WO2013141442A1 - 반사 방지 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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WO2013141442A1
WO2013141442A1 PCT/KR2012/003495 KR2012003495W WO2013141442A1 WO 2013141442 A1 WO2013141442 A1 WO 2013141442A1 KR 2012003495 W KR2012003495 W KR 2012003495W WO 2013141442 A1 WO2013141442 A1 WO 2013141442A1
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WO
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layer
substrate
reflection
base substrate
reflective
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PCT/KR2012/003495
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French (fr)
Inventor
윤정흠
나종주
이건환
권정대
이성훈
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한국기계연구원
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only

Definitions

  • the present invention relates to an antireflection substrate and a method of manufacturing the same.
  • the screen protection substrate for protecting the screen of such a portable electronic device needs to have improved optical characteristics. Furthermore, there is an increasing need for a flexible device that can directly improve the optical characteristics of the screen of the portable electronic device.
  • polymer substrates require optical properties and chemical stability comparable to glass while increasing the degree of freedom of product design.
  • the improvement of light transmittance through the adjustment of the anti-reflective properties, the enhancement of the contrast, the removal of the ghost image, etc. are known as the core element technology for commercialization of the transparent polymer substrate.
  • An object of the present invention is to provide an antireflection substrate having improved optical properties by preventing light reflection and improving transmittance.
  • Another object of the present invention is to provide an antireflection substrate having anti-fingerprint characteristics.
  • the plurality of protrusion structures may be formed on a surface of the base substrate by using a plasma dry etching method.
  • the anti-reflection structure may be formed by depositing the inorganic particles with a plasma thin film.
  • the arrangement interval of the plurality of protrusion structures may be adjusted by controlling the etching exposure time.
  • the said etching exposure time can be made into less than 7 minutes.
  • the first antireflection layer may be formed by arranging the antireflection structures adjacent to each other.
  • the antireflective structure may be spherical in shape.
  • a reinforcement coating layer may be formed on the surface of the base substrate.
  • the base substrate is at least one selected from fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39 and polyurethane (polyiourethane) It may include.
  • At least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He, and N 2 may be used.
  • the inorganic particles, metal material Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Oxide and nitride of Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb
  • metal material Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Oxide and nitride of Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb
  • oxide-nitride compounds AlON, SiON
  • magnesium fluoride Magne fluoride
  • the method of manufacturing an anti-reflection substrate may further include forming a first anti-fingerprint layer on the surface of the first anti-reflection layer.
  • the first anti-fingerprint layer is cyclomethicone (C 8 H 24 Si 4 O 4 ), hexamethyldioxane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), 2-fluoro-6-methoxybenzaldehyde , 3-fluoro-4 methoxybenzaldehyde, 4-fluoro-3 methoxybenzaldehyde, 5-fluoro-2 methoxybenzaldehyde, 2-fluoro-6 methoxyphenol, 4-fluoro-2 methoxyphenol And 5-fluoro-3 methoxysalicylaldehyde.
  • the first anti-fingerprint layer may include at least one of methyl group (CH 3 ) and carbon fluoride group (CF).
  • the anti-reflection substrate manufacturing method may further include forming a protective layer on another surface of the base substrate.
  • the protective layer may include at least one of oxides of Si, Al, Zn, and Ti.
  • the anti-reflection substrate manufacturing method may further include forming a first continuous thin film layer on the surface of the first anti-reflection layer.
  • the anti-reflection substrate manufacturing method may further include forming a first anti-fingerprint layer on the surface of the first continuous thin film layer.
  • the first continuous thin film layer may be formed using the same material as the inorganic particles.
  • the method of manufacturing an anti-reflection substrate may further include forming a second anti-reflection layer on another surface of the base substrate.
  • the anti-reflection substrate manufacturing method may further include forming a first anti-fingerprint layer on the surface of the first continuous thin film layer.
  • the anti-reflection substrate manufacturing method may further include forming a protective layer on another surface of the base substrate.
  • the method of manufacturing an anti-reflection substrate may further include forming the second anti-reflection layer.
  • the forming of the second anti-reflection layer may include forming a plurality of protrusion structures on the other surface of the base substrate by using a dry etching method; And forming an anti-reflective structure that can prevent reflection of light on each of the plurality of protrusion-type structures by deposition of inorganic particles.
  • the anti-reflection substrate manufacturing method may further include forming a second continuous thin film layer on the surface of the second anti-reflection layer.
  • the method may further include forming a second anti-fingerprint layer on the surface of the second continuous thin film layer.
  • the base substrate capable of transmitting light; And a first antireflection layer formed on a surface of the base substrate, wherein the first antireflection layer comprises: a plurality of protrusion structures formed on a surface of the base substrate; And an antireflective structure formed on each of the plurality of protrusion structures by deposition of inorganic particles.
  • the antireflective structures may be arranged at intervals of 200 nm or less.
  • the anti-reflection substrate may further include a first anti-fingerprint layer formed on the surface of the first anti-reflection layer.
  • the anti-reflection substrate may further include a protective layer formed on another surface of the base substrate.
  • the anti-reflection substrate may further include a first continuous thin film layer formed on the surface of the first anti-reflection layer.
  • the anti-reflection substrate may further include a first anti-fingerprint layer formed on the surface of the first continuous thin film layer.
  • the anti-reflection substrate may further include a first anti-fingerprint layer formed on the surface of the first continuous thin film layer.
  • the anti-reflection substrate may further include a protective layer formed on another surface of the base substrate.
  • the anti-reflection substrate may further include a second anti-reflection layer formed on another surface of the base substrate.
  • the second anti-reflection layer may include a plurality of protrusion structures formed on the other surface of the base substrate using a dry etching method; And an antireflection structure formed on each of the plurality of protrusion structures by deposition of inorganic particles.
  • the anti-reflection substrate may further include a second continuous thin film layer formed on the surface of the second anti-reflection layer.
  • the anti-reflection substrate may further include a second anti-fingerprint layer formed on the surface of the second continuous thin film layer.
  • the present invention has the effect of easily controlling the optical and physical properties of the antireflective substrate by adjusting the etching exposure time before the step of forming the antireflective structure of the antireflective substrate to easily adjust the arrangement interval of the antireflective structure. have.
  • the present invention has the effect of having a water-repellent function to flow down without being absorbed when the water is buried, and a fingerprint function to prevent the fingerprint of the user is buried by providing a fingerprint prevention layer.
  • the present invention has an effect of protecting the surface of the base substrate from the external environment by blocking the permeation of foreign substances that may contaminate the base substrate and the inside of the product by providing a protective layer, and strengthens the hardness of the substrate itself.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an anti-reflection substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an antireflective substrate according to an embodiment of the present invention in order.
