WO2013086750A1 - 一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板（2）、包括其的液晶显示装置以及该阵列基板（2）的制造方法。该阵列基板（2），包括绝缘层（22）及密布有多个像素电极（23）的电极层，其中，该阵列基板（2）存在有多个场变区域（4），该场变区域（4）的绝缘层（22）的厚度与其他区域的绝缘层（22）的厚度不一致，该像素电极（23）在场变区域（4）与其他区域内都是可导通的。由于场变区域（4）仍然存在电极作用，因此在该区域（4）内仍然存在较强的电场作用，可以减少保持垂直状态的液晶分子数量，减小黑点的大小，从而提高亮度，提高了大视角显示效果。

Description

一种阵列基板、 液晶显示装置及阵列基板的制造方法
【技术领域】
本发明涉及液晶显示领域， 更具体的说， 涉及一种阵列基板、 液晶显示装 置及阵列基板的制造方法。
【背景技术】
现在被广泛使用的 VA型液晶 （Vertical Alignment Mode ) 在断电时液晶分 子定向垂直于阵列基板排列并且轴向对称， 背光源不能通过， 当在电场作用时， 其液晶分子会在电场平面内发生偏转， 但是偏转方向保持一致， 导致显示画面 在不同角度观察时呈现对比度降低甚至灰阶翻转的现象。为了？文善 VA型液晶在 大视角的显示效果，美国专利 US6822715(B2)从像素电极设计角度提出了？文善方 案： 如图 1所示， 在像素电极上制作若干 "孔" 状开口 24a, 并以一定几何形状 排列， 当上下板电极间施加电场时， 液晶分子在这些 "孔" 状开口 24a之间向 特定的不同方向偏转， 使得大视角显示效果提高。
该种方案的缺陷在于， "孔" 状开口 24a直接切断了电极， 因此开口 24a均 不起电极的作用， 当上下板施加电压时， 上述开口 24a 的中心处电场作用几乎 为零， 因此液晶分子基本垂直于阵列基板， 会出现如图 2所示的黑点， 降低亮 度， 影响显示品质。 而且， "孔" 状开口的尺寸对液晶显示效果影响明显， 因此 "孔" 状开口的尺寸必须精确地控制在一个非常小的范围区间内， 稍有偏差对 其显示效果的影响都非常明显， 加工的精准度要求非常高。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题之一是提供一种可提高 VA 液晶大视角显示效 果、 且像素电极显示无黑点的液晶显示装置的阵列基板。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种阵列基板， 其包括绝缘层及密布有多个像素电极的电极层； 其中， 所 述阵列基板存在有多个场变区域， 所述场变区域的绝缘层的厚度与其他区域的 绝缘层的厚度不一致 , 所述像素电极在场变区域与其他区域内都是可导通的。
优选的， 所述阵列基板的绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层， 所述 第一绝缘层存在有多个凹陷区域， 相应的， 所述电极层也在凹陷区域向内凹陷， 所述凹陷区域即为所述场变区域。 此为一种具体实施方式。
优选的， 所述阵列基板包括有设置在电极层底部的第一绝缘层， 其还包括 覆盖在电极层上方的第二绝缘层， 所述第二绝缘层存在有多个凹陷区域， 所述 凹陷区域即为所述场变区域。 此为另一种具体实施方式。
优选的， 所述阵列基板的绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层， 所述 第一绝缘层存在有多个凸起区域， 相应的， 所述电极层也在凸起区域内向上凸 起， 所述凸起区域即为所述场变区域。 此为又一种具体实施方式。
优选的， 所述阵列基板包括有设置在电极层底部的第一绝缘层， 其还包括 覆盖在电极层上方的第二绝缘层， 所述第二绝缘层存在有多个凸起区域， 所述 凸起区域即为所述场变区域。 此为又一种具体实施方式。
本发明所要解决的技术问题之二是提供一种可提高 VA 液晶大视角显示效 果、 且像素电极显示无黑点的液晶显示装置。 所述的液晶显示装置包括上述的 阵列基板。
本发明所要解决的技术问题之三是提供一种可提高 VA 液晶大视角显示效 果、 且像素电极显示无黑点的液晶显示装置的阵列基板的制造方法， 包括以下 步骤：
A: 按公知方法在第一透明基板上覆盖第一绝缘层；
B: 对第一绝缘层进行蚀刻， 使第一绝缘层部分区域的厚度与其他区域的绝 缘层的厚度不同， 形成场变区域；
