WO2013141747A1 - Способ создания многослойной наноструктуры - Google Patents
Способ создания многослойной наноструктуры Download PDFInfo
- Publication number
- WO2013141747A1 WO2013141747A1 PCT/RU2012/000657 RU2012000657W WO2013141747A1 WO 2013141747 A1 WO2013141747 A1 WO 2013141747A1 RU 2012000657 W RU2012000657 W RU 2012000657W WO 2013141747 A1 WO2013141747 A1 WO 2013141747A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- laser
- laser radiation
- diffraction grating
- layers
- pulse
- Prior art date
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Definitions
- the present invention relates to various fields of technology using materials with developed surfaces in the form of multilayer nanostructures, including energy for creating solar panels, instrumentation for creating photodetector devices, mechanical engineering for creating catalysts, lighting engineering for creating highly efficient luminescent light sources.
- a known method of creating a multilayer nanostructure which consists in the formation of its individual layers under the action of laser pulses and their interconnection (see, for example, RF patent 2382440, class H01L39 / 24, V82VZ / 00).
- the known method allows you to create a multilayer nanostructure by applying each subsequent layer on the previous one.
- nanostructure consisting of several hundreds and thousands of layers. Namely, such a nanostructure has a maximally developed surface formed by the pointed ends of ruffled layers.
- the basis of the invention is the task of obtaining such a method of creating a multilayer nanostructure, which would allow to create a nanostructure of many hundreds of layers during the duration of a single laser pulse.
- a metallized diffraction grating is applied to one of the surfaces of a material transparent to laser radiation act on this material laser pulse, cause diffraction and multipath interference of the laser beam at the surface of the diffraction grating in the region of the laser spot, form in this region a lot of laser beams reflected from the diffraction grating, cause local emission of the laser beam energy at the points of reflection from the diffraction grating, melting transparent to laser radiation of the material, the formation of crystallization centers, explosive crystallization of transparent material for laser radiation by reflected beams removed from the diffraction grating after the end of the action of the laser pulse and simultaneously create a lot of ruffled layers of transparent material for laser radiation.
- a material transparent to laser radiation is doped with metal or metal oxide, and when layers of this material are formed, metal or metal oxide is pushed to the boundary between the layers and a multilayer nanostructure is created from alternating layers of two different materials.
- this material is heated in a controlled protective atmosphere to a temperature close to its melting temperature before being exposed to a laser pulse.
- a multilayer nanostructure can be created from alternating metal - semiconductor layers.
- FIG. 1 illustrates a photograph of two multilayer nanostructures obtained by exposure to a material transparent to laser radiation by two
- FIG. 2 illustrates the proposed method for creating a multilayer nanostructure
- the proposed method for creating a multilayer nanostructure is as follows.
- a metallized diffraction grating is applied to one of the surfaces 1 of the material 2 transparent for laser radiation.
- the material 2 is affected by a laser pulse 4, which has many modes that characterize the spatial distribution of the intensity of this radiation.
- the laser beam 4 enters the material 2, which is transparent to laser radiation, its dispersion occurs, which is determined by the refractive index of the material 2 depending on the frequency of the laser radiation 4.
- the modes of laser radiation 4 interact with diffraction by the grating 3 at its surface in the region of the laser spot 5, diffraction and multipath interference of the laser radiation modes 4 takes place.
- the described process of creating a multilayer nanostructure from a material transparent to laser radiation with a low melting point occurs in the open air, outside the vacuum chamber.
- FIG. Figure 1 shows two nanostructures obtained by the described method, each of which was created as a result of the action of a single laser pulse on a laser-transparent plastic. Photographs of these nanostructures were obtained using an atomic force microscope.
- the proposed method is also possible to create multilayer nanostructures of alternating layers of two different materials. This possibility is created by alloying with a metal or metal oxide a material transparent to laser radiation, for example, plastic. In this case, in the process of explosive crystallization of a material transparent to laser radiation, impurities are pushed from the melt to the boundary between the formed layers and a nanostructure is formed from alternating metal - dielectric layers.
- the proposed method it is also possible to create multilayer nanostructures from layers of a semiconductor material transparent to laser radiation or from alternating metal-semiconductor layers by alloying a semiconductor material with a metal.
- this material taking into account the high melting temperature of the material transparent to laser radiation, before exposure to it by a laser pulse, this material is preheated in a controlled protective atmosphere close to the melting temperature.