  • FIG. 3 is a process diagram sequentially showing a method of manufacturing an antireflective substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a view showing the actual structure of the anti-reflection substrate according to an embodiment of the present invention.
  • 5 and 6 are exemplary diagrams in which a spacing of a plurality of protrusion structures is adjusted according to an etching exposure time according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic view showing a double-sided antireflective substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic view showing a double-sided anti-reflective substrate according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a flowchart sequentially showing a method of manufacturing a double-sided antireflection substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a process diagram sequentially showing a method of manufacturing a double-sided antireflective substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 illustrates an antireflective structure arranged adjacent to one another in accordance with an embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a graph showing a change in the anti-reflection characteristics of the anti-reflection substrate according to the etching exposure time of the base substrate according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 illustrates the actual spacing of the antireflective structure over time of etching exposure of a base substrate in accordance with an embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a view showing the durability measurement results of the anti-reflective substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a view showing durability measurement results according to a known antireflective substrate.
  • first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an antireflective substrate according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a flowchart showing a method of manufacturing an antireflective substrate according to an embodiment of the present invention in sequence
  • FIG. 3 is an embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an antireflective substrate according to an example
  • FIG. 4 is a view illustrating an actual structure of an antireflective substrate according to an embodiment of the present invention.
  • a method of manufacturing an antireflection substrate may include preparing a base substrate 110 (S100), forming a first antireflection layer 141 (S200), and forming a first continuous thin film layer 151.
  • step S300 the first fingerprint protection layer 161 is formed (S400), and the protective layer 170 is formed (S500).
  • the base substrate 110 preparing step (S100) is a step of preparing the base substrate 110 made of a polymer material capable of transmitting light.
  • the forming of the first anti-reflection layer 141 includes forming the plurality of protrusion structures 121 (S210) and forming the anti-reflective structure 131 (S220).
  • Forming the plurality of protrusion structures 121 is a step of forming the plurality of protrusion structures 121 on the surface of the base substrate 110 using a dry etching method.
  • the dry etching method can control the formation of the plurality of protrusion structures 121 more precisely and accurately than in the case of using the wet etching method.
  • the dry etching method may be a plasma dry etching method.
  • the material used in the plasma dry etching method may include at least one of at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He, and N 2 .
  • the surface of the base substrate 110 may be etched to form a plurality of protrusion structures 121.
  • the optical characteristics of the antireflective substrate are controlled by adjusting the diameter and the arrangement interval of the antireflective structure 131 included in the first antireflective layer 141.
  • the diameter of the antireflective structure 131 may be adjusted through control of process conditions and time during the process of forming the antireflective structure 131.
  • the arrangement interval between the antireflective structures 131 may be adjusted by controlling the interval between the plurality of protrusion structures 121 on which the antireflective structures 131 are formed.
  • the spacing of the plurality of protrusion structures 121 may be controlled according to the plasma intensity applied at the same etching exposure time or the etching exposure time required at the same plasma intensity.
  • the etching exposure time refers to the time for etching the surface of the base substrate 110 by exposure to the plasma.
  • FIG. 12 is a graph showing a change in the anti-reflection characteristics of the anti-reflection substrate according to the etching exposure time of the base substrate according to an embodiment of the present invention
  • Figure 13 is a etching exposure time of the base substrate according to an embodiment of the present invention The actual spacing of the antireflective structure 131 is shown.
  • the optical properties of the antireflective substrate are etch exposure time.
  • the etching exposure time at the same plasma intensity is preferably controlled to less than 7 minutes.
  • the interval of the anti-reflective structure 131 measured when the etching exposure time is 1 minute, 3 minutes, 7 minutes was measured as shown in the table below.
  • the plasma intensity was 200W (1.1W / cm 2 ) at an RF frequency of 13.56 MHz. Under these experimental conditions, it was measured that 3.1 x 10 17 ions were reached with an energy of 102 eV in the area of the base substrate surface of 1 cm x 1 cm per minute.
  • the antireflective structure 131 is arranged at intervals of 200 nm or less to increase light transmission efficiency and prevent light reflection. .
  • FIGS. 5 and 6 are exemplary diagrams in which the intervals of the plurality of protrusion structures 121 are adjusted according to the etching exposure time according to the exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 5 and 6, the plurality of protrusion structures 121 may be spaced apart according to the etching exposure time at the same plasma intensity.
  • inorganic particles are formed on the plurality of protrusion structures 121 formed by the dry etching method on the surface of the base substrate 110. By depositing, it is a step of forming the antireflective structure 131 in each of the protrusion structures 121.
  • Inorganic particles metals (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te , At least one of oxides and nitrides of Ti, W, Zn, Zr, and Yb, and compounds of oxide-nitrides (AlON, SiON) and magnesium fluoride (MagneSium fluoride). have.
  • the first anti-reflection layer 141 formed through the inorganic particles described above may be prevented from reflecting light, thereby contributing to the improvement of light transmittance.
  • a method of depositing inorganic particles may use physical vapor deposition (PVD, phySical vapor dipoSition), chemical vapor deposition (CVD, chemical vapor depoSition).
  • PVD physical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • inorganic particles are uniformly deposited in a valley between the plurality of protrusion structures 121 and the plurality of protrusion structures 121.
  • a shadow effect occurs.
  • the inorganic particles reaching the surface of the base substrate 110 made of gas are covered by the plurality of protrusion structures 121 and the antireflective structure 131 growing on the plurality of protrusion structures 121.
  • the valleys between the plurality of protrusion structures 121 may not be reached. In this case, the inorganic particles are deposited only on the plurality of the protruding structures 121.
  • an antireflection structure 131 having a unit particle structure is formed on each of the plurality of protrusion structures 121. 3 and 4, the antireflective structure 131 may be formed in a spherical shape.
  • the arrangement interval of the anti-reflective structure 131 may be adjusted by controlling the arrangement interval between the plurality of protrusion structures 121 by controlling the etching exposure time at the same plasma intensity of the base substrate 110.
  • the first anti-reflection layer 141 including the anti-reflection structure 131 may be disposed adjacent to each other, in order to improve not only optical properties but also physical properties.
  • FIG. 11 shows an antireflective structure 131 disposed adjacent to each other.
  • the antireflective structures 131 are disposed adjacent to each other, physical properties such as strength and durability are increased in comparison with the other cases.
  • an antireflection substrate having antireflective structures 131 disposed adjacent to each other is set as an experimental group, and in FIG. 15, a substrate including a coating layer that is simply continuously formed without forming the antireflection structure 131 is set as a control.
