser kann beispielsweise immer noch durch den Laminierklebstoff in die organische funktionelle
Schichtenstruktur diffundieren, sodass beispielsweise ein Defekt in der Verkapselungsschicht einer OLED nur verlangsamt zu einem sichtbaren Defekt führt.
In einem herkömmlichen Verfahren wird in der Kavität des Kavitätsglases eine Schicht (Getter-Schicht ) eines
wasserabsorbierenden Materiales (Getter) eingerichtet.
Mittels des Getters kann die Feuchtigkeit, d.h. das Wasser, gebunden werden, welches durch den Kleberand eindringt. Eine Getter-Schicht im Strahlengang eines optoelektronischen
Bauelementes, beispielsweise im Lichtweg, kann jedoch die ästhetische Gesamterscheinung des optoelektronischen
Bauelementes beeinträchtigen und zu einer Reduktion des
Anteils an elektromagnetischer Strahlung führen, der von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommen oder bereitgestellt werden kann. In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist den Anteil an elektromagnetischer Strahlung zu erhöhen, der von dem
optoelektronischen Bauelement mit einer Getter-Schicht aufgenommen oder bereitgestellt werden kann.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch gleich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn die chemischen und
physikalischen Eigenschaften des ersten Stoffs bzw. ersten Stoffgemisches identisch mit den chemischen und
physikalischen Eigenschaften des zweiten Stoffs bzw. des zweiten Stoffgemischs sind. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch ähnlich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn der erste Stoff bzw. das erste Stoffgemisch und der zweite Stoff bzw. das zweite
Stoffgemisch eine ungefähr gleiche stöchiometrische
Zusammensetzung, ungefähr gleiche chemische Eigenschaften und/oder ungefähr gleiche physikalische Eigenschaften
aufweist bezüglich wenigstens einer Größe, beispielsweise der Dichte, dem Brechungsindex, der chemischen Beständigkeit oder ähnliches .
So kann beispielsweise bezüglich der stöchiometrischen
Zusammensetzung kristallines S1O2 (Quarz) als gleich zu amorphen S1O2 (Kieselglas) und als ähnlich zu SiOx betrachtet werden. Jedoch kann bezüglich des Brechungsindexes
kristallines S1O2 unterschiedlich sein zu SiOx oder amorphem Si02- Mittels Zugabe von Zusätzen, beispielsweise in Form von Dotierungen, kann beispielsweise amorphes S1O2 den gleichen oder einen ähnlichen Brechungsindex aufweisen wie
kristallines S1O2 jedoch dann bezüglich der chemischen
Zusammensetzung und/oder der chemischen Beständigkeit
unterschiedlich zu kristallinem S1O2 sein.
Die Bezugsgröße, in der ein erster Stoff einem zweiten Stoff ähnelt, kann explizit angegeben sein oder sich aus dem
Kontext ergeben, beispielsweise aus den gemeinsamen
Eigenschaften einer Gruppe von Stoffen oder Stoffgemischen .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann als Farbstoff eine
chemische Verbindung oder ein Pigment verstanden werden, der andere Stoffe oder Stoffgemische färben kann, d.h. das äußere Erscheinungsbild des Stoffs oder des Stoffgemisches
verändert.
Unter dem Begriff „färben" kann auch „farbverändernd mittels eines Farbstoffes verstanden werden, wobei die äußere Farbe eines Stoffes farbverändert werden kann, ohne den Stoff zu färben, beispielsweise ähnlich einem Farbfilter. Mit anderen Worten: ein „Farbverändernd eines Stoffes kann nicht immer ein „Färben" des Stoffes aufweisen.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Farbstoff kann einen organischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein aus einer der folgenden organischen Farbstoffklassen :
Acridin, Acridon, Anthrachino, Anthracen, Cyanin, Dansyl, Squaryllium, Spiropyrane, Boron-dipyrromethane (BODIPY) , Perylene, Pyrene, Naphtalene, Flavine, Pyrrole, Porphrine und deren Metallkomplexe, Diarylmethan, Triarylmethan, Nitro, Nitroso, Phthalocyanin und deren Metallkomplexe, Quinone, Azo, Indophenol, Oxazine, Oxazone, Thiazine, Thiazole,
Xanthene, Fluorene, Flurone, Pyronine, Rhodamine, Coumarine, Metallocene .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Farbstoff kann einen anorganischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, aus einer der folgenden anorganischen Farbstoffklasse, anorganischen Farbstoff-Derivaten oder anorganischen
Farbstoffpigmenten : Übergangsmetalle, Seltene Erde-Oxide,
Sulfide, Cyanide, Eisenoxide, Zirkonsilikate, Bismutvanadat , Chromoxide .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Farbstoff kann Nanopartikel aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise Kohlenstoff, beispielsweise Ruß; Gold, Silber, Platin .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann als Leuchtstoff ein Stoff verstanden werden, der verlustbehaftet elektromagnetische
Strahlung einer Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung anderer Wellenlänge umwandelt, beispielsweise längerer
Wellenlänge ( Stokes-Verschiebung) oder kürzerer Wellenlänge (Anti-Stokes-Verschiebung) , beispielsweise mittels
Phosphoreszenz oder Fluoreszenz. Die Energiedifferenz aus absorbierter elektromagnetischer Strahlung und emittierter elektromagnetischer Strahlung kann in Phononen, d.h. Wärme, umgewandelt werden und/oder mittels Emission von elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge als Funktion der Energiedifferenz.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Leuchtstoff
3+
beispielsweise Ce dotierte Granate wie YAG:Ce und LuAG,
3+ 2+
beispielsweise (Y, Lu) 3 (AI , Ga) 5O 2 : Ce ; Eu dotierte
2+ 2+
Nitride, beispielsweise CaAlSiN3:Eu , (Ba, Sr) 2S15 8 : Eu ;
2+
Eu dotierte Sulfdide, SIONe, SiAlON, Orthosilicate,
2+
beispielsweise (Ba, Sr, Ca) 2S1O4 : Eu ; Chlorosilicate,
Chlorophosphate, BAM (Bariummagnesiumaluminat : Eu) und/oder SCAP, Halophosphat aufweisen oder daraus gebildet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein UV-absorbierendes Zusatzmaterial die Transmission für elektromagnetische
Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner ungefähr 400 nm wenigstens in einem Wellenlängenbereich reduzieren.
Die geringere UV-Transmission kann beispielsweise mittels einer höheren Absorption und/oder Reflektion und/oder
Streuung von UV-Strahlung mittels des UV-absorbierenden
Zusatzmateriales ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein UV-absorbierendes Zusatzmaterial einen Stoff, ein Stoffgemisch oder eine stöchiometrische Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe: T1O2, Ce02, B12O3, ZnO, Sn02, ein Leuchtstoff, UV-absorbierende Glaspartikel und/oder geeignete UV-absorbierende metallische Nanopartikel , wobei der Leuchtstoff, die Glaspartikel und/oder die Nanopartikel eine Absorption von elektromagnetischer Strahlung im UV- Bereich aufweisen.
In verschiedenen Ausgestaltungen können die UV-absorbierenden Nanopartikel beispielsweise keine oder eine geringe
Löslichkeit in einem geschmolzenen Glaslot aufweisen und/oder mit diesem nicht oder nur schlecht reagieren. In verschiedenen Ausgestaltungen können die Nanopartikel zu keiner bzw. nur zu einer geringen Streuung
elektromagnetischer Strahlung führen, beispielsweise
Nanopartikel, die eine Korngröße kleiner ungefähr 50 nm aufweisen, beispielsweis aus 1O2, Ce02, ZnO oder B12O3.
Ein formstabiler Stoff kann mittels Zugebens von
Weichmachern, beispielsweise Lösungsmittel, oder Erhöhen der Temperatur plastisch formbar werden, d.h. verflüssigt werden.
Ein plastisch formbarer Stoff kann mittels einer
Vernetzungsreaktion, einem Entzug von Weichmachern und/oder Wärme formstabil werden, d.h. verfestigt werden.
Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der
Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein
Ändern der Viskosität aufweisen, beispielweise ein Erhöhen der Viskosität von einem ersten Viskositätswert auf einen zweiten Viskositätswert. Der zweite Viskositätswert kann um ein Vielfaches größer sein als der erste Viskositätswert sein, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 bis
6
ungefähr 10 . Der Stoff kann bei der ersten Viskosität formbar sein und bei der zweiten Viskosität formstabil sein.
Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein Verfahren oder einen Prozess aufweisen, bei dem
niedermolekulare Bestandteile aus dem Stoff oder Stoffgemisch entfernt werden, beispielsweise Lösemittelmoleküle oder niedermolekulare, unvernetzte Bestandteile des Stoffs oder des Stoffgemischs , beispielsweise ein Trocknen oder
chemisches Vernetzen des Stoffs oder des Stoffgemischs . Der Stoff oder das Stoffgemisch kann beispielweise im formbaren Zustand eine höhere Konzentration niedermolekularer Stoffe am gesamten Stoff oder Stoffgemisch aufweisen als im
formstabilen Zustand. Ein Körper aus einem formstabilen Stoff oder Stoffgemisch kann jedoch formbar sein, beispielsweise wenn der Körper als eine Folie eingerichtet ist, beispielsweise eine
Kunststofffolie, eine Glasfolie oder eine Metallfolie. Solch ein Körper kann beispielsweise als mechanisch flexibel bezeichnet werden, da Veränderungen der geometrischen Form des Körpers, beispielsweise ein Biegen einer Folie,
reversibel sein können. Ein mechanisch flexibler Körper, beispielsweise eine Folie, kann jedoch auch plastisch formbar sein, beispielsweise indem der mechanisch flexible Körper nach dem Verformen verfestigt wird, beispielsweise ein
Tiefziehen einer Kunststofffolie . Die Verbindung eines ersten Körpers mit einem zweiten Körper kann formschlüssig, kraftschlüssig und/oder stoffschlüssig sein. Die Verbindungen können lösbar ausgebildet sein, d.h. reversibel. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine reversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Schraubverbindung, ein Klettverschluss , eine Klemmung / eine Nutzung von Klammern realisiert sein.
Die Verbindungen können jedoch auch nicht lösbar ausgebildet sein, d.h. irreversibel. Eine nicht lösbare Verbindung kann dabei nur mittels Zerstörens der Verbindungsmittel getrennt werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine
irreversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Nietverbindung, eine Klebeverbindung oder eine Lötverbindung realisiert sein.
