WO2012090528A1 - シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置 - Google Patents

シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012090528A1
WO2012090528A1 PCT/JP2011/062402 JP2011062402W WO2012090528A1 WO 2012090528 A1 WO2012090528 A1 WO 2012090528A1 JP 2011062402 W JP2011062402 W JP 2011062402W WO 2012090528 A1 WO2012090528 A1 WO 2012090528A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
columnar
scintillator panel
phosphor
columnar portion
crystal
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/062402
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
金子　泰久
中津川　晴康
圭一郎 佐藤
信 北田
圭 三浦
Original Assignee
富士フイルム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士フイルム株式会社 filed Critical 富士フイルム株式会社
Publication of WO2012090528A1 publication Critical patent/WO2012090528A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer

Definitions

  • the present invention relates to a scintillator panel used for a medical X-ray imaging apparatus, a manufacturing method thereof, and a radiation image detection apparatus.
  • DR Digital Radiography
  • FPD Fluorescence Deformation Detector
  • An X-ray image detection apparatus has an advantage that an image can be confirmed immediately compared to a CR (Computed Radiography) method using an imaging plate, and is rapidly spreading.
  • X-ray image detection apparatuses For example, X-rays are once converted into visible light by a scintillator such as CsI: Tl, GOS (Gd2O2S: Tb), and the converted light is converted into light.
  • a scintillator such as CsI: Tl, GOS (Gd2O2S: Tb)
  • GOS Gd2O2S: Tb
  • the indirect conversion type X-ray image detection apparatus includes a scintillator and a photodetector including a semiconductor layer.
  • an X-ray image detection apparatus when used for a living body, for example, it is desirable to reduce the amount of X-rays to be irradiated, and a scintillator with high sensitivity and high light emission is desired.
  • the sensitivity increases as the crystal phase of the scintillator increases, but in reality, if the thickness of the crystal phase is increased to a certain extent, light attenuates or scatters when passing through the scintillator, There are problems such as insufficient sensitivity and blurred images. Therefore, an aggregate of columnar crystals as described in Patent Document 1 is used. Since light is guided in the thickness direction of the scintillator panel by such columnar crystals and enters the photodetector, the sharpness of the detected image is improved.
  • the scintillator described in Patent Document 1 is composed of a lower layer having a spherical crystal structure and an upper layer having a columnar crystal structure, and the amount of emitted light that can be taken out by giving the spherical crystal portion a reflection characteristic. This increases the detection sensitivity.
  • the configuration in which the phosphor layer has two upper and lower layers as in Patent Document 1 can achieve a certain improvement in sensitivity.
  • the upper and lower layers are simply two. The function that the upper layer and the lower layer should have and be exhibited may not be sufficiently exhibited if only the layer is used.
  • the adhesion between the phosphor and the support is extremely important. Due to the difference in the amount of thermal expansion between the support and the phosphor, the support is likely to be warped due to temperature changes, heat generated by the control unit assembled to the scintillator panel, and the like, and the phosphor easily peels off from the support.
  • a control unit that drives and controls the switching elements of the photodetector is arranged on the photodetector side in front of the X-ray traveling direction.
  • the adhesion to the support is poor, the sealing property of the protective film covering the phosphor is lowered, and the performance of the phosphor may be deteriorated. Further, if the adhesiveness with the support is poor, the phosphor is separated from the support upon impact such as dropping, and if the impact is directly applied to the separated portion, the phosphor may be damaged. Furthermore, when a substrate made of Al or the like that reflects light is used for the support, the reflectivity of the separated portion is lowered.
  • the present invention provides a scintillator panel having a novel structure capable of exhibiting each of the increase in light emission amount required for the phosphor layer, reflection characteristics, and adhesion to the support in a highly balanced state.
  • An object of the present invention is to provide a radiation image detection apparatus and a method for manufacturing a scintillator panel.
  • the scintillator panel of the present invention includes a phosphor that is formed on a support and emits fluorescence when irradiated with radiation, and the phosphor includes a columnar portion including a columnar crystal formed by growing a crystal of a fluorescent substance in a columnar shape, and A non-columnar part including a non-columnar crystal is provided between the columnar part and the support, and the diameter of the non-columnar crystal is smaller than the diameter of the columnar crystal.
  • the radiological image detection apparatus of the present invention includes the above-described scintillator panel and a photodetector that detects the fluorescence emitted from the phosphor as an electrical signal.
  • the scintillator panel manufacturing method of the present invention is the above-described scintillator panel manufacturing method, in which a crystal of the fluorescent material is deposited on the support by a vapor deposition method, and the columnar portion and the non-columnar portion. Is formed on the support, and the non-columnar part is formed by changing at least one of the conditions of the degree of vacuum, the support temperature, and the vapor deposition rate when forming the columnar part.
  • FIG. 2 is a side sectional view showing a state in which X-rays are irradiated to the scintillator panel from the direction opposite to the X-ray irradiation direction of FIG. It is a sectional side view which shows typically the other non-columnar part contained in fluorescent substance regarding a modification.
  • FIG. 1 is a side sectional view schematically showing a schematic configuration of an indirect conversion type X-ray image detection apparatus 1.
  • the X-ray image detection apparatus 1 includes a scintillator panel 10 that includes a phosphor 200 that emits light when irradiated with X-rays, and a photodetector 40 that detects light emitted from the phosphor 200 as an electrical signal.
  • X-rays that have passed through the subject are irradiated toward the scintillator panel 10 from the light detector 40 side, as indicated by white arrows in FIG. 1.
  • the scintillator panel 10 is disposed behind the photodetector 40 in the X-ray traveling direction.
  • the phosphor 200 absorbs X-rays and emits light, and the light enters a photoelectric conversion element formed on the sensor substrate 400. .
  • the electric charge accumulated in the photoelectric conversion element of the sensor substrate 400 is output as an electric signal.
  • a control module 50 that drives and controls the photodetector 40 is provided on the side opposite to the X-ray incident side on the scintillator panel 10.
  • the control module 50 includes an IC as a control unit that drives and controls the sensor substrate 400, a circuit board on which an IC that processes image signals and the like are mounted, a power supply circuit, and the like. Heat during operation of the control module 50 is radiated to the outside and propagates to the scintillator panel 10 adjacent to the control module 50.
  • the control module 50 is integrally assembled with the scintillator panel 10 and the photodetector 40.
  • FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the configuration of the photodetector 40.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing the configuration of the sensor substrate 400.
  • the photodetector 40 includes a sensor substrate 400 having a rectangular shape in plan view on which a semiconductor layer is formed.
  • the sensor substrate 400 includes an insulating substrate 401 such as glass, a photoelectric conversion element 41 such as an a-Si photodiode, and a switching element 42 made of a thin film transistor (TFT).
  • TFT thin film transistor
  • the insulating substrate 401 for example, a glass substrate, various ceramic substrates, or a resin substrate can be used. Note that the insulating substrate 401 is not limited to these materials.
  • the photoelectric conversion element 41 includes a photoconductive layer 410 that converts light (solid line arrow in FIG. 2) incident from the phosphor 200 included in the scintillator panel 10 into a charge, and a bias electrode that applies a bias voltage to the photoconductive layer 410. 411 and a charge collecting electrode 412 that collects charges accumulated in the photoconductive layer 410 are stacked. As shown in FIG. 3, the photoelectric conversion elements 41 are two-dimensionally arranged, and each photoelectric conversion element 41 constitutes a pixel of an image detected by the photodetector 40.
  • each photoelectric conversion element 41 is provided with a switching element 42, a gate line 43, and a data line 44.
  • Each gate line 43 and each data line 44 extend to the connection terminal 45, and the circuit board of the control module 50 (FIG. 1) via a flexible wiring 46 such as an anisotropic conductive film connected to the connection terminal 45. It is connected to the.
  • Each switching element 42 is switched on and off in units of rows by a control signal sent from the control unit mounted on the circuit board through the gate line 43, and the charge of the photoelectric conversion element 41 in which the switching element 42 is in the on state is changed to the data line.
  • the signal is read out as an image signal to the signal processing unit of the circuit board via 44.
  • a two-dimensional image is detected by sequentially reading out the charges of the photoelectric conversion elements 41 in units of rows.
  • the gate line 43 and the data line 44 are orthogonally extended, but the gate line 43 and the data line 44 are extended in parallel and are arranged on one side of the peripheral end portion of the sensor substrate 400.
  • the gate line 43 and the data line 44 may be connected to the arranged connection terminal.
  • the gate line 43, the data line 44, the switching element 42, and the photoelectric conversion element 41 are formed on the surface of the insulating substrate 401 on the scintillator panel 10 side.
  • the gate line 43, the data line 44, the switching element 42, and the photoelectric conversion element 41 are sequentially formed on the insulating substrate 401 by a photoetching process or the like.
  • the surface of the sensor substrate 400 is flattened by the resin film 47 provided on the outermost layer of the sensor substrate 400, but the resin film 47 may be omitted.
  • the sensor substrate 400 and the scintillator panel 10 are bonded together via an adhesive layer 48.
  • the adhesive layer 48 and the resin film 47 may not be provided between the sensor substrate 400 and the scintillator panel 10, and the sensor substrate 400 surface and the scintillator panel 10 are directly opposed to each other. It may be allowed.
  • the scintillator panel 10 includes a support (substrate) 101, a phosphor 200 formed on the support 101 by a vapor deposition method, and a phosphor 200 that covers the support 101. And a protective film (moisture-proof film) 30 such as parylene to be sealed. Since the protective film of parylene formed by the vapor deposition method has good adhesion to the phosphor 200 and also has flexibility, the followability to the warp of the support 101 is good.
  • the support 101 is formed in a plate shape with a material such as Al having high X-ray transmittance and reflecting light.
  • the support 101 is not limited to an Al plate, and can be appropriately selected from a carbon plate, CFRP (carbon fiber reinforced plastic), a glass plate, a quartz substrate, a sapphire substrate, and the like, and the phosphor 200 is formed on the surface of the support. As long as it can be made, it is not limited to these. However, when the support 101 also serves as a light reflecting member, a light metal such as Al may be used as the support material.
  • the phosphor 200 of this example is formed using CsI: Tl (thallium activated cesium iodide) as a material, but other materials such as NaI: Tl (thallium activated sodium iodide), CsI: Na ( (Sodium-activated cesium iodide) may be used.
  • the phosphor 200 is preferably formed using CsI: Tl as a material in that the emission spectrum is compatible with the maximum value of spectral sensitivity of the a-Si photodiode (near 550 nm).
  • FIG. 4 is a side sectional view schematically showing the structure of the phosphor 200.
  • the phosphor 200 includes a columnar portion 20 and a non-columnar portion 25 provided between the columnar portion 20 and the support body 101.
  • the columnar portion 20 is disposed on the X-ray incident side indicated by a white arrow
  • the non-columnar portion 25 is disposed on the opposite side to the X-ray incident side.
  • Fluorescence emitted from the phosphor 200 by X-ray irradiation is guided in the height direction of the column by the columnar crystal 20 ⁇ / b> A and enters the photodetector 40. At this time, part of the light traveling toward the support 101 is reflected by the support 101 and enters the photodetector 40.
  • the columnar portion 20 is an aggregate of a large number of columnar crystals 20 ⁇ / b> A.
  • each columnar crystal 20 ⁇ / b> A stands substantially perpendicular to the support 101.
  • the columnar crystal 20A of the present example has a shape in which the tip side is squeezed.
  • the tip of the columnar crystal 20A may be flattened by polishing.
  • the tip portions of the plurality of columnar crystals 20 ⁇ / b> A face one pixel (photoelectric conversion element 41) of the photodetector 40.
  • FIG. 5 is an electron micrograph of the columnar portion 20 in the AA cross section of FIG. 4 (a cross section at the approximate center in the height direction of the columnar portion 20). There is a space between adjacent columnar crystals 20A (the portion that appears dark in FIG. 5).
  • the columnar crystal 20A has a substantially uniform cross-sectional diameter with respect to the crystal growth direction. In a part of the region of the columnar portion 20, adjacent columnar crystals 20A are combined with each other to form an integral columnar body (for example, P in FIG. 5).
  • the crystal diameter of the columnar crystal 20A is preferably 2 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less from the viewpoint of providing efficient light guide properties, and more preferably 6 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less. If the diameter of the columnar part 20 is too small, the impact resistance is lowered. Therefore, the crystal diameter of the columnar part 20 is preferably 2 ⁇ m or more. Further, if the diameter is too large, the number of columnar crystals 20A per pixel of the photodetector 40 is reduced, so that when the columnar crystal 20A is cracked, the probability of a defect in the pixel signal increases. End up. For this reason, the crystal diameter of the columnar part 20 is preferably 8 ⁇ m or less.
  • the crystal diameter of the columnar crystal 20A indicates the maximum diameter of the crystal observed from the upper side in the growth direction of the columnar crystal 20A.
  • the column diameter (cross-sectional diameter) is measured by observing with a SEM (scanning electron microscope) from a plane perpendicular to the height direction of the columnar crystal 20A.
  • the scintillator panel 10 is viewed from the surface (the surface opposite to the support 101) in one image, the columnar crystal 20A is observed at a magnification (about 2000 times) that allows observation of 100 to 200 columnar crystals.
  • a value obtained by measuring and averaging the maximum value of the column diameter obtained by scanning in the height direction is adopted for all the included crystals.
  • the column diameter ( ⁇ m) was read to 2 digits after the decimal point, and the average value was a value obtained by rounding the second digit after the decimal point in accordance with JIS Z 8401.
  • the thickness of the columnar portion 20 is determined to be 500 ⁇ m or more in consideration of the X-ray absorption ability corresponding to the required sensitivity.
  • the thickness of the columnar part 20 is determined to an appropriate value in consideration of sensitivity and light emission efficiency.
  • the non-columnar portion 25 includes a substantially spherical or indeterminate non-columnar crystal 25 ⁇ / b> A (group). Note that the non-columnar portion 25 may include an amorphous portion.
  • the shape of the non-columnar crystal 25A is preferably substantially spherical from the viewpoint that voids are easily maintained between the crystals and the reflection efficiency can be increased.
  • the non-columnar portion 25 is preferably composed of an aggregate of crystals that are nearly spherical (non-columnar crystals 25A that are substantially spherical crystals).
  • FIG. 6 is an electron micrograph of the non-columnar portion 25 in the BB cross section of FIG. 4 (the cross section on the proximal side in the thickness direction of the non-columnar portion 25).
  • the non-columnar crystals 25A having a small diameter compared to the columnar crystals 20A in FIG. 5 are irregularly coupled or overlapped with each other, and there is almost no clear void between the crystals. For this reason, the non-columnar crystals 25A are often fused in the thickness direction of the non-columnar portion 25 or in the in-plane direction orthogonal to the thickness direction.
  • the non-columnar portion 25 includes an amorphous portion
  • the non-columnar crystal 25A and the amorphous portion may be fused in the thickness direction or the in-plane direction. From the observation results of FIGS. 5 and 6, the porosity of the non-columnar portion 25 is lower than the porosity of the columnar portion 20.
