WO2013164231A1 - Verfahren und vorrichtung zum herstellen von mehreren optoelektronischen bauelementen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum herstellen von mehreren optoelektronischen bauelementen Download PDF

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WO2013164231A1
WO2013164231A1 PCT/EP2013/058499 EP2013058499W WO2013164231A1 WO 2013164231 A1 WO2013164231 A1 WO 2013164231A1 EP 2013058499 W EP2013058499 W EP 2013058499W WO 2013164231 A1 WO2013164231 A1 WO 2013164231A1
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layer
optoelectronic component
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PCT/EP2013/058499
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Simon SCHICKTANZ
Daniel Steffen Setz
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • optoelectronic devices for example organic light-emitting diodes (organic light emitting diodes - OLED), there may be local variations in the layer thickness and doping. This can lead to variations in color, brightness, efficiency and the
  • the fluctuations may be a natural production spread which depends on the position of the optoelectronic component on the system carrier before singulation and on process variations during production due to deviations of the process systems from the calibration.
  • Optoelectronic components with the same optoelectronic property are referred to as bin.
  • the properties sought in the process can be referred to as target bins or target properties.
  • a conventional method for changing the brightness or the color of light-emitting optoelectronic components is the application of a film to improve the Lichtauskopplung, a so-called compensating film, This is a type of film, regardless of the actual,
  • Optoelectronic component applied to the light-emitting optoelectronic devices.
  • Compensating film can have, for example, a scattering layer and / or a layer with a high refractive index.
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • a substance class means a substance or mixture of one or more organic substances, one or more inorganic substances or one or more hybrid substances.
  • the term "material” can be used synonymously with the term “substance”.
  • Optoelectronic component taking into account the measured measured parameter value of the first optoelectronic component and the measured measured parameter value of the second optoelectronic component, so that the
  • Optoelectronic device and the optoelectronic properties of the second optoelectronic device in different ways to at least one common predetermined optoelectronic target property
  • Optoelectronic properties may relate to emitted or absorbed electromagnetic radiation
  • the intensity (brightness) the intensity (brightness)
  • Wavelength spectrum (color), the viewing angle dependence, the absorption or the efficiency of an optoelectronic component.
  • the target properties may be the ones intended
  • Layer cross-section be planned properties of the device, with natural manufacturing variations deviations of the optoelectronic properties of the target properties (output states).
  • the target property may also be an individually other adjustable target property, i. the concrete one
  • Layer cross-section of the optoelectronic components may be the starting point for the optoelectronic properties that can be set according to a specific customer request.
  • the target property comprises a plurality of defined parameters with a respective permissible variance, for example the
  • Wavelength emitted electromagnetic radiation with maximum intensity should be formed at 540 nm ⁇ 10 nm.
  • the optoelectronic components with different optoelectronic properties can have the same or different design.
  • a planned layer cross-section of the device can be understood, i. same number of layers, same thickness of the layers and the same sequence of layers.
  • the first optoelectronic component and the second optoelectronic component may have a common system carrier or a plurality of different system carriers when measuring the at least one measurement parameter.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Measurable parameters are to be understood as non-invasively determinable, for example by applying a
  • the measurable parameter may have a measurement parameter with regard to emitted or absorbed electromagnetic radiation from the group of the measurement parameters: the brightness or the intensity; the
  • photovoltaic devices solar cells
  • detectors for example, be important in photovoltaic devices (solar cells) and / or detectors for
  • the optoelectronic detectors for example in the case of high-energy radiation, for example X-radiation.
  • the optoelectronic radiation for the protection of the detectors, for example in the case of high-energy radiation, for example X-radiation.
  • the optoelectronic radiation for the protection of the detectors, for example in the case of high-energy radiation, for example X-radiation.
  • the optoelectronic radiation for the protection of the detectors, for example in the case of high-energy radiation, for example X-radiation.
  • the measuring can take place, for example, after application of the second electrode and / or after application of the encapsulation and / or after application of the protective varnish and / or after application of the glass cover.
  • a single measurement parameter or several measurement parameters can be determined simultaneously or sequentially, for example the wavelength spectrum emitted
  • electromagnetic radiation color
  • the brightness for example by means of a photodetector after applying an operating voltage to the device.
  • measuring parameters can be measured several times or according to different manufacturing steps be, for example, measuring the color after applying the encapsulation and after applying the protective varnish
  • the concrete adaptation measures can be determined on the basis of the concrete layer cross section of the optoelectronic component and the
  • optoelectronic devices can be set to the common target property.
  • the selected adjustment action edits the
  • Optoelectronic device such that the deviation from the target properties is the least, with respect to the non-selected alternative adaptation measures.
  • One of at least two adaptation measures is selected. The selection criterion may be based on experimental experience and take into account economic considerations.
  • the processing of at least one value of a measurement parameter of the optoelectronic properties of the first optoelectronic component or of the optoelectronic properties of the second one may be carried out
  • a compensatory measure can be a compensation element or a compensation process.
  • the compensatory measures may include the application of a substance or mixture of substances to the Have component or a removal of a part of the
  • Component for example, a homogeneous reduction of the layer thickness or a roughening or smoothing of the exposed surface of the device.
  • Equal compensatory measures can be applied to similar ones
  • Optoelectronic components due to nonlinear optical relationships have different effects on the optoelectronic properties, for example in the vicinity of the conditions of optical interference and / or total reflection.
  • Differences in the optical thickness come, for example by a few 10 nm. This may result in some components for forming a destructive interference at the
  • Adaptation measure can then have no significant influence on the color or brightness of a component in some components and in another component of the same type to a deletion of a wavelength in
  • the compensation element can be used as a coating or compensating coating or
  • the compensating element may be formed as a foil or compensating foil or compensating foil.
  • the film may have at least one coating.
  • the coating on the film may be a compensating coating and the film carrier of the coating.
  • the film and the coating can also be a complementary optoelectronic Effect or have different optoelectronic effects,
  • the balancing process or balancing process may be a process selected from the group of processes; Smoothing, roughening, reducing layer thickness, polymerizing, or structuring.
  • Compensation elements or balancing processes are applied to the second optoelectronic component.
  • the optoelectronic properties By enhancing an optoelectronic property, one can understand approaching the optoelectronic properties to the target property, such as changing the color or color mixture, i. of the wavelength spectrum, the emitted light of the device towards the target property, for example from green light to white light.
  • Changing the color can, for example, by means of
  • Wavelength conversion for example by means of a layer with phosphor with Stokes shift or by means
  • Conditions of interference or total reflection are formed by applying a layer of high refractive index glass.
  • compensatory measures of different training can be combined with each other the value of at least one measurement parameter of the
  • Component scattering centers form on which a coating is applied to reduce the total reflection.
  • Compensation elements the value of two or more measurement parameters can be changed simultaneously.
  • Compensation may be necessary, for example, if a compensation element is the color
  • decoupling light i. the intensity or brightness of the radiation emitted by the component or of the light increases without the color of the emitted radiation
  • Conditions for interference for example, by increasing the optical thickness of the device by several 10 nm.
  • a Layer cross section has the properties:
  • Layer sequence the number of layers, the layer thickness, the material composition of the layers.
  • the roughness of an inner interface for example, with air bubbles, can at the same material
  • Process parameters the group of process parameters:
  • Plasma power or gas pressure or similar conventional process parameters.
  • the optoelectronic properties of the first optoelectronic component or of the second optoelectronic component can work in combination with two or more compensation elements for the target property.
  • Compensation element are applied as the second optoelectronic device.
  • the other compensating element may have a different layer cross-section or one with the same design of the compensating measure
  • the concrete adaptation measures for the respective optoelectronic properties are of the concrete type
  • Embodiment of the optoelectronic component for example, the refractive indices of the materials used or the thickness of individual layers, for example, the optical thickness of the individual layers and the absorption in the individual layers.
  • the first optical thickness of the individual layers for example, the optical thickness of the individual layers and the absorption in the individual layers.
  • the substrate or the system carrier can be mechanical
  • the substances necessary for the Anpa substances such as balancing films, for example
  • optical layers can be arranged between the optoelectronic component and the
  • the further layers may have an adhesion-enhancing, diffusion-inhibiting and / or optically coupling effect.
  • Properties to the target property may be part of the frontend or backend fabrication of the optoelectronic device.
  • the optoelectronic device may be part of the frontend or backend fabrication of the optoelectronic device.
  • Component be formed as a radiation-emitting device.
  • the radiation-emitting optoelectronic component can be formed as an organic light-emitting diode.
  • Component be designed as a radiation-detecting device.
  • the radiation-detecting optoelectronic component can be used as a detector for
  • electromagnetic radiation for example
  • an apparatus comprising: a
  • Input device configured to input at least one common target optoelectronic property of the plurality of optoelectronic devices
  • Measuring device designed for measuring at least one optoelectronic property of the optoelectronic
  • a compensation device configured to provide at least two compensation elements and / or compensation processes with different
  • Selector device adapted for component-individual selection of at least one compensation element and / or at least one compensation method using the measured at least one optoelectronic properties of the optoelectronic components and the optoelectronic effect for the optoelectronic components such that after applying the at least one selected one
  • the device in one embodiment, the
  • Input device for inputting the degree of efficiency of the
  • the destination property and the degree of production can be transmitted by means of information transport to the selection device.
  • Measurement parameters to be set simultaneously or sequentially.
  • the device in one embodiment, the
  • Compensation element may be configured as a coating, a film and / or a coated film.
  • the device in one embodiment, the
  • Compensation elements or compensation method with respect to the non-selected compensation elements or compensation method have a smaller deviation from the common optoelectronic target property.
  • the target property can be transmitted as a spectrum in the input device.
  • Compensation element can for example by means of a
  • the transport of the components may be formed on a system carrier or after singulation.
  • Optoelectronic components i the device by means of a gripping device (and / or a conveyor belt) to be set up.
  • the compensating device can be set up to carry out at least one of the tasks from the group of tasks: separating the optoelectronic components; Labeling the optoelectronic devices with. applied compensation element and / or to be performed Ausglei chsrea; Identify the optoelectronic
  • the components can first be singulated in a singulating device if the components have a common system carrier and a singling should be necessary for the execution of the compensatory measures.
  • Separation may be necessary, for example, if multilevel adaptation measures are required for some components
  • Another reason for a separation of the components may be incompatible compensatory measures such as
  • Compensation measure for example, incompatible with be simultaneous application of a scattering layer and therefore a separate processing and separation of the components.
  • the balancing can furthermore have a separation of the components if optoelectronic components
  • the selector can determine whether the
  • Form groups i. in which components the same or similar compensatory measures are formed and therefore can be processed together.
  • the singling device can be optional, for example because components have already been singulated into the
  • the components can be marked with their individual compensatory measures, for example electronically, for example in one
  • Information storage within the compensation device based on their position on the system carrier or optically by means of laser, for example by means of barcodes, on an edge region of the component that does not fulfill an opto-electronic task.
  • a transport of the optoelectronic components into the ident-sorting device can take place. Without separation device or separation of the information flow and the transport of the components can be formed directly from the measuring device in the ident-sorting device. Furthermore, without
  • the individual marking of the components are formed with their compensatory measures in the ident-sorting device.
  • the ident-sorting device can sporadic
  • Compensating devices are transported. If the optoelectronic properties are already the target
  • the ident-sorting device can be the beginning of compensatory measures for a
  • the compensation device can have one or more different compensation systems
  • An equalization facility can be a facility for the
  • Adhesive layer Adhesive layer, litter layer, coupling layer,
  • Waveguide layer be, for example, a chemical and / or physical Aufdampfanläge (chemical vapor deposition, physical vapor deposition, sputtering), a
  • Spray coating a dip coating, a spin coating, a squeegee, or similar conventional processing equipment.
  • Humidity, pressure, solvents, solution concentration, layer thicknesses, drying tents, or similar, conventional parameters can be adjusted.
  • Another compensating device may be used as a means for applying a compensating foil, for example a foil for increasing the optical thickness of the optoelectronic
  • Component a film with scattering effect, a film with wavelength-converting effect, for example by lamination be formed.
  • Another equalization system may be a device for a compensation process, for example smoothing, for example, chemical-mechanical polishing etching, for example
  • the device can be part of a conventional production plant of optoelectronic
  • Thin film encapsulation or second electrode can be adjusted.
  • the roughened surface of the thin film encapsulation or the second electrode can act as a scattering layer and
  • the adhesive layer and the coverslip may be in
  • the device may be for a specific purpose
  • Embodiment of a component values, for example, the layer thickness of the adhesive layer, the process condition and the surface roughness of the thin-film encapsulation or second electrode dynamically adapt to the specific component to optimize the optoelectronic properties.
  • the equalization systems can identify individual plants, for example, a single Aufdampfanläge, or a
  • Plant line for example, when laminating films, having a system for applying adhesive and a system for applying lamination film.
  • the device may comprise a further transport device of the components of the balancing devices.
  • the components can be transported out of the device if the optoelectronic properties of the
  • the optoelectronic components can also run through the device again, for example for setting further optoelectronic properties, for example the brightness after setting the color.
  • the optoelectronic components can also run through the device again, for example for setting further optoelectronic properties, for example the brightness after setting the color.
  • Several devices can be connected in series or in the
  • Input device may be the Zielbin and / or the
  • Production level of the components can be changed manually or by means of a machine program.
  • the transport from the device can then be a transport to a measuring device. Further reasons for a renewed passage of the components after leaving the equalization systems by the device may be the checking of the optoelectronic properties, ie the compensation measures can be verified.
  • Information flow to the ident-sorting facility from the equalization facilities and / or an information store in the ident-sorting facility may be necessary, which updates the status of the compensation measure and the next
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2 is a schematic representation of a
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a method for individualized bin matching, according to various
  • FIG. 4 shows a schematic illustration of a method for individualized bin matching, according to various exemplary embodiments
  • Figure 5 is a scheimatician representation of an apparatus for individual Binanpassung, according to various
  • Figure 6 is a schematic representation of a first concrete
  • Figure 7 is a schematic representation of a second concrete
  • Figure 8 is a schematic representation of a third concrete
  • Embodiment of the device Embodiment of the device.
  • Components with the same optoelectronic property can be referred to as a bin.
  • the ones targeted in the process are referred to as a bin.
  • Target bin or target properties are called. 1 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • the light emitting device 100 in the form of a
  • Organic light-emitting diode 100 may include a substrate 102.
  • the substrate 102 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the substrate 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material, or any other suitable material.
  • the substrate 102 may be a
  • the plastic may include one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • the substrate 102 may be one or more of the above 2 x 4
  • the substrate 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein part of the light can be scattered here.
  • the term "transparent” or “transparent layer” can be understood to mean that a layer is permeable to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • Embodiments as a special case of "translucent" to look at.
  • the optically translucent layer structure at least in a portion of the wavelength range of desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and bottom emitter may also be referred to as an optically transparent component, for example a transparent organic light-emitting diode.
  • the substrate 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may comprise or consist of one or more of the following materials: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafum oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • barrier layer 104 may have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example a layer thickness of about 40 nm ,
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged on or above the barrier layer 104.
  • the electrically active region 106 may be understood as the region of the light emitting device 100 by applying an electric current to operate the device
  • the electrically active region 106 may comprise a first electrode 110, a second electrode 114, and an organic functional layer structure 112 on iron, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 may be applied (eg, in the form of a first electrode layer 110).