  • the tester conditions were set with a typing rubber eraser (1/4 in diameter) as a friction, a load of 500 grams, a test rate of 40 times / min and a test frequency of 1500 times, and the analysis of the results was performed on each of the first antireflective layers 141. ) And the contact angle of H 2 O before and after the eraser wear test of the coating layer was measured to evaluate the water repellent properties.
  • the first anti-reflective layer 141 including the anti-reflective structure 131 disposed adjacent to each other has a lower contact angle of H 2 O even after the eraser wear test than the continuous coating layer shown in FIG. 15. Small deviations result in better results in physical properties such as strength and durability.
  • the forming of the first continuous thin film layer 151 refers to forming the first continuous thin film layer 151 on the surface of the first antireflection layer 141.
  • the first continuous thin film layer 151 is formed of a material having a continuous surface formed on the surface of the first antireflection layer 141 having a unit particle structure in order to further improve physical properties such as strength, hardness, and durability of the antireflection substrate. Layer.
  • the first continuous thin film layer 151 may be made of the same material as the inorganic particles used to form the antireflection structure 131.
  • the first continuous thin film layer 151 is made of the same material as the anti-reflective structure 131, it is easy to control optical characteristics such as refraction of light, and troublesomeness may be reduced in the manufacturing process.
  • the first continuous thin film layer 151 may be formed to have a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less for controlling optical characteristics.
  • the first continuous thin film layer 151 may be formed by deposition of inorganic particles.
  • various methods for depositing materials such as physical vapor deposition and chemical vapor deposition.
  • the first continuous thin film layer 151 may be formed by forming the first anti-reflection layer 141 by forming liquid polymer particles such as sol-gel or dipping. A method of applying even the space between the anti-reflective structures 131 and the surface of the first anti-reflection layer 141 may be used.
  • Forming the first fingerprint layer 161 has a water-repellent function to flow down without being absorbed when water is buried, and the first fingerprint layer 161 having a fingerprint-proof function so that the user's fingerprint is not buried.
  • the step of forming the surface of the continuous thin film layer 151 The step of forming the surface of the continuous thin film layer 151.
  • the first anti-fingerprint layer 161 may be formed by applying a dry coating method or a wet process coating method.
  • a dry coating method chemical vapor deposition and physical vapor deposition may be used.
  • the protective layer 170 forming step (S500) may be absorbed by the base substrate 110 such as oxygen, water, and the like to contaminate the base substrate 110 and the inside of the product, or may cause a defect of the product. And a protective layer 170 that protects the surface of the base substrate from the external environment and strengthens the hardness of the substrate itself, on the other surface of the base substrate 110.
  • the protective layer 170 may be formed by depositing an oxide of Si, Al, Zn, Ti, or the like by using chemical vapor deposition or physical vapor deposition.
  • FIG. 7 is a schematic view showing a double-sided anti-reflection substrate according to an embodiment of the present invention
  • Figure 8 is a schematic view showing a double-sided anti-reflection substrate according to another embodiment of the present invention.
  • 9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a double-sided anti-reflection substrate according to an embodiment of the present invention
  • Figure 10 is a flow chart showing a method of manufacturing a double-sided anti-reflection substrate according to an embodiment of the present invention in order to be.
  • a method of manufacturing an antireflection substrate may include preparing a base substrate 110 (S100), forming a first antireflection layer 141 (S200), and forming a first continuous thin film layer 151. Step S300, forming the first anti-fingerprint layer 161 (S400), forming the second anti-reflective layer 142 (S600), forming the second continuous thin film layer 152 (S700) and the second anti-fingerprint layer 162 ) Forming step (S800).
  • FIGS. 1 to FIG. Since it was described above with reference to 6, the description is omitted.
  • the step of forming the plurality of protrusion structures 122 on the other surface of the base substrate 110 and the anti-reflection structure 132 may include forming a step, the details are the same as steps S210 and S220.
  • the forming of the second anti-reflection layer 142 may be performed on another surface of the base substrate 110 without passing through steps S210 and S220, as shown in FIG. 7.
  • the second antireflection layer 142 may be formed.
  • Forming the second continuous thin film layer 152 (S700) is the same as step S300, and forming the second fingerprint protection layer (S800) is the same as step S400.
  • step S200, S300 and S400 and (S600, S700 and S800) was expressed as proceeding at the same time, but (steps S200, S300 and S400) proceeds first (S600, S700 and S800) It will be apparent to one skilled in the art that some steps may be performed concurrently, while others may be followed by time if necessary.
  • the antireflection substrate may include a base substrate 110, a first antireflection layer 141, a first continuous thin film layer 151, and a first anti-fingerprint layer 161. And a protective layer 170.
  • Base substrate 110 is a fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39 and polyurethane so as to transmit light It may include at least one selected from (polyiourethane).
  • the base substrate 110 may be made of a transparent polymer material, the base substrate 110 may be easily used in a place such as a display screen of a portable electronic device through which light must be transmitted smoothly.
  • the base substrate 110 may include a reinforcement coating layer formed on the surface.
  • the reinforcement coating layer may improve physical properties such as strength and hardness of the base substrate 110, and may also improve adhesion of the anti-reflective structure 131 stacked on the base substrate 110.
  • the base substrate 110 may also have improved optical and chemical properties due to the formation of the reinforcement coating layer.
  • the polymer paint used to form the reinforcement coating layer may be a polymer paint made of at least one of acrylic, polyurethane, epoxy, and primer paints, and in addition, the above-described effects may be exerted on the base substrate 110. Any polymer paint that can be included in the scope of the present invention.
  • the reinforcement coating layer may be formed by mixing the metal oxide, sulfide, alumina, silica, zirconium oxide, iron oxide, and the like, which are inorganic fine particles, with the above-described polymer paint.
  • the first antireflection layer 141 includes a plurality of protrusion structures 121 and an antireflection structure 131.
  • the plurality of protrusion structures 121 are portions formed by etching the surface of the base substrate 110 by a dry etching method.
  • the plurality of protrusion structures 121 are structures formed on the surface of the base substrate 110 using a dry etching method.
  • the plurality of protrusion structures 121 may have an arrangement interval adjusted according to the control of the etching exposure time.
  • the antireflection structure 131 is formed by depositing inorganic particles on a plurality of protrusion structures 121 formed by a dry etching method on the surface of the base substrate 110 in order to control optical and physical properties of the antireflection substrate. , Each of which is formed in each of the protrusion structures 121.
  • the antireflective structure 131 may be arranged at intervals of 200 nm or less to increase light transmission efficiency and prevent light reflection.
  • the first continuous thin film layer 151 is formed of a material having a continuous surface formed on the surface of the first antireflection layer 141 having a unit particle structure in order to further improve physical properties such as strength, hardness, and durability of the antireflection substrate. Layer.
  • the first continuous thin film layer 151 may be formed to have a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less for controlling optical characteristics.
