WO2012168316A1 - Optoelektronischer halbleiterchip, display mit einem derartigen halbleiterchip und verwendung eines derartigen halbleiterchips oder eines displays - Google Patents

Optoelektronischer halbleiterchip, display mit einem derartigen halbleiterchip und verwendung eines derartigen halbleiterchips oder eines displays Download PDF

Info

Publication number
WO2012168316A1
WO2012168316A1 PCT/EP2012/060730 EP2012060730W WO2012168316A1 WO 2012168316 A1 WO2012168316 A1 WO 2012168316A1 EP 2012060730 W EP2012060730 W EP 2012060730W WO 2012168316 A1 WO2012168316 A1 WO 2012168316A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor chip
operating
operating mode
layer sequence
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2012/060730
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Martin Rudolf Behringer
Oliver Günther
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to CN201280028239.9A priority Critical patent/CN103597620B/zh
Priority to US14/125,028 priority patent/US9320089B2/en
Publication of WO2012168316A1 publication Critical patent/WO2012168316A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10—Controlling the intensity of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic
  • the present invention relates to a display with a plurality of such semiconductor chips and a use of such a semiconductor chip or display.
  • LEDs light-emitting diodes
  • Semiconductor chip can form a liquid film due to condensation of moisture stored in the air. Such a liquid film promotes and accelerates adversely the degradation of the semiconductor chip.
  • Temperature change in the semiconductor chip the wavelength of the emitted radiation from the semiconductor chip.
  • a wavelength shift may be based on
  • Form semiconductor chip which keep the moisture away from the semiconductor chip and so the semiconductor chip at the expense of light output and radiation efficiency
  • age stable semiconductor chip results in the optimal light output and also a small wavelength shift due to reduced temperature changes in the
  • This task is accomplished by a semiconductor chip with the
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Semiconductor chip to a semiconductor layer sequence having an intended for generating radiation active layer.
  • the semiconductor chip in a first operating mode and in a second operating mode operable.
  • Semiconductor layer sequence emits radiation in the first operating mode. In the second operating mode emits the Semiconductor layer sequence no radiation.
  • Semiconductor layer sequence is in the first operating mode in
  • the semiconductor chip thus has two operating modes, the semiconductor chip only in the first operating mode
  • the second mode of operation is optical in terms of radiation emission
  • the semiconductor chip is optically in this case
  • Reverse direction operated.
  • the operation in the reverse direction and not in the forward direction serves in particular for the fact that the semiconductor chip does not emit radiation in the second operating mode.
  • Semiconductor chip advantageously, without emitting radiation, whereby condensation effects on the semiconductor chip, which can occur due to occurring moisture in the vicinity of the semiconductor chip, are advantageously reduced.
  • an environment is considered to be a moist environment in which condensation effects can occur when the semiconductor chip is not in operation, for example in the tropics, at sea or at night.
  • such a semiconductor chip is also characterized by a wavelength stability of the Pulsed radiation emitted by the semiconductor chip, since the semiconductor chip can be maintained at a higher temperature in the optically switched-off operating state due to the energization in the reverse direction. Furthermore, the warm-up time of such semiconductor chips can thus be shortened, as a result of which they can achieve their predetermined operating power much faster (so-called "steady state”) .This is particularly advantageous for displays with a plurality of semiconductor chips.
  • “Operate” means in connection with the present application, that the semiconductor chip can be assigned with electrical current, impressions of electrostatic charge in the semiconductor chip or individual components of the semiconductor chip and / or application of electrical voltage to the semiconductor chip predeterminable from the outside, so that the active Layer of the semiconductor chip
  • Semiconductor chips is suitable to emit electromagnetic radiation.
  • the "operation of the semiconductor chip in two operating modes" means that the semiconductor chip can be predetermined from the outside in each operating mode, for example with regard to
  • Operating voltage, operating time, operating temperature and / or embossing height of electrical charges in the semiconductor chip can be adjusted.
  • the semiconductor chip is an optoelectronic semiconductor chip that converts electrically generated data or
  • the optoelectronic semiconductor chip is a radiation-emitting semiconductor chip, for example an LED.
  • the active layer of the semiconductor layer sequence preferably contains a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation.
  • SQL single quantum well structure
  • MQW multiple quantum well structure
  • quantum wells In terms of the dimensionality of the quantization. It includes, among other things, quantum wells, quantum wires and
  • Quantum dots and any combination of these structures.
  • the semiconductor chip in particular the active layer, preferably contains an I I I / V semiconductor material.
  • III / V semiconductor materials are used for radiation generation in the
  • the semiconductor chip has a plurality of semiconductor layers epitaxially deposited on one another, in which the active layer
  • the active layer separates a p-doped side of the
  • Semiconductor chip at least one drive device for
  • the drive device therefore operates according to the semiconductor chip in the first operating mode or in the second operating mode.
  • the drive circuit therefore occupies prescribable the semiconductor chip with electric current.
  • the drive device occupies the semiconductor chip with current in the reverse direction and in the first operating mode with current in the forward direction.
  • Control device operable in both operating modes.
  • Semiconductor layer sequence formed a leakage path over which flows in the second operating mode, a predetermined reverse current. Thus, not the entire semiconductor layer sequence is operated in the reverse direction.
  • a leakage path is built in, via the polarity in the reverse direction in the second operating mode of the defined and predetermined
  • the leak path via the passivation layer takes place.
  • a second operating current in the reverse direction.
  • An amount of a current intensity of the second operating current is preferably smaller than an amount of a current intensity of the first operating current.