  • the porosity of the non-columnar portion 25 is calculated based on the deposition area of the non-columnar portion 25 on the support 101, the thickness of the non-columnar portion 25, the CsI density, the actually measured weight of the scintillator panel 10, and the like.
  • the void ratio in the entire thickness direction of the non-columnar portion 25 thus calculated is 10% or less.
  • the non-columnar portion 25 is formed on the support 101 at the initial stage of vapor deposition.
  • the porosity of the non-columnar portion 25 in contact with the surface of the support 101 is 0 or substantially 0, and the base end portion of the non-columnar portion 25 is in close contact with the support 101 over the entire contact surface with the support 101.
  • the thickness of the non-columnar part 25 is smaller than the thickness of the columnar part 20 and is preferably 5 ⁇ m or more and 125 ⁇ m or less. In order to ensure adhesion to the support 101, the thickness of the non-columnar portion 25 is preferably 5 ⁇ m or more. In addition, if the thickness of the non-columnar portion 25 that does not have the light guide effect is too thick, light is likely to be mixed between pixels in the non-columnar portion 25 and image blurring easily occurs. Therefore, the thickness of the non-columnar portion 25 is 125 ⁇ m or less. Preferably there is.
  • the thickness of the non-columnar portion 25 is sufficient as long as the adhesiveness with the support 101 and the light reflection function can be obtained. That is, by setting the thickness of the non-columnar portion 25 to 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, the amount of expensive phosphor material used can be saved and the cost can be reduced.
  • the non-columnar portion 25 may have a structure in which a plurality of layers are stacked instead of a single layer depending on manufacturing conditions and the like.
  • the thickness of the non-columnar part 25 refers to the thickness from the surface of the support 101 to the surface of the outermost layer of the non-columnar part 25.
  • the measurement of the crystal diameter in the case where the crystals are bonded like the non-columnar portion 25 is performed by regarding the line connecting the depressions (concaves) generated between the adjacent non-columnar crystals 25A as the grain boundary between the crystals.
  • the obtained crystals were separated so as to be the smallest polygon, the crystal diameter was measured, the average value was taken in the same manner as the diameter of the columnar crystal 20A in the columnar portion 20, and the value was adopted.
  • the diameter of the non-columnar crystal 25A of the non-columnar portion 25 is preferably 0.5 ⁇ m or more and 7.0 ⁇ m or less from the viewpoint of providing efficient reflection characteristics and adhesion to the support 101.
  • the diameter of the non-columnar crystal 25A is smaller than the diameter of the columnar crystal 20A.
  • it is preferable that the diameter of the non-columnar crystal 25A is smaller because the substantially spherical crystal shape is easily maintained.
  • the diameter of the non-columnar crystal 25A is preferably 0.5 ⁇ m or more.
  • the crystal diameter of the non-columnar part 25 is 7.0 micrometers or less.
  • the scintillator panel 10 having the columnar portion 20 and the non-columnar portion 25 as described above can be formed on the support 101 using a vapor deposition method, as will be described later. Even if the columnar portion 20 and the non-columnar portion 25 are formed continuously in time, after the non-columnar portion 25 is formed on the support 101, the columnar portion 20 is formed after a certain time. It may be.
  • the growth of the columnar crystal 20A starts by changing these conditions.
  • the columnar part 20 stands from the surface layer part of the non-columnar part 25.
  • each thickness of the columnar part 20 and the non-columnar part 25 is compared. As shown in FIG. 4, when the thickness of the columnar portion 20 is t1, and the thickness of the non-columnar portion 25 is t2, it is preferable that the relationship between t1 and t2 satisfies the following formula. (Formula) 0.01 ⁇ (t2 / t1) ⁇ 0.25
  • the thickness t1 of the columnar part 20 and the thickness t2 of the non-columnar part 25 satisfy the above formula, the luminous efficiency in each part in the thickness direction of the phosphor 200, the region where light diffusion is prevented, and the light are reflected. Each of the regions becomes a suitable range, and the light emission efficiency, the light detection efficiency, and the image resolution are improved.
  • the thickness t2 of the non-columnar portion 25 is too thick, the region with low light emission efficiency is increased, and there is a concern that the sensitivity is lowered. From such a viewpoint, (t2 / t1) is more preferably in the range of 0.02 to 0.1.
  • the above-described photodetector 40 and scintillator panel 10 include, for example, OPC (organic photoelectric conversion material), organic TFT, TFT using amorphous oxide (for example, a-IGZO), flexible material (aramid, bio-nano Fiber) or the like. These device-related materials will be described later.
  • the columnar part 20 has better crystallinity than the non-columnar part 25 and has high fluorescence emission efficiency. Further, since the crystal shape is columnar and adjacent columnar crystals 20A are erected in the thickness direction of the support 101 via the gap, the columnar crystal 20A serves as a light guide and the height of the column. Light is guided in the direction.
  • the non-columnar portion 25 having a granular crystal having a smaller diameter than the columnar crystal 20A and a predetermined void with a lower porosity than the columnar portion 20 emits light mainly by the columnar portion 20 and supports 101.
  • the light traveling to the side is reflected toward the photodetector 40.
  • the reflection of the light by the non-columnar portion 25 contributes to the improvement of the utilization efficiency of the light emitted from the phosphor 200 together with the reflection of the light by the support 101.
  • the support since it enters into the photodetector 40 and the light quantity used for image detection increases, a detected image can be sharpened further.
  • the support may be formed of a material having low light reflectance such as glass or carbon.
  • the non-columnar portion 25 including the non-columnar crystal 25A having a diameter smaller than that of the columnar crystal 20A is interposed between the columnar portion 20 and the support 101, so that the columnar portion 20 is directly formed on the surface of the support 101. Since the flatness and the surface area of the portion of the phosphor 200 facing the support 101 are increased as compared with the configuration in which the phosphor 200 is formed, the adhesion of the phosphor 200 to the support 101 is improved. Thus, the non-columnar portion 25 and the columnar portion 20 that have a defined crystal size relationship ensure adhesion to the support 101, and thus the peel strength of the non-columnar portion 25, the non-columnar portion 25 and the columnar portion 20 are secured. The strength of the scintillator panel 10 as a whole is improved.
  • the non-columnar portion 25A when (the diameter of the non-columnar crystal 25A> the diameter of the columnar crystal 20A), the non-columnar portion The reflection effect by 25 will fall.
  • the reflection characteristics of the non-columnar portion 25 regarding the shape of the crystal included in the non-columnar portion 25 and its diameter and porosity, the crystal shape is substantially spherical, the porosity is more than 0 and less than 10%. Therefore, it is preferable to determine the diameter within an appropriate range (0.5 ⁇ m or more and 7.0 ⁇ m or less).
  • the voids are more easily maintained between the overlapping crystals, so that the reflection effect is easily ensured.
  • a smaller crystal diameter is preferable because the crystal shape is easily maintained in a substantially spherical shape. That is, when the diameter of the non-columnar crystal 25A is smaller than that of the columnar crystal 20A, the substantially spherical shape of the non-columnar crystal 25A is easily maintained, so that good reflection characteristics can be obtained. However, when the diameter is too small to be less than 0.5 ⁇ m, the porosity is close to 0, so that it is difficult to obtain a reflection effect.
  • the diameter of the non-columnar crystal 25 ⁇ / b> A and the porosity of the non-columnar portion 25 are respectively determined from the viewpoint of maintaining a predetermined void that can maintain a substantially spherical crystal shape and that can effectively achieve reflection characteristics.
  • the thickness of the non-columnar portion 25 may be taken into consideration.
  • the control module 50 is provided at a position close to the support body 101, and the scintillator due to heat generated by the control module 50 Since the thermal influence on the panel 10 is great, it is of great significance that peeling from the support 101 can be prevented by improving the adhesion with the support 101.
  • the sealing property of the phosphor 200 by the protective film 30 on the support 101 is maintained by ensuring the adhesion with the support 101, the performance of the phosphor 200 is deteriorated due to the deliquescence of the phosphor 200. Can be prevented. Furthermore, since the adhesion with the support 101 is ensured, it is possible to prevent the phosphor 200 from being damaged at the time of an impact such as a drop or a decrease in reflectance of the support 101 due to peeling. In particular, when the X-ray image detection apparatus 1 is bonded to the apparatus housing, the phosphor 200 can be hardly damaged even if a load is applied from the apparatus housing.
  • the scintillator panel 10 of the X-ray image detection apparatus 1 is in a state in which each of the increase in the amount of light emission required for the phosphor 200, the reflection characteristics, and the adhesion to the support 101 are highly balanced. Demonstrate. Further, in the phosphor 200, the columnar portion 20 having high light emission efficiency and having a light guiding effect is disposed on the X-ray incident side, has a light reflecting function, and ensures adhesion with the support 101.
  • the X-ray image detection apparatus 1 described above can be used by being incorporated in various apparatuses including a medical X-ray imaging apparatus.
  • the X-ray image detection apparatus 1 of this example having the characteristics of high sensitivity and high definition can be suitably used for a mammography apparatus that is required to detect a sharp image with a low radiation dose.
  • the X-ray image detection apparatus 1 is configured as a portable cassette that can be attached to and detached from the X-ray imaging apparatus, the X-ray image detection apparatus 1 is highly likely to be subjected to a drop impact, and the resistance of the phosphor 200 due to the close contact with the support 101 is high. Since it is important to ensure impact resistance, the effect of improving the adhesion to the support 101 described above is great.
  • the X-ray image detection apparatus 1 is used for non-destructive inspection as an industrial X-ray imaging apparatus in addition to a medical X-ray imaging apparatus, or particle beams other than electromagnetic waves ( ⁇ rays, ⁇ rays). , ⁇ -ray) detection device, and its application range is wide.
  • X selection is irradiated from the photodetector 40 side toward the scintillator panel 10, but as shown in FIG. 7, X-rays are irradiated to the scintillator panel 10 from the opposite direction to FIG. 1. May be.
  • the control module 50 that drives and controls the photodetector 40 is provided at a position close to the sensor substrate 400. Even with the configuration as shown in FIG. 7, almost the same as the effect of the configuration shown in FIG. 1 described above, the increase in the amount of light emission required for the phosphor 200, the reflection characteristics, and the adhesion to the support 101 are balanced. Can demonstrate.
  • OPC Organic photoelectric conversion
  • JP 2009-32854 A an OPC (organic photoelectric conversion) material described in JP 2009-32854 A can be used.
  • a film formed of this OPC material (hereinafter referred to as an OPC film) can be used as the photoconductive layer 410 of the photoelectric conversion element 41.
  • the OPC film includes an organic photoelectric conversion material, absorbs light emitted from the phosphor layer, and generates a charge corresponding to the absorbed light.
  • the OPC film includes an organic photoelectric conversion material, it has a sharp absorption spectrum in the visible region, and electromagnetic waves other than light emitted by the phosphor layer are hardly absorbed by the OPC film, and radiation such as X-rays. Can be effectively suppressed as a result of being absorbed by the OPC film.
  • the organic photoelectric conversion material constituting the OPC film is preferably such that its absorption peak wavelength is closer to the emission peak wavelength of the phosphor layer in order to absorb light emitted by the phosphor layer most efficiently.
  • the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material matches the emission peak wavelength of the phosphor layer, but if the difference between the two is small, the light emitted from the phosphor layer can be sufficiently absorbed. It is.
  • the difference between the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material and the emission peak wavelength with respect to the radiation of the phosphor layer is preferably within 10 nm, and more preferably within 5 nm.
  • organic photoelectric conversion materials examples include arylidene organic compounds, quinacridone organic compounds, and phthalocyanine organic compounds.
  • arylidene organic compounds examples include arylidene organic compounds, quinacridone organic compounds, and phthalocyanine organic compounds.
  • quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Tl) is used as the material of the phosphor layer, the difference in the peak wavelength may be within 5 nm. This makes it possible to maximize the amount of charge generated in the OPC film.
  • At least a part of the organic layer provided between the bias electrode 411 and the charge collection electrode 412 can be formed of an OPC film. More specifically, this organic layer is a part that absorbs electromagnetic waves, a photoelectric conversion part, an electron transport part, a hole transport part, an electron blocking part, a hole blocking part, a crystallization preventing part, an electrode, and an interlayer contact improvement. It can be formed by stacking or mixing parts.
  • the organic layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound.
  • the organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound) mainly represented by a hole-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Therefore, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound.
  • triarylamine compounds for example, triarylamine compounds, benzidine compounds, pyrazoline compounds, styrylamine compounds, hydrazone compounds, triphenylmethane compounds, carbazole compounds, polysilane compounds, thiophene compounds, phthalocyanine compounds, cyanine compounds, merocyanine compounds, oxonol compounds, polyamine compounds, indoles Compounds, pyrrole compounds, pyrazole compounds, polyarylene compounds, condensed aromatic carbocyclic compounds (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives), nitrogen-containing heterocyclic compounds
  • the metal complex etc. which it has as can be used. In addition, it is not restricted to these, If it is an organic compound whose ionization potential is smaller than the organic compound used as an n-type (acceptor property) compound, it can use
  • An organic n-type semiconductor is an acceptor organic semiconductor (compound) typified by an electron-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Therefore, as the acceptor organic compound, any organic compound can be used as long as it is an electron-accepting organic compound.
  • condensed aromatic carbocyclic compounds naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives
  • 5- to 7-membered heterocyclic compounds containing nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms E.g., pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, quinoline, quinoxaline, quinazoline, phthalazine, cinnoline, isoquinoline, pteridine, acridine, phenazine, phenanthroline, tetrazole, pyrazole, imidazole, thiazole, oxazole, indazole, benzimidazole, benzotriazole, Benzoxazole, benzothiazole, carbazole, purine, triazolopyrid
  • a cyanine dye As the p-type organic dye or the n-type organic dye, known ones can be used, but preferably a cyanine dye, a styryl dye, a hemicyanine dye, a merocyanine dye (including zero methine merocyanine (simple merocyanine)), three nuclei Merocyanine dye, 4-nuclear merocyanine dye, rhodacyanine dye, complex cyanine dye, complex merocyanine dye, allopolar dye, oxonol dye, hemioxonol dye, squalium dye, croconium dye, azamethine dye, coumarin dye, arylidene dye, anthraquinone dye, triphenyl Methane dye, azo dye, azomethine dye, spiro compound, metallocene dye, fluorenone dye, fulgide dye, perylene dye, phenazine dye, phen
  • a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are provided, at least one of the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is an organic semiconductor, and the semiconductor layer includes A photoelectric conversion film (photosensitive layer) having a bulk heterojunction structure layer including a p-type semiconductor and an n-type semiconductor as an intermediate layer can be preferably used.
  • the inclusion of the bulk heterojunction structure layer can compensate for the disadvantage that the carrier diffusion length of the organic layer is short, and can improve the photoelectric conversion efficiency.
  • the bulk heterojunction structure is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-303266.