  • the first anti-fingerprint layer 161 is a layer formed on the surface of the first continuous thin film layer 151 and has a water-repellent function so that the water flows down without being absorbed when the water is buried. .
  • the first anti-fingerprint layer 161 is cyclomethicone (C 8 H 24 Si 4 O 4 ), hexamethyldioxane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), 2-fluoro-6 -Methoxybenzaldehyde, 3-fluoro-4 methoxybenzaldehyde, 4-fluoro-3 methoxybenzaldehyde, 5-fluoro-2 methoxybenzaldehyde, 2-fluoro-6 methoxyphenol, 4-fluoro- It can be formed by depositing at least one of 2 methoxyphenol and 5-fluoro-3 methoxysalicylaldehyde.
  • the first anti-fingerprint layer 161 may include at least one of methyl group (CH 3 ) and carbon fluoride group (CF).
  • the protective layer 170 is absorbed by the base substrate 110 such as oxygen, water, and the like to contaminate the base substrate 110 and the inside of the product, or to prevent foreign substances that may cause a defect of the product, and to prevent external environment. It is a layer that protects the surface of the base substrate from and strengthens the hardness of the substrate itself, and is formed on the other surface of the base substrate 110.
  • the protective layer 170 is an oxide of Si, Al, Zn, Ti. It may include at least any one of.
  • the first anti-fingerprint layer 161 may be formed on the surface of the first anti-reflection layer 141 instead of the first continuous thin film layer 151. That is, the first continuous thin film layer 151 is not formed on the surface of the first reflective ring layer 141, and the first anti-fingerprint layer 161 may be formed immediately.
  • the double-sided antireflection substrate may include a base substrate 110, a first antireflection layer 141, a first continuous thin film layer 151, and a first anti-fingerprint layer 161. And a second antireflection layer 142, a second continuous thin film layer 152, and a second anti-fingerprint layer 162.
  • the first anti-reflection layer 141 is a layer formed on the surface of the base substrate 110 and serves to increase light transmittance and reduce the amount of reflected light.
  • the second anti-reflection layer 142 is a layer formed on the other surface of the base substrate 110, and like the first anti-reflection layer 141, increases the transmittance of light and reduces the amount of reflected light.
  • At least one of the first antireflection layer 141 and the second antireflection layer 142 may include a plurality of protrusion structures 121 and 122 and antireflection structures 131 and 132.
  • the first surface of the base substrate 110 includes a first antireflection layer 141 including a plurality of protrusion structures 121 and an antireflection structure 131, and includes a base substrate (
  • the second surface of the 110 may be provided with an anti-reflection substrate including a plurality of protrusion-like structures 121 and a second anti-reflection layer 141 formed continuously without forming the anti-reflection structure 131.
  • both the first and second surfaces of the base substrate 110 may include the plurality of protrusion structures 121 and 122 and the antireflective structures 131 and 132.
  • An antireflection substrate including a first antireflection layer 141 and a second antireflection layer 142 may be provided.
  • the second continuous thin film layer 152 may be further included on the surface of the second anti-reflection layer 142, and the second continuous thin film layer 152 is the same as the first continuous thin film layer 151 described above.
  • a second fingerprint protection layer 162 may be further included on the surface of the second continuous thin film layer 152, and the second fingerprint protection layer 162 is the same as the first fingerprint protection layer 161 described above.
  • the anti-reflective substrate provided in accordance with one embodiment of the present invention controls the etching exposure time before the forming step of the anti-reflective structures 131 and 132 so that By adjusting the spacing, the diameter of the antireflective structures 131 and 132 and the arrangement spacing can be easily controlled.

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Abstract

반사 방지 기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의하면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하고, 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하며, 무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성한다.

Description

반사 방지 기판 및 그 제조 방법
본 발명은 반사 방지 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 휴대폰, 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 휴대용 전자 기기의 사용이 증대되고 있다. 이러한 휴대용 전자 기기의 화면을 보호하기 위한 화면 보호용 기판은 광학적 특성이 향상되어야 할 필요가 있다. 더 나아가서는 직접 휴대용 전자 기기 화면의 광학적 특성을 향상시킬 수 있는 유연소자의 필요성이 점차 증대되고 있는 실정이다.
현재 휴대용 전자 기기의 화면에 사용되기 위한 유연소자 구현을 위한 기술적 요구는 LCD 및 LED로 대변되는 디스플레이, 박막 및 유기 태양전지에서 광범위하게 대두되고 있다. 이러한 유연소자 구현의 기술적 선결 조건으로 기존 유리 기판이 유연 폴리머기판으로 대체되어야만 한다.
다만, 폴리머 기판은 제품디자인의 자유도를 높이면서도 유리에 준하는 광특성과 화학적 안정성이 요구된다. 반사방지특성의 조절을 통한 광투과성의 향상, 명암의 향상, 고스트 이미지의 제거 등은 투명 폴리머 기판의 상용화를 위한 핵심 요소 기술로 알려져 있다. 폴리머 고유의 물질 특성으로는 완전히 구현될 수 없는 이러한 요소 기술들은 폴리머 기판 표면상의 화학 및 구조적 변형과 이종의 코팅물질의 추가 등을 통해 시도되어 왔다.
이와 관련한 기술로 공개 특허 제2010-0099092호가 있다.
본 발명의 목적은 빛의 반사를 방지하여 투과도를 향상시킴으로써, 광학적 특성이 향상되는 반사 방지 기판을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 지문 방지 특성을 가지는 반사 방지 기판을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이물질 투과를 차단하고 외부 환경으로부터 기판을 보호하는 기능을 가지는 반사 방지 기판을 제공함에 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 및 상기 베이스 기판 표면에 제1 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 반사 방지층을 형성하는 단계는, 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및 무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법이 제공된다.
상기 복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 형성될 수 있다.
상기 반사 방지 구조체는 상기 무기물 입자를 플라즈마 박막 증착하여 형성될 수 있다.
상기 복수의 돌기형 구조체의 배열 간격은 에칭 노출 시간을 제어하여 조절될 수 있다.
상기 에칭 노출 시간은 7분 미만으로 할 수 있다.
상기 제1 반사 방지층은 상기 반사 방지 구조체를 서로 인접하게 배치하여 형성될 수 있다.
상기 반사 방지 구조체는 구 형상일 수 있다.
상기 베이스 기판의 표면에 강화 코팅층이 형성될 수 있다.
상기 베이스 기판은, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 건식 에칭 방법은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용할 수 있다.
상기 무기물 입자는, 금속물질(Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON)및 불화 마그네슘(MagneSium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 제1 반사 방지층 표면에 제1 지문 방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 지문 방지층은, 사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성될 수 있다.
