WO2014044960A1 - Dispositif opto-électronique à microfils ou nanofils semi-conducteurs et son procédé de fabrication - Google Patents

Dispositif opto-électronique à microfils ou nanofils semi-conducteurs et son procédé de fabrication Download PDF

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iii
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microwires
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Emilie Pougeoise
Amélie DUSSAIGNE
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Aledia
Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
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Definitions

  • the present invention generally relates to semiconductor materials, devices based on semiconductor materials and their manufacturing processes.
  • the present invention relates more particularly to semiconductor microwires or nanowires and devices comprising semiconductor microwires or nanowires.
  • Microwires or nanowires comprising a semiconductor material predominantly comprising a group III element and a group V element (for example gallium nitride GaN), hereinafter called compound III-V, allow the manufacture of semiconductor devices such as opto-electric devices.
  • Opto-electric devices are devices adapted to convert an electrical signal into an electromagnetic radiation or vice versa, and in particular devices for detecting, measuring or emitting electromagnetic radiation or devices dedicated to photovoltaic applications.
  • Processes for manufacturing microfilts or nanowires comprising a III-V compound must allow the manufacture of microfilts or nanowires with precise and uniform control of the geometry, position and crystallographic properties of each microfil or nanowire.
  • Document US Pat. No. 7,829,443 describes a process for manufacturing nanowires comprising depositing a layer made of a dielectric material on a planar face of a substrate, etching apertures in the layer of the dielectric material to expose portions of the substrate. and the formation of nanowires in the openings.
  • the dielectric material is chosen so that the nanowires do not tend to grow directly thereon.
  • a disadvantage of the method described in US Pat. No. 7,829,443 is that the nanowires develop from the substrate first in the openings of the layer of the dielectric material.
  • the shape of the sidewalls of the openings must therefore be defined accurately, preferably perpendicularly to the face of the substrate, so as not to disturb the growth of the nanowires. It may be difficult to form sidewalls that are perfectly perpendicular to an industrial scale and at low cost.
  • an object of one embodiment of the present invention is to overcome at least partly the disadvantages of opto-electrical devices microwires or nanowires and their manufacturing processes described PREVIOUS ⁇ ously.
  • III-V compound microwires or nanowires are not made through openings made in a layer of a dielectric material.
  • III-V compound microwires or nanowires are formed on a substantially planar surface.
  • Another object of an embodiment of the present invention is that the position, the geometry and the properties crystallographic data of each microfil or nanowire to III-V compound can be controlled accurately and uniformly.
  • III-V compound microwires or nanowires can be formed on an industrial scale and at low cost.
  • an embodiment of the present invention provides an opto-electric device comprising microwires or nanowires on a support, each microfil or nanowire comprising at least one portion comprising predominantly a III-V compound in contact with the support, in which the compound III-V is based on a first element of group V and a second element of group III, in which one face of the support comprises first zones of a first material promoting the growth of compound III-V according to polarity of the first element distributed in a second zone of a second material promoting the growth of the compound according to the polarity of the second element, the microwires or nanowires being located on the first zones.
  • the periphery of said portion is covered with a layer of a dielectric material from the support over part of the total height of said portion.
  • the layer of the dielectric material has a thickness between an atomic monolayer and 5 nm.
  • the first material comprises magnesium nitride or magnesium and gallium nitride.
  • the second material comprises aluminum nitride.
  • blocks are located on the second zone, the blocks comprising said compound and having a thickness of between 50 nm and 5 ⁇ m and strictly less than the height of the microfilms or nanowires.
  • the layer of the dielectric material covers, in addition, the blocks.
  • the dielectric material comprises the first element and a third element, different from the first and second elements, and each microfil or nanowire further comprises the third element only on said part of the total height.
  • the first zones are separated from each other by the second zone and, for each first zone, a single microfil or nanowire is in contact with said first zone.
  • the compound III-V is a compound III-N, in particular chosen from the group comprising gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, gallium nitride and indium, gallium aluminum nitride and gallium, aluminum and indium nitride.
  • the dielectric material comprises silicon nitride.
  • the total height of said portion of each microfil or nanowire is greater than or equal to 500 nm.
  • An embodiment of the present invention further provides a method of manufacturing an opto-electric device as described above, wherein the III-V compound is based on a first group V element and a second element of group III, the method comprising the following steps:
  • the method further comprises forming a layer of a dielectric material covering said portion from the support over a portion of the height of said portion, the dielectric material comprising, in addition, a third element different from the first and second elements, the method comprising, in step (ii), the simultaneous injection into the reactor precursors of the first, second and third elements.
  • step (ii) is followed by a step of growth of the microwires or nanowires by injecting into the reactor the precursors of the first and second elements, without injecting the precursor of the third element.
  • the method further comprises, in step (ii), the formation of blocks on the second zone, the blocks comprising said compound and having a thickness of between 50 nm and 5 ⁇ m. and strictly inferior to the height of the microfilts or nanowires.
  • Figure 1 is a sectional, partial and schematic, of an embodiment according to the invention of an optoelectric device with microwires or nanowires;
  • FIGS. 2A to 2H are partial and schematic sections of structures obtained at successive stages of an embodiment according to the invention of a method of manufacturing the opto-electric device represented in FIG. 1;
  • FIGS. 3A to 3F are partial and schematic sections of structures obtained at successive stages of another embodiment according to the invention of a method for manufacturing a variant of the opto-electric device represented in FIG. figure 1 ; and
  • FIG. 4 is a partial and schematic cross-section of another embodiment of the invention of an opto-electric device with microwires or nanowires.
  • the terms “substantially”, “about” and “of the order of” mean “to within 10%”.
  • the term “compound consisting mainly of a material” or “compound based on a material” means that a compound has a proportion greater than or equal to 95% of said material, this proportion being preferably greater than 99%.
  • microfilts or nanowires means a three-dimensional elongated structure of which at least two dimensions, called minor dimensions, are between 5 nm and 2.5 ⁇ , the third dimension, called the major dimension, being at least equal to 1 times the largest of the minor dimensions, preferably at least 5 times and even more preferably at least 10 times.
  • the minor dimensions may be less than or equal to about 1000 nm, preferably between 100 nm. and 300 nm.
  • the height of each microfil or nanowire may be greater than or equal to 500 nm, preferably between 1 ⁇ m and 50 ⁇ m.
  • the cross-section of the microfilaments or nanowires may have different shapes, such as, for example, an oval, circular or polygonal shape, in particular triangular, rectangular, square or hexagonal.
  • the microfilts or nanowires may have a three-dimensional cylindrical, conical and / or frustoconical shape.
  • the microfilaments or nanowires may be, at least in part, formed from semiconductor materials predominantly comprising a III-V compound, for example III-N compounds.
  • III-V compounds include gallium (Ga), indium (In) or aluminum (Al).
  • III-N compounds are GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN or AlInGaN.
  • Other Group V elements may also be used, for example, phosphorus or arsenic. In general, the elements in compound III-V can be combined with different mole fractions.
  • the microwires or nanowires may comprise a dopant from the group comprising a group II P-dopant, for example, magnesium (Mg), zinc (Zn), cadmium (Cd) or mercury.
  • a group IV P type dopant for example carbon (C) or a Group IV N dopant comprising silicon (Si), germanium (Ge), selenium (Se), sulfur (S), terbium (Tb) and tin (Sn).
  • the microfilts or nanowires are formed on one side of a substrate.
  • the substrate is, for example, a semiconductor substrate, such as a substrate made of silicon, germanium, silicon carbide, a material composed of a group III element and a group V element, such as GaN or GaAs, a substrate made of ZnO, sapphire, metal, ceramic or glass.
  • the principle of the invention is to form on the substrate, on which it is desired to grow the microwires or nanowires, a polarity fixing surface obtained by zones of a first material surrounded by an area of a second material. According to one embodiment of the invention, this surface may be substantially flat.
  • the first material is chosen so as to promote the growth of the compound III-V according to the polarity of the element of the group V.
  • the second material is chosen so as to promote the growth of the compound III-V according to the polarity of the element Group III.
  • the substrate may correspond to the first material or the second material.
  • a III-V compound grows according to the polarity of the group III element or the polarity of the group V element means that the material grows in a preferred direction and that when the material is cut in a plane perpendicular to the growth direction privi ⁇ llautée, the exposed face essentially comprises atoms of the group III element in the case of growth depending on the polarity of the group III element or the carbon element of group V in the case of a growth according to the polarity of the group V element.
  • the first material may be mainly composed of magnesium nitride in the Mg x Ny form, for example magnesium nitride according to the Mg3 2 form or gallium nitride and of magnesium (MgGaN).
  • the first material is mainly composed of aluminum nitride (AIN) of nitrogen polarity. This is, for example, monocrystalline aluminum nitride formed at low temperature, for example at a temperature between 600 ° C and 800 ° C, by epitaxy on a sapphire substrate.
  • the second material may be mainly payment composed of aluminum nitride (AlN) of aluminum polarity.
  • AlN aluminum nitride
  • the second material may be mainly composed of gallium nitride of gallium polarity.