- the described method can be used to create developed surfaces in the form of multilayer nanostructures for use in the manufacture of solar cells, photodetectors, catalysts, highly efficient luminescent light sources.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Изобретение относится к различным областям техники, использующих материалы с развитыми поверхностями в виде многослойных наноструктур для производства солнечных батарей, фотоприемных устройств, катализаторов, высокоэффективных люминесцентных источников света. В соответствии с изобретением для создания многослойной наноструктуры на одну из поверхностей прозрачного для лазерного излучения материала наносят дифракционную решетку и воздействуют на этот материал импульсом лазерного излучения. При взаимодействии этого импульса с дифракционной решеткой у ее поверхности в области лазерного пятна происходит дифракция и многолучевая интерференция лазерного луча, образуется множество отраженных от дифракционной решетки лазерных лучей. В точках отражения лазерных лучей от дифракционной решетки последовательно происходит локальное выделение энергии лазерного луча, плавление прозрачного для лазерного излучения материала, образование центров кристаллизации, взрывная кристаллизация прозрачного для лазерного излучения материала по отраженным от дифракционной решетки лучам после завершения действия импульса лазерного излучения. В результате за время действия импульса лазерного излучения на открытом воздухе одновременно создают множество ерошенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала. Варьируя параметры дифракционной решетки и импульса лазерного излучения можно создавать многослойные наноструктуры с различным числом слоев, вплоть до нескольких тысяч, и с различной толщиной этих слоев. Предлагаемое изобретение позволяет также создавать многослойные наноструктуры из чередующихся слоев двух различных материалов.
Description
Способ создания многослойной наноструктуры
Настоящее изобретение относится к различным областям техники, использующим материалы с развитыми поверхностями в виде многослойных наноструктур, в том числе к энергетике для создания солнечных батарей, к приборостроению для создания фотоприемных устройств, к машиностроению для создания катализаторов, к светотехнике для создания высокоэффективных люминесцентных источников света.
Предшествующий уровень техники
Известен способ создания многослойной наноструктуры, заключающийся в образовании отдельных её слоев под действием импульсов лазерного излучения и их соединения между собой (см., например, патент РФ 2382440, кл. H01L39/24, В82ВЗ/00).
Известный способ позволяет создавать многослойную наноструктуру путем нанесения каждого последующего слоя на предыдущий.
Однако этот способ технически сложен, т.к. процесс образования многослойной наноструктуры производится в кварцевой печи, помещенной в вакуумную камеру. Этот процесс также длителен, т.к. каждый слой толщиной примерно 40нм образуют путём лазерного распыления мишени примерно за 20 сек, а затем его охлаждают примерно 20 мин. перед нанесением последующего слоя.
Известным способом также затруднительно создать наноструктуру, состоящую из нескольких сотен и тысяч слоев. А именно такая наноструктура имеет максимально развитую поверхность, образуемую заостренными торцами ерошенных между собой слоев.
Раскрытие изобретения
В основу изобретения положена задача получения такого способа создания многослойной наноструктуры, который позволил бы создавать наноструктуру из многих сотен слоев за время длительности одного импульса лазерного излучения.
Поставленная задача решается тем, что в способе создания многослойной наноструктуры, заключающемся в образовании отдельных её слоев под действием импульсов лазерного излучения и их соединения вплотную между собой, в соответствии с изобретением, на одну из поверхностей материала, прозрачного для лазерного излучения, наносят металлизированную дифракционную решетку, воздействуют на этот материал
импульсом лазерного излучения, вызывают дифракцию и многолучевую интерференцию лазерного луча у поверхности дифракционной решетки в области лазерного пятна, образуют в этой области множество отраженных от дифракционной решетки лазерных лучей, вызывают последовательно в точках их отражения от дифракционной решетки локальное выделение энергии лазерного луча, плавление прозрачного для лазерного излучения материала, образование центров кристаллизации, взрывную кристаллизацию прозрачного для лазерного излучения материала по отраженным от дифракционной решетки лучам после завершения действия импульса лазерного излучения и создают одновременно множество ерошенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала.
При таком способе создания многослойной наноструктуры за время действия одного импульса лазерного излучения в пределах лазерного пятна одновременно образуют множество ерошенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала.
Целесообразно, что устанавливают шаг дифракционной решетки её профиль, длину волны, фокусировку, мощность и длительность импульсов лазерного излучения и изменяют размер, толщину и число слоев многослойной наноструктуры.