상기 제1 지문 방지층은, 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 베이스 기판의 다른 표면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 보호층은, Si, Al, Zn, Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 제1 반사 방지층의 표면에 제1 연속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 제1 연속 박막층 표면에 제1 지문 방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 연속 박막층은 상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 베이스 기판의 다른 표면에 제2 반사 방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 제1 연속 박막층 표면에 제1 지문 방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 베이스 기판의 다른 표면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은 상기 제2 반사 방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 반사 방지층을 형성하는 단계는, 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 다른 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및 무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판 제조 방법은, 상기 제2 반사 방지층의 표면에 제2 연속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제2 연속 박막층 표면에 제2 지문 방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판 표면에 형성된 제1 반사 방지층을 포함하되, 상기 제1 반사 방지층은, 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및 무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 형성된 반사 방지 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판이 제공된다.
상기 반사 방지 구조체는, 200nm 이하의 간격으로 배열될 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 제1 반사 방지층 표면에 형성된 제1 지문 방지층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 보호층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 제1 반사 방지층의 표면에 형성된 제1 연속 박막층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 제1 연속 박막층 표면에 형성된 제1 지문 방지층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 제1 연속 박막층 표면에 형성된 제1 지문 방지층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 보호층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 제2 반사 방지층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 반사 방지층은, 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 복수의 돌기형 구조체; 및 무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 형성된 반사 방지 구조체를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 제2 반사 방지층의 표면에 형성된 제2 연속 박막층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 반사 방지 기판은 상기 제2 연속 박막층 표면에 형성된 제2 지문 방지층을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 반사 방지 기판의 반사 방지 구조체 형성 단계 이전에 에칭 노출 시간을 조절하여 반사 방지 구조체의 배열 간격을 용이하게 조절함으로써, 반사 방지 기판의 광학적 특성 및 물리적 특성을 용이하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 지문 방지층을 구비함으로써, 물이 묻는 경우 흡수되지 않고 흘러내리도록 하는 발수 기능과 사용자의 지문이 묻어나지 않도록 하는 내지문 기능을 가지는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 보호층을 구비함으로써, 베이스 기판 및 제품의 내부를 오염시킬 수 있는 이물질의 투과를 차단하여 외부환경으로부터 베이스 기판의 표면을 보호하고, 기판 자체의 경도를 강화시키는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판의 실제 구조를 나타낸 도면.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 노출 시간에 따라 복수의 돌기형 구조체의 간격이 조절된 예시도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 나타낸 개략도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 나타낸 개략도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 서로 인접하게 배열된 반사 방지 구조체를 나타낸 도면.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따라, 반사 방지 기판의 반사 방지 특성의 변화를 도시한 그래프.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사 방지 구조체의 실제 간격을 나타낸 도면.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판의 내구성 측정 결과를 도시한 도면.
도 15는 공지의 반사 방지 기판에 따른 내구성 측정 결과를 도시한 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 반사 방지 기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 나타낸 개략도, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도이고 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판의 실제 구조를 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 살펴보면, 반사 방지 기판의 제조 방법은, 베이스 기판(110) 준비 단계(S100), 제1 반사 방지층(141) 형성 단계(S200), 제1 연속 박막층(151) 형성 단계(S300), 제1 지문 방지층(161) 형성 단계(S400) 및 보호층(170) 형성 단계(S500)를 포함한다.
베이스 기판(110) 준비 단계(S100)는, 빛의 투과가 가능한 폴리머 재질로 이루어지는 베이스 기판(110)을 준비하는 단계이다.
제1 반사 방지층(141) 형성 단계(S200)는 복수의 돌기형 구조체(121) 형성 단계(S210) 및 반사 방지 구조체(131) 형성 단계(S220)를 포함한다.
복수의 돌기형 구조체(121) 형성 단계(S210)는, 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(110)의 표면에 복수의 돌기형 구조체(121)를 형성하는 단계이다. 건식 에칭 방법은 습식 에칭 방법을 이용하는 경우에 비하여 보다 정밀하고 정확하게 복수의 돌기형 구조체(121)의 형성을 제어할 수 있다.
건식 에칭 방법은 플라즈마 건식 에칭 방법일 수 있다. 이때, 플라즈마 건식 에칭 방법에 사용되는 물질로는, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
베이스 기판(110)을 상술한 기체 물질 중 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 형성되는 플라즈마에 노출시키면, 베이스 기판(110)의 표면이 에칭되어 복수의 돌기형 구조체(121)가 형성될 수 있다.
이때, 반사 방지 기판의 광학적 특성은 제1 반사 방지층(141)에 포함된 반사 방지 구조체(131)의 직경 및 배열 간격의 조절에 의해 제어된다. 반사 방지 구조체(131)의 직경은 반사방지 구조체(131)가 형성되는 과정 중의 공정 조건과 시간의 제어를 통해 조절될 수 있다. 또한, 반사 방지 구조체(131) 간의 배열 간격은 반사 방지 구조체(131)가 형성되는 복수의 돌기형 구조체(121) 간의 간격의 제어를 통해 조절될 수 있다.
복수의 돌기형 구조체(121)의 간격은 동일한 에칭 노출 시간에서 인가되는 플라즈마 강도나 동일한 플라즈마 강도에서 소요되는 에칭 노출 시간에 따라 제어될 수 있다. 에칭 노출 시간은 플라즈마에 노출하여 베이스 기판(110)의 표면을 에칭하는 시간을 말한다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따라 반사 방지 기판의 반사 방지 특성의 변화를 도시한 그래프이고, 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사 방지 구조체(131)의 실제 간격을 나타낸 도면이다.
도 12에 도시된 것과 같이, 반사 방지 기판의 광학적 특성은 에칭 노출 시간
플라즈마에 노출되지 않은 경우와 유사하게 된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 돌기형 구조체(121)를 형성하기 위하여, 동일한 플라즈마 강도에서의 에칭 노출 시간은 7분 미만으로 제어하는 것이 바람직하다.
한편, 도 13에 도시된 것과 같이, 에칭 노출 시간이 1분, 3분, 7분일 때 측정된 반사 방지 구조체(131)의 간격은 아래의 표와 같이 측정되었다.
표 1
에칭 노출 시간 1분 3분 7분
반사 방지 구조체 간격 76.4nm ~ 99.2nm 108nm ~ 143nm 193nm ~ 195nm
실험 조건은 Ar 플라즈마를 이용하였고, 플라즈마 강도는 RF 주파수 13.56 MHz에서 200W(1.1W/cm2)였다. 이와 같은 실험 조건에서, 1분당 1cm × 1cm의 베이스 기판 표면의 면적에 3.1 × 1017개의 이온들이 102 eV의 에너지를 가지고 도달되는 것으로 측정되었다.