  • the first electrode 110 may be formed of or be made of an electrically conductive material, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, Sn0 2 , or I 2 0 3 also include ternary metal oxygen compounds, such as AIZnO, Zn2Sn0 4 , CdSnÜ 3 , ZnSn0 3 , gln 2 0 4 , Galn0 3 , ZI ⁇ II ⁇ OS or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one Silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 110 provide one or more of the following materials, as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 110 and the substrate 102 translucent or
  • the first electrode 110 may have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example, one
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a the first electrode 110 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm in that the first electrode 110 is formed from a conductive transparent oxide (TCO)
  • the first electrode 110 is for example a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 75 nm to about 250 nm, for example, one
  • the first electrode 110 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Aeg, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes may be used.
  • Nanotubes which may be combined with conductive polymers, or is formed by graphene layers and composites, the first electrode 110, for example one
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • Elek rode be hole-erjipermeabilde Elek rode be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • a first electrical potential (provided by a power source ⁇ not shown), for example, a power source or a voltage source) can be applied.
  • the first electrical potential may be applied to the substrate 102, or be and then indirectly applied to the first electrode 110.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the electrically active region 106 can di
  • light emitting device 100 is an organic electroluminescent layer structure 112, which is or will be applied to or over the first electrode 110.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may include one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 116 (also referred to as hole transport layer (s) 120). In various embodiments, alternatively or additionally, one or more electron conduction layers may be used
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2-) (2-pyridyl) henyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. It should be noted that other suitable spin-on process (also referred to as spin coating).
  • Emitter materials are also provided in other exemplary embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • phosphorescent emitter layer 118 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission produced by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits a different wavelength, resulting in a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation Radiation produces a white color impression.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent layers.
  • Organic electroluminescent layer structure 112 may include one or more electroluminescent layers configured as hole transport layer 120, such that, for example, in the case of an OLED, effective one
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may include one or more functional layers, referred to as
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • the one or more electroluminescent layers may or may be referred to as
  • Hole transport layer 120 applied, for example
  • electron transport layer 116 may be on or over
  • Emitter layer 118 applied, for example, deposited, be.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 (ie.
  • Hole transport layer (s) 120 and emitter layer (s) 118 and electron transport layer (s) 116) have a layer thickness of at most about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example one Layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 800 nm, for example a layer thickness of approximately 500 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic Electroluminescent layer structure 112 for example, a stack of
  • each OLED has light emitting diodes (OLEDs).
  • a layer thickness may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of less than 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 or more
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may comprise a stack of two, three, or four directly stacked OLEDs, in which case, for example, the organic elektrolumxneszente
  • Layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 ⁇ .
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 116 which serve to further improve the funkionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • Layer structure 110 or optionally on or over the one or more other organic compound
  • Functional layers may be the second electrode 114 W
  • Electrode 114 have the same materials or be formed therefrom as the first electrode 110, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • Electrode 114 (for example in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed or be similar to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 in various embodiments, may be formed of one or more of the materials and having the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode 110. In different
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both formed translucent or transparent. Thus, that shown in Fig.1
  • the light-emitting device 100 may be configured as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light-emitting device 100 ⁇ .
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the second electrode 114 may have a second electrical
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the first electrical potential is in a range from about 1.5 V to about 20 V, for example a value in a range from about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • a f or over the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” or a “barrier thin film” 108 may, for example, be understood to mean a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and Oxygen, form.
  • the barrier thin layer 108 is designed so that it can not be penetrated by OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvents, or at most at very low levels.
  • the barrier thin-film layer 108 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier thin film 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 108 or one or more sublayers of the barrier film 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sub-layers, all sub-layers are formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • Barrier thin film 108 having a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier thin film 108 by a deposition method other than one Atom harshabscheideclar be deposited, for example by means of a gas phase separation method.
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example about hr 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier skin layer 108 comprises a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier skin layer 108 comprises a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier skin layer 108 comprises a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier skin layer 108 comprises a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier layer 108 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier skin layer 108 or the individual sublayers of the barrier skin layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sublayers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent material (or combination of materials that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin layer 108 include or consist of one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titanium oxide, haf iumoxid, tantalum oxide
  • the barrier thin film 108 or (in the case of a
  • Layer stack having a plurality of sublayers ⁇ one or more of the sublayers of the barrier film 108 comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example, having a refractive index of at least 2.
  • an adhesive and / or a protective lacquer 124 may be provided on or above the encapsulation 108, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126) on the
  • Encapsulation 108 attached for example, is glued.
  • translucent layer of adhesive and / or protective varnish 124 have a layer thickness of greater than 1 ⁇
  • a layer thickness of several ⁇ For example, a layer thickness of several ⁇ .
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments still light scattering particles, which contribute to a further improvement of the FarbwinkelVerzugs and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example scattered dielectric particles, such as, for example, metal oxides, such as e.g. Silica (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • metal oxides such as e.g. Silica (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • Alumina, or titania may also be suitable if they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron Nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer is disposed between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124.
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 niti to about 1.5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 .mu.m to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • Acrylate having a refractive index of about 1.3 Acrylate having a refractive index of about 1.3. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the encapsulation 108 by means of, for example, plasma spraying.
  • the / may
  • Cover 126 and / or the adhesive 124 a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1, 55 on iron.
  • the Dünn Anlagenverkapselung 108) may be provided in the light-emitting device 100.
  • 2 shows a schematic representation of a
  • individualized binarization 200 according to various embodiments.
  • optoelectronic components 100 with the optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 during or after the
  • Optoelectronic properties may relate to emitted or absorbed electromagnetic radiation
  • the intensity (brightness) the intensity (brightness)
  • Wavelength spectrum (color), the viewing angle dependence, the absorption or the efficiency of an optoelectronic component 100 be.
  • the individualized binarization 200 may be considered a
  • Selection method 200 for example a process matrix 200, can be understood in which, based on output states 20, 206, 208, 210 and one or more optoelectronic target property (s) 202, a selection with respect to
  • Matching elements 212, 214, 216, 218 is taken, with which the target property (s) 202 in the optoelectronic devices 100 with the optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 can be set / can.
  • the number of possible output states 204, 206, 208, 210 and adjustments 212, 214, 216, 218 is not limited to the number of possibilities presented. Rather, output states 20, 206, 208, 210 and adjustments 212, 214, 216, 218 may be discrete or even infinitesimally different from each other and from each other.
  • the optoelectronic components 100 with different optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 may have the same or different types. As a same type, a planned layer cross-section 100 of the component can be understood, ie the same number
  • Doping semiconducting doped layers in a range of about 0% to about 10%.
  • the optoelectronic components 100 with different optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 can be specifically adapted or balanced to a common optoelectronic property 202, i. set to a common destination property 202. On an adjustment or a balance of the initial state can be omitted if the initial state 204, 206, 208, 210 the
  • Target state 202 corresponds, for example in the
  • Optoelectronic properties of at least two components 100 different optoelectronic properties For example, 204 and 208 are color, 206 are colorants
  • Adjustment element in two optoelectronic devices of the same type change the optoelectronic properties differently, i. the effect of
  • Adaptation element can depend on the concrete
  • the optical thickness of the component can change by means of the adaptation element.
  • the optical thickness of the component can change by means of the adaptation element.
  • there may be minimal differences in the optical thickness for example by a few 10 nm.
  • the adaptation measure can then have no significant influence on the color or brightness of a component in some components and, in another component of the same type, a quenching of a wavelength in the emission spectrum of the optoelectronic component
  • the optoelectronic properties may also be different, i. E. the amount of the measured value that quantifies the optoelectronic property may be different.
  • a single adaptation measure such as 214, may simultaneously change several optoelectronic properties, such as brightness and color.
  • the simultaneous change of two or more optoelectronic properties can lead to an improvement of at least one optoelectronic property.
  • an optoelectronic property By improving an optoelectronic property, one can understand the approach of the optoelectronic properties to the target property, for example changing the color or color mixture, ie the wavelength spectrum, of the emitted light of the device 100 towards the target property, for example from green light to white light. Changing the color can, for example, by means of
  • Wavelength conversion for example by means of a layer with phosphor with Stokes shift; or by means of
  • Conditions of interference or total reflection are formed by applying a layer of high refractive index glass.
  • a layer of high refractive index glass In another embodiment, more
  • Adaptive measures for example 216 same or other optoelectronic properties improve, for example, the viewing angle dependence, for example with a
  • Litter layer or improve by means of previous adaptation measures to slightly improved or deteriorated optoelectronic property or compensate, for example, the brightness.
  • the color of the light ie the wavelength of the light
  • the further adaptation 216 may then increase the brightness, ie the intensity of the electromagnetic radiation, for example by applying a scattering layer or canceling destructive interference at the light-coupling interface or reducing total reflection.
  • optoelectronic properties towards the target properties in the sum of the assimilation measures are achieved, i.
  • An individual adaptation measure does not have to modify an optoelectronic property already to the respective target property.
  • the target property may also only be in context with other customization measures
  • Component 100 with the properties 206 have a wavelength 50 nm below the target wavelength and the
  • composition same layer cross-section, same
  • compositions different layer cross-section, different layer thicknesses, - or differ in one or more properties or match, for example, the same material composition,
  • the adaptation processes may be different, for example, in the
  • Process parameters such as temperature, power of a microwave generator in a plasma treatment, or the parameters of the compensation elements, for example of
  • Leveling layers such as the material
  • composition the number materially different
  • Layers the sequence of materially different layers, the thickness of individual layers and their Interface structuring, for example
  • the adjustments 212, 214, 216, 218 of the output states 204, 206, 208 can be designed differently, for example by applying a layer to the optoelectronic component, for example wet-chemical application, for example screen printing,
  • optoelectronic component 100 for example of the protective lacquer 124, for example etching, polishing,
  • different or equal compensation measures can be combined with each other, for example, applying a leveling layer and
  • both compensation elements have a planned optical effect.
  • the adaptation measures 212, 214, 216, 218 that are specific for the respective optoelectronic properties 204, 206, 208 depend on the specific configuration of the optoelectronic component 100, for example the
  • Refractive indices of the materials used or the thickness of individual layers for example the optical thickness of the individual layers and the absorption in the individual layers.
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a method for individualized bin adjustment 200, according to various embodiments. Shown are a first optoelectronic component 304, a second optoelectronic component 306, a third optoelectronic component 308 and a fourth
  • the system carrier 302 may be, for example, a substrate 102 common to the components 304, 306, 308, 310, for example, before
  • the substrate 102 or the system carrier 302 can be made mechanically flexible, for example as a foil made of plastic, aluminum, copper or steel, for example for roll-to-roll processes; or mechanically stiff
  • Components, the optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 of the optoelectronic components 304, 306, 308, 310 can be measured by means of a measuring device
  • the measuring 312 can, for example, after application of the second electrode 114 and / or after application of the
  • a single measurement parameter or several measurement parameters can be determined simultaneously or successively, for example the wavelength spectrum of emitted electromagnetic radiation (color) and the brightness, for example by means of a photodetector after application of an operating voltage to the component.
  • Identical or different measurement parameters can be measured several times or after different production steps, for example measuring the color after applying the encapsulation 108 and after applying the protective varnish 124; For example, measuring the color after applying the
  • Encapsulation 108 and measuring the brightness after applying the glass cover 126.
  • Adjustment measures 200 are determined and the
  • optoelectronic devices 304, 306, 308, 310 are set to the target common property 202.
  • Measuring device (s) 508 with a selector 512 having a process matrix 200 automatically, for example, be implemented electronically, for example, computer-aided.
  • the selected adjustment action edits the
  • the optoelectronic device such that the deviation from the target characteristics (generally one or more predetermined target characteristics) is least with respect to the non-selected alternative adaptation measures.
  • One is selected from at least two
  • the selection criterion can be set to
  • the substances necessary for the adjustments for example compensating foils, for example different film classes, for example with
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a method for individualized bin matching, according to various exemplary embodiments.
  • the measurement 212 of the optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 of the optoelectronic components 304, 306, 308, 310 can, according to FIG.
  • Optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 towards the target property 202 can also after the
  • the measurement 312 of the optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 and compensation or processing 200 to the target property 202 can also be carried out only after the singulation 402. Balancing or editing 200 of the
  • Optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 to the target feature 202 may be part of the frontend fabrication (prior to component singulation) or backend fabrication (after singulation of the components) of the
  • FIG. 5 shows a schematic illustration of an apparatus 500 for individual bin adjustment 200.
  • a plurality of optoelectronic components 304, 306, 308, 310 can by means of transport device 502 after or during the manufacture of optoelectronic devices in the
  • the transport 502 of the components 100 may be on a
  • System carrier 302 or after the singulation 402 may be formed.
  • One or more optoelectronic properties 204, 206, 208, 210 of the components 304, 306, 308, 310 can be found in the
  • Measuring device 508 determined (312).
  • the optoelectronic properties of the target bins 202 for example in the form of an emission spectrum and the nature of the devices 304, 306, 308, 310, i. the degree of production, be set or entered.
  • the degree of production can be, for example, information which layer was last applied to the component 100, for example the last applied layer is the second electrode 11.
  • the destination bin 202 and the degree of production can by means of
  • Information transport 516 be sent to the selector 512.
  • Balancing processes 212, 214, 216, 218, are determined.
  • Compensation measures 212, 21, 216, 218, realized by matching the measured spectrum with the target spectrum, the differences between the spectra with the optoelectronic effect known
  • the compensation measures 212, 214, 216, 218 can be carried out in addition to the compensation process to be performed or
  • components 304, 306, 308, 310 first
  • an information flow 518 can supply the compensation measures 212, 21, 216, 218 to the
  • the device 500 can transport a 504 of the
  • the components 304, 306, 308, 310 may first be isolated (402) in a separating device 526 if the components 304, 306, 308, 310 have a common system carrier 302 and a separation 402 is necessary for carrying out the compensating measures should be .
  • Singulation 402 may be necessary, for example, if multilevel adaptation measures are to be designed for some components and not for others,
  • compensatory measures 214, 216 for example, compensatory measures 214, 216.
  • Another reason for singulating 402 the components may be incompatible compensatory measures 212, 214, 216, 218, for example applying an adhesive layer 214 and then applying a compensating foil 216 as a multi-level compensating measure may be incompatible with, for example, the application of a scattering layer 212 and therefore a separate balancing 200 of the components 304, 306 with the properties 204,206 is necessary.
  • the compensation element 520 may further comprise a singulation 402 of the components 304, 306, 308, 310 if
  • Component 310 optoelectronic properties 210
  • the selection device 512 can be used on the basis of
  • Process matrix 200 determines whether devices 304, 306, 308, 310 should be singulated and / or form logical groups, i. in which components the same or similar compensatory measures are formed and therefore can be processed together.
  • the singler may be optional, for example because components already isolated in the
  • Device 500 transports ⁇ 502) to or
  • Compensating measures 212, 214, 216, 218 according to the
  • Process matrix 200 are marked, for example electronically, for example on a transport carrier or carriage on which the components within the
  • Balancing device 520 are transported or optically, for example by means of barcodes, at an edge region of the device that does not fulfill an optoelectronic task.
  • optoelectronic components 304, 306, 308, 310 are carried out in the ident-sorting device 528.