При таком способе создания многослойной наноструктуры можно в широком диапазоне варьировать её параметрами от минимального числа составляющих её толстых слоев до максимального числа составляющих эту структуру тонких слоев.
Целесообразно, что создают многослойную наноструктуру со слоями внутри прозрачного для лазерного излучения материала или с выступающими за его пределы.
При таком способе создания многослойной наноструктуры можно создавать наноструктуру в изолированном от внешней среды объеме внутри прозрачного для лазерного излучения материала.
Целесообразно, что легируют металлом или окислом металла прозрачный для лазерного излучения материал, а при образовании слоев из этого материала оттесняют металл или окисел металла на границу между слоями и создают многослойную наноструктуру из чередующихся слоев двух различных материалов.
При таком способе создания многослойной наноструктуры за время действия импульса лазерного излучения в пределах лазерного пятна может быть создана
многослойная наноструктура металл - диэлектрик, если в качестве прозрачного для лазерного излучения материала будет использована, например, пластмасса.
Целесообразно, что при использовании в качестве материала, прозрачного для лазерного излучения, чистого или легированного примесями полупроводникового материала, перед воздействием на него импульсом лазерного излучения нагревают этот материал в контролируемой защитной атмосфере до температуры, близкой к температуре его плавления.
При таком способе создания многослойной наноструктуры за время действия импульса лазерного излучения в пределах лазерного пятна может быть создана многослойная наноструктура из чередующихся слоев металл - полупроводник.
Краткое описание чертежей
В дальнейшем изобретение поясняется описанием конкретного, но не ограничивающего настоящего изобретения варианта осуществления и прилагаемыми чертежами, на которых :
Фиг. 1 иллюстрирует фотографию двух многослойных наноструктур, полученных в результате воздействия на прозрачный для лазерного излучения материал двумя
последовательными импульсами лазерного излучения,
Фиг. 2 иллюстрирует предлагаемый способ создания многослойной наноструктуры,
Лучшие варианты осуществления изобретения
Предлагаемый способ создания многослойной наноструктуры осуществляют следующим образом.
На одну из поверхностей 1 материала 2 прозрачного для лазерного излучения наносят металлизированную дифракционную решетку 3. Воздействуют на материал 2 импульсом лазерного излучения 4, имеющим множество мод, которые характеризуют пространственное распределение интенсивности этого излучения. При вхождении лазерного луча 4 в материал 2, прозрачный для лазерного излучения, происходит его дисперсия, определяемая показателем преломления материала 2 в зависимости от частоты лазерного излучения 4. При взаимодействии мод лазерного излучения 4 с дифракционной
решеткой 3 у её поверхности в области лазерного пятна 5 происходит дифракция и многолучевая интерференция мод лазерного излучения 4.
В результате в области лазерного пятна 5 образуется множество отраженных от дифракционной решетки лучей 6. В точках отражения лучей 6 от дифракционной решетки 3 последовательно происходит локальное выделение энергии, плавление прозрачного для лазерного излучения материала 2, образование центров кристаллизации и возникает взрывная кристаллизация прозрачного для лазерного излучения материала 2 по отраженным от дифракционной решетки 3 лучам 6 после завершения действия импульса лазерного излучения 4. В результате одновременно образуется множество ерошенных между собой слоев 7 из прозрачного для лазерного излучения материала 2.
Описанный процесс создания многослойной наноструктуры из прозрачного для лазерного излучения материала с низкой температурой плавления происходит на открытом воздухе, вне вакуумной камеры.
На фиг. 1 показаны две полученные описанным способом наноструктуры, каждая из которых создана в результате воздействия одного импульса лазерного излучения на прозрачную для лазерного излучения пластмассу. Фотографии этих наноструктур получены при помощи атомно - силового микроскопа.
Таким образом после завершения действия одного импульса лазерного излучения длительностью порядка 10 не, в пределах лазерного пятна в результате взрывной кристаллизации прозрачного для лазерного излучения материала, идущей со скоростью 80м/сек - 100 м/сек, одновременно образуется множество слоев из этого материала и создается многослойная наноструктура. Число образуемых таким образом слоев может превышать несколько тысяч и зависит от числа отраженных от дифракционной решетки лучей, количество которых в свою очередь определяется шагом и профилем дифракционной решетки, а также длиной волны, фокусировкой, мощностью и длительностью импульсов лазерного излучения. Варьируя этими параметрами можно в широком диапазоне менять условия для создания многослойной наноструктуры, создавая наноструктуры с различным числом и толщиной слоев из прозрачного для лазерного излучения материала. Можно также создавать многослойные наноструктуры внутри прозрачного для лазерного излучения материала.