동일한 플라즈마 강도에서의 에칭 노출 시간을 7분미만으로 제어하였을 때, 반사 방지 구조체(131)는 빛의 투과 효율을 증가시키고, 빛의 반사를 방지하기 위하여 200 nm 이하의 간격으로 배열됨을 확인할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 노출 시간에 따라 복수의 돌기형 구조체(121)의 간격이 조절된 예시도이다. 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 돌기형 구조체(121)는 동일한 플라즈마 강도에서 에칭 노출 시간에 따라 간격이 조절될 수 있다.
반사 방지 구조체(131) 형성 단계(S220)는, 도 2 및 도 3에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(110)의 표면에 건식 에칭 방법에 의하여 형성된 복수의 돌기형 구조체(121)에 무기물 입자를 증착시킴으로써, 각각의 돌기형 구조체(121)에 반사 방지 구조체(131)를 형성하는 단계이다.
무기물 입자는, 금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON) 및 불화 마그네슘(MagneSium fluoride)에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상술한 무기물 입자를 통하여 형성된 제1 반사 방지층(141)은 빛의 반사가 방지되어, 빛의 투과율 향상에 기여할 수 있다.
이때, 무기물 입자를 증착하는 방법은, 물리적 증기 증착법(PVD, phySical vapor dipoSition), 화학적 증기 증착법(CVD, chemical vapor depoSition)을 이용할 수 있다.
무기물의 증착 초기에는 복수의 돌기형 구조체(121) 및 복수의 돌기형 구조체(121) 사이의 골짜기(valley)에 균일하게 무기물 입자가 증착된다. 그러나 점차 시간이 지나면서 음영 효과(shadow effect)가 발생한다. 그 결과, 기체로 이루어진 베이스 기판(110)의 표면으로 도달하는 무기물 입자가, 복수의 돌기형 구조체(121) 및 복수의 돌기형 구조체(121) 상부에서 성장하는 반사 방지 구조체(131)에 가려져서, 복수의 돌기형 구조체(121) 사이의 골짜기까지 도달하지 못하게 된다. 이 경우 무기물 입자는 복수의 돌기형 구조체(121)의 상부에만 증착된다.
그 결과, 도 3에 도시된 것과 같이, 복수의 돌기형 구조체(121) 각각의 상부에는 단위 입자 구조를 가지는 반사 방지 구조체(131)가 형성된다. 또한 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이, 반사 방지 구조체(131)는, 구 형상으로 형성될 수 있다.
반사 방지 구조체(131)의 배열 간격은 베이스 기판(110)의 동일한 플라즈마 강도에서 에칭 노출 시간을 제어하여 복수의 돌기형 구조체(121) 간의 배열 간격을 조절함으로써 조절될 수 있음은 상술한 바와 같다.
한편, 반사 방지 구조체(131)를 포함하는 제1 반사 방지층(141)은 광학적 특성의 증대뿐만 아니라 물리적 특성의 향상을 위하여, 반사 방지 구조체(131)를 서로 인접하여 배치될 수 있다.
도 11에는 서로 인접하여 배치되는 반사 방지 구조체(131)가 도시되어 있다. 반사 방지 구조체(131)가 서로 인접하여 배치되는 경우에는, 그렇지 않은 경우에 비하여, 강도 및 내구성과 같은 물리적 특성이 증가된다.
도 14에는 반사 방지 구조체(131)가 서로 인접하여 배치되는 반사 방지 기판을 실험군으로 설정하고, 도 15에는 대조군으로 반사 방지 구조체(131)의 형성 없이 단순히 연속적으로 형성되는 코팅층을 포함하는 기판을 설정하여 지우개 마모 시험기(rubbing tester)를 이용한 내마모 시험기 신뢰성 테스터를 수행한 결과를 도시하고 있다.
테스터 조건은, 타이핑 고무 지우개 (직경 1/4 in)를 마찰자로 하고, 하중은 500 gram, 시험 속도 40회/min 및 시험 횟수 1500회로 설정되었으며, 결과의 분석은 각각의 제1 반사 방지층(141) 및 코팅층의 지우개 마모 시험 전후 H2O의 접촉각을 측정하여 발수 특성을 평가하였다.
도 14에 도시된 것과 같이, 서로 인접하게 배치된 반사 방지 구조체(131)를 포함하는 제1 반사 방지층(141)이, 도 15에 도시된 연속적인 코팅층보다 지우개 마모 시험 후에도 H2O의 접촉각의 편차가 작아 강도 및 내구성과 같은 물리적 특성에 있어서, 보다 우수한 결과를 나타내고 있다.
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 제1 연속 박막층(151) 형성 단계(S300)는, 제1 반사 방지층(141) 표면에 제1 연속 박막층(151)을 형성하는 단계를 말한다.
제1 연속 박막층(151)은 반사 방지 기판의 강도, 경도, 내구성 등의 물리적 특성을 보다 향상시키기 위하여, 단위 입자 구조를 가지는 제1 반사 방지층(141) 표면에 형성되는 연속적인 면을 가지는 물질의 층이다.
제1 연속 박막층(151)은 반사 방지 구조체(131)를 형성하기 위하여 사용되는 무기물 입자와 동일한 물질을 사용하여 이루어질 수 있다. 제1 연속 박막층(151)이 반사 방지 구조체(131)와 동일한 물질을 사용하여 이루어지는 경우에는, 빛의 굴절과 같은 광학적 특성의 제어가 용이하며, 제조 공정에 있어서 번거로움이 감소될 수 있다.
이때 제1 연속 박막층(151)은 광학적 특성의 제어를 위하여 5 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
제1 연속 박막층(151)은 무기물 입자의 증착에 의하여 형성될 수 있다. 증착 방법은 상술한 플라즈마 증착 방법 이외에도, 물리적 증기 증착법, 화학적 증기 증착법 같이 일반적으로 물질의 증착에 이용되는 다양한 방법이 있다.
또한, 제1 연속 박막층(151)을 형성하는 방법으로는 증착 방법 이외에도 솔 겔(Sol-gel), 혹은 디핑(dipping) 등과 같이 액상의 폴리머 입자를, 제1 반사 방지층(141)을 이루고 있는 구 형상의 반사 방지 구조체(131) 사이의 공간 및 제1 반사 방지층(141) 표면에까지 도포하는 방법이 이용될 수도 있다.
제1 지문 방지층(161) 형성 단계(S400)는 물이 묻는 경우 흡수되지 않고 흘러내리도록 발수 기능을 가지며, 사용자의 지문이 묻어나지 않도록 내지문 기능을 가지는 제1 지문 방지층(161)을 제1 연속 박막층(151)의 표면에 형성하는 단계이다.
제1 지문 방지층(161)은 건식 코팅법 또는 습식 공정 코팅법을 적용하여 형성할 수 있다. 그 중 건식 코팅법은 화학적 증기 증착법와 물리적 증기 증착법이 사용될 수 있다.
보호층(170) 형성 단계(S500)는, 산소, 물 등과 같이 베이스 기판(110)에 흡수되어 베이스 기판(110) 및 제품의 내부를 오염시키거나, 제품의 불량을 발생시킬 수 있는 이물의 투과를 방지하며, 외부 환경으로부터 베이스 기판의 표면을 보호하고 기판 자체의 경도를 강화시키는 보호층(170)을, 베이스 기판(110)의 다른 표면에 형성하는 단계이다.
보호층(170)은 화학적 증기 증착법 또는 물리적 증기 증착법을 이용하여 Si, Al, Zn, Ti 등의 산화물을 증착함으로써 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 나타낸 개략도이고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 나타낸 개략도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도이다.
도 7 내지 도 10을 참조하여 살펴보면, 반사 방지 기판의 제조 방법은, 베이스 기판(110) 준비 단계(S100), 제1 반사 방지층(141) 형성 단계(S200), 제1 연속 박막층(151) 형성 단계(S300), 제1 지문 방지층(161) 형성 단계(S400), 제2 반사 방지층(142) 형성 단계(S600), 제2 연속 박막층(152) 형성 단계(S700) 및 제2 지문 방지층(162) 형성 단계(S800)를 포함한다.
여기서, 베이스 기판(110) 준비 단계(S100), 제1 반사 방지층(141) 형성 단계(S200), 제1 연속 박막층 형성 단계(S300) 및 제1 지문 방지층 형성 단계(S400)는 도 1 내지 도 6을 참조하여 앞서 상술하였기 때문에 설명을 생략한다.
제2 반사 방지층(142) 형성 단계(S600)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(110)의 다른 표면에 복수의 돌기형 구조체(122)를 형성하는 단계 및 반사 방지 구조체(132)를 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 구체적인 내용은 단계 S210 및 S220과 동일하다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 제2 반사 방지층(142) 형성 단계(S600)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 단계 S210 및 S220을 거치지 않고 베이스 기판(110)의 다른 표면에 제2 반사 방지층(142)을 형성할 수도 있다.
제2 연속 박막층(152) 형성 단계(S700)는 단계S300과 동일하며, 제2 지문 방지층 형성 단계(S800)는 단계 S400과 동일하다.
한편, 도 9에서는 (단계 S200, S300 및 S400)과 (S600, S700 및 S800)이 동시에 진행되는 것으로 표현되었으나, (단계 S200, S300 및 S400)를 먼저 진행하고 (S600, S700 및 S800)를 진행하거나, 필요에 따라서는 일부 단계는 동시에, 다른 일부 단계는 시간의 선후를 두어 진행될 수 있음은 통상의 기술자에게 자명한 사항이다.
이하에서는 전술한 반사 방지 기판의 제조 방법에 의하여 제조되는 반사 방지 기판에 대하여 설명하기로 한다.
도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반사 방지 기판은 베이스 기판(110), 제1 반사 방지층(141), 제1 연속 박막층(151), 제1 지문 방지층(161) 및 보호층(170)을 포함한다.
베이스 기판(110)은 빛의 투과가 가능하도록, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
베이스 기판(110)은 투명한 폴리머 재질로 이루어 질 수 있으므로, 빛이 원활히 투과되어야 하는 휴대용 전자 기기의 디스플레이 화면과 같은 곳에 용이하게 사용될 수 있다.
이때, 베이스 기판(110)은 표면에 형성되는 강화 코팅층을 포함하여 형성될 수 있다. 강화 코팅층은, 베이스 기판(110)의 강도 및 경도 등과 같은 물리적 특성을 향상시킬 수 있으며, 이후 베이스 기판(110)에 적층되는 반사 방지 구조체(131)의 접착력 역시 향상시킬 수 있다. 또한, 베이스 기판(110)은 강화 코팅층의 형성으로 인하여 광학적 특성과 내화학적 특성이 역시 향상될 수 있다.
강화 코팅층의 형성을 위하여 사용되는 폴리머 도료는, 아크릴계, 폴리우레탄계, 에폭시계 및 프라이머계 도료 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 폴리머 도료일 수 있으며, 이 외에도 베이스 기판(110)에 상술한 효과를 발휘시킬 수 있는 폴리머 도료라면 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있을 것이다.
또한, 강화 코팅층은, 무기 미립자인 금속산화물, 황화물, 알루미나, 실리카, 산화지르코늄, 산화철 등을 상술한 폴리머 도료에 섞어서 형성될 수 있다.
제1 반사 방지층(141)은 복수의 돌기형 구조체(121)와 반사 방지 구조체(131)를 포함한다.
복수의 돌기형 구조체(121)는, 베이스 기판(110)의 표면을 건식 에칭 방법으로 식각하여 형성되는 부분이다.
복수의 돌기형 구조체(121)는 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(110)의 표면에 형성된 구조체이다. 복수의 돌기형 구조체(121)는 에칭 노출 시간의 제어에 따라 배열 간격이 조절될 수 있다.
반사 방지 구조체(131)는, 반사 방지 기판의 광학적 특성 및 물리적 특성의 제어를 위하여, 베이스 기판(110)의 표면에 건식 에칭 방법에 의하여 형성된 복수의 돌기형 구조체(121)에 무기물 입자를 증착시킴으로써, 각각의 돌기형 구조체(121)에 형성된 구조체이다.
반사 방지 구조체(131)는, 빛의 투과 효율을 증가시키고 빛의 반사를 방지하기 위하여 200 nm 이하의 간격으로 배열될 수 있다.
제1 연속 박막층(151)은 반사 방지 기판의 강도, 경도, 내구성 등의 물리적 특성을 보다 향상시키기 위하여, 단위 입자 구조를 가지는 제1 반사 방지층(141) 표면에 형성되는 연속적인 면을 가지는 물질의 층이다.
한편, 제1 연속 박막층(151)은 광학적 특성의 제어를 위하여 5 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
제1 지문 방지층(161)은 물이 묻는 경우 흡수되지 않고 흘러내리도록 발수 기능을 가지며, 사용자의 지문이 묻어나지 않도록 내지문 기능을 가지며, 제1 연속 박막층(151)의 표면에 형성되는 층이다.
이때, 제1 지문 방지층(161)은, 사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성될 수 있다.