Bei einer stoffschlüssigen Verbindung kann der erste Körper mit dem zweiten Körper mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte verbunden werden. Stoffschlüssige Verbindungen können häufig nicht lösbare Verbindungen sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine stoffschlüssige Verbindung
beispielsweise als eine Klebeverbindung, eine Lotverbindung, beispielsweise eines Glaslotes, oder eines Metalotes, eine Schweißverbindung realisiert sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein elektrisches
Kontaktieren eines elektrischen Bauelementes oder eines elektrischen Bereiches des elektrischen Bauelementes,
beispielsweise eines elektronischen Bauelementes,
beispielsweise eines optoelektronischen Bauelementes,
beispielsweise als ein Einbinden des optoelektronischen
Bauelementes in einen elektrischen Stromkreis verstanden werden, wobei der Stromkreis beispielsweise mittels des elektrischen Kontaktierens des elektronischen Bauelementes elektrisch geschlossen werden kann. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen
Stromes betrifft, beispielsweise mittels Verwendens von
Halbleiterbauelementen. Ein elektronisches Bauelement kann ein Bauelement aus der Gruppe der Bauelemente aufweisen:
beispielsweise eine Diode, ein Transistor, ein
Thermogenerator, eine integrierte Schaltungen, ein Thyristor.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein elektrisch
kontaktiertes , elektronisches Bauelement als eine Ausführung eines elektrischen Bauelementes verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines
elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optisch aktiven Bereich eines optoelektronischen Bauelementes der Bereich eines optoelektronischen Bauelementes verstanden werden, der elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden kann oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich
elektromagnetische Strahlung emittieren kann. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Ein optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann beispielsweise
transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine
transparente organische Leuchtdiode.
Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktiven Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist.
Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement
beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein,
beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein organisches
optoelektronisches Bauelement in verschiedenen
Ausgestaltungen, beispielsweise als eine organische
Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , eine organische Photovoltaikanlage, beispielsweise eine organische Solarzelle; im organischen funktionellen Schichtensystem einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom oder zum
Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer
bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist.
Im Rahmen dieser Beschreibung können unter einem schädlichen Umwelteinfluss alle Einflüsse verstanden werden, die
beispielsweise potentiell zu einem Degradieren, Vernetzten, und/oder Kristallisieren des organischen Stoffs oder des organischen Stoffgemisches führen können und damit
beispielsweise die Betriebsdauer organischer Bauelemente begrenzen können. Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädlicher Stoff sein, beispielsweise Sauerstoff und/oder beispielsweise einem Lösungsmittel, beispielsweise Wasser. Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise eine für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädliche Umgebung sein, beispielsweise eine Änderung über oder unter einen kritischen Wert, beispielsweise der Temperatur und/oder eine Änderung des Umgebungsdruckes.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Diffusionskanal in einer Schicht als ein Hohlraum in der Schicht mit wenigstens zwei Öffnungen verstanden werden, beispielsweise ein Loch, eine Pore, ein Verbindung (interconnect) oder ähnliches.
Durch den Diffusionskanal kann einen Stoff oder Stoffgemisch von einer Öffnung des Diffusionskanals zu der wenigstens einen zweiten Öffnung des Diffusionskanals migrieren bzw. diffundieren, beispielsweise mittels eines osmotischen
Druckes oder elektrophoretisch . Ein Diffusionskanal kann beispielsweise derart in der Schicht ausgebildet sein, dass unterschiedliche Seiten der Schicht durch den Diffusionskanal miteinander verbunden werden (interconnect) . Ein
Diffusionskanal kann beispielsweise einen Durchmesser
aufweisen in einem Bereich von ungefähr dem Durchmesser eines Wassermoleküls bis ungefähr einige nm. Ein Diffusionskanal in einer Schicht können beispielsweise Fehlstellen, Korngrenzen oder ähnliches in der Schicht sein oder dadurch gebildet werden .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine Getter-Schicht einen Getter aufweisen oder daraus gebildet sein. Eine Getter- Schicht, die einen Getter aufweist, kann beispielsweise einen Getter in Form von Partikeln aufweisen, die in einer Matrix verteilt und/oder gelöst sind.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein „Getter" einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen, welches schädliche Stoffe und/oder schädliche Stoffgemische absorbiert, beispielsweise Sauerstoff oder Wasser der Luftfeuchtigkeit. Ein Getter kann jedoch auch in einer Matrix verteilt sein, beispielsweise in Form von Partikeln oder gelöst, und mittels der Absorption schädlicher Stoffe oder schädlicher Stoffgemische dazu führen, dass der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix zusätzlich Sauerstoffabweisende und/oder
Feuchtigkeitsabweisende Eigenschaften aufweist.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein „Getter" ein Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen, welches schädliche Stoffe und/oder schädliche Stoffgemische absorbiert, beispielsweise Sauerstoff oder das Wasser der Luftfeuchtigkeit. Ein Getter kann jedoch auch in einer Matrix verteilt sein,
beispielsweise in Form von Partikeln oder gelöst, und mittels der Absorption schädlicher Stoffe oder schädlicher
Stoffgemische dazu führen, dass der Stoff oder das
Stoffgemisch der Matrix zusätzlich Sauerstoffabweisende und/oder Feuchtigkeitsabweisende Eigenschaften aufweist. Ein Getter kann in verschiedenen Ausgestaltungen als Stoff beispielweise einen oxidierbaren Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein oxidierbarer Stoff kann beispielsweise mit Sauerstoff und/oder Wasser reagieren und dadurch diese Stoffe binden. Getter können daher beispielsweise leicht oxidierende Stoffe aus der chemischen Gruppe der Alkali-Metall und/oder Erdalkali-Metalle aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Magnesium, Calcium, Barium, Cäsium, Kobalt, Yttrium, Lanthan und/oder Metalle der seltenen Erden.
Weiterhin können auch andere Metalle geeignet sein,
beispielsweise Aluminium, Zirkonium, Tantal, Kupfer, Silber und/oder Titan oder oxidierbare nichtmetallische Stoffe.
Darüber hinaus kann ein Getter auch CaO, BaO und MgO
aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein Getter kann jedoch auch ein Trockenmittel aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein Trockenmittel kann beispielsweise Wasser irreversibel aufnehmen, ohne das Volumen zu ändern oder Wasser mittels Physisorption binden ohne dabei ihr Volumen wesentlich zu ändern .
Mittels Zuführens von Wärme, beispielsweise mittels eines Erhöhens der Temperatur, können die adsorbierten
Wassermoleküle wieder entfernt werden. Ein Getter kann in verschiedenen Ausgestaltungen beispielsweise getrocknete Silikagele oder Zeolithe aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein Getter, der ein Zeolith aufweist oder daraus gebildet ist, kann in den Poren und Kanälen des Zeoliths Sauerstoff und/oder Wasser adsorbieren. Bei der Adsorption von Wasser und/oder Sauerstoff mittels getrockneter Silikagele und/oder Zeolithe können für die darunter liegenden Schichten keine schädlichen Stoffe oder Stoffgemische gebildet werden.
Weiterhin können die Getter aus getrocknetem Silikagele und/oder Zeolith keine Änderung des Volumens mittels der Reaktion mit Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen.
Die Getter-Partikel können in verschiedenen Ausgestaltungen einen mittleren Durchmesser kleiner ungefähr 50 ym aufweisen, beispielsweise kleiner ungefähr 1 ym. Der mittleren
Durchmesser der Getter-Partikel sollte dabei nicht größer sein als die Dicke der Getter-Schicht , beispielsweise um die benachbarten Schichten und das Bauelement nicht zu schädigen. Die Getter-Partikel können in verschiedenen Ausgestaltungen beispielsweise einen maximalen mittleren Durchmesser
aufweisen, der ungefähr 20 % der Dicke der Getter-Schicht entspricht . Getter-Partikel mit einem mittlere Durchmesser kleiner ungefähr 1 ym, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 500 nm, können den Vorteil aufweisen, dass selbst bei einer dichten Packung der Getter-Partikel
punktuelle Kräfte auf beispielsweise eine OLED vermindert werden. Weiterhin können Getter-Partikel mit einem mittleren Durchmesser von kleiner ungefähr 100 nm optisch inaktiv sein, beispielsweise Licht nicht streuen.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine Antireflexschicht als eine Schicht verstanden werden, die zu einem internen
Auskoppeln oder internen Einkoppeln eingerichtet ist. Beim internen Auskoppeln kann beispielsweise
elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht,
ausgekoppelt werden, das in der organischen funktionellen Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelementes geführt wird, beispielsweise der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder den Elektroden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein mittlerer
Brechungsindex einer Schichtenstruktur mit mehreren
Teilschichten als ein gemittelter Brechungsindex der
Teilschichten verstanden werden. Der mittlere Brechungsindex kann die Summe der Schichtdicken-gemittelten Brechungsindizes der Teilschichten sein. Zum Ermitteln eines Schichtdicken- gemittelten Brechungsindizes einer Teilschicht kann der
Brechungsindex der Teilschicht mit dem relativen Anteil der Dicke der Schicht an der Dicke der Schichtenstruktur
gewichtet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das
optoelektronische Bauelement aufweisend: einen Träger; eine organische funktionelle Schichtenstruktur, wobei die
organische funktionelle Schichtenstruktur auf oder über einem Träger ausgebildet ist und zum Aufnehmen und/oder
Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist; eine im Strahlengang der organischen funktionellen
Schichtenstruktur angeordnete Antireflex-/Getter- Schichtstruktur, die aufweist: Gettermaterial , das einen niedrigeren mittleren Brechungsindex aufweist als die
organische funktionelle Schichtenstruktur; und eine
Antireflexschicht, wobei Material der Antireflexschicht im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur zumindest teilweise zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem Gettermaterial angeordnet ist, und wobei das Material der Antireflexschicht , das zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem
Gettermaterial angeordnet ist, einen mittleren Brechungsindex aufweist, der größer ist als der mittlere Brechungsindex des Gettermaterials und/oder mindestens ein streuendes
Zusatzmaterial verteilt in einer Matrix aufweist. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Getter in einer Getter-Schicht ausgebildet sein, wobei der Getter in einer Getter-Matrix enthalten ist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Getter-Matrix zum
Stoffschlüssigen Verbinden eingerichtet sein, beispielsweise einen Klebstoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens eine Art Getter als wenigstens eine Art
Partikel eingerichtet sein, wobei die wenigstens eine Art Getter-Partikel in der Getter-Matrix verteilt ist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens eine Art Getter in der Getter-Matrix gelöst sein .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens eine Art Getter derart ausgebildet sein, dass der Getter mit wenigstens einem schädlichen Stoff reagiert.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Getter einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, sodass der wenigstens eine schädliche Stoff mit dem Getter chemisch reagiert.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Getter einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, sodass der wenigstens eine schädliche Stoff an dem Getter physisorbiert wird. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können/kann die organische funktionelle Schichtenstruktur, die Getter-Schicht und/oder die Antireflexschicht transluzent und/oder transparent ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches, optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein,
beispielsweise eine organische Solarzelle oder eine
organische Leuchtdiode.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die organische funktionelle Schichtenstrukturdas optoelektronische Bauelement ferner eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen, wobei die organische
funktionelle Schichtenstruktur elektrisch zwischen den
Elektroden angeordnet ist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement ferner wenigstens eine Barrieredünnschicht zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem Getter aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht derart