  • gallium nitride formed at low temperature, for example at a temperature between 500 ° C and 800 ° C, on a sapphire substrate.
  • the substrate can play the role of the second material.
  • the process for growing the microfilaments or nanowires can be a method of the organometallic chemical vapor deposition (MOCVD) type, also known as organometallic vapor phase epitaxy (or OMVPE). acronym for Organo-Metallic Vapor Phase Epitaxy).
  • MOCVD organometallic chemical vapor deposition
  • OMVPE organometallic vapor phase epitaxy
  • processes such as Molecular Beam Epitaxy (MBE), gas source MBE (MBBE), organometallic MBE (MOMBE), atomic layer epitaxy (ALE) English for Atomic Layer Epitaxy) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE) can be used.
  • the process may comprise injecting into a reactor a precursor of the group III element and a precursor of the group V element.
  • group III precursors are trimethylgallium (TMG), triethylgallium (TEGa), trimethylindium (TMIn) or trimethylaluminum (TMA1).
  • group V precursors are ammonia (NH3), tertiarybutylphosphine (TBP) or arsine (ASH3).
  • the compound III-V increases according to the polarity of the element of the group V on the zones of the first material and on the polarity of the group III element on the zone of the second material.
  • a precursor of a supplementary element is added in excess relative to the precursors of the III-V compound.
  • the additional element may be silicon (Si).
  • An example of a precursor of silicon is silane (S1H4).
  • the present invention is based on the fact that the angle formed, relative to the face of the substrate, the lateral flanks of a crystal of a compound III-V which grows on the substrate according to the polarity of the element of the group V is greater than the angle that, with respect to the face of the substrate, form the lateral flanks of a crystal of compound III-V which grows on a substrate according to the polarity of the group III element.
  • the angle that form, with respect to the face of the substrate, the lateral flanks of a crystal of a compound III-V which grows on the substrate according to the polarity of the element of the group V is greater than 85 °, and is preferably substantially equal to 90 °.
  • the angle that form, with respect to the face of the substrate, the lateral flanks of a crystal of a compound III-V which grows on the substrate according to the polarity of the group III element is less than 80 °, preferably less than 70 °.
  • the inventors have demonstrated that the presence of the precursor of the additional element leads to the incorporation of the additional element in the III-V compound but also the formation of a layer of a dielectric material consisting of princi ⁇ palely the additional element and the group V element on the lateral flanks of the growing crystals of the compound III-V.
  • the concentration of the additional element in the compound III-V is between 10 and 10 cm -1 .
  • the layer of the dielectric material has a thickness between an atomic monolayer and 5 nm. For the crystal that grows according to the polarity of the group III element, the layer of dielectric material that forms on the inclined flanks prevents further growth of compound III-V once the inclined flanks have joined at the top.
  • the structures or blocks obtained from said compound on the zone of the second material have a thickness of between 50 nm and 5 ⁇ m, preferably between 500 nm and 4 ⁇ m. This thickness depends on the center-to-center distance between two microfilms or nanowires. The height of the microwires or nanowires is preferably strictly greater than the thickness of the blocks.
  • the layer of the dielectric material which forms on the sides substantially perpendicular to the face of the substrate does not prevent the further growth of the crystal of the compound. III-V in height. As a result, the growth of microfilts or nanowires of compound III-V only on the areas of the first material is obtained.
  • the structures or blocks obtained between the microwires or nanowires make it possible to obtain an irregular, non-planar surface between the microwires or nanowires.
  • this surface is coated with a material reflects ⁇ chissant, this allows to better direct the light rays towards the microwires or nanowires or microwires or nanowires from.
  • reflective materials may be nickel, aluminum and silver.
  • FIG. 1 is a partial and schematic section of an embodiment according to the invention of an optoelectric device 10 which is adapted to emit electromagnetic radiation.
  • the device 10 comprises, from the bottom to the top in FIG.
  • a first polarization electrode 12 a semiconductor substrate 14 comprising parallel faces 16 and 18, the face 16 being in contact with the electrode 12;
  • polarity fixing zones 20 of the first material separated by zones 22 for fixing the polarity of the second material covering the face 18, the zones 20 and 22 being juxtaposed and defining a face 23 opposite the face 18;
  • microwires or nanowires 24 (three microwires or nanowires being represented) of height H ] _, each microfil or nanowire 24 being in contact with one of the zones 20, each microfil or nanowire 24 comprising a contact portion 26, in contact with zone 20, an active portion 28 in contact with the contact portion 26 and a bias portion 30 in contact with the active portion 28;
  • a dielectric layer 36 covering the inclined flanks 34 of the structures 32 and a portion of the periphery of the contact portion 26 of each microfil or nanowire 24 from the base of the microfil or nanowire 24 in contact with the associated zone 20;
  • an insulating layer 37 covering the blocks 32 and, for each microfil or nanowire 24, a portion of the microfil or nanowire 24 from the base of the microfil or nanowire 24 in contact with the zone 20 to come to cover the edge of the portion polarization 30;
  • a second polarization electrode 38 in contact with each microfil or nanowire 24 at the polarization portion 30.
  • the substrate 14 is, for example, a semiconductor substrate, such as a silicon substrate.
  • the substrate 14 may be doped with a first type of conductivity.
  • the electrode 12 may correspond to a conductive layer which extends on the face 16 of the substrate 14.
  • the material forming the electrode 12 may be, for example, nickel silicide (NiSi), aluminum (Al) or titanium (Ti).
  • the polarity fixing zones 22 are preferably connected to one another and form a single continuous zone.
  • the polarity fixing zones 20 are preferably separated from one another by the zone 22.
  • Each zone 20 is completely surrounded by the zone 22.
  • the zones 20, 22 have, for example, a thickness of between 1 and 100 nm, preferably between 10 and 30 nm.
  • Each zone 20, 22 has a texturing and a preferential polarity.
  • preferential texturing is meant that the crystals that make up the zones 20 (respectively the zones 22) have a preferred growth direction that is the same for all the zones 20 (respectively the zones 22).
  • preferred polarity is meant that the zones 20 (respectively zones 22) have substantially all the same polarity.
  • each zone 20 comprises an alloy of at least two elements
  • the exposed surface essentially comprises atoms of the same element for each zone 20 (respectively for each zone 22).
  • Each zone 20 may have the same type of conductivity as the substrate 14 in order to limit the interface resistance between the zone 20, 22 and the substrate 14.
  • Each zone 20 has a shape corresponding to the desired cross-section for the microfil or nanowire 24 partner.
  • each zone 20 has a substantially hexagonal shape whose average diameter is chosen as a function of the desired average diameter of the associated microfilament or nanowire 24.
  • each zone 20 may have a rectangular, polygonal, circular, square or oval shape.
  • the centers of two adjacent zones may be 1.5 to 5 and preferably 2 to 3 microns apart.
  • the zones 20 may be evenly distributed on the substrate 14, the zone 22 forming a grid surrounding each zone 20.
  • the zones 20 may form a hexagonal network on the zone 22.
  • each structure 32 measured from the underlying zone 22 is preferably less than or equal to 5 ⁇ m, for example between 500 nm and 4 ⁇ m.
  • the angle of inclination between the face 34 and the face 23 is, for example, less than 80 °, preferably less than 70 °, in particular substantially equal to 60 °.
  • Each microfil or nanowire 24 is a semi-conductive structure elongate in the direction substantially perpendicular to the face 18.
  • Each microfil or nanowire 24 may have a generally elongated cylindrical shape with a hexagonal base.
  • the average diameter of each microwire or nanowire 24 may be between 50 nm and 2.5 microns and the height H] _ of each microwire or nanowire 24 may be between 1 micron and 50 microns.
  • the 24 is mainly composed of the compound III-N which may have the same type of conductivity as the substrate 14.
  • the periphery of the contact portion 26 is covered by the layer 36 of dielectric on a height 3 ⁇ 4 from the end of the portion of contact 26 in contact with the associated zone 20.
  • the height 3 ⁇ 4 can be between 500 nm and 25 ⁇ m.
  • the dielectric material layer 36 has a thickness between an atomic monolayer and 5 nm.
  • the active portion 28 corresponds to a layer covering the end of the contact portion 26 and extending on the fraction of the contact portion 26 not covered by the layer 36 on the side opposite the zone 20 polarity fixation.
  • the active portion 28 is at least partially made in a compound III-N, for example nitride of gallium and indium.
  • the active portion 28 may be doped with the first type of conductivity, not be doped or be doped with a second type of conductivity opposite to the first type of conductivity.
  • Each active portion 28 forms a semiconductor junction with the corresponding contact portion 26.
  • Active portion 28 may include containment means, such as multiple quantum wells.
  • the polarization portion 30 may comprise a III-N material.
  • the polarization portion 30 may have a conductivity of the second type.
  • the polarization portion 30 may comprise an electron-blocking layer 40, comprising a doping of the second type of conductivity, made of gallium-aluminum nitride (AlGaN), in contact with the active portion 28 and an additional layer 42, to ensure a good electrical contact between the second electrode 38 and the active portion 28, for example gallium nitride (GaN) in contact with the electron blocking layer 40 and with the electrode 38.