  • the information flow 518 and the transport 504 of the components can be formed directly in the ident-sorting device 528. Furthermore, without singulation device 526 or singulation 402, the information flow 518 and the transport 504 of the components can be formed directly in the ident-sorting device 528. Furthermore, without singulation device 526 or singulation 402, the information flow 518 and the transport 504 of the components can be formed directly in the ident-sorting device 528. Furthermore, without singulation device 526 or singulation 402, the information flow 518 and the transport 504 of the components can be formed directly in the ident-sorting device 528. Furthermore, without singulation device 526 or singulation 402, the information flow 518 and the transport 504 of the components can be formed directly in the ident-sorting device 528. Furthermore, without singulation device 526 or singulation 402, the information flow 518 and the transport 504 of the components can be formed directly in the ident-sorting device 528. Furthermore, without singulation device 526 or singulation 402, the information flow 518 and the transport
  • Singulation device 526 the individual marking of the components 30, 306, 308, 310 are formed with their compensatory measures 212, 214, 216, 218 in the Ident -Sortie device 528.
  • Components 304, 306, 308, 310 identified by their markers and according to their compensation measures 212, 214, 216, 218 transported to the balancing devices 530, 532, 534 (522) or if the optoelectronic
  • the ident-sorting device can be the beginning of compensatory measures for a
  • An equalizer 530 may include means for the
  • Adhesive layer Adhesive layer, litter layer, coupling layer,
  • Waveguide layer for example, a chemical and / or physical vapor deposition (chemical vapor
  • Spray coating a dip coating, a spin coating, doctoring (screen printing) or similar, conventional process equipment.
  • a dip coating a dip coating
  • a spin coating a spin coating
  • doctoring screen printing
  • Compensating device 530 for compensation layers depending on the individual optoelectronic properties of the
  • Process parameters such as temperature, humidity, pressure, solvents, Nahskonzentratio, layer thicknesses, drying times, or similar, conventional parameters can be adjusted.
  • a compensator 532 may be used as a means for applying a compensating foil, for example a foil for increasing the optical thickness of the optoelectronic
  • Component a film with scattering effect, a film with wavelength-converting effect, for example by lamination be formed.
  • An equalization system 534 can be used as a device for a compensation process, for example smoothing, for example, chemical-mechanical polishing, etching, for example
  • the device 500 may be part of a conventional optoelectronic manufacturing plant
  • the roughened surface of the thin-film encapsulation 108 or the second electrode 114 can act as a scattering layer and simultaneously act to increase the adhesion of the adhesive layer 124.
  • the adhesive layer 124 and the cover glass 126 may, depending on their specific thickness, increase the interference conditions by increasing the optical thickness of the component and thus the color and / or brightness
  • the device 500 may be for a specific purpose
  • Embodiment of a device 100 values, such as the layer thickness of the adhesive layer 124, whose
  • Dünnfilmverkapse1ung 108 and second electrode 114 dynamically adapt to the specific component to optimize the optoelectronic properties.
  • the balancing systems 530, 532, 534 may identify individual installations, for example a single vapor deposition unit, or a series of installations, for example when laminating films, having an installation for applying adhesive and a system for applying lamination film.
  • the device 500 may be another
  • Balancing devices 530, 532, 534 have.
  • the devices may be transported out of the device (524) if the optoelectronic properties of the devices correspond to the target bin (see Figs. 3 and 4), for example, to apply the encapsulant 124, 126 or, for example, to the backend fabrication, i. 524 is 536.
  • the optoelectronic components can also run through the device again, for example for adjustment further optoelectronic properties, such as the brightness after adjusting the color.
  • Devices 500 may be connected in series for this purpose, or in the input device 514 the target module 202 and / or the degree of production of the components may be changed manually or by means of an engine program.
  • the transport 524, 536 may then transport 502 to a measuring device 508
  • Compensatory measures can be verified, i. 524, 536 may correspond to 502.
  • rerunning may include performing additional balancing actions 216 after completing the previous ones
  • Measure 214 i. 524 may correspond to 502, 504, 506 or 522.
  • the multi-level (214, 216) compensatory measures are not in a balancing system
  • Ident sorting means 528 from the equalizers 530, 532, 534 and / or an information store in the ident-sorting means 528 necessary to update the status of the compensation measure and the next
  • transport devices 502, 504, 506, 522, 524, 536 may serve as a common transport device
  • a gripper arm or a conveyor belt.
  • Several of the devices 508, 526, 528, 530, 532, 534 may also be packaged as individual assemblies
  • Device may be formed so that a transport 504, 506, 522, 530, 532, 534 between the devices is not necessary Also, do not have different or more
  • Compensating devices 530, 532, 534 i of the device may be formed.
  • Leveling layers can already be prepared for example on films. It can therefore also only compensation films on the components
  • FIG. 6 shows a schematic representation of a first concrete embodiment 600 of the device 500.
  • a measuring device 602 with camera 610 is shown, the optoelectronic components 304, 306, 308 (not visible) with different optoelectronic properties 204,
  • Lamination station 608 transmits 510.
  • Automated lamination station 608 includes a computer 604 that includes input device 514 and selector 512
  • Process matrix 200 realized.
  • Gripping device 532 are individual compensation films 212, 216, 218 with adapted color additives according to the
  • the measurement of the color information can be carried out during the production (inline measurement) of the optoelectronic components before the singulation (frontend), while the application or lamination of the compensation films 212, 216, 218 after the separation of the optoelectronic components
  • FIG. 7 shows a schematic representation of a second concrete embodiment 700 of the device 500.
  • the second embodiment 700 differs from the first embodiment 600 in the compensation device 608 such that in the second embodiment 700
  • FIG. 8 shows a schematic representation of a third concrete embodiment 800 of the device 500.
  • the third specific embodiment 800 differs from the first embodiment 600 and the second embodiment 700 such that the optoelectronic components with different color Bin 204, 214, 208 before and after the adaptation on a roller 302 are formed and not isolated we the.
  • the application of the compensating layers 212, 216, 218 with color additives can be applied to the components by means of a selective spraying station 530.
  • the balancing layers 212, 216, 218 (not visible) can be dried after application by means of a drying station 802.
  • the transport 502, 504, 506, 522, 524 through the apparatus takes place on a reel 302, i. the system carrier, by means of a roll-to-roll method 804.
  • optoelectronic components are reduced.
  • the production can be better controlled and customer requests for certain color or brightness bins can be processed directly without major overproduction.

Abstract

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren (200) zum Herstellen von mehreren optoelektronischen Bauelementen (100) bereitgestellt, das Verfahren (200) aufweisend: Messen von mindestens einem Messparameter bei einem ersten optoelektronischen Bauelement (304 ) und einem zweiten optoelektronischen Bauelement (306 ); und Bearbeiten des ersten optoelektronischen Bauelements (304) und des zweiten optoelektronischen Bauelements (306) unter Berücksichtigung des gemessenen Messparameterwertes des ersten optoelektronischen Bauelements (304) und des gemessenen Messparameterwertes des zweiten optoelektronischen Bauelements (306), so dass die optoelektronischen Eigenschaften (204) des ersten optoelektronischen Bauelements (304) und die optoelektronischen Eigenschaften (206 ) des zweiten optoelektronischen Bauelements (306) in unterschiedlicher Weise (212, 214, 216 ) zu mindestens einer gemeinsamen vorgegebenen optoelektronischen Ziel-Eigenschaft (202) hin verändert werden.

Description

Beschreibung
Verfahren und Vorrichtung zum Hersteilen von mehreren
optoelektronischen Bauelementen
In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von mehreren
optoelektronischen Bauelementen bereitgestellt. In der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, beispielsweise organischen Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) kann es lokal zu Schwankungen der Schichtdicke und Dotierung kommen. Dies kann zu Abweichungen in der Farbe , der Helligkeit , der Effizienz und der
Blickwinkelabhängigkeit optoelektronischer Bauelemente untereinander führen. Bei den Schwankungen kann es sich um eine natürliche Fertigungsstreuung handeln, die abhängig sind von der Position des optoelektronischen Bauelementes auf dem Systemträger vor der Vereinzelung und von Prozessschwankungen während der Herstellung durch Abweichungen der Prozesssysteme von der Kalibrierung .
Optoelektronische Bauelemente mit gleichen optoelektronischen Eigenschaftes werden dabei als Bin bezeichnet . Die im Prozess angestrebten Eigenschaften können als Zielbin oder Ziel- Eigenschaften bezeichnet werden .
Um eine bestimmte Anzahl optoelektronischer Bauelemente mit einer gewünschten Ziel-Eigenschaft herzustellen,
beispielsweise einer bestimmten Farbe , müssten daher deutlich mehr Bauelemente produziert werden als benötigt werden, d.h. die natürliche Fertigungsschwankung wird durch eine
unwirtschaftliche Überproduktion ausgeglichen. Eine herkömmliche Methode um die Helligkeit oder die Farbe von lichtemittierenden optoelektronischen Bauelementen zu verändern ist das Aufbringen einer Folie zur Verbesserung der Lichtauskopplung, eine sogenannte Ausgleichsfolie, Dabei wird ein Folientyp, unabhängig von den tatsächlichen,
individuellen optoelektronischen Eigenschaften eines
optoelektronischen Bauelementes auf die lichtemittierenden optoelektronischen Bauelemente aufgebracht. Die
Ausgleichsfolie kann dabei beispielsweise eine Streuschicht und/oder eine Schicht mit hohem Brechungsindex aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von mehreren
optoelektronischen Bauelementen bereitgestellt , mit denen es möglich ist optoelektronische Bauelemente mit
unterschiedlichen optoelektronischen Eigenschaften auf eine gemeinsame Ziel -Eigenschaft hin anzupassen
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine , ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden . Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende , durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden . Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff , einen anorganischen Stoff , und/oder einen hybriden Stoff . Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen von mehreren optoelektronischen Bauelementen bereitgestellt , das Verfahren aufweisend: Messen von
mindestens einem Messparameter bei einem ersten
optoelektronischen Bauelement und einem zweiten
optoelektronischen Bauelement und Bearbeiten des ersten optoelektronischen Bauelements und des zweiten
optoelektronischen Bauelements unter Berücksichtigung des gemessenen Messparameterwertes des ersten optoelektronischen Bauelements und des gemessenen Messparameterwertes des zweiten optoelektronischen Bauelements , so dass die
optoelektronischen Eigenschaften des ersten
optoelektronischen Bauelements und die optoelektronischen Eigenschaften des zweiten optoelektronischen Bauelements in unterschiedlicher Weise zu mindestens einer gemeinsamen vorgegebenen optoelektronischen Ziel -Eigenschaft hin
verändert werden.
Optoelektronische Eigenschaften können bezüglich emittierter oder absorbierter elektromagnetischer Strahlung
beispielsweise die Intensität (Helligkeit) , das
Wellenlängenspektrum (Farbe) , die Blickwinkelabhängigkeit , die Absorption oder die Effizienz eines optoelektronischen Bauelementes sein. Die Ziel -Eigenschaften können die mit dem beabsichtigten
Schichtquerschnitt geplanten Eigenschaften des Bauelementes sein, wobei natürliche Fertigungsschwankungen Abweichungen der optoelektronischen Eigenschaften von den Ziel- Eigenschaften ausbilden (Ausgangszustände) .
Die Ziel-Eigenschaft kann jedoch auch eine individuell andere einstellbare Ziel-Eigenschaft sein, d.h. der konkrete
Schichtquerschnitt der optoelektronischen Bauelemente kann Ausgangspunkt für die nach einem konkreten Kundenwunsch einstellbaren optoelektronischen Eigenschaften sein .
Die Ziel-Eigenschaft umfasst mehrere definierte Parameter mit einer jeweilig zulässigen Varianz , beispielsweise die
Wellenlänge emittierter elektromagnetischer Strahlung mit maximaler Intensität soll bei 540 nm ± 10 nm ausgebildet sein.
Au eine Anpassung bzw. einen Ausgleich des Ausgangszustandes kann verzichtet werden, wenn der Ausgangszustand dem
Zielzustand entspricht .
Die Anzahl möglicher Ausgangszustände und
Bearbeitungsmöglichkeiten bzw. Anpassungen ist nicht
begrenzt . Vielmehr können sich Ausgangszustände und
Anpassungen diskret oder sogar infinitesimal untereinander und voneinander unterscheiden .
Die optoelektronischen Bauelemente mit unterschiedlichen optoelektronischen Eigenschaften können eine gleiche oder unterschiedliche Bauart aufweisen . Als eine gleiche Bauart kann ein geplanter Schichtquerschnitt des Bauelementes verstanden werden, d.h. gleiche Anzahl an Schichten, gleiche Dicke der Schichten und gleiche Abfolge der Schichten.
Mittels natürlicher Fertigungsschwankung kann es j edoch bei gleicher Bauart zu Abweichungen der optoelektronischen
Eigenschaften der optoelektronischen Bauelemente
untereinander kommen, beispielsweise in Abweichungen der Dicken einzelner Schichten beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 % bis ungefähr 10 %, beispielsweise in der Dotierung halbleitender dotierter Schichten in einem Bereich von ungefähr 0 % bis ungefähr 10%. In einer Ausgestaltung können das erste optoelektronische Bauelement und das zweite optoelektronische Bauelement beim Messen des mindestens einen Messparameters einen gemeinsamen Systemträger oder mehrere unterschiedliche Systemträger aufweisen .
In einer Ausgestaltung können die optoelektronischen
Eigenschaften des ersten optoelektronischen Bauelementes und des zweiten optoelektronischen Bauelementes mittels
wenigstens eines messbaren Parameters ausgebildet sein.
Messbare Parameter sind hierbei als nicht invasiv bestimmbar zu verstehen, beispielsweise mittels Anlegen eines
elektrischen Stromes oder Messen der Intensität absorbierter oder emittierter elektromagnetischer Strahlung und ohne beispielsweise in der Fertigung eine irreversible
Querschnittsansicht des Bauelementes zu erstellen .
In noch einer Ausgestaltung kann der messbare Parameter einen Messparameter bezüglich emittierter bzw. absorbierter elektromagnetischer Strahlung aufweisen aus der Gruppe der Messparameter : die Helligkeit bzw. die Intensität ; das
Wellenlängenspektrum bzw. die Farbe ; die
Blickwinkelabhängigkeit ; die Absorption oder die Effizienz. Die Absorption elektromagnetischer Strahlung kann
beispielsweise von Bedeutung sein bei Fotovoltaik- Bauelementen (Solarzellen) und/oder Detektoren für
elektromagnetische Strahlung zum Schutze der Detektoren, beispielsweise bei energiereicher Strahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung . In noch einer Ausgestaltung können die optoelektronischen
Eigenschaften des ersten optoelektronischen Bauelementes und die optoelektronischen Eigenschaften des zweiten optoelektronischen Bauelementes in der gleichen optoelektronischen Eigenschaft von der optoelektronischen
Ziel-Eigenschaft her abweichen. In noch einer Ausgestaltung kann die Abweichung der
optoelektronischen Eigenschaft des ersten optoelektronischen Bauelementes und des zweiten optoelektronischen Bauelementes von der Ziel-Eigenschaf in einem unterschiedlichen Betrag des Messparameterwertes ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung können die optoelektronischen Eigenschaften des ersten optoelektronischen Bauelementes und die optoelektronischen Eigenschaften des zweiten
optoelektronischen Bauelementes in verschiedenen
optoelektronischen Eigenschaften bzw . verschiedenen
Messparameterwerten von der optoelektronischen Ziel- Eigenschaft her abweichen .