ausgebildet sein, dass die organische funktionelle
Schichtenstrukturdie vor schädlichen Stoffen geschützt ist, beispielsweise indem die Barrieredünnschicht in einem
körperlichen Kontakt mit der organischen funktionellen
Schichtenstruktur ausgebildet ist und diesen umgibt.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, der intrinsisch
undurchlässig ist bezüglich schädlicher Stoffe bezüglich der organischen funktionellen Schichtenstruktur, beispielsweise undurchlässig bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht die organische funktionelle Schichtenstruktur wenigstens teilweise umgeben, beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht die organische funktionelle Schichtenstruktur lateral und/oder flächig umgeben .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht gemeinsam mit dem Träger die organische funktionelle Schichtenstruktur vollständig umgeben.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Barrieredünnschicht Diffusionskanäle bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffes der organischen
funktionellen Schichtenstruktur aufweisen, wobei die
Diffusionskanäle die Barrierendünnschicht durchdringen. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich und einen optisch inaktiven Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens der optisch inaktive Bereich einen Getter aufweisen, beispielsweise eine Getter-Schicht . In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Getter-Schicht in einem ersten Bereich eine erste Dicke und in einem zweiten Bereich eine zweite Dicke
aufweisen, wobei die zweite Dicke kleiner ist als die erste Dicke. Der Übergang zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich kann beispielsweise unstetig sein,
beispielsweise ähnlich einer Stufe, oder stetig ausgebildet sein, beispielsweise linear, nichtlinear. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der erste Bereich den optisch aktiven Bereich und der zweite Bereich den optisch inaktiven Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht derart ausgebildet sein, dass der Anteil der elektromagnetischen Strahlung reduziert wird, der von wenigstens einer Grenzfläche der Getter-Schicht
reflektiert wird. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht einen höheren Brechungsindex aufweisen als die Getter-Schicht.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht einen höheren mittleren
Brechungsindex aufweisen als die organische funktionelle Schichtenstruktur .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht im Strahlengang des
optoelektronischen Bauelementes zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und der Getter-Schicht ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht einen mittleren Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5 aufweisen. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht wenigstens eine Art Zusätze in einer Matrix aufweisen. Der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix kann auch als Formwerkstoff oder Vergussmaterial bezeichnet werden.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Matrix einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen, der/das intrinsisch einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,3 bis ungefähr 2,5 aufweist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens eine Art Zusatzmaterial der Antireflexschicht der Antireflexschicht derart ausgebildet sein, dass die
Antireflexschicht einen mittleren Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5 aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Art
Zusatzmaterial, die den Brechungsindex der Antireflexschicht erhöht, als Partikel ausgebildet sein. Die Partikel können beispielsweise nicht-streuend für Licht ausgebildet sein, beispielsweise einen mittleren Durchmesser in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm aufweisen. Die
Partikel können beispielsweise einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5 aufweisen. Diese Art Zusatzmaterial kann als Stoff oder Stoffgemisch
beispielsweise ein Metall, ein Metalloxid, und/oder eine Keramik aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Ti02, AI2O3, Y2O3 oder Zr02. Diese Art Zusatzmaterial kann beispielsweise einen Massenanteil bezüglich der
Antireflexschicht in einem Bereich von ungefähr 2 % bis ungefähr 70 % aufweisen. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht wenigstens eine Art Zusatzmaterial aufweisen . In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Getter als eine Art Zusatzmaterial der
Antireflexschicht ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens eine Art Zusatzmaterial als Partikel, d.h. partikelförmigen Zusätze, ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens eine Art Zusatzmaterial in der Matrix gelöst sein .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Matrix ein Glaslot und/oder einen Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht flächig, beispielsweise
ganzflächig, auf oder über dem Substrat ausgebildet sein, beispielsweise angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 ym bis ungefähr 100 ym aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 ym bis ungefähr 100 ym, beispielsweise ungefähr 25 ym.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht als eine Schicht in einer
Schnittebene einer organischen Leuchtdiode und/oder einer organischen Solarzelle ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Matrix der Antireflexschicht amorph ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Matrix der Antireflexschicht ein Glas und/oder ein Kunststoff aufweisen. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Matrix der Antireflexschicht ein Stoff oder
Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Glassysteme: PbO-haltigen Systeme: PbO-B2<03, PbO- S1O2, PbO-B203-Si02, PbO-B203-Zn02 , PbO-B203-Al203 , wobei das PbO-haltige Glaslot auch B12O3 aufweisen kann; Bi2<03-haltige Systeme: B12O3-B2O3, Bi203-B203-Si02 , Βΐ2θ3-Β2θ3-ΖηΟ, B12O3- B203-ZnO-Si02.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Bi-haltige Antireflexschicht zusätzlich einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen aus der Gruppe der Stoffe: AI2O3, Erdalkalioxide, Alkalioxide, Zr02, T1O2, HfC>2, b2Ü5, Ta2Ü5, Te02, WO3, MO3, Sb2Ü3, Ag20, Sn02, Selteneerdoxide. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können dem Glas der Matrix UV-absorbierende Zusätze als Glaskomponenten beigefügt sein. Beispielsweise können niedrigschmelzenden Gläsern, beispielsweise Blei-haltigen Gläsern, zum Erhöhen der UV-Absorption, im Prozess der
Glasschmelze, als Glasgemengebestandteile Stoffe oder
Stoffgemische, die Ce-, Fe-, Sn-, Ti-, Pr-, Eu- und/oder V- Verbindungen aufweisen, zugefügt werden.
Als Prozess des Glasschmelzens kann ein thermisches
Verflüssigen, d.h. Aufschmelzen, eines Glases verstanden werden. Die UV-absorbierenden Zusätze können als Bestandteil im Glas gelöst sein. Im Anschluss an den Prozess des
Glasschmelzens kann das Glas pulverisiert, in Form von
Beschichtungen auf einen Träger aufgebracht und anschließend mittels einer Temperaturbehandlung verglast werden. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix eine
intrinsisch geringere UV-Transmission aufweisen als das
Substrat .
Mittels der geringeren UV-Transmission der Matrix kann ein UV-Schutz für Schichten bezüglich des Strahlenganges auf oder über der Antireflexschicht ausgebildet werden. Die geringere UV-Transmission der Matrix der Antireflexschicht bezüglich des Substrates kann beispielsweise mittels einer höheren
Absorption und/oder Reflektion von UV-Strahlung ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix der
Antireflexschicht bei einer Temperatur bis maximal ungefähr 600 °C verflüssigt werden.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Matrix einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Silikon, beispielsweise
Polydimethylsiloxan, Polydimethylsiloxan/Polydiphenylsiloxan; ein Silazan, ein Epoxid, ein Polyacrylat, ein Polycarbonat , ein Polyimid, ein Polyurethan oder ähnliches, beispielsweise ein Silikon-Hybrid, ein Silikon-Epoxid-Hybrid .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die Zusätze einen anorganischen Stoff oder ein
anorganisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Art Zusatzmaterial der
Antireflexschicht einen Stoff, ein Stoffgemisch oder eine stöchiometrische Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe: 1O2, Ce02, B12O3, ZnO, Sn02, AI2O3, S1O2, Y2O3, Zr02' eiR Leuchtstoff, ein Farbstoff, ein UV-absorbierendes Zusatzmaterial, beispielsweise UV- absorbierende Glaspartikel, UV-absorbierende metallische Nanopartikel , ein UV-absorbierender Leuchtstoff. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die Zusätze eine gewölbte Oberfläche aufweisen, beispielsweise ähnlich oder gleich einer optischen Linse, beispielsweise ähnlich einer Sammellinse oder
Zerstreuungslinse .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die partikelförmigen Zusätze eine der folgenden geometrische Formen und/oder einen Teil einer der folgenden geometrischen Formen aufweisen: sphärisch, asphärisch beispielsweise prismatisch, ellipsoid, hohl, beispielsweise perkulationsförmig; kompakt, plättchenförmig, stäbchenförmig oder fadenartig.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die partikelförmigen Zusätze ein Glas aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die partikelförmigen Zusätze eine mittlere Korngröße in einem Bereich von ungefähr 0,01 ym bis ungefähr 10 ym, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 ym bis ungefähr 1 ym aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die Zusätze auf oder über dem Substrat in der
Antireflexschicht eine Lage mit einer Dicke von ungefähr 0,1 ym bis ungefähr 100 ym aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die Zusätze der Antireflexschicht mehrere Lagen übereinander auf oder über dem Substrat aufweisen, wobei die einzelnen Lagen unterschiedlich ausgebildet sein können. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann in den Lagen der Zusätze, die mittlere Größe der
partikelförmigen Zusätze wenigstens eines partikelförmigen Zusatzmateriales von der Oberfläche des Substrates her abnehmen .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die einzelnen Lagen der Zusätze eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder eine unterschiedliche optische Eigenschaft für elektromagnetische Strahlung in wenigstens einem Wellenlängenbereich aufweisen, beispielsweise mit einer Wellenlänge kleiner ungefähr 400 nm. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die einzelnen Lagen der Zusätze eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder einen unterschiedlichen Brechungsindex für elektromagnetische
Strahlung aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht als Streuschicht, d.h. als
Auskoppelschicht oder Einkoppelschicht, eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht partikelförmige Zusätze aufweisen, die als Streupartikel für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, eingerichtet sind, wobei die
Streupartikel in der Matrix verteilt sein können.
Mit anderen Worten: die Matrix kann mindestens ein streuendes Zusatzmaterial aufweisen, sodass die Antireflexschicht zusätzlich eine streuende Wirkung bezüglich einfallender elektromagnetischer Strahlung in wenigstens einem
Wellenlängenbereich ausbilden kann, beispielsweise mittels eines zur Matrix unterschiedlichen Brechungsindex der
streuenden Partikel bzw. streuenden Zusätze und/oder eines Durchmessers, der ungefähr der Größe der Wellenlänge der zu streuenden Strahlung entspricht.
Die streuende Wirkung kann elektromagnetische Strahlung betreffen, die von dem organischen funktionellen
Schichtensystem emittiert oder absorbierten wird,
beispielsweise um die Lichtauskopplung oder Lichteinkopplung zu erhöhen. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht mit streuenden Zusätzen einen Unterschied des Brechungsindexes der streuenden Zusätze zum Brechungsindex der Matrix von größer ungefähr 0,05 aufweisen. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Teil der Streuschicht oberhalb der Streuzentren eine Dicke gleich oder größer der Rauheit der obersten Lage der Streupartikel ohne Matrix aufweisen, so dass wenigstens eine glatte Oberfläche ausgebildet wird, d.h. die Oberfläche kann eine geringe RMS-Rauheit (root mean Square - Betrag der mittlere Abweichung) aufweisen, beispielsweise kleiner als 10 nm.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann ein Zusatzmaterial als ein Farbstoff eingerichtet sein
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann mittels des Farbstoffes das optische Erscheinungsbild der Antireflexschicht verändert werden.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Farbstoff elektromagnetische Strahlung in einem anwendungsspezifisch nicht relevanten Wellenlängenbereich oder ungewünschten Wellenlängenbereichen absorbieren,
beispielsweise größer ungefähr 700 nm. Dadurch kann das optische Erscheinungsbild der Antireflexschicht verändert werden, beispielsweise die Antireflexschicht einfärben ohne die Effizienz in einem für die Anwendung des
optoelektronischen Bauelementes technisch relevanten
Wellenlängenbereich zu verschlechtern. Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die Antireflexschicht zusätzlich als Farb-Schicht eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann ein Zusatzmaterial der Antireflexschicht als eine Art UV-absorbierendes Zusatzmaterial eingerichtet sein.
Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die
Antireflexschicht zusätzlich als UV-Schutz-Schicht
eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann ein Zusatzmaterial der Antireflexschicht als
wellenlängenkonvertierendes Zusatzmaterial, beispielsweise als Leuchtstoff, ausgebildet sein. Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die
Antireflexschicht zusätzlich als Leuchtstoff-Schicht
eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann ein Zusatzmaterial der Antireflexschicht als Getter eingerichtet sein.
Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die
Antireflexschicht zusätzlich als Getter-Schicht eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die Zusätze elektromagnetische Strahlung streuen, UV- Strahlung absorbieren, die Wellenlänge von
elektromagnetischer Strahlung konvertieren, die
Antireflexschicht einfärben und/oder schädliche Stoffe binden . Zusätze, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung streuen können und keine UV-Strahlung absorbieren können, können beispielsweise AI2O3, S1O2, Y2O3 oder Zr02 aufweisen oder daraus gebildet sein_
Zusätze, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung streuen und die Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung konvertieren, können beispielsweise als Glaspartikel mit einem Leuchtstoff eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die Getter-Partikel als Streupartikel eingerichtet sein .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht strukturiert sein, beispielsweise topographisch, beispielsweise lateral und/oder vertikal;
beispielsweise mittels einer unterschiedlichen stofflichen Zusammensetzung der Antireflexschicht , beispielsweise lateral und/oder vertikal, beispielsweise mit einer unterschiedlichen lokalen Konzentration wenigstens eines Zusatzmateriales .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Konzentration der Zusätze in der Antireflexschicht in wenigstens einem dritten Bereich kleiner oder größer sein als in einem vierten Bereich.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht wenigstens eine strukturierte Grenzfläche aufweisen. Die wenigstens eine strukturierte Grenzfläche kann beispielsweise mittels Aufrauens einer der Grenzflächen oder Ausbilden eines Musters an einer der
Grenzfläche der Antireflexschicht ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die strukturierte Grenzfläche der Antireflexschicht von Mikrolinsen gebildet sein. Die Mikrolinsen und/oder die Grenzflächenrauheit können beispielsweise als Streuzentren verstanden werden,
beispielsweise zum Erhöhen der
Lichteinkopplung/Lichtauskopplung . In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Antireflexschicht als ein optisches Gitter
ausgebildet sein, wobei das optische Gitter eine
strukturierte Schicht mit Bereichen mit niedrigem
Brechungsindex aufweist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann wenigstens eine Antireflexschicht gemeinsam mit dem Träger die organische funktionelle Schichtenstruktur
wenigstens teilweise umgeben, beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Getter-Schicht gemeinsam mit dem Träger die organische funktionelle Schichtenstruktur, die wenigstens eine Barrierendünnschicht und/oder die wenigstens eine Antireflexschicht wenigstens teilweise umgeben,
beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement ferner wenigstens eine Schutzschicht auf oder über der Antireflexschicht aufweisen, wobei die Schutzschicht derart ausgebildet ist, dass die Antireflexschicht vor wenigstens einem schädlichen Stoff geschützt ist. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die wenigstens eine Schutzschicht die organische
funktionelle Schichtenstruktur, die wenigstens eine
Barrierendünnschicht, die wenigstens eine Antireflexschicht und/oder die wenigstens eine Getter-Schicht wenigstens teilweise umgeben, beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Abdeckung auf oder über dem Getter aufweisen, wobei die Abdeckung derart angeordnet ist, dass die Diffusionsrate wenigstens eines schädlichen Stoffes in den Getter reduziert wird, beispielsweise auf oder über einer flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die organische funktionelle Schichtenstruktur auf oder über dem Getter und/oder der Barrierendünnschicht angeordnet sein .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann in der wenigstens einen Schutzschicht, dem Träger, der wenigstens einen Barrierendünnschicht, der wenigstens einen Antireflexschicht und/oder der wenigstens einen Getter- Schicht wenigstens eine elektrische Durchführung ausgebildet sein, wobei die elektrische Durchführung zu einem
elektrischen Kontaktieren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur eingerichtet ist, beispielsweise zu einem elektrischen Kontaktieren der wenigstens einen Elektrode, die elektrisch mit der organischen funktionellen
Schichtenstruktur verbunden ist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement wenigstens zwei Antireflex-/Getter-Schichtstrukturen aufweisen, wobei die wenigstens zwei Antireflex-/Getter-Schichtstrukturen auf oder über der gleichen Seite oder auf oder über unterschiedlichen Seiten der organischen funktionellen Schichtenstruktur angeordnet sind.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bereitstellen einer organischen funktionellen Schichtenstruktur auf oder über einem Träger, wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet wird; Ausbilden einer Antireflex-/Getter-Schichtstruktur im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur, die Antireflex- /Getter-Schichtstruktur aufweisend: ein Gettermaterial , das einen niedrigeren mittleren Brechungsindex aufweist als die organische funktionelle Schichtenstruktur; und eine
Antireflexschicht, wobei Material der Antireflexschicht im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur zumindest teilweise zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem Gettermaterial ausgebildet wird, und wobei das Material der Antireflexschicht , das zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem
Gettermaterial angeordnet ist, einen mittleren Brechungsindex aufweist, der größer ist als der mittlere Brechungsindex des Gettermaterials und/oder mindestens ein streuendes
Zusatzmaterial verteilt in einer Matrix aufweist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische funktionelle Schichtenstruktur, die Getter-Schicht und/oder die Antireflexschicht transluzent und/oder transparent ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als ein organisches,
optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden, beispielsweise eine organische Solarzelle oder eine
organische Leuchtdiode.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode aufweisen, wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur elektrisch zwischen den Elektroden
ausgebildet wird. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Getter in einer Getter-Schicht ausgebildet werden, wobei der Getter in einer Getter-Matrix enthalten ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Getter-Matrix zum stoffschlüssigen Verbinden eingerichtet sein, beispielsweise einen Klebstoff aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine Art Getter als wenigstens eine Art Partikel eingerichtet sein, wobei die wenigstens eine Art Getter-Partikel in der Getter-Matrix verteilt ist, beispielsweise homogen und/oder als wenigstens eine Lage. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine Art Getter in der Getter-Matrix gelöst sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine Art Getter derart ausgebildet werden, dass der Getter mit dem wenigstens einen schädlichen Stoff reagiert.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Getter einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden, sodass der wenigstens eine schädliche Stoff mit dem Getter chemisch reagiert. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Getter einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden, sodass der wenigstens eine, schädliche Stoff an dem Getter physisorbiert wird .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden eines optisch aktiven Bereiches und eines optisch inaktiven Bereiches, wobei wenigstens im optisch inaktiven Bereich eine Getter ausgebildet wird, beispielsweise eine Getter-Schicht.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Getter-Schicht in einem ersten Bereich mit einer ersten Dicke und in einem zweiten Bereich mit einer zweiten Dicke ausgebildet werden, wobei die zweite Dicke kleiner ist als die erste Dicke. Der Übergang zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich kann beispielsweise unstetig sein, beispielsweise ähnlich einer Stufe, oder stetig ausgebildet sein, beispielsweise linear, nichtlinear. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Bereich den optisch aktiven Bereich und der zweite Bereich den optisch inaktiven Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden wenigstens einer Barrieredünnschicht zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem Getter aufweisen, beispielsweise in einem körperlichen Kontakt mit der organischen funktionellen Schichtenstruktur. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht derart ausgebildet werden, dass die organische funktionelle Schichtenstruktur vor schädlichen Stoffen geschützt wird. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden, der intrinsisch undurchlässig ist bezüglich schädlicher Stoffe, beispielsweise undurchlässig bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht derart ausgebildet werden, dass die wenigstens eine Barrieredünnschicht die organische
funktionelle Schichtenstruktur wenigstens teilweise umgibt, beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht derart ausgebildet werden, dass die wenigstens eine Barrieredünnschicht die organische
funktionelle Schichtenstruktur lateral und/oder flächig umgibt.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Barrieredünnschicht derart ausgebildet werden, dass die wenigstens eine Barrieredünnschicht gemeinsam mit dem Träger die organische funktionelle Schichtenstruktur vollständig umgibt .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Barrieredünnschicht Diffusionskanäle bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffes der organischen funktionellen
Schichtenstruktur aufweisen, wobei die Diffusionskanäle die Barrierendünnschicht durchdringen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass der Anteil der elektromagnetischen Strahlung reduziert wird, der von wenigstens einer Grenzfläche der Getter-Schicht reflektiert wird .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass die
Antireflexschicht einen höheren mittleren Brechungsindex aufweist als die organische funktionelle Schichtenstruktur.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht im Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes zwischen der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und der Getter-Schicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass die
Antireflexschicht ungefähr einen mittleren Brechungsindex zwischen dem Betrag des mittleren Brechungsindex der
organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem Betrag des mittleren Brechungsindex der Getter-Schicht aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass die
Antireflexschicht einen mittleren Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5 aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass die
Antireflexschicht wenigstens eine Art Zusatzmaterial in einer Matrix aufweist. Der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix kann auch als Formwerkstoff oder Vergussmaterial bezeichnet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine Art Zusatzmaterial in der Matrix verteilt werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine Art Zusatzmaterial als Partikel, d.h. partikelförmigen
Zusätze, ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine Art Zusatzmaterial in der Matrix gelöst werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Matrix einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen, der/das intrinsisch einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,3 bis ungefähr 2,5 aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine Art Zusatzmaterial der Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass die Antireflexschicht einen mittleren
Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2 , 5 aufweist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Art
Zusatzmaterial, die den Brechungsindex der Antireflexschicht erhöht, als Partikel ausgebildet sein. Die Partikel können beispielsweise nicht-streuend für Licht ausgebildet sein, beispielsweise ein mittleren Durchmesser in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm aufweisen. Die Partikel können beispielsweise einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5 aufweisen. Diese Art
Zusatzmaterial kann als Stoff oder Stoffgemisch
beispielsweise ein Metall, ein Metalloxid, und/oder eine Keramik aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Ti02, AI2O3, Y2O3 oder Zr02. Diese Art Zusatzmaterial kann beispielsweise einen Massenanteil bezüglich der
Antireflexschicht in einem Bereich von ungefähr 2 % bis ungefähr 70 % aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Getter als eine Art Zusatzmaterial der Antireflexschicht ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Matrix ein Glaslot und/oder einen Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht ganzflächig auf oder über dem Substrat ausgebildet werden, beispielsweise angeordnet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht mit einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 ym bis ungefähr 100 ym ausgebildet werden, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 ym bis ungefähr 100 ym, beispielsweise ungefähr 25 ym.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Matrix der Antireflexschicht amorph ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Matrix der Antireflexschicht einen der Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden, aus der folgenden Gruppe der Glassysteme: PbO-haltigen Systeme: PbO-B203 PbO-Si02, PbO-B203-Si02 , PbO- Β2θ3-Ζηθ2, PbO-B203-Al2C>3 , wobei das PbO-haltige Glaslot auch B12O3 aufweisen kann; Bi2<03-haltige Systeme: B12O3-B2O3, Bi203-B203-Si02, Βΐ2θ3-Β2θ3-ΖηΟ, Bi203-B203-ZnO-Si02.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Bi-haltige Antireflexschicht zusätzlich einen der folgenden Stoffe oder ein Stoffgemisch der folgenden Stoffe aufweisen: AI2O3, Erdalkalioxide, Alkalioxide, ZrC>2, T1O2, HfC>2, b2Ü5, Ta2Ü5, Te02, WO3, MO3, Sb203, Ag20, Sn02, Selteneerdoxide.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können dem Glas der Matrix Zusätze, beispielsweise UV-absorbierende Zusätze, als Glaskomponenten beigefügt werden. Beispielsweise können niedrigschmelzenden Gläsern,
beispielsweise Blei-haltigen Gläsern, zum Erhöhen der UV- Absorption, im Prozess der Glasschmelze, als
Glasgemengebestandteile Stoffe oder Stoffgemische, die Ce-, Fe-, Sn-, Ti-, Pr-, Eu- und/oder V-Verbindungen aufweisen, zugefügt werden.