C: 按公知方法依次在第一绝缘层表面制作像素电极和第一配向膜。
所述的液晶显示装置的阵列基板的制造方法也可以包括以下步骤：
A: 按公知方法依次在第一透明基板上覆盖第一绝缘层和像素电极； B: 像素电极上覆盖第二绝缘层， 对第二绝缘层进行蚀刻， 使第二绝缘层部 分区域的厚度与其他区域的绝缘层的厚度不同， 形成场变区域；
C: 在第二绝缘层上面覆盖第一配向膜。
本发明由于采用了场变区域， 在通电的时候， 场变区域表面的像素电极与 反电极之间的距离与其他区域的像素电极与反电极之间的距离不同， 场变区域 表面的电场强度跟所在电极表面的电场强度不一致， 造成该区域附近的电力线 倾斜， 液晶分子会围绕该场变区域向特定的不同方向偏转， 扩大了显示视角； 而场变区域仍然存在电极作用， 因此在该区域内仍然存在较强的电场作用， 可 以减少保持垂直状态的液晶分子数量， 降低黑点的大小， 从而提高亮度， 提高 了大视角显示效果。 而且， 相对于 "孔" 状开口来说， 由于场变区域仍然存在 电极作用， 场变区域的范围大小可以更为灵活， 而且可以根据具体的显示情况 对场边区域的范围大小进行调整， 可控程度更为好。
【附图说明】
图 1是现有技术像素电极的示意图；
图 2是现有技术像素电极在正交偏振状态下的偏振光显微镜下的效果图； 图 3是本发明实施例一的结构示意图；
图 4是本发明实施例二的结构示意图；
图 5是本发明实施例三的结构示意图；
图 6是本发明实施例四的结构示意图；
图 7是本发明实施例一至四中像素电极的示意图；
图 8是本发明实施例一〜四中像素电极在正交偏振状态下的偏振光显微镜下 的效果图。
其中： 1、 滤色基板； 11、 第二透明基板； 12、 彩色滤光板； 13、 反电极； 14、 第二配向膜； 2、 阵列基板； 21、 第一透明基板； 22、 第一绝缘层； 23、 像 素电极； 24、第一配向膜； 25、第二绝缘层； 3、液晶分子； 4、场变区域； 51~53、 子像素区域； 6、 薄膜晶体管； 61、 栅极扫描线； 62、 数据扫描线。 【具体实施方式】
一种液晶显示装置， 包括阵列基板 2和滤色基板 1 , 所述阵列基板上具有多 个薄膜晶体管， 每个薄膜晶体管对应一个像素电极； 所述滤色基板 1 上有跟像 素电极对应产生电场的反电极； 所述像素电极和反电极之间填充有液晶分子； 所述阵列基板存在有多个场变区域， 所述场变区域的绝缘层的厚度与其他区域 的绝缘层的厚度不一致， 所述像素电极在场变区域与其他区域内都是可导通的。 由于釆用了场变区域， 在通电的时候， 场变区域表面的电场强度跟所在电极表 面的电场强度不一致， 造成该区域附近的电力线倾斜， 液晶分子会围绕该场变 区域向特定的不同方向偏转， 扩大了显示视角； 而场变区域仍然存在电极作用， 因此在该区域内仍然存在较强的电场作用， 可以减少保持垂直状态的液晶分子 数量， 降低黑点的大小， 从而提高亮度， 提高了大视角显示效果。
下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明：
实施例一： 如图 3所示， 所述阵列基板 2包括第一透明基板 21、 覆盖在第 一透明基板 21表面的第一绝缘层 22、 覆盖在第一绝缘层 22表面的形成有多个 像素电极 23的电极层、 覆盖在像素电极 23表面的第一配向膜 24; 所述滤色基 板 1 包括第二透明基板 11、 覆盖在第二透明基板 11表面的彩色滤光板 12、 覆 盖在彩色滤光板 12表面的反电极 13、 覆盖在反电极 13表面的第二配向膜 14。 所述第一绝缘层 22上存在有多个凹陷区域， 相应的， 所述电极层和第一配向膜 24也在凹陷区域向内凹陷， 所述凹陷区域即为所述场变区域 4。 场变区域 4表 面的像素电极 23与反电极 13之间的距离大于其他区域的像素电极 23与反电极 13之间的距离。 当施加电压时， 由于场变区域 4凹陷， 场变区域 4的电场不同 于周边区域的电场， 场变区域 4周边的电场将发生倾斜， 附近的液晶分子 3 围 绕场变区域 4呈放射状排列。
该液晶显示器阵列基板 2的制作方法包括以下步骤： A: 按公知方法在第一透明基板 21上覆盖第一绝缘层 22;
B: 对第一绝缘层 22进行蚀刻， 使第一绝缘层 22部分区域的厚度小于其他 区域的绝缘层的厚度， 形成场变区域 4;
C: 按公知方法依次在第一绝缘层 22表面制作像素电极 23和第一配向膜
24。