  • the thickness of the photoelectric conversion film is preferably as large as possible in terms of absorbing light from the phosphor layer. However, considering the ratio that does not contribute to charge separation, it is preferably 30 nm to 300 nm, and more preferably 50 nm to 250 nm. Hereinafter, it is particularly preferably 80 nm or more and 200 nm or less. For other configurations related to the OPC film described above, for example, the description in JP-A-2009-32854 is helpful.
  • the organic TFT may have any type of structure, but the most preferred is a field effect transistor (FET) structure.
  • FET field effect transistor
  • a substrate is disposed in the lowermost layer
  • a gate electrode is provided on a part of the upper surface
  • an insulator layer is provided so as to cover the electrode and to be in contact with the substrate at a portion other than the electrode.
  • a semiconductor active layer is provided on the upper surface of the insulator layer, and the source electrode and the drain electrode are separated from each other on the upper surface.
  • a top contact type element a bottom contact type element in which a source electrode and a drain electrode are located below the semiconductor active layer can also be preferably used.
  • a vertical transistor structure in which carriers flow in the film thickness direction of the organic semiconductor film may be used.
  • the semiconductor active layer is made of a p-type organic semiconductor material. This p-type organic semiconductor material is substantially colorless and transparent.
  • the film thickness of the organic semiconductor thin film can be measured by, for example, a stylus type film thickness meter. A plurality of thin films having different film thicknesses may be prepared, the absorption spectrum may be measured, and the maximum absorbance per 30 nm film thickness may be converted from the calibration curve.
  • the organic semiconductor material referred to here is an organic material exhibiting the characteristics of a semiconductor, and similarly to a semiconductor made of an inorganic material, a p-type organic semiconductor material that conducts holes as carriers (or simply p-type). And an n-type organic semiconductor material that conducts electrons as carriers (or simply referred to as an n-type material or an electron transport material).
  • a p-type organic semiconductor material that conducts holes as carriers or simply p-type
  • an n-type organic semiconductor material that conducts electrons as carriers or simply referred to as an n-type material or an electron transport material.
  • many organic semiconductor materials exhibit better characteristics than p-type materials, and generally, p-type transistors are also superior in terms of transistor operation stability in the atmosphere. The material will be described.
  • carrier mobility also referred to simply as mobility
  • ⁇ carrier mobility
  • the mobility should be higher, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 7 cm 2 / Vs or more, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 6 cm 2 / Vs or more, although it depends on the application. More preferably, it is 0 ⁇ 10 ⁇ 5 cm 2 / Vs or more.
  • FET field effect transistor
  • TOF time-of-flight measurement
  • the p-type organic semiconductor material may be a low-molecular material or a high-molecular material, but is preferably a low-molecular material.
  • Low molecular weight materials can be easily purified because various purification methods such as sublimation purification, recrystallization, column chromatography, etc. can be applied. Many have high characteristics for reasons such as these.
  • the molecular weight of the low molecular weight material is preferably 100 or more and 5000 or less, more preferably 150 or more and 3000 or less, and still more preferably 200 or more and 2000 or less.
  • Bu represents a butyl group
  • Pr represents a propyl group
  • Et represents an ethyl group
  • Ph represents a phenyl group.
  • element constituent materials other than semiconductor active layers below, element constituent materials other than the semiconductor active layer in an organic thin-film transistor are demonstrated. Each of these materials preferably has a visible light or infrared light transmittance of 60% or more, more preferably 70% or more, and still more preferably 80% or more.
  • the substrate is not particularly limited as long as it has necessary smoothness, and examples thereof include glass, quartz, and a light-transmitting plastic film.
  • the light transmissive plastic film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, and polycarbonate (PC).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PES polyethersulfone
  • PES polyetherimide
  • polyetheretherketone polyphenylene sulfide
  • PC polycarbonate
  • TAC cellulose triacetate
  • CAP cellulose acetate propionate
  • these plastic films may contain an organic or inorganic filler.
  • a flexible substrate formed using aramid, bionanofiber, or the like can be suitably used as the substrate.
  • the material constituting the gate electrode, the source electrode, or the drain electrode is not particularly limited as long as it has necessary conductivity.
  • ITO indium doped tin oxide
  • IZO indium doped zinc oxide
  • Conductive oxides such as SnO2, ATO (antimony doped tin oxide), ZnO, AZO (aluminum doped zinc oxide), GZO (gallium doped zinc oxide), TiO2, FTO (fluorine doped tin oxide), PEDOT / PSS (poly ( Examples thereof include conductive polymers such as 3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid) and carbon materials such as carbon nanotubes.
  • These electrode materials can be formed by a method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or a solution coating method.
  • the material used for the insulating layer is not particularly limited as long as it has a necessary insulating effect.
  • inorganic materials such as silicon dioxide, silicon nitride, and alumina, polyester (PEN (polyethylene naphthalate), PET ( Polyethylene terephthalate)), polycarbonate, polyimide, polyamide, polyacrylate, epoxy resin, polyparaxylylene resin, novolac resin, PVA (polyvinyl alcohol), PS (polystyrene), and the like.
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PET Polyethylene terephthalate
  • polycarbonate polyimide
  • polyamide polyacrylate
  • epoxy resin polyparaxylylene resin
  • novolac resin novolac resin
  • PVA polyvinyl alcohol
  • PS polystyrene
  • an amorphous oxide described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-186860 can be used.
  • an active layer containing an amorphous oxide included in a field effect transistor described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-186860 will be described. This active layer functions as a channel layer of a field effect transistor in which electrons or holes move.
  • the active layer is configured to include an amorphous oxide semiconductor. Since the amorphous oxide semiconductor can be formed at a low temperature, it is preferably formed over a flexible substrate.
  • the amorphous oxide semiconductor used for the active layer is preferably an amorphous oxide containing at least one element selected from the group consisting of In, Sn, Zn, or Cd, more preferably In.
  • amorphous oxide used for the active layer include In 2 O 3, ZnO, SnO 2, CdO, Indium-Zinc-Oxide (IZO), Indium-Tin-Oxide (ITO), Gallium-Zinc-Oxide ( GZO), Indium-Gallium-Oxide (IGO), and Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO).
  • IZO Indium-Zinc-Oxide
  • ITO Indium-Tin-Oxide
  • GZO Gallium-Zinc-Oxide
  • IGO Indium-Gallium-Oxide
  • IGZO Indium-Gallium-Zinc-Oxide
  • the active layer As a method for forming the active layer, it is preferable to use a vapor phase film forming method with a polycrystalline sintered body of an oxide semiconductor as a target.
  • a vapor phase film forming method with a polycrystalline sintered body of an oxide semiconductor as a target.
  • vapor deposition methods sputtering and pulsed laser deposition (PLD) are suitable.
  • PLD pulsed laser deposition
  • the sputtering method is preferable from the viewpoint of mass productivity.
  • the film is formed by controlling the degree of vacuum and the oxygen flow rate by RF magnetron sputtering deposition.
  • the formed active layer is confirmed to be an amorphous film by a well-known X-ray diffraction method.
  • the composition ratio of the active layer is determined by RBS (Rutherford backscattering) analysis.
  • the electric conductivity of this active layer is preferably 10 ⁇ 4 Scm ⁇ 1 or more and less than 102 Scm ⁇ 1, more preferably 10 ⁇ 1 Scm ⁇ 1 or more and less than 102 Scm ⁇ 1.
  • Examples of the method for adjusting the electrical conductivity of the active layer include a known adjustment method using oxygen vacancies, an adjustment method using composition ratio, an adjustment method using impurities, and an adjustment method using an oxide semiconductor material. For other configurations relating to the above-described amorphous oxide, for example, the description in JP-A-2010-186860 is helpful.
  • Aramid A film (or sheet or substrate) formed of aramid, which is a flexible material, may be used as the insulating substrate 401 of the sensor substrate, the support 101, the circuit board of the control module 50, or the like. It can.
  • the aramid material has high heat resistance with a glass transition temperature of 315 ° C., high rigidity with Young's modulus of 10 GPa, and high dimensional stability with a coefficient of thermal expansion of ⁇ 3 to 5 ppm / ° C.
  • the aramid film when used, high-quality film formation of a semiconductor layer and a phosphor layer can be easily performed as compared with the case of using a general resin film. Further, the high heat resistance of the aramid material allows the transparent electrode material to be cured at a high temperature to reduce the resistance. Furthermore, it can cope with automatic mounting of IC including a solder reflow process. Furthermore, since the thermal expansion coefficient is close to that of ITO (indium tin oxide), gas / barrier film, and glass substrate, there is little warpage after production. And hard to break. Here, it is preferable to use an aramid material that does not contain halogen and is halogen-free (conforms to the provisions of JPCA-ES01-2003).
  • the aramid film may be laminated with a glass substrate or a PET substrate, or may be attached to a device casing.
  • Suitable for aramid materials that can be easily formed into colorless and transparent films by solving low solubility in solvents due to the high cohesion (hydrogen bonding) between molecules of aramid by molecular design.
  • the molecular design that controls the order of the monomer units and the type and position of the substituents on the aromatic ring maintains the linear molecular structure with high linearity that leads to high rigidity and dimensional stability of the aramid material, while maintaining solubility. Good moldability is obtained.
  • This molecular design can also be halogen-free.
  • an aramid material with optimized characteristics in the in-plane direction of the film can be suitably used.
  • it has a highly linear rod-like molecular structure and anisotropy in physical properties.
  • the in-plane characteristics of the aramid film that tends to occur can be balanced.
  • the physical properties in the in-plane thickness direction are controlled by controlling the drying rate of the solvent, and the strength of the film containing the solvent and the peel strength from the cast drum are optimized.
  • the longitudinal stretching step stretching conditions according to the strength of the film, which changes sequentially during stretching, and the residual amount of solvent are precisely controlled.
  • the transverse stretching step the transverse stretching conditions are controlled in accordance with changes in the film strength that change due to heating, and the transverse stretching conditions for relaxing the residual stress of the film are controlled.
  • Use of such an aramid material can solve the problem that the aramid film after molding is curled.
  • the thermal expansion coefficient can be kept low. It is also possible to further reduce the thermal expansion coefficient by changing the stretching conditions during film formation.
  • Bionanofiber A component that is sufficiently small with respect to the wavelength of light does not cause light scattering. Therefore, a flexible plastic material reinforced with nanofiber is used as the insulating substrate 401 or the support 101 of the sensor substrate described above. It can also be suitably used for a circuit board of the control module 50 or the like.
  • nanofibers cellulose microfibril bundles produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) have a width of 50 nm, a size of about 1/10 of the visible light wavelength, high strength, high elasticity, and low thermal expansion.
  • a composite material of bacterial cellulose having characteristics and a transparent resin (sometimes referred to as bionanofiber) can be suitably used.
  • Transparent bio-nano with a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm while containing fibers at a high ratio of about 60-70% by impregnating and curing a transparent resin such as acrylic resin and epoxy resin on a bacterial cellulose sheet Fiber is obtained.
  • This bionanofiber provides a low thermal expansion coefficient (about 3-7 ppm) comparable to silicon crystals, steel-like strength (about 460 MPa), and high elasticity (about 30 GPa).
  • the description in JP-A-2008-34556 is helpful.
  • the phosphor 200 described above is preferably formed directly on the surface of the support 101 by a vapor deposition method.
  • the non-columnar portion 25 and the columnar portion 20 can be formed sequentially and successively by vapor deposition.
  • CsI: Tl an embodiment using CsI: Tl will be described as an example.
  • CsI: Tl is heated and vaporized by means such as energizing a resistance heating crucible, and the temperature of the support 101 is set to room temperature ( CsI: Tl is deposited on the support at 20 ° C. to 300 ° C.
  • CsI: Tl crystal phase is formed on the support 101 by the vapor deposition method, initially, an aggregate of crystals having an amorphous or substantially spherical shape with a relatively small diameter is formed.
  • the columnar crystal 20A is continuously formed after the non-columnar portion 25 is formed by changing at least one of the conditions of the degree of vacuum, the support temperature, and the deposition rate (vapor deposition cell temperature). It can be grown (phosphor forming step). That is, after the non-columnar portion 25 is formed so as to have a predetermined thickness t2, at least one of means such as raising the degree of vacuum, raising the temperature of the support, and lowering the vapor deposition rate is performed to achieve uniform efficiency. A columnar crystal 20A can be grown. The activation amount of Tl may be changed between the non-columnar portion 25 and the columnar portion 20.
  • CsI: Tl is used for both the columnar portion 20 and the non-columnar portion 25.
  • the columnar portion 20 has a high luminous efficiency and a large contribution to the luminous efficiency of the entire phosphor 200. It is also conceivable to form only CsI: Tl. Also in this case, the advantages of using CsI: Tl described above with respect to deterioration over time due to the emission spectrum and humidity can be fully enjoyed.
  • the phosphor 200 is sealed on the support 101 by vapor deposition of the protective film 30 using parylene or the like. Panel 10 is manufactured. Note that the protective film 30 may not be formed when the moisture protection of the phosphor 200 is secured by other means such as airtightly wrapping the scintillator panel 10 with a moisture-proof film.
  • the scintillator panel 10 By attaching the scintillator panel 10 to the photodetector 40, the X-ray image detection apparatus 1 can be obtained.
  • the portion on the front side in the stacking direction of the columnar portion 20 of the formed phosphor 200 is opposed to the sensor substrate 400 which is a photodetector.
  • the X-ray image detection apparatus 1 is manufactured by bonding them together in this manner. It is not always necessary that the surfaces of both are in close contact with each other, and even if there are irregularities due to crystals on the surface of the phosphor 200, it is sufficient if they are optically coupled by arranging the two together. Light that has been converted from X-rays in the phosphor 200 may be incident on the sensor substrate 400.
  • the formed tip side of the columnar crystal 20A of the phosphor 200 in the deposition direction and the photodetector 40 may be optically coupled by facing each other through a resin layer.
  • the resin layer include a flattening layer that smoothes the surface of the phosphor 200, an adhesive layer that adheres and fixes both, and a matching oil layer made of a transparent liquid or gel.
  • the resin constituting these resin layers is not particularly limited as long as the scintillation light generated from the phosphor 200 can reach the photodetector 40 without being substantially attenuated.
  • the resin for forming the flattening layer polyimide, parylene, or the like can be used, and polyimide having good film forming properties is preferable.
  • the adhesive forming the adhesive layer is preferably optically transparent to scintillation light generated from the phosphor 200, such as thermoplastic resin, UV curable adhesive, heat curable adhesive, room temperature curable adhesive. Agents, double-sided adhesive sheets, etc., but from the viewpoint of not reducing the sharpness of the image, a low-viscosity epoxy can be used in that a sufficiently thin adhesive layer can be formed with respect to the pixel size of the photodetector 40. It is preferable to use a resin adhesive.
  • the thickness of the resin layer is preferably 50 ⁇ m or less from the viewpoint of sensitivity and images, and more preferably in the range of 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the X-ray image detection apparatus 1 can be efficiently and easily manufactured by the manufacturing method as described above. Moreover, according to this manufacturing method, the phosphor 200 having various specifications can be easily manufactured as designed by controlling the degree of vacuum and the support temperature.
