WO2012144291A1 - Silica-coating-forming composition for use with inkjets, method for forming silica coating, semiconductor device, and solar-cell system - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a silica-coating-forming composition for use with inkjets, said composition containing the following: a silicon compound obtained by hydrolytic polycondensation of a compound represented by the general formula R1 nSiX4−n (R1 representing a C1-20 organic group, X representing a hydrolyzable group, and n representing an integer from 0 to 2); solvents including gamma-butyrolactone, a second solvent having a boiling point of 80°C to 100°C, and a third solvent having a boiling point of 180°C to 230°C; and a surface conditioner. Gamma-butyrolactone constitutes at least 20% of the total mass of the solvents, and the second solvent constitutes 20% to 50% of the total mass of the solvents.

Description

インクジェット用シリカ系被膜形成組成物、シリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムSilica-based film forming composition for inkjet, method for forming silica-based film, semiconductor device, and solar cell system
　本発明は、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物、シリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムに関する。 The present invention relates to a silica-based film forming composition for inkjet, a method for forming a silica-based film, a semiconductor device, and a solar cell system.
　シリカ系被膜は、絶縁性、耐熱性、透明性及び耐磨耗性等に優れていることから、様々な分野で適用されている。例えば、半導体デバイスにおいては、絶縁性、耐熱性及びバリア性の点から、配線間の絶縁膜、素子分離膜及びマスク材といった用途に適用されており、液晶デバイスにおいては、絶縁性、耐熱性及び透明性の点から、素子の保護膜等の用途に適用されている。 Silica-based coatings are applied in various fields because they are excellent in insulation, heat resistance, transparency and wear resistance. For example, semiconductor devices are applied to applications such as insulating films between wires, element isolation films and mask materials from the viewpoint of insulation, heat resistance and barrier properties. In liquid crystal devices, insulation, heat resistance and From the viewpoint of transparency, it is applied to applications such as protective films for elements.
　従来、シリカ系被膜を得る一般的な方法として、気層成長法及び塗布法が知られている。半導体分野では、気層成長法が広く適応されており、緻密なシリカ系被膜が得られる等の特長がある。しかし、特殊な装置が必要であること、近年の処理基材の大型化に伴う装置コストの増大等の課題がある。一方、塗布法は比較的簡便な装置で成膜でき、大型基材への成膜も比較的容易である等の特長がある。塗布法としてはスピンコート法、スプレー法、浸漬法、ロールコート法及びスクリーン印刷法等が挙げられる。 Conventionally, a gas phase growth method and a coating method are known as general methods for obtaining a silica-based film. In the semiconductor field, the gas layer growth method is widely applied and has a feature that a dense silica-based film can be obtained. However, there are problems such as the need for a special apparatus and an increase in apparatus cost associated with the recent increase in size of the processing substrate. On the other hand, the coating method has features such that film formation can be performed with a relatively simple apparatus and film formation on a large-sized substrate is relatively easy. Examples of the coating method include spin coating, spraying, dipping, roll coating, and screen printing.
　ところで、パターン化されたシリカ系被膜を形成する方法としては、フォトリソグラフィー法が主流となっている。しかし、フォトリソグラフィー法によるパターン化は、工程が複雑であり、コスト的に高いという欠点がある。そこで、近年、簡便に安くパターンを形成できる手法としてインクジェット法が検討されている（特許文献１）。インクジェット法は、所望のパターンを所望の位置に形成可能であることから、フォトリソグラフィー法のように基板全面にシリカ系被膜を形成する必要がなく、使用する材料量を大きく削減できるため、コスト的にも環境的にも大きなメリットがある。 By the way, as a method for forming a patterned silica-based film, a photolithography method has become the mainstream. However, patterning by the photolithography method has a drawback that the process is complicated and the cost is high. Therefore, in recent years, an inkjet method has been studied as a method for easily and inexpensively forming a pattern (Patent Document 1). Since the inkjet method can form a desired pattern at a desired position, it is not necessary to form a silica-based coating on the entire surface of the substrate unlike the photolithography method, and the amount of material to be used can be greatly reduced. There are also significant environmental benefits.
　インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物を得る方法としては、アルコキシシランを原料としたゾルーゲル法が知られている（特許文献２、３）。 As a method for obtaining an ink jet-compatible silica-based film forming composition, a sol-gel method using alkoxysilane as a raw material is known (Patent Documents 2 and 3).
特開２００１－２７９１３４号公報JP 2001-279134 A 特開２００９－２３９９８３号公報JP 2009-239983 A 特開２００９－２５３１２７号公報JP 2009-253127 A
　しかし、特許文献２に記載されているように、溶媒としてエタノール又は水を用いる場合、あるいは、特許文献３に記載されているように１００℃以下の溶媒が組成全体の７０～９０重量％占めるような場合には、インクジェット描画による未吐出と吐出の操作を繰り返すと、ノズル目詰まりを引き起こしやすい。量産時においては、このような吐出と未吐出が繰り返されるため、前記従来のシリカ系被膜形成組成物は、実用に供し得るものとしては未だ充分ではない。 However, as described in Patent Document 2, when ethanol or water is used as a solvent, or as described in Patent Document 3, a solvent at 100 ° C. or less may occupy 70 to 90% by weight of the entire composition. In such a case, nozzle clogging is likely to occur if the operations of non-ejection and ejection by ink jet drawing are repeated. In mass production, since such discharge and non-discharge are repeated, the conventional silica-based film-forming composition is not yet sufficient for practical use.
　また、インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物には、これを用いてパターンを描画したときに、描画パターンの断面形状が矩形である又は矩形に近いことが望まれる。例えば、このようなシリカ系被膜形成組成物を用いて絶縁膜を形成する場合、パターン断面形状が矩形ではない（すなわち、絶縁膜の膜厚が膜縁部にかけて低下している）と、絶縁性が局所的に低下してしまい、その結果デバイス特性を低下させる場合がある。 In addition, it is desirable for the silica-based film forming composition for ink jet to have a cross-sectional shape that is rectangular or close to rectangular when a pattern is drawn using this. For example, when an insulating film is formed using such a silica-based film forming composition, the pattern cross-sectional shape is not rectangular (that is, the thickness of the insulating film decreases toward the film edge), and the insulating property May be locally reduced, resulting in degradation of device characteristics.
　このように、インクジェットノズルが目詰まりを起こさず、かつ、描画パターンの断面形状を矩形とするためには、シリカ系被膜形成組成物を含有するインクが、
（１）インクがノズル先端部で乾燥しないこと、
（２）インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいこと、
という特性を両立することが必要となる。しかしながら、これらの特性を両立することは非常に困難である。 Thus, in order for the inkjet nozzle not to be clogged and to make the cross-sectional shape of the drawing pattern rectangular, the ink containing the silica-based film forming composition is:
(1) The ink does not dry at the nozzle tip,
(2) When a small droplet of ink lands on the surface to be coated, the droplet is difficult to spread and spread;
It is necessary to achieve both of these characteristics. However, it is very difficult to achieve both of these characteristics.
　本発明は、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、かつ、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することが可能なインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、並びに当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムを提供することを目的とする。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is for an ink jet that can discharge without causing clogging of the ink jet nozzle even when the operations of non-discharge and discharge are repeated, and can form a drawing pattern having a cross-sectional shape closer to a rectangle. It is an object of the present invention to provide a silica-based film forming composition, a method for forming a silica-based film using the composition, a semiconductor device, and a solar cell system.
　前記課題を解決するために、本発明は、下記（１）及び（２）に記載のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、下記（３）に記載のシリカ系被膜の形成方法、下記（４）に記載の半導体デバイス並びに下記（５）に記載の太陽電池システムを提供する。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a silica-based film-forming composition for inkjet as described in the following (1) and (2), a method for forming a silica-based film as described in (3) below, (4) And the solar cell system described in the following (5).
（１）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、γ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒を含み、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２～０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
　Ｒ１ ｎＳｉＸ４－ｎ　…（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１～２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０～２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０～２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（２）表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、（１）記載の組成物。
（３）インクジェット法により、（１）又は（２）に記載の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備えるシリカ系被膜の形成方法。
（４）基板と、基板上に、（３）に記載の方法により形成されたシリカ系被膜と、を備える半導体デバイス。
（５）（４）に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。 (1) Contains a silicon compound obtained by hydrolysis / polycondensation of a compound represented by the following general formula (I), a solvent, and a surface conditioner. The solvent is γ-butyrolactone and has a boiling point of 80 A second solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C., a mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent being 0.2 or more, and a second solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C. 2. A silica-based film-forming composition for inkjet, wherein the mass ratio of the solvent 2 is 0.2 to 0.5.
R 1 n SiX 4-n (I)
[Wherein R 1 represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms, X represents a hydrolyzable group, and n represents an integer of 0 to 2. However, when n is 2, a plurality of R 1 may be the same or different, and when n is 0 to 2, a plurality of X 1 may be the same or different. ]
(2) The composition according to (1), wherein the surface conditioner is a silicone-based surface conditioner.
(3) A silica-based film comprising: a step of forming a drawing pattern film by discharging the composition according to (1) or (2) by an inkjet method; and a step of curing the drawing pattern film. Forming method.
(4) A semiconductor device comprising a substrate and a silica-based film formed on the substrate by the method according to (3).
(5) A solar cell system comprising the semiconductor device according to (4).
　本発明によれば、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、かつ、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することが可能なインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、並びに当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムが提供される。 According to the present invention, it is possible to discharge without causing clogging of the ink jet nozzle even when the non-discharge and discharge operations are repeated, and it is possible to form a drawing pattern having a cross-sectional shape closer to a rectangle. A silica-based film forming composition for inkjet, a method for forming a silica-based film using the composition, a semiconductor device, and a solar cell system are provided.
　なお、本発明によって前記の効果が奏される理由について、本発明者らは以下のように推察する。 In addition, the present inventors guess as follows about the reason why the above-described effects are exhibited by the present invention.