如图 7所示， 每个像素电极 23对应一个薄膜晶体管 6， 以及驱动薄膜晶体 管 6导通 /关闭的栅极扫描线 61、 驱动像素电极 23的数据扫描线 62。 场变区域 4分布在像素电极 23中， 可以为凹孔、 凹槽等其它凹陷形状， 相邻两个场变区 域 4中心连线形成了正方形的子像素区 51、 53 , 两个正方形的子像素区中间是 矩形的子像素区 52。 通电时， 场变区域 4附近的液晶分子 3呈放射排列， 围绕 四边形或矩形的子像素区的中心对称（如图 8所示）， 因此在各个方向观看都能 取得较好的视觉效果， 由于正方形具有四重对称结构， 可以取得更好的对称效 果， 在不同视角观看的一致性较好， 因此子像素区的形状优选正方形及其他多 边形结构。
在通电的时候， 场变区域 4表面的电场强度跟所在电极表面的电场强度不 一致， 造成该区域附近的电力线倾斜， 液晶分子 3会围绕该场变区域 4向特定 的不同方向偏转， 扩大了显示视角； 而场变区域 4仍然存在电极作用， 因此在 该区域内仍然存在较强的电场作用， 可以减少保持垂直状态的液晶分子 3数量， 降低黑点的大小， 从而提高亮度， 提高了大视角显示效果。 而且， 相对于 "孔" 状开口来说， 由于场变区域仍然存在电极作用， 场变区域的范围大小可以更为 灵活， 而且可以根据具体的显示情况对场边区域的范围大小进行调整， 可控程 度更为好。
实施例二： 如图 4所示， 所述阵列基板 2包括第一透明基板 21、 覆盖在第 一透明基板 21表面的第一绝缘层 22、 覆盖在第一绝缘层 22表面形成有多个像 素电极 23的电极层、 增设覆盖在电极层表面的第二绝缘层 25、 及覆盖在第二绝 缘层 25表面的第一配向膜 24; 所述滤色基板 1 包括第二透明基板 11、 覆盖在 第二透明基板 11表面的彩色滤光板 12、覆盖在彩色滤光板 12表面的反电极 13、 覆盖在反电极 13表面的第二配向膜 14。 所述第二绝缘层 25存在有多个凹陷区 域， 第一配向膜 24也在该区域凹陷， 所述凹陷区域即为所述场变区域 4， 场变 区域 4的表面与反电极 13之间的距离大于其他区域的表面与反电极 13之间的 距离。 当施加电压时， 因为反电极和电极层之间的第二绝缘层 25的厚度不同， 因此在凹陷区域形成场变区域 4， 场变区域 4的电场不同于周边区域的电场， 场 变区域 4的电场将发生倾斜， 附近的液晶分子 3围绕场变区域 4呈放射状排列。
该液晶显示装置阵列基板 2的制造方法， 包括以下步骤：
A: 按公知方法依次在第一透明基板 21上覆盖第一绝缘层 22和像素电极
23;
B: 像素电极 23上覆盖第二绝缘层 25 , 对第二绝缘层 25进行蚀刻， 使第 二绝缘层 25部分区域的厚度小于其他区域的绝缘层的厚度， 形成场变区域 4;
C: 在第二绝缘层 25上面覆盖第一配向膜 24。
如图 7所示， 每个像素电极 23对应一个薄膜晶体管 6, 以及驱动薄膜晶体 管 6导通 /关闭的栅极扫描线 61、 驱动像素电极 23的数据扫描线 62。 场变区域 4分布在像素电极 23中， 可以为凹孔、 凹槽等其它凹陷形状， 相邻两个场变区 域 4中心连线形成了正方形的子像素区 51、 53 , 两个正方形的子像素区中间是 矩形的子像素区 52。 通电时， 场变区域 4附近的液晶分子 3呈放射排列， 围绕 四边形或矩形的子像素区的中心对称（如图 8所示）， 因此在各个方向观看都能 取得较好的视觉效果， 由于正方形具有四重对称结构， 可以取得更好的对称效 果， 在不同视角观看的一致性较好， 因此子像素区的形状优选正方形及其他多 边形结构。
在通电的时候， 场变区域 4表面的电场强度跟所在电极表面的电场强度不 一致， 造成该区域附近的电力线倾斜， 液晶分子 3会围绕该场变区域 4向特定 的不同方向偏转， 扩大了显示视角； 而场变区域 4仍然存在电极作用， 因此在 该区域内仍然存在较强的电场作用， 可以减少保持垂直状态的液晶分子 3数量， 降低黑点的大小， 从而提高亮度， 提高了大视角显示效果。 而且， 相对于 "孔" 状开口来说， 由于场变区域仍然存在电极作用， 场变区域的范围大小可以更为 灵活， 而且可以根据具体的显示情况对场边区域的范围大小进行调整， 可控程 度更为好。