  • FIG. 8 shows a modification of the X-ray image detection apparatus 1 described above.
  • the phosphor 220 shown in FIG. 8 has another non-columnar portion 28 disposed on the sensor substrate 400 side in addition to the columnar portion 20 and the non-columnar portion 25 described above.
  • the non-columnar portion 28 is formed thinner than the thickness of the non-columnar portion 25.
  • the non-columnar portion 28 may be mixed with an amorphous portion.
  • the porosity of the non-columnar portion 28 may be lower than the porosity of the non-columnar portion 25 disposed on the support 101 side. Since the porosity of the non-columnar portion 28 is low and the thickness thereof is thin, reflection, scattering, attenuation, etc. of light at the non-columnar portion 28 can be ignored. Since such a non-columnar portion 28 is provided on the distal end side of the columnar portion 20 and the distal end portion of the columnar portion 20 is flattened, the adhesion between the phosphor 200 and the sensor substrate 400 is improved via the protective film 30. To do.
  • the impact resistance can be improved.
  • the phosphor 220 can be hardly damaged even if a load is applied from the apparatus casing.
  • unevenness in the adhesion with the sensor substrate 400 unevenness is likely to appear in the detected image, but this is not the case and the image quality of the detected image can be made uniform.
  • such a non-columnar portion 28 can prevent a material such as parylene from entering between the columnar crystals 20A when the protective film 30 (FIG. 1) is formed.
  • a material such as parylene
  • the difference in refractive index between the columnar crystals 20A and the region between the adjacent columnar crystals 20A becomes small, thereby increasing the critical angle of light, and the columnar crystals 20A.
  • the light guiding performance due to is reduced. Formation of the non-columnar portion 28 can prevent such a problem from occurring.
  • the line connecting the depressions (concaves) between adjacent crystals is regarded as the grain boundary between the crystals, and the bonded crystals are the smallest polygon.
  • the crystal diameter was measured after separation. The crystal diameter ( ⁇ m) was read to two digits after the decimal point, and the average value was a value obtained by rounding the second digit after the decimal point according to JIS Z 8401.
  • the phosphor When the phosphor is difficult to peel from the support, the phosphor is sliced perpendicularly to the crystal growth direction at a position of about 100 ⁇ m from the support, and the distance near the interface of the CsI crystal attached to the support can be observed. After etching with Ar ions, the surface was observed from the etched surface. Since CsI is non-conductive, about 20 mm of Au was sputtered before SEM observation.
  • the TFT drive circuit board and the charge reading integrated circuit IC are attached to the terminal portion of the photodetector with an anisotropic conductive film and connected to the circuit board for drive control and AD conversion.
  • the X-ray image detection apparatus of Example 1 was produced. The radiation was placed so as to be incident from the light detector side, and reading of the radiation image was performed by controlling a scanning PC connected to the X-ray image detection apparatus with a cable.
  • MTF Modulation Transfer Function
  • Production Example 12 instead of the glass substrate used in Production Example 1, a glass substrate having a surface with irregularities with a pitch of 5 ⁇ m and a height of about 5 ⁇ m was used as the support.
  • the radiation image detection device of Production Example 12 was produced in the same manner as Production Example 1 except that the columnar crystal layer was directly deposited on the support without vaporizing the non-columnar crystal portion. . Evaluation is performed in the same manner as in Production Example 1, and relative evaluation is performed with the result of Production Example 12 as 100.
  • Production Example 1 is the same as Production Example 1 except that the film thickness of the non-columnar crystal portion is adjusted as shown in Table 1 by changing the deposition time when the degree of vacuum is 0.75 Pa.
  • the radiological image detection apparatuses of Production Examples 2 to 6 were produced and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1 below.
  • the units of the film thickness, average crystal diameter, and average column diameter shown in Table 1 are ⁇ m.
  • the radiological image detection apparatuses according to Production Examples 1 to 11 of the present invention have higher sensitivity than the Production Example 12 in which the phosphors are all made of columnar crystals, and the image blur and the like. It can be seen that the degradation of image quality is suppressed and the sharpness of the obtained image is high. On the other hand, in Production Example 13 having a non-columnar portion in the vicinity of the photodetector, it can be seen that sufficient sensitivity cannot be obtained due to scattering in the non-columnar portion and a decrease in light emission efficiency.
  • the size of the diameter is larger than that of Production Examples 1 to 6 and Production Examples 9 to 11 that meet the above-described magnitude relationship (diameter of non-columnar crystals ⁇ diameter of columnar crystals).
  • the sensitivity and MTF of Production Examples 7 and 8 in which the relationship is reversed are inferior, and the overall evaluation is not at a high level as in Production Example 1 and the like.
  • the performance deterioration is remarkable in Production Example 7 in which the non-columnar crystal diameter greatly exceeds the columnar crystal diameter. From these Production Examples 7 and 8, it can be seen that when the diameter of the non-columnar crystal is larger than the diameter of the columnar crystal, the sensitivity and MTF decrease. From Production Examples 1 to 11, it is derived that the preferable range of the diameter of the non-columnar crystal is 0.5 ⁇ m to 7 ⁇ m, and the preferable range of the diameter of the columnar crystal is 2 ⁇ m to 8 ⁇ m.
  • the present specification includes a phosphor that is formed on a support and emits fluorescence when irradiated with radiation, and the phosphor includes a columnar crystal formed by growing a crystal of a fluorescent substance in a columnar shape.
  • a scintillator panel comprising: a columnar part including: a non-columnar part provided between the columnar part and the support and including a non-columnar crystal; wherein the diameter of the non-columnar crystal is smaller than the diameter of the columnar crystal Is disclosed.
  • the non-columnar portion includes a group of the non-columnar crystals in which the fluorescent substance crystal is substantially spherical or indefinite, and is at least partially included in the non-columnar portion.
  • the non-columnar crystals are fused in the in-plane direction perpendicular to the thickness direction of the non-columnar portion.
  • the diameter of the columnar crystal is 2 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less, and the diameter of the non-columnar crystal is 0.5 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less.
  • the thickness of the non-columnar portion is smaller than the thickness of the columnar portion.
  • the thickness of the columnar portion is 500 ⁇ m or more, and the thickness of the non-columnar portion is 5 ⁇ m or more and 125 ⁇ m or less.
  • the porosity of the non-columnar portion is lower than the porosity of the columnar portion.
  • the porosity of the non-columnar portion is 10% or less.
  • the phosphor is formed on the support by a vapor deposition method, and the non-columnar portion and the columnar portion are formed on the support in this order. Is done.
  • the non-columnar portion includes a substantially spherical crystal.
  • the scintillator panel disclosed in the present specification is formed such that at least the columnar portion of the columnar portion and the non-columnar portion includes Csl and Tl.
  • the scintillator panel disclosed in the present specification further includes another non-columnar portion on the side opposite to the side where the non-columnar portion of the columnar portion is provided.
  • the present specification discloses a radiological image detection apparatus including the above-described scintillator panel and a photodetector that detects fluorescence emitted from the phosphor as an electrical signal.
  • the scintillator panel is disposed behind the photodetector in the radiation traveling direction, and the non-columnar portion of the phosphor is the photodetector. It is arranged on the opposite side to the side.
  • the radiological image detection apparatus disclosed in this specification is provided with a control unit that drives and controls the photodetector on the side opposite to the radiation incident side of the scintillator panel.
  • the radiation image detection device disclosed in this specification is configured as a portable cassette.
  • the columnar portion and the non-columnar portion are formed on the support by depositing the phosphor crystal on the support by a vapor deposition method.