　すなわち、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさず、かつ、描画時のパターン断面形状を矩形に近づけるためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクが、
（１）インクがノズル先端部で乾燥しないこと（以下「ノズル先端部での非乾燥性」ということがある。）と、
（２）インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいこと（以下「インク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制」ということがある。）、
という特性を両立することが必要となる。これらの特性を満足するためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の溶媒として、低沸点成分である第２の溶媒と高沸点成分であるγ－ブチロラクトン及び第３の溶媒を含有する混合溶媒を用いることが重要である。そして、この混合溶媒において、溶媒中の全質量に対するγ－ブチロラクトン及び第２の溶媒の質量比が特定の数値範囲になるように、それぞれの含有量を調整することが極めて重要である。これにより、主としてγ－ブチロラクトンと第３の溶媒の作用によりノズル先端部での非乾燥性が、また、主としてγ－ブチロラクトンと第２の溶媒の作用によりインク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制が、それぞれ高水準で達成されるものと考えられる。なお、本発明においては、第２の溶媒の沸点を８０～１００℃、第３の溶媒の沸点を１８０～２３０℃とし、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比が０．２以上で、かつ溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２～０．５としている。これは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクのノズル先端部での非乾燥性と、インク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制の両立の点から、これらの条件が好適であるという本発明者らの知見に基づくものである。 That is, the ink containing the silica-based film-forming composition for ink-jet is not used to cause clogging of the ink-jet nozzle even when the non-ejection and ejection operations are repeated and to bring the pattern cross-sectional shape at the time of drawing closer to a rectangle. ,
(1) Ink does not dry at the nozzle tip (hereinafter sometimes referred to as “non-drying property at the nozzle tip”);
(2) When a small droplet of ink lands on the surface to be coated, the droplet is difficult to spread and spread (hereinafter, referred to as “suppression of droplet wetting and spreading when landing on ink”);
It is necessary to achieve both of these characteristics. In order to satisfy these characteristics, a mixed solvent containing a second solvent which is a low-boiling component, γ-butyrolactone which is a high-boiling component, and a third solvent as a solvent for a silica-based film forming composition for inkjet It is important to use In this mixed solvent, it is extremely important to adjust the respective contents so that the mass ratio of γ-butyrolactone and the second solvent to the total mass in the solvent falls within a specific numerical range. As a result, the non-drying property at the nozzle tip is mainly controlled by the action of γ-butyrolactone and the third solvent, and the wetting of the droplets upon ink landing is suppressed mainly by the action of γ-butyrolactone and the second solvent. Each is considered to be achieved at a high level. In the present invention, the boiling point of the second solvent is 80 to 100 ° C., the boiling point of the third solvent is 180 to 230 ° C., and the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent is 0.2 or more, The mass ratio of the second solvent to the total mass of the solvent is 0.2 to 0.5. This is because these conditions are suitable in terms of both non-drying properties at the nozzle tip of the ink containing the silica-based film-forming composition for inkjet and the suppression of droplet wetting and spreading at the time of ink landing. This is based on the knowledge of the present inventors.
　さらに、インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいという効果が奏されるのは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物が表面調整剤を含有することも一因であると考えられる。これにより、被塗布物への濡れ性やシリカ系樹脂の流動性が制御されることによって、インク着弾時の液滴の濡れ広がりが抑制されると考えられる。より具体的には、インク着弾時の液滴の濡れ広がりは、インクの被塗布物への濡れ不均一性（ハジキ等）や、吐出時のインクの溶媒蒸発の不均一性による、局所的なインク粘度増大や表面張力変化によって引き起こされると考えられる。そこで、本発明における表面調整剤とは、（１）乾燥過程の塗膜の表面張力を均一化し、被塗物への濡れを改良する作用を有する化合物、（２）塗膜表面からの溶剤の蒸発を均一化し、局所的な粘度増大や表面張力変化を小さくする作用を有する化合物、から選択される少なくとも一種の化合物として定義される。 In addition, when a minute droplet of ink lands on the surface to be coated, the effect that the droplet does not easily spread is obtained because the silica-based film-forming composition for inkjet contains a surface conditioner. This is also considered to be a factor. Thereby, it is considered that the wetting and spreading of the droplets upon landing of the ink is suppressed by controlling the wettability to the coating object and the fluidity of the silica-based resin. More specifically, the wetting and spreading of the droplets upon landing of the ink is locally caused by non-uniform wetting of the ink to the coated object (such as repelling) and non-uniformity of the solvent evaporation of the ink during ejection. This is considered to be caused by an increase in ink viscosity or a change in surface tension. Therefore, the surface conditioner in the present invention is (1) a compound having the action of uniformizing the surface tension of the coating film in the drying process and improving the wettability to the coating object, and (2) the solvent from the coating film surface. It is defined as at least one compound selected from compounds having the effect of homogenizing evaporation and reducing local viscosity increase and surface tension change.
　以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.
［インクジェット用シリカ系被膜形成組成物］
　本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、下記の（Ａ）～（Ｃ）成分を含有する。 [Silica-based film-forming composition for inkjet]
The silica-based film-forming composition for inkjet according to the present embodiment contains the following components (A) to (C).
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物。
　Ｒ１ ｎＳｉＸ４－ｎ　…（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１～２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０～２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０～２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（Ｂ）γ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒（ただし、γ－ブチロラクトンを除く）を含有し、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２～０．５である溶媒。
（Ｃ）表面調整剤。 (A) A silicon compound obtained by hydrolysis and polycondensation of a compound represented by the following general formula (I).
R 1 n SiX 4-n (I)
[Wherein R 1 represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms, X represents a hydrolyzable group, and n represents an integer of 0 to 2. However, when n is 2, a plurality of R 1 may be the same or different, and when n is 0 to 2, a plurality of X 1 may be the same or different. ]
(B) containing γ-butyrolactone, a second solvent having a boiling point of 80 to 100 ° C. and a third solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C. (excluding γ-butyrolactone), and with respect to the total mass of the solvent A solvent having a mass ratio of γ-butyrolactone of 0.2 or more and a mass ratio of the second solvent to the total mass of the solvent of 0.2 to 0.5.
(C) Surface conditioner.
　以下、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分のそれぞれについて詳述する。 Hereinafter, each of the component (A), the component (B), and the component (C) will be described in detail.
（Ａ）成分：ケイ素化合物
　本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物（以下、場合により「組成物」という）は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物を必須成分とする。 (A) Component: Silicon Compound The silica-based film-forming composition for inkjet according to the present embodiment (hereinafter sometimes referred to as “composition”) is a compound obtained by hydrolysis / polycondensation of the compound represented by the general formula (I). Thus obtained silicon compound is an essential component.
　なお、本明細書において、前記「加水分解・重縮合」とは、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解し、脱水（Ｈ２Ｏ）しながら縮合して重合することを意味する。 In the present specification, the “hydrolysis / polycondensation” means that the compound represented by the general formula (I) is hydrolyzed, condensed while dehydrating (H 2 O), and polymerized. To do.
　前記一般式（Ｉ）のＸとしては、加水分解により脱離しうる基として知られているものを特に制限なく選択することができ、具体的には、例えば、アルコキシ基、ハロゲン基、アセトキシ基、イソシアネート基及びヒドロキシル基が挙げられ、中でもアルコキシ基であることが好ましい。Ｘをアルコキシ基とすることにより、得られるケイ素化合物の液状安定性や得られる組成物中のハロゲン濃度を抑制することが可能となる。 As X in the general formula (I), those known as a group capable of leaving by hydrolysis can be selected without particular limitation. Specifically, for example, an alkoxy group, a halogen group, an acetoxy group, An isocyanate group and a hydroxyl group are mentioned, Among these, an alkoxy group is preferable. By making X an alkoxy group, the liquid stability of the resulting silicon compound and the halogen concentration in the resulting composition can be suppressed.
　Ｘがアルコキシ基である場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物はアルコキシシランである。アルコキシシランとしては、下記一般式（Ｉ－１）で表されるテトラアルコキシシラン、下記一般式（Ｉ－２）で表されるトリアルコキシシラン、下記一般式（Ｉ－３）で表されるジアルコキシシラン等が挙げられる。アルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 When X is an alkoxy group, the compound represented by the general formula (I) is alkoxysilane. Examples of the alkoxysilane include a tetraalkoxysilane represented by the following general formula (I-1), a trialkoxysilane represented by the following general formula (I-2), and a dialkoxysilane represented by the following general formula (I-3). An alkoxysilane etc. are mentioned. An alkoxysilane may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
　Ｓｉ（ＯＲ２）４　…（Ｉ－１）
［式中、Ｒ２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
　Ｒ３Ｓｉ（ＯＲ４）３　…（Ｉ－２）
［式中、Ｒ３はアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
　Ｒ５ ２Ｓｉ（ＯＲ６）２　…（Ｉ－３）
［式中、Ｒ５は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］ Si (OR 2 ) 4 (I-1)
[Wherein R 2 may be the same or different and each independently represents an alkyl group. ]
R 3 Si (OR 4 ) 3 (I-2)
[Wherein R 3 represents an alkyl group or a phenyl group, the phenyl group may have a substituent, and R 4 may be the same or different, and each independently represents an alkyl group. ]
R 5 2 Si (OR 6 ) 2 (I-3)
[In the formula, R 5 may be the same or different, each independently represents an alkyl group or a phenyl group, the phenyl group may have a substituent, and R 6 may be the same or different, Each independently represents an alkyl group. ]
　前記一般式（Ｉ－１）、一般式（Ｉ－２）及び一般式（Ｉ－３）において、アルコキシ基のＲ（Ｒ２、Ｒ４及びＲ６）の炭素数は特に制限はないが、通常炭素数１～１０であり、入手容易性の点から、炭素数１～５が好ましく、炭素数１～３がより好ましい。また、アルコキシ基のＲ（Ｒ２、Ｒ４及びＲ６）は、水素原子の一部がフッ素原子に置換されたものであってもよい。 In the general formula (I-1), general formula (I-2) and general formula (I-3), the number of carbon atoms of the alkoxy group R (R 2 , R 4 and R 6 ) is not particularly limited, Usually, it has 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms from the viewpoint of availability. In addition, R (R 2 , R 4, and R 6 ) of the alkoxy group may be one in which a part of hydrogen atoms is substituted with fluorine atoms.
　一般式（Ｉ－１）で表されるテトラアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ－ｎ－プロポキシシラン、テトラ－ｉｓｏ－プロポキシシラン及びテトラブトキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の取り扱いが容易な点から、テトラエトキシシランを用いることが好ましい。 Examples of the tetraalkoxysilane represented by the general formula (I-1) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, and tetrabutoxysilane. Among these, tetraethoxysilane is preferably used from the viewpoint that the reactivity and the handling of reaction byproducts are easy.
　一般式（Ｉ－２）で表されるトリアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ－ｎ－プロポキシシラン、メチルトリ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ－ｎ－プロポキシシラン、エチルトリ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリ－ｎ－プロポキシシラン、プロピルトリ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリ－ｎ－プロポキシシラン、ブチルトリ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ－ｎ－プロポキシシラン及びフェニルトリ－ｉｓｏ－プロポキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の取り扱いが容易な点から、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン及びフェニルトリエトキシシランを用いることが好ましく、フェニルトリエトキシシランを用いることがより好ましい。 Examples of trialkoxysilanes represented by the general formula (I-2) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and ethyltriethoxysilane. , Ethyltri-n-propoxysilane, ethyltri-iso-propoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, propyltri-n-propoxysilane, propyltri-iso-propoxysilane, butyltrimethoxysilane, butyltriethoxysilane Butyltri-n-propoxysilane, butyltri-iso-propoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltri-n-propoxysilane and phenyl -iso- propoxysilane, and the like. Of these, methyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltriethoxysilane, and phenyltriethoxysilane are preferable, and phenyltriethoxysilane is more preferable because of the reactivity and easy handling of reaction byproducts. preferable.