Как видно на фиг. 1 , торцы созданных таким образом ерошенных между собой слоев образуют развитую поверхность, на которую в дальнейшем любым известным способом могут быть нанесены слои различных материалов, в том числе металлов, полупроводников и т.д.
Предлагаемым способом также возможно создавать многослойные наноструктуры из чередующихся слоев двух различных материалов. Такая возможность создается при легировании металлом или окислом металла прозрачного для лазерного излучения материала, например, пластмассы. В этом случае в процессе взрывной кристаллизации прозрачного для лазерного излучения материала происходит оттеснение примесей из расплава на границу между образуемыми слоями и образование наноструктуры из чередующихся слоев металл - диэлектрик.
Предлагаемым способом можно также создавать многослойные наноструктуры из слоев прозрачного для лазерного излучения полупроводникового материала или из чередующихся слоев металл - полупроводник при легировании полупроводникового материала металлом. Однако в этом случае, с учётом высокой температуры плавления прозрачного для лазерного излучения материала, перед воздействием на него импульсом лазерного излучения, этот материал предварительно нагревают в контролируемой защитной атмосфере, близкой к температуре плавления.
Промышленная применимость
Описанным способом могут быть созданы развитые поверхности в виде многослойных наноструктур для использования при производстве солнечных батарей, фотоприемных устройств, катализаторов, высокоэффективных люминесцентных источников света.
Claims
1. Способ создания многослойной наноструктуры, заключающийся в образовании отдельных её слоев под действием импульсов лазерного излучения и их соединения вплотную между собой, отличающийся тем, что на одну из поверхностей материала, прозрачного для лазерного излучения, наносят металлизированную дифракционную решетку, воздействуют на этот материал импульсом лазерного излучения, вызывают дифракцию и многолучевую интерференцию лазерного луча у поверхности дифракционной решетки в области лазерного пятна, образуют в этой области множество отраженных от дифракционной решетки лазерных лучей, вызывают последовательно в точках их отражения от дифракционной решетки локальное выделение энергии лазерного луча, плавление прозрачного для лазерного излучения материала, образование центров кристаллизации, взрывную кристаллизацию прозрачного для лазерного излучения материала по отраженным от дифракционной решетки лучам после завершения действия импульса лазерного излучения и создают одновременно множество срощённых между собой слоёв из прозрачного для лазерного излучения материала.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что устанавливают шаг дифракционной решетки, её профиль, длину волны, фокусировку, мощность и длительность импульсов лазерного излучения и изменяют размер, толщину и число слоев многослойной наноструктуры.
3. Способ по п.п. 1 - 2, отличающийся тем, что создают многослойную наноструктуру со слоями внутри прозрачного для лазерного излучения материала или с выступающими за его пределы.
4. Способ по п.п. 1 - 3, отличающийся тем, что легируют металлом или окислом металла прозрачный для лазерного излучения материал, а при образовании слоев из этого материала оттесняют металл или окисел металла на границу между слоями и создают многослойную наноструктуру из чередующихся слоев двух различных материалов.