  • the absolute value that is to say the absolute value of the respective current intensity, which is always a non-negative number, is understood as "magnitude.”
  • the amount corresponds in particular to the magnitude of the current intensity, irrespective of which direction the operating current flows. In one embodiment, the amount of
  • Amperage of the second operating current 10% or less of the amount of current of the first operating current.
  • the amount of the current of the second operating current is thus 0.1 times smaller than the amount of current of the first operating current. Accordingly, in the second operating mode, only a small current flows in the reverse direction, which is particularly suitable for heating the semiconductor layer sequence, ie for increasing its temperature in a predefined manner. According to at least one embodiment is in the second
  • a temperature of the semiconductor layer sequence by at least 2 ° C higher than a temperature of
  • Operating mode is based on the operation of the
  • the switched-off operating state is in particular not just the optically switched-off operating state.
  • no current flowing is meant in particular that neither in
  • the temperature of the semiconductor layer sequence by about 10 ° C higher than the temperature of
  • Ambient temperature is to be understood in particular as the temperature of the environment surrounding the semiconductor chip, for example the air temperature in the event that the semiconductor chip is arranged in one space
  • a display has a plurality of semiconductor chips which can be operated in two operating modes, wherein the semiconductor layer sequence of the
  • the semiconductor chips can be arranged side by side on a common carrier, for example.
  • Semiconductor chip which is operable in the first and second operating modes, used as a vehicle headlamp. Especially with car headlights is the risk of condensation of
  • Figures 1A and 1B are each a schematic cross section
  • inventive semiconductor chips in the first or second operating mode are inventive semiconductor chips in the first or second operating mode
  • Figures 2A and 2B are each a diagram showing the respective
  • Figure 3 is a schematic cross section of a
  • Components such as layers, structures,
  • FIG. 1A shows a cross section of a semiconductor chip 10 which is operated in a first operating mode B1.
  • the semiconductor chip 10 is, for example, an LED and has an active layer 1a for generating radiation.
  • Semiconductor chip 10 comprises a semiconductor layer sequence 1, in which the active layer 1a is arranged.
  • Semiconductor layer sequence 1 emits in the first operating mode Bl radiation S.
  • Operating mode Bl thus a first operating current II.
  • the first operating current II flows in particular in the forward direction through the semiconductor layer sequence 1, so that the active
  • the semiconductor chip 10 of the embodiment of FIG. 1A has a second mode of operation B2, which can be found in FIG.
  • Operation in the reverse direction heats the semiconductor chip 10, so that condensation of moisture on the semiconductor chip can be prevented, whereby no liquid film is formed on the semiconductor chip, so that a consequent
  • Operating mode B2 in the reverse direction can also advantageously a wavelength shift
  • the wavelength can also be kept more stable in, for example, pulsed operation, since the semiconductor chip is kept at a predetermined temperature even in the optically switched-off state.
  • the semiconductor chip 10 of the embodiment of FIGS. 1A and 1B is operated, for example, with a drive device.
  • the drive device is particularly suitable for operating the semiconductor chip 10 in both operating modes Bl, B2.
  • Semiconductor layer sequence 1 by at least 2 ° C higher than the temperature of the semiconductor layer sequence 1 in one
  • the temperature of the semiconductor layer sequence 1 is preferably 10 ° C. higher than the temperature of the semiconductor layer sequence in the switched-off operating state.
  • Semiconductor layer sequence 1 flows in the second operating mode B2, the predetermined reverse current. This can be used to advantage
  • Semiconductor chip 10 are heated.
  • a passivation layer for example, on the semiconductor layer sequence 1 is a passivation layer
  • the leak path is over the
  • FIG. 2A shows a diagram relating to a semiconductor chip according to the exemplary embodiment of FIGS. 1A and 1B, which has a first operating state B1 and a second operating state B1
  • Operating state B2 has.
  • the operating state B is plotted against the operating time t.
  • semiconductor chip radiation while the semiconductor chip in the second operating mode B2 does not emit radiation, that is, is in an optically off state.
  • the semiconductor layer sequence 1 of the semiconductor chip is accordingly poled in the forward direction, while in the second operating mode B2, the semiconductor layer sequence 1 is poled in the reverse direction.
  • Operating current 12 is smaller than the amount of the current of the first operating current II.
  • the amount of the current of the second operating current is 10% or less of the magnitude of the current of the first operating current II.
  • the semiconductor chip is therefore not completely switched off, but operated in the reverse direction, so that as in the embodiment of
  • Figures 1A and 1B discussed temperature increase can be achieved.
  • the semiconductor chip becomes reverse-biased at a voltage below the breakdown voltage
  • the voltage can be greater than that
  • FIG. 2B shows a diagram in which the
  • Operating current I is plotted against the operating time t and the example, a semiconductor chip according to the
  • Embodiment of Figures 1A and 1B can be assigned. Between the operating time tg and t ] _ becomes the
  • Operating current 12 is operated.
  • the second operating current 12 is therefore opposite to the first operating current II due to the polarity in the reverse direction.
  • Amperage of the second operating current is substantially less than the amount of current of the first
  • FIG. 3 is a cross section of a motor vehicle headlight 100 is shown, which is in a first operating mode Bl.
  • the motor vehicle headlamp 100 has a semiconductor chip 10 according to the exemplary embodiment of FIGS. 1A and 1B.
  • the motor vehicle headlight 100 may have a plurality of such semiconductor chips 10 (not shown).
  • the one or more semiconductor chips 10 are arranged in a headlight housing 2 and
  • Ambient moisture can be avoided, which is particularly advantageous in applications such as vehicle headlamps, since thereby the degradation of the semiconductor chips is avoided. In addition, such drastic wavelength shifts can be prevented. Especially in motor vehicles, for example, in the off
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these, but includes each new feature and any combination of features, which in particular any combination of features in the

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben, die eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) aufweist. Der Halbleiterchip (10) ist in einem ersten Betriebsmodus (B1) und in einem zweiten Betriebsmodus (B2) betreibbar. Im ersten Betriebsmodus (B1) emittiert die Halbleiterschichtenfolge (1) Strahlung, während die Halbleiterschichtenfolge (1) im zweiten Betriebsmodus (B2) keine Strahlung emittiert. Die Halbleiterschichtenfolge (1) ist im ersten Betriebsmodus (B1) in Durchlassrichtung und im zweiten Betriebsmodus (B2) in Sperrrichtung betrieben. Weiter sind ein Display mit einer Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips (10) und eine Verwendung als Kfz-Scheinwerfer (100) angegeben.

Description

Beschreibung
Optoelektronischer Halbleiterchip, Display mit einem
derartigen Halbleiterchip und Verwendung eines derartigen Halbleiterchips oder eines Displays
Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen
Halbleiterchip, der in zwei Betriebsmodi betreibbar ist.
Weiter betrifft die vorliegende Erfindung ein Display mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterchips und eine Verwendung eines derartigen Halbleiterchips oder Displays.
Halbleiterchips wie beispielsweise Licht emittierende Dioden (LEDs) altern unter Einfluss von Feuchtigkeit schneller als in einer trockenen Atmosphäre. Dieser Alterungsprozess basiert unter anderem auf Korrosionseffekten und Leckströmen im oder am Halbleiterchip. Besonders stark ist dieser
Alterungsprozess, wenn die LEDs nicht betrieben werden, da diese dann eine niedrigere Temperatur aufweisen als im
Betriebszustand, wodurch sich beispielsweise direkt auf dem
Halbleiterchip ein Flüssigkeitsfilm aufgrund von Kondensation von in der Luft gespeicherter Feuchtigkeit ausbilden kann. Ein derartiger Flüssigkeitsfilm fördert und beschleunigt nachteilig die Degradation des Halbleiterchips.
Des Weiteren verschiebt sich nachteilig mit einer
Temperaturänderung im Halbleiterchip die Wellenlänge der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung. Beispielsweise kann eine derartige Wellenlängenverschiebung basierend auf
Temperaturänderungen beim Einschalten und Hochfahren des Halbleiterchips oder im Pulsbetrieb des Halbleiterchips auftreten . Um die oben genannten Nachteile der Alterungseffekte und Wellenlängenverschiebungen zu reduzieren, ist es
beispielsweise herkömmlicherweise bekannt, ein schützendes Gehäuse oder eine schützende Beschichtung auf dem
Halbleiterchip auszubilden, die die Feuchtigkeit von dem Halbleiterchip fernhalten und so den Halbleiterchip auf Kosten der Lichtausbeute und Strahlungseffizienz
korrosionsstabiler machen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, einen
Halbleiterchip anzugeben, der die oben genannten Nachteile vermeidet, wodurch sich vorteilhafterweise ein
alterungsstabiler Halbleiterchip ergibt, der eine optimale Lichtausbeute und zudem eine geringe Wellenlängenverschiebung aufgrund von reduzierten Temperaturänderungen im
Halbleiterchip aufweist.
Diese Aufgabe wird durch einen Halbleiterchip mit den
Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Weiter wird diese Aufgabe durch ein Display mit den Merkmalen des unabhängigen
Anspruchs gelöst. Zudem wird die Aufgabe durch eine
Verwendung des Halbleiterchips mit den Merkmalen des
unabhängigen Anspruchs oder des Displays gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des Halbleiterchips, des Displays und der Verwendung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
In einer Ausführungsform weist der optoelektronische
Halbleiterchip eine Halbleiterschichtenfolge auf, die eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht aufweist. Der Halbleiterchip in einem ersten Betriebsmodus und in einem zweiten Betriebsmodus betreibbar. Die
Halbleiterschichtenfolge emittiert im ersten Betriebsmodus Strahlung. Im zweiten Betriebsmodus emittiert die Halbleiterschichtenfolge keine Strahlung. Die
Halbleiterschichtenfolge ist im ersten Betriebmodus in
Durchlassrichtung und im zweiten Betriebmodus in
Sperrrichtung betrieben. Mit anderen Worten kann der
Halbleiterchip in zwei voneinander verschiedenen getrennten Betriebsmodi betrieben werden.
Der Halbleiterchip weist somit zwei Betriebsmodi auf, wobei der Halbleiterchip lediglich im ersten Betriebsmodus
Strahlung emittiert. Der zweite Betriebsmodus ist demnach hinsichtlich der Strahlungsemission als optisch
ausgeschalteter Betriebszustand anzusehen. Erfindungsgemäß wird dabei der Halbleiterchip in diesem optisch
ausgeschalteten Betriebszustand mit einem Strom in
Sperrrichtung betrieben. Das Betreiben in Sperrrichtung und nicht in Durchlassrichtung dient insbesondere dazu, dass der Halbleiterchip im zweiten Betriebsmodus keine Strahlung emittiert . Durch das Betreiben in Sperrrichtung erwärmt sich der
Halbleiterchip vorteilhafterweise, ohne dabei Strahlung zu emittieren, wodurch Kondensationseffekte am Halbleiterchip, die aufgrund von auftretender Feuchtigkeit in der Umgebung des Halbleiterchips auftreten können, mit Vorteil reduziert werden. Dadurch kann mit Vorteil eine höhere Lebensdauer derartiger Halbleiterchips in feuchten Umgebungen erzielt werden. Als feuchte Umgebung wird insbesondere eine Umgebung angesehen, in der bei Nichtbetrieb des Halbleiterchips Kondensationseffekte auftreten können, wie beispielsweise in den Tropen, am Meer oder bei Nacht.
Neben der Feuchtestabilität zeichnet sich ein derartiger Halbleiterchip zudem durch eine Wellenlängenstabilität der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung im Pulsbetrieb aus, da der Halbleiterchip auch im optisch ausgeschalteten Betriebszustand aufgrund der Bestromung in Sperrrichtung auf einer höheren Temperatur gehalten werden kann. Des Weiteren kann so die Aufwärmzeit derartiger Halbleiterchips verkürzt werden, wodurch diese wesentlich schneller ihre vorgegebene Betriebsleistung (sogenanntes „Steady State") erreichen können. Dies ist insbesondere bei Displays mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips von Vorteil.
„Betreiben" heißt im Zusammenhang mit vorliegender Anmeldung, dass der Halbleiterchip mit elektrischem Strom, Einprägen von elektrostatischer Ladung in den Halbleiterchip oder in einzelne Komponenten des Halbleiterchips und/oder Anlegen von elektrischer Spannung an den Halbleiterchip vorgebbar von außen belegt werden kann, sodass die aktive Schicht des
Halbleiterchips geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren . Das „Betreiben des Halbleiterchips in zwei Betriebsmodi" bedeutet, dass der Halbleiterchip von außen vorgebbar in jedem Betriebsmodus, beispielsweise im Hinblick auf die
Betriebsparameter, die Bestromungshöhe, Betriebsstrom,
Betriebsspannung, Betriebsdauer, Betriebstemperatur und/oder Einprägehöhe von elektrischen Ladungen in den Halbleiterchip eingestellt werden kann.
Die Halbleiterschichtenfolge in Sperrrichtung zu betreiben bedeutet, dass durch die Halbleiterschichtenfolge ein
Sperrstrom fließt. Die Sperrrichtung ist dabei der
Durchlassrichtung entgegengerichtet . Der Halbleiterchip ist ein optoelektronischer Halbleiterchip, der die Umwandlung von elektrisch erzeugten Daten oder
Energien in Lichtemission ermöglicht oder umgekehrt.
Beispielsweise ist der optoelektronische Halbleiterchip ein strahlungsemittierender Halbleiterchip, beispielsweise eine LED.
Die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge enthält vorzugsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur (SQW, Single quantum well) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung
Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung
hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und
Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
Der Halbleiterchip, insbesondere die aktive Schicht, enthält vorzugsweise ein I I I /V-Halbleitermaterial . III/V- Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im
ultravioletten, über den sichtbaren bis in den infraroten Spektralbereich besonders geeignet. Der Halbleiterchip weist eine Mehrzahl von aufeinander epitaktisch abgeschiedenen Halbleiterschichten auf, in denen die aktive Schicht
angeordnet ist. Beispielsweise sind die Schichten des
Halbleiterchips auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen. Die aktive Schicht trennt dabei eine p-dotierte Seite des
Halbleiterchips von einer n-dotierten Seite des
Halbleiterchips .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterchip zumindest eine Ansteuervorrichtung zum
Betreiben des Halbleiterchips im ersten Betriebsmodus und im zweiten Betriebsmodus. Die Ansteuervorrichtung betreibt demnach vorgebbar den Halbleiterchip im ersten Betriebsmodus oder im zweiten Betriebsmodus. Die Ansteuerschaltung belegt demnach vorgebbar den Halbleiterchip mit elektrischem Strom. Dabei belegt die Ansteuervorrichtung im zweiten Betriebsmodus den Halbleiterchip mit Strom in Sperrrichtung und im ersten Betriebsmodus mit Strom in Durchlassrichtung. Der
Halbleiterchip ist demnach mit einer einzigen
Ansteuervorrichtung in beiden Betriebsmodi betreibbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in der
Halbleiterschichtenfolge ein Leckpfad ausgebildet, über den im zweiten Betriebsmodus ein vorgegebener Sperrstrom fließt. Damit wird nicht die gesamte Halbleiterschichtenfolge in Sperrrichtung betrieben. In der Halbleiterschichtenfolge ist ein Leckpfad eingebaut, über den bei Polung in Sperrrichtung im zweiten Betriebsmodus der definierte und vorgegebene
Sperrstrom fließt. Damit kann mit Vorteil der Halbleiterchip im zweiten Betriebsmodus erwärmt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf der
Halbleiterschichtenfolge eine Passivierungsschicht
angeordnet, wobei der Leckpfad über die Passivierungsschicht erfolgt. Bevorzugt ist der Leckpfad über die
Halbleiterschichtenfolge oder einer Kontaktstruktur des
Halbleiterchips so angelegt, dass bei Polung in
Durchlassrichtung des Halbleiterchips, also im ersten
Betriebsmodus, kein oder nur ein vernachlässigbarer Strom fließt, und bei Polung in Sperrrichtung, also im zweiten Betriebsmodus, bei kleiner Spannung ausreichend Strom fließt, um die gewünschte Temperaturerhöhung der
Halbleiterschichtenfolge zu gewährleisten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform fließt im ersten
Betriebsmodus durch die Halbleiterschichtenfolge ein erster Betriebsstrom in Durchlassrichtung und im zweiten
Betriebsmodus ein zweiter Betriebsstrom in Sperrrichtung. Bevorzugt ist dabei ein Betrag einer Stromstärke des zweiten Betriebstroms kleiner als ein Betrag eine Stromstärke des ersten Betriebsstroms.
Als „Betrag" ist insbesondere der absolute Betrag, also der Absolutwert der jeweiligen Stromstärke, zu verstehen, der insbesondere immer eine nicht negative Zahl ist. Der Betrag entspricht insbesondere der Höhe der Stromstärke, unabhängig davon, in welche Richtung der Betriebsstrom fließt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Betrag der
Stromstärke des zweiten Betriebsstroms 10 % oder weniger des Betrags der Stromstärke des ersten Betriebsstroms. Der Betrag der Stromstärke des zweiten Betriebsstroms ist dabei also um 0,1 Mal kleiner als der Betrag der Stromstärke des ersten Betriebsstroms. Im zweiten Betriebsmodus fließt demnach in Sperrrichtung lediglich ein kleiner Strom, der insbesondere geeignet ist, die Halbleiterschichtenfolge zu erwärmen, also deren Temperatur in vorgegebener Weise zu erhöhen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist im zweiten
Betriebsmodus eine Temperatur der Halbleiterschichtenfolge um wenigstens 2 °C höher als eine Temperatur der
Halbleiterschichtenfolge in einem ausgeschalteten
Betriebszustand. Die Temperaturerhöhung im zweiten
Betriebsmodus basiert dabei auf dem Betreiben der
Halbleiterschichtenfolge in Sperrrichtung. Der ausgeschaltete Betriebszustand ist insbesondere nicht lediglich der optisch ausgeschaltete Betriebszustand. Im ausgeschalteten Betriebszustand fließt insbesondere kein Strom durch die Halbleiterschichtenfolge. Unter „kein Strom fließend" ist insbesondere zu verstehen, dass weder in
Durchlassrichtung noch in Sperrrichtung ein Strom durch die Halbleiterschichtenfolge fließt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist im zweiten
Betriebsmodus die Temperatur der Halbleiterschichtenfolge um etwa 10 °C höher als die Temperatur der
Halbleiterschichtenfolge im ausgeschalteten Betriebszustand.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist im zweiten
Betriebsmodus eine Temperatur der Halbleiterschichtenfolge höher als eine Umgebungstemperatur. Unter
„Umgebungstemperatur" ist insbesondere die Temperatur der Umgebung zu verstehen, die den Halbleiterchip umgibt, beispielsweise also die Lufttemperatur für den Fall, dass der Halbleiterchip in einem Raum angeordnet ist. Im zweiten
Betriebsmodus wird der Halbleiterchip also geheizt im
Vergleich zur Umgebung, sodass vorteilhafterweise der
Kondensationseffekt nicht oder nur reduziert auftritt, sodass sich mit Vorteil die Lebensdauer des Halbleiterchips erhöht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein Display eine Mehrzahl von Halbleiterchips auf, die in zwei Betriebsmodi betreibbar sind, wobei die Halbleiterschichtenfolge der
Halbleiterchips im ersten Betriebsmodus Strahlung emittiert, im zweiten Betriebsmodus keine Strahlung emittiert, im erste Betriebsmodus in Durchlassrichtung und im zweiten
Betriebsmodus in Sperrrichtung betrieben ist. Die Halbleiterchips können dabei beispielsweise nebeneinander auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein
Halbleiterchip, der in dem ersten und zweiten Betriebsmodi betreibbar ist, als Kfz-Scheinwerfer verwendet. Gerade bei Kfz-Scheinwerfern ist die Gefahr von Kondensation von
Feuchtigkeit auf den Halbleiterchips des Scheinwerfers gegeben, was nachteilig zu einer Degradation der Scheinwerfer führen kann. Mit in Sperrrichtung betriebenen Halbleiterchips im zweiten Betriebsmodus kann dieser Gefahr
vorteilhafterweise entgegengetreten werden.
Die in Verbindung mit dem Halbleiterchip angeführten Merkmale finden auch in Zusammenhang mit dem Display und der Anwendung als Kfz-Scheinwerfer Verwendung und umgekehrt.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:
Figuren 1A und 1B jeweils einen schematischen Querschnitt
eines Ausführungsbeispiels eines
erfindungsgemäßen Halbleiterchips im ersten beziehungsweise zweiten Betriebsmodus,
Figuren 2A und 2B jeweils ein Diagramm, das den jeweiligen
Betriebsmodus beziehungsweise
jeweiligen Betriebsstrom in Abhängigkeit der Betriebszeit darstellt, und Figur 3 einen schematischen Querschnitt eines
Ausführungsbeispiels eines
erfindungsgemäßen Kfz-Scheinwerfers . In den Figuren können gleiche oder gleich wirkende
Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind. Die dargestellten Bestandteile und deren
Größenverhältnisse untereinander sind nicht als
maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne
Bestandteile wie beispielsweise Schichten, Strukturen,
Komponenten und Bereiche zur besseren Darstellbarkeit
und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein. In Figur 1A ist ein Querschnitt eines Halbleiterchips 10 gezeigt, der in einem ersten Betriebsmodus Bl betrieben wird. Der Halbleiterchip 10 ist beispielsweise eine LED und weist eine aktive Schicht la zur Strahlungserzeugung auf. Der
Halbleiterchip 10 umfasst eine Halbleiterschichtenfolge 1, in der die aktive Schicht la angeordnet ist. Die
Halbleiterschichtenfolge 1 emittiert im ersten Betriebsmodus Bl Strahlung S.
Durch die Halbleiterschichtenfolge 1 fließt im ersten
Betriebsmodus Bl somit ein erster Betriebsstrom II. Der erste Betriebsstrom II fließt insbesondere in Durchlassrichtung durch die Halbleiterschichtenfolge 1, sodass die aktive
Schicht la Strahlung S emittiert. Der Halbleiterchip 10 des Ausführungsbeispiels der Figur 1A weist einen zweiten Betriebsmodus B2 auf, der in dem
Ausführungsbeispiel der Figur 1B dargestellt ist. Im zweiten Betriebsmodus B2 emittiert die
Halbleiterschichtenfolge 1, insbesondere die aktive Schicht la der Halbleiterschichtenfolge 1, keine Strahlung. Dieser Betriebszustand kann somit als optisch ausgeschalteter
Zustand beschrieben werden. Um den Einfluss von Feuchtigkeit, Korrosion und Leckströmen am Halbleiterchip 10 zu verhindern, wird der Halbleiterchip 10 im optisch ausgeschalteten
Betriebszustand, also im zweiten Betriebsmodus B2, mit einem Betriebsstrom 12 in Sperrrichtung betrieben. Hierbei findet lediglich ein kleiner Strom Anwendung. Aufgrund dieses
Betreibens in Sperrrichtung erwärmt sich der Halbleiterchip 10, sodass Kondensation von Feuchtigkeit am Halbleiterchip unterbunden werden kann, wodurch sich kein Flüssigkeitsfilm am Halbleiterchip bildet, sodass eine dadurch bedingte
Degradation mit Vorteil vermieden werden kann.
Der Halbleiterchip wird dabei vorteilhafterweise in
Sperrrichtung betrieben, sodass der Halbleiterchip keine Strahlung emittiert, wodurch ein optisch ausgeschalteter Betriebszustand gewährleistet werden kann.
Durch einen derartigen Halbleiterchip, der einen ersten
Betriebsmodus Bl in Durchlassrichtung und einen zweiten
Betriebsmodus B2 in Sperrrichtung aufweist, kann zudem vorteilhafterweise eine Wellenlängenverschiebung, die
aufgrund von hohen Temperaturänderungen in der
Halbleiterschichtenfolge auftreten kann, reduziert werden. Derartige Wellenlängenverschiebungen aufgrund von
Temperaturänderungen treten insbesondere beim Einschalten und Hochfahren des Halbleiterchips oder beim Betreiben des
Halbleiterchips im Pulsbetrieb auf. Durch den zweiten Betriebsmodus in Sperrrichtung kann eine erhöhte Lebensdauer derartiger Halbleiterchips in feuchter Umgebung erzielt werden. Insbesondere sind derartige
Halbleiterchips in Umgebungen betreibbar, wo bei Nichtbetrieb der Halbleiterchips ein Kondensationseffekt eintreten kann, wie beispielsweise in den Tropen, am Meer oder bei Nacht. Neben der Feuchtestabilität kann auch vorteilhafterweise die Wellenlänge im beispielsweise Pulsbetrieb stabiler gehalten werden, da der Halbleiterchip auch im optisch ausgeschalteten Zustand auf einer vorgegebenen Temperatur gehalten wird.
Dadurch verkürzt sich zudem die Aufwärmzeit derartiger
Halbleiterchips, sodass diese schneller den sogenannten „Steady State" erreicht. Dies ist insbesondere in Kombination mit anderen Halbleiterchips hilfreich.
Der Halbleiterchip 10 des Ausführungsbeispiels der Figuren 1A und 1B wird beispielsweise mit einer Ansteuervorrichtung betrieben. Die Ansteuervorrichtung ist insbesondere geeignet zum Betreiben des Halbleiterchips 10 in beiden Betriebsmodi Bl, B2.
Im zweiten Betriebsmodus B2 ist die Temperatur der
Halbleiterschichtenfolge 1 um wenigstens 2 °C höher als die Temperatur der Halbleiterschichtenfolge 1 in einem
ausgeschalteten Betriebszustand. Als ausgeschalteter
Betriebszustand ist insbesondere ein Zustand zu verstehen, bei dem durch die Halbleiterschichtenfolge 1 kein
Betriebsstrom fließt. Vorzugsweise ist die Temperatur der Halbleiterschichtenfolge 1 im zweiten Betriebsmodus um 10 °C höher als die Temperatur der Halbleiterschichtenfolge im ausgeschalteten Betriebszustand. Durch die Bestromung des Halbleiterchips 10 in Sperrrichtung erwärmt sich der
Halbleiterchip 10 so um etwa 10 °C, sodass Kondensationseffekte unterbleiben. Vorzugsweise ist im zweiten Betriebsmodus B2 die Temperatur der
Halbleiterschichtenfolge 1 höher als die Umgebungstemperatur des Halbleiterchips 10, sodass vorteilhafterweise derartige Flüssigkeitsablagerungen von der Umgebungsluft am
Halbleiterchip vermieden werden.
Das Betreiben der Halbleiterchips 10 in Sperrrichtung, wie in dem Ausführungsbeispiel der Figur IB gezeigt, kann auch durch einen eingebauten Leckpfad in der Halbleiterschichtenfolge 1 realisiert werden. Über den Leckpfad in der
Halbleiterschichtenfolge 1 fließt im zweiten Betriebsmodus B2 der vorgegebene Sperrstrom. Damit kann mit Vorteil der
Halbleiterchip 10 erwärmt werden. Beispielsweise ist auf der Halbleiterschichtenfolge 1 eine Passivierungsschicht
angeordnet, wobei der Leckpfad über die Passivierungsschicht erfolgt. Idealerweise ist der Leckpfad über den
Halbleiterchip so angelegt, dass bei Polung in
Durchlassrichtung kein oder nur ein vernachlässigbar kleiner Strom fließt, und bei Polung in Sperrrichtung schon bei kleiner Spannung ausreichend Strom fließt, um die gewünschte Temperaturerhöhung von wenigstens 2 °C, vorzugsweise 10 °C, zu erzielen. In Figur 2A ist ein Diagramm betreffend einen Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1A und IB gezeigt, der einen ersten Betriebszustand Bl und einen zweiten
Betriebszustand B2 aufweist. In dem Diagramm ist insbesondere der Betriebszustand B gegen die Betriebszeit t aufgetragen.
In einer Betriebszeit zwischen tg und t]_ wird der
Halbleiterchip in dem ersten Betriebsmodus Bl mit einem ersten Betriebsstrom II in Durchlassrichtung betrieben. Zum Zeitpunkt t wird der Halbleiterchip in den zweiten
Betriebsmodus B2 mit einem zweiten Betriebsstrom 12
umgeschaltet. Im ersten Betriebsmodus Bl emittiert der
Halbleiterchip Strahlung, während der Halbleiterchip im zweiten Betriebsmodus B2 keine Strahlung emittiert, sich also in einem optisch ausgeschalteten Zustand befindet. Im ersten Betriebsmodus Bl ist die Halbleiterschichtenfolge 1 des Halbleiterchips demnach in Durchlassrichtung gepolt, während im zweiten Betriebsmodus B2 die Halbleiterschichtenfolge 1 in Sperrrichtung gepolt ist.
Dabei ist der Betrag der Stromstärke des zweiten
Betriebsstroms 12 kleiner als der Betrag der Stromstärke des ersten Betriebsstroms II. Insbesondere ist der Betrag der Stromstärke des zweiten Betriebsstroms 10 % oder weniger des Betrags der Stromstärke des ersten Betriebsstroms II.
Im zweiten Betriebsmodus B2 wird der Halbleiterchip demnach nicht vollständig ausgeschaltet, sondern in Sperrrichtung betrieben, sodass die wie in dem Ausführungsbeispiel der
Figuren 1A und 1B erörterte Temperaturerhöhung erzielt werden kann. Insbesondere wird der Halbleiterchip in Sperrrichtung mit einer Spannung unterhalb der Durchbruchsspannung
betrieben. Die Spannung kann dabei größer sein, als die
Spannung, mit der der Halbleiterchip in Vorwärtsspannung betrieben wird.
In Figur 2B ist ein Diagramm gezeigt, bei dem der
Betriebsstrom I gegen die Betriebszeit t aufgetragen ist und das beispielsweise einem Halbleiterchip gemäß dem
Ausführungsbeispiel der Figuren 1A und 1B zuordnet werden kann. Zwischen der Betriebszeit tg und t]_ wird der
Halbleiterchip im Betriebsmodus Bl betrieben und weist einen Betriebsstrom II in Durchlassrichtung auf. Zum Zeitpunkt t]_ wird der Halbleiterchip vom ersten Betriebsmodus Bl in den zweiten Betriebsmodus B2 geschaltet, wobei hierbei der
Halbleiterchip in Sperrrichtung mit einem zweiten
Betriebsstrom 12 betrieben wird. Der zweiten Betriebsstrom 12 ist aufgrund der Polung in Sperrrichtung demnach dem ersten Betriebsstrom II entgegengerichtet. Der Betrag der
Stromstärke des zweiten Betriebsstroms ist dabei wesentlich geringer als der Betrag der Stromstärke des ersten
Betriebsstroms. Insbesondere wird der Halbleiterchip im zweiten Betriebsmodus B2 mit einem kleineren Strom 12 in Sperrrichtung betrieben als im ersten Betriebsmodus Bl in Durchlassrichtung . In dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist ein Querschnitt eines Kfz-Scheinwerfers 100 gezeigt, der sich in einem ersten Betriebsmodus Bl befindet. Der Kfz-Scheinwerfer 100 weist einen Halbleiterchip 10 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1A und 1B auf. Dabei kann der Kfz-Scheinwerfer 100 eine Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips 10 aufweisen (nicht dargestellt) . Der oder die Halbleiterchips 10 sind dabei in einem Scheinwerfer-Gehäuse 2 angeordnet und
emittieren im ersten Betriebsmodus Bl eine Strahlung S. Durch das Betreiben der Halbleiterchips im ersten und zweiten
Betriebsmodus kann eine mögliche Kondensation auf den
Halbleiterchips aufgrund einer auftretenden
Umgebungsfeuchtigkeit vermieden werden, was insbesondere bei Anwendungen wie Kfz-Scheinwerfern von Vorteil ist, da dadurch die Degradation der Halbleiterchips vermieden wird. Zudem können so drastische Wellenlängenverschiebungen verhindert werden . Gerade bei Kfzs, die beispielsweise im ausgeschalteten
Zustand über Nacht im Freien stehen, kann bei Betreiben der Halbleiterchips in Sperrrichtung eine Kondensation von Luft direkt an den Halbleiterchips vermieden werden, die
herkömmlicher Weise bei Nacht entstehen kann. Das wirkt sich vorteilhaft auf die Lebensdauer derartiger Halbleiterchips und demnach derartiger Kfz-Scheinwerfer aus.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den
Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombinationen selbst nicht explizit in den Ansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben sind.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102011103786.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

1. Optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einer
Halbleiterschichtenfolge (1), die eine zur
Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) aufweist, wobei
- der Halbleiterchip (1) in einem ersten Betriebsmodus (Bl) und in einem zweiten Betriebsmodus (B2) betreibbar ist,
- die Halbleiterschichtenfolge (1) im ersten
Betriebsmodus (Bl) Strahlung emittiert,
- die Halbleiterschichtenfolge (1) im zweiten
Betriebsmodus (B2) keine Strahlung emittiert, und
- die Halbleiterschichtenfolge (1) im ersten Betriebmodus (Bl) in Durchlassrichtung und im zweiten Betriebmodus (B2) in Sperrrichtung betrieben ist.
2. Halbleiterchip nach Anspruch 1, weiter umfassend zumindest eine Ansteuervorrichtung zum Betreiben des Halbleiterchips (10) im ersten Betriebsmodus (Bl) und im zweiten Betriebsmodus (B2).
3. Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüchen, wobei
in der Halbleiterschichtenfolge (1) ein Leckpfad
ausgebildet ist, über den im zweiten Betriebsmodus (B2) ein vorgegebener Sperrstrom (12) fließt.
4. Halbleiterchip nach Anspruch 3, wobei
- auf der Halbleiterschichtenfolge (1) eine
Passivierungsschicht angeordnet ist, und
- der Leckpfad über die Passivierungsschicht erfolgt.
5. Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüchen, wobei
- im ersten Betriebsmodus (Bl) durch die
Halbleiterschichtenfolge (1) ein erster Betriebstrom (II) in Durchlassrichtung fließt, und
- im zweiten Betriebsmodus (B2) durch die
Halbleiterschichtenfolge (1) ein zweiter Betriebstrom (12) in Sperrrichtung fließt.
6. Halbleiterchip nach Anspruch 5, wobei
ein Betrag einer Stromstärke des zweiten Betriebstroms (12) kleiner ist als ein Betrag einer Stromstärke des ersten Betriebsstroms (II).
7. Halbleiterchip nach Anspruch 6, wobei
der Betrag der Stromstärke des zweiten Betriebstroms (II) 10 % oder weniger des Betrags der Stromstärke des ersten Betriebsstroms (12) ist.
8. Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüchen, wobei
im zweiten Betriebsmodus (B2) eine Temperatur der
Halbleiterschichtenfolge (1) um wenigstens 2 °C höher ist als eine Temperatur der Halbleiterschichtenfolge (1) in einem ausgeschalteten Betriebszustand.
9. Halbleiterchip nach Anspruch 8, wobei
im zweiten Betriebsmodus (B2) die Temperatur der
Halbleiterschichtenfolge (1) um 10 °C höher ist als die Temperatur der Halbleiterschichtenfolge (1) im
ausgeschalteten Betriebszustand.
10. Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüchen, wobei
im zweiten Betriebsmodus (B2) eine Temperatur der
Halbleiterschichtenfolge (1) höher ist als eine
Umgebungstemperatur.
11. Display mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
12. Verwendung eines Halbleiterchips nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 10 oder eines Displays nach Anspruch 11 als Kfz-Scheinwerfer (100) .
PCT/EP2012/060730 2011-06-09 2012-06-06 Optoelektronischer halbleiterchip, display mit einem derartigen halbleiterchip und verwendung eines derartigen halbleiterchips oder eines displays Ceased WO2012168316A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280028239.9A CN103597620B (zh) 2011-06-09 2012-06-06 光电子半导体芯片、具有这种半导体芯片的显示器和这种半导体芯片或显示器的应用
US14/125,028 US9320089B2 (en) 2011-06-09 2012-06-06 Optoelectronic semiconductor chip, display comprising a semiconductor chip of this type, and use of a semiconductor chip of this type or of a display