  • AlGaN gallium-aluminum nitride
  • GaN gallium nitride
  • the insulating layer 37 is adapted to prevent the formation of a direct electrical contact between the contact portion 26 of each microfilament or nanowire 24 and the electrode 38.
  • the insulating layer 37 may be made of a dielectric material, for example silicon oxide (SiC 2), silicon nitride (Si 3 N 4), aluminum oxide (Al 2 O 3), hafnium oxide (HfCl 3) or diamond.
  • the second electrode 38 is adapted to both polarize the polarization portion 30 of each microfil or nanowire 24 and pass the electromagnetic radiation emitted by the microwires or nanowires 24.
  • the material forming the electrode 38 may be a semi-transparent material such as indium tin oxide (ITO), or zinc oxide doped with aluminum.
  • FIGS. 2A to 2H illustrate the structures obtained at successive stages of an embodiment of a method of manufacturing the optoelectric device 10 of FIG. 1.
  • a layer 50 uni ⁇ form of the second material promoting the growth of compound III-N in a polarity of the element of Group III ( Figure 2A).
  • This is an example of aluminum nitride.
  • the layer 50 has for example a thickness of between 1 nm and 2 ⁇ m, preferably between 1 and 100 nm.
  • the layer 50 can be obtained by a method of the MOCVD type. However, methods such as CVD, MBE, GSMBE, MOMBE, ALE, HVPE or reactive sputtering can be used or any type of deposit for obtaining a textured layer.
  • the layer 50 is made of aluminum nitride, the layer 50 must be substantially textured and have a preferred polarity.
  • Etching apertures 56 in layer 50 to form area 22 (Fig. 2C).
  • the openings 56 have substantially the shape of the desired section for the microfilms or nanowires 24 to achieve.
  • the etching of the openings 56 may be performed by dry etching, for example reactive ion etching or RIE (English acronym for Reactive Ion Etching) or inductively coupled plasma etching or ICP (inductively coupled plasma) etching.
  • a layer 58 of the first material providing the growth of the compound III-N according to the polarity N (FIG. 2E) over the whole of the structure obtained in the preceding step and in particular on the portions 22 and in the openings 56.
  • This is, for example, magnesium nitride or gallium and magnesium nitride.
  • the deposit can be obtained by a method of the MOCVD type. However, methods such as CVD, MBE, GSMBE, MOMBE, ALE, HVPE or reactive sputtering may be used.
  • the thickness of the zones 20 is, for example, between 1 nm and 2 ⁇ m, preferably between 1 and 100 nm.
  • the fraction of the contact portion 26 of each microfil or nanowire 24 can be obtained by a method of the MOCVD type. However, methods such as MBE, GSMBE, MOMBE, ALE or HVPE can be used.
  • a method of the MOCVD type can be implemented by injection into a MOCVD reactor of a gallium precursor gas, for example trimethylgallium (TMG). and a nitrogen precursor gas, for example ammonia (NH3).
  • a gallium precursor gas for example trimethylgallium (TMG).
  • a nitrogen precursor gas for example ammonia (NH3).
  • TMG trimethylgallium
  • NH3 ammonia
  • the gas flow can be about 60 sccm
  • the gaseous mixture further comprises the injection of silane into the MOCVD reactor, a silicon precursor material.
  • the silane can be diluted in hydrogen at 100 ppm and a flow of molar about 400 ml per minute.
  • the temperature in the reactor is, for example, between 950 ° C. and 1100 ° C., preferably between 990 ° C. and 1100 ° C., more preferably between 1015 ° C. and 1060 ° C.
  • the pressure in the reactor is, for example, about 800 mbar (800 hPa).
  • a carrier gas may be used, for example nitrogen, for example with a flow of 1000 sccm for TMG and a flow of 1000 sccm for NH3.
  • the process also causes the structures 32 with inclined flanks 34 to grow on zone 22.
  • the inventors have demonstrated that in the absence of formation of the dielectric layer 36, the growth of the structure 32 is not stopped and the thickness, measured from the zone 22, of the structure 32 increases as long as Precursor gases feed the reactor. In addition, the average diameter of the microwires or nanowires 24 also tends to increase beyond the average diameter of the zones 20.
  • the method comprises additional steps of making, for each microfil or nanowire 24 of the portion active 28, the bias portion 30, the insulating layer 37 and the electrodes 12, 38. These steps are well known to those skilled in the art and are not described in detail.
  • FIGS. 3A to 3F illustrate the structures obtained at successive stages of an embodiment of a method for manufacturing a variant of the optoelectric device 10 of FIG. 1.
  • (1) Deposition on the substrate 14 of the layer 60 of the first material promoting the growth of the III-N compound in a polarity of the N element ( Figure 3A).
  • This is, for example, magnesium nitride or gallium and magnesium nitride.
  • the deposit can be obtained by a method of the MOCVD type. However, methods such as CVD, MBE, GSMBE, MOMBE, ALE, HVPE or reactive sputtering may be used.
  • the openings 66 have substantially the shape of the desired section for the microfilms or nanowires 24 to be produced .
  • the etching of the openings 66 may be performed by dry etching, for example a reactive ion etching or RIE (English acronym for Reactive Ion Etching) or an induction coupled plasma etching or ICP (Inductively Coupled Plasma) engraving.
  • each microfil or nanowire 24 is in contact with the layer 60 through one of the openings 66.
  • the fraction of the contact portion 26 of each microfil or nanowire 24 can be obtained as previously described in connection with FIG. 2G.
  • the microwires or nanowires first grow from the layer 60 through the openings 66 formed in the layer 61.
  • the layer 61 being in one a material which does not prevent the growth of the III-V compound, the shape of the sidewalls of the openings 66 can be defined with less precision than for a conventional method in which the microwires or nanowires are formed through openings of a dielectric material.
  • FIG. 4 is a partial and schematic sectional view of another embodiment of the invention of an opto-electric device 70 which is adapted to emit electromagnetic radiation.
  • the device 70 differs from the device 10 by the shape of the active portion and the polarization portion of each microfil or nanowire 24. Indeed, for each microfil or nanowire 24, the active portion 72 covers only the top of the microfil or nanowire 24 The active portion 72 may have the same composition as the active portion 28 described above.
  • the polarization portion 74 covers the active portion 72.
  • the polarization portion 74 may have the same composition as the polarization portion 30 described above.
  • the zone 22 is formed before the zones 20, it is clear that the zones 20 may be formed before the zone 22.
  • the various embodiments of opto-electric devices 10 and 70 described above are adapted to emit electromagnetic radiation, such devices can easily be adapted by a person skilled in the art to receive a electromagnetic radiation and convert it into an electrical signal. Such an adaptation is achieved by adapting both the active portion 28, 72 of each of the microwires or nanowires 24 and applying a suitable polarization to the semiconductor structure.
  • Such an adaptation of the device 10, 70 may be performed to form either an opto-electric device dedicated to the measurement or detection of electromagnetic radiation or an opto-electric device dedicated to photovoltaic applications.
  • the present invention can also be implemented for the manufacture of compounds II-VI (for example zinc oxide ZnO) comprising a semiconductor material comprising predominantly a group II element and a group VI element.
  • compounds II-VI for example zinc oxide ZnO

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Abstract

L'invention concerne un dispositif opto-électrique (10) comprenant des microfils ou nanofils (24) sur un support (14, 20, 22), chaque microfil ou nanofil comprenant au moins une portion (26) comprenant majoritairement un composé lll-V en contact avec le support, dans lequel le composé lll-V est à base d'un premier élément du groupe V et d'un deuxième élément du groupe III, dans lequel une face (23) du support comprend des premières zones (20) d'un premier matériau favorisant la croissance du composé lll-V selon la polarité du premier élément réparties dans une deuxième zone (22) d'un deuxième matériau favorisant la croissance du composé selon la polarité du deuxième élément, les microfils ou nanofils (24) étant situés sur les premières zones, dans lequel le pourtour de ladite portion (26) est recouvert d'une couche (36) d'un matériau diélectrique depuis le support sur une partie de la hauteur totale de ladite portion.

Description

DISPOSITIF OPTO-ÉLECTRONIQUE À MICROFILS OU NANOFILS SEMI-CONDUCTEURS
ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Domaine de 1 ' invention
La présente invention concerne de façon générale les matériaux semiconducteurs, les dispositifs à base de matériaux semiconducteurs et leurs procédés de fabrication. La présente invention concerne plus particulièrement les microfils ou nanofils semiconducteurs et les dispositifs comprenant des microfils ou nanofils semiconducteurs.
Exposé de l'art antérieur
Les microfils ou les nanofils comprenant un matériau semiconducteur comportant majoritairement un élément du groupe III et un élément du groupe V (par exemple du nitrure de gallium GaN) , appelés par la suite composé III-V, permettent la fabrication de dispositifs semiconducteurs tels que des dispositifs opto-électriques . Par dispositifs opto-électriques, on entend des dispositifs adaptés pour effectuer la conversion d'un signal électrique en un rayonnement électromagnétique ou inversement, et notamment des dispositifs dédiés à la détection, la mesure ou l'émission d'un rayonnement électromagnétique ou des dispositifs dédiés aux applications photovoltaïques.