또한, 제1 지문 방지층(161)은, 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
보호층(170)은 산소, 물 등과 같이 베이스 기판(110)에 흡수되어 베이스 기판(110) 및 제품의 내부를 오염시키거나, 제품의 불량을 발생시킬 수 있는 이물의 투과를 방지하며, 외부 환경으로부터 베이스 기판의 표면을 보호하고 기판 자체의 경도를 강화시키고, 베이스 기판(110)의 다른 표면에 형성되는 층이다.
이때, 보호층(170)은, Si, Al, Zn, Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의하면, 제1 지문 방지층(161)은 제1 연속 박막층(151)이 아닌 제1 반사 방지층(141)의 표면에 형성될 수도 있다. 즉, 제1 반사 반지층(141)의 표면에 제1 연속 박막층(151)이 형성되지 않고, 곧바로 제1 지문 방지층(161)이 형성될 수 있다.
도 8을 참조하여 살펴보면, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 양면 반사 방지 기판은 베이스 기판(110), 제1 반사 방지층(141), 제1 연속 박막층(151), 제1 지문 방지층(161), 제2 반사 방지층(142), 제2 연속 박막층(152) 및 제2 지문 방지층(162)을 포함한다.
제1 반사 방지층(141)은, 베이스 기판(110)의 표면에 형성되는 층으로, 빛의 투과율을 높이고 반사되는 빛의 양을 감소시키는 역할을 한다. 제 2 반사 방지층(142)은, 베이스 기판(110)의 다른 표면에 형성되는 층으로, 제1 반사 방지층(141)과 마찬가지로, 빛의 투과율을 높이고 반사되는 빛의 양을 감소시키는 역할을 한다.
제1 반사 방지층(141) 및 제2 반사 방지층(142) 중 적어도 어느 하나는, 복수의 돌기형 구조체(121, 122) 및 반사 방지 구조체(131, 132)를 포함하여 이루어질 수 있다.
도 7을 참조하면, 베이스 기판(110)의 제1 면은, 복수의 돌기형 구조체(121) 및 반사 방지 구조체(131)로 이루어지는 제1 반사 방지층(141)을 포함하여 이루어지며, 베이스 기판(110)의 제2 면은 복수의 돌기형 구조체(121) 및 반사 방지 구조체(131)를 형성하지 않고, 연속적으로 형성되는 제2 반사 방지층(141)을 포함하는 반사 방지 기판이 제공될 수 있다.
다시 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따라, 베이스 기판(110)의 제1 면 및 제2 면 모두가 복수의 돌기형 구조체(121, 122) 및 반사 방지 구조체(131, 132)로 이루어지는 제1 반사 방지층(141) 및 제2 반사 방지층(142)을 포함하는 반사 방지 기판이 제공될 수도 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제2 반사 방지층(142) 표면에 제2 연속 박막층(152)이 더 포함될 수 있으며, 제2 연속 박막층(152)은 상술한 제1 연속 박막층(151)과 같다. 또한 제2 연속 박막층(152) 표면에 제2 지문 방지층(162)이 더 포함될 수 있으며, 제2 지문 방지층(162)은 상술한 제1 지문 방지층(161)과 같다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판은, 반사 방지 구조체(131, 132)의 형성 단계 이전에 에칭 노출 시간을 제어하여 복수의 돌기형 구조체(121, 122)의 간격을 조절하여, 반사 방지 구조체(131, 132)의 직경 및 배열 간격 등을 용이하게 제어할 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
110 : 베이스 기판
121, 122 : 돌기형 구조체
131, 132 : 반사 방지 구조체
141 : 제1 반사 방지층
142 : 제2 반사 방지층
151 : 제1 연속 박막층
152 : 제2 연속 박막층
161 : 제1 지문 방지층
162 : 제2 지문 방지층
170 : 보호층

Claims (46)

  1. 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 베이스 기판 표면에 제1 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 제1 반사 방지층을 형성하는 단계는,
    건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및
    무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사 방지 구조체는 상기 무기물 입자를 플라즈마 박막 증착하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기형 구조체의 배열 간격은 에칭 노출 시간을 제어하여 조절되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 에칭 노출 시간은 7분 미만으로 하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층은 상기 반사 방지 구조체를 서로 인접하게 배치하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반사 방지 구조체는 구 형상인 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 표면에 강화 코팅층이 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은,
    불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 건식 에칭 방법은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 무기물 입자는,
    금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON)및 불화 마그네슘(MagneSium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층 표면에 제1 지문 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 지문 방지층은,
    사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 지문 방지층은,
    메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 다른 표면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 보호층은, Si, Al, Zn, Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층의 표면에 제1 연속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 연속 박막층은 상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 연속 박막층 표면에 제1 지문 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 다른 표면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 다른 표면에 제2 반사 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제2 반사 방지층을 형성하는 단계는,
    건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 다른 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및
    무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 제2 반사 방지층의 표면에 제2 연속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제2 연속 박막층 표면에 제2 지문 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
  25. 빛의 투과가 가능한 베이스 기판; 및
    상기 베이스 기판 표면에 형성된 제1 반사 방지층을 포함하되,
    상기 제1 반사 방지층은,
    상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및
    무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 형성된 반사 방지 구조체를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 반사 방지 구조체는 상기 무기물 입자를 플라즈마 박막 증착하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  28. 제25항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층은 상기 반사 방지 구조체를 서로 인접하게 배치하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  29. 제25항에 있어서,
    상기 반사 방지 구조체는 구 형상인 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  30. 제25항에 있어서,
    상기 반사 방지 구조체는, 200nm 이하의 간격으로 배열되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  31. 제25항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 표면에 강화 코팅층이 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  32. 제25항에 있어서,
    상기 베이스 기판은,
    불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  33. 제25항에 있어서,
    상기 무기물 입자는,
    금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON)및 불화 마그네슘(MagneSium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  34. 제25항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층 표면에 형성된 제1 지문 방지층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 제1 지문 방지층은,
    사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  36. 제34항에 있어서,
    상기 제1 지문 방지층은,
    메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  37. 제25항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 보호층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 보호층은, Si, Al, Zn, Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  39. 제25항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층의 표면에 형성된 제1 연속 박막층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 제1 연속 박막층은 상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  41. 제39항에 있어서,
    상기 제1 연속 박막층 표면에 형성된 제1 지문 방지층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  42. 제39항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 보호층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  43. 제25항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 제2 반사 방지층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  44. 제43항에 있어서,
    상기 제2 반사 방지층은,
    건식 에칭 방법을 이용하여 상기 베이스 기판의 다른 표면에 형성된 복수의 돌기형 구조체; 및
    무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 형성된 반사 방지 구조체를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  45. 제43항에 있어서,
    상기 제2 반사 방지층의 표면에 형성된 제2 연속 박막층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 제2 연속 박막층 표면에 형성된 제2 지문 방지층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
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