In noch einer Ausgestaltung kann das Messen des
Messparameters ein Messen der optoelektronischen
Eigenschaften nach oder während der Fertigung des
optoelektronischen Bauelementes aufweisen.
Das Messen kann beispielsweise nach Aufbringen der zweiten Elektrode und/oder nach Aufbringen der Verkapselung und/oder nach Aufbringen des Schutzlackes und/oder nach Aufbringen der Glasabdeckung erfolgen .
Beim Messen können ein einzelner Messparameter oder mehrere Messparameter gleichzeitig oder nacheinander bestimmt werden, beispielsweise das Wellenlängenspektrum emittierter
elektromagnetischer Strahlung (Farbe) und die Helligkeit, beispielsweise mittels eine Fotodetektors nach Anlegen einer Betriebsspannung an das Bauelement .
Gleiche oder unterschiedliche Messparameter können mehrfach oder nach unterschiedlichen Fertigungsschritten gemessen werden, beispielsweise Messen der Farbe nach Aufbringen der Verkapselung und nach Aufbringen des Schutzlackes
beispielsweise Messen der Farbe nach Aufbringen der
Verkapselung und Messen der Helligkeit nach Aufbringen
Glasabdeckung.
Nach dem Messen der optoelektronischen Eigenschaften der optoelektronischen Bauelemente können anhand des konkreten Schichtquerschnittes des optoelektronischen Bauelementes die konkreten Anpassungsmaßnahmen bestimmt werden und die
optoelektronischen Bauelemente auf die gemeinsame Ziel- Eigenschaft eingestellt werden.
Das Auswählen konkreter Anpassungsmaßnahmen, kann mittels Verbinden der Messeinrichtung (en) mit einer
Auswähleinrichtung, die eine Prozessmatrix aufweist ,
automatisch, beispielsweise elektronisch, beispielsweise computergestützt , ausgebildet sein . Die ausgewählte Anpassungsmaßnahme bearbeitet das
optoelektronische Bauelement derart , dass die Abweichung zu den Ziel-Eigenschaften am geringsten ist, bezüglich der nicht ausgewählten alternativen Anpassungsmaßnahmen . Ausgewählt wird dabei eine aus wenigstens zwei Anpassungsmaßnahmen . Das Auswahlkriterium kann auf experimenteller Erfahrung beruhen und ökonomische Gesichtspunkte berücksichtigen.
In noch einer Ausgestaltung kann das Bearbeiten mindestens eines Wertes eines Messparameters der optoelektronischen Eigenschaften des ersten optolelektronischen Bauelementes bzw. der optoelektronischen Eigenschaf en des zweiten
optoelektronischen Bauelementes zu der optoelektronischen Ziel-Eigenschaft hin mittels einer Ausgleichsmaßnahme
ausgebildet sein .
Eine Ausgleichsmaßnahme kann dabei ein Ausgleichselement oder ein Ausgleichsprozess sein. Die Ausgleichsmaßnahmen können das Aufbringen von einem Stoff oder Stoffgemisch auf das Bauelement aufweisen oder ein Abtragen eines Teils des
Bauelementes, beispielsweise ein homogenes Reduzieren der Schichtdicke oder ein Aufrauen oder Glätten der exponierten Oberfläche des Bauelementes .
Gleiche Ausgleichsmaßnahmen können bei ähnlichen
optoelektronischen Bauelementen auf Grund nichtlinearer optischer Zusammenhänge unterschiedliche Wirkungen auf die optoelektronischen Eigenschaften aufweisen, beispielsweise in der Nähe der Bedingungen von optischer Interferenz und/oder Totalreflektion.
In Abhängigkeit der konkreten Ausgestaltung der Schichtdicken der Bauelemente gleicher Bauart kann es zu minimalen
Unterschieden in der optischen Dicke kommen, beispielsweise um einige 10 nm . Dadurch kann es in einigen Bauelementen zum Ausbilden einer destruktiven Interferenz an der
strahlungsauskoppeInden Grenzfläche kommen . Die
Anpassungsmaßnahme kann dann in einigen Bauelementen keinen signifikanten Einfluss auf die Farbe oder Helligkeit eines Bauelementes haben und in einem anderen Bauelement gleicher Bauart zu einem Löschen einer Wellenlänge im
Emissionsspektrum des optoelektronischen Bauelementes führen .
In einer Ausgestaltung kann das Ausgleichselement als eine Beschichtung bzw. ausgleichende Beschichtung bzw.
Ausgleichsbeschichtung ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann das Ausgleichselement als eine Folie bzw. ausgleichende Folie bzw. Ausgleichsfolie ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die Folie wenigstens eine Beschichtung aufweisen. Die Beschichtung auf der Folie kann dabei eine ausgleichende Beschichtung sein und die Folie Träger der Beschichtung . Die Folie und die Beschichtung können j edoch auch eine sich ergänzende optoelektronische Wirkung oder unterschiedliche optoelektronische Wirkungen haben ,
In noch einer Ausgestaltung kann der Ausgleichsprozess bzw. der ausgleichende Prozess ein Prozess sein, ausgewähl aus der Gruppe der Prozesse; Glätten, Aufrauen, Schichtdicke reduzieren, Polymerisieren, oder Strukturieren .
In noch einer Ausgestaltung können zwei oder mehr
Ausgleichselemente oder Ausgleichsprozesse auf das erste optoelektronische Bauelement bzw. zwei oder mehr
Ausgleichselemente oder Ausgleichsprozesse auf das zweite optoelektronische Bauelement aufgebracht werden . In noch einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
Ausgleichselemente unterschiedliche Parameter des ersten optoelektronischen Bauelementes bzw . des zweiten
optoelektronischen Bauelementes zu den iel -Eigenschaften hin bearbeiten, d.h. verbessern.
Unter Verbessern einer optoelektronischen Eigenschaft kann das Annähern der optoelektronischen Eigenschaften an die Ziel -Eigenschaft verstanden werden, beispielsweise Ändern der Farbe oder Farbmischung, d.h. des Wellenlängenspektrums , des emittierten Lichtes des Bauelementes zur Ziel -Eigenschaft hin, beispielsweise von grünem Licht zu weißem Licht .
Das Ändern der Farbe kann beispielsweise mittels
Wellenlängenkonversion, beispielsweise mittels einer Schicht mit Leuchtstoff mit Stokes-Verschiebung oder mittels
Erhöhens des Anteils des ausgekoppelten Lichtes mit der Ziel- Eigenschaft mittels Anderns wellenlängenabhängiger
Bedingungen der Interferenz oder Totalreflektion mittels Aufbringens einer Schicht aus hochbrechendem Glas ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung können Ausgleichsmaßnahmen unterschiedlicher Ausbildung miteinander kombiniert werden um den Wert mindestens eines Messparameters der
optoelektronischen Eigenschaften des ersten
optolelektronischen Bauelementes bzw. der optoelektronischen Eigenschaften des zweiten optoelektronischen Bauelementes zu der optoelektronischen Ziel-Eigenschaft hin zu bearbeiten. Als Kombination von Ausgleichsmaßnahmen unterschiedlicher Ausbildung ist beispielsweise die Kombination von
Ausgleichsprozess und Ausgleichsbeschichtung zu verstehen, beispielsweise kann das Aufrauen der Oberflächen des
Bauelementes Streuzentren bilden auf die eine Beschichtung zur Reduktion der Totalreflektion aufgebracht wird.
In noch einer Ausgestaltung kann mittels eines
Ausgleichselements der Wert von zwei oder mehr Messparametern gleichzeitig verändert werden.
In noch einer Ausgestaltung kann mittels eines
Ausgleichselements die Veränderung eines Wertes eines
Messparameters eines vorherigen Ausgleichselementes
kompensiert werden. Eine Kompensation kann beispielsweise notwendig sein, wenn ein Ausgleichselement die Farbe
emittierter elektromagnetischer Strahlung veränder , dabei gleichzeitig aber die Intensität bzw. Helligkeit reduziert , weil weniger Licht ausgekoppelt wird . Das Auf ringen eines weiteren Ausgleichselementes kann dann den Anteil
auskoppelnden Lichtes , d.h. die Intensität bzw. Helligkeit der von dem Bauelement emittierten Strahlung bzw. des Lichtes erhöhen ohne die Farbe der emittierten Strahlung zu
beeinflussen, beispielsweise mittels einer Streuschicht oder Verändern der Bedingungen für Totalreflektion, beispielsweise mittels einer höhe brechende Schicht ; und/oder der
Bedingungen für Interferenz , beispielsweise mittels Erhöhen der optischen Dicke des Bauelementes um einige 10 nm. In noch einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
Ausgleichselemente Schichten mit gleichem oder
unterschiedlichem Schichtenquerschnitt aufweisen, wobei ein Schichtenquerschnitt die Eigenschaften aufweist : die
Schichtenabfolge, die Schichtenanzahl, die Schichtendicke, die stoffliche Zusammensetzung der Schichten.
Die Rauheit einer inneren Grenzfläche, beispielsweise mit Lufteinschlüssen, kann bei gleicher stofflicher
Zusammensetzung nacheinander aufgebrachter Schichten
beispielsweise eine streuende Wirkung aufweisen.
In noch einer Ausges altung können die zwei oder mehr
Ausgleichsprozesse gleiche oder unterschiedliche Prozesse aufweisen mit gleichen oder unterschiedlichen
Prozessparametern, der Gruppe der Prozessparameter:
Temperatur, stoffliche Zusammensetzung der Atmosphäre,
Plasmaleistung oder Gasdruck, oder ähnliche herkömmliche Prozessparameter.
In noch einer Ausgestaltung können die optoelektronischen Eigenschaften des ersten optoelektronischen Bauelementes bzw. des zweiten optoelektronischen Bauelementes in Kombination aus zwei oder mehreren Ausgleichselementen zur Ziel - Eigenschaft hin bearbeiten .
In noch einer Ausgestaltung kann auf das erste
optoelektronische Bauelement wenigstens ein anderes
Ausgleichselement aufgebracht werden als auf das zweite optoelektronische Bauelement . Das andere Ausgleichselement kann bei gleicher Ausbildung der Ausgleichsmaßnahme einen anderen Schichtenquerschnitt aufweisen oder eine
unterschiedliche Ausbildung der Ausgleichsmaßnahme aufweisen.
Die für die jeweiligen optoelektronischen Eigenschaften konkreten Anpassungsmaßnahmen sind von der konkreten
Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes abhängig, beispielsweise den Brechungsindizes der verwendeten Stoffe oder der Dicke einzelner Schichten, beispielsweise der optischen Dicke der einzelnen Schichten und der Absorption in den einzelnen Schichten. In noch einer Ausgestaltung können das erste
optoelektronischen Bauelement und das zweite
optoelektronischen Bauelement beim Bearbeiten der
optoelektronischen Eigenschaften zu den vorgegebenen
optoelektronischen Ziel-Eigenschaften hin einen gemeinsamen Systemträger aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung können das erste
optoelektronischen Bauelemente und das zweite
optoelektronischen Bauelemente beim Bearbeiten zu der
vorgegebenen optoelektronischen Ziel-Eigenschaft hin
unterschiedliche Systemträger aufweisen, d.h. vereinzelt sein.
Das Substrat bzw. der Systemträger können mechanisch
flexibel, beispielsweise als eine Folie aus Kunststoff,
Aluminium, Kupfer oder Stahl ausgebildet sein, beispielsweise für Rolle -zu-Rolle -Verfahren; oder mechanisch steif
ausgebildet sein, beispielsweise als afer aus Glas,
Kunststoff oder Silizium.
In noch einer Ausgestaltung kann das Bearbeiten der
optoelektronischen Eigenschaften eines optoelektronischen Bauelementes während oder nach der Fertigung des
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
Für das Aufbringen von Anpassungselementen können gemäß der Prozessmatrix die für die Anpa sungen notwendigen Stoffe , beispielsweise Ausgleichstolien, beispielsweise
unterschiedliche Folienklassen, beispielsweise mit
unterschiedlichen Beschichtungen, bereitgestellt werden .
In noch einer Ausgestaltung kann das Bearbeiten der
optoelektronischen Eigenschaften des ersten
optoelektronischen Bauelementes und des zweiten
optoelektronischen Bauelementes zu den Ziel -Eigenschaften hin 201
13
gleichzeitig oder nacheinander bei den optoelektronischen
Bauelementen ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Zeitpunkt des
Bearbeitens der optoelektronischen Eigenschaften abhängig von der Beschaffenheit der Ausgleichsmaßnahme sein,
beispielsweise wenn zwei benachbarte Bauelemente sich einen gemeinsamen Systemträger teilen, d.h. nicht vereinzelt sind . In noch einer Ausgestaltung können weitere optische Schichten zwischen dem optoelektronischen Bauelement und dem
Ausgleichselement ausgebildet werden. Die weiteren Schichten können eine adhäsionsverstärkend, diffusionshemmende und/oder optisch koppelnde Wirkung aufweisen .
Das Ausgleichen bzw. Bearbeite der optoelektronischen
Eigenschaften an die Ziel-Eigenschaft kann Teil der Frontend oder Backend Herstellung des optoelektronischen Bauelementes sein . In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische
Bauelement als Strahlungsemittierendes Bauelement ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung kann das strahlungsemittierende optoelektronische Bauelement als organische Leuchtdiode ausgebildet werden .
In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische
Bauelement als strahlungsdetektierendes Bauelement ausgebildet werden .
In noch einer Ausgestaltung kann das strahlungsdetektierende optoelektronische Bauelement als Detektor für
elektromagnetische Strahlung, beispielsweise
Röntgens rahlung, ultraviolette Strahlung, infrarote
Strahlung ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine Vorrichtung bereitgestellt, die Vorrichtung aufweisend: eine
Eingabeeinrichtung, eingerichtet zum Eingeben mindestens einer gemeinsamen optoelektronischen Ziel -Eigenschaft der mehreren optoelektronischen Bauelemente; eine
Messeinrichtung, eingerichtet zum Messen mindestens einer optoelektronischen Eigenschaft der optoelektronischen
Bauelemente und zum Übermitteln derselben an eine
Auswähleinrichtung; eine Ausgleichseinrichtung , eingerichtet zum Bereitstellen von wenigstens zwei Ausgleichselementen und/oder Ausgleichsprozesse mit unterschiedlicher
optoelektronischer Wirkung bezüglich der gemeinsamen Ziel- Eigenschaft für die optoelektronischen Bauelemente zur
Auswahl mittels einer Auswähleinrichtung; die
Auswähleinrichtung , eingerichtet zum Bauelement- individuellen Auswählen mindestens eines Ausgleichselementes und/oder mindestens eines Ausgleichsverfahrens unter Verwendung der gemessenen mindestens einen optoelektronischen Eigenschaften der optoelektronischen Bauelemente und der optoelektronischen Wirkung für die optoelektronischen Bauelemente derart , dass nach Anwenden des mindestens einen ausgewählten
Ausgleichselements und/oder des mindestens einen ausgewählten Ausgleichsverfahrens die optoelektronischen Eigenschaften der optoelektronischen Bauelemente zu der Ziel-Eigenschaft hin verändert werden.