Les procédés de fabrication de microfils ou de nanofils comprenant un composé III-V doivent permettre la fabrication des microfils ou des nanofils avec un contrôle précis et uniforme de la géométrie, de la position et des propriétés cristallographiques de chaque microfil ou nanofil.
Le document US 7 829 443 décrit un procédé de fabrication de nanofils comprenant le dépôt d'une couche en un matériau diélectrique sur une face plane d'un substrat, la gravure d'ouvertures dans la couche du matériau diélectrique pour exposer des portions du substrat et la formation des nanofils dans les ouvertures. Le matériau diélectrique est choisi de façon que les nanofils ne tendent pas à croître directement sur celui-ci.
Un inconvénient du procédé décrit dans le document US 7 829 443 est que les nanofils se développent depuis le substrat en premier lieu dans les ouvertures de la couche du matériau diélectrique. La forme des parois latérales des ouvertures doit donc être définie avec précision, de préférence perpendiculairement à la face du substrat, pour ne pas perturber la croissance des nanofils. Il peut être difficile de former des parois latérales parfaitement perpendiculaires à une échelle industrielle et à bas coût.
Résumé
Ainsi, un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de pallier au moins en partie les inconvénients des dispositifs opto-électriques à microfils ou nanofils et de leurs procédés de fabrication décrits précé¬ demment .
Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est que les microfils ou nanofils en composé III-V ne sont pas réalisés au travers d'ouvertures réalisées dans une couche d'un matériau diélectrique.
Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est que les microfils ou nanofils en composé III-V sont formés sur une surface sensiblement plane.
Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est que la position, la géométrie et les propriétés cristallographiques de chaque microfil ou nanofil en composé III-V peuvent être contrôlées de façon précise et uniforme.
Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est que les microfils ou nanofils en composé III-V peuvent être formés à une échelle industrielle et à bas coût.
Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un dispositif opto-électrique comprenant des microfils ou nanofils sur un support, chaque microfil ou nanofil comprenant au moins une portion comprenant majoritairement un composé III-V en contact avec le support, dans lequel le composé III-V est à base d'un premier élément du groupe V et d'un deuxième élément du groupe III, dans lequel une face du support comprend des premières zones d'un premier matériau favorisant la croissance du composé III-V selon la polarité du premier élément réparties dans une deuxième zone d'un deuxième matériau favorisant la croissance du composé selon la polarité du deuxième élément, les microfils ou nanofils étant situés sur les premières zones.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le pourtour de ladite portion est recouvert d'une couche d'un matériau diélectrique depuis le support sur une partie de la hauteur totale de ladite portion.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche du matériau diélectrique a une épaisseur comprise entre une monocouche atomique et 5 nm.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le premier matériau comprend du nitrure de magnésium ou du nitrure de magnésium et de gallium.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le deuxième matériau comprend du nitrure d'aluminium.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, des blocs sont situés sur la deuxième zone, les blocs comprenant ledit composé et ayant une épaisseur comprise entre 50 nm et 5 ym et strictement inférieure à la hauteur des microfils ou nanofils. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche du matériau diélectrique recouvre, en outre, les blocs .
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le matériau diélectrique comprend le premier élément et un troisième élément, différent des premier et deuxième éléments, et chaque microfil ou nanofil comprend, en outre, le troisième élément seulement sur ladite partie de la hauteur totale.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, les premières zones sont séparées les unes des autres par la deuxième zone et, pour chaque première zone, un seul microfil ou nanofil est au contact de ladite première zone.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le composé III-V est un composé III-N, notamment choisi parmi le groupe comprenant le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium, le nitrure d'indium, le nitrure de gallium et d'indium, le nitrure de gallium et d'aluminium et le nitrure de gallium, d'aluminium et d'indium.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le matériau diélectrique comprend du nitrure de silicium.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, la hauteur totale de ladite portion de chaque microfil ou nanofil est supérieure ou égale à 500 nm.
Un mode de réalisation de la présente invention prévoit, en outre, un procédé de fabrication d'un dispositif opto-électrique tel que décrit précédemment, dans lequel le composé III-V est à base d'un premier élément du groupe V et d'un deuxième élément du groupe III, le procédé comprenant les étapes suivantes :
(i) former, sur un substrat, des premières zones d'un premier matériau favorisant la croissance du composé III-V selon la polarité du premier élément et une deuxième zone d'un deuxième matériau favorisant la croissance du composé selon la polarité du deuxième élément, les premières zones étant entourées par la deuxième zone ; et (ii) former les microfils ou nanofils sur les premières zones en injectant simultanément dans un réacteur les précurseurs des premier et deuxième éléments.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé comprend, en outre, la formation d'une couche d'un matériau diélectrique recouvrant ladite portion depuis le support sur une partie de la hauteur de ladite portion, le matériau diélectrique comprenant, en outre, un troisième élément différent des premier et deuxième éléments, le procédé comprenant, à l'étape (ii) , l'injection simultanée dans le réacteur des précurseurs des premier, deuxième et troisième éléments .
Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape (ii) est suivie d'une étape de croissance des microfils ou nanofils en injectant dans le réacteur les précurseurs des premier et deuxième éléments, sans injecter le précurseur du troisième élément.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé comprend, en outre, à l'étape (ii) , la formation de blocs sur la deuxième zone, les blocs comprenant ledit composé et ayant une épaisseur comprise entre 50 nm et 5 ym et strictement inférieure à la hauteur des microfils ou nanofils. Brève description des dessins
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la figure 1 est une coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation selon l'invention d'un dispositif opto- électrique à microfils ou nanofils ;
les figures 2A à 2H sont des coupes, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation selon l'invention d'un procédé de fabrication du dispositif opto-électrique représenté en figure 1 ; les figures 3A à 3F sont des coupes, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un autre mode de réalisation selon l'invention d'un procédé de fabrication d'une variante du dispositif opto-électrique repré- senté en figure 1 ; et
la figure 4 est une coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation selon l'invention d'un dispositif opto-électrique à microfils ou nanofils.
Description détaillée
Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de l'invention ont été représentés et seront décrits. En particulier, les moyens de commande des dispositifs opto-électriques décrits ci-après sont à la portée de l'homme de l'art et ne sont pas décrits.
Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". En outre, on entend par "composé principalement constitué d'un matériau" ou "composé à base d'un matériau" qu'un composé comporte une proportion supérieure ou égale à 95 % dudit matériau, cette proportion étant préférentiellement supérieure à 99 %.
La présente invention concerne la fabrication de microfils ou de nanofils. Le terme "microfil" ou "nanofil" signifie une structure tridimensionnelle de forme allongée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 μη, la troisième dimension, appelée dimension majeure, étant au moins égale à 1 fois la plus grande des dimensions mineures, de préférence au moins 5 fois et encore plus préférentiellement au moins 10 fois. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1000 nm, de préférence comprises entre 100 nm et 300 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 ym et 50 μη.
La section droite des microfils ou nanofils peut avoir différentes formes, telles que, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. De même, les microfils ou nanofils peuvent avoir une forme tridimensionnelle cylindrique, conique et/ou tronconique .
Les microfils ou nanofils peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé III-V, par exemple des composés III- N. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga) , 1 ' indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également êtres utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires.
Dans certains modes de réalisation, les microfils ou nanofils peuvent comprendre un dopant parmi le groupe comprenant un dopant de type P du groupe II, par exemple, du magnésium (Mg) , du zinc (Zn) , du cadmium (Cd) ou du mercure (Hg) , un dopant du type P du groupe IV, par exemple du carbone (C) ou un dopant de type N du groupe IV comprenant le silicium (Si), le germanium (Ge) , le sélénium (Se) , le soufre (S) , le terbium (Tb) et 1 ' étain (Sn) .
Les microfils ou nanofils sont formés sur une face d'un substrat. Le substrat est, par exemple, un substrat semiconducteur, tel qu'un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un matériau composé d'un élément du groupe III et d'un élément du groupe V, tel que du GaN ou du GaAs, un substrat en ZnO, en saphir, en métal, en céramique ou en verre . Le principe de 1 ' invention est de former sur le substrat, sur lequel on souhaite faire croître les microfils ou nanofils, une surface de fixation de polarité obtenue par des zones d'un premier matériau entourées d'une zone d'un deuxième matériau. Selon un mode de réalisation de l'invention, cette surface peut être sensiblement plane.
Le premier matériau est choisi de façon à favoriser la croissance du composé III-V selon la polarité de l'élément du groupe V. Le deuxième matériau est choisi de façon à favoriser la croissance du composé III-V selon la polarité de l'élément du groupe III. Dans certains modes de réalisation de l'invention, le substrat peut correspondre au premier matériau ou au second matériau .
Le fait de dire qu'un composé III-V croît selon la polarité de l'élément du groupe III ou selon la polarité de l'élément du groupe V signifie que le matériau croît selon une direction privilégiée et que lorsque le matériau est coupé dans un plan perpendiculaire à la direction de croissance privi¬ légiée, la face exposée comprend essentiellement des atomes de l'élément du groupe III dans le cas d'une croissance selon la polarité de l'élément du groupe III ou des atomes de l'élément du groupe V dans le cas d'une croissance selon la polarité de l'élément du groupe V.