实施例三： 如图 5所示， 所述阵列基板 2包括第一透明基板 21、 覆盖在第 一透明基板 21表面的第一绝缘层 22、 覆盖在第一绝缘层 22表面的形成有多个 像素电极 23的电极层、 覆盖在像素电极 23表面的第一配向膜 24; 所述滤色基 板 1 包括第二透明基板 11、 覆盖在第二透明基板 11表面的彩色滤光板 12、 覆 盖在彩色滤光板 12表面的反电极 13、 覆盖在反电极 13表面的第二配向膜 14。 所述第一绝缘层 22存在有多个凸起区域， 相应的， 所述电极层和第一配向膜 24 也在凸起区域向外凸起， 所述凸起区域即为所述场变区域 4。 场变区域 4表面的 像素电极 23与反电极 13之间的距离小于其他区域的像素电极 23与反电极 13 之间的距离。 当施加电压时， 由于场变区域 4凸起， 场变区域 4的电场不同于 周边区域的电场， 场变区域 4的电场将发生倾斜， 附近的液晶分子 3 围绕场变 区域 4呈放射状排列。
该液晶显示器阵列基板 2的制作方法包括以下步骤：
A: 按公知方法在第一透明基板 21上覆盖第一绝缘层 22;
B: 对第一绝缘层 22进行蚀刻， 使第一绝缘层 22部分区域的厚度大于其他 区域的绝缘层的厚度， 形成场变区域 4;
C: 按公知方法依次在第一绝缘层 22表面制作像素电极 23和第一配向膜
24。
如图 7所示， 每个像素电极 23对应一个薄膜晶体管 6, 以及驱动薄膜晶体 管 6导通 /关闭的栅极扫描线 61、 驱动像素电极 23的数据扫描线 62。 场变区域 4分布在像素电极 23中， 可以为圓形凸台、 方形凸台等其它凸起形状， 相邻两 个场变区域 4中心连线形成了正方形的子像素区 51、 53 , 两个正方形的子像素 区中间是矩形的子像素区 52。 通电时， 场变区域 4附近的液晶分子 3呈放射排 列， 围绕四边形或矩形的子像素区的中心对称（如图 8所示；)， 因此在各个方向 观看都能取得较好的视觉效果， 由于正方形具有四重对称结构， 可以取得更好 的对称效果， 在不同视角观看的一致性较好， 因此子像素区的形状优选正方形 及其他多边形结构。
在通电的时候， 场变区域 4表面的电场强度跟所在电极表面的电场强度不 一致， 造成该区域附近的电力线倾斜， 液晶分子 3会围绕该场变区域 4向特定 的不同方向偏转， 扩大了显示视角； 而场变区域 4仍然存在电极作用， 因此在 该区域内仍然存在较强的电场作用， 可以减少保持垂直状态的液晶分子 3数量， 降低黑点的大小， 从而提高亮度， 提高了大视角显示效果。 而且， 相对于 "孔" 状开口来说， 由于场变区域仍然存在电极作用， 场变区域的范围大小可以更为 灵活， 而且可以根据具体的显示情况对场边区域的范围大小进行调整， 可控程 度更为好。
实施例四： 如图 6所示， 所述阵列基板 2包括第一透明基板 21、 覆盖在第 一透明基板 21表面的第一绝缘层 22、 覆盖在第一绝缘层 22表面形成有多个像 素电极 23的电极层、 增设覆盖在电极层表面的第二绝缘层 25、 及覆盖在第二绝 缘层 25表面的第一配向膜 24; 所述滤色基板 1 包括第二透明基板 11、 覆盖在 第二透明基板 11表面的彩色滤光板 12、覆盖在彩色滤光板 12表面的反电极 13、 覆盖在反电极 13表面的第二配向膜 14。 所述第二绝缘层 25存在有多个凸起区 域， 第一配向膜 24也会在该区域凸起， 所述凸起区域即为所述场变区域 4, 场 变区域 4的表面与反电极 13之间的距离小于其它区域表面与反电极 13之间的 距离。 当施加电压时， 因为反电极和电极层之间的第二绝缘层 25的厚度不同， 因此在凸起区域形成场变区域 4, 场变区域 4的电场不同于周边区域的电场， 场 变区域 4的电场将发生倾斜， 附近的液晶分子 3围绕场变区域 4呈放射状排列。
该液晶显示装置阵列基板 2的制造方法， 包括以下步骤：
A: 按公知方法依次在第一透明基板 21上覆盖第一绝缘层 22和像素电极
23; B: 像素电极 23上覆盖第二绝缘层 25， 对第二绝缘层 25进行蚀刻， 使第 二绝缘层 25部分区域的厚度大于其他区域的绝缘层的厚度， 形成场变区域 4;
C: 在第二绝缘层 25上面覆盖第一配向膜 24。
如图 7所示， 每个像素电极 23对应一个薄膜晶体管 6, 以及驱动薄膜晶体 管 6导通 /关闭的栅极扫描线 61、 驱动像素电极 23的数据扫描线 62。 场变区域 4分布在像素电极 23中， 可以为凹孔、 凹槽等其它凹陷形状， 相邻两个场变区 域 4中心连线形成了正方形的子像素区 51、 53 , 两个正方形的子像素区中间是 矩形的子像素区 52。 通电时， 场变区域 4附近的液晶分子 3呈放射排列， 围绕 四边形或矩形的子像素区的中心对称（如图 8所示）， 因此在各个方向观看都能 取得较好的视觉效果， 由于正方形具有四重对称结构， 可以取得更好的对称效 果， 在不同视角观看的一致性较好， 因此子像素区的形状优选正方形及其他多 边形结构。