In einer Ausgestaltung der Vorrichtung kann die
Eingabeeinrichtung zum Eingeben des Fert gungsgrades der
optoelektronischen Bauelemente eingerichtet sein .
Die Ziel -Eigenschaft und der Fertigungsgrad können mittels Informationstransportes an die Auswähleinrichtung übermittelt werden . In noch einer Ausgestaltung der Vorrichtung kann die Messeinrichtung zum Messen mehrerer unterschiedlicher
Messparameter gleichzeitig oder nacheinander eingerichtet sein.
^ In einer Ausgestaltung der Vorrichtung kann das
Ausgleichselement als eine Beschichtung, eine Folie und/oder eine beschichtete Folie eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung der Vorrichtung kann der
10 Ausgleichsprozess als ein Prozess eingerichtet sein aus der Gruppe der Prozesse: Glätten; Aufrauen; Schichtdicke
reduzieren; Polymerisieren; Degradieren oder Strukturieren.
In noch einer Ausgestaltung können die optoelektronischen
^ Bauelemente nach dem Bearbeiten mittels der ausgewählten
Ausgleichselemente bzw. Ausgleichsverfahren bezüglich der nicht ausgewählten Ausgleichselemente bzw. Ausgleichsverfahren eine geringere Abweichung zu der gemeinsamen optoelektronischen Ziel-Eigenschaft aufweisen.
20
In noch einer Ausgestaltung kann die Ziel-Eigenschaft als Spektrum in die Eingabeeinrichtung übermittelt werden.
Die Auswahl eines Ausgleichsprozesses und/oder
Ausgleichelementes kann beispielsweise mittels eines
Abgleichens des gemessenen Spektrums mit dem Zielspektrum erfolgen, wobei der Unterschied zwischen den Spektren mit der optoelektronischen Wirkung bekannter Ausgleichsmaßnahmen verglichen wird.
30 Mehrere optoelektronische Bauelemente können mittels
Transportvorrichtung nach oder während der Fertigung der optoelektronischen Bauelemente in die Vorrichtung
transportiert werden . Der Transport der Bauelemente kann auf einem Systemträger oder nach der Vereinzelung ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Transport der
optoelektronischen Bauelemente i der Vorrichtung mittels einer Greifeinrichtung (und/oder eines Fließbandes) eingerichtet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die Ausgleichseinrichtung zum Ausführen wenigstens einer der Aufgaben eingerichtet sein aus der Gruppe der Aufgaben : Vereinzeln der optoelektronischen Bauelemente ; Beschriften der optoelektronischen Bauelemente mit. aufzubringendem Ausgleichselement und/oder durchzuführendem Ausglei chsprozess ; Identifizieren der optoelektronischen
Bauelemente ; Sortieren der optoelektronischen Bauelemente
entsprechend der Ausgleichsprozesse und Ausgleichselemente ;
Durchführen der Ausgleichsprozesse ; oder Aufbringen de
Ausgleichselemente .
In der Ausgleichseinrichtung können die Bauelemente zunächst in einer Vereinzelungseinrichtung vereinzelt werden, wenn die Bauelemente einen gemeinsamen Systemträger aufweisen und ein Vereinzeln für die Ausführung der Ausgleichsmaßnahmen notwendig sein sollte .
Ein Vereinzeln kann beispielsweise notwendig sein wenn für einige Bauelemente mehrstufige Anpassungsmaßnahmen
ausgebildet werden sollen und für andere Bauelemente nicht .
Ein weiterer Grund für ein Vereinzeln der Bauelemente können inkompatible Ausgleichsmaßnahmen sein beispielsweise das
Auf ringen einer Kleberschicht und das anschließende
Auf ringen einer Ausgleichsfolie als eine mehrstufige
Ausgleichsmaßnahme kann beispielsweise inkompatibel mit gleichzeitigen Aufbringen einer Streuschicht sein und daher eine getrenntes Bearbeiten und Vereinzeln der Bauelemente.
Das Ausgleichen kann weiterhin ein Vereinzeln der Bauelemente aufweisen wenn optoelektronische Bauelemente
optoelektronische Eigenschaften aufweisen, die bereits den Ziel -Eigenschaften entsprechen und somit keine
Ausgleichsmaßnahme notwendig sind. Weiterhin kann die Auswähleinrichtung bestimmen ob die
Bauelemente vereinzelt we den sollten und/oder logische
Gruppen bilden, d.h. bei welchen Bauelementen gleiche oder ähnliche Ausgleichsmaßnahmen ausgebildet werden und daher zusammen bearbeitet werden können .
Die Vereinzelungseinrichtung kann j edoch optional sein, beispielsweise da Bauelemente bereits vereinzelt in die
Vorrichtung transportiert werden oder ein Vereinzeln der Bauelemente nicht möglich oder nicht vorgesehen ist,
beispielsweise bei mehreren flächigen und/oder gekoppelten optoelektronischen Bauelementen, beispielsweise mit einer Folie als gemeinsamer Systemträger in Rolle -zu-Rolle- Verfahren . In der Vereinzelungseinrichtung können die Bauelemente mit ihren individuellen Ausgleichsmaßnahmen markiert werden, beispielsweise elektronisch, beispielsweise in einem
Informationsspeicher innerhalb der Ausgleichseinrichtung anhand ihrer Position auf dem Systemträger oder optisch mittels Laser, beispielsweise mittels Strichcodes , an einem Randbereich des Bauelementes , der keine optoelektronische Aufgabe erfüllt .
Aus der Vereinzelungseinrichtung bzw. aus der Messeinrichtung kann ein Transport der optoelektronischen Bauelemente in die Ident-Sortier-Einrichtung erfolgen . Ohne Vereinzelungseinrichtung oder Vereinzelung können der Informationsfluss und der Transport der Bauelemente direkt von der Messeinrichtung in die Ident-Sortier-Einrichtung ausgebildet sein. Weiterhin kann ohne
Vereinzelungseinrichtung, die individuelle Markierung der Bauelemente mit ihren Ausgleichsmaßnahmen in der Ident- Sortier-Einrichtung ausgebildet werden .
In der Ident -Sortier-Einrichtung können vereinzelte
Bauelemente mittels ihrer Markierungen identifiziert und entsprechend ihrer Ausgleichsmaßnahmen zu den
Ausgleichseinrichtungen transportiert werden. Wenn die optoelektronischen Eigenschaften bereits dem Zielbin
entsprechen, kann das Bauelement aus der Vorrichtung
transportiert werden, d.h. die Ausgleichsmaßnahmen sind abgeschlosse .
Für nicht vereinzelte Bauelemente kann die Ident-Sortier- Einrichtung den Beginn von Ausgleichsmaßnahmen für ein
Bauelement einstellen, d.h. triggern.
In noch einer Ausgestaltung kann die Ausgleichseinrichtung ein oder mehrere unterschiedliche Ausgleichsanlagen
aufweisen.
Eine Ausgleichsanlage kann eine Einrichtung für das
Aufbringen von Ausgleichsschichten, beispielsweise
Kleberschicht , Streuschicht , Kopplungsschicht ,
Wellenleiterschicht sein, beispielsweise eine chemisch und/oder physikalische Aufdampfanläge (chemical vapor deposition, physical vapor deposition, sputtern) , ein
Sprühbeschichter ( spray coating) , ein Tauchbeschichter (dip coating) , ein Schleuderbeschichter (spin coating) , ein Rakel (Siebdruck) oder ähnliche, herkömmliche Verfahrensanlagen .
In der Ausgleichsanlage für Ausgleichsschichten kann abhängig von den individuellen optoelektronischen Eigenschaften der Bauelemente gemäß der Auswähleinrichtung individuelle
Beschichtungsverfahren und/oder Stoffe und/oder Stoffgemische und/oder Prozessparameter, beispielsweise Temperatur,
Luftfeuchte , Druck, Lösungsmittel , Lösungskonzentration, Schichtdicken, Trocknungszelten, oder ähnliche, herkömmliche Parameter eingestellt werden.
Ein andere Ausgleichsanlage kann als eine Einrichtung für das Aufbringen einer Ausgleichsfolie, beispielsweise einer Folie zum Erhöhen der optischen Dicke des optoelektronischen
Bauelementes , einer Folie mit streuender Wirkung, einer Folie mit wellenlängenkonvertierender Wirkung, beispielsweise mittels Laminierens ausgebildet sein . Eine andere Ausgleichsanlage kann eine Einrichtung für einen Ausgleichsprozess sein, beispielsweise Glätten beispielsweise chemisch-mechanisches Polieren Ätzen, beispielsweise
nasschemisch durch Säuren oder physikalisch mittels Plasmas , Strukturieren, Dotieren, Plasmabehandeln der exponierten Oberfläche des Bauelementes , Polymerisieren , Degradieren oder ähnliche, herkömmliche Verfahren zur Behandlung von
Oberflächeneigenschaften auf eisen.
In einer Ausgestal ung kann die Vorrichtung Teil einer herkömmlichen Fertigungsanlage von optoelektronischen
Bauelementen sein und mittels der Vorrichtung die Dicke der Kleber-Schicht und/oder die Beschaffenheit des Deckglases und/oder der Oberflächenrauheit beispielsweise der
Dünnfilmverkapselung bzw. zweiten Elektrode eingestellt werden.
Die angeraute Oberfläche der Dünnfilmverkapselung bzw. der zweiten Elektrode kann als Streuschicht wirken und
gleichzeitig zur Erhöhung der Adhäsion der Kleber- Schicht wirken. Die Kleber-Schicht und das Deckglas können in
Abhängigkeit ihrer konkreten Dicke mittels Erhöhens der optischen Dicke des Bauelementes Interferenzbedingungen verschieben und damit die Farbe und/oder Helligkeit
verändern. Die Vorrichtung kann für eine konkrete
Ausgestaltung eines Bauelementes Werte , beispielsweise die Schichtdicke der Kleberschicht , deren Prozessbedingung und die Oberflächenrauheit der Dünnfilmverkapselung bzw. zweiten Elektrode dynamisch an das konkrete Bauelement anpassen um die optoelektronischen Eigenschaften zu optimieren .
Die Ausgleichsanlagen können einzelne Anlagen ausweisen, beispielsweise eine einzelne Aufdampfanläge , oder eine
Anlagenreihe, beispielsweise beim Laminieren von Folien, aufweisend eine Anlage zum Aufbringen von Klebstoff und eine Anlage zum Aufbringen von Laminationsfolie . Die Vorrichtung kann eine weitere Transportvorrichtung der Bauelemente aus den Ausgleichseinrichtungen aufweisen.
Die Bauelemente können aus der Vorrichtung transportiert werden, wenn die optoelektronischen Eigenschaften der
Bauelemente dem Zielbin entsprechen, beispielsweise zum
Aufbringen der Verkapseiung oder beispielsweise in die
Backend-Fertigung .
Die optoelektronischen Bauelemente können die Vorrichtung jedoch auch erneut durchlaufen, beispielsweise zum Einstellen weiterer optoelektronischen Eigenschaften, beispielsweise der Helligkeit nach Einstellen der Farbe . Mehrere Vorrichtungen können dazu seriell geschaltet sein oder in der
Eingabeeinrichtung kann das Zielbin und/oder der
Fertigungsgrad der Bauelemente manuell oder mittels eines Maschinenprogrammes geändert werden . Der Transport aus der Vorrichtung kann dann ein Transport zu einer Messeinrichtung sein . Weitere Gründe für einen erneuten Durchlauf der Bauelemente nach Verlassen der Ausgleichsanlagen durch die Vorrichtung kann das Überprüfen der optoelektronischen Eigenschaften sein, d.h. die Ausgleichsmaßnahmen können verifiziert werden.
Bei mehrstufigen Ausgleichsmaßnahmen kann das erneute
Durchlaufen das Durchführen weiterer Ausgleichsmaßnahmen nach Abschließen der vorherigen Maßnahme sein. Bei Durchlaufen der Vorrichtung in einem mehrstufigen Prozess , d.h. wenn die mehrstufige Ausgleichsmaßnahme nicht in einer
Ausgleichsanlage ausgebildet werden, kann ein
Informationsfluss an die Ident -Sortier-Einrichtung von den Ausgleichsanlagen und/oder ein Informationsspeicher in der Ident -Sortier-Einrichtung notwendig sein, der den Status der Ausgleichmaßnahme aktualisiert und die nächsten
Ausgleichsmaßnahmen koordiniert .
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figur 2 eine schematische Darstellung einer
individualisierten Binanpassung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ;
Figur 3 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur individualisierten Binanpassung, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figur 4 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur individualisierten Binanpassung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figur 5 eine scheimatische Darstellung einer Vorrichtung zur individuellen Binanpassung, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen: Figur 6 eine schematische Darstellung einer ersten konkreten
Ausgestaltung der Vorrichtung;
Figur 7 eine schematische Darstellung einer zweiten konkreten
Ausgestaltung der Vorrichtung; und
Figur 8 eine schematische Darstellung einer dritten konkreten
Ausgestaltung der Vorrichtung .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung
ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung , eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Im Rahmen dieser Beschreibung können optoelektronische
Bauelemente mit gleichen optoelektronischen Eigenschaftes als Bin bezeichnet werden. Die im Prozess angestrebten
Eigenschaften können im Rahmen dieser Beschreibung als
Zielbin oder Ziel -Eigenschaften bezeichnet werden . Fig .1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen .
Das lichtemittierende Bauelement 100 in Form einer
organischen Leuchtdiode 100 kann ein Substrat 102 aufweise . Das Substrat 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise Iichtemittierende Elemente , dienen. Beispielsweise kann das Substrat 102 Glas , Quarz , und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann das Substrat 102 eine
Kunststof ffolie oder ein Laminat mi einer oder mit mehreren Kunststof f folien auf eisen oder daraus gebildet sein . Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolef ine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) auf eisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersul fon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Substrat 102 kann eines oder mehrere der oben 2·4
genannten Materialien aufweisen. Das Substrat 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche , beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beis ielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen.
Für den Fall , dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll , ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtens ruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein . Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement , beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode , bezeichnet werde .
Auf oder über dem Substrat 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen : Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Haf iumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid , Siliziumoxinitrid, Indi mzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 104 in verschiedenen Aus ührungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungef hr 40 nm.
Auf oder über der BarriereSchicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein . Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemi tierenden Bauelements 100 verstanden werden, indem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lichtemittierenden Bauelements 100 fließ . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110 , eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 auf eisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden . So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Substrat 102 ) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten - Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide , wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder I 203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AIZnO, Zn2Sn04 , CdSnÜ3 , ZnSn03 , gln204 , Galn03 , ZI^ II^OS oder
In4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden .
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrisehen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser
Materialien.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht ( ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff - Nanoröhren; Graphen-Tei1chen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und das Substrat 102 transluzent oder
transparent ausgebildet sein . In dem Fall , dass die erste Elektrode 110 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungef hr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. Weiterhin kann für den Fall , dass die erste Elektrode 110 aus ei em leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 100 nm bis
ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Äg , die mit leitf higen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff-
Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen- Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm . Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als
löcherinj izierende Elek rode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode .
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle {nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist . Alternativ kann das erste elektrische Potential an das Substrat 102 angelegt v/erden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 110 zugeführt werden oder sein . Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 di
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder wird.
Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118, beispielsweise mit fluores ierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, enthalten, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten
116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 116) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118
eingesetzt werden können , schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-dif luoro-2- (2-pyridyl) henyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg ) (Tris [ 4 , ' -di- tert- butyl- (2,2' j -bipyridin] ruthenium ( III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl ) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -aminoj anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2 -methyl- 6 - julolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausfuhrungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind .
Die Emittermaterialien der Emitterschich (en) IIS des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 , einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung andere Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweise . Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere , organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules" ) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als LochtransportSchicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird .
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
ElektronentransportSchicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninj ektion i eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate , leitendes
Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszentern Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschiebt 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 120 aufgebracht, beispielsweise
abgeschieden, sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann Elektronentransportschicht 116auf oder über der
Emitterschicht 118 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 (also
beispielsweise die Summe der Dicken von
Lochtransportschicht (en) 120 und Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 116) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumxneszente Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen Stapel von
mehreren direkt übereinander angeordneten organischen
Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektrolumxneszente
Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μχη . Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funk ionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organischen elektrolumineszenten
Schichtenstruktur 110 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen
Funktionsschichten kann die zweite Elektrode 114 W
(beispielsweise in Form einer zwei en Elektrodenschicht 114 ) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110 , wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 {beispielsweise f r den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110 , oder unterschiedlich zu dieser . Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der j eweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet . Somit kann das in Fig.1 dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100} eingerichtet sein. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode , also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninjizierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen
Anschluss auf eisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestell von der
Energiequelle , anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V auf eist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
A f oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108 , beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein .
Unter einer „Barrierendünnschicht" bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist , eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet , dass sie von OLED- schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann . Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als
Einzelsch cht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverf hrens {Atomic Layer Deposition (ALD) } gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD} ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren .
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108 , die mehrere Teilschichten aufweist , alle Teilschichten mitteis eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108 , die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendunnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung , beispielsweise ungef hr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendunnschicht 108 mehrere Teilschichten auf eist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen . Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendunnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten . Die Barrierendunnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendunnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendunnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen .
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid , Titancxid, Haf iumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten} eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Verkapselung 108 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126) auf der
Verkapselung 108 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch
transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 μνη aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μτη. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02 ) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20a)
Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, so ern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 niti bis ungefähr 1,5 μνα, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 um, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat , der einen Brechungsindex von ungef hr 1,3 aufweist . Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausführungsformen, in denen die Abdeckung 126 , beispielsweise aus Glas , mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Verkapselung 108 aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1 , 55 auf eisen .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108 ,
beispielsweise der Dünnschichtverkapselung 108) in dem lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein. Fig.2 zeigt eine schematische Darstellung einer
individualisierten Binanpassung 200 , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
Dargestellt sind unterschiedliche Ausgangszustände
optoelektronischer Bauelemente 100 mit den optoelektronischen Eigenschaften 204 , 206 , 208 , 210 während oder nach der
Fertigung der optoelektronischen Bauelemente 100.
Optoelektronische Eigenschaften können bezüglich emittierter oder absorbierter elektromagne ischer Strahlung
beispielsweise die Intensität (Helligkeit) , das
Wellenlängenspektrum (Farbe) , die Blickwinkelabhängigkeit , die Absorption oder die Effizienz eines optoelektronischen Bauelementes 100 sein .
Die individualisierte Binanpassung 200 kann als ein
Auswahlverfahren 200 , beispielsweise eine Prozessmatrix 200 , verstanden werden, bei der anhand von Ausgangszuständen 20 , 206 , 208 , 210 und einer oder mehreren optoelektronischen Ziel-Eigenschaft (en) 202 eine Auswahl bezüglich
Anpassungsprozessen 212 , 214 , 216 , 218 bzw.
Anpassungselementen 212 , 214 , 216 , 218 getroffen wird, mit denen die Ziel-Eigenschaft (en) 202 bei den optoelektronischen Bauelementen 100 mit den optoelektronischen Eigenschaften 204 , 206 , 208 , 210 eingestellt werden kann/können.
Die Anzahl möglicher Ausgangszustände 204 , 206 , 208 , 210 und Anpassungen 212 , 214 , 216 , 218 ist dabei nicht auf die Anzahl der dargestellten Möglichkeiten begrenzt . Vielmehr können sich Ausgangszustände 20 , 206 , 208 , 210 und Anpassungen 212 , 214 , 216 , 218 diskret oder sogar infinitesimal untereinander und voneinander unterscheiden . Die optoelektronischen Bauelemente 100 mit unterschiedlichen optoelektronischen Eigenschaften 204, 206, 208, 210 können eine gleiche oder unterschiedliche Bauart aufweisen. Als eine gleiche Bauart kann ein geplanter Schichtquerschnitt 100 des Bauelementes verstanden werden, d.h. gleiche Anzahl an
Schichten, gleiche Dicke der Schichten und gleiche Abfolge der Schichten. Mittels natürlicher Ferti gungs sc hwankung kann es jedoch bei gleicher Bauart zu Abweichungen der optoelektronischen
Eigenschaften der optoelektronischen Bauelemente 100
untereinander kommen, beispielsweise in Abweichungen der Dicken einzelner Schichten beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 % bis ungefähr 10 %, beispielsweise in der
Dotierung halbleitender dotierter Schichten in einem Bereich von ungefähr 0 % bis ungefähr 10%.
Die optoelektronischen Bauelemente 100 mit unterschiedlichen optoelektronischen Eigenschaften 204, 206, 208, 210 können gezielt auf eine gemeinsame optoelektronische Eigenschaft 202 angepasst bzw, ausgeglichen werden, d.h. auf eine gemeinsame Ziel-Eigenschaft 202 eingestellt werden. Auf eine Anpassung bzw. einen Ausgleich des Ausgangszustandes kann verzichtet werden, wenn der Ausgangszustand 204, 206, 208, 210 dem
Zielzustand 202 entspricht, beispielsweise bei dem
Bauelement mit den Eigenschaften 210.
Bei den Bauelementen mit abweichenden Eigenschaften 204, 206, 208 können in Abhängigkeit der individuellen
optoelektronischen Eigenschaften 204, 206, 208,
unterschiedliche Anpassungen 212, 214, 216, 218 zur
Einstellung der Ziel-Eigenschaft 202 vorgenommen werden. In einer Ausgestaltung kann das Bearbeiten der
optoelektronische Eigenschaften wenigstens zweier Bauelemente 100 unterschiedliche optoelektronische Eigenschaften betreffen, beispielsweise 204 und 208 die Farbe, 206 die
Farbe und die Helligkeit.
In noch einer Ausgestaltung kann das gleiche
Anpassungselement bei zwei optoelektronischen Bauelementen der gleichen Bauart die optoelektronischen Eigenschaften unterschiedlich verändern, d.h. die Wirkung des
Anpassungselementes kann in Abhängigkeit der konkreten
Ausgestaltung eines Bauelementes eine andere sein .
Beispielsweise kann sich die optische Dicke des Bauelementes mittels des Anpassungselementes verändern. In Abhängigkeit der konkreten Ausgestaltung der Schichtdicken der Bauelemente gleicher Bauart kann es zu minimalen Unterschieden in der optischen Dicke kommen, beispielsweise um einige 10 nm.
Dadurch kann es in einigen Bauelementen zum Ausbilden einer destruktiven Interferenz an der strahlungsauskoppeInden
Grenzfläche kommen. Die Anpassungsmaßnahme kann dann in einigen Bauelementen keinen signifikanten Einfluss auf die Farbe oder Helligkeit eines Bauelementes haben und in einem anderen Bauelement gleicher Bauart zu einem Löschen einer Wellenlänge im Emissionsspektrum des optoelektronischen
Baue1emen es führen .
In noch einer Ausgestaltung können die optoelektronischen Eigenschaften j edoch auch unterschiedlich ausgeprägt sein, d.h. der Betrag des Messwertes , der die optoelektronische Eigenschaft quantifiziert , kann sich unterscheide .
I einer Ausgestaltung kann je nach individuellen
Ausgangseigenschaften 204 , 206, 208 die Anpassung eine
Anpassungsmaßnahme 212 , 218 oder zwei und mehr
Anpassungsmaßnahmen nacheinander 214 , 216 erfordern .
In einer Ausgestaltung kann eine einzelne Anpassungsmaßnahme , beispielsweise 214 , mehrere optoelektronische Eigenschaften gleichzeitig ändern, beispielsweise die Helligkeit und die Farbe . In einer Ausgestaltung kann die gleichzeitige Änderung von zwei oder mehr optoelektronischen Eigenschaften zu einer Verbesserung wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft führen. Unter Verbessern einer optoelektronischen Eigenschaft kann das Annähern der optoelektronischen Eigenschaften an die Ziel-Eigenschaft verstanden werden, beispielsweise Ändern der Farbe oder Farbmischung, d.h. des Wellenlängenspektrums , des emittierten Lichtes des Bauelementes 100 zur Ziel -Eigenschaft hin, beispielsweise von grünem Licht zu weißem Licht . Das Ändern der Farbe kann beispielsweise mittels
Wellenlängenkonversion, beispielsweise mittels einer Schicht mit Leuchtstoff mit Stokes-Verschiebung; oder mittels
Erhöhens des Anteils des ausgekoppelten Lichtes mit der Ziel- Eigenschaft mittels Änderns wellenlängenabhängiger
Bedingungen der Interferenz oder Totalreflektion mittels Aufbringens einer Schicht aus hochbrechendem Glas ausgebildet werden. In noch einer Ausgestaltung können weitere
Anpassungsmaßnahmen, beispielsweise 216 gleiche oder andere optoelektronische Eigenschaften verbessern, beispielsweise die Blickwinkelabhängigkeit , beispielsweise mit einer
Streuschicht , oder mittels vorhergehender Anpassungsmaßnahmen zu gering verbesserte bzw. verschlechterte optoelektronische Eigenschaft verbessern bzw. kompensieren, beispielsweise die Helligkeit . Beispielsweise kann mittels 214 die Farbe des Lichtes , d.h. die Wellenlänge des Lichtes , auf die Ziel- Eigenschaft hin verändert werden, wobei sich j edoch die Auskopplung, d.h. die Helligkeit , verringern kann. Die weitere Anpassung 216 kann dann die Helligkeit, d.h. die Intensität der elektromagnetischen Strahlung, erhöhen, beispielsweise mittels Aufbringen einer Streuschicht oder Aufheben destruktiver Interferenz an den lichtauskoppelnden Grenzfläche oder Reduzieren von Totalreflektion . In noc einer Ausgestaltung kann die Anpassung der
optoelektronischen Eigenschaften zu den Ziel -Eigenschaften hin, in der Summe der An assungsmaßnähme erreicht werden, d.h. eine einzelne Anpassungsmaßnahme für sich braucht eine optoelektronische Eigenschaft nicht bereits auf die jeweilige Ziel-Eigenschaft hin verändern. Die Ziel-Eigenschaft kann auch erst im Kontext mit anderen Anpassungsmaßnahmen
eingestellt werden, beispielsweise kann die Farbe des
Bauelementes 100 mit den Eigenschaften 206 eine Wellenlänge 50 nm unterhalb de Zielwellenlänge aufweisen und die
Anpassungen 214 , 216 die Wellenlänge auf Grund der
Beschaffenheit der Anpassungen 214 bzw. 216 um je 25 nm verschieben. In noch einer Ausgestaltung können die nacheinander
durchgeführten Anpassungselemente , beispielsweise 214 , 216 , dabei identisch sein, beispielsweise gleiche stoffliche
Zusammensetzung , gleicher Schichtquerschnitt , gleiche
Schichtdicken aufweisen; oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise unterschiedliche stoffliche
Zusammensetzung , unterschiedlicher Schichtquerschnitt, unterschiedliche Schichtdicken,- oder sich in einer oder mehreren Eigenschaften unterscheiden bzw. übereinstimmen, beispielsweise gleiche stoffliche Zusammensetzung,
unterschiedlicher Schichtquerschnitt, unterschiedliche
Schichtdicken.
In noch einer Ausgestaltung können die Anpassungsprozesse unterschiedlich sein, beispielsweise in den
Prozessparametern, beispielsweise Temperatur, Leistung eines Mikrowellengenerators in einer Plasmabehandlung, oder den Parametern der Ausgleichselemente , beispielsweise von
Ausgleichsschichten, beispielsweise die stoffliche
Zusammensetzung , die Anzahl stofflich unterschiedlicher
Schichten, die Abfolge stofflich unterschiedlicher Schichten, die Dicke einzelner Schichten sowie deren Grenzflächenstrukturierung , beispielsweise
Oberflächenrauhei .
In noch einer Ausgestaltung können die Anpassungen 212, 214, 216, 218 der Ausgangszustände 204, 206, 208 unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise mittels Aufbringens einer Schicht auf das optoelektronischen Bauelement, beispielsweise nasschemisches Aufbringen, beispielsweise Siebdruck,
Aufdampfen, Aufsprühen, Abscheiden oder mittels Aufbringens einer Ausgleichsfolie oder mittels eines chemischen oder physikalischen Behandeins der Oberfläche des
optoelektronischen Bauelementes 100, beispielsweise des Schutzlackes 124, beispielsweise Ätzen, Polieren,
Polymerisieren, d.h. chemisches Vernetzen mittels
Ringöff ungsreaktionen oder Öffnen von Mehrfachbindungen.
In noch einer Ausgestaltung können unterschiedliche oder gleiche Ausgleichsmaßnahmen miteinander kombiniert werden, beispielsweise Aufbringen einer Ausgleichsschicht und
Aufbringen einer Ausgleichsfolie, beispielsweise Aufbringen von Kleber und einer Folie, beispielsweise Verkleben einer Folie, wobei beide Ausgleichselemente eine geplante optische Wirkung aufweisen. Die für die jeweiligen optoelektronischen Eigenschaften 204, 206, 208 konkreten Anpassungsmaßnahmen 212, 214, 216, 218 sind von der konkreten Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes 100 abhängig, beispielsweise den
Brechungsindizes der verwendeten Stoffe oder der Dicke einzelner Schichten, beispielsweise der optischen Dicke der einzelnen Schichten und der Absorption in den einzelnen Schichten.
Fig.3 zeigt eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur individualisierten Binanpassung 200, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele . Dargestellt sind ein erstes optoelektronische Bauelement 304, ein zweites optoelektronische Bauelement 306 , ein drittes optoelektronische Bauelement 308 und ein viertes
optoelektronische Bauelement 310 der gleichen Bauart 100 mit zunächst unbekannten optoelektronischen Eigenschaften auf einem gemeinsamen Systemträger 302. Der Systemträger 302 kann beispielsweise ein für die Bauelemente 304 , 306 , 308 , 310 gemeinsames Substrat 102 sein, beispielsweise vor der
Vereinzelung der optoelektronischen Bauelemente 304, 306, 308, 310.
Das Substrat 102 bzw. der Systemträger 302 können mechanisch flexibel , beispielsweise als eine Folie aus Kunststoff , Aluminium, Kupfer oder Stahl ausgebildet sein, beispielsweise für Rolle- zu-Rolle-Verfahren; oder mechanisch steif
ausgebildet sein, beispielsweise als Wafer aus Glas ,
Kunststoff oder Silizium.