Dans le cas où l'élément du groupe V est l'azote, le premier matériau peut être principalement composé de nitrure de magnésium sous la forme MgxNy, par exemple de nitrure de magnésium selon la forme Mg3 2 ou du nitrure de gallium et de magnésium (MgGaN) . Selon un autre exemple, le premier matériau est principalement composé de nitrure d'aluminium (AIN) de polarité azote. Il s'agit, par exemple, de nitrure d'aluminium monocristallin formé à basse température, par exemple à une température comprise entre 600°C et 800°C, par épitaxie sur un substrat en saphir.
A titre d'exemple, dans le cas où l'élément du groupe III est le gallium, le deuxième matériau peut être princi- paiement composé de nitrure d'aluminium (AIN) de polarité aluminium. Il s'agit, par exemple, de nitrure d'aluminium monocristallin formé par épitaxie sur un substrat en silicium déposé sous forme monocristalline. Selon un autre exemple, dans le cas où l'élément du groupe III est le gallium, le deuxième matériau peut être principalement composé de nitrure de gallium de polarité gallium. Il s'agit, par exemple, de nitrure de gallium formé à basse température, par exemple à une température comprise entre 500°C et 800°C, sur un substrat en saphir. Selon un autre exemple, dans le cas où le substrat est du saphir nitruré et l'élément du groupe III est le gallium, le substrat peut jouer le rôle du deuxième matériau.
Le procédé de croissance des microfils ou nanofils peut être un procédé du type dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Déposition) , également connu sous le nom d' épitaxie organométallique en phase vapeur (ou OMVPE, acronyme anglais pour Organo-Metallic Vapor Phase Epitaxy) . Toutefois, des procédés tels que l' épitaxie par jet moléculaire (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE) , MBE organométallique (MOMBE) , l' épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme anglais pour Atomic Layer Epitaxy) ou l' épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés.
A titre d'exemple, le procédé peut comprendre l'injection dans un réacteur d'un précurseur de l'élément du groupe III et d'un précurseur de l'élément du groupe V. Des exemples de précurseurs d'éléments du groupe III sont le triméthylgallium (TMG) , le triéthylgallium (TEGa) , le triméthylindium (TMIn) ou le triméthylaluminium (TMA1) . Des exemples de précurseurs d'éléments du groupe V sont l'ammoniac (NH3) , le tertiarybutylphosphine (TBP) ou l'arsine (ASH3) .
Dans le cas de microfils ou nanofils d'un composé III- V, le composé III-V croît selon la polarité de l'élément du groupe V sur les zones du premier matériau et selon la polarité de l'élément du groupe III sur la zone du deuxième matériau.
Selon un mode de réalisation de l'invention, dans une première phase de croissance des microfils ou nanofils du composé III-V, un précurseur d'un élément supplémentaire est ajouté en excès par rapport aux précurseurs du composé III-V. L'élément supplémentaire peut être le silicium (Si). Un exemple de précurseur du silicium est le silane (S1H4) .
La présente invention se base sur le fait que l'angle que forment, par rapport à la face du substrat, les flancs latéraux d'un cristal d'un composé III-V qui croît sur le substrat selon la polarité de l'élément du groupe V est supérieur à l'angle que forment, par rapport à la face du substrat, les flancs latéraux d'un cristal du composé III-V qui croît sur un substrat selon la polarité de l'élément du groupe III. En particulier, l'angle que forment, par rapport à la face du substrat, les flancs latéraux d'un cristal d'un composé III-V qui croît sur le substrat selon la polarité de l'élément du groupe V est supérieur à 85°, et est de préférence sensiblement égal à 90°. En particulier, l'angle que forment, par rapport à la face du substrat, les flancs latéraux d'un cristal d'un composé III-V qui croît sur le substrat selon la polarité de l'élément du groupe III est inférieur à 80°, de préférence inférieur à 70°.
Les inventeurs ont mis en évidence que la présence du précurseur de l'élément supplémentaire conduit à l'incorporation de l'élément supplémentaire dans le composé III-V mais également la formation d'une couche d'un matériau diélectrique princi¬ palement constitué de l'élément supplémentaire et de l'élément du groupe V sur les flancs latéraux des cristaux en croissance du composé III-V. La concentration de l'élément supplémentaire dans le composé III-V est comprise entre ÎO-^ et 10^1 cm~3. La couche du matériau diélectrique a une épaisseur comprise entre une monocouche atomique et 5 nm. Pour le cristal qui croît selon la polarité de l'élément du groupe III, la couche du matériau diélectrique qui se forme sur les flancs inclinés empêche une croissance ultérieure du composé III-V une fois que les flancs inclinés se sont rejoints au sommet. Les structures ou blocs obtenus dudit composé sur la zone du deuxième matériau ont une épaisseur comprise entre 50 nm et 5 um, de préférence entre 500 nm et 4 um. Cette épaisseur dépend de la distance centre à centre entre deux microfils ou nanofils. La hauteur des microfils ou nanofils est de préférence strictement supérieure à l'épaisseur des blocs.
Au contraire, pour le cristal qui croît selon la polarité de l'élément du groupe V, la couche du matériau diélectrique qui se forme sur les flancs sensiblement perpendiculaires à la face du substrat n'empêche pas la poursuite de la croissance du cristal du composé III-V en hauteur. De ce fait, on obtient la croissance de microfils ou de nanofils du composé III-V seulement sur les zones du premier matériau .
De façon avantageuse, les structures ou blocs obtenus entre les microfils ou nanofils permettent l'obtention d'une surface irrégulière, non plane, entre les microfils ou nanofils. Lorsque cette surface est recouverte d'un matériau réflé¬ chissant, ceci permet de mieux diriger les rayons lumineux vers les microfils ou nanofils ou provenant des microfils ou nanofils. Des exemples de matériaux réfléchissants peuvent être le nickel, l'aluminium et l'argent.
La figure 1 est une coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation selon l'invention d'un dispositif opto- électrique 10 qui est adapté pour émettre un rayonnement électromagnétique .
Le dispositif 10 comprend, du bas vers le haut en figure 1 :
une première électrode de polarisation 12 ; un substrat semiconducteur 14 comprenant des faces parallèles 16 et 18, la face 16 étant au contact de l'électrode 12 ;
des zones 20 de fixation de polarité du premier matériau séparées par des zones 22 de fixation de polarité du deuxième matériau recouvrant la face 18, les zones 20 et 22 étant juxtaposées et définissant une face 23 opposée à la face 18 ;
des microfils ou nanofils 24 (trois microfils ou nanofils étant représentés) de hauteur H]_, chaque microfil ou nanofil 24 étant en contact avec l'une des zones 20, chaque microfil ou nanofil 24 comprenant une portion de contact 26, en contact avec la zone 20, une portion active 28 en contact avec la portion de contact 26 et une portion de polarisation 30 en contact avec la portion active 28 ;
des structures ou blocs 32, au contact des zones 22, comprenant des flancs inclinés 34 se rejoignant selon des arêtes 35 ;
une couche diélectrique 36 recouvrant les flancs inclinés 34 des structures 32 et une partie du pourtour de la portion de contact 26 de chaque microfil ou nanofil 24 à partir de la base du microfil ou nanofil 24 en contact avec la zone 20 associée ;
une couche isolante 37 recouvrant les blocs 32 et, pour chaque microfil ou nanofil 24, une partie du microfil ou nanofil 24 à partir de la base du microfil ou nanofil 24 en contact avec la zone 20 jusqu'à venir couvrir le bord de la portion de polarisation 30 ; et
une deuxième électrode 38 de polarisation en contact avec chaque microfil ou nanofil 24 au niveau de la portion de polarisation 30.
Le substrat 14 est, par exemple, un substrat semiconducteur, tel qu'un substrat en silicium. Le substrat 14 peut être dopé d'un premier type de conductivité . L'électrode 12 peut correspondre à une couche conductrice qui s'étend sur la face 16 du substrat 14. Le matériau formant l'électrode 12 peut être, par exemple, du siliciure de nickel (NiSi) , de l'aluminium (Al) ou du titane (Ti) .
Les zones 22 de fixation de polarité sont de préférence reliées les unes aux autres et forment une zone continue unique. Les zones 20 de fixation de polarité sont de préférence séparées les unes des autres par la zone 22. Chaque zone 20 est complètement entourée par la zone 22. Les zones 20, 22 ont, par exemple, une épaisseur comprise entre 1 et 100 nm, de préférence comprise entre 10 et 30 nm. Chaque zone 20, 22 a une texturation et une polarité préférentielle. Par texturation préférentielle, on entend que les cristaux qui composent les zones 20 (respectivement les zones 22) ont une direction de croissance privilégiée qui est la même pour toutes les zones 20 (respectivement les zones 22) . Par polarité préférentielle, on entend que les zones 20 (respectivement les zones 22) ont sensiblement toutes la même polarité. Ceci signifie que lorsque le matériau composant chaque zone 20 (respectivement chaque zone 22) comprend un alliage d'au moins deux éléments, lorsque le matériau est coupé dans un plan perpendiculaire à la direction de croissance privilégiée du matériau, la surface exposée comprend essentiellement des atomes du même élément pour chaque zone 20 (respectivement pour chaque zone 22) .