  • a method of manufacturing a scintillator panel that forms the non-columnar portion by changing at least one of the conditions of the degree of vacuum, the support temperature, and the deposition rate when forming the columnar portion is disclosed. ing.
  • a portion of the formed phosphor on the front side in the stacking direction of the columnar portion and the photodetector are brought into close contact with each other.
  • the scintillator panel manufacturing method disclosed in the present specification is such that a portion of the formed phosphor in the stacking direction of the columnar portion is opposed to the photodetector with a resin layer interposed therebetween. Combine optically.
  • the present invention can detect a radiographic image with high sensitivity and high definition, various X-ray imaging apparatuses for medical diagnosis such as mammography, which are required to detect a sharp image with a low radiation dose, are various. It can be used by being incorporated into a simple device. For example, it can be used for nondestructive inspection as an industrial X-ray imaging apparatus, or can be used as a detection apparatus for particle beams ( ⁇ rays, ⁇ rays, ⁇ rays) other than electromagnetic waves, and its application range is wide. .
  • X-ray image detection device (radiation image detection device) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Scintillator panel 101 Support body 200 Phosphor 20 Columnar part 20A Columnar crystal 25 Noncolumnar part 25A Noncolumnar crystal 30 Protective film 40 Photodetector 400 Sensor substrate 50 Control module

Abstract

　蛍光体層に要求される発光量増加、反射特性、及び支持体との密着性のそれぞれを高度にバランスされた状態で発揮しうる新規な構造のシンチレータパネルを提供する。　シンチレータパネル１０は、支持体１０１上に形成されＸ線の照射によって蛍光を発する蛍光体２００を備え、蛍光体２００は、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶２０Ａを含む柱状部２０、および柱状部２０と支持体１０１との間に設けられかつ非柱状結晶２５Ａを含む非柱状部２５を有し、非柱状結晶２５Ａの径は、柱状結晶２０Ａの径よりも小さい。

Description

シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置
　本発明は、医療用のＸ線撮影装置などに用いられるシンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置に関する。
　近年、Ｘ線をデジタルデータに変換するＦＰＤ（Flat Panel Detector）等のＸ線画像検出装置を用いたＤＲ（Digital Radiography）が実用化されている。Ｘ線画像検出装置は、イメージングプレートを用いるＣＲ（Computed Radiography）方式に比べて、即時に画像を確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。
　Ｘ線画像検出装置には、種々の方式のものが提案されており、例えば、Ｘ線を一旦、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などのシンチレータで可視光に変換し、変換した光を半導体層で電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある（例えば、特許文献１）。間接変換方式のＸ線画像検出装置は、シンチレータと、半導体層を含む光検出器とを有する。
　このようなＸ線画像検出装置においては、例えば生体などに使用される場合には、照射するＸ線の量を低くすることが望ましく、発光量が高い感度の優れたシンチレータが望まれている。
　ここで、理論上は、シンチレータの結晶相が厚いほど感度が向上するが、実際には結晶相の厚みをある程度以上厚くすると、光がシンチレータを通過する際に減衰したり散乱したりして、十分な感度が得られなかったり、画像のボケが生じるなどの問題がある。そのため、特許文献１に記載されたような柱状結晶の集合体が用いられている。このような柱状結晶によってシンチレータのパネルの厚み方向に光がガイドされて光検出器に入射するので、検出画像の鮮鋭度が向上する。
　ここで、特許文献１に記載されたシンチレータは、球状結晶構造を有する下層と、柱状結晶構造を有する上層とから構成されており、球状結晶部分に反射特性を持たせることによって取り出し可能な発光量を増加させ、これによって検出感度を高めている。
日本国特開２００５－６９９９１号公報
　近年における放射線画像検出装置の適用範囲の拡大、及び画像処理技術の進展などから、放射線画像検出装置に対してより一層の感度向上が求められている。ここで、特許文献１のように蛍光体層を上下二層とした構成により、一定の感度向上を達成できるが、光の反射特性は、蛍光体層の物性によって大きく変わるので、単に、上下二層としただけでは、上層、下層のそれぞれが有して発揮すべき機能が十分に発揮されない場合がある。
　また、シンチレータパネルにおいては、蛍光体と支持体との密着性が極めて重要である。支持体と蛍光体との熱膨張量の違いなどから、温度変化や、シンチレータパネルに組み付けられた制御部の発熱などによって支持体のソリが生じて支持体から蛍光体が剥離し易い。特に、Ｘ線が光検出器側からシンチレータに向けて照射される構成の場合には、光検出器のスイッチング素子等を駆動制御する制御部が、Ｘ線進行方向前方の光検出器側にではなく、Ｘ線進行方向後方のシンチレータ側に設けられるので、制御部の発熱によるシンチレータへの熱影響が多大である。このようにＸ線が光検出器側からシンチレータに向けて照射される構成の場合や、蛍光体が支持体との接触面積が少ない柱状結晶である場合には特に、支持体との高い密着性が要請される。
　潮解性を有する蛍光体においては、支持体との密着性が悪いと蛍光体を被覆する保護膜の密閉性が低下し、蛍光体の性能が劣化する可能性がある。また、支持体との密着性が悪ければ落下等の衝撃時に支持体から蛍光体が分離し、分離した部分に直接衝撃が加わると蛍光体が損傷するおそれがある。更に、支持体に光を反射するＡｌ等の基板が用いられている場合には、分離した部分に関して反射率が低下してしまう。
　以上から、本発明は、蛍光体層に要求される発光量増加、反射特性、及び支持体との密着性のそれぞれを高度にバランスされた状態で発揮しうる新規な構造のシンチレータパネル、これを備える放射線画像検出装置、及びシンチレータパネルの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明のシンチレータパネルは、支持体上に形成され放射線の照射によって蛍光を発する蛍光体を備え、前記蛍光体は、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶を含む柱状部、及び前記柱状部と前記支持体との間に設けられかつ非柱状結晶を含む非柱状部を有し、前記非柱状結晶の径は、前記柱状結晶の径よりも小さい。
　本発明の放射線画像検出装置は、上述のシンチレータパネルと、前記蛍光体が発した蛍光を電気信号として検出する光検出器と、を備える。
　本発明のシンチレータパネルの製造方法は、上述のシンチレータパネルの製造方法であって、気相堆積法によって、前記蛍光物質の結晶を前記支持体上に堆積させて、前記柱状部と前記非柱状部を前記支持体上に形成し、前記柱状部を形成するときの真空度、支持体温度、及び蒸着レートの条件のうち、少なくともいずれかの条件を変更して、前記非柱状部を形成する。
Ｘ線画像検出装置の概略構成を模式的に示す側断面図である。 光検出器の概略構成を模式的に示す側断面図である。 センサ基板を模式的に示す平面図である。 蛍光体に含まれる柱状部及び非柱状部を模式的に示す側断面図である。 柱状部の柱状結晶断面を示す電子顕微鏡写真である（ＳＥＭ画像）。 非柱状部の断面を示す電子顕微鏡写真である（ＳＥＭ画像）。 図１のＸ線照射方向とは逆方向からシンチレータパネルにＸ線が照射される状態を示す側断面図である。 変形例に関し、蛍光体に含まれる他の非柱状部を模式的に示す側断面図である。
　以下、本発明の実施形態を説明するためのＸ線画像検出装置（放射線画像検出装置）の一例を図１～図６を参照して説明する。
　なお、既に述べた構成と同様の構成については同一符号を付してその説明を省略し、既に述べた構成との差異についてのみ説明する。
〔１．全体構成〕
　図１は、間接変換方式のＸ線画像検出装置１の概略構成を模式的に示す側断面図である。Ｘ線画像検出装置１は、Ｘ線の照射によって発光する蛍光体２００を含むシンチレータパネル１０と、蛍光体２００から発光した光を電気信号として検出する光検出器４０とを備えている。
　Ｘ線画像検出装置１では、図１の白抜き矢印で示すように、被写体を通過したＸ線が光検出器４０側からシンチレータパネル１０に向かって照射される。シンチレータパネル１０は、Ｘ線の進行方向において光検出器４０よりも後側に配置されている。Ｘ線が光検出器４０のセンサ基板４００を介して蛍光体２００に入射すると、蛍光体２００がＸ線を吸収して発光し、その光はセンサ基板４００に形成された光電変換素子に入射する。センサ基板４００の光電変換素子に蓄積された電荷は電気信号として出力される。
　シンチレータパネル１０へのＸ線入射側とは反対側には、光検出器４０を駆動制御する制御モジュール５０が設けられている。制御モジュール５０は、センサ基板４００を駆動制御する制御部としてのＩＣや、画像信号を処理するＩＣ等が実装された回路基板、及び電源回路などを有する。制御モジュール５０の動作時の熱は外部に放熱され、制御モジュール５０に近接するシンチレータパネル１０にも伝搬する。この制御モジュール５０は、シンチレータパネル１０及び光検出器４０に一体に組み付けられている。
〔２．光検出器の構成〕
　図２は、光検出器４０の構成を模式的に示す側断面図である。図３は、センサ基板４００の構成を模式的に示す平面図である。光検出器４０は、半導体層が形成された平面視矩形状のセンサ基板４００を有する。センサ基板４００は、ガラス等の絶縁性基板４０１と、ａ－Ｓｉフォトダイオード等の光電変換素子４１と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）からなるスイッチング素子４２とを含んで構成されている。
　絶縁性基板４０１としては、例えば、ガラス基板、各種セラミック基板、樹脂基板を用いることができる。なお、絶縁性基板４０１は、これらの材料に限られるものではない。
　光電変換素子４１は、シンチレータパネル１０が有する蛍光体２００から入射した光（図２の実線矢印）を電荷に変換する光導電層４１０と、光導電層４１０にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極４１１と、光導電層４１０に蓄積された電荷を収集する電荷収集電極４１２とが積層されて構成されている。図３に示すように、光電変換素子４１は二次元配列され、各光電変換素子４１は光検出器４０によって検出される画像の画素を構成する。
　各光電変換素子４１には、図３に示すように、スイッチング素子４２、ゲート線４３、及びデータ線４４がそれぞれ設けられている。各ゲート線４３及び各データ線４４は、接続端子４５まで延設され、この接続端子４５に接続された異方性導電膜等のフレキシブル配線４６を介して制御モジュール５０（図１）の回路基板に接続されている。その回路基板に実装された制御部からゲート線４３を通じて送られる制御信号により、各スイッチング素子４２のオンオフが行単位で切り替えられ、スイッチング素子４２がオン状態にある光電変換素子４１の電荷がデータ線４４を介して回路基板の信号処理部に画像信号として読み出される。光電変換素子４１の電荷が行単位で順に読み出されることにより、二次元画像が検出される。
　なお、上記の構成では、ゲート線４３とデータ線４４とが直交して延設されているが、ゲート線４３及びデータ線４４が平行に延設され、センサ基板４００の周端部の一辺に配置された接続端子にこれらゲート線４３及びデータ線４４が接続される構成であってもよい。
　上述のゲート線４３、データ線４４、スイッチング素子４２、及び光電変換素子４１は、絶縁性基板４０１のシンチレータパネル１０側の面に形成されている。これらゲート線４３、データ線４４、スイッチング素子４２、及び光電変換素子４１は、フォトエッチングプロセス等により、絶縁性基板４０１上に順次形成されている。図２では、センサ基板４００の最表層に設けられた樹脂製の膜４７によってセンサ基板４００の表面が平坦化されているが、この樹脂製の膜４７はなくてもよい。センサ基板４００とシンチレータパネル１０とは、接着層４８を介して貼り合わせられている。
　なお、後述するように、センサ基板４００とシンチレータパネル１０との間には、接着層４８や樹脂製の膜４７がなくてもよく、センサ基板４００表面とシンチレータパネル１０とを対向させて直接密着させていてもよい。
〔３．シンチレータパネルの構成〕
〔３－１．全体構成〕
　シンチレータパネル１０は、図１に示すように、支持体（基板）１０１と、支持体１０１上に気相堆積法によって形成された蛍光体２００と、蛍光体２００を被覆して支持体１０１上に封止するパリレン等の保護膜（防湿膜）３０とを有する。気相堆積法によって形成されたパリレンの保護膜は、蛍光体２００との密着性が良く、その上柔軟性を有するので、支持体１０１のソリ等への追従性が良い。
　支持体１０１は、Ｘ線の透過率が高くかつ光を反射するＡｌ等の材料で板状に形成されている。
　支持体１０１としては、Ａｌ製の板に限らず、カーボン板、ＣＦＲＰ（carbon fiber reinforced plastic）、ガラス板、石英基板、サファイア基板などから適宜選ぶことができ、支持体表面に蛍光体２００を形成させうる限りにおいて特にこれらに限定されない。ただし、支持体１０１が光の反射部材を兼ねる場合には、Ａｌなどの軽金属を支持体の材料として用いるとよい。
　本例の蛍光体２００は、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム賦活ヨウ化セシウム）を材料に用いて形成されているが、その他の材料、例えば、ＮａＩ：Ｔｌ（タリウム賦活ヨウ化ナトリウム）、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム賦活ヨウ化セシウム）等を用いて形成されてもよい。なお、発光スペクトルがａ－Ｓｉフォトダイオードの分光感度の極大値（５５０ｎｍ付近）と適合する点で、ＣｓＩ：Ｔｌを材料に用いて蛍光体２００を形成することが好ましい。
　図４は、蛍光体２００の構造を模式的に示す側断面図である。蛍光体２００は、柱状部２０と、柱状部２０及び支持体１０１の間に設けられた非柱状部２５とを有する。蛍光体２００において、柱状部２０は白抜き矢印で示すＸ線の入射側に配置され、非柱状部２５はＸ線の入射側とは反対側に配置されている。
　Ｘ線の照射によって蛍光体２００が発した蛍光は、柱状結晶２０Ａによって柱の高さ方向にガイドされ、光検出器４０に入射する。このとき、支持体１０１側に進行した光の一部は、支持体１０１によって反射されて光検出器４０に入射する。
〔３－２．柱状部の構成〕
　柱状部２０は、多数の柱状結晶２０Ａの集合体であり、図４に示した例では、各柱状結晶２０Ａは支持体１０１に対してほぼ垂直に起立する。本例の柱状結晶２０Ａは、先端側がすぼまった形状とされている。柱状結晶２０Ａの先端部は、研磨によって平坦化されていてもよい。光検出器４０の１つの画素（光電変換素子４１）に対して、複数の柱状結晶２０Ａの先端部が対向する。
　図５は、図４のＡ－Ａ断面（柱状部２０の高さ方向略中央の断面）における柱状部２０の電子顕微鏡写真である。隣り合う柱状結晶２０Ａの間には、空隙がある（図５で濃く見える部分）。柱状結晶２０Ａは、結晶の成長方向に対しほぼ均一な断面径を有する。柱状部２０の領域の一部では、隣り合う柱状結晶２０Ａが互いに結合して一体の柱状体を構成している（例えば、図５のＰ）。
　柱状結晶２０Ａの結晶径は、２μｍ以上、８μｍ以下であることが、効率的な導光性を与える観点から好ましく、６μｍ以上、８μｍ以下であることがより好ましい。柱状部２０の径が細すぎると、耐衝撃性が低くなるので、柱状部２０の結晶径は２μｍ以上であることが好ましい。また、径が太すぎると、光検出器４０の画素当たりの柱状結晶２０Ａの数が少なくなるので、柱状結晶２０Ａにクラックが入ってしまった際にその画素の信号に欠陥が生じる確率が高くなってしまう。このため、柱状部２０の結晶径は８μｍ以下であることが好ましい。
　なお、柱状結晶２０Ａの結晶径とは、柱状結晶２０Ａの成長方向上側から観察した結晶の最大径を示す。具体的な測定方法としては、柱状結晶２０Ａの高さ方向に対して垂直な面からＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察することで柱径（断面径）を測定する。１回の撮影でシンチレータパネル１０を表面（支持体１０１とは反対側の面）から見た時に柱状結晶２０Ａが１００本から２００本観察できる倍率（約２０００倍程度）で観察し、１撮影に含まれる結晶全てに対し、高さ方向に走査して得られる柱径の最大値を測定して平均した値を採用する。柱径（μｍ）は小数点以下２桁まで読み、平均値をＪＩＳ　Ｚ　８４０１に従い小数点以下２桁目を丸めた値とした。
　また、柱状部２０の厚みは、必要な感度に対応するＸ線吸収能を考慮して、５００μｍ以上に決められる。ただし、柱状部２０の厚みが厚すぎても、光の減衰及び散乱等のため発光効率が低下しがちである。このため、柱状部２０の厚みは、感度及び発光効率のそれぞれを考慮した適切な値に決められる。
〔３－３．非柱状部の構成〕
　非柱状部２５は、図４に示すように、略球形あるいは不定形の非柱状結晶２５Ａ（の群）を含んで構成されている。なお、非柱状部２５は、アモルファス（非晶質）の部分を含むことがある。
　非柱状結晶２５Ａの形状は、結晶間に空隙が維持され易く、反射効率を高くできる観点から、略球状であることが好ましい。すなわち、非柱状部２５は、球状に近い結晶(略球状結晶である非柱状結晶２５Ａ）の集合体で構成されることが好ましい。
　図６は、図４のＢ－Ｂ断面（非柱状部２５の厚み方向基端側の断面）における非柱状部２５の電子顕微鏡写真である。非柱状部２５では、図５の柱状結晶２０Ａに比較して径の小さい非柱状結晶２５Ａが互いに不規則に結合したり重なり合ったりしており、結晶間の明確な空隙は殆ど認められない。このため、非柱状結晶２５Ａ同士が、非柱状部２５の厚み方向に融着したり、この厚み方向に直交する面内方向にも融着したりすることが多い。また、非柱状部２５にアモルファスの部分が含まれるときには、非柱状結晶２５Ａとアモルファスの部分が厚み方向や面内方向に融着することもある。図５及び図６の観察結果から、非柱状部２５の空隙率は柱状部２０の空隙率よりも低い。