　一般式（Ｉ－３）で表されるジアルコキシシランとしては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ－ｎ－プロポキシシラン、ジメチルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ－ｎ－プロポキシシラン、ジエチルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ジ－ｎ－プロピルジメトキシシラン、ジ－ｎ－プロピルジエトキシシラン、ジ－ｎ－プロピルジ－ｎ－プロポキシシラン、ジ－ｎ－プロピルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ジ－ｉｓｏ－プロピルジメトキシシラン、ジ－ｉｓｏ－プロピルジエトキシシラン、ジ－ｉｓｏ－プロピルジ－ｎ－プロポキシシラン、ジ－ｉｓｏ－プロピルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ジ－ｎ－ブチルジメトキシシラン、ジ－ｎ－ブチルジエトキシシラン、ジ－ｎ－ブチルジ－ｎ－プロポキシシラン、ジ－ｎ－ブチルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ジ－ｓｅｃ－ブチルジメトキシシラン、ジ－ｓｅｃ－ブチルジエトキシシラン、ジ－ｓｅｃ－ブチルジ－ｎ－プロポキシシラン、ジ－ｓｅｃ－ブチルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジメトキシシラン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジエトキシシラン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジ－ｎ－プロポキシシラン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ－ｎ－プロポキシシラン及びジフェニルジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン等が挙げられる。 Examples of dialkoxysilanes represented by the general formula (I-3) include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldi-n-propoxysilane, dimethyldi-iso-propoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, and diethyldiethoxysilane. -N-propoxysilane, diethyldi-iso-propoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-n-propyldi-n-propoxysilane, di-n-propyldi-iso-propoxy Silane, di-iso-propyldimethoxysilane, di-iso-propyldiethoxysilane, di-iso-propyldi-n-propoxysilane, di-iso-propyldi-iso-propoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di n-butyldiethoxysilane, di-n-butyldi-n-propoxysilane, di-n-butyldi-iso-propoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec- Butyldi-n-propoxysilane, di-sec-butyldi-iso-propoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, di-tert-butyldiethoxysilane, di-tert-butyldi-n-propoxysilane, di-tert- Examples thereof include butyldi-iso-propoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldi-n-propoxysilane and diphenyldi-iso-propoxysilane.
　前記一般式（Ｉ－１）、一般式（Ｉ－２）及び一般式（Ｉ－３）で表されるアルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。前記一般式（Ｉ－１）、一般式（Ｉ－２）及び一般式（Ｉ－３）で表されるアルコキシシランを２種以上組み合わせて用いる場合、混合比は特に限定されない。ただし、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の室温下での安定性（粘度安定性）が確保しやすいこと、及びインクジェット後に得られるシリカ系被膜の耐クラック性が向上することから、一般式（Ｉ－１）で表されるテトラアルコキシシランのモル量Ｍ１に対する、一般式（Ｉ－２）で表されるトリアルコキシシランのモル量Ｍ２及び一般式（Ｉ－３）で表されるジアルコキシシランのモル量Ｍ３の合計量の比（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が０．１以上であることが好ましく、０．３以上であることがより好ましく、０．５以上であることが更に好ましく、０．８以上であることが極めて好ましい。また、下地基板との濡れ性が良好である観点で、（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が４．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、１．５以下であることが極めて好ましい。 The alkoxysilanes represented by the general formula (I-1), general formula (I-2) and general formula (I-3) may be used alone or in combination of two or more. Also good. When the alkoxysilanes represented by the general formula (I-1), general formula (I-2) and general formula (I-3) are used in combination of two or more, the mixing ratio is not particularly limited. However, since it is easy to ensure the stability (viscosity stability) of the silica-based film forming composition for inkjet at room temperature and the crack resistance of the silica-based film obtained after inkjet is improved, the general formula (I -1) The molar amount M 2 of the trialkoxysilane represented by the general formula (I-2) and the dialkoxy represented by the general formula (I-3) with respect to the molar amount M 1 of the tetraalkoxysilane represented by -1) The ratio (M 2 + M 3 ) / M 1 of the total amount of the silane molar amount M 3 is preferably 0.1 or more, more preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more. More preferably, it is very preferably 0.8 or more. From the viewpoint of good wettability with the base substrate, (M 2 + M 3 ) / M 1 is preferably 4.0 or less, more preferably 2.5 or less, and 1.5 or less. It is very preferable that
　アルコキシシランを加水分解・重縮合する際には、（Ｂ）成分を溶媒として用いてもよく、又は、（Ｂ）成分以外の溶媒を用いてもよい。アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に用いる溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｉｓｏ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ－ｉｓｏ－ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ－ブチロラクトン及びγ－バレロラクトン等のケトン系溶媒；
ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、ジ－ｉｓｏ－プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン及びジメチルジオキサン等のエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ－ｎ－プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ－ｎ－プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ－ｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ－ｎ－プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ－ｎ－ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ－ｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ－ｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ－ｎ－ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ－ｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ－ｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ－ｎ－ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ－ｎ－ヘキシルエーテル及びテトラプロピレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル等のアルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール－ｎ－ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ｉｓｏ－プロピル、酢酸ブチル、酢酸ｉｓｏ－ブチル、酢酸ｓｅｃ－ブチル、酢酸ｎ－ペンチル、酢酸ｓｅｃ－ペンチル、酢酸３－メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２－エチルブチル、酢酸２－エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、プロピオン酸ｉｓｏ－アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ－ｎ－ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル及び乳酸ｎ－アミル等のエステル系溶媒；
Ｎ－メチルピロリジノン、Ｎ－エチルピロリジノン、Ｎ－プロピルピロリジノン、Ｎ－ブチルピロリジノン、Ｎ－ヘキシルピロリジノン及びＮ－シクロヘキシルピロリジノン等のピロリジノン系溶媒；
メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－メチル－１－プロパノール（ｉｓｏ－ブタノール）、２－ブタノール（ｓｅｃ－ブタノール）、２－メチル－２－プロパノール（ｔｅｒｔ－ブタノール）、１－ペンタノール、２－ペンタノール、２－メチルブタノール、２－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール（ｔｅｒｔ－ペンタノール）、３－メトキシブタノール、１－ヘキサノール、２－メチルペンタノール、２－ヘキサノール、２－エチルブタノール、２－ヘプタノール、１－オクタノール、２－エチルヘキサノール、２－オクタノール、１－ノニルアルコール、１－デカノール、２－ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、２－テトラデシルアルコール、２－ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール及びベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；
エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール及びトリプロピレングリコール等のグリコール系溶媒；並びに、
アセトニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド及びＮ，Ｎ－ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。 When the alkoxysilane is hydrolyzed and polycondensed, the component (B) may be used as a solvent, or a solvent other than the component (B) may be used. Solvents used for hydrolysis and polycondensation of alkoxysilane include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-iso-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, methyl-n- Pentyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, diethyl ketone, dipropyl ketone, di-iso-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, cyclopentanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, γ-butyrolactone And ketone solvents such as γ-valerolactone;
Ether solvents such as diethyl ether, methyl ethyl ether, methyl propyl ether, di-iso-propyl ether, tetrahydrofuran, methyl tetrahydrofuran, dioxane and dimethyl dioxane;
Ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol mono-n-hexyl ether, ethoxytriglycol, tetraethylene glycol mono-n Alkylene glycol monoalkyl ether solvents such as butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether and tripropylene glycol monomethyl ether;
Ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol di-n-propyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol methyl mono-n-propyl ether, diethylene glycol methyl mono-n- Butyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, diethylene glycol methyl mono-n-hexyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, triethylene glycol methyl ethyl ether, triethylene glycol Tyl mono-n-butyl ether, triethylene glycol di-n-butyl ether, triethylene glycol methyl mono-n-hexyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol diethyl ether, tetradiethylene glycol methyl ethyl ether, tetraethylene glycol methyl mono-n -Butyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, tetraethylene glycol methyl mono-n-hexyl ether, tetraethylene glycol di-n-butyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol di-n-propyl ether, propylene glycol Dibutyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether Dipropylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol methyl ethyl ether, dipropylene glycol methyl mono-n-butyl ether, dipropylene glycol di-n-propyl ether, dipropylene glycol di-n-butyl ether, dipropylene glycol methyl mono- n-hexyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol diethyl ether, tripropylene glycol methyl ethyl ether, tripropylene glycol methyl mono-n-butyl ether, tripropylene glycol di-n-butyl ether, tripropylene glycol methyl mono-n- Hexyl ether, tetrapropylene glycol dimethyl ether, tetrapropylene glycol diethyl ether Alkylene glycol dialkyl ether solvents such as ter, tetradipropylene glycol methyl ethyl ether, tetrapropylene glycol methyl mono-n-butyl ether, tetrapropylene glycol methyl mono-n-hexyl ether and tetrapropylene glycol di-n-butyl ether;
Ethylene glycol methyl ether propionate, ethylene glycol ethyl ether propionate, ethylene glycol methyl ether acetate, ethylene glycol ethyl ether acetate, diethylene glycol methyl ether acetate, diethylene glycol ethyl ether acetate, diethylene glycol-n-butyl ether acetate, propylene glycol methyl ether acetate Alkylene glycol alkyl ether acetate solvents such as propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate and dipropylene glycol ethyl ether acetate;
Methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, iso-propyl acetate, butyl acetate, iso-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl pentyl acetate, 2-acetate Ethylbutyl, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, nonyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene acetate Glycol monomethyl ether, acetic acid dipropylene glycol monoethyl ether, diacetic acid glycol, methoxytriglycol acetate, ethyl propionate, propionate n-buty , Propionic acid iso- amyl, diethyl oxalate, oxalate, di -n- butyl, methyl lactate, ethyl lactate, ester solvents such as lactic acid n- butyl and lactic n- amyl
Pyrrolidinone solvents such as N-methylpyrrolidinone, N-ethylpyrrolidinone, N-propylpyrrolidinone, N-butylpyrrolidinone, N-hexylpyrrolidinone and N-cyclohexylpyrrolidinone;
Methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-methyl-1-propanol (iso-butanol), 2-butanol (sec-butanol), 2-methyl-2-propanol (tert-butanol) 1-pentanol, 2-pentanol, 2-methylbutanol, 2-pentanol, 2-methyl-2-butanol (tert-pentanol), 3-methoxybutanol, 1-hexanol, 2-methylpentanol, 2-hexanol, 2-ethylbutanol, 2-heptanol, 1-octanol, 2-ethylhexanol, 2-octanol, 1-nonyl alcohol, 1-decanol, 2-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, 2-tetradecyl alcohol 2-heptade Alcohol, phenol, cyclohexanol, alcohol solvents such as methyl cyclohexanol and benzyl alcohol;
Glycol-based solvents such as ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol and tripropylene glycol; and
Examples include acetonitrile, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and N, N-dimethylsulfoxide. These are used singly or in combination of two or more.
　なお、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に（Ｂ）成分以外の溶媒を用いた場合には、反応後に留去等によって溶媒を除去又は置換し、得られるシロキサン樹脂又はシロキサン樹脂溶液をインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の調製に供することができる。 When a solvent other than the component (B) is used when hydrolyzing / polycondensing the alkoxysilane, the solvent is removed or replaced by distillation after the reaction, and the resulting siloxane resin or siloxane resin solution is inkjetted. It can be used for preparation of a silica-based film forming composition.
　前記の溶媒を用いて一般式（Ｉ－１）、一般式（Ｉ－２）及び一般式（Ｉ－３）を加水分解・重縮合する際の溶媒量は、反応の均一性等の点から、ＳｉＯ２換算濃度が５質量％～３５質量％の範囲になるようにすることが好ましく、下限としては１０質量％以上の範囲が、上限としては３０質量％以下の範囲が、それぞれより好ましい。 The amount of the solvent when the general formula (I-1), the general formula (I-2) and the general formula (I-3) are hydrolyzed and polycondensed using the above-mentioned solvent is determined from the viewpoint of the uniformity of the reaction, etc. The SiO 2 equivalent concentration is preferably in the range of 5% by mass to 35% by mass, the lower limit is more preferably 10% by mass or more, and the upper limit is more preferably 30% by mass or less.