Chaque zone 20 peut présenter le même type de conductivité que le substrat 14 afin de limiter la résistance d'interface entre la zone 20, 22 et le substrat 14. Chaque zone 20 présente une forme correspondant à la section droite souhaitée pour le microfil ou nanofil 24 associé. A titre d'exemple, chaque zone 20 a une forme sensiblement hexagonale dont le diamètre moyen est choisi en fonction du diamètre moyen recherché du microfil ou nanofil 24 associé. A titre de variante, chaque zone 20 peut avoir une forme rectangulaire, polygonale, circulaire, carrée ou ovale. Les centres de deux zones 20 adjacentes peuvent être distants de 1,5 ym à 5 p et de préférence de 2 à 3 ym. A titre d'exemple, les zones 20 peuvent être régulièrement réparties sur le substrat 14, la zone 22 formant un quadrillage entourant chaque zone 20. A titre d'exemple, les zones 20 peuvent former un réseau hexagonal sur la zone 22.
L'épaisseur de chaque structure 32 mesurée depuis la zone 22 sous-jacente est de préférence inférieure ou égale à 5 ym, par exemple comprise entre 500 nm et 4 ym. L'angle d'inclinaison entre la face 34 et la face 23 est, par exemple, inférieur à 80°, de préférence inférieure à 70°, en particulier sensiblement égale à 60°.
Chaque microfil ou nanofil 24 est une structure semi- conductrice allongée dans la direction sensiblement perpendi- culaire à la face 18. Chaque microfil ou nanofil 24 peut avoir une forme générale cylindrique allongée à base hexagonale. Le diamètre moyen de chaque microfil ou nanofil 24 peut être compris entre 50 nm et 2,5 ym et la hauteur H]_ de chaque microfil ou nanofil 24 peut être comprise entre 1 ym et 50 ym.
La portion de contact 26 de chaque nanofil ou microfil
24 est principalement constituée du composé III-N qui peut avoir le même type de conductivité que le substrat 14. Le pourtour de la portion de contact 26 est recouvert par la couche 36 de diélectrique sur une hauteur ¾ depuis l'extrémité de la portion de contact 26 au contact avec la zone 20 associée. La hauteur ¾ peut être comprise entre 500 nm et 25 ym. La couche de matériau diélectrique 36 a une épaisseur comprise entre une monocouche atomique et 5 nm.
Pour chaque microfil ou nanofil 24, la portion active 28 correspond à une couche recouvrant l'extrémité de la portion de contact 26 et se prolongeant sur la fraction de la portion de contact 26 non recouverte par la couche 36 du côté opposé à la zone 20 de fixation de polarité.
La portion active 28 est au moins partiellement réalisée dans un composé III-N, par exemple du nitrure de gallium et d' indium. La portion active 28 peut être dopée du premier type de conductivité, ne pas être dopée ou être dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Chaque portion active 28 forme une jonction semiconductrice avec la portion de contact 26 correspondante. La portion active 28 peut comporter des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples.
Pour chaque microfil ou nanofil 24, la portion de polarisation 30 peut comprendre un matériau III-N. La portion de polarisation 30 peut avoir une conductivité du deuxième type. La portion de polarisation 30 peut comprendre une couche de blocage d'électrons 40, comportant un dopage du deuxième type de conductivité, en nitrure de gallium et d'aluminium (AlGaN) , en contact avec la portion active 28 et une couche supplémentaire 42, pour assurer un bon contact électrique entre la deuxième électrode 38 et la portion active 28, par exemple en nitrure de gallium (GaN) en contact avec la couche de blocage d'électrons 40 et avec l'électrode 38. L'ensemble du microfil ou nanofil 24 comprenant la fraction de la portion de contact 26 non recouverte de la couche 36, la portion active 28 et la portion de polarisation 30, s'étend sur une hauteur H3 qui peut être comprise entre 500 nm et 25 ym.
La couche isolante 37 est adaptée pour empêcher la formation d'un contact électrique direct entre la portion de contact 26 de chaque microfil ou nanofil 24 et l'électrode 38.
La couche isolante 37 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiC^), en nitrure de silicium (S13N4), en oxyde d'aluminium (AI2O3) , en oxyde d'hafnium (HfC^) ou en diamant.
La deuxième électrode 38 est adaptée pour à la fois polariser la portion de polarisation 30 de chaque microfil ou nanofil 24 et laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les microfils ou nanofils 24. Le matériau formant l'électrode 38 peut être un matériau semi-transparent tel que de l'oxyde d' indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide) ou de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium.
Les figures 2A à 2H illustrent les structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif opto-électrique 10 de la figure 1.
Le mode de réalisation du procédé de fabrication selon 1 ' invention comprend les étapes suivantes :
(1) Dépôt sur le substrat 14 d'une couche 50 uni¬ forme du second matériau favorisant la croissance du composé III-N selon une polarité de l'élément du groupe III (figure 2A) . Il s'agit à titre d'exemple de nitrure d'aluminium. La couche 50 a par exemple une épaisseur comprise entre 1 nm et 2 ym, de préférence entre 1 et 100 nm. La couche 50 peut être obtenue par un procédé du type MOCVD. Toutefois, des procédés tels que CVD, MBE, GSMBE, MOMBE, ALE, HVPE ou la pulvérisation cathodique réactive peuvent être utilisés ou tout type de dépôt permettant l'obtention d'une couche texturée. Lorsque la couche 50 est en nitrure d'aluminium, la couche 50 doit être sensiblement texturée et posséder une polarité préférentielle.
(2) Dépôt d'une couche de résine 52 sur la couche 50 et gravure d'ouvertures 54 dans la couche de résine 52 pour exposer des parties de la couche 50 (figure 2B) .
(3) Gravure d'ouvertures 56 dans la couche 50 pour former la zone 22 (figure 2C) . Les ouvertures 56 ont sensiblement la forme de la section souhaitée pour les microfils ou nanofils 24 à réaliser. La gravure des ouvertures 56 peut être réalisée par gravure sèche, par exemple une gravure ionique réactive ou RIE (sigle anglais pour Reactive Ion Etching) ou une gravure au plasma couplé par induction ou gravure ICP (sigle anglais pour inductively coupled plasma) .
(4) Retrait de la couche de résine 52 (figure 2D) .
(5) Dépôt d'une couche 58 du premier matériau fournissant la croissance du composé III-N selon la polarité N (figure 2E) sur l'ensemble de la structure obtenue à l'étape précédente et notamment sur les portions 22 et dans les ouvertures 56. Il s'agit, à titre d'exemple, de nitrure de magnésium ou de nitrure de gallium et de magnésium. Le dépôt peut être obtenu par un procédé du type MOCVD. Toutefois, des procédés tels que CVD, MBE, GSMBE, MOMBE, ALE, HVPE ou la pulvérisation cathodique réactive peuvent être utilisés.
(6) Gravure de la couche 58 jusqu'à atteindre les portions 22 et délimiter les zones 20 du premier matériau fournissant la croissance du composé III-N selon la polarité N (figure 2F) dans les ouvertures 56 de la zone 22. Il peut s'agir d'une gravure par polissage mécano-chimique ou CMP (sigle anglais pour Chemical Mechanical Planarization) . L'épaisseur des zones 20 est, par exemple, comprise entre 1 nm et 2 ym, de préférence entre 1 et 100 nm.
(7) Croissance d'une fraction de la portion de contact 26 de chaque microfil ou nanofil 24 (figure 2G) sur la hauteur ¾ . La fraction de la portion de contact 26 de chaque microfil ou nanofil 24 peut être obtenue par un procédé du type MOCVD. Toutefois, des procédés tels que MBE, GSMBE, MOMBE, ALE ou HVPE peuvent être utilisés.
A titre d'exemple, dans le cas où la portion de contact 26 est en GaN, un procédé du type MOCVD peut être mis en oeuvre par injection dans un réacteur MOCVD d'un gaz précurseur du gallium, par exemple le triméthylgallium (TMG) et d'un gaz précurseur de l'azote, par exemple l'ammoniac (NH3) . A titre d'exemple, on peut utiliser un réacteur MOCVD 3x2", de type douchette, commercialisé par la société AIXTRON. Un rapport de flux moléculaires entre le triméthylgallium et l'ammoniac dans la gamme 5-100, de préférence dans la gamme 10-50, permet de favoriser la croissance de microfils et nanofils. A titre d'exemple, les flux de gaz peuvent être d'environ 60 sccm
(centimètres cubes standard par minute) en TMG et 50 sccm en NH3 et l'on utilise une pression d'environ 800 mbar (800 hPa) . Le mélange gazeux comprend, en outre, l'injection de silane dans le réacteur MOCVD, matériau précurseur du silicium. Le silane peut être dilué dans de l'hydrogène à 100 ppm et l'on apporte un flux molaire d'environ 400 ml par minute. La température dans le réacteur est, par exemple, comprise 950°C et 1100°C, de préférence entre 990°C et 1100°C, plus préférentiellement entre 1015°C et 1060°C. La pression dans le réacteur est, par exemple, d'environ 800 mbar (800 hPa) . Un gaz porteur peut être utilisé, par exemple de l'azote, par exemple avec un flux de 1000 sccm pour le TMG et un flux de 1000 sccm pour le NH3.