5. Способ по п.п. 1 - 4, отличающийся тем, что при использовании в качестве материала, прозрачного для лазерного излучения, чистого или легированного примесями полупроводникового материала, перед воздействием на него импульсом лазерного излучения нагревают этот материал в контролируемой защитной атмосфере до температуры, близкой к температуре его плавления.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012110142 | 2012-03-19 | ||
| RU2012110142/28A RU2497230C1 (ru) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | Способ создания многослойной наноструктуры |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2013141747A1 true WO2013141747A1 (ru) | 2013-09-26 |
Family
ID=49223067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/RU2012/000657 WO2013141747A1 (ru) | 2012-03-19 | 2012-08-09 | Способ создания многослойной наноструктуры |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2497230C1 (ru) |
| WO (1) | WO2013141747A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117431495A (zh) * | 2023-12-19 | 2024-01-23 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 金属表面超疏水防腐双层结构及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007058603A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Replisaurus Technologies Ab | Method of forming a multilayer structure |
| US20080179762A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Au Optronics Corporation | Layered structure with laser-induced aggregation silicon nano-dots in a silicon-rich dielectric layer, and applications of the same |
| RU2382440C1 (ru) * | 2008-11-01 | 2010-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ НАНОПЛЕНОК yBaCuO |
| RU2415026C2 (ru) * | 2006-08-09 | 2011-03-27 | Овд Кинеграм Аг | Способ изготовления многослойного тела и многослойное тело |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2459319C1 (ru) * | 2011-07-08 | 2012-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Высокие технологии" | Способ получения наноструктурированного многослойного трехмерного композитного материала для отрицательного электрода литий-ионной батареи, композитный материал, отрицательный электрод и литий-ионная батарея |
-
2012
- 2012-03-19 RU RU2012110142/28A patent/RU2497230C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-08-09 WO PCT/RU2012/000657 patent/WO2013141747A1/ru active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007058603A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Replisaurus Technologies Ab | Method of forming a multilayer structure |
| RU2415026C2 (ru) * | 2006-08-09 | 2011-03-27 | Овд Кинеграм Аг | Способ изготовления многослойного тела и многослойное тело |
| US20080179762A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Au Optronics Corporation | Layered structure with laser-induced aggregation silicon nano-dots in a silicon-rich dielectric layer, and applications of the same |
| RU2382440C1 (ru) * | 2008-11-01 | 2010-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ НАНОПЛЕНОК yBaCuO |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117431495A (zh) * | 2023-12-19 | 2024-01-23 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 金属表面超疏水防腐双层结构及其制备方法 |
| CN117431495B (zh) * | 2023-12-19 | 2024-02-13 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 金属表面超疏水防腐双层结构及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012110142A (ru) | 2013-09-27 |
| RU2497230C1 (ru) | 2013-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sugioka et al. | Femtosecond laser three-dimensional micro-and nanofabrication | |
| Buividas et al. | Surface and bulk structuring of materials by ripples with long and short laser pulses: Recent advances | |
| Vorobyev et al. | Direct femtosecond laser surface nano/microstructuring and its applications | |
| Cong et al. | Fabricating subwavelength dot-matrix surface structures of molybdenum by transient correlated actions of two-color femtosecond laser beams | |
| CN106102899A (zh) | 干涉式激光处理 | |
| US9784683B2 (en) | Surface Enhanced Raman Scattering (SERS) sensor and a method for production thereof | |
| KR20160140598A (ko) | 마이크로-렌즈 및 어레이용 광활성 기판의 제작 방법 | |
| CN102285635A (zh) | 一种利用激光制作金属微纳结构的系统与方法 | |
| US20160298875A1 (en) | Surface structure for solar heat absorbers and method for the production thereof | |
| Tanaka et al. | Giant photo-expansion in chalcogenide glass | |
| Indrisiunas et al. | Direct laser beam interference patterning technique for fast high aspect ratio surface structuring | |
| Geng et al. | Quasicylindrical waves for ordered nanostructuring | |
| Scorticati et al. | Ultra-short-pulsed laser-machined nanogratings of laser-induced periodic surface structures on thin molybdenum layers | |
| WO2013141747A1 (ru) | Способ создания многослойной наноструктуры | |
| CN109132998A (zh) | 单脉冲纳秒激光诱导透明介电材料表面周期性结构的方法 | |
| JP7335473B2 (ja) | 空間変調波長板の製造方法 | |
| CN100491234C (zh) | 一种光操纵原子制作纳米结构的方法及其装置 | |
| EP2000558B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing purely refractive optical structures | |
| Malik et al. | Studies on Femtosecond Laser Textured Broadband Anti-reflective Hierarchical a-SiNx: H Thin Films for Photovoltaic Applications | |
| JP2008512695A (ja) | フォトニック結晶の製造方法 | |
| Nakata et al. | Interfering ultraviolet femtosecond laser processing of gold thin film and prospect of shortest period | |
| Helvajian | Process control in laser material processing for the micro and nanometer scale domains | |
| Paipulas et al. | Volume Bragg Grating Formation in Fused Silica with High Repetition Rate Femtosecond Yb: KGW Laser Pulses. | |
| RU2702960C2 (ru) | Способ изготовления фазовых дифракционных решеток, микроструктур и контактных масок | |
| Overmeyer et al. | Laser induced quasi-periodical microstructures with external field modulation for efficiency gain in photovoltaics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 12872040 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 12872040 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |