WO2013098070A1 - Separating device and method for separating a metal or ceramic blank - Google Patents

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WO2013098070A1
WO2013098070A1 PCT/EP2012/075030 EP2012075030W WO2013098070A1 WO 2013098070 A1 WO2013098070 A1 WO 2013098070A1 EP 2012075030 W EP2012075030 W EP 2012075030W WO 2013098070 A1 WO2013098070 A1 WO 2013098070A1
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WO
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blank
wafer
wafer block
cutting
holding
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PCT/EP2012/075030
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Marco Baumeler
Kai Osswald
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Robert Bosch Gmbh
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    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades

Definitions

  • the invention relates to a device and a method for separating a metallic or ceramic blank and a corresponding blank according to the preamble of the independent claims.
  • Disc-shaped elements such as wafer wafers, are needed in large numbers, among others, for semiconductor devices or for photovoltaic solar cells.
  • monocrystalline or multicrystalline wafer wafers are produced from crystalline silicon blocks by means of wire cutting lapping.
  • Document DE102008037653 describes a wire saw apparatus comprising a plurality of cutting wires.
  • the cutting wires thin wafers are cut out of a wafer block.
  • the side surfaces of the wafer block form the later edge surfaces of the cut wafer slices.
  • the wafer block is glued for the cutting process on a glass plate, which in turn on a workpiece carrier of the
  • Wire saw device is glued. When sawing the wafer block in
  • Wafer slices have the cutting wires in the feed direction
  • the disadvantage is that the bonding of the wafer block or the glass plate at the beginning of the cutting process as well as the subsequent detachment of the wafer discs still connected after the bonding after the cutting process is very expensive.
  • the adhesive bond is dissolved, for example, by acetic acid.
  • the pre-cleaning turns out to be due to the contiguous wafer slices equally as very expensive and also very ineffective.
  • the subsequent separation of the wafer slices after a common detachment of all wafer slices is very difficult, especially in view of the adhesion effects acting between the wafer slices. For this reason, a manual separation is required in many cases, which is very costly.
  • the invention is based on the object to simplify the separation of slices of a metallic or ceramic blank, in particular of wafer slices from a wafer block, and to make cheaper economically.
  • the invention is based on removing material from a metallic or ceramic blank by means of a separating device.
  • the separating device comprises a first cutting device for removing material from the blank in a first feed direction.
  • the separating device also has a first cutting device for removing material from the blank in a first feed direction.
  • the separating device also has a first cutting device for removing material from the blank in a first feed direction.
  • Holding device with a holding area In a first method step a), the blank is received in the holding device. Through the holding area the blank is held in the holding device directly or indirectly, in particular for further processing.
  • a further method step b) at least one recess is introduced into the blank by means of the first cutting device.
  • the recess is designed as a introduced from the outside into the blank groove. In particular, it is provided that the groove the
  • the groove in the blank is formed such that it has a groove bottom and two in particular perpendicular to the groove base extending large areas as groove sides within the blank. Furthermore, at least one plate-shaped section is formed in the blank by means of the groove introduced into the blank. The plate-shaped portion preferably has a large area, which comprises the at least one groove side.
  • the inventive method for separating a metallic or ceramic blank, in particular a wafer block in wafer wafers is characterized in that after step b) of the at least one plate-shaped portion formed in the blank in a second
  • Cutting device is separated as a single disc from the blank.
  • a second cutting device possibly simplifies the handling of the blank and increases the precision of the blank by optimizing the blanking process
  • the separation of slices from the blank can be automated. For example, it is possible to receive the separated disc directly after the separation process from the blank by means of a handling device and to carry out subsequent method steps. If, for example, wafer slices are separated from a wafer block, a prewashing of the wafer slices, which is generally necessary, is considerably simplified. In contrast to previously known methods, the prewashing can be carried out with the separated wafer slices. All in all is made possible by the advantages of the method according to the invention primarily focused on high volumes cost-effective production.
  • the first cutting device has at least one cutting wire for removing material from the blank. It has been found that very simple and very economical groove-like recesses can be introduced into a blank by means of a cutting wire. This is especially true when a plurality of mutually parallel, in particular similar recesses are introduced into the blank. The introduction of the recesses is then effected for example by means of at least two cutting wires, which are arranged parallel to each other, wherein a distance of the recesses is provided which corresponds to the thickness of at least one of the blank to be cut disc.
  • the cutting wire on a firmly applied to this cutting means in particular in the form of sharp and hard
  • Particles for example of silicon carbide. It is equally possible to have one
  • the carrier medium for such a cutting agent is, for example, polyethylene glycol.
  • the at least one cutting wire may alternatively be formed as erosion wire.
  • the material removal by means of a cutting wire can be done electrochemically.
  • a combination of these two embodiments is also possible.
  • a wire diameter of the cutting wire is selected, which generates a groove-like recess in the blank with a groove width of 50-200 ⁇ by the material removal in a feed direction.
  • the separation of the at least one plate-shaped portion formed in the blank for example, also by means of a cutting wire.
  • the cutting wire corresponds, for example, to the embodiment as it already is is described above for the first cutting device. It is particularly advantageous to provide an at least approximately force-free separation method. Removal by spark erosion, by electrochemical removal or by laser ablation proves to be particularly favorable. This results in the advantage that no or very little mechanical forces in the
  • the second cutting device has at least one second feed direction compared to the first cutting device, which is preferably oriented perpendicular to the first feed direction.
  • the second feed direction is preferably provided such that the separation of the at least one plate-shaped portion is carried out perpendicular to the introduced groove. The separation takes place by forming a separation line, in particular within a large area of the at least one plate-shaped section. If a plurality of plate-shaped sections are formed in the blank, the separation is preferably carried out starting from a large area of the at least one plate-shaped section. In this way, the singulation of slices occurs sequentially, i. the separation of the plate-shaped sections takes place successively. As a result, handling the separated slices is particularly easy.
  • the forming of the separation line takes place starting from a
  • the connecting plate is then formed as part of the holding device and has a connection region, which is materially connected - in particular by gluing - with the blank. It is advantageous if the holding region is designed as a suction gripper.
  • the suction pad for holding the blank preferably has a flat
  • the groove bottom is formed inside the blank or inside the connecting plate. In this way, the at least one plate-shaped portion formed in the blank remains with the blank directly or over the
  • connection is sufficient to hold the plate-shaped portion for subsequent separation for separating a disc in a stable processing position.
  • Recess is formed in the blank by reaching an end position in the feed direction, wherein the end position is achieved prior to penetration of the first cutting device, such as a cutting wire in the holding region of the holding device.
  • the method according to the invention is particularly well suited for singulating a wafer block in wafer slices.
  • the wafer block is preferably formed from a semiconductor material, in particular containing silicon.
  • it is no longer absolutely necessary to cut the cross section of the wafer block to the essentially square or circular cross section of the wafer block to be cut
  • a cross-sectional area of the wafer block can be provided in this way be that the outer contour of the wafer block comprises only a part of the outer contour of the waferblock to be cut wafer wafer.
  • Waferblocks in particular by separating the at least one formed in the wafer block plate-shaped portion, the rest of the outer contour of the cut out of the wafer block wafer disc and is thus freely designable within certain limits. In this case, a separated residual surface then remains on the wafer block. In this way are also asymmetric
  • Cross sections of the wafer block conceivable. Particularly preferred is a rectangular cross-section. In addition, its corners may be rounded and / or chamfered.
  • a cross section having at most three symmetry axes. The cross section preferably has two axes of symmetry or one axis of symmetry.
  • one part of the outer contour of the separated wafer wafer has a different roughness than the rest of the outer contour. This is due in particular to the fact that one part of the outer contour is determined in particular by another preceding processing method on the wafer block.
  • the outer surfaces of a wafer block arise through
  • the outer surfaces are additionally polished.
  • the roughness of the remainder of the outer contour is formed as a result of the separation process of the wafer wafer from the wafer block.
  • Wafer block singled wafer wafer more than three axes of symmetry Wafer block singled wafer wafer more than three axes of symmetry.
  • the cross-sectional area is, for example, square or circular.
  • FIG. 1b shows the separating device from FIG. 1a in a side view in a sectional view
  • FIG. 2a is a schematic partial section of a second embodiment of the separating device according to the invention together with a wafer block in the front view, and
  • Fig. 2b the separating device of Fig. 2a in the side view in a sectional view.
  • Fig. La and lb show schematically a partial section of a first
  • the separating device 100 comprises in particular a holding device 110.
  • the holding device 110 has a holding region 120.
  • the separating device 100 can accommodate various types of workpieces and can be used for a machining operation relative to the
  • the holding region 120 is designed as a suction gripper.
  • the suction gripper 120 preferably has a flat connection surface 121. This is for holding, for example, a silicon wafer block 10 on a mating surface, wherein the mating surface is an outer surface of the wafer block 10.
  • a holding force F is generated in the suction pad 120 by applying a negative pressure, so that the wafer block 10 is held indirectly.
  • the separating device 100 has a first cutting device 130.
  • the first cutting device 130 comprises at least one cutting wire 131, by means of which recesses 25 are introduced into the wafer block 10 by the removal of material.
  • the at least one cutting wire 131 on its outer surface on an abrasive, which removes material from the wafer block 10 due to a reciprocating motion of the cutting wire 131 in the direction of movement of the cutting wire 131.
  • the separating device 100 comprises an additional second cutting device 140.
  • the second cutting device 140 is formed inter alia by a cutting wire 141, which is designed as an erosion wire.
  • a cutting wire 141 which is designed as an erosion wire.
  • Cutting device 140 are other components of the first and second cutting devices 130, 140, as are well known in wire sawing devices, not shown for the sake of simplicity.
  • FIG. 1a a wafer block 10 held by the holding device 110 is shown in FIG. 1a.
  • the wafer block 10 is rectangular in cross-section, wherein the longitudinal edges of the wafer block are chamfered to different degrees.
  • a first chamfer are two lower chord edges 14 with corresponding
  • Beveled surfaces formed. These opposite are also formed by a second chamfering two upper chamfer edges 15 with corresponding chamfer surfaces. Overall, the described chamfering results in three equal side edges 11, 12 with corresponding side surfaces and a comparatively shorter side edge 13 with a corresponding side surface. The two side edges 12 and the side edges 11 and 13 are respectively
  • the cross section of the wafer block 10 has an overall symmetry line Sl.
  • the side surfaces and the chamfer surfaces of the wafer block 10 are preferred polished. From the wafer block 10 wafer wafers 50 'are isolated by means of the method according to the invention.
  • the process according to the invention is described as shown in FIGS. 1a and 1b.
  • the wafer block 10 is received and held by the holding device 110.
  • the holding device 110 can be positioned, for example, by a positioning unit, not shown, in the three spatial directions. In this way, the connection surface 121 of the suction pad 120 is placed on a side surface of the wafer block 10 and a negative pressure for generating a holding force F is applied.
  • a positioning unit not shown
  • subsequent method step b) is at least one groove 25 in the
  • the at least one cutting wire 131 of the first cutting device 130 is brought into an initial position PI.
  • the initial position PI is defined, for example, by abutment of the at least one cutting wire 131 on the side surface of the wafer block 10, which is formed by the side edge 11.
  • the cutting wire 131 has a defined distance x to the end face of the
  • the distance dimension x defines the thickness d of the at least one wafer wafer 50 'to be cut out of the wafer block 10.
  • the feed direction VI is oriented for example perpendicular to the side surface of the wafer block 10, which is formed by the side edge 13.
  • the groove 25 is formed in the wafer block 10.
  • the cutting wire 131 faces during the
  • the groove 25 in the wafer block 10 is completed when reaching an end position P2 in the feed direction VI.
  • the cutting wire 131 overall has a sufficient distance to the holding region 120 or to the holding device 110.
  • the groove 25 has a groove bottom 21, which follows the curved course of the cutting wire 131.
  • the residual material thickness in the end position P2 is greatest, for example 1 to 2 mm.
  • a plate-shaped portion 50 is formed in the wafer block 10 as a result of the introduced groove 25, which due to the Residual material thickness to the side surface, which is formed by the side edge 13, with the wafer block 10 remains directly connected.
  • further grooves 25 can be made in the wafer block 10 to form further plate-shaped sections 50. This can be done on the one hand by the at least one cutting wire 131, which is brought into a further starting position PI '.
  • the cutting device 130 may have a plurality of cutting wires 131, which are arranged parallel to each other for simultaneous
  • a distance of the grooves 25 is provided, which corresponds to the thickness of at least one of the wafer block 10 to be cut wafer wafer 50 '.
  • Waferblock 10 formed plate-shaped portion 50 by means of the first or by means of the second cutting device 130, 140 as a separated wafer disk 50 'from the wafer block 10 separated.
  • the first or by means of the second cutting device 130, 140 as a separated wafer disk 50 'from the wafer block 10 separated.
  • Cutting wire 141 is brought into an initial position P3.
  • the starting position P3 is defined for example by abutment of the cutting wire 141 on the end face of the wafer block 10.
  • the separation of the wafer wafer 50 'to be separated takes place by forming a separation line 30.
  • the cutting wire 141 is transformed into a second
  • Feed direction V2 moves, wherein the second feed direction V2 in
  • the separation line 30 is rectilinear and in particular formed within the groove 25, so that after forming the separation line 30 of the previously plate-shaped portion 50 as
  • Wafer disk 50 ' is separated. If a plurality of grooves 25 are introduced in the wafer block 10, the further plate-shaped design can be achieved by further movement of the cutting wire 141 in the second feed direction V2
  • Sections 50 are sequentially separated as further wafer wafers 50 '.
  • An isolated wafer slice 50 ' for example, by means of a not shown handling device a further process step, for example, a rinsing process supplied.
  • an initial position P3 'of the cutting wire 141 may be selected, which is defined, for example, as an abutment of the cutting wire 141 on one of the chamfer surfaces of the cutting wire
  • the cutting wire 141 is moved in a second feed direction V2 ', wherein the second feed direction V2' is oriented perpendicular to the first feed direction VI and perpendicular to the side surface of the wafer block 10, which by the
  • the cross-section of a singulated wafer disk 50 has four equally large bevel edges 14 with corresponding chamfer surfaces and four side edges 11, 12 of equal size. One of the side edges 11 has been formed by the separation line 30. Overall, the cross section of the isolated
  • Wafer disk 50 in contrast to the cross section of the wafer block 10 in total
  • FIG. 2 shows an alternative embodiment of the separating device 200.
  • the holding device 110 additionally comprises a connecting plate 150, on the first large surface 151 of which
  • Suction gripper 120 rests with its bearing surface 121. On the second
  • the first cutting device 230 differs from the first cutting device 130 according to FIGS. 1a and 1b in that the cutting wire 231 is formed as an erosion wire. For this reason, via a tension unit 233, the cutting wire 231 as
  • the cathode and the wafer block 20 are connected via the connection plate 150 and an additional anode contact 234 as an anode.
  • Wafer block 20 has a substantially square cross-section, wherein the corners 24 are rounded.
  • the wafer block 20 has a total of four symmetry axes Sl, S2, S3 and S4.
  • the starting position A is defined, for example, by concerns of
  • the at least one formed section 50 is separated at the side edge 23 along the edge of the adhesive layer 160 from the wafer block 20 as a wafer disk 50 '. Possibly. Adhesive residues of the adhesive layer 160 remain on the lateral edge 23, which can be removed by, for example, a detachment process by treatment with acetic acid or the like.
  • the starting position B is, for example, between the above
  • the at least one formed portion 50 is separated together with a part of the bonding plate 150 adhering via the adhesive layer 160.
  • the adhering via the adhesive layer 160 part of the connecting plate 150 can also be removed according to the above detachment process.
  • an initial position C is conceivable, which is provided, for example, still within the end face of the wafer block 20. This is preferably to be provided when a wafer block 10 with a rectangular cross section according to FIGS. 1a and 1b in wafer slices 50 'is to be singulated.
  • the severance line 30 can have an arbitrary course in addition to a straight-line course.
  • a curved course should be provided if a circular wafer slice 50 'is to be singulated out of a correspondingly shaped wafer block.
  • the outer contour of the wafer disk 50 ' is formed by a part of the outer contour of the correspondingly shaped wafer block and by a new part of the outer contour formed by the curved separating line 30.
  • the separation line 30 is in addition to the training by means of a cutting wire 131, 141, 231 further simplified produced by spark erosion through

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

The separating device (100, 200) of the invention relates to a retaining device (110) having a retaining region (120) by means of which a metal or ceramic blank (10, 20) is directly or indirectly held to the retaining device (110). The separating device (100, 200) further comprises a first cutting device (130, 230) with at least one cutting wire (131, 231) for introducing recesses (25) into the blank (10, 20) in a first direction of advancement (VI), whereby at least one plate-like section (50) is formed in the blank (10, 20). According to the invention the separating device (100, 200) has a second cutting device (140) for separating the at least one plate-like section (50) in the form of a wafer (50') from the blank (10, 20).

Description

Titel  title
Vereinzelungsvorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln eines metallischen oder keramischen Rohteiles  Separation device and method for separating a metallic or ceramic blank
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Vereinzeln eines metallischen oder keramischen Rohteiles sowie ein entsprechendes Rohteil gemäß dem Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche. The invention relates to a device and a method for separating a metallic or ceramic blank and a corresponding blank according to the preamble of the independent claims.
Stand der Technik State of the art
Die Herstellung von Bauteilen, insbesondere von elektrischen und/oder elektronischen Bauteilen, erfolgt in vielen einzelnen Prozessschritten. Oftmals steht zu Beginn des Herstellprozesses der Bauteile ein Rohteil. Durch The production of components, in particular of electrical and / or electronic components, takes place in many individual process steps. Often there is a blank at the beginning of the manufacturing process of the components. By
Vereinzelung wird das Rohteil nachfolgend in scheibenförmige Elemente überführt. Singling the blank is subsequently converted into disc-shaped elements.
Scheibenförmige Elemente, wie beispielsweise Waferscheiben, werden in großen Stückzahlen unter anderem für Halbleiterbauelemente oder für photovoltaische Solarzellen benötigt. Hierbei werden beispielsweise aus kristallinen Siliziumblöcken mittels Draht-Trennläppen monokristalline oder multikristalline Waferscheiben hergestellt. Disc-shaped elements, such as wafer wafers, are needed in large numbers, among others, for semiconductor devices or for photovoltaic solar cells. In this case, for example, monocrystalline or multicrystalline wafer wafers are produced from crystalline silicon blocks by means of wire cutting lapping.
Im Dokument DE102008037653 wird eine Drahtsägevorrichtung beschrieben, welche eine Vielzahl von Schneiddrähten umfasst. Mittels der Schneiddrähte werden aus einem Waferblock dünne Waferscheiben herausgetrennt. Dabei bilden die Seitenflächen des Waferblocks die späteren Kantenflächen der geschnittenen Waferscheiben. Der Waferblock ist für den Schneidvorgang auf eine Glasplatte geklebt, welche ihrerseits auf einen Werkstückträger der Document DE102008037653 describes a wire saw apparatus comprising a plurality of cutting wires. By means of the cutting wires thin wafers are cut out of a wafer block. In this case, the side surfaces of the wafer block form the later edge surfaces of the cut wafer slices. The wafer block is glued for the cutting process on a glass plate, which in turn on a workpiece carrier of the
Drahtsägevorrichtung geklebt ist. Beim Zersägen des Waferblocks in Wire saw device is glued. When sawing the wafer block in
Waferscheiben weisen die Schneiddrähte in Vorschubrichtung eine Wafer slices have the cutting wires in the feed direction
Durchbiegung auf. Dies resultiert aus dem Materialwiderstand des Waferblocks ggü. den Schneiddrähten im jeweiligen Abtragungsspalt. Dadurch bedingt erfolgt der Schneidvorgang im Waferblock teilweise bis in die Glasplatte hinein, bevor insbesondere der mittleren Bereich des Waferblocks vollständig durch den Schneiddraht durchtrennt ist. Die aus dem Waferblock herausgetrennten Waferscheiben sind über die Klebestelle mit der Glasplatte und darüber mit dem Werkstückträger verbunden. Deflection on. This results from the material resistance of the wafer block compared to. the cutting wires in the respective Abtragungsspalt. As a result of this, the cutting process in the wafer block partially takes place into the glass plate before, in particular, the middle region of the wafer block is completely severed by the cutting wire. The separated from the wafer block Wafer slices are connected via the splice to the glass plate and above with the workpiece carrier.
Nachteilig ist, dass das Verkleben des Waferblocks bzw. der Glasplatte zu Beginn des Schneidvorgangs sowie das nachträgliche Ablösen der über die Klebung noch zusammenhängenden Waferscheiben nach dem Schneidvorgang sehr aufwendig ist. Die Klebeverbindung wird beispielsweise durch Essigsäure aufgelöst. Das Vorreinigen erweist sich aufgrund der zusammenhängenden Waferscheiben gleichermaßen als sehr aufwendig und zudem als sehr ineffektiv. Das anschließende Vereinzeln der Waferscheiben nach einem gemeinsamen Ablösen aller Waferscheiben wird insbesondere angesichts der zwischen den Waferscheiben wirkenden Adhäsionseffekten sehr erschwert. Aus diesem Grund ist in vielen Fällen ein manuelles Vereinzeln erforderlich, welches jedoch sehr kostenintensiv ist. The disadvantage is that the bonding of the wafer block or the glass plate at the beginning of the cutting process as well as the subsequent detachment of the wafer discs still connected after the bonding after the cutting process is very expensive. The adhesive bond is dissolved, for example, by acetic acid. The pre-cleaning turns out to be due to the contiguous wafer slices equally as very expensive and also very ineffective. The subsequent separation of the wafer slices after a common detachment of all wafer slices is very difficult, especially in view of the adhesion effects acting between the wafer slices. For this reason, a manual separation is required in many cases, which is very costly.
Offenbarung der Erfindung Disclosure of the invention
Vorteile advantages
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, das Vereinzeln von Scheiben aus einem metallischen oder keramischen Rohteil, insbesondere von Waferscheiben aus einem Waferblock, zu vereinfachen und wirtschaftlich günstiger zu gestalten. The invention is based on the object to simplify the separation of slices of a metallic or ceramic blank, in particular of wafer slices from a wafer block, and to make cheaper economically.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Vereinzeln eines metallischen oder keramischen Rohteiles und durch ein entsprechendes Rohteil mit den kennzeichnenden Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. This object is achieved by a device and a method for separating a metallic or ceramic blank and by a corresponding blank with the characterizing features of the independent claims.
Die Erfindung geht davon aus, mittels einer Vereinzelungsvorrichtung Material aus einem metallischen oder keramischen Rohteil abzutragen. Hierfür umfasst die Vereinzelungsvorrichtung eine erste Schneidvorrichtung zum Abtragen von Material aus dem Rohteil in einer ersten Vorschubrichtung. Neben der ersten Schneidvorrichtung weist die Vereinzelungsvorrichtung ferner eine The invention is based on removing material from a metallic or ceramic blank by means of a separating device. For this purpose, the separating device comprises a first cutting device for removing material from the blank in a first feed direction. In addition to the first cutting device, the separating device also has a
Haltevorrichtung mit einem Haltebereich auf. In einem ersten Verfahrensschritt a) wird das Rohteil in der Haltevorrichtung aufgenommen. Durch den Haltebereich wird das Rohteil in der Haltevorrichtung mittelbar oder unmittelbar insbesondere für die weitere Bearbeitung gehalten. In einem weiteren Verfahrensschritt b) wird mittels der ersten Schneidvorrichtung mindestens eine Ausnehmung in das Rohteil eingebracht. Die Ausnehmung wird als eine von außen in das Rohteil eingebrachte Nut ausgeführt. Insbesondere ist vorgesehen, dass die Nut dasHolding device with a holding area. In a first method step a), the blank is received in the holding device. Through the holding area the blank is held in the holding device directly or indirectly, in particular for further processing. In a further method step b), at least one recess is introduced into the blank by means of the first cutting device. The recess is designed as a introduced from the outside into the blank groove. In particular, it is provided that the groove the
Rohteil durchdringt. Hierbei ist dann die Nut im Rohteil derart ausgebildet, dass sie einen Nutgrund sowie zwei insbesondere senkrecht zum Nutgrund sich erstreckende Großflächen als Nutseiten innerhalb des Rohteiles aufweist. Ferner wird mittels der in das Rohteil eingebrachten Nut mindestens ein plattenförmiger Abschnitt im Rohteil ausgebildet. Der plattenförmige Abschnitt weist bevorzugt eine Großfläche auf, welche die zumindest eine Nutseite umfasst. Blank penetrates. Here, then, the groove in the blank is formed such that it has a groove bottom and two in particular perpendicular to the groove base extending large areas as groove sides within the blank. Furthermore, at least one plate-shaped section is formed in the blank by means of the groove introduced into the blank. The plate-shaped portion preferably has a large area, which comprises the at least one groove side.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Vereinzeln eines metallischen oder keramischen Rohteiles, insbesondere eines Waferblocks in Waferscheiben, zeichnet sich dadurch aus, dass nach dem Verfahrensschritt b) der mindestens eine im Rohteil gebildete plattenförmige Abschnitt in einer zweiten The inventive method for separating a metallic or ceramic blank, in particular a wafer block in wafer wafers, is characterized in that after step b) of the at least one plate-shaped portion formed in the blank in a second
Vorschubrichtung mittels der ersten oder mittels einer zweiten Feed direction by means of the first or by means of a second
Schneidvorrichtung als vereinzelte Scheibe vom Rohteil abgetrennt wird. Durch die Verwendung der ersten Schneidvorrichtung für den Abtrennvorgang ist eine besonders kostengünstige Fertigung ermöglicht. Eine zweite Schneidvorrichtung wiederum vereinfacht ggf. die Handhabung des Rohteils und erhöht durch ein auf das Rohteil abgestimmtes optimales Abtrennverfahren die Präzision des Cutting device is separated as a single disc from the blank. By using the first cutting device for the separation process a particularly cost-effective production is possible. A second cutting device, in turn, possibly simplifies the handling of the blank and increases the precision of the blank by optimizing the blanking process
Abtrennens des zumindest einen plattenförmigen Abschnitts vom Rohteil. In beiden Fällen wird aus dem Rohteil zumindest eine vereinzelte Scheibe von hoher Qualität mit großer Prozesssicherheit erhalten Separating the at least one plate-shaped portion from the blank. In both cases, at least one isolated slice of high quality with high process reliability is obtained from the blank
Von besonderem Vorteil ist, dass auf diese Weise das Vereinzeln von Scheiben aus dem Rohteil automatisiert werde kann. Beispielsweise ist es möglich, die vereinzelte Scheibe direkt nach dem Abtrennvorgang vom Rohteil mittels einer Handhabungsvorrichtung aufzunehmen und nachfolgende Verfahrensschritte auszuführen. Werden beispielsweise Waferscheiben aus einem Waferblock vereinzelt, so ist eine in der Regel notwendige Vorwäsche der Waferscheiben deutlich vereinfacht. Im Gegensatz zu bisher bekannten Verfahren kann die Vorwäsche mit den vereinzelten Waferscheiben durchgeführt werden. Insgesamt wird durch die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens eine vor allem auf hohe Stückzahlen ausgerichtete kostengünstige Fertigung ermöglicht. It is of particular advantage that in this way the separation of slices from the blank can be automated. For example, it is possible to receive the separated disc directly after the separation process from the blank by means of a handling device and to carry out subsequent method steps. If, for example, wafer slices are separated from a wafer block, a prewashing of the wafer slices, which is generally necessary, is considerably simplified. In contrast to previously known methods, the prewashing can be carried out with the separated wafer slices. All in all is made possible by the advantages of the method according to the invention primarily focused on high volumes cost-effective production.
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. Vereinzelungsvorrichtung möglich. The measures listed in the dependent claims advantageous refinements and improvements of the method or separation device according to the invention are possible.
In Weiterführung der Erfindung weist die erste Schneidvorrichtung zumindest einen Schneiddraht zum Abtragen von Material aus dem Rohteil auf. Es hat sich gezeigt, dass mittels eines Schneiddrahtes sehr einfach und sehr wirtschaftlich nutartige Ausnehmungen in ein Rohteil eingebracht werden können. Dies gilt insbesondere dann, wenn mehrere parallel zueinander angeordnete, insbesondere gleichartige Ausnehmungen in das Rohteil eingebracht werden. Das Einbringen der Ausnehmungen erfolgt dann beispielsweise mittels mindestens zweier Schneiddrähte, die parallel zueinander angeordnet werden, wobei ein Abstand der Ausnehmungen vorgesehen wird, welcher der Dicke der mindestens einen aus dem Rohteil zu schneidenden Scheibe entspricht. In a continuation of the invention, the first cutting device has at least one cutting wire for removing material from the blank. It has been found that very simple and very economical groove-like recesses can be introduced into a blank by means of a cutting wire. This is especially true when a plurality of mutually parallel, in particular similar recesses are introduced into the blank. The introduction of the recesses is then effected for example by means of at least two cutting wires, which are arranged parallel to each other, wherein a distance of the recesses is provided which corresponds to the thickness of at least one of the blank to be cut disc.
Besonders vorteilhaft weist der Schneiddraht ein auf diesem fest aufgebrachtes Schneidmittel auf, insbesondere in Form von scharfkantigen und harten Particularly advantageously, the cutting wire on a firmly applied to this cutting means, in particular in the form of sharp and hard
Partikeln, zum Beispiel aus Siliziumcarbid. Ebenso möglich ist es, einen Particles, for example of silicon carbide. It is equally possible to have one
Schlicker mit einem derartigen Schneidmittel innerhalb des Abtragespaltes des Schneiddrahtes vorzuhalten. Als Trägermedium für ein derartiges Schneidmittel dient zum Beispiel Polyethylenglykol. Keep slurry with such a cutting means within the Abtragespaltes of the cutting wire. The carrier medium for such a cutting agent is, for example, polyethylene glycol.
Der zumindest eine Schneiddraht kann alternativ als Erodierdraht ausgebildet sein. Ferner kann der Materialabtrag mittels des einen Schneiddrahtes elektrochemisch erfolgen. Darüber hinaus ist ferner eine Kombination aus diesen beiden Ausführungsformen möglich.  The at least one cutting wire may alternatively be formed as erosion wire. Furthermore, the material removal by means of a cutting wire can be done electrochemically. In addition, a combination of these two embodiments is also possible.
Bevorzugt wird ein Drahtdurchmesser des Schneiddrahtes gewählt, welcher durch den Materialabtrag in einer Vorschubrichtung eine nutartige Ausnehmung in dem Rohteil mit einer Nutbreite von 50 - 200 μηη erzeugt.  Preferably, a wire diameter of the cutting wire is selected, which generates a groove-like recess in the blank with a groove width of 50-200 μηη by the material removal in a feed direction.
Das Abtrennen des mindestens einen im Rohteil gebildeten plattenförmigen Abschnitts erfolgt beispielsweise ebenfalls mittels eines Schneiddrahtes. Dabei entspricht der Schneiddraht beispielsweise der Ausführungsform, wie sie bereits oben für die erste Schneidvorrichtung beschrieben ist. Besonders vorteilhaft ist es, ein zumindest annähernd kräftefreies Abtrennverfahren vorzusehen. Als besonders günstig erweist sich ein Abtrennen durch Funkenerosion, durch elektrochemisches Abtragen oder mittels Laserabtragen. Dadurch ergibt sich der Vorteil, dass keine oder nur sehr geringe mechanische Kräfte in den The separation of the at least one plate-shaped portion formed in the blank, for example, also by means of a cutting wire. In this case, the cutting wire corresponds, for example, to the embodiment as it already is is described above for the first cutting device. It is particularly advantageous to provide an at least approximately force-free separation method. Removal by spark erosion, by electrochemical removal or by laser ablation proves to be particularly favorable. This results in the advantage that no or very little mechanical forces in the
abzutrennenden plattenförmigen Abschnitt auftreten. Auf diese Weise ist das Risiko gering, infolge von Rissen und Brüchen durch Materialüberlastung während des Materialabtrages aus dem Rohteil fehlerhaft vereinzelte Scheiben zu erhalten. separated plate-shaped section occur. In this way, the risk is low due to cracks and fractures due to material overload during the removal of material from the blank incorrectly separated discs to get.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die zweite Schneidvorrichtung im Vergleich zur ersten Schneidvorrichtung mindestens eine zweite Vorschubrichtung aufweist, welche bevorzugt senkrecht zur ersten Vorschubrichtung orientiert ist. Dadurch sind Bearbeitungen an dem Rohteil möglich, die ansonsten durch die erste Schneidvorrichtung, insbesondere ohne Umspannen des Rohteiles, nicht oder nur erschwert möglich sind. Des Weiteren ist die zweite Vorschubrichtung bevorzugt derart vorgesehen, dass das Abtrennen des zumindest einen plattenförmigen Abschnittes senkrecht zur eingebrachten Nut ausgeführt wird. Das Abtrennen erfolgt durch Ausbilden einer Abtrennlinie, insbesondere innerhalb einer Großfläche des zumindest einen plattenförmigen Abschnittes. Sind mehrere plattenförmige Abschnitte im Rohteil ausgebildet, so erfolgt das Abtrennen bevorzugt ausgehend von einer Großfläche des zumindest einen plattenförmigen Abschnitts. Auf diese Weise erfolgt das Vereinzeln von Scheiben sequenziell, d.h. das Abtrennen der plattenförmigen Abschnitte erfolgt jeweils nacheinander. Dadurch ist eine Handhabung der vereinzelten Scheiben besonders einfach möglich. It is particularly advantageous if the second cutting device has at least one second feed direction compared to the first cutting device, which is preferably oriented perpendicular to the first feed direction. As a result, machining on the blank are possible, which are otherwise difficult or impossible due to the first cutting device, in particular without re-clamping of the blank. Furthermore, the second feed direction is preferably provided such that the separation of the at least one plate-shaped portion is carried out perpendicular to the introduced groove. The separation takes place by forming a separation line, in particular within a large area of the at least one plate-shaped section. If a plurality of plate-shaped sections are formed in the blank, the separation is preferably carried out starting from a large area of the at least one plate-shaped section. In this way, the singulation of slices occurs sequentially, i. the separation of the plate-shaped sections takes place successively. As a result, handling the separated slices is particularly easy.
Alternativ erfolgt das Ausbilden der Abtrennlinie ausgehend von einer  Alternatively, the forming of the separation line takes place starting from a
Kantenfläche des zumindest einen plattenförmigen Abschnitts. Im Falle mehrerer im Rohteil ausgebildeter plattenförmiger Abschnitte erfolgt das Vereinzeln vonEdge surface of the at least one plate-shaped portion. In the case of a plurality of plate-shaped sections formed in the blank, the separation of
Scheiben dann synchron, d.h. das Abtrennen der plattenförmigen Abschnitte erfolgt gleichzeitig. Then slices synchronously, i. the separation of the plate-shaped sections takes place simultaneously.
In einer vorteilhaften Ausführung ist der Haltebereich der  In an advantageous embodiment, the holding area of the
Vereinzelungsvorrichtung derart ausgebildet, dass das Rohteil durch eine mittels Unterdruck erzeugte Haltekraft unmittelbar oder über eine Verbindungsplatte mittelbar gehalten wird. Bevorzugt ist die Verbindungsplatte dann als Teil der Haltevorrichtung ausgebildet und weist einen Verbindungsbereich auf, welcher stoffschlüssig - insbesondere durch Kleben - mit dem Rohteil verbunden ist. Es ist vorteilhaft, wenn der Haltebereich als Sauggreifer ausgebildet wird. Zusätzlich weist der Sauggreifer zum Halten des Rohteils bevorzugt eine ebene Separation device designed such that the blank by a holding force generated by means of negative pressure directly or via a connecting plate is held indirectly. Preferably, the connecting plate is then formed as part of the holding device and has a connection region, which is materially connected - in particular by gluing - with the blank. It is advantageous if the holding region is designed as a suction gripper. In addition, the suction pad for holding the blank preferably has a flat
Anschlussfläche zur Auflage auf einer Gegenfläche der Verbindungsplatte oder des Rohteils auf. Insgesamt stellt ein derartig ausgebildeter Haltebereich eine sehr einfache und flexible Handhabungsvorrichtung für das Rohteil dar. Pad to rest on a mating surface of the connecting plate or the blank on. Overall, such a trained holding area is a very simple and flexible handling device for the blank.
Grundsätzlich wird beim Einbringen der nutartigen Ausnehmung in dem Rohteil der Nutgrund innerhalb des Rohteiles oder innerhalb der Verbindungsplatte ausgebildet. Auf dieses Weise bleibt der mindestens eine im Rohteil gebildete plattenförmige Abschnitt mit dem Rohteil unmittelbar oder über die Basically, when inserting the groove-like recess in the blank, the groove bottom is formed inside the blank or inside the connecting plate. In this way, the at least one plate-shaped portion formed in the blank remains with the blank directly or over the
Verbindungsplatte mittelbar während des Verfahrenschritts b) verbunden. Die Verbindung ist ausreichend, den plattenförmigen Abschnitt für das sich anschließende Abtrennen zum Vereinzeln einer Scheibe in einer stabilen Bearbeitungsposition zu halten. Connecting plate indirectly during the process step b) connected. The connection is sufficient to hold the plate-shaped portion for subsequent separation for separating a disc in a stable processing position.
Das erfindungsgemäße Verfahren geht allgemein davon aus, dass die The inventive method is generally assumed that the
Ausnehmung im Rohteil durch Erreichen einer Endposition in Vorschubrichtung ausgebildet wird, wobei die Endposition vor einem Eindringen der ersten Schneidvorrichtung, beispielsweise einem Schneiddraht, in den Haltebereich der Haltevorrichtung erreicht wird. Recess is formed in the blank by reaching an end position in the feed direction, wherein the end position is achieved prior to penetration of the first cutting device, such as a cutting wire in the holding region of the holding device.
Neben dem Vereinzeln eines metallischen oder keramischen Rohteils im In addition to the separation of a metallic or ceramic blank in
Allgemeinen, ist das erfindungsgemäße Verfahren besonders gut geeignet für das Vereinzeln eines Waferblocks in Waferscheiben. Der Waferblock ist bevorzugt aus einem Halbleitermaterial gebildet, insbesondere Silizium enthaltend. Vorteilhafterweise ist es dabei nicht mehr zwingend notwendig, den Querschnitt des Waferblocks an den im Wesentlichen quadratischen oder kreisrunden Querschnitt der aus dem Waferblock zu schneidenden In general, the method according to the invention is particularly well suited for singulating a wafer block in wafer slices. The wafer block is preferably formed from a semiconductor material, in particular containing silicon. Advantageously, it is no longer absolutely necessary to cut the cross section of the wafer block to the essentially square or circular cross section of the wafer block to be cut
Waferscheiben von vornherein anzupassen. Vielmehr eröffnet sich die Adjust wafer wafers from the beginning. Rather, the opening up
Möglichkeit, den Querschnitt der Waferscheibe im Rahmen des Possibility to change the cross section of the wafer disk in the context of
erfindungsgemäßen Verfahrens selbst anzupassen. Auf diese Weise kann beispielsweise eine Querschnittsfläche des Waferblocks derart vorgesehen werden, dass die Außenkontur des Waferblocks nur einen Teil der Außenkontur der aus dem Waferblock auszuschneidenden Waferscheibe umfasst. So wird durch Ausbilden einer Abtrennlinie innerhalb der Querschnittsfläche des adapt the method according to the invention itself. In this way, for example, a cross-sectional area of the wafer block can be provided in this way be that the outer contour of the wafer block comprises only a part of the outer contour of the waferblock to be cut wafer wafer. Thus, by forming a separation line within the cross-sectional area of the
Waferblocks, insbesondere durch Abtrennen des zumindest einen im Waferblock ausgebildeten plattenförmigen Abschnitts, der Rest der Außenkontur der aus dem Waferblock auszuschneidenden Waferscheibe gebildet und ist somit in gewissen Grenzen frei gestaltbar. Hierbei verbleibt dann eine abgetrennte Restfläche am Waferblock. Auf diese Weise sind auch asymmetrische Waferblocks, in particular by separating the at least one formed in the wafer block plate-shaped portion, the rest of the outer contour of the cut out of the wafer block wafer disc and is thus freely designable within certain limits. In this case, a separated residual surface then remains on the wafer block. In this way are also asymmetric
Querschnitte des Waferblocks denkbar. Besonders bevorzugt ist ein rechteckiger Querschnitt. Zusätzlich können dessen Ecken abgerundet und/oder angefast sein. Vorteilhaft ist ein Querschnitt, der höchstens drei Symmetrieachsen aufweist. Bevorzugt weist der Querschnitt zwei Symmetrieachsen bzw. eine Symmetrieachse auf. Cross sections of the wafer block conceivable. Particularly preferred is a rectangular cross-section. In addition, its corners may be rounded and / or chamfered. Advantageously, a cross section having at most three symmetry axes. The cross section preferably has two axes of symmetry or one axis of symmetry.
Nach dem Vereinzeln der Waferscheibe aus dem Waferblock weist der eine Teil der Außenkontur der vereinzelten Waferscheibe eine gegenüber dem Rest der Außenkontur unterschiedliche Rauhigkeit auf. Dies ist insbesondere dadurch begründet, dass der eine Teil der Außenkontur insbesondere durch ein anderes vorausgegangenes Bearbeitungsverfahren am Waferblock bestimmt ist. Die Außenflächen eines Waferblocks beispielsweise ergeben sich durch After singulation of the wafer wafer from the wafer block, one part of the outer contour of the separated wafer wafer has a different roughness than the rest of the outer contour. This is due in particular to the fact that one part of the outer contour is determined in particular by another preceding processing method on the wafer block. The outer surfaces of a wafer block, for example, arise through
Beschneiden eines sogenannten Ingots, beispielsweise mittels einer Bandsäge. Oftmals sind die Außenflächen zusätzlich poliert. Die Rauhigkeit des Restes der Außenkontur wird infolge des Abtrennvorgangs der Waferscheibe aus dem Waferblock gebildet. Bevorzugt weist die Querschnittsfläche der aus dem Trimming a so-called ingot, for example by means of a band saw. Often the outer surfaces are additionally polished. The roughness of the remainder of the outer contour is formed as a result of the separation process of the wafer wafer from the wafer block. Preferably, the cross-sectional area of the
Waferblock vereinzelten Waferscheibe mehr als drei Symmetrieachsen auf. Die Querschnittsfläche ist dabei beispielsweise quadratisch oder kreisrund. Wafer block singled wafer wafer more than three axes of symmetry. The cross-sectional area is, for example, square or circular.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen Brief description of the drawings
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnung. Diese zeigt in: Fig. la schematisch einen Teilausschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vereinzelungsvorrichtung zusammen mit einem Waferblock in einer Vorderansicht, Further advantages, features and details of the invention will become apparent from the following description of preferred embodiments and from the drawing. This shows in: 1a schematically shows a partial section of a first embodiment of a separating device according to the invention together with a wafer block in a front view,
Fig. lb die Vereinzelungsvorrichtung aus Fig. la in einer Seitenansicht in einer Schnittdarstellung, FIG. 1b shows the separating device from FIG. 1a in a side view in a sectional view, FIG.
Fig. 2a schematisch einen Teilausschnitt eines zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vereinzelungsvorrichtung zusammen mit einem Waferblock in der Vorderansicht, und 2a is a schematic partial section of a second embodiment of the separating device according to the invention together with a wafer block in the front view, and
Fig. 2b die Vereinzelungsvorrichtung aus Fig. 2a in der Seitenansicht in einer Schnittdarstellung. Fig. 2b, the separating device of Fig. 2a in the side view in a sectional view.
In den Figuren sind funktional gleiche Bauteile jeweils mit gleichen In the figures, functionally identical components are each the same
Bezugszeichen gekennzeichnet. Reference number marked.
Ausführungsformen der Erfindung Embodiments of the invention
Fig. la und lb zeigen schematisch einen Teilausschnitt eines ersten Fig. La and lb show schematically a partial section of a first
Ausführungsbeispieles der erfindungsgemäßen Vereinzelungsvorrichtung 100. Die Vereinzelungsvorrichtung 100 umfasst insbesondere eine Haltevorrichtung 110. Die Haltevorrichtung 110 weist einen Haltebereich 120 auf. Mittels des Haltebereichs 120 kann die Vereinzelungsvorrichtung 100 verschiedenartige Werkstücke aufnehmen und für einen Bearbeitungsvorgang relativ zur The separating device 100 comprises in particular a holding device 110. The holding device 110 has a holding region 120. By means of the holding region 120, the separating device 100 can accommodate various types of workpieces and can be used for a machining operation relative to the
Haltevorrichtung 110 fixieren. Der Haltebereich 120 und das Werkstück sind entsprechend aufeinander angepasst. Im konkreten Beispiel ist der Haltebereich 120 als Sauggreifer ausgebildet. Der Sauggreifer 120 weist bevorzugt eine ebene Anschlussfläche 121 auf. Diese liegt zum Halten beispielsweise eines Silizium -Waferblocks 10 auf einer Gegenfläche auf, wobei die Gegenfläche eine Außenfläche des Waferblocks 10 ist. Innerhalb der Anschlussfläche 121 wird im Sauggreifer 120 durch Anlegen eines Unterdrucks eine Haltekraft F erzeugt, so dass der Waferblock 10 mittelbar gehalten wird. Aus dem Waferblock 10 werden durch einen Materialabtrag Waferscheiben 50' (gestrichelt dargestellt) vereinzelt. Hierfür weist die Vereinzelungsvorrichtung 100 eine erste Schneidvorrichtung 130 auf. Die erste Schneidvorrichtung 130 umfasst mindestens einen Schneiddraht 131, mittels welchem durch den Materialabtrag Ausnehmungen 25 in den Waferblock 10 eingebracht werden. Hierfür weist der mindestens eine Schneiddraht 131 auf seiner Außenfläche ein Schleifmittel auf, welches Material aus dem Waferblock 10 infolge einer Hin- und Herbewegung des Schneiddrahtes 131 in Bewegungsrichtung des Schneiddrahtes 131 abträgt. Fix holding device 110. The holding area 120 and the workpiece are adapted to each other accordingly. In the concrete example, the holding region 120 is designed as a suction gripper. The suction gripper 120 preferably has a flat connection surface 121. This is for holding, for example, a silicon wafer block 10 on a mating surface, wherein the mating surface is an outer surface of the wafer block 10. Within the pad 121, a holding force F is generated in the suction pad 120 by applying a negative pressure, so that the wafer block 10 is held indirectly. From the wafer block 10 wafer wafers 50 'are separated by a removal of material (dashed lines). For this purpose, the separating device 100 has a first cutting device 130. The first cutting device 130 comprises at least one cutting wire 131, by means of which recesses 25 are introduced into the wafer block 10 by the removal of material. For this purpose, the at least one cutting wire 131 on its outer surface on an abrasive, which removes material from the wafer block 10 due to a reciprocating motion of the cutting wire 131 in the direction of movement of the cutting wire 131.
Des Weiteren umfasst die Vereinzelungsvorrichtung 100 eine zusätzliche zweite Schneidvorrichtung 140. Die zweite Schneidvorrichtung 140 wird im konkreten Beispiel unter anderem durch einen Schneiddraht 141 gebildet, welcher als Erodierdraht ausgebildet ist. Mit Hilfe der zweiten Schneidvorrichtung 140 wird - wie in der Beschreibung des erfindungsgemäßen Verfahrens nachfolgend näher beschrieben - zumindest eine Waferscheibe 50' aus dem Waferblock 10 abgetrennt. Neben dem mindestens einen Schneiddraht 131 der ersten Furthermore, the separating device 100 comprises an additional second cutting device 140. In the concrete example, the second cutting device 140 is formed inter alia by a cutting wire 141, which is designed as an erosion wire. With the aid of the second cutting device 140, as described in more detail below in the description of the method according to the invention, at least one wafer disk 50 'is separated from the wafer block 10. In addition to the at least one cutting wire 131 of the first
Schneidvorrichtung 130 und dem Schneiddraht 141 der zweiten Cutting device 130 and the cutting wire 141 of the second
Schneidvorrichtung 140 sind weitere Bestandteile der ersten und der zweiten Schneidvorrichtung 130, 140, wie sie bei Drahtsägevorrichtungen allgemein bekannt sind, aus Gründen der Vereinfachung nicht dargestellt. Cutting device 140 are other components of the first and second cutting devices 130, 140, as are well known in wire sawing devices, not shown for the sake of simplicity.
Ferner ist in Fig. la ein durch die Haltevorrichtung 110 gehaltener Waferblock 10 gezeigt. Der Waferblock 10 ist in seinem Querschnitt rechteckig, wobei die Längskanten des Waferblocks unterschiedlich stark angefast sind. Durch eine erste Anfasung sind zwei untere Fasenkanten 14 mit entsprechenden Furthermore, a wafer block 10 held by the holding device 110 is shown in FIG. 1a. The wafer block 10 is rectangular in cross-section, wherein the longitudinal edges of the wafer block are chamfered to different degrees. By a first chamfer are two lower chord edges 14 with corresponding
Fasenflächen ausgebildet. Diesen gegenüberliegend sind ferner durch eine zweite Anfasung zwei obere Fasenkanten 15 mit entsprechenden Fasenflächen ausgebildet. Ingesamt ergeben sich durch die beschriebene Anfasung drei gleich große Seitenkanten 11, 12 mit entsprechenden Seitenflächen sowie eine im Vergleich kürzere Seitenkante 13 mit entsprechender Seitenfläche. Dabei sind die zwei Seitenkanten 12 und die Seitenkanten 11 und 13 jeweils Beveled surfaces formed. These opposite are also formed by a second chamfering two upper chamfer edges 15 with corresponding chamfer surfaces. Overall, the described chamfering results in three equal side edges 11, 12 with corresponding side surfaces and a comparatively shorter side edge 13 with a corresponding side surface. The two side edges 12 and the side edges 11 and 13 are respectively
gegenüberliegend angeordnet. arranged opposite.
Der Querschnitt des Waferblocks 10 weist insgesamt eine Symmetrielinie Sl auf. Die Seitenflächen und die Fasenflächen des Waferblocks 10 sind bevorzugt poliert ausgeführt. Aus dem Waferblock 10 werden mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens Waferscheiben 50' vereinzelt. The cross section of the wafer block 10 has an overall symmetry line Sl. The side surfaces and the chamfer surfaces of the wafer block 10 are preferred polished. From the wafer block 10 wafer wafers 50 'are isolated by means of the method according to the invention.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird gemäß der Darstellung in den Fig. la und lb beschrieben. Zu Beginn wird in einem Verfahrensschritt a) der Waferblock 10 durch die Haltevorrichtung 110 aufgenommen und gehalten. Die Haltevorrichtung 110 ist beispielsweise durch eine nicht dargestellte Positioniereinheit in den drei Raumrichtungen positionierbar. Auf diese Weise wird die Anschlussfläche 121 des Sauggreifers 120 auf eine Seitenfläche des Waferblocks 10 aufgelegt und ein Unterdruck zum Erzeugen einer Haltekraft F aufgebracht. In einem The process according to the invention is described as shown in FIGS. 1a and 1b. At the beginning, in a method step a), the wafer block 10 is received and held by the holding device 110. The holding device 110 can be positioned, for example, by a positioning unit, not shown, in the three spatial directions. In this way, the connection surface 121 of the suction pad 120 is placed on a side surface of the wafer block 10 and a negative pressure for generating a holding force F is applied. In one
nachfolgenden Verfahrensschritt b) wird zumindest eine Nut 25 in den subsequent method step b) is at least one groove 25 in the
Waferblock 10 eingebracht. Hierzu wird der mindestens eine Schneiddraht 131 der ersten Schneidvorrichtung 130 in eine Ausgangsposition PI gebracht. Die Ausgangsposition PI ist beispielsweise definiert durch ein Anliegen des mindestens einen Schneiddrahtes 131 auf der Seitenfläche des Waferblocks 10, welche durch die Seitenkante 11 gebildet ist. In der Ausgangsposition PI weist der Schneiddraht 131 ein definiertes Abstandsmaß x zur Stirnfläche des Wafer block 10 introduced. For this purpose, the at least one cutting wire 131 of the first cutting device 130 is brought into an initial position PI. The initial position PI is defined, for example, by abutment of the at least one cutting wire 131 on the side surface of the wafer block 10, which is formed by the side edge 11. In the initial position PI, the cutting wire 131 has a defined distance x to the end face of the
Waferblocks 10 auf. Durch das Abstandsmaß x ist die Dicke d der aus dem Waferblock 10 zu schneidenden mindestens einen Waferscheibe 50' festgelegt. Indem der Schneiddraht 131 in eine erste Vorschubrichtung VI bewegt wird, wirdWafer blocks 10 on. The distance dimension x defines the thickness d of the at least one wafer wafer 50 'to be cut out of the wafer block 10. By the cutting wire 131 is moved in a first feed direction VI, is
Material aus dem Waferblock 10 abgetragen. Die Vorschubrichtung VI ist beispielsweise senkrecht zur Seitenfläche des Waferblocks 10 orientiert, welche durch die Seitenkante 13 gebildet ist. Durch den Materialabtrag wird die Nut 25 im Waferblock 10 ausgebildet. Der Schneiddraht 131 weist während des Material removed from the wafer block 10. The feed direction VI is oriented for example perpendicular to the side surface of the wafer block 10, which is formed by the side edge 13. By the material removal, the groove 25 is formed in the wafer block 10. The cutting wire 131 faces during the
Materialabtrages infolge des ihm entgegengebrachten Materialwiderstands einen gekrümmten Verlauf auf. Die Nut 25 im Waferblock 10 ist beim Erreichen einer Endposition P2 in Vorschubrichtung VI fertig gestellt. In der Endposition P2 weist der Schneiddraht 131 insgesamt einen ausreichenden Abstand zum Haltebereich 120 bzw. zur Haltevorrichtung 110 auf. Die Nut 25 weist einen Nutgrund 21 auf, welcher dem gekrümmten Verlauf des Schneiddrahtes 131 folgt. Der NutgrundMaterialabtrages due to the material resistance given him a curved course. The groove 25 in the wafer block 10 is completed when reaching an end position P2 in the feed direction VI. In the end position P2, the cutting wire 131 overall has a sufficient distance to the holding region 120 or to the holding device 110. The groove 25 has a groove bottom 21, which follows the curved course of the cutting wire 131. The groove bottom
21 weist dabei eine Restmaterialstärke bis zur Seitenfläche auf, die durch die Seitenkante 13 gebildet ist. Durch den gekrümmten Verlauf des Nutgrundes 21 ist die Restmaterialstärke in der Endposition P2 am größten, beispielsweise 1 - 2 mm. In der Endposition P2 ist im Waferblock 10 infolge der eingebrachten Nut 25 ein plattenförmiger Abschnitt 50 ausgebildet, welcher auf Grund der Restmaterialstärke zur Seitenfläche, die durch die Seitenkante 13 ausgebildet ist, mit dem Waferblock 10 unmittelbar verbunden bleibt. Erfindungsgemäß können weitere Nuten 25 zur Ausbildung weiterer plattenförmiger Abschnitte 50 im Waferblock 10 eingebracht werden. Dies kann einerseits durch den mindestens einen Schneiddraht 131 erfolgen, welcher in eine weitere Ausgangsposition PI' gebracht wird. 21 has a residual material thickness up to the side surface, which is formed by the side edge 13. Due to the curved course of the groove base 21, the residual material thickness in the end position P2 is greatest, for example 1 to 2 mm. In the end position P2, a plate-shaped portion 50 is formed in the wafer block 10 as a result of the introduced groove 25, which due to the Residual material thickness to the side surface, which is formed by the side edge 13, with the wafer block 10 remains directly connected. According to the invention, further grooves 25 can be made in the wafer block 10 to form further plate-shaped sections 50. This can be done on the one hand by the at least one cutting wire 131, which is brought into a further starting position PI '.
Diese wird ausgehend von der Ausgangsposition PI durch einen Versatz um das Dickenmaß d des Weiteren auszubildenden plattenförmigen Abschnitts 50 definiert.  This is defined starting from the initial position PI by an offset by the thickness dimension d of the plate-shaped section 50 to be formed further.
Ferner kann die Schneidvorrichtung 130 mehrere Schneiddrähte 131 aufweisen, wobei diese parallel zueinander angeordnet werden zur gleichzeitigen  Furthermore, the cutting device 130 may have a plurality of cutting wires 131, which are arranged parallel to each other for simultaneous
Ausbildung mehrerer Nuten 25 im Waferblock 10. Grundsätzlich wird ein Abstand der Nuten 25 vorgesehen, welcher der Dicke der mindestens einen aus dem Waferblock 10 zu schneidenden Waferscheibe 50' entspricht. Training a plurality of grooves 25 in the wafer block 10. Basically, a distance of the grooves 25 is provided, which corresponds to the thickness of at least one of the wafer block 10 to be cut wafer wafer 50 '.
In einem nachfolgendem Verfahrensschritt wird der mindestens eine im In a subsequent process step, the at least one in the
Waferblock 10 gebildete plattenförmige Abschnitt 50 mittels der ersten oder mittels der zweiten Schneidvorrichtung 130, 140 als vereinzelte Waferscheibe 50' vom Waferblock 10 abgetrennt. Hierzu wird im vorliegenden Beispiel der Waferblock 10 formed plate-shaped portion 50 by means of the first or by means of the second cutting device 130, 140 as a separated wafer disk 50 'from the wafer block 10 separated. For this purpose, in the present example, the
Schneiddraht 141 in eine Ausgangsposition P3 gebracht. Die Ausgangsposition P3 ist beispielsweise definiert durch ein Anliegen des Schneiddrahtes 141 auf der Stirnfläche des Waferblocks 10. Ausgehend von der Ausgangsposition P3 erfolgt das Abtrennen der zu vereinzelnden Waferscheibe 50' durch Ausbilden einer Abtrennlinie 30. Hierzu wird der Schneiddraht 141 in eine zweite Cutting wire 141 is brought into an initial position P3. The starting position P3 is defined for example by abutment of the cutting wire 141 on the end face of the wafer block 10. Starting from the starting position P3, the separation of the wafer wafer 50 'to be separated takes place by forming a separation line 30. For this purpose, the cutting wire 141 is transformed into a second
Vorschubrichtung V2 bewegt, wobei die zweite Vorschubrichtung V2 im Feed direction V2 moves, wherein the second feed direction V2 in
Wesentlichen senkrecht zur ersten Vorschubrichtung VI und senkrecht zu Stirnfläche des Waferblocks 10 orientiert ist. Die Abtrennlinie 30 ist geradlinig und insbesondere innerhalb der Nut 25 ausgebildet, so dass nach Ausbilden der Abtrennlinie 30 der zuvor plattenförmig ausgebildete Abschnitt 50 als Is oriented substantially perpendicular to the first feed direction VI and perpendicular to the end face of the wafer block 10. The separation line 30 is rectilinear and in particular formed within the groove 25, so that after forming the separation line 30 of the previously plate-shaped portion 50 as
Waferscheibe 50' vereinzelt wird. Sind mehrere Nuten 25 im Waferblock 10 eingebracht, so kann durch eine weitere Bewegung des Schneiddrahtes 141 in die zweite Vorschubrichtung V2 die weiteren plattenförmig ausgebildeten Wafer disk 50 'is separated. If a plurality of grooves 25 are introduced in the wafer block 10, the further plate-shaped design can be achieved by further movement of the cutting wire 141 in the second feed direction V2
Abschnitte 50 nacheinander als weitere Waferscheiben 50' vereinzelt werden. Eine vereinzelte Waferscheibe 50' wird beispielsweise mittels einer nicht dargestellten Handhabungsvorrichtung einem weiteren Verfahrenschritt, beispielsweise einem Spülvorgang, zugeführt. Sections 50 are sequentially separated as further wafer wafers 50 '. An isolated wafer slice 50 ', for example, by means of a not shown handling device a further process step, for example, a rinsing process supplied.
Alternativ kann zur Ausbildung der Abtrennlinie 30 eine Ausgangsposition P3' des Schneiddrahtes 141 gewählt werden, welche beispielsweise definiert ist als ein Anliegen des Schneiddrahtes 141 auf eine der Fasenflächen des Alternatively, to form the severance line 30, an initial position P3 'of the cutting wire 141 may be selected, which is defined, for example, as an abutment of the cutting wire 141 on one of the chamfer surfaces of the cutting wire
Waferblocks 10, welche durch die Fasenkante 15 gebildet sind. Anschließend wird der Schneiddraht 141 in eine zweite Vorschubrichtung V2' bewegt, wobei die zweite Vorschubrichtung V2' senkrecht zur ersten Vorschubrichtung VI und senkrecht zur Seitenfläche des Waferblocks 10 orientiert ist, welche durch dieWafer block 10, which are formed by the edge of the fang 15. Subsequently, the cutting wire 141 is moved in a second feed direction V2 ', wherein the second feed direction V2' is oriented perpendicular to the first feed direction VI and perpendicular to the side surface of the wafer block 10, which by the
Seitenkante 12 gebildet ist. Bei mehreren im Waferblock 10 eingebrachten Nuten 25 werden nach Ausbilden der Abtrennlinie 30 die zuvor mehreren plattenförmig ausgebildeten Abschnitte 50 gleichzeitig als mehrere Waferscheiben 50' aus dem Waferblock 10 vereinzelt. Side edge 12 is formed. In the case of a plurality of grooves 25 introduced in the wafer block 10, after forming the severance line 30, the previously several plate-shaped sections 50 are simultaneously separated from the wafer block 10 as a plurality of wafer disks 50 '.
Der Querschnitt einer vereinzelten Waferscheibe 50' weist vier gleich große Fasenkanten 14 mit entsprechenden Fasenflächen sowie vier gleich große Seitenkanten 11, 12 auf. Eine der Seitenkanten 11 ist durch die Abtrennlinie 30 ausgebildet worden. Insgesamt weist der Querschnitt der vereinzelten The cross-section of a singulated wafer disk 50 'has four equally large bevel edges 14 with corresponding chamfer surfaces and four side edges 11, 12 of equal size. One of the side edges 11 has been formed by the separation line 30. Overall, the cross section of the isolated
Waferscheibe 50' in Gegensatz zum Querschnitt des Waferblocks 10 insgesamtWafer disk 50 'in contrast to the cross section of the wafer block 10 in total
4 Symmetrielinien Sl, S2, S3 und S4 auf. 4 symmetry lines Sl, S2, S3 and S4.
Fig. 2 zeigt eine alternative Ausführung der Vereinzelungsvorrichtung 200. Im Unterschied zur Ausführung nach Fig. la und lb umfasst die Haltevorrichtung 110 zusätzlich eine Verbindungsplatte 150, auf deren erster Großfläche 151 derFIG. 2 shows an alternative embodiment of the separating device 200. In contrast to the embodiment according to FIGS. 1 a and 1 b, the holding device 110 additionally comprises a connecting plate 150, on the first large surface 151 of which
Sauggreifer 120 mit seiner Auflagefläche 121 aufliegt. Auf der zweiten Suction gripper 120 rests with its bearing surface 121. On the second
Großfläche 152 der Verbindungsplatte 150 ist eine Klebeschicht 160 vorgesehen, mittels welcher ein Silizium-Waferblock 20 mittelbar durch die Haltevorrichtung 110 gehalten wird. Zusätzlich unterscheidet sich die erste Schneidvorrichtung 230 in Vergleich zur ersten Schneidvorrichtung 130 gemäß der Fig. la und lb darin, dass der Schneiddraht 231 als Erodierdraht ausgebildet ist. Aus diesem Grund ist über eine Spannungseinheit 233 der Schneiddraht 231 als Large area 152 of the connecting plate 150 is an adhesive layer 160 is provided, by means of which a silicon wafer block 20 is indirectly held by the holding device 110. In addition, the first cutting device 230 differs from the first cutting device 130 according to FIGS. 1a and 1b in that the cutting wire 231 is formed as an erosion wire. For this reason, via a tension unit 233, the cutting wire 231 as
beispielsweise Kathode und der Waferblock 20 über die Verbindungsplatte 150 und einen zusätzlichen Anodenkontakt 234 als Anode geschaltet. Der For example, the cathode and the wafer block 20 are connected via the connection plate 150 and an additional anode contact 234 as an anode. Of the
Waferblock 20 weist einen im Wesentlichen quadratischen Querschnitt auf, wobei die Ecken 24 verrundet sind. Der Waferblock 20 weist insgesamt vier Symmetrieachsen Sl, S2, S3 und S4 auf. Wafer block 20 has a substantially square cross-section, wherein the corners 24 are rounded. The wafer block 20 has a total of four symmetry axes Sl, S2, S3 and S4.
Das Vereinzeln von Waferscheiben 50' aus dem Waferblock 20 erfolgt im Prinzip entsprechend der Beschreibung des erfindungsgemäßen Verfahrens in den Fig. la und lb. In Unterschied dazu ist in der Endposition P2 des Schneiddrahtes 231 ein Nutgrund 221 nun innerhalb der Verbindungsplatte 150 ausgebildet, so dass der mindesten eine gebildete plattenförmige Abschnitt 50 mit dem Waferblock 20 mittelbar über die Verbindungsplatte 150 beim Einbringen der Nut 25 verbunden bleibt. The separation of wafer disks 50 'from the wafer block 20 takes place in principle according to the description of the method according to the invention in FIGS. 1a and 1b. In contrast, in the end position P2 of the cutting wire 231, a groove bottom 221 is now formed within the connection plate 150, so that the at least one formed plate-shaped portion 50 remains connected to the wafer block 20 indirectly via the connection plate 150 upon insertion of the groove 25.
Das Ausbilden der Abtrennlinie 30 mittels beispielsweise der zweiten The formation of the separation line 30 by means of, for example, the second
Schneidvorrichtung 140 zum Vereinzeln der Waferscheiben 50' kann von verschiedenen Ausgangspositionen A, B, C aus erfolgen. Cutting device 140 for separating wafer disks 50 'can be made from different starting positions A, B, C.
Die Ausgangposition A ist beispielsweise definiert durch Anliegen des The starting position A is defined, for example, by concerns of
Schneiddrahtes 141 der zweiten Schneidvorrichtung 140 auf Höhe der Cutting wire 141 of the second cutting device 140 at the level of
Seitenkante 23, welche an die Klebeschicht 160 angrenzt. Auf diese Weise wird der mindestens eine gebildete Abschnitt 50 an der Seitenkante 23 entlang in Angrenzung zur Klebeschicht 160 vom Waferblock 20 als Waferscheibe 50' vereinzelt. Ggf. verbleiben dabei Klebereste der Klebeschicht 160 an der Seitenkante 23, die durch beispielsweise einen Ablösevorgang durch eine Behandlung mittels Essigsäure oder vergleichbarem entfernt werden können. Die Ausgangsposition B ist beispielsweise zwischen der oben genanntenSide edge 23, which adjoins the adhesive layer 160. In this way, the at least one formed section 50 is separated at the side edge 23 along the edge of the adhesive layer 160 from the wafer block 20 as a wafer disk 50 '. Possibly. Adhesive residues of the adhesive layer 160 remain on the lateral edge 23, which can be removed by, for example, a detachment process by treatment with acetic acid or the like. The starting position B is, for example, between the above
Seitenkante 23 und der Endposition P2 angeordnet. Dies führt dazu, dass der zumindest eine gebildete Abschnitt 50 zusammen mit einem Teil der über die Klebeschicht 160 anhaftenden Verbindungsplatte 150 abgetrennt wird. Der über die Klebeschicht 160 anhaftende Teil der Verbindungsplatte 150 kann ebenso gemäß obigem Ablösevorgang dann entfernt werden. Side edge 23 and the end position P2 arranged. As a result, the at least one formed portion 50 is separated together with a part of the bonding plate 150 adhering via the adhesive layer 160. The adhering via the adhesive layer 160 part of the connecting plate 150 can also be removed according to the above detachment process.
Ferner ist auch eine Ausgangsposition C denkbar, welche beispielsweise noch innerhalb der Stirnfläche des Waferblocks 20 vorgesehen ist. Diese ist bevorzugt dann vorzusehen, wenn ein Waferblock 10 mit einem rechteckigen Querschnitt entsprechend den Fig. la und lb in Waferscheiben 50' vereinzelt werden soll. In diesem Falle wird der Nutgrund 21 wie in Fig. la und lb innerhalb des Furthermore, an initial position C is conceivable, which is provided, for example, still within the end face of the wafer block 20. This is preferably to be provided when a wafer block 10 with a rectangular cross section according to FIGS. 1a and 1b in wafer slices 50 'is to be singulated. In In this case, the groove base 21 as in Fig la and lb within the
Waferblocks 10 ausgebildet. Wafer blocks 10 formed.
Grundsätzlich kann die Abtrennlinie 30 neben einem geradlinigen Verlauf einen beliebigen Verlauf aufweisen. So ist beispielsweise ein gekrümmter Verlauf vorzusehen, wenn aus einem entsprechend geformten Waferblock eine kreisrunde Waferscheibe 50' vereinzelt werden soll. Dabei ist die Außenkontur der Waferscheibe 50' gebildet durch einen Teil der Außenkontur des entsprechend geformten Waferblocks und durch einen durch die gekrümmte Abtrennlinie 30 gebildeten neuen Teil der Außenkontur. In principle, the severance line 30 can have an arbitrary course in addition to a straight-line course. For example, a curved course should be provided if a circular wafer slice 50 'is to be singulated out of a correspondingly shaped wafer block. In this case, the outer contour of the wafer disk 50 'is formed by a part of the outer contour of the correspondingly shaped wafer block and by a new part of the outer contour formed by the curved separating line 30.
Die Abtrennlinie 30 ist neben der Ausbildung mittels eines Schneiddrahtes 131, 141, 231 weiter vereinfacht herstellbar durch Funkenerosion, durch  The separation line 30 is in addition to the training by means of a cutting wire 131, 141, 231 further simplified produced by spark erosion through
elektrochemisches Abtragen oder mittels Laserabtragen. electrochemical removal or laser ablation.