Le procédé entraîne également la croissance des structures 32 à flancs inclinés 34 sur la zone 22.
La présence de silane parmi les gaz précurseurs entraîne l'incorporation de silicium au sein du composé III-N. En outre, ceci se traduit par la formation de la couche 36 de nitrure de silicium qui recouvre le pourtour de la portion de contact 26 de hauteur ¾ de chaque nanofil 24, à l'exception du sommet au fur et à mesure de la croissance de la portion de contact 26 et qui recouvre les flancs inclinés 34 de chaque structure 32 au fur et à mesure de la croissance des structures 32. De ce fait, lorsque les flancs inclinés 34 se rejoignent selon l'arête 35 au sommet de la structure 32, la croissance de chaque structure 32 est stoppée.
Les inventeurs ont mis en évidence qu'en l'absence de formation de la couche diélectrique 36, la croissance de la structure 32 n'est pas stoppée et l'épaisseur, mesurée depuis la zone 22, de la structure 32 croît tant que des gaz précurseurs alimentent le réacteur. En outre, le diamètre moyen des microfils ou nanofils 24 tend également à croître au-delà du diamètre moyen des zones 20.
(8) Croissance de la fraction restante de la portion de contact 26 de chaque microfil ou nanofil 24 sur la hauteur H3 (figure 2H) . A titre d'exemple, les conditions de fonctionnement du réacteur MOCVD décrites précédemment sont maintenues à l'exception du fait que le flux de silane dans le réacteur est réduit, par exemple d'un facteur 10, ou arrêté.
Le procédé comprend des étapes supplémentaires de réalisation, pour chaque microfil ou nanofil 24 de la portion active 28, de la portion de polarisation 30, de la couche isolante 37 et des électrodes 12, 38. Ces étapes sont bien connues de l'homme du métier et ne sont pas décrites en détail.
Les figures 3A à 3F illustrent les structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une variante du dispositif opto-électrique 10 de la figure 1.
Le mode de réalisation du procédé de fabrication selon 1 ' invention comprend les étapes suivantes :
(1) Dépôt sur le substrat 14 de la couche 60 du premier matériau favorisant la croissance du composé III-N selon une polarité de l'élément N (figure 3A) . Il s'agit, à titre d'exemple, de nitrure de magnésium ou de nitrure de gallium et de magnésium. Le dépôt peut être obtenu par un procédé du type MOCVD. Toutefois, des procédés tels que CVD, MBE, GSMBE, MOMBE, ALE, HVPE ou la pulvérisation cathodique réactive peuvent être utilisés .
(2) Dépôt d'une couche 61 du deuxième matériau fournissant la croissance du composé III-N selon la polarité III (figure 3B) sur la couche 60.
(3) Dépôt d'une couche de résine 62 sur la couche 61 et gravure d'ouvertures 64 dans la couche de résine 62 pour exposer des parties de la couche 61 (figure 3C) .
(4) Gravure d'ouvertures 66 dans la couche 61 pour former la zone 22 (figure 3D) et délimiter les zones 20 dans la couche 60. Les ouvertures 66 ont sensiblement la forme de la section souhaitée pour les microfils ou nanofils 24 à réaliser. La gravure des ouvertures 66 peut être réalisée par gravure sèche, par exemple une gravure ionique réactive ou RIE (sigle anglais pour Reactive Ion Etching) ou une gravure au plasma couplé par induction ou gravure ICP (sigle anglais pour Inductively Coupled Plasma) .
(5) Retrait de la couche de résine 62 (figure 3E) .
(6) Croissance d'une fraction de la portion de contact 26 de chaque microfil ou nanofil 24 (figure 3F) sur la hauteur ¾ . Chaque microfil ou nanofil 24 est au contact de la couche 60 au travers de l'une des ouvertures 66.
La fraction de la portion de contact 26 de chaque microfil ou nanofil 24 peut être obtenue comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 2G.
Les étapes suivantes peuvent être identiques à ce qui a été décrit précédemment, notamment en relation avec la figure 2H. Dans le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit en relation avec les figures 3A à 3E, les microfils ou nanofils croissent d'abord depuis la couche 60 au travers des ouvertures 66 formées dans la couche 61. Toutefois, la couche 61 étant en un matériau qui n'empêche pas la croissance du composé III-V, la forme des parois latérales des ouvertures 66 peut être définie avec moins de précision que pour un procédé classique dans lequel les microfils ou nanofils sont formés au travers d'ouvertures d'un matériau diélectrique.
La figure 4 est une coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation selon l'invention d'un dispositif opto-électrique 70 qui est adapté pour émettre un rayonnement électromagnétique. Le dispositif 70 diffère du dispositif 10 par la forme de la portion active et de la portion de polarisation de chaque microfil ou nanofil 24. En effet, pour chaque microfil ou nanofil 24, la portion active 72 recouvre seulement le sommet du microfil ou nanofil 24. La portion active 72 peut avoir la même composition que la portion active 28 décrite précédemment.
En outre, la portion de polarisation 74 recouvre la portion active 72. La portion de polarisation 74 peut avoir la même composition que la portion de polarisation 30 décrite précédemment .
Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que dans le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment en relation avec les figures 2A à 2J, la zone 22 soit formée avant les zones 20, il est clair que les zones 20 peuvent être formées avant la zone 22. En outre, si les différents modes de réalisation de dispositifs opto-électriques 10 et 70 décrits précédemment sont adaptés pour émettre un rayonnement électromagnétique, de tels dispositifs peuvent aisément être adaptés par un homme du métier pour recevoir un rayonnement électromagnétique et le convertir en un signal électrique. Une telle adaptation est réalisée en adaptant à la fois la portion active 28, 72 de chacun des microfils ou nanofils 24 et en appliquant sur la structure semiconductrice une polarisation adéquate.
Une telle adaptation du dispositif 10, 70 peut être réalisée pour former soit un dispositif opto-électrique dédié à la mesure ou la détection d'un rayonnement électromagnétique ou soit un dispositif opto-électrique dédié aux applications photovoltaïques .
En outre, bien les modes de réalisation décrits précédemment concernent des composés III-V, la présente invention peut également être mise en oeuvre pour la fabrication de composés II-VI (par exemple l'oxyde de zinc ZnO) comprenant un matériau semiconducteur comportant majoritairement un élément du groupe II et un élément du groupe VI.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif opto-électrique (10 ; 70) comprenant des microfils ou nanofils (24) sur un support (14, 20, 22), chaque microfil ou nanofil comprenant au moins une portion (26) comprenant majoritairement un composé III-V en contact avec le support, dans lequel le composé III-V est à base d'un premier élément du groupe V et d'un deuxième élément du groupe III, dans lequel une face (23) du support (14, 20, 22) comprend des premières zones (20) d'un premier matériau favorisant la croissance du composé III-V selon la polarité du premier élément réparties dans une deuxième zone (22) d'un deuxième matériau favorisant la croissance du composé selon la polarité du deuxième élément, les microfils ou nanofils (24) étant situés sur les premières zones, dans lequel le pourtour de ladite portion (26) est recouvert d'une couche (36) d'un matériau diélectrique depuis le support sur une partie de la hauteur totale de ladite portion.
2. Dispositif opto-électrique selon la revendication 1, dans lequel la couche (36) du matériau diélectrique a une épaisseur comprise entre une monocouche atomique et 5 nm.
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier matériau comprend du nitrure de magnésium ou du nitrure de magnésium et de gallium.
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendi¬ cations 1 à 3, dans lequel le deuxième matériau comprend du nitrure d'aluminium.
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendi¬ cations 1 à 4, dans lequel des blocs (32) sont situés sur la deuxième zone, les blocs comprenant ledit composé et ayant une épaisseur comprise entre 50 nm et 5 ym et strictement inférieure à la hauteur des microfils ou nanofils (24) .
6. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel la couche (36) du matériau diélectrique recouvre, en outre, les blocs (32) .
7. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le matériau diélectrique comprend le premier élément et un troisième élément, différent des premier et deuxième éléments, et dans lequel chaque microfil ou nanofil (24) comprend, en outre, le troisième élément seulement sur ladite partie de la hauteur totale.
8. Dispositif selon l'une quelconque des revendi¬ cations 1 à 7, dans lequel les premières zones (20) sont séparées les unes des autres par la deuxième zone (22) et dans lequel, pour chaque première zone, un seul microfil ou nanofil (24) est au contact de ladite première zone.
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendi¬ cations 1 à 8, dans lequel le composé III-V est un composé III- N, notamment choisi parmi le groupe comprenant le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium, le nitrure d'indium, le nitrure de gallium et d'indium, le nitrure de gallium et d'aluminium et le nitrure de gallium, d'aluminium et d'indium.
10. Dispositif selon l'une quelconque des revendi¬ cations 1 à 9, dans lequel le matériau diélectrique comprend du nitrure de silicium.
11. Dispositif opto-électrique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la hauteur totale de ladite portion (26) de chaque microfil ou nanofil (24) est supérieure ou égale à 500 nm.
12. Procédé de fabrication d'un dispositif opto- électrique (10 ; 70) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, le procédé comprenant les étapes suivantes :
(i) former, sur le support (14) , les premières zones (20) du premier matériau favorisant la croissance du composé III-V selon la polarité du premier élément et la deuxième zone (22) du deuxième matériau favorisant la croissance du composé selon la polarité du deuxième élément, les premières zones étant entourées par la deuxième zone ; et (ii) former les microfils ou nanofils (24) sur les premières zones en injectant simultanément dans un réacteur les précurseurs des premier et deuxième éléments,
le procédé comprenant, en outre, la formation d'une couche (36) d'un matériau diélectrique recouvrant ladite portion (26) depuis le support (14, 20, 22) sur une partie de la hauteur de ladite portion, le matériau diélectrique comprenant, en outre, un troisième élément différent des premier et deuxième éléments, le procédé comprenant, à l'étape (ii) , l'injection simultanée dans le réacteur des précurseurs des premier, deuxième et troisième éléments.
13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l'étape (ii) est suivie d'une étape de croissance des microfils ou nanofils (24) en injectant dans le réacteur les précurseurs des premier et deuxième éléments, sans injecter le précurseur du troisième élément.
14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, comprenant en outre, à l'étape (ii) , la formation de blocs (32) sur la deuxième zone, les blocs comprenant ledit composé et ayant une épaisseur comprise entre 50 nm et 5 ym et strictement inférieure à la hauteur des microfils ou nanofils (24) .
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KR1020157008570A KR102080686B1 (ko) 2012-09-18 2013-09-17 반도체 마이크로와이어 또는 나노와이어를 가진 광전기 장치 및 이를 제조하는 방법
US14/082,943 US9245948B2 (en) 2012-09-18 2013-11-18 Optoelectric device with semiconductor microwires or nanowires and method for manufacturing the same

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3031238A1 (fr) * 2014-12-30 2016-07-01 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
WO2018002485A1 (fr) 2016-06-30 2018-01-04 Aledia Dispositif optoelectronique a pixels a contraste et luminance améliorés
US10535709B2 (en) 2014-12-30 2020-01-14 Aledia Optoelectronic device with light-emitting diodes

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3011380B1 (fr) * 2013-09-30 2017-01-13 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
FR3023066B1 (fr) 2014-06-30 2017-10-27 Aledia Dispositif optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes et un circuit de commande
FR3023410A1 (fr) * 2014-07-02 2016-01-08 Aledia Dispositif optoelectronique a elements semiconducteurs et son procede de fabrication
FR3026564B1 (fr) 2014-09-30 2018-02-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a elements semiconducteurs tridimensionnels
FR3029015B1 (fr) * 2014-11-24 2018-03-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a elements semiconducteurs tridimensionnels et son procede de fabrication
FR3031242B1 (fr) 2014-12-29 2016-12-30 Aledia Procede de fabrication de nanofils ou de microfils semiconducteurs a pieds isoles
FR3032064B1 (fr) 2015-01-22 2018-03-09 Aledia Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication
CN104716209A (zh) * 2015-03-20 2015-06-17 黄河水电光伏产业技术有限公司 基于硅基纳米线的太阳能电池及其制备方法
FR3053054B1 (fr) * 2016-06-28 2021-04-02 Commissariat Energie Atomique Structure de nucleation adaptee a la croissance epitaxiale d’elements semiconducteurs tridimensionnels
KR101915891B1 (ko) * 2017-05-08 2018-11-06 재단법인대구경북과학기술원 혼돈 나노와이어
FR3068514B1 (fr) 2017-06-30 2019-08-09 Aledia Dispositif optoelectronique
FR3069378B1 (fr) 2017-07-21 2019-08-23 Aledia Dispositif optoelectronique
FR3069379B1 (fr) 2017-07-21 2019-08-23 Aledia Dispositif optoelectronique
FR3082094B1 (fr) 2018-06-01 2022-09-30 Aledia Circuit optoelectrique comprenant des diodes electroluminescentes
FR3090199B1 (fr) 2018-12-18 2021-10-22 Aledia Dispositif optoélectronique pour l'acquisition d'images selon plusieurs points de vue et/ou l'affichage d'images selon plusieurs points de vue
FR3096508A1 (fr) 2019-05-21 2020-11-27 Aledia Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes
FR3096834B1 (fr) * 2019-05-28 2022-11-25 Aledia Dispositif optoelectronique comportant une diode electroluminescente ayant une couche limitant les courants de fuite
FR3098011B1 (fr) 2019-06-28 2022-07-15 Aledia Procede de fabrication de microfils ou nanofils
FR3118291B1 (fr) 2020-12-17 2023-04-14 Aledia Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial
FR3118289A1 (fr) 2020-12-17 2022-06-24 Aledia Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial
FR3118292A1 (fr) 2020-12-17 2022-06-24 Aledia Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial
KR20230032210A (ko) 2021-08-30 2023-03-07 주식회사 제이에프에프 가수분해효소를 이용하여 감귤로부터 정유를 추출하는 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1467404A2 (fr) * 2003-03-26 2004-10-13 Lucent Technologies Inc. Couches à nitrure de groupe III avec des surfaces structurés
US20100133509A1 (en) * 2007-06-06 2010-06-03 Panasonic Corporation Semiconductor nanowire and its manufacturing method
US7829443B2 (en) 2007-01-12 2010-11-09 Qunano Ab Nitride nanowires and method of producing such
US20120205613A1 (en) * 2011-02-10 2012-08-16 The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University High Efficiency Broadband Semiconductor Nanowire Devices and Methods of Fabricating without Foreign Catalysis
EP2544249A1 (fr) * 2011-07-08 2013-01-09 Technische Universität Braunschweig Carolo-Wilhelmina Méthode de fabrication d'éléments semi-conducteurs et éléments semi-conducteurs

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1262929A (fr) * 1960-07-19 1961-06-05 Globe Slicing Machine Co Supports de dispositifs de commande de poids d'extrémité dans des machines à découper en tranches
SE533531C2 (sv) * 2008-12-19 2010-10-19 Glo Ab Nanostrukturerad anordning
KR20110102630A (ko) * 2010-03-11 2011-09-19 삼성엘이디 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TW201515091A (zh) * 2013-06-18 2015-04-16 Glo Ab 藉由乾式蝕刻移除３ｄ半導體結構之方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1467404A2 (fr) * 2003-03-26 2004-10-13 Lucent Technologies Inc. Couches à nitrure de groupe III avec des surfaces structurés
US7829443B2 (en) 2007-01-12 2010-11-09 Qunano Ab Nitride nanowires and method of producing such
US20100133509A1 (en) * 2007-06-06 2010-06-03 Panasonic Corporation Semiconductor nanowire and its manufacturing method
US20120205613A1 (en) * 2011-02-10 2012-08-16 The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University High Efficiency Broadband Semiconductor Nanowire Devices and Methods of Fabricating without Foreign Catalysis
EP2544249A1 (fr) * 2011-07-08 2013-01-09 Technische Universität Braunschweig Carolo-Wilhelmina Méthode de fabrication d'éléments semi-conducteurs et éléments semi-conducteurs

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHEN X ET AL: "Homoepitaxial growth of catalyst-free GaN wires on N-polar substrates", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, vol. 97, no. 15, 13 October 2010 (2010-10-13), pages 151909 - 151909, XP012137241, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.3497078 *
S. F. LI ET AL: "Polarity and Its Influence on Growth Mechanism during MOVPE Growth of GaN Sub-micrometer Rods", CRYSTAL GROWTH & DESIGN, vol. 11, no. 5, 4 May 2011 (2011-05-04), pages 1573 - 1577, XP055013312, ISSN: 1528-7483, DOI: 10.1021/cg101537m *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3031238A1 (fr) * 2014-12-30 2016-07-01 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
WO2016108021A1 (fr) 2014-12-30 2016-07-07 Aledia Dispositif optoélectronique a diodes électroluminescentes
KR20170101923A (ko) * 2014-12-30 2017-09-06 알레디아 발광 다이오드를 구비한 광전자 장치
US10084012B2 (en) 2014-12-30 2018-09-25 Aledia Optoelectronic device with light-emitting diodes
US10535709B2 (en) 2014-12-30 2020-01-14 Aledia Optoelectronic device with light-emitting diodes
US10923530B2 (en) 2014-12-30 2021-02-16 Aledia Optoelectronic device with light-emitting diodes
KR102483493B1 (ko) 2014-12-30 2022-12-30 알레디아 발광 다이오드를 구비한 광전자 장치
WO2018002485A1 (fr) 2016-06-30 2018-01-04 Aledia Dispositif optoelectronique a pixels a contraste et luminance améliorés

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