　また、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際、反応時間の短縮及び反応の均一化のため、触媒を添加することが好ましい。触媒としては、酸触媒、アルカリ触媒及び金属キレート化合物等が挙げられるが、得られるインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の安定性確保の点から、酸触媒を用いることが好ましい。 In addition, when hydrolyzing / polycondensing alkoxysilane, it is preferable to add a catalyst in order to shorten the reaction time and make the reaction uniform. Examples of the catalyst include an acid catalyst, an alkali catalyst, a metal chelate compound, and the like. From the viewpoint of ensuring the stability of the resulting silica-based film-forming composition for inkjet, it is preferable to use an acid catalyst.
　酸触媒としては、例えば、有機酸及び無機酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、蟻酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバシン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、ｐ－アミノ安息香酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルフォン酸及びトリフルオロエタンスルフォン酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、燐酸、硝酸、ホウ酸、硫酸及びフッ酸が挙げられる。これらの中で特に有機酸としてはマレイン酸、無機酸としては硝酸を用いることが好ましい。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of the acid catalyst include organic acids and inorganic acids. Examples of organic acids include formic acid, maleic acid, fumaric acid, phthalic acid, malonic acid, succinic acid, tartaric acid, malic acid, lactic acid, citric acid, acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid , Octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, oxalic acid, adipic acid, sebacic acid, butyric acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linolenic acid, salicylic acid, benzenesulfonic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p- Examples include toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid and trifluoroethanesulfonic acid. Examples of inorganic acids include hydrochloric acid, phosphoric acid, nitric acid, boric acid, sulfuric acid, and hydrofluoric acid. Among these, it is particularly preferable to use maleic acid as the organic acid and nitric acid as the inorganic acid. These can be used alone or in combination of two or more.
　触媒の使用量は、アルコキシシランの種類及び使用量、触媒の種類等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（Ｉ－１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ－２）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（Ｉ－３）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用い、かつ、触媒として酸触媒を用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（Ｉ－１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ－２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（Ｉ－３）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、酸触媒の使用量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］～［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１０］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］～［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１００］の範囲が更に好ましい。酸触媒の使用量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象の抑制が容易になる。 The amount of catalyst used can be appropriately selected according to the type and amount of alkoxysilane, the type of catalyst, and the like. For example, a tetraalkoxysilane represented by the general formula (I-1), a trialkoxysilane represented by the general formula (I-2), and a dialkoxysilane represented by the general formula (I-3) are used in combination. When an acid catalyst is used as the catalyst, the molar ratio of the tetraalkoxysilane represented by the general formula (I-1) to the total number of moles of the alkoxysilane is represented by A and the trioxide represented by the general formula (I-2). When the molar ratio of alkoxysilane is B and the molar ratio of dialkoxysilane represented by the general formula (I-3) is C, the amount (molar ratio) of the acid catalyst used is [(4A + 3B + 2C) / 3000] to [ The range of (4A + 3B + 2C) / 10] is preferable, and the range of [(4A + 3B + 2C) / 3000] to [(4A + 3B + 2C) / 100] is more preferable. By making the usage-amount of an acid catalyst into the said range, reaction can fully advance and suppression of the phenomenon which gelatinizes because reaction advances too much becomes easy.
　また、アルコキシシランを加水分解・重縮合させる際、使用する水の量は、アルコキシシランの種類及び使用量等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（Ｉ－１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ－２）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（Ｉ－３）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（Ｉ－１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ－２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（Ｉ－３）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、水の量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×０．５］～［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×２］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×０．５］～［４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×１］の範囲が更に好ましい。水の量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象の抑制が容易になる。 In addition, when the alkoxysilane is hydrolyzed / polycondensed, the amount of water to be used can be appropriately selected according to the type and amount of the alkoxysilane used. For example, a tetraalkoxysilane represented by general formula (I-1), a trialkoxysilane represented by general formula (I-2), and a dialkoxysilane represented by general formula (I-3) are used in combination. In this case, the molar ratio of the tetraalkoxysilane represented by the general formula (I-1) to the total number of moles of alkoxysilane is A, the molar ratio of the trialkoxysilane represented by the general formula (I-2) is B, When the molar ratio of the dialkoxysilane represented by the formula (I-3) is C, the amount of water (molar ratio) ranges from [(4A + 3B + 2C) × 0.5] to [(4A + 3B + 2C) × 2]. The range of [(4A + 3B + 2C) × 0.5] to [4A + 3B + 2C) × 1] is more preferable. By setting the amount of water within the above range, the reaction can sufficiently proceed, and the phenomenon of gelation due to excessive progress of the reaction can be easily suppressed.
　（Ａ）成分であるケイ素化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、溶媒への溶解性、インクジェット吐出性等の観点から、５００～２００００であることが好ましく、５００～１００００であるとより好ましい。当該重量平均分子量が前記範囲内であると、シリカ系被膜の成膜性と、ケイ素化合物及び溶媒の相溶性とを高水準で達成できる。なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）により測定され、かつ標準ポリスチレンの検量線を使用して換算されたものである。 The weight average molecular weight (Mw) of the silicon compound as the component (A) is preferably 500 to 20000, more preferably 500 to 10,000, from the viewpoints of solubility in a solvent, inkjet dischargeability, and the like. When the weight average molecular weight is within the above range, the film-formability of the silica-based film and the compatibility of the silicon compound and the solvent can be achieved at a high level. In this specification, “weight average molecular weight” is measured by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as “GPC”) and converted using a standard polystyrene calibration curve. .
　＜重量平均分子量の測定＞
　重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、以下の条件によるＧＰＣにより測定することができる。 <Measurement of weight average molecular weight>
The weight average molecular weight (Mw) can be measured, for example, by GPC under the following conditions.
（条件）
　試料：インクジェット用シリカ系被膜形成組成物　１０μＬ
　標準ポリスチレン：東ソー株式会社製標準ポリスチレン（分子量；１９００００、１７９００、９１００、２９８０、５７８、４７４、３７０、２６６）
　検出器：株式会社日立製作所製、ＲＩ－モニター、商品名「Ｌ－３０００」
　インテグレーター：株式会社日立製作所製、ＧＰＣインテグレーター、商品名「Ｄ－２２００」
　ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ－６０００」
　デガス装置：昭和電工株式会社製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ　ＤＥＧＡＳ」
　カラム：日立化成工業株式会社製、商品名「ＧＬ－Ｒ４４０」、「ＧＬ－Ｒ４３０」、「ＧＬ－Ｒ４２０」をこの順番で連結して使用
　溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
　測定温度：２３℃
　流速：１．７５ｍＬ／分
　測定時間：４５分 (conditions)
Sample: 10 μL of silica-based film forming composition for inkjet
Standard polystyrene: Standard polystyrene manufactured by Tosoh Corporation (molecular weight: 190000, 17900, 9100, 2980, 578, 474, 370, 266)
Detector: manufactured by Hitachi, Ltd., RI-monitor, trade name “L-3000”
Integrator: Hitachi, Ltd., GPC integrator, product name “D-2200”
Pump: Hitachi, Ltd., trade name “L-6000”
Degassing device: Showa Denko Co., Ltd., trade name "Shodex DEGAS"
Column: manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade names “GL-R440”, “GL-R430”, “GL-R420” are used in this order and are used Eluent: Tetrahydrofuran (THF)
Measurement temperature: 23 ° C
Flow rate: 1.75 mL / min Measurement time: 45 minutes
　本実施形態において、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物中の（Ａ）成分の含有量は、５～３５質量％であることが好ましい。（Ａ）成分の含有量が５質量％以上であれば、形成されるシリカ系被膜の膜厚が薄過ぎず適度な厚さとなるため、所望の膜厚を得るために複数回の重ね描画が必要となる可能性を低減できる。これにより、プロセス時間の増大や重ね描画による描画パターンの滲み発生を抑制しやすくなる。一方、（Ａ）成分の含有量が３５質量％以下であれば、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の保管安定性をより良好にすることができる傾向にあり、同様の観点で３０質量％以下であることが好ましい。 In this embodiment, the content of the component (A) in the silica-based film-forming composition for inkjet is preferably 5 to 35% by mass. If the content of the component (A) is 5% by mass or more, the thickness of the silica-based film to be formed is not too thin and becomes an appropriate thickness. The possibility of being necessary can be reduced. Thereby, it becomes easy to suppress the increase in process time and the occurrence of bleeding of the drawing pattern due to the overlapping drawing. On the other hand, if the content of the component (A) is 35% by mass or less, the storage stability of the silica-based film-forming composition for inkjet tends to be improved, and 30% by mass or less from the same viewpoint. It is preferable that
（Ｂ）成分：溶媒
　本実施形態に係る（Ｂ）成分は、γ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒を含有し、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２～０．５である溶媒である。なお、本明細書において、「沸点」とは常圧（１気圧）での沸点を意味する。 Component (B): Solvent The component (B) according to this embodiment contains γ-butyrolactone, a second solvent having a boiling point of 80 to 100 ° C., and a third solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C., A solvent in which the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent is 0.2 or more and the mass ratio of the second solvent to the total mass of the solvent is 0.2 to 0.5. In the present specification, the “boiling point” means a boiling point at normal pressure (1 atm).
　γ－ブチロラクトンは、沸点が２０４℃であり、２０℃における表面張力が４３．９ｄｙｎ／ｃｍ（４３．９×１０－３Ｎ／ｍ）の有機溶媒である。このような沸点と表面張力とを有するγ－ブチロラクトンを溶媒中に含有させることにより、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクのノズル先端部での非乾燥性と、インク着弾時の液滴濡れ広がり抑制との両立が可能となると考えられる。 γ-Butyrolactone is an organic solvent having a boiling point of 204 ° C. and a surface tension at 20 ° C. of 43.9 dyn / cm (43.9 × 10 −3 N / m). By containing γ-butyrolactone having such a boiling point and surface tension in the solvent, the non-drying property at the nozzle tip of the ink containing the ink-jet silica-based film-forming composition and the liquid upon ink landing It is considered that it is possible to achieve both suppression of dripping and spreading.
　第２の溶媒は、沸点が８０℃～１００℃であり、沸点がこのような範囲内であれば、特に制限はないが、前記沸点は８０℃～９５℃であることが好ましく、８０℃～９０℃であることがより好ましい。第２の溶媒としては、１－プロパノール、２－プロパノール、２－メチル－２－プロパノール及び２－ブタノール等が挙げられる。なお、組成物に含まれる第２の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。 The second solvent has a boiling point of 80 ° C. to 100 ° C., and the boiling point is not particularly limited as long as the boiling point is within such a range, but the boiling point is preferably 80 ° C. to 95 ° C., preferably 80 ° C. to More preferably, it is 90 ° C. Examples of the second solvent include 1-propanol, 2-propanol, 2-methyl-2-propanol, and 2-butanol. The second solvent contained in the composition may be one type or two or more types.