在通电的时候， 场变区域 4表面的电场强度跟所在电极表面的电场强度不 一致， 造成该区域附近的电力线倾斜， 液晶分子 3会围绕该场变区域 4向特定 的不同方向偏转， 扩大了显示视角； 而场变区域 4仍然存在电极作用， 因此在 该区域内仍然存在较强的电场作用， 可以减少保持垂直状态的液晶分子 3数量， 降低黑点的大小， 从而提高亮度， 提高了大视角显示效果。 而且， 相对于 "孔" 状开口来说， 由于场变区域仍然存在电极作用， 场变区域的范围大小可以更为 灵活， 而且可以根据具体的显示情况对场边区域的范围大小进行调整， 可控程 度更为好。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明， 不 能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。 对于本发明所属技术领域的普通 技术人员来说， 在不脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若千简单推演或替 换， 都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims

权利要求
1、 一种阵列基板， 包括:绝缘层及密布有多个像素电极的电极层； 所 述阵列基板存在有多个场变区域， 所述场变区域的绝缘层的厚度与其他区 域的绝缘层的厚度不一致， 所述像素电极在场变区域与其他区域内都是可 导通的。
2、 如权利要求 1所述的一种阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板的 绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层， 所述第一绝缘层存在有多个凹 陷区域， 相应的， 所述电极层也在凹陷区域向内凹陷， 所述凹陷区域即为 所述场变区域。
3、 如权利要求 1所述的一种阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板包 括有设置在电极层底部的第一绝缘层， 其还包括覆盖在电极层上方的第二 绝缘层， 所述第二绝缘层存在有多个凹陷区域， 所述凹陷区域即为所述场 变区域。
4、 如权利要求 1所述的一种阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板的 绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层， 所述第一绝缘层存在有多个凸 起区域， 相应的， 所述电极层也在凸起区域内向上凸起， 所述凸起区域即 为所述场变区域。
5、 如权利要求 1所述的一种阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板包 括有设置在电极层底部的第一绝缘层， 其还包括覆盖在电极层上方的第二 绝缘层， 所述第二绝缘层存在有多个凸起区域， 所述凸起区域即为所述场 变区域。
6、 一种液晶显示装置， 包括:阵列基板， 所述阵列基板包括绝缘层及 密布有多个像素电极的电极层， 所述阵列基板存在有多个场变区域， 所述 场变区域的绝缘层的厚度与其他区域的绝缘层的厚度不一致， 所述像素电 极在场变区域与其他区域内都是可导通的。
7、 如权利要求 6所述的一种液晶显示装置， 其特征在于， 所述阵列基 板的绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层， 所述第一绝缘层存在有多 个凹陷区域， 相应的， 所述电极层也在凹陷区域向内凹陷， 所述凹陷区域 即为所述场变区域。
8、 如权利要求 6所述的一种液晶显示装置， 其特征在于， 所述阵列基 板包括有设置在电极层底部的第一绝缘层， 其还包括覆盖在电极层上方的 第二绝缘层， 所述第二绝缘层存在有多个凹陷区域， 所述凹陷区域即为所 述场变区域。
9、 如权利要求 6所述的一种液晶显示装置， 其特征在于， 所述阵列基 板的绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层， 所述第一绝缘层存在有多 个凸起区域， 相应的， 所述电极层也在凸起区域内向上凸起， 所述凸起区 域即为所述场变区域。
10、 如权利要求 6所述的一种液晶显示装置， 其特征在于， 所述阵列 基板包括有设置在电极层底部的第一绝缘层， 其还包括覆盖在电极层上方 的第二绝缘层， 所述第二绝缘层存在有多个凸起区域， 所述凸起区域即为 所述场变区域。