Nach oder während der Fertigung der optoelektronischen
Bauelemente können die optoelektronischen Eigenschaften 204 , 206, 208, 210 der optoelektronischen Bauelemente 304, 306, 308 , 310 mittels einer Messeinrichtung gemessen werden
(symbolisiert in Fig.3 mittels eines Pfeils 312) . Das Messen 312 kann beispielsweise nach Aufbringen der zweiten Elektrode 114 und/oder nach Aufbringen der
Verkapselung 108 und/oder nach Aufbringen des Schutzlackes 124 und/oder nach Aufbringen der Glasabdeckung 126 erfolgen. Beim Messen 312 können ein einzelner Messparameter oder mehrere Messparameter gleichzeitig oder nacheinander bestimmt werden, beispielsweise das Wellenlängenspektrum emittierter elektromagnetischer S rahlung (Farbe) und die Helligkeit, beispielsweise mittels eine Fotodetektors nach Anlegen einer Betriebsspannung an das Bauelement . Gleiche oder unterschiedliche Messparameter können mehrfach oder nach unterschiedlichen Fertigungsschritten gemessen werden, beispielsweise Messen der Farbe nach Aufbringen der Verkapselung 108 und nach Aufbringen des Schutzlackes 124; beispielsweise Messen der Farbe nach Aufbringen der
Verkapselung 108 und Messen der Helligkeit nach Aufbringen der Glasabdeckung 126.
Nach dem Messen 312 der optoelektronischen Eigenschaften 204, 206, 208, 210 der optoelektronischen Bauelemente 304, 306,
308, 310 können anhand des konkreten Schichtquerschnittes des optoelektronischen Bauelementes 100 die konkreten
Anpassungsmaßnahmen 200 bestimmt werden und die
optoelektronischen Bauelemente 304, 306, 308, 310 auf die · gemeinsame Ziel-Eigenschaft 202 eingestellt werden.
Das Auswählen konkreter Anpassungsmaßnahmen, beispielsweise 212, 214, 216, 218, kann mittels Verbindens der
Messeinrichtung (en) 508 mit einer Auswähleinrichtung 512, die eine Prozessmatrix 200 aufweist, automatisch, beispielsweise elektronisch, beispielsweise computergestützt, realisiert sein.
Die ausgewählte Anpassungsmaßnahme bearbeitet das
optoelektronische Bauelement derart, dass die Abweichung zu den Ziel-Eigenschaften (im Allgemeinen eine oder mehrere vorgegebene Ziel-Eigenschaften) am geringsten ist, bezüglich der nicht ausgewählten alternativen Anpassungsmaßnahmen.
Ausgewählt wird dabei eine aus wenigstens zwei
Anpassungsmaßnahmen. Das Auswahlkriterium kann auf
experimenteller Erfahrung beruhen und ökonomische
Gesichtspunkte berücksichtigen.
Für das Aufbringen von Anpassungselementen können gemäß der Prozessmatrix 200 die für die Anpassungen notwendigen Stoffe, beispielsweise Ausgleichsfolien, beispielsweise unterschiedliche Folienklassen, beispielsweise mit
unterschiedlichen Beschichtungen, bereitgestellt werden.
Fig. zeigt eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur individualisierten Binanpassung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Das Messen 212 der optoelektronischen Eigenschaften 204, 206 , 208 , 210 der optoelektronischen Bauelemente 304, 306 , 308 , 310 kann entsprechend Fig.3 auf einem gemeinsamen
Systemträger 302 erfolgen. Das Anpassen der
optoelektronischen Eigenschaften 204 , 206, 208 , 210 auf die Ziel -Eigenschaft 202 hin, kann edoch auch nach dem
Vereinzeln 402 der optoelektronischen Bauelemente 30 , 306 , 308 , 310 mit den optoelektronischen Eigenschaften 204 , 206 , 208 , 210 erfolgen.
Das Messen 312 der optoelektronischen Eigenschaften 204 , 206, 208 , 210 und Ausgleichen bzw. Bearbeiten 200 an die Ziel- Eigenschaft 202 kann auch erst nach der Vereinzelung 402 erfolgen. Das Ausgleichen bzw. Bearbeiten 200 der
optoelektronischen Eigenschaften 204 , 206 , 208 , 210 an die Ziel -Eigenschaft 202 kann Teil der Frontend-Herstellung (vor der Vereinzelung der Bauelemente) oder Backend-Herstellung (nach der Vereinzelung der Bauelemente) des
optoelektronischen Bauelementes 100 sein.
Fig .5 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung 500 zur individuellen Binanpassung 200.
Mehrere optoelektronische Bauelemente 304, 306 , 308 , 310 können mittels Transportvorrichtung 502 nach oder während der Fertigung der optoelektronischen Bauelemente in die
Vorrichtung 500 transportiert werde . Der Transport 502 der Bauelemente 100 kann auf einem
Systemträger 302 oder nach der Vereinzelung 402 ausgebildet sein . Eine oder mehrere optoelektronische Eigenschaften 204, 206, 208, 210 der Bauelemente 304, 306, 308, 310 können in der
Messeinrichtung 508 bestimmt (312) werden.
Von der Messeinrichtung 508 kann ein Informationstransport 510 der optoelektronischen Eigenschaften, d.h. des mindestens einen Messparameters an die Auswähleinrichtung 512
übermittelt werden.
In einer Eingabeeinrichtung 514 können die optoelektronischen Eigenschaften des Zielbins 202 , beispielsweise in Form eins Emissionsspektrums und die Beschaffenheit der Bauelemente 304 , 306 , 308 , 310 , d.h. den Fertigungsgrad, eingestellt bzw. eingegeben werden . Der Fertigungsgrad kann beispielsweise eine Information sein welche Schicht zuletzt auf dem Bauelement 100 aufgebracht wurde , beispielsweise letzte aufgebrachte Schicht ist zweite Elektrode 11 . Das Ziel-Bin 202 und der Fertigungsgrad können mittels
Informationstransportes 516 an die Auswähleinrichtung 512 übermittelt werden.
In der Auswähleinrichtung 512 können mittels Prozessmatrix 200 und den Informationen aus der Messeinrichtung 508 und der Eingabeeinrichtung 514 die für die Bauelemente 30 , 306 , 308 , 310 erforderlichen Ausgleichsmaßnahmen 212 , 214 , 216 , 218 , d.h. die Ausgleichselemente 212 , 214 , 216 , 218 und/oder
Ausgleichsprozesse 212 , 214, 216 , 218 , bestimmt werden.
Beispielsweise kann das Bestimmen der erforderlichen
Ausgleichsmaßnahmen 212 , 21 , 216 , 218 , realisiert werden mittels eines Abgleichens des gemessenen Spektrums mit dem Zielspektrums, wobei die Unterschiede zwischen den Spektren mit der optoelektronischen Wirkung bekannten
Ausgleichsmaßnahmen verglichen werden.
Die Ausgleichsmaßnahmen 212 , 214 , 216 , 218 können neben dem durchzuführenden Ausgleichsprozess oder aufzubringenden
Ausgleichsschichten und/oder Ausgleichsfolien weitere
Informationen oder Prozessvorschriften einschließen,
beispielsweise Bauelemente 304 , 306 , 308 , 310 zunächst
Vereinzeln 402 oder Adhäsionsschicht , beispielsweise Kleber, auf Bauelementoberfläche auf ringen, dann Ausgleichstolie auftragen oder beispielsweise welche Stoffe in welcher Menge bereitgehalten werden sollen.
Nach einem Bestimmen der Ausgleichsmaßnahmen 212 , 214 , 216 , 218 in der AusWähleinrichtung 512 kann ein Informationsfluss 518 die Ausgleichsmaßnahmen 212 , 21 , 216 , 218 an die
Ausgleichseinrichtung 520 übermitteln.
Neben dem Informationsfluss 518 zu der Ausgleichseinrichtung 520 kann die Vorrichtung 500 einen Transport 504 der
Bauelemente 304 , 306 , 308 , 310 aus der Messeinrichtung 508 in die Ausgleichseinrichtung 520 aufweisen.
In der Ausgleichseinrichtung 520 können die Bauelemente 304 , 306 , 308 , 310 zunächst in einer Vereinzelungseinrichtung 526 vereinzelt (402) werden, wenn die Bauelemente 304 , 306 , 308 , 310 einen gemeinsamen Systemträger 302 aufweisen und ein Vereinzeln 402 für die Ausführung der Ausgleichsmaßnahmen notwendig sein sollte .
Ein Vereinzeln 402 kann beispielsweise notwendig sein wenn für einige Bauelemente mehrstufige Anpassungsmaßnahmen ausgebildet werden sollen und für andere nicht ,
beispielsweise Ausgleichsmaßnahmen 214 , 216. Ein weiterer Grund für ein Vereinzeln 402 der Bauelemente können inkompatible Ausgleichsmaßnahmen 212, 214, 216, 218 sein, beispielsweise das Aufbringen einer Kleberschicht 214 und anschließend Aufbringen einer Ausgleichsfolie 216 als eine mehrstufige Ausgleichsmaßnahme kann beispielsweise inkompatibel mit der Ausgleichsmaßnahme Aufbringen einer Streuschicht 212 sein und daher eine getrenntes Ausgleichen 200 der Bauelemente 304 , 306 mit den Eigenschaften 204,206 notwendig sei .
Das Ausgleichselement 520 kann weiterhin ein Vereinzeln 402 der Bauelemente 304 , 306, 308 , 310 aufweisen wenn
optoelektronische Bauelemente, beispielsweise das
Bauelement 310 , optoelektronischen Eigenschaften 210
aufweisen, die bereits den Ziel -Eigenschaften 202 entsprechen und somit keine Ausgleichsmaßnahme notwendig sind.
Weiterhin kann die Aus ähleinrichtung 512 anhand der
Prozessmatrix 200 bestimmen ob die Bauelemente 304 , 306, 308 , 310 vereinzelt werden sollten und/oder logische Gruppen bilden, d.h. bei welchen Bauelementen gleiche oder ähnliche Ausgleichsmaßnahmen ausgebildet werden und daher zusammen bearbeitet werden können. Die Vereinzelungseinrichtung kann jedoch optional sein, beispielsweise da Bauelemente bereits vereinzelt in die
Vorrichtung 500 transportiert {502) werden oder ein
Vereinzeln 402 der Bauelemente 100 nicht möglich oder nicht vorgesehen ist, beispielsweise bei mehreren flächigen
und/oder gekoppelten optoelektronischen Bauelementen, beispielsweise mit einer Folie als gemeinsamer Systemträger in Rolle -zu-Rolle-Verfahren.
In der Vereinzelungseinrichtung 528 können die Bauelemente 304 , 306, 308 , 310 mit ihren individuellen
Ausgleichsmaßnahmen 212 , 214 , 216 , 218 gemäß der
Prozessmatrix 200 markiert werden, beispielsweise elektronisch, beispielsweise auf einem Transportträger oder Schlitten auf dem die Bauelemente innerhalb der
Ausgleichseinrichtung 520 transportiert werden oder optisch beispielsweise mittels Strichcodes, an einem Randbereich des Bauelementes, der keine optoelektronische Aufgabe erfüllt.
Aus der Vereinzelungseinrichtung 526 bzw. aus der
Messeinrichtung 508 kann ein Transport 506 der
optoelektronischen Bauelemente 304, 306, 308, 310 in die Ident -Sortier-Einrichtung 528 erfolgen .
Ohne Vereinzelungseinrichtung 526 oder Vereinzelung 402 können der Informationsfluss 518 und der Transport 504 der Bauelemente direkt in die Ident - Sortier-Einrichtung 528 ausgebildet sein. Weiterhin kann ohne
Vereinzelungseinrichtung 526 , die individuelle Markierung der Bauelemente 30 , 306 , 308 , 310 mit ihren Ausgleichsmaßnahmen 212 , 214 , 216 , 218 in der Ident -Sortie -Einrichtung 528 ausgebildet werden .
In der Ident-Sortier-Einrichtung 528 werden vereinzelte
Bauelemente 304 , 306, 308 , 310 mittels ihrer Markierungen identifiziert und entsprechend ihrer Ausgleichsmaßnahmen 212 , 214, 216 , 218 zu den Ausgleichseinrichtungen 530 , 532 , 534 transportiert (522) bzw. wenn die optoelektronischen
Eigenschaften 210 bereits dem Zielbin 202 entsprechen, das Bauelement 310 aus der Vorrichtung 500 transportiert (536) Vierden, d.h. die Ausgleichsmaßnahmen sind abgeschlossen . Für nicht vereinzelte Bauelemente kann die Ident-Sortier- Einrichtung den Beginn von Ausgleichsmaßnahmen für ein
Bauelement einstellen, d.h. Triggern.
Eine Ausgleichsanlage 530 kann eine Einrichtung für das
Auf ringen von Ausgleichsschichten, beispielsweise
Kleberschicht , Streuschicht , Koppiungsschicht ,
Wellenleiterschicht sein, beispielsweise eine chemisch und/oder physikalische Aufdampfanläge (chemical vapor
deposition, physical vapor deposition, sputtern) , ein
Sprühbeschichter (spray coating) , ein Tauchbeschichter {dip coating) , ein Schleuderbeschichter (spin coating) , Rakeln (Siebdruck) oder ähnliche, herkömmliche Verfahrensanlagen. Anhand der individuellen Markierung kann in der
Ausgleichsanlage 530 für Ausgleichsschichten abhängig von den individuellen optoelektronischen Eigenschaften der
Bauelemente gemäß der Prozessmatrix 200 und Vorgabe der
Auswähleinricht ng 512 individuelle Beschichtungsverfahren und/oder Stoffe und/oder Stoffgemische und/oder
Prozessparameter, beispielsweise Temperatur, Luftfeuchte, Druck, Lösungsmittel , Lösungskonzentratio , Schichtdicken, TrocknungsZeiten, oder ähnliche, herkömmliche Parameter eingestellt werden.
Eine Ausgleichsanlage 532 kann als eine Einrichtung für das Aufbringen einer Ausgleichsfolie, beispielsweise einer Folie zum Erhöhen der optischen Dicke des optoelektronischen
Bauelementes , einer Folie mit streuender Wirkung, einer Folie mit wellenlängenkonvertierender Wirkung , beispielsweise mittels Laminierens ausgebildet sein.
Eine Ausgleichsanlage 534 kann als eine Einrichtung für einen Ausgleichsprozess , beispielsweise Glätten beispielsweise chemisch-mechanisches Polieren,- Ätzen, beispielsweise
nasschemisch durch Säuren oder physikalisch mittels Plasmas , Strukturieren, Dotieren, Plasmabehandeln der exponierten Oberfläche des Bauelementes , Polymerieieren, Degradieren oder ähnliche , herkömmliche Verfahren zur Behandlung von
Oberflächeneigenschaften aufweise .
In einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung 500 Teil einer herkömmlichen Fertigungsanlage von optoelektronischen
Bauelementen 100 sein und mittels der Vorrichtung 500 die
Dicke der Kleber- Schicht 124 und/oder die Beschaffenheit des Deckglases 126 und/oder der Oberflächenrauheit beispielsweise der Dür fiImverka seiung 108 bzw. zweiten Elektrode 114 eingestellt werden.