　第３の溶媒は、沸点が１８０℃～２３０℃である。前記γ－ブチロラクトンの沸点はこの範囲であるが、第３の溶媒からは除かれる。第３の溶媒の沸点は、１８０℃～２２０℃であることがより好ましく、１８０℃～２１０℃であることが更に好ましく、１８０℃～２００℃であることが特に好ましい。インクのノズル先端部での非乾燥性と、インク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制との両立には、前述のとおり、γ－ブチロラクトンを用いなければならない。一方で、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物中のシロキサン樹脂の溶媒との相溶性向上や、インクの室温下での安定性向上を図るためには、γ－ブチロラクトンとγ－ブチロラクトン以外の溶媒とを併用することが好ましい。 The third solvent has a boiling point of 180 ° C. to 230 ° C. The boiling point of the γ-butyrolactone is within this range, but is excluded from the third solvent. The boiling point of the third solvent is more preferably 180 ° C. to 220 ° C., further preferably 180 ° C. to 210 ° C., and particularly preferably 180 ° C. to 200 ° C. As described above, γ-butyrolactone must be used to achieve both non-drying properties at the ink nozzle tip and suppression of droplet wetting and spreading when the ink lands. On the other hand, in order to improve the compatibility with the solvent of the siloxane resin in the silica-based film forming composition for inkjet and to improve the stability of the ink at room temperature, a solvent other than γ-butyrolactone and γ-butyrolactone It is preferable to use together.
　第３の溶媒としては、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に用いる溶媒の説明で例示した、エーテル系溶媒、グリコール系溶媒、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒、アルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒及びアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒等が挙げられ、中でも、γ－ブチロラクトン及び第２の溶媒との相溶性に優れる点で、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒及びグリコール系溶媒を用いることが好ましい。なお、組成物に含まれる第３の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。 Examples of the third solvent include ether solvents, glycol solvents, alkylene glycol monoalkyl ether solvents, alkylene glycol dialkyl ether solvents, and alkylenes exemplified in the description of the solvent used when hydrolyzing and polycondensing alkoxysilane. Examples thereof include glycol alkyl ether acetate solvents, and among them, alkylene glycol monoalkyl ether solvents and glycol solvents are preferably used because they are excellent in compatibility with γ-butyrolactone and the second solvent. In addition, the 3rd solvent contained in a composition may be 1 type, or 2 or more types.
　本実施形態において、γ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒を含有する溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２以上であるが、０．２～０．７であることが好ましく、０．２～０．６であることがより好ましい。γ－ブチロラクトンの質量比をこの範囲内とすることで、組成物を含有するインクを吐出する際のノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がり抑制とを両立できる。このため、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさずかつ描画パターンの断面を矩形に近い形とすることができる。 In this embodiment, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent containing γ-butyrolactone, the second solvent having a boiling point of 80 to 100 ° C., and the third solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C. is 0. .2 or more, preferably 0.2 to 0.7, more preferably 0.2 to 0.6. By setting the mass ratio of γ-butyrolactone within this range, it is possible to achieve both non-drying properties at the nozzle tip when ejecting ink containing the composition and suppressing wetting and spreading of droplets upon landing. For this reason, even if the operation of non-ejection and ejection is repeated, the inkjet nozzles are not clogged, and the cross section of the drawing pattern can be made a shape close to a rectangle.
　また、本実施形態において、γ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒を含有する溶媒の全質量に対する、第２の溶媒の質量比は０．２～０．５であるが、０．２５～０．５であることが好ましく、０．３～０．５であることがより好ましい。第２の溶媒の質量比をこの範囲内とすることで、組成物を含有するインクを吐出する際のノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がり抑制とを両立できる。このため、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさずかつ描画パターンの断面を矩形に近い形とすることができる。 In the present embodiment, the second solvent has a total mass of γ-butyrolactone, the second solvent having a boiling point of 80 to 100 ° C., and the third solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C. The mass ratio is 0.2 to 0.5, preferably 0.25 to 0.5, and more preferably 0.3 to 0.5. By setting the mass ratio of the second solvent within this range, it is possible to achieve both non-drying properties at the nozzle tip when ejecting ink containing the composition and suppressing wetting and spreading of the droplets upon landing. For this reason, even if the operation of non-ejection and ejection is repeated, the inkjet nozzles are not clogged, and the cross section of the drawing pattern can be made a shape close to a rectangle.
（Ｃ）成分：表面調整剤
　本実施形態の組成物は（Ｃ）成分として表面調整剤を含有する。組成物が表面調整剤を含有することによって、インクの基板表面への濡れ性制御及び描画パターンの滲み防止が可能となり、描画パターンの断面形状をより矩形に近い形に制御することができる。（Ｃ）成分としては、「表面調整剤」として市販されている化合物を特に制限なく使用することができ、具体的には、フッ素系表面調整剤、シリコーン系表面調整剤及びノニオン系表面調整剤等を用いることができる。中でも、特にシリコーン系表面調整剤を用いることがインク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制の上で効果的である。 Component (C): Surface Conditioner The composition of the present embodiment contains a surface conditioner as the component (C). When the composition contains a surface conditioner, it is possible to control the wettability of the ink to the substrate surface and prevent bleeding of the drawing pattern, and the cross-sectional shape of the drawing pattern can be controlled to a shape closer to a rectangle. As the component (C), a commercially available compound as a “surface conditioner” can be used without particular limitation. Specifically, a fluorine-based surface conditioner, a silicone-based surface conditioner, and a nonionic surface conditioner Etc. can be used. Among these, the use of a silicone-based surface conditioner is particularly effective in suppressing the wetting and spreading of liquid droplets upon ink landing.
　（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分に対して、０．１質量％以上が好ましく、０．１５質量％以上がより好ましく、０．２質量％以上がさらに好ましい。また、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分に対して、１．０質量％以下が好ましく、０．９質量％以下がより好ましく、０．８質量％以下がさらに好ましい。なお、（Ｃ）成分は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 The content of the component (C) is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.15% by mass or more, and further preferably 0.2% by mass or more with respect to the component (A). Moreover, 1.0 mass% or less is preferable with respect to (A) component, as for content of (C) component, 0.9 mass% or less is more preferable, and 0.8 mass% or less is further more preferable. In addition, (C) component may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
［シリカ系被膜の形成方法］
　本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法は、インクジェット法により、前記の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を予備硬化させる工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備える。 [Method of forming silica-based film]
A method for forming a silica-based film according to the present embodiment includes a step of forming a drawing pattern film by discharging the composition by ink jetting to form a drawing pattern film, a step of pre-curing the drawing pattern film, and a drawing pattern. Curing the film.
（描画パターン膜を形成する工程）
　インクジェット法によるパターン描画は、インクジェット装置を用いて行うことができる。インクジェット装置は、一般的にコンティニュアス型（連続吐出型）とオンデマンド型の２種類の型式に大別されるが、本実施形態においてはオンデマンド型を用いることが好ましい。コンティニュアス型は、基板上にパターンを描画しないときであってもインクは常に連続して吐出する方式である。一方、オンデマンド型は、必要な時に必要な量だけインクを吐出し、基板上にパターンを描画する方式である。 (Process for forming drawing pattern film)
Pattern drawing by the inkjet method can be performed using an inkjet apparatus. Ink jet devices are generally roughly classified into two types, a continuous type (continuous discharge type) and an on-demand type. In this embodiment, it is preferable to use an on-demand type. The continuous type is a system in which ink is always ejected continuously even when a pattern is not drawn on a substrate. On-demand type, on the other hand, is a method of drawing a pattern on a substrate by ejecting ink in a necessary amount when necessary.
　オンデマンド型には、電圧を加えると変形するピエゾ素子を用いたインクジェット装置と、加熱によって生じる気泡を利用して吐出するサーマル方式のインクジェット装置とがある。本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、基本的にはどちらの装置を用いても構わないが、インクの組成変化を抑制する点からピエゾ素子を用いたインクジェット装置を用いることが好ましい。 The on-demand type includes an inkjet apparatus using a piezoelectric element that deforms when a voltage is applied, and a thermal inkjet apparatus that discharges using bubbles generated by heating. The silica-based film-forming composition for inkjet according to the present embodiment may basically use either device, but it is preferable to use an inkjet device using a piezo element from the viewpoint of suppressing ink composition change. .
　インクジェット法にてパターン描画する際に、パターンが描画される基板を５０～１００℃の範囲で加熱しながら描画してもよい。基板加熱によって、基板上でのインクの即乾性を更に向上でき、描画パターンの乱れを防止できる。 When the pattern is drawn by the inkjet method, the substrate on which the pattern is drawn may be drawn while being heated in the range of 50 to 100 ° C. By heating the substrate, the quick drying property of the ink on the substrate can be further improved, and the disorder of the drawing pattern can be prevented.
（描画パターン膜を予備硬化させる工程）
　本実施形態においては、描画パターン膜を硬化させる工程の前に、描画パターン膜を予備硬化させる工程を備えていてもよい。予備硬化させる際には、一段目ベイク温度を８０～１４０℃、二段目ベイク温度を１８０～２５０℃に設定したホットプレート等にて、描画パターン膜中のシロキサン樹脂の重縮合反応促進と有機溶媒の乾燥とを段階的に分けて行ってもよい。また、前記一段目及び／又は二段目ベイクを更に多段化してもよい。多段ベイクによって、シロキサン樹脂は均一に硬化され、溶媒除去時の熱対流に伴う描画パターンの乱れが防止できる。 (Step of pre-curing the drawing pattern film)
In the present embodiment, a step of precuring the drawing pattern film may be provided before the step of curing the drawing pattern film. When pre-curing, the polycondensation reaction of the siloxane resin in the drawing pattern film is promoted and organic using a hot plate or the like where the first-stage baking temperature is set to 80 to 140 ° C. and the second-stage baking temperature is set to 180 to 250 ° C. The drying of the solvent may be performed in stages. Further, the first stage and / or the second stage bake may be further multi-staged. By the multi-stage baking, the siloxane resin is uniformly cured, and it is possible to prevent the drawing pattern from being disturbed due to the thermal convection when the solvent is removed.
（描画パターン膜を硬化させる工程）
　本工程において、最終硬化は、例えば、描画パターン膜（予備硬化していなくてもよい）を、３５０～１０００℃の加熱温度で焼成して行う。なお、最終硬化の加熱温度が３５０℃以上であれば、充分な硬化が達成され易く、１０００℃以下であれば、高温による基板への影響を生じにくくすることができる。 (Process of curing the drawing pattern film)
In this step, the final curing is performed, for example, by baking the drawing pattern film (which may not be precured) at a heating temperature of 350 to 1000 ° C. In addition, if the heating temperature of the final curing is 350 ° C. or higher, sufficient curing is easily achieved, and if it is 1000 ° C. or lower, the influence of the high temperature on the substrate can be made difficult to occur.
　最終硬化の際の加熱時間は、２～６０分が好ましく、２～３０分であるとより好ましい。この加熱時間が６０分以下であれば、入熱量が過度に増大することがないため、徐々に基板の劣化が生じてしまうことが抑制される。また、加熱装置としては、石英チューブ炉、その他の炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）、ＵＶ照射アニール及びＥＢ照射アニール等の加熱処理装置等を用いることが好ましい。 The heating time for the final curing is preferably 2 to 60 minutes, more preferably 2 to 30 minutes. If this heating time is 60 minutes or less, the amount of heat input will not increase excessively, and thus the deterioration of the substrate will be suppressed gradually. As a heating device, it is preferable to use a heat treatment device such as a quartz tube furnace, other furnaces, a hot plate, rapid thermal annealing (RTA), UV irradiation annealing, and EB irradiation annealing.