11、 一种液晶显示装置的阵列基板的制造方法， 包括以下步骤： A: 按公知方法在第一透明基板上覆盖第一绝缘层；
B: 对第一绝缘层进行蚀刻，使第一绝缘层部分区域的厚度与其他区域 的绝缘层的厚度不同， 形成场变区域；
C: 按公知方法依次在第一绝缘层表面制作像素电极和第一配向膜。
12、 一种液晶显示装置的阵列基板的制造方法， 包括以下步驟：
A: 按公知方法依次在第一透明基板上覆盖第一绝缘层和像素电极； B: 像素电极上覆盖第二绝缘层， 对第二绝缘层进行蝕刻， 使第二绝缘 层部分区域的厚度与其他区域的绝缘层的厚度不同， 形成场变区域；
C: 在第二绝缘层上面覆盖第一配向膜。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102034485B1 (ko) * 2012-10-05 2019-10-21 엘지전자 주식회사 액정디스플레이장치 및 이를 포함하는 이동 단말기와 액정디스플레이장치의 제조방법
TWI533066B (zh) 2014-09-15 2016-05-11 群創光電股份有限公司 畫素結構及液晶顯示器
CN109507817A (zh) * 2018-12-25 2019-03-22 惠科股份有限公司 显示装置、阵列基板及其工艺方法
CN112130370B (zh) * 2020-09-30 2022-08-05 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN114755854B (zh) * 2022-04-27 2024-03-22 广州华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1421735A (zh) * 2001-11-20 2003-06-04 日本电气株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN1435714A (zh) * 2002-01-29 2003-08-13 精工爱普生株式会社 液晶显示装置和电子设备
CN1530696A (zh) * 2003-03-13 2004-09-22 ������������ʽ���� 液晶显示装置及电子设备
EP1484633A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-08 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US20060017866A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4039232B2 (ja) * 2002-12-20 2008-01-30 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
US20060066791A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
CN202330950U (zh) * 2011-12-14 2012-07-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1421735A (zh) * 2001-11-20 2003-06-04 日本电气株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN1435714A (zh) * 2002-01-29 2003-08-13 精工爱普生株式会社 液晶显示装置和电子设备
CN1530696A (zh) * 2003-03-13 2004-09-22 ������������ʽ���� 液晶显示装置及电子设备
EP1484633A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-08 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US20060017866A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device

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