Als Prozess des Glasschmelzens kann ein thermisches
Verflüssigen, d.h. Aufschmelzen, eines Glases verstanden werden.
Zusätze, beispielsweise UV-absorbierende Zusätze, können beispielsweise als Bestandteil im Glas gelöst sein. Im Anschluss an den Prozess des Glasschmelzens kann das Glas zu Glaspartikeln pulverisiert werden, in Form von
Beschichtungen auf einen Träger aufgebracht und anschließend mittels einer Temperaturbehandlung verglast werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix eine intrinsisch geringere UV- Transmission aufweisen als das Substrat.
Mittels der geringeren UV-Transmission der Matrix kann ein UV-Schutz für Schichten auf oder über der Antireflexschicht ausgebildet werden. Die geringere UV-Transmission der Matrix der Antireflexschicht bezüglich des Substrates kann
beispielsweise mittels einer höheren Absorption und/oder Reflektion von UV-Strahlung ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix der Antireflexschicht bei einer
Temperatur bis maximal ungefähr 600 °C verflüssigt werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix vor dem Ausbilden der
Antireflexschicht als Glaspartikel ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Glaspartikel Zusätze, beispielsweise die partikelförmigen Zusätze, aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann aus der wenigstens einen Art Zusätze eine Lage partikelförmiger Zusätze auf oder über dem Substrat ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Beschichtung aus Glaspartikeln auf oder über eine Lage partikelförmiger Zusätze ausgebildet werden. Das Ausbilden der Beschichtung aus Glaspartikeln kann beispielsweise mittels einer
Glaspartikel-Suspension bzw. Glaspartikel-Paste ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Glaspartikel- Suspension bzw. Glaspartikel-Paste auf oder über den
partikelförmigen Zusätzen mittels verdunstender Bestandteile bei einer ersten Temperatur getrocknet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können mittels Erhöhens der Temperatur die organischen Bestandteile (Binder) aus der getrockneten Schicht der partikelförmigen Zusätze sowie aus der getrockneten Glaspulverschicht im Wesentlichen
vollständig entfernt werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels Erhöhens der Temperatur auf einen zweiten Wert, wobei die zweite
Temperatur sehr viel größer ist als die erste Temperatur der Trocknung, das Glas bzw. Glaspulver des Stoffs oder des
Stoffgemisches der Matrix der Antireflexschicht derart erweicht werden, dass es verflüssigt wird, beispielsweise fließen kann.
Der maximale Betrag des zweiten Temperaturwertes zum
Verflüssigen bzw. Verglasen der Glaspulverschicht kann von dem Träger des optoelektronischen Bauelementes abhängig sein. Das Temperaturregime (Temperatur und Zeit) kann derart gewählt werden, dass sich der Träger nicht verformt, aber das Glaslot der Antireflexschicht bereits eine Viskosität
aufweist derart, dass es glatt laufen kann, d.h. fließen kann, und eine sehr glatte glasige Oberfläche ausgebildet werden kann.
Das Glas der Glaspulverschicht kann eine zweite Temperatur, d.h. die Verglasungstemperatur, aufweisen beispielsweise unterhalb des Transformationspunktes des Trägers,
beispielsweise des Trägerglases, (Viskosität des Trägers
14, 5
n = 10 dPa-s), und maximal bei der Erweichungstemperatur
7, 6
(Viskosität des Trägers η = 10 dPa-s) des Trägerglases, beispielsweise unter der Erweichungstemperatur und ungefähr beim oberen Kühlpunkt (Viskosität des Trägers
,.13,0 ,
n = 10 dPa -s) .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Glaspulver, bei Verwendung eines Kalknatronglases als Träger, bei
Temperaturen bis maximal ungefähr 600 °C verglast werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels des verflüssigten Glases des Stoffs oder des Stoffgemisches der Matrix der Antireflexschicht , welches zwischen die
partikelförmigen Zusätze fließt, wenigstens eine lückenlos zusammenhängende Glas-Verbindung des Trägers mit dem
verflüssigten Glas oberhalb der partikelförmigen Zusätze ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Oberfläche des verflüssigten Glases oberhalb der partikelförmigen Zusätze nach Verfestigen des Glases mittels eines lokalen Erwärmens noch einmal zusätzlich geglättet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das lokale
Erwärmen mittels Plasmas oder Laserstrahlung ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Matrix der Antireflexschicht einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Silikon, beispielsweise
Polydimethylsiloxan, Polydimethylsiloxan/Polydiphenylsiloxan; ein Silazan, ein Epoxid, ein Polyacrylat, ein Polycarbonat , ein Polyimid, ein Polyurethan oder ähnliches, beispielsweise ein Silikon-Hybrid, ein Silikon-Epoxid-Hybrid .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht nasschemisch ausgebildet werden,
beispielsweise aus einer Lösung, Suspension, Dispersion oder Paste .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Zusätze in der Lösung, Suspension, Dispersion oder Paste der organischen Matrix gelöst sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische Matrix auf oder über einer Lage an partikelförmigen Zusätzen aufgebracht werden derart, dass der Stoff oder das
Stoffgemisch die Zusätze löst oder zwischen die
partikelförmigen Zusätze verläuft.
In einer Ausgestaltung kann die Antireflexschicht mittels eines Rakelns einer Lösung, Paste, Suspension oder Dispersion ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Zusätze einen anorganischen Stoff oder ein anorganisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Art Zusatzmaterial der Antireflexschicht einen Stoff oder ein Stoffgemisch oder eine stöchiometrische Verbindung aufweisen oder daraus gebildet werden aus der Gruppe der Stoffe: T1O2, Ce02, B12O3, ZnO, Sn02, AI2O3, S1O2, ^2^3> Zr02, ein Leuchtstoff, ein Farbstoff, ein UV-absorbierendes Zusatzmaterial, beispielsweise UV-absorbierende Glaspartikel, UV-absorbierende metallische Nanopartikel , ein UV- absorbierender Leuchtstoff.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Zusätze eine gewölbte Oberfläche aufweisen, beispielsweise ähnlich oder gleich einer optischen Linse.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
partikelförmigen Zusätze eine der folgenden geometrische Formen und/oder einen Teil einer der folgenden geometrischen Formen aufweisen: sphärisch, asphärisch beispielsweise prismatisch, ellipsoid, hohl, beispielsweise
perkulationsförmig; kompakt, plättchenförmig, stäbchenförmig oder fadenartig.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
partikelförmigen Zusätze ein Glas aufweisen oder daraus gebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
partikelförmigen Zusätze eine mittlere Korngröße einem
Bereich von ungefähr 0,01 ym bis ungefähr 10 ym,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 bis ungefähr 1 ym aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Zusätze auf oder über dem Substrat in der Antireflexschicht eine Lage mit einer Dicke von ungefähr 0,1 ym bis ungefähr 100 ym
aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Zusätze der
Antireflexschicht mehrere Lagen übereinander auf oder über dem Substrat aufweisen, wobei die einzelnen Lagen
unterschiedlich ausgebildet werden können.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in den Lagen der Zusätze, die mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze wenigstens eines partikelförmigen Zusatzmateriales von der Oberfläche des Substrates her abnehmen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die einzelnen Lagen der Zusätze eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder eine unterschiedliche
Transmission für elektromagnetische Strahlung in wenigstens einem Wellenlängenbereich aufweisen, beispielsweise mit einer Wellenlänge kleiner ungefähr 400 nm.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die einzelnen Lagen der Zusätze eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder einen unterschiedlichen Brechungsindex für elektromagnetische Strahlung aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht als Streuschicht, d.h. als Auskoppelschicht oder Einkoppelschicht, ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht partikelförmige Zusätze aufweisen, die als Streupartikel für elektromagnetische Strahlung,
beispielsweise Licht, eingerichtet sind, wobei die
Streupartikel in der Matrix verteilt sein können.
Mit anderen Worten: die Matrix kann mindestens ein streuendes Zusatzmaterial aufweisen, sodass die Antireflexschicht zusätzlich eine streuende Wirkung bezüglich einfallender elektromagnetischer Strahlung in wenigstens einem
Wellenlängenbereich ausbilden kann, beispielsweise mittels eines zur Matrix unterschiedlichen Brechungsindex der
streuenden Partikel bzw. streuenden Zusätze und/oder eines Durchmessers, der ungefähr der Größe der Wellenlänge der zu streuenden Strahlung entspricht.
Die streuende Wirkung kann elektromagnetische Strahlung betreffen, die von dem organischen funktionellen
Schichtensystem emittiert oder absorbierten wird,
beispielsweise um die Lichtauskopplung oder Lichteinkopplung zu erhöhen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass die
Antireflexschicht mit streuenden Zusätzen einen Unterschied des Brechungsindexes der streuenden Zusätze zum
Brechungsindex der Matrix von größer ungefähr 0,05 aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass der Teil der Antireflexschicht oberhalb der Streuzentren eine Dicke gleich oder größer der Rauheit der obersten Lage der
Streupartikel ohne Matrix aufweist, so dass wenigstens eine glatte Oberfläche ausgebildet wird, d.h. die Oberfläche kann eine geringe RMS-Rauheit (root mean Square - Betrag der mittlere Abweichung) aufweisen, beispielsweise kleiner als 10 nm.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein Zusatzmaterial als ein Farbstoff eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels des
Farbstoffes das optische Erscheinungsbild der
Antireflexschicht und/oder des optoelektronischen
Bauelementes verändert werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Farbstoff elektromagnetische Strahlung in einem anwendungsspezifisch nicht relevanten Wellenlängenbereich oder ungewünschten
Wellenlängenbereichen absorbieren, beispielsweise größer ungefähr 700 nm. Dadurch kann das optische Erscheinungsbild der Antireflexschicht verändert werden, beispielsweise die Antireflexschicht einfärben ohne die Effizienz in einem für die Anwendung des optoelektronischen Bauelementes technisch relevanten Wellenlängenbereich zu verschlechtern. Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die Antireflexschicht zusätzlich als Farb-Schicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein Zusatzmaterial der Antireflexschicht als eine Art UV-absorbierendes
Zusatzmaterial eingerichtet sein.
Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die
Antireflexschicht zusätzlich als UV-Schutz-Schicht
ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein Zusatzmaterial der Antireflexschicht als wellenlängenkonvertierendes
Zusatzmaterial, beispielsweise als Leuchtstoff, ausgebildet werden.
Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die
Antireflexschicht zusätzlich als Leuchtstoff-Schicht
ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein Zusatzmaterial der Antireflexschicht als Getter eingerichtet sein.
Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die
Antireflexschicht zusätzlich als Getter-Schicht ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Zusätze elektromagnetische Strahlung streuen, UV-Strahlung
absorbieren, die Wellenlänge von elektromagnetischer
Strahlung konvertieren, die Antireflexschicht einfärben und/oder schädliche Stoffe binden. Zusätze, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung streuen können und keine UV-Strahlung absorbieren können, können beispielsweise AI2O3, S1O2, Y2O3 oder Zr02 aufweisen oder daraus gebildet werden _
Zusätze, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung streuen und die Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung konvertieren, können beispielsweise als Glaspartikel mit einem Leuchtstoff eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Getter- Partikel als Streupartikel eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht strukturiert werden, beispielsweise
topographisch, beispielsweise lateral und/oder vertikal;
beispielsweise mittels einer unterschiedlichen stofflichen Zusammensetzung der Antireflexschicht , beispielsweise lateral und/oder vertikal, beispielsweise mit einer unterschiedlichen lokalen Konzentration wenigstens eines Zusatzmateriales .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Konzentration der Zusätze in der Antireflexschicht in wenigstens einem dritten Bereich des optoelektronischen Bauelementes kleiner oder größer sein als in einem vierten Bereich, beispielsweise im optisch inaktiven Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht mit wenigstens einer strukturierten
Grenzfläche ausgebildet werden.
Die wenigstens eine strukturierte Grenzfläche kann
beispielsweise mittels Aufrauens einer der Grenzflächen oder Ausbilden eines Musters an einer der Grenzfläche der
Antireflexschicht ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die strukturierte Grenzfläche der Antireflexschicht von Mikrolinsen gebildet werden . Die Mikrolinsen und/oder die Grenzflächenrauheit können beispielsweise als Streuzentren verstanden werden,
beispielsweise zum Erhöhen der
Lichteinkopplung/Lichtauskopplung . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Antireflexschicht als ein optisches Gitter ausgebildet werden, wobei das optische Gitter eine strukturierte Schicht mit Bereichen mit niedrigem Brechungsindex aufweist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Antireflexschicht derart ausgebildet werden, dass die wenigstens eine Antireflexschicht die organische funktionelle Schichtenstruktur wenigstens teilweise umgibt, beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Getter-Schicht derart ausgebildet werden, dass die wenigstens eine Getter-Schicht die organische funktionelle Schichtenstruktur, die wenigstens eine Barrierendünnschicht und/oder die wenigstens eine Antireflexschicht wenigstens teilweise umgibt, beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden wenigstens einer Schutzschicht auf oder über der Antireflexschicht aufweisen, wobei die Schutzschicht derart ausgebildet wird, dass die Antireflexschicht vor wenigstens einem schädlichen Stoff geschützt ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die wenigstens eine Schutzschicht derart ausgebildet werden, dass die wenigstens eine Schutzschicht die organische funktionelle Schichtenstruktur, die wenigstens eine Barrierendünnschicht , die wenigstens eine Antireflexschicht und/oder die wenigstens eine Getter-Schicht wenigstens teilweise umgibt,
beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Abdeckung auf oder über dem Getter aufweisen, wobei die Abdeckung derart angeordnet und/oder ausgebildet wird, dass die Diffusionsrate wenigstens eines schädlichen Stoffes in den Getter reduziert wird,
beispielsweise auf oder über einer flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische funktionelle Schichtenstruktur auf oder über dem Getter und/oder der Barrierendünnschicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in der wenigstens einen Schutzschicht, dem Träger, der Barrierendünnschicht, der wenigstens einen Antireflexschicht und/oder der Getter- Schicht wenigstens eine elektrische Durchführung ausgebildet werden, wobei die elektrische Durchführung zu einem
elektrischen Kontaktieren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur eingerichtet ist, beispielsweise zu einem elektrischen Kontaktieren der wenigstens einen Elektrode der organischen funktionellen Schichtenstruktur.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement mit wenigstens zwei Antireflex- /Getter-Schichtstrukturen ausgebildet werden, wobei die wenigstens zwei Antireflex-/Getter-Schichtstrukturen auf oder über der gleichen Seite oder auf oder über unterschiedlichen Seiten der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 2a, b schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 3a, b zeigen schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 4a-d schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen; Figur 5a-c schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen; und
Figur 6a, b unterschiedliche Ausgestaltungen eines
herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig.l zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen . Das optoelektronische Bauelement 100, beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung bereitstellendes elektronisches Bauelement 100, beispielsweise ein lichtemittierendes
Bauelement 100, beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode 100 kann ein Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET),
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen.
Der Träger 102 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches.
Ein Träger 102 aufweisend ein Metall oder eine
Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen .
Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110, eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden. So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zri2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder
Iri4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120). In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 116) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 118, einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 120 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann dir Elektronentransportschicht 116 auf oder über der Emitterschicht 118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 120 und
Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en)
116) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112
beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym.
Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 114
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110, wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder
mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108, beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. Die Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium¬ dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen
Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der Barrieredünnschicht 108 aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 eine Antireflexschicht 128
ausgebildet sein, wobei die Antireflexschicht 128 einen
Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5 und eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 ym bis ungefähr 100 ym aufweisen kann. In einer Ausgestaltung kann die Antireflexschicht 128 einen Stoff aufweisen mit einem intrinsischen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5. In einer Ausgestaltung kann die
Antireflexschicht 128 ein Stoffgemisch aufweisen,
beispielsweise eine Matrix in der wenigstens eine Art Zusätze verteilt ist. Die wenigstens eine Art Zusätze kann
beispielsweis derart ausgebildet und in der Matrix verteilt sein, dass der mittlere Brechungsindex von Matrix und
Zusatzmaterial in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,5 erhöht wird. In einer Ausgestaltung kann die Matrix wenigstens eine weitere Art Zusätze aufweisen, wobei die wenigstens eine weitere Art Zusätze elektromagnetische
Strahlung streuen, UV-Strahlung absorbieren, die Wellenlänge von elektromagnetischer Strahlung konvertieren, die
Antireflexschicht einfärben und/oder schädliche Stoffe binden kann . In einer Ausgestaltung kann die Art Zusatzmaterial, die schädliche Stoffe binden kann (Getter) in einer separaten Schicht auf oder über der Barrierendünnschicht 108
ausgebildet sein. Diese Schicht kann auch als Getter-Schicht bezeichnet werden, beispielsweise die Getter-Schicht 204, 404, wobei die Getter-Schicht einen Getter aufweist oder daraus gebildet ist. Eine Getter-Schicht, die einen Getter aufweist, kann beispielsweise eine Getter-Matrix aufweisen, in welcher der Getter verteilt ist. Die Antireflexschicht 128 und der Getter können auf oder über dem Träger 102 und/oder auf oder über der
Barrierendünnschicht 108 ausgebildet sein.
In Fig.2 bis Fig.6 sind verschiedene Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes mit einer Getter- Schicht dargestellt, um unterschiedliche Ausgestaltungen zur Lage einer Getter-Schicht im Schichtenquerschnitt zu
veranschaulichen .
Mittels separierter Antireflexschicht 128 und Getter-Schicht kann eine effiziente Lichtauskopplung oder Lichteinkopplung aus der oder in die organische funktionelle Schichtenstruktur realisiert werden, beispielsweise wenn die Getter-Schicht nicht ohne vergleichbaren Aufwand bezüglich des Ausbildens der Antireflexschicht 128 hochbrechend und mit ausreichender Streuwirkung, beispielsweise mittels dispergierte
Streupartikel, ausgebildet werden kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein
Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126, eine Metallfolienabdeckung 126, eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 126) auf oder der
Barrierendünnschicht 108 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist, beispielsweise einen körperlichen Kontakt mit der
Antireflexschicht 128 und/oder der Getter-Schicht aufweist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Abdeckung 126 eine äußere Barriereschicht ausgebildet sein (nicht dargestellt) , beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der Barriereschicht 104 und/oder der
Barrieredünnschicht 108.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 ym aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20a)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden.
Fig.2a, b zeigen schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
In der schematischen Querschnittsansicht in Fig.2 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelementes gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l dargestellt - gekennzeichnet mittels des Ausschnittes 100 in der Querschnittsansicht 200.
Der Träger 102, die erste Elektrode 110, die organische
Funksignale Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114, die Barrierendünnschicht 108 und die Antireflexschicht 128 können gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l ausgebildet sein. Die Getter-Schicht 204 kann eine Getter-Matrix und wenigstens eine Art Getter aufweisen, beispielsweise ein Zeolith. Die Getter-Matrix kann ähnlich einer Ausgestaltung der
KlebstoffSchicht 124 der Beschreibungen der Fig.l ausgebildet sein .
Die Barriereschicht 206 bzw. die Schutzschicht 206 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Barriereschicht 104 und/oder der Barrierendünnschicht 108 der Beschreibung Fig. 1
ausgebildet sein.
Die Träger 208 der äußeren Barriereschicht 206 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Abdeckung 126 der Beschreibung der Fig.l ausgebildet sein.
Dargestellt in Fig.2a ist ein schematischer
Schichtquerschnitt eines Ausführungsbeispiels eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
Auf oder über dem Träger 102 kann eine erste Elektrode 110 ausgebildet sein. Auf oder über der ersten Elektrode 110 kann eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112
ausgebildet sein. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 kann eine zweite Elektrode 114
ausgebildet sein. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 kann eine Barrierendünnschicht 108 ausgebildet sein.
In dem schematisch dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Barrierendünnschicht 108 derart strukturiert ausgebildet sein, dass die Barrierendünnschicht 108 die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114 wenigstens teilweise umgibt, beispielsweise gemeinsam mit dem Träger 102 vollständig umgibt. In einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 unstrukturiert sein und zusätzlich flächig auf oder über dem Träger 102 ohne elektrisch aktiven Bereich 106
ausgebildet sein (nicht dargestellt) .