　最終硬化時のガスの雰囲気は、基板に対して好ましくない影響を及ぼさなければ、窒素、アルゴン及びヘリウム等の不活性ガスの雰囲気でも、酸素やオゾン等の活性ガスの雰囲気のどちらであってもよい。 The atmosphere of the gas at the time of final curing may be an atmosphere of an inert gas such as nitrogen, argon or helium, or an atmosphere of an active gas such as oxygen or ozone, as long as it does not adversely affect the substrate. Good.
　本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法により形成されるシリカ系被膜の用途は特に制限されないが、例えば、半導体デバイス（素子）や多層配線板等の絶縁膜を備えるデバイスへの使用が挙げられる。具体的には、半導体デバイスにおいては、表面保護膜（パッシベーション膜）、バッファーコート膜、層間絶縁膜及び拡散防止膜等として使用することができる。一方、多層配線板においては、層間絶縁膜として好適に使用することができる。 The use of the silica-based film formed by the method for forming a silica-based film according to the present embodiment is not particularly limited, and examples thereof include use for devices including an insulating film such as a semiconductor device (element) or a multilayer wiring board. . Specifically, in a semiconductor device, it can be used as a surface protective film (passivation film), a buffer coat film, an interlayer insulating film, a diffusion prevention film, and the like. On the other hand, in a multilayer wiring board, it can be suitably used as an interlayer insulating film.
［半導体デバイス］
　本実施形態の半導体デバイスは、基板と、前記シリカ系被膜の形成方法により基板上に形成された、所定のパターンを有するシリカ系被膜と、を備えている。このような半導体デバイスとしては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ及びサイリスタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）及びフラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ及びＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、並びに発光ダイオード及び電荷結合素子等の光電変換素子などが挙げられる。 [Semiconductor devices]
The semiconductor device of this embodiment includes a substrate and a silica-based film having a predetermined pattern formed on the substrate by the method for forming a silica-based film. Such semiconductor devices include, for example, individual semiconductors such as diodes, transistors, compound semiconductors, thermistors, varistors, and thyristors, DRAMs (Dynamic Random Access Memory), SRAMs (Static Random Access Memory), EPROMs. (Eraseable Programmable Read Only Memory), Mask ROM (Mask Read Only Memory), EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), Flash Memory, and other Memory Elements, Microprocessor, DSP And theoretical circuit elements such as ASIC, integrated circuit elements such as compound semiconductors represented by MMIC (monolithic microwave integrated circuit), hybrid integrated circuits (hybrid) IC), as well as such a photoelectric conversion element such as a light emitting diode and a charge coupled device and the like.
　なお、多層配線板としては、例えば、ＭＣＭ等の高密度配線板が挙げられる。 In addition, as a multilayer wiring board, high-density wiring boards, such as MCM, are mentioned, for example.
［太陽電池システム］
　本実施形態の太陽電池システムは、前記半導体デバイスを備えている。前述の半導体デバイスの中で、光電変換素子は太陽電池システムに使用される半導体デバイスであり、昨今の環境問題の影響もあって開発が活発になされている。代表的な光電変換素子としては、半導体のＳｉウェハにドーパントと呼ばれる不純物を拡散させて、ｐ－ｎ接合を形成したものが挙げられる。このような光電変換素子においては、太陽電池の高効率化のため、ドーパントの非拡散領域と拡散領域が１枚のＳｉウェハ上に混在するような素子を作製する場合がある。そのような場合、非拡散領域に拡散防止マスクを形成する必要が生じる。これまで、拡散防止マスクはＣＶＤ等で形成したシリカ系被膜をフォトリソグラフィー法でパターン化して得ていた。しかし、本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を用いれば、インクジェットによってパターン化したシリカ系被膜を得ることができ、工程数の削減や必要材料の削減が可能なため、有用である。 [Solar cell system]
The solar cell system of this embodiment includes the semiconductor device. Among the semiconductor devices described above, the photoelectric conversion element is a semiconductor device used in a solar cell system, and has been actively developed due to the influence of recent environmental problems. A typical photoelectric conversion element includes a semiconductor Si wafer in which an impurity called a dopant is diffused to form a pn junction. In such a photoelectric conversion element, there is a case where an element in which a non-diffusion region and a diffusion region of a dopant are mixed on one Si wafer is sometimes produced in order to increase the efficiency of the solar cell. In such a case, it is necessary to form a diffusion prevention mask in the non-diffusion region. Up to now, a diffusion prevention mask has been obtained by patterning a silica-based film formed by CVD or the like by a photolithography method. However, if the silica-based film forming composition for inkjet according to the present embodiment is used, a silica-based film patterned by inkjet can be obtained, which is useful because the number of steps and the necessary materials can be reduced.
　また、本実施形態に係るシリカ系被膜は、液晶用部品、光導波路及びフォトレジスト等の用途としても使用することができるが、使用用途はこの限りではない。 The silica-based coating according to the present embodiment can be used for applications such as liquid crystal parts, optical waveguides, and photoresists, but the usage is not limited to this.
　以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.
（ケイ素化合物Ａの調製）
　テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ａを得た。この時点でのケイ素化合物Ａのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。なお、固形分とは、水、溶剤等の揮発する物質を除いた固形部分をいい、不揮発分を示す。以下において同様である。 (Preparation of silicon compound A)
Water 36 in which 0.4 g of maleic acid was dissolved in a solution in which 66.2 g of tetraethoxysilane and 76.1 g of phenyltriethoxysilane were dissolved in 21.3 g of dipropylene glycol monomethyl ether (boiling point 188 ° C.) 0.0 g was added dropwise over 10 minutes under stirring and reacted for 10 hours to obtain 200 g of a silicon compound solution. At this time, the ratio M 2 / M 1 of the molar amount M 2 of phenyltriethoxysilane to the molar amount M 1 of tetraethoxysilane was 1.0. Then, it distilled off under reduced pressure using the evaporator until the said silicon compound solution whole quantity became 95 g or less. Thereafter, dipropylene glycol monomethyl ether was added until the total amount of the silicon compound solution reached 100 g to obtain silicon compound A. The siloxane resin solid content concentration of the silicon compound A at this time was 60% by mass. In addition, solid content means the solid part except the volatile substances, such as water and a solvent, and shows a non volatile matter. The same applies to the following.
（ケイ素化合物Ｂの調製）
　テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、トリエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２１６℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでトリエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｂを得た。この時点でのケイ素化合物Ｂのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。 (Preparation of silicon compound B)
Water in which 0.4 g of maleic acid is dissolved in a solution in which 66.2 g of tetraethoxysilane and 76.1 g of phenyltriethoxysilane are dissolved in 21.3 g of triethylene glycol dimethyl ether (boiling point 216 ° C.) 36. 0 g was added dropwise over 10 minutes under stirring and reacted for 10 hours to obtain 200 g of a silicon compound solution. At this time, the ratio M 2 / M 1 of the molar amount M 2 of phenyltriethoxysilane to the molar amount M 1 of tetraethoxysilane was 1.0. Then, it distilled off under reduced pressure using the evaporator until the said silicon compound solution whole quantity became 95 g or less. Thereafter, triethylene glycol dimethyl ether was added until the total amount of the silicon compound solution reached 100 g to obtain silicon compound B. The siloxane resin solid content concentration of the silicon compound B at this time was 60% by mass.
（ケイ素化合物Ｃの調製）
　テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、γ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでγ－ブチロラクトンを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。 (Preparation of silicon compound C)
36.0 g of water in which 0.4 g of maleic acid was dissolved in a solution in which 66.2 g of tetraethoxysilane and 76.1 g of phenyltriethoxysilane were dissolved in 21.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.). Was added dropwise over 10 minutes under stirring and reacted for 10 hours to obtain 200 g of a silicon compound solution. At this time, the ratio M 2 / M 1 of the molar amount M 2 of phenyltriethoxysilane to the molar amount M 1 of tetraethoxysilane was 1.0. Then, it distilled off under reduced pressure using the evaporator until the said silicon compound solution whole quantity became 95 g or less. Thereafter, γ-butyrolactone was added until the total amount of the silicon compound solution reached 100 g to obtain silicon compound C. At this time, the siloxane resin solid content concentration of the silicon compound C was 60% by mass.
（ケイ素化合物Ｄの調製）
　テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、２－プロパノール（沸点８２℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまで２－プロパノールを加えてケイ素化合物Ｄを得た。この時点でのケイ素化合物Ｄのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。 (Preparation of silicon compound D)
36.0 g of water in which 0.4 g of maleic acid was dissolved in a solution in which 66.2 g of tetraethoxysilane and 76.1 g of phenyltriethoxysilane were dissolved in 21.3 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added dropwise over 10 minutes under stirring and reacted for 10 hours to obtain 200 g of a silicon compound solution. At this time, the ratio M 2 / M 1 of the molar amount M 2 of phenyltriethoxysilane to the molar amount M 1 of tetraethoxysilane was 1.0. Then, it distilled off under reduced pressure using the evaporator until the said silicon compound solution whole quantity became 95 g or less. Thereafter, 2-propanol was added to obtain a silicon compound D until the total amount of the silicon compound solution reached 100 g. At this time, the siloxane resin solid concentration of the silicon compound D was 60% by mass.
（ケイ素化合物Ｅの調製）
　テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７３℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでテトラエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｅを得た。この時点でのケイ素化合物Ｅのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。 (Preparation of silicon compound E)
Water in which 0.4 g of maleic acid was dissolved in a solution in which 66.2 g of tetraethoxysilane and 76.1 g of phenyltriethoxysilane were dissolved in 21.3 g of tetraethylene glycol dimethyl ether (boiling point 273 ° C.) 0 g was added dropwise over 10 minutes under stirring and reacted for 10 hours to obtain 200 g of a silicon compound solution. At this time, the ratio M 2 / M 1 of the molar amount M 2 of phenyltriethoxysilane to the molar amount M 1 of tetraethoxysilane was 1.0. Then, it distilled off under reduced pressure using the evaporator until the said silicon compound solution whole quantity became 95 g or less. Thereafter, tetraethylene glycol dimethyl ether was added until the total amount of the silicon compound solution reached 100 g to obtain a silicon compound E. At this time, the siloxane resin solid content concentration of the silicon compound E was 60% by mass.
（ケイ素化合物Ｆの調製）
　テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでプロピレングリコールモノプロピルエーテルを加えてケイ素化合物Ｆを得た。この時点でのケイ素化合物Ｆのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。 (Preparation of silicon compound F)
Water 36 in which 0.4 g of maleic acid was dissolved in a solution in which 66.2 g of tetraethoxysilane and 76.1 g of phenyltriethoxysilane were dissolved in 21.3 g of propylene glycol monopropyl ether (boiling point 150 ° C.) 0.0 g was added dropwise over 10 minutes under stirring and reacted for 10 hours to obtain 200 g of a silicon compound solution. At this time, the ratio M 2 / M 1 of the molar amount M 2 of phenyltriethoxysilane to the molar amount M 1 of tetraethoxysilane was 1.0. Then, it distilled off under reduced pressure using the evaporator until the said silicon compound solution whole quantity became 95 g or less. Thereafter, propylene glycol monopropyl ether was added until the total amount of the silicon compound solution reached 100 g, to obtain silicon compound F. At this time, the siloxane resin solid content concentration of the silicon compound F was 60% by mass.