Die angeraute Oberfläche der Dünnfilmverkapselung 108 bzw. der zweiten Elektrode 114 kann als Streuschicht wirken und gleichzeitig zur Erhöhung der Adhäsion der Kleber-Schicht 124 wirken. Die Kleber- Schicht 124 und das Deckglas 126 können in Abhängigkeit ihrer konkreten Dicke mittels Erhöhens der optischen Dicke des Bauelementes Interferenzbedingungen verschieben und damit die Farbe und/oder Helligkeit
verändern . Die Vorrichtung 500 kann für eine konkrete
Ausgestaltung eines Bauelementes 100 Werte, beispielsweise die Schichtdicke der Kleberschicht 124, deren
Prozessbedingung und die Oberflächenrauheit der
Dünnfilmverkapse1ung 108 bzw. zweiten Elektrode 114 dynamisch an das konkrete Bauelement anpassen um die optoelektronischen Eigenschaften zu optimieren .
Die Ausgleichsanlagen 530, 532 , 534 können einzelne Anlagen ausweisen, beispielsweise eine einzelne Aufdampfanläge , oder eine Anlagenreihe, beispielsweise beim Laminieren von Folien, aufweisend eine Anlage zum Aufbringen von Klebstoff und eine Anlage zum Aufbringen von Laminationsfolie . Die Vorrichtung 500 kann eine weitere
TransportVorrichtung 524 der Bauelemente aus den
Ausgleichseinrichtungen 530 , 532 , 534 aufweisen.
Die Bauelemente können aus der Vorrichtung transportiert (524 ) werden, wenn die optoelektronischen Eigenschaften der Bauelemente dem Zielbin entsprechen (siehe Fig.3 und Fig.4 ) , beispielsweise zum Aufbringen der Verkapselung 124 , 126 oder beispielsweise in die Backend-Fertigung, d.h. 524 entspricht 536.
Die optoelektronischen Bauelemente können die Vorrichtung jedoch auch erneut durchlaufen, beispielsweise zum Einstellen weiterer optoelektronischer Eigenschaften, beispielsweise der Helligkeit nach Einstellen der Farbe. Mehrere
Vorrichtungen 500 können dazu seriell geschaltet sein oder in der Eingabeeinrichtung 514 kann das Zielbin 202 und/oder der Fertigungsgrad der Bauelemente manuell oder mittels eines aschinenprogrammes geändert werden. Der Transport 524 , 536 kann dann ein Transport 502 zu einer Messeinrichtung 508
S 6 JLX · Weitere Gründe für einen erneuten Durchlauf der Bauelemente nach Verlassen der Ausgleichsanlagen 530 , 532 , 534 , 536 durch die Vorrichtung 500 kann das Überprüfen der
optoelektronisehen Eigenschaften sein, d.h. die
Ausgleichsmaßnahmen können verifiziert werden, d.h. 524 , 536 können 502 entsprechen.
Bei mehrstufigen Ausgleichsmaßnahmen, beispielsweise 214 , 216 , kann das erneute Durchlaufen das Durchführen weiterer Ausgleichsmaßnahmen 216 nach Abschließen der vorherigen
Maßnahme 214 sein, d.h. 524 kann 502, 504, 506 oder 522 entsprechen. Bei Durchlaufen der Vorrichtung 500 in einem mehrstufigen Prozess , d.h. wenn die mehrstufigen (214 , 216) Ausgleichsmaßnahmen nicht in einer Ausgleichsanlage
ausgebildet werden, kann ein Informationsfluss an die
Ident -Sortier-Einrichtung 528 von den Ausgleichsanlagen 530 , 532 , 534 und/oder einen Informationsspeicher in der Ident- Sortier-Einrichtung 528 notwendig sein, der den Status der Ausgleichmaßnahme aktualisiert und die nächsten
Ausgleichsmaßnahmen koordiniert .
Mehrere der Transportvorrichtungen 502 , 504 , 506, 522 , 524 , 536 können als eine gemeinsame Transportvorrichtung
ausgebildet sein, beispielsweise einen Greifarm oder ein Fließband. Mehrere der Einrichtungen 508 , 526 , 528, 530 , 532 , 534 können auch als einzelne Baugruppen einer kompakten
Vorrichtung ausgebildet sein, so dass ein Transport 504, 506 , 522 , 530 , 532 , 534 zwischen den Einrichtungen nicht notwendig ist, Auch müssen nicht unterschiedliche bzw. mehrere
Ausgleichseinrichtungen 530 , 532, 534 i der Vorrichtung ausgebildet sein. Ausgleichsschichten können beispielsweise auf Folien bereits vorbereitet sei . Es können daher auch ausschließlich Ausgleichsfolien auf die Bauelemente
aufgebracht werden, wobei mehrere Folienklassen
bereitgestellt werden und entsprechend der Prozessmatrix 200 auf die Bauelemente aufgebracht werden . Fig.6 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten konkreten Ausgestaltung 600 der Vorrichtung 500.
Dargestellt sind eine Seitenansicht (obere Hälf e) und eine Draufsicht (untere Hälfte) auf die Vorrichtung gemäß einer ersten konkreten Ausges altung 600 - getrennt mittels der Hilfslinie 606.
Dargestellt ist eine Messeinrichtung 602 mit Kamera 610 die optoelektronische Bauelemente 304 , 306 , 308 (nicht sichtbar) mit unterschiedlichen optoelektronischen Eigenschaften 204,
214 , 208 auf einem gemeinsamen Systemträger 302 vermisst . Die Messwerte werden elektronisch an eine automatisierte
Laminationsstation 608 übermittelt 510. Die automatisierte LaminationsStation 608 weist einen Computer 604 auf, der die Eingabeeinrichtung 514 und Auswähleinrichtung 512 mit
Prozessmatrix 200 realisiert . Mittels einer
Greifeinrichtung 532 werden individuelle Ausgleichsfolien 212 , 216 , 218 mit angepassten Farbadditiven gemäß der
Prozessmatrix 200 auf die Bauelemente nach deren
Vereinzelung 402 aufgebracht . Dadurch kann eine Vielzahl optoelektronischer Bauelemente mit gleichem Färb-3in 202 realisiert werden.
Die Messung der Farbinformation kann während der Fertigung (Inlinemessung) der optoelektronischen Bauelemente vor der Vereinzelung (Frontend) durchgeführt werden, während das Aufbringen bzw. das Laminieren der Ausgleichsfolien 212 , 216 , 218 nach der Vereinzelung der optoelektronischen Bauelemente
(Backend) durchgeführt werden kann.
Fig.7 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten konkreten Ausgestaltung 700 der Vorrichtung 500.
Dargestellt sind eine Seitenansicht (obere Hälfte) und eine Draufsicht (untere Hälfte) auf die Vorrichtung gemäß einer zweiten konkreten Ausgestaltung 700 - getrennt mittels der Hilfslinie 606.
Die zweite Ausgestaltung 700 unterscheidet sich von der ersten Ausgestaltung 600 in der Ausgleichseinrichtung 608 derart , dass bei der zweiten Ausgestaltung 700
Ausgleichschichten 212, 216 , 218 mittels einer Tampon-Druck- Anlage (Pad-Printing) 530 von Filmen mit angepassten
Farbadditiven auf die vereinzelten Bauelemente mit den
Eigenschaften 204 , 206 , 214 aufgetragen werden. Fig.8 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten konkreten Ausgestaltung 800 der Vorrichtung 500.
Dargestellt sind eine Seitenansicht (obere Hälfte) und eine Draufsicht (untere Hälfte) auf die Vorrichtung gemäß einer dritten konkreten Ausgestaltung 800 - getrennt mittels der Hilfslinie 606.
Die dritte konkrete Ausgestaltung 800 unterscheidet sich von der ersten Ausgestaltung 600 und der zweiten Ausgestaltung 700 derart , dass die optoelektronischen Bauelemente mit unterschiedlichem Farb-Bin 204 , 214 , 208 vor und nach der Anpassung auf einer Rolle 302 ausgebildet sind und nicht vereinzelt we den . Das Auftragen der Ausgleichsschichten 212 , 216 , 218 mit Farbadditiven können mittels einer selektiven Sprühstation 530 auf die Bauelemente aufgetragen werden. Die Ausgleichsschichten 212 , 216 , 218 (nicht sichtbar) können nach dem Auftragen mittels einer Trocknungsstation 802 getrocknet werden.
Der Transport 502, 504, 506, 522, 524 durch die Vorrichtung erfolgt auf einer Rolle 302, d.h. dem Systemträger, mittels eines Rolle-zu-Rolle Verfahrens 804.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von mehreren
optoelektronischen Bauelementen berei gestellt, mit denen es möglich ist optoelektronische Bauelemente mit
unterschiedlichen optoelektronischen Eigenschaften auf eine gemeinsame optoelektronische Ziel -Eigenschaft hin anzupassen . Dadurch kann die Fertigungsstreuung, d.h. die Färb- und
Helligkeitsstreuung, bei der Herstellung der
optoelektronischen Bauelemente verringert werden. Damit kann die Fertigung besser gesteuert werden und Kundenanfragen nach bestimmten Färb- oder Helligkeitsbins können direkt ohne größere Überproduktion abgearbeitet werden .

Claims

Verfahren (200) zum Herstellen von mehreren
optoelektronischen Bauelementen (100) , das Verfahren (200) aufweisend:
• Messen von mindestens einem Messparameter bei einem ersten optoelektronischen Bauelement (304) und einem zweiten optoelektronischen Bauelement (306) ; und
• Bearbeiten des ersten optoelektronischen Bauelements (304) und des zweiten optoelektronischen Bauelements (306) unter Berücksichtigung des gemessenen
Messparameterwertes des ersten optoelektronischen Bauelements (304 ) und des gemessenen
Messparameterwertes des zweiten optoelektronischen Bauelements (306) , so dass die optoelektronischen Eigenschaften (204) des ersten optoelektronischen Bauelements (304 ) und die optoelektronischen
Eigenschaften (206 ) des zwei en optoelektronischen Bauelements (306) in unterschiedlicher Weise (212 , 214 , 216) zu mindestens einer gemeinsamen
vorgegebenen optoelektronischen Ziel -Eigenschaft (202) hin verändert werden;
• wobei das Bearbeiten mindestens eines Wertes eines Messparameters der optoelektronischen
Eigenschaf en (204) des ersten optolelektronischen Bauelementes (304 ) bzw. der optoelektronischen
Eigenschaften (206) des zweiten optoelektronischen Bauelementes (306) zu der optoelektronischen
Ziel -Eigenschaft (202) hin mittels eines
Ausgleichselementes (212, 214 , 216) ausgebildet ist ; und
• wobei das Ausgleichselement (212 , 214 , 216) als eine Folie (212 , 214 , 216) ausgebildet ist .
Verfahren (200) gemäß Anspruch 1,
wobei der messbare Parame er einen Messparameter bezüglich emittierter bzw. absorbierter elektromagnetischer Strahlung aufweist aus der Gruppe der Messparameter:
• die Helligkeit bzw. die Intensitä ;
• das Wellenlängenspektrum bzw. die Farbe;
· die Blickwinkelabhängigkeit ;
• die Absorption; oder
• die Effizienz.
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die optoelektronischen Eigenschaften (204) des ersten optoelektronischen Bauelementes (304) und die optoelektronischen Eigenschaf en (206) des zweiten optoelektronischen Bauelementes (306) in der gleichen optoelektronischen Eigenschaft von der
optoelektronischen Ziel-Eigenschaft (202) abweichen.
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Messen des Messparameters ein Messen der optoelektronischen Eigenschaften (20 , 206) nach oder während der Fertigung des optoelektronischen
Bauelementes (304 , 306) aufweist .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 , wobei die Folie wenigstens eine Beschichtung aufweist, wobei die Beschichtung eine ausgleichende Beschichtung ist und die Folie Träger der Beschichtung ist .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die optoelektronischen Eigenschaften des ersten optoelektronischen Bauelementes bzw. des zweiten optoelektronischen Bauelementes in Kombination aus zwei oder mehreren Ausgleichselementen zur Ziel-Eigenschaft hin bearbeiten werden.
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 , wobei weitere optische Schichten zwischen dem
optoelektronischen Bauelement und dem Ausgleichselement ausgebildet werden .
8. Verfahren (200) gemäß Anspruch 7,
wobei die weiteren Schichten derart ausgebildet werden, dass die weiteren Schichten eine adhasionsverstarkend, diff sionshemmende und/oder optisch koppelnde Wirkung aufweisen.
Verf hren (200) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei die zwei oder mehr Ausgleichselemente (212 , 214 , 216 ) Schichten mit gleichem oder unterschiedlichem
Schichtenquerschnitt aufweisen, wobei ein
Schichtenquerschnitt die Eigenschaften aufweist:
• die Schichtenabfolge ;
• die Schichtenanzahl ;
• die Schichtendicke;
• die stoffliche Zusammensetzung der Schichten .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei auf das erste optoelektronische Bauelement (304) wenigstens ein anderes Ausgleichselement (212 , 214 , 216 ) aufgebracht wird als auf das zweite optoelektronische Bauelement (306) .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 , wobei das optoelektronische Bauelement (100) als
Strahlungsemittierendes Bauelement (100) , insbesondere als organische Leuchtdiode (100) ausgebildet wird .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 , wobei das optoelektronische Bauelement (100) als
strahlungsdetektierendes Bauelement (100) ausgebildet wird . Vorrichtung (500) zum Herstellen von mehreren
optoelektronischen Bauelementen (100) , die Vorrichtung (500) aufweisend:
• eine Eingabeeinrichtung ( 514 ) , eingerichtet zum
Eingeben mindestens einer gemeinsamen
optoelektronischen Ziel -Eigenschaf (202) der mehreren optoelektronischen Bauelemente (304 , 306 , 308, 310) ;
• eine Messeinrichtung (508) , eingerichtet zum Messen (312) mindestens einer optoelektronischen
Eigenschaft der optoelektronischen Bauelemente und zum Übermitteln (510) derselben an eine
Auswähleinrichtung (512) ;
• eine Ausgleichseinrichtung (520 ) , eingerichtet zum Bereitstellen von wenigstens zwei
Ausgleichselementen (212 , 214 , 216, 218) mit
unterschiedlicher optoelektronischer Wirkung
bezüglich der gemeinsamen Ziel -Eigenschaft (202) für die optoelektronischen Bauelemente (304 , 306 , 308 , 310) zur Auswahl mittels einer Auswähleinrichtung (512) ;
• die Auswähleinrichtung (512) , eingerichtet zum
Bauelement- individuellen Auswählen (200 ) mindestens eines Ausgleichselementes (212 , 214 , 216 , 218 ) unter Verwendung der gemessenen (312) mindestens einen optoelektronischen Eigenschaften (204 , 206 , 208 ,
210 ) der optoelektronischen Bauelemente (304 , 306 , 308 , 310 ) und der optoelektronischen Wirkung für die optoelektronischen Bauelemente (304 , 306 , 308 , 310 ) derart , dass nach Anwenden des mindestens einen ausgewählten Ausgleichselements (212 , 21 , 216, 218 ) und/oder des mindestens einen ausgewählten
Ausgleichsverfahrens (212 , 214 , 216 , 218 ) die optoelektronischen Eigenschaften (204 , 206 , 208 , 210) der optoelektronischen Bauelemente (304 , 306 , 308, 310) zu der Ziel -Eigenschaft (202) hin
verändert werden . Vorrichtung {500) gemäß Anspruch 13 ,
wobei die Eingabeeinrichtung (514) zum Eingeben des Fertigungsgrades der optoelektronischen Bauelemente (304, 306, 308, 310) eingerichtet ist.
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