Der flächige Bereich des Trägers 102 mit elektrisch aktivem Bereich 106 kann auch als optisch aktiver Bereich 212 bezeichnet werden. Der flächige Bereich des
optoelektronischen Bauelementes auf oder über dem Träger 102 ohne organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann auch als optisch inaktiver Bereich 214 bezeichnet werden. Auf oder über der Barrierendünnschicht 108 kann eine
Antireflexschicht 128 ausgebildet sein. Die Antireflexschicht 128 kann derart ausgebildet sein, dass die Antireflexschicht 128 die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114 und die Barrierendünnschicht 108 wenigstens teilweise umgibt, beispielsweise gemeinsam mit dem Träger 102 vollständig umgibt.
Auf oder über der Antireflexschicht 128 kann eine Getter- Schicht 204 ausgebildet sein. Die Getter-Schicht 204 kann derart ausgebildet sein, dass die Getter-Schicht 204 die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114 die Barrierendünnschicht 108 und die Antireflexschicht 128 wenigstens teilweise umgibt, beispielsweise gemeinsam mit dem Träger 102 vollständig umgibt.
Auf oder über der Getter-Schicht 204 kann eine äußere
Barriereschicht 206 ausgebildet sein. Die äußere
Barriereschicht 106 kann beispielsweise auch als
Schutzschicht 206 bezeichnet werden.
Die Getter-Schicht 204 kann zum Aufnehmen von Feuchtigkeit eingerichtet sein, die beispielsweise über den geometrischen Rand des optoelektronischen Bauelementes durch die äußere Barriereschicht 206 eindringen kann.
Die äußere Barriereschicht 206 kann derart ausgebildet sein, dass die Feuchtigkeitsdiffusion in die Getter-Schicht 204 reduziert wird, so dass die Menge an eindiffundiertem Wasser dauerhaft vom Getter der Getter-Schicht 204 gebunden werden kann . Auf oder über der äußeren Barriereschicht 206 kann eine
Abdeckung 208 ausgebildet sein. Die Abdeckung 208 kann auch als Träger 208 oder Substrat 208 der äußeren Barriereschicht 206 eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann die äußere Barriereschicht 206 auf oder über der Abdeckung 208 ausgebildet sein und
Stoffschlüssig mit der Getter-Schicht 204 verbunden werden, beispielsweise indem die Getter-Schicht 204 einen Klebstoff aufweist.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 208 mit äußerer Barriereschicht 206 als Barrierefolie ausgebildet sein und beispielsweise auf die Getter-Schicht 204 auflaminiert werden.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 208 mit äußerer Barriereschicht 206 einen intrinsisch, hermetisch dichten Stoff bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffes (für den optisch aktiven Bereich) aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise eine Keramik, eine Metall und/oder ein
Metalloxid, beispielsweise in Form einer Folie,
beispielsweise einer Metallfolie. Die Abdeckung 208 mit äußerer Barriereschicht 206 kann einen direkten, vollflächigen Kontakt von Umgebungsfeuchte mit der Getter-Schicht 204 verhindern.
Da der Betrag der Fläche der Seitenflächen der Getter-Schicht 204 bezüglich der flächigen Abmessung der Getter-Schicht 204 gering ist, kann der direkte Kontakt von Umgebungsfeuchte mit der Getter-Schicht durch die Seitenflächen der Getter-Schicht 204 relativ gering sein, sodass die eindringende Feuchte vom Getter dauerhaft aufgenommen werden kann. In einer Ausgestaltung kann die Getter-Schicht 204 derart ausgebildet sein, dass die Getter-Schicht 204 im Randbereich des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise im optisch inaktiven Bereich 214, eine geringere Schichtdicke aufweist als im optisch aktiven Bereich 212. Dadurch kann der direkte Kontakt der Getter-Schicht 204 mit Umgebungsfeuchte reduziert werden.
Die Getter-Schicht 204 und die äußere Barriereschicht 206 können die Menge an Wasser, d.h. Feuchtigkeit, reduzieren, die an die Barrieredünnschicht 108 gelangt, d.h. beide
Schichten können in Kombination zu einer Entlastung der eigentlichen Barriere, d.h. die Barrierendünnschicht 108, bezüglich eindiffundierender, schädlicher Stoffe führen.
Dadurch kann eine zuverlässige flexible Verkapselung
realisiert werden. In einer Ausgestaltung können/kann die Abdeckung 208 und/oder die äußere Barriereschicht 206 jedoch auch optional sein.
In Fig.2b ist ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen dargestellt, wobei auf oder über der
Barrierendünnschicht 108 eine Antireflexschicht 210
ausgebildet ist, wobei die Antireflexschicht 210 einen Getter als Zusatzmaterial aufweist. Die Antireflexschicht 210 mit Getter-Zusatzmaterial kann derart ausgebildet sein, dass die Antireflexschicht 210 mit Getter-Zusatzmaterial die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114 und die Barrierendünnschicht 108 wenigstens teilweise umgibt, beispielsweise gemeinsam mit dem Träger 102 vollständig umgibt .
Fig.3a, b zeigen schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen. Die Art der in Fig.3 dargestellten Ausgestaltung kann auch als Deckel-seitig bezeichnet werden.
Der Träger 102, die erste Elektrode 110, die organische Funksignale Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114, die Barrierendünnschicht 108 und die Antireflexschicht 128 können gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l oder Fig.2 ausgebildet sein. Die Getter-Schicht 204 kann gemäß einer Ausgestaltung der KlebstoffSchicht 124 der Beschreibungen der Fig.l und/oder der Antireflexschicht 210 der Beschreibung der Fig.2
ausgebildet sein, wobei die Getter-Schicht 204 eine Getter- Matrix und wenigstens eine Art Getter aufweist.
Die äußere Barriereschicht 206 bzw. die Schutzschicht 206 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Barriereschicht 104 und/oder der Barrierendünnschicht 108 der Beschreibung Fig.2 ausgebildet sein.
Die Träger 208 der äußeren Barriereschicht 206 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Abdeckung 126 der Beschreibung der Fig.l ausgebildet sein. In Fig.3a ist ein schematischer Schichtenquerschnitt eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes dargestellt, ähnlich einer Ausgestaltung des
optoelektronischen Bauelementes der Fig. 2a. Zusätzlich kann die äußere Barriereschicht 206 die Seitenflächen der Getter- Schicht 204 umgeben.
Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die äußere Barriereschicht 206 kann derart ausgebildet sein, dass die Barriereschicht 206 die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114 und die Barrierendünnschicht 108, die Antireflexschicht 128, 210 und/oder die Getter-Schicht 204 gemeinsam mit dem Träger 102 vollständig umgibt.
In Fig.3b ist ein schematischer Schichtenquerschnitt eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes dargestellt, ähnlich einer Ausgestaltung des
optoelektronischen Bauelementes der Fig. 3a.
In einem Ausführungsbeispiel kann die Abdeckung 208 auf oder über der äußeren Barriereschicht 206 als ein Kratzschutz 302 ausgebildet sein. Der Kratzschutz 302 kann derart ausgebildet sein, dass der optisch aktive Bereich 212 und der optisch inaktive Bereich 214 vor mechanischen Beschädigungen
geschützt ist, beispielsweise als eine Metallfolie, eine Glasfolie oder eine Kunststofffolie . In einer Ausgestaltung als Kratzschutz 302 kann das Abdecken der äußeren
Barriereschicht 206 nicht optional sein.
Fig.4a-d zeigen schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
Dargestellt in Fig.4a-d sind Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen, wobei eine Getter-Schicht 404 und eine
Antireflexschicht 128 zwischen dem Träger 102 und der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ausgebildet sein kann. Diese Art der Ausgestaltung kann auch als
Substrat-seitig bezeichnet werden und beispielsweise
notwendig sein, wenn das Substrat Diffusionskanäle
beispielsweise bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff.
Der Träger 102, die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114, die Barrierendünnschicht 108 und die Antireflexschicht 128 können gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.1-3 ausgebildet sein. Gemäß einer Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig. 1 kann auf oder über dem Träger 102 eine Barriereschicht 104 ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann auf oder über der Barriereschicht 104 eine Getter-Schicht 404 ausgebildet sein, wobei die
Getter-Schicht 404 beispielsweise ähnlich einer der
Ausgestaltungen der Getter-Schicht 204 der Beschreibungen der Fig. 2 ausgebildet sein kann.
In einem Ausführungsbeispiel - dargestellt in Fig.4a - kann auf oder über der Getter-Schicht 404 eine zweite
Schutzschicht 402 ausgebildet sein, wobei die zweite
Schutzschicht 402 ähnlich einer der Ausgestaltungen der ersten Schutzschicht 206 ausgebildet sein kann.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Schutzschicht 402 jedoch auch optional sein.
Auf oder über der zweiten Schutzschicht 402 kann die
Antireflexschicht 128 gemäß einer Ausgestaltung der
Beschreibung der Fig.l ausgebildet sein, wobei die
Antireflexschicht 128 wenigstens teilweise im optisch aktiven Bereich ausgebildet ist.
Auf oder über der Antireflexschicht 128 kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 ausgebildet sein. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 106 kann die Barrierendünnschicht 108 ausgebildet sein, wobei die Barrierendünnschicht 108 die organische funktionelle
Schichtenstruktur 106 und die Antireflexschicht 128
wenigstens teilweise umgeben kann, beispielsweise gemeinsam mit dem Träger 102 vollständig umgeben kann.
In einem Ausführungsbeispiel - dargestellt in Fig.4b kann die Antireflexschicht 128 auf oder über der Getter-Schicht 404 ausgebildet sein derart, dass die Getter-Schicht 404 die Antireflexschicht 128 wenigstens teilweise umgibt,
beispielsweise wenigstens teilweise von unten, wenigstens teilweise seitlich und/oder wenigstens teilweise von oben, beispielsweise vollständig.
Mit anderen Worten: die Antireflexschicht 128 kann in einer Ausgestaltung in einer Getter-Schicht 404 ausgebildet sein, beispielsweise teilweise oder vollständig von einer Getter- Schicht 404 umgeben sein.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Schutzschicht 402 auf oder über der Antireflexschicht 128 und der Getter-Schicht 404 ausgebildet sein.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel, ähnlich dem
Ausführungsbeispiel der Fig.4b, kann die zweite Schutzschicht 402 strukturiert sein derart, dass die zweite Schutzschicht 402 im Wesentlichen im optisch inaktiven Bereich 214
ausgebildet ist - dargestellt in Fig.4c.
Mit anderen Worten: die organische funktionelle
Schichtenstruktur 106 kann in einem körperlichen Kontakt mit der Antireflexschicht 128 ausgebildet sein. Die
Barrierendünnschicht 108 und die zweite Schutzschicht 402 können derart ausgebildet sein, dass die Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise eine optisch aktive Seite des optoelektronischen Bauelementes, teilweise oder vollständig verkapselt ist.
In einem weiteren Ausführungsbeispielen - dargestellt in Fig.4d - kann die Antireflexschicht 128, ähnlich einem
Ausführungsbeispiel in Fig. 4a, auf oder über der zweiten Schutzschicht 402 ausgebildet sein und die zweite
Schutzschicht 402 - ähnlich einem Ausführungsbeispielen in Fig.4c strukturiert sein derart, dass auf oder über der Antireflexschicht 128 eine dritte Schutzschicht 406
ausgebildet ist.