　非柱状部２５の空隙率は、非柱状部２５の支持体１０１への蒸着面積、非柱状部２５の厚み、ＣｓＩ密度、及び実際に測定したシンチレータパネル１０の重量などに基づいて算出される。そのようにして算出された非柱状部２５の厚み方向全体の空隙率は、１０％以下である。
　非柱状部２５は、支持体１０１上に蒸着の初期において形成される。非柱状部２５において支持体１０１表面に接する部分の空隙率は０あるいは略０であり、非柱状部２５の基端部は支持体１０１との接触面全体において支持体１０１に密着する。
　非柱状部２５の厚みは、柱状部２０の厚みよりも小さく、５μｍ以上、１２５μｍ以下であることが好ましい。支持体１０１との密着性を確保するためには、非柱状部２５の厚みは５μｍ以上あることが好ましい。また、光ガイド効果を有しない非柱状部２５の厚みが厚すぎると、非柱状部２５において光が画素間で交錯して画像ボケが生じ易くなるので、非柱状部２５の厚みは１２５μｍ以下であることが好ましい。
　また、非柱状部２５の厚みは、支持体１０１との密着性と光の反射機能とが得られる最小の厚みで足りる。すなわち、非柱状部２５の厚みを１０μｍ以上、５０μｍ以下とすることにより、高価な蛍光物質材料の使用量を節約でき、コストダウンできる。
　なお、非柱状部２５は、製造時の条件等によっては単一の層でなく複数の層が積層された構造とされる場合もある。このような場合、非柱状部２５の厚みは、支持体１０１表面から非柱状部２５の最表層の表面までの厚みをいう。
　非柱状部２５の如く、結晶間が癒着している場合の結晶径の測定は、隣接する非柱状結晶２５Ａ間に生じる窪み（凹）同士を結んだ線を結晶間の粒界と見なし、癒着した結晶同士を最小多角形となるように分離して結晶径を測定し、柱状部２０における柱状結晶２０Ａの径と同様にして平均値をとり、その値を採用した。
　非柱状部２５の非柱状結晶２５Ａの径は、０．５μｍ以上７．０μｍ以下であることが、効率的な反射特性、及び支持体１０１との密着性を与える観点から好ましい。非柱状結晶２５Ａの径は、柱状結晶２０Ａの径よりも小さい。
　ここで、非柱状結晶２５Ａの径が小さい方が略球形の結晶形状が維持され易いので好ましいが、非柱状結晶２５Ａの径が小さすぎると空隙率が０に近づき、非柱状部２５が光の反射層としての役目を有しなくなる。このため、非柱状結晶２５Ａの径は０．５μｍ以上であることが好ましい。また、径が大きすぎると、非柱状部２５の平坦性及び表面積が低下し、支持体１０１との密着性が低下するとともに、結晶同士が結合して空隙率が低下し反射効果が減少する。このため、非柱状部２５の結晶径は７．０μｍ以下であることが好ましい。
　以上説明したような柱状部２０及び非柱状部２５を有するシンチレータパネル１０は、後述するように、支持体１０１上に気相堆積法を用いて形成しうる。なお、柱状部２０と非柱状部２５とは、時間的に連続して形成されていても、支持体１０１上に非柱状部２５が形成された後、時間をおいて柱状部２０が形成されていてもよい。
　支持体１０１上に、真空度及び支持体温度を含む所定の条件で非柱状部２５を形成した後、これらの条件を変更することによって、柱状結晶２０Ａの成長が開始する。柱状部２０は、非柱状部２５の表層部から起立している。このように非柱状部２５をベースに柱状部２０を成長させることにより、柱状部２０の結晶性が良くなる。
　ここで、柱状部２０と非柱状部２５とのそれぞれの厚みを比較する。図４に示すように、柱状部２０の厚みをｔ１とし、非柱状部２５の厚みをｔ２としたとき、ｔ１とｔ２との関係が下記式を満たすことが好ましい。
　　（式）　　　０．０１≦（ｔ２／ｔ１）≦０．２５
　柱状部２０の厚みｔ１と非柱状部２５の厚みｔ２とが上記式を満たすことで、蛍光体２００の厚み方向の各部分における発光効率、及び光の拡散が防止される領域並びに光が反射される領域のそれぞれが好適な範囲となり、光の発光効率、光の検出効率、及び画像の解像度が向上する。非柱状部２５の厚みｔ２が厚すぎる場合には、発光効率の低い領域が増え、感度の低下が懸念される。そのような観点から、（ｔ２／ｔ１）は、０．０２以上０．１以下の範囲であることがより好ましい。
　なお、上述の光検出器４０及びシンチレータパネル１０には、例えばＯＰＣ（有機光電変換材料）、有機ＴＦＴ、非晶質酸化物（例えば、ａ－ＩＧＺＯ）を用いたＴＦＴ、フレキシブル材料（アラミド、バイオナノファイバー）などを使用することができる。これらのデバイス関連材料については後述する。
〔４．柱状部及び非柱状部に関する作用効果〕
　以下、柱状部２０及び非柱状部２５に関する主な作用効果を述べる。
　柱状部２０は非柱状部２５に比べ結晶性が良く、蛍光の発光効率が高い。また、その結晶形状が柱状であって、空隙を介して隣り合う柱状結晶２０Ａが支持体１０１の厚み方向に立設されているので、柱状結晶２０Ａは、光のガイドとなって柱の高さ方向に光を導光する。このような柱状部２０が蛍光体２００においてＸ線の入射側でかつ光検出器４０に近接する位置に配置されたことにより、センサ基板４００を透過した直後の殆ど減衰していないＸ線が柱状部２０に入射して光に変換され、その蛍光が光検出器４０に迅速に入射するので、光検出器４０への入射光量を大きくできる。すなわち、シンチレータパネル１０の利用可能な発光量を大きくできる。このことと、柱状結晶２０Ａによる光ガイド効果によって画素間の光拡散が抑制されることから、検出画像を鮮鋭化できる。
　一方、柱状結晶２０Ａに比べて小径である粒状の結晶と、柱状部２０に比べて低い空隙率で所定の空隙とを有する非柱状部２５は、主に柱状部２０で発光して支持体１０１側に進行した光を光検出器４０に向けて反射する。この非柱状部２５による光の反射は、支持体１０１による光の反射と共に、蛍光体２００が発した光の利用効率向上に寄与する。これにより、光検出器４０に入射し、画像検出に用いられる光量が増大するので、検出画像をより一層鮮鋭化できる。なお、非柱状部２５が光の反射特性を持つため、支持体は、ガラス、カーボンなどの光反射率が低い材料によって形成されていてもよい。
　更に、柱状結晶２０Ａの径よりも小さい径の非柱状結晶２５Ａを含む非柱状部２５が柱状部２０と支持体１０１との間に介在することにより、柱状部２０が支持体１０１表面に直接形成されている構成に比べて蛍光体２００における支持体１０１に対向する部分の平坦度及び表面積が増加するので、蛍光体２００の支持体１０１に対する密着性が向上する。
　このように結晶径の大小関係が規定された非柱状部２５及び柱状部２０によって支持体１０１との密着性が確保されるので、非柱状部２５の剥離強度、非柱状部２５と柱状部２０との接続強度などが向上し、これによってシンチレータパネル１０全体の強度が向上する。
　ここで、上述した（非柱状結晶２５Ａの径　＜　柱状結晶２０Ａの径）の関係とは逆に、（非柱状結晶２５Ａの径　＞　柱状結晶２０Ａの径）であった場合には、非柱状部２５による反射効果が低下してしまう。非柱状部２５の反射特性に鑑みて、非柱状部２５が含む結晶の形状及びその径、空隙率に関しては、結晶の形状が略球形で、空隙率が０超、１０％以下で、空隙率との関係において適切な範囲（前述した０．５μｍ以上、７．０μｍ以下）の径に決められることが好ましい。
　非柱状部２５における略球状の結晶の割合が高いほど、重なり合う結晶間に空隙が維持され易いので、反射効果を確保し易い。結晶径が小さい方が結晶形状が略球形に維持され易いので好ましい。すなわち、非柱状結晶２５Ａの径が柱状結晶２０Ａに対して小さいとき、非柱状結晶２５Ａの略球形が維持され易いので、良好な反射特性が得られる。ただし、径が０．５μｍ未満となるほど小さすぎるときには、空隙率が０に近づくので、反射効果を得るのが困難となる。
　また、結晶径が大きすぎるときにも、略球状の結晶同士が結合して不定形となり、結晶間の空隙が減少するため反射効果も減少する。
　すなわち、略球形の結晶形状を保持し、かつ反射特性を奏功可能な所定の空隙を維持する観点から、非柱状結晶２５Ａの径及び非柱状部２５の空隙率がそれぞれ決められることが好ましい。なお、非柱状部２５の空隙率を決める際には、非柱状部２５の厚みも考慮して決めてよい。
　上記のような支持体１０１への密着性向上により、温度変化時に熱変形した支持体１０１から蛍光体２００が剥離することを防止できる。光検出器４０側からシンチレータパネル１０にＸ線が照射される本例のＸ線画像検出装置１では、制御モジュール５０が支持体１０１に近接する位置に設けられ、この制御モジュール５０の発熱によるシンチレータパネル１０への熱影響が多大であるため、支持体１０１との密着性向上によって支持体１０１からの剥離を防止できることには大きな意義がある。
　また、支持体１０１との密着性が確保されたことにより、支持体１０１上での保護膜３０による蛍光体２００の密閉性が維持されるので、蛍光体２００の潮解による蛍光体２００の性能劣化を防止できる。
　また更に、支持体１０１との密着性が確保されたことにより、落下等の衝撃時に蛍光体２００が損傷することや、剥離による支持体１０１の反射率低下を防止できる。特に、Ｘ線画像検出装置１が装置筐体に貼り合わせられる場合に、装置筐体からの荷重を受けても、蛍光体２００が損傷しにくくできる。
　以上説明したように、Ｘ線画像検出装置１のシンチレータパネル１０は、蛍光体２００に要求される発光量増加、反射特性、及び支持体１０１との密着性のそれぞれを高度にバランスされた状態で発揮する。
　また、蛍光体２００において発光効率が高く光のガイド効果を有する柱状部２０がＸ線入射側に配置され、光の反射機能を有しかつ支持体１０１との密着性を確保する非柱状部２５がＸ線の入射側とは反対側に配置されたことにより、Ｘ線が光検出器４０側からシンチレータパネル１０に向けて照射される構成において、支持体１０１との密着性、及びシンチレータパネル１０から光検出器４０に入射する発光量のいずれをも高く獲得することが可能となる。
　このようなＸ線画像検出装置１によれば、Ｘ線画像を高感度、高精細に検出できるとともに、支持体１０１と蛍光体２００との密着性の向上により、信頼性を向上させることができる。
　以上説明したＸ線画像検出装置１は、医療用のＸ線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。特に、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求されるマンモグラフィ装置には、高感度、高精細であるという特徴を有する本例のＸ線画像検出装置１を好適に使用できる。更に、Ｘ線画像検出装置１がＸ線撮影装置に着脱可能な可搬なカセッテとして構成される場合には、落下衝撃を受ける可能性が高く、支持体１０１との密着による蛍光体２００の耐衝撃性の確保が重要なので、上述した支持体１０１への密着性向上の効果が大きい。
　また、Ｘ線画像検出装置１は、医療用のＸ線撮影装置のほか、例えば、工業用のＸ線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線（α線、β線、γ線）の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。
　なお、図１では、光検出器４０側からシンチレータパネル１０に向けてＸ選が照射されていたが、図７のように、図１とは逆方向からＸ線がシンチレータパネル１０に照射されていてもよい。図７に示す例では、光検出器４０を駆動制御する制御モジュール５０がセンサ基板４００に近接する位置に設けられる。
　図７のような構成によっても、前述した図１の構成による効果とほぼ同様に、蛍光体２００に要求される発光量増加、反射特性、及び支持体１０１との密着性のいずれをもバランスよく発揮できる。
〔５．適用可能なデバイス材料〕
〔５－１．有機光電変換（ＯＰＣ；Organic photoelectric conversion）材料〕
　上述した光電変換素子４１（図２）に、例えば特開２００９－３２８５４号公報に記載されたＯＰＣ（有機光電変換）材料を用いることができる。このＯＰＣ材料により形成された膜（以下、ＯＰＣ膜という）を光電変換素子４１の光導電層４１０として使用できる。ＯＰＣ膜は、有機光電変換材料を含み、蛍光体層から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むＯＰＣ膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、蛍光体層による発光以外の電磁波がＯＰＣ膜に吸収されることがほとんどなく、Ｘ線等の放射線がＯＰＣ膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
　ＯＰＣ膜を構成する有機光電変換材料は、蛍光体層で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、蛍光体層の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と蛍光体層の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ蛍光体層から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、蛍光体層の放射線に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
　このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、アリーリデン系有機化合物、キナクリドン系有機化合物、及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、蛍光体層の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、ＯＰＣ膜で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
　バイアス電極４１１及び電荷収集電極４１２の間に設けられる有機層の少なくとも一部をＯＰＣ膜によって構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ね若しくは混合により形成することができる。
　上記有機層は、有機ｐ型化合物又は有機ｎ型化合物を含有することが好ましい。有機ｐ型半導体（化合物）は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これらに限らず、ｎ型（アクセプター性）化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いることができる。
　有機ｎ型半導体（化合物）は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する５ないし７員のヘテロ環化合物（例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等）、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これらに限らず、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いることができる。
　ｐ型有機色素又はｎ型有機色素としては、公知のものを用いることができるが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、３核メロシアニン色素、４核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）等が挙げられる。
　１対の電極間に、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、該ｐ型半導体とｎ型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該ｐ型半導体及びｎ型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する光電変換膜（感光層）を好適に用いることができる。このように、光電変換膜において、バルクへテロ接合構造層を含ませることにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。なお、上記バルクへテロ接合構造については、特開２００５－３０３２６６号公報において詳細に説明されている。
　光電変換膜の厚みは、蛍光体層からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、電荷分離に寄与しない割合を考慮すると、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
　上述したＯＰＣ膜に関するその他の構成は、例えば、特開２００９－３２８５４号公報の記載が参考となる。
〔５－２．有機ＴＦＴ（Thin Film Transistor）〕
　上述したＴＦＴスイッチング素子４２には、無機材料が使われることが多いが、例えば特開２００９－２１２３８９号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機ＴＦＴはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）構造である。このＦＥＴ構造は、最下層に基板を配置し、その上面の一部にゲート電極を設け、更に該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。更に絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部にソース電極とドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。
（半導体活性層）
　半導体活性層は、ｐ型有機半導体材料を用いてなる。このｐ型有機半導体材料は実質的に無色透明である。有機半導体薄膜の膜厚は、例えば触針式膜厚計により測定できる。膜厚の異なる薄膜を複数作製して吸収スペクトルを測定し、検量線から膜厚３０ｎｍあたりの最大吸光度に換算してもよい。
　ここでいう有機半導体材料とは、半導体の特性を示す有機材料のことであり、無機材料からなる半導体と同様に、正孔（ホール）をキャリアとして伝導するｐ型有機半導体材料（あるいは単にｐ型材料、正孔輸送材料とも言う。）と、電子をキャリアとして伝導するｎ型有機半導体材料（あるいは単にｎ型材料、電子輸送材料とも言う。）がある。有機半導体材料は一般にｐ型材料の方が良好な特性を示すものが多く、また、一般に大気下でのトランジスタ動作安定性もｐ型トランジスタの方が優れているため、ここでは、ｐ型有機半導体材料について説明する。
　有機薄膜トランジスタの特性の一つに、有機半導体層中のキャリアの動きやすさを示すキャリア移動度（単に移動度とも言う）μがある。用途によっても異なるが、一般に移動度は高い方がよく、１．０×１０-7ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが好ましく、１．０×１０-6ｃｍ2／Ｖｓ以上であることがより好ましく、１．０×１０-5ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが更に好ましい。移動度は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子を作製したときの特性や飛行時間計測（ＴＯＦ）法により求めることができる。
　前記ｐ型有機半導体材料は、低分子材料でも高分子材料でも良いが、好ましくは低分子材料である。低分子材料は、昇華精製や再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの様々な精製法が適用できるため高純度化が容易であること、分子構造が定まっているため秩序の高い結晶構造を取りやすいこと、などの理由から高い特性を示すものが多い。低分子材料の分子量は、好ましくは１００以上５０００以下、より好ましくは１５０以上３０００以下、更に好ましくは２００以上２０００以下である。
　このようなｐ型有機半導体材料の好ましい具体例を示す。Ｂｕはブチル基、Ｐｒはプロピル基、Ｅｔはエチル基、Ｐｈはフェニル基をそれぞれ表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
（半導体活性層以外の素子構成材料）
　以下に、有機薄膜トランジスタにおける半導体活性層以外の素子構成材料について説明する。これらの各材料は、いずれも可視光又は赤外光の透過率が６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましい。
　基板としては、必要な平滑性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ガラス、石英、光透過性プラスチックフィルムなどが挙げられる。光透過性プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。また、これらのプラスチックフィルムに、有機あるいは無機のフィラーを含有させてもよい。なお、基板として、アラミド、バイオナノファイバーなどを用いて形成されたフレキシブル基板をも好適に使用しうる。
　ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極を構成する材料としては、必要な導電性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ＩＴＯ（インジウムドープ酸化スズ）、ＩＺＯ（インジウムドープ酸化亜鉛）、ＳｎＯ2、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）、ＺｎＯ、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＴｉＯ2、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）などの導電性酸化物、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸）などの導電性ポリマー、カーボンナノチューブなどの炭素材料が挙げられる。これらの電極材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。
　絶縁層に用いられる材料としては、必要な絶縁効果を有するものであれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナなどの無機材料、ポリエステル（ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）など）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ノボラック樹脂、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、などの有機材料が挙げられる。これらの絶縁膜材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。
　上述した有機ＴＦＴに関するその他の構成は、例えば、特開２００９－２１２３８９号公報の記載が参考となる。
〔５－３．非晶質酸化物半導体〕
　上述したＴＦＴスイッチング素子４２には、例えば特開２０１０－１８６８６０号公報に記載された非晶質酸化物を使用することができる。ここで、特開２０１０－１８６８６０号に記載された電界効果型トランジスタが有する非晶質酸化物含有の活性層について示す。この活性層は、電子又はホールの移動する電界効果型トランジスタのチャネル層として機能する。
　活性層は、非晶質酸化物半導体を含んだ構成とされている。この非晶質酸化物半導体は、低温で成膜可能であるために、可撓性のある基板上に好適に形成される。活性層に用いられる非晶質酸化物半導体としては、好ましくはＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、又はＣｄよりなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む非晶質酸化物であり、より好ましくは、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎよりなる群より選ばれる少なくとも１種を含む非晶質酸化物、更に好ましくは、Ｉｎ、Ｚｎよりなる群より選ばれる少なくとも１種を含む非晶質酸化物である。
　活性層に用いられる非晶質酸化物としては、具体的には、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ，ＳｎＯ２、ＣｄＯ，Ｉｎｄｉｕｍ－Ｚｉｎｃ－Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ）、Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）、Ｇａｌｌｉｕｍ－Ｚｉｎｃ－Ｏｘｉｄｅ（ＧＺＯ）、Ｉｎｄｉｕｍ－Ｇａｌｌｉｕｍ－Ｏｘｉｄｅ（ＩＧＯ）、Ｉｎｄｉｕｍ－Ｇａｌｌｉｕｍ－Ｚｉｎｃ－Ｏｘｉｄｅ（ＩＧＺＯ）が挙げられる。
　活性層の成膜方法としては、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが好ましい。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）が適している。更に、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。例えば、ＲＦマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。
　成膜された活性層は、周知のＸ線回折法によりアモルファス膜であることが確認される。活性層の組成比は、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）分析法により求められる。
　また、この活性層の電気伝導度は、好ましくは１０－４Ｓｃｍ－１以上１０２Ｓｃｍ－１未満であり、より好ましくは１０－１Ｓｃｍ－１以上１０２Ｓｃｍ－１未満である。この活性層の電気伝導度の調整方法としては、公知の酸素欠陥による調整方法や、組成比による調整方法、不純物による調整方法、酸化物半導体材料による調整方法が挙げられる。
　上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開２０１０－１８６８６０号公報の記載が参考となる。
〔５－４．フレキシブル材料〕
　フレキシブルでかつ低熱膨張、高強度といった、既存のガラスやプラスチックでは得られない特性を有するアラミド、バイオナノファイバー等を放射線画像検出装置に用いることも考えられる。
（１）アラミド
　上述したセンサ基板の絶縁性基板４０１や、支持体１０１や、制御モジュール５０の回路基板などとして、フレキシブル材料であるアラミドによって形成されたフィルム（あるいはシート、基板）を使用することができる。アラミド材料は、ガラス転移温度３１５℃という高い耐熱性、ヤング率が１０ＧＰａという高い剛性、熱膨張率が－３～５ｐｐｍ／℃という高い寸法安定性を有する。このため、アラミド製のフィルムを用いると、一般的な樹脂フィルムを用いる場合と比べて、半導体層や蛍光体層の高品質の成膜が容易に行える。また、アラミド材料の高耐熱性により、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化できる。更に、ハンダのリフロー工程を含むＩＣの自動実装にも対応できる。また更に、ＩＴＯ（indium tin oxide）やガス・バリア膜、ガラス基板と熱膨張係数が近いために、製造後の反りが少ない。そして，割れにくい。ここで、ハロゲンを含まないハロゲンフリー（JPCA－ES01－2003の規定に適合）なアラミド材料を用いることが環境負荷低減の点で好ましい。
　アラミドフィルムは、ガラス基板やＰＥＴ基板と積層されてもよいし、デバイスの筐体に貼り付けられてもよい。
　アラミドの分子間の凝集力（水素結合力）の高さによる溶媒への低溶解性を分子設計によって解決することにより、無色透明で薄いフィルムへの成形が容易とされたアラミド材料についても、好適に用いることができる。モノマーユニットの秩序性、及び芳香環上の置換基種・位置を制御する分子設計により、アラミド材料の高剛性や寸法安定性に繋がる直線性の高い棒状の分子構造を維持しつつ、溶解性が良い成形の容易さが得られる。この分子設計により、ハロゲンフリーをも実現できる。
　また、フィルムの面内方向の特性が最適化されたアラミド材料についても、好適に用いることができる。成型中に逐次変化するアラミドフィルムの強度に応じて、溶液キャスト、縦延伸、横延伸の工程ごとに張力条件を制御することにより、直線性の高い棒状分子構造であって物性に異方性が生じやすいアラミドフィルムの面内方向の特性をバランスできる。
　具体的に、溶液キャスト工程では、溶媒の乾燥速度の制御による面内厚み方向の物性の等方化、溶媒を含んだ状態のフィルムの強度とキャスト・ドラムからの剥離強度の最適化、を図る。縦延伸工程では、延伸中に逐次変化するフィルムの強度、溶媒の残留量に応じた延伸条件を精密に制御する。横延伸工程では、加熱によって変化するフィルム強度の変化に応じた横延伸の条件の制御、フィルムの残留応力を緩和するための横延伸の条件の制御を図る。このようなアラミド材料の使用により、成型後のアラミドフィルムがカールしてしまう問題を解決できる。
　上記の成形容易さに対する工夫、及びフィルム面内方向の特性のバランスに対する工夫のいずれにおいても、アラミドならではの直線性の高い棒状の分子構造が維持されているので、熱膨張係数を低く維持できる。製膜時の延伸条件の変更などにより、熱膨張係数を更に低減することも可能である。
（２）バイオナノファイバー
　光の波長に対して十分に小さなコンポーネントは光散乱を生じないことから、ナノファイバーによって補強されたフレキシブルなプラスチック材料などを上述したセンサ基板の絶縁性基板４０１や、支持体１０１や、制御モジュール５０の回路基板などに好適に使用することができる。ナノファイバーの中でも、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束が幅５０ｎｍと、可視光波長に対して約１／１０のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有するバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料（バイオナノファイバーということがある）を好適に使用できる。
　バクテリアセルロースシートにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を約６０～７０％と高い比率で含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示す透明バイオナノファイバーが得られる。このバイオナノファイバーにより、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（約３～７ｐｐｍ）、鋼鉄並の強度(約４６０ＭＰａ)、及び高弾性(約３０ＧＰａ)が得られる。
　上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開２００８－３４５５６号公報の記載が参考となる。
〔６．Ｘ線画像検出装置の製造方法〕
　次に、Ｘ線画像検出装置１を効率的に製造しうる放射線画像検出装置の製造方法について説明する。
　上述の蛍光体２００は、支持体１０１表面に直接気相堆積法により形成されることが好ましい。気相堆積法により非柱状部２５と柱状部２０とを順次連続して形成することができる。ここでは、ＣｓＩ：Ｔｌを用いた態様を例に挙げて説明する。
　気相堆積法の概要としては、真空度０．０１～１０Ｐａの環境下、ＣｓＩ：Ｔｌを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、支持体１０１の温度を室温（２０℃）～３００℃としてＣｓＩ：Ｔｌを支持体上に堆積させる。
　気相堆積法により支持体１０１上にＣｓＩ：Ｔｌの結晶相を形成する際、当初は不定形或いは略球形の直径の比較的小さな結晶の集合体が形成される。気相堆積法の実施に際しては、真空度、支持体温度、及び蒸着レート（蒸着セル温度）の少なくともいずれかの条件を変更することで、非柱状部２５の形成後に連続して柱状結晶２０Ａを成長させることができる（蛍光体形成工程）。
　即ち、所定の厚みｔ２となるように非柱状部２５を形成した後、真空度を上げる、支持体温度を高くする、蒸着レートを下げる等の手段のうち少なくとも一方を行うことで、効率よく均一な柱状結晶２０Ａを成長させることができる。なお、Ｔｌの賦活量を非柱状部２５と柱状部２０とで変えてもよい。
　ここで述べた例では、柱状部２０及び非柱状部２５のいずれの材料にもＣｓＩ：Ｔｌを用いたが、発光効率が高く、蛍光体２００全体の発光効率への寄与度が大きい柱状部２０のみをＣｓＩ：Ｔｌによって形成することも考えられる。この場合にも、発光スペクトル及び湿度による経時劣化に関して上述したＣｓＩ：Ｔｌ使用の利点を十分に享受できる。
　このように、蛍光体形成工程において支持体１０１上に蛍光体２００を形成した後、パリレン等を用いた保護膜３０の蒸着形成によって蛍光体２００を支持体１０１上に封止することにより、シンチレータパネル１０が製造される。なお、保護膜３０は、防湿フィルムでシンチレータパネル１０を気密に包むなどの他の手段によって蛍光体２００の防湿が確保される場合には、形成されなくてもよい。
　このシンチレータパネル１０を光検出器４０と貼り合わせることにより、Ｘ線画像検出装置１を得ることができる。蛍光体２００と光検出器４０との貼り合わせ方法には特に制限はなく、両者が光学的に結合されればよい。両者を貼り合わせる方法としては、両者を対向させて直接密着させる方法と、何らかの接着層や平坦化層を介して密着させる方法のいずれをとってもよい。
　直接密着させる方法としては、蛍光体２００を支持体１０１上に形成した後に、形成された蛍光体２００の柱状部２０の堆積方向先端側の部分と、光検出器であるセンサ基板４００とを対向させて密着させる方法があり、このようにして両者を貼り合わせることで、Ｘ線画像検出装置１が製造される。密着させる工程は必ずしも両者の表面が完全に密着する必要はなく、蛍光体２００表面に結晶による凹凸が存在する場合でも、両者を重ね合せて配置することで光学的に結合していればよく、蛍光体２００においてＸ線が変換された光がセンサ基板４００に入射すればよい。
　また、形成された蛍光体２００の柱状結晶２０Ａの堆積方向先端側の部分と、光検出器４０とを、樹脂層を介して対向させることで光学的に結合させてもよい。樹脂層としては、蛍光体２００の表面を平滑にする平坦化層、両者を密着固定化する接着層、透明な液体又はゲルからなるマッチングオイル層などが挙げられる。これら樹脂層を構成する樹脂は、蛍光体２００から発生するシンチレーション光をほぼ減衰させることなく光検出器４０に到達させうるものであれば特に制限はない。
　平坦化層を形成する樹脂としては、ポリイミドやパリレン等を使用することができ、製膜性が良好なポリイミドが好ましい。
　接着層を形成する接着剤としては蛍光体２００から発生するシンチレーション光に対して光学的に透明なものが好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、UV硬化接着剤、加熱硬化型接着剤、室温硬化型接着剤、両面接着シート、などが挙げられるが、画像の鮮鋭度を低下させないという観点からは、光検出器４０の画素サイズに対して十分に薄い接着層を形成しうるという点で、低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。
　また、樹脂層の厚みは、感度、画像の観点からは５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ～３０μｍの範囲であることがより好ましい。
　以上のような製造方法によりＸ線画像検出装置１を効率よく、容易に製造しうる。また、この製造方法によれば、真空度や支持体温度を制御することで、簡易に種々の仕様の蛍光体２００を設計通りに製造することができるという利点をも有するものである。
〔７．変形例〕
　図８は、上述したＸ線画像検出装置１の変形例を示す。図８に示した蛍光体２２０は、上述した柱状部２０と及び非柱状部２５に加え、センサ基板４００側に配置される他の非柱状部２８を有する。この非柱状部２８は、非柱状部２５の厚みよりも薄く形成されている。非柱状部２８には、アモルファス状の部分が混じることもある。
　この非柱状部２８の空隙率は、支持体１０１に側に配置された非柱状部２５の空隙率よりも低くてよい。非柱状部２８の空隙率が低く、かつ厚みが薄いことから、非柱状部２８における光の反射、散乱、減衰などは無視しうる。このような非柱状部２８が柱状部２０の先端側に設けられて柱状部２０の先端部が平坦化されるので、保護膜３０を介して蛍光体２００とセンサ基板４００との密着性が向上する。これにより、落下衝撃時などに蛍光体２２０に加わった外力がセンサ基板４００によって緩衝されるので、耐衝撃性を向上させることができる。特に、Ｘ線画像検出装置１が装置筐体に貼り合わせられる場合に、装置筐体からの荷重を受けても、蛍光体２２０が損傷しにくくできる。
　また、センサ基板４００との密着性にムラがあると検出画像にムラが表れ易いが、そのようなことがなく、検出画像の画質を均一化できる。
　また、このような非柱状部２８によって、保護膜３０（図１）の成膜時にパリレン等の材料が柱状結晶２０Ａ間に入り込むことを防止できる。柱状結晶２０Ａ間の空隙にパリレン等が入り込むと、柱状結晶２０Ａと、隣り合う柱状結晶２０Ａの間の領域との屈折率差が小さくなり、これによって光の臨界角が大きくなって、柱状結晶２０Ａによる導光性能が低下する。非柱状部２８の形成により、このような不具合発生を防止できる。
〔８．製作例〕
　以下、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら具体例に制限されるものではない。
［製作例１］
１．シンチレータの成膜
　支持体として、液晶用の無アルカリガラス基板（０．７ｍｍ厚）を準備した。
　まず、支持体に対して、ＣｓＩ結晶層との密着性向上を目的としてＡｒプラズマで表面処理した。その後、表面処理した支持体をシンチレータ成膜用の真空チャンバーにセットした。真空チャンバーは原料のＣｓＩ、ＴｌＩをそれぞれ独立に加熱するための複数のるつぼを備えている。チャンバーを排気した後、Ａｒを一定量流入することで装置真空度を０．７５Ｐａに設定した。原料るつぼを加熱して原料の融液状態が安定した時点で、支持体を真空装置の装置機構により同心円状に回転させ、シャッターを開き、非柱状部部分の蒸着を開始した。
　この条件で製膜を行い、非柱状部の膜厚（ｔ２）が５μｍとなった時点で真空度を１Ｐａに上げ、柱状結晶の蒸着を開始した。なお、真空度を変更する際には原料の融液状態が変化するため、一度シャッターを閉じ、融液状態が安定したのを確認してから再度シャッターを開き、蒸着を再開した。柱状結晶膜厚（ｔ１）が５００μｍとなった時点で原料るつぼの加熱を止め、真空装置に吸気して支持体上に蒸着により、非柱状部と柱状部とを有する蛍光体を形成した。
２．シンチレータ層における物性評価
２－１．非柱状部の厚み（ｔ２）及び柱状部の厚み（ｔ１）の測定
　蛍光体の任意の一部を割断し、柱状結晶の側面からＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察することで膜厚を測定した。膜厚の値は切り出した部分から無作為に１０カ所を選択して測定した値の平均値を用いた。なお、ＣｓＩは非導電性のため、Ａｕを約２００ÅスパッタしてからＳＥＭ観察を行った。
２－２．非柱状部及び柱状部の結晶径の測定
　蛍光体の一部を支持体若しくは後述する製作例１３においては、光検出基板から剥離し、柱状結晶の膜厚方向に対して垂直な面からＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察することで柱径（柱状結晶の断面径）を測定した。１回の撮影でシンチレータを表面から見た時に柱状結晶が１００本から２００本観察できる倍率（約２０００倍程度）で観察し、１撮影に含まれる結晶全てに対し、柱状結晶の柱径の最大値を測定して平均した。
　なお、非柱状部の如く、結晶間が癒着している場合には、隣接結晶間に生じる窪み（凹）同士を結んだ線を結晶間の粒界と見なし、癒着した結晶同士を最小多角形となるように分離して結晶径を測定した。結晶径（μｍ）は小数点以下２桁まで読み、平均値をＪＩＳ　Ｚ　８４０１に従い小数点以下２桁目を丸めた値とした。
　支持体から蛍光体が剥離しにくい場合には、支持体から１００μｍ程度の位置にて蛍光体を結晶成長方向に垂直にスライスし、支持体に付着したＣｓＩ結晶の界面付近の形状が観察できる距離までＡｒイオンでエッチングした後、エッチング面から観察した。ＣｓＩは非導電性のため、Ａｕを約２０ÅスパッタしてからＳＥＭ観察を行った。
２－３．非柱状部の空隙率の測定
　製作例１～１１について、図４のＢ－Ｂ断面に相当する位置における非柱状部の空隙率を測定し、表１に示した。非柱状部の空隙率は、非柱状部の支持体への蒸着面積、非柱状部の厚み、ＣｓＩ密度、及び実際に測定したシンチレータパネルの重量に基づいて算出した。
３．放射線画像検出装置の作製
　光検出器を準備し、表面にスピンコーターで、溶媒で希釈した低粘度エポキシ樹脂接着剤（ハンツマン社製アラルダイト２０２０）を溶媒揮発後の厚さが１５μｍとなるように塗布して接着層を形成した。光検出器に形成された接着層と得られた蛍光体の柱状部側を対向させたのち、加熱することで光検出器と蛍光体とを接着層を介して貼り合わせた。
　その後、光検出器の端子部にＴＦＴ駆動用の回路基板と、電荷読み取り用の集積回路ＩＣを異方性導電膜により貼り付け、駆動制御とＡＤ変換を行うための回路基板に接続して製作例１のＸ線画像検出装置を作製した。