［実施例１］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成株式会社製、商品名。ディスパロンは登録商標）を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 1]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 (trade name, manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd., registered trade name) is added and stirred to the silicon compound A, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) is added. And 13.3 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) were added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.2 / 0.6 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例２］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 2]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 16.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 24.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.3. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 42.9%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.3 / 0.5 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例３］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 3]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 20.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 40.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.4. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.4 / 0.4 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例４］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 4]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.5 / 0.3 until the solid content concentration of the siloxane resin is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例５］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 5]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 40.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 20.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.4 / 0.2 / 0.4 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例６］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．１ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 6]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 53.4 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 40.1 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.3. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.4 / 0.3 / 0.3 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例７］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．４／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 7]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 80.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.4. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 23.1%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.4 / 0.4 / 0.2 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例８］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 8]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 160.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 200.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例９］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１２０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．６、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．６／０．２／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 9]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, 120.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 40.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.6, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 23.1%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.6 / 0.2 / 0.2 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１０］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１２０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．６、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 10]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 240.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 120.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.6, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.3. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例１１］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 11]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Further, the siloxane resin solid content concentration at this time was 13.0%, and this was used as a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１２］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２－メチル－２－プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－メチル－２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－メチル－２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 12]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of 2-methyl-2-propanol ( (Boiling point 83 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-methyl-2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-methyl-2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.2 / 0.6 until the solid content of the siloxane resin is 13.0%. A mixed solvent was added to produce a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１３］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－メチル－２－プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－メチル－２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－メチル－２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 13]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-methyl-2-propanol ( (Boiling point 83 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-methyl-2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-methyl-2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether was 0.2 / 0.5 / 0.3 until the solid content of the siloxane resin reached 13.0%. A mixed solvent was added to produce a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１４］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２－メチル－２－プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－メチル－２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－メチル－２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 14]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and then 40.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 20.0 g of 2-methyl-2-propanol ( (Boiling point 83 ° C.) was added and stirred. At this time, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-methyl-2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-methyl-2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.4 / 0.2 / 0.4 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. A mixed solvent was added to produce a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１５］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２－メチル－２－プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－メチル－２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 15]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 160.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 200.0 g of 2-methyl-2-propanol ( (Boiling point 83 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-methyl-2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例１６］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－メチル－２－プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２－メチル－２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 16]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-methyl-2-propanol ( (Boiling point 83 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 2-methyl-2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Further, the siloxane resin solid content concentration at this time was 13.0%, and this was used as a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１７］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの１－プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／１－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 17]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of 1-propanol (boiling point 97 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 1-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 1-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.2 / 0.6 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１８］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの１－プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／１－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 18]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner is added and stirred, 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.), and 66.7 g of 1-propanol (boiling point 97 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 1-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 1-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.5 / 0.3 until the solid content concentration of the siloxane resin is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例１９］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの１－プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する１－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／１－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 19]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 40.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 20.0 g of 1-propanol (boiling point 97 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 1-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 1-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.4 / 0.2 / 0.4 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例２０］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの１－プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する１－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 20]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 160.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 200.0 g of 1-propanol (boiling point 97 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 1-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例２１］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの１－プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する１－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 21]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 1-propanol (boiling point 97 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 1-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Further, the siloxane resin solid content concentration at this time was 13.0%, and this was used as a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例２２］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２－ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 22]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of 2-butanol (boiling point 100 ° C.) Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-butanol to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-butanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.2 / 0.6 until the solid content concentration of the siloxane resin is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例２３］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 23]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-butanol (boiling point 100 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-butanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-butanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.5 / 0.3 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例２４］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２－ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 24]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and then 40.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 20.0 g of 2-butanol (boiling point 100 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-butanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-butanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.4 / 0.2 / 0.4 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例２５］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２－ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 25]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 160.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 200.0 g of 2-butanol (boiling point 100 ° C.) Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-butanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例２６］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２－ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 26]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-butanol (boiling point 100 ° C.) Was added and stirred. At this time, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 2-butanol to the total mass of the solvent was 0.2. Further, the siloxane resin solid content concentration at this time was 13.0%, and this was used as a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例２７］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 27]
To the silicon compound B, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner was added and stirred, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / triethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.2 / 0.6 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［実施例２８］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 28]
To the silicon compound B, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / triethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.5 / 0.3 was added until the siloxane resin solid concentration was 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［実施例２９］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 29]
To the silicon compound B, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 40.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 20.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / triethylene glycol dimethyl ether of 0.4 / 0.2 / 0.4 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［実施例３０］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 30]
To the silicon compound B, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 160.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 200.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例３１］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 31]
To the silicon compound B, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例３２］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－メチル－２－プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－メチル－２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－メチル－２－プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 32]
To the silicon compound B, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-methyl-2-propanol ( (Boiling point 83 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-methyl-2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-methyl-2-propanol / triethylene glycol dimethyl ether is 0.2 / 0.5 / 0.3 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. A mixed solvent was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［実施例３３］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－メチル－２－プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２－メチル－２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 33]
To the silicon compound B, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-methyl-2-propanol ( (Boiling point 83 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 2-methyl-2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例３４］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの１－プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／１－プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 34]
To the silicon compound B, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 1-propanol (boiling point 97 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 1-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 1-propanol / triethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.5 / 0.3 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［実施例３５］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの１－プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する１－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 35]
To the silicon compound B, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 1-propanol (boiling point 97 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 1-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［実施例３６］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－ブタノール／トリエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Example 36]
To the silicon compound B, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-butanol (boiling point 100 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-butanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-butanol / triethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.5 / 0.3 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［実施例３７］
　前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２－ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Example 37]
0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner is added to the silicon compound B and stirred, and 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-butanol (boiling point 100 ° C.) Was added and stirred. At this time, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 2-butanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［比較例１］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１１．４ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．１／０．２／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 1]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, 5.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 11.4 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.1, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 51.2%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether of 0.1 / 0.2 / 0.7 is used until the solid content concentration of the siloxane resin becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例２］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．１ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．１／０．３／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 2]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 6.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 20.1 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.1, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.3. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.3%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.1 / 0.3 / 0.6 until the solid content concentration of the siloxane resin is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例３］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、３２．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．１／０．４／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 3]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, 8.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 32.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.1, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.4. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 42.9%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.1 / 0.4 / 0.5 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例４］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、５０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．１／０．５／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 4]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 10.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 50.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.1, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.1 / 0.5 / 0.4 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例５］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５４．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．８である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 5]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner was added and stirred, and 10.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 54.5%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / dipropylene glycol monomethyl ether of 0.2 / 0.8 is added until the solid content concentration of the siloxane resin becomes 13.0%, and the silica-based coating film for inkjet is used. A forming composition was made.
［比較例６］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１１．４ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、５．７ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．１であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．１／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 6]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and then 11.4 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 5.7 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.1. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 51.2%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.1 / 0.7 until the siloxane resin solid concentration is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例７］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．８であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．８／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 7]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 160.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.8. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 23.1%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / dipropylene glycol monomethyl ether of 0.8 / 0.2 was added until the solid content concentration of the siloxane resin reached 13.0%, and the silica-based coating film for inkjet A forming composition was made.
［比較例８］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３２０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．８、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．１であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Comparative Example 8]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 320.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 40.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.8, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.1. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［比較例９］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１２０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．６／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 9]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 40.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 120.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.6. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 23.1%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.6 / 0.2 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例１０］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２８０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Comparative Example 10]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner is added and stirred, and 80.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 280.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.7. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［比較例１１］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 11]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of propylene glycol monopropyl ether (boiling point 150). ° C) was added and stirred. At this time, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of propylene glycol monopropyl ether to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, until the siloxane resin solid content concentration is 13.0%, the mass composition ratio of γ-butyrolactone / propylene glycol monopropyl ether / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.2 / 0.6. A solvent was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例１２］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 12]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 16.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 24.0 g of propylene glycol monopropyl ether (boiling point 150). ° C) was added and stirred. At this time, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of propylene glycol monopropyl ether to the total mass of the solvent was 0.3. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 42.9%. Therefore, a mixture in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / propylene glycol monopropyl ether / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.3 / 0.5 until the solid content of the siloxane resin becomes 13.0%. A solvent was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例１３］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 13]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 20.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 40.0 g of propylene glycol monopropyl ether (boiling point 150). ° C) was added and stirred. At this time, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of propylene glycol monopropyl ether to the total mass of the solvent was 0.4. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, until the siloxane resin solid content concentration is 13.0%, the mass composition ratio of γ-butyrolactone / propylene glycol monopropyl ether / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.4 / 0.4. A solvent was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例１４］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 14]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of propylene glycol monopropyl ether (boiling point 150). ° C) was added and stirred. At this time, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of propylene glycol monopropyl ether to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, until the siloxane resin solid content concentration is 13.0%, the mass composition ratio of γ-butyrolactone / propylene glycol monopropyl ether / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.5 / 0.3. A solvent was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例１５］
　前記ケイ素化合物Ａに、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 15]
To the silicon compound A, 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) were added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.2 / 0.5 / 0.3 until the solid content concentration of the siloxane resin is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例１６］
　前記ケイ素化合物Ａに、４０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 16]
To the silicon compound A, 40.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 20.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) were added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether is 0.4 / 0.2 / 0.4 until the siloxane resin solid content concentration becomes 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
［比較例１７］
　前記ケイ素化合物Ａに、１６０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Comparative Example 17]
To the silicon compound A, 160.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 200.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) were added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.4, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［比較例１８］
　前記ケイ素化合物Ａに、２８０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。 [Comparative Example 18]
To the silicon compound A, 280.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 80.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) were added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.7, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. Moreover, the siloxane resin solid content density | concentration at this time is 13.0%, and let this be the silica-type film forming composition for inkjet.
［比較例１９］
　前記ケイ素化合物Ｃに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 19]
To the silicon compound C, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone-based surface conditioner is added and stirred, and 361.5 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) is added and stirred to obtain a siloxane resin solid content concentration of 13. A 0% silica-based film-forming composition for inkjet was prepared.
［比較例２０］
　前記ケイ素化合物Ｄに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 20]
To the silicon compound D, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner is added and stirred, and 361.5 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) is added and stirred to obtain a siloxane resin solid content concentration of 13. A 0% silica-based film-forming composition for inkjet was prepared.
［比較例２１］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇのジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 21]
The silicon compound A was added and stirred with 0.3 g of Dispalon 1711, which is a silicone-based surface conditioner, and 361.5 g of dipropylene glycol monomethyl ether (boiling point 188 ° C.) was added and stirred to obtain a siloxane resin solid content concentration. A 13.0% silica-based film-forming composition for inkjet was prepared.
［比較例２２］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１７．２ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．３／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 22]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner was added and stirred, and 17.2 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.3. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 51.2%. Accordingly, a mixed solvent having a mass composition ratio of 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether of 0.3 / 0.7 is added until the solid content concentration of the siloxane resin becomes 13.0%, and the silica-based coating film for inkjet is used. A forming composition was made.
［比較例２３］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 23]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of 2-propanol to the total mass of solvent was 0.4. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether of 0.4 / 0.6 is added until the solid content concentration of the siloxane resin becomes 13.0%, and the silica-based coating film for inkjet is used. A forming composition was made.
［比較例２４］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、２－プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．５／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 24]
To the silicon compound A, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 40.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.) was added and stirred. At this point, the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 42.9%. Accordingly, a mixed solvent having a mass composition ratio of 2-propanol / dipropylene glycol monomethyl ether of 0.5 / 0.5 is added until the solid content concentration of the siloxane resin becomes 13.0%, and the silica-based coating film for inkjet is used. A forming composition was made.
［比較例２５］
　前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 25]
To the silicon compound E, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / tetraethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.2 / 0.6 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［比較例２６］
　前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 26]
To the silicon compound E, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 16.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 24.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.3. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 42.9%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / tetraethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.3 / 0.5 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［比較例２７］
　前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 27]
To the silicon compound E, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner was added and stirred, and 20.0 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 40.0 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.4. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 37.5%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / tetraethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.4 / 0.4 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［比較例２８］
　前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 28]
To the silicon compound E, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 26.7 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 66.7 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.5. Moreover, the siloxane resin solid content concentration at this time was 31.0%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / tetraethylene glycol dimethyl ether of 0.2 / 0.5 / 0.3 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. Then, a silica-based film forming composition for inkjet was prepared.
［比較例２９］
　前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇのアセトン（沸点５６．５℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するアセトンの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／アセトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 29]
To the silicon compound A, 0.3 g of Disparon 1711 which is a silicone surface conditioner was added and stirred, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of acetone (boiling point 56.5 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of acetone to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent having a mass composition ratio of γ-butyrolactone / acetone / dipropylene glycol monomethyl ether of 0.2 / 0.2 / 0.6 was added until the siloxane resin solid content concentration reached 13.0%. A silica-based film-forming composition for inkjet was prepared.
［比較例３０］
　前記ケイ素化合物Ｆに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ－ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２－プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ－ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２－プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ－ブチロラクトン／２－プロパノール／プロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。 [Comparative Example 30]
To the silicon compound F, 0.3 g of Dispalon 1711 which is a silicone-based surface conditioner is added and stirred, and 13.3 g of γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.) and 13.3 g of 2-propanol (boiling point 82 ° C.). Was added and stirred. At this point, the mass ratio of γ-butyrolactone to the total mass of the solvent was 0.2, and the mass ratio of 2-propanol to the total mass of the solvent was 0.2. At this time, the siloxane resin solid content concentration was 47.4%. Therefore, a mixed solvent in which the mass composition ratio of γ-butyrolactone / 2-propanol / propylene glycol monopropyl ether is 0.2 / 0.2 / 0.6 until the solid content concentration of the siloxane resin is 13.0%. This was added to prepare a silica-based film-forming composition for inkjet.
　このようにして得られた実施例１～３７及び比較例１～３０のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物について、以下の評価を実施した。 The following evaluations were performed on the silica-based film-forming compositions for ink jets of Examples 1 to 37 and Comparative Examples 1 to 30 thus obtained.
［再吐出時のノズル目詰まり評価］
　再吐出時のノズル目詰まり評価においては、（株）マイクロジェット社製のインクジェット吐出機ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ－１１００　Ｓｔａｎｄａｒｄを用いた。そして、室温（２３℃）下で吐出（３分）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）の順序でインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）の吐出と未吐出を繰り返した際に、ノズル目詰まりすることなくインクが吐出されているかどうかを判定した。 [Evaluation of nozzle clogging during re-discharge]
For evaluation of nozzle clogging during re-discharge, an inkjet discharge machine NanoPrinter-1100 Standard manufactured by Microjet Co., Ltd. was used. The ink (silica for each inkjet) was ejected in the order of ejection (3 minutes), non-ejection (5 minutes), ejection (30 seconds), unejection (5 minutes), ejection (30 seconds) at room temperature (23 ° C.) When the discharge and non-discharge of the film forming composition) were repeated, it was determined whether or not the ink was discharged without clogging the nozzles.
［描画パターン断面形状の評価］
　描画パターンの断面形状は、以下のようにして評価した。まず、ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ－１１００　Ｓｔａｎｄａｒｄを用いて、インク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）を吐出し、７０℃に加熱した鏡面Ｓｉウェハ上に所定のパターンを描画した。この時、装置の描画条件を「幅８００μｍ、長さ２００００μｍ、膜厚１．２μｍ」に設定した。そして、描画したパターン断面形状を段差計で測定した。段差計は、Ｖｅｅｃｏ社製のＤｅｋｔａｋ１５０を用いた。このとき、膜厚０μｍ（底辺）における描画パターン断面幅に対する、膜厚１．１μｍにおける描画パターンの断面幅の割合（％）を矩形度として算出した。そして、矩形度が８５％以上ある場合には、断面形状は矩形であると評価した。 [Evaluation of drawing pattern cross-sectional shape]
The cross-sectional shape of the drawing pattern was evaluated as follows. First, using NanoPrinter-1100 Standard, ink (each silica-based film forming composition for inkjet) was ejected, and a predetermined pattern was drawn on a mirror-surface Si wafer heated to 70 ° C. At this time, the drawing conditions of the apparatus were set to “width 800 μm, length 20000 μm, film thickness 1.2 μm”. And the drawn pattern cross-sectional shape was measured with the level difference meter. As a step meter, Dektak 150 manufactured by Veeco was used. At this time, the ratio (%) of the cross-sectional width of the drawing pattern at the film thickness of 1.1 μm to the drawing pattern cross-sectional width at the film thickness of 0 μm (bottom side) was calculated as the rectangularity. And when the rectangularity was 85% or more, it was evaluated that the cross-sectional shape was rectangular.
　実施例１～３７及び比較例１～３０のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の組成、並びに前記の評価結果を、表１～９に示す。 Tables 1 to 9 show the compositions of the silica-based film-forming compositions for ink jets of Examples 1 to 37 and Comparative Examples 1 to 30 and the evaluation results.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
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　表１に記載の実施例及び比較例では、用いる３種類の溶媒の質量比を固定し、また、合成時の溶媒は異なるものの同一組成のシロキサン化合物（テトラエトキシシラン及びフェニルトリエトキシシラン）を用いて評価を行った。実施例に示すように、本発明のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、溶媒としてγ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒を含むことが少なくとも重要であることが確認された。 In Examples and Comparative Examples shown in Table 1, the mass ratio of the three types of solvents used is fixed, and siloxane compounds (tetraethoxysilane and phenyltriethoxysilane) having the same composition are used although the solvents used in the synthesis are different. And evaluated. As shown in the examples, the silica-based film-forming composition for inkjet of the present invention is composed of γ-butyrolactone as a solvent, a second solvent having a boiling point of 80 to 100 ° C., and a third solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C. It was confirmed that it was at least important to include a solvent.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
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　以上のとおり、実施例１～３７においては、再吐出時のノズル目詰まりはなく、パターン断面形状も、膜厚１．１μｍにおける断面幅が描画パターン断面の底辺幅に対し８５％以上であり、矩形であった。このことから、本発明のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、γ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒を、それぞれ適切な質量比で含むことにより、極めて優れた特性を示すことが確認された。 As described above, in Examples 1 to 37, there was no nozzle clogging during re-ejection, and the pattern cross-sectional shape also had a cross-sectional width at a film thickness of 1.1 μm of 85% or more with respect to the bottom width of the drawing pattern cross-section. It was a rectangle. From this, the silica-based film-forming composition for ink jet according to the present invention appropriately includes γ-butyrolactone, a second solvent having a boiling point of 80 to 100 ° C., and a third solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C. It was confirmed that by including it at a proper mass ratio, extremely excellent characteristics were exhibited.

Claims (5)

  1. 　下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、
    　前記溶媒は、γ－ブチロラクトン、沸点が８０～１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０～２３０℃である第３の溶媒を含み、
    　前記溶媒の全質量に対する前記γ－ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、前記溶媒の全質量に対する前記第２の溶媒の質量比が０．２～０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
    　Ｒ１ ｎＳｉＸ４－ｎ　…（Ｉ）
    ［式中、Ｒ１は炭素数１～２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０～２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０～２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］     Containing a silicon compound obtained by hydrolysis and polycondensation of a compound represented by the following general formula (I), a solvent, and a surface conditioner,
    The solvent includes γ-butyrolactone, a second solvent having a boiling point of 80 to 100 ° C., and a third solvent having a boiling point of 180 to 230 ° C.
    Ink-jet silica system wherein the mass ratio of the γ-butyrolactone to the total mass of the solvent is 0.2 or more, and the mass ratio of the second solvent to the total mass of the solvent is 0.2 to 0.5. Film-forming composition.
    R 1 n SiX 4-n (I)
    [Wherein R 1 represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms, X represents a hydrolyzable group, and n represents an integer of 0 to 2. However, when n is 2, a plurality of R 1 may be the same or different, and when n is 0 to 2, a plurality of X 1 may be the same or different. ]
  2. 　前記表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、請求項１記載の組成物。 The composition according to claim 1, wherein the surface conditioner is a silicone-based surface conditioner.
  3. 　インクジェット法により、請求項１又は２に記載の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、
    　前記描画パターン膜を硬化させる工程と、
    を備えるシリカ系被膜の形成方法。     A step of forming a drawing pattern film by discharging the composition according to claim 1 and drawing a pattern by an inkjet method;
    Curing the drawing pattern film;
    A method for forming a silica-based film.
  4. 　基板と、
    　該基板上に、請求項３に記載の方法により形成されたシリカ系被膜と、
    を備える半導体デバイス。     A substrate,
    A silica-based film formed by the method according to claim 3 on the substrate;
    A semiconductor device comprising:
  5. 　請求項４に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。 A solar cell system comprising the semiconductor device according to claim 4.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014185207A (en) * 2013-03-22 2014-10-02 Seiko Epson Corp Nonaqueous ink composition for inkjet recording and inkjet recording method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI575326B (en) * 2013-04-09 2017-03-21 Jsr Corp A method for forming a resist film and a pattern forming method
DE112014004318T5 (en) * 2013-09-20 2016-07-07 Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha Substrate and method for its production, light-emitting element and method for its production and device with the substrate or light-emitting element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001279134A (en) * 2000-03-31 2001-10-10 Seiko Epson Corp Delivery composition and method for manufacturing functional membrane
JP2003253203A (en) * 2002-02-27 2003-09-10 Hitachi Chem Co Ltd Siliceous film-forming composition, method for producing siliceous film and electronic part
JP2005200469A (en) * 2004-01-13 2005-07-28 The Inctec Inc Oily ink for inkjet printer
JP2007211081A (en) * 2006-02-08 2007-08-23 Konica Minolta Holdings Inc Inkjet ink and method for inkjet recording
JP2008120992A (en) * 2006-10-19 2008-05-29 Hitachi Maxell Ltd Pigmented ink composition

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001279134A (en) * 2000-03-31 2001-10-10 Seiko Epson Corp Delivery composition and method for manufacturing functional membrane
JP2003253203A (en) * 2002-02-27 2003-09-10 Hitachi Chem Co Ltd Siliceous film-forming composition, method for producing siliceous film and electronic part
JP2005200469A (en) * 2004-01-13 2005-07-28 The Inctec Inc Oily ink for inkjet printer
JP2007211081A (en) * 2006-02-08 2007-08-23 Konica Minolta Holdings Inc Inkjet ink and method for inkjet recording
JP2008120992A (en) * 2006-10-19 2008-05-29 Hitachi Maxell Ltd Pigmented ink composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014185207A (en) * 2013-03-22 2014-10-02 Seiko Epson Corp Nonaqueous ink composition for inkjet recording and inkjet recording method

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