Mit anderen Worten: die Barrierendünnschicht 108, die zweite Schutzschicht 402 und die dritte Schutzschicht 406 können derart ausgebildet sein, dass die Oberfläche des
optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise eine optisch aktive Oberfläche, mit der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 106, der Antireflexschicht 128 und/oder der Getter-Schicht 404 wenigstens teilweise umgeben sind,
beispielsweise verkapselt sind.
Fig.5a-c zeigen schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen.
Dargestellt in Fig.5a-c sind Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen, wobei das optoelektronische Bauelement
Getter flächig, beidseitig der organischen funktionellen Schichtenstruktur 106 aufweisen kann. Diese Art der
Ausgestaltung kann auch als beidseitig bezeichnet werden.
Der Träger 102, die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114, die Barrierendünnschicht 108 und die Antireflexschicht 128 können gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l ausgebildet sein. Die Getter-Schichten 204, 404 können gemäß einer
Ausgestaltung der KlebstoffSchicht 124 der Beschreibungen der Fig.l und/oder der Antireflexschicht 210 der Beschreibung der Fig.2 ausgebildet sein, wobei die Getter-Schicht 204, 404 eine Getter-Matrix und wenigstens eine Art Getter aufweist.
Die Barriereschicht 104, die Schutzschicht 206, die zweite Schutzschicht 402 und die Barrierendünnschicht 108 können gemäß Ausgestaltungen der Barrierendünnschicht 108 der
Beschreibung Fig. 1 ausgebildet sein, wobei die
Barriereschicht 104, die erste Schutzschicht 206 und die zweite Schutzschicht 402 optional sein können.
Die Träger 208 der äußeren Barriereschicht 206 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Abdeckung 126 der Beschreibung der Fig.l ausgebildet sein. Gemäß einer Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig. 1 kann auf oder über dem Träger 102 eine Barriereschicht 104 ausgebildet sein. Auf oder über der Barriereschicht 104 kann eine Getter-Schicht 404 ausgebildet sein, wobei die Getter- Schicht 404 beispielsweise ähnlich einer der Ausgestaltungen der Getter-Schicht 204 der Beschreibungen der Fig.2
ausgebildet sein kann.
In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische
Bauelement eine erste Getter-Schicht 204 und eine zweite Getter-Schichten 404 aufweisen - dargestellt in Fig. 5a.
Mit andere Worten: im Strahlengang des optisch aktiven
Bereiches 212 können mehrere Getter-Schichten 204, 404 ausgebildet sein.
In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische
Bauelement eine zweite Antireflexschicht 502 wenigstens teilweise im optisch aktiven Bereich 212 des
optoelektronischen Bauelementes aufweisen, wobei die zweite Antireflexschicht 502 beispielsweise ähnlich der ersten
Antireflexschicht 128 eingerichtet sein kann oder ähnlich der Antireflexschicht 210 mit Getter-Zusätzen .
Mit andere Worten: im Strahlengang des optisch aktiven
Bereiches 212 können mehrere Antireflexschicht 128, 502 ausgebildet sein. In einem Ausführungsbeispielen - dargestellt in Fig. 5c - kann das optoelektronische Bauelement - ähnlich einer
Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig. 4c - eine erste Antireflexschicht 128, die beispielsweise wenigstens
teilweise von einer zweiten Getter-Schicht 404 umgeben ist, und eine zweite Antireflexschicht 502, die beispielsweise wenigstens teilweise von einer ersten Getter-Schicht 204 umgeben ist, aufweisen. Fig.6 zeigt unterschiedliche Ausgestaltungen eines
herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes.
Auf oder über einem Träger 602 kann eine erste Elektrode 604 ausgebildet sein. Auf oder über der ersten Elektrode 604 kann eine organische funktionelle Schichtenstruktur 606
ausgebildet sein. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 606 kann eine zweite Elektrode 608
ausgebildet sein. Auf oder über der zweiten Elektrode 608 kann eine Verkapselungsschicht 610 ausgebildet sein.
Die Verkapselungsschicht 610 kann derart ausgebildet sein, dass die Barrierendünnschicht 612 gemeinsam mit dem Träger 602 die erste Elektrode 604, die organische funktionelle Schichtenstruktur 606 und die zweite Elektrode 608
vollständig umgibt und zusätzlich in einem körperlichen
Kontakt auf oder über dem Trägers 602 ausgebildet ist - dargestellt in Fig.6a.
In einem weiteren herkömmlichen optoelektronischen Bauelement - dargestellt in Fig.6b - kann die Verkapselungsschicht 610 strukturiert sein derart, dass die Verkapselungsschicht 610 gemeinsam mit dem Träger 602 nur die erste Elektrode 604, die organische funktionelle Schichtenstruktur 606 und die zweite Elektrode 608 vollständig umgibt.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist den Anteil an elektromagnetischer Strahlung zu erhöhen, der von dem
optoelektronischen Bauelement mit einer Getter-Schicht aufgenommen oder bereitgestellt werden kann.
Eine Getter-Schicht kann einen mittleren Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur, keine
Streuwirkung aufweisen und/oder keine Integrations- Möglichkeit für optische Linsen aufweisen. Dadurch kann ein signifikanter Anteil der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung an einer oder den Grenzfläche/n der Getter-Schicht reflektiert werden, beispielsweise totalreflektiert werden. Der reflektierte Anteil der elektromagnetischen Strahlung kann dann nicht in das optoelektronische Bauelement
eingekoppelt werden, beispielsweise bei organischen
Solarzellen oder organischen Sensoren, oder aus dem
optoelektronischen Bauelement ausgekoppelt werden,
beispielsweise bei einer organischen Leuchtdiode.
Mittels einer Antireflexschicht im Strahlengang des optisch aktiven Bereiches und der Getter-Schicht kann der Anteil reflektierter elektromagnetischer Strahlung reduziert werden. Die Antireflexschicht kann beispielsweise einen Stoff
aufweisen oder daraus gebildet sein, wodurch die
Antireflexschicht einen hohen mittleren Brechungsindex aufweist, beispielsweise einen höheren mittleren
Brechungsindex als die Getter-Schicht. Zusätzlich kann die Antireflexschicht eine streuende Wirkung aufweisen,
beispielsweise mittels einer Strukturierung der Grenzflächen, beispielsweise der Oberfläche, beispielsweise ähnlich einer optischen Linse.

Claims

Patentansprüche
Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend:
einen Träger (102);
· eine organische funktionelle Schichtenstruktur
(112), wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) auf oder über einem Träger (102) ausgebildet ist und zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist;
• eine im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur ( 112 ) angeordnete Antireflex- /Getter-Schichtstruktur, die aufweist:
-Gettermaterial , das einen niedrigeren mittleren Brechungsindex aufweist als der mittlere
Brechungsindex der organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112); und
-eine Antireflexschicht , wobei Material der Antireflexschicht im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) zumindest teilweise zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem Gettermaterial angeordnet ist, und wobei das Material der Antireflexschicht , das zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem
Gettermaterial angeordnet ist, einen mittleren Brechungsindex aufweist, der größer ist als der Brechungsindex des Gettermaterials und/oder mindestens ein streuendes Zusatzmaterial verteilt einer Matrix aufweist.
2. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112), der Getter und/oder die Antireflexschicht (128, 502) transluzent und/oder transparent ausgebildet sind/ist . Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) als ein organisches, optoelektronisches Bauelement (100)
ausgebildet ist, insbesondere eine organische Solarzelle (100) oder eine organische Leuchtdiode (100).
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner aufweisend:
eine erste Elektrode (110) und eine zweite Elektrode (114), wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) elektrisch zwischen den
Elektroden (110, 114) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, ferner aufweisend:
wenigstens eine Barrieredünnschicht (104, 108) zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem Getter.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei der Getter in einer Getter-Schicht (204, 210, 404) ausgebildet ist, wobei der Getter in einer Getter-Matrix enthalten ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei die Getter-Schicht (204, 210, 404) in einem ersten Bereich eine erste Dicke und in einem zweiten Bereich eine zweite Dicke aufweist, wobei die zweite Dicke kleiner ist als die erste Dicke.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 7, aufweisend einen optisch aktiven Bereich (212) und einen optisch inaktiven Bereich (214), wobei der erste Bereich den optisch aktiven Bereich und der zweite Bereich den optisch inaktiven Bereich aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 8, wobei die wenigstens eine Getter-Schicht (204, 210, 404) die organische funktionelle Schichtenstruktur (106), die wenigstens eine Barrieredünnschicht (104, 108) und/oder die wenigstens eine Antireflexschicht (128, 502)
wenigstens teilweise umgibt.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend:
eine Schutzschicht auf oder über der Antireflexschicht , wobei die Schutzschicht die organische funktionelle Schichtenstruktur, die wenigstens eine
Barrierendünnschicht , die wenigstens eine
Antireflexschicht und/oder die wenigstens eine Getter- Schicht wenigstens teilweise umgibt.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner aufweisend:
wenigstens zwei Antireflex-/Getter-Schichtstrukturen aufweisen, wobei die wenigstens zwei Antireflex-/Getter Schichtstrukturen auf oder über der gleichen Seite oder auf oder über unterschiedlichen Seiten der organischen funktionellen Schichtenstruktur angeordnet sind.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes, das Verfahren aufweisend:
• Bereitstellen einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112) auf oder über einem Träger (102), wobei organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet wird;
• Ausbilden einer Antireflex-/Getter-Schichtstruktur im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112), die Antireflex-/Getter- Schichtstruktur aufweisend:
- ein Gettermaterial , das einen niedrigeren
mittleren Brechungsindex aufweist als die organische funktionelle Schichtenstruktur (112); und
- eine Antireflexschicht, wobei Material der
Antireflexschicht im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) zumindest teilweise zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem Gettermaterial ausgebildet wird, und wobei das Material der
Antireflexschicht , das zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem
Gettermaterial angeordnet ist, einen mittleren
Brechungsindex aufweist, der größer ist als der mittlere Brechungsindex des Gettermaterials
und/oder mindestens ein streuendes Zusatzmaterial verteilt in einer Matrix aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 12,
wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112), der Getter (204, 210, 404) und/oder die
Antireflexschicht (128, 502) transluzent und/oder transparent ausgebildet werden/wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 oder 13,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) als ein organisches, optoelektronisches Bauelement ausgebildet wird, insbesondere eine organische Solarzelle (100) oder eine organische Leuchtdiode (100).
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14,
ferner aufweisend: Ausbilden einer ersten Elektrode (110) und einer zweiten Elektrode (114), wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112)
elektrisch zwischen den Elektroden ausgebildet wird.
16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, ferner aufweisend :
Ausbilden wenigstens einer Barrieredünnschicht (104, 108) zwischen der organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112) und dem Getter.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16,
wobei die Antireflexschicht (128, 502) derart
ausgebildet wird, dass der Betrag des mittleren
Brechungsindex der Antireflexschicht (128, 502) ungefähr größer ist als der Betrag des mittleren Brechungsindexes der organischen funktionellen Schichtenstruktur.
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