　放射線が光検出器側から入射するように配置し、放射線画像の読み取りは、Ｘ線画像検出装置とケーブルで接続した走査用のＰＣを制御することにより実施した。
４．放射線画像検出装置の評価
４－１．感度
　放射線としてＸ線を使用した。Ｘ線照射時に光検出器を電気回路で駆動させ、シンチレーション光によりフォトダイオードで発生した光電変換による電荷を読み出し、チャージアンプで増幅した後にＡＤ変換することで発生電荷量を計算した。
　Ｘ線非照射時の読み取り電荷（検出系のノイズ）量を事前に測定し、Ｘ線照射時の発生電荷量から差し引いた値を感度とした。なお、結果は後述する製作例１２における感度を１００とした時の相対値で示す。製作例１の感度は１２０であった。
４－２．ＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）
　ＩＥＣ規格に準拠し、Ｗ（タングステン）製のＭＴＦエッジを撮影して得られたエッジ像を演算することでＭＴＦ曲線を得た。結果は２ｃｙｃｌｅ／ｍｍの値で比較し、製作例１２の値を１００とした時の相対値で示す。製作例１のＭＴＦは１００であった。
４－３．総合判断
　前記感度及びＭＴＦの評価結果の積を指標として放射線画像検出装置の性能を判断した。感度とＭＴＦの積は１２０以上であると画像を官能評価した際に性能の違いがはっきりと認識され好ましい。製作例１の総合評価は１２０であり、後述する製作例１２に対し、感度、画像の鮮鋭度に優れることがわかる。
［製作例１２］
　支持体として、製作例１で用いたガラス基板に変えて、ウェットエッチングにより表面に５μｍピッチで高さ５μｍ程度の凹凸を設けたガラス基板を用いた。
　蛍光体の形成において、非柱状結晶部分の蒸着は行わずに、支持体上に直接柱状結晶層の蒸着を実施した以外は製作例１と同様にして製作例１２の放射線画像検出装置を作製した。製作例１と同様にして評価し、製作例１２の結果を１００として相対評価をおこなう。
［製作例２～製作例６］
　製作例１において、非柱状結晶部分の膜厚を、真空度が０．７５Ｐａ時の蒸着時間を変更することで表１に記載のように調整した他は製作例１と同様にして、製作例２～製作例６の放射線画像検出装置を作製し、同様に評価した。結果を下記表1に示す。
［製作例７～製作例１１］
　製作例１において、非柱状結晶部分の製膜に際して、真空度を表１に示すものに変えて、非柱状部２５における結晶径を表１に記載のように調製した他は製作例１と同様にして、製作例２～製作例６の放射線画像検出装置を作製し、同様に評価した。結果を下記表1に示す。
［製作例１３］
　支持体として、製作例３で用いたガラス基板に変えて、光検出器表面に直接蛍光体を、製作例３と同様の条件にて製膜して形成した。本態様では、光検出器の近傍に非柱状部がまず形成され、その後、柱状部が形成されることになり、熱硬化性の接着剤による貼り合わせは実施していない。この処理以外は、製作例３と同様に行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、表１に示した膜厚、平均結晶径、及び平均柱径のそれぞれの単位はμｍである。
　表１に明らかなように、本発明の製作例１～１１の放射線画像検出装置は、蛍光体がすべて柱状結晶で構成される製作例１２に比べて、高感度でかつ、画像のボケなどの画質低下が抑制され、得られる画像の鮮鋭度が高いことがわかる。
　他方、光検出器側近傍に非柱状部を有する製作例１３では、非柱状部における散乱及び発光効率の低下に起因して、十分な感度が得られないことがわかる。
　ここで、非柱状結晶の径に関し、上述した（非柱状結晶の径　＜　柱状結晶の径）の大小関係に適合する製作例１～６及び製作例９～１１に比較して、前記径の大小関係が逆転した製作例７、８の感度及びＭＴＦは劣り、総合評価も製作例１等の高い水準にはない。特に、非柱状結晶径が柱状結晶径を大きく上回る製作例７において性能劣化が顕著である。これらの製作例７、８から、非柱状結晶の径が柱状結晶の径よりも大きいとき、感度及びＭＴＦが低下することがわかる。
　製作例１～１１より、非柱状結晶の径の好適な範囲は０．５μｍ～７μｍであり、柱状結晶の径の好適な範囲は２μｍ～８μｍであることが導かれる。
〔９．本明細書の開示内容〕
　以上、説明したように、本明細書には、支持体上に形成され放射線の照射によって蛍光を発する蛍光体を備え、前記蛍光体は、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶を含む柱状部、及び前記柱状部と前記支持体との間に設けられかつ非柱状結晶を含む非柱状部を有し、前記非柱状結晶の径は、前記柱状結晶の径よりも小さい、シンチレータパネルが開示されている。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記非柱状部は、前記蛍光物質の結晶が略球形あるいは不定形の前記非柱状結晶の群を含み、前記非柱状部に含まれる少なくとも一部の非柱状結晶同士が、前記非柱状部の厚み方向に直交する面内方向に融着している。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記柱状結晶の径は、２μｍ以上、８μｍ以下であり、前記非柱状結晶の径は、０．５μｍ以上、７μｍ以下である。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記非柱状部の厚みは、前記柱状部の厚みよりも小さい。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記柱状部の厚みは、５００μｍ以上であり、前記非柱状部の厚みは、５μｍ以上、１２５μｍ以下である。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記非柱状部の空隙率は、前記柱状部の空隙率よりも低い。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記非柱状部の空隙率は、１０％以下である。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記蛍光体は、前記支持体上に気相堆積法により形成され、前記非柱状部及び前記柱状部は、前記支持体上にこの順で形成される。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記非柱状部は、略球状の結晶を含む。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記柱状部及び前記非柱状部のうち少なくとも前記柱状部は、Ｃｓｌ及びＴｌを含んで形成される。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルは、前記柱状部の前記非柱状部が設けられた側とは反対側に、他の非柱状部を更に有する。
　また、本明細書には、上述のシンチレータパネルと、前記蛍光体が発した蛍光を電気信号として検出する光検出器と、を備える、放射線画像検出装置が開示されている。
　また、本明細書に開示された放射線画像検出装置は、前記シンチレータパネルが放射線の進行方向において前記光検出器の後側に配置されるとともに、前記蛍光体において前記非柱状部が前記光検出器側とは反対側に配置される。
　また、本明細書に開示された放射線画像検出装置は、前記シンチレータパネルの放射線入射側とは反対側に、前記光検出器を駆動制御する制御部が設けられる。
　また、本明細書に開示された放射線画像検出装置は、可搬なカセッテとして構成される。
　また、本明細書には、前記支持体上に、気相堆積法によって、前記蛍光物質の結晶を前記支持体上に堆積させて、前記柱状部と前記非柱状部を前記支持体上に形成し、前記柱状部を形成するときの真空度、支持体温度、及び蒸着レートの条件のうち、少なくともいずれかの条件を変更して、前記非柱状部を形成するシンチレータパネルの製造方法が開示されている。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルの製造方法は、形成された蛍光体の前記柱状部の堆積方向先端側の部分と、前記光検出器とを対向させて密着させる。
　また、本明細書に開示されたシンチレータパネルの製造方法は、形成された蛍光体の前記柱状部の堆積方向先端側の部分と、前記光検出器とを、樹脂層を介して対向させることで光学的に結合させる。
　本発明を詳細に又は特定の実施形態を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は、２０１０年１２月２７日出願の日本特許出願（特願２０１０－２９１３８９）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明は、放射線画像を高感度、高精細に検出しうるため、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求される、マンモグラフィなどの医療診断用のＸ線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。例えば、工業用のＸ線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線（α線、β線、γ線）の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。
１　　　Ｘ線画像検出装置（放射線画像検出装置）
１０　　シンチレータパネル
１０１　支持体
２００　蛍光体
２０　　柱状部
２０Ａ　柱状結晶
２５　　非柱状部
２５Ａ　非柱状結晶
３０　　保護膜
４０　　光検出器
４００　センサ基板
５０　　制御モジュール

Claims (17)

  1. 　支持体上に形成され放射線の照射によって蛍光を発する蛍光体を備え、
    　前記蛍光体は、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶を含む柱状部、及び前記柱状部と前記支持体との間に設けられかつ非柱状結晶を含む非柱状部を有し、
    　前記非柱状結晶の径は、前記柱状結晶の径よりも小さい、シンチレータパネル。
  2. 　請求項１に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記非柱状部は、前記蛍光物質の結晶が略球形あるいは不定形の前記非柱状結晶の群を含み、
    　前記非柱状部に含まれる少なくとも一部の非柱状結晶同士が、前記非柱状部の厚み方向に直交する面内方向に融着しているシンチレータパネル。
  3. 　請求項１又は２に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記柱状結晶の径は、２μｍ以上、８μｍ以下であり、
    　前記非柱状結晶の径は、０．５μｍ以上、７μｍ以下である、シンチレータパネル。
  4. 　請求項１から３のいずれか一項に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記非柱状部の厚みは、前記柱状部の厚みよりも小さい、シンチレータパネル。
  5. 　請求項４に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記柱状部の厚みは、５００μｍ以上であり、
    　前記非柱状部の厚みは、５μｍ以上、１２５μｍ以下である、シンチレータパネル。
  6. 　請求項１から５のいずれか一項に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記非柱状部の空隙率は、前記柱状部の空隙率よりも低い、シンチレータパネル。
  7. 　請求項１から６のいずれか一項に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記非柱状部の空隙率は、１０％以下である、シンチレータパネル。
  8. 　請求項１から７のいずれか一項に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記蛍光体は、前記支持体上に気相堆積法により形成され、
    　前記非柱状部及び前記柱状部は、前記支持体上にこの順で形成される、シンチレータパネル。
  9. 　請求項１から８のいずれか一項に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記柱状部及び前記非柱状部のうち少なくとも前記柱状部は、Ｃｓｌ及びＴｌを含んで形成される、シンチレータパネル。
  10. 　請求項１から９のいずれか一項に記載のシンチレータパネルであって、
    　前記柱状部の前記非柱状部が設けられた側とは反対側に、他の非柱状部を更に有する、シンチレータパネル。
  11. 　請求項１から１０のいずれか一項に記載のシンチレータパネルと、
    　前記蛍光体が発した蛍光を電気信号として検出する光検出器と、を備える、放射線画像検出装置。
  12. 　請求項１１に記載の放射線画像検出装置であって、
    　前記シンチレータパネルが放射線の進行方向において前記光検出器の後側に配置されるとともに、前記蛍光体において前記非柱状部が前記光検出器側とは反対側に配置される、放射線画像検出装置。
  13. 　請求項１２に記載の放射線画像検出装置であって、
    　前記シンチレータパネルの放射線入射側とは反対側に、前記光検出器を駆動制御する制御部が設けられる、放射線画像検出装置。
  14. 　請求項１１から１３のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置は、
    　可搬なカセッテとして構成される放射線画像検出装置。
  15. 　請求項１から１０のいずれか一項に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、
    　気相堆積法によって、前記蛍光物質の結晶を前記支持体上に堆積させて、前記柱状部と前記非柱状部を前記支持体上に形成し、
    　前記柱状部を形成するときの真空度、支持体温度、及び蒸着レートの条件のうち、少なくともいずれかの条件を変更して、前記非柱状部を形成するシンチレータパネルの製造方法。
  16. 　請求項１５に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、
    形成された蛍光体の前記柱状部の堆積方向先端側の部分と、前記光検出器とを対向させて密着させる、シンチレータパネルの製造方法。
  17. 　請求項１５に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、
    形成された蛍光体の前記柱状部の堆積方向先端側の部分と、前記光検出器とを、樹脂層を介して対向させることで光学的に結合させる、シンチレータパネルの製造方法。
PCT/JP2011/062402 2010-12-27 2011-05-30 シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置 WO2012090528A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010291389A JP2012137440A (ja) 2010-12-27 2010-12-27 シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置
JP2010-291389 2010-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012090528A1 true WO2012090528A1 (ja) 2012-07-05

Family

ID=46382654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/062402 WO2012090528A1 (ja) 2010-12-27 2011-05-30 シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2012137440A (ja)
WO (1) WO2012090528A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007315866A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Fujifilm Corp 放射線画像変換パネルおよび放射線画像変換パネルの製造方法
JP2008111789A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Fujifilm Corp 放射線検出器およびその製造方法
WO2010061727A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007315866A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Fujifilm Corp 放射線画像変換パネルおよび放射線画像変換パネルの製造方法
JP2008111789A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Fujifilm Corp 放射線検出器およびその製造方法
WO2010061727A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012137440A (ja) 2012-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5460572B2 (ja) 放射線画像検出装置及びその製造方法
JP5557773B2 (ja) 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ並びに放射線撮影装置
JP5325872B2 (ja) 放射線画像検出装置及びその製造方法
JP5422581B2 (ja) 放射線画像検出装置及びその製造方法
JP5557769B2 (ja) 放射線画像検出装置及びその製造方法
JP5703044B2 (ja) 放射線画像検出装置及びその製造方法
JP5604323B2 (ja) 放射線画像検出装置
JP5677136B2 (ja) 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ
JP5538205B2 (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法、並びに放射線画像検出装置
US20120241627A1 (en) Radiological image detection apparatus and method of manufacturing the same
JP2013015347A (ja) 放射線画像検出装置
US8872115B2 (en) Radiological image conversion panel, method of manufacturing the same, and radiological image detection apparatus
US8558183B2 (en) Radiological image conversion panel, manufacturing method thereof and radiological image detection apparatus
JP2012159305A (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像検出装置
JP5286437B2 (ja) 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法
WO2012090528A1 (ja) シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置
JP6002820B2 (ja) 放射線画像検出装置
JP2012159306A (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像検出装置
JP2012173127A (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法並びに放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法
JP2013088308A (ja) 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法、並びに放射線撮影装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11854455

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11854455

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1