Claims

Ansprüche claims
1. ) Verfahren zum Vereinzeln eines metallischen oder keramischen Rohteiles (10), insbesondere eines Waferblocks in Waferscheiben, mittels einer ersten Schneidvorrichtung (130, 230) zum Abtragen von Material aus dem Rohteil (10), mit nachfolgenden Verfahrensschritten: 1.) Method for separating a metallic or ceramic blank (10), in particular a wafer block in wafer wafers, by means of a first cutting device (130, 230) for removing material from the blank (10), with the following method steps:
a) Aufnehmen und Halten des Rohteils (10) in einer Haltevorrichtung (110) b) Einbringen mindestens einer Ausnehmung (25) in das Rohteil (10) mittels der ersten Schneidvorrichtung (130, 230) in einer ersten Vorschubrichtung (VI), wobei die Ausnehmung (25) als eine von außen in das Rohteil eingebrachte Nut ausgeführt wird durch welche im Rohteil (10) mindestens ein plattenförmiger Abschnitt (50) ausgebildet wird, a) receiving and holding the blank (10) in a holding device (110) b) introducing at least one recess (25) in the blank (10) by means of the first cutting device (130, 230) in a first feed direction (VI), wherein the Recess (25) is designed as a introduced from the outside into the blank groove by which in the blank (10) at least one plate-shaped portion (50) is formed,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
nach dem Verfahrensschritt b) der mindestens eine im Rohteil (10) gebildete plattenförmige Abschnitt (50) in einer zweiten Vorschubrichtung (V2, V2') mittels der ersten oder mittels einer zweiten Schneidvorrichtung (130, 140, 230) als vereinzelte Scheibe (50') vom Rohteil (10) abgetrennt wird.  after the process step b) the at least one in the blank (10) formed plate-shaped portion (50) in a second feed direction (V2, V2 ') by means of the first or by means of a second cutting device (130, 140, 230) as a single disc (50'. ) is separated from the blank (10).
2. ) Verfahren nach Anspruch 2, 2.) Method according to claim 2,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
in der ersten Schneidvorrichtung (130, 230) ein Schneiddraht (131,231) verwendet wird.  in the first cutting device (130, 230) a cutting wire (131, 231) is used.
3. ) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 3.) Method according to one of the preceding claims,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
das Abtrennen des mindestens einen im Rohteil (10) gebildeten plattenförmigen Abschnitts (50) durch Funkenerosion, durch elektrochemisches Abtragen oder mittels Laserabtragen erfolgt.  the separation of the at least one in the blank (10) formed plate-shaped portion (50) by spark erosion, by electrochemical ablation or by laser ablation.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Method according to one of the preceding claims,
dadurch gekennzeichnet, dass characterized in that
das Rohteil (10) mittelbar über eine Verbindungsplatte (150) in der Haltevorrichtung (110) gehalten wird, wobei die Verbindungsplatte (150) in einem Verbindungsbereich stoffschlüssig - insbesondere durch Kleben - mit dem Rohteil (10) verbunden ist the blank (10) indirectly via a connecting plate (150) in the holding device (110) is held, wherein the connecting plate (150) in a connection region cohesively - in particular by gluing - with the blank (10) is connected
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Method according to one of the preceding claims,
dadurch gekennzeichnet, dass characterized in that
im Verfahrensschritt b) der Nutgrund (21, 221) innerhalb des Rohteiles (10) oder innerhalb der Verbindungsplatte (150) ausgebildet wird, so dass der mindestens eine gebildete plattenförmige Abschnitt (50) mit dem Rohteil (10) unmittelbar oder über die Verbindungsplatte (150) mittelbar während des Verfahrenschritts b) verbunden bleibt. in method step b), the groove base (21, 221) is formed within the blank (10) or within the connecting plate (150), so that the at least one formed plate-shaped section (50) with the blank (10) directly or via the connecting plate ( 150) remains indirectly connected during the process step b).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Method according to one of the preceding claims,
dadurch gekennzeichnet, dass characterized in that
die Haltevorrichtung (110) in einem Haltebereich (120) eine Haltekraft (F) mittels Unterdruck erzeugt und das Rohteil (10) unmittelbar oder über die Verbindungsplatte mittelbar durch die Haltekraft (F) gehalten wird. the holding device (110) generates a holding force (F) in a holding region (120) by means of negative pressure and the blank (10) is held directly or indirectly via the connecting plate by the holding force (F).
Verfahren nach Anspruch 6, Method according to claim 6,
dadurch gekennzeichnet, dass characterized in that
der Haltebereich (120) als Sauggreifer ausgebildet wird. the holding region (120) is designed as a suction gripper.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Method according to one of the preceding claims,
dadurch gekennzeichnet, dass characterized in that
mehrere parallel zueinander angeordnete, insbesondere gleichartige Ausnehmungen (25) in das Rohteil eingebracht werden, insbesondere mittels mindestens zwei Schneiddrähten (131, 231), die parallel zueinander angeordnete werden, wobei ein Abstand der Ausnehmungen (25) vorgesehen wird, welcher der Dicke der mindestens einen aus dem Rohteil (10) zu schneidenden Scheibe (50') entspricht. a plurality of mutually parallel, in particular similar recesses (25) are introduced into the blank, in particular by means of at least two cutting wires (131, 231) which are arranged parallel to each other, wherein a distance of the recesses (25) is provided, which the thickness of at least one of the blank (10) to be cut disc (50 ') corresponds.
9. ) Vereinzelungsvorrichtung (100, 200) zum Vereinzeln eines Rohteils (10, 20) in9.) separating device (100, 200) for separating a blank (10, 20) in
Scheiben (50'), insbesondere zum Vereinzeln eines Waferblocks (10, 20) in Waferscheiben (50'), umfassend eine Haltevorrichtung (110) mit einem Haltebereich (120), mittels welchem das Rohteil (10, 20) unmittelbar oder mittelbar an der Haltevorrichtung (110) gehalten wird, und eine erste Schneidvorrichtung (130, 230) mit mindestens einem Schneiddraht (131, 231) zum Abtragen von Material aus dem Rohteil (10, 20) in einer ersten Vorschubrichtung (VI), Washers (50 '), in particular for separating a wafer block (10, 20) into wafer wafers (50'), comprising a holding device (110) with a holding region (120), by means of which the blank (10, 20) directly or indirectly on the Holding device (110) is held, and a first cutting device (130, 230) with at least one cutting wire (131, 231) for removing material from the blank (10, 20) in a first feed direction (VI),
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
die Vereinzelungsvorrichtung (100, 200) eine zweite Schneidvorrichtung (140) zum Abtragen von Material aus dem Rohteil (10, 20) aufweist.  the separating device (100, 200) has a second cutting device (140) for removing material from the blank (10, 20).
10. ) Vereinzelungsvorrichtung nach Anspruch 9, 10.) separating device according to claim 9,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
die zweite Schneidvorrichtung (140) ausgebildet ist, Material aus dem Rohteil (10, 20) mittels eines Schneiddrahtes (141), durch Funkenerosion, mittels Laser oder elektrochemisch abzutragen.  the second cutting device (140) is designed to remove material from the blank (10, 20) by means of a cutting wire (141), by spark erosion, by laser or electrochemically.
11.) Vereinzelungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 9 oder 10, 11.) separating device according to one of claims 9 or 10,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
die zweite Schneidvorrichtung (140) eine zweite Vorschubrichtung (V2, V2') aufweist, wobei die zweite Vorschubrichtung (V2) im Wesentlichen senkrecht zur ersten Vorschubrichtung (VI) orientiert ist.  the second cutting device (140) has a second feed direction (V2, V2 '), wherein the second feed direction (V2) is oriented substantially perpendicular to the first feed direction (VI).
12.) Vereinzelungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, 12.) separating device according to one of claims 9 to 11,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
der Haltebereich (120) derart ausgebildet ist, dass das Rohteil (10, 20) durch eine mittels Unterdruck erzeugte Haltekraft (F) unmittelbar oder über eine Verbindungsplatte (150) mittelbar gehalten werden kann, wobei die the holding region (120) is designed such that the blank (10, 20) can be held indirectly by a retaining force (F) generated by means of negative pressure directly or indirectly via a connecting plate (150), wherein the
Verbindungsplatte (150) als Teil der Haltevorrichtung (110) ausgebildet ist und einen Verbindungsbereich aufweist, welcher stoffschlüssig - insbesondere durch Kleben - mit dem Rohteil (10, 20) verbindbar ist. ) Waferblock (10), insbesondere zur Verwendung in einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, Connecting plate (150) is formed as part of the holding device (110) and has a connection region, which is cohesively - in particular by gluing - with the blank (10, 20) is connectable. ) Wafer block (10), in particular for use in a method according to one of claims 1 to 8,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
der Querschnitt des Waferblocks (10) höchstens drei Symmetrieachsen (Sl, S2, S3) aufweist.  the cross section of the wafer block (10) has at most three symmetry axes (Sl, S2, S3).
) Waferblock nach Anspruch 13, ) Wafer block according to claim 13,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
die Außenkontur (11, 12, 13, 14, 15) des Waferblocks (10) einen Teil der Außenkontur der aus dem Waferblock (10) auszuschneidenden Waferscheibe (50') umfasst und eine Abtrennlinie (30) innerhalb des Querschnittsfläche des Waferblocks (10) den Rest der Außenkontur der aus dem Waferblock (10) auszuschneidenden Waferscheibe (50') bildet, wobei die Querschnittsfläche der aus dem Waferblock (10) auszuschneidenden Waferscheibe (50') insbesondere mehr als drei Symmetrieachsen aufweist.  the outer contour (11, 12, 13, 14, 15) of the wafer block (10) comprises a part of the outer contour of the wafer wafer (50 ') to be cut out of the wafer block (10) and a tear-off line (30) within the cross-sectional area of the wafer block (10) the rest of the outer contour of the waferboard (50 ') to be cut out of the wafer block (10), the cross-sectional area of the wafer wafer (50') to be cut out of the wafer block (10) having in particular more than three axes of symmetry.
) Waferscheibe, insbesondere hergestellt aus einem Waferblock (10) nach einem der Ansprüche 13 oder 14, ) Wafer wafer, in particular produced from a wafer block (10) according to one of claims 13 or 14,
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
ein Teil der Außenkontur (11) der Waferscheibe (50') eine gegenüber dem Rest der Außenkontur unterschiedliche Rauhigkeit aufweist, wobei die Rauhigkeit des einen Teils der Außenkontur insbesondere aufgrund eines vorausgegangenen Bearbeitungsverfahrens am Waferblock bestimmt ist und die Rauigkeit des Restes der Außenkontur infolge eines Abtrennvorgangs der Waferscheibe (50') aus dem Waferblock (10) gebildet ist.  a part of the outer contour (11) of the wafer disc (50 ') has a different roughness from the rest of the outer contour, wherein the roughness of one part of the outer contour is determined on the wafer block, in particular due to a previous processing method and the roughness of the rest of the outer contour as a result of a separation process the wafer disk (50 ') is formed from the wafer block (10).
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