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011103786.5 2011-06-09
DE102011103786A DE102011103786A1 (de) 2011-06-09 2011-06-09 Optoelektronischer Halbleiterchip, Display mit einem derartigen Halbleiterchip und Verwendung eines derartigen Halbleiterchips oder eines Displays

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012168316A1 true WO2012168316A1 (de) 2012-12-13

Family

ID=46246064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2012/060730 Ceased WO2012168316A1 (de) 2011-06-09 2012-06-06 Optoelektronischer halbleiterchip, display mit einem derartigen halbleiterchip und verwendung eines derartigen halbleiterchips oder eines displays

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9320089B2 (de)
CN (1) CN103597620B (de)
DE (1) DE102011103786A1 (de)
TW (1) TW201301553A (de)
WO (1) WO2012168316A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013001274A1 (de) * 2013-01-25 2014-07-31 GM Global Technology Operations LLC (n. d. Gesetzen des Staates Delaware) Verfahren zur Steuerung mehrerer unabhängig voneinander aktivierbarer Dioden in einem Scheinwerfer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060157718A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Gallium nitride-based light emitting device having ESD protection capacity and method for manufacturing the same
EP1750309A2 (de) * 2005-08-03 2007-02-07 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Licht-emittierende Vorrichtung mit Schutzelement
WO2009152062A2 (en) * 2008-06-09 2009-12-17 Nitek, Inc. Ultraviolet light emitting diode with ac voltage operation

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
JP2004136838A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Toyota Industries Corp 車両用の投射装置及び表示装置
CN1909238B (zh) 2005-08-03 2010-11-03 三星电机株式会社 具有保护元件的发光装置及该发光装置的制造方法
CN100511674C (zh) 2005-11-25 2009-07-08 比亚迪股份有限公司 一种侧发光led照明灯、背光源照明方法及手机
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
WO2009004520A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting and heating circuit and assembly, and a method for lighting and heating

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060157718A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Gallium nitride-based light emitting device having ESD protection capacity and method for manufacturing the same
EP1750309A2 (de) * 2005-08-03 2007-02-07 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Licht-emittierende Vorrichtung mit Schutzelement
WO2009152062A2 (en) * 2008-06-09 2009-12-17 Nitek, Inc. Ultraviolet light emitting diode with ac voltage operation

Also Published As

Publication number Publication date
CN103597620A (zh) 2014-02-19
CN103597620B (zh) 2017-05-24
TW201301553A (zh) 2013-01-01
US9320089B2 (en) 2016-04-19
DE102011103786A1 (de) 2012-12-13
US20140210348A1 (en) 2014-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2002176B1 (de) Optoelektronischer frontscheinwerfer
DE102006059509B4 (de) Organisches Leuchtbauelement
EP2272116B1 (de) Lichtemittierendes organisches bauelement und anordnung mit mehreren lichtemittierenden organischen bauelementen
DE102007024152A1 (de) Organisches optoelektronisches Bauelement
DE102009034359A1 (de) P-Kontakt und Leuchtdiode für den ultravioletten Spektralbereich
EP2054948A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2019001767A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102008019048B4 (de) Lichtemittierendes organisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen sowie Anordnung mit mehreren lichtemittierenden organischen Bauelementen
DE102013110087A1 (de) Lichtemittierende-Vorrichtungs-Baugruppe und Scheinwerfer für Fahrzeug mit derselben
DE102008011866A1 (de) Halbleiterlichtquelle und Lichtquellenanordnung mit einer solchen
WO2012159615A2 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
DE102015002839A1 (de) Punktlichtquellen-LED
EP2732482A1 (de) Leuchtmodul mit steuerbarer lichtlenkung
WO2012168316A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip, display mit einem derartigen halbleiterchip und verwendung eines derartigen halbleiterchips oder eines displays
WO2017162422A1 (de) Verfahren zum betreiben einer organischen leuchtdiode und kombiniertes rücklicht und bremslicht
DE102012002334A1 (de) Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs
EP3193563B1 (de) Für eine fahrzeugleuchte vorgesehenes leuchtmittel mit mehreren halbleiterlichtquellen und verfahren zu dessen betrieb
WO2017194320A1 (de) Laseranordnung und betriebsverfahren
DE112019005003B4 (de) Optoelektronisches bauteil, verfahren zur ansteuerung eines optoelektronischen bauteils und beleuchtungsvorrichtung
EP1983593B1 (de) Organisches optoelektronisches Bauelement
DE102016210048A1 (de) Lichtquellenanordnung für ein fahrzeug und beleuchtungseinrichtung für ein fahrzeug mit der lichtquellenanordnung
DE102016206524A1 (de) LED zur Emission von Beleuchtungsstrahlung
EP4032125B1 (de) Oled-wellenleiteranordnung sowie herstellungsverfahren dazu
DE10329079B4 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102016104764B4 (de) Organische Leuchtdiode und Kfz-Rücklicht

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12726786

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14125028